KR20230103129A - 도전성 입자 및 이를 포함하는 검사용 커넥터 - Google Patents
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Abstract
본 개시는 일측면에 있어서 도전성 또는 자성을 나타내는 코어 입자; 및 상기 코어 입자 표면의 적어도 일부에 이황화몰리브덴(MoS2) 또는 이황화텅스텐(WS2)을 포함하는 코팅층;을 포함하는 도전성 입자에 관한 것이다. 본 개시는 일 측면에 있어서, 상기 도전성 입자를 포함하는 도전부, 및 절연성 재질의 시트를 포함하는 검사용 커넥터에 관한 것이다. 본 개시의 일측면에 따른 도전성 입자는 오염물질의 흡착을 우수하게 방지하고, 산화막의 형성을 우수하게 방지할 수 있다.
Description
본 개시는 도전성(導電性) 입자 및 이를 포함하는 검사용 커넥터에 관한 것이다.
피검사 디바이스의 불량여부를 판단하기 위한 검사 공정에서, 피검사 디바이스와 테스트(test) 장비의 사이에 검사용 커넥터가 배치된다. 검사용 커넥터는 피검사 디바이스와 테스트 장비를 전기적으로 연결시켜, 피검사 디바이스와 테스트 장비의 통전 여부를 기초로 피검사 디바이스의 불량 여부를 판단하는데 사용된다.
만약 검사용 커넥터가 없이 피검사 디바이스의 단자가 테스트 장비의 단자에 직접 촉접하게 되면, 반복적인 검사 과정에서 테스트 장비의 단자가 마모 또는 파손되어 테스트 장비 전체를 교체해야하는 소요가 발생할 수 있다. 이런 이유로 검사용 커넥터를 이용하여 테스트 장비 전체를 교체하는 소요의 발생을 막는 기술이 알려져 있다. 구체적으로, 피검사 디바이스의 단자와의 반복적인 접촉으로 검사용 커넥터가 마모 또는 파손될 때, 해당하는 검사용 커넥터만 교체할 수 있다.
검사용 커넥터의 도전부에는 도전성 입자가 포함될 수 있는데, 이러한 도전성 입자는, 예를 들어 철(Fe), 니켈(Ni) 또는 코발트(Co) 등을 주성분으로 자성을 가진 코어 입자에 금(Au)을 도금하여 사용할 수 있다.
검사용 커넥터를 반복하여 사용함에 따라 도전성 입자들은 여러가지 문제점을 야기할 수 있다. 예를 들어, 도전성 입자의 표면에서 금 도금층이 벗겨질 수 있다. 이 경우 코어 입자는 상대적으로 도전성이 낮기 때문에 커넥터의 도전성이 저하되는 문제가 있을 수 있다. 또한, 코어 입자로 포함된 철(Fe), 니켈(Ni) 또는 코발트(Co)는 산소와 반응하여 절연성을 띄는 산화막을 형성할 수 있다. 그리고 금 도금층이 마모된 부분에는 오염물질이 더 잘 들러 붙는 문제가 있다.
그리고 이상과 같은 문제는 도전부 내부에 존재하는 도전성 입자에서도 동일하게 발생할 수 있다. 그 결과 위와 마찬가지로 도전성이 감소하고 접촉 저항이 증가하여 전기적 신호를 제대로 전달할 수 없게 된다.
또한, 검사용 커넥터를 반복적으로 사용하면, 도전성 입자가 이탈되는 문제도발생할 수 있다. 예를 들어, 도전부를 도전성 입자와 액상 실리콘 고무를 교반한 후 경화시키는 방식으로 형성한 경우 도전부에 반복적인 압력이 인가됨에 따라 도전성 입자가 실리콘으로부터 이탈되는 문제가 발생할 수 있다.
이에 따라 충분한 도전성을 유지하면서 오염물질의 흡착과 산화를 방지하는 방법에 대한 필요성이 존재한다.
본 개시의 목적은 내마모성이 향상되고 오염물질이 잘 흡착되지 않는 도전성 입자와 이를 포함하는 검사용 커넥터를 제공하는 것이다.
상기 과제를 해결하기 위해, 본 개시의 일측면은 도전성 물질과 다층 쉘 구조 입자를 포함하는 코팅층이 표면에 형성된 도전성 입자를 제공하는 것이다.
본 개시의 다층 쉘 구조 입자는 이황화몰리브덴(MoS2) 입자 또는 이황화텅스텐(WS2) 입자일 수 있다.
본 개시의 일측면에 따른 도전성 입자는 MoS2 입자 또는 WS2 입자에 의해 오염물질의 흡착을 우수하게 방지하는 효과를 나타낸다.
본 개시의 일 측면에 따른 도전성 입자는 피검사 디바이스 단자 또는 테스트 장비 단자와의 접촉에 의해, 다층 쉘 구조 입자의 최외곽으로부터 한 층씩 벗겨지는 MoS2 입자층 또는 WS2 입자층이 도전부 표면의 적어도 일부에 소수성막을 형성하여 오염물질의 흡착을 우수하게 방지하는 효과를 나타낸다.
