KR20230059286A - 기판 처리용 공정 챔버 및 반응가스 분사용 샤워헤드 - Google Patents
기판 처리용 공정 챔버 및 반응가스 분사용 샤워헤드 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 기판 처리용 공정 챔버 및 반응가스 분사용 샤워헤드에 관한 것으로 외측면에 내부를 개폐하는 챔버 개폐부가 구비되고, 내부에 반도체용 기판이 로딩되는 챔버 본체부, 상기 챔버 개폐부에 의해 열린 개방부를 통해 상기 챔버 본체부 내에 슬라이드 방식으로 분리 가능하게 결합되고, 로딩된 반도체용 기판에 반응 가스를 분사하는 반응가스 분사용 샤워헤드를 포함하여 샤워헤드의 교체 작업 시 편의성을 크게 증대시키고, 교체 작업 시 소요되는 시간을 크게 단축시키고, 공정챔버의 측면 또는 후면을 열어 반응가스 분사용 샤워헤드를 교체할 수 있어 적층시켜 설비를 구성할 수 있어 설비 설치 공간을 줄여 설비 공간을 효율적으로 확보하고, 공정챔버의 적층 구조로 생산성을 크게 향상시킬 수 있다.
Description
본 발명은 반응가스 기판 처리용 공정 챔버 및 반응가스 분사용 샤워헤드에 관한 것으로 더 상세하게는 샤워헤드의 교체가 용이하고, 공정챔버를 적층 구조로 설계할 수 있는 기판 처리용 공정 챔버 및 반응가스 분사용 샤워헤드에 관한 발명이다.
일반적으로 반도체용 기판 상에 박막을 증착하는 방법은 CVD(Chemical Vapor Deposition), ALE(Atomic Layer Epitaxy), ALD(Atomic Layer Deposition) 등의 방법이 개시된 바 있다.
반도체용 기판 상에는 반도체 소자의 각종 배리어막이나 전극 등을 형성하는데 사용되는 TiN의 박막을 증착시켜 처리하며, TiN의 박막을 기판 상에 증착하는 데 있어 주로 ALD(Atomic Layer Deposition) 방법을 사용하고 있다.
반도체용 기판 상에 금속 박막 즉, TiN의 박막을 기판 상에 증착하는 데 있어 기판이 위치된 공정챔버 내에 반응가스와 함께 CCP (Capacitively Coupled Plasma) 방식으로 H 라디칼을 공급하고 있다.
공정챔버 내에는 반응가스를 기판 상에 분사하는 샤워헤드가 위치되고, 샤워헤드는 유지, 보수를 위해 분리되거나, 기판 설계 즉, 설비 디자인 변경에 따라 분사구 형태가 다른 것으로 교체된다.
즉, 샤워헤드는 유지, 보수 또는 설비 디자인 변경으로 공정챔버에서 분리되어 교체된다.
종래의 샤워헤드는 공정챔버의 상부에 설치된 상부리드에 의해 개폐 가능하도록 구성된다.
종래의 공정챔버는 상부에 설치된 상부리드를 개폐하여 내부에 위치된 샤워헤드를 교체하고 있어 적층 구조로 설계하기 불가능하여 설비 공간이 많이 소요되고, 생산성을 향상시키는데 있어 제약이되는 문제점이 있었다.
또한, 종래의 공정챔버는 공정챔버의 상부리드 구조물 해체에 따른 작업 시간이 오래걸려 샤워헤드의 교체에 따른 작업손실이 증대되는 문제점이 있었다.
본 발명의 목적은 슬라이드 방식으로 결합, 분리되어 공정챔버의 측면 방향에서 교체 작업이 가능한 기판 처리용 공정 챔버 및 반응가스 분사용 샤워헤드를 제공하는데 있다.
본 발명의 다른 목적은 공정챔버의 측면 또는 후면을 열어 샤워헤드를 교체할 수 있어 적층시켜 설비를 구성할 수 있는 기판 처리용 공정챔버를 제공하는데 있다.
