KR20230143992A

KR20230143992A - Device for sensing gas having ligand compounds arranged in parallel

Info

Publication number: KR20230143992A
Application number: KR1020230132969A
Authority: KR
Inventors: 홍수린
Original assignee: 차의과학대학교 산학협력단
Priority date: 2021-05-24
Filing date: 2023-10-06
Publication date: 2023-10-13
Also published as: KR20230143989A; KR20230144515A; KR20230143996A; KR102608103B1; KR20220158393A; KR102608101B1; KR102608107B1; KR20230143993A; KR20230143995A; KR20230144514A; KR20230143990A; KR102608102B1; KR102608108B1; KR102608100B1; KR20230143991A; KR20230144516A; KR102608104B1; KR102608106B1; KR20230143994A; KR102643100B1

Abstract

본 발명은 평행 배열된 리간드 화합물을 구비한 가스 감지 장치에 관한 것이다. 구체적으로, 본 발명의 실시예에 따르면, 기판, 상기 기판의 하면에 구비되는 프리즘, 상기 기판의 상면에 구비되는 금속층, 상기 금속층의 상면 중 적어도 일부에 구비되는 금속 산화물층 및 상기 금속 산화물층의 상면 중 적어도 일부에 배치되는 리간드 화합물층을 포함하는 가스 감지 칩; 및 상기 가스 감지 칩의 상부에 결합되어 상기 가스 감지 칩을 커버하고, 상기 가스 감지 칩 상으로 복수의 성분을 포함하는 가스를 주입하며, 상기 가스 감지 칩 상으로 주입된 상기 가스를 배출시키는 가스 주입 모듈을 포함하고, 상기 가스 주입 모듈은, 상기 리간드 화합물층이 수용되도록 요입 형성되고, 일 방향으로 연장되어 상기 가스 감지 칩으로 주입된 상기 가스의 유동경로를 제공하는 가스 채널을 포함하고, 상기 가스 채널에 수용된 상기 리간드 화합물층은 상기 가스 채널을 따라 유동하는 상기 가스와 적어도 일 회 접촉되어 상기 가스에 포함된 복수의 성분 중 어느 하나의 성분과 반응하는 평행 배열된 리간드 화합물을 구비한 가스 감지 장치가 제공될 수 있다.The present invention relates to a gas sensing device having ligand compounds arranged in parallel. Specifically, according to an embodiment of the present invention, a substrate, a prism provided on the lower surface of the substrate, a metal layer provided on the upper surface of the substrate, a metal oxide layer provided on at least a portion of the upper surface of the metal layer, and the metal oxide layer A gas sensing chip including a ligand compound layer disposed on at least a portion of the upper surface; and a gas injection that is coupled to the upper part of the gas sensing chip to cover the gas sensing chip, injecting a gas containing a plurality of components into the gas sensing chip, and discharging the gas injected into the gas sensing chip. a module, wherein the gas injection module includes a gas channel that is recessed to accommodate the ligand compound layer and extends in one direction to provide a flow path for the gas injected into the gas sensing chip, the gas channel The ligand compound layer accommodated in is contacted with the gas flowing along the gas channel at least once to react with any one of a plurality of components included in the gas. A gas sensing device is provided with a ligand compound arranged in parallel. It can be.

Description

Gas sensing device having ligand compounds arranged in parallel {DEVICE FOR SENSING GAS HAVING LIGAND COMPOUNDS ARRANGED IN PARALLEL}

본 발명은 평행 배열된 리간드 화합물을 구비한 가스 감지 장치에 대한 것이다.The present invention relates to a gas sensing device having ligand compounds arranged in parallel.

일반적으로, 표면 플라즈몬(surface plasmon)이란, 금속 박막의 표면을 따라 전파하는 자유전자의 양자화된 진동 모드(vibration mode)를 의미한다. 이러한 표면 플라즈몬은 프리즘과 같은 유전 매체를 지나 유전 매체의 임계각 이상의 각도를 가지고 금속 박막에 입사하는 입사광에 의하여 여기되어 공명을 일으킨다. 이를 표면 플라즈몬 공명(surface plasmon resonance, 이하, 'SPR'이라 함.)이라고 한다.Generally, surface plasmon refers to a quantized vibration mode of free electrons propagating along the surface of a metal thin film. These surface plasmons are excited by incident light that passes through a dielectric medium such as a prism and enters the metal thin film at an angle greater than the critical angle of the dielectric medium, causing resonance. This is called surface plasmon resonance (hereinafter referred to as ‘SPR’).

이때, SPR이 일어나는 입사각 즉, SPR 각은 금속 박막에 근접한 물질의 굴절률 변화에 매우 민감하다. 이러한 SPR의 특성은 금속 박막에 근접한 물질 즉, 측정 대상 물질의 굴절률 변화로부터 측정 대상 물질의 정량 분석, 정성 분석, 두께 또는 농도를 측정하는 센서로 응용될 수 있다.At this time, the incident angle at which SPR occurs, that is, the SPR angle, is very sensitive to changes in the refractive index of the material close to the metal thin film. These characteristics of SPR can be applied as a sensor that measures quantitative analysis, qualitative analysis, thickness or concentration of the material to be measured from changes in the refractive index of the material close to the metal thin film, that is, the material to be measured.

SPR을 센서로 응용하려는 시도는 1982년 C. Nylander와 B. Liedberg에 의해 처음으로 제안되었다[C. Nylander and B. Liedberg, “Gas detection by means of surface plasmons resonance”, Sensors and Actuators 3, pp. 79-88, 1982.]. 그 후, SPR 센서는 생체 분자의 상호 작용을 형광 물질과 같은 표지자 없이 측정할 수 있는 대표적인 비표지 방식 바이오센서 시스템의 하나로 자리잡게 되었고, 1990년에 스웨덴의 Bicore AB사에서 최초로 상용화되었으며, 현재에는 많은 바이오 관련 연구자들에 의해 이용되는 보편적인 센서 시스템으로 정착되었다.An attempt to apply SPR as a sensor was first proposed by C. Nylander and B. Liedberg in 1982 [C. Nylander and B. Liedberg, “Gas detection by means of surface plasmons resonance”, Sensors and Actuators 3, pp. 79-88, 1982.]. Afterwards, the SPR sensor became one of the representative label-free biosensor systems that can measure the interactions of biomolecules without markers such as fluorescent substances. It was first commercialized by Bicore AB in Sweden in 1990, and is currently used It has become established as a universal sensor system used by many bio-related researchers.

한편, 종래 기술에 따른 SPR 센서에 대하여 간략히 설명하면, SPR 센서는 기판, 기판의 상부에 형성된 금속 박막, 금속 박막과 광학적으로 결합되도록 기판의 하부에 형성된 프리즘, 프리즘으로 광을 제공하는 광원 및 기판으로부터 반사된 광을 감지하는 수광부를 포함한다. 여기서, 측정 대상 물질은 금속 박막 상에 위치하게 된다.Meanwhile, to briefly describe the SPR sensor according to the prior art, the SPR sensor consists of a substrate, a metal thin film formed on the upper part of the substrate, a prism formed on the lower part of the substrate to be optically coupled to the metal thin film, a light source that provides light to the prism, and a substrate. It includes a light receiving unit that detects light reflected from. Here, the material to be measured is located on a metal thin film.

이때, 종래 기술에 따른 SPR 센서는 프리즘으로 입사하는 입사광의 각도 변화에 따른 SPR 각의 변화와 반사율의 변화를 수광부를 통해 측정하여 측정 대상 물질의 어느 한 점 또는 픽셀에서의 굴절률 변화가 측정됨으로써, 측정 대상 물질에 포함된 성분이 검출될 수 있다.At this time, the SPR sensor according to the prior art measures the change in SPR angle and reflectance according to the angle change of the incident light entering the prism through the light receiver, and the change in refractive index at any point or pixel of the material to be measured is measured, Components contained in the substance to be measured can be detected.

한편, 1987년과 1988년에 입사되는 광의 각도와 파장을 고정하고, 이차원의 확장된 입사광을 이용하여, 금속 박막 위의 각 픽셀에서의 측정 대상 물질의 굴절률 변화를 영상으로 측정하는 표면 플라즈몬 공명 이미징 센서(surface plasmon resonance imaging, 이하, 'SPRI'이라 함.)가 제안되었다.Meanwhile, in 1987 and 1988, surface plasmon resonance imaging was used to fix the angle and wavelength of incident light and measure the change in refractive index of the material to be measured at each pixel on a metal thin film as an image using two-dimensional expanded incident light. A sensor (surface plasmon resonance imaging, hereinafter referred to as 'SPRI') was proposed.

종래 기술에 따른 SPRI에 대하여 간략히 설명하면, SPRI는 기판, 기판의 상부에 형성된 금속 박막, 금속 박막과 광학적으로 결합되도록 기판의 하부에 형성된 프리즘, 프리즘으로 광을 제공하는 광원 및 기판으로부터 반사된 광을 감지하는 수광부를 포함한다. 여기서, 측정 대상 물질은 금속 박막 상에 위치하게 된다.Briefly explaining SPRI according to the prior art, SPRI consists of a substrate, a metal thin film formed on the top of the substrate, a prism formed on the bottom of the substrate to be optically coupled to the metal thin film, a light source that provides light to the prism, and light reflected from the substrate. It includes a light receiving unit that detects. Here, the material to be measured is located on a metal thin film.

이때, 종래 기술에 따른 SPRI는 광원에서 제공되는 광을 이차원 평행광으로 확장시켜 프리즘에 입사시키고, 기판에서 반사되어 나오는 광을 각 픽셀 단위로 측정할 수 있는 다중 채널(multiple channel) 수광 소자, 예컨대, CCD(charge-coupled device) 카메라를 사용한다. 이때, CCD 카메라를 통해 측정 대상 물질의 굴절률 변화가 이차원 이미지로 측정됨에 따라, 측정 대상 물질에 포함된 성분이 검출될 수 있다.At this time, SPRI according to the prior art expands the light provided from the light source into two-dimensional parallel light, enters the prism, and measures the light reflected from the substrate in each pixel unit, such as a multiple channel light receiving element. , a CCD (charge-coupled device) camera is used. At this time, as the change in refractive index of the material to be measured is measured as a two-dimensional image through a CCD camera, components contained in the material to be measured can be detected.

한편, SPRI는 주로 액상의 측정 대상 물질에 포함된 성분을 검출하는 센서로 활용되고 있다. 예를 들어, 액상의 측정 대상 물질에 포함된 성분을 검출하는 SPRI 센서 칩은 패턴화된 칩 표면의 동시 이미징이 가능하기 때문에, 하나의 칩으로 액상의 측정 대상 물질에 포함된 복수의 성분을 다중 검출할 수 있다는 장점이 있다.Meanwhile, SPRI is mainly used as a sensor to detect components contained in liquid measurement target substances. For example, the SPRI sensor chip, which detects the components contained in the liquid measurement target material, is capable of simultaneous imaging of the patterned chip surface, so multiple components contained in the liquid measurement target material can be multiplexed with one chip. It has the advantage of being detectable.

이에, SPRI를 기상의 측정 대상 물질에 포함된 성분을 검출하는 센서로 활용하기 위한 시도도 이루어지고 있으나, 기상의 측정 대상 물질의 SPR 굴절률 변화를 감지하는 것이 액상의 측정 대상 물질의 SPR 굴절률 변화를 감지하는 것보다 어렵기 때문에, SPRI를 이용하여 기상의 측정 대상 물질에 포함된 성분을 안정적으로 검출할 뿐만 아니라, 기상의 측정 대상 물질에 포함된 복수의 성분을 다중 검출할 수 있는 기술은 전무하다고 볼 수 있다.Accordingly, attempts are being made to utilize SPRI as a sensor to detect components included in the gaseous measurement target material. However, detecting the SPR refractive index change of the gaseous measurement target material is better than detecting the SPR refractive index change of the liquid measurement target material. Because it is more difficult than detecting, there is no technology that can not only stably detect components contained in a gaseous measurement target substance using SPRI, but also multiplex detect multiple components contained in a gaseous measurement target substance. can see.

따라서, SPRI를 이용하여 기상의 측정 대상 물질에 포함된 성분을 안정적으로 검출할 뿐만 아니라, 기상의 측정 대상 물질에 포함된 복수의 성분을 다중 검출할 수 있는 가스 감지 칩 및 이를 포함하는 가스 감지 장치에 대한 기술이 필요한 실정이다.Therefore, a gas detection chip and a gas detection device including the same are capable of not only stably detecting the components contained in the gaseous measurement target material using SPRI, but also capable of multiplexing detection of a plurality of components included in the gaseous measurement target material. There is a need for technology.

