KR20230097965A - Apparatus for treating substrate and method for processing a substrate - Google Patents
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Abstract
본 발명은 복수 개의 챔버에서 기판을 처리하는 방법을 제공한다. 기판을 처리하는 방법은 순환 라인에서 액이 순환하면서 상기 순환 라인과 상기 복수 개의 챔버들 각각을 연결하는 공급 라인을 통해 상기 챔버 내에 위치한 기판의 액 처리가 이루어지고, 상기 공급 라인에 설치된 밸브의 하류에 흐르는 상기 액의 단위 시간당 유량은 기준 유량으로 일정하게 유지하되, 상기 밸브의 상류에 흐르는 상기 액의 단위 시간당 유량인 분배 유량을 근거로, 상기 공급 라인들보다 상기 순환 라인의 상류에 흐르는 상기 액의 단위 시간당 유량인 상류 유량 또는 상기 공급 라인들보다 상기 순환 라인의 하류에 흐르는 상기 액의 단위 시간당 유량인 하류 유량을 조절하여 상기 기준 유량을 유지할 수 있다.The present invention provides a method of processing a substrate in a plurality of chambers. In the substrate processing method, the liquid is circulated in a circulation line, and liquid processing of the substrate located in the chamber is performed through a supply line connecting the circulation line and each of the plurality of chambers, downstream of a valve installed in the supply line. The flow rate per unit time of the liquid flowing in is kept constant as a reference flow rate, but based on the distribution flow rate, which is the flow rate per unit time of the liquid flowing upstream of the valve, the liquid flowing upstream of the circulation line rather than the supply lines. The reference flow rate may be maintained by adjusting an upstream flow rate, which is a flow rate per unit time, or a downstream flow rate, which is a flow rate per unit time, of the liquid flowing downstream of the circulation line rather than the supply lines.
Description
본 발명은 기판을 처리하는 장치 및 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 기판을 액 처리하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus and method for processing a substrate, and more particularly, to a substrate processing apparatus and method for liquid processing a substrate.
일반적으로, 반도체 소자를 제조하기 위해서는 사진 공정(Photo Process), 식각 공정(Etching Process), 이온 주입 공정(Ion Implantation Process), 그리고 증착 공정(Deposition Process) 등과 같은 다양한 공정이 수행된다. 또한, 이러한 공정들을 수행하는 과정에서 파티클, 유기 오염물 등의 불순물(Byproduct)이 발생한다. 이러한 불순물은 기판에 부착되어 반도체 소자의 성능 및 수율에 직접적인 영향을 미치는 결함 요인으로 작용한다. 반도체 소자의 제조 공정에는 이러한 불순물을 제거하기 위한 세정 공정이 필수적으로 수반된다.In general, in order to manufacture a semiconductor device, various processes such as a photo process, an etching process, an ion implantation process, and a deposition process are performed. In addition, impurities such as particles and organic contaminants are generated in the process of performing these processes. These impurities adhere to the substrate and act as defect factors that directly affect the performance and yield of semiconductor devices. The manufacturing process of a semiconductor device necessarily involves a cleaning process to remove these impurities.
챔버에서 세정 공정을 수행할 때 챔버 내에 위치한 기판에 공급되는 액의 유량이 일정하게 유지되어야 한다. 기판에 액의 유량이 과도하게 공급되는 경우, 기판에 형성된 각종 박막 또는 패턴들이 손상된다. 이와 반대로, 기판에 액의 유량이 부족하게 공급되는 경우, 기판에 부착된 불순물이 제거되지 않는다. 불순물이 기판에 부착된 상태로 후속 공정이 수행되는 경우, 후속 공정에서 원활한 기판의 처리가 불가능하다.When the cleaning process is performed in the chamber, the flow rate of the liquid supplied to the substrate located in the chamber must be kept constant. When an excessive flow rate of liquid is supplied to the substrate, various thin films or patterns formed on the substrate are damaged. Conversely, when an insufficient flow rate of the liquid is supplied to the substrate, impurities adhering to the substrate are not removed. When a subsequent process is performed with impurities attached to the substrate, it is impossible to smoothly process the substrate in the subsequent process.
일반적으로, 기판에 공급되는 유량을 일정하게 유지하기 위해 정압 밸브를 사용한다. 그러나, 정압 밸브로 유입되는 액의 단위 시간당 유량이 증가하는 경우 정압 밸브에 전달되는 액의 압력이 증가한다. 정압 밸브에 전달되는 액의 압력이 증가하는 경우 정압 밸브에 손상이 발생한다. 정압 밸브가 손상되어 파티클이 발생되고, 파티클은 챔버 내로 유입되어 챔버 내에 위치한 기판에 부착된다. 이는 전술한 바와 마찬가지로, 기판의 결함으로 귀결된다. 또한, 정압 밸브로 유입되는 액의 단위 시간당 유량이 감소하는 경우, 정압 밸브에 전달되는 액의 압력이 감소하여 챔버 내에 위치한 기판에 적정 유량을 공급하기 어렵다. 이 또한 전술한 바와 같이, 기판에 부착된 불순물이 효율적으로 제거되지 않아 후속 공정에서 기판의 결함으로 귀결된다.In general, a constant pressure valve is used to maintain a constant flow rate supplied to the substrate. However, when the flow rate per unit time of the liquid flowing into the constant pressure valve increases, the pressure of the liquid delivered to the constant pressure valve increases. When the pressure of the liquid delivered to the constant pressure valve increases, damage occurs to the constant pressure valve. The static pressure valve is damaged and particles are generated, and the particles are introduced into the chamber and attached to a substrate located in the chamber. As described above, this results in defects in the substrate. In addition, when the flow rate per unit time of the liquid flowing into the constant pressure valve decreases, the pressure of the liquid delivered to the constant pressure valve decreases, making it difficult to supply an appropriate flow rate to the substrate located in the chamber. As described above, impurities attached to the substrate are not efficiently removed, resulting in defects in the substrate in a subsequent process.
본 발명은 기판을 효율적으로 처리할 수 있는 기판 처리 장치 및 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and method capable of efficiently processing a substrate.
또한, 본 발명은 기판에 일정한 유량의 액을 공급할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.Another object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of supplying a liquid at a constant flow rate to a substrate.
또한, 본 발명은 액이 순환하는 순환 라인에서의 액의 단위 시간당 유량을 조절하여 챔버에 공급되는 액의 유량을 일정하게 유지할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.Another object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of maintaining a constant flow rate of liquid supplied to a chamber by adjusting the flow rate per unit time of liquid in a circulation line in which the liquid circulates.
또한, 본 발명은 액이 공급되는 챔버 수가 변경되더라도 각 챔버 내에 공급되는 액의 유량을 일정하게 유지할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.In addition, an object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of maintaining a constant flow rate of liquid supplied into each chamber even if the number of chambers supplied with liquid is changed.
본 발명의 목적은 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The object of the present invention is not limited thereto, and other objects not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.
본 발명은 복수 개의 챔버에서 기판을 처리하는 방법을 제공한다. 기판을 처리하는 방법은 순환 라인에서 액이 순환하면서 상기 순환 라인과 상기 복수 개의 챔버들 각각을 연결하는 공급 라인을 통해 상기 챔버 내에 위치한 기판의 액 처리가 이루어지고, 상기 공급 라인에 설치된 밸브의 하류에 흐르는 상기 액의 단위 시간당 유량은 기준 유량으로 일정하게 유지하되, 상기 밸브의 상류에 흐르는 상기 액의 단위 시간당 유량인 분배 유량을 근거로, 상기 공급 라인들보다 상기 순환 라인의 상류에 흐르는 상기 액의 단위 시간당 유량인 상류 유량 또는 상기 공급 라인들보다 상기 순환 라인의 하류에 흐르는 상기 액의 단위 시간당 유량인 하류 유량을 조절하여 상기 기준 유량을 유지할 수 있다.The present invention provides a method of processing a substrate in a plurality of chambers. In the substrate processing method, the liquid is circulated in a circulation line, and liquid processing of the substrate located in the chamber is performed through a supply line connecting the circulation line and each of the plurality of chambers, downstream of a valve installed in the supply line. The flow rate per unit time of the liquid flowing in is kept constant as a reference flow rate, but based on the distribution flow rate, which is the flow rate per unit time of the liquid flowing upstream of the valve, the liquid flowing upstream of the circulation line rather than the supply lines. The reference flow rate may be maintained by adjusting an upstream flow rate, which is a flow rate per unit time, or a downstream flow rate, which is a flow rate per unit time, of the liquid flowing downstream of the circulation line rather than the supply lines.
일 실시예에 의하면, 상기 순환 라인의 상류에는 유체압을 이용하여 상기 순환 라인의 하류로 상기 액을 공급하는 펌프와 제1전공 레귤레이터가 설치되고, 상기 제1전공 레귤레이터는 상기 분배 유량 데이터를 피드백하고 상기 펌프로 공급되는 상기 유체압을 변경시켜 상기 상류 유량을 조절할 수 있다.According to one embodiment, a pump and a first electro-pneumatic regulator are installed upstream of the circulation line to supply the liquid to the downstream of the circulation line by using fluid pressure, and the first electro-pneumatic regulator feeds back the distribution flow rate data. And the upstream flow rate can be adjusted by changing the fluid pressure supplied to the pump.
일 실시예에 의하면, 상기 순환 라인의 하류에는 압력에 따라 개방율이 변경되는 배압 밸브와 제2전공 레귤레이터가 설치되고, 상기 제2전공 레귤레이터는 상기 분배 유량 데이터를 피드백하여 상기 배압 밸브에 공급되는 상기 압력을 변경하고, 변경된 상기 압력에 따라 상기 개방율이 변경되어 상기 하류 유량이 조절될 수 있다.According to an embodiment, a back pressure valve whose opening rate is changed according to pressure and a second electro-pneumatic regulator are installed downstream of the circulation line, and the second electro-pneumatic regulator feeds back the distribution flow rate data and supplies it to the back pressure valve. The downstream flow rate may be adjusted by changing the pressure and changing the opening rate according to the changed pressure.
일 실시예에 의하면, 상기 방법은 상기 복수 개의 챔버들 중 적어도 어느 하나의 챔버에서 상기 액 처리가 이루어지는 제1상태와 상기 제1상태보다 상대적으로 적은 수의 챔버에서 상기 액 처리가 이루어지는 제2상태를 포함하고, 상기 제1상태와 상기 제2상태 각각에서 상기 상류 유량 또는 상기 하류 유량은 서로 다르게 조절될 수 있다.According to an embodiment, the method may include a first state in which the liquid processing is performed in at least one of the plurality of chambers and a second state in which the liquid processing is performed in relatively fewer chambers than the first state. Including, in each of the first state and the second state, the upstream flow rate or the downstream flow rate may be adjusted differently from each other.
일 실시예에 의하면, 상기 제2상태는 상기 제1상태보다 상기 펌프로 공급하는 상기 유체압이 감소하고, 상기 제2상태에서 상기 상류 유량은 상기 제1상태에서 상기 상류 유량보다 작게 조절될 수 있다.According to one embodiment, in the second state, the fluid pressure supplied to the pump is reduced than in the first state, and the upstream flow rate in the second state may be adjusted to be smaller than the upstream flow rate in the first state. there is.
일 실시예에 의하면, 상기 제2상태는 상기 제1상태보다 상기 배압 밸브로 공급하는 상기 압력이 감소하여 상기 개방율이 커지고, 상기 제2상태에서 상기 하류 유량은 상기 제1상태에서 상기 하류 유량보다 크게 조절될 수 있다.According to an embodiment, in the second state, the pressure supplied to the back pressure valve is reduced compared to the first state and the opening rate is increased, and the downstream flow rate in the second state is the downstream flow rate in the first state. can be adjusted to a greater extent.
일 실시예에 의하면, 상기 제2상태에서 상기 상류 유량은 상기 제1상태에서 상기 상류 유량보다 작게 조절되고, 상기 제2상태에서 상기 하류 유량은 상기 제1상태에서 상기 하류 유량보다 크게 조절될 수 있다.According to an embodiment, the upstream flow rate in the second state may be adjusted to be smaller than the upstream flow rate in the first state, and the downstream flow rate in the second state may be adjusted to be greater than the downstream flow rate in the first state. there is.
일 실시예에 의하면, 상기 밸브는 정압 밸브이고, 상기 공급 라인들 각각에는 상기 정압 밸브보다 상류에 위치한 유량계가 설치되고, 상기 분배 유량은 상기 유량계를 이용하여 측정하고, 상기 정압 밸브의 개방율은 상기 기판의 액 처리가 이루어지는 동안에 일정하게 유지될 수 있다.According to one embodiment, the valve is a constant pressure valve, a flow meter located upstream of the constant pressure valve is installed in each of the supply lines, the distribution flow rate is measured using the flow meter, and the opening rate of the constant pressure valve is It may be kept constant while the liquid treatment of the substrate is performed.
또한, 본 발명은 기판을 처리하는 방법을 제공한다. 기판을 처리하는 방법은 펌프에서 공급하는 액은 순환 라인에서 순환하면서 상기 순환 라인과 챔버를 연결하는 공급 라인을 통해 상기 챔버 내에 위치한 기판에 공급되고, 상기 공급 라인에 설치된 밸브의 하류에 흐르는 상기 액의 단위 시간당 유량은 기준 유량으로 일정하게 유지하되, 상기 밸브의 상류에 흐르는 상기 액의 단위 시간당 유량인 분배 유량의 변동값에 따라 상기 순환 라인의 하류에 흐르는 상기 액의 단위 시간당 유량인 하류 유량을 변동시켜 상기 기준 유량을 유지할 수 있다.The invention also provides a method of processing a substrate. A method of treating a substrate is a method in which a liquid supplied from a pump is supplied to a substrate located in a chamber through a supply line connecting the circulation line and a chamber while being circulated in a circulation line, and the liquid flowing downstream of a valve installed in the supply line The flow rate per unit time of is kept constant at the reference flow rate, but according to the change in the distribution flow rate, which is the flow rate per unit time of the liquid flowing upstream of the valve, the downstream flow rate, which is the flow rate per unit time of the liquid flowing downstream of the circulation line It is possible to maintain the reference flow rate by varying it.
