KR20230067451A - Frequency mixer having a non-linear amplification circuit - Google Patents

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KR20230067451A
KR20230067451A KR1020220023220A KR20220023220A KR20230067451A KR 20230067451 A KR20230067451 A KR 20230067451A KR 1020220023220 A KR1020220023220 A KR 1020220023220A KR 20220023220 A KR20220023220 A KR 20220023220A KR 20230067451 A KR20230067451 A KR 20230067451A
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장우진
강동민
민병규
박종율
이종민
장유진
조규준
지홍구
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한국전자통신연구원
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Abstract

본 개시의 일 실시 예에 따른 주파수 혼합기는, LO(Local Oscillator) 신호에 기초하여, 정합된 LO 신호를 생성하도록 구성된 제1 정합 회로, 정합된 LO 신호에 기초하여, 비-선형 LO 신호를 생성하도록 구성된 비-선형 회로, RF(Radio Frequency) 신호에 기초하여, 정합된 RF 신호를 생성하도록 구성된 제2 정합 회로, 비-선형 LO 신호 및 정합된 RF 신호의 혼합에 기초하여, 혼합 신호를 생성하도록 구성된 혼합 회로, 및 혼합 신호에 기초하여, IF(Intermediate Frequency) 신호를 생성하도록 구성된 제3 정합 회로를 포함한다. 비-선형 회로는 직렬로 연결된 비-선형 트랜지스터, 바이어스 트랜지스터, 및 내부 정합 회로를 포함한다.A frequency mixer according to an embodiment of the present disclosure includes a first matching circuit configured to generate a matched LO signal based on a local oscillator (LO) signal, and a non-linear LO signal based on the matched LO signal. A second matching circuit configured to generate a matched RF signal based on a radio frequency (RF) signal, based on a mixture of the non-linear LO signal and the matched RF signal, to generate a mixed signal. and a third matching circuit configured to generate an Intermediate Frequency (IF) signal based on the mixed signal. The non-linear circuit includes a non-linear transistor connected in series, a bias transistor, and an internal matching circuit.

Figure P1020220023220
Figure P1020220023220

Description

비-선형 회로를 포함하는 주파수 혼합기{FREQUENCY MIXER HAVING A NON-LINEAR AMPLIFICATION CIRCUIT}Frequency mixer with non-linear circuit {FREQUENCY MIXER HAVING A NON-LINEAR AMPLIFICATION CIRCUIT}

본 개시는 주파수 혼합기에 관한 것으로, 보다 더 상세하게는 비-선형 회로를 포함하는 주파수 혼합기에 관한 것이다.The present disclosure relates to frequency mixers, and more particularly to frequency mixers including non-linear circuits.

주파수 혼합기는 서로 다른 주파수 신호들을 혼합하는 장치이다. 예를 들어, 주파수 혼합기는 비-선형 특성을 이용하여 서로 다른 주파수 입력 신호들의 합 또는 차에 대응하는 주파수 출력 신호를 생성할 수 있다. 서로 다른 주파수 입력 신호들의 합에 대응하는 주파수 출력 신호를 생성하는 주파수 혼합기는 상향 주파수 혼합기로 지칭될 수 있다. 서로 다른 주파수 입력 신호들의 차에 대응하는 주파수 출력 신호를 생성하는 주파수 혼합기는 하향 주파수 혼합기로 지칭될 수 있다.A frequency mixer is a device that mixes different frequency signals. For example, the frequency mixer may generate a frequency output signal corresponding to a sum or difference of different frequency input signals using a non-linear characteristic. A frequency mixer that generates a frequency output signal corresponding to the sum of different frequency input signals may be referred to as an uplink frequency mixer. A frequency mixer that generates a frequency output signal corresponding to a difference between different frequency input signals may be referred to as a downlink frequency mixer.

주파수 혼합기는 무선 통신 기반의 다양한 전자 시스템들에 사용될 수 있다. 주파수 혼합기의 품질 저하는 전자 시스템에서 신호 감도 저하, 데이터 손실, 에러율 증가 등을 야기할 수 있다. 주파수 혼합기의 품질 요소들의 예로서, 삽입 손실, 선형성, 포트-투-포트(port-to-port) 격리도 등이 있다. 주파수 혼합기를 포함하는 전자 시스템에서 신호 감도 향상, 신뢰도 향상 등을 보장하기 위해, 삽입 손실, 선형성, 포트-투-포트 격리도 등의 품질 요소들이 향상된 주파수 혼합기가 요구될 수 있다.The frequency mixer may be used in various electronic systems based on wireless communication. Degraded frequency mixers can cause signal sensitivity degradation, data loss, and increased error rates in electronic systems. Examples of quality factors of a frequency mixer include insertion loss, linearity, and port-to-port isolation. In an electronic system including a frequency mixer, a frequency mixer with improved quality factors such as insertion loss, linearity, and port-to-port isolation may be required to ensure improved signal sensitivity and improved reliability.

본 개시의 일 실시 예에 따르면, 비-선형 회로를 포함하는 주파수 혼합기가 제공된다.According to one embodiment of the present disclosure, a frequency mixer including a non-linear circuit is provided.

본 개시의 일 실시 예에 따르면, 주파수 혼합기는, LO(Local Oscillator) 신호에 기초하여, 정합된 LO 신호를 생성하도록 구성된 제1 정합 회로, 상기 정합된 LO 신호에 기초하여, 비-선형 LO 신호를 생성하도록 구성된 비-선형 회로, RF(Radio Frequency) 신호에 기초하여, 정합된 RF 신호를 생성하도록 구성된 제2 정합 회로, 상기 비-선형 LO 신호 및 상기 정합된 RF 신호의 혼합에 기초하여, 혼합 신호를 생성하도록 구성된 혼합 회로, 및 상기 혼합 신호에 기초하여, IF(Intermediate Frequency) 신호를 생성하도록 구성된 제3 정합 회로를 포함한다. 상기 비-선형 회로는 직렬로 연결된 비-선형 트랜지스터, 바이어스 트랜지스터, 및 내부 정합 회로를 포함한다.According to an embodiment of the present disclosure, the frequency mixer includes a first matching circuit configured to generate a matched LO signal based on a local oscillator (LO) signal, and a non-linear LO signal based on the matched LO signal. Based on a radio frequency (RF) signal, a second matching circuit configured to generate a matched RF signal, based on a mixture of the non-linear LO signal and the matched RF signal, A mixing circuit configured to generate a mixed signal, and a third matching circuit configured to generate an intermediate frequency (IF) signal based on the mixed signal. The non-linear circuit includes a serially connected non-linear transistor, a bias transistor, and an internal matching circuit.

일부 실시 예들에서, 상기 내부 정합 회로는 병렬로 연결된 저항, 인덕터, 및 커패시터를 포함한다.In some embodiments, the internal matching circuit includes a resistor, an inductor, and a capacitor connected in parallel.

일부 실시 예들에서, 상기 저항의 크기, 상기 인덕터의 용량, 및 상기 커패시터의 용량은 상기 주파수 혼합기의 LO-대-RF 격리도, RF-대-LO 격리도, 및 LO-대-IF 격리도 중 적어도 하나를 향상시키도록 최적화된다.In some embodiments, the size of the resistor, the capacitance of the inductor, and the capacitance of the capacitor are selected from among LO-to-RF isolation, RF-to-LO isolation, and LO-to-IF isolation of the frequency mixer. It is optimized to improve at least one.

일부 실시 예들에서, 상기 바이어스 트랜지스터는 바이어스 전압에 응답하여 동작하도록 구성되고, 그리고 상기 바이어스 전압의 크기는 상기 주파수 혼합기의 LO-대-RF 격리도, RF-대-LO 격리도, 및 LO-대-IF 격리도 중 적어도 하나를 향상시키도록 최적화된다.In some embodiments, the bias transistor is configured to operate in response to a bias voltage, and the magnitude of the bias voltage is dependent on LO-to-RF isolation, RF-to-LO isolation, and LO-to-LO isolation of the frequency mixer. -IF is optimized to improve at least one of the isolations.

일부 실시 예들에서, 상기 바이어스 트랜지스터는 바이어스 전압에 응답하여 동작하도록 구성되고, 그리고 상기 바이어스 전압의 상기 크기는, 상기 주파수 혼합기의 제작 공장에서 발생하는 능동 소자의 공정 변화 및 수동 소자의 공정 변화에 대해, 상기 주파수 혼합기의 LO-대-RF 격리도, RF-대-LO 격리도, 및 LO-대-IF 격리도 중 적어도 하나를 향상시키도록 최적화된다.In some embodiments, the bias transistor is configured to operate in response to a bias voltage, and the magnitude of the bias voltage corresponds to a process change of an active device and a process change of a passive device occurring in a manufacturing plant of the frequency mixer. , optimized to improve at least one of LO-to-RF isolation, RF-to-LO isolation, and LO-to-IF isolation of the frequency mixer.

일부 실시 예들에서, 상기 비-선형 트랜지스터는 상기 비-선형 LO 신호가 생성되는 단자 및 제1 노드 사이에 연결되고, 상기 정합된 LO 신호에 응답하여 동작하도록 구성되고, 상기 바이어스 트랜지스터는 상기 제1 노드 및 제2 노드 사이에 연결되고, 바이어스 전압에 응답하여 동작하도록 구성되고, 그리고 상기 내부 정합 회로는 상기 제2 노드 및 접지 노드 사이에 연결된다.In some embodiments, the non-linear transistor is coupled between a terminal from which the non-linear LO signal is generated and a first node, and is configured to operate in response to the matched LO signal, and the bias transistor comprises the first node and a second node, configured to operate in response to a bias voltage, and the internal matching circuit is coupled between the second node and the ground node.

