KR20230142507A - Augmented Reality (AR) Assisted Particle Contamination Detection - Google Patents
Augmented Reality (AR) Assisted Particle Contamination Detection Download PDFInfo
- Publication number
- KR20230142507A KR20230142507A KR1020237027690A KR20237027690A KR20230142507A KR 20230142507 A KR20230142507 A KR 20230142507A KR 1020237027690 A KR1020237027690 A KR 1020237027690A KR 20237027690 A KR20237027690 A KR 20237027690A KR 20230142507 A KR20230142507 A KR 20230142507A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- contaminant
- sensors
- headset
- present
- processor
- Prior art date
Links
- 230000003190 augmentative effect Effects 0.000 title claims abstract description 14
- 239000002245 particle Substances 0.000 title description 8
- 238000001514 detection method Methods 0.000 title description 3
- 238000011109 contamination Methods 0.000 title 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 claims abstract description 86
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 36
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims abstract description 31
- 230000004044 response Effects 0.000 claims abstract description 18
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 14
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 15
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 62
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 57
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 38
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 22
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 14
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 14
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 description 13
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 11
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 10
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 10
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 6
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 5
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 5
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 5
- 238000000701 chemical imaging Methods 0.000 description 4
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 4
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 4
- 239000013618 particulate matter Substances 0.000 description 4
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 4
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 238000009304 pastoral farming Methods 0.000 description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- 238000003491 array Methods 0.000 description 2
- 201000009310 astigmatism Diseases 0.000 description 2
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 2
- 230000005381 magnetic domain Effects 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000012876 topography Methods 0.000 description 2
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 2
- -1 Li vapor Substances 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000001900 extreme ultraviolet lithography Methods 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 238000003801 milling Methods 0.000 description 1
- 238000010943 off-gassing Methods 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 1
- 238000012163 sequencing technique Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 description 1
- 238000011179 visual inspection Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/94—Investigating contamination, e.g. dust
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01S—RADIO DIRECTION-FINDING; RADIO NAVIGATION; DETERMINING DISTANCE OR VELOCITY BY USE OF RADIO WAVES; LOCATING OR PRESENCE-DETECTING BY USE OF THE REFLECTION OR RERADIATION OF RADIO WAVES; ANALOGOUS ARRANGEMENTS USING OTHER WAVES
- G01S15/00—Systems using the reflection or reradiation of acoustic waves, e.g. sonar systems
- G01S15/02—Systems using the reflection or reradiation of acoustic waves, e.g. sonar systems using reflection of acoustic waves
- G01S15/06—Systems determining the position data of a target
- G01S15/08—Systems for measuring distance only
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
- G02B27/01—Head-up displays
- G02B27/017—Head mounted
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
- G03F7/7065—Defects, e.g. optical inspection of patterned layer for defects
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/8851—Scan or image signal processing specially adapted therefor, e.g. for scan signal adjustment, for detecting different kinds of defects, for compensating for structures, markings, edges
- G01N2021/8854—Grading and classifying of flaws
- G01N2021/888—Marking defects
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Remote Sensing (AREA)
- Radar, Positioning & Navigation (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- User Interface Of Digital Computer (AREA)
Abstract
증강 현실(AR) 헤드셋이 1 이상의 센서, 및 1 이상의 센서에 커플링된 프로세서를 포함한다. 1 이상의 센서는 검사 동안 대상물의 표면을 스캔하도록 구성될 수 있다. 프로세서는 검사 동안 실시간으로, 1 이상의 센서를 사용하여 얻어진 정보를 처리하도록 구성될 수 있다. 프로세서는 처리된 정보에 기초하여, 오염물이 대상물의 표면에 존재하는지 여부를 결정하도록 더 구성될 수 있다. 또한, 프로세서는 오염물이 대상물의 표면에 존재한다는 결정에 응답하여, AR 헤드셋의 사용자에게 오염물의 이미지를 보여주도록 더 구성될 수 있다.An augmented reality (AR) headset includes one or more sensors and a processor coupled to the one or more sensors. One or more sensors may be configured to scan the surface of an object during inspection. The processor may be configured to process information obtained using one or more sensors in real time during the inspection. The processor may be further configured to determine whether contaminants are present on the surface of the object based on the processed information. Additionally, the processor may be further configured to display an image of the contaminant to the user of the AR headset in response to determining that contaminant is present on the surface of the object.
Description
본 출원은 2021년 2월 16일에 출원된 미국 가특허 출원 제 63/149,783호의 우선권을 주장하며, 이는 본 명세서에서 그 전문이 인용참조된다.This application claims priority from U.S. Provisional Patent Application No. 63/149,783, filed February 16, 2021, which is hereby incorporated by reference in its entirety.
본 발명은 리소그래피 시스템, 예를 들어 오염물을 검출하기 위한 검사 시스템에 관한 것이다.The present invention relates to lithography systems, for example inspection systems for detecting contaminants.
리소그래피 장치는 기판 상에, 통상적으로는 기판의 타겟부 상에 원하는 패턴을 적용시키는 기계이다. 리소그래피 장치는, 예를 들어 집적 회로(IC)의 제조 시에 사용될 수 있다. 그 경우, 대안적으로 마스크 또는 레티클이라 칭하는 패터닝 디바이스가 IC의 개별층 상에 형성될 회로 패턴을 생성하기 위해 사용될 수 있다. 이 패턴은 기판(예컨대, 실리콘 웨이퍼) 상의 (예를 들어, 다이의 부분, 한 개 또는 수 개의 다이를 포함하는) 타겟부 상으로 전사(transfer)될 수 있다. 패턴의 전사는 통상적으로 기판 상에 제공된 방사선-감응재(레지스트)층 상으로의 이미징(imaging)을 통해 수행된다. 일반적으로, 단일 기판은 연속하여 패터닝되는 인접한 타겟부들의 네트워크를 포함할 것이다. 알려진 리소그래피 장치는, 한 번에 타겟부 상으로 전체 패턴을 노광함으로써 각각의 타겟부가 조사(irradiate)되는 소위 스테퍼, 및 방사선 빔을 통해 주어진 방향("스캐닝"-방향)으로 패턴을 스캐닝하는 한편, 이 스캐닝 방향과 평행하게 또는 역-평행하게(anti-parallel) 타겟부들을 동기적으로 스캐닝함으로써 각각의 타겟부가 조사되는 소위 스캐너를 포함한다. 또한, 기판 상에 패턴을 임프린트(imprint)함으로써 패터닝 디바이스로부터 기판으로 패턴을 전사할 수도 있다.A lithographic apparatus is a machine that applies a desired pattern to a substrate, typically a target portion of the substrate. Lithographic devices may be used, for example, in the manufacture of integrated circuits (ICs). In that case, a patterning device, alternatively called a mask or reticle, may be used to create the circuit pattern to be formed on the individual layers of the IC. This pattern can be transferred onto a target portion (eg, comprising a portion of a die, one or several dies) on a substrate (eg, a silicon wafer). Transfer of the pattern is typically performed through imaging onto a layer of radiation-sensitive material (resist) provided on the substrate. Typically, a single substrate will contain a network of adjacent target portions that are sequentially patterned. Known lithographic devices scan the pattern in a given direction (“scanning”-direction) via a so-called stepper, in which each target portion is irradiated by exposing the entire pattern onto the target portion at once, and a radiation beam, This includes a so-called scanner in which each target portion is illuminated by synchronously scanning the target portions parallel or anti-parallel to the scanning direction. Additionally, the pattern may be transferred from the patterning device to the substrate by imprinting the pattern on the substrate.
또 다른 리소그래피 시스템은, 패터닝 디바이스가 존재하지 않고, 오히려 광 빔이 2 개의 빔으로 분할되고 두 빔들이 반사 시스템의 사용을 통해 기판의 타겟부에서 간섭하게 되는 간섭계 리소그래피 시스템이다. 간섭은 기판의 타겟부에 라인들이 형성되도록 한다.Another lithography system is an interferometric lithography system in which there is no patterning device, but rather the light beam is split into two beams and the two beams interfere at the target portion of the substrate through the use of a reflection system. Interference causes lines to be formed in the target portion of the substrate.
리소그래피 작업 동안, 상이한 처리 단계들은 상이한 층들이 기판 상에 순차적으로 형성될 것을 요구할 수 있다. 층들의 시퀀싱은 통상적으로 각각의 패턴 전사 공정에 대해 각각의 층에 대한 원하는 패턴에 따라 상이한 레티클들을 교환함으로써 달성된다. 전형적인 리소그래피 시스템은 레티클 상의 패턴들 및 레티클로부터 웨이퍼 상으로 전사된 패턴들에 관하여 나노미터 이하의 공차들 내에서 작동한다. 레티클 상의 오염물 입자가 전사된 패턴들에 오차를 도입할 수 있다. 그러므로, 나노미터 이하의 정확성으로 웨이퍼 상에 패턴을 정확하게 전사할 수 있는 오염물-없는(contaminant-free) 레티클을 유지하는 것이 바람직하다.During a lithographic operation, different processing steps may require different layers to be formed sequentially on the substrate. Sequencing of layers is typically accomplished by swapping different reticles for each pattern transfer process according to the desired pattern for each layer. A typical lithography system operates within subnanometer tolerances with respect to patterns on the reticle and patterns transferred from the reticle onto the wafer. Contaminant particles on the reticle can introduce errors into the transferred patterns. Therefore, it is desirable to maintain a contaminant-free reticle that can accurately transfer patterns onto a wafer with sub-nanometer accuracy.
리소그래피 장치의 환경 내에서는, 예를 들어 레티클 핸드오프, 웨이퍼 핸드오프, 제어된 가스 흐름, 진공 챔버 벽들의 가스방출, 액체 분배(예를 들어, 포토레지스트 코팅), 온도 변동, 금속 증착, 수많은 작동가능한 구성요소들의 신속한 이동, 및 구조체들의 마모와 같은 매우 동적인 프로세스들이 발생한다. 시간이 지남에 따라, 동적 프로세스들은 리소그래피 장치 내에 오염물 입자들을 도입하고 축적한다.Within the environment of a lithographic apparatus, for example, reticle handoff, wafer handoff, controlled gas flow, outgassing of vacuum chamber walls, liquid distribution (e.g. photoresist coating), temperature fluctuations, metal deposition, numerous operations. Highly dynamic processes occur, such as possible rapid movement of components and wear of structures. Over time, dynamic processes introduce and accumulate contaminant particles within the lithographic apparatus.
오염물을 검출하기 위한 개선된 검사 기술들을 제공할 필요가 있다.There is a need to provide improved inspection technologies to detect contaminants.
일부 실시예들에서, 증강 현실(AR) 헤드셋이 다음 구성요소들을 포함한다. 1 이상의 센서, 및 1 이상의 센서에 커플링된 프로세서. 1 이상의 센서는 검사 동안 대상물의 표면을 스캔하도록 구성될 수 있다. 프로세서는 검사 동안 실시간으로 1 이상의 센서를 사용하여 얻어진 정보를 처리하도록 구성될 수 있다. 프로세서는 처리된 정보에 기초하여, 오염물이 대상물의 표면에 존재하는지 여부를 결정하도록 더 구성될 수 있다. 또한, 프로세서는 오염물이 대상물의 표면에 존재한다는 결정에 응답하여, AR 헤드셋의 사용자에게 오염물의 이미지를 보여주도록 더 구성될 수 있다.In some embodiments, an augmented reality (AR) headset includes the following components. One or more sensors, and a processor coupled to the one or more sensors. One or more sensors may be configured to scan the surface of an object during inspection. The processor may be configured to process information obtained using one or more sensors in real time during the inspection. The processor may be further configured to determine whether contaminants are present on the surface of the object based on the processed information. Additionally, the processor may be further configured to display an image of the contaminant to the user of the AR headset in response to determining that contaminant is present on the surface of the object.
일부 실시예들에서, 방법이 다음 작업들을 포함한다. 증강 현실(AR) 헤드셋의 1 이상의 센서를 사용하여, 검사 동안 대상물의 표면을 스캔하는 것. 검사 동안 실시간으로, 1 이상의 센서를 사용하여 얻어진 정보를 처리하는 것. 처리된 정보에 기초하여, 오염물이 대상물의 표면에 존재하는지 여부를 결정하는 것. 오염물이 대상물의 표면에 존재한다는 결정에 응답하여, AR 헤드셋의 사용자에게 오염물의 이미지를 보여주는 것.In some embodiments, the method includes the following operations. Using one or more sensors in an augmented reality (AR) headset to scan the surface of an object during inspection. Processing information obtained using one or more sensors in real time during an inspection. Based on the processed information, determining whether contaminants are present on the surface of the object. In response to determining that a contaminant is present on the surface of an object, showing an image of the contaminant to the user of the AR headset.