일 실시예에 의하면, 상기 하류 유량은 상기 분배 유량의 변동값에 비례하게 변동될 수 있다.According to an embodiment, the downstream flow rate may vary in proportion to a change value of the distribution flow rate.
일 실시예에 의하면, 상기 순환 라인의 하류에는 압력에 따라 개방율이 변경되는 배압 밸브와 전공 레귤레이터가 설치되고, 상기 전공 레귤레이터는 상기 분배 유량의 변동값에 따라 상기 배압 밸브에 공급되는 상기 압력을 변경하고, 상기 하류 유량은 변경된 상기 압력에 따라 상기 개방율이 변경되어 변동될 수 있다.According to an embodiment, a back pressure valve and an electro-pneumatic regulator whose opening rate is changed according to pressure are installed downstream of the circulation line, and the pneumatic regulator adjusts the pressure supplied to the back pressure valve according to a change in the distribution flow rate. and the downstream flow rate may be varied by changing the opening rate according to the changed pressure.
일 실시예에 의하면, 상기 분배 유량이 제1유량에서 상기 제1유량보다 단위 시간당 유량이 큰 제2유량으로 변동되면, 상기 전공 레귤레이터는 상기 개방율이 커지도록 상기 배압 밸브에 공급되는 상기 압력을 제1압력에서 상기 제1압력보다 작은 제2압력으로 변경시킬 수 있다.According to an embodiment, when the distribution flow rate changes from a first flow rate to a second flow rate having a greater flow rate per unit time than the first flow rate, the electro-pneumatic regulator adjusts the pressure supplied to the back pressure valve so that the opening rate increases. It can be changed from the first pressure to a second pressure smaller than the first pressure.
일 실시예에 의하면, 상기 분배 유량이 제2유량에서 상기 제2유량보다 단위 시간당 유량이 작은 제1유량으로 변동되면, 상기 전공 레귤레이터는 상기 개방율이 작아지도록 상기 배압 밸브에 공급되는 상기 압력을 제2압력에서 상기 제2압력보다 큰 제1압력으로 변경시킬 수 있다.According to an embodiment, when the distribution flow rate changes from a second flow rate to a first flow rate having a smaller flow rate per unit time than the second flow rate, the electro-pneumatic regulator adjusts the pressure supplied to the back pressure valve so that the opening rate decreases. It can be changed from the second pressure to the first pressure greater than the second pressure.
일 실시예에 의하면, 상기 분배 유량은 상기 펌프의 용량 또는 기판에 상기 액을 공급하는 상기 챔버의 수에 따라 변동될 수 있다.According to one embodiment, the distribution flow rate may vary according to the capacity of the pump or the number of chambers supplying the liquid to the substrate.
일 실시예에 의하면, 상기 밸브는 정압 밸브이고, 상기 공급 라인들 각각에는 상기 정압 밸브보다 상류에 위치한 유량계가 설치되고, 상기 분배 유량은 상기 유량계로 측정하고, 상기 정압 밸브의 개방율은 상기 기판의 액 처리가 이루어지는 동안에 일정하게 유지될 수 있다.According to one embodiment, the valve is a constant pressure valve, a flow meter located upstream of the constant pressure valve is installed in each of the supply lines, the distribution flow rate is measured by the flow meter, and the opening rate of the constant pressure valve is measured by the substrate It can be kept constant while the liquid treatment of
또한, 본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 기판을 처리하는 장치는 기판의 액 처리가 이루어지는 챔버, 상기 액이 순환하는 순환 라인, 정압 밸브가 설치되고, 상기 챔버에 위치한 기판으로 상기 액을 공급하는 공급 라인 및 제어기를 포함하고, 상기 순환 라인에는 상기 순환 라인의 상류에 설치되고, 유체압을 이용하여 탱크로부터 상기 순환 라인의 하류로 상기 액을 공급하는 펌프 및 상기 순환 라인의 하류에 설치되고, 압력에 따라 개방율이 변경되는 배압 밸브를 포함하고, 상기 공급 라인은 상기 순환 라인 중 상기 펌프가 설치된 위치와 상기 배압 밸브가 설치된 위치 사이의 상기 순환 라인의 일 위치에 연결되고, 상기 제어기는 상기 공급 라인을 통해 상기 챔버로 상기 액을 공급하는 동안, 상기 밸브의 상류에 흐르는 상기 액의 단위 시간당 유량인 분배 유량을 근거로, 상기 공급 라인들보다 상기 순환 라인의 상류에 흐르는 상기 액의 단위 시간당 유량인 상류 유량 또는 상기 공급 라인들보다 상기 순환 라인의 하류에 흐르는 상기 액의 단위 시간당 유량인 하류 유량을 조절하여 상기 정압 밸브의 하류에 흐르는 상기 액의 단위 시간당 유량을 기준 유량으로 일정하게 유지할 수 있다.In addition, the present invention provides an apparatus for processing a substrate. An apparatus for processing a substrate includes a chamber in which liquid processing of a substrate is performed, a circulation line in which the liquid circulates, a supply line having a constant pressure valve installed therein, and supplying the liquid to a substrate located in the chamber, and a controller, wherein the circulation line A pump installed upstream of the circulation line and supplying the liquid from the tank to the downstream of the circulation line by using fluid pressure, and a back pressure valve installed downstream of the circulation line and changing the opening rate according to pressure wherein the supply line is connected to a position of the circulation line between a position where the pump is installed and a position where the back pressure valve is installed in the circulation line, and the controller supplies the liquid to the chamber through the supply line While, based on the distribution flow rate, which is the flow rate per unit time of the liquid flowing upstream of the valve, the upstream flow rate, which is the flow rate per unit time of the liquid flowing upstream of the circulation line than the supply lines or the flow rate above the supply lines The downstream flow rate, which is the flow rate per unit time of the liquid flowing downstream of the circulation line, may be adjusted to maintain the flow rate per unit time of the liquid flowing downstream of the constant pressure valve at a constant reference flow rate.
일 실시예에 의하면, 상기 순환 라인의 상류에는 상기 분배 유량 데이터에 근거하여 상기 상류 유량을 조절하는 제1전공 레귤레이터가 더 설치되고, 상기 순환 라인의 하류에는 상기 분배 유량 데이터에 근거하여 상기 하류 유량을 조절하는 제2전공 레귤레이터가 더 설치될 수 있다.According to an embodiment, a first electromechanical regulator for adjusting the upstream flow rate based on the distribution flow rate data is further installed upstream of the circulation line, and downstream of the circulation line, the downstream flow rate based on the distribution flow rate data. A second electromechanical regulator for adjusting the may be further installed.
일 실시예에 의하면, 상기 챔버는 복수 개이고, 상기 공급 라인은 상기 순환 라인과 상기 복수 개의 챔버 각각을 서로 독립적으로 연결하고, 상기 제어기는 상기 제1전공 레귤레이터를 제어하여 상기 분배 유량 데이터를 피드백하여 상기 펌프로 공급되는 상기 유체압을 변경시켜 상기 상류 유량을 조절하고, 상기 제2전공 레귤레이터를 제어하여 상기 분배 유량 데이터를 피드백하여 상기 배압 밸브에 공급되는 상기 압력을 변경하고, 변경된 상기 압력에 따라 상기 개방율을 변경시켜 상기 하류 유량을 조절하여, 상기 기준 유량을 유지할 수 있다.According to an embodiment, the number of chambers is plural, the supply line connects the circulation line and each of the plurality of chambers independently of each other, and the controller controls the first electro-pneumatic regulator to feed back the distribution flow rate data. The fluid pressure supplied to the pump is changed to adjust the upstream flow rate, the second electro-pneumatic regulator is controlled to feedback the distribution flow rate data to change the pressure supplied to the back pressure valve, and the pressure supplied to the back pressure valve is changed according to the changed pressure. The reference flow rate may be maintained by adjusting the downstream flow rate by changing the opening rate.
일 실시예에 의하면, 상기 복수 개의 챔버들 중 적어도 어느 하나의 챔버에서 상기 액 처리가 이루어지는 제1상태와 상기 제1상태보다 상대적으로 적은 수의 챔버에서 상기 액 처리가 이루어지는 제2상태에서, 상기 제어기는 상기 제2상태에서 상기 상류 유량은 상기 제1상태에서 상기 상류 유량보다 작게 조절되도록 상기 제1전공 레귤레이터 또는 상기 제2전공 레귤레이터를 제어할 수 있다.According to an embodiment, in a first state in which the liquid processing is performed in at least one of the plurality of chambers and in a second state in which the liquid processing is performed in a relatively smaller number of chambers than the first state, The controller may control the first electro-pneumatic regulator or the second electro-pneumatic regulator so that the upstream flow rate in the second state is smaller than the upstream flow rate in the first state.
일 실시예에 의하면, 상기 제어기는 상기 제2상태에서 상기 하류 유량은 상기 제1상태에서 상기 하류 유량보다 크게 조절되도록 상기 제1전공 레귤레이터 또는 상기 제2전공 레귤레이터를 제어할 수 있다.According to an embodiment, the controller may control the first electro-pneumatic regulator or the second electro-pneumatic regulator such that the downstream flow rate in the second state is greater than the downstream flow rate in the first state.
본 발명의 일 실시예에 의하면, 기판을 효율적으로 처리할 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the substrate can be efficiently processed.
또한, 본 발명의 일 실시예에 의하면, 기판에 일정한 유량의 액을 공급할 수 있다.In addition, according to one embodiment of the present invention, it is possible to supply a liquid at a constant flow rate to the substrate.
또한, 본 발명의 일 실시예에 의하면, 액이 순환하는 순환 라인에서의 액의 단위 시간당 유량을 조절하여 챔버에 공급되는 액의 유량을 일정하게 유지할 수 있다.In addition, according to one embodiment of the present invention, the flow rate of the liquid supplied to the chamber can be maintained constant by adjusting the flow rate per unit time of the liquid in the circulation line through which the liquid circulates.
또한, 본 발명의 일 실시예에 의하면, 액이 공급되는 챔버 수가 변경되더라도 각 챔버 내에 공급되는 액의 유량을 일정하게 유지할 수 있다.In addition, according to one embodiment of the present invention, even if the number of chambers to which the liquid is supplied is changed, the flow rate of the liquid supplied to each chamber can be maintained constant.
본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 않은 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.The effects of the present invention are not limited to the above-mentioned effects, and effects not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from this specification and the accompanying drawings.
도 1은 본 발명의 기판 처리 장치의 일 실시예를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 2는 도 1의 챔버의 일 실시예를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 3은 액 공급 유닛의 일 실시예를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 4는 도 3의 액 공급 유닛이 제1상태에서 챔버로 액을 공급하는 모습을 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 5는 도 3의 액 공급 유닛이 제2상태에서 챔버로 공급하는 액의 유량을 조절하는 일 실시예를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 6 및 도 7은 도 3의 액 공급 유닛이 제2상태에서 챔버로 공급하는 액의 유량을 조절하는 다른 실시예를 개략적으로 보여주는 도면들이다.
도 8은 도 3의 액 공급 유닛이 제1상태에서 챔버로 액을 공급하는 모습에 대한 다른 실시예를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 9는 도 3의 액 공급 유닛이 제2상태에서 챔버로 액을 공급하는 모습에 대한 다른 실시예를 개략적으로 보여주는 도면이다.1 is a diagram schematically showing an embodiment of a substrate processing apparatus of the present invention.
FIG. 2 is a schematic view of one embodiment of the chamber of FIG. 1 .
3 is a diagram schematically showing an embodiment of a liquid supply unit.
FIG. 4 is a view schematically showing how the liquid supply unit of FIG. 3 supplies liquid to a chamber in a first state.
FIG. 5 is a view schematically showing an embodiment in which the liquid supply unit of FIG. 3 adjusts the flow rate of the liquid supplied to the chamber in the second state.
6 and 7 are diagrams schematically showing another embodiment in which the liquid supply unit of FIG. 3 adjusts the flow rate of the liquid supplied to the chamber in the second state.
FIG. 8 is a view schematically showing another embodiment of how the liquid supply unit of FIG. 3 supplies liquid to a chamber in a first state.
FIG. 9 is a view schematically showing another embodiment of how the liquid supply unit of FIG. 3 supplies liquid to a chamber in a second state.
이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 서술하는 실시예로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어서는 안된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 구성 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장된 것이다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings. Embodiments of the present invention may be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited due to the examples described below. This embodiment is provided to more completely explain the present invention to those skilled in the art. Accordingly, the shapes of components in the drawings are exaggerated to emphasize a clearer explanation.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성 요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성 요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소로부터 구별하는 목적으로 사용될 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위로부터 이탈되지 않은 채 제1 구성 요소는 제2 구성 요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성 요소도 제1 구성 요소로 명명될 수 있다.Terms such as first and second may be used to describe various components, but the components should not be limited by the terms. The terms may be used for the purpose of distinguishing one component from another. For example, a first element may be termed a second element, and similarly, the second element may also be termed a first element, without departing from the scope of the present invention.