본 발명의 실시예들은 상술한 종래의 문제점을 해결하고자 안출된 것으로서, 광원부 및 수광부의 각도를 제어하고, 신호 변환 알고리즘을 개선함으로써, SPRI를 이용하여 기상의 측정 대상 물질에 포함된 성분을 안정적으로 검출할 수 있는 평행 배열된 리간드 화합물을 구비한 가스 감지 장치를 제공하고자 한다.Embodiments of the present invention were devised to solve the above-described conventional problems. By controlling the angles of the light source and light receiver and improving the signal conversion algorithm, the components contained in the gaseous measurement target material can be stably measured using SPRI. An object is to provide a gas sensing device having a parallel array of ligand compounds capable of detection.

또한, 본 발명의 실시예들은 가스 주입 모듈을 통해 기상의 측정 대상 물질을 공급받아서 기상의 측정 대상 물질에 포함된 복수의 성분을 다중 검출할 수 있는 평행 배열된 리간드 화합물을 구비한 가스 감지 장치를 제공하고자 한다.In addition, embodiments of the present invention provide a gas detection device equipped with a parallel array of ligand compounds capable of multiplexing detection of a plurality of components contained in the gaseous measurement target material by receiving a gaseous measurement target material through a gas injection module. We would like to provide

본 발명의 일 측면에 따르면, 기판, 상기 기판의 하면에 구비되는 프리즘, 상기 기판의 상면에 구비되는 금속층, 상기 금속층의 상면 중 적어도 일부에 구비되는 금속 산화물층 및 상기 금속 산화물층의 상면 중 적어도 일부에 배치되는 리간드 화합물층을 포함하는 가스 감지 칩; 및 상기 가스 감지 칩의 상부에 결합되어 상기 가스 감지 칩을 커버하고, 상기 가스 감지 칩 상으로 복수의 성분을 포함하는 가스를 주입하며, 상기 가스 감지 칩 상으로 주입된 상기 가스를 배출시키는 가스 주입 모듈을 포함하고, 상기 가스 주입 모듈은, 상기 리간드 화합물층이 수용되도록 요입 형성되고, 일 방향으로 연장되어 상기 가스 감지 칩으로 주입된 상기 가스의 유동경로를 제공하는 가스 채널을 포함하고, 상기 가스 채널에 수용된 상기 리간드 화합물층은 상기 가스 채널을 따라 유동하는 상기 가스와 적어도 일 회 접촉되어 상기 가스에 포함된 복수의 성분 중 어느 하나의 성분과 반응하고, 상기 가스 채널은 복수 개로 구비되고, 복수의 상기 가스 채널은 제1 방향을 따라 연장되어 상기 가스를 상기 제1 방향으로 유동시키며, 상기 제1 방향으로 유동하는 상기 가스는 상기 제1 방향으로 연장된 상기 리간드 화합물층과 계속적으로 접촉되고, 상기 리간드 화합물층은 상기 가스가 주입되는 상기 제1 방향을 따라 연장되는, 평행 배열된 리간드 화합물을 구비한 가스 감지 장치가 제공될 수 있다.According to one aspect of the present invention, at least one of a substrate, a prism provided on the lower surface of the substrate, a metal layer provided on the upper surface of the substrate, a metal oxide layer provided on at least a portion of the upper surface of the metal layer, and the upper surface of the metal oxide layer A gas sensing chip including a ligand compound layer disposed on a portion of the device; and a gas injection that is coupled to the upper part of the gas sensing chip to cover the gas sensing chip, injecting a gas containing a plurality of components into the gas sensing chip, and discharging the gas injected into the gas sensing chip. a module, wherein the gas injection module includes a gas channel that is recessed to accommodate the ligand compound layer and extends in one direction to provide a flow path for the gas injected into the gas sensing chip, the gas channel The ligand compound layer accommodated in is in contact with the gas flowing along the gas channel at least once to react with any one of a plurality of components contained in the gas, the gas channel is provided in plural, and the plurality of the above The gas channel extends along a first direction to flow the gas in the first direction, and the gas flowing in the first direction is continuously contacted with the ligand compound layer extending in the first direction, and the ligand compound layer A gas sensing device may be provided having a ligand compound arranged in parallel and extending along the first direction in which the gas is injected.

본 발명의 실시예들에 따르면, 광원부 및 수광부의 각도를 제어하고, 신호 변환 알고리즘을 개선함으로써, SPRI를 이용하여 기상의 측정 대상 물질에 포함된 성분을 안정적으로 검출할 수 있다는 효과가 있다.According to embodiments of the present invention, by controlling the angles of the light source and the light receiver and improving the signal conversion algorithm, there is an effect that components contained in the gaseous measurement target material can be stably detected using SPRI.

또한, 본 발명의 실시예들에 따르면, 가스 주입 모듈을 통해 기상의 측정 대상 물질을 공급받아서 기상의 측정 대상 물질에 포함된 복수의 성분을 다중 검출할 수 있다는 효과가 있다.In addition, according to embodiments of the present invention, there is an effect that a plurality of components contained in the gaseous measurement target material can be multiplexed by receiving the gaseous measurement target material through the gas injection module.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 가스 감지 장치를 도시한 정면도이다.
도 2는 도 1의 가스 감지 장치를 측면에서 바라본 측면도이다.
도 3은 도 1의 가스 감지 장치의 가스 감지 칩을 도시한 평면도이다.
도 4는 도 1의 가스 감지 장치의 가스 주입 모듈을 도시한 측면도이다.
도 5는 도 4의 가스 주입 모듈을 저면에서 바라본 저면도이다.
도 6은 도 1의 가스 감지 장치의 작용 상태도이다.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 가스 감지 장치를 도시한 정면도이다.
도 8은 도 7의 가스 감지 장치를 측면에서 도시한 측면도이다.
도 9는 도 7의 가스 감지 장치의 가스 감지 칩을 도시한 평면도이다.
도 10은 도 7의 가스 감지 장치의 작용 상태도이다.
도 11은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 가스 감지 장치를 도시한 정면도이다.
도 12는 도 11의 가스 감지 장치의 가스 감지 칩을 도시한 평면도이다.
도 13은 도 11의 가스 감지 장치의 작용 상태도이다.
도 14는 본 발명의 일 실시예에 따른 가스 감지 시스템을 도시한 정면도이다.
도 15는 본 발명의 일 실시예에 따른 가스 감지 시스템 시험 장치를 도시한 블록도이다.
도 16은 도 15의 가스 감지 시스템 시험 장치를 개략적으로 도시한 구조도이다.
도 17은 본 발명의 일 실시예에 따른 가스 감지 시스템 시험 방법을 도시한 순서도이다.Figure 1 is a front view showing a gas detection device according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a side view of the gas detection device of FIG. 1 as seen from the side.
FIG. 3 is a plan view showing a gas sensing chip of the gas sensing device of FIG. 1.
FIG. 4 is a side view showing the gas injection module of the gas detection device of FIG. 1.
FIG. 5 is a bottom view of the gas injection module of FIG. 4 as seen from the bottom.
FIG. 6 is an operational state diagram of the gas detection device of FIG. 1.
Figure 7 is a front view showing a gas detection device according to another embodiment of the present invention.
Figure 8 is a side view showing the gas detection device of Figure 7 from the side.
FIG. 9 is a plan view showing the gas detection chip of the gas detection device of FIG. 7.
Figure 10 is an operational state diagram of the gas detection device of Figure 7.
Figure 11 is a front view showing a gas detection device according to another embodiment of the present invention.
FIG. 12 is a plan view showing the gas detection chip of the gas detection device of FIG. 11.
Figure 13 is an operational state diagram of the gas detection device of Figure 11.
Figure 14 is a front view showing a gas detection system according to an embodiment of the present invention.
Figure 15 is a block diagram showing a gas detection system testing device according to an embodiment of the present invention.
FIG. 16 is a structural diagram schematically showing the gas detection system test device of FIG. 15.
Figure 17 is a flowchart showing a gas detection system testing method according to an embodiment of the present invention.

이하에서는 본 발명의 사상을 구현하기 위한 구체적인 실시예에 대하여 도면을 참조하여 상세히 설명하도록 한다.Hereinafter, specific embodiments for implementing the spirit of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

아울러 본 발명을 설명함에 있어서 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략한다.In addition, when describing the present invention, if it is determined that a detailed description of a related known configuration or function may obscure the gist of the present invention, the detailed description will be omitted.

또한, 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 '결합, ''연결'된다고 언급된 때에는 그 다른 구성요소에 직접적으로 결합되거나 연결될 수도 있지만 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다.Additionally, when a component is mentioned as being 'coupled' or 'connected' to another component, it should be understood that it may be directly coupled or connected to the other component, but that other components may exist in between.

본 명세서에서 사용된 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로 본 발명을 한정하려는 의도로 사용된 것은 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한 복수의 표현을 포함한다.The terms used in this specification are merely used to describe specific embodiments and are not intended to limit the invention. Singular expressions include plural expressions unless the context clearly dictates otherwise.

또한, 본 명세서에서 일측, 타측, 상측, 하측 등의 표현은 도면에 도시를 기준으로 설명한 것이며 해당 대상의 방향이 변경되면 다르게 표현될 수 있음을 미리 밝혀둔다. 마찬가지의 이유로 첨부 도면에 있어서 일부 구성요소는 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었으며, 각 구성요소의 크기는 실제 크기를 전적으로 반영하는 것이 아니다.In addition, it should be noted in advance that in this specification, expressions such as one side, the other side, upper side, lower side, etc. are explained based on the illustrations in the drawings, and may be expressed differently if the direction of the object in question is changed. For the same reason, in the accompanying drawings, some components are exaggerated, omitted, or schematically shown, and the size of each component does not entirely reflect the actual size.

또한, 제1, 제2 등과 같이 서수를 포함하는 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 해당 구성요소들은 이와 같은 용어들에 의해 한정되지는 않는다. 이 용어들은 하나의 구성요소들을 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다.Additionally, terms including ordinal numbers, such as first, second, etc., may be used to describe various components, but the components are not limited by these terms. These terms are used only to distinguish one component from another.

명세서에서 사용되는 '포함하는'의 의미는 특정 특성, 영역, 정수, 단계, 동작, 요소 및/또는 성분을 구체화하며, 다른 특정 특성, 영역, 정수, 단계, 동작, 요소, 성분 및/또는 군의 존재나 부가를 제외시키는 것은 아니다.As used in the specification, the meaning of 'comprising' is to specify a specific characteristic, area, integer, step, operation, element and/or component, and to specify another specific property, area, integer, step, operation, element, component and/or group. It does not exclude the existence or addition of .

이하, 도면을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 가스 감지 장치의 구체적인 구성에 대하여 설명한다.Hereinafter, the specific configuration of a gas detection device according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.

도 1 내지 도 5를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 가스 감지 장치(100)는 가스 감지 칩(10) 및 가스 주입 모듈(20)을 포함할 수 있다.Referring to FIGS. 1 to 5 , a gas detection device 100 according to an embodiment of the present invention may include a gas detection chip 10 and a gas injection module 20.

가스 감지 칩(10)은 기상의 측정 대상 물질(이하, '가스'라고 함.)에 포함된 복수의 성분 중 적어도 하나의 성분을 실시간으로 검출할 수 있다. 이를 위해, 가스 감지 칩(10)은 기판(11), 프리즘(12), 금속층(13), 금속 산화물층(14) 및 리간드 화합물층(15)을 포함할 수 있다.The gas detection chip 10 can detect at least one component among a plurality of components included in a gaseous measurement target substance (hereinafter referred to as 'gas') in real time. To this end, the gas sensing chip 10 may include a substrate 11, a prism 12, a metal layer 13, a metal oxide layer 14, and a ligand compound layer 15.

기판(11)은 금속층(13)을 지지할 수 있다. 이러한 기판(11)은 광을 투과시킬 수 있는 투명 기판으로 구비될 수 있다. 예를 들어, 기판(11)은 유리 기판, 투명 플라스틱 기판 등으로 구비될 수 있다.The substrate 11 may support the metal layer 13. This substrate 11 may be provided as a transparent substrate capable of transmitting light. For example, the substrate 11 may be provided as a glass substrate, a transparent plastic substrate, etc.