일부 실시 예들에서, 상기 비-선형 회로는 상기 바이어스 트랜지스터의 게이트 단자에 상기 바이어스 전압을 제공하는 바이어스 전압원을 더 포함한다.In some embodiments, the non-linear circuit further includes a bias voltage source providing the bias voltage to a gate terminal of the bias transistor.

일부 실시 예들에서, 상기 내부 정합 회로는, 상기 제2 노드 및 상기 접지 노드 사이에 연결된 저항, 상기 제2 노드 및 상기 접지 노드 사이에 연결된 인덕터, 및 상기 제2 노드 및 상기 접지 노드 사이에 연결된 커패시터를 포함한다.In some embodiments, the internal matching circuit may include a resistor connected between the second node and the ground node, an inductor connected between the second node and the ground node, and a capacitor connected between the second node and the ground node. includes

일부 실시 예들에서, 상기 비-선형 트랜지스터의 드레인 단자는 상기 비-선형 LO 신호가 생성되는 상기 단자와 연결되고, 상기 비-선형 트랜지스터의 소스 단자는 상기 제1 노드와 연결되고, 그리고 상기 바이어스 트랜지스터의 드레인 단자는 상기 제1 노드와 연결되고, 상기 바이어스 트랜지스터의 소스 단자는 상기 제2 노드와 연결된다.In some embodiments, a drain terminal of the non-linear transistor is connected to the terminal at which the non-linear LO signal is generated, a source terminal of the non-linear transistor is connected to the first node, and the bias transistor A drain terminal of is connected to the first node, and a source terminal of the bias transistor is connected to the second node.

일부 실시 예들에서, 상기 비-선형 트랜지스터 및 상기 바이어스 트랜지스터는 각각 NMOS(N-channel Metal Oxide Semiconductor) 트랜지스터, GaAs PHEMT(Pseudomorphic High Electron Mobility Transistor), GaAs MHEMT(Metamorphic High Electron Mobility Transistor) InP HEMT(High Electron Mobility Transistor), 및 GaN FET(Field Effect Transistor) 중 적어도 하나로 구현된다.In some embodiments, the non-linear transistor and the bias transistor may each be an N-channel Metal Oxide Semiconductor (NMOS) transistor, a GaAs Pseudomorphic High Electron Mobility Transistor (PHEMT), a GaAs Metamorphic High Electron Mobility Transistor (MHEMT) InP High Electron Mobility Transistor (HEMT) Electron Mobility Transistor), and GaN Field Effect Transistor (FET).

일부 실시 예들에서, 상기 주파수 혼합기는 상기 RF 신호의 제1 주파수에서 상기 LO 신호의 제2 주파수를 감산한 제3 주파수를 갖는 상기 IF 신호를 생성하는 하향 주파수 혼합기이다.In some embodiments, the frequency mixer is a downlink frequency mixer that generates the IF signal having a third frequency obtained by subtracting a second frequency of the LO signal from a first frequency of the RF signal.

본 개시의 일 실시 예에 따르면, 주파수 혼합기는, LO(Local Oscillator) 신호를 정합하고, 정합된 LO 신호에 기초하여 비-선형 LO 신호를 생성하고, 그리고 상기 비-선형 LO 신호 및 RF(Radio Frequency) 신호에 기초하여 IF(Intermediate Frequency) 신호를 생성한다. 상기 주파수 혼합기는, 상기 비-선형 LO 신호가 생성되는 단자 및 제1 노드 사이에 연결되고, 상기 정합된 LO 신호에 응답하여 동작하도록 구성된 제1 트랜지스터, 상기 제1 노드 및 제2 노드 사이에 연결되고, 바이어스 전압에 응답하여 동작하도록 구성된 제2 트랜지스터, 및 상기 제2 노드 및 접지 노드 사이에 연결된 내부 정합 회로를 포함한다.According to an embodiment of the present disclosure, the frequency mixer matches a LO (Local Oscillator) signal, generates a non-linear LO signal based on the matched LO signal, and generates the non-linear LO signal and the RF (Radio An Intermediate Frequency (IF) signal is generated based on the Frequency) signal. The frequency mixer is connected between a terminal where the non-linear LO signal is generated and a first node, and a first transistor configured to operate in response to the matched LO signal is connected between the first node and a second node. and a second transistor configured to operate in response to a bias voltage, and an internal matching circuit coupled between the second node and a ground node.

일부 실시 예들에서, 상기 내부 정합 회로는, 상기 제2 노드 및 상기 접지 노드 사이에 연결된 저항, 상기 제2 노드 및 상기 접지 노드 사이에 연결된 인덕터, 및 상기 제2 노드 및 상기 접지 노드 사이에 연결된 커패시터를 포함한다.In some embodiments, the internal matching circuit may include a resistor connected between the second node and the ground node, an inductor connected between the second node and the ground node, and a capacitor connected between the second node and the ground node. includes

일부 실시 예들에서, 상기 저항의 크기, 상기 인덕터의 용량, 및 상기 커패시터의 용량은 상기 주파수 혼합기의 LO-대-RF 격리도, RF-대-LO 격리도, 및 LO-대-IF 격리도 중 적어도 하나를 향상시키도록 최적화된다.In some embodiments, the size of the resistor, the capacitance of the inductor, and the capacitance of the capacitor are selected from among LO-to-RF isolation, RF-to-LO isolation, and LO-to-IF isolation of the frequency mixer. It is optimized to improve at least one.

일부 실시 예들에서, 상기 주파수 혼합기는, 상기 제2 트랜지스터의 게이트 단자에 상기 바이어스 전압을 제공하는 바이어스 전압원을 더 포함한다.In some embodiments, the frequency mixer further includes a bias voltage source providing the bias voltage to a gate terminal of the second transistor.

일부 실시 예들에서, 상기 바이어스 전압의 크기는, 상기 주파수 혼합기의 제작 공장에서 발생하는 능동 소자의 공정 변화 및 수동 소자의 공정 변화에 대해, 상기 주파수 혼합기의 LO-대-RF 격리도, RF-대-LO 격리도, 및 LO-대-IF 격리도 중 적어도 하나를 향상시키도록 최적화된다.In some embodiments, the magnitude of the bias voltage is, for the process change of the active device and the process change of the passive device occurring in the manufacturing plant of the frequency mixer, the LO-to-RF isolation of the frequency mixer, the RF-to-RF Optimized to improve at least one of -LO isolation, and LO-to-IF isolation.

본 개시의 일 실시 예에 따르면, 비-선형 회로를 포함하는 주파수 혼합기가 제공된다.According to one embodiment of the present disclosure, a frequency mixer including a non-linear circuit is provided.

또한, 비-선형 회로의 회로 구조에 기초하여, 삽입 손실, 선형성, 및 포트-투-포트 격리도가 향상된 주파수 혼합기가 제공된다.Also, based on the circuit structure of the non-linear circuit, a frequency mixer with improved insertion loss, linearity, and port-to-port isolation is provided.

도 1은 본 개시의 실시 예에 따른 주파수 혼합기를 설명하는 블록도이다.
도 2는 일반적인 비-선형 회로를 설명하는 회로도이다.
도 3은 본 개시의 일부 실시 예들에 따라 도 1의 비-선형 회로를 설명하는 회로도이다.
도 4는 도 2의 비-선형 회로의 주파수 신호들을 설명하는 도면이다.
도 5는 도 3의 비-선형 회로의 주파수 신호들을 설명하는 도면이다.
도 6은 본 개시의 일부 실시 예들에 따라 삽입 손실 특성을 설명하는 그래프이다.
도 7은 본 개시의 일부 실시 예들에 따라 LO-대-RF 격리도를 설명하는 그래프이다.
도 8은 본 개시의 일부 실시 예들에 따라 RF-대-LO 격리도를 설명하는 그래프이다.
도 9는 본 개시의 일부 실시 예들에 따라 LO-대-IF 격리도를 설명하는 그래프이다.1 is a block diagram illustrating a frequency mixer according to an embodiment of the present disclosure.
2 is a circuit diagram illustrating a general non-linear circuit.
3 is a circuit diagram illustrating the non-linear circuit of FIG. 1 according to some embodiments of the present disclosure.
FIG. 4 is a diagram illustrating frequency signals of the non-linear circuit of FIG. 2;
FIG. 5 is a diagram explaining frequency signals of the non-linear circuit of FIG. 3;
6 is a graph illustrating insertion loss characteristics according to some embodiments of the present disclosure.
7 is a graph illustrating LO-to-RF isolation according to some embodiments of the present disclosure.
8 is a graph illustrating RF-to-LO isolation according to some embodiments of the present disclosure.
9 is a graph illustrating LO-to-IF isolation according to some embodiments of the present disclosure.

아래에서는, 본 발명의 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 쉽게 실시할 수 있을 정도로, 본 발명의 실시 예들이 명확하고 상세하게 기재될 것이다.In the following, embodiments of the present invention will be described clearly and in detail so that those skilled in the art can easily practice the present invention.

이하에서 사용되는 "유닛(unit)", "모듈(module)" 등의 용어들 또는 도면에 도시된 기능 블록들은 소프트웨어 구성, 하드웨어 구성 또는 그것들의 조합의 형태로 구현될 수 있다. 이하에서, 본 발명의 기술적 사상을 명확하게 설명하기 위하여, 중복되는 구성 요소들에 대한 상세한 설명은 생략된다.Terms such as “unit” and “module” used below or functional blocks shown in the drawings may be implemented in the form of a software configuration, a hardware configuration, or a combination thereof. Hereinafter, in order to clearly explain the technical spirit of the present invention, detailed descriptions of overlapping components are omitted.