상기한 본 발명의 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 기판 처리용 공정 챔버의 일 실시예는 외측면에 내부를 개폐하는 챔버 개폐부가 구비되고, 내부에 반도체용 기판이 로딩되는 챔버 본체부, 상기 챔버 개폐부에 의해 열린 개방부를 통해 상기 챔버 본체부 내에 슬라이드 방식으로 분리 가능하게 결합되고, 로딩된 반도체용 기판에 반응 가스를 분사하는 반응가스 분사용 샤워헤드를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에서 상기 챔버 본체부의 내부에는 상기 반응가스 분사용 샤워헤드의 하부면을 받쳐 지지하여 상기 반응가스 분사용 샤워헤드의 슬라이드 이동을 안내하는 슬라이드 레일부가 위치될 수 있다.
본 발명에서 상기 슬라이드 레일부는 상기 챔버 본체부의 내측면에 각각 서로 마주보고 이격되게 위치되어 상기 반응가스 분사용 샤워헤드의 하부면 중 일부분을 받쳐 지지하는 2개의 받침 레일부재를 포함할 수 있다.
본 발명에서 상기 반응가스 분사용 샤워헤드는 상기 받침 레일부재 상에 안착되는 안착 몸체부 및 상기 안착 몸체부의 하부 측으로 돌출되고 양 측이 상기 받침 레일부재의 사이에서 받침 레일부재의 단부 측에 지지되는 돌출 몸체부를 포함할 수 있다.
본 발명에서 상기 받침 레일부재의 상면에는 레일 돌기부가 돌출되고, 상기 안착 몸체부에는 상기 레일 돌기부가 삽입되고 슬라이드 이동 방향으로 길게 형성된 돌기 삽입부가 위치될 수 있다.
본 발명에서 상기 슬라이드 레일부의 내측면 또는 상기 챔버 본체부의 내측면에는 스프링에 의해 탄성 지지되어 상기 반응가스 분사용 샤워헤드의 양측면에 각각 밀착되어 상기 반응가스 분사용 샤워헤드의 이동을 안내하는 샤워헤드 측면 지지부가 위치될 수 있다.
본 발명에서 상기 반응가스 분사용 샤워헤드는 직사각형 몸체가 중앙에 위치되고, 직사각형 몸체의 양측에 반원형 몸체가 위치된 평면 형상을 가질 수 있다.
본 발명에서 상기 챔버 개폐부의 안쪽면에는 상기 반응가스 분사용 샤워헤드를 가압하여 고정시키는 샤워헤드 고정부가 돌출되게 위치될 수 있다.
본 발명에서 상기 샤워헤드 고정부는 상기 챔버 개폐부의 안쪽면에 돌출되게 위치되어 반응가스 분사용 샤워헤드의 일측을 가압하는 제1고정 지그부 및 상기 챔버 본체부의 내부에서 상기 제1고정 지그부의 맞은편에 위치되어 상기 반응가스 분사용 샤워헤드의 타측을 지지하는 제2고정 지그부를 포함할 수 있다.
본 발명에서 상기 챔버 본체부의 상면부에는 반응가스 공급부와 연결되는 가스 공급 연결유로가 구비되고, 상기 반응가스 분사용 샤워헤드와 상기 가스 공급 연결유로의 사이에는 유로 밀봉부가 위치될 수 있다.
본 발명에 따른 기판 처리용 공정 챔버의 일 실시예는 상기 유로 밀봉부는 상기 반응가스 분사용 샤워헤드의 상면부 상에 돌출되게 위치되며, 상기 챔버 본체부의 상면부에는 상기 반응가스 분사용 샤워헤드의 슬라이드 이동 시 상기 유로 밀봉부가 삽입되어 이동되는 밀봉 가이드 슬릿홈부가 위치될 수 있다.
