KR20230086574A - Quantum dot composition, display apparatus and manufacturing method of the same - Google Patents

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KR20230086574A
KR20230086574A KR1020220126543A KR20220126543A KR20230086574A KR 20230086574 A KR20230086574 A KR 20230086574A KR 1020220126543 A KR1020220126543 A KR 1020220126543A KR 20220126543 A KR20220126543 A KR 20220126543A KR 20230086574 A KR20230086574 A KR 20230086574A
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유상희
김규봉
김회림
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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
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Abstract

본 발명의 일 실시예에 따른 양자점 조성물은 양자점, 제1 작용기를 포함하는 제1 화합물, 및 용매을 포함하고, 상기 제1 작용기는 아세탈기 및 케탈기 중 적어도 하나를 포함한다. A quantum dot composition according to an embodiment of the present invention includes a quantum dot, a first compound including a first functional group, and a solvent, and the first functional group includes at least one of an acetal group and a ketal group.

Description

양자점 조성물, 표시 장치 및 이의 제조 방법{QUANTUM DOT COMPOSITION, DISPLAY APPARATUS AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME}Quantum dot composition, display device and manufacturing method thereof

본 발명은 양자점 조성물, 표시 장치 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, 발광 효율 및 신뢰성이 향상된 표시 장치 및 이의 제조 방법에 관한 것이다. The present invention relates to a quantum dot composition, a display device, and a method for manufacturing the same, and relates to a display device with improved luminous efficiency and reliability, and a method for manufacturing the same.

표시패널은 광원으로부터 생성된 소스광을 선택적으로 투과시키는 투과형 표시패널과 표시패널 자체에서 소스광을 생성하는 발광형 표시패널을 포함한다. 표시패널은 컬러 이미지를 생성하기 위해 화소들에 따라 다른 종류의 컬러 제어층을 포함할 수 있다. 컬러 제어층은 소스광의 일부 파장범위만 투과시키거나, 소스광의 컬러를 변환시킬 수 있다. 일부의 컬러 제어층은 소스광의 컬러는 변경하지 않고, 광의 특성을 변경시킬 수도 있다.The display panel includes a transmission type display panel that selectively transmits source light generated from a light source and an emission type display panel that generates source light from the display panel itself. The display panel may include different types of color control layers according to pixels to generate a color image. The color control layer may transmit only a partial wavelength range of the source light or change the color of the source light. Some of the color control layers may change the characteristics of the light without changing the color of the source light.

본 발명은 표시 장치의 광제어층에 사용되어 개선된 발광 효율 특성 및 신뢰성을 나타낼 수 있는 양자점 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a quantum dot composition that can exhibit improved luminous efficiency characteristics and reliability by being used in a light control layer of a display device.

본 발명은 발광 효율 및 신뢰성이 향상된 표시 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a display device having improved light emitting efficiency and reliability.

본 발명은 발광 효율 및 신뢰성이 향상된 표시 장치의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. An object of the present invention is to provide a manufacturing method of a display device having improved light emitting efficiency and reliability.

본 발명의 일 실시예에 따른 양자점 조성물은 양자점, 제1 작용기를 포함하는 제1 화합물, 및 용매을 포함하고, 상기 제1 작용기는 아세탈기 및 케탈기 중 적어도 하나를 포함한다. A quantum dot composition according to an embodiment of the present invention includes a quantum dot, a first compound including a first functional group, and a solvent, and the first functional group includes at least one of an acetal group and a ketal group.

상기 양자점 조성물 전체 함량 100wt%를 기준으로, 상기 제1 화합물의 함량은 30 wt% 이하일 수 있다. The content of the first compound may be 30 wt% or less based on 100 wt% of the total content of the quantum dot composition.

상기 제1 화합물은 하기 화학식 1로 표시될 수 있다. The first compound may be represented by Formula 1 below.

[화학식 1][Formula 1]

Figure pat00001
Figure pat00001

상기 화학식 1에서, R1 및 R2는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기이거나, 또는 R1 및 R2는 서로 결합하여 고리를 형성하고, R3 및 R4는 각각 독립적으로 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 이상 20 이하의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 이상 20 이하의 알키닐기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로 아릴기일 수 있다. In Formula 1, R 1 and R 2 are each independently a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, or R 1 and R 2 are bonded to each other to form a ring, and R 3 and R 4 are each Independently, a hydrogen atom, a deuterium atom, a halogen atom, a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted alkenyl group having 2 to 20 carbon atoms, and a substituted or unsubstituted alky group having 2 to 20 carbon atoms. It may be a yl group, a substituted or unsubstituted aryl group having 6 or more and 30 or less ring carbon atoms, or a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 2 or more and 30 or less ring carbon atoms.

상기 제1 화합물은 하기 화학식 1-1 내지 화학식 1-3 중 어느 하나로 표시될 수 있다. The first compound may be represented by any one of Chemical Formulas 1-1 to 1-3.

[화학식 1-1][Formula 1-1]

Figure pat00002
Figure pat00002

[화학식 1-2][Formula 1-2]

Figure pat00003
Figure pat00003

[화학식 1-3][Formula 1-3]

Figure pat00004
Figure pat00004

상기 화학식 1-1 내지 화학식 1-3에서, R5 및 R6은 각각 독립적으로 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 치환 또는 비치환된 카복시기, 치환 또는 비치환된 티오기, 치환 또는 비치환된 아민기, 치환 또는 비치환된 포스핀기, 하이드록시기, 치환 또는 비치환된 옥시기, 니트로기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 이상 20 이하의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로 아릴기이거나, 또는 인접하는 기와 결합하여 고리를 형성하고, R7 내지 R9는 각각 독립적으로 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로 아릴기이고, n1 및 n2는 각각 독립적으로 0 이상 5 이하의 정수이다.In Formulas 1-1 to 1-3, R 5 and R 6 are each independently a hydrogen atom, a deuterium atom, a halogen atom, a substituted or unsubstituted carboxy group, a substituted or unsubstituted thio group, a substituted or unsubstituted amine group, a substituted or unsubstituted phosphine group, a hydroxyl group, a substituted or unsubstituted oxy group, a nitro group, a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, and a substituted or unsubstituted alkyl group having 2 to 20 carbon atoms An alkenyl group, a substituted or unsubstituted aryl group having 6 or more and 30 or less ring carbon atoms, or a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 2 or more and 30 or less ring carbon atoms, or bonded to an adjacent group to form a ring, R 7 to R 9 are each independently a hydrogen atom, a deuterium atom, a halogen atom, a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 carbon atoms for forming a ring, or a substituted or It is an unsubstituted heteroaryl group having 2 or more and 30 or less ring carbon atoms, and n1 and n2 are each independently an integer of 0 or more and 5 or less.

상기 화학식 1-1 내지 화학식 1-3에서, R1 내지 R3은 상기 화학식 1에서 정의한 바와 동일한 설명이 적용될 수 있다. In Chemical Formulas 1-1 to 1-3, the same description as defined in Chemical Formula 1 may be applied to R 1 to R 3 .

상기 제1 화합물은 상기 양자점의 표면에 결합되고 상기 제1 작용기와 상이한 제2 작용기를 더 포함할 수 있다. The first compound may further include a second functional group bonded to the surface of the quantum dot and different from the first functional group.

상기 제2 작용기는 카복시기, 티오기, 아민기, 포스핀기, 및 하이드록시기 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. The second functional group may include at least one of a carboxy group, a thio group, an amine group, a phosphine group, and a hydroxy group.

상기 제1 화합물은 하기 화학식 2-1 내지 화학식 2-5 중 어느 하나로 표시될 수 있다. The first compound may be represented by any one of Chemical Formulas 2-1 to 2-5.

[화학식 2-1][Formula 2-1]

Figure pat00005
Figure pat00005

[화학식 2-2][Formula 2-2]

Figure pat00006
Figure pat00006

[화학식 2-3][Formula 2-3]

Figure pat00007
Figure pat00007

[화학식 2-4][Formula 2-4]

Figure pat00008
Figure pat00008

[화학식 2-5][Formula 2-5]

Figure pat00009
Figure pat00009

상기 화학식 2-1 내지 화학식 2-5에서, R1 및 R2는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기이거나, 또는 R1 및 R2는 서로 결합하여 고리를 형성하고, R3은 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로 아릴기이고, Y는 치환 또는 비치환된 카복시기, 치환 또는 비치환된 티오기, 치환 또는 비치환된 아민기, 치환 또는 비치환된 포스핀기, 또는 하이드록시기이고, A1은 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴렌기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로 아릴렌기이고, n3 내지 n7은 각각 독립적으로 0 이상 20 이하의 정수이다. In Formulas 2-1 to 2-5, R 1 and R 2 are each independently a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, or R 1 and R 2 are bonded to each other to form a ring; R 3 is a hydrogen atom, a deuterium atom, a halogen atom, a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 carbon atoms for ring formation, or a substituted or unsubstituted carbon atom for ring formation 2 or more and 30 or less heteroaryl groups, Y is a substituted or unsubstituted carboxy group, a substituted or unsubstituted thio group, a substituted or unsubstituted amine group, a substituted or unsubstituted phosphine group, or a hydroxy group, A 1 is a substituted or unsubstituted arylene group having 6 or more and 30 or less ring carbon atoms, or a substituted or unsubstituted hetero arylene group having 2 or more and 30 or less ring carbon atoms, and n3 to n7 are each independently 0 or more and 20 or less is an integer

상기 제1 화합물은 상기 제1 작용기와 상이한 제3 작용기를 더 포함하고, 상기 제3 작용기는 (메타)아크릴레이트기를 포함할 수 있다. The first compound may further include a third functional group different from the first functional group, and the third functional group may include a (meth)acrylate group.

상기 제1 화합물의 비점은 180℃ 이상일 수 있다. The boiling point of the first compound may be 180 °C or higher.

상기 양자점은 코어 및 상기 코어를 감싸는 쉘을 포함할 수 있다. The quantum dots may include a core and a shell surrounding the core.

본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 소스광을 출력하는 발광소자, 및 상기 발광 소자 상에 배치되고, 복수의 광제어부를 포함하는 광제어층을 포함하고, 상기 복수의 광제어부 중 적어도 하나는 양자점, 및 첨가제를 포함하고, 상기 첨가제는 제1 작용기를 포함하거나, 또는 상기 제1 작용기가 가수분해되어 형성된 기를 포함하고, 상기 제1 작용기는 아세탈기 및 케탈기 중 적어도 하나를 포함한다. A display device according to an exemplary embodiment of the present invention includes a light emitting device that outputs source light, and a light control layer disposed on the light emitting device and including a plurality of light control units, wherein at least one of the plurality of light control units is provided. includes a quantum dot and an additive, wherein the additive includes a first functional group or a group formed by hydrolysis of the first functional group, and the first functional group includes at least one of an acetal group and a ketal group.

상기 첨가제는 하기 화학식 1 또는 화학식 1A로 표시될 수 있다. The additive may be represented by Formula 1 or Formula 1A below.

[화학식 1][Formula 1]

Figure pat00010
Figure pat00010

[화학식 1A][Formula 1A]

Figure pat00011
Figure pat00011

상기 화학식 1 및 화학식 1A에서, R1 및 R2는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기이거나, 또는 R1 및 R2는 서로 결합하여 고리를 형성하고, R3 및 R4는 각각 독립적으로 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 이상 20 이하의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 이상 20 이하의 알키닐기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로 아릴기일 수 있다. In Formula 1 and Formula 1A, R 1 and R 2 are each independently a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, or R 1 and R 2 are bonded to each other to form a ring, and R 3 and R 4 is each independently a hydrogen atom, a deuterium atom, a halogen atom, a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted alkenyl group having 2 to 20 carbon atoms, and a substituted or unsubstituted 2 to 20 carbon atoms It may be an alkynyl group below, a substituted or unsubstituted aryl group having 6 or more and 30 or less ring carbon atoms, or a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 2 or more and 30 or less ring carbon atoms.

상기 첨가제는 하기 화학식 1-1 내지 화학식 1-6 중 어느 하나로 표시될 수 있다. The additive may be represented by any one of Chemical Formulas 1-1 to 1-6.

[화학식 1-1][Formula 1-1]

Figure pat00012
Figure pat00012

[화학식 1-2] [Formula 1-2]

Figure pat00013
Figure pat00013

[화학식 1-3][Formula 1-3]

Figure pat00014
Figure pat00014

[화학식 1-4][Formula 1-4]

Figure pat00015
Figure pat00015

[화학식 1-5] [Formula 1-5]

Figure pat00016
Figure pat00016

[화학식 1-6][Formula 1-6]

Figure pat00017
Figure pat00017

상기 화학식 1-1 내지 화학식 1-6에서, R1 및 R2는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기이거나, 또는 R1 및 R2는 서로 결합하여 고리를 형성하고, R3 및 R4는 각각 독립적으로 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로 아릴기이고, R5 및 R6은 각각 독립적으로 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 치환 또는 비치환된 카복시기, 치환 또는 비치환된 티오기, 치환 또는 비치환된 아민기, 치환 또는 비치환된 포스핀기, 하이드록시기, 치환 또는 비치환된 옥시기, 니트로기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 이상 20 이하의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로 아릴기이거나, 또는 인접하는 기와 결합하여 고리를 형성하고, R7 내지 R9는 각각 독립적으로 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로 아릴기이고, n1 및 n2는 각각 독립적으로 0 이상 5 이하의 정수이다. In Formulas 1-1 to 1-6, R 1 and R 2 are each independently a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, or R 1 and R 2 are bonded to each other to form a ring; R 3 and R 4 are each independently a hydrogen atom, a deuterium atom, a halogen atom, a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 carbon atoms for forming a ring, or a substituted or An unsubstituted heteroaryl group having 2 to 30 ring carbon atoms, R 5 and R 6 are each independently a hydrogen atom, a deuterium atom, a halogen atom, a substituted or unsubstituted carboxy group, a substituted or unsubstituted thio group, A substituted or unsubstituted amine group, a substituted or unsubstituted phosphine group, a hydroxy group, a substituted or unsubstituted oxy group, a nitro group, a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted carbon number An alkenyl group having 2 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 carbon atoms for ring formation, or a substituted or unsubstituted heteroaryl group with 2 to 30 carbon atoms for ring formation, or bonded to an adjacent group to form a ring And R 7 to R 9 are each independently a hydrogen atom, a deuterium atom, a halogen atom, a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, and a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 carbon atoms for ring formation. , or a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 2 or more and 30 or less ring carbon atoms, and n1 and n2 are each independently an integer of 0 or more and 5 or less.

상기 첨가제는 상기 양자점의 표면에 결합되고 상기 제1 작용기와 상이한 제2 작용기를 더 포함하고, 상기 제2 작용기는 카복시기, 티오기, 아민기, 포스핀기, 및 하이드록시기 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. The additive is bonded to the surface of the quantum dot and further includes a second functional group different from the first functional group, wherein the second functional group includes at least one of a carboxy group, a thio group, an amine group, a phosphine group, and a hydroxy group. can do.

상기 첨가제는 하기 화학식 2-1 내지 화학식 2-10 중 어느 하나로 표시될 수 있다. The additive may be represented by any one of Chemical Formulas 2-1 to 2-10.

[화학식 2-1][Formula 2-1]

Figure pat00018
Figure pat00018

[화학식 2-2][Formula 2-2]

Figure pat00019
Figure pat00019

[화학식 2-3][Formula 2-3]

Figure pat00020
Figure pat00020

[화학식 2-4][Formula 2-4]

Figure pat00021
Figure pat00021

[화학식 2-5][Formula 2-5]

Figure pat00022
Figure pat00022

[화학식 2-6] [Formula 2-6]

Figure pat00023
Figure pat00023

[화학식 2-7][Formula 2-7]

Figure pat00024
Figure pat00024

[화학식 2-8][Formula 2-8]

Figure pat00025
Figure pat00025

[화학식 2-9][Formula 2-9]

Figure pat00026
Figure pat00026

[화학식 2-10][Formula 2-10]

Figure pat00027
Figure pat00027

상기 화학식 2-1 내지 화학식 2-10에서, R1 및 R2는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기이거나, 또는 R1 및 R2는 서로 결합하여 고리를 형성하고, R3은 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로 아릴기이고, Y는 치환 또는 비치환된 카복시기, 치환 또는 비치환된 티오기, 치환 또는 비치환된 아민기, 치환 또는 비치환된 포스핀기, 또는 하이드록시기이고, A1은 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴렌기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로 아릴렌기이고, n3 내지 n7은 각각 독립적으로 0 이상 20 이하의 정수이다. In Chemical Formulas 2-1 to 2-10, R 1 and R 2 are each independently a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, or R 1 and R 2 are bonded to each other to form a ring; R 3 is a hydrogen atom, a deuterium atom, a halogen atom, a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 carbon atoms for ring formation, or a substituted or unsubstituted carbon atom for ring formation 2 or more and 30 or less heteroaryl groups, Y is a substituted or unsubstituted carboxy group, a substituted or unsubstituted thio group, a substituted or unsubstituted amine group, a substituted or unsubstituted phosphine group, or a hydroxy group, A 1 is a substituted or unsubstituted arylene group having 6 or more and 30 or less ring carbon atoms, or a substituted or unsubstituted hetero arylene group having 2 or more and 30 or less ring carbon atoms, and n3 to n7 are each independently 0 or more and 20 or less is an integer

상기 첨가제는 상기 제1 작용기와 상이한 제3 작용기를 더 포함하고, 상기 제3 작용기는 (메타)아크릴레이트기를 포함할 수 있다. The additive may further include a third functional group different from the first functional group, and the third functional group may include a (meth)acrylate group.

상기 소스광은 제1 파장의 광이고, 상기 광제어층은 상기 소스광을 상기 제1 파장과 상이한 제2 파장의 광으로 변환시키는 제1 광제어부, 상기 소스광을 상기 제1 파장 및 상기 제2 파장과 상이한 제3 파장의 광으로 변환시키는 제2 광제어부, 및 상기 소스광을 투과시키는 제3 광제어부를 포함할 수 있다. The source light is light of a first wavelength, and the light control layer is a first light control unit that converts the source light into light of a second wavelength different from the first wavelength, and converts the source light into light of the first wavelength and the first wavelength. It may include a second light control unit that converts light of a third wavelength different from the two wavelengths, and a third light control unit that transmits the source light.

본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법은 표시 패널을 준비하는 단계, 및 상기 표시 패널 상에 복수의 광제어부를 포함하는 광제어층을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 복수의 광제어부 중 적어도 하나의 광제어부를 형성하는 단계는, 양자점, 및 제1 작용기를 포함하는 제1 화합물을 포함하는 양자점 조성물을 제공하여 예비 광제어부를 형성하는 단계, 및 상기 예비 광제어부를 제1 온도에서 건조 또는 열처리하는 단계를 포함하고, 상기 제1 작용기는 아세탈기 및 케탈기 중 적어도 하나를 포함한다. A method of manufacturing a display device according to an embodiment of the present invention includes preparing a display panel and forming a light control layer including a plurality of light control units on the display panel, wherein the plurality of light control units is provided. Forming at least one of the light control units may include forming a preliminary light control unit by providing a quantum dot composition including quantum dots and a first compound including a first functional group, and maintaining the preliminary light control unit at a first temperature. Drying or heat treatment is included, and the first functional group includes at least one of an acetal group and a ketal group.

상기 제1 온도는 상기 제1 화합물의 비점보다 낮을 수 있다. The first temperature may be lower than the boiling point of the first compound.

본 발명의 실시예에 따르면, 복수의 광제어부 중 적어도 하나에 포함된 양자점, 및 아세탈기 및 케탈기 중 적어도 하나를 포함하는 제1 화합물에 의해 양자점의 산화 및 부식을 방지하여 표시 장치의 발광 효율 및 신뢰성이 향상될 수 있다. According to an embodiment of the present invention, oxidation and corrosion of the quantum dots are prevented by the quantum dots included in at least one of the plurality of light control units and the first compound including at least one of an acetal group and a ketal group, thereby preventing the luminous efficiency of the display device. and reliability can be improved.

본 발명의 실시예에 따르면, 복수의 광제어부 중 적어도 하나를 형성하는 공정에서 수분으로부터 양자점을 보호하여 신뢰성을 향상시킬 수 있으며, 구동 중에서도 양자점의 산화 및 부식을 방지할 수 있어 우수한 발광 효율 및 개선된 수명 특성을 나타내는 표시 장치의 제조 방법을 제공할 수 있다. According to an embodiment of the present invention, reliability can be improved by protecting the quantum dots from moisture in the process of forming at least one of the plurality of light control units, and oxidation and corrosion of the quantum dots can be prevented during driving, thereby improving excellent luminous efficiency and improvement. A manufacturing method of a display device exhibiting a long lifespan characteristic may be provided.

도 1a는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 사시도이다.
도 1b는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 평면도이다.
도 2a는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 평면도이다.
도 2b는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 3a 내지 도 3c는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 일부를 확대하여 도시한 단면도이다.
도 4a는 본 발명의 일 실시예의 양자점 조성물의 일부를 보다 상세히 도시한 도면이다.
도 4b는 본 발명의 일 실시예의 따른 양자점 조성물에 포함된 양자점을 개략적으로 도시한 것이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 광제어부재의 일부분을 나타낸 단면도이다.
도 6a는 본 발명의 다른 실시예에 따른 광제어부재의 일부분을 나타낸 단면도이다.
도 6b는 본 발명의 일 실시예의 따른 광제어부재에 포함된 양자점 및 첨가제를 개략적으로 도시한 것이다.
도 7a는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 제조하는 방법을 나타낸 순서도이다.
도 7b는 본 발명의 일 실시예에 따른 광제어층을 형성하는 단계를 세분화한 순서도이다.
도 8a 내지 도 8c는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법 중 일부 단계를 도시한 단면도들이다.
도 9는 실시예 및 비교예에 따른 표시 장치의 시간에 따른 광변환율을 측정하여 나타낸 도면이다.
도 10은 실시예 및 비교예에 따른 표시 장치의 공정유지율 평가 결과를 나타낸 도면이다.
1A is a perspective view of a display device according to an exemplary embodiment of the present invention.
1B is a plan view of a display device according to an exemplary embodiment of the present invention.
2A is a plan view of a display device according to an exemplary embodiment of the present invention.
2B is a cross-sectional view of a display device according to an exemplary embodiment.
3A to 3C are cross-sectional views of enlarged portions of a display device according to an exemplary embodiment of the present invention.
Figure 4a is a view showing a portion of the quantum dot composition of one embodiment of the present invention in more detail.
Figure 4b schematically shows the quantum dots included in the quantum dot composition according to an embodiment of the present invention.
5 is a cross-sectional view showing a part of a light control member according to an embodiment of the present invention.
6A is a cross-sectional view showing a part of a light control member according to another embodiment of the present invention.
6B schematically illustrates quantum dots and additives included in a light control member according to an embodiment of the present invention.
7A is a flowchart illustrating a method of manufacturing a display device according to an exemplary embodiment of the present invention.
7B is a flow chart in which steps of forming a light control layer according to an embodiment of the present invention are subdivided.
8A to 8C are cross-sectional views illustrating some steps of a manufacturing method of a display device according to an exemplary embodiment of the present invention.
FIG. 9 is a view showing the measured light conversion rate over time of display devices according to Examples and Comparative Examples.
10 is a diagram illustrating process maintenance rate evaluation results of display devices according to Examples and Comparative Examples.

이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명한다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

본 명세서에서, 어떤 구성요소(또는 영역, 층, 부분 등)가 다른 구성요소 "상에 있다", "연결 된다", 또는 "결합 된다"고 언급되는 경우에 그것은 다른 구성요소 상에 직접 연결/결합될 수 있거나 또는 그들 사이에 제3의 구성요소가 배치될 수도 있다는 것을 의미한다.In this specification, when an element (or region, layer, section, etc.) is referred to as being “on,” “connected to,” or “coupled to” another element, it is directly connected/connected to the other element. It means that they can be combined or a third component can be placed between them.

동일한 도면부호는 동일한 구성요소를 지칭한다. 또한, 도면들에 있어서, 구성요소들의 두께, 비율, 및 치수는 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다. "및/또는"은 연관된 구성들이 정의할 수 있는 하나 이상의 조합을 모두 포함한다.Like reference numerals designate like components. Also, in the drawings, the thickness, ratio, and dimensions of components are exaggerated for effective description of technical content. “And/or” includes any combination of one or more that the associated elements may define.

제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. Terms such as first and second may be used to describe various components, but the components should not be limited by the terms. These terms are only used for the purpose of distinguishing one component from another. For example, a first element may be termed a second element, and similarly, a second element may be termed a first element, without departing from the scope of the present invention. Singular expressions include plural expressions unless the context clearly dictates otherwise.

또한, "아래에", "하측에", "위에", "상측에" 등의 용어는 도면에 도시된 구성들의 연관관계를 설명하기 위해 사용된다. 상기 용어들은 상대적인 개념으로, 도면에 표시된 방향을 기준으로 설명된다. In addition, terms such as "below", "lower side", "above", and "upper side" are used to describe the relationship between components shown in the drawings. The above terms are relative concepts and will be described based on the directions shown in the drawings.

"포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다. Terms such as "include" or "have" are intended to indicate that a feature, number, step, operation, component, part, or combination thereof described in the specification exists, but that one or more other features, numbers, or steps are present. However, it should be understood that it does not preclude the possibility of existence or addition of operations, components, parts, or combinations thereof.

본 명세서에서, "직접 배치"된다는 것은 층, 막, 영역, 판 등의 부분과 다른 부분 사이에 추가되는 층, 막, 영역, 판 등이 없는 것을 의미하는 것일 수 있다. 예를 들어, "직접 배치"된다는 것은 두 개의 층 또는 두 개의 부재들 사이에 접착 부재 등의 추가 부재를 사용하지 않고 배치하는 것을 의미하는 것일 수 있다. In this specification, "directly disposed" may mean that there is no added layer, film, region, plate, etc. between a portion of the layer, film, region, plate, etc., and another portion. For example, "directly disposed" may mean disposing without using an additional member such as an adhesive member between two layers or two members.

다르게 정의되지 않는 한, 본 명세서에서 사용된 모든 용어 (기술 용어 및 과학 용어 포함)는 본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 갖는다. 또한, 일반적으로 사용되는 사전에서 정의된 용어와 같은 용어는 관련 기술의 맥락에서 갖는 의미와 일치하는 의미를 갖는 것으로 해석되어야 하고, 여기서 명시적으로 정의되지 않는 한 너무 이상적이거나 지나치게 형식적인 의미로 해석되어서는 안 된다. Unless defined otherwise, all terms (including technical terms and scientific terms) used herein have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art to which this invention belongs. In addition, terms such as terms defined in commonly used dictionaries should be interpreted as having a meaning consistent with the meaning in the context of the related art, and unless explicitly defined herein, interpreted as too idealistic or too formal. It shouldn't be.

이하, 도면들을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 양자점 조성물, 이로부터 형성된 표시 장치, 및 표시 장치의 제조 방법에 대하여 설명한다.Hereinafter, a quantum dot composition according to an embodiment of the present invention, a display device formed therefrom, and a manufacturing method of the display device will be described with reference to the drawings.

도 1a는 일 실시예의 표시 장치를 나타낸 사시도이다. 도 1b는 일 실시예의 표시 장치를 나타낸 평면도이다. 1A is a perspective view illustrating a display device according to an exemplary embodiment. 1B is a plan view illustrating a display device according to an exemplary embodiment.

일 실시예의 표시 장치(DD)는 전기적 신호에 따라 활성화되는 장치일 수 있다. 예를 들어, 표시 장치(DD)는 휴대폰, 태블릿, 자동차 내비게이션, 게임기, 또는 웨어러블 장치일 수 있으나, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다.The display device DD according to an embodiment may be a device that is activated according to an electrical signal. For example, the display device DD may be a mobile phone, a tablet, a car navigation system, a game machine, or a wearable device, but the embodiment is not limited thereto.

한편, 도 1a 및 이하 도면들에서는 제1 방향(DR1) 내지 제4 방향(DR4) 중 적어도 하나를 도시하였으며, 본 명세서에서 설명되는 제1 내지 제4 방향들(DR1, DR2, DR3, DR4)이 지시하는 방향은 상대적인 개념으로서 다른 방향으로 변환될 수 있다. Meanwhile, in FIG. 1A and the following drawings, at least one of the first to fourth directions DR1 to DR4 is illustrated, and the first to fourth directions DR1 , DR2 , DR3 , and DR4 described herein This indicated direction is a relative concept and can be converted to other directions.

본 명세서에서 표시 장치(DD)의 두께 방향은 제1 방향(DR1)과 제2 방향(DR2)이 정의하는 평면에 대한 법선 방향인 제3 방향(DR3)과 나란한 방향일 수 있다. 본 명세서에서, 표시 장치(DD)를 구성하는 부재들의 전면(또는 상면)과 배면(또는 하면)은 제3 방향(DR3)을 기준으로 정의될 수 있다.In this specification, the thickness direction of the display device DD may be parallel to the third direction DR3 , which is a normal direction to a plane defined by the first and second directions DR1 and DR2 . In this specification, the front (or upper surface) and the rear surface (or lower surface) of the members constituting the display device DD may be defined based on the third direction DR3 .

일 실시예의 표시 장치(DD)는 표시 영역(DA) 및 표시 영역(DA)에 인접한 비표시 영역(NDA)을 포함할 수 있다. 표시 영역(DA)은 영상이 표시되는 부분에 해당한다. 표시 영역(DA)에는 복수의 발광 영역들(PXA) 및 비발광 영역(NPXA)이 정의될 수 있다. 복수의 발광 영역들(PXA)은 서로 다른 파장 영역의 광을 방출하는 제1 내지 제3 발광 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)을 포함할 수 있다. 비발광 영역(NPXA)은 제1 내지 제3 발광 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)의 경계를 설정한다. 비발광 영역(NPXA)에는 제1 내지 제3 발광 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B) 사이의 혼색을 방지하는 구조물, 예를 들어, 격벽(BK, 도 3 참조) 등이 배치될 수 있다.The display device DD according to an exemplary embodiment may include a display area DA and a non-display area NDA adjacent to the display area DA. The display area DA corresponds to a portion where an image is displayed. A plurality of emission areas PXA and a non-emission area NPXA may be defined in the display area DA. The plurality of light emitting regions PXA may include first to third light emitting regions PXA-R, PXA-G, and PXA-B emitting light of different wavelength ranges. The non-emission area NPXA sets boundaries of the first to third light-emission areas PXA-R, PXA-G, and PXA-B. A structure for preventing color mixing between the first to third light emitting areas PXA-R, PXA-G, and PXA-B, for example, a barrier rib (BK, see FIG. 3 ), etc. is provided in the non-emission area NPXA. can be placed.

도 1a 및 도 1b를 함께 참조하면, 일 실시예의 표시 장치(DD)에서 복수의 발광 영역들(PXA)은 적색광, 녹색광, 및 청색광을 발광하는 3개의 발광 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 일 실시예의 표시 장치(DD)는 서로 구분되는 제1 발광 영역(PXA-R), 제2 발광 영역(PXA-G), 및 제3 발광 영역(PXA-B)을 포함할 수 있다.Referring to FIGS. 1A and 1B together, in the display device DD according to an exemplary embodiment, the plurality of light emitting areas PXA include three light emitting areas PXA-R and PXA-G emitting red light, green light, and blue light. , PXA-B). For example, the display device DD according to an exemplary embodiment may include a first light emitting area PXA-R, a second light emitting area PXA-G, and a third light emitting area PXA-B that are distinguished from each other. there is.

일 실시예에 따른 표시 장치(DD)에서의 발광 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)은 스트라이프 형태로 배열된 것일 수 있다. 도 1b를 참조하면, 복수 개의 제1 발광 영역들(PXA-R), 복수 개의 제2 발광 영역들(PXA-G), 및 복수 개의 제3 발광 영역들(PXA-B) 각각은 제2 방향(DR2)을 따라 정렬된 것일 수 있다. 또한, 제1 방향(DR1)을 따라 제1 발광 영역(PXA-R), 제2 발광 영역(PXA-G), 및 제3 발광 영역(PXA-B) 순서로 반복하여 배치될 수 있다.The light emitting regions PXA-R, PXA-G, and PXA-B of the display device DD according to an exemplary embodiment may be arranged in a stripe shape. Referring to FIG. 1B , each of the plurality of first light emitting regions PXA-R, the plurality of second light emitting regions PXA-G, and the plurality of third light emitting regions PXA-B is in the second direction. It may be aligned along (DR2). In addition, the first light emitting area PXA-R, the second light emitting area PXA-G, and the third light emitting area PXA-B may be repeatedly arranged in the order along the first direction DR1.

도 1b에서는 발광 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)의 면적이 모두 유사한 것으로 도시하였으나, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며 발광 영역들(PXA-R PXA-G, PXA-B)의 면적은 방출하는 광의 파장 영역에 따라 서로 상이할 수 있다. 한편, 발광 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)의 면적은 제1 방향(DR1)과 제2 방향(DR2)이 정의하는 평면 상에서 보았을 때의 면적을 의미할 수 있다.Although the areas of the light emitting regions PXA-R, PXA-G, and PXA-B are all shown to be similar in FIG. 1B, the embodiment is not limited thereto, and the light emitting regions PXA-R, PXA-G, and PXA-B The area of may be different from each other according to the wavelength region of the emitted light. Meanwhile, the area of the light emitting regions PXA-R, PXA-G, and PXA-B may refer to an area when viewed on a plane defined by the first and second directions DR1 and DR2.

