KR20230071954A - Substrate processing apparatus - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판처리장치에 대한 것으로서, 보다 상세하게는 기판의 뒤틀림을 개선하기 위하여 기판의 하면에 증착을 하는 경우에 기판의 뒤틀림 정도를 측정하여 기판의 하면에 적절한 두께의 막을 증착할 수 있는 기판처리장치에 대한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more particularly, in order to improve warpage of a substrate, when deposition is performed on the lower surface of a substrate, a substrate capable of depositing a film of an appropriate thickness on the lower surface of the substrate by measuring the degree of warping of the substrate. It's about the processing unit.

Description

기판처리장치 {Substrate processing apparatus}Substrate processing apparatus {Substrate processing apparatus}

본 발명은 기판처리장치에 대한 것으로서, 보다 상세하게는 기판의 뒤틀림을 개선하기 위하여 기판의 하면에 증착을 하는 경우에 기판의 뒤틀림 정도를 측정하여 기판의 하면에 적절한 두께의 막을 증착할 수 있는 기판처리장치에 대한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more particularly, in order to improve warpage of a substrate, when deposition is performed on the lower surface of a substrate, a substrate capable of depositing a film of an appropriate thickness on the lower surface of the substrate by measuring the degree of warping of the substrate. It's about the processing unit.

종래기술에 따른 기판처리장치를 이용하여 기판의 일면, 예를 들어 기판의 상면에 박막을 증착할 수 있다. 이 경우, 3d-Nand 디바이스 등과 같이 기판의 상면에 박막이 중첩되어 증착되는 경우에 박막의 응력에 의해 기판을 보잉(bowing)시킬 수 있다.A thin film may be deposited on one surface of a substrate, for example, an upper surface of the substrate using a substrate processing apparatus according to the prior art. In this case, when a thin film is overlapped and deposited on an upper surface of a substrate, such as a 3d-Nand device, the substrate may be bowed due to stress of the thin film.

도 1은 기판에 박막이 증착되는 경우에 기판의 보잉 현상을 설명하기 위한 도면이다.1 is a view for explaining a bowing phenomenon of a substrate when a thin film is deposited on the substrate.

도 1의 (A)는 기판(10)의 상면에 소정 두께의 박막(12)이 증착되는 경우에 기판(10)에 압축응력(compressive force)이 작용하는 경우를 도시하며, 도 1의 (B)는 반대로 기판(10)의 상면에 소정 두께의 박막(12)이 증착되는 경우에 기판(10)에 인장응력(tensile force)이 작용하는 경우를 도시한다. 1 (A) shows a case where a compressive force acts on the substrate 10 when a thin film 12 having a predetermined thickness is deposited on the upper surface of the substrate 10, and FIG. 1 (B Conversely, when a thin film 12 having a predetermined thickness is deposited on the upper surface of the substrate 10, tensile stress acts on the substrate 10.

도 1의 (A)와 같이 기판(10)에 압축응력이 작용하면 도면에 도시된 바와 같이 기판(10)의 가장자리 영역이 아래쪽을 향해 보잉하게 되며, 반면에 도 1의 (B)와 같이 기판(10)에 인장응력이 작용하게 되면 기판(10)의 가장자리 영역이 위쪽을 향해 보잉하게 된다. As shown in (A) of FIG. 1, when compressive stress acts on the substrate 10, as shown in the drawing, the edge region of the substrate 10 bows downward, whereas as shown in (B) of FIG. 1, the substrate When tensile stress is applied to (10), the edge region of the substrate 10 bows upward.

이와 같이 기판(10)이 보잉하여 뒤틀리게 되면 후속하는 각종 기판 처리 공정에서 기판에 대한 처리를 수행하는 경우에 기판(10)이 정위치에 위치하기 힘들게 되며, 특히 기판에 대한 처리 공정은 그 정밀도가 나날이 높아지는데 이러한 보잉 현상에 의한 기판의 뒤틀림은 처리공정의 정밀도를 떨어뜨리게 된다. In this way, when the substrate 10 is bowed and warped, it becomes difficult for the substrate 10 to be positioned in the correct position when processing the substrate in various subsequent substrate processing processes. The distortion of the board due to this bowing phenomenon reduces the precision of the processing process.

최근에는 전술한 기판의 보잉 현상을 방지하기 위하여 도 1의 (C)와 같이 기판(10)의 하면에 소정 두께의 박막(14)을 증착하여 보잉 현상을 방지하는 기술이 개발되었다. 기판(10)의 상면에 증착된 박막과 응력의 성질이 동일한 박막을 기판(10)의 하면에 증착함으로써 기판의 보잉 현상을 방지하여 뒤틀림을 개선할 수 있다.Recently, in order to prevent the above-described bowing phenomenon of the substrate, a technique for preventing the bowing phenomenon by depositing a thin film 14 having a predetermined thickness on the lower surface of the substrate 10 has been developed as shown in FIG. By depositing a thin film having the same stress property as the thin film deposited on the upper surface of the substrate 10 on the lower surface of the substrate 10, the bowing phenomenon of the substrate can be prevented and warpage can be improved.

그런데, 기판(10)의 하면에 박막을 증착하여 기판의 뒤틀림 현상을 개선하기 위해서는 기판의 뒤틀림 정도에 대응하여 정확한 두께의 박막을 증착하는 것이 필요하다.However, in order to improve the distortion of the substrate by depositing a thin film on the lower surface of the substrate 10, it is necessary to deposit a thin film having an accurate thickness corresponding to the degree of distortion of the substrate.

만약 기판의 하면에 증착된 박막의 두께가 부족한 경우에는 기판의 뒤틀림 정도를 충분히 완화시킬 수 없으며, 기판의 하면에 증착된 박막의 두께가 너무 두꺼운 경우에는 기판의 하면에 증착된 박막에 의해 다시 응력이 작용하여 뒤틀리게 되기 때문이다.If the thickness of the thin film deposited on the lower surface of the substrate is insufficient, the degree of distortion of the substrate cannot be sufficiently alleviated, and if the thickness of the thin film deposited on the lower surface of the substrate is too thick, the stress is restored by the thin film deposited on the lower surface of the substrate. This is because it works and gets twisted.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 제1 면에 박막이 증착된 기판의 뒤틀림 정도를 측정하여 기판의 제2 면에 정확한 두께의 박막을 증착하여 기판의 뒤틀림 정도를 개선할 수 있는 기판처리장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.In order to solve the above problems, the present invention measures the degree of warping of the substrate having a thin film deposited on the first surface of the substrate and deposits a thin film of an accurate thickness on the second surface of the substrate to improve the degree of distortion of the substrate. It is an object of the present invention to provide a processing device.

상기와 같은 본 발명의 목적은 제1 면에 제1 막이 증착된 기판의 제2 면에 제2 막을 증착하는 적어도 하나의 공정챔버를 구비한 공정설비, 상기 공정설비의 전방에 구비되어 상기 기판이 안착되는 로드포트를 구비하는 설비전방 단부모듈(Equipment Front End Module:EFEM), 상기 설비전방 단부모듈에 구비되어 상기 기판의 뒤틀림 정도를 측정하는 센서부 및 상기 센서부에서 측정된 상기 기판의 뒤틀림 정도에 따라 상기 기판의 제2 면에 증착되는 상기 제2 막의 증착두께를 조절하도록 상기 공정챔버를 제어하는 제어부를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치에 의해 달성된다.An object of the present invention as described above is a process equipment having at least one process chamber for depositing a second film on the second surface of a substrate having a first film deposited on the first surface, provided in front of the process equipment so that the substrate An equipment front end module (EFEM) having a load port to be seated on, a sensor unit provided in the equipment front end module to measure the degree of distortion of the substrate, and the degree of distortion of the substrate measured by the sensor unit and a control unit controlling the process chamber to adjust the deposition thickness of the second film deposited on the second surface of the substrate according to the method.

