KR20230103793A - Electronic device including semiconductor - Google Patents

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KR20230103793A
KR20230103793A KR1020220014985A KR20220014985A KR20230103793A KR 20230103793 A KR20230103793 A KR 20230103793A KR 1020220014985 A KR1020220014985 A KR 1020220014985A KR 20220014985 A KR20220014985 A KR 20220014985A KR 20230103793 A KR20230103793 A KR 20230103793A
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disposed
semiconductor component
electronic device
space
shielding sheet
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KR1020220014985A
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성정오
손창종
박민
안희철
황지은
곽동열
김주호
조원빈
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삼성전자주식회사
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Abstract

일 실시 예에 따른 전자 장치는, 회로기판, 회로기판에 배치되고 개구부를 포함하는 쉴드캔, 회로기판 및 쉴드캔에 의해 적어도 일부가 둘러싸인 공간에 배치되는 반도체 부품, 개구부를 덮도록 배치되며, 반도체 부품으로부터 발생하는 전자파를 적어도 일부 차단하는 차단 물질을 포함하는 차폐 시트, 반도체 부품과 차폐 시트 사이에 배치되고, 개구부를 통해서 반도체 부품을 바라본 방향에서 반도체 부품이 배치된 영역의 적어도 일부를 반도체 부품이 배치되지 않은 영역과 적어도 일부를 차단하는 격벽 부재, 및 반도체 부품, 격벽 부재 및 차폐 시트에 의해 적어도 일부가 둘러싸인 공간에 배치되는 열 전도재를 포함할 수 있다.
이 외에도 명세서를 통해 파악되는 다양한 실시 예가 가능하다.
An electronic device according to an embodiment includes a circuit board, a shield can disposed on the circuit board and including an opening, a semiconductor component disposed in a space at least partially surrounded by the circuit board and the shield can, and disposed to cover the opening, and the semiconductor A shielding sheet containing a blocking material that blocks at least some of the electromagnetic waves generated from the component, disposed between the semiconductor component and the shielding sheet, and covering at least a portion of a region in which the semiconductor component is disposed in a direction in which the semiconductor component is viewed through an opening It may include a barrier rib member that blocks at least a portion of an undisposed region, and a heat conducting material disposed in a space at least partially surrounded by the semiconductor component, the barrier rib member, and the shielding sheet.
In addition to this, various embodiments identified through the specification are possible.

Description

반도체를 포함하는 전자 장치 {ELECTRONIC DEVICE INCLUDING SEMICONDUCTOR}Electronic device containing a semiconductor {ELECTRONIC DEVICE INCLUDING SEMICONDUCTOR}

본 문서에서 개시되는 다양한 실시 예들은, 반도체를 포함하는 전자 장치에 관한 것이다.Various embodiments disclosed in this document relate to electronic devices including semiconductors.

휴대용 전자 장치는 다양한 기능을 구현하는 반도체 부품(예를 들어, Application Processor, AP라 칭함)을 포함할 수 있다. 반도체 부품에서 발생하는 열과 전자파(또는 노이즈)는 전자 장치에 실장되는 부품의 오동작을 발생시키거나, 상기 부품에 전기적인 데미지를 입힐 수 있다. 따라서, 전자 장치는 반도체 부품에서 발생하는 열을 다른 구조물로 전달하기 위한 열 전도재(Thermal Interface Material, TIM이라 칭함) 및 반도체 부품에서 발생하는 전자파의 차폐를 위한 차폐 구조(예를 들어, 쉴드캔 또는 차폐 시트)를 포함할 수 있다.A portable electronic device may include a semiconductor component (eg, an application processor, referred to as an AP) that implements various functions. Heat and electromagnetic waves (or noise) generated from semiconductor components may cause malfunctions of components mounted in electronic devices or may cause electrical damage to the components. Therefore, the electronic device includes a thermal interface material (referred to as a thermal interface material (TIM)) for transferring heat generated from semiconductor components to other structures and a shielding structure (for example, a shield can) for shielding electromagnetic waves generated from semiconductor components. or a shielding sheet).

열 전도재를 도포하는 공정에서, 열 전도재의 일부는 열 전도재가 도포되는 영역 외의 영역(예를 들어, 반도체 부품이 배치되지 않은 영역)으로 이탈할 수 있다. 열 전도재의 일부가 이탈함으로써, 열 전도재의 도포량(glue-spread)의 편차가 발생하거나, 열 전도재와 차폐 시트 사이에 빈 공간(예를 들어, 에어 갭(air gap))이 형성되어 전자 장치의 열 전달 효율이 떨어질 수 있다. 또한, 이탈된 열 전도재는 차폐 시트와 쉴드캔 사이의 결합력을 저하시킬 수 있다.In the process of applying the thermally conductive material, a portion of the thermally conductive material may escape to an area other than the area where the thermally conductive material is applied (eg, an area where no semiconductor components are disposed). When a portion of the thermally conductive material is separated, the glue-spread of the thermally conductive material may vary or an empty space (eg, an air gap) may be formed between the thermally conductive material and the shielding sheet, resulting in electronic devices. heat transfer efficiency may decrease. In addition, the detached thermal conductive material may decrease bonding strength between the shielding sheet and the shield can.

본 개시의 다양한 실시 예에 따른 전자 장치는 회로기판, 회로기판에 배치되고 개구부를 포함하는 쉴드캔, 회로기판 및 쉴드캔에 의해 적어도 일부가 둘러싸인 공간에 배치되는 반도체 부품, 개구부를 덮도록 배치되며, 반도체 부품으로부터 발생하는 전자파를 적어도 일부 차단하는 차단 물질을 포함하는 차폐 시트, 반도체 부품과 차폐 시트 사이에 배치되고, 개구부를 통해서 반도체 부품을 바라본 방향에서 반도체 부품이 배치된 영역의 적어도 일부를 반도체 부품이 배치되지 않은 영역과 적어도 일부를 차단하는 격벽 부재, 및 반도체 부품, 격벽 부재 및 차폐 시트에 의해 적어도 일부가 둘러싸인 공간에 배치되는 열 전도재를 포함할 수 있다.An electronic device according to various embodiments of the present disclosure includes a circuit board, a shield can disposed on the circuit board and including an opening, a semiconductor component disposed in a space at least partially surrounded by the circuit board and the shield can, and disposed to cover the opening. , A shielding sheet comprising a blocking material that blocks at least some of the electromagnetic waves generated from the semiconductor component, disposed between the semiconductor component and the shielding sheet, and covering at least a portion of a region in which the semiconductor component is disposed in a direction in which the semiconductor component is viewed through the opening is a semiconductor It may include a partition wall member that blocks at least a portion of an area where components are not disposed, and a heat conducting material disposed in a space at least partially surrounded by the semiconductor component, the partition wall member, and the shielding sheet.

본 개시의 다양한 실시 예에 따른 전자 장치의 제조 방법은 반도체 부품, 및 반도체 부품의 적어도 일부를 둘러싸도록 배치되고 개구부를 포함하는 쉴드캔을 회로기판에 배치하는 공정, 개구부를 통해서 반도체 부품을 바라본 방향에서 보이는 반도체 부품의 적어도 일부에 열 전도재를 배치하는 공정, 개구부를 통해서 반도체 부품을 바라본 방향에서 보이는 반도체 부품의 적어도 일부에 열 전도재를 배치하는 공정, 개구부를 통해서 반도체 부품을 바라본 방향에서 열 전도재가 배치된 반도체 부품의 적어도 일부를 포함하는 반도체 부품이 배치된 영역의 적어도 일부를 반도체 부품이 배치되지 않은 영역과 적어도 일부를 차단하는 격벽 부재, 및 개구부를 덮는 차폐 시트를 배치하는 공정, 및 열 전도재가 배치된 영역에 대응되는 차폐 시트의 적어도 일부를 누름으로써, 반도체 부품, 격벽 부재 및 차폐 시트에 의해 적어도 일부가 둘러싸인 공간에 열 전도재를 도포하는 공정을 포함할 수 있다.A manufacturing method of an electronic device according to various embodiments of the present disclosure includes a process of disposing a semiconductor component and a shield can including an opening and surrounding at least a portion of the semiconductor component on a circuit board, and a direction in which the semiconductor component is viewed through the opening. A step of arranging a heat conduction material on at least a portion of the semiconductor component as seen from, a step of disposing a heat conduction material on at least a portion of the semiconductor component as seen from a direction of viewing the semiconductor component through the opening, and a heat conduction material from a direction of viewing the semiconductor component through the opening. A step of disposing a barrier member that blocks at least a portion of the region where the semiconductor component is disposed, including at least a portion of the semiconductor component on which the conductive material is disposed, and at least a portion of the region where the semiconductor component is not disposed, and a shielding sheet covering the opening, and A step of applying the heat conductive material to a space at least partially surrounded by the semiconductor component, the barrier member, and the shield sheet may be included by pressing at least a portion of the shield sheet corresponding to the region where the heat conductive material is disposed.

본 문서에 개시되는 다양한 실시 예는, 열 전도재가 도포되는 영역과 그 외의 영역을 차단하는 구조를 포함함으로써, 열 전도재가 상기 열 전도재가 도포되는 영역 외의 영역으로 이탈하는 것을 방지할 수 있는 전자 장치를 제공할 수 있다.According to various embodiments disclosed in this document, an electronic device capable of preventing the thermal conductive material from escaping to an area other than the area to which the heat conductive material is applied by including a structure that blocks the area to which the heat conductive material is applied and other areas. can provide.

이 외에, 본 문서를 통해 직접적 또는 간접적으로 파악되는 다양한 효과들이 제공될 수 있다.In addition to this, various effects identified directly or indirectly through this document may be provided.

도 1은 일 실시 예에 따른 네트워크 환경 내의 전자 장치의 블록도이다.
도 2는 일 실시 예에 따른 반도체 부품을 포함하는 전자 장치를 나타내는 평면도이다.
도 3은 일 실시 예에 따른 격벽 부재를 포함하는 전자 장치를 나타내는 단면도이다.
도 4는 다른 실시 예에 따른 격벽 부재를 포함하는 전자 장치를 나타내는 단면도이다.
도 5는 일 실시 예에 따른 격벽 부재를 포함하는 전자 장치를 나타내는 평면도이다.
도 6은 다른 실시 예에 따른 격벽 부재를 포함하는 전자 장치를 나타내는 평면도이다.
도 7은 적어도 하나의 수용부를 포함하는 전자 장치를 나타내는 평면도이다.
도 8은 또 다른 실시 예에 따른 격벽 부재를 포함하는 전자 장치를 나타내는 평면도이다.
도 9는 일 실시 예에 따른 반도체 부품을 포함하는 전자 장치의 제조 방법에 관한 순서도이다.
도면의 설명과 관련하여, 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일 또는 유사한 참조 부호가 사용될 수 있다.
1 is a block diagram of an electronic device in a network environment according to an embodiment.
2 is a plan view illustrating an electronic device including a semiconductor component according to an exemplary embodiment.
3 is a cross-sectional view illustrating an electronic device including a barrier rib member according to an exemplary embodiment.
4 is a cross-sectional view illustrating an electronic device including a barrier rib member according to another exemplary embodiment.
5 is a plan view illustrating an electronic device including a barrier rib member according to an exemplary embodiment.
6 is a plan view illustrating an electronic device including a barrier rib member according to another exemplary embodiment.
7 is a plan view illustrating an electronic device including at least one accommodating part.
8 is a plan view illustrating an electronic device including a barrier rib member according to another exemplary embodiment.
9 is a flowchart illustrating a method of manufacturing an electronic device including a semiconductor component according to an exemplary embodiment.
In connection with the description of the drawings, the same or similar reference numerals may be used for the same or similar elements.

이하, 본 발명의 다양한 실시 예가 첨부된 도면을 참조하여 기재된다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 실시 예의 다양한 변경(modification), 균등물(equivalent), 및/또는 대체물(alternative)을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.Hereinafter, various embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. However, it should be understood that this is not intended to limit the present invention to the specific embodiments, and includes various modifications, equivalents, and/or alternatives of the embodiments of the present invention.

본 문서의 다양한 실시 예들에 따른 전자 장치는, 예를 들면, 스마트폰(smartphone), 태블릿 PC(tablet personal computer), 이동 전화기(mobile phone), 영상 전화기, 전자책 리더기(e-book reader), 데스크탑 PC(desktop personal computer), 랩탑 PC(laptop personal computer), 넷북 컴퓨터(netbook computer), 워크스테이션(workstation), 서버, PDA(personal digital assistant), PMP(portable multimedia player), MP3 플레이어, 모바일 의료기기, 카메라(camera), 또는 웨어러블 장치(wearable device) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 다양한 실시 예에 따르면, 웨어러블 장치는 액세서리형(예: 시계, 반지, 팔찌, 발찌, 목걸이, 안경, 콘텍트 렌즈, 또는 머리 착용형 장치(head-mounted-device(HMD)), 직물 또는 의류 일체형(예: 전자 의복), 신체 부착형(예: 스킨 패드(skin pad) 또는 문신), 또는 생체 이식형(예: implantable circuit) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.An electronic device according to various embodiments of the present document may include, for example, a smartphone, a tablet personal computer (PC), a mobile phone, a video phone, an e-book reader, Desktop personal computer, laptop personal computer, netbook computer, workstation, server, personal digital assistant (PDA), portable multimedia player (PMP), MP3 player, mobile medical It may include at least one of a device, a camera, or a wearable device. According to various embodiments, the wearable device may be an accessory (eg, watch, ring, bracelet, anklet, necklace, glasses, contact lens, or head-mounted-device (HMD)), fabric or clothing integrated ( For example, it may include at least one of an electronic clothing), a body attachment type (eg, a skin pad or tattoo), or a living body implantable type (eg, an implantable circuit).

어떤 실시 예들에서, 전자 장치는 가전 제품(home appliance)일 수 있다. 가전 제품은, 예를 들면, 텔레비전, DVD(digital video disk) 플레이어, 오디오, 냉장고, 에어컨, 청소기, 오븐, 전자레인지, 세탁기, 공기 청정기, 셋톱 박스(set-top box), 홈 오토메이션 컨트롤 패널(home automation control panel), 보안 컨트롤 패널(security control panel), TV 박스, 게임 콘솔, 전자 사전, 전자 키, 캠코더(camcorder), 또는 전자 액자 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.In some embodiments, the electronic device may be a home appliance. Home appliances include, for example, televisions, digital video disk (DVD) players, audio systems, refrigerators, air conditioners, vacuum cleaners, ovens, microwave ovens, washing machines, air purifiers, set-top boxes, home automation control panels ( It may include at least one of a home automation control panel, a security control panel, a TV box, a game console, an electronic dictionary, an electronic key, a camcorder, or an electronic picture frame.

다른 실시 예에서, 전자 장치는, 각종 의료기기(예: 각종 휴대용 의료측정기기(혈당 측정기, 심박 측정기, 혈압 측정기, 또는 체온 측정기), MRA(magnetic resonance angiography), MRI(magnetic resonance imaging), CT(computer tomography), 촬영기, 또는 초음파기), 네비게이션(navigation) 장치, 위성 항법 시스템(GNSS(global navigation satellite system)), EDR(event data recorder), FDR(flight data recorder), 자동차 인포테인먼트(infotainment) 장치, 선박용 전자 장비(예: 선박용 항법 장치, 또는 자이로 콤파스), 항공 전자 기기(avionics), 보안 기기, 차량용 헤드 유닛(head unit), 산업용 또는 가정용 로봇, 금융 기관의 ATM(automatic teller's machine), 상점의 POS(point of sales), 또는 사물 인터넷 장치(internet of things)(예: 전구, 각종 센서, 전기 또는 가스 미터기, 스프링클러 장치, 화재경보기, 온도조절기(thermostat), 가로등, 토스터(toaster), 운동기구, 온수탱크, 히터, 또는 보일러) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.In another embodiment, the electronic device may include various medical devices (eg, various portable medical measuring devices (blood glucose meter, heart rate monitor, blood pressure monitor, or body temperature monitor), magnetic resonance angiography (MRA), magnetic resonance imaging (MRI), CT (computer tomography), camera, or ultrasonic device), navigation device, global navigation satellite system (GNSS), event data recorder (EDR), flight data recorder (FDR), automotive infotainment device , marine electronics (e.g. marine navigation systems, or gyrocompasses), avionics, security devices, automotive head units, industrial or domestic robots, automatic teller's machines (ATMs) in financial institutions, shops point of sales (POS), or internet of things (e.g. light bulbs, various sensors, electricity or gas meters, sprinkler devices, smoke alarms, thermostats, street lights, toasters, exercise appliances, hot water tanks, heaters, or boilers).

어떤 실시 예에 따르면, 전자 장치는 가구(furniture) 또는 건물/구조물의 일부, 전자 보드(electronic board), 전자 사인 수신 장치(electronic signature receiving device), 프로젝터(projector), 또는 각종 계측 기기(예: 수도, 전기, 가스, 또는 전파 계측 기기) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 다양한 실시 예에서, 전자 장치는 전술한 다양한 장치들 중 하나 또는 그 이상의 조합일 수 있다. 어떤 실시 예에 따른 전자 장치는 플렉서블(flexible) 전자 장치일 수 있다. 또한, 본 문서의 실시 예에 따른 전자 장치는 전술한 기기들에 한정되지 않으며, 기술 발전에 따른 새로운 전자 장치를 포함할 수 있다.According to some embodiments, the electronic device may be a piece of furniture or a building/structure, an electronic board, an electronic signature receiving device, a projector, or various measuring devices (eg, water, electricity, gas, or radio wave measuring devices). In various embodiments, the electronic device may be one or a combination of more than one of the various devices described above. An electronic device according to some embodiments may be a flexible electronic device. In addition, the electronic device according to the embodiment of this document is not limited to the above-described devices, and may include new electronic devices according to technological development.

도 1은, 다양한 실시예들에 따른, 네트워크 환경(100) 내의 전자 장치(101)의 블록도이다. 도 1을 참조하면, 네트워크 환경(100)에서 전자 장치(101)는 제 1 네트워크(198)(예: 근거리 무선 통신 네트워크)를 통하여 전자 장치(102)와 통신하거나, 또는 제 2 네트워크(199)(예: 원거리 무선 통신 네트워크)를 통하여 전자 장치(104) 또는 서버(108) 중 적어도 하나와 통신할 수 있다. 일실시예에 따르면, 전자 장치(101)는 서버(108)를 통하여 전자 장치(104)와 통신할 수 있다. 일실시예에 따르면, 전자 장치(101)는 프로세서(120), 메모리(130), 입력 모듈(150), 음향 출력 모듈(155), 디스플레이 모듈(160), 오디오 모듈(170), 센서 모듈(176), 인터페이스(177), 연결 단자(178), 햅틱 모듈(179), 카메라 모듈(180), 전력 관리 모듈(188), 배터리(189), 통신 모듈(190), 가입자 식별 모듈(196), 또는 안테나 모듈(197)을 포함할 수 있다. 어떤 실시예에서는, 전자 장치(101)에는, 이 구성요소들 중 적어도 하나(예: 연결 단자(178))가 생략되거나, 하나 이상의 다른 구성요소가 추가될 수 있다. 어떤 실시예에서는, 이 구성요소들 중 일부들(예: 센서 모듈(176), 카메라 모듈(180), 또는 안테나 모듈(197))은 하나의 구성요소(예: 디스플레이 모듈(160))로 통합될 수 있다.1 is a block diagram of an electronic device 101 within a network environment 100, according to various embodiments. Referring to FIG. 1 , in a network environment 100, an electronic device 101 communicates with an electronic device 102 through a first network 198 (eg, a short-range wireless communication network) or through a second network 199. It may communicate with at least one of the electronic device 104 or the server 108 through (eg, a long-distance wireless communication network). According to one embodiment, the electronic device 101 may communicate with the electronic device 104 through the server 108 . According to an embodiment, the electronic device 101 includes a processor 120, a memory 130, an input module 150, an audio output module 155, a display module 160, an audio module 170, a sensor module ( 176), interface 177, connection terminal 178, haptic module 179, camera module 180, power management module 188, battery 189, communication module 190, subscriber identification module 196 , or the antenna module 197 may be included. In some embodiments, in the electronic device 101, at least one of these components (eg, the connection terminal 178) may be omitted or one or more other components may be added. In some embodiments, some of these components (eg, sensor module 176, camera module 180, or antenna module 197) are integrated into a single component (eg, display module 160). It can be.

