KR20230106525A - A Polymeric Compound, an Electroluminescent Material, an Electroluminescent Device, and an Electronic Device - Google Patents

A Polymeric Compound, an Electroluminescent Material, an Electroluminescent Device, and an Electronic Device Download PDF

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KR20230106525A
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후미야키 카토
마사시 츠지
나오토시 스가누마
타카히로 후지야마
유사쿠 코니시
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권하일
장효숙
차순민
김태호
윤원식
원유호
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Abstract

일렉트로루미네선스 소자의 내구성, 예컨대, 발광 수명을 향상시킬 수 있는 기술로서, 하기 화학식 1로 표시되는 구조단위, 또는 하기 화학식 1로 표시되는 구조단위와 하기 화학식 2로 표시되는 구조단위를 포함하는 고분자화합물, 및 이를 포함하는 일렉트로루미네선스 재료 또는 일렉트로루미네선스 소자를 제공한다:
(화학식 1)

Figure pat00083

(화학식 2)
Figure pat00084

단, 상기 화학식 1 및 화학식 2에서, R11 내지 R14는 R41 내지 R44 와 동일하지 않다. As a technology capable of improving the durability of an electroluminescent device, for example, the lifespan of light emission, a structural unit represented by the following formula (1), or a structural unit represented by the following formula (1) and a structural unit represented by the following formula (2) A polymer compound and an electroluminescence material or electroluminescence device including the same are provided:
(Formula 1)
Figure pat00083

(Formula 2)
Figure pat00084

However, in Formula 1 and Formula 2, R 11 to R 14 are not the same as R 41 to R 44 .

Description

고분자 화합물, 일렉트로루미네선스 소자 재료, 일렉트로루미네선스 소자, 및 전자 장치 {A Polymeric Compound, an Electroluminescent Material, an Electroluminescent Device, and an Electronic Device}A Polymeric Compound, an Electroluminescent Material, an Electroluminescent Device, and an Electronic Device}

일 구현예는 고분자 화합물, 상기 고분자 화합물을 포함하는 일렉트로루미네선스 소자 재료 및 일렉트로루미네선스 소자, 그리고, 상기 일렉트로루미네선스 소자를 포함하는 전자 장치에 관한 것이다. One embodiment relates to a polymer compound, an electroluminescence device material and an electroluminescence device including the polymer compound, and an electronic device including the electroluminescence device.

일렉트로루미네선스 소자(EL소자)에 대한 연구 개발이 활발하게 진행되고 있다. 특히, EL소자는 고체발광형의 저렴한 대면적 풀 컬러 표시 소자나 기록 광원 어레이로서의 용도가 유망시 되고 있다. EL소자는 양극과 음극 사이에 수 나노미터 내지 수백 나노미터의 박막을 가지는 발광 소자이다. 또, EL 소자는, 통상, 정공수송층, 발광층, 전자수송층 등을 가진다. BACKGROUND OF THE INVENTION Research and development on electroluminescence devices (EL devices) are actively progressing. In particular, the use of the EL element as an inexpensive large-area full-color display element of a solid light emitting type or a recording light source array is expected to be promising. An EL element is a light emitting element having a thin film of several nanometers to hundreds of nanometers between an anode and a cathode. In addition, an EL element usually has a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, and the like.

이 중, 발광층으로서 형광 발광 재료, 및 인광 발광 재료가 있다. 인광 발광 재료는 형광발광 재료에 비해 높은 발광 효율이 예상되는 재료다. 또, 넓은 색 영역을 망라하므로, RGB 광원은 반치폭이 좁은 발광 스펙트럼이 요구된다. 특히, 청색은 딥블루(deep blue)가 요구되지만, 긴 수명, 및 동시에 색 순도의 관점을 만족할 수 있는 소자는 아직까지 발견되지 않고 있다. Among these, there are a fluorescent light emitting material and a phosphorescent light emitting material as the light emitting layer. Phosphorescent light emitting materials are materials that are expected to have higher luminous efficiency than fluorescent light emitting materials. In addition, since it covers a wide color gamut, the RGB light source requires an emission spectrum with a narrow half-width. In particular, blue is required to be deep blue, but a device capable of satisfying the viewpoints of long life and color purity at the same time has not yet been found.

이들 문제를 해결하는 방법으로서, 발광 재료에 무기발광 물질인 「양자점」을 이용하는 발광 디바이스가 있다 (특허문헌1). As a method to solve these problems, there is a light emitting device using "quantum dots" as an inorganic light emitting material as a light emitting material (Patent Document 1).

양자점(quantum dot; QD)은 수 나노미터 크기의 결정 구조를 가지는 반도체 물질로서, 수백 내지 수천개 정도의 원자로 구성된다. 양자점은 그 크기가 대단히 작기 때문에, 단위체적당 표면적이 넓다. 이 때문에, 대부분의 원자가 나노 결정의 표면에 존재하고, 양자구속(quantum confinement)효과 등을 나타낸다. 이러한 양자구속 효과에 의해, 양자점은 그 크기를 조절하는 것만으로 발광 파장을 조절할 수 있고, 우수한 색 순도 및 높은 PL(photoluminescence) 발광 효율 등의 특성을 가지므로, 많은 관심을 모으고 있다. A quantum dot (QD) is a semiconductor material having a crystal structure of several nanometers and is composed of hundreds to thousands of atoms. Since quantum dots are very small in size, they have a large surface area per unit volume. For this reason, most of the atoms exist on the surface of the nanocrystal, and exhibit a quantum confinement effect and the like. Due to the quantum confinement effect, quantum dots can control the emission wavelength only by adjusting their size, and have characteristics such as excellent color purity and high photoluminescence (PL) luminous efficiency, and so have attracted much attention.

양자점 일렉트로루미네선스 소자(quantum dot electroluminescence device; QD LED, 또는 QLED)는, 양자점 발광층을 사이에 두고 양단에 정공수송층 및 전자수송층을 포함하는 3층 구조의 소자가 기본소자로서 알려져 있다. A quantum dot electroluminescence device (QD LED, or QLED) is known as a basic device having a three-layer structure including a hole transport layer and an electron transport layer at both ends with a quantum dot light emitting layer interposed therebetween.

또, 상기 특허문헌 1에 기재된 일렉트로루미네선스 소자 (특히, 양자점 일렉트로루미네선스 소자)의 내구성(특히, 발광 수명)을 향상시키는 것을 목적으로 하여, 특정 구조의 구조단위(A)를 포함하는 아릴 아민-플루오렌 교호 공중합체를 이용하는 일렉트로루미네선스 소자가 보고되어 있다 (특허문헌2). In addition, for the purpose of improving the durability (particularly, light emitting lifetime) of the electroluminescent element described in Patent Document 1 (particularly, the quantum dot electroluminescent element), a structural unit (A) having a specific structure is used. An electroluminescence device using an alternating arylamine-fluorene copolymer has been reported (Patent Document 2).

JPJP 2010-199067 2010-199067 AA JPJP 2021-138915 2021-138915 AA

특허문헌 2에 기재된 아릴 아민-플루오렌 교호 공중합체를 정공수송 재료로 이용한 일렉트로루미네선스 소자는 내구성이 우수한다. 한편 근래 일렉트로루미네선스 소자의 고성능화에 의해 내구성이 더욱 향상될 것이 요구되고 있다. The electroluminescent device using the arylamine-fluorene alternating copolymer described in Patent Document 2 as a hole transport material has excellent durability. On the other hand, it is required to further improve the durability due to the recent high performance of the electroluminescence device.

따라서, 일 구현예는 일렉트로루미네선스 소자 (특히, 양자점 일렉트로루미네선스 소자)의 내구성 (특히 발광 수명)을 향상시킬 수 있는 기술을 제공하고자 한다. Accordingly, an embodiment is intended to provide a technique capable of improving durability (in particular, light emitting lifetime) of an electroluminescence device (in particular, a quantum dot electroluminescence device).

본원 발명자들은, 상기 과제를 해결하기 위해, 열심히 연구를 행했다. 그 결과, 본원 발명자들은, 특정 구조단위를 포함하는 고분자 화합물을 이용함으로써 상기 과제를 해결할 수 있음을 발견하였다. The inventors of the present application conducted research intensively in order to solve the above problems. As a result, the present inventors have found that the above problems can be solved by using a polymer compound containing a specific structural unit.

즉, 일 구현예는 하기 화학식 1로 표시되는 구조단위를 포함하는 고분자 화합물을 제공한다: That is, one embodiment provides a polymer compound including a structural unit represented by Formula 1 below:

(화학식 1) (Formula 1)

Figure pat00001
Figure pat00001

상기 화학식 1에서, In Formula 1,

R11 내지 R14, R21, R22, R31 및 R32는, 각각 독립적으로, 수소 원자, 또는 탄소수 1 이상 18 이하의 탄화수소기를 나타내고, R 11 to R 14 , R 21 , R 22 , R 31 and R 32 each independently represent a hydrogen atom or a hydrocarbon group having 1 to 18 carbon atoms;

L1은, 치환 또는 비치환의 환형성 원자수 6 이상 25 이하의 방향족 탄화수소기, 또는 치환 또는 비치환의 환형성 원자수 5 이상 14 이하의 방향족헤테로사이클릭환 기를 나타내고, L 1 represents a substituted or unsubstituted aromatic hydrocarbon group having 6 or more and 25 or less ring atoms or a substituted or unsubstituted aromatic heterocyclic ring group having 5 or more and 14 or less ring atoms;

x는, 0, 1 또는 2이며, x 가 2일 경우, L1은 각각 동일하거나 다를 수 있고, x is 0, 1 or 2, and when x is 2, L 1 may be the same or different, respectively;

L2는, 치환 또는 비치환의 환형성 원자수 6 이상 25 이하의 방향족 탄화수소기, 또는 치환 또는 비치환의 환형성 원자수 5 이상 14 이하의 방향족헤테로사이클릭환 기를 나타내고, 이 때, L2는 Ar1과 환을 형성할 수 있고, L 2 represents a substituted or unsubstituted aromatic hydrocarbon group having 6 or more and 25 or less ring atoms or a substituted or unsubstituted aromatic heterocyclic group having 5 or more and 14 or less ring atoms, and in this case, L 2 is Ar 1 can form a ring,

Ar1은, 치환 또는 비치환의 환형성 원자수 6 이상 25 이하의 방향족 탄화수소기, 또는 치환 또는 비치환의 환형성 원자수 5 이상 14 이하의 방향족헤테로사이클릭환 기를 나타내고, 또한 Ar2 또는 L2와 환을 형성할 수 있고, Ar 1 represents a substituted or unsubstituted aromatic hydrocarbon group having 6 or more and 25 or less ring atoms or a substituted or unsubstituted aromatic heterocyclic group having 5 or more and 14 or less ring atoms, and Ar 2 or L 2 and can form a circle,

Ar2는, (i) 탄소수 1 이상 12 이하의 직쇄의 또는 탄소수 3 이상 12 이하의 분기된 탄화수소기, 환형성 원자수 6 이상 25 이하의 방향족 탄화수소기 또는 환형성 원자수 5 이상 14 이하의 방향족헤테로사이클릭환기로 치환될 수 있는 환형성 원자수 6 이상 25 이하의 방향족 탄화수소기, 또는 (ii) 탄소수 1 이상 12 이하의 직쇄의 또는 탄소수 3 이상 12 이하의 분기된 탄화수소기, 환형성 원자수 6 이상 25 이하의 방향족 탄화수소기 또는 환형성 원자수 5 이상 14 이하의 방향족헤테로사이클릭환기로 치환될 수 있는 환형성 원자수 5 이상 14 이하의 방향족헤테로사이클릭환 기를 나타내고, 이때, Ar2는 Ar1과 환을 형성해도 된다. Ar 2 is (i) a straight-chain or branched hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms, a branched hydrocarbon group having 3 to 12 carbon atoms, an aromatic hydrocarbon group having 6 to 25 ring atoms, or an aromatic group having 5 to 14 ring atoms An aromatic hydrocarbon group having 6 to 25 ring atoms which may be substituted with a heterocyclic ring group, or (ii) a straight-chain or branched hydrocarbon group having 3 to 12 carbon atoms and 1 to 12 carbon atoms, or a number of ring atoms Represents an aromatic heterocyclic ring group having 5 or more and 14 or less ring atoms which may be substituted with an aromatic hydrocarbon group of 6 or more and 25 or less or an aromatic heterocyclic ring group of 5 or more and 14 or less ring atoms, wherein Ar 2 is You may form a ring with Ar1 .

일 구현예에 따른 고분자 화합물은, 상기 화학식 1로 표시되는 구조단위와 함께, 하기 화학식 2로 표시되는 구조단위를 더 포함한다:The polymer compound according to one embodiment further includes a structural unit represented by the following Chemical Formula 2 together with the structural unit represented by Chemical Formula 1:

(화학식 2)(Formula 2)

Figure pat00002
Figure pat00002

상기 화학식 2에서, In Formula 2,

R41 내지 R44, R23, R24, R33 및 R34는, 각각 독립적으로, 수소 원자, 또는 탄소수 1 이상 18 이하의 탄화수소기를 나타내고, 이 때, R41 내지 R44는, 상기 화학식 1의 R11 내지 R14와 다르고, R 41 to R 44 , R 23 , R 24 , R 33 and R 34 each independently represent a hydrogen atom or a hydrocarbon group having 1 to 18 carbon atoms, wherein R 41 to R 44 are represented by the formula (1) is different from R 11 to R 14 of

L3은, 치환 또는 비치환된 환형성 원자수 6 이상 25 이하의 방향족 탄화수소기, 또는 치환 또는 비치환의 환형성 원자수 5 이상 14 이하의 방향족헤테로사이클릭환 기를 나타내고, L 3 represents a substituted or unsubstituted aromatic hydrocarbon group having 6 to 25 ring atoms or a substituted or unsubstituted aromatic heterocyclic ring group having 5 to 14 ring atoms;

y는, 0, 1 또는 2이며, y가 2일 경우, L3은 각각 동일하거나 다를 수 있고, y is 0, 1 or 2, and when y is 2, L 3 may be the same or different, respectively;

L4는, 치환 또는 비치환의 환형성 원자수 6 이상 25 이하의 방향족 탄화수소기, 또는 치환 또는 비치환의 환형성 원자수 5 이상 14 이하의 방향족헤테로사이클릭환 기를 나타내고, 이때, L4는 Ar3와 환을 형성할 수 있고, L 4 represents a substituted or unsubstituted aromatic hydrocarbon group having 6 or more and 25 or less ring atoms or a substituted or unsubstituted aromatic heterocyclic group having 5 or more and 14 or less ring atoms, wherein L 4 is Ar 3 can form a ring with

Ar3은, 치환 또는 비치환의 환형성 원자수 6 이상 25 이하의 방향족 탄화수소기, 또는 치환 또는 비치환의 환형성 원자수 5 이상 14 이하의 방향족헤테로사이클릭환기를 나타내고, 또한 Ar4 또는 L4와 환을 형성하고, Ar 3 represents a substituted or unsubstituted aromatic hydrocarbon group having 6 or more and 25 or less ring atoms or a substituted or unsubstituted aromatic heterocyclic group having 5 or more and 14 or less ring atoms, and also represents Ar 4 or L 4 and form a circle,

Ar4는, (i) 탄소수 1 이상 12 이하의 직쇄의 또는 탄소수 3 이상 12 이하의 분기된 탄화수소기, 환 형성 원자수 6 이상 25 이하의 방향족 탄화수소기 또는 환형성 원자수 5 이상 14 이하의 방향족헤테로사이클릭환기로 치환될 수 있는 환형성 원자수 6 이상 25 이하의 방향족 탄화수소기, 또는 (ii) 탄소수 1 이상 12 이하의 직쇄의 또는 탄소수 3 이상 12 이하의 분기된 탄화수소기, 환형성 원자수 6 이상 25 이하의 방향족 탄화수소기 또는 환형성 원자수 5 이상 14 이하의 방향족헤테로사이클릭환기로 치환될 수 있는 환형성 원자수 5 이상 14 이하의 방향족헤테로사이클릭환기를 나타내고, 이때, Ar4는 Ar3와 환을 형성해도 된다. Ar 4 is (i) a straight-chain or branched hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms, or a branched hydrocarbon group having 3 to 12 carbon atoms, an aromatic hydrocarbon group having 6 to 25 ring atoms, or an aromatic group having 5 to 14 ring atoms An aromatic hydrocarbon group having 6 to 25 ring atoms which may be substituted with a heterocyclic ring group, or (ii) a straight-chain or branched hydrocarbon group having 3 to 12 carbon atoms and 1 to 12 carbon atoms, or a number of ring atoms Represents an aromatic heterocyclic ring group having 5 or more and 14 or less ring atoms which may be substituted with an aromatic hydrocarbon group of 6 or more and 25 or less or an aromatic heterocyclic ring group of 5 or more and 14 or less ring atoms, wherein Ar 4 is You may form a ring with Ar 3 .

일 구현예에 의하면, 일렉트로루미네선스 소자, 특히, 양자점 일렉트로루미네선스 소자의 내구성, 예컨대, 발광 수명을 향상시킬 수 있다. According to one embodiment, the durability, for example, the light emission lifespan of the electroluminescence device, in particular, the quantum dot electroluminescence device, may be improved.

도 1은 일 실시 형태에 따른 일렉트로루미네선스 소자를 나타내는 모식도이다. 1 is a schematic diagram showing an electroluminescence device according to an embodiment.

제1 구현예는 하기 화학식 1로 표시되는 구조단위를 포함하는 고분자 화합물을 제공한다: A first embodiment provides a polymer compound including a structural unit represented by Formula 1 below:

(화학식 1) (Formula 1)

Figure pat00003
Figure pat00003

상기 화학식 1에서, In Formula 1,

R11 내지 R14, R21, R22, R31 및 R32는, 각각 독립적으로, 수소 원자, 또는 탄소수 1 이상 18 이하의 탄화수소기를 나타내고, R 11 to R 14 , R 21 , R 22 , R 31 and R 32 each independently represent a hydrogen atom or a hydrocarbon group having 1 to 18 carbon atoms;

L1은, 치환 또는 비치환의 환형성 원자수 6 이상 25 이하의 방향족 탄화수소기, 또는 치환 또는 비치환의 환형성 원자수 5 이상 14 이하의 방향족헤테로사이클릭환기를 나타내고, L 1 represents a substituted or unsubstituted aromatic hydrocarbon group having 6 to 25 ring atoms or a substituted or unsubstituted aromatic heterocyclic group having 5 to 14 ring atoms;

x는, 0, 1 또는 2이며, x 가 2일 경우, L1은 각각 동일하거나 다를 수 있고, x is 0, 1 or 2, and when x is 2, L 1 may be the same or different, respectively;

L2는, 치환 또는 비치환의 환 형성 원자수 6 이상 25 이하의 방향족 탄화수소기, 또는 치환 또는 비치환의 환형성 원자수 5 이상 14 이하의 방향족헤테로사이클릭환기를 나타내고, 이때, L2는 Ar1과 환을 형성할 수 있고, L 2 represents a substituted or unsubstituted aromatic hydrocarbon group having 6 or more and 25 or less ring atoms or a substituted or unsubstituted aromatic heterocyclic group having 5 or more and 14 or less ring atoms, wherein L 2 is Ar 1 can form a ring with

Ar1은, 치환 또는 비치환의 환형성 원자수 6 이상 25 이하의 방향족 탄화수소기, 또는 치환 또는 비치환의 환형성 원자수 5 이상 14 이하의 방향족헤테로사이클릭환기를 나타내고, 또한 Ar2 또는 L2와 환을 형성하고, Ar 1 represents a substituted or unsubstituted aromatic hydrocarbon group having 6 or more and 25 or less ring atoms or a substituted or unsubstituted aromatic heterocyclic group having 5 or more and 14 or less ring atoms, and Ar 2 or L 2 and form a circle,

Ar2는, (i) 탄소수 1 이상 12 이하의 직쇄의 또는 탄소수 3 이상 12 이하의 분기된 탄화수소기, 환형성 원자수 6 이상 25 이하의 방향족 탄화수소기 또는 환형성 원자수 5 이상 14 이하의 방향족헤테로사이클릭환기로 치환될 수 있는 환형성 원자수 6 이상 25 이하의 방향족 탄화수소기, 또는 (ii) 탄소수 1 이상 12 이하의 직쇄의 또는 탄소수 3 이상 12 이하의 분기된 탄화수소기, 환형성 원자수 6 이상 25 이하의 방향족 탄화수소기 또는 환형성 원자수 5 이상 14 이하의 방향족헤테로사이클릭환기로 치환될 수 있는 환형성 원자수 5 이상 14 이하의 방향족헤테로사이클릭환 기를 나타내고, 이때, Ar2는 Ar1과 환을 형성해도 된다. Ar 2 is (i) a straight-chain or branched hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms, a branched hydrocarbon group having 3 to 12 carbon atoms, an aromatic hydrocarbon group having 6 to 25 ring atoms, or an aromatic group having 5 to 14 ring atoms An aromatic hydrocarbon group having 6 to 25 ring atoms which may be substituted with a heterocyclic ring group, or (ii) a straight-chain or branched hydrocarbon group having 3 to 12 carbon atoms and 1 to 12 carbon atoms, or a number of ring atoms Represents an aromatic heterocyclic ring group having 5 or more and 14 or less ring atoms which may be substituted with an aromatic hydrocarbon group of 6 or more and 25 or less or an aromatic heterocyclic ring group of 5 or more and 14 or less ring atoms, wherein Ar 2 is You may form a ring with Ar1 .

일 구현예에 따른 고분자 화합물은, 상기 화학식 1로 표시되는 구조단위와 함께, 하기 화학식 2로 표시되는 구조단위를 더 포함할 수 있다:The polymer compound according to one embodiment may further include a structural unit represented by the following Chemical Formula 2 together with the structural unit represented by Chemical Formula 1:

(화학식 2)(Formula 2)

Figure pat00004
Figure pat00004

상기 화학식 2에서, In Formula 2,

R41 내지 R44, R23, R24, R33 및 R34는, 각각 독립적으로, 수소 원자, 또는 탄소수 1 이상 18 이하의 탄화수소기를 나타내고, 이 때, R41 내지 R44는, 상기 화학식 1의 R11 내지 R14와 다르고, R 41 to R 44 , R 23 , R 24 , R 33 and R 34 each independently represent a hydrogen atom or a hydrocarbon group having 1 to 18 carbon atoms, wherein R 41 to R 44 are represented by the formula (1) is different from R 11 to R 14 of

L3은, 치환 또는 비치환된 환형성 원자수 6 이상 25 이하의 방향족 탄화수소기, 또는 치환 또는 비치환의 환형성 원자수 5 이상 14 이하의 방향족헤테로사이클릭환 기를 나타내고, L 3 represents a substituted or unsubstituted aromatic hydrocarbon group having 6 to 25 ring atoms or a substituted or unsubstituted aromatic heterocyclic ring group having 5 to 14 ring atoms;

y는, 0, 1 또는 2이며, y가 2일 경우, L3은 각각 동일하거나 다를 수 있고, y is 0, 1 or 2, and when y is 2, L 3 may be the same or different, respectively;

L4는, 치환 또는 비치환의 환형성 원자수 6 이상 25 이하의 방향족 탄화수소기, 또는 치환 또는 비치환의 환형성 원자수 5 이상 14 이하의 방향족헤테로사이클릭환 기를 나타내고, 이때, L4는 Ar3와 환을 형성할 수 있고, L 4 represents a substituted or unsubstituted aromatic hydrocarbon group having 6 or more and 25 or less ring atoms or a substituted or unsubstituted aromatic heterocyclic group having 5 or more and 14 or less ring atoms, wherein L 4 is Ar 3 can form a ring with

Ar3은, 치환 또는 비치환의 환형성 원자수 6 이상 25 이하의 방향족 탄화수소기, 또는 치환 또는 비치환의 환형성 원자수 5 이상 14 이하의 방향족헤테로사이클릭환기를 나타내고, 또한 Ar4 또는 L4와 환을 형성하고, Ar 3 represents a substituted or unsubstituted aromatic hydrocarbon group having 6 or more and 25 or less ring atoms or a substituted or unsubstituted aromatic heterocyclic group having 5 or more and 14 or less ring atoms, and also represents Ar 4 or L 4 and form a circle,

Ar4는, (i) 탄소수 1 이상 12 이하의 직쇄의 또는 탄소수 3 이상 12 이하의 분기된 탄화수소기, 환 형성 원자수 6 이상 25 이하의 방향족 탄화수소기 또는 환형성 원자수 5 이상 14 이하의 방향족헤테로사이클릭환기로 치환될 수 있는 환형성 원자수 6 이상 25 이하의 방향족 탄화수소기, 또는 (ii) 탄소수 1 이상 12 이하의 직쇄의 또는 탄소수 3 이상 12 이하의 분기된 탄화수소기, 환형성 원자수 6 이상 25 이하의 방향족 탄화수소기 또는 환형성 원자수 5 이상 14 이하의 방향족헤테로사이클릭환기로 치환될 수 있는 환형성 원자수 5 이상 14 이하의 방향족헤테로사이클릭환기를 나타내고, 이때, Ar4는 Ar3와 환을 형성해도 된다. Ar 4 is (i) a straight-chain or branched hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms, or a branched hydrocarbon group having 3 to 12 carbon atoms, an aromatic hydrocarbon group having 6 to 25 ring atoms, or an aromatic group having 5 to 14 ring atoms An aromatic hydrocarbon group having 6 to 25 ring atoms which may be substituted with a heterocyclic ring group, or (ii) a straight-chain or branched hydrocarbon group having 3 to 12 carbon atoms and 1 to 12 carbon atoms, or a number of ring atoms Represents an aromatic heterocyclic ring group having 5 or more and 14 or less ring atoms which may be substituted with an aromatic hydrocarbon group of 6 or more and 25 or less or an aromatic heterocyclic ring group of 5 or more and 14 or less ring atoms, wherein Ar 4 is You may form a ring with Ar 3 .

제2 구현예는, 제1 구현예에 따른 고분자 화합물을 포함하는 일렉트로루미네선스 소자 재료를 제공한다. A second embodiment provides an electroluminescent device material comprising the polymer compound according to the first embodiment.

제3 구현예는, 제1 전극과, 제2 전극과, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극과의 사이에 배치되는 1층이상의 유기막을 구비하는 일렉트로루미네선스 소자로서, 상기 유기막의 최소한 1층이 제1 구현예에 따른 고분자 화합물을 포함하는 일렉트로루미네선스 소자를 제공한다. A third embodiment is an electroluminescent device including a first electrode, a second electrode, and one or more layers of an organic film disposed between the first electrode and the second electrode, wherein at least one of the organic films is provided. An electroluminescence device in which the layer includes the polymer compound according to the first embodiment is provided.

본원 명세서에서, 일렉트로루미네선스 소자를 단순히 「LED」라고도 한다. 양자점 일렉트로루미네선스 소자를 단순히 「QLED」라고도 한다. 유기 일렉트로루미네선스 소자를 단순히 「OLED」라고도 한다. In the specification of the present application, the electroluminescent element is simply referred to as "LED". Quantum dot electroluminescence devices are also simply referred to as "QLEDs". An organic electroluminescence device is also simply referred to as "OLED".

본원 명세서에서, 제1 구현예에 따른 고분자 화합물의 인데노 플루오렌 유래의 구조단위를 「구조단위 A」라고 하고, 인데노 플루오렌 유래의 구조단위 이외의 구조단위를 「구조단위 B」라고 한다. In the present specification, the structural unit derived from indenofluorene of the polymer compound according to the first embodiment is referred to as "structural unit A", and the structural unit other than the structural unit derived from indenofluorene is referred to as "structural unit B" .

또, 구조단위 A 및 B를 합친 구조단위를 「구조단위 C」라고 한다. 예를 들어, 상기 화학식 1의 구조단위에서의 구조단위 A, B 및 C는, 각각 하기와 같다. In addition, a structural unit in which structural units A and B are combined is referred to as "structural unit C". For example, structural units A, B, and C in the structural unit of Chemical Formula 1 are as follows.

한편, 본원 명세서에서, 상기 고분자 화합물이 상기 화학식 1의 구조단위 및 상기 화학식 2의 구조단위를 모두 포함할 경우, 특기하지 않는 한, 상기 화학식 1의 구조단위 및 상기 화학식 2의 구조단위를 일괄해서 「구조단위 C」라고 칭한다. Meanwhile, in the present specification, when the polymer compound includes both the structural unit of Chemical Formula 1 and the structural unit of Chemical Formula 2, unless otherwise specified, the structural unit of Chemical Formula 1 and the structural unit of Chemical Formula 2 collectively It is called "structural unit C".

Figure pat00005
Figure pat00005

본원 명세서에서, 환형성 원자수는, 원자가 환형으로 결합한 구조(예를 들면, 단환, 축합환, 및 환집합)의 화합물 (예를 들면, 단환 화합물, 축합환 화합물, 가교 화합물, 탄소환 화합물, 및 헤테로사이클릭환 화합물)에서 해당 환 자체를 구성하는 원자의 수를 나타낸다. 환을 구성하지 않는 원자, 예를 들면, 환을 구성하는 원자의 결합을 종단하는 수소 원자나, 상기 환이 치환기에 의해 치환될 경우의 치환기로서 포함되는 원자는 환형성 원자수에는 포함하지 않는다. 이하 기재되는 환형성 원자수에 대해서는, 별도의 기재가 없는 한, 동일한 의미로 한다. In the present specification, the number of ring-forming atoms refers to compounds (eg, monocyclic compounds, condensed-cyclic compounds, bridged compounds, carbocyclic compounds, and a heterocyclic ring compound) shows the number of atoms constituting the ring itself. Atoms not constituting the ring, for example, hydrogen atoms terminating bonds of atoms constituting the ring, and atoms included as substituents when the ring is substituted by substituents are not included in the number of ring atoms. The number of ring atoms described below has the same meaning unless otherwise specified.

예를 들면, 벤젠 환은 환 형성 원자수가 6이며, 나프탈렌 환은 환 형성 원자수가 10 이며, 피리딘 환은 환 형성 원자수가 6이며, 퓨란 환은 환 형성 원자수가 5이다. For example, a benzene ring has 6 ring atoms, a naphthalene ring has 10 ring atoms, a pyridine ring has 6 ring atoms, and a furan ring has 5 ring atoms.

벤젠 환에 치환기로서, 예를 들면, 알킬기가 치환하고 있을 경우, 상기 알킬기의 탄소수는 벤젠 환의 환 형성 원자수에 포함시키지 않는다. 따라서, 알킬기가 치환된 벤젠 환의 환 형성 원자수는, 6이다. 또, 나프탈렌 환에 치환기로서, 예를 들면, 알킬기가 치환하고 있을 경우, 상기 알킬기의 원자수는 나프탈렌 환의 환 형성 원자수에 포함시키지 않는다. 이로 인해, 알킬기가 치환된 나프탈렌 환의 환 형성 원자수는 10 이다. When the benzene ring is substituted with, for example, an alkyl group as a substituent, the number of carbon atoms in the alkyl group is not included in the number of ring atoms in the benzene ring. Therefore, the number of ring atoms of the benzene ring substituted with an alkyl group is 6. In addition, when the naphthalene ring is substituted with, for example, an alkyl group as a substituent, the number of atoms of the alkyl group is not included in the number of ring atoms of the naphthalene ring. For this reason, the number of ring atoms in the naphthalene ring in which the alkyl group is substituted is 10.

예를 들면, 피리딘 환에 결합하고 있는 수소 원자, 또는 치환기를 구성하는 원자의 수는, 피리딘 환의 환 형성 원자수에 포함시키지 않는다. 이로 인해, 수소원자, 또는 치환기가 결합된 피리딘 환의 환 형성 원자수는 6이다. For example, the number of hydrogen atoms bonded to the pyridine ring or atoms constituting the substituent is not included in the number of ring atoms of the pyridine ring. Therefore, the number of ring atoms in the pyridine ring to which a hydrogen atom or a substituent is bonded is 6.

일렉트로루미네선스 소자의 발광층이나 캐리어 수송층을 구성하는 재료로서, 여러가지 저분자 재료나 고분자 재료가 사용되고 있다. 예를 들면, 고분자 재료로서, 특허문헌 1에는 TFB (예를 들면, 단락 「0037」)가, 특허문헌 2에는 플루오렌과 특정 구조의 아릴 아민의 교호 공중합체(청구항)가, 각각 보고되어 있다. Various low-molecular materials and high-molecular materials are used as materials constituting the light emitting layer and the carrier transport layer of the electroluminescence device. For example, as a polymer material, TFB (for example, paragraph "0037") is reported in Patent Document 1, and an alternating copolymer of fluorene and an arylamine having a specific structure (claim) is reported in Patent Document 2, respectively. .

본원 발명자들은, 이들 고분자 재료, 특히, 특허문헌 2의 아릴 아민-플루오렌 교호 공중합체에 비해 내구성, 예컨대, 소자수명, 발광 수명 등을 더욱 향상시키는 수단에 대해 검토를 거듭했다. 그 결과, 플루오렌 유래의 구조단위를 인데노 플루오렌 유래의 구조단위로 변경함으로써 내구성, 예컨대, 소자수명, 발광 수명 등을 더욱 향상시킬 수 있음을 발견했다. The inventors of the present application have repeatedly studied means for further improving durability, for example, device life, light emitting life, and the like, compared to these polymer materials, particularly, the arylamine-fluorene alternating copolymer of Patent Document 2. As a result, it was found that durability, such as device lifetime and light emission lifetime, could be further improved by changing the structural unit derived from fluorene to the structural unit derived from indenofluorene.

특정 이론에 구속됨 없이, 본원 발명의 상기 구성에 의한 상기 작용 효과 발휘의 메커니즘은 아래와 같이 추측된다. Without being bound by any particular theory, the mechanism of exerting the above action and effect by the above configuration of the present invention is presumed as follows.

구조단위 A 및 구조단위 B, 특히, 구조단위 B 중의 아릴아민 구조 {화학식 1 중 -L2-N(Ar1)(Ar2) 또는 화학식 2 중 -L4-N(Ar3)(Ar4)}]는 축합환 등의 공명구조 수가 많다. 이 때문에, 구조단위 C는 공명 에너지가 큰 안정된 골격을 가진다. 따라서, 여기자 상태 및 음이온 상태에서의 C-N 결합의 결합해리 에너지(BDE: bond dissociation energy)가 크다 (여기자나 전자에 대하여 강하다). 특히, 구조단위 A에 인데노 플루오렌 유래의 구조단위를 적용함으로써, 특허문헌 2에 기재된 것 같은 플루오렌 유래의 구조단위에 비해 여기자 상태에서의 C-N 결합의 결합해리 에너지를 크게 할 수 있다. 일 구현예에 따른 고분자 화합물을 사용한 정공수송층 또는 정공주입층은, 전자수송층으로부터 새어나간 전자나 이 전자와 정공이 재결합해서 생성된 여기자가 존재해도 그 구조를 유지하기 쉽거나, 또는 유지할 수 있다. 따라서, 일 구현예에 따른 고분자 화합물을 이용한 일렉트로루미네선스 소자, 예컨대, 양자점 일렉트로루미네선스 소자는 내구성, 예컨대, 소자수명, 발광 수명 등을 더욱 향상시킬 수 있다. Structural unit A and structural unit B, in particular, the arylamine structure in structural unit B {—L 2 —N (Ar 1 ) (Ar 2 ) in Formula 1 or —L 4 —N (Ar 3 ) (Ar 4 in Formula 2) )}] has a large number of resonance structures such as condensed rings. For this reason, structural unit C has a stable skeleton with high resonance energy. Therefore, the bond dissociation energy (BDE) of the CN bond in the exciton state and the anion state is high (strong for excitons and electrons). In particular, by applying the structural unit derived from indenofluorene to the structural unit A, the bond dissociation energy of the CN bond in the exciton state can be increased compared to the structural unit derived from fluorene as described in Patent Document 2. A hole transport layer or a hole injection layer using a polymer compound according to an embodiment can easily or maintain its structure even when electrons leaked from the electron transport layer or excitons generated by recombination of electrons and holes exist. Accordingly, the electroluminescence device using the polymer compound according to the embodiment, eg, the quantum dot electroluminescence device, can further improve durability, eg, device lifespan, light emitting lifespan, and the like.

또한, 상기 화학식 1 또는 화학식 2의 구조단위(구조단위 C)에서는, 질소 원자가 주사슬의 공역을 절단하고 있다. 이에 따라, 고분자 화합물의 삼중항 에너지 준위를 높이고, 주사슬을 따르는 정공의 이동성(Bulk Mobility)이 높고, 높은 전류 효율을 달성할 수 있다. 따라서, 본원 발명에 따른 고분자 화합물(주사슬)을 이용한 일렉트로루미네선스 소자, 예컨대, 양자점 일렉트로루미네선스 소자는 우수한 발광 효율을 달성할 수 있다. 또, 구조단위 C에서는 주사슬이 질소 원자로 절단되기 때문에, 일 구현예에 따른 고분자 화합물은 고분자화해도 양자점과 에너지 준위가 가까운 저분자 화합물의 성질을 나타낸다. 이 때문에, 일 구현예에 따른 고분자 화합물을 이용한 일렉트로루미네선스 소자, 예컨대, 양자점 일렉트로루미네선스 소자는 구동 전압의 상승을 억제하고, 저구동 전압화가 가능하게 된다. Further, in the structural unit (structural unit C) of Formula 1 or Formula 2, a nitrogen atom cuts the conjugate of the main chain. Accordingly, the triplet energy level of the polymer compound can be increased, the bulk mobility of holes along the main chain is high, and high current efficiency can be achieved. Therefore, an electroluminescence device using the polymer compound (main chain) according to the present invention, for example, a quantum dot electroluminescence device, can achieve excellent light emitting efficiency. In addition, since the main chain of the structural unit C is cleaved with a nitrogen atom, the polymer compound according to one embodiment exhibits properties of a low molecular compound having a close energy level to that of the quantum dots even when polymerized. For this reason, an electroluminescence device using a polymer compound according to an embodiment, for example, a quantum dot electroluminescence device, suppresses an increase in driving voltage and makes it possible to lower the driving voltage.

이에 더해, 일 구현예에 따른 고분자 화합물은 제막성 및 용매용해성이 우수하기 때문에, 습식(도포)법에서의 제막이 가능하다. 따라서, 일 구현예에 따른 고분자 화합물을 이용함으로써 일렉트로루미네선스 소자의 대면적화, 고생산성이 가능하게 된다. 상기 효과는, 일 구현예에 따른 고분자 화합물이 EL 소자, 특히 QLED의 정공수송층 또는 정공주입층에 적용될 경우 효과적으로 발휘될 수 있다. In addition, since the polymer compound according to one embodiment has excellent film forming properties and solvent solubility, it is possible to form a film using a wet (coating) method. Therefore, by using the polymer compound according to one embodiment, it is possible to increase the area of the electroluminescent device and to achieve high productivity. The above effects can be effectively exhibited when the polymer compound according to one embodiment is applied to a hole transport layer or a hole injection layer of an EL device, particularly a QLED.

