KR20230068105A - A method for removing polymer impurities in thioctic acid and crystalizing thereof - Google Patents

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KR20230068105A
KR20230068105A KR1020210154076A KR20210154076A KR20230068105A KR 20230068105 A KR20230068105 A KR 20230068105A KR 1020210154076 A KR1020210154076 A KR 1020210154076A KR 20210154076 A KR20210154076 A KR 20210154076A KR 20230068105 A KR20230068105 A KR 20230068105A
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박창권
강훈민
황수진
최여진
박지혜
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한국바이오켐제약 주식회사
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    • C07ORGANIC CHEMISTRY
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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07BGENERAL METHODS OF ORGANIC CHEMISTRY; APPARATUS THEREFOR
    • C07B63/00Purification; Separation; Stabilisation; Use of additives

Abstract

본 발명에서 제공하는 다량의 폴리머 분순물이 포함된 티옥트산 또는 이의 염의 정제방법은 티옥트산을 유기용매에 용해시키는 단계 및 1 내지 3 가지의 폴리머 흡착제를 첨가하고 산성용액을 적가하여 pH를 5 내지 6으로 조절하는 단계를 포함하여 이루어지는데, 상기와 같은 방법으로 티옥트산을 정제함으로써 종래기술의 문제점이었던 다량의 폴리머 불순물을 완벽하게 제거하기 어렵고 상기 폴리머 불순물의 끈적임으로 티옥트산의 결정화가 어렵다는 것을 용이하게 해결할 수 있다.The method for purifying thioctic acid or its salt containing a large amount of polymer impurities provided in the present invention includes the steps of dissolving thioctic acid in an organic solvent, adding 1 to 3 polymer adsorbents and dropwise adding an acidic solution to adjust the pH to 5 to 5. 6, and purifying thioctic acid in the above way makes it easy to solve the difficulty of completely removing a large amount of polymer impurities, which were a problem in the prior art, and difficult to crystallize thioctic acid due to the stickiness of the polymer impurities. can solve it

Description

티옥트산에 포함된 폴리머 불순물을 제거하고 결정화하는 방법{A method for removing polymer impurities in thioctic acid and crystalizing thereof}A method for removing polymer impurities in thioctic acid and crystalizing it

본 발명은 폴리머 불순물이 과량 혼합된 티옥트산을 정제하거나 티옥트산염으로부터 티옥트산을 제조하는 단계에 포함된 산(acid)첨가 공정에서 발생하는 폴리머 불순물을 효과적으로 제거하고 상기 티옥트산을 결정화하는 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method for effectively removing polymer impurities generated in an acid addition process included in the step of purifying thioctic acid mixed with excessive polymer impurities or preparing thioctic acid from thioctic acid salt and crystallizing the thioctic acid. it's about

α-리포산(ALA) 또는 리포산(LA)으로 알려진 티옥트산은 카프릴산/옥탄산(caprylic acid/octanoic acid)로부터 유도된 유기 황화합물이다. 티옥트산은 동물에서 정상적으로 만들어지고 호기성 대사과정에서 필수적 요소이며, 일부 국가에서는 항산화제 또는 식이보충제로서 제조되고 또한 의약품으로 판매되고 있다.Thioctic acid, also known as α-lipoic acid (ALA) or lipoic acid (LA), is an organic sulfur compound derived from caprylic acid/octanoic acid. Thioctic acid is normally produced in animals and is an essential component of aerobic metabolism, and in some countries it is manufactured as an antioxidant or dietary supplement and also sold as a pharmaceutical.

티옥트산은 융점이 낮고 물성이 까다로워서 제조하기가 용이하지 않다. 특히 제조 또는 정제과정에서 pH 또는 온도조절에 실패한다면 공정과정에서 티옥트산 폴리머 불순물이 반응기벽에 붙어 제조 수율이 저하될 뿐만 아니라 결정화도 어려워서 폴리머 불순물을 제거하고 티옥트산을 결정화하는데 많은 어려움이 있었다.Thioctic acid has a low melting point and difficult physical properties, so it is not easy to manufacture. In particular, if the pH or temperature control fails during the manufacturing or purification process, thioctic acid polymer impurities adhere to the reactor wall during the process, resulting in a decrease in manufacturing yield and difficult crystallization, so there was great difficulty in removing polymer impurities and crystallizing thioctic acid.

티옥트산의 결정화 방법 또는 티옥트산의 정제 공정에 대해 공지된 방법에서는 시클로헥산, 에틸에테르, 에틸 아세테이트, n-펜탄 등을 용매로 하여 재결정하는 단계로 구성된다. 상기 과정에서 정제된 티옥트산은 여과 및 원심분리에 의해서 회수되고 건조된다(J. Chem. Soc. Perkin Trans. 1 1988, 9, Segre et AL., J. Am. Chem. Soc, 1957, 3503; Walton et Al., J. Am. Chem. Soc, 1955, 77, 5154, Acker et Al., J. Am. Chem. Soc. 1954, 76, 6483).In a known method for crystallization of thioctic acid or a purification process for thioctic acid, recrystallization is performed using cyclohexane, ethyl ether, ethyl acetate, n-pentane, or the like as a solvent. Thioctic acid purified in the above process is recovered by filtration and centrifugation and dried (J. Chem. Soc. Perkin Trans. 1 1988, 9, Segre et AL., J. Am. Chem. Soc, 1957, 3503; Walton et Al., J. Am. Chem. Soc, 1955, 77, 5154, Acker et Al., J. Am. Chem. Soc. 1954, 76, 6483).

