KR20230121423A - 기판 처리 장치 - Google Patents

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KR20230121423A
KR20230121423A KR1020220018283A KR20220018283A KR20230121423A KR 20230121423 A KR20230121423 A KR 20230121423A KR 1020220018283 A KR1020220018283 A KR 1020220018283A KR 20220018283 A KR20220018283 A KR 20220018283A KR 20230121423 A KR20230121423 A KR 20230121423A
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KR1020220018283A
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이준규
박우영
편승철
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주식회사 원익아이피에스
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Abstract

본 발명은 기판에 박막을 형성하거나 박막을 식각할 수 있는 기판 처리 장치에 관한 것으로서, 처리 공간이 형성되는 공정 챔버; 적어도 하나의 기판을 지지할 수 있도록 상기 공정 챔버의 상기 처리 공간에 회전 가능하게 구비되는 기판 지지대; 및 상기 기판 지지대와 대향되도록 상기 공정 챔버의 상부에 구비되고, 상기 기판 지지대 상으로 복수의 공정 가스들을 분사하는 복수의 가스 분사 유닛이 상기 기판 지지대의 회전 방향을 따라서 이격 배치되는 샤워 헤드;를 포함하고, 상기 샤워 헤드는, 상기 복수의 가스 분사 유닛 중 적어도 하나의 가스 분사 유닛에 인접한 가스 분사 유닛들로부터 분사된 제 1 공정 가스들이 상기 적어도 하나의 가스 분사 유닛의 측면들로 가스의 흐름이 유도될 수 있도록, 상기 복수의 가스 분사 유닛 사이에 유로를 형성하는 제 1 드레인부; 상기 제 1 드레인부 하방의 적어도 일부분을 커버할 수 있도록 상기 제 1 드레인부에 설치되고, 상기 제 1 공정 가스들의 흐름이 유도되도록 제 1 개구부가 형성되는 제 1 드레인 커버; 상기 적어도 하나의 가스 분사 유닛의 외측 가장자리를 따라서 유로를 형성하며, 상기 제 1 드레인부로 유입되는 상기 제 1 공정 가스들이 배출될 수 있도록 상기 제 1 드레인부와 연통되게 형성되는 제 2 드레인부; 및 상기 제 2 드레인부 하방의 적어도 일부분을 커버할 수 있도록 상기 제 2 드레인부에 설치되고, 상기 제 1 공정 가스들의 흐름이 유도되도록 제 2 개구부가 형성되는 제 2 드레인 커버;를 포함할 수 있다.

Description

기판 처리 장치{Substrate processing apparatus}
본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로서, 더 상세하게는 기판에 박막을 형성하거나 박막을 식각할 수 있는 기판 처리 장치에 관한 것이다.
반도체 소자를 제조하기 위해서는 진공 분위기의 공정 챔버를 포함하는 기판 처리 장치에서 각종 공정이 수행된다. 예컨대, 챔버 내에 기판을 로딩하고 기판 상에 박막을 증착하거나 박막을 식각하는 등의 공정이 진행될 수 있다. 여기서, 기판은 공정 챔버 내에 설치된 기판 지지대에 지지되며, 기판 지지대와 대향되도록 기판 지지대의 상부에 설치되는 샤워 헤드를 통해 공정 가스를 기판으로 분사할 수 있다. 한편, 반도체 소자의 스케일이 점차 축소됨에 따라 극박막에 대한 요구가 갈수록 증대되고 있으며, 콘택홀 크기가 감소되면서 단차 도포성(Step coverage)에 대한 문제도 점점 더 심각해지고 있다. 이에 따른 여러 가지 문제점들을 극복할 수 있는 증착 방법으로서 원자층 증착(ALD:Atomic Layer Deposition) 방법이 사용되고 있다.
일반적으로, 원자층을 형성하기 위한 기판 처리 장치는, 기판 지지대에 복수의 기판이 안착되고, 샤워 헤드의 중심부에 복수 개의 가스 분사홀이 형성된 원형의 커튼 가스 분사 유닛이 구비되고, 커튼 가스 분사 유닛의 원주방향을 따라 부채꼴과 유사한 형태로서 복수의 가스 분사홀이 형성된 소스 가스 분사 유닛, 퍼지 가스 분사 유닛 및 반응 가스 분사 유닛이 구비될 수 있다. 이때, 샤워 헤드는, 커튼 가스 분사 유닛으로 분사된 커튼 가스가 샤워 헤드의 외측으로 용이하게 배출되고 각 가스 분사 유닛 간의 공간 분할 성능이 극대화될 수 있도록, 소스 가스 분사 유닛과 퍼지 가스 분사 유닛 사이 및 반응 가스 분사 유닛과 퍼지 가스 분사 유닛 사이에 직선형 유로 형상의 드레인부가 오목하게 형성될 수 있다.