프리즘(12)은 기판(11)으로 입사되는 광의 경로를 제어할 수 있다. 이를 위해, 프리즘(12)은 기판(11)의 하면에 구비될 수 있다. 여기서, 프리즘(12)으로 입사되는 광은 후술할 가스 감지 시스템(1000)의 광원부(200)로부터 발산된 광이 별도의 수단을 통해 확장된 이차원 평행광일 수 있다. 이렇게 프리즘(12)으로 입사된 이차원 평행광은 기판(11)을 투과하여 금속층(13)의 하면에 도달할 수 있고, 금속층(13)의 하면에 도달한 이차원 평행광은 금속층(13)의 하면에서 반사되어 후술할 가스 감지 시스템(1000)의 수광부(300)로 제공된 후, 수광부(300)에서 이차원 이미지로 변환될 수 있다. 이에 대해서는 후술하겠다.The prism 12 can control the path of light incident on the substrate 11. For this purpose, the prism 12 may be provided on the lower surface of the substrate 11. Here, the light incident on the prism 12 may be two-dimensional parallel light emitted from the light source unit 200 of the gas detection system 1000, which will be described later, expanded through a separate means. The two-dimensional parallel light incident on the prism 12 can pass through the substrate 11 and reach the lower surface of the metal layer 13, and the two-dimensional parallel light that reaches the lower surface of the metal layer 13 can reach the lower surface of the metal layer 13. It may be reflected and provided to the light receiving unit 300 of the gas detection system 1000, which will be described later, and then converted into a two-dimensional image in the light receiving unit 300. This will be explained later.

금속층(13)는 기판(11)를 투과한 이차원 평행광과 반응하여 표면 플라즈몬 공명(SPR) 현상을 일으킴으로써, 표면 플라즈몬 파(Surface Plasmon Wave, SPW)를 생성할 수 있다. 이를 위해, 금속층(13)은 기판(11)의 상면에 구비될 수 있다. 예를 들어, 금속층(13)은 표면 플라즈몬 공명(SPR) 현상을 일으킬 수 있는 금속, 예컨대, 금(Au), 은(Ag) 및 백금(Pt) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The metal layer 13 reacts with two-dimensional parallel light transmitted through the substrate 11 to generate a surface plasmon resonance (SPR) phenomenon, thereby generating a surface plasmon wave (SPW). For this purpose, the metal layer 13 may be provided on the upper surface of the substrate 11. For example, the metal layer 13 may include at least one of metals that can cause a surface plasmon resonance (SPR) phenomenon, such as gold (Au), silver (Ag), and platinum (Pt).

금속 산화물층(14)은 표면 플라즈몬 공명(SPR) 현상을 증폭시켜서 가스 감지 칩(10)의 감도를 향상시킬 수 있다. 이를 위해, 금속 산화물층(14)은 금속층(13)의 상면 중 적어도 일부에 구비될 수 있다. 예를 들어, 금속 산화물층(14)은 TiO₂, SiO₂, ZnO, In₂O₃, WO₃ 및 SnO₂ 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The metal oxide layer 14 can improve the sensitivity of the gas sensing chip 10 by amplifying the surface plasmon resonance (SPR) phenomenon. To this end, the metal oxide layer 14 may be provided on at least a portion of the upper surface of the metal layer 13. For example, the metal oxide layer 14 may include at least one of TiO ₂ , SiO ₂ , ZnO, In ₂ O ₃ , WO ₃ and SnO ₂ .

이러한 금속 산화물층(14)은 금속층(13) 상에서 소정 방향으로 연장 형성될 수 있으며, 복수 개로 구비될 수 있다. 이때, 복수의 금속 산화물층(14)은 금속 산화물층(14)의 연장 방향과 실질적으로 수직한 방향으로 이격 배치될 수 있다. 이와 같이, 본 실시예에서는, 금속 산화물층(14)이 복수 개로 마련되어 금속층(13)의 상면 중 일부에 구비되는 경우를 일 예로 들어 설명하였으나, 이는 예시에 불과하고, 이로 인해 본 발명의 사상이 제한되는 것은 아니다. 예를 들어, 금속 산화물층(14)은 금속층(13)의 상면을 전체적으로 덮도록 구비될 수도 있다.This metal oxide layer 14 may extend in a predetermined direction on the metal layer 13 and may be provided in plural pieces. At this time, the plurality of metal oxide layers 14 may be spaced apart in a direction substantially perpendicular to the direction in which the metal oxide layer 14 extends. As such, in this embodiment, a case in which a plurality of metal oxide layers 14 are provided on a part of the upper surface of the metal layer 13 has been described as an example, but this is only an example, and as a result, the spirit of the present invention is lost. It is not limited. For example, the metal oxide layer 14 may be provided to cover the entire upper surface of the metal layer 13.

리간드 화합물층(15)은 가스에 포함된 복수의 성분 중 어느 하나의 성분을 검출할 수 있다. 이를 위해, 리간드 화합물층(15)은 적어도 하나의 가스와 적어도 일 회 접촉되도록 금속 산화물층(14)의 상면 중 적어도 일부에 배치될 수 있다. 또한, 리간드 화합물층(15)은 검출하고자 하는 가스에 포함된 성분들과 상호 작용할 수 있는 리간드 화합물을 포함할 수 있다.The ligand compound layer 15 can detect any one component among a plurality of components contained in the gas. To this end, the ligand compound layer 15 may be disposed on at least a portion of the upper surface of the metal oxide layer 14 so as to contact at least one gas at least once. Additionally, the ligand compound layer 15 may include a ligand compound that can interact with components contained in the gas to be detected.

구체적으로, 리간드 화합물층(15)은 적어도 하나의 가스와 적어도 일 회 접촉되어 가스에 포함된 복수의 성분 중 어느 하나의 성분과 반응할 수 있다. 이렇게 리간드 화합물층(15)이 가스에 포함된 복수의 성분 중 어느 하나의 성분과 반응하면, 표면 플라즈몬 공명(SPR) 신호가 변화될 수 있으며, 이러한 변화를 분석하여 가스의 특정 성분을 검출할 수 있다.Specifically, the ligand compound layer 15 may come into contact with at least one gas at least once and react with any one component among a plurality of components included in the gas. When the ligand compound layer 15 reacts with one of the plurality of components contained in the gas, the surface plasmon resonance (SPR) signal may change, and by analyzing this change, a specific component of the gas can be detected. .

이때, 리간드 화합물층(15)은 복수 개로 구비될 수 있다. 복수의 리간드 화합물층(15)은 가스에 포함된 복수의 성분과 반응할 수 있는 서로 다른 복수의 리간드 화합물을 포함하거나, 가스에 포함된 복수의 성분 중 어느 하나의 성분과 반응할 수 있는 동일한 리간드 화합물을 포함할 수 있다.At this time, the ligand compound layer 15 may be provided in plural pieces. The plurality of ligand compound layers 15 include a plurality of different ligand compounds capable of reacting with a plurality of components contained in the gas, or the same ligand compound capable of reacting with any one of the plurality of components contained in the gas. may include.

한편, 복수의 리간드 화합물층(15)은 가스가 주입되는 제1 방향으로 이격 배치될 수 있고, 각각의 리간드 화합물층(15)은 제1 방향과 수직하는 제2 방향을 따라 연장될 수 있다. 여기서, 제1 방향은 도 3의 x축 방향을 의미하고, 제2 방향은 도 3의 y축 방향을 의미한다.Meanwhile, the plurality of ligand compound layers 15 may be spaced apart in a first direction into which gas is injected, and each ligand compound layer 15 may extend along a second direction perpendicular to the first direction. Here, the first direction refers to the x-axis direction of FIG. 3, and the second direction refers to the y-axis direction of FIG. 3.

이 경우, 제1 방향으로 이격 배치된 복수의 리간드 화합물층(15)은 가스 주입 모듈(20)을 통해 제1 방향으로 주입되는 가스와 순차적으로 접촉될 수 있다. 이렇게 가스가 주입되는 방향과 복수의 리간드 화합물층(15)이 배치되는 방향이 서로 수직하므로, 가스가 복수의 리간드 화합물층(15)과 규칙적으로 반복하여 접촉될 수 있다.In this case, the plurality of ligand compound layers 15 spaced apart in the first direction may sequentially contact the gas injected in the first direction through the gas injection module 20. Since the direction in which the gas is injected and the direction in which the plurality of ligand compound layers 15 are disposed are perpendicular to each other, the gas can be in regular and repeated contact with the plurality of ligand compound layers 15.

구체적으로, 복수의 리간드 화합물층(15)이 복수의 가스와 각각 규칙적으로 반복하여 접촉되는 동안 가스에 포함된 복수의 성분이 복수의 리간드 화합물층(15)과 규칙적으로 반복하여 상호 작용할 수 있다. 예를 들어, 복수의 리간드 화합물층(15)이 가스에 포함된 복수의 성분과 반응할 수 있는 서로 다른 복수의 리간드 화합물을 포함하는 경우, 복수의 가스가 각각 복수의 리간드 화합물층(15)과 규칙적으로 반복하여 접촉되는 동안 가스에 포함된 복수의 성분이 복수의 리간드 화합물층(15)과 반응되어 규칙적으로 반복하여 검출될 수 있다. 이와는 달리, 복수의 리간드 화합물층(15)이 가스에 포함된 복수의 성분 중 어느 하나의 성분과 반응할 수 있는 동일한 리간드 화합물을 포함하는 경우, 복수의 가스가 각각 복수의 리간드 화합물층(15)과 규칙적으로 반복하여 접촉되는 동안 가스에 포함된 복수의 성분 중 어느 하나의 성분이 복수의 리간드 화합물층(15)과 반응되어 반복적으로 검출될 수 있다.Specifically, while the plurality of ligand compound layers 15 are each regularly and repeatedly contacted with a plurality of gases, a plurality of components contained in the gas may interact with the plurality of ligand compound layers 15 regularly and repeatedly. For example, when the plurality of ligand compound layers 15 include a plurality of different ligand compounds capable of reacting with a plurality of components contained in the gas, the plurality of gases each regularly react with the plurality of ligand compound layers 15. During repeated contact, a plurality of components contained in the gas react with the plurality of ligand compound layers 15 and can be detected repeatedly and regularly. On the other hand, when the plurality of ligand compound layers 15 contain the same ligand compound capable of reacting with any one of the plurality of components contained in the gas, the plurality of gases each react with the plurality of ligand compound layers 15 in a regular manner. During repeated contact, any one of the plurality of components contained in the gas may react with the plurality of ligand compound layers 15 and be repeatedly detected.

가스 주입 모듈(20)은 가스 감지 칩(10)과 결합되어 가스 감지 칩(10)으로 가스를 주입하고, 가스 감지 칩(10)으로 주입된 가스를 배출시킬 수 있다. 이를 위해, 가스 주입 모듈(20)은 가스의 주입 및 배출을 위해 제공되는 제1 본체(21) 및 제1 본체(21)의 하면에 결합되는 제2 본체(22)를 포함할 수 있다.The gas injection module 20 may be combined with the gas detection chip 10 to inject gas into the gas detection chip 10 and discharge the gas injected into the gas detection chip 10. To this end, the gas injection module 20 may include a first body 21 provided for gas injection and discharge, and a second body 22 coupled to the lower surface of the first body 21.

제1 본체(11)에는 가스가 주입되는 가스 주입구(211) 및 가스 주입구(211)를 통해 주입된 가스가 배출되는 가스 배출구(212)가 연결될 수 있다. 이때, 가스 주입구(211)의 적어도 일부는 제1 본체(21)의 외측에 배치될 수 있고, 가스 주입구(211)의 나머지는 제1 본체(21)의 내측에 배치될 수 있다. 또한, 가스 배출구(212)의 적어도 일부는 제1 본체(21)의 외측에 배치될 수 있고, 가스 배출구(212)의 나머지는 제1 본체(21)의 내측에 배치될 수 있다.A gas inlet 211 through which gas is injected and a gas outlet 212 through which the gas injected through the gas inlet 211 is discharged may be connected to the first body 11. At this time, at least a portion of the gas injection port 211 may be placed on the outside of the first body 21, and the remainder of the gas injection port 211 may be placed on the inside of the first body 21. Additionally, at least a portion of the gas outlet 212 may be disposed on the outside of the first body 21, and the remainder of the gas outlet 212 may be disposed on the inside of the first body 21.

