KR20230077652A - Light-emitting device and electronic apparatus including the same - Google Patents

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KR20230077652A
KR20230077652A KR1020220149642A KR20220149642A KR20230077652A KR 20230077652 A KR20230077652 A KR 20230077652A KR 1020220149642 A KR1020220149642 A KR 1020220149642A KR 20220149642 A KR20220149642 A KR 20220149642A KR 20230077652 A KR20230077652 A KR 20230077652A
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고효민
이보라
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Abstract

Disclosed are a light emitting element and an electronic device comprising the same. The light emitting element comprises: a first pixel electrode, a second pixel electrode, and a third pixel electrode disposed in each of a first light emitting area, a second light emitting area, and a third light emitting area; an opposite electrode opposing the first pixel electrode, the second pixel electrode, and the third pixel electrode; and an intermediate layer disposed between the first pixel electrode, the second pixel electrode, the third pixel electrode, and the opposite electrode. Therefore, the present invention is capable of providing the light emitting element having high efficiency and long lifespan.

Description

발광 소자 및 이를 포함한 전자 장치{Light-emitting device and electronic apparatus including the same}Light-emitting device and electronic device including the same {Light-emitting device and electronic apparatus including the same}

발광 소자 및 이를 포함한 전자 장치에 관한 것이다.It relates to a light emitting element and an electronic device including the same.

발광 소자 중 자발광형 소자는 시야각이 넓고 콘트라스트가 우수할 뿐만 아니라, 응답시간이 빠르며, 휘도, 구동전압 및 응답속도 특성이 우수하다.Among the light emitting devices, the self-emitting device has a wide viewing angle and excellent contrast, a fast response time, and excellent luminance, driving voltage, and response speed characteristics.

상기 발광 소자는 기판 상부에 제1전극이 배치되어 있고, 상기 제1전극 상부에 정공 수송 영역(hole transport region), 발광층, 전자 수송 영역(electron transport region) 및 제2전극이 순차적으로 배치되어 있는 구조를 가질 수 있다. 상기 제1전극으로부터 주입된 정공은 정공 수송 영역을 경유하여 발광층으로 이동하고, 제2전극으로부터 주입된 전자는 전자 수송 영역을 경유하여 발광층으로 이동한다. 상기 정공 및 전자와 같은 캐리어들은 발광층 영역에서 재결합하여 엑시톤(exciton)을 생성한다. 상기 엑시톤이 여기 상태에서 기저상태로 변하면서 광이 생성된다.The light emitting device has a first electrode disposed on a substrate, and a hole transport region, a light emitting layer, an electron transport region, and a second electrode are sequentially disposed on the first electrode. can have a structure. Holes injected from the first electrode move to the light emitting layer via the hole transport region, and electrons injected from the second electrode move to the light emitting layer via the electron transport region. Carriers such as holes and electrons recombine in the light emitting layer region to generate excitons. Light is generated as the exciton changes from an excited state to a ground state.

저구동전압, 고효율 및 장수명을 갖는 발광 소자를 제공하는 것이다.It is to provide a light emitting device having a low driving voltage, high efficiency and long lifespan.

일 측면에 따르면,According to one aspect,

제1발광 영역, 제2발광 영역 및 제3발광 영역 각각에 배치된 제1화소전극, 제2화소전극 및 제3화소전극;a first pixel electrode, a second pixel electrode, and a third pixel electrode disposed in the first light emitting area, the second light emitting area, and the third light emitting area, respectively;

상기 제1화소전극, 상기 제2화소전극 및 상기 제3화소전극에 대향된 대향전극; 및a counter electrode facing the first pixel electrode, the second pixel electrode, and the third pixel electrode; and

상기 제1화소전극, 상기 제2화소전극 및 상기 제3화소전극과 상기 대향전극 사이에 배치된 중간층;an intermediate layer disposed between the first pixel electrode, the second pixel electrode and the third pixel electrode and the counter electrode;

을 포함하고,including,

상기 중간층은 발광층 및 상기 발광층과 상기 대향전극 사이에 배치된 전자 수송 영역을 포함하고,The intermediate layer includes a light emitting layer and an electron transport region disposed between the light emitting layer and the counter electrode,

상기 발광층은, The light emitting layer,

상기 제1발광 영역에 대응되어 배치되고, 제1색광을 방출하는 제1발광층;a first light emitting layer disposed corresponding to the first light emitting region and emitting a first color light;

상기 제2발광 영역에 대응되어 배치되고, 제2색광을 방출하는 제2발광층; 및a second light emitting layer disposed to correspond to the second light emitting region and emitting a second color light; and

상기 제3발광 영역에 대응되어 배치되고, 제3색광을 방출하는 제3발광층; 을 포함하고,a third light emitting layer disposed corresponding to the third light emitting region and emitting a third color light; including,

상기 전자 수송 영역은 전자 수송층을 포함하고,The electron transport region includes an electron transport layer,

상기 전자 수송층은 제1재료, 제2재료 및 제3재료의 혼합물을 포함하고,The electron transport layer includes a mixture of a first material, a second material, and a third material,

상기 제1재료는 전자 수송성 화합물을 포함하고,The first material includes an electron transport compound,

상기 제2재료는 금속-함유 화합물을 포함하고,The second material includes a metal-containing compound,

상기 제3재료는 저굴절률 화합물을 포함하고,The third material includes a low refractive index compound,

상기 제1재료, 상기 제2재료 및 상기 제3재료는 서로 상이한, 발광 소자가 제공된다.The first material, the second material and the third material are different from each other, a light emitting element is provided.

다른 측면에 따르면, 상기 발광 소자를 포함하는 전자 장치가 제공된다.According to another aspect, an electronic device including the light emitting device is provided.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 제1재료, 제2재료 및 제3재료의 혼합물을 포함하는 전자 수송층을 도입함으로서, 저구동전압, 고효율 및 장수명을 갖는 발광 소자를 구현할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, a light emitting device having a low driving voltage, high efficiency, and long lifespan can be implemented by introducing an electron transport layer including a mixture of the first material, the second material, and the third material.

도 1은 일 구현예를 따르는 발광 소자의 단면도를 개략적으로 도시한 것이다.
도 2 및 3은 각각 일 구현예를 따르는 발광 장치의 단면도이다.
도 4은 평가예 1에 따른 ETL A 내지 E에 대하여 파장에 따른 굴절률을 측정한 그래프이다.
도 5a 내지 5c는 평가예 2에 따른 각각 적색 파장, 녹색 파장 및 청색 파장 영역에서의 ETL D 및 ETL E을 포함하는 발광 소자의 발광 효율에 대한 시뮬레이션 값을 나타내는 그래프이다.
1 schematically illustrates a cross-sectional view of a light emitting device according to an embodiment.
2 and 3 are cross-sectional views of a light emitting device according to one embodiment, respectively.
4 is a graph measuring refractive indices according to wavelengths for ETLs A to E according to Evaluation Example 1;
5A to 5C are graphs showing simulation values of luminous efficiency of a light emitting device including ETL D and ETL E in red, green, and blue wavelength regions, respectively, according to Evaluation Example 2;

본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 본 발명의 효과 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 다양한 형태로 구현될 수 있다.Since the present invention can apply various transformations and have various embodiments, specific embodiments will be illustrated in the drawings and described in detail in the detailed description. Effects and features of the present invention, and methods for achieving them will become clear with reference to the embodiments described later in detail together with the drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below and may be implemented in various forms.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 도면을 참조하여 설명할 때 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면부호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings, and when describing with reference to the drawings, the same or corresponding components are assigned the same reference numerals, and overlapping descriptions thereof will be omitted. .

이하의 실시예에서, 제1, 제2 등의 용어는 한정적인 의미가 아니라 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하는 목적으로 사용되었다.In the following embodiments, terms such as first and second are used for the purpose of distinguishing one component from another component without limiting meaning.

이하의 실시예에서, 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.In the following examples, expressions in the singular number include plural expressions unless the context clearly dictates otherwise.

이하의 실시예에서, 포함하다 또는 가지다 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 또는 구성요소가 존재함을 의미하는 것이고, 하나 이상의 다른 특징들 또는 구성요소가 부가될 가능성을 미리 배제하는 것은 아니다.In the following embodiments, terms such as include or have mean that features or components described in the specification exist, and do not preclude the possibility that one or more other features or components may be added.

이하의 실시예에서 층, 막, 영역, 판 등의 각종 구성요소가 다른 구성요소 "상에" 있다고 할 때, 이는 다른 구성요소 "바로 상에" 있는 경우뿐 아니라 그 사이에 다른 구성요소가 개재된 경우도 포함한다. 또한 설명의 편의를 위하여 도면에서는 구성 요소들이 그 크기가 과장 또는 축소될 수 있다. 예컨대, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.In the following embodiments, when various elements such as layers, films, regions, and plates are said to be “on” other elements, this is not only when they are “directly on” other elements, but also when other elements are interposed therebetween. Including cases where In addition, for convenience of description, the size of components may be exaggerated or reduced in the drawings. For example, since the size and thickness of each component shown in the drawings are arbitrarily shown for convenience of description, the present invention is not necessarily limited to the illustrated bar.

본 발명에서 물질의 굴절률 및 층(layer)의 굴절률은 후술하는 바를 참조할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present invention, the refractive index of the material and the refractive index of the layer may be referred to as described later, but is not limited thereto.

물질의 굴절률은 ellipsometry 기계를 사용하여 25℃에서 측정되었다. 광원에서 출발한 빛이 편광자를 통과한 이후에 시료에 부딪힌 후, 그 반사된 빛을 검출하여 빛의 위상, 편광 방향, 세기 등을 계측한다. 이를 통해 재료의 복굴절률을 추출할 수 있다. 혼합막의 굴절률의 경우 혼합막을 실제로 증착한 후 동일한 방법을 사용하여 측정되었다.The refractive index of the material was measured at 25 °C using an ellipsometry instrument. After the light from the light source passes through the polarizer and hits the sample, the reflected light is detected to measure the phase, polarization direction, and intensity of the light. Through this, the birefringence of the material can be extracted. The refractive index of the mixed film was measured using the same method after actually depositing the mixed film.

일 구현예에 따르면, 본원의 발광 소자는 제1발광 영역, 제2발광 영역 및 제3발광 영역 각각에 배치된 제1화소전극, 제2화소전극 및 제3화소전극; 상기 제1화소전극, 상기 제2화소전극 및 상기 제3화소전극에 대향된 대향전극; 및According to one embodiment, the light emitting device of the present application includes a first pixel electrode, a second pixel electrode, and a third pixel electrode disposed in the first light emitting region, the second light emitting region, and the third light emitting region, respectively; a counter electrode facing the first pixel electrode, the second pixel electrode, and the third pixel electrode; and

상기 제1화소전극, 상기 제2화소전극 및 상기 제3화소전극과 상기 대향전극 사이에 배치된 중간층;을 포함할 수 있다.and an intermediate layer disposed between the first pixel electrode, the second pixel electrode, and the third pixel electrode and the counter electrode.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 소자의 단면도이다.1 is a cross-sectional view of a light emitting device according to an embodiment of the present invention.

[도 1에 대한 설명] [Description of Figure 1]

도 1을 참조하여, 일 실시예에 따른 발광 소자(1)의 구조를 상세히 설명한다.Referring to FIG. 1 , a structure of a light emitting device 1 according to an exemplary embodiment will be described in detail.

[화소전극(111, 112,113)][Pixel electrodes 111, 112, 113]

발광 소자(1)는 제1발광 영역, 제2발광 영역 및 제3발광 영역 각각에 배치된 제1화소전극(111), 제2화소전극(112) 및 제3화소전극(113)을 포함한다.The light emitting element 1 includes a first pixel electrode 111, a second pixel electrode 112, and a third pixel electrode 113 disposed in the first light emitting region, the second light emitting region, and the third light emitting region, respectively. .

제1화소전극(111), 제2화소전극(112) 및 제3화소전극(113)은 각각 투과형, 반투과형 또는 반사형 전극으로 형성될 수 있다.The first pixel electrode 111, the second pixel electrode 112, and the third pixel electrode 113 may each be formed as a transmissive, transflective, or reflective electrode.

예를 들어, 상기 제1화소전극(111), 제2화소전극(112) 및 제3화소전극(113)은 반사형 전극으로 형성될 수 있다.For example, the first pixel electrode 111, the second pixel electrode 112, and the third pixel electrode 113 may be formed as reflective electrodes.

제1화소전극(111), 제2화소전극(112) 및 제3화소전극(113)이 투과형 전극일 경우, 산화인듐주석(ITO), 산화인듐아연(IZO), 산화주석(SnO2), 산화아연(ZnO), 또는 이의 임의의 조합을 이용할 수 있다. When the first pixel electrode 111, the second pixel electrode 112, and the third pixel electrode 113 are transmissive electrodes, indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), tin oxide (SnO 2 ), Zinc oxide (ZnO), or any combination thereof, may be used.

제1화소전극(111), 제2화소전극(112) 및 제3화소전극(113)이 반사형 전극일 경우, 제1화소전극(111), 제2화소전극(112) 및 제3화소전극(113)은 마그네슘(Mg), 은(Ag), 알루미늄(Al), 알루미늄-리튬(Al-Li), 칼슘(Ca), 마그네슘-인듐(Mg-In), 마그네슘-은(Mg-Ag), 또는 이의 임의의 조합을 이용할 수 있다. When the first pixel electrode 111, the second pixel electrode 112, and the third pixel electrode 113 are reflective electrodes, the first pixel electrode 111, the second pixel electrode 112, and the third pixel electrode (113) is magnesium (Mg), silver (Ag), aluminum (Al), aluminum-lithium (Al-Li), calcium (Ca), magnesium-indium (Mg-In), magnesium-silver (Mg-Ag) , or any combination thereof.

제1화소전극(111), 제2화소전극(112) 및 제3화소전극(113)은 전술한 재료 외에도 다양한 재질로 형성될 수 있으며, 단일층인 단층 구조 또는 복수의 층을 갖는 다층 구조를 가질 수 있다.The first pixel electrode 111, the second pixel electrode 112, and the third pixel electrode 113 may be formed of various materials other than the above-described materials, and may have a single-layer structure that is a single layer or a multi-layer structure that has a plurality of layers. can have

제1화소전극(111), 제2화소전극(112) 및 제3화소전극(113)은 기판(미도시) 상에 배치될 수 있다.The first pixel electrode 111, the second pixel electrode 112, and the third pixel electrode 113 may be disposed on a substrate (not shown).

기판은 기계적 강도, 열안정성, 투명성, 표면 평활성, 취급 용이성 및 방수성이 우수한 유리 기판 또는 플라스틱 기판을 사용할 수 있다. 예를 들어, 상기 기판으로는, 유리 기판 또는 플라스틱 기판을 사용할 수 있다. 또는, 상기 기판은 가요성 기판일 수 있으며, 예를 들어, 폴리이미드(polyimide), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET; polyethylene terephthalate), 폴리카보네이트(polycarbonate), 폴리에틸렌 나프탈레이트(polyethylene naphtalate), 폴리아릴레이트(PAR; polyarylate), 폴리에테르이미드(polyetherimide), 또는 이의 임의의 조합과 같이, 내열성 및 내구성이 우수한 플라스틱을 포함할 수 있다. As the substrate, a glass substrate or plastic substrate having excellent mechanical strength, thermal stability, transparency, surface smoothness, ease of handling, and water resistance may be used. For example, as the substrate, a glass substrate or a plastic substrate can be used. Alternatively, the substrate may be a flexible substrate, for example, polyimide, polyethylene terephthalate (PET), polycarbonate, polyethylene naphtalate, polyarylate ( PAR; polyarylate), polyetherimide, or any combination thereof, such as a plastic having excellent heat resistance and durability.

예를 들어, 발광층(131, 132, 133)의 빛이 기판 방향으로 방출되는 배면 발광형(bottom emission type)인 경우, 기판은 투명할 수 있다.For example, in the case of a bottom emission type in which light from the emission layers 131, 132, and 133 is emitted toward the substrate, the substrate may be transparent.

다른 예로서, 발광층(131, 132, 133)의 빛이 기판의 반대 방향으로 방출되는 전면 발광형(top emission type)인 경우, 기판은 반드시 투명할 필요는 없고, 불투명하거나 반투명할 수 있다.As another example, in the case of a top emission type in which light from the emission layers 131, 132, and 133 is emitted in a direction opposite to the substrate, the substrate is not necessarily transparent and may be opaque or translucent.

일 구현예에 따르면, 상기 발광층(131, 132, 133)의 빛이 기판의 반대 방향으로 방출되는 전면 발광형(top emission type)일 수 있다.According to an embodiment, the light emitting layers 131, 132, and 133 may be of a top emission type in which light is emitted in a direction opposite to that of the substrate.

도 1에서는 생략되었으나, 기판과 제1화소전극(111), 제2화소전극(112) 및 제3화소전극(113) 사이에는 버퍼층, 박막 트랜지스터, 유기 절연층 등을 더 포함할 수 있다.Although omitted in FIG. 1 , a buffer layer, a thin film transistor, an organic insulating layer, and the like may be further included between the substrate and the first pixel electrode 111 , the second pixel electrode 112 , and the third pixel electrode 113 .

[대향전극(150)][counter electrode 150]

발광 소자(1)는 제1화소전극(111), 제2화소전극(112) 및 제3화소전극(113)에 대향된 대향전극(150)을 포함한다.The light emitting element 1 includes a counter electrode 150 facing the first pixel electrode 111 , the second pixel electrode 112 , and the third pixel electrode 113 .

대향전극(150)은 제1발광 영역에 대응되는 제1대향전극 영역, 제2발광 영역에 대응되는 제2대향전극 영역 및 제3발광 영역에 대응되는 제3대향전극 영역을 포함할 수 있다.The counter electrode 150 may include a first counter electrode area corresponding to the first light emitting area, a second counter electrode area corresponding to the second light emitting area, and a third counter electrode area corresponding to the third light emitting area.

상기 대향전극(150)은 전자 주입 전극인 캐소드(cathode)일 수 있는데, 이 때, 상기 제2전극(150)용 물질로는 낮은 일함수를 가지는 금속, 합금, 전기전도성 화합물, 또는 이의 임의의 조합을 사용할 수 있다.The counter electrode 150 may be a cathode, which is an electron injection electrode. In this case, as a material for the second electrode 150, a metal, an alloy, an electrically conductive compound having a low work function, or any of these materials is used. combinations can be used.

대향전극(150)은 투과형, 반투과형 또는 반사형 전극으로 형성될 수 있다. The counter electrode 150 may be formed as a transmissive, transflective or reflective electrode.

대향전극(150)은 리튬(Li), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 알루미늄-리튬(Al-Li), 칼슘(Ca), 마그네슘-인듐(Mg-In), 마그네슘-은(Mg-Ag), 이터븀(Yb), 은-이터븀(Ag-Yb), ITO, IZO, 또는 이의 임의의 조합을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The counter electrode 150 is lithium (Li), silver (Ag), magnesium (Mg), aluminum (Al), aluminum-lithium (Al-Li), calcium (Ca), magnesium-indium (Mg-In), magnesium - It may include silver (Mg-Ag), ytterbium (Yb), silver-ytterbium (Ag-Yb), ITO, IZO, or any combination thereof, but is not limited thereto.

대향전극(150)은 전술한 재료 외에도 다양한 재질로 형성될 수 있으며, 단일층인 단층 구조 또는 복수의 층을 갖는 다층 구조를 가질 수 있다.The counter electrode 150 may be formed of various materials other than the above materials, and may have a single-layer structure of a single layer or a multi-layer structure of a plurality of layers.

일 구현예에 따르면, 제1화소전극(111), 제2화소전극(112) 및 제3화소전극(113)은 애노드이고, 대향전극(150)은 캐소드이고, 상기 애노드는 반사형 전극이고, 상기 캐소드는 투과형 전극 또는 반투과형 전극일 수 있다.According to one embodiment, the first pixel electrode 111, the second pixel electrode 112, and the third pixel electrode 113 are anodes, the counter electrode 150 is a cathode, the anode is a reflective electrode, The cathode may be a transmissive electrode or a transflective electrode.

[중간층][middle layer]

발광 소자(1)는 제1화소전극(111), 제2화소전극(112) 및 제3화소전극(113)과 대향전극(150) 사이에 배치된 중간층을 포함한다.The light emitting element 1 includes a first pixel electrode 111 , a second pixel electrode 112 , and an intermediate layer disposed between the third pixel electrode 113 and the counter electrode 150 .

상기 중간층은 발광층(131, 132, 133) 및 상기 발광층(131, 132, 133) 및 대향전극(150) 사이에 배치된 전자 수송 영역(140)을 포함한다.The intermediate layer includes light emitting layers 131 , 132 , and 133 and an electron transport region 140 disposed between the light emitting layers 131 , 132 , 133 and the counter electrode 150 .

상기 중간층은 발광층(131, 132, 133) 및 상기 제1화소전극(111), 제2화소전극(112) 및 제3화소전극(113)과 상기 발광층(131, 132, 133) 사이에 배치된 정공 수송 영역(120)을 포함한다.The intermediate layer is disposed between the light-emitting layers 131, 132, and 133 and the first pixel electrode 111, the second pixel electrode 112, and the third pixel electrode 113 and the light-emitting layers 131, 132, and 133. A hole transport region 120 is included.

[중간층 중 발광층(131, 132, 133)][Light-emitting layers (131, 132, 133) of intermediate layers]

발광층(131, 132, 133)은 제1발광 영역에 대응되어 배치되고, 제1색광을 방출하는 제1발광층(131); 제2발광 영역에 대응되어 배치되고, 제2색광을 방출하는 제2발광층(132); 및 상기 제3발광 영역에 대응되어 배치되고, 제3색광을 방출하는 제3발광층(133)을 포함한다.The light-emitting layers 131, 132, and 133 are disposed to correspond to the first light-emitting area and emit first color light; a second light emitting layer 132 disposed to correspond to the second light emitting region and emitting second color light; and a third light emitting layer 133 disposed to correspond to the third light emitting region and emitting a third color light.

상기 제1색광의 최대 발광 파장, 상기 제2색광의 최대 발광 파장 및 상기 제3색광의 최대 발광 파장은 모두 상이할 수 있다. The maximum emission wavelength of the first color light, the maximum emission wavelength of the second color light, and the maximum emission wavelength of the third color light may all be different.

상기 제1색광의 최대 발광 파장 및 상기 제2색광의 최대 발광 파장 각각은 상기 제3색광의 최대 발광 파장보다 길 수 있다.Each of the maximum emission wavelength of the first color light and the maximum emission wavelength of the second color light may be longer than the maximum emission wavelength of the third color light.

예를 들어, 상기 제1색광은 적색광이고, 상기 제2색광은 녹색광이고, 상기 제3색광은 청색광일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.For example, the first color light may be red light, the second color light may be green light, and the third color light may be blue light, but is not limited thereto.

예를 들어, 상기 제1색광의 최대 발광 파장은 약 620nm 내지 약 750nm 중에서 선택되고; 상기 제2색광의 최대 발광 파장 각각은 약 495nm 내지 약 570nm 중에서 선택되고; 상기 제3색광의 최대 발광 파장은 약 450nm 내지 약 495nm 중에서 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.For example, the maximum emission wavelength of the first color light is selected from about 620 nm to about 750 nm; each of the maximum emission wavelengths of the second color light is selected from about 495 nm to about 570 nm; The maximum emission wavelength of the third color light may be selected from about 450 nm to about 495 nm, but is not limited thereto.

일 구현예에 따르면, 상기 제1색광, 상기 제2색광 및 상기 제3색광은 2차 공진으로 방출될 수 있다.According to an embodiment, the first color light, the second color light, and the third color light may be emitted through secondary resonance.

발광층에서 발생한 빛이 효과적으로 외부로 방출되도록 하기 위하여 발광 소자에 미세 공진 구조를 적용할 수 있다. 예를 들어, 광로 길이(optical length)만큼 떨어져 있는 반투과층인 대향전극(150)과 반사층인 화소전극(111, 112, 113) 사이에서 빛이 반사를 반복하면, 보강 간섭에 의해 특정 파장의 빛이 증폭되고 그 외의 파장의 빛은 상쇄되며, 증폭된 빛은 반투과층인 대향전극(150)을 통과하여 외부로 방출될 수 있다.A microresonant structure may be applied to the light emitting device in order to effectively emit light generated from the light emitting layer to the outside. For example, when light is repeatedly reflected between the counter electrode 150, which is a semi-transmissive layer, and the pixel electrodes 111, 112, and 113, which are a reflective layer, which are separated by an optical path length, constructive interference results in the transmission of a specific wavelength. Light is amplified, light of other wavelengths is canceled, and the amplified light can pass through the counter electrode 150, which is a semi-transmissive layer, and be emitted to the outside.

상기 제1발광 영역, 제2발광 영역 및 제3발광 영역 각각은 화소전극(111, 112, 113), 정공 수송 영역(120), 발광층(131, 132, 133), 전자 수송 영역(140) 및 대향전극(150)을 포함한다. 상기 제1발광 영역, 제2발광 영역 및 제3발광 영역 각각의 화소전극(111, 112, 113)의 전면(대향전극과 마주보는 방향의 상면)과 대향전극(150)의 배면(화소전극과 마주보는 방향의 상면) 사이의 거리는 공진거리(Lc)로 정의되고, 공진거리(Lc)는 아래의 수학식 1에 따른다.Each of the first light emitting region, the second light emitting region, and the third light emitting region includes a pixel electrode 111, 112, and 113, a hole transport region 120, a light emitting layer 131, 132, and 133, an electron transport region 140, and A counter electrode 150 is included. The front surface of the pixel electrodes 111, 112, and 113 of the first light emitting region, the second light emitting region, and the third light emitting region (upper surface facing the counter electrode) and the rear surface of the counter electrode 150 (pixel electrode and The distance between the upper surfaces in the facing direction) is defined as a resonance distance Lc, and the resonance distance Lc follows Equation 1 below.

<수학식 1><Equation 1>

Figure pat00001
Figure pat00001

여기서, Nc은 공진구조물의 유효 굴절률, λ는 공진시키려는 광의 파장, k는 공진차수로 정의된다. 공진구조물은 화소전극(111, 112, 113)과 대향전극(150) 사이에 배치된 중간층들을 모두 포함한다.Here, Nc is defined as the effective refractive index of the resonance structure, λ is the wavelength of light to be resonated, and k is defined as the resonance order. The resonance structure includes all intermediate layers disposed between the pixel electrodes 111 , 112 , and 113 and the counter electrode 150 .