일부 실시예들에서, 비-일시적(non-transitory) 컴퓨터 판독가능한 매체가 다음 작업들을 수행하도록 1 이상의 프로세서에 의해 실행되는 1 이상의 명령어의 1 이상의 시퀀스를 저장한다. 증강 현실(AR) 헤드셋의 1 이상의 센서를 사용하여, 검사 동안 대상물의 표면을 스캔하는 것. 검사 동안 실시간으로, 1 이상의 센서를 사용하여 얻어진 정보를 처리하는 것. 처리된 정보에 기초하여, 오염물이 대상물의 표면에 존재하는지 여부를 결정하는 것. 오염물이 대상물의 표면에 존재한다는 결정에 응답하여, AR 헤드셋의 사용자에게 오염물의 이미지를 보여주는 것.In some embodiments, a non-transitory computer-readable medium stores one or more sequences of one or more instructions that are executed by one or more processors to perform the following tasks: Using one or more sensors in an augmented reality (AR) headset to scan the surface of an object during inspection. Processing information obtained using one or more sensors in real time during an inspection. Based on the processed information, determining whether contaminants are present on the surface of the object. In response to determining that a contaminant is present on the surface of an object, showing an image of the contaminant to the user of the AR headset.
첨부된 도면들을 참조하여, 다양한 실시예들의 구조 및 작동뿐만 아니라, 본 발명의 또 다른 특징들이 아래에서 상세하게 설명된다. 본 발명은 본 명세서에서 설명되는 특정한 실시예들에 제한되지 않는다는 것을 유의한다. 본 명세서에서, 이러한 실시예들은 단지 예시적인 목적으로만 제시된다. 당업자라면, 본 명세서에 포함되는 교시에 기초하여 추가적인 실시예들을 명백히 알 것이다.With reference to the accompanying drawings, the structure and operation of various embodiments, as well as further features of the present invention, are described in detail below. Note that the present invention is not limited to the specific embodiments described herein. In this specification, these embodiments are presented for illustrative purposes only. Additional embodiments will be apparent to those skilled in the art based on the teachings contained herein.
본 명세서에 통합되며 명세서의 일부분을 형성하는 첨부된 도면들은 본 발명을 예시하며, 설명과 함께 본 발명의 원리들을 설명하고 당업자가 본 명세서에 설명된 실시예들을 수행하고 사용할 수 있게 하는 역할을 한다.
도 1a는 일부 실시예들에 따른 반사형 리소그래피 장치를 개략적으로 나타낸다.
도 1b는 일부 실시예들에 따른 투과형 리소그래피 장치를 개략적으로 나타낸다.
도 2는 일부 실시예들에 따른 반사형 리소그래피 장치의 더 상세한 도면을 개략적으로 나타낸다.
도 3은 일부 실시예들에 따른 리소그래피 셀(lithographic cell)을 개략적으로 나타낸다.
도 4는 일부 실시예들에 따른 증강 현실(AR) 디바이스를 개략적으로 나타낸다.
동일한 참조 기호들이 대응하는 요소들을 전부 식별하는 도면들에 관련하여 취해질 때 아래에서 설명되는 상세한 설명으로부터 본 발명의 특징들이 더 명백해질 것이다. 도면들에서, 동일한 참조 번호들은 일반적으로 동일하고, 기능적으로 유사한, 및/또는 구조적으로 유사한 요소들을 나타낸다. 또한, 일반적으로, 참조 번호의 맨 앞자리 수(들)는 참조 번호가 처음 나타나는 도면을 식별한다. 달리 명시되지 않는 한, 본 명세서 전체에 걸쳐 제공된 도면들은 일정한 비율의 도면인 것으로 해석되어서는 안 된다.The accompanying drawings, which are incorporated in and form a part of this specification, illustrate the invention and, together with the description, serve to explain the principles of the invention and to enable any person skilled in the art to make or use the embodiments described herein. .
1A schematically shows a reflective lithography apparatus according to some embodiments.
1B schematically shows a transmission lithography apparatus according to some embodiments.
Figure 2 schematically shows a more detailed view of a reflective lithography apparatus according to some embodiments.
3 schematically shows a lithographic cell according to some embodiments.
4 schematically shows an augmented reality (AR) device according to some embodiments.
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The features of the invention will become more apparent from the detailed description set forth below when taken in conjunction with the drawings in which like reference symbols identify corresponding elements throughout. In the drawings, like reference numbers generally indicate identical, functionally similar, and/or structurally similar elements. Additionally, generally, the first digit(s) of a reference number identifies the drawing in which the reference number first appears. Unless otherwise specified, the drawings provided throughout this specification should not be construed as being to scale.
본 명세서는 본 발명의 특징들을 통합하는 1 이상의 실시예를 개시한다. 개시된 실시예(들)는 예시들로서 제공된다. 개시된 실시예(들)에 본 발명의 범위가 제한되지는 않는다. 청구되는 특징들은 본 명세서에 첨부된 청구항들에 의해 정의된다.This specification discloses one or more embodiments incorporating the features of the invention. The disclosed embodiment(s) are provided by way of example. The scope of the invention is not limited to the disclosed embodiment(s). The claimed features are defined by the claims appended hereto.
본 명세서에서, "하나의 실시예", "일 실시예", "예시적인 실시예" 등으로 설명된 실시예(들) 및 이러한 언급들은, 설명된 실시예(들)가 특정한 특징, 구조 또는 특성을 포함할 수 있지만, 모든 실시예가 특정한 특징, 구조 또는 특성을 반드시 포함하는 것은 아닐 수 있음을 나타낸다. 또한, 이러한 어구들이 반드시 동일한 실시예를 칭하는 것은 아니다. 또한, 특정한 특징, 구조 또는 특성이 일 실시예와 관련하여 설명되는 경우, 다른 실시예들과 관련하여 이러한 특징, 구조 또는 특성을 초래하는 것은 명확하게 설명되든지 그렇지 않든지 당업자의 지식 내에 있음을 이해한다.In this specification, embodiment(s) described as “one embodiment,” “one embodiment,” “exemplary embodiment,” etc., and such references mean that the described embodiment(s) has a specific feature, structure, or It is indicated that although all embodiments may include features, not necessarily all embodiments may include specific features, structures or characteristics. Additionally, these phrases do not necessarily refer to the same embodiment. Additionally, it is understood that when a particular feature, structure or characteristic is described in connection with one embodiment, it is within the knowledge of those skilled in the art to cite such feature, structure or characteristic in connection with other embodiments, whether or not explicitly described. do.
본 명세서에서, "밑에", "아래에", "더 아래에", "위에", "상에", "더 위에" 등과 같은 공간적으로 상대적인 용어들은 설명의 용이함을 위해 도면들에 나타낸 바와 같은 또 다른 요소(들) 또는 특징(들)에 대한 하나의 요소 또는 특징의 관계를 설명하는 데 사용될 수 있다. 공간적으로 상대적인 용어들은 도면들에 도시된 방위(orientation)에 추가하여 사용 또는 작동 시 디바이스의 상이한 방위들을 포함하도록 의도된다. 장치는 달리 방위지정(90 도 또는 다른 방위들로 회전)될 수 있으며, 본 명세서에서 사용되는 공간적으로 상대적인 설명어들은 마찬가지로 이에 따라 해석될 수 있다.In this specification, spatially relative terms such as “beneath”, “below”, “further below”, “above”, “on”, “above”, etc. are used as shown in the drawings for ease of explanation. It can be used to describe the relationship of one element or feature to another element(s) or feature(s). Spatially relative terms are intended to encompass different orientations of the device in use or operation in addition to the orientation shown in the figures. The device may be otherwise oriented (rotated 90 degrees or other orientations) and spatially relative descriptors used herein may likewise be interpreted accordingly.
본 명세서에서 사용되는 "약"이라는 용어는 특정 기술에 기초하여 달라질 수 있는 주어진 양(quantity)의 값을 나타낸다. 특정 기술에 기초하여, "약"이라는 용어는 예를 들어 값의 10 내지 30 %(예를 들어, 값의 ±10 %, ±20 %, 또는 ±30 %) 내에서 변하는 주어진 양의 값을 나타낼 수 있다.As used herein, the term “about” refers to the value of a given quantity that may vary based on specific techniques. Based on the specific description, the term "about" may refer to the value of a given quantity varying, for example, within 10 to 30% of the value (e.g., ±10%, ±20%, or ±30% of the value). You can.
본 발명의 실시예들은 하드웨어, 펌웨어, 소프트웨어, 또는 여하한의 그 조합으로 구현될 수 있다. 또한, 본 발명의 실시예들은 기계-판독가능한 매체 상에 저장된 명령어들로서 구현될 수 있으며, 이는 1 이상의 프로세서에 의해 판독되고 실행될 수 있다. 기계-판독가능한 매체는 기계(예를 들어, 컴퓨팅 디바이스)에 의해 판독가능한 형태로 정보를 저장하거나 전송하는 여하한의 메카니즘을 포함할 수 있다. 예를 들어, 기계-판독가능한 매체는 ROM(read only memory); RAM(random access memory); 자기 디스크 저장 매체; 광학 저장 매체; 플래시 메모리 디바이스; 전기, 광학, 음향 또는 다른 형태의 전파 신호(propagated signal)(예를 들어, 반송파, 적외선 신호, 디지털 신호 등), 및 그 밖의 것들을 포함할 수 있다. 또한, 펌웨어, 소프트웨어, 루틴(routine), 및/또는 명령어들은 본 명세서에서 소정 동작을 수행하는 것으로서 설명될 수 있다. 하지만, 이러한 설명들은 단지 편의를 위한 것이며, 이러한 동작은 사실상 컴퓨팅 디바이스, 프로세서, 제어기, 또는 펌웨어, 소프트웨어, 루틴, 명령어 등을 실행하는 다른 디바이스들로부터 일어난다는 것을 이해하여야 한다. 본 명세서에서, "비-일시적"이라는 용어는 데이터, 정보, 명령어 등을 저장하는 데 사용되는 컴퓨터 판독가능한 매체를 특성화하기 위해 사용될 수 있으며, 유일한 예외는 일시적인 전파 신호이다.Embodiments of the present invention may be implemented in hardware, firmware, software, or any combination thereof. Additionally, embodiments of the invention may be implemented as instructions stored on a machine-readable medium, which may be read and executed by one or more processors. Machine-readable media may include any mechanism for storing or transmitting information in a form readable by a machine (e.g., a computing device). For example, machine-readable media may include read only memory (ROM); RAM (random access memory); magnetic disk storage media; optical storage media; flash memory device; It may include electrical, optical, acoustic, or other types of propagated signals (e.g., carrier waves, infrared signals, digital signals, etc.), and others. Additionally, firmware, software, routines, and/or instructions may be described herein as performing certain operations. However, it should be understood that these descriptions are for convenience only, and that such operations actually occur from computing devices, processors, controllers, or other devices executing firmware, software, routines, instructions, etc. As used herein, the term “non-transitory” may be used to characterize computer-readable media used to store data, information, instructions, etc., with the only exception being transient radio signals.
하지만, 이러한 실시예들을 더 상세히 설명하기에 앞서, 본 발명의 실시예들이 구현될 수 있는 예시적인 환경을 제시하는 것이 유익하다.However, before describing these embodiments in further detail, it is beneficial to present an example environment in which embodiments of the invention may be implemented.
예시적인 리소그래피 시스템Exemplary Lithography System
도 1a 및 도 1b는 본 발명의 실시예들이 구현될 수 있는 리소그래피 장치(100) 및 리소그래피 장치(100')를 각각 개략적으로 나타낸다. 리소그래피 장치(100) 및 리소그래피 장치(100')는 각각: 방사선 빔(B)(예를 들어, 심자외 또는 극자외 방사선)을 컨디셔닝(condition)하도록 구성되는 조명 시스템(일루미네이터)(IL); 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크, 레티클, 또는 동적 패터닝 디바이스)(MA)를 지지하도록 구성되고, 패터닝 디바이스(MA)를 정확히 위치시키도록 구성된 제 1 위치설정기(PM)에 연결되는 지지 구조체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT); 및 기판(예를 들어, 레지스트 코팅된 웨이퍼)(W)을 유지하도록 구성되고, 기판(W)을 정확히 위치시키도록 구성된 제 2 위치설정기(PW)에 연결되는 기판 테이블(예를 들어, 웨이퍼 테이블)(WT)을 포함한다. 또한, 리소그래피 장치(100 및 100')는 기판(W)의 (예를 들어, 1 이상의 다이를 포함하는) 타겟부(C) 상으로 패터닝 디바이스(MA)에 의해 방사선 빔(B)에 부여된 패턴을 투영하도록 구성되는 투영 시스템(PS)을 갖는다. 리소그래피 장치(100)에서, 패터닝 디바이스(MA) 및 투영 시스템(PS)은 반사형이다. 리소그래피 장치(100')에서, 패터닝 디바이스(MA) 및 투영 시스템(PS)은 투과형이다.1A and 1B schematically represent a
조명 시스템(IL)은 방사선 빔(B)을 지향, 성형, 또는 제어하기 위하여, 굴절, 반사, 카타디옵트릭(catadioptric), 자기, 전자기, 정전기 또는 다른 타입의 광학 구성요소들, 또는 여하한의 그 조합과 같은 다양한 타입들의 광학 구성요소들을 포함할 수 있다.The illumination system IL may include refractive, reflective, catadioptric, magnetic, electromagnetic, electrostatic or other types of optical components, or any other type of optical components, to direct, shape or control the radiation beam B. It may include various types of optical components, such as combinations thereof.