이에, 가스 주입구(211)의 일 단부는 제1 본체(21)의 외측에서 별도의 가스 공급 모듈(미도시)과 연결되어 가스를 공급받을 수 있고, 가스 주입구(211)의 타 단부는 제1 본체(21)의 내측에서 후술할 제2 본체(22)에 구비되는 가스 채널(222)과 연통될 수 있다. 또한, 가스 배출구(212)의 일 단부는 제1 본체(21)의 외측에서 별도의 가스 회수 모듈(미도시)과 연결되어 가스 회수 모듈로 가스가 회수될 수 있도록 하고, 가스 배출구(212)의 타 단부는 제1 본체(21)의 내측에서 후술할 제2 본체(22)에 구비되는 가스 채널(222)과 연통될 수 있다. 따라서, 가스 주입구(211)를 통해 주입되는 가스가 가스 채널(222)을 통과한 후, 가스 배출구(212)를 통해 배출될 수 있다. 이때, 가스 주입구(211)를 통해 주입되는 가스가 가스 채널(222)을 통과하는 동안 가스 감지 칩(10)의 리간드 화합물층(15)과 적어도 일 회 접촉될 수 있고, 이 과정에서 가스에 포함된 복수의 성분 중 어느 하나의 성분이 리간드 화합물층(15)과 반응되어 검출될 수 있다.Accordingly, one end of the gas inlet 211 is connected to a separate gas supply module (not shown) on the outside of the first body 21 to receive gas, and the other end of the gas inlet 211 is connected to the first main body 21. Inside the main body 21, it may communicate with a gas channel 222 provided in the second main body 22, which will be described later. In addition, one end of the gas outlet 212 is connected to a separate gas recovery module (not shown) on the outside of the first body 21 to allow gas to be recovered by the gas recovery module, and the gas outlet 212 is connected to a separate gas recovery module (not shown). The other end may communicate with a gas channel 222 provided in the second body 22, which will be described later, inside the first body 21. Accordingly, the gas injected through the gas inlet 211 may pass through the gas channel 222 and then be discharged through the gas outlet 212. At this time, the gas injected through the gas inlet 211 may contact the ligand compound layer 15 of the gas sensing chip 10 at least once while passing through the gas channel 222, and in this process, the gas contained in the gas may be contacted at least once. Any one of the plurality of components may be detected by reacting with the ligand compound layer 15.

제2 본체(22)는 제1 본체(22)를 통해 주입된 가스가 가스 감지 칩(10)의 리간드 화합물층(15)과 적어도 일 회 접촉될 수 있도록 가스의 유동 경로를 제공할 수 있다. 이를 위해, 제2 본체(22)는 제1 본체(21)의 둘레면의 내측에 연결되어 가스 감지 칩(10)의 금속층(13) 및 금속 산화물층(14) 중 적어도 하나와 접촉될 수 있다.The second body 22 may provide a gas flow path so that the gas injected through the first body 22 can contact the ligand compound layer 15 of the gas sensing chip 10 at least once. To this end, the second body 22 is connected to the inside of the circumferential surface of the first body 21 and may be in contact with at least one of the metal layer 13 and the metal oxide layer 14 of the gas sensing chip 10. .

이때, 제2 본체(22)에는 복수의 성분을 포함하는 가스가 유동하는 가스 채널(221)이 구비될 수 있다. 가스 채널(221)은 소정의 방향, 예컨대, 제1 방향으로 연장될 수 있으며, 제2 본체(22)의 하면으로부터 요입 형성되는 홈의 형상을 가질 수 있다. 이때, 가스 채널(221)의 양 단부는 각각 제2 본체(22)의 둘레면의 내측에 위치할 수 있다.At this time, the second body 22 may be provided with a gas channel 221 through which a gas containing a plurality of components flows. The gas channel 221 may extend in a predetermined direction, for example, a first direction, and may have the shape of a groove recessed from the lower surface of the second body 22. At this time, both ends of the gas channel 221 may be located inside the peripheral surface of the second body 22, respectively.

한편, 가스 채널(221)은 복수 개로 구비될 수 있으며, 복수의 가스 채널(222)은 제1 방향을 따라 연장되어 가스를 제1 방향으로 유동시킬 수 있다. 여기서 제1 방향은 도 5의 x축 방향을 의미한다. 이렇게 가스 채널(222)을 따라 제1 방향으로 유동하는 가스는 제1 방향으로 이격 배치된 복수의 리간드 화합물층(15, 도 3 참조)과 규칙적으로 반복하여 접촉될 수 있다. 이와는 달리, 가스 채널(222)을 따라 제1 방향으로 유동하는 가스는 제1 방향으로 연장된 리간드 화합물층(15a, 도 9 참조)과 계속적으로 접촉되거나, 적어도 일부가 제1 방향 및 제2 방향 중 적어도 하나의 방향과 어긋나는 방향으로 배치되는 리간드 화합물층(15b, 도 12 참조)과 불규칙적으로 반복하여 접촉될 수도 있다.Meanwhile, a plurality of gas channels 221 may be provided, and the plurality of gas channels 222 may extend along a first direction to allow gas to flow in the first direction. Here, the first direction refers to the x-axis direction in FIG. 5. The gas flowing in the first direction along the gas channel 222 may regularly and repeatedly come into contact with a plurality of ligand compound layers 15 (see FIG. 3) spaced apart in the first direction. In contrast, the gas flowing in the first direction along the gas channel 222 is continuously in contact with the ligand compound layer (15a, see FIG. 9) extending in the first direction, or at least a portion is in one of the first direction and the second direction. It may be repeatedly and irregularly contacted with a ligand compound layer (15b, see FIG. 12) arranged in a direction that is different from at least one direction.

한편, 제2 본체(22)의 둘레면에는 패킹 부재(222)가 결합될 수 있다. 이러한 패킹 부재(222)는 제2 본체(22)와 가스 감지 칩(10)의 금속층(13) 및 금속 산화물층(14) 중 어느 하나의 사이를 밀봉시킬 수 있다. 이와 같이 패킹 부재(222)에 의해 가스 감지 칩(10)과 제2 본체(22) 사이가 밀봉되므로, 가스 채널(222)을 유동하는 가스가 가스 감지 칩(10) 및 가스 주입 모듈(20)로부터 유출될 염려가 없다.Meanwhile, a packing member 222 may be coupled to the peripheral surface of the second body 22. This packing member 222 can seal between the second body 22 and one of the metal layer 13 and the metal oxide layer 14 of the gas sensing chip 10. In this way, since the space between the gas detection chip 10 and the second body 22 is sealed by the packing member 222, the gas flowing through the gas channel 222 is connected to the gas detection chip 10 and the gas injection module 20. There is no need to worry about it leaking out.

이하에서는, 도 6을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 가스 감지 장치의 작용 및 효과에 대하여 설명한다.Hereinafter, the operation and effects of the gas detection device according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 6.

도 6의 (a)에 도시된 바와 같이, 먼저, 가스 주입구(211)의 일 단부를 통해 가스가 주입되면, 가스 주입구(211)의 일 단부를 통해 주입된 가스가 가스 주입구(211)의 타 단부로 이동된 다음, 가스 주입구(211)의 타 단부와 연통된 가스 채널(222)로 유입된다. 이렇게 가스 채널(222)로 유입된 가스는 가스 채널(222)을 통과한 후, 가스 배출구(212)를 통해 배출된다.As shown in (a) of FIG. 6, first, when gas is injected through one end of the gas inlet 211, the gas injected through one end of the gas inlet 211 flows to the other end of the gas inlet 211. After moving to the end, it flows into the gas channel 222 in communication with the other end of the gas inlet 211. The gas flowing into the gas channel 222 passes through the gas channel 222 and is then discharged through the gas outlet 212.

여기서, 도 6의 (b)에 도시된 바와 같이, 가스 채널(222)로 유입된 가스는 가스 채널(222)을 통과하는 동안 가스는 가스 감지 칩(10)의 리간드 화합물층(15)과 규칙적으로 반복하여 접촉된다. 가스가 리간드 화합물층(15)에 접촉될 때마다 가스에 포함된 복수의 성분 중 어느 하나의 성분이 리간드 화합물층(15)과 반응되어 검출될 수 있다.Here, as shown in (b) of FIG. 6, while the gas flowing into the gas channel 222 passes through the gas channel 222, the gas regularly interacts with the ligand compound layer 15 of the gas sensing chip 10. It is contacted repeatedly. Each time the gas contacts the ligand compound layer 15, one of the plurality of components contained in the gas reacts with the ligand compound layer 15 and can be detected.

한편, 복수의 리간드 화합물층(15)이 가스에 포함된 복수의 성분과 반응할 수 있는 서로 다른 복수의 리간드 화합물을 포함하는 경우, 복수의 가스가 각각 복수의 리간드 화합물층(15)과 규칙적으로 반복하여 접촉되는 동안 가스에 포함된 복수의 성분이 복수의 리간드 화합물층(15)과 반응되어 규칙적으로 반복하여 검출될 수 있다. 반면, 복수의 리간드 화합물층(15)이 가스에 포함된 복수의 성분 중 어느 하나의 성분과 반응할 수 있는 동일한 리간드 화합물을 포함하는 경우, 복수의 가스가 각각 복수의 리간드 화합물층(15)과 규칙적으로 반복하여 접촉되는 동안 가스에 포함된 복수의 성분 중 어느 하나의 성분이 복수의 리간드 화합물층(15)과 반응되어 반복적으로 검출될 수 있다.On the other hand, when the plurality of ligand compound layers 15 include a plurality of different ligand compounds capable of reacting with a plurality of components contained in the gas, the plurality of gases each regularly repeat with the plurality of ligand compound layers 15. During contact, a plurality of components contained in the gas react with the plurality of ligand compound layers 15 and can be detected repeatedly and regularly. On the other hand, when the plurality of ligand compound layers 15 contain the same ligand compound capable of reacting with any one of the plurality of components contained in the gas, the plurality of gases each regularly react with the plurality of ligand compound layers 15. During repeated contact, any one of the plurality of components contained in the gas may react with the plurality of ligand compound layers 15 and be repeatedly detected.

따라서, 가스 감지 장치(1)에 액상의 측정 대상 물질이 아닌 기상의 측정 대상 물질, 예컨대, 복수의 이종 또는 동종의 가스를 일 회 주입하는 것 만으로 복수의 이종 또는 동종의 가스에 포함된 성분들 중 적어도 하나의 성분이 규칙적으로 반복하여 또는 계속적으로 검출될 수 있으므로, 효율적이고 신뢰도가 높은 검출이 가능하다는 효과가 있다.Therefore, by simply injecting a gaseous measurement target substance, for example, a plurality of different types or the same type of gas, rather than a liquid measurement target material once into the gas detection device 1, the components contained in the plurality of different types or the same type of gas can be removed. Since at least one of the components can be detected repeatedly or continuously, efficient and highly reliable detection is possible.

또한, 가스 감지 장치(1)에서 기상의 측정 대상 물질이 상온에서 측정될 수 있고, 기상의 측정 대상 물질의 측정이 완료되면, 별도의 세척 과정 없이 가스 감지 장치(1)를 재사용할 수 있음에 따라, 가스 감지 장치(1)의 손상을 방지할 수 있고, 경제성을 확보할 수 있다는 효과가 있다.In addition, in the gas detection device 1, the gaseous measurement target material can be measured at room temperature, and once the measurement of the gaseous measurement target material is completed, the gas detection device 1 can be reused without a separate cleaning process. Accordingly, damage to the gas detection device 1 can be prevented and economic efficiency can be secured.

이하에서는, 도 7 내지 도 9를 참조하여 본 발명의 다른 실시예에 따른 가스 감지 장치에 대하여 설명한다.Hereinafter, a gas detection device according to another embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 7 to 9.

도 7 내지 도 9를 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 가스 감지 장치(100a)는 가스 감지 칩(10a) 및 가스 주입 모듈(20)을 포함할 수 있다. 도 7 내지 도 9에 도시한 가스 감지 장치(100a)는 가스 감지 칩(10a)을 제외하면, 도 1 내지 도 5를 참조하여 설명한 가스 감지 칩(10)과 실질적으로 동일하므로, 이하에서는 차이점에 해당하는 가스 감지 칩(10a)을 중심으로 설명하고, 동일한 부분에 대해서는 상술한 실시예의 설명 및 도면부호를 원용하기로 한다.Referring to FIGS. 7 to 9 , a gas detection device 100a according to another embodiment of the present invention may include a gas detection chip 10a and a gas injection module 20. The gas detection device 100a shown in FIGS. 7 to 9 is substantially the same as the gas detection chip 10 described with reference to FIGS. 1 to 5 except for the gas detection chip 10a. Therefore, the differences will be described below. The description will be centered on the corresponding gas detection chip 10a, and the description and reference numerals of the above-described embodiment will be used for the same parts.

가스 감지 칩(10a)는 기판(11), 프리즘(12), 금속층(13), 금속 산화물층(14) 및 리간드 화합물층(15a)을 포함할 수 있다. 이때, 도 7 내지 도 9에 도시한 가스 감지 칩(10a)은 리간드 화합물층(15a)을 제외하면, 도 1 내지 도 5를 참조하여 설명한 가스 감지 칩(10)과 실질적으로 동일하므로, 이하에서는 차이점에 해당하는 리간드 화합물층(15a)을 중심으로 설명하고, 동일한 부분에 대해서는 상술한 실시예의 설명 및 도면부호를 원용하기로 한다.The gas sensing chip 10a may include a substrate 11, a prism 12, a metal layer 13, a metal oxide layer 14, and a ligand compound layer 15a. At this time, the gas sensing chip 10a shown in FIGS. 7 to 9 is substantially the same as the gas sensing chip 10 described with reference to FIGS. 1 to 5 except for the ligand compound layer 15a, so the differences are described below. The description will be centered on the corresponding ligand compound layer 15a, and the description and reference numerals of the above-described embodiment will be used for the same parts.

