KR20230071834A - Wafer processing robot including orienter and contact sensor and method of operation - Google Patents

Wafer processing robot including orienter and contact sensor and method of operation Download PDF

Info

Publication number
KR20230071834A
KR20230071834A KR1020210156723A KR20210156723A KR20230071834A KR 20230071834 A KR20230071834 A KR 20230071834A KR 1020210156723 A KR1020210156723 A KR 1020210156723A KR 20210156723 A KR20210156723 A KR 20210156723A KR 20230071834 A KR20230071834 A KR 20230071834A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
wafer
robot
chamber
pvd
contact sensor
Prior art date
Application number
KR1020210156723A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
이상협
Original Assignee
주식회사 에스피에스글로벌
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 에스피에스글로벌 filed Critical 주식회사 에스피에스글로벌
Priority to KR1020210156723A priority Critical patent/KR20230071834A/en
Publication of KR20230071834A publication Critical patent/KR20230071834A/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B25—HAND TOOLS; PORTABLE POWER-DRIVEN TOOLS; MANIPULATORS
    • B25J—MANIPULATORS; CHAMBERS PROVIDED WITH MANIPULATION DEVICES
    • B25J11/00—Manipulators not otherwise provided for
    • B25J11/0095—Manipulators transporting wafers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B25—HAND TOOLS; PORTABLE POWER-DRIVEN TOOLS; MANIPULATORS
    • B25J—MANIPULATORS; CHAMBERS PROVIDED WITH MANIPULATION DEVICES
    • B25J9/00—Programme-controlled manipulators
    • B25J9/10—Programme-controlled manipulators characterised by positioning means for manipulator elements
    • B25J9/1005—Programme-controlled manipulators characterised by positioning means for manipulator elements comprising adjusting means
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/02—Pretreatment of the material to be coated
    • C23C14/021—Cleaning or etching treatments
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/58—After-treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67207—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67259—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • H01L21/681—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment using optical controlling means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68707—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a robot blade, or gripped by a gripper for conveyance

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

A wafer processing robot including an orienter and a contact sensor according to the present invention includes: a first wafer robot (200) installed inside a PVD device (100); an image sensor (111) installed on one side of the PVD device (100); a blade part (210) installed on one side of the wafer processing robot (200); and an orienter part (220) installed at the bottom of the blade part (210). Therefore, processes can be improved efficiently.

Description

오리엔터와 접촉센서를 포함하는 웨이퍼 처리기 로봇 및 그의 작동 방법{Wafer processing robot including orienter and contact sensor and method of operation}Wafer processing robot including orienter and contact sensor and method of operation

본 발명은 오리엔터와 접촉센서를 포함하는 웨이퍼 처리기 로봇 및 그의 작동 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 웨이퍼 처리기 로봇의 블레이드에 오리엔터와 접촉센서를 구비하여 웨이퍼 처리기 로봇이 웨이퍼 방향 잡기 작업을 시행하고, 상기 웨이퍼를 탐지하여 가스 챔버의 구조를 간단히 하고 PVD(Physical Vapour Deposition, 물리적 증착법) 공정을 효율적으로 개선하는 오리엔터와 접촉센서를 포함하는 웨이퍼 처리기 로봇 및 그의 작동 방법이다.The present invention relates to a wafer handling robot including an orienter and a contact sensor and an operating method thereof, and more particularly, to a blade of the wafer handling robot by providing an orientor and a contact sensor so that the wafer handling robot performs a wafer orientation task. A wafer handling robot including an orientor and a contact sensor that detects the wafer, simplifies the structure of a gas chamber, and efficiently improves a Physical Vapor Deposition (PVD) process, and an operating method thereof.

종래의 웨이퍼 처리기 로봇이 설치되는 PVD 장치는 가스 제거 챔버 내부에 오리엔터가 설치되어 레이져 어셈블리, 광학 감지기, 웨이퍼 오리엔터 기판, 웨이퍼 회전 어셈블리가 가스 제거 챔버 내부에 설치되어고 가스 제거 챔버 내에서 웨이퍼 방향 잡기 작업을 시행하고, 종래의 웨이퍼 처리기 로봇의 블레이드는 웨이퍼 탐지를 위해 구멍에 빛을 쏘아 반사여부를 통해 웨이퍼를 탐지하여 구조가 복잡하고 공정이 비효율적인 문제점이 있었다.In a PVD device in which a conventional wafer handling robot is installed, an orientor is installed inside a degassing chamber, and a laser assembly, an optical sensor, a wafer orientor substrate, and a wafer rotation assembly are installed inside the degassing chamber, and a wafer is placed in the degassing chamber. Orientation is performed, and the blade of the conventional wafer handling robot shoots light into a hole to detect the wafer and detects the wafer through reflection, so the structure is complicated and the process is inefficient.

KRKR 10-2001-0098615 10-2001-0098615 AA 2001.11.082001.11.08 KRKR 10-2005-0105517 10-2005-0105517 AA 2005.11.042005.11.04

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로,The present invention was made to solve the above problems,

본 발명의 목적은 웨이퍼 처리기 로봇의 블레이드에 오리엔터와 접촉센서를 구비하여 웨이퍼 처리기 로봇이 웨이퍼 방향 잡기 작업을 시행하고, 상기 웨이퍼를 탐지하여 가스 챔버의 구조를 간단히 하고 PVD(Physical Vapour Deposition, 물리적 증착법) 공정을 효율적으로 개선하는 오리엔터와 접촉센서를 포함하는 웨이퍼 처리기 로봇 및 그의 작동 방법을 제공하는데 있다.An object of the present invention is to equip a blade of a wafer handling robot with an orientor and a contact sensor so that the wafer handling robot performs a wafer orientation task, detects the wafer, simplifies the structure of a gas chamber, and PVD (Physical Vapor Deposition, physical vapor deposition). Deposition method) To provide a wafer handling robot including an orientor and a contact sensor that efficiently improves a process and an operating method thereof.

상기와 같은 기술적인 문제점을 해결하기 위하여, 본 발명에 의한 오리엔터와 접촉센서를 포함하는 웨이퍼 처리기 로봇은 PVD(Physical Vapour Deposition, 물리적 증착법) 장치(100)의 내부에 설치되는 제1 웨이퍼 로봇(200)과 상기 PVD 장치(100)의 일측에 설치되는 화상 센서(111)와 상기 제1 웨이퍼 로봇(200)의 일측에 설치되는 블레이드부(210)와 상기 블레이드부(210)의 하단에 설치되는 오리엔터부(220)를 포함하여 구성되는 것을 것을 특징으로 한다.In order to solve the above technical problems, a wafer handling robot including an orientor and a contact sensor according to the present invention is a first wafer robot installed inside a physical vapor deposition (PVD) device 100 ( 200), an image sensor 111 installed on one side of the PVD device 100, a blade unit 210 installed on one side of the first wafer robot 200, and a lower end of the blade unit 210 It is characterized in that it is configured to include an orienter unit 220.