그러나 상기한 문헌 등에서 제공되는 정제방법은 티옥트산에 존재하는 잔류용매를 제거할 수 없다는 단점이 있다고 알려져 있다However, it is known that the purification method provided in the above literature has a disadvantage in that the residual solvent present in thioctic acid cannot be removed.

이러한 문제점을 해결하고자 대한민국특허등록공보 제10-1267020호에 개시된 벙법에서는 물로부터 티옥트산을 정제하는 방법을 기술하고 있다.To solve this problem, the method disclosed in Korean Patent Registration Publication No. 10-1267020 describes a method for purifying thioctic acid from water.

또한, 티옥트산에 염기를 가하여 티옥트산염을 제조하고 이에 선택된 산을 첨가하여 적절한 pH범위에서 산성화시켜 티옥트산을 정제하는 방법도 공지되어 있다. 그러나 티옥트산염을 산성화시키는 공정에서 pH 5.5-5.7을 조절하여 극소량의 티옥트산에 첨가된 폴리머 불순물을 제거할 수는 있지만 pH조절 범위가 좁아서 pH조절에 실패할 경우에 과량의 폴리머 불순물이 발생하는 경우에는 이를 제거하기가 어렵고 폴리머 불순물의 끈적임으로 인하여 티옥트산으 결정화하는 것이 매우 어렵다는 단점이 있다. In addition, a method of purifying thioctic acid by adding a base to thioctic acid to prepare thioctic acid salt and adding a selected acid to acidify it in an appropriate pH range is also known. However, in the process of acidifying thioctic acid, pH 5.5-5.7 can be adjusted to remove polymer impurities added to a very small amount of thioctic acid. However, it is difficult to remove it and it is very difficult to crystallize thioctic acid due to the stickiness of polymer impurities.

결과적으로 상기한 종래의 정제방법은 티옥트산에 존재하는 폴리머 이외의 불순물의 제거에는 효과적이지만 과량의 폴리머 불순물이 혼합된 티옥트산 정제방법으로는 적합하지 못하다.As a result, the conventional purification method described above is effective in removing impurities other than polymers present in thioctic acid, but is not suitable as a method for purifying thioctic acid in which an excessive amount of polymer impurities are mixed.

대한민국 등록특허공보 10-1267020Republic of Korea Registered Patent Publication 10-1267020

본 발명은 상기와 같은 종래의 티옥트산 또는 이의 염의 정제방법의 문제점이었던 티옥트산을 포함하는 혼합물의 pH 조절의 문제점 및 다량의 폴리머 불순물이 존재할 경우에 정제 후에 폴리머 불순물이 완전히 정제되지 않아서 티오트산의 결정화가 어렵고 따라서 티옥트산을 이용한 약물을 이용하여 약제를 제조하는 것이 어렵다는 문제점을 해결하기 위한 것이다.The present invention solves the problem of adjusting the pH of a mixture containing thioctic acid, which was a problem of the conventional method for purifying thioctic acid or a salt thereof, and when a large amount of polymer impurities are present, the polymer impurities are not completely purified after purification. It is to solve the problem that crystallization is difficult and therefore it is difficult to prepare a drug using a drug using thioctic acid.

상기에 설명한 티옥트산 또는 이의 염을 정제하는 데에 발생하는 문제점을 해결하기 위해서 본 발명에서 제공하는 다량의 폴리머 분순물이 포함된 티옥트산의 정제방법은 티옥트산을 유기용매에 용해시키는 단계 및 1 내지 3 가지의 폴리머 흡착제를 첨가하고 산성용액을 적가하여 pH를 조절하는 단계를 포함하여 이루어지는데, 상기와 같은 방법으로 티옥트산을 정제함으로써 종래기술의 문제점을 해결할 수 있었다.In order to solve the problems occurring in purifying thioctic acid or its salts described above, the method for purifying thioctic acid containing a large amount of polymer impurities provided in the present invention includes the steps of dissolving thioctic acid in an organic solvent and 1 to three polymer adsorbents and adding an acidic solution dropwise to adjust the pH. By purifying thioctic acid in the same way as above, the problems of the prior art could be solved.

본 발명에서 제공하는 티옥트산 또는 이의 염의 정제방법을 이용하여 정제함으로서 폴리머 불순물이 거의 포함되지 않은 티옥트산을 수득할 수 있고, 따라서 티옥트산의 결정화가 용이하여 티옥트산을 이용한 다양한 약물 제형의 제조가 용이하다는 장점이 있다.By purifying thioctic acid or a salt thereof provided in the present invention, thioctic acid containing almost no polymer impurities can be obtained, and thus thioctic acid is easily crystallized, making it possible to prepare various drug formulations using thioctic acid. It has the advantage of being easy.