여기서, 상기 센서부는 상기 로드포트의 상부에 구비될 수 있다.Here, the sensor unit may be provided above the load port.

또한, 상기 로드포트에 상기 기판을 지지하며 회전하는 회전지지판을 더 구비하고, 상기 센서부는 상기 기판이 상기 회전지지판에 의해 회전되는 동안에 뒤틀림 정도를 측정할 수 있다. The load port may further include a rotating support plate which rotates while supporting the substrate, and the sensor unit may measure a degree of distortion of the substrate while being rotated by the rotation support plate.

나아가, 상기 센서부와 상기 기판이 서로 상대이동하도록 배치되어 상기 센서부와 상기 기판이 서로 상대이동하는 동안에 뒤틀림 정도를 측정할 수 있다.Furthermore, since the sensor unit and the substrate are arranged to move relative to each other, the degree of distortion can be measured while the sensor unit and the substrate move relative to each other.

한편, 상기 공정챔버는 챔버 하우징과, 상기 챔버 하우징의 내부에 구비되어 상기 기판을 지지하는 기판지지부, 상기 기판의 제2 면에 박막을 증착하는 제1 가스공급부를 구비하고, 상기 제어부는 상기 제1 가스공급부에서 공급되는 공정가스의 양 또는 상기 제1 가스공급부와 상기 기판의 제2 면 사이의 거리를 조절할 수 있다.Meanwhile, the process chamber includes a chamber housing, a substrate support provided inside the chamber housing to support the substrate, and a first gas supply unit to deposit a thin film on a second surface of the substrate, and the control unit includes the first gas supply unit. An amount of process gas supplied from one gas supply unit or a distance between the first gas supply unit and the second surface of the substrate may be adjusted.

이 경우, 상기 제1 가스공급부는 공정가스를 개별적으로 공급하는 복수개의 영역으로 구획되고, 상기 복수개의 영역에 각각 MFC(Mass Flow Controller)가 연결되어 공급되는 공정가스의 양을 조절하거나, 상기 복수개의 영역이 단일 MFC에 연결되어 가스분배모듈에 의해 공급되는 공정가스의 양을 조절할 수 있다.In this case, the first gas supply unit is divided into a plurality of regions for individually supplying process gas, and a mass flow controller (MFC) is connected to each of the plurality of regions to adjust the amount of the process gas supplied, or the plurality of regions. Two zones can be connected to a single MFC to regulate the amount of process gas supplied by the gas distribution module.

나아가, 상기 1 가스공급부는 상기 기판의 제2 면 까지의 거리가 변화되도록 회전 가능하게 구비될 수 있다. Furthermore, the first gas supply unit may be rotatably provided such that a distance to the second surface of the substrate is changed.

또한, 상기 제1 가스공급부는 상기 기판의 제2 면 까지의 거리가 변화되도록 상하로 각각 이동 가능하게 구비되는 복수개의 상하플레이트를 구비할 수 있다.In addition, the first gas supply unit may include a plurality of upper and lower plates respectively movable up and down such that a distance to the second surface of the substrate is changed.

전술한 구성을 가지는 본 발명에 따르면, 제1 면에 박막이 증착된 기판의 뒤틀림 정도를 측정하여 기판의 제2 면에 정확한 두께의 박막을 증착하여 기판의 뒤틀림 정도를 개선할 수 있다. According to the present invention having the configuration described above, the degree of distortion of the substrate having the thin film deposited on the first surface is measured and a thin film having an accurate thickness is deposited on the second surface of the substrate to improve the degree of distortion of the substrate.

도 1은 기판에 박막이 증착되는 경우에 기판의 보잉 현상을 설명하기 위한 도면,
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치를 도시한 개략도,
도 3은 공정챔버를 도시한 측단면도,
도 4는 설비전방 단부모듈(Equipment Front End Module:EFEM)을 도시한 사시도,
도 5는 설비전방 단부모듈에 구비된 센서부와 기판을 다양한 실시예에 따라 도시한 평면도,
도 6은 다른 실시예에 따른 제1 가스공급부를 도시한 평면도,
도 7은 복수개의 영역으로 구획된 제1 가스공급부를 구비한 일 실시예에 따른 공정챔버의 측면도,
도 8은 복수개의 영역으로 구획된 제1 가스공급부를 구비한 다른 실시예에 따른 공정챔버의 측면도,
도 9는 기판의 제2 면 까지의 거리가 조절되는 제1 가스공급부를 구비한 일 실시예에 따른 공정챔버의 측면도,
도 10은 기판의 제2 면 까지의 거리가 조절되는 제1 가스공급부를 구비한 다른 실시예에 따른 공정챔버의 측면도이다.1 is a view for explaining a bowing phenomenon of a substrate when a thin film is deposited on the substrate;
2 is a schematic diagram showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention;
3 is a side cross-sectional view showing a process chamber;
4 is a perspective view showing an Equipment Front End Module (EFEM);
5 is a plan view showing a sensor unit and a substrate provided in a facility front end module according to various embodiments;
6 is a plan view showing a first gas supply unit according to another embodiment;
7 is a side view of a process chamber according to an embodiment having a first gas supply unit divided into a plurality of regions;
8 is a side view of a process chamber according to another embodiment having a first gas supply unit divided into a plurality of regions;
9 is a side view of a process chamber according to an embodiment having a first gas supply unit for which a distance to a second surface of a substrate is adjusted;
10 is a side view of a process chamber according to another embodiment having a first gas supplier having a distance to a second surface of a substrate being adjusted.

이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 기판처리장치의 구조에 대해서 상세하게 살펴보도록 한다.Hereinafter, the structure of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치(1000)를 도시한 개략도이다.2 is a schematic diagram showing a substrate processing apparatus 1000 according to an embodiment of the present invention.

도 2를 참조하면, 상기 기판처리장치(1000)는 제1 면(22)(도 3 참조)에 제1 막(28)(도 3 참조)이 증착된 기판(20) (도 3 참조)의 제2 면(24)(도 3 참조)에 제2 막을 증착하는 적어도 하나의 공정챔버(110A)를 구비한 공정설비(100), 상기 공정설비(100)의 전방에 구비되어 상기 기판(20)이 안착되는 로드포트(60)를 구비하는 설비전방 단부모듈(Equipment Front End Module:EFEM)(30), 상기 설비전방 단부모듈(30)에 구비되어 상기 기판(20)의 뒤틀림 정도를 측정하는 센서부(200, 300, 400) 및 상기 센서부(200, 300, 400)에서 측정된 상기 기판(20)의 뒤틀림 정도에 따라 상기 기판(20)의 제2 면(24)에 증착되는 상기 제2 막의 증착두께를 조절하도록 상기 공정챔버(110A)를 제어하는 제어부(500)를 구비할 수 있다.Referring to FIG. 2, the substrate processing apparatus 1000 is a substrate 20 (see FIG. 3) on which a first film 28 (see FIG. 3) is deposited on a first surface 22 (see FIG. 3). A process facility 100 having at least one process chamber 110A for depositing a second film on a second surface 24 (see FIG. 3), provided in front of the process facility 100, and depositing the substrate 20 An equipment front end module (EFEM) 30 having a load port 60 on which the load port 60 is seated, and a sensor provided on the equipment front end module 30 to measure the degree of distortion of the substrate 20 The second deposited on the second surface 24 of the substrate 20 according to the degree of distortion of the substrate 20 measured by the units 200, 300, and 400 and the sensor units 200, 300, and 400. A controller 500 controlling the process chamber 110A to adjust the deposition thickness of the film may be provided.

