KR20230100606A - Method for manufacturing layered structure and method for manufacturing electronic device - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 51
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 33
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 87
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 87
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 60
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 57
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 19
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 claims abstract description 18
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 claims abstract description 18
- 239000002612 dispersion medium Substances 0.000 claims abstract description 13
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims abstract description 12
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims abstract description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 26
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 18
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 claims description 6
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 4
- 230000000379 polymerizing effect Effects 0.000 claims description 4
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 26
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 182
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 62
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 58
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 26
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 17
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 12
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 12
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 9
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000010408 film Substances 0.000 description 8
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 8
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 7
- 238000004925 denaturation Methods 0.000 description 6
- 230000036425 denaturation Effects 0.000 description 6
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 6
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 239000000047 product Substances 0.000 description 5
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 4
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910001868 water Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 3
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 3
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 3
- UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N Carbon monoxide Chemical compound [O+]#[C-] UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 2
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 239000002657 fibrous material Substances 0.000 description 2
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 238000005224 laser annealing Methods 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 2
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 2
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 description 2
- YZCKVEUIGOORGS-IGMARMGPSA-N Protium Chemical compound [1H] YZCKVEUIGOORGS-IGMARMGPSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- 150000001721 carbon Chemical group 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000004299 exfoliation Methods 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 150000002463 imidates Chemical class 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- VUZPPFZMUPKLLV-UHFFFAOYSA-N methane;hydrate Chemical compound C.O VUZPPFZMUPKLLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- 238000001291 vacuum drying Methods 0.000 description 1
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 1
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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- H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
- H05K3/4644—Manufacturing multilayer circuits by building the multilayer layer by layer, i.e. build-up multilayer circuits
- H05K3/4682—Manufacture of core-less build-up multilayer circuits on a temporary carrier or on a metal foil
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
- H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
- H10K77/111—Flexible substrates
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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- H05K2203/02—Details related to mechanical or acoustic processing, e.g. drilling, punching, cutting, using ultrasound
- H05K2203/0264—Peeling insulating layer, e.g. foil, or separating mask
Abstract
(과제) 카본 나노튜브를 포함하는 층을 구비하는 층상 구조가, 양호한 생산성으로 제조된다.
(해결 수단) 층상 구조의 제조 방법은, 제 1 공정 내지 제 5 공정을 구비한다. 제 1 공정에 있어서, 카본 나노튜브를 포함하는 분산질과, 분산질이 분산되는 분산매인 액체를 갖는 제 1 도공액이, 기판의 주면에 도포된다. 제 2 공정에 있어서, 주면에 도포된 제 1 도공액에 대하여 건조 처리가 실시된다. 제 3 공정에 있어서는, 상기 서술한 액체가 변성되면서 제거되어 분산질을 포함하는 제 1 층이 형성된다. 제 4 공정에 있어서는, 고분자 재료의 전구체를 포함하는 제 2 도공액이, 제 1 층에 대하여 주면과는 반대측으로부터 도포된다. 제 5 공정에 있어서는, 전구체가 중합되어 고분자 재료를 포함하는 제 2 층이 형성된다.(Problem) A layered structure provided with a layer containing carbon nanotubes is produced with good productivity.
(Means for solution) The manufacturing method of a layered structure is provided with the 1st process - the 5th process. In the first step, a first coating solution containing a dispersoid containing carbon nanotubes and a liquid as a dispersion medium in which the dispersoid is dispersed is applied to the main surface of the substrate. In the second step, a drying treatment is performed on the first coating liquid applied to the main surface. In the third step, the liquid described above is removed while being denatured, and a first layer containing a dispersoid is formed. In the fourth step, the second coating solution containing the precursor of the polymeric material is applied to the first layer from the side opposite to the main surface. In the fifth step, the precursor is polymerized to form a second layer containing a polymeric material.
Description
본 개시는 층상 구조를 제조하는 방법 및 전자 장치를 제조하는 방법에 관한 것이다.The present disclosure relates to methods of manufacturing layered structures and methods of manufacturing electronic devices.
전자 장치, 예를 들어 액정 디스플레이나 유기 EL (Electro Luminescence) 디스플레이를 전형으로 하는 표시 장치에는, 경량성, 가요성이 요망된다. 예를 들어, 기재가 되는 캐리어 기판 (예를 들어 유리 기판) 상에 플라스틱 필름 (예를 들어 폴리이미드 필름) 이 형성되고, 이 플라스틱 필름 상에 TFT (thin-film-transistor) 회로가 형성되고, 캐리어 기판이 플라스틱 필름으로부터 박리된다. 이와 같이 하여 얻어지는 전자 장치는, 경량성, 가요성이 풍부하다.BACKGROUND ART Lightness and flexibility are desired for electronic devices, for example, display devices whose typical examples are liquid crystal displays and organic EL (Electro Luminescence) displays. For example, a plastic film (eg polyimide film) is formed on a carrier substrate (eg glass substrate) serving as a substrate, and a thin-film-transistor (TFT) circuit is formed on the plastic film, The carrier substrate is peeled off from the plastic film. The electronic device obtained in this way is lightweight and rich in flexibility.
특허문헌 1 은, 캐리어 기판을 플라스틱 필름으로부터 박리하는 방법으로서, 침액 처리를 함으로써 박리하는 방법, 레이저를 사용하여 박리하는 방법, 캐리어 기판과 플라스틱 필름 사이에 점착층을 형성하여 박리하는 방법을 예시한다.Patent Document 1 exemplifies a method of peeling a carrier substrate from a plastic film, a method of peeling by immersion treatment, a method of peeling using a laser, and a method of peeling by forming an adhesive layer between the carrier substrate and the plastic film. .
특허문헌 2 는 유리 기판으로부터 폴리이미드막을 레이저가 사용되지 않고 박리하는 기술을 개시한다. 특허문헌 2 는, 캐리어 기판인 유리 기판과 플라스틱 필름인 폴리이미드막 사이에, 카본 나노튜브 (carbon nanotube) 를 포함하는 박리층을 형성하는 구조를 예시한다. 특허문헌 2 는 카본 나노튜브를 분산질로 하는 분산액을 유리 기판에 도포하고, 당해 분산액의 분산매를 증발시킴으로써 박리층을 형성하는 기술을 개시한다.Patent Document 2 discloses a technique of peeling a polyimide film from a glass substrate without using a laser. Patent Literature 2 exemplifies a structure in which a release layer containing carbon nanotubes is formed between a glass substrate as a carrier substrate and a polyimide film as a plastic film. Patent Document 2 discloses a technique of forming a release layer by applying a dispersion liquid containing carbon nanotubes as a dispersoid to a glass substrate and evaporating the dispersion medium of the dispersion liquid.
레이저를 사용하여 박리하는 방법에 있어서는, 예를 들어 레이저에 의해 플라스틱 필름의 캐리어 기판측의 면을 베이킹한 후, 플라스틱 필름을 기계적으로 잡아당겨 캐리어 기판으로부터 박리한다. 이러한 수법은 EPLaR (Electronics on Plastic by Laser Release) 법이라고 칭해진다. EPLaR 법에서는, 고출력의 레이저가 플라스틱 필름, 예를 들어 폴리이미드막에 강한 데미지를 준다. 이 데미지에 의해 플라스틱 필름에 응력이 발생한다. 이 응력에 의해, 박리 후의 플라스틱 필름은, 권취되도록 변형된다. 이 변형은 플라스틱 필름 상에 형성된 회로에 데미지를 줄 수 있다. EPLaR 법에는 고가의 레이저 어닐 장치가 채용된다.In the peeling method using a laser, for example, after baking the surface of the plastic film on the carrier substrate side with a laser, the plastic film is mechanically pulled and peeled from the carrier substrate. This method is called the EPLaR (Electronics on Plastic by Laser Release) method. In the EPLaR method, a high-output laser gives strong damage to a plastic film, for example, a polyimide film. Stress is generated in the plastic film by this damage. Due to this stress, the plastic film after peeling is deformed so as to be rolled up. This deformation can damage circuits formed on the plastic film. An expensive laser annealing apparatus is employed for the EPLaR method.
