KR20230134080A - Apparatus for improving vacuum pump performance, vacuum pump and plasma process system having the same - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 진공펌프 성능 유지 장치에 관한 것으로서, 진공펌프의 가스 유입구에 플라즈마 생성원을 구비하여 오염을 저감하기 위한 것이다. 좀 더 구체적으로는, 진공챔버로부터 진공펌프 내부로 유입되는 오염물질을 효율적으로 저감하여 진공펌프의 성능을 유지하기 위한 것이다.The present invention relates to a vacuum pump performance maintenance device, and is intended to reduce contamination by providing a plasma generation source at the gas inlet of the vacuum pump. More specifically, the purpose is to maintain the performance of the vacuum pump by efficiently reducing contaminants flowing into the vacuum pump from the vacuum chamber.
본 발명은 과학기술정보통신부 (Ministry of Science and ICT)로부터 연구 자금을 지원받는 한국연구재단 (NRF: National Research Foundation of Korea)의 국가핵심소재연구단 (1711120499/2020M3H4A3106036), 한국 국가과학기술연구회 (NST: National Research Council of Science & Technology)의 2020년도 미래선도형 융합연구단사업 (1711151477/CRC-20-01-NFRI), 과학기술정보통신부 (Ministry of Science and ICT)의 한국표준과학연구원 (KRISS: Korea Research Institute of Standards and Science) 연구운영비지원 (GP2022-0011-04/22011099, GP2022-0011-05/22011100)에 의해서 지원받았다.This invention is supported by research funds from the Ministry of Science and ICT (National Research Foundation of Korea), National Core Materials Research Group (1711120499/2020M3H4A3106036), and National Research Council of Science and Technology (NST). : National Research Council of Science & Technology's 2020 Future Leading Convergence Research Group Project (1711151477/CRC-20-01-NFRI), Ministry of Science and ICT's Korea Research Institute of Standards and Science (KRISS: Korea) It was supported by the Research Institute of Standards and Science) research operating expenses support (GP2022-0011-04/22011099, GP2022-0011-05/22011100).
일반적으로 플라즈마 공정 후 배기구를 통하여 진공챔버의 배기 가스를 외부로 배출하기 위하여 상기 배기구에 연결되는 진공펌프 내로 오염물질이 유입되면 이러한 오염물질이 진공펌프 내에 증착되고 축적되어 상기 진공펌프의 성능 저하 및 고장을 유발하게 된다.In general, when contaminants are introduced into the vacuum pump connected to the exhaust port to discharge the exhaust gas of the vacuum chamber to the outside through the exhaust port after the plasma process, these contaminants are deposited and accumulated in the vacuum pump, deteriorating the performance of the vacuum pump and It causes a malfunction.
공개특허공보 제10-2011-0084519호는 펌프 챔버를 포함하는 진공펌프의 세정방법에 관한 것으로서, 펌프 챔버를 세정 액체로 채워서 불순물을 용해시킨 후 이를 배수시키고 있으나, 이러한 방법은 진공펌프의 작동이 중지되어야 가능하므로 생산성을 저감시킨다는 문제점이 있다.Published Patent Publication No. 10-2011-0084519 relates to a cleaning method of a vacuum pump including a pump chamber. The pump chamber is filled with a cleaning liquid to dissolve impurities and then drained. However, this method does not require the operation of the vacuum pump. Since this can only be done if it is stopped, there is a problem in that it reduces productivity.
공개특허공보 제10-2017-0039295호는 배기 파이프를 세정하기 위한 원격 플라즈마 소스에 관한 것으로서, 원격 플라즈마 소스로서 작용하는 반응기 본체와 저감 가스 전달 시스템을 구비하고 기판 프로세싱 챔버는 배기 파이프 라인에 의해 상기 플라즈마 가스 전달 시스템에 연결되어 상기 반응기 본체로부터 생성된 플라즈마를 상기 기판 프로세싱 챔버로부터 배기된 가스와 반응시키고 있으나, 상기 반응기 본체가 진공펌프의 내부에 배치되지 못하고 외부에 배치됨에 따라 구조가 복잡하고 진공펌프와 기판 프로세싱 챔버 간의 거리가 길어져 배기효율이 저감될 수 있다는 문제점이 있다.Published Patent Publication No. 10-2017-0039295 relates to a remote plasma source for cleaning an exhaust pipe, comprising a reactor body that acts as a remote plasma source and an abatement gas delivery system, and the substrate processing chamber is connected to the exhaust pipe by an exhaust pipe line. It is connected to a plasma gas delivery system to react the plasma generated from the reactor main body with the gas exhausted from the substrate processing chamber. However, the reactor main body is not placed inside the vacuum pump but is placed outside the vacuum pump, so the structure is complicated and the vacuum pump There is a problem that exhaust efficiency may be reduced as the distance between the pump and the substrate processing chamber becomes longer.
등록특허공보 제10-1850895호는 수 mTorr 이하의 저압에서 플라즈마를 생성하기 위하여 구형 또는 타원체형의 캐비티를 구비하고 상기 캐비티 내에서 전자는 중성 입자와 충돌하지 않고 되튐 공진을 수행할 수 있도록 하고 있으나, 이러한 구성은 공정 플라즈마를 생성하기 위한 것이고 진공펌프의 성능을 유지하기 위한 구성에 대해서는 나타난 바가 없다는 문제점이 있다.Registered Patent Publication No. 10-1850895 provides a spherical or ellipsoid-shaped cavity to generate plasma at a low pressure of several mTorr or less, and allows electrons within the cavity to perform bounce resonance without colliding with neutral particles. , this configuration is for generating process plasma, and there is a problem in that no configuration has been shown for maintaining the performance of the vacuum pump.
등록특허공보 제10-2178201호는 플라즈마 점화 장치를 포함하는 반도체 제조 장치에 관한 것으로서, 플라즈마 점화 장치를 사용하여 저압에서 플라즈마를 발생시킨 후에 플라즈마 발생 장치를 전환하여 공정 플라즈마를 저압에서 계속 유지하고 있으나, 이러한 구성은 공정 플라즈마를 저압에서 발생시키고 있을 뿐이고 진공펌프의 성능을 유지하기 위한 구성에 대해서는 나타난 바가 없다는 문제점이 있다.Registered Patent Publication No. 10-2178201 relates to a semiconductor manufacturing device including a plasma ignition device. After generating plasma at low pressure using a plasma ignition device, the plasma generator is switched to maintain the process plasma at low pressure. , this configuration only generates process plasma at low pressure, and there is a problem in that there is no indication of a configuration for maintaining the performance of the vacuum pump.