프로세서(120)는, 예를 들면, 소프트웨어(예: 프로그램(140))를 실행하여 프로세서(120)에 연결된 전자 장치(101)의 적어도 하나의 다른 구성요소(예: 하드웨어 또는 소프트웨어 구성요소)를 제어할 수 있고, 다양한 데이터 처리 또는 연산을 수행할 수 있다. 일실시예에 따르면, 데이터 처리 또는 연산의 적어도 일부로서, 프로세서(120)는 다른 구성요소(예: 센서 모듈(176) 또는 통신 모듈(190))로부터 수신된 명령 또는 데이터를 휘발성 메모리(132)에 저장하고, 휘발성 메모리(132)에 저장된 명령 또는 데이터를 처리하고, 결과 데이터를 비휘발성 메모리(134)에 저장할 수 있다. 일실시예에 따르면, 프로세서(120)는 메인 프로세서(121)(예: 중앙 처리 장치 또는 어플리케이션 프로세서) 또는 이와는 독립적으로 또는 함께 운영 가능한 보조 프로세서(123)(예: 그래픽 처리 장치, 신경망 처리 장치(NPU: neural processing unit), 이미지 시그널 프로세서, 센서 허브 프로세서, 또는 커뮤니케이션 프로세서)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(101)가 메인 프로세서(121) 및 보조 프로세서(123)를 포함하는 경우, 보조 프로세서(123)는 메인 프로세서(121)보다 저전력을 사용하거나, 지정된 기능에 특화되도록 설정될 수 있다. 보조 프로세서(123)는 메인 프로세서(121)와 별개로, 또는 그 일부로서 구현될 수 있다.The processor 120, for example, executes software (eg, the program 140) to cause at least one other component (eg, hardware or software component) of the electronic device 101 connected to the processor 120. It can control and perform various data processing or calculations. According to one embodiment, as at least part of data processing or operation, the processor 120 transfers instructions or data received from other components (e.g., sensor module 176 or communication module 190) to volatile memory 132. , processing commands or data stored in the volatile memory 132 , and storing resultant data in the non-volatile memory 134 . According to one embodiment, the processor 120 may include a main processor 121 (eg, a central processing unit or an application processor) or a secondary processor 123 (eg, a graphic processing unit, a neural network processing unit ( NPU: neural processing unit (NPU), image signal processor, sensor hub processor, or communication processor). For example, when the electronic device 101 includes the main processor 121 and the auxiliary processor 123, the auxiliary processor 123 may use less power than the main processor 121 or be set to be specialized for a designated function. can The secondary processor 123 may be implemented separately from or as part of the main processor 121 .

보조 프로세서(123)는, 예를 들면, 메인 프로세서(121)가 인액티브(예: 슬립) 상태에 있는 동안 메인 프로세서(121)를 대신하여, 또는 메인 프로세서(121)가 액티브(예: 어플리케이션 실행) 상태에 있는 동안 메인 프로세서(121)와 함께, 전자 장치(101)의 구성요소들 중 적어도 하나의 구성요소(예: 디스플레이 모듈(160), 센서 모듈(176), 또는 통신 모듈(190))와 관련된 기능 또는 상태들의 적어도 일부를 제어할 수 있다. 일실시예에 따르면, 보조 프로세서(123)(예: 이미지 시그널 프로세서 또는 커뮤니케이션 프로세서)는 기능적으로 관련 있는 다른 구성요소(예: 카메라 모듈(180) 또는 통신 모듈(190))의 일부로서 구현될 수 있다. 일실시예에 따르면, 보조 프로세서(123)(예: 신경망 처리 장치)는 인공지능 모델의 처리에 특화된 하드웨어 구조를 포함할 수 있다. 인공지능 모델은 기계 학습을 통해 생성될 수 있다. 이러한 학습은, 예를 들어, 인공지능 모델이 수행되는 전자 장치(101) 자체에서 수행될 수 있고, 별도의 서버(예: 서버(108))를 통해 수행될 수도 있다. 학습 알고리즘은, 예를 들어, 지도형 학습(supervised learning), 비지도형 학습(unsupervised learning), 준지도형 학습(semi-supervised learning) 또는 강화 학습(reinforcement learning)을 포함할 수 있으나, 전술한 예에 한정되지 않는다. 인공지능 모델은, 복수의 인공 신경망 레이어들을 포함할 수 있다. 인공 신경망은 심층 신경망(DNN: deep neural network), CNN(convolutional neural network), RNN(recurrent neural network), RBM(restricted boltzmann machine), DBN(deep belief network), BRDNN(bidirectional recurrent deep neural network), 심층 Q-네트워크(deep Q-networks) 또는 상기 중 둘 이상의 조합 중 하나일 수 있으나, 전술한 예에 한정되지 않는다. 인공지능 모델은 하드웨어 구조 이외에, 추가적으로 또는 대체적으로, 소프트웨어 구조를 포함할 수 있다. The secondary processor 123 may, for example, take the place of the main processor 121 while the main processor 121 is in an inactive (eg, sleep) state, or the main processor 121 is active (eg, running an application). ) state, together with the main processor 121, at least one of the components of the electronic device 101 (eg, the display module 160, the sensor module 176, or the communication module 190) It is possible to control at least some of the related functions or states. According to one embodiment, the auxiliary processor 123 (eg, image signal processor or communication processor) may be implemented as part of other functionally related components (eg, camera module 180 or communication module 190). there is. According to an embodiment, the auxiliary processor 123 (eg, a neural network processing device) may include a hardware structure specialized for processing an artificial intelligence model. AI models can be created through machine learning. Such learning may be performed, for example, in the electronic device 101 itself where the artificial intelligence model is performed, or may be performed through a separate server (eg, the server 108). The learning algorithm may include, for example, supervised learning, unsupervised learning, semi-supervised learning or reinforcement learning, but in the above example Not limited. The artificial intelligence model may include a plurality of artificial neural network layers. Artificial neural networks include deep neural networks (DNNs), convolutional neural networks (CNNs), recurrent neural networks (RNNs), restricted boltzmann machines (RBMs), deep belief networks (DBNs), bidirectional recurrent deep neural networks (BRDNNs), It may be one of deep Q-networks or a combination of two or more of the foregoing, but is not limited to the foregoing examples. The artificial intelligence model may include, in addition or alternatively, software structures in addition to hardware structures.

메모리(130)는, 전자 장치(101)의 적어도 하나의 구성요소(예: 프로세서(120) 또는 센서 모듈(176))에 의해 사용되는 다양한 데이터를 저장할 수 있다. 데이터는, 예를 들어, 소프트웨어(예: 프로그램(140)) 및, 이와 관련된 명령에 대한 입력 데이터 또는 출력 데이터를 포함할 수 있다. 메모리(130)는, 휘발성 메모리(132) 또는 비휘발성 메모리(134)를 포함할 수 있다. The memory 130 may store various data used by at least one component (eg, the processor 120 or the sensor module 176) of the electronic device 101 . The data may include, for example, input data or output data for software (eg, program 140) and commands related thereto. The memory 130 may include volatile memory 132 or non-volatile memory 134 .

프로그램(140)은 메모리(130)에 소프트웨어로서 저장될 수 있으며, 예를 들면, 운영 체제(142), 미들 웨어(144) 또는 어플리케이션(146)을 포함할 수 있다. The program 140 may be stored as software in the memory 130 and may include, for example, an operating system 142 , middleware 144 , or an application 146 .

입력 모듈(150)은, 전자 장치(101)의 구성요소(예: 프로세서(120))에 사용될 명령 또는 데이터를 전자 장치(101)의 외부(예: 사용자)로부터 수신할 수 있다. 입력 모듈(150)은, 예를 들면, 마이크, 마우스, 키보드, 키(예: 버튼), 또는 디지털 펜(예: 스타일러스 펜)을 포함할 수 있다. The input module 150 may receive a command or data to be used by a component (eg, the processor 120) of the electronic device 101 from the outside of the electronic device 101 (eg, a user). The input module 150 may include, for example, a microphone, a mouse, a keyboard, a key (eg, a button), or a digital pen (eg, a stylus pen).

음향 출력 모듈(155)은 음향 신호를 전자 장치(101)의 외부로 출력할 수 있다. 음향 출력 모듈(155)은, 예를 들면, 스피커 또는 리시버를 포함할 수 있다. 스피커는 멀티미디어 재생 또는 녹음 재생과 같이 일반적인 용도로 사용될 수 있다. 리시버는 착신 전화를 수신하기 위해 사용될 수 있다. 일실시예에 따르면, 리시버는 스피커와 별개로, 또는 그 일부로서 구현될 수 있다.The sound output module 155 may output sound signals to the outside of the electronic device 101 . The sound output module 155 may include, for example, a speaker or a receiver. The speaker can be used for general purposes such as multimedia playback or recording playback. A receiver may be used to receive an incoming call. According to one embodiment, the receiver may be implemented separately from the speaker or as part of it.

디스플레이 모듈(160)은 전자 장치(101)의 외부(예: 사용자)로 정보를 시각적으로 제공할 수 있다. 디스플레이 모듈(160)은, 예를 들면, 디스플레이, 홀로그램 장치, 또는 프로젝터 및 해당 장치를 제어하기 위한 제어 회로를 포함할 수 있다. 일실시예에 따르면, 디스플레이 모듈(160)은 터치를 감지하도록 설정된 터치 센서, 또는 상기 터치에 의해 발생되는 힘의 세기를 측정하도록 설정된 압력 센서를 포함할 수 있다. The display module 160 may visually provide information to the outside of the electronic device 101 (eg, a user). The display module 160 may include, for example, a display, a hologram device, or a projector and a control circuit for controlling the device. According to one embodiment, the display module 160 may include a touch sensor set to detect a touch or a pressure sensor set to measure the intensity of force generated by the touch.

오디오 모듈(170)은 소리를 전기 신호로 변환시키거나, 반대로 전기 신호를 소리로 변환시킬 수 있다. 일실시예에 따르면, 오디오 모듈(170)은, 입력 모듈(150)을 통해 소리를 획득하거나, 음향 출력 모듈(155), 또는 전자 장치(101)와 직접 또는 무선으로 연결된 외부 전자 장치(예: 전자 장치(102))(예: 스피커 또는 헤드폰)를 통해 소리를 출력할 수 있다.The audio module 170 may convert sound into an electrical signal or vice versa. According to one embodiment, the audio module 170 acquires sound through the input module 150, the sound output module 155, or an external electronic device connected directly or wirelessly to the electronic device 101 (eg: Sound may be output through the electronic device 102 (eg, a speaker or a headphone).

센서 모듈(176)은 전자 장치(101)의 작동 상태(예: 전력 또는 온도), 또는 외부의 환경 상태(예: 사용자 상태)를 감지하고, 감지된 상태에 대응하는 전기 신호 또는 데이터 값을 생성할 수 있다. 일실시예에 따르면, 센서 모듈(176)은, 예를 들면, 제스처 센서, 자이로 센서, 기압 센서, 마그네틱 센서, 가속도 센서, 그립 센서, 근접 센서, 컬러 센서, IR(infrared) 센서, 생체 센서, 온도 센서, 습도 센서, 또는 조도 센서를 포함할 수 있다. The sensor module 176 detects an operating state (eg, power or temperature) of the electronic device 101 or an external environmental state (eg, a user state), and generates an electrical signal or data value corresponding to the detected state. can do. According to one embodiment, the sensor module 176 may include, for example, a gesture sensor, a gyro sensor, an air pressure sensor, a magnetic sensor, an acceleration sensor, a grip sensor, a proximity sensor, a color sensor, an IR (infrared) sensor, a bio sensor, It may include a temperature sensor, humidity sensor, or light sensor.

인터페이스(177)는 전자 장치(101)가 외부 전자 장치(예: 전자 장치(102))와 직접 또는 무선으로 연결되기 위해 사용될 수 있는 하나 이상의 지정된 프로토콜들을 지원할 수 있다. 일실시예에 따르면, 인터페이스(177)는, 예를 들면, HDMI(high definition multimedia interface), USB(universal serial bus) 인터페이스, SD카드 인터페이스, 또는 오디오 인터페이스를 포함할 수 있다.The interface 177 may support one or more designated protocols that may be used to directly or wirelessly connect the electronic device 101 to an external electronic device (eg, the electronic device 102). According to one embodiment, the interface 177 may include, for example, a high definition multimedia interface (HDMI), a universal serial bus (USB) interface, an SD card interface, or an audio interface.

연결 단자(178)는, 그를 통해서 전자 장치(101)가 외부 전자 장치(예: 전자 장치(102))와 물리적으로 연결될 수 있는 커넥터를 포함할 수 있다. 일실시예에 따르면, 연결 단자(178)는, 예를 들면, HDMI 커넥터, USB 커넥터, SD 카드 커넥터, 또는 오디오 커넥터(예: 헤드폰 커넥터)를 포함할 수 있다.The connection terminal 178 may include a connector through which the electronic device 101 may be physically connected to an external electronic device (eg, the electronic device 102). According to one embodiment, the connection terminal 178 may include, for example, an HDMI connector, a USB connector, an SD card connector, or an audio connector (eg, a headphone connector).

햅틱 모듈(179)은 전기적 신호를 사용자가 촉각 또는 운동 감각을 통해서 인지할 수 있는 기계적인 자극(예: 진동 또는 움직임) 또는 전기적인 자극으로 변환할 수 있다. 일실시예에 따르면, 햅틱 모듈(179)은, 예를 들면, 모터, 압전 소자, 또는 전기 자극 장치를 포함할 수 있다.The haptic module 179 may convert electrical signals into mechanical stimuli (eg, vibration or motion) or electrical stimuli that a user may perceive through tactile or kinesthetic senses. According to one embodiment, the haptic module 179 may include, for example, a motor, a piezoelectric element, or an electrical stimulation device.

카메라 모듈(180)은 정지 영상 및 동영상을 촬영할 수 있다. 일실시예에 따르면, 카메라 모듈(180)은 하나 이상의 렌즈들, 이미지 센서들, 이미지 시그널 프로세서들, 또는 플래시들을 포함할 수 있다.The camera module 180 may capture still images and moving images. According to one embodiment, the camera module 180 may include one or more lenses, image sensors, image signal processors, or flashes.

전력 관리 모듈(188)은 전자 장치(101)에 공급되는 전력을 관리할 수 있다. 일실시예에 따르면, 전력 관리 모듈(188)은, 예를 들면, PMIC(power management integrated circuit)의 적어도 일부로서 구현될 수 있다.The power management module 188 may manage power supplied to the electronic device 101 . According to one embodiment, the power management module 188 may be implemented as at least part of a power management integrated circuit (PMIC), for example.

배터리(189)는 전자 장치(101)의 적어도 하나의 구성요소에 전력을 공급할 수 있다. 일실시예에 따르면, 배터리(189)는, 예를 들면, 재충전 불가능한 1차 전지, 재충전 가능한 2차 전지 또는 연료 전지를 포함할 수 있다.The battery 189 may supply power to at least one component of the electronic device 101 . According to one embodiment, the battery 189 may include, for example, a non-rechargeable primary cell, a rechargeable secondary cell, or a fuel cell.

통신 모듈(190)은 전자 장치(101)와 외부 전자 장치(예: 전자 장치(102), 전자 장치(104), 또는 서버(108)) 간의 직접(예: 유선) 통신 채널 또는 무선 통신 채널의 수립, 및 수립된 통신 채널을 통한 통신 수행을 지원할 수 있다. 통신 모듈(190)은 프로세서(120)(예: 어플리케이션 프로세서)와 독립적으로 운영되고, 직접(예: 유선) 통신 또는 무선 통신을 지원하는 하나 이상의 커뮤니케이션 프로세서를 포함할 수 있다. 일실시예에 따르면, 통신 모듈(190)은 무선 통신 모듈(192)(예: 셀룰러 통신 모듈, 근거리 무선 통신 모듈, 또는 GNSS(global navigation satellite system) 통신 모듈) 또는 유선 통신 모듈(194)(예: LAN(local area network) 통신 모듈, 또는 전력선 통신 모듈)을 포함할 수 있다. 이들 통신 모듈 중 해당하는 통신 모듈은 제 1 네트워크(198)(예: 블루투스, WiFi(wireless fidelity) direct 또는 IrDA(infrared data association)와 같은 근거리 통신 네트워크) 또는 제 2 네트워크(199)(예: 레거시 셀룰러 네트워크, 5G 네트워크, 차세대 통신 네트워크, 인터넷, 또는 컴퓨터 네트워크(예: LAN 또는 WAN)와 같은 원거리 통신 네트워크)를 통하여 외부의 전자 장치(104)와 통신할 수 있다. 이런 여러 종류의 통신 모듈들은 하나의 구성요소(예: 단일 칩)로 통합되거나, 또는 서로 별도의 복수의 구성요소들(예: 복수 칩들)로 구현될 수 있다. 무선 통신 모듈(192)은 가입자 식별 모듈(196)에 저장된 가입자 정보(예: 국제 모바일 가입자 식별자(IMSI))를 이용하여 제 1 네트워크(198) 또는 제 2 네트워크(199)와 같은 통신 네트워크 내에서 전자 장치(101)를 확인 또는 인증할 수 있다. The communication module 190 is a direct (eg, wired) communication channel or a wireless communication channel between the electronic device 101 and an external electronic device (eg, the electronic device 102, the electronic device 104, or the server 108). Establishment and communication through the established communication channel may be supported. The communication module 190 may include one or more communication processors that operate independently of the processor 120 (eg, an application processor) and support direct (eg, wired) communication or wireless communication. According to one embodiment, the communication module 190 is a wireless communication module 192 (eg, a cellular communication module, a short-range wireless communication module, or a global navigation satellite system (GNSS) communication module) or a wired communication module 194 (eg, : a local area network (LAN) communication module or a power line communication module). Among these communication modules, a corresponding communication module is a first network 198 (eg, a short-range communication network such as Bluetooth, wireless fidelity (WiFi) direct, or infrared data association (IrDA)) or a second network 199 (eg, legacy It may communicate with the external electronic device 104 through a cellular network, a 5G network, a next-generation communication network, the Internet, or a telecommunications network such as a computer network (eg, a LAN or a WAN). These various types of communication modules may be integrated as one component (eg, a single chip) or implemented as a plurality of separate components (eg, multiple chips). The wireless communication module 192 uses subscriber information (eg, International Mobile Subscriber Identifier (IMSI)) stored in the subscriber identification module 196 within a communication network such as the first network 198 or the second network 199. The electronic device 101 may be identified or authenticated.

무선 통신 모듈(192)은 4G 네트워크 이후의 5G 네트워크 및 차세대 통신 기술, 예를 들어, NR 접속 기술(new radio access technology)을 지원할 수 있다. NR 접속 기술은 고용량 데이터의 고속 전송(eMBB(enhanced mobile broadband)), 단말 전력 최소화와 다수 단말의 접속(mMTC(massive machine type communications)), 또는 고신뢰도와 저지연(URLLC(ultra-reliable and low-latency communications))을 지원할 수 있다. 무선 통신 모듈(192)은, 예를 들어, 높은 데이터 전송률 달성을 위해, 고주파 대역(예: mmWave 대역)을 지원할 수 있다. 무선 통신 모듈(192)은 고주파 대역에서의 성능 확보를 위한 다양한 기술들, 예를 들어, 빔포밍(beamforming), 거대 배열 다중 입출력(massive MIMO(multiple-input and multiple-output)), 전차원 다중입출력(FD-MIMO: full dimensional MIMO), 어레이 안테나(array antenna), 아날로그 빔형성(analog beam-forming), 또는 대규모 안테나(large scale antenna)와 같은 기술들을 지원할 수 있다. 무선 통신 모듈(192)은 전자 장치(101), 외부 전자 장치(예: 전자 장치(104)) 또는 네트워크 시스템(예: 제 2 네트워크(199))에 규정되는 다양한 요구사항을 지원할 수 있다. 일실시예에 따르면, 무선 통신 모듈(192)은 eMBB 실현을 위한 Peak data rate(예: 20Gbps 이상), mMTC 실현을 위한 손실 Coverage(예: 164dB 이하), 또는 URLLC 실현을 위한 U-plane latency(예: 다운링크(DL) 및 업링크(UL) 각각 0.5ms 이하, 또는 라운드 트립 1ms 이하)를 지원할 수 있다.The wireless communication module 192 may support a 5G network after a 4G network and a next-generation communication technology, for example, NR access technology (new radio access technology). NR access technologies include high-speed transmission of high-capacity data (enhanced mobile broadband (eMBB)), minimization of terminal power and access of multiple terminals (massive machine type communications (mMTC)), or high reliability and low latency (ultra-reliable and low latency (URLLC)). -latency communications)) can be supported. The wireless communication module 192 may support a high frequency band (eg, mmWave band) to achieve a high data rate, for example. The wireless communication module 192 uses various technologies for securing performance in a high frequency band, such as beamforming, massive multiple-input and multiple-output (MIMO), and full-dimensional multiplexing. Technologies such as input/output (FD-MIMO: full dimensional MIMO), array antenna, analog beam-forming, or large scale antenna may be supported. The wireless communication module 192 may support various requirements defined for the electronic device 101, an external electronic device (eg, the electronic device 104), or a network system (eg, the second network 199). According to one embodiment, the wireless communication module 192 is a peak data rate for eMBB realization (eg, 20 Gbps or more), a loss coverage for mMTC realization (eg, 164 dB or less), or a U-plane latency for URLLC realization (eg, Example: downlink (DL) and uplink (UL) each of 0.5 ms or less, or round trip 1 ms or less) may be supported.

