KR20230085351A - 마이크로 반도체 적층 발광소자 및 그 제조 방법 - Google Patents

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KR20230085351A
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이상헌
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한국광기술원
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Abstract

마이크로 반도체 적층 발광소자 및 그 제조 방법을 개시한다. 본 발명은 마이크로 크기의 청색과 녹색 발광소자위에 마이크로 크기의 적색 발광 소자를 적층시켜 개별 또는 규칙적인 배열 구조를 제공할 수 있다.

Description

마이크로 반도체 적층 발광소자 및 그 제조 방법{MICOR-SEMICONDUCTOR STACKED LIGHT EMITTING DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME}
본 발명은 마이크로 반도체 적층 발광소자 및 그 제조 방법에 관한 발명으로서, 더욱 상세하게는 마이크로 크기의 청색과 녹색 발광소자위에 마이크로 크기의 적색 발광 소자를 적층시켜 개별 또는 규칙적인 배열 구조를 갖는 마이크로 반도체 적층 발광소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
일반적으로, 마이크로 발광소자는 투광성 사파이어 기판과, 상기 투광성 사파이어 기판 상에 형성되고 다수의 발광소자 셀을 갖는 질화갈륨계 반도체 발광부를 포함한다.
반도체 발광부는 식각에 의해 형성된 n형 반도체층 노출 영역을 포함하며, 상기 n형 반도체층 노출 영역 상에 상기 다수의 반도체 발광소자 셀이 매트릭스 배열로 형성된다.
각 반도체 발광소자 셀은 n형 반도체층, 활성층 및 p형 도전형 반도체층을 포함하고, 각 발광소자 셀의 p형 도전형 반도체층에는 p형 전극패드가 형성되며, 상기 n형 반도체층 노출 영역에는 n형 전극패드가 형성된다.
통상, 마이크로 반도체 발광소자 디스플레이(MLD; Micro LED Display)에는 마이크로 반도체 발광소자가 이용된다.
넓은 의미로, 용어 "마이크로 반도체 발광소자"는 적어도 한 변의 길이가 수백 마이크로미터 이하인 반도체 발광소자로 정의된다. 좁은 의미로 용어 "마이크로 반도체 발광소자"는 한 변의 길이가 100㎛ 이하인 반도체 발광소자로 정의된다.
이 경우, 100㎛를 초과하는 반도체 발광소자에 한정하여 "미니 반도체 발광소자"로 불리기도 한다.
본 명세서에서는 한 변의 길이가 수백 ㎛ 이하인 반도체 발광소자를 통틀어 마이크로 반도체 발광소자라 한다.
마이크로 반도체 발광소자 디스플레이 제작을 위해, 임의의 위치에 있는 마이크로 반도체 발광소자를 예컨대 PCB(Printed Circuit Board)와 같은 기판에 실장하는 것이 필요하다.
또한, 마이크로 반도체 발광소자를 디스플레이 등에 응용하기 위해 미리 구성된 회로기판 위에 각각의 색상을 발광하는 발광소자를 개별적으로 접합 등의 방법으로 구현하거나 또는 다량의 마이크로 반도체 발광소자를 반복하여 전사한다.
그러나, 종래 기술은 마이크로 반도체 발광소자 각각의 적색, 녹색, 청색 발광소자 정렬에 의해 디스플레이되어 고해상도 구현에 있어 픽셀 크기를 감소시키는데 한계를 가지고 있다.
또한, 각각의 적색, 녹색, 청색 발광소자를 전사 및 접합해야하므로 제조 공정이 증가하고, 공정 시간이 증가하는 문제점이 있다.
또한, 1000 PPI 이상의 초고해상도를 구현하고자 할 경우, 개별 색상의 발광소자를 이용하여 구현할 수 없는 문제점이 있다.