그러나, 이러한 종래의 기판 처리 장치는, 기판의 처리 공정 시, 샤워 헤드에서 분사되는 커튼 가스 및 기판으로 분사되는 처리 가스들이 각각의 가스 분사 유닛 사이에 형성된 드레인부로 흡입되며, 이때, 기판 지지대의 회전으로 인하여 가스 와류에 의하여 기판 회전 반대 방향에 두께가 상승하고, 소스 가스 및 반응 가스 구역에서 기판에 가스가 체류하지 않고 배기 포트로 배기되어 배기 포트에 가장 가까운 기판 지지대의 가장 외측 영역은 두께가 감소하게 되어 두께가 불균일한 문제점이 있었다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 포함하여 여러 문제점들을 해결하기 위한 것으로서, 복수개의 기판들에 대한 처리 공정 수행시 드레인 커버 영역을 확장하여 증착 두께를 균일하게 하며, 소스 및 반응성 가스의 체류시간을 증가시킬 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다. 그러나 이러한 과제는 예시적인 것으로, 이에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 기판 처리 장치가 제공된다. 상기 기판 처리 장치는, 처리 공간이 형성되는 공정 챔버;적어도 하나의 기판을 지지할 수 있도록 상기 공정 챔버의 상기 처리 공간에 회전 가능하게 구비되는 기판 지지대; 및 상기 기판 지지대와 대향되도록 상기 공정 챔버의 상부에 구비되고, 상기 기판 지지대 상으로 복수의 공정 가스들을 분사하는 복수의 가스 분사 유닛이 상기 기판 지지대의 회전 방향을 따라서 이격 배치되는 샤워 헤드;를 포함하고, 상기 샤워 헤드는, 상기 복수의 가스 분사 유닛 중 적어도 하나의 가스 분사 유닛에 인접한 가스 분사 유닛들로부터 분사된 제 1 공정 가스들이 상기 적어도 하나의 가스 분사 유닛의 측면들로 가스의 흐름이 유도될 수 있도록, 상기 복수의 가스 분사 유닛 사이에 유로를 형성하는 제 1 드레인부; 상기 제 1 드레인부 하방의 적어도 일부분을 커버할 수 있도록 상기 제 1 드레인부에 설치되고, 상기 제 1 공정 가스들의 흐름이 유도되도록 제 1 개구부가 형성되는 제 1 드레인 커버; 상기 적어도 하나의 가스 분사 유닛의 외측 가장자리를 따라서 유로를 형성하며, 상기 제 1 드레인부로 유입되는 상기 제 1 공정 가스들이 배출될 수 있도록 상기 제 1 드레인부와 연통되게 형성되는 제 2 드레인부; 및 상기 제 2 드레인부 하방의 적어도 일부분을 커버할 수 있도록 상기 제 2 드레인부에 설치되고, 상기 제 1 공정 가스들의 흐름이 유도되도록 제 2 개구부가 형성되는 제 2 드레인 커버;를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 의하면, 상기 적어도 하나의 가스 분사 분사 유닛은, 소스 가스를 분사하기 위한 소스 가스 분사 유닛 및 반응 가스를 분사하기 위한 반응 가스 분사 유닛 중 적어도 하나를 포함하고, 상기 인접한 가스 분사 유닛들은 퍼지 가스 분사 유닛들을 포함하고, 상기 제 1 공정 가스들은 퍼지 가스들을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 의하면, 상기 제 2 드레인 커버는, 상기 제 1 드레인 커버의 측부에서부터 다른 제 1 드레인 커버의 측부까지 상기 제 2 드레인부와 대응되는 원호 형상으로 형성될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 의하면, 상기 제 2 드레인 커버는, 상기 제 1 드레인부로 유입되고 상기 제 2 드레인부로 유동되는 상기 복수의 공정 가스들이 상기 기판 지지대의 측면을 지나 상기 기판 지지대 하부에 형성된 배기 포트로 배기될 수 있도록 상기 기판 지지대보다 외측에 형성될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 의하면, 상기 제 2 개구부는, 상기 복수의 공정 가스들이 상기 제 2 드레인부로 유동되어 가스의 흐름이 유도될 수 있도록, 상기 제 2 드레인 커버를 따라 전체적으로 슬릿(Slit) 형상으로 상기 제 2 드레인 커버를 관통하여 연장 형성되는 외주면 슬릿 홀부;를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 의하면, 상기 외주면 슬릿 홀부는, 단일 슬릿으로 형성되고, 상기 단일 슬릿이 상기 제 2 드레인 커버의 중심선을 따라 상기 샤워 헤드의 외주면인 원호 방향으로 길게 형성될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 의하면, 상기 외주면 슬릿 홀부는, 다중 슬릿으로 형성되고, 상기 다중 슬릿이 상기 제 1 드레인 커버의 중심선을 따라 상기 샤워 헤드의 외주면인 원호 방향으로 일렬로 배치될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 의하면, 상기 제 1 개구부는, 상기 복수의 공정 가스들이 상기 제 1 드레인부로 유입되어 가스의 흐름이 유도될 수 있도록, 상기 제 1 드레인 커버를 따라 전체적으로 슬릿 형상으로 길게 상기 제 1 드레인 커버를 관통하여 형성되는 측면 슬릿 홀부;를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 의하면, 상기 제 1 개구부는, 상기 복수의 공정 가스들이 상기 제 1 드레인부로 유입되어 가스의 흐름이 유도될 수 있도록, 상기 제 1 드레인 커버를 관통하여 복수의 홀 형상으로 형성되는 측면 드레인 홀부;를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 의하면, 상기 측면 드레인 홀부는, 상기 제 1 드레인 커버에 일정한 패턴을 가지고 형성되며, 상기 패턴은 격자형 구조, 방사형 구조, 부분 홀 구조 중 어느 하나를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 의하면, 상기 제 1 드레인 커버와 상기 제 2 드레인 커버는 일체형으로 형성될 수 있다.
상기한 바와 같이 이루어진 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치에 따르면, 복수개의 기판들에 대한 처리 공정 수행시 드레인 커버 영역을 외주면으로 확장하여 샤워 헤드에서 분사되는 커튼 가스 및 기판으로 분사되는 처리 가스들이 각각의 가스 분사 유닛 사이에 형성된 드레인부로 흡입되고 외주면에 형성된 드레인부로 배기되어 소스 가스 및 반응 가스가 배기 포트로 넘어가는 것을 방지하여 소스 및 반응성 가스의 체류시간을 증가시킬 수 있으며, 이에 따라, 배기 포트로 퍼지 가스가 유입되고, 소스 가스의 사용량 감소로 펌핑 다운률을 감소시킬 수 있다.
또한, 균일한 가스의 확산으로 기판 회전 반대 방향에서 기판 증착되는 두께 및 배기 포트에 가까운 기판 지지대의 가장 외측 영역에서 기판 증착되는 두께를 균일하게 유지할 수 있는 기판 처리 장치를 구현할 수 있다. 물론 이러한 효과에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 샤워 헤드의 분사면을 나타내는 사시도이다
도 3은 2의 샤워 헤드의 하면인 분사면을 나타내는 평면도이다.
도 4 내지 도 6은 본 발명의 여러 실시예에 따른 제 2 드레인 커버가 샤워 헤드에 조립된 것을 개략적으로 나타내는 단면도들이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 기판 지지대와 샤워 헤드를 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 8 내지 도 12는 본 발명의 다양한 실시예에 따른 기판 처리 장치의 제 2 드레인 커버를 나타내는 도면들이다.
도 13 내지 도 16은 본 발명의 다양한 실시예에 따른 기판 처리 장치의 제 1 드레인 커버를 나타내는 도면들이다.
도 17 및 도 18은 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치의 제 1 드레인 커버 및 제 2 드레인 커버를 나타내는 도면들이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 여러 실시예들을 상세히 설명하기로 한다.