먼저, 상기 기판처리장치(1000)는 크게 보아 기판(20)에 대한 공정을 수행하는 공정설비(100)와, 상기 공정설비(100)의 전방에 위치하는 설비전방 단부모듈(Equipment Front End Module:EFEM)(30)을 구비할 수 있다.First, the substrate processing apparatus 1000 includes a process facility 100 for performing a process on the substrate 20 in a large view, and an equipment front end module located in front of the process facility 100: EFEM) (30).

상기 설비전방 단부모듈(30)은 상기 공정설비(100)의 전방에 구비되어, 기판들이 수용된 용기(미도시)와 상기 공정설비(100) 간에 기판을 이송하는 역할을 한다.The facility front end module 30 is provided in front of the process facility 100 and serves to transfer substrates between the process facility 100 and a container (not shown) in which substrates are accommodated.

상기 설비전방 단부모듈(30)은 프레임(50)을 구비하며, 상기 프레임(50)의 전방에 복수의 로드포트(load port)(60)가 구비될 수 있다.The facility front end module 30 has a frame 50, and a plurality of load ports 60 may be provided in front of the frame 50.

상기 프레임(50)은 상기 로드포트(60)와 공정설비(100) 사이에 위치할 수 있다. 전술한 기판을 수용하는 용기는 오버헤드 트랜스퍼(overhead transfer), 오버헤드 컨베이어(overhead conveyor), 또는 자동 안내 차량(automatic guided vehicle)과 같은 이송 수단(미도시)에 의해 상기 로드포트(60) 상에 놓여질 수 있다.The frame 50 may be located between the load port 60 and the process equipment 100 . The container for accommodating the above-described substrate is placed on the load port 60 by a transfer means (not shown) such as an overhead transfer, an overhead conveyor, or an automatic guided vehicle. can be placed on

한편, 상기 기판들이 수용된 용기는 전면 개방 일체식 포드(Front Open Unified Pod:FOUP)와 같은 밀폐용 용기가 사용될 수 있다. 또한, 전술한 프레임(50) 내에는 상기 로드포트(60)에 놓여진 용기와 공정설비(100) 간에 기판을 이송하는 이송로봇(70)이 설치될 수 있다. Meanwhile, a sealed container such as a front open unified pod (FOUP) may be used as the container in which the substrates are accommodated. In addition, a transfer robot 70 for transferring substrates between the container placed on the load port 60 and the process equipment 100 may be installed in the frame 50 described above.

상기 기판에 대해 전술한 공정설비(100) 내에서 소정의 공정이 수행될 수 있다. 상기 공정설비(100)는 기판이송챔버(transfer chamber)(102), 로드록챔버(loadlock chamber)(106) 및 공정챔버(110A, 110B, 110C)를 포함할 수 있다. A predetermined process may be performed on the substrate in the process equipment 100 described above. The process facility 100 may include a substrate transfer chamber 102, a loadlock chamber 106, and process chambers 110A, 110B, and 110C.

상기 기판이송챔버(102)는 상부에서 바라볼 때 대체로 다각의 형상을 가지며, 상기 로드록챔버(106) 및 공정챔버(110A, 110B, 110C)는 상기 기판이송챔버(102)의 측면에 설치될 수 있다. 상기 기판이송챔버(102)의 내측에는 이송암(104)이 구비되어 상기 로드록챔버(106)를 통해 이송로봇(70)으로부터 기판(20)을 넘겨 받거나, 또는 공정이 완료된 기판(20)을 상기 이송로봇(70)으로 넘겨준다.The substrate transfer chamber 102 has a generally polygonal shape when viewed from above, and the load lock chamber 106 and the process chambers 110A, 110B, and 110C are installed on the side of the substrate transfer chamber 102. can A transfer arm 104 is provided inside the substrate transfer chamber 102 to receive the substrate 20 from the transfer robot 70 through the load lock chamber 106 or to transfer the substrate 20 after the process has been completed. It is handed over to the transfer robot 70.

상기 로드록챔버(106)는 상기 기판이송챔버(102)의 측면 중 상기 설비전방 단부모듈(30)과 인접한 측면에 위치한다.The load lock chamber 106 is located on a side surface of the substrate transfer chamber 102 adjacent to the front end module 30 of the facility.

기판은 상기 로드록챔버(106) 내에 일시적으로 머무른 후 상기 공정설비(100)로 로딩되어 상기 공정챔버(110A, 110B, 110C)에서 기판에 대한 처리공정이 이루어진다.After temporarily staying in the load-lock chamber 106, the substrate is loaded into the process facility 100, and processing of the substrate is performed in the process chambers 110A, 110B, and 110C.

상기 공정챔버(110A, 110B, 110C)는 기판(20)에 대한 증착공정, 에칭공정 등의 다양한 공정을 수행할 수 있다. 예를 들어, 상기 공정챔버(110A, 110B, 110C) 중에 적어도 하나의 공정챔버(110A)는 제1 면(22)에 제1 막(28)이 증착된 기판(20)의 제2 면(24)에 제2 막을 증착할 수 있는 증착챔버로 구성될 수 있다. 상기 공정챔버(110A)에 대해서는 이후에 상세히 살펴본다.The process chambers 110A, 110B, and 110C may perform various processes such as a deposition process and an etching process on the substrate 20 . For example, at least one of the process chambers 110A, 110B, and 110C includes a second surface 24 of a substrate 20 having a first film 28 deposited on the first surface 22. ) may be composed of a deposition chamber capable of depositing a second film. The process chamber 110A will be described in detail later.

한편, 공정이 완료된 후 기판은 상기 공정설비(100)로부터 언로딩되어 로드록챔버(106) 내에 일시적으로 머무른다. 상기 기판이송챔버(102) 및 공정챔버(110)의 내부는 진공으로 유지되며, 상기 로드록챔버(106)는 진공 및 대기압으로 전환된다. Meanwhile, after the process is completed, the substrate is unloaded from the process equipment 100 and temporarily stays in the load-lock chamber 106 . The inside of the substrate transfer chamber 102 and the process chamber 110 is maintained in a vacuum, and the load lock chamber 106 is converted to vacuum and atmospheric pressure.

상기 로드록챔버(106)는 공정 중에 진공 및 공정온도로 유지되는 상기 기판이송챔버(102) 및 공정챔버(110A, 110B, 110C)와 대기압 및 상온 상태의 상기 설비전방 단부모듈(30)의 사이에 배치되어 압력 및 온도의 급격한 변화를 완충시키는 버퍼역할을 하게 된다. 또한, 상기 로드록챔버(106)는 외부 오염물질이 상기 기판이송챔버(102) 및 공정챔버(110A, 110B, 110C)의 내부로 유입되는 것을 방지한다. The load lock chamber 106 is between the substrate transfer chamber 102 and the process chambers 110A, 110B and 110C maintained at vacuum and process temperature during the process and the equipment front end module 30 at atmospheric pressure and room temperature. placed in it, it serves as a buffer to buffer sudden changes in pressure and temperature. In addition, the load lock chamber 106 prevents external contaminants from entering the substrate transfer chamber 102 and the process chambers 110A, 110B, and 110C.