2차 공진 구조는 공진 거리가 방출되는 빛의 파장의 2차 공진 거리에 대응하는 구조로서, 상기 수학식 1에서 k가 2인 경우이다.The secondary resonance structure is a structure in which the resonance distance corresponds to the secondary resonance distance of the wavelength of emitted light, and k is 2 in Equation 1 above.

일 구현예에 따르면, 상기 제1대향전극 영역의 상기 제1화소전극 방향의 면과 상기 제1화소전극(111)의 상기 제1대향전극 영역 방향의 면 사이의 제1거리(L1)는 상기 제1색광의 2차 공진 거리에 대응하고, 상기 제2대향전극 영역의 상기 제2화소전극 방향의 면과 상기 제2화소전극(112)의 상기 제2대향전극 영역 방향의 면 사이의 제2거리(L2)는 상기 제2색광의 2차 공진 거리에 대응하고, 상기 제3대향전극 영역의 상기 제3화소전극 방향의 면과 상기 제3화소전극(113)의 상기 제3대향전극 영역 방향의 면 사이의 제3거리(L3)는 상기 제3색광의 2차 공진 거리에 대응할 수 있다.According to an embodiment, a first distance (L 1 ) between a surface of the first counter electrode region in the direction of the first pixel electrode and a surface of the first pixel electrode 111 in the direction of the first counter electrode region is Corresponding to the secondary resonance distance of the first color light, a distance between a surface of the second counter electrode area in the direction of the second pixel electrode and a surface of the second pixel electrode 112 in the direction of the second counter electrode area 2 distance (L 2 ) corresponds to the secondary resonance distance of the second color light, and the surface of the third counter electrode region in the direction of the third pixel electrode and the third counter electrode of the third pixel electrode 113 The third distance L 3 between the planes in the area direction may correspond to the secondary resonance distance of the third color light.

다른 구현예에 있어서, 상기 L1, 상기 L2 및 상기 L3는 각각 하기 식 1 내지 3을 만족할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In another embodiment, L 1 , L 2 and L 3 may each satisfy Equations 1 to 3 below, but are not limited thereto.

<식 1> <Equation 1>

L1 = λ1 / 2N1 ⅹ 2L 1 = λ 1 / 2N 1 x 2

<식 2><Equation 2>

L2 = λ2 / 2N2 ⅹ 2L 2 = λ 2 / 2N 2 ⅹ 2

<식 3><Equation 3>

L3 = λ3 / 2N3 ⅹ 2L 3 = λ 3 / 2N 3 ⅹ 2

상기 식 1 내지 3 중,In Formulas 1 to 3 above,

상기 L1은 상기 제1화소전극과 상기 대향전극 사이의 거리이고;L 1 is a distance between the first pixel electrode and the counter electrode;

상기 L2는 상기 제2화소전극과 상기 대향전극 사이의 거리이고;L 2 is a distance between the second pixel electrode and the counter electrode;

상기 L3는 상기 제3화소전극과 상기 대향전극 사이의 거리이고;L 3 is a distance between the third pixel electrode and the counter electrode;

상기 λ1은 상기 제1색광의 최대 발광 파장이고;λ 1 is the maximum emission wavelength of the first color light;

상기 λ2는 상기 제2색광의 최대 발광 파장이고;λ 2 is the maximum emission wavelength of the second color light;

상기 λ3는 상기 제3색광의 최대 발광 파장이고;λ 3 is the maximum emission wavelength of the third color light;

상기 N1은 상기 제1화소전극과 상기 대향전극 사이에 개재된 중간층의 굴절율이고;N 1 is a refractive index of an intermediate layer interposed between the first pixel electrode and the counter electrode;

상기 N2는 상기 제2화소전극과 상기 대향전극 사이에 개재된 중간층의 굴절율이고;N 2 is a refractive index of an intermediate layer interposed between the second pixel electrode and the counter electrode;

상기 N3는 상기 제3화소전극과 상기 대향전극 사이에 개재된 중간층의 굴절율이다. N 3 is a refractive index of an intermediate layer interposed between the third pixel electrode and the counter electrode.

일 실시예에 있어서, 상기 L1은 2600 Å 내지 2800 Å이고, 상기 L2는 2200 Å 내지 2400Å이고, 상기 L3는 1700 Å 내지 1900 Å일 수 있다.In one embodiment, the L 1 may be 2600 Å to 2800 Å, the L 2 may be 2200 Å to 2400 Å, and the L 3 may be 1700 Å to 1900 Å.

이하, 발광 소자(1)의 중간층에 포함되는 각 층을 더욱 상세히 설명한다.Hereinafter, each layer included in the intermediate layer of the light emitting element 1 will be described in more detail.

[정공 수송 영역(120)][hole transport region 120]

상기 정공 수송 영역(120)은, i) 단일 물질로 이루어진(consist of) 단일층으로 이루어진(consist of) 단층 구조, ii) 복수의 서로 상이한 물질을 포함한 단일층으로 이루어진(consist of) 단층 구조 또는 iii) 복수의 서로 상이한 물질을 포함한 복수의 층을 포함한 다층 구조를 가질 수 있다. The hole transport region 120 may include i) a single layer structure consisting of a single material (consist of), ii) a single layer structure consisting of a plurality of different materials (consist of), or iii) It may have a multilayer structure including a plurality of layers including a plurality of different materials.

상기 정공 수송 영역은, 정공 주입층, 정공 수송층, 발광 보조층, 전자 저지층, 또는 이의 임의의 조합을 포함할 수 있다.The hole transport region may include a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting auxiliary layer, an electron blocking layer, or any combination thereof.

예를 들어, 상기 정공 수송 영역은, 제1화소전극(111), 제2화소전극(112) 및 제3화소전극(113)으로부터 차례로 적층된 정공 주입층/정공 수송층, 정공 주입층/정공 수송층/발광 보조층, 정공 주입층/발광 보조층, 정공 수송층/발광 보조층 또는 정공 주입층/정공 수송층/전자 저지층의 다층 구조를 가질 수 있다.For example, the hole transport region includes a hole injection layer/hole transport layer and a hole injection layer/hole transport layer sequentially stacked from the first pixel electrode 111, the second pixel electrode 112, and the third pixel electrode 113. / It may have a multi-layered structure of light emitting auxiliary layer, hole injection layer/light emitting auxiliary layer, hole transport layer/light emitting auxiliary layer, or hole injection layer/hole transport layer/electron blocking layer.

상기 정공 수송 영역은, 하기 화학식 201로 표시되는 화합물, 하기 화학식 202로 표시되는 화합물, 또는 이의 임의의 조합(any combination thereof)을 포함할 수 있다:The hole transport region may include a compound represented by Chemical Formula 201, a compound represented by Chemical Formula 202, or any combination thereof:

<화학식 201><Formula 201>

Figure pat00002
Figure pat00002

<화학식 202><Formula 202>

Figure pat00003
Figure pat00003

상기 화학식 201 및 202 중, In Chemical Formulas 201 and 202,

L201 내지 L204는 서로 독립적으로, 적어도 하나의 R10a로 치환 또는 비치환된 C3-C60카보시클릭 그룹, 또는 적어도 하나의 R10a로 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로시클릭 그룹이고,L 201 to L 204 are each independently a C 3 -C 60 carbocyclic group unsubstituted or substituted with at least one R 10a , or a C 1 -C 60 heterocyclic group optionally substituted with at least one R 10a . is a click group,

L205은, *-O-*', *-S-*', *-N(Q201)-*', 적어도 하나의 R10a로 치환 또는 비치환된 C1-C20알킬렌기, 적어도 하나의 R10a로 치환 또는 비치환된 C2-C20알케닐렌기, 적어도 하나의 R10a로 치환 또는 비치환된 C3-C60카보시클릭 그룹, 또는 적어도 하나의 R10a로 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로시클릭 그룹이고, L 205 is *-O-*', *-S-*', *-N(Q 201 )-*', a C 1 -C 20 alkylene group unsubstituted or substituted with at least one R 10a , at least one of R 10a substituted or unsubstituted C 2 -C 20 alkenylene group, at least one R 10a substituted or unsubstituted C 3 -C 60 carbocyclic group, or at least one R 10a substituted or unsubstituted A C 1 -C 60 heterocyclic group,

xa1 내지 xa4는 서로 독립적으로, 0 내지 5의 정수 중 하나이고,xa1 to xa4 are each independently one of integers from 0 to 5;

xa5는 1 내지 10의 정수 중 하나이고, xa5 is an integer from 1 to 10;

R201 내지 R204 및 Q201은 서로 독립적으로, 적어도 하나의 R10a로 치환 또는 비치환된 C3-C60카보시클릭 그룹, 또는 적어도 하나의 R10a로 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로시클릭 그룹이고, R 201 to R 204 and Q 201 are each independently a C 3 -C 60 carbocyclic group optionally substituted with at least one R 10a , or a C 1 -C optionally substituted with at least one R 10a 60 heterocyclic group,

R201과 R202는, 선택적으로(optionally) 단일 결합, 적어도 하나의 R10a로 치환 또는 비치환된 C1-C5알킬렌기 또는 적어도 하나의 R10a로 치환 또는 비치환된 C2-C5알케닐렌기를 통하여 서로 연결되어, 적어도 하나의 R10a로 치환 또는 비치환된 C8-C60 폴리시클릭 그룹(예를 들면, 카바졸 그룹 등)을 형성할 수 있고(예를 들면, 하기 화합물 HT16 등을 참조함),R 201 and R 202 are optionally a single bond, a C 1 -C 5 alkylene group optionally substituted with at least one R 10a , or a C 2 -C 5 optionally substituted with at least one R 10a substituted or unsubstituted C 2 -C 5 Linked to each other via an alkenylene group to form a C 8 -C 60 polycyclic group (eg, a carbazole group, etc.) unsubstituted or substituted with at least one R 10a (eg, the following compound HT16 see etc.),

R203과 R204는, 선택적으로(optionally) 단일 결합, 적어도 하나의 R10a로 치환 또는 비치환된 C1-C5알킬렌기, 또는 적어도 하나의 R10a로 치환 또는 비치환된 C2-C5알케닐렌기를 통하여 서로 연결되어, 적어도 하나의 R10a로 치환 또는 비치환된 C8-C60 폴리시클릭 그룹을 형성할 수 있고,R 203 and R 204 are optionally a single bond, a C 1 -C 5 alkylene group unsubstituted or substituted with at least one R 10a , or a C 2 -C optionally substituted with at least one R 10a may be linked to each other through 5 alkenylene groups to form a C 8 -C 60 polycyclic group unsubstituted or substituted with at least one R 10a ;

na1은 1 내지 4의 정수 중 하나일 수 있다.na1 may be one of integers from 1 to 4.

예를 들어, 상기 화학식 201 및 202 각각은, 하기 화학식 CY201 내지 CY217로 표시된 그룹 중 적어도 하나를 포함할 수 있다:For example, each of Chemical Formulas 201 and 202 may include at least one of the groups represented by Chemical Formulas CY201 to CY217:

Figure pat00004
Figure pat00004

상기 화학식 CY201 내지 CY217 중, R10b 및 R10c에 대한 설명은 각각 본 명세서 중 R10a에 대한 설명을 참조하고, 고리 CY201 내지 고리 CY204는 서로 독립적으로, C3-C20카보시클릭 그룹, 또는 C1-C20헤테로시클릭 그룹이고, 상기 화학식 CY201 내지 CY217 중 적어도 하나의 수소는 본 명세서에 기재된 바와 같은 R10a로 치환 또는 비치환될 수 있다.In Formulas CY201 to CY217, descriptions of R 10b and R 10c refer to the description of R 10a in the present specification, respectively, and ring CY 201 to ring CY 204 are each independently a C 3 -C 20 carbocyclic group , or a C 1 -C 20 heterocyclic group, and at least one hydrogen of Formulas CY201 to CY217 may be unsubstituted or substituted with R 10a as described herein.

일 구현예에 따르면, 상기 화학식 CY201 내지 CY217 중 고리 CY201 내지 고리 CY204는 서로 독립적으로, 벤젠 그룹, 나프탈렌 그룹, 페난트렌 그룹, 또는 안트라센 그룹일 수 있다. According to one embodiment, ring CY 201 to ring CY 204 in Chemical Formulas CY201 to CY217 may be each independently a benzene group, a naphthalene group, a phenanthrene group, or an anthracene group.

다른 구현예에 따르면, 상기 화학식 201 및 202 각각은, 상기 화학식 CY201 내지 CY203으로 표시된 그룹 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.According to another embodiment, each of Chemical Formulas 201 and 202 may include at least one of the groups represented by Chemical Formulas CY201 to CY203.

또 다른 다른 구현예에 따르면, 상기 화학식 201은, 상기 화학식 CY201 내지 CY203으로 표시된 그룹 중 적어도 하나 및 상기 화학식 CY204 내지 CY217로 표시된 그룹 중 적어도 하나를 각각 포함할 수 있다.According to another embodiment, Chemical Formula 201 may include at least one of the groups represented by Chemical Formulas CY201 to CY203 and at least one of the groups represented by Chemical Formulas CY204 to CY217, respectively.

또 다른 구현예에 따르면, 상기 화학식 201 중 xa1은 1이고, R201은 상기 화학식 CY201 내지 CY203 중 하나로 표시된 그룹이고, xa2는 0이고, R202는 상기 화학식 CY204 내지 CY207 중 하나로 표시된 그룹일 수 있다.According to another embodiment, in Chemical Formula 201, xa1 is 1, R 201 is a group represented by one of the Chemical Formulas CY201 to CY203, xa2 is 0, and R 202 may be a group represented by one of Chemical Formulas CY204 to CY207. .

또 다른 구현예에 따르면, 상기 화학식 201 및 202 각각은, 상기 화학식 CY201 내지 CY203으로 표시된 그룹을 비포함할 수 있다.According to another embodiment, each of Chemical Formulas 201 and 202 may not include groups represented by Chemical Formulas CY201 to CY203.

또 다른 다른 구현예에 따르면, 상기 화학식 201 및 202 각각은, 상기 화학식 CY201 내지 CY203으로 표시된 그룹을 비포함하고, 상기 화학식 CY204 내지 CY217로 표시된 그룹 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.According to another embodiment, each of Chemical Formulas 201 and 202 may not include the groups represented by Chemical Formulas CY201 to CY203 and may include at least one of the groups represented by Chemical Formulas CY204 to CY217.

또 다른 예로서, 상기 화학식 201 및 202 각각은, 상기 화학식 CY201 내지 CY217로 표시된 그룹을 비포함할 수 있다.As another example, each of Chemical Formulas 201 and 202 may not include groups represented by Chemical Formulas CY201 to CY217.

예를 들어, 상기 정공 수송 영역은 하기 화합물 HT1 내지 HT46 중 하나, m-MTDATA, TDATA, 2-TNATA, NPB(NPD), β-NPB, TPD, Spiro-TPD, Spiro-NPB, 메틸화된-NPB, TAPC, HMTPD, TCTA(4,4',4"-tris(N-carbazolyl)triphenylamine (4,4',4"-트리스(N-카바졸일)트리페닐아민)), Pani/DBSA (Polyaniline/Dodecylbenzenesulfonic acid (폴리아닐린/도데실벤젠술폰산)), PEDOT/PSS(Poly(3,4-ethylenedioxythiophene)/Poly(4-styrenesulfonate) (폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)/폴리(4-스티렌술포네이트))), Pani/CSA (Polyaniline/Camphor sulfonic acid (폴리아닐린/캠퍼술폰산)), PANI/PSS (Polyaniline/Poly(4-styrenesulfonate) (폴리아닐린/폴리(4-스티렌술포네이트)), 또는 이의 임의의 조합을 포함할 수 있다:For example, the hole transport region is one of the following compounds HT1 to HT46, m-MTDATA, TDATA, 2-TNATA, NPB (NPD), β-NPB, TPD, Spiro-TPD, Spiro-NPB, methylated-NPB , TAPC, HMTPD, TCTA (4,4',4"-tris(N-carbazolyl)triphenylamine (4,4',4"-tris(N-carbazolyl)triphenylamine)), Pani/DBSA (Polyaniline/ Dodecylbenzenesulfonic acid (Polyaniline/Dodecylbenzenesulfonic acid)), PEDOT/PSS (Poly(3,4-ethylenedioxythiophene)/Poly(4-styrenesulfonate) (Poly(3,4-ethylenedioxythiophene)/Poly(4-styrenesulfone) nate))), Pani/CSA (Polyaniline/Camphor sulfonic acid), PANI/PSS (Polyaniline/Poly(4-styrenesulfonate) (polyaniline/poly(4-styrenesulfonate)), or any thereof may include a combination of:

Figure pat00005
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Figure pat00006
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Figure pat00007
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Figure pat00008
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Figure pat00012
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Figure pat00013
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Figure pat00014
Figure pat00014

상기 발광 보조층은 발광층에서 방출되는 광의 파장에 따른 광학적 공진 거리를 보상하여 광 방출 효율을 증가시키는 역할을 하는 층이고, 상기 전자 저지층은 발광층으로부터 정공 수송 영역으로의 전자 유출(leakage)을 방지하는 역할을 하는 층이다. 상술한 정공 수송 영역에 포함될 수 있는 물질이 발광 보조층 및 전자 저지층에 포함될 수 있다.The light emitting auxiliary layer serves to increase light emission efficiency by compensating for an optical resonance distance according to the wavelength of light emitted from the light emitting layer, and the electron blocking layer prevents electron leakage from the light emitting layer to the hole transport region. It is a layer that plays a role in A material that may be included in the aforementioned hole transport region may be included in the emission auxiliary layer and the electron blocking layer.

상기 정공 수송 영역은 상술한 바와 같은 물질 외에, 도전성 향상을 위하여 전하-생성 물질을 포함할 수 있다. 상기 전하-생성 물질은 상기 정공 수송 영역 내에 균일하게 또는 불균일하게 분산(예를 들면, 전하-생성 물질로 이루어진(consist of) 단일층 형태)되어 있을 수 있다. In addition to the materials described above, the hole transport region may include a charge-generating material to improve conductivity. The charge-generating material may be uniformly or non-uniformly dispersed (eg, in the form of a single layer consisting of the charge-generating material) in the hole transport region.

상기 전하-생성 물질은 예를 들면, p-도펀트일 수 있다. The charge-generating material may be, for example, a p-dopant.

예를 들어, 상기 p-도펀트의 LUMO 에너지 레벨은 -3.5eV 이하일 수 있다. For example, the LUMO energy level of the p-dopant may be -3.5 eV or less.

일 구현예에 따르면, 상기 p-도펀트는, 퀴논 유도체, 시아노기-함유 화합물, 원소 EL1 및 원소 EL2-함유 화합물, 또는 이의 임의의 조합을 포함할 수 있다.According to one embodiment, the p-dopant may include a quinone derivative, a cyano group-containing compound, an element EL1 and an element EL2-containing compound, or any combination thereof.

상기 퀴논 유도체의 예는, TCNQ, F4-TCNQ 등을 포함할 수 있다.Examples of the quinone derivative may include TCNQ, F4-TCNQ, and the like.

상기 시아노기-함유 화합물의 예는 HAT-CN, 하기 화학식 221로 표시된 화합물 등을 포함할 수 있다.Examples of the cyano group-containing compound may include HAT-CN, a compound represented by Chemical Formula 221, and the like.

Figure pat00015
Figure pat00015

<화학식 221><Formula 221>

Figure pat00016
Figure pat00016

상기 화학식 221 중,In Formula 221,

R221 내지 R223은 서로 독립적으로, 적어도 하나의 R10a로 치환 또는 비치환된 C3-C60카보시클릭 그룹, 또는 적어도 하나의 R10a로 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로시클릭 그룹이고, R 221 to R 223 are each independently a C 3 -C 60 carbocyclic group unsubstituted or substituted with at least one R 10a , or a C 1 -C 60 heterocyclic group optionally substituted with at least one R 10a . is a click group,

상기 R221 내지 R223 중 적어도 하나는 서로 독립적으로, 시아노기; -F; -Cl; -Br; -I; 시아노기, -F, -Cl, -Br, -I, 또는 이의 임의의 조합으로 치환된 C1-C20알킬기; 또는 이의 임의의 조합;으로 치환된, C3-C60카보시클릭 그룹 또는 C1-C60헤테로시클릭 그룹일 수 있다.At least one of R 221 to R 223 may be independently selected from a cyano group; -F; -Cl; -Br; -I; a C 1 -C 20 alkyl group substituted with a cyano group, -F, -Cl, -Br, -I, or any combination thereof; or any combination thereof; may be a C 3 -C 60 carbocyclic group or a C 1 -C 60 heterocyclic group.

상기 원소 EL1 및 원소 EL2-함유 화합물 중, 원소 EL1은 금속, 준금속, 또는 이의 조합이고, 원소 EL2는 비금속, 준금속, 또는 이의 조합일 수 있다.Among the above element EL1 and element EL2-containing compounds, element EL1 may be a metal, metalloid, or combination thereof, and element EL2 may be a nonmetal, metalloid, or combination thereof.

상기 금속의 예는, 알칼리 금속(예를 들면, 리튬(Li), 나트륨(Na), 칼륨(K), 루비듐(Rb), 세슘(Cs) 등); 알칼리 토금속(예를 들면, 베릴륨(Be), 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca), 스트론튬(Sr), 바륨(Ba) 등); 전이 금속(예를 들면, 티타늄(Ti), 지르코늄(Zr), 하프늄(Hf), 바나듐(V), 니오브(Nb), 탄탈(Ta), 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W), 망간(Mn), 테크네튬(Tc), 레늄(Re), 철(Fe), 루테늄(Ru), 오스뮴(Os), 코발트(Co), 로듐(Rh), 이리듐(Ir), 니켈(Ni), 팔라듐(Pd), 백금(Pt), 구리(Cu), 은(Ag), 금(Au) 등); 전이후 금속(예를 들면, 아연(Zn), 인듐(In), 주석(Sn) 등); 란타나이드 금속(예를 들면, 란타넘(La), 세륨(Ce), 프라세오디뮴(Pr), 네오디뮴(Nd), 프로메튬(Pm), 사마륨(Sm), 유로퓸(Eu), 가돌리늄(Gd), 터븀(Tb), 디스프로슘(Dy), 홀뮴(Ho), 어븀(Er), 툴륨(Tm), 이터븀(Yb), 루테튬(Lu) 등); 등을 포함할 수 있다.Examples of the metal include alkali metals (eg, lithium (Li), sodium (Na), potassium (K), rubidium (Rb), cesium (Cs), etc.); alkaline earth metals (eg, beryllium (Be), magnesium (Mg), calcium (Ca), strontium (Sr), barium (Ba), etc.); Transition metals (e.g. titanium (Ti), zirconium (Zr), hafnium (Hf), vanadium (V), niobium (Nb), tantalum (Ta), chromium (Cr), molybdenum (Mo), tungsten (W ), manganese (Mn), technetium (Tc), rhenium (Re), iron (Fe), ruthenium (Ru), osmium (Os), cobalt (Co), rhodium (Rh), iridium (Ir), nickel (Ni) ), palladium (Pd), platinum (Pt), copper (Cu), silver (Ag), gold (Au), etc.); post-transition metals (eg, zinc (Zn), indium (In), tin (Sn), etc.); Lanthanide metals (e.g., lanthanum (La), cerium (Ce), praseodymium (Pr), neodymium (Nd), promethium (Pm), samarium (Sm), europium (Eu), gadolinium (Gd), terbium) (Tb), dysprosium (Dy), holmium (Ho), erbium (Er), thulium (Tm), ytterbium (Yb), lutetium (Lu), etc.); etc. may be included.

상기 준금속의 예는, 실리콘(Si), 안티모니(Sb), 텔루륨(Te) 등을 포함할 수 있다.Examples of the metalloid may include silicon (Si), antimony (Sb), tellurium (Te), and the like.

상기 비금속의 예는, 산소(O), 할로겐(예를 들면, F, Cl, Br, I 등) 등을 포함할 수 있다.Examples of the non-metal may include oxygen (O), halogen (eg, F, Cl, Br, I, etc.).

예를 들어, 상기 원소 EL1 및 원소 EL2-함유 화합물은, 금속 산화물, 금속 할로겐화물(예를 들면, 금속 불화물, 금속 염화물, 금속 브롬화물, 금속 요오드화물 등), 준금속 할로겐화물(예를 들면, 준금속 불화물, 준금속 염화물, 준금속 브롬화물, 준금속 요오드화물 등), 금속 텔루라이드, 또는 이의 임의의 조합을 포함할 수 있다.For example, the element EL1 and element EL2-containing compound may be a metal oxide, metal halide (eg, metal fluoride, metal chloride, metal bromide, metal iodide, etc.), metalloid halide (eg, metal fluoride, metal chloride, etc.) , metalloid fluorides, metalloid chlorides, metalloid bromides, metalloid iodides, etc.), metal tellurides, or any combination thereof.

상기 금속 산화물의 예는, 텅스텐 옥사이드(예를 들면, WO, W2O3, WO2, WO3, W2O5 등), 바나듐 옥사이드(예를 들면, VO, V2O3, VO2, V2O5 등), 몰리브덴 옥사이드(MoO, Mo2O3, MoO2, MoO3, Mo2O5 등), 레늄 옥사이드(예를 들면, ReO3 등) 등을 포함할 수 있다.Examples of the metal oxide include tungsten oxide (eg, WO, W 2 O 3 , WO 2 , WO 3 , W 2 O 5 , etc.), vanadium oxide (eg, VO, V 2 O 3 , VO 2 , V 2 O 5 , etc.), molybdenum oxide (eg, MoO, Mo 2 O 3 , MoO 2 , MoO 3 , Mo 2 O 5 , etc.), rhenium oxide (eg, ReO 3 , etc.), and the like.

상기 금속 할로겐화물의 예는, 알칼리 금속 할로겐화물, 알칼리 토금속 할로겐화물, 전이 금속 할로겐화물, 전이후 금속 할로겐화물, 란타나이드 금속 할로겐화물 등을 포함할 수 있다.Examples of the metal halide may include alkali metal halides, alkaline earth metal halides, transition metal halides, post-transition metal halides, lanthanide metal halides, and the like.