한편, 발광 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)의 배열 형태는 도 1b에 도시된 것에 한정되지 않으며, 제1 발광 영역(PXA-R), 제2 발광 영역(PXA-G), 및 제3 발광 영역(PXA-B)이 배열되는 순서는 표시 장치(DD)에서 요구되는 표시 품질의 특성에 따라 다양하게 조합되어 제공될 수 있다. 예를 들어, 발광 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)의 배열 형태는 펜타일(PENTILE™) 배열 형태이거나, 다이아몬드(Diamond Pixel™) 배열 형태를 갖는 것일 수 있다. Meanwhile, the arrangement of the light emitting regions PXA-R, PXA-G, and PXA-B is not limited to that shown in FIG. 1B, and the first light emitting region PXA-R and the second light emitting region PXA-G ), and the order in which the third light emitting regions PXA-B are arranged may be provided in various combinations according to characteristics of display quality required of the display device DD. For example, the arrangement of the light emitting regions PXA-R, PXA-G, and PXA-B may be a PENTILE™ arrangement or a Diamond Pixel™ arrangement.

또한, 발광 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)의 면적은 서로 상이한 것일 수 있다. 예를 들어, 일 실시예에서 제2 발광 영역(PXA-G)의 면적이 제3 발광 영역(PXA-B)의 면적 보다 작을 수 있으나 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다.Also, the light emitting regions PXA-R, PXA-G, and PXA-B may have different areas. For example, in one embodiment, the area of the second light emitting region PXA-G may be smaller than the area of the third light emitting region PXA-B, but the embodiment is not limited thereto.

도 1a 및 도 1b를 함께 참조하면, 일 실시예에서, 표시 영역(DA)은 사각 형상일 수 있다. 비표시 영역(NDA)은 표시 영역(DA)을 에워쌀 수 있다. 다만, 이에 제한되지 않고, 표시 영역(DA)의 형상과 비표시 영역(NDA)의 형상은 상대적으로 디자인될 수 있다. 또는, 비표시 영역(NDA)이 생략될 수도 있다.Referring to FIGS. 1A and 1B together, in an exemplary embodiment, the display area DA may have a rectangular shape. The non-display area NDA may surround the display area DA. However, it is not limited thereto, and the shape of the display area DA and the shape of the non-display area NDA can be designed relatively. Alternatively, the non-display area NDA may be omitted.

일 실시예의 표시 장치(DD)는 표시 소자층(DP-ED, 도 3a 참조)을 포함하는 표시 패널(DP) 및 광제어층(CCL, 도 3a 참조)을 포함하는 광제어부재(CCM)을 포함한다. The display device DD according to an exemplary embodiment includes a display panel DP including a display element layer DP-ED (see FIG. 3A) and a light control member CCM including a light control layer CCL (see FIG. 3A). include

표시 패널(DP)은 초소형 발광 소자를 포함하는 초소형 발광 소자 표시 패널(DP)일 수 있다. 예를 들어, 표시 패널(DP)은 발광 소자를 포함하며, 상기 발광 소자는 나노 엘이디 또는 마이크로 엘이디일 수 있다. 다만, 이에 제한되는 것은 아니며, 일 실시예의 표시 장치(DD)에 포함된 표시 패널(DP)은 유기 전계(Organic Electroluminescence) 발광 표시 패널, 또는 양자점(Quantum dot) 발광 표시 패널일 수도 있다. The display panel DP may be a subminiature light emitting device display panel DP including a subminiature light emitting device. For example, the display panel DP includes a light emitting element, and the light emitting element may be a nano LED or a micro LED. However, it is not limited thereto, and the display panel DP included in the display device DD according to an exemplary embodiment may be an organic electroluminescence display panel or a quantum dot display panel.

도 2a는 일 실시예에 따른 표시 장치 중 일부분의 평면도이다. 도 2b는 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다. 용이한 설명을 위해, 도 2b에서는 하나의 화소와 대응되는 발광 영역(PXA)을 포함하는 부분을 도시하였고, 일부 구성들은 생략하여 도시되었다. 도 2b는 도 2a의 II-II' 선에 대응하는 부분의 단면을 나타낸 것일 수 있다.2A is a top plan view of a portion of a display device according to an exemplary embodiment. 2B is a cross-sectional view of a display device according to an exemplary embodiment. For easy description, FIG. 2B illustrates a portion including a light emitting area PXA corresponding to one pixel, and some components are omitted. FIG. 2B may be a cross-sectional view of a portion corresponding to line II-II' of FIG. 2A.

도 2a 및 도 2b를 참조하면, 일 실시예의 표시 장치(DD)는 표시 패널(DP) 및 표시 패널(DP) 상에 배치된 광제어부재(CCM)를 포함하는 것일 수 있다. 표시 패널(DP)은 베이스 기판(BS), 베이스 기판(BS) 상에 배치된 회로층(DP-CL), 회로층(DP-CL) 상에 배치된 표시 소자층(DP-ED)을 포함하는 것일 수 있다. Referring to FIGS. 2A and 2B , a display device DD according to an exemplary embodiment may include a display panel DP and a light control member CCM disposed on the display panel DP. The display panel DP includes a base substrate BS, a circuit layer DP-CL disposed on the base substrate BS, and a display element layer DP-ED disposed on the circuit layer DP-CL. it may be

표시 패널(DP)에서 베이스 기판(BS)은 표시 소자층(DP-ED)이 배치되는 베이스 면을 제공하는 부재일 수 있다. 베이스 기판(BS)은 플라스틱 기판, 절연 필름, 또는 복수의 절연층들을 포함하는 적층 구조체일 수 있다. 베이스 기판(BS)은 다층구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 베이스 기판(BS)은 고분자수지층, 배리어층, 및 고분자 수지층의 3층 구조를 가질 수도 있다. 특히, 고분자 수지층은 폴리이미드(polyimide)계 수지를 포함하는 것일 수 있다. 또한, 베이스 기판(BS)은 단일층으로 폴리이미드로 형성된 지지층일 수 있다.In the display panel DP, the base substrate BS may be a member providing a base surface on which the display element layer DP-ED is disposed. The base substrate BS may be a plastic substrate, an insulating film, or a multilayer structure including a plurality of insulating layers. The base substrate BS may have a multilayer structure. For example, the base substrate BS may have a three-layer structure of a polymer resin layer, a barrier layer, and a polymer resin layer. In particular, the polymer resin layer may include a polyimide-based resin. In addition, the base substrate BS may be a support layer formed of polyimide as a single layer.

회로층(DP-CL)은 베이스 기판(BS) 상에 배치될 수 있다. 회로층(DP-CL)은 절연층, 반도체 패턴, 도전 패턴, 및 신호 라인 등을 포함할 수 있다. 코팅, 증착 등의 방식으로 절연층, 반도체층, 및 도전층이 베이스 기판(BS) 위에 형성되고, 이후, 복수 회의 포토리소그래피 공정을 통해 절연층, 반도체층, 및 도전층이 선택적으로 패터닝(patterning)될 수 있다. 이 후, 회로층(DP-CL)에 포함된 반도체 패턴, 도전 패턴, 및 신호 라인이 형성될 수 있다.The circuit layer DP-CL may be disposed on the base substrate BS. The circuit layer DP-CL may include an insulating layer, a semiconductor pattern, a conductive pattern, and a signal line. An insulating layer, a semiconductor layer, and a conductive layer are formed on the base substrate BS by a method such as coating or deposition, and thereafter, the insulating layer, the semiconductor layer, and the conductive layer are selectively patterned through a plurality of photolithography processes. ) can be After that, semiconductor patterns, conductive patterns, and signal lines included in the circuit layer DP-CL may be formed.

회로층(DP-CL)은 베이스 기판(BS) 상에 배치된 박막 트랜지스터, 및 복수의 절연층들을 포함하는 것일 수 있다. 또한, 복수의 절연층들을 관통하도록 형성된 복수의 연결 전극부들을 포함할 수 있다.The circuit layer DP-CL may include a thin film transistor disposed on the base substrate BS and a plurality of insulating layers. In addition, it may include a plurality of connection electrode parts formed to pass through the plurality of insulating layers.

베이스 기판(BS) 상에는 버퍼층(BFL)이 배치될 수 있다. 제1 박막 트랜지스터(TR1) 및 제2 박막 트랜지스터(TR2)는 버퍼층(BFL) 위에 배치될 수 있다. 제1 박막 트랜지스터(TR1)는 제1 제어 전극(CE1), 및 제1 반도체 패턴(SP1)을 포함할 수 있다. 제2 박막 트랜지스터(TR2)는 제2 제어 전극(CE2), 제1 하부 연결 전극(LCNE1), 및 제2 반도체 패턴(SP2)을 포함할 수 있다. A buffer layer BFL may be disposed on the base substrate BS. The first thin film transistor TR1 and the second thin film transistor TR2 may be disposed on the buffer layer BFL. The first thin film transistor TR1 may include a first control electrode CE1 and a first semiconductor pattern SP1. The second thin film transistor TR2 may include a second control electrode CE2 , a first lower connection electrode LCNE1 , and a second semiconductor pattern SP2 .

제1 반도체 패턴(SP1) 및 제2 반도체 패턴(SP2)은 버퍼층(BFL) 위에 배치될 수 있다. 버퍼층(BFL)은 제1 반도체 패턴(SP1) 및 제2 반도체 패턴(SP2)에 개질된 표면을 제공할 수 있다. 이 경우, 제1 반도체 패턴(SP1) 및 제2 반도체 패턴(SP2)은 제1 베이스층(BL1) 위에 직접 형성될 때보다 버퍼층(BFL)에 대해 높은 접착력을 가질 수 있다. 또는, 버퍼층(BFL)은 제1 반도체 패턴(SP1) 및 제2 반도체 패턴(SP2) 각각의 하면을 보호하는 배리어층일 수 있다. 이 경우, 버퍼층(BFL)은 제1 베이스층(BL1) 자체 또는 제1 베이스층(BL1)을 통해 유입되는 오염이나 습기 등이 제1 반도체 패턴(SP1) 및 제2 반도체 패턴(SP2)으로 침투되는 것을 차단할 수 있다. The first semiconductor pattern SP1 and the second semiconductor pattern SP2 may be disposed on the buffer layer BFL. The buffer layer BFL may provide modified surfaces to the first and second semiconductor patterns SP1 and SP2. In this case, the first and second semiconductor patterns SP1 and SP2 may have higher adhesion to the buffer layer BFL than when they are directly formed on the first base layer BL1. Alternatively, the buffer layer BFL may be a barrier layer protecting lower surfaces of each of the first semiconductor pattern SP1 and the second semiconductor pattern SP2. In this case, in the buffer layer BFL, the first base layer BL1 itself or contamination or moisture introduced through the first base layer BL1 penetrates into the first semiconductor pattern SP1 and the second semiconductor pattern SP2. can block it from happening.

제1 절연층(L1)은 버퍼층(BFL) 위에 배치되며, 제1 반도체 패턴(SP1) 및 제2 반도체 패턴(SP2)을 커버할 수 있다. 제1 절연층(L1)은 무기 물질을 포함할 수 있으며, 단층 또는 다층 구조를 가질 수 있다. 제1 절연층(L1)은 알루미늄옥사이드, 티타늄옥사이드, 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드, 실리콘옥시나이트라이드, 지르코늄옥사이드, 및 하프늄옥사이드 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 제1 제어 전극(CE1) 및 제2 제어 전극(CE2)은 제1 절연층(L1) 위에 배치될 수 있다. 제2 절연층(L2)은 제1 절연층(L1) 위에 배치되며, 제1 제어 전극(CE1) 및 제2 제어 전극(CE2)을 커버할 수 있다. 제2 절연층(L2)은 무기 물질을 포함할 수 있다. The first insulating layer L1 is disposed on the buffer layer BFL and may cover the first semiconductor pattern SP1 and the second semiconductor pattern SP2. The first insulating layer L1 may include an inorganic material and may have a single-layer or multi-layer structure. The first insulating layer L1 may include at least one of aluminum oxide, titanium oxide, silicon oxide, silicon nitride, silicon oxynitride, zirconium oxide, and hafnium oxide. The first control electrode CE1 and the second control electrode CE2 may be disposed on the first insulating layer L1. The second insulating layer L2 is disposed on the first insulating layer L1 and may cover the first control electrode CE1 and the second control electrode CE2. The second insulating layer L2 may include an inorganic material.

커패시터(미도시)는 제1 캡 전극(미도시) 및 제2 캡 전극(CPa)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 캡 전극은 제2 제어 전극(CE2)으로부터 분기될 수 있고, 제2 캡 전극(CPa)은 제2 절연층(L2) 위에 배치될 수 있다.The capacitor (not shown) may include a first cap electrode (not shown) and a second cap electrode CPa. For example, the first cap electrode may be branched from the second control electrode CE2, and the second cap electrode CPa may be disposed on the second insulating layer L2.

제3 절연층(L3)은 제2 절연층(L2) 위에 배치되며, 제2 캡 전극(CPa)을 커버할 수 있다. 제3 절연층(L3) 상에는 제2 반도체 패턴(SP2)과 연결되는 제1 하부 연결 전극(LCNE1)이 배치될 수 있다. 한편, 제1 박막 트랜지스터(TR1) 및 제2 박막 트랜지스터(TR2) 각각은 제3 절연층(L3) 위에 배치되고, 제1 내지 제3 절연층들(L1, L2, L3)을 관통하는 관통홀들을 통해 제1 반도체 패턴(SP1) 및 제2 반도체 패턴(SP2) 각각과 연결되는 입력 전극 및 출력 전극을 더 포함할 수 있다. 제3 절연층(L3) 위에는 신호 배선들, 예를 들어, 스캔 라인들 또는 데이터 라인들, 중 각각의 적어도 일부가 배치될 수 있다.The third insulating layer L3 is disposed on the second insulating layer L2 and may cover the second cap electrode CPa. A first lower connection electrode LCNE1 connected to the second semiconductor pattern SP2 may be disposed on the third insulating layer L3. Meanwhile, each of the first thin film transistor TR1 and the second thin film transistor TR2 is disposed on the third insulating layer L3 and through-holes passing through the first to third insulating layers L1, L2, and L3. An input electrode and an output electrode connected to each of the first semiconductor pattern SP1 and the second semiconductor pattern SP2 may be further included. At least a portion of each of signal wires, eg, scan lines or data lines, may be disposed on the third insulating layer L3.

제4 절연층(L4)은 제3 절연층(L3) 위에 배치되며, 제1 하부 연결 전극(LCNE1)을 커버할 수 있다. 제4 절연층(L4)은 무기 물질 및/또는 유기 물질을 포함할 수 있으며, 단층 또는 다층 구조를 가질 수 있다. 제4 절연층(L4) 위에는 제2 하부 연결 전극(LCNE2)이 배치될 수 있다. 제4 절연층(L4) 위에는 제2 하부 연결 전극(LCNE2)뿐만 아니라, 신호 배선들, 예를 들어, 스캔 라인들 또는 데이터 라인들 각각의 적어도 다른 일부가 배치될 수 있다. 제2 하부 연결 전극(LCNE2)은 제1 하부 연결 전극(LCNE1)과 연결될 수 있다. The fourth insulating layer L4 is disposed on the third insulating layer L3 and may cover the first lower connection electrode LCNE1. The fourth insulating layer L4 may include an inorganic material and/or an organic material, and may have a single-layer or multi-layer structure. A second lower connection electrode LCNE2 may be disposed on the fourth insulating layer L4 . On the fourth insulating layer L4, not only the second lower connection electrode LCNE2, but also at least other portions of signal wires, eg, scan lines or data lines, may be disposed. The second lower connection electrode LCNE2 may be connected to the first lower connection electrode LCNE1.

제5 절연층(L5)은 제4 절연층(L4) 위에 배치되며, 제2 하부 연결 전극(LCNE2)을 커버할 수 있다. 제5 절연층(L5)은 유기물질을 포함할 수 있다. 제5 절연층(L5)은 아래에 배치된 화소 회로(미도시)를 커버하며, 적어도 일부에 평탄면을 제공할 수 있다. 예를 들어, 제5 절연층(L5)은 홈(HM)이 정의된 영역을 제외한 영역에 평탄면을 제공할 수 있다. 하지만, 이는 일 예일 뿐, 제5 절연층(L5)에는 홈(HM)이 정의되지 않을 수도 있다. The fifth insulating layer L5 is disposed on the fourth insulating layer L4 and may cover the second lower connection electrode LCNE2. The fifth insulating layer L5 may include an organic material. The fifth insulating layer L5 covers a pixel circuit (not shown) disposed below, and may provide a flat surface to at least a portion thereof. For example, the fifth insulating layer L5 may provide a flat surface in an area other than the area in which the groove HM is defined. However, this is only an example, and the groove HM may not be defined in the fifth insulating layer L5.

제1 격벽(BR1) 및 제2 격벽(BR2)은 제5 절연층(L5) 위에 배치될 수 있다. 제1 격벽(BR1) 및 제2 격벽(BR2)은 제1 방향(DR1)으로 이격될 수 있다. 제1 격벽(BR1) 및 제2 격벽(BR2) 각각은 유기물질을 포함할 수 있다.The first barrier rib BR1 and the second barrier rib BR2 may be disposed on the fifth insulating layer L5. The first barrier rib BR1 and the second barrier rib BR2 may be spaced apart from each other in the first direction DR1 . Each of the first barrier rib BR1 and the second barrier rib BR2 may include an organic material.

제1 전극(E1)은 제1 격벽(BR1)을 커버하고, 제2 전극(E2)은 제2 격벽(BR2)을 커버할 수 있다. 즉, 제1 전극(E1)과 제5 절연층(L5) 사이에는 제1 격벽(BR1)이 배치되고, 제2 전극(E2)과 제5 절연층(L5) 사이에는 제2 격벽(BR2)이 배치될 수 있다.The first electrode E1 may cover the first barrier rib BR1 , and the second electrode E2 may cover the second barrier rib BR2 . That is, a first barrier rib BR1 is disposed between the first electrode E1 and the fifth insulating layer L5, and a second barrier rib BR2 is disposed between the second electrode E2 and the fifth insulating layer L5. can be placed.

제5 절연층(L5)에는 관통홀이 제공되고, 상기 관통홀에 의해 제2 하부 연결 전극(LCNE2)이 노출될 수 있다. 제1 전극(E1)은 노출된 제2 하부 연결 전극(LCNE2)에 전기적으로 연결될 수 있다. 도시되지 않았으나, 제2 전극(E2)은 제2 전원 라인(미도시)에 전기적으로 연결될 수 있다. 즉, 제2 전극(E2)에는 제2 전원전압(미도시)이 제공될 수 있다. A through hole is provided in the fifth insulating layer L5, and the second lower connection electrode LCNE2 may be exposed through the through hole. The first electrode E1 may be electrically connected to the exposed second lower connection electrode LCNE2. Although not shown, the second electrode E2 may be electrically connected to a second power line (not shown). That is, a second power supply voltage (not shown) may be provided to the second electrode E2.

제1 전극(E1)은 제1 반사 전극(RFE1) 및 제1 캡핑 전극(CPE1)을 포함할 수 있고, 제2 전극(E2)은 제2 반사 전극(RFE2) 및 제2 캡핑 전극(CPE2)을 포함할 수 있다. The first electrode E1 may include a first reflective electrode RFE1 and a first capping electrode CPE1 , and the second electrode E2 may include a second reflective electrode RFE2 and a second capping electrode CPE2 . can include

제1 반사 전극(RFE1) 및 제2 반사 전극(RFE2) 각각은 반사성 물질을 포함할 수 있다. 제1 반사 전극(RFE1) 및 제2 반사 전극(RFE2) 각각은 단층 구조를 가질 수도 있고, 복수의 적층 구조를 가질 수도 있다. 예를 들어, 제1 반사 전극(RFE1) 및 제2 반사 전극(RFE2) 각각은 인듐주석 산화물(ITO), 은(Ag), 및 인듐주석 산화물(ITO)이 순차적으로 적층된 구조를 가질 수 있다. Each of the first reflective electrode RFE1 and the second reflective electrode RFE2 may include a reflective material. Each of the first reflective electrode RFE1 and the second reflective electrode RFE2 may have a single-layer structure or a plurality of stacked structures. For example, each of the first reflective electrode RFE1 and the second reflective electrode RFE2 may have a structure in which indium tin oxide (ITO), silver (Ag), and indium tin oxide (ITO) are sequentially stacked. .

제1 캡핑 전극(CPE1)은 제1 반사 전극(RFE1)을 캡핑하고, 제2 캡핑 전극(CPE2)은 제2 반사 전극(RFE2)을 캡핑할 수 있다. 예를 들어, 제1 캡핑 전극(CPE1) 및 제2 캡핑 전극(CPE2) 각각은 인듐아연 산화물(IZO), 인듐주석 산화물(ITO), 인듐갈륨 산화물(IGO), 인듐아연갈륨 산화물(IGZO), 및 이들의 혼합물/화합물 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.The first capping electrode CPE1 may cap the first reflective electrode RFE1 , and the second capping electrode CPE2 may cap the second reflective electrode RFE2 . For example, each of the first capping electrode CPE1 and the second capping electrode CPE2 is made of indium zinc oxide (IZO), indium tin oxide (ITO), indium gallium oxide (IGO), indium zinc gallium oxide (IGZO), and mixtures/compounds thereof.

평면 상에서, 제1 전극(E1)과 제2 전극(E2) 사이의 제5 절연층(L5)의 일 영역에는 홈(HM)이 제공될 수 있다. 제3 방향(DR3)에서 보았을 때, 홈(HM)은 제1 전극(E1) 및 제2 전극(E2)과 비중첩할 수 있다. On a plane, a groove HM may be provided in one region of the fifth insulating layer L5 between the first electrode E1 and the second electrode E2. When viewed in the third direction DR3 , the groove HM may not overlap the first electrode E1 and the second electrode E2 .

제6 절연층(L6)은 홈(HM) 위에 배치될 수 있다. 제6 절연층(L6)은 무기 물질을 포함할 수 있다. 제6 절연층(L6)에서 홈(HM)과 대응하는 영역에는 굴곡부(GP)가 제공될 수 있다. 예를 들어, 홈(HM)과 굴곡부(GP)는 평면 상에서 중첩할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서, 홈(HM)은 제공되지 않을 수도 있다. 이 경우, 제6 절연층(L6)에는 굴곡부(GP)가 제공되지 않을 수도 있다. The sixth insulating layer L6 may be disposed on the groove HM. The sixth insulating layer L6 may include an inorganic material. A curved portion GP may be provided in a region of the sixth insulating layer L6 corresponding to the groove HM. For example, the groove HM and the curved portion GP may overlap on a plane. In one embodiment of the present invention, the groove HM may not be provided. In this case, the bent portion GP may not be provided in the sixth insulating layer L6 .

발광 소자(ED)는 제6 절연층(L6) 위에 배치될 수 있다. 발광 소자(ED)는 제1 전극(E1) 및 제2 전극(E2) 사이에 배치될 수 있다. 발광 소자(ED)는 제1 전극(E1) 및 제2 전극(E2)과 전기적으로 연결될 수 있다. 발광 소자(ED)는 제1 격벽(BR1)과 제2 격벽(BR2) 사이에 배치될 수 있다. 예를 들어, 발광 소자(ED)는 홈(HM) 및 굴곡부(GP) 내에 배치될 수 있다. The light emitting device ED may be disposed on the sixth insulating layer L6. The light emitting element ED may be disposed between the first electrode E1 and the second electrode E2. The light emitting element ED may be electrically connected to the first electrode E1 and the second electrode E2. The light emitting device ED may be disposed between the first barrier rib BR1 and the second barrier rib BR2 . For example, the light emitting device ED may be disposed in the groove HM and the curved portion GP.

발광 소자(ED)는 n형 반도체층, p형 반도체층, 및 n형 반도체층과 p형 반도체층 사이에 배치된 활성층을 포함할 수 있다. 발광 소자(ED)는 원기둥 형상 또는 다각 기둥 형상 등 다양한 형상을 가질 수 있다. 발광 소자(ED)에서 n형 반도체층은 제1 전극(E1) 및 제2 전극(E2) 중 어느 하나와 접속되고, p형 반도체층은 제1 전극(E1) 및 제2 전극(E2) 중 다른 하나와 접속될 수 있다. 활성층은 단일 양자 우물 구조, 다중 양자 우물 구조, 양자선 구조, 또는 양자점 구조 중 적어도 어느 하나로 형성될 수 있다. 활성층은 n형 반도체층을 통해서 주입되는 전자와 p형 반도체층을 통해서 주입되는 정공이 재결합되는 영역일 수 있다.The light emitting device ED may include an n-type semiconductor layer, a p-type semiconductor layer, and an active layer disposed between the n-type semiconductor layer and the p-type semiconductor layer. The light emitting device ED may have various shapes such as a cylindrical shape or a polygonal column shape. In the light emitting element ED, the n-type semiconductor layer is connected to either the first electrode E1 or the second electrode E2, and the p-type semiconductor layer is connected to either the first electrode E1 or the second electrode E2. can be connected to the other one. The active layer may be formed of at least one of a single quantum well structure, a multiple quantum well structure, a quantum wire structure, and a quantum dot structure. The active layer may be a region in which electrons injected through the n-type semiconductor layer and holes injected through the p-type semiconductor layer are recombinated.

도 2a를 참조하면, 일 실시예의 표시 장치(DD)에서 제1 전극(E1) 및 제2 전극(E2) 각각은 제2 방향(DR2)을 따라 연장하고, 제1 전극(E1) 및 제2 전극(E2)은 제1 방향(DR1)으로 서로 이격될 수 있다. 도 2a는 일 예로 도시한 것일 뿐, 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다. 제1 전극(E1)과 제2 전극(E2)은 서로 이격되는 구조라면 제한되지 않고 다양한 구조로 변형될 수 있다. 도 2a에서는 제2 방향(DR2)으로 연장하는 제2 전극(E2)을 사이에 두고 두 개의 제1 전극들(E1)이 제공된 구조를 예시적으로 도시하였다.Referring to FIG. 2A , in the display device DD according to an exemplary embodiment, each of the first electrode E1 and the second electrode E2 extends along the second direction DR2, and the first electrode E1 and the second electrode E1 extend along the second direction DR2. The electrodes E2 may be spaced apart from each other in the first direction DR1. Figure 2a is only shown as an example, and the present invention is not limited thereto. The first electrode E1 and the second electrode E2 may be modified into various structures without limitation as long as they are spaced apart from each other. 2A illustrates a structure in which two first electrodes E1 are provided with the second electrode E2 extending in the second direction DR2 interposed therebetween.

평면 상에서 발광 소자(ED)는 제1 전극(E1)과 제2 전극(E2) 사이에 배치될 수 있고, 발광 소자(ED)는 제1 전극(E1) 및 제2 전극(E2)과 비중첩할 수 있다. 발광 소자(ED)는 복수로 제공되고, 복수로 제공된 발광 소자들은 병렬로 연결될 수 있다. 발광 소자(ED)는 제1 연결 전극(CNE1)에 의해 제1 전극(E1)과 전기적으로 연결되고, 제2 연결 전극(CNE2)에 의해 제2 전극(E2)과 전기적으로 연결될 수 있다.On a flat surface, the light emitting element ED may be disposed between the first electrode E1 and the second electrode E2, and the light emitting element ED may not overlap the first electrode E1 and the second electrode E2. can do. A plurality of light emitting devices ED may be provided, and the plurality of light emitting devices may be connected in parallel. The light emitting element ED may be electrically connected to the first electrode E1 through the first connection electrode CNE1 and electrically connected to the second electrode E2 through the second connection electrode CNE2.

다시 도 2b를 참조하면, 발광 소자(ED) 위에는 제7 절연층(L7, 또는 절연 패턴)이 배치될 수 있다. 제7 절연층(L7)은 발광 소자(ED)의 상면의 적어도 일부를 커버할 수 있다. Referring back to FIG. 2B , a seventh insulating layer L7 (or an insulating pattern) may be disposed on the light emitting device ED. The seventh insulating layer L7 may cover at least a portion of the upper surface of the light emitting device ED.

제2 연결 전극(CNE2)은 제7 절연층(L7), 발광 소자(ED), 제6 절연층(L6) 및 제2 전극(E2) 위에 배치될 수 있다. 제8 절연층(L8)은 제2 연결 전극(CNE2) 및 제7 절연층(L7) 위에 배치될 수 있다. 제1 연결 전극(CNE1)은 제8 절연층(L8), 제7 절연층(L7), 발광 소자(ED), 제6 절연층(L6) 및 제1 전극(E1) 위에 배치될 수 있다. 발광 소자(ED)의 길이가 수백 마이크로 미터 이하이더라도, 제2 연결 전극(CNE2)과 제1 연결 전극(CNE1)은 제8 절연층(L8)에 의해 서로 직접 접촉되지 않을 수 있다. 다만, 이는 본 발명의 일 실시예일뿐, 본 발명의 다른 일 실시예에서, 제1 연결 전극(CNE1)과 제2 연결 전극(CNE2)은 동일한 공정을 통해 동시에 형성될 수도 있다. The second connection electrode CNE2 may be disposed on the seventh insulating layer L7, the light emitting element ED, the sixth insulating layer L6, and the second electrode E2. The eighth insulating layer L8 may be disposed on the second connection electrode CNE2 and the seventh insulating layer L7. The first connection electrode CNE1 may be disposed on the eighth insulating layer L8, the seventh insulating layer L7, the light emitting element ED, the sixth insulating layer L6, and the first electrode E1. Even if the length of the light emitting element ED is less than several hundred micrometers, the second connection electrode CNE2 and the first connection electrode CNE1 may not directly contact each other due to the eighth insulating layer L8. However, this is only one embodiment of the present invention, and in another embodiment of the present invention, the first connection electrode CNE1 and the second connection electrode CNE2 may be simultaneously formed through the same process.

제1 연결 전극(CNE1) 및 제2 연결 전극(CNE2)은 도전 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 도전 물질은 인듐아연 산화물(IZO), 인듐주석 산화물(ITO), 인듐갈륨 산화물(IGO), 인듐아연갈륨 산화물(IGZO), 및 이들의 혼합물/화합물 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 하지만, 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다. 예를 들어, 상기 도전 물질은 금속 물질일 수 있고, 상기 금속 물질은 예컨대, 몰리브덴, 은, 티타늄, 구리, 알루미늄, 또는 이들의 합금을 포함할 수 있다.The first connection electrode CNE1 and the second connection electrode CNE2 may include a conductive material. For example, the conductive material may include at least one of indium zinc oxide (IZO), indium tin oxide (ITO), indium gallium oxide (IGO), indium zinc gallium oxide (IGZO), and mixtures/compounds thereof. can However, the present invention is not limited thereto. For example, the conductive material may be a metal material, and the metal material may include, for example, molybdenum, silver, titanium, copper, aluminum, or an alloy thereof.

제9 절연층(L9)은 제1 연결 전극(CNE1) 및 제8 절연층(L8) 위에 배치될 수 있다. 제9 절연층(L9)은 발광 소자(ED)를 밀봉하여 수분 및 산소를 차단하는 봉지층일 수 있다. The ninth insulating layer L9 may be disposed on the first connection electrode CNE1 and the eighth insulating layer L8. The ninth insulating layer L9 may be an encapsulation layer that seals the light emitting element ED to block moisture and oxygen.

광제어부재(CCM)는 베이스층(BL) 및 광제어층(CCL)을 포함하는 것일 수 있다. 광제어층(CCL)은 광변환체를 포함하는 것일 수 있다. 광변환체는 양자점 또는 형광체 등일 수 있다. 광변환체는 제공받은 광을 파장 변환하여 방출하는 것일 수 있다. 즉, 광제어층(CCL)은 양자점을 포함하는 층이거나 또는 형광체를 포함하는 층일 수 있다. The light control member CCM may include a base layer BL and a light control layer CCL. The light control layer (CCL) may include a light conversion body. The photoconverter may be a quantum dot or a phosphor. The photoconverter may convert the wavelength of the provided light and emit it. That is, the light control layer CCL may be a layer including quantum dots or a layer including phosphors.

광제어층(CCL)은 복수의 광제어부(CCP)을 포함하는 것일 수 있다. 또한, 광제어층(CCL)은 서로 이격된 광제어부들 및 서로 이격된 광제어부들 사이에 배치된 분할패턴을 포함하는 것일 수 있다. 복수의 광제어부(CCP)는 표시 소자층(DP-ED) 상에 배치될 수 있다. 복수의 광제어부(CCP)는 표시 소자층(DP-ED) 상에 직접 배치될 수 있다. 복수의 광제어부(CCP)는 표시 소자층(DP-ED)의 제9 절연층(L9) 상에 직접 배치될 수 있다. The light control layer CCL may include a plurality of light control parts CCP. Also, the light control layer CCL may include light control units spaced apart from each other and a division pattern disposed between the light control units spaced apart from each other. A plurality of light control units CCP may be disposed on the display element layer DP-ED. The plurality of light control units CCP may be directly disposed on the display element layer DP-ED. The plurality of light control units CCP may be directly disposed on the ninth insulating layer L9 of the display element layer DP-ED.

일 실시예에 따른 광제어부재(CCM)는 컬러필터층(CFL)을 더 포함할 수 있다. 컬러필터층(CFL)은 베이스층(BL)과 광제어층(CCL) 사이에 배치된 것일 수 있다. 컬러필터층(CFL)은 차광부(BM) 및 필터부(CF)를 포함할 수 있다. 베이스 기판(BS)과 마주하는 베이스층(BL)의 일 면에는 차광부(BM)가 배치될 수 있다. 차광부(BM))에는 개구부가 제공되고, 컬러부(CF)는 개구부를 커버할 수 있다. 개구부에 의해 노출된 영역은 발광 영역(PXA)에 대응될 수 있다. The light control member CCM according to an exemplary embodiment may further include a color filter layer CFL. The color filter layer CFL may be disposed between the base layer BL and the light control layer CCL. The color filter layer CFL may include a light blocking part BM and a filter part CF. A light blocking portion BM may be disposed on one surface of the base layer BL facing the base substrate BS. An opening may be provided in the light blocking portion BM, and the color portion CF may cover the opening. An area exposed by the opening may correspond to the emission area PXA.