리간드 화합물층(15a)은 복수 개로 구비될 수 있다. 복수의 리간드 화합물층(15a)은 가스에 포함된 복수의 성분과 반응할 수 있는 서로 다른 복수의 리간드 화합물을 포함하거나, 가스에 포함된 복수의 성분 중 어느 하나의 성분과 반응할 수 있는 동일한 리간드 화합물을 포함할 수 있다.The ligand compound layer 15a may be provided in plural pieces. The plurality of ligand compound layers 15a include a plurality of different ligand compounds capable of reacting with a plurality of components contained in the gas, or the same ligand compound capable of reacting with any one of the plurality of components contained in the gas. may include.

이때, 복수의 리간드 화합물층(15a)은 가스가 주입되는 제1 방향과 수직하는 제2 방향으로 이격 배치될 수 있고, 각각의 리간드 화합물층(15a)은 제1 방향을 따라 연장될 수 있다. 여기서, 제1 방향은 도 4의 x축 방향을 의미하고, 제2 방향은 도 4의 y축 방향을 의미한다. 이 경우, 제2 방향으로 이격 배치된 복수의 리간드 화합물층(15a)은 후술할 가스 주입 모듈(20)을 통해 제1 방향으로 주입되는 가스와 접촉될 수 있다. 이렇게 가스가 주입되는 방향과 복수의 리간드 화합물층(15a)이 배치되는 방향이 실질적으로 평행하므로, 복수의 가스가 각각 복수의 리간드 화합물층(15a)과 계속적으로 접촉될 수 있다.At this time, the plurality of ligand compound layers 15a may be spaced apart in a second direction perpendicular to the first direction in which gas is injected, and each ligand compound layer 15a may extend along the first direction. Here, the first direction refers to the x-axis direction in FIG. 4, and the second direction refers to the y-axis direction in FIG. 4. In this case, the plurality of ligand compound layers 15a spaced apart in the second direction may be in contact with gas injected in the first direction through the gas injection module 20, which will be described later. Since the direction in which the gas is injected and the direction in which the plurality of ligand compound layers 15a are disposed are substantially parallel, the plurality of gases can be continuously contacted with each of the plurality of ligand compound layers 15a.

한편, 복수의 리간드 화합물층(15a)이 가스에 포함된 복수의 성분과 반응할 수 있는 서로 다른 복수의 리간드 화합물을 포함하는 경우, 복수의 가스가 각각 복수의 리간드 화합물층(15a)과 계속적으로 접촉되는 동안 가스에 포함된 복수의 성분 중 어느 하나의 성분이 복수의 리간드 화합물층(15a)과 계속적으로 반응되어 반복적으로 검출될 수 있다. 여기서, 복수의 리간드 화합물층(15a)으로 주입되는 가스들의 종류는 서로 상이할 수 있다. 이로써, 이종의 가스들이 각각 이종의 리간드 화합물층(15a)들로 주입되고, 이종의 가스들에 포함된 특정 성분이 각각 이종의 리간드 화합물층(15a)들에서 계속적으로 검출됨에 따라, 이종의 가스들의 성분 검출을 위한 실험 횟수가 종래에 비해 현저히 감소될 수 있다.On the other hand, when the plurality of ligand compound layers 15a include a plurality of different ligand compounds capable of reacting with a plurality of components contained in the gas, the plurality of gases are continuously contacted with each of the plurality of ligand compound layers 15a. During this time, any one of the plurality of components contained in the gas may continuously react with the plurality of ligand compound layers 15a and be repeatedly detected. Here, the types of gases injected into the plurality of ligand compound layers 15a may be different. As a result, different gases are injected into the different ligand compound layers 15a, and specific components contained in the different gases are continuously detected in the different ligand compound layers 15a, so that the components of the different gases are continuously detected. The number of experiments for detection can be significantly reduced compared to the past.

이와는 달리, 복수의 리간드 화합물층(15a)이 가스에 포함된 복수의 성분 중 어느 하나의 성분과 반응할 수 있는 동일한 리간드 화합물을 포함하는 경우, 복수의 가스가 각각 복수의 리간드 화합물층(15a)과 계속적으로 접촉되는 동안 가스에 포함된 복수의 성분 중 어느 하나의 성분이 복수의 리간드 화합물층(15a)과 반응하여 반복적으로 검출될 수 있다. 이 경우, 복수의 리간드 화합물층(15a)으로 주입되는 가스들의 종류는 서로 동일할 수 있다. 이로써, 동종의 가스들이 각각 동종의 리간드 화합물층(15a)들로 주입되고, 동종의 가스들에 포함된 특정 성분이 각각 동종의 리간드 화합물층(15a)들에서 계속적으로 검출됨에 따라, 동종의 가스들의 성분 검출을 위한 실험 횟수가 종래에 비해 크게 줄어들 수 있다.On the other hand, when the plurality of ligand compound layers 15a contain the same ligand compound capable of reacting with any one of the plurality of components contained in the gas, the plurality of gases each continuously form the plurality of ligand compound layers 15a. During contact with the gas, any one of the plurality of components contained in the gas may react with the plurality of ligand compound layers 15a and be repeatedly detected. In this case, the types of gases injected into the plurality of ligand compound layers 15a may be the same. As a result, gases of the same type are injected into the same type of ligand compound layers 15a, and specific components contained in the same type of gas are continuously detected in the same type of ligand compound layers 15a, so that the components of the same type of gas The number of experiments for detection can be greatly reduced compared to before.

이하에서는, 도 10을 참조하여 본 발명의 다른 실시예에 따른 가스 감지 장치의 작용 및 효과에 대하여 설명한다.Hereinafter, the operation and effects of a gas detection device according to another embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 10.

도 10의 (a)에 도시된 바와 같이, 먼저, 가스 주입구(211)의 일 단부를 통해 가스가 주입되면, 가스 주입구(211)의 일 단부를 통해 주입된 가스가 가스 주입구(211)의 타 단부로 이동된 다음, 가스 주입구(211)의 타 단부와 연통된 가스 채널(222)로 유입된다. 이렇게 가스 채널(222)로 유입된 가스는 가스 채널(222)을 통과한 후, 가스 배출구(212)를 통해 배출된다.As shown in (a) of FIG. 10, first, when gas is injected through one end of the gas inlet 211, the gas injected through one end of the gas inlet 211 flows to the other end of the gas inlet 211. After moving to the end, it flows into the gas channel 222 in communication with the other end of the gas inlet 211. The gas flowing into the gas channel 222 passes through the gas channel 222 and is then discharged through the gas outlet 212.

이때, 도 10의 (b)에 도시된 바와 같이, 가스 채널(222)로 유입된 가스의 주입 방향과 가스 채널(222)의 연장 방향이 실질적으로 동일하므로, 가스 채널(222)로 유입된 가스가 가스 채널(222)을 통과하는 동안 가스 감지 칩(10)의 리간드 화합물층(15a)과 계속적으로 접촉된다.At this time, as shown in (b) of FIG. 10, the injection direction of the gas flowing into the gas channel 222 and the extension direction of the gas channel 222 are substantially the same, so the gas flowing into the gas channel 222 While passing through the gas channel 222, it continuously contacts the ligand compound layer 15a of the gas sensing chip 10.

이때, 복수의 리간드 화합물층(15a)으로 주입되는 가스들의 종류는 서로 상이할 수 있고, 복수의 리간드 화합물층(15a)이 가스에 포함된 복수의 성분과 반응할 수 있는 서로 다른 복수의 리간드 화합물 또는 가스에 포함된 복수의 성분 중 어느 하나의 성분과 반응할 수 있는 동일한 리간드 화합물을 포함할 수 있다. 이로써, 이종 또는 동종의 가스들이 각각 이종의 리간드 화합물층(15a)들과 계속적으로 반응되고, 이종 또는 동종의 가스들에 포함된 특정 성분, 예컨대, 가스가 접촉된 리간드 화합물층(15a)과 상호 작용하는 성분이 각각 이종 또는 동종의 리간드 화합물층(15a)들에서 반복적으로 검출될 수 있다. 이에 따라, 이종 또는 동종의 가스들의 성분 검출을 위한 실험 횟수가 종래에 비해 현저히 감소될 수 있고, 이종 또는 동종의 가스들의 성분이 실시간으로 변화하더라도, 검출 값이 반복적으로 검출되므로, 검출 값의 신뢰성이 높아질 수 있다.At this time, the types of gases injected into the plurality of ligand compound layers 15a may be different from each other, and the plurality of ligand compound layers 15a may contain a plurality of different ligand compounds or gases that can react with a plurality of components contained in the gas. It may contain the same ligand compound that can react with any one of the plurality of components included. As a result, the heterogeneous or homogeneous gases continuously react with the heterogeneous ligand compound layers 15a, and a specific component contained in the heterogeneous or homogeneous gases, for example, interacts with the gas-contacted ligand compound layer 15a. Components may be repeatedly detected in each of the heterogeneous or homogeneous ligand compound layers 15a. Accordingly, the number of experiments for detecting components of heterogeneous or similar gases can be significantly reduced compared to the past, and even if the components of heterogeneous or homogeneous gases change in real time, the detection values are detected repeatedly, so the reliability of the detection values This may increase.

이하에서는, 도 11 및 도 12를 참조하여 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 가스 감지 장치(100b)에 대하여 설명한다.Hereinafter, a gas detection device 100b according to another embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 11 and 12.

도 11 및 도 12를 참조하면, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 가스 감지 장치(100b)는 가스 감지 칩(10b) 및 가스 주입 모듈(20)을 포함할 수 있다. 도 11 및 도 12에 도시한 가스 감지 장치(100b)는 가스 감지 칩(10b)을 제외하면, 도 1 내지 도 5를 참조하여 설명한 가스 감지 칩(10)과 실질적으로 동일하므로, 이하에서는 차이점에 해당하는 가스 감지 칩(10b)을 중심으로 설명하고, 동일한 부분에 대해서는 상술한 실시예의 설명 및 도면부호를 원용하기로 한다.Referring to FIGS. 11 and 12 , a gas detection device 100b according to another embodiment of the present invention may include a gas detection chip 10b and a gas injection module 20. The gas detection device 100b shown in FIGS. 11 and 12 is substantially the same as the gas detection chip 10 described with reference to FIGS. 1 to 5, except for the gas detection chip 10b. Therefore, the differences will be described below. The description will be centered on the corresponding gas detection chip 10b, and the description and reference numerals of the above-described embodiment will be used for the same parts.

가스 감지 칩(10b)는 기판(11), 프리즘(12), 금속층(13), 금속 산화물층(14) 및 리간드 화합물층(15b)을 포함할 수 있다. 이때, 도 11 및 도 12에 도시한 가스 감지 칩(10b)은 리간드 화합물층(15b)을 제외하면, 도 1 내지 도 5를 참조하여 설명한 가스 감지 칩(10)과 실질적으로 동일하므로, 이하에서는 차이점에 해당하는 리간드 화합물층(15b)을 중심으로 설명하고, 동일한 부분에 대해서는 상술한 실시예의 설명 및 도면부호를 원용하기로 한다.The gas sensing chip 10b may include a substrate 11, a prism 12, a metal layer 13, a metal oxide layer 14, and a ligand compound layer 15b. At this time, the gas sensing chip 10b shown in FIGS. 11 and 12 is substantially the same as the gas sensing chip 10 described with reference to FIGS. 1 to 5 except for the ligand compound layer 15b, so the differences are described below. The description will be centered on the corresponding ligand compound layer 15b, and the description and reference numerals of the above-described embodiment will be used for the same parts.

리간드 화합물층(15b)은 적어도 일부가 가스가 주입되는 제1 방향 및 제1 방향과 수직하는 제2 방향 중 적어도 하나의 방향과 어긋나는 방향으로 배치될 수 있다. 여기서, 제1 방향은 도 6의 x축 방향을 의미하고, 제2 방향은 도 6의 y축 방향을 의미한다.At least a portion of the ligand compound layer 15b may be arranged in a direction that is offset from at least one of a first direction in which gas is injected and a second direction perpendicular to the first direction. Here, the first direction refers to the x-axis direction of FIG. 6, and the second direction refers to the y-axis direction of FIG. 6.

