KR20230096813A - Mandrel construction and manufacturing method for manufacturing cylindrical synthetic quartz for semiconductors - Google Patents

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KR20230096813A KR1020220083086A KR20220083086A KR20230096813A KR 20230096813 A KR20230096813 A KR 20230096813A KR 1020220083086 A KR1020220083086 A KR 1020220083086A KR 20220083086 A KR20220083086 A KR 20220083086A KR 20230096813 A KR20230096813 A KR 20230096813A
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Abstract

본 발명은 반도체용 실린더형 합성 쿼츠 제조를 위한 맨드릴 구성 및 제조방법에 관한 것으로, 맨드릴의 재질 및 구성을 개선하여 생산성을 향상하기 위한 반도체용 실린더형 합성 쿼츠 제조를 위한 맨드릴 구성에 관한 것이다. 이를 위해 본 발명은 증착부, 지지부를 포함하여 분리가 능한 맨드릴을 구성하며, 증착부와 지지부의 소재를 달리하고, 맨드릴 내부에 중공부를 포함하도록 한다.
본 발명에 따른 맨드릴 구성을 활용하여 합성 쿼츠를 제조하면 증착부의 양끝까지 증착 하여 금속 맨드릴 사용 시 크랙을 방지할 수 있고, 지지부를 구성하여 증착부의 측면부까지 증착 하여 크랙을 방지하고, 증착구간의 유효길이를 최대화해서 생산성을 향상할 수 있다. 또한, 실린더 형상의 합성 쿼츠를 제작할 수 있어 코어링을 생략하고 내부 자재가 낭비되는 것을 방지하여 생산성을 증대하고 비용을 절감하는 효과가 있으며. 중공부를 구비하여 냉각용 가스와 금속배관을 통해 냉각수를 공급하여 냉각속도를 증가하여 생산성을 향상할 수 있으며, 메인버너를 증착부의 양 끝단 이상으로 증착 하여 측면 테이퍼를 형성하여 유효길이를 증가시켜 생산성을 향상할 수 있다.The present invention relates to a mandrel configuration and manufacturing method for manufacturing cylindrical synthetic quartz for semiconductors, and relates to a mandrel configuration for manufacturing cylindrical synthetic quartz for semiconductors to improve productivity by improving the material and configuration of the mandrel. To this end, the present invention constitutes a detachable mandrel including a deposition part and a support part, different materials for the deposition part and the support part, and including a hollow part in the mandrel.
When synthetic quartz is manufactured using the mandrel configuration according to the present invention, cracks can be prevented when using a metal mandrel by depositing up to both ends of the deposition unit, and depositing up to the side of the deposition unit by configuring the support unit to prevent cracking and effective deposition section Productivity can be improved by maximizing the length. In addition, since cylinder-shaped synthetic quartz can be produced, coring is omitted and internal materials are prevented from being wasted, thereby increasing productivity and reducing costs. With a hollow part, cooling gas and cooling water are supplied through metal pipes to increase the cooling speed and productivity can be improved, and the main burner is deposited above both ends of the deposition part to form a side taper to increase the effective length. can improve

Description

반도체용 실린더형 합성 쿼츠 제조를 위한 맨드릴 구성 및 제조방법{Mandrel construction and manufacturing method for manufacturing cylindrical synthetic quartz for semiconductors}Mandrel construction and manufacturing method for manufacturing cylindrical synthetic quartz for semiconductors}

본 발명은 반도체용 실린더형 합성 쿼츠 제조를 위한 맨드릴 구성 및 제조방법에 관한 것으로, 상세하게 합성 쿼츠 제조 공정에 사용되는 맨드릴의 재질 및 구성을 개선하여 생산성을 향상하기 위한 반도체용 실린더형 합성 쿼츠 제조를 위한 맨드릴 구성 및 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a mandrel configuration and manufacturing method for manufacturing cylindrical synthetic quartz for semiconductors, and in detail, manufacturing cylindrical synthetic quartz for semiconductors to improve productivity by improving the material and configuration of the mandrel used in the synthetic quartz manufacturing process It relates to a mandrel configuration and manufacturing method for

합성 쿼츠의 제조 기술을 통해 제조된 합성 쿼츠 증착물을 이용해 합성 쿼츠링과 같은 다른 제품을 만들기 위해서는 링(Ring)이나 실린더(Cylinder) 형태로 가공하게 되는데, 이때 가공하는 과정에서 중심을 드릴링하는 별도의 코어 드릴(Core Drill)작업을 거쳐야 하며, 작업 후 내부 자재는 폐기물로 처리되는 등 복잡한 가공공정이 필요하고, 소재의 손실이 매우 커서 생산단가가 높다. 따라서, 실린더 형태로 제조하는 방법을 통해 코어링 등의 복잡한 과정을 생략하고 내부 자재가 낭비되는 것을 방지하여 생산성을 증대하고 비용을 절감하려는 시도가 있다.In order to make other products such as synthetic quartz rings using synthetic quartz deposits manufactured through synthetic quartz manufacturing technology, they are processed in the form of rings or cylinders. Core drill work is required, and after work, internal materials are treated as waste, requiring complex processing processes, and the loss of materials is very large, so the production cost is high. Therefore, there is an attempt to increase productivity and reduce costs by omitting complicated processes such as coring and preventing waste of internal materials through a method of manufacturing in a cylinder shape.

선행문헌 1(대한민국 공개특허 10-1725359호)은 상기 문제점을 해결하기 위해 원통형의 맨드릴을 구비하여 실린더 형태로 합성 쿼츠를 제작하는 방법에 대한 발명이다.Prior Document 1 (Korean Patent Publication No. 10-1725359) is an invention on a method for manufacturing synthetic quartz in a cylindrical shape by using a cylindrical mandrel to solve the above problems.

하지만, 선행문헌 1은 SiO2 증착 시 증착물에 크랙(Crack)을 방지하기 위해 양 끝단을 테이퍼(Taper)제어 하여 맨드릴(Mandrel)의 길이 대비하여 증착물의 길이가 짧아져서 손실구간이 발생하기 때문에 유효길이가 감소하여 그에 따라 생산량이 감소하는 문제가 있으며, 금속 맨드릴의 사용 시 테이퍼의 양 끝이 선행문헌 1과 같이 증착 되는 면상에 위치하면 크랙이 발생할 수 있다는 문제가 있다.However, Prior Document 1 is effective because the length of the deposit is shortened compared to the length of the mandrel by controlling the taper at both ends to prevent cracks in the deposit during SiO 2 deposition, resulting in a loss period. There is a problem in that the length is reduced and the production volume is reduced accordingly, and when using a metal mandrel, when both ends of the taper are located on the surface to be deposited as in Prior Document 1, there is a problem that cracks may occur.

선행문헌 1: 대한민국 등록특허 10-1725359호(2017.04.04. 등록)Prior Document 1: Republic of Korea Patent Registration No. 10-1725359 (registered on April 4, 2017)

본발명의 기술적 목적은 상기 문제점을 해결하기 위한 것으로, 금속 증착부를 갖는 맨드릴을 활용하여 실린더형 합성 쿼츠 제작을 위한 OVD 증착 시 증착물과 맨드릴 소재의 열팽창 차이로 인한 응력이 증착물의 끝단에 집중되어 테이퍼를 형성하여도 증착물 끝으로부터 크랙이 쉽게 발생한다. 이를 해결하기 위하여 증착물의 테이퍼 끝단을 맨드릴의 증착부 양 끝에 위치하게 하여 열팽창 차이에 의한 응력이 테이퍼 끝단에 형성되지 않도록 하여 크랙을 방지하고자 한다.\The technical object of the present invention is to solve the above problems, and when depositing OVD for producing cylindrical synthetic quartz using a mandrel having a metal deposition part, the stress due to the difference in thermal expansion between the deposited material and the mandrel material is concentrated at the end of the deposited material, resulting in a taper Even if formed, cracks easily occur from the end of the deposited material. In order to solve this problem, the taper end of the deposition material is placed at both ends of the deposition part of the mandrel to prevent cracks from being formed at the taper end due to the difference in thermal expansion.\

본 발명은 반도체용 합성 쿼츠 제조장치에 의해 형성되는 증착물에 있어서, 합성 쿼츠 제조장치는, 막대 형상의 외면을 따라 증착이 진행되어 외면에 증착물이 형성되는 증착부를 포함하고, 증착물은, 증착물의 직경이 균일하게 유지되는 구간이 극대화되도록 크랙을 방지하기 위한 테이퍼를 구비하고, 증착물의 테이퍼는, 증착부의 양 끝단까지 연장되는 것을 특징으로 하는 증착물을 제공한다.In the present invention, in a deposit formed by a synthetic quartz manufacturing apparatus for semiconductors, the synthetic quartz manufacturing apparatus includes a deposition portion in which deposition proceeds along an outer surface of a rod shape to form a deposit on the outer surface, and the deposit has a diameter of the deposit A taper is provided to prevent cracking so that the uniformly maintained section is maximized, and the taper of the deposited material extends to both ends of the deposited part.

또한, 반도체용 합성 쿼츠를 제조장치에 있어서, In addition, in the manufacturing apparatus for synthetic quartz for semiconductors,

막대 형상의 외면을 따라 증착이 진행되어 외면에 증착물이 형성되는 증착부와, 증착부의 양 끝단에 구비되는 지지부를 포함하는 맨드릴 및 증착부의 외면을 따라 화염을 분사하여 증착을 진행하는 메인버너를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체용 합성 쿼츠 제조장치를 제공한다.A mandrel including a deposition unit in which deposition proceeds along the outer surface of the rod shape to form deposits on the outer surface, and supports provided at both ends of the deposition unit, and a main burner for spraying flames along the outer surface of the deposition unit to proceed with deposition It provides a synthetic quartz manufacturing apparatus for semiconductors, characterized in that.