일 실시예에서 광제어부재(CCM)는 컬러필터층(CFL) 상에 배치된 베이스층(BL)을 포함할 수 있다. 베이스층(BL)은 광제어층(CCL) 등이 배치되는 베이스 면을 제공하는 부재일 수 있다. 베이스층(BL)은 유리기판, 금속기판, 플라스틱기판 등일 수 있다. 하지만, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며 베이스층(BL)은 무기층, 유기층 또는 복합재료층일 수 있다. 또한, 도시된 것과 달리 일 실시예에서 베이스층(BL)은 생략될 수 있다.In one embodiment, the light control member CCM may include a base layer BL disposed on the color filter layer CFL. The base layer BL may be a member providing a base surface on which the light control layer CCL and the like are disposed. The base layer BL may be a glass substrate, a metal substrate, or a plastic substrate. However, the embodiment is not limited thereto, and the base layer BL may be an inorganic layer, an organic layer, or a composite material layer. Also, unlike the illustration, in one embodiment, the base layer BL may be omitted.

도 3a는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 일부를 확대하여 도시한 단면도이다. 도 3a에서는 도 1a의 I-I'선에 대응하는 부분을 나타내었다.3A is an enlarged cross-sectional view of a portion of a display device according to an exemplary embodiment of the present invention. In FIG. 3A, a portion corresponding to the line II′ of FIG. 1A is shown.

일 실시예에 따른 표시 장치(DD)는 표시 패널(DP) 및 표시 패널(DP) 상에 배치된 광제어부재(CCM)를 포함하고, 광제어부재(CCM)는 광제어층(CCL) 및 컬러필터층(CFL)을 포함할 수 있다. 광제어부재(CCM)는 베이스층(BL), 베이스층(BL) 하측에 배치된 광제어층(CCL), 광제어층(CCL)과 베이스층(BL) 사이에 배치된 컬러필터층(CFL)을 포함하는 것일 수 있다. 광제어부재(CCM)에서 광제어층(CCL)이 표시 패널(DP)에 인접하여 배치될 수 있다. A display device DD according to an exemplary embodiment includes a display panel DP and a light control member CCM disposed on the display panel DP, and the light control member CCM includes a light control layer CCL and A color filter layer (CFL) may be included. The light control member CCM includes a base layer BL, a light control layer CCL disposed under the base layer BL, and a color filter layer CFL disposed between the light control layer CCL and the base layer BL. It may contain. In the light control member CCM, the light control layer CCL may be disposed adjacent to the display panel DP.

도 3a를 참조하면, 표시 장치(DD)는 비발광 영역(NPXA) 및 발광 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)을 포함할 수 있다. 발광 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B) 각각은 표시 소자층(DP-ED)에 포함된 발광 소자(ED, 도 2b)에서 생성된 광이 방출되는 영역일 수 있다. 발광 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B) 각각의 면적은 서로 상이할 수 있으며, 이때 면적은 평면 상에서 보았을 때의 면적을 의미할 수 있다. 한편, 도 3a에서는 중복되는 설명을 피하기 위하여 표시 소자층(DP-ED) 구성을 생략하여 도시하였다. 표시 소자층(DP-ED)의 상세한 구조는 도 2b를 참조한다. Referring to FIG. 3A , the display device DD may include a non-emission area NPXA and emission areas PXA-R, PXA-G, and PXA-B. Each of the light emitting regions PXA-R, PXA-G, and PXA-B may be a region in which light generated by the light emitting element ED included in the display element layer DP-ED ( FIG. 2B ) is emitted. Areas of each of the light emitting regions PXA-R, PXA-G, and PXA-B may be different from each other, and in this case, the area may mean an area when viewed on a plane. Meanwhile, in FIG. 3A , the configuration of the display element layer (DP-ED) is omitted to avoid redundant description. For a detailed structure of the display element layer DP-ED, refer to FIG. 2B.

발광 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)은 방출되는 광의 컬러에 따라 복수 개의 그룹으로 구분될 수 있다. 도 3a에 도시된 일 실시예의 표시 장치(DD)에는 적색광, 청색광, 녹색광을 발광하는 3개의 발광 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)을 예시적으로 도시하였다. 예를 들어, 일 실시예의 표시 장치(DD)는 서로 구분되는 적색 발광 영역(PXA-R), 녹색 발광 영역(PXA-G), 및 청색 발광 영역(PXA-B)을 포함할 수 있다.The light emitting regions PXA-R, PXA-G, and PXA-B may be divided into a plurality of groups according to the color of emitted light. In the display device DD of an exemplary embodiment shown in FIG. 3A , three light emitting regions PXA-R, PXA-G, and PXA-B emitting red light, blue light, and green light are illustrated as an example. For example, the display device DD according to an exemplary embodiment may include a red light emitting area PXA-R, a green light emitting area PXA-G, and a blue light emitting area PXA-B.

도 3a에 도시된 일 실시예의 표시 장치(DD)에서 표시 패널(DP)은 표시 장치(DD)의 발광 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)에 관계없이 동일한 파장 영역의 광을 방출하는 것일 수 있다. 예를 들어, 표시 패널(DP)은 제1 색광인 청색광을 광제어부재(CCM)로 제공할 수 있다. In the display device DD of an exemplary embodiment shown in FIG. 3A , the display panel DP emits light of the same wavelength region regardless of the light emitting regions PXA-R, PXA-G, and PXA-B of the display device DD. may be emitting. For example, the display panel DP may provide blue light, which is the first color light, to the light control member CCM.

도 3a에 도시된 일 실시예의 표시 장치(DD)에서, 발광 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B) 각각이 동일한 면적을 가지는 것으로 도시하였으나, 이에 제한되지 않고, 발광 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B) 각각은 다양한 면적을 갖도록 제공될 수 있다. 예를 들어, 발광 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B) 중 적색 발광 영역(PXA-R) 및 녹색 발광 영역(PXA-G)은 동일한 면적을 가지고, 청색 발광 영역(PXA-B)은 적색 발광 영역(PXA-R) 및 녹색 발광 영역(PXA-G)보다 작은 면적을 가질 수 있다. 다만 이에 한정되지 않고, 발광 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B) 각각은 광제어부들(CCP1, CCP2, CCP3)에서 방출하는 색에 따라 다양한 면적을 가질 수 있다. 예를 들어, 일 실시예의 표시 장치(DD)에서는 청색 발광 영역(PXA-B)이 가장 큰 면적을 갖고, 녹색 발광 영역(PXA-G)이 가장 작은 면적을 가질 수도 있다. 하지만, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며, 발광 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)은 적색광, 청색광, 녹색광 이외의 다른 색의 광을 발광하는 것이거나, 다른 면적 비율로 발광 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)이 제공될 수 있다.In the display device DD of an exemplary embodiment shown in FIG. 3A , each of the light emitting regions PXA-R, PXA-G, and PXA-B is illustrated as having the same area, but is not limited thereto, and the light emitting regions ( PXA-R, PXA-G, and PXA-B) may each have various areas. For example, among the light emitting areas PXA-R, PXA-G, and PXA-B, the red light emitting area PXA-R and the green light emitting area PXA-G have the same area, and the blue light emitting area PXA- B) may have an area smaller than those of the red light emitting area PXA-R and the green light emitting area PXA-G. However, the present invention is not limited thereto, and each of the light emitting regions PXA-R, PXA-G, and PXA-B may have various areas according to colors emitted from the light control units CCP1, CCP2, and CCP3. For example, in the display device DD of an exemplary embodiment, the blue light emitting area PXA-B may have the largest area and the green light emitting area PXA-G may have the smallest area. However, the embodiment is not limited thereto, and the light emitting regions PXA-R, PXA-G, and PXA-B emit light of colors other than red light, blue light, and green light, or light emitting regions with different area ratios. (PXA-R, PXA-G, PXA-B) may be provided.

도 3a를 참조하면, 일 실시예에 따른 표시 패널(DP)은 베이스 기판(BS), 베이스 기판(BS) 상에 배치된 회로층(DP-CL), 회로층(DP-CL) 상에 배치된 표시 소자층(DP-ED)을 포함한다. 도 3a에 도시된 일 실시예의 표시 장치(DD)에 포함된 표시 패널(DP)에 대하여는 도 2a 및 도 2b에서 설명한 내용이 동일하게 적용될 수 있다. Referring to FIG. 3A , the display panel DP according to an exemplary embodiment includes a base substrate BS, a circuit layer DP-CL disposed on the base substrate BS, and a circuit layer DP-CL disposed on the base substrate BS. and a display element layer DP-ED. The contents described in FIGS. 2A and 2B may be equally applied to the display panel DP included in the display device DD of the exemplary embodiment shown in FIG. 3A .

광제어층(CCL)은 표시 패널(DP) 상에 배치된다. 광제어층(CCL)은 표시 패널(DP) 상에 직접 배치될 수 있다. 광제어층(CCL)은 표시 패널(DP)의 표시 소자층(DP-ED) 상에 직접 배치될 수 있다. 광제어층(CCL)은 표시 소자층(DP-ED)과 동일 기판, 예컨대 베이스 기판(BS) 상에 배치될 수 있다. 이에 따라, 광제어층(CCL)과 표시 패널(DP)은 별도의 합착 공정 없이 연속 공정을 통해 형성될 수 있다. The light control layer CCL is disposed on the display panel DP. The light control layer CCL may be directly disposed on the display panel DP. The light control layer CCL may be directly disposed on the display element layer DP-ED of the display panel DP. The light control layer CCL and the display element layer DP-ED may be disposed on the same substrate, for example, the base substrate BS. Accordingly, the light control layer CCL and the display panel DP may be formed through a continuous process without a separate bonding process.

광제어층(CCL)은 서로 이격되어 배치된 복수의 격벽들(BK) 및 격벽들(BK) 사이에 배치된 복수의 광제어부(CCP)들을 포함하는 것일 수 있다. 격벽들(BK)은 광제어층(CCL)과 중첩하도록 배치된 컬러필터층(CFL)의 일면을 노출시키는 개구부(OH)를 정의하는 것일 수 있다. 광제어부들(CCP1, CCP2, CCP3)은 개구부(OH)를 충전하는 것일 수 있다. 즉, 일 실시예에 따른 광제어부재(CCM)는 베이스층(BL), 베이스층(BL) 상에 배치된 복수의 격벽들(BK), 시로 이격된 복수의 격벽들(BK) 사이에 배치된 제1 내지 제3 광제어부(CCP1, CCP2, CCP3)들을 포함하는 것일 수 있다. The light control layer CCL may include a plurality of barrier ribs BK disposed apart from each other and a plurality of light control units CCP disposed between the barrier ribs BK. The barrier ribs BK may define an opening OH exposing one surface of the color filter layer CFL disposed to overlap the light control layer CCL. The light control units CCP1 , CCP2 , and CCP3 may fill the opening OH. That is, the light control member CCM according to an embodiment is disposed between the base layer BL, the plurality of barrier ribs BK disposed on the base layer BL, and the plurality of barrier ribs BK spaced apart from each other. It may include first to third light control units CCP1 , CCP2 , and CCP3 .

일 실시예의 표시 장치(DD)에서, 광제어층(CCL)에 포함된 복수의 광제어부 (CCP1, CCP2, CCP3) 중 적어도 하나는 일 실시예의 양자점 조성물로부터 형성될 수 있다. 예를 들어, 광제어층(CCL)에 포함된 복수의 광제어부(CCP1, CCP2, CCP3) 중 제1 광제어부(CCP1)와 제2 광제어부(CCP2)는 일 실시예의 양자점 조성물로부터 형성될 수 있다. 다만, 이에 제한되는 것은 아니며, 복수의 광제어부(CCP1, CCP2, CCP3)가 모두 일 실시예의 양자점 조성물로부터 형성된 것이거나, 복수의 광제어부(CCP1, CCP2, CCP3) 중 어느 하나만 일 실시예의 양자점 조성물로부터 형성된 것일 수도 있다. 일 실시예에 따른 양자점 조성물에 대한 제세한 내용은 후술한다. In the display device DD according to an exemplary embodiment, at least one of the plurality of light control units CCP1 , CCP2 , and CCP3 included in the light control layer CCL may be formed from the quantum dot composition according to the exemplary embodiment. For example, among the plurality of light control units CCP1 , CCP2 , and CCP3 included in the light control layer CCL, the first light control unit CCP1 and the second light control unit CCP2 may be formed from the quantum dot composition of an embodiment. there is. However, it is not limited thereto, and all of the plurality of light control units CCP1, CCP2, and CCP3 are formed from the quantum dot composition of one embodiment, or only one of the plurality of light control units CCP1, CCP2, and CCP3 is the quantum dot composition of one embodiment. may have been formed from Details of the quantum dot composition according to an embodiment will be described later.

일 실시예의 광제어부재(CCM)는 복수의 광제어부(CCP1, CCP2, CCP3)를 포함할 수 있다. 광제어부(CCP)는 제1 광을 제2 광으로 변환하는 제1 광제어부(CCP1), 제1 광을 제3 광으로 변환하는 제2 광제어부(CCP2), 및 제1 광을 투과시키는 제3 광제어부(CCP3)를 포함할 수 있다. 제3 광은 제1 광보다 장파장 영역의 광이고, 제2 광은 제1 광 및 제3 광 보다 장파장 영역의 광일 수 있다. 예를 들어, 제1 광은 청색광, 제2 광은 적색광, 제3 광은 녹색광일 수 있다. 제1 광은 410nm 내지 480nm 파장 영역의 광이고, 제2 광은 625nm 내지 675nm 파장 영역의 광이고, 제3 광은 500nm 내지 570nm 파장 영역의 광일 수 있다. 한편, 제1 광은 표시 패널(DP)에서 광제어부(CCP)로 제공되는 소스광일 수 있다.The light control member CCM according to an embodiment may include a plurality of light control units CCP1 , CCP2 , and CCP3 . The light control unit CCP includes a first light control unit CCP1 that converts the first light into second light, a second light control unit CCP2 that converts the first light into third light, and a light source that transmits the first light. 3 light control unit (CCP3) may be included. The third light may have a longer wavelength region than the first light, and the second light may have a longer wavelength region than the first and third lights. For example, the first light may be blue light, the second light may be red light, and the third light may be green light. The first light may be light in a wavelength range of 410 nm to 480 nm, the second light may be light in a wavelength range of 625 nm to 675 nm, and the third light may be light in a wavelength range of 500 nm to 570 nm. Meanwhile, the first light may be source light provided from the display panel DP to the light control unit CCP.

제3 광제어부(CCP3)는 제1 광의 파장을 변환시키지 않고 투과시키는 투과부일 수 있다. 제1 광제어부(CCP1) 및 제2 광제어부(CCP2)에는 발광체가 포함될 수 있다. 발광체는 입사되는 광의 파장을 변환시켜 다른 파장의 광을 발광하는 입자일 수 있다. 일 실시예에서, 제1 광제어부(CCP1) 및 제2 광제어부(CCP2)에 포함되는 발광체는 양자점(Quantum Dot)일 수 있다. 다만, 이에 제한되는 것은 아니며, 제1 광제어부(CCP1)에도 발광체가 포함될 수도 있다. The third light control unit CCP3 may be a transmission unit that transmits the wavelength of the first light without converting it. A light emitting body may be included in the first light control unit CCP1 and the second light control unit CCP2. The light-emitting body may be a particle that emits light of a different wavelength by converting the wavelength of incident light. In an embodiment, light emitting bodies included in the first light control unit CCP1 and the second light control unit CCP2 may be quantum dots. However, it is not limited thereto, and the light emitting body may also be included in the first light control unit CCP1.

양자점(Quantum Dot)은 제공되는 광의 파장을 변환하는 입자일 수 있다. 양자점의 코어는 II-VI족 화합물, III-VI족 화합물, I-III-VI족 화합물, III-V족 화합물, III- II-V족 화합물, IV-VI족 화합물, IV족 원소, IV족 화합물 및 이들의 조합에서 선택될 수 있다.A quantum dot may be a particle that converts a wavelength of provided light. The core of the quantum dot is a group II-VI compound, a group III-VI compound, a group I-III-VI compound, a group III-V compound, a group III- II-V compound, a group IV-VI compound, a group IV element, and a group IV. compounds and combinations thereof.

II-VI족 화합물은 CdSe, CdTe, CdS, ZnS, ZnSe, ZnTe, ZnO, HgS, HgSe, HgTe, MgSe, MgS 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물; CdSeS, CdSeTe, CdSTe, ZnSeS, ZnSeTe, ZnSTe, HgSeS, HgSeTe, HgSTe, CdZnS, CdZnSe, CdZnTe, CdHgS, CdHgSe, CdHgTe, HgZnS, HgZnSe, HgZnTe, MgZnSe, MgZnS 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물; 및 HgZnTeS, CdZnSeS, CdZnSeTe, CdZnSTe, CdHgSeS, CdHgSeTe, CdHgSTe, HgZnSeS, HgZnSeTe, HgZnSTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다. Group II-VI compounds include binary element compounds selected from the group consisting of CdSe, CdTe, CdS, ZnS, ZnSe, ZnTe, ZnO, HgS, HgSe, HgTe, MgSe, MgS and mixtures thereof; CdSeS, CdSeTe, CdSTe, ZnSeS, ZnSeTe, ZnSTe, HgSeS, HgSeTe, HgSTe, CdZnS, CdZnSe, CdZnTe, CdHgS, CdHgSe, CdHgTe, HgZnS, HgZnSe, HgZnTe, MgZnSe, MgZnS and mixtures thereof ternary chosen from the group bovine compounds; And it may be selected from the group consisting of quaternary compounds selected from the group consisting of HgZnTeS, CdZnSeS, CdZnSeTe, CdZnSTe, CdHgSeS, CdHgSeTe, CdHgSTe, HgZnSeS, HgZnSeTe, HgZnSTe, and mixtures thereof.

III-VI족 화합물은 In2S3, In2Se3 등과 같은 이원소 화합물, InGaS3, InGaSe3 등과 같은 삼원소 화합물, 또는 이들의 임의의 조합을 포함할 수 있다.The group III-VI compound may include a binary compound such as In 2 S 3 , In 2 Se 3 , etc., a ternary compound such as InGaS 3 , InGaSe 3 , or the like, or any combination thereof.

I-III-VI족 화합물은 AgInS, AgInS2, CuInS, CuInS2, AgGaS2, CuGaS2 CuGaO2, AgGaO2, AgAlO2 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물, 또는 AgInGaS2, CuInGaS2 등의 사원소 화합물로부터 선택될 수 있다.The group I-III-VI compound is a ternary compound selected from the group consisting of AgInS, AgInS 2 , CuInS, CuInS 2 , AgGaS 2 , CuGaS 2 CuGaO 2 , AgGaO 2 , AgAlO 2 and mixtures thereof, or AgInGaS 2 , CuInGaS 2 and the like.

III-V족 화합물은 GaN, GaP, GaAs, GaSb, AlN, AlP, AlAs, AlSb, InN, InP, InAs, InSb 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물, GaNP, GaNAs, GaNSb, GaPAs, GaPSb, AlNP, AlNAs, AlNSb, AlPAs, AlPSb, InGaP, InAlP, InNP, InNAs, InNSb, InPAs, InPSb 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물, 및 GaAlNP, GaAlNAs, GaAlNSb, GaAlPAs, GaAlPSb, GaInNP, GaInNAs, GaInNSb, GaInPAs, GaInPSb, InAlNP, InAlNAs, InAlNSb, InAlPAs, InAlPSb 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다. 한편, III-V족 화합물은 II족 금속을 더 포함할 수 있다. 예를 들어, III-II-V족 화합물로 InZnP 등이 선택될 수 있다.Group III-V compounds are GaN, GaP, GaAs, GaSb, AlN, AlP, AlAs, AlSb, InN, InP, InAs, InSb, and binary element compounds selected from the group consisting of mixtures thereof, GaNP, GaNAs, GaNSb, and GaPAs. ternary compounds selected from the group consisting of GaPSb, AlNP, AlNAs, AlNSb, AlPAs, AlPSb, InGaP, InAlP, InNP, InNAs, InNSb, InPAs, InPSb and mixtures thereof, and GaAlNP, GaAlNAs, GaAlNSb, GaAlPAs, GaAlPSb , GaInNP, GaInNAs, GaInNSb, GaInPAs, GaInPSb, InAlNP, InAlNAs, InAlNSb, InAlPAs, InAlPSb, and quaternary compounds selected from the group consisting of mixtures thereof. Meanwhile, the group III-V compound may further include a group II metal. For example, InZnP and the like may be selected as the III-II-V compound.

IV-VI족 화합물은 SnS, SnSe, SnTe, PbS, PbSe, PbTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물; SnSeS, SnSeTe, SnSTe, PbSeS, PbSeTe, PbSTe, SnPbS, SnPbSe, SnPbTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물; 및 SnPbSSe, SnPbSeTe, SnPbSTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다. IV족 원소로는 Si, Ge 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다. IV족 화합물로는 SiC, SiGe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물일 수 있다. Group IV-VI compounds are SnS, SnSe, SnTe, PbS, PbSe, PbTe, and a binary element compound selected from the group consisting of mixtures thereof; a ternary compound selected from the group consisting of SnSeS, SnSeTe, SnSTe, PbSeS, PbSeTe, PbSTe, SnPbS, SnPbSe, SnPbTe, and mixtures thereof; And it may be selected from the group consisting of quaternary compounds selected from the group consisting of SnPbSSe, SnPbSeTe, SnPbSTe, and mixtures thereof. Group IV elements may be selected from the group consisting of Si, Ge, and mixtures thereof. The group IV compound may be a binary element compound selected from the group consisting of SiC, SiGe, and mixtures thereof.

이때, 이원소 화합물, 삼원소 화합물 또는 사원소 화합물은 균일한 농도로 입자 내에 존재하거나, 농도 분포가 부분적으로 다른 상태로 나누어져 동일 입자 내에 존재하는 것일 수 있다. 또한 하나의 양자점이 다른 양자점을 둘러싸는 코어/쉘 구조를 가질 수도 있다. 코어/쉘 구조에서, 쉘에 존재하는 원소의 농도가 코어로 갈수록 낮아지는 농도 구배(gradient)를 가질 수 있다.In this case, the two-element compound, the three-element compound, or the quaternary element compound may be present in the particle at a uniform concentration or may be present in the same particle in a state in which the concentration distribution is partially different. Also, one quantum dot may have a core/shell structure surrounding another quantum dot. In the core/shell structure, a concentration gradient in which the concentration of elements present in the shell decreases toward the core may be present.

몇몇 실시예에서, 양자점은 전술한 나노 결정을 포함하는 코어 및 상기 코어를 둘러싸는 쉘을 포함하는 코어-쉘 구조를 가질 수 있다. 상기 양자점의 쉘은 상기 코어의 화학적 변성을 방지하여 반도체 특성을 유지하기 위한 보호층 역할 및/또는 양자점에 전기 영동 특성을 부여하기 위한 차징층(charging layer)의 역할을 수행할 수 있다. 상기 쉘은 단층 또는 다중층일 수 있다. 상기 양자점의 쉘의 예로는 금속 또는 비금속의 산화물, 반도체 화합물 또는 이들의 조합 등을 들 수 있다.In some embodiments, the quantum dot may have a core-shell structure including a core including the aforementioned nanocrystal and a shell surrounding the core. The shell of the quantum dots may serve as a protective layer for maintaining semiconductor properties by preventing chemical denaturation of the core and/or as a charging layer for imparting electrophoretic properties to the quantum dots. The shell may be monolayer or multilayer. Examples of the quantum dot shell include metal or non-metal oxides, semiconductor compounds, or combinations thereof.

예를 들어, 상기 금속 또는 비금속의 산화물은 SiO2, Al2O3, TiO2, ZnO, MnO, Mn2O3, Mn3O4, CuO, FeO, Fe2O3, Fe3O4, CoO, Co3O4, NiO 등의 이원소 화합물, 또는 MgAl2O4, CoFe2O4, NiFe2O4, CoMn2O4등의 삼원소 화합물을 예시할 수 있으나 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다.For example, the metal or nonmetal oxide may be SiO 2 , Al 2 O 3 , TiO 2 , ZnO, MnO, Mn 2 O 3 , Mn 3 O 4 , CuO, FeO, Fe 2 O 3 , Fe 3 O 4 , Two-element compounds such as CoO, Co 3 O 4 , and NiO, or three-element compounds such as MgAl 2 O 4 , CoFe 2 O 4 , NiFe 2 O 4 , and CoMn 2 O 4 may be exemplified, but the present invention is limited thereto. It is not.

또, 상기 반도체 화합물은 CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, ZnSeS, ZnTeS, GaAs, GaP, GaSb, HgS, HgSe, HgTe, InAs, InP, InGaP, InSb, AlAs, AlP, AlSb등을 예시할 수 있으나 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다.In addition, examples of the semiconductor compound include CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, ZnSeS, ZnTeS, GaAs, GaP, GaSb, HgS, HgSe, HgTe, InAs, InP, InGaP, InSb, AlAs, AlP, AlSb, and the like. However, the present invention is not limited thereto.

양자점은 약 45nm 이하, 바람직하게는 약 40nm 이하, 더욱 바람직하게는 약 30nm 이하의 발광 파장 스펙트럼의 반치폭(full width of half maximum, FWHM)을 가질 수 있으며, 이 범위에서 색순도나 색재현성을 향상시킬 수 있다. 또한 이러한 양자점을 통해 발광되는 광은 전 방향으로 방출되는바, 광 시야각이 향상될 수 있다. Quantum dots may have a full width of half maximum (FWHM) of the emission wavelength spectrum of about 45 nm or less, preferably about 40 nm or less, more preferably about 30 nm or less, and color purity or color reproducibility can be improved within this range. can In addition, since light emitted through the quantum dots is emitted in all directions, a wide viewing angle may be improved.

또한, 양자점의 형태는 당 분야에서 일반적으로 사용하는 형태의 것으로 특별히 한정하지 않지만, 보다 구체적으로 구형, 피라미드형, 다중 가지형(multi-arm), 또는 입방체(cubic)의 나노 입자, 나노 튜브, 나노와이어, 나노 섬유, 나노 판상 입자 등의 형태의 것을 사용할 수 있다.In addition, the shape of the quantum dots is not particularly limited to those commonly used in the field, but more specifically, spherical, pyramidal, multi-arm, or cubic nanoparticles, nanotubes, Forms such as nanowires, nanofibers, and nanoplate-like particles can be used.

양자점은 입자 크기에 따라 방출하는 광의 색상을 조절할 수 있으며, 이에 따라 양자점은 청색, 적색, 녹색 등 다양한 발광 색상을 가질 수 있다. 양자점의 입자 크기가 작을수록 단파장 영역의 광을 발광하는 것일 수 있다. 예를 들어 녹색광을 방출하는 양자점의 입자 크기는 적색광을 방출하는 양자점의 입자 크기 보다 작은 것일 수 있다. Quantum dots can control the color of light emitted according to the particle size, and accordingly, quantum dots can have various luminous colors such as blue, red, and green. As the particle size of the quantum dots is smaller, light of a shorter wavelength region may be emitted. For example, the particle size of quantum dots emitting green light may be smaller than the particle size of quantum dots emitting red light.

한편, 도시하지는 않았으나, 복수의 광제어부(CCP1, CCP2, CCP3)는 무기물을 더 포함할 수 있다. 복수의 광제어부(CCP1, CCP2, CCP3)에 포함되는 무기물은 예를 들어, 산란 입자일 수 있다. 산란 입자는 TiO2 또는 실리카계 나노 입자 등일 수 있다. 산란 입자는 광을 산란시켜 출광 효율을 증가시키는 입자일 수 있다. 산란 입자는 복수의 광제어부(CCP1, CCP2, CCP3) 내에 균일하게 분산되어 있을 수 있다. Meanwhile, although not shown, the plurality of light control units CCP1 , CCP2 , and CCP3 may further include an inorganic material. The inorganic materials included in the plurality of light control units CCP1 , CCP2 , and CCP3 may be, for example, scattering particles. The scattering particles may be TiO 2 or silica-based nanoparticles. The scattering particles may be particles that increase light emission efficiency by scattering light. The scattering particles may be uniformly dispersed within the plurality of light control units CCP1 , CCP2 , and CCP3 .

다시 도 3a를 참조하면, 일 실시예에 따른 광제어부재(CCM)는 컬러필터층(CFL)을 더 포함할 수 있다. 컬러필터층(CFL)은 베이스층(BL)과 광제어층(CCL) 사이에 배치된 것일 수 있다. 컬러필터층(CFL)은 차광부(BM) 및 필터부(CF)를 포함할 수 있다. Referring back to FIG. 3A , the light control member CCM according to an exemplary embodiment may further include a color filter layer CFL. The color filter layer CFL may be disposed between the base layer BL and the light control layer CCL. The color filter layer CFL may include a light blocking part BM and a filter part CF.

차광부(BM)는 베이스층(BL) 상에 배치될 수 있다. 복수의 차광부들(BM)은 베이스층(BL)의 일부를 노출시키면서 서로 이격되어 배치될 수 있다. 차광부들(BM) 사이에는 필터들(CF1, CF2, CF3)이 배치될 수 있다. The light blocking portion BM may be disposed on the base layer BL. The plurality of light blocking portions BM may be spaced apart from each other while exposing a portion of the base layer BL. Filters CF1 , CF2 , and CF3 may be disposed between the light blocking portions BM.

필터부(CF)는 복수의 필터들(CF1, CF2, CF3)을 포함할 수 있다. 즉, 컬러필터층(CFL)은 제2 광을 투과시키는 제1 필터(CF1), 제3 광을 투과시키는 제2 필터(CF2), 및 제1 광을 투과시키는 제3 필터(CF3)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 필터(CF1)는 적색 필터, 제2 필터(CF2)는 녹색 필터이고, 제3 필터(CF3)는 청색 필터일 수 있다. The filter unit CF may include a plurality of filters CF1, CF2, and CF3. That is, the color filter layer CFL may include a first filter CF1 transmitting second light, a second filter CF2 transmitting third light, and a third filter CF3 transmitting first light. can For example, the first filter CF1 may be a red filter, the second filter CF2 may be a green filter, and the third filter CF3 may be a blue filter.

필터들(CF1, CF2, CF3) 각각은 고분자 감광수지와 안료 또는 염료를 포함하는 것일 수 있다. 제1 필터(CF1)는 적색 안료 또는 염료를 포함하고, 제2 필터(CF2)는 녹색 안료 또는 염료를 포함하며, 제3 필터(CF3)는 청색 안료 또는 염료를 포함하는 것일 수 있다. Each of the filters CF1 , CF2 , and CF3 may include a polymeric photosensitive resin and a pigment or dye. The first filter CF1 may contain a red pigment or dye, the second filter CF2 may contain a green pigment or dye, and the third filter CF3 may contain a blue pigment or dye.

한편, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며 제3 필터(CF3)는 안료 또는 염료를 포함하지 않는 것일 수 있다. 제3 필터(CF3)는 고분자 감광수지를 포함하고 안료 또는 염료를 미포함하는 것일 수 있다. 제3 필터(CF3)는 투명한 것일 수 있다. 제3 필터(CF3)는 투명 감광수지로 형성된 것일 수 있다. Meanwhile, the embodiment is not limited thereto, and the third filter CF3 may not include a pigment or dye. The third filter CF3 may include a polymeric photoresist and may not contain a pigment or dye. The third filter CF3 may be transparent. The third filter CF3 may be formed of a transparent photosensitive resin.

차광부(BM)는 블랙 매트릭스일 수 있다. 차광부(BM)는 흑색 안료 또는 흑색염료를 포함하는 유기 차광 물질 또는 무기 차광 물질을 포함하여 형성될 수 있다. 차광부(BM)는 빛샘 현상을 방지하고, 인접하는 필터들(CF1, CF2, CF3) 사이의 경계를 구분하는 것일 수 있다. The light blocking portion BM may be a black matrix. The light blocking portion BM may include an organic light blocking material or an inorganic light blocking material including black pigment or black dye. The light blocking portion BM may prevent light leakage and divide boundaries between adjacent filters CF1 , CF2 , and CF3 .

복수의 차광부들(BM)은 서로 이격되어 배치되고 차광부들(BM) 각각은 복수의 격벽들(BK) 각각에 대응하여 중첩하는 것일 수 있다. The plurality of light blocking portions BM may be spaced apart from each other, and each of the light blocking portions BM may overlap each of the plurality of barrier ribs BK.

컬러필터층(CFL)은 저굴절층(LRL)을 더 포함할 수 있다. 저굴절층(LRL)은 필터부(CF)와 광제어층(CCL) 사이에 배치될 수 있다. 저굴절층(LRL)의 굴절률은 1.1 이상 1.5 이하인 것일 수 있다. 저굴절층(LRL)의 굴절률 값은 저굴절층(LRL)에 포함된 중공 무기 입자, 및/또는 보이드(void) 등의 비율에 의해 조절될 수 있다.The color filter layer CFL may further include a low refractive index layer LRL. The low refractive index layer LRL may be disposed between the filter unit CF and the light control layer CCL. The refractive index of the low refractive index layer LRL may be greater than or equal to 1.1 and less than or equal to 1.5. The refractive index value of the low refractive index layer LRL may be adjusted by a ratio of hollow inorganic particles and/or voids included in the low refractive index layer LRL.