위 효과에 의해 본 개시의 일측면에 따른 도전성 입자는, MoS2 입자 또는 WS2 입자 자체 또는 다층 쉘 구조로부터 탈락된 MoS2 입자층 또는 WS2 입자층에 의해 도전부 표면에 산화막이 형성되는 것을 우수하게 방지할 수 있다.
더불어 본 개시의 일 측면에 따른 도전성 입자는, 도전부 표면에서 도전성 입자와 피검사 디바이스 단자간의 접촉, 도전부 내부에서 도전성 입자간의 접촉 시 향성된 내마모성을 나타낸다.
MoS2 입자층 또는 WS2 입자층은 윤활성을 가지고 있기 때문에 피검사 디바이스 단자와 접촉 시 입자의 표면이 마모되어 접촉저항이 증가하게 되는 것을 방지한다.
본 개시의 일 측면에 따른 도전성 입자는 우수한 열 전도성을 나타낼 수 있다. 이에 따라 열화에 의한 금속입자의 손상, 산화막 형성 및 소자 손상을 감소시킬 수 있다.
본 개시의 일 측면에 따른 도전성 입자는 제조 편의성과 생산성이 우수한 효과를 나타낸다.
도 1은 일 실시예에 따른 검사용 커넥터(100)의 부분 단면도로서, 검사용 커넥터(100)가 피검사 디바이스(10)와 테스트 장비(20) 사이에 배치된 모습을 보여준다.
도 2는 본 개시의 일 측면에 있어서 도전성 물질과 MoS2 입자 또는 WS2 입자가 코팅층에서 어떻게 존재하는지를 나타낸 모식도이다.
도 3은 본 개시의 일 측면에 있어서 코어 입자에 코팅층을 형성시키는 방법 중 하나의 예시인 전해도금법의 모식도이다.
도 2는 본 개시의 일 측면에 있어서 도전성 물질과 MoS2 입자 또는 WS2 입자가 코팅층에서 어떻게 존재하는지를 나타낸 모식도이다.
도 3은 본 개시의 일 측면에 있어서 코어 입자에 코팅층을 형성시키는 방법 중 하나의 예시인 전해도금법의 모식도이다.
본 개시의 실시예 또는 일측면들은 본 개시의 기술적 사상을 설명하기 위한 목적으로 예시된 것이다. 본 개시에 따른 권리범위가 이하에 제시되는 실시예 또는 일측면들이나 이들에 대한 구체적 설명으로 한정되는 것은 아니다.
본 개시에 사용되는 모든 기술적 용어들 및 과학적 용어들은, 달리 정의되지 않는 한, 본 개시가 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 일반적으로 이해되는 의미를 갖는다. 본 개시에 사용되는 모든 용어들은 본 개시를 더욱 명확히 설명하기 위한 목적으로 선택된 것이며 본 개시에 따른 권리범위를 제한하기 위해 선택된 것이 아니다.
본 개시에서 사용되는 "포함하는", "구비하는", "갖는" 등과 같은 표현은, 해당 표현이 포함되는 어구 또는 문장에서 달리 언급되지 않는 한, 다른 실시예를 포함할 가능성을 내포하는 개방형 용어(open-ended terms)로 이해되어야 한다.
본 개시에서 사용되는 해당 구성 "만으로 구성되는" 등과 같은 표현은, 해당 구성 외에 다른 구성을 포함할 가능성을 배제하는 폐쇄형 용어(closed-ended terms)로 이해되어야 한다.
본 개시에서 기술된 단수형의 표현은 달리 언급하지 않는 한 복수형의 의미를 포함할 수 있으며, 이는 청구범위에 기재된 단수형의 표현에도 마찬가지로 적용된다.
본 개시의 일 측면에 있어서, 용어 "오염물질"은 피검사 디바이스의 테스트(test)시에 검사용 커넥터와 피검사 디바이스 또는 테스트 장비와의 접촉을 방해하여 저항을 증가시키는 물질을 통칭하며, 외부로부터 유입될 수도 있고, 반복되는 사용으로 인해 피검사 디바이스, 테스트 장비 또는 검사용 커넥터로부터 자체적으로 발생할 수도 있다. 오염물질은 검사용 커넥터의 도전부 표면에 들러 붙어, 저항을 증가시키게 되고, 산소와 반응하여 절연성을 가지는 산화막이 될 수도 있다. 예를 들어, 피검사 디바이스 단자의 성분으로 납 또는 주석과 같은 금속이 해당할 수 있다. 이러한 물질은 반복되는 접촉으로인해 피검사 디바이스 단자, 테스트 장비 단자 또는 검사용 커넥터로부터 탈락되고, 도전부 표면, 피검사 디바이스 단자의 표면 또는 테스트 장비 단자의 표면에 흡착되어 저항을 증가시킬 수 있다.