또한, 증착부는 소정의 제 1 직경을 갖는 원기둥 형상으로 구비되는 것을 특징으로 하는 반도체용 합성 쿼츠 제조장치를 제공한다.In addition, the deposition unit provides a synthetic quartz manufacturing apparatus for semiconductors, characterized in that provided in a cylindrical shape having a predetermined first diameter.

또한, 증착부는 소정의 제 1 직경이 250~320mm의 직경을 갖도록 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체용 합성 쿼츠 제조장치를 제공한다.In addition, the deposition unit provides a synthetic quartz manufacturing apparatus for semiconductors, characterized in that the predetermined first diameter is configured to have a diameter of 250 ~ 320mm.

또한, 지지부는 증착부의 직경인 소정의 제 1 직경보다 50mm 이상 작은 소정의 제 2 직경을 갖는 원기둥 형상으로 구비되고, 지지부는 두개가 구비되어 지지부의 한쪽 평면이 원기둥 형상의 증착부의 두개의 평면에 각각 연결되는 것을 특징으로 하는 반도체용 합성 쿼츠 제조장치를 제공한다.In addition, the support portion is provided in a cylindrical shape having a predetermined second diameter smaller than the predetermined first diameter, which is the diameter of the deposition unit, by 50 mm or more, and two support units are provided so that one plane of the support unit is in two planes of the cylindrical deposition unit. It provides a synthetic quartz manufacturing apparatus for semiconductors, characterized in that each is connected.

또한, 맨드릴은 소재가 금속이고, 맨드릴의 소재인 금속은, 스테인레스스틸(SUS) 또는 티타늄, 니켈, 인코넬, 하스텔로이 재질 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 반도체용 합성 쿼츠 제조장치를 제공한다.In addition, the material of the mandrel is metal, and the material of the mandrel is stainless steel (SUS) or titanium, nickel, inconel, and hastelloy. Provides a synthetic quartz manufacturing apparatus for semiconductors, characterized in that.

또한, 맨드릴은, 속이 빈 구조로 구성되어 공정 종료 시 냉각용 가스가 흐를 수 있도록 구성되는 중공부를 더 포함하고, 중공부에는 냉각용 가스의 효율이 극대화되도록 냉각수가 흐르는 금속배관이 더 구비되는 것을 특징으로 하는 반도체용 합성 쿼츠 제조장치를 제공한다.In addition, the mandrel has a hollow structure and further includes a hollow portion configured to allow cooling gas to flow when the process is finished, and a metal pipe through which cooling water flows is further provided in the hollow portion to maximize the efficiency of the cooling gas. It provides a synthetic quartz manufacturing apparatus for semiconductors characterized by.

또한, 메인버너는, 증착부의 양 끝단까지 증착 되도록 메인버너의 중심이 증착부의 양 끝단에서 100mm만큼 벗어난 지점 내지 양 끝단에 50mm 못 미치는 위치 중 어느 한 지점까지 증착부의 외면을 따라 이동하며 화염을 방출하여 증착을 진행하는 것을 특징으로 하는 반도체용 합성 쿼츠 제조장치를 제공한다.In addition, the main burner moves along the outer surface of the deposition unit to a point where the center of the main burner is 100 mm away from both ends of the deposition unit or less than 50 mm from both ends of the deposition unit so that the center of the main burner is deposited to both ends of the deposition unit and emits flame. It provides a synthetic quartz manufacturing apparatus for semiconductors, characterized in that the deposition proceeds.

본 발명에 따르면 금속 증착부를 갖는 맨드릴을 사용하여도 Crack이 없는 증착물을 제작이 가능하다.According to the present invention, even if a mandrel having a metal deposition part is used, it is possible to manufacture a deposit without cracks.

또한, 맨드릴의 증착구간의 유효길이가 최대화되어 생산성을 향상할 수 있다. 또한, 테이퍼 구간이 맨드릴의 측면으로 형성되어 크랙(Crack)이 방지되면서도 유효길이는 최대화할 수 있다.In addition, the effective length of the deposition section of the mandrel is maximized to improve productivity. In addition, since the tapered section is formed on the side of the mandrel, the effective length can be maximized while preventing cracks.

또한, 실린더 형상의 합성 쿼츠를 제작할 수 있어, 링 형상 제품을 제작 시 코어링을 생략하고 내부 자재가 낭비되는 것을 방지하여 생산성을 증대하고 비용을 절감하는 효과가 있다.In addition, it is possible to produce synthetic quartz in a cylinder shape, thereby omitting coring and preventing waste of internal materials when manufacturing a ring-shaped product, thereby increasing productivity and reducing costs.

또한, 맨드릴의 증착부를 금속소재로 제작하여 영구적으로 재사용 할 수 있어서 비용을 아낄 수 있으며, 지지부를 열전달 계수가 낮은 소재를 적용하여 증착 시 열 손실을 최소화하여 밀도 높은 증착물을 생산할 수 있다.In addition, since the deposition part of the mandrel is made of a metal material and can be permanently reused, cost can be saved, and by applying a material with a low heat transfer coefficient to the support part, heat loss during deposition can be minimized to produce a high-density deposit.

또한, 중공부를 구비하여 냉각용 가스와 금속배관을 통해 냉각수를 공급하여 냉각속도를 증가하여 생산성을 향상할 수 있다.In addition, it is possible to improve productivity by providing a hollow part to supply cooling gas and cooling water through a metal pipe to increase the cooling rate.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 합성 쿼츠 제조방법의 개략도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 맨드릴의 사시도이다.
도 3은 기존발명(도 3a)과 본 발명의 일 실시예(도 3b)를 나타낸 도면이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 맨드릴의 단면도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 중공부에 관통하는 금속배관을 나타낸 맨드릴의 단면도이다.1 is a schematic diagram of a synthetic quartz manufacturing method according to an embodiment of the present invention.
2 is a perspective view of a mandrel according to one embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a view showing an existing invention ( FIG. 3a ) and an embodiment of the present invention ( FIG. 3b ).
4 is a cross-sectional view of a mandrel according to one embodiment of the present invention.
5 is a cross-sectional view of a mandrel showing a metal pipe passing through a hollow part according to an embodiment of the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 이하에서 개시되는 실시 예에 한정되지 않는다. 또한 도면에서 본 발명을 명확하게 개시하기 위해서 본 발명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 도면에서 동일하거나 유사한 부호들은 동일하거나 유사한 구성요소들을 나타낸다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, embodiments of the present invention will be described in detail so that those skilled in the art can easily carry out the present invention. However, the present invention may be implemented in many different forms and is not limited to the embodiments disclosed below. In addition, in order to clearly disclose the present invention in the drawings, parts irrelevant to the present invention are omitted, and the same or similar numerals in the drawings indicate the same or similar components.

본 발명의 목적 및 효과는 하기의 설명에 의해서 자연스럽게 이해되거나 보다 분명해질 수 있으며, 하기의 기재만으로 본 발명의 목적 및 효과가 제한되는 것은 아니다.The objects and effects of the present invention can be naturally understood or more clearly understood by the following description, and the objects and effects of the present invention are not limited only by the following description.

본 발명의 목적, 특징 및 장점은 다음의 상세한 설명을 통하여 보다 분명해질 것이다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서 본 발명과 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이, 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략하기로 한다. 이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 실시예를 상세히 설명하기로 한다.Objects, features and advantages of the present invention will become more apparent from the detailed description that follows. In addition, in describing the present invention, if it is determined that a detailed description of a known technology related to the present invention may unnecessarily obscure the subject matter of the present invention, the detailed description will be omitted. Hereinafter, embodiments according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 합성 쿼츠 제조방법의 개략도이다. 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 맨드릴(100)의 사시도이다. 도 1 및 도 2를 참고하면, 본 발명은 맨드릴(100), 사이드 버너(200), 메인버너(300)를 포함하여 구성될 수 있다.1 is a schematic diagram of a synthetic quartz manufacturing method according to an embodiment of the present invention. 2 is a perspective view of a mandrel 100 according to one embodiment of the present invention. Referring to FIGS. 1 and 2 , the present invention may include a mandrel 100 , a side burner 200 , and a main burner 300 .

맨드릴(100)은 막대 형상의 외면을 따라 증착이 진행되도록 하는 구성이며, 이때, 합성 쿼츠를 정착시켜서 맨드릴(100)의 외면에 증착이 된 슈트체를 증착물(10)이라고 한다.The mandrel 100 is configured to allow deposition to proceed along the outer surface of the rod shape, and at this time, a chute body deposited on the outer surface of the mandrel 100 by fixing synthetic quartz is called the deposit 10.