한편, 전술한 구성에서 상기 설비전방 단부모듈(30) 내부의 이송로봇(70)에 의해 상기 로드포트(60)에 안착된 용기에서 기판을 상기 로드록챔버(106) 내부로 이송시킬 수 있다.Meanwhile, in the above-described configuration, a substrate may be transferred from a container seated in the load port 60 to the inside of the load lock chamber 106 by the transfer robot 70 inside the front end module 30 of the facility.

도 3은 상기 기판(20)의 제2 면(24)에 제2 막을 증착할 수 있는 공정챔버(110A)를 도시한 측단면도이다. FIG. 3 is a side cross-sectional view illustrating a process chamber 110A capable of depositing a second film on the second surface 24 of the substrate 20 .

도 3을 참조하면, 상기 공정챔버(110A)는 외관을 형성하는 챔버 하우징(112)과, 상기 챔버 하우징(112)의 내부에 구비되어 상기 기판(20)을 지지하는 기판지지부(140), 상기 기판지지부(140)의 내측에 배치되어 상기 기판(20)의 제2 면(24)에 박막을 증착하는 제1 가스공급부(120)와, 상기 기판(20)의 제1 면(22)에 불활성가스를 공급하는 제2 가스공급부(130)를 구비할 수 있다.Referring to FIG. 3 , the process chamber 110A includes a chamber housing 112 forming an exterior, a substrate support 140 provided inside the chamber housing 112 to support the substrate 20, and A first gas supply unit 120 disposed inside the substrate support unit 140 to deposit a thin film on the second surface 24 of the substrate 20 and an inert gas supply unit 120 on the first surface 22 of the substrate 20 A second gas supply unit 130 for supplying gas may be provided.

여기서, 상기 기판(20)의 제1 면(22)과 제2 면(24)은 상기 기판(20)의 양면을 구분하기 위하여 편의상 정의한 것이다. 예를 들어, 상기 기판(20)의 제1 면(22)은 상면이거나, 또는 필요한 박막이 증착되는 면으로 정의될 수 있다. 나아가, 상기 기판(20)의 제2 면(24)은 상기 제1 면(22)의 반대편에 위치하는 면으로서, 하면이거나 후술하는 뒤틀림 개선을 위한 박막이 증착되는 면으로 정의될 수 있다.Here, the first surface 22 and the second surface 24 of the substrate 20 are defined for convenience in order to distinguish both sides of the substrate 20 . For example, the first surface 22 of the substrate 20 may be an upper surface or may be defined as a surface on which a required thin film is deposited. Furthermore, the second surface 24 of the substrate 20 is a surface positioned opposite to the first surface 22, and may be defined as a lower surface or a surface on which a thin film for warpage improvement described later is deposited.

상기 제1 면(22)에 제1 막(28)이 이미 증착된 기판(20)이 전술한 기판이송챔버(102)를 통해 상기 챔버 하우징(112)의 내측으로 인입되어 상기 기판지지부(140)의 상부에 안착된다. 이 경우, 상기 기판지지부(140)는 상기 기판(20)의 제2 면(24)의 가장자리 하면을 지지할 수 있다. 상기 기판지지부(140)의 하측 단부는 베이스플레이트(142)에 의해 지지될 수 있다.The substrate 20 on which the first film 28 is already deposited on the first surface 22 is introduced into the chamber housing 112 through the substrate transfer chamber 102 described above, and the substrate support 140 is seated on top of In this case, the substrate support part 140 may support an edge lower surface of the second surface 24 of the substrate 20 . A lower end of the substrate support 140 may be supported by a base plate 142 .

상기 제1 가스공급부(120)는 공정가스를 공급하여 상기 기판(20)의 제2 면(24)에 박막을 증착할 수 있다. 이 경우, 플라즈마를 사용하여 제2 막을 증착할 수도 있다.The first gas supplier 120 may supply a process gas to deposit a thin film on the second surface 24 of the substrate 20 . In this case, the second film may be deposited using plasma.

한편, 제2 막은 상기 제1 막(28)과 응력방향이 동일한 막으로 구성될 수 있다. 즉, 제2 막은 상기 제1 막(28)에 의한 기판(20)의 뒤틀림 정도를 개선하기 위한 것이므로 제2 막은 상기 제1 막(28)과 동일한 응력방향을 가지는 막으로 구성되는 것이 바람직하다.Meanwhile, the second film may be formed of a film having the same stress direction as the first film 28 . That is, since the second film is to improve the degree of distortion of the substrate 20 by the first film 28, the second film is preferably composed of a film having the same stress direction as the first film 28.

한편, 상기 제2 가스공급부(130)는 상기 기판(20)의 제1 면(22)으로 불활성가스를 공급하여 상기 제1 가스공급부(120)에 의한 공정가스가 상기 제1 면(22)에 증착되는 것을 방지한다. 또한, 상기 제2 가스공급부(130)는 히터부(미도시)를 구비하여 상기 기판(20)을 공정에 필요한 온도로 가열할 수 있다.Meanwhile, the second gas supply unit 130 supplies an inert gas to the first surface 22 of the substrate 20 so that the process gas by the first gas supply unit 120 flows to the first surface 22. prevent deposition. In addition, the second gas supply unit 130 may include a heater unit (not shown) to heat the substrate 20 to a temperature required for a process.

한편, 전술한 바와 같이 상기 공정챔버(110A)에서 상기 기판(20)의 제2 면(24)에 박막을 증착하여 뒤틀림 정도를 개선하는 경우 적절한 두께를 가지는 제2 막을 증착하는 것이 필요하다.Meanwhile, as described above, when a thin film is deposited on the second surface 24 of the substrate 20 in the process chamber 110A to improve the degree of distortion, it is necessary to deposit a second film having an appropriate thickness.

예를 들어, 상기 기판(20)의 제2 면(24)에 증착되는 제2 막의 두께가 부족한 경우에는 상기 기판(20)의 뒤틀림 정도를 충분히 완화시킬 수 없으며, 상기 기판(20)의 제2 면(24)에 증착되는 제2 막의 두께가 너무 두꺼운 경우에는 상기 기판(20)의 제2 면(24)면에 증착된 제2 막에 의해 다시 응력이 작용하여 뒤틀리게 되기 때문이다.For example, when the thickness of the second film deposited on the second surface 24 of the substrate 20 is insufficient, the degree of distortion of the substrate 20 cannot be sufficiently alleviated, and the second layer of the substrate 20 This is because when the thickness of the second film deposited on the surface 24 is too thick, stress is applied again by the second film deposited on the surface of the second surface 24 of the substrate 20, causing distortion.

본 발명에서는 이러한 문제점을 해결하기 위하여 전술한 설비전방 단부모듈(30)에 구비되어 상기 기판(20)의 뒤틀림 정도를 측정하는 센서부(200, 300, 400) 및 상기 센서부(200, 300, 400)에서 측정된 상기 기판(20)의 뒤틀림 정도에 따라 상기 기판(20)의 제2 면(24)에 증착되는 상기 제2 막의 증착두께를 조절하도록 상기 공정챔버(110A)를 제어하는 제어부(500)를 구비할 수 있다.In the present invention, in order to solve this problem, the sensor units 200, 300, 400 and the sensor units 200, 300, which are provided in the above-described facility front end module 30 to measure the degree of distortion of the substrate 20 A controller for controlling the process chamber 110A to adjust the deposition thickness of the second film deposited on the second surface 24 of the substrate 20 according to the degree of distortion of the substrate 20 measured in 400 ( 500) may be provided.

도 4는 상기 설비전방 단부모듈(30)을 도시한 사시도이다.4 is a perspective view showing the equipment front end module 30.