상기한 본 발명의 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 기판 처리용 공정 챔버의 일 실시예는 외측면에 내부를 개폐하는 챔버 개폐부를 포함하고, 내부에 반도체용 기판이 로딩되는 챔버 본체부, 상기 챔버 본체부 내에 배치되고, 로딩된 상기 반도체용 기판에 반응 가스를 분사하는 반응가스 분사용 샤워헤드, 상기 반응가스 분사용 샤워헤드에 상기 반응 가스를 제공하는 반응가스 공급부 및 상기 반응가스 공급부와 상기 반응가스 분사용 샤워헤드 사이에 배치되는 유로 밀봉부를 포함하고, 상기 반응가스 공급부는 상기 반응가스 분사용 샤워헤드와 이격될 수 있다.
본 발명에서 상기 반응가스 분사용 샤워헤드는 상기 챔버 본체부 내에 슬라이딩 방식으로 분리 가능하게 결합될 수 있다.
상기한 본 발명의 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 반응가스 분사용 샤워헤드의 일 실시예는 기판 처리를 위한 공정챔버 내에 장착되고 반응가스공급부가 연결되며 하부면에 복수의 분사구를 노출시키는 분사용 개방부가 위치된 노즐 몸체부, 상기 노즐 몸체부의 측면에서 슬라이드 방식으로 분리 가능하게 결합되며 복수의 분사구가 위치된 노즐 패널부를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에서 상기 노즐 몸체부의 내부에는 일측으로 개방되고 상기 노즐 패널부가 슬라이드 이동되어 삽입되는 슬라이드 삽입부가 위치되고, 본 발명에 따른 반응가스 분사용 샤워헤드의 일 실시예는 상기 슬라이드 삽입부의 개방된 일측을 개폐하는 노즐 개폐부를 더 포함할 수 있다.
본 발명에서 상기 슬라이드 삽입부의 내측면에는 상기 노즐 패널부의 상부면을 지지하여 상기 노즐 패널부의 슬라이드 이동을 안내하는 패널 이동용 레일부가 위치되고, 상기 패널 이동용 레일부는 상기 슬라이드 삽입부의 내측면에 각각 서로 마주보고 위치되어 상기 노즐 패널부의 상부면 중 일부분을 받쳐 지지하는 2개의 상면 지지 레일부재를 포함하며, 상기 슬라이드 삽입부의 내부에는 상기 상면 지지 레일부재의 상부 측으로 반응가스가 내부로 공급되는 분사용 여유공간이 위치될 수 있다.
본 발명에서 상기 노즐 개폐부는 상기 노즐 몸체부에 회전 가능하게 힌지 결합되어 개폐되고, 상기 노즐 개폐부의 안쪽면에는 상기 노즐 패널부의 일단부 측을 가압하여 상기 노즐 패널부의 위치를 고정하는 패널 위치 고정돌기부가 돌출되게 위치될 수 있다.
본 발명에 따른 반응가스 분사용 샤워헤드의 일 실시예는 상기 노즐 몸체부 내로 삽입된 상기 노즐 패널부를 밀어 상기 노즐 몸체부 내로 인출시키는 패널 인출부를 더 포함할 수 있다.
또한, 상기한 본 발명의 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 기판 처리용 공정 챔버의 일 실시예는 제1공정 챔버 및 상기 제1공정 챔버 상에 배치되는 제2공정 챔버를 포함하고, 상기 제1공정 챔버와 상기 제2공정 챔버는 외측면에 내부를 개폐하는 챔버 개폐부가 구비되고, 내부에 반도체용 기판이 로딩되는 챔버 본체부 및 상기 챔버 본체부 내에 분리 가능하게 위치되어 로딩된 반도체용 기판에 반응 가스를 분사하는 반응가스 분사용 샤워헤드를 포함하고, 상기 제1공정 챔버의 상기 챔버 본체부는 외측면에 상기 챔버 개폐부가 구비되고, 상기 반응가스 분사용 샤워헤드는, 상기 반응가스 분사용 샤워헤드는 본 발명에 따른 반응가스 분사용 샤워헤드의 일 실시예를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에서 상기 제1공정 챔버 상에서 최상단에 위치되는 상기 제2공정 챔버의 챔버 본체부는 외측면 또는 상부면에 상기 챔버 개폐부가 구비될 수 있다.