본 발명의 실시예들은 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위하여 제공되는 것이며, 하기 실시예는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다. 오히려 이들 실시예들은 본 개시를 더욱 충실하고 완전하게 하고, 당업자에게 본 발명의 사상을 완전하게 전달하기 위하여 제공되는 것이다. 또한, 도면에서 각 층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장된 것이다.
이하, 본 발명의 실시예들은 본 발명의 이상적인 실시예들을 개략적으로 도시하는 도면들을 참조하여 설명한다. 도면들에 있어서, 예를 들면, 제조 기술 및/또는 공차(tolerance)에 따라, 도시된 형상의 변형들이 예상될 수 있다. 따라서, 본 발명 사상의 실시예는 본 명세서에 도시된 영역의 특정 형상에 제한된 것으로 해석되어서는 아니 되며, 예를 들면 제조상 초래되는 형상의 변화를 포함하여야 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(1000)를 개략적으로 나타내는 단면도이고, 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(1000)의 샤워 헤드(300)의 분사면을 나타내는 사시도이고, 도 3은 2의 샤워 헤드(300)의 하면인 분사면을 나타내는 평면도이다.
먼저, 도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(1000)는, 크게, 공정 챔버(100)와, 기판 지지대(200) 및 샤워 헤드(300)를 포함할 수 있다.
도 1에 도시된 바와 같이, 공정 챔버(100)는, 기판(S)을 처리할 수 있는 처리 공간(A)이 형성되는 챔버 몸체(110)를 포함할 수 있다. 더욱 구체적으로, 챔버 몸체(110)는, 내부에 원형 또는 사각 형상으로 형성되는 처리 공간(A)이 형성되어, 처리 공간(A)에 설치된 기판 지지대(200)의 포켓 홈(210)에 안착되어 지지되는 기판(S) 상에 박막을 증착하거나 박막을 식각하는 등의 공정이 진행될 수 있다.
또한, 챔버 몸체(110)의 하측에는 기판 지지대(200)를 둘러싸는 형상으로 복수개의 배기 포트(E)가 설치될 수 있다. 배기 포트(E)는, 배관을 통하여 공정 챔버(100) 외부에 설치된 진공 펌프와 연결되어, 공정 챔버(100)의 처리 공간(A) 내부의 공기를 흡입함으로써, 처리 공간(A) 내부의 각종 처리 가스를 배기시키거나 처리 공간(A) 내부에 진공 분위기를 형성할 수 있다.
또한, 챔버 몸체(110)의 측면에는 기판(S)을 처리 공간(A)으로 로딩 또는 언로딩할 수 있는 통로인 게이트(G)가 형성될 수 있다. 아울러, 상방이 개방된 챔버 몸체(110)의 처리 공간(A)을 탑 리드(120)에 의해 폐쇄할 수 있다.
도 1에 도시된 바와 같이, 기판 지지대(200)는, 적어도 하나의 기판(S)을 지지할 수 있도록 공정 챔버(100)의 처리 공간(A)에 구비되어 공정 챔버(100)의 중심축과 일치하는 회전축(X)을 기준으로 회전 가능하게 설치될 수 있다. 예컨대, 기판 지지대(200)는, 기판(S)을 지지할 수 있는 서셉터나 테이블 등의 기판 지지 구조체일 수 있다. 이때, 후술될 샤워 헤드(300)는, 기판 지지대(200)와 대향되도록 공정 챔버(100)의 상부에 구비되어 기판 지지대(200)를 향해 소스 가스 및 반응 가스 등 각종 처리 가스를 분사할 수 있다.
예컨대, 기판 지지대(200)는, 공정 챔버(100)의 처리 공간(A)에 회전 가능하게 설치될 수 있도록 원판 형상으로 형성될 수 있다. 더욱 구체적으로, 기판 지지대(200)는, 공정 온도로 가열되어 포켓 홈(210)에 안착되는 기판(S)을 가열시키는 히터를 구비하여, 포켓 홈(210)에 안착되는 기판(S)을 박막을 증착하는 공정 또는 박막을 식각하는 공정이 가능한 공정 온도로 가열시킬 수 있다. 이러한, 기판 지지대(200)의 포켓 홈(210)은, 기판 지지대(200)에 복수의 기판(S)이 안착될 수 있도록, 기판 지지대(200)의 회전축(X)을 중심으로 복수개가 방사상으로 등각 배치될 수 있다.
도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 샤워 헤드(300)는, 기판 지지대(200)와 대향되도록 공정 챔버(100)의 상부에 구비되고, 기판 지지대(200)의 회전축(X)을 중심으로 원궤도(Circular orbit)로 이동하는 기판(S)이 복수의 처리 가스 분사 영역을 순차적으로 통과할 수 있도록, 부채꼴 형상으로 형성되어 복수의 공정 가스들을 분사하는 가스 분사 유닛들이 기판 지지대(200)와 대향되는 대향면에 회전축(X)을 중심으로 방사상으로 이격 배치될 수 있다.
상기 복수의 공정 가스들은 제 1 공정 가스들 및 처리 가스를 포함할 수 있으며, 상기 제 1 공정 가스들은 퍼지 가스들을 포함하고, 상기 처리 가스는 소스 가스 및 반응 가스를 포함할 수 있다.
샤워 헤드(300)는 복수의 가스 분사 유닛, 커튼 가스 분사 유닛(320), 제 1 드레인부(330), 제 1 드레인 커버(340), 제 2 드레인부(350) 및 제 2 드레인 커버(360)을 포함할 수 있다.
상기 복수의 가스 분사 유닛은 적어도 하나의 가스 분사 유닛 및 인접한 가스 분사 유닛들을 포함할 수 있다.
도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 적어도 하나의 가스 분사 유닛은, 부채꼴 형상으로 형성되고 가스 분사면에 복수개의 가스 분사홀이 형성되어 소스 가스를 분사하는 소스 가스 분사 유닛(310a)과, 부채꼴 형상으로 형성되고 가스 분사면에 복수개의 가스 분사홀이 형성되어 반응 가스를 분사하는 반응 가스 분사 유닛(310c)과 부채꼴 형상으로 형성되고 가스 분사면에 복수개의 가스 분사홀이 형성되어 증착 조절 가스를 분사하는 증착 조절 가스 분사 유닛(310b)을 포함할 수 있다.