본 개시의 일 측면에 있어서, 용어 "다층 쉘 구조"는 여러 겹의 층으로 둘러싸인 입자구조를 의미할 수 있다. 본 개시의 일 측면에 있어서, MoS2 입자 또는 WS2 입자(50)는 다층 쉘 구조를 가질 수 있으며, 여기서 MoS2 또는 WS2는 층상 구조를 나타내어 다층 쉘 구조의 각 층을 구성한다. 다층 쉘 구조는 도전성 입자와 피검사 디바이스 단자 또는 테스트 장비 단자와의 접촉, 도전성 입자 간의 접촉, 도전성 입자와 실리콘 간의 접촉 등에 의해 압력을 받아 최외곽부터 한층씩 벗겨질 수 있으며, 벗겨진 MoS2 또는 WS2 입자층은 다른 도전성 입자의 코팅층의 적어도 일부에 소수성과 윤활성을 갖는 막을 형성할 수 있다.
본 개시에서 사용되는 "제1", "제2" 등의 표현들은 복수의 구성요소들을 상호 구분하기 위해 사용되며, 해당 구성요소들의 순서 또는 중요도를 한정하는 것은 아니다.
본 개시의 일 측면에 있어서, 용어 "약"은 구체적 수치에 포함되는 제조 공정상의 오차나 본 개시의 기술적 사상의 범주에 포함되는 약간의 수치 조정을 포함하는 의도로 사용되었다. 예를 들어, 용어 "약"은 그것이 지칭하는 값의 ±10％, 일 측면에서 ±5％, 또 다른 측면에서 ±2％의 범위를 의미한다. 이 개시내용의 분야에 있어서, 값이 구체적으로 보다 좁은 범위를 요구하는 것으로 언급되지 않는다면 이 수준의 근사치가 적절하다.
본 개시에서 사용되는 "상방", "상" 등의 방향지시어는 검사용 커넥터(100)를 기준으로 피검사 디바이스(10)의 단자(11)가 배치되는 방향을 의미하고, "하방", "하" 등의 방향지시어는 검사용 커넥터(100)를 기준으로 테스트 장비(20)의 단자(21)가 배치되는 방향을 의미한다. 본 개시에서 언급하는 검사용 커넥터(100)의 "두께 방향'은 상하 방향을 의미한다. 이는 어디까지나 본 개시가 명확하게 이해될 수 있도록 설명하기 위한 기준이며, 기준을 어디에 두느냐에 따라 상방 및 하방을 다르게 정의할 수도 있음은 물론이다.
본 개시는 일 측면에 있어서, 검사용 커넥터의 도전부에서 사용될 수 있는 도전성 입자에 있어서, 도전성 또는 자성을 나타내는 코어 입자를 포함하고, 상기 코어 입자 표면의 적어도 일부에는 코팅층이 형성된, 도전성 입자에 관한 것일 수 있다.
본 개시의 일 측면에 있어서, 상기 코어 입자는 코발트, 니켈, 철 및 이들 중 어느 하나 이상을 포함하는 합금으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상을 포함할 수 있으나 이에 제한되는 것은 아니다. 이를 통해, 도전부(130)의 도전성을 향상시키고, 자성체 입자가 자기장 안에서 자화되는 성질을 이용하여 후술하는 제조방법에서 제조성을 향상시킬 수 있다. 본 개시의 일 측면에 있어서, 상기 합금은 자성 물질(코발트, 니켈, 및 철) 중 어느 하나에, 이들 외에 다른 물질(예를 들어, 구리)을 첨가한 합금일 수 있고, 또는 이들 중 적어도 2개 이상에 형성된 합금일 수도 있다.
본 개시의 일 측면에 있어서, 코어 입자의 형상에 제한은 없다. 예를 들어, 코어 입자는 구형(spherical), 준-구형(quasi-spherical) 또는 다면체 구조일 수 있고, 기둥, 와이어 또는 섬유체일 수도 있으며, 대칭성이 없는 불균일한 형상의 입자일 수도 있다. 그리도 이들 입자들은 혼합되어 사용될 수도 있다.본 개시의 일 측면에 있어서, 상기 코팅층은 도전성 물질과 다층 쉘 구조 입자를 포함할 수 있다. 본 개시의 일 측면에 있어서, 상기 다층 쉘 구조 입자는 이황화몰리브덴(MoS2) 또는 이황화텅스텐(WS2) 일 수 있다. 여기서 도전성 물질은 전기 전도성을 가지는 물질을 통칭하는 것이며 본 개시에서 도전성을 가지는 물질이라면 제한되지 않고 포함될 수 있다.
본 개시의 일 측면에 있어서, 상기 코팅층은 침지 코팅법, 전해도금법, 무전해도금법, 화학적 기상 증착법, 물리적 기상 증착법, 원자층 증착법, 스퍼터링법, 또는 이온 플레이팅법에 의해 형성될 수 있다.