본 발명은 반응가스 분사용 샤워헤드가 슬라이드 방식으로 결합, 분리되어 공정챔버의 측면 방향에서 반응가스 분사용 샤워헤드의 교체 작업이 가능하여 샤워헤드의 교체 작업 시 편의성을 크게 증대시키고, 교체 작업 시 소요되는 시간을 크게 단축시키는 효과가 있다.
본 발명은 공정챔버의 측면 또는 후면을 열어 샤워헤드를 교체할 수 있어 적층시켜 설비를 구성할 수 있어 설비 설치 공간을 줄여 설비 공간을 효율적으로 확보하고, 공정챔버의 적층 구조로 생산성을 크게 향상시키는 효과가 있다.
도 1은 본 발명에 따른 기판 처리용 공정 챔버의 일 실시예를 도시한 사시도.
도 2는 본 발명에 따른 기판 처리용 공정 챔버의 일 실시예를 도시한 측단면도.
도 3은 본 발명에 따른 기판 처리용 공정 챔버의 다른 실시예를 도시한 사시도.
도 4는 본 발명에 따른 기판 처리용 공정 챔버에서 슬라이드 레일부의 다른 예를 도시한 도면.
도 5는 본 발명에 따른 기판 처리용 공정 챔버에서 반응가스 분사용 샤워헤드의 일 실시예를 도시한 저면도.
도 6 및 도 7은 본 발명에 따른 기판 처리용 공정 챔버의 일실시예를 도시한 평단면도.
도 8은 본 발명에 따른 반응가스 분사용 샤워헤드의 일 실시예를 도시한 사시도.
도 9 및 도 10은 본 발명에 따른 반응가스 분사용 샤워헤드의 일 실시예를 도시한 단면도.
도 11은 본 발명에 따른 기판 처리용 공정 챔버의 다른 실시예를 도시한 개략도.
도 2는 본 발명에 따른 기판 처리용 공정 챔버의 일 실시예를 도시한 측단면도.
도 3은 본 발명에 따른 기판 처리용 공정 챔버의 다른 실시예를 도시한 사시도.
도 4는 본 발명에 따른 기판 처리용 공정 챔버에서 슬라이드 레일부의 다른 예를 도시한 도면.
도 5는 본 발명에 따른 기판 처리용 공정 챔버에서 반응가스 분사용 샤워헤드의 일 실시예를 도시한 저면도.
도 6 및 도 7은 본 발명에 따른 기판 처리용 공정 챔버의 일실시예를 도시한 평단면도.
도 8은 본 발명에 따른 반응가스 분사용 샤워헤드의 일 실시예를 도시한 사시도.
도 9 및 도 10은 본 발명에 따른 반응가스 분사용 샤워헤드의 일 실시예를 도시한 단면도.
도 11은 본 발명에 따른 기판 처리용 공정 챔버의 다른 실시예를 도시한 개략도.
본 발명을 더욱 상세히 설명한다.
본 발명의 바람직한 실시 예를 첨부된 도면에 의하여 상세히 설명하면 다음과 같다. 본 발명의 상세한 설명에 앞서, 이하에서 설명되는 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정해서 해석되어서는 아니된다. 따라서, 본 명세서에 기재된 실시예와 도면에 도시된 구성은 본 발명의 가장 바람직한 실시예에 불과할 뿐이고 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것은 아니므로, 본 출원시점에 있어서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형예들이 있을 수 있음을 이해하여야 한다.
도 1은 본 발명에 따른 기판 처리용 공정 챔버의 일 실시예를 도시한 사시도이고, 도 2는 본 발명에 따른 기판 처리용 공정 챔버의 일 실시예를 도시한 측단면도이다.