이하 실시예 등을 이용하여 본 발명을 자세히 설명하나, 본 발명의 범위가 하기 실시예에 의해 제한되는 것이 아니고, 상기 실시예는 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다.The present invention is described in detail using the following examples, but the scope of the present invention is not limited by the following examples, and the above examples explain the present invention more completely to those skilled in the art. is provided to do so.

본 발명에서 사용되는 티옥트산이라는 용어는 티옥트산염을 포함하는 용어이다.The term thioctic acid used in the present invention is a term including thioctic acid salts.

본 발명은 폴리머 불순물이 과량 혼합된 티옥트산 또는 이의 염을 선택된 유기용매에 용해시키고 1 내지 3가지의 폴리머 흡착제를 단독 또는 상기 흡착제의 혼합물을 제조하여 이를 티옥트산에 추가함으로서 상기 폴리머 불순물을 상기 흡착제에 흡착시켜 제거함으로써 티옥트산의 순도를 높일 수 있고, 따라서 티옥트산의 결정화를 용이하게 할 수 있는 티옥트산의 정제방법에 관한 것이다.In the present invention, thioctic acid or a salt thereof mixed with an excessive amount of polymer impurities is dissolved in a selected organic solvent, and 1 to 3 polymer adsorbents are prepared alone or a mixture of the adsorbents and added to thioctic acid to remove the polymer impurities from the adsorbent. The present invention relates to a method for purifying thioctic acid, which can increase the purity of thioctic acid by adsorbing and removing the thioctic acid, thereby facilitating crystallization of thioctic acid.

보다 구체적으로 본 발명에서 제공하는 티옥트산에 포함된 폴리머 불순물을 정제하는 방법은 (1) 물이 포함된 유기용매에 티옥트산염 및 흡착제 단독 또는 흡착제 혼합물을 투입하여 산성용액을 적가하여 pH를 5.0 내지 6.0으로 유지하고 상기 폴리머 불순물을 상기 흡착제에 흡착시키는 단계; (2) 상기 흡착제 혼합물을 여과하고 남은 여액을 층분리하여 수층을 제거하는 단계; (3)상기 층분리된 여액에 유기용매를 추가로 투입하여 티옥트산을 결정화하는 단계;로 이루어지는 것을 특징으로 한다.More specifically, the method for purifying polymer impurities contained in thioctic acid provided in the present invention is (1) adding thioctic acid salt and an adsorbent alone or a mixture of adsorbents to an organic solvent containing water, and adding acidic solution dropwise to bring the pH to 5.0. to 6.0 and adsorbing the polymer impurity to the adsorbent; (2) removing the aqueous layer by filtering the adsorbent mixture and layer-separating the remaining filtrate; (3) crystallizing thioctic acid by additionally adding an organic solvent to the layer-separated filtrate.

상기 정제방법에서 폴리머 불순물을 흡착제에 흡착시키는 단계는 35 내지 40℃에서 수행되는 것이 바람직하다.In the purification method, the step of adsorbing the polymer impurities to the adsorbent is preferably performed at 35 to 40°C.

상기 정제방법에서 사용되는 유기용매는 에틸아세테이트, 시클로헥산, n-헵탄 등의 단독 또는 혼합용매가 사용될 수 있다.The organic solvent used in the purification method may be used alone or in a mixed solvent such as ethyl acetate, cyclohexane, and n-heptane.

상기 정제방법에서 사용되는 상기 폴리머 불순물을 제거하기 위한 흡착제는 활성탄(Activated carbon), 실리카겔(silica gel), 산화알루미늄(Al2O3) 단독 또는 이들의 혼합체를 제조하여 사용할 수 있다.The adsorbent for removing the polymer impurities used in the purification method may be activated carbon, silica gel, aluminum oxide (Al 2 O 3 ) alone or a mixture thereof.

상기 폴리머 불순물을 제거하기 위하여 상기 흡착제 혼합물을 제조하여 사용할 경우에 포함되는 상기 흡착제 각각의 함량비는 활성탄 20 내지 50%, 실리카겔 20 내지 50%, 산화알루미늄 1 내지 50%가 적합하다.When preparing and using the adsorbent mixture to remove the polymer impurities, the content ratio of each of the adsorbents included is preferably 20 to 50% of activated carbon, 20 to 50% of silica gel, and 1 to 50% of aluminum oxide.

폴리머 불순물의 함량이 티옥트산 또는 이의 염의 중량 대비 5중량%이내일 경우에는 상기 흡착제를 단독으로 사용할 수 있고, 이때에 상기 흡착제의 함량은 티옥트산 또는 티옥트산염의 중량대비 5 내지 10중량%가 사용될 수 있으며, 상기 폴리머 불순물의 함량이 티옥트산 또는 이의 염의 중량 대비 5%중량 이상일 경우에는 상기 흡착제 혼합물을 티옥트산 또는 티옥트산염의 중량대비 30중량%까지 사용할 수 있다.When the content of polymer impurities is less than 5% by weight based on the weight of thioctic acid or salts thereof, the adsorbent may be used alone. When the content of the polymer impurity is 5% or more by weight based on the weight of thioctic acid or its salt, the adsorbent mixture can be used in an amount of up to 30% by weight based on the weight of thioctic acid or thioctic acid salt.