상기 인접한 가스 분사 유닛들은 상기 복수의 가스 분사 유닛 중 적어도 하나의 가스 분사 유닛에 인접하도록 형성되고, 부채꼴 형상으로 형성되며, 가스 분사면에 복수개의 가스 분사홀이 형성되어 제 1 공정 가스들을 분사하는 적어도 하나의 퍼지 가스 분사 유닛들(310d)을 포함할 수 있다.
샤워 헤드(300)는, 중심부에 원형 형상의 커튼 가스 분사 유닛(320)이 구비되고, 커튼 가스 분사 유닛(320)의 원주방향을 따라 부채꼴 형상의 소스 가스 분사 유닛(310a), 퍼지 가스 분사 유닛들(310d), 반응 가스 분사 유닛(310c), 퍼지 가스 분사 유닛들(310d), 증착 조절 가스 분사 유닛(310b), 퍼지 가스 분사 유닛들(310d) 순으로 부채꼴 형상의 복수의 가스 분사 유닛(310)이 순차적으로 배치될 수 있다.
퍼지 가스 분사 유닛들(310d)은, 소스 가스 분사 유닛(310a)과 반응 가스 분사 유닛(310c) 사이, 반응 가스 분사 유닛(310c)과 증착 조절 가스 분사 유닛(310b) 사이 및 증착 조절 가스 분사 유닛(310b)과 소스 가스 분사 유닛(310a) 사이에 각각 배치되어 상기 제 1 공정 가스들을 분사하여 반응되지 않고 기판(S)에 잔류하는 상기 소스 가스 또는 상기 반응 가스 등 각종 처리 가스를 제거할 수 있다.
상기 제 1 공정 가스들은 질소(N2), 아르곤(Ar) 가스와 같은 불활성의 상기 퍼지 가스들을 더 포함할 수 있다
예컨대, 도 3에 도시된 바와 같이, 상기와 같은 샤워 헤드(300)를 통해 기판(S) 상에 박막이 증착되는 과정을 간단히 설명하면, 기판 지지대(200)에 복수개의 기판(S)이 회전축(X)을 기준으로 방사상으로 등각 배치되어, 기판(S)이 회전축(X)을 중심으로 원궤도로 이동하여 기판의 이동 경로(R)가 기판(S)의 지름만큼의 폭을 가지는 환형(Ring shape)으로 형성될 수 있다. 이와 같이, 기판(S)이 기판 지지대(200)의 회전에 따라 회전축(X)을 중심으로 원궤도로 이동함으로써 샤워 헤드(300)의 상기 복수의 가스 분사 유닛의 가스 분사 영역을 순차적으로 지나갈 수 있다.
이때, 가스 분사 영역은 퍼지 가스 분사 영역 및 처리 가스 분사 영역을 포함할 수 있으며, 상기 처리 가스 분사 영역은 상기 소스 가스 분사 영역, 상기 반응 가스 분사 영역 및 상기 증착 조절 가스 분사 영역을 포함할 수 있다.
이에 따라, 기판(S)이 소스 가스 분사 유닛(310a)의 소스 가스 분사 영역을 통과하면 소스 가스 중 일부가 기판(S) 표면에 화학 흡착되어 단원자층을 형성할 수 있다. 이때, 기판(S) 표면이 소스 가스로 포화되면 단원자층 이상의 소스 가스는 동일한 리간드 간의 비반응성으로 인해 화학 흡착 상태를 형성하지 못하고 물리 흡착 상태로 있을 수 있다. 이어서, 기판(S)이 퍼지 가스 분사 유닛들(310d)의 퍼지 가스 분사 영역을 통과하게 되면 기판(S) 상에 존재하던 물리 흡착 상태의 소스 가스는 퍼지 가스에 의해서 제거될 수 있다.
이어서, 기판(S)이 반응 가스 분사 유닛(310c)의 반응 가스 분사 영역을 통과하면 반응 가스가 기판(S) 표면에 화학 흡착되어 있는 소스 가스와 리간드 상호 간에 치환반응을 하면서 두 번째 층이 형성될 수 있다. 이때, 첫 번째 층과 반응하지 못한 반응 가스는 물리 흡착 상태에 있다가, 다시 기판(S)이 퍼지 가스 분사 유닛들(310d)의 퍼지 가스 분사 영역을 통과하게 되면 퍼지 가스에 의해 제거될 수 있다. 그리고, 이 두 번째 층의 표면은 소스 가스와 반응할 수 있는 상태로 있을 수 있다. 위의 과정이 하나의 사이클을 이루고 기판(S)이 원하는 두께의 박막이 형성될 때까지 여러 사이클을 반복할 수 있다. 이때, 기판(S)은, 샤워 헤드(300)의 증착 조절 가스 분사 유닛(310b)의 증착 조절 가스 분사 영역을 통과함으로써, 기판(S)에 증착되는 박막의 두께 정도를 조절하거나, 기판(S)에 형성되는 콘택홀의 입구부에 증착을 억제함으로써, 박막의 스텝 커버리지를 증가시키는 효과를 가질 수 있다.
상기와 같은 구역별 분할 이외의 다른 구역별 분할로 다양하게 분할될 수 있으며, 각각의 구역별 크기는 처리 공정에 따라 변화될 수 있다.
커튼 가스 분사 유닛(320)은 샤워 헤드(300)에 형성된 부채꼴 형상의 복수의 가스 분사 유닛(310)과 모두 접할 수 있도록 중심영역에 배치되어 커튼 가스를 분사할 수 있다. 이때, 커튼 가스 분사 유닛(320)은 상기 중심영역과 가스 분사영역을 구분할 수 있도록 요철부로 형성되는 단턱부(321)를 포함할 수 있다.
제 2 드레인부(350)는 제 1 드레인부(330)로 유입되는 상기 복수의 공정 가스들 및 상기 커튼 가스가 상기 외주면 방향으로 드레인(Drain)될 수 있도록 제 1 드레인부(330)와 연통되며, 상기 외주면 방향을 따라 길게 연장되는 유로가 형성될 수 있다.
구체적으로, 도 2에 도시된 바와 같이, 제 2 드레인부(350)는 소스 가스 분사 유닛(310a)이 형성되는 상기 소스 가스 분사 영역, 반응 가스 분사 유닛(310c) 이 형성되는 상기 반응 가스 분사 영역 및 증착 조절 가스 분사 유닛(310b)이 형성되는 증착 조절 가스 분사 영역의 적어도 하나 이상의 분사영역의 외주면에 형성될 수 있다.