이러한 리간드 화합물층(15b)은 가스에 포함된 복수의 성분 중 어느 하나의 성분과 반응할 수 있는 리간드 화합물을 포함할 수 있다. 이때, 리간드 화합물층(15b)에 복수의 가스가 주입되면, 복수의 가스에 포함된 복수의 성분 중 어느 하나의 성분이 리간드 화합물층(15b)과 복수 회 반응되어 반복적으로 검출될 수 있다. 여기서, 리간드 화합물층(15b)으로 주입되는 가스들의 종류는 서로 동일할 수 있다. 이로써, 동종의 가스들이 각각 리간드 화합물층(15b)으로 주입되고, 동종의 가스들에 포함된 특정 성분이 각각 리간드 화합물층(15b)에서 복수 회 검출됨에 따라, 동종의 가스들의 성분 검출을 위한 실험 횟수가 종래에 비해 크게 줄어들 수 있을 뿐만 아니라, 검출되는 값의 신뢰도가 향상시킬 수 있다.This ligand compound layer 15b may include a ligand compound that can react with any one of a plurality of components included in the gas. At this time, when a plurality of gases are injected into the ligand compound layer 15b, one of the plurality of components contained in the plurality of gases may react with the ligand compound layer 15b multiple times and be repeatedly detected. Here, the types of gases injected into the ligand compound layer 15b may be the same. As a result, gases of the same type are injected into the ligand compound layer 15b, and specific components contained in the gases of the same type are detected multiple times in the ligand compound layer 15b, respectively, increasing the number of experiments for detecting components of the gases of the same type. Not only can it be greatly reduced compared to before, but the reliability of the detected value can be improved.

이하에서는, 도 13을 참조하여 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 가스 감지 장치의 작용 및 효과에 대하여 설명한다.Hereinafter, the operation and effects of a gas detection device according to another embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 13.

도 13의 (a)에 도시된 바와 같이, 먼저, 가스 주입구(211)의 일 단부를 통해 가스가 주입되면, 가스 주입구(211)의 일 단부를 통해 주입된 가스가 가스 주입구(211)의 타 단부로 이동된 다음, 가스 주입구(211)의 타 단부와 연통된 가스 채널(222)로 유입된다. 이렇게 가스 채널(222)로 유입된 가스는 가스 채널(222)을 통과한 후, 가스 배출구(212)를 통해 배출된다.As shown in (a) of FIG. 13, first, when gas is injected through one end of the gas inlet 211, the gas injected through one end of the gas inlet 211 flows to the other end of the gas inlet 211. After moving to the end, it flows into the gas channel 222 in communication with the other end of the gas inlet 211. The gas flowing into the gas channel 222 passes through the gas channel 222 and is then discharged through the gas outlet 212.

이때, 도 13의 (b)에 도시된 바와 같이, 가스 채널(222)로 유입된 가스의 주입 방향과 가스 채널(222)의 연장 방향이 실질적으로 수직하거나, 서로 어긋나므로, 가스 채널(222)로 유입된 가스가 가스 채널(222)을 통과하는 동안 가스 감지 칩(10)의 리간드 화합물층(15b)과 불규칙적으로 반복 접촉된다.At this time, as shown in (b) of FIG. 13, the injection direction of the gas flowing into the gas channel 222 and the extension direction of the gas channel 222 are substantially perpendicular or offset from each other, so the gas channel 222 While the gas flowing into the gas channel 222 passes through the gas channel 222, it irregularly and repeatedly contacts the ligand compound layer 15b of the gas sensing chip 10.

이때, 복수의 리간드 화합물층(15b)으로 주입되는 가스들의 종류는 서로 동일할 수 있고, 복수의 리간드 화합물층(15b)은 가스에 포함된 복수의 성분 중 어느 하나의 성분과 반응할 수 있는 리간드 화합물을 포함할 수 있다. 예를 드 들어, 동종의 가스들이 각각 리간드 화합물층(15b)으로 주입되어 리간드 화합물층(15b)들과 각각 불규칙적으로 반복하여 접촉되고, 동종의 가스들에 포함된 특정 성분이 각각 리간드 화합물층(15b)과 접촉될 때마다 검출될 수 있다. 이에 따라, 동종의 가스들의 성분 검출을 위한 실험 횟수를 종래에 비해 크게 감소시킬 수 있고, 검출 값이 반복적으로 획득될 수 있으므로, 검출 값의 신뢰도를 향상시킬 수 있다.At this time, the types of gases injected into the plurality of ligand compound layers 15b may be the same, and the plurality of ligand compound layers 15b may contain a ligand compound that can react with one of the plurality of components contained in the gas. It can be included. For example, gases of the same type are injected into each of the ligand compound layers 15b and contacted with each of the ligand compound layers 15b irregularly and repeatedly, and specific components contained in the gases of the same type are injected into each of the ligand compound layers 15b. It can be detected whenever it is touched. Accordingly, the number of experiments for detecting components of the same type of gas can be greatly reduced compared to the past, and since detection values can be obtained repeatedly, the reliability of detection values can be improved.

이하에서는, 도 14를 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 가스 감지 시스템에 대하여 설명한다.Hereinafter, a gas detection system according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 14.

도 14를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 가스 감지 시스템(1000)은 가스 감지 장치(100), 광원부(200) 및 수광부(300)를 포함할 수 있다. 다만, 가스 감지 장치(100)에 대해서는 상술한 바 있으므로, 이하에서는, 광원부(200) 및 수광부(300)를 중심으로 설명하고, 동일한 부분에 대해서는 상술한 실시예의 설명 및 도면부호를 원용하기로 한다.Referring to FIG. 14, a gas detection system 1000 according to an embodiment of the present invention may include a gas detection device 100, a light source unit 200, and a light receiving unit 300. However, since the gas detection device 100 has been described above, the following description will focus on the light source unit 200 and the light receiving unit 300, and the description and reference numerals of the above-described embodiment will be used for the same parts. .

광원부(200)는 광을 발산할 수 있으며, 광원부(200)에서 발산된 광은 광 확장기(미도시) 등과 같은 별도의 수단을 통해 이차원 평행광으로 확장되어 가스 감지 장치(100)로 제공될 수 있다. 예를 들어, 광원부(200)는 복수의 파장을 갖는 백색광 또는 단일 파장을 갖는 단색광을 사용하는 레이저 다이오드, 발광 다이오드 등으로 구비될 수 있다.The light source unit 200 may emit light, and the light emitted from the light source unit 200 may be expanded into two-dimensional parallel light through a separate means such as an optical expander (not shown) and provided to the gas detection device 100. there is. For example, the light source unit 200 may be provided with a laser diode, a light emitting diode, etc. that uses white light with multiple wavelengths or monochromatic light with a single wavelength.

이때, 광원부(200)에서 발산되는 광은 가스 위상의 낮은 굴절률과 일치되도록 낮은 각도를 가지고 가스 감지 장치(100)로 진입됨에 따라, 가스 감지 장치(100)에서 높은 감도로 가스를 감지할 수 있다. 반면, 측정 알고리즘의 측면에서 볼 때, SPR 곡선의 FWHM(full width at half maximum)이 가스 위상에서 매우 좁은 형상을 이용하여 광원부(200)의 각도가 고정된 모드(fixed-angle mode)에서 신호가 측정됨으로써, 가스 감지 장치(100)의 감도가 최대화될 수 있다.At this time, the light emitted from the light source unit 200 enters the gas detection device 100 at a low angle to match the low refractive index of the gas phase, so the gas detection device 100 can detect the gas with high sensitivity. . On the other hand, from the perspective of the measurement algorithm, the FWHM (full width at half maximum) of the SPR curve uses a very narrow shape in the gas phase, so that the signal is transmitted in a fixed-angle mode of the light source unit 200. By measuring, the sensitivity of the gas detection device 100 can be maximized.

한편, 일반적인 고정 각도 모드의 좁은 동적 범위를 보상하고 최적의 고정 각도를 결정하기 위해, 새로운 신호 변환 알고리즘이 적용될 수 있다. 예를 들어, 신호 변환 알고리즘은 선형 회귀 피팅(linear regression fitting)과 시그모이드 비대칭 피팅(sigmoid asymmetric fitting)에 의한 정규화된 원시 곡선의 미분을 사용하여 SPR 딥 곡선(SPR dip curve)의 왼쪽에 있는 R2=0.99의 선형 범위에서 최소 반사 강도로 최적의 고정 각도를 결정할 수 있다.Meanwhile, a new signal conversion algorithm can be applied to compensate for the narrow dynamic range of the typical fixed angle mode and determine the optimal fixed angle. For example, the signal transformation algorithm uses the differentiation of the normalized raw curve by linear regression fitting and sigmoid asymmetric fitting to determine the left side of the SPR dip curve. The optimal fixation angle can be determined with the minimum reflection intensity in the linear range of R2=0.99.

수광부(300)는 일 예로 프리즘(12)으로 입사되어 기판(11)을 투과한 후, 금속층(13)의 하면에서 반사된 이차원 평행광을 각 픽셀 단위로 측정할 수 있는 다중 채널(multiple channel) 수광 소자, 예컨대, CCD(Charge-Coupled Device) 카메라일 수 있다.For example, the light receiving unit 300 is a multiple channel capable of measuring two-dimensional parallel light incident on the prism 12, passing through the substrate 11, and then reflected from the lower surface of the metal layer 13 on a per-pixel basis. The light receiving element may be, for example, a CCD (Charge-Coupled Device) camera.

이하에서는, 도 15 및 도 16을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 가스 감지 시스템 시험 장치에 대하여 설명한다.Hereinafter, a gas detection system test device according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 15 and 16.

도 15 및 도 16을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 가스 감지 시스템 시험 장치(2000)는 가스를 이차원 이미지로 검출하는 가스 감지 시스템(1000)을 시험하는 장치에 있어서, 시험가스가 저장되는 시험가스 저장부(2001), 시험가스 저장부(2001)와 연결되고, 시험가스와 혼합될 수 있는 비교가스가 저장되는 비교가스 저장부(2002), 비교가스 저장부(2002) 및 가스 감지 시스템(1000)과 연결되고, 비교가스를 가스 감지 시스템(1000)으로 공급하는 비교가스 공급부(2003), 시험가스 저장부(2001), 비교가스 저장부(2002) 및 가스 감지 시스템(1000)과 연결되고, 시험가스에 비교가스의 적어도 일부를 혼합시켜서 서로 다른 가스 농도를 갖는 복수의 시험용 혼합가스를 생성하며, 복수의 시험용 혼합가스를 가스 감지 시스템(1000)으로 공급하는 시험용 혼합가스 생성부(2004) 및 가스 감지 시스템(1000)으로 공급된 복수의 시험용 혼합가스의 검출값과 비교가스의 검출값을 비교 분석하여 가스 농도에 따른 이차원 이미지를 기 설정하는 설정부(2005)를 포함할 수 있다.15 and 16, the gas detection system test device 2000 according to an embodiment of the present invention is a device for testing the gas detection system 1000 that detects gas as a two-dimensional image, and the test gas is stored. test gas storage unit (2001), a comparison gas storage unit (2002) connected to the test gas storage unit (2001) and storing a comparison gas that can be mixed with the test gas, a comparison gas storage unit (2002), and gas detection A comparison gas supply unit (2003), a test gas storage unit (2001), a comparison gas storage unit (2002), and a gas detection system (1000) that are connected to the system (1000) and supply comparison gas to the gas detection system (1000). A test mixed gas generator ( 2004) and a setting unit 2005 that compares and analyzes the detection values of a plurality of test mixed gases supplied to the gas detection system 1000 and the detection values of the comparison gas to preset a two-dimensional image according to the gas concentration. .

시험가스 저장부(2001)는 제1 시험가스가 저장되는 제1 시험가스 저장탱크(2100), 제2 시험가스가 저장되는 제2 시험가스 저장탱크(2200) 및 제3 시험가스가 저장되는 제3 시험가스 저장탱크(2300)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 시험가스, 제2 시험가스 및 제3 시험가스는 서로 상이한 종류의 가스일 수 있으며, 가스 검출 시스템(1000)에서 검출하고자 하는 가스일 수 있다.The test gas storage unit 2001 includes a first test gas storage tank 2100 in which the first test gas is stored, a second test gas storage tank 2200 in which the second test gas is stored, and a third test gas in which the third test gas is stored. 3 May include a test gas storage tank (2300). For example, the first test gas, the second test gas, and the third test gas may be different types of gas and may be gases to be detected by the gas detection system 1000.

비교가스 저장부(2002)는 시험가스의 농도를 조절하기 위해 시험가스와 혼합될 수 있는 비교가스가 저장되는 부분으로, 일 예로 질소(N2) 가스가 저장되는 비교가스 저장탱크(2400)로 구비될 수 있다.The comparison gas storage unit (2002) is a part where comparison gas that can be mixed with the test gas is stored in order to control the concentration of the test gas. For example, it is equipped with a comparison gas storage tank (2400) in which nitrogen (N2) gas is stored. It can be.