본 실시예에서는 기판 상에 세정액과 같은 액을 공급하여 기판을 액 처리하는 공정을 예로 들어 설명한다. 그러나, 이하에서 설명하는 본 실시예는 세정 공정에 한정되는 것은 아니고, 식각 공정, 애싱 공정, 또는 현상 공정 등과 같이 액을 사용하여 기판(W)을 처리하는 다양한 공정에 적용될 수 있다.In this embodiment, a process of liquid treating a substrate by supplying a liquid such as a cleaning liquid to the substrate will be described as an example. However, the present embodiment described below is not limited to a cleaning process, and may be applied to various processes for treating the substrate W using a liquid, such as an etching process, an ashing process, or a developing process.
이하에서는, 도 1 내지 도 9를 참조하여 본 발명의 기판 처리 장치의 일 예를 상세히 설명한다.Hereinafter, an example of the substrate processing apparatus of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 1 to 9 .
도 1은 본 발명의 기판 처리 장치의 일 실시예를 개략적으로 보여주는 평면이다. 도 1을 참조하면, 기판 처리 장치(1)는 인덱스 모듈(10, Index Module)과 처리 모듈(20, Treating Module)을 포함한다. 일 실시예에 의하면, 인덱스 모듈(10)과 처리 모듈(20)은 일 방향을 따라 배치된다. 이하에서는, 인덱스 모듈(10)과 처리 모듈(20)이 배치된 방향을 제1방향(2)이라 정의한다. 상부에서 바라볼 때 제1방향(2)과 수직한 방향을 제2방향(4)이라 하고, 제1방향(2)과 제2방향(4)을 모두 포함한 평면에 수직한 방향을 제3방향(6)이라 정의한다.1 is a plan view schematically showing an embodiment of a substrate processing apparatus of the present invention. Referring to FIG. 1 , a
인덱스 모듈(10)은 기판(W)이 수납된 카세트(C)로부터 기판(W)을 처리하는 처리 모듈(20)로 기판(W)을 반송한다. 인덱스 모듈(10)은 처리 모듈(20)에서 처리가 완료된 기판(W)을 카세트(C)로 수납한다. 또한, 인덱스 모듈(10)은 처리 모듈(20)에서 처리가 예정된 기판(W)을 카세트(C)에 수납한다. 인덱스 모듈(10)은 제2방향(4)과 평행한 길이 방향을 가질 수 있다. 인덱스 모듈(10)은 로드 포트(120)와 인덱스 프레임(140)을 가진다.The
로드 포트(120)에는 기판(W)이 수납된 카세트(C)가 안착된다. 로드 포트(120)는 인덱스 프레임(140)을 기준으로 처리 모듈(20)의 반대 측에 위치한다. 인덱스 모듈(10)은 복수 개의 로드 포트(120)들을 가질 수 있다. 복수의 로드 포트(120)들은 제2방향(4)을 따라 일렬로 배치될 수 있다. 로드 포트(120)의 개수는 처리 모듈(20)의 공정 효율 및 풋 프린트 조건 등에 따라 증가하거나 감소할 수 있다.A cassette (C) in which a substrate (W) is accommodated is seated in the
카세트(C)에는 복수 개의 슬롯(미도시)들이 설치된다. 슬롯(미도시)에는 기판(W)들이 안착될 수 있다. 복수 개의 슬롯(미도시)들은 제3방향(6)을 따라 서로 이격되어 배치될 수 있다. 기판(W)들은 슬롯(미도시)에 각각 안착되어 지면에 대해 수평하게 배치된 상태로 카세트(C)에 수납될 수 있다.A plurality of slots (not shown) are installed in the cassette (C). Substrates W may be seated in slots (not shown). A plurality of slots (not shown) may be arranged spaced apart from each other along the third direction (6). The substrates W may be placed in slots (not shown) and accommodated in the cassette C while being horizontally disposed on the ground.
카세트(C)는 전면 개방 일체형 포드(Front Opening Unifed Pod;FOUP)와 같은 밀폐용 용기가 사용될 수 있다. 카세트(C)는 오버헤드 트랜스퍼(Overhead Transfer), 오버헤드 컨베이어(Overhead Conveyor), 또는 자동 안내 차량(Automatic Guided Vehicle)과 같은 이송 수단(미도시)이나 작업자에 의해 로드 포트(120)에 놓일 수 있다.A sealed container such as a front opening unified pod (FOUP) may be used as the cassette (C). Cassette C may be placed in the
인덱스 프레임(140)의 내부에는 인덱스 레일(142)과 인덱스 로봇(144)이 위치한다. 인덱스 레일(142)은 인덱스 프레임(140) 내에서 제2방향(4)과 평행한 방향의 길이 방향을 가진다. 인덱스 로봇(144)은 기판(W)을 반송한다. 인덱스 로봇(144)은 인덱스 모듈(10)과 후술할 버퍼 유닛(220) 간에 기판(W)을 반송할 수 있다.An
인덱스 로봇(144)은 인덱스 핸드(146)를 포함한다. 인덱스 핸드(146)에는 기판(W)이 안착된다. 인덱스 핸드(146)는 인덱스 레일(142)에서 제2방향(4)을 따라 이동할 수 있다. 이에, 인덱스 핸드(146)는 인덱스 레일(142)을 따라 전진 및 후진 이동할 수 있다. 또한, 인덱스 핸드(146)는 제3방향(6)을 축으로 하여 회전할 수 있다. 또한, 인덱스 핸드(146)는 제3방향(6)을 따라 수직 이동할 수 있다. 인덱스 로봇(144)은 복수 개의 인덱스 핸드(146)들을 포함할 수 있다. 복수의 인덱스 핸드(146)들 각각은 상하 방향으로 이격될 수 있다. 복수의 인덱스 핸드(146)들은 서로 독립적으로 전진, 후진, 및 회전 운동할 수 있다.The
제어기(15)는 기판 처리 장치(1)를 제어할 수 있다. 제어기(15)는 기판 처리 장치(1)의 제어를 실행하는 마이크로프로세서(컴퓨터)로 이루어지는 프로세스 컨트롤러와, 오퍼레이터가 기판 처리 장치(1)를 관리하기 위해서 커맨드 입력 조작 등을 행하는 키보드나, 기판 처리 장치(1)의 가동 상황을 가시화해서 표시하는 디스플레이 등으로 이루어지는 유저 인터페이스와, 기판 처리 장치(1)에서 실행되는 처리를 프로세스 컨트롤러의 제어로 실행하기 위한 제어 프로그램이나, 각종 데이터 및 처리 조건에 따라 각 구성부에 처리를 실행시키기 위한 프로그램, 즉 처리 레시피가 저장된 기억부를 구비할 수 있다. 또한, 유저 인터페이스 및 기억부는 프로세스 컨트롤러에 접속되어 있을 수 있다. 처리 레시피는 기억 부 중 기억 매체에 기억되어 있을 수 있고, 기억 매체는, 하드 디스크이어도 되고, CD-ROM, DVD 등의 가반성 디스크나, 플래시 메모리 등의 반도체 메모리 일 수도 있다.The
제어기(15)는 기판 처리 장치(1)를 제어하여 이하에서 설명하는 기판 처리 방법을 수행할 수 있다. 예컨대, 제어기(15)는 후술하는 액 공급 유닛(400)이 포함하는 구성들을 제어하여 이하에서 설명하는 기판 처리 방법을 수행할 수 있다.The
처리 모듈(20)은 버퍼 유닛(220), 반송 프레임(240), 그리고 챔버(300)를 포함한다. 버퍼 유닛(220)은 처리 모듈(20)로 반입되는 기판(W)과 처리 모듈(20)로부터 반출되는 기판(W)이 일시적으로 머무르는 버퍼 공간을 제공한다. 반송 프레임(240)은 버퍼 유닛(220)과 챔버(300) 간에 기판(W)을 반송하는 반송 공간을 제공한다.The
챔버(300)는 기판(W)을 액 처리하는 액 처리 공정을 수행할 수 있다. 예컨대, 챔버(300)에서 수행되는 액 처리 공정은 기판(W)에 세정액을 공급하여 기판(W)을 세정하는 세정 공정일 수 있다. 일 실시예에 의하면, 챔버(300) 내에서 기판(W)에 대해 케미칼 처리, 린스 처리, 그리고 건조 처리가 모두 수행될 수 있다. 다만, 상술한 예와 달리, 챔버(300)와 상이한 건조 챔버(미도시)가 처리 모듈(20)에 결합되고, 챔버(300)에서 기판(W)에 케미칼 처리와 린스 처리를 수행하고, 건조 챔버(미도시)에서 건조 처리가 수행될 수 있다.The
버퍼 유닛(220)은 인덱스 프레임(140)과 반송 프레임(240) 사이에 배치될 수 있다. 버퍼 유닛(220)은 반송 프레임(240)의 길이 방향의 일단에 위치될 수 있다. 버퍼 유닛(220)의 내부에는 기판(W)이 놓이는 슬롯(미도시)이 설치된다. 버퍼 유닛(220)의 내부에는 복수 개의 슬롯(미도시)들이 설치될 수 있다. 복수의 슬롯(미도시)들은 서로 간에 제3방향(6)을 따라 이격되게 배치될 수 있다. 버퍼 유닛(220)은 전면(front face)과 후면(rear face)이 개방된다. 전면은 인덱스 프레임(140)과 마주보는 면이고, 후면은 반송 프레임(240)과 마주보는 면일 수 있다. 인덱스 로봇(144)은 전면을 통해 버퍼 유닛(220)에 접근하고, 후술하는 반송 로봇(244)은 후면을 통해 버퍼 유닛(220)에 접근할 수 있다.The
반송 프레임(240)은 제1방향(2)과 평행한 방향의 길이 방향을 가질 수 있다. 반송 프레임(240)의 측방에는 챔버(300)들이 배치될 수 있다. 반송 프레임(240)과 챔버(300)는 제2방향(4)을 따라 배치될 수 있다.The
일 예에 의하면, 챔버(300)들은 반송 프레임(240)의 양 옆에 배치되고, 챔버(300)들은 반송 프레임(240)의 일 측면에서 제1방향(2) 및 제3방향(6)을 따라 A X B(A, B는 각각 1 또는 1보다 큰 자연수) 배열로 배치될 수 있다. 여기서 A는 제1방향(2)을 따라 일렬로 배치된 챔버(300)의 수이고, B는 제3방향(6)을 따라 일렬로 배치된 챔버(300)의 수이다.According to one example, the
예컨대, 반송 프레임(240)의 일 측면에 챔버(300)가 4개 또는 6개 제공되는 경우, 챔버(300)들은 2 X 2 또는 3 X 2의 배열로 배치될 수 있다. 챔버(300)의 개수는 증가하거나 감소할 수도 있다. 상술한 바와 달리, 챔버(300)는 반송 프레임(240)의 일 측면에만 제공될 수 있다. 또한, 챔버(300)는 반송 프레임(240)의 일 측면 및 양 측면에 단층으로 제공될 수 있다.For example, when four or six
반송 프레임(240)은 가이드 레일(242)과 반송 로봇(244)을 가진다. 가이드 레일(242)과 반송 로봇(244)은 반송 프레임(240) 내부에 위치한다. 가이드 레일(242)은 제1방향(2)과 평행한 방향의 길이 방향을 가질 수 있다. 반송 로봇(244)은 가이드 레일(242)에서 제1방향(2)을 따라 직선 이동할 수 있다. 반송 로봇(244)은 버퍼 유닛(220)과 챔버(300) 간에 기판(W)을 반송한다.The
반송 로봇(244)은 기판(W)이 놓이는 반송 핸드(246)를 포함한다. 반송 핸드(246)는 가이드 레일(242)에서 제1방향(2)을 따라 이동할 수 있다. 이에, 반송 핸드(246)는 가이드 레일(242)을 따라 전진 및 후진 이동할 수 있다. 또한, 반송 핸드(246)는 제3방향(6)을 축으로 하여 회전할 수 있다. 또한, 반송 핸드(246)는 제3방향(6)을 따라 수직 이동할 수 있다. 반송 로봇(244)은 복수 개의 반송 핸드(246)들을 포함할 수 있다. 복수의 반송 핸드(246)들은 상하 방향을 따라 서로 이격되게 제공될 수 있다. 복수의 반송 핸드(246)들은 서로 독립적으로 전진, 후진, 및 회전 운동할 수 있다.The
챔버(300)는 액 처리 공정을 수행할 수 있다. 액 처리 공정은 기판(W)에 부착된 공정 부산물, 또는 파티클 등의 불순물(Byproduct)을 제거하는 세정 공정일 수 있다. 챔버(300)는 기판(W)을 처리하는 공정의 종류에 따라 다양한 구조를 가질 수 있다. 이와 달리, 각각의 챔버(300)들은 서로 동일한 구조를 가질 수 있다.The
도 2는 도 1의 챔버의 일 실시예를 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 2를 참조하면, 챔버(300)는 하우징(310), 처리 용기(320), 지지 유닛(330), 그리고 노즐 유닛(340)을 포함할 수 있다.FIG. 2 is a schematic view of one embodiment of the chamber of FIG. 1 . Referring to FIG. 2 , the
하우징(310)은 내부 공간을 가진다. 하우징(310)은 대체로 직육면체의 형상을 가질 수 있다. 하우징(310)의 일 측벽에는 개구(미도시)가 형성될 수 있다. 개구(미도시)는 기판(W)이 반송 로봇(244)에 의해 하우징(310)의 내부 공간으로 반입되거나, 내부 공간으로부터 반출되는 출입구로 기능한다. 처리 용기(320), 지지 유닛(330), 그리고 노즐 유닛(340)은 하우징(310)의 내부 공간에 위치한다.The
처리 용기(320)는 상부가 개방된 처리 공간을 가진다. 처리 용기(320)는 처리 공간을 가지는 바울(Bowl)일 수 있다. 처리 공간은 후술하는 지지 유닛(330)이 기판(W)을 지지하고 회전하는 공간으로 기능한다. 또한, 처리 공간은 후술하는 노즐 유닛(340)이 기판(W)에 액을 공급하여 기판(W)을 처리하는 공간으로 기능한다.The
일 예에 의하면, 처리 용기(320)는 안내벽(321)과 복수의 회수통들(323, 325, 327)을 가질 수 있다. 각각의 회수통들(323, 325, 327)은 기판(W)의 처리에 사용된 액들 중 서로 다른 종류의 액을 분리 회수한다. 회수통들(323, 325, 327)은 각각 기판(W)의 처리에 사용한 액을 회수하는 회수 공간을 가질 수 있다.According to one example, the
안내벽(321)과 회수통들(323, 325, 327)은 지지 유닛(330)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 기판(W)에 액을 공급할 때 기판(W)의 회전에 의해 비산되는 액은 후술하는 각각의 회수통들(323, 325, 327)의 유입구들(323a, 325a, 327a)을 통해 회수 공간으로 유입될 수 있다. 각각의 회수통들(323, 325, 327)에는 서로 다른 종류의 액이 유입될 수 있다.The
처리 용기(320)는 안내벽(321), 제1회수통(323), 제2회수통(325), 그리고 제3회수통(327)을 가진다. 안내벽(321)은 지지 유닛(330)을 감싸는 환형의 링 형상을 가진다. 제1회수통(323)은 안내벽(321)을 감싸는 환형의 링 형상을 가진다. 제2회수통(325)은 제1회수통(323)을 감싸는 환형의 링 형상을 가진다. 제3회수통(327)은 제2회수통(325)을 감싸는 환형의 링 형상을 가진다.The
안내벽(321)과 제1회수통(323)의 사이 공간은 액이 유입되는 제1유입구(323a)로 기능한다. 제1회수통(323)과 제2회수통(325)의 사이 공간은 액이 유입되는 제2유입구(325a)로 기능한다. 제2회수통(325)과 제3회수통(327)의 사이 공간은 액이 유입되는 제3유입구(327a)로 기능한다. 제2유입구(325a)는 제1유입구(323a)보다 위에 위치하고, 제3유입구(327a)는 제2유입구(325a)보다 위에 위치할 수 있다. 제1유입구(323a)로 유입되는 액, 제2유입구(325a)로 유입되는 액, 그리고 제3유입구(327a)로 유입되는 액은 서로 다른 종류의 액일 수 있다.A space between the
안내벽(321)의 하단과 제1회수통(323)의 사이 공간은 액으로부터 발생된 불순물과 기류가 배출되는 제1배출구(323b)로 기능한다. 제1회수통(323)의 하단과 제2회수통(325)의 사이 공간은 액으로부터 발생된 불순물과 기류가 배출되는 제2배출구(325b)로 기능한다. 제2회수통(325)의 하단과 제3회수통(327)의 사이 공간은 액으로부터 발생된 불순물과 기류가 배출되는 제3배출구(327b)로 기능한다. 제1배출구(323b), 제2배출구(325b), 그리고 제3배출구(327b)로부터 배출된 불순물과 기류는 후술하는 배기 유닛(370)을 통해 챔버(300)의 외부로 배출된다.A space between the lower end of the
각각의 회수통들(323, 325, 327)의 저면에는 아래 방향으로 연장되는 회수 라인들(323c, 325c, 327c)이 연결된다. 각각의 회수 라인들(323c, 325c, 327c)은 각각의 회수통들(323, 325, 327)을 통해 유입된 액을 배출한다. 배출된 액은 외부의 재생 시스템(미도시)에서 재생되어 재사용할 수 있다.