한편, 상기 메커니즘은 추측에 의한 것이며, 본원 발명은 상기 메커니즘에 전혀 구애되는 것이 아니다. On the other hand, the mechanism is based on speculation, and the present invention is not limited to the mechanism at all.

이하, 본원 발명을 실시하기 위한 형태에 대해 상세하게 설명한다. EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, the form for implementing this invention is demonstrated in detail.

한편, 본원 발명은, 이하의 실시형태에만 한정되지 않고, 특허청구범위 내에서 다양하게 변경할 수 있다. 또, 특기하지 않는 한, 조작 및 물성 등의 측정은 실온(20℃ 이상 25℃ 이하)/상대습도 40% RH 이상 50% RH 이하의 조건으로 측정한다. On the other hand, the present invention is not limited only to the following embodiments, and can be variously changed within the scope of the claims. In addition, unless otherwise specified, operation and measurement of physical properties are measured under conditions of room temperature (20°C or more and 25°C or less)/relative humidity of 40% RH or more and 50% RH or less.

또, 도면의 치수 비율은 설명의 편의상 과장될 수 있으며, 실제 비율과 다를 수 있다. In addition, dimensional ratios in the drawings may be exaggerated for convenience of description and may differ from actual ratios.

본원 명세서에서, 「X 및 Y는, 각각 독립적으로」란, X 및 Y가 동일해도 좋고, 상이해도 된다는 것을 의미한다. 또, 본원 명세서에서, 「X 및/ 또는 Y」란, X 및 Y의 최소한 하나를 포함하는 것을 의미하고, 「X 단독」, 「Y 단독」 및 「X와 Y의 조합」을 포함한다. In this specification, "X and Y are each independently" means that X and Y may be the same or different. In the present specification, "X and/or Y" means including at least one of X and Y, and includes "X alone", "Y alone", and "combination of X and Y".

[고분자 화합물] [Polymer compound]

일 구현예에 따른 고분자 화합물은, 하기 화학식 1로 표시되는 구조단위를 포함한다. 또는, 일 구현예에 따른 고분자 화합물은, 하기 화학식 1로 표시되는 구조단위 및 하기 화학식 2로 표시되는 구조단위를 포함한다. 이러한 구조단위를 포함하는 고분자 화합물은, 공명 에너지가 큰 안정된 골격을 가지고, 높은 C-N 결합의 결합해리 에너지를 가진다. 또, 상기 고분자 화합물은 높은 양자점에의 정공주입 수송성을 가진다. 따라서, 내구성(소자수명, 발광 수명)을 더욱 향상시킬 수 있다. 또, 고전류 효율화 및 저구동 전압화를 달성할 수 있다. A polymer compound according to an embodiment includes a structural unit represented by Formula 1 below. Alternatively, the polymer compound according to one embodiment includes a structural unit represented by the following Chemical Formula 1 and a structural unit represented by the following Chemical Formula 2. A polymer compound containing such a structural unit has a stable backbone with high resonance energy and high C-N bond dissociation energy. In addition, the high molecular compound has high hole injection and transport properties into quantum dots. Therefore, durability (device life, light emitting life) can be further improved. In addition, high current efficiency and low driving voltage can be achieved.

(화학식 1) (Formula 1)

Figure pat00006
Figure pat00006

(화학식 2) (Formula 2)

Figure pat00007
Figure pat00007

상기 화학식 1로 표시되는 구조단위 및 상기 화학식 2로 표시되는 구조단위는, 최소한 R11 내지R14가 R41 내지 R44와 서로 다르다는 점에서, 서로 다른 구조를 가진다. The structural unit represented by Chemical Formula 1 and the structural unit represented by Chemical Formula 2 have structures different from each other in that at least R 11 to R 14 are different from R 41 to R 44 .

본원 명세서에서, 「화학식 1로 표시되는 구조단위를 포함하는 고분자 화합물」 이란, 고분자 화합물에 존재하는 구조단위 C가 적어도 1종 포함된 것을 의미한다. 또, 「화학식 1로 표시되는 구조단위 및 화학식 2로 표시되는 구조단위를 포함하는 고분자 화합물」 은, 고분자 화합물에 존재하는 구조단위 C가 적어도 2종 포함된 것을 의미한다. In the present specification, "a polymer compound containing a structural unit represented by Formula 1" means that the polymer compound contains at least one structural unit C. In addition, "a polymer compound containing a structural unit represented by formula (1) and a structural unit represented by formula (2)" means that the polymer compound contains at least two kinds of structural units C present.

다시 말해, 일 구현예에 관한 고분자 화합물은 구조단위 C 1 종을 포함하는 것이어도 좋고, 또는 2 종 이상의 구조단위 C를 포함할 수도 있다. 일 구현예에 따른 효과를 보다 향상시키는 관점에서, 일 구현예에 따른 고분자 화합물에 존재하는 구조단위 C는 1 종 또는 2 종일 수 있고, 예를 들어, 2 종일 수 있다. 예를 들어, 2 종의 상이한 구조단위 C를 포함함으로써, 원하는 특성, 예를 들어, 내구성, 유리전이온도 등을 보다 적절하게, 또한 보다 용이하게 조절할 수 있다. In other words, the polymer compound according to one embodiment may include one type of structural unit C, or may include two or more types of structural unit C. From the viewpoint of further improving the effect according to one embodiment, the structural unit C present in the polymer compound according to one embodiment may be one or two kinds, for example, two kinds. For example, by including two types of different structural units C, desired properties such as durability, glass transition temperature, etc. can be more appropriately and more easily controlled.

상기 화학식 1에서, R11 내지 R14, R21, R22, R31 및 R32는, 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 탄소수 1이상 18 이하의 탄화수소기를 나타낸다. 이때, R11 내지 R14, R21, R22, R31 및 R32는, 서로 동일해도 좋고, 또는 서로 다를 수도 있다. In Formula 1, R 11 to R 14 , R 21 , R 22 , R 31 and R 32 each independently represent a hydrogen atom or a hydrocarbon group having 1 to 18 carbon atoms. At this time, R 11 to R 14 , R 21 , R 22 , R 31 and R 32 may be the same as or different from each other.

일 구현예에 따른 효과를 더욱 향상시키는 관점에서, R11 및 R12, 그리고 R13 및 R14 중 최소한 한 쌍은 서로 동일할 수 있고, 예를 들어, R11 내지 R14 가 모두 동일할 수 있다. From the viewpoint of further improving the effect according to one embodiment, at least one pair of R 11 and R 12 , and R 13 and R 14 may be identical to each other, for example, all of R 11 to R 14 may be identical. there is.

예를 들어, R21과 R22는 서로 동일하거나 다를 수 있고, 예를 들어, R21과 R22는 서로 동일할 수 있다. For example, R 21 and R 22 may be identical to or different from each other, and for example, R 21 and R 22 may be identical to each other.

예를 들어, R31과 R32는 서로 동일하거나 다를 수 있고, 예를 들어, R31과 R32는 서로 동일할 수 있다. For example, R 31 and R 32 may be identical to or different from each other, and for example, R 31 and R 32 may be identical to each other.

상기 화학식 2에서, R41 내지 R44, R23, R24, R33 및 R34는, 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 탄소수 1이상 18 이하의 탄화수소기를 나타낸다. 이 때, 상기 화학식 2의 R41 내지 R44 는 상기 화학식 1의 R11 내지 R14 와 다르다. In Formula 2, R 41 to R 44 , R 23 , R 24 , R 33 and R 34 each independently represent a hydrogen atom or a hydrocarbon group having 1 to 18 carbon atoms. In this case, R 41 to R 44 in Formula 2 are different from R 11 to R 14 in Formula 1.

R41 내지 R44, R23, R24, R33 및 R34는 서로 동일하거나 다를 수 있다. R 41 to R 44 , R 23 , R 24 , R 33 and R 34 may be identical to or different from each other.

일 구현예에 따른 효과를 더욱 향상시키는 관점에서, R41 및 R42, 그리고 R43 및 R44 중 최소한 한 쌍은 서로 동일할 수 있고, 예를 들어, R41 내지 R44 가 모두 동일할 수 있다. From the viewpoint of further improving the effect according to one embodiment, at least one pair of R 41 and R 42 , and R 43 and R 44 may be identical to each other, for example, all of R 41 to R 44 may be identical. there is.

예를 들어, R23과 R24는 서로 동일하거나 다를 수 있고, 예를 들어, R23과 R24는 서로 동일할 수 있다. For example, R 23 and R 24 may be identical to or different from each other, and for example, R 23 and R 24 may be identical to each other.

예를 들어, R33과 R34는 서로 동일하거나 다를 수 있고, 예를 들어, R33과 R34는 서로 동일할 수 있다. For example, R 33 and R 34 may be identical to or different from each other, and for example, R 33 and R 34 may be identical to each other.

탄소수 1 이상 18 이하의 탄화수소기는, 특별히 제한되지 않지만, 직쇄 또는 분기된 알킬기, 직쇄 또는 분기된 알케닐기, 직쇄 또는 분기된 알키닐기 및 시클로알킬기 등을 들 수 있다. 한편, 탄화수소기가 알케닐 기 또는 알키닐 기일 경우, 탄화수소기는 2 이상 18 이하의 탄소수를 가진다. 마찬가지로, 탄화수소기가 시클로알킬 기일 경우, 탄화수소기는 3 이상 18 이하의 탄소수를 가진다. The hydrocarbon group having 1 to 18 carbon atoms is not particularly limited, and examples thereof include straight-chain or branched alkyl groups, straight-chain or branched alkenyl groups, straight-chain or branched alkynyl groups, and cycloalkyl groups. On the other hand, when the hydrocarbon group is an alkenyl group or an alkynyl group, the hydrocarbon group has 2 or more and 18 or less carbon atoms. Similarly, when the hydrocarbon group is a cycloalkyl group, the hydrocarbon group has 3 or more and 18 or less carbon atoms.

탄소수 1 이상 18 이하의 알킬기로는, 예를 들면, 메틸 기, 에틸 기, n-프로필 기, 이소프로필 기, n-부틸 기, 이소부틸 기, sec-부틸 기, tert-부틸 기, n-펜틸 기, 이소펜틸 기, tert-펜틸 기, 네오펜틸 기, 1,2- 디메틸 프로필 기, n-헥실 기, 이소헥실 기, 1,3-디메틸부틸 기, 1-이소프로필 프로필 기, 1,2-디메틸부틸 기, n-헵틸 기, 1,4- 디메틸 펜틸 기, 3-에틸 펜틸 기, 2-메틸-1-이소프로필 프로필 기, 1-에틸-3-메틸 부틸 기, n-옥틸 기, 2-에틸헥실 기, 3-메틸-1-이소프로필 부틸 기, 2-메틸-1-이소프로필 기, 1-tert-부틸-2-메틸 프로필 기, n-노닐 기, 3,5,5-트리메틸 헥실 기, n-데실 기, 이소 데실 기, n-운데실 기, 1-메틸데실 기, n-도데실 기, n-트리 데실 기, n-테트라 데실 기, n-펜타 데실 기, n-헥사 데실 기, n-헵타데실 기, n-옥타 데실 기 등을 들 수 있고, 이들에 제한되지 않는다. Examples of the alkyl group having 1 to 18 carbon atoms include methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, isobutyl group, sec-butyl group, tert-butyl group, n- pentyl group, isopentyl group, tert-pentyl group, neopentyl group, 1,2-dimethyl propyl group, n-hexyl group, isohexyl group, 1,3-dimethylbutyl group, 1-isopropyl propyl group, 1, 2-dimethylbutyl group, n-heptyl group, 1,4-dimethyl pentyl group, 3-ethyl pentyl group, 2-methyl-1-isopropyl propyl group, 1-ethyl-3-methyl butyl group, n-octyl group , 2-ethylhexyl group, 3-methyl-1-isopropyl butyl group, 2-methyl-1-isopropyl group, 1-tert-butyl-2-methyl propyl group, n-nonyl group, 3,5,5 -trimethyl hexyl group, n-decyl group, isodecyl group, n-undecyl group, 1-methyldecyl group, n-dodecyl group, n-tridecyl group, n-tetradecyl group, n-pentadecyl group, n-hexadecyl group, n-heptadecyl group, n-octadecyl group, and the like, but are not limited thereto.

탄소수 2 이상 18 이하의 알케닐 기로서는, 예를 들면, 비닐 기, 알릴 기, 1-프로페닐 기, 2-부테닐 기, 1,3-부타디에닐 기, 2-펜테닐 기, 이소프로페닐 기 등을 들 수 있고, 이들에 제한되지 않는다. Examples of the alkenyl group having 2 to 18 carbon atoms include a vinyl group, an allyl group, a 1-propenyl group, a 2-butenyl group, a 1,3-butadienyl group, a 2-pentenyl group, and an isopropanol group. phenyl groups and the like, but is not limited thereto.

탄소수 2 이상 18 이하의 알키닐 기로서는, 예를 들면, 에티닐 기, 프로파질 기 등을 들 수 있고, 이들에 제한되지 않는다. Examples of the alkynyl group having 2 to 18 carbon atoms include, but are not limited to, an ethynyl group and a propargyl group.

탄소수 3 이상 18 이하의 시클로알킬 기로서는, 예를 들면, 시클로프로필 기, 시클로부틸 기, 시클로펜틸 기, 시클로헥실 기 등을 들 수 있고, 이들에 제한되지 않는다. Examples of the cycloalkyl group having 3 to 18 carbon atoms include, but are not limited to, a cyclopropyl group, a cyclobutyl group, a cyclopentyl group, and a cyclohexyl group.

R11 내지 R14 의 최소한 2 개 및/또는 R41 내지 R44 의 최소한 2 개가 탄소수 1 이상 18 이하의 탄화수소기일 수 있고, 예를 들어, R11 내지 R14 의 최소한 3 개 및/또는 R41 내지 R44 의 최소한 3 개가 탄소수 1 이상 18 이하의 탄화수소기일 수 있으며, R11 내지 R14 의 모두 및 R41 내지 R44 의 모두가 탄소수 1 이상 18 이하의 탄화수소기일 수 있다. At least 2 of R 11 to R 14 and/or at least 2 of R 41 to R 44 may be a hydrocarbon group having 1 to 18 carbon atoms, for example, at least 3 of R 11 to R 14 and/or R 41 At least 3 of R 44 may be a hydrocarbon group having 1 to 18 carbon atoms, and all of R 11 to R 14 and all of R 41 to R 44 may be a hydrocarbon group having 1 to 18 carbon atoms.

이와 같이, 인데노 플루오렌 환에 존재하는 탄화수소기의 수를 증가시킴에 따라 정공주입 수송성이 향상되고, 이로 인해 내구성(소자수명)을 더욱 향상시킬 수 있다. As described above, as the number of hydrocarbon groups present in the indeno fluorene ring is increased, hole injection and transport properties are improved, and thus durability (device lifespan) can be further improved.

또, R11 내지 R14 또는 R41 내지 R44 로서의 탄화수소기는 탄소수 1 이상 18 이하의 직쇄 또는 탄소수 3 이상 18 이하의 분기된 알킬기일 수 있다. 예를 들어, R11 내지 R14 또는 R41 내지 R44 로서의 탄화수소기는 탄소수 3 이상 14 이하의 직쇄 또는 탄소수 3 이상 14 이하의 분기된 알킬기일 수 있다. In addition, the hydrocarbon group as R 11 to R 14 or R 41 to R 44 may be a straight-chain or branched alkyl group having 1 to 18 carbon atoms and 3 to 18 carbon atoms. For example, the hydrocarbon group as R 11 to R 14 or R 41 to R 44 may be a straight-chain or branched alkyl group having 3 to 14 carbon atoms and 3 to 14 carbon atoms.

특히, 고분자 화합물에 존재하는 구조단위 C가 1 종인 (고분자 화합물이 상기 화학식 1의 구조단위를 포함함) 경우, R11 내지 R14 로서의 탄화수소기는 탄소수 6 이상 12 이하의 직쇄 알킬기일 수 있고, 예컨대, 탄소수 7 이상 9 이하의 직쇄 알킬기일 수 있고, 예를 들어, n-옥틸 기일 수 있다. In particular, when the polymer compound has only one structural unit C (the polymer compound includes the structural unit of Chemical Formula 1), the hydrocarbon group as R 11 to R 14 may be a straight-chain alkyl group having 6 to 12 carbon atoms, such as , It may be a straight chain alkyl group having 7 to 9 carbon atoms, for example, an n-octyl group.

이와 같이, 인데노 플루오렌 환에 존재하는 탄화수소기의 탄소수가 상기 범위이면, 고분자 화합물을 포함하는 정공수송층과 양자점을 포함하는 발광층을 포함하는 양자점 일렉트로루미네선스 소자에서 정공수송층 중의 고분자 화합물의 인데노 플루오렌 환에 존재하는 탄화수소기와 발광층 중에 포함된 양자점이 보다 근접하게 존재한다 (탄화수소기와 양자점이 보다 밀접하게 상호작용한다). 따라서, 정공주입 수송성이 더욱 향상되고, 내구성(소자수명, 발광 수명)도 더욱 향상될 수 있다. As such, when the number of carbon atoms in the hydrocarbon group present in the indenofluorene ring is within the above range, it is a high molecular compound in the hole transport layer in a quantum dot electroluminescent device including a hole transport layer including a polymer compound and a light emitting layer including quantum dots. Hydrocarbon groups present in the no-fluorene ring and quantum dots included in the light emitting layer exist more closely (hydrocarbon groups and quantum dots interact more closely). Accordingly, the hole injection/transport property is further improved, and the durability (device lifetime, light emitting lifetime) can be further improved.

또, 고분자 화합물에 존재하는 구조단위 C가 2 종인 (고분자 화합물이 상기 화학식 1의 구조단위 및 상기 화학식 2의 구조위를 포함) 경우, 상기 화학식 1의 R11 내지 R14 및 상기 화학식 2의 R41 내지 R44의 조합은, 어느 하나는 탄소수가 적은 탄화수소기이며 다른 하나는 탄소수가 큰 탄화수소기일 수 있다. 일 실시예에서, 고분자 화합물은 상기 화학식 1로 표시되는 구조단위 및 상기 화학식 2로 표시되는 구조단위를 포함하고, 이 때, 상기 화학식 1의 R11 내지 R14는 탄소수 1 이상 9 이하의 탄화수소기를 나타내고, 상기 화학식 2의 R41 내지 R44 는 탄소수 10 이상 18 이하의 탄화수소기를 나타낼 수 있다. In addition, when two types of structural units C exist in the polymer compound (the polymer compound includes the structural unit of Formula 1 and the structural unit of Formula 2), R 11 to R 14 of Formula 1 and R of Formula 2 above In the combination of 41 to R 44 , one may be a hydrocarbon group having a low carbon number and the other a hydrocarbon group having a large carbon number. In one embodiment, the polymer compound includes a structural unit represented by Formula 1 and a structural unit represented by Formula 2, wherein R 11 to R 14 in Formula 1 are hydrocarbon groups having 1 to 9 carbon atoms. and R 41 to R 44 in Formula 2 may represent a hydrocarbon group having 10 or more and 18 or less carbon atoms.

일 실시예서, 상기 고분자 화합물은 상기 화학식 1로 표시되는 구조단위 및 상기 화학식 2로 표시되는 구조단위를 포함하고, 이 때, 상기 화학식 1의 R11 내지 R14는, 각각 독립적으로, 탄소수 3 이상 9 이하의 탄화수소기일 수 있고, 상기 화학식 2의 R41 내지 R44 는, 각각 독립적으로, 탄소수 10 이상 14 이하의 탄화수소기를 나타낼 수 있다. In one embodiment, the polymer compound includes a structural unit represented by Chemical Formula 1 and a structural unit represented by Chemical Formula 2, wherein R 11 to R 14 in Chemical Formula 1 each independently have 3 or more carbon atoms. It may be a hydrocarbon group having 9 or less carbon atoms, and R 41 to R 44 in Formula 2 may each independently represent a hydrocarbon group having 10 to 14 carbon atoms.

또 다른 일 실시예에서, 상기 고분자 화합물은 상기 화학식 1로 표시되는 구조단위 및 상기 화학식 2로 표시되는 구조단위를 포함하고, 이 때, 상기 화학식 1의 R11 내지 R14는, 각각 독립적으로, 탄소수 5 이상 7 이하의 직쇄 또는 분기된 알킬기를 나타내고, 상기 화학식 2의 R41 내지 R44 는, 각각 독립적으로, 탄소수 11 이상 13 이하의 직쇄 또는 분기된 알킬기를 나타낸다. In another embodiment, the polymer compound includes a structural unit represented by Formula 1 and a structural unit represented by Formula 2, wherein R 11 to R 14 in Formula 1 are each independently represents a straight-chain or branched alkyl group having 5 or more and 7 or less carbon atoms, and R 41 to R 44 in the formula (2) each independently represent a straight-chain or branched alkyl group having 11 or more and 13 or less carbon atoms.

또 다른 일 실시예에서, 상기 고분자 화합물은 상기 화학식 1로 표시되는 구조단위 및 상기 화학식 2로 표시되는 구조단위를 포함하고, 이 때, 상기 화학식 1의 R11 내지 R14는 n-헥실 기를 나타내고, 상기 화학식 2의 R41 내지 R44 는, n-도데실 기를 나타낸다. In another embodiment, the polymer compound includes a structural unit represented by Chemical Formula 1 and a structural unit represented by Chemical Formula 2, wherein R 11 to R 14 in Chemical Formula 1 represent an n-hexyl group, and , R 41 to R 44 in Formula 2 represent an n-dodecyl group.

한편, 상기 실시예들에서, R11 내지 R14는 같거나 다를 수도 있지만, 예를 들어, 모두 동일할 수 있다. 마찬가지로, R41 내지 R44 도 서로 같은 것거나 다를 수 있지만, 예를 들어, 모두 동일할 수 있다. 즉, 일 실시예에서, R11 내지 R14는 모두 동일하고, 또한 R41 내지 R44도 모두 동일할 수 있다. Meanwhile, in the above embodiments, R 11 to R 14 may be the same or different, but, for example, may be all the same. Similarly, R 41 to R 44 may be the same as or different from each other, but, for example, they may all be the same. That is, in one embodiment, R 11 to R 14 are all the same, and also R 41 to R 44 may be all the same.

고분자 화합물에 존재하는 2 종의 구조단위 C 중 R11 내지 R14 및 R41 내지 R44 를 상기한 바와 같이 조합함으로써, 정공주입 수송성, 그리하여 내구성과 제막 특성, 예를 들어, 유리 전이온도를 적절한 밸런스로 조절할 수 있다. By combining R 11 to R 14 and R 41 to R 44 of the two structural units C present in the polymer compound as described above, appropriate hole injection and transport properties, and thus durability and film forming properties, for example, glass transition temperature, can be adjusted. You can adjust the balance.

또, R21, R22, R31, R32, R23, R24, R33 및 R34는, 각각 독립적으로, 수소 원자(무치환) 또는 탄소수 1 이상 8 이하의 직쇄 또는 탄소수 3 이상 8 이하가 분기된 알킬기일 수 있고, 예를 들어, 수소 원자(무치환) 또는 탄소수 3 이상 6 이하의 직쇄 알킬기일 수 있고, 예를 들어, 수소 원자(무치환)일 수 있다. Further, R 21 , R 22 , R 31 , R 32 , R 23 , R 24 , R 33 and R 34 are each independently a hydrogen atom (unsubstituted) or a straight chain having 1 to 8 carbon atoms or 3 to 8 carbon atoms. The following may be a branched alkyl group, for example, a hydrogen atom (unsubstituted) or a straight-chain alkyl group having 3 or more and 6 or less carbon atoms, for example, a hydrogen atom (unsubstituted).

상기 화학식 1에서, L1은 치환 또는 비치환의 환형성 원자수 6 이상 25 이하의 방향족 탄화수소기, 또는 치환 또는 비치환의 환형성 원자수 5 이상 14 이하의 방향족헤테로사이클릭환기를 나타낸다. In Formula 1, L 1 represents a substituted or unsubstituted aromatic hydrocarbon group having 6 to 25 ring atoms or a substituted or unsubstituted aromatic heterocyclic group having 5 to 14 ring atoms.

상기 화학식 2에서, L3은 치환 또는 비치환의 환 성 원자수 6 이상 25 이하의 방향족 탄화수소기, 또는 치환 또는 비치환의 환형성 원자수 5 이상 14 이하의 방향족헤테로사이클릭환기를 나타낸다. In Formula 2, L 3 represents a substituted or unsubstituted aromatic hydrocarbon group having 6 to 25 ring atoms or a substituted or unsubstituted aromatic heterocyclic group having 5 to 14 ring atoms.

고분자 화합물이 상기 화학식 1의 구조단위 및 상기 화학식 2의 구조단위를 포함할 경우, 상기 화학식 1의 L1 및 상기 화학식 2의 L3은 서로 동일하거나 다를 수 있고, 예를 들어, 서로 동일할 수 있다. When the polymer compound includes the structural unit of Formula 1 and the structural unit of Formula 2, L 1 of Formula 1 and L 3 of Formula 2 may be the same as or different from each other, for example, may be the same as each other. there is.

여기서, 방향족 탄화수소 기로는, 벤젠(페닐렌 기), 펜탈렌, 인덴, 나프탈렌, 안트라센, 아즐렌, 아세나프텐, 페날렌, 플루오렌, 페난트린, 비페닐, 터(테르)페닐, 쿼터페닐, 파이렌, 9,9-디페닐 플루오렌, 9,9'-스피로비[플루오렌], 9,9-디알킬 플루오렌 등의 방향족 탄화수소 유래의 기 등을 들 수 있다. Here, the aromatic hydrocarbon group includes benzene (phenylene group), pentalene, indene, naphthalene, anthracene, azylene, acenaphthene, phenalene, fluorene, phenanthrin, biphenyl, ter (ter) phenyl, quarterphenyl, pi and groups derived from aromatic hydrocarbons such as ene, 9,9-diphenyl fluorene, 9,9'-spirobi[fluorene], and 9,9-dialkyl fluorene.

또, 방향족헤테로사이클릭환 기로서는, 피리딘, 피라진, 피리다진, 피리미딘, 트리아딘, 퀴놀린, 이소퀴놀린, 퀴녹살린, 퀴나졸린, 나트틸리딘, 아크리딘, 페나진, 벤조 퀴놀린, 벤조 이소퀴놀린, 페난트리딘, 페난트롤린, 벤조퀴논, 쿠마린, 플루오레논, 퓨란, 티오펜, 벤조 퓨란, 벤조티오펜, 디벤조퓨란, 디 벤조티오펜, 피롤, 인돌, 카르바졸, 이미다졸, 벤즈이미다졸, 피라졸, 인다졸, 옥사졸, 이소 옥사졸, 벤조 옥사졸, 벤조이속사졸, 티아졸, 이소 티아졸, 벤조 티아졸, 벤조이소티아졸, 이미다졸리논, 벤즈이미다졸리논, 이미다조피리딘, 이미다조 피리미딘, 아자디벤조퓨란, 아자카르바졸, 아자디벤조티오펜, 디아자디벤조퓨란, 디아자카르바졸, 디아자디벤조티오펜, 크산톤, 티옥산톤 등의 헤테로사이클릭환식 방향족 화합물 유래의 기를 들 수 있다. In addition, as an aromatic heterocyclic ring group, pyridine, pyrazine, pyridazine, pyrimidine, triadine, quinoline, isoquinoline, quinoxaline, quinazoline, nathylidine, acridine, phenazine, benzoquinoline, benzoiso Quinoline, phenanthridine, phenanthroline, benzoquinone, coumarin, fluorenone, furan, thiophene, benzofuran, benzothiophene, dibenzofuran, dibenzothiophene, pyrrole, indole, carbazole, imidazole, benz Imidazole, pyrazole, indazole, oxazole, isoxazole, benzoxazole, benzoisoxazole, thiazole, isothiazole, benzothiazole, benzoisothiazole, imidazolinone, benzimidazolinone , imidazopyridine, imidazo pyrimidine, azadibenzofuran, azacarbazole, azadibenzothiophene, diazadibenzofuran, diazacarbazole, diazadibenzothiophene, xanthone, thioxanthone, etc. and groups derived from cyclic aromatic compounds.

이들 중에서, L1 및 L3은, 각각 독립적으로, 벤젠, 플루오렌, 디벤조퓨란, 디벤조티오펜, 또는 비페닐로부터 선택되는 화합물 유래의 기일 수 있다. 예를 들어, L1 및 L3은, 각각 독립적으로, 벤젠(o, m, p-페닐렌 기), 디벤조퓨란, 또는 플루오렌으로부터 선택되는 화합물 유래의 2 가의 기일 수 있다. Among these, L 1 and L 3 may each independently be a group derived from a compound selected from benzene, fluorene, dibenzofuran, dibenzothiophene, or biphenyl. For example, L 1 and L 3 may each independently be a divalent group derived from a compound selected from benzene (o, m, p-phenylene group), dibenzofuran, or fluorene.

L1 및 L3은, 각각 독립적으로, 페닐렌 기일 수 있고, 예를 들어, m-페닐렌 기, p-페닐렌 기일 수 있고, 예를 들어, p-페닐렌 기일 수 있다. 이러한 L1 또는 L3이라면, 보다 높은 결합해리 에너지를 달성할 수 있다. 또한, 보다 높은 정공주입 수송성 및 삼중항 에너지 준위, 및 보다 낮은 구동 전압화, 그리고 제막성의 관점, 및 이들 중 어느 2 종 이상의 밸런스 (특히, 정공주입 수송성과 제막성과의 밸런스)를 달성할 수 있다. L 1 and L 3 may each independently be a phenylene group, for example, an m-phenylene group or a p-phenylene group, for example, a p-phenylene group. If it is such L 1 or L 3 , a higher bond dissociation energy can be achieved. In addition, a higher hole injection transport property and a triplet energy level, a lower drive voltage, and a viewpoint of film forming property, and a balance of any two or more of these (particularly, a balance between hole injection transport property and film forming property) can be achieved. .

한편, 실시예에서, L1 또는 L3은, 각각, 무치환이거나, 또는 어느 하나의 수소 원자가 치환기로 치환되어도 된다. On the other hand, in Examples, L 1 or L 3 may each be unsubstituted, or any one of the hydrogen atoms may be substituted with a substituent.

여기서, L1 또는 L3 중 어느 하나의 수소 원자가 치환될 경우의 치환기의 도입수는 특별히 제한되지 않지만, 예를 들어, 1 이상 3 이하이며, 예를 들어, 1 이상 2 이하이며, 예를 들어, 1 일 수 있다. Here, the number of introduced substituents when any one hydrogen atom of L 1 or L 3 is substituted is not particularly limited, but is, for example, 1 or more and 3 or less, for example, 1 or more and 2 or less, for example , can be 1.

일 실시예예서, L1 및 L3은 비치환일 수 있다. In one embodiment, L 1 and L 3 may be unsubstituted.

또 다른 일 실시예에서, L1 또는 L3은 1 개의 치환기를 가질 수 있다. In another embodiment, L 1 or L 3 may have one substituent.

L1 또는 L3 이 치환기를 가질 경우, 치환기의 결합 위치는 특별히 제한되지 않는다. When L 1 or L 3 has a substituent, the binding position of the substituent is not particularly limited.

치환기는, 예를 들어, L1 또는 L3 이 연결된 주사슬의 질소 원자에 대하여 가능한 먼 위치에 존재할 수 있다. 예를 들면, L1 또는 L3 이 p-페닐렌 기일 경우, 치환기는 주사슬의 질소 원자에 연결된 결합손에 대해 메타 위치에 배치될 수 있다. 이러한 위치에 치환기가 존재함으로써 보다 높은 결합해리 에너지를 달성할 수 있다. 또한, 보다 높은 정공주입 수송성 및 삼중항 에너지 준위, 보다 낮은 구동전압화 및 제막성의 관점, 및 이들 중 어느 2 종 이상의 밸런스(특히, 정공주입 수송성과 제막성의 밸런스)를 달성할 수 있다. The substituent may be present at a position as far as possible from the nitrogen atom of the main chain to which L 1 or L 3 is connected, for example. For example, when L 1 or L 3 is a p-phenylene group, the substituent may be positioned meta to the bond connected to the nitrogen atom of the main chain. A higher bond dissociation energy can be achieved by the presence of a substituent at such a position. In addition, higher hole injection and transport properties and triplet energy levels, lower driving voltage and film forming properties, and a balance of any two or more of these (particularly, a balance between hole injection and transport properties and film forming properties) can be achieved.

또, L1 또는 L3 중 어느 하나의 수소 원자가 치환될 경우, 존재할 수 있는 치환기는, 특별히 한정되지 않고, 알킬기, 시클로알킬 기, 히드록시 알킬기, 알콕시알킬 기, 알콕시기, 사이클로 알콕시기, 알케닐 기, 알키닐 기, 아미노 기, 아릴기, 아릴 옥시 기, 알킬 티오 기, 시클로알킬티오 기, 아릴 티오 기, 알콕시 카르보닐기, 아릴 옥시카르보닐 기, 히드록시 기(-OH), 카르복시 기(-COOH), 티올 기(-SH), 시아노 기(-CN) 등을 들 수 있다. In addition, when any hydrogen atom of L 1 or L 3 is substituted, the substituent that may be present is not particularly limited, and an alkyl group, a cycloalkyl group, a hydroxyalkyl group, an alkoxyalkyl group, an alkoxy group, a cycloalkoxy group, an A kenyl group, an alkynyl group, an amino group, an aryl group, an aryloxy group, an alkylthio group, a cycloalkylthio group, an arylthio group, an alkoxy carbonyl group, an aryloxycarbonyl group, a hydroxy group (-OH), a carboxy group ( -COOH), a thiol group (-SH), a cyano group (-CN), and the like.

여기서, 알킬기로서는, 직쇄 또는 분기의 어느 것이라도 좋지만, 예를 들어, 탄소수 1 이상 18 이하의 직쇄 또는 탄소수 3 이상 18 이하가 분기된 알킬기를 들 수 있다. Here, the alkyl group may be either straight-chain or branched, but examples thereof include a straight-chain chain having 1 to 18 carbon atoms or a branched alkyl group having 3 to 18 carbon atoms.

예를 들면, 메틸 기, 에틸 기, n-프로필 기, 이소프로필 기, n-부틸 기, 이소부틸 기, sec-부틸 기, tert-부틸 기, n-펜틸 기, 이소펜틸 기, tert-펜틸 기, 네오펜틸 기, 1,2- 디메틸 프로필 기, n-헥실 기, 이소헥실 기, 1,3-디메틸부틸 기, 1-이소프로필 프로필 기, 1,2-디메틸부틸 기, n-헵틸 기, 1,4- 디메틸 펜틸 기, 3-에틸 펜틸 기, 2-메틸-1-이소프로필 프로필 기, 1-에틸-3-메틸 부틸 기, n-옥틸 기, 2-에틸헥실 기, 3-메틸-1-이소프로필 부틸 기, 2-메틸-1-이소프로필 기, 1-tert-부틸-2-메틸 프로필 기, n-노닐 기, 3,5,5-트리메틸 헥실 기, n-데실 기, 이소 데실 기, n-운데실 기, 1-메틸데실 기, n-도데실 기, n-트리 데실 기, n-테트라 데실 기, n-펜타 데실 기, n-헥사 데실 기, n-헵타데실 기, n-옥타 데실 기 등을 들 수 있다. For example, methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, isobutyl group, sec-butyl group, tert-butyl group, n-pentyl group, isopentyl group, tert-pentyl group, neopentyl group, 1,2-dimethyl propyl group, n-hexyl group, isohexyl group, 1,3-dimethylbutyl group, 1-isopropyl propyl group, 1,2-dimethylbutyl group, n-heptyl group , 1,4-dimethyl pentyl group, 3-ethyl pentyl group, 2-methyl-1-isopropyl propyl group, 1-ethyl-3-methyl butyl group, n-octyl group, 2-ethylhexyl group, 3-methyl -1-isopropyl butyl group, 2-methyl-1-isopropyl group, 1-tert-butyl-2-methyl propyl group, n-nonyl group, 3,5,5-trimethyl hexyl group, n-decyl group, Isodecyl group, n-undecyl group, 1-methyldecyl group, n-dodecyl group, n-tridecyl group, n-tetradecyl group, n-pentadecyl group, n-hexadecyl group, n-heptadecyl group group, n-octadecyl group, etc. are mentioned.

시클로알킬 기로서는, 예를 들면, 시클로프로필 기, 시클로부틸 기, 시클로펜틸 기, 시클로헥실 기등을 들 수 있다. As a cycloalkyl group, a cyclopropyl group, a cyclobutyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group etc. are mentioned, for example.

히드록시 알킬기로서는, 예를 들면, 상기 알킬기가 1 이상 3 이하, 예컨대, 1 이상 2 이하, 예를 들어, 하나의 히드록시 기로 치환될 수 있다 (예를 들면, 하이드록시메틸 기, 히드록시에틸 기 등). As a hydroxyalkyl group, for example, the alkyl group may be substituted with 1 or more and 3 or less, such as 1 or more and 2 or less, for example, one hydroxy group (e.g., a hydroxymethyl group, hydroxyethyl group, etc.).

알콕시알킬 기로서는, 예를 들면, 상기 알킬기가 1 이상 3 이하 예컨대, 1 이상 2 이하, 예를 들어, 하나의 하기 알콕시기에서 치환될 수 있다. As an alkoxyalkyl group, for example, the above alkyl group may be substituted at 1 or more and 3 or less, such as 1 or more and 2 or less, for example, in one of the following alkoxy groups.

예를 들어, 알콕시기로서는, 메톡시 기, 에톡시 기, 프로폭시 기, 이소프로폭시 기, 부톡시 기, 펜틸 옥시 기, 헥실옥시 기, 헵틸옥시 기, 옥틸옥시 기, 노닐옥시 기, 데실옥시 기, 운데실옥시 기, 도데실옥시 기, 트리데실옥시기, 테트라데실옥시기, 펜타데실옥시기, 헥사데실옥시기, 헵타데실옥시기, 옥타데실옥시기, 2-에틸헥실옥시기, 3-에틸펜틸옥시기 등을 들 수 있다. For example, as an alkoxy group, a methoxy group, an ethoxy group, a propoxy group, an isopropoxy group, a butoxy group, a pentyloxy group, a hexyloxy group, a heptyloxy group, an octyloxy group, a nonyloxy group, Decyloxy group, undecyloxy group, dodecyloxy group, tridecyloxy group, tetradecyloxy group, pentadecyloxy group, hexadecyloxy group, heptadecyloxy group, octadecyloxy group, 2-ethylhexyloxy group period, 3-ethylpentyloxy group, etc. are mentioned.

사이클로 알콕시기로서는, 예를 들면, 시클로프로필 기, 시클로부틸 기, 시클로펜틸 기, 시클로헥실 기 등을 들 수 있다. As a cycloalkoxy group, a cyclopropyl group, a cyclobutyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group etc. are mentioned, for example.