특허문헌 2 는 박리층의 형성을 개시하지만, 그 박리층을 형성할 때의 효율의 향상에 대한 상세는 개시하지 않는다.Patent Literature 2 discloses formation of a release layer, but does not disclose details of the improvement in efficiency at the time of forming the release layer.
본 개시는, 카본 나노튜브를 포함하는 층을 구비하는 층상 구조를, 양호한 생산성으로 제조하는 기술을 제공한다.The present disclosure provides a technique for producing a layered structure including a layer containing carbon nanotubes with good productivity.
본 개시에 관련된 층상 구조의 제조 방법은, 카본 나노튜브를 포함하는 분산질과, 상기 분산질이 분산되는 분산매인 액체를 갖는 제 1 도공액을, 기판의 주면 (主面) 에 도포하는 제 1 공정과, 상기 주면에 도포된 상기 제 1 도공액에 대하여 건조 처리를 실시하는 제 2 공정과, 상기 액체를 변성시키면서 제거하여 상기 분산질을 포함하는 제 1 층을 형성하는 제 3 공정과, 고분자 재료의 전구체를 포함하는 제 2 도공액을, 상기 제 1 층에 대하여 상기 주면과는 반대측으로부터 도포하는 제 4 공정과, 상기 전구체를 중합시켜 상기 고분자 재료를 포함하는 제 2 층을 형성하는 제 5 공정을 구비한다.A method for producing a layered structure according to the present disclosure includes a first step of applying a first coating solution having a dispersoid containing carbon nanotubes and a liquid as a dispersion medium in which the dispersoid is dispersed to a main surface of a substrate; a second step of drying the first coating liquid applied to the main surface; a third step of forming a first layer containing the dispersoid by removing the liquid while denaturing; a polymer A fourth step of applying a second coating solution containing a material precursor to the first layer from the side opposite to the main surface, and a fifth step of polymerizing the precursor to form a second layer containing the polymer material. have a process
제 2 층에 대하여 주면과 반대측에 있어서 구조물을 형성하는 것은, 기판이 구조물의 형성시에 지지층이 되므로 용이하다. 구조물이 형성된 후에는, 기판을 제 2 층으로부터 분리하는 것이 용이하다.Forming the structure on the side opposite to the main surface with respect to the second layer is easy since the substrate serves as a support layer during formation of the structure. After the structure is formed, it is easy to separate the substrate from the second layer.
도 1 은, 전자 장치의 제조 공정을 예시하는 플로 차트이다.
도 2 는, 기판을 나타내는 측면도이다.
도 3 은, 기판 상에 박리층이 형성된 상태를 나타내는 측면도이다.
도 4 는, 박리층 상에 폴리이미드층이 형성된 상태를 나타내는 측면도이다.
도 5 는, 박리층 상에 폴리이미드층이 형성된 상태를 나타내는 평면도이다.
도 6 은, 폴리이미드층 상에 배리어층이 형성된 상태를 나타내는 단면도이다.
도 7 은, 폴리이미드층 상에 배리어층이 형성된 상태를 나타내는 평면도이다.
도 8 은, 배리어층 상에 회로층이 형성된 상태를 나타내는 단면도이다.
도 9 는, 기판으로부터 적층체를 박리하는 공정을 설명하는 단면도이다.
도 10 은, 박리층의 형성을 예시하는 플로 차트이다.
도 11 은, 기판을 이동시키면서 자외광을 조사하는 양태를 모식적으로 나타내는 측면도이다.
도 12 는, 기판을 이동시키지 않고 자외광을 조사하는 양태를 모식적으로 나타내는 측면도이다.
도 13 은, 박리층의 형성의 다른 예를 나타내는 플로 차트이다.
도 14 는, 반응성 플라즈마의 발생을 모식적으로 나타내는 측면도이다.1 is a flowchart illustrating a manufacturing process of an electronic device.
2 is a side view showing the substrate.
3 is a side view showing a state in which a release layer is formed on a substrate.
4 : is a side view which shows the state in which the polyimide layer was formed on the peeling layer.
5 : is a top view which shows the state in which the polyimide layer was formed on the peeling layer.
6 is a cross-sectional view showing a state in which a barrier layer is formed on the polyimide layer.
7 is a plan view showing a state in which a barrier layer is formed on the polyimide layer.
8 is a cross-sectional view showing a state in which a circuit layer is formed on the barrier layer.
9 is a cross-sectional view illustrating a step of peeling the laminate from the substrate.
10 is a flowchart illustrating formation of a release layer.
Fig. 11 is a side view schematically showing an aspect of irradiating ultraviolet light while moving a substrate.
12 is a side view schematically showing an aspect of irradiating ultraviolet light without moving the substrate.
13 is a flow chart showing another example of formation of a release layer.
14 is a side view schematically showing generation of reactive plasma.
<1. 전자 장치의 제조 공정의 전체적인 설명><1. Overall description of the manufacturing process of electronic devices>
도 1 은 전자 장치의 제조 공정을 예시하는 플로 차트이다. 당해 전자 장치는 예를 들어 표시 장치이다. 도 2 는 기판 (10) 을, 그 두께 방향에 대하여 직각의 방향에서 본 측면도이다.1 is a flowchart illustrating a manufacturing process of an electronic device. The electronic device concerned is, for example, a display device. 2 is a side view of the
스텝 S10 은 기판 (10) 을 준비하는 공정이다. 기판 (10) 은 평활한 주면 (10a) 을 갖는다. 기판 (10) 에는, 예를 들어 판상의 유리가 채용된다. 기판 (10) 은 두께 방향에 있어서 주면 (10a) 과 대향하는 면 (10b) 을 갖는다. 두께 방향은 주면 (10a) 에 수직인 방향이라고 할 수 있다. 도 1 내지 도 8 에 있어서 방향 P 는, 기판 (10) 의 두께 방향 중, 주면 (10a) 에서 면 (10b) 을 향하는 방향이다.Step S10 is a step of preparing the
방향 P 를 따라 보는 평면에서 봤을 때에 있어서, 기판 (10) 의 형상이나 사이즈는 특별히 한정되지 않는다. 예를 들어 평면에서 봤을 때에 있어서 기판 (10) 은 직사각형을 나타낸다. 평면에서 봤을 때는, 주면 (10a) 에 대하여 수직인 방향에서 보는 것에 상당한다.When viewed from a plane viewed along the direction P, the shape or size of the