상기 정제과정에서 흡착제 또는 흡착제 혼합물을 첨가하여 상기 폴리머 불순물을 제거할 경우에 적용되는 흡착 온도는 35 내지 40℃에서 수행할 때에 상기 폴리머 불순물의 함량이 가장 적은 결과를 수득하였다.When the polymer impurities were removed by adding an adsorbent or an adsorbent mixture in the purification process, the adsorption temperature applied at 35 to 40° C. resulted in the lowest content of the polymer impurities.

상기 흡착제 혼합물의 사용량은 폴리머 불순물의 함량이 티옥트산의 중량 대비 5중량%이내일 경우에는 티옥트산 중량대비 5 내지 10중량%가 가장 적합하였고, 상기 폴리머 불순물의 함량이 티옥트산의 중량 대비 5중량% 이상일 경우에는 상기 흡착제 혼합물을 티옥트산 또는 티옥트산염의 중량대비 30중량%까지 사용할 수 있다.The amount of the adsorbent mixture used was 5 to 10% by weight based on the weight of thioctic acid when the amount of polymer impurities was less than 5% by weight based on the weight of thioctic acid, and the amount of polymer impurities was 5% by weight based on the weight of thioctic acid. % or more, the adsorbent mixture may be used up to 30% by weight based on the weight of thioctic acid or thioctic acid salt.

아래의 표 1은 상기 흡착제의 혼합비율에 따른 폴리머 불순물의 함량을 HPLC로 분석한 값을 나타낸다.Table 1 below shows the HPLC analysis of the content of polymer impurities according to the mixing ratio of the adsorbent.

티옥트산에 포함된 폴리머 불순물의 함량: 5중량%Content of polymer impurities contained in thioctic acid: 5% by weight

유기용매로서는 시클로헥산과 에틸아세테이트를 90:10의 함량비율로 사용함As an organic solvent, cyclohexane and ethyl acetate are used in a content ratio of 90:10.

흡착제 혼합비율(%)Adsorbent mixing ratio (%) 흡착온도℃)Adsorption temperature ℃) HPLC 폴리머 불순물 면적%HPLC polymer impurity area % 흡착제 사용하지 않음Absorbent-free -- 4.8%4.8% 활성탄 단독사용Activated charcoal alone 35~4035 to 40 0.14%0.14% 실리카겔 단독사용Silica gel alone 35~4035 to 40 0.18%0.18% 산화알루미늄 단독사용aluminum oxide alone 35~4035 to 40 0.21%0.21% 활성탄(%)Activated carbon (%) 실리카겔(%)Silica gel (%) 산화알루미늄(%)Aluminum Oxide (%) 4040 5050 1010 35~4035 to 40 0.06%0.06% 5050 4040 1010 35~4035 to 40 0.04%0.04% 5050 5050 00 35~4035 to 40 0.09%0.09% 6060 3030 1010 35~4035 to 40 0.07%0.07%

상기 흡착체와 사용할 수 있는 유기용매로는 에틸아세테이트, 시클로헥산, n-헵탄이며, 상기 유기용매 단독 또는 혼합용매로 사용할 수 있다.Organic solvents that can be used with the adsorbent include ethyl acetate, cyclohexane, and n-heptane, and the organic solvent may be used alone or as a mixed solvent.

상기 유기용매 종류에 따라 최종적으로 정제되고 수득한 티옥트산에 포함된 폴리머 불순물의 함량에는 큰 차이가 없었으나, 상기 티옥트산의 수율 및 결정의 성상에 있어서는 현저한 차이를 나타냈다.Although there was no significant difference in the content of polymer impurities contained in the finally purified and obtained thioctic acid depending on the type of the organic solvent, there was a significant difference in the yield and crystal properties of the thioctic acid.

하기한 표 2에는 상기 유기용매 사용에 따른 티옥트산의 수율 및 결정의 성상을 나타냈는데, 상기 유기용매로서 시클로헥산 90%에 에틸아세테이트 10% 혼합액을 사용할 때에 상기 티옥트산의 수율 및 결정의 성상이 모두 만족하는 결과를 나타냈다.Table 2 below shows the yield and crystal properties of thioctic acid according to the use of the organic solvent. All of them gave satisfactory results.

시클로헥산(%)Cyclohexane (%) 에틸아세테이트(%)Ethyl acetate (%) n-헵탄(%)n-heptane (%) 수율(%)transference number(%) 성상appearance 9090 1010 00 9090 적합fitness 100100 00 00 9595 부적합incongruity 8080 2020 00 8282 적합fitness 00 1010 9090 8585 적합fitness 00 00 100100 9595 부적합incongruity 5050 5050 00 6565 적합fitness

또한, 본 발명에서는 라세미 티옥트산을 선택된 광학활성체 염기와 반응시켜 R 또는 S의 광학활성을 나타내는 티옥트산염을 수득하고, 여기에 산성용액을 가하여 R 또는 S 광학활성체의 티옥트산을 제조한 후에 상기 흡착제 혼합물을 첨가하여 폴리머 불순물을 제거함으로써 상기 R 또는 S 티옥트산의 결정화를 용이하게 할 수 있었다.In addition, in the present invention, racemic thioctic acid is reacted with a selected optically active base to obtain a thioctic acid salt showing optical activity of R or S, and an acidic solution is added thereto to prepare R or S optically active thioctic acid. After that, the adsorbent mixture was added to remove polymer impurities, thereby facilitating crystallization of the R or S thioctic acid.