도 4를 참조하면, 상기 설비전방 단부모듈(30)은 기판(20)이 안착되는 로드포트(60)와, 셔터(62)를 구비할 수 있다. 상기 셔터(62)가 개방되면 이송로봇(70)에 의해 기판(20)이 로드록챔버(106)로 이송되거나, 또는 공정이 완료된 기판(20)이 이송로봇(70)에 의해 로드포트(60)로 전달된다.Referring to FIG. 4 , the facility front end module 30 may include a load port 60 on which a substrate 20 is seated and a shutter 62 . When the shutter 62 is opened, the substrate 20 is transferred to the load-lock chamber 106 by the transfer robot 70, or the substrate 20 after the process is transferred to the load port 60 by the transfer robot 70. ) is transmitted to

한편, 전술한 센서부(200, 300, 400)는 상기 설비전방 단부모듈(30)에 구비될 수 있다. 이 경우, 상기 센서부(200, 300, 400)는 상기 기판(20)의 상부, 또는 상기 로드포트(60)의 상부에 구비될 수 있다.Meanwhile, the above-described sensor units 200, 300, and 400 may be provided in the facility front end module 30. In this case, the sensor units 200 , 300 , and 400 may be provided above the substrate 20 or above the load port 60 .

예를 들어, 상기 설비전방 단부모듈(30)은 상부구조(64)를 구비하며, 상기 상부구조(64)의 하면에 상기 센서부(200, 300, 400)가 장착될 수 있다. 이러한 센서부(200, 300, 400)의 장착위치는 일예를 들어 설명한 것이며 상기 기판(20)의 상부, 또는 상기 로드포트(60)의 상부에 해당하는 어느 위치라도 상관없다.For example, the facility front end module 30 has an upper structure 64, and the sensor units 200, 300, and 400 may be mounted on a lower surface of the upper structure 64. The mounting position of the sensor units 200, 300, and 400 has been described as an example, and may be any position corresponding to the upper part of the substrate 20 or the upper part of the load port 60.

도 5는 상기 설비전방 단부모듈(30)에 구비된 센서부(200, 300, 400)와 기판(20)을 다양한 실시예에 따라 도시한 평면도이다.5 is a plan view showing the sensor units 200, 300, 400 and the substrate 20 provided in the facility front end module 30 according to various embodiments.

먼저, 도 5의 (A)를 참조하면, 일 실시예에 따른 센서부(200)와 로드포트(60)에 안착된 기판(20)이 도시된다.First, referring to (A) of FIG. 5 , the sensor unit 200 and the substrate 20 seated on the load port 60 according to an embodiment are shown.

상기 센서부(200)는 전술한 바와 같이 상기 로드포트(60)의 상부에 위치하여 상기 기판(20)을 향하도록 배치될 수 있다.As described above, the sensor unit 200 may be positioned above the load port 60 and face the substrate 20 .

상기 센서부(200)는 예를 들어 센서바디(210)와 상기 센서바디(210)에 장착되는 센서모듈(220)을 구비할 수 있다. 상기 센서바디(210)는 상기 상부구조(64)의 하면에 구비될 수 있다.The sensor unit 200 may include, for example, a sensor body 210 and a sensor module 220 mounted on the sensor body 210 . The sensor body 210 may be provided on the lower surface of the upper structure 64 .

상기 센서모듈(220)은 상기 기판(20)의 뒤틀림 정도를 측정하는 역할을 한다. 예를 들어, 상기 센서모듈(220)은 상기 기판(20) 까지의 거리를 측정하는 비접촉 센서로 구성될 수 있다. 즉, 상기 센서모듈(220)이 복수개로 구성되는 경우 상기 센서모듈(220)에서 측정된 거리를 전술한 제어부(500)가 취합하여 거리의 편차에 의해 상기 기판(20)의 뒤틀림 정도를 측정할 수 있다.The sensor module 220 serves to measure the degree of distortion of the substrate 20 . For example, the sensor module 220 may be configured as a non-contact sensor that measures a distance to the substrate 20 . That is, when the sensor module 220 is composed of a plurality, the controller 500 collects the distance measured by the sensor module 220 and measures the degree of distortion of the board 20 by the deviation of the distance. can

이 경우, 상기 제어부(500)에는 상기 기판(20)의 뒤틀림 정도에 대응하는 제2 막의 두께에 대한 수치정보가 미리 입력되어 저장될 수 있다. 예를 들어, 상기 기판(20)의 두께, 크기, 공정가스의 종류, 제1 막(28)의 종류 등을 고려하여 상기 기판(20)의 뒤틀림 정도가 측정된 경우, 상기 뒤틀림 정도를 제거할 수 있는 제2 막의 두께에 대한 수치정보가 미리 저장될 수 있다.In this case, numerical information about the thickness of the second film corresponding to the degree of distortion of the substrate 20 may be previously input and stored in the controller 500 . For example, when the degree of distortion of the substrate 20 is measured in consideration of the thickness and size of the substrate 20, the type of processing gas, and the type of the first film 28, the degree of distortion may be removed. Numerical information about the possible thickness of the second film may be stored in advance.

또한, 상기 제어부(500)는 상기 제2 막의 필요한 증착 두께가 결정되는 경우에 전술한 공정챔버(110A)를 제어하여 상기 기판(20)의 제2 면(24)에 필요한 증착 두께의 제2 막을 증착하게 된다.In addition, when the required deposition thickness of the second film is determined, the control unit 500 controls the process chamber 110A to deposit the second film having a required deposition thickness on the second surface 24 of the substrate 20. will be deposited

이 경우, 상기 제어부(500)는 상기 공정챔버(110A)의 제1 가스공급부(120)를 조절하여 상기 기판(20)의 제2 면(24)으로 공급되는 공정가스의 종류, 유량, 속도, 플라즈마 등을 조절할 수 있다. 이에 대해서는 이후에 상술한다.In this case, the control unit 500 adjusts the first gas supply unit 120 of the process chamber 110A to determine the type, flow rate, speed, and type of process gas supplied to the second surface 24 of the substrate 20. Plasma can be controlled. This will be described in detail later.

한편, 도 5의 (B)는 다른 실시예에 따른 센서부(300)와 로드포트(60)에 안착된 기판(20)을 도시한 평면도이다.Meanwhile, (B) of FIG. 5 is a plan view illustrating the sensor unit 300 and the substrate 20 seated on the load port 60 according to another embodiment.

도 5의 (B)를 참조하면, 상기 센서부(300)와 상기 기판(20)은 서로 상대이동하도록 배치될 수 있다.Referring to (B) of FIG. 5 , the sensor unit 300 and the substrate 20 may be arranged to move relative to each other.

예를 들어, 상기 센서부(300)의 센서바디(310)는 전술한 상부구조(64)의 하면에 이동 가능하게 구비될 수 있다.For example, the sensor body 310 of the sensor unit 300 may be movably provided on the lower surface of the upper structure 64 described above.

따라서, 상기 센서부(300)가 상기 기판(20)의 상부에서 이동하는 경우에 센서모듈(320)이 상기 기판(20)까지의 거리를 측정하여 상기 기판(20)의 튀틀림 정도를 측정할 수 있다.Therefore, when the sensor unit 300 moves on top of the substrate 20, the sensor module 320 measures the distance to the substrate 20 to measure the degree of twisting of the substrate 20. can

상기 기판(20)의 뒤틀림 정도를 측정한 후에 상기 제어부(500)의 동작은 전술한 실시예와 유사하므로 반복적인 설명은 생략한다.Since the operation of the control unit 500 after measuring the degree of distortion of the substrate 20 is similar to that of the foregoing embodiment, a repetitive description thereof will be omitted.