상기 알칼리 금속 할로겐화물의 예는, LiF, NaF, KF, RbF, CsF, LiCl, NaCl, KCl, RbCl, CsCl, LiBr, NaBr, KBr, RbBr, CsBr, LiI, NaI, KI, RbI, CsI 등을 포함할 수 있다.Examples of the alkali metal halide include LiF, NaF, KF, RbF, CsF, LiCl, NaCl, KCl, RbCl, CsCl, LiBr, NaBr, KBr, RbBr, CsBr, LiI, NaI, KI, RbI, CsI, and the like. can include

상기 알칼리 토금속 할로겐화물의 예는, BeF2, MgF2, CaF2, SrF2, BaF2, BeCl2, MgCl2, CaCl2, SrCl2, BaCl2, BeBr2, MgBr2, CaBr2, SrBr2, BaBr2, BeI2, MgI2, CaI2, SrI2, BaI2 등을 포함할 수 있다.Examples of the alkaline earth metal halide include BeF 2 , MgF 2 , CaF 2 , SrF 2 , BaF 2 , BeCl 2 , MgCl 2 , CaCl 2 , SrCl 2 , BaCl 2 , BeBr 2 , MgBr 2 , CaBr 2 , SrBr 2 , BaBr 2 , BeI 2 , MgI 2 , CaI 2 , SrI 2 , BaI 2 , and the like.

상기 전이 금속 할로겐화물의 예는, 티타늄 할로겐화물(예를 들면, TiF4, TiCl4, TiBr4, TiI4 등), 지르코늄 할로겐화물(예를 들면, ZrF4, ZrCl4, ZrBr4, ZrI4 등), 하프늄 할로겐화물(예를 들면, HfF4, HfCl4, HfBr4, HfI4 등), 바나듐 할로겐화물(예를 들면, VF3, VCl3, VBr3, VI3 등), 니오브 할로겐화물(예를 들면, NbF3, NbCl3, NbBr3, NbI3 등), 탄탈 할로겐화물(예를 들면, TaF3, TaCl3, TaBr3, TaI3 등), 크롬 할로겐화물(예를 들면, CrF3, CrCl3, CrBr3, CrI3 등), 몰리브덴 할로겐화물(예를 들면, MoF3, MoCl3, MoBr3, MoI3 등), 텅스텐 할로겐화물(예를 들면, WF3, WCl3, WBr3, WI3 등), 망간 할로겐화물(예를 들면, MnF2, MnCl2, MnBr2, MnI2 등), 테크네튬 할로겐화물(예를 들면, TcF2, TcCl2, TcBr2, TcI2 등), 레늄 할로겐화물(예를 들면, ReF2, ReCl2, ReBr2, ReI2 등), 철 할로겐화물(예를 들면, FeF2, FeCl2, FeBr2, FeI2 등), 루테늄 할로겐화물(예를 들면, RuF2, RuCl2, RuBr2, RuI2 등), 오스뮴 할로겐화물(예를 들면, OsF2, OsCl2, OsBr2, OsI2 등), 코발트 할로겐화물(예를 들면, CoF2, CoCl2, CoBr2, CoI2 등), 로듐 할로겐화물(예를 들면, RhF2, RhCl2, RhBr2, RhI2 등), 이리듐 할로겐화물(예를 들면, IrF2, IrCl2, IrBr2, IrI2 등), 니켈 할로겐화물(예를 들면, NiF2, NiCl2, NiBr2, NiI2 등), 팔라듐 할로겐화물(예를 들면, PdF2, PdCl2, PdBr2, PdI2 등), 백금 할로겐화물(예를 들면, PtF2, PtCl2, PtBr2, PtI2 등), 구리 할로겐화물(예를 들면, CuF, CuCl, CuBr, CuI 등), 은 할로겐화물(예를 들면, AgF, AgCl, AgBr, AgI 등), 금 할로겐화물(예를 들면, AuF, AuCl, AuBr, AuI 등) 등을 포함할 수 있다.Examples of the transition metal halide include titanium halides (eg, TiF 4 , TiCl 4 , TiBr 4 , TiI 4 , etc.), zirconium halides (eg, ZrF 4 , ZrCl 4 , ZrBr 4 , ZrI 4 ). etc.), hafnium halides (eg, HfF 4 , HfCl 4 , HfBr 4 , HfI 4 , etc.), vanadium halides (eg VF 3 , VCl 3 , VBr 3 , VI 3 , etc.), niobium halides (eg NbF 3 , NbCl 3 , NbBr 3 , NbI 3 , etc.), tantalum halides (eg TaF 3 , TaCl 3 , TaBr 3 , TaI 3 , etc.), chromium halides (eg CrF 3 , CrCl 3 , CrBr 3 , CrI 3 etc.), molybdenum halides (eg MoF 3 , MoCl 3 , MoBr 3 , MoI 3 etc.), tungsten halides (eg WF 3 , WCl 3 , WBr 3 , WI 3 , etc.), manganese halides (eg, MnF 2 , MnCl 2 , MnBr 2 , MnI 2 , etc.), technetium halides (eg, TcF 2 , TcCl 2 , TcBr 2 , TcI 2 , etc.) , rhenium halides (eg ReF 2 , ReCl 2 , ReBr 2 , ReI 2 , etc.), iron halides (eg FeF 2 , FeCl 2 , FeBr 2 , FeI 2 , etc.), ruthenium halides (eg For example, RuF 2 , RuCl 2 , RuBr 2 , RuI 2 etc.), osmium halides (eg OsF 2 , OsCl 2 , OsBr 2 , OsI 2 etc.), cobalt halides (eg CoF 2 , CoCl 2 , CoBr 2 , CoI 2 , etc.), rhodium halides (eg RhF 2 , RhCl 2 , RhBr 2 , RhI 2 , etc.), iridium halides (eg IrF 2 , IrCl 2 , IrBr 2 , IrI 2 etc.), nickel halides (eg NiF 2 , NiCl 2 , NiBr 2 , NiI 2 etc.), palladium halides (eg PdF 2 , PdCl 2 , PdBr 2 , PdI 2 etc.), platinum Halides (eg PtF 2 , PtCl 2 , PtBr 2 , PtI 2 , etc.), copper halides (eg CuF, CuCl, CuBr, CuI etc.), silver halides (eg AgF, AgCl , AgBr, AgI, etc.), gold halides (eg, AuF, AuCl, AuBr, AuI, etc.), and the like.

상기 전이후 금속 할로겐화물의 예는, 아연 할로겐화물(예를 들면, ZnF2, ZnCl2, ZnBr2, ZnI2 등), 인듐 할로겐화물(예를 들면, InI3 등), 주석 할로겐화물(예를 들면, SnI2 등), 등을 포함할 수 있다.Examples of the post-transition metal halide include zinc halides (eg, ZnF 2 , ZnCl 2 , ZnBr 2 , ZnI 2 , etc.), indium halides (eg, InI 3 , etc.), tin halides (eg, For example, SnI 2 , etc.), and the like.

상기 란타나이드 금속 할로겐화물의 예는, YbF, YbF2, YbF3, SmF3, YbCl, YbCl2, YbCl3 SmCl3, YbBr, YbBr2, YbBr3 SmBr3, YbI, YbI2, YbI3, SmI3 등을 포함할 수 있다.Examples of the lanthanide metal halide include YbF, YbF 2 , YbF 3 , SmF 3 , YbCl, YbCl 2 , YbCl 3 SmCl 3 , YbBr, YbBr 2 , YbBr 3 SmBr 3 , YbI, YbI 2 , YbI 3 , SmI 3 may be included.

상기 준금속 할로겐화물의 예는, 안티모니 할로겐화물(예를 들면, SbCl5 등) 등을 포함할 수 있다.Examples of the metalloid halide may include antimony halide (eg, SbCl 5 , etc.).

상기 금속 텔루라이드의 예는, 알칼리 금속 텔루라이드(예를 들면, Li2Te, Na2Te, K2Te, Rb2Te, Cs2Te 등), 알칼리 토금속 텔루라이드(예를 들면, BeTe, MgTe, CaTe, SrTe, BaTe 등), 전이 금속 텔루라이드(예를 들면, TiTe2, ZrTe2, HfTe2, V2Te3, Nb2Te3, Ta2Te3, Cr2Te3, Mo2Te3, W2Te3, MnTe, TcTe, ReTe, FeTe, RuTe, OsTe, CoTe, RhTe, IrTe, NiTe, PdTe, PtTe, Cu2Te, CuTe, Ag2Te, AgTe, Au2Te 등), 전이후 금속 텔루라이드(예를 들면, ZnTe 등), 란타나이드 금속 텔루라이드 (예를 들면, LaTe, CeTe, PrTe, NdTe, PmTe, EuTe, GdTe, TbTe, DyTe, HoTe, ErTe, TmTe, YbTe, LuTe 등) 등을 포함할 수 있다. Examples of the metal telluride include alkali metal tellurides (eg, Li 2 Te, Na 2 Te, K 2 Te, Rb 2 Te, Cs 2 Te, etc.), alkaline earth metal tellurides (eg, BeTe, MgTe, CaTe, SrTe, BaTe, etc.), transition metal tellurides (eg TiTe 2 , ZrTe 2 , HfTe 2 , V 2 Te 3 , Nb 2 Te 3 , Ta 2 Te 3 , Cr 2 Te 3 , Mo 2 Te 3 , W 2 Te 3 , MnTe, TcTe, ReTe, FeTe, RuTe, OsTe, CoTe, RhTe, IrTe, NiTe, PdTe, PtTe, Cu 2 Te, CuTe, Ag 2 Te, AgTe, Au 2 Te, etc.), post-transition metal tellurides (e.g. ZnTe, etc.), lanthanide metal tellurides (e.g. LaTe, CeTe, PrTe, NdTe, PmTe, EuTe, GdTe, TbTe, DyTe, HoTe, ErTe, TmTe, YbTe, LuTe, etc.) and the like.

[공진 제어층(141, 142, 143)][Resonance control layer (141, 142, 143)]

일 실시예에 따르면, 상기 중간층은 제1화소전극(111) 및 제1발광층(131) 사이에 배치된 제1공진 제어층(141), 제2화소전극(112) 및 제2발광층(132) 사이에 배치된 제2공진 제어층(142) 및/또는 제3화소전극(113) 및 제3발광층(133) 사이에 배치된 제3공진 제어층(143)을 더 포함할 수 있다.According to an embodiment, the intermediate layer includes the first resonance control layer 141, the second pixel electrode 112, and the second light emitting layer 132 disposed between the first pixel electrode 111 and the first light emitting layer 131. A second resonance control layer 142 disposed therebetween and/or a third resonance control layer 143 disposed between the third pixel electrode 113 and the third light emitting layer 133 may be further included.

제1공진 제어층(141), 제2공진 제어층(142) 및 제3공진 제어층(143)은 각각 i) 단일 물질로 이루어진 단일층으로 이루어진 단층 구조, ii) 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 단일층으로 이루어진 단층 구조 또는 iii) 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 복수의 층을 갖는 다층 구조를 가질 수 있다. The first resonance control layer 141, the second resonance control layer 142, and the third resonance control layer 143 each have i) a single-layer structure made of a single layer made of a single material, ii) made of a plurality of different materials. It may have a single-layer structure made of a single layer or iii) a multi-layer structure having a plurality of layers made of a plurality of different materials.

제1공진 제어층(141), 제2공진 제어층(142) 및 제3공진 제어층(143)은 상술한 정공 수송 재료를 포함할 수 있다.The first resonance control layer 141, the second resonance control layer 142, and the third resonance control layer 143 may include the aforementioned hole transport material.

제1공진 제어층(141), 제2공진 제어층(142) 및 제3공진 제어층(143)은 각각 L1, L2 및 L3를 적절하게 조절하기 위해 제공될 수 있다.The first resonance control layer 141, the second resonance control layer 142, and the third resonance control layer 143 may be provided to appropriately adjust L 1 , L 2 and L 3 , respectively.

[발광층(131, 132, 133)][Emitting layer (131, 132, 133)]

발광층(131, 132, 133)은 호스트 및 도펀트를 포함할 수 있다. 상기 도펀트는 인광 도펀트 및 형광 도펀트 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The light emitting layers 131, 132, and 133 may include a host and a dopant. The dopant may include at least one of a phosphorescent dopant and a fluorescent dopant.

발광층(131, 132, 133) 중 도펀트의 함량은 통상적으로 호스트 약 100 중량부에 대하여, 약 0.01 내지 약 15 중량부의 범위에서 선택될 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다.The content of the dopant in the emission layers 131, 132, and 133 may be typically selected from about 0.01 to about 15 parts by weight based on about 100 parts by weight of the host, but is not limited thereto.

발광층(131, 132, 133)의 두께는 각각 약 100Å 내지 약 1000Å, 예를 들면 약 200Å 내지 약 600Å일 수 있다. 발광층(131, 132, 133)의 두께가 전술한 바와 같은 범위를 만족할 경우, 실질적인 구동 전압 상승없이 우수한 발광 특성을 나타낼 수 있다.Each of the light emitting layers 131 , 132 , and 133 may have a thickness of about 100 Å to about 1000 Å, for example, about 200 Å to about 600 Å. When the thicknesses of the light emitting layers 131, 132, and 133 satisfy the aforementioned range, excellent light emitting characteristics may be exhibited without a substantial increase in driving voltage.

상기 호스트는 하기 화합물 H1 내지 H124 중 하나, ADN (9,10-Di(2-naphthyl)anthracene), MADN (2-Methyl-9,10-bis(naphthalen-2-yl)anthracene), TBADN (9,10-di-(2-naphthyl)-2-t-butyl-anthracene), CBP (4,4′-bis(N-carbazolyl)-1,1′-biphenyl), mCP (1,3-di-9-carbazolylbenzene), TCP (1,3,5-tri(carbazol-9-yl)benzene), 또는 이의 임의의 조합을 포함할 수 있다:The host is one of the following compounds H1 to H124, ADN (9,10-Di (2-naphthyl) anthracene), MADN (2-Methyl-9,10-bis (naphthalen-2-yl) anthracene), TBADN (9 ,10-di-(2-naphthyl)-2-t-butyl-anthracene), CBP (4,4′-bis(N-carbazolyl)-1,1′-biphenyl), mCP (1,3-di- 9-carbazolylbenzene), TCP (1,3,5-tri(carbazol-9-yl)benzene), or any combination thereof:

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제1발광층(131)은 PtOEP, Ir(piq)3, Btp2Ir(acac), Ir(piq)2(acac), Ir(2-phq)2(acac), Ir(2-phq)3, Ir(flq)2(acac), Ir(fliq)2(acac), DCM, DCJTB, PBD: Eu(DBM)3(Phen)(tris(di benzoylmethanato) phenanthoroline europium), 페릴렌(Perylene) 유도체, 또는 이의 임의의 조합을 도펀트로서 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The first light emitting layer 131 includes PtOEP, Ir(piq) 3 , Btp 2 Ir(acac), Ir(piq) 2 (acac), Ir(2-phq) 2 (acac), Ir(2-phq) 3 , Ir(flq) 2 (acac), Ir(fliq) 2 (acac), DCM, DCJTB, PBD: Eu(DBM) 3 (Phen) (tris(di benzoylmethanato) phenanthoroline europium), Perylene derivatives, or Any combination thereof may be included as a dopant, but is not limited thereto.

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PtOEP Ir(piq)3 Btp2Ir(acac)PtOEP Ir(piq) 3 Btp 2 Ir (acac)

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Ir(piq)2(acac) Ir(2-phq)2(acac) Ir(2-phq)3 Ir(piq) 2 (acac) Ir(2-phq) 2 (acac) Ir(2-phq) 3

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Ir(flq)2(acac) Ir(fliq)2(acac)Ir(flq) 2 (acac) Ir(fliq) 2 (acac)

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DCM DCJTB DCM DCJTB

제2발광층(132)은 Ir(ppy)3 (tris(2-phenylpyridine) iridium: 트리스(2-페닐피리딘) 이리듐), Ir(ppy)2(acac) (Bis(2-phenylpyridine)(Acetylacetonato)iridium(III): 비스(2-페닐피리딘)(아세틸아세토) 이리듐(III)), Ir(mppy)3 (tris(2-(4-tolyl)phenylpiridine)iridium: 트리스(2-(4-톨일)페닐피리딘) 이리듐), C545T (10-(2-benzothiazolyl)-1,1,7,7-tetramethyl-2,3,6,7-tetrahydro-1H,5H,11H-[1]benzopyrano [6,7,8-ij]-quinolizin-11-one: 10-(2-벤조티아졸일)-1,1,7,7-테트라메틸-2,3,6,7,-테트라하이드로-1H,5H,11H-[1]벤조피라노 [6,7,8-ij]-퀴놀리진-11-온), 또는 이의 임의의 조합을 도펀트로서 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The second light-emitting layer 132 is Ir (ppy) 3 (tris (2-phenylpyridine) iridium: tris (2-phenylpyridine) iridium), Ir (ppy) 2 (acac) (Bis (2-phenylpyridine) (acetylacetonato) iridium (III): bis (2-phenylpyridine) (acetylaceto) iridium (III)), Ir (mppy) 3 (tris (2- (4-tolyl) phenylpiridine) iridium: tris (2- (4-tolyl) phenyl pyridine) iridium), C545T (10-(2-benzothiazolyl)-1,1,7,7-tetramethyl-2,3,6,7-tetrahydro-1H,5H,11H-[1]benzopyrano [6,7, 8-ij]-quinolizin-11-one: 10-(2-benzothiazolyl)-1,1,7,7-tetramethyl-2,3,6,7,-tetrahydro-1H,5H,11H- [1] benzopyrano [6,7,8-ij] -quinolizin-11-one), or any combination thereof as a dopant, but is not limited thereto.

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Ir(ppy)3 Ir(mppy)3 Ir(ppy)2(acac)Ir(ppy) 3 Ir(mppy) 3 Ir(ppy) 2 (acac)

Figure pat00044
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C545T C545T

제3발광층(133)은 4,6-F2Irpic, (F2ppy)2Ir(tmd), Ir(dfppz)3, ter-fluorene(터-플루오렌), DPAVBi(4,4'-bis(4-diphenylaminostyryl)biphenyl: 4,4'-비스(4-디페닐아미노스타릴)비페닐), 스피로-DPVBi (spiro-DPVBi), TBPe(2,5,8,11-tetra-t-butylperylene: 2,5,8,11-테트라-t-부틸페릴렌), DSB(distyryl-benzene), DSA(distyryl-arylene), PFO(Polyfluorene)계 고분자 및 PPV(poly(p-phenylene vinylene)계 고분자, 또는 이의 임의의 조합을 도펀트로서 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The third light emitting layer 133 includes 4,6-F 2 Irpic, (F 2 ppy) 2 Ir(tmd), Ir(dfppz) 3 , ter-fluorene, DPAVBi(4,4'-bis (4-diphenylaminostyryl)biphenyl: 4,4'-bis(4-diphenylaminostaryl)biphenyl), spiro-DPVBi (spiro-DPVBi), TBPe(2,5,8,11-tetra-t-butylperylene : 2,5,8,11-tetra-t-butylperylene), DSB (distyryl-benzene), DSA (distyryl-arylene), PFO (Polyfluorene) polymer and PPV (poly (p-phenylene vinylene) polymer , or any combination thereof as a dopant, but is not limited thereto.

Figure pat00045
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F2Irpic (F2ppy)2Ir(tmd) Ir(dfppz)3 F 2 Irpic (F 2 ppy) 2 Ir(tmd) Ir(dfppz) 3

Figure pat00048
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DPAVBiDPAVBi

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DPVBi TBPe DPVBi TBPe

[전자 수송 영역(140)][electron transport region 140]

본원의 발광 소자는 발광층(131, 132, 133) 및 상기 발광층(131, 132, 133)과 상기 대향전극(150) 사이에 배치된 전자 수송 영역(140)을 포함한다.The light emitting device of the present application includes light emitting layers 131 , 132 , and 133 and an electron transport region 140 disposed between the light emitting layers 131 , 132 , 133 and the counter electrode 150 .

일 구현예에 따르면, 상기 정공 수송 영역이 상기 제1발광 영역, 상기 제2발광 영역 및 상기 제3발광 영역 전체에 대응되어 배치된 공통층(common layer)일 수 있다.According to an embodiment, the hole transport region may be a common layer disposed to correspond to all of the first light emitting region, the second light emitting region, and the third light emitting region.

상기 전자 수송 영역(140)은 전자 수송층을 포함하고, 상기 전자 수송층은 후술하는 제1재료, 제2재료 및 제3재료의 혼합물을 포함한다.The electron transport region 140 includes an electron transport layer, and the electron transport layer includes a mixture of a first material, a second material, and a third material described later.

본원 발광 소자의 전자 수송층은 전자 수송성 화합물인 제1재료, 금속-함유 화합물인 제2재료 및 저굴절률 화합물인 제3재료의 혼합물을 포함한다.The electron transport layer of the light emitting device of the present application includes a mixture of a first material that is an electron transport compound, a second material that is a metal-containing compound, and a third material that is a low refractive index compound.

상기 전자 수송층의 재 1재료는 주입된 전자를 수송하는 역할을 한다. 제 2재료는 금속 전극으로부터의 전자의 주입을 원활하게 하는 역할을 한다. 제 3재료는 상기 두 재료의 역할에 영향을 끼치지 않으면서, 전체 전자 수송층의 굴절률을 낮추는 역할을 한다.Material 1 of the electron transport layer serves to transport the injected electrons. The second material serves to facilitate injection of electrons from the metal electrode. The third material serves to lower the refractive index of the entire electron transport layer without affecting the roles of the above two materials.

상기 전자 수송층은 제 3재료를 포함함으로서, 종래의 발광 소자에 비하여 전자 수송층의 전체 굴절률을 낮추어, 표면 플라즈몬 폴라리톤(SPP)로 인한 광손실이 감소되고, 이로 인하여 공기 중으로 방출되는 빛의 총량을 증가시키는 효과를 가지고 있다.Since the electron transport layer includes a third material, the overall refractive index of the electron transport layer is lowered compared to conventional light emitting devices, thereby reducing light loss due to surface plasmon polaritons (SPP), thereby reducing the total amount of light emitted into the air. has an increasing effect.

상기 전자 수송층은 제 1재료, 제 2재료, 제 3재료가 전자 수송층 전체 두께에 대하여 동일한 비율로 혼합되어 있는 형태를 가진다. 제 1재료, 제 2재료, 제 3재료가 각각 단일막으로 전자 수송층 내에 존재할 경우에 전자의 주입 흐름이 저해될 수 있기 때문에, 본원에서는 상기 세 개의 재료가 동일한 비율로 혼합되어 있는 경우로 한정한다.The electron transport layer has a form in which the first material, the second material, and the third material are mixed in the same ratio with respect to the entire thickness of the electron transport layer. Since the injection flow of electrons may be hindered when the first material, the second material, and the third material are present in the electron transport layer as a single film, the present application is limited to the case where the three materials are mixed in the same ratio. .

따라서, 상기 상기 제1재료, 제2재료 및 제3재료의 혼합물을 포함하는 전자 수송층이 도입된 발광 소자, 예를 들면, 유기 발광 소자는, 저구동 전압 및 고효율을 가질 수 있다. Accordingly, a light emitting device including an electron transport layer including a mixture of the first material, the second material, and the third material, such as an organic light emitting device, may have a low driving voltage and high efficiency.

상기 제1재료, 상기 제2재료 및 상기 제3재료는 서로 상이할 수 있다. The first material, the second material, and the third material may be different from each other.

일 구현예에 따르면, 상기 전자 수송층은 상기 제1재료, 제2재료 및 제3재료의 혼합물로 이루어진(consist of) 단층 구조를 가질 수 있다.According to one embodiment, the electron transport layer may have a single-layer structure consisting of a mixture of the first material, the second material, and the third material.

일 구현예에 따르면, 상기 전자 수송층은 상기 제1재료, 제2재료 및 제3재료의 공증착에 의하여 형성될 수 있다.According to one embodiment, the electron transport layer may be formed by co-deposition of the first material, the second material, and the third material.

일 구현예에 따르면, 상기 전자 수송층은 상기 제1재료, 제2재료 및 제3재료의 열기상 공증착(thermal evaporation)에 의하여 형성될 수 있다.According to one embodiment, the electron transport layer may be formed by thermal evaporation of the first material, the second material, and the third material.

일 구현예에 따르면, 상기 전자 수송층 및 상기 발광층은 서로 접할 수(directly contract) 있다.According to one embodiment, the electron transport layer and the light emitting layer may contact each other (directly contract).

일 구현예에 따르면, 상기 전자 수송층 및 상기 대향전극은 서로 접할 수(directly contract) 있다.According to one embodiment, the electron transport layer and the counter electrode may contact each other (directly contract).

일 구현예에 따르면, 상기 전자 수송 영역은 상기 제1재료, 제2재료 및 제3재료를 포함한 전자 수송층으로 이루어진(consist of) 단층 구조를 가질 수 있다.According to one embodiment, the electron transport region may have a single-layer structure consisting of an electron transport layer including the first material, the second material, and the third material.

일 구현예에 따르면, 상기 전자 수송층의 굴절률은 1.65(at 550nm)이하일 수 있다. According to one embodiment, the refractive index of the electron transport layer may be 1.65 (at 550 nm) or less.

상기 제1재료는 전자 수송성 화합물을 포함한다. The first material includes an electron transporting compound.

일 구현예에 따르면, 상기 전자 수송성 화합물은 적어도 하나의 π 전자-결핍성 함질소 C1-C60 시클릭 그룹(π electron-deficient nitrogen-containing C1-C60 cyclic group)을 포함할 수 있다. According to one embodiment, the electron transporting compound may include at least one π electron-deficient nitrogen-containing C 1 -C 60 cyclic group. .