컬러필터층(CFL)은 버퍼층(BFL)을 더 포함할 수 있다. 도 3a에서 버퍼층(BFL)이 필터부(CF)와 저굴절층(LRL) 사이에 배치된 것으로 도시하였으나, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 버퍼층(BFL)은 광제어층(CCL)에 인접하여 배치될 수 있다. 즉, 버퍼층(BFL)은 저굴절층(LRL)과 광제어층(CCL) 사이를 충전하는 충전층일 수 있다. 버퍼층(BFL)은 저굴절층(LRL) 또는 필터부(CF)를 보호하는 보호층일 수 있다. 버퍼층(BFL)은 실리콘 질화물, 실리콘 산화물, 실리콘 산질화물 중 적어도 하나의 무기물을 포함하는 무기물층일 수 있다. 버퍼층(BFL)은 단일층 또는 복수의 층으로 이루어질 수 있다. 다만 이에 한정되지 않고, 컬러필터층(CFL)에 포함된 버퍼층(BFL), 저굴절층(LRL), 차광부(BM) 및 필터부(CF1, CF2, CF3) 중 일부는 생략될 수도 있다. The color filter layer CFL may further include a buffer layer BFL. 3A shows that the buffer layer BFL is disposed between the filter unit CF and the low refractive index layer LRL, but the embodiment is not limited thereto. For example, the buffer layer BFL may be disposed adjacent to the light control layer CCL. That is, the buffer layer BFL may be a filling layer filling a space between the low refractive index layer LRL and the light control layer CCL. The buffer layer BFL may be a protective layer protecting the low refractive index layer LRL or the filter part CF. The buffer layer BFL may be an inorganic material layer including at least one inorganic material selected from among silicon nitride, silicon oxide, and silicon oxynitride. The buffer layer BFL may be formed of a single layer or a plurality of layers. However, it is not limited thereto, and some of the buffer layer BFL, the low refractive index layer LRL, the light blocking part BM, and the filter parts CF1 , CF2 , and CF3 included in the color filter layer CFL may be omitted.

베이스층(BL)은 컬러필터층(CFL) 등이 배치되는 베이스 면을 제공하는 부재일 수 있다. 베이스층(BL)은 유리기판, 금속기판, 플라스틱기판 등일 수 있다. 다만, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며 베이스층(BL)은 무기층, 유기층 또는 복합재료층일 수 있다.The base layer BL may be a member providing a base surface on which a color filter layer CFL or the like is disposed. The base layer BL may be a glass substrate, a metal substrate, or a plastic substrate. However, the embodiment is not limited thereto, and the base layer BL may be an inorganic layer, an organic layer, or a composite material layer.

도 3b는 본 발명의 실시예에 따른 표시 장치(DD)에 대한 단면도이다. 이하, 도 3b를 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(DD)를 설명함에 있어, 도 2a 내지 도 3a에서 앞서 설명한 구성에 대하여는 동일한 참조부호를 부여하고 자세한 설명은 생략한다. 3B is a cross-sectional view of a display device DD according to an exemplary embodiment of the present invention. Hereinafter, in describing the display device DD according to an embodiment of the present invention with reference to FIG. 3B , the same reference numerals are assigned to the components previously described in FIGS. 2A to 3A and detailed descriptions thereof are omitted.

도 3b를 참조하면, 일 실시예에 따른 표시 장치(DD)는 도 3a에 도시된 표시 장치(DD)와 비교하여, 광제어층(CCL)이 캡핑층(CPL)을 더 포함하고, 광제어부재(CCM-a)와 표시 패널(DP) 사이에 배치되는 충전층(FML)을 더 포함할 수 있다. 다만 이에 한정되지 않고, 캡핑층(CPL) 및 충전층(FML) 중 하나는 생략될 수도 있다. Referring to FIG. 3B , in the display device DD according to an exemplary embodiment, the light control layer CCL further includes a capping layer CPL, compared to the display device DD shown in FIG. 3A , and A filling layer FML disposed between the member CCM-a and the display panel DP may be further included. However, it is not limited thereto, and one of the capping layer CPL and the filling layer FML may be omitted.

일 실시예의 표시 장치(DD)는 표시 패널(DP) 및 표시 패널(DP) 상에 배치된 광제어부재(CCM-a)를 포함하고, 표시 패널(DP)과 광제어부재(CCM-a) 사이에 배치된 충전층(FML)을 포함할 수 있다. The display device DD according to an exemplary embodiment includes a display panel DP and a light control member CCM-a disposed on the display panel DP, and includes the display panel DP and the light control member CCM-a. A filling layer (FML) disposed therebetween may be included.

광제어부재(CCM-a)는 광제어층(CCL) 및 컬러필터층(CFL)을 포함할 수 있다. 광제어부재(CCM-a)는 베이스층(BL), 베이스층(BL) 하측에 배치된 컬러 필터층(CFL), 및 컬러 필터층(CFL) 하측에 배치된 광제어층(CCL)을 포함하는 것일 수 있다. 광제어부재(CCM-a)에서 광제어층(CCL)은 복수의 광제어부(CCP1, CCP2, CCP3) 하측에 배치된 캡핑층(CPL)을 포함할 수 있다. The light control member CCM-a may include a light control layer CCL and a color filter layer CFL. The light control member (CCM-a) includes a base layer (BL), a color filter layer (CFL) disposed below the base layer (BL), and a light control layer (CCL) disposed below the color filter layer (CFL). can In the light control member CCM-a, the light control layer CCL may include a capping layer CPL disposed under the plurality of light control parts CCP1, CCP2, and CCP3.

캡핑층(CPL)은 광제어부(CCP) 및 격벽(BK) 상에 배치되는 것일 수 있다. 캡핑층(CPL)은 수분 및/또는 산소(이하, '수분/산소'로 칭함)의 침투를 막는 역할을 하는 것일 수 있다. 캡핑층(CPL)은 광제어부(CCP) 상에 배치되어 광제어부(CCP)가 수분/산소에 노출되는 것을 차단할 수 있다. 캡핑층(CPL)은 적어도 하나의 무기층을 포함하는 것일 수 있다. 즉, 캡핑층(CPL)은 무기 물질을 포함하여 이루어질 수 있다. 예를 들어, 캡핑층(CPL)은 실리콘 질화물, 알루미늄 질화물, 지르코늄 질화물, 티타늄 질화물, 하프늄 질화물, 탄탈륨 질화물, 실리콘 산화물, 알루미늄 산화물, 티타늄 산화물, 주석 산화물, 세륨 산화물 및 실리콘 산화질화물이나 광투과율이 확보된 금속 박막 등을 포함하여 이루어질 수 있다. 한편, 캡핑층(CPL)은 유기막을 더 포함할 수 있다. 캡핑층(CPL)은 단일층 또는 복수의 층으로 구성되는 것일 수 있다. 한편, 도 3b에서는 캡핑층(CPL)이 광제어부(CCP)의 아래, 즉, 충전층(FML)과 광제어부(CCP) 사이에만 배치된 것을 예시적으로 도시하였으나, 이에 제한되지 않고 캡핑층(CPL)은 광제어부(CCP) 및 저굴절층(LRL) 사이에도 배치될 수 있다. The capping layer CPL may be disposed on the light control part CCP and the barrier rib BK. The capping layer CPL may serve to prevent penetration of moisture and/or oxygen (hereinafter referred to as 'moisture/oxygen'). The capping layer CPL may be disposed on the light control part CCP to block exposure of the light control part CCP to moisture/oxygen. The capping layer CPL may include at least one inorganic layer. That is, the capping layer CPL may include an inorganic material. For example, the capping layer CPL may include silicon nitride, aluminum nitride, zirconium nitride, titanium nitride, hafnium nitride, tantalum nitride, silicon oxide, aluminum oxide, titanium oxide, tin oxide, cerium oxide, and silicon oxynitride, or light transmittance. It may be made including a secured metal thin film and the like. Meanwhile, the capping layer CPL may further include an organic layer. The capping layer CPL may be composed of a single layer or a plurality of layers. Meanwhile, in FIG. 3B, the capping layer CPL is disposed below the light control part CCP, that is, only between the filling layer FML and the light control part CCP, but is not limited thereto, and the capping layer ( CPL) may also be disposed between the light control unit CCP and the low refractive index layer LRL.

충전층(FML)은 표시 패널(DP)과 광제어부재(CCM) 사이를 충전하는 것일 수 있다. 충전층(FML)은 표시 패널(DP)과 광제어층(CCL) 사이에 배치될 수 있다. 즉, 도 3b에 도시된 표시 장치(DD)의 광제어층(CCL)은 도 3a에 도시된 표시 장치(DD)의 광제어층(CCL)과 달리 표시 패널(DP) 상에 직접 배치되지 않으며, 충전층(FML)을 사이에 두고 서로 이격되어 배치될 수 있다. The filling layer FML may charge between the display panel DP and the light control member CCM. The filling layer FML may be disposed between the display panel DP and the light control layer CCL. That is, the light control layer CCL of the display device DD shown in FIG. 3B is not directly disposed on the display panel DP unlike the light control layer CCL of the display device DD shown in FIG. 3A. , It may be disposed spaced apart from each other with the filling layer (FML) interposed therebetween.

충전층(FML)은 표시 패널(DP)과 광제어부재(CCM) 사이의 완충제의 기능을 할 수 있다. 일 실시예에서 충전층(FML)은 충격 흡수 기능 등을 할 수 있으며, 표시 장치(DD)의 강도를 증가시킬 수 있다. 충전층(FML)은 고분자 수지를 포함하는 충전 수지로부터 형성될 수 있다. 예를 들어, 충전층(FML)은 아크릴계 수지, 또는 에폭시계 수지 등을 포함하는 충전층 수지로부터 형성되는 것일 수 있다.The filling layer FML may function as a buffer between the display panel DP and the light control member CCM. In an exemplary embodiment, the filling layer FML may perform a shock absorbing function and increase strength of the display device DD. The filling layer FML may be formed of a filling resin including a polymer resin. For example, the filling layer FML may be formed of a filling layer resin including an acrylic resin or an epoxy resin.

충전층(FML)은 캡핑층(CPL)과 구분되는 구성으로 별도의 공정 단계에서 각각 형성된 것일 수 있다. 충전층(FML)과 캡핑층(CPL)은 서로 다른 재료로 형성된 것일 수 있다. The filling layer FML has a structure distinct from the capping layer CPL and may be formed in a separate process step. The filling layer FML and the capping layer CPL may be formed of different materials.

상기 도 3a에서 전술한 바와 같이, 도 3b에 도시된 일 실시예의 표시 장치(DD)에서, 광제어층(CCL)에 포함된 복수의 광제어부 (CCP1, CCP2, CCP3) 중 적어도 하나는 일 실시예의 양자점 조성물로부터 형성될 수 있다. As described above with reference to FIG. 3A, in the display device DD of one embodiment shown in FIG. 3B, at least one of the plurality of light control units CCP1, CCP2, and CCP3 included in the light control layer CCL Examples may be formed from quantum dot compositions.

한편, 도 3b에 도시된 일 실시예의 표시 장치(DD)에 포함된 표시 패널(DP)에 대하여는 도 2a 및 도 2b에서 설명한 내용이 동일하게 적용될 수 있다. Meanwhile, the contents described in FIGS. 2A and 2B may be equally applied to the display panel DP included in the display device DD of the exemplary embodiment illustrated in FIG. 3B .

도 3c는 본 발명의 실시예에 따른 표시 장치(DD)에 대한 단면도이다. 이하, 도 3c를 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(DD)를 설명함에 있어, 도 2a 내지 도 3b에서 앞서 설명한 구성에 대하여는 동일한 참조부호를 부여하고 자세한 설명은 생략한다. 3C is a cross-sectional view of a display device DD according to an exemplary embodiment of the present invention. Hereinafter, in describing the display device DD according to an embodiment of the present invention with reference to FIG. 3C , the same reference numerals are assigned to the components previously described in FIGS. 2A to 3B and detailed descriptions thereof are omitted.

도 3c를 참조하면, 일 실시예에 따른 표시 장치(DD)는 도 3a에 도시된 표시 장치(DD)와 비교하여, 표시 소자층(DP-ED-1)의 구조가 상이할 수 있다. 도 3c에 도시된 일 실시예의 표시 장치(DD)에 포함된 표시 패널(DP-1)은 도 3a에 도시된 표시 장치(DD)의 표시 패널(DP)과 달리 유기 전계 발광 표시 패널, 또는 양자점 발광 표시 패널일 수 있다. 이하에서는, 표시 패널(DP-1)이 유기 전계 발광 표시 패널인 것으로 도시되나, 일 실시예의 표시 패널(DP-1)은 양자점 발광 표시 패널일 수 있으며, 발광체로 양자점을 사용하는 것을 제외하고는 이후 설명되는 표시 패널(DP-1)에 대한 설명과 동일하게 적용될 수 있다. Referring to FIG. 3C , the structure of the display device layer DP-ED-1 of the display device DD according to an exemplary embodiment may be different from that of the display device DD illustrated in FIG. 3A. Unlike the display panel DP of the display device DD shown in FIG. 3A , the display panel DP- 1 included in the display device DD of an embodiment shown in FIG. 3C is an organic electroluminescent display panel or a quantum dot display panel. It may be a light emitting display panel. Hereinafter, the display panel DP-1 is illustrated as an organic electroluminescent display panel, but the display panel DP-1 according to an exemplary embodiment may be a quantum dot light emitting display panel, except that quantum dots are used as a light emitting body. The same description as that of the display panel DP- 1 described later may be applied.

일 실시예에 따른 표시 장치(DD)는 표시 패널(DP-1) 및 표시 패널(DP-1) 상에 배치된 광제어부재(CCM-b)를 포함할 수 있다. 도 3c를 참조하여 설명하는 일 실시예의 표시 장치(DD)에 포함된 광제어부재(CCM-b)는 도 3b 등에서 설명한 내용이 동일하게 적용될 수 있다. 예컨대, 도 3c에 도시된 일 실시예의 표시 장치(DD)의 광제어부재(CCM-b)는 도 3b에 도시된 일 실시예의 표시 장치(DD)의 광제어부재(CCM-a)와 같이, 광제어층(CCL)이 캡핑층(CPL)을 포함하는 것일 수 있다. 또한, 도 3c에 도시된 표시 장치(DD)는 도 3b에 도시된 표시 장치(DD)와 같이 광제어부재(CCM-b)와 표시 패널(DP-1) 사이에 배치되는 충전층(FML)을 포함할 수 있다. The display device DD according to an exemplary embodiment may include a display panel DP- 1 and a light control member CCM-b disposed on the display panel DP- 1 . The description of FIG. 3B may be applied to the light control member CCM-b included in the display device DD according to an exemplary embodiment described with reference to FIG. 3C . For example, the light control member CCM-b of the display device DD of one embodiment shown in FIG. 3C is like the light control member CCM-a of the display device DD of one embodiment shown in FIG. 3B. The light control layer CCL may include a capping layer CPL. Also, the display device DD shown in FIG. 3C includes a filling layer FML disposed between the light control member CCM-b and the display panel DP-1 like the display device DD shown in FIG. 3B. can include

일 실시예에 따른 표시 패널(DP-1)은 베이스 기판(BS), 베이스 기판(BS) 상에 배치된 회로층(DP-CL), 회로층(DP-CL) 상에 배치된 표시 소자층(DP-ED-1)을 포함한다. 표시 소자층(DP-ED-1)은 화소 정의막(PDL), 화소 정의막(PDL) 사이에 배치된 유기 전계 발광 소자(OEL), 및 유기 전계 발광 소자(OEL) 상에 배치된 박막 봉지층(TFE)를 포함할 수 있다.Display panel DP- 1 according to an exemplary embodiment includes a base substrate BS, a circuit layer DP-CL disposed on the base substrate BS, and a display element layer disposed on the circuit layer DP-CL. (DP-ED-1). The display element layer DP-ED-1 includes a pixel defining layer PDL, an organic electroluminescent element OEL disposed between the pixel defining layer PDL, and a thin film encapsulation disposed on the organic electroluminescent element OEL. A layer (TFE) may be included.

화소 정의막(PDL)은 고분자 수지로 형성될 수 있다. 예를 들어, 화소 정의막(PDL)은 폴리아크릴레이트(Polyacrylate)계 수지 또는 폴리이미드(Polyimide)계 수지를 포함하여 형성될 수 있다. 또한, 화소 정의막(PDL)은 고분자 수지 이외에 무기물을 더 포함하여 형성될 수 있다. 한편, 화소 정의막(PDL)은 광흡수 물질을 포함하여 형성되거나, 흑색 안료 또는 흑색 염료를 포함하여 형성될 수 있다. 또한, 화소 정의막(PDL)은 무기물로 형성될 수 있다. 예를 들어, 화소 정의막(PDL)은 질화규소(SiNx), 산화규소(SiOx), 질산화규소(SiOxNy) 등을 포함하여 형성되는 것일 수 있다. 화소 정의막(PDL)은 발광 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)을 정의하는 것일 수 있다. 화소 정의막(PDL)에 의해 발광 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)과 비발광 영역(NPXA)이 구분될 수 있다.The pixel defining layer (PDL) may be formed of a polymer resin. For example, the pixel defining layer PDL may include a polyacrylate-based resin or a polyimide-based resin. In addition, the pixel defining layer (PDL) may be formed by further including an inorganic material in addition to the polymer resin. Meanwhile, the pixel defining layer PDL may include a light absorbing material or may include a black pigment or a black dye. Also, the pixel defining layer PDL may be formed of an inorganic material. For example, the pixel defining layer PDL may include silicon nitride (SiN x ), silicon oxide (SiO x ), silicon nitride oxide (SiO x N y ), or the like. The pixel defining layer PDL may define the light emitting regions PXA-R, PXA-G, and PXA-B. The light-emitting areas PXA-R, PXA-G, and PXA-B and the non-light-emitting area NPXA may be distinguished by the pixel defining layer PDL.

화소 정의막(PDL)은 격벽(BK)과 중첩하는 것일 수 있다. 즉, 복수 개의 화소 정의막들(PDL) 각각은 복수의 격벽들(BK) 각각에 대응하여 중첩하는 것일 수 있다.The pixel defining layer PDL may overlap the barrier rib BK. That is, each of the plurality of pixel defining layers PDL may overlap each of the plurality of barrier ribs BK.

유기 전계 발광 소자(OEL)는 서로 마주하는 제1 전극(EL1)과 제2 전극(EL2), 및 제1 전극(EL1)과 제2 전극(EL2) 사이에 배치된 유기층(OL)을 포함할 수 있다. 유기층(OL)은 정공 수송 영역, 발광층, 및 전자 수송 영역을 포함하는 것일 수 있다. 정공 수송 영역은 제1 전극(EL1)에 인접한 정공 주입층, 정공 주입층과 발광층 사이에 배치된 정공 수송층을 포함하고, 전자 수송 영역은 제2 전극(EL2)에 인접한 전자 주입층과 발광층 및 전자 주입층 사이에 배치된 전자 수송층을 포함할 수 있다.The organic electroluminescent element OEL may include a first electrode EL1 and a second electrode EL2 facing each other, and an organic layer OL disposed between the first electrode EL1 and the second electrode EL2. can The organic layer OL may include a hole transport region, an emission layer, and an electron transport region. The hole transport region includes a hole injection layer adjacent to the first electrode EL1 and a hole transport layer disposed between the hole injection layer and the light emitting layer, and the electron transport region includes the electron injection layer adjacent to the second electrode EL2, the light emitting layer, and the electron injection layer. An electron transport layer disposed between the injection layers may be included.

유기 전계 발광 소자(OEL) 상에는 박막 봉지층(TFE)이 배치될 수 있으며, 박막 봉지층(TFE)은 제2 전극(EL2) 상에 배치되는 것일 수 있다. 박막 봉지층(TFE)은 제2 전극(EL2) 상에 직접 배치되는 것일 수 있다. 박막 봉지층(TFE)은 하나의 층 또는 복수의 층들이 적층된 것일 수 있다. A thin film encapsulation layer TFE may be disposed on the organic electroluminescent element OEL, and the thin film encapsulation layer TFE may be disposed on the second electrode EL2 . The thin film encapsulation layer TFE may be directly disposed on the second electrode EL2. The thin film encapsulation layer (TFE) may be a single layer or a plurality of layers stacked.

광제어부재(CCM-b)는 표시 패널(DP) 상에 배치된다. 광제어부재(CCM-b)는 광제어층(CCL), 컬러 필터층(CFL), 및 베이스층(BL)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 표시 패널(DP)은 제1 광을 방출하는 유기 전계 발광 소자(OEL)를 포함하는 것이고, 광제어부재(CCM-b)는 유기 전계 발광 소자(OEL)에서 제공되는 제1 광의 파장을 변환하거나 제1 광을 투과시키는 광제어부(CCP)를 포함하는 것일 수 있다. The light control member CCM-b is disposed on the display panel DP. The light control member CCM-b may include a light control layer CCL, a color filter layer CFL, and a base layer BL. For example, the display panel DP includes an organic light emitting device OEL emitting first light, and the light control member CCM-b controls the first light provided by the organic light emitting device OEL. It may include a light control unit (CCP) that converts a wavelength or transmits the first light.

도 3c에 도시된 일 실시예의 표시 장치(DD)는 비발광 영역(NPXA) 및 발광 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)을 포함할 수 있다. 발광 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B) 각각은 유기 전계 발광 소자(OEL)에서 생성된 광이 방출되는 영역일 수 있다. 도 3a에서 전술한 바와 같이, 발광 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B) 각각의 면적은 서로 상이할 수 있으며, 이때 면적은 평면 상에서 보았을 때의 면적을 의미할 수 있다.The display device DD of an exemplary embodiment illustrated in FIG. 3C may include a non-emission area NPXA and emission areas PXA-R, PXA-G, and PXA-B. Each of the light emitting regions PXA-R, PXA-G, and PXA-B may be a region from which light generated by the organic electroluminescent device OEL is emitted. As described above with reference to FIG. 3A , the area of each of the light emitting regions PXA-R, PXA-G, and PXA-B may be different from each other, and in this case, the area may mean an area when viewed on a plane.

도 3c에 도시된 일 실시예의 표시 장치(DD)에서 표시 패널(DP-1)은 유기층(OL)을 공통층으로 포함하는 유기 전계 발광 소자(OEL)를 포함하는 것으로 도시하였다. 즉, 도 3c에 따른 일 실시예의 표시 장치(DD)에서 표시 패널(DP-1)은 표시 장치(DD)의 발광 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)에 관계없이 동일한 파장 영역의 광을 방출하는 것일 수 있다. 예를 들어, 표시 패널(DP-1)은 제1 색광인 청색광을 광제어부재(CCM-b)로 제공할 수 있다. In the display device DD of an exemplary embodiment shown in FIG. 3C , the display panel DP- 1 includes the organic electroluminescent element OEL including the organic layer OL as a common layer. That is, in the display device DD according to an exemplary embodiment of FIG. 3C , the display panel DP- 1 has the same wavelength regardless of the light emitting regions PXA-R, PXA-G, and PXA-B of the display device DD. It may be to emit light in the area. For example, the display panel DP- 1 may provide blue light, which is the first color light, to the light control member CCM-b.

또한, 상기 도 3a에서 전술한 바와 같이, 도 3c에 도시된 일 실시예의 표시 장치(DD)에서, 광제어층(CCL)에 포함된 복수의 광제어부(CCP1, CCP2, CCP3) 중 적어도 하나는 일 실시예의 양자점 조성물로부터 형성될 수 있다. In addition, as described above with reference to FIG. 3A, in the display device DD of the exemplary embodiment shown in FIG. 3C, at least one of the plurality of light control units CCP1, CCP2, and CCP3 included in the light control layer CCL is It may be formed from the quantum dot composition of one embodiment.

이하, 도 4a 및 도 4b를 참조하여 일 실시예의 양자점 조성물을 설명한다. 도 4a는 일 실시예의 양자점 조성물(QCP)의 일부를 보다 상세히 도시한 도면이다. 도 4b는 일 실시예의 따른 양자점 조성물(QCP)에 포함된 양자점을 개략적으로 도시한 것이다. 도 2b, 및 도 3a 내지 도 3c에서 상술한 일 실시예의 표시 장치(DD)에서, 광제어층(CCL)에 포함된 광제어부들(CCP1, CCP2, CCP3) 중 적어도 하나는 일 실시예의 양자점 조성물로부터 형성될 수 있다. Hereinafter, a quantum dot composition according to an embodiment will be described with reference to FIGS. 4A and 4B. Figure 4a is a diagram showing a portion of a quantum dot composition (QCP) of one embodiment in more detail. 4B schematically illustrates quantum dots included in a quantum dot composition (QCP) according to an embodiment. In the display device DD of an embodiment described above with reference to FIGS. 2B and 3A to 3C , at least one of the light control units CCP1 , CCP2 , and CCP3 included in the light control layer CCL is a quantum dot composition according to an embodiment. can be formed from

양자점(QD)은 수 nm 내지 수십 nm의 크기를 가지고 있어 넓은 표면적을 가지며, 이로 인해 화학적으로 불안정하여 수분, 열, 및 빛에 의하여 표면에서 산화나 열화(deterioration)가 발생할 수 있다. 따라서, 양자점(QD)은 표시 장치(DD) 구동 중 발생하는 열과 빛에 의하여 산화 또는 열화되어 발광 효율이 감소되고, 신뢰성이 저하될 수 있다. 특히, 양자점(QD)의 열화는 빛 또는 열에 의해 발생될 수 있으며, 그 중에서도 빛에 의한 열화는 수분 및 산소가 있을 때 발생하는 비가역적인 현상으로 표시 장치(DD)의 신뢰성에 문제가 될 수 있다. 수분 및 산소 존재 하에서 빛이 가해졌을 때, 양자점(QD) 표면 분해(degradation)에 의해 발생하는 열화 현상을 광부식(photocorrosion)이라고 한다. 양자점(QD)의 광부식이 발생하게 되는 주 원인으로는 빛, 수분, 및 산소가 있으며, 이 중 빛은 표시 장치(DD) 구현을 위한 필수 요소이므로 제거가 불가능하다. 따라서, 표시 장치(DD)에 적용되는 양자점(QD)의 광부식을 방지하기 위해서는 수분과 산소를 제거할 수 있는 방안이 필요하다. 본 발명에서는, 양자점 조성물에 수분과 반응하여 제거할 수 있는 치환기인 제1 작용기를 포함하는 제1 화합물을 도입하여 공정 과정에서 침투하는 수분을 제거할 수 있으면서도, 구동 시 양자점(QD) 주변에 존재하는 수분을 제거하여 광부식으로 인한 열화를 방지할 수 있으므로 표시 장치(DD)의 신뢰성 및 발광 특성이 향상될 수 있다. Quantum dots (QDs) have a size of several nm to several tens of nm and have a large surface area, and thus are chemically unstable, and oxidation or deterioration may occur on the surface due to moisture, heat, or light. Therefore, the quantum dots QD may be oxidized or deteriorated by heat and light generated during driving of the display device DD, resulting in reduced luminous efficiency and reduced reliability. In particular, the deterioration of the quantum dots (QD) may be caused by light or heat. Among them, the deterioration by light is an irreversible phenomenon that occurs in the presence of moisture and oxygen, and may be a problem in the reliability of the display device (DD). . When light is applied in the presence of moisture and oxygen, a deterioration phenomenon caused by surface degradation of quantum dots (QDs) is called photocorrosion. Light, moisture, and oxygen are the main causes of photocorrosion of the quantum dots (QD), and among them, light is an essential element for realizing the display device (DD) and cannot be removed. Therefore, in order to prevent photocorrosion of the quantum dots (QD) applied to the display device (DD), a method capable of removing moisture and oxygen is required. In the present invention, a first compound including a first functional group, which is a substituent that can be removed by reacting with moisture, is introduced into the quantum dot composition to remove moisture penetrating during the process, while being present around the quantum dots (QD) during operation. Since deterioration due to photocorrosion can be prevented by removing moisture, reliability and light emitting characteristics of the display device DD can be improved.

본 발명의 일 실시예에 따른 양자점 조성물(QCP)은 수분과 반응할 수 있는 제1 작용기를 포함하는 제1 화합물(AD1)을 포함한다. 제1 화합물(AD1)은 아세탈기 및 케탈기 중 적어도 하나를 포함하며, 양자점(QD) 주변에 존재하는 수분을 포집하는 역할을 할 수 있다. The quantum dot composition (QCP) according to an embodiment of the present invention includes a first compound (AD1) including a first functional group capable of reacting with moisture. The first compound AD1 includes at least one of an acetal group and a ketal group, and may serve to collect moisture present around the quantum dots QD.

도 4a 및 도 4b를 참조하면, 일 실시예의 양자점 조성물(QCP)은 양자점(QD) 및 제1 화합물(AD1)을 포함할 수 있다. 전술한 바와 같이 양자점(QD)은 코어(CR) 및 코어(CR)를 감싸는 쉘(SL)을 포함할 수 있다. 하지만, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며 양자점(QD)은 단일층의 구조를 갖는 것이거나, 복수 개의 쉘을 갖는 것일 수 있다. 한편, 양자점 조성물(QCP)에 포함된 양자점(QD)에 대하여는 도 3a 등을 참조하여 설명한 일 실시예의 표시 장치(DD)에서 설명한 양자점에 대한 설명이 동일하게 적용될 수 있다. Referring to FIGS. 4A and 4B , a quantum dot composition (QCP) according to an embodiment may include a quantum dot (QD) and a first compound (AD1). As described above, the quantum dot QD may include a core CR and a shell SL surrounding the core CR. However, the embodiment is not limited thereto, and the quantum dot (QD) may have a single-layer structure or a plurality of shells. Meanwhile, for the quantum dots (QD) included in the quantum dot composition (QCP), the description of the quantum dots described in the display device (DD) of an embodiment described with reference to FIG. 3A may be equally applied.

일 실시예의 양자점 조성물(QCP)은 제1 화합물(AD1)을 포함하고, 제1 화합물(AD1)은 제1 작용기를 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 제1 작용기는 아세탈기 및 케탈기 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. The quantum dot composition (QCP) of an embodiment includes a first compound (AD1), and the first compound (AD1) may include a first functional group. In one embodiment, the first functional group may include at least one of an acetal group and a ketal group.

본 명세서에서, "치환 또는 비치환된"은 중수소 원자, 할로겐 원자, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 실릴기, 옥시기, 티오기, 설피닐기, 설포닐기, 카보닐기, 붕소기, 포스핀 옥사이드기, 포스핀 설파이드기, 알킬기, 알케닐기, 알키닐기, 탄화수소 고리기, 아릴기 및 헤테로고리기로 이루어진 군에서 선택되는 1개 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 것을 의미할 수 있다. 또한, 상기 예시된 치환기 각각은 치환 또는 비치환된 것일 수 있다. 예를 들어, 바이페닐기는 아릴기로 해석될 수도 있고, 페닐기로 치환된 페닐기로 해석될 수도 있다. As used herein, “substituted or unsubstituted” means a deuterium atom, a halogen atom, a cyano group, a nitro group, an amino group, a silyl group, an oxy group, a thio group, a sulfinyl group, a sulfonyl group, a carbonyl group, a boron group, a phosphine oxide group, a phosphine sulfide group, an alkyl group, an alkenyl group, an alkynyl group, a hydrocarbon ring group, an aryl group, and a heterocyclic group. In addition, each of the substituents exemplified above may be substituted or unsubstituted. For example, a biphenyl group may be interpreted as an aryl group or a phenyl group substituted with a phenyl group.

본 명세서에서, "인접하는 기와 서로 결합하여 고리를 형성"한다는 인접하는 기와 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 탄화수소 고리, 또는 치환 또는 비치환된 헤테로 고리를 형성하는 것을 의미할 수 있다. 탄화수소 고리는 지방족 탄화수소 고리 및 방향족 탄화수소 고리를 포함한다. 헤테로 고리는 지방족 헤테로 고리 및 방향족 헤테로 고리를 포함한다. 탄화수소 고리 및 헤테로 고리는 단환 또는 다환일 수 있다. 또한, 서로 결합하여 형성된 고리는 다른 고리와 연결되어 스피로 구조를 형성하는 것일 수도 있다.In the present specification, “forming a ring by combining with adjacent groups” may mean forming a substituted or unsubstituted hydrocarbon ring or a substituted or unsubstituted heterocycle by combining with adjacent groups. Hydrocarbon rings include aliphatic hydrocarbon rings and aromatic hydrocarbon rings. Heterocycles include aliphatic heterocycles and aromatic heterocycles. Hydrocarbon rings and heterocycles may be monocyclic or polycyclic. In addition, rings formed by combining with each other may be connected to other rings to form a spiro structure.

본 명세서에서, "인접하는 기"는 해당 치환기가 치환된 원자와 직접 연결된 원자에 치환된 치환기, 해당 치환기가 치환된 원자에 치환된 다른 치환기, 또는 해당 치환기와 입체구조적으로 가장 인접한 치환기를 의미할 수 있다. 예컨대, 1,2-디메틸벤젠(1,2-dimethylbenzene)에서 2개의 메틸기는 서로 "인접하는 기"로 해석될 수 있고, 1,1-디에틸시클로펜테인(1,1-diethylcyclopentane)에서 2개의 에틸기는 서로 "인접하는 기"로 해석될 수 있다. 또한, 4,5-디메틸페난트렌(4,5-dimethylphenanthrene)에서 2개의 메틸기는 서로 "인접하는 기"로 해석될 수 있다.As used herein, "adjacent group" means a substituent substituted on an atom directly connected to the atom on which the substituent is substituted, another substituent substituted on the atom on which the substituent is substituted, or a substituent sterically closest to the substituent. can For example, two methyl groups in 1,2-dimethylbenzene can be interpreted as “adjacent groups” to each other, and 2 methyl groups in 1,1-diethylcyclopentane The two ethyl groups can be interpreted as "adjacent groups" to each other. In addition, two methyl groups in 4,5-dimethylphenanthrene can be interpreted as “adjacent groups” to each other.

본 명세서에서, 할로겐 원자의 예로는 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자 또는 요오드 원자가 있다.In this specification, examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom or an iodine atom.