본 발명은 진공챔버로부터 배기가스와 함께 진공펌프 내부로 유입되는 오염물질을 효율적으로 저감하는 것을 목적으로 한다.The purpose of the present invention is to efficiently reduce contaminants flowing into the vacuum pump along with exhaust gas from the vacuum chamber.
본 발명의 다른 목적은, 진공펌프의 오염을 효율적으로 저감하여 진공펌프의 성능 저하를 방지하는 것을 목적으로 한다.Another object of the present invention is to prevent deterioration of vacuum pump performance by efficiently reducing contamination of the vacuum pump.
본 발명의 다른 목적은, 진공펌프의 성능 저하를 방지하여 생산성을 증대하는 것이다.Another object of the present invention is to increase productivity by preventing performance degradation of the vacuum pump.
본 발명의 또 다른 목적은, 다단 진공펌프의 1 단 영역에 플라즈마 생성원을 구비하여 오염을 효율적으로 저감하여 다단 진공펌프의 성능 저하를 방지하는 것이다.Another object of the present invention is to prevent performance degradation of the multi-stage vacuum pump by providing a plasma generation source in the first stage of the multi-stage vacuum pump to efficiently reduce contamination.
본 발명의 또 다른 목적은, 다단 진공펌프의 1 단 영역에 설치된 플라즈마 생성원으로부터 생성되는 플라즈마 활성종을 활용하여 다단 진공펌프로 유입되는 오염물질을 저감하는 것이다.Another object of the present invention is to reduce contaminants flowing into the multi-stage vacuum pump by utilizing plasma active species generated from a plasma generator installed in the first stage area of the multi-stage vacuum pump.
본 발명의 또 다른 목적은, 진공펌프 내에 플라즈마 생성원을 구비함으로써 플라즈마 생성원으로부터 진공펌프 내로 주입되는 과정에서 활성종의 손실을 더욱 더 최소화하여 진공펌프의 오염을 효율적으로 저감할 수 있다.Another object of the present invention is to further minimize the loss of active species during the process of injecting them from the plasma generator into the vacuum pump by providing a plasma generator in the vacuum pump, thereby efficiently reducing contamination of the vacuum pump.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 상기 목적으로만 제한하지 아니하고, 위에서 명시적으로 나타내지 아니한 다른 기술적 과제는 이하 본 발명의 구성 및 작용을 통하여 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 쉽게 이해할 수 있을 것이다.The problem to be solved by the present invention is not limited to the above object, and other technical problems not explicitly indicated above can be easily understood by those skilled in the art through the structure and operation of the present invention. You will be able to.
본 발명에서는, 상기 과제를 해결하기 위하여 이하의 구성을 포함한다.The present invention includes the following configuration to solve the above problems.
본 발명은 진공펌프 성능 유지 장치에 관한 것으로서, 진공펌프 주입구에 설치되는 플라즈마 생성원; 상기 플라즈마 생성원 내에서 생성되는 플라즈마가 추출되는 추출 홀; 상기 진공펌프 주입구로 유입되는 배기 가스와 상기 추출 홀로부터 추출되는 플라즈마가 반응하여 상기 배기 가스 내의 오염물질을 변환하는 것을 특징으로 한다.The present invention relates to a vacuum pump performance maintenance device, comprising: a plasma generation source installed at the vacuum pump inlet; an extraction hole through which plasma generated within the plasma generation source is extracted; The exhaust gas flowing into the vacuum pump inlet and the plasma extracted from the extraction hole react to convert contaminants in the exhaust gas.
본 발명의 상기 플라즈마 생성원은, 구형 또는 타원체형의 캐비티를 구비하는 것을 특징으로 한다.The plasma generation source of the present invention is characterized by having a spherical or ellipsoid-shaped cavity.
본 발명의 상기 플라즈마 생성원은, 상기 캐비티 내의 전자가 되튐공진하여 플라즈마가 생성되는 것을 특징으로 한다.The plasma generation source of the present invention is characterized in that plasma is generated by bounce resonance of electrons in the cavity.
본 발명의 상기 캐비티에 플라즈마 생성 가스를 공급하기 위한 가스 공급홀을 더 구비하는 것을 특징으로 한다.The present invention is characterized by further comprising a gas supply hole for supplying plasma generation gas to the cavity.
본 발명은 진공펌프 성능 유지 장치를 구비하는 진공펌프에 관한 것으로서, 진공펌프 주입구에 설치되는 플라즈마 생성원; 상기 플라즈마 생성원 내에서 생성되는 플라즈마가 추출되는 추출 홀; 상기 진공펌프 주입구로 유입되는 배기 가스와 상기 추출 홀로부터 추출되는 플라즈마가 반응하여 상기 배기 가스 내의 오염물질을 변환하는 것을 특징으로 한다.The present invention relates to a vacuum pump having a vacuum pump performance maintenance device, comprising: a plasma generation source installed at the vacuum pump inlet; an extraction hole through which plasma generated within the plasma generation source is extracted; The exhaust gas flowing into the vacuum pump inlet and the plasma extracted from the extraction hole react to convert contaminants in the exhaust gas.
본 발명의 상기 플라즈마 생성원은, 구형 또는 타원체형의 캐비티를 구비하는 것을 특징으로 한다.The plasma generation source of the present invention is characterized by having a spherical or ellipsoid-shaped cavity.
본 발명의 상기 플라즈마 생성원은, 상기 캐비티 내의 전자가 되튐공진하여 플라즈마가 생성되는 것을 특징으로 한다.The plasma generation source of the present invention is characterized in that plasma is generated by bounce resonance of electrons in the cavity.
본 발명의 상기 캐비티에 플라즈마 생성 가스를 공급하기 위한 가스 공급홀을 더 구비하는 것을 특징으로 한다.The present invention is characterized by further comprising a gas supply hole for supplying plasma generation gas to the cavity.
본 발명은 진공펌프 성능 유지 장치를 구비하는 플라즈마 공정 시스템에 관한 것으로서, 플라즈마 공정을 위한 진공챔버; 상기 진공챔버의 배기구에 진공펌프 주입구가 연결되어 상기 플라즈마 공정 후 상기 진공챔버의 배기 가스를 외부로 배출하는 진공펌프; 상기 진공펌프 주입구에 설치되는 플라즈마 생성원; 상기 플라즈마 생성원 내에서 생성되는 플라즈마가 추출되는 추출 홀; 상기 진공펌프 주입구로 유입되는 배기 가스와 상기 추출 홀로부터 추출되는 플라즈마가 반응하여 상기 배기 가스 내의 오염물질을 변환하는 것을 특징으로 한다.The present invention relates to a plasma process system including a vacuum pump performance maintenance device, comprising: a vacuum chamber for a plasma process; a vacuum pump whose vacuum pump inlet is connected to the exhaust port of the vacuum chamber to discharge exhaust gas from the vacuum chamber to the outside after the plasma process; A plasma generation source installed at the vacuum pump inlet; an extraction hole through which plasma generated within the plasma generation source is extracted; The exhaust gas flowing into the vacuum pump inlet and the plasma extracted from the extraction hole react to convert contaminants in the exhaust gas.