알케닐 기로서는, 예를 들면, 비닐 기, 알릴 기, 1-프로페닐 기, 이소프로페닐 기, 1-부테닐 기, 2-부테닐 기, 3-부테닐 기, 1-펜테닐 기, 2-펜테닐 기, 3-펜테닐 기, 1-헥세닐 기, 2-헥세닐 기, 3-헥세닐 기, 1-헵테닐 기, 2-헵테닐 기, 5-헵테닐 기, 1-옥테닐 기, 3-옥테닐 기, 5-옥테닐 기 등을 들 수 있다. Examples of the alkenyl group include a vinyl group, an allyl group, a 1-propenyl group, an isopropenyl group, a 1-butenyl group, a 2-butenyl group, a 3-butenyl group, a 1-pentenyl group, 2-pentenyl group, 3-pentenyl group, 1-hexenyl group, 2-hexenyl group, 3-hexenyl group, 1-heptenyl group, 2-heptenyl group, 5-heptenyl group, 1- an octenyl group, 3-octenyl group, 5-octenyl group and the like.

알키닐 기로서는, 예를 들면, 에티닐 기, 1-프로피닐 기, 프로파르길 기, 1-부티닐 기, 2-부티닐 기, 3-부티닐 기, 1-펜티닐 기, 2-펜티닐 기, 3-펜티닐 기, 1-헥시닐 기, 2-헥시닐 기, 3-헥시닐 기, 1-헵티닐 기, 2-헵티닐 기, 5-헵티닐 기, 1-옥틴닐 기, 3-옥틴닐 기, 5-옥틴닐 기 등을 들 수 있다. Examples of the alkynyl group include ethynyl group, 1-propynyl group, propargyl group, 1-butynyl group, 2-butynyl group, 3-butynyl group, 1-pentynyl group, 2- Pentynyl group, 3-pentynyl group, 1-hexynyl group, 2-hexynyl group, 3-hexynyl group, 1-heptynyl group, 2-heptynyl group, 5-heptynyl group, 1-octynyl group, 3-octinyl group, 5-octinyl group and the like.

아릴기로서는, 예를 들면, 페닐 기, 나프틸기, 비페닐 기, 플루오레닐 기, 안트릴 기, 피렌닐 기, 아즈레닐 기, 아세나프틸레닐 기, 터페닐 기, 페난트릴기 등을 들 수 있다. Examples of the aryl group include a phenyl group, a naphthyl group, a biphenyl group, a fluorenyl group, an anthryl group, a pyrenyl group, an azrenyl group, an acenaphthylenyl group, a terphenyl group, a phenanthryl group, and the like. can be heard

아릴 옥시 기로서는, 예를 들면, 페녹시 기, 나프틸 옥시 기 등을 들 수 있다. As an aryloxy group, a phenoxy group, a naphthyloxy group, etc. are mentioned, for example.

알킬 티오 기로서는, 예를 들면, 메틸 티오 기, 에틸 티오 기, 프로필 티오 기, 펜틸 티오 기, 헥실 티오 기, 옥틸 티오 기, 도데실 티오 기 등을 들 수 있다. Examples of the alkylthio group include methylthio group, ethylthio group, propylthio group, pentylthio group, hexylthio group, octylthio group, and dodecylthio group.

시클로알킬 티오 기로서는, 예를 들면, 시클로펜틸 티오 기, 시클로헥실 티오 기 등을 들 수 있다. As a cycloalkyl thio group, a cyclopentyl thio group, a cyclohexyl thio group, etc. are mentioned, for example.

아릴 티오 기로서는, 예를 들면, 페닐 티오 기, 나프틸 티오 기 등을 들 수 있다. As an arylthio group, a phenylthio group, a naphthylthio group, etc. are mentioned, for example.

알콕시 카르보닐기로서는, 예를 들면, 메틸옥시 카르보닐기, 에틸 옥시카르보닐 기, 부틸 옥시카르보닐 기, 옥틸 옥시카르보닐 기, 도데실 옥시카르보닐 기 등을 들 수 있다. Examples of the alkoxycarbonyl group include a methyloxycarbonyl group, an ethyloxycarbonyl group, a butyloxycarbonyl group, an octyloxycarbonyl group, and a dodecyloxycarbonyl group.

아릴 옥시카르보닐 기로서는, 예를 들면, 페닐옥시 카르보닐기, 나프틸 옥시카르보닐 기 등을 들 수 있다. As an aryloxycarbonyl group, a phenyloxycarbonyl group, a naphthyloxycarbonyl group, etc. are mentioned, for example.

이들 중에서, L1 또는 L3 중 어느 하나의 수소 원자가 치환될 경우, 존재할 수 있는 치환기는, 탄소수 1 이상 8 이하의 직쇄 또는 분기된 알킬기일 수 있고, 예를 들어, 탄소수 1 이상 3 이하의 직쇄 또는 분기된 알킬기일 수 있고, 예를 들어, 메틸 기일 수 있다. Among these, when any one hydrogen atom of L 1 or L 3 is substituted, the substituent that may be present may be a straight chain or branched alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, for example, a straight chain having 1 to 3 carbon atoms. or a branched alkyl group, for example, a methyl group.

상기한 것 중, L1 및 L3은, 각각 독립적으로, 하기 군으로부터 선택되는 2 가의 기일 수 있다. Among the above, L 1 and L 3 may each independently be a divalent group selected from the following groups.

즉, 일 실시예에서, 상기 화학식 1 중 x는 1 또는 2 (예를 들어, 1)이며, L1은, 각각 독립적으로, 하기 군으로부터 선택되는 2가의 기일 수 있다. That is, in one embodiment, x in Chemical Formula 1 is 1 or 2 (eg, 1), and L 1 may each independently be a divalent group selected from the following groups.

일 실시예에서, 상기 화학식 2의 y는 1 또는 2 (예를 들어, 1)이며, L3은, 각각 독립적으로, 하기 군으로부터 선택되는 2 가의 기일 수 있다. In one embodiment, y in Formula 2 is 1 or 2 (eg, 1), and L 3 , each independently, may be a divalent group selected from the following groups.

한편, 하기 구조에 있어서, R111 내지 R125는, 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 탄소수 1 이상 18이하의 직쇄 또는 탄소수 3 이상 18 이하의 분기된 탄화수소기를 나타낸다 (예를 들어, R111 내지 R125는 수소 원자 또는 메틸기일 수 있고, 예를 들어, R111 내지 R125는 수소 원자일 수 있다). Meanwhile, in the following structures, R 111 to R 125 each independently represent a hydrogen atom or a straight-chain or branched hydrocarbon group having 1 to 18 carbon atoms or 3 to 18 carbon atoms (for example, R 111 to R 125 May be a hydrogen atom or a methyl group, for example, R 111 to R 125 may be a hydrogen atom).

Figure pat00008
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상기 화학식 1에서, x는 0, 1 또는 2 일 수 있다. In Chemical Formula 1, x may be 0, 1 or 2.

한편, x가 2일 경우, L1은 각각 동일하거나 다를 수 있다. Meanwhile, when x is 2, L 1 may be the same or different.

또, x가 0일 경우, L1은 단일결합이며, 주사슬의 질소 원자가 L2와 직접 결합한다. In addition, when x is 0, L 1 is a single bond, and the nitrogen atom of the main chain is directly bonded to L 2 .

일 구현예에 따른 효과를 더욱 향상시키는 관점에서, x는 0 또는 1일 수 있고, 예를 들어, x는 1일일 수 있다. From the viewpoint of further enhancing the effect according to one embodiment, x may be 0 or 1, for example, x may be 1 day.

상기 화학식 2에서, y는 0, 1 또는 2일 수 있다. In Formula 2, y may be 0, 1 or 2.

한편, y가 2일 경우, L3은 각각 동일하거나 다를 수 있다. Meanwhile, when y is 2, L 3 may be the same or different.

또한, y가 0일 경우, L3은 단일결합이며, 주사슬의 질소원자가 L4와 직접 결합한다. In addition, when y is 0, L 3 is a single bond, and the nitrogen atom of the main chain is directly bonded to L 4 .

일 구현예에 따른 효과를 더욱 향상시키는 관점에서, y는 0 또는 1일 수 있고, 예컨대, 1일 수 있다. From the viewpoint of further enhancing the effect according to one embodiment, y may be 0 or 1, for example, 1.

상기 화학식 1의 x 및 상기 화학식 2의 y는, 동일하거나 다를 수 있지만, 예를 들어, 동일할 수 있다. x in Formula 1 and y in Formula 2 may be the same or different, but, for example, may be the same.

상기 화학식 1에서, L2는 치환 또는 비치환의 탄소수 6 이상 25 이하의 2 가 또는 3 가의 방향족 탄화수소기, 또는 치환 또는 비치환의 환형성 원자수 5 이상 14 이하의 2 가 또는 3 가의 방향족헤테로사이클릭환기를 나타낸다. 이 때, L2 는 Ar1과 환을 형성할 수 있다. In Formula 1, L 2 is a substituted or unsubstituted divalent or trivalent aromatic hydrocarbon group having 6 to 25 carbon atoms, or a substituted or unsubstituted divalent or trivalent aromatic heterocyclic group having 5 to 14 ring atoms. indicates ventilation. At this time, L 2 may form a ring with Ar 1 .

한편, L2가 Ar1과 환을 형성할 경우, L2 는 3 가의 기이다. L2가 Ar1과 환을 형성하지 않을 경우, L2는 2 가의 기이다. On the other hand, when L 2 forms a ring with Ar 1 , L 2 is a trivalent group. When L 2 does not form a ring with Ar 1 , L 2 is a divalent group.

상기 화학식 2에서, L4는 치환 또는 비치환의 탄소수 6 이상 25 이하의 2 가 또는 3 가의 방향족 탄화수소기, 또는 치환 또는 비치환의 환형성 원자수 5 이상 14 이하의 2 가 또는 3 가의 방향족헤테로사이클릭환기를 나타낸다. 이때, L4는 Ar3 와 환을 형성할 수 있다. In Formula 2, L 4 is a substituted or unsubstituted divalent or trivalent aromatic hydrocarbon group having 6 to 25 carbon atoms, or a substituted or unsubstituted divalent or trivalent aromatic heterocyclic group having 5 to 14 ring atoms. indicates ventilation. At this time, L 4 may form a ring with Ar 3 .

한편, L4가 Ar3 와 환을 형성할 경우, L4는 3 가의 기이다. L4 가 Ar3과 환을 형성하지 않을 경우, L4는 2 가의 기이다. On the other hand, when L 4 forms a ring with Ar 3 , L 4 is a trivalent group. When L 4 does not form a ring with Ar 3 , L 4 is a divalent group.

고분자 화합물이 상기 화학식 1의 구조단위 및 상기 화학식 2의 구조단위를 포함할 경우, 상기 화학식 1의 L2 및 상기 화학식 2의 L4는 서로 동일하거나 다를 수 있고, 예를 들어, 서로 동일할 수 있다. When the polymer compound includes the structural unit of Formula 1 and the structural unit of Formula 2, L 2 of Formula 1 and L 4 of Formula 2 may be the same as or different from each other, for example, may be the same as each other. there is.

여기서, L2 또는 L4로서의 방향족 탄화수소 기 및 방향족헤테로사이클릭환 기는, 특별히 제한되지 않는다. Here, the aromatic hydrocarbon group and aromatic heterocyclic ring group as L 2 or L 4 are not particularly limited.

L2 가 Ar1과 환을 형성하지 않을 경우, 또는 L4가 Ar3와 환을 형성하지 않을 경우, 상기 L1 및 L3에서 규정한 환형성 원자수 6 이상 25 이하의 방향족 탄화수소 유래의 2 가의 기를 예시할 수 있다. When L 2 does not form a ring with Ar 1 , or when L 4 does not form a ring with Ar 3 , 2 derived from an aromatic hydrocarbon having 6 or more and 25 or less ring atoms defined in L 1 and L 3 above A group can be exemplified.

마찬가지로, 상기 경우에, L2 또는 L4로서의 방향족헤테로사이클릭환 기는, 특별히 제한되지 않지만, 상기 L1 및 L3에서 규정한 헤테로사이클릭환식 방향족 화합물유래의 2 가의 기를 예시할 수 있다. Similarly, in the above case, the aromatic heterocyclic ring group as L 2 or L 4 is not particularly limited, but divalent groups derived from heterocyclic aromatic compounds defined for L 1 and L 3 can be exemplified.

또, L2가 Ar1과 환을 형성하거나, 또는 L4가 Ar3과 환을 형성할 경우, 상기 L1 및 L3에서 규정한 환형성 원자수 6 이상 25 이하의 방향족 탄화수소 유래의 2 가의 기를 3 가의 기로 변환해서 예시할 수 있다. Further, when L 2 forms a ring with Ar 1 or L 4 forms a ring with Ar 3 , a divalent aromatic hydrocarbon derived from an aromatic hydrocarbon having 6 or more and 25 or less ring atoms defined for L 1 and L 3 above. A group can be converted into a trivalent group and illustrated.

마찬가지로, 상기 경우에, L2 또는 L4로서의 방향족헤테로사이클릭환 기는, 특별히 제한되지 않지만, 상기 L1 및 L3에서 규정한 헤테로사이클릭환식 방향족 화합물 유래의 2 가의 기를 3 가의 기로 변환해서 예시할 수 있다. Similarly, in the above case, the aromatic heterocyclic ring group as L 2 or L 4 is not particularly limited, but exemplified by converting the divalent group derived from the heterocyclic aromatic compound defined for L 1 and L 3 into a trivalent group can do.

이들 중에서, L2 및 L4 는, 각각 독립적으로, 벤젠, 플루오렌, 디벤조퓨란, 디벤조티오펜, 또는 비페닐로부터 선택되는 화합물 유래의 2 가 또는 3 가의 기일 수 있다. 예를 들어, L2 및 L4는, 각각 독립적으로, 벤젠, 플루오렌, 디벤조퓨란으로부터 선택되는 화합물 유래의 기, 예를 들어, o, m, p-페닐렌 기, 또는 3 가의 기, 예를 들면, 1,3,4-페닐리렌기일 수 있다. 예컨대, L2 및 L4는, 각각 독립적으로, 벤젠 유래의 2 가 (페닐렌 기) (특히, p-페닐렌 기) 또는 3 가의 기 (특히, 1,3,4-페닐리렌기)일 수 있다. Among these, L 2 and L 4 may each independently be a divalent or trivalent group derived from a compound selected from benzene, fluorene, dibenzofuran, dibenzothiophene, or biphenyl. For example, L 2 and L 4 are each independently a group derived from a compound selected from benzene, fluorene, and dibenzofuran, for example, an o, m, p-phenylene group, or a trivalent group; For example, it may be a 1,3,4-phenylylene group. For example, L 2 and L 4 are each independently a divalent (phenylene group) derived from benzene (particularly, a p-phenylene group) or a trivalent group (particularly, a 1,3,4-phenylylene group). can

이러한 L2 또는 L4 라면, 보다 높은 결합해리 에너지를 달성할 수 있다. If it is such L 2 or L 4 , a higher bond dissociation energy can be achieved.

또한, 보다 높은 정공주입 수송성 및 삼중항 에너지 준위, 및 보다 낮은 구동전압화 및 제막성의 관점, 및 이들 중 어떤 것이라도 2 종 이상의 밸런스(특히, 정공주입 수송성과 제막성과의 밸런스)를 달성할 수 있다. In addition, a higher hole injection transport property and triplet energy level, and a lower drive voltage and film forming property, and any of these can achieve a balance of two or more types (particularly, a balance between hole injection and transport property and film forming property). there is.

한편, 일 실시예에서, L2 또는 L4는 무치환이거나, 또는 어느 하나의 수소 원자가 치환기로 치환되어도 된다. 또, L2 또는 L4 중 어느 하나의 수소 원자가 치환될 경우, 존재할 수 있는 치환기는 특별히 한정되지 않고, 상기 L1 및 L3 에서와 같은 예시를 적용할 수 있다. 예를 들어, L2 또는 L4는 무치환일 수 있다. Meanwhile, in one embodiment, L 2 or L 4 may be unsubstituted, or any one hydrogen atom may be substituted with a substituent. In addition, when any one hydrogen atom of L 2 or L 4 is substituted, substituents that may exist are not particularly limited, and the same examples as in L 1 and L 3 can be applied. For example, L 2 or L 4 may be unsubstituted.

상기 화학식 1에서, Ar1은 치환 또는 비치환의 환형성 원자수 6 이상 25 이하의 방향족 탄화수소기, 또는 치환 또는 비치환의 환 형성 원자수 5 이상 14 이하의 방향족헤테로사이클릭환기를 나타낸다. In Formula 1, Ar 1 represents a substituted or unsubstituted aromatic hydrocarbon group having 6 or more and 25 or less ring atoms or a substituted or unsubstituted aromatic heterocyclic group having 5 or more and 14 or less ring atoms.

상기 화학식 2에서, Ar3은 치환 또는 비치환의 환형성 원자수 6 이상 25 이하의 방향족 탄화수소기, 또는 치환 또는 비치환의 환형성 원자수 5 이상 14 이하의 방향족헤테로사이클릭환기를 나타낸다. In Formula 2, Ar 3 represents a substituted or unsubstituted aromatic hydrocarbon group having 6 or more and 25 or less ring atoms, or a substituted or unsubstituted aromatic heterocyclic group having 5 or more and 14 or less ring atoms.

고분자 화합물이 상기 화학식 1의 구조단위 및 상기 화학식 2의 구조단위를 포함할 경우, 상기 화학식 1의 Ar1 및 상기 화학식 2의 Ar3은 서로 동일하거나 다를 수 있고, 예를 들어, 서로 동일할 수 있다. When the polymer compound includes the structural unit of Chemical Formula 1 and the structural unit of Chemical Formula 2, Ar 1 of Chemical Formula 1 and Ar 3 of Chemical Formula 2 may be identical to or different from each other, for example, may be identical to each other. there is.

여기서, Ar1 또는 Ar3 로서의 환형성 원자수 6 이상 25 이하의 방향족 탄화수소 기는, 특별히 제한되지 않지만, 상기 L1 및 L3에서 규정한 환형성 원자수 6 이상 25 이하의 방향족 탄화수소 유래의 기를 예시할 수 있다. Here, the aromatic hydrocarbon group having 6 or more and 25 or less ring atoms as Ar 1 or Ar 3 is not particularly limited, but exemplifies the group derived from an aromatic hydrocarbon having 6 or more and 25 or less ring atoms defined for L 1 and L 3 . can do.

마찬가지로, Ar1 또는 Ar3 로서의 방향족헤테로사이클릭환 기는, 특별히 제한되지 않지만, 상기 L1 및 L3에서 규정한 헤테로사이클릭환식 방향족 화합물 유래의 기를 예시할 수 있다. 이들 중에서, Ar1 및 Ar3 은, 각각 독립적으로, 페닐렌 기, 비페닐렌 기, 디벤조퓨라닐렌기, 디벤조티오페닐렌기, 및 플루오레닐렌기로부터 선택될 수 있다. 예를 들어, Ar1 및 Ar3 은, 각각 독립적으로, 페닐렌기(o, m, p-페닐렌 기)일 수 있다. 예를 들어, Ar1 및 Ar3은 o-페닐렌 기일 수 있다. Similarly, the aromatic heterocyclic ring group as Ar 1 or Ar 3 is not particularly limited, but examples of groups derived from heterocyclic aromatic compounds defined for L 1 and L 3 above can be exemplified. Among these, Ar 1 and Ar 3 may each independently be selected from a phenylene group, a biphenylene group, a dibenzofuranylene group, a dibenzothiophenylene group, and a fluorenylene group. For example, Ar 1 and Ar 3 may each independently be a phenylene group (o, m, p-phenylene group). For example, Ar 1 and Ar 3 may be o-phenylene groups.

이러한 Ar1 또는 Ar3 라면, 보다 높은 결합해리 에너지를 달성할 수 있다. 또한, 보다 높은 정공주입 수송성 및 삼중항 에너지 준위, 및 보다 낮은 구동 전압화와 제막성의 관점, 그리고 이들 어느 2 종 이상의 밸런스(특히, 정공주입 수송성과 제막성과의 밸런스)를 달성할 수 있다. If it is such Ar 1 or Ar 3 , higher bond dissociation energy can be achieved. In addition, a higher hole injection transport property and triplet energy level, a lower drive voltage and film forming property, and a balance of any two or more of these (particularly, a balance between hole injection transport property and film forming property) can be achieved.

한편, Ar1 또는 Ar3 은 무치환이거나, 또는 어느 하나의 수소 원자가 치환기로 치환될 수 있다. Meanwhile, Ar 1 or Ar 3 may be unsubstituted, or any one hydrogen atom may be substituted with a substituent.

한편, Ar1 또는 Ar3 중 어느 하나의 수소 원자가 치환될 경우, 존재할 수 있는 치환기는 특별히 한정되지 않고, 상기 L1 및 L3 와 같은 예시를 적용할 수 있다. On the other hand, when any one of Ar 1 and Ar 3 is substituted, substituents that may exist are not particularly limited, and examples such as L 1 and L 3 may be applied.

예를 들어, Ar1 및 Ar3 은, 각각 독립적으로, 무치환의 또는 탄소수 3 이상 10 이하의 직쇄의 또는 탄소수 3 이상 10 이하가 분기된 알킬기로 치환된 벤젠, 무치환의 또는 탄소수 3 이상 10 이하의 직쇄의 또는 탄소수 3 이상 10 이하의 분기된 알킬기로 치환된 비페닐, 및 무치환의 또는 탄소수 3 이상 10 이하의 직쇄의 또는 탄소수 3 이상 10 이하의 분기된 알킬기로 치환된 플루오렌으로부터 선택되는 화합물 유래의 2 가의 기일 수 있다. 예를 들어, Ar1 및 Ar3 은, 각각 독립적으로, 무치환의 또는 탄소수 3 이상 10 이하의 직쇄의 또는 탄소수 3 이상 10 이하의 분기된 알킬기로 치환된 o, m, p-페닐렌 기일 수 있다. 또한, 예를 들어, Ar1 및 Ar3 은, 각각 독립적으로, 무치환의 또는 탄소수 5 이상 8 이하의 직쇄의 알킬기로 치환된 o-페닐렌 기일 수 있다. 예컨대, Ar1 및 Ar3 은 무치환의 o-페닐렌 기일 수 있다. For example, Ar 1 and Ar 3 are each independently unsubstituted or benzene substituted with a straight chain having 3 to 10 carbon atoms or a branched alkyl group having 3 to 10 carbon atoms, unsubstituted or 3 to 10 carbon atoms. Selected from biphenyl substituted with the following straight-chain or branched alkyl groups having 3 to 10 carbon atoms, and fluorene substituted with unsubstituted or straight-chain or branched alkyl groups with 3 to 10 carbon atoms and 3 to 10 carbon atoms It may be a divalent group derived from a compound that is For example, Ar 1 and Ar 3 may each independently be an o, m, p-phenylene group substituted with an unsubstituted or straight-chain or branched alkyl group having 3 to 10 carbon atoms and 3 to 10 carbon atoms. there is. Further, for example, Ar 1 and Ar 3 may each independently be an unsubstituted or o-phenylene group substituted with a straight-chain alkyl group having 5 or more and 8 or less carbon atoms. For example, Ar 1 and Ar 3 may be an unsubstituted o-phenylene group.

한편, Ar1 또는 Ar3이 치환기를 가질 경우, 즉, 치환된 탄소수 6 이상 25 이하의 방향족 탄화수소기 또는 치환된 방향족헤테로사이클릭환 기인 경우의 치환기의 위치는 특별히 제한되지 않지만, Ar1 또는 Ar3에 결합하는 질소 원자에 대하여 가능한 한 먼 위치에 존재할 수 있다. 예를 들면, Ar1 또는 Ar3이 o-페닐렌 기일 경우, 치환기는 질소 원자에 대하여 파라 위치에 존재할 수 있다. 이러한 배치에 의해, 고분자 화합물과 양자점의 거리가 보다 가깝게 되고, 정공수송층 중의 고분자 화합물과 발광층 중의 양자점의 상호 작용이 보다 강해지므로, 정공주입 수송성, 따라서, 내구성(소자수명, 발광 수명)을 또한 향상시킬 수 있다. On the other hand, when Ar 1 or Ar 3 has a substituent, that is, when a substituted aromatic hydrocarbon group having 6 or more and 25 or less carbon atoms or a substituted aromatic heterocyclic ring group, the position of the substituent is not particularly limited, but Ar 1 or Ar It may be located as far as possible from the nitrogen atom bonded to 3 . For example, when Ar 1 or Ar 3 is an o-phenylene group, the substituent may be positioned para to the nitrogen atom. With this arrangement, the distance between the polymer compound and the quantum dot becomes closer, and the interaction between the polymer compound in the hole transport layer and the quantum dot in the light emitting layer becomes stronger, so that the hole injection/transport property and thus the durability (device lifetime, light emitting lifetime) are further improved. can make it

상기 화학식 1에서, Ar1은 Ar2 또는 L2와 환을 형성한다. In Formula 1, Ar 1 forms a ring with Ar 2 or L 2 .

상기 화학식 2에서, Ar3은 Ar4 또는 L4와 환을 형성한다. In Formula 2, Ar 3 and Ar 4 or L 4 form a ring.

이와 같이, Ar1이 Ar2 또는 L2와 환을 형성하고, 또한 Ar3이 Ar4 또는 L4와 환을 형성함으로써, 보다 높은 삼중항 에너지 준위를 부여할 수 있다. 이들 중에서, 일 구현예에 따른 효과를 보다 향상시키는 관점에서, Ar1이 L2와 환을 형성하고, 또한 Ar3이 L4와 환을 형성하는 것 중 적어도 하나를 충족할 수 있고, 예를 들어, Ar1이 L2와 환을 형성하고, 또한 Ar3이 L4와 환을 형성할 수 있다. In this way, when Ar 1 forms a ring with Ar 2 or L 2 and Ar 3 forms a ring with Ar 4 or L 4 , a higher triplet energy level can be imparted. Among these, from the viewpoint of further improving the effect according to one embodiment, at least one of Ar 1 forming a ring with L 2 and Ar 3 forming a ring with L 4 may be satisfied, for example For example, Ar 1 may form a ring with L 2 and Ar 3 may form a ring with L 4 .

즉, 일 실시예에서는, Ar1이 L2와 환을 형성하거나, 또는 Ar3이 L4와 환을 형성한다. That is, in one embodiment, Ar 1 forms a ring with L 2 , or Ar 3 forms a ring with L 4 .

다른 일 실시예에서는, Ar1이 L2와 환을 형성하고, 또한 Ar3이 L4와 환을 형성한다.In another embodiment, Ar 1 forms a ring with L 2 and Ar 3 forms a ring with L 4 .

Ar1이 L2와 환을 형성할 때의 Ar1과 L2로 형성되는 환 구조, 또는 Ar3이 L4와 환을 형성할 때의 Ar3과 L4로 형성되는 환 구조는 특별히 제한되지 않지만, Ar1과 L2, 및 Ar3과 L4 의 적어도 어느 하나는 카르바졸 환을 형성할 수 있고, Ar1과 L2, 그리고 Ar3와 L4 가 카르바졸 환을 형성할 수 있다.The ring structure formed by Ar 1 and L 2 when Ar 1 forms a ring with L 2 , or the ring structure formed by Ar 3 and L 4 when Ar 3 forms a ring with L 4 are not particularly limited. However, at least one of Ar 1 and L 2 , and Ar 3 and L 4 may form a carbazole ring, and Ar 1 and L 2 , and Ar 3 and L 4 may form a carbazole ring.

즉, 일 실시예에서, 상기 화학식 1의 -L2-N (Ar1)(Ar2)는 하기 군으로부터 선택되는 구조를 가질 수있다. 또한, 일 실시예에서, 상기 화학식 2의 -L4-N (Ar3)(Ar4)는, 하기 군에서 선택되는 구조를 가질 수 있다. That is, in one embodiment, -L 2 -N (Ar 1 ) (Ar 2 ) of Chemical Formula 1 may have a structure selected from the following groups. Also, in one embodiment, -L 4 -N (Ar 3 )(Ar 4 ) of Chemical Formula 2 may have a structure selected from the following groups.

한편, 하기 구조에서, R211 내지 R214는, 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 탄소수 3 이상 10 이하의 직쇄 또는 분기된 알킬기를 나타낼 수 있다. 예를 들면, R211 내지 R214는 수소 원자이다. Meanwhile, in the structure below, R 211 to R 214 may each independently represent a hydrogen atom or a straight-chain or branched alkyl group having 3 or more and 10 or less carbon atoms. For example, R 211 to R 214 are hydrogen atoms.

또한, 하기 구조에서, 「* 1」은 L1 또는 L3과의 결합 부위이며, 「* 2」는 Ar2 또는 Ar4와의 결합 부위를 나타낸다. In the structure below, “*1” indicates a binding site with L 1 or L 3 , and “*2” indicates a binding site with Ar 2 or Ar 4 .

Figure pat00009
Figure pat00009

예를 들어, Ar1과 L2, 및 Ar3과 L4의 적어도 하나는 하기 구조의 카르바졸 환을 형성한다. 예컨대, Ar1과 L2, 및 Ar3과 L4 로 하기 구조의 카르바졸 환을 형성할 수 있다. For example, at least one of Ar 1 and L 2 , and Ar 3 and L 4 form a carbazole ring having the following structure. For example, a carbazole ring having the following structure may be formed by Ar 1 and L 2 , and Ar 3 and L 4 .

한편, 하기 구조에서, R211 내지 R214는, 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 탄소수 3 이상 10 이하의 직쇄의 또는 분기된 알킬기를 나타낸다. 예를 들면, R211 내지 R214는 수소 원자이다. 또한, 하기 구조에서, 「* 1」은 L1 또는 L3과의 결합 부위이며, 「* 2」는 Ar2 또는 Ar4와의 결합 부위이다. Meanwhile, in the structure below, R 211 to R 214 each independently represent a hydrogen atom or a straight-chain or branched alkyl group having 3 or more and 10 or less carbon atoms. For example, R 211 to R 214 are hydrogen atoms. In the structure below, “*1” is a binding site with L 1 or L 3 , and “*2” is a binding site with Ar 2 or Ar 4 .

Figure pat00010
Figure pat00010

일 구현예에서, 상기 화학식 1에서, Ar1이 L2와 환을 형성하고, -(L1)x-L2-N(Ar1)(Ar2)는 하기 군으로부터 선택되는 구조를 가질 수 있다. In one embodiment, in Formula 1, Ar 1 forms a ring with L 2 , and -(L 1 )xL 2 -N(Ar 1 )(Ar 2 ) may have a structure selected from the following groups.

일 구현예에서, 상기 화학식 2에서, Ar3이 L4와 환을 형성하고, -(L3)y-L4-N(Ar3)(Ar4)는 하기 군으로부터 선택되는 구조를 가질 수 있다. In one embodiment, in Formula 2, Ar 3 forms a ring with L 4 , and -(L 3 )yL 4 -N(Ar 3 )(Ar 4 ) may have a structure selected from the following groups.

한편, 하기 구조에서, 「* 1」은 주사슬의 질소 원자와의 결합 부위이며, 「* 2」은 Ar2 또는 Ar4 와의 결합 부위를 나타낸다. On the other hand, in the structure below, "*1" is a bonding site with a nitrogen atom of the main chain, and "*2" represents a bonding site with Ar 2 or Ar 4 .

Figure pat00011
Figure pat00011

단, R211 내지 R214는, 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 탄소수 3 이상 10 이하의 직쇄 또는 탄소수 3 이상 10 이하의 분기된 알킬기이다. 예를 들면, R211 및 R213은 수소 원자이며, R212 및 R214는 수소 원자 또는 탄소수 5 이상 8 이하의 직쇄의 알킬기이다. However, R 211 to R 214 are each independently a hydrogen atom or a straight-chain or branched alkyl group having 3 to 10 carbon atoms and 3 to 10 carbon atoms. For example, R 211 and R 213 are hydrogen atoms, and R 212 and R 214 are hydrogen atoms or linear alkyl groups of 5 to 8 carbon atoms.

상기 화학식 1에서, Ar2는 (i) 탄소수 1 이상 12 이하의 직쇄의 또는 탄소수 3 이상 12 이하의 분기된 탄화수소기, 환형성 원자수 6 이상 25 이하의 방향족 탄화수소 기 또는 환형성 원자수 5 이상 14 이하의 방향족헤테로사이클릭환기로 치환될 수 있는 환형성 원자수 6 이상 25 이하의 방향족 탄화수소 기, 또는 (ii) 탄소수 1 이상 12 이하의 직쇄의 또는 탄소수 3 이상 12 이하의 분기된 탄화수소기, 환형성 원자수 6 이상 25 이하의 방향족 탄화수소 기 또는 환형성 원자수 5 이상 14 이하의 방향족헤테로사이클릭환기로 치환될 수 있는 환형성 원자수 5 이상 14 이하의 방향족헤테로사이클릭환기를 나타낸다. In Chemical Formula 1, Ar 2 is (i) a straight-chain or branched hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms, or a branched hydrocarbon group having 3 to 12 carbon atoms, an aromatic hydrocarbon group having 6 to 25 ring atoms, or 5 or more ring atoms. An aromatic hydrocarbon group having 6 to 25 ring atoms which may be substituted with an aromatic heterocyclic ring group of 14 or less, or (ii) a straight-chain or branched hydrocarbon group having 3 to 12 carbon atoms and 1 to 12 carbon atoms, represents an aromatic heterocyclic ring group having 5 to 14 ring atoms which may be substituted with an aromatic hydrocarbon group having 6 to 25 ring atoms or an aromatic heterocyclic ring group with 5 to 14 ring atoms.

이때, Ar2는 Ar1과 환을 형성해도 된다. At this time, Ar 2 may form a ring with Ar 1 .

한편, Ar2가 Ar1과 환을 형성할 경우, Ar2는 2가의 기이다. On the other hand, when Ar 2 forms a ring with Ar 1 , Ar 2 is a divalent group.

Ar2가 Ar1과 환을 형성하지 않을 경우, Ar2은 1가의 기이다. When Ar 2 does not form a ring with Ar 1 , Ar 2 is a monovalent group.

상기 화학식 2에서, Ar4는 (i) 탄소수 1 이상 12 이하의 직쇄의 또는 탄소수 3 이상 12 이하의 분기된 탄화수소기, 환형성 원자수 6 이상 25 이하의 방향족 탄화수소 기 또는 환형성 원자수 5 이상 14 이하의 방향족헤테로사이클릭환기로 치환될 수 있는 환형성 원자수 6 이상 25 이하의 방향족 탄화수소기, 또는 (ii) 탄소수 1 이상 12 이하의 직쇄의 또는 탄소수 3 이상 12 이하의 분기된 탄화수소기, 환형성 원자수 6 이상 25 이하의 방향족 탄화수소 기 또는 환형성 원자수 5 이상 14 이하의 방향족헤테로사이클릭환기로 치환될 수 있는 환형성 원자수 5 이상 14 이하의 방향족헤테로사이클릭환기를 나타낸다. In Formula 2, Ar 4 is (i) a straight-chain or branched hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms, or a branched hydrocarbon group having 3 to 12 carbon atoms, an aromatic hydrocarbon group having 6 to 25 ring atoms, or 5 or more ring atoms. An aromatic hydrocarbon group having 6 to 25 ring atoms which may be substituted with an aromatic heterocyclic ring group of 14 or less, or (ii) a straight-chain or branched hydrocarbon group having 3 to 12 carbon atoms and 1 to 12 carbon atoms, An aromatic heterocyclic ring group having 5 to 14 ring atoms which may be substituted with an aromatic hydrocarbon group having 6 to 25 ring atoms or an aromatic heterocyclic ring group to have 5 to 14 ring atoms.

이때, Ar4 는 Ar3와 환을 형성해도 된다. At this time, Ar 4 may form a ring with Ar 3 .

한편, Ar4가 Ar3과 환을 형성할 경우, Ar4는 2 가의 기이다. On the other hand, when Ar 4 and Ar 3 form a ring, Ar 4 is a divalent group.

Ar4이 Ar3과 환을 형성하지 않을 경우, Ar4은 1가의 기이다. When Ar 4 does not form a ring with Ar 3 , Ar 4 is a monovalent group.

상기 화학식 1의 Ar2 및 상기 화학식 2의 Ar4는, 서로 동일하거나 다를 수 있지만, 예를 들어, 동일할 수 있다. Ar 2 in Formula 1 and Ar 4 in Formula 2 may be the same as or different from each other, but, for example, may be the same.

일 실시예에서, 일 구현예에 따른 고분자 화합물이 상기 화학식 1의 구조단위 및 상기 화학식 2의 구조단위를 포함할 경우, 상기 화학식 1의 R21, R22, R31, R32, L1, x, L2, Ar1 및 Ar2는, 각각, 상기 화학식 2의 R23, R24, R33, R34, L3, y, L4, Ar3 및 Ar4와 같다. In one embodiment, when the polymer compound according to one embodiment includes the structural unit of Formula 1 and the structural unit of Formula 2, R 21 , R 22 , R 31 , R 32 , L 1 of Formula 1, x, L 2 , Ar 1 and Ar 2 are the same as R 23 , R 24 , R 33 , R 34 , L 3 , y, L 4 , Ar 3 and Ar 4 in Formula 2, respectively.

여기서, Ar2 또는 Ar4로서의 환형성 원자수 6 이상 25 이하의 방향족 탄화수소기 및 환형성 원자수 5 이상 14 이하의 방향족헤테로사이클릭환기는 특별히 제한되지 않는다. Here, an aromatic hydrocarbon group having 6 or more and 25 or less ring atoms and an aromatic heterocyclic ring group having 5 or more and 14 or less ring atoms as Ar 2 or Ar 4 are not particularly limited.

Ar2 또는 Ar4가 Ar1 또는 Ar3와 환을 형성하지 않을 경우, 상기 L1 또는 L3에서 규정한 환형성 원자수 6 이상 25 이하의 방향족 탄화수소 유래의 2 가의 기를 1가의 기로 변환해서 예시할 수 있다. When Ar 2 or Ar 4 does not form a ring with Ar 1 or Ar 3 , the divalent group derived from an aromatic hydrocarbon having 6 or more and 25 or less ring atoms defined in L 1 or L 3 is converted into a monovalent group. can do.

동일하게, 상기 경우에서, Ar2 또는 Ar4 로서의 방향족헤테로사이클릭환기는, 특별히 제한되지 않지만, 상기 L1 또는 L3에서 규정한 헤테로사이클릭환식 방향족 화합물 유래의 2 가의 기를 1 가의 기로 변환해서 예시할 수 있다. Similarly, in the above case, the aromatic heterocyclic ring group as Ar 2 or Ar 4 is not particularly limited, but by converting the divalent group derived from the heterocyclic aromatic compound defined for L 1 or L 3 into a monovalent group, can be exemplified.