또한 바람직하게는 상기 PVD 장치(100)는 상기 PVD 장치(100)의 메인 프레임(110)과 상기 메인 프레임(110)의 일측에 설치되는 화상 센서(111)와 상기 PVD 장치 내부에서 PVD 가공되는 웨이퍼(400)와 상기 메인 프레임(110)의 일측에 설치되어 상기 웨이퍼(400)를 수용하는 제1 로드록(120_1) 및 제2 로드록(120_2)과 상기 메인 프레임(110)의 내부에 설치되어 내부에 상기 제1 웨이퍼 로봇(200)이 설치되는 버퍼 챔버(130)와 상기 메인 프레임(110)의 내부에 설치되어 상기 웨이퍼(400)를 예비 세척하는 예비 세척 챔버(140)와 상기 메인 프레임(110)의 내부에 설치되어 제2 웨이퍼 로봇(300)이 설치되는 운송 챔버(150)와 상기 메인 프레임(110)의 일측에 설치되어 상기 웨이퍼(400)의 PVD 공정을 진행하는 다수의 PVD 챔버(160)와 상기 메인 프레임(110)의 내부에 설치되어 상기 웨이퍼(400)를 냉각시키는 냉각 챔버(170)와 상기 메인 프레임(110)의 일측에 설치되어 상기 웨이퍼(400)의 가스를 제거시키는 가스 제거 챔버(180)와 상기 버퍼 챔버(130)의 내부에 설치되어 상기 웨이퍼(400)를 이송하는 제1 웨이퍼 로봇(200)과 상기 운송 챔버(150)의 내부에 설치되어 상기 웨이퍼(400)를 이송하는 제2 웨이퍼 로봇(300)과 상기 메인 프레임(110)의 외부에 설치되어 상기 PVD 장치(100)를 제어하는 시스템 제어기(500)를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.Also preferably, the PVD device 100 includes a main frame 110 of the PVD device 100, an image sensor 111 installed on one side of the main frame 110, and a wafer that is PVD processed inside the PVD device. 400 and the first load lock 120_1 and the second load lock 120_2 installed on one side of the main frame 110 and accommodating the wafer 400 and the inside of the main frame 110 The buffer chamber 130 in which the first wafer robot 200 is installed, the preliminary cleaning chamber 140 installed inside the main frame 110 to pre-clean the wafer 400, and the main frame ( 110) installed inside the transport chamber 150 in which the second wafer robot 300 is installed and a plurality of PVD chambers installed on one side of the main frame 110 to perform the PVD process of the wafer 400 ( 160) and a cooling chamber 170 installed inside the main frame 110 to cool the wafer 400 and a gas installed on one side of the main frame 110 to remove gas from the wafer 400 The first wafer robot 200 installed inside the removal chamber 180 and the buffer chamber 130 to transport the wafer 400 and the first wafer robot 200 installed inside the transport chamber 150 to transport the wafer 400 It is characterized in that it is configured to include a second wafer robot 300 that transfers and a system controller 500 installed outside the main frame 110 to control the PVD device 100.

또한 바람직하게는 상기 제1 웨이퍼 로봇(200)은 상기 웨이퍼 로봇(200)의 일측에 설치되는 블레이드부(210)와 상기 블레이드부(210)의 하단에 설치되는 오리엔터부(220)를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.Also preferably, the first wafer robot 200 includes a blade unit 210 installed on one side of the wafer robot 200 and an orientor unit 220 installed at a lower end of the blade unit 210. characterized by being

또한 바람직하게는 상기 블레이드부(210)는 상기 블레이드부(210)의 일측에 설치되는 블레이드(211)와 상기 블레이드부(210)의 일측에 설치되어 웨이퍼(400)를 지지하고 상기 웨이퍼(400)를 회전하는 웨이퍼 척(212)와 상기 웨이퍼 척(212)의 상단 중앙에 설치되어 상기 웨이퍼(400)를 지지하면 접촉 신호를 발생하는 접촉 센서(213)를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.Also preferably, the blade part 210 is installed on one side of the blade part 210 and the blade 211 installed on one side of the blade part 210 to support the wafer 400, and the wafer 400 It is characterized in that it is configured to include a wafer chuck 212 that rotates and a contact sensor 213 installed at the top center of the wafer chuck 212 to generate a contact signal when the wafer 400 is supported.

또한 바람직하게는 상기 오리엔터부(220)는 상기 오리엔터부(220) 내부에 설치되어 상기 화상 센서(111)에서 영상 데이터를 받아 상기 웨이퍼 척(212)의 회전을 제어하는 오리엔터 제어부(221)와 상기 오리엔터부(220) 내부에 설치되어 상기 오리엔터 제어부(221)가 상기 웨이퍼 척(212)의 회전을 제어할 때 동력을 발생하는 웨이퍼 회전 모터(222)를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.Also preferably, the orientor unit 220 is installed inside the orientor unit 220 to receive image data from the image sensor 111 and control the rotation of the wafer chuck 212. It is characterized in that it is configured to include a wafer rotation motor 222 installed inside the orienter unit 220 and generating power when the orienter control unit 221 controls rotation of the wafer chuck 212 .

또한 바람직하게는 상기 접촉 센서(213)는 상기 웨이퍼 척(212)이 상기 웨이퍼(400)를 지지하면 접촉 신호를 발생하고 발생한 접촉 신호를 상기 시스템 제어기로 전달하는 것을 특징으로 한다.Also preferably, the contact sensor 213 generates a contact signal when the wafer chuck 212 supports the wafer 400 and transfers the generated contact signal to the system controller.