한국 공개특허공보 공개번호 제10-2019-0143085호(발명의 명칭: 마이크로 엘이디 모듈 제조방법)
이러한 문제점을 해결하기 위하여, 본 발명은 마이크로 크기의 청색과 녹색 발광소자위에 마이크로 크기의 적색 발광 소자를 적층시켜 개별 또는 규칙적인 배열 구조를 갖는 마이크로 반도체 적층 발광소자 및 그 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기한 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 일 실시 예는 마이크로 반도체 적층 발광소자로서, 기판부상에 적색 반도체 발광소자, 녹색 반도체 발광소자 및 청색 반도체 발광소자가 적층되어 구성된 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 실시 예에 따른 마이크로 반도체 적층 발광소자는 청색 반도체 발광소자 및 녹색 반도체 발광소자위에 적색 반도체 발광소자가 적층된 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 실시 예에 따른 청색 반도체 발광소자 및 녹색 반도체 발광소자위에 적색 반도체 발광소자가 적층된 발광소자는 개별 픽셀 단위 또는 규칙적인 배열 구조로 이루어지는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 실시 예에 따른 마이크로 반도체 적층 발광소자는 기판부; 상기 기판부상에 설치되어 청색을 발광하는 제1 에피 구조체; 상기 제1 에피 구조체 상에 설치되어 녹색을 발광하는 제2 에피 구조체; 상기 제1 및 제2 에피 구조체의 일부 영역에 설치되는 패드 전극; 상기 제1 및 제2 에피 구조체를 보호하는 제1 보호막; 상기 제1 및 제2 에피 구조체 상에 설치되어 적색을 발광하는 제3 에피 구조체; 상기 제3 에피 구조체(160)를 보호하는 제2 보호막; 및 상기 제1 내지 제3 에피 구조체와 접속된 복수의 본딩 전극;을 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 일 실시 예는 마이크로 반도체 적층 발광소자의 제조방법으로서, a) 기판부에 제1 에피 구조체와 제2 에피 구조체를 순차적으로 적층시켜 생성하고, 상기 제1 에피 구조체와 제2 에피 구조체의 일부 영역을 에칭하여 제1 에피 구조체와 제2 에피 구조체에 제1 내지 제3 패드 전극을 형성하는 단계; b) 상기 제1 및 제2 에피 구조체 상에 제3 에피 구조체를 본딩하고, 상기 제3 에피 구조체의 기판을 제거하는 단계; c) 상기 제3 에피 구조체를 에칭하되, 제3 에피 구조체의 일부 영역은 상기 제1 내지 제3 패드 전극이 노출되도록 에칭하고, 에칭이 완료된 상기 제3 에피 구조체에 제4 패드 전극과 노출된 패드 전극에 제1 내지 제3 패드 전극 증착부를 생성하는 단계; 및 d) 상기 제1 내지 제3 패드 전극 증착부와, 제4 패드 전극에 제1 내지 제4 본딩 전극을 설치하는 단계;를 포함한다.
또한, 상기 실시 예에 따른 제1 에피 구조체 및 제2 에피 구조체는 청색 또는 녹색 중 어느 하나의 색상을 발광하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 실시 예에 따른 제3 에피 구조체는 적색을 발광하는 것을 특징으로 한다.
본 발명은 마이크로 크기의 청색과 녹색 발광소자위에 마이크로 크기의 적색 발광 소자를 적층시켜 개별 또는 규칙적인 배열 구조를 제공함으로써, 고해상도 디스플레이를 제공할 수 있는 장점이 있다.
또한, 본 발명은 싱글 픽셀 RGB 적층 마이크로 반도체 발광소자를 제공할 수 있는 장점이 있다.
또한, 본 발명은 웨이퍼 상에 RGB가 적층된 마이크로 반도체 발광소자가 배열된 정밀한 고해상도의 디스플레이 광원을 제공할 수 있는 장점이 있다.
또한, 본 발명은 구동 백플레인과 접합이 가능한 전극을 구비한 어레이된 광원을 제공할 수 있는 장점이 있다.