본 발명에서 제공하는 티옥트산의 정제방법은 (1) 물이 혼합된 유기용매에 R-티옥트산염 및 선택된 흡착제 혼합물을 투입하고 산성용액을 적가하여 pH를 5.0 내지 6.0으로 유지하고 폴리머 불순물을 상기 흡착제에 흡착시키는 단계, (2) 상기 흡착제 혼합물을 여과하고 남은 여액을 층분리하여 수층을 제거하는 단계, (3) 상기 층분리한 유기용매에 적절한 용매를 추가 투입하여 R-티옥트산을 결정화하는 단계를 수행하였을 때에 R-티옥트산의 수득율 및 결정성상이 가장 우수한 결과는 나타내어, 종래기술에 제시된 정제방법을 적용하였을 때보다, 상기 R-티옥트산에 존재하는 폴리머 불순물을 제거하는 공정에 상기 흡착제 단독 또는 흡착제 혼합물을 사용하여 상기 폴리머 분순물을 제거하는 것이 훨씬 탁월하다는 것을 보여준다. The method for purifying thioctic acid provided in the present invention is (1) adding R-thioctic acid salt and a selected adsorbent mixture to an organic solvent mixed with water, adding an acidic solution dropwise to maintain the pH at 5.0 to 6.0, and polymer impurities as described above. Adsorbing on an adsorbent, (2) filtering the adsorbent mixture and layer-separating the remaining filtrate to remove the aqueous layer, (3) adding an appropriate solvent to the layer-separated organic solvent to crystallize R-thioctic acid When the step was performed, the yield and crystalline phase of R-thioctic acid were the best, and compared to the case of applying the purification method proposed in the prior art, the adsorbent in the process of removing polymer impurities present in the R-thioctic acid It shows that the removal of these polymer impurities, either alone or with an adsorbent mixture, is far superior.

본 발명에서 사용되는 산성 용액은 인산, 염산, p-톨루엔설폰산, 포름산 등에서 선택되는 어느 하나를 사용할 수 있으며, 가장 바람직하게는 인산이다.The acidic solution used in the present invention may be any one selected from phosphoric acid, hydrochloric acid, p-toluenesulfonic acid, formic acid, and the like, most preferably phosphoric acid.

본 발명에서 사용되는 흡착제는 활성탄, 실리카겔, 산화알루미늄 등의 단독 또는 이들 흡착제의 혼합물을 사용할 수 있으며, 그 함량은 티옥트산염 중량에 대하여 1 내지 30 중량%내에서 수행할 수 있다.As the adsorbent used in the present invention, activated carbon, silica gel, aluminum oxide, etc. alone or a mixture of these adsorbents may be used, and the content thereof may be within 1 to 30% by weight based on the weight of thioctic acid salt.

상기 흡착체 단독 또는 흡착제 혼합물과 사용할 수 있는 유기용매로는 에틸아세티이트, 시클로헥산, n-헵탄이 단독 또는 이의 혼합물이며, 폴리머 불순물을 제거하기 위한 흡착온도는 35 내지 40℃에서 상기 흡착제의 흡착 효율이 가장 바람직한 결과를 나타내었다.Ethyl acetate, cyclohexane, and n-heptane are used alone or as a mixture of organic solvents that can be used with the adsorbent alone or with the adsorbent mixture, and the adsorption temperature for removing polymer impurities is 35 to 40 ° C. The adsorption efficiency gave the most favorable result.

하기한 표 3은 온도에 따른 상기 흡착제의 효율을 나타내었다.Table 3 below shows the efficiency of the adsorbent according to the temperature.

흡착용매: 에틸아세테이트Adsorption solvent: ethyl acetate

35% 인산을 물에 희석한 후 상기 희석용액으로 pH를 5.0 내지 6.0으로 조절함After diluting 35% phosphoric acid in water, the pH was adjusted to 5.0 to 6.0 with the diluted solution.

흡착제 구성비율(%)Adsorbent composition ratio (%) 흡착온도(℃)Adsorption temperature (℃) 폴리머 불순물(%)Polymer impurity (%) 흡착제 사용하지 않음Absorbent-free -- 0.5%0.5% 활성탄/실리카겔/ 산화알루미늄=40:50:10Activated carbon/silica gel/aluminum oxide=40:50:10 35~4035 to 40 0.090.09 활성탄/실리카겔/ 산화알루미늄=50:40:10Activated carbon/silica gel/aluminum oxide=50:40:10 35~4035 to 40 0.080.08 활성탄/실리카겔/ 산화알루미늄=50:50:0Activated carbon/silica gel/aluminum oxide=50:50:0 35~4035 to 40 0.140.14 활성탄/실리카겔/ 산화알루미늄=60:30:10Activated carbon/silica gel/aluminum oxide=60:30:10 35~4035 to 40 0.110.11

실시예 1Example 1

티옥트산(폴리머 불순물 함량 5.0%) 100g을 시클로헥산 900ml 및 에틸아세테이트 100ml의 혼합액에 넣고 35~40℃에서 용해시킨다.100 g of thioctic acid (polymer impurity content: 5.0%) was added to a mixture of 900 ml of cyclohexane and 100 ml of ethyl acetate, and dissolved at 35 to 40°C.