한편, 오리엔터와 접촉 센서를 포함하는 웨이퍼 처리기 로봇의 작동 방법은 제1 로드록(120_1)이 다수의 웨이퍼(400)를 가진 카세트를 받는 제1 단계(S100), 상기 웨이퍼(400)를 제1 웨이퍼 로봇(200)에 의해 예비 세척 챔버(150)으로 이송되는 제2 단계(S200), 상기 제1 웨이퍼 로봇(200)의 접촉센서(213)가 상기 웨이퍼(400)와 접촉하여 접촉신호를 발생하여 시스템 제어기(500)로 전달하는 제3 단계(S300), 상기 웨이퍼(400)가 운송 챔버(150) 내부에 설치된 제2 웨이퍼 로봇(300)에 의해 다수의 PVD 챔버(160)중 어느 하나의 PVD 챔버(160)로 이송되는 제4 단계(S400), 상기 PVD 챔버(160)에서 PVD 공정을 하는 제5 단계(S500), 상기 웨이퍼(400)가 상기 제2 웨이퍼 로봇(300)에 의해 냉각 챔버(170)로 이송되는 제6 단계(S600), 상기 냉각 챔버(170)에서 냉각 공정을 하는 제7 단계(S700), 상기 웨이퍼(400)를 상기 제1 웨이퍼 로봇(200)이 냉각 챔버에서 꺼내는 제8 단계(S800), 상기 제1 웨이퍼 로봇(200)의 상기 접촉센서(213)가 상기 웨이퍼(400)와 접촉하여 접촉신호를 발생하여 시스템 제어기(500)로 전달하는 제9 단계(S900), 화상 센서(111)가 상기 웨이퍼(400)의 영상 데이터를 센싱하는 제10 단계(S1000), 오리엔터부(220)의 오리엔터 제어부(221)가 상기 제9 단계(S900)에서 센싱된 데이터로 상기 웨이퍼(400)의 PVD 장치(100)와의 각도를 계산하고, 상기 웨이퍼(400)의 회전 각도를 결정하는 제11 단계(S1100), 상기 제1 웨이퍼 로봇(200)이 상기 제1 웨이퍼 로봇(200)의 웨이퍼 회전 모터(222)가 상기 제11 단계(S1100)에서 결정한 회전 각도로 상기 웨이퍼(400)를 회전 시키면서 가스 제거 챔버(180)로 상기 웨이퍼(400)를 이송하는 제12 단계(S1200), 상기 가스 제거 챔버(180)에서 가스 제거 공정을 하는 제13 단계(S1300), 상기 제1 웨이퍼 로봇(200)이 상기 웨이퍼(400)를 상기 가스 제거 챔버(180)에서 제2 로드록(120_2)로 이송하는 제14 단계(S1400)인 것을 특징으로 한다.Meanwhile, a method of operating a wafer handling robot including an orientor and a contact sensor includes a first step (S100) in which the first load lock 120_1 receives a cassette having a plurality of wafers 400, and removes the wafers 400. In the second step (S200) of being transferred to the pre-cleaning chamber 150 by the first wafer robot 200, the contact sensor 213 of the first wafer robot 200 contacts the wafer 400 to generate a contact signal. A third step (S300) in which the wafer 400 is generated and transferred to the system controller 500 is transferred to one of the plurality of PVD chambers 160 by the second wafer robot 300 installed inside the transport chamber 150. The fourth step (S400) of transferring to the PVD chamber 160, the fifth step (S500) of carrying out a PVD process in the PVD chamber 160, the wafer 400 is moved by the second wafer robot 300 A sixth step of transferring the wafer 400 to the cooling chamber 170 (S600), a seventh step of performing a cooling process in the cooling chamber 170 (S700), and the first wafer robot 200 moves the wafer 400 into the cooling chamber. An eighth step (S800) of removing the wafer from the wafer 400, a ninth step ( S900), a tenth step in which the image sensor 111 senses the image data of the wafer 400 (S1000), and the orienter control unit 221 of the orienter unit 220 senses the image data of the wafer 400 in the ninth step (S900). An eleventh step (S1100) of calculating the angle of the wafer 400 with respect to the PVD device 100 using the data and determining the rotation angle of the wafer 400, wherein the first wafer robot 200 performs the first wafer A twelfth step of transferring the wafer 400 to the gas removal chamber 180 while the wafer rotation motor 222 of the robot 200 rotates the wafer 400 at the rotation angle determined in the 11th step (S1100). (S1200), a thirteenth step of performing a degassing process in the degassing chamber 180 (S1300), the first wafer robot 200 loads the wafer 400 in the degassing chamber 180 for a second load It is characterized in that it is the 14th step (S1400) of transferring to the lock 120_2.

상기한 바와 같이 이루어진 본 발명의 오리엔터와 접촉센서를 포함하는 웨이퍼 처리기 로봇 및 그의 작동 방법에 따르면, 다음과 같은 효과를 얻을 수 있다.According to the wafer handling robot and its operating method including the orientor and the contact sensor of the present invention made as described above, the following effects can be obtained.

웨이퍼 처리기 로봇의 블레이드에 오리엔터와 접촉센서를 구비하여 웨이퍼 처리기 로봇이 웨이퍼 방향 잡기 작업을 시행하고, 상기 웨이퍼를 탐지하여 가스 챔버의 구조를 간단히 하고 PVD(Physical Vapour Deposition, 물리적 증착법) 공정을 효율적으로 개선할 수 있다.By equipping the blade of the wafer handling robot with an orientor and a contact sensor, the wafer handling robot performs a wafer orientation task, and detects the wafer to simplify the structure of the gas chamber and efficiently perform the PVD (Physical Vapor Deposition) process. can be improved by

본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.Although the present invention has been described with reference to the embodiments shown in the drawings, this is only exemplary, and those skilled in the art will understand that various modifications and equivalent other embodiments are possible therefrom. Therefore, the true technical scope of protection of the present invention should be determined by the technical spirit of the appended claims.

도 1은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 오리엔터와 접촉센서를 포함하는 웨이퍼 처리기 로봇의 PVD 장치를 도시한 평면도.
도 2는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 오리엔터와 접촉센서를 포함하는 웨이퍼 처리기 로봇의 웨이퍼, 블레이드부, 및 오리엔터부를 도시한 사시도.
도 3은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 오리엔터와 접촉센서를 포함하는 웨이퍼 처리기 로봇의 웨이퍼, 블레이드부, 및 오리엔터부를 도시한 측면도.
도 4는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 오리엔터와 접촉센서를 포함하는 웨이퍼 처리기 로봇 도시한 블록도.1 is a plan view showing a PVD device of a wafer handling robot including an orientor and a contact sensor according to a preferred embodiment of the present invention.
2 is a perspective view illustrating a wafer, a blade unit, and an orienter unit of a wafer handling robot including an orientor and a contact sensor according to a preferred embodiment of the present invention;
3 is a side view illustrating a wafer, a blade unit, and an orienter unit of a wafer handling robot including an orientor and a contact sensor according to a preferred embodiment of the present invention;
Figure 4 is a block diagram showing a wafer handling robot including an orientor and a contact sensor according to a preferred embodiment of the present invention.