지지 구조체(MT)는 기준 프레임에 대한 패터닝 디바이스(MA)의 방위, 리소그래피 장치(100 및 100') 중 적어도 하나의 디자인, 및 패터닝 디바이스(MA)가 진공 환경에서 유지되는지의 여부와 같은 다른 조건들에 의존하는 방식으로 패터닝 디바이스(MA)를 유지한다. 지지 구조체(MT)는 패터닝 디바이스(MA)를 유지하기 위해 기계적, 진공, 정전기, 또는 다른 클램핑 기술들을 이용할 수 있다. 지지 구조체(MT)는, 예를 들어 필요에 따라 고정되거나 이동가능할 수 있는 프레임 또는 테이블일 수 있다. 센서들을 이용함으로써, 지지 구조체(MT)는, 패터닝 디바이스(MA)가 예를 들어 투영 시스템(PS)에 대해 원하는 위치에 있을 것을 보장할 수 있다.The support structure (MT) can be configured to control the orientation of the patterning device (MA) relative to a reference frame, the design of at least one of the
"패터닝 디바이스"(MA)라는 용어는, 기판(W)의 타겟부(C)에 패턴을 생성하기 위해서 방사선 빔(B)의 단면에 패턴을 부여하는 데 사용될 수 있는 여하한의 디바이스를 언급하는 것으로 폭넓게 해석되어야 한다. 방사선 빔(B)에 부여된 패턴은 집적 회로를 형성하기 위해 타겟부(C)에 생성될 디바이스 내의 특정 기능 층에 해당할 것이다.The term “patterning device” (MA) refers to any device that can be used to impart a pattern to the cross-section of a radiation beam (B) to create a pattern in the target portion (C) of the substrate (W). It should be interpreted broadly. The pattern imparted to the radiation beam B will correspond to a specific functional layer within the device to be created in the target portion C to form an integrated circuit.
패터닝 디바이스(MA)는 [도 1b의 리소그래피 장치(100')와 같은] 투과형 또는 [도 1a의 리소그래피 장치(100)와 같은] 반사형일 수 있다. 패터닝 디바이스(MA)의 예로는 레티클, 마스크, 프로그램가능한 거울 어레이, 및 프로그램가능한 LCD 패널을 포함한다. 마스크는 리소그래피 분야에서 잘 알려져 있으며, 바이너리(binary)형, 교번 위상 시프트형 및 감쇠 위상 시프트형과 같은 마스크 타입들, 및 다양한 하이브리드(hybrid) 마스크 타입들을 포함한다. 프로그램가능한 거울 어레이의 일 예시는 작은 거울들의 매트릭스 구성을 채택하며, 그 각각은 입사하는 방사선 빔을 상이한 방향들로 반사시키도록 개별적으로 기울어질 수 있다. 기울어진 거울들은 작은 거울들의 매트릭스에 의해 반사되는 방사선 빔(B)에 패턴을 부여한다.The patterning device MA may be transmissive (such as lithographic apparatus 100' in Figure 1B) or reflective (such as lithographic apparatus 100' in Figure 1A). Examples of patterning devices (MAs) include reticles, masks, programmable mirror arrays, and programmable LCD panels. Masks are well known in the field of lithography and include mask types such as binary, alternating phase shift and attenuated phase shift, and various hybrid mask types. One example of a programmable mirror array employs a matrix configuration of small mirrors, each of which can be individually tilted to reflect an incoming radiation beam in different directions. Tilted mirrors impart a pattern to the radiation beam (B), which is reflected by a matrix of small mirrors.
"투영 시스템"(PS)이라는 용어는, 사용되는 노광 방사선에 대하여, 또는 기판(W) 상의 침지 액체의 사용 또는 진공의 사용과 같은 다른 인자들에 대하여 적절하다면, 굴절, 반사, 카타디옵트릭, 자기, 전자기 및 정전기 광학 시스템, 또는 여하한의 그 조합을 포함하는 여하한 타입의 투영 시스템을 포괄할 수 있다. 다른 가스들이 너무 많은 방사선 또는 전자들을 흡수할 수 있기 때문에, EUV 또는 전자 빔 방사선에 대해 진공 환경이 사용될 수 있다. 그러므로, 진공 벽 및 진공 펌프들의 도움으로 전체 빔 경로에 진공 환경이 제공될 수 있다.The term "projection system" (PS) refers to the refractive, reflective, catadioptric, catadioptric, or optical beams, as appropriate with respect to the exposure radiation used or with respect to other factors such as the use of an immersion liquid or the use of a vacuum on the substrate W. It can encompass any type of projection system, including magnetic, electromagnetic and electrostatic optical systems, or any combination thereof. A vacuum environment can be used for EUV or electron beam radiation because other gases may absorb too much radiation or electrons. Therefore, with the help of vacuum walls and vacuum pumps, a vacuum environment can be provided over the entire beam path.
리소그래피 장치(100) 및/또는 리소그래피 장치(100')는 2 개(듀얼 스테이지) 이상의 기판 테이블(WT)(및/또는 2 이상의 마스크 테이블)을 갖는 타입으로 이루어질 수 있다. 이러한 "다수 스테이지" 기계에서는 추가적인 기판 테이블(WT)이 병행하여 사용될 수 있으며, 또는 1 이상의 기판 테이블(WT)이 노광에 사용되고 있는 동안 1 이상의 다른 테이블에서는 준비작업 단계들이 수행될 수 있다. 몇몇 상황들에서, 추가적인 테이블은 기판 테이블(WT)이 아닐 수 있다.
또한, 리소그래피 장치는 투영 시스템과 기판 사이의 공간을 채우기 위해서, 기판의 적어도 일부분이 비교적 높은 굴절률을 갖는 액체, 예컨대 물로 덮일 수 있는 타입으로 이루어질 수 있다. 또한, 침지 액체는 리소그래피 장치 내의 다른 공간들, 예를 들어 마스크와 투영 시스템 사이에도 적용될 수 있다. 침지 기술은 투영 시스템의 개구수(numerical aperture)를 증가시키는 것으로 당업계에 잘 알려져 있다. 본 명세서에서 사용되는 바와 같은 "침지"라는 용어는 기판과 같은 구조체가 액체 내에 잠겨야 함을 의미하는 것이 아니라, 오히려 단지 액체가 노광 시 투영 시스템과 기판 사이에 놓인다는 것을 의미한다.Additionally, the lithographic apparatus may be of a type in which at least a part of the substrate can be covered with a liquid with a relatively high refractive index, such as water, to fill the space between the projection system and the substrate. Additionally, the immersion liquid may be applied to other spaces within the lithographic apparatus, for example between the mask and the projection system. Immersion techniques are well known in the art for increasing the numerical aperture of a projection system. The term “immersion” as used herein does not mean that a structure, such as a substrate, must be submerged in a liquid, but rather simply means that the liquid is placed between the projection system and the substrate during exposure.
도 1a 및 도 1b를 참조하면, 일루미네이터(IL)는 방사선 소스(SO)로부터 방사선 빔을 수용한다. 예를 들어, 소스(SO)가 엑시머 레이저(excimer laser)인 경우, 소스(SO) 및 리소그래피 장치(100, 100')는 분리된 물리적 개체들일 수 있다. 이러한 경우, 소스(SO)는 리소그래피 장치(100 또는 100')의 일부분을 형성하는 것으로 간주되지 않으며, 방사선 빔(B)은 예를 들어 적절한 지향 거울 및/또는 빔 익스팬더(beam expander)를 포함하는 빔 전달 시스템(BD)(도 1b 참조)의 도움으로, 소스(SO)로부터 일루미네이터(IL)로 통과된다. 다른 경우, 예를 들어 소스(SO)가 수은 램프인 경우, 소스(SO)는 리소그래피 장치(100, 100')의 통합부일 수 있다. 소스(SO) 및 일루미네이터(IL)는, 필요에 따라 빔 전달 시스템(BD)과 함께 방사선 시스템이라고 칭해질 수 있다.1A and 1B, the illuminator IL receives a radiation beam from the radiation source SO. For example, if the source SO is an excimer laser, the source SO and the
일루미네이터(IL)는 방사선 빔의 각도 세기 분포를 조정하는 조정기(AD)(도 1b 참조)를 포함할 수 있다. 일반적으로, 일루미네이터의 퓨필 평면 내의 세기 분포의 적어도 외반경 및/또는 내반경 크기(통상적으로, 각각 "외측-σ" 및 "내측-σ"라 함)가 조정될 수 있다. 또한, 일루미네이터(IL)는 인티그레이터(IN) 및 콘덴서(CO)와 같이, 다양한 다른 구성요소들(도 1b 참조)을 포함할 수도 있다. 일루미네이터(IL)는 방사선 빔의 단면에 원하는 균일성(uniformity) 및 세기 분포를 갖기 위해, 방사선 빔(B)을 컨디셔닝하는 데 사용될 수 있다.The illuminator IL may include an adjuster AD (see FIG. 1B) that adjusts the angular intensity distribution of the radiation beam. In general, at least the outer and/or inner radial dimensions of the intensity distribution within the pupil plane of the illuminator (commonly referred to as “outer-σ” and “inner-σ” respectively) can be adjusted. Additionally, the illuminator IL may include various other components (see FIG. 1B), such as an integrator IN and a condenser CO. The illuminator IL may be used to condition the radiation beam B so as to have a desired uniformity and intensity distribution in the cross section of the radiation beam.
도 1a를 참조하면, 방사선 빔(B)은 지지 구조체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT) 상에 유지되는 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)(MA) 상에 입사되며, 패터닝 디바이스(MA)에 의해 패터닝된다. 리소그래피 장치(100)에서, 방사선 빔(B)은 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)(MA)로부터 반사된다. 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)(MA)로부터 반사된 후, 방사선 빔(B)은 투영 시스템(PS)을 통과하며, 이는 기판(W)의 타겟부(C) 상에 방사선 빔(B)을 포커싱한다. 제 2 위치설정기(PW) 및 위치 센서(IF2)(예를 들어, 간섭계 디바이스, 리니어 인코더, 또는 용량성 센서)의 도움으로, 기판 테이블(WT)은 [예를 들어, 방사선 빔(B)의 경로 내에 상이한 타겟부(C)들을 위치시키도록] 정확하게 이동될 수 있다. 이와 유사하게, 제 1 위치설정기(PM) 및 또 다른 위치 센서(IF1)는 방사선 빔(B)의 경로에 대해 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)(MA)를 정확히 위치시키는 데 사용될 수 있다. 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)(MA) 및 기판(W)은 마스크 정렬 마크들(M1, M2) 및 기판 정렬 마크들(P1, P2)을 이용하여 정렬될 수 있다.1A, a radiation beam B is incident on a patterning device (e.g., a mask) (MA) held on a support structure (e.g., a mask table) (MT), and the patterning device (MA) ) is patterned by. In
도 1b를 참조하면, 방사선 빔(B)은 지지 구조체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT) 상에 유지되는 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)(MA) 상에 입사되며, 패터닝 디바이스에 의해 패터닝된다. 마스크(MA)를 가로질렀으면, 방사선 빔(B)은 투영 시스템(PS)을 통과하며, 이는 기판(W)의 타겟부(C) 상에 상기 빔을 포커싱한다. 투영 시스템은 조명 시스템 퓨필(IPU)과 켤레인 퓨필(PPU)을 갖는다. 방사선의 부분들이 조명 시스템 퓨필(IPU)에서의 세기 분포로부터 나오고, 마스크 패턴에서 회절의 영향을 받지 않고 마스크 패턴을 가로지르며, 조명 시스템 퓨필(IPU)에서의 세기 분포의 이미지를 생성한다.Referring to FIG. 1B , radiation beam B is incident on a patterning device (e.g., mask) (MA) held on a support structure (e.g., mask table) (MT) and is formed by the patterning device. It is patterned. Having crossed the mask MA, the radiation beam B passes through the projection system PS, which focuses the beam onto the target portion C of the substrate W. The projection system has an illumination system pupil (IPU) and a conjugate pupil (PPU). Portions of the radiation emerge from the intensity distribution in the illumination system pupil (IPU), traverse the mask pattern without being affected by diffraction in the mask pattern, and produce an image of the intensity distribution in the illumination system pupil (IPU).