지지 유닛(330)은 처리 공간에서 기판(W)을 지지하고 회전시킨다. 지지 유닛(330)은 스핀 척(331), 지지 핀(333), 척 핀(335), 회전 축(337), 그리고 구동기(339)를 가질 수 있다.The
스핀 척(331)은 상부에서 바라볼 때, 대체로 원형의 상면을 가진다. 스핀 척(331)의 상면은 기판(W)보다 큰 직경을 가질 수 있다. 지지 핀(333)은 스핀 척(331)의 상면에 복수 개 배치된다. 복수 개의 지지 핀(333)들은 스핀 척(331)의 상면 가장자리 영역에 일정 간격으로 이격되게 배치된다. 지지 핀(333)은 스핀 척(331)의 상면으로부터 기판(W)이 일정 거리 이격되도록 기판(W)의 후면 가장자리 영역을 지지한다.When viewed from the top, the
척 핀(335)은 스핀 척(331)의 상면에 복수 개 배치된다. 척 핀(335)은 지지 핀(333)보다 스핀 척(331)의 중심으로부터 상대적으로 멀리 떨어지게 배치된다. 척 핀(335)은 기판(W)이 회전할 때, 정 위치에서 측방으로 이탈되지 않도록 기판(W)의 측면부를 지지한다.A plurality of chuck pins 335 are disposed on the upper surface of the
회전 축(337)은 스핀 척(331)과 결합한다. 회전 축(337)은 스핀 척(331)의 하면과 결합한다. 회전 축(337)은 제3방향(6)과 수평한 방향의 길이 방향을 가질 수 있다. 회전 축(337)은 구동기(339)로부터 동력을 전달받아 회전할 수 있다. 회전 축(337)은 구동기(339)에 의해 회전하고, 회전 축(337)을 매개로 스핀 척(331)은 회전한다. 구동기(339)는 회전 축(337)을 회전시킨다. 구동기(339)는 회전 축(337)의 회전 속도를 가변할 수 있다. 구동기(339)는 구동력을 발생시키는 모터일 수 있다. 그러나, 이에 한정되는 것은 아니고, 구동기(399)는 구동력을 발생시키는 공지된 장치로 다양하게 변형되어 제공될 수 있다.The
노즐 유닛(340)은 기판(W)에 액을 공급한다. 노즐 유닛(340)은 지지 유닛(330)에 지지된 기판(W)으로 액을 공급한다. 노즐 유닛(340)이 기판(W)에 공급하는 액은 다양할 수 있다. 노즐 유닛(340)은 지지 로드(341), 아암(342), 구동기(343), 그리고 공급 노즐(344)을 포함할 수 있다.The
지지 로드(341)는 하우징(310)의 내부 공간에 위치한다. 지지 로드(341)는 내부 공간에서 처리 용기(320)의 측방에 위치할 수 있다. 지지 로드(341)는 제3방향(6)과 평행한 방향의 길이 방향을 가지는 로드 형상을 가질 수 있다. 지지 로드(341)는 후술하는 구동기(343)에 의해 제3방향(6)을 축으로 하여 회전할 수 있다.The
아암(342)은 지지 로드(341)의 상단에 결합한다. 아암(342)은 지지 로드(341)의 길이 방향과 수직한 방향으로 연장된다. 아암(342)의 끝단에는 후술하는 공급 노즐(344)이 고정 결합할 수 있다. 아암(342)은 그 길이 방향을 따라 전진 및 후진 이동할 수 있다. 아암(342)은 지지 로드(341)를 매개로, 지지 로드(341)를 회전시키는 구동기(343)에 의해 스윙 이동할 수 있다.The
구동기(343)는 지지 로드(341)와 결합한다. 구동기(343)는 하우징(310)의 바닥면에 배치된다. 구동기(343)는 지지 로드(341)를 회전시키는 구동력을 발생시킨다. 구동기(343)는 구동력을 발생시키는 공지된 모터일 수 있다.The
공급 노즐(344)은 지지 유닛(330)에 지지된 기판(W)에 액을 공급한다. 공급 노즐(344)은 후술하는 액 공급 유닛(400)으로부터 전달받은 액을 기판(W)에 공급한다. 공급 노즐(344)은 기판(W)에 동일한 종류의 액을 공급할 수 있다. 선택적으로, 공급 노즐(344)은 기판(W)에 서로 다른 종류의 액을 공급할 수 있다. 공급 노즐(344)은 아암(342)에 결합되어, 아암(342)의 회전에 의해 공정 위치와 대기 위치 간에 스윙 이동할 수 있다. 공정 위치는 지지 유닛(330)에 지지된 기판(W)과 대향하는 위치일 수 있다. 일 예에 의하면, 공정 위치는 공급 노즐(344)의 중심과 지지 유닛(330)에 지지된 기판(W)의 중심이 대향하는 위치일 수 있다. 대기 위치는 상부에서 바라볼 때, 공급 노즐(344)이 기판(W)과 중첩되지 않는 위치일 수 있다.The
상술한 본 발명의 일 실시예와 달리, 아암(342)에는 복수 개의 공급 노즐(344)이 설치되고, 복수 개의 공급 노즐(344)들에서는 서로 다른 종류의 액을 기판(W) 상에 공급할 수 있다. 선택적으로, 복수 개의 공급 노즐(344)들 각각은 독립적으로 아암, 지지 로드, 그리고 구동기를 가질 수 있고, 독립적으로 스윙 이동, 전진 이동, 그리고 후진 이동하여 공정 위치와 대기 위치 간에 이동할 수 있다.Unlike the above-described embodiment of the present invention, a plurality of
승강 유닛(350)은 하우징(310)의 내부 공간에 배치된다. 승강 유닛(350)은 처리 용기(320)와 지지 유닛(330) 간의 상대 높이를 조절한다. 승강 유닛(350)은 처리 용기(320)를 제3방향(6)으로 직선 이동시킬 수 있다. 이에, 기판(W)에 공급하는 액의 종류에 따라 액을 회수하는 회수통들(323, 325, 327)의 높이가 변경되므로, 액들을 분리 회수할 수 있다. 상술한 바와 달리, 처리 용기(320)는 고정 설치되고, 승강 유닛(350)은 지지 유닛(330)을 상하 방향으로 이동시켜 지지 유닛(330)과 처리 용기(320) 사이의 상대 높이를 변경시킬 수 있다.The elevating
배기 유닛(370)은 처리 공간에 발생된 불순물을 배출한다. 배기 유닛(370)에는 감압 유닛(미도시)이 설치된다. 배기 유닛(370)은 처리 용기(320)의 바닥면에 결합할 수 있다. 예컨대, 배기 유닛(370)은 처리 용기(320)의 바닥면 중 회전 축(337)과 처리 용기(320)의 내측벽 사이 지점에 결합할 수 있다.The
도 3은 액 공급 유닛의 일 실시예를 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 3 및 도 4를 참조하면, 액 공급 유닛(400)은 챔버(300)에 액을 공급한다. 액 공급 유닛(400)은 노즐(344)에 액을 전달한다. 액 공급 유닛(400)으로부터 액을 전달받은 노즐(344)은 지지 유닛(330)에 지지된 기판(W)에 액을 공급한다. 액 공급 유닛(400)이 노즐(344)로 전달하는 액은 다양한 종류의 액을 포함할 수 있다.3 is a diagram schematically showing an embodiment of a liquid supply unit. Referring to FIGS. 3 and 4 , the
일 실시예에 의하면, 액 공급 유닛(400)은 공급 노즐(344)로 케미칼, 린스액, 그리고 유기용제 중 적어도 어느 하나를 전달할 수 있다. 예컨대, 케미칼은 희석된 황산(H2SO4, Diluted Sulfuric acid Peroxide), 인산(P2O5), 불산(HF), 그리고 수산화 암모늄(NH4OH)을 포함할 수 있다. 예컨대, 린스액은 순수(Pure Water) 또는 탈이온수(DIW)를 포함할 수 있다. 예컨대, 유기용제는 이소프로필 알코올(Isopropyl Alcohol;IPA)과 같은 알코올을 포함할 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니고, 액 공급 유닛(400)이 공급 노즐(344)로 전달하는 액은 공지된 다양한 액을 포함할 수 있다. 이하에서는, 이해의 편의를 위해 액 공급 유닛(400)이 공급 노즐(344)로 공급하는 액이 유기용제인 경우를 예로 들어 설명한다. 또한, 이하에서는, 액이 일 지점에서 타 지점으로 흐를 때, 액이 흐르는 일 지점은 상류로 정의하고, 액이 흐르는 타 지점은 하류로 정의한다.According to an embodiment, the
액 공급 유닛(400)은 탱크(410), 순환 라인(420), 펌프(430), 공급 라인들(440, 450, 460), 그리고 배압 밸브(470)를 포함할 수 있다.The
탱크(410)는 내부에 저장 공간을 가진다. 탱크(410)의 저장 공간에는 액이 저장된다. 탱크(410)에는 도시되지 않은 레벨 센서들이 설치될 수 있다. 레벨 센서(미도시)들은 저장 공간에 저장된 액의 수위를 감지할 수 있다.
탱크(410)는 제1배출 라인(402)과 연결된다. 제1배출 라인(402)에는 도시되지 않은 감압 부재가 설치되어 탱크(410)의 저장 공간에 저장된 액을 액 공급 유닛(400)의 외부로 드레인한다.The
또한, 탱크(410)는 공급원(412)과 연결된다. 공급원(412)은 탱크(410)로 액을 공급한다. 공급원(412)과 탱크(410)를 연결하는 라인(411)에는 제1밸브(414), 제1압력계(416), 그리고 제1필터(418)가 설치될 수 있다. 제1밸브(414), 제1압력계(416), 그리고 제1필터(418)는 라인(411)의 상류에서 하류를 향하는 방향으로 순차적으로 설치될 수 있다.