본 명세서에서, 알킬기는 직쇄, 분지쇄 또는 고리형일 수 있다. 알킬기의 탄소수는 1 이상 50 이하, 1 이상 30 이하, 1 이상 20 이하, 1 이상 10 이하 또는 1 이상 6 이하이다. 알킬기의 예로는 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, s-부틸기, t-부틸기, i-부틸기, 2- 에틸부틸기, 3, 3-디메틸부틸기, n-펜틸기, i-펜틸기, 네오펜틸기, t-펜틸기, 시클로펜틸기, 1-메틸펜틸기, 3-메틸펜틸기, 2-에틸펜틸기, 4-메틸-2-펜틸기, n-헥실기, 1-메틸헥실기, 2-에틸헥실기, 2-부틸헥실기, 시클로헥실기, 4-메틸시클로헥실기, 4-t-부틸시클로헥실기, n-헵틸기, 1-메틸헵틸기, 2,2-디메틸헵틸기, 2-에틸헵틸기, 2-부틸헵틸기, n-옥틸기, t-옥틸기, 2-에틸옥틸기, 2-부틸옥틸기, 2-헥실옥틸기, 3,7-디메틸옥틸기, 시클로옥틸기, n-노닐기, n-데실기, 아다만틸기, 2-에틸데실기, 2-부틸데실기, 2-헥실데실기, 2-옥틸데실기, n-운데실기, n-도데실기, 2-에틸도데실기, 2-부틸도데실기, 2-헥실도데실기, 2-옥틸도데실기, n-트리데실기, n-테트라데실기, n-펜타데실기, n-헥사데실기, 2-에틸헥사데실기, 2-부틸헥사데실기, 2-헥실헥사데실기, 2-옥틸헥사데실기, n-헵타데실기, n-옥타데실기, n-노나데실기, n-이코실기, 2-에틸이코실기, 2-부틸이코실기, 2-헥실이코실기, 2-옥틸이코실기, n-헨이코실기, n-도코실기, n-트리코실기, n-테트라코실기, n-펜타코실기, n-헥사코실기, n-헵타코실기, n-옥타코실기, n-노나코실기, 및 n-트리아콘틸기 등을 들 수 있지만, 이들에 한정되지 않는다.In this specification, the alkyl group may be straight chain, branched chain or cyclic. The number of carbon atoms of the alkyl group is 1 or more and 50 or less, 1 or more and 30 or less, 1 or more and 20 or less, 1 or more and 10 or less, or 1 or more and 6 or less. Examples of the alkyl group include methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, s-butyl group, t-butyl group, i-butyl group, 2-ethylbutyl group, 3,3-dimethylbutyl group , n-pentyl group, i-pentyl group, neopentyl group, t-pentyl group, cyclopentyl group, 1-methylpentyl group, 3-methylpentyl group, 2-ethylpentyl group, 4-methyl-2-pentyl group , n-hexyl group, 1-methylhexyl group, 2-ethylhexyl group, 2-butylhexyl group, cyclohexyl group, 4-methylcyclohexyl group, 4-t-butylcyclohexyl group, n-heptyl group, 1 -Methylheptyl group, 2,2-dimethylheptyl group, 2-ethylheptyl group, 2-butylheptyl group, n-octyl group, t-octyl group, 2-ethyloctyl group, 2-butyloctyl group, 2-hexyl Siloctyl group, 3,7-dimethyloctyl group, cyclooctyl group, n-nonyl group, n-decyl group, adamantyl group, 2-ethyldecyl group, 2-butyldecyl group, 2-hexyldecyl group, 2-ox Tyldecyl group, n-undecyl group, n-dodecyl group, 2-ethyldodecyl group, 2-butyldodecyl group, 2-hexyldodecyl group, 2-octyldodecyl group, n-tridecyl group, n-tetradecyl group, n -Pentadecyl group, n-hexadecyl group, 2-ethylhexadecyl group, 2-butylhexadecyl group, 2-hexylhexadecyl group, 2-octylhexadecyl group, n-heptadecyl group, n-octadecyl group , n- nonadecyl group, n- icosyl group, 2-ethyl icosyl group, 2-butyl icosyl group, 2-hexyl icosyl group, 2-octyl icosyl group, n-henicosyl group, n- docosyl group, n-tricot practical group, n-tetracosyl group, n-pentacosyl group, n-hexacosyl group, n-heptacosyl group, n-octacosyl group, n-nonacosyl group, and n-triacontyl group; not limited to these

본 명세서에서 알케닐기는, 탄소수 2이상의 알킬기의 중간 또는 말단에 하나 이상의 탄소 이중 결합을 포함한 탄화수소 그룹을 의미한다. 알케닐기는 직쇄 또는 분지쇄일 수 있다. 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 2 이상 30 이하, 2 이상 20 이하 또는 2 이상 10 이하이다. 알케닐기의 예로는 비닐기, 1-부테닐기, 1-펜테닐기, 1,3-부타디에닐 아릴기, 스티레닐기, 스티릴비닐기 등이 있으나, 이들에 한정되지 않는다.In the present specification, an alkenyl group refers to a hydrocarbon group including at least one carbon double bond in the middle or at the end of an alkyl group having 2 or more carbon atoms. Alkenyl groups can be straight or branched. The carbon number is not particularly limited, but is 2 or more and 30 or less, 2 or more and 20 or less, or 2 or more and 10 or less. Examples of the alkenyl group include, but are not limited to, a vinyl group, a 1-butenyl group, a 1-pentenyl group, a 1,3-butadienyl aryl group, a styrenyl group, and a styrylvinyl group.

본 명세서에서 알키닐기는, 탄소수 2이상의 알킬기의 중간 또는 말단에 하나 이상의 탄소 삼중 결합을 포함한 탄화수소 그룹을 의미한다. 알키닐기는 직쇄 또는 분지쇄일 수 있다. 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 2 이상 30 이하, 2 이상 20 이하 또는 2 이상 10 이하이다. 알키닐기의 구체적인 예에는, 에티닐기, 프로피닐기, 등이 포함될 수 있으나, 이들에 한정되지 않는다.In this specification, an alkynyl group refers to a hydrocarbon group including at least one carbon triple bond in the middle or at the end of an alkyl group having 2 or more carbon atoms. Alkynyl groups can be straight or branched. The carbon number is not particularly limited, but is 2 or more and 30 or less, 2 or more and 20 or less, or 2 or more and 10 or less. Specific examples of the alkynyl group may include, but are not limited to, an ethynyl group, a propynyl group, and the like.

본 명세서에서, 아릴기는 방향족 탄화수소 고리로부터 유도된 임의의 작용기 또는 치환기를 의미한다. 아릴기는 단환식 아릴기 또는 다환식 아릴기일 수 있다. 아릴기의 고리 형성 탄소수는 6 이상 30 이하, 6 이상 20 이하, 또는 6 이상 15 이하일 수 있다. 아릴기의 예로는 페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 안트라세닐기, 페난트릴기, 바이페닐기, 터페닐기, 쿼터페닐기, 퀸크페닐기(quinquephenyl), 섹시페닐기, 트리페닐에닐기, 피레닐기, 벤조 플루오란테닐기, 크리세닐기 등을 예시할 수 있지만, 이들에 한정되지 않는다.In this specification, an aryl group means any functional group or substituent derived from an aromatic hydrocarbon ring. The aryl group may be a monocyclic aryl group or a polycyclic aryl group. The number of ring carbon atoms in the aryl group may be 6 or more and 30 or less, 6 or more and 20 or less, or 6 or more and 15 or less. Examples of the aryl group include a phenyl group, a naphthyl group, a fluorenyl group, anthracenyl group, a phenanthryl group, a biphenyl group, a terphenyl group, a quaterphenyl group, a quinquephenyl group, a sexyphenyl group, a triphenylenyl group, a pyrenyl group, and a benzo fluoro group. Although a lanthenyl group, a chrysenyl group, etc. can be illustrated, it is not limited to these.

본 명세서에서, 헤테로아릴기는 헤테로 원자로 B, O, N, P, Si 및 S 중 1개 이상을 포함하는 것일 수 있다. 헤테로아릴기가 헤테로 원자를 2개 이상 포함할 경우, 2개 이상의 헤테로 원자는 서로 동일할 수도 있고, 상이할 수도 있다. 헤테로아릴기는 단환식 헤테로고리기 또는 다환식 헤테로고리기일 수 있다. 헤테로아릴기의 고리 형성 탄소수는 2 이상 30 이하, 2 이상 20 이하, 또는 2 이상 10 이하일 수 있다. 헤테로아릴기의 예로는 티오펜기, 퓨란기, 피롤기, 이미다졸기, 피리딘기, 비피리딘기, 피리미딘기, 트리아진기, 트리아졸기, 아크리딜기, 피리다진기, 피라지닐기, 퀴놀린기, 퀴나졸린기, 퀴녹살린기, 페녹사진기, 프탈라진기, 피리도 피리미딘기, 피리도 피라진기, 피라지노 피라진기, 이소퀴놀린기, 인돌기, 카바졸기, N-아릴카바졸기, N-헤테로아릴카바졸기, N-알킬카바졸기, 벤조옥사졸기, 벤조이미다졸기, 벤조티아졸기, 벤조카바졸기, 벤조티오펜기, 디벤조티오펜기, 티에노티오펜기, 벤조퓨란기, 페난트롤린기, 티아졸기, 이소옥사졸기, 옥사졸기, 옥사디아졸기, 티아디아졸기, 페노티아진기, 디벤조실롤기 및 디벤조퓨란기 등이 있으나, 이들에 한정되지 않는다.In the present specification, the heteroaryl group may include one or more of B, O, N, P, Si, and S as heteroatoms. When the heteroaryl group includes two or more heteroatoms, the two or more heteroatoms may be identical to or different from each other. The heteroaryl group may be a monocyclic heterocyclic group or a polycyclic heterocyclic group. The number of ring carbon atoms in the heteroaryl group may be 2 or more and 30 or less, 2 or more and 20 or less, or 2 or more and 10 or less. Examples of the heteroaryl group include a thiophene group, a furan group, a pyrrole group, an imidazole group, a pyridine group, a bipyridine group, a pyrimidine group, a triazine group, a triazole group, an acridyl group, a pyridazine group, a pyrazinyl group, and a quinoline. group, quinazoline group, quinoxaline group, phenoxazine group, phthalazine group, pyrido pyrimidine group, pyrido pyrazine group, pyrazino pyrazine group, isoquinoline group, indole group, carbazole group, N-arylcarbazole group, N -Heteroarylcarbazole group, N-alkylcarbazole group, benzooxazole group, benzoimidazole group, benzothiazole group, benzocarbazole group, benzothiophene group, dibenzothiophene group, thienothiophene group, benzofuran group, phenan thiazoline group, thiazole group, isoxazole group, oxazole group, oxadiazole group, thiadiazole group, phenothiazine group, dibenzosilol group, dibenzofuran group, and the like, but are not limited thereto.

본 명세서에서, 아릴렌기는 2가기인 것을 제외하고는 전술한 아릴기에 관한 설명이 적용될 수 있다. 헤테로아릴렌기는 2가기인 것을 제외하고는 전술한 헤테로아릴기에 관한 설명이 적용될 수 있다.In this specification, the description of the aryl group described above may be applied except that the arylene group is a divalent group. The description of the heteroaryl group described above can be applied except that the heteroarylene group is a divalent group.

본 명세서에서, 카복시기의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 1 내지 40 이하, 1 내지 30 이하, 또는 1 내지 20 이하일 수 있다. 예를 들어, 하기의 구조를 가질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the number of carbon atoms of the carboxy group is not particularly limited, but may be 1 to 40 carbon atoms, 1 to 30 carbon atoms, or 1 to 20 carbon atoms. For example, it may have the following structure, but is not limited thereto.

Figure pat00028
Figure pat00028

본 명세서에서, 티오기는 알킬 티오기 및 아릴 티오기를 포함할 수 있다. 티오기는 상기 정의된 알킬기 또는 아릴기에 황 원자가 결합된 것을 의미할 수 있다. 티오기의 예로는 메틸티오기, 에틸티오기, 프로필티오기, 펜틸티오기, 헥실티오기, 옥틸티오기, 도데실티오기, 시클로펜틸티오기, 시클로헥실티오기, 페닐티오기, 나프틸티오기 등이 있으나, 이들에 한정되지 않는다. In the present specification, the thio group may include an alkyl thio group and an aryl thio group. The thio group may mean that a sulfur atom is bonded to the above-defined alkyl group or aryl group. Examples of the thio group include methylthio group, ethylthio group, propylthio group, pentylthio group, hexylthio group, octylthio group, dodecylthio group, cyclopentylthio group, cyclohexylthio group, phenylthio group, and naphthylthio group. etc., but is not limited thereto.

본 명세서에서, 옥시기는 상기 정의된 알킬기 또는 아릴기에 산소 원자가 결합된 것을 의미할 수 있다. 옥시기는 알콕시기 및 아릴 옥시기를 포함할 수 있다. 알콕시기는 직쇄, 분지쇄 또는 고리쇄일 수 있다. 알콕시기의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 예를 들어 1 이상 20 이하 또는 1 이상 10 이하인 것일 수 있다. 옥시기의 예로는 메톡시, 에톡시, n-프로폭시, 이소프로폭시, 부톡시, 펜틸옥시, 헥실옥시, 옥틸옥시, 노닐옥시, 데실옥시, 벤질옥시 등이 있으나, 이들에 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the oxy group may mean that an oxygen atom is bonded to the above-defined alkyl group or aryl group. Oxy groups can include alkoxy groups and aryl oxy groups. An alkoxy group can be straight chain, branched chain or cyclic chain. The number of carbon atoms in the alkoxy group is not particularly limited, but may be, for example, 1 or more and 20 or less, or 1 or more and 10 or less. Examples of the oxy group include methoxy, ethoxy, n-propoxy, isopropoxy, butoxy, pentyloxy, hexyloxy, octyloxy, nonyloxy, decyloxy, benzyloxy, etc., but are limited to these It is not.

본 명세서에서, 아민기의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 1 이상 30 이하일 수 있다. 아민기는 알킬 아민기 및 아릴 아민기를 포함할 수 있다. 아민기의 예로는 메틸아민기, 디메틸아민기, 페닐아민기, 디페닐아민기, 나프틸아민기, 9-메틸-안트라세닐아민기, 트리페닐아민기 등이 있으나, 이들에 한정되지 않는다.In the present specification, the number of carbon atoms of the amine group is not particularly limited, but may be 1 or more and 30 or less. Amine groups may include alkyl amine groups and aryl amine groups. Examples of the amine group include, but are not limited to, a methylamine group, a dimethylamine group, a phenylamine group, a diphenylamine group, a naphthylamine group, a 9-methyl-anthracenylamine group, and a triphenylamine group.

본 명세서에서, 직접 결합(direct linkage)은 단일 결합을 의미하는 것일 수 있다.In this specification, direct linkage may mean a single linkage.

한편, 본 명세서에서 "

Figure pat00029
"는 연결되는 위치를 의미한다. On the other hand, in this specification "
Figure pat00029
" means the position to be connected.

본 명세서에서, (메타)아크릴레이트는 아크릴레이트 및 메타크릴레이트를 의미하는 것일 수 있다.In the present specification, (meth)acrylate may mean acrylate and methacrylate.

본 명세서에서, 단관능 (메타)아크릴레이트는 하나의 관능기를 가지는 (메타)아크릴레이트를 의미한다. 구체적으로, 단관능 (메타)아크릴레이트는 하나의 분자 내에 (메타)아크릴로일기가 1개 포함되어 있는 (메타)아크릴레이트를 의미한다. 일 실시예의 수지 조성물에서 단관능 (메타)아크릴레이트는 복수 개의 서로 다른 (메타)아크릴레이트를 포함하는 것일 수 있다. 예를 들어, 일 실시예의 수지 조성물에서 단관능 (메타)아크릴레이트는 적어도 하나의 단관능 아크릴레이트 및 적어도 하나의 단관능 메타크릴레이트를 포함하는 것일 수 있다. In the present specification, monofunctional (meth)acrylate means (meth)acrylate having one functional group. Specifically, monofunctional (meth)acrylate means (meth)acrylate containing one (meth)acryloyl group in one molecule. In the resin composition of one embodiment, the monofunctional (meth)acrylate may include a plurality of different (meth)acrylates. For example, the monofunctional (meth)acrylate in the resin composition of one embodiment may include at least one monofunctional acrylate and at least one monofunctional methacrylate.

본 명세서에서, 이관능성 (메타)아크릴레이트 모노머는 두 개의 관능기를 가지는 (메타)아크릴레이트 모노머를 의미한다. 구체적으로, 이관능성 (메타)아크릴레이트 모노머는 1분자 중에 (메타)아크릴로일기가 2개 포함되어 있는 (메타)아크릴레이트 모노머를 의미한다. 일 실시예의 수지 조성물에서 이관능성 (메타)아크릴레이트 모노머는 복수 개의 서로 다른 모노머들을 포함하는 것일 수 있다. 예를 들어, 일 실시예의 수지 조성물에서 이관능성 (메타)아크릴레이트 모노머는 적어도 하나의 이관능 아크릴레이트 모노머 및 적어도 하나의 이관능성 메타크릴레이트 모노머를 포함하는 것일 수 있다.In the present specification, the bifunctional (meth)acrylate monomer refers to a (meth)acrylate monomer having two functional groups. Specifically, the bifunctional (meth)acrylate monomer refers to a (meth)acrylate monomer in which two (meth)acryloyl groups are included in one molecule. In the resin composition of one embodiment, the bifunctional (meth)acrylate monomer may include a plurality of different monomers. For example, in the resin composition of one embodiment, the bifunctional (meth)acrylate monomer may include at least one bifunctional acrylate monomer and at least one bifunctional methacrylate monomer.

일 실시예에서, 제1 화합물(AD1)은 하기 화학식 1로 표시될 수 있다.In one embodiment, the first compound (AD1) may be represented by Chemical Formula 1 below.

[화학식 1][Formula 1]

Figure pat00030
Figure pat00030

화학식 1에서, R1 및 R2는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기일 수 있다. 또는, R1 및 R2는 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있다. 일 실시예에서, R1 및 R2로 표시되는 치환기는 제1 화합물(AD1)의 가수분해의 용이성의 관점에서 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 4 이하의 알킬기일 수 있다. 예를 들어, R1 및 R2는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 메틸기, 치환 또는 비치환된 에틸기, 치환 또는 비치환된 n-프로필기, 치환 또는 비치환된 i-프로필기, 치환 또는 비치환된 n-부틸기, 치환 또는 비치환된 s-부틸기, 치환 또는 비치환된 t-부틸기, 또는 치환 또는 비치환된 i-부틸기일 수 있다. R1 및 R2는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 메틸기, 또는 치환 또는 비치환된 에틸기일 수 있다. 화학식 1의 R1 및 R2이 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 4 이하의 알킬기인 경우, 제1 화합물(AD1)의 가수분해 반응의 진행이 보다 용이해져, 제1 화합물(AD1)의 가수분해에 의한 수분 포집 속도가 더욱 증가되고, 이에 따라 표시 장치(DD)의 신뢰성 및 발광 특성을 보다 향상시킬 수 있다. In Formula 1, R 1 and R 2 may each independently be a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms. Alternatively, R 1 and R 2 may bond to each other to form a ring. In one embodiment, the substituent represented by R 1 and R 2 may be a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 4 carbon atoms in view of the ease of hydrolysis of the first compound (AD1). For example, R 1 and R 2 are each independently a substituted or unsubstituted methyl group, a substituted or unsubstituted ethyl group, a substituted or unsubstituted n-propyl group, a substituted or unsubstituted i-propyl group, a substituted or unsubstituted It may be a substituted n-butyl group, a substituted or unsubstituted s-butyl group, a substituted or unsubstituted t-butyl group, or a substituted or unsubstituted i-butyl group. R 1 and R 2 may each independently be a substituted or unsubstituted methyl group or a substituted or unsubstituted ethyl group. When R 1 and R 2 in Formula 1 are each independently a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, the hydrolysis reaction of the first compound (AD1) proceeds more easily, and the first compound (AD1) The rate of water collection by hydrolysis of is further increased, and thus the reliability and light emitting characteristics of the display device DD can be further improved.

화학식 1에서, R3 및 R4는 각각 독립적으로 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 이상 20 이하의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 이상 20 이하의 알키닐기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로 아릴기일 수 있다. In Formula 1, R 3 and R 4 are each independently a hydrogen atom, a deuterium atom, a halogen atom, a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted alkenyl group having 2 to 20 carbon atoms, and a substituted or unsubstituted alkyl group having 2 to 20 carbon atoms. Alternatively, it may be an unsubstituted alkynyl group having 2 or more and 20 or less carbon atoms, a substituted or unsubstituted aryl group having 6 or more and 30 or less carbon atoms for forming a ring, or a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 2 or more and 30 or less carbon atoms for ring formation.

일 실시예에서, 제1 화합물(AD1)은 하기 화학식 1-1 내지 화학식 1-3 중 어느 하나로 표시될 수 있다. In one embodiment, the first compound (AD1) may be represented by any one of Chemical Formulas 1-1 to 1-3.

[화학식 1-1][Formula 1-1]

Figure pat00031
Figure pat00031

[화학식 1-2][Formula 1-2]

Figure pat00032
Figure pat00032

[화학식 1-3][Formula 1-3]

Figure pat00033
Figure pat00033

화학식 1-1 내지 화학식 1-3에서, R5 및 R6은 각각 독립적으로 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 치환 또는 비치환된 카복시기, 치환 또는 비치환된 티오기, 치환 또는 비치환된 아민기, 치환 또는 비치환된 포스핀기, 하이드록시기, 치환 또는 비치환된 옥시기, 니트로기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 이상 20 이하의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로 아릴기일 수 있다. 또는, R5 및 R6 각각은 인접하는 기와 결합하여 고리를 형성할 수 있다. In Formula 1-1 to Formula 1-3, R 5 and R 6 are each independently a hydrogen atom, a deuterium atom, a halogen atom, a substituted or unsubstituted carboxy group, a substituted or unsubstituted thio group, a substituted or unsubstituted An amine group, a substituted or unsubstituted phosphine group, a hydroxy group, a substituted or unsubstituted oxy group, a nitro group, a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted alkyl group having 2 to 20 carbon atoms It may be an alkenyl group, a substituted or unsubstituted aryl group having 6 or more and 30 or less ring carbon atoms, or a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 2 or more and 30 or less ring carbon atoms. Alternatively, each of R 5 and R 6 may bond to an adjacent group to form a ring.

화학식 1-1 내지 화학식 1-3에서, R7 내지 R9는 각각 독립적으로 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로 아릴기일 수 있다. In Formulas 1-1 to 1-3, R 7 to R 9 are each independently a hydrogen atom, a deuterium atom, a halogen atom, a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 or more and 20 or less carbon atoms, or a substituted or unsubstituted ring-forming carbon atom. It may be an aryl group having 6 or more and 30 or less, or a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 2 or more and 30 or less ring carbon atoms.

상기 화학식 1-1 내지 화학식 1-3에서, n1 및 n2는 각각 독립적으로 0 이상 5 이하의 정수이다. n1 및 n2 각각이 0일 경우, 일 실시예의 제1 화합물은 R5 및 R6 각각으로 치환되지 않은 것일 수 있다. n1 및 n2 각각이 5이고, R5 및 R6 각각이 모두 수소 원자인 경우, n1 및 n2 각각이 0일 경우와 동일할 수 있다. n1 및 n2 각각이 2 이상의 정수일 경우, 복수로 제공되는 R5 및 R6 각각은 모두 동일한 것이거나, 또는 복수의 R5 및 R6 중 적어도 하나는 상이한 것일 수 있다. In Chemical Formulas 1-1 to 1-3, n1 and n2 are each independently an integer of 0 or more and 5 or less. When each of n1 and n2 is 0, the first compound of one embodiment may be unsubstituted with each of R 5 and R 6 . When each of n1 and n2 is 5 and each of R 5 and R 6 is a hydrogen atom, it may be the same as when each of n1 and n2 is 0. When each of n1 and n2 is an integer of 2 or greater, a plurality of R 5 and R 6 may be the same, or at least one of the plurality of R 5 and R 6 may be different.

상기 화학식 1-1 내지 화학식 1-3에서, R1 내지 R3은 상기 화학식 1에서 설명한 내용과 동일한 내용이 적용될 수 있다. In Chemical Formulas 1-1 to 1-3, R 1 to R 3 may be the same as those described in Chemical Formula 1 above.

일 실시예에서, 제1 화합물(AD1)은 양자점(QD) 표면에 결합되는 제2 작용기를 더 포함할 수 있다. 제2 작용기는 제1 작용기와 상이할 수 있다. 일 실시예에서, 제2 작용기는 카복시기, 티오기, 아민기, 포스핀기, 및 하이드록시기 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 도시하지는 않았으나, 제1 화합물(AD1)의 제2 작용기는 양자점 조성물(QCP) 내에서 양자점(QD)과 결합된 상태로 제공될 수 있다. 다만, 이에 제한되는 것은 아니며, 제1 화합물(AD1)의 제2 작용기는 양자점(QD)과 결합하지 않은 상태로 양자점 조성물(QCP) 내에 제공되고, 이후 공정 과정 중에 양자점(QD)의 표면과 반응하여 결합을 형성할 수도 있다. In one embodiment, the first compound AD1 may further include a second functional group bonded to the surface of the quantum dots QD. The second functional group may be different from the first functional group. In one embodiment, the second functional group may include at least one of a carboxy group, a thio group, an amine group, a phosphine group, and a hydroxy group. Although not shown, the second functional group of the first compound AD1 may be provided in a state of being combined with the quantum dots QD in the quantum dot composition QCP. However, it is not limited thereto, and the second functional group of the first compound (AD1) is provided in the quantum dot composition (QCP) without binding to the quantum dots (QD), and then reacts with the surface of the quantum dots (QD) during the process. may form a bond.

일 실시예에서, 제1 화합물(AD1)은 화학식 2-1 내지 화학식 2-5 중 어느 하나로 표시될 수 있다. In one embodiment, the first compound (AD1) may be represented by any one of Chemical Formulas 2-1 to 2-5.

[화학식 2-1][Formula 2-1]

Figure pat00034
Figure pat00034

[화학식 2-2][Formula 2-2]

Figure pat00035
Figure pat00035

[화학식 2-3][Formula 2-3]

Figure pat00036
Figure pat00036

[화학식 2-4][Formula 2-4]

Figure pat00037
Figure pat00037

[화학식 2-5][Formula 2-5]

Figure pat00038
Figure pat00038

화학식 2-1 내지 화학식 2-5에서, Y는 치환 또는 비치환된 카복시기, 치환 또는 비치환된 티오기, 치환 또는 비치환된 아민기, 치환 또는 비치환된 포스핀기, 또는 치환 또는 하이드록시기일 수 있다. Y는 상술한 제2 작용기 부분일 수 있다. In Formulas 2-1 to 2-5, Y is a substituted or unsubstituted carboxyl group, a substituted or unsubstituted thio group, a substituted or unsubstituted amine group, a substituted or unsubstituted phosphine group, or a substituted or hydroxyl group. it can be Y may be the aforementioned second functional group moiety.

화학식 2-2 내지 화학식 2-5에서, A1은 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴렌기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로 아릴렌기일 수 있다. In Formulas 2-2 to 2-5, A 1 may be a substituted or unsubstituted arylene group having 6 or more and 30 or less ring carbon atoms, or a substituted or unsubstituted hetero arylene group having 2 or more and 30 or less ring carbon atoms. .

화학식 2-2 내지 화학식 2-5에서, n3 내지 n7은 각각 독립적으로 0 이상 20 이하의 정수이다.In Formulas 2-2 to 2-5, n3 to n7 are each independently an integer of 0 or more and 20 or less.

화학식 2-1 내지 화학식 2-5에서, R1 내지 R3은 상기 화학식 1에서 설명한 내용과 동일한 내용이 적용될 수 있다. In Chemical Formulas 2-1 to 2-5, R 1 to R 3 may be the same as those described in Chemical Formula 1 above.

일 실시예에서, 제1 화합물은 제3 작용기를 더 포함할 수 있다. 제1 화합물(AD1)은 제1 작용기 및 제1 작용기와 상이한 제3 작용기를 포함할 수 있다. 제3 작용기는 (메타)아크릴레이트기를 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 제1 화합물(AD1)은 분자 내에 제3 작용기를 적어도 하나 이상 포함할 수 있다. In one embodiment, the first compound may further include a third functional group. The first compound AD1 may include a first functional group and a third functional group different from the first functional group. The third functional group may include a (meth)acrylate group. In one embodiment, the first compound (AD1) may include at least one third functional group in its molecule.

제1 화합물(AD1)이 제3 작용기를 더 포함하는 경우 일 실시예의 제1 화합물(AD1)은 광경화성 화합물일 수 있다. 제1 작용기와 제3 작용기를 포함하는 제1 화합물(AD1)은 양자점 조성물(QCP)에 포함되어 양자점(QC)의 분산에 대하여 부정적인 영향을 주지 않으면서 중합 생성물을 형성할 수 있다. When the first compound AD1 further includes a third functional group, the first compound AD1 according to an embodiment may be a photocurable compound. The first compound AD1 including the first functional group and the third functional group may be included in the quantum dot composition QCP to form a polymerization product without adversely affecting the dispersion of the quantum dots QC.

일 실시예의 양자점 조성물(QCP)은 제1 화합물(AD1) 이외에 다른 광경화성 화합물을 추가로 포함할 수 있다. 일 실시예의 양자점 조성물(QCP)은 제1 화합물(AD1)과 상이하고, 탄소-탄소 불포화 결합을 포함하는 광경화성 화합물을 더 포함할 수 있다. 탄소-탄소 불포화 결합을 포함하는 광경화성 화합물은 탄소-탄소 불포화 결합을 포함하고 광에 의해 중합 가능한 것이라면 특별히 제한되지 않으나, 예를 들어, 단관능 또는 다관능의 (메타)아크릴레이트가 사용될 수 있다. The quantum dot composition (QCP) of an embodiment may further include other photocurable compounds in addition to the first compound (AD1). The quantum dot composition (QCP) of an embodiment may further include a photocurable compound that is different from the first compound (AD1) and includes a carbon-carbon unsaturated bond. The photocurable compound containing a carbon-carbon unsaturated bond is not particularly limited as long as it contains a carbon-carbon unsaturated bond and is polymerizable by light, but, for example, monofunctional or polyfunctional (meth)acrylates may be used. .

또한, 일 실시예의 양자점 조성물(QCP)은 고분자 바인더를 더 포함하는 것일 수 있다. 예를 들어, 양자점 조성물(QCP)은 아크릴계 수지, 메타크릴계 수지, 폴리이소프렌, 비닐계 수지, 에폭시계 수지, 우레탄계 수지, 셀룰로오스계 수지 실록산계 수지, 폴리이미드계 수지, 폴리아미드계 수지 및 페릴렌계 수지 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 다만, 이에 제한되는 것은 아니다. In addition, the quantum dot composition (QCP) of one embodiment may further include a polymer binder. For example, the quantum dot composition (QCP) includes acrylic resins, methacrylic resins, polyisoprene, vinyl resins, epoxy resins, urethane resins, cellulosic resins, siloxane resins, polyimide resins, polyamide resins, and ferryl resins. It may include at least one of ren-based resins. However, it is not limited thereto.

단관능 (메타)아크릴레이트는 예를 들어, 페녹시에틸 (메타)아크릴레이트, 페녹시에톡시에틸 (메타)아크릴레이트, 페녹시히드록시프로필 (메타)아크릴레이트, 페닐페녹시에틸 (메타)아크릴레이트, 브로모페녹시에틸 (메타)아크릴레이트, 폴리옥시 에틸렌 노닐페닐 에테르 (메타)아크릴레이트, 이소보르닐 (메타)아크릴레이트, 아다만틸 (메타)아크릴레이트, 메틸아다만틸 (메타)아크릴레이트, 에틸아다만틸 (메타)아크릴레이트, 보르닐 (메타)아크릴레이트, 트리시클로데카닐 (메타)아크릴레이트, 디시클로펜타닐 (메타)아크릴레이트, 디시클로펜테닐 (메타)아크릴레이트, 시클로헥실 (메타)아크릴레이트, 부틸시클로헥실 (메타)아크릴레이트, 메틸 (메타)아크릴레이트, 에틸 (메타)아크릴레이트, 프로필 (메타)아크릴레이트, 이소프로필 (메타)아크릴레이트, 부틸 (메타)아크릴레이트, 아밀 (메타)아크릴레이트, 이소부틸 (메타)아크릴레이트, t-부틸 (메타)아크릴레이트, 펜틸 (메타)아크릴레이트, 헥실 (메타)아크릴레이트, 헵틸 (메타)아크릴레이트, 옥틸 (메타)아크릴레이트, 이소옥틸 (메타)아크릴레이트, 에틸헥실 (메타)아크릴레이트, 노닐 (메타)아크릴레이트, 데실 (메타)아크릴레이트, 이소데실 (메타)아크릴레이트, 운데실 (메타)아크릴레이트, 도데실 (메타)아크 릴레이트, 라우릴 (메타)아크릴레이트, 스테아릴 (메타)아크릴레이트, 이소스테아릴 (메타)아크릴레이트, 벤질 (메타)아크릴레이트, 에톡시디에틸렌글리콜 (메타)아크릴레이트, 폴리에틸렌 글리콜 모노(메타)아크릴레이트, 폴리프로필렌 글리콜 모노(메타)아크릴레이트, 메톡시에틸렌 글리콜 (메타)아크릴레이트, 에톡시에틸 (메타)아크릴레이트 또는 이들의 혼합물을 포함할 수 있다. 다만, 이에 제한되는 것은 아니다. Monofunctional (meth)acrylates include, for example, phenoxyethyl (meth)acrylate, phenoxyethoxyethyl (meth)acrylate, phenoxyhydroxypropyl (meth)acrylate, phenylphenoxyethyl (meth) Acrylates, bromophenoxyethyl (meth)acrylate, polyoxyethylene nonylphenyl ether (meth)acrylate, isobornyl (meth)acrylate, adamantyl (meth)acrylate, methyladamantyl (metha)acrylate )acrylate, ethyladamantyl (meth)acrylate, bornyl (meth)acrylate, tricyclodecanyl (meth)acrylate, dicyclopentanyl (meth)acrylate, dicyclopentenyl (meth)acrylate , cyclohexyl (meth)acrylate, butylcyclohexyl (meth)acrylate, methyl (meth)acrylate, ethyl (meth)acrylate, propyl (meth)acrylate, isopropyl (meth)acrylate, butyl (meth)acrylate )Acrylate, amyl (meth)acrylate, isobutyl (meth)acrylate, t-butyl (meth)acrylate, pentyl (meth)acrylate, hexyl (meth)acrylate, heptyl (meth)acrylate, octyl (meth)acrylate, isooctyl (meth)acrylate, ethylhexyl (meth)acrylate, nonyl (meth)acrylate, decyl (meth)acrylate, isodecyl (meth)acrylate, undecyl (meth)acrylate Dodecyl (meth)acrylate, lauryl (meth)acrylate, stearyl (meth)acrylate, isostearyl (meth)acrylate, benzyl (meth)acrylate, ethoxydiethylene glycol (meth) acrylate, polyethylene glycol mono(meth)acrylate, polypropylene glycol mono(meth)acrylate, methoxyethylene glycol (meth)acrylate, ethoxyethyl (meth)acrylate, or mixtures thereof. However, it is not limited thereto.