본 발명의 상기 플라즈마 생성원은, 구형 또는 타원체형의 캐비티를 구비하는 것을 특징으로 한다.The plasma generation source of the present invention is characterized by having a spherical or ellipsoid-shaped cavity.
본 발명의 상기 플라즈마 생성원은, 상기 캐비티 내의 전자가 되튐공진하여 플라즈마가 생성되는 것을 특징으로 한다.The plasma generation source of the present invention is characterized in that plasma is generated by bounce resonance of electrons in the cavity.
본 발명의 상기 캐비티에 플라즈마 생성 가스를 공급하기 위한 가스 공급홀을 더 구비하는 것을 특징으로 한다.The present invention is characterized by further comprising a gas supply hole for supplying plasma generation gas to the cavity.
본 발명은 진공펌프 성능 유지 장치에 관한 것으로서, 다단 진공펌프의 1 단 영역에 설치되는 플라즈마 생성원; 상기 플라즈마 생성원 내에서 생성되는 플라즈마가 추출되는 추출 홀; 상기 다단 진공펌프의 1 단 영역으로 유입되는 배기 가스와 상기 추출 홀로부터 추출되는 플라즈마가 반응하여 상기 배기 가스 내의 오염물질을 변환하는 것을 특징으로 한다.The present invention relates to a vacuum pump performance maintenance device, comprising: a plasma generation source installed in the first stage area of a multi-stage vacuum pump; an extraction hole through which plasma generated within the plasma generation source is extracted; The exhaust gas flowing into the first stage of the multi-stage vacuum pump reacts with the plasma extracted from the extraction hole to convert contaminants in the exhaust gas.
본 발명은 진공펌프 성능 유지 장치를 구비하는 다단 진공펌프에 관한 것으로서, 다단 진공펌프의 1 단 영역에 설치되는 플라즈마 생성원; 상기 플라즈마 생성원 내에서 생성되는 플라즈마가 추출되는 추출 홀; 상기 다단 진공펌프의 1 단 영역으로 유입되는 배기 가스와 상기 추출 홀로부터 추출되는 플라즈마가 반응하여 상기 배기 가스 내의 오염물질을 변환하는 것을 특징으로 한다.The present invention relates to a multi-stage vacuum pump having a vacuum pump performance maintenance device, comprising: a plasma generation source installed in the first stage area of the multi-stage vacuum pump; an extraction hole through which plasma generated within the plasma generation source is extracted; The exhaust gas flowing into the first stage of the multi-stage vacuum pump reacts with the plasma extracted from the extraction hole to convert contaminants in the exhaust gas.
본 발명의 효과는 진공챔버로부터 배기가스와 함께 진공펌프 내부로 유입되는 오염물질을 효율적으로 저감하는 것을 가능하게 하는 것이다.The effect of the present invention is to efficiently reduce contaminants flowing into the vacuum pump along with the exhaust gas from the vacuum chamber.
본 발명의 다른 효과는, 진공펌프의 오염을 효율적으로 저감하여 진공펌프의 성능 저하를 방지하는 것을 가능하게 하는 것이다.Another effect of the present invention is to efficiently reduce contamination of the vacuum pump and prevent deterioration in the performance of the vacuum pump.
본 발명의 다른 효과는, 진공펌프의 성능 저하를 방지하여 생산성을 증대하는 것을 가능하게 하는 것이다.Another effect of the present invention is to prevent performance degradation of the vacuum pump and increase productivity.
본 발명의 또 다른 효과는, 다단 진공펌프의 1 단 영역에 플라즈마 생성원을 구비하여 오염을 효율적으로 저감하여 다단 진공펌프의 성능 저하를 방지하는 것을 가능하게 하는 것이다.Another effect of the present invention is to prevent deterioration in performance of the multi-stage vacuum pump by efficiently reducing contamination by providing a plasma generation source in the first stage area of the multi-stage vacuum pump.
본 발명의 또 다른 효과는, 다단 진공펌프의 1 단 영역에 설치된 플라즈마 생성원으로부터 생성되는 플라즈마 활성종을 활용하여 다단 진공펌프로 유입되는 오염물질을 저감하는 것을 가능하게 하는 것이다.Another effect of the present invention is to make it possible to reduce contaminants flowing into the multi-stage vacuum pump by utilizing plasma active species generated from a plasma generator installed in the first stage area of the multi-stage vacuum pump.
본 발명의 또 다른 효과는, 진공펌프 내에 플라즈마 생성원을 구비함으로써 플라즈마 생성원으로부터 진공펌프 내로 주입되는 과정에서 활성종의 손실을 더욱 더 최소화하여 진공펌프의 오염을 효율적으로 저감할 수 있다.Another effect of the present invention is that by providing a plasma generation source in the vacuum pump, the loss of active species during the process of being injected from the plasma generation source into the vacuum pump can be further minimized, thereby effectively reducing contamination of the vacuum pump.
플라즈마 내에 포함되는 활성종의 손실을 더욱 더 최소화하여 진공펌프의 오염을 효율적으로 저감하는 것을 가능하게 하는 것이다.This makes it possible to efficiently reduce contamination of the vacuum pump by further minimizing the loss of active species contained in the plasma.
본 발명에 의한 효과는 상기 효과로만 제한하지 아니하고, 위에서 명시적으로 나타내지 아니한 다른 효과는 이하 본 발명의 구성 및 작용을 통하여 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 쉽게 이해할 수 있을 것이다.The effects of the present invention are not limited to the above effects, and other effects not explicitly shown above will be easily understood by those skilled in the art through the structure and operation of the present invention.
도 1은 본 발명인 진공펌프 성능 유지 장치가 내장되는 플라즈마 공정 시스템의 개략적인 구성도를 도시한다.
도 2는 본 발명인 진공펌프 성능 유지 장치가 내장되는 진공펌프의 구체적인 단면도를 도시한다.
도 3은 본 발명인 진공펌프 성능 유지 장치의 구체적인 단면도를 도시한다.
도 4는 본 발명인 진공펌프 성능 유지 장치의 플라즈마 생성시의 모습을 도시한다.
도 5는 본 발명인 진공펌프 성능 유지 장치가 내장되는 플라즈마 공정 시스템의 다른 실시예의 개략적인 구성도를 도시한다.
도 6은 종래의 플라즈마 공정 시스템의 개략적인 구성도를 도시한다.