맨드릴(100)은 증착부(110) 및 증착부(110)의 양 끝단에 구비되는 지지부(120)를 포함하여 구성되고, 다양한 방식을 통해 외면을 따라 증착이 진행되도록 할 수 있다. 예를 들면, 맨드릴(100)은 고정된 상태에서 메인버너(300)가 이동하며 증착을 진행할 수 있고, 메인버너(300)가 고정된 상태에서 맨드릴(100)이 회전하거나 이동하며 증착을 진행할 수도 있으며, 맨드릴(100)과 메인버너(300)가 모두 이동하여 증착을 진행할 수도 있다. 상세하게 맨드릴(100)이 막대 형상의 중심축을 따라 회전하고, 메인버너(300)는 설치된 위치에 고정되거나 맨드릴(100)의 막대 형상의 길이방향으로 이동하며 증착이 진행되는 것이 후술할 사이드 버너(200)를 움직이지 않고 고정할 수 있어서 더 효율적이기 때문에, 본 발명의 일 실시예에서는 맨드릴(100)이 막대 형상의 중심축을 따라 회전하는 것을 기준으로 설명하며, 후술할 구동부가 맨드릴(100)을 회전시키게 된다.The mandrel 100 includes a deposition unit 110 and support units 120 provided at both ends of the deposition unit 110, and deposition may proceed along the outer surface through various methods. For example, deposition may be performed while the main burner 300 moves while the mandrel 100 is fixed, or deposition may be performed while the mandrel 100 rotates or moves while the main burner 300 is fixed. In addition, both the mandrel 100 and the main burner 300 may move to perform deposition. In detail, the mandrel 100 rotates along the central axis of the bar shape, and the main burner 300 is fixed to the installed position or moves in the longitudinal direction of the bar shape of the mandrel 100, and deposition proceeds as a side burner (which will be described later) 200) can be fixed without moving, so in one embodiment of the present invention, the mandrel 100 will be described based on rotation along the central axis of the rod shape, and the driving unit to be described later will move the mandrel 100 will rotate

구동부는 맨드릴(100)을 막대 형상의 중심축을 따라 회전시키는 구성이다.The driving unit is configured to rotate the mandrel 100 along the central axis of the rod shape.

구동부는 맨드릴(100)의 중심축에 연결되는 동력전달부와 동력을 내어 동력전달부에 에너지를 전달하는 동력부를 포함한다. 동력부가 맨드릴(100)의 중심축에 연결되는 동력전달부를 회전시킴으로써 동력을 맨드릴(100)에 전달하여 맨드릴(100)이 중심축을 따라 회전하도록 구비된다. 동력부는 모터, 엔진, 터빈 등의 동력장치를 포함하도록 구비될 수 있다.The drive unit includes a power transmission unit connected to the central axis of the mandrel 100 and a power transmission unit that generates power to transmit energy to the power transmission unit. The power unit transmits power to the mandrel 100 by rotating the power transmission unit connected to the central axis of the mandrel 100 so that the mandrel 100 rotates along the central axis. The power unit may be provided to include a power device such as a motor, an engine, or a turbine.

동력부는 균일한 증착이 이루어질 수 있도록 일정한 속도로 맨드릴(100)이 회전하도록 동력전달부를 회전시킬 수 있고, 증착이 진행됨에 따라 증착물(10)의 직경이 증가하는 경우, 또는 메인버너(300)가 이동하여 증착물(10)의 직경이 다른 곳을 증착시키는 경우에 회전 속도를 조절하여 더욱 효율적으로 증착이 이루어지도록 할 수도 있다.The power unit can rotate the power transmission unit so that the mandrel 100 rotates at a constant speed so that uniform deposition can be achieved, and when the diameter of the deposited material 10 increases as the deposition progresses, or the main burner 300 When moving and depositing a place where the diameter of the deposited material 10 is different, the rotational speed may be adjusted so that the deposition is performed more efficiently.

전구체 공급부는 맨드릴(100)의 외면 상에 전구체를 공급하기 위한 구성이다.The precursor supply unit is configured to supply a precursor on the outer surface of the mandrel 100.

전구체 공급부는 맨드릴(100)의 외면 방향으로 전구체를 공급하게 된다. 이때, 전구체 공급부는 전구체가 고체 또는 액상으로 구비된 전구체가 공급되며 기화되는 구조를 더 포함할 수 있고, 또는 전구체를 기화시켜 기체 상태로 변환된 전구체를 저장했다가 공급하는 방식을 이용할 수도 있다. 전구체를 기화시키기 위해서 초음파 진동, 히터 등을 활용할 수 있고, 이를 통해 전구체를 기체 또는 에어로졸 형태로 기화시키게 된다.The precursor supply unit supplies the precursor to the outer surface of the mandrel 100 . At this time, the precursor supply unit may further include a structure in which a precursor provided in a solid or liquid state is supplied and vaporized, or a method of storing and supplying a precursor converted into a gaseous state by vaporizing the precursor may be used. In order to vaporize the precursor, ultrasonic vibration, a heater, etc. may be utilized, and through this, the precursor is vaporized in the form of a gas or aerosol.

전구체 공급부는 맨드릴(100)의 외면상에 전구체를 공급할 수 있는 다양한 위치에 구비될 수 있으며, 전구체가 공급되면서 맨드릴(100)의 표면에서 바로 증착이 될 수 있도록 메인버너(300)가 화염을 공급하는 방향과 동일한 곳을 향해 공급되도록 할 수 있고, 이처럼 동일한 방향으로 전구체가 공급되기 위해서 메인버너(300)에서 화염뿐만 아니라 전구체도 함께 일체로 공급하는 것도 가능하다.The precursor supply unit may be provided at various locations to supply the precursor on the outer surface of the mandrel 100, and the main burner 300 supplies flame so that the precursor can be directly deposited on the surface of the mandrel 100 while being supplied. In this way, it is possible to supply the precursor as well as the flame in the main burner 300 integrally in order to supply the precursor in the same direction.

한편, 맨드릴(100)은 증착부(110)와 증착부(110)의 양 끝단에 구비되는 지지부(120)를 포함하여 구성된다.Meanwhile, the mandrel 100 includes a deposition unit 110 and support units 120 provided at both ends of the deposition unit 110 .

증착부(110)는 막대 형상으로 외면을 따라 증착이 진행되어 합성 쿼츠를 제조하기 위한 구성이다. 이때, 증착부(110)의 외면을 따라 증착이 되는면인 증착부(110)의 외부면을 증착면이라고 한다.The deposition unit 110 has a rod shape and is configured to produce synthetic quartz by depositing it along the outer surface. At this time, the outer surface of the deposition unit 110, which is a surface on which deposition is performed along the outer surface of the deposition unit 110, is referred to as a deposition surface.

지지부(120)는 증착부(110)의 양 끝단에 구비되어 크랙 방지를 위한 측면 테이퍼를 맨드릴(100)의 측면에 형성해서 증착물(10)의 유효길이를 극대화할 수 있도록 하는 구성이며, 이를 위해 지지부(120)는 증착부(110)와 상이한 직경을 가지도록 구성된다. 이때, 유효길이는 증착물(10)의 직경이 균일하게 유지되는 구간의 길이로 제품 가공에 쓰일 수 있는 부분을 말하며 유효길이를 제외한 나머지 부분이 크랙을 방지하기 위해 증착물(10)의 양 끝단에 형성하는 테이퍼 구간이 된다.The support part 120 is provided at both ends of the deposition part 110 to form side tapers on the side surfaces of the mandrel 100 to prevent cracks to maximize the effective length of the deposited material 10. To this end The support part 120 is configured to have a diameter different from that of the deposition part 110 . At this time, the effective length is the length of the section where the diameter of the deposited material 10 is maintained uniformly, and refers to a part that can be used for product processing, and the rest except for the effective length is formed at both ends of the deposited material 10 to prevent cracks It becomes a taper section that

본 발명의 일 실시예에서는 도 3b와 같이 증착물(10)이 증착부(110)의 양쪽 끝까지 증착 되어 금속 재질을 사용하는 맨드릴(100)에서 크랙을 방지하도록 할 수 있다. 이와 같은 실시예를 아래 상술하도록 한다.In one embodiment of the present invention, as shown in FIG. 3B, the deposition material 10 is deposited to both ends of the deposition unit 110 to prevent cracks in the mandrel 100 using a metal material. Such an embodiment will be described in detail below.

도 3은 지지부(120)가 없는 기존방식의 맨드릴(100)에서 테이퍼를 형성하는 경우, 본 발명의 일 실시예에 따른 지지부(120)를 포함하는 맨드릴(100)에서의 증착부(110)의 양 끝단까지 증착 되는 경우 및 측면 테이퍼를 형성하는 경우 각각의 방식에 따른 유효길이를 비교한 도면이다.3 shows the deposition unit 110 in the mandrel 100 including the support unit 120 according to an embodiment of the present invention when a taper is formed on the conventional mandrel 100 without the support unit 120. This is a diagram comparing the effective length according to each method in the case of depositing to both ends and in the case of forming a side taper.

도 3을 참고하면, 도 3a의 기존방식의 맨드릴(100)에서는 크랙 방지를 위한 테이퍼 형성을 위해 맨드릴의 양 끝까지 증착 하지 못하기 때문에, 유효길이는 도 3의 유효길이 ab와 같이 짧게 형성된다. 또한, 기존방식에서 금속 증착부(110)를 갖는 맨드릴(100) 사용 시 증착물(10)의 테이퍼 양 끝단이 맨드릴(100) 외면상에 존재하여 증착물(10)과 맨드릴(100) 소재의 열팽창 차이로 인한 응력이 증착물의 끝단에 집중되어 테이퍼를 형성하여도 증착물 끝으로부터 크랙이 쉽게 발생한다.Referring to FIG. 3, since the conventional mandrel 100 of FIG. 3a cannot deposit to both ends of the mandrel to form a taper to prevent cracks, the effective length is formed short as shown in the effective length ab of FIG. In addition, when using the mandrel 100 having the metal deposition part 110 in the conventional method, both ends of the taper of the deposited material 10 are present on the outer surface of the mandrel 100, resulting in a difference in thermal expansion between the material of the deposited material 10 and the mandrel 100. Cracks easily occur from the end of the deposited material even if the stress due to the concentration is concentrated on the end of the deposited material to form a taper.