이하, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세히 설명하기 위하여, 본 발명의 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 설명하기로 한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings in order to describe in detail enough for those skilled in the art to easily implement the technical idea of the present invention.

그러나, 하기 실시예는 본 발명의 이해를 돕기 위한 일 예에 불과한 것으로 이에 의해 본 발명의 권리범위가 축소되거나 한정되는 것은 아니다. 또한, 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.However, the following examples are merely examples to aid understanding of the present invention, and the scope of the present invention is not reduced or limited thereby. In addition, the present invention may be embodied in many different forms and is not limited to the embodiments described herein.

도 1은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 오리엔터와 접촉센서를 포함하는 웨이퍼 처리기 로봇의 PVD 장치를 도시한 평면도이다.1 is a plan view showing a PVD device of a wafer handling robot including an orientor and a contact sensor according to a preferred embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, PVD 장치(100)는 메인 프레임(110), 화상 센서(111), 웨이퍼(400), 제1 로드록(120_1), 제2 로드록(120_2), 버퍼 챔버(140), 예비 세척 챔버(150), 다수의 PVD 챔버(160), 냉각 챔버(170), 가스 제거 챔버(180), 제1 웨이퍼 로봇(200), 제2 웨이퍼 로봇(300), 및 시스템 제어기(500)를 포함하여 구성될 수 있다.Referring to FIG. 1 , the PVD device 100 includes a main frame 110, an image sensor 111, a wafer 400, a first load lock 120_1, a second load lock 120_2, and a buffer chamber 140. , a preliminary cleaning chamber 150, a plurality of PVD chambers 160, a cooling chamber 170, a degassing chamber 180, a first wafer robot 200, a second wafer robot 300, and a system controller 500 ).

상기 메인 프레임(110)은 상기 PVD 장치의 모든 상기 웨이퍼(400) 처리 및 공정이 이루어질 수 있다.The main frame 110 may perform all processing and processing of the wafer 400 of the PVD device.

상기 제1 로드록(120_1)은 상기 메인 프레임(110)내에서 상기 웨이퍼(400) 운송의 시작점으로 다수의 상기 웨이퍼(400)를 가진 카세트를 받을 수 있다.The first load lock 120_1 may receive a cassette having a plurality of wafers 400 as a starting point for transporting the wafers 400 within the main frame 110 .

상기 제1 로드록(120_1)의 상기 웨이퍼(400)는 상기 버퍼 챔버(140) 내부에 마련된 상기 제1 웨이퍼 로봇(200)에 의해 상기 예비 세척 챔버(150)으로 이송되게 된다.The wafer 400 of the first load lock 120_1 is transferred to the preliminary cleaning chamber 150 by the first wafer robot 200 provided inside the buffer chamber 140 .

도 2는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 오리엔터와 접촉센서를 포함하는 웨이퍼 처리기 로봇의 웨이퍼, 블레이드부, 및 오리엔터부를 도시한 사시도 이고, 도 3은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 오리엔터와 접촉센서를 포함하는 웨이퍼 처리기 로봇의 웨이퍼, 블레이드부, 및 오리엔터부를 도시한 측면도이고, 도 4는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 오리엔터와 접촉센서를 포함하는 웨이퍼 처리기 로봇 도시한 블록도이다.2 is a perspective view illustrating a wafer, a blade unit, and an orienter unit of a wafer handling robot including an orientor and a contact sensor according to a preferred embodiment of the present invention, and FIG. 3 is a perspective view according to a preferred embodiment of the present invention. It is a side view showing a wafer, a blade part, and an orienter part of a wafer handling robot including an orientor and a contact sensor, and FIG. 4 is a view of a wafer handling robot including an orientor and a contact sensor according to a preferred embodiment of the present invention. It is a block diagram.

도 2 내지 도 4를 참조하면, 상기 제1 웨이퍼 로봇(200)은 블레이드부(210)와 오리엔터부(220)를 포함하여 구성될 수 있다.Referring to FIGS. 2 to 4 , the first wafer robot 200 may include a blade unit 210 and an orienter unit 220 .

여기서, 상기 블레이드부(210)는 블레이드(211), 웨이퍼 척(212), 및 접촉 센서(213)를 포함하여 구성될 수 있다.Here, the blade unit 210 may include a blade 211 , a wafer chuck 212 , and a contact sensor 213 .

또한, 상기 오리엔터부(220)는 오리엔터 제어부(221), 및 웨이퍼 회전 모터(222)를 포함하여 구성될 수 있다.In addition, the orientor unit 220 may include an orientor control unit 221 and a wafer rotation motor 222 .

상기 제1 웨이퍼 로봇(200)이 상기 웨이퍼(400)를 이송할 때 상기 웨이퍼(400)는 상기 블레이드부(210)의 상기 웨이퍼 척(212)에 의해 지지 될 수 있다.When the first wafer robot 200 transfers the wafer 400 , the wafer 400 may be supported by the wafer chuck 212 of the blade unit 210 .

여기서, 상기 웨이퍼 척(212)의 상단 중앙에 위치한 상기 접촉 센서(213)은 상기 웨이퍼(400)와 접촉하면서 접촉 신호를 발생할 수 있다.Here, the contact sensor 213 located at the center of the top of the wafer chuck 212 may generate a contact signal while contacting the wafer 400 .

또한, 발생한 상기 접촉 신호는 상기 시스템 제어기(500)로 전송될 수 있다.Also, the generated contact signal may be transmitted to the system controller 500 .

따라서, 상기 시스템 제어기(500)에서 상기 접촉 센서(213)이 발생한 상기 접촉 신호를 통해 상기 웨이퍼(400)의 유무를 판별할 수 있다.Therefore, the presence or absence of the wafer 400 can be determined through the contact signal generated by the contact sensor 213 in the system controller 500 .

상기 예비 세척 챔버(140)는 PVD 공정 전에 상기 웨이퍼(400)를 에칭 시킬 수 있다.The preliminary cleaning chamber 140 may etch the wafer 400 before a PVD process.