도 7은 종래의 진공펌프의 구체적인 단면도를 도시한다.Figure 1 shows a schematic configuration diagram of a plasma process system in which the vacuum pump performance maintenance device according to the present invention is embedded.
Figure 2 shows a specific cross-sectional view of a vacuum pump in which the present invention's vacuum pump performance maintenance device is built.
Figure 3 shows a specific cross-sectional view of the vacuum pump performance maintenance device of the present invention.
Figure 4 shows the vacuum pump performance maintenance device of the present invention during plasma generation.
Figure 5 shows a schematic configuration diagram of another embodiment of a plasma process system in which the vacuum pump performance maintenance device according to the present invention is embedded.
Figure 6 shows a schematic configuration diagram of a conventional plasma process system.
Figure 7 shows a detailed cross-sectional view of a conventional vacuum pump.
이하 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 전체적인 구성 및 작용에 대해 설명하기로 한다. 이러한 실시예는 예시적인 것으로서 본 발명의 구성 및 작용을 제한하지는 아니하고, 실시예에서 명시적으로 나타내지 아니한 다른 구성 및 작용도 이하 본 발명의 실시예를 통하여 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 쉽게 이해할 수 있는 경우는 본 발명의 기술적 사상으로 볼 수 있을 것이다.Hereinafter, the overall configuration and operation according to a preferred embodiment of the present invention will be described. These examples are illustrative and do not limit the configuration and operation of the present invention, and other configurations and operations that are not explicitly shown in the examples are also provided by common knowledge in the technical field to which the present invention pertains through the examples below. If it can be easily understood by those who have it, it can be seen as the technical idea of the present invention.
도 1은 본 발명인 진공펌프 성능 유지 장치가 내장되는 플라즈마 공정 시스템의 개략적인 구성도를 도시한다.Figure 1 shows a schematic configuration diagram of a plasma process system in which the vacuum pump performance maintenance device according to the present invention is embedded.
도 1을 참조하면, 본 발명인 진공펌프 성능 유지 장치가 내장되는 플라즈마 공정 시스템은 진공챔버(100)의 가스배기구(130)에 진공펌프(400)가 연결된다.Referring to FIG. 1, in the plasma process system in which the vacuum pump performance maintenance device according to the present invention is built-in, the vacuum pump 400 is connected to the gas exhaust port 130 of the vacuum chamber 100.
상기 진공챔버(100) 내부에는 기판지지부(110)가 구비되고 상기 기판지지부(110) 상에는 반도체 기판(200) 또는 디스플레이 기판(200)이 위치하게 되고 플라즈마 공정을 통하여 증착 또는 식각 공정이 이루어지게 된다.A substrate support 110 is provided inside the vacuum chamber 100, a semiconductor substrate 200 or a display substrate 200 is placed on the substrate support 110, and a deposition or etching process is performed through a plasma process. .
상기 진공챔버(100)의 내부로 가스주입관(120)을 통하여 공정 가스를 주입하고, 전원공급부(300)를 통하여 공급되는 고주파 전력에 의하여 상기 공정 가스가 이온화되어 플라즈마가 생성되며, 상기 전원공급부(300) 외에도 또 다른 전원공급부가 추가되어 플라즈마 공정에 사용될 수 있다.Process gas is injected into the vacuum chamber 100 through the gas injection pipe 120, and the process gas is ionized by high frequency power supplied through the power supply unit 300 to generate plasma, and the power supply unit 300 In addition to (300), another power supply can be added and used in the plasma process.
상기 생성된 플라즈마에 의하여 플라즈마 공정이 수행되고, 상기 플라즈마 공정 후 배기구(130)를 통하여 상기 진공챔버(100)의 배기 가스를 외부로 배출하기 위하여 상기 배기구(130)에 진공펌프(400)가 연결된다.A plasma process is performed by the generated plasma, and a vacuum pump 400 is connected to the exhaust port 130 to discharge the exhaust gas of the vacuum chamber 100 to the outside through the exhaust port 130 after the plasma process. do.
그런데 상기 배기 가스 내에 포함되어 있는 오염물질이 상기 진공펌프(400) 내로 유입되면 상기 진공펌프(400) 내에 증착되고 축적되어 상기 진공펌프(400)의 성능을 저하 및 고장을 유발하게 되므로, 본 발명에서는 상기 진공펌프(400) 내부에 진공펌프 성능 유지 장치를 설치하여 상기 오염물질을 감소시키게 된다.However, when contaminants contained in the exhaust gas flow into the vacuum pump 400, they are deposited and accumulated in the vacuum pump 400, thereby deteriorating the performance of the vacuum pump 400 and causing malfunction, the present invention In , a vacuum pump performance maintenance device is installed inside the vacuum pump 400 to reduce the contaminants.
도 2는 본 발명인 진공펌프 성능 유지 장치가 내장되는 진공펌프의 구체적인 단면도를 도시한다.Figure 2 shows a specific cross-sectional view of a vacuum pump in which the present invention's vacuum pump performance maintenance device is built.
도 2를 참조하면, 본 발명인 진공펌프 성능 유지 장치가 내장되는 진공펌프(400)는 적어도 하나 이상의 로터(430)를 포함하는 다단 진공펌프(400)로서, 복수의 로터(430)를 포함하는 경우 상기 각각의 로터(430) 사이에는 격벽(440)이 설치되고 모터와 같은 구동원(450)에 의하여 회전하는 구동 샤프트(460)에 상기 로터(430)가 연결되어 회전하게 되어 진공챔버(100)의 배기 가스를 진공펌프 주입구(410)을 통하여 흡입하여 진공펌프 배출구(420)로 배출한다.Referring to FIG. 2, the vacuum pump 400 in which the vacuum pump performance maintenance device of the present invention is built-in is a multi-stage vacuum pump 400 including at least one rotor 430, and includes a plurality of rotors 430. A partition wall 440 is installed between each rotor 430, and the rotor 430 is connected to and rotates a drive shaft 460 that rotates by a drive source 450 such as a motor, thereby forming the vacuum chamber 100. Exhaust gas is sucked in through the vacuum pump inlet 410 and discharged through the vacuum pump outlet 420.
상기 다단 진공펌프(400)의 진공펌프 주입구(410) 또는 1 단 영역에는 플라즈마 생성원(500)이 설치되고 플라즈마를 생성하며 플라즈마에 포함된 활성종을 사용하여 상기 진공펌프(100)의 배기 가스에 포함되는 오염물질을 감소시키게 된다.A plasma generation source 500 is installed at the vacuum pump inlet 410 or the first stage area of the multi-stage vacuum pump 400, generates plasma, and exhaust gas of the vacuum pump 100 using activated species contained in the plasma. It reduces the pollutants contained in.