기판 (10) 은 전자 장치의 제조 공정에 있어서, 후술하는 폴리이미드층 (30) 이나 회로층 (50) (혹은 추가로 배리어층 (40)) 을 유지하며 반송하기 위한 캐리어 기판으로서 기능한다. 기판 (10) 은 최종 제품으로서의 전자 장치에는 남지 않는다.The
기판 (10) 을 캐리어 기판으로서 사용함으로써, 유연한 폴리이미드층 (30) 이 안정적으로 유지되어, 이 폴리이미드층 (30) 상에 회로층 (50) 이 형성되기 쉽다. 기판 (10) 을 캐리어 기판으로서 사용하는 것은, 기존의, 일반적인 기판 상에 회로층을 형성하는 제조 설비 (예를 들어 도포 장치, 열처리 장치) 를 이용하여 전자 장치를 제조하는 것을 용이하게 한다.By using the
스텝 S11 은, 스텝 S10 에 의해 준비된 기판 (10) 상에 제 1 도공액 (102) 을 도포하는 공정이다. 여기서「기판 (10) 상」은「주면 (10a) 상」과 동일한 의미이다. 제 1 도공액 (102) 은 공지된 방법, 예를 들어, 슬릿 도포법에 의해 주면 (10a) 에 도포된다.Step S11 is a step of applying the
슬릿 도포법에 있어서는, 예를 들어 슬릿 코터가 이용된다. 슬릿 코터는 예를 들어, 제 1 도공액 (102) 을 도포액으로서 토출하는 슬릿 노즐을, 정지 (靜止) 상태로 유지되는 기판 (10) 에 대하여 일정 속도로 주사시킨다. 도포액의 도포 범위를 제어함으로써, 평면에서 봤을 때, 제 1 도공액 (102) 은 기판 (10) 의 주면 (10a) 에 들어간다. 도 3 은, 기판 (10) 상에 제 1 도공액 (102) 이 도포된 상태를 나타내는 측면도이다.In the slit coating method, a slit coater is used, for example. The slit coater scans, for example, a slit nozzle that discharges the
스텝 S10 과 스텝 S11 사이에, 주면 (10a) 을 세정하는 처리가 실시되어도 된다. 이와 같은 처리의 예로는, 약액에 의해 주면 (10a) 을 세정하는 약액 세정이나, 브러시에 의해 주면 (10a) 으로부터 기계적으로 오염 물질을 제거하는 브러시 세정이나, 주면 (10a) 에 자외선을 조사하여 오염 물질을 분해 제거하는 처리를 들 수 있다.Between step S10 and step S11, a process of cleaning the
제 1 도공액 (102) 은 분산체로서, 분산질과 피분산 액체를 갖는다. 본 개시에 관련된 제조 방법에 있어서, 분산질에는 카본 나노튜브가 포함된다. 피분산 액체은 분산매를 포함하고, 분산매 중에는 분산질이 분산된다. 분산매로는 수계의 액체 및 유기계의 액체 중 어느 것 혹은 양방이 채용된다. 피분산 액체은 추가로 분산제를 포함해도 된다. 분산제의 예로서 계면 활성제를 들 수 있다. 분산제는 액체에 한정되지 않고, 고체여도 된다.The
스텝 S12 는 제 1 도공액 (102) 을 건조시키는 처리 (도면 및 이하에 있어서 간단히「건조 처리」로 표기된다) 를 실행하는 공정이다. 이 건조 처리의 예로서, 감압 건조, 가열을 들 수 있다. 이 건조 처리에 의해, 제 1 도공액 (102) 의 적어도 분산매의 일부가 감소한다.Step S12 is a process of performing a process of drying the first coating liquid 102 (referred to simply as "drying process" in the drawings and below). As an example of this drying process, reduced-pressure drying and heating are mentioned. By this drying treatment, at least a part of the dispersion medium in the
스텝 S13 은 건조 처리가 실시된 후의 제 1 도공액 (102) 으로 박리층 (20) 을 형성하는 공정이다. 예를 들어 스텝 S13 은, 피분산 액체를 변성시키면서 제거하여 분산질을 포함하는 박리층 (20) 을 형성하는 공정이다. 여기서「변성」이란, 그 일 양태로서 피분산 액체의 분해를 포함하고, 다양한 양태가 하기에 예시된다.Step S13 is a process of forming the
피분산 액체가 제거됨으로써, 카본 나노튜브가 서로 얽힌 지상물 (紙狀物) 로서 박리층 (20) 이 얻어진다. 지상물이란, 섬유 형상물로 형성된 다공질막이다. 카본 나노튜브는 그 자체가 섬유 형상물이다. 제 1 도공액 (102) 으로부터 피분산 액체가 제거됨으로써, 섬유 형상의 카본 나노튜브가 서로 얽힌 지상물이 형성된다. 박리층 (20) 의 막두께는 예를 들어 100 ㎚ 이하이다.By removing the liquid to be dispersed, the
스텝 S14 는, 박리층 (20) 에 제 2 도공액 (103) 을 도포하는 공정이다. 보다 구체적으로는 박리층 (20) 에 대하여, 주면 (10a) 과는 반대측으로부터 제 2 도공액 (103) 을 도포한다. 제 2 도공액 (103) 은 공지된 방법, 예를 들어, 슬릿 도포법에 의해 박리층 (20) 에 도포된다.Step S14 is a process of applying the
본 실시형태에 있어서는, 평면에서 봤을 때에 제 2 도공액 (103) 은 박리층 (20) 을 덮으면서, 주면 (10a) 에 들어간다. 제 2 도공액 (103) 은 박리층 (20) 주위의 주면 (10a) 에도 도포된다. 평면에서 봤을 때, 박리층 (20) 으로부터 외측에 위치하는 제 2 도공액 (103) 은 주면 (10a) 과 접촉한다.In this embodiment, the
도 4 는, 박리층 (20) 상에 제 2 도공액 (103) 이 도포된 상태를 나타내는 측면도이다. 도 4 에 있어서, 박리층 (20) 의 평면에서 봤을 때에 있어서의 외측 가장자리 (20f) 가 도시된다.4 : is a side view which shows the state in which the
스텝 S15 는 제 2 도공액 (103) 으로 폴리이미드층 (30) 을 형성하는 공정이다. 예를 들어 스텝 S15 는 중합을 포함한다. 폴리이미드층 (30) 의 막두께는 약 10 ㎛ 이다.Step S15 is a process of forming the
제 2 도공액 (103) 은 고분자 재료의 전구체, 본 실시형태의 예에서는 폴리이미드 전구체를 포함한다. 스텝 S15 는 당해 전구체를 중합시켜, 고분자 재료를 포함하는 층, 본 실시형태의 예에서는 폴리이미드층 (30) 을 형성하는 공정이다. 예를 들어 스텝 S15 는 제 2 도공액 (103) 을, 기판 (10) 과 함께 350 ℃ 이상으로 가열하여 이미드화한다. 스텝 S15 에 있어서는, 예를 들어 열처리로 (爐) 가 이용된다. 당해 열처리로는, 열풍을 송풍함으로써 기판 (10) 을 가열한다.The
도 5 는, 박리층 (20) 상에 폴리이미드층 (30) 이 형성된 상태를 나타내는 평면도이다. 박리층 (20) 의 외측 가장자리 (20f) 로부터 비어져 나온 폴리이미드층 (30) 의 4 변의 둘레 가장자리부는, 외측 가장자리 (20f) 의 외측에 있어 주면 (10a) 과 접촉한다.5 : is a plan view which shows the state in which the
박리층 (20) 은 섬유상 구조를 갖는 다공질막이며, 섬유상 구조의 미소한 요철에 제 2 도공액 (103) 이 들어가기 쉽다. 중합시켜 얻어지는 폴리이미드층 (30) 과 박리층 (20) 의 밀착성은 높다. 주면 (10a) 은 평활하며, 이것과 박리층 (20) 의 밀착성은 낮다. 기판 (10) 과 박리층 (20) 의 박리성은, 폴리이미드층 (30) 과 박리층 (20) 의 박리성보다 높다.The
박리층 (20) 과 기판 (10) 의 밀착성이 낮아지면, 표시 장치의 제조 공정의 도중에 박리층 (20) 이 기판 (10) 으로부터 박리될 우려가 발생한다. 박리층 (20) 의 외측 가장자리 (20f) 보다 외측에서 주면 (10a) 과 접촉하는 부분의 폴리이미드층 (30) 은, 표시 장치의 제조 공정의 도중에 박리층 (20) 이 기판 (10) 으로부터 박리되는 것을 억제하는 기능을 갖는다.If the adhesiveness between the peeling
스텝 S40 은 폴리이미드층 (30) 상에 배리어층 (40) 을 형성하는 공정이다. 도 6 은, 폴리이미드층 (30) 상에 배리어층 (40) 이 형성된 상태를 나타내는 단면도이다. 도 7 은, 폴리이미드층 (30) 상에 배리어층 (40) 이 형성된 상태를 나타내는 평면도이다.Step S40 is a process of forming the
배리어층 (40) 은, 후술되는 회로층 (50) 에 수분이 침투하는 것을 방지하기 위한 층이며, 예를 들어 질화실리콘 (SiNx) 막으로 구성된다. 배리어층 (40) 은, 예를 들어 CVD 법 등의 공지된 다양한 수법에 의해 형성된다.The