안테나 모듈(197)은 신호 또는 전력을 외부(예: 외부의 전자 장치)로 송신하거나 외부로부터 수신할 수 있다. 일실시예에 따르면, 안테나 모듈(197)은 서브스트레이트(예: PCB) 위에 형성된 도전체 또는 도전성 패턴으로 이루어진 방사체를 포함하는 안테나를 포함할 수 있다. 일실시예에 따르면, 안테나 모듈(197)은 복수의 안테나들(예: 어레이 안테나)을 포함할 수 있다. 이런 경우, 제 1 네트워크(198) 또는 제 2 네트워크(199)와 같은 통신 네트워크에서 사용되는 통신 방식에 적합한 적어도 하나의 안테나가, 예를 들면, 통신 모듈(190)에 의하여 상기 복수의 안테나들로부터 선택될 수 있다. 신호 또는 전력은 상기 선택된 적어도 하나의 안테나를 통하여 통신 모듈(190)과 외부의 전자 장치 간에 송신되거나 수신될 수 있다. 어떤 실시예에 따르면, 방사체 이외에 다른 부품(예: RFIC(radio frequency integrated circuit))이 추가로 안테나 모듈(197)의 일부로 형성될 수 있다.The antenna module 197 may transmit or receive signals or power to the outside (eg, an external electronic device). According to one embodiment, the antenna module 197 may include an antenna including a radiator formed of a conductor or a conductive pattern formed on a substrate (eg, PCB). According to one embodiment, the antenna module 197 may include a plurality of antennas (eg, an array antenna). In this case, at least one antenna suitable for a communication method used in a communication network such as the first network 198 or the second network 199 is selected from the plurality of antennas by the communication module 190, for example. can be chosen A signal or power may be transmitted or received between the communication module 190 and an external electronic device through the selected at least one antenna. According to some embodiments, other components (eg, a radio frequency integrated circuit (RFIC)) may be additionally formed as a part of the antenna module 197 in addition to the radiator.

다양한 실시예에 따르면, 안테나 모듈(197)은 mmWave 안테나 모듈을 형성할 수 있다. 일실시예에 따르면, mmWave 안테나 모듈은 인쇄 회로 기판, 상기 인쇄 회로 기판의 제 1 면(예: 아래 면)에 또는 그에 인접하여 배치되고 지정된 고주파 대역(예: mmWave 대역)을 지원할 수 있는 RFIC, 및 상기 인쇄 회로 기판의 제 2 면(예: 윗 면 또는 측 면)에 또는 그에 인접하여 배치되고 상기 지정된 고주파 대역의 신호를 송신 또는 수신할 수 있는 복수의 안테나들(예: 어레이 안테나)을 포함할 수 있다.According to various embodiments, the antenna module 197 may form a mmWave antenna module. According to one embodiment, the mmWave antenna module includes a printed circuit board, an RFIC disposed on or adjacent to a first surface (eg, a lower surface) of the printed circuit board and capable of supporting a designated high frequency band (eg, mmWave band); and a plurality of antennas (eg, array antennas) disposed on or adjacent to a second surface (eg, a top surface or a side surface) of the printed circuit board and capable of transmitting or receiving signals of the designated high frequency band. can do.

상기 구성요소들 중 적어도 일부는 주변 기기들간 통신 방식(예: 버스, GPIO(general purpose input and output), SPI(serial peripheral interface), 또는 MIPI(mobile industry processor interface))을 통해 서로 연결되고 신호(예: 명령 또는 데이터)를 상호간에 교환할 수 있다.At least some of the components are connected to each other through a communication method between peripheral devices (eg, a bus, general purpose input and output (GPIO), serial peripheral interface (SPI), or mobile industry processor interface (MIPI)) and signal ( e.g. commands or data) can be exchanged with each other.

일실시예에 따르면, 명령 또는 데이터는 제 2 네트워크(199)에 연결된 서버(108)를 통해서 전자 장치(101)와 외부의 전자 장치(104)간에 송신 또는 수신될 수 있다. 외부의 전자 장치(102, 또는 104) 각각은 전자 장치(101)와 동일한 또는 다른 종류의 장치일 수 있다. 일실시예에 따르면, 전자 장치(101)에서 실행되는 동작들의 전부 또는 일부는 외부의 전자 장치들(102, 104, 또는 108) 중 하나 이상의 외부의 전자 장치들에서 실행될 수 있다. 예를 들면, 전자 장치(101)가 어떤 기능이나 서비스를 자동으로, 또는 사용자 또는 다른 장치로부터의 요청에 반응하여 수행해야 할 경우에, 전자 장치(101)는 기능 또는 서비스를 자체적으로 실행시키는 대신에 또는 추가적으로, 하나 이상의 외부의 전자 장치들에게 그 기능 또는 그 서비스의 적어도 일부를 수행하라고 요청할 수 있다. 상기 요청을 수신한 하나 이상의 외부의 전자 장치들은 요청된 기능 또는 서비스의 적어도 일부, 또는 상기 요청과 관련된 추가 기능 또는 서비스를 실행하고, 그 실행의 결과를 전자 장치(101)로 전달할 수 있다. 전자 장치(101)는 상기 결과를, 그대로 또는 추가적으로 처리하여, 상기 요청에 대한 응답의 적어도 일부로서 제공할 수 있다. 이를 위하여, 예를 들면, 클라우드 컴퓨팅, 분산 컴퓨팅, 모바일 에지 컴퓨팅(MEC: mobile edge computing), 또는 클라이언트-서버 컴퓨팅 기술이 이용될 수 있다. 전자 장치(101)는, 예를 들어, 분산 컴퓨팅 또는 모바일 에지 컴퓨팅을 이용하여 초저지연 서비스를 제공할 수 있다. 다른 실시예에 있어서, 외부의 전자 장치(104)는 IoT(internet of things) 기기를 포함할 수 있다. 서버(108)는 기계 학습 및/또는 신경망을 이용한 지능형 서버일 수 있다. 일실시예에 따르면, 외부의 전자 장치(104) 또는 서버(108)는 제 2 네트워크(199) 내에 포함될 수 있다. 전자 장치(101)는 5G 통신 기술 및 IoT 관련 기술을 기반으로 지능형 서비스(예: 스마트 홈, 스마트 시티, 스마트 카, 또는 헬스 케어)에 적용될 수 있다. According to an embodiment, commands or data may be transmitted or received between the electronic device 101 and the external electronic device 104 through the server 108 connected to the second network 199 . Each of the external electronic devices 102 or 104 may be the same as or different from the electronic device 101 . According to an embodiment, all or part of operations executed in the electronic device 101 may be executed in one or more external electronic devices among the external electronic devices 102 , 104 , or 108 . For example, when the electronic device 101 needs to perform a certain function or service automatically or in response to a request from a user or another device, the electronic device 101 instead of executing the function or service by itself. Alternatively or additionally, one or more external electronic devices may be requested to perform the function or at least part of the service. One or more external electronic devices receiving the request may execute at least a part of the requested function or service or an additional function or service related to the request, and deliver the execution result to the electronic device 101 . The electronic device 101 may provide the result as at least part of a response to the request as it is or additionally processed. To this end, for example, cloud computing, distributed computing, mobile edge computing (MEC), or client-server computing technology may be used. The electronic device 101 may provide an ultra-low latency service using, for example, distributed computing or mobile edge computing. In another embodiment, the external electronic device 104 may include an internet of things (IoT) device. Server 108 may be an intelligent server using machine learning and/or neural networks. According to one embodiment, the external electronic device 104 or server 108 may be included in the second network 199 . The electronic device 101 may be applied to intelligent services (eg, smart home, smart city, smart car, or health care) based on 5G communication technology and IoT-related technology.

본 문서에 개시된 다양한 실시예들에 따른 전자 장치는 다양한 형태의 장치가 될 수 있다. 전자 장치는, 예를 들면, 휴대용 통신 장치(예: 스마트폰), 컴퓨터 장치, 휴대용 멀티미디어 장치, 휴대용 의료 기기, 카메라, 웨어러블 장치, 또는 가전 장치를 포함할 수 있다. 본 문서의 실시예에 따른 전자 장치는 전술한 기기들에 한정되지 않는다.Electronic devices according to various embodiments disclosed in this document may be devices of various types. The electronic device may include, for example, a portable communication device (eg, a smart phone), a computer device, a portable multimedia device, a portable medical device, a camera, a wearable device, or a home appliance. An electronic device according to an embodiment of the present document is not limited to the aforementioned devices.

본 문서의 다양한 실시예들 및 이에 사용된 용어들은 본 문서에 기재된 기술적 특징들을 특정한 실시예들로 한정하려는 것이 아니며, 해당 실시예의 다양한 변경, 균등물, 또는 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 도면의 설명과 관련하여, 유사한 또는 관련된 구성요소에 대해서는 유사한 참조 부호가 사용될 수 있다. 아이템에 대응하는 명사의 단수 형은 관련된 문맥상 명백하게 다르게 지시하지 않는 한, 상기 아이템 한 개 또는 복수 개를 포함할 수 있다. 본 문서에서, "A 또는 B", "A 및 B 중 적어도 하나", "A 또는 B 중 적어도 하나", "A, B 또는 C", "A, B 및 C 중 적어도 하나", 및 "A, B, 또는 C 중 적어도 하나"와 같은 문구들 각각은 그 문구들 중 해당하는 문구에 함께 나열된 항목들 중 어느 하나, 또는 그들의 모든 가능한 조합을 포함할 수 있다. "제 1", "제 2", 또는 "첫째" 또는 "둘째"와 같은 용어들은 단순히 해당 구성요소를 다른 해당 구성요소와 구분하기 위해 사용될 수 있으며, 해당 구성요소들을 다른 측면(예: 중요성 또는 순서)에서 한정하지 않는다. 어떤(예: 제 1) 구성요소가 다른(예: 제 2) 구성요소에, "기능적으로" 또는 "통신적으로"라는 용어와 함께 또는 이런 용어 없이, "커플드" 또는 "커넥티드"라고 언급된 경우, 그것은 상기 어떤 구성요소가 상기 다른 구성요소에 직접적으로(예: 유선으로), 무선으로, 또는 제 3 구성요소를 통하여 연결될 수 있다는 것을 의미한다.Various embodiments of this document and terms used therein are not intended to limit the technical features described in this document to specific embodiments, but should be understood to include various modifications, equivalents, or substitutes of the embodiments. In connection with the description of the drawings, like reference numbers may be used for like or related elements. The singular form of a noun corresponding to an item may include one item or a plurality of items, unless the relevant context clearly dictates otherwise. In this document, "A or B", "at least one of A and B", "at least one of A or B", "A, B or C", "at least one of A, B and C", and "A Each of the phrases such as "at least one of , B, or C" may include any one of the items listed together in that phrase, or all possible combinations thereof. Terms such as "first", "second", or "first" or "secondary" may simply be used to distinguish a given component from other corresponding components, and may be used to refer to a given component in another aspect (eg, importance or order) is not limited. A (e.g., first) component is said to be "coupled" or "connected" to another (e.g., second) component, with or without the terms "functionally" or "communicatively." When mentioned, it means that the certain component may be connected to the other component directly (eg by wire), wirelessly, or through a third component.

본 문서의 다양한 실시예들에서 사용된 용어 "모듈"은 하드웨어, 소프트웨어 또는 펌웨어로 구현된 유닛을 포함할 수 있으며, 예를 들면, 로직, 논리 블록, 부품, 또는 회로와 같은 용어와 상호 호환적으로 사용될 수 있다. 모듈은, 일체로 구성된 부품 또는 하나 또는 그 이상의 기능을 수행하는, 상기 부품의 최소 단위 또는 그 일부가 될 수 있다. 예를 들면, 일실시예에 따르면, 모듈은 ASIC(application-specific integrated circuit)의 형태로 구현될 수 있다. The term "module" used in various embodiments of this document may include a unit implemented in hardware, software, or firmware, and is interchangeable with terms such as, for example, logic, logical blocks, parts, or circuits. can be used as A module may be an integrally constructed component or a minimal unit of components or a portion thereof that performs one or more functions. For example, according to one embodiment, the module may be implemented in the form of an application-specific integrated circuit (ASIC).

본 문서의 다양한 실시예들은 기기(machine)(예: 전자 장치(101)) 의해 읽을 수 있는 저장 매체(storage medium)(예: 내장 메모리(136) 또는 외장 메모리(138))에 저장된 하나 이상의 명령어들을 포함하는 소프트웨어(예: 프로그램(140))로서 구현될 수 있다. 예를 들면, 기기(예: 전자 장치(101))의 프로세서(예: 프로세서(120))는, 저장 매체로부터 저장된 하나 이상의 명령어들 중 적어도 하나의 명령을 호출하고, 그것을 실행할 수 있다. 이것은 기기가 상기 호출된 적어도 하나의 명령어에 따라 적어도 하나의 기능을 수행하도록 운영되는 것을 가능하게 한다. 상기 하나 이상의 명령어들은 컴파일러에 의해 생성된 코드 또는 인터프리터에 의해 실행될 수 있는 코드를 포함할 수 있다. 기기로 읽을 수 있는 저장 매체는, 비일시적(non-transitory) 저장 매체의 형태로 제공될 수 있다. 여기서, ‘비일시적’은 저장 매체가 실재(tangible)하는 장치이고, 신호(signal)(예: 전자기파)를 포함하지 않는다는 것을 의미할 뿐이며, 이 용어는 데이터가 저장 매체에 반영구적으로 저장되는 경우와 임시적으로 저장되는 경우를 구분하지 않는다.Various embodiments of this document provide one or more instructions stored in a storage medium (eg, internal memory 136 or external memory 138) readable by a machine (eg, electronic device 101). It may be implemented as software (eg, the program 140) including them. For example, a processor (eg, the processor 120 ) of a device (eg, the electronic device 101 ) may call at least one command among one or more instructions stored from a storage medium and execute it. This enables the device to be operated to perform at least one function according to the at least one command invoked. The one or more instructions may include code generated by a compiler or code executable by an interpreter. The device-readable storage medium may be provided in the form of a non-transitory storage medium. Here, 'non-temporary' only means that the storage medium is a tangible device and does not contain a signal (e.g. electromagnetic wave), and this term refers to the case where data is stored semi-permanently in the storage medium. It does not discriminate when it is temporarily stored.

일실시예에 따르면, 본 문서에 개시된 다양한 실시예들에 따른 방법은 컴퓨터 프로그램 제품(computer program product)에 포함되어 제공될 수 있다. 컴퓨터 프로그램 제품은 상품으로서 판매자 및 구매자 간에 거래될 수 있다. 컴퓨터 프로그램 제품은 기기로 읽을 수 있는 저장 매체(예: compact disc read only memory(CD-ROM))의 형태로 배포되거나, 또는 어플리케이션 스토어(예: 플레이 스토어TM)를 통해 또는 두 개의 사용자 장치들(예: 스마트 폰들) 간에 직접, 온라인으로 배포(예: 다운로드 또는 업로드)될 수 있다. 온라인 배포의 경우에, 컴퓨터 프로그램 제품의 적어도 일부는 제조사의 서버, 어플리케이션 스토어의 서버, 또는 중계 서버의 메모리와 같은 기기로 읽을 수 있는 저장 매체에 적어도 일시 저장되거나, 임시적으로 생성될 수 있다.According to one embodiment, the method according to various embodiments disclosed in this document may be included and provided in a computer program product. Computer program products may be traded between sellers and buyers as commodities. A computer program product is distributed in the form of a device-readable storage medium (eg compact disc read only memory (CD-ROM)), or through an application store (eg Play Store TM ) or on two user devices ( It can be distributed (eg downloaded or uploaded) online, directly between smart phones. In the case of online distribution, at least part of the computer program product may be temporarily stored or temporarily created in a device-readable storage medium such as a manufacturer's server, an application store server, or a relay server's memory.

다양한 실시예들에 따르면, 상기 기술한 구성요소들의 각각의 구성요소(예: 모듈 또는 프로그램)는 단수 또는 복수의 개체를 포함할 수 있으며, 복수의 개체 중 일부는 다른 구성요소에 분리 배치될 수도 있다. 다양한 실시예들에 따르면, 전술한 해당 구성요소들 중 하나 이상의 구성요소들 또는 동작들이 생략되거나, 또는 하나 이상의 다른 구성요소들 또는 동작들이 추가될 수 있다. 대체적으로 또는 추가적으로, 복수의 구성요소들(예: 모듈 또는 프로그램)은 하나의 구성요소로 통합될 수 있다. 이런 경우, 통합된 구성요소는 상기 복수의 구성요소들 각각의 구성요소의 하나 이상의 기능들을 상기 통합 이전에 상기 복수의 구성요소들 중 해당 구성요소에 의해 수행되는 것과 동일 또는 유사하게 수행할 수 있다. 다양한 실시예들에 따르면, 모듈, 프로그램 또는 다른 구성요소에 의해 수행되는 동작들은 순차적으로, 병렬적으로, 반복적으로, 또는 휴리스틱하게 실행되거나, 상기 동작들 중 하나 이상이 다른 순서로 실행되거나, 생략되거나, 또는 하나 이상의 다른 동작들이 추가될 수 있다.According to various embodiments, each component (eg, module or program) of the above-described components may include a single object or a plurality of entities, and some of the plurality of entities may be separately disposed in other components. there is. According to various embodiments, one or more components or operations among the aforementioned corresponding components may be omitted, or one or more other components or operations may be added. Alternatively or additionally, a plurality of components (eg modules or programs) may be integrated into a single component. In this case, the integrated component may perform one or more functions of each of the plurality of components identically or similarly to those performed by a corresponding component of the plurality of components prior to the integration. . According to various embodiments, the actions performed by a module, program, or other component are executed sequentially, in parallel, iteratively, or heuristically, or one or more of the actions are executed in a different order, or omitted. or one or more other actions may be added.

도 2는 일 실시 예에 따른 반도체 부품(210)을 포함하는 전자 장치(200)를 나타내는 평면도이다.2 is a plan view illustrating an electronic device 200 including a semiconductor component 210 according to an exemplary embodiment.

도 2를 참조하면, 전자 장치(200)는 회로기판(260)에 배치되는 반도체 부품(210), 반도체 부품(210)의 적어도 일부를 둘러싸고, 개구부(221)를 포함하는 쉴드캔(220), 반도체 부품(210)에서 발생하는 열을 개구부(221)를 통해서 다른 구조물로 전달하는 열 전도재(230), 개구부(221)를 덮어 반도체 부품(210)으로부터 발생하는 전자파(또는 노이즈)를 차단하는 차폐 시트(240), 및 열 전도재(230)가 배치되는 공간을 그 외의 공간과 적어도 일부 차단하는 격벽 부재(250)를 포함할 수 있다. 다만, 전자 장치(200)의 구성요소가 이에 한정되지 아니한다. 전자 장치(200)는 상술한 구성요소 중 적어도 하나의 구성요소를 생략하거나, 적어도 하나의 구성요소를 더 포함할 수도 있다. 예를 들어, 전자 장치(200)는 열 전도재(230)의 일부를 수용하는 수용부를 더 포함할 수도 있다.Referring to FIG. 2 , the electronic device 200 includes a semiconductor component 210 disposed on a circuit board 260, a shield can 220 surrounding at least a portion of the semiconductor component 210 and including an opening 221, A thermal conductive material 230 that transfers heat generated from the semiconductor component 210 to another structure through the opening 221, and covering the opening 221 to block electromagnetic waves (or noise) generated from the semiconductor component 210. A partition wall member 250 may be included to at least partially block a space in which the shielding sheet 240 and the heat conducting material 230 are disposed from other spaces. However, components of the electronic device 200 are not limited thereto. The electronic device 200 may omit at least one of the aforementioned components or may further include at least one component. For example, the electronic device 200 may further include an accommodating portion accommodating a portion of the thermal conductive material 230 .

일 실시 예에 따르면, 반도체 부품(210)은 회로기판(260)에 배치될 수 있다. 반도체 부품(210)은 회로기판(260)과 작동적으로 또는 전기적을 연결될 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 쉴드캔(220)은 반도체 부품(210)에서 발생하는 전자파(또는 노이즈)를 차폐하거나, 반도체 부품(210)을 보호하도록 배치될 수 있다. 예를 들어, 쉴드캔(220)은 회로기판(260)에서 반도체 부품(210)의 적어도 일부를 둘러쌀 수 있다. According to an embodiment, the semiconductor component 210 may be disposed on the circuit board 260 . The semiconductor component 210 may be operatively or electrically connected to the circuit board 260 . According to an embodiment, the shield can 220 may be disposed to shield electromagnetic waves (or noise) generated from the semiconductor component 210 or to protect the semiconductor component 210 . For example, the shield can 220 may surround at least a portion of the semiconductor component 210 on the circuit board 260 .

일 실시 예에 따르면, 쉴드캔(220)은 회로기판(260)에 배치됨으로써, 쉴드캔(220)과 회로기판(260)에 의해 적어도 일부가 둘러싸인 공간이 형성될 수 있다. 반도체 부품(210)의 적어도 일부는 상기 공간 내부에 배치될 수 있다. 반도체 부품(210)의 적어도 일부는 상기 공간 내부에 배치됨으로써, 쉴드캔(220)은 반도체 부품(210)에서 발생하는 전자파(또는 노이즈)를 차단하거나, 외부 충격으로부터 반도체 부품(210)을 보호할 수 있다.According to an embodiment, since the shield can 220 is disposed on the circuit board 260, a space at least partially surrounded by the shield can 220 and the circuit board 260 may be formed. At least a portion of the semiconductor component 210 may be disposed inside the space. Since at least a portion of the semiconductor component 210 is disposed inside the space, the shield can 220 can block electromagnetic waves (or noise) generated from the semiconductor component 210 or protect the semiconductor component 210 from external impact. can

일 실시 예에 따르면, 쉴드캔(220)은 금속 물질 또는 도전성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 쉴드캔(220)은 철, 알루미늄 또는 스테인리스 스틸(steel use stainless, SUS) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 다만, 이에 한정되지 아니한다. 예를 들어, 쉴드캔(220)은 반도체 부품(210)으로부터 발생하는 전자파(또는 노이즈)를 차단하는 차단 물질을 포함할 수 있다.According to an embodiment, the shield can 220 may include a metal material or a conductive material. For example, the shield can 220 may include at least one of iron, aluminum, or stainless steel (steel use stainless, SUS). However, it is not limited to this. For example, the shield can 220 may include a blocking material that blocks electromagnetic waves (or noise) generated from the semiconductor component 210 .