본 개시의 일 측면에 있어서, 상기 도전성 물질은 금, 은, 백금, 팔라듐, 로듐, 및 이들 중 어느 하나 이상을 포함하는 합금으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상일 수 있으나 이에 제한되는 것은 아니다. 본 개시의 일 측면에 있어서, 상기 합금은 도전성 물질(금, 은, 백금, 팔라듐, 및 로듐) 중 어느 하나에, 이들 외에 다른 물질(예를 들어, 인)을 첨가한 합금일 수 있고, 또는 이들 중 적어도 2개 이상에 형성된 합금일 수도 있다.
본 개시의 일 측면에 있어서, 상기 입자는 다층 쉘 구조를 가지는 것일 수 있다. 본 개시의 일 측면에 있어서, 상기 다층 쉘 구조는 구형(spherical), 준-구형(quasi-spherical) 또는 다면체 구조일 수 있다. 층 수에 제한은 없으며 약 2개 내지 약 100개 층(또는 쉘)으로 구성된 것일 수 있다.
또한 본 개시의 일 측면에 있어서, 다층 쉘 구조의 상기 각 층(또는 쉘)은 MoS2 입자 또는 WS2 입자로 이루어진 단일층을 의미할 수 있으며, 이 단일층의 두께는 약 0.1 nm 내지 약 1.0 nm 일 수 있다.
본 개시의 일 측면에 있어서, 상기 입자와 도전성 물질은 도 2에 도시한 것처럼 코팅층을 구성할 수 있다. 이때 상기 입자의 적어도 일부는 코팅층 표면에 존재할 수 있고 도전성 물질로 덮여있지 않은 상태에서 외부로 노출되어 있을 수 있다.
본 개시의 일 측면에 있어서 상기 다층 쉘 구조 입자의 평균입자직경은 10 nm 내지 1,000 nm의 범위 내에 존재하는 모든 값의 범위에 해당할 수 있으나 형태에 따라 5 um 이하의 범위도 가능하고, 그 크기에 특별한 제한이 있는 것은 아니지만, 당해 기술분야에서 나노 입자로 이해되는 범위에서는 다양한 변경이 있을 수 있고 그 형상에서도 마찬가지의 변형이 있을 수 있다. 본 개시에서 평균입자직경은 입자 중심을 지나는 선분 5개 내지 10개의 평균을 의미할 수 있으나 이에 제한되지는 않으며, 예를 들어 산술평균지름 또는 길이평균지름을 의미할 수 있다.
본 개시의 일 측면에 있어서, 상기 도전성 입자는 10 um 내지 100 um의 평균입자직경을 가질 수 있다.
한편 도금법이나 침지법을 제외한 방법 각종 증착법과 스퍼터링법, 이온플레이팅법으로 MoS2 또는 WS2를 형성하는 경우에는 그 크기를 한정하지는 않는다.
본 개시의 일 측면에 있어서, 상기 코팅층의 두께는 약 50 nm 내지 약 10 um 일 수 있다.
본 개시의 일 측면에 있어서, 상기 코팅층 상에는 소수성막이 더 포함될 수 있다. 본 개시의 일 측면에 있어서, 상기 소수성막은 상기 입자의 쉘 구조의 최외곽층이 반도체 디바이스의 단자 또는 테스트 장비의 패드와의 반복 접촉에 의해 마모되어 형성되거나 또는 도전성 입자 간의 반복 접촉에 의해 형성된 것일 수 있다. 본 개시의 일 측면에 있어서, 상기 소수성막은 상기 다층 쉘 구조 입자의 쉘과 동일한 것일 수 있다. 이러한 소수성막은 검사용 커넥터를 반복적으로 사용함에 따라, 도전성 입자가 마모되어 형성되는 것이다. 예를 들어, 소수성막은 도전성 입자를 제조한 직후에는 존재하지 않지만 커넥터 소자에 포함되어 반복적으로 사용됨에 따라 도전성 입자의 표면이 마모되면서 다층 쉘 구조 입자의 최외각 쉘이 벗겨져 형성되는 것일 수 있다. 또 다른 실시예에서는 도전성 입자를 제조하면서 도전성 입자에 적당한 외력을 가하여 의도적으로 소수성막을 형성해 둘 수도 있음은 물론이다.
본 개시의 일 측면에 있어서, 상기 소수성막은 코팅층 중에서 도전성 물질이 외부로 노출된 표면을 코팅하는 것일 수 있으며, 이때 소수성막은 도전성 물질이 노출된 표면을 부분적으로 코팅할 수 있다. 이에 따라 상기 소수성막은 피검사 디바이스 단자 또는 테스트 장비 단자와 접촉하는 도전부의 표면 상에 존재할 수 있다. 예를 들어, 도전부 표면에 존재하는 도전성 입자가 반도체 디바이스의 단자와 접촉하게 되면, 압력을 받은 상기 다층 쉘 구조 입자의 최외곽층이 한층씩 벗겨질 수 있으며, 이렇게 벗겨진 다층 쉘 구조 입자 층은 주변에 존재하는 도전성 물질이 노출된 층의 표면으로 이동하여 소수성막을 형성할 수 있다.