제1밸브(414)는 라인(411)을 개폐하는 개폐 밸브일 수 있다. 제1밸브(414)가 개방되면 공급원(412)에 저장된 액은 탱크(410)로 흐른다. 제1압력계(416)는 라인(411)에 흐르는 액의 압력을 측정할 수 있다. 제1압력계(416)에서 측정된 압력으로부터 라인(411)에 흐르는 액의 단위 시간당 유량을 판단할 수 있다. 제1필터(418)는 라인(411)에 흐르는 액에 포함될 수 있는 불순물을 제거한다.The
비록 도시되지 않았으나, 라인(411)에는 라인(411)에 흐르는 액의 단위 시간당 유량을 측정할 수 있는 유량계(미도시)가 설치될 수 있다. 또한, 액 공급 유닛(400)이 공급 노즐(344)에 공급하는 액이 유기용제인 경우, 탱크(410)에는 질소 공급원(미도시)이 더 연결될 수 있다. 질소 공급원(미도시)은 탱크(410)에 질소 가스를 공급할 수 있다.Although not shown, a flow meter (not shown) capable of measuring the flow rate per unit time of the liquid flowing through the line 411 may be installed in the line 411 . In addition, when the liquid supplied to the
순환 라인(420)은 탱크(410)에 연결된다. 순환 라인(420)은 탱크(410)에 저장된 액을 순환시킨다. 순환 라인(420)에는 펌프(430)와 배압 밸브(470)가 설치된다. 또한, 순환 라인(420)에는 공급 라인들(440, 450, 460)이 연결된다. 공급 라인들(440, 450, 460)은 순환 라인(420)에서 펌프(430)가 설치된 위치와 배압 밸브(470)가 설치된 위치 사이의 순환 라인(420)에 연결된다.The
이하에서는 순환 라인(420)에 연결된 공급 라인들(440, 450, 460)을 기준으로 순환 라인(420)의 상류와 하류를 정의한다. 예컨대, 펌프(430)와 공급 라인들(440, 450, 460) 사이의 순환 라인(420)은 순환 라인(420)의 상류로 정의하고, 공급 라인들(440, 450, 460)과 배압 밸브(470) 사이의 순환 라인(420)은 순환 라인(420)의 하류로 정의한다. 탱크(410)에 저장된 액은 펌프(430), 공급 라인들(440, 450, 460), 그리고 배압 밸브(470)를 거쳐 다시 탱크(410)로 흐를 수 있다.Hereinafter, upstream and downstream of the
순환 라인(420)의 상류에는 펌프(430), 제2배출 라인(404), 히터(433), 제2압력계(434), 제2필터(435), 제2밸브(436), 그리고 제3압력계(437)가 설치될 수 있다.Upstream of the
펌프(430)는 순환 라인(420)의 상류에 설치된다. 펌프(430)는 탱크(410)의 저장 공간에 저장된 액이 순환 라인(420)을 따라 흐르도록 순환 라인(420) 내에 유동성을 제공한다. 일 실시예에 의하면, 펌프(430)는 유체압을 이용한 벨로우즈 타입(Bellows Type)의 펌프일 수 있다. 순환 라인(420)의 상류에 흐르는 액의 단위 시간당 유량은 펌프(430)에 공급되는 유체압을 변경하여 조절할 수 있다.The
펌프(430)에 공급되는 유체압은 제1전공 레귤레이터(432)에 의해 변경될 수 있다. 제1전공 레귤레이터(432)는 후술하는 유량계들(442, 452, 462)에서 측정된 분배 유량 데이터를 피드백하여 펌프(430)에 공급되는 유체압을 변경시킬 수 있다. 예컨대, 제1전공 레귤레이터(432)는 유량계들(442, 452, 462)에서 측정된 분배 유량에 따라 제어기(15)로부터 발신된 유량 조절 신호를 수신하여 펌프(430)에 공급되는 유체압을 변경시킬 수 있다. 이에 대한 상세한 메커니즘은 후술한다.The fluid pressure supplied to the
제2배출 라인(404), 히터(433), 제2압력계(434), 제2필터(435), 제2밸브(436), 그리고 제3압력계(437)는 펌프(430)보다 하류에 설치될 수 있다.The
제2배출 라인(404)은 순환 라인(420)에 연결된다. 제2배출 라인(404)에는 도시되지 않은 감압 부재가 설치되어 순환 라인(420)에 흐르는 액을 순환 라인(420)의 외부로 드레인한다.The
히터(433)는 순환 라인(420)에 흐르는 액을 가열한다. 예컨대, 히터(433)는 공정 요구 조건에 맞는 온도로 액이 가열되도록 순환 라인(420)의 상류를 흐르는 액을 가열한다. 도면에는 단수의 히터(433)가 도시되었으나, 순환 라인(420)의 상류에는 복수 개의 히터(433)들이 설치될 수 있다. 제2압력계(434)는 순환 라인(420)의 상류 중 펌프(430)와 인접한 위치에 설치될 수 있다. 제2압력계(434)는 순환 라인(420)의 상류에 흐르는 액의 압력을 측정할 수 있다. 제2필터(435)는 순환 라인(420)의 상류에 흐르는 액에 포함될 수 있는 불순물을 제거한다.The
제2밸브(436)는 개폐 밸브일 수 있다. 제2밸브(436)가 개방되면 순환 라인(420)의 상류에서 순환 라인(420)의 하류로 액이 흐른다. 이와 달리, 제2밸브(436)가 폐쇄되면 순환 라인(420)의 상류로부터 순환 라인(420)의 하류를 향하는 액의 흐름이 차단된다. 제3압력계(437)는 제2밸브(436)보다 하류에 설치될 수 있다.The
상술한 바와 달리, 제2배출 라인(404), 히터(433), 제2압력계(434), 제2필터(435), 제2밸브(436), 그리고 제3압력계(437)의 위치는 순환 라인(420) 내에서 다양하게 변경될 수 있다.Unlike the above, the positions of the
공급 라인들(440, 450, 460)은 순환 라인(420)에 연결된다. 제1공급 라인(440)은 순환 라인(420)에 연결된다. 제1공급 라인(440)은 순환 라인(420)과 제1챔버(300a)를 서로 연결한다. 제2공급 라인(450)은 순환 라인(420)에 연결된다. 제2공급 라인(450)은 순환 라인(420)과 제2챔버(300b)를 서로 연결한다. 제3공급 라인(460)은 순환 라인(420)에 연결된다. 제3공급 라인(460)은 순환 라인(420)과 제3챔버(300c)를 서로 연결한다. 제1공급 라인(440)은 제2공급 라인(450)보다 펌프(430)와 가까운 순환 라인(420)에 연결될 수 있다. 또한, 제2공급 라인(450)은 제3공급 라인(460)보다 펌프(430)와 가까운 순환 라인(420)에 연결될 수 있다.
제1공급 라인(440)에는 제1유량계(442), 제1정압 밸브(444), 그리고 제1공급 밸브(446)가 설치될 수 있다. 제1유량계(442), 제1정압 밸브(444), 그리고 제1공급 밸브(446)는 제1공급 라인(440)의 상류에서부터 순차적으로 설치될 수 있다. 제1유량계(442)는 제1공급 라인(440)에 흐르는 단위 시간당 액의 유량을 측정할 수 있다. 즉, 제1유량계(442)는 순환 라인(420)에서 제1공급 라인(440)으로 분배되는 유량을 측정할 수 있다. 이하에서는, 제1공급 라인(440) 중 후술하는 제1정압 밸브(444)의 상류에 흐르는 액의 단위 시간당 유량을 제1분배 유량이라 정의한다. 일 실시예에 의하면, 제1유량계(442)는 제1분배 유량을 측정하고, 제1분배 유량 데이터를 제어기(15)로 전달한다.A
일 실시예에 의하면, 제1정압 밸브(444)는 정압 밸브일 수 있다. 제1정압 밸브(444)를 통과한 액은 일정한 유량을 가질 수 있다. 제1정압 밸브(444)를 통과한 액의 단위 시간당 유량은 기준 유량으로 일정하게 유지될 수 있다. 일 실시예에 의하면, 제1정압 밸브(444)를 통과한 기준 유량을 가지는 액은 제1챔버(300a)에 설치된 공급 노즐로 전달된다.According to one embodiment, the first
제1공급 밸브(446)는 개폐 밸브로 제공된다. 제1공급 밸브(446)가 개방되면 순환 라인(420)을 순환하는 액은 제1공급 라인(440)을 거쳐 제1챔버(300a)로 전달된다. 이와 달리, 제1공급 밸브(446)가 개방되면 액은 제1공급 라인(440)으로 흐르지 않고, 순환 라인(420) 내에서 계속적으로 순환된다.The first supply valve 446 is provided as an on-off valve. When the first supply valve 446 is opened, the liquid circulating in the
제2공급 라인(450)에는 제2유량계(452), 제2정압 밸브(454), 그리고 제2공급 밸브(456)가 설치될 수 있다. 제3공급 라인(460)에는 제3유량계(462), 제3정압 밸브(464), 그리고 제3공급 밸브(466)가 설치될 수 있다. 일 실시예에 따른 제2유량계(452)와 제3유량계(462)는 상술한 제1유량계(442)와 동일 또는 유사하게 제공된다. 또한, 제2정압 밸브(454)와 제3정압 밸브(464)는 상술한 제1정압 밸브(444)와 동일 또는 유사하게 제공된다. 또한, 제2공급 밸브(456)와 제3공급 밸브(466)는 상술한 제1공급 밸브(446)와 동일 또는 유사하게 제공된다. 이에, 이하에서는 중복되는 제2유량계(452), 제2정압 밸브(454), 제2공급 밸브(456), 제3유량계(462), 제3정압 밸브(464), 그리고 제3공급 밸브(466)에 대한 설명을 생략한다.A
순환 라인(420)의 하류에는 배압 밸브(470)와 제3밸브(438)가 설치될 수 있다.A
배압 밸브(470)는 순환 라인(420)에 설치된다. 일 실시예에 의하면, 배압 밸브(470)는 순환 라인(420)의 하류에 설치된다. 배압 밸브(470)는 순환 라인(420)의 하류를 흐르는 액의 단위 시간당 유량을 조절할 수 있다. 일 실시예에 따른 배압 밸브(470)는 압력의 변화에 따라 개방율이 변경되는 HIBV 밸브(Back Pressure Control Valve)일 수 있다. 예컨대, 배압 밸브(470)에 가해지는 압력이 커질수록 배압 밸브(470)의 개방율은 작아질 수 있다. 배압 밸브(470)의 개방율이 작아지는 경우, 순환 라인(420)의 하류를 흐르는 액의 단위 시간당 유량은 증가할 수 있다. 이와 달리, 배압 밸브(470)에 가해지는 압력이 작아질수록 배압 밸브(470)의 개방율은 커질 수 있다.A
배압 밸브(470)에 가해지는 압력은 제2전공 레귤레이터(472)에 의해 변경될 수 있다. 제2전공 레귤레이터(472)는 유량계들(442, 452, 462)에서 측정된 분배 유량 데이터를 피드백하여 배압 밸브(470)에 가해지는 압력을 변경시킬 수 있다. 예컨대, 제2전공 레귤레이터(472)는 유량계들(442, 452, 462)에서 측정된 분배 유량에 따라 제어기(15)로부터 발신된 유량 조절 신호를 수신하여 배압 밸브(470)에 전달되는 압력을 변경시킬 수 있다. 이에 대한 상세한 메커니즘은 후술한다.The pressure applied to the
제3밸브(438)는 배압 밸브(470)보다 하류에 설치될 수 있다. 예컨대, 제3밸브(438)는 개폐 밸브일 수 있다. 제3밸브(438)가 개방되면, 순환 라인(420)의 하류에서 탱크(410)로 액이 회수된다.The
상술한 실시예에서는 이해의 편의를 위해 순환 라인(420)에 공급 라인들(440, 450, 460)이 3개 연결되는 것을 예로 들어 설명하였으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 순환 라인(420)에는 2개 또는 적어도 4 개 이상의 공급 라인들이 순환 라인(420)에 연결될 수 있다.In the above-described embodiment, for convenience of understanding, three
이하에서는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법에 대해 상세히 설명한다. 이하에서 설명하는 기판 처리 방법은 상술한 액 공급 유닛(400)에서 수행될 수 있다. 또한, 제어기(15)는 액 공급 유닛(400)이 가지는 구성들을 제어하여, 이하에서 설명하는 기판 처리 방법을 수행할 수 있다.Hereinafter, a substrate processing method according to an embodiment of the present invention will be described in detail. The substrate processing method described below may be performed in the
도 4는 도 3의 액 공급 유닛이 제1상태에서 챔버로 액을 공급하는 모습을 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 5는 도 3의 액 공급 유닛이 제2상태에서 챔버로 공급하는 액의 유량을 조절하는 일 실시예를 개략적으로 보여주는 도면이다.FIG. 4 is a view schematically showing how the liquid supply unit of FIG. 3 supplies liquid to a chamber in a first state. FIG. 5 is a view schematically showing an embodiment in which the liquid supply unit of FIG. 3 adjusts the flow rate of the liquid supplied to the chamber in the second state.