다관능 (메타)아크릴레이트는 예를 들어, 에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트,트리에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 디에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 1,4-부탄디올디(메타)아크릴레이트, 1,6-헥산디올디(메타)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜디(메타)아크릴레이트, 펜타에리트리톨디(메타)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리(메타)아크릴레이트, 펜타에리트리톨테트라(메타)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨디(메타)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨트리(메타)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨펜타(메타)아크릴레이트, 펜타에리트리톨헥사(메타)아크릴레이트, 비스페놀 A 에폭시아크릴레이트, 비스페놀 A 디(메타)아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리(메타)아크릴레이트, 노볼락에폭시 (메타)아크릴레이트, 에틸렌글리콜모노메틸에테르(메타)아크릴레이트, 트리스(메타)아크릴로일옥시에틸 포스페이트, 디에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 트리에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 프로필렌글리콜디(메타)아크릴레이트일 또는 이들의 혼합물을 포함할 수 있다. 다만, 이에 제한되는 것은 아니다. Polyfunctional (meth)acrylates, for example, ethylene glycol di (meth) acrylate, triethylene glycol di (meth) acrylate, diethylene glycol di (meth) acrylate, 1,4-butanediol di (meth) Acrylates, 1,6-hexanediol di(meth)acrylate, neopentylglycol di(meth)acrylate, pentaerythritol di(meth)acrylate, pentaerythritol tri(meth)acrylate, pentaerythritol tetra (meth)acrylate, dipentaerythritol di(meth)acrylate, dipentaerythritol tri(meth)acrylate, dipentaerythritol penta(meth)acrylate, pentaerythritol hexa(meth)acrylate, bisphenol A epoxy acrylate, bisphenol A di(meth)acrylate, trimethylolpropane tri(meth)acrylate, novolakepoxy(meth)acrylate, ethylene glycol monomethyl ether(meth)acrylate, tris(meth)acrylo yloxyethyl phosphate, diethylene glycol di(meth)acrylate, triethylene glycol di(meth)acrylate, propylene glycol di(meth)acrylate, or mixtures thereof. However, it is not limited thereto.

일 실시예의 양자점 조성물(QCP)은 필요에 따라 추가 첨가제를 더 포함하는 것일 수 있다. 첨가제는 양자점 조성물(QCP)에 요구되는 물성을 조절하게 위해 당 기술분야에 알려진 일반적인 첨가제가 적절하게 선택될 수 있다. 예를 들어, 광안정제, 가교제, 산화방지제, 연쇄이동제, 광증감제, 중합금지제, 레벨링제, 계면활성제, 밀착성부여제, 가소제, 자외선흡수제, 저장안정제, 대전방지제, 무기충전제, 안료, 및 염료 등을 들 수 있지만 이들에 한정되지 않는다. 첨가제는 단독으로 사용하거나 2종 이상 혼용하여 사용할 수 있다. The quantum dot composition (QCP) of one embodiment may further include additional additives as needed. Additives may be appropriately selected from general additives known in the art in order to adjust the physical properties required for the quantum dot composition (QCP). For example, light stabilizers, crosslinking agents, antioxidants, chain transfer agents, photosensitizers, polymerization inhibitors, leveling agents, surfactants, adhesion imparting agents, plasticizers, ultraviolet absorbers, storage stabilizers, antistatic agents, inorganic fillers, pigments, and Dye etc. are mentioned, but it is not limited to these. Additives may be used alone or in combination of two or more.

일 실시예의 양자점 조성물(QCP)에서 제1 화합물(AD1)이 제1 작용기 및 제3 작용기를 포함하는 경우 제1 화합물(AD1)은 광 경화 이후 광제어부(CCP) 내에서 양자점(QC)이 분산되는 매질을 형성할 수 있으면서도 수분 및/또는 산소로부터 양자점(QD)을 보호하는 역할을 하여 표시 장치(DD)의 발광 효율 및 신뢰성이 더욱 향상될 수 있다. In the quantum dot composition (QCP) of an embodiment, when the first compound (AD1) includes the first functional group and the third functional group, the quantum dots (QC) are dispersed in the light control unit (CCP) after the first compound (AD1) is cured. The light emitting efficiency and reliability of the display device DD may be further improved by serving to protect the quantum dots QD from moisture and/or oxygen while forming a medium for the light emission.

일 실시예에서, 제1 화합물이 제1 작용기 및 제3 작용기를 포함하는 경우, 하기 화학식 3-1 내지 화학식 3-3 중 어느 하나로 표시될 수 있다. In one embodiment, when the first compound includes a first functional group and a third functional group, it may be represented by any one of Chemical Formulas 3-1 to 3-3.

[화학식 3-1][Formula 3-1]

Figure pat00039
Figure pat00039

[화학식 3-2][Formula 3-2]

Figure pat00040
Figure pat00040

[화학식 3-3][Formula 3-3]

Figure pat00041
Figure pat00041

화학식 3-1에서, R1' 및 R2'는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 2가의 알킬기일 수 있다. In Formula 3-1, R 1 'and R 2 ' may each independently be a substituted or unsubstituted divalent alkyl group having 1 to 20 carbon atoms.

화학식 3-1 내지 화학식 3-3에서, M1 및 M2는 각각 독립적으로 (메타)아크릴레이트기일 수 있다. 예를 들어, M1 및 M2는 각각 독립적으로 하기 화학식 3a로 표시될 수 있다. In Formula 3-1 to Formula 3-3, M 1 and M 2 may each independently be a (meth)acrylate group. For example, M 1 and M 2 may each independently be represented by Formula 3a below.

화학식 3-2 및 화학식 3-3에서, L1 및 L2는 각각 독립적으로 직접 결합, 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 2가의 알킬기일 수 있다. In Chemical Formulas 3-2 and 3-3, L 1 and L 2 may each independently be a direct bond or a substituted or unsubstituted divalent alkyl group having 1 to 20 carbon atoms.

화학식 3-1 내지 화학식 3-3에서, Ra 내지 Rc는 각각 독립적으로 수소 원자, 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기일 수 있다. In Chemical Formulas 3-1 to 3-3, R a to R c may each independently be a hydrogen atom or a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms.

화학식 3-2 및 화학식 3-3에서, a는 1 또는 2 일 수 있다. In Formulas 3-2 and 3-3, a may be 1 or 2.

화학식 3-1 내지 화학식 3-3에서, R3 및 R4는 상기 화학식 1에서 설명한 내용과 동일한 내용이 적용될 수 있다. In Chemical Formulas 3-1 to 3-3, the same information as described in Chemical Formula 1 may be applied to R 3 and R 4 .

[화학식 3a][Formula 3a]

Figure pat00042
Figure pat00042

화학식 3a에서, Rd는 수소 원자, 또는 치환 또는 비치환된 메틸기일 수 있다. In Formula 3a, R d may be a hydrogen atom or a substituted or unsubstituted methyl group.

일 실시예의 양자점 조성물(QCP)은 2종 이상의 제1 화합물(AD1)을 포함할 수 있다. 양자점 조성물(QCP)이 2종 이상의 제1 화합물(AD1)을 포함하는 경우, 제1 화합물(AD1)은 제1 작용기를 포함하는 제1 화합물(AD1)과 제1 작용기 및 제3 작용기를 모두 포함하는 제1 화합물(AD1)을 포함하는 것일 수 있다. 다만, 이에 제한되는 것은 아니다. The quantum dot composition (QCP) of an embodiment may include two or more kinds of first compounds (AD1). When the quantum dot composition (QCP) includes two or more types of first compounds (AD1), the first compound (AD1) includes the first compound (AD1) including the first functional group and both the first functional group and the third functional group. It may include a first compound (AD1) to do. However, it is not limited thereto.

일 실시예의 양자점 조성물(QCP)이 제1 작용기 및 제3 작용기를 포함하는 제1 화합물(AD1)을 포함하는 경우, 양자점 조성물(QCP)은 적어도 하나의 광 개시제를 더 포함하는 것일 수 있다. 양자점 조성물(QCP)이 복수 개의 광 개시제를 포함하는 경우, 상이한 광 개시제들은 서로 다른 중심 파장의 자외선 광에 의해 활성화되는 것일 수 있다. When the quantum dot composition (QCP) of an embodiment includes the first compound (AD1) including the first functional group and the third functional group, the quantum dot composition (QCP) may further include at least one photoinitiator. When the quantum dot composition (QCP) includes a plurality of photoinitiators, different photoinitiators may be activated by ultraviolet light having different central wavelengths.

광 개시제는 2,2-디메톡시-1,2-디페닐에타-1-온(2,2-dimethoxy-1,2-diphenylethan-1-one, 1-하이드록시-사이클로헥실-페닐-케톤(1-hydroxy-cyclohexyl-phenyl-ketone), 2-하이드록시-2-메틸-1-페닐-1-프로판온(2-hydroxy-2-methyl-1-phenyl-1-propanone), 2-하이드록시-1-[4-(2-하이드록시에톡시)페닐]-2-메틸-1-프로판온(2-hydroxy-1-[4-(2-hydroxyethoxy)phenyl]-2-methyl-1-propanone), 및 2-하이드록시-1-{4-[4-(2-하이드록시-2-메틸-프로피오닐)-벤질]-페닐}-2-메틸프로파-1-원(2-hydroxy-1-{4-[4-(2-hydroxy-2-methyl-propionyl)-benzyl]-phenyl}-2-methylpropan-1-one) 중 선택되는 어느 하나일 수 있다.The photoinitiator is 2,2-dimethoxy-1,2-diphenylethan-1-one, 1-hydroxy-cyclohexyl-phenyl-ketone (1-hydroxy-cyclohexyl-phenyl-ketone), 2-hydroxy-2-methyl-1-phenyl-1-propanone, 2-hydroxy-2-methyl-1-phenyl-1-propanone hydroxy-1-[4-(2-hydroxyethoxy)phenyl]-2-methyl-1-propanone (2-hydroxy-1-[4-(2-hydroxyethoxy)phenyl]-2-methyl-1- propanone), and 2-hydroxy-1-{4-[4-(2-hydroxy-2-methyl-propionyl)-benzyl]-phenyl}-2-methylprop-1-one (2-hydroxy -1-{4-[4-(2-hydroxy-2-methyl-propionyl)-benzyl]-phenyl}-2-methylpropan-1-one).

또한, 광 개시제는 2-메틸-1-[4-(메틸티오)페닐]-2-몰포리노프로파-1-논(2-methyl-1[4-(methylthio)phenyl]-2-morpholinopropan-1-one), 2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-몰포리노페닐)-부타논-1(2-benzyl-2-dimethylamino-1-(4-morpholinophenyl)-butanone-1), 2-디메틸아미노-2-(4-메틸-벤질)-1-(4-몰포린-4-일-페닐)-부타-1-논(2-dimethylamino-2-(4-methyl-benzyl)-1-(4-morpholin-4-yl-phenyl)-butan-1-one), 2,4,6-트리메틸벤조일-디페닐포스핀 옥사이드(2,4,6-trimethylbenzoyl-diphenylphosphine oxide), 2,4,6-트리메틸벤조일-디페닐 포스피네이트(2,4,6-trimethylbenzoyl-diphenyl phosphinate), 비스(2,4,6-트리메틸벤조일)-페닐포스핀옥사이드(bis(2,4,6-trimethylbenzoyl)-phenylphosphineoxide), [1-(4-페닐설파닐벤조일)헵틸리덴아미노]벤조에이트([1-(4-phenylsulfanylbenzoyl)heptylideneamino]benzoate), [1-[9-에틸-6-(2-메틸벤조일)카바조-3-일]에틸리덴아미노] 아세테이트([1-[9-ethyl-6-(2-methylbenzoyl)carbazol-3-yl]ethylideneamino] acetate), 및 비스(2,4-사이클로펜타디에닐)비스[2,6-디플루오로-3-(1-피릴)페닐] 티타늄(IV)(Bis(2,4-cyclopentadienyl)bis[2,6-difluoro-3-(1-pyrryl)phenyl] titanium(IV)) 중 선택되는 어느 하나일 수 있다.In addition, the photoinitiator is 2-methyl-1-[4-(methylthio)phenyl]-2-morpholinopropan-1-non (2-methyl-1[4-(methylthio)phenyl]-2-morpholinopropan- 1-one), 2-benzyl-2-dimethylamino-1-(4-morpholinophenyl)-butanone-1 (2-benzyl-2-dimethylamino-1-(4-morpholinophenyl)-butanone-1), 2-dimethylamino-2-(4-methyl-benzyl)-1-(4-morpholin-4-yl-phenyl)-butan-1-one (2-dimethylamino-2-(4-methyl-benzyl)- 1-(4-morpholin-4-yl-phenyl)-butan-1-one), 2,4,6-trimethylbenzoyl-diphenylphosphine oxide, 2, 4,6-trimethylbenzoyl-diphenyl phosphinate (2,4,6-trimethylbenzoyl-diphenyl phosphinate), bis (2,4,6-trimethylbenzoyl) -phenylphosphine oxide (bis (2,4,6- trimethylbenzoyl)-phenylphosphineoxide), [1-(4-phenylsulfanylbenzoyl)heptylideneamino]benzoate ([1-(4-phenylsulfanylbenzoyl)heptylideneamino]benzoate), [1-[9-ethyl-6-(2 -methylbenzoyl)carbazol-3-yl]ethylideneamino]acetate ([1-[9-ethyl-6-(2-methylbenzoyl)carbazol-3-yl]ethylideneamino]acetate), and bis(2,4- Cyclopentadienyl)bis[2,6-difluoro-3-(1-pyryl)phenyl] Titanium(IV) (Bis(2,4-cyclopentadienyl)bis[2,6-difluoro-3-(1- pyrryl) phenyl] titanium (IV)).

일 실시에에서, 제1 화합물(AD1)은 하기 화합물군 1 내지 화합물군 3에 표시된 화합물들 중 어느 하나일 수 있다. 일 실시예의 복수의 광제어부(CCP1, CCP2, CCP3) 중 적어도 하나는 화합물군 1 내지 화합물군 3에 표시된 화합물들 중 적어도 하나의 화합물을 포함할 수 있다. In one embodiment, the first compound (AD1) may be any one of the compounds shown in Compound Group 1 to Compound Group 3 below. At least one of the plurality of light control units CCP1 , CCP2 , and CCP3 according to an embodiment may include at least one compound among compounds shown in Compound Group 1 to Compound Group 3 .

[화합물군 1][Compound group 1]

Figure pat00043
Figure pat00043

Figure pat00044
Figure pat00044

[화합물군 2][Compound group 2]

Figure pat00045
Figure pat00045

[화합물군 3][Compound group 3]

Figure pat00046
Figure pat00046

다시 도 4a를 참조하면, 양자점 조성물(QCP)은 양자점(QD) 및 제1 화합물(AD1)이 분산된 용매(SV)를 포함할 수 있다. 양자점(QD) 및 제1 화합물(AD1)은 용매(SV)에 분산되어 제공될 수 있다. 광제어부(CCP)를 형성하는 단계에서, 용매(SV)는 제거될 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니며, 용매(SV) 중 일부는 광제어부(CCP)에 남아있을 수도 있다. Referring back to FIG. 4A , the quantum dot composition QCP may include a solvent SV in which the quantum dots QD and the first compound AD1 are dispersed. The quantum dots (QD) and the first compound (AD1) may be provided while being dispersed in the solvent (SV). In the step of forming the light control unit CCP, the solvent SV may be removed. However, it is not limited thereto, and some of the solvent SV may remain in the light control unit CCP.

용매(SV)는 유기 용매 또는 물과 같은 무기 용매일 수 있다. 유기 용매는 예를 들어, 헥세인(Hexane), 톨루엔(Toluene), 클로로포름(Chloroform), 디메틸설폭사이드(Dimethyl sulfoxide), 옥테인(octane), 자일렌(xylene), 헥사데케인(hexadecane), 사이클로헥실벤젠(cyclohexylbenzene), 트리에틸렌 글리콜 모노부틸 에터(triethylene glycol monobutyl ether) 또는 디메틸포름아미드(Dimethyl formamide) 데칸(Decane), 도데칸 헥사데케인(Dodecane Hexadecene), 사이클로헥실벤젠(Cyclohexylbenzene), 테트라히드로나프탈렌(Tetrahydronaphthalene), 에틸나프탈렌(Ethylnaphthalene), 에틸비페닐(Ethylbiphenyl), 아이소프로필나프탈렌(Isopropylnaphthalene), 디아이소프로필나프탈렌(Diisopropylnaphthalene), 디아이소프로필비페닐(Diisopropylbiphenyl), 자일렌(Xylene), 아이소프로필벤젠(IsoPropylbenzene), 펜틸벤젠(pentylbenznene), 디아이소프로필벤젠(diisopropylbenzene), 데카히드로나프탈렌(Decahydronaphthalene), 페닐나프탈렌(Phenylnaphthalene), 사이클로헥실데카히드로나프탈렌(Cyclohexyldecahydronaphthalene), 데실벤젠(Decylbenzene), 도데실벤젠(Dodecylbenzene), 옥틸벤젠(Octylbenzene), 사이클로헥산(Cyclohexane), 사이클로펜탄(Cyclopentane), 사이클로헵탄(Cycloheptane), 메탄올(Methanol), 에탄올(Ethanol), 프로판올(Propanol), 이소프로판올(Isopropanol), 에틸렌 글리콜(Ethylene glycol), 프로필렌 글리콜(Propylene glycol), 또는 디에틸렌 글리콜(Diethylene glycol) 등을 포함할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.The solvent SV may be an organic solvent or an inorganic solvent such as water. Organic solvents include, for example, hexane, toluene, chloroform, dimethyl sulfoxide, octane, xylene, hexadecane, Cyclohexylbenzene, triethylene glycol monobutyl ether or dimethyl formamide Decane, Dodecane Hexadecene, Cyclohexylbenzene, Tetra Hydronaphthalene, Ethylnaphthalene, Ethylbiphenyl, Isopropylnaphthalene, Diisopropylnaphthalene, Diisopropylbiphenyl, Xylene, Iso IsoPropylbenzene, pentylbenznene, diisopropylbenzene, decahydronaphthalene, phenylnaphthalene, cyclohexyldecahydronaphthalene, decylbenzene, dodecyl Benzene, Octylbenzene, Cyclohexane, Cyclopentane, Cycloheptane, Methanol, Ethanol, Propanol, Isopropanol, Ethylene It may include glycol (Ethylene glycol), propylene glycol (Propylene glycol), diethylene glycol (Diethylene glycol), etc., but is not limited thereto.

일 실시예에서, 양자점 조성물(QCP) 전체 함량 100wt%를 기준으로, 제1 화합물(AD1)의 함량은 30wt% 이하일 수 있다. 예를 들어, 제1 화합물(AD1)의 함량은 0.01wt% 이상 30wt% 이하일 수 있다. 양자점 조성물(QCP)에 포함되는 제1 화합물(AD1)의 함량이 전술한 범위를 만족하는 경우, 전제 조성물 내에서 양자점(QC)의 분산에 대하여 부정적인 영향을 주지 않으면서 충분한 수분 포집 효과를 얻을 수 있으므로 표시 장치(DD)의 발광 효율 특성 및 신뢰성이 향상될 수 있다. 제1 화합물(AD1)의 함량이 30wt% 초과인 경우 양자점(QC)의 분산 특성이 저하되고, 양자점 조성물(QCP)에 포함되는 다른 성분들의 기능이 저하될 수 있다. In one embodiment, the content of the first compound (AD1) may be 30 wt% or less based on 100 wt% of the total content of the quantum dot composition (QCP). For example, the content of the first compound (AD1) may be 0.01 wt% or more and 30 wt% or less. When the content of the first compound (AD1) included in the quantum dot composition (QCP) satisfies the aforementioned range, a sufficient moisture trapping effect can be obtained without adversely affecting the dispersion of the quantum dots (QC) in the entire composition. Therefore, light emitting efficiency characteristics and reliability of the display device DD may be improved. When the content of the first compound AD1 exceeds 30 wt%, the dispersion characteristics of the quantum dots QC may deteriorate and the functions of other components included in the quantum dot composition QCP may deteriorate.

도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 광제어부재의 일부분을 나타낸 단면도이다. 도 5에서는 도 3a의 AA 영역을 확대한 도면을 도시하였다. 이하에서는, 복수의 광제어부(CCP1, CCP2, CCP3) 중 제1 광제어부(CCP1) 구조를 중심으로 도시되나, 이하, 제1 광제어부(CCP1)에 대한 설명은 제2 광제어부(CCP2) 및 제3 광제어부(CCP3) 중 적어도 하나에 동일하게 적용될 수 있다. 5 is a cross-sectional view showing a part of a light control member according to an embodiment of the present invention. FIG. 5 shows an enlarged view of area AA of FIG. 3A. Hereinafter, the structure of the first light control unit CCP1 among the plurality of light control units CCP1 , CCP2 , and CCP3 is mainly illustrated, but the description of the first light control unit CCP1 will be described below. The same may be applied to at least one of the third light control units CCP3.

도 3a 및 도 5를 같이 참조하면, 일 실시예에 따른 광제어부재(CCM)에서 복수의 광제어부(CCP) 중 적어도 하나는 양자점(QD) 및 첨가제(AD)를 포함할 수 있다. 첨가제(AD)는 제1 작용기를 포함하거나, 또는 제1 작용기가 가수분해되어 형성된 기를 포함할 수 있다. 구체적으로, 첨가제(AD)는 제1 작용기를 포함하는 제1 화합물(AD1)을 포함하거나, 또는 제1 작용기가 가수분해되어 형성된 기를 포함하는 제2 화합물(AD2)을 포함하는 것일 수 있다. 제2 화합물(AD2)은 제1 화합물(AD1)이 가수분해되어 형성된 물질을 의미하는 것일 수 있다. 일 실시예에서, 제1 작용기는 아세탈기 및 케탈기 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 제1 작용기가 가수분해되어 형성된 기는 케톤기 또는 알데하이드기일 수 있다. Referring to FIGS. 3A and 5 together, in the light control member CCM according to an exemplary embodiment, at least one of the plurality of light control parts CCP may include quantum dots QD and an additive AD. The additive AD may include a first functional group or a group formed by hydrolysis of the first functional group. Specifically, the additive AD may include a first compound AD1 including a first functional group or a second compound AD2 including a group formed by hydrolysis of the first functional group. The second compound (AD2) may refer to a material formed by hydrolyzing the first compound (AD1). In one embodiment, the first functional group may include at least one of an acetal group and a ketal group. The group formed by hydrolysis of the first functional group may be a ketone group or an aldehyde group.

일 실시예에서, 제1 화합물(AD1)은 하기 화학식 1로 표시되고, 제2 화합물(AD2)은 하기 화학식 1A로 표시될 수 있다. In one embodiment, the first compound (AD1) may be represented by Chemical Formula 1, and the second compound (AD2) may be represented by Chemical Formula 1A below.

[화학식 1][Formula 1]

Figure pat00047
Figure pat00047

[화학식 1A][Formula 1A]

Figure pat00048
Figure pat00048

화학식 1에서, R1 및 R2는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기이다. 또는, R1 및 R2는 서로 결합하여 고리를 형성한다. 일 실시예에서, R1 및 R2는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 10 이하의 알킬기일 수 있다. 예를 들어, R1 및 R2는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 메틸기, 또는 치환 또는 비치환된 에틸기일 수 있다. In Formula 1, R 1 and R 2 are each independently a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms. Alternatively, R 1 and R 2 are bonded to each other to form a ring. In one embodiment, R 1 and R 2 may each independently be a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 10 carbon atoms. For example, R 1 and R 2 may each independently be a substituted or unsubstituted methyl group or a substituted or unsubstituted ethyl group.

화학식 1 및 화학식 1A에서, R3 및 R4는 각각 독립적으로 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 이상 20 이하의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 이상 20 이하의 알키닐기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로 아릴기이다.In Formula 1 and Formula 1A, R 3 and R 4 are each independently a hydrogen atom, a deuterium atom, a halogen atom, a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, and a substituted or unsubstituted alkene having 2 to 20 carbon atoms. A substituted or unsubstituted alkynyl group having 2 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 carbon atoms for ring formation, or a substituted or unsubstituted heteroaryl group with 2 to 30 carbon atoms for ring formation. .

첨가제(AD)는 하기 화학식 1-1 내지 화학식 1-6 중 어느 하나로 표시될 수 있다. 일 실시예에서, 제1 화합물(AD1)은 하기 화학식 1-1 내지 화학식 1-3 중 어느 하나로 표시되고, 제2 화합물(AD2)은 하기 화학식 1-4 내지 화학식 1-6 중 어느 하나로 표시될 수 있다. The additive (AD) may be represented by any one of Chemical Formulas 1-1 to 1-6. In one embodiment, the first compound AD1 is represented by any one of Formulas 1-1 to 1-3, and the second compound AD2 is represented by any one of Formulas 1-4 to 1-6 below. can

[화학식 1-1][Formula 1-1]

Figure pat00049
Figure pat00049

[화학식 1-2][Formula 1-2]

Figure pat00050
Figure pat00050

[화학식 1-3][Formula 1-3]

Figure pat00051
Figure pat00051

[화학식 1-4][Formula 1-4]

Figure pat00052
Figure pat00052

[화학식 1-5] [Formula 1-5]

Figure pat00053
Figure pat00053

[화학식 1-6][Formula 1-6]

Figure pat00054
Figure pat00054

상기 화학식 1-1 내지 화학식 1-6에서, R5 및 R6은 각각 독립적으로 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 치환 또는 비치환된 카복시기, 치환 또는 비치환된 티오기, 치환 또는 비치환된 아민기, 치환 또는 비치환된 포스핀기, 하이드록시기, 치환 또는 비치환된 옥시기, 니트로기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 이상 20 이하의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로 아릴기일 수 있다. 또는, R5 및 R6 각각은 인접하는 기와 결합하여 고리를 형성할 수 있다. In Formulas 1-1 to 1-6, R 5 and R 6 are each independently a hydrogen atom, a deuterium atom, a halogen atom, a substituted or unsubstituted carboxy group, a substituted or unsubstituted thio group, a substituted or unsubstituted amine group, a substituted or unsubstituted phosphine group, a hydroxyl group, a substituted or unsubstituted oxy group, a nitro group, a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, and a substituted or unsubstituted alkyl group having 2 to 20 carbon atoms It may be an alkenyl group, a substituted or unsubstituted aryl group having 6 or more and 30 or less ring carbon atoms, or a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 2 or more and 30 or less ring carbon atoms. Alternatively, each of R 5 and R 6 may bond to an adjacent group to form a ring.

상기 화학식 1-1 내지 화학식 1-6에서, R7 내지 R9는 각각 독립적으로 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로 아릴기일 수 있다. R7 및 R8은 각각 독립적으로 수소 원자, 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 10 이하의 알킬기일 수 있다. R9는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기일 수 있다. 예를 들어, R9는 치환 또는 비치환된 페닐기일 수 있다. In Formulas 1-1 to 1-6, R 7 to R 9 are each independently a hydrogen atom, a deuterium atom, a halogen atom, a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, or a substituted or unsubstituted ring. It may be an aryl group having 6 to 30 carbon atoms or a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 2 to 30 carbon atoms for forming a ring. R 7 and R 8 may each independently be a hydrogen atom or a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 10 carbon atoms. R 9 may be a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 carbon atoms. For example, R 9 may be a substituted or unsubstituted phenyl group.

상기 화학식 1-1 내지 화학식 1-6에서, n1 및 n2는 각각 독립적으로 0 이상 5 이하의 정수이다. n1 및 n2 각각이 0일 경우, 일 실시예의 제1 화합물은 R5 및 R6 각각으로 치환되지 않은 것일 수 있다. n1 및 n2 각각이 5이고, R5 및 R6 각각이 모두 수소 원자인 경우, n1 및 n2 각각이 0일 경우와 동일할 수 있다. n1 및 n2 각각이 2 이상의 정수일 경우, 복수로 제공되는 R5 및 R6 각각은 모두 동일한 것이거나, 또는 복수의 R5 및 R6 중 적어도 하나는 상이한 것일 수 있다. In Chemical Formulas 1-1 to 1-6, n1 and n2 are each independently an integer of 0 or more and 5 or less. When each of n1 and n2 is 0, the first compound of one embodiment may be unsubstituted with each of R 5 and R 6 . When each of n1 and n2 is 5 and each of R 5 and R 6 is a hydrogen atom, it may be the same as when each of n1 and n2 is 0. When each of n1 and n2 is an integer of 2 or greater, a plurality of R 5 and R 6 may be the same, or at least one of the plurality of R 5 and R 6 may be different.

상기 화학식 1-1 내지 화학식 1-6에서, R1 내지 R3은 상기 화학식 1에서 설명한 내용과 동일한 내용이 적용될 수 있다. In Formulas 1-1 to 1-6, R 1 to R 3 may be the same as those described in Formula 1 above.

도 6a는 본 발명의 다른 실시예에 따른 광제어부재의 일부분을 나타낸 단면도이다. 도 6b는 양자점(QD) 및 양자점(QD) 표면에 결합되는 일 실시예의 첨가제(ADa) 구조를 포함하는 양자점 복합체(QD-C)를 개략적으로 도시한 도면이다. 도 6a에서는 도 3의 AA 영역을 확대한 도면을 도시하였다. 6A is a cross-sectional view showing a part of a light control member according to another embodiment of the present invention. 6B is a diagram schematically illustrating a quantum dot composite (QD-C) including a quantum dot (QD) and an additive (ADa) structure bonded to a surface of the quantum dot (QD) according to an embodiment. FIG. 6A shows an enlarged view of area AA of FIG. 3 .

도 3a, 도 6a 및 도 6b를 참고하면, 일 실시예에 따른 광제어층(CCL)에 포함된 복수의 광제어부(CCP1, CCP2, CCP3) 중 적어도 하나는 양자점 복합체(QD-C)를 포함할 수 있다. 광제어부들(CCP1, CCP2, CCP3) 중 적어도 하나에 포함되는 양자점 복합체(QD-C)는 양자점(QD)의 표면에 첨가제(ADa)가 결합된 것일 수 있다. 양자점 복합체(QD-C)는 양자점(QD)의 분산성 및 전하 주입 특성을 향상시키면서도 양자점(QD)의 산화 또는 부식을 방지하기 위한 첨가제(ADa)가 양자점(QD) 표면에 부착된 것일 수 있다. Referring to FIGS. 3A, 6A, and 6B, at least one of the plurality of light control units CCP1, CCP2, and CCP3 included in the light control layer CCL according to an exemplary embodiment includes a quantum dot composite QD-C. can do. The quantum dot complex QD-C included in at least one of the light control units CCP1 , CCP2 , and CCP3 may have an additive ADa bonded to a surface of the quantum dot QD. The quantum dot composite (QD-C) may be one in which an additive (ADa) for preventing oxidation or corrosion of the quantum dots (QD) is attached to the surface of the quantum dots (QD) while improving the dispersibility and charge injection characteristics of the quantum dots (QD). .

일 실시예에서, 첨가제(ADa)는 양자점(QD) 표면에 결합되는 제2 작용기(FG2)를 더 포함할 수 있다. 첨가제(ADa)는 제1 작용기(FG1)와 제2 작용기(FG2)를 포함하거나, 또는 제1 작용기(FG1)가 가수분해되어 형성된 기(HFG1)와 제2 작용기(FG2)를 포함하는 것일 수 있다. 구체적으로, 첨가제(ADa)는 제1 작용기(FG1)와 제2 작용기(FG2)를 포함하는 제1 화합물(AD1a)을 포함하는 것이거나, 또한, 첨가제(ADa)는 제1 작용기(FG1)가 가수분해된 기(HFG1) 및 제2 작용기(FG2)를 포함하는 제2 화합물(AD2a)을 포함할 수도 있다. 제2 화합물(AD2a)은 제1 화합물(AD1a)이 가수분해되어 형성된 물질일 수 있다. 제1 작용기(FG1)는 도 4a 등에서 전술한 제1 화합물(AD1)의 제1 작용기와 동일한 내용이 적용될 수 있다. 제2 작용기(FG2)는 양자점(QD)에 결합될 수 있는 치환기라면 특별히 한정되지는 않으나, 예를 들어, 카복시기, 티오기, 아민기, 포스핀기, 및 하이드록시기 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 일 실시예의 첨가제(ADa)가 제1 작용기(FG1) 및 제2 작용기(FG2)를 포함함에 따라, 첨가제(ADa)는 양자점(QD)의 표면 개질 특성을 향상시키면서도 양자점(QD)의 산화 및/또는 부식을 방지하는 역할을 할 수 있다. In an embodiment, the additive ADa may further include a second functional group FG2 bonded to the surface of the quantum dot QD. The additive ADa may include a first functional group (FG1) and a second functional group (FG2), or a group formed by hydrolysis of the first functional group (FG1) (HFG1) and a second functional group (FG2). there is. Specifically, the additive ADa includes the first compound AD1a including the first functional group FG1 and the second functional group FG2, or the additive ADa has the first functional group FG1 A second compound (AD2a) including a hydrolyzed group (HFG1) and a second functional group (FG2) may be included. The second compound AD2a may be a material formed by hydrolyzing the first compound AD1a. The same content as the first functional group of the first compound AD1 described above with reference to FIG. 4A may be applied to the first functional group FG1. The second functional group (FG2) is not particularly limited as long as it is a substituent capable of bonding to the quantum dot (QD), but may include, for example, at least one of a carboxy group, a thio group, an amine group, a phosphine group, and a hydroxy group. can As the additive (ADa) of an embodiment includes the first functional group (FG1) and the second functional group (FG2), the additive (ADa) improves the surface modification characteristics of the quantum dots (QD) while oxidizing and/or improving the quantum dots (QD). Alternatively, it may serve to prevent corrosion.