제 2 드레인부(350)는 샤워 헤드(300)의 외주면에 홈형상 또는 계단 형상으로 형성될 수 있다.
예컨대, 도 2에 도시된 바와 같이, 제 2 드레인부(350)는 샤워 헤드(300)의 상기 처리 가스 분사 영역의 외주면에 홈부로 형성될 수 있으며, 이때, 제 2 드레인 커버(360)는 플레이트 형상으로 상기 홈부로 형성된 제 2 드레인부(350)를 덮는 형태로 결합될 수 있다.
제 2 드레인 커버(360)는 제 2 드레인부(350) 하방의 적어도 일부분을 커버할 수 있도록 제 2 드레인부(350)에 설치될 수 있다.
도 4 내지 도 6은 본 발명의 여러 실시예에 따른 제 2 드레인 커버(360)가 샤워 헤드(300)에 조립된 것을 개략적으로 나타내는 단면도들이다.
도 4에 도시된 바와 같이, 제 2 드레인부(350)는 단면이 'ㄱ'자 형상으로 형성되어 샤워 헤드(300)의 상기 처리 분사 영역의 외주면에 형성될 수 있으며, 제 2 드레인 커버(360a)는 단면이 'ㄴ'자 형상으로 형성되어 'ㄱ'자로 형성된 제 2 드레인부(350)를 하부에서 덮는 형태로 결합될 수 있다.
도 5에 도시된 바와 같이, 제 2 드레인부(350)는 샤워 헤드(300)의 외주면에 스커트부(351)가 형성되어 단면에서 보았을 경우 홈형상으로 형성될 수 있으며, 제 2 드레인 커버(360b)는 단면이 평탄한 플레이트로 형성되어 홈형상으로 형성된 제 2 드레인부(350)를 하부에서 덮는 형태로 결합될 수 있다.
또한, 도 6에 도시된 바와 같이, 제 2 드레인부(350)는 단면이 'ㄱ'자 형상으로 형성되어 샤워 헤드(300)의 상기 처리 가스 분사 영역의 외주면에 형성될 수 있으며, 제 2 드레인 커버(360c)는 단면이 'ㄷ'자 형상으로 형성되어 'ㄱ'자로 형성된 제 2 드레인부(350)를 측면으로 더 연장되도록 덮는 형태로 결합될 수 있다.
그리하여, 단면이 'ㄴ'자 형상으로 형성된 제 2 드레인 커버(360a) 및 단면이 'ㄷ'자 형상으로 형성된 제 2 드레인 커버(360c)는 기존의 사용되는 샤워 헤드에 결합되어 사용될 수 있어 호환성이 용이하며, 단면이 평탄한 플레이트로 형성된 제 2 드레인 커버(360b)는 샤워 헤드(300)에 조립이 용이하고 더욱 견고히 조립될 수 있다.
또한, 제 2 드레인 커버(360)의 두께를 조절하여 처리 가스가 외주면 슬릿 홀부(361)로 유동되는 양을 제어할 수 있다.
예컨대, 제 2 드레인 커버(360)의 두께가 두껍게 형성된 경우, 제 2 드레인부(350) 내부의 공간이 감소되며, 제 2 드레인부(350) 내부로 유동되는 처리 가스의 양이 상대적으로 감소될 수 있다. 이에 따라, 제 2 드레인부(350) 내부로 유동되기 이전인 제 1 드레인부(330) 또는 샤워 헤드(300)와 기판(S) 사이에서 상기 처리 가스가 체류되는 시간이 증가되거나, 제 2 드레인부(350) 내부로 유동되는 유동 속도가 증가될 수 있다.
반면에, 제 2 드레인 커버(360)의 두께가 얇게 형성된 경우, 제 2 드레인부(350) 내부의 공간이 증가되며, 제 2 드레인부(350) 내부로 유동되는 처리 가스의 양이 상대적으로 증가될 수 있다. 이에 따라, 제 2 드레인부(350) 내부로 유동되기 이전인 제 1 드레인부(330) 또는 샤워 헤드(300)와 기판(S) 사이에서 상기 처리 가스가 체류되는 시간이 감소되거나, 제 2 드레인부(350) 내부로 유동되는 유동 속도가 감소될 수 있다.
도 3에 도시된 바와 같이, 제 2 드레인 커버(360)는 소스 가스 분사 유닛(310a)의 왼쪽에 위치한 제 1 드레인 커버(340)의 최외곽 측부에서부터 소스 가스 분사 유닛(310a)의 오른쪽에 위치한 제 1 드레인 커버(340)의 최외곽 측부까지 제 2 드레인부와 대응되는 원호 형상으로 형성될 수 있다.
또한, 도 13에 도시된 바와 같이, 제 2 드레인 커버(360)는 제 1 드레인 커버(340)의 단부까지 연장되어 형성될 수 있다.
예컨대, 제 2 드레인 커버(360)는 소스 가스 분사 유닛의 왼쪽에 위치한 제 1 드레인 커버의 단부에서부터 소스 가스 분사 유닛(310a)의 오른쪽에 위치한 제 1 드레인 커버의 단부까지 제 2 드레인부(350)와 대응되는 원호 형상으로 형성될 수 있다.
그리하여, 후술될 외부면 슬릿 홀부(361)의 길이를 제 1 드레인부(330)가 형성된 영역의 외주면까지 연장되도록 형성할 수 있으며, 이에 따라, 외주면 슬릿 홀부(361)에서 분사되는 상기 처리 가스의 분사 넓이 및 양을 제어할 수 있다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(1000)의 기판 지지대(200)와 샤워 헤드(300)를 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 1 및 도 4에 도시된 바와 같이, 샤워 헤드(300)의 크기는 기판 지지대(200)의 크기보다 크게 형성될 수 있다. 구체적으로, 샤워 헤드(300)에서 공정시 사용된 상기 복수의 공정 가스들을 기판 지지대(200)의 하부에 형성된 배기 포트(E) 방향으로 분사할 수 있도록 샤워 헤드(300)에서 사용된 상기 복수의 공정 가스들을 분사하는 분사구가 기판 지지대(200) 보다 더욱 외측에 형성될 수 있다.