액 공급 유닛(400)은 적어도 하나 이상의 챔버(300)로 액을 공급할 수 있다. 예컨대, 도 4와 같이 액 공급 유닛(400)은 3개의 챔버들(300a, 300b, 300c)로 액을 공급할 수 있다. 이와 달리, 도 5와 같이, 액 공급 유닛(400)은 2개의 챔버들(300a, 300b)로 액을 공급할 수 있다.The
이하에서는, 이해의 편의를 위해 도 4와 같이 액 공급 유닛(400)이 3개의 챔버들(300a, 300b, 300c)로 액을 공급하는 상태를 제1상태로 정의하고, 액 공급 유닛(400)이 2개의 챔버들(300a, 300b)로 액을 공급하는 상태를 제2상태로 정의한다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니고, 제1상태란 액 공급 유닛(400)이 복수 개의 챔버(300)들 중 적어도 어느 하나의 챔버(300)에 액을 공급하는 상태를 의미하고, 제2상태란 액 공급 유닛(400)이 복수 개의 챔버(300)들 중 제1상태보다 상대적으로 적은 수의 챔버(300)로 액을 공급하는 상태를 의미한다.Hereinafter, for convenience of understanding, a state in which the
도 4에 도시된 바와 같이, 제1상태에서의 순환 라인(420)의 상류를 흐르는 액의 단위 시간당 유량은 제1유량(F1)일 수 있다. 또한, 제1상태에서의 순환 라인(420)의 하류를 흐르는 액의 단위 시간당 유량은 제2유량(F2)일 수 있다. 또한, 제1상태에서는 제1분배 유량(FD1)을 가지는 액이 제1유량계(442)를 통과할 수 있다. 또한, 제1상태에서는 제2분배 유량(FD2)을 가지는 액이 제2유량계(452)를 통과할 수 있다. 또한, 제1상태에서는 제3분배 유량(FD3)을 가지는 액이 제3유량계(462)를 통과할 수 있다. 또한, 제1상태에서 제1정압 밸브(444), 제2정압 밸브(454), 그리고 제3정압 밸브(464)를 통과한 액의 단위 시간당 유량은 모두 기준 유량(FS)을 가질 수 있다.As shown in FIG. 4 , the flow rate per unit time of the liquid flowing upstream of the
도 5에 도시된 바와 같이, 액 공급 유닛(400)이 제1챔버(300a), 제2챔버(300b), 그리고 제3챔버(300c) 중 제1챔버(300a)와 제2챔버(300b)에 액을 공급하는 제2상태의 경우, 제3공급 라인(460)에는 액이 흐르지 않을 수 있다. 펌프(430)의 용량이 일정하고 펌프(430)에 공급되는 유체압 및 배압 밸브(470)에 가해지는 압력의 변동 없이 제1상태에서 제2상태로 변경된 경우에는, 순환 라인(420)의 상류와 하류에서의 차압에 의해, 제2상태에서 제1유량계(442)를 통과하는 제1분배 유량(FD1`)은 제1상태에서 제1유량계(442)를 통과하는 제1분배 유량(FD1)보다 클 수 있다. 또한, 제2상태에서 제2유량계(452)를 통과하는 제2분배 유량(FD2`)은 제1상태에서 제2유량계(452)를 통과하는 제2분배 유량(FD2)보다 클 수 있다.As shown in Figure 5, the
이에, 제어기(15)는 제2전공 레귤레이터(472)를 제어하여, 제2상태에서 제1유량계(442)를 통과하는 제1분배 유량(FD1`)을 변동시킨다. 예컨대, 제어기(15)는 제2상태에서 제1분배 유량(FD1`)이 제1상태에서 제1분배 유량(FD1)으로 변동되도록 제2전공 레귤레이터(472)를 제어한다. 또한, 제어기(15)는 제2상태에서 제2분배 유량(FD2`)이 제1상태에서 제2분배 유량(FD2)으로 변동되도록 제2전공 레귤레이터(472)를 제어한다.Accordingly, the
본 발명의 일 실시예에 따른 제어기(15)는 유량계들(442, 452, 462)에서 측정된 액의 단위 시간당 유량인 분배 유량 데이터를 수신한다. 제어기(15)는 수신한 분배 유량 데이터를 기준으로 제1상태와 제2상태 간의 상태 변경을 판단한다. 제어기(15)가 제1상태에서 제2상태로 그 상태가 변경한 것으로 판단한 경우, 제어기(15)는 제2전공 레귤레이터(472)에 유량 조절 신호를 전송한다. 제어기(15)로부터 유량 조절 신호를 수신한 제2전공 레귤레이터(472)는 배압 밸브(470)에 가해지는 압력을 변경시킨다.The
일 실시예에 의하면, 제1상태에서 제2상태로 변경되는 경우 제어기(15)는 제2전공 레귤레이터(472)에 하류 유량 증가 신호를 전송한다. 이에, 제2전공 레귤레이터(472)는 배압 밸브(470)에 가해지는 압력을 감소시킨다. 배압 밸브(470)에 가해지는 압력이 감소되면, 배압 밸브(470)의 개방율은 증가한다. 배압 밸브(470)의 개방율이 증가함에 따라, 배압 밸브(470)를 통과하는 액의 단위 시간당 유량은 증가할 수 있다. 이에, 순환 라인(420)의 하류를 통과하는 액의 단위 시간당 유량은 증가할 수 있다. 예컨대, 순환 라인(420)의 하류를 통과하는 액의 단위 시간당 유량은 제1상태의 제2유량(F2)에서 제2유량(F2)보다 큰 제4유량(F4)으로 변동된다.According to one embodiment, when the first state is changed to the second state, the
순환 라인(420)의 하류에 흐르는 액의 단위 시간당 유량이 커짐에 따라 순환 라인(420)의 상하류 간의 압력의 차이가 감소하므로, 제2상태에서 제1분배 유량(FD1`)은 감소할 수 있다. 이에, 제1분배 유량(FD1`)은 제1상태에서 제1분배 유량(FD1)으로 변동될 수 있다. 또한, 제2상태에서 제2분배 유량(FD2`)은 감소할 수 있다. 이에, 제2분배 유량(FD2`)은 제1상태에서 제2분배 유량(FD2)으로 변동될 수 있다.As the flow rate per unit time of the liquid flowing downstream of the
액이 공급되는 챔버(300)들의 수가 변경되는 경우, 정압 밸브(444, 454, 464)에 유입되는 액의 단위 시간당 유량이 변동될 수 있다. 정압 밸브(444, 454, 464)에 유입되는 액의 단위 시간당 유량이 증가하는 경우, 정압 밸브(444, 454, 464)에서 유출되는 액의 단위 시간당 유량은 기준 유량으로 유지될 수 있으나, 정압 밸브에 데미지가 가해질 수 있다. 정압 밸브에 데미지가 발생하여 정압 밸브에서 유출되는 액의 단위 시간당 유량이 기준 유량을 유지하지 못하는 경우, 챔버(300)들의 내부에 위치한 기판에 일정한 유량으로 액이 공급되지 못한다. 정압 밸브가 파손되어 챔버(300)에 과도한 유량을 가진 액이 공급되는 경우 기판을 파손시킬 수 있다. 또한, 정압 밸브가 파손되어 챔버(300)에 적은 유량을 가진 액이 공급되는 경우 기판에 부착된 파티클이 용이하게 제거되지 않을 수 있다. 또한, 정압 밸브가 파손되어 발생되는 파티클은 액과 함께 챔버(300)의 내부로 유입되어 기판에 부착될 수 있다.When the number of
이에, 상술한 본 발명의 일 실시예에 따르면, 액이 공급되는 챔버(300)들의 수가 변동되는 경우에도, 순환 라인(420)의 하류를 흐르는 액의 단위 시간당 유량을 변동시켜 정압 밸브로 유입되는 액의 단위 시간당 유량인 분배 유량을 일정하게 유지할 수 있다. 이에, 정압 밸브의 파손을 방지하면서 챔버들(300)들로 일정한 유량을 가진 액을 공급할 수 있다.Therefore, according to the above-described embodiment of the present invention, even when the number of
이하에서 설명하는 기판 처리 방법은 추가적으로 설명하는 경우 외에는 도 5를 참조하여 설명한 일 실시예에 따른 기판 처리 방법과 대부분 동일 또는 유사하게 제공된다.A substrate processing method described below is provided substantially the same as or similar to the substrate processing method according to the exemplary embodiment described with reference to FIG. 5 except for additionally described cases.
도 6 및 도 7은 도 3의 액 공급 유닛이 제2상태에서 챔버로 공급하는 액의 유량을 조절하는 다른 실시예를 개략적으로 보여주는 도면들이다.6 and 7 are diagrams schematically showing another embodiment in which the liquid supply unit of FIG. 3 adjusts the flow rate of the liquid supplied to the chamber in the second state.
도 6을 참조하면, 제어기(15)는 제1전공 레귤레이터(432)를 제어하여, 제2상태에서 제1유량계(442)를 통과하는 제1분배 유량(FD1`)을 변동시킨다. 예컨대, 제어기(15)는 제2상태에서 제1분배 유량(FD1`)이 제1상태에서 제1분배 유량(FD1)으로 변동되도록 제1전공 레귤레이터(432)를 제어한다. 또한, 제어기(15)는 제2상태에서 제2분배 유량(FD2`)이 제1상태에서 제2분배 유량(FD2)으로 변동되도록 제1전공 레귤레이터(432)를 제어한다.Referring to FIG. 6 , the
본 발명의 일 실시예에 따른 제어기(15)는 유량계들(442, 452, 462)에서 측정된 액의 단위 시간당 유량인 분배 유량 데이터를 수신한다. 제어기(15)는 수신한 분배 유량 데이터를 기준으로 제1상태와 제2상태 간의 상태 변경을 판단한다. 제어기(15)가 제1상태에서 제2상태로 그 상태가 변경한 것으로 판단한 경우, 제어기(15)는 제1전공 레귤레이터(432)에 유량 조절 신호를 전송한다. 제어기(15)로부터 유량 조절 신호를 수신한 제1전공 레귤레이터(432)는 펌프(430)에 공급되는 유체압을 변경시킨다.The
일 실시예에 의하면, 제1상태에서 제2상태로 변경되는 경우 제어기(15)는 제1전공 레귤레이터(432)에 상류 유량 감소 신호를 전송한다. 이에, 제1전공 레귤레이터(432)는 펌프(430)에 공급되는 유체압을 감소시킨다. 펌프(430)에 공급되는 유체압이 감소되면, 순환 라인(420)의 상류에 흐르는 액의 단위 시간당 유량은 감소할 수 있다. 예컨대, 순환 라인(420)의 상류에 흐르는 액의 단위 시간당 유량은 제1상태의 제1유량(F1)에서 제1유량(F1)보다 작은 제3유량(F3)으로 변동된다.According to one embodiment, when the first state is changed to the second state, the
순환 라인(420)의 상류에 흐르는 액의 단위 시간당 유량이 감소함에 따라 순환 라인(420)의 상하류 간의 압력의 차이가 감소하므로, 제2상태에서 제1분배 유량(FD1`)은 감소할 수 있다. 이에, 제1분배 유량(FD1`)은 제1상태에서 제1분배 유량(FD1)으로 변동될 수 있다. 또한, 제2상태에서 제2분배 유량(FD2`)은 감소할 수 있다. 이에, 제2분배 유량(FD2`)은 제1상태에서 제2분배 유량(FD2)으로 변동될 수 있다.As the flow rate per unit time of the liquid flowing upstream of the
도 6을 참조하여 설명한 본 발명의 일 실시예에 따르면, 액이 공급되는 챔버(300)들의 수가 변동되는 경우에도, 순환 라인(420)의 상류를 흐르는 액의 단위 시간당 유량을 변동시켜 정압 밸브로 유입되는 액의 단위 시간당 유량인 분배 유량을 일정하게 유지할 수 있다. 이에, 정압 밸브의 파손을 방지하면서 챔버들(300)들로 일정한 유량을 가진 액을 공급할 수 있다.According to one embodiment of the present invention described with reference to FIG. 6, even when the number of
도 7을 참조하면, 제어기(15)는 제1전공 레귤레이터(432)를 제어하여, 제2상태에서 제1유량계(442)를 통과하는 제1분배 유량(FD1`)을 변동시킨다. 예컨대, 제어기(15)는 제2상태에서 제1분배 유량(FD1`)이 제1상태에서 제1분배 유량(FD1)으로 변동되도록 제1전공 레귤레이터(432)를 제어한다. 또한, 제어기(15)는 제2상태에서 제2분배 유량(FD2`)이 제1상태에서 제2분배 유량(FD2)으로 변동되도록 제1전공 레귤레이터(432)를 제어한다.Referring to FIG. 7 , the
본 발명의 일 실시예에 따른 제어기(15)는 유량계들(442, 452, 462)에서 측정된 액의 단위 시간당 유량인 분배 유량 데이터를 수신한다. 제어기(15)는 수신한 분배 유량 데이터를 기준으로 제1상태와 제2상태 간의 상태 변경을 판단한다. 제어기(15)가 제1상태에서 제2상태로 그 상태가 변경한 것으로 판단한 경우, 제어기(15)는 제1전공 레귤레이터(432)와 제2전공 레귤레이터(472)에 유량 조절 신호를 전송한다. 제어기(15)로부터 유량 조절 신호를 수신한 제1전공 레귤레이터(432)는 펌프(430)에 공급되는 유체압을 변경시킨다. 또한, 제어기(15)로부터 유량 조절 신호를 수신한 제2전공 레귤레이터(472)는 배압 밸브(470)에 가해지는 압력을 변경시킨다.The
일 실시예에 의하면, 제1상태에서 제2상태로 변경되는 경우, 제어기(15)는 제1전공 레귤레이터(432)에 상류 유량 감소 신호를 전송한다. 이에, 제1전공 레귤레이터(432)는 펌프(430)에 공급되는 유체압을 감소시킨다. 펌프(430)에 공급되는 유체압이 감소되면, 순환 라인(420)의 상류에 흐르는 액의 단위 시간당 유량은 감소할 수 있다. 예컨대, 순환 라인(420)의 상류에 흐르는 액의 단위 시간당 유량은 제1상태의 제1유량(F1)에서 제1유량(F1)보다 작은 제3유량(F3)으로 변경된다.According to one embodiment, when the first state is changed to the second state, the
또한, 제1상태에서 제2상태로 변경되는 경우, 제어기(15)는 제2전공 레귤레이터(472)에 하류 유량 증가 신호를 전송한다. 이에, 제2전공 레귤레이터(472)는 배압 밸브(470)에 가해지는 압력을 감소시킨다. 배압 밸브(470)에 가해지는 압력이 감소하여 배압 밸브(470)의 개방율이 증가하면 순환 라인(420)의 하류에 흐르는 액의 단위 시간당 유량은 증가할 수 있다. 예컨대, 순환 라인(420)의 하류를 통과하는 액의 단위 시간당 유량은 제1상태의 제2유량(F2)에서 제2유량(F2)보다 큰 제4유량(F4)으로 변동된다.In addition, when the first state is changed to the second state, the
순환 라인(420)의 상류에 흐르는 액의 단위 시간당 유량은 감소하고, 순환 라인(420)의 하류에 흐르는 액의 단위 시간당 유량을 증가함에 따라, 순환 라인(420)의 상하류 간의 압력의 차이가 감소한다. 이에 따라, 제1분배 유량(FD1`)은 제1상태에서 제1분배 유량(FD1)으로 변동될 수 있다. 또한, 제2분배 유량(FD2`)은 제1상태에서 제2분배 유량(FD2)으로 변동될 수 있다.As the flow rate per unit time of the liquid flowing upstream of the
도 7을 참조하여 설명한 본 발명의 일 실시예에 따르면, 액이 공급되는 챔버(300)들의 수가 변동되는 경우에도, 순환 라인(420)의 상류 및 하류를 흐르는 액의 단위 시간당 유량을 각각 변동시켜 순환 라인(420)의 상하류 간의 압력 차이를 보다 정밀하게 변동시킬 수 있다. 이에 따라, 정압 밸브로 유입되는 액의 단위 시간당 유량인 분배 유량을 일정하게 유지할 수 있다. 이에, 정압 밸브의 파손을 방지하면서 챔버들(300)들로 일정한 유량을 가진 액을 공급할 수 있다.According to one embodiment of the present invention described with reference to FIG. 7, even when the number of
도 8은 도 3의 액 공급 유닛이 제1상태에서 챔버로 액을 공급하는 모습에 대한 다른 실시예를 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 9는 도 3의 액 공급 유닛이 제2상태에서 챔버로 액을 공급하는 모습에 대한 다른 실시예를 개략적으로 보여주는 도면이다.FIG. 8 is a view schematically showing another embodiment of how the liquid supply unit of FIG. 3 supplies liquid to a chamber in a first state. FIG. 9 is a view schematically showing another embodiment of how the liquid supply unit of FIG. 3 supplies liquid to a chamber in a second state.