배리어층 (40) 은 폴리이미드층 (30) 상의 소정 영역 (R) 에 있어서 형성된다. 소정 영역 (R) 은, 평면에서 봤을 때, 외측 가장자리 (20f) 에 둘러싸인다.The
스텝 S16 은 배리어층 (40) 상에 회로층 (50) 을 형성하는 공정이다. 도 7 은, 배리어층 (40) 상에 회로층 (50) 이 형성된 상태를 나타내는 평면도이다. 도 8 은, 배리어층 (40) 상에 회로층 (50) 이 형성된 상태를 나타내는 단면도이다. 배리어층 (40) 은 평면에서 봤을 때에 있어서 소정 영역 (R) 에 있어서 형성되어 있고, 회로층 (50) 도 동일하다.Step S16 is a process of forming the
예를 들어 회로층 (50) 은 박막 트랜지스터를 포함하는 전자 회로를 갖는다. 회로층 (50) 은, 성막, 포토리소그래피, 에칭 등의 공정을 반복하는 공지된 어레이 프로세스에 의해 형성된다. 회로층 (50) 의 형성 후, 추가로 유기 EL 층이나 봉지층이 형성되어도 된다.For example, the
스텝 S17 은 회로층 (50) 이 형성된 후에 실행된다. 스텝 S17 은 폴리이미드층 (30) 및 박리층 (20) 을 절단하는 공정이다. 스텝 S18 은 스텝 S17 이 실행된 후에 실행된다. 스텝 S18 은 박리층 (20) 으로부터 기판 (10) 을 박리하는 공정이다. 스텝 S17, S18 은 합쳐서, 기판 (10) 으로부터 박리층 (20), 폴리이미드층 (30), 배리어층 (40) 및 회로층 (50) 을 포함하는 적층체 (60) 를 박리하는 공정이라고 할 수도 있다.Step S17 is executed after the
도 9 는, 스텝 S17, S18 을 설명하거나, 혹은 기판 (10) 으로부터 적층체 (60) 를 박리하는 공정을 설명하는 단면도이다. 스텝 S17 에 있어서는 외측 가장자리 (20f) 와 소정 영역 (R) 사이에서, 폴리이미드층 (30) 및 박리층 (20) 이 절단된다. 스텝 S18 에 있어서는, 적층체 (60) 가 기판 (10) 으로부터 기계적으로 잡아떼어진다. 도 9 에 있어서 쇄선은, 폴리이미드층 (30) 및 박리층 (20) 이 절단되는 위치를 나타내고, 잡아떼어진 적층체 (60) 와, 기판 (10) 에 남겨진 폴리이미드층 (30) 및 박리층 (20) 의 위치 관계를 나타낸다.9 is a cross-sectional view illustrating steps S17 and S18 or a step of peeling the
박리층 (20) 과 폴리이미드층 (30) 의 밀착성이 높은 한편으로 박리층 (20) 과 기판 (10) 의 밀착성은 낮다. 폴리이미드층 (30) 을 포함하는 적층체 (60) 를 기계적으로 잡아당기면, 박리층 (20) 과 기판 (10) 의 계면이 용이하게 박리된다. 따라서, 폴리이미드층 (30) 에 주는 데미지를 작게 하면서, 기판 (10) 으로부터 폴리이미드층 (30) 이 용이하게 박리된다.While the adhesiveness of the
박리된 후의 적층체 (60) 는, 얇은 폴리이미드 기판 상에 전자 회로가 형성된 구성을 갖는다. 이러한 적층체 (60) 는, 유연성이 풍부한 플렉시블 디바이스, 예를 들어 표시 장치의 주요 구성 부품에 제공된다.The
박리층 (20) 과 폴리이미드층 (30) 의 밀착성이 높기 때문에, 적층체 (60) 에 있어서 폴리이미드층 (30) 에 박리층 (20) 이 첩부되어 남는다. 박리층 (20) 은, 예를 들어 막두께 100 ㎚ 이하의 지상물로서, 적층체 (60) 의 가요성을 방해하기 어렵다. 박리층 (20) 이 배리어층으로서의 기능을 가져도 된다.Since the adhesiveness of the
스텝 S17 을 생략할 수 있는 경우도 있다. 예를 들어 기판 (10) 에 접촉하는 폴리이미드층 (30) 의 둘레 가장자리부의 면적이 작을 때, 간단히 적층체 (60) 를 기계적으로 잡아당겨 기판 (10) 으로부터 떼어내도 된다. 이러한 처리는, 제 2 도공액 (103) 이 외측 가장자리 (20f) 를 넘지 않고 박리층 (20) 에 도포되어, 폴리이미드층 (30) 이 기판 (10) 에 접촉하지 않는 경우에도 동일하다.Step S17 can be omitted in some cases. For example, when the area of the periphery of the
본 실시형태에 있어서, 박리층 (20) 이 기판 (10) 과 폴리이미드층 (30) 사이에 놓여진다. 박리층 (20) 은 폴리이미드층 (30) 과의 밀착성이 높은 한편, 기판 (10) 과의 밀착성은 낮다. 폴리이미드층 (30) 을 기계적으로 잡아당김으로써, 폴리이미드층 (30) 은 박리층 (20) 과 함께 기판 (10) 으로부터 박리되기 쉽다. 박리층 (20) 은 디본딩 레이어로서 기능한다.In this embodiment, a
본 실시형태에 의하면, 레이저 등을 사용하여 폴리이미드층 (30) 을 베이킹하여 절단하지 않아도, 폴리이미드층 (30) 은 기판 (10) 으로부터 용이하게 박리된다. 고가의 레이저 어닐 장치가 불필요하기 때문에, 저렴하게 기판 (10) 으로부터 폴리이미드층 (30) 이 박리된다.According to the present embodiment, the
본 실시형태에 의하면, 폴리이미드층 (30) 의 박리에 레이저를 사용하지 않으므로, 기판 (10) 으로부터 폴리이미드층 (30) 을 박리할 때에 폴리이미드층 (30) 에 주어지는 데미지는 작다. 따라서 폴리이미드층 (30) 에 응력이 발생하여 당해 폴리이미드층 (30) 이 권취되는 변형은 잘 되지 않아, 폴리이미드층 (30) 상의 회로층 (50) 에 기계적인 데미지를 주는 것도 억제된다. 이러한 변형이나 데미지의 억제는, 적층체 (60) 를 이용한 디바이스의 제조 수율의 향상에 기여한다.According to this embodiment, since a laser is not used for peeling of the
박리층 (20) 에 포함되는 카본 나노튜브는 도전성을 갖는다. 이러한 도전성은, 기판 (10) 으로부터 폴리이미드층 (30) 을 박리할 때의 정전기 발생을 억제하는 것에 기여한다. 정전기 발생의 억제는, 회로층 (50) 에 대한 전기적인 데미지의 억제에 기여한다.The carbon nanotubes included in the
<2. 층상 구조의 제조 방법의 설명><2. Description of the manufacturing method of layered structure>
스텝 S11 ∼ S15 는 박리층 (20) 이 제 1 층으로서 예시되고, 폴리이미드층 (30) 이 제 2 층으로서 예시되는, 하기의 층상 구조의 제조 방법인 것으로 생각할 수 있다.Steps S11 to S15 can be considered to be a manufacturing method of the following layered structure in which the
스텝 S11 은, 카본 나노튜브를 포함하는 분산질과, 분산질이 분산되는 피분산 액체를 갖는 제 1 도공액 (102) 을, 기판 (10) 의 주면 (10a) 에 도포하는 제 1 공정이라고 할 수 있다.Step S11 can be said to be a first step of applying, on the
스텝 S12 는, 주면 (10a) 에 도포된 제 1 도공액 (102) 에 대하여 건조 처리를 실시하는 제 2 공정이라고 할 수 있다.Step S12 can be said to be a second step of drying the
스텝 S13 은, 피분산 액체를 변성시키면서 제거하여 분산질을 포함하는 제 1 층 (상기 서술한 예에서는 박리층 (20)) 을 형성하는 제 3 공정이라고 할 수 있다.Step S13 can be said to be a third step of forming a first layer (
스텝 S14 는, 고분자 재료의 전구체 (상기 서술한 예에서는 폴리이미드 전구체) 를 포함하는 제 2 도공액 (103) 을, 제 1 층에 대하여 주면 (10a) 과는 반대측으로부터 도포하는 제 4 공정이라고 할 수 있다.Step S14 can be said to be a fourth step of applying the
스텝 S15 는, 당해 전구체를 중합시켜 고분자 재료 (상기 서술한 예에서는 폴리이미드) 를 포함하는 제 2 층 (상기 서술한 예에서는 폴리이미드층 (30)) 을 형성하는 제 5 공정이라고 할 수 있다.Step S15 can be said to be a fifth step of polymerizing the precursor to form a second layer (
제 2 층에 대하여 주면 (10a) 과 반대측에 있어서, 구조물 (상기 서술한 예에서는 회로층 (50)) 을 형성하는 것은, 기판 (10) 이 구조물의 형성시에 지지층이 되므로 용이하다. 구조물이 형성된 후에는, 기판 (10) 을 제 2 층으로부터 분리하는 것이 용이하다.Forming the structure (
이하에서는, 주로 스텝 S12, S13 에 있어서의 다양한 방법이 설명된다.Below, various methods mainly in steps S12 and S13 are explained.