상기 진공펌프(400)로 유입되는 배기 가스에 포함되는 오염물질은 상기 진공펌프 주입구(410)에서 감소되어 상기 진공펌프(100) 내에 증착 및 축적되는 것을 사전에 방지하여 상기 진공펌프(100)의 성능 저하를 효율적으로 방지할 수 있다.Contaminants contained in the exhaust gas flowing into the vacuum pump 400 are reduced at the vacuum pump inlet 410 and are prevented from being deposited and accumulated in the vacuum pump 100, thereby preventing the contaminants from being deposited and accumulated in the vacuum pump 100. Performance degradation can be effectively prevented.
또한 상기 다단 진공펌프(400)로 유입되는 배기 가스에 포함되는 오염물질은 1 단 영역에서 감소되어 상기 진공펌프(100) 내에 증착 및 축적되는 것을 사전에 방지하여 상기 다단 진공펌프(100)의 성능 저하를 효율적으로 방지할 수 있다.In addition, contaminants contained in the exhaust gas flowing into the multi-stage vacuum pump 400 are reduced in the first stage area and are prevented from depositing and accumulating within the vacuum pump 100, thereby improving the performance of the multi-stage vacuum pump 100. Deterioration can be effectively prevented.
또한 상기 다단 진공펌프(400)의 진공펌프 주입구(410) 또는 1 단 영역 외에도 플라즈마 생성원(500)이 추가적으로 설치되어 배기 가스에 포함되는 오염물질을 더욱 더 감소시킬 수 있다.In addition, a plasma generation source 500 is additionally installed in addition to the vacuum pump inlet 410 or the first stage area of the multi-stage vacuum pump 400, so that pollutants contained in the exhaust gas can be further reduced.
도 3은 본 발명인 진공펌프 성능 유지 장치의 구체적인 단면도를 도시한다.Figure 3 shows a specific cross-sectional view of the vacuum pump performance maintenance device of the present invention.
도 3을 참조하면, 본 발명인 진공펌프 성능 유지 장치는 플라즈마 생성원(500)으로서, 기생 방전 방지부(510), 플라즈마 발생부(520), 캐비티(530), 추출 홀(540), 보호 홀(550), 가스 공급홀(570)을 포함하고 있다.Referring to FIG. 3, the vacuum pump performance maintenance device of the present invention is a plasma generation source 500, and includes a parasitic discharge prevention unit 510, a plasma generation unit 520, a cavity 530, an extraction hole 540, and a protection hole. (550), and includes a gas supply hole (570).
상기 기생 방전 방지부(510)는 절연체로서 상기 플라즈마 발생부(520)를 감싸도록 형성되어 기생 플라즈마의 발생을 방지하고, 상기 플라즈마 추출 홀(540)과 정렬되도록 보조 홀(550)을 구비하여 플라즈마(560)가 추출되는 경로를 제공하게 된다.The parasitic discharge prevention unit 510 is an insulator that is formed to surround the plasma generator 520 to prevent the generation of parasitic plasma, and is provided with an auxiliary hole 550 to be aligned with the plasma extraction hole 540 to generate plasma. It provides a path through which (560) is extracted.
상기 플라즈마 발생부(520)는 단면이 구형 또는 타원체형의 캐비티(530)를 구비하고 상기 캐비티(530)와 외부공간이 서로 연통되도록 추출 홀(540)을 형성하고, 상기 캐비티(530) 내부에서 플라즈마(560)를 발생시킬 수 있도록 도전성 물질로 형성되어 고주파 전력을 공급받는다.The plasma generator 520 has a cavity 530 having a spherical or ellipsoidal cross-section and forms an extraction hole 540 to communicate with the cavity 530 and an external space, and forms an extraction hole 540 inside the cavity 530. It is made of a conductive material and receives high-frequency power to generate plasma 560.
상기 플라즈마 발생부(520)는 원기둥 형상으로 형성될 수 있고, 상기 캐비티(530)는 구형 또는 타원체일 수 있으며, 상기 캐비티(530)의 직경은 수 mm 이상이고 수 cm 이하일 수 있고, 상기 추출 홀(540)의 직경은 상기 캐비티(530)의 직경의 1/10 이상이고 1/2 이하일 수 있다.The plasma generator 520 may be formed in a cylindrical shape, the cavity 530 may be spherical or ellipsoidal, the diameter of the cavity 530 may be from several mm to several cm or less, and the extraction hole The diameter of 540 may be 1/10 or more and 1/2 or less of the diameter of the cavity 530.
상기 캐비티(530)의 직경은 전자의 평균자유행로 또는 가스 입자의 평균자유행로보다 작을 수 있고, 상기 캐비티(530) 내의 기체 압력은 수 mTorr 이하일 수 있으며, 바람직하게는 1 mTorr 이하일 수 있다. 이러한 저압의 상기 캐비티(530) 내에서는 전자가 중성 입자와 충돌하지 않고 되튐 공진을 수행할 수 있다.The diameter of the cavity 530 may be smaller than the mean free path of electrons or the mean free path of gas particles, and the gas pressure within the cavity 530 may be several mTorr or less, preferably 1 mTorr or less. Within the cavity 530 at such low pressure, electrons can bounce back and resonate without colliding with neutral particles.
상기 플라즈마 발생부(520)에 공급되는 고주파 전력의 주파수는 전자의 되튐 공진 주파수와 일치시킬 수 있고, 전자의 되튐에 의하여 에너지를 얻는 전자로부터 수 mTorr 이하의 저압 또는 극저압에서도 플라즈마 생성이 가능하게 된다.The frequency of the high-frequency power supplied to the plasma generator 520 can be matched to the resonance frequency of the bounce of electrons, and plasma can be generated even at low or extremely low pressures of several mTorr or less from electrons that obtain energy by bounce of electrons. do.
도 4는 본 발명인 진공펌프 성능 유지 장치의 플라즈마 생성시의 모습을 도시한다.Figure 4 shows the vacuum pump performance maintenance device of the present invention during plasma generation.
도 4를 참조하면, 상기 플라즈마 발생부(520)에 공급되는 고주파 전력의 주파수는 전자의 되튐 공진 주파수와 일치시킬 수 있고, 전자의 되튐에 의하여 에너지를 얻는 전자로부터 수 mTorr 이하의 저압 또는 극저압에서도 플라즈마(560) 생성이 가능하게 된다.Referring to FIG. 4, the frequency of the high-frequency power supplied to the plasma generator 520 can be matched to the bounce resonance frequency of electrons, and low pressure or extremely low pressure of several mTorr or less from electrons that obtain energy by bounce of electrons. It is also possible to generate plasma 560.