도 1은 본 개시의 실시 예에 따른 주파수 혼합기를 설명하는 블록도이다. 도 1을 참조하면, 주파수 혼합기(100)는 RF(Radio Frequency) 신호 및 LO(Local Oscillator) 신호에 기초하여 IF(Intermediate Frequency) 신호를 생성할 수 있다.1 is a block diagram illustrating a frequency mixer according to an embodiment of the present disclosure. Referring to FIG. 1 , the frequency mixer 100 may generate an intermediate frequency (IF) signal based on a radio frequency (RF) signal and a local oscillator (LO) signal.

주파수 혼합기(100)는 서로 다른 주파수 신호들을 혼합하는 장치일 수 있다. 예를 들어, 주파수 혼합기(100)는 비-선형성을 이용하여 서로 다른 주파수 입력 신호들의 합에 대응하는 주파수 출력 신호를 생성하는 상향 주파수 혼합기로 구현될 수 있다. 또는, 주파수 혼합기(100)는 비-선형성을 이용하여 서로 다른 주파수 입력 신호들의 차에 대응하는 주파수 출력 신호를 생성하는 하향 주파수 혼합기로 구현될 수 있다.The frequency mixer 100 may be a device that mixes different frequency signals. For example, the frequency mixer 100 may be implemented as an uplink frequency mixer that generates a frequency output signal corresponding to the sum of different frequency input signals using non-linearity. Alternatively, the frequency mixer 100 may be implemented as a downlink frequency mixer that generates a frequency output signal corresponding to a difference between different frequency input signals using non-linearity.

주파수 혼합기(100)가 상향 주파수 혼합기로 구현되는 경우, 주파수 혼합기(100)는 RF 신호의 주파수에서 LO 신호의 주파수를 가산한 주파수를 갖는 IF 신호를 생성할 수 있다.When the frequency mixer 100 is implemented as an uplink mixer, the frequency mixer 100 may generate an IF signal having a frequency obtained by adding the frequency of the LO signal to the frequency of the RF signal.

주파수 혼합기(100)가 하향 주파수 혼합기로 구현되는 경우, 주파수 혼합기(100)는 RF 신호의 주파수에서 LO 신호의 주파수를 감산한 주파수를 갖는 IF 신호를 생성할 수 있다.When the frequency mixer 100 is implemented as a downlink frequency mixer, the frequency mixer 100 may generate an IF signal having a frequency obtained by subtracting the frequency of the LO signal from the frequency of the RF signal.

주파수 혼합기(100)는 LO 정합 회로(110), 비-선형 회로(120), RF 정합 회로(130), 혼합 회로(140), 및 IF 정합 회로(150)를 포함할 수 있다.The frequency mixer 100 may include an LO matching circuit 110 , a non-linear circuit 120 , an RF matching circuit 130 , a mixing circuit 140 , and an IF matching circuit 150 .

LO 정합 회로(110)는 LO 포트를 통해 LO 신호를 수신할 수 있다. LO 정합 회로(110)는 LO 신호에 기초하여, 정합된 LO(MLO) 신호를 생성할 수 있다. LO 정합 회로(110)는 MLO 신호를 비-선형 회로(120)에 제공할 수 있다.The LO matching circuit 110 may receive an LO signal through the LO port. The LO matching circuit 110 may generate a matched LO (MLO) signal based on the LO signal. LO match circuit 110 may provide the MLO signal to non-linear circuit 120 .

비-선형 회로(120)는 LO 정합 회로(110)로부터 MLO 신호를 수신할 수 있다. 비-선형 회로(120)는 MLO 신호에 기초하여, 비-선형 LO(NLO) 신호를 생성할 수 있다. NLO 신호는 MLO 신호가 비-선형 특성에 기초하여 변조된 신호일 수 있다. 비-선형 회로(120)는 NLO 신호를 혼합 회로(140)에 제공할 수 있다.The non-linear circuit 120 may receive the MLO signal from the LO matching circuit 110 . The non-linear circuit 120 may generate a non-linear LO (NLO) signal based on the MLO signal. The NLO signal may be a signal obtained by modulating the MLO signal based on non-linear characteristics. Non-linear circuit 120 may provide the NLO signal to mixing circuit 140 .

일부 실시 예들에서, 비-선형 회로(120)는 직렬로 연결된 제1 트랜지스터, 제2 트랜지스터, 및 내부 정합 회로를 포함할 수 있다. 비-선형 회로(120)의 회로 구조에 기초하여, 삽입 손실, 포트들 사이의 격리도 등과 같은 품질 요소가 향상될 수 있다.In some embodiments, the non-linear circuit 120 may include a first transistor, a second transistor, and an internal matching circuit connected in series. Based on the circuit structure of the non-linear circuit 120, quality factors such as insertion loss, isolation between ports, and the like can be improved.

예를 들어, 주파수 혼합기(100)는 무선 통신 기반의 다양한 전자 시스템들에 사용될 수 있다. 주파수 혼합기(100)에 의해 혼합된 주파수는 무선 통신에 사용될 수 있다. 주파수 혼합기의 품질 저하는 전자 시스템에서 신호 감도 저하, 데이터 손실, 에러율 증가 등을 야기할 수 있다. 주파수 혼합기의 품질 요소들의 예로서, 삽입 손실, 선형성, 포트-투-포트(port-to-port) 격리도 등이 있다. 비-선형 회로(120)의 회로 구조에 기초하여 품질 요소들을 향상시킴으로써, 주파수 혼합기를 포함하는 전자 시스템의 통신 성능을 향상시킬 수 있다. 비-선형 회로(120)에 대한 보다 상세한 설명은 도 3과 함께 후술될 것이다.For example, the frequency mixer 100 may be used in various electronic systems based on wireless communication. The frequencies mixed by the frequency mixer 100 may be used for wireless communication. Degraded frequency mixers can cause signal sensitivity degradation, data loss, and increased error rates in electronic systems. Examples of quality factors of a frequency mixer include insertion loss, linearity, and port-to-port isolation. By improving the quality factors based on the circuit structure of the non-linear circuit 120, communication performance of an electronic system including a frequency mixer can be improved. A more detailed description of the non-linear circuit 120 will be discussed later in conjunction with FIG. 3 .

RF 정합 회로(130)는 RF 포트를 통해 RF 신호를 수신할 수 있다. RF 정합 회로(130)는 RF 신호에 기초하여, 정합된 RF(MRF) 신호를 생성할 수 있다. RF 정합 회로(130)는 MRF 신호를 혼합 회로(140)에 제공할 수 있다.The RF matching circuit 130 may receive an RF signal through an RF port. The RF matching circuit 130 may generate a matched RF (MRF) signal based on the RF signal. The RF matching circuit 130 may provide the MRF signal to the mixing circuit 140 .

혼합 회로(140)는 비-선형 회로(120)로부터 NLO 신호를 수신할 수 있다. 혼합 회로(140)는 RF 정합 회로(130)로부터 MRF 신호를 수신할 수 있다. 혼합 회로(140)는 NLO 신호 및 MRF 신호의 혼합에 기초하여, 혼합(MX) 신호를 생성할 수 있다. 혼합 회로(140)는 MX 신호를 IF 정합 회로(150)에 제공할 수 있다.The mixing circuit 140 may receive the NLO signal from the non-linear circuit 120 . The mixing circuit 140 may receive the MRF signal from the RF matching circuit 130 . The mixing circuit 140 may generate a mixed (MX) signal based on mixing the NLO signal and the MRF signal. The mixing circuit 140 may provide the MX signal to the IF matching circuit 150 .

IF 정합 회로(150)는 MX 신호에 기초하여, IF 신호를 생성할 수 있다. IF 정합 회로(150)는 IF 신호를 IF 포트에 제공할 수 있다.The IF matching circuit 150 may generate an IF signal based on the MX signal. IF matching circuit 150 may provide an IF signal to an IF port.

도 2는 일반적인 비-선형 회로를 설명하는 회로도이다. 도 2를 참조하면, 일반적인 비-선형 회로(NLC)의 회로도가 도시된다. 일반적인 비-선형 회로(NLC)는 본 개시의 실시 예에 따른 도 1의 비-선형 회로(120)에 대응할 수 있다. 일반적인 비-선형 회로(NLC)는 본 개시의 비-선형 회로(120)의 이해를 돕기 위해 설명될 뿐, 일반적인 비-선형 회로(NLC)는 선행 문헌을 구성하지 않는 다른 구성 요소들을 포함할 수 있다.2 is a circuit diagram illustrating a general non-linear circuit. Referring to Fig. 2, a circuit diagram of a general non-linear circuit (NLC) is shown. A general non-linear circuit (NLC) may correspond to the non-linear circuit 120 of FIG. 1 according to an embodiment of the present disclosure. The general non-linear circuit (NLC) is described only to facilitate understanding of the non-linear circuit 120 of the present disclosure, and the general non-linear circuit (NLC) may include other components that do not constitute prior art. there is.

일반적인 비-선형 회로(NLC)는 MLO 신호에 기초하여 NLO 신호를 생성할 수 있다. 예를 들어, 일반적인 비-선형 회로(NLC)는 도 1의 LO 정합 회로(110)로부터 MLO 신호를 수신하고, MLO 신호에 기초하여 NLO 신호를 생성하고, 그리고 NLO 신호를 도 1의 혼합 회로(140)에 제공할 수 있다.A general non-linear circuit (NLC) can generate an NLO signal based on the MLO signal. For example, a general non-linear circuit (NLC) receives an MLO signal from the LO matching circuit 110 of FIG. 1, generates an NLO signal based on the MLO signal, and converts the NLO signal to the mixing circuit ( 140) can be provided.