투영 시스템(PS)은 기판(W) 상에 코팅된 포토레지스트 층 상으로 마스크 패턴(MP)의 이미지(MP')를 투영하며, 여기서 이미지(MP')는 세기 분포로부터의 방사선에 의해 마스크 패턴(MP)으로부터 생성되는 회절된 빔들에 의해 형성된다. 예를 들어, 마스크 패턴(MP)은 라인들 및 공간들의 어레이를 포함할 수 있다. 0차 회절과 상이한, 어레이에서의 방사선의 회절은 라인들에 수직인 방향에서 방향이 변화하여 벗어나는 회절된 빔들을 생성한다. 회절되지 않은 빔들(즉, 소위 0차 회절 빔들)은 전파 방향에서 어떠한 변화도 없이 패턴을 가로지른다. 0차 회절 빔들은 투영 시스템(PS)의 켤레 퓨필(pupil conjugate: PPU)의 상류에 있는 투영 시스템(PS)의 상부 렌즈 또는 상부 렌즈 그룹을 가로질러 켤레 퓨필(PPU)에 도달한다. 켤레 퓨필(PPU)의 평면에서 0차 회절 빔과 관련된 세기 분포의 부분이 조명 시스템(IL)의 조명 시스템 퓨필(IPU)에서의 세기 분포의 이미지이다. 예를 들어, 어퍼처 디바이스(aperture device: PD)는 투영 시스템(PS)의 켤레 퓨필(PPU)을 포함하는 평면에 또는 실질적으로 그 평면에 배치된다.The projection system PS projects an image MP' of the mask pattern MP onto the photoresist layer coated on the substrate W, where the image MP' is projected onto the mask pattern MP by radiation from the intensity distribution. It is formed by diffracted beams generated from (MP). For example, the mask pattern MP may include an array of lines and spaces. Different from zero-order diffraction, diffraction of radiation in an array produces diffracted beams that deviate from a direction perpendicular to the lines. Non-diffracted beams (i.e. so-called zero-order diffracted beams) traverse the pattern without any change in the direction of propagation. The zeroth order diffracted beams traverse the upper lens or upper lens group of the projection system (PS) upstream of the pupil conjugate (PPU) of the projection system (PS) and reach the pupil conjugate (PPU). The part of the intensity distribution associated with the zero-order diffracted beam in the plane of the conjugate pupil (PPU) is the image of the intensity distribution in the illumination system pupil (IPU) of the illumination system IL. For example, an aperture device (PD) is disposed in or substantially in a plane containing the conjugate pupil (PPU) of the projection system (PS).
투영 시스템(PS)은 렌즈 또는 렌즈 그룹(L)에 의해, 0차 회절 빔뿐만 아니라 1차 또는 1차 및 고차 회절 빔들(도시되지 않음)도 포착하도록 배치된다. 일부 실시예들에서, 라인에 수직인 방향으로 연장되는 라인 패턴들을 이미징하기 위한 다이폴(dipole) 조명이 다이폴 조명의 분해능 향상 효과를 활용하기 위해 사용될 수 있다. 예를 들어, 1차 회절 빔들이 웨이퍼(W)의 레벨에서 대응하는 0차 회절 빔과 간섭하여 가능한 최고 분해능 및 공정 윈도우(즉, 허용가능한 노광 도즈 편차들과 조합하여 사용가능한 초점 심도)에서 라인 패턴(MP)의 이미지를 생성한다. 일부 실시예들에서, 비점수차는 조명 시스템 퓨필(IPU)의 반대 사분면들에서 방사선 극(pole)(도시되지 않음)을 제공함으로써 감소될 수 있다. 또한, 일부 실시예들에서, 비점수차는 반대 사분면들에서의 방사선 극과 연계된 투영 시스템의 켤레 퓨필(PPU)에서 0차 빔들을 차단함으로써 감소될 수 있다. 이는 2009년 3월 31일자로 발표된 US 7,511,799 B2에서 더 상세히 설명되며, 이는 본 명세서에서 그 전문이 인용참조된다.The projection system PS is arranged by means of a lens or lens group L to capture not only the zeroth order diffracted beam but also the first or first and higher order diffracted beams (not shown). In some embodiments, dipole illumination for imaging line patterns extending in a direction perpendicular to the line may be used to take advantage of the resolution enhancement effect of dipole illumination. For example, the first-order diffracted beams may interfere with the corresponding zero-order diffracted beam at the level of the wafer W to produce line Create an image of the pattern (MP). In some embodiments, astigmatism can be reduced by providing radiation poles (not shown) in opposite quadrants of the illumination system pupil (IPU). Additionally, in some embodiments, astigmatism can be reduced by blocking zero-order beams at the conjugate pupil (PPU) of the projection system associated with the radiation pole in opposite quadrants. This is explained in more detail in US 7,511,799 B2, issued March 31, 2009, which is hereby incorporated by reference in its entirety.
제 2 위치설정기(PW) 및 위치 센서(IF)(예를 들어, 간섭계 디바이스, 리니어 인코더, 또는 용량성 센서)의 도움으로, 기판 테이블(WT)은 [예를 들어, 방사선 빔(B)의 경로 내에 상이한 타겟부(C)들을 위치시키도록] 정확하게 이동될 수 있다. 이와 유사하게, 제 1 위치설정기(PM) 및 또 다른 위치 센서(도 1b에 도시되지 않음)는 [예를 들어, 마스크 라이브러리(mask library)로부터의 기계적인 회수 후에, 또는 스캔 중에] 방사선 빔(B)의 경로에 대해 마스크(MA)를 정확히 위치시키는 데 사용될 수 있다.With the help of a second positioner (PW) and a position sensor (IF) (e.g., an interferometric device, linear encoder, or capacitive sensor), the substrate table (WT) is can be accurately moved to position different target portions (C) within the path of. Similarly, the first positioner (PM) and another position sensor (not shown in FIG. 1B) may detect the radiation beam (e.g., after mechanical retrieval from a mask library, or during a scan). It can be used to accurately position the mask (MA) relative to the path in (B).
일반적으로, 마스크 테이블(MT)의 이동은 장-행정 모듈(long-stroke module: 개략 위치설정) 및 단-행정 모듈(short-stroke module: 미세 위치설정)의 도움으로 실현될 수 있고, 이는 제 1 위치설정기(PM)의 일부를 형성한다. 이와 유사하게, 기판 테이블(WT)의 이동은 장-행정 모듈 및 단-행정 모듈을 이용하여 실현될 수 있고, 이는 제 2 위치설정기(PW)의 일부를 형성한다. (스캐너와는 대조적으로) 스테퍼의 경우, 마스크 테이블(MT)은 단-행정 액추에이터에만 연결될 수 있거나, 고정될 수 있다. 마스크(MA) 및 기판(W)은 마스크 정렬 마크들(M1, M2) 및 기판 정렬 마크들(P1, P2)을 이용하여 정렬될 수 있다. 비록, (예시된 바와 같은) 기판 정렬 마크들은 지정된(dedicated) 타겟부들을 차지하고 있지만, 그들은 타겟부들 사이의 공간들 내에 위치될 수도 있다[스크라이브-레인 정렬 마크(scribe-lane alignment mark)들로 알려짐]. 이와 유사하게, 마스크(MA) 상에 하나보다 많은 다이가 제공되는 상황들에서, 마스크 정렬 마크들은 다이들 사이에 위치될 수 있다.In general, the movement of the mask table MT can be realized with the help of a long-stroke module (coarse positioning) and a short-stroke module (fine positioning), which 1 Forms part of the positioner (PM). Similarly, the movement of the substrate table WT can be realized using long-stroke modules and short-stroke modules, which form part of the second positioner PW. In the case of a stepper (in contrast to a scanner) the mask table MT can only be connected to a short-stroke actuator or can be fixed. The mask MA and substrate W may be aligned using mask alignment marks M1 and M2 and substrate alignment marks P1 and P2. Although the substrate alignment marks (as illustrated) occupy dedicated target portions, they may also be located within spaces between target portions (known as scribe-lane alignment marks). ]. Similarly, in situations where more than one die is provided on the mask MA, mask alignment marks may be placed between the dies.
마스크 테이블(MT) 및 패터닝 디바이스(MA)는 진공 챔버(V) 내에 있을 수 있고, 진공 챔버 안과 밖으로 마스크와 같은 패터닝 디바이스들을 이동시키기 위해 진공-내 로봇(in-vacuum robot: IVR)이 사용될 수 있다. 대안적으로, 마스크 테이블(MT) 및 패터닝 디바이스(MA)가 진공 챔버 외부에 있는 경우, 진공-내 로봇(IVR)과 유사한 진공-외 로봇(out-of-vacuum robot)이 다양한 수송 작업들을 위해 사용될 수 있다. 진공-내 및 진공-외 로봇들은 둘 다 이송 스테이션의 고정된 운동학적 마운트(fixed kinematic mount)에 대한 여하한의 탑재물(payload)(예를 들어, 마스크)의 매끄러운 이송을 위해 캘리브레이션될 필요가 있다.The mask table (MT) and patterning device (MA) may be within a vacuum chamber (V), and an in-vacuum robot (IVR) may be used to move patterning devices, such as masks, into and out of the vacuum chamber. there is. Alternatively, if the mask table (MT) and patterning device (MA) are outside the vacuum chamber, an out-of-vacuum robot, similar to an in-vacuum robot (IVR), can be used for various transport tasks. can be used Both in-vacuum and out-of-vacuum robots need to be calibrated for smooth transfer of any payload (e.g., mask) to the fixed kinematic mount of the transfer station. there is.
리소그래피 장치(100 및 100')는 다음 모드들 중 적어도 하나에서 사용될 수 있다:
1. 스텝 모드에서, 지지 구조체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT) 및 기판 테이블(WT)은 기본적으로 정지 상태로 유지되는 한편, 방사선 빔(B)에 부여된 전체 패턴은 한 번에 타겟부(C) 상으로 투영된다[즉, 단일 정적 노광(single static exposure)]. 그 후, 기판 테이블(WT)은 상이한 타겟부(C)가 노광될 수 있도록 X 및/또는 Y 방향으로 시프트된다.1. In step mode, the support structure (e.g., mask table) (MT) and substrate table (WT) are held essentially stationary, while the entire pattern imparted to the radiation beam (B) moves to the target at a time. It is projected onto the negative (C) image (i.e., single static exposure). Afterwards, the substrate table WT is shifted in the X and/or Y directions so that different target portions C can be exposed.
2. 스캔 모드에서, 지지 구조체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT) 및 기판 테이블(WT)은 방사선 빔(B)에 부여된 패턴이 타겟부(C) 상으로 투영되는 동안에 동기적으로 스캐닝된다[즉, 단일 동적 노광(single dynamic exposure)]. 지지 구조체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT)에 대한 기판 테이블(WT)의 속도 및 방향은 투영 시스템(PS)의 확대(축소) 및 이미지 반전 특성에 의하여 결정될 수 있다.2. In scan mode, the support structure (e.g., mask table) MT and substrate table WT are scanned synchronously while the pattern imparted to the radiation beam B is projected onto the target portion C. [i.e., single dynamic exposure]. The speed and orientation of the substrate table WT relative to the support structure (eg, mask table) MT may be determined by the zoom and image inversion characteristics of the projection system PS.
3. 또 다른 모드에서, 지지 구조체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT)는 프로그램가능한 패터닝 디바이스를 유지하여 기본적으로 정지된 상태로 유지되며, 방사선 빔(B)에 부여된 패턴이 타겟부(C) 상으로 투영되는 동안 기판 테이블(WT)이 이동되거나 스캐닝된다. 펄스화된 방사선 소스(pulsed radiation source: SO)가 채택될 수 있으며, 프로그램가능한 패터닝 디바이스는 기판 테이블(WT)의 매 이동 후, 또는 스캔 중에 계속되는 방사선 펄스 사이사이에 필요에 따라 업데이트된다. 이 작동 모드는 프로그램가능한 거울 어레이와 같은 프로그램가능한 패터닝 디바이스를 이용하는 마스크없는 리소그래피(maskless lithography)에 용이하게 적용될 수 있다.3. In another mode, the support structure (e.g., mask table) MT is maintained in an essentially stationary state by holding a programmable patterning device, and the pattern imparted to the radiation beam B is applied to the target portion (B). C) The substrate table WT is moved or scanned while being projected onto the image. A pulsed radiation source (SO) may be employed, with the programmable patterning device updated as needed after each movement of the substrate table WT, or between successive radiation pulses during a scan. This mode of operation can be easily applied to maskless lithography using programmable patterning devices such as programmable mirror arrays.
또한, 상술된 사용 모드들의 조합 및/또는 변형, 또는 완전히 다른 사용 모드들이 채택될 수도 있다.Additionally, combinations and/or variations of the above-described modes of use, or completely different modes of use, may be employed.