<2-1. 광 조사에 의한, 피분산 액체의 변성><2-1. Denaturation of liquid to be dispersed by light irradiation>
도 10 은 스텝 S13 의 내용 (박리층 (20) 의 형성) 을 예시하는 플로 차트이다. 스텝 S13a 에 있어서는 광의 조사가, 스텝 S13b 에 있어서는 가열 처리가 각각 실행된다. 스텝 S13b 가 실행된 후, 처리는 도 1 에 나타낸 플로 차트로 복귀한다 (구체적으로는 스텝 S14 의 실행의 개시).10 is a flow chart illustrating the contents of step S13 (formation of release layer 20). Light irradiation is performed in step S13a, and heat treatment is performed in step S13b. After step S13b is executed, the process returns to the flow chart shown in Fig. 1 (specifically, the execution of step S14 is started).
구체적으로는, 스텝 S13a 에 있어서는, 제 1 도공액 (102) 에 대하여, 300 ㎚ 이하의 파장을 갖는 광 (이하「자외광」이라고 칭한다) 이 조사된다. 이러한 광의 조사는 제 1 도공액 (102) 의 근방에 있어서 산소 라디칼을 생성한다. 제 1 도공액 (102) 은 예를 들어 피분산 액체에 포함되는 분산매에 있어서 유기물을 포함하거나, 혹은 피분산 액체에 포함될 수 있는 분산제에 있어서 유기물을 포함하고, 당해 유기물은 주로 탄소, 수소, 산소를 포함하는 화합물이다.Specifically, in step S13a, light having a wavelength of 300 nm or less (hereinafter referred to as "ultraviolet light") is irradiated to the
탄소 원자 (C), 수소 원자 (H), 산소 원자 (O), 산소 라디칼 (O*) 을 도입하여, 산소 라디칼 (O*) 은 하기와 같이 유기물을 분해시켜, 일산화탄소, 이산화탄소, 물을 생성한다. 이러한 분해는 상기 서술한 변성의 일 양태이다. 일산화탄소, 이산화탄소는 기체로서, 물은 액체 혹은 기체로서 제 1 도공액 (102) 으로부터 제거되고, 카본 나노튜브를 포함하는 분산매가 주면 (10a) 에 잔치 (殘置) 한다.By introducing carbon atoms (C), hydrogen atoms (H), oxygen atoms (O), and oxygen radicals (O*), the oxygen radicals (O*) decompose organic matter to produce carbon monoxide, carbon dioxide, and water as follows: do. This decomposition is one aspect of the denaturation described above. Carbon monoxide and carbon dioxide are removed from the
C + O* → CO,C + O* → CO,
C + 2O* → CO2,C + 2O* → CO 2 ,
2H + O* → H2O2H + O* → H 2 O
본 실시형태에 있어서 자외광의 광원으로는, 예를 들어 심자외 발광 다이오드, 저압 수은 램프, 엑시머 램프가 예시된다. 저압 수은 램프는 주로 파장이 254 ㎚ 인 광을 발생시킨다. 엑시머 램프는 주로 파장이 172 ㎚ 인 광을 발생시킨다.In this embodiment, as a light source of ultraviolet light, a deep ultraviolet light emitting diode, a low-pressure mercury lamp, and an excimer lamp are illustrated, for example. Low-pressure mercury lamps mainly produce light with a wavelength of 254 nm. Excimer lamps mainly produce light with a wavelength of 172 nm.
스텝 S13a 에 의한 광의 조사 후, 스텝 S13b 가 실행된다. 스텝 S13b 에서는 예를 들어 350 ℃ 의 가열이 실시된다. 예를 들어 스텝 S13a 에 있어서 저압 수은 램프에 의해 1 평방센티미터당 1000 mJ 의 자외선이 제 1 도공액 (102) 에 조사된 후, 스텝 S13b 에 있어서 30 분간, 350 ℃ 에서의 가열이 실시된다.After irradiation of light in step S13a, step S13b is executed. In step S13b, heating at 350°C is performed, for example. For example, after irradiating the
산소 라디칼 (O*) 을 사용한 피분산 액체의 변성은, 단순한 가열에 의한 피분산 액체의 제거와 비교하여, 고온의 처리를 생략하기 쉽다. 예를 들어 산소 라디칼 (O*) 을 사용하지 않는 경우, 피분산 액체의 제거에는 500 ℃ 정도의 가열이 필요하다. 이에 반하여 산소 라디칼 (O*) 을 사용함으로써, 가열 온도가 낮아도 되어, 박리층 (20) 을 형성하는 효율이 향상된다.In the modification of the liquid to be dispersed using oxygen radicals (O*), the high-temperature treatment is easily omitted compared to the removal of the liquid to be dispersed by simple heating. For example, when oxygen radicals (O*) are not used, heating of about 500°C is required to remove the liquid to be dispersed. In contrast, by using oxygen radicals (O*), the heating temperature may be low, and the efficiency of forming the
스텝 S13a 에는 가열이 수반되어도 된다. 예를 들어 스텝 S12 에 있어서 감압 건조가 채용되고, 스텝 S13a 에 있어서 제 1 온도의 가열을 수반하여 자외광의 조사가 실시되고, 스텝 S13b 에 있어서 제 1 온도보다 높은 제 2 온도에서 가열 처리가 실시된다.Heating may accompany step S13a. For example, vacuum drying is employed in step S12, ultraviolet light is irradiated with heating at a first temperature in step S13a, and heat treatment is performed at a second temperature higher than the first temperature in step S13b. do.