상기 웨이퍼(400)는 상기 운송 챔버(150) 내부에 설치된 상기 제2 웨이퍼 로봇(300)에 의해 상기 다수의 PVD 챔버(160)중 어느 하나의 PVD 챔버(160)로 이송된 후, PVD 공정을 거친 후, 상기 제2 웨이퍼 로봇(300)에 의해 상기 냉각 챔버(170)로 이송되어 냉각 공정을 거칠 수 있다.After the wafer 400 is transferred to one PVD chamber 160 among the plurality of PVD chambers 160 by the second wafer robot 300 installed inside the transfer chamber 150, a PVD process is performed. After processing, the second wafer robot 300 transfers the wafer to the cooling chamber 170 and may undergo a cooling process.

상기 냉각 챔버(170)에서 상기 냉각 공정을 마친 상기 웨이퍼(400)는 상기 제1 웨이퍼 로봇(200)에 의해 상기 냉각 챔버(170)에서 꺼내질 수 있다.The wafer 400 that has completed the cooling process in the cooling chamber 170 may be taken out of the cooling chamber 170 by the first wafer robot 200 .

여기서, 상기 화상 센서(111)는 상기 웨이퍼(400)의 영상 데이터를 센싱하여 상기 오리엔터부(220)의 상기 오리엔터 제어부(221)로 전송할 수 있다.Here, the image sensor 111 may sense image data of the wafer 400 and transmit the sensed image data to the orientor control unit 221 of the orienter unit 220 .

또한, 상기 제1 웨이퍼 로봇(220)은 상기 웨이퍼(400)를 상기 가스 제거 챔버(180)로 이송함과 동시에 상기 웨이퍼(400)를 회전시킬 수 있다.Also, the first wafer robot 220 may rotate the wafer 400 while transferring the wafer 400 to the gas removal chamber 180 .

여기서, 상기 오리엔터 제어부(221)는 상기 화상 센서(111)에서 센싱한 영상 데이터로 상기 웨이퍼(400)의 상기 PVD 장치(100)와의 각도를 계산하고, 계산한 값을 통해 상기 웨이퍼(400)의 회전 각도를 결정하여 상기 웨이퍼 회전 모터(222)를 회전시킬 수 있다.Here, the orienter controller 221 calculates the angle of the wafer 400 with the PVD device 100 using the image data sensed by the image sensor 111, and calculates the angle of the wafer 400 through the calculated value. The wafer rotation motor 222 may be rotated by determining a rotation angle of .

또한, 상기 웨이퍼 회전 모터(222)는 상기 웨이퍼 척(212)와 동축 결합되어 상기 오리엔터 제어부(221)에 의해 회전하여 상기 웨이퍼 척(212)를 회전시킬 수 있다.Also, the wafer rotation motor 222 may be coaxially coupled with the wafer chuck 212 and rotated by the orientor controller 221 to rotate the wafer chuck 212 .

따라서, 상기 웨이퍼 척(212)은 상기 웨이퍼 회전 모터(222)에 의해 회전하여 상기 웨이퍼 척(212)에 의해 지지되는 상기 웨이퍼(400)를 회전시킬 수 있다.Accordingly, the wafer chuck 212 may be rotated by the wafer rotation motor 222 to rotate the wafer 400 supported by the wafer chuck 212 .

상기 웨이퍼(400)는 상기 가스 제거 챔버(180)에서 가스 제거 공정을 거친 후 상기 제2 로드록(120_2)에 이송될 수 있다.The wafer 400 may be transferred to the second load lock 120_2 after passing through a degassing process in the degassing chamber 180 .

도 5는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 오리엔터와 접촉센서를 포함하는 웨이퍼 처리기 로봇의 작동 방법을 도시한 흐름도이다.5 is a flowchart illustrating a method of operating a wafer handling robot including an orientor and a contact sensor according to a preferred embodiment of the present invention.

도 5를 참조하면, 오리엔터와 접촉 센서를 포함하는 웨이퍼 처리기 로봇의 작동 방법은 제1 로드록(120_1)이 다수의 웨이퍼(400)를 가진 카세트를 받는 제1 단계(S100), 상기 웨이퍼(400)를 제1 웨이퍼 로봇(200)에 의해 예비 세척 챔버(150)으로 이송되는 제2 단계(S200), 상기 제1 웨이퍼 로봇(200)의 접촉센서(213)가 상기 웨이퍼(400)와 접촉하여 접촉신호를 발생하여 시스템 제어기(500)로 전달하는 제3 단계(S300), 상기 웨이퍼(400)가 운송 챔버(150) 내부에 설치된 제2 웨이퍼 로봇(300)에 의해 다수의 PVD 챔버(160)중 어느 하나의 PVD 챔버(160)로 이송되는 제4 단계(S400), 상기 PVD 챔버(160)에서 PVD 공정을 하는 제5 단계(S500), 상기 웨이퍼(400)가 상기 제2 웨이퍼 로봇(300)에 의해 냉각 챔버(170)로 이송되는 제6 단계(S600), 상기 냉각 챔버(170)에서 냉각 공정을 하는 제7 단계(S700), 상기 웨이퍼(400)를 상기 제1 웨이퍼 로봇(200)이 냉각 챔버에서 꺼내는 제8 단계(S800), 상기 제1 웨이퍼 로봇(200)의 상기 접촉센서(213)가 상기 웨이퍼(400)와 접촉하여 접촉신호를 발생하여 시스템 제어기(500)로 전달하는 제9 단계(S900), 화상 센서(111)가 상기 웨이퍼(400)의 영상 데이터를 센싱하는 제10 단계(S1000), 오리엔터부(220)의 오리엔터 제어부(221)가 상기 제9 단계(S900)에서 센싱된 데이터로 상기 웨이퍼(400)의 PVD 장치(100)와의 각도를 계산하고, 상기 웨이퍼(400)의 회전 각도를 결정하는 제11 단계(S1100), 상기 제1 웨이퍼 로봇(200)이 상기 제1 웨이퍼 로봇(200)의 웨이퍼 회전 모터(222)가 상기 제11 단계(S1100)에서 결정한 회전 각도로 상기 웨이퍼(400)를 회전 시키면서 가스 제거 챔버(180)로 상기 웨이퍼(400)를 이송하는 제12 단계(S1200), 상기 가스 제거 챔버(180)에서 가스 제거 공정을 하는 제13 단계(S1300), 상기 제1 웨이퍼 로봇(200)이 상기 웨이퍼(400)를 상기 가스 제거 챔버(180)에서 제2 로드록(120_2)로 이송하는 제14 단계(S1400)일 수 있다.Referring to FIG. 5 , a method of operating a wafer handling robot including an orientor and a contact sensor includes a first step (S100) in which a first load lock 120_1 receives a cassette having a plurality of wafers 400, the wafers ( 400) is transferred to the pre-cleaning chamber 150 by the first wafer robot 200 (S200), the contact sensor 213 of the first wafer robot 200 contacts the wafer 400 A third step (S300) of generating a contact signal and transmitting it to the system controller 500 (S300), the plurality of PVD chambers 160 by the second wafer robot 300 installed inside the transport chamber 150 ), the fourth step (S400) of transferring to any one of the PVD chambers 160, the fifth step (S500) of carrying out a PVD process in the PVD chamber 160, the wafer 400 is the second wafer robot ( 300) to the cooling chamber 170 in the sixth step (S600), the cooling chamber 170 performs a cooling process (S700), and the wafer 400 is transferred to the first wafer robot 200. ) is taken out of the cooling chamber (S800), the contact sensor 213 of the first wafer robot 200 contacts the wafer 400 to generate a contact signal and transmit it to the system controller 500 A ninth step (S900), a tenth step (S1000) in which the image sensor 111 senses image data of the wafer 400, and the orienter controller 221 of the orienter unit 220 performs the ninth step (S900). An eleventh step (S1100) of calculating the angle of the wafer 400 with the PVD device 100 using the data sensed in ) and determining the rotation angle of the wafer 400, the first wafer robot 200 The wafer rotation motor 222 of the first wafer robot 200 transfers the wafer 400 to the gas removal chamber 180 while rotating the wafer 400 at the rotation angle determined in the eleventh step (S1100). a twelfth step (S1200), a thirteenth step (S1300) of performing a degassing process in the degassing chamber 180, and the first wafer robot 200 moves the wafer 400 to the degassing chamber 180. It may be a 14th step (S1400) of transferring from to the second load lock 120_2.