일 실시 예에 따르면, 쉴드캔(220)은 반도체 부품(210)에서 발생하는 열을 반도체 부품(210)의 적어도 일부가 배치된 공간의 외부(예를 들어, 쉴드캔(220)의 외부)로 방출하기 위하여 적어도 하나의 개구부(221)를 포함할 수 있다. 개구부(221)는 반도체 부품(210)에서 발생하는 열이 반도체 부품(210)의 적어도 일부가 배치된 공간의 외부로 방출되는 물리적인 통로 역할을 할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 반도체 부품(210)의 적어도 일부는 개구부(221)를 통해서 보일 수 있다.According to an embodiment, the shield can 220 transfers heat generated from the semiconductor component 210 to the outside of a space where at least a portion of the semiconductor component 210 is disposed (eg, the outside of the shield can 220). It may include at least one opening 221 for discharging. The opening 221 may serve as a physical passage through which heat generated from the semiconductor component 210 is discharged to the outside of a space in which at least a portion of the semiconductor component 210 is disposed. According to an embodiment, at least a portion of the semiconductor component 210 may be seen through the opening 221 .

일 실시 예에 따르면, 전자 장치(200)는 반도체 부품(210)에서 발생하는 열을 다른 구조물로 전달하는 열 전도재(230)(예를 들어, TIM(thermal interface material))를 포함할 수 있다. 열 전도재(230)는 개구부(221)를 통해서 바라본 방향에서 보이는 반도체 부품(210)의 적어도 일부에 배치될 수 있다. 열 전도재(230)는 반도체 부품(210)에서 발생하는 열을 개구부(221)를 통해서 쉴드캔(220)의 외부로 전달할 수 있다. 예를 들어, 열 전도재(230)는 반도체 부품(210)에서 발생하는 열을 개구부(221)를 통해서 쉴드캔(220)의 외부에 배치된 구조물(예: 도 3의 구조물(270))에 전달할 수 있다.According to an embodiment, the electronic device 200 may include a thermal conduction material 230 (eg, a thermal interface material (TIM)) that transfers heat generated from the semiconductor component 210 to another structure. . The thermal conductive material 230 may be disposed on at least a portion of the semiconductor component 210 viewed from a direction viewed through the opening 221 . The thermal conductive material 230 may transfer heat generated from the semiconductor component 210 to the outside of the shield can 220 through the opening 221 . For example, the heat conduction material 230 transfers heat generated from the semiconductor component 210 to a structure disposed outside the shield can 220 through the opening 221 (eg, the structure 270 of FIG. 3 ). can be conveyed

일 실시 예에 따르면, 개구부(221)는 반도체 부품(210)의 크기나 모양에 대응하여 형상이 변할 수 있다. 개구부(221)는 개구부(221)를 통해 반도체 부품(210)의 적어도 일부가 보일 수 있는 다양한 형상을 포함할 수 있다. 예를 들어, 개구부(221)는 반도체 부품(210)의 전체 크기보다 작으면서, 열 전도재(230)가 배치된 공간과 동일하거나 또는 열 전도재(230)가 배치된 공간보다 큰 크기를 가질 수 있다. 다만, 이에 한정되지 아니한다. 예를 들어, 개구부(221)는 복수개의 홀을 포함할 수도 있다.According to an embodiment, the shape of the opening 221 may be changed to correspond to the size or shape of the semiconductor component 210 . The opening 221 may include various shapes through which at least a portion of the semiconductor component 210 can be seen through the opening 221 . For example, the opening 221 may have a size smaller than the entire size of the semiconductor component 210 and equal to or larger than the space where the thermally conductive material 230 is disposed. can However, it is not limited to this. For example, the opening 221 may include a plurality of holes.

일 실시 예에 따르면, 격벽 부재(250)는 반도체 부품(210)의 적어도 일부의 둘레를 따라 형성될 수 있다. 도 2에서, 격벽 부재(250)는 격벽 부재(250)의 측벽만이 전체적으로 반도체 부품(210)의 적어도 일부를 둘러싸는 것으로 도시되었지만, 이에 제한되는 것은 아니다. 예를 들어, 격벽 부재(250)는 상기 측벽에서 연장되고 반도체 부품(210)의 적어도 일부의 상부에 배치되는 상면을 더 포함할 수도 있다.According to an embodiment, the barrier rib member 250 may be formed along at least a portion of the circumference of the semiconductor component 210 . In FIG. 2 , the barrier rib member 250 is illustrated as enclosing at least a portion of the semiconductor component 210 as a whole with only sidewalls of the barrier rib member 250, but is not limited thereto. For example, the barrier member 250 may further include an upper surface extending from the sidewall and disposed on at least a portion of the semiconductor component 210 .

일 실시 예에 따르면, 격벽 부재(250)의 적어도 일면의 적어도 일부는 반도체 부품(210)과 대면할 수 있다. 예를 들어, 격벽 부재(250)는 개구부(221)를 통해서 반도체 부품(210)을 바라본 방향에서 보이는 반도체 부품(210)의 적어도 일면의 적어도 일부와 대면할 수 있다. 격벽 부재(250)의 적어도 일면의 적어도 일부는 반도체 부품(210)에 접착 부재를 이용하여 부착될 수 있다.According to an embodiment, at least a portion of at least one surface of the barrier rib member 250 may face the semiconductor component 210 . For example, the barrier rib member 250 may face at least a portion of at least one surface of the semiconductor component 210 viewed from a direction in which the semiconductor component 210 is viewed through the opening 221 . At least a portion of at least one surface of the barrier rib member 250 may be attached to the semiconductor component 210 using an adhesive member.

일 실시 예에 따르면, 격벽 부재(250)는 열 전도재(230)가 배치된 반도체 부품(210)의 적어도 일부 영역을 반도체 부품(210)이 배치되지 않은 영역과 적어도 일부를 차단할 수 있다. 예를 들어, 격벽 부재(250)는 반도체 부품(210)과 차폐 시트(240) 사이에 배치될 수 있다. 격벽 부재(250)는 열 전도재(230)가 배치된 반도체 부품(210)의 적어도 일부 영역을 적어도 일부 둘러싸도록 배치될 수 있다. 격벽 부재(250)는 열 전도재(230)가 배치된 반도체 부품(210)의 적어도 일부 영역과 반도체 부품(210)이 배치되지 않은 영역을 적어도 일부 차단함으로써, 격벽 부재(250)는 열 전도재(230)가 격벽 부재(250)의 외부로(예를 들어, 반도체 부품(210)이 배치되지 않은 영역으로) 이동(또는 이탈)하는 것을 막을 수 있다.According to an embodiment, the barrier rib member 250 may block at least a portion of an area of the semiconductor component 210 on which the thermal conduction material 230 is disposed and at least a portion of an area on which the semiconductor component 210 is not disposed. For example, the partition wall member 250 may be disposed between the semiconductor component 210 and the shielding sheet 240 . The barrier rib member 250 may be disposed to at least partially surround at least a partial area of the semiconductor component 210 on which the heat conducting material 230 is disposed. The barrier rib member 250 blocks at least a portion of the semiconductor component 210 where the heat conductive material 230 is disposed and at least a portion of the region where the semiconductor component 210 is not disposed, so that the barrier rib member 250 is formed as a heat conductive material. Movement (or detachment) of the partition 230 to the outside of the barrier member 250 (eg, to an area where the semiconductor component 210 is not disposed) may be prevented.

일 실시 예에 따르면, 격벽 부재(250)의 형상은 열 전도재(230)가 배치되는 반도체 부품(210)의 적어도 일부 영역에 대응되는 형상일 수 있다. 예를 들어, 도 2와 같이, 격벽 부재(250)를 위에서 내려다보았을 때, 열 전도재(230)가 배치되는 반도체 부품(210)의 적어도 일부 영역이 사각형 형상인 경우, 격벽 부재(250)는 사각형 형상을 포함할 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 격벽 부재(250)는 개구부(221)를 통해서 격벽 부재(250)를 바라본 방향에서, 다각형, 원형 또는 타원형 형상을 포함할 수도 있다.According to an embodiment, the shape of the barrier rib member 250 may correspond to at least a partial region of the semiconductor component 210 on which the heat conducting material 230 is disposed. For example, as shown in FIG. 2 , when the barrier member 250 is viewed from above, when at least a portion of the semiconductor component 210 on which the thermal conduction material 230 is disposed has a rectangular shape, the barrier member 250 is It may have a rectangular shape. However, it is not limited thereto. For example, the barrier member 250 may have a polygonal, circular, or elliptical shape in a direction in which the barrier member 250 is viewed through the opening 221 .

일 실시 예에 따르면, 격벽 부재(250)는 유흡착(oil sorbent) 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 격벽 부재(250)는 스펀지와 같은 열 전도재(230)의 오일을 흡수할 수 있는 다공성 물질을 포함할 수 있다.According to an embodiment, the barrier rib member 250 may include an oil sorbent material. For example, the barrier rib member 250 may include a porous material capable of absorbing oil of the heat conducting material 230 such as a sponge.

일 실시 예에 따르면, 격벽 부재(250)는 탄성을 가지는 물질 또는 열 전도성 물질 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 격벽 부재(250)가 열 전도성 물질을 포함함으로써, 격벽 부재(250)는 전자 장치(200)의 열 전달 효율을 향상시킬 수 있다.According to an embodiment, the barrier rib member 250 may include at least one of an elastic material and a thermally conductive material. Since the barrier member 250 includes a thermally conductive material, the barrier member 250 can improve heat transfer efficiency of the electronic device 200 .

일 실시 예에 따르면, 차폐 시트(240)는 반도체 부품(210)에서 발생하는 전자파(또는 노이즈)를 차단하도록 배치될 수 있다. 예를 들어, 차폐 시트(240)는 개구부(221)의 적어도 일부를 덮을 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 차폐 시트(240)의 적어도 일부는 개구부(221)가 형성된 쉴드캔(220)의 적어도 일부에 부착될 수 있다. 예를 들어, 차폐 시트(240)의 적어도 일부는 개구부(221)를 따라서 개구부(221)가 형성된 쉴드캔(220)의 적어도 일부에 접착 부재를 이용하여 부착될 수 있다. 상기 접착 부재는 접착 테이프 또는 본드 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니다.According to an embodiment, the shielding sheet 240 may be disposed to block electromagnetic waves (or noise) generated from the semiconductor component 210 . For example, the shielding sheet 240 may cover at least a portion of the opening 221 . According to one embodiment, at least a portion of the shielding sheet 240 may be attached to at least a portion of the shield can 220 in which the opening 221 is formed. For example, at least a portion of the shielding sheet 240 may be attached to at least a portion of the shield can 220 in which the opening 221 is formed along the opening 221 by using an adhesive member. The adhesive member may include at least one of an adhesive tape or a bond. However, it is not limited thereto.

일 실시 예에 따르면, 차폐 시트(240)는 반도체 부품(210)으로부터 발생하는 전자파를 적어도 일부 차단하는 차단 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 차폐 시트(240)는 극세 섬유(예를 들어, 나노 섬유(nano fiber))를 포함할 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니다. 차폐 시트(240)는 상기 차단 물질을 포함함으로써, 반도체 부품(210)으로부터 발생하는 전자파가 개구부(221)를 통해서 쉴드캔(220)의 외부로 방출되는 것을 막을 수 있다.According to an embodiment, the shielding sheet 240 may include a blocking material that blocks at least a portion of electromagnetic waves generated from the semiconductor component 210 . For example, the shielding sheet 240 may include ultrafine fibers (eg, nano fibers). However, it is not limited thereto. The shielding sheet 240 may prevent electromagnetic waves generated from the semiconductor component 210 from being emitted to the outside of the shield-can 220 through the opening 221 by including the blocking material.

일 실시 예에 따르면, 차폐 시트(240)는 격벽 부재(250)의 적어도 일면의 적어도 일부와 대면할 수 있다. 예를 들어, 차폐 시트(240)는 개구부(221)를 통해서 격벽 부재(250)를 바라본 방향에서 보이는 격벽 부재(250)의 일면의 적어도 일부와 대면할 수 있다. 격벽 부재(250)의 적어도 일면의 적어도 일부는 차폐 시트(240)에 접착 부재를 이용하여 부착될 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 격벽 부재(250)는 차폐 시트(240)와 일체로 형성될 수도 있다. According to one embodiment, the shielding sheet 240 may face at least a portion of at least one surface of the barrier rib member 250 . For example, the shielding sheet 240 may face at least a portion of one surface of the partition wall member 250 viewed from a direction in which the partition wall member 250 is viewed through the opening 221 . At least a portion of at least one surface of the barrier rib member 250 may be attached to the shielding sheet 240 using an adhesive member. However, it is not limited thereto. For example, the barrier rib member 250 may be integrally formed with the shielding sheet 240 .

일 실시 예에 따르면, 차폐 시트(240)는 개구부(221)의 적어도 일부를 덮음으로써, 반도체 부품(210), 격벽 부재(250) 및 차폐 시트(240)에 의해 적어도 일부가 둘러싸인 공간이 형성될 수 있다. 열 전도재(230)는 상기 공간에 배치될 수 있다. 예를 들어, 열 전도재(230)는 상기 공간 내부에 도포되어 상기 공간을 채울 수 있다. 상기 공간에 도포된 열 전도재(230)는 반도체 부품(210)에서 발생하는 열을 차폐 시트(240)를 통해 쉴드캔(220)의 외부로(예를 들어, 쉴드캔(220)의 외부에 배치된 구조물로) 전달할 수 있다.According to an embodiment, the shielding sheet 240 covers at least a portion of the opening 221, so that a space at least partially surrounded by the semiconductor component 210, the barrier member 250, and the shielding sheet 240 is formed. can A heat conducting material 230 may be disposed in the space. For example, the heat conduction material 230 may be applied inside the space to fill the space. The heat conductive material 230 applied to the space transfers heat generated from the semiconductor component 210 to the outside of the shield can 220 (eg, to the outside of the shield can 220) through the shield sheet 240. to the deployed structure).

일 실시 예에 따르면, 반도체 부품(210), 격벽 부재(250) 및 차폐 시트(240)에 의해 둘러싸인 상기 공간이 형성됨으로써, 상기 공간 내부에 배치된 열 전도재(230)의 일부가 상기 공간의 외부로 이동(또는 이탈)하지 않을 수 있다. 예를 들어, 격벽 부재(250)는 열 전도재(230)의 일부가 반도체 부품(210)이 배치되지 않은 영역으로 이동함으로써 열 전도재(230)의 도포량의 편차가 발생하거나, 열 전도재(230)와 차폐 시트(240) 사이에 열 전달을 방해하는 빈 공간(예를 들어, 에어 갭)이 형성되는 것을 막을 수 있다. 또한, 격벽 부재(250)는 열 전도재(230)가 쉴드캔(220)과 차폐 시트(240) 사이 영역으로 이동함으로써, 열 전도재(230)가 쉴드캔(220)과 차폐 시트(240) 사이의 부착력을 약화시키는 것을 막을 수 있다.According to an embodiment, the space surrounded by the semiconductor component 210, the partition wall member 250, and the shielding sheet 240 is formed, so that a portion of the heat conducting material 230 disposed inside the space is formed in the space. It may not move (or deviate) to the outside. For example, in the barrier rib member 250, when a portion of the thermally conductive material 230 moves to an area where the semiconductor component 210 is not disposed, a variation in the coating amount of the thermally conductive material 230 may occur or the thermally conductive material ( 230) and the shielding sheet 240, an empty space (eg, an air gap) that hinders heat transfer may be prevented from being formed. In addition, the barrier rib member 250 moves the heat conducting material 230 to a region between the shield can 220 and the shielding sheet 240, so that the heat conducting material 230 moves between the shield can 220 and the shielding sheet 240. It can prevent weakening of the adhesive force between them.

도 3은 일 실시 예에 따른 격벽 부재(250)를 포함하는 전자 장치(200)의 단면도이다. 도 3의 (b)는 도 2의 A-A'를 따라서 절단한 단면도이다.3 is a cross-sectional view of an electronic device 200 including a barrier rib member 250 according to an exemplary embodiment. Figure 3 (b) is a cross-sectional view taken along A-A' of Figure 2.

도 3의 반도체 부품(210), 쉴드캔(220), 열 전도재(230), 차폐 시트(240), 격벽 부재(250) 및 회로기판(260)은 도 2의 반도체 부품(210), 쉴드캔(220), 열 전도재(230), 차폐 시트(240), 격벽 부재(250) 및 회로기판(260)에 의해 참조될 수 있다. 전술한 내용과 동일하거나 실질적으로 동일한 구성요소에 대해서는 동일한 참조부호를 사용하였으며, 중복되는 설명은 생략된다.The semiconductor component 210, the shield can 220, the heat conducting material 230, the shielding sheet 240, the barrier member 250, and the circuit board 260 of FIG. 3 are the semiconductor component 210 of FIG. 2, the shield It may be referred to as the can 220 , the heat conducting material 230 , the shielding sheet 240 , the barrier rib member 250 and the circuit board 260 . The same reference numerals are used for the same or substantially the same components as those described above, and redundant descriptions are omitted.

일 실시 예에 따르면, 열 전도재(230)는 이동도(mobility)가 높은 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 열 전도재(230)는 액상 또는 젤(gel) 타입일 수 있다. 다만, 이에 한정되지 아니한다. 일 실시 예에 따른, 격벽 부재(250)는 이동도가 높은 물질을 포함하는 열 전도재(230)가 반도체 부품(210)이 배치되지 않은 영역으로 흘러넘치는 것을 막을 수 있다.According to an embodiment, the thermal conductive material 230 may include a material having high mobility. For example, the heat conducting material 230 may be a liquid or gel type. However, it is not limited to this. According to an embodiment, the barrier rib member 250 may prevent the thermal conductive material 230 including a material with high mobility from overflowing into an area where the semiconductor component 210 is not disposed.

도 3의 (a)는 반도체 부품(210)의 적어도 일부에 열 전도재(230)가 배치된 상태를 나타내는 도면일 수 있다. 도 3의 (b)는 반도체 부품(210), 차폐 시트(240) 및 격벽 부재(250)에 의해 적어도 일부 둘러싸인 공간에 열 전도재(230)가 도포된 상태를 나타내는 도면일 수 있다.FIG. 3(a) may be a view showing a state in which the thermal conduction material 230 is disposed on at least a portion of the semiconductor component 210 . 3(b) may be a view showing a state in which the thermal conductive material 230 is applied to a space at least partially surrounded by the semiconductor component 210, the shielding sheet 240, and the barrier rib member 250.

일 실시 예에 따르면, 반도체 부품(210)은 회로기판(260)에 배치되는 프로세서(211)(예를 들어, AP, CPU 또는 전자 칩), 및 상기 프로세서(211)의 일면에 배치되는 메모리 장치(212)를 포함할 수 있다. 다만, 반도체 부품(210)의 구성이 이에 한정되는 것은 아니다. 반도체 부품(210)은 상술한 구성요소 중 적어도 하나를 생략하거나, 적어도 하나의 구성요소를 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 반도체 부품(210)은 충전기 집적회로(charger IC)를 더 포함할 수도 있다.According to an embodiment, the semiconductor component 210 includes a processor 211 (eg, an AP, CPU, or electronic chip) disposed on a circuit board 260, and a memory device disposed on one surface of the processor 211. (212). However, the configuration of the semiconductor component 210 is not limited thereto. The semiconductor component 210 may omit at least one of the above-described components or may further include at least one component. For example, the semiconductor component 210 may further include a charger IC.

일 실시 예에 따르면, 프로세서(211)와 메모리 장치(212)는 쉴드캔(220)과 회로기판(260)에 의해 적어도 일부가 둘러싸인 공간의 내부에 배치될 수 있다. 예를 들어, 도 3을 참조하면, 쉴드캔(220)은 개구부(221)를 포함하고 회로기판(260)과 일정 간격 이격된 전면, 및 상기 전면에서 상기 회로기판(260)을 향하는 방향(예를 들어, -z축 방향)으로 연장되고, 상기 전면과 상기 회로기판(260) 사이의 공간의 적어도 일부를 둘러싸는 측면을 포함할 수 있다. 프로세서(211)와 메모리 장치(212)는 회로기판(260), 쉴드캔(220)의 상기 전면 및 상기 측면에 의해 적어도 일부가 둘러싸인 공간 내부에 배치될 수 있다. 다만, 쉴드캔(220)의 형상이 이에 한정되는 것은 아니다.According to an embodiment, the processor 211 and the memory device 212 may be disposed inside a space at least partially surrounded by the shield can 220 and the circuit board 260 . For example, referring to FIG. 3 , the shield can 220 includes an opening 221 and a front surface spaced apart from the circuit board 260 at a predetermined interval, and a direction from the front surface toward the circuit board 260 (eg For example, it may include a side surface extending in a -z-axis direction) and surrounding at least a portion of a space between the front surface and the circuit board 260 . The processor 211 and the memory device 212 may be disposed inside a space at least partially surrounded by the circuit board 260 and the front surface and the side surface of the shield can 220 . However, the shape of the shield can 220 is not limited thereto.