하지만, 도 3b와 같이 동일한 길이의 맨드릴(100)이지만 양 끝단에 지지부(120)를 구비하여 증착부(110)의 양 끝단까지 증착 하면, 증착물(10)의 양 끝단을 벗어난 부분의 맨드릴(100)이 존재하지 않아서 열팽창 차이에 의한 응력이 테이퍼 끝단에 형성되지 않도록 할 수 있어서 크랙이 형성되는 것을 방지할 수 있다. 하지만, 전체 맨드릴(100)의 길이가 도a의 기존방식과 동일하고, 증착부(110)의 길이가 기존방식의 유효길이와 동일하기 때문에, 유효길이는 여전히 도 3의 유효길이 ab로 동일하게 짧다. However, as shown in FIG. 3B, if the mandrel 100 of the same length but provided with support parts 120 at both ends and deposited up to both ends of the deposition unit 110, the mandrel 100 at the part beyond both ends of the deposited material 10 ) does not exist, it is possible to prevent stress due to thermal expansion difference from being formed at the end of the taper, and thus crack formation can be prevented. However, since the length of the entire mandrel 100 is the same as that of the conventional method in FIG. short.

한편, 도 3b의 맨드릴(100)이 도 3a의 맨드릴(100)과 동일한 유효길이를 가지고, 맨드릴(100)의 전체길이는 동일하지만, 증착부(110)보다 직경이 작은 지지부(120)를 구비함으로써 맨드릴(100)을 제작하는 원재료가 절감되는 효과도 볼 수 있다.Meanwhile, the mandrel 100 of FIG. 3B has the same effective length as the mandrel 100 of FIG. 3A and has the same total length of the mandrel 100, but has a support portion 120 having a smaller diameter than the deposition portion 110. By doing so, the raw material for manufacturing the mandrel 100 can be reduced.

이처럼 본 발명의 일 실시예인 도 3b와 같이 증착부(110)의 양 끝까지 증착된 증착물(10)을 제조하면, 금속 맨드릴(100)사용 시 열팽창 차이에 의한 응력이 테이퍼 끝단에 전달되지 않도록 하여 크랙을 방지할 수 있다.As such, when the deposit 10 deposited on both ends of the deposition unit 110 is manufactured as shown in FIG. 3B, which is an embodiment of the present invention, when the metal mandrel 100 is used, stress due to the difference in thermal expansion is not transmitted to the tapered end, thereby preventing cracking. can prevent

한편, 증착부(110)는 막대 형상과 같이 길이를 가지는 원기둥과 사각기둥, 직사각기둥, 오각기둥 등의 다각기둥을 포함한 다양한 형상으로 구비될 수 있으며, 원기둥 형상의 직경 또는 다각기둥의 형상의 다각형 평면의 외접원의 직경이 소정의 제 1 직경을 갖도록 구비 된다. 다만, 후가공 시 낭비되는 내부 자재를 최소화하기 위해서 실린더 형상의 합성 쿼츠를 제작하는 것이 효율적이며, 이를 위해 증착부(110)는 소정의 제 1 직경을 갖는 원기둥 형상으로 구비되어 증착물(10)이 실린더 형상이 되도록 하는 것이 바람직하다. On the other hand, the deposition unit 110 may be provided in various shapes including a cylinder having a length like a rod shape and a polygonal column such as a rectangular column, a rectangular column, a pentagonal column, etc. The diameter of the circumscribed circle of the plane is provided to have a predetermined first diameter. However, in order to minimize waste of internal materials during post-processing, it is efficient to manufacture synthetic quartz in a cylindrical shape. To this end, the deposition unit 110 is provided in a cylindrical shape having a predetermined first diameter, It is desirable to make it a shape.

또한, 증착부(110)는 원기둥 형상의 옆면을 따라 증착이 진행되게 되는데, 후술할 메인버너(300)는 증착부(110)에 하부에 위치시켜 화염을 분출하므로 원기둥 형상의 옆면에 메인버너(300)의 화염을 공급받아 증착이 진행될 수 있도록 원기둥을 옆으로 눕힌 형상으로 구비되게 된다. 이와 같이 원기둥을 눕힌 상태에서 증착부(110)의 원기둥 형상의 옆면에 증착이 될 때, 증착부(110)의 원기둥 형상의 높이가 옆면의 길이가 되고 이를 증착부(110)의 증착길이라고 한다.In addition, in the deposition unit 110, deposition proceeds along the side surface of the cylindrical shape. Since the main burner 300, which will be described later, is located at the bottom of the deposition unit 110 to eject flames, the main burner ( 300) is provided in a shape in which the cylinder is laid sideways so that the deposition can proceed by receiving the flame. In this way, when deposition is performed on the cylindrical side surface of the deposition unit 110 in a state where the cylinder is laid down, the height of the column shape of the deposition unit 110 becomes the length of the side surface, and this is referred to as the deposition length of the deposition unit 110. .

한편, 증착부(110)의 소정의 제 1 직경은 250mm 내지 320mm의 길이를 갖도록 구성되어 해당 직경을 갖는 합성 쿼츠를 제작할 수 있도록 구비된다. Meanwhile, the predetermined first diameter of the deposition unit 110 is configured to have a length of 250 mm to 320 mm, so that synthetic quartz having the corresponding diameter can be manufactured.

한편, 증착부(110)는 내경이 280mm 내지 320mm이고, 외경 290mm 내지 420mm를 갖는 반도체용 링 형상 합성 쿼츠를 제작하는 경우에는 중공구조를 갖는 실린더 형상의 증착물(10)을 내경 250mm 내지 350mm를 갖고 외경 300mm 내지 700mm를 갖도록 제작하게 되고, 이에 따라 소정의 제 1 직경은 250mm 내지 350mm의 길이를 갖도록 구성되어 해당 직경을 내경으로 갖는 증착물(10)을 제작할 수 있도록 구비된다. On the other hand, when the deposition unit 110 manufactures ring-shaped synthetic quartz for semiconductors having an inner diameter of 280 mm to 320 mm and an outer diameter of 290 mm to 420 mm, the cylindrical deposit 10 having a hollow structure has an inner diameter of 250 mm to 350 mm. It is manufactured to have an outer diameter of 300 mm to 700 mm, and accordingly, a predetermined first diameter is configured to have a length of 250 mm to 350 mm, so that the deposited material 10 having the corresponding diameter as an inner diameter can be manufactured.

또한, 증착부(110)의 증착길이는 생산성을 위하여 500mm 이상 3000mm 이하로 구성되는 것이 바람직하여 본 발명의 일실시예에서는 증착부(110)의 원기둥 형상의 높이가 500mm 이상 3000mm 이하인 것을 기준으로 설명한다.In addition, the deposition length of the deposition unit 110 is preferably configured to be 500 mm or more and 3000 mm or less for productivity. In one embodiment of the present invention, the description is based on the cylindrical height of the deposition unit 110 is 500 mm or more and 3000 mm or less. do.

이처럼 증착부(110)가 구비되면, 250mm 내지 320mm의 직경을 갖는 반도체용 링형상 합성 쿼츠를 제작할 수 있고, 적절한 증착길이를 구성하여 생산성을 높여 효율적으로 생산할 수 있다.When the deposition unit 110 is provided as described above, ring-shaped synthetic quartz for semiconductors having a diameter of 250 mm to 320 mm can be produced, and productivity can be efficiently produced by configuring an appropriate deposition length.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 맨드릴(100)의 사시도이다. 도 3은 기존발명(도 3a)과 본 발명의 일 실시예(도 3b)를 나타낸 도면이다. 도 2 및 도 3을 참고하면, 지지부(120)는 증착부(110)의 직경인 소정의 제 1 직경보다 작은 소정의 제 2 직경을 갖는 원기둥 또는 다각기둥 형상으로 구비되며, 지지부(120)는 증착부(110)의 양쪽 평면을 밑면으로 하여 증착부(110)의 양 끝단에서 외부로 돌출되는 원기둥 또는 다각기둥 형상으로 구비되어 증착부(110)와 함께 맨드릴(100)을 구성하게 된다. 즉, 지지부(120)는 증착부(110)의 원기둥 또는 다각기둥 형상과 동일한 중심축을 가지는 원기둥 또는 다각기둥 형태로 구비되며, 증착부(110)보다 작은 소정의 제 2 직경을 가지도록 구비되어 증착부(110)의 양 끝단에 돌출되는 형태로 구비되게 된다.2 is a perspective view of a mandrel 100 according to one embodiment of the present invention. FIG. 3 is a view showing an existing invention ( FIG. 3a ) and an embodiment of the present invention ( FIG. 3b ). Referring to FIGS. 2 and 3 , the support part 120 is provided in the shape of a cylinder or a polygonal column having a predetermined second diameter smaller than a predetermined first diameter, which is the diameter of the deposition unit 110, and the support part 120 is It is provided in the shape of a cylinder or a polygonal column protruding outward from both ends of the deposition unit 110 with both planes of the deposition unit 110 as the bottom, and constitutes the mandrel 100 together with the deposition unit 110. That is, the support part 120 is provided in the form of a cylinder or polygonal column having the same central axis as the cylinder or polygonal column shape of the deposition part 110, and is provided to have a predetermined second diameter smaller than that of the deposition part 110 for deposition. It is provided in the form of protruding at both ends of the portion 110.