이상과 같이 본 발명은 오리엔터와 접촉센서를 포함하는 웨이퍼 처리기 로봇 및 그의 작동 방법을 주요한 기술적 사상으로 하고 있으며, 도면을 참고하여 상술한 실시예는 단지 하나의 실시예에 불과하고, 본 발명의 진정한 권리 범위는 특허 청구범위를 기준으로 하되, 다양하게 존재할 수 있는 균등한 실시예에도 미친다 할 것이다.As described above, the present invention has a wafer handling robot including an orientor and a contact sensor and a method of operating the same as a main technical idea, and the embodiment described above with reference to the drawings is only one embodiment, and the present invention The true scope of rights will be based on the scope of the patent claims, but will also extend to equivalent embodiments that may exist in various ways.

100: PVD 장치 110: 메인 프레임
111: 화상 센서 120_1: 제1 로드록
120_2: 제2 로드록 130: 버퍼 챔버
140: 예비 세척 챔버 150: 운송 챔버
160: PVD 챔버 160_1: 제1 PVD 챔버
160_2: 제2 PVD 챔버 160_3: 제3 PVD 챔버
160_4: 제4 PVD 챔버 170: 냉각 챔버
180: 가스 제거 챔버 200: 제1 웨이퍼 로봇
210: 블레이드부 211: 블레이드
212: 웨이퍼 척 213: 첩촉 센서
220: 오리엔터부 221: 오리엔터 제어부
222: 웨이퍼 회전 모터 300: 제2 웨이퍼 로봇
400: 웨이퍼 500: 시스템 제어기100: PVD device 110: main frame
111: image sensor 120_1: first load lock
120_2: second load lock 130: buffer chamber
140: preliminary cleaning chamber 150: transport chamber
160: PVD chamber 160_1: first PVD chamber
160_2: Second PVD chamber 160_3: Third PVD chamber
160_4: fourth PVD chamber 170: cooling chamber
180: gas removal chamber 200: first wafer robot
210: blade unit 211: blade
212: wafer chuck 213: contact sensor
220: orienter unit 221: orienter control unit
222: wafer rotation motor 300: second wafer robot
400: wafer 500: system controller

Claims (7)