본 개시는 일 측면에 있어서, 피검사 디바이스와 테스트 장비 사이에 배치되어 피검사 디바이스와 테스트 장비를 서로 전기적으로 연결시키기 위한 검사용 커넥터에 있어서, 절연성 재질의 시트; 및 상기 시트 내에서 상하 방향으로 연장되어 상하 방향으로 통전을 가능하게 하는 도전부를 포함하는 검사용 커넥터에 관한 것일 수 있다.
본 개시의 일 측면에 있어서, 상기 도전부는 본 개시의 일 측면에 따른 도전성 입자를 포함할 수 있다. 본 개시의 일 측면에 있어서, 상기 도전성 입자는 도전부 표면에 존재할 수 있다.
본 개시의 일 측면에 있어서, 도 1을 참고하여, 피검사 디바이스(10)는 반도체 디바이스 등이 될 수 있다. 피검사 디바이스(10)는 복수의 단자(11)를 포함한다. 복수의 단자(11)는 피검사 디바이스(10)의 하측면에 배치된다. 피검사 디바이스(10)를 검사할 때, 복수의 단자(11)는 검사용 커넥터(100)의 상측 면에 접촉할 수 있다.
테스트 장비(20)는 복수의 단자(21)를 포함한다. 복수의 단자(21)는 복수의 단자(11)와 대응된다. 복수의 단자(21)는 피검사 디바이스(10)의 상측면에 배치된다. 피검사 디바이스(10)를 검사할 때, 복수의 단자(21)는 검사용 커넥터(100)의 하측 면에 접촉할 수 있다.
본 개시의 일 측면에 있어서, 각각의 복수의 단자(21)는 각각의 복수의 단자(11)를 상하 방향으로 마주보는 위치에 배치된다. 도시되지는 않았으나, 복수의 도전부(130)가 상하 방향에 대해 기울어진 다른 실시예에서, 각각의 복수의 단자(21)는 각각의 복수의 단자(11)를 복수의 도전부(130)의 기울어진 방향으로 마주보는 위치에 배치될 수 있다.
본 개시의 일 측면에 있어서, 검사용 커넥터(100)는 피검사 디바이스(10)와 테스트 장비(20) 사이에 배치되어 피검사 디바이스(10)와 테스트 장비(20)를 서로 전기적으로 연결시키기 위해 구성된다. 검사용 커넥터(100)는 절연성 재질의 시트(110)와, 피검사 디바이스(10)의 단자(11) 및 테스트 장비(20)의 단자(21)를 전기적으로 연결시키기 위해 구성되는 도전부(130)를 포함한다.
본 개시의 일 측면에 있어서, 시트(110)는 상하 방향으로 두께를 가진다. 시트(110)의 두께(두께 방향의 길이)는 시트(110)의 두께 방향에 수직한 방향으로의 길이보다 작다.
본 개시의 일 측면에 있어서, 시트(110)는 전기적 절연성의 재질로 형성된다. 시트(110)는 탄성 변형 가능한 재질로 형성될 수 있다.
본 개시의 일 측면에 있어서, 시트(110)는 절연성을 가진 탄성 고분자 물질로 이루어질 수 있다. 상기 탄성 고분자 물질은 가교 구조를 갖는 고분자 물질일 수 있다. 상기 가교 고분자 물질을 얻기 위해서 사용할 수 있는 경화성의 고분자 물질 형성 재료의 예로서는, 폴리부타디엔 고무, 천연 고무, 폴리이소프렌 고무, 스티렌-부타디엔 공중 합체 고무, 아크릴로니트릴-부타디엔 공중합체 고무 등의 공액 디엔계 고무 및 이들의 수소 첨가물, 스티렌-부타디엔-디엔 블록 공중합체 고무, 스티렌-이소프렌 블록 공중합체 등의 블록 공중합체 고무 및 이들의 수소 첨가물, 클로로프렌, 우레탄 고무, 폴리에스테르계 고무, 에피크롤히드린 고무, 실리콘 고무, 에틸렌-프로필렌 공중합체 고무, 에틸렌-프로필렌-디엔 공중합체 고무 등을 들 수 있으나 이에 제한되지는 않는다.
본 개시의 일 측면에 있어서, 상기 시트(110)은 실리콘 고무를 포함할 수 있다. 여기서 실리콘 고무는 액상 실리콘 고무(LSR; Liquid Silicone Rubber)일 수 있다. 또한 실리콘 고무는 폴리실록산일 수 있으며, 축합합형, 부가형, 비니리 또는 히드록실기를 함유하는 폴리실록산일 수 있고, 예를 들어, 폴리디메틸실록산, 폴리메틸페닐실록산, 또는 폴리디페닐실록산일 수 있으나 이에 제한되지는 않는다. 본 개시에서 사용 가능한 액상 실리콘 고무는 본 개시의 일측면에 따른 검사용 커넥터의 성능을 열악하지 않게 하는 범위 내에서 통상의 기술자가 절연성 물질로서 사용할 수 있는 액상 실리콘 고무를 포함할 수 있다.