흡착제로서 활성탄:실리카겔:산화알루미늄의 함량비를 40:50:10으로 하여 제조된 흡착제 혼합물 10g을 첨가하고 30분간 교반시킨 후 여과하여 상기 흡착제 혼합물을 제거한다.As an adsorbent, 10 g of an adsorbent mixture prepared at a content ratio of activated carbon: silica gel: aluminum oxide of 40:50:10 was added, stirred for 30 minutes, and filtered to remove the adsorbent mixture.

남은 여액을 5~10℃로 냉각하여 여과한 후에 35~40℃에서 건조시켜 90g의 티옥트산을 수득하였다.The remaining filtrate was filtered by cooling to 5-10 °C and dried at 35-40 °C to obtain 90 g of thioctic acid.

상기 티옥트산에 포함된 폴리머 불순물 함량: 0.04%Polymer impurity content contained in the thioctic acid: 0.04%

실시예 2Example 2

티옥트산(폴리머 불순물 함량 5.0%) 100g을 시클로헥산 900ml 및 에틸아세테이트 100ml의 혼합액에 넣고 35~40℃에서 용해시킨다.100 g of thioctic acid (polymer impurity content: 5.0%) was added to a mixture of 900 ml of cyclohexane and 100 ml of ethyl acetate, and dissolved at 35 to 40°C.

흡착제로서 활성탄:실리카겔:산화알루미늄의 함량비를 50:40:10으로 하여 제조된 흡착제 혼합물 10g을 넣고 30분간 교반시킨 후 여과하여 상기 흡착제를 제거한다. 여액을 5~10℃로 냉각하여 여과한 후 35~40℃에서 건조시켜 90g의 티옥트산을 수득하였다.As an adsorbent, 10 g of an adsorbent mixture prepared with a content ratio of activated carbon: silica gel: aluminum oxide of 50:40:10 was added, stirred for 30 minutes, and then filtered to remove the adsorbent. The filtrate was filtered by cooling to 5-10 °C and dried at 35-40 °C to obtain 90 g of thioctic acid.

상기 티옥트산에 포함된 폴리머 불순물의 함량: 0.06%Content of polymer impurities contained in the thioctic acid: 0.06%

실시예 3Example 3

티옥트산(폴리머 불순물 함량 5.0%) 100g을 시클로헥산 900ml 및 에틸아세테이트 100ml의 혼합액에 넣고 35~40℃에서 용해시킨다.100 g of thioctic acid (polymer impurity content: 5.0%) was added to a mixture of 900 ml of cyclohexane and 100 ml of ethyl acetate, and dissolved at 35 to 40°C.

흡착제로서 활성탄:실리카겔의 함량비를 50:50으로 하여 흡착제 혼합물을 제조한 후에 상기 흡착제 혼합물 10g을 넣고 30분간 교반시킨 후 여과하여 흡착제를 제거한다. 여액을 5~10℃로 냉각하여 여과한 후 35~40℃에서 건조시켜 90g의 티옥트산을 수득하였다.As an adsorbent, an adsorbent mixture is prepared by using an activated carbon:silica gel content ratio of 50:50, and then 10 g of the adsorbent mixture is added, stirred for 30 minutes, and filtered to remove the adsorbent. The filtrate was filtered by cooling to 5-10 °C and dried at 35-40 °C to obtain 90 g of thioctic acid.

상기 티옥트산에 포함된 폴리머 불순물의 함량: 0.09%Content of polymer impurities contained in the thioctic acid: 0.09%

비교예 1Comparative Example 1

티옥트산(폴리머 불순물 함량 5.0%) 100g을 10℃에서 물 2,900ml에 현탁하였다. 30% 소듐히드록시수용액 62g을 1시간에 걸쳐 적가하여 pH 9인 용액을 얻는다. 상기 용액을 진공에서 여과하고 5℃까지 냉각한다. 여기에 8% 인산 수용액을 pH 5.5를 얻을 때까지 90분에 걸쳐 적가한 후에 생성된 반응물을 여과하여 30~35℃에서 건조시켜 90g의 티옥트산을 수득하였다.100 g of thioctic acid (polymer impurity content 5.0%) was suspended in 2,900 ml of water at 10 °C. 62 g of 30% aqueous sodium hydroxy solution was added dropwise over 1 hour to obtain a solution having a pH of 9. The solution is filtered in vacuo and cooled to 5°C. An 8% phosphoric acid aqueous solution was added dropwise over 90 minutes until pH 5.5 was obtained, and the resulting reaction product was filtered and dried at 30-35° C. to obtain 90 g of thioctic acid.