오리엔터와 접촉센서를 포함하는 웨이퍼 처리기 로봇에 있어서,
PVD(Physical Vapour Deposition, 물리적 증착법) 장치(100)의 내부에 설치되는 제1 웨이퍼 로봇(200);
상기 PVD 장치(100)의 일측에 설치되는 화상 센서(111);
상기 제1 웨이퍼 처리기 로봇(200)의 일측에 설치되는 블레이드부(210); 및
상기 블레이드부(210)의 하단에 설치되는 오리엔터부(220)를 포함하여 구성되는 것을
특징으로 하는 오리엔터와 접촉 센서를 포함하는 웨이퍼 처리기 로봇.
In the wafer handling robot including an orientor and a contact sensor,
A first wafer robot 200 installed inside the PVD (Physical Vapor Deposition) apparatus 100;
An image sensor 111 installed on one side of the PVD device 100;
a blade unit 210 installed on one side of the first wafer handling robot 200; and
It is configured to include an orientor unit 220 installed at the lower end of the blade unit 210
A wafer handling robot comprising an orienter and a contact sensor.
 제 1항에 있어서,
상기 PVD 장치(100)는
상기 PVD 장치(100)의 메인 프레임(110);
상기 메인 프레임(110)의 일측에 설치되는 화상 센서(111);
상기 PVD 장치 내부에서 PVD 가공되는 웨이퍼(400);
상기 메인 프레임(110)의 일측에 설치되어 상기 웨이퍼(400)를 수용하는 제1 로드록(120_1) 및 제2 로드록(120_2);
상기 메인 프레임(110)의 내부에 설치되어 내부에 상기 제1 웨이퍼 로봇(200)이 설치되는 버퍼 챔버(130);
상기 메인 프레임(110)의 내부에 설치되어 상기 웨이퍼(400)를 예비 세척하는 예비 세척 챔버(140);
상기 메인 프레임(110)의 내부에 설치되어 제2 웨이퍼 로봇(300)이 설치되는 운송 챔버(150);
상기 메인 프레임(110)의 일측에 설치되어 상기 웨이퍼(400)의 PVD 공정을 진행하는 다수의 PVD 챔버(160);
상기 메인 프레임(110)의 내부에 설치되어 상기 웨이퍼(400)를 냉각시키는 냉각 챔버(170);
상기 메인 프레임(110)의 일측에 설치되어 상기 웨이퍼(400)의 가스를 제거시키는 가스 제거 챔버(180);
상기 버퍼 챔버(130)의 내부에 설치되어 상기 웨이퍼(400)를 이송하는 제1 웨이퍼 로봇(200);
상기 운송 챔버(150)의 내부에 설치되어 상기 웨이퍼(400)를 이송하는 제2 웨이퍼 로봇(300); 및
상기 메인 프레임(110)의 외부에 설치되어 상기 PVD 장치(100)를 제어하는 시스템 제어기(500)를 포함하여 구성되는 것을
특징으로 하는 오리엔터와 접촉 센서를 포함하는 웨이퍼 처리기 로봇.
According to claim 1,
The PVD device 100 is
Main frame 110 of the PVD device 100;
An image sensor 111 installed on one side of the main frame 110;
a wafer 400 subjected to PVD processing in the PVD apparatus;
a first load lock 120_1 and a second load lock 120_2 installed on one side of the main frame 110 to accommodate the wafer 400;
a buffer chamber 130 installed inside the main frame 110 and in which the first wafer robot 200 is installed;
a pre-cleaning chamber 140 installed inside the main frame 110 to pre-clean the wafer 400;
a transfer chamber 150 installed inside the main frame 110 and in which the second wafer robot 300 is installed;
a plurality of PVD chambers 160 installed on one side of the main frame 110 to perform a PVD process of the wafer 400;
a cooling chamber 170 installed inside the main frame 110 to cool the wafer 400;
a gas removal chamber 180 installed on one side of the main frame 110 to remove gas from the wafer 400;
a first wafer robot 200 installed inside the buffer chamber 130 to transfer the wafer 400;
a second wafer robot 300 installed inside the transfer chamber 150 to transfer the wafer 400; and
It is installed outside the main frame 110 and is configured to include a system controller 500 for controlling the PVD device 100.
A wafer handling robot comprising an orienter and a contact sensor.
 제 2항에 있어서,
상기 제1 웨이퍼 로봇(200)은
상기 웨이퍼 로봇(200)의 일측에 설치되는 블레이드부(210); 및
상기 블레이드부(210)의 하단에 설치되는 오리엔터부(220)를 포함하여 구성되는 것을
특징으로 하는 오리엔터와 접촉 센서를 포함하는 웨이퍼 처리기 로봇.
According to claim 2,
The first wafer robot 200
a blade unit 210 installed on one side of the wafer robot 200; and
It is configured to include an orientor unit 220 installed at the lower end of the blade unit 210
A wafer handling robot comprising an orienter and a contact sensor.
 제 3항에 있어서,
상기 블레이드부(210)는
상기 블레이드부(210)의 일측에 설치되는 블레이드(211);
상기 블레이드부(210)의 일측에 설치되어 웨이퍼(400)를 지지하고 상기 웨이퍼(400)를 회전하는 웨이퍼 척(212); 및
상기 웨이퍼 척(212)의 상단 중앙에 설치되어 상기 웨이퍼(400)를 지지하면 접촉 신호를 발생하는 접촉 센서(213)를 포함하여 구성되는 것을
특징으로 하는 오리엔터와 접촉 센서를 포함하는 웨이퍼 처리기 로봇.
According to claim 3,
The blade part 210 is
A blade 211 installed on one side of the blade unit 210;
a wafer chuck 212 installed on one side of the blade unit 210 to support the wafer 400 and rotate the wafer 400; and
It is installed at the center of the top of the wafer chuck 212 and includes a contact sensor 213 that generates a contact signal when the wafer 400 is supported.
A wafer handling robot comprising an orienter and a contact sensor.
 제 3항에 있어서,
상기 오리엔터부(220)는
상기 오리엔터부(220) 내부에 설치되어 상기 화상 센서(111)에서 영상 데이터를 받아 상기 웨이퍼 척(212)의 회전을 제어하는 오리엔터 제어부(221); 및
상기 오리엔터부(220) 내부에 설치되어 상기 오리엔터 제어부(221)가 상기 웨이퍼 척(212)의 회전을 제어할 때 동력을 발생하는 웨이퍼 회전 모터(222)를 포함하여 구성되는 것을
특징으로 하는 오리엔터와 접촉 센서를 포함하는 웨이퍼 처리기 로봇.
According to claim 3,
The orienter part 220 is
an orientor controller 221 installed inside the orientor unit 220 to receive image data from the image sensor 111 and control rotation of the wafer chuck 212; and
It is installed inside the orienter unit 220 and is configured to include a wafer rotation motor 222 generating power when the orienter control unit 221 controls rotation of the wafer chuck 212.
A wafer handling robot comprising an orienter and a contact sensor.
 제 4항에 있어서,
상기 접촉 센서(213)는
상기 웨이퍼 척(212)이 상기 웨이퍼(400)를 지지하면 접촉 신호를 발생하고 발생한 접촉 신호를 상기 시스템 제어기(500)로 전달하는 것을
특징으로 하는 오리엔터와 접촉 센서를 포함하는 웨이퍼 처리기 로봇.
According to claim 4,
The contact sensor 213 is
When the wafer chuck 212 supports the wafer 400, a contact signal is generated and the generated contact signal is transmitted to the system controller 500.
A wafer handling robot comprising an orienter and a contact sensor.
 오리엔터와 접촉 센서를 포함하는 웨이퍼 처리기 로봇의 작동 방법에 있어서,
제1 로드록(120_1)이 다수의 웨이퍼(400)를 가진 카세트를 받는 제1 단계(S100);
상기 웨이퍼(400)를 제1 웨이퍼 로봇(200)에 의해 예비 세척 챔버(150)으로 이송되는 제2 단계(S200);
상기 제1 웨이퍼 로봇(200)의 접촉센서(213)가 상기 웨이퍼(400)와 접촉하여 접촉신호를 발생하여 시스템 제어기(500)로 전달하는 제3 단계(S300);
상기 웨이퍼(400)가 운송 챔버(150) 내부에 설치된 제2 웨이퍼 로봇(300)에 의해 다수의 PVD 챔버(160)중 어느 하나의 PVD 챔버(160)로 이송되는 제4 단계(S400);
상기 PVD 챔버(160)에서 PVD 공정을 하는 제5 단계(S500);
상기 웨이퍼(400)가 상기 제2 웨이퍼 로봇(300)에 의해 냉각 챔버(170)로 이송되는 제6 단계(S600);
상기 냉각 챔버(170)에서 냉각 공정을 하는 제7 단계(S700);
상기 웨이퍼(400)를 상기 제1 웨이퍼 로봇(200)이 냉각 챔버에서 꺼내는 제8 단계(S800);
상기 제1 웨이퍼 로봇(200)의 상기 접촉센서(213)가 상기 웨이퍼(400)와 접촉하여 접촉신호를 발생하여 시스템 제어기(500)로 전달하는 제9 단계(S900);
화상 센서(111)가 상기 웨이퍼(400)의 영상 데이터를 센싱하는 제10 단계(S1000);
오리엔터부(220)의 오리엔터 제어부(221)가 상기 제9 단계(S900)에서 센싱된 데이터로 상기 웨이퍼(400)의 PVD 장치(100)와의 각도를 계산하고, 상기 웨이퍼(400)의 회전 각도를 결정하는 제11 단계(S1100);
상기 제1 웨이퍼 로봇(200)이 상기 제1 웨이퍼 로봇(200)의 웨이퍼 회전 모터(222)가 상기 제11 단계(S1100)에서 결정한 회전 각도로 상기 웨이퍼(400)를 회전 시키면서 가스 제거 챔버(180)로 상기 웨이퍼(400)를 이송하는 제12 단계(S1200);
상기 가스 제거 챔버(180)에서 가스 제거 공정을 하는 제13 단계(S1300); 및
상기 제1 웨이퍼 로봇(200)이 상기 웨이퍼(400)를 상기 가스 제거 챔버(180)에서 제2 로드록(120_2)로 이송하는 제14 단계(S1400)인 것을
특징으로 하는 오리엔터와 접촉 센서를 포함하는 웨이퍼 처리기 로봇의 작동 방법.A method of operating a wafer handling robot including an orientor and a contact sensor,
A first step (S100) in which the first load lock 120_1 receives a cassette having a plurality of wafers 400;
A second step (S200) of transferring the wafer 400 to the preliminary cleaning chamber 150 by the first wafer robot 200;
A third step (S300) in which the contact sensor 213 of the first wafer robot 200 contacts the wafer 400 to generate a contact signal and transmit it to the system controller 500;
A fourth step (S400) of transferring the wafer 400 to one PVD chamber 160 among a plurality of PVD chambers 160 by the second wafer robot 300 installed inside the transfer chamber 150;
A fifth step (S500) of performing a PVD process in the PVD chamber 160;
A sixth step (S600) of transferring the wafer 400 to the cooling chamber 170 by the second wafer robot 300;
A seventh step (S700) of performing a cooling process in the cooling chamber 170;
An eighth step (S800) of taking the wafer 400 out of the cooling chamber by the first wafer robot 200;
A ninth step (S900) in which the contact sensor 213 of the first wafer robot 200 contacts the wafer 400 to generate a contact signal and transmit it to the system controller 500;
A tenth step (S1000) of sensing image data of the wafer 400 by the image sensor 111;
The orienter control unit 221 of the orientor unit 220 calculates the angle of the wafer 400 with the PVD device 100 based on the data sensed in the ninth step (S900), and the rotation angle of the wafer 400. An eleventh step of determining (S1100);
While the first wafer robot 200 rotates the wafer 400 at the rotation angle determined in the eleventh step (S1100) by the wafer rotation motor 222 of the first wafer robot 200, the gas removal chamber 180 A twelfth step (S1200) of transferring the wafer 400 to );
A thirteenth step (S1300) of performing a degassing process in the degassing chamber 180; and
The 14th step (S1400) of the first wafer robot 200 transferring the wafer 400 from the gas removal chamber 180 to the second load lock 120_2
A method of operating a wafer handling robot including an orientor and a contact sensor.
KR1020210156723A 2021-11-15 2021-11-15 Wafer processing robot including orienter and contact sensor and method of operation KR20230071834A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020210156723A KR20230071834A (en) 2021-11-15 2021-11-15 Wafer processing robot including orienter and contact sensor and method of operation