상기 플라즈마(560)는 추출 홀(540)을 통하여 추출되고, 진공펌프 주입구(410)로 유입되는 배기 가스와 상기 추출 홀(540)로부터 추출되는 플라즈마(560)가 반응하여 상기 배기 가스 내의 오염물질을 변환하여 상기 오염물질을 감소시키게 된다.The plasma 560 is extracted through the extraction hole 540, and the exhaust gas flowing into the vacuum pump inlet 410 reacts with the plasma 560 extracted from the extraction hole 540 to remove contaminants in the exhaust gas. By converting, the pollutants are reduced.
도 5는 본 발명인 진공펌프 성능 유지 장치가 내장되는 플라즈마 공정 시스템의 다른 실시예의 개략적인 구성도를 도시한다.Figure 5 shows a schematic configuration diagram of another embodiment of a plasma process system in which the vacuum pump performance maintenance device according to the present invention is embedded.
도 5를 참조하면, 본 발명인 진공펌프 성능 유지 장치가 내장되는 플라즈마 공정 시스템은 진공챔버(100)의 가스배기구(130)에 배기관(140)을 경유하여 진공펌프(400)가 연결된다.Referring to Figure 5, in the plasma process system in which the vacuum pump performance maintenance device of the present invention is built-in, the vacuum pump 400 is connected to the gas exhaust port 130 of the vacuum chamber 100 via the exhaust pipe 140.
상기 진공챔버(100) 내부에는 기판지지부(110)가 구비되고 상기 기판지지부(110) 상에는 반도체 기판(200) 또는 디스플레이 기판(200)이 위치하게 되고 플라즈마 공정을 통하여 증착 또는 식각 공정이 이루어지게 된다.A substrate support 110 is provided inside the vacuum chamber 100, a semiconductor substrate 200 or a display substrate 200 is placed on the substrate support 110, and a deposition or etching process is performed through a plasma process. .
상기 진공챔버(100)의 내부로 가스주입관(120)을 통하여 공정 가스를 주입하고, 전원공급부(300)를 통하여 공급되는 고주파 전력에 의하여 상기 공정 가스가 이온화되어 플라즈마가 생성되며, 상기 전원공급부(300) 외에도 또 다른 전원공급부가 추가되어 플라즈마 공정에 사용될 수 있다.Process gas is injected into the vacuum chamber 100 through the gas injection pipe 120, and the process gas is ionized by high frequency power supplied through the power supply unit 300 to generate plasma, and the power supply unit 300 In addition to (300), another power supply can be added and used in the plasma process.
상기 생성된 플라즈마에 의하여 플라즈마 공정이 수행되고, 상기 플라즈마 공정 후 배기구(130)를 통하여 상기 진공챔버(100)의 배기 가스를 외부로 배출하기 위하여 상기 배기구(130)에 진공펌프(400)가 연결된다.A plasma process is performed by the generated plasma, and a vacuum pump 400 is connected to the exhaust port 130 to discharge the exhaust gas of the vacuum chamber 100 to the outside through the exhaust port 130 after the plasma process. do.
그런데 상기 배기 가스 내에 포함되어 있는 오염물질이 상기 진공펌프(400) 내로 유입되면 상기 진공펌프(400) 내에 증착되고 축적되어 상기 진공펌프(400)의 성능을 저하 및 고장을 유발하게 되므로, 본 발명에서는 상기 진공펌프(400) 내부에 진공펌프 성능 유지 장치를 설치하여 상기 오염물질을 감소시키게 된다.However, when contaminants contained in the exhaust gas flow into the vacuum pump 400, they are deposited and accumulated in the vacuum pump 400, thereby deteriorating the performance of the vacuum pump 400 and causing malfunction, the present invention In , a vacuum pump performance maintenance device is installed inside the vacuum pump 400 to reduce the contaminants.
도 6은 종래의 플라즈마 공정 시스템의 개략적인 구성도를 도시한다.Figure 6 shows a schematic configuration diagram of a conventional plasma process system.
도 6을 참조하면, 종래의 플라즈마 공정 시스템은 진공챔버(10)의 가스배기구(13)에 배기관(14)을 경유하여 진공펌프(40)가 연결되고, 상기 배기관(14)에는 전달부재(51)를 통하여 플라즈마 생성원(50)에서 생성되는 플라즈마를 공급하게 된다.Referring to FIG. 6, in a conventional plasma process system, a vacuum pump 40 is connected to the gas exhaust port 13 of the vacuum chamber 10 via an exhaust pipe 14, and the exhaust pipe 14 has a transmission member 51. ) is supplied to the plasma generated from the plasma generation source 50.
상기 전달부재(51)는 플라즈마 내의 여기된 종의 재결합을 감소시키고 활성종의 손실을 최소화하기 위하여 최소길이를 가지도록 하고 있으나, 여전히 플라즈마 생성원(50)으로부터 진공펌프(40) 내로 활성종을 주입하기 위해서 상기 전달부재(51)를 경유해야 하므로 활성종의 손실이 발생될 수밖에 없다.The transfer member 51 has a minimum length to reduce recombination of excited species in the plasma and minimize the loss of active species, but still transports active species from the plasma generation source 50 into the vacuum pump 40. Since the injection must pass through the delivery member 51, loss of active species is inevitable.
그러나, 본 발명의 플라즈마 생성원(500)은 진공펌프(400)의 진공펌프 주입구(410) 또는 1 단 영역에 설치될 수 있으므로 상기 전달부재(51)가 필요없게 되어 플라즈마 생성원(500)으로부터 진공펌프(400) 내로 활성종이 상기 전달부재(51)를 경유하지 않고도 주입될 수 있으므로, 본 발명은 플라즈마 내의 여기된 종의 재결합을 더욱 더 감소시키고 활성종의 손실을 더욱 더 최소화할 수 있게 된다.However, since the plasma generation source 500 of the present invention can be installed at the vacuum pump inlet 410 or the first stage area of the vacuum pump 400, the transmission member 51 is not needed, and thus the plasma generation source 500 Since active species can be injected into the vacuum pump 400 without passing through the delivery member 51, the present invention can further reduce the recombination of excited species in the plasma and further minimize the loss of active species. .
도 7은 종래의 진공펌프의 구체적인 단면도를 도시한다.Figure 7 shows a detailed cross-sectional view of a conventional vacuum pump.
도 7을 참조하면, 종래의 진공펌프(40)는 진공챔버(10)의 가스배기구(13)에 배기관(14)을 경유하여 연결되고, 상기 배기관(14)을 통하여 상기 진공챔버(10)의 배기가스가 상기 진공챔버(10) 내에 유입된다.Referring to FIG. 7, the conventional vacuum pump 40 is connected to the gas exhaust port 13 of the vacuum chamber 10 via an exhaust pipe 14, and discharges air from the vacuum chamber 10 through the exhaust pipe 14. Exhaust gas flows into the vacuum chamber (10).