일반적인 비-선형 회로(NLC)는 비-선형 트랜지스터(AM)를 포함할 수 있다. 비-선형 트랜지스터(AM)는 NLO 신호가 생성되는 단자 및 접지 노드(GND) 사이에 연결될 수 있다. 비-선형 트랜지스터(AM)는 MLO 신호에 응답하여 동작할 수 있다. 즉, 비-선형 트랜지스터(AM)는 MLO 신호를 비-선형적으로 변조하여 NLO 신호를 생성할 수 있다.A general non-linear circuit (NLC) may include a non-linear transistor (AM). The non-linear transistor AM may be connected between the terminal where the NLO signal is generated and the ground node GND. The non-linear transistor AM may operate in response to the MLO signal. That is, the non-linear transistor AM may generate the NLO signal by non-linearly modulating the MLO signal.

도 3은 본 개시의 일부 실시 예들에 따라 도 1의 비-선형 회로를 설명하는 회로도이다. 도 1 및 도 3을 참조하면, 본 개시의 일부 실시 예들에 따른 비-선형 회로(120)의 회로도가 도시된다. 비-선형 회로(120)는 도 1의 비-선형 회로(120)에 대응할 수 있다.3 is a circuit diagram illustrating the non-linear circuit of FIG. 1 according to some embodiments of the present disclosure. Referring to FIGS. 1 and 3 , circuit diagrams of a non-linear circuit 120 are shown in accordance with some embodiments of the present disclosure. Non-linear circuit 120 may correspond to non-linear circuit 120 of FIG. 1 .

비-선형 회로(120)는 MLO 신호에 기초하여 NLO 신호를 생성할 수 있다. 예를 들어, 비-선형 회로(120)는 LO 정합 회로(110)로부터 MLO 신호를 수신하고, MLO 신호에 기초하여 NLO 신호를 생성하고, 그리고 NLO 신호를 혼합 회로(140)에 제공할 수 있다.Non-linear circuit 120 may generate an NLO signal based on the MLO signal. For example, non-linear circuit 120 may receive an MLO signal from LO matching circuit 110, generate an NLO signal based on the MLO signal, and provide the NLO signal to mixing circuit 140. .

비-선형 회로(120)는 비-선형 트랜지스터(AM), 바이어스 트랜지스터(BM), 내부 정합 회로(IMC), 및 바이어스 전압원(Vb)을 포함할 수 있다. 비-선형 트랜지스터(AM), 바이어스 트랜지스터(BM), 및 내부 정합 회로(IMC)는 직렬로 연결될 수 있다. 비-선형 트랜지스터(AM) 및 바이어스 트랜지스터(BM)는 각각 제1 트랜지스터 및 제2 트랜지스터로도 지칭될 수 있다.The non-linear circuit 120 may include a non-linear transistor AM, a bias transistor BM, an internal matching circuit IMC, and a bias voltage source Vb. The non-linear transistor AM, the bias transistor BM, and the internal matching circuit IMC may be connected in series. The non-linear transistor AM and the bias transistor BM may also be referred to as a first transistor and a second transistor, respectively.

비-선형 트랜지스터(AM)는 NLO 신호가 생성되는 단자 및 제1 노드(N1) 사이에 연결될 수 있다. 비-선형 트랜지스터(AM)는 MLO 신호에 응답하여 동작할 수 있다. 즉, 비-선형 트랜지스터(AM)는 MLO 신호를 비-선형적으로 변조하여 NLO 신호를 생성할 수 있다.The non-linear transistor AM may be connected between the terminal where the NLO signal is generated and the first node N1. The non-linear transistor AM may operate in response to the MLO signal. That is, the non-linear transistor AM may generate the NLO signal by non-linearly modulating the MLO signal.

일부 실시 예들에서, 비-선형 트랜지스터(AM)는 NMOS(N-channel Metal Oxide Semiconductor) 트랜지스터로 구현될 수 있다. 예를 들어, 비-선형 트랜지스터(AM)의 소스 노드, 게이트 노드, 및 드레인 노드는 각각 제1 노드(N1), MLO 신호를 수신하는 단자, 및 NLO 신호가 생성되는 단자에 연결될 수 있다.In some embodiments, the non-linear transistor AM may be implemented as an N-channel Metal Oxide Semiconductor (NMOS) transistor. For example, a source node, a gate node, and a drain node of the non-linear transistor AM may be connected to the first node N1 , a terminal receiving the MLO signal, and a terminal from which the NLO signal is generated, respectively.

바이어스 트랜지스터(BM)는 제1 노드(N1) 및 제2 노드(N2) 사이에 연결될 수 있다. 바이어스 트랜지스터(BM)는 바이어스 전압에 응답하여 동작할 수 있다. 예를 들어, 바이어스 트랜지스터(BM)는 바이어스 전압원(Vb)으로부터 바이어스 전압을 수신할 수 있다. 바이어스 전압은 바이어스 트랜지스터(BM)를 턴-온 시키거나 또는 턴-오프시킬 수 있는 게이트 바이어스일 수 있다. 바이어스 트랜지스터(BM)는 바이어스 전압에 따라 턴-온되거나 또는 턴-오프됨으로써 바이어스 트랜지스터(BM)의 기생 성분 값들이 달라질 수 있다.The bias transistor BM may be connected between the first node N1 and the second node N2. The bias transistor BM may operate in response to a bias voltage. For example, the bias transistor BM may receive a bias voltage from the bias voltage source Vb. The bias voltage may be a gate bias capable of turning on or off the bias transistor BM. As the bias transistor BM is turned on or off according to the bias voltage, parasitic component values of the bias transistor BM may vary.

또한, 바이어스 전압은 바이어스 트랜지스터(BM)의 문턱 전압 이상의 여러 전압 값들 중 하나로 결정될 수 있다. 바이어스 전압은 바이어스 트랜지스터(BM)의 기생 성분 값들 및 바이어스 트랜지스터(BM)와 연결된 내부 정합 회로(IMC)의 합성 임피던스 값을 고려하여 주파수 혼합기(100)의 격리도가 향상되도록 조절될 수 있다. Also, the bias voltage may be determined as one of several voltage values higher than or equal to the threshold voltage of the bias transistor BM. The bias voltage may be adjusted to improve the isolation of the frequency mixer 100 in consideration of the parasitic component values of the bias transistor BM and the combined impedance value of the internal matching circuit IMC connected to the bias transistor BM.

예를 들어, 바이어스 트랜지스터(BM)는, 바이어스 전압에 따라, 비-선형 트랜지스터(AM)로부터 출력된 전기적인 신호의 특정 주파수 성분이 내부 정합 회로(IMC)를 통해 빠져나가도록 조절함으로써, 주파수 혼합기(100)의 서로 다른 포트들(예를 들어, LO 포트, RF 포트, IF 포트) 사이에서 전달되는 주파수 성분을 감쇄시킬 수 있다. 즉, 바이어스 트랜지스터(BM)는 서로 다른 주파수 신호들(RF 신호, LO 신호, IF 신호) 사이의 정합이 가능하도록 할 수 있다.For example, the bias transistor BM adjusts a specific frequency component of the electrical signal output from the non-linear transistor AM to escape through the internal matching circuit IMC according to the bias voltage, thereby forming a frequency mixer. Frequency components transmitted between different ports (eg, LO port, RF port, IF port) of (100) may be attenuated. That is, the bias transistor BM can enable matching between different frequency signals (RF signal, LO signal, IF signal).

바이어스 전압원(Vb)은 바이어스 트랜지스터(BM) 및 접지 노드(GND)와 연결될 수 있다. 바이어스 전압원(Vb)은 바이어스 트랜지스터(BM)에 바이어스 전압을 제공할 수 있다.The bias voltage source Vb may be connected to the bias transistor BM and the ground node GND. The bias voltage source Vb may provide a bias voltage to the bias transistor BM.

일부 실시 예들에서, 바이어스 트랜지스터(BM)는 NMOS 트랜지스터로 구현될 수 있다. 예를 들어, 바이어스 트랜지스터(BM)의 소스 노드, 게이드 노드, 및 드레인 노드는 각각 제2 노드(N2), 바이어스 전압원(Vb), 및 제1 노드(N1)에 연결될 수 있다.In some embodiments, the bias transistor BM may be implemented as an NMOS transistor. For example, a source node, a gate node, and a drain node of the bias transistor BM may be connected to the second node N2, the bias voltage source Vb, and the first node N1, respectively.

일부 실시 예들에서, 바이어스 트랜지스터(BM)는 주파수 혼합기(100)의 격리도를 향상시킬 수 있다. 예를 들어, 바이어스 트랜지스터(BM)의 게이트 단자에 제공되는 바이어스 전압의 크기는 주파수 혼합기(100)의 LO-대-RF 격리도, RF-대-LO 격리도, 및 LO-대-IF 격리도 중 적어도 하나를 향상시키도록 최적화될 수 있다. In some embodiments, the bias transistor BM may improve isolation of the frequency mixer 100 . For example, the magnitude of the bias voltage provided to the gate terminal of the bias transistor BM is the LO-to-RF isolation, RF-to-LO isolation, and LO-to-IF isolation of the frequency mixer 100. may be optimized to improve at least one of the

일부 실시 예들에서, 비-선형 트랜지스터(AM) 및 바이어스 트랜지스터(BM)는 각각 NMOS 트랜지스터, 비소화 갈륨(GaAs) PHEMT(Pseudomorphic High Electron Mobility Transistor), GaAs MHEMT(Metamorphic High Electron Mobility Transistor) InP HEMT(High Electron Mobility Transistor), 및 GaN FET(Field Effect Transistor) 중 적어도 하나로 구현될 수 있다.In some embodiments, the non-linear transistor AM and the bias transistor BM are each an NMOS transistor, a gallium arsenide (GaAs) pseudomorphic high electron mobility transistor (PHEMT), and a GaAs metamorphic high electron mobility transistor (MHEMT) InP HEMT ( High Electron Mobility Transistor) and GaN FET (Field Effect Transistor).