일부 실시예들에서, 리소그래피 장치는 DUV 및/또는 EUV 방사선을 생성할 수 있다. 예를 들어, 리소그래피 장치(100')는 DUV 소스를 사용하여 작동하도록 구성될 수 있다. 또 다른 예시에서, 리소그래피 장치(100)는 EUV 리소그래피를 위한 EUV 방사선 빔을 생성하도록 구성되는 극자외(EUV) 소스를 포함한다. 일반적으로, EUV 소스는 방사선 시스템에서 구성되고, 대응하는 조명 시스템이 EUV 소스의 EUV 방사선 빔을 컨디셔닝하도록 구성된다.In some embodiments, a lithographic apparatus may generate DUV and/or EUV radiation. For example, lithographic apparatus 100' may be configured to operate using a DUV source. In another example,
도 2는 소스 컬렉터 장치(SO), 조명 시스템(IL), 및 투영 시스템(PS)을 포함하여 리소그래피 장치(100)를 더 상세히 나타낸다. 소스 컬렉터 장치(SO)는 소스 컬렉터 장치(SO)의 포위 구조체(enclosing structure: 220) 내에 진공 환경이 유지될 수 있도록 구성되고 배치된다. EUV 방사선 방출 플라즈마(210)가 방전 생성 플라즈마 소스에 의해 형성될 수 있다. EUV 방사선은 전자기 스펙트럼의 EUV 범위 내의 방사선을 방출하도록 초고온 플라즈마(very hot plasma: 210)가 생성되는 가스 또는 증기, 예를 들어 Xe 가스, Li 증기 또는 Sn 증기에 의해 생성될 수 있다. 초고온 플라즈마(210)는, 예를 들어 적어도 부분적으로 이온화된 플라즈마를 야기하는 전기적 방전에 의해 생성된다. 방사선의 효율적인 발생을 위해, Xe, Li, Sn 증기 또는 여하한의 다른 적절한 가스 또는 증기의, 예를 들어 10 Pa의 분압(partial pressure)이 필요할 수 있다. 일부 실시예들에서, EUV 방사선을 생성하기 위해 여기된 주석(Sn)의 플라즈마가 제공된다.Figure 2 shows the
초고온 플라즈마(210)에 의해 방출된 방사선은, 소스 챔버(source chamber: 211)의 개구부(opening) 내에 또는 그 뒤에 위치되는 선택적인 가스 방벽 또는 오염물 트랩(contaminant trap: 230)(몇몇 경우에는, 오염물 방벽 또는 포일 트랩이라고도 함)을 통해, 소스 챔버(211)로부터 컬렉터 챔버(collector chamber: 212) 내로 통과된다. 오염물 트랩(230)은 채널 구조체를 포함할 수 있다. 또한, 오염물 트랩(230)은 가스 방벽, 또는 가스 방벽과 채널 구조체의 조합을 포함할 수 있다. 본 명세서에서 더 나타내는 오염물 트랩 또는 오염물 방벽(230)은 적어도 채널 구조체를 포함한다.Radiation emitted by the
컬렉터 챔버(212)는 소위 스침 입사 컬렉터(grazing incidence collector)일 수 있는 방사선 컬렉터(CO)를 포함할 수 있다. 방사선 컬렉터(CO)는 방사선 컬렉터 상류측(upstream radiation collector side: 251) 및 방사선 컬렉터 하류측(downstream radiation collector side: 252)을 갖는다. 컬렉터(CO)를 가로지르는 방사선은 격자 스펙트럼 필터(grating spectral filter: 240)로부터 반사되어, 가상 소스점(virtual source point: IF)에 포커싱될 수 있다. 가상 소스점(IF)은 통상적으로 중간 포커스라고 칭해지며, 소스 컬렉터 장치는 중간 포커스(IF)가 포위 구조체(220)에서의 개구부(219)에, 또는 그 부근에 위치되도록 배치된다. 가상 소스점(IF)은 방사선 방출 플라즈마(210)의 이미지이다. 격자 스펙트럼 필터(240)는 특히 적외(IR) 방사선을 억제하는 데 사용된다.The
후속하여, 방사선은 조명 시스템(IL)을 가로지르며, 이는 패터닝 디바이스(MA)에서의 방사선 세기의 원하는 균일성뿐 아니라, 패터닝 디바이스(MA)에서의 방사선 빔(221)의 원하는 각도 분포를 제공하도록 배치된 패싯 필드(faceted field) 거울 디바이스(222) 및 패싯 퓨필(faceted pupil) 거울 디바이스(224)를 포함할 수 있다. 지지 구조체(MT)에 의해 유지되어 있는 패터닝 디바이스(MA)에서의 방사선 빔(221)의 반사 시, 패터닝된 빔(226)이 형성되고, 패터닝된 빔(226)은 투영 시스템(PS)에 의하여 반사 요소들(228, 229)을 통해 웨이퍼 스테이지 또는 기판 테이블(WT)에 의해 유지되어 있는 기판(W) 상으로 이미징된다.Subsequently, the radiation traverses the illumination system IL, which provides a desired uniformity of the radiation intensity in the patterning device MA, as well as a desired angular distribution of the
일반적으로, 나타낸 것보다 더 많은 요소가 조명 광학기 유닛(IL) 및 투영 시스템(PS) 내에 존재할 수 있다. 격자 스펙트럼 필터(240)는 리소그래피 장치의 타입에 따라 선택적으로 존재할 수 있다. 또한, 도 2에 나타낸 것보다 더 많은 거울들이 존재할 수 있으며, 예를 들어 도 2에 나타낸 것보다 1 내지 6 개의 추가 반사 요소들이 투영 시스템(PS) 내에 존재할 수 있다.In general, more elements than shown may be present in the illumination optics unit (IL) and projection system (PS). The grating
도 2에 예시된 바와 같은 컬렉터 광학기(CO)는 단지 컬렉터(또는 컬렉터 거울)의 일 예시로서, 스침 입사 반사기들(253, 254 및 255)을 갖는 네스티드 컬렉터(nested collector)로서 도시된다. 스침 입사 반사기들(253, 254 및 255)은 광축(O) 주위에 축대칭으로 배치되고, 이 타입의 컬렉터 광학기(CO)는 바람직하게는 흔히 DPP 소스라고 하는 방전 생성 플라즈마 소스와 조합하여 사용된다.The collector optic (CO) as illustrated in Figure 2 is shown as a nested collector with
예시적인 리소그래피 셀Exemplary Lithography Cell
도 3은 일부 실시예들에 따른, 때때로 리소셀(lithocell) 또는 클러스터라고도 칭하는 리소그래피 셀(300)을 나타낸다. 리소그래피 장치(100 또는 100')는 리소그래피 셀(300)의 일부분을 형성할 수 있다. 또한, 리소그래피 셀(300)은 기판 상에 노광-전(pre-exposure) 및 노광-후(post-exposure) 공정들을 수행하는 1 이상의 장치를 포함할 수 있다. 통상적으로, 이들은 레지스트 층들을 증착시키는 스핀 코터(spin coater: SC), 노광된 레지스트를 현상하는 디벨로퍼(developer: DE), 칠 플레이트(chill plate: CH) 및 베이크 플레이트(bake plate: BK)를 포함한다. 기판 핸들러 또는 로봇(RO)이 입력/출력 포트들(I/O1, I/O2)로부터 기판들을 집어올리고, 이들을 상이한 공정 장치들 사이에서 이동시키며, 리소그래피 장치(100 또는 100')의 로딩 베이(loading bay: LB)로 전달한다. 흔히 집합적으로 트랙이라고도 하는 이러한 디바이스들은, 리소그래피 제어 유닛(LACU)을 통해 리소그래피 장치를 제어하는 감독 제어 시스템(supervisory control system: SCS)에 의해 자체 제어되는 트랙 제어 유닛(TCU)의 제어를 받는다. 따라서, 스루풋과 처리 효율성을 최대화하기 위해 상이한 장치들이 작동될 수 있다.3 shows a
예시적인 오염물 검사 장치Exemplary Contaminant Testing Apparatus
일부 실시예들에서, 도 1a의 리소그래피 장치(100) 및/또는 도 1b의 리소그래피 장치(100') 및 이러한 장치(들)의 서비스와 연계된 툴은 제조 공정들 동안 여하한의 불완전, 결함, 결점 등을 피하기 위해 그 청결(cleanliness)을 결정하기 위한 검사를 필요로 한다. 검사 기술들은 표면(예를 들어, 레티클 또는 기판의 표면) 상의 바람직하지 않은 결함들이 방지되도록 수행될 수 있다. 검사 기술들은 육안으로 대상물을 시각적으로 검사하는 것을 포함할 수 있다. 이러한 검사들의 품질은 대상물을 검사하는 개인의 시야 선명도, 및 검사 동안 개인이 얼마나 주의를 기울이는지에 의존할 수 있다. 또한, 일부 오염물들은 육안으로 검출하기에는 너무 작을 수 있다.In some embodiments, the
본 명세서에서, "불완전", "결함", "결점" 등의 용어는 지정된 공차로부터의 구조체들의 편차 또는 불균일을 지칭하는 데 사용될 수 있다. 예를 들어, 평평한 표면은 결함들, 예컨대 스크래치, 홀, 또는 후퇴부(recess), 이물질 입자, 얼룩 등을 가질 수 있다.In this specification, terms such as “imperfections,” “defects,” “defects,” and the like may be used to refer to deviations or non-uniformities of structures from specified tolerances. For example, a flat surface may have defects such as scratches, holes, or recesses, foreign particles, stains, etc.
불완전의 맥락에서, "이물질 입자", "오염물 입자", "오염물" 등의 용어는 본 명세서에서 바람직하지 않은 입자상 물질의 존재를 용인하도록 디자인되지 않은 표면 또는 구역에 존재하거나, 또는 그렇지 않으면 입자상 물질이 존재하는 장치의 작동에 악영향을 미치는 예기치 않은, 이례적인, 바람직하지 않은, 또는 그 밖의 (여기서 바람직하지 않은) 입자상 물질을 지칭하는 데 사용될 수 있다. 이러한 "이물질 입자들" 및 "오염물들"은 인체 조직/세포와 같은 유기 재료들, 금속/합금 부스러기와 같은 무기 오염물들을 포함할 수 있으며, 이에 제한되지는 않는다. 유기 오염물들은 생산, 운송 및 조립 동안 부품들/모듈들이 처리되는 방식의 결과일 수 있다. 무기 오염물들은 부품들/모듈들을 제조하는 데 사용되는 기술적 과정들의 결과일 수 있다. 예를 들어, 부품들/모듈들은 선반(lathe) 또는 밀링 머신에서 처리되어, 부품들/모듈들에 많은 작은 입자들을 생성할 수 있으며, 이는 다수의 후속한 세정 단계들로도 여전히 테스트된 표면들에서 발견될 수 있다. 무기 오염물들의 일부 예시들은 먼지, 표유 포토레지스트, 또는 리소그래피 장치 내의 다른 제거(dislodge)된 재료들을 포함할 수 있다. 제거된 재료의 예시들은 강철, Au, Ag, Al, Cu, Pd, Pt, Ti 등을 포함할 수 있다. 재료 제거는, 예를 들어 기판들 상에 금속 상호연결부들을 제작하는 공정들 및 작동되는 구조체들의 마찰 및 충격으로 인해 발생할 수 있다. 오염물은 리소그래피 장치 내의 민감한 부분들(예를 들어, 레티클 또는 기판)로 들어가고, 리소그래피 공정들에서 오차 가능성을 증가시킬 수 있다. 본 발명의 실시예들은 리소그래피 공정 또는 장치의 민감한 부분들 상의 결함들을 검출하기 위한 구조체들 및 기능들을 제공한다.In the context of imperfections, the terms "foreign particles", "contaminant particles", "contaminants", etc. are used herein to refer to particulate matter present on a surface or area not designed to tolerate the presence of undesirable particulate matter, or otherwise present on a surface or area that is not designed to tolerate the presence of particulate matter. may be used to refer to unexpected, unusual, undesirable, or otherwise (herein undesirable) particulate matter that adversely affects the operation of a device present therein. These “foreign particles” and “contaminants” may include, but are not limited to, organic materials such as human tissue/cells, and inorganic contaminants such as metal/alloy debris. Organic contaminants can be a result of the way parts/modules are handled during production, transportation and assembly. Inorganic contaminants may be a result of the technological processes used to manufacture the components/modules. For example, parts/modules may be processed on a lathe or milling machine, generating many small particles in the parts/modules that are still found on the tested surfaces even with multiple subsequent cleaning steps. It can be. Some examples of inorganic contaminants may include dust, stray photoresist, or other dislodged materials within the lithography apparatus. Examples of materials removed may include steel, Au, Ag, Al, Cu, Pd, Pt, Ti, etc. Material removal may occur, for example, due to friction and impact of the structures being actuated and processes fabricating metal interconnects on substrates. Contaminants can enter sensitive parts (eg, reticle or substrate) within the lithography apparatus and increase the potential for errors in lithography processes. Embodiments of the present invention provide structures and functions for detecting defects on sensitive parts of a lithographic process or device.