첨가제(ADa)는 연결부(CP)를 더 포함할 수 있다. 첨가제(ADa)의 연결부(CP)는 제1 작용기(FG1)와 제2 작용기(FG2)를 연결하는 것이거나, 또는 제1 작용기(FG1)가 가수분해되어 형성된 기(HFG1)와 제2 작용기(FG2)를 연결하는 것일 수 있다. 연결부(CP)는 첨가제(ADa)의 길이를 조절하여 양자점 조성물(QCP) 내에서 양자점 복합체(QD-C)가 분산되는 정도를 조절하는 기능을 수행할 수 있다. 연결부(CP)는 예를 들어, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 이상 20 이하의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 이상 20 이하의 알키닐기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 및 치환 또는 비치환된 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로 아릴기 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 연결부(CP)는 양자점 복합체(QD-C)가 분산되는 용매의 종류에 따라, 포함되는 작용기나 체인의 길이 등이 변경될 수 있다. 다만, 이에 제한되는 것은 아니며, 일 실시예의 첨가제(ADa)에서 연결부(CP)는 생략되고, 첨가제(ADa)의 제1 작용기(FG1)와 제2 작용기(FG2)는 직접 연결될 수 있고, 제1 작용기(FG1)가 가수분해되어 형성된 기(HFG1)와 제2 작용기(FG2)가 직접 연결될 수도 있다. The additive ADa may further include a connection part CP. The connecting portion CP of the additive ADa connects the first functional group FG1 and the second functional group FG2, or a group formed by hydrolysis of the first functional group FG1 and a second functional group ( FG2) may be connected. The connection part CP may perform a function of adjusting the degree of dispersion of the quantum dot composite QD-C in the quantum dot composition QCP by adjusting the length of the additive ADa. The connecting portion (CP) is, for example, a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted alkenyl group having 2 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted alkynyl group having 2 to 20 carbon atoms, It may include at least one of a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 carbon atoms and a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 2 to 30 carbon atoms. Depending on the type of solvent in which the quantum dot complex QD-C is dispersed, the functional groups included in the connecting portion CP or the length of the chain may be changed. However, it is not limited thereto, and in the additive ADa of an embodiment, the connecting portion CP may be omitted, and the first functional group FG1 and the second functional group FG2 of the additive ADa may be directly connected. The group (HFG1) formed by hydrolysis of the functional group (FG1) and the second functional group (FG2) may be directly connected.

일 실시예에서, 첨가제(ADa)는 하기 화학식 A 또는 화학식 B로 표시될 수 있다. 일 실시예의 첨가제(ADa)의 제1 화합물(AD1a)은 하기 화학식 A로 표시될 수 있고, 첨가제(ADa)의 제2 화합물(AD2a)은 하기 화학식 B로 표시될 수 있다. In one embodiment, the additive (ADa) may be represented by Formula A or Formula B below. The first compound (AD1a) of the additive (ADa) according to an embodiment may be represented by the following Chemical Formula A, and the second compound (AD2a) of the additive (ADa) may be represented by the following Chemical Formula (B).

[화학식 A][Formula A]

Figure pat00055
Figure pat00055

[화학식 B][Formula B]

Figure pat00056
Figure pat00056

화학식 A 및 화학식 B에서, Y는 제2 작용기(FG2)일 수 있다. 즉, Y는 치환 또는 비치환된 카복시기, 치환 또는 비치환된 티오기, 치환 또는 비치환된 아민기, 치환 또는 비치환된 포스핀기, 또는 하이드록시기일 수 있다. In Formula A and Formula B, Y may be a second functional group (FG2). That is, Y may be a substituted or unsubstituted carboxy group, a substituted or unsubstituted thio group, a substituted or unsubstituted amine group, a substituted or unsubstituted phosphine group, or a hydroxy group.

화학식 A 및 화학식 B에서, Z는 제1 작용기(FG1)와 제2 작용기(FG2)를 연결하는 연결부(CP)일 수 있다. Z는 직접 결합(direct linkage), 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 2가의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 이상 20 이하의 2가의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 이상 20 이하의 2가의 알키닐기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴렌기, 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로 아릴렌기일 수 있다. In Chemical Formulas A and B, Z may be a linking portion (CP) connecting the first functional group (FG1) and the second functional group (FG2). Z is a direct linkage, substituted or unsubstituted divalent alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, substituted or unsubstituted divalent alkenyl group having 2 to 20 carbon atoms, substituted or unsubstituted 2 to 20 carbon atoms It may be a divalent alkynyl group, a substituted or unsubstituted arylene group having 6 to 30 carbon atoms, or a substituted or unsubstituted hetero arylene group having 2 to 30 carbon atoms.

화학식 A 및 화학식 B에서, m1은 0 이상 20 이하의 정수이다. m1이 0인 경우, Z로 표시되는 연결 위치는 직접 결합일 수 있다. 즉, m1이 0인 경우 제1 화합물(AD1)은 제1 작용기(FG1)와 제2 작용기(FG2)를 연결하는 연결부(CP)를 포함하지 않는 것일 수 있다. In Formula A and Formula B, m1 is an integer of 0 or more and 20 or less. When m1 is 0, the linking position represented by Z may be a direct bond. That is, when m1 is 0, the first compound (AD1) may not include the connecting portion (CP) connecting the first functional group (FG1) and the second functional group (FG2).

화학식 A 및 화학식 B에서, R1 내지 R3은 상기 화학식 1에서 설명한 내용과 동일한 내용이 적용될 수 있다. In Formula A and Formula B, R 1 to R 3 may be the same as those described in Formula 1 above.

일 실시예에서, 첨가제(ADa)는 하기 화학식 2-1 내지 화학식 2-10 중 어느 하나로 표시될 수 있다. 첨가제(ADa)의 제1 화합물(AD1a)은 하기 화학식 2-1 내지 화학식 2-5 중 어느 하나로 표시될 수 있다. 첨가제(ADa)의 제2 화합물(AD2a)은 하기 화학식 2-6 내지 화학식 2-10 중 어느 하나로 표시될 수 있다. In one embodiment, the additive (ADa) may be represented by any one of Chemical Formulas 2-1 to 2-10. The first compound (AD1a) of the additive (ADa) may be represented by any one of Chemical Formulas 2-1 to 2-5 below. The second compound (AD2a) of the additive (ADa) may be represented by any one of Chemical Formulas 2-6 to 2-10 below.

[화학식 2-1][Formula 2-1]

Figure pat00057
Figure pat00057

[화학식 2-2][Formula 2-2]

Figure pat00058
Figure pat00058

[화학식 2-3][Formula 2-3]

Figure pat00059
Figure pat00059

[화학식 2-4][Formula 2-4]

Figure pat00060
Figure pat00060

[화학식 2-5][Formula 2-5]

Figure pat00061
Figure pat00061

[화학식 2-6] [Formula 2-6]

Figure pat00062
Figure pat00062

[화학식 2-7][Formula 2-7]

Figure pat00063
Figure pat00063

[화학식 2-8][Formula 2-8]

Figure pat00064
Figure pat00064

[화학식 2-9][Formula 2-9]

Figure pat00065
Figure pat00065

[화학식 2-10][Formula 2-10]

Figure pat00066
Figure pat00066

화학식 2-1 내지 화학식 2-5는 화학식 A에서 Z로 표시되는 치환기의 종류 및 개수가 특정된 경우를 나타내고, 화학식 2-6 내지 화학식 2-10은 화학식 B에서 Z로 표시되는 치환기의 종류 및 개수가 특정된 경우를 나타낸다. Chemical Formulas 2-1 to 2-5 represent cases in which the type and number of substituents represented by Z in Chemical Formula A are specified, and Chemical Formulas 2-6 to Chemical Formulas 2-10 represent the types of substituents represented by Z in Chemical Formula B and Indicates the case where the number is specified.

화학식 2-1 내지 화학식 2-10에서, Y는 치환 또는 비치환된 카복시기, 치환 또는 비치환된 티오기, 치환 또는 비치환된 아민기, 치환 또는 비치환된 포스핀기, 또는 치환 또는 하이드록시기일 수 있다. 예를 들어, Y는 비치환된 카복시기, 비치환된 티오기, 비치환된 아민기, 비치환된 포스핀기, 또는 하이드록시기일 수 있다. In Formulas 2-1 to 2-10, Y is a substituted or unsubstituted carboxyl group, a substituted or unsubstituted thio group, a substituted or unsubstituted amine group, a substituted or unsubstituted phosphine group, or a substituted or hydroxyl group. it can be For example, Y may be an unsubstituted carboxy group, an unsubstituted thio group, an unsubstituted amine group, an unsubstituted phosphine group, or a hydroxy group.

화학식 2-1 내지 화학식 2-10에서, A1은 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴렌기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로 아릴렌기일 수 있다. 일 실시예에서, A1은 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴렌기일 수 있다. 예를 들어, A1은 치환 또는 비치환된 페닐렌일 수 있다. In Formulas 2-1 to 2-10, A 1 may be a substituted or unsubstituted arylene group having 6 or more and 30 or less ring carbon atoms, or a substituted or unsubstituted hetero arylene group having 2 or more and 30 or less ring carbon atoms. . In one embodiment, A 1 may be a substituted or unsubstituted arylene group having 6 or more and 30 or less ring carbon atoms. For example, A 1 may be substituted or unsubstituted phenylene.

화학식 2-1 내지 화학식 2-10에서, n3 내지 n7은 각각 독립적으로 0 이상 20 이하의 정수이다. In Formulas 2-1 to 2-10, n3 to n7 are each independently an integer of 0 or more and 20 or less.

화학식 2-1 내지 화학식 2-10에서, R1 내지 R3에 대하여는 상기 화학식 1에서 설명한 내용과 동일한 내용이 적용될 수 있다. In Chemical Formulas 2-1 to 2-10, the same information as described in Chemical Formula 1 may be applied to R 1 to R 3 .

다시 도 3a 및 6a를 참조하면, 일 실시예의 광제어층(CCL)에서 복수의 광제어부(CCP1, CCP2, CCP3) 중 적어도 하나는 일 실시예의 양자점 조성물(QCP)로부터 형성된 것일 수 있다.Referring back to FIGS. 3A and 6A , at least one of the plurality of light control units CCP1 , CCP2 , and CCP3 in the light control layer CCL according to an embodiment may be formed from the quantum dot composition QCP according to an embodiment.

복수의 광제어부(CCP1, CCP2, CCP3) 중 적어도 하나는 복수 개의 양자점 복합체(QD-C)를 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 복수의 광제어부(CCP1, CCP2, CCP3) 중 제1 광제어부(CCP1) 및 제2 광제어부(CCP2)는 각각 일 실시예의 양자점 조성물(QCP)로부터 형성되고, 제1 광제어부(CCP1) 및 제2 광제어부(CCP2)는 각각 복수 개의 양자점 복합체(QD-C)를 포함할 수 있다. 광제어부들(CCP1, CCP2, CCP3) 중 적어도 하나가 복수 개의 양자점 복합체(QD-C)를 포함하는 경우, 적어도 하나의 광제어부(CCP)에 포함되는 양자점 복합체(QD-C)는 적층되어 층을 이룰 수 있다. 도 6a에서는 예시적으로 단면이 원형을 이루는 양자점 복합체(QD-C)들이 배열되어 대략적으로 2개의 층을 이루는 것으로 도시되었으나 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 광제어부(CCP)의 두께, 광제어부(CCP)에 포함된 양자점(QD)의 형상, 양자점들(QD)의 평균 직경, 양자점(QD)에 연결된 첨가제(ADa)의 종류 등에 따라 양자점 복합체(QD-C)의 배열이 달라질 수 있다. 구체적으로, 광제어부(CCP)에서 양자점 복합체(QD-C)들은 서로 이웃하도록 정렬되어 하나의 층을 구성하거나, 또는 2층 또는 3층 등의 복수의 층을 이루도록 정렬될 수 있다.At least one of the plurality of light control units CCP1 , CCP2 , and CCP3 may include a plurality of quantum dot complexes QD-C. In one embodiment, the first light control part CCP1 and the second light control part CCP2 among the plurality of light control parts CCP1 , CCP2 , and CCP3 are each formed from the quantum dot composition QCP of one embodiment, and the first light control part (CCP1) and the second light control unit (CCP2) may each include a plurality of quantum dot composites (QD-C). When at least one of the light control units CCP1 , CCP2 , and CCP3 includes a plurality of quantum dot composites QD-C, the quantum dot composites QD-C included in the at least one light control unit CCP are stacked in layers. can achieve In FIG. 6A, quantum dot composites (QD-C) having a circular cross section are illustratively arranged to form approximately two layers, but the embodiment is not limited thereto. For example, according to the thickness of the light control unit CCP, the shape of the quantum dots QD included in the light control unit CCP, the average diameter of the quantum dots QD, the type of additive ADa connected to the quantum dots QD, etc. The arrangement of the quantum dot complex (QD-C) may vary. Specifically, in the light control unit (CCP), the quantum dot complexes (QD-C) may be arranged to be adjacent to each other to form one layer or to form a plurality of layers such as two or three layers.

첨가제(ADa)의 제2 작용기(FG2)는 양자점(QD)의 표면에 결합하고, 제1 작용기(FG1)는 외부로 노출될 수 있다. 도 6b에 도시된 바와 같이, 제2 작용기(FG2)가 양자점(QD) 표면에 결합함에 따라, 양자점(QD)의 산화 및/또는 부식을 방지하는 역할을 하는 제1 작용기(FG1)가 양자점(QD) 외부로 노출될 수 있다. The second functional group FG2 of the additive ADa may bind to the surface of the quantum dot QD, and the first functional group FG1 may be exposed to the outside. As shown in FIG. 6B, as the second functional group FG2 is bonded to the surface of the quantum dot QD, the first functional group FG1 serving to prevent oxidation and/or corrosion of the quantum dot QD ( QD) can be exposed to the outside.

본 발명의 일 실시예에 따른 양자점 조성물에 포함된 양자점 복합체(QD-C)는 양자점(QD) 표면에 결합하는 제2 작용기(FG2), 및 제2 작용기(FG2)와 연결되어 양자점(QD) 외부로 노출되는 제1 작용기(FG1)를 포함하는 첨가제(ADa)를 포함한다. 이에 따라, 일 실시예의 첨가제(ADa)는 양자점 조성물 내에서 양자점(QD)의 분산성 및 전하 수송 특성을 높이면서도, 양자점(QD)의 산화 및/또는 부식을 방지할 수 있어, 표시 장치(DD)에 적용되었을 때 우수한 발광 효율 및 수명 특성을 나타낼 수 있다. The quantum dot complex (QD-C) included in the quantum dot composition according to an embodiment of the present invention has a second functional group (FG2) bound to the surface of the quantum dot (QD), and is connected to the second functional group (FG2) to form a quantum dot (QD) and an additive (ADa) including a first functional group (FG1) exposed to the outside. Accordingly, the additive (ADa) of an embodiment can prevent oxidation and/or corrosion of the quantum dots (QD) while improving the dispersibility and charge transport characteristics of the quantum dots (QD) in the quantum dot composition, so that the display device (DD) ), it can exhibit excellent luminous efficiency and lifespan characteristics.

도 7a는 일 실시예에 따른 표시 장치를 제조하는 방법을 나타낸 순서도이다. 도 7b는 일 실시예에 따른 광제어층을 형성하는 단계(S200)를 세분화한 순서도이다.7A is a flowchart illustrating a method of manufacturing a display device according to an exemplary embodiment. 7B is a flow chart in which a step (S200) of forming a light control layer is subdivided according to an exemplary embodiment.

도 7a을 참조하면, 일 실시예에 따른 표시 장치를 제조하는 방법은 표시 패널을 준비하는 단계(S100), 및 광제어층을 형성하는 단계(S200)를 포함한다.Referring to FIG. 7A , a method of manufacturing a display device according to an exemplary embodiment includes preparing a display panel ( S100 ) and forming a light control layer ( S200 ).

도 7b를 참조하면, 일 실시예에 따른 광제어층을 형성하는 단계(S200)는 양자점 조성물을 제공하여 예비 광제어부를 형성하는 단계(S210), 및 예비 광제어부를 제1 온도에서 건조 또는 열처리하는 단계(S220)를 포함한다.Referring to FIG. 7B , forming a light control layer according to an embodiment (S200) includes forming a preliminary light control unit by providing a quantum dot composition (S210), and drying or heat-treating the preliminary light control unit at a first temperature. It includes a step (S220) of doing.

도 8a 내지 도 8c는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법 중 일부 단계를 도시한 단면도들이다. 도 8a 내지 도 8c에서는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법 중 광제어층을 형성하는 단계를 순차적으로 도시하였다. 이하, 도 8a 내지 8c를 참조하여 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 설명함에 있어, 앞서 설명한 구성과 동일한 구성에 대해서는 동일한 참조부호를 부여하고 자세한 설명은 생략한다. 8A to 8C are cross-sectional views illustrating some steps of a manufacturing method of a display device according to an exemplary embodiment of the present invention. 8A to 8C sequentially illustrate steps of forming a light control layer in a method of manufacturing a display device according to an embodiment of the present invention. Hereinafter, in describing a method of manufacturing a display device according to an exemplary embodiment with reference to FIGS. 8A to 8C , the same reference numerals are assigned to components identical to those described above, and detailed descriptions thereof are omitted.

본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법에서는 표시 패널은 준비하는 단계, 및 표시 패널 상에 광제어층을 형성하는 단계를 포함한다.A manufacturing method of a display device according to an exemplary embodiment of the present invention includes preparing a display panel and forming a light control layer on the display panel.

도 8a를 참조하면, 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법 중 광제어층을 형성하는 단계는 기준면 상에 양자점 조성물(QCP)을 제공하여 예비 광제어부(P-CCP, 도 8b)를 형성하는 단계를 포함한다. 양자점 조성물(QCP)을 기준면 상에 제공하는 방법은 특별히 제한되지 않으며, 스핀 코팅법, 캐스트법, LB법(Langmuir-Blodgett), 잉크젯 프린팅법, 레이저 프린팅법, 레이저 열전사법(Laser Induced Thermal Imaging, LITI) 등과 같은 방법을 이용할 수 있다. 도 8a에서는 양자점 조성물(QCP)을 노즐(NZ)을 통해 기준면 상에 도포되는 것으로 도시하였으나, 이에 제한되지 않고 양자점 조성물(QCP)은 다양한 방법을 통해 기준면 상에 제공될 수 있다. Referring to FIG. 8A , forming a light control layer in a method of manufacturing a display device according to an exemplary embodiment includes providing a quantum dot composition (QCP) on a reference surface to form a preliminary light control part (P-CCP, FIG. 8B ). Include steps. The method of providing the quantum dot composition (QCP) on the reference surface is not particularly limited, and spin coating method, cast method, LB method (Langmuir-Blodgett), inkjet printing method, laser printing method, laser induced thermal imaging (Laser Induced Thermal Imaging, LITI) and the like can be used. 8A shows that the quantum dot composition (QCP) is applied on the reference surface through the nozzle (NZ), but is not limited thereto, and the quantum dot composition (QCP) may be provided on the reference surface through various methods.

또한, 도 8a 내지 도 8c에서는 양자점 조성물(QCP)이 도포되는 기준면을 제공하는 구성이 표시 소자층(DP-ED)인 것을 예시적으로 도시하였으나, 이에 제한되지 않고 양자점 조성물(QCP)은 광제어부재(CCM)에 포함된 기능층, 예를 들어, 베이스층(BL) 또는 컬러 필터층(CFL) 등이 제공하는 기준면 상에 도포될 수도 있다. 한편, 양자점 조성물(QCP)을 도포하는 단계 이전에, 기준면 상에 복수의 격벽(BK) 들을 패터닝하는 단계를 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 도 8a에서와 같이 기준면을 제공하는 구성이 표시 소자층(DP-ED)일 경우, 양자점 조성물(QCP)을 도포하는 단계 이전에, 기준면 상에 복수의 격벽(BK) 들을 패터닝하는 단계를 더 포함할 수 있다. In addition, FIGS. 8A to 8C exemplarily show that the display element layer (DP-ED) is a configuration providing a reference surface on which the quantum dot composition (QCP) is applied, but is not limited thereto, and the quantum dot composition (QCP) is light control A functional layer included in the member CCM, for example, a base layer BL or a color filter layer CFL, may be applied on a reference surface provided. Meanwhile, before the step of applying the quantum dot composition (QCP), a step of patterning a plurality of barrier ribs (BK) on the reference surface may be further included. For example, as shown in FIG. 8A, when the configuration for providing the reference surface is the display element layer (DP-ED), patterning a plurality of barrier ribs (BK) on the reference surface before applying the quantum dot composition (QCP). Further steps may be included.

양자점 조성물(QCP)은 복수의 격벽(BK)들 사이에 각각 적하될 수 있다. 양자점 조성물(QCP)은 양자점(QD) 및 제1 화합물(AD1)을 포함하고, 양자점 조성물(QCP)은 노즐(NZ)을 통해 복수의 격벽(BK)들 사이에 적하될 수 있다. 제1 화합물(AD1)은 제1 작용기를 포함하고, 제1 작용기는 아세탈기 및 케탈기 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 양자점 조성물(QCP)은 예비 광제어부(P-CCP)를 형성할 수 있다. 양자점 조성물(QCP)를 통해서 형성된 예비 광제어부(P-CCP)는 양자점(QD) 및 제1 화합물(AD1)을 포함할 수 있다. 양자점 조성물(QCP)는 용매(SV)를 포함할 수 있다. 양자점 조성물(QCP)은 용매(SV)에 분산된 양자점(QD) 및 제1 화합물(AD1)을 포함할 수 있다. The quantum dot composition (QCP) may be dropped between the plurality of barrier ribs (BK), respectively. The quantum dot composition QCP includes the quantum dots QD and the first compound AD1, and the quantum dot composition QCP may be dropped between the plurality of barrier ribs BK through the nozzle NZ. The first compound AD1 includes a first functional group, and the first functional group may include at least one of an acetal group and a ketal group. The quantum dot composition (QCP) may form a preliminary light control unit (P-CCP). The preliminary light control part P-CCP formed through the quantum dot composition QCP may include the quantum dots QD and the first compound AD1. The quantum dot composition (QCP) may include a solvent (SV). The quantum dot composition QCP may include the quantum dots QD and the first compound AD1 dispersed in the solvent SV.

도시하지는 않았으나, 예비 광제어부(P-CCP)를 형성하는 단계 이후에 노광 공정 및 프리 베이크(Pre-bake, PRB) 공정 중 적어도 어느 하나의 공정이 수행될 수 있다. 예를 들어, 예비 광제어부(P-CCP)를 형성한 이후에, 노광 공정을 거쳐 프리 베이크 공정이 수행될 수 있다. 노광 공정은 예비 광제어부(P-CCP)에 자외선광(UV)을 조사하는 단계일 수 있다. 노광 공정은 예비 광제어부(P-CCP)에 포함된 양자점 조성물을 자외선 경화하는 단계일 수 있다. 프리 베이크 공정의 온도 및 시간 등의 구체적인 조건은 재료의 종류 및 용량 등에 따라 적절하게 선택될 수 있다. 다만, 이에 제한되는 것은 아니며, 노광 공정 및 프리 베이크 공정은 경우에 따라서 생략될 수도 있다. Although not shown, at least one of an exposure process and a pre-bake (PRB) process may be performed after forming the preliminary light control unit P-CCP. For example, after forming the preliminary light control unit P-CCP, a pre-bake process may be performed through an exposure process. The exposure process may be a step of irradiating ultraviolet light (UV) to the preliminary light control unit (P-CCP). The exposure process may be a step of UV-curing the quantum dot composition included in the preliminary light control unit (P-CCP). Specific conditions such as temperature and time of the pre-bake process may be appropriately selected depending on the type and capacity of the material. However, it is not limited thereto, and the exposure process and the pre-bake process may be omitted in some cases.

도 8b는 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법에서 예비 광제어부(P-CCP)를 제1 온도에서 건조 또는 열처리하는 단계(S220)를 개략적으로 나타낸 도면이다. 일 실시예에 따른 예비 광제어부(P-CCP)를 제1 온도에서 건조 또는 열처리하는 단계는 예비 광제어부(P-CCP)를 제1 온도 조건에서 건조시키거나, 또는 제1 온도의 열을 가하여 예비 광제어부(P-CCP)에 포함된 제1 화합물(AD1)이 가수분해되는 반응을 유도하는 단계일 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따른 광제어층(CCL)을 형성하는 단계(S200)에서 제1 화합물(AD1)의 가수분해 정도는 예비 광제어부(P-CCP)를 제1 온도에서 건조 또는 열처리하는 단계에서 조절될 수 있다. 한편, 본 명세서에서, 제1 온도에서 건조 또는 열처리하는 단계는 "포스트 베이크(Post-bake, POB) 공정으로 지칭될 수 있다. FIG. 8B is a diagram schematically illustrating a step ( S220 ) of drying or heat-treating the preliminary light control unit (P-CCP) at a first temperature in the method of manufacturing a display device according to an exemplary embodiment. Drying or heat-treating the preliminary light control unit P-CCP at a first temperature according to an embodiment may include drying or heat-treating the preliminary light control unit P-CCP at the first temperature condition or applying heat at the first temperature. This may be a step of inducing a reaction in which the first compound AD1 included in the preliminary light control unit P-CCP is hydrolyzed. In the step of forming the light control layer (CCL) according to an embodiment of the present invention (S200), the degree of hydrolysis of the first compound (AD1) is determined by drying or heat-treating the preliminary light control layer (P-CCP) at a first temperature. can be adjusted in stages. Meanwhile, in the present specification, the drying or heat treatment at the first temperature may be referred to as a “post-bake (POB) process.

제1 화합물(AD1)의 가수분해 반응은 가역 반응일 수 있다. 아세탈기 또는 케탈기를 포함하는 제1 화합물(AD1)은 가수분해되어 케톤기 또는 알케하이드기를 포함하는 제2 화합물(AD2)을 형성하고, 부산물로 알코올을 형성할 수 있다. 제1 화합물(AD1)의 가수분해 반응이 가역 반응이므로 반응물의 온도 및 생성물의 농도와 같은 반응 조건들을 조절함으로써 반응을 정반응(forward direction)으로 유도할 수 있다. 예를 들어, 가수분해 반응 후에는 반응 부산물인 알코올을 반응계로부터 제거할 수 있다. 일 실시예에서, 알코올은 제1 온도에서 건조시키거나, 또는 제1 온도 조건에서 열처리함으로써 제거될 수 있다. 결론적으로, 반응계에서 생성된 알코올을 연속적으로 제거함으로써 제1 화합물(AD1)의 가수분해 반응을 정방향으로 가역 반응을 이동시킬 수 있고, 이에 의하여 제1 화합물(AD1)의 수분 포집이 더욱 용이해질 수 있다. The hydrolysis reaction of the first compound (AD1) may be a reversible reaction. The first compound AD1 including an acetal group or a ketal group may be hydrolyzed to form a second compound AD2 including a ketone group or an alkehydride group, and alcohol may be formed as a by-product. Since the hydrolysis reaction of the first compound (AD1) is a reversible reaction, the reaction may be induced in a forward direction by adjusting reaction conditions such as a temperature of a reactant and a concentration of a product. For example, after the hydrolysis reaction, alcohol as a reaction by-product can be removed from the reaction system. In one embodiment, alcohol may be removed by drying at a first temperature or heat treatment at a first temperature condition. In conclusion, the reversible reaction of the hydrolysis reaction of the first compound (AD1) can be moved in the forward direction by continuously removing the alcohol generated in the reaction system, whereby the water collection of the first compound (AD1) can be more easily performed. there is.

또한, 제1 화합물(AD1)의 가수분해 반응에 의해 생성된 부산물인 알코올은 예비 광제어부(P-CCP)를 제1 온도에서 건조 또는 열처리하는 단계(S220)에서 제거될 수 있다. 다만, 이에 제한되는 것은 아니며, 제1 화합물(AD1)의 가수분해 반응에 의해 생성된 알코올의 일부는 광제어부(CCP)에 남아있을 수도 있다. In addition, alcohol, which is a by-product generated by the hydrolysis reaction of the first compound AD1, may be removed in the step of drying or heat-treating the preliminary light control unit P-CCP at a first temperature (S220). However, it is not limited thereto, and a part of the alcohol generated by the hydrolysis reaction of the first compound (AD1) may remain in the light control unit (CCP).

일 실시예에서, 제1 온도는 특별히 제한되지 않지만, 제1 화합물(AD1)의 비점 미만일 수 있다. 예를 들어, 제1 온도는 0℃ 이상 180℃ 미만일 수 있다. 제1 온도가 제1 화합물(AD1)의 비점 미만인 경우 제1 온도에서 건조 또는 열처리하는 단계에서 제1 화합물(AD1)이 증발되지 않고 남아있을 수 있어 수분 포집이 더욱 효과적으로 발생될 수 있다. In one embodiment, the first temperature is not particularly limited, but may be lower than the boiling point of the first compound (AD1). For example, the first temperature may be greater than or equal to 0°C and less than 180°C. When the first temperature is lower than the boiling point of the first compound (AD1), the first compound (AD1) may remain without evaporation during the drying or heat treatment at the first temperature, and thus moisture collection may be more effectively generated.

이하에서는 본 발명의 양자점 조성물(QCP)에 포함된 제1 화합물(AD1)의 작용기전에 대해 상세히 설명한다. 일 실시예에 따른 양자점 조성물(QCP)에 포함된 제1 화합물(AD1)은 하기 반응식 1과 같은 메커니즘에 따라 가수분해될 수 있다. 하기 반응식 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 제1 화합물(AD1) 중 화학식 1로 표시되는 아세탈 화합물의 가수분해 메커니즘을 나타낸 것이다. 이는 본 발명을 설명하기 위한 예시일 뿐 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. Hereinafter, the mechanism of action of the first compound (AD1) included in the quantum dot composition (QCP) of the present invention will be described in detail. The first compound (AD1) included in the quantum dot composition (QCP) according to an embodiment may be hydrolyzed according to a mechanism shown in Scheme 1 below. Reaction Scheme 1 below shows a hydrolysis mechanism of an acetal compound represented by Chemical Formula 1 among the first compounds (AD1) according to an embodiment of the present invention. This is only an example for explaining the present invention, but the present invention is not limited thereto.

[반응식 1][Scheme 1]

Figure pat00067
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상기 반응식 1을 참조하면, 아세탈기를 포함하는 제1 화합물(AD1)은 수분 존재 하에서 가수분해되어 알데히드기를 포함하는 제2 화합물(AD2)를 제공할 수 있다. 상기 반응식 1에서는 산 촉매 존재 하에서 제1 화합물(AD1)이 가수분해 되는 것으로 도시하였으나, 이에 제한되지 않는다. 제1 화합물(AD1)의 가수분해 반응은 반응 조건, 반응물 등에 따라 산 촉매 없이 진행될 수도 있다. 제1 화합물(AD1)은 가수분해 반응에 의해 탈아세탈화될 수 있다. 제1 화합물(AD1)이 산 촉매 존재 하에서 가수분해되는 경우 가수분해에 사용되는 산 촉매로서는, 통상의 반응에 있어서 산으로 사용되는 것이라면 특별히 제한은 없으며, 제1 화합물(AD1)의 분자 구조나 반응 조건 등에 따라 적절하게 선택될 수 있다. Referring to Scheme 1, the first compound (AD1) containing an acetal group may be hydrolyzed in the presence of moisture to provide a second compound (AD2) containing an aldehyde group. In Reaction Scheme 1, it is shown that the first compound (AD1) is hydrolyzed in the presence of an acid catalyst, but is not limited thereto. The hydrolysis reaction of the first compound (AD1) may proceed without an acid catalyst depending on reaction conditions, reactants, and the like. The first compound (AD1) may be deacetalized by a hydrolysis reaction. When the first compound (AD1) is hydrolyzed in the presence of an acid catalyst, the acid catalyst used for hydrolysis is not particularly limited as long as it is used as an acid in a normal reaction, and the molecular structure or reaction of the first compound (AD1) It can be appropriately selected according to conditions and the like.

일 실시예에서, 제1 화합물(AD1)의 비점은 180℃ 이상일 수 있다. 제1 화합물(AD1)의 비점이 전술한 범위를 만족하는 경우, 표시 장치(DD) 제조 공정 중 고온에서 수행되는 공정 예를 들어, 베이크(bake) 공정 등에서 제1 화합물(AD1)이 제거되지 않고 최종적으로 얻어지는 광제어부(CCP) 내에 존재하게 될 수 있다. 이에 따라, 구동 중에서도 제1 화합물(AD1)에 의한 수분 포집이 가능하여 양자점(QD)의 광부식에 의한 열화 현상을 방지할 수 있으므로 표시 장치(DD)의 발광 특성 및 신뢰성이 더욱 향상될 수 있다. In one embodiment, the boiling point of the first compound (AD1) may be 180 °C or higher. When the boiling point of the first compound AD1 satisfies the aforementioned range, the first compound AD1 is not removed during a process performed at a high temperature during the manufacturing process of the display device DD, for example, a bake process. It may exist in the finally obtained light control unit (CCP). Accordingly, since moisture can be collected by the first compound AD1 even during driving, deterioration due to photocorrosion of the quantum dots QD can be prevented, and thus the light emitting characteristics and reliability of the display device DD can be further improved. .