그런데 상기 배기 가스 내에 포함되어 있는 오염물질이 상기 진공펌프(400) 내로 유입되면 상기 진공펌프(400) 내에 증착되고 축적되어 상기 진공펌프(400)의 성능을 저하시키고 고장을 유발하게 되므로, 상기 배기관(14)에는 전달부재(51)를 통하여 플라즈마 생성원(50)에서 생성되는 플라즈마를 공급하고 상기 배기 가스 내에 포함되어 있는 상기 오염물질을 감소시키게 된다.However, when contaminants contained in the exhaust gas flow into the vacuum pump 400, they are deposited and accumulated in the vacuum pump 400, thereby deteriorating the performance of the vacuum pump 400 and causing malfunctions in the exhaust pipe. At (14), the plasma generated from the plasma generation source 50 is supplied through the transmission member 51 and the pollutants contained in the exhaust gas are reduced.
종래의 진공펌프(40)는 적어도 하나 이상의 로터(43)를 포함하는 다단 진공펌프(40)로서, 복수의 로터(43)를 포함하는 경우 상기 각각의 로터(43) 사이에는 격벽(44)이 설치되고 모터와 같은 구동원(45)에 의하여 회전하는 구동 샤프트(46)에 상기 로터(43)가 연결되어 회전하게 되어 진공챔버(10)의 배기 가스를 상기 배기관(14)을 경유하여 진공펌프 주입구(41)을 통하여 흡입하고 진공펌프 배출구(42)로 배출한다.The conventional vacuum pump 40 is a multi-stage vacuum pump 40 including at least one rotor 43. When it includes a plurality of rotors 43, a partition wall 44 is provided between each rotor 43. The rotor 43 is connected to the drive shaft 46, which is installed and rotates by a drive source 45 such as a motor, and rotates so that the exhaust gas of the vacuum chamber 10 passes through the exhaust pipe 14 to the vacuum pump inlet. It is sucked in through (41) and discharged through the vacuum pump outlet (42).
상기 배기관(14)에는 전달부재(51)를 통하여 플라즈마 생성원(50)에서 생성되는 플라즈마를 공급하고 상기 배기 가스 내에 포함되어 있는 상기 오염물질을 감소시키게 되는데, 상기 전달부재(51)는 플라즈마 내의 여기된 종의 재결합을 감소시키고 활성종의 손실을 최소화하기 위하여 최소길이를 가지도록 하고 있으나, 여전히 플라즈마 생성원(50)으로부터 진공펌프(40) 내로 활성종을 주입하기 위해서 상기 전달부재(51)를 경유해야 하므로 활성종의 손실이 발생될 수밖에 없다.The exhaust pipe 14 supplies plasma generated from the plasma generation source 50 through the transmission member 51 and reduces the contaminants contained in the exhaust gas. The transmission member 51 is used to reduce the contaminants contained in the exhaust gas. Although it has a minimum length to reduce recombination of excited species and minimize loss of active species, the delivery member 51 is still used to inject active species from the plasma generation source 50 into the vacuum pump 40. Since it must pass through , loss of active species is inevitable.
그러나, 본 발명의 플라즈마 생성원(500)은 진공펌프(400)의 진공펌프 주입구(410) 또는 1 단 영역에 설치될 수 있으므로 상기 전달부재(51)가 필요없게 되어 플라즈마 생성원(500)으로부터 진공펌프(400) 내로 활성종이 상기 전달부재(51)를 경유하지 않고도 주입될 수 있으므로, 본 발명은 플라즈마 내의 여기된 종의 재결합을 더욱 더 감소시키고 활성종의 손실을 더욱 더 최소화할 수 있게 된다.However, since the plasma generation source 500 of the present invention can be installed at the vacuum pump inlet 410 or the first stage area of the vacuum pump 400, the transmission member 51 is not needed, and thus the plasma generation source 500 Since active species can be injected into the vacuum pump 400 without passing through the delivery member 51, the present invention can further reduce the recombination of excited species in the plasma and further minimize the loss of active species. .
10, 100: 진공챔버
11, 110: 기판지지부
12, 120: 가스주입관
13, 130: 배기구
14, 140: 배기관
20, 200: 기판
30, 300: 전원공급부
40, 400: 진공펌프
41, 410: 진공펌프 주입구
42, 420: 진공펌프 배출구
43, 430: 로터
44, 440: 격벽
45, 450: 구동원
46, 460: 구동 샤프트
50: 플라즈마 생성원
51: 전달부재
500: 진공펌프 성능 유지 장치
510: 기생 방전 방지부
520: 플라즈마 발생부
530: 캐비티
540: 추출 홀
550: 보호 홀
560: 플라즈마
570: 가스 공급홀10, 100: Vacuum chamber
11, 110: substrate support
12, 120: Gas injection pipe
13, 130: exhaust port
14, 140: exhaust pipe
20, 200: substrate
30, 300: Power supply unit
40, 400: Vacuum pump
41, 410: Vacuum pump inlet
42, 420: Vacuum pump outlet
43, 430: rotor
44, 440: Bulkhead
45, 450: Drive source
46, 460: drive shaft
50: Plasma generation source
51: Transmission member
500: Vacuum pump performance maintenance device
510: Parasitic discharge prevention unit
520: Plasma generator
530: cavity
540: extraction hole
550: protection hole
560: plasma
570: Gas supply hole
Claims (14)
진공펌프 주입구에 설치되는 플라즈마 생성원;
상기 플라즈마 생성원 내에서 생성되는 플라즈마가 추출되는 추출 홀;
상기 진공펌프 주입구로 유입되는 배기 가스와 상기 추출 홀로부터 추출되는 플라즈마가 반응하여 상기 배기 가스 내의 오염물질을 변환하는 것을 특징으로 하는 진공펌프 성능 유지 장치.
In the vacuum pump performance maintenance device,
A plasma generation source installed at the vacuum pump inlet;
an extraction hole through which plasma generated within the plasma generation source is extracted;
A vacuum pump performance maintenance device, characterized in that the exhaust gas flowing into the vacuum pump inlet and the plasma extracted from the extraction hole react to convert contaminants in the exhaust gas.
상기 플라즈마 생성원은,
구형 또는 타원체형의 캐비티를 구비하는 것을 특징으로 하는 진공펌프 성능 유지 장치.
According to claim 1,
The plasma generation source is,
A vacuum pump performance maintenance device characterized by having a spherical or ellipsoid-shaped cavity.
상기 플라즈마 생성원은,
상기 캐비티 내의 전자가 되튐공진하여 플라즈마가 생성되는 것을 특징으로 하는 진공펌프 성능 유지 장치.