도 8 및 도 9를 참조하면, 액 공급 유닛(400)은 제1챔버(300a)로 액을 공급할 수 있다. 이하에서는 이해의 편의를 위해 액 공급 유닛(400)이 제1챔버(300a)에만 액을 공급하는 것을 예로 들어 설명하나, 이에 한정되지 않고 액 공급 유닛(400)은 복수의 챔버들에 액을 동시에 공급할 수 있다.Referring to FIGS. 8 and 9 , the
액 공급 유닛(400)은 제1펌프(432)와 제2펌프(434)를 가질 수 있다. 제1펌프(432)는 제1용량을 가지는 펌프일 수 있다. 제2펌프(434)는 제2용량을 가지는 펌프일 수 있다. 일 실시예에 의하면, 제1용량은 제2용량보다 작을 수 있다.The
도 8에 도시된 바와 같이, 액 공급 유닛(400)은 제1펌프(432)를 이용하여 순환 라인(420)으로 액을 공급할 수 있다. 제1용량을 가지는 제1펌프(432)는 단위 시간당 제1유량(F1)을 가지는 액을 순환 라인(420)의 상류에 전달할 수 있다. 또한, 도 9에 도시된 바와 같이, 액 공급 유닛(400)은 제2펌프(434)를 이용하여 순환 라인(420)으로 액을 공급할 수 있다. 제2용량을 가지는 제2펌프(434)는 단위 시간당 제3유량(F3)을 가지는 액을 순환 라인(420)의 상류에 전달할 수 있다. 일 실시예에 의하면, 제1유량(F1)은 제3유량(F3)보다 작을 수 있다.As shown in FIG. 8 , the
제1펌프(432)를 이용하여 챔버(300)에 액을 공급하는 상태에서 제2펌프(434)를 이용하여 챔버(300)에 액을 공급하는 상태로 변경될 때, 배압 밸브(470)에 가해지는 압력의 변동이 없는 경우에는, 순환 라인(420)의 상류와 하류에서의 차압에 의해 제1분배 유량에 변동이 발생될 수 있다. 예컨대, 제2펌프(434)를 이용할 때의 제1유량계(442)를 통과하는 제1분배 유량(FD1`)은 제1펌프(432)를 이용할 때의 제1유량계(442)를 통과하는 제1분배 유량(FD1)보다 클 수 있다.When the state of supplying liquid to the
이에, 제어기(15)는 제2전공 레귤레이터(472)를 제어하여, 제1유량계(442)를 통과하는 제1분배 유량(FD1`)을 변동시킨다. 본 발명의 일 실시예에 따른 제어기(15)는 제1유량계(442)에서 측정된 액의 단위 시간당 유량인 분배 유량 데이터를 수신한다. 제어기(15)는 수신한 분배 유량 데이터를 기준으로 펌프(430)의 용량 변경 여부를 판단한다. 제어기(15)가 펌프(432, 434)의 용량이 변경된 것으로 판단한 경우, 제어기(15)는 제2전공 레귤레이터(472)에 유량 조절 신호를 전송한다. 제어기(15)로부터 유량 조절 신호를 수신한 제2전공 레귤레이터(472)는 배압 밸브(470)에 가해지는 압력을 변경시킨다.Accordingly, the
일 실시예에 의하면, 제1펌프(432)에서 제2펌프(434)로 변경된 경우, 제어기(15)는 제2전공 레귤레이터(472)에 하류 유량 증가 신호를 전송한다. 이에, 제2전공 레귤레이터(472)는 배압 밸브(470)에 가해지는 압력을 감소시킨다. 배압 밸브(470)에 가해지는 압력이 감소되면, 배압 밸브(470)의 개방율은 증가한다. 배압 밸브(470)의 개방율이 증가함에 따라, 배압 밸브(470)를 통과하는 액의 단위 시간당 유량은 증가할 수 있다. 이에, 순환 라인(420)의 하류를 통과하는 액의 단위 시간당 유량은 증가할 수 있다. 예컨대, 순환 라인(420)의 하류를 통과하는 액의 단위 시간당 유량은, 제1펌프(422)를 이용할 때의 순환 라인(420)의 하류를 통과하는 액의 단위 시간당 유량인 제2유량(F2)보다 큰 제4유량(F4)으로 변동된다.According to one embodiment, when the
순환 라인(420)의 하류에 흐르는 액의 단위 시간당 유량이 커짐에 따라 순환 라인(420)의 상하류 간의 압력의 차이가 감소하므로, 제1분배 유량(FD1`)은 감소할 수 있다. 즉, 제어기(15)는 분배 유량의 변동값에 따라 제1분배 유량(FD1`)을 변동시킨다. 예컨대, 제어기(15)는 제1분배 유량(FD1`)을 제1펌프(422)를 사용할 때의 제1분배 유량(FD1)과 유사하게 변동시킬 수 있다.As the flow rate per unit time of the liquid flowing downstream of the
이에, 상술한 본 발명의 일 실시예에 따르면, 펌프(430)의 용량이 변경되어 순환 라인(420)의 상류를 흐르는 액의 단위 시간당 유량이 변동되더라도, 순환 라인(420)의 하류를 흐르는 액의 단위 시간당 유량을 변동시켜 정압 밸브로 유입되는 액의 단위 시간당 유량인 분배 유량을 일정하게 유지할 수 있다. 이에, 정압 밸브의 파손을 방지하면서 챔버들(300)들로 일정한 유량을 가진 액을 공급할 수 있다.Accordingly, according to one embodiment of the present invention described above, even if the flow rate per unit time of the liquid flowing upstream of the
이상에서 설명한 본 발명의 일 실시예들에서는 액이 공급되는 챔버들의 수 또는 액을 공급하는 펌프의 유량의 변동에 따라 정압 밸브로 유입되는 액의 단위 시간당 유량을 변동하는 것을 예로 들어 설명하였으나, 이제 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 순환 라인(420)을 흐르는 액을 배출하는 제2배출 라인(404)의 개방과 폐쇄에 따라, 순환 라인(420)을 흐르는 액의 단위 시간당 유량이 변동되는 경우에도 동일하게 적용될 수 있다.In one embodiment of the present invention described above, the change in the flow rate per unit time of the liquid flowing into the constant pressure valve according to the change in the number of chambers to which the liquid is supplied or the flow rate of the pump for supplying the liquid has been described as an example, but now It is not limited. For example, the same can be applied even when the flow rate per unit time of the liquid flowing through the
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 바람직하거나 다양한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한, 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다. 이러한 변형 실시들은 본 발명의 기술적 사상이나 전망으로부터 개별적으로 이해되어서는 안될 것이다.The above detailed description is illustrative of the present invention. In addition, the foregoing description is intended to indicate and describe preferred or various embodiments for implementing the technical idea of the present invention, and the present invention can be used in various other combinations, modifications and environments. That is, changes or modifications are possible within the scope of the concept of the invention disclosed in this specification, within the scope equivalent to the written disclosure and / or within the scope of skill or knowledge in the art. Therefore, the above detailed description of the invention is not intended to limit the invention to the disclosed embodiments. Also, the appended claims should be construed to cover other embodiments as well. These modified implementations should not be individually understood from the technical spirit or perspective of the present invention.
인덱스 모듈 : 10
처리 모듈 : 20
챔버 : 300
액 공급 유닛 : 400
탱크 : 410
순환 라인 : 420
펌프 : 430
제1공급 라인 : 440
제2공급 라인 : 450
제3공급 라인 : 460
배압 밸브 : 470
제1유량 : F1
제2유량 : F2
제3유량 : F3
제4유량 : F4
기준 유량 : FSIndex module: 10
Processing module: 20
Chamber: 300
Liquid supply unit: 400
Tank: 410
Circulation line: 420
Pump: 430
1st supply line: 440
2nd supply line: 450
3rd supply line: 460
Back pressure valve: 470
1st flow rate: F1
2nd flow rate: F2
3rd flow: F3
4th flow rate: F4
Reference flow: FS
Claims (20)
순환 라인에서 액이 순환하면서 상기 순환 라인과 상기 복수 개의 챔버들 각각을 연결하는 공급 라인을 통해 상기 챔버 내에 위치한 기판의 액 처리가 이루어지고, 상기 공급 라인에 설치된 밸브의 하류에 흐르는 상기 액의 단위 시간당 유량은 기준 유량으로 일정하게 유지하되,
상기 밸브의 상류에 흐르는 상기 액의 단위 시간당 유량인 분배 유량을 근거로, 상기 공급 라인들보다 상기 순환 라인의 상류에 흐르는 상기 액의 단위 시간당 유량인 상류 유량 또는 상기 공급 라인들보다 상기 순환 라인의 하류에 흐르는 상기 액의 단위 시간당 유량인 하류 유량을 조절하여 상기 기준 유량을 유지하는 기판 처리 방법.A method for processing a substrate in a plurality of chambers,
While the liquid circulates in the circulation line, liquid treatment of the substrate located in the chamber is performed through the supply line connecting the circulation line and each of the plurality of chambers, and the unit of the liquid flowing downstream of the valve installed in the supply line The flow rate per hour is kept constant at the standard flow rate,
Based on the distribution flow rate, which is the flow rate per unit time of the liquid flowing upstream of the valve, the upstream flow rate, which is the flow rate per unit time of the liquid flowing upstream of the circulation line from the supply lines or the circulation line of the supply lines The substrate processing method of maintaining the reference flow rate by adjusting the downstream flow rate, which is the flow rate per unit time of the liquid flowing downstream.
상기 순환 라인의 상류에는 유체압을 이용하여 상기 순환 라인의 하류로 상기 액을 공급하는 펌프와 제1전공 레귤레이터가 설치되고,
상기 제1전공 레귤레이터는 상기 분배 유량 데이터를 피드백하고 상기 펌프로 공급되는 상기 유체압을 변경시켜 상기 상류 유량을 조절하는 기판 처리 방법.According to claim 1,
A pump and a first electro-pneumatic regulator are installed upstream of the circulation line to supply the liquid to the downstream of the circulation line by using fluid pressure,
The first electro-pneumatic regulator controls the upstream flow rate by feeding back the distribution flow rate data and changing the fluid pressure supplied to the pump.
상기 순환 라인의 하류에는 압력에 따라 개방율이 변경되는 배압 밸브와 제2전공 레귤레이터가 설치되고,
상기 제2전공 레귤레이터는 상기 분배 유량 데이터를 피드백하여 상기 배압 밸브에 공급되는 상기 압력을 변경하고, 변경된 상기 압력에 따라 상기 개방율이 변경되어 상기 하류 유량이 조절되는 기판 처리 방법.According to claim 2,
Downstream of the circulation line, a back pressure valve and a second electro-pneumatic regulator whose opening rate is changed according to pressure are installed,
wherein the second electro-pneumatic regulator changes the pressure supplied to the back pressure valve by feeding back the distribution flow rate data, and the opening rate is changed according to the changed pressure to adjust the downstream flow rate.