일 구현예에 따르면, 상기 전자 수송성 화합물은 적어도 하나의 피라졸 그룹, 이미다졸 그룹, 트리아졸 그룹, 옥사졸 그룹, 이속사졸 그룹, 옥사디아졸 그룹, 티아졸 그룹, 이소티아졸 그룹, 티아디아졸 그룹, 벤조피라졸 그룹, 벤즈이미다졸 그룹, 벤조옥사졸 그룹, 벤조이속사졸 그룹, 벤조티아졸 그룹, 벤조이소티아졸 그룹, 피리딘 그룹, 피리미딘 그룹, 피라진 그룹, 피리다진 그룹, 트리아진 그룹, 퀴놀린 그룹, 이소퀴놀린 그룹, 벤조퀴놀린 그룹, 벤조이소퀴놀린 그룹, 퀴녹살린 그룹, 벤조퀴녹살린 그룹, 퀴나졸린 그룹, 벤조퀴나졸린 그룹, 페난트롤린 그룹, 시놀린 그룹, 프탈라진 그룹, 나프티리딘 그룹, 이미다조피리딘 그룹, 이미다조피리미딘 그룹, 이미다조트리아진 그룹, 이미다조피라진 그룹, 이미다조피리다진 그룹, 아자카바졸 그룹, 아자플루오렌 그룹, 아자디벤조실롤 그룹, 아자디벤조티오펜 그룹 또는 아자디벤조퓨란 그룹을 포함할 수 있다.According to one embodiment, the electron transporting compound is at least one pyrazole group, imidazole group, triazole group, oxazole group, isoxazole group, oxadiazole group, thiazole group, isothiazole group, thiadia sol group, benzopyrazole group, benzimidazole group, benzoxazole group, benzoisoxazole group, benzothiazole group, benzoisothiazole group, pyridine group, pyrimidine group, pyrazine group, pyridazine group, triazine group, quinoline group, isoquinoline group, benzoquinoline group, benzoisoquinoline group, quinoxaline group, benzoquinoxaline group, quinazoline group, benzoquinazoline group, phenanthroline group, cinoline group, phthalazine group, Naphthyridine group, imidazopyridine group, imidazopyrimidine group, imidazotriazine group, imidazopyrazine group, imidazopyridazine group, azacarbazole group, azafluorene group, azadibenzosilol group, aza It may contain a dibenzothiophene group or an azadibenzofuran group.

일 구현예에 따르면, 상기 전자 수송성 화합물은 하기 화학식 101로 표시될 수 있다: According to one embodiment, the electron transporting compound may be represented by Formula 101:

<화학식 101><Formula 101>

[Ar101]xe11-[(L101)xe1-R101]xe21 [Ar 101 ] xe11 -[(L 101 ) xe1 -R 101 ] xe21

상기 화학식 101 중, In Formula 101,

Ar101, 및 L101은 서로 독립적으로, 적어도 하나의 R10a로 치환 또는 비치환된 C3-C60카보시클릭 그룹, 또는 적어도 하나의 R10a로 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로시클릭 그룹이고,Ar 101 and L 101 are each independently a C 3 -C 60 carbocyclic group optionally substituted with at least one R 10a , or a C 1 -C 60 heterocyclic group optionally substituted with at least one R 10a . is a cyclic group,

xe11은 1, 2 또는 3이고, xe11 is 1, 2 or 3;

xe1는 0, 1, 2, 3, 4, 또는 5이고,xe1 is 0, 1, 2, 3, 4, or 5;

R101은, 적어도 하나의 R10a로 치환 또는 비치환된 C3-C60카보시클릭 그룹, 적어도 하나의 R10a로 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로시클릭 그룹, -Si(Q101)(Q102)(Q103), -C(=O)(Q101), -S(=O)2(Q101), 또는 -P(=O)(Q101)(Q102)이고, R 101 is a C 3 -C 60 carbocyclic group optionally substituted with at least one R 10a , a C 1 -C 60 heterocyclic group optionally substituted with at least one R 10a, -Si(Q 101 )(Q 102 )(Q 103 ), -C(=0)(Q 101 ), -S(=0) 2 (Q 101 ), or -P(=0)(Q 101 )(Q 102 ); ,

상기 Q101 내지 Q103에 대한 설명은 각각 본 명세서 중 Q1에 대한 설명을 참조하고, The description of Q 101 to Q 103 refers to the description of Q 1 in the present specification, respectively,

xe21는 1, 2, 3, 4, 또는 5이고, xe21 is 1, 2, 3, 4, or 5;

상기 Ar101, L101 및 R101 중 적어도 하나는 서로 독립적으로, 적어도 하나의 R10a로 치환 또는 비치환된 π 전자-결핍성 함질소 C1-C60 시클릭 그룹일 수 있다. At least one of Ar 101 , L 101 and R 101 may be a π electron-deficient nitrogen-containing C 1 -C 60 cyclic group unsubstituted or substituted with at least one R 10a independently of each other.

예를 들어, 상기 화학식 101 중 xe11이 2 이상일 경우 2 이상의 Ar101은 단일 결합을 통하여 서로 연결될 수 있다. For example, when xe11 in Formula 101 is two or more, two or more Ar 101s may be connected to each other through a single bond.

다른 예로서, 상기 화학식 101 중 Ar101은 치환 또는 비치환된 안트라센 그룹일 수 있다. As another example, Ar 101 in Formula 101 may be a substituted or unsubstituted anthracene group.

다른 구현예에 따르면, 상기 전자 수송성 화합물은 하기 화학식 102로 표시될 수 있다:According to another embodiment, the electron transporting compound may be represented by Formula 102:

<화학식 102><Formula 102>

Figure pat00054
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상기 화학식 102 중,In Formula 102,

X1은 N 또는 C(R1)일 수 있고,X 1 may be N or C(R 1 );

X2은 N 또는 C(R2)일 수 있고,X 2 may be N or C(R 2 );

X3은 N 또는 C(R3)일 수 있고,X 3 may be N or C(R 3 );

상기 X1 내지 X3 중 적어도 하나는 N일 수 있고,At least one of X 1 to X 3 may be N,

L11 내지 L13은 서로 독립적으로, 단일 결합, 적어도 하나의 R10a로 치환 또는 비치환된 C5-C60카보시클릭 그룹 또는 적어도 하나의 R10a로 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로시클릭 그룹일 수 있고,L 11 to L 13 are each independently a single bond, a C 5 -C 60 carbocyclic group optionally substituted with at least one R 10a , or a C 1 -C 60 optionally substituted with at least one R 10a . It can be a heterocyclic group,

a11 내지 a13은 서로 독립적으로, 1 내지 5의 정수 중 하나일 수 있고,a11 to a13 may be each independently an integer of 1 to 5;

R1 내지 R3 및 R11 내지 R13는 서로 독립적으로, 수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 적어도 하나의 R10a로 치환 또는 비치환된 C1-C60알킬기, 적어도 하나의 R10a로 치환 또는 비치환된 C2-C60알케닐기, 적어도 하나의 R10a로 치환 또는 비치환된 C2-C60알키닐기, 적어도 하나의 R10a로 치환 또는 비치환된 C1-C60알콕시기, 적어도 하나의 R10a로 치환 또는 비치환된 C3-C60카보시클릭 그룹, 적어도 하나의 R10a로 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로시클릭 그룹, 적어도 하나의 R10a로 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴옥시기, 적어도 하나의 R10a로 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴티오기, -Si(Q1)(Q2)(Q3), -N(Q1)(Q2), -B(Q1)(Q2), -C(=O)(Q1), -S(=O)2(Q1) 또는 -P(=O)(Q1)(Q2);일 수 있고,R 1 to R 3 and R 11 to R 13 are each independently selected from hydrogen, deuterium, -F, -Cl, -Br, -I, a hydroxyl group, a cyano group, a nitro group, and at least one R 10a substituted or An unsubstituted C 1 -C 60 alkyl group, a C 2 -C 60 alkenyl group unsubstituted or substituted with at least one R 10a , a C 2 -C 60 alkynyl group optionally substituted with at least one R 10a , or at least one of C 1 -C 60 alkoxy group optionally substituted with R 10a , C 3 -C 60 carbocyclic group optionally substituted with at least one R 10a , C optionally substituted with at least one R 10a 1 -C 60 heterocyclic group, C 6 -C 60 aryloxy group optionally substituted with at least one R 10a , C 6 -C 60 arylthio group optionally substituted with at least one R 10a , - Si(Q 1 )(Q 2 )(Q 3 ), -N(Q 1 )(Q 2 ), -B(Q 1 )(Q 2 ), -C(=0)(Q 1 ), -S( =O) 2 (Q 1 ) or -P(=O)(Q 1 )(Q 2 );

b11 내지 b13은 서로 독립적으로 1 내지 10의 정수 중 하나일 수 있고,b 11 to b 13 may be each independently an integer of 1 to 10;

상기 R10a는, The R 10a is,

중수소(-D), -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 또는 니트로기; heavy hydrogen (-D), -F, -Cl, -Br, -I, a hydroxyl group, a cyano group, or a nitro group;

중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, C3-C60카보시클릭 그룹, C1-C60헤테로시클릭 그룹, C6-C60아릴옥시기, C6-C60아릴티오기, -Si(Q11)(Q12)(Q13), -N(Q11)(Q12), -B(Q11)(Q12), -C(=O)(Q11), -S(=O)2(Q11), -P(=O)(Q11)(Q12), 또는 이의 임의의 조합으로 치환 또는 비치환된, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기, 또는 C1-C60알콕시기; Heavy hydrogen, -F, -Cl, -Br, -I, hydroxyl group, cyano group, nitro group, C 3 -C 60 carbocyclic group, C 1 -C 60 heterocyclic group, C 6 -C 60 aryl Oxy group, C 6 -C 60 Arylthio group, -Si(Q 11 )(Q 12 )(Q 13 ), -N(Q 11 )(Q 12 ), -B(Q 11 )(Q 12 ), - Unsubstituted or substituted with C(=0)(Q 11 ), -S(=0) 2 (Q 11 ), -P(=0)(Q 11 )(Q 12 ), or any combination thereof, C 1 -C 60 alkyl group, C 2 -C 60 alkenyl group, C 2 -C 60 alkynyl group, or C 1 -C 60 alkoxy group;

중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기, C1-C60알콕시기, C3-C60카보시클릭 그룹, C1-C60헤테로시클릭 그룹, C6-C60아릴옥시기, C6-C60아릴티오기, -Si(Q21)(Q22)(Q23), -N(Q21)(Q22), -B(Q21)(Q22), -C(=O)(Q21), -S(=O)2(Q21), -P(=O)(Q21)(Q22), 또는 이의 임의의 조합으로 치환 또는 비치환된, C3-C60카보시클릭 그룹, C1-C60헤테로시클릭 그룹, C6-C60아릴옥시기, 또는 C6-C60아릴티오기; 또는Heavy hydrogen, -F, -Cl, -Br, -I, hydroxyl group, cyano group, nitro group, C 1 -C 60 alkyl group, C 2 -C 60 alkenyl group, C 2 -C 60 alkynyl group, C 1 - C 60 alkoxy group, C 3 -C 60 carbocyclic group, C 1 -C 60 heterocyclic group, C 6 -C 60 aryloxy group, C 6 -C 60 arylthio group, -Si(Q 21 )( Q 22 )(Q 23 ), -N(Q 21 )(Q 22 ), -B(Q 21 )(Q 22 ), -C(=O)(Q 21 ), -S(=O) 2 (Q 21 ), -P(=0)(Q 21 )(Q 22 ), or a C 3 -C 60 carbocyclic group, a C 1 -C 60 heterocyclic group, unsubstituted or substituted with any combination thereof; a C 6 -C 60 aryloxy group or a C 6 -C 60 arylthio group; or

-Si(Q31)(Q32)(Q33), -N(Q31)(Q32), -B(Q31)(Q32), -C(=O)(Q31), -S(=O)2(Q31), 또는 -P(=O)(Q31)(Q32);일 수 있고, -Si(Q 31 )(Q 32 )(Q 33 ), -N(Q 31 )(Q 32 ), -B(Q 31 )(Q 32 ), -C(=O)(Q 31 ), -S (=0) 2 (Q 31 ), or -P(=0)(Q 31 )(Q 32 );

상기 Q1, Q2, Q11 내지 Q13, Q21 내지 Q23 및 Q31 내지 Q33은 서로 독립적으로, 수소; 중수소; -F; -Cl; -Br; -I; 히드록실기; 시아노기; 니트로기; C1-C60알킬기; C2-C60알케닐기; C2-C60알키닐기; C1-C60알콕시기; 또는 중수소, -F, 시아노기, C1-C60알킬기, C1-C60알콕시기, 페닐기, 비페닐기, 또는 이의 임의의 조합으로 치환 또는 비치환된, C3-C60카보시클릭 그룹 또는 C1-C60헤테로시클릭 그룹일 수 있다.The above Q 1 , Q 2 , Q 11 to Q 13 , Q 21 to Q 23 and Q 31 to Q 33 are each independently hydrogen; heavy hydrogen; -F; -Cl; -Br; -I; hydroxyl group; cyano group; nitro group; C 1 -C 60 alkyl group; C 2 -C 60 alkenyl group; C 2 -C 60 alkynyl group; C 1 -C 60 alkoxy group; or a C 3 -C 60 carbocyclic group unsubstituted or substituted with heavy hydrogen, -F, a cyano group, a C 1 -C 60 alkyl group, a C 1 -C 60 alkoxy group, a phenyl group, a biphenyl group, or any combination thereof. or a C 1 -C 60 heterocyclic group.

일 구현예에 따르면, 상기 전자 수송성 화합물은 하기 화합물 ET1 내지 ET45 중 하나, BCP(2,9-Dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline), Bphen(4,7-Diphenyl-1,10-phenanthroline), Alq3, BAlq, TAZ 또는 NTAZ일 수 있으나, 이에 한정되지 아니한다:According to one embodiment, the electron transporting compound is one of the following compounds ET1 to ET45, BCP (2,9-Dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline), Bphen (4,7-Diphenyl-1, 10-phenanthroline), Alq 3 , BAlq, TAZ or NTAZ, but is not limited thereto:

Figure pat00055
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일 구현예에 따르면, 상기 전자 수송성 화합물은 플루오로기-비함유(fluoro-free) 화합물일 수 있다.According to one embodiment, the electron transporting compound may be a fluoro-free compound.

상기 "플루오로기-비함유(fluoro-free) 화합물"이란, 화합물 내의 치환기로서 플루오로기가 포함되지 않은 화합물을 의미하며, 따라서, 플루오로기-비함유 화합물은 플루오로기를 포함하지 않는다.The above "fluoro-free compound" means a compound in which a fluoro group is not included as a substituent in the compound, and therefore, a fluoro group-free compound does not contain a fluoro group.

일 구현예에 따르면, 상기 전자 수송성 화합물은 금속-비함유 (metal-free) 화합물일 수 있다. According to one embodiment, the electron transporting compound may be a metal-free compound.

상기 "금속-비함유 (metal-free) 화합물"이란, 화합물 내의 금속 원자를 포함하지 않는 화합물을 의미한다. The above "metal-free compound" means a compound that does not contain a metal atom in the compound.

상기 제2재료는 금속-함유 화합물을 포함한다.The second material includes a metal-containing compound.

일 구현예에 따르면, 상기 금속-함유 화합물은 알칼리 금속, 알칼리 토금속, 희토류 금속, 알칼리 금속-함유 화합물, 알칼리 토금속-함유 화합물, 희토류 금속-함유 화합물, 알칼리 금속 착체, 알칼리 토금속 착체, 희토류 금속 착체, 또는 이의 임의의 조합을 포함할 수 있다.According to one embodiment, the metal-containing compound is an alkali metal, alkaline earth metal, rare earth metal, alkali metal-containing compound, alkaline earth metal-containing compound, rare earth metal-containing compound, alkali metal complex, alkaline earth metal complex, rare earth metal complex , or any combination thereof.

다른 구현예에 따르면, 상기 금속-함유 화합물은 알칼리 금속 착체, 알칼리 토금속 착체, 또는 이의 임의의 조합을 포함할 수 있다.According to another embodiment, the metal-containing compound may include an alkali metal complex, an alkaline earth metal complex, or any combination thereof.

일 구현예에 따르면, 상기 알칼리 금속 착체의 금속 이온은, Li 이온, Na 이온, K 이온, Rb 이온 또는 Cs 이온일 수 있고, 상기 알칼리 토금속 착체의 금속 이온은 Be 이온, Mg 이온, Ca 이온, Sr 이온 또는 Ba 이온일 수 있다. 상기 알칼리 금속 착체 및 알칼리 토금속 착체의 금속 이온에 배위된 리간드는, 서로 독립적으로, 히드록시퀴놀린, 히드록시이소퀴놀린, 히드록시벤조퀴놀린, 히드록시아크리딘, 히드록시페난트리딘, 히드록시페닐옥사졸, 히드록시페닐티아졸, 히드록시페닐옥사디아졸, 히드록시페닐티아디아졸, 히드록시페닐피리딘, 히드록시페닐벤조이미다졸, 히드록시페닐벤조티아졸, 비피리딘, 페난트롤린, 시클로펜타다이엔, 또는 이의 임의의 조합을 포함할 수 있다.According to one embodiment, the metal ion of the alkali metal complex may be a Li ion, Na ion, K ion, Rb ion or Cs ion, and the metal ion of the alkaline earth metal complex may be a Be ion, Mg ion, Ca ion, It may be Sr ions or Ba ions. The ligands coordinated to the metal ions of the alkali metal complex and the alkaline earth metal complex are, independently of each other, hydroxyquinoline, hydroxyisoquinoline, hydroxybenzoquinoline, hydroxyacridine, hydroxyphenanthridine, hydroxyphenyl oxazole, hydroxyphenylthiazole, hydroxyphenyloxadiazole, hydroxyphenylthiadiazole, hydroxyphenylpyridine, hydroxyphenylbenzoimidazole, hydroxyphenylbenzothiazole, bipyridine, phenanthroline, cyclo pentadiene, or any combination thereof.

일 구현예에 따르면, 상기 금속-함유 물질은 Li 착체를 포함할 수 있다.According to one embodiment, the metal-containing material may include a Li complex.

상기 Li 착체는, 예를 들면, 하기 화합물 ET-D1(LiQ) 또는 ET-D2을 포함할 수 있다:The Li complex may include, for example, the following compounds ET-D1 (LiQ) or ET-D2:

Figure pat00062
Figure pat00062

상기 제3재료는 저굴절률 화합물을 포함한다.The third material includes a low refractive index compound.

일 구현예에 따르면, 상기 저굴절률 화합물의 굴절률은 1.45 (at 550nm) 이하일 수 있다. According to one embodiment, the refractive index of the low refractive index compound may be 1.45 (at 550 nm) or less.

일 구현예에 따르면, 상기 저굴절률 화합물은 적어도 하나의 플루오로기(-F)를 포함할 수 있다.According to one embodiment, the low refractive index compound may include at least one fluoro group (-F).

본 발명의 일 구현예에 따르면, 저굴절률 화합물은 플루오로기를 포함할 수 있는데, 상기 저굴절률 화합물은 플루오로기를 포함함으로서, 유기 분자 내의 전자 밀도가 낮아져 굴절률이 낮아질 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the low refractive index compound may include a fluoro group. As the low refractive index compound includes a fluoro group, the electron density in the organic molecule may be lowered and the refractive index may be lowered.

일 구현예에 따르면, 상기 저굴절률 화합물은 퍼플루오로 화합물(perfluoro compound)일 수 있다.According to one embodiment, the low refractive index compound may be a perfluoro compound.

일 구현예에 따르면, 상기 저굴절률 화합물은 금속-비함유 화합물일 수 있으며, "금속-비함유 화합물"에 대한 설명은 상술한 바를 따른다.According to one embodiment, the low refractive index compound may be a metal-free compound, and the description of “metal-free compound” follows the above description.

일 구현예에 따르면, 상기 저굴절률 화합물은 폴리머(polymer) 화합물일 수 있다.According to one embodiment, the low refractive index compound may be a polymer compound.

본 발명의 일 구현예에 따르면, 저굴절률 화합물은 폴리머 화합물일 수 있는데, 상기 저굴절률 화합물이 폴리머 화합물에 해당함으로서, 박막에서의 유기 분자의 밀도가 낮아져서, 굴절률이 낮아질 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the low refractive index compound may be a polymer compound. As the low refractive index compound corresponds to the polymer compound, the density of organic molecules in the thin film may be lowered, thereby reducing the refractive index.

일 구현예에 따르면, 상기 저굴절률 화합물은 열기상 증착(thermal evaporation)이 가능한 폴리머 화합물일 수 있다.According to one embodiment, the low refractive index compound may be a polymer compound capable of thermal evaporation.

일 구현예에 따르면, 상기 폴리머 화합물은 분자량이 5000 이하인 올리고머 폴리머(oligomer-polymer)일 수 있다. According to one embodiment, the polymer compound may be an oligomer-polymer having a molecular weight of 5000 or less.

일 구현예에 따르면, 상기 저굴절률 화합물은 하기 화학식 1로 표시되는 화합물일 수 있다:According to one embodiment, the low refractive index compound may be a compound represented by Formula 1 below:

<화학식 1><Formula 1>

Figure pat00063
Figure pat00063

상기 화학식 1 중,In Formula 1,

T1은 C(Z11)(Z12), Si(Z11)(Z12), O 또는 S일 수 있고,T 1 can be C(Z 11 )(Z 12 ), Si(Z 11 )(Z 12 ), O or S;

d1은 0 내지 3의 정수 중 하나일 수 있고,d1 may be one of integers from 0 to 3;

Y1은 C(Z21), Si(Z21), O 또는 S일 수 있고,Y 1 can be C(Z 21 ), Si(Z 21 ), O or S;

Y2은 C(Z22), Si(Z22), O 또는 S일 수 있고,Y 2 can be C(Z 22 ), Si(Z 22 ), O or S;

Y3은 C(Z23)(Z24), Si(Z23)(Z24), O 또는 S일 수 있고,Y 3 can be C(Z 23 )(Z 24 ), Si(Z 23 )(Z 24 ), O or S;

Y4은 C(Z25)(Z26), Si(Z25)(Z26), O 또는 S일 수 있고,Y 4 can be C(Z 25 )(Z 26 ), Si(Z 25 )(Z 26 ), O or S;

Y5은 C(Z27)(Z28), Si(Z27)(Z28), O 또는 S일 수 있고,Y 5 can be C(Z 27 )(Z 28 ), Si(Z 27 )(Z 28 ), O or S;

d2은 0 내지 3의 정수 중 하나일 수 있고,d2 may be one of the integers from 0 to 3;

T3은 C(Z31)(Z32), Si(Z31)(Z32), O 또는 S일 수 있고,T 3 may be C(Z 31 )(Z 32 ), Si(Z 31 )(Z 32 ), O or S;

d3은 0 내지 3의 정수 중 하나일 수 있고,d3 may be one of integers from 0 to 3;

d1, d2 및 d3의 합은 1 이상의 정수일 수 있고,The sum of d1, d2 and d3 may be an integer greater than or equal to 1;

Z11, Z12, Z21 내지 Z28, Z31 및 Z32는 서로 독립적으로, 수소, 중수소 또는 -F; 또는 Z 11 , Z 12 , Z 21 to Z 28 , Z 31 and Z 32 are each independently hydrogen, deuterium or -F; or

적어도 하나의 -F로 치환된, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기, 또는 C1-C60알콕시기;일 수 있고,It may be a C 1 -C 60 alkyl group, a C 2 -C 60 alkenyl group, a C 2 -C 60 alkynyl group, or a C 1 -C 60 alkoxy group, substituted with at least one -F,

n1은 10 내지 500의 정수 중 하나일 수 있다.n1 may be one of integers from 10 to 500.

일 구현예에 따르면, 화학식 1 중 Y1은 C(Z21)이고, Y2은 C(Z22)일 수 있다. According to one embodiment, Y 1 in Formula 1 may be C(Z 21 ) and Y 2 may be C(Z 22 ).

일 구현예에 따르면, 화학식 1 중 Z11, Z12, Z21 내지 Z28, Z31 및 Z32는 서로 독립적으로, -F; 또는 According to one embodiment, in Formula 1, Z 11 , Z 12 , Z 21 to Z 28 , Z 31 and Z 32 are each independently -F; or

적어도 하나의 -F로 치환된, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기, 또는 C1-C60알콕시기;일 수 있다.It may be a C 1 -C 60 alkyl group, a C 2 -C 60 alkenyl group, a C 2 -C 60 alkynyl group, or a C 1 -C 60 alkoxy group, substituted with at least one -F.

일 구현예에 따르면, 상기 저굴절률 화합물은 하기 화합물 1 내지 3 중 하나일 수 있으나, 이에 한정되지 아니한다:According to one embodiment, the low refractive index compound may be one of the following compounds 1 to 3, but is not limited thereto:

Figure pat00064
Figure pat00064

상기 화합물 1 내지 3 중, n11 내지 n13은 서로 독립적으로, 10 내지 500의 정수 중 하나이다. In the compounds 1 to 3, n11 to n13 are each independently an integer of 10 to 500.

일 구현예에 따르면, 상기 제3재료의 중량부는 상기 혼합물 총 100 중량부에 대하여 약 30 중량부 이상 및 약 50 중량부 이하일 수 있다.According to one embodiment, the weight part of the third material may be about 30 parts by weight or more and about 50 parts by weight or less based on 100 parts by weight of the total mixture.

일 구현예에 따르면, 상기 제1재료의 중량부는 상기 혼합물의 총 100 중량부에 대하여 약 20 중량부 이상 및 약 30 중량부 이하일 수 있다.According to one embodiment, the weight part of the first material may be about 20 parts by weight or more and about 30 parts by weight or less with respect to a total of 100 parts by weight of the mixture.

일 구현예에 따르면, 상기 제2재료의 중량부는 상기 혼합물의 총 100 중량부에 대하여 약 20 중량부 이상 및 약 30 중량부 이하일 수 있다.According to one embodiment, the weight part of the second material may be about 20 parts by weight or more and about 30 parts by weight or less with respect to a total of 100 parts by weight of the mixture.

일 구현예에 따르면, 상기 제1재료의 중량부는 상기 제1재료 및 상기 제2재료의 총 100 중량부에 대하여 약 40 중량부 이상 및 약 60 중량부 이하일 수 있다. According to one embodiment, the weight part of the first material may be about 40 parts by weight or more and about 60 parts by weight or less with respect to a total of 100 parts by weight of the first material and the second material.

일 구현예에 따르면, 상기 제2재료의 중량부는 상기 제1재료 및 상기 제2재료의 총 100 중량부에 대하여 약 40 중량부 이상 및 약 60 중량부 이하일 수 있다.According to one embodiment, the weight part of the second material may be about 40 parts by weight or more and about 60 parts by weight or less based on a total of 100 parts by weight of the first material and the second material.