이때, 제 2 직경은 원기둥 또는 다각기둥으로 구비되는 지지부(120)의 원기둥의 직경 또는 다각기둥의 외접원 직경이며, 측면 테이퍼를 만들기에 적합하도록 제 1 직경보다 50mm이상 작게 구비되어 지지부(120)를 구성하는 것이 적절하다. 또한, 증착부(110)의 제 2 직경은 후술할 냉각 가스 또는 금속배관(140)이 통과할 수 있는 적절한 크기로 구성되는 것이 바람직하다.At this time, the second diameter is the diameter of the cylindrical column or the circumscribed circle diameter of the polygonal column of the support portion 120 provided in the form of a cylinder or polygonal column, and is provided smaller than the first diameter by 50 mm or more to be suitable for making a side taper to form the support portion 120. It is appropriate to configure In addition, the second diameter of the deposition unit 110 is preferably configured to an appropriate size through which a cooling gas or a metal pipe 140, which will be described later, can pass.

지지부(120)가 상술한 바와 같이 맨드릴(100)에 포함되도록 구성되면, 증착부(110)의 끝부분까지 증착을 진행하며 측면 테이퍼를 형성하도록 할 수 있어서 증착길이를 더 길게 하여 유효길이를 최대화할 수 있어서 생산성을 향상할 수 있다.If the support part 120 is configured to be included in the mandrel 100 as described above, the deposition proceeds to the end of the deposition part 110 and the side taper can be formed, thereby increasing the deposition length to maximize the effective length can improve productivity.

메인버너(300)는 맨드릴(100)의 증착부(110)의 외면을 따라 화염을 분사해서 전구체 공급부에서 공급된 전구체에 열을 전달하여 증착부(110)에 증착이 진행되도록 하는 구성이다. 또한, 메인버너(300)는 소정의 원료량을 지속적으로 투입받아 출력하는 화염을 유지하도록 구비되어 일정한 화염을 공급하도록 구비될 수 있고, 화염뿐만 아니라 증착에 도움이 되는 비활성기체 등의 가스를 함께 배출할 수도 있다. 또한, 메인버너(300)는 증착을 진행하기 위해 상술한 전구체 공급부에서 전구체를 공급받을 수 있으며, 증착을 더욱 효율적으로 하기위해 전구체 공급부를 메인버너(300)와 일체화 할 수도 있다.The main burner 300 is configured to inject flame along the outer surface of the deposition unit 110 of the mandrel 100 to transfer heat to the precursor supplied from the precursor supply unit so that deposition proceeds in the deposition unit 110 . In addition, the main burner 300 may be provided to maintain a flame that continuously receives and outputs a predetermined amount of raw material, and may be provided to supply a constant flame, and not only the flame but also a gas such as an inert gas that is helpful for deposition. may be ejected. In addition, the main burner 300 may receive a precursor from the above-described precursor supply unit to perform deposition, and the precursor supply unit may be integrated with the main burner 300 for more efficient deposition.

메인버너(300)에서 방출되는 화염 및 가스는 온도가 높아서 지면에서 지상으로 올라가는 방향으로 이동하기 때문에, 메인버너(300)는 회전하는 맨드릴(100)의 하부에 위치하여 위쪽에 위치한 맨드릴(100)의 증착부(110)를 향해 화염 및 가스를 방출하여 증착을 진행하도록 구비되는 것이 바람직하다. 이때, 메인버너(300)의 상부에 위치하는 맨드릴(100)은 메인버너(300)에서 방출되는 화염 및 가스를 원기둥이 누워있는 형태로 옆면을 메인버너(300) 방향으로 향하게 구비하게 되며, 증착부(110)의 원기둥 형상의 높이가 증착이 진행되는 증착부(110)의 증착길이가 되게 된다.Since the flame and gas emitted from the main burner 300 have a high temperature and move from the ground to the ground, the main burner 300 is located below the rotating mandrel 100 and the mandrel 100 located above It is preferable to be provided to proceed with the deposition by emitting flame and gas toward the deposition unit 110 of the. At this time, the mandrel 100 located above the main burner 300 is provided with the flame and gas emitted from the main burner 300 in a cylindrical shape with its side facing toward the main burner 300, The height of the cylindrical shape of the portion 110 becomes the deposition length of the deposition portion 110 where deposition is performed.

한편, 메인버너(300)는 증착부(110)의 증착길이와 동일한 길이로 구비될 수 있으며, 더 길거나 짧게도 구비될 수 있다. 다만, 메인버너(300)가 증착부(110)의 증착길이보다 더 짧게 형성되는 경우에는 메인버너(300)가 고정되어 있으면, 증착부(110)의 증착길이를 모두 증착 시킬 수 없기 때문에 증착부(110)의 길이방향을 따라 이동하며 증착부(110)를 모두 증착 시키도록 구비될 수 있다.Meanwhile, the main burner 300 may have the same length as the deposition length of the deposition unit 110, and may be longer or shorter. However, when the main burner 300 is formed shorter than the deposition length of the deposition unit 110, if the main burner 300 is fixed, the deposition length of the deposition unit 110 cannot be fully deposited, so the deposition unit It may be provided to move along the longitudinal direction of 110 and deposit all of the deposition unit 110 .

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 합성 쿼츠 제조방법의 개략도이고, 도 3은 기존발명(도 3a)과 본 발명의 일 실시예(도 3b)를 나타낸 도면이다. 도 1 및 도 3을 참고하면, 사이드 버너(200)는 맨드릴(100)의 증착부(110)의 측면부를 향해 화염의 일부 또는 전부를 분사하도록 구비되어 전구체 공급부로부터 공급된 증착 가스를 측면에 증착 하여 도 3b와 같이 증착부 양 끝단까지 증착 시켜 증착물(10)을 형성하도록 하는 구성이다.1 is a schematic diagram of a synthetic quartz manufacturing method according to an embodiment of the present invention, and FIG. 3 is a view showing an existing invention (FIG. 3a) and an embodiment of the present invention (FIG. 3b). Referring to FIGS. 1 and 3 , the side burner 200 is provided to inject some or all of the flame toward the side surface of the deposition unit 110 of the mandrel 100, and the deposition gas supplied from the precursor supply unit is deposited on the side surface. As shown in FIG. 3B, it is configured to form the deposited material 10 by depositing it to both ends of the deposition unit.

사이드 버너(200)의 중심축은 원기둥 형상인 맨드릴(100)의 중심축과 평행하거나 80도 이내의 각도를 이루면서 맨드릴(100)의 양쪽 측면부를 향해 화염의 일부 또는 전부를 공급하게 된다. 상세하게, 측면부는 증착부(110)와 지지부(120)가 연결되는 면인 증착부(110)의 양 측면과 그 면의 둘레인 증착부(110)의 양 끝단을 말한다. 따라서 사이드 버너(200)는 양 쪽 측면부에 화염을 공급할 수 있도록 사이드 버너(200)의 중심축이 측면부의 둘레 또는 그 내부의 면상에 위치하게 된다.The central axis of the side burner 200 is parallel to the central axis of the cylindrical mandrel 100 or forms an angle within 80 degrees to supply some or all of the flame toward both side surfaces of the mandrel 100. In detail, the side surfaces refer to both side surfaces of the deposition unit 110, which are surfaces where the deposition unit 110 and the support unit 120 are connected, and both ends of the deposition unit 110, which are the circumferences of the sides. Therefore, the central axis of the side burner 200 is located on the periphery of the side burner 200 or on the inner surface of the side burner 200 so that flames can be supplied to the side burner 200 on both sides.

사이드 버너(200)가 측면부에 화염을 공급하면 측면 테이퍼를 형성할 수 있다. 이때, 맨드릴(100)의 양 측면부를 향해 화염을 공급하기 위해 사이드 버너(200)는 적어도 2개 이상으로 구비되며, 증착 공정에서 맨드릴(100)이 회전하기 때문에 사이드 버너(200)가 양 측면부에 각각 하나씩 구비되어도 측면 전체에 화염을 공급할 수 있다. 또한, 사이드 버너(200)는 화염만을 분사하도록 구비되거나 메인버너(300)와 동일하게 화염 및 가스를 분사하도록 구비될 수도 있으며, 전구체를 일체로 분출하도록 구비될 수도 있다. When the side burner 200 supplies flame to the side portion, a side taper may be formed. At this time, at least two side burners 200 are provided to supply flames toward both side portions of the mandrel 100, and since the mandrel 100 rotates in the deposition process, the side burners 200 are provided on both side portions. Even if each one is provided, the flame can be supplied to the entire side surface. In addition, the side burner 200 may be provided to inject flame only, may be provided to inject flame and gas in the same way as the main burner 300, or may be provided to eject the precursor integrally.