본 개시의 일 측면에 있어서, 도전부(130)는 상하 방향으로 연장될 수 있다. 도전부(130)는 시트(110) 내에서 상하 방향으로 연장되어 상하 방향으로 통전을 가능하게 한다.
본 개시의 일 측면에 있어서, 도전부(130)는 시트(110)에 배치된다. 도전부(130)는 시트(110)에 의해 지지될 수 있다.
본 개시의 일 측면에 있어서, 복수의 도전부(130)는 상하 방향에 수직한 방향으로 서로 이격된다. 복수의 도전부(130)는 서로 실질적으로 일정 간격 이격되어 배열될 수 있다.
본 개시의 일 측면에 있어서, 도전부(130)의 상하 방향 양단은 시트(110)의 상하 방향 표면에 노출된다. 도전부(130)의 상단은 시트(110)의 상측 표면에 노출되고, 도전부(130)의 하단은 시트(110)의 하측 표면에 노출된다. 도전부(130)의 상단은 피검사 디바이스(10)의 단자(11)에 접촉 가능하도록 구성되고, 도전부(130)의 하단은 테스트 장비(20)의 단자(21)에 접촉 가능하도록 구성된다.
본 개시의 일 측면에 있어서, 도전부(130)는 시트(110)의 표면에 노출된 노출부(미도시)를 포함하며, 이는 도전부(130)의 표면을 의미한다. 상기 노출부는 도전부(130)의 양단에 위치한다. 시트(110)는 상기 노출부를 제외한 도전부(130)를 둘러싸도록 구성될 수 있다.
이하, 도전성 입자의 코팅방법 또는 제조방법을 설명한다.
본 개시는 일 측면에 있어서, (i) 도전성 물질, 및 이황화몰리브덴(MoS2) 입자 또는 이황화텅스텐(WS2) 입자를 혼합하는 단계; 및 (ii) 상기 혼합물을 도전성 또는 자성을 나타내는 코어 입자에 코팅하는 단계;를 포함하는 도전성 입자의 코팅방법에 관한 것일 수 있다.
본 개시의 일 측면에 있어서, 도전성 물질, 및 MoS2 입자 또는 WS2 입자는 침지 코팅법, 전해도금법, 무전해도금법, 화학적 기상 증착법, 물리적 기상 증착법, 원자층 증착법, 스퍼터링법, 또는 이온 플레이팅법에 의해 코어 입자의 표면에 코팅될 수 있다.
본 개시는 일 측면에 있어서 코팅 (i) 도전성 물질 양이온을 포함하는 용액에 MoS2 입자 또는 WS2 입자와 양이온 계면활성제를 첨가하여 혼합하는 단계; (ii) 코팅하고자 하는 도전성 또는 자성을 나타내는 코어 입자를 음극쪽에 놓고 전압을 인가하는 단계; (iii) 양이온 계면활성제가 결합한 상기 MoS2 입자 또는 WS2 입자와 도전성 물질 양이온이 코어 입자의 표면에 증착되는 단계; 및 (iv) 증착 코팅 후 코팅된 입자를 세척하여 양이온 계면활성제를 제거하는 단계를 포함하는 도전성 입자의 코팅 또는 제조방법에 관한 것일 수 있다.
본 개시의 일 측면에 있어서, 양이온 계면활성제는 베헨트리모늄 클로라이드(Behentrimonium chloride), 벤잘코늄 클로라이드(Benzalkonium chloride), 세탈코늄 클로라이드(Cetalkonium chloride), 세트리모늄 브로마이드(Cetrimonium bromide), 세트리모늄 클로라이드(Cetrimonium chloride), 디데실디메틸암모늄 클로라이드(Didecyldimethylammonium chloride), 및 옥타디엔 디하이드로클로라이드(Octenidine dihydrochloride)로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상일 수 있으나, 이에 제한되지는 않는다.
이하, 검사용 커넥터(100)의 제조방법을 설명한다. 실시예A에 따른 상기 제조방법은 상하 방향으로 연장된 고체화된 도전부(130)를 금형 내에 배치시키는 단계를 포함한다. 상기 실시예A에 따른 상기 제조방법은, 그 후, 상기 금형 내에 실리콘 등의 액상의 절연 재료를 주입하여 경화시킴으로써, 시트(110)를 형성시키는 단계를 포함한다.
실시예B에서, 3D 프린팅 방식을 이용하여 검사용 커넥터(100)를 제조할 수도 있다. 여기서, 3D 프린팅에 의해 시트(110)를 형성시키거나 도전부(130)를 형성시킬 수도 있고, 전체적인 검사용 커넥터를 형성시킬 수도 있다.