일 구현예에 따르면, 상기 제1재료 및 상기 제2재료의 중량비는 1 : 2 내지 2 : 1일 수 있다.According to one embodiment, the weight ratio of the first material and the second material may be 1:2 to 2:1.

일 구현예에 따르면, 상기 전자 수송층 내 상기 제1재료가 균일하게 분산되어 있을 수 있다. According to one embodiment, the first material may be uniformly dispersed in the electron transport layer.

일 구현예에 따르면, 상기 전자 수송층 내 상기 제2재료가 균일하게 분산되어 있을 수 있다. According to one embodiment, the second material may be uniformly dispersed in the electron transport layer.

일 구현예에 따르면, 상기 전자 수송층 내 상기 제3재료가 균일하게 분산되어 있을 수 있다. According to one embodiment, the third material may be uniformly dispersed in the electron transport layer.

일 구현예에 따르면, 상기 전자 수송층 내 상기 제1재료, 제2재료 및 제3재료의 혼합물이 균일하게 존재할 수 있다. According to one embodiment, a mixture of the first material, the second material, and the third material may be uniformly present in the electron transport layer.

[캡핑층][Capping layer]

제1화소전극(111), 제2화소전극(112) 및 제3화소전극(113)의 외측에는 제1캡핑층이 배치되거나, 및/또는 대향전극(150)의 외측에는 제2캡핑층이 배치될 수 있다. A first capping layer is disposed outside the first pixel electrode 111, the second pixel electrode 112, and the third pixel electrode 113, and/or a second capping layer is disposed outside the counter electrode 150. can be placed.

발광 소자(1)의 중간층 중 발광층(131,132,133)에서 생성된 광은 반투과형 전극 또는 투과형 전극인 제1화소전극(111), 제2화소전극(112) 및 제3화소전극(113) 및 제1캡핑층을 지나 외부로 취출될 수 있고, 발광 소자(10)의 중간층(130) 중 발광층에서 생성된 광은 반투과형 전극 또는 투과형 전극인 대향전극(150) 및 제2캡핑층을 지나 외부로 취출될 수 있다. The light generated in the light emitting layers 131 , 132 , and 133 of the intermediate layers of the light emitting device 1 is transmitted through the first pixel electrode 111 , the second pixel electrode 112 , the third pixel electrode 113 , and the first Light generated in the light emitting layer among the intermediate layers 130 of the light emitting element 10 is extracted to the outside through the counter electrode 150, which is a semi-transmissive electrode or a transmissive electrode, and the second capping layer. It can be.

상기 제1캡핑층 및 제2캡핑층은 보강 간섭의 원리에 의하여 외부 발광 효율을 향상시키는 역할을 할 수 있다. 이로써, 상기 발광 소자(1)의 광추출 효율이 증가되어, 상기 발광 소자(1)의 발광 효율이 향상될 수 있다.The first capping layer and the second capping layer may serve to improve external luminous efficiency by the principle of constructive interference. As a result, the light extraction efficiency of the light emitting device 1 is increased, so that the luminous efficiency of the light emitting device 1 can be improved.

상기 제1캡핑층 및 제2캡핑층 각각은, 1.6 이상의 굴절율(at 589nm)을 갖는 물질을 포함할 수 있다. Each of the first capping layer and the second capping layer may include a material having a refractive index of 1.6 or more (at 589 nm).

상기 제1캡핑층 및 제2캡핑층은 서로 독립적으로, 유기물을 포함한 유기 캡핑층, 무기물을 포함한 무기 캡핑층, 또는 유기물 및 무기물을 포함한 유-무기 복합 캡핑층일 수 있다.The first capping layer and the second capping layer may be independently of each other an organic capping layer containing an organic material, an inorganic capping layer containing an inorganic material, or an organic-inorganic composite capping layer containing an organic material and an inorganic material.

상기 제1캡핑층 및 제2캡핑층 중 적어도 하나는, 서로 독립적으로, 카보시클릭 화합물, 헤테로시클릭 화합물, 아민 그룹-함유 화합물, 포르핀 유도체 (porphine derivatives), 프탈로시아닌 유도체 (phthalocyanine derivatives), 나프탈로시아닌 유도체 (naphthalocyanine derivatives), 알칼리 금속 착체, 알칼리 토금속 착체, 또는 이의 임의의 조합을 포함할 수 있다. 상기 카보시클릭 화합물, 헤테로시클릭 화합물 및 아민 그룹-함유 화합물은, 선택적으로, O, N, S, Se, Si, F, Cl, Br, I, 또는 이의 임의의 조합을 포함한 치환기로 치환될 수 있다. 일 구현예에 따르면, 상기 제1캡핑층 및 제2캡핑층 중 적어도 하나는, 서로 독립적으로, 아민 그룹-함유 화합물을 포함할 수 있다.At least one of the first capping layer and the second capping layer may be, independently of each other, a carbocyclic compound, a heterocyclic compound, an amine group-containing compound, a porphine derivative, a phthalocyanine derivative, naphthalocyanine derivatives, alkali metal complexes, alkaline earth metal complexes, or any combination thereof. The carbocyclic compounds, heterocyclic compounds and amine group-containing compounds are optionally substituted with a substituent comprising O, N, S, Se, Si, F, Cl, Br, I, or any combination thereof. can According to one embodiment, at least one of the first capping layer and the second capping layer may independently include an amine group-containing compound.

예를 들어, 상기 제1캡핑층 및 제2캡핑층 중 적어도 하나는, 서로 독립적으로, 상기 화학식 201로 표시된 화합물, 상기 화학식 202로 표시된 화합물, 또는 이의 임의의 조합을 포함할 수 있다.For example, at least one of the first capping layer and the second capping layer may independently include the compound represented by Chemical Formula 201, the compound represented by Chemical Formula 202, or any combination thereof.

또 다른 구현예에 따르면, 상기 제1캡핑층 및 제2캡핑층 중 적어도 하나는, 서로 독립적으로, 상기 화합물 HT28 내지 HT33 중 하나, 하기 화합물 CP1 내지 CP6 중 하나, TPD, β-NPB 또는 이의 임의의 화합물을 포함할 수 있다:According to another embodiment, at least one of the first capping layer and the second capping layer is, independently of each other, one of the compounds HT28 to HT33, one of the following compounds CP1 to CP6, TPD, β-NPB, or any of them may include compounds of:

Figure pat00065
Figure pat00065

Figure pat00066
Figure pat00066

[전자 장치][Electronic device]

상술한 바와 같은 발광 소자는 각종 전자 장치에 포함될 수 있다. Light emitting devices as described above may be included in various electronic devices.

따라서, 다른 측면에 따르면, 소스 전극, 드레인 전극 및 활성층을 포함한 박막 트랜지스터; 및 상기 발광 소자를 포함하고, 상기 발광 소자(1)의 제1화소전극(111), 제2화소전극(112) 및 제3화소전극(113)과 상기 소스 전극 또는 드레인 전극과 전기적으로 연결된, 전자 장치가 제공된다.Therefore, according to another aspect, a thin film transistor including a source electrode, a drain electrode and an active layer; And including the light emitting element, electrically connected to the source electrode or the drain electrode of the first pixel electrode 111, the second pixel electrode 112, and the third pixel electrode 113 of the light emitting element 1, An electronic device is provided.

상기 전자 장치(예를 들면, 발광 장치)는, 상기 발광 소자 외에, i) 컬러 필터, ii) 색변환층, 또는 iii) 컬러 필터 및 색변환층을 더 포함할 수 있다. 상기 컬러 필터 및/또는 색변환층은 발광 소자로부터 방출되는 광의 적어도 하나의 진행 방향 상에 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 발광 소자로부터 방출되는 광은 청색광 또는 백색광일 수 있다. 상기 발광 소자에 대한 설명은 상술한 바를 참조한다. 일 구현예에 따르면, 상기 색변환층은 양자점을 포함할 수 있다. 상기 양자점은 예를 들어, 본 명세서에 기재된 바와 같은 양자점일 수 있다.The electronic device (eg, light emitting device) may further include i) a color filter, ii) a color conversion layer, or iii) a color filter and a color conversion layer, in addition to the light emitting element. The color filter and/or the color conversion layer may be disposed on at least one traveling direction of light emitted from the light emitting device. For example, light emitted from the light emitting device may be blue light or white light. For a description of the light emitting device, refer to the above description. According to one embodiment, the color conversion layer may include quantum dots. The quantum dots may be, for example, quantum dots as described herein.

상기 전자 장치는 제1기판을 포함할 수 있다. 상기 제1기판은 복수의 부화소 영역을 포함하고, 상기 컬러 필터는 상기 복수의 부화소 영역 각각에 대응하는 복수의 컬러 필터 영역을 포함하고, 상기 색변환층은 상기 복수의 부화소 영역 각각에 대응하는 복수의 색변환 영역을 포함할 수 있다.The electronic device may include a first substrate. The first substrate includes a plurality of sub-pixel areas, the color filter includes a plurality of color filter areas corresponding to each of the plurality of sub-pixel areas, and the color conversion layer is formed in each of the plurality of sub-pixel areas. A plurality of corresponding color conversion areas may be included.

상기 복수의 부화소 영역 사이에 화소 정의막이 배치되어 각각의 부화소 영역이 정의된다. A pixel defining layer is disposed between the plurality of sub-pixel areas to define each sub-pixel area.

상기 컬러 필터는 복수의 컬러 필터 영역 및 복수의 컬러 필터 영역 사이에 배치된 차광 패턴을 더 포함할 수 있고, 상기 색변환층은 복수의 색변환 영역 및 복수의 색변환 영역 사이에 배치된 차광 패턴을 더 포함할 수 있다. The color filter may further include a plurality of color filter areas and a light blocking pattern disposed between the plurality of color filter areas, and the color conversion layer may include a plurality of color conversion areas and a light blocking pattern disposed between the plurality of color conversion areas. may further include.

상기 복수의 컬러 필터 영역(또는, 복수의 색변환 영역)은, 제1색광을 방출하는 제1영역; 제2색광을 방출하는 제2영역; 및/또는 제3색광을 방출하는 제3영역을 포함하고, 상기 제1색광, 상기 제2색광 및/또는 상기 제3색광은 서로 상이한 최대 발광 파장을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제1색광은 적색광이고, 상기 제2색광은 녹색광이고, 상기 제3색광은 청색광일 수 있다. 예를 들어, 상기 복수의 컬러 필터 영역(또는, 복수의 색변환 영역)은 양자점을 포함할 수 있다. 구체적으로, 상기 제1영역은 적색 양자점을 포함하고, 상기 제2영역은 녹색 양자점을 포함하고, 상기 제3영역은 양자점을 포함하지 않을 수 있다. 양자점에 대한 설명은 본 명세서에 기재된 바를 참조한다. 상기 제1영역, 상기 제2영역 및/또는 상기 제3영역은 각각 산란체를 더 포함할 수 있다.The plurality of color filter regions (or the plurality of color conversion regions) may include a first region emitting a first color light; a second region emitting second color light; and/or a third region emitting third color light, and the first color light, the second color light, and/or the third color light may have different maximum emission wavelengths. For example, the first color light may be red light, the second color light may be green light, and the third color light may be blue light. For example, the plurality of color filter regions (or the plurality of color conversion regions) may include quantum dots. Specifically, the first region may include red quantum dots, the second region may include green quantum dots, and the third region may not include quantum dots. For a description of quantum dots, refer to what has been described herein. Each of the first region, the second region, and/or the third region may further include a scattering body.

예를 들어, 상기 발광 소자는 제1광을 방출하고, 상기 제1영역은 상기 제1광을 흡수하여, 제1-1색광을 방출하고, 상기 제2영역은 상기 제1광을 흡수하여, 제2-1색광을 방출하고, 상기 제3영역은 상기 제1광을 흡수하여, 제3-1색광을 방출할 수 있다. 이 때, 상기 제1-1색광, 상기 제2-1색광 및 상기 제3-1색광은 서로 상이한 최대 발광 파장을 가질 수 있다. 구체적으로, 상기 제1광은 청색광일 수 있고, 상기 제1-1색광은 적색광일 수 있고, 상기 제2-1색광은 녹색광일 수 있고, 상기 제3-1색광은 청색광일 수 있다. For example, the light emitting element emits a first light, the first region absorbs the first light and emits 1-1 color light, the second region absorbs the first light, The 2-1st color light may be emitted, and the third region may absorb the 1st light to emit the 3-1st color light. In this case, the 1-1st color light, the 2-1st color light, and the 3-1st color light may have different maximum emission wavelengths. Specifically, the first light may be blue light, the 1-1 color light may be red light, the 2-1 color light may be green light, and the 3-1 color light may be blue light.

상기 전자 장치는, 상술한 바와 같은 발광 소자 외에 박막 트랜지스터를 더 포함할 수 있다. 상기 박막 트랜지스터는 소스 전극, 드레인 전극 및 활성층을 포함할 수 있고, 상기 소스 전극 및 드레인 전극 중 어느 하나와 상기 발광 소자의 제1화소전극(111), 제2화소전극(112), 제3화소전극(113) 및 대향전극 중 어느 하나는 전기적으로 연결될 수 있다. The electronic device may further include a thin film transistor in addition to the light emitting element described above. The thin film transistor may include a source electrode, a drain electrode, and an active layer, and any one of the source electrode and the drain electrode and the first pixel electrode 111, the second pixel electrode 112, and the third pixel of the light emitting element Any one of the electrode 113 and the counter electrode may be electrically connected.

상기 박막 트랜지스터는 게이트 전극, 게이트 절연막 등을 더 포함할 수 있다.The thin film transistor may further include a gate electrode and a gate insulating layer.

상기 활성층은 결정질 실리콘, 비정질 실리콘, 유기 반도체, 산화물 반도체 등을 포함할 수 있다.The active layer may include crystalline silicon, amorphous silicon, an organic semiconductor, an oxide semiconductor, or the like.

상기 전자 장치는 발광 소자를 밀봉하는 밀봉부를 더 포함할 수 있다. 상기 밀봉부는 상기 컬러 필터 및/또는 색변환층과 상기 발광 소자 사이에 배치될 수 있다. 상기 밀봉부는 상기 발광 소자로부터의 광이 외부로 취출될 수 있도록 하면서, 동시에 상기 발광 소자로 외기 및 수분이 침투하는 것을 차단한다. 상기 밀봉부는 투명한 유리 기판 또는 플라스틱 기판을 포함하는 밀봉 기판일 수 있다. 상기 밀봉부는 유기층 및/또는 무기층을 1층 이상 포함하는 박막 봉지층일 수 있다. 상기 밀봉부가 박막 봉지층일 경우, 상기 전자 장치는 플렉시블할 수 있다.The electronic device may further include a sealing unit for sealing the light emitting element. The encapsulation unit may be disposed between the color filter and/or color conversion layer and the light emitting element. The sealing portion allows light from the light emitting element to be taken out to the outside, and at the same time blocks external air and moisture from permeating into the light emitting element. The sealing unit may be a sealing substrate including a transparent glass substrate or a plastic substrate. The encapsulation unit may be a thin film encapsulation layer including at least one organic layer and/or an inorganic layer. When the sealing part is a thin film encapsulation layer, the electronic device may be flexible.

상기 밀봉부 상에는, 상기 컬러 필터 및/또는 색변환층 외에, 상기 전자 장치의 용도에 따라 다양한 기능층이 추가로 배치될 수 있다. 상기 기능층의 예는, 터치스크린층, 편광층, 등을 포함할 수 있다. 상기 터치스크린층은, 감압식 터치스크린층, 정전식 터치스크린층 또는 적외선식 터치스크린층일 수 있다. 상기 인증 장치는, 예를 들면, 생체(예를 들어, 손가락 끝, 눈동자 등)의 생체 정보를 이용하여 개인을 인증하는 생체 인증 장치일 수 있다. On the sealing part, in addition to the color filter and/or the color conversion layer, various functional layers may be additionally disposed according to the purpose of the electronic device. Examples of the functional layer may include a touch screen layer, a polarization layer, and the like. The touch screen layer may be a resistive touch screen layer, a capacitive touch screen layer, or an infrared touch screen layer. The authentication device may be, for example, a biometric authentication device that authenticates an individual using biometric information of a body (eg, fingertip, pupil, etc.).

상기 인증 장치는 상술한 바와 같은 발광 소자 외에 생체 정보 수집 수단을 더 포함할 수 있다. The authentication device may further include a biometric information collection unit in addition to the light emitting device as described above.

상기 전자 장치는 각종 디스플레이, 광원, 조명, 퍼스널 컴퓨터(예를 들면, 모바일형 퍼스널 컴퓨터), 휴대 전화, 디지털 사진기, 전자 수첩, 전자 사전, 전자 게임기, 의료 기기(예를 들면, 전자 체온계, 혈압계, 혈당계, 맥박 계측 장치, 맥파 계측 장치, 심전표시 장치, 초음파 진단 장치, 내시경용 표시 장치), 어군 탐지기, 각종 측정 기기, 계기류(예를 들면, 차량, 항공기, 선박의 계기류), 프로젝터 등으로 응용될 수 있다. The electronic devices include various displays, light sources, lighting, personal computers (eg, mobile personal computers), mobile phones, digital cameras, electronic notebooks, electronic dictionaries, electronic game machines, medical devices (eg, electronic thermometers, blood pressure monitors) , blood glucose meter, pulse measuring device, pulse wave measuring device, electrocardiogram display device, ultrasonic diagnostic device, endoscope display device), fish finder, various measuring devices, instrumentation (eg, instrumentation of vehicles, aircraft, ships), projectors, etc. can be applied

[도 2 및 3에 대한 설명][Description of Figures 2 and 3]

도 2는 본 발명의 일 구현예를 따르는 발광 장치의 단면도이다.2 is a cross-sectional view of a light emitting device according to an embodiment of the present invention.

도 2의 발광 장치는 기판(100), 박막 트랜지스터(TFT), 발광 소자 및 발광 소자를 밀봉하는 봉지부(300)를 포함한다.The light emitting device of FIG. 2 includes a substrate 100, a thin film transistor (TFT), a light emitting element, and an encapsulation part 300 sealing the light emitting element.

상기 기판(100)은 가요성 기판, 유리 기판, 또는 금속 기판일 수 있다. 상기 기판(100) 상에는 버퍼층(210)이 배치될 수 있다. 상기 버퍼층(210)은 기판(100)을 통한 불순물의 침투를 방지하며 기판(100) 상부에 평탄한 면을 제공하는 역할을 할 수 있다. The substrate 100 may be a flexible substrate, a glass substrate, or a metal substrate. A buffer layer 210 may be disposed on the substrate 100 . The buffer layer 210 may serve to prevent penetration of impurities through the substrate 100 and provide a flat surface on the upper portion of the substrate 100 .

상기 버퍼층(210) 상에는 박막 트랜지스터(TFT)가 배치될 수 있다. 상기 박막 트랜지스터(TFT)는 활성층(220), 게이트 전극(240), 소스 전극(260) 및 드레인 전극(270)을 포함할 수 있다.A thin film transistor (TFT) may be disposed on the buffer layer 210 . The thin film transistor TFT may include an active layer 220 , a gate electrode 240 , a source electrode 260 and a drain electrode 270 .

상기 활성층(220)은 실리콘 또는 폴리 실리콘과 같은 무기 반도체, 유기 반도체 또는 산화물 반도체를 포함할 수 있으며, 소스 영역, 드레인 영역 및 채널 영역을 포함한다.The active layer 220 may include an inorganic semiconductor such as silicon or polysilicon, an organic semiconductor, or an oxide semiconductor, and includes a source region, a drain region, and a channel region.

상기 활성층(220)의 상부에는 활성층(220)과 게이트 전극(240)을 절연하기 위한 게이트 절연막(230)이 배치될 수 있고, 게이트 절연막(230) 상부에는 게이트 전극(240)이 배치될 수 있다.A gate insulating layer 230 may be disposed on the active layer 220 to insulate the active layer 220 and the gate electrode 240, and the gate electrode 240 may be disposed on the upper portion of the gate insulating layer 230. .

상기 게이트 전극(240)의 상부에는 층간 절연막(250)이 배치될 수 있다. 상기 층간 절연막(250)은 게이트 전극(240)과 소스 전극(260) 사이 및 게이트 전극(240)과 드레인 전극(270) 사이에 배치되어 이들을 절연하는 역할을 한다.An interlayer insulating layer 250 may be disposed on the gate electrode 240 . The interlayer insulating film 250 is disposed between the gate electrode 240 and the source electrode 260 and between the gate electrode 240 and the drain electrode 270 to insulate them.

상기 층간 절연막(250) 상에는 소스 전극(260) 및 드레인 전극(270)이 배치될 수 있다. 층간 절연막(250) 및 게이트 절연막(230)은 활성층(220)의 소스 영역 및 드레인 영역이 노출하도록 형성될 수 있고, 이러한 활성층(220)의 노출된 소스 영역 및 드레인 영역과 접하도록 소스 전극(260) 및 드레인 전극(270)이 배치될 수 있다.A source electrode 260 and a drain electrode 270 may be disposed on the interlayer insulating layer 250 . The interlayer insulating film 250 and the gate insulating film 230 may be formed to expose the source and drain regions of the active layer 220, and the source electrode 260 to contact the exposed source and drain regions of the active layer 220. ) and the drain electrode 270 may be disposed.

이와 같은 박막 트랜지스터(TFT)는 발광 소자에 전기적으로 연결되어 발광 소자를 구동시킬 수 있으며, 패시베이션층(280)으로 덮여 보호된다. 패시베이션층(280)은 무기 절연막, 유기 절연막, 또는 이의 조합을 포함할 수 있다. 패시베이션층(280) 상에는 발광 소자가 구비된다. 상기 발광 소자는 화소전극(110), 중간층(130) 및 대향전극(150)을 포함한다.The thin film transistor TFT may be electrically connected to the light emitting element to drive the light emitting element, and is covered and protected by the passivation layer 280 . The passivation layer 280 may include an inorganic insulating layer, an organic insulating layer, or a combination thereof. A light emitting device is provided on the passivation layer 280 . The light emitting device includes a pixel electrode 110 , an intermediate layer 130 and a counter electrode 150 .

화소전극(110)은 도 1의 제1화소전극(111), 제2화소전극(112) 및 제3화소전극(113)에 대응되며, 상술한 도 1의 화소전극(111,112,113)의 설명을 참조한다.The pixel electrode 110 corresponds to the first pixel electrode 111, the second pixel electrode 112, and the third pixel electrode 113 of FIG. 1, and refer to the description of the pixel electrodes 111, 112, and 113 of FIG. 1 described above. do.

상기 화소전극(110)은 패시베이션층(280) 상에 배치될 수 있다. 패시베이션층(280)은 드레인 전극(270)의 전체를 덮지 않고 소정의 영역을 노출하도록 배치될 수 있고, 노출된 드레인 전극(270)과 연결되도록 화소전극(110)이 배치될 수 있다.The pixel electrode 110 may be disposed on the passivation layer 280 . The passivation layer 280 may be disposed to expose a predetermined area without covering the entire drain electrode 270, and the pixel electrode 110 may be disposed to be connected to the exposed drain electrode 270.

상기 화소전극(110) 상에 절연물을 포함한 화소 정의막(290)이 배치될 수 있다. 화소 정의막(290)은 화소전극(110)의 소정 영역을 노출하며, 노출된 영역에 중간층(130)이 형성될 수 있다. 화소 정의막(290)은 폴리이미드 또는 폴리아크릴 계열의 유기막일 수 있다. 도 2에 미도시되어 있으나, 중간층(130) 중 일부 이상의 층은 화소 정의막(290) 상부에까지 연장되어 공통층의 형태로 배치될 수 있다.A pixel defining layer 290 including an insulating material may be disposed on the pixel electrode 110 . The pixel defining layer 290 exposes a predetermined area of the pixel electrode 110, and an intermediate layer 130 may be formed in the exposed area. The pixel defining layer 290 may be a polyimide or polyacrylic organic layer. Although not shown in FIG. 2 , at least a portion of the intermediate layer 130 may extend to the top of the pixel defining layer 290 and be disposed in the form of a common layer.

상기 중간층(130) 상에는 대향전극(150)이 배치되고, 대향전극(150) 상에는 캡핑층(170)이 추가로 형성될 수 있다. 캡핑층(170)은 대향전극(150)을 덮도록 형성될 수 있다. A counter electrode 150 may be disposed on the intermediate layer 130 , and a capping layer 170 may be additionally formed on the counter electrode 150 . The capping layer 170 may be formed to cover the counter electrode 150 .

상기 캡핑층(170) 상에는 봉지부(300)가 배치될 수 있다. 봉지부(300)는 발광 소자 상에 배치되어 수분이나 산소로부터 발광 소자를 보호하는 역할을 할 수 있다. 봉지부(300)는 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산화물(SiOx), 인듐주석산화물, 인듐아연산화물, 또는 이의 임의의 조합을 포함한 무기막, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리카보네이트, 폴리이미드, 폴리에틸렌설포네이트, 폴리옥시메틸렌, 폴리아릴레이트, 헥사메틸디실록산, 아크릴계 수지(예를 들면, 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리아크릴산 등), 에폭시계 수지(예를 들면, AGE(aliphatic glycidyl ether) 등) 또는 이의 임의의 조합을 포함한 유기막, 또는 무기막과 유기막의 조합을 포함할 수 있다.An encapsulation part 300 may be disposed on the capping layer 170 . The encapsulation unit 300 may be disposed on the light emitting device to protect the light emitting device from moisture or oxygen. The encapsulation unit 300 may be formed of an inorganic film including silicon nitride (SiNx), silicon oxide (SiOx), indium tin oxide, indium zinc oxide, or any combination thereof, polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, polycarbonate, polyimide, Polyethylenesulfonate, polyoxymethylene, polyarylate, hexamethyldisiloxane, acrylic resin (eg, polymethyl methacrylate, polyacrylic acid, etc.), epoxy resin (eg, AGE (aliphatic glycidyl ether), etc. ) or an organic layer including any combination thereof, or a combination of an inorganic layer and an organic layer.

도 3은 본 발명의 다른 구현예를 따르는 발광 장치의 단면도이다.3 is a cross-sectional view of a light emitting device according to another embodiment of the present invention.