예를 들어 스텝 S12 에 있어서 가열에 의해 건조 처리가 실시되고, 가열을 수반하지 않고 혹은 가열을 유지하며 스텝 S13a 가 실행된다. 그 후, 스텝 S12 에 있어서의 가열보다 높은 온도에서 스텝 S13b 가 실행된다. 예를 들어 스텝 S12, S13a 에 있어서는, 100 ∼ 150 ℃ 의 가열이 채용된다.For example, drying treatment is performed by heating in step S12, and step S13a is executed without heating or while maintaining heating. After that, step S13b is performed at a temperature higher than the heating in step S12. For example, in steps S12 and S13a, heating at 100 to 150°C is employed.
스텝 S13b 에 있어서의 가열 처리가 700 ℃ 를 초과하지 않는 것은, 박리층 (20) 에 있어서의 카본 나노튜브의 특성을 열화시키지 않는 것에 기여한다.The fact that the heat treatment in step S13b does not exceed 700°C contributes to not deteriorating the properties of the carbon nanotubes in the
스텝 S13a 의 실행에 관하여, 2 개의 양태가 제안된다. 도 11 은 기판 (10) 을 이동시키면서 자외광을 조사하는 양태를 모식적으로 나타내는 측면도이다. 도 12 는 기판 (10) 을 이동시키지 않고 자외광을 조사하는 양태를 모식적으로 나타내는 측면도이다.Regarding the execution of step S13a, two aspects are proposed. FIG. 11 is a side view schematically showing an aspect of irradiating ultraviolet light while moving the
엑시머 램프 (8) 는 복수의 램프관 (81) 을 구비한다. 램프관 (81) 의 각각은 지면 수직 방향으로 그려지는 방향 M 을 따라 연장된다. 램프관 (81) 의 복수가, 방향 Q 를 따라 나열되어 배치된다. 방향 Q 는 방향 M 과 비평행이고, 여기서는 방향 M 과 직교하는 경우가 예시된다.The
제 1 도공액 (102) 이 도포된 기판 (10) 은 그 방향 P 를 방향 M, Q 중 어느 것에도 비평행하게 하여 배치된다. 여기서는 방향 P 가 방향 M, Q 와 직교하는 경우가 예시된다. 기판 (10) 은 제 1 도공액 (102) 을 엑시머 램프 (8) 를 향하게 하여 배치된다.The
도 11 에 나타내는 양태에 있어서는, 기판 (10) 은 방향 Q 를 따라 이동한다. 기판 (10) 은 예를 들어 방향 M 을 따라 연장되는 롤러 (9) 의 복수에 의해 면 (10b) 이 지지되면서 방향 Q 로 반송된다. 롤러 (9) 의 도면에 있어서 시계 방향으로의 회전은, 기판 (10) 의 방향 Q 로의 이동에 기여한다.In the aspect shown in Fig. 11, the
도 11 에 나타내는 양태는, 반송 기구가 필요하지만, 램프관 (81) 의 개수는 적어도 된다. 도 12 에 나타내는 양태에 있어서는, 반송 기구가 불필요하지만, 램프관 (81) 의 개수는 많이 필요하다.The aspect shown in FIG. 11 requires a transport mechanism, but the number of
<2-2. 플라즈마에 의한, 피분산 액체의 변성><2-2. Denaturation of liquid to be dispersed by plasma>
도 13 은 스텝 S13 의 다른 내용을 예시하는 플로 차트이다. 스텝 S13c 에 있어서는 반응성 플라즈마의 발생이, 스텝 S13d 에 있어서는 가열 처리가 각각 실행된다. 스텝 S13d 가 실행된 후, 처리는 도 1 에 나타낸 플로 차트로 복귀한다 (구체적으로는 스텝 S14 의 실행의 개시).Fig. 13 is a flowchart illustrating other contents of step S13. Generation of reactive plasma is performed in step S13c, and heat treatment is performed in step S13d, respectively. After step S13d is executed, the process returns to the flowchart shown in Fig. 1 (specifically, the execution of step S14 is started).
스텝 S13d 에서 실행되는 가열 처리의 온도는, 예를 들어 200 ℃ 이상이다. 스텝 S13d 에 있어서의 가열 처리가 700 ℃ 를 초과하지 않는 것은, 박리층 (20) 에 있어서의 카본 나노튜브의 특성을 열화시키지 않는 것에 기여한다.The temperature of the heat treatment performed in step S13d is, for example, 200°C or higher. The fact that the heat treatment in step S13d does not exceed 700°C contributes to not deteriorating the properties of the carbon nanotubes in the
스텝 S13c 에 있어서는, 제 1 도공액 (102) 의 근방에 있어서 반응성 플라즈마가 생성된다 (이하「반응성 플라즈마가 발생한다」라고도 표현된다). 반응성 플라즈마의 생성에 사용되는 반응성 가스로서, 산화성의 가스가 사용되는 양태와, 환원성의 가스가 사용되는 양태가 예시된다.In Step S13c, a reactive plasma is generated in the vicinity of the first coating liquid 102 (hereinafter also referred to as "reactive plasma is generated"). As the reactive gas used for generating the reactive plasma, an aspect in which an oxidizing gas is used and an aspect in which a reducing gas are used are exemplified.
산화성의 가스로는 산소 가스가 예시되고, 반응성 플라즈마의 발생에는 예를 들어 산소 가스와 아르곤 가스의 혼합 가스가 이용된다. 환원성의 가스로는 수소 가스가 예시되고, 반응성 플라즈마의 발생에는 예를 들어 수소 가스와 아르곤 가스의 혼합 가스가 이용된다. 이들 혼합 가스를 사용한 반응성 플라즈마의 발생에 대해서는 주지되어 있으므로, 그 상세는 생략된다.Oxygen gas is exemplified as the oxidizing gas, and a mixed gas of, for example, oxygen gas and argon gas is used to generate the reactive plasma. Hydrogen gas is exemplified as the reducing gas, and a mixed gas of, for example, hydrogen gas and argon gas is used to generate the reactive plasma. Since the generation of reactive plasma using these mixed gases is well known, details thereof are omitted.
반응성 플라즈마의 생성에 산소 가스가 사용된 경우, 발생한 산소 플라즈마는 산소 라디칼 (O*) 을 제 1 도공액 (102) 에 공급한다. 상기 서술된 자외광의 조사와 동일한 화학 반응에 의해, 카본 나노튜브를 포함하는 분산매가 주면 (10a) 에 잔치한다.When oxygen gas is used to generate the reactive plasma, the generated oxygen plasma supplies oxygen radicals (O*) to the
반응성 플라즈마의 생성에 수소 가스가 사용된 경우, 발생한 수소 플라즈마는 수소 라디칼 (H*) 을 제 1 도공액 (102) 에 공급한다. 수소 라디칼 (H*) 을 도입하여, 수소 라디칼 (H*) 은 하기와 같이 유기물을 분해시켜 물을 생성한다. 이러한 분해는 상기 서술한 변성의 일 양태이다. 물은 액체 혹은 기체로서 제 1 도공액 (102) 으로부터 제거되고, 카본 나노튜브를 포함하는 분산매가 주면 (10a) 에 잔치한다.When hydrogen gas is used to generate the reactive plasma, the generated hydrogen plasma supplies hydrogen radicals (H*) to the
O + 2H* → H2OO + 2H* → H 2 O
유기물에 있어서 C-H 의 결합 에너지는 413 KJ/mol 이고, O-H 의 결합 에너지는 463 KJ/mol 이고, C=O 의 결합 에너지는 799 KJ/mol 이다. C=O 의 결합 에너지는 C-H 의 결합 에너지보다 크다. 수소 라디칼 (H*) 도 산소 라디칼 (O*) 과 동일하게 유기물에 있어서의 결합을 절단할 수 있다.In organic matter, the binding energy of C-H is 413 KJ/mol, the binding energy of O-H is 463 KJ/mol, and the binding energy of C=O is 799 KJ/mol. The binding energy of C=O is greater than that of C-H. Hydrogen radicals (H*) can also cleave bonds in organic substances in the same way as oxygen radicals (O*).