또한, Ar2 또는 Ar4가 Ar1 또는 Ar3와 환을 형성할 경우, 상기 L1 또는 L3에서 규정한 환형성 원자수 6 이상 25 이하의 방향족 탄화수소 유래의 2 가의 기를 예시할 수 있다. Further, when Ar 2 or Ar 4 forms a ring with Ar 1 or Ar 3 , divalent groups derived from aromatic hydrocarbons having 6 or more and 25 or less ring atoms defined for L 1 or L 3 can be exemplified.

동일하게, 상기 경우에 Ar2 또는 Ar4로서의 방향족헤테로사이클릭환기는, 특별히 제한되지 않지만, 상기 L1 또는 L3에서 규정한 헤테로사이클릭환식 방향족 화합물 유래의 2가의 기를 예시할 수 있다. Similarly, the aromatic heterocyclic ring group as Ar 2 or Ar 4 in the above case is not particularly limited, but the divalent group derived from the heterocyclic aromatic compound defined for L 1 or L 3 can be exemplified.

이들 중에서, Ar2 및 Ar4는, 각각 독립적으로, 벤젠, 비페닐, 디벤조퓨란, 디벤조티오펜, 및 플루오렌으로부터 선택되는 화합물 유래의 기일 수 있다. 예를 들어, Ar2 및 Ar4는, 각각 독립적으로, 벤젠 유래의 기, 즉, 페닐기 또는 o, m, p-페닐렌 기일 수 있다. Among these, Ar 2 and Ar 4 may each independently be a group derived from a compound selected from benzene, biphenyl, dibenzofuran, dibenzothiophene, and fluorene. For example, Ar 2 and Ar 4 may each independently be a group derived from benzene, that is, a phenyl group or an o, m, p-phenylene group.

예컨대, Ar2 또는 Ar4는, Ar2 또는 Ar4 가 Ar1 또는 Ar3와 환을 형성하지 않을 경우 페닐 기이며, 또는, Ar2 또는 Ar4 가 Ar1 또는 Ar3과 환을 형성할 경우 o-페닐렌 기일 수 있다. For example, Ar 2 or Ar 4 is a phenyl group when Ar 2 or Ar 4 does not form a ring with Ar 1 or Ar 3 , or when Ar 2 or Ar 4 forms a ring with Ar 1 or Ar 3 ; It may be an o-phenylene group.

이러한 Ar2 또는 Ar4 (비치환 형태)라면, 보다 높은 결합해리 에너지를 달성할 수 있다. 또한, 보다 높은 정공주입 수송성 및 삼중항 에너지 준위, 그리고 보다 낮은 구동 전압화 및 제막성의 관점으로부터, 이들 어느 2 종 이상의 밸런스(특히, 정공주입 수송성과 제막성의 밸런스)을 달성할 수 있다. If such Ar 2 or Ar 4 (unsubstituted form), a higher bond dissociation energy can be achieved. In addition, from the viewpoints of higher hole injection and transport properties and triplet energy levels, and lower driving voltage and film forming properties, a balance of any two or more of these (particularly, balance of hole injection and transport properties and film forming properties) can be achieved.

본 발명의 일 실시 형태에서, Ar2 또는 Ar4 는 탄소수 1 이상 12 이하의 직쇄의 또는 탄소수 3 이상 12 이하의 분기된 탄화수소기, 환형성 원자수 6 이상 25 이하의 방향족 탄화수소 기 또는 환 형성 원자수 5 이상 14 이하의 2 가의 방향족헤테로사이클릭환기를 치환기로서 가진다. 이러한 치환기를 고분자 화합물의 말단에 배치함으로써, 정공수송층 중의 고분자 화합물은 발광층 중의 양자점과 밀접하게 상호작용할 수 있기 때문에, 정공주입 수송성을 향상시킬 수 있다. 따라서, 일 구현예에 따른 고분자 화합물을 이용한 일렉트로루미네선스 소자, 특히, 양자점 일렉트로루미네선스 소자는 내구성, 예컨대, 소자수명, 발광 수명 등을 한층 효과적으로 향상시킬 수 있다. In one embodiment of the present invention, Ar 2 or Ar 4 is a straight-chain or branched hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms, an aromatic hydrocarbon group having 6 to 25 ring atoms, or a ring-forming atom It has a divalent aromatic heterocyclic ring group of 5 or more and 14 or less as a substituent. By disposing such a substituent at the end of the high molecular compound, the high molecular compound in the hole transport layer can closely interact with the quantum dots in the light emitting layer, so that hole injection and transport properties can be improved. Therefore, the electroluminescence device using the polymer compound according to one embodiment, in particular, the quantum dot electroluminescence device, can more effectively improve durability, for example, device lifespan and light emitting lifespan.

여기서, 탄소수 1 이상 12 이하의 탄화수소기는, 특별히 제한되지 않지만, 직쇄의 또는 분기된 알킬기, 직쇄의 또는 분기된 알케닐 기, 직쇄의 또는 분기된 알키닐기, 및 시클로알킬 기 등을 들 수 있다. Here, the hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms is not particularly limited, and examples thereof include straight-chain or branched alkyl groups, straight-chain or branched alkenyl groups, straight-chain or branched alkynyl groups, and cycloalkyl groups.

한편, Ar2 또는 Ar4 가 알케닐 기 또는 알키닐 기일 경우, Ar2 또는 Ar4 의 탄소수는 2 이상 12 이하이다. 동일하게, Ar2 또는 Ar4 가 시클로알킬 기일 경우, Ar2 또는 Ar4 의 탄소수는 3 이상 12 이하이다. On the other hand, when Ar 2 or Ar 4 is an alkenyl group or an alkynyl group, the carbon number of Ar 2 or Ar 4 is 2 or more and 12 or less. Similarly, when Ar 2 or Ar 4 is a cycloalkyl group, the number of carbon atoms of Ar 2 or Ar 4 is 3 or more and 12 or less.

탄소수 1 이상 12 이하의 알킬기로서는, 예를 들면, 메틸 기, 에틸 기, n-프로필 기, 이소프로필 기, n-부틸 기, 이소부틸 기, sec-부틸 기, tert-부틸 기, n-펜틸 기, 이소펜틸 기, tert-펜틸 기, 네오펜틸 기, 1,2- 디메틸 프로필 기, n-헥실 기, 이소헥실 기, 1,3-디메틸부틸 기, 1-이소프로필 프로필 기, 1,2-디메틸부틸 기, n-헵틸 기, 1,4- 디메틸 펜틸 기, 3-에틸 펜틸 기, 2-메틸-1-이소프로필 프로필 기, 1-에틸-3-메틸 부틸 기, n-옥틸 기, 2-에틸헥실 기, 3-메틸-1-이소프로필 부틸 기, 2-메틸-1-이소프로필 기, 1-tert-부틸-2-메틸 프로필 기, n-노닐 기, 3,5,5-트리메틸 헥실 기, n-데실 기, 이소 데실 기, n-운데실 기, 1-메틸데실 기, n-도데실 기 등을 들 수 있다. Examples of the alkyl group having 1 or more and 12 or less carbon atoms include methyl, ethyl, n-propyl, isopropyl, n-butyl, isobutyl, sec-butyl, tert-butyl, and n-pentyl. group, isopentyl group, tert-pentyl group, neopentyl group, 1,2-dimethyl propyl group, n-hexyl group, isohexyl group, 1,3-dimethylbutyl group, 1-isopropyl propyl group, 1,2 -Dimethylbutyl group, n-heptyl group, 1,4-dimethyl pentyl group, 3-ethyl pentyl group, 2-methyl-1-isopropyl propyl group, 1-ethyl-3-methyl butyl group, n-octyl group, 2-ethylhexyl group, 3-methyl-1-isopropyl butyl group, 2-methyl-1-isopropyl group, 1-tert-butyl-2-methyl propyl group, n-nonyl group, 3,5,5- trimethyl hexyl group, n-decyl group, isodecyl group, n-undecyl group, 1-methyldecyl group, n-dodecyl group and the like.

탄소수 2 이상 12 이하의 알케닐 기로서는, 예를 들면, 비닐 기, 알릴 기, 1-프로페닐 기, 2-부테닐 기, 1,3-부타디에닐 기, 2-펜테닐 기, 이소프로페닐 기 등을 들 수 있다. Examples of the alkenyl group having 2 to 12 carbon atoms include a vinyl group, an allyl group, a 1-propenyl group, a 2-butenyl group, a 1,3-butadienyl group, a 2-pentenyl group, and an isopropanol group. A phenyl group etc. are mentioned.

탄소수 2 이상 12 이하의 알키닐 기로서는, 예를 들면, 에티닐 기, 프로파르길 기 등을 들 수 있다. As a C2-C12 alkynyl group, an ethynyl group, a propargyl group, etc. are mentioned, for example.

탄소수 3 이상 12 이하의 시클로알킬 기로서는, 예를 들면, 시클로프로필 기, 시클로부틸 기, 시클로펜틸 기, 시클로헥실 기 등을 들 수 있다. As a C3-C12 cycloalkyl group, a cyclopropyl group, a cyclobutyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group etc. are mentioned, for example.

또, Ar2 또는 Ar4 에 존재하는 환형성 원자수 6 이상 25 이하의 방향족 탄화수소 기는, 특별히 제한되지 않지만, 상기 L1 또는 L3에서 규정한 환형성 원자수 6 이상 25 이하의 방향족 탄화수소 유래의 2 가의 기를 1 가의 기로 변환해서 예시할 수 있다. In addition, the aromatic hydrocarbon group having 6 to 25 ring atoms present in Ar 2 or Ar 4 is not particularly limited, but is derived from an aromatic hydrocarbon group having 6 to 25 ring atoms specified for L 1 or L 3 . Examples can be made by converting a divalent group into a monovalent group.

예를 들면, Ar2 또는 Ar4 에 존재하는 환형성 원자수 6 이상 25 이하의 방향족 탄화수소 기는, 페닐 기, 비페닐 기, 터페닐 기, 나프틸기 및 9,9- 디메틸 플루오레닐 기, 및 이들 중 어느 하나의 조합, 예를 들면, 9,9-디메틸-2-페닐 플루오레닐 기일 수 있다. For example, an aromatic hydrocarbon group having 6 or more and 25 or less ring atoms present in Ar 2 or Ar 4 is a phenyl group, a biphenyl group, a terphenyl group, a naphthyl group, and a 9,9-dimethyl fluorenyl group, and A combination of any of these, for example a 9,9-dimethyl-2-phenyl fluorenyl group.

또, Ar2 또는 Ar4 에 존재하는 환형성 원자수 5 이상 14 이하의 2 가의 방향족헤테로사이클릭환기는, 특별히 제한되지 않지만, 상기 L1 또는 L3에서 규정한 환형성 원자수 5 이상 14 이하의 헤테로사이클릭환식 방향족 화합물 유래의 2 가의 기를 1 가의 기로 변환해서 예시할 수 있다. In addition, the divalent aromatic heterocyclic ring group having 5 or more and 14 or less ring atoms present in Ar 2 or Ar 4 is not particularly limited, but has 5 or more and 14 or less ring atoms specified for L 1 or L 3 . Examples can be made by converting a divalent group derived from a heterocyclic aromatic compound of , into a monovalent group.

예를 들면, Ar2 또는 Ar4 에 존재하는 환형성 원자수 5 이상 14 이하의 2 가의 방향족헤테로사이클릭환기는 피리딘 유래의 기일 수 있다. For example, the divalent aromatic heterocyclic ring group having 5 or more and 14 or less ring atoms present in Ar 2 or Ar 4 may be a pyridine-derived group.

한편, 환형성 원자수 6 이상 25 이하의 방향족 탄화수소 기 및 환형성 원자수 5 이상 14 이하의 2가의 방향족헤테로사이클릭환기는, 조합해서 Ar2 또는 Ar4 에 존재할 수도 있다. On the other hand, an aromatic hydrocarbon group having 6 or more and 25 or less ring atoms and a divalent aromatic heterocyclic ring group having 5 or more and 14 or less ring atoms may be present in Ar 2 or Ar 4 in combination.

이들 중에서, Ar2 또는 Ar4 에 존재하는 치환기는, 탄소수 4 이상 10 이하의 직쇄 또는 탄소수 4 이상 10 이하의 분기된 알킬기, 페닐 기, 비페닐 기, 터페닐 기, 나프틸기, 9,9- 디메틸 플루오레닐 기 및 피리디닐 기, 또는 이들 중 어느 하나의 조합 (예를 들면, 9,9-디메틸-2-페닐 플루오레닐 기)으로 이루어지는 군으로부터 선택될 수 있다. 이에 따라, 정공수송층 중의 고분자 화합물은 발광층 중의 양자점과 더욱 근접해서 존재할 수 있다(더욱 밀접하게 상호작용할 수 있다). 따라서, 정공주입 수송성을 더욱 향상시킬 수 있다. 그에 따라, 일 구현예에 따른 고분자 화합물을 이용한 일렉트로루미네선스 소자, 예컨대, 양자점 일렉트로루미네선스 소자는 내구성, 예컨대, 소자 수명, 발광 수명 등을 더욱 효과적으로 향상시킬 수 있다. Among these, the substituent present in Ar 2 or Ar 4 is a straight-chain or branched alkyl group having 4 or more and 10 or less carbon atoms, a phenyl group, a biphenyl group, a terphenyl group, a naphthyl group, a 9,9- a dimethyl fluorenyl group and a pyridinyl group, or a combination of any of these (eg, a 9,9-dimethyl-2-phenyl fluorenyl group). Accordingly, the high molecular compound in the hole transport layer can exist more closely (and can interact more closely) with the quantum dots in the light emitting layer. Accordingly, hole injection and transport properties can be further improved. Accordingly, the electroluminescence device using the polymer compound according to the embodiment, eg, the quantum dot electroluminescence device, can more effectively improve durability, eg, device lifespan, light emitting lifespan, and the like.

다시 말해, 일 실시예에서, Ar2 및 Ar4는, 각각 독립적으로, 벤젠, 비페닐, 디벤조퓨란, 디벤조티오펜 및 플루오렌으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 화합물 유래의 기이며, 또한, 탄소수 4 이상 10 이하의 직쇄의 또는 탄소수 4 이상 10 이하의 분기된 알킬기, 또는 페닐 기, 비페닐 기, 터페닐 기, 나프틸기, 9,9- 디메틸 플루오레닐 기, 9,9-디메틸-2-페닐 플루오레닐 기, 피리디닐 기, 3-피리디닐 페닐 기, 4-피리디닐 페닐 기, 또는 피리디닐 기로 치환된 비페닐 기로 치환된다. In other words, in one embodiment, Ar 2 and Ar 4 are each independently a group derived from a compound selected from the group consisting of benzene, biphenyl, dibenzofuran, dibenzothiophene, and fluorene, and carbon atoms 4 or more and 10 or less straight-chain or branched alkyl group of 4 or more and 10 or less carbon atoms, or a phenyl group, biphenyl group, terphenyl group, naphthyl group, 9,9-dimethyl fluorenyl group, 9,9-dimethyl-2 -phenyl fluorenyl group, pyridinyl group, 3-pyridinyl phenyl group, 4-pyridinyl phenyl group, or biphenyl group substituted with a pyridinyl group.

예를 들어, Ar2 또는 Ar4 에 존재하는 탄화수소기는, 탄소수 5 이상 8 이하의 직쇄의 알킬기이다. For example, the hydrocarbon group present in Ar 2 or Ar 4 is a straight-chain alkyl group having 5 or more and 8 or less carbon atoms.

다시 말해, 일 실시예에서, Ar2 또는 Ar4 는, 탄소수 5 이상 8 이하의 직쇄의 알킬기로 치환된 벤젠 유래의 기(페닐 기, o, m, p-페닐렌 기)일 수 있다. In other words, in one embodiment, Ar 2 or Ar 4 may be a benzene-derived group (phenyl group, o, m, p-phenylene group) substituted with a straight-chain alkyl group having 5 or more and 8 or less carbon atoms.

예컨대, Ar2 또는 Ar4 에 존재하는 탄화수소기는 탄소수 6 이상 8 이하의 직쇄의 알킬기이다. For example, the hydrocarbon group present in Ar 2 or Ar 4 is a straight-chain alkyl group having 6 or more and 8 or less carbon atoms.

다시 말해, 일 실시예에서에, Ar2 또는 Ar4 는, 탄소수 6 이상 8 이하의 직쇄의 알킬기로 치환된 페닐 기(Ar2 또는 Ar4 가 Ar1 또는 Ar3와 환을 형성하지 않을 경우), 또는 탄소수 6 이상 8 이하의 직쇄의 알킬기로 치환된 o-페닐렌 기(Ar2 또는 Ar4 가 Ar1 또는 Ar3와 환을 형성할 경우)이다. In other words, in one embodiment, Ar 2 or Ar 4 is a phenyl group substituted with a straight-chain alkyl group having 6 to 8 carbon atoms (when Ar 2 or Ar 4 does not form a ring with Ar 1 or Ar 3 ) , or an o-phenylene group substituted with a straight-chain alkyl group having 6 to 8 carbon atoms (when Ar 2 or Ar 4 forms a ring with Ar 1 or Ar 3 ).

한편, Ar2 또는 Ar4 에 존재하는 치환기의 위치는 특별히 제한되지 않지만, -L2-N (Ar1) (Ar2) 또는 -L4-N (Ar3) (Ar4)의 질소 원자로부터 가능한 한 먼 위치에 존재할 수 있다. 예를 들면, Ar1이 L2와 환을 형성하고, Ar2가 페닐 기일 경우, 탄화수소기는 질소 원자에 대하여 파라 위치에 존재할 수 있다. 이러한 배치에 의하면, 정공수송층 중의 고분자 화합물은 발광층 중의 양자점과 더욱 근접해서 존재할 수 있기(즉, 더욱 밀접하게 상호작용할 수 있다) 때문에, 정공주입 수송성을 더욱 향상시킬 수 있다. 따라서, 일 구현예에 따른 고분자 화합물을 이용한 일렉트로루미네선스 소자, 예컨대, 양자점 일렉트로루미네선스 소자는 내구성, 예컨대, 소자 수명, 발광 수명 등을 더욱 효과적으로 향상시킬 수 있다. Meanwhile, the position of the substituent present in Ar 2 or Ar 4 is not particularly limited, but from the nitrogen atom of -L 2 -N (Ar 1 ) (Ar 2 ) or -L 4 -N (Ar 3 ) (Ar 4 ). It can exist in a location as far away as possible. For example, when Ar 1 forms a ring with L 2 and Ar 2 is a phenyl group, the hydrocarbon group may exist in a para position with respect to the nitrogen atom. According to this arrangement, since the high molecular compound in the hole transport layer can exist more closely with the quantum dots in the light emitting layer (i.e., can interact more closely), the hole injection and transport properties can be further improved. Therefore, the electroluminescence device using the polymer compound according to the embodiment, for example, the quantum dot electroluminescence device, can more effectively improve durability, for example, device lifetime and light emitting lifetime.

Ar2 또는 Ar4 는 Ar1 또는 Ar3와 환을 형성할 수도 있다. Ar2 또는 Ar4 가 Ar1 또는 Ar3와 환을 형성할 때, Ar2 또는 Ar4 와 Ar1 또는 Ar3와 형성되는 환 구조는 특별히 제한되지 않지만, Ar2 또는 Ar4 와 Ar1 또는 Ar3로 카르바졸 환을 형성할 수 있다. 다시 말해, 일 실시예에서는, 상기 화학식 1 중 Ar1이 Ar2와 환을 형성하고, -N(Ar1)(Ar2)이 하기 군으로부터 선택되는 기이다. 일 실시예에서, 상기 화학식 2 중 Ar3이 Ar4와 환을 형성하고, -N(Ar3)(Ar4)가 하기 군으로부터 선택되는 기이다. Ar 2 or Ar 4 may form a ring with Ar 1 or Ar 3 . When Ar 2 or Ar 4 forms a ring with Ar 1 or Ar 3 , the ring structure formed with Ar 2 or Ar 4 and Ar 1 or Ar 3 is not particularly limited, but Ar 2 or Ar 4 and Ar 1 or A A carbazole ring can be formed with r3 . In other words, in one embodiment, Ar 1 in Formula 1 forms a ring with Ar 2 , and -N(Ar 1 )(Ar 2 ) is a group selected from the following groups. In one embodiment, Ar 3 in Formula 2 forms a ring with Ar 4 , and -N(Ar 3 )(Ar 4 ) is a group selected from the following groups.

Figure pat00012
Figure pat00012

단, 상기 화학식들에서, R311 내지 R323은, 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 탄소수 1 이상 12 이하의 탄화수소기를 나타낸다. 이 때, R311 및 R312 중 최소한 하나, R313 내지 R315 중 최소한 하나, R316 내지 R319 중 최소한 하나, R320 및 R321 중 최소한 하나, 또는 R322 및 R323 중 최소한 하나는 탄소수 1 이상 12 이하의 직쇄의 또는 탄소수 3 이상 12 이하의 분기된 알킬기 (예를 들어, 탄소수 4 이상 10 이하의 직쇄의 또는 탄소수 4 이상 10 이하의 분기된 알킬기, 예를 들면 탄소수 5 이상 8 이하의 직쇄의 알킬기, 예컨대 탄소수 6 이상 8 이하의 직쇄의 알킬기)를 나타낸다. However, in the above formulas, R 311 to R 323 each independently represent a hydrogen atom or a hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms. At this time, at least one of R 311 and R 312 , at least one of R 313 to R 315 , at least one of R 316 to R 319 , at least one of R 320 and R 321 , or at least one of R 322 and R 323 have carbon atoms. 1 to 12 straight chain or branched alkyl group having 3 to 12 carbon atoms (for example, a straight chain or branched alkyl group having 4 to 10 carbon atoms, for example, 5 to 8 carbon atoms) a straight-chain alkyl group, for example, a straight-chain alkyl group having 6 or more and 8 or less carbon atoms).

예를 들어, Ar2 또는 Ar4 와 Ar1 또는 Ar3 로 하기 구조의 카르바졸 환을 형성할 수 있다. 다시 말해, 일 실시예에서, 상기 화학식 1의 -L2-N (Ar1) (Ar2)는 하기 구조를 포함한다. 또 다른 실시예에서는, 상기 화학식 2의 -L4-N (Ar3) (Ar4)는 하기 구조를 가진다. For example, a carbazole ring having the following structure may be formed by Ar 2 or Ar 4 and Ar 1 or Ar 3 . In other words, in one embodiment, -L 2 -N (Ar 1 ) (Ar 2 ) of Chemical Formula 1 includes the following structure. In another embodiment, -L 4 -N (Ar 3 ) (Ar 4 ) in Chemical Formula 2 has the following structure.

Figure pat00013
Figure pat00013

단, R311은, 수소 원자 또는 탄소수 4 이상 10 이하의 직쇄의 또는 탄소수 4 이상 10 이하가 분기된 알킬기 (예를 들어, 수소 원자 또는 탄소수 5 이상 8 이하의 직쇄의 알킬기)를 나타내고, R312 는 탄소수 4 이상 10 이하의 직쇄의 또는 탄소수 4 이상 10 이하의 분기된 알킬기 (예를 들어 탄소수 5 이상 8 이하의 직쇄의 알킬기, 예컨대 탄소수 6 이상 8 이하의 직쇄의 알킬기)를 나타낸다. However, R 311 represents a hydrogen atom or a straight-chain or branched alkyl group having 4 to 10 carbon atoms or 4 to 10 carbon atoms (for example, a hydrogen atom or a straight-chain alkyl group having 5 to 8 carbon atoms), and R 312 represents a straight-chain or branched alkyl group having 4 or more and 10 or less carbon atoms (for example, a straight-chain alkyl group having 5 or more and 8 or less carbon atoms, such as a straight-chain alkyl group having 6 or more and 8 or less carbon atoms).

따라서, 구조단위 B는 하기 구조를 포함할 수 있다. 다시 말해, 일 실시예서, 상기 화학식 1의 하기 구조: Accordingly, the structural unit B may include the following structure. In other words, in one embodiment, the following structure of Formula 1:

Figure pat00014
Figure pat00014

또는, 상기 화학식 2의 하기 구조: Alternatively, the following structure of Formula 2:

Figure pat00015
Figure pat00015

는, 각각 독립적으로, 하기 군으로부터 선택되는 구조를 가질 수 있다. may each independently have a structure selected from the following groups.

Figure pat00016
Figure pat00016

상기 구조 중, R51 내지 R54는, 각각 독립적으로, 수소 원자, 탄소수 1 이상 12 이하의 직쇄의 또는 탄소수 3 이상 12 이하의 분기된 알킬기, 또는 하기군으로부터 선택되는 기를 나타내고, In the above structure, R 51 to R 54 each independently represent a hydrogen atom, a straight-chain or branched alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, or a group selected from the following groups;

Figure pat00017
Figure pat00017

Ar411 내지 Ar417은, 각각 독립적으로, 하기 군으로부터 선택되는 기를 나타내고, Ar 411 to Ar 417 each independently represents a group selected from the following groups;

Figure pat00018
Figure pat00018

여기서, R55 내지 R57은, 각각 독립적으로, 수소 원자, 탄소수 1 이상 12 이하의 직쇄의 또는 탄소수 3 이상 12 이하의 분기된 알킬기, 또는 하기 군으로부터 선택되는 기를 나타내고, Here, R 55 to R 57 each independently represent a hydrogen atom, a straight-chain or branched alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, or a group selected from the following groups;

Figure pat00019
Figure pat00019

R58 및 R59는, 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 탄소수 1 이상 12 이하의 직쇄의 또는 탄소수 3 이상 12 이하가 분기된 알킬기를 나타낸다. R 58 and R 59 each independently represent a hydrogen atom or a straight-chain or branched alkyl group having 1 to 12 carbon atoms and 3 to 12 carbon atoms.

예를 들어, 구조단위 B는, 하기 구조를 포함할 수 있다. 다시 말해, 일 실시예에서, 상기 화학식 1 중 하기 구조: For example, structural unit B may include the following structure. In other words, in one embodiment, the following structure in Formula 1:

Figure pat00020
Figure pat00020

또는, 상기 화학식 2 중 하기 구조: Alternatively, the following structure in Formula 2:

Figure pat00021
Figure pat00021

는, 각각 독립적으로, 하기 군으로부터 선택되는 구조를 가진다: each independently has a structure selected from the group:

Figure pat00022
Figure pat00022

상기 구조 중, Ar412 내지 Ar416은, 각각 독립적으로, 하기 군으로부터 선택되는 기를 나타낸다: In the above structure, Ar 412 to Ar 416 each independently represents a group selected from the following groups:

Figure pat00023
Figure pat00023

상기 구조 중, R55 내지 R57은, 각각 독립적으로, 탄소수 4 이상 10 이하의 직쇄의 또는 탄소수 4 이상 10 이하의 분기된 알킬기를 나타낸다. In the above structure, R 55 to R 57 each independently represent a straight-chain or branched alkyl group having 4 to 10 carbon atoms and 4 to 10 carbon atoms.

따라서, 일 구현예에 관한 화학식 1의 구조단위는, 하기 군으로부터 선택될 수 있다: Accordingly, the structural unit of Chemical Formula 1 according to an embodiment may be selected from the following groups:

Figure pat00024
Figure pat00024

Figure pat00025
Figure pat00025

Figure pat00026
Figure pat00026

Figure pat00027
Figure pat00027

Figure pat00028
Figure pat00028

상기 구조단위들 중, Among the structural units,

R11 내지 R14, R21 및 R22 는 상기 화학식 1에서와 같은 정의이며, R 11 to R 14 , R 21 and R 22 are defined as in Formula 1 above,

R51 내지 R54 는, 각각 독립적으로, 수소 원자, 탄소수 1 이상 12 이하의 직쇄의 또는 탄소수 3 이상 12 이하의 분기된 알킬기, 또는 하기 군으로부터 선택되는 기를 나타내고: R 51 to R 54 each independently represent a hydrogen atom, a straight-chain or branched alkyl group having 1 to 12 carbon atoms and 3 to 12 carbon atoms, or a group selected from the following groups:

Figure pat00029
Figure pat00029

상기 Ar411 내지 Ar417은, 각각 독립적으로, 하기 군으로부터 선택되는 기를 나타내고, Ar 411 to Ar 417 each independently represents a group selected from the following groups;

Figure pat00030
Figure pat00030

상기 화학식들에서, R55 내지 R57은, 각각 독립적으로, 수소 원자, 탄소수 1 이상 12 이하의 직쇄의 또는 탄소수 3 이상 12 이하의 분기된 알킬기, 또는 하기군으로부터 선택되는 기를 나타내고, In the above formulas, R 55 to R 57 each independently represent a hydrogen atom, a straight-chain or branched alkyl group having 1 to 12 carbon atoms or 3 to 12 carbon atoms, or a group selected from the following groups;

Figure pat00031
Figure pat00031

상기 화학식들에서, R58 및 R59 는, 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 탄소수 1 이상 12 이하의 직쇄의 또는 탄소수 3 이상 12 이하의 분기된 알킬기를 나타낸다.In the above formulas, R 58 and R 59 each independently represent a hydrogen atom or a straight-chain or branched alkyl group having 1 to 12 carbon atoms and 3 to 12 carbon atoms.

또한, 일 구현예에 관한 화학식 2의 구조단위는 하기 군으로부터 선택될 수 있다: In addition, the structural unit of Chemical Formula 2 according to an embodiment may be selected from the following groups:

Figure pat00032
Figure pat00032

Figure pat00033
Figure pat00033

상기 구조단위들 중, Among the structural units,

R41 내지 R44, R23 및 R24 는 상기 화학식 2에서와 같은 정의이며, R 41 to R 44 , R 23 and R 24 are defined as in Formula 2 above,

Ar412 내지 Ar416은, 각각 독립적으로, 하기 군으로부터 선택되는 기를 나타낸다: Ar 412 to Ar 416 each independently represent a group selected from the group below:

Figure pat00034
Figure pat00034

상기 구조 중, R55 내지 R57은, 각각 독립적으로, 탄소수 4 이상 10 이하의 직쇄의 또는 탄소수 4 이상 10 이하의 분기된 알킬기를 나타낸다. In the above structure, R 55 to R 57 each independently represent a straight-chain or branched alkyl group having 4 to 10 carbon atoms and 4 to 10 carbon atoms.

일 구현예에 따른 고분자 화합물에서의 구조단위 C의 조성은 특별히 제한되지 않는다. The composition of the structural unit C in the polymer compound according to one embodiment is not particularly limited.

예를 들어, 얻어지는 고분자 화합물을 이용하여 형성한 층, 예를 들면, 정공주입층, 정공수송층 등의 내구성(소자수명, 발광 수명 등)이나 정공주입 수송능의 새로운 향상 효과 등을 고려할 때, 구조단위 C는 고분자 화합물을 구성하는 전체 구조단위를 기준으로, 예를 들면 10 몰% 이상 100 몰% 이하, 예를 들어 50 몰% 초과 100 몰% 이하, 예컨대 100 몰%일 수 있다 (즉, 고분자 화합물은 구조단위 C로만 구성된다). For example, when considering the durability (device lifetime, luminescence lifetime, etc.) of a layer formed using the obtained polymer compound, for example, a hole injection layer, a hole transport layer, or a new improvement effect of hole injection and transport ability, etc. Unit C may be, for example, 10 mol% or more and 100 mol% or less, for example, 50 mol% or more and 100 mol% or less, such as 100 mol%, based on the total structural units constituting the polymer compound. The compound consists only of the structural unit C).

한편, 고분자 화합물이 2종 이상의 구조단위 C를 포함할 경우, 상기 구조단위 C의 함유량은 구조단위 C의 합계량을 의미한다. Meanwhile, when the polymer compound includes two or more kinds of structural units C, the content of the structural units C means the total amount of the structural units C.

일 구현예에 따른 고분자 화합물이 상기 화학식 1의 구조단위 및 상기 화학식 2의 구조단위를 포함할 경우, 하기 화학식 1로 표시되는 구조단위 및 하기 화학식 2로 표시되는 구조단위의 조성은, 상기 화학식 2로 표시되는 구조단위가, 예를 들면, 상기 화학식 1로 표시되는 구조단위 1몰에 대하여, 0.3 몰 이상 10 몰 이하의 비율로 존재하고, 상기 화학식 2로 표시되는 구조단위가, 상기 화학식 1로 표시되는 구조단위 1 몰에 대하여 1 몰 이상 20 몰 이하의 비율로 존재할 수 있고, 상기 화학식 2로 표시되는 구조단위가 상기 화학식 1로 표시되는 구조단위 1 몰에 대하여, 1 몰 이상 3 몰 이하의 비율로 존재할 수 있다. 이러한 조성으로 2 종의 구조단위 C가 존재함으로써, 원하는 특성, 예를 들면, 내구성, 제막성 등을 적절하게 조절할 수 있다. When the polymer compound according to an embodiment includes the structural unit of Formula 1 and the structural unit of Formula 2, the composition of the structural unit represented by Formula 1 and the structural unit represented by Formula 2 below is The structural unit represented by, for example, is present in an amount of 0.3 mol or more and 10 mol or less with respect to 1 mol of the structural unit represented by the above formula (1), and the structural unit represented by the above formula (2) is represented by the above formula (1) It may be present in an amount of 1 mole or more and 20 moles or less with respect to 1 mole of the structural unit represented by Formula 2, and the structural unit represented by Chemical Formula 2 may be present in an amount of 1 mole or more and 3 moles or less with respect to 1 mole of the structural unit represented by Chemical Formula 1. may exist in proportion. Due to the presence of two types of structural units C in this composition, desired properties, such as durability and film forming properties, can be appropriately adjusted.

전술한 바와 같이, 일 구현예에 따른 고분자 화합물은 구조단위 C만으로 구성되어도 된다. As described above, the polymer compound according to one embodiment may be composed only of structural unit C.

또는, 일 구현예의 고분자 화합물은 구조단위 C 이외의 다른 구조단위를 추가로 포함해도 된다. Alternatively, the polymer compound of one embodiment may further include structural units other than structural unit C.

다른 구조단위를 포함할 경우 다른 구조단위는 고분자 화합물의 효과 (특히, 내구성, 제막성, 높은 삼중항 에너지 준위, 낮은 구동 전압)을 저해하지 않는 한, 특별히 제한되지 않는다. 예를 들어, 하기 군으로부터 선택되는 구조단위를 들 수 있다. In the case of including other structural units, other structural units are not particularly limited as long as they do not impair the effects of the polymer compound (in particular, durability, film forming property, high triplet energy level, and low driving voltage). For example, structural units selected from the following groups may be mentioned.

한편, 이하에서는 하기 군에서 나타내는 구조단위를 「구조단위 D」 라고도 한다. On the other hand, below, structural units represented by the following groups are also referred to as "structural unit D".

Figure pat00035
Figure pat00035

본 실시 형태의 고분자 화합물에서의 구조단위 D의 조성은 특별히 제한되지 않는다. 얻어지는 고분자 화합물에 의한 제막 용이성, 피막 강도의 새로운 향상 효과 등을 고려하면, 구조단위 D는 고분자 화합물을 구성하는 전체 구조단위에 대하여, 예를 들면 1 몰% 이상 10 몰% 이하일 수 있다. 한편, 고분자 화합물이 2 종 이상의 구조단위 D를 포함할 경우, 상기 구조단위 D의 함유량은 구조단위 D의 합계량을 의미한다. The composition of the structural unit D in the polymer compound of the present embodiment is not particularly limited. Considering the ease of forming a film by the obtained polymer compound and the effect of further improving film strength, the structural unit D may be, for example, 1 mol% or more and 10 mol% or less with respect to all structural units constituting the polymer compound. Meanwhile, when the polymer compound includes two or more kinds of structural units D, the content of the structural units D means the total amount of the structural units D.

고분자 화합물의 중량평균분자량(Mw)은, 본 발명의 목적 효과가 얻어지는 한, 특별히 제한되지 않는다. 중량평균분자량(Mw)은, 예를 들면, 8,000 g/mol 이상 1,000,000 g/mol 이하일 수 있고, 12,000 g/mol 이상 1,000,000 g/mol 이하일 수 있고, 예를 들어, 20,000 g/mol 이상 800,000 g/mol 이하일 수 있고, 50,000 g/mol 이상 500,000 g/mol 이하일 수 있다. 이러한 중량평균분자량이라면, 고분자 화합물을 이용해서 층 (예를 들면, 정공주입층, 정공수송층)을 형성하기 위한 도포액의 점도를 적절하게 조절하고, 균일한 막 두께의 층을 형성할 수 있다. The weight average molecular weight (Mw) of the high molecular compound is not particularly limited as long as the desired effect of the present invention is obtained. The weight average molecular weight (Mw) may be, for example, 8,000 g/mol or more and 1,000,000 g/mol or less, 12,000 g/mol or more and 1,000,000 g/mol or less, and, for example, 20,000 g/mol or more and 800,000 g/mol or more. mol or less, and may be 50,000 g/mol or more and 500,000 g/mol or less. With such a weight average molecular weight, it is possible to appropriately adjust the viscosity of a coating solution for forming a layer (eg, a hole injection layer or a hole transport layer) using a polymer compound, and form a layer having a uniform film thickness.

또, 고분자 화합물의 수평균분자량(Mn)은, 본 발명의 목적 효과가 얻어지는 한, 특별히 제한되지 않는다. 수평균 분자량(Mn)은, 예를 들면, 4,000 g/mol 이상 250,000 g/mol 이하일 수 있고, 10,000 g/mol 이상 250,000 g/mol 이하일 수 있고, 20,000 g/mol 이상 150,000 g/mol 이하일 수 있고, 예컨대, 25,000 g/mol 이상 100,000 g/mol 이하일 수 있다. 이러한 수평균 분자량이라면, 고분자 화합물을 이용해서 층 (예를 들면, 정공주입층, 정공수송층)을 형성하기 위한 도포액의 점도를 적절하게 조절하고, 균일한 막 두께의 층을 형성하는 것이 가능하다. In addition, the number average molecular weight (Mn) of the high molecular compound is not particularly limited as long as the desired effect of the present invention is obtained. The number average molecular weight (Mn) may be, for example, 4,000 g/mol or more and 250,000 g/mol or less, 10,000 g/mol or more and 250,000 g/mol or less, 20,000 g/mol or more and 150,000 g/mol or less, , eg, greater than or equal to 25,000 g/mol and less than or equal to 100,000 g/mol. With such a number average molecular weight, it is possible to appropriately adjust the viscosity of the coating solution for forming a layer (e.g., hole injection layer, hole transport layer) using a polymer compound, and form a layer with a uniform film thickness. .

또, 본 실시 형태의 고분자 화합물의 다분산도 (중량평균분자량/ 수평균분자량)는, 예를 들면, 1.2이상 6.0 이하, 예를 들면 1.2 이상 4.0 이하, 예를 들면 1.5 이상 3.5 이하일 수 있다. Further, the polydispersity (weight average molecular weight/number average molecular weight) of the polymer compound of the present embodiment may be, for example, 1.2 or more and 6.0 or less, such as 1.2 or more and 4.0 or less, for example, 1.5 or more and 3.5 or less.