일 실시 예에 따르면, 메모리 장치(212)는 프로세서(211)와 차폐 시트(240) 사이에 배치될 수 있다. 예를 들어, 메모리 장치(212)는 개구부(221)를 통해서 반도체 부품(210)을 바라본 방향(예를 들어, -z축 방향)에서 보이는 프로세서(211)의 일면에 배치될 수 있다. According to one embodiment, the memory device 212 may be disposed between the processor 211 and the shielding sheet 240 . For example, the memory device 212 may be disposed on one surface of the processor 211 viewed in a direction (eg, a -z-axis direction) toward the semiconductor component 210 through the opening 221 .

일 실시 예에 따르면, 프로세서(211)가 배치된 상태에서 개구부(221)를 통해서 보이는 프로세서(211)의 일면의 면적은, 프로세서(211)의 상기 일면에 메모리 장치(212)가 배치된 상태에서 개구부(221)를 통해서 보이는 메모리 장치(212)의 일면의 면적보다 더 클 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니다.According to an embodiment, the area of one surface of the processor 211 seen through the opening 221 in a state in which the processor 211 is disposed is, in a state in which the memory device 212 is disposed on the one surface of the processor 211. The area of one surface of the memory device 212 seen through the opening 221 may be larger than that of the area. However, it is not limited thereto.

일 실시 예에 따르면, 격벽 부재(250)는 메모리 장치(212)와 차폐 시트(240) 사이에 배치될 수 있다. 도 3의 (a)를 참조하면, 열 전도재(230)는 메모리 장치(212), 격벽 부재(250) 및 차폐 시트(240)에 의해 적어도 일부가 둘러싸인 공간에 배치될 수 있다. According to one embodiment, the barrier member 250 may be disposed between the memory device 212 and the shielding sheet 240 . Referring to (a) of FIG. 3 , the thermal conduction material 230 may be disposed in a space at least partially surrounded by the memory device 212 , the barrier member 250 and the shielding sheet 240 .

일 실시 예에 따르면, 도 3의 (b)를 참조할 때, 열 전도재(230)는 메모리 장치(212), 격벽 부재(250) 및 차폐 시트(240)에 의해 적어도 일부가 둘러싸인 공간 내부에 도포될 수 있다. 예를 들어, 회로기판(260)이 전자 장치에 결합되거나, 차폐 시트(240)의 상부에 구조물(270)이 배치됨으로써, 열 전도재(230)가 배치된 영역에 대응되는 차폐 시트(240)의 적어도 일부 영역은 열 전도재(230)가 배치된 방향으로(예를 들어, -z축 방향으로) 압축력을 받을 수 있다. 열 전도재(230)가 배치된 영역에 대응되는 차폐 시트(240)의 적어도 일부 영역이 압축력을 받음으로써, 열 전도재(230)는 메모리 장치(212), 격벽 부재(250) 및 차폐 시트(240)에 의해 적어도 일부가 둘러싸인 공간에 도포될 수 있다. 열 전도재(230)는 상기 공간 내부에 도포되어 상기 공간을 채울 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 구조물(270)은 전자 장치의 하우징의 적어도 일부, 증기 챔버(vapor chamber) 또는 그라파이트(graphite) 제질의 방열 시트 일 수도 있다.According to an embodiment, referring to (b) of FIG. 3 , the heat conducting material 230 is inside a space at least partially surrounded by the memory device 212 , the barrier member 250 and the shielding sheet 240 . can be spread out. For example, by coupling the circuit board 260 to an electronic device or by disposing the structure 270 on top of the shielding sheet 240, the shielding sheet 240 corresponding to the region where the thermally conductive material 230 is disposed At least a portion of the region may receive a compressive force in a direction in which the thermal conductive material 230 is disposed (eg, in a -z-axis direction). At least a portion of the shielding sheet 240 corresponding to the region where the thermally conductive material 230 is disposed receives a compressive force, so that the thermally conductive material 230 is formed by the memory device 212, the barrier member 250 and the shielding sheet ( 240) may be applied to a space at least partially surrounded by. The thermal conductive material 230 may be applied inside the space to fill the space. According to an embodiment, the structure 270 may be at least a part of a housing of an electronic device, a vapor chamber, or a heat dissipation sheet made of graphite.

일 실시 예에 따르면, 열 전도재(230)가 메모리 장치(212), 격벽 부재(250) 및 차폐 시트(240)에 의해 적어도 일부가 둘러싸인 공간에 도포됨으로써, 차폐 시트(240)와 대면하는 열 전도재(230)의 상면은 평탄하게 될 수 있다. 예를 들어, 도포된 열 전도재(230)의 상면은 차폐 시트(240)와 수평 방향(예를 들어, x축 방향)으로 오버랩될 수 있다. 도포된 열 전도재(230)의 상면은 차폐 시트(240)와 대면하는 격벽 부재(250)의 적어도 일면과 같은 레벨을 형성할 수도 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니다. According to an embodiment, the heat conduction material 230 is applied to a space at least partially surrounded by the memory device 212, the barrier member 250, and the shielding sheet 240, so that the heat facing the shielding sheet 240 An upper surface of the conductive material 230 may be flat. For example, the top surface of the applied thermal conductive material 230 may overlap the shielding sheet 240 in a horizontal direction (eg, an x-axis direction). An upper surface of the applied thermal conductive material 230 may be at the same level as at least one surface of the partition wall member 250 facing the shielding sheet 240 . However, it is not limited thereto.

일 실시 예에 따르면, 열 전도재(230)가 메모리 장치(212), 격벽 부재(250) 및 차폐 시트(240)에 의해 적어도 일부가 둘러싸인 공간에 도포되어 상기 공간을 채움으로써, 열 전도재(230)의 도포량의 편차가 발생하지 않을 수 있다. 예를 들어, 열 전도재(230)와 차폐 시트(240) 사이에 빈 공간(예를 들어, 에어 갭)이 형성되지 않을 수 있다. 따라서, 전자 장치(200)의 열 전달 효율은 향상될 수 있다.According to an embodiment, the heat conducting material 230 is applied to a space at least partially surrounded by the memory device 212, the partition wall member 250, and the shielding sheet 240 to fill the space, so that the heat conducting material ( 230) may not occur. For example, an empty space (eg, an air gap) may not be formed between the heat conducting material 230 and the shielding sheet 240 . Accordingly, heat transfer efficiency of the electronic device 200 may be improved.

일 실시 예에 따르면, 격벽 부재(250)는 메모리 장치(212)와 차폐 시트(240) 사이에서, 메모리 장치(212)의 가장자리의 적어도 일부를 둘러싸도록 배치될 수 있다. 격벽 부재(250)가 메모리 장치(212)의 가장자리의 적어도 일부를 둘러싸도록 배치되는 경우, 열 전도재(230)가 도포되는 공간의 면적은 커질 수 있다. 따라서, 전자 장치(200)의 열 전달 효율은 향상될 수 있다.According to an embodiment, the barrier member 250 may be disposed between the memory device 212 and the shielding sheet 240 to surround at least a portion of an edge of the memory device 212 . When the barrier rib member 250 is disposed to surround at least a portion of an edge of the memory device 212 , the area of the space where the thermal conductive material 230 is applied may be increased. Accordingly, heat transfer efficiency of the electronic device 200 may be improved.

일 실시 예에 따르면, 차폐 시트(240)와 대면하는 격벽 부재(250)의 적어도 일면의 적어도 일부는 차폐 시트(240)의 적어도 일면의 적어도 일부에 접착 부재(290)를 이용하여 부착될 수 있다. 격벽 부재(250)의 적어도 일면의 적어도 일부가 차폐 시트(240)의 적어도 일면의 적어도 일부에 부착됨으로써, 접착 부재(290)는 메모리 장치(212), 격벽 부재(250) 및 차폐 시트(240)에 의해 적어도 일부가 둘러싸인 공간과 그 외 공간 사이를 밀봉할 수 있다. 접착 부재(290)는 격벽 부재(250)와 차폐 시트(240) 사이 공간으로 열 전도재(230)의 적어도 일부가 유출되는 것을 막을 수 있다. 다만, 이에 한정되지 아니한다. 예를 들어, 격벽 부재(250)는 차폐 시트(240)와 일체로 형성될 수도 있다.According to one embodiment, at least a portion of at least one surface of the barrier rib member 250 facing the shielding sheet 240 may be attached to at least a portion of the at least one surface of the shielding sheet 240 using an adhesive member 290. . By attaching at least a portion of at least one surface of the barrier member 250 to at least a portion of the at least one surface of the shielding sheet 240, the adhesive member 290 is the memory device 212, the barrier member 250 and the shielding sheet 240 It is possible to seal between a space at least partially surrounded by and other spaces. The adhesive member 290 may prevent at least a portion of the thermal conductive material 230 from leaking into a space between the partition wall member 250 and the shielding sheet 240 . However, it is not limited to this. For example, the barrier rib member 250 may be integrally formed with the shielding sheet 240 .

일 실시 예에 따르면, 상기 접착 부재(290)는 열 전도재(230)의 오일 성분에 저항력이 높은 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 접착 부재(290)는 방오 계열 물질(antifouling material)을 포함할 수 있다. 다만, 이에 한정되지 아니한다.According to an embodiment, the adhesive member 290 may include a material having high resistance to the oil component of the heat conducting material 230 . For example, the adhesive member 290 may include an antifouling material. However, it is not limited to this.

일 실시 예에 따르면, 상기 접착 부재(290)는 접착 테이프 또는 본드 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 다만, 이에 한정되지 아니한다.According to one embodiment, the adhesive member 290 may include at least one of an adhesive tape or a bond. However, it is not limited to this.

일 실시 예에 따르면, 격벽 부재(250)의 적어도 일면의 적어도 일부는 메모리 장치(212)의 적어도 일면의 적어도 일부에 접착 부재(291)를 이용하여 부착될 수 있다. 격벽 부재(250)의 적어도 일면의 적어도 일부가 반도체 부품(210)의 적어도 일면의 적어도 일부에 부착됨으로써, 접착 부재(291)는 메모리 장치(212), 격벽 부재(250) 및 차폐 시트(240)에 의해 적어도 일부가 둘러싸인 공간과 그 외 공간 사이를 밀봉할 수 있다. 접착 부재는 격벽 부재(250)와 반도체 부품(210) 사이 공간으로 열 전도재(230)의 적어도 일부가 유출되는 것을 막을 수 있다. According to an embodiment, at least a portion of at least one surface of the barrier rib member 250 may be attached to at least a portion of at least one surface of the memory device 212 using an adhesive member 291 . By attaching at least a portion of at least one surface of the barrier member 250 to at least a portion of the semiconductor component 210, the adhesive member 291 forms the memory device 212, the barrier member 250, and the shielding sheet 240. It is possible to seal between a space at least partially surrounded by and other spaces. The adhesive member may prevent at least a portion of the thermal conductive material 230 from leaking into a space between the barrier rib member 250 and the semiconductor component 210 .

일 실시 예에 따르면, 상기 접착 부재(291)는 열 전도재(230)의 오일 성분에 저항력이 높은 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 접착 부재(291)는 방오 계열 물질을 포함할 수 있다. 다만, 이에 한정되지 아니한다.According to an embodiment, the adhesive member 291 may include a material having high resistance to the oil component of the heat conducting material 230 . For example, the adhesive member 291 may include an antifouling-based material. However, it is not limited to this.

일 실시 예에 따르면, 상기 접착 부재(291)는 접착 테이프 또는 본드 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 다만, 이에 한정되지 아니한다.According to one embodiment, the adhesive member 291 may include at least one of an adhesive tape or a bond. However, it is not limited to this.

도 4는 일 실시 예에 따른 격벽 부재(251)를 포함하는 전자 장치(300)를 나타내는 단면도이다.4 is a cross-sectional view illustrating an electronic device 300 including a barrier rib member 251 according to an exemplary embodiment.

도 4의 반도체 부품(210), 쉴드캔(220), 열 전도재(230), 차폐 시트(240) 및 회로기판(260)은 도 2 및 도 3의 반도체 부품(210), 쉴드캔(220), 열 전도재(230), 차폐 시트(240) 및 회로기판(260)에 의해 참조될 수 있다. 도 4의 격벽 부재(251)는 도 2의 격벽 부재(250)에 의해 참조될 수 있다. 전술한 내용과 동일하거나 실질적으로 동일한 구성요소에 대해서는 동일한 참조부호를 사용하였으며, 중복되는 설명은 생략된다.The semiconductor component 210, the shield can 220, the heat conducting material 230, the shielding sheet 240, and the circuit board 260 of FIG. 4 are the semiconductor component 210, the shield can 220 of FIGS. 2 and 3. ), the thermal conductive material 230, the shielding sheet 240, and the circuit board 260 may be referred to. The partition wall member 251 of FIG. 4 may be referred to as the partition wall member 250 of FIG. 2 . The same reference numerals are used for the same or substantially the same components as those described above, and redundant descriptions are omitted.

도 4를 참조하면, 일 실시 예에 따른 격벽 부재(251)는 프로세서(211)와 차폐 시트(240) 사이에 배치될 수 있다. 예를 들어, 격벽 부재(251)는 메모리 장치(212)가 배치된 프로세서(211)의 일면과 차폐 시트(240) 사이에 배치될 수 있다.Referring to FIG. 4 , a partition wall member 251 according to an embodiment may be disposed between the processor 211 and the shielding sheet 240 . For example, the barrier member 251 may be disposed between one surface of the processor 211 on which the memory device 212 is disposed and the shielding sheet 240 .

일 실시 예에 따르면, 열 전도재(230)는 프로세서(211), 격벽 부재(251) 및 차폐 시트(240)에 의해 적어도 일부가 둘러싸인 공간에 배치될 수 있다. 격벽 부재(251)가 프로세서(211)와 차폐 시트(240) 사이에 배치됨으로써 형성되는 열 전도재(230)가 도포되는 공간의 면적은 도 3의 격벽 부재(250)가 메모리 장치(212)와 차폐 시트(240) 사이에 배치됨으로써 형성되는 열 전도재(230)가 도포되는 공간의 면적보다 더 클 수 있다. 따라서, 전자 장치(300)의 열 전달 효율은 향상될 수 있다.According to an embodiment, the thermal conduction material 230 may be disposed in a space at least partially surrounded by the processor 211 , the partition wall member 251 , and the shielding sheet 240 . The area of the space where the thermal conductive material 230 formed by disposing the barrier member 251 between the processor 211 and the shielding sheet 240 is applied is such that the barrier member 250 of FIG. It may be larger than the area of the space where the heat conducting material 230 formed by being disposed between the shielding sheets 240 is applied. Accordingly, heat transfer efficiency of the electronic device 300 may be improved.

일 실시 예에 따르면, 격벽 부재(251)는 메모리 장치(212)의 적어도 일부를 둘러싸도록 배치될 수 있다. 예를 들어, 격벽 부재(251)는 메모리 장치(212)의 외곽의 적어도 일부를 둘러싸도록 배치될 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 격벽 부재(251)의 적어도 일부(예를 들어, 격벽 부재(251)의 벽의 내측면)는 메모리 장치(212)의 외곽과 대면할 수 있다. 격벽 부재(251)의 적어도 일부가 메모리 장치(212)의 외곽과 대면하는 경우, 열 전도재(230)는 메모리 장치(212), 격벽 부재(251) 및 차폐 시트(240)에 의해 적어도 일부가 둘러싸인 공간에 배치될 수 있다.According to an embodiment, the barrier rib member 251 may be disposed to surround at least a portion of the memory device 212 . For example, the barrier rib member 251 may be disposed to surround at least a portion of the periphery of the memory device 212 . According to an embodiment, at least a portion of the partition wall member 251 (eg, an inner surface of a wall of the partition wall member 251 ) may face the outside of the memory device 212 . When at least a portion of the barrier member 251 faces the outside of the memory device 212, at least a portion of the thermal conductive material 230 is formed by the memory device 212, the barrier member 251, and the shielding sheet 240. It can be placed in an enclosed space.

일 실시 예에 따르면, 격벽 부재(251)의 적어도 일면의 적어도 일부는 차폐 시트(240)의 적어도 일면의 적어도 일부에 접착 부재(290)를 이용하여 부착될 수 있다. 격벽 부재(251)의 적어도 일면의 적어도 일부가 차폐 시트(240)의 적어도 일면의 적어도 일부에 부착됨으로써, 접착 부재(290)는 메모리 장치(212), 격벽 부재(251) 및 차폐 시트(240)에 의해 적어도 일부가 둘러싸인 공간과 그 외 공간 사이를 밀봉할 수 있다. 접착 부재(290)는 격벽 부재(251)와 차폐 시트(240) 사이 공간으로 열 전도재(230)가 유출되는 것을 막을 수 있다. 다만, 이에 한정되지 아니한다. 예를 들어, 격벽 부재(251)는 차폐 시트(240)와 일체로 형성될 수도 있다.According to one embodiment, at least a portion of at least one surface of the barrier rib member 251 may be attached to at least a portion of at least one surface of the shielding sheet 240 using an adhesive member 290 . By attaching at least a portion of at least one surface of the barrier member 251 to at least a portion of the at least one surface of the shielding sheet 240, the adhesive member 290 is the memory device 212, the barrier member 251 and the shielding sheet 240 It is possible to seal between a space at least partially surrounded by and other spaces. The adhesive member 290 may prevent the thermal conductive material 230 from leaking into a space between the barrier rib member 251 and the shielding sheet 240 . However, it is not limited to this. For example, the barrier rib member 251 may be integrally formed with the shielding sheet 240 .

일 실시 예에 따르면, 상기 접착 부재(290)는 열 전도재(230)의 오일 성분에 저항력이 높은 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 접착 부재(290)는 방오 계열 물질을 포함할 수 있다. 다만, 이에 한정되지 아니한다. According to an embodiment, the adhesive member 290 may include a material having high resistance to the oil component of the heat conducting material 230 . For example, the adhesive member 290 may include an antifouling-based material. However, it is not limited to this.

일 실시 예에 따르면, 격벽 부재(251)의 적어도 일면의 적어도 일부는 프로세서(211)의 적어도 일면의 적어도 일부에 접착 부재(291)를 이용하여 부착될 수 있다. 격벽 부재(251)의 적어도 일면의 적어도 일부가 반도체 부품(210)의 적어도 일면의 적어도 일부에 부착됨으로써, 접착 부재(291)는 프로세서(211), 격벽 부재(251) 및 차폐 시트(240)에 의해 적어도 일부가 둘러싸인 공간과 그 외의 공간 사이를 밀봉할 수 있다. 접착 부재(291)는 격벽 부재(251)와 반도체 부품(210) 사이 공간으로 열 전도재(230)가 유출되는 것을 막을 수 있다.According to an embodiment, at least a portion of at least one surface of the barrier rib member 251 may be attached to at least a portion of at least one surface of the processor 211 using an adhesive member 291 . Since at least a portion of at least one surface of the barrier member 251 is attached to at least a portion of the at least one surface of the semiconductor component 210, the adhesive member 291 is attached to the processor 211, the barrier member 251, and the shielding sheet 240. It is possible to seal between a space at least partially surrounded by and other spaces. The adhesive member 291 may prevent the thermal conductive material 230 from leaking into a space between the barrier rib member 251 and the semiconductor component 210 .

일 실시 예에 따르면, 상기 접착 부재(291)는 열 전도재(230)의 오일 성분에 저항력이 높은 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 접착 부재(291)는 방오 계열 물질을 포함할 수 있다. 다만, 이에 한정되지 아니한다.According to an embodiment, the adhesive member 291 may include a material having high resistance to the oil component of the heat conducting material 230 . For example, the adhesive member 291 may include an antifouling-based material. However, it is not limited to this.

도 5는 일 실시 예에 따른 격벽 부재(252)를 포함하는 전자 장치(400)를 나타내는 평면도이다.5 is a plan view illustrating an electronic device 400 including a barrier rib member 252 according to an exemplary embodiment.

도 5의 반도체 부품(210), 쉴드캔(220), 열 전도재(230), 차폐 시트(240) 및 회로기판(260)은 도 2 내지 도 4의 반도체 부품(210), 쉴드캔(220), 열 전도재(230), 차폐 시트(240) 및 회로기판(260)에 의해 참조될 수 있다. 도 5의 격벽 부재(252)는 도 2 내지 도 3의 격벽 부재(250) 또는 도 4의 격벽 부재(251)에 의해 참조될 수 있다. 전술한 내용과 동일하거나 실질적으로 동일한 구성요소에 대해서는 동일한 참조부호를 사용하였으며, 중복되는 설명은 생략된다.The semiconductor component 210, the shield can 220, the heat conducting material 230, the shielding sheet 240, and the circuit board 260 of FIG. 5 are the semiconductor component 210, the shield can 220 of FIGS. 2 to 4 ), the thermal conductive material 230, the shielding sheet 240, and the circuit board 260 may be referred to. The partition wall member 252 of FIG. 5 may be referred to as the partition wall member 250 of FIGS. 2 to 3 or the partition wall member 251 of FIG. 4 . The same reference numerals are used for the same or substantially the same components as those described above, and redundant descriptions are omitted.