한편, 도 5의 (C)은 또 다른 실시예에 따른 센서부(400)와 로드포트(60)에 안착된 기판(20)을 도시한 평면도이다.Meanwhile, (C) of FIG. 5 is a plan view illustrating the sensor unit 400 and the substrate 20 seated on the load port 60 according to another embodiment.

도 5의 (C)를 참조하면, 상기 로드포트(60)에 상기 기판(20)을 지지하며 회전하는 회전지지판(66)을 더 구비할 수 있다.Referring to (C) of FIG. 5 , a rotation support plate 66 rotating while supporting the substrate 20 may be further provided in the load port 60 .

즉, 상기 기판(20)이 상기 회전지지판(66)에 안착된 경우 상기 회전지지판(66)의 회전에 의해 상기 기판(20)이 회전하는 경우 상기 센서부(400)에 의해 상기 기판(20)의 뒤틀림 정도를 측정하게 된다.That is, when the substrate 20 is seated on the rotation support plate 66 and the substrate 20 is rotated by the rotation of the rotation support plate 66, the substrate 20 is detected by the sensor unit 400. to measure the degree of distortion.

이 경우, 상기 센서바디(410)는 도면에 도시된 바와 같이 상기 기판(20)의 전체 직경보다 작으며 반경보다는 큰 길이를 가질 수 있다. 또한, 상기 센서바디(410)는 대략 상기 기판(20)의 중앙에서 반경 방향으로 연장되도록 배치될 수 있다. 상기 기판(20)이 회전하는 경우 상기 센서모듈(420)에 의해 상기 기판(20)까지의 거리를 측정하여 기판(20)의 뒤틀림 정도를 측정하게 된다.In this case, the sensor body 410 may have a length smaller than the overall diameter of the substrate 20 and larger than the radius, as shown in the drawing. In addition, the sensor body 410 may be arranged to extend in a radial direction from approximately the center of the substrate 20 . When the substrate 20 rotates, the degree of distortion of the substrate 20 is measured by measuring the distance to the substrate 20 by the sensor module 420 .

한편, 전술한 제어부(500)는 상기 센서부(200, 300, 400)에 의해 기판(20)의 뒤틀림 정도를 감지한 경우 상기 공정챔버(110A)를 제어하여 상기 기판(20)의 제2 면(24)에 증착되는 제2 막의 두께를 조절하게 된다.Meanwhile, when the degree of warping of the substrate 20 is detected by the sensor units 200, 300, and 400, the controller 500 controls the process chamber 110A to control the second surface of the substrate 20. (24) to adjust the thickness of the second film deposited.

예를 들어, 상기 제어부(500)는 상기 제1 가스공급부(120)에서 공급되는 공정가스의 양 또는 상기 제1 가스공급부(120)와 상기 기판(20)의 제2 면(24) 사이의 거리를 조절하여 상기 기판(20)의 제2 면(24)에 증착되는 제2 막의 두께를 조절할 수 있다.For example, the control unit 500 controls the amount of process gas supplied from the first gas supply unit 120 or the distance between the first gas supply unit 120 and the second surface 24 of the substrate 20. By adjusting the thickness of the second film deposited on the second surface 24 of the substrate 20 can be adjusted.

도 6은 복수개의 영역으로 구획된 제1 가스공급부(120A, 120B, 120C)를 도시한 평면도이다. 즉, 상기 제1 가스공급부(120A, 120B, 120C)는 공정가스를 개별적으로 공급하는 복수개의 영역으로 구획될 수 있다. 이 경우, 각 영역에서 공급되는 공정가스의 양을 조절하여 상기 기판(20)의 제2 면(24)에 증착되는 제2 막의 두께를 조절할 수 있다.6 is a plan view illustrating first gas supply units 120A, 120B, and 120C divided into a plurality of areas. That is, the first gas supply units 120A, 120B, and 120C may be divided into a plurality of areas individually supplying process gases. In this case, the thickness of the second film deposited on the second surface 24 of the substrate 20 may be adjusted by adjusting the amount of process gas supplied in each region.

도 6의 (A)를 참조하면, 상기 제1 가스공급부(120A)는 예를 들어, 중앙부의 제1 영역(1200A)과, 가장자리의 제2 영역(1200B)으로 구획될 수 있다.Referring to (A) of FIG. 6 , the first gas supply unit 120A may be divided into, for example, a first area 1200A at the center and a second area 1200B at the edge.

또한, 도 6의 (B)를 참조하면, 상기 제1 가스공급부(120B)는 예를 들어, 4등분되어 4개의 영역(1200C, 1200D, 1200E, 1200F)으로 구획될 수 있다.Also, referring to (B) of FIG. 6 , the first gas supply unit 120B may be divided into four regions 1200C, 1200D, 1200E, and 1200F, for example.

나아가, 도 6의 (C)를 참조하면, 상기 제1 가스공급부(120C)는 예를 들어, 중앙부의 제1 영역(1200K)을 구비하고, 가장자리가 복수개의 제2 영역(1200G, 1200H, 1200I, 1200J)으로 구획될 수 있다.Further, referring to (C) of FIG. 6 , the first gas supply unit 120C has, for example, a first region 1200K at the center, and a plurality of second regions 1200G, 1200H, and 1200I at the edges. , 1200 J).

도 6에 도시된 바와 같이 상기 제1 가스공급부(120A, 120B, 120C)가 복수개의 영역으로 구획된 경우 각 영역으로 공정가스를 개별적으로 공급할 수 있는 구성이 필요하다. 도 7은 복수개의 영역(1300A, 1300B, 1300C)으로 구획된 제1 가스공급부(120D)를 구비한 일 실시예에 따른 공정챔버(110A)의 측면도이다.As shown in FIG. 6 , when the first gas supply units 120A, 120B, and 120C are divided into a plurality of regions, a configuration capable of individually supplying process gas to each region is required. 7 is a side view of a process chamber 110A according to an embodiment having a first gas supply unit 120D partitioned into a plurality of areas 1300A, 1300B, and 1300C.

도 7을 참조하면, 상기 제1 가스공급부(120D)는 개별적으로 공정가스를 공급할 수 있는 복수개의 영역(1300A, 1300B, 1300C), 예를 들어 3개의 영역(1300A, 1300B, 1300C)으로 구획될 수 있다.Referring to FIG. 7 , the first gas supply unit 120D may be divided into a plurality of regions 1300A, 1300B, and 1300C, for example, three regions 1300A, 1300B, and 1300C that may individually supply process gases. can

이 경우, 복수개의 영역(1300A, 1300B, 1300C)에 각각 MFC(Mass Flow Controller)(160A, 160B, 160C)가 연결되어 공급되는 공정가스의 양이 조절될 수 있다.In this case, mass flow controllers (MFCs) 160A, 160B, and 160C are connected to the plurality of regions 1300A, 1300B, and 1300C, respectively, so that the amount of process gas supplied can be controlled.

도 7과 같은 배치의 경우 상기 기판(20)의 제2 면(24)에 증착되는 제2 막의 두께를 세밀하게 조절할 수 있는 반면에 MFC를 개별적으로 연결하게 되어 공정챔버의 구성이 복잡해지고 나아가 제어가 힘들 수 있다.In the case of the arrangement as shown in FIG. 7, the thickness of the second film deposited on the second surface 24 of the substrate 20 can be finely adjusted, while the MFCs are connected individually, making the configuration of the process chamber complicated and further control. can be difficult

도 8은 복수개의 영역(1300A, 1300B, 1300C)으로 구획된 제1 가스공급부(120D)를 구비한 다른 실시예에 따른 공정챔버(110A)의 측면도이다.8 is a side view of a process chamber 110A according to another embodiment having a first gas supply unit 120D partitioned into a plurality of areas 1300A, 1300B, and 1300C.