본원 명세서에서, 수평균분자량(Mn) 및 중량평균분자량(Mw)의 측정은, 특별히 제한되지 않고, 공지된 방법을 이용해서 또는 공지된 방법을 적당히 수식해서 적용할 수 있다. In the present specification, the measurement of the number average molecular weight (Mn) and the weight average molecular weight (Mw) is not particularly limited, and may be applied using a known method or by appropriately modifying a known method.

본원 명세서에서는, 수평균분자량(Mn) 및 중량평균분자량(Mw)은 하기 방법에 의해 측정되는 값을 채용한다. In the present specification, the number average molecular weight (Mn) and the weight average molecular weight (Mw) employ values measured by the following method.

한편, 폴리머의 다분산도 (Mw/Mn)는, 하기 방법에 의해 측정된 수평균분자량(Mn)에서 중량평균분자량(Mw)을 나눔으로써 산출될 수 있다. On the other hand, the polydispersity (Mw/Mn) of the polymer can be calculated by dividing the weight average molecular weight (Mw) from the number average molecular weight (Mn) measured by the following method.

(수평균분자량(Mn) 및 중량평균분자량(Mw)의 측정) (Measurement of number average molecular weight (Mn) and weight average molecular weight (Mw))

고분자 재료의 수평균분자량(Mn) 및 중량평균분자량(Mw)은, 폴리스티렌을 표준 물질을 이용하고, SEC(사이즈 배제 크로마토그래피: Size Exclusion Chromatography)에 의해, 이하의 조건으로 측정한다: The number average molecular weight (Mn) and weight average molecular weight (Mw) of the polymer material are measured using polystyrene as a standard substance by SEC (Size Exclusion Chromatography) under the following conditions:

(SEC 측정 조건) (SEC measurement conditions)

분석 장치(SEC): 시마즈 제작소제, Prominence Analyzer (SEC): Shimadzu Corporation, Prominence

컬럼: 폴리머 라보라토리즈제, PLgel MIXED-B Column: Polymer Laboratories, PLgel MIXED-B

컬럼 온도: 40 ℃ Column temperature: 40 °C

유량: 1.0mL/min Flow rate: 1.0mL/min

시료 용액의 주입량: 20 μL (폴리머 농도: 약 0.05 질량%) Injection amount of sample solution: 20 μL (polymer concentration: about 0.05% by mass)

용리액: 테트라하이드로푸란(THF) Eluent: tetrahydrofuran (THF)

검출기 (UV-VIS검출기): 시마즈 제작소제, SPD-10AV Detector (UV-VIS detector): Shimadzu Corporation, SPD-10AV

표준 시료: 폴리스티렌. Standard sample: polystyrene.

본 실시 형태의 고분자 화합물의 주사슬의 말단은, 특별히 제한되지 않고, 사용되는 원료의 종류에 의해 적당히 규정되지만, 통상, 수소원자일 수 있다. The terminal of the main chain of the polymer compound of the present embodiment is not particularly limited and is appropriately defined depending on the type of raw material used, but may be usually a hydrogen atom.

본 실시 형태의 고분자화합물은, 공지된 유기합성 방법을 이용하여 합성하는 것이 가능하다. The polymer compound of the present embodiment can be synthesized using a known organic synthesis method.

본 실시 형태의 고분자 화합물의 구체적인 합성 방법은 후술하는 실시예를 참조한 당업자라면 용이하게 이해할 수 있다. 예를 들어, 본 실시 형태의 고분자 화합물은, 하기 화학식 1'로 나타내는 단량체, 또는 하기 화학식 1'로 나타내는 단량체 및 하기 화학식 2'로 나타내는 단량체를 이용한 중합 반응에 의해, 또는 하기 화학식 1'로 나타내는 단량체, 또는 하기 화학식 1'로 나타내는 단량체 및 하기 화학식 2'로 나타내는 단량체, 및 상기 기타 구조단위에 상당하는 것 외의 단량체를 이용한 공중합 반응에 의해 제조할 수 있다. A specific method for synthesizing the polymer compound of the present embodiment can be easily understood by those skilled in the art by referring to Examples described later. For example, the polymer compound of the present embodiment is obtained by a polymerization reaction using a monomer represented by the following formula (1'), or a monomer represented by the following formula (1') and a monomer represented by the following formula (2'), or represented by the following formula (1'). It can be produced by a copolymerization reaction using monomers or monomers represented by the following formula (1') and monomers represented by the following formula (2') and monomers other than those corresponding to the above other structural units.

(화학식 1’) (Formula 1')

Figure pat00036
Figure pat00036

(화학식 2’) (Formula 2')

Figure pat00037
Figure pat00037

본원 발명에서, 고분자 화합물의 중합에 이용할 수 있는 상기 단량체는 공지된 합성 반응을 적당히 조합해서 합성할 수 있고, 그 구조도 공지된 방법, 예를 들면, NMR, LC-MS 등에 의해 확인할 수 있다. 예를 들면, 상기 화학식 1'로 나타내는 단량체는, 하기 화학식 3'로 나타내는 화합물과, 하기 화학식 4'로 나타내는 화합물과의 반응에 의해 얻어진다. 동일하게, 상기 화학식 2'로 나타내는 단량체는, 하기 화학식 5'로 나타내는 화합물과, 하기 화학식 6'로 나타내는 화합물과의 반응에 의해 얻어질 수 있다. In the present invention, the monomers usable for polymerization of high molecular compounds can be synthesized by appropriately combining known synthesis reactions, and their structures can also be confirmed by known methods such as NMR and LC-MS. For example, the monomer represented by the above formula (1') is obtained by a reaction between a compound represented by the following formula (3') and a compound represented by the following formula (4'). Similarly, the monomer represented by the formula (2') can be obtained by a reaction between a compound represented by the following formula (5') and a compound represented by the following formula (6').

(화학식 3’) (Formula 3')

Figure pat00038
Figure pat00038

(화학식 4’)(Formula 4')

Figure pat00039
Figure pat00039

(화학식 5’)(Formula 5')

Figure pat00040
Figure pat00040

(화학식 6’)(Formula 6')

Figure pat00041
Figure pat00041

상기 화학식 1' 내지 화학식 6' 중 R11 내지 R14, R21, R22, R31, R32, L1, x, L2, Ar1 및 Ar2 는 상기 화학식 1에서 정의한 바와 같다. R 11 to R 14 , R 21 , R 22 , R 31 , R 32 , L 1 , x, L 2 , Ar 1 and Ar 2 in Formulas 1′ to 6′ are as defined in Formula 1 above.

또, 상기 화학식 1' 내지 화학식 6'의 R41 내지 R44, R23, R24, R33, R34, L3, y, L4, Ar3 및 Ar4는 상기 화학식 2에서의 정의와 같다. In addition, R 41 to R 44 , R 23 , R 24 , R 33 , R 34 , L 3 , y, L 4 , Ar 3 and Ar 4 in Formulas 1' to 6' are as defined in Formula 2 above. same.

Z1 및 Z2, Z3 및 Z4, Z1' 및 Z2', Z3' 및 Z4', Z1” 및 Z2”, 및 Z3” 및 Z3”은, 각각 독립적으로, 할로겐 원자(플루오르원자, 염소원자, 브롬원자, 요오드원자, 예컨대, 브롬원자) 또는 하기 구조의 기이다. 하기 구조에서, RA 내지 RD는, 각각 독립적으로, 탄소수 1 이상 3 이하의 알킬기이다. 예를 들면, RA 내지 RD는 메틸기이다. Z 1 and Z 2 , Z 3 and Z 4 , Z 1' and Z 2' , Z 3' and Z 4' , Z 1” and Z 2” , and Z 3” and Z 3” are each independently, a halogen atom (a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, an iodine atom such as a bromine atom) or a group having the following structure. In the structure below, R A to R D are each independently an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms. For example, R A to R D are methyl groups.

Figure pat00042
Figure pat00042

한편, 상기 화학식 1' 내지 화학식 6' 중 Z1 및 Z2, Z3 및 Z4, Z1' 및 Z2', Z3' 및 Z4', Z1” 및 Z2”, 및 Z3” 및 Z4”은, 각각, 동일하거나 또는 다를 수 있다. 예를 들면, 상기 화학식 1' 중 Z1 및 Z2는 상이하다. 예를 들면, 상기 화학식 2' 중 Z3 및 Z4는 상이하다. 또는, 상기 화학식 1' 중 Z1 및 Z2는 다르고, 또한 상기 화학식 2' 중 Z3 및 Z4는 다르고, 또한 상기 화학식 1' 중 Z1 및 Z3이 동일하고, 또한 상기 화학식 1'의 Z2 및 Z4가 서로 동일할 수 있다. 예를 들면, 상기 화학식 3' 중 Z1' 및 Z2'은 동일하다. 예를 들면, 상기 화학식 4' 중 Z1” 및 Z2”은 동일하다. 또한, 상기 화학식 3' 중 Z1' 및 Z2'은 동일하고, 또한 상기 화학식 4' 중 Z1” 및 Z2”은 동일하고, 상기 화학식 3'의 Z1' 및 Z2'은 상기 화학식 4’의 Z1” 및 Z2”과 다를 수 있다. 예를 들면, 상기 화학식 5'의 Z3' 및 Z4'는 동일하다. 예를 들면, 상기 화학식 6'의 Z3” 및 Z4”은 동일하다. 또한, 상기 화학식 5' 중 Z3' 및 Z4'은 동일하고, 또한 상기 화학식 6' 중 Z3” 및 Z4”은 동일하고, 또한 상기 화학식 3’ 중 Z3' 및 Z4'은 상기 화학식 6' 중 Z3” 및 Z4”과 다를 수 있다. On the other hand, Z 1 and Z 2 , Z 3 and Z 4 , Z 1 'and Z 2' , Z 3 ' and Z 4 ' , Z 1” and Z 2” , and Z 3 in Formulas 1' to 6' and Z 4 ” may be the same or different, respectively. For example, in Formula 1', Z 1 and Z 2 are different. For example, in Formula 2', Z 3 and Z 4 are different. Alternatively, in Formula 1', Z 1 and Z 2 are different, and in Formula 2', Z 3 and Z 4 are different, and in Formula 1', Z 1 and Z 3 are the same, and in Formula 1', Z 2 and Z 4 may be the same as each other. For example, in Formula 3', Z 1' and Z 2' are the same. For example, Z 1” and Z 2” in Formula 4' are the same. In addition, Z 1' and Z 2' in Formula 3' are the same, Z 1” and Z 2” in Formula 4' are the same, and Z 1' and Z 2' in Formula 3' are the same. It may be different from Z 1” and Z 2” of 4'. For example, Z 3' and Z 4' in Formula 5' are the same. For example, Z 3” and Z 4” in Formula 6' are the same. In addition, Z 3' and Z 4' in Formula 5' are the same, Z 3” and Z 4” in Formula 6' are the same, and Z 3' and Z 4' in Formula 3' are the same as above. It may be different from Z 3” and Z 4” in Formula 6'.

본 실시 형태의 고분자 화합물은 구조단위 C를 포함한다. 이 때문에, 해당 고분자 화합물은 큰 C-N 결합의 결합해리 에너지 및 높은 정공주입 수송성을 가진다. 따라서, 일 실시예에 따른 고분자 화합물을 정공주입 재료 또는 정공수송 재료 (특히 정공수송 재료)로서 사용할 경우, 높은 내구성(소자수명, 발광 수명)을 달성할 수 있다. 또한, 본 실시 형태의 고분자 화합물은, 높은 삼중항 에너지 준위를 가지고, 동시에 낮은 구동 전압을 가진다. 따라서, 일 구현예에 따른 고분자화합물을 정공주입 재료 또는 정공수송 재료 (특히 정공수송 재료)로서 사용할 경우, 저구동 전압으로 높은 홀 이동성이 달성될 수 있다. 따라서, 일 구현예에 따른 고분자 화합물을 이용하는 일렉트로루미네선스 소자는 내구성(소자수명, 발광 수명 등) 및 발광 효율이 우수하다. The polymer compound of the present embodiment includes structural unit C. For this reason, the high molecular compound has a large C-N bond dissociation energy and a high hole injection/transport property. Therefore, when the polymer compound according to one embodiment is used as a hole injection material or a hole transport material (particularly a hole transport material), high durability (device lifespan, light emitting lifespan) can be achieved. Further, the polymer compound of the present embodiment has a high triplet energy level and a low drive voltage at the same time. Therefore, when the polymer compound according to one embodiment is used as a hole injection material or a hole transport material (particularly, a hole transport material), high hole mobility can be achieved with a low driving voltage. Therefore, the electroluminescence device using the polymer compound according to the embodiment has excellent durability (device lifespan, light emitting lifespan, etc.) and light emitting efficiency.

[일렉트로루미네선스 소자 재료] [Electroluminescence element material]

일 실시예에 따른 고분자 화합물은 일렉트로루미네선스 소자 재료로서 유리하게 이용할 수 있다. A polymer compound according to an embodiment can be advantageously used as an electroluminescence device material.

일 실시예에 따른 고분자 화합물에 의하면, 우수한 내구성(소자수명, 발광 수명 등)을 소유하는 일렉트로루미네선스 소자 재료가 제공될 수 있다. 또한, 일 실시예에 따른 고분자 화합물에 의하면, 높은 삼중항 에너지 준위(전류효율) 및 낮은 구동 전압을 가지는 일렉트로루미네선스 소자 재료도 또 제공될 수 있다. 또한, 상기 고분자 화합물의 주사슬(구조단위 C)은 적절한 플렉시빌리티를 가진다. 이 때문에, 일 실시예에 따른 고분자 화합물은, 용매에의 높은 용해성 및 높은 내열성을 나타낸다. 따라서, 습식(도포)법에 의해 용이하게 제막(박막화)할 수 있다. 따라서, 제2 구현예에서는, 제1 구현예에 따른 고분자 화합물을 포함하는 일렉트로루미네선스 소자 재료가 제공된다. 또는, 상기 고분자 화합물의 일렉트로루미네선스 소자 재료로서의 사용이 제공된다. According to the polymer compound according to an embodiment, an electroluminescence device material having excellent durability (device lifespan, light emitting lifespan, etc.) can be provided. In addition, according to the polymer compound according to an embodiment, an electroluminescence device material having a high triplet energy level (current efficiency) and a low driving voltage may also be provided. In addition, the main chain (structural unit C) of the polymer compound has appropriate flexibility. For this reason, the polymer compound according to one embodiment exhibits high solubility in solvents and high heat resistance. Therefore, it can be easily formed into a film (thin film) by a wet (application) method. Therefore, in the second embodiment, an electroluminescence device material comprising the polymer compound according to the first embodiment is provided. Alternatively, use of the above polymer compound as an electroluminescence device material is provided.

또한, 일 실시예에 따른 고분자 화합물은, 5.20eV를 넘는, 예를 들어, 5.47eV를 넘는 HOMO 에너지 값을 가진다. 이 때문에, 일 실시예에 따른 고분자 화합물은 양자점 일렉트로루미네선스 소자 (특히 정공수송층)에도 적합하게 사용할 수 있다. In addition, the polymer compound according to an embodiment has a HOMO energy value exceeding 5.20 eV, for example, exceeding 5.47 eV. For this reason, the polymer compound according to one embodiment can be suitably used for a quantum dot electroluminescence device (particularly, a hole transport layer).

[일렉트로루미네선스 소자] [Electroluminescence element]

전술한 바와 같이, 일 실시예에 따른 고분자 화합물은 일렉트로루미네선스 소자에 유리하게 이용할 수 있다. 다시 말해, 한 쌍의 전극과, 상기 전극 간에 배치되고, 일 구현예의 고분자 화합물 또는 일렉트로루미네선스 소자 재료를 포함하는 1층 이상의 유기막을 구비하는, 일렉트로루미네선스 소자를 제공한다. 이러한 일렉트로루미네선스 소자는 내구성(소자수명, 발광 수명 등)이 우수하다. 또, 이러한 일렉트로루미네선스 소자는 저구동 전압으로 우수한 발광 효율을 발휘할 수 있다. As described above, the polymer compound according to one embodiment can be advantageously used in an electroluminescent device. In other words, an electroluminescence device including a pair of electrodes and one or more organic layers disposed between the electrodes and containing the polymer compound or electroluminescence device material of one embodiment is provided. Such an electroluminescence device has excellent durability (device lifetime, luminescence lifetime, etc.). In addition, such an electroluminescent device can exhibit excellent luminous efficiency with a low driving voltage.

따라서, 제3 구현예에서는, 제1 전극과, 제2 전극과, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극과의 사이에 배치되는 1층 이상의 유기막을 구비하는 일렉트로루미네선스 소자로서, 상기 유기막의 최소한 1층이 일 구현예에 따른 고분자 화합물을 포함하는, 일렉트로루미네선스 소자가 제공된다. Accordingly, in the third embodiment, an electroluminescent device including a first electrode, a second electrode, and one or more layers of an organic film disposed between the first electrode and the second electrode, wherein the organic film An electroluminescence device in which at least one layer includes the polymer compound according to one embodiment is provided.

본 발명의 목적 (또는 효과)은, 이러한 일 실시예에 따른 일렉트로루미네선스 소자에 의해도 달성할 수 있다. 상기 형태의 예로서, 일렉트로루미네선스 소자는, 상기 전극 간에 배치되고, 삼중항 여기자로서의 발광이 가능한 발광 재료를 포함하는 발광층을 추가로 구비한다. The object (or effect) of the present invention can also be achieved by the electroluminescence device according to this embodiment. As an example of the above aspect, the electroluminescent element further includes a light emitting layer disposed between the electrodes and containing a light emitting material capable of emitting light as a triplet exciton.

한편, 본 실시 형태의 일렉트로루미네선스 소자는 일 구현예에 따른 일렉트로루미네선스 소자의 하나의 예이다. Meanwhile, the electroluminescence device of this embodiment is an example of an electroluminescence device according to an embodiment.

또한, 본 실시 형태는, 한 쌍의 전극과, 상기 전극 간에 배치되고, 일 구현예의 고분자 화합물을 포함하는 1층 이상의 유기막을 구비하는 일렉트로루미네선스 소자의 제조 방법으로서, 상기 유기막 중 최소한 1 층을 도포법에 의해 형성하는 방법을 제공한다. 또, 이러한 방법에 의해, 본 실시 형태는, 상기 유기막 중 최소한 1 층이 도포법에 의해 형성도되는 일렉트로루미네선스 소자를 제공한다. Further, the present embodiment is a method for manufacturing an electroluminescence device including a pair of electrodes and one or more layers of organic films disposed between the electrodes and containing the polymer compound of one embodiment, wherein at least one of the organic films is used. A method for forming a layer by an application method is provided. Further, according to this method, the present embodiment provides an electroluminescent element in which at least one layer of the organic film is formed by a coating method.

본 실시 형태의 고분자 화합물, 및 일 실시예에 따른 일렉트로루미네선스 소자 재료(EL소자재료) (이하, 일괄하여 「고분자화합물/EL소자재료」라고도 한다)는 유기 용매에 대한 용해성이 우수하다. 이 때문에, 일 실시예에 따른 고분자 화합물/EL소자재료는, 도포법(웨트 프로세스)에 의한 소자 (특히 박막)의 제조에 특별히 유리하게 이용할 수 있다. 이 때문에, 본 실시 형태는, 본 실시 형태의 고분자 화합물과, 용매, 또는 분산매를 포함하는 액상 조성물을 제공한다. 이러한 액상 조성물은 일 구현예에 따른 액상 조성물의 하나의 예이다. The polymer compound of the present embodiment and the electroluminescence device material (EL device material) according to one embodiment (hereinafter collectively referred to as "polymer compound/EL device material") are excellent in solubility in organic solvents. For this reason, the polymer compound/EL element material according to one embodiment can be used particularly advantageously in the manufacture of elements (particularly thin films) by a coating method (wet process). For this reason, this embodiment provides the liquid composition containing the polymer compound of this embodiment, and a solvent or a dispersion medium. This liquid composition is an example of a liquid composition according to an embodiment.

또한, 상기와 같이, 일 실시 형태에 따른 일렉트로루미네선스 소자 재료는 도포법 (웨트 프로세스)에 의한 소자 (특별히 박막)의 제조에 유리하게 이용될 수 있다. 상기 관점에서, 본 실시 형태는, 본 실시 형태의 고분자 화합물을 함유하는 박막을 제공한다. 이러한 박막은, 일 구현예에 따른 박막의 하나의 예이다. In addition, as described above, the electroluminescence element material according to one embodiment can be advantageously used for manufacturing an element (especially a thin film) by an application method (wet process). In view of the above, the present embodiment provides a thin film containing the polymer compound of the present embodiment. Such a thin film is an example of a thin film according to an embodiment.

또, 일 실시예에 따른 EL 소자 재료는 정공주입 수송성이 우수하다. 이 때문에, 정공주입 재료, 정공수송 재료 또는 발광 재료(호스트) 등의 어느 쪽의 유기막의 형성에 있어서도 적합하게 이용될 수 있다. 이 중, 정공 수송성의 관점에서, 정공주입 재료 또는 정공수송 재료로서 유리하게 이용할 수 있어, 정공수송 재료로서 유리하게 이용할 수 있다. In addition, the EL device material according to the embodiment has excellent hole injection and transport properties. For this reason, it can be suitably used also in formation of any organic film, such as a hole injection material, a hole transport material, or a light emitting material (host). Among these, it can be advantageously used as a hole injection material or a hole transport material from the viewpoint of hole transport properties, and can be advantageously used as a hole transport material.

다시 말해, 본 실시 형태는, 고분자 화합물과, 정공수송 재료, 전자수송 재료, 및 발광 재료로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 일종의 재료를 함유하는 조성물을 제공한다. 여기서, 조성물에 포함되는 발광 재료는, 특별히 제한되지 않지만, 유기금속착체 (발광성 유기금속착체화합물) 또는 반도체 나노 입자(반도체 무기 나노 입자)를 포함할 수 있다. In other words, this embodiment provides a composition containing a polymer compound and at least one material selected from the group consisting of a hole transport material, an electron transport material, and a light emitting material. Here, the light-emitting material included in the composition is not particularly limited, but may include organometallic complexes (luminescent organometallic complex compounds) or semiconductor nanoparticles (semiconductor inorganic nanoparticles).

[일렉트로루미네선스 소자] [Electroluminescence element]

이하에서는, 도 1을 참조하여, 일 실시예에 따른 일렉트로루미네선스 소자에 대해 상세하게 설명한다. Hereinafter, referring to FIG. 1 , an electroluminescence device according to an exemplary embodiment will be described in detail.

도 1은, 일 실시예에 따른 일렉트로루미네선스 소자를 나타내는 모식도이다. 1 is a schematic diagram showing an electroluminescence device according to an exemplary embodiment.

한편, 본원 명세서에서, 「일렉트로루미네선스 소자」는 「EL소자」라고 생략하는 경우가 있다. On the other hand, in the present specification, "electroluminescence element" is sometimes abbreviated as "EL element".

도 1에 도시한 바와 같이, 일 실시예에 따른 EL소자(100)는 기판(110)과, 기판(110)위로 배치된 제1 전극(120)과, 제1 전극(120) 위로 배치된 정공주입층(130)과, 정공주입층(130)위로 배치된 정공수송층(140)과, 정공수송층(140) 위로 배치된 발광층(150)과, 발광층(150) 위로 배치된 전자수송층 (160)과, 전자수송층(160) 위로 배치된 전자주입층(170)과, 전자주입층(170) 위로 배치된 제2 전극 (180)을 구비한다. As shown in FIG. 1, the EL device 100 according to an embodiment includes a substrate 110, a first electrode 120 disposed on the substrate 110, and holes disposed on the first electrode 120. The injection layer 130, the hole transport layer 140 disposed on the hole injection layer 130, the light emitting layer 150 disposed on the hole transport layer 140, and the electron transport layer 160 disposed on the light emitting layer 150, , An electron injection layer 170 disposed on the electron transport layer 160 and a second electrode 180 disposed on the electron injection layer 170.

여기서, 본 실시 형태의 고분자 화합물은, 예를 들면, 제1 전극(120)과 제2 전극(180)과의 사이에 배치된 어느 하나의 유기막(유기층) 중에 포함된다. 예를 들어, 고분자 화합물은, 정공주입 재료로서 정공주입층(130) 또는 정공수송 재료로서 정공수송층(140) 또는 발광 재료(호스트)로서 발광층(150)에 포함될 수 있다. 예를 들어, 고분자 화합물은, 정공주입 재료로서 정공주입층(130)에 또는 정공수송 재료로서 정공수송층(140)에 포함될 수 있다. 예를 들어, 고분자 화합물은 정공수송 재료로서 정공수송층(140)에 포함될 수 있다. 다시 말해, 일 실시형태에서는, 고분자 화합물을 포함하는 유기막이 정공수송층, 정공주입층, 또는 발광층일 수 있다. Here, the high molecular compound of this embodiment is contained in any one organic film (organic layer) arrange|positioned between the 1st electrode 120 and the 2nd electrode 180, for example. For example, the polymer compound may be included in the hole injection layer 130 as a hole injection material, the hole transport layer 140 as a hole transport material, or the light emitting layer 150 as a light emitting material (host). For example, the high molecular compound may be included in the hole injection layer 130 as a hole injection material or in the hole transport layer 140 as a hole transport material. For example, a high molecular compound may be included in the hole transport layer 140 as a hole transport material. In other words, in one embodiment, the organic film containing the polymer compound may be a hole transport layer, a hole injection layer, or a light emitting layer.

본 발명의 일 실시예에서, 상기 고분자 화합물을 포함하는 유기막이 정공수송층 또는 정공주입층이다. In one embodiment of the present invention, the organic film containing the polymer compound is a hole transport layer or a hole injection layer.

본 발명의 일 실시예에서, 상기 고분자 화합물을 포함하는 유기막이 정공수송층이다. In one embodiment of the present invention, the organic film containing the polymer compound is a hole transport layer.

또, 본 실시 형태의 고분자 화합물/ EL 소자재료를 포함하는 유기막은 도포법(용액도포법)에 의해 형성될 수 있다. In addition, the organic film containing the polymer compound/EL element material of the present embodiment can be formed by a coating method (solution coating method).

예를 들어, 유기막은, 스핀코팅(spin coat)법, 주조/캐스팅(casting)법, 마이크로그라비아코팅(micro gravure coat)법, 그라비아코팅(gravure coat)법, 바 코팅(bar coat)법, 롤코팅(roll coat)법, 와이어 바코드(wire bar coat)법, 딥 코트(dip coat)법, 스프레이 코트(spry coat)법, 스크린(screen)인쇄법, 플렉소(flexographic)인쇄법, 오프셋(offset)인쇄법, 잉크젯(ink jet) 인쇄법 등의 용액도포법을 이용해서 제막될 수 있다. For example, the organic film is a spin coat method, a casting/casting method, a micro gravure coat method, a gravure coat method, a bar coat method, a roll Roll coat method, wire bar coat method, dip coat method, spray coat method, screen printing method, flexographic printing method, offset ) may be formed using a solution coating method such as a printing method or an ink jet printing method.

한편, 용액도포법에 사용하는 용매는 고분자 화합물/EL 소자재료를 용해할 수 있는 것이라면, 어떤 용매라도 사용할 수 있고, 사용하는 고분자 화합물의 종류에 의해 적당히 선택할 수 있다. 예를 들면, 톨루엔, 크실렌, 에틸 벤젠, 디에틸벤젠, 메시틸렌, 프로필 벤젠, 시클로헥실 벤젠, 디메톡시 벤젠, 아니솔, 에톡시 톨루엔, 페녹시 톨루엔, 이소프로필 비페닐, 디메틸 아니솔, 아세트산 페닐, 피로피온산 페닐, 벤조산 메틸, 벤조산 에틸, 시클로헥산 등을 예시할 수 있다. On the other hand, any solvent can be used for the solvent used in the solution coating method as long as it can dissolve the polymer compound/EL device material, and can be appropriately selected according to the type of polymer compound used. For example, toluene, xylene, ethyl benzene, diethylbenzene, mesitylene, propyl benzene, cyclohexyl benzene, dimethoxy benzene, anisole, ethoxy toluene, phenoxy toluene, isopropyl biphenyl, dimethyl anisole, acetic acid Phenyl, phenyl propionate, methyl benzoate, ethyl benzoate, cyclohexane and the like can be exemplified.

또, 용매의 사용량은, 특별히 제한되지 않지만, 도포 용이성 등을 고려하면, 고분자 화합물의 농도가, 예를 들면 0.1 질량% 이상 10 질량% 이하, 예를 들어 0.5 질량% 이상 5 질량% 이하 정도가 되는 양일 수 있다. The amount of the solvent used is not particularly limited, but considering ease of application and the like, the concentration of the polymer compound is, for example, 0.1% by mass or more and 10% by mass or less, for example, 0.5% by mass or more and 5% by mass or less. can be an amount

한편, 고분자화합물/EL소자재료를 포함하는 유기막 이외의 층의 제막 방법에 대해서는, 특별히 한정되지 않는다. On the other hand, the method for forming a layer other than the organic film containing the polymer compound/EL device material is not particularly limited.

본 실시 형태의 고분자화합물/EL소자재료를 포함하는 유기막 이외의 층은, 예를 들면, 진공증착법으로 제막되어도 되고, 용액도포법으로 제막되어도 된다. Layers other than the organic film containing the polymer compound/EL element material of the present embodiment may be formed into a film by, for example, a vacuum evaporation method or a solution coating method.

기판(110)은, 일반적인 EL소자에서 사용되는 기판을 사용할 수 있다. 예를 들면, 기판 (110)은, 유리(glass) 기판, 실리콘(silicon) 기판 등의 반도체 기판, 또는 투명한 플라스틱(plastic) 기판 등이어도 된다. As the substrate 110, a substrate used in general EL devices can be used. For example, the substrate 110 may be a semiconductor substrate such as a glass substrate or a silicon substrate, or a transparent plastic substrate.

기판(110) 위로는, 제1 전극 (120)이 형성된다. 제1 전극(120)은, 예를 들어, 양극이며, 금속, 합금,또는 도전성 화합물 중 일함수가 큰 것에 의해 형성될 수 있다. 예를 들면, 제1 전극 (120)은, 투명성 및 도전성이 우수한 산화 인듐 주석(In2O3-SnO2: ITO), 산화 인듐 아연(In2O3-ZnO), 산화 주석(SnO2), 산화 아연(ZnO) 등에 의해 투과형 전극으로서 형성될 수도 있다. Above the substrate 110, a first electrode 120 is formed. The first electrode 120 is, for example, an anode, and may be formed of a metal, an alloy, or a conductive compound having a large work function. For example, the first electrode 120 may include indium tin oxide (In 2 O 3 -SnO 2 : ITO), indium zinc oxide (In 2 O 3 -ZnO), or tin oxide (SnO 2 ) having excellent transparency and conductivity. , zinc oxide (ZnO), or the like may be formed as a transmissive electrode.

또, 제1 전극(120)은, 상기 투명도전막에 대하여, 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al) 등을 적층함으로써 반사형 전극으로서 형성될 수도 있다. 또, 기판 (110) 위로 제1 전극 (120)을 형성한 후, 필요하면, 세정, UV-오존 처리를 행할 수도 있다. Also, the first electrode 120 may be formed as a reflective electrode by laminating magnesium (Mg), aluminum (Al), or the like on the transparent conductive film. Further, after forming the first electrode 120 on the substrate 110, cleaning and UV-ozone treatment may be performed, if necessary.

제1 전극 (120) 위로는, 정공주입층 (130)이 형성된다. 정공주입층 (130)은, 제1 전극 (120)으로부터의 정공의 주입을 쉽게 하는 층이며, 예를 들어, 약 10nm 이상 약 1000nm 이하, 예를 들어 약20nm 이상 약 50nm 이하의 두께(건조 막 두께; 이하 동일)로 형성될 수 있다. A hole injection layer 130 is formed on the first electrode 120 . The hole injection layer 130 is a layer that facilitates hole injection from the first electrode 120, and has a thickness of, for example, about 10 nm or more and about 1000 nm or less, for example, about 20 nm or more and about 50 nm or less (dry film thickness; hereinafter the same).

정공주입층 (130)은, 공지된 정공주입 재료로 형성할 수 있다. 정공주입층(130)을 형성하는 공지된 정공주입 재료로서는, 예를 들면, 폴리에테르 케톤-함유 트리페닐아민 (poly(ether ketone)-containg triphenylamine : TPAPEK), 4-이소프로필-4'-메틸디페닐요오도늄움테트라키스 (펜타 플루오로페닐) 보레이트 (4-isopropyl-4'-methyldiphenyliodonium tetrakis( pentafluorophenyl)borate : PPBI), N, N'-디페닐-N, N'-비스- [4- (페닐-m-트릴-아미노)-페닐]-비페닐-4,4'-디 아민(N, N'-diphenyl-N, N'-bis- [4- (phenyl-m-tolyl-amino)-phenyl]-biphenyl-4,4'-diamine:DNTPD), 구리 프탈로시아닌 (copper phthalocyanine), 4,4', 4”-트리스 (3-메틸페닐 페닐 아미노)트리페닐아민(4,4',4”-tris(3-methylphenylphenylamino) triphenylamine:m-MTDATA), N, N'-디(1-나프틸)-N, N'-디페닐벤지딘 (N, N'-di(1-naphthyl)-N, N'-diphenylbenzidine:NPB), 4,4', 4”-트리스(디페닐 아미노)트리페닐아민 (4,4',4”-tris(diphenylamino) triphenylamine:TDATA), 4,4', 4”-트리스(N, N-2-나프틸페닐아미노)트리페닐아민(4,4',4”-tris(N, N-2-naphthylphenylamino)triphenylamine:2-TNATA), 폴리 아닐린/도데실벤젠술폰산(polyaniline/dodecylbenzenesulphonic acid), 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)/폴리(4-스티렌설포네이트) (poly(3,4-ethylenedioxythiophene)/poly(4-styrenesulfonate): PEDOT / PSS), 및 폴리 아닐린/ 10-캠퍼설폰산 (polyaniline/10-camphorsulfonic acid) 등을 들 수 있다. The hole injection layer 130 can be formed of a known hole injection material. As a known hole injection material forming the hole injection layer 130, for example, poly(ether ketone)-containing triphenylamine (TPAPEK), 4-isopropyl-4'-methyl Diphenyliodonium tetrakis (pentafluorophenyl) borate (4-isopropyl-4'-methyldiphenyliodonium tetrakis ( pentafluorophenyl)borate: PPBI), N, N'-diphenyl-N, N'-bis- [4- (phenyl-m-triyl-amino)-phenyl]-biphenyl-4,4'-diamine (N, N'-diphenyl-N, N'-bis- [4- (phenyl-m-tolyl-amino) -phenyl]-biphenyl-4,4'-diamine: DNTPD), copper phthalocyanine, 4,4', 4”-tris (3-methylphenyl phenyl amino) triphenylamine (4,4',4” -tris(3-methylphenylphenylamino) triphenylamine:m-MTDATA), N, N'-di(1-naphthyl)-N, N'-diphenylbenzidine (N, N'-di(1-naphthyl)-N, N'-diphenylbenzidine:NPB), 4,4', 4”-tris(diphenylamino)triphenylamine (4,4',4”-tris(diphenylamino) triphenylamine:TDATA), 4,4', 4” -tris(N, N-2-naphthylphenylamino)triphenylamine (4,4',4”-tris(N, N-2-naphthylphenylamino)triphenylamine:2-TNATA), polyaniline/dodecylbenzenesulfonic acid (polyaniline/dodecylbenzenesulphonic acid), poly(3,4-ethylenedioxythiophene)/poly(4-styrenesulfonate) (poly(3,4-ethylenedioxythiophene)/poly(4-styrenesulfonate): PEDOT/PSS), and and polyaniline/10-camphorsulfonic acid.

정공주입층(130) 위로는, 정공수송층(140) 이 형성된다. 정공수송층(140) 은, 정공을 수송하는 기능을 갖춘 층이며, 예를 들면, 약 10nm 이상 약 150nm 이하, 예를 들어 약 20nm 이상 약 50nm 이하의 두께로 형성될 수 있다. 정공수송층(140)은, 본 실시 형태의 고분자 화합물을 이용해서 용액도포법으로 제막될 수 있다. 이 방법에 의하면, EL소자(100)의 내구성(소자수명, 발광 수명 등)을 보다 향상시킬 수 있다. 또, EL소자(100)의 전류 효율을 향상시키고, 구동 전압을 저감하는 것도 가능하다. 또, 용액도포법으로 정공수송층을 형성할 수 있기 때문에, 효율적으로 대면적으로 제막할 수 있다. A hole transport layer 140 is formed on the hole injection layer 130 . The hole transport layer 140 is a layer having a function of transporting holes, and may be formed to a thickness of, for example, about 10 nm or more and about 150 nm or less, for example, about 20 nm or more and about 50 nm or less. The hole transport layer 140 can be formed into a film by a solution coating method using the polymer compound of the present embodiment. According to this method, the durability of the EL element 100 (device life, light emitting life, etc.) can be further improved. It is also possible to improve the current efficiency of the EL element 100 and reduce the driving voltage. In addition, since the hole transport layer can be formed by the solution coating method, it is possible to efficiently form a large-area film.

단, EL소자 (100)의 어느 하나의 것 외의 유기막이 본 실시 형태의 고분자 화합물을 포함할 경우, 정공수송층 (140)은, 공지된 정공수송 재료로 형성될 수도 있다. 공지된 정공수송 재료로서는, 예를 들면, 1,1-비스 [(디-4-트릴 아미노)페닐]시클로헥산 (1,1-bis [(di-4-tolylamino)phenyl]cyclohexane: TAPC), N-페닐카르바졸(N-phenylcarbazole) 및 폴리비닐 카르바졸(polyvinylcarbazole) 등의 카르바졸(carbazole) 유도체, N, N'-비스(3-메틸페닐)-N, N'-디페닐- [1,1-비페닐]-4,4'-디 아민(N, N'-bis(3-methylphenyl)-N, N'-diphenyl- [1,1-biphenyl]-4,4'-diamine: TPD), 4,4',4”-트리스(N-카르바졸릴)트리페닐아민 (4,4',4”-tris(N-carbazolyl) triphenylamine: TCTA), 및 N, N'-디(1-나프틸)-N, N'-디페닐 벤지딘 (N, N'-di(1-naphthyl)-N, N'-diphenylbenzidine: NPB) 등을 들 수 있다. However, when the organic film other than any one of the EL elements 100 contains the polymer compound of the present embodiment, the hole transport layer 140 may be formed of a known hole transport material. As a known hole transport material, for example, 1,1-bis [(di-4-triylamino) phenyl] cyclohexane (1,1-bis [(di-4-tolylamino) phenyl] cyclohexane: TAPC), Carbazole derivatives such as N-phenylcarbazole and polyvinylcarbazole, N, N'-bis(3-methylphenyl)-N, N'-diphenyl- [1, 1-biphenyl] -4,4'-diamine (N, N'-bis (3-methylphenyl) -N, N'-diphenyl- [1,1-biphenyl] -4,4'-diamine: TPD) , 4,4',4”-tris(N-carbazolyl)triphenylamine (4,4’,4”-tris(N-carbazolyl) triphenylamine: TCTA), and N, N’-di(1- naphthyl) -N, N'-diphenyl benzidine (N, N'-di (1-naphthyl) -N, N'-diphenylbenzidine: NPB) and the like.