예컨대, 샤워 헤드(300)에 결합된 제 2 드레인 커버(360)는, 제 1 드레인부(330)로 유입되고 제 2 드레인부(350)로 유동되는 상기 제 1 공정 가스들이 기판 지지대(200)의 측면을 지나 기판 지지대(200) 하부에 형성된 배기 포트(E)로 배기될 수 있도록 기판 지지대(200)보다 외측에 형성되고, 제 2 개구부가 형성될 수 있다.
제 2 드레인 커버(360)가 기판 지지대(200)보다 외측에 형성됨으로써, 제 2 드레인 커버(360)에서 배기되는 상기 제 1 공정 가스들이 기판 지지대(200)의 측면에서 에어 커튼, 즉, 벽의 역할을 하여 소스 가스 및 반응 가스 등의 상기 처리 가스가 배기 포트(E)로 직접 넘어가지 않도록 방지할 수 있다. 이에 따라, 소스 가스 분사 유닛(310a), 반응 가스 분사 유닛(310c) 및 증착 조절 가스 분사 유닛(310b)과 기판(S) 사이에 각각의 유닛에서 분사되는 처리 가스가 기판(S) 상부에서 체류하는 시간이 길어질 수 있으며, 균일한 가스 확산으로 균일한 두께 및 산포가 가능할 수 있다.
도 8 내지 도 12는 본 발명의 다양한 실시예에 따른 기판 처리 장치(1000)의 제 2 드레인 커버(360)를 나타내는 도면들이다.
제 2 드레인 커버(360)는 제 2 개구부를 포함하고, 상기 제 2 개구부는 상기 제 1 공정 가스들 또는 상기 처리 가스가 제 2 드레인부(350)로 유동되어 가스의 흐름이 유도될 수 있도록, 제 2 드레인 커버(360)를 따라 전체적으로 슬릿(Slit) 형상으로 길게 제 2 드레인 커버(360)를 관통하여 형성되는 외주면 슬릿 홀부(361)를 포함할 수 있다.
구체적으로, 도 8에 도시된 바와 같이, 외주면 슬릿 홀부(361a)는 단일 슬릿으로 형성되고, 상기 단일 슬릿이 상기 제 2 드레인 커버(360)의 중심선(C1)을 따라 상기 샤워 헤드(300)의 외주면인 원호 방향으로 길게 형성될 수 있다.
외주면 슬릿 홀부(361a)는 상기 처리 가스가 기판 지지대(200)의 외측으로 흘러 나가지 못하도록 하여, 상기 처리 가스가 샤워 헤드(300)와 기판(S) 사이에서 충분히 체류할 수 있도록 기판(S)의 지름보다 크게 형성될 수 있다.
도 9에 도시된 바와 같이, 외주면 슬릿 홀부(361b)는, 이중 슬릿으로 형성되고, 상기 이중 슬릿이 제 2 드레인 커버(360)의 중심선(C1)을 기준으로 서로 대향되게 샤워 헤드(300)의 외주면인 원호 방향으로 길게 형성하여 상기 제 1 공정 가스들의 배기량을 제어할 수 있다.
또한, 도 10에 도시된 바와 같이, 이때, 외주면 슬릿 홀부(361b)는, 외주면 슬릿 홀부(361)에 형성된 상기 이중 슬릿은 서로 다른 폭으로 형성될 수 있으며, 이에 따라, 내측 슬릿 홀부는 기판(S)의 상부에 체류되는 처리 가스가 일부 유입되어 배기될 수 있도록 하며, 외측 슬릿 홀부는 상기 제 1 공정 가스들을 배기하여 상기 처리 가스가 다량으로 배기되는 것을 막아줄 수 있다. 즉, 상기 이중 슬릿의 각각의 두께를 조절하여 상기 제 1 공정 가스들 및 상기 처리 가스의 유동 및 배기를 제어할 수 있다.
도 11에 도시된 바와 같이, 외주면 슬릿 홀부(361c)는, 다중 슬릿으로 형성되고, 상기 다중 슬릿이 제 1 드레인 커버(340)의 중심선(C2)을 따라 샤워 헤드(300)의 외주면인 원호 방향으로 일렬로 배치될 수 있으며, 도 12에 도시된 바와 같이, 외주면 슬릿 홀부(362)는, 다중 홀로 형성되고, 상기 다중 홀이 제 1 드레인 커버(340)의 중심선(C2)을 따라 샤워 헤드(300)의 외주면인 원호 방향으로 일렬로 배치될 수 있다. 또한, 도시되지 않았지만, 상기 다중 홀이 복수의 열로 나란히 형성될 수 있다.
제 2 드레인 커버(360)의 형상 및 외주면 슬릿 홀부(362)는 반드시 이에 국한되지 않고, 복수의 가스 분사 유닛(310)의 각 가스 분사 영역 간의 공간 분할 성능을 극대화할 수 있도록 상기 제 1 공정 가스들 및 상기 처리 가스가 배기되거나 유동되는 매우 다양한 형상으로 형성될 수 있다.
도 13 내지 도 16은 본 발명의 다양한 실시예에 따른 기판 처리 장치(1000)의 제 1 드레인 커버(340)를 나타내는 도면들이다.
제 1 드레인부(330)는 인접한 가스 분사 유닛(310d)으로 분사되는 상기 제 1 공정 가스들이 샤워 헤드(300)의 외주면 방향으로 유동될 수 있도록, 상기 복수의 가스 분사 유닛의 사이 마다 샤워 헤드(300)의 중심부에서 샤워 헤드(300)의 외주면 방향으로 연장되는 유로가 형성될 수 있다.
제 1 드레인 커버(340)는 제 1 드레인부(330) 하방의 적어도 일부분을 커버할 수 있도록 제 1 드레인부(330)에 설치될 수 있다.
제 1 드레인부(330) 하방의 적어도 일부분을 커버할 수 있도록 제 1 드레인부(330)에 제 1 드레인 커버(340)가 설치되고, 제 1 드레인 커버(340)는 제 1 개구부가 형성되어, 상기 제 1 개구부를 통하여 복수의 가스 분사 유닛(310)의 각 가스 분사 영역 사이로 처리 가스를 배기할 수 있다.