비교가스 공급부(2003)는 비교가스 저장부(2002) 및 가스 감지 시스템(1000) 사이에 연결되는 제4 공급 라인(2410), 비교가스 저장부(2002)의 후단에서 제4 공급 라인(2410)에 연결되는 제1 비교가스 공급 밸브(2412), 제1 비교가스 공급 밸브(2412)의 전단에 구비되는 압력 레귤레이터(2413) 및 압력 레귤레이터(2413)의 후단에 구비되는 제2 비교가스 공급 밸브(2414)를 포함할 수 있다. 이때, 제1 비교가스 공급 밸브(2412)는 제1 비교가스 공급 밸브(2412)의 전단에서 제4 공급 라인(2410)에 연결되는 압력계(2411)의 측정값에 기초하여 개폐될 수 있다. 또한, 제2 비교가스 공급 밸브(2414)는 압력 레귤레이터(2413)의 측정값에 기초하여 개폐될 수 있다.The comparison gas supply unit 2003 includes a fourth supply line 2410 connected between the comparison gas storage unit 2002 and the gas detection system 1000, and a fourth supply line 2410 at the rear end of the comparison gas storage unit 2002. A first comparison gas supply valve 2412 connected to, a pressure regulator 2413 provided at the front of the first comparison gas supply valve 2412, and a second comparison gas supply valve provided at the rear of the pressure regulator 2413 ( 2414). At this time, the first comparison gas supply valve 2412 may be opened and closed based on the measured value of the pressure gauge 2411 connected to the fourth supply line 2410 at the front of the first comparison gas supply valve 2412. Additionally, the second comparison gas supply valve 2414 may be opened and closed based on the measured value of the pressure regulator 2413.

시험용 혼합가스 생성부(2004)는 제1 시험가스 저장탱크(2100) 및 가스 감지 시스템(1000) 사이에 연결되고, 제1 시험가스와 비교가스를 혼합시켜서 제1 시험용 혼합가스를 생성하며, 제1 시험용 혼합가스를 가스 감지 시스템(1000)으로 공급하는 제1 공급라인(2110), 제2 시험가스 저장탱크(2200) 및 가스 감지 시스템(1000) 사이에 연결되고, 제2 시험가스와 비교가스를 혼합시켜서 제2 시험용 혼합가스를 생성하며, 제2 시험용 혼합가스를 가스 감지 시스템(1000)으로 공급하는 제2 공급라인(2210) 및 제3 시험가스 저장탱크(2300) 및 가스 감지 시스템(1000) 사이에 연결되고, 제3 시험가스와 비교가스를 혼합시켜서 제3 시험용 혼합가스를 생성하며, 제3 시험용 혼합가스를 가스 감지 시스템(1000)으로 공급하는 제3 공급라인(2310)을 포함할 수 있다.The test mixed gas generator (2004) is connected between the first test gas storage tank (2100) and the gas detection system (1000), mixes the first test gas and the comparison gas to generate the first test mixed gas, and 1 It is connected between the first supply line (2110) that supplies the test mixed gas to the gas detection system (1000), the second test gas storage tank (2200), and the gas detection system (1000), and the second test gas and comparison gas A second test gas mixture is generated by mixing, and a second supply line (2210) and a third test gas storage tank (2300) and gas detection system (1000) supply the second test mixed gas to the gas detection system (1000). ) is connected between the third test gas and the comparison gas to generate a third test mixed gas, and includes a third supply line 2310 that supplies the third test mixed gas to the gas detection system 1000. You can.

이때, 제1 공급 라인(2110)에는 제1 공급밸브(2112) 및 제2 공급 밸브(2114)가 설치될 수 있고, 제2 공급라인(2210)에는 제3 공급밸브(2212) 및 제4 공급 밸브(2214)가 설치될 수 있으며, 제3 공급라인(2310)에는 제5 공급밸브(2312) 및 제6 공급 밸브(2314)가 설치될 수 있다. 여기서, 제1 공급밸브(2112) 및 제2 공급 밸브(2114)는 제1 공급 라인(2110)에 설치된 압력계(2111) 및 제1 유량계(2113)에서 측정되는 값을 바탕으로 개폐될 수 있다. 제3 공급밸브(2212) 및 제4 공급 밸브(2214)는 제2 공급 라인(2210)에 설치된 압력계(2211) 및 제2 유량계(2213)에서 측정되는 값을 바탕으로 개폐될 수 있으며, 제5 공급밸브(2312) 및 제6 공급 밸브(2314)는 제3 공급 라인(2310)에 설치된 압력계(2311) 및 제3 유량계(2313)에서 측정되는 값을 바탕으로 개폐될 수 있다.At this time, a first supply valve 2112 and a second supply valve 2114 may be installed in the first supply line 2110, and a third supply valve 2212 and a fourth supply valve may be installed in the second supply line 2210. A valve 2214 may be installed, and a fifth supply valve 2312 and a sixth supply valve 2314 may be installed in the third supply line 2310. Here, the first supply valve 2112 and the second supply valve 2114 may be opened and closed based on values measured by the pressure gauge 2111 and the first flow meter 2113 installed in the first supply line 2110. The third supply valve 2212 and the fourth supply valve 2214 may be opened and closed based on the values measured by the pressure gauge 2211 and the second flow meter 2213 installed in the second supply line 2210, and the fifth supply valve 2212 The supply valve 2312 and the sixth supply valve 2314 may be opened and closed based on values measured by the pressure gauge 2311 and the third flow meter 2313 installed in the third supply line 2310.

아울러, 시험용 혼합가스 생성부(2004)는 제1 공급라인(2110)의 단부, 제2 공급라인(2210)의 단부 및 제3 공급라인(2310)의 단부를 연결하는 연결 라인(2500), 제4 공급라인(2410)으로부터 분기되는 제4 분기라인(2420), 제4 분기라인(2420)과 병렬 연결되고, 제1 공급라인(2110)과 연통되는 제1 혼합 라인(2430a), 제4 분기라인(2420)과 병렬 연결되고, 제2 공급라인(2210)과 연통되는 제2 혼합 라인(2430b) 및 제4 분기라인(2420)과 병렬 연결되고, 제3 공급라인(2310)과 연통되는 제3 혼합 라인(2430c)을 추가적으로 포함할 수 있다. 여기서, 제1 내지 제3 혼합 라인(2430a, 2430b, 2430c)에는 제1 내지 제3 혼합 밸브(2431a, 2431b, 2431c)가 설치될 수 있다. 제1 내지 제3 혼합 밸브(2431a, 2431b, 2431c)는 제4 분기라인(2420)에 설치된 제5 유량계(2421)의 측정값을 기초로 하여 개폐될 수 있다.In addition, the test mixed gas generator 2004 includes a connection line 2500 connecting the end of the first supply line 2110, the end of the second supply line 2210, and the end of the third supply line 2310, 4 A fourth branch line 2420 branched from the supply line 2410, a first mixing line 2430a connected in parallel with the fourth branch line 2420 and in communication with the first supply line 2110, a fourth branch A second mixing line (2430b) connected in parallel with the line 2420 and in communication with the second supply line 2210, and a first mixing line (2430b) connected in parallel with the fourth branch line 2420 and in communication with the third supply line 2310. 3 A mixing line 2430c may be additionally included. Here, first to third mixing valves 2431a, 2431b, and 2431c may be installed in the first to third mixing lines 2430a, 2430b, and 2430c. The first to third mixing valves 2431a, 2431b, and 2431c may be opened and closed based on the measured value of the fifth flow meter 2421 installed in the fourth branch line 2420.

이때, 제1 혼합 라인(2430a)의 단부에는 제1 시험용 혼합가스를 선택적으로 배출하는 제1 벤트부가 구비될 수 있다. 이러한 제1 벤트부는 제1 혼합 라인(2430a)에 개폐 가능하게 설치되는 제1 벤트 밸브(2433a) 및 제1 벤트 밸브(2433a)의 전단에 설치되어 제1 혼합 라인(2430a)의 압력을 측정하는 제1 압력계(2432a)를 포함할 수 있다.At this time, a first vent portion that selectively discharges the first test mixed gas may be provided at the end of the first mixing line 2430a. This first vent unit is installed in the front of the first vent valve 2433a and the first vent valve 2433a to be openable and closed in the first mixing line 2430a to measure the pressure of the first mixing line 2430a. It may include a first pressure gauge 2432a.

또한, 제2 혼합 라인(2430b)의 단부에는 제2 시험용 혼합가스를 선택적으로 배출하는 제2 벤트부가 구비되고, 제2 벤트부는, 제2 혼합 라인(2430b)에 개폐 가능하게 설치되는 제2 벤트 밸브(2433b) 및 제2 벤트 밸브(2433b)의 전단에 설치되어 제2 혼합 라인(2430b)의 압력을 측정하는 제2 압력계(2432b)를 포함할 수 있다.In addition, the end of the second mixing line (2430b) is provided with a second vent that selectively discharges the second test mixed gas, and the second vent is a second vent that is installed to be openable and closed in the second mixing line (2430b). It may include a second pressure gauge (2432b) installed in front of the valve (2433b) and the second vent valve (2433b) to measure the pressure of the second mixing line (2430b).

뿐만 아니라, 제3 혼합 라인(2430c)의 단부에는 제1 시험용 혼합가스를 선택적으로 배출하는 제3 벤트부가 구비되고, 제3 벤트부는, 제3 혼합 라인(2430c)에 개폐 가능하게 설치되는 제3 벤트 밸브(2433c) 및 제3 벤트 밸브(2433c)의 전단에 설치되어 제3 혼합 라인(2430c)의 압력을 측정하는 제3 압력계(2432c)를 포함할 수 있다.In addition, a third vent portion for selectively discharging the first test mixed gas is provided at the end of the third mixing line 2430c, and the third vent portion is installed to be openable and closed in the third mixing line 2430c. It may include a vent valve 2433c and a third pressure gauge 2432c installed in front of the third vent valve 2433c to measure the pressure of the third mixing line 2430c.

이러한 제1 내지 제3 벤트부에 의해 제1 시험용 가스, 제2 시험용 가스 및 제3 실험용 가스 중 어느 하나와 비교가스가 원활하게 혼합되어 시험용 혼합 가스를 형성할 수 있고, 시험용 혼합 가스의 농도를 소망하는 농도로 조절할 수 있다.By these first to third vent parts, any one of the first test gas, the second test gas, and the third test gas and the comparison gas can be smoothly mixed to form a test mixed gas, and the concentration of the test mixed gas can be adjusted. It can be adjusted to the desired concentration.

한편, 시험용 혼합가스 생성부(2004)는 연결 라인(2500)으로부터 분기되는 제1 분기라인(2610a), 연결 라인(2500)으로부터 분기되는 제2 분기라인(2610b) 및 연결 라인(2500)으로부터 분기되는 제3 분기라인(2610c)을 추가적으로 포함할 수 있다. 이때, 제1 내지 제3 분기라인(2610a, 2610b, 2610c)에는 각각 제1 내지 제3 분기 밸브(2611a, 2611b, 2611c)가 설치될 수 있다. 이러한 제1 내지 제3 분기 밸브(2611a, 2611b, 2611c)는 연결 라인(2500)에 설치된 제4 유량계(2510)의 측정값 및 제4 분기라인(2420)에 설치된 제5 유량계(2421)의 측정값 중 적어도 하나를 기초로 하여 개폐될 수 있다.Meanwhile, the test mixed gas generator 2004 has a first branch line 2610a branched from the connection line 2500, a second branch line 2610b branched from the connection line 2500, and a branch branch from the connection line 2500. It may additionally include a third branch line 2610c. At this time, first to third branch valves 2611a, 2611b, and 2611c may be installed in the first to third branch lines 2610a, 2610b, and 2610c, respectively. These first to third branch valves (2611a, 2611b, 2611c) measure the measurement value of the fourth flow meter 2510 installed in the connection line 2500 and the measurement value of the fifth flow meter 2421 installed in the fourth branch line 2420. It may be opened or closed based on at least one of the values.