도 5를 참조하면, 일 실시 예에 따른 전자 장치(400)는 열 전도재(230)가 배치된 공간(예를 들어, 격벽 부재(252), 반도체 부품(210) 및 차폐 시트(240)에 의해 적어도 일부가 둘러싸인 공간) 내부로부터 상기 열 전도재(230)가 배치된 공간 외부로 통하는 적어도 하나의 홀(280)을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 5 , the electronic device 400 according to an exemplary embodiment is provided in a space where a thermal conductive material 230 is disposed (eg, a barrier rib member 252, a semiconductor component 210, and a shielding sheet 240). At least one hole 280 passing from the inside to the outside of the space where the heat conducting material 230 is disposed may be included.

일 실시 예에 따르면, 상기 공간에서 열 전도재(230)의 양이 상기 공간이 수용할 수 있는 양보다 많은 경우(예를 들어, 상기 공간에 배치된 열 전도재(230)의 부피가 상기 공간의 부피보다 큰 경우), 열 전도재(230)의 일부는 적어도 하나의 홀(280)을 통해서 상기 공간의 내부에서 상기 공간의 외부로 토출될 수 있다. 예를 들어, 도 3을 참조하면, 열 전도재(230)가 배치된 영역에 대응되는 차폐 시트(240)의 적어도 일부 영역에 열 전도재(230)가 배치된 방향으로(예를 들어, 도 3의 -z축 방향으로) 압축력이 가해져 열 전도재(230)가 도포될 때, 열 전도재(230)의 일부는 상기 적어도 하나의 홀(280)을 통해 상기 공간의 내부에서 상기 공간의 외부로 토출될 수 있다. 따라서, 상기 공간의 내부에 도포되는 열 전도재의 양은 조절될 수 있다.According to an embodiment, when the amount of the heat conducting material 230 in the space is greater than the amount that the space can accommodate (for example, the volume of the heat conducting material 230 disposed in the space is greater than the volume of), a portion of the thermal conductive material 230 may be discharged from the inside of the space to the outside of the space through at least one hole 280 . For example, referring to FIG. 3 , in a direction in which the thermally conductive material 230 is disposed in at least a partial area of the shielding sheet 240 corresponding to the area in which the thermally conductive material 230 is disposed (eg, FIG. When the thermally conductive material 230 is applied by applying a compressive force (in the -z-axis direction of 3), a portion of the thermally conductive material 230 passes through the at least one hole 280 from the inside of the space to the outside of the space. can be ejected with Accordingly, the amount of the heat conducting material applied to the inside of the space can be adjusted.

일 실시 예에 따르면, 격벽 부재(252)는 개구부(221)와 일정 간격 이격될 수 있다. 예를 들어, 격벽 부재(252)의 적어도 하나의 벽(예를 들어, 제1 벽(252B))은 개구부(221)의 적어도 하나의 일단(예를 들어, 일단(222))과 일정 간격 이격될 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 적어도 하나의 홀(280)은 격벽 부재(252)와 쉴드캔(220)이 일정 간격 이격된 영역을 향하여 개방될 수 있다.According to an embodiment, the barrier rib member 252 may be spaced apart from the opening 221 by a predetermined interval. For example, at least one wall (eg, first wall 252B) of the barrier member 252 is spaced apart from at least one end (eg, one end 222) of the opening 221 by a predetermined distance. It can be. According to an embodiment, at least one hole 280 may be opened toward an area where the barrier member 252 and the shield can 220 are separated by a predetermined interval.

일 실시 예에 따르면, 격벽 부재(252)는 격벽 부재(252)의 적어도 하나의 벽(예를 들어, 제1 벽(252B))에 형성된 적어도 하나의 슬릿(252A)을 포함할 수 있다. 적어도 하나의 홀(280)은 반도체 부품(210), 격벽 부재(252) 및 차폐 시트(240)가 배치됨으로써, 적어도 하나의 슬릿(252A), 반도체 부품(210) 및 차폐 시트(240)에 의해 둘러싸여 형성된 공간일 수 있다. 다만, 이에 한정되지 아니한다. 예를 들어, 상기 적어도 하나의 홀(280)은 격벽 부재(252)의 적어도 하나의 벽(예를 들어, 제1 벽(252B))에 형성된 적어도 하나의 관통홀일 수도 있다.According to an embodiment, the partition wall member 252 may include at least one slit 252A formed in at least one wall (eg, the first wall 252B) of the partition wall member 252 . The at least one hole 280 is formed by disposing the semiconductor component 210, the barrier member 252, and the shielding sheet 240, thereby forming the at least one slit 252A, the semiconductor component 210, and the shielding sheet 240. It may be an enclosed space. However, it is not limited to this. For example, the at least one hole 280 may be at least one through hole formed in at least one wall (eg, the first wall 252B) of the partition wall member 252 .

일 실시 예에 따르면, 적어도 하나의 슬릿(252A)(일 실시 예에 따른 적어도 하나의 홀(280)이 격벽 부재(252)의 적어도 하나의 벽에 형성된 관통홀인 경우에는 관통홀로 정의될 수 있음.)은 개구부(221)를 통해서 반도체 부품(210)을 바라보았을 때 개구부(221)의 적어도 하나의 일단(222)과 일정 간격 이격된 격벽 부재(252)의 적어도 하나의 벽(252B)에 형성될 수 있다.According to one embodiment, the at least one slit 252A (if the at least one hole 280 according to one embodiment is a through hole formed in at least one wall of the partition wall member 252, it can be defined as a through hole. ) is formed on at least one wall 252B of the partition wall member 252 spaced apart from at least one end 222 of the opening 221 by a predetermined distance when the semiconductor component 210 is viewed through the opening 221. can

일 실시 예에 따르면, 적어도 하나의 슬릿(252A)(일 실시 예에 따른 적어도 하나의 홀(280)이 격벽 부재(252)의 적어도 하나의 벽에 형성된 관통홀인 경우에는 관통홀로 정의될 수 있음.)은 개구부(221)를 통해서 반도체 부품(210)을 바라보았을 때, 개구부(221)의 일단으로부터 더 먼 거리만큼 떨어진 위치에 배치된 격벽 부재(252)의 일 벽에 형성될 수 있다. 예를 들어, 도 5를 참조하면, 격벽 부재(252)는 개구부(221)를 통해서 반도체 부품(210)을 바라보았을 때, 개구부(221)의 일단(222)으로부터 제1 거리(D1)만큼 떨어진 위치에 배치된 제1 벽(252B), 및 개구부(221)의 타단(223)으로부터 제1 거리(D1)보다 더 가까운 제2 거리(D2)만큼 떨어진 위치에 배치된 제2 벽(252C)을 포함할 수 있다. 이 경우, 적어도 하나의 슬릿(252B)은 제1 벽(252B)에 형성될 수 있다.According to one embodiment, the at least one slit 252A (if the at least one hole 280 according to one embodiment is a through hole formed in at least one wall of the partition wall member 252, it can be defined as a through hole. ) may be formed on one wall of the barrier member 252 disposed at a position farther away from one end of the opening 221 when the semiconductor component 210 is viewed through the opening 221 . For example, referring to FIG. 5 , when viewing the semiconductor component 210 through the opening 221, the barrier rib member 252 is separated from one end 222 of the opening 221 by a first distance D1. The first wall 252B disposed at the position and the second wall 252C disposed at a position separated by a second distance D2 closer than the first distance D1 from the other end 223 of the opening 221 can include In this case, at least one slit 252B may be formed in the first wall 252B.

도 6은 일 실시 예에 따른 격벽 부재(253)를 포함하는 전자 장치(500)를 나타내는 평면도이다.6 is a plan view illustrating an electronic device 500 including a barrier rib member 253 according to an exemplary embodiment.

도 6의 반도체 부품(210), 쉴드캔(220), 열 전도재(230), 차폐 시트(240) 및 회로기판(260)은 도 2 내지 도 4의 반도체 부품(210), 쉴드캔(220), 열 전도재(230), 차폐 시트(240) 및 회로기판(260)에 의해 참조될 수 있다. 도 6의 격벽 부재(253)는 도 2 내지 도 3의 격벽 부재(250), 도 4의 격벽 부재(251) 또는 도 5의 격벽 부재(252)에 의해 참조될 수 있다. 전술한 내용과 동일하거나 실질적으로 동일한 구성요소에 대해서는 동일한 참조부호를 사용하였으며, 중복되는 설명은 생략된다.The semiconductor component 210, the shield can 220, the thermal conductive material 230, the shielding sheet 240, and the circuit board 260 of FIG. 6 are the semiconductor component 210, the shield can 220 of FIGS. 2 to 4. ), the thermal conductive material 230, the shielding sheet 240, and the circuit board 260 may be referred to. The partition wall member 253 of FIG. 6 may be referred to as the partition wall member 250 of FIGS. 2 to 3 , the partition wall member 251 of FIG. 4 , or the partition wall member 252 of FIG. 5 . The same reference numerals are used for the same or substantially the same components as those described above, and redundant descriptions are omitted.

도 6을 참조하면, 일 실시 예에 따른 격벽 부재(253)는 제1 벽(253B) 및 제1 벽(253B)과 마주보는 제2 벽(253C)을 포함할 수 있다. 제1 벽(253B)과 제2 벽(253C)은 적어도 하나의 슬릿을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 벽(253B)은 제1 방향(예를 들어, +y축 방향)으로 개방된 제1 슬릿(253A)을 포함할 수 있다. 제2 벽(253C)은 제1 방향과 반대 방향인 제2 방향(예를 들어, -y축 방향)으로 개방된 제2 슬릿(253D)을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 6 , the partition wall member 253 according to an embodiment may include a first wall 253B and a second wall 253C facing the first wall 253B. The first wall 253B and the second wall 253C may include at least one slit. For example, the first wall 253B may include a first slit 253A opened in a first direction (eg, a +y-axis direction). The second wall 253C may include a second slit 253D opened in a second direction opposite to the first direction (eg, -y axis direction).

일 실시 예에 따르면, 제1 벽(253B)의 형상은 제2 벽(253C)의 형상과 열 전도재(230)가 배치된 공간을 기준으로 대칭일 수 있다. 제1 벽(253B)에 형성된 제1 슬릿(253A)은 제2 벽(253C)에 형성된 제2 슬릿(253D)과 대칭일 수 있다. 예를 들어, 제1 슬릿(253A)의 폭의 길이는 제2 슬릿(253D)의 폭의 길이와 동일할 수 있다. 다른 예에서는, 제1 슬릿(253A)이 형성된 위치는 열 전도재(230)가 배치된 공간을 기준으로 제2 슬릿(253D)이 형성된 위치와 대칭일 수 있다.According to an embodiment, the shape of the first wall 253B may be symmetrical with respect to the shape of the second wall 253C and the space in which the heat conducting material 230 is disposed. The first slit 253A formed in the first wall 253B may be symmetrical with the second slit 253D formed in the second wall 253C. For example, the width of the first slit 253A may be the same as that of the second slit 253D. In another example, the position where the first slit 253A is formed may be symmetrical with the position where the second slit 253D is formed based on the space where the heat conducting material 230 is disposed.

일 실시 예에 따르면, 적어도 하나의 슬릿(예를 들어, 제1 슬릿(253A))은 적어도 하나의 벽(예를 들어, 제1 벽(253B))의 길이 방향(예를 들어, x축 방향)의 중심에 형성될 수 있다. 예를 들어, 격벽 부재(253)는 적어도 하나의 슬릿(253A)으로부터 적어도 하나의 벽(253B)의 일단까지 제1 길이(D3), 및 적어도 하나의 슬릿(253A)으로부터 적어도 하나의 벽(253B)의 타단까지 제2 길이(D4)를 가질 수 있다. 제1 길이(D3)는 제2 길이(D4)와 동일할 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니다.According to an embodiment, the at least one slit (eg, the first slit 253A) is disposed in a longitudinal direction (eg, an x-axis direction) of the at least one wall (eg, the first wall 253B). ) can be formed at the center of For example, the barrier member 253 has a first length D3 from the at least one slit 253A to one end of the at least one wall 253B, and from the at least one slit 253A to the at least one wall 253B. ) may have a second length D4 to the other end. The first length D3 may be equal to the second length D4. However, it is not limited thereto.

도 7은 수용부(255)를 포함하는 전자 장치(600)를 나타내는 평면도이다.7 is a plan view illustrating the electronic device 600 including the accommodating part 255 .

도 7의 반도체 부품(210), 쉴드캔(220), 열 전도재(230), 차폐 시트(240) 및 회로기판(260)은 도 2 내지 도 4의 반도체 부품(210), 쉴드캔(220), 열 전도재(230), 차폐 시트(240) 및 회로기판(260)에 의해 참조될 수 있다. 도 7의 격벽 부재(254)는 도 2 내지 도 3의 격벽 부재(250) 또는 도 4의 격벽 부재(251)에 의해 참조될 수 있다. 전술한 내용과 동일하거나 실질적으로 동일한 구성요소에 대해서는 동일한 참조부호를 사용하였으며, 중복되는 설명은 생략된다.The semiconductor component 210, the shield can 220, the heat conducting material 230, the shielding sheet 240, and the circuit board 260 of FIG. 7 are the semiconductor component 210, the shield can 220 of FIGS. 2 to 4. ), the thermal conductive material 230, the shielding sheet 240, and the circuit board 260 may be referred to. The partition wall member 254 of FIG. 7 may be referred to as the partition wall member 250 of FIGS. 2 to 3 or the partition wall member 251 of FIG. 4 . The same reference numerals are used for the same or substantially the same components as those described above, and redundant descriptions are omitted.

도 7을 참조하면, 일 실시 예에 따른 전자 장치(600)는 열 전도재(230)의 일부를 수용하는 적어도 하나의 수용부(255)를 더 포함할 수 있다. 적어도 하나의 수용부(255)는 반도체 부품(210), 격벽 부재(254) 및 차폐 시트(240)에 의해 적어도 일부가 둘러싸인 공간 외의 영역(예를 들어, 제1 영역(R1))에 배치될 수 있다. 적어도 하나의 수용부(255)는 반도체 부품(210), 격벽 부재(254) 및 차폐 시트(240)에 의해 적어도 일부가 둘러싸인 공간과 연결될 수 있다. 예를 들어, 적어도 하나의 수용부(255)는 적어도 하나의 홀(281)(도 5의 적어도 하나의 홀(280)에 의해 참조될 수 있음.)을 통해서 상기 공간과 연결될 수 있다.Referring to FIG. 7 , the electronic device 600 according to an exemplary embodiment may further include at least one accommodating portion 255 accommodating a portion of the thermal conductive material 230 . At least one accommodating portion 255 may be disposed in a region (eg, the first region R1) outside of a space at least partially surrounded by the semiconductor component 210, the partition wall member 254, and the shielding sheet 240. can At least one accommodating part 255 may be connected to a space at least partially surrounded by the semiconductor component 210 , the barrier member 254 , and the shielding sheet 240 . For example, at least one accommodating part 255 may be connected to the space through at least one hole 281 (which may be referred to as at least one hole 280 in FIG. 5 ).

일 실시 예에 따르면, 적어도 하나의 수용부(255)는 반도체 부품(210), 격벽 부재(254) 및 차폐 시트(240)에 의해 적어도 일부가 둘러싸인 공간에 배치되는 열 전도재(230)의 일부를 수용할 수 있다. 예를 들어, 반도체 부품(210), 격벽 부재(254) 및 차폐 시트(240)에 의해 적어도 일부가 둘러싸인 공간에서 열 전도재(230)의 양이 상기 공간이 수용할 수 있는 양보다 많은 경우(예를 들어, 상기 공간에 배치된 열 전도재(230)의 부피가 상기 공간의 부피보다 큰 경우), 열 전도재(230)의 일부는 적어도 하나의 수용부(255)에 배치될 수 있다. According to an embodiment, at least one accommodating portion 255 is a portion of the thermal conductive material 230 disposed in a space at least partially surrounded by the semiconductor component 210, the partition wall member 254, and the shielding sheet 240. can accommodate For example, when the amount of the thermal conductive material 230 in a space at least partially surrounded by the semiconductor component 210, the partition wall member 254, and the shielding sheet 240 is greater than the amount that the space can accommodate ( For example, when the volume of the thermally conductive material 230 disposed in the space is greater than the volume of the space), a portion of the thermally conductive material 230 may be disposed in the at least one accommodating part 255 .

일 실시 예에 따르면, 열 전도재(230)의 적어도 일부는 적어도 하나의 홀(281)을 통해서 상기 공간의 내부에서 적어도 하나의 수용부(255)로 토출될 수 있다. 예를 들어, 도 3을 참조하면, 열 전도재(230)가 배치된 영역에 대응되는 차폐 시트(240)의 적어도 일부 영역에 열 전도재(230)가 배치된 방향으로(예를 들어, 도 3의 -z축 방향으로) 압축력이 가해져 열 전도재(230)가 도포될 때, 열 전도재(230)의 일부는 상기 적어도 하나의 홀(281)을 통해 상기 공간의 내부에서 적어도 하나의 수용부(255)로 토출될 수 있다. 따라서, 상기 공간의 내부에 도포되는 열 전도재(230)의 양은 조절될 수 있다.According to an embodiment, at least a portion of the thermal conductive material 230 may be discharged from the inside of the space to the at least one accommodating part 255 through the at least one hole 281 . For example, referring to FIG. 3 , in a direction in which the thermally conductive material 230 is disposed in at least a partial area of the shielding sheet 240 corresponding to the area in which the thermally conductive material 230 is disposed (eg, FIG. When the thermally conductive material 230 is applied by applying a compressive force (in the -z-axis direction of 3), a portion of the thermally conductive material 230 receives at least one inside of the space through the at least one hole 281 It can be discharged to the part 255. Accordingly, the amount of the heat conducting material 230 applied to the inside of the space may be adjusted.

일 실시 예에 따르면, 반도체 부품(210), 격벽 부재(254) 및 차폐 시트(240)에 의해 적어도 일부가 둘러싸인 공간 외의 영역은 제1 영역(R1)과 제2 영역(R2)을 포함할 수 있다. 제1 영역(R1)은 격벽 부재(254)로부터 개구부(221)의 일단까지 제1 거리(D5)를 가질 수 있다. 제2 영역(R2)은 격벽 부재(254)로부터 개구부(221)의 타단까지 제2 거리(D6)를 가질 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 제1 거리(D5)는 제2 거리(D6)보다 더 짧을 수 있다.According to an embodiment, an area other than the space at least partially surrounded by the semiconductor component 210, the barrier rib member 254, and the shielding sheet 240 may include the first area R1 and the second area R2. there is. The first region R1 may have a first distance D5 from the barrier rib member 254 to one end of the opening 221 . The second region R2 may have a second distance D6 from the barrier rib member 254 to the other end of the opening 221 . According to an embodiment, the first distance D5 may be shorter than the second distance D6.

일 실시 예에 따르면, 적어도 하나의 수용부(255)는 격벽 부재(254)로부터 개구부(221)의 일단까지의 거리가 더 먼 영역에 배치될 수 있다. 예를 들어, 적어도 하나의 수용부(255)는 제1 거리(D5)를 가지는 제1 영역(R1)에 배치될 수 있다.According to an embodiment, the at least one accommodating part 255 may be disposed in a region where a distance from the barrier member 254 to one end of the opening 221 is greater. For example, at least one accommodating part 255 may be disposed in a first area R1 having a first distance D5.

일 실시 예에 따르면, 전자 장치(600)는 반도체 부품(210), 격벽 부재(254) 및 차폐 시트(240)에 의해 적어도 일부가 둘러싸인 공간으로부터 제1 방향(예를 들어, +y축 방향)으로 배치된 제1 수용부(255)를 포함할 수 있다. 도 7에 도시되지는 않았으나, 전자 장치(600)는 상기 공간으로부터 제1 방향과 반대 방향인 제2 방향(예를 들어, -y축 방향)으로 배치된 제2 수용부(미도시)를 포함할 수 있다. According to an embodiment, the electronic device 600 extends from a space at least partially surrounded by the semiconductor component 210, the barrier rib member 254, and the shielding sheet 240 in a first direction (eg, +y-axis direction). It may include a first accommodating portion 255 disposed as . Although not shown in FIG. 7 , the electronic device 600 includes a second accommodating part (not shown) disposed in a second direction (eg, -y axis direction) opposite to the first direction from the space. can do.

일 실시 예에 따르면, 제1 수용부(255)는 상기 제2 수용부와 대칭일 수 있다. 예를 들어, 제1 수용부(255)의 형상은 상기 제2 수용부의 형상과 동일할 수 있다. 다만, 이에 한정되지 아니한다. 예를 들어, 제1 수용부(255)가 배치된 위치는 반도체 부품(210), 격벽 부재(254) 및 차폐 시트(240)에 의해 적어도 일부가 둘러싸인 공간을 기준으로 상기 제2 수용부가 배치된 위치와 대칭일 수 있다.According to one embodiment, the first accommodating part 255 may be symmetrical with the second accommodating part. For example, the shape of the first accommodating part 255 may be the same as that of the second accommodating part. However, it is not limited to this. For example, the location where the first accommodating portion 255 is disposed is based on a space at least partially surrounded by the semiconductor component 210, the barrier rib member 254, and the shielding sheet 240, where the second accommodating portion is disposed. position and may be symmetrical.