도 1 및 도 2를 참고하면 본 발명에 따른 기판 처리용 공정 챔버의 일 실시예는 반도체용 기판 상에 박막을 증착하는 공정 챔버로 내부를 진공으로 형성한 후 반응가스를 공급하여 반도체용 기판의 표면에 박막을 형성하는 공정 챔버인 것을 일 예로 한다.
본 발명에 따른 기판 처리용 공정 챔버의 일 실시예는 외측면에 내부를 개폐하는 챔버 개폐부(110)가 구비되고, 내부에 반도체용 기판이 로딩되는 챔버 본체부(100)를 포함한다.
챔버 본체부(100)의 내부에는 기판이 로딩되는 기판 받침부(120)가 위치되고, 기판 받침부(120) 상에 로딩된 기판 즉, 반도체용 기판의 표면 처리를 위한 반응가스를 분사하는 반응가스 분사용 샤워헤드(200)가 위치된다.
반응가스 분사용 샤워헤드(200)는 하부면에 반응가스를 기판 상에 분사하는 복수의 분사구가 위치되고, 복수의 분사구는 분사 중심에서 방사상으로 위치되어 기판 받침부(120) 상에 로딩된 기판에 반응가스를 고르게 분사할 수 있다.
복수의 분사구는 공지의 샤워헤드에서 실시 중인 다양한 형태로 배치될 수 있는 바 더 상세한 설명은 생략함을 밝혀둔다.
반응가스 분사용 샤워헤드(200)는 챔버 개폐부(110)에 의해 열린 개방부를 통해 챔버 본체부(100) 내에 슬라이드 방식으로 챔버 본체부(100)에 분리 가능하게 결합된다.
챔버 개폐부(110)는 챔버 본체부(100)의 후면에 위치되는 것을 일 예로 하고, 챔버 본체부(100)의 양 측면 중 한 측면 또는 전면에 위치될 수도 있음을 밝혀둔다.
챔버 개폐부(110)는 챔버 본체부(100)의 상부면과 하부면을 제외한 전면, 후면, 측면 중 적어도 일부분을 개폐하여 반응가스 분사용 샤워헤드(200)가 슬라이드 이동 방식으로 분리 결합될 수 있는 개방부를 형성한다.
챔버 개폐부(110)는 챔버 본체부(100)의 상부면과 하부면을 제외한 전면, 후면, 측면 중 어느 한면 중 적어도 일부분을 개폐하여 챔버 본체부(100)가 복수로 적층된 상태에서 개폐될 수 있다.
챔버 개폐부(110)는 챔버 본체부(100)에 도어 힌지로 회전 가능하게 결합되고, 도어 힌지를 중심으로 회전되어 챔버 본체부(100)의 후면을 개폐하는 것을 일 예로 한다.
챔버 개폐부(110)의 안쪽면에는 반응가스 분사용 샤워헤드(200)를 가압하여 고정시키는 샤워헤드 고정부(300)가 돌출되게 위치된다.
샤워헤드 고정부(300)는 챔버 개폐부(110)가 닫힌 상태에서 챔버 본체부(100) 내에 삽입된 반응가스 분사용 샤워헤드(200)의 일 측을 가압하여 챔버 본체부(100)의 내측면과의 사이에서 반응가스 분사용 샤워헤드(200)를 반응가스의 분사위치에서 고정시켜 반응가스 분사용 샤워헤드(200)가 고정된 상태에서 반응가스를 안정적으로 분사시킬 수 있게 한다.
챔버 개폐부(110)는 도시되지 않았지만 도어 잠금부를 구비하여 닫힌 상태로 잠금될 수 있고, 도어 잠금부는 공지의 도어 잠금 구조로 다양하게 변형되어 실시될 수 있는 바 더 상세한 설명은 생략함을 밝혀둔다.