또한, 본 발명은 10㎛ 이하로 마이크로 반도체 발광소자를 배열할 경우, 1600 PPI의 초고해상도 디스플레이의 구현이 가능한 장점이 있다.
도1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 마이크로 반도체 적층 발광소자를 나타낸 단면도.
도2는 도1의 실시 예에 따른 마이크로 반도체 적층 발광 소자를 배열하여 구성한 어레이 광원을 나타낸 예시도.
도3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 마이크로 반도체 적층 발광소자의 제조 방법을 설명하기 위해 나타낸 흐름도.
도4는 도3의 실시 예에 따른 마이크로 반도체 적층 발광소자 제조 방법을 설명하기 위해 나타낸 예시도.
도5는 도3의 실시 예에 따른 마이크로 반도체 적층 발광 소자 제조 방법을 설명하기 위해 나타낸 다른 예시도.
도6은 도3의 실시 예에 따른 마이크로 반도체 적층 발광 소자 제조 방법을 설명하기 위해 나타낸 또 다른 예시도.
도7은 도3의 실시 예에 따른 마이크로 반도체 적층 발광 소자 제조 방법으로 제조된 발광 소자를 나타낸 예시도.
이하에서는 본 발명의 바람직한 실시 예 및 첨부하는 도면을 참조하여 본 발명을 상세히 설명하되, 도면의 동일한 참조부호는 동일한 구성요소를 지칭함을 전제하여 설명하기로 한다.
본 발명의 실시를 위한 구체적인 내용을 설명하기에 앞서, 본 발명의 기술적 요지와 직접적 관련이 없는 구성에 대해서는 본 발명의 기술적 요지를 흩뜨리지 않는 범위 내에서 생략하였음에 유의하여야 할 것이다.
또한, 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어 또는 단어는 발명자가 자신의 발명을 최선의 방법으로 설명하기 위해 적절한 용어의 개념을 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야 할 것이다.
본 명세서에서 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다는 표현은 다른 구성요소를 배제하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있다는 것을 의미한다.
또한, "‥부", "‥기", "‥모듈" 등의 용어는 적어도 하나의 기능이나 동작을 처리하는 단위를 의미하며, 이는 하드웨어나 소프트웨어, 또는 그 둘의 결합으로 구분될 수 있다.
또한, "적어도 하나의" 라는 용어는 단수 및 복수를 포함하는 용어로 정의되고, 적어도 하나의 라는 용어가 존재하지 않더라도 각 구성요소가 단수 또는 복수로 존재할 수 있고, 단수 또는 복수를 의미할 수 있음은 자명하다 할 것이다.
또한, 각 구성요소가 단수 또는 복수로 구비되는 것은, 실시 예에 따라 변경가능하다 할 것이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 일 실시 예에 따른 마이크로 반도체 적층 발광소자 및 그 제조 방법의 바람직한 실시예를 상세하게 설명한다.
도1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 마이크로 반도체 적층 발광소자를 나타낸 단면도이고, 도2는 도1의 실시 예에 따른 마이크로 반도체 적층 발광 소자를 배열하여 구성한 어레이 광원을 나타낸 예시도이다.
도1 및 도2를 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 마이크로 반도체 적층 발광소자(100)는 기판부(110)상에 적색 반도체 발광소자, 녹색 반도체 발광소자 및 청색 반도체 발광소자가 적층되어 구성될 수 있다.
또한, 상기 마이크로 반도체 적층 발광소자(100)는 청색 반도체 발광소자 및 녹색 반도체 발광소자위에 적색 반도체 발광소자가 적층되어 구성될 수 있다.
또한, 상기 마이크로 반도체 적층 발광소자(100)는 청색 반도체 발광소자 및 녹색 반도체 발광소자위에 적색 반도체 발광소자가 적층된 개별 픽셀 단위로 이루어질 수 있고, 상기 마이크로 반도체 적층 발광소자(100)를 다른 마이크로 반도체 적층 발광소자(100a)와 규칙적으로 배열하여 어레이 광원(200)으로 구성할 수도 있다.