도 7에서, 적어도 하나의 수용부(255)는 개구부(221)를 통해서 바라본 방향에서 사각형의 형상으로 도시되었지만, 적어도 하나의 수용부(255)의 형상이 이에 제한되는 것은 아니다. 예를 들어, 적어도 하나의 수용부(255)는 개구부(221)를 통해서 바라본 방향에서 다각형 또는 원형의 형상일 수도 있다. In FIG. 7 , the at least one accommodating part 255 is illustrated as having a rectangular shape in a direction viewed through the opening 221, but the shape of the at least one accommodating part 255 is not limited thereto. For example, the at least one accommodating part 255 may have a polygonal or circular shape in a direction viewed through the opening 221 .

일 실시 예에 따르면, 적어도 하나의 수용부(255)는 열 전도재(230)의 일부를 수용할 수 있는 하우징 또는 그루브의 형상일 수 있다. 예를 들어, 적어도 하나의 수용부(255)는 전면, 상기 전면과 일정 간격 이격된 후면, 및 상기 전면과 후면 사이 공간을 둘러싸는 측면을 포함할 수 있다. 다른 예에서는, 적어도 하나의 수용부(255)는 상기 전면은 생략되고, 상기 후면과 측면만을 포함할 수도 있다. 일 실시 예에 따르면, 적어도 하나의 수용부(255)는 격벽 부재(254)로부터 연장된 추가 격벽 부재, 반도체 부품(210) 및 차폐 시트(240)에 의해 둘러싸인 공간으로 형성될 수도 있다.According to an embodiment, the at least one accommodating part 255 may have a shape of a housing or a groove capable of accommodating a part of the heat conducting material 230 . For example, the at least one accommodating part 255 may include a front surface, a rear surface spaced apart from the front surface by a predetermined distance, and a side surface surrounding the space between the front surface and the rear surface. In another example, the at least one accommodating part 255 may include only the rear surface and the side surface, while omitting the front surface. According to an embodiment, the at least one accommodating portion 255 may be formed as a space surrounded by an additional barrier rib member extending from the barrier rib member 254 , the semiconductor component 210 , and the shielding sheet 240 .

도 8은 일 실시 예에 따른 격벽 부재(256)를 포함하는 전자 장치(700)를 나타내는 평면도이다.8 is a plan view illustrating an electronic device 700 including a barrier rib member 256 according to an exemplary embodiment.

도 8의 반도체 부품(210), 쉴드캔(220), 열 전도재(230), 차폐 시트(240) 및 회로기판(260)은 도 2 내지 도 8의 반도체 부품(210), 쉴드캔(220), 열 전도재(230), 차폐 시트(240) 및 회로기판(260)에 의해 참조될 수 있다. 도 8의 격벽 부재(256)는 도 2 내지 도 3의 격벽 부재(250), 도 4의 격벽 부재(251), 도 5의 격벽 부재(252), 도 6의 격벽 부재(253) 또는 도 7의 격벽 부재(254)에 의해 참조될 수 있다. 전술한 내용과 동일하거나 실질적으로 동일한 구성요소에 대해서는 동일한 참조부호를 사용하였으며, 중복되는 설명은 생략된다.The semiconductor component 210, the shield can 220, the heat conducting material 230, the shielding sheet 240, and the circuit board 260 of FIG. 8 are the semiconductor component 210, the shield can 220 of FIGS. 2 to 8. ), the thermal conductive material 230, the shielding sheet 240, and the circuit board 260 may be referred to. The partition wall member 256 of FIG. 8 is the partition wall member 250 of FIGS. 2 to 3, the partition wall member 251 of FIG. 4, the partition wall member 252 of FIG. 5, the partition wall member 253 of FIG. 6, or the partition wall member 253 of FIG. can be referenced by the partition wall member 254 of The same reference numerals are used for the same or substantially the same components as those described above, and redundant descriptions are omitted.

일 실시 예에 따른 격벽 부재(256)는 차폐 시트(240)와 쉴드캔(220) 사이의 부착력이 약한 영역과 인접하게 배치될 수 있다. 예를 들어, 도 8을 참조하면, 격벽 부재(256)는 쉴드캔(220)에 부착된 차폐 시트(240)의 면적이 작은 영역과 인접하게 배치될 수 있다. 다른 예에서는, 격벽 부재(256)는 개구부(221)의 일단과의 거리가 가까운 영역에 배치될 수 있다.일 실시 예에 따르면, 격벽 부재(256)는 반도체 부품(210)의 일 면에 배치될 수 있다. 예를 들어, 격벽 부재(256)는 반도체 부품(210)과 쉴드캔(220)(또는, 개구부(221)의 일단) 사이의 거리가 가까운 일 영역에 배치될 수 있다. 어떤 실시 예에서는, 격벽 부재(256)는 쉴드캔(220)(또는, 개구부(221)의 일단)과 접할 수도 있다.The barrier rib member 256 according to an embodiment may be disposed adjacent to a region in which adhesion between the shield sheet 240 and the shield can 220 is weak. For example, referring to FIG. 8 , the barrier member 256 may be disposed adjacent to a small area of the shield sheet 240 attached to the shield can 220 . In another example, the barrier member 256 may be disposed in a region close to one end of the opening 221. According to an embodiment, the barrier member 256 is disposed on one side of the semiconductor component 210. It can be. For example, the barrier rib member 256 may be disposed in an area where a distance between the semiconductor component 210 and the shield can 220 (or one end of the opening 221) is short. In some embodiments, the barrier member 256 may contact the shield can 220 (or one end of the opening 221).

일 실시 예에 따르면, 격벽 부재(256)가 배치되는 영역은 변할 수 있다. 예를 들어, 격벽 부재(256)가 배치된 위치 또는 배치된 면적은 변할 수 있다. 예를 들어, 도 8의 격벽 부재(256)는 반도체 부품(210)의 일면과 양 측면의 적어도 일부를 감싸는 형상으로 도시되었으나, 격벽 부재(256)의 형상은 도 8에 한정되지 아니한다. 예를 들어, 격벽 부재(256)는 반도체 부품(210)의 상기 일면의 적어도 일부만을 차폐하는 형상을 포함할 수 있다. 다른 예에서는, 격벽 부재(256)는 반도체 부품(210)의 상기 일면과 일 측면의 적어도 일부를 감싸는 형상을 포함할 수도 있다.According to one embodiment, the area where the barrier rib member 256 is disposed may vary. For example, the location where the barrier rib member 256 is disposed or the area where the partition wall member 256 is disposed may vary. For example, the barrier rib member 256 of FIG. 8 is shown in a shape surrounding at least a portion of one surface and both side surfaces of the semiconductor component 210, but the shape of the barrier rib member 256 is not limited to that of FIG. 8 . For example, the barrier rib member 256 may have a shape that shields at least a portion of the one surface of the semiconductor component 210 . In another example, the barrier rib member 256 may include a shape surrounding the one surface of the semiconductor component 210 and at least a portion of the one side surface.

일 실시 예에 따르면, 격벽 부재(256)의 배치되는 영역의 위치 또는 면적을 조절(regulate)함으로써, 도포되는 열 전도재(230)의 양을 조절하거나, 열 전도재(230)가 도포되는 영역의 위치 또는 면적을 조절할 수 있다.According to an embodiment, the amount of the thermally conductive material 230 applied may be adjusted by regulating the position or area of the area where the barrier rib member 256 is disposed, or the area where the thermally conductive material 230 is applied The position or area of the can be adjusted.

도 9는 일 실시 예에 따른 반도체 부품을 포함하는 전자 장치의 제조 방법에 관한 순서도이다.9 is a flowchart illustrating a method of manufacturing an electronic device including a semiconductor component according to an exemplary embodiment.

도 9의 반도체 부품, 쉴드캔, 열 전도재, 차폐 시트 및 회로기판은 도 2 내지 도 8의 반도체 부품(210), 쉴드캔(220), 열 전도재(230), 차폐 시트(240) 및 회로기판(260)에 의해 참조될 수 있다. 도 9의 격벽 부재는 도 2 내지 도 3의 격벽 부재(250), 도 4의 격벽 부재(251), 도 5의 격벽 부재(252), 도 6의 격벽 부재(253), 도 7의 격벽 부재(254) 또는 도 8의 격벽 부재(256)에 의해 참조될 수 있다. 전술한 내용과 동일하거나 실질적으로 동일한 구성요소에 대해서는 동일한 참조부호를 사용하였으며, 중복되는 설명은 생략된다.The semiconductor component, shield can, heat conducting material, shielding sheet and circuit board of FIG. 9 are the semiconductor component 210, shield can 220, heat conducting material 230, shielding sheet 240 and It may be referenced by circuit board 260 . The partition wall member of FIG. 9 includes the partition wall member 250 of FIGS. 2 to 3, the partition wall member 251 of FIG. 4, the partition wall member 252 of FIG. 5, the partition wall member 253 of FIG. 6, and the partition wall member of FIG. 254 or partition member 256 of FIG. 8 . The same reference numerals are used for the same or substantially the same components as those described above, and redundant descriptions are omitted.

도 9를 참조하면, 일 실시 예에 따른 전자 장치의 제조 방법은 반도체 부품 및 쉴드캔을 배치하는 공정(801), 열 전도재를 배치하는 공정(803), 격벽 부재 및 차폐 시트를 배치하는 공정(805), 및 열 전도재를 도포하는 공정(807)을 포함할 수 있다. 다만, 전자 장치의 제조 방법이 이에 한정되지 아니한다. 예를 들어, 전자 장치의 제조 방법은 상술한 공정 중 적어도 하나의 공정을 생략하거나, 적어도 하나의 다른 공정을 더 포함할 수도 있다. 예를 들어, 전자 장치의 제조 방법은 열 전도재를 도포하는 공정(807)에서 열 전도재의 일부가 토출되는 공정(미도시)을 더 포함할 수 있다.Referring to FIG. 9 , a method of manufacturing an electronic device according to an exemplary embodiment includes a process of disposing a semiconductor component and a shield can (801), a process of disposing a heat conducting material (803), and a process of disposing a partition wall member and a shielding sheet. (805), and a step (807) of applying a heat conductive material. However, the manufacturing method of the electronic device is not limited thereto. For example, the manufacturing method of the electronic device may omit at least one of the above-described processes or may further include at least one other process. For example, the manufacturing method of the electronic device may further include a process (not shown) of discharging a part of the heat conductive material in the process of applying the heat conductive material (807).

일 실시 예에 따르면, 공정 801에서, 반도체 부품은 회로기판(도 1의 회로기판(260))에 배치될 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 개구부를 포함하는 쉴드캔은 회로기판(260)에 배치될 수 있다. 쉴드캔은 반도체 부품의 적어도 일부를 둘러싸도록 배치될 수 있다. 개구부를 통해서 반도체 부품을 바라본 방향에서, 반도체 부품의 적어도 일부는 보일 수 있다.According to an embodiment, in process 801, the semiconductor component may be disposed on a circuit board (circuit board 260 of FIG. 1). According to one embodiment, the shield can including the opening may be disposed on the circuit board 260 . The shield can may be disposed to surround at least a portion of the semiconductor component. In a direction in which the semiconductor component is viewed through the opening, at least a portion of the semiconductor component may be visible.

일 실시 예에 따르면, 공정 803에서, 열 전도재는 반도체 부품의 적어도 일부에 배치될 수 있다. 예를 들어, 열 전도재는 개구부를 통해서 반도체 부품을 바라본 방향에서 보이는 반도체 부품의 적어도 일부에 배치될 수 있다.According to an embodiment, in step 803, a heat conducting material may be disposed on at least a portion of the semiconductor component. For example, the heat conduction material may be disposed on at least a portion of the semiconductor component viewed from a direction in which the semiconductor component is viewed through the opening.

일 실시 예에 따르면, 공정 805에서, 격벽 부재는 반도체 부품에 배치될 수 있다. 격벽 부재의 적어도 일부는 반도체 부품의 적어도 일부와 대면할 수 있다. 격벽 부재는 개구부를 통해서 반도체 부품을 바라본 방향에서 열 전도재가 배치된 반도체 부품의 적어도 일부를 포함하는 반도체 부품이 배치된 영역의 적어도 일부를 반도체 부품이 배치되지 않은 영역과 적어도 일부를 차단하도록 배치될 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 차폐 시트는 개구부를 덮을 수 있다. 차폐 시트는 개구부를 덮음으로써 반도체 부품으로부터 발생되는 전자파(또는 노이즈)를 차단할 수 있다.According to an embodiment, in operation 805, a barrier rib member may be disposed on the semiconductor component. At least a portion of the barrier rib member may face at least a portion of the semiconductor component. The barrier rib member may be disposed to block at least a portion of an area where the semiconductor component is disposed, including at least a portion of the semiconductor component on which the thermal conduction material is disposed, from a region where the semiconductor component is not disposed, in a direction in which the semiconductor component is viewed through the opening. can According to one embodiment, the shielding sheet may cover the opening. The shielding sheet may block electromagnetic waves (or noise) generated from semiconductor components by covering the opening.

일 실시 예에 따르면, 공정 805에서, 격벽 부재 및 차폐 시트가 배치됨으로써, 반도체 부품, 격벽 부재 및 차폐 시트로 적어도 일부가 둘러싸인 공간이 형성될 수 있다. 열 전도재는 상기 공간 내부에 배치될 수 있다.According to an embodiment, in operation 805, by disposing the barrier rib member and the shielding sheet, a space at least partially surrounded by the semiconductor component, the barrier member, and the shielding sheet may be formed. A heat conduction material may be disposed inside the space.

일 실시 예에 따르면, 공정 805에서, 격벽 부재와 차폐 시트는 격벽 부재가 차폐 시트에 부착된 상태에서 배치될 수 있다. 예를 들어, 격벽 부재의 적어도 일면의 적어도 일부는 차폐 시트에 접착 부재를 이용하여 부착될 수 있다. 다른 예에서는, 격벽 부재는 차폐 시트와 일체로 형성될 수도 있다. 격벽 부재와 차폐 시트는 격벽 부재가 차폐 시트에 부착된 상태에서 배치됨으로써, 전자 장치의 제조 방법의 생산성이 향상될 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니다. 다른 실시 예에 따르면, 공정 805에서, 격벽 부재가 반도체 부품의 적어도 일면의 적어도 일부에 부착된 상태에서, 차폐 시트가 배치될 수도 있다.According to an embodiment, in step 805, the barrier member and the shielding sheet may be disposed while the barrier member is attached to the shielding sheet. For example, at least a portion of at least one surface of the barrier rib member may be attached to the shielding sheet using an adhesive member. In another example, the barrier rib member may be integrally formed with the shielding sheet. By disposing the barrier member and the shielding sheet in a state where the barrier member is attached to the shielding sheet, the productivity of the manufacturing method of the electronic device can be improved. However, it is not limited thereto. According to another embodiment, in step 805, a shielding sheet may be disposed while the barrier member is attached to at least a portion of at least one surface of the semiconductor component.

일 실시 예에 따르면, 공정 807에서, 열 전도재가 배치된 영역에 대응되는 차폐 시트의 적어도 일부를 누름으로써, 열 전도재는 반도체 부품, 격벽 부재 및 차폐 시트에 의해 적어도 일부가 둘러싸인 공간에 도포될 수 있다. 열 전도재는 도포됨으로써 상기 공간을 채울 수 있다.According to an embodiment, in step 807, by pressing at least a portion of the shielding sheet corresponding to the region where the thermally conductive material is disposed, the thermally conductive material may be applied to a space at least partially surrounded by the semiconductor component, the partition wall member, and the shielding sheet. there is. A heat conducting material may be applied to fill the space.

일 실시 예에 따르면, 전자 장치는 반도체 부품, 격벽 부재 및 차폐 시트에 의해 적어도 일부가 둘러싸인 공간의 내부에서 상기 공간의 외부로 통하는 적어도 하나의 홀을 포함할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 공정 807은 열 전도재의 일부가 적어도 하나의 홀을 통해서 상기 공간의 내부로부터 상기 공간의 외부로 토출되는 공정을 더 포함할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 상기 열 전도재의 일부가 토출되는 공정에서, 상기 공간에 도포된 열 전도재 양이 상기 공간이 수용할 수 있는 양보다 많은 경우, 열 전도재가 배치된 영역에 대응되는 상기 차폐 시트의 적어도 일부가 눌러져 열 전도재가 도포될 때, 열 전도재의 일부는 적어도 하나의 홀을 통해서 상기 공간의 내부로부터 상기 공간의 외부로 토출될 수 있다. 따라서, 상기 공간의 내부에 도포되는 열 전도재의 양은 조절될 수 있다.According to an embodiment, the electronic device may include at least one hole passing from the inside of a space at least partially surrounded by the semiconductor component, the partition wall member, and the shielding sheet to the outside of the space. According to an embodiment, process 807 may further include a process of discharging a portion of the heat conducting material from the inside of the space to the outside of the space through at least one hole. According to an embodiment, in the process of discharging a portion of the heat conductive material, when the amount of the heat conductive material applied to the space is greater than the amount that the space can accommodate, the shield corresponding to the area where the heat conductive material is disposed. When at least a portion of the sheet is pressed to apply the heat conductive material, a portion of the heat conductive material may be discharged from the inside of the space to the outside of the space through at least one hole. Accordingly, the amount of the heat conducting material applied to the inside of the space can be adjusted.

상술한 바와 같이, 일 실시 예에 따른 전자 장치는, 회로기판, 상기 회로기판에 배치되고 개구부를 포함하는 쉴드캔, 상기 회로기판 및 상기 쉴드캔에 의해 적어도 일부가 둘러싸인 공간에 배치되는 반도체 부품, 상기 개구부를 덮도록 배치되며, 상기 반도체 부품으로부터 발생하는 전자파를 적어도 일부 차단하는 차단 물질을 포함하는 차폐 시트, 상기 반도체 부품과 상기 차폐 시트 사이에 배치되고, 상기 개구부를 통해서 상기 반도체 부품을 바라본 방향에서 상기 반도체 부품이 배치된 영역의 적어도 일부를 상기 반도체 부품이 배치되지 않은 영역과 적어도 일부를 차단하는 격벽 부재, 및 상기 반도체 부품, 상기 격벽 부재 및 상기 차폐 시트에 의해 적어도 일부가 둘러싸인 공간에 배치되는 열 전도재를 포함할 수 있다.As described above, an electronic device according to an embodiment includes a circuit board, a shield can disposed on the circuit board and including an opening, a semiconductor component disposed in a space at least partially surrounded by the circuit board and the shield can, A shielding sheet disposed to cover the opening and including a blocking material that blocks at least a portion of electromagnetic waves generated from the semiconductor component, disposed between the semiconductor component and the shielding sheet, and viewing the semiconductor component through the opening In a space where at least a portion of the region where the semiconductor component is disposed is surrounded by a barrier member blocking at least a portion of the region where the semiconductor component is not disposed, and the semiconductor component, the barrier member, and the shielding sheet. A heat conducting material may be included.

일 실시 예에 따르면, 상기 반도체 부품은 상기 회로기판에 배치되는 프로세서, 및 상기 프로세서와 상기 차폐 시트 사이에 배치되는 메모리 장치를 포함하고, 상기 격벽 부재는 상기 메모리 장치와 상기 차폐 시트 사이에 배치되며, 상기 열 전도재는 상기 메모리 장치, 상기 격벽 부재 및 상기 차폐 시트에 의해 적어도 일부가 둘러싸인 공간에 배치될 수 있다.According to an embodiment, the semiconductor component includes a processor disposed on the circuit board, and a memory device disposed between the processor and the shielding sheet, and the barrier member is disposed between the memory device and the shielding sheet. , The heat conduction material may be disposed in a space at least partially surrounded by the memory device, the barrier rib member, and the shielding sheet.

일 실시 예에 따르면, 상기 격벽 부재는 상기 메모리 장치의 가장자리의 적어도 일부를 둘러싸도록 배치될 수 있다.According to an embodiment, the barrier rib member may be disposed to surround at least a portion of an edge of the memory device.

일 실시 예에 따르면, 상기 반도체 부품은 상기 회로기판에 배치되는 프로세서, 및 상기 프로세서와 상기 차폐 시트 사이에 배치되는 메모리 장치를 포함하고, 상기 격벽 부재는 상기 메모리 장치가 배치된 상기 프로세서의 일면과 상기 차폐 시트 사이에서, 상기 메모리 장치의 외곽의 적어도 일부를 둘러싸도록 배치되며, 상기 열 전도재는 상기 메모리 장치, 상기 격벽 부재 및 상기 차폐 시트에 의해 적어도 일부가 둘러싸인 공간에 배치될 수 있다.According to an embodiment, the semiconductor component includes a processor disposed on the circuit board, and a memory device disposed between the processor and the shielding sheet, and the partition wall member is disposed on one surface of the processor and the memory device disposed thereon. The heat conduction material may be disposed between the shielding sheets to surround at least a portion of an outer periphery of the memory device, and the heat conduction material may be disposed in a space at least partially surrounded by the memory device, the partition wall member, and the shielding sheet.