도 3의 발광 장치는, 봉지부(300) 상부에 차광 패턴(500) 및 기능성 영역(400)이 추가로 배치되어 있다는 점을 제외하고는, 도 2의 발광 장치와 동일한 발광 장치이다. 상기 기능성 영역(400)은, i) 컬러 필터 영역, ii) 색변환 영역, 또는 iii) 컬러 필터 영역와 색변환 영역의 조합일 수 있다. 일 구현예에 따르면, 도 3의 발광 장치에 포함된 발광 소자는 탠덤 발광 소자일 수 있다. The light emitting device of FIG. 3 is the same as the light emitting device of FIG. 2 except that the light blocking pattern 500 and the functional region 400 are additionally disposed on the encapsulation portion 300 . The functional area 400 may be i) a color filter area, ii) a color conversion area, or iii) a combination of a color filter area and a color conversion area. According to one embodiment, the light emitting device included in the light emitting device of FIG. 3 may be a tandem light emitting device.

[도 4에 대한 설명][Description of Figure 4]

도 4은 평가예 1에 따른 ETL A 내지 E에 대하여 파장에 따른 굴절률을 측정한 그래프이다. 4 is a graph measuring refractive indices according to wavelengths for ETLs A to E according to Evaluation Example 1;

[도 5a 내지 5c에 대한 설명][Description of FIGS. 5A to 5C]

도 5a 내지 5c는 평가예 2에 따른 각각 적색 파장, 녹색 파장 및 청색 파장 영역에서의 ETL D 및 E을 포함하는 발광 소자의 발광 효율에 대한 시뮬레이션 값을 나타내는 그래프이다. 상기 도 5a 내지 5c를 통하여, 모두 파장 영역에서 ETL E이 ETL D에 비하여 높은 최대 발광 효율을 나타냄을 알 수 있다.5A to 5C are graphs showing simulation values of luminous efficiency of light emitting devices including ETL D and E in red, green, and blue wavelength regions, respectively, according to Evaluation Example 2; 5A to 5C, it can be seen that ETL E exhibits higher maximum luminous efficiency than ETL D in all wavelength regions.

[제조 방법][Manufacturing method]

상기 정공 수송 영역에 포함된 각 층, 발광층 및 전자 수송 영역에 포함된 각 층은 각각, 진공 증착법, 스핀 코팅법, 캐스트법, LB법(Langmuir-Blodgett), 잉크젯 프린팅법, 레이저 프린팅법, 레이저 열전사법(Laser Induced Thermal Imaging, LITI) 등과 같은 다양한 방법을 이용하여, 소정 영역에 형성될 수 있다. Each layer included in the hole transport region, the light emitting layer, and each layer included in the electron transport region are each vacuum deposition method, spin coating method, cast method, LB method (Langmuir-Blodgett), inkjet printing method, laser printing method, laser It may be formed in a predetermined area using various methods such as laser induced thermal imaging (LITI).

진공 증착법에 의하여 상기 정공 수송 영역에 포함된 각 층, 발광층 및 전자 수송 영역에 포함된 각 층을 각각 형성할 경우, 증착 조건은, 예를 들면, 약 100 내지 약 500℃의 증착 온도, 약 10-8 내지 약 10-3 torr의 진공도 및 약 0.01 내지 약 100Å/sec의 증착 속도 범위 내에서, 형성하고자 하는 층에 포함될 재료 및 형성하고자 하는 층의 구조를 고려하여 선택될 수 있다. When each layer included in the hole transport region, the light emitting layer, and each layer included in the electron transport region are formed by a vacuum deposition method, the deposition conditions are, for example, a deposition temperature of about 100 to about 500 ° C., about 10 Within the range of -8 to about 10 -3 torr of vacuum and about 0.01 to about 100 Å/sec of deposition rate, it may be selected in consideration of the material to be included in the layer to be formed and the structure of the layer to be formed.

[용어의 정의][Definition of Terms]

본 명세서 중 C3-C60카보시클릭 그룹은 고리-형성 원자로서 탄소로만 이루어진 탄소수 3 내지 60의 시클릭 그룹을 의미하고, C1-C60헤테로시클릭 그룹은, 탄소 외에, 고리-형성 원자로서 헤테로 원자를 더 포함한 탄소수 1 내지 60의 시클릭 그룹을 의미한다. 상기 C3-C60카보시클릭 그룹 및 C1-C60헤테로시클릭 그룹 각각은, 1개의 고리로 이루어진 모노시클릭 그룹 또는 2 이상의 고리가 서로 축합되어 있는 폴리시클릭 그룹일 수 있다. 예를 들어, 상기 C1-C60헤테로시클릭 그룹의 고리-형성 원자수는 3 내지 61개일 수 있다.In the present specification, a C 3 -C 60 carbocyclic group refers to a cyclic group having 3 to 60 carbon atoms consisting only of carbon as a ring-forming atom, and a C 1 -C 60 heterocyclic group is a ring-forming group other than carbon. It means a cyclic group having 1 to 60 carbon atoms further including a hetero atom as an atom. Each of the C 3 -C 60 carbocyclic group and C 1 -C 60 heterocyclic group may be a monocyclic group consisting of one ring or a polycyclic group in which two or more rings are condensed with each other. For example, the number of ring-forming atoms in the C 1 -C 60 heterocyclic group may be 3 to 61.

본 명세서 중 시클릭 그룹은 상기 C3-C60카보시클릭 그룹 및 C1-C60헤테로시클릭 그룹 모두를 포함한다.In the present specification, the cyclic group includes both the C 3 -C 60 carbocyclic group and the C 1 -C 60 heterocyclic group.

본 명세서 중 π 전자-과잉 C3-C60 시클릭 그룹(π electron-rich C3-C60 cyclic group)은 고리 형성 모이어티로서 *-N=*'를 비포함한 탄소수 3 내지 60의 시클릭 그룹을 의미하고, π 전자-결핍성 함질소 C1-C60 시클릭 그룹(π electron-deficient nitrogen-containing C1-C60 cyclic group)은 고리 형성 모이어티로서 *-N=*'를 포함한 탄소수 1 내지 60의 헤테로시클릭 그룹을 의미한다.In the present specification, the π electron-rich C 3 -C 60 cyclic group is a ring-forming moiety , and is a cyclic group having 3 to 60 carbon atoms without *-N=*'. group, and the π electron-deficient nitrogen-containing C 1 -C 60 cyclic group is a ring-forming moiety , including *-N=*' It means a heterocyclic group having 1 to 60 carbon atoms.

예를 들어,for example,

상기 C3-C60카보시클릭 그룹은, i) 그룹 T1 또는 ii) 2 이상의 그룹 T1이 서로 축합된 축합환 그룹 (예를 들면, 시클로펜타디엔 그룹, 아다만탄 그룹, 노르보르난 그룹, 벤젠 그룹, 펜탈렌 그룹, 나프탈렌 그룹, 아줄렌 그룹, 인다센 그룹, 아세나프틸렌 그룹, 페날렌 그룹, 페난트렌 그룹, 안트라센 그룹, 플루오란텐 그룹, 트리페닐렌 그룹, 파이렌 그룹, 크라이센 그룹, 페릴렌 그룹, 펜타펜 그룹, 헵탈렌 그룹, 나프타센 그룹, 피센 그룹, 헥사센 그룹, 펜타센 그룹, 루비센 그룹, 코로넨 그룹, 오발렌 그룹, 인덴 그룹, 플루오렌 그룹, 스파이로-비플루오렌 그룹, 벤조플루오렌 그룹, 인데노페난트렌 그룹, 또는 인데노안트라센 그룹)일 수 있고, The C 3 -C 60 carbocyclic group is i) a group T1 or ii) a condensed ring group in which two or more groups T1 are condensed with each other (eg, a cyclopentadiene group, an adamantane group, a norbornane group, Benzene group, pentalene group, naphthalene group, azulene group, indacene group, acenaphthylene group, phenalene group, phenanthrene group, anthracene group, fluoranthene group, triphenylene group, pyrene group, chrysene group, perylene group, pentapene group, heptalene group, naphthacene group, picene group, hexacene group, pentacene group, rubicene group, coronene group, ovalene group, indene group, fluorene group, spiro -a non-fluorene group, a benzofluorene group, an indenophenanthrene group, or an indenoanthracene group);

상기 C1-C60헤테로시클릭 그룹은 i) 그룹 T2, ii) 2 이상의 그룹 T2가 서로 축합된 축합환 그룹 또는 iii) 1 이상의 그룹 T2와 1 이상의 그룹 T1이 서로 축합된 축합환 그룹 (예를 들면, 피롤 그룹, 티오펜 그룹, 퓨란 그룹, 인돌 그룹, 벤조인돌 그룹, 나프토인돌 그룹, 이소인돌 그룹, 벤조이소인돌 그룹, 나프토이소인돌 그룹, 벤조실롤 그룹, 벤조티오펜 그룹, 벤조퓨란 그룹, 카바졸 그룹, 디벤조실롤 그룹, 디벤조티오펜 그룹, 디벤조퓨란 그룹, 인데노카바졸 그룹, 인돌로카바졸 그룹, 벤조퓨로카바졸 그룹, 벤조티에노카바졸 그룹, 벤조실롤로카바졸 그룹, 벤조인돌로카바졸 그룹, 벤조카바졸 그룹, 벤조나프토퓨란 그룹, 벤조나프토티오펜 그룹, 벤조나프토실롤 그룹, 벤조퓨로디벤조퓨란 그룹, 벤조퓨로디벤조티오펜 그룹, 벤조티에노디벤조티오펜 그룹, 피라졸 그룹, 이미다졸 그룹, 트리아졸 그룹, 옥사졸 그룹, 이속사졸 그룹, 옥사디아졸 그룹, 티아졸 그룹, 이소티아졸 그룹, 티아디아졸 그룹, 벤조피라졸 그룹, 벤즈이미다졸 그룹, 벤조옥사졸 그룹, 벤조이속사졸 그룹, 벤조티아졸 그룹, 벤조이소티아졸 그룹, 피리딘 그룹, 피리미딘 그룹, 피라진 그룹, 피리다진 그룹, 트리아진 그룹, 퀴놀린 그룹, 이소퀴놀린 그룹, 벤조퀴놀린 그룹, 벤조이소퀴놀린 그룹, 퀴녹살린 그룹, 벤조퀴녹살린 그룹, 퀴나졸린 그룹, 벤조퀴나졸린 그룹, 페난트롤린 그룹, 시놀린 그룹, 프탈라진 그룹, 나프티리딘 그룹, 이미다조피리딘 그룹, 이미다조피리미딘 그룹, 이미다조트리아진 그룹, 이미다조피라진 그룹, 이미다조피리다진 그룹, 아자카바졸 그룹, 아자플루오렌 그룹, 아자디벤조실롤 그룹, 아자디벤조티오펜 그룹, 아자디벤조퓨란 그룹 등)일 수 있고, The C 1 -C 60 heterocyclic group is i) a group T2, ii) a condensed cyclic group in which two or more groups T2 are condensed with each other, or iii) a condensed cyclic group in which one or more groups T2 and one or more groups T1 are condensed with each other (eg For example, pyrrole group, thiophene group, furan group, indole group, benzoindole group, naphtoindole group, isoindole group, benzoisoindole group, naphthoisoindole group, benzosilol group, benzothiophene group, benzo Furan group, carbazole group, dibenzosilol group, dibenzothiophene group, dibenzofuran group, indenocarbazole group, indolocarbazole group, benzofurocarbazole group, benzothienocarbazole group, benzo Silolocarbazole group, benzoindolocarbazole group, benzocarbazole group, benzonaphthofuran group, benzonaphthothiophene group, benzonaphthosylol group, benzofurodibenzofuran group, benzofurodibenzothiophene group , benzothienodibenzothiophene group, pyrazole group, imidazole group, triazole group, oxazole group, isoxazole group, oxadiazole group, thiazole group, isothiazole group, thiadiazole group, benzopyra sol group, benzimidazole group, benzooxazole group, benzoisoxazole group, benzothiazole group, benzoisothiazole group, pyridine group, pyrimidine group, pyrazine group, pyridazine group, triazine group, quinoline group, Isoquinoline group, benzoquinoline group, benzoisoquinoline group, quinoxaline group, benzoquinoxaline group, quinazoline group, benzoquinazoline group, phenanthroline group, cinoline group, phthalazine group, naphthyridine group, imimi Dazopyridine group, imidazopyrimidine group, imidazotriazine group, imidazopyrazine group, imidazopyridazine group, azacarbazole group, azafluorene group, azadibenzosilol group, azadibenzothiophene group , azadibenzofuran group, etc.),

상기 π 전자-과잉 C3-C60 시클릭 그룹은 i) 그룹 T1, ii) 2 이상의 그룹 T1이 서로 축합된 축합환 그룹, iii) 그룹 T3, iv) 2 이상의 그룹 T3가 서로 축합된 축합환 그룹 또는 v) 1 이상의 그룹 T3와 1 이상의 그룹 T1이 서로 축합된 축합환 그룹 (예를 들면, 상기 C3-C60카보시클릭 그룹, 1H-피롤 그룹, 실롤 그룹, 보롤(borole) 그룹, 2H-피롤 그룹, 3H-피롤 그룹, 티오펜 그룹, 퓨란 그룹, 인돌 그룹, 벤조인돌 그룹, 나프토인돌 그룹, 이소인돌 그룹, 벤조이소인돌 그룹, 나프토이소인돌 그룹, 벤조실롤 그룹, 벤조티오펜 그룹, 벤조퓨란 그룹, 카바졸 그룹, 디벤조실롤 그룹, 디벤조티오펜 그룹, 디벤조퓨란 그룹, 인데노카바졸 그룹, 인돌로카바졸 그룹, 벤조퓨로카바졸 그룹, 벤조티에노카바졸 그룹, 벤조실롤로카바졸 그룹, 벤조인돌로카바졸 그룹, 벤조카바졸 그룹, 벤조나프토퓨란 그룹, 벤조나프토티오펜 그룹, 벤조나프토실롤 그룹, 벤조퓨로디벤조퓨란 그룹, 벤조퓨로디벤조티오펜 그룹, 벤조티에노디벤조티오펜 그룹 등)일 수 있고, The π electron-excess C 3 -C 60 cyclic group is i) a group T1, ii) a condensed ring group in which two or more groups T1 are condensed with each other, iii) a group T3, iv) a condensed ring in which two or more groups T3 are condensed with each other group or v) a condensed ring group in which one or more groups T3 and one or more groups T1 are condensed with each other (eg, the C 3 -C 60 carbocyclic group, 1H-pyrrole group, silole group, borole group, 2H-pyrrole group, 3H-pyrrole group, thiophene group, furan group, indole group, benzoindole group, naphtoindole group, isoindole group, benzoisoindole group, naphthoisoindole group, benzosilol group, benzothione Opene group, benzofuran group, carbazole group, dibenzosilol group, dibenzothiophene group, dibenzofuran group, indenocarbazole group, indolocarbazole group, benzofurocarbazole group, benzothienocarba sol group, benzosylolocarbazole group, benzoindolocarbazole group, benzocarbazole group, benzonaphthofuran group, benzonaphthothiophene group, benzonaphthosylol group, benzofurodibenzofuran group, benzofurodi benzothiophene group, benzothienodibenzothiophene group, etc.)

상기 π 전자-결핍성 함질소 C1-C60 시클릭 그룹은 i) 그룹 T4, ii) 2 이상의 그룹 T4가 서로 축합된 축합환 그룹, iii) 1 이상의 그룹 T4와 1 이상의 그룹 T1이 서로 축합된 축합환 그룹, iv) 1 이상의 그룹 T4와 1 이상의 그룹 T3가 서로 축합된 축합환 그룹 또는 v) 1 이상의 그룹 T4, 1 이상의 그룹 T1 및 1 이상의 그룹 T3가이 서로 축합된 축합환 그룹 (예를 들면, 피라졸 그룹, 이미다졸 그룹, 트리아졸 그룹, 옥사졸 그룹, 이속사졸 그룹, 옥사디아졸 그룹, 티아졸 그룹, 이소티아졸 그룹, 티아디아졸 그룹, 벤조피라졸 그룹, 벤즈이미다졸 그룹, 벤조옥사졸 그룹, 벤조이속사졸 그룹, 벤조티아졸 그룹, 벤조이소티아졸 그룹, 피리딘 그룹, 피리미딘 그룹, 피라진 그룹, 피리다진 그룹, 트리아진 그룹, 퀴놀린 그룹, 이소퀴놀린 그룹, 벤조퀴놀린 그룹, 벤조이소퀴놀린 그룹, 퀴녹살린 그룹, 벤조퀴녹살린 그룹, 퀴나졸린 그룹, 벤조퀴나졸린 그룹, 페난트롤린 그룹, 시놀린 그룹, 프탈라진 그룹, 나프티리딘 그룹, 이미다조피리딘 그룹, 이미다조피리미딘 그룹, 이미다조트리아진 그룹, 이미다조피라진 그룹, 이미다조피리다진 그룹, 아자카바졸 그룹, 아자플루오렌 그룹, 아자디벤조실롤 그룹, 아자디벤조티오펜 그룹, 아자디벤조퓨란 그룹 등)일 수 있고, The π electron-deficient nitrogen-containing C 1 -C 60 cyclic group is i) a group T4, ii) a condensed ring group in which two or more groups T4 are condensed with each other, iii) one or more groups T4 and one or more groups T1 are condensed with each other iv) a condensed ring group in which one or more groups T4 and one or more groups T3 are condensed with each other, or v) a condensed ring group in which one or more groups T4, one or more groups T1 and one or more groups T3 are condensed with each other (eg For example, pyrazole group, imidazole group, triazole group, oxazole group, isoxazole group, oxadiazole group, thiazole group, isothiazole group, thiadiazole group, benzopyrazole group, benzimidazole group , benzooxazole group, benzoisoxazole group, benzothiazole group, benzoisothiazole group, pyridine group, pyrimidine group, pyrazine group, pyridazine group, triazine group, quinoline group, isoquinoline group, benzoquinoline group , benzoisoquinoline group, quinoxaline group, benzoquinoxaline group, quinazoline group, benzoquinazoline group, phenanthroline group, sinoline group, phthalazine group, naphthyridine group, imidazopyridine group, imidazophy Rimidine group, imidazotriazine group, imidazopyrazine group, imidazopyridazine group, azacarbazole group, azafluorene group, azadibenzosilol group, azadibenzothiophene group, azadibenzofuran group, etc. ) can be,

상기 그룹 T1은, 시클로프로판 그룹, 시클로부탄 그룹, 시클로펜탄 그룹, 시클로헥산 그룹, 시클로헵탄 그룹, 시클로옥탄 그룹, 시클로부텐 그룹, 시클로펜텐 그룹, 시클로펜타디엔 그룹, 시클로헥센 그룹, 시클로헥사디엔 그룹, 시클로헵텐 그룹, 아다만탄(adamantane) 그룹, 노르보르난(norbornane) (또는, 비시클로[2.2.1]헵탄 (bicyclo[2.2.1]heptane)) 그룹, 노르보르넨(norbornene) 그룹, 비시클로[1.1.1]펜탄 (bicyclo[1.1.1]pentane) 그룹, 비시클로[2.1.1]헥산 (bicyclo[2.1.1]hexane) 그룹, 비시클로[2.2.2]옥탄 그룹, 또는 벤젠 그룹이고, The group T1 is a cyclopropane group, a cyclobutane group, a cyclopentane group, a cyclohexane group, a cycloheptane group, a cyclooctane group, a cyclobutene group, a cyclopentene group, a cyclopentadiene group, a cyclohexene group, and a cyclohexadiene group , cycloheptene group, adamantane group, norbornane (or, bicyclo [2.2.1] heptane) group, norbornene group, A bicyclo[1.1.1]pentane group, a bicyclo[2.1.1]hexane group, a bicyclo[2.2.2]octane group, or a benzene group. is a group,

상기 그룹 T2는, 퓨란 그룹, 티오펜 그룹, 1H-피롤 그룹, 실롤 그룹, 보롤(borole) 그룹, 2H-피롤 그룹, 3H-피롤 그룹, 이미다졸 그룹, 피라졸 그룹, 트리아졸 그룹, 테트라졸 그룹, 옥사졸 그룹, 이속사졸(isoxazole) 그룹, 옥사디아졸 그룹, 티아졸 그룹, 이소티아졸 그룹, 티아디아졸 그룹, 아자실롤 그룹, 아자보롤 그룹, 피리딘 그룹, 피리미딘 그룹, 피라진 그룹, 피리다진 그룹, 트리아진 그룹, 테트라진 그룹, 피롤리딘 그룹, 이미다졸리딘 그룹, 디히드로피롤 그룹, 피페리딘 그룹, 테트라히드로피리딘 그룹, 디히드로피리딘 그룹, 헥사히드로피리미딘 그룹, 테트라히드로피리미딘 그룹, 디히드로피리미딘 그룹, 피페라진 그룹, 테트라히드로피라진 그룹, 디히드로피라진 그룹, 테트라히드로피리다진 그룹, 또는 디히드로피리다진 그룹이고, The group T2 is a furan group, a thiophene group, a 1H-pyrrole group, a silole group, a borole group, a 2H-pyrrole group, a 3H-pyrrole group, an imidazole group, a pyrazole group, a triazole group, and a tetrazole group. group, oxazole group, isoxazole group, oxadiazole group, thiazole group, isothiazole group, thiadiazole group, azasilol group, azaborol group, pyridine group, pyrimidine group, pyrazine group, Pyridazine group, triazine group, tetrazine group, pyrrolidine group, imidazolidine group, dihydropyrrole group, piperidine group, tetrahydropyridine group, dihydropyridine group, hexahydropyrimidine group, tetra A hydropyrimidine group, a dihydropyrimidine group, a piperazine group, a tetrahydropyrazine group, a dihydropyrazine group, a tetrahydropyridazine group, or a dihydropyridazine group;

상기 그룹 T3는, 퓨란 그룹, 티오펜 그룹, 1H-피롤 그룹, 실롤 그룹, 또는 보롤(borole) 그룹이고,The group T3 is a furan group, a thiophene group, a 1H-pyrrole group, a silole group, or a borole group,

상기 그룹 T4는, 2H-피롤 그룹, 3H-피롤 그룹, 이미다졸 그룹, 피라졸 그룹, 트리아졸 그룹, 테트라졸 그룹, 옥사졸 그룹, 이속사졸(isoxazole) 그룹, 옥사디아졸 그룹, 티아졸 그룹, 이소티아졸 그룹, 티아디아졸 그룹, 아자실롤 그룹, 아자보롤 그룹, 피리딘 그룹, 피리미딘 그룹, 피라진 그룹, 피리다진 그룹, 트리아진 그룹 또는 테트라진 그룹일 수 있다. The group T4 is 2H-pyrrole group, 3H-pyrrole group, imidazole group, pyrazole group, triazole group, tetrazole group, oxazole group, isoxazole group, oxadiazole group, thiazole group , Isothiazole group, thiadiazole group, azasilol group, azaborol group, pyridine group, pyrimidine group, pyrazine group, pyridazine group, triazine group or tetrazine group.

본 명세서 중 시클릭 그룹, C3-C60카보시클릭 그룹, C1-C60헤테로시클릭 그룹, π 전자-과잉 C3-C60 시클릭 그룹 또는 π 전자-결핍성 함질소 C1-C60 시클릭 그룹이란 용어는, 당해 용어가 사용된 화학식의 구조에 따라, 임의의 시클릭 그룹에 축합되어 있는 그룹, 1가 그룹 또는 다가 그룹(예를 들면, 2가 그룹, 3가 그룹, 4가 그룹 등)일 수 있다. 예를 들어, "벤젠 그룹"은 벤조 그룹, 페닐기, 페닐렌기 등일 수 있는데, 이는 "벤젠 그룹"이 포함된 화학식의 구조에 따라, 당업자가 용이하게 이해할 수 있는 것이다. In the present specification, a cyclic group, a C 3 -C 60 carbocyclic group, a C 1 -C 60 heterocyclic group, a π electron-excess C 3 -C 60 cyclic group, or a π electron-deficient nitrogen-containing C 1 - The term C 60 cyclic group refers to a group condensed to any cyclic group, a monovalent group or a multivalent group (eg, a divalent group, a trivalent group, 4 groups, etc.). For example, the “benzene group” may be a benzo group, a phenyl group, a phenylene group, and the like, which can be easily understood by those skilled in the art according to the structure of the chemical formula in which the “benzene group” is included.

예를 들어, 1가 C3-C60카보시클릭 그룹 및 1가 C1-C60헤테로시클릭 그룹의 예는, C3-C10시클로알킬기, C1-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C1-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C1-C60헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹, 및 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹을 포함할 수 있고, 2가 C3-C60카보시클릭 그룹 및 1가 C1-C60헤테로시클릭 그룹의 예는, C3-C10시클로알킬렌기, C1-C10헤테로시클로알킬렌기, C3-C10시클로알케닐렌기, C1-C10헤테로시클로알케닐렌기, C6-C60아릴렌기, C1-C60헤테로아릴렌기, 2가 비-방향족 축합다환 그룹, 및 치환 또는 비치환된 2가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹을 포함할 수 있다.For example, examples of a monovalent C 3 -C 60 carbocyclic group and a monovalent C 1 -C 60 heterocyclic group include a C 3 -C 10 cycloalkyl group, a C 1 -C 10 heterocycloalkyl group, a C 3 -C 10 cycloalkenyl group, C 1 -C 10 heterocycloalkenyl group, C 6 -C 60 aryl group, C 1 -C 60 heteroaryl group, monovalent non-aromatic condensed polycyclic group, and monovalent non-aromatic hetero group It may contain a condensed polycyclic group, and examples of a divalent C 3 -C 60 carbocyclic group and a monovalent C 1 -C 60 heterocyclic group include a C 3 -C 10 cycloalkylene group, a C 1 -C 10 Heterocycloalkylene group, C 3 -C 10 cycloalkenylene group, C 1 -C 10 heterocycloalkenylene group, C 6 -C 60 arylene group, C 1 -C 60 heteroarylene group, divalent non-aromatic condensed polycyclic ring group, and a substituted or unsubstituted divalent non-aromatic heterocondensed polycyclic group.