이를 위해, 상기 마이크로 반도체 적층 발광소자는 기판부(110)와,제1 에피 구조체(120)와, 제2 에피 구조체(130)와, 복수의 패드 전극(140, 141, 142)과, 제1 보호막(150)과, 제3 에피 구조체(160)와, 복수의 본딩 전극(190, 191, 192, 193)을 포함하여 구성될 수 있다.
상기 기판부(110)는 사파이어 기판으로 구성될 수 있고, 제1 에피 구조체(120)와의 사이에 분리층(미도시)을 형성하여 제1 내지 제3 에피 구조체(130)에서 발광되는 빛의 광효율 개선을 위해 상기 기판부(110)가 분리되도록 구성할 수도 있다.
상기 제1 에피 구조체(120)는 기판부(110)상에 설치되어 청색을 발광하는 구성으로서, 청색 발광소자로 이루어질 수 있다.
상기 제2 에피 구조체(130)는 제1 에피 구조체(120) 상에 설치되어 녹색을 발광하는 구성으로서, 녹색 발광소자로 이루어질 수 있다.
본 실시 예에서는 설명의 편의를 위해 제1 에피 구조체(120)는 청색 발광소자로 구성하고, 제2 에피 구조체(130)는 녹색 발광소자로 구성하였지만, 이에 한정되는 것은 아니고, 상기 제1 에피 구조체(120)를 녹색 발광소자로 구성하고, 제2 에피 구조체(130)를 청색 발광소자로 구성할 수도 있다.
상기 패드 전극(140, 141, 142)은 제1 및 제2 에피 구조체(120, 130)의 일부 영역과 전기적으로 연결되는 구성으로서, 제1 에피 구조체(120)와 전기적으로 연결되는 제1 패드 전극(140)과, 제1 및 제2 에피 구조체(120, 130)와 공통 전극으로 연결되는 제2 패드 전극(141)과, 제2 에피 구조체(130)와 전기적으로 연결되는 제3 패드 전극(142)으로 구성될 수 있다.
상기 제1 보호막(150)은 제1 및 제2 에피 구조체(120, 130)의 외부에 설치되어 상기 제1 및 제2 에피 구조체(120, 130)가 전기적으로 절연되도록 보호한다.
상기 제3 에피 구조체(160)는 제1 및 제2 에피 구조체(120, 130) 상에 본딩을 통해 설치되어 적색을 발광하는 구성으로서, 적색 발광소자로 이루어질 수 있다.
또한, 상기 제3 에피 구조체(160)는 제3 에피 구조체(160)에 설치된 제3 에피 구조체 기판(161)가 제거될 수 있다.
상기 제3 에피 구조체 기판(161)은 레이저 리프트 오프(LLO) 또는 화학적 에칭(CLO)을 통해 분리될 수 있다.
또한, 상기 제3 에피 구조체(160)는 외부에 제3 에피 구조체(160)를 전기적으로 절연하여 보호하는 제2 보호막(150)이 설치될 수 있다.
또한, 상기 본딩 전극(190, 191, 192, 193, 194)은 제1 내지 제3 에피 구조체(120, 130, 160)와 전기적으로 연결되는 구성으로서, 제1 에피 구조체(120)의 제1 패드 전극(140)과 제1 패드 전극 증착부(180)를 통해 연결되는 제1 본딩 전극(190)과, 제1 및 제2 에피 구조체(130)와 공통 전극으로 연결된 제2 패드(141)와 제2 패드 전극 증착부(181)를 통해 연결되는 제2 본딩 전극(191)과, 제2 에피 구조체(130)의 제3 패드 전극(142)과 제3 패드 전극 증착부(182)를 통해 연결되는 제3 본딩 전극(192)과, 제3 에피 구조체(160)와 전기적으로 연결된 제4 패드 전극(183)과 연결되는 제4 본딩 전극(193)으로 구성될 수 있다.