LO-대-RF 격리도는 LO 포트 및 RF 포트 사이에서 주파수 성분의 전달을 차단하는 정도를 가리킬 수 있다. RF-대-LO 격리도는 RF 포트 및 LO 포트 사이에서 주파수 성분의 전달을 차단하는 정도를 가리킬 수 있다. LO-대-IF 격리도는 LO 포트 및 IF 포트 사이에서 주파수 성분의 전달을 차단하는 정도를 가리킬 수 있다.LO-to-RF isolation can refer to the degree to which transmission of frequency components between the LO port and the RF port is blocked. RF-to-LO isolation can refer to the degree to which transmission of frequency components between the RF port and the LO port is blocked. LO-to-IF isolation may refer to the degree to which transmission of frequency components is blocked between the LO port and the IF port.

일부 실시 예들에서, 바이어스 트랜지스터(BM)는 제작 공정에 따른 공정 변화를 고려하여 주파수 혼합기(100)의 격리도를 향상시킬 수 있다. 예를 들어, 바이어스 트랜지스터(BM)의 게이트 단자에 제공되는 바이어스 전압의 크기는 주파수 혼합기(100)의 제작 공정에서 발생하는 능동 소자의 공정 변화 및 수동 소자의 공정 변화에 대해, 주파수 혼합기(100)의 LO-대-RF 격리도, RF-대-LO 격리도, 및 LO-대-IF 격리도 중 적어도 하나를 향상시키도록 최적화될 수 있다.In some embodiments, the bias transistor BM may improve isolation of the frequency mixer 100 by considering a process change according to a manufacturing process. For example, the magnitude of the bias voltage provided to the gate terminal of the bias transistor BM is proportional to the process change of the active element and the process change of the passive element occurring in the manufacturing process of the frequency mixer 100. may be optimized to improve at least one of LO-to-RF isolation, RF-to-LO isolation, and LO-to-IF isolation of .

내부 정합 회로(IMC)는 제2 노드(N2) 및 접지 노드(GND) 사이에 연결될 수 있다. 내부 정합 회로(IMC)는 비-선형 트랜지스터(AM)로부터 바이어스 트랜지스터(BM)를 통해 전달된 전기적인 신호의 특정 주파수 성분을 접지 노드(GND)로 출력함으로써, 주파수 혼합기(100)의 격리도를 향상시킬 수 있다.The internal matching circuit IMC may be connected between the second node N2 and the ground node GND. The internal matching circuit (IMC) outputs a specific frequency component of the electrical signal transferred from the non-linear transistor (AM) through the bias transistor (BM) to the ground node (GND), thereby improving the isolation of the frequency mixer (100). can make it

일부 실시 예들에서, 내부 정합 회로(IMC)는 RLC 병렬 회로로 구현될 수 있다. 예를 들어, 내부 정합 회로(IMC)는 제2 노드(N2) 및 접지 노드(GND) 사이에 병렬로 연결된 저항(R), 인덕터(L), 및 커패시터(C)를 포함할 수 있다.In some embodiments, the internal matching circuit (IMC) may be implemented as an RLC parallel circuit. For example, the internal matching circuit IMC may include a resistor R, an inductor L, and a capacitor C connected in parallel between the second node N2 and the ground node GND.

일부 실시 예들에서, 내부 정합 회로(IMC)의 합성 임피던스의 크기는 주파수 혼합기(100)의 격리도를 향상시키도록 최적화될 수 있다. 예를 들어, 내부 정합 회로(IMC)는 병렬로 연결된 저항(R), 인덕터(L), 및 커패시터(C)를 포함할 수 있다. 저항(R)의 크기, 인덕터(L)의 용량, 및 커패시터(C)의 용량은 주파수 혼합기(100)의 LO-대-RF 격리도, RF-대-LO 격리도, 및 LO-대-IF 격리도 중 적어도 하나를 향상시키도록 최적화될 수 있다.In some embodiments, the magnitude of the combined impedance of the internal matching circuit (IMC) may be optimized to improve the isolation of the frequency mixer 100. For example, the internal matching circuit (IMC) may include a resistor (R), an inductor (L), and a capacitor (C) connected in parallel. The size of resistor R, the capacitance of inductor L, and the capacitance of capacitor C are the LO-to-RF isolation, RF-to-LO isolation, and LO-to-IF of frequency mixer 100. may be optimized to improve at least one of the isolation degrees.

도 4는 도 2의 비-선형 회로의 주파수 신호들을 설명하는 도면이다. 도 2 및 도 4를 참조하면, 일반적인 비-선형 회로(NLC)를 포함하는 주파수 혼합기의 IF 신호, RF 신호, 및 LO 신호의 주파수에 따른 스펙트럼 특성들이 그래프들을 참조하여 설명된다. 그래프에서 가로축은 주파수를 나타내고, 세로축은 전력 크기를 나타낸다.FIG. 4 is a diagram illustrating frequency signals of the non-linear circuit of FIG. 2; Referring to FIGS. 2 and 4 , spectral characteristics according to frequencies of an IF signal, an RF signal, and an LO signal of a frequency mixer including a general non-linear circuit (NLC) are described with reference to graphs. In the graph, the horizontal axis represents frequency, and the vertical axis represents power.

시뮬레이션 조건에 따르면, RF 신호의 주파수는 140GHz이고, LO 신호의 주파수는 139GHz이고, 그리고 IF 신호의 주파수는 1GHz이다. RF 신호의 크기는 -30dBm이고, 그리고 LO 신호의 크기는 -10dBm이다.According to the simulation conditions, the frequency of the RF signal is 140 GHz, the frequency of the LO signal is 139 GHz, and the frequency of the IF signal is 1 GHz. The magnitude of the RF signal is -30dBm, and the magnitude of the LO signal is -10dBm.

IF 신호의 그래프를 참조하면, LO-대-IF 격리도가 설명된다. LO 신호의 주파수가 139GHz이고 LO 신호의 크기가 -10dBm일 때, 측정점(MPa1)은 IF 신호의 스펙트럼 값으로서 -25.629dBm을 나타낸다. 따라서, LO-대-IF 격리도는 '-10 - (-25.629)dBm'으로 계산될 수 있다. 즉, LO-대-IF 격리도는 15.629dBm이다.Referring to the graph of the IF signal, LO-to-IF isolation is illustrated. When the frequency of the LO signal is 139 GHz and the magnitude of the LO signal is -10 dBm, the measurement point MPa1 represents -25.629 dBm as the spectral value of the IF signal. Therefore, the LO-to-IF isolation can be calculated as '-10 - (-25.629) dBm'. That is, the LO-to-IF isolation is 15.629 dBm.

RF 신호의 그래프를 참조하면, LO-대-RF 격리도가 설명된다. LO 신호의 주파수가 139GHz이고 LO 신호의 크기가 -10dBm일 때, 측정점(MPa2)은 RF 신호의 스펙트럼 값으로서 -27.687dBm을 나타낸다. 따라서, LO-대-RF 격리도는 '-10 - (-27.689)dBm'으로 계산될 수 있다. 즉, LO-대-RF 격리도는 17.689dBm이다.Referring to a graph of an RF signal, LO-to-RF isolation is illustrated. When the frequency of the LO signal is 139 GHz and the magnitude of the LO signal is -10 dBm, the measurement point MPa2 represents -27.687 dBm as the spectrum value of the RF signal. Therefore, the LO-to-RF isolation can be calculated as '-10 - (-27.689) dBm'. That is, the LO-to-RF isolation is 17.689 dBm.

LO 신호의 그래프를 참조하면, RF-대-LO 격리도가 설명된다. RF 신호의 주파수가 140GHz이고 RF 신호의 크기가 -30dBm일 때, 측정점(MPa3)은 LO 신호의 스펙트럼 값으로서 -48.521dBm을 나타낸다. 따라서, RF-대-LO 격리도는 '-30 - (-48.521)dBm'으로 계산될 수 있다. 즉, RF-대-LO 격리도는 18.521dBm이다.Referring to the graph of the LO signal, RF-to-LO isolation is illustrated. When the frequency of the RF signal is 140 GHz and the magnitude of the RF signal is -30 dBm, the measurement point MPa3 represents -48.521 dBm as the spectrum value of the LO signal. Therefore, the RF-to-LO isolation can be calculated as '-30 - (-48.521) dBm'. That is, the RF-to-LO isolation is 18.521 dBm.

도 5는 도 3의 비-선형 회로의 주파수 신호들을 설명하는 도면이다. 도 3 및 도 5를 참조하면, 본 개시의 실시 예들에 따르면 비-선형 회로(120)를 포함하는 주파수 혼합기(100)의 IF 신호, RF 신호, 및 LO 신호의 주파수에 따른 스펙트럼 특성들이 그래프들을 참조하여 설명된다. 그래프에서 가로축은 주파수를 나타내고, 세로축은 전력 크기를 나타낸다.FIG. 5 is a diagram explaining frequency signals of the non-linear circuit of FIG. 3; Referring to FIGS. 3 and 5 , according to embodiments of the present disclosure, spectral characteristics according to frequencies of an IF signal, an RF signal, and an LO signal of the frequency mixer 100 including the non-linear circuit 120 are graphs described with reference to In the graph, the horizontal axis represents frequency, and the vertical axis represents power.