도 8을 참조하면, 본 실시예의 경우 상기 제1 가스공급부(120D)는 개별적으로 공정가스를 공급할 수 있는 복수개의 영역(1300A, 1300B, 1300C), 예를 들어 3개의 영역(1300A, 1300B, 1300C)으로 구획된 경우에도 복수개의 영역(1300A, 1300B, 1300C)이 단일 MFC(160)에 연결된다. 이 경우, 상기 MFC(160)와 복수개의 영역(1300A, 1300B, 1300C) 사이에 가스분배모듈(150)이 배치될 수 있다.Referring to FIG. 8 , in the present embodiment, the first gas supplier 120D includes a plurality of regions 1300A, 1300B, and 1300C that can individually supply process gases, for example, three regions 1300A, 1300B, and 1300C. ), the plurality of regions 1300A, 1300B, and 1300C are connected to a single MFC 160. In this case, the gas distribution module 150 may be disposed between the MFC 160 and the plurality of regions 1300A, 1300B, and 1300C.

따라서, 본 실시예의 경우 단일 MFC(160)를 배치하여 공정챔버의 구성을 단순화하면서도 각 영역에서 공급되는 공정가스의 양을 개별적으로 제어할 수 있다.Therefore, in the present embodiment, by arranging a single MFC 160, it is possible to individually control the amount of process gas supplied to each zone while simplifying the configuration of the process chamber.

한편, 도 9는 상기 기판(20)의 제2 면(24) 까지의 거리가 조절되는 제1 가스공급부(120E)를 구비한 일 실시예에 따른 공정챔버(110A)의 측면도이다.Meanwhile, FIG. 9 is a side view of a process chamber 110A according to an embodiment including a first gas supply unit 120E for which a distance to the second surface 24 of the substrate 20 is adjusted.

도 9를 참조하면, 본 실시예에 따른 상기 제1 가스공급부(120E)는 상기 기판(20)의 제2 면(24) 까지의 거리가 변화되도록 회전 가능하게 구비될 수 있다. 즉, 상기 제1 가스공급부(120E)는 상기 기판(20)의 제2 면(24)에 대해 대략 수직한 방향으로 회전 가능하게 배치될 수 있다. 또한, 상기 제1 가스공급부(120E)는 상기 기판지지부(140)의 내측에서 회전 가능하게 배치될 수 있다.Referring to FIG. 9 , the first gas supply unit 120E according to the present embodiment may be rotatably provided such that a distance to the second surface 24 of the substrate 20 is changed. That is, the first gas supply unit 120E may be rotatably disposed in a direction substantially perpendicular to the second surface 24 of the substrate 20 . Also, the first gas supply unit 120E may be rotatably disposed inside the substrate support unit 140 .

상기 제1 가스공급부(120E)가 회전 가능하게 배치되면 상기 기판(20)의 제2 면(24)과 상기 제1 가스공급부(120E) 사이의 거리가 변화되어 상기 제2 면(24)에 증착되는 제2 막의 두께를 조절할 수 있다.When the first gas supply part 120E is rotatably disposed, the distance between the second surface 24 of the substrate 20 and the first gas supply part 120E is changed to deposit on the second surface 24. It is possible to adjust the thickness of the second film to be.

다만 도 9에 따른 실시예의 경우 상기 제1 가스공급부(120E)의 중앙부와 상기 제2 면(24) 사이의 거리는 변화하지 않는다. 나아가 상기 제1 가스공급부(120E)가 일측으로 회전한 경우 상기 제1 가스공급부(120E)의 내측의 가스공급유로가 상기 기판(20)의 제2 면(24)에 수직인 상태에서 벗어나게 되어 상기 제2 면(24)에 증착되는 제2 막의 두께 조절이 어려울 수 있으며, 상기 기판지지부(140)의 내측벽에 원하지 않는 증착이 이루어져 파티클의 원인이 될 수 있다.However, in the case of the embodiment according to FIG. 9 , the distance between the central portion of the first gas supply unit 120E and the second surface 24 does not change. Furthermore, when the first gas supply part 120E rotates to one side, the gas supply passage inside the first gas supply part 120E is out of a state perpendicular to the second surface 24 of the substrate 20, It may be difficult to control the thickness of the second film deposited on the second surface 24, and unwanted deposition may occur on the inner wall of the substrate support 140, resulting in particles.

도 10은 전술한 문제점을 해결하기 위한 다른 실시예에 따른 공정챔버(110A)의 측면도이다.10 is a side view of a process chamber 110A according to another embodiment for solving the above problems.

도 10을 참조하면, 본 실시예에 따른 상기 제1 가스공급부(120F)는 상기 기판(20)의 제2 면(24) 까지의 거리가 변화되도록 상하로 각각 이동 가능하게 구비되는 복수개의 상하플레이트(1400A, 1400B, 1400C)를 구비할 수 있다. Referring to FIG. 10 , the first gas supply unit 120F according to the present embodiment includes a plurality of upper and lower plates provided to be movable vertically so that the distance to the second surface 24 of the substrate 20 is changed. (1400A, 1400B, 1400C) may be provided.

상기 복수개의 상하플레이트(1400A, 1400B, 1400C)는 개별적으로 공정가스를 공급할 수 있으며, 나아가 상하로 개별적으로 이동 가능하게 배치될 수 있다.The plurality of upper and lower plates 1400A, 1400B, and 1400C may individually supply process gas and may be disposed to be individually movable up and down.

따라서, 상기 복수개의 상하플레이트(1400A, 1400B, 1400C)가 상하로 이동하는 경우에 상기 기판(20)의 제2 면(24) 까지의 거리를 조절하여 상기 제2 면(24)에 증착되는 제2 막의 두께를 조절할 수 있다.Therefore, when the plurality of upper and lower plates 1400A, 1400B, and 1400C move up and down, the distance to the second surface 24 of the substrate 20 is adjusted so that the first deposited on the second surface 24 2 The thickness of the film can be adjusted.

또한, 본 실시예의 경우 상기 제1 가스공급부(120F)의 중앙부와 상기 제2 면(24)까지의 거리도 조절이 가능하다. 나아가 상기 제1 가스공급부(120F)와 제2 면(24) 사이의 거리가 변화하는 경우에도 상기 제1 가스공급부(120F)의 내측의 가스공급유로가 상기 기판(20)의 제2 면(24)에 수직인 상태를 유지할 수 있다. 또한, 전술한 도 9에 비해 상기 기판지지부(140)의 내측벽의 증착을 줄일 수 있다.In addition, in this embodiment, the distance between the central portion of the first gas supply unit 120F and the second surface 24 can be adjusted. Furthermore, even when the distance between the first gas supply part 120F and the second surface 24 changes, the gas supply passage inside the first gas supply part 120F remains the same as the second surface 24 of the substrate 20. ) can be maintained perpendicular to In addition, the deposition of the inner wall of the substrate support 140 can be reduced compared to the above-described FIG. 9 .

한편, 상기 복수개의 상하플레이트(1400A, 1400B, 1400C)에서 공급되는 공정가스의 양을 개별적으로 제어하여 상기 제2 면(24)에 증착되는 제2 막의 두께를 보다 정밀하게 조절할 수 있다.Meanwhile, the thickness of the second film deposited on the second surface 24 may be more precisely controlled by individually controlling the amount of process gas supplied from the plurality of upper and lower plates 1400A, 1400B, and 1400C.