챔버 개폐부(110)와 챔버 본체부(100)의 사이는 패킹링부에 의해 밀폐되고, 패킹링부는 챔버 개폐부(110) 또는 챔버 본체부(100)에 챔버 개폐부(110)에 의해 개방되는 개방부를 감싸도록 위치되어 챔버 개폐부(110)가 닫힌 상태에서 챔버 개폐부(110)와 챔버 본체부(100)의 사이를 실링한다.
패킹링부는 챔버 개폐부(110)의 닫힌 상태를 실링하여 챔버 본체부(100) 내의 진공상태를 유지할 수 있도록 하는 공지의 실링 구조로 다양하게 변형되어 실시될 수 있다. 반응가스 분사용 샤워헤드(200)는 반응가스 공급부와 연결되어 반응가스 공급부로부터 반응가스를 공급받아 하부면에 위치되는 복수의 분사구를 통해 분사한다.
챔버 본체부(100)의 상면부에는 반응가스 공급부와 연결되는 가스 공급 연결유로(101)가 구비되고, 반응가스 분사용 샤워헤드(200)와 가스 공급 연결유로(101)의 사이에는 유로 밀봉부(201)가 위치되며, 유로 밀봉부(201)는 가스 공급 연결유로(101)와 분사용 샤워헤드(200)의 유로 사이를 실링한다.
유로 밀봉부(201)는 반응가스 분사용 샤워헤드(200)의 상면부 상에 돌출되게 위치되며, 챔버 본체부의 상면부에는 반응가스 분사용 샤워헤드(200)의 슬라이드 이동 시 유로 밀봉부(201)가 삽입되어 이동되는 밀봉 가이드 슬릿홈부(102)가 위치된다.
밀봉 가이드 슬릿홈부(102)는 챔버 본체부(100)의 내부로 반응가스 분사용 샤워헤드(200)가 슬라이드 이동되어 결합되는 방향으로 길게 위치되고, 챔버 개폐부로 개방되는 개방부까지 연장되어 위치된다.
즉, 밀봉 가이드 슬릿홈부(102)는 가스 공급 유로의 출구에서 챔버 개폐부가 위치된 개방부까지 연장되어 챔버 개폐부로 개폐되는 챔버 본체부(100)의 전면 또는 후면으로 개방되고, 유로 밀봉부(201)는 반응가스 분사용 샤워헤드(200)가 챔버 본체부(100) 내로 삽입되어 결합될 때 밀봉 가이드 슬릿홈부(102) 내에 삽입되어 이동되고, 반응가스 분사용 샤워헤드(200)가 기설정된 위치 즉, 챔버 본체부(100)의 중심에 위치될 때 가스 공급 연결유로(101)의 출구에 밀착되어 위치되면서 가스 공급 유로와 분사용 샤워헤드(200)의 유로 사이를 실링한다.
또한, 챔버 본체부(100)의 내부에는 반응가스 분사용 샤워헤드(200)의 하부면을 받쳐 지지하여 반응가스 분사용 샤워헤드(200)의 슬라이드 이동을 안내하는 슬라이드 레일부(140)가 위치된다.
슬라이드 레일부(140)는 챔버 본체부(100)의 내측면에 각각 서로 마주보고 이격되게 위치되어 반응가스 분사용 샤워헤드(200)의 하부면 중 일부분을 받쳐 지지하는 2개의 받침 레일부재(141)를 포함할 수 있다.
반응가스 분사용 샤워헤드(200)는 챔버 본체부(100)의 상면부와 슬라이드 레일부(140)의 사이로 삽입되어 슬라이드 이동하면서 챔버 본체부(100)의 내부로 삽입되고, 챔버 본체부(100)의 상면부와 슬라이드 레일부(140)의 사이에서 분사위치로 정렬되어 분사위치에서 위치가 정확하게 고정될 수 있다.
받침 레일부재(141)는 챔버 개폐부(110)와 마주보는 내측면 상에 돌출되게 위치되어 반응가스 분사용 샤워헤드(200) 의 단부 측을 받쳐 지지할 수 있다.