또한, 개별 픽셀 단위로 구성된 마이크로 반도체 적층 발광소자(100)는 이웃한 다른 마이크로 반도체 적층 발광소자(100a)와 규칙적으로 배열하여 어레이 광원(200)으로 구성될 수 있다.
다음은 본 발명의 일 실시 예에 따른 마이크로 반도체 적층 발광소자의 제조 방법을 설명한다.
도3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 마이크로 반도체 적층 발광소자의 제조 방법을 설명하기 위해 나타낸 흐름도이고, 도4는 도3의 실시 예에 따른 마이크로 반도체 적층 발광소자 제조 방법을 설명하기 위해 나타낸 예시도이며, 도5는 도3의 실시 예에 따른 마이크로 반도체 적층 발광 소자 제조 방법을 설명하기 위해 나타낸 다른 예시도이고, 도6은 도3의 실시 예에 따른 마이크로 반도체 적층 발광 소자 제조 방법을 설명하기 위해 나타낸 또 다른 예시도이며, 도7은 도3의 실시 예에 따른 마이크로 반도체 적층 발광 소자 제조 방법으로 제조된 발광 소자를 나타낸 예시도이다.
도1 내지 도7을 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 마이크로 반도체 적층 발광소자의 제조방법은 기판부(110)상에 제1 에피 구조체(120)를 성장시키고, 상기 제1 에피 구조체(120)상에 제2 에피 구조체(130)를 성장시켜 제1 에피 구조체(120)와 제2 에피 구조체(130)를 순차적으로 적층시켜 생성(S100)한다.
상기 S100 단계에서 제1 에피 구조체(120)는 청색을 발광하고, 제2 에피 구조체(130)는 녹색을 발광할 수 있지만, 이에 한정되는 것은 아니고, 반대로 구성할 수도 있다.
상기 S100 단계에서 생성된 제1 에피 구조체(120)와 제2 에피 구조체(130)의 일부 영역을 에칭하고, 에칭을 통해 노출된 제1 에피 구조체(120)와 제2 에피 구조체(130)의 일부 영역에 패드 전극(140, 141, 142)과 제1 보호막(150)을 형성(S200)한다.
상기 S200 단계에서, 제1 에피 구조체(120)가 노출되도록 제1 에칭부(120a)는 제2 에피 구조체(130)와 제1 에피 구조체(120)의 일부를 에칭을 통해 제거하고, 제2 에칭부(130a)는 제1 에피 구조체(120)와 제2 에피 구조체(130)가 전기적으로 분리되도록 하되, 상기 제2 에피 구조체(130)의 일부를 에칭을 통해 제거한다.
또한, 상기 S200 단계는 제1 에피 구조체(120)와 전기적으로 연결하는 제1 패드 전극(140)과, 제1 및 제2 에피 구조체(120, 130)와 공통 전극으로 연결하는 제2 패드 전극(141)과, 제2 에피 구조체(130)와 전기적으로 연결하는 제3 패드 전극(142)을 형성할 수 있다.
또한, 상기 S200 단계는 제1 내지 제3 패드 전극(140, 141, 142)이 형성된 제1 및 제2 에피 구조체(120, 130)를 전기적으로 절연하여 보호하는 제1 보호막(150)을 설치하여 기판(110)상에 제1 에피 구조체(120)를 이용한 청색 발광소자와 제2 에피 구조체(130)를 이용한 녹색 발광소자가 생성되도록 한다.
계속해서, 상기 제1 및 제2 에피 구조체(120, 130) 상에 적색을 발광하는 제3 에피 구조체(160)를 접착제(미도시)를 이용하여 본딩(S300)한다.
또한, 상기 S300 단계는 제3 에피 구조체(160)를 성장시킨 제3 에피 구조체 기판(161)을 레이저 리프트 오프(LLO) 또는 화학적 에칭(CLO)을 통해 분리 제거할 수 있다.