일 실시 예에 따르면, 상기 전자 장치는 상기 열 전도재가 배치된 상기 공간의 내부로부터 상기 열 전도재가 배치된 상기 공간의 외부로 통하는 적어도 하나의 홀을 포함할 수 있다.According to an embodiment, the electronic device may include at least one hole passing from the inside of the space where the heat conduction material is disposed to the outside of the space where the heat conduction material is disposed.

일 실시 예에 따르면, 상기 격벽 부재는 상기 격벽 부재의 적어도 하나의 벽에 형성된 적어도 하나의 슬릿을 포함하고, 상기 적어도 하나의 홀은 상기 반도체 부품, 상기 적어도 하나의 슬릿 및 상기 차폐 시트에 의해 둘러싸여 형성된 것일 수 있다.According to an embodiment, the barrier rib member includes at least one slit formed in at least one wall of the barrier rib member, and the at least one hole is surrounded by the semiconductor component, the at least one slit, and the shielding sheet. may have been formed.

일 실시 예에 따르면, 상기 격벽 부재는 상기 개구부를 통해서 상기 반도체 부품을 바라보았을 때, 상기 개구부의 일단으로부터 제1 거리만큼 떨어진 위치에 배치된 제1 벽, 및 상기 개구부를 통해서 상기 반도체 부품을 바라보았을 때, 상기 개구부의 타단으로부터 상기 제1 거리보다 더 가까운 제2 거리만큼 떨어진 위치에 배치된 제2 벽을 포함하고, 상기 제1 벽은 상기 적어도 하나의 슬릿을 포함할 수 있다.According to an embodiment, when viewing the semiconductor component through the opening, the barrier rib member includes a first wall disposed at a position separated by a first distance from one end of the opening, and viewing the semiconductor component through the opening. When viewed, a second wall disposed at a distance from the other end of the opening by a second distance shorter than the first distance, and the first wall may include the at least one slit.

일 실시 예에 따르면, 상기 적어도 하나의 슬릿은 상기 적어도 하나의 벽에 형성된 제1 슬릿, 및 상기 적어도 하나의 벽과 마주보는 벽에 형성된 제2 슬릿을 포함할 수 있다.According to an embodiment, the at least one slit may include a first slit formed on the at least one wall and a second slit formed on a wall facing the at least one wall.

일 실시 예에 따르면, 상기 격벽 부재는 상기 적어도 하나의 슬릿으로부터 상기 적어도 하나의 벽의 일단까지 제1 길이, 상기 적어도 하나의 슬릿으로부터 상기 적어도 하나의 벽의 타단까지 제2 길이를 가지고, 상기 제1 길이는 상기 제2 길이와 동일할 수 있다.According to an embodiment, the partition wall member has a first length from the at least one slit to one end of the at least one wall and a second length from the at least one slit to the other end of the at least one wall, One length may be the same as the second length.

일 실시 예에 따르면, 상기 전자 장치는 상기 열 전도재가 배치된 상기 공간과 연결되고, 상기 열 전도재의 일부를 수용하는 적어도 하나의 수용부를 더 포함할 수 있다.According to an embodiment, the electronic device may further include at least one accommodating portion connected to the space where the thermally conductive material is disposed and accommodating a portion of the thermally conductive material.

일 실시 예에 따르면, 상기 열 전도재가 배치된 상기 공간 외의 영역은 제1 영역, 및 상기 제1 영역보다 상기 격벽 부재로부터 상기 개구부의 일단까지의 거리가 더 가까운 제2 영역을 포함하고, 상기 적어도 하나의 수용부는 상기 제1 영역에 배치된 것일 수 있다.According to an embodiment, an area other than the space in which the heat conducting material is disposed includes a first area and a second area in which a distance from the partition wall member to one end of the opening is shorter than that of the first area, and wherein the at least One accommodating part may be disposed in the first region.

일 실시 예에 따르면, 상기 적어도 하나의 수용부는 상기 열 전도재가 배치된 상기 공간으로부터 제1 방향으로 배치된 제1 수용부, 및 상기 열 전도재가 배치된 상기 공간으로부터 상기 제1 방향과 반대 방향인 제2 방향으로 배치된 제2 수용부를 포함할 수 있다.According to an embodiment, the at least one accommodating part is a first accommodating part disposed in a first direction from the space where the heat conductive material is disposed, and a direction opposite to the first direction from the space where the heat conductive material is disposed. It may include a second accommodating portion disposed in the second direction.

일 실시 예에 따르면, 상기 격벽 부재는 다공성 물질 또는 유흡착 물질 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.According to one embodiment, the barrier rib member may include at least one of a porous material and an oil adsorption material.

일 실시 예에 따르면, 상기 격벽 부재는 열 전도성 물질 또는 탄성을 가지는 물질 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.According to an embodiment, the barrier rib member may include at least one of a thermally conductive material and a material having elasticity.

일 실시 예에 따르면, 상기 격벽 부재의 적어도 일면의 적어도 일부는 상기 반도체 부품의 적어도 일면의 적어도 일부에 접착 부재를 이용하여 부착될 수 있다.According to an embodiment, at least a portion of at least one surface of the barrier rib member may be attached to at least a portion of at least one surface of the semiconductor component by using an adhesive member.

일 실시 예에 따르면, 상기 접착 부재는 방오 물질을 포함할 수 있다.According to one embodiment, the adhesive member may include an antifouling material.

일 실시 예에 따르면, 상기 격벽 부재의 적어도 일면의 적어도 일부는 상기 차폐 시트의 적어도 일면의 적어도 일부에 접착 부재를 이용하여 부착될 수 있다.According to one embodiment, at least a portion of at least one surface of the barrier rib member may be attached to at least a portion of at least one surface of the shielding sheet using an adhesive member.

일 실시 예에 따르면, 상기 접착 부재는 방오 물질을 포함할 수 있다.According to one embodiment, the adhesive member may include an antifouling material.

상술한 바와 같이, 일 실시 예에 따른 전자 장치의 제조 방법은, 반도체 부품, 및 상기 반도체 부품의 적어도 일부를 둘러싸도록 배치되고 개구부를 포함하는 쉴드캔을 회로기판에 배치하는 공정, 상기 개구부를 통해서 상기 반도체 부품을 바라본 방향에서 보이는 상기 반도체 부품의 적어도 일부에 열 전도재를 배치하는 공정, 상기 개구부를 통해서 상기 반도체 부품을 바라본 방향에서 상기 열 전도재가 배치된 상기 반도체 부품의 상기 적어도 일부를 포함하는 상기 반도체 부품이 배치된 영역의 적어도 일부를 상기 반도체 부품이 배치되지 않은 영역과 적어도 일부를 차단하는 격벽 부재, 및 상기 개구부를 덮는 차폐 시트를 배치하는 공정, 및 상기 열 전도재가 배치된 영역에 대응되는 상기 차폐 시트의 적어도 일부를 누름으로써, 상기 반도체 부품, 상기 격벽 부재 및 상기 차폐 시트에 의해 적어도 일부가 둘러싸인 공간에 상기 열 전도재를 도포하는 공정을 포함할 수 있다.As described above, the manufacturing method of an electronic device according to an embodiment includes a process of disposing a semiconductor component and a shield can including an opening and surrounding at least a portion of the semiconductor component on a circuit board, through the opening. A step of arranging a heat conducting material on at least a portion of the semiconductor component viewed from a direction of viewing the semiconductor component, including the at least a portion of the semiconductor component on which the heat conducting material is disposed in a direction of viewing the semiconductor component through the opening A step of arranging a barrier member for blocking at least a portion of the region where the semiconductor component is disposed from a region where the semiconductor component is not disposed, and a shielding sheet covering the opening, and corresponding to the region where the heat conducting material is disposed and applying the thermal conductive material to a space at least partially surrounded by the semiconductor component, the barrier member, and the shielding sheet by pressing at least a portion of the shielding sheet.

일 실시 예에 따르면, 상기 열 전도재를 도포하는 공정은, 상기 열 전도재가 배치된 영역에 대응되는 상기 차폐 시트의 적어도 일부를 누름으로써, 상기 공간에 도포된 열 전도재의 적어도 일부가 상기 공간의 내부로부터 상기 공간의 외부로 통하는 적어도 하나의 홀을 통해서 상기 공간의 내부로부터 상기 공간의 외부로 토출되는 공정을 더 포함할 수 있다.According to an embodiment, the process of applying the thermally conductive material may include pressing at least a portion of the shielding sheet corresponding to an area where the thermally conductive material is disposed so that at least a portion of the thermally conductive material applied to the space is applied to the space. A process of discharging from the inside of the space to the outside of the space through at least one hole passing from the inside to the outside of the space may be further included.

Claims (20)

전자 장치에 있어서,
회로기판;
상기 회로기판에 배치되고 개구부를 포함하는 쉴드캔(shield can);
상기 회로기판 및 상기 쉴드캔에 의해 적어도 일부가 둘러싸인 공간에 배치되는 반도체 부품;
상기 개구부를 덮도록 배치되며, 상기 반도체 부품으로부터 발생하는 전자파를 적어도 일부 차단하는 차단 물질을 포함하는 차폐 시트;
상기 반도체 부품과 상기 차폐 시트 사이에 배치되고, 상기 개구부를 통해서 상기 반도체 부품을 바라본 방향에서 상기 반도체 부품이 배치된 영역의 적어도 일부를 상기 반도체 부품이 배치되지 않은 영역과 적어도 일부를 차단하는 격벽 부재; 및
상기 반도체 부품, 상기 격벽 부재 및 상기 차폐 시트에 의해 적어도 일부가 둘러싸인 공간에 배치되는 열 전도재(TIM, thermal interface material)를 포함하는,
전자 장치.
In electronic devices,
circuit board;
a shield can disposed on the circuit board and including an opening;
a semiconductor component disposed in a space at least partially surrounded by the circuit board and the shield can;
a shielding sheet disposed to cover the opening and including a blocking material that blocks at least a portion of electromagnetic waves generated from the semiconductor component;
A barrier rib member disposed between the semiconductor component and the shielding sheet and blocking at least a portion of an area where the semiconductor component is disposed from an area where the semiconductor component is not disposed in a direction in which the semiconductor component is viewed through the opening. ; and
Including a thermal interface material (TIM) disposed in a space at least partially surrounded by the semiconductor component, the partition wall member, and the shielding sheet,
electronic device.
청구항 1에 있어서,
상기 반도체 부품은 상기 회로기판에 배치되는 프로세서, 및 상기 프로세서와 상기 차폐 시트 사이에 배치되는 메모리 장치를 포함하고,
상기 격벽 부재는 상기 메모리 장치와 상기 차폐 시트 사이에 배치되며,
상기 열 전도재는 상기 메모리 장치, 상기 격벽 부재 및 상기 차폐 시트에 의해 적어도 일부가 둘러싸인 공간에 배치되는,
전자 장치.
The method of claim 1,
The semiconductor component includes a processor disposed on the circuit board, and a memory device disposed between the processor and the shielding sheet,
The barrier member is disposed between the memory device and the shielding sheet,
The heat conducting material is disposed in a space at least partially surrounded by the memory device, the partition wall member, and the shielding sheet.
electronic device.
청구항 2에 있어서,
상기 격벽 부재는 상기 메모리 장치의 가장자리의 적어도 일부를 둘러싸도록 배치되는,
전자 장치.
The method of claim 2,
The partition wall member is disposed to surround at least a portion of an edge of the memory device.
electronic device.
청구항 1에 있어서,
상기 반도체 부품은 상기 회로기판에 배치되는 프로세서, 및 상기 프로세서와 상기 차폐 시트 사이에 배치되는 메모리 장치를 포함하고,
상기 격벽 부재는 상기 메모리 장치가 배치된 상기 프로세서의 일면과 상기 차폐 시트 사이에서, 상기 메모리 장치의 외곽의 적어도 일부를 둘러싸도록 배치되며,
상기 열 전도재는 상기 메모리 장치, 상기 격벽 부재 및 상기 차폐 시트에 의해 적어도 일부가 둘러싸인 공간에 배치되는,
전자 장치.
The method of claim 1,
The semiconductor component includes a processor disposed on the circuit board, and a memory device disposed between the processor and the shielding sheet,
The barrier rib member is disposed between one surface of the processor on which the memory device is disposed and the shielding sheet to surround at least a portion of an periphery of the memory device,
The heat conducting material is disposed in a space at least partially surrounded by the memory device, the partition wall member, and the shielding sheet.
electronic device.
청구항 1에 있어서,
상기 열 전도재가 배치된 상기 공간의 내부로부터 상기 열 전도재가 배치된 상기 공간의 외부로 통하는 적어도 하나의 홀을 포함하는,
전자 장치.
The method of claim 1,
At least one hole passing from the inside of the space in which the heat-conducting material is disposed to the outside of the space in which the heat-conducting material is disposed,
electronic device.
청구항 5에 있어서,
상기 격벽 부재는 상기 격벽 부재의 적어도 하나의 벽에 형성된 적어도 하나의 슬릿을 포함하고,
상기 적어도 하나의 홀은 상기 반도체 부품, 상기 적어도 하나의 슬릿 및 상기 차폐 시트에 의해 둘러싸여 형성된 것인,
전자 장치.
The method of claim 5,
The partition wall member includes at least one slit formed in at least one wall of the partition wall member,
The at least one hole is formed surrounded by the semiconductor component, the at least one slit, and the shielding sheet.
electronic device.
청구항 6에 있어서,
상기 격벽 부재는,
상기 개구부를 통해서 상기 반도체 부품을 바라보았을 때, 상기 개구부의 일단으로부터 제1 거리만큼 떨어진 위치에 배치된 제1 벽; 및
상기 개구부를 통해서 상기 반도체 부품을 바라보았을 때, 상기 개구부의 타단으로부터 상기 제1 거리보다 더 가까운 제2 거리만큼 떨어진 위치에 배치된 제2 벽을 포함하고,
상기 제1 벽은 상기 적어도 하나의 슬릿을 포함하는,
전자 장치.
The method of claim 6,
The partition wall member,
a first wall disposed away from one end of the opening by a first distance when viewing the semiconductor component through the opening; and
A second wall disposed at a distance from the other end of the opening by a second distance shorter than the first distance when the semiconductor component is viewed through the opening;
the first wall comprising the at least one slit;
electronic device.
청구항 6에 있어서,
상기 적어도 하나의 슬릿은,
상기 적어도 하나의 벽에 형성된 제1 슬릿; 및
상기 적어도 하나의 벽과 마주보는 벽에 형성된 제2 슬릿을 포함하는,
전자 장치.
The method of claim 6,
The at least one slit,
a first slit formed in the at least one wall; and
A second slit formed in a wall facing the at least one wall,
electronic device.
청구항 6에 있어서,
상기 격벽 부재는,
상기 적어도 하나의 슬릿으로부터 상기 적어도 하나의 벽의 일단까지 제1 길이, 및 상기 적어도 하나의 슬릿으로부터 상기 적어도 하나의 벽의 타단까지 제2 길이를 가지고,
상기 제1 길이는 상기 제2 길이와 동일한,
전자 장치.
The method of claim 6,
The partition wall member,
a first length from the at least one slit to one end of the at least one wall, and a second length from the at least one slit to the other end of the at least one wall;
The first length is the same as the second length,
electronic device.
청구항 5에 있어서,
상기 열 전도재가 배치된 상기 공간과 연결되고, 상기 열 전도재의 일부를 수용하는 적어도 하나의 수용부를 더 포함하는,
전자 장치.
The method of claim 5,
Further comprising at least one accommodating portion connected to the space in which the thermally conductive material is disposed and accommodating a portion of the thermally conductive material.
electronic device.
청구항 10에 있어서,
상기 열 전도재가 배치된 상기 공간 외의 영역은,
제1 영역, 및 상기 제1 영역보다 상기 격벽 부재로부터 상기 개구부의 일단까지의 거리가 더 가까운 제2 영역을 포함하고,
상기 적어도 하나의 수용부는 상기 제1 영역에 배치된 것인,
전자 장치.
The method of claim 10,
An area other than the space where the heat conducting material is disposed,
A first region and a second region having a shorter distance from the barrier member to one end of the opening than the first region,
Wherein the at least one accommodating part is disposed in the first region,
electronic device.
청구항 10에 있어서,
상기 적어도 하나의 수용부는,
상기 열 전도재가 배치된 상기 공간으로부터 제1 방향으로 배치된 제1 수용부, 및 상기 열 전도재가 배치된 상기 공간으로부터 상기 제1 방향과 반대 방향인 제2 방향으로 배치된 제2 수용부를 포함하는,
전자 장치.
The method of claim 10,
The at least one receiving part,
A first accommodating portion disposed in a first direction from the space in which the heat conductive material is disposed, and a second accommodating portion disposed in a second direction opposite to the first direction from the space in which the heat conductive material is disposed. ,
electronic device.
청구항 1에 있어서,
상기 격벽 부재는 다공성 물질 또는 유흡착(oil sorbent) 물질 중 적어도 하나를 포함하는 전자 장치.
The method of claim 1,
The barrier rib member includes at least one of a porous material and an oil sorbent material.
청구항 1에 있어서,
상기 격벽 부재는 열 전도성 물질 또는 탄성을 가지는 물질 중 적어도 하나를 포함하는 전자 장치.
The method of claim 1,
The barrier rib member includes at least one of a thermally conductive material and a material having elasticity.
청구항 1에 있어서,
상기 격벽 부재의 적어도 일면의 적어도 일부는 상기 반도체 부품의 적어도 일면의 적어도 일부에 접착 부재를 이용하여 부착되는,
전자 장치.
The method of claim 1,
At least a portion of at least one surface of the barrier rib member is attached to at least a portion of at least one surface of the semiconductor component using an adhesive member,
electronic device.
청구항 15에 있어서,
상기 접착 부재는 방오 물질(antifouling material)을 포함하는 전자 장치.
The method of claim 15
The electronic device of claim 1 , wherein the adhesive member includes an antifouling material.
청구항 1에 있어서,
상기 격벽 부재의 적어도 일면의 적어도 일부는 상기 차폐 시트의 적어도 일면의 적어도 일부에 접착 부재를 이용하여 부착되는,
전자 장치.
The method of claim 1,
At least a portion of at least one surface of the partition wall member is attached to at least a portion of at least one surface of the shielding sheet using an adhesive member,
electronic device.
청구항 17에 있어서,
상기 접착 부재는 방오 물질을 포함하는 전자 장치.
The method of claim 17
The electronic device of claim 1 , wherein the adhesive member includes an antifouling material.
전자 장치의 제조 방법에 있어서,
반도체 부품, 및 상기 반도체 부품의 적어도 일부를 둘러싸도록 배치되고 개구부를 포함하는 쉴드캔을 회로기판에 배치하는 공정;
상기 개구부를 통해서 상기 반도체 부품을 바라본 방향에서 보이는 상기 반도체 부품의 적어도 일부에 열 전도재를 배치하는 공정;
상기 개구부를 통해서 상기 반도체 부품을 바라본 방향에서 상기 열 전도재가 배치된 상기 반도체 부품의 상기 적어도 일부를 포함하는 상기 반도체 부품이 배치된 영역의 적어도 일부를 상기 반도체 부품이 배치되지 않은 영역과 적어도 일부를 차단하는 격벽 부재, 및 상기 개구부를 덮는 차폐 시트를 배치하는 공정; 및
상기 열 전도재가 배치된 영역에 대응되는 상기 차폐 시트의 적어도 일부를 누름으로써, 상기 반도체 부품, 상기 격벽 부재 및 상기 차폐 시트에 의해 적어도 일부가 둘러싸인 공간에 상기 열 전도재를 도포하는 공정을 포함하는,
전자 장치의 제조 방법.
In the method of manufacturing an electronic device,
disposing a semiconductor component and a shield can, which is disposed to surround at least a portion of the semiconductor component and includes an opening, on a circuit board;
arranging a heat conduction material on at least a part of the semiconductor component viewed from a direction in which the semiconductor component is viewed through the opening;
In a direction in which the semiconductor component is viewed through the opening, at least a portion of an area where the semiconductor component is disposed, including at least a portion of the semiconductor component where the heat conduction material is disposed, is separated from an area where the semiconductor component is not disposed. a step of arranging a barrier member to block and a shielding sheet covering the opening; and
Applying the heat conduction material to a space at least partially surrounded by the semiconductor component, the barrier rib member, and the shield sheet by pressing at least a portion of the shield sheet corresponding to the region where the heat conduction material is disposed. ,
Methods for manufacturing electronic devices.
청구항 19에 있어서,
상기 열 전도재를 도포하는 공정은,
상기 열 전도재가 배치된 영역에 대응되는 상기 차폐 시트의 적어도 일부를 누름으로써, 상기 공간에 도포된 열 전도재의 적어도 일부가 상기 공간의 내부로부터 상기 공간의 외부로 통하는 적어도 하나의 홀을 통해서 상기 공간의 내부로부터 상기 공간의 외부로 토출되는 공정을 더 포함하는,
전자 장치의 제조 방법.
The method of claim 19
The process of applying the heat conductive material,
By pressing at least a portion of the shielding sheet corresponding to the region where the heat conductive material is disposed, at least a portion of the heat conductive material applied to the space passes through at least one hole extending from the inside of the space to the outside of the space. Further comprising a process of discharging from the inside to the outside of the space,
Methods for manufacturing electronic devices.
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