시뮬레이션 조건에 따르면, RF 신호의 주파수는 140GHz이고, LO 신호의 주파수는 139GHz이고, 그리고 IF 신호의 주파수는 1GHz이다. RF 신호의 크기는 -30dBm이고, 그리고 LO 신호의 크기는 -10dBm이다.According to the simulation conditions, the frequency of the RF signal is 140 GHz, the frequency of the LO signal is 139 GHz, and the frequency of the IF signal is 1 GHz. The magnitude of the RF signal is -30dBm, and the magnitude of the LO signal is -10dBm.

IF 신호의 그래프를 참조하면, LO-대-IF 격리도가 설명된다. LO 신호의 주파수가 139GHz이고 LO 신호의 크기가 -10dBm일 때, 측정점(MPb1)은 IF 신호의 스펙트럼 값으로서 -70.823dBm을 나타낸다. 따라서, LO-대-IF 격리도는 '-10 - (-70.823)dBm'으로 계산될 수 있다. 즉, LO-대-IF 격리도는 60.823dBm이다.Referring to the graph of the IF signal, LO-to-IF isolation is illustrated. When the frequency of the LO signal is 139 GHz and the magnitude of the LO signal is -10 dBm, the measurement point MPb1 represents -70.823 dBm as the spectral value of the IF signal. Therefore, the LO-to-IF isolation can be calculated as '-10 - (-70.823) dBm'. That is, the LO-to-IF isolation is 60.823 dBm.

RF 신호의 그래프를 참조하면, LO-대-RF 격리도가 설명된다. LO 신호의 주파수가 139GHz이고 LO 신호의 크기가 -10dBm일 때, 측정점(MPb2)은 RF 신호의 스펙트럼 값으로서 -72.881dBm을 나타낸다. 따라서, LO-대-RF 격리도는 '-10 - (-72.881)dBm'으로 계산될 수 있다. 즉, LO-대-RF 격리도는 62.881dBm이다.Referring to a graph of an RF signal, LO-to-RF isolation is illustrated. When the frequency of the LO signal is 139 GHz and the magnitude of the LO signal is -10 dBm, the measurement point MPb2 represents -72.881 dBm as the spectrum value of the RF signal. Therefore, the LO-to-RF isolation can be calculated as '-10 - (-72.881) dBm'. That is, the LO-to-RF isolation is 62.881 dBm.

LO 신호의 그래프를 참조하면, RF-대-LO 격리도가 설명된다. RF 신호의 주파수가 140GHz이고 RF 신호의 크기가 -30dBm일 때, 측정점(MPb3)은 LO 신호의 스펙트럼 값으로서 -62.203dBm을 나타낸다. 따라서, RF-대-LO 격리도는 '-30 - (-62.203)dBm'으로 계산될 수 있다. 즉, RF-대-LO 격리도는 32.203dBm이다.Referring to the graph of the LO signal, RF-to-LO isolation is illustrated. When the frequency of the RF signal is 140 GHz and the magnitude of the RF signal is -30 dBm, the measurement point MPb3 represents -62.203 dBm as the spectrum value of the LO signal. Therefore, the RF-to-LO isolation can be calculated as '-30 - (-62.203) dBm'. That is, the RF-to-LO isolation is 32.203 dBm.

상술된 바와 같이, 도 4 및 도 5를 참조하면, 본 개시의 실시 예들에 따른 비-선형 회로(120)를 포함하는 주파수 혼합기(100)의 격리도는 일반적인 비-선형 회로(NLC)를 포함하는 주파수 혼합기의 격리도보다 높을 수 있다. 즉, 본 개시의 실시 예들에 따르면, LO-대-RF 격리도, RF-대-LO 격리도, 및 LO-대-IF 격리도가 향상된 주파수 혼합기가 제공될 수 있다.As described above, referring to FIGS. 4 and 5, the isolation diagram of the frequency mixer 100 including the non-linear circuit 120 according to embodiments of the present disclosure includes a general non-linear circuit (NLC) It may be higher than the isolation of the frequency mixer. That is, according to embodiments of the present disclosure, a frequency mixer having improved LO-to-RF isolation, RF-to-LO isolation, and LO-to-IF isolation may be provided.

도 6은 본 개시의 일부 실시 예들에 따라 삽입 손실 특성을 설명하는 그래프이다. 도 6을 참조하면, 본 개시의 실시 예들에 따른 비-선형 회로(120)의 삽입 손실 및 일반적인 비-선형 회로(NLC)의 삽입 손실이 설명된다. 비-선형 회로(120)는 도 3의 비-선형 회로(120)에 대응할 수 있다. 일반적인 비-선형 회로(NLC)는 도 2의 일반적인 비-선형 회로(NLC)에 대응할 수 있다. 그래프에서, 가로축은 주파수를 나타내고, 세로축은 삽입 손실의 크기를 나타낸다.6 is a graph illustrating insertion loss characteristics according to some embodiments of the present disclosure. Referring to FIG. 6 , insertion loss of the non-linear circuit 120 and insertion loss of a general non-linear circuit (NLC) according to embodiments of the present disclosure are described. Non-linear circuit 120 may correspond to non-linear circuit 120 of FIG. 3 . The general non-linear circuit NLC may correspond to the general non-linear circuit NLC of FIG. 2 . In the graph, the horizontal axis represents frequency, and the vertical axis represents the magnitude of insertion loss.

시뮬레이션 조건에 따르면, RF 신호의 주파수의 범위는 130 내지 150GHz이고, LO 신호의 주파수의 범위는 129 내지 149GHz이고, 그리고 IF 신호의 주파수는 1GHz이다. RF 신호의 크기는 -30dBm이고, 그리고 LO 신호의 크기는 -10dBm이다.According to simulation conditions, the frequency range of the RF signal is 130 to 150 GHz, the frequency range of the LO signal is 129 to 149 GHz, and the frequency of the IF signal is 1 GHz. The magnitude of the RF signal is -30dBm, and the magnitude of the LO signal is -10dBm.

그래프를 참조하면, 비-선형 회로(120)를 포함하는 주파수 혼합기(100)의 삽입 손실은 12 내지 20dB일 수 있다. 일반적인 비-선형 회로(NLC)를 포함하는 주파수 혼합기의 삽입 손실은 15 내지 17dB일 수 있다.Referring to the graph, the insertion loss of the frequency mixer 100 including the non-linear circuit 120 may be 12 to 20 dB. The insertion loss of a frequency mixer including a general non-linear circuit (NLC) may be 15 to 17 dB.

상술된 바와 같이, 본 개시의 실시 예들에 따른 비-선형 회로(120)를 포함하는 주파수 혼합기(100)의 삽입 손실은 일반적인 비-선형 회로(NLC)를 포함하는 주파수 혼합기의 삽입 손실보다 균일할 수 있다.As described above, the insertion loss of the frequency mixer 100 including the non-linear circuit 120 according to the embodiments of the present disclosure may be more uniform than the insertion loss of the frequency mixer including the general non-linear circuit (NLC). can

도 7은 본 개시의 일부 실시 예들에 따라 LO-대-RF 격리도를 설명하는 그래프이다. 도 7을 참조하면, 본 개시의 실시 예들에 따른 비-선형 회로(120)의 LO-대-RF 격리도 및 일반적인 비-선형 회로(NLC)의 LO-대-RF 격리도가 설명된다. 비-선형 회로(120)는 도 3의 비-선형 회로(120)에 대응할 수 있다. 일반적인 비-선형 회로(NLC)는 도 2의 일반적인 비-선형 회로(NLC)에 대응할 수 있다. 그래프에서, 가로축은 주파수를 나타내고, 세로축은 격리도의 크기를 나타낸다.7 is a graph illustrating LO-to-RF isolation according to some embodiments of the present disclosure. Referring to FIG. 7 , LO-to-RF isolation of the non-linear circuit 120 and LO-to-RF isolation of a general non-linear circuit (NLC) according to embodiments of the present disclosure are described. Non-linear circuit 120 may correspond to non-linear circuit 120 of FIG. 3 . The general non-linear circuit NLC may correspond to the general non-linear circuit NLC of FIG. 2 . In the graph, the horizontal axis represents the frequency, and the vertical axis represents the magnitude of the degree of isolation.

시뮬레이션 조건에 따르면, RF 신호의 주파수의 범위는 130 내지 150GHz이고, LO 신호의 주파수의 범위는 129 내지 149GHz이고, 그리고 IF 신호의 주파수는 1GHz이다. RF 신호의 크기는 -30dBm이고, 그리고 LO 신호의 크기는 -10dBm이다.According to simulation conditions, the frequency range of the RF signal is 130 to 150 GHz, the frequency range of the LO signal is 129 to 149 GHz, and the frequency of the IF signal is 1 GHz. The magnitude of the RF signal is -30dBm, and the magnitude of the LO signal is -10dBm.

그래프를 참조하면, 비-선형 회로(120)를 포함하는 주파수 혼합기(100)의 LO-대-RF 격리도는 20 내지 63dB일 수 있다. 일반적인 비-선형 회로(NLC)를 포함하는 주파수 혼합기의 LO-대-RF 격리도는 16 내지 19dB일 수 있다.Referring to the graph, the LO-to-RF isolation of the frequency mixer 100 including the non-linear circuit 120 may be 20 to 63 dB. The LO-to-RF isolation of a frequency mixer with a general non-linear circuit (NLC) can be 16 to 19 dB.