상기 S300 단계를 수행한 후 제3 에피 구조체(160)를 에칭하고, 에칭된 제1 내지 제3 에피 구조체(120, 130, 160)에 전극 및 보호막을 증착(S400)한다.
상기 S400 단계의 에칭에서, 제3 에칭부(170)를 통해 제1 내지 제3 패드 전극(140, 141, 142)이 노출되도록 제3 에피 구조체(160)의 일부 영역을 에칭하고, 제4 에칭부(171)를 통해 제4 패드 전극(183)의 설치를 위한 제3 에피 구조체(160)의 일부 영역을 에칭한다.
또한, 상기 S400 단계는 에칭이 완료된 제3 에피 구조체(160)의 일측에는 제4 패드 전극(183)을 증착시키고, 에칭을 통해 노출된 제1 내지 제3 패드 전극(140, 141, 142)에는 각각 제1 내지 제3 패드 전극 증착부(180, 181, 182)를 증착시킨다.
또한, 상기 S400 단계는 제3 에피 구조체(160)를 전기적으로 절연하여 보호하는 제2 보호막(150)을 설치하여 청색을 발광하는 제1 에피 구조체(120)와 녹색을 발광하는 제2 에피 구조체(130) 상에 제3 에피 구조체(160)를 이용하여 적색을 발광하는 적색 발광소자가 구성될 수 있도록 한다.
계속해서, 제1 내지 제3 패드 전극 증착부(180, 181, 182)와, 제4 패드 전극(183)에 각각 제1 본딩 전극(190), 제2 본딩 전극(191), 제3 본딩 전극192) 및 제4 본딩 전극(193)을 증착을 통해 설치(S500)한다.
따라서, 마이크로 크기의 청색과 녹색 발광소자위에 마이크로 크기의 적색 발광 소자를 적층시켜 개별 또는 규칙적인 배열 구조를 제공함으로써, 고해상도 디스플레이를 제공할 수 있다.
또한, 싱글 픽셀 RGB 적층 마이크로 반도체 발광소자를 제공할 수 있어서, 웨이퍼 상에 RGB가 적층된 마이크로 반도체 발광소자가 배열된 정밀한 고해상도의 디스플레이 광원과, 구동 백플레인과 접합이 가능한 전극을 구비한 어레이된 광원을 제공할 수 있다.
상기와 같이, 본 발명의 바람직한 실시 예를 참조하여 설명하였지만 해당 기술 분야의 숙련된 당업자라면 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
또한, 본 발명의 특허청구범위에 기재된 도면번호는 설명의 명료성과 편의를 위해 기재한 것일 뿐 이에 한정되는 것은 아니며, 실시예를 설명하는 과정에서 도면에 도시된 선들의 두께나 구성요소의 크기 등은 설명의 명료성과 편의상 과장되게 도시되어 있을 수 있다.
또한, 상술된 용어들은 본 발명에서의 기능을 고려하여 정의된 용어들로서 이는 사용자, 운용자의 의도 또는 관례에 따라 달라질 수 있으므로, 이러한 용어들에 대한 해석은 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 내려져야 할 것이다.
또한, 명시적으로 도시되거나 설명되지 아니하였다 하여도 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기재사항으로부터 본 발명에 의한 기술적 사상을 포함하는 다양한 형태의 변형을 할 수 있음은 자명하며, 이는 여전히 본 발명의 권리범위에 속한다.
또한, 첨부하는 도면을 참조하여 설명된 상기의 실시예들은 본 발명을 설명하기 위한 목적으로 기술된 것이며 본 발명의 권리범위는 이러한 실시예에 국한되지 아니한다.