정공수송층 (140) 위로는, 발광층 (150)이 형성된다. 발광층 (150)은, 형광, 인광 등에 의해 광을 발하는 층이며, 진공증착법, 스핀코팅법, 잉크젯 인쇄법 등을 이용하여 형성될 수 있다. 발광층 (150)은, 예를 들면, 약 10nm 이상 약 60nm 이하, 예를 들어 약 20nm 이상 약 50nm 이하의 두께로 형성될 수 있다. 발광층 (150)의 발광 재료로서는, 공지된 발광 재료를 이용할 수 있다. 단, 발광층 (150)에 포함되는 발광 재료는, 삼중항 여기자로부터의 발광(즉, 인광 발광)이 가능한 발광 재료일 수 있다. 이러한 경우, EL소자 (100)의 구동 수명을 더욱 향상시킬 수 있다. A light emitting layer 150 is formed on the hole transport layer 140 . The light-emitting layer 150 is a layer that emits light by fluorescence, phosphorescence, or the like, and may be formed using a vacuum deposition method, a spin coating method, an inkjet printing method, or the like. The light emitting layer 150 may be formed to a thickness of, for example, greater than or equal to about 10 nm and less than or equal to about 60 nm, for example, greater than or equal to about 20 nm and less than or equal to about 50 nm. As the light emitting material of the light emitting layer 150, a known light emitting material can be used. However, the light emitting material included in the light emitting layer 150 may be a light emitting material capable of emitting light from triplet excitons (ie, phosphorescent light emission). In this case, the driving life of the EL element 100 can be further improved.

발광층 (150)은, 특별히 제한되지 않고, 공지된 구성으로 할 수 있다. 예를 들면, 발광층은, 반도체 나노 입자 또는 유기금속착체를 포함할 수 있다. 다시 말해, 일 구현예의 형태에서는, 유기막이 반도체 나노 입자 또는 유기금속착체를 포함하는 발광층을 가진다. 한편, 발광층이 반도체 나노 입자를 포함할 경우, EL 소자는 양자점 일렉트로루미네선스 소자 (QLED), 또는 양자점 발광 소자이다. 또, 발광층이 유기금속착체를 포함할 경우, EL소자는, 유기 일렉트로루미네선스 소자(OLED)이다. The light emitting layer 150 is not particularly limited and can have a known structure. For example, the light emitting layer may include semiconductor nanoparticles or organometallic complexes. In other words, in the form of an embodiment, the organic film has a light emitting layer containing semiconductor nanoparticles or organometallic complexes. Meanwhile, when the light emitting layer includes semiconductor nanoparticles, the EL device is a quantum dot electroluminescence device (QLED) or a quantum dot light emitting device. In the case where the light emitting layer contains an organometallic complex, the EL element is an organic electroluminescent element (OLED).

발광층이 반도체 나노 입자를 포함하는 형태(QLED)에서, 발광층은, 다수의 반도체 나노 입자(양자점)가 단일층 또는 복수개 층에 배열될 수 있다. 여기서, 반도체 나노 입자(양자점)은, 양자구속 효과를 가지는 소정 크기의 입자이다. 반도체 나노 입자(양자점)의 직경(평균 직경)은, 특별히 제한되지 않지만, 1nm 이상 10nm 이하 정도이다. In a form (QLED) in which the light emitting layer includes semiconductor nanoparticles, in the light emitting layer, a plurality of semiconductor nanoparticles (quantum dots) may be arranged in a single layer or a plurality of layers. Here, semiconductor nanoparticles (quantum dots) are particles of a predetermined size having a quantum confinement effect. The diameter (average diameter) of the semiconductor nanoparticles (quantum dots) is not particularly limited, but is about 1 nm or more and 10 nm or less.

발광층에 배열되는 반도체 나노 입자(양자점)은, 웨트 화학공정, 유기금속화학증착 공정, 분자선 에피텍시 공정, 또는 다른 유사한 공정 등에 의해 합성할 수 있다. 그 중에서도, 웨트 화학공정은, 유기 용매에 전구체 물질을 넣어서 입자를 성장하게 하는 방법이다. Semiconductor nanoparticles (quantum dots) arranged in the light emitting layer can be synthesized by a wet chemical process, an organometallic chemical vapor deposition process, a molecular beam epitaxy process, or other similar processes. Among them, the wet chemical process is a method of growing particles by putting a precursor material in an organic solvent.

웨트 화학공정에서는, 결정이 성장할 때, 유기 용매가 자연히 양자 도트 결정의 표면에 배위되어 분산제의 역활을 하므로 결정의 성장이 조절될 수 있다. 이로 인해, 웨트 화학공정에서는, 유기금속화학증착(MOCVD, Metal Organic Chemical Vapor Deposition)이나, 분자선 에피텍시(MBE, Molecular Beam Epitaxy) 등의 기상증착법에 비해 용이하고, 동시에 낮은 비용으로 반도체 나노 입자의 성장을 제어할 수 있다. In the wet chemical process, when the crystal grows, the organic solvent is naturally coordinated to the surface of the quantum dot crystal and acts as a dispersant, so that the growth of the crystal can be controlled. For this reason, in the wet chemical process, it is easier than vapor deposition methods such as Metal Organic Chemical Vapor Deposition (MOCVD) or Molecular Beam Epitaxy (MBE), and at the same time, semiconductor nanoparticles at a low cost growth can be controlled.

반도체 나노 입자(양자점)는 그 사이즈를 조절함으로써 에너지 밴드갭을 조절할 수 있고, 발광층 (양자점 발광층)으로 다양한 파장대의 광을 얻을 수 있다. 따라서, 복수의 상이한 크기의 양자점을 사용하는 것으로, 복수 파장의 광을 출사 (또는 발광)하는 디스플레이를 가능하게 한다. 양자점의 크기는 컬러 디스플레이를 구성할 수 있게, 적색, 녹색, 청색광이 출사되게 선택할 수 있다. 또, 양자점의 크기는 다양한 컬러 광이 백색광을 출사하게 조합할 수 있다. Semiconductor nanoparticles (quantum dots) can adjust their energy bandgap by adjusting their size, and light of various wavelengths can be obtained as a light emitting layer (quantum dot light emitting layer). Therefore, by using a plurality of quantum dots of different sizes, a display that emits (or emits light) light of a plurality of wavelengths is possible. The size of the quantum dots can be selected so that red, green, and blue light can be emitted to configure a color display. In addition, the size of the quantum dots can be combined to emit white light from various color lights.

반도체 나노 입자(양자점)로서는, II-VI족 반도체 화합물; III-V족 반도체 화합물; IV-VI족 반도체 화합물; IV족 원소 또는 화합물; 및 이들의 조합으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 반도체 물질 등을 이용할 수 있다. As semiconductor nanoparticles (quantum dots), II-VI group semiconductor compounds; Group III-V semiconductor compounds; Group IV-VI semiconductor compounds; Group IV elements or compounds; and a semiconductor material selected from the group consisting of combinations thereof.

II-VI족 반도체 화합물은, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, ZnO, HgS, HgSe, HgTe,및 이들의 혼합물로 되는 군으로부터 선택되는 2원소 화합물; CdSeS, CdSeTe, CdSTe, ZnSeS, ZnTeSe, ZnSTe, HgSeS, HgSeTe, HgSTe, CdZnS, CdZnSe, CdZnTe, CdHgS, CdHgSe, CdHgTe, HgZnS, HgZnSe, HgZnTe 및 이들의 혼합물로 되는 군으로부터 선택되는 3원소 화합물; 및 CdZnSeS, CdZnSeTe, CdZnSTe, CdHgSeS, CdHgSeTe, CdHgSTe, HgZnSeS, HgZnSeTe, HgZnSTe, 및 이들의 혼합물로 되는 군으로부터 선택되는 4원소 화합물로 되는 군으로부터 선택될 수 있다. The II-VI group semiconductor compound is not particularly limited, but includes, for example, two-element compounds selected from the group consisting of CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, ZnO, HgS, HgSe, HgTe, and mixtures thereof; CdSeS, CdSeTe, CdSTe, ZnSeS, ZnTeSe, ZnSTe, HgSeS, HgSeTe, HgSTe, CdZnS, CdZnSe, CdZnTe, CdHgS, CdHgSe, CdHgTe, HgZnS, HgZnSe, HgZnTe, and mixtures thereof; and a quaternary compound selected from the group consisting of CdZnSeS, CdZnSeTe, CdZnSTe, CdHgSeS, CdHgSeTe, CdHgSTe, HgZnSeS, HgZnSeTe, HgZnSTe, and mixtures thereof.

III-V족 반도체 화합물은, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, GaN, GaP, GaAs, GaSb, AlN, AlP, AlAs, AlSb, InN, InP, InAs, InSb, 및 이들의 혼합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 2원소 화합물; GaNP, GaNAs, GaNSb, GaPAs, GaPSb, AlNP, AlNAs, AlNSb, AlPAs, AlPSb, InNP, InNAs, InNSb, InPAs, InPSb, GaAlNP,및 이들의 혼합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 3원소 화합물; 및 GaAlNAs, GaAlNSb, GaAlPAs, GaAlPSb, GaInNP, GaInNAs, GaInNSb, GaInPAs, GaInPSb, InAlNP, InAlNAs, InAlNSb, InAlPAs, InAlPSb, 및 이들의 혼합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 4원소 화합물로 이루어지는 군으로부터 선택될 수 있다. The group III-V semiconductor compound is not particularly limited, but is, for example, selected from the group consisting of GaN, GaP, GaAs, GaSb, AlN, AlP, AlAs, AlSb, InN, InP, InAs, InSb, and mixtures thereof. a binary compound that becomes; A three-element compound selected from the group consisting of GaNP, GaNAs, GaNSb, GaPAs, GaPSb, AlNP, AlNAs, AlNSb, AlPAs, AlPSb, InNP, InNAs, InNSb, InPAs, InPSb, GaAlNP, and mixtures thereof; and a quaternary compound selected from the group consisting of GaAlNAs, GaAlNSb, GaAlPAs, GaAlPSb, GaInNP, GaInNAs, GaInNSb, GaInPAs, GaInPSb, InAlNP, InAlNAs, InAlNSb, InAlPAs, InAlPSb, and mixtures thereof. .

IV-VI족 반도체 화합물은, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, SnS, SnSe, SnTe, PbS, PbSe, PbTe, 및 이들의 혼합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 2원소 화합물; SnSeS, SnSeTe, SnSTe, PbSeS, PbSeTe, PbSTe, SnPbS, SnPbSe, SnPbTe,및 이들의 혼합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 3원소 화합물; 및 SnPbSSe, SnPbSeTe, SnPbSTe, 및 이들의 혼합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 4원소 화합물로 이루어지는 군으로부터 선택될 수 있다. The IV-VI group semiconductor compound is not particularly limited, but includes, for example, a binary compound selected from the group consisting of SnS, SnSe, SnTe, PbS, PbSe, PbTe, and mixtures thereof; a ternary compound selected from the group consisting of SnSeS, SnSeTe, SnSTe, PbSeS, PbSeTe, PbSTe, SnPbS, SnPbSe, SnPbTe, and mixtures thereof; and a quaternary compound selected from the group consisting of SnPbSSe, SnPbSeTe, SnPbSTe, and mixtures thereof.

IV족 원소 또는 화합물은, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, Si, Ge, 및 이들의 혼합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1원소 화합물; 및 SiC, SiGe, 및 이들의 혼합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 2원소 화합물로 이루어지는 군으로부터 선택될 수 있다. The Group IV element or compound is not particularly limited, but includes, for example, one-element compounds selected from the group consisting of Si, Ge, and mixtures thereof; and a binary compound selected from the group consisting of SiC, SiGe, and mixtures thereof.

반도체 나노 입자(양자점)은, 균질한 단일구조 또는 코어·쉘의 이중 구조를 가질 수 있다. Semiconductor nanoparticles (quantum dots) may have a homogeneous single structure or a core/shell dual structure.

코어·쉘은 상이한 물질을 포함할 수 있다. 각각의 코어와 쉘을 구성하는 물질은, 상이한 반도체화합물을 포함할 수 있다. 단, 쉘 물질의 에너지 밴드갭은 코어 물질의 에너지 밴드갭보다 크다. The core/shell may contain different materials. Materials constituting the respective cores and shells may include different semiconductor compounds. However, the energy band gap of the shell material is larger than that of the core material.

예를 들어, ZnTeSe/ZnSe/ZnS, InP/ZnSe/ZnS, CdSe/ZnS, InP/ZnS 등의 구조일 수 있다. For example, structures such as ZnTeSe/ZnSe/ZnS, InP/ZnSe/ZnS, CdSe/ZnS, and InP/ZnS may be used.

예를 들면, 코어(CdSe)·쉘(ZnS) 구조를 가지는 양자점을 제작할 경우를 설명한다. For example, a case of manufacturing a quantum dot having a core (CdSe) shell (ZnS) structure will be described.

먼저, 계면활성제로서 TOPO(trioctylphosphine oxide)을 사용한다. 유기 용매에 (CH3) 2Cd(dimethylcadmium), TOPSe(trioctylphosphine selenide) 등의 코어(CdSe)의 전구체 물질을 주입해서 결정을 생성하게 한다. 이 때, 결정이 일정한 크기로 성장하도록 고온으로 일정 시간 유지한 후, 쉘(ZnS)의 전구체 물질을 주입하고, 이미 생성된 코어의 표면에 쉘을 형성하게 한다. 이에 따라, TOPO로 캐핑된 CdSe/ZnS의 양자점을 제작할 수 있다. First, trioctylphosphine oxide (TOPO) is used as a surfactant. A core (CdSe) precursor material such as (CH 3 ) 2 Cd (dimethylcadmium) or TOPSe (trioctylphosphine selenide) is injected into an organic solvent to form a crystal. At this time, after maintaining the high temperature for a certain time so that the crystal grows to a certain size, the precursor material of the shell (ZnS) is injected, and the shell is formed on the surface of the already created core. Accordingly, quantum dots of CdSe/ZnS capped with TOPO can be produced.

또, 발광층이 유기금속착체를 포함하는 형태(OLED)에서, 발광층 (150)은, 호스트 재료로서, 예를 들면, 6,9-디페닐-9'-(5'-페닐- [1,1':3',1”-터페닐]-3-일) 3,3'-비 [9H-카르바졸], 3,9-디페닐-5- (3- (4-페닐-6- (5'-페닐- [1,1':3',1”-터페닐]-3-일)-1,3,5,-트리아딘-2-일)페닐)-9H-카르바졸, 9,9'-디페닐-3,3'-비 [9H-카르바졸], 트리스(8-)알루미늄(tris(8-quinolinato)aluminium:Alq3), 4,4'-비스(카르바졸-9-일)비페닐 (4,4'-bis(carbazol-9-yl)biphenyl:CBP), 폴리(n-비닐 카르바졸) (poly(n-vinyl carbazole): PVK), 9,10-디(나프탈렌-2-일)안트라센 (9,10-di(naphthalene)anthracene:ADN), 4,4',4”-트리스(N-카르바졸릴)트리페닐아민(4,4',4”-tris(N-carbazolyl) triphenylamine:TCTA), 1,3,5-트리스(N-페닐 벤즈이미다졸-2-일)벤젠 (1,3,5-tris(N-phenyl-benzimidazol-2-yl)benzene:TPBI), 3-tert-부틸-9,10-디(나프트-2-일) 안트라센 (3-tert-butyl-9,10-di(naphth-2-yl)anthracene:TBADN), 디스트릴아릴렌 (distyrylarylene:DSA), 4,4'-비스(9-카르바졸)-2,2'-디메틸-비페닐 (4,4'-bis(9-carbazole)2,2'-dimethyl-bipheny:dmCBP) 등을 포함해도 된다. In addition, in the form (OLED) in which the light emitting layer includes an organometallic complex, the light emitting layer 150 uses, for example, 6,9-diphenyl-9'-(5'-phenyl-[1,1] as a host material. ':3',1”-terphenyl]-3-yl) 3,3'-bi[9H-carbazole], 3,9-diphenyl-5- (3- (4-phenyl-6- (5 '-phenyl-[1,1':3',1”-terphenyl]-3-yl)-1,3,5,-triadin-2-yl)phenyl)-9H-carbazole, 9,9 '-diphenyl-3,3'-bis [9H-carbazole], tris (8-) aluminum (tris (8-quinolinato) aluminum: Alq3), 4,4'-bis (carbazol-9-yl) Biphenyl (4,4'-bis(carbazol-9-yl)biphenyl:CBP), poly(n-vinyl carbazole): PVK), 9,10-di(naphthalene-2 -yl) anthracene (9,10-di (naphthalene) anthracene: ADN), 4,4', 4”-tris (N-carbazolyl) triphenylamine (4,4', 4”-tris (N- carbazolyl) triphenylamine: TCTA), 1,3,5-tris (N-phenyl-benzimidazol-2-yl) benzene: TPBI) , 3-tert-butyl-9,10-di (naphth-2-yl) anthracene (3-tert-butyl-9,10-di (naphth-2-yl) anthracene: TBADN), distryl arylene ( distyrylarylene:DSA), 4,4'-bis(9-carbazole)-2,2'-dimethyl-biphenyl (4,4'-bis(9-carbazole)2,2'-dimethyl-bipheny:dmCBP) etc. may be included.

또, 발광층 (150)은, 도펀트 재료로서, 예를 들면, 페릴렌(perylene) 및 그 유도체, 루브렌(rubrene) 및 그 유도체, 쿠마린(coumarin) 및 그의 유도체, 4-디시아노메틸렌-2- (p-디메틸아미노 스티릴)-6-메틸-4H-피란 (4-dicyanomethylene-2- (pdimethylaminostyryl)-6-methyl-4H-pyran:DCM) 및 그 유도체, 비스 [2- (4,6-디플루오로 페닐)피리디네이트] 피콜리네이트이리듐 (III) (bis [2- (4,6-difluorophenyl)pyridinato]picolinate iridium(III):FIrpic), 비스(1-페닐 이소퀴놀린) (아세틸아세토네이트)이리듐(III) (bis(1-phenylisoquinoline) (acetylacetonate)iridium(III):Ir(piq) 2(acac)), 트리스(2-페닐 피리딘)이리듐(III) (tris(2-phenylpyridine)iridium(III):Ir(ppy)3), 트리스 (2- (3-p-크실페닐)피리딘 이리듐(III)등 이리듐(Ir) 착체, 오스뮴(Os) 착체, 백금 착체 등을 포함해도 된다. 이들 중에서, 발광 재료는 발광성 유기금속착체 화합물일 수 있다. In addition, the light emitting layer 150 is a dopant material, for example, perylene and its derivatives, rubrene and its derivatives, coumarin and its derivatives, 4-dicyanomethylene-2- (p-dimethylaminostyryl)-6-methyl-4H-pyran (4-dicyanomethylene-2- (pdimethylaminostyryl)-6-methyl-4H-pyran:DCM) and its derivatives, bis [2- (4,6- difluorophenyl)pyridinate] picolinate iridium (III) (bis [2- (4,6-difluorophenyl)pyridinato] picolinate iridium(III):FIrpic), bis(1-phenyl isoquinoline) (acetylaceto nate) iridium(III) (bis(1-phenylisoquinoline) (acetylacetonate)iridium(III):Ir(piq) 2(acac)), tris(2-phenylpyridine)iridium(III) (tris(2-phenylpyridine)iridium (III):Ir(ppy)3), tris(2-(3-p-xylphenyl)pyridine iridium(III), etc., iridium (Ir) complexes, osmium (Os) complexes, platinum complexes, etc. may be included. Among them, the luminescent material may be a luminescent organometallic complex compound.

발광층을 형성하는 방법은, 특별히 제한되지 않는다. 반도체 나노 입자 또는 유기금속착체를 포함하는 도포액을 도포하는 것(용액도포법)에 의해 형성할 수 있다. 이때, 도포액을 구성하는 용매로서는, 정공수송층 중의 재료(정공수송 재료, 특별히 고분자화합물)를 용해하지 않는 용매를 선택할 수 있다.A method of forming the light emitting layer is not particularly limited. It can be formed by applying a coating solution containing semiconductor nanoparticles or organometallic complexes (solution coating method). At this time, as the solvent constituting the coating liquid, a solvent that does not dissolve the material in the hole transport layer (hole transport material, particularly a polymer compound) can be selected.

발광층 (150) 위로는, 전자수송층 (160)이 형성된다. 전자수송층 (160)은, 전자를 수송하는 기능을 갖춘 층이다. 전자수송층은, 진공증착법, 스핀코팅법, 잉크젯법등을 이용하여 형성된다. 전자수송층 (160)은, 예를 들면, 약 15nm 이상 약 50nm 이하의 두께로 형성될 수 있다.Above the light emitting layer 150, an electron transport layer 160 is formed. The electron transport layer 160 is a layer having a function of transporting electrons. The electron transport layer is formed using a vacuum deposition method, a spin coating method, an inkjet method, or the like. The electron transport layer 160 may be formed to a thickness of, for example, greater than or equal to about 15 nm and less than or equal to about 50 nm.

전자수송층 (160)은, 공지된 전자수송 재료로 형성될 수도 있다. 전자수송 재료로서는, 예를 들면, ZnCl2, ZnMgO, (8-)리튬(리튬퀴놀레이트) (Liq), 트리스(8-)알루미늄(tris(8-quinolinato)aluminium: Alq3), 및 함질소 방향환을 소유하는 화합물 등을 들 수 있다. 함 질소 방향환을 소유하는 화합물의 예로서는, 예를 들면, 1,3,5-트리 [(3-피리딜)- 펜-3-일]벤젠 (1,3,5-tri [(3-pyridyl)-phen-3-yl]benzene)과 같은 피리딘(pyridine) 환을 포함하는 화합물, 2,4,6-트리스(3'-(피리딘-3-일)비페닐-3-일)-1,3,5-트리아딘 (2,4,6-tris(3'-(pyridin-3-yl)biphenyl-3-yl)-1,3,5-triazine)과 같은 트리아딘 (triazine) 환을 포함하는 화합물, 2- (4- (N-페닐벤조이미다졸릴-1-일-페닐)-9,10-디나프틸안트라센 (2- (4- (N-phenylbenzoimidazolyl-1-yl-phenyl)-9,10-dinaphthylanthracene), 1,3,5-트리스(N-페닐 벤즈이미다졸-2-일)벤젠 (1,3,5-tris(N-phenyl-benzimidazol-2-yl)benzene: TPBI)과 같은 이미다졸 (imidazole) 환을 포함하는 화합물 등을 들 수 있다. 상기 전자수송 재료는, 1 종을 단독으로 사용하거나 또는 2종 이상의 혼합물로서 사용할 수도 있다. The electron transport layer 160 may be formed of a known electron transport material. As the electron transport material, for example, ZnCl 2 , ZnMgO, (8-) lithium (lithium quinolate) (Liq), tris (8-) aluminum (tris (8-quinolinato) aluminum: Alq3), and nitrogen-containing aromatics compounds having a ring; and the like. Examples of compounds having a nitrogen-containing aromatic ring include, for example, 1,3,5-tri [(3-pyridyl)-phen-3-yl] benzene (1,3,5-tri [(3-pyridyl )-phen-3-yl]benzene), compounds containing a pyridine ring such as 2,4,6-tris(3'-(pyridin-3-yl)biphenyl-3-yl)-1, Contains a triazine ring such as 3,5-triadine (2,4,6-tris(3'-(pyridin-3-yl)biphenyl-3-yl)-1,3,5-triazine) 2-(4-(N-phenylbenzoimidazolyl-1-yl-phenyl)-9,10-dinaphthylanthracene (2-(4-(N-phenylbenzoimidazolyl-1-yl-phenyl)- 9,10-dinaphthylanthracene), 1,3,5-tris(N-phenyl-benzimidazol-2-yl)benzene (TPBI) and compounds containing an imidazole ring, etc. The above electron transport materials may be used singly or as a mixture of two or more.

전자수송층 (160) 위로는 전자주입층 (170)이 형성된다. 전자주입층 (170)은, 제2 전극 (180)으로부터의 전자의 주입을 쉽게 하는 기능을 갖춘 층이다. 전자주입층 (170)은, 진공증착법 등을 이용하여 형성될 수 있다. 전자주입층 (170)은, 약 0.1nm 이상 약 5nm 이하, 예를 들어 약 0.3nm 이상 약 2nm 이하의 두께로 형성될 수 있다. An electron injection layer 170 is formed on the electron transport layer 160 . The electron injection layer 170 is a layer having a function of facilitating injection of electrons from the second electrode 180 . The electron injection layer 170 may be formed using a vacuum deposition method or the like. The electron injection layer 170 may be formed to a thickness of about 0.1 nm or more and about 5 nm or less, for example, about 0.3 nm or more and about 2 nm or less.

전자주입층 (170)을 형성하는 재료로서 공지된 재료라면, 모두 사용할 수 있다. 예를 들면, 전자주입층 (170)은, (8-)리튬(리튬퀴놀레이트) ((8-quinolinato)lithium: Liq) 및 불화 리튬(LiF) 등의 리튬(lithium) 화합물, 염화나트륨(NaCl), 불화 세슘(CsF), 산화 리튬 (Li2O),또는 산화 바륨(BaO)등으로 형성될 수도 있다. Any known material for forming the electron injection layer 170 can be used. For example, the electron injection layer 170 may include lithium compounds such as (8-)lithium (lithium quinolate) ((8-quinolinato)lithium: Liq) and lithium fluoride (LiF), sodium chloride (NaCl) , cesium fluoride (CsF), lithium oxide (Li 2 O), or barium oxide (BaO).

전자주입층 (170) 위로는, 제2 전극 (180)이 형성된다. 제2 전극 (180)은, 진공증착법 등을 이용하여 형성될 수 있다. 제2 전극(180)은, 예를 들어, 음극이며, 금속, 합금, 또는 도전성 화합물 등 중일함수가 작은 것으로 형성될 수 있다. 예를 들면, 제2 전극 (180)은, 리튬(Li), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 칼슘(Ca) 등의 금속, 또는 알루미늄-리튬(Al-Li), 마그네슘-인듐(Mg-In), 마그네슘-은(Mg-Ag) 등의 합금으로 반사형 전극으로서 형성될 수도 있다. 제2 전극 (180)은, 약 10nm 이상 약 200nm 이하, 예를 들어 약 50nm 이상 약 150nm 이하의 두께로 형성될 수 있다. 또는, 제2 전극 (180)은, 상기 금속 재료의 20nm 이하의 박막, 산화 인듐 주석(In2O3-SnO2) 및 산화 인듐 아연(In2O3-ZnO) 등의 투명도전막에 의해 투과형 전극으로서 형성될 수도 있다. A second electrode 180 is formed on the electron injection layer 170 . The second electrode 180 may be formed using a vacuum deposition method or the like. The second electrode 180 is, for example, a cathode and may be formed of a material having a small work function such as a metal, an alloy, or a conductive compound. For example, the second electrode 180 may be a metal such as lithium (Li), magnesium (Mg), aluminum (Al), or calcium (Ca), or aluminum-lithium (Al-Li) or magnesium-indium (Mg). -In), magnesium-silver (Mg-Ag), etc. may be formed as a reflective electrode. The second electrode 180 may be formed to a thickness of about 10 nm or more and about 200 nm or less, for example, about 50 nm or more and about 150 nm or less. Alternatively, the second electrode 180 is a transparent conductive film such as a thin film of the metal material of 20 nm or less, indium tin oxide (In 2 O 3 -SnO 2 ) and indium zinc oxide (In 2 O 3 -ZnO), and is a transmissive type. It can also be formed as an electrode.

이상, 일 구현예에 따른 일렉트로루미네선스 소자의 하나의 예로서, 일 실시예에 따른 EL소자 (100)에 대하여 설명했다. 일 실시예에 따른 EL소자 (100)는 고분자 화합물을 포함하는 유기막 (특별히 정공수송층 또는 정공주입층)을 설치함으로써, 내구성(소자수명, 발광 수명 등)을 보다 향상시킬 수 있다. 또, 발광 효율(전류효율)을 보다 향상시키고, 구동 전압을 저감할 수 있다. In the above, the EL device 100 according to an embodiment has been described as an example of an electroluminescence device according to an embodiment. In the EL device 100 according to an embodiment, durability (device lifespan, light emitting lifespan, etc.) can be further improved by installing an organic film (particularly, a hole transport layer or a hole injection layer) containing a polymer compound. In addition, the luminous efficiency (current efficiency) can be further improved and the driving voltage can be reduced.

한편, 일 실시예에 따른 EL소자 (100)의 적층 구조는, 상기 예시에 한정되지 않는다. Meanwhile, the laminated structure of the EL device 100 according to an embodiment is not limited to the above example.

일 실시예에 따른 EL소자 (100)는 다른 공지된 적층 구조로 형성될 수도 있다. 예를 들면, EL소자 (100)는 정공주입층 (130), 정공수송층 (140), 전자수송층 (160) 및 전자주입층 (170) 중의 1 층 이상이 생략되어도 되고, 또한, 추가로 다른 층을 더 구비하고 있어도 된다. 또, EL소자 (100)의 각층은, 각각 단층으로 형성될 수도 있고, 복수 층으로 형성될 수도 있다. The EL device 100 according to an embodiment may be formed in other known stacked structures. For example, in the EL device 100, at least one layer of the hole injection layer 130, the hole transport layer 140, the electron transport layer 160, and the electron injection layer 170 may be omitted, or other layers may be further added. You may have more. Further, each layer of the EL element 100 may be formed of a single layer or a plurality of layers.

예를 들면, EL소자 (100)는 여기자 또는 정공이 전자수송층 (160)에 확산하는 것을 방지하기 때문에, 정공수송층 (140)과 발광층 (150)과의 사이에 정공저지층을 추가로 구비하고 있어도 된다. 한편, 정공저지층은, 예를 들면, 옥사디아졸 (oxadiazole)유도체, 트리아졸 (triazole) 유도체, 또는, 페난트롤린 (phenanthroline) 유도체 등으로 형성할 수 있다. For example, since the EL element 100 prevents excitons or holes from diffusing into the electron transport layer 160, even if a hole blocking layer is further provided between the hole transport layer 140 and the light emitting layer 150, do. Meanwhile, the hole blocking layer may be formed of, for example, an oxadiazole derivative, a triazole derivative, or a phenanthroline derivative.

또한, 일 실시예에 따른 고분자 화합물은, 상기 QLED 또는 OLED 이외의 일렉트로루미네선스 소자에 적용할 수 있다. In addition, the polymer compound according to one embodiment can be applied to electroluminescent devices other than the QLED or OLED.

일 실시예에 따른 고분자 화합물을 적용하는 것이 가능한 다른 일렉트로루미네선스 소자로서는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 유기무기 페로브스카이트 발광 소자 등을 들 수 있다. Examples of other electroluminescent devices to which the polymer compound according to an embodiment can be applied are not particularly limited, but examples thereof include organic-inorganic perovskite light emitting devices and the like.

실시예Example

본 발명의 효과를, 이하의 실시예 및 비교예를 이용하여 설명한다. 단, 본 발명의 기술적 범위가 이하의 실시예만에 제한되는 것은 아니다. 한편, 하기 실시예에 있어서, 특기하지 않는 한, 조작은 실온(25℃)에서 행하여졌다. 또, 특기하지 않는 한, 「%」 및 「부」는, 각각, 「질량%」 및 「질량부」를 의미한다. Effects of the present invention are explained using the following Examples and Comparative Examples. However, the technical scope of the present invention is not limited only to the following examples. On the other hand, in the following examples, unless otherwise noted, operations were performed at room temperature (25°C). In addition, "%" and "part" mean "mass %" and "part by mass", respectively, unless otherwise specified.

합성예 1 Synthesis Example 1

(화합물 M-1의 합성) (Synthesis of Compound M-1)

화합물 M-1을 하기 반응식을 따라 합성했다. Compound M-1 was synthesized according to the following scheme.

Figure pat00043
Figure pat00043

(화합물 1a의 합성) (Synthesis of Compound 1a)

4구 플라스크에, 6,12-디하이드로인데노 [1,2-b]플루오렌 (6,12-dihydroindeno [1,2-b]fluorene) (39.3mmol, 10.0g), DMSO(65ml), 및 t-부톡시 나트륨(NaOtBu) (235mmol, 22.7g)을 넣고, 질소 분위기 하 실온(25℃)에서 10 분간 교반한다. 그 후, 1-브로모 헥산 (235mmol, 38.9g)을 적하하고, 80℃로 3 시간 가열하며 교반한다. 반응 종료 후, 얻어진 용액을 실온까지 냉각해 헥산에서 추출을 행한다. 얻어진 유기층을 농축 후, 헥산과 에탄올로 재결정을 행하고, 화합물 1a를 얻는다 (수량 19.7g, 수율 85%). In a four-necked flask, 6,12-dihydroindeno [1,2-b] fluorene (39.3 mmol, 10.0 g), DMSO (65 ml), and t-butoxy sodium (NaOtBu) (235 mmol, 22.7 g), and stirred for 10 minutes at room temperature (25° C.) under a nitrogen atmosphere. Then, 1-bromohexane (235mmol, 38.9g) was added dropwise, and the mixture was heated and stirred at 80°C for 3 hours. After completion of the reaction, the obtained solution is cooled to room temperature and extracted with hexane. After concentrating the obtained organic layer, it recrystallizes from hexane and ethanol to obtain compound 1a (amount 19.7g, yield 85%).

(화합물 M-1의 합성) (Synthesis of Compound M-1)

4구 플라스크에, 상기에서 얻어진 화합물 1a (16.9mmol, 10.0g), 염화철(III) (FeCl3) (0.25mmol, 15mg), 및 클로로포름(150ml)을 넣고, 질소 분위기 하 0℃에서 5 분간 교반한다. 그 후, 브롬 (33.8mmol, 1.7mml)을 적하하고, 적하 종료 후, 실온에서 3 시간 교반한다. 반응 종료 후, 티오황산 나트륨 수용액을 반응계 중에 더하고, 그 후 헥산에서 추출을 행할 수 있을 수 있었던 유기층을 농축 후, 헥산과 에탄올로 재결정을 행하고, 화합물 M-1을 얻는다 (수량 6.1g, 수율 72%). In a four-necked flask, the obtained compound 1a (16.9mmol, 10.0g), iron (III) chloride (FeCl 3 ) (0.25mmol, 15mg), and chloroform (150ml) were put, and stirred at 0° C. for 5 minutes under a nitrogen atmosphere. do. Thereafter, bromine (33.8 mmol, 1.7 mml) was added dropwise, and after the addition was completed, the mixture was stirred at room temperature for 3 hours. After completion of the reaction, an aqueous solution of sodium thiosulfate was added to the reaction system, and then the organic layer that could have been extracted with hexane was concentrated and then recrystallized with hexane and ethanol to obtain compound M-1 (amount 6.1 g, yield 72 %).

합성예 2 Synthesis Example 2

(화합물M-2의 합성) (Synthesis of Compound M-2)

화합물 M-2을 하기 반응식을 따라 합성했다. Compound M-2 was synthesized according to the reaction scheme below.

Figure pat00044
Figure pat00044

합성예 1에 있어서, 1-브로모 헥산 대신, 1-브로모 옥탄을 사용하는 이외는, 합성예 1과 동일하게 하여, 화합물 M-2을 얻었다 (수량 5.9g, 수율 70%). Compound M-2 was obtained in the same manner as in Synthesis Example 1 except for using 1-bromooctane instead of 1-bromohexane in Synthesis Example 1 (amount: 5.9 g, yield: 70%).

합성예 3 Synthesis Example 3

(화합물M-3의 합성) (Synthesis of Compound M-3)

화합물 M-3을 하기 반응식을 따라 합성했다. Compound M-3 was synthesized according to the reaction scheme below.

Figure pat00045
Figure pat00045

합성예 1에 있어서, 1-브로모 헥산 대신, 1-브로모도데칸을 사용하는 이외는, 합성예 1과 동일하게 하여, 화합물 M-3을 얻었다 (수량 5.4g, 수율 74%). Compound M-3 was obtained in the same manner as in Synthesis Example 1 except for using 1-bromododecane instead of 1-bromohexane in Synthesis Example 1 (amount 5.4 g, yield 74%).

합성예 4 Synthesis Example 4

(M-A1의 합성) (Synthesis of M-A1)

화합물 M-A1(Compound M-A1)을 하기 반응식을 따라 합성했다. Compound M-A1 (Compound M-A1) was synthesized according to the following reaction scheme.

Figure pat00046
Figure pat00046

1L-4구 플라스크에, 9-(4-헥실페닐)-3-요드-9-카르바졸(20.0g), 4- (디페닐 아미노)페닐 보론산(15.3g), 탄산 나트륨(9.51g), 테트라키스(트리페닐포스핀)팔라듐(0) (Pd(PPh3)4) (2.49g), 톨루엔(221mL), 에탄올(110mL), 및 물(110mL)을 더하고, 120℃ (베스 온도)에서 3 시간 교반한다. In a 1L-4-necked flask, 9-(4-hexylphenyl)-3-iodo-9-carbazole (20.0 g), 4-(diphenyl amino)phenyl boronic acid (15.3 g), sodium carbonate (9.51 g) , tetrakis(triphenylphosphine)palladium(0) (Pd(PPh 3 ) 4 ) (2.49 g), toluene (221 mL), ethanol (110 mL), and water (110 mL) were added, and 120° C. (bath temperature) stirred for 3 hours.

실온까지 냉각 후, 수층을 분리하고, 유기층을 물(100L×2)로 세정하고, 황산 마그네슘으로 건조했다. 용매를 감압 증류하여 제거하고, 잔사를 칼럼 크로마토그래피로 정제하고, 4-(9- (4-헥실페닐)-9-카르바졸-3-일)-N, N-디페닐)아닐린(17.7g)을 얻는다. After cooling to room temperature, the aqueous layer was separated, and the organic layer was washed with water (100 L x 2) and dried over magnesium sulfate. The solvent was distilled off under reduced pressure, the residue was purified by column chromatography, and 4-(9-(4-hexylphenyl)-9-carbazol-3-yl)-N, N-diphenyl)aniline (17.7 g ) to get

500mL-4구 플라스크에, 상기에서 얻어진 4- (9- (4-헥실페닐)-9-카르바졸―3-일)-N, N-디페닐)아닐린(17.7g), 및 N, N-디메틸포름아미드(DMF) (310mL)을 더해 얼음으로 차갑게 하고, 질소 분위기 하에서 DMF(30mL)에 용해한 N-브로모 숙신이미드(NBS) (11.7g)을 적하하고, 6 시간 교반한다. Into a 500 mL-four-necked flask, 4- (9- (4-hexylphenyl) -9-carbazol-3-yl) -N, N-diphenyl) aniline (17.7 g) obtained above, and N, N- Dimethylformamide (DMF) (310 mL) was added, cooled with ice, and N-bromo succinimide (NBS) (11.7 g) dissolved in DMF (30 mL) was added dropwise under a nitrogen atmosphere, followed by stirring for 6 hours.