도 8c를 참조하면, 광제어부(CCP)는 양자점(QD), 제1 화합물(AD1), 및 제2 화합물(AD2)을 포함할 수 있다. 제2 화합물(AD2)은 예비 광제어부(P-CCP)에 포함된 제1 화합물(AD1)이 가수분해되어 형성된 물질일 수 있다. 제2 화합물(AD2)은 제1 화합물(AD1)의 제1 작용기가 가수분해되어 형성된 기를 포함하는 것일 수 있다. 즉, 제2 화합물(AD2)은 제1 화합물(AD1)의 제1 작용기가 아닌 제1 작용기가 가수분해되어 형성된 기를 포함하는 것을 제외하고는 제1 화합물(AD1)과 동일한 구조를 가질 수 있다. 제1 화합물(AD1) 및 제2 화합물(AD2)은 최종적으로 제조된 광제어부(CCP) 내에 포함되어 존재하는 것일 수 있다. 다만, 이에 제한되는 것은 아니며, 제2 화합물(AD2)은 공정 과정에서 제거될 수도 있다. 예를 들어, 제2 화합물(AD2)은 예비 광제어부(P-CCP)를 제1 온도에서 건조 또는 열처리하는 단계(S220) 이후에 제거될 수도 있다. 한편, 양자점(QD), 제1 화합물(AD1), 및 제2 화합물(AD2)에 대한 설명은 앞서 도 4a 내지 도 6b에서 설명한 바와 동일한 설명이 적용될 수 있다.Referring to FIG. 8C , the light control unit CCP may include a quantum dot QD, a first compound AD1, and a second compound AD2. The second compound AD2 may be a material formed by hydrolyzing the first compound AD1 included in the preliminary light control unit P-CCP. The second compound (AD2) may include a group formed by hydrolyzing the first functional group of the first compound (AD1). That is, the second compound (AD2) may have the same structure as the first compound (AD1) except that it includes a group formed by hydrolysis of the first functional group other than the first functional group of the first compound (AD1). The first compound (AD1) and the second compound (AD2) may be included in the finally manufactured light control unit (CCP). However, it is not limited thereto, and the second compound (AD2) may be removed during the process. For example, the second compound AD2 may be removed after drying or heat-treating the preliminary light control unit P-CCP at a first temperature ( S220 ). Meanwhile, the description of the quantum dot (QD), the first compound (AD1), and the second compound (AD2) may be the same as described above with reference to FIGS. 4A to 6B.

이하에서는 실시예 및 비교예를 참조하면서, 본 발명의 일 실시 형태에 따른 양자점 조성물로부터 형성된 광제어부를 포함하는 표시 장치에 대해서 구체적으로 설명한다. 이하에 나타내는 실시예는 본 발명의 이해를 돕기 위한 일 예시이며, 본 발명의 범위가 이에 한정되는 것은 아니다. Hereinafter, a display device including a light control unit formed from a quantum dot composition according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to Examples and Comparative Examples. The examples shown below are examples for helping understanding of the present invention, and the scope of the present invention is not limited thereto.

[실시예][Example]

1. 양자점 조성물의 제조1. Preparation of quantum dot composition

1) 실시예1) Example

QD가 약 30wt%정도 분산되어 있는 프로필렌 글리콜 메틸 에테르 아세테이트(Propylene glycol monomethyl ether acetate, PGMEA) 용액에 hexane을 추가하여 원심분리 후 QD를 분리해낸다. 분리된 QD에 소량의 solvent를 첨가하여 녹인 뒤, acrylate계 monomer와 섞은 후 solvent를 제거한다. 여기에 제1 화합물을 총 용액 대비 5wt%가량 추가한다. 이후 산란제, 개시제, 분산제를 첨가한 뒤 30분 이상 교반하여 양자점 조성물을 얻는다. Hexane is added to a solution of propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA) in which QDs are dispersed at about 30wt%, followed by centrifugation to separate QDs. After adding a small amount of solvent to the separated QD and dissolving it, remove the solvent after mixing with the acrylate-based monomer. Here, the first compound is added in an amount of about 5 wt % based on the total solution. Thereafter, a scattering agent, an initiator, and a dispersant are added, followed by stirring for 30 minutes or more to obtain a quantum dot composition.

2) 비교예2) Comparative example

상기 실시예에서 제1 화합물을 사용하지 않는 것을 제외하고 상기 실시예와 동일한 방법으로 양자점 조성물을 제조하였다. 즉, 비교예의 양자점 조성물은 실시예의 양자점 조성물과 비교하여 제1 화합물을 포함하지 않는 것에 해당한다. A quantum dot composition was prepared in the same manner as in the above Example, except that the first compound was not used in the above Example. That is, the quantum dot composition of Comparative Example does not contain the first compound compared to the quantum dot composition of Example.

2. 광변환 패턴 평가2. Photoconversion pattern evaluation

(초기 공정)(initial process)

상기 실시예 또는 비교예에서 제조된 양자점 조성물을 유기 기판에 150 rpm 에서 5초간 스핀 코팅하여 필름을 얻는다. 얻어진 필름을 100℃에서 100초 동안 프리 베이킹한다. 프리베이크된 필름의 초기 광변환율을 측정하였다. The quantum dot composition prepared in Example or Comparative Example was spin-coated on an organic substrate at 150 rpm for 5 seconds to obtain a film. The obtained film is prebaked at 100 DEG C for 100 seconds. The initial light conversion rate of the prebaked film was measured.

(A 공정)(Process A)

프리베이크된 필름에 노광기를 이용하여 자외선을 조사한 후, 180℃에서 30분 동안 포스트 베이킹을 진행한다. 노광 및 포스트 베이크된 필름의 제1 광변환율을 측정하였다. After irradiating ultraviolet rays on the prebaked film using an exposure machine, post-baking is performed at 180° C. for 30 minutes. First light conversion rates of the exposed and post-baked films were measured.

(B 공정)(B process)

포스트 베이크된 필름을 상에 SiNx을 포함하는 캡핑층을 300nm 두께 로 스퍼터링에 의해 형성하여 광변환 패턴을 형성한다. 제조된 광변환 패턴의 제2 광변환율을 측정하였다. A capping layer containing SiN x is formed on the post-baked film by sputtering to a thickness of 300 nm to form a light conversion pattern. A second photoconversion rate of the prepared photoconversion pattern was measured.

(1) 광변환율 평가(1) Evaluation of light conversion rate

도 9는 실시예 및 비교예의 시간에 따른 광변환율 변화를 나타낸 도면이다. 도 9에서 실시예 및 비교예의 광변환율은 광변환율 측정은 QE-2000(Otsuka社) 장비로 측정하였고, diffusing film이 덮인 blue BLU(455nm) 위에 bare glass를 놓고 디텍터로 측정하여 먼저 reference를 잡은 다음, 청색광 흡수 피크 면적에 대한 변환된 광의 발광 피크 면적을 계산하여 측정하였다. 예를 들어, 실시예 및 비교예의 광변환율(power conversion efficiency, PCE)는 하기의 식 1에 의해 계산될 수 있다. 9 is a diagram showing a change in light conversion rate over time in Examples and Comparative Examples. In FIG. 9, the light conversion rate of Examples and Comparative Examples was measured with QE-2000 (Otsuka Co.) equipment, and the bare glass was placed on a blue BLU (455 nm) covered with a diffusing film and measured with a detector. , measured by calculating the emission peak area of the converted light relative to the blue light absorption peak area. For example, the power conversion efficiency (PCE) of Examples and Comparative Examples may be calculated by Equation 1 below.

[식 1][Equation 1]

PCE = (A2/A1)X100PCE = (A 2 /A 1 )X100

상기 식 1에서, A1은 청색광 흡수 스펙트럼의 면적을 의미하고, A2는 변환된 광에 대한 발광 스펙트럼의 면적을 의미한다. 예를 들어, A1은 양자점에 의해 흡수된 청색광에 대한 흡수 피크 면적에 해당할 수 있다. A2는 양자점에 의해 변환된 광에 대한 발광 피크 면적에 해당할 수 있다. In Equation 1, A 1 means the area of the blue light absorption spectrum, and A 2 means the area of the emission spectrum for the converted light. For example, A 1 may correspond to an absorption peak area for blue light absorbed by the quantum dot. A 2 may correspond to an emission peak area for light converted by the quantum dots.

도 9를 참조하면, 구동 초기에는 실시예 및 비교예의 광변환율이 각각 약 30% 및 약 29%로 유사하나, 일 실시예의 양자점 조성물을 사용한 실시예에 따른 표시 장치는 광변환율이 350시간 이후에도 초기와 유사하게 유지되는 것을 확인할 수 있다. 이와 비교하여, 비교예 양자점 조성물을 사용한 비교예의 표시 장치는 광변환율이 약 250시간까지 서서히 감소하다가 250시간 이후에 급격하게 감소하는 것을 알 수 있다. 따라서, 일 실시예의 양자점 조성물을 사용한 실시예의 표시 장치는 시간이 지남에도 불구하고 발광 효율이 우수하게 유지될 수 있음을 확인할 수 있다.Referring to FIG. 9 , at the initial stage of driving, the light conversion rates of the Example and Comparative Example were similar at about 30% and about 29%, respectively. It can be seen that it remains similar to In comparison, in the display device of Comparative Example using the quantum dot composition of Comparative Example, it can be seen that the light conversion rate gradually decreases until about 250 hours and then rapidly decreases after 250 hours. Accordingly, it can be seen that the display device of the embodiment using the quantum dot composition of the embodiment can maintain excellent luminous efficiency over time.

(2) 공정유지율 평가(2) Evaluation of process maintenance rate

도 10은 실시예 및 비교예에 따른 표시 장치의 공정유지율을 측정하여 나타낸 그래프이다. 한편, 본 명세서에서, 공정유지율은 공정 수행 이전의 광 전환율에 대한 공정 수행 후 광 전환율의 비를 의미한다. 도 10에서는 일 실시예의 양자점 조성물에 포함된 제1 화합물에 의한 양자점 열화 방지 효과를 확인하기 위하여 실시예 및 비교예에 따른 표시 장치의 각 공정별 공정유지율을 평가하여 그 결과를 나타내었다. 도 9에서 "A 공정"에서의 제1 공정유지율(PMR1)은 하기 식 1에 따라 계산되고, "B 공정"에서의 제2 공정유지율(PMR2)은 하기 식 2에 따라 계산될 수 있다. 10 is a graph showing process retention rates of display devices according to Examples and Comparative Examples by measuring them. On the other hand, in the present specification, the process maintenance rate refers to the ratio of the light conversion rate after the process to the light conversion rate before the process is performed. In FIG. 10, in order to confirm the effect of preventing deterioration of quantum dots by the first compound included in the quantum dot composition of an embodiment, the process maintenance ratio for each process of the display device according to the embodiment and the comparative example was evaluated, and the results are shown. In FIG. 9 , the first process maintenance ratio PMR1 in “Process A” may be calculated according to Equation 1 below, and the second process maintenance ratio PMR2 in “Process B” may be calculated according to Equation 2 below.

[식 1][Equation 1]

PMR1=(EA/ER)X100PMR1=(E A /E R )X100

[식 2][Equation 2]

PMR1=(EB/ER)X100PMR1=(E B /E R )X100

상기 식 1 및 식 2에서, ER은 "초기" 공정 후 측정된 광변환율을 의미하고, EA는 "A 공정" 후 측정된 광변환율을 의미하고, EB는 "A 공정" 후에 측정한 광변환율을 의미한다. In Equations 1 and 2, E R means the light conversion rate measured after the "initial" process, E A means the light conversion rate measured after the "A process", and EB means the light conversion rate measured after the "A process" means light conversion rate.

도 10을 참조하면, 일 실시예의 양자점 조성물을 사용한 실시예의 제조에서의 공정유지율은 A 공정 및 B 공정 이후에 각각 약 104% 및 약 102%로 높은 값을 나타내는 것을 확인할 수 있다. 즉, 실시예의 표시 장치는 초기 공정 후의 광변환율 보다 A 공정 후의 광변환율 및 B 공정 후의 광변환율이 더 향상되었음을 확인할 수 있다. 이와 비교하여, 비교예 양자점 조성물을 사용한 비교예의 제조에서의 공정유지율은 A 공정 및 B 공정 이후에 각각 약 97% 및 약 96%로 공정이 진행됨에 따라 공정유지율이 감소됨을 확인할 수 있다. 따라서, 일 실시예의 표시 장치는 제1 화합물을 포함하는 양자점 조성물을 포함하는 양자점 조성물을 사용하여 제조됨에 따라, 구동 시 양자점 주변에 존재하는 수분을 효과적으로 제거할 수 있으므로 표시 장치의 신뢰성이 향상될 수 있음을 알 수 있다. 일 실시예의 양자점 조성물(QCP)로부터 형성된 광제어부(CCP)를 포함하는 표시 장치(DD)는 향상된 발광 특성 및 신뢰성을 나타낼 수 있다. 양자점(QD)의 경우 외부 환경 예컨대, 수분, 열, 및 빛 등에 의해 열화되어 발광 특성이 저하될 수 있다. 본 발명에 따르면, 수분을 포집할 수 있는 제1 작용기를 포함하는 제1 화합물(AD1)을 양자점 조성물(QCP)에 포함한다. 이에 따라, 공정 중 침투하는 수분으로부터 양자점(QD)을 효율적으로 보호할 수 있으며, 구동 중에서도 양자점(QD) 주변에 존재하는 수분을 제거하여 광부식으로 인한 열화를 방지할 수 있으므로, 향상된 발광 특성 및 신뢰성을 나타내는 표시 장치(DD)의 구현이 가능할 수 있다. Referring to FIG. 10, it can be seen that the process retention rate in the manufacture of the example using the quantum dot composition of one example is about 104% and about 102% after process A and process B, respectively. That is, it can be confirmed that the display device of the embodiment has more improved light conversion rates after process A and process B than those after the initial process. In comparison, the process maintenance rate in the preparation of Comparative Example using the comparative quantum dot composition was about 97% and about 96% after process A and process B, respectively, and it could be confirmed that the process maintenance rate decreased as the process progressed. Therefore, since the display device of an embodiment is manufactured using the quantum dot composition including the quantum dot composition including the first compound, moisture present around the quantum dots can be effectively removed during operation, and thus the reliability of the display device can be improved. it can be seen that there is The display device DD including the light control unit CCP formed from the quantum dot composition QCP according to an exemplary embodiment may exhibit improved light emitting characteristics and reliability. In the case of quantum dots (QDs), light emitting properties may be deteriorated due to deterioration due to external environments, such as moisture, heat, and light. According to the present invention, the first compound (AD1) including a first functional group capable of trapping moisture is included in the quantum dot composition (QCP). Accordingly, it is possible to efficiently protect the quantum dots (QD) from moisture penetrating during the process, and it is possible to prevent deterioration due to photocorrosion by removing moisture present around the quantum dots (QD) even during operation, thereby improving light emitting characteristics and A display device DD indicating reliability may be implemented.

이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술 분야에 통상의 지식을 갖는 자라면, 후술될 청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 청구범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.Although the above has been described with reference to preferred embodiments of the present invention, those skilled in the art or those having ordinary knowledge in the art do not depart from the spirit and technical scope of the present invention described in the claims to be described later. It will be understood that various modifications and changes can be made to the present invention within the scope. Therefore, the technical scope of the present invention should not be limited to the contents described in the detailed description of the specification, but should be defined by the claims.

DD: 표시 장치 DP: 표시 패널
CCM: 광제어부재 CCP: 광제어부
QCP: 양자점 조성물 AD: 첨가제
AD1: 제1 화합물 AD2: 제2 화합물
DD: display device DP: display panel
CCM: light control unit CCP: light control unit
QCP: Quantum Dot Composition AD: Additives
AD1: first compound AD2: second compound

Claims (20)

양자점;
제1 작용기를 포함하는 제1 화합물; 및
용매를 포함하고,
상기 제1 작용기는 아세탈기 및 케탈기 중 적어도 하나를 포함하는 양자점 조성물.
quantum dots;
a first compound comprising a first functional group; and
contains a solvent;
The first functional group quantum dot composition comprising at least one of an acetal group and a ketal group.
제1항에 있어서,
상기 양자점 조성물 전체 함량 100wt%를 기준으로, 상기 제1 화합물의 함량은 30 wt% 이하인 양자점 조성물.
According to claim 1,
The quantum dot composition wherein the content of the first compound is 30 wt% or less based on 100 wt% of the total content of the quantum dot composition.
제1항에 있어서,
상기 제1 화합물은 하기 화학식 1로 표시되는 양자점 조성물:
[화학식 1]
Figure pat00068

상기 화학식 1에서,
R1 및 R2는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기이거나, 또는 R1 및 R2는 서로 결합하여 고리를 형성하고,
R3 및 R4는 각각 독립적으로 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 이상 20 이하의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 이상 20 이하의 알키닐기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로 아릴기이다.
According to claim 1,
The first compound is a quantum dot composition represented by Formula 1 below:
[Formula 1]
Figure pat00068

In Formula 1,
R 1 and R 2 are each independently a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, or R 1 and R 2 are bonded to each other to form a ring;
R 3 and R 4 are each independently a hydrogen atom, a deuterium atom, a halogen atom, a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted alkenyl group having 2 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted An alkynyl group having 2 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 carbon atoms for ring formation, or a substituted or unsubstituted heteroaryl group with 2 to 30 carbon atoms for ring formation.
제3항에 있어서,
상기 제1 화합물은 하기 화학식 1-1 내지 화학식 1-3 중 어느 하나로 표시되는 양자점 조성물:
[화학식 1-1]
Figure pat00069

[화학식 1-2]
Figure pat00070

[화학식 1-3]
Figure pat00071

상기 화학식 1-1 내지 화학식 1-3에서,
R5 및 R6은 각각 독립적으로 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 치환 또는 비치환된 카복시기, 치환 또는 비치환된 티오기, 치환 또는 비치환된 아민기, 치환 또는 비치환된 포스핀기, 하이드록시기, 치환 또는 비치환된 옥시기, 니트로기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 이상 20 이하의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로 아릴기이거나, 또는 인접하는 기와 결합하여 고리를 형성하고,
R7 내지 R9는 각각 독립적으로 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로 아릴기이고,
n1 및 n2는 각각 독립적으로 0 이상 5 이하의 정수이고,
R1 내지 R3은 상기 화학식 1에서 정의한 바와 동일하다.
According to claim 3,
The first compound is a quantum dot composition represented by any one of Formulas 1-1 to 1-3:
[Formula 1-1]
Figure pat00069

[Formula 1-2]
Figure pat00070

[Formula 1-3]
Figure pat00071

In Formula 1-1 to Formula 1-3,
R 5 and R 6 are each independently a hydrogen atom, a deuterium atom, a halogen atom, a substituted or unsubstituted carboxy group, a substituted or unsubstituted thio group, a substituted or unsubstituted amine group, a substituted or unsubstituted phosphine group, Hydroxy group, substituted or unsubstituted oxy group, nitro group, substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, substituted or unsubstituted alkenyl group having 2 to 20 carbon atoms, substituted or unsubstituted ring carbon atoms An aryl group having 6 or more and 30 or less, or a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 2 or more and 30 or less ring carbon atoms, or bonded to an adjacent group to form a ring,
R 7 to R 9 are each independently a hydrogen atom, a deuterium atom, a halogen atom, a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 carbon atoms for forming a ring, or a substituted or It is an unsubstituted heteroaryl group having 2 or more and 30 or less ring carbon atoms,
n1 and n2 are each independently an integer of 0 or more and 5 or less,
R 1 to R 3 are the same as defined in Formula 1 above.
제1항에 있어서,
상기 제1 화합물은
상기 양자점의 표면에 결합되고 상기 제1 작용기와 상이한 제2 작용기를 더 포함하는 양자점 조성물.
According to claim 1,
The first compound is
A quantum dot composition further comprising a second functional group bonded to the surface of the quantum dot and different from the first functional group.
제5항에 있어서,
상기 제2 작용기는 카복시기, 티오기, 아민기, 포스핀기, 및 하이드록시기 중 적어도 하나를 포함하는 양자점 조성물.
According to claim 5,
The second functional group quantum dot composition comprising at least one of a carboxyl group, a thio group, an amine group, a phosphine group, and a hydroxy group.
제1항에 있어서,
상기 제1 화합물은 하기 화학식 2-1 내지 화학식 2-5 중 어느 하나로 표시되는 양자점 조성물:
[화학식 2-1]
Figure pat00072

[화학식 2-2]
Figure pat00073

[화학식 2-3]
Figure pat00074

[화학식 2-4]
Figure pat00075

[화학식 2-5]
Figure pat00076

상기 화학식 2-1 내지 화학식 2-5에서,
R1 및 R2는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기이거나, 또는 R1 및 R2는 서로 결합하여 고리를 형성하고,
R3은 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로 아릴기이고,
Y는 치환 또는 비치환된 카복시기, 치환 또는 비치환된 티오기, 치환 또는 비치환된 아민기, 치환 또는 비치환된 포스핀기, 또는 치환 또는 비치환된 하이드록시기이고,
A1은 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴렌기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로 아릴렌기이고,
n3 내지 n7은 각각 독립적으로 0 이상 20 이하의 정수이다.
According to claim 1,
The first compound is a quantum dot composition represented by any one of Formulas 2-1 to 2-5:
[Formula 2-1]
Figure pat00072

[Formula 2-2]
Figure pat00073

[Formula 2-3]
Figure pat00074

[Formula 2-4]
Figure pat00075

[Formula 2-5]
Figure pat00076

In Formula 2-1 to Formula 2-5,
R 1 and R 2 are each independently a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, or R 1 and R 2 are bonded to each other to form a ring;
R 3 is a hydrogen atom, a deuterium atom, a halogen atom, a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 carbon atoms for ring formation, or a substituted or unsubstituted carbon atom for ring formation 2 or more and 30 or less heteroaryl groups,
Y is a substituted or unsubstituted carboxy group, a substituted or unsubstituted thio group, a substituted or unsubstituted amine group, a substituted or unsubstituted phosphine group, or a substituted or unsubstituted hydroxy group,
A 1 is a substituted or unsubstituted arylene group having 6 or more and 30 or less ring carbon atoms, or a substituted or unsubstituted hetero arylene group having 2 or more and 30 or less ring carbon atoms,
n3 to n7 are each independently an integer of 0 or more and 20 or less.
제1항에 있어서,
상기 제1 화합물은 상기 제1 작용기와 상이한 제3 작용기를 더 포함하고,
상기 제3 작용기는 (메타)아크릴레이트기를 포함하는 양자점 조성물.
According to claim 1,
The first compound further comprises a third functional group different from the first functional group,
The third functional group is a quantum dot composition comprising a (meth) acrylate group.
제1항에 있어서,
상기 제1 화합물의 비점은 180℃ 이상인 양자점 조성물.
According to claim 1,
The boiling point of the first compound is 180 ℃ or more quantum dot composition.
제1항에 있어서,
상기 양자점은 코어 및 상기 코어를 감싸는 쉘을 포함하는 양자점 조성물.
According to claim 1,
The quantum dot composition comprising a core and a shell surrounding the core.
소스광을 출력하는 발광소자; 및
상기 발광 소자 상에 배치되고, 복수의 광제어부를 포함하는 광제어층을 포함하고,
상기 복수의 광제어부 중 적어도 하나는 양자점, 및 첨가제를 포함하고,
상기 첨가제는 제1 작용기를 포함하거나, 또는 상기 제1 작용기가 가수분해되어 형성된 기를 포함하고,
상기 제1 작용기는 아세탈기 및 케탈기 중 적어도 하나를 포함하는 표시 장치.
a light emitting element outputting source light; and
A light control layer disposed on the light emitting element and including a plurality of light control units;
At least one of the plurality of light control units includes a quantum dot and an additive,
The additive includes a first functional group or a group formed by hydrolysis of the first functional group,
The first functional group includes at least one of an acetal group and a ketal group.
제11항에 있어서,
상기 첨가제는 하기 화학식 1 또는 화학식 1A로 표시되는 표시 장치:
[화학식 1]
Figure pat00077

[화학식 1A]
Figure pat00078

상기 화학식 1 및 화학식 1A에서,
R1 및 R2는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기이거나, 또는 R1 및 R2는 서로 결합하여 고리를 형성하고,
R3 및 R4는 각각 독립적으로 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 이상 20 이하의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 이상 20 이하의 알키닐기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로 아릴기이다.
According to claim 11,
The additive is a display device represented by Formula 1 or Formula 1A below:
[Formula 1]
Figure pat00077

[Formula 1A]
Figure pat00078

In Formula 1 and Formula 1A,
R 1 and R 2 are each independently a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, or R 1 and R 2 are bonded to each other to form a ring;
R 3 and R 4 are each independently a hydrogen atom, a deuterium atom, a halogen atom, a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted alkenyl group having 2 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted An alkynyl group having 2 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 carbon atoms for ring formation, or a substituted or unsubstituted heteroaryl group with 2 to 30 carbon atoms for ring formation.
제11항에 있어서,
상기 첨가제는 하기 화학식 1-1 내지 화학식 1-6 중 어느 하나로 표시되는 표시 장치:
[화학식 1-1]
Figure pat00079

[화학식 1-2]
Figure pat00080

[화학식 1-3]
Figure pat00081

[화학식 1-4]
Figure pat00082

[화학식 1-5]
Figure pat00083

[화학식 1-6]
Figure pat00084

상기 화학식 1-1 내지 화학식 1-6에서,
R1 및 R2는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기이거나, 또는 R1 및 R2는 서로 결합하여 고리를 형성하고,
R3 및 R4는 각각 독립적으로 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로 아릴기이고,
R5 및 R6은 각각 독립적으로 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 치환 또는 비치환된 카복시기, 치환 또는 비치환된 티오기, 치환 또는 비치환된 아민기, 치환 또는 비치환된 포스핀기, 치환 또는 비치환된 하이드록시기, 치환 또는 비치환된 옥시기, 니트로기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 이상 20 이하의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로 아릴기이거나, 또는 인접하는 기와 결합하여 고리를 형성하고,
R7 내지 R9는 각각 독립적으로 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로 아릴기이고,
n1 및 n2는 각각 독립적으로 0 이상 5 이하의 정수이다.
According to claim 11,
The additive is a display device represented by any one of the following Chemical Formulas 1-1 to 1-6:
[Formula 1-1]
Figure pat00079

[Formula 1-2]
Figure pat00080

[Formula 1-3]
Figure pat00081

[Formula 1-4]
Figure pat00082

[Formula 1-5]
Figure pat00083

[Formula 1-6]
Figure pat00084

In Formula 1-1 to Formula 1-6,
R 1 and R 2 are each independently a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, or R 1 and R 2 are bonded to each other to form a ring;
R 3 and R 4 are each independently a hydrogen atom, a deuterium atom, a halogen atom, a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 carbon atoms for forming a ring, or a substituted or It is an unsubstituted heteroaryl group having 2 or more and 30 or less ring carbon atoms,
R 5 and R 6 are each independently a hydrogen atom, a deuterium atom, a halogen atom, a substituted or unsubstituted carboxy group, a substituted or unsubstituted thio group, a substituted or unsubstituted amine group, a substituted or unsubstituted phosphine group, A substituted or unsubstituted hydroxyl group, a substituted or unsubstituted oxy group, a nitro group, a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted alkenyl group having 2 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted It is a ring-forming aryl group having 6 to 30 carbon atoms, or a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 2 to 30 ring-forming carbon atoms, or bonded to an adjacent group to form a ring,
R 7 to R 9 are each independently a hydrogen atom, a deuterium atom, a halogen atom, a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 carbon atoms for forming a ring, or a substituted or It is an unsubstituted heteroaryl group having 2 or more and 30 or less ring carbon atoms,
n1 and n2 are each independently an integer of 0 or more and 5 or less.
제11항에 있어서,
상기 첨가제는 상기 양자점의 표면에 결합되고 상기 제1 작용기와 상이한 제2 작용기를 더 포함하고,
상기 제2 작용기는 카복시기, 티오기, 아민기, 포스핀기, 및 하이드록시기 중 적어도 하나를 포함하는 표시 장치.
According to claim 11,
The additive further includes a second functional group bonded to the surface of the quantum dots and different from the first functional group,
The second functional group includes at least one of a carboxy group, a thio group, an amine group, a phosphine group, and a hydroxy group.
제11항에 있어서,
상기 첨가제는 하기 화학식 2-1 내지 화학식 2-10 중 어느 하나로 표시되는 표시 장치:
[화학식 2-1]
Figure pat00085

[화학식 2-2]
Figure pat00086

[화학식 2-3]
Figure pat00087

[화학식 2-4]
Figure pat00088

[화학식 2-5]
Figure pat00089

[화학식 2-6]
Figure pat00090

[화학식 2-7]
Figure pat00091

[화학식 2-8]
Figure pat00092

[화학식 2-9]
Figure pat00093

[화학식 2-10]
Figure pat00094

상기 화학식 2-1 내지 화학식 2-10에서,
R1 및 R2는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기이거나, 또는 R1 및 R2는 서로 결합하여 고리를 형성하고,
R3은 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로 아릴기이고,
Y는 치환 또는 비치환된 카복시기, 치환 또는 비치환된 티오기, 치환 또는 비치환된 아민기, 치환 또는 비치환된 포스핀기, 또는 치환 또는 비치환된 하이드록시기이고,
A1은 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴렌기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로 아릴렌기이고,
n3 내지 n7은 각각 독립적으로 0 이상 20 이하의 정수이다.
According to claim 11,
The additive is a display device represented by any one of the following Chemical Formulas 2-1 to 2-10:
[Formula 2-1]
Figure pat00085

[Formula 2-2]
Figure pat00086

[Formula 2-3]
Figure pat00087

[Formula 2-4]
Figure pat00088

[Formula 2-5]
Figure pat00089

[Formula 2-6]
Figure pat00090

[Formula 2-7]
Figure pat00091

[Formula 2-8]
Figure pat00092

[Formula 2-9]
Figure pat00093

[Formula 2-10]
Figure pat00094

In Formula 2-1 to Formula 2-10,
R 1 and R 2 are each independently a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, or R 1 and R 2 are bonded to each other to form a ring;
R 3 is a hydrogen atom, a deuterium atom, a halogen atom, a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 carbon atoms for ring formation, or a substituted or unsubstituted carbon atom for ring formation 2 or more and 30 or less heteroaryl groups,
Y is a substituted or unsubstituted carboxy group, a substituted or unsubstituted thio group, a substituted or unsubstituted amine group, a substituted or unsubstituted phosphine group, or a substituted or unsubstituted hydroxy group,
A 1 is a substituted or unsubstituted arylene group having 6 or more and 30 or less ring carbon atoms, or a substituted or unsubstituted hetero arylene group having 2 or more and 30 or less ring carbon atoms,
n3 to n7 are each independently an integer of 0 or more and 20 or less.
제11항에 있어서,
상기 첨가제는 상기 제1 작용기와 상이한 제3 작용기를 더 포함하고,
상기 제3 작용기는 (메타)아크릴레이트기를 포함하는 표시 장치.
According to claim 11,
The additive further comprises a third functional group different from the first functional group,
The display device of claim 1 , wherein the third functional group includes a (meth)acrylate group.
제11항에 있어서,
상기 소스광은 제1 파장의 광이고,
상기 광제어층은
상기 소스광을 상기 제1 파장과 상이한 제2 파장의 광으로 변환시키는 제1 광제어부;
상기 소스광을 상기 제1 파장 및 상기 제2 파장과 상이한 제3 파장의 광으로 변환시키는 제2 광제어부; 및
상기 소스광을 투과시키는 제3 광제어부를 포함하는 표시 장치.
According to claim 11,
The source light is light of a first wavelength,
The light control layer
a first light control unit that converts the source light into light of a second wavelength different from the first wavelength;
a second light control unit that converts the source light into light of a third wavelength different from the first and second wavelengths; and
A display device comprising a third light control unit that transmits the source light.
표시 패널을 준비하는 단계; 및
상기 표시 패널 상에 복수의 광제어부를 포함하는 광제어층을 형성하는 단계를 포함하고,
상기 복수의 광제어부 중 적어도 하나의 광제어부를 형성하는 단계는,
양자점, 및 제1 작용기를 포함하는 제1 화합물을 포함하는 양자점 조성물을 제공하여 예비 광제어부를 형성하는 단계; 및
상기 예비 광제어부를 제1 온도에서 건조 또는 열처리하는 단계를 포함하고,
상기 제1 작용기는 아세탈기 및 케탈기 중 적어도 하나를 포함하는 표시 장치의 제조 방법.
Preparing a display panel; and
forming a light control layer including a plurality of light control units on the display panel;
Forming at least one light control unit among the plurality of light control units,
Forming a preliminary light control unit by providing a quantum dot composition including quantum dots and a first compound including a first functional group; and
Drying or heat-treating the preliminary light control unit at a first temperature;
The method of claim 1 , wherein the first functional group includes at least one of an acetal group and a ketal group.
제18항에 있어서,
상기 양자점 조성물 전체 함량 100wt%를 기준으로, 상기 제1 화합물의 함량은 30 wt% 이하인 표시 장치의 제조 방법.
According to claim 18,
Based on 100 wt% of the total content of the quantum dot composition, the content of the first compound is 30 wt% or less.
제18항에 있어서,
상기 제1 온도는 상기 제1 화합물의 비점보다 낮은 표시 장치의 제조 방법.
According to claim 18,
The first temperature is lower than the boiling point of the first compound.
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