도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 제 1 드레인 커버(340)는, 커튼 가스 분사 유닛(320)의 중심영역으로부터 샤워 헤드(300)의 외주면 방향으로 제 1 드레인부(330)와 대응되는 형상으로 길게 연장되게 형성됨으로써, 전체적으로 부채꼴 형상으로 형성될 수 있다.
예컨대, 제 1 드레인 커버(340)는 제 1 개구부를 포함하고, 상기 제 1 개구부는, 커튼 가스 분사 유닛(320)에서 분사되는 상기 커튼 가스, 인접한 가스 분사 유닛(310d)에서 분사되는 상기 제 1 공정 가스들 및 적어도 하나의 가스 분사 유닛(310a, 310b, 310c)에서 분사되는 상기 처리 가스가 제 1 드레인부(330) 내부로 용이하게 유입되어 제 2 드레인부(350)까지 유동될 수 있도록, 중심 영역의 외주면 인근으로부터 샤워 헤드(300)의 외주면 인근까지 제 1 드레인 커버(340)를 따라 전체적으로 슬릿(Slit) 형상으로 길게 제 1 드레인 커버(340)를 관통하게 측면 슬릿 홀부(341a)가 형성될 수 있다.
도 13 내지 도 15에 도시된 바와 같이, 제 1 드레인 커버(340)의 측면 슬릿 홀부(341)는, 단일 슬릿(341a)으로 형성되고, 단일 슬릿(341a)이 제 1 드레인 커버(340)의 중심선(C)을 따라 단턱부(321)의 외주면 인근으로부터 샤워 헤드(300)의 외주면 인근까지 길게 형성될 수 있다.
도 13에 도시된 바와 같이, 제 1 드레인 커버(340)는 상기 중심 영역에서부터 샤워 헤드(300)의 외측면까지 길게 형성될 수 있다. 그리하여, 제 2 드레인 커버(360)가 제 1 드레인 커버(340)의 측면에서 결합되도록 형성될 수 있다.
도 14에 도시된 바와 같이, 제 1 드레인 커버(340)는 상기 중심 영역에서부터 샤워 헤드(300)의 외측면에서 소정 거리 내측으로 이격된 지점까지 형성될 수 있다. 그리하여, 제 2 드레인 커버(360)가 제 1 드레인 커버(340)의 단부까지 연장되어 길게 형성될 수 있다.
도 15에 도시된 바와 같이, 제 1 드레인 커버(340)는 상기 중심 영역에서부터 샤워 헤드(300)의 외측면에서 소정 거리 내측으로 이격된 지점까지 형성될 수 있다. 이때, 제 1 드레인 커버(340)는 제 1 드레인 커버(340)의 단부의 적어도 일부분에서 샤워 헤드(300)의 외측면까지 길게 형성된 암부(345)가 형성될 수 있다.
암부(345)는 샤워 헤드(300)에 결합되기 위한 부분으로 암부(345)의 측면에서 제 2 드레인 커버(360)가 샤워 헤드(300)에 결합될 수 있다. 예컨대, 제 2 드레인 커버는(360)는 소스 가스 분사 유닛(310a)의 왼쪽에 위치한 제 1 드레인 커버(340)의 암부(345)에서부터 소스 가스 분사 유닛(310a)의 오른쪽에 위치한 암부 사이에 결합될 수 있다.
도시되지 않았지만, 측면 슬릿 홀부(341)는, 이중 슬릿으로 형성되고, 상기 이중 슬릿이 제 1 드레인 커버(340)의 중심선(C)을 기준으로 서로 대향되도록 상기 중심 영역의 외부로부터 샤워 헤드(300)의 외주면 인근까지 길게 형성될 수 있다.
이에 따라, 제 1 드레인 커버(340)에 상기 이중 슬릿으로 형성되는 슬릿 홀부를 통해서, 상기 커튼 가스 분사 유닛으로 분사되는 상기 커튼 가스가 제 1 드레인 커버(340)를 따라 유동하다가 제 1 드레인부(330)의 내부로 유입되고, 제 1 드레인부(330)로 유입되는 상기 커튼 가스를 따라 상기 이중 슬릿 중 상기 처리 가스 분사 유닛과 인접한 슬릿으로 상기 처리 가스가 유입되며, 인접한 가스 분사 유닛들과 인접한 슬릿으로 상기 제 1 공정 가스들이 유입됨으로써, 각 가스 분사 영역 간의 공간 분할 성능이 극대화될 수 있다.
도 16에 도시된 바와 같이, 제 1 드레인 커버(340)는 복수의 홀 형상으로 형성되는 측면 드레인 홀부(344)를 포함할 수 있다. 이때, 측면 드레인 홀부(344)는, 제 1 드레인 커버(340)에 일정한 패턴을 가지고 형성되며, 상기 패턴은 격자형 구조, 방사형 구조, 부분 홀 구조 중 어느 하나를 포함하여 형성될 수 있다.
도 17 및 도 18은 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치(1000)의 제 1 드레인 커버(340) 및 제 2 드레인 커버(360)를 나타내는 도면들이다.
제 1 드레인 커버(340) 및 제 2 드레인 커버(360)는 일체형으로 형성될 수 있다. 예컨대, 도 17에 도시된 바와 같이, 제 1 드레인 커버(340) 및 제 2 드레인 커버(360)는 일체형으로 형성되어 샤워 헤드(300)에 일시에 결합될 수 있다.
또한, 도 18에 도시된 바와 같이, 제 2 드레인 커버(360)의 양측에 형성된 제 1 드레인 커버(340)와 다른 제 1 드레인 커버(340-1)이 모두 일체형으로 결합되어 소스 가스 분사 유닛(310a), 반응 가스 분사 유닛(310c), 증착 조절 가스 분사 유닛(310b)의 주변에 일시에 결합될 수 있다.
따라서, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(1000)는,
처리 공정 수행시 드레인 커버 영역을 외주면으로 확장하여 샤워 헤드에서 분사되는 커튼 가스 및 기판으로 분사되는 복수의 공정 가스들이 각각의 가스 분사 유닛 사이에 형성된 제 1 드레인부(330)로 흡입되고 외주면에 형성된 제 2 드레인부(350)로 배기되며, 이때, 제 2 드레인부(350)로 배기되는 상기 커튼 가스 및 상기 복수의 공정 가스들이 에어 커튼의 역할을 하여 기판(S)에 체류하는 소스 가스 및 반응 가스가 배기 포트(E)로 넘어가는 것을 방지하여 소스 및 반응성 가스의 체류시간을 증가시킬 수 있다.