반응가스 분사용 샤워헤드(200)는 챔버 본체부(100) 내로 삽입되어 기설정된 위치 즉, 챔버 본체부(100)의 중심에 위치될 때 양측과 단부 측이 각각 받침 레일부재(141)에 의해 받쳐 지지됨으로써 안정적으로 위치가 고정될 수 있고, 기설정된 정위치에서 정확하게 위치될 수 있다.
도 3은 본 발명에 따른 기판 처리용 공정 챔버의 다른 실시예를 도시한 사시도이고, 도 3을 참고하면 챔버 본체부(100)의 내부에는 반응가스 분사용 샤워헤드(200)에 분리 가능하게 결합되는 반응가스 공급호스부(130)가 구비되고, 반응가스 공급호스부(130)는 반응가스 분사용 샤워헤드(200)에 분리 가능하게 결합되어 반응가스 분사용 샤워헤드(200)가 챔버 본체부(100)에서 분리될 때 반응가스 분사용 샤워헤드(200)에서 분리된다.
그리고, 반응가스 공급호스부(130)는 교체되는 반응가스 분사용 샤워헤드(200)가 챔버 본체부(100) 내로 삽입되면 다시 반응가스 분사용 샤워헤드(200)에 결합되어 반응가스 분사용 샤워헤드(200) 내로 반응가스를 공급할 수 있다.
반응가스 공급호스부(130)와 반응가스 분사용 샤워헤드(200)의 연결구는 분리 가능한 공지의 관 연결구 또는 호스 연결구로 다양하게 변형되어 실시될 수 있음을 밝혀둔다.
도 4는 본 발명에 따른 기판 처리용 공정 챔버에서 슬라이드 레일부(140)의 다른 예를 도시한 도면이고, 도 4의 (a)를 참고하면 반응가스 분사용 샤워헤드(200)는 2개의 받침 레일부재(141) 상에 안착되는 안착 몸체부(200a), 안착 몸체부(200a)의 하부 측으로 돌출되고 양 측이 2개의 받침 레일부재(141)의 사이에서 받침 레일부재(141)의 단부 측에 지지되는 돌출 몸체부(200b)를 포함할 수 있다.
반응가스 분사용 샤워헤드(200)는 안착 몸체부(200a)가 2개의 받침 레일부재(141)의 상에 안착된 상태로 슬라이드 이동하며 돌출 몸체부(200b)가 2개의 받침 레일부재(141)의 사이에서 돌출 몸체부(200b)의 양측이 받침 레일부재(141)의 단부 측에 각각 지지되어 정렬된 상태로 슬라이드 이동하면서 정해진 위치로 정확하게 위치될 수 있다.
또한, 도 4의 (b)를 참고하면 받침 레일부재(141)의 상면에는 레일 돌기부(141a)가 돌출되고, 안착 몸체부(200a)에는 레일 돌기부(141a)가 삽입되고 슬라이드 이동 방향으로 길게 형성된 돌기 삽입부(200c)가 위치되어 반응가스 분사용 샤워헤드(200)의 슬라이드 이동시 반응가스 분사용 샤워헤드(200)의 위치를 더 정확하고 정밀하게 정렬시킬 수 있다.
또한 ,레일 돌기부(141a)는 상, 하 방향으로 탄성 변형되어 유로 밀봉부(201)가 챔버 본체부(100)의 상면부에 밀착될 수 있게 한다.
또한, 도 4의 (c)를 참고하면 받침 레일부재(141)의 내측면 또는 챔버 본체부(100)의 내측면에는 스프링에 의해 탄성 지지되어 반응가스 분사용 샤워헤드(200)의 양측면에 각각 밀착되어 반응가스 분사용 샤워헤드(200)의 이동을 안내하는 샤워헤드 측면 지지부(150)가 위치될 수 있다.