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020210156723A KR20230071834A (en) 2021-11-15 2021-11-15 Wafer processing robot including orienter and contact sensor and method of operation

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20230071834A true KR20230071834A (en) 2023-05-24

Family

ID=86541138

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020210156723A KR20230071834A (en) 2021-11-15 2021-11-15 Wafer processing robot including orienter and contact sensor and method of operation

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20230071834A (en)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010098615A (en) 2000-04-14 2001-11-08 조셉 제이. 스위니 Improved robot for handling semiconductor wafers
KR20050105517A (en) 2003-03-11 2005-11-04 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 Vision system and method for calibrating a wafer carrying robot

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010098615A (en) 2000-04-14 2001-11-08 조셉 제이. 스위니 Improved robot for handling semiconductor wafers
KR20050105517A (en) 2003-03-11 2005-11-04 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 Vision system and method for calibrating a wafer carrying robot

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102386557B1 (en) Substrate processing method and substrate processing system
JP7106681B2 (en) Dual load lock chamber
US9929030B2 (en) Substrate processing device and substrate transfer method
US20050118000A1 (en) Treatment subject receiving vessel body, and treating system
WO2003007095A1 (en) Method for determining a position of a robot
US11148179B2 (en) Method for cleaning substrate transfer mechanism and substrate processing system
JP5003315B2 (en) Substrate processing apparatus, substrate processing method, and storage medium
JP2007251090A (en) Carrying position adjustment method of vacuum processor, vacuum processor and computer storage medium
US20200373183A1 (en) System and method for aligning a mask with a substrate
TWI796587B (en) Method and electronics processing system for mapping of a replacement parts storage container
JP4961893B2 (en) Substrate transport apparatus and substrate transport method
JP6663774B2 (en) Substrate transfer method and substrate processing system
JP2010093169A (en) Substrate transfer method, control program, and storage medium
US20100089423A1 (en) Cleaning method and storage medium
US20220051918A1 (en) Transfer chamber with integrated substrate pre-process chamber
KR20230071834A (en) Wafer processing robot including orienter and contact sensor and method of operation
US11542592B2 (en) Film forming system and method for forming film on substrate
US20040230341A1 (en) Method and apparatus for determining a substrate exchange position in a processing system
US11637004B2 (en) Alignment module with a cleaning chamber
KR20070059528A (en) Substrate transfer means comprising substrate detecting sense
JP2003068829A (en) Substrate transport system and substrate treating device
US20240170311A1 (en) Methods and apparatus for processing a substrate
US20230112873A1 (en) Integrated preclean-deposition system for optical films
KR20120070788A (en) Apparatus for transfering wafer and method for operating the same
JP2005079442A (en) Substrate conveying device and method and program

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application