According to claim 2,
The plasma generation source is,
A vacuum pump performance maintenance device, characterized in that plasma is generated by bounce resonance of electrons in the cavity.
상기 캐비티에 플라즈마 생성 가스를 공급하기 위한 가스 공급홀을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 진공펌프 성능 유지 장치.
According to claim 3,
A vacuum pump performance maintenance device further comprising a gas supply hole for supplying plasma generation gas to the cavity.
진공펌프 주입구에 설치되는 플라즈마 생성원;
상기 플라즈마 생성원 내에서 생성되는 플라즈마가 추출되는 추출 홀;
상기 진공펌프 주입구로 유입되는 배기 가스와 상기 추출 홀로부터 추출되는 플라즈마가 반응하여 상기 배기 가스 내의 오염물질을 변환하는 것을 특징으로 진공펌프 성능 유지 장치를 구비하는 진공펌프.
In a vacuum pump having a vacuum pump performance maintenance device,
A plasma generation source installed at the vacuum pump inlet;
an extraction hole through which plasma generated within the plasma generation source is extracted;
A vacuum pump comprising a vacuum pump performance maintenance device, wherein the exhaust gas flowing into the vacuum pump inlet and the plasma extracted from the extraction hole react to convert contaminants in the exhaust gas.
상기 플라즈마 생성원은,
구형 또는 타원체형의 캐비티를 구비하는 것을 특징으로 하는 진공펌프 성능 유지 장치를 구비하는 진공펌프.
According to claim 5,
The plasma generation source is,
A vacuum pump having a vacuum pump performance maintenance device characterized by having a spherical or ellipsoid-shaped cavity.
상기 플라즈마 생성원은,
상기 캐비티 내의 전자가 되튐공진하여 플라즈마가 생성되는 것을 특징으로 하는 진공펌프 성능 유지 장치를 구비하는 진공펌프.
According to claim 6,
The plasma generation source is,
A vacuum pump having a vacuum pump performance maintenance device, characterized in that plasma is generated by bounce resonance of electrons in the cavity.
상기 캐비티에 플라즈마 생성 가스를 공급하기 위한 가스 공급홀을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 진공펌프 성능 유지 장치를 구비하는 진공펌프.
According to claim 7,
A vacuum pump having a vacuum pump performance maintenance device, further comprising a gas supply hole for supplying plasma generation gas to the cavity.
플라즈마 공정을 위한 진공챔버;
상기 진공챔버의 배기구에 진공펌프 주입구가 연결되어 상기 플라즈마 공정 후 상기 진공챔버의 배기 가스를 외부로 배출하는 진공펌프;
상기 진공펌프 주입구에 설치되는 플라즈마 생성원;
상기 플라즈마 생성원 내에서 생성되는 플라즈마가 추출되는 추출 홀;
상기 진공펌프 주입구로 유입되는 배기 가스와 상기 추출 홀로부터 추출되는 플라즈마가 반응하여 상기 배기 가스 내의 오염물질을 변환하는 것을 특징으로 진공펌프 성능 유지 장치를 구비하는 플라즈마 공정 시스템.
In a plasma process system including a vacuum pump performance maintenance device,
Vacuum chamber for plasma processing;
a vacuum pump whose vacuum pump inlet is connected to the exhaust port of the vacuum chamber to discharge exhaust gas from the vacuum chamber to the outside after the plasma process;
A plasma generation source installed at the vacuum pump inlet;
an extraction hole through which plasma generated within the plasma generation source is extracted;
A plasma process system including a vacuum pump performance maintenance device, wherein the exhaust gas flowing into the vacuum pump inlet and the plasma extracted from the extraction hole react to convert contaminants in the exhaust gas.
상기 플라즈마 생성원은,
구형 또는 타원체형의 캐비티를 구비하는 것을 특징으로 하는 진공펌프 성능 유지 장치를 구비하는 플라즈마 공정 시스템.
According to clause 9,
The plasma generation source is,
A plasma processing system including a vacuum pump performance maintenance device characterized by having a spherical or ellipsoid-shaped cavity.
상기 플라즈마 생성원은,
상기 캐비티 내의 전자가 되튐공진하여 플라즈마가 생성되는 것을 특징으로 하는 진공펌프 성능 유지 장치를 구비하는 플라즈마 공정 시스템.
According to claim 10,
The plasma generation source is,
A plasma processing system including a vacuum pump performance maintenance device, wherein plasma is generated by bounce resonance of electrons in the cavity.
상기 캐비티에 플라즈마 생성 가스를 공급하기 위한 가스 공급홀을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 진공펌프 성능 유지 장치를 구비하는 플라즈마 공정 시스템.
According to claim 11,
A plasma process system including a vacuum pump performance maintenance device, further comprising a gas supply hole for supplying plasma generation gas to the cavity.
다단 진공펌프의 1 단 영역에 설치되는 플라즈마 생성원;
상기 플라즈마 생성원 내에서 생성되는 플라즈마가 추출되는 추출 홀;
상기 다단 진공펌프의 1 단 영역으로 유입되는 배기 가스와 상기 추출 홀로부터 추출되는 플라즈마가 반응하여 상기 배기 가스 내의 오염물질을 변환하는 것을 특징으로 하는 진공펌프 성능 유지 장치.
In the vacuum pump performance maintenance device,
A plasma generation source installed in the first stage area of the multi-stage vacuum pump;
an extraction hole through which plasma generated within the plasma generation source is extracted;
A vacuum pump performance maintenance device, characterized in that the exhaust gas flowing into the first stage area of the multi-stage vacuum pump reacts with the plasma extracted from the extraction hole to convert contaminants in the exhaust gas.
다단 진공펌프의 1 단 영역에 설치되는 플라즈마 생성원;
상기 플라즈마 생성원 내에서 생성되는 플라즈마가 추출되는 추출 홀;
상기 다단 진공펌프의 1 단 영역으로 유입되는 배기 가스와 상기 추출 홀로부터 추출되는 플라즈마가 반응하여 상기 배기 가스 내의 오염물질을 변환하는 것을 특징으로 진공펌프 성능 유지 장치를 구비하는 다단 진공펌프.In a multi-stage vacuum pump equipped with a vacuum pump performance maintenance device,
A plasma generation source installed in the first stage area of the multi-stage vacuum pump;
an extraction hole through which plasma generated within the plasma generation source is extracted;
A multi-stage vacuum pump comprising a vacuum pump performance maintenance device, wherein the exhaust gas flowing into the first stage area of the multi-stage vacuum pump reacts with the plasma extracted from the extraction hole to convert contaminants in the exhaust gas.
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-
2022
- 2022-03-13 KR KR1020220031110A patent/KR102718476B1/en active IP Right Grant
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