본 명세서 중 C1-C60알킬기는, 탄소수 1 내지 60의 선형 또는 분지형 지방족 탄화수소 1가(monovalent) 그룹을 의미하며, 이의 구체예에는, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, sec-부틸기, 이소부틸기, tert-부틸기, n-펜틸기, tert-펜틸기, 네오펜틸기, 이소펜틸기, sec-펜틸기, 3-펜틸기, sec-이소펜틸기, n-헥실기, 이소헥실기, sec-헥실기, tert-헥실기, n-헵틸기, 이소헵틸기, sec-헵틸기, tert-헵틸기, n-옥틸기, 이소옥틸기, sec-옥틸기, tert-옥틸기, n-노닐기, 이소노닐기, sec-노닐기, tert-노닐기, n-데실기, 이소데실기, sec-데실기, tert-데실기 등이 포함된다. 본 명세서 중 C1-C60알킬렌기는 상기 C1-C60알킬기와 동일한 구조를 갖는 2가(divalent) 그룹을 의미한다. In the present specification, C 1 -C 60 alkyl group refers to a linear or branched aliphatic hydrocarbon monovalent group having 1 to 60 carbon atoms, and specific examples thereof include a methyl group, an ethyl group, an n -propyl group, an isopropyl group, n -butyl group, sec -butyl group, isobutyl group, tert -butyl group, n -pentyl group, tert -pentyl group, neopentyl group, isopentyl group, sec -pentyl group, 3-pentyl group, sec -iso Pentyl group, n -hexyl group, isohexyl group, sec -hexyl group, tert -hexyl group, n -heptyl group, isoheptyl group, sec -heptyl group, tert -heptyl group, n -octyl group, isooctyl group, sec -octyl group, tert -octyl group, n -nonyl group, isononyl group, sec -nonyl group, tert -nonyl group, n -decyl group, isodecyl group, sec -decyl group, tert -decyl group, etc. . In the present specification, a C 1 -C 60 alkylene group means a divalent group having the same structure as the C 1 -C 60 alkyl group.

본 명세서 중 C2-C60알케닐기는, C2-C60알킬기의 중간 또는 말단에 하나 이상의 탄소-탄소 이중 결합을 포함한 1가 탄화수소 그룹을 의미하며, 이의 구체예에는, 에테닐기, 프로페닐기, 부테닐기 등이 포함된다. 본 명세서 중 C2-C60알케닐렌기는 상기 C2-C60알케닐기와 동일한 구조를 갖는 2가 그룹을 의미한다. In the present specification, the C 2 -C 60 alkenyl group refers to a monovalent hydrocarbon group including one or more carbon-carbon double bonds in the middle or at the end of the C 2 -C 60 alkyl group, and specific examples thereof include an ethenyl group and a propenyl group , butenyl groups and the like are included. In the present specification, a C 2 -C 60 alkenylene group means a divalent group having the same structure as the C 2 -C 60 alkenyl group.

본 명세서 중 C2-C60알키닐기는, C2-C60알킬기의 중간 또는 말단에 하나 이상의 탄소-탄소 삼중 결합을 포함한 1가 탄화수소 그룹을 의미하며, 이의 구체예에는, 에티닐기, 프로피닐기 등이 포함된다. 본 명세서 중 C2-C60알키닐렌기는 상기 C2-C60알키닐기와 동일한 구조를 갖는 2가 그룹을 의미한다. In the present specification, the C 2 -C 60 alkynyl group refers to a monovalent hydrocarbon group including one or more carbon-carbon triple bonds at the middle or end of the C 2 -C 60 alkyl group, and specific examples thereof include an ethynyl group and a propynyl group etc. are included. In the present specification, a C 2 -C 60 alkynylene group means a divalent group having the same structure as the C 2 -C 60 alkynyl group.

본 명세서 중 C1-C60알콕시기는, -OA101(여기서, A101은 상기 C1-C60알킬기임)의 화학식을 갖는 1가 그룹을 의미하며, 이의 구체예에는, 메톡시기, 에톡시기, 이소프로필옥시기 등이 포함된다. In the present specification, the C 1 -C 60 alkoxy group refers to a monovalent group having a chemical formula of -OA 101 (where A 101 is the C 1 -C 60 alkyl group), and specific examples thereof include a methoxy group and an ethoxy group , isopropyloxy groups, and the like.

본 명세서 중 C3-C10시클로알킬기는, 탄소수 3 내지 10의 1가 포화 탄화수소 시클릭 그룹을 의미하며, 이의 구체예에는 시클로프로필기, 시클로부틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기, 시클로옥틸기, 아다만타닐기(adamantanyl), 노르보나닐기(norbornanyl)(또는, 비시클로[2.2.1]헵틸기(bicyclo[2.2.1]heptyl)), 비시클로[1.1.1]펜틸기(bicyclo[1.1.1]pentyl), 비시클로[2.1.1]헥실기(bicyclo[2.1.1]hexyl), 비시클로[2.2.2]옥틸기 등이 포함된다. 본 명세서 중 C3-C10시클로알킬렌기는 상기 C3-C10시클로알킬기와 동일한 구조를 갖는 2가 그룹을 의미한다.In the present specification, the C 3 -C 10 cycloalkyl group refers to a monovalent saturated hydrocarbon cyclic group having 3 to 10 carbon atoms, and specific examples thereof include a cyclopropyl group, a cyclobutyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, and a cyclohep group. ethyl group, cyclooctyl group, adamantanyl group, norbornanyl group (or, bicyclo[2.2.1]heptyl group), bicyclo[1.1.1]phen Examples include a ethyl group (bicyclo[1.1.1]pentyl), a bicyclo[2.1.1]hexyl group, and a bicyclo[2.2.2]octyl group. In the present specification, a C 3 -C 10 cycloalkylene group refers to a divalent group having the same structure as the C 3 -C 10 cycloalkyl group.

본 명세서 중 C1-C10헤테로시클로알킬기는, 탄소 원자 외에, 적어도 하나의 헤테로 원자를 고리-형성 원자로서 더 포함한 탄소수 1 내지 10의 1가 시클릭 그룹을 의미하며, 이의 구체예에는 1,2,3,4-옥사트리아졸리디닐기(1,2,3,4-oxatriazolidinyl), 테트라히드로퓨라닐기(tetrahydrofuranyl), 테트라히드로티오페닐기 등이 포함된다. 본 명세서 중 C1-C10헤테로시클로알킬렌기는 상기 C1-C10헤테로시클로알킬기와 동일한 구조를 갖는 2가 그룹을 의미한다.In the present specification, the C 1 -C 10 heterocycloalkyl group refers to a monovalent cyclic group having 1 to 10 carbon atoms and further including at least one hetero atom as a ring-forming atom in addition to carbon atoms, and specific examples thereof include 1, 2,3,4-oxatriazolidinyl group (1,2,3,4-oxatriazolidinyl), tetrahydrofuranyl group (tetrahydrofuranyl), tetrahydrothiophenyl group and the like are included. In the present specification, a C 1 -C 10 heterocycloalkylene group refers to a divalent group having the same structure as the C 1 -C 10 heterocycloalkyl group.

본 명세서 중 C3-C10시클로알케닐기는 탄소수 3 내지 10의 1가 시클릭 그룹으로서, 고리 내에 적어도 하나의 탄소-탄소 이중 결합을 가지나, 방향족성(aromaticity)을 갖지 않는 그룹을 의미하며, 이의 구체예에는 시클로펜테닐기, 시클로헥세닐기, 시클로헵테닐기 등이 포함된다. 본 명세서 중 C3-C10시클로알케닐렌기는 상기 C3-C10시클로알케닐기와 동일한 구조를 갖는 2가 그룹을 의미한다.In the present specification, a C 3 -C 10 cycloalkenyl group is a monovalent cyclic group having 3 to 10 carbon atoms, which has at least one carbon-carbon double bond in the ring, but does not have aromaticity, Specific examples thereof include a cyclopentenyl group, a cyclohexenyl group, a cycloheptenyl group and the like. In the present specification, a C 3 -C 10 cycloalkenylene group refers to a divalent group having the same structure as the C 3 -C 10 cycloalkenyl group.

본 명세서 중 C1-C10헤테로시클로알케닐기는 탄소 원자 외에, 적어도 하나의 헤테로 원자를 고리-형성 원자로서 더 포함한 탄소수 1 내지 10의 1가 시클릭 그룹으로서, 고리 내에 적어도 하나의 이중 결합을 갖는다. 상기 C1-C10헤테로시클로알케닐기의 구체예에는, 4,5-디히드로-1,2,3,4-옥사트리아졸일기, 2,3-디히드로퓨라닐기, 2,3-디히드로티오페닐기 등이 포함된다. 본 명세서 중 C1-C10헤테로시클로알케닐렌기는 상기 C1-C10헤테로시클로알케닐기와 동일한 구조를 갖는 2가 그룹을 의미한다.In the present specification, the C 1 -C 10 heterocycloalkenyl group is a monovalent cyclic group having 1 to 10 carbon atoms and further including at least one heteroatom as a ring-forming atom in addition to carbon atoms, wherein at least one double bond is formed in the ring. have Specific examples of the C 1 -C 10 heterocycloalkenyl group include a 4,5-dihydro-1,2,3,4-oxatriazolyl group, a 2,3-dihydrofuranyl group, and a 2,3-dihydro A thiophenyl group etc. are included. In the present specification, the C 1 -C 10 heterocycloalkenylene group refers to a divalent group having the same structure as the C 1 -C 10 heterocycloalkenyl group.

본 명세서 중 C6-C60아릴기는 탄소수 6 내지 60개의 카보시클릭 방향족 시스템을 갖는 1가(monovalent) 그룹을 의미하며, C6-C60아릴렌기는 탄소수 6 내지 60개의 카보시클릭 방향족 시스템을 갖는 2가(divalent) 그룹을 의미한다. 상기 C6-C60아릴기의 구체예에는, 페닐기, 펜탈레닐기, 나프틸기, 아줄레닐기, 인다세닐기, 아세나프틸기, 페날레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 플루오란테닐기, 트리페닐레닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 페릴레닐기, 펜타페닐기, 헵탈레닐기, 나프타세닐기, 피세닐기, 헥사세닐기, 펜타세닐기, 루비세닐기, 코로네닐기, 오발레닐기 등을 포함된다. 상기 C6-C60아릴기 및 C6-C60아릴렌기가 2 이상의 고리를 포함할 경우, 상기 2 이상의 고리들은 서로 축합될 수 있다. In the present specification, a C 6 -C 60 aryl group means a monovalent group having a carbocyclic aromatic system having 6 to 60 carbon atoms, and a C 6 -C 60 arylene group refers to a carbocyclic aromatic system having 6 to 60 carbon atoms. It means a divalent group having Specific examples of the C 6 -C 60 aryl group include a phenyl group, a pentalenyl group, a naphthyl group, an azulenyl group, an indacenyl group, an acenaphthyl group, a phenalenyl group, a phenanthrenyl group, anthracenyl group, and a fluoranthenyl group. , Triphenylenyl group, pyrenyl group, chrysenyl group, perylenyl group, pentaphenyl group, Heptalenyl group, naphthacenyl group, picenyl group, hexacenyl group, pentacenyl group, rubicenyl group, coronenyl group, ovalenyl group and the like are included. When the C 6 -C 60 aryl group and the C 6 -C 60 arylene group include two or more rings, the two or more rings may be condensed with each other.

본 명세서 중 C1-C60헤테로아릴기는 탄소 원자 외에, 적어도 하나의 헤테로 원자를 고리-형성 원자로서 더 포함하고 탄소수 1 내지 60개의 헤테로시클릭 방향족 시스템을 갖는 1가 그룹을 의미하고, C1-C60헤테로아릴렌기는 탄소 원자 외에, 적어도 하나의 헤테로 원자를 고리-형성 원자로서 더 포함하고 탄소수 1 내지 60개의 헤테로시클릭 방향족 시스템을 갖는 2가 그룹을 의미한다. 상기 C1-C60헤테로아릴기의 구체예에는, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 퀴놀리닐기, 벤조퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 벤조이소퀴놀리닐기, 퀴녹살리닐기, 벤조퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 벤조퀴나졸리닐기, 시놀리닐기, 페난트롤리닐기, 프탈라지닐기, 나프티리디닐기 등이 포함된다. 상기 C1-C60헤테로아릴기 및 C1-C60헤테로아릴렌기가 2 이상의 고리를 포함할 경우, 2 이상의 고리들은 서로 축합될 수 있다. In the present specification, the C 1 -C 60 heteroaryl group means a monovalent group having a heterocyclic aromatic system having 1 to 60 carbon atoms and further including at least one hetero atom as a ring-forming atom in addition to carbon atoms, and C 1 A -C 60 heteroarylene group means a divalent group having a heterocyclic aromatic system having 1 to 60 carbon atoms and further including at least one heteroatom as a ring-forming atom in addition to carbon atoms. Specific examples of the C 1 -C 60 heteroaryl group include a pyridinyl group, a pyrimidinyl group, a pyrazinyl group, a pyridazinyl group, a triazinyl group, a quinolinyl group, a benzoquinolinyl group, an isoquinolinyl group, a benzo An isoquinolinyl group, a quinoxalinyl group, a benzoquinoxalinyl group, a quinazolinyl group, a benzoquinazolinyl group, a cinolinyl group, a phenanthrolinyl group, a phthalazinyl group, a naphthyridinyl group, and the like. When the C 1 -C 60 heteroaryl group and the C 1 -C 60 heteroarylene group include two or more rings, the two or more rings may be condensed with each other.

본 명세서 중 1가 비-방향족 축합다환 그룹(non-aromatic condensed polycyclic group)은 2 이상의 고리가 서로 축합되어 있고, 고리 형성 원자로서 탄소만을 포함하고, 분자 전체가 비-방향족성(non-aromaticity)을 갖는 1가 그룹(예를 들면, 탄소수 8 내지 60을 가짐)을 의미한다. 상기 1가 비-방향족 축합다환 그룹의 구체예에는, 인데닐기, 플루오레닐기, 스파이로-비플루오레닐기, 벤조플루오레닐기, 인데노페난트레닐기, 인데노안트라세닐기 등이 포함된다. 본 명세서 중 2가 비-방향족 축합다환 그룹은 상기 1가 비-방향족 축합다환 그룹과 동일한 구조를 갖는 2가 그룹을 의미한다.In the present specification, a monovalent non-aromatic condensed polycyclic group includes two or more rings condensed with each other, contains only carbon as a ring-forming atom, and the entire molecule is non-aromatic. It means a monovalent group having (for example, having 8 to 60 carbon atoms). Specific examples of the monovalent non-aromatic condensed polycyclic group include an indenyl group, a fluorenyl group, a spiro-bifluorenyl group, a benzofluorenyl group, an indenophhenanthrenyl group, an indenoanthracenyl group, and the like. A divalent non-aromatic condensed polycyclic group in the present specification means a divalent group having the same structure as the monovalent non-aromatic condensed polycyclic group.

본 명세서 중 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹(non-aromatic condensed heteropolycyclic group)은 2 이상의 고리가 서로 축합되어 있고, 고리 형성 원자로서 탄소 원자 외에 적어도 하나의 헤테로 원자를 더 포함하고, 분자 전체가 비-방향족성을 갖는 1가 그룹(예를 들면, 탄소수 1 내지 60을 가짐)을 의미한다. 상기 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹의 구체예에는, 피롤일기, 티오페닐기, 퓨라닐기, 인돌일기, 벤조인돌일기, 나프토인돌일기, 이소인돌일기, 벤조이소인돌일기, 나프토이소인돌일기, 벤조실롤일기, 벤조티오페닐기, 벤조퓨라닐기, 카바졸일기, 디벤조실롤일기, 디벤조티오페닐기, 디벤조퓨라닐기, 아자카바졸일기, 아자플루오레닐기, 아자디벤조실롤일기, 아자디벤조티오페닐기, 아자디벤조퓨라닐기, 피라졸일기, 이미다졸일기, 트리아졸일기, 테트라졸일기, 옥사졸일기, 이소옥사졸일기, 티아졸일기, 이소티아졸일기, 옥사디아졸일기, 티아디아졸일기, 벤조피라졸일기, 벤조이미다졸일기, 벤조옥사졸일기, 벤조티아졸일기, 벤조옥사디아졸일기, 벤조티아디아졸일기, 이미다조피리디닐기, 이미다조피리미디닐기, 이미다조트리아지닐기, 이미다조피라지닐기, 이미다조피리다지닐기, 인데노카바졸일기, 인돌로카바졸일기, 벤조퓨로카바졸일기, 벤조티에노카바졸일기, 벤조실롤로카바졸일기, 벤조인돌로카바졸일기, 벤조카바졸일기, 벤조나프토퓨라닐기, 벤조나프토티오페닐기, 벤조나프토실롤일기, 벤조퓨로디벤조퓨라닐기, 벤조퓨로디벤조티오페닐기, 벤조티에노디벤조티오페닐기, 등이 포함된다. 본 명세서 중 2가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹은 상기 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹과 동일한 구조를 갖는 2가 그룹을 의미한다.In the present specification, a monovalent non-aromatic condensed heteropolycyclic group includes two or more rings condensed with each other, further including at least one heteroatom in addition to a carbon atom as a ring-forming atom, and a molecule as a whole It means a monovalent group having non-aromaticity (eg, having 1 to 60 carbon atoms). Specific examples of the monovalent non-aromatic heterocondensed polycyclic group include a pyrroyl group, a thiophenyl group, a furanyl group, an indolyl group, a benzoindolyl group, a naphthoindolyl group, an isoindolyl group, a benzoisoindolyl group, and a naphthoisoindolyl group. , Benzosilolyl group, benzothiophenyl group, benzofuranyl group, carbazolyl group, dibenzosilolyl group, dibenzothiophenyl group, dibenzofuranyl group, azacarbazolyl group, azafluorenyl group, azadibenzosilolyl group, azadi Benzothiophenyl group, azadibenzofuranyl group, pyrazolyl group, imidazolyl group, triazolyl group, tetrazolyl group, oxazolyl group, isoxazolyl group, thiazolyl group, isothiazolyl group, oxadiazolyl group, thia Diazolyl group, benzopyrazolyl group, benzoimidazolyl group, benzoxazolyl group, benzothiazolyl group, benzoxadiazolyl group, benzothiadiazolyl group, imidazopyridinyl group, imidazopyrimidinyl group, imidazo Triazinyl group, imidazopyrazinyl group, imidazopyridazolyl group, indenocarbazolyl group, indolocarbazolyl group, benzofurocarbazolyl group, benzothienocarbazolyl group, benzosylolocarbazolyl group, Benzoindolocarbazolyl group, benzocarbazolyl group, benzonaphthofuranyl group, benzonaphthothiophenyl group, benzonaphthosilolyl group, benzofurodibenzofuranyl group, benzofurodibenzothiophenyl group, benzothienodibenzothiophenyl group , etc. are included. A divalent non-aromatic condensed heteropolycyclic group in the present specification means a divalent group having the same structure as the monovalent non-aromatic condensed heteropolycyclic group.

본 명세서 중 C6-C60아릴옥시기는 -OA102(여기서, A102는 상기 C6-C60아릴기임)를 가리키고, 상기 C6-C60아릴티오기(arylthio)는 -SA103(여기서, A103은 상기 C6-C60아릴기임)를 가리킨다.In the present specification, the C 6 -C 60 aryloxy group refers to -OA 102 (where A 102 is the C 6 -C 60 aryl group), and the C 6 -C 60 arylthio group refers to -SA 103 (wherein , A 103 is the C 6 -C 60 aryl group).

본 명세서 중 C7-C60아릴알킬기는 -A104A105(여기서, A104는 C1-C54알킬렌기이고, A105는 C6-C59아릴기임)를 가리키고, 본 명세서 중 C2-C60헤테로아릴알킬기는 -A106A107(여기서, A106은 C1-C59알킬렌기이고, A107은 C1-C59헤테로아릴기임)를 가리킨다.In the present specification, the C 7 -C 60 arylalkyl group refers to -A 104 A 105 (where A 104 is a C 1 -C 54 alkylene group and A 105 is a C 6 -C 59 aryl group), and in the present specification, C 2 A -C 60 heteroarylalkyl group refers to -A 106 A 107 (where A 106 is a C 1 -C 59 alkylene group and A 107 is a C 1 -C 59 heteroaryl group).

본 명세서 중 "R10a"는, "R 10a "in the present specification,

중수소(-D), -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 또는 니트로기; heavy hydrogen (-D), -F, -Cl, -Br, -I, a hydroxyl group, a cyano group, or a nitro group;

중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, C3-C60카보시클릭 그룹, C1-C60헤테로시클릭 그룹, C6-C60아릴옥시기, C6-C60아릴티오기, C7-C60아릴알킬기, C2-C60헤테로아릴알킬기, -Si(Q11)(Q12)(Q13), -N(Q11)(Q12), -B(Q11)(Q12), -C(=O)(Q11), -S(=O)2(Q11), -P(=O)(Q11)(Q12), 또는 이의 임의의 조합으로 치환 또는 비치환된, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기, 또는 C1-C60알콕시기; Heavy hydrogen, -F, -Cl, -Br, -I, hydroxyl group, cyano group, nitro group, C 3 -C 60 carbocyclic group, C 1 -C 60 heterocyclic group, C 6 -C 60 aryl Oxy group, C 6 -C 60 Arylthio group, C 7 -C 60 Arylalkyl group, C 2 -C 60 Heteroarylalkyl group, -Si(Q 11 )(Q 12 )(Q 13 ), -N(Q 11 ) (Q 12 ), -B(Q 11 )(Q 12 ), -C(=O)(Q 11 ), -S(=O) 2 (Q 11 ), -P(=O)(Q 11 )( Q 12 ), or a C 1 -C 60 alkyl group, C 2 -C 60 alkenyl group, C 2 -C 60 alkynyl group, or C 1 -C 60 alkoxy group, substituted or unsubstituted with any combination thereof;

중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기, C1-C60알콕시기, C3-C60카보시클릭 그룹, C1-C60헤테로시클릭 그룹, C6-C60아릴옥시기, C6-C60아릴티오기, C7-C60아릴알킬기, C2-C60헤테로아릴알킬기, -Si(Q21)(Q22)(Q23), -N(Q21)(Q22), -B(Q21)(Q22), -C(=O)(Q21), -S(=O)2(Q21), -P(=O)(Q21)(Q22), 또는 이의 임의의 조합으로 치환 또는 비치환된, C3-C60카보시클릭 그룹, C1-C60헤테로시클릭 그룹, C6-C60아릴옥시기, C6-C60아릴티오기, C7-C60아릴알킬기, 또는 C2-C60헤테로아릴알킬기,; 또는Heavy hydrogen, -F, -Cl, -Br, -I, hydroxyl group, cyano group, nitro group, C 1 -C 60 alkyl group, C 2 -C 60 alkenyl group, C 2 -C 60 alkynyl group, C 1 - C 60 alkoxy group, C 3 -C 60 carbocyclic group, C 1 -C 60 heterocyclic group, C 6 -C 60 aryloxy group, C 6 -C 60 arylthio group, C 7 -C 60 arylalkyl group , C 2 -C 60 heteroarylalkyl group, -Si(Q 21 )(Q 22 )(Q 23 ), -N(Q 21 )(Q 22 ), -B(Q 21 )(Q 22 ), -C( =0)(Q 21 ), -S(=0) 2 (Q 21 ), -P(=0)(Q 21 )(Q 22 ), or unsubstituted or substituted with C 3 - C 60 carbocyclic group, C 1 -C 60 heterocyclic group, C 6 -C 60 aryloxy group, C 6 -C 60 arylthio group, C 7 -C 60 arylalkyl group, or C 2 -C 60 hetero an arylalkyl group; or

-Si(Q31)(Q32)(Q33), -N(Q31)(Q32), -B(Q31)(Q32), -C(=O)(Q31), -S(=O)2(Q31), 또는 -P(=O)(Q31)(Q32);-Si(Q 31 )(Q 32 )(Q 33 ), -N(Q 31 )(Q 32 ), -B(Q 31 )(Q 32 ), -C(=O)(Q 31 ), -S (=0) 2 (Q 31 ), or -P(=0)(Q 31 )(Q 32 );

일 수 있다.can be

본 명세서 중 Q1 내지 Q3, Q11 내지 Q13, Q21 내지 Q23 및 Q31 내지 Q33은 서로 독립적으로, 수소; 중수소; -F; -Cl; -Br; -I; 히드록실기; 시아노기; 니트로기; C1-C60알킬기; C2-C60알케닐기; C2-C60알키닐기; C1-C60알콕시기; 또는 중수소, -F, 시아노기, C1-C60알킬기, C1-C60알콕시기, 페닐기, 비페닐기, 또는 이의 임의의 조합으로 치환 또는 비치환된, C3-C60카보시클릭 그룹, C1-C60헤테로시클릭 그룹;C7-C60아릴알킬기; 또는 C2-C60헤테로아릴알킬기;일 수 있다. In the present specification, Q 1 to Q 3 , Q 11 to Q 13 , Q 21 to Q 23 , and Q 31 to Q 33 are each independently hydrogen; heavy hydrogen; -F; -Cl; -Br; -I; hydroxyl group; cyano group; nitro group; C 1 -C 60 alkyl group; C 2 -C 60 alkenyl group; C 2 -C 60 alkynyl group; C 1 -C 60 alkoxy group; or a C 3 -C 60 carbocyclic group unsubstituted or substituted with heavy hydrogen, -F, a cyano group, a C 1 -C 60 alkyl group, a C 1 -C 60 alkoxy group, a phenyl group, a biphenyl group, or any combination thereof. , C 1 -C 60 heterocyclic group; C 7 -C 60 arylalkyl group; or a C 2 -C 60 heteroarylalkyl group;

본 명세서 중 헤테로 원자는, 탄소 원자를 제외한 임의의 원자를 의미한다. 상기 헤테로 원자의 예는, O, S, N, P, Si, B, Ge, Se, 또는 이의 임의의 조합을 포함한다. In this specification, a heteroatom means any atom other than a carbon atom. Examples of the hetero atom include O, S, N, P, Si, B, Ge, Se, or any combination thereof.

본 명세서 중 제3열 전이 금속(third-row transition metal)은 하프늄(Hf), 탄탈럼(Ta), 텅스텐(W), 레늄(Re), 오스뮴(Os), 이리듐(Ir), 백금(Pt) 및 금(Au) 등을 포함한다.In the present specification, the third-row transition metal is hafnium (Hf), tantalum (Ta), tungsten (W), rhenium (Re), osmium (Os), iridium (Ir), platinum (Pt) ) and gold (Au).