산소보다 수소의 쪽이, 원자간 괴리 에너지는 낮고, 플라즈마 방전되기 쉽다. 산소 가스를 사용하는 것보다 수소 가스를 사용한 반응성 플라즈마의 쪽이, 많은 플라즈마가 생성되기 쉽다.Hydrogen has a lower interatomic dissociation energy than oxygen, and is more likely to be plasma discharged. Reactive plasma using hydrogen gas tends to generate more plasma than oxygen gas.
도 14 는 반응성 플라즈마의 발생을 모식적으로 나타내는 측면도이다. 챔버 (7) 는 1 쌍의 전극 (83) 을 수용한다. 1 쌍의 전극 (83) 의 사이에는 혼합 가스 (82) 가 공급된다. 혼합 가스 (82) 는 챔버 (7) 의 외부로부터 공급되고, 여기서는 1 쌍의 전극 (83) 의 사이에 공급되는 양태가 예시된다.14 is a side view schematically illustrating generation of reactive plasma. The
혼합 가스 (82) 는, 상기 서술한 예에 입각하여 말하면, 아르곤 가스와 산소 가스의 혼합 가스이고, 혹은 아르곤 가스와 수소 가스의 혼합 가스이다. 예를 들어 반응성 플라즈마로서 대기압 플라즈마가 채용된다.The
제 1 도공액 (102) 이 도포된 기판 (10) 은 제 1 도공액 (102) 을 전극 (83) 을 향하게 하면서, 챔버 (7) 내를 방향 Q 를 따라 이동한다. 도 11 및 도 12 와 동일하게, 도 14 에 있어서도, 방향 Q 가 방향 P 와 직교하는 경우가 예시된다.The
기판 (10) 은 예를 들어 롤러 (9) 의 복수에 의해, 면 (10b) 이 지지되면서 방향 Q 로 반송된다. 롤러 (9) 의 각각은, 방향 P, Q 중 어느 것과도 직교하는 방향 M 을 따라 연장된다. 롤러 (9) 의 도면에 있어서 시계 방향으로의 회전은, 기판 (10) 의 방향 Q 로의 이동에 기여한다.The
반응성 플라즈마는 전극 (83) 사이에 놓인 영역 (J) 에 있어서 발생한다. 영역 (J) 으로부터는 산소 라디칼 (O*) 혹은 수소 라디칼 (H*) 이 기판 (10) 을 향하여 확산되어, 제 1 도공액 (102) 에 공급된다. 반응성 플라즈마는, 제 1 도공액 (102) 에 포함되는 피분산 액체에 대하여, 주면 (10a) 과는 반대측에 있어서 생성된다.Reactive plasma is generated in the region J lying between the
자외광의 조사와 동일하게, 산화성 가스를 이용한 반응성 플라즈마에 의해 발생하는 산소 라디칼 (O*) 을 사용한 피분산 액체의 변성도, 단순한 가열에 의한 피분산 액체의 제거와 비교하여, 고온의 처리를 생략하기 쉽다. 환원성 가스를 이용한 반응성 플라즈마에 의한 피분산 액체의 변성도 동일하다. 예를 들어 반응성 플라즈마에 의해 피분산 액체를 변성시켜 제거할 때, 스텝 S13d 는 생략되어도 된다.Similar to irradiation with ultraviolet light, the denaturation of the liquid to be dispersed using oxygen radicals (O*) generated by the reactive plasma using the oxidizing gas is also higher than the removal of the liquid to be dispersed by simple heating. easy to omit Modification of the liquid to be dispersed by reactive plasma using a reducing gas is also the same. For example, when the liquid to be dispersed is denatured and removed by reactive plasma, step S13d may be omitted.
특허문헌 2 는 분산액을 도포하여 형성한 도포막을 건조시켜 분산매를 증발시키는 것을 개시하지만, 분산제를 제거하는 기술에 대해 명기하고 있지 않다. 분산제가 피분산 액체에 포함되는 경우, 예를 들어 분산제는, 제 1 도공액 (102) 을 500 ℃ 의 온도에 있어서 30 분 정도로 가열함으로써, 변성되면서 제거된다. 이와 같은 가열 처리는 박리층 (20) 을 형성하는 효율을 저하시키는 요인이 될 수 있다. 실시형태에서 예시된 변성에서는 가열 처리에 필요한 온도가 낮아, 박리층 (20) 을 형성하는 효율을 향상시킨다.Patent Literature 2 discloses drying a coating film formed by applying a dispersion liquid to evaporate the dispersion medium, but does not specify a technique for removing the dispersant. When the dispersing agent is contained in the liquid to be dispersed, the dispersing agent is removed while being denatured by, for example, heating the
<3. 전자 장치의 제조 방법의 설명><3. Description of manufacturing method of electronic device>
스텝 S16, S17, S18 은 층상 구조를 제조하는 스텝 S11 ∼ S15 와 더불어, 회로층 (50) 이 갖는 전자 회로를 구비한 전자 장치를 제조하는 방법인 것으로 생각할 수 있다.Steps S16, S17, and S18, together with steps S11 to S15 for manufacturing the layered structure, can be considered as a method for manufacturing an electronic device equipped with an electronic circuit included in the
회로층 (50) 은, 폴리이미드층 (30) 으로 예시되는 제 2 층 상에 형성되고, 전자 회로를 갖는 제 3 층의 예라고 할 수 있다. 스텝 S16 은, 폴리이미드층 (30) 으로 예시되는 제 2 층 상에, 예를 들어 소정 영역 (R) 에 있어서 회로층 (50) 으로 예시되는 제 3 층을 형성하는 제 6 공정이라고 할 수 있다.The
스텝 S17 은, 평면에서 봤을 때, 외측 가장자리 (20f) 와 소정 영역 (R) 사이에 있어서 박리층 (20) 으로 예시되는 제 1 층 및 폴리이미드층 (30) 으로 예시되는 제 2 층을 절단하는 제 7 공정이라고 할 수 있다. 이 경우, 스텝 S18 은 제 1 층으로부터 기판 (10) 을 박리하는 제 8 공정이라고 할 수 있다.Step S17 cuts the first layer exemplified by the
혹은, 스텝 S17 이 생략될 때에는, 스텝 S18 이 상기 서술한 제 7 공정이라고 할 수 있다.Alternatively, when step S17 is omitted, it can be said that step S18 is the seventh step described above.
<변형><Transformation>
이상, 본 개시의 실시형태에 대해 설명하였지만, 본 개시는 그 취지를 일탈하지 않는 한에 있어서 상기 서술한 것 이외에 다양한 변경을 실시하는 것이 가능하다. 예를 들어 배리어층 (40) 의 형성을 생략하고, 폴리이미드층 (30) 상에 직접 회로층 (50) 이 형성되어도 된다.As mentioned above, although embodiment of this indication was described, this indication can implement various changes other than what was mentioned above, unless it deviated from the meaning. For example, formation of the
상기 서술된 기술은, 유기 EL 디스플레이나 액정 디스플레이 등의 표시 장치의 제조, 예를 들어 폴리이미드 기판 상에 회로를 형성한 플렉시블 디바이스의 제조로의 이용이 가능하다.The above-described technology can be used for production of display devices such as organic EL displays and liquid crystal displays, for example, for production of flexible devices in which circuits are formed on polyimide substrates.