도 4는 일부 실시예들에 따른 증강 현실(AR) 헤드셋(400)을 개략적으로 나타낸다. 일부 실시예들에서, AR 헤드셋(400)은 1 이상의 센서(402), 프로세서(404), 및 디스플레이(406), 예를 들어 사용자에게 이미지들을 보여주기 위한 1 이상의 렌즈를 포함할 수 있다. 또한, 당업자라면, AR 헤드셋(400)은 렌즈 유지부에 연결되는 아암(arm) 부분들을 갖는 프레임을 포함할 수 있다는 것을 이해하여야 한다. 프레임의 개구부에 배치되는 디스플레이(406)의 적어도 하나의 렌즈 상으로 이미지들이 투영될 수 있다. 일부 실시예들에서, AR 헤드셋(400)은 도 1a의 리소그래피 장치(100) 또는 도 1b의 리소그래피 장치(100')에서와 같이 대상물(410)을 검사하는 데 사용될 수 있다. 또 다른 예시로서, 대상물(410)은 도 1a의 리소그래피 장치(100) 또는 도 1b의 리소그래피 장치(100')를 서비스하는 데 사용되는 툴일 수 있다.4 schematically shows an augmented reality (AR)
일부 실시예들에서, 1 이상의 센서(402)는 대상물(410)의 1 이상의 이미지를 캡처하도록 구성되는 1 이상의 이미지 캡처 디바이스, 예를 들어 카메라일 수 있다. 예를 들어, 1 이상의 이미지는 비디오 피드일 수 있다. 일부 실시예들에서, 1 이상의 센서(402)는 초음파를 방출하고 대상물(410)로부터 반사된 반사파를 수신하도록 구성되는 1 이상의 초음파 센서일 수 있다. 일부 실시예들에서, 1 이상의 센서(402)는 전자기 스펙트럼 전반으로부터 정보를 수집 및 처리하여 대상물(410)의 이미지 내의 각 픽셀에 대한 스펙트럼을 얻도록 구성되는 1 이상의 하이퍼스펙트럼(hyperspectral) 이미징 센서, 예를 들어 공간 스캐너, 스펙트럼 스캐너, 스냅숏 하이퍼스펙트럼 이미징 스캐너 등일 수 있다. 일부 실시예들에서, 1 이상의 센서는 이미지 캡처 디바이스, 초음파 센서, 및 하이퍼스펙트럼 이미징 센서의 여하한의 조합일 수 있다. 당업자라면, 이들이 사용될 수 있는 센서들의 예시들에 불과하며, 다른 센서들이 본 발명의 실시형태들에 따라 더 고려된다는 것을 이해하여야 한다.In some embodiments, one or
일부 실시예들에서, 프로세서(404)는 대상물(410)의 표면 상에서 오염물의 존재를 검출하도록 대상물(410)의 검사 동안 실시간으로 1 이상의 센서(402)로부터 정보를 처리할 수 있다. 예를 들어, 1 이상의 이미지 캡처 디바이스는 검사 동안 비디오 피드를 캡처할 수 있다. 이 예시에서, 프로세서(404)는 비디오 피드를 분석하여 대상물(410)의 표면 상의 2 이상의 스폿들 사이에서 반사된 명도(luminosity)의 변화를 검출할 수 있다. 일부 실시예들에서, 2 이상의 스폿들 사이에서의 반사된 명도의 변화는 오염물의 존재를 나타낼 수 있다.In some embodiments,
또 다른 예시로서, 1 이상의 초음파 센서에 대해, 프로세서(404)는 대상물(410)의 표면 상의 2 이상의 스폿들에서 초음파의 방출과 수신 사이의 시간을 측정함으로써 AR 헤드셋(400)과 대상물(410) 사이의 거리를 측정할 수 있다. 예를 들어, 1 이상의 초음파 센서는 제 1 시간(t1)에 대상물(410)로부터 반사되도록 초음파를 향하게 하고, 제 2 시간(t2)에 대상물(410)의 표면 상의 2 이상의 스폿들에 대한 반사파를 수신할 수 있다. 프로세서(404)는 2 이상의 스폿들 각각에서 t1과 t2 사이의 시간을 측정함으로써 대상물까지의 거리를 측정할 수 있다. 일부 실시예들에서, 프로세서(404)는 현재 거리를 이전 거리와 비교하도록 더 구성될 수 있다. 이 예시에서, 프로세서(404)는 2 이상의 스폿들에서의 거리를 비교함으로써 대상물의 표면과 AR 헤드셋 사이의 거리 변화의 결정에 응답하여 오염물이 존재함을 결정할 수 있다.As another example, for one or more ultrasonic sensors, the
또 다른 예시에서, 1 이상의 하이퍼스펙트럼 이미징 센서에 대해, 프로세서(404)는 대상물(410)의 이미지 내의 각 픽셀에 대한 전자기 스펙트럼을 분석할 수 있다. 이 예시에서, 프로세서(404)는 대상물(410)의 표면 상의 2 이상의 스폿들에서 한 픽셀로부터 다른 픽셀로의 전자기 스펙트럼의 변화에 기초하여, 대상물(410) 상에 오염물이 존재함을 결정할 수 있다.In another example, for one or more hyperspectral imaging sensors,
일부 실시예들에서, 오염물의 존재를 검출한 것에 응답하여, AR 헤드셋(400)은 디스플레이(406)를 사용하여 사용자에게 검출된 오염물을 보여줄 수 있다. 일부 실시예들에서, 검출된 오염물은 디스플레이를 위해 확대 또는 증대될 수 있다. 예를 들어, 1 이상의 센서를 사용하여, AR 헤드셋(400)은 디스플레이(406)에서의 예시를 위해 대상물(410)의 표면 상의 오염물의 이미지를 캡처 및 확대할 수 있다.In some embodiments, in response to detecting the presence of contaminants,
일부 실시예들에서, AR 헤드셋(400)은 대상물(410)의 3-차원(3D) 맵을 생성할 수 있다. AR 헤드셋(400)은 1 이상의 센서로부터의 정보와 3D 맵을 조합하여 대상물(410) 상의 오염물의 위치를 식별할 수 있다. 따라서, 일부 실시예들에서, AR 헤드셋(400)은 사용자에게 오염물의 위치 정보를 제공할 수 있다. 일부 실시예들에서, AR 헤드셋(400)은 저장소에 오염물의 위치 정보를 로깅(log)하며, 예를 들어 메모리 또는 데이터베이스에 위치 정보를 저장할 수 있다.In some embodiments,
본 실시예들은 다음 항목들을 이용하여 더 설명될 수 있다:The present embodiments can be further explained using the following items:
1. 증강 현실(AR) 헤드셋으로서,1. As an augmented reality (AR) headset,
검사 동안 대상물의 표면을 스캔하도록 구성되는 1 이상의 센서; 및One or more sensors configured to scan the surface of the object during inspection; and
1 이상의 센서에 커플링된 프로세서를 포함하며, 이는:A processor coupled to one or more sensors, comprising:
검사 동안 실시간으로, 1 이상의 센서를 사용하여 얻어진 정보를 처리하고; Processing information obtained using one or more sensors in real time during the inspection;
처리된 정보에 기초하여, 오염물이 대상물의 표면에 존재하는지 여부를 결정하고; 및 Based on the processed information, determine whether contaminants are present on the surface of the object; and
오염물이 대상물의 표면에 존재한다는 결정에 응답하여, AR 헤드셋의 사용자에게 오염물의 이미지를 보여주도록 구성되는 AR 헤드셋. An AR headset configured to display an image of the contaminant to a user of the AR headset in response to determining that the contaminant is present on the surface of the object.
2. 1 항에 있어서,2. In clause 1,
1 이상의 센서는 검사 동안 비디오 피드를 캡처하도록 구성되는 1 이상의 이미지 캡처 디바이스를 포함하고,The one or more sensors include one or more image capture devices configured to capture video feeds during the inspection,
프로세서는 비디오 피드를 분석하여, 대상물의 표면 상의 2 이상의 스폿들로부터 반사된 명도의 변화가 발생했는지 여부를 결정하도록 더 구성되는 AR 헤드셋.The AR headset wherein the processor is further configured to analyze the video feed to determine whether a change in reflected brightness has occurred from two or more spots on the surface of the object.
3. 2 항에 있어서, 프로세서는 반사된 명도의 변화가 발생했다는 결정에 응답하여 대상물 상에 오염물이 존재함을 결정하도록 더 구성되는 AR 헤드셋.3. The AR headset of
4. 1 항에 있어서,4. In clause 1,
1 이상의 센서는 시간 t1에 대상물로부터 반사되도록 초음파를 향하게 하고, 시간 t2에 대상물의 표면 상의 2 이상의 스폿들에 대한 반사파를 수신하도록 구성되는 1 이상의 초음파 센서를 포함하고,the at least one sensor comprising at least one ultrasonic sensor configured to direct ultrasonic waves to be reflected from the object at time t1 and to receive the reflected waves for two or more spots on the surface of the object at time t2;
프로세서는 2 이상의 스폿들 각각에서 t1과 t2 사이의 시간을 측정함으로써 대상물까지의 거리를 측정하도록 더 구성되는 AR 헤드셋.The AR headset wherein the processor is further configured to measure the distance to the object by measuring the time between t1 and t2 in each of the two or more spots.
5. 4 항에 있어서, 오염물이 대상물의 표면에 존재하는지 여부를 결정하기 위해, 프로세서는 2 이상의 스폿들에서의 거리를 비교함으로써 대상물의 표면과 AR 헤드셋 사이의 거리 변화의 결정에 응답하여 오염물이 존재함을 결정하도록 더 구성되는 AR 헤드셋. 5. The method of
6. 1 항에 있어서, 프로세서는 대상물의 3-차원(3D) 맵을 생성하도록 더 구성되는 AR 헤드셋. 6. The AR headset of clause 1, wherein the processor is further configured to generate a three-dimensional (3D) map of the object.
7. 6 항에 있어서, 프로세서는 1 이상의 센서로부터의 정보와 3D 맵을 조합하여 대상물 상의 오염물의 위치를 식별하도록 더 구성되는 AR 헤드셋. 7. The AR headset of clause 6, wherein the processor is further configured to combine information from one or more sensors with the 3D map to identify the location of contaminants on the object.
8. 7 항에 있어서, 프로세서는 사용자에게 오염물의 위치 정보를 제공하도록 더 구성되는 AR 헤드셋.8. The AR headset of clause 7, wherein the processor is further configured to provide location information of contaminants to the user.
9. 증강 현실(AR) 헤드셋의 1 이상의 센서를 사용하여, 검사 동안 대상물의 표면을 스캔하는 단계;9. Using one or more sensors of an augmented reality (AR) headset, scanning the surface of the object during inspection;
검사 동안 실시간으로, 1 이상의 센서를 사용하여 얻어진 정보를 처리하는 단계;Processing information obtained using one or more sensors in real time during the inspection;
처리된 정보에 기초하여, 오염물이 대상물의 표면에 존재하는지 여부를 결정하는 단계; 및Based on the processed information, determining whether a contaminant is present on the surface of the object; and
오염물이 대상물의 표면에 존재한다는 결정에 응답하여, AR 헤드셋의 사용자에게 오염물의 이미지를 보여주는 단계를 포함하는 방법.In response to determining that a contaminant is present on the surface of the object, a method comprising showing an image of the contaminant to a user of the AR headset.
10. 9 항에 있어서,10. In clause 9,
1 이상의 센서로서 1 이상의 이미지 캡처 디바이스를 사용하는 단계를 더 포함하고, 1 이상의 이미지 캡처 디바이스는 검사 동안 비디오 피드를 캡처하도록 구성되며,further comprising using one or more image capture devices as one or more sensors, wherein the one or more image capture devices are configured to capture a video feed during the inspection,
처리하는 단계는 대상물의 표면 상의 2 이상의 스폿들로부터 반사된 명도의 변화가 발생했는지 여부를 결정하기 위해 비디오 피드를 분석하는 단계를 포함하는 방법.A method wherein the processing step includes analyzing the video feed to determine whether a change in reflected brightness has occurred from two or more spots on the surface of the object.
11. 10 항에 있어서, 오염물이 대상물의 표면에 존재하는지 여부를 결정하는 단계는 반사된 명도의 변화가 발생했다는 결정에 응답하여 오염물이 존재함을 결정하는 단계를 포함하는 방법.11. The method of clause 10, wherein determining whether contaminant is present on the surface of the object comprises determining that contaminant is present in response to determining that a change in reflected brightness has occurred.
12. 9 항에 있어서,12. In clause 9,
1 이상의 센서로서 1 이상의 초음파 센서를 사용하는 단계를 더 포함하고, 1 이상의 초음파 센서는 시간 t1에 대상물로부터 반사되도록 초음파를 향하게 하고 시간 t2에 대상물의 표면 상의 2 이상의 스폿들에 대한 반사파를 수신하도록 구성되며,It further includes using at least one ultrasonic sensor as the at least one sensor, wherein the at least one ultrasonic sensor directs ultrasonic waves to be reflected from the object at time t1 and receives the reflected wave for two or more spots on the surface of the object at time t2. It is composed,
처리하는 단계는 2 이상의 스폿들 각각에서 t1과 t2 사이의 시간을 측정함으로써 대상물까지의 거리를 측정하는 단계를 포함하는 방법.A method wherein the processing step includes measuring the distance to the object by measuring the time between t1 and t2 in each of the two or more spots.
13. 12 항에 있어서, 오염물이 대상물의 표면에 존재하는지 여부를 결정하는 단계는 2 이상의 스폿들에서의 거리를 비교함으로써 대상물의 표면과 AR 헤드셋 사이의 거리 변화의 결정에 응답하여 오염물이 존재함을 결정하는 단계를 포함하는 방법.13. The method of clause 12, wherein the step of determining whether contaminants are present on the surface of the object is in response to determining a change in distance between the surface of the object and the AR headset by comparing the distances in two or more spots. A method comprising the steps of determining .
14. 9 항에 있어서, 대상물의 3-차원(3D) 맵을 생성하는 단계를 더 포함하는 방법.14. The method of clause 9 further comprising generating a three-dimensional (3D) map of the object.