한편, 전술한 도 9 및 도 10에는 도시되지 않지만, 상기 제1 가스공급부(120E)를 회전시키는 제1 구동부(미도시)와, 상기 복수개의 상하플레이트(1400A, 1400B, 1400C)를 상하로 이동시키는 제2 구동부(미도시)는 상기 기판지지부(140)를 지지하는 베이스플레이트(142)에 구비될 수 있다. Meanwhile, although not shown in FIGS. 9 and 10 described above, a first driving unit (not shown) for rotating the first gas supply unit 120E and the plurality of upper and lower plates 1400A, 1400B, and 1400C are vertically moved. A second driving unit (not shown) may be provided on the base plate 142 supporting the substrate support unit 140 .

즉, 상기 제1 구동부 또는 제2 구동부는 상기 기판(20)의 제2 면(24), 기판지지부(140) 및 베이스플레이트(142)에 의해 둘러싸인 공간에 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 구동부 및 제2 구동부는 상기 베이스플레이트(142)의 상면에 구비될 수 있다. 이 경우, 상기 제1 구동부 및 제2 구동부의 구동에 의해 파티클 등이 발생하는 경우에도 상기 기판(20)의 제1 면(22)에 파티클이 부착되는 것을 최대한 방지할 수 있다.That is, the first driving unit or the second driving unit may be disposed in a space surrounded by the second surface 24 of the substrate 20 , the substrate support unit 140 and the base plate 142 . For example, the first driving unit and the second driving unit may be provided on an upper surface of the base plate 142 . In this case, even when particles are generated by the driving of the first driving unit and the second driving unit, it is possible to prevent particles from being attached to the first surface 22 of the substrate 20 as much as possible.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시 예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 당업자는 이하에서 서술하는 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경 실시할 수 있을 것이다. 그러므로 변형된 실시가 기본적으로 본 발명의 특허청구범위의 구성요소를 포함한다면 모두 본 발명의 기술적 범주에 포함된다고 보아야 한다.Although the above has been described with reference to preferred embodiments of the present invention, those skilled in the art variously modify and change the present invention within the scope not departing from the spirit and scope of the present invention described in the claims described below. You will be able to. Therefore, if the modified implementation basically includes the elements of the claims of the present invention, all of them should be considered to be included in the technical scope of the present invention.

20 : 기판
30 : 설비전방 단부모듈
60 : 로드포트
100 : 공정설비
106 : 로드록챔버
102 : 기판이송챔버
110A, 110B, 110C, 110D : 공정챔버
200, 300, 400 : 센서부
210, 310, 410 : 센서바디
220, 320, 420 : 센서모듈
1000 : 기판처리장치20: Substrate
30: Facility front end module
60: load port
100: process equipment
106: load lock chamber
102: substrate transfer chamber
110A, 110B, 110C, 110D: process chamber
200, 300, 400: sensor unit
210, 310, 410: sensor body
220, 320, 420: sensor module
1000: substrate processing device

Claims (8)

제1 면에 제1 막이 증착된 기판의 제2 면에 제2 막을 증착하는 적어도 하나의 공정챔버를 구비한 공정설비;
상기 공정설비의 전방에 구비되어 상기 기판이 안착되는 로드포트를 구비하는 설비전방 단부모듈(Equipment Front End Module:EFEM);
상기 설비전방 단부모듈에 구비되어 상기 기판의 뒤틀림 정도를 측정하는 센서부; 및
상기 센서부에서 측정된 상기 기판의 뒤틀림 정도에 따라 상기 기판의 제2 면에 증착되는 상기 제2 막의 증착두께를 조절하도록 상기 공정챔버를 제어하는 제어부;를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.a process facility having at least one process chamber for depositing a second film on a second surface of a substrate on which a first film is deposited on a first surface;
An equipment front end module (EFEM) provided in front of the process equipment and having a load port on which the substrate is seated;
a sensor unit provided at the front end module of the facility to measure the degree of distortion of the board; and
and a control unit controlling the process chamber to adjust the deposition thickness of the second film deposited on the second surface of the substrate according to the degree of distortion of the substrate measured by the sensor unit. 제1항에 있어서,
상기 센서부는
상기 로드포트의 상부에 구비되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.According to claim 1,
The sensor part
Substrate processing apparatus, characterized in that provided on the upper portion of the load port. 제2항에 있어서,
상기 로드포트에 상기 기판을 지지하며 회전하는 회전지지판을 더 구비하고, 상기 센서부는 상기 기판이 상기 회전지지판에 의해 회전되는 동안에 뒤틀림 정도를 측정하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.According to claim 2,
The substrate processing apparatus of claim 1, further comprising a rotation support plate rotating while supporting the substrate in the load port, wherein the sensor unit measures a degree of distortion while the substrate is rotated by the rotation support plate. 제2항에 있어서,
상기 센서부와 상기 기판이 서로 상대이동하도록 배치되어 상기 센서부와 상기 기판이 서로 상대이동하는 동안에 뒤틀림 정도를 측정하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.According to claim 2,
The substrate processing apparatus according to claim 1 , wherein the sensor unit and the substrate are arranged to move relative to each other, and a degree of distortion is measured while the sensor unit and the substrate move relative to each other. 제1항에 있어서,
상기 공정챔버는 챔버 하우징과, 상기 챔버 하우징의 내부에 구비되어 상기 기판을 지지하는 기판지지부, 상기 기판의 제2 면에 박막을 증착하는 제1 가스공급부를 구비하고,
상기 제어부는 상기 제1 가스공급부에서 공급되는 공정가스의 양 또는 상기 제1 가스공급부와 상기 기판의 제2 면 사이의 거리를 조절하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.According to claim 1,
The process chamber includes a chamber housing, a substrate support provided inside the chamber housing to support the substrate, and a first gas supply unit to deposit a thin film on a second surface of the substrate,
The control unit controls an amount of process gas supplied from the first gas supply unit or a distance between the first gas supply unit and the second surface of the substrate. 제5항에 있어서,
상기 제1 가스공급부는 공정가스를 개별적으로 공급하는 복수개의 영역으로 구획되고, 상기 복수개의 영역에 각각 MFC(Mass Flow Controller)가 연결되어 공급되는 공정가스의 양을 조절하거나, 상기 복수개의 영역이 단일 MFC에 연결되어 가스분배모듈에 의해 공급되는 공정가스의 양을 조절하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.According to claim 5,
The first gas supply unit is divided into a plurality of regions for individually supplying process gas, and a Mass Flow Controller (MFC) is connected to each of the plurality of regions to adjust the amount of the supplied process gas or A substrate processing apparatus characterized in that it is connected to a single MFC and controls the amount of process gas supplied by the gas distribution module. 제5항에 있어서,
상기 제1 가스공급부는
상기 기판의 제2 면 까지의 거리가 변화되도록 회전 가능하게 구비되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.According to claim 5,
The first gas supply unit
A substrate processing apparatus characterized in that it is rotatably provided so that the distance to the second surface of the substrate is changed. 제5항에 있어서,
상기 제1 가스공급부는
상기 기판의 제2 면 까지의 거리가 변화되도록 상하로 각각 이동 가능하게 구비되는 복수개의 상하플레이트를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
According to claim 5,
The first gas supply unit
A substrate processing apparatus comprising a plurality of upper and lower plates respectively movable up and down so that a distance to the second surface of the substrate is changed.
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