실시예C에 따른 제조방법은, 경화된 시트(110)에 도전부(130)가 배치되는 홀을 형성시키는 단계를 포함한다. 상기 홀은 시트(110)를 상하로 관통하게 형성될 수 있다. 상기 홀은 레이저를 이용하여 형성시킬 수 있다. 상기 실시예C에 따른 제조방법은, 시트(110)의 상기 홀에 본 개시의 일 측면에 따른 도전성 입자를 포함하는 용액을 주입하여 경화시킴으로써 도전부(130)를 형성시키는 단계를 포함한다.
실시예D에 따른 제조방법은, 본 개시의 일 측면에 따른 도전성 입자 및 액상의 절연성 재료의 혼합물을 특정 위치에 주입시키는 (a)단계를 포함한다. 예를 들어, 상기 액상의 절연성 재료는 액상의 실리콘 재질일 수 있다. 상기 실시예D에 따른 제조방법은, (a)단계 후, 상기 도전성 입자가 기설정된 위치들에 정렬되도록 자기장을 발생시키는 (b)단계를 포함한다. 상기 (b)단계에서, 상기 자기장을 발생시킴으로써 상기 도전성 입자가 도전부(130)를 형성한다. 여기서, 도전부(130)는 상하 방향으로 연장되고 상하 방향으로 통전을 가능하게 한다. 상기 도전성 입자와 함께 상기 특정 위치에 주입된 상기 액상의 절연성 재료는 상기 (b)단계에서 경화된다. 상기 (b)단계에서 경화된 상기 절연성 재료는 시트(110)의 적어도 일부를 구성할 수 있다. 상기 (b)단계에서 경화된 상기 절연성 재료는 도전부(130)를 지지하는 기능을 수행할 수 있다.
상기 실시예D의 일 예로, 상기 특정 위치는 금형 내부일 수 있다. 상기 (a)단계에서, 상기 도전성 입자 및 액상의 절연성 재료의 혼합물을 상기 금형 내부에 주입시킬 수 있다. (a)단계에서 주입된 상기 액상의 절연성 재료는 (b)단계에서 경화됨으로써 시트(110)를 형성한다. 상기 (b)단계에서 발생시킨 자기장에 의해, 상기 도전성 입자는 액상의 절연성 재료 내에서 유동하여 기설정된 위치들에 정렬될 수 있다.
상기 실시예D의 다른 예로, 상기 특정 위치는 경화된 시트에 형성된 홀 내부일 수 있다. 상기 (a)단계 이전에, 경화된 시트를 상하 방향으로 관통하는 홀을 형성시키는 홀 형성 단계가 진행될 수 있다. 상기 홀은 상기 시트를 상하로 관통하게 형성될 수 있다. 상기 홀은 레이저를 이용하여 형성시킬 수 있다. 상기 (a)단계에서, 본 개시의 일 측면에 따른 도전성 입자 및 액상의 절연성 재료의 혼합물을 상기 홀에 주입시킬 수 있다. 상기 (b)단계에서 발생시킨 자기장에 의해, 상기 도전성 입자는 상기 홀 내부에서 유동하여 기설정된 위치들에 정렬될 수 있다. 상기 (b)단계에서 상기 액상의 절연성 재료가 경화됨으로써 상기 시트의 일부를 구성할 수 있다.
이하, 실시예 및 시험예를 들어 본 개시의 구성 및 효과를 보다 구체적으로 설명한다. 그러나 이들 실시예 및 시험예는 본 개시에 대한 이해를 돕기 위해 예시의 목적으로만 제공된 것일 뿐 본 개시의 범주 및 범위가 하기 예에 의해 제한되는 것은 아니다.
또한, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 개시의 실시예들을 설명한다. 첨부된 도면에서, 동일하거나 대응하는 구성요소에는 동일한 참조부호가 부여되어 있을 수 있다. 또한, 이하의 실시예들의 설명에 있어서, 동일하거나 대응하는 구성요소를 중복하여 기술하는 것이 생략될 수 있다. 그러나, 구성요소에 관한 기술이 생략되어도, 그러한 구성요소가 어떤 실시예에 포함되지 않는 것으로 의도되지는 않는다.
[실시예] 코팅층을 포함하는 도전성 입자의 제조
(1) 코팅 용액의 제조
일반적인 방법으로 금 양이온을 포함하는 용액을 제조한다. 그런 뒤 이 용액에 WS2 입자와 세틸트리메틸암모늄 브로마이드(cetyl trimethyl ammonium bromide; CTAB)인 양이온 계면활성제를 첨가하여 교반한다. 교반 후 입자 표면에는 양이온 계면활성제가 결합하게 된다.