10 : 기판
10a : 주면
20 : 박리층 (제 1 층)
20f : 외측 가장자리
30 : 폴리이미드층 (제 2 층)
50 : 회로층 (제 3 층)
102 : 제 1 도공액
103 : 제 2 도공액
C : 탄소 원자
H : 수소 원자
H* : 수소 라디칼
O : 산소 원자
O* : 산소 라디칼
P : (주면에 수직인) 방향
R : 소정 영역
S11 : 스텝 (제 1 공정)
S12 : 스텝 (제 2 공정)
S13 : 스텝 (제 3 공정)
S14 : 스텝 (제 4 공정)
S15 : 스텝 (제 5 공정)
S16 : 스텝 (제 6 공정)
S17 : 스텝 (제 7 공정)
S18 : 스텝 (제 8 공정 ; 제 7 공정) 10: Substrate
10a: give
20: exfoliation layer (first layer)
20f: outer edge
30: polyimide layer (second layer)
50: circuit layer (third layer)
102: first coating liquid
103: second coating liquid
C: carbon atom
H: hydrogen atom
H* : hydrogen radical
O: oxygen atom
O* : Oxygen radical
P: direction (perpendicular to the principal plane)
R: predetermined area
S11: step (first process)
S12: step (second process)
S13: step (third process)
S14: step (fourth process)
S15: step (5th process)
S16: step (6th process)
S17: step (seventh process)
S18: step (8th process; 7th process)
Claims (10)
상기 주면에 도포된 상기 제 1 도공액에 대하여 건조 처리를 실시하는 제 2 공정과,
상기 액체를 변성시키면서 제거하여 상기 분산질을 포함하는 제 1 층을 형성하는 제 3 공정과,
고분자 재료의 전구체를 포함하는 제 2 도공액을, 상기 제 1 층에 대하여 상기 주면과는 반대측으로부터 도포하는 제 4 공정과,
상기 전구체를 중합시켜 상기 고분자 재료를 포함하는 제 2 층을 형성하는 제 5 공정을 구비하는, 층상 구조의 제조 방법.A first step of applying a first coating solution having a dispersoid containing carbon nanotubes and a liquid as a dispersion medium in which the dispersoid is dispersed to the main surface of the substrate;
a second step of subjecting the first coating liquid applied to the main surface to a drying treatment;
a third step of forming a first layer including the dispersoid by removing the liquid while denaturing;
a fourth step of applying a second coating solution containing a precursor of a polymeric material to the first layer from a side opposite to the main surface;
A method for producing a layered structure comprising a fifth step of polymerizing the precursor to form a second layer containing the polymer material.
상기 제 3 공정에 있어서 산소 라디칼이 상기 액체에 공급되는, 층상 구조의 제조 방법.According to claim 1,
The method for producing a layered structure in which oxygen radicals are supplied to the liquid in the third step.
상기 제 3 공정에 있어서, 300 ㎚ 이하의 파장을 갖는 광을 사용하여 상기 산소 라디칼이 생성되는, 층상 구조의 제조 방법.According to claim 2,
In the third step, the oxygen radical is generated using light having a wavelength of 300 nm or less.
상기 제 3 공정에 있어서, 산소 플라즈마를 사용하여 상기 산소 라디칼이 생성되는, 층상 구조의 제조 방법.According to claim 2,
In the third step, the oxygen radical is generated using oxygen plasma.
상기 제 3 공정에 있어서, 상기 액체에 대하여 상기 주면과는 반대측에 있어서 반응성 플라즈마가 생성되는, 층상 구조의 제조 방법.According to claim 1,
In the third step, a reactive plasma is generated on a side opposite to the main surface with respect to the liquid.
산화성 가스를 반응성 가스로 하여 상기 반응성 플라즈마가 생성되는, 층상 구조의 제조 방법.According to claim 5,
A method for producing a layered structure, wherein the reactive plasma is generated using an oxidizing gas as a reactive gas.
환원성 가스를 반응성 가스로 하여 상기 반응성 플라즈마가 생성되는, 층상 구조의 제조 방법.According to claim 5,
A method for producing a layered structure, wherein the reactive plasma is generated using a reducing gas as a reactive gas.
상기 제 4 공정에 있어서, 상기 제 2 도공액은 상기 제 1 층 주위의 상기 주면에 대해서도 도포되는, 층상 구조의 제조 방법.According to any one of claims 1 to 7,
In the fourth step, the second coating liquid is also applied to the main surface around the first layer.
제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 기재된 층상 구조의 제조 방법이 구비하는 상기 제 1 공정 내지 상기 제 5 공정과,
상기 제 2 층 상에 상기 전자 회로를 갖는 제 3 층을 형성하는 제 6 공정과,
상기 제 6 공정의 후, 상기 제 1 층으로부터 상기 기판을 박리하는 제 7 공정을 구비하는, 전자 장치의 제조 방법.A method of manufacturing an electronic device having an electronic circuit, comprising:
The first step to the fifth step of the method for manufacturing the layer structure according to any one of claims 1 to 7;
a sixth step of forming a third layer having the electronic circuit on the second layer;
A method for manufacturing an electronic device comprising: a seventh step of peeling the substrate from the first layer after the sixth step.
제 8 항에 기재된 층상 구조의 제조 방법이 구비하는 상기 제 1 공정 내지 상기 제 5 공정과,
상기 제 2 층 상에, 상기 주면에 수직인 방향에서 보아 상기 제 1 층의 외측 가장자리에 둘러싸이는 소정 영역에 있어서, 상기 전자 회로를 갖는 제 3 층을 형성하는 제 6 공정과,
상기 제 6 공정의 후, 상기 방향에서 보아 상기 제 1 층의 외측 가장자리와 상기 소정 영역 사이에 있어서 상기 제 1 층 및 상기 제 2 층을 절단하는 제 7 공정과,
상기 제 7 공정의 후, 상기 제 1 층으로부터 상기 기판을 박리하는 제 8 공정을 구비하는, 전자 장치의 제조 방법.A method of manufacturing an electronic device having an electronic circuit, comprising:
The first step to the fifth step included in the method for manufacturing the layer structure according to claim 8;
a sixth step of forming a third layer having the electronic circuit on the second layer in a predetermined area surrounded by an outer edge of the first layer as viewed in a direction perpendicular to the main surface;
a seventh step of cutting the first layer and the second layer between the outer edge of the first layer and the predetermined region as viewed from the direction after the sixth step;
An electronic device manufacturing method comprising: an eighth step of peeling the substrate from the first layer after the seventh step.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2021214293A JP2023097915A (en) | 2021-12-28 | 2021-12-28 | Layered structure manufacturing method and electronic device manufacturing method |
JPJP-P-2021-214293 | 2021-12-28 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20230100606A true KR20230100606A (en) | 2023-07-05 |
Family
ID=86940772
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020220156348A KR20230100606A (en) | 2021-12-28 | 2022-11-21 | Method for manufacturing layered structure and method for manufacturing electronic device |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2023097915A (en) |
KR (1) | KR20230100606A (en) |
CN (1) | CN116367458A (en) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015165491A (en) | 2014-02-06 | 2015-09-17 | 三菱化学株式会社 | Organic electroluminescent device and method for manufacturing the same |
JP2019144347A (en) | 2018-02-19 | 2019-08-29 | 株式会社Screenホールディングス | Manufacturing method of display device |
-
2021
- 2021-12-28 JP JP2021214293A patent/JP2023097915A/en active Pending
-
2022
- 2022-11-21 KR KR1020220156348A patent/KR20230100606A/en unknown
- 2022-12-19 CN CN202211630474.5A patent/CN116367458A/en active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015165491A (en) | 2014-02-06 | 2015-09-17 | 三菱化学株式会社 | Organic electroluminescent device and method for manufacturing the same |
JP2019144347A (en) | 2018-02-19 | 2019-08-29 | 株式会社Screenホールディングス | Manufacturing method of display device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW202332093A (en) | 2023-08-01 |
CN116367458A (en) | 2023-06-30 |
JP2023097915A (en) | 2023-07-10 |
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