또한, 사이드 버너(200)는 측면에서 화염을 공급하며 화염의 방향 및 가스유량을 이용하여 증착물(10)의 테이퍼 형상을 제어하거나 측면 테이퍼 형성에 사용한다. 즉, 종래 증착공정에서는 크랙방지를 위한 테이퍼 형상을 만들기 위해 전구체 공급량을 제어하는 방식은 복잡한 제어가 필요하고, 액상의 전구체를 가열방식으로 기화하여 공급하는 방식을 사용 시 반응 속도가 느려 형상제어가 어려우며, 또한, 맨드릴의 측면에 구성하는 측면 테이퍼의 형상을 제어하는 것은 불가능 하다는 문제가 있다. 본 발명의 일 실시예와 같이 사이드 버너(200)를 구비하여 화염의 방향을 정하고, 적절한 가스유량을 지정하여 공급하게 되면 증착 공정의 복잡한 제어 없이도 증착물(10)의 측면 테이퍼 형상을 형성할 수 있도록 한다. 따라서 이와 같이 사이드 버너(200)가 증착부(110)의 양 끝단 또는 측면에 화염을 공급할 수 있고, 증착부(110)의 양 끝단에 화염을 공급하는 경우에는 증착부(110)의 증착길이의 양 끝단까지 증착이 되도록 하여 테이퍼를 형성하고, 금속 맨드릴(100)을 사용하는 경우에 발생할 수 있는 크랙을 방지할 수 있도록 하며, 증착부(110)의 측면에 화염을 공급하는 경우에는 증착물(10)이 측면까지 증착 되어 테이퍼가 측면까지 연결되도록 하여 측면 테이퍼를 형성하여 유효 길이를 증가시킬 수 있다.In addition, the side burner 200 supplies flame from the side and uses the direction of the flame and the gas flow rate to control the taper shape of the deposited material 10 or to form the side taper. That is, in the conventional deposition process, the method of controlling the amount of precursor supply to make a tapered shape for crack prevention requires complex control, and when using a method of vaporizing and supplying a liquid precursor by heating, the reaction speed is slow, making it difficult to control the shape. It is difficult, and there is a problem that it is impossible to control the shape of the side taper formed on the side surface of the mandrel. As in one embodiment of the present invention, when the side burner 200 is provided to determine the direction of the flame and to specify and supply an appropriate gas flow rate, the side taper shape of the deposited material 10 can be formed without complicated control of the deposition process do. Therefore, the side burner 200 can supply flames to both ends or sides of the deposition unit 110 in this way, and when the flames are supplied to both ends of the deposition unit 110, the deposition length of the deposition unit 110 To form a taper by allowing deposition to both ends, to prevent cracks that may occur when using a metal mandrel 100, and to supply flame to the side of the deposition unit 110, deposit 10 ) is deposited up to the side surface so that the taper is connected to the side surface to form a side taper to increase the effective length.

한편, 상술하였듯이 사이드 버너(200)가 형상인 맨드릴(100)의 중심축과 평행 내지 80도 이내의 각도를 이루면서 맨드릴(100)의 양쪽 측면부를 향해 화염의 일부 또는 전부를 공급하게 된다. 상세하게, 맨드릴(100)의 중심축과 평행 내지 45도 이내의 각도를 이루면서 증착부(110)의 양쪽 끝단을 향해 화염의 일부 또는 전부를 공급하도록 하는 경우, 해당 각도를 사용하는 사이드 버너(200)를 적절히 배치하여 도 3b와 같이 증착부(110) 양 끝단까지 증착된 형상의 증착물(10)을 형성할 수 있다.On the other hand, as described above, part or all of the flame is supplied toward both side surfaces of the mandrel 100 while forming an angle within 80 degrees from parallel to the central axis of the mandrel 100 in which the side burner 200 has a shape. In detail, when part or all of the flame is supplied toward both ends of the deposition unit 110 while forming an angle between parallel to the central axis of the mandrel 100 and within 45 degrees, the side burner 200 using the corresponding angle ) may be properly disposed to form the deposited material 10 having a shape deposited to both ends of the deposition unit 110 as shown in FIG. 3B.

이처럼 사이드 버너(200)가 구비되어 측면에서 화염을 공급하면 사이드 버너(200)의 화염방향 및 가스유량을 이용하여 측면 테이퍼의 형성 각도가 제어되므로 복잡한 제어가 불필요하며, 측면 테이퍼 형성 시에는 사이드 버너(200)를 활용하면 메인버너(300)로부터 공급된 증착 가스를 보다 원활하게 측면에 증착하여 측면 테이퍼의 형성 각도를 제어할 수 있기 때문에 복잡한 플로우 제어를 하지 않아도 되어 간편하고, 비용을 절감할 수 있는 효과가 있다.In this way, when the side burner 200 is provided and the flame is supplied from the side, the angle of forming the side taper is controlled using the flame direction and gas flow rate of the side burner 200, so complicated control is not required. If the 200 is used, the deposition gas supplied from the main burner 300 can be more smoothly deposited on the side surface to control the formation angle of the side taper, so complicated flow control is not required, so it is easy and cost can be reduced. There is an effect.

한편, 맨드릴(100)은 금속, 쿼츠, 합성 쿼츠 등의 다양한 소재로 구비될 수 있지만, 영구적인 사용과 증착 후에 맨드릴(100)과 증착물(10)의 분리를 원활하게 하기 위해 열팽창계수가 크고 열에 견딜 수 있는 고온 저항성이 있는 금속 소재로 구비되는 것이 바람직하며, 상세하게 맨드릴(100)의 소재인 금속은 스테인레스스틸(SUS) 또는 티타늄, 텅스텐, 니켈, 인코넬, 하스텔로이 재질 중 어느 하나로 구비될 수 있다.On the other hand, the mandrel 100 may be made of various materials such as metal, quartz, and synthetic quartz, but has a large thermal expansion coefficient and is resistant to heat in order to facilitate separation between the mandrel 100 and the deposited material 10 after permanent use and deposition. It is preferable to be provided with a metal material that can withstand high temperature resistance, and in detail, the metal material of the mandrel 100 can be provided with any one of stainless steel (SUS) or titanium, tungsten, nickel, inconel, and hastelloy. there is.

이와 같이 맨드릴(100)을 금속 소재로 구비하면, 증착 후 증착물(10) 분리에 용이하며, 맨드릴(100)을 영구적으로 재사용 할 수 있기 때문에 비용을 절감할 수 있다는 효과가 있다.In this way, if the mandrel 100 is provided with a metal material, it is easy to separate the deposited material 10 after deposition, and since the mandrel 100 can be reused permanently, there is an effect of reducing costs.

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 맨드릴(100)의 단면도이다. 도 4를 참고하면, 맨드릴(100)은 증착부(110)와 지지부(120)가 일체형으로 구성되어 하나의 재질로 구성될 수 있고, 증착부(110)와 지지부(120)가 분리가 가능한 형태로 구비될 수 있으며, 이때 증착부(110)와 지지부(120)가 같은 재질 또는 다른 재질로 구성될 수 있다.4 is a cross-sectional view of a mandrel 100 according to one embodiment of the present invention. Referring to FIG. 4 , the mandrel 100 may be composed of a single material in which the deposition unit 110 and the support unit 120 are integrated, and the deposition unit 110 and the support unit 120 are separable. In this case, the deposition unit 110 and the support unit 120 may be made of the same material or different materials.

증착부(110)와 지지부(120)가 분리 가능한 형태로 구비되는 경우, 지지부(120)는 원통형태 만으로 구비되어 지지부(120)에 여러 가지 방식으로 연결되거나, 증착부(110)의 옆면을 포함하는 형태로 구비되어 원기둥 형태의 평면 양쪽을 덮는 뚜껑 같은 형태로 구비될 수 있다.When the deposition unit 110 and the support unit 120 are provided in a separable form, the support unit 120 is provided only in a cylindrical shape and is connected to the support unit 120 in various ways, or includes a side surface of the deposition unit 110. It is provided in the form of doing and may be provided in the form of a lid covering both sides of the plane of the cylindrical shape.

이때, 지지부(120)는 증착부(110)에 여러 가지 방식으로 연결될 수 있는데, 나사, 핀, 못 등의 고정 가능한 수단을 활용하여 고정하는 방식을 사용할 수도 있고, 끼움 삽입되는 식으로 구비될 수도 있으며, 지지부(120) 또는 증착부(110) 자체에 나사산을 구비하여 나사결합 방식으로 결합할 수도 있다. 또한, 지지부(120)가 증착부(110)와 별도로 제작되어 증착부(110)에 접착 등과 같은 방식으로 결합되어, 결합 후에는 분리되지 않는 방식 또한 가능하다. 이처럼, 맨드릴(100)이 일체형으로 구비되는 경우 맨드릴(100)의 소재는 상술하였듯이 금속으로 구비될 수 있다. 또한, 맨드릴(100)이 분리형인 경우, 증착부(110)와 지지부(120)를 같은 소재로 구비할 수도 있고, 각각의 소재를 달리하는 것도 가능하다.At this time, the support part 120 may be connected to the deposition part 110 in various ways. A fixing method using fixable means such as screws, pins, nails, etc. may be used, or it may be provided in a fitted manner. In addition, the support part 120 or the deposition part 110 itself may be provided with a screw thread so as to be coupled by screwing. In addition, a method in which the support portion 120 is manufactured separately from the deposition portion 110 and coupled to the deposition portion 110 by means of adhesion or the like, and is not separated after being bonded is also possible. As such, when the mandrel 100 is integrally provided, the material of the mandrel 100 may be made of metal as described above. In addition, when the mandrel 100 is of a separable type, the deposition unit 110 and the support unit 120 may be made of the same material or may be made of different materials.

증착부(110)는 상술한 바와 같이 영구적인 사용과 증착 후 증착물(10)과 분리를 원활하게 하기 위해 금속으로 구비될 수 있다. 또한, 지지부(120)의 소재는 공급받은 열량의 손실을 최소화하기 위해 열전달 계수가 낮고, 증착부(110)를 지지할 수 있도록 무거운 하중을 견딜 수 있는 소재인 세라믹 소재로 구비될 수 있다. 상세하게, 증착부(110)는 스테인레스스틸(SUS), 티타늄, 텅스텐, 니켈, 인코넬, 하스텔로이 중 어느 하나로 구비되고, 지지부(120)는 SiC, Al2O3, Si3N4, ZrO2 중 어느 하나인 조합을 가질 수 있다.As described above, the deposition unit 110 may be made of metal to facilitate permanent use and separation from the deposited material 10 after deposition. In addition, the material of the support part 120 may be made of a ceramic material that has a low heat transfer coefficient in order to minimize loss of the amount of heat supplied and can withstand heavy loads so as to support the deposition part 110 . In detail, the deposition unit 110 is provided with any one of stainless steel (SUS), titanium, tungsten, nickel, Inconel, and Hastelloy, and the support unit 120 is SiC, Al 2 O 3 , Si 3 N 4 , ZrO 2 Any one of them can have a combination.