또한, 균일한 가스의 확산으로 기판 회전 반대 방향에서 기판 증착되는 두께 및 배기 포트에 가까운 기판 지지대의 가장 외측 영역에서 기판 증착되는 두께를 균일하게 유지수 있다. 그러므로, 기판(S)의 처리 공정 중 기판(S)이 기판(S)에 증착되는 박막을 균일하게 함으로써 기판 처리의 품질을 증가시키는 효과를 가질 수 있다.
본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.
A: 처리 공간
C1: 제 2 드레인 커버의 중심선
C2: 제 1 드레인 커버의 중심선
S: 기판
X: 회전축
100: 공정 챔버
200: 기판 지지대
300: 샤워 헤드
310a, 310b, 310c: 적어도 하나의 가스 분사 유닛
310d: 인접한 가스 분사 유닛
320: 커튼 가스 분사 유닛
321: 단턱부
330: 제 1 드레인부
340: 제 1 드레인 커버
341: 측면 슬릿 홀부
344: 측면 드레인 홀부
350: 제 2 드레인부
351: 스커트부
360: 제 2 드레인 커버
361: 외주면 슬릿 홀부
1000: 기판 처리 장치

Claims (11)

  1. 처리 공간이 형성되는 공정 챔버;
    적어도 하나의 기판을 지지할 수 있도록 상기 공정 챔버의 상기 처리 공간에 회전 가능하게 구비되는 기판 지지대; 및
    상기 기판 지지대와 대향되도록 상기 공정 챔버의 상부에 구비되고, 상기 기판 지지대 상으로 복수의 공정 가스들을 분사하는 복수의 가스 분사 유닛이 상기 기판 지지대의 회전 방향을 따라서 이격 배치되는 샤워 헤드;를 포함하고,
    상기 샤워 헤드는,
    상기 복수의 가스 분사 유닛 중 적어도 하나의 가스 분사 유닛에 인접한 가스 분사 유닛들로부터 분사된 제 1 공정 가스들이 상기 적어도 하나의 가스 분사 유닛의 측면들로 가스의 흐름이 유도될 수 있도록, 상기 복수의 가스 분사 유닛 사이에 유로를 형성하는 제 1 드레인부;
    상기 제 1 드레인부 하방의 적어도 일부분을 커버할 수 있도록 상기 제 1 드레인부에 설치되고, 상기 제 1 공정 가스들의 흐름이 유도되도록 제 1 개구부가 형성되는 제 1 드레인 커버;
    상기 적어도 하나의 가스 분사 유닛의 외측 가장자리를 따라서 유로를 형성하며, 상기 제 1 드레인부로 유입되는 상기 제 1 공정 가스들이 배출될 수 있도록 상기 제 1 드레인부와 연통되게 형성되는 제 2 드레인부; 및
    상기 제 2 드레인부 하방의 적어도 일부분을 커버할 수 있도록 상기 제 2 드레인부에 설치되고, 상기 제 1 공정 가스들의 흐름이 유도되도록 제 2 개구부가 형성되는 제 2 드레인 커버;
    를 포함하는, 기판 처리 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 가스 분사 분사 유닛은, 소스 가스를 분사하기 위한 소스 가스 분사 유닛 및 반응 가스를 분사하기 위한 반응 가스 분사 유닛 중 적어도 하나를 포함하고,
    상기 인접한 가스 분사 유닛들은 퍼지 가스 분사 유닛들을 포함하고,
    상기 제 1 공정 가스들은 퍼지 가스들을 더 포함하는, 기판 처리 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 제 2 드레인 커버는,
    상기 제 1 드레인 커버의 측부에서부터 다른 제 1 드레인 커버의 측부까지 상기 제 2 드레인부와 대응되는 원호 형상으로 형성되는, 기판 처리 장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 드레인 커버는,
    상기 제 1 드레인부로 유입되고 상기 제 2 드레인부로 유동되는 상기 복수의 공정 가스들이 상기 기판 지지대의 측면을 지나 상기 기판 지지대 하부에 형성된 배기 포트로 배기될 수 있도록 상기 기판 지지대보다 외측에 형성되는, 기판 처리 장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 개구부는,
    상기 복수의 공정 가스들이 상기 제 2 드레인부로 유동되어 가스의 흐름이 유도될 수 있도록, 상기 제 2 드레인 커버를 따라 전체적으로 슬릿(Slit) 형상으로 상기 제 2 드레인 커버를 관통하여 연장 형성되는 외주면 슬릿 홀부;
    를 포함하는, 기판 처리 장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 외주면 슬릿 홀부는,
    단일 슬릿으로 형성되고, 상기 단일 슬릿이 상기 제 2 드레인 커버의 중심선을 따라 상기 샤워 헤드의 외주면인 원호 방향으로 길게 형성되는, 기판 처리 장치.
  7. 제 5 항에 있어서,
    상기 외주면 슬릿 홀부는,
    다중 슬릿으로 형성되고, 상기 다중 슬릿이 상기 제 1 드레인 커버의 중심선을 따라 상기 샤워 헤드의 외주면인 원호 방향으로 일렬로 배치되는, 기판 처리 장치.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 개구부는,
    상기 복수의 공정 가스들이 상기 제 1 드레인부로 유입되어 가스의 흐름이 유도될 수 있도록, 상기 제 1 드레인 커버를 따라 전체적으로 슬릿 형상으로 길게 상기 제 1 드레인 커버를 관통하여 형성되는 측면 슬릿 홀부;
    를 포함하는, 기판 처리 장치.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 개구부는,
    상기 복수의 공정 가스들이 상기 제 1 드레인부로 유입되어 가스의 흐름이 유도될 수 있도록, 상기 제 1 드레인 커버를 관통하여 복수의 홀 형상으로 형성되는 측면 드레인 홀부;
    를 포함하는, 기판 처리 장치.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 측면 드레인 홀부는,
    상기 제 1 드레인 커버에 일정한 패턴을 가지고 형성되며, 상기 패턴은 격자형 구조, 방사형 구조, 부분 홀 구조 중 어느 하나를 포함하는, 기판 처리 장치.
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 드레인 커버와 상기 제 2 드레인 커버는 일체형으로 형성되는, 기판 처리 장치.
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