(2) 전압 인가
위에서 제조된 코팅 용액에 백금 전극(양극)과 금속 전극(음극)을 넣고, 코팅하고자하는 니켈 코어 입자 분말을 음극 쪽에 넣은 뒤 전압을 인가한다. 전압을 인가하면서 금이온과 WS2 입자의 증착을 더 원활하게 하기 위해 음극 전극으로 코어 입자를 교반할 수 있다. 그 결과 금과 WS2 입자가 코어 입자의 표면에 랜덤하게 적층되어 코팅층을 형성한다.
(3) 세척
코팅층이 형성된 탐침부 또는 배럴을 세척하여 WS2 입자에 결합된 양이온 계면활성제를 제거한다.
이상 일부 실시예들과 첨부된 도면에 도시된 예에 의해 본 개시의 기술적 사상이 설명되었지만, 본 개시가 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 이해할 수 있는 본 개시의 기술적 사상 및 범위를 벗어나지 않는 범위에서 다양한 치환, 변형 및 변경이 이루어질 수 있다는 점을 알아야 할 것이다. 또한, 그러한 치환, 변형 및 변경은 첨부된 청구범위 내에 속하는 것으로 생각되어야 한다.
10: 피검사 디바이스, 20: 테스트 장비,
30: 코팅층, 40: 도전성 물질 코팅층, 41: 도전성 적층물, 50: MoS2 입자 또는 WS2 입자, 60: 코어 입자의 표면, 61: 코어 입자,
100: 검사용 커넥터, 110: 시트, 130: 도전부
30: 코팅층, 40: 도전성 물질 코팅층, 41: 도전성 적층물, 50: MoS2 입자 또는 WS2 입자, 60: 코어 입자의 표면, 61: 코어 입자,
100: 검사용 커넥터, 110: 시트, 130: 도전부
Claims (7)
- 코어 입자와 상기 코어 입자의 표면 중 적어도 일부에 코팅층이 형성된 도전성 입자에 있어서,
상기 코팅층은 도전성 물질과 다층 쉘 구조 입자를 포함하며,
상기 다층 쉘 구조 입자는 이황화몰리브덴(MoS2) 또는 이황화텅스텐(WS2)인,
도전성 입자. - 제1항에 있어서,
상기 다층 쉘 구조 입자의 일부는 상기 코팅층의 외부로 노출되는,
도전성 입자. - 제1항에 있어서,
상기 코팅층 상에는 소수성막이 더 포함되며,
상기 소수성막은 상기 다층 쉘 구조 입자의 쉘과 동일한,
도전성 입자. - 제1항에 있어서,
상기 코어 입자는 코발트, 니켈, 철 및 이들 중 어느 하나 이상을 포함하는 합금으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상을 포함하는,
도전성 입자. - 제1항에 있어서,
상기 도전성 물질은 금, 은, 백금, 구리, 팔라듐, 니켈, 로듐 및 이들 중 어느 하나 이상을 포함하는 합금으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상인,
도전성 입자. - 제1항에 있어서,
상기 코팅층은 전해도금법 또는 무전해도금법에 의해 형성된,
도전성 입자. - 피검사 디바이스와 테스트 장비 사이에 배치되어 피검사 디바이스와 테스트 장비를 서로 전기적으로 연결시키기 위한 검사용 커넥터에 있어서,
절연성 재질의 시트; 및
상기 시트 내에서 상하 방향으로 연장되어 상하 방향으로 통전을 가능하게 하는 도전부를 포함하고,
상기 도전부는 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 따른 도전성 입자를 포함하는,
검사용 커넥터.
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| KR1020210193755A KR102635465B1 (ko) | 2021-12-31 | 2021-12-31 | 도전성 입자 및 이를 포함하는 검사용 커넥터 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020210193755A KR102635465B1 (ko) | 2021-12-31 | 2021-12-31 | 도전성 입자 및 이를 포함하는 검사용 커넥터 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20230103129A true KR20230103129A (ko) | 2023-07-07 |
| KR102635465B1 KR102635465B1 (ko) | 2024-02-13 |
Family
ID=87153784
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| KR1020210193755A KR102635465B1 (ko) | 2021-12-31 | 2021-12-31 | 도전성 입자 및 이를 포함하는 검사용 커넥터 |
Country Status (1)
| Country | Link |
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| KR (1) | KR102635465B1 (ko) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20190036271A (ko) * | 2017-09-27 | 2019-04-04 | 한국에너지기술연구원 | 포러스 카본 쉘을 포함하는 다중 층 코어-쉘 나노입자의 제조방법 및 이를 통해 제조된 코어-쉘 나노입자 |
| KR102113732B1 (ko) * | 2019-03-21 | 2020-05-21 | 주식회사 아이에스시 | 도전성 분말 및 이를 포함하는 검사용 커넥터 |
| KR20210089444A (ko) * | 2020-01-08 | 2021-07-16 | 주식회사 아이에스시 | 테스트 소켓 |
-
2021
- 2021-12-31 KR KR1020210193755A patent/KR102635465B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (3)
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR102635465B1 (ko) | 2024-02-13 |
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