이와 같이 분리가 가능하게 되면, 서로 재질을 달리하여 증착부(110)는 증착물(10)과의 분리가 원활하게 이루어지고 지지부(120)는 열전달계수가 낮아서 증착부(110)가 공급받은 열량을 밖으로 덜 빠져나가도록 가두는 역할을 하도록 구비되어 효율적이며, 밀도 높은 증착물(10)을 생산할 수 있다.When separation is possible in this way, the deposition unit 110 is smoothly separated from the deposited material 10 by using different materials, and the support unit 120 has a low heat transfer coefficient so that the amount of heat supplied to the deposition unit 110 is reduced. It is equipped to serve as a confinement so that it escapes less and is efficient, and it is possible to produce a high-density deposit (10).

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 맨드릴(100)의 단면도이다. 도 4를 참고하면, 맨드릴(100)은 중공부(130)를 포함하여 내부가 비어 있는 형태로 구비될 수 있다.4 is a cross-sectional view of a mandrel 100 according to one embodiment of the present invention. Referring to FIG. 4 , the mandrel 100 may include a hollow part 130 and may be provided in an empty form.

중공부(130)는 맨드릴(100)을 관통하는 구멍으로, 공정 종료 후 중공부(130)에 N2, 공기 등의 냉각용 가스가 공급되어 증착부(110)에 증착된 증착물(10)을 냉각시킬 수 있도록 구비되며, 후술할 금속배관(140)이 관통해서 지나가는 통로 역할을 한다.The hollow part 130 is a hole passing through the mandrel 100, and after the process is finished, a cooling gas such as N 2 or air is supplied to the hollow part 130 to remove the deposited material 10 deposited on the deposition part 110. It is provided to cool, and serves as a passage through which a metal pipe 140 to be described later passes through.

중공부(130)는 맨드릴(100)의 내부에 증착부(110)와 지지부(120)를 관통하도록 구비되며, 맨드릴(100)을 구성하는 증착부(110)와 지지부(120)가 원기둥 형상으로 구비되기 때문에, 맨드릴(100) 내부에 구성되는 중공부(130)를 원기둥 형상으로 구비해야 증착부(110)와 지지부(120)의 두께가 일정하게 형성될 수 있기 때문에, 원기둥 형상으로 구비되는 것이 바람직하다. 상세하게, 중공부(130)는 증착부(110)와 지지부(120)를 각각 다른 직경으로 관통하는 원기둥 형상으로 구비될 수 있고, 증착부(110)와 지지부(120)를 관통하는 일정한 직경의 원기둥 형상으로 구비될 수 있다. 더 상세하게, 중공부(130)가 서로 다른 직경으로 증착부(110)와 지지부(120)를 관통하는 경우, 증착부(110)의 직경이 지지부(120)의 직경보다 더 크기 때문에, 내부를 관통하는 원기둥 형상의 중공부(130)의 직경도 증착부(110)가 더 크게 형성되는 것이 바람직하다. 이처럼 중공부(130)가 구성되면, 맨드릴(100)의 양측이 개방되어 중공부(130) 내부로 냉각용 가스를 공급할 수 있고, 도 4의 화살표 방향과 같이 맨드릴(100)의 개방된 일측으로 냉각용 가스가 공급되고 타측으로 냉각용 가스가 방출되며 냉각하게 된다.The hollow part 130 is provided inside the mandrel 100 to pass through the deposition part 110 and the support part 120, and the deposition part 110 and the support part 120 constituting the mandrel 100 are formed in a cylindrical shape. Since the thickness of the deposition unit 110 and the support unit 120 can be formed uniformly only when the hollow part 130 configured inside the mandrel 100 is provided in a cylindrical shape, it is provided in a cylindrical shape. desirable. In detail, the hollow part 130 may have a cylindrical shape penetrating the deposition part 110 and the support part 120 with different diameters, and have a constant diameter passing through the deposition part 110 and the support part 120. It may be provided in a cylindrical shape. More specifically, when the hollow part 130 penetrates the deposition part 110 and the support part 120 with different diameters, since the diameter of the deposition part 110 is larger than the diameter of the support part 120, the inside It is preferable that the diameter of the cylindrical hollow portion 130 penetrating through the deposition portion 110 is larger. When the hollow part 130 is configured in this way, both sides of the mandrel 100 are opened so that cooling gas can be supplied to the inside of the hollow part 130, and toward one open side of the mandrel 100 as shown in the direction of the arrow in FIG. 4 . The cooling gas is supplied and the cooling gas is discharged to the other side to cool.

도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 중공부에 관통하는 금속배관을 나타낸 맨드릴의 단면도이다. 도 5를 참고하면, 금속배관(140)은 중공부(130)에 N2, 공기 등의 냉각용 가스가 공급될 때 냉각용 가스의 효율을 극대화하기 위해 냉각수가 흐르도록 구비되는 구성이다.5 is a cross-sectional view of a mandrel showing a metal pipe passing through a hollow part according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 5 , the metal pipe 140 is configured to allow cooling water to flow in order to maximize the efficiency of the cooling gas when a cooling gas such as N 2 or air is supplied to the hollow part 130 .

금속배관(140)은 중공부(130)를 관통하도록 구비되며, 공정 종료 후 중공부(130)에 냉각용 가스가 공급될 때, 금속배관(140)의 내부로 냉각수가 흐르게 하여 냉각용 가스의 온도를 낮게 유지하여 냉각용 가스가 증착부(110)를 냉각하는 효율을 극대화하는 역할을 한다.The metal pipe 140 is provided to pass through the hollow part 130, and when the cooling gas is supplied to the hollow part 130 after the process is finished, the cooling water flows into the metal pipe 140 so as to cool the gas for cooling. It serves to maximize the cooling efficiency of the deposition unit 110 by keeping the temperature low.

한편, 중공부(130)와 금속배관(140)에는 증착 시에도 증착을 돕는 물질이 공급될 수 있으며, 해당 물질은 증착이 원활하게 이루어지도록 온도를 유지할 수 있는 물질일 수 있다.Meanwhile, a material that helps deposition may be supplied to the hollow part 130 and the metal pipe 140 even during deposition, and the material may be a material capable of maintaining a temperature so that deposition can be smoothly performed.

이와 같이 중공부(130)가 구성되어 중공구조를 가지는 합성 쿼츠 제조를 위한 맨드릴(100)을 이용하면, 맨드릴(100)의 내부로 냉각 가스를 공급하고, 금속배관(140)이 중공부(130)를 관통하며 내부로 냉각수를 흐르게 하여, 냉각용 가스의 온도를 낮게 유지하여 효율적으로 증착물(10)을 냉각할 수 있어서 냉각 시간 및 공정 시간을 단축해서 생산성을 향상할 수 있다.In this way, when the hollow part 130 is configured and the mandrel 100 for manufacturing synthetic quartz having a hollow structure is used, cooling gas is supplied to the inside of the mandrel 100, and the metal pipe 140 is the hollow part 130 ) through the inside of the cooling water to keep the temperature of the cooling gas low, the deposited material 10 can be efficiently cooled, and the cooling time and process time can be shortened to improve productivity.

본 발명의 일 실시예에 따른 증착 과정에서 메인버너(300)는 고정된 위치에서 증착부(110)를 향해 화염을 방출하여 증착을 진행되도록 할 수 있고 또는 증착부(110)의 외면을 따라 이동하며 증착이 진행되도록 할 수 있다. 상세하게, 고정된 위치에서 증착을 진행되도록 하는 경우에는 증착부(110)의 길이(높이)보다 더 길거나 동일한 길이로 구비되는 것이 바람직하며, 증착부(110)의 길이보다 더 짧은 경우 증착부(110) 전부에서 증착이 일어날 수 있도록 메인버너(300)가 증착부(110)의 외면을 따라 이동하면서 증착이 진행되도록 구비될 수 있다.In the deposition process according to an embodiment of the present invention, the main burner 300 may emit flame toward the deposition unit 110 from a fixed position to proceed with deposition or move along the outer surface of the deposition unit 110. and allow deposition to proceed. In detail, in the case of allowing deposition to proceed at a fixed location, it is preferable to have a length longer than or equal to the length (height) of the deposition unit 110, and when shorter than the length of the deposition unit 110, the deposition unit ( 110), the main burner 300 may be provided so that deposition proceeds while moving along the outer surface of the deposition unit 110 so that deposition can occur in all areas.

메인버너(300)가 증착부(110)의 외면을 따라 이동하며 증착이 진행되는 경우, 상기 증착부의 양 끝단까지 증착 되도록 상기 메인버너(300)의 크기, 증착속도 등을 고려하여 상기 메인버너(300)의 중심이 상기 증착부(110)의 양 끝단에서 100mm만큼 벗어난 지점 내지 양 끝단에 50mm 못 미치는 위치 중 어느 한 지점까지 증착부(110)의 외면을 따라 이동하며 화염을 방출하여 증착부(110)의 양 끝단까지 증착을 진행하여 금속 맨드릴 사용 시 크랙을 방지할 수 있다. 또한, 사이드 버너(200)가 구비되어 증착부(110)의 양 끝단까지 증착이 되도록 함께 작용할 수 있고, 또는 증착부(110)의 측면까지 증착이 되어 측면 테이퍼가 형성되도록 할 수도 있다.When the main burner 300 moves along the outer surface of the deposition unit 110 and deposition proceeds, the main burner 300 considers the size, deposition speed, etc. 300) moves along the outer surface of the deposition unit 110 to any one of a point where the center of the deposition unit 110 is deviated by 100 mm from both ends of the deposition unit 110 and a position less than 50 mm from both ends of the deposition unit 110 and emits a flame to deposit the deposition unit ( 110), it is possible to prevent cracks when using a metal mandrel by depositing to both ends. In addition, the side burner 200 may be provided so that deposition may be performed up to both ends of the deposition unit 110, or deposition may be performed up to the side of the deposition unit 110 to form a side taper.