상기 티옥트산에 포함된 폴리머 불순물의 함량: 4.8%Content of polymer impurities contained in the thioctic acid: 4.8%

실시예 4Example 4

(R)-티옥트산-(R)-메틸벤질아민염 100g을 에틸아세테이트 300ml 및 물 100ml에 현탁시키고 폴리머 제거용 흡착제 혼합물(활성탄:실리카겔:산화알루미늄의 함량비가 50:40:10)을 투입하고, 35~40℃에서 30분간 교반시킨 후에 5~10℃로 냉각한 후에 35% 인산용액을 물에 10배 희석시킨 용액 30ml를 30분간 적가시켜 pH 5.4로 유지하였다.100 g of (R)-thioctic acid-(R)-methylbenzylamine salt was suspended in 300 ml of ethyl acetate and 100 ml of water, and an adsorbent mixture for polymer removal (active carbon: silica gel: aluminum oxide content ratio of 50:40:10) was added, After stirring at 35-40 ° C for 30 minutes, cooling to 5-10 ° C, 30 ml of a 10-fold diluted solution of 35% phosphoric acid solution in water was added dropwise for 30 minutes to maintain pH 5.4.

상기 흡착제 혼합물을 여과하고 여액을 층분리 하여 물을 제거하고 시클로헥산 2,700ml를 투입한 후에 0~5℃에서 3시간 교반하였다. 상기 용액을 여과한 후에 시클로헥산 100ml로 세척한 후 35~40℃에서 진공건조시켜 56.0g(수율: 89.0%)의 (R)-티옥트산을 수득하였다The adsorbent mixture was filtered, the filtrate was layer-separated to remove water, and 2,700 ml of cyclohexane was added, followed by stirring at 0 to 5 ° C for 3 hours. After filtering the solution, it was washed with 100 ml of cyclohexane and vacuum dried at 35-40 ° C to obtain 56.0 g (yield: 89.0%) of (R) -thioctic acid.

상기 티옥트산에 포함된 폴리머 불순물의 함량: 0.08%Content of polymer impurities contained in the thioctic acid: 0.08%

비교예 2Comparative Example 2

(R)-티옥트산-(R)-메틸벤질아민염 100g을 에틸 아세테이트 300ml 및 물 100ml에 현탁시키고 5~10℃로 냉각한 후 35% 인산용액을 물에 10배 희석시킨 용액 30ml를 30분간 적가하여 pH 5.4로 유지하였다.100 g of (R)-thioctic acid-(R)-methylbenzylamine salt was suspended in 300 ml of ethyl acetate and 100 ml of water, cooled to 5-10 ° C, and then 30 ml of a 10-fold diluted 35% phosphoric acid solution in water was added for 30 minutes. It was added dropwise and maintained at pH 5.4.

상기 용액을 층분리 하여 물을 제거한 후에 시클로헥산 2,700ml를 투입하고 0~5℃에서 3시간 교반하였다. 상기 용액을 여과하고 시클로헥산 100ml로 세척한 후에 35~40℃에서 진공건조시켜 56.8g(수율: 90.3%)의 (R)-티옥트산을 수득하였다.After layer separation of the solution to remove water, 2,700 ml of cyclohexane was added and stirred at 0 to 5° C. for 3 hours. The solution was filtered, washed with 100 ml of cyclohexane, and vacuum dried at 35 to 40° C. to obtain 56.8 g (yield: 90.3%) of (R)-thioctic acid.

상기 티옥트산에 포함된 폴리머 불순물 함량: 0.5%Polymer impurity content contained in the thioctic acid: 0.5%

상기에서는 본 발명에서 제공하는 티옥트산의 정제방법을 수행한 결과를 설명하기 위해서 실시예를 제시하였으나, 본 발명의 범위가 상기 실시예에 의해 한정되는 것이 아님은 통상의 기술자에게는 자명한 것이다.In the above, examples have been presented to explain the results of the thioctic acid purification method provided in the present invention, but it is obvious to those skilled in the art that the scope of the present invention is not limited by the examples.

본 발명은 산업상이용가능하다.The present invention is industrially applicable.

Claims (10)

티옥트산 또는 이의 염에 포함된 폴리머 불순물을 정제하는 방법에 관한 것으로서, 상기 정제방법은
물이 포함된 유기용매에 티옥트산 또는 이의 염 및 흡착제 단독 또는 흡착제 혼합물을 투입하여 산성용액을 적가하여 pH를 5.0 내지 6.0으로 유지하고 상기 폴리머 불순물을 상기 흡착제에 흡착시키는 단계;
상기 흡착제 혼합물을 여과하고 남은 여액을 층분리하여 수층을 제거하는 단계;
상기 층분리된 여액에 유기용매를 추가로 투입하여 티옥트산을 결정화하는 단계;로
이루어지는 것을 특징으로 하는 티옥트산 또는 이의 염에 포함된 폴리머 불순물을 정제하는 방법