불용물을 여과분리 하고, 메탄올(800mL), 및 물(800mL)로 세정하고, 진공 건조하고, 4-브로모-N- (4-브로모페닐)-N- (4- (9- (4-헥실페닐)-9-카르바졸-3-일)페닐)아닐린(14.0g)을 얻는다. The insoluble matter was separated by filtration, washed with methanol (800 mL) and water (800 mL), dried under vacuum, and 4-bromo-N- (4-bromophenyl) -N- (4- (9- (4-) -Hexylphenyl)-9-carbazol-3-yl)phenyl)aniline (14.0 g) is obtained.

500mL-4구 플라스크에, 상기에서 얻어진 4-브로모-N- (4-브로모페닐)-N- (4- (9- (4-헥실페닐)-9-카르바졸-3-일)페닐)아닐린(14.0g), 비스(피나콜레이토)디보론 (14.8g), 아세트산 칼륨(KOAc) (11.4g), [1,1'-비스(디페닐 포스피노)페로센] 디클로로 팔라듐(II) 디클로로메탄 부가물(PdCl2(dppf) CH2Cl2) (0.477g), 및 1,4-디옥산(160mL)을 넣고, 질소 분위기 하에서 100℃로 4 시간 환류한다. To a 500 mL-4-necked flask, the above-obtained 4-bromo-N-(4-bromophenyl)-N-(4-(9-(4-hexylphenyl)-9-carbazol-3-yl)phenyl )aniline (14.0g), bis(pinacolato)diboron (14.8g), potassium acetate (KOAc) (11.4g), [1,1'-bis(diphenylphosphino)ferrocene]dichloropalladium(II) A dichloromethane adduct (PdCl 2 (dppf) CH 2 Cl 2 ) (0.477 g) and 1,4-dioxane (160 mL) were added, and the mixture was refluxed at 100° C. for 4 hours under a nitrogen atmosphere.

반응액을 실온까지 냉각하고, 세라이트를 여과 보조제로 이용해 고체를 여과분리 하고, 여과액을 실리카겔에 통과시켰다. 용매를 감압 증류하여 제거하고, 톨루엔(200mL)에 용해하고, 활성탄(14.2g)을 더해서 30분간 환류한다. 활성탄을 여과분리 하고, 용매를 감압 증류하여 제거하고, 톨루엔과 아세토니트릴의 혼합용매를 이용하여 재결정하고, 화합물 M-A1(11.9g)을 얻는다. The reaction solution was cooled to room temperature, solids were separated by filtration using Celite as a filter aid, and the filtrate was passed through silica gel. The solvent was distilled off under reduced pressure, dissolved in toluene (200 mL), activated carbon (14.2 g) was added, and the mixture was refluxed for 30 minutes. Activated carbon is separated by filtration, the solvent is distilled off under reduced pressure, and recrystallized using a mixed solvent of toluene and acetonitrile to obtain compound M-A1 (11.9 g).

실시예 1 Example 1

(고분자 화합물 P-1의 합성) (Synthesis of polymeric compound P-1)

아르곤 분위기 하, 상기 합성예 4에서 합성한 화합물 M-A1(1.777g), 상기 합성예 1에서 합성한 화합물 M-1(1.617g), 아세트산 팔라듐(4.8mg), 트리스(2-메톡시 페닐)포스파인(45.7g), 톨루엔(64mL), 및 20 질량% 테트라에틸암모늄 하이드록사이드 수용액(11.1g)을 혼합하고, 6 시간 환류 교반한다. 그 후, 반응 용액에 페닐 보론산(261.4mg), 비스(트리페닐포스핀)팔라듐(II) 디클로라이드 (91.0mg), 및 20 질량% 테트라에틸암모늄 하이드록사이드 수용액(11.1g)을 더하고, 6 시간 가열 환류한다. 그 후, 얻어진 용액으로 수층을 제외하고, N, N-디에틸디티오카르바마이드산 나트륨 삼수화물(6.5g), 및 이온교환수(60mL)를 더해 85℃로 6 시간 교반한다. Under an argon atmosphere, compound M-A1 (1.777 g) synthesized in Synthesis Example 4, compound M-1 (1.617 g) synthesized in Synthesis Example 1, palladium acetate (4.8 mg), tris (2-methoxy phenyl) ) Phosphine (45.7 g), toluene (64 mL), and 20% by mass tetraethylammonium hydroxide aqueous solution (11.1 g) were mixed and refluxed and stirred for 6 hours. Thereafter, phenyl boronic acid (261.4 mg), bis(triphenylphosphine)palladium(II) dichloride (91.0 mg), and 20% by mass tetraethylammonium hydroxide aqueous solution (11.1 g) were added to the reaction solution, Heat to reflux for 6 hours. Thereafter, to the obtained solution, except for the aqueous layer, N,N-diethyldithiocarbamide sodium trihydrate (6.5 g) and ion-exchanged water (60 mL) were added, and the mixture was stirred at 85°C for 6 hours.

얻어진 용액에 대해서, 유기층을 수층과 분리한 후, 유기층을 물, 3 질량% 아세트산수용액, 및 물로 세정한다. 유기층을 메탄올에 적하해서 중합체를 침전시켜 수득하고, 건조함으로써 고체를 얻는다. 이 고체를 톨루엔에 용해하고, 실리카겔/알루미나를 충전한 칼럼 크로마토그래피에 통과시키고, 용매를 감압 증류하여 제거한다. 얻어진 액체를 메탄올에 적하하고, 석출한 고체를 취해 건조하여, 고분자 화합물 P-1을 얻는다 (수량 1.56g). 얻어진 고분자 화합물 P-1의 중량평균분자량(Mw) 및 분산도(Mw/Mn)를 SEC로 측정했다. 그 결과, 고분자 화합물 P-1의 중량평균분자량(Mw) 및 분산도(Mw/Mn)은, 각각, 150,600 g/mol 및 2.35이었다. With respect to the obtained solution, after the organic layer was separated from the aqueous layer, the organic layer was washed with water, a 3% by mass aqueous acetic acid solution, and water. The organic layer is added dropwise to methanol to precipitate a polymer, and solid is obtained by drying. This solid was dissolved in toluene, passed through column chromatography packed with silica gel/alumina, and the solvent was distilled off under reduced pressure. The obtained liquid is added dropwise to methanol, and the precipitated solid is taken and dried to obtain polymer compound P-1 (amount: 1.56 g). The weight average molecular weight (Mw) and degree of dispersion (Mw/Mn) of the obtained polymer compound P-1 were measured by SEC. As a result, the weight average molecular weight (Mw) and degree of dispersion (Mw/Mn) of the polymer compound P-1 were 150,600 g/mol and 2.35, respectively.

이렇게 하여 얻어진 고분자 화합물 P-1은, 단량체의 구성으로부터 하기 구조단위를 가지는 고분자 화합물로 추정된다. The polymer compound P-1 obtained in this way is presumed to be a polymer compound having the following structural units from the composition of the monomers.

(고분자 화합물 P-1)(Polymer Compound P-1)

Figure pat00047
Figure pat00047

실시예 2 Example 2

(고분자 화합물 P-2의 합성) (Synthesis of polymeric compound P-2)

실시예 1에서의 화합물 M-1 대신, 상기 합성예 2에서 합성한 화합물 M-2 (1.296g )를 사용한 것외에는, 실시예 1과 동일하게 하여 고분자 화합물 P-2를 얻었다. 얻어진 고분자 화합물 P-2의 중량평균분자량(Mw) 및 분산도 (Mw/Mn)을 SEC로 측정했다. 그 결과, 고분자 화합물 P-2의 중량평균분자량(Mw) 및 분산도(Mw/Mn)는, 각각, 149,000 g/mol 및 2.24이었다. A polymer compound P-2 was obtained in the same manner as in Example 1, except that the compound M-2 (1.296 g) synthesized in Synthesis Example 2 was used instead of the compound M-1 in Example 1. The weight average molecular weight (Mw) and degree of dispersion (Mw/Mn) of the obtained polymeric compound P-2 were measured by SEC. As a result, the weight average molecular weight (Mw) and degree of dispersion (Mw/Mn) of the polymer compound P-2 were 149,000 g/mol and 2.24, respectively.

이렇게 하여 얻어진 고분자 화합물 P-2는, 단량체의 구성으로부터 하기 구조단위를 가지는 고분자 화합물로 추정된다. The polymer compound P-2 obtained in this way is presumed to be a polymer compound having the following structural units from the structure of the monomers.

(고분자 화합물 P-2)(Polymer compound P-2)

Figure pat00048
Figure pat00048

실시예 3 Example 3

(고분자 화합물 P-3의 합성) (Synthesis of polymeric compound P-3)

실시예 1에서의 화합물 M-1 대신, 상기 합성예 3에서 합성한 화합물 M-3(1.673g)을 사용한 것 외에는, 실시예 1과 동일하게 하여 고분자 화합물 P-3을 얻었다. 얻어진 고분자 화합물 P-3의 중량평균분자량(Mw) 및 분산도(Mw/Mn)를 SEC로 측정했다. 그 결과, 고분자화합물 P-3의 중량 평균 분자량(Mw) 및 분산도 (Mw/Mn)는, 각각, 134,400 g/mol 및 2.23이었다. A polymer compound P-3 was obtained in the same manner as in Example 1, except that the compound M-3 (1.673 g) synthesized in Synthesis Example 3 was used instead of the compound M-1 in Example 1. The weight average molecular weight (Mw) and degree of dispersion (Mw/Mn) of the obtained polymeric compound P-3 were measured by SEC. As a result, the weight average molecular weight (Mw) and degree of dispersion (Mw/Mn) of the polymer compound P-3 were 134,400 g/mol and 2.23, respectively.

이렇게 하여 얻어진 고분자 화합물 P-3은, 단량체의 구성으로부터 하기 구조단위를 가지는 고분자 화합물로 추정된다. The polymer compound P-3 obtained in this way is presumed to be a polymer compound having the following structural units from the composition of the monomers.

(고분자 화합물 P-3)(Polymer compound P-3)

Figure pat00049
Figure pat00049

실시예 4 Example 4

(고분자 화합물 P-4의 합성) (Synthesis of polymeric compound P-4)

아르곤 분위기 하, 상기 합성예 4에서 합성한 화합물 M-A1 (0.592g, 1.0 mol당량), 상기 합성예 1에서 합성한 화합물 M-1 (0.270g, 0.5mol당량), 상기 합성예 3에서 합성한 화합물 M-3 (0.391g, 0.5mol당량), 아세트산 팔라듐 (1.6mg), 트리스(2-메톡시 페닐)포스핀 (15.7g), 톨루엔 (20mL), 및 20 질량% 테트라에틸안모늄 하이드록사이드 수용액 (4.1g)을 혼합하고, 6 시간 환류 교반한다. 그 후, 반응 용액에 페닐 보론산 (261.4 mg), 비스(트리페닐스핀) 팔라듐(II) 디 클로라이드 (30.1mg), 및 20질량% 테트라에틸 암모늄하이드록사이드 수용액(11.1g)을 가하여, 6 시간 가열 환류한다. 그 후, 얻어진 용액으로부터 수층을 제거하고, N, N-디에틸디티오카르바미드산 나트륨 삼수화물(6.5g), 및 이온교환수(60mL)를 더해 85℃에서 6 시간 교반한다. 얻어진 용액에 대해, 유기층을 수층과 분리한 후, 유기층을 물, 3 질량% 아세트산 수용액, 및 물로 세정한다. 유기층을 메탄올에 적하하여 중합체를 침전시켜 수득하고, 건조하여, 고체를 얻었다. 이 고체를 톨루엔에 용해하고, 실리카겔/알루미나를 충전한 칼럼 크로마토그래피에 통과시키고, 용매를 감압 증류하여 제거한다. 얻어진 액체를 메탄올에 적하하고, 석출한 고체를 분리, 및 건조하여, 고분자 화합물 P-4를 얻었다 (수량 0.56g). 얻어진 고분자 화합물 P-4의 중량평균분자량(Mw) 및 분산도 (Mw/Mn)를 SEC로 측정한다. 그 결과, 고분자 화합물 P-4의 중량평균분자량(Mw) 및 분산도 (Mw/Mn)는, 각각, 185,000 g/mol 및 2.56이었다. Compound M-A1 (0.592 g, 1.0 mol equivalent) synthesized in Synthesis Example 4 under an argon atmosphere, Compound M-1 (0.270 g, 0.5 mol equivalent) synthesized in Synthesis Example 1, Synthesis in Synthesis Example 3 One compound M-3 (0.391 g, 0.5 mol equivalent), palladium acetate (1.6 mg), tris(2-methoxy phenyl)phosphine (15.7 g), toluene (20 mL), and 20 mass % tetraethylanmonium hydrate An aqueous solution of rockoxide (4.1 g) was mixed and stirred under reflux for 6 hours. Thereafter, phenyl boronic acid (261.4 mg), bis(triphenylspin)palladium(II) dichloride (30.1 mg), and 20% by mass tetraethyl ammonium hydroxide aqueous solution (11.1 g) were added to the reaction solution, and 6 Heat to reflux for an hour. After that, the aqueous layer was removed from the obtained solution, sodium N,N-diethyldithiocarbamidate trihydrate (6.5 g) and ion-exchanged water (60 mL) were added, and the mixture was stirred at 85°C for 6 hours. With respect to the obtained solution, after the organic layer was separated from the aqueous layer, the organic layer was washed with water, a 3% by mass aqueous acetic acid solution, and water. The organic layer was dropped into methanol to precipitate a polymer, which was dried to obtain a solid. This solid was dissolved in toluene, passed through column chromatography packed with silica gel/alumina, and the solvent was distilled off under reduced pressure. The obtained liquid was added dropwise to methanol, and the precipitated solid was separated and dried to obtain polymer compound P-4 (amount: 0.56 g). The weight average molecular weight (Mw) and degree of dispersion (Mw/Mn) of the obtained polymer compound P-4 were measured by SEC. As a result, the weight average molecular weight (Mw) and degree of dispersion (Mw/Mn) of the polymer compound P-4 were 185,000 g/mol and 2.56, respectively.

이렇게 하여 얻어진 고분자 화합물 P-4는, 단량체의 구성으로부터, 하기 구조단위를 가지는 고분자 화합물로 추정된다. The polymer compound P-4 obtained in this way is presumed to be a polymer compound having the following structural units from the structure of the monomers.

(고분자 화합물 P-4)(Polymer compound P-4)

Figure pat00050
Figure pat00050

실시예 5 Example 5

(고분자 화합물 P-5의 합성) (Synthesis of polymeric compound P-5)

실시예 4에 있어서, 합성예 4에서 합성한 화합물 M-A1 (0.790g, 1.0mol 당량), 합성예 1에서 합성한 화합물 M-1 (0.270g, 0.375mol당량), 및 합성예 3에서 합성한 화합물 M-3(0.651g, 0.625mol당량)을 대신 사용한 것 외에는, 실시예 4에서와 동일하게 하여 고분자 화합물 P-5를 얻는다. 얻어진 고분자 화합물 P-5의 중량평균분자량 (Mw) 및 분산도 (Mw/Mn)를 SEC로 측정한다. 그 결과, 고분자 화합물 P-5의 중량평균분자량(Mw) 및 분산도 (Mw/Mn)는, 각각, 102,000 g/mol 및 2.12이었다. In Example 4, Compound M-A1 (0.790 g, 1.0 mol equivalent) synthesized in Synthesis Example 4, Compound M-1 (0.270 g, 0.375 mol equivalent) synthesized in Synthesis Example 1, and Synthesis Example 3 A polymer compound P-5 was obtained in the same manner as in Example 4, except that one compound M-3 (0.651 g, 0.625 mol equivalent) was used instead. The weight average molecular weight (Mw) and degree of dispersion (Mw/Mn) of the obtained polymer compound P-5 were measured by SEC. As a result, the weight average molecular weight (Mw) and degree of dispersion (Mw/Mn) of the polymer compound P-5 were 102,000 g/mol and 2.12, respectively.

이렇게 하여 얻어진 고분자 화합물 P-5는, 단량체의 구성으로부터, 하기 구조단위를 가지는 고분자 화합물로 추정된다. The polymer compound P-5 obtained in this way is presumed to be a polymer compound having the following structural units from the structure of the monomers.

(고분자 화합물 P-5)(Polymer compound P-5)

Figure pat00051
Figure pat00051

실시예 6 Example 6

(고분자 화합물 P-6의 합성) (Synthesis of polymeric compound P-6)

실시예 4에 있어서, 합성예 4에서 합성한 화합물 M-A1 (0.592g, 1.0mol당량), 합성예 1에서 합성한 화합물 M-1 (0.135g, 0.25mol당량), 및 합성예 3에서 합성한 화합물 M-3 (0.586g, 0.75mol당량)을 대신 사용한 것 외에는, 실시예 4에서와 동일하게 하여, 고분자 화합물 P-6을 얻었다. 얻어진 고분자 화합물 P-6의 중량평균분자량 (Mw) 및 분산도 (Mw/Mn)를 SEC로 측정한다. 그 결과, 고분자 화합물 P-6의 중량평균분자량(Mw) 및 분산도 (Mw/Mn)는, 각각, 55,000 g/mol 및 2.20이었다. In Example 4, compound M-A1 (0.592 g, 1.0 mol equivalent) synthesized in Synthesis Example 4, compound M-1 (0.135 g, 0.25 mol equivalent) synthesized in Synthesis Example 1, and Synthesis Example 3 A polymer compound P-6 was obtained in the same manner as in Example 4, except that one compound M-3 (0.586 g, 0.75 mol equivalent) was used instead. The weight average molecular weight (Mw) and degree of dispersion (Mw/Mn) of the obtained polymer compound P-6 were measured by SEC. As a result, the weight average molecular weight (Mw) and degree of dispersion (Mw/Mn) of the polymer compound P-6 were 55,000 g/mol and 2.20, respectively.

이렇게 하여 얻어진 고분자 화합물 P-6은, 단량체의 구성으로부터, 하기 구조단위를 가지는 고분자 화합물로 추정된다. The polymer compound P-6 obtained in this way is presumed to be a polymer compound having the following structural units from the structure of the monomers.

(고분자 화합물 P-6)(Polymer compound P-6)

Figure pat00052
Figure pat00052

비교예 1 Comparative Example 1

(고분자 화합물 P-7의 합성) (Synthesis of polymeric compound P-7)

아르곤 분위기 하, 합성예 4에서 합성한 화합물 M-A1 (1.64g), 2,7-디브로모-9,9-디-n-헥실 플루오렌 (0.983g), 아세트산 팔라듐(9.0mg), 트리스(2-메톡시 페닐)포스파인 (42.2mg), 톨루엔 (53mL), 및 20 질량% 테트라에틸암모늄 하이드록사이드 수용액(10.3g)을 4구 플라스크에 넣고, 85℃에서 6 시간 교반한다. 그 다음, 페닐 보론산 (241mg), 테트라키스(트리페닐 포스피노)팔라듐 (140mg), 20질량% 테트라에틸암모늄 하이드록사이드 수용액(10.3g)을 더하고, 3 시간 교반한다. 그 후, 이온교환수(50mL)에 용해한 N, N-디에틸디티오카르바미드산 나트륨 삼수화물(13.5g)을 더해 85℃에서 2 시간 교반한다. 유기층을 수층과 분리한 후, 유기층을 물, 3 질량% 아세트산 수용액, 및 물로 세정한다. 그 후, 유기층을 실리카겔/알루미나를 충전한 칼럼 크로마토그래피에 가하고, 용매를 감압 증류 제거한다. 얻어진 액체를 메탄올에 적하하고, 석출한 고체를 톨루엔에 용해시킨다. 그 후, 이 용액을 메탄올에 적하하여 석출시키고, 석출한 고체를 분리하여 건조하고, 고분자 화합물 P-7을 얻는다 (1.35g). 얻어진 고분자 화합물 P-7의 중량평균분자량(Mw) 및 분산도(Mw/Mn)를 SEC로 측정한다. 그 결과, 고분자 화합물 P-7의 중량평균분자량(Mw) 및 분산도(Mw/Mn)는, 각각, 86,000 g/mol 및 2.56이었다. Compound M-A1 (1.64 g) synthesized in Synthesis Example 4 under an argon atmosphere, 2,7-dibromo-9,9-di-n-hexyl fluorene (0.983 g), palladium acetate (9.0 mg), Tris (2-methoxy phenyl) phosphine (42.2 mg), toluene (53 mL), and 20% by mass tetraethylammonium hydroxide aqueous solution (10.3 g) were placed in a four-necked flask, and the mixture was stirred at 85°C for 6 hours. Next, phenyl boronic acid (241 mg), tetrakis(triphenylphosphino)palladium (140 mg), and 20% by mass tetraethylammonium hydroxide aqueous solution (10.3 g) are added, and the mixture is stirred for 3 hours. Thereafter, sodium N,N-diethyldithiocarbamidate trihydrate (13.5 g) dissolved in ion-exchanged water (50 mL) was added, and the mixture was stirred at 85°C for 2 hours. After separating the organic layer from the aqueous layer, the organic layer was washed with water, a 3% by mass aqueous acetic acid solution, and water. Thereafter, the organic layer was subjected to column chromatography packed with silica gel/alumina, and the solvent was distilled off under reduced pressure. The obtained liquid is added dropwise to methanol, and the precipitated solid is dissolved in toluene. Thereafter, this solution is added dropwise to methanol to precipitate, and the precipitated solid is separated and dried to obtain polymer compound P-7 (1.35 g). The weight average molecular weight (Mw) and degree of dispersion (Mw/Mn) of the obtained polymer compound P-7 were measured by SEC. As a result, the weight average molecular weight (Mw) and degree of dispersion (Mw/Mn) of the polymer compound P-7 were 86,000 g/mol and 2.56, respectively.

이렇게 하여 얻어진 고분자 화합물 P-7은, 단량체의 구성으로부터, 하기 구조단위를 가지는 고분자 화합물로 추정된다. The polymer compound P-7 obtained in this way is presumed to be a polymer compound having the following structural units from the structure of the monomers.

(고분자 화합물 P-7)(Polymer compound P-7)

Figure pat00053
Figure pat00053

실시예 7 Example 7

제1 전극(양극)으로서, 산화 인듐 주석(ITO)이 막 두께 150 nm로 패터닝되어 있는 ITO 부착 유리 기판을 사용한다. 이 ITO 부착 유리 기판을, 중성 세제, 탈이온수, 물, 및 이소프로필알코올을 이용하여 순차 세정한 후, UV-오존 처리를 실시한다. 다음으로, 이 ITO 부착 유리 기판 위로, 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)/폴리(4-스티렌설포네이트) (PEDOT/PSS) (Sigma-Aldrich제)를, 건조 막 두께가 30 nm이 되도록 스핀 코팅법에 의해 도포한 후, 건조시킨다. 그 결과, 두께(건조 막 두께) 30nm의 정공주입층이 ITO 부착 유리 기판 위로 형성되었다. As the first electrode (anode), a glass substrate with ITO on which indium tin oxide (ITO) has been patterned into a film thickness of 150 nm is used. This glass substrate with ITO is sequentially washed with neutral detergent, deionized water, water and isopropyl alcohol, and then subjected to UV-ozone treatment. Next, poly(3,4-ethylenedioxythiophene)/poly(4-styrenesulfonate) (PEDOT/PSS) (manufactured by Sigma-Aldrich) was applied onto this ITO-attached glass substrate, and the dry film thickness was 30 nm. After applying by spin coating method as much as possible, it is dried. As a result, a hole injection layer having a thickness (dry film thickness) of 30 nm was formed on the glass substrate with ITO.

이 정공주입층 위로, 실시예 1의 고분자 화합물 P-1(정공수송 재료)의 1.0 질량%의 톨루엔 용액을 건조 막 두께가 30 nm가 되도록 스핀 코팅법에 의해 도포한 후, 230 ℃에서 60 분간 열처리하여 정공수송층을 형성한다. 그 결과, 두께(건조 막 두께) 30 nm의 정공수송층이 정공주입층 위로 형성되었다. On this hole injection layer, a 1.0% by mass toluene solution of the polymer compound P-1 (hole transport material) of Example 1 was applied by spin coating to a dry film thickness of 30 nm, and then at 230°C for 60 minutes. Heat treatment is performed to form a hole transport layer. As a result, a hole transport layer having a thickness (dry film thickness) of 30 nm was formed over the hole injection layer.

옥탄 중에, 하기 구조: In octane, the following structure:

Figure pat00054
Figure pat00054

를 가지는 ZnTeSe/ZnSe/ZnS(코어/쉘/쉘; 평균 직경 = 약 10nm)의 청색 양자점을, 2.0 질량%이 되도록 분산시켜 양자점 분산액을 조제한다. 한편, 정공수송층 (특히 고분자 화합물 P-1)은 옥탄에는 용해하지 않는다. 이 양자점 분산액을, 건조 막 두께가 30 nm가 되도록 스핀 코팅법에 의해 상기 정공수송층 위로 도포한 후 건조시킨다. 그 결과, 두께(건조 막 두께) 약 30 nm의 양자점 발광층이 정공수송층 위로 형성된다. 한편, 양자점 분산액에 자외선을 조사하여 발생하는 광은 중심 파장이 462 nm, 반치폭이 30 nm이었다. A quantum dot dispersion is prepared by dispersing blue quantum dots of ZnTeSe/ZnSe/ZnS (core/shell/shell; average diameter = about 10 nm) having 2.0% by mass. On the other hand, the hole transport layer (particularly the polymer compound P-1) is insoluble in octane. This quantum dot dispersion was applied onto the hole transport layer by spin coating to a dry film thickness of 30 nm and then dried. As a result, a quantum dot light emitting layer having a thickness (dry film thickness) of about 30 nm is formed over the hole transport layer. On the other hand, the light generated by irradiating the quantum dot dispersion with ultraviolet light had a central wavelength of 462 nm and a full width at half maximum of 30 nm.

그 후, ZnCl2을 용매인 에탄올에 0.7 mol/L의 농도로 용해하여 ZnCl2 도포액을 조제한다. 조제한 ZnCl2 도포액을 상기에서 형성한 발광면을 덮도록 천천히 적하하고, 60 초 방치한 후, 스핀 코팅법으로 1,000 rpm으로 40 초간 회전시키고, 80℃에서 20 분간 가열 건조한다. 계속하여, 에탄올을 상기에서 형성한 발광면을 덮도록 천천히 적하하고, 스핀 코팅법에 의해 1,000 rpm으로 회전시키는 조작을 두 번 반복하고, 80℃에서 20 분간 가열 건조한다. Then, ZnCl 2 is dissolved in ethanol as a solvent at a concentration of 0.7 mol/L to prepare a ZnCl 2 coating solution. The prepared ZnCl 2 coating liquid was slowly dropped so as to cover the light emitting surface formed above, left for 60 seconds, rotated at 1,000 rpm for 40 seconds by spin coating method, and heated and dried at 80° C. for 20 minutes. Subsequently, ethanol was slowly dropped so as to cover the light emitting surface formed above, and the operation of rotating at 1,000 rpm by spin coating was repeated twice, followed by heating and drying at 80 DEG C for 20 minutes.

에탄올에, ZnMgO를 1 질량%가 되도록 분산하여 ZnMgO 분산액을 조제한다. 건조 막 두께가 약20 nm가 되도록 스핀 코팅법에 의해 ZnMgO 분산액을 상기 양자점 발광층 위로 도포하고, 80℃에서 30 분간 가열 건조한다. 그 결과, 두께(건조 막 두께) 약 20 nm의 전자수송층이 양자점 발광층 위로 형성된다. A ZnMgO dispersion is prepared by dispersing ZnMgO at 1% by mass in ethanol. A ZnMgO dispersion was coated on the quantum dot light emitting layer by spin coating to a dry film thickness of about 20 nm, and dried by heating at 80° C. for 30 minutes. As a result, an electron transport layer having a thickness (dry film thickness) of about 20 nm is formed on the quantum dot light emitting layer.

진공 증착 장치를 이용하여, 상기 전자수송층 위로, 알루미늄(Al)을 증착시킨다. 그 결과, 두께 약100 nm의 제2 전극(음극)이 전자수송층 위로 형성된다. 이에 따라, 양자점 일렉트로루미네선스 소자 1을 얻는다. Aluminum (Al) is deposited on the electron transport layer using a vacuum deposition apparatus. As a result, a second electrode (cathode) having a thickness of about 100 nm is formed over the electron transport layer. In this way, the quantum dot electroluminescence element 1 is obtained.

실시예 8 Example 8

실시예 7에 있어서, 고분자 화합물 P-1 대신, 실시예 2의 고분자 화합물 P-2를 사용한 것 외에는, 실시예 7과 같은 조작을 행하여 양자점 일렉트로루미네선스 소자 2를 제작한다. Quantum dot electroluminescent device 2 was fabricated in the same manner as in Example 7, except that the polymer compound P-2 of Example 2 was used instead of the polymer compound P-1 in Example 7.

실시예 9 Example 9

실시예 7에 있어서, 고분자 화합물 P-1 대신, 실시예 3의 고분자 화합물 P-3을 사용한 것 외에는, 실시예 7과 같은 조작을 행하여 양자점 일렉트로루미네선스 소자 3을 제작한다. Quantum dot electroluminescence device 3 was fabricated in the same manner as in Example 7, except that the polymer compound P-3 of Example 3 was used instead of the polymer compound P-1 in Example 7.

실시예 10 Example 10

실시예 7에 있어서, 고분자 화합물 P-1 대신, 실시예 4의 고분자 화합물 P-4를 사용한 것 외에는, 실시예 7과 같은 조작 (을)를 행하여 양자점 일렉트로루미네선스 소자 4를 제작한다. Quantum dot electroluminescent device 4 was fabricated in the same manner as in Example 7, except that the polymer compound P-4 of Example 4 was used instead of the polymer compound P-1 in Example 7.

실시예 11 Example 11

실시예 7에 있어서, 고분자 화합물 P-1 대신, 실시예 5의 고분자 화합물 P-5를 사용한 것 외에는, 실시예 7과 같은 조작을 행하여 양자점 일렉트로루미네선스 소자 5를 제작한다.Quantum dot electroluminescent device 5 was fabricated in the same manner as in Example 7, except that the polymer compound P-5 of Example 5 was used instead of the polymer compound P-1 in Example 7.

실시예 12 Example 12

실시예 7에 있어서, 고분자 화합물 P-1 대신, 실시예 6의 고분자 화합물 P-6을 사용한 것 외에는, 실시예 7과 같은 조작을 행하여 양자점 일렉트로루미네선스 소자 6을 제작한다. Quantum dot electroluminescence device 6 was fabricated in the same manner as in Example 7, except that the polymer compound P-6 of Example 6 was used instead of the polymer compound P-1 in Example 7.

비교예 2 Comparative Example 2

실시예 7에 있어서, 고분자 화합물 P-1 대신, 하기 구조단위를 가지는 폴리 [(9,9-디옥틸 플루오레닐-2,7-디 일)-co- (4,4'-(N- (4-sec-부틸 페닐)디페닐 아민)] (TFB) (Luminescence Technology Corp.제)을 사용한 것 외에는, 실시예 7과 같은 조작을 행하여, 비교 양자점 일렉트로루미네선스 소자 1을 제작한다. 한편, TFB의 중량평균분자량(Mw) 및 분산도(Mw/Mn)를 SEC로 측정했다. 그 결과, TFB의 중량평균분자량 및 Mw/Mn은, 각각, 359,000 g/mol 및 3.4이었다. In Example 7, instead of the polymer compound P-1, poly[(9,9-dioctyl fluorenyl-2,7-diyl)-co- (4,4'-(N- (4-sec-butyl phenyl) diphenyl amine)] (TFB) (manufactured by Luminescence Technology Corp.), but the same operations as in Example 7 were carried out to prepare comparative quantum dot electroluminescent device 1. On the other hand, , The weight average molecular weight (Mw) and the degree of dispersion (Mw/Mn) of TFB were measured by SEC.As a result, the weight average molecular weight and Mw/Mn of TFB were 359,000 g/mol and 3.4, respectively.

(TFB)(TFB)

Figure pat00055
Figure pat00055

비교예 3 Comparative Example 3

실시예 7에 있어서, 고분자 화합물 P-1 대신, 비교예 1의 고분자 화합물 P-7을 사용한 것 외에는, 실시예 7과 같은 조작을 행하여, 비교 양자점 일렉트로루미네선스 소자 2를 제작한다. Comparative quantum dot electroluminescence device 2 was fabricated in the same manner as in Example 7, except that the polymer compound P-7 of Comparative Example 1 was used instead of the polymer compound P-1 in Example 7.

[양자점 일렉트로루미네선스 소자의 평가 1] [Evaluation of quantum dot electroluminescence device 1]

상기 실시예 7 내지 12에서 제작한 양자점 일렉트로루미네선스 소자 1 내지 6 및 비교예 2와 3에서 제작한 비교 양자점 일렉트로루미네선스 소자 1과 2에 대하여, 하기 방법에 의해 발광 특성(V@5mA (V), ΔV (V)) 및 발광 수명을 평가하고, 그 결과를 하기 표 1에 나타낸다. For the quantum dot electroluminescence devices 1 to 6 prepared in Examples 7 to 12 and the comparative quantum dot electroluminescence devices 1 and 2 prepared in Comparative Examples 2 and 3, the emission characteristics (V@5mA) were determined by the following method. (V), ΔV (V)) and luminescence lifetime were evaluated, and the results are shown in Table 1 below.

(V@5mA (V)) (V@5mA (V))

직류 정전압 전원(KEYENCE제, 소스미터 (source meter))을 이용하고, 각 양자점 일렉트로루미네선스 소자에 대하여, 전압을 인가하면 일정한 전압으로 전류가 흐르기 시작하고, 양자점 일렉트로루미네선스 소자가 발광한다. 전류 밀도가 5 mA/cm2에서의 전압(V)을 구동 전압 「V@5mA (V)」으로 한다. When a voltage is applied to each quantum dot electroluminescence element using a DC constant voltage power supply (source meter, manufactured by KEYENCE), a current starts to flow at a constant voltage, and the quantum dot electroluminescence element emits light. . A voltage (V) at a current density of 5 mA/cm 2 is defined as a driving voltage “V@5 mA (V)”.

(ΔV (V) 및 발광 수명) (ΔV (V) and luminous lifetime)

직류 정전압 전원(주식회사 키엔스제, 소스미터 (source meter))을 이용하고, 각 양자점 일렉트로루미네선스 소자에 대하여 소정의 전압을 가하고, 각 양자점 일렉트로루미네선스 소자를 발광하게 한다. 양자점 일렉트로루미네선스 소자의 발광을 휘도 측정 장치 (주식회사 타프콘제, SR-3)로 측정하면서, 서서히 전류를 증가시키고, 휘도가 650 nit (cd/m2)가 되면 전류를 일정하게 하여 방치한다. 휘도 측정 장치로 측정한 휘도 값이 서서히 저하하여 초기 휘도의 90%가 될 때까지의 시간을 「LT90(hr)」로 한다. 또한, 휘도가 650 nit(cd/m2)로 된 초기 전압(V)과, 초기 휘도의 50%로 된 때의 전압(V) 차를 ΔV (V)로 한다. 한편, 하기 표 1에서, 각 소자의 LT90(hr)은, 비교예 2의 비교 양자점 일렉트로루미네선스 소자 2의 LT90(hr)을 1.0로 했을 때의 상대값을 산출하고, 「LT90 TFB=1」의 란에 나타낸다. Using a direct current constant voltage power source (source meter manufactured by Keyence Corporation), a predetermined voltage is applied to each quantum dot electroluminescence element to cause each quantum dot electroluminescence element to emit light. While measuring the light emission of the quantum dot electroluminescence device with a luminance measuring device (manufactured by Tafcon Co., Ltd., SR-3), the current is gradually increased, and when the luminance reaches 650 nit (cd/m 2 ), the current is left constant. . The time until the luminance value measured by the luminance measuring device gradually decreases to 90% of the initial luminance is referred to as "LT90 (hr)". Further, the difference between the initial voltage (V) when the luminance is 650 nit (cd/m 2 ) and the voltage (V) when the luminance is 50% of the initial luminance is ΔV (V). On the other hand, in Table 1 below, LT90 (hr) of each element is a relative value when LT90 (hr) of comparative quantum dot electroluminescence element 2 of Comparative Example 2 is set to 1.0, and "LT90 TFB = 1 It is shown in the column of ".

고분자 화합물high molecular compound V@5mA (V)V@5mA (V) ΔV (V)ΔV (V) LT90 TFB=1LT90 TFB=1 실시예 7Example 7 P-1P-1 2.72.7 0.370.37 4.64.6 실시예 8Example 8 P-2P-2 2.82.8 0.370.37 5.35.3 실시예 9Example 9 P-3P-3 2.72.7 0.380.38 2.02.0 실시예 10Example 10 P-4P-4 2.92.9 0.360.36 6.96.9 실시예 11Example 11 P-5P-5 2.72.7 0.380.38 8.18.1 실시예 12Example 12 P-6P-6 2.92.9 0.360.36 9.99.9 비교예 2Comparative Example 2 TFBTFB 3.03.0 0.400.40 1.01.0 비교예 3Comparative Example 3 P-7P-7 2.82.8 0.380.38 1.11.1

상기 표 1의 결과로부터, 실시예의 양자점 일렉트로루미네선스 소자 1 내지 6은, 비교 양자점 일렉트로루미네선스 소자 1과 2에 비해, 유의적으로 높은 내구성 (유의적으로 긴 발광 수명)을 발휘할 수 있는 것을 알 수 있다. From the results of Table 1, the quantum dot electroluminescence devices 1 to 6 of the examples are capable of exhibiting significantly higher durability (significantly longer luminescence lifetime) than the comparative quantum dot electroluminescence devices 1 and 2. can know that

[각 고분자 화합물의 특성 평가] [Evaluation of characteristics of each polymer compound]

상기 실시예 1 내지 6의 고분자 화합물 P-1 내지 P-6, TFB, 및 비교예 1의 고분자 화합물 P-7에 대해, 하기 방법으로 HOMO 준위 (eV) 및 유리전이온도(Tg)(℃)를 측정하고, 그 결과를 하기 표 2에 나타낸다. For the polymer compounds P-1 to P-6 and TFB of Examples 1 to 6, and the polymer compound P-7 of Comparative Example 1, the HOMO level (eV) and glass transition temperature (T g ) (℃ ) was measured, and the results are shown in Table 2 below.