본 명세서 중 "Ph"은 페닐기를 의미하고, "Me"은 메틸기를 의미하고, "Et"은 에틸기를 의미하고, "ter-Bu" 또는 "But"은 tert-부틸기를 의미하고, "OMe"는 메톡시기를 의미한다. In the present specification, "Ph" means a phenyl group, "Me" means a methyl group, "Et" means an ethyl group, "ter-Bu" or "Bu t " means a tert-butyl group, and "OMe " means a methoxy group.

본 명세서 중 "비페닐기"는 "페닐기로 치환된 페닐기"를 의미한다. 상기 "비페닐기"는, 치환기가 "C6-C60아릴기"인 "치환된 페닐기"에 속한다. In the present specification, "biphenyl group" means "a phenyl group substituted with a phenyl group". The above "biphenyl group" belongs to a "substituted phenyl group" whose substituent is a "C 6 -C 60 aryl group".

본 명세서 중 "터페닐기"는 "비페닐기로 치환된 페닐기"를 의미한다. 상기 "터페닐기"는, 치환기가 "C6-C60아릴기로 치환된 C6-C60아릴기"인 "치환된 페닐기"에 속한다.In the present specification, "terphenyl group" means "a phenyl group substituted with a biphenyl group". The "terphenyl group" belongs to a "substituted phenyl group" whose substituent is a "C 6 -C 60 aryl group substituted with a C 6 -C 60 aryl group".

본 명세서 중 * 및 *'은, 다른 정의가 없는 한, 해당 화학식 또는 모이어티 중 이웃한 원자와의 결합 사이트를 의미한다.In this specification, * and *' mean a binding site with a neighboring atom in the corresponding formula or moiety, unless otherwise defined.

이하에서, 합성예 및 실시예를 들어, 본 발명의 일 구현예를 따르는 화합물 및 발광 소자에 대하여 보다 구체적으로 설명한다. 하기 합성예 중 "A 대신 B를 사용하였다"란 표현 중 A의 몰당량과 B의 몰당량은 서로 동일하다.Hereinafter, a compound and a light emitting device according to one embodiment of the present invention will be described in more detail, for example, synthesis examples and examples. In the following synthesis example, in the expression "B was used instead of A", the molar equivalent of A and the molar equivalent of B are the same.

[실시예][Example]

제조예: 전자 수송층의 제조Preparation Example: Preparation of electron transport layer

Figure pat00067
Figure pat00067

상기 화합물 ETL1 내지 3은 Sigma-Aldrich에서 구입하였다.The above compounds ETL1 to 3 were purchased from Sigma-Aldrich.

제조예 1: ETL A의 제조Preparation Example 1: Preparation of ETL A

화합물 ETL 1을 310Å 두께로 증착하여 ETL A를 형성하였다. ETL A was formed by depositing compound ETL 1 to a thickness of 310 Å.

제조예 2 내지 5: ETL B 내지 E의 제조Preparation Examples 2 to 5: Preparation of ETLs B to E

화합물 ETL 1 대신 표 1의 화합물을 주어진 중량비로 증착한 것을 제외하고는 제조예 1과 동일한 방법으로 ETL B 내지 ETL E를 형성하였다.ETL B to ETL E were formed in the same manner as in Preparation Example 1, except that the compound of Table 1 was deposited at a given weight ratio instead of compound ETL 1.

평가예 1: 굴절률의 측정Evaluation Example 1: Measurement of refractive index

상기 제조예 1 내지 5를 통하여 제작된 ETL A 내지 E에 대하여, Elipsometer를 사용하여 파장에 따른 굴절률을 측정하였으며, 그 결과는 도 4에 나타내었고, 파장 440nm, 550nm 및 640nm에서의 굴절률을 각각 표 1에 나타내었다.For the ETLs A to E manufactured through Preparation Examples 1 to 5, the refractive index according to the wavelength was measured using an elipsometer, and the results are shown in FIG. 1.

전자 수송층electron transport layer 구성composition 파장wavelength 440nm440 nm 550nm550 nm 640nm640 nm ETL AETL A ETL 1ETL 1 2.062.06 1.971.97 1.931.93 ETL BETL B ETL 2ETL 2 1.701.70 1.671.67 1.651.65 ETL CETL C ETL 3ETL 3 1.411.41 1.401.40 1.401.40 ETL DETL D ETL 1 + ETL 2 (5:5)ETL 1 + ETL 2 (5:5) 1.881.88 1.821.82 1.791.79 ETL EETL E ETL 1+ ETL 2+ ETL3(1:1:2)ETL 1+ ETL 2+ ETL3 (1:1:2) 1.641.64 1.611.61 1.591.59

평가예 2: OLED 소자 광학 효율 시뮬레이션Evaluation Example 2: OLED Device Optical Efficiency Simulation

상기 표 1의 ETL D 및 E의 550nm에서의 굴절률(각각 1.82, 1.61)을 기준으로 하여, Ellipsometer를 사용하여 광학 파장에 따른 굴절률을 측정하였으며, 그 결과는 도 5a 내지 5c에 나타내었고, 각 파장 범위에서의 최대 발광 효율 및 색좌표을 하기 표 2에 나타내었으며, 발광 효율은 ETL D의 최대 발광 효율 값을 100%를 기준으로 하여 계산하였다.Based on the refractive indices at 550 nm of ETL D and E in Table 1 (1.82 and 1.61, respectively), the refractive index according to the optical wavelength was measured using an ellipsometer, and the results are shown in FIGS. 5a to 5c, and each wavelength The maximum luminous efficiency and color coordinates in the range are shown in Table 2 below, and the luminous efficiency was calculated based on 100% of the maximum luminous efficiency value of ETL D.

전자 수송층electron transport layer 적색 영역red zone 녹색 영역green area 청색 영역blue area Rx R x 발광 효율luminous efficiency Gx G x 발광 효율luminous efficiency Bx B x 발광 효율luminous efficiency ETL D (n=1.82)ETL D (n=1.82) 0.6860.686 100%100% 0.2720.272 100%100% 0.0380.038 100%100% ETL E (n=1.61)ETL E (n=1.61) 0.6850.685 107%107% 0.2550.255 108%108% 0.0400.040 109%109%

상기 표 2를 통하여, 제3재료를 포함하는 ETL E는 제1재료 및 제2재료만을 포함하는 ETL D에 비하여 적색 영역에서는 7%, 녹색 영역에서는 8%, 청색 영역에서는 9% 발광 효율이 증가함을 확인할 수 있다. Through Table 2, ETL E including the third material has a 7% increase in luminous efficiency in the red region, 8% in the green region, and 9% in the blue region, compared to ETL D including only the first and second materials. can confirm that

평가예 3: 청색 OLED 소자에 대한 광학 효율 시뮬레이션Evaluation Example 3: Optical Efficiency Simulation for Blue OLED Device

상기 평가예 1에 따른 ETL D 및 E의 550nm에서의 굴절률(각각 1.82, 1.61)을 기준으로 하여, setfos simulator를 사용하여 청색 소자에서의 광손실 정도를 시뮬레이션하여 그 결과를 하기 표 3에 나타내었다. Based on the refractive indices (1.82 and 1.61, respectively) at 550 nm of ETL D and E according to Evaluation Example 1, the degree of light loss in the blue device was simulated using setfos simulator, and the results are shown in Table 3 below. .

전자 수송층electron transport layer 공기로 out-couple 되는 빛의 비율Percentage of light that is out-coupled to air Substrate-guideSubstrate-guide Wave-guideWave-guide SPPSPP ETL D (n=1.82)ETL D (n=1.82) 30%30% 0%0% 52%52% 8%8% ETL E (n=1.61)ETL E (n=1.61) 32%32% 0%0% 53%53% 4%4%

상기 표 3을 통하여, 제3재료를 포함하는 ETL E를 적용한 발광 소자는 제1재료 및 제2재료만을 포함하는 ETL D을 적용한 발광 소자에 비하여 표면 플라즈몬 폴라리톤(Surface plasmon polartion, SPP)에 의한 광손실이 4 %로 낮으며, 따라서, 공기로 out-couple 되는 빛의 총량이 32%로 증가함을 알 수 있다. 따라서, ETL E를 적용한 발광 소자는 ETL D을 적용한 발광 소자에 비하여 높은 발광 효율을 나타낼 수 있다.Through Table 3, the light emitting device to which ETL E including the third material is applied is compared to the light emitting device to which ETL D including only the first material and the second material is applied, by surface plasmon polariton (SPP) It can be seen that the light loss is as low as 4%, and thus the total amount of light out-coupled to air increases to 32%. Accordingly, a light emitting device to which ETL E is applied may exhibit higher luminous efficiency than a light emitting device to which ETL D is applied.

실시예 1Example 1

유리 기판 상에 애노드 전극으로써 Ag/ITO를 150nm / 7nm 두께로 패터닝함으로써 화소전극을 형성하였다.A pixel electrode was formed on a glass substrate by patterning Ag/ITO to a thickness of 150 nm/7 nm as an anode electrode.

상기 화소전극 상에 2-TNATA를 1200Å 두께로 증착하여 정공 수송층을 형성하였다. A hole transport layer was formed on the pixel electrode by depositing 2-TNATA to a thickness of 1200 Å.

상기 정공 수송층 상부에 TCTA을 50Å 두께로 증착하여 발광 보조층을 형성하고, 상기 발광 보조층 상에 ADN 및 DPAVBi를 98:2의 중량비로 공증착하여 200Å 두께의 발광층을 형성하였다.TCTA was deposited to a thickness of 50 Å on top of the hole transport layer to form a light emitting auxiliary layer, and ADN and DPAVBi were co-deposited at a weight ratio of 98:2 on the light emitting auxiliary layer to form a 200 Å thick light emitting layer.

상기 발광층 상부에 제1재료인 ETL 1, 제2재료인 ETL 2 및 제3재료인 ETL 3를 중량비 1:1:2로 310Å 두께로 공증착하여 전자 수송층을 형성하고, 상기 전자 수송층 상부에 AgMg을 130Å 두께로 증착하여 대향전극(캐소드)를 형성하고, 상기 대향전극 상부에 TPD를 640Å 두께로 증착하여 캡핑층을 형성함으로써 발광 소자를 제작하였다.An electron transport layer was formed by co-evaporation of first material ETL 1, second material ETL 2, and third material ETL 3 at a weight ratio of 1:1:2 to a thickness of 310 Å on the light emitting layer, and AgMg was formed on the electron transport layer. was deposited to a thickness of 130 Å to form a counter electrode (cathode), and TPD was deposited to a thickness of 640 Å on top of the counter electrode to form a capping layer, thereby fabricating a light emitting device.

Figure pat00068
Figure pat00068

비교예 1Comparative Example 1

전자 수송층 형성시 ETL 1 및 ETL 2를 1:1의 중량비로 310Å 두께로 공증착한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 발광 소자를 제작하였다.A light emitting device was fabricated in the same manner as in Example 1, except that ETL 1 and ETL 2 were co-deposited to a thickness of 310 Å at a weight ratio of 1:1 when forming the electron transport layer.

비교예 2Comparative Example 2

전자 수송층 형성시 ETL 2 및 ETL 3를 1:1의 중량비로 310Å 두께로 공증착한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 발광 소자를 제작하였다.A light emitting device was fabricated in the same manner as in Example 1, except that ETL 2 and ETL 3 were co-deposited to a thickness of 310 Å at a weight ratio of 1:1 when forming the electron transport layer.

비교예 3Comparative Example 3

전자 수송층 형성시 ETL 1을 150Å 두께로 증착하고, 상기 층 상부에 ETL 2 및 ETL 3를 1:1의 중량비로 160Å 두께로 공증착한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 발광 소자를 제작하였다.A light emitting device was manufactured in the same manner as in Example 1, except that ETL 1 was deposited to a thickness of 150 Å when the electron transport layer was formed, and ETL 2 and ETL 3 were co-deposited to a thickness of 160 Å at a weight ratio of 1: 1 on top of the layer. .

평가예 4Evaluation Example 4

상기 실시예 1 및 비교예 1 내지 3에서 제작된 발광 소자의 전류 밀도 10mA/㎠에서의 구동 전압 및 발광 효율을 측정하였다. 발광 소자의 구동 전압은 소스 미터(Keithley Instrument사, 2400 series)를 이용하여 측정하였으며, 발광 효율은 하마마츠 포토닉스 사의 발광 효율 측정 장치 C9920-2-12를 사용하여 측정하였다. 발광 효율 평가에 있어서 파장 감도의 교정을 한 휘도계를 이용하여 휘도/전류 밀도를 측정하였고, 발광 소자의 특성 평가 결과는 하기 표 4에 나타내었다. The driving voltage and luminous efficiency of the light emitting devices prepared in Example 1 and Comparative Examples 1 to 3 were measured at a current density of 10 mA/cm 2 . The driving voltage of the light emitting device was measured using a source meter (Keithley Instrument Co., 2400 series), and the luminous efficiency was measured using a luminous efficiency measuring device C9920-2-12 manufactured by Hamamatsu Photonics. In the evaluation of luminous efficiency, luminance/current density was measured using a luminance meter with wavelength sensitivity calibration, and the evaluation results of the characteristics of the light emitting device are shown in Table 4 below.

전자 수송층electron transport layer 구동 전압 (V)Driving voltage (V) 발광 효율 (cd/A)Luminous Efficiency (cd/A) 발광색luminescent color 실시예 1Example 1 4.474.47 6.816.81 청색blue 비교예 1Comparative Example 1 4.454.45 6.156.15 청색blue 비교예 2Comparative Example 2 12.512.5 0.540.54 청색blue 비교예 3Comparative Example 3 8.258.25 1.581.58 청색blue

상기 표 4를 참조하면, 실시예 1의 발광 소자는 비교예 1 내지 3의 발광 소자에 비하여 낮은 구동전압 및 높은 발광 효율을 가짐을 알 수 있다. 이와 같이 본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.Referring to Table 4, it can be seen that the light emitting device of Example 1 has a lower driving voltage and higher luminous efficiency than the light emitting devices of Comparative Examples 1 to 3. As such, the present invention has been described with reference to the embodiments shown in the drawings, but this is only exemplary, and those skilled in the art will understand that various modifications and equivalent other embodiments are possible therefrom. . Therefore, the true technical scope of protection of the present invention should be determined by the technical spirit of the appended claims.

1: 발광 소자
100: 기판
110: 화소전극
111: 제1화소전극
112: 제2화소전극
113: 제3화소전극
120: 정공 수송 영역
130: 중간층
131, 132, 133: 발광층
141, 142, 143: 공진제어층
140: 전자 수송 영역
150: 대향전극
170: 캡핑층
210: 버퍼층
220: 활성층
230: 게이트 절연막
240: 게이트 전극
250: 층간 절연막
260: 소스 전극
270: 드레인 전극
280: 패시베이션층
290: 화소 정의막
300: 봉지부
400: 기능성 영역
500: 차광 패턴
1: light emitting element
100: substrate
110: pixel electrode
111: first pixel electrode
112: second pixel electrode
113: third pixel electrode
120: hole transport region
130: middle layer
131, 132, 133: light emitting layer
141, 142, 143: resonance control layer
140 electron transport area
150: counter electrode
170: capping layer
210: buffer layer
220: active layer
230: gate insulating film
240: gate electrode
250: interlayer insulating film
260: source electrode
270: drain electrode
280: passivation layer
290: pixel defining layer
300: encapsulation
400: functional area
500: light blocking pattern

Claims (20)

제1발광 영역, 제2발광 영역 및 제3발광 영역 각각에 배치된 제1화소전극, 제2화소전극 및 제3화소전극;
상기 제1화소전극, 상기 제2화소전극 및 상기 제3화소전극에 대향된 대향전극; 및
상기 제1화소전극, 상기 제2화소전극 및 상기 제3화소전극과 상기 대향전극 사이에 배치된 중간층;
을 포함하고,
상기 중간층은 발광층 및 상기 발광층과 상기 대향전극 사이에 배치된 전자 수송 영역을 포함하고,
상기 발광층은,
상기 제1발광 영역에 대응되어 배치되고, 제1색광을 방출하는 제1발광층;
상기 제2발광 영역에 대응되어 배치되고, 제2색광을 방출하는 제2발광층; 및
상기 제3발광 영역에 대응되어 배치되고, 제3색광을 방출하는 제3발광층; 을 포함하고,
상기 전자 수송 영역은 전자 수송층을 포함하고,
상기 전자 수송층은 제1재료, 제2재료 및 제3재료의 혼합물을 포함하고,
상기 제1재료는 전자 수송성 화합물을 포함하고,
상기 제2재료는 금속-함유 화합물을 포함하고,
상기 제3재료는 저굴절률 화합물을 포함하고,
상기 제1재료, 상기 제2재료 및 상기 제3재료는 서로 상이한, 발광 소자.
a first pixel electrode, a second pixel electrode, and a third pixel electrode disposed in the first light emitting area, the second light emitting area, and the third light emitting area, respectively;
a counter electrode facing the first pixel electrode, the second pixel electrode, and the third pixel electrode; and
an intermediate layer disposed between the first pixel electrode, the second pixel electrode and the third pixel electrode and the counter electrode;
including,
The intermediate layer includes a light emitting layer and an electron transport region disposed between the light emitting layer and the counter electrode,
The light emitting layer,
a first light emitting layer disposed corresponding to the first light emitting region and emitting a first color light;
a second light emitting layer disposed to correspond to the second light emitting region and emitting a second color light; and
a third light emitting layer disposed corresponding to the third light emitting region and emitting a third color light; including,
The electron transport region includes an electron transport layer,
The electron transport layer includes a mixture of a first material, a second material, and a third material,
The first material includes an electron transport compound,
The second material includes a metal-containing compound,
The third material includes a low refractive index compound,
Wherein the first material, the second material and the third material are different from each other, light emitting element.
제1항에 있어서,
상기 제1색광, 상기 제2색광 및 상기 제3색광은 2차 공진으로 방출되는, 발광 소자.
According to claim 1,
wherein the first color light, the second color light, and the third color light are emitted by secondary resonance.
제1항에 있어서,
상기 제1화소전극, 상기 제2화소전극 및 상기 제3화소전극은 애노드이고,
상기 대향전극은 캐소드이고,
상기 애노드는 반사형 전극이고,
상기 캐소드는 투과형 전극 또는 반투과형 전극인, 발광 소자.
According to claim 1,
The first pixel electrode, the second pixel electrode, and the third pixel electrode are anodes,
The counter electrode is a cathode,
The anode is a reflective electrode,
The cathode is a transmissive electrode or a semi-transmissive electrode, a light emitting element.
제1항에 있어서,
상기 제1화소전극, 상기 제2화소전극 및 상기 제3화소전극은 애노드이고,
상기 대향전극은 캐소드이고,
상기 중간층은 상기 발광층과 상기 제1화소전극, 상기 제2화소전극 및 상기 제3화소전극 사이에 배치된 정공 수송 영역을 더 포함하고,
상기 정공 수송 영역은, 정공 주입층, 정공 수송층, 발광 보조층, 전자 저지층 또는 이의 임의의 조합을 포함한, 발광 소자.
According to claim 1,
The first pixel electrode, the second pixel electrode, and the third pixel electrode are anodes,
The counter electrode is a cathode,
the intermediate layer further includes a hole transport region disposed between the light emitting layer and the first pixel electrode, the second pixel electrode, and the third pixel electrode;
Wherein the hole transport region includes a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting auxiliary layer, an electron blocking layer, or any combination thereof.
제1항에 있어서,
상기 전자 수송층은 상기 제1재료, 제2재료 및 제3재료의 혼합물로 이루어진(consist of) 단층 구조를 가진, 발광 소자.
According to claim 1,
The electron transport layer has a single-layer structure consisting of a mixture of the first material, the second material and the third material.
제1항에 있어서,
상기 전자 수송층 및 상기 발광층은 서로 접하는(directly contract), 발광 소자.
According to claim 1,
The electron transport layer and the light emitting layer are in contact with each other (directly contract), the light emitting device.
제1항에 있어서,
상기 전자 수송층 및 상기 대향전극은 서로 접하는(directly contract), 발광 소자.
According to claim 1,
The electron transport layer and the counter electrode are in contact with each other (directly contract), a light emitting device.
제1항에 있어서,
상기 전자 수송층의 굴절률은 1.65 이하인, 발광 소자.
According to claim 1,
The refractive index of the electron transport layer is 1.65 or less, the light emitting device.
제1항에 있어서,
상기 전자 수송성 화합물은 적어도 하나의 π 전자-결핍성 함질소 C1-C60 시클릭 그룹(π electron-deficient nitrogen-containing C1-C60 cyclic group)을 포함한, 발광 소자.
According to claim 1,
The electron-transporting compound includes at least one π electron-deficient nitrogen-containing C 1 -C 60 cyclic group, a light emitting device.
제1항에 있어서,
상기 전자 수송성 화합물은 플루오로기-비함유(fluoro-free) 화합물인, 발광 소자.
According to claim 1,
The electron-transporting compound is a fluoro group-non-containing (fluoro-free) compound, a light emitting device.
제1항에 있어서,
상기 금속-함유 화합물은 알칼리 금속, 알칼리 토금속, 희토류 금속, 알칼리 금속-함유 화합물, 알칼리 토금속-함유 화합물, 희토류 금속-함유 화합물, 알칼리 금속 착체, 알칼리 토금속 착체, 희토류 금속 착체, 또는 이의 임의의 조합을 포함하는, 발광 소자.
According to claim 1,
The metal-containing compound is an alkali metal, an alkaline earth metal, a rare earth metal, an alkali metal-containing compound, an alkaline earth metal-containing compound, a rare earth metal-containing compound, an alkali metal complex, an alkaline earth metal complex, a rare earth metal complex, or any combination thereof. A light emitting device comprising a.
제1항에 있어서,
상기 저굴절률 화합물의 굴절률은 1.45 이하인, 발광 소자.
According to claim 1,
The refractive index of the low refractive index compound is 1.45 or less, the light emitting element.
제1항에 있어서,
상기 저굴절률 화합물은 적어도 하나의 플루오로기(-F)를 포함하는, 발광 소자.
According to claim 1,
Wherein the low refractive index compound includes at least one fluoro group (-F).
제1항에 있어서,
상기 저굴절률 화합물은 폴리머(polymer) 화합물인, 발광 소자.
According to claim 1,
The low refractive index compound is a polymer compound, a light emitting device.
제13항에 있어서,
상기 폴리머 화합물은 분자량이 5000 이하인 올리고머 폴리머(oligomer-polymer)인, 발광 소자.
According to claim 13,
The polymer compound is an oligomer-polymer having a molecular weight of 5000 or less, a light emitting device.
제1항에 있어서,
상기 저굴절률 화합물은 하기 화학식 1로 표시되는 화합물인, 발광 소자:
<화학식 1>
Figure pat00069

상기 화학식 1 중,
T1은 C(Z11)(Z12), Si(Z11)(Z12), O 또는 S이고,
d1은 0 내지 3의 정수 중 하나이고,
Y1은 C(Z21), Si(Z21), O 또는 S이고,
Y2은 C(Z22), Si(Z22), O 또는 S이고,
Y3은 C(Z23)(Z24), Si(Z23)(Z24), O 또는 S이고,
Y4은 C(Z25)(Z26), Si(Z25)(Z26), O 또는 S이고,
Y5은 C(Z27)(Z28), Si(Z27)(Z28), O 또는 S이고,
d2은 0 내지 3의 정수 중 하나이고,
T3은 C(Z31)(Z32), Si(Z31)(Z32), O 또는 S이고,
d3은 0 내지 3의 정수 중 하나이고,
d1, d2 및 d3의 합은 1 이상의 정수이고,
Z11, Z12, Z21 내지 Z28, Z31 및 Z32는 서로 독립적으로, 수소, 중수소 또는 -F; 또는
적어도 하나의 -F로 치환된, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기, 또는 C1-C60알콕시기; 이고,
n1은 10 내지 500의 정수 중 하나인, 발광 소자.
According to claim 1,
The low refractive index compound is a compound represented by Formula 1 below, a light emitting device:
<Formula 1>
Figure pat00069

In Formula 1,
T 1 is C(Z 11 )(Z 12 ), Si(Z 11 )(Z 12 ), O or S;
d1 is an integer from 0 to 3;
Y 1 is C(Z 21 ), Si(Z 21 ), O or S;
Y 2 is C(Z 22 ), Si(Z 22 ), O or S;
Y 3 is C(Z 23 )(Z 24 ), Si(Z 23 )(Z 24 ), O or S;
Y 4 is C(Z 25 )(Z 26 ), Si(Z 25 )(Z 26 ), O or S;
Y 5 is C(Z 27 )(Z 28 ), Si(Z 27 )(Z 28 ), O or S;
d2 is one of the integers from 0 to 3;
T 3 is C(Z 31 )(Z 32 ), Si(Z 31 )(Z 32 ), O or S;
d3 is one of the integers from 0 to 3;
The sum of d1, d2 and d3 is an integer greater than or equal to 1;
Z 11 , Z 12 , Z 21 to Z 28 , Z 31 and Z 32 are each independently hydrogen, deuterium or -F; or
a C 1 -C 60 alkyl group, a C 2 -C 60 alkenyl group, a C 2 -C 60 alkynyl group, or a C 1 -C 60 alkoxy group, substituted with at least one -F; ego,
n1 is one of integers from 10 to 500, a light emitting element.
제1항에 있어서,
상기 제1재료, 제2재료 및 제3재료의 혼합물은 상기 전자 수송층 내에 균일하게 존재하는, 발광 소자.
According to claim 1,
A mixture of the first material, the second material and the third material is uniformly present in the electron transport layer.
제1항에 있어서,
상기 제3재료의 중량부는 상기 혼합물 총 100 중량부에 대하여 30 중량부 이상 및 50 중량부 이하인, 발광 소자.
According to claim 1,
The weight part of the third material is 30 parts by weight or more and 50 parts by weight or less based on 100 parts by weight of the total mixture, the light emitting element.
제1항에 있어서,
상기 제2재료의 중량부는 상기 제1재료 및 상기 제2재료의 총 100 중량부에 대하여 40 중량부 이상 및 60 중량부 이하인, 발광 소자.
According to claim 1,
The weight part of the second material is 40 parts by weight or more and 60 parts by weight or less with respect to a total of 100 parts by weight of the first material and the second material.
제1항 내지 제19항 중 어느 한 항의 발광 소자를 포함한, 전자 장치.
An electronic device comprising the light emitting element of any one of claims 1 to 19.
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