It relates to a method for purifying polymer impurities contained in thioctic acid or a salt thereof, the purification method comprising:
Adding thioctic acid or a salt thereof and an adsorbent alone or adsorbent mixture to an organic solvent containing water, adding an acidic solution dropwise to maintain pH at 5.0 to 6.0 and adsorbing the polymer impurities to the adsorbent;
removing an aqueous layer by filtering the adsorbent mixture and layer-separating the remaining filtrate;
crystallizing thioctic acid by additionally adding an organic solvent to the layer-separated filtrate;
A method for purifying polymer impurities contained in thioctic acid or a salt thereof, characterized in that

제1항에 있어서, 상기 유기용매는 시클로헥산, 에틸 아세테이트 및 n-헵탄 중에서 선택된 어느 하나 이상인 것을 특징으로 하는 티옥트산 또는 이의 염에 포함된 폴리머 불순물을 정제하는 방법
The method of claim 1, wherein the organic solvent is at least one selected from cyclohexane, ethyl acetate and n-heptane.
제1항에 있어서 상기 흡착제는 활성탄, 실리카겔 및 산화알루미늄 중에서 선택되는 하나 이상인 것을 특징으로 하는 티옥트산 또는 이의 염에 포함된 폴리머 불순물을 정제하는 방법
The method of claim 1, wherein the adsorbent is at least one selected from activated carbon, silica gel, and aluminum oxide.
제1항에 있어서, 상기 흡착제 혼합물은 활성탄, 실리카겔 및 산화알루미늄을 혼합하여 형성되고 상기 각 성분의 혼합비율은 활성탄 20 내지 50%, 실리카겔 20 내지 50% 및 산화알루미늄 1 내지 50%인 것을 특징으로 하는 티옥트산 또는 이의 염에 포함된 폴리머 불순물을 정제하는 방법
The method of claim 1, wherein the adsorbent mixture is formed by mixing activated carbon, silica gel and aluminum oxide, and the mixing ratio of each component is 20 to 50% of activated carbon, 20 to 50% of silica gel, and 1 to 50% of aluminum oxide. A method for purifying polymer impurities contained in thioctic acid or a salt thereof
제4항에 있어서 상기 흡착제 혼합물에 포함되는 활성탄, 실리카겔 및 산화알루미늄 각각의 함량비가 50:40:10 내지 40:50:10인 것을 특징으로 하는 티옥트산 또는 이의 염에 포함된 폴리머 불순물을 정제하는 방법
The method of claim 4, wherein the content ratio of activated carbon, silica gel, and aluminum oxide in the adsorbent mixture is 50:40:10 to 40:50:10. Purifying polymer impurities contained in thioctic acid or its salt method
제1항에 있어서, 상기 산성용액은 인산, 염산, p-톨루엔설폰산 및 포름산에서 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는 티옥트산 또는 이의 염에 포함된 폴리머 불순물을 정제하는 방법
The method of claim 1, wherein the acidic solution is any one selected from phosphoric acid, hydrochloric acid, p-toluenesulfonic acid and formic acid.
제1항에 있어서, 상기 층분리된 여액에 추가로 포함되는 유기용매가 시클로헥산인 것을 특징으로 하는 티옥트산 또는 이의 염에 포함된 폴리머 불순물을 정제하는 방법
The method of claim 1, wherein the organic solvent additionally included in the layer-separated filtrate is cyclohexane.
제1항 내지 제7항 중 선택된 어느 한 항에 있어서, 상기 폴리머 불순물을 흡착제에 흡착시키는 단계는 35 내지 40℃에서 수행되는 것을 특징으로 하는 티옥트산 또는 이의 염에 포함된 폴리머 불순물을 정제하는 방법
The method for purifying polymer impurities contained in thioctic acid or a salt thereof according to any one selected from claims 1 to 7, wherein the step of adsorbing the polymer impurities to the adsorbent is performed at 35 to 40 ° C.
제1항에 있어서, 상기 폴리머 불순물의 함량이 티옥트산 또는 이의 염의 중량에 대하여 1 내지 5 중량%일 때에 상기 흡착제의 함량은 티옥트산의 중량대비 5 내지 10 중량%인 것을 특징으로 하는 티옥트산 또는 이의 염에 포함된 폴리머 불순물을 정제하는 방법
The thioctic acid according to claim 1, wherein the amount of the polymer impurity is 1 to 5% by weight based on the weight of thioctic acid or its salt, and the content of the adsorbent is 5 to 10% by weight based on the weight of thioctic acid or its salt. Method for purifying polymer impurities contained in salts thereof
제1항에 있어서, 상기 폴리머 불순물의 함량이 티옥트산 또는 이의 염의 중량에 대하여 5 중량% 이상일 때에 상기 흡착제의 함량은 티옥트산의 중량대비 10 내지 30 중량%인 것을 특징으로 하는 티옥트산 또는 이의 염에 포함된 폴리머 불순물을 정제하는 방법

The thioctic acid or its salt according to claim 1, wherein the content of the adsorbent is 10 to 30% by weight based on the weight of thioctic acid or its salt when the content of the polymer impurities is 5% by weight or more based on the weight of thioctic acid or its salt. Method for purifying polymer impurities contained in

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