상술된 바와 같이, 본 개시의 실시 예들에 따른 비-선형 회로(120)를 포함하는 주파수 혼합기(100)의 LO-대-RF 격리도는 일반적인 비-선형 회로(NLC)를 포함하는 주파수 혼합기의 LO-대-RF 격리도보다 높을 수 있다.As described above, the LO-to-RF isolation of the frequency mixer 100 including the non-linear circuit 120 according to the embodiments of the present disclosure is the LO of the frequency mixer including the general non-linear circuit (NLC). It may be higher than the -to-RF isolation.

도 8은 본 개시의 일부 실시 예들에 따라 RF-대-LO 격리도를 설명하는 그래프이다. 도 8을 참조하면, 본 개시의 실시 예들에 따른 비-선형 회로(120)의 RF-대-LO 격리도 및 일반적인 비-선형 회로(NLC)의 RF-대-LO 격리도가 설명된다. 비-선형 회로(120)는 도 3의 비-선형 회로(120)에 대응할 수 있다. 일반적인 비-선형 회로(NLC)는 도 2의 일반적인 비-선형 회로(NLC)에 대응할 수 있다. 그래프에서, 가로축은 주파수를 나타내고, 세로축은 격리도의 크기를 나타낸다.8 is a graph illustrating RF-to-LO isolation according to some embodiments of the present disclosure. Referring to FIG. 8 , RF-to-LO isolation of the non-linear circuit 120 and RF-to-LO isolation of a general non-linear circuit (NLC) according to embodiments of the present disclosure are described. Non-linear circuit 120 may correspond to non-linear circuit 120 of FIG. 3 . The general non-linear circuit NLC may correspond to the general non-linear circuit NLC of FIG. 2 . In the graph, the horizontal axis represents the frequency, and the vertical axis represents the magnitude of the degree of isolation.

시뮬레이션 조건에 따르면, RF 신호의 주파수의 범위는 130 내지 150GHz이고, LO 신호의 주파수의 범위는 129 내지 149GHz이고, 그리고 IF 신호의 주파수는 1GHz이다. RF 신호의 크기는 -30dBm이고, 그리고 LO 신호의 크기는 -10dBm이다.According to simulation conditions, the frequency range of the RF signal is 130 to 150 GHz, the frequency range of the LO signal is 129 to 149 GHz, and the frequency of the IF signal is 1 GHz. The magnitude of the RF signal is -30dBm, and the magnitude of the LO signal is -10dBm.

그래프를 참조하면, 비-선형 회로(120)를 포함하는 주파수 혼합기(100)의 RF-대-LO 격리도는 25 내지 38dB일 수 있다. 일반적인 비-선형 회로(NLC)를 포함하는 주파수 혼합기의 RF-대-LO 격리도는 16 내지 20dB일 수 있다.Referring to the graph, the RF-to-LO isolation of the frequency mixer 100 including the non-linear circuit 120 may be 25 to 38 dB. The RF-to-LO isolation of a frequency mixer with a general non-linear circuit (NLC) can be 16 to 20 dB.

상술된 바와 같이, 본 개시의 실시 예들에 따른 비-선형 회로(120)를 포함하는 주파수 혼합기(100)의 RF-대-LO 격리도는 일반적인 비-선형 회로(NLC)를 포함하는 주파수 혼합기의 RF-대-LO 격리도보다 높을 수 있다.As described above, the RF-to-LO isolation of the frequency mixer 100 including the non-linear circuit 120 according to the embodiments of the present disclosure is RF of the frequency mixer including the general non-linear circuit (NLC). It may be higher than the -to-LO isolation.

도 9는 본 개시의 일부 실시 예들에 따라 LO-대-IF 격리도를 설명하는 그래프이다. 도 9를 참조하면, 본 개시의 실시 예들에 따른 비-선형 회로(120)의 LO-대-IF 격리도 및 일반적인 비-선형 회로(NLC)의 LO-대-IF 격리도가 설명된다. 비-선형 회로(120)는 도 3의 비-선형 회로(120)에 대응할 수 있다. 일반적인 비-선형 회로(NLC)는 도 2의 일반적인 비-선형 회로(NLC)에 대응할 수 있다. 그래프에서, 가로축은 주파수를 나타내고, 세로축은 격리도의 크기를 나타낸다.9 is a graph illustrating LO-to-IF isolation according to some embodiments of the present disclosure. Referring to FIG. 9 , LO-to-IF isolation of the non-linear circuit 120 and LO-to-IF isolation of a general non-linear circuit (NLC) according to embodiments of the present disclosure are described. Non-linear circuit 120 may correspond to non-linear circuit 120 of FIG. 3 . The general non-linear circuit NLC may correspond to the general non-linear circuit NLC of FIG. 2 . In the graph, the horizontal axis represents the frequency, and the vertical axis represents the magnitude of the degree of isolation.

시뮬레이션 조건에 따르면, RF 신호의 주파수의 범위는 130 내지 150GHz이고, LO 신호의 주파수의 범위는 129 내지 149GHz이고, 그리고 IF 신호의 주파수는 1GHz이다. RF 신호의 크기는 -30dBm이고, 그리고 LO 신호의 크기는 -10dBm이다.According to simulation conditions, the frequency range of the RF signal is 130 to 150 GHz, the frequency range of the LO signal is 129 to 149 GHz, and the frequency of the IF signal is 1 GHz. The magnitude of the RF signal is -30dBm, and the magnitude of the LO signal is -10dBm.

그래프를 참조하면, 비-선형 회로(120)를 포함하는 주파수 혼합기(100)의 LO-대-IF 격리도는 20 내지 61dB일 수 있다. 일반적인 비-선형 회로(NLC)를 포함하는 주파수 혼합기의 LO-대-IF 격리도는 15 내지 17dB일 수 있다.Referring to the graph, the LO-to-IF isolation of the frequency mixer 100 including the non-linear circuit 120 may be 20 to 61 dB. The LO-to-IF isolation of a frequency mixer with a typical non-linear circuit (NLC) can be 15 to 17 dB.

상술된 바와 같이, 본 개시의 실시 예들에 따른 비-선형 회로(120)를 포함하는 주파수 혼합기(100)의 LO-대-IF 격리도는 일반적인 비-선형 회로(NLC)를 포함하는 주파수 혼합기의 LO-대-IF 격리도보다 높을 수 있다.As described above, the LO-to-IF isolation of the frequency mixer 100 including the non-linear circuit 120 according to the embodiments of the present disclosure is the LO of the frequency mixer including the general non-linear circuit (NLC). -to-IF isolation may be higher.

상술된 내용은 본 발명을 실시하기 위한 구체적인 실시 예들이다. 본 발명은 상술된 실시 예들뿐만 아니라, 단순하게 설계 변경되거나 용이하게 변경할 수 있는 실시 예들 또한 포함할 것이다. 또한, 본 발명은 실시 예들을 이용하여 용이하게 변형하여 실시할 수 있는 기술들도 포함될 것이다. 따라서, 본 발명의 범위는 상술된 실시 예들에 국한되어 정해져서는 안되며 후술하는 특허청구범위뿐만 아니라 이 발명의 특허청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 할 것이다.The foregoing are specific embodiments for carrying out the present invention. The present invention will include not only the above-described embodiments, but also embodiments that can be simply or easily changed in design. In addition, the present invention will also include techniques that can be easily modified and practiced using the embodiments. Therefore, the scope of the present invention should not be limited to the above-described embodiments and should not be defined by the following claims as well as those equivalent to the claims of this invention.

100: 주파수 혼합기
110: LO 정합 회로
120: 비-선형 회로
130: RF 정합 회로
140: 혼합 회로
150: IF 정합 회로100: frequency mixer
110: LO matching circuit
120 non-linear circuit
130: RF matching circuit
140: mixed circuit
150: IF matching circuit

Claims (16)