100 : 마이크로 반도체 적층 발광소자 110 : 기판부
120 : 제1 에피 구조체 120a : 제1 에칭부
130 : 제2 에피 구조체 130a : 제2 에칭부
140 : 제1 패드 전극 141 : 제2 패드 전극
142 : 제3 패드 전극 150 : 제1 보호막
150a : 제2 보호막 160 : 제3 에피 구조체
161 : 제3 에피 구조체 기판 170 : 제3 에칭부
171 : 제4 에칭부 180 : 제1 패드 전극 증착부
181 : 제2 패드 전극 증착부 182 : 제3 패드 전극 증착부
183 : 제4 패드 전극 190 : 제1 본딩 전극
191 : 제2 본딩 전극 192 : 제3 본딩 전극
193 : 제4 본딩 전극 200 : 어레이 광원

Claims (7)

  1. 기판부(110)상에 적색 반도체 발광소자, 녹색 반도체 발광소자 및 청색 반도체 발광소자가 적층되어 구성된 마이크로 반도체 적층 발광소자.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 마이크로 반도체 적층 발광소자는 청색 반도체 발광소자 및 녹색 반도체 발광소자위에 적색 반도체 발광소자가 적층된 것을 특징으로 하는 마이크로 반도체 적층 발광소자.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 청색 반도체 발광소자 및 녹색 반도체 발광소자위에 적색 반도체 발광소자가 적층된 발광소자는 개별 픽셀 단위 또는 규칙적인 배열 구조로 이루어지는 것을 특징으로 하는 마이크로 반도체 적층 발광소자.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 마이크로 반도체 적층 발광소자는 기판부(110);
    상기 기판부(110)상에 설치되어 청색을 발광하는 제1 에피 구조체(120);
    상기 제1 에피 구조체(120) 상에 설치되어 녹색을 발광하는 제2 에피 구조체(130);
    상기 제1 및 제2 에피 구조체(120, 130)의 일부 영역에 설치되는 패드 전극(140, 141, 142);
    상기 제1 및 제2 에피 구조체(120, 130)를 보호하는 제1 보호막(150);
    상기 제1 및 제2 에피 구조체(120, 130) 상에 설치되어 적색을 발광하는 제3 에피 구조체(160);
    상기 제3 에피 구조체(160)를 보호하는 제2 보호막(150); 및
    상기 제1 내지 제3 에피 구조체(120, 130, 160)와 접속된 복수의 본딩 전극(190, 191, 192, 193, 194);을 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 반도체 적층 발광소자.
  5. a) 기판부(110)에 제1 에피 구조체(120)와 제2 에피 구조체(130)를 순차적으로 적층시켜 생성하고, 상기 제1 에피 구조체(120)와 제2 에피 구조체(130)의 일부 영역을 에칭하여 제1 에피 구조체(120)와 제2 에피 구조체(130)에 제1 내지 제3 패드 전극(140, 141, 142)을 형성하는 단계;
    b) 상기 제1 및 제2 에피 구조체(120, 130) 상에 제3 에피 구조체(160)를 본딩하고, 상기 제3 에피 구조체(160)의 기판(161)을 제거하는 단계;
    c) 상기 제3 에피 구조체(160)를 에칭하되, 제3 에피 구조체(160)의 일부 영역은 상기 제1 내지 제3 패드 전극(140, 141, 142)이 노출되도록 에칭하고, 에칭이 완료된 상기 제3 에피 구조체(160)에 제4 패드 전극(183)과 노출된 패드 전극(140, 141, 142)에 제1 내지 제3 패드 전극 증착부(180, 181, 182)를 생성하는 단계; 및
    d) 상기 제1 내지 제3 패드 전극 증착부(180, 181, 182)와, 제4 패드 전극(183)에 제1 내지 제4 본딩 전극(190, 191, 192, 193)을 설치하는 단계;를 포함하는 마이크로 반도체 적층 발광소자의 제조방법.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 제1 에피 구조체(120) 및 제2 에피 구조체(130)는 청색 또는 녹색 중 어느 하나의 색상을 발광하는 것을 특징으로 하는 마이크로 반도체 적층 발광소자의 제조방법.
  7. 제 5 항에 있어서,
    상기 제3 에피 구조체(160)는 적색을 발광하는 것을 특징으로 하는 마이크로 반도체 적층 발광소자의 제조방법.
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