한편, 상술한 바와 같이 증착을 진행하면, 증착물(10)의 총 길이는 증착부(110)의 증착길이와 동일하거나 측면 테이퍼를 형성하여 증가할 수 있으며, 50mm 더 증가할 수 있다.Meanwhile, when the deposition is performed as described above, the total length of the deposition material 10 may be equal to the deposition length of the deposition unit 110 or may be increased by forming a side taper, or may be further increased by 50 mm.

이처럼 메인버너(300)가 이동하며 증착부(110)의 양 끝단까지 증착에 활용될 수 있도록 하고, 사이드 버너(200)가 화염과 가스를 방출하여 측면 테이퍼를 형성하면 크랙을 방지하여 유효길이를 최대화하면서도 불량을 최소화하여 효율적으로 증착 공정을 수행할 수 있다.As such, the main burner 300 is moved so that both ends of the deposition unit 110 can be used for deposition, and when the side burner 200 emits flame and gas to form a side taper, cracks are prevented and the effective length is increased. The deposition process can be efficiently performed by maximizing and minimizing defects.

상기한 본 발명의 바람직한 실시 예는 예시의 목적으로 개시된 것이고, 본 발명에 대해 통상의 지식을 가진 당업자라면 본 발명의 사상과 범위 안에서 다양한 수정, 변경 및 부가가 가능할 것이며, 이러한 수정, 변경 및 부가는 상기의 특허청구 범위에 속하는 것으로 보아야 할 것이다. The preferred embodiment of the present invention described above has been disclosed for illustrative purposes, and various modifications, changes and additions will be possible to those skilled in the art with ordinary knowledge of the present invention within the spirit and scope of the present invention, and such modifications, changes and additions will be considered to fall within the scope of the above claims.

본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서, 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하므로, 본 발명은 전술한 실시 예 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니다.Those skilled in the art to which the present invention pertains may make various substitutions, modifications and changes without departing from the technical spirit of the present invention, so the present invention relates to the above-described embodiments and accompanying drawings is not limited by

상술한 예시적인 시스템에서, 방법들은 일련의 단계 또는 블록으로써 순서도를 기초로 설명되고 있지만, 본 발명은 단계들의 순서에 한정되는 것은 아니며, 어떤 단계는 상술한 바와 다른 단계와 다른 순서로 또는 동시에 발생할 수 있다. 또한, 당업자라면 순서도에 나타낸 단계들이 배타적이지 않고, 다른 단계가 포함되거나 순서도의 하나 또는 그 이상의 단계가 본 발명의 범위에 영향을 미치지 않고 삭제될 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.In the exemplary system described above, the methods are described on the basis of a flow chart as a series of steps or blocks, but the invention is not limited to the order of steps, some steps may occur in a different order or concurrently with other steps as described above. can Further, those skilled in the art will understand that the steps shown in the flowcharts are not exclusive, and that other steps may be included or one or more steps of the flowcharts may be deleted without affecting the scope of the present invention.

10: 증착물
100: 맨드릴 110: 증착부
120: 지지부
130: 중공부 140: 금속배관
200: 사이드 버너 300: 메인버너10: Deposits
100: mandrel 110: deposition unit
120: support
130: hollow part 140: metal pipe
200: side burner 300: main burner

Claims (8)

반도체용 합성 쿼츠 제조장치에 의해 형성되는 증착물(10)에 있어서,
상기 합성 쿼츠 제조장치는,
막대 형상의 외면을 따라 증착이 진행되어 외면에 증착물(10)이 형성되는 증착부(110)를 포함하고,
상기 증착물(10)은,
증착물(10)의 직경이 균일하게 유지되는 구간이 극대화되도록 크랙을 방지하기 위한 테이퍼를 구비하고,
상기 증착물(10)의 테이퍼는,
상기 증착부(110)의 양 끝단까지 연장되는 것을 특징으로 하는 증착물(10).In the deposit 10 formed by the synthetic quartz manufacturing apparatus for semiconductors,
The synthetic quartz manufacturing apparatus,
It includes a deposition unit 110 in which deposition is progressed along the outer surface of the rod shape to form a deposit 10 on the outer surface,
The deposit 10,
Equipped with a taper to prevent cracks so that the section in which the diameter of the deposited material 10 is kept uniform is maximized,
The taper of the deposited material 10,
The deposited material (10), characterized in that it extends to both ends of the deposition unit (110). 반도체용 합성 쿼츠를 제조장치에 있어서,
막대 형상의 외면을 따라 증착이 진행되어 외면에 증착물(10)이 형성되는 증착부(110)와, 상기 증착부(110)의 양 끝단에 구비되는 지지부(120)를 포함하는 맨드릴(100); 및
상기 증착부(110)의 외면을 따라 화염을 분사하여 증착을 진행하는 메인버너(300);를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체용 합성 쿼츠 제조장치.In the apparatus for manufacturing synthetic quartz for semiconductors,
A mandrel 100 including a deposition unit 110 in which deposition proceeds along an outer surface of a rod shape to form a deposition material 10 on the outer surface, and support units 120 provided at both ends of the deposition unit 110; and
A synthetic quartz manufacturing apparatus for semiconductors comprising a; main burner 300 for spraying flame along the outer surface of the deposition unit 110 to proceed with deposition. 제 2 항에 있어서,
상기 증착부(110)는,
소정의 제 1 직경을 갖는 원기둥 형상으로 구비되는 것을 특징으로 하는 반도체용 합성 쿼츠 제조장치.According to claim 2,
The deposition unit 110,
Synthetic quartz manufacturing apparatus for semiconductors, characterized in that provided in a cylindrical shape having a predetermined first diameter. 제 3 항에 있어서,
상기 증착부(110)는,
상기 소정의 제 1 직경이 250mm 내지 320mm의 직경을 갖도록 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체용 합성 쿼츠 제조장치.According to claim 3,
The deposition unit 110,
The synthetic quartz manufacturing apparatus for semiconductors, characterized in that the predetermined first diameter is configured to have a diameter of 250mm to 320mm. 제 3 항에 있어서,
상기 지지부(120)는,
상기 증착부(110)의 직경인 상기 소정의 제 1 직경보다 50mm 이상 작은 소정의 제 2 직경을 갖는 원기둥 형상으로 구비되고,
상기 지지부(120)는 두개가 구비되어 상기 지지부(120)의 한쪽 평면이 상기 원기둥 형상의 증착부(110)의 두개의 평면에 각각 연결되는 것을 특징으로 하는 반도체용 합성 쿼츠 제조장치.According to claim 3,
The support part 120,
It is provided in a cylindrical shape having a predetermined second diameter that is 50 mm or more smaller than the predetermined first diameter, which is the diameter of the deposition unit 110,
The support portion 120 is provided with two synthetic quartz manufacturing apparatus for semiconductor, characterized in that one plane of the support portion 120 is connected to the two planes of the cylindrical deposition portion 110, respectively. 제 2 항에 있어서,
상기 맨드릴(100)은 소재가 금속이고,
상기 맨드릴(100)의 소재인 금속은,
스테인레스스틸(SUS) 또는 티타늄, 니켈, 인코넬, 하스텔로이 재질 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 반도체용 합성 쿼츠 제조장치.According to claim 2,
The mandrel 100 is made of metal,
The metal, which is the material of the mandrel 100, is
A synthetic quartz manufacturing apparatus for semiconductors, characterized in that it is made of stainless steel (SUS) or titanium, nickel, inconel, hastelloy material. 제 2 항에 있어서,
상기 맨드릴(100)은,
속이 빈 구조로 구성되어 공정 종료 시 냉각용 가스가 흐를 수 있도록 구성되는 중공부(130)를 더 포함하고,
상기 중공부(130)에는 상기 냉각용 가스의 효율이 극대화되도록 냉각수가 흐르는 금속배관(140)이 더 구비되는 것을 특징으로 하는 반도체용 합성 쿼츠 제조장치.According to claim 2,
The mandrel 100,
It is composed of a hollow structure and further includes a hollow part 130 configured to allow the cooling gas to flow when the process is finished,
The hollow part 130 is further provided with a metal pipe 140 through which cooling water flows so as to maximize the efficiency of the cooling gas. 제 2 항에 있어서,
상기 메인버너(300)는,
상기 증착부(110)의 양 끝단까지 증착 되도록 상기 메인버너(300)의 중심이 상기 증착부(110)의 양 끝단에서 100mm만큼 벗어난 지점 내지 양 끝단에 50mm 못 미치는 위치 중 어느 한 지점까지 상기 증착부(110)의 외면을 따라 이동하며 화염을 방출하여 증착을 진행하는 것을 특징으로 하는 반도체용 합성 쿼츠 제조장치.According to claim 2,
The main burner 300,
The deposition up to any one of the points where the center of the main burner 300 deviates by 100 mm from both ends of the deposition unit 110 and less than 50 mm from both ends of the deposition unit 110 so as to deposit up to both ends of the deposition unit 110. A synthetic quartz manufacturing apparatus for semiconductors, characterized in that moving along the outer surface of the unit 110 and proceeding with deposition by emitting flame.
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