15. 14 항에 있어서, 1 이상의 센서로부터의 정보와 3D 맵을 조합하여 대상물 상의 오염물의 위치를 식별하는 단계를 더 포함하는 방법.15. The method of clause 14, further comprising combining information from one or more sensors with the 3D map to identify the location of contaminants on the object.
16. 15 항에 있어서, 사용자에게 오염물의 위치 정보를 제공하는 단계를 더 포함하는 방법.16. The method of clause 15, further comprising providing location information of contaminants to the user.
17. 비-일시적 컴퓨터 판독가능한 매체로서,17. A non-transitory computer-readable medium, comprising:
증강 현실 헤드셋의 1 이상의 센서를 사용하여, 검사 동안 대상물의 표면을 스캔하는 것;using one or more sensors of the augmented reality headset to scan the surface of the object during inspection;
검사 동안 실시간으로, 1 이상의 센서를 사용하여 얻어진 정보를 처리하는 것;Processing information obtained using one or more sensors in real time during the inspection;
처리된 정보에 기초하여, 오염물이 대상물의 표면에 존재하는지 여부를 결정하는 것; 및Based on the processed information, determining whether contaminants are present on the surface of the object; and
오염물이 대상물의 표면에 존재한다는 결정에 응답하여, AR 헤드셋의 사용자에게 오염물의 이미지를 보여주는 것을 포함하는 작업들을 수행하도록 1 이상의 프로세서에 의해 실행되는 1 이상의 명령어의 1 이상의 시퀀스를 저장하는 비-일시적 컴퓨터 판독가능한 매체.In response to determining that a contaminant is present on the surface of an object, a non-transitory device storing one or more sequences of one or more instructions to be executed by one or more processors to perform tasks including showing an image of the contaminant to a user of the AR headset. Computer-readable media.
18. 17 항에 있어서, 작업들은 대상물의 3-차원(3D) 맵을 생성하는 것을 더 포함하는 비-일시적 컴퓨터 판독가능한 매체.18. The non-transitory computer-readable medium of clause 17, wherein the operations further include generating a three-dimensional (3D) map of the object.
19. 18 항에 있어서, 작업들은 1 이상의 센서로부터의 정보와 3D 맵을 조합하여 대상물 상의 오염물의 위치를 식별하는 것을 더 포함하는 비-일시적 컴퓨터 판독가능한 매체.19. The non-transitory computer-readable medium of clause 18, wherein the tasks further include combining information from one or more sensors with a 3D map to identify the location of contaminants on the object.
20. 18 항에 있어서, 작업들은 데이터베이스에 오염물의 위치를 로깅하는 것을 더 포함하는 비-일시적 컴퓨터 판독가능한 매체.20. The non-transitory computer-readable medium of clause 18, wherein the operations further comprise logging the location of the contaminant in a database.
본 명세서에서는, IC 제조에 있어서 리소그래피 장치의 특정 사용예에 대하여 언급되지만, 본 명세서에 서술된 리소그래피 장치는 집적 광학 시스템, 자기 도메인 메모리용 안내 및 검출 패턴, 평판 디스플레이(flat-panel display), LCD, 박막 자기 헤드 등의 제조와 같은 다른 적용예들을 가질 수 있다는 것을 이해하여야 한다. 당업자라면, 이러한 대안적인 적용예와 관련하여, 본 명세서의 "웨이퍼" 또는 "다이"라는 용어의 어떠한 사용도 각각 "기판" 또는 "타겟부"라는 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수도 있음을 이해할 것이다. 본 명세서에서 언급되는 기판은 노광 전후에, 예를 들어 트랙 유닛(전형적으로, 기판에 레지스트 층을 도포하고 노광된 레지스트를 현상하는 툴), 메트롤로지 유닛 및/또는 검사 유닛에서 처리될 수 있다. 적용가능하다면, 이러한 기판 처리 툴과 다른 기판 처리 툴에 본 명세서의 기재내용이 적용될 수 있다. 또한, 예를 들어 다층 IC를 생성하기 위하여 기판이 한 번 이상 처리될 수 있으므로, 본 명세서에서 사용되는 기판이라는 용어는 이미 여러 번 처리된 층들을 포함하는 기판을 칭할 수도 있다.Although reference is made herein to specific uses of lithographic apparatuses in IC fabrication, lithographic apparatuses described herein may include integrated optical systems, guidance and detection patterns for magnetic domain memories, flat-panel displays, LCDs, etc. , it should be understood that it may have other applications, such as manufacturing thin film magnetic heads, etc. Those skilled in the art will appreciate that, with respect to these alternative applications, any use of the terms "wafer" or "die" herein may be considered synonymous with the more general terms "substrate" or "target section", respectively. You will understand. The substrates referred to herein may be processed before or after exposure, for example in a track unit (typically a tool that applies a layer of resist to the substrate and develops the exposed resist), a metrology unit and/or an inspection unit. . Where applicable, the teachings herein may be applied to these and other substrate processing tools. Additionally, since a substrate may be processed more than once, for example to create a multilayer IC, the term substrate as used herein may also refer to a substrate containing layers that have already been processed multiple times.
이상, 광학 리소그래피와 관련하여 본 발명의 실시예들의 특정 사용예를 언급하였지만, 본 발명은 다른 적용예들, 예를 들어 임프린트 리소그래피에 사용될 수 있으며, 본 명세서가 허용한다면 광학 리소그래피로 제한되지 않음을 이해할 것이다. 임프린트 리소그래피에서, 패터닝 디바이스에서의 토포그래피는 기판 상에 생성되는 패턴을 정의한다. 패터닝 디바이스의 토포그래피는 기판에 공급된 레지스트 층으로 가압될 수 있으며, 레지스트는 전자기 방사선, 열, 압력 또는 그 조합을 인가함으로써 경화된다. 패터닝 디바이스는 레지스트가 경화된 후에 레지스트로부터 이동되어 그 안에 패턴을 남긴다.Although specific uses of embodiments of the present invention have been mentioned above in relation to optical lithography, it is understood that the present invention can be used in other applications, such as imprint lithography, and is not limited to optical lithography if permitted by the present disclosure. You will understand. In imprint lithography, the topography in the patterning device defines the pattern created on the substrate. The topography of the patterning device can be pressed into a layer of resist supplied to a substrate, and the resist is cured by applying electromagnetic radiation, heat, pressure, or a combination thereof. The patterning device is moved away from the resist after it has cured, leaving a pattern therein.
본 명세서에서, 어구 또는 전문 용어는 설명을 위한 것이며 제한하려는 것이 아니므로, 본 명세서의 전문 용어 또는 어구가 당업자에 의해 본 명세서의 교시를 고려하여 해석되어야 한다는 것을 이해하여야 한다.It is to be understood that any phrase or terminology used herein is for the purpose of description and not limitation, and that any phrase or terminology herein should be construed by those skilled in the art in light of the teachings herein.
본 명세서에서 사용된 "기판"이라는 용어는 재료 층들이 추가되는 재료를 설명한다. 일부 실시예들에서, 기판 자체가 패터닝될 수 있으며, 그 위에 추가된 재료들도 패터닝될 수 있거나, 패터닝 없이 남아 있을 수 있다.As used herein, the term “substrate” describes the material to which layers of material are added. In some embodiments, the substrate itself may be patterned, and materials added thereon may also be patterned, or may be left without patterning.
본 명세서에서는, IC 제조에 있어서 본 발명에 따른 장치 및/또는 시스템의 특정 사용예에 대하여 언급되지만, 이러한 장치 및/또는 시스템은 다수의 다른 가능한 적용예들을 갖는다는 것을 분명히 이해하여야 한다. 예를 들어, 이는 집적 광학 시스템, 자기 도메인 메모리용 안내 및 검출 패턴, LCD 패널, 박막 자기 헤드 등의 제조 시에 채택될 수 있다. 당업자라면, 이러한 대안적인 적용예와 관련하여, 본 명세서의 "레티클", "웨이퍼" 또는 "다이"라는 용어의 어떠한 사용도 각각 "마스크", "기판" 및 "타겟부"라는 좀 더 일반적인 용어로 대체되는 것으로 간주되어야 함을 이해할 것이다.Although reference is made herein to specific examples of use of devices and/or systems according to the invention in IC manufacturing, it should be clearly understood that such devices and/or systems have numerous other possible applications. For example, this can be employed in the manufacture of integrated optical systems, guidance and detection patterns for magnetic domain memories, LCD panels, thin film magnetic heads, etc. Those skilled in the art will understand that, with respect to these alternative applications, any use of the terms “reticle,” “wafer,” or “die” herein will be replaced by the more general terms “mask,” “substrate,” and “target portion,” respectively. It will be understood that it should be considered to be replaced by .
이상, 본 발명의 특정 실시예들이 설명되었지만, 본 발명은 설명된 것과 다르게 실시될 수 있음을 이해할 것이다. 상기 서술내용은 본 발명을 제한하도록 의도되지 않는다.Although specific embodiments of the invention have been described above, it will be understood that the invention may be practiced otherwise than as described. The above description is not intended to limit the invention.
초록(Abstract) 및 요약(Summary) 부분들이 아닌 상세한 설명(Detailed Description) 부분이 청구항을 해석하는 데 사용되도록 의도된다는 것을 이해하여야 한다. 요약 및 초록 부분들은 발명자(들)에 의해 고려된 바와 같은 본 발명의 모든 예시적인 실시예들이 아닌 1 이상을 설명할 수 있으며, 이에 따라 어떠한 방식으로도 본 발명 및 첨부된 청구항을 제한하도록 의도되지 않는다.It should be understood that the Detailed Description section, not the Abstract and Summary sections, is intended to be used in interpreting the claims. The Summary and Abstract sections may describe one or more, but not all exemplary embodiments of the invention as contemplated by the inventor(s), and are therefore not intended to limit the invention and the appended claims in any way. No.
이상, 본 발명은 특정 기능들 및 그 관계들의 구현을 예시하는 기능적 빌딩 블록들의 도움으로 설명되었다. 이러한 기능적 빌딩 블록들의 경계들은 설명의 편의를 위해 본 명세서에서 임의로 정의되었다. 특정 기능들 및 그 관계들이 적절하게 수행되는 한, 대안적인 경계들이 정의될 수 있다.Above, the invention has been described with the help of functional building blocks that illustrate the implementation of specific functions and their relationships. The boundaries of these functional building blocks are arbitrarily defined herein for convenience of description. Alternative boundaries may be defined as long as certain functions and their relationships are performed appropriately.
특정 실시예들의 앞선 설명은, 당업계의 지식을 적용함으로써, 다양한 적용들에 대해 본 발명의 일반적인 개념을 벗어나지 않고 지나친 실험 없이 이러한 특정 실시예들을 쉽게 변형하고, 및/또는 응용할 수 있도록 본 발명의 일반적인 성질을 전부 드러낼 것이다. 그러므로, 이러한 응용예들 및 변형예들은 본 명세서에 나타낸 교시 및 안내에 기초하여, 개시된 실시예들의 균등물의 의미 및 범위 내에 있도록 의도된다.The foregoing description of specific embodiments is intended to enable, by applying knowledge in the art, these specific embodiments to be easily modified and/or adapted without undue experimentation without departing from the general concept of the invention for various applications. It will reveal all its general properties. Therefore, these applications and variations are intended to be within the meaning and scope of equivalents of the disclosed embodiments, based on the teachings and guidance presented herein.
보호 대상의 범위와 폭은 상술된 예시적인 실시예들 중 어느 것에 의해서도 제한되지 않아야 하며, 다음의 청구항 및 그 균등물에 따라서만 정의되어야 한다.The scope and breadth of the subject matter of protection should not be limited by any of the above-described exemplary embodiments, but should be defined only in accordance with the following claims and their equivalents.
Claims (15)
검사 동안 대상물의 표면을 스캔하도록 구성되는 1 이상의 센서; 및
상기 1 이상의 센서에 커플링되는 프로세서
를 포함하며, 상기 프로세서는:
상기 검사 동안 실시간으로, 상기 1 이상의 센서를 사용하여 얻어진 정보를 처리하고;
처리된 정보에 기초하여, 오염물이 상기 대상물의 표면에 존재하는지 여부를 결정하고; 및
상기 오염물이 상기 대상물의 표면에 존재한다는 결정에 응답하여, 상기 AR 헤드셋의 사용자에게 상기 오염물의 이미지를 보여주도록 구성되는,
AR 헤드셋. As an augmented reality (AR) headset,
One or more sensors configured to scan the surface of the object during inspection; and
A processor coupled to the one or more sensors
, wherein the processor:
Process information obtained using the one or more sensors in real time during the inspection;
Based on the processed information, determine whether contaminants are present on the surface of the object; and
in response to determining that the contaminant is present on the surface of the object, configured to show an image of the contaminant to a user of the AR headset,
AR headset.