LO(Local Oscillator) 신호에 기초하여, 정합된 LO 신호를 생성하도록 구성된 제1 정합 회로;
상기 정합된 LO 신호에 기초하여, 비-선형 LO 신호를 생성하도록 구성된 비-선형 회로;
RF(Radio Frequency) 신호에 기초하여, 정합된 RF 신호를 생성하도록 구성된 제2 정합 회로;
상기 비-선형 LO 신호 및 상기 정합된 RF 신호의 혼합에 기초하여, 혼합 신호를 생성하도록 구성된 혼합 회로; 및
상기 혼합 신호에 기초하여, IF(Intermediate Frequency) 신호를 생성하도록 구성된 제3 정합 회로를 포함하되,
상기 비-선형 회로는 직렬로 연결된 비-선형 트랜지스터, 바이어스 트랜지스터, 및 내부 정합 회로를 포함하는 주파수 혼합기.a first matching circuit configured to generate a matched LO signal based on a local oscillator (LO) signal;
a non-linear circuit configured to generate a non-linear LO signal based on the matched LO signal;
a second matching circuit configured to generate a matched RF signal based on a Radio Frequency (RF) signal;
a mixing circuit configured to generate a mixed signal based on mixing the non-linear LO signal and the matched RF signal; and
A third matching circuit configured to generate an intermediate frequency (IF) signal based on the mixed signal,
The frequency mixer of claim 1 , wherein the non-linear circuit includes a series-connected non-linear transistor, a bias transistor, and an internal matching circuit. 제 1 항에 있어서,
상기 내부 정합 회로는 병렬로 연결된 저항, 인덕터, 및 커패시터를 포함하는 주파수 혼합기.According to claim 1,
The internal matching circuit includes a resistor, an inductor, and a capacitor connected in parallel. 제 2 항에 있어서,
상기 저항의 크기, 상기 인덕터의 용량, 및 상기 커패시터의 용량은 상기 주파수 혼합기의 LO-대-RF 격리도, RF-대-LO 격리도, 및 LO-대-IF 격리도 중 적어도 하나를 향상시키도록 최적화되는 주파수 혼합기.According to claim 2,
The size of the resistor, the capacitance of the inductor, and the capacitance of the capacitor improve at least one of LO-to-RF isolation, RF-to-LO isolation, and LO-to-IF isolation of the frequency mixer. frequency mixer optimized for 제 1 항에 있어서,
상기 바이어스 트랜지스터는 바이어스 전압에 응답하여 동작하도록 구성되고, 그리고
상기 바이어스 전압의 크기는 상기 주파수 혼합기의 LO-대-RF 격리도, RF-대-LO 격리도, 및 LO-대-IF 격리도 중 적어도 하나를 향상시키도록 최적화되는 주파수 혼합기.According to claim 1,
the bias transistor is configured to operate in response to a bias voltage; and
The bias voltage is optimized to improve at least one of LO-to-RF isolation, RF-to-LO isolation, and LO-to-IF isolation of the frequency mixer. 제 1 항에 있어서,
상기 바이어스 트랜지스터는 바이어스 전압에 응답하여 동작하도록 구성되고, 그리고
상기 바이어스 전압의 상기 크기는, 상기 주파수 혼합기의 제작 공정에서 발생하는 능동 소자의 공정 변화 및 수동 소자의 공정 변화에 대해, 상기 주파수 혼합기의 LO-대-RF 격리도, RF-대-LO 격리도, 및 LO-대-IF 격리도 중 적어도 하나를 향상시키도록 최적화되는 주파수 혼합기.According to claim 1,
the bias transistor is configured to operate in response to a bias voltage; and
The magnitude of the bias voltage corresponds to the LO-to-RF isolation and the RF-to-LO isolation of the frequency mixer with respect to the process change of the active element and the process change of the passive element occurring in the manufacturing process of the frequency mixer. , and a frequency mixer optimized to improve at least one of LO-to-IF isolation. 제 1 항에 있어서,
상기 비-선형 트랜지스터는 상기 비-선형 LO 신호가 생성되는 단자 및 제1 노드 사이에 연결되고, 상기 정합된 LO 신호에 응답하여 동작하도록 구성되고,
상기 바이어스 트랜지스터는 상기 제1 노드 및 제2 노드 사이에 연결되고, 바이어스 전압에 응답하여 동작하도록 구성되고, 그리고
상기 내부 정합 회로는 상기 제2 노드 및 접지 노드 사이에 연결되는 주파수 혼합기.According to claim 1,
the non-linear transistor is connected between a terminal from which the non-linear LO signal is generated and a first node and is configured to operate in response to the matched LO signal;
the bias transistor is connected between the first node and the second node and is configured to operate in response to a bias voltage; and
The internal matching circuit is connected between the second node and the ground node. 제 6 항에 있어서,
상기 비-선형 회로는 상기 바이어스 트랜지스터의 게이트 단자에 상기 바이어스 전압을 제공하는 바이어스 전압원을 더 포함하는 주파수 혼합기.According to claim 6,
The frequency mixer of claim 1 , wherein the non-linear circuit further includes a bias voltage source providing the bias voltage to a gate terminal of the bias transistor. 제 6 항에 있어서,
상기 내부 정합 회로는:
상기 제2 노드 및 상기 접지 노드 사이에 연결된 저항;
상기 제2 노드 및 상기 접지 노드 사이에 연결된 인덕터; 및
상기 제2 노드 및 상기 접지 노드 사이에 연결된 커패시터를 포함하는 주파수 혼합기.According to claim 6,
The internal matching circuit is:
a resistor connected between the second node and the ground node;
an inductor connected between the second node and the ground node; and
A frequency mixer comprising a capacitor connected between the second node and the ground node. 제 6 항에 있어서,
상기 비-선형 트랜지스터의 드레인 단자는 상기 비-선형 LO 신호가 생성되는 상기 단자와 연결되고, 상기 비-선형 트랜지스터의 소스 단자는 상기 제1 노드와 연결되고, 그리고
상기 바이어스 트랜지스터의 드레인 단자는 상기 제1 노드와 연결되고, 상기 바이어스 트랜지스터의 소스 단자는 상기 제2 노드와 연결되는 주파수 혼합기.According to claim 6,
The drain terminal of the non-linear transistor is connected to the terminal from which the non-linear LO signal is generated, the source terminal of the non-linear transistor is connected to the first node, and
The frequency mixer of claim 1 , wherein a drain terminal of the bias transistor is connected to the first node, and a source terminal of the bias transistor is connected to the second node. 제 1 항에 있어서,
상기 비-선형 트랜지스터 및 상기 바이어스 트랜지스터는 각각 NMOS(N-channel Metal Oxide Semiconductor) 트랜지스터, GaAs PHEMT(Pseudomorphic High Electron Mobility Transistor), GaAs MHEMT(Metamorphic High Electron Mobility Transistor) InP HEMT(High Electron Mobility Transistor), 및 GaN FET(Field Effect Transistor) 중 적어도 하나로 구현되는 주파수 혼합기.According to claim 1,
The non-linear transistor and the bias transistor may each include an N-channel Metal Oxide Semiconductor (NMOS) transistor, a GaAs Pseudomorphic High Electron Mobility Transistor (PHEMT), a GaAs Metamorphic High Electron Mobility Transistor (MHEMT) InP High Electron Mobility Transistor (HEMT), and a frequency mixer implemented with at least one of a GaN FET (Field Effect Transistor). 제 1 항에 있어서,
상기 주파수 혼합기는 상기 RF 신호의 제1 주파수에서 상기 LO 신호의 제2 주파수를 감산한 제3 주파수를 갖는 상기 IF 신호를 생성하는 하향 주파수 혼합기인 주파수 혼합기.According to claim 1,
The frequency mixer is a downlink frequency mixer that generates the IF signal having a third frequency obtained by subtracting a second frequency of the LO signal from a first frequency of the RF signal. LO(Local Oscillator) 신호를 정합하고, 정합된 LO 신호에 기초하여 비-선형 LO 신호를 생성하고, 그리고 상기 비-선형 LO 신호 및 RF(Radio Frequency) 신호에 기초하여 IF(Intermediate Frequency) 신호를 생성하는 주파수 혼합기에 있어서:
상기 비-선형 LO 신호가 생성되는 단자 및 제1 노드 사이에 연결되고, 상기 정합된 LO 신호에 응답하여 동작하도록 구성된 제1 트랜지스터;
상기 제1 노드 및 제2 노드 사이에 연결되고, 바이어스 전압에 응답하여 동작하도록 구성된 제2 트랜지스터; 및
상기 제2 노드 및 접지 노드 사이에 연결된 내부 정합 회로를 포함하는 주파수 혼합기.Matching a local oscillator (LO) signal, generating a non-linear LO signal based on the matched LO signal, and generating an intermediate frequency (IF) signal based on the non-linear LO signal and a radio frequency (RF) signal. For a frequency mixer that generates:
a first transistor connected between a terminal from which the non-linear LO signal is generated and a first node, and configured to operate in response to the matched LO signal;
a second transistor connected between the first node and the second node and configured to operate in response to a bias voltage; and
A frequency mixer comprising an internal matching circuit connected between the second node and a ground node. 제 12 항에 있어서,
상기 내부 정합 회로는:
상기 제2 노드 및 상기 접지 노드 사이에 연결된 저항;
상기 제2 노드 및 상기 접지 노드 사이에 연결된 인덕터; 및
상기 제2 노드 및 상기 접지 노드 사이에 연결된 커패시터를 포함하는 주파수 혼합기.According to claim 12,
The internal matching circuit is:
a resistor connected between the second node and the ground node;
an inductor connected between the second node and the ground node; and
A frequency mixer comprising a capacitor coupled between the second node and the ground node. 제 13 항에 있어서,
상기 저항의 크기, 상기 인덕터의 용량, 및 상기 커패시터의 용량은 상기 주파수 혼합기의 LO-대-RF 격리도, RF-대-LO 격리도, 및 LO-대-IF 격리도 중 적어도 하나를 향상시키도록 최적화되는 주파수 혼합기.According to claim 13,
The size of the resistor, the capacitance of the inductor, and the capacitance of the capacitor improve at least one of LO-to-RF isolation, RF-to-LO isolation, and LO-to-IF isolation of the frequency mixer. frequency mixer optimized for 제 12 항에 있어서,
상기 제2 트랜지스터의 게이트 단자에 상기 바이어스 전압을 제공하는 바이어스 전압원을 더 포함하는 주파수 혼합기.According to claim 12,
and a bias voltage source providing the bias voltage to a gate terminal of the second transistor. 제 15 항에 있어서,
상기 바이어스 전압의 크기는, 상기 주파수 혼합기의 제작 공장에서 발생하는 능동 소자의 공정 변화 및 수동 소자의 공정 변화에 대해, 상기 주파수 혼합기의 LO-대-RF 격리도, RF-대-LO 격리도, 및 LO-대-IF 격리도 중 적어도 하나를 향상시키도록 최적화되는 주파수 혼합기.According to claim 15,
The magnitude of the bias voltage is determined by the LO-to-RF isolation, RF-to-LO isolation, and and LO-to-IF isolation.
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