상기 방법은 상기 복수 개의 챔버들 중 적어도 어느 하나의 챔버에서 상기 액 처리가 이루어지는 제1상태와 상기 제1상태보다 상대적으로 적은 수의 챔버에서 상기 액 처리가 이루어지는 제2상태를 포함하고,
상기 제1상태와 상기 제2상태 각각에서 상기 상류 유량 또는 상기 하류 유량은 서로 다르게 조절되는 기판 처리 방법.According to claim 3,
The method includes a first state in which the liquid treatment is performed in at least one of the plurality of chambers and a second state in which the liquid treatment is performed in a relatively smaller number of chambers than the first state,
In each of the first state and the second state, the upstream flow rate or the downstream flow rate is controlled differently from each other.
상기 제2상태는 상기 제1상태보다 상기 펌프로 공급하는 상기 유체압이 감소하고, 상기 제2상태에서 상기 상류 유량은 상기 제1상태에서 상기 상류 유량보다 작게 조절되는 기판 처리 방법. According to claim 4,
In the second state, the fluid pressure supplied to the pump is reduced compared to the first state, and the upstream flow rate in the second state is adjusted to be smaller than the upstream flow rate in the first state.
상기 제2상태는 상기 제1상태보다 상기 배압 밸브로 공급하는 상기 압력이 감소하여 상기 개방율이 커지고, 상기 제2상태에서 상기 하류 유량은 상기 제1상태에서 상기 하류 유량보다 크게 조절되는 기판 처리 방법. According to claim 4,
In the second state, the pressure supplied to the back pressure valve decreases compared to the first state, so that the opening ratio increases, and the downstream flow rate in the second state is adjusted to be greater than the downstream flow rate in the first state. method.
상기 제2상태에서 상기 상류 유량은 상기 제1상태에서 상기 상류 유량보다 작게 조절되고, 상기 제2상태에서 상기 하류 유량은 상기 제1상태에서 상기 하류 유량보다 크게 조절되는 기판 처리 방법.According to claim 4,
The upstream flow rate in the second state is adjusted to be smaller than the upstream flow rate in the first state, and the downstream flow rate in the second state is adjusted to be greater than the downstream flow rate in the first state.
상기 밸브는 정압 밸브이고,
상기 공급 라인들 각각에는 상기 정압 밸브보다 상류에 위치한 유량계가 설치되고,
상기 분배 유량은 상기 유량계를 이용하여 측정하고, 상기 정압 밸브의 개방율은 상기 기판의 액 처리가 이루어지는 동안에 일정하게 유지되는 기판 처리 방법.According to any one of claims 1 to 7,
The valve is a constant pressure valve,
A flow meter located upstream of the constant pressure valve is installed in each of the supply lines,
The distribution flow rate is measured using the flow meter, and the opening rate of the constant pressure valve is maintained constant while liquid processing of the substrate is performed.
펌프에서 공급하는 액은 순환 라인에서 순환하면서 상기 순환 라인과 챔버를 연결하는 공급 라인을 통해 상기 챔버 내에 위치한 기판에 공급되고, 상기 공급 라인에 설치된 밸브의 하류에 흐르는 상기 액의 단위 시간당 유량은 기준 유량으로 일정하게 유지하되,
상기 밸브의 상류에 흐르는 상기 액의 단위 시간당 유량인 분배 유량의 변동값에 따라 상기 순환 라인의 하류에 흐르는 상기 액의 단위 시간당 유량인 하류 유량을 변동시켜 상기 기준 유량을 유지하는 기판 처리 방법.In the method of treating the substrate,
The liquid supplied by the pump circulates in the circulation line and is supplied to the substrate located in the chamber through the supply line connecting the circulation line and the chamber, and the flow rate per unit time of the liquid flowing downstream of the valve installed in the supply line is based on Keep the flow rate constant,
Maintaining the reference flow rate by changing the downstream flow rate, which is the flow rate per unit time, of the liquid flowing downstream of the circulation line according to the change in the distribution flow rate, which is the flow rate per unit time of the liquid flowing upstream of the valve.
상기 하류 유량은 상기 분배 유량의 변동값에 비례하게 변동되는 기판 처리 방법.According to claim 9,
The downstream flow rate is varied in proportion to the change value of the distribution flow rate.
상기 순환 라인의 하류에는 압력에 따라 개방율이 변경되는 배압 밸브와 전공 레귤레이터가 설치되고,
상기 전공 레귤레이터는 상기 분배 유량의 변동값에 따라 상기 배압 밸브에 공급되는 상기 압력을 변경하고, 상기 하류 유량은 변경된 상기 압력에 따라 상기 개방율이 변경되어 변동되는 기판 처리 방법.According to claim 10,
Downstream of the circulation line, a back pressure valve and an electro-pneumatic regulator whose opening rate is changed according to pressure are installed,
The electro-pneumatic regulator changes the pressure supplied to the back pressure valve according to the change value of the distribution flow rate, and the open rate of the downstream flow rate is changed and fluctuated according to the changed pressure.
상기 분배 유량이 제1유량에서 상기 제1유량보다 단위 시간당 유량이 큰 제2유량으로 변동되면, 상기 전공 레귤레이터는 상기 개방율이 커지도록 상기 배압 밸브에 공급되는 상기 압력을 제1압력에서 상기 제1압력보다 작은 제2압력으로 변경시키는 기판 처리 방법.According to claim 11,
When the distribution flow rate changes from a first flow rate to a second flow rate having a larger flow rate per unit time than the first flow rate, the electro-pneumatic regulator increases the pressure supplied to the back pressure valve from the first pressure to the second flow rate so that the opening ratio increases. A substrate processing method of changing the second pressure to a lower pressure than the first pressure.
상기 분배 유량이 제2유량에서 상기 제2유량보다 단위 시간당 유량이 작은 제1유량으로 변동되면, 상기 전공 레귤레이터는 상기 개방율이 작아지도록 상기 배압 밸브에 공급되는 상기 압력을 제2압력에서 상기 제2압력보다 큰 제1압력으로 변경시키는 기판 처리 방법.According to claim 11,
When the distribution flow rate changes from a second flow rate to a first flow rate having a smaller flow rate per unit time than the second flow rate, the electro-pneumatic regulator reduces the pressure supplied to the back pressure valve from the second pressure to the second flow rate so that the opening rate becomes smaller. A substrate processing method of changing to a first pressure greater than two pressures.
상기 분배 유량은 상기 펌프의 용량 또는 기판에 상기 액을 공급하는 상기 챔버의 수에 따라 변동되는 기판 처리 방법.According to claim 9,
The distribution flow rate is varied according to the capacity of the pump or the number of chambers supplying the liquid to the substrate.
상기 밸브는 정압 밸브이고,
상기 공급 라인들 각각에는 상기 정압 밸브보다 상류에 위치한 유량계가 설치되고,
상기 분배 유량은 상기 유량계로 측정하고, 상기 정압 밸브의 개방율은 상기 기판의 액 처리가 이루어지는 동안에 일정하게 유지되는 기판 처리 방법. According to any one of claims 9 to 14,
The valve is a constant pressure valve,
A flow meter located upstream of the constant pressure valve is installed in each of the supply lines,
The distribution flow rate is measured with the flow meter, and the opening rate of the constant pressure valve is maintained constant while liquid processing of the substrate is performed.
기판의 액 처리가 이루어지는 챔버;
상기 액이 순환하는 순환 라인;
정압 밸브가 설치되고, 상기 챔버에 위치한 기판으로 상기 액을 공급하는 공급 라인; 및
제어기를 포함하고,
상기 순환 라인에는,
상기 순환 라인의 상류에 설치되고, 유체압을 이용하여 탱크로부터 상기 순환 라인의 하류로 상기 액을 공급하는 펌프; 및
상기 순환 라인의 하류에 설치되고, 압력에 따라 개방율이 변경되는 배압 밸브를 포함하고,
상기 공급 라인은 상기 순환 라인 중 상기 펌프가 설치된 위치와 상기 배압 밸브가 설치된 위치 사이의 상기 순환 라인의 일 위치에 연결되고,
상기 제어기는,
상기 공급 라인을 통해 상기 챔버로 상기 액을 공급하는 동안, 상기 밸브의 상류에 흐르는 상기 액의 단위 시간당 유량인 분배 유량을 근거로, 상기 공급 라인들보다 상기 순환 라인의 상류에 흐르는 상기 액의 단위 시간당 유량인 상류 유량 또는 상기 공급 라인들보다 상기 순환 라인의 하류에 흐르는 상기 액의 단위 시간당 유량인 하류 유량을 조절하여 상기 정압 밸브의 하류에 흐르는 상기 액의 단위 시간당 유량을 기준 유량으로 일정하게 유지하는 기판 처리 장치.In the apparatus for processing the substrate,
a chamber in which liquid processing of the substrate is performed;
a circulation line through which the liquid circulates;
a supply line having a constant pressure valve installed and supplying the liquid to the substrate located in the chamber; and
including a controller;
In the circulation line,
a pump installed upstream of the circulation line and supplying the liquid from a tank to a downstream side of the circulation line by using fluid pressure; and
A back pressure valve installed downstream of the circulation line and having an opening rate changed according to pressure;
The supply line is connected to a position in the circulation line between a position where the pump is installed and a position where the back pressure valve is installed in the circulation line;
The controller,
While supplying the liquid to the chamber through the supply line, based on the distribution flow rate, which is the flow rate per unit time of the liquid flowing upstream of the valve, the unit of the liquid flowing upstream of the circulation line rather than the supply lines. The upstream flow rate, which is the flow rate per hour, or the downstream flow rate, which is the flow rate per unit time, of the liquid flowing downstream of the circulation line rather than the supply lines is adjusted to maintain the flow rate per unit time of the liquid flowing downstream of the constant pressure valve at a constant reference flow rate. A substrate processing device that does.
상기 순환 라인의 상류에는 상기 분배 유량 데이터에 근거하여 상기 상류 유량을 조절하는 제1전공 레귤레이터가 더 설치되고,
상기 순환 라인의 하류에는 상기 분배 유량 데이터에 근거하여 상기 하류 유량을 조절하는 제2전공 레귤레이터가 더 설치되는 기판 처리 장치.According to claim 16,
A first electro-pneumatic regulator for adjusting the upstream flow rate based on the distribution flow rate data is further installed upstream of the circulation line,
A second electro-pneumatic regulator for adjusting the downstream flow rate based on the distribution flow rate data is further installed downstream of the circulation line.
상기 챔버는 복수 개이고,
상기 공급 라인은 상기 순환 라인과 상기 복수 개의 챔버 각각을 서로 독립적으로 연결하고,
상기 제어기는,
상기 제1전공 레귤레이터를 제어하여 상기 분배 유량 데이터를 피드백하여 상기 펌프로 공급되는 상기 유체압을 변경시켜 상기 상류 유량을 조절하고, 상기 제2전공 레귤레이터를 제어하여 상기 분배 유량 데이터를 피드백하여 상기 배압 밸브에 공급되는 상기 압력을 변경하고, 변경된 상기 압력에 따라 상기 개방율을 변경시켜 상기 하류 유량을 조절하여, 상기 기준 유량을 유지하는 기판 처리 장치.According to claim 17,
The chamber is plural,
The supply line connects the circulation line and each of the plurality of chambers independently of each other,
The controller,
The upstream flow rate is adjusted by changing the fluid pressure supplied to the pump by feeding back the distribution flow rate data by controlling the first electro-mechanical regulator, and the back pressure by feeding back the distribution flow rate data by controlling the second electro-mechanical regulator. A substrate processing apparatus configured to change the pressure supplied to a valve, change the opening rate according to the changed pressure to adjust the downstream flow rate, and maintain the reference flow rate.
상기 복수 개의 챔버들 중 적어도 어느 하나의 챔버에서 상기 액 처리가 이루어지는 제1상태와 상기 제1상태보다 상대적으로 적은 수의 챔버에서 상기 액 처리가 이루어지는 제2상태에서,
상기 제어기는,
상기 제2상태에서 상기 상류 유량은 상기 제1상태에서 상기 상류 유량보다 작게 조절되도록 상기 제1전공 레귤레이터 또는 상기 제2전공 레귤레이터를 제어하는 기판 처리 장치.According to claim 18,
In a first state in which the liquid treatment is performed in at least one of the plurality of chambers and in a second state in which the liquid treatment is performed in a relatively smaller number of chambers than the first state,
The controller,
and controlling the first electro-pneumatic regulator or the second electro-pneumatic regulator so that the upstream flow rate in the second state is adjusted to be smaller than the upstream flow rate in the first state.
상기 제어기는,
상기 제2상태에서 상기 하류 유량은 상기 제1상태에서 상기 하류 유량보다 크게 조절되도록 상기 제1전공 레귤레이터 또는 상기 제2전공 레귤레이터를 제어하는 기판 처리 장치.
According to claim 19,
The controller,
and controlling the first electro-pneumatic regulator or the second electro-pneumatic regulator so that the downstream flow rate in the second state is adjusted to be greater than the downstream flow rate in the first state.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US18/145,920 US20230207306A1 (en) | 2021-12-24 | 2022-12-23 | Apparatus for treating substrate and method for treating substrate |
CN202211675450.1A CN116344388A (en) | 2021-12-24 | 2022-12-26 | Apparatus for treating substrate and method for treating substrate |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR20210186773 | 2021-12-24 | ||
KR1020210186773 | 2021-12-24 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20230097965A true KR20230097965A (en) | 2023-07-03 |
Family
ID=87157513
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020220048731A KR20230097965A (en) | 2021-12-24 | 2022-04-20 | Apparatus for treating substrate and method for processing a substrate |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR20230097965A (en) |
-
2022
- 2022-04-20 KR KR1020220048731A patent/KR20230097965A/en not_active Application Discontinuation
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