또, 실시예 1 내지 6의 고분자 화합물 P-1 내지 P-6, TFB, 및 비교예 1의 고분자 화합물 P-7에 대해, 하기 방법으로 모델 소자의 특성을 평가하고, 그 결과를 하기 표 2에 나타낸다. In addition, the characteristics of the model device were evaluated for the polymer compounds P-1 to P-6 and TFB of Examples 1 to 6 and the polymer compound P-7 of Comparative Example 1 by the following method, and the results are shown in Table 2 below. indicated in

(HOMO 준위의 측정) (Measurement of HOMO level)

각 고분자 화합물을, 농도가 1 질량%가 되도록 크실렌에 용해시켜 도포액을 조제한다. UV 세정한 ITO 부착 유리 기판 위로, 상기에서 조제한 도포액을 이용하고, 회전수 2,000 rpm의 조건으로, 스핀 코팅법에 의해 제막한 후, 핫 플레이트 상에서 150℃, 30 분의 조건으로 건조시켜 측정용 샘플을 제작한다. 대기(air) 중 광전자분광장치(리켄계기 주식회사제, AC-3)를 이용하여 샘플의 HOMO 준위를 측정한다. 이 때, 측정 결과로부터 상승하는 접선 교점을 산출하여 HOMO 준위 (eV)로 한다. 한편, HOMO 준위는, 통상, 음의 수치이다. Each high molecular compound is dissolved in xylene to a concentration of 1% by mass to prepare a coating liquid. A film was formed on a UV-cleaned glass substrate with ITO by spin coating using the coating liquid prepared above at a rotation rate of 2,000 rpm, and then dried on a hot plate at 150°C for 30 minutes for measurement. make a sample The HOMO level of the sample is measured using a photoelectron spectrometer (AC-3, manufactured by Riken Keiki Co., Ltd.) in air. At this time, the rising tangential intersection is calculated from the measurement result and is set as the HOMO level (eV). On the other hand, the HOMO level is usually a negative value.

(유리전이온도 (Tg)) (Glass transition temperature (T g ))

각 고분자 화합물을, 시차주사열량계 (DSC) (세이코인스트루 사제, 상품명: DSC6000)를 사용하여, 온도 상승 속도 10℃/분으로 300℃까지 승온시켜 10 분간 보유한 샘플을, 온도 하강 속도 10℃/분으로 25℃까지 냉각하여 10 분간 보유한 후, 온도 상승 속도 10℃/분으로 300℃까지 승온하여 측정을 행한다. 측정 종료 후는 10℃/분으로 실온(25℃)까지 냉각한다. Each polymer compound was heated up to 300°C at a temperature rise rate of 10°C/min using a differential scanning calorimeter (DSC) (product name: DSC6000, manufactured by Seiko Scientific Co., Ltd.), and the sample held for 10 minutes was held at a temperature drop rate of 10°C/min. After cooling to 25°C in minutes and holding for 10 minutes, the temperature was raised to 300°C at a temperature rise rate of 10°C/minute and measurement was performed. After completion of the measurement, it is cooled to room temperature (25°C) at 10°C/min.

(참고 실험: 모델 소자의 특성 평가) (Reference experiment: Characteristic evaluation of model device)

(참고예 1) (Reference Example 1)

제1 전극(양극)으로서 스트라이프 형의 산화 인듐 주석(ITO)이 막 두께 약 150 nm로 성막된 유리 기판을 준비한다. 유리 기판 위로, PEDOT-PSS(Sigma-Aldrich사제)를, 건조 막 두께가 약 30 nm가 되도록 스핀 코팅법으로 도포하여 건조하고, 건조 막 두께 약 30 nm의 정공주입층을 형성한다. As a first electrode (anode), a glass substrate on which a stripe-shaped indium tin oxide (ITO) film is formed to a film thickness of about 150 nm is prepared. On the glass substrate, PEDOT-PSS (manufactured by Sigma-Aldrich) was applied by spin coating to a dry film thickness of about 30 nm and dried to form a hole injection layer with a dry film thickness of about 30 nm.

그 후, 실시예 1의 고분자 화합물 P-1(정공수송 재료)을, 용매인 크실렌에 1 질량%의 농도로 용해하여 고분자 도포액을 조제한다. 상기에서 조제한 고분자 도포액을, 상기에서 형성한 정공주입층 위로 건조 막 두께가 약 30 nm가 되게 스핀 코팅법으로 도포하고, 150℃에서 30 분간 가열 건조한다. 이에 따라, 건조 막 두께 약 30 nm의 정공수송층을 형성한다. Thereafter, the polymer compound P-1 (hole transport material) of Example 1 was dissolved in xylene as a solvent at a concentration of 1% by mass to prepare a polymer coating liquid. The polymer coating liquid prepared above is applied onto the hole injection layer formed above by spin coating to a dry film thickness of about 30 nm, and heat-dried at 150° C. for 30 minutes. This forms a hole transport layer with a dry film thickness of about 30 nm.

별도로, 실시예 7과 동일하게 하여, 양자점 분산액을 조제한다. 이 양자점 분산액을, 상기에서 형성한 정공수송층 위로 건조 막 두께가 약 20 nm가 되도록 스핀 코팅법으로 도포하고, 80℃에서 30 분간 가열 건조한다. 이에 따라, 건조 막 두께 약 20 nm의 양자점 발광층을 형성한다. Separately, a quantum dot dispersion was prepared in the same manner as in Example 7. This quantum dot dispersion was applied onto the hole transport layer formed above by spin coating to a dry film thickness of about 20 nm, and dried by heating at 80° C. for 30 minutes. In this way, a quantum dot light-emitting layer having a dry film thickness of about 20 nm is formed.

그 후, ZnCl2을 용매인 에탄올에 0.7 mol/L의 농도로 용해하고, ZnCl2 도포액을 조제한다. 상기에서 조제한 ZnCl2 도포액을, 상기에서 형성한 양자점 발광층을 덮도록 천천히 적하하고, 60 초 방치한 후, 스핀 코팅법에 의해 1,000 rpm으로 40 초간 회전시키고, 80℃에서 20 분간 가열 건조한다. 계속해서, 에탄올을 상기에서 형성한 발광층을 덮도록 천천히 적하하고, 스핀 코팅법에 의해 1000 rpm으로 회전시키는 조작을 두 번 반복하고, 80℃에서 20 분간 가열 건조한다. Then, ZnCl 2 is dissolved in ethanol as a solvent at a concentration of 0.7 mol/L to prepare a ZnCl 2 coating liquid. The ZnCl 2 coating solution prepared above is slowly dripped so as to cover the quantum dot light emitting layer formed above, left for 60 seconds, rotated at 1,000 rpm for 40 seconds by spin coating, and heated and dried at 80 ° C. for 20 minutes. Subsequently, ethanol was slowly added dropwise so as to cover the light emitting layer formed above, and the rotation at 1000 rpm by spin coating was repeated twice, followed by heating and drying at 80 DEG C for 20 minutes.

α-NPD(N, N'-디-1-나프틸-N, N'-디페닐 벤지딘)과, HAT-CN(디 피라지노 [2,3-f:2',3'-h]퀴녹살린-2,3,6,7,10,11-헥사 카보니트릴)을, 차례로 진공증착법에 의해 상기에서 형성한 정공수송층에 차례로 증착하여, 각각 두께 약 36 nm, 및 약 10 nm가 되도록 전자저지층을 형성하고, 홀 온리(hole only) 소자 1을 제작한다. α-NPD (N, N'-di-1-naphthyl-N, N'-diphenyl benzidine) and HAT-CN (di pyrazino [2,3-f:2',3'-h] quinox Saline-2,3,6,7,10,11-hexacarbonitrile) was sequentially deposited on the hole transport layer formed above by a vacuum deposition method to obtain a thickness of about 36 nm and about 10 nm, respectively. layers are formed, and a hole only device 1 is fabricated.

(참고예 2) (Reference example 2)

참고예 1에 있어서, 고분자 화합물 P-1 대신, 실시예 2의 고분자 화합물 P-2를 사용한 것 외에는, 참고예 1과 같은 조작을 행하여 홀 온리 소자 2를 제작한다. A hole-only device 2 was fabricated in the same manner as in Reference Example 1, except that the polymer compound P-2 of Example 2 was used instead of the polymer compound P-1 in Reference Example 1.

(참고예 3) (Reference Example 3)

참고예 1에 있어서, 고분자 화합물 P-1 대신, 실시예 3의 고분자 화합물 P-3을 사용한 것 외에는, 참고예 1과 같은 조작을 행하여, 홀 온리 소자 3을 제작한다. A hole-only element 3 was fabricated in the same manner as in Reference Example 1, except that the polymer compound P-3 of Example 3 was used instead of the polymer compound P-1 in Reference Example 1.

(참고예 4) (Reference example 4)

참고예 1에 있어서, 고분자 화합물 P-1 대신, 실시예 4의 고분자 화합물 P-4를 사용한 것 외에는, 참고예 1과 같은 조작을 행하여, 홀 온리 소자 4를 제작한다. A hole-only element 4 was fabricated in the same manner as in Reference Example 1, except that the polymer compound P-4 of Example 4 was used instead of the polymer compound P-1 in Reference Example 1.

(참고예 5) (Reference Example 5)

참고예 1에 있어서, 고분자 화합물 P-1 대신, 실시예 5의 고분자 화합물 P-5를 사용한 것 외에는, 참고예 1과 같은 조작을 행하여, 홀 온리 소자 5를 제작한다. A hole-only device 5 was fabricated in the same manner as in Reference Example 1, except that the polymer compound P-5 of Example 5 was used instead of the polymer compound P-1 in Reference Example 1.

(참고예 6) (Reference Example 6)

참고예 1에 있어서, 고분자 화합물 P-1 대신, 실시예 6의 고분자 화합물 P-6을 사용한 것 외에는, 참고예 1과 같은 조작을 행하여, 홀 온리 소자 6을 제작한다. A hole-only device 6 was fabricated in the same manner as in Reference Example 1, except that the polymer compound P-6 of Example 6 was used instead of the polymer compound P-1 in Reference Example 1.

(비교 참고예 1) (Comparative reference example 1)

참고예 1에 있어서, 고분자 화합물 P-1 대신, 비교예 2의 TFB를 사용한 것 외에는, 참고예 1과 같은 조작을 행하여, 비교 홀 온리 소자 1을 제작한다. Comparative hole-only device 1 was fabricated in the same manner as in Reference Example 1, except that TFB of Comparative Example 2 was used in place of the polymer compound P-1 in Reference Example 1.

(비교 참고예 2) (Comparative reference example 2)

참고예 1에 있어서, 고분자 화합물 P-1 대신, 비교예 1의 고분자 화합물 P-7을 사용한 것 외에는, 참고예 1과 같은 조작을 행하여, 비교 홀 온리 소자 2를 제작한다. Comparative hole-only device 2 was fabricated in the same manner as in Reference Example 1 except for using the polymer compound P-7 of Comparative Example 1 in place of the polymer compound P-1 in Reference Example 1.

상기에서 얻어진 홀 온리 소자 1 내지 6, 및 비교 홀 온리 소자 1과 2에 대해, 하기 방법에 의해 Hole Current Density @ 8V를 평가한다. Hole-only devices 1 to 6 obtained above and comparative hole-only devices 1 and 2 were evaluated for Hole Current Density @ 8V by the following method.

(Hole Current Density @8V) (Hole Current Density @8V)

각 홀 온리 소자를, 직류 정전압 전원(주식회사 키엔스제, 소스미터 (source meter))을 이용하여, 서서히 전압을 증가시켜 8V에서의 전류값을 계측하고, 각 소자의 면적으로부터 단위면적당 전류값(전류 밀도(A/m2))을 계산하고, 이를 「Hole Current Density @8V」로 한다. 그 결과를 하기 표 2에 나타낸다. 한편, 하기 표 2에서, 각 홀 온리 소자의 전류 밀도는, 참고 비교예 1의 비교 홀 온리 소자 1의 전류 밀도를 1.00으로 했을 경우의 상대값으로 나타내고, 하기 표 2에서 「HOD@8V TFB=1」에 나타낸다. For each hall-only element, the voltage was gradually increased using a direct current constant voltage power supply (source meter, manufactured by Keyence Corporation) to measure the current value at 8 V, and the current value per unit area (current value) from the area of each element Density (A/m 2 )) is calculated, and this is referred to as “Hole Current Density @8V”. The results are shown in Table 2 below. On the other hand, in Table 2 below, the current density of each hole-only element is expressed as a relative value when the current density of comparative hole-only element 1 of Reference Comparative Example 1 is set to 1.00, and in Table 2 below, "HOD @ 8V TFB = 1”.

고분자 화합물high molecular compound HOD@8V TFB=1HOD@8V TFB=1 HOMO (eV)HOMO (eV) Tg (℃)T g (℃) 참고예 1Reference example 1 P-1P-1 3.953.95 5.495.49 176176 참고예 2Reference example 2 P-2P-2 4.254.25 5.495.49 128128 참고예 3Reference example 3 P-3P-3 16.0516.05 5.495.49 7979 참고예 4Reference example 4 P-4P-4 4.454.45 5.495.49 115115 참고예 5Reference Example 5 P-5P-5 10.0810.08 5.495.49 9797 참고예 6Reference example 6 P-6P-6 10.2210.22 5.495.49 8888 비교 참고예 1Comparative Reference Example 1 TFBTFB 1.001.00 5.545.54 150150 비교 참고예 2Comparative Reference Example 2 P-7P-7 2.502.50 5.475.47 183183

상기 표 2로부터 명확히 나타난 바와 같이, 참고예 1 내지 6의 소자는, 비교 참고예 1 및 2의 소자에 비해, 정공주입 수송성이 우수함을 알 수 있다. 이러한 점에서, 일 구현예에 따른 소자는 긴 수명화 효과를 가지는 것으로 생각된다.As clearly shown from Table 2, it can be seen that the devices of Reference Examples 1 to 6 are superior in hole injection/transport properties compared to the devices of Comparative Reference Examples 1 and 2. In this respect, the device according to one embodiment is considered to have a long lifespan effect.

100…일렉트로루미네선스 소자 (EL소자),
110…기판,
120… 제1 전극,
130…정공주입층,
140…정공수송층,
150…발광층,
160…전자수송층,
170…전자주입층,
180… 제2 전극.
100... Electroluminescence element (EL element),
110... Board,
120... a first electrode;
130... hole injection layer,
140... hole transport layer,
150... light emitting layer,
160... electron transport layer,
170... electron injection layer,
180... second electrode.

Claims (20)

하기 화학식 1로 표시되는 구조단위를 포함하는 고분자 화합물:
(화학식 1)
Figure pat00056

상기 화학식 1에서,
R11 내지 R14, R21, R22, R31 및 R32는, 각각 독립적으로, 수소 원자, 또는 탄소수 1 이상 18 이하의 탄화수소기를 나타내고,
L1은, 치환 또는 비치환의 환형성 원자수 6 이상 25 이하의 방향족 탄화수소기, 또는 치환 또는 비치환의 환형성 원자수 5 이상 14 이하의 방향족헤테로사이클릭환기를 나타내고,
x는, 0, 1 또는 2이며, x 가 2일 경우, L1은 각각 동일하거나 다르고,
L2는, 치환 또는 비치환의 환형성 원자수 6 이상 25 이하의 방향족 탄화수소기, 또는 치환 또는 비치환의 환형성 원자수 5 이상 14 이하의 방향족헤테로사이클릭환기를 나타내고, 이때, L2는 Ar1과 환을 형성할 수 있고,
Ar1은, 치환 또는 비치환의 환형성 원자수 6 이상 25 이하의 방향족 탄화수소기, 또는 치환 또는 비치환의 환형성 원자수 5 이상 14 이하의 방향족헤테로사이클릭환기를 나타내고, 또한 Ar2 또는 L2와 환을 형성하고,
Ar2는, (i) 탄소수 1 이상 12 이하의 직쇄의 또는 탄소수 3 이상 12 이하의 분기된 탄화수소기, 환형성 원자수 6 이상 25 이하의 방향족 탄화수소기 또는 환형성 원자수 5 이상 14 이하의 방향족헤테로사이클릭환기로 치환될 수 있는 환형성 원자수 6 이상 25 이하의 방향족 탄화수소기, 또는 (ii) 탄소수 1 이상 12 이하의 직쇄의 또는 탄소수 3 이상 12 이하의 분기된 탄화수소기, 환형성 원자수 6 이상 25 이하의 방향족 탄화수소기 또는 환형성 원자수 5 이상 14 이하의 방향족헤테로사이클릭환기로 치환될 수 있는 환형성 원자수 5 이상 14 이하의 방향족헤테로사이클릭환 기를 나타내고, 이때, Ar2는 Ar1과 환을 형성해도 된다.
A polymer compound containing a structural unit represented by Formula 1 below:
(Formula 1)
Figure pat00056

In Formula 1,
R 11 to R 14 , R 21 , R 22 , R 31 and R 32 each independently represent a hydrogen atom or a hydrocarbon group having 1 to 18 carbon atoms;
L 1 represents a substituted or unsubstituted aromatic hydrocarbon group having 6 to 25 ring atoms or a substituted or unsubstituted aromatic heterocyclic group having 5 to 14 ring atoms;
x is 0, 1 or 2, and when x is 2, L 1 are each the same or different;
L 2 represents a substituted or unsubstituted aromatic hydrocarbon group having 6 or more and 25 or less ring atoms or a substituted or unsubstituted aromatic heterocyclic group having 5 or more and 14 or less ring atoms, wherein L 2 is Ar 1 can form a ring with
Ar 1 represents a substituted or unsubstituted aromatic hydrocarbon group having 6 or more and 25 or less ring atoms or a substituted or unsubstituted aromatic heterocyclic group having 5 or more and 14 or less ring atoms, and Ar 2 or L 2 and form a circle,
Ar 2 is (i) a straight-chain or branched hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms, a branched hydrocarbon group having 3 to 12 carbon atoms, an aromatic hydrocarbon group having 6 to 25 ring atoms, or an aromatic group having 5 to 14 ring atoms An aromatic hydrocarbon group having 6 to 25 ring atoms which may be substituted with a heterocyclic ring group, or (ii) a straight-chain or branched hydrocarbon group having 3 to 12 carbon atoms and 1 to 12 carbon atoms, or a number of ring atoms Represents an aromatic heterocyclic ring group having 5 or more and 14 or less ring atoms which may be substituted with an aromatic hydrocarbon group of 6 or more and 25 or less or an aromatic heterocyclic ring group of 5 or more and 14 or less ring atoms, wherein Ar 2 is You may form a ring with Ar1 .
제1항에서, 하기 화학식 2로 표시되는 구조단위를 더 포함하는 고분자 화합물:
(화학식 2)
Figure pat00057

상기 화학식 2에서,
R41 내지 R44, R23, R24, R33 및 R34는, 각각 독립적으로, 수소 원자, 또는 탄소수 1 이상 18 이하의 탄화수소기를 나타내고, 이 때, R41 내지 R44는, 상기 화학식 1의 R11 내지 R14와 다르고,
L3은, 치환 또는 비치환된 환형성 원자수 6 이상 25 이하의 방향족 탄화수소기, 또는 치환 또는 비치환의 환형성 원자수 5 이상 14 이하의 방향족헤테로사이클릭환 기를 나타내고,
y는, 0, 1 또는 2이며, y가 2일 경우, L3은 각각 동일하거나 다르고,
L4는, 치환 또는 비치환의 환형성 원자수 6 이상 25 이하의 방향족 탄화수소기, 또는 치환 또는 비치환의 환형성 원자수 5 이상 14 이하의 방향족헤테로사이클릭환 기를 나타내고, 이때, L4는 Ar3와 환을 형성할 수 있고,
Ar3은, 치환 또는 비치환의 환형성 원자수 6 이상 25 이하의 방향족 탄화수소기, 또는 치환 또는 비치환의 환형성 원자수 5 이상 14 이하의 방향족헤테로사이클릭환기를 나타내고, 또한 Ar4 또는 L4와 환을 형성하고,
Ar4는, (i) 탄소수 1 이상 12 이하의 직쇄의 또는 탄소수 3 이상 12 이하의 분기된 탄화수소기, 환 형성 원자수 6 이상 25 이하의 방향족 탄화수소기 또는 환형성 원자수 5 이상 14 이하의 방향족헤테로사이클릭환기로 치환될 수 있는 환형성 원자수 6 이상 25 이하의 방향족 탄화수소기, 또는 (ii) 탄소수 1 이상 12 이하의 직쇄의 또는 탄소수 3 이상 12 이하의 분기된 탄화수소기, 환형성 원자수 6 이상 25 이하의 방향족 탄화수소기 또는 환형성 원자수 5 이상 14 이하의 방향족헤테로사이클릭환기로 치환될 수 있는 환형성 원자수 5 이상 14 이하의 방향족헤테로사이클릭환기를 나타내고, 이때, Ar4는 Ar3와 환을 형성해도 된다.
The polymer compound of claim 1, further comprising a structural unit represented by Formula 2 below:
(Formula 2)
Figure pat00057

In Formula 2,
R 41 to R 44 , R 23 , R 24 , R 33 and R 34 each independently represent a hydrogen atom or a hydrocarbon group having 1 to 18 carbon atoms, wherein R 41 to R 44 are represented by the formula (1) is different from R 11 to R 14 of
L 3 represents a substituted or unsubstituted aromatic hydrocarbon group having 6 to 25 ring atoms or a substituted or unsubstituted aromatic heterocyclic ring group having 5 to 14 ring atoms;
y is 0, 1 or 2, and when y is 2, L 3 are each the same or different;
L 4 represents a substituted or unsubstituted aromatic hydrocarbon group having 6 or more and 25 or less ring atoms or a substituted or unsubstituted aromatic heterocyclic group having 5 or more and 14 or less ring atoms, wherein L 4 is Ar 3 can form a ring with
Ar 3 represents a substituted or unsubstituted aromatic hydrocarbon group having 6 or more and 25 or less ring atoms or a substituted or unsubstituted aromatic heterocyclic group having 5 or more and 14 or less ring atoms, and also represents Ar 4 or L 4 and form a circle,
Ar 4 is (i) a straight-chain or branched hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms, or a branched hydrocarbon group having 3 to 12 carbon atoms, an aromatic hydrocarbon group having 6 to 25 ring atoms, or an aromatic group having 5 to 14 ring atoms An aromatic hydrocarbon group having 6 to 25 ring atoms which may be substituted with a heterocyclic ring group, or (ii) a straight-chain or branched hydrocarbon group having 3 to 12 carbon atoms and 1 to 12 carbon atoms, or a number of ring atoms Represents an aromatic heterocyclic ring group having 5 or more and 14 or less ring atoms which may be substituted with an aromatic hydrocarbon group of 6 or more and 25 or less or an aromatic heterocyclic ring group of 5 or more and 14 or less ring atoms, wherein Ar 4 is You may form a ring with Ar 3 .
제2항에서, 상기 화학식 1의 R11 내지 R14 는, 각각 독립적으로, 탄소수 3 이상 9 이하의 탄화수소기를 나타내고, 상기 화학식 2의 R41 내지 R44 은, 각각 독립적으로, 탄소수 10 이상 14 이하의 탄화수소기를 나타내는, 고분자 화합물. In claim 2, R 11 to R 14 in Formula 1 each independently represent a hydrocarbon group having 3 to 9 carbon atoms, and R 41 to R 44 in Formula 2 each independently have 10 to 14 carbon atoms. A polymer compound representing a hydrocarbon group of . 제2항에서, 상기 화학식 1의 R21, R22, R31, R32, L1, x, L2, Ar1 및 Ar2는, 각각, 독립적으로, 상기 화학식 2의 R23, R24, R33, R34, L3, y, L4, Ar3 및 Ar4와 동일한, 고분자 화합물. In claim 2, R 21 , R 22 , R 31 , R 32 , L 1 , x, L 2 , Ar 1 and Ar 2 in Formula 1 are each, independently, R 23 , R 24 in Formula 2 , R 33 , R 34 , L 3 , y, L 4 , Ar 3 and Ar 4 , the same polymer compound. 제2항에서, 상기 화학식 2로 표시되는 구조단위는, 상기 화학식 1로 표시되는 구조단위 1 몰에 대해 1 몰 이상 20 몰 이하의 비율로 포함되는, 고분자 화합물. The polymer compound of claim 2, wherein the structural unit represented by Chemical Formula 2 is included in an amount of 1 mole or more and 20 moles or less with respect to 1 mole of the structural unit represented by Chemical Formula 1. 제1항에서, 상기 화학식 1의 하기 구조는 하기 그룹 1로부터 선택되는 구조를 포함하는, 고분자 화합물:
Figure pat00058

(그룹 1)
Figure pat00059

상기 그룹 1에서, R51 내지 R54 는, 각각 독립적으로, 수소 원자, 탄소수 1 이상 12 이하의 직쇄의 또는 탄소수 3 이상 12 이하의 분기된 알킬기, 또는 하기 군으로부터 선택되는 기를 나타내고,
Figure pat00060
;
상기 그룹 1에서, Ar411 내지 Ar417은, 각각 독립적으로, 하기 군으로부터 선택되는 기를 나타내고,
Figure pat00061

상기 화학식들에서, R55 내지 R57은, 각각 독립적으로, 수소 원자, 탄소수 1 이상 12 이하의 직쇄의 또는 탄소수 3 이상 12 이하의 분기된 알킬기, 또는 하기군으로부터 선택되는 기를 나타내고,
Figure pat00062

상기 화학식들에서, R58 및 R59 는, 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 탄소수 1 이상 12 이하의 직쇄의 또는 탄소수 3 이상 12 이하의 분기된 알킬기를 나타낸다.
The polymer compound of claim 1, wherein the following structure of Chemical Formula 1 includes a structure selected from Group 1 below:
Figure pat00058

(Group 1)
Figure pat00059

In Group 1, R 51 to R 54 each independently represent a hydrogen atom, a straight-chain or branched alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, or a group selected from the following groups,
Figure pat00060
;
In Group 1, Ar 411 to Ar 417 each independently represent a group selected from the following groups;
Figure pat00061

In the above formulas, R 55 to R 57 each independently represent a hydrogen atom, a straight-chain or branched alkyl group having 1 to 12 carbon atoms or 3 to 12 carbon atoms, or a group selected from the following groups;
Figure pat00062

In the above formulas, R 58 and R 59 each independently represent a hydrogen atom or a straight-chain or branched alkyl group having 1 to 12 carbon atoms and 3 to 12 carbon atoms.
제2항에서, 상기 화학식 2의 하기 구조는 하기 그룹 1로부터 선택되는 구조를 포함하는, 고분자 화합물:
Figure pat00063

(그룹 1)
Figure pat00064

상기 그룹 1에서, R51 내지 R54 는, 각각 독립적으로, 수소 원자, 탄소수 1 이상 12 이하의 직쇄의 또는 탄소수 3 이상 12 이하의 분기된 알킬기, 또는 하기 군으로부터 선택되는 기를 나타내고:
Figure pat00065

상기 그룹 1의 Ar411 내지 Ar417은, 각각 독립적으로, 하기 군으로부터 선택되는 기를 나타내고:
Figure pat00066

상기 화학식들에서, R55 내지 R57은, 각각 독립적으로, 수소 원자, 탄소수 1 이상 12 이하의 직쇄의 또는 탄소수 3 이상 12 이하의 분기된 알킬기, 또는 하기군으로부터 선택되는 기를 나타내고:
Figure pat00067

상기 화학식들에서, R58 및 R59 는, 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 탄소수 1 이상 12 이하의 직쇄의 또는 탄소수 3 이상 12 이하의 분기된 알킬기를 나타낸다.
The polymer compound of claim 2, wherein the following structure of Chemical Formula 2 includes a structure selected from Group 1 below:
Figure pat00063

(Group 1)
Figure pat00064

In Group 1, R 51 to R 54 each independently represent a hydrogen atom, a straight-chain or branched alkyl group having 1 to 12 carbon atoms and 3 to 12 carbon atoms, or a group selected from the following groups:
Figure pat00065

Ar 411 to Ar 417 in Group 1 each independently represent a group selected from the following groups:
Figure pat00066

In the above formulas, R 55 to R 57 each independently represent a hydrogen atom, a straight-chain or branched alkyl group having 1 to 12 carbon atoms and 3 to 12 carbon atoms, or a group selected from the following groups:
Figure pat00067

In the above formulas, R 58 and R 59 each independently represent a hydrogen atom or a straight-chain or branched alkyl group having 1 to 12 carbon atoms and 3 to 12 carbon atoms.
제2항에서, 상기 화학식 1의 하기 구조:
Figure pat00068

또는 상기 화학식 2의 하기 구조:
Figure pat00069

중 하나 이상은, 하기 그룹 2로부터 선택되는 구조를 가지는, 고분자 화합물:
(그룹 2)
Figure pat00070

상기 그룹 2에서, Ar412 내지 Ar416은, 각각 독립적으로, 하기 군으로부터 선택되는 기를 나타내고:
Figure pat00071

상기 화학식들에서, R55 내지 R57은, 각각 독립적으로, 탄소수 4 이상 10 이하의 직쇄의 또는 탄소수 4 이상 10 이하의 분기된 알킬기를 나타낸다.
In claim 2, the following structure of Formula 1:
Figure pat00068

Or the following structure of Formula 2:
Figure pat00069

At least one of the polymeric compounds having a structure selected from Group 2 below:
(Group 2)
Figure pat00070

In Group 2 above, Ar 412 to Ar 416 each independently represent a group selected from the following groups:
Figure pat00071

In the above formulas, R 55 to R 57 each independently represent a straight-chain or branched alkyl group having 4 to 10 carbon atoms and 4 to 10 carbon atoms.
제1항에서, 상기 화학식 1로 표시되는 구조단위는 하기 구조단위들 중 하나 이상으로 표현되는, 고분자 화합물:
Figure pat00072


Figure pat00073

Figure pat00074

Figure pat00075

Figure pat00076

상기 구조단위들에서,
R11 내지 R14, R21, 및 R22 는 상기 화학식 1에서와 같은 정의이며,
Ar411 내지 Ar417은, 각각 독립적으로, 각각 독립적으로, 하기 군으로부터 선택되는 기를 나타내고:
Figure pat00077

상기 화학식들에서, R55 내지 R57은, 각각 독립적으로, 수소 원자, 탄소수 1 이상 12 이하의 직쇄의 또는 탄소수 3 이상 12 이하의 분기된 알킬기, 또는 하기군으로부터 선택되는 기를 나타내고:
Figure pat00078

상기 화학식들에서, R58 및 R59 는, 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 탄소수 1 이상 12 이하의 직쇄의 또는 탄소수 3 이상 12 이하의 분기된 알킬기를 나타낸다.
The polymer compound of claim 1, wherein the structural unit represented by Formula 1 is represented by one or more of the following structural units:
Figure pat00072


Figure pat00073

Figure pat00074

Figure pat00075

Figure pat00076

In the structural units,
R 11 to R 14 , R 21 , and R 22 are defined as in Formula 1 above,
Ar 411 to Ar 417 each independently represent a group selected from the following groups:
Figure pat00077

In the above formulas, R 55 to R 57 each independently represent a hydrogen atom, a straight-chain or branched alkyl group having 1 to 12 carbon atoms and 3 to 12 carbon atoms, or a group selected from the following groups:
Figure pat00078

In the above formulas, R 58 and R 59 each independently represent a hydrogen atom or a straight-chain or branched alkyl group having 1 to 12 carbon atoms and 3 to 12 carbon atoms.
제2항에서, 상기 화학식 2로 표시되는 구조단위는 하기 구조단위들 중 하나 이상으로 표현되는, 고분자 화합물:
Figure pat00079

Figure pat00080

상기 구조단위들 중,
R41 내지 R44, R23 및 R24 는 상기 화학식 2에서와 같은 정의이며,
Ar412 내지 Ar416은, 각각 독립적으로, 하기 군으로부터 선택되는 기를 나타낸다:
Figure pat00081

상기 화학식에서, R55 내지 R57은, 각각 독립적으로, 탄소수 4 이상 10 이하의 직쇄의 또는 탄소수 4 이상 10 이하의 분기된 알킬기를 나타낸다.
The polymer compound of claim 2, wherein the structural unit represented by Formula 2 is represented by one or more of the following structural units:
Figure pat00079

Figure pat00080

Among the structural units,
R 41 to R 44 , R 23 and R 24 are defined as in Formula 2 above,
Ar 412 to Ar 416 each independently represents a group selected from the group below:
Figure pat00081

In the above formula, R 55 to R 57 each independently represent a straight-chain or branched alkyl group having 4 to 10 carbon atoms and 4 to 10 carbon atoms.
제1항의 고분자 화합물을 포함하는 일렉트로루미네선스 소자 재료. An electroluminescent device material comprising the polymer compound of claim 1. 제11항에서, 상기 고분자 화합물은 하기 화학식 2로 표시되는 구조단위를 더 포함하는, 일렉트로루미네선스 소자 재료:
(화학식 2)
Figure pat00082

상기 화학식 2에서,
R41 내지 R44, R23, R24, R33 및 R34는, 각각 독립적으로, 수소 원자, 또는 탄소수 1 이상 18 이하의 탄화수소기를 나타내고, 이 때, R41 내지 R44는, 상기 화학식 1의 R11 내지 R14와 다르고,
L3은, 치환 또는 비치환된 환형성 원자수 6 이상 25 이하의 방향족 탄화수소기, 또는 치환 또는 비치환의 환형성 원자수 5 이상 14 이하의 방향족헤테로사이클릭환 기를 나타내고,
y는, 0, 1 또는 2이며, y가 2일 경우, L3은 각각 동일하거나 다르고,
L4는, 치환 또는 비치환의 환형성 원자수 6 이상 25 이하의 방향족 탄화수소기, 또는 치환 또는 비치환의 환형성 원자수 5 이상 14 이하의 방향족헤테로사이클릭환 기를 나타내고, 이때, L4는 Ar3와 환을 형성할 수 있고,
Ar3은, 치환 또는 비치환의 환형성 원자수 6 이상 25 이하의 방향족 탄화수소기, 또는 치환 또는 비치환의 환형성 원자수 5 이상 14 이하의 방향족헤테로사이클릭환기를 나타내고, 또한 Ar4 또는 L4와 환을 형성하고,
Ar4는, (i) 탄소수 1 이상 12 이하의 직쇄의 또는 탄소수 3 이상 12 이하의 분기된 탄화수소기, 환 형성 원자수 6 이상 25 이하의 방향족 탄화수소기 또는 환형성 원자수 5 이상 14 이하의 방향족헤테로사이클릭환기로 치환될 수 있는 환형성 원자수 6 이상 25 이하의 방향족 탄화수소기, 또는 (ii) 탄소수 1 이상 12 이하의 직쇄의 또는 탄소수 3 이상 12 이하의 분기된 탄화수소기, 환형성 원자수 6 이상 25 이하의 방향족 탄화수소기 또는 환형성 원자수 5 이상 14 이하의 방향족헤테로사이클릭환기로 치환될 수 있는 환형성 원자수 5 이상 14 이하의 방향족헤테로사이클릭환기를 나타내고, 이때, Ar4는 Ar3와 환을 형성해도 된다.
12. The electroluminescent device material according to claim 11, wherein the polymer compound further comprises a structural unit represented by Formula 2 below:
(Formula 2)
Figure pat00082

In Formula 2,
R 41 to R 44 , R 23 , R 24 , R 33 and R 34 each independently represent a hydrogen atom or a hydrocarbon group having 1 to 18 carbon atoms, wherein R 41 to R 44 are represented by the formula (1) is different from R 11 to R 14 of
L 3 represents a substituted or unsubstituted aromatic hydrocarbon group having 6 to 25 ring atoms or a substituted or unsubstituted aromatic heterocyclic ring group having 5 to 14 ring atoms;
y is 0, 1 or 2, and when y is 2, L 3 are each the same or different;
L 4 represents a substituted or unsubstituted aromatic hydrocarbon group having 6 or more and 25 or less ring atoms or a substituted or unsubstituted aromatic heterocyclic group having 5 or more and 14 or less ring atoms, wherein L 4 is Ar 3 can form a ring with
Ar 3 represents a substituted or unsubstituted aromatic hydrocarbon group having 6 or more and 25 or less ring atoms or a substituted or unsubstituted aromatic heterocyclic group having 5 or more and 14 or less ring atoms, and Ar 4 or L 4 and form a circle,
Ar 4 is (i) a straight-chain or branched hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms, or a branched hydrocarbon group having 3 to 12 carbon atoms, an aromatic hydrocarbon group having 6 to 25 ring atoms, or an aromatic group having 5 to 14 ring atoms An aromatic hydrocarbon group having 6 to 25 ring atoms which may be substituted with a heterocyclic ring group, or (ii) a straight-chain or branched hydrocarbon group having 3 to 12 carbon atoms and 1 to 12 carbon atoms, or a number of ring atoms Represents an aromatic heterocyclic ring group having 5 to 14 ring atoms which may be substituted with an aromatic hydrocarbon group of 6 or more and 25 or less or an aromatic heterocyclic ring group of 5 to 14 ring atoms, wherein Ar 4 is You may form a ring with Ar 3 .
제1 전극과, 제2 전극과, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극의 사이에 배치되는 1층 이상의 유기막을 포함하는 일렉트로루미네선스 소자로서,
상기 유기막의 적어도 1 층은, 제1항의 고분자 화합물을 포함하는, 일렉트로루미네선스 소자.
An electroluminescence device comprising a first electrode, a second electrode, and one or more layers of organic film disposed between the first electrode and the second electrode,
An electroluminescent device wherein at least one layer of the organic film contains the polymer compound according to claim 1.
제13항에서, 상기 고분자 화합물을 포함하는 유기막은 정공수송층 또는 정공주입층인, 일렉트로루미네선스 소자. 14. The electroluminescence device of claim 13, wherein the organic layer containing the polymer compound is a hole transport layer or a hole injection layer. 제13항에서, 상기 유기막이 반도체 나노입자 또는 유기금속착체를 포함하는 발광층을 더 포함하는, 일렉트로루미네선스 소자. The electroluminescent device of claim 13, wherein the organic layer further comprises a light emitting layer including semiconductor nanoparticles or organometallic complexes. 제1 전극과, 제2 전극과, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극의 사이에 배치되는 1층 이상의 유기막을 포함하는 일렉트로루미네선스 소자로서,
상기 유기막의 적어도 1 층은, 제2항의 고분자 화합물을 포함하는, 일렉트로루미네선스 소자.
An electroluminescence device comprising a first electrode, a second electrode, and one or more layers of organic film disposed between the first electrode and the second electrode,
An electroluminescent device wherein at least one layer of the organic film contains the polymer compound according to claim 2.
제16항에서, 상기 고분자 화합물을 포함하는 유기막은 정공수송층 또는 정공주입층인, 일렉트로루미네선스 소자. 17. The electroluminescent device of claim 16, wherein the organic layer containing the polymer compound is a hole transport layer or a hole injection layer. 제16항에서, 상기 유기막이 반도체 나노입자 또는 유기금속착체를 포함하는 발광층을 더 포함하는, 일렉트로루미네선스 소자. The electroluminescence device of claim 16, wherein the organic layer further comprises a light emitting layer including semiconductor nanoparticles or organometallic complexes. 제13항의 일렉트로루미네선스 소자를 포함하는 전자 장치.An electronic device comprising the electroluminescence device of claim 13. 제16항의 일렉트로루미네선스 소자를 포함하는 전자 장치.


An electronic device comprising the electroluminescence device of claim 16.


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