상기 1 이상의 센서는 상기 검사 동안 비디오 피드를 캡처하도록 구성되는 1 이상의 이미지 캡처 디바이스를 포함하고,
상기 프로세서는 상기 비디오 피드를 분석하여 상기 대상물의 표면 상의 2 이상의 스폿들로부터 반사된 명도(luminosity)의 변화가 발생했는지 여부를 결정하도록 더 구성되며,
상기 프로세서는 상기 반사된 명도의 변화가 발생했다는 결정에 응답하여 상기 대상물 상에 상기 오염물이 존재함을 결정하도록 더 구성되는,
AR 헤드셋. According to claim 1,
the one or more sensors comprise one or more image capture devices configured to capture a video feed during the inspection,
the processor is further configured to analyze the video feed to determine whether a change in reflected luminosity has occurred from two or more spots on the surface of the object,
wherein the processor is further configured to determine the presence of the contaminant on the object in response to determining that a change in reflected brightness has occurred,
AR headset.
상기 1 이상의 센서는 시간 t1에 상기 대상물로부터 반사되도록 초음파를 향하게 하고, 시간 t2에 상기 대상물의 표면 상의 2 이상의 스폿들에 대한 반사파를 수신하도록 구성되는 1 이상의 초음파 센서를 포함하고,
상기 프로세서는 상기 2 이상의 스폿들 각각에서 t1과 t2 사이의 시간을 측정함으로써 상기 대상물까지의 거리를 측정하도록 더 구성되며,
상기 오염물이 상기 대상물의 표면에 존재하는지 여부를 결정하기 위해, 상기 프로세서는 상기 2 이상의 스폿들에서의 거리를 비교함으로써 상기 대상물의 표면과 상기 AR 헤드셋 사이의 거리 변화의 결정에 응답하여 상기 오염물이 존재함을 결정하도록 더 구성되는,
AR 헤드셋.According to claim 1,
the at least one sensor comprising at least one ultrasonic sensor configured to direct ultrasonic waves to be reflected from the object at time t1 and to receive reflected waves for two or more spots on the surface of the object at time t2;
the processor is further configured to measure the distance to the object by measuring the time between t1 and t2 at each of the two or more spots,
To determine whether the contaminant is present on the surface of the object, the processor is responsive to a determination of a change in distance between the surface of the object and the AR headset by comparing the distances in the two or more spots to determine whether the contaminant is present on the surface of the object. further configured to determine existence,
AR headset.
상기 프로세서는 상기 대상물의 3-차원(3D) 맵을 생성하도록 더 구성되고,
상기 프로세서는 상기 1 이상의 센서로부터의 정보와 상기 3D 맵을 조합하여 상기 대상물 상의 오염물의 위치를 식별하도록 더 구성되며,
상기 프로세서는 사용자에게 상기 오염물의 위치 정보를 제공하도록 더 구성되는,
AR 헤드셋.According to claim 1,
the processor is further configured to generate a three-dimensional (3D) map of the object,
the processor is further configured to combine information from the one or more sensors and the 3D map to identify the location of contaminants on the object,
wherein the processor is further configured to provide location information of the contaminant to a user,
AR headset.
상기 검사 동안 실시간으로, 상기 1 이상의 센서를 사용하여 얻어진 정보를 처리하는 단계;
처리된 정보에 기초하여, 오염물이 상기 대상물의 표면에 존재하는지 여부를 결정하는 단계; 및
상기 오염물이 상기 대상물의 표면에 존재한다는 결정에 응답하여, 상기 AR 헤드셋의 사용자에게 상기 오염물의 이미지를 보여주는 단계
를 포함하는, 방법.Using one or more sensors of an augmented reality (AR) headset, scanning the surface of the object during inspection;
processing information obtained using the one or more sensors in real time during the inspection;
Based on the processed information, determining whether contaminants are present on the surface of the object; and
In response to determining that the contaminant is present on the surface of the object, showing an image of the contaminant to a user of the AR headset.
Method, including.
상기 1 이상의 센서로서 1 이상의 이미지 캡처 디바이스를 사용하는 단계를 더 포함하고, 상기 1 이상의 이미지 캡처 디바이스는 상기 검사 동안 비디오 피드를 캡처하도록 구성되며,
상기 처리하는 단계는 상기 대상물의 표면 상의 2 이상의 스폿들로부터 반사된 명도의 변화가 발생했는지 여부를 결정하기 위해 상기 비디오 피드를 분석하는 단계를 포함하는, 방법.According to claim 5,
further comprising using one or more image capture devices as the one or more sensors, wherein the one or more image capture devices are configured to capture a video feed during the inspection,
The method of claim 1, wherein the processing step includes analyzing the video feed to determine whether a change in reflected brightness has occurred from two or more spots on the surface of the object.
상기 오염물이 상기 대상물의 표면에 존재하는지 여부를 결정하는 단계는 상기 반사된 명도의 변화가 발생했다는 결정에 응답하여 상기 오염물이 존재함을 결정하는 단계를 포함하는, 방법.According to claim 6,
Wherein determining whether the contaminant is present on the surface of the object comprises determining that the contaminant is present in response to determining that a change in reflected brightness has occurred.
상기 1 이상의 센서로서 1 이상의 초음파 센서를 사용하는 단계를 더 포함하고, 상기 1 이상의 초음파 센서는 시간 t1에 상기 대상물로부터 반사되도록 초음파를 향하게 하고 시간 t2에 상기 대상물의 표면 상의 2 이상의 스폿들에 대한 반사파를 수신하도록 구성되며,
상기 처리하는 단계는 상기 2 이상의 스폿들 각각에서 t1과 t2 사이의 시간을 측정함으로써 상기 대상물까지의 거리를 측정하는 단계를 포함하는, 방법.According to claim 5,
It further includes using at least one ultrasonic sensor as the at least one sensor, wherein the at least one ultrasonic sensor directs ultrasonic waves to be reflected from the object at time t1 and to two or more spots on the surface of the object at time t2. Configured to receive reflected waves,
The method of claim 1, wherein the processing step includes measuring the distance to the object by measuring the time between t1 and t2 at each of the two or more spots.
상기 오염물이 상기 대상물의 표면에 존재하는지 여부를 결정하는 단계는 상기 2 이상의 스폿들에서의 거리를 비교함으로써 상기 대상물의 표면과 상기 AR 헤드셋 사이의 거리 변화의 결정에 응답하여 상기 오염물이 존재함을 결정하는 단계를 포함하는, 방법.According to claim 8,
Determining whether the contaminant is present on the surface of the object may include determining that the contaminant is present in response to a determination of a change in distance between the surface of the object and the AR headset by comparing distances in the two or more spots. A method comprising the step of determining.
상기 대상물의 3-차원(3D) 맵을 생성하는 단계; 및
상기 1 이상의 센서로부터의 정보와 상기 3D 맵을 조합하여 상기 대상물 상의 오염물의 위치를 식별하는 단계를 더 포함하는, 방법.According to claim 5,
generating a three-dimensional (3D) map of the object; and
The method further comprising combining information from the one or more sensors with the 3D map to identify the location of contaminants on the object.
사용자에게 상기 오염물의 위치 정보를 제공하는 단계를 더 포함하는, 방법.According to claim 10,
The method further comprising providing location information of the contaminant to a user.
증강 현실 헤드셋의 1 이상의 센서를 사용하여, 검사 동안 대상물의 표면을 스캔하는 것;
상기 검사 동안 실시간으로, 상기 1 이상의 센서를 사용하여 얻어진 정보를 처리하는 것;
처리된 정보에 기초하여, 오염물이 상기 대상물의 표면에 존재하는지 여부를 결정하는 것; 및
상기 오염물이 상기 대상물의 표면에 존재한다는 결정에 응답하여, AR 헤드셋의 사용자에게 상기 오염물의 이미지를 보여주는 것
을 포함하는 작업들을 수행하도록 1 이상의 프로세서에 의해 실행되는 1 이상의 명령어의 1 이상의 시퀀스를 저장하는,
비-일시적 컴퓨터 판독가능한 매체.A non-transitory computer-readable medium, comprising:
using one or more sensors of the augmented reality headset to scan the surface of the object during inspection;
processing information obtained using the one or more sensors in real time during the inspection;
Based on the processed information, determining whether contaminants are present on the surface of the object; and
In response to determining that the contaminant is present on the surface of the object, showing the user of the AR headset an image of the contaminant.
storing one or more sequences of one or more instructions to be executed by one or more processors to perform tasks including,
Non-transitory computer-readable media.
상기 작업들은 상기 대상물의 3-차원(3D) 맵을 생성하는 것을 더 포함하는,
비-일시적 컴퓨터 판독가능한 매체.According to claim 12,
The tasks further include generating a three-dimensional (3D) map of the object,
Non-transitory computer-readable media.
상기 작업들은 상기 1 이상의 센서로부터의 정보와 상기 3D 맵을 조합하여 상기 대상물 상의 오염물의 위치를 식별하는 것을 더 포함하는,
비-일시적 컴퓨터 판독가능한 매체.According to claim 13,
The tasks further include combining information from the one or more sensors and the 3D map to identify the location of contaminants on the object.
Non-transitory computer-readable media.
상기 작업들은 데이터베이스에 상기 오염물의 위치를 로깅(log)하는 것을 더 포함하는,
비-일시적 컴퓨터 판독가능한 매체.According to claim 13,
The operations further include logging the location of the contaminant in a database,
Non-transitory computer-readable media.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US202163149783P | 2021-02-16 | 2021-02-16 | |
US63/149,783 | 2021-02-16 | ||
PCT/EP2022/051507 WO2022175025A1 (en) | 2021-02-16 | 2022-01-24 | Augmented reality (ar) assisted particle contamination detection |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20230142507A true KR20230142507A (en) | 2023-10-11 |
Family
ID=80122618
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020237027690A KR20230142507A (en) | 2021-02-16 | 2022-01-24 | Augmented Reality (AR) Assisted Particle Contamination Detection |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR20230142507A (en) |
CN (1) | CN116830015A (en) |
TW (1) | TW202238214A (en) |
WO (1) | WO2022175025A1 (en) |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5978078A (en) * | 1996-12-17 | 1999-11-02 | Texas Instruments Incorporated | System and method for detecting particles on substrate-supporting chucks of photolithography equipment |
EP1452851A1 (en) * | 2003-02-24 | 2004-09-01 | ASML Netherlands B.V. | Method and device for measuring contamination of a surface of a component of a lithographic apparatus |
US7511799B2 (en) | 2006-01-27 | 2009-03-31 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic projection apparatus and a device manufacturing method |
US7383129B1 (en) * | 2006-09-07 | 2008-06-03 | Itt Manufacturing Enterprises, Inc. | Method and system for geo-referencing and visualization of detected contaminants |
US10275659B2 (en) * | 2017-03-31 | 2019-04-30 | Intel Corporation | Computer vision and sensor assisted contamination tracking |
EP3424301A1 (en) * | 2017-07-04 | 2019-01-09 | Andreas Stihl AG & Co. KG | Method for determining a contamination state of at least one component of a gardening and/or forestry device and gardening and/or forestry system |
US10646609B2 (en) * | 2017-10-20 | 2020-05-12 | Osram Sylvania Inc. | Activity-based targeted disinfection system |
DE102019200855A1 (en) * | 2019-01-24 | 2020-07-30 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Method for monitoring the state of an optical mirror of an EUV projection exposure system |
-
2022
- 2022-01-24 WO PCT/EP2022/051507 patent/WO2022175025A1/en active Application Filing
- 2022-01-24 CN CN202280014254.1A patent/CN116830015A/en active Pending
- 2022-01-24 KR KR1020237027690A patent/KR20230142507A/en unknown
- 2022-02-11 TW TW111104996A patent/TW202238214A/en unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2022175025A1 (en) | 2022-08-25 |
CN116830015A (en) | 2023-09-29 |
TW202238214A (en) | 2022-10-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4944184B2 (en) | EUV mask inspection system | |
US10146134B2 (en) | Illumination system | |
US20240134289A1 (en) | Operating a metrology system, lithographic apparatus, and methods thereof | |
KR20230145077A (en) | Contaminant detection system and method | |
US20230089666A1 (en) | Improved alignment of scatterometer based particle inspection system | |
US20230137537A1 (en) | Contaminant analyzing metrology system, lithographic apparatus, and methods thereof | |
KR20230142507A (en) | Augmented Reality (AR) Assisted Particle Contamination Detection | |
US20230142459A1 (en) | Contaminant identification metrology system, lithographic apparatus, and methods thereof | |
US11960216B2 (en) | Invariable magnification multilevel optical device with telecentric converter | |
US20240319617A1 (en) | Metrology systems with phased arrays for contaminant detection and microscopy | |
US20240167809A1 (en) | Metrology systems, measurement of wear systems and methods thereof | |
US7715000B2 (en) | Particle detection system, and lithographic apparatus provided with such particle detection system | |
WO2023285139A1 (en) | Lithography system, substrate sag compensator, and method | |
WO2023247178A1 (en) | Design for multiple off-axis illumination beams for wafer alignment sensor | |
WO2024074286A1 (en) | Tunable optical system | |
WO2024068297A1 (en) | Tunable optical system | |
WO2023285138A1 (en) | Metrology systems with phased arrays for contaminant detection and microscopy | |
WO2021259646A1 (en) | Monolithic particle inspection device | |
WO2024078830A1 (en) | Electrostatic clamp with a structured electrode by post bond structuring | |
WO2020182488A1 (en) | Lithographic apparatus, metrology apparatus, optical system and method |