설정부(2005)는 가스 감지 시스템(1000)으로 공급된 복수의 시험용 혼합가스의 검출값과 비교가스의 검출값을 비교 분석하여 가스 농도에 따른 이차원 이미지를 기 설정할 수 있다. 예를 들어, 설정부(2005)는 제1 농도를 갖는 가스는 제1 명암을 갖는 이차원 이미지와 기 매칭시키고, 제1 농도보다 높은 제2 농도를 갖는 가스는 제1 명암보다 짙은 제2 명암을 갖는 이차원 이미지와 기 매칭시킬 수 있다. 다만, 이는 설명의 편의를 위한 예시에 불과하고, 이로 인해 본 발명의 사상이 제한되는 것은 아니다. 설정부(2005)가 가스 농도와 이차원 이미지를 매칭시키는 방법은 다양하게 변형될 수 있다.The setting unit 2005 may compare and analyze the detection values of the plurality of test mixed gases supplied to the gas detection system 1000 and the detection values of the comparison gas to preset a two-dimensional image according to the gas concentration. For example, the setting unit 2005 matches a gas having a first concentration with a two-dimensional image having a first contrast, and a gas having a second concentration higher than the first concentration matches a second contrast darker than the first contrast. It can be matched with a two-dimensional image. However, this is only an example for convenience of explanation and does not limit the spirit of the present invention. The method by which the setting unit 2005 matches the gas concentration and the two-dimensional image can be modified in various ways.

이하에서는, 도 17을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 가스 감지 시스템 시험 방법에 대하여 설명한다.Hereinafter, a gas detection system testing method according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 17.

도 17을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 가스 감지 시스템 시험 방법은 시험가스에 비교가스의 적어도 일부를 혼합시켜서 서로 다른 가스 농도를 갖는 복수의 시험용 혼합가스를 생성하는 단계(S10), 생성된 복수의 시험용 혼합가스를 가스 감지 시스템(1000)으로 공급하여 복수의 시험용 혼합가스를 이차원 이미지로 검출하는 단계(S20), 비교가스를 가스 감지 시스템(1000)으로 공급하여 비교가스를 이차원 이미지로 검출하는 단계(S30) 및 가스 감지 시스템(1000)으로 공급된 복수의 시험용 혼합가스의 검출값과 비교가스의 검출값을 비교 분석하여 가스 농도에 따른 이차원 이미지를 기 설정하는 단계(S40)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 17, the gas detection system test method according to an embodiment of the present invention includes mixing at least a portion of the comparison gas with the test gas to generate a plurality of test mixed gases with different gas concentrations (S10), Step (S20) of detecting a plurality of test mixed gases as a two-dimensional image by supplying the generated plurality of test mixed gases to the gas detection system 1000, supplying the comparison gas to the gas detection system 1000 to convert the comparison gas into a two-dimensional image A step of detecting (S30) and a step of pre-setting a two-dimensional image according to the gas concentration by comparing and analyzing the detection values of the plurality of test mixed gases supplied to the gas detection system 1000 and the detection values of the comparison gas (S40). It can be included.

복수의 시험용 혼합가스를 생성하는 단계(S10)에서 복수의 시험용 혼합가스, 예컨대, 가스 감지 시스템(1000)에서 감지하고자 하는 가스에 비교가스를 혼합하여 복수의 시험용 혼합가스를 생성하면, 생성된 복수의 시험용 혼합가스를 가스 감지 시스템(1000)으로 공급하여 복수의 시험용 혼합가스를 이차원 이미지로 검출하는 단계(S20)가 수행된다.In the step of generating a plurality of mixed gases for testing (S10), when a plurality of mixed gases for test are generated by mixing a comparative gas with a plurality of mixed gases for test, for example, a gas to be detected by the gas detection system 1000, the plurality of gases generated A step (S20) of supplying the mixed test gas to the gas detection system 1000 and detecting the plurality of test mixed gases as two-dimensional images is performed.

구체적으로, 가스 주입 모듈(20)의 가스 채널(221)에 복수의 시험용 혼합가스를 유동시키고, 가스 채널(221)을 유동하는 복수의 시험용 혼합가스가 가스 감지 칩(10)의 리간드 화합물층(15)과 규칙적으로 반복 접촉되거나, 계속적으로 접촉되거나, 불규칙적으로 반복 접촉되도록 한다. 그 후, 가스 감지 칩(10)에 이차원 평행광을 조사하고, 가스 감지 칩(10)으로부터 반사된 광을 이용하여 복수의 시험용 혼합가스의 이차원 이미지를 획득한다.Specifically, a plurality of test mixed gases are flowed through the gas channel 221 of the gas injection module 20, and the plurality of test mixed gases flowing through the gas channel 221 are connected to the ligand compound layer 15 of the gas sensing chip 10. ) should be in regular, continuous, or irregular, repeated contact. Afterwards, two-dimensional parallel light is irradiated to the gas detection chip 10, and two-dimensional images of a plurality of mixed gases for testing are obtained using the light reflected from the gas detection chip 10.

한편, 복수의 시험용 혼합가스의 이차원 이미지에 대한 비교 데이터를 수득하기 위해, 비교가스를 가스 감지 시스템(1000)으로 공급하여 비교가스를 이차원 이미지로 검출하는 단계(S30)가 수행된다. 가스 주입 모듈(20)의 가스 채널(221)에 비교가스를 유동시키고, 가스 채널(221)을 유동하는 비교가스가 가스 감지 칩(10)의 리간드 화합물층(15)과 규칙적으로 반복 접촉되거나, 계속적으로 접촉되거나, 불규칙적으로 반복 접촉되도록 한다. 그 후, 가스 감지 칩(10)에 이차원 평행광을 조사하고, 가스 감지 칩(10)으로부터 반사된 광을 이용하여 비교가스의 이차원 이미지를 획득한다.Meanwhile, in order to obtain comparative data on two-dimensional images of a plurality of test mixed gases, a step (S30) of supplying the comparison gas to the gas detection system 1000 and detecting the comparison gas as a two-dimensional image is performed. A comparison gas is flowed through the gas channel 221 of the gas injection module 20, and the comparison gas flowing through the gas channel 221 is regularly and repeatedly contacted with the ligand compound layer 15 of the gas sensing chip 10, or is continuously Contact is made repeatedly or irregularly. Afterwards, two-dimensional parallel light is irradiated to the gas detection chip 10, and a two-dimensional image of the comparison gas is obtained using the light reflected from the gas detection chip 10.

마지막으로, S20 단계에서 수득된 복수의 시험용 혼합가스의 검출값, 예컨대, 복수의 시험용 혼합가스로부터 검출된 이차원 이미지, S30 단계에서 수득된 비교가스의 검출값, 예컨대, 비교가스로부터 검출된 이차원 이미지 및 기 저장된 데이터들을 비교 분석함으로써, 가스 농도에 따른 이차원 이미지가 기 설정될 수 있다. Finally, the detection values of the plurality of test gas mixtures obtained in step S20, e.g., two-dimensional images detected from the plurality of test mixed gases, and the detection values of the comparison gas obtained in step S30, e.g., two-dimensional images detected from the comparison gases. And by comparing and analyzing previously stored data, a two-dimensional image according to gas concentration can be preset.

이상 본 발명의 실시예들을 구체적인 실시 형태로서 설명하였으나, 이는 예시에 불과한 것으로서, 본 발명은 이에 한정되지 않는 것이며, 본 명세서에 개시된 기초 사상에 따르는 최광의 범위를 갖는 것으로 해석되어야 한다. 당업자는 개시된 실시형태들을 조합/치환하여 적시되지 않은 형상의 패턴을 실시할 수 있으나, 이 역시 본 발명의 범위를 벗어나지 않는 것이다. 이외에도 당업자는 본 명세서에 기초하여 개시된 실시형태를 용이하게 변경 또는 변형할 수 있으며, 이러한 변경 또는 변형도 본 발명의 권리범위에 속함은 명백하다.Although embodiments of the present invention have been described above as specific embodiments, this is merely an example, and the present invention is not limited thereto, and should be construed as having the widest scope following the basic ideas disclosed in this specification. A person skilled in the art may implement a pattern of a shape not specified by combining/substituting the disclosed embodiments, but this also does not depart from the scope of the present invention. In addition, a person skilled in the art can easily change or modify the embodiments disclosed based on the present specification, and it is clear that such changes or modifications also fall within the scope of the present invention.

10, 10a, 10b: 가스 감지 칩 11: 기판
12: 프리즘 13: 금속층
14: 금속 산화물층 15, 15a, 15b: 리간드 화합물층
20: 가스 주입 모듈 21: 제1 본체
22: 제2 본체 100, 100a, 100b: 가스 감지 장치
211: 가스 주입구 212: 가스 배출구
221: 가스 채널 222: 패킹 부재
200: 광원부 300: 수광부
1000: 가스 감지 시스템 2000: 가스 감지 시스템 시험 장치
2001: 시험가스 저장부 2002: 비교가스 저장부
2003: 비교가스 공급부 2004: 시험용 혼합가스 생성부
2005: 설정부 2100: 제1 시험가스 저장탱크
2110: 제1 공급라인 2112: 제1 공급밸브
2113: 제1 유량계 2114: 제2 공급 밸브
2200: 제2 시험가스 저장탱크 2210: 제2 공급라인
2111, 2211, 2411, 2311: 압력계
2212: 제3 공급밸브 2213: 제2 유량계
2214: 제4 공급밸브 2300: 제3 시험가스 저장탱크
2310: 제3 공급라인 2312: 제5 공급밸브
2313: 제3 유랑계 2314: 제6 공급밸브
2400: 비교가스 저장탱크 2410: 제4 공급 라인
2412: 제1 비교가스 공급 밸브 2413: 압력 레귤레이터
2414: 제2 비교가스 공급 밸브 2420: 제4 분기라인
2421: 제5 유랑계 2430a: 제1 혼합 라인
2431a: 제1 혼합 밸브 2430b: 제1 혼합 라인
2431b: 제2 혼합 밸브 2430c: 제3 혼합 라인
2431c: 제3 혼합 밸브 2433a: 제1 벤트 밸브
2432a: 제1 압력계 2433b: 제2 벤트 밸브
2432b: 제2 압력계 2433c: 제3 벤트 밸브
2432c: 제3 압력계 2500: 연결 라인
2510: 제4 유랑계 2610a: 제1 분기라인
2610b: 제2 분기라인 2610c: 제3 분기라인
2611a: 제1 분기 밸브 2611b: 제2 분기 밸브
2611c: 제3 분기 밸브10, 10a, 10b: gas detection chip 11: substrate
12: Prism 13: Metal layer
14: Metal oxide layer 15, 15a, 15b: Ligand compound layer
20: gas injection module 21: first body
22: second body 100, 100a, 100b: gas detection device
211: gas inlet 212: gas outlet
221: gas channel 222: packing member
200: light source unit 300: light receiving unit
1000: Gas detection system 2000: Gas detection system test device
2001: Test gas storage 2002: Comparison gas storage
2003: Comparison gas supply unit 2004: Test mixed gas generation unit
2005: Setting unit 2100: First test gas storage tank
2110: first supply line 2112: first supply valve
2113: first flow meter 2114: second supply valve
2200: second test gas storage tank 2210: second supply line
2111, 2211, 2411, 2311: Pressure gauge
2212: Third supply valve 2213: Second flow meter
2214: fourth supply valve 2300: third test gas storage tank
2310: Third supply line 2312: Fifth supply valve
2313: Third traveling system 2314: Sixth supply valve
2400: comparative gas storage tank 2410: fourth supply line
2412: first comparison gas supply valve 2413: pressure regulator
2414: Second comparison gas supply valve 2420: Fourth branch line
2421: 5th wandering system 2430a: 1st mixing line
2431a: first mixing valve 2430b: first mixing line
2431b: second mixing valve 2430c: third mixing line
2431c: third mixing valve 2433a: first vent valve
2432a: first pressure gauge 2433b: second vent valve
2432b: second pressure gauge 2433c: third vent valve
2432c: third pressure gauge 2500: connection line
2510: 4th wandering system 2610a: 1st branch line
2610b: second branch line 2610c: third branch line
2611a: first branch valve 2611b: second branch valve
2611c: Third branch valve

Claims

It includes a substrate, a prism provided on the lower surface of the substrate, a metal layer provided on the upper surface of the substrate, a metal oxide layer provided on at least a portion of the upper surface of the metal layer, and a ligand compound layer disposed on at least a portion of the upper surface of the metal oxide layer. gas detection chip; and
A gas injection module is coupled to the upper part of the gas sensing chip, covers the gas sensing chip, injects a gas containing a plurality of components into the gas sensing chip, and discharges the gas injected into the gas sensing chip. Including,
The gas injection module,
It includes a gas channel that is recessed to accommodate the ligand compound layer and extends in one direction to provide a flow path for the gas injected into the gas sensing chip,
The ligand compound layer accommodated in the gas channel is in contact with the gas flowing along the gas channel at least once to react with one of a plurality of components contained in the gas, and the gas channel is provided in plural,
The plurality of gas channels extend along a first direction to flow the gas in the first direction,
The gas flowing in the first direction is continuously contacted with the ligand compound layer extending in the first direction, and the ligand compound layer extends along the first direction into which the gas is injected.
A gas sensing device having a parallel array of ligand compounds.