샤워헤드 측면 지지부(150)는 받침 레일부재(141)의 내측면 또는 챔버 본체부(100)의 내측면에 마주보고 한쌍으로 구비되고, 스프링에 의해 탄성 지지되어 반응가스 분사용 샤워헤드(200)의 양측면에 각각 밀착된다.
반응가스 분사용 샤워헤드(200)가 삽입되고, 배출되는 샤워헤드 측면 지지부(150)의 입출구는 점차 벌어지도록 경사면을 가지고 형성되어 폭이 다른 반응가스 분사용 샤워헤드(200)가 경사면을 따라 샤워헤드 측면 지지부(150)의 사이로 원활하게 삽입될 수 있다.
샤워헤드 측면 지지부(150)는 반응가스 분사용 샤워헤드(200)의 크기에 따라 스프링으로 탄성 지지되어 사이 간격이 벌어지거나 좁혀질 수 있어 반응가스 분사용 샤워헤드(200)의 크기에 관계없이 슬라이드 이동하는 반응가스 분사용 샤워헤드(200)의 양 측면을 밀착하여 지지함으로써 반응가스 분사용 샤워헤드(200)의 위치를 정렬하고, 반응가스 분사용 샤워헤드(200)가 정확한 분사 위치로 이동될 수 있게 한다.
도 5는 본 발명에 따른 기판 처리용 공정 챔버에서 반응가스 분사용 샤워헤드(200)의 일 실시예를 도시한 평면도이고, 도 5의 (a)를 참고하면 반응가스 분사용 샤워헤드(200)는 원형의 평면을 가지도록 제조될 수도 있고, 도 5의 (b)를 참고하면 직사각형 몸체가 중앙에 위치되고, 직사각형 몸체의 양측에 반원형 몸체가 위치된 평면 형상을 가지도록 제조될 수도 있다.
직사각형 몸체는 슬라이드 레일부(140) 즉, 받침 레일부재(141) 상에 안착되어 반응가스 분사용 샤워헤드(200)의 슬라이드 이동 시 반응가스 분사용 샤워헤드(200)가 안정적으로 위치될 수 있게 한다.
직사각형 몸체는 양 측면이 받침 레일부재(141)의 내측면 또는 챔버 본체부(100)의 내측면에 지지되어 정렬된 상태로 슬라이드 이동될 수 있다.
직사각형 몸체는 슬라이드 이동 방향으로 길게 형성된 돌기 삽입부(200c)가 위치되어 반응가스 분사용 샤워헤드(200)의 슬라이드 이동 시 가이드 돌기부가 돌기 삽입부(200c)에 삽입된 상태로 이동하여 반응가스 분사용 샤워헤드(200)의 위치를 더 정확하고 정밀하게 정렬시킬 수 있다
반응가스 분사용 샤워헤드(200)는 원형 몸체부의 중앙에 직사각형 몸체를 추가하여 슬라이드 이동 시 슬라이드 레일부(140)에 의해 원활하게 위치가 정렬될 수 있다.
반응가스 분사용 샤워헤드(200)의 형상은 챔버 본체부(100)의 내부 형상, 슬라이드 레일부(140)의 형상에 따라 다양한 형상으로 변형되어 실시될 수 있음을 밝혀둔다.
도 6 및 도 7은 본 발명에 따른 기판 처리용 공정 챔버의 일 실시예를 도시한 평단면도이고, 도 6은 평면에서 사각 형상을 가지는 반응가스 분사용 샤워헤드(200)를 샤워헤드 고정부(300)로 챔버 본체부(100) 내에서 고정시킨 예를 도시한 것이고, 도 7은 평면에서 원형상을 가지는 반응가스 분사용 샤워헤드(200)를 샤워헤드 고정부(300)로 챔버 본체부(100) 내에서 고정시킨 예를 도시한 것이다.
도 6 및 도 7을 참고하면 샤워헤드 고정부(300)는 챔버 개폐부(110)의 안쪽면에 돌출되게 위치되어 반응가스 분사용 샤워헤드(200)의 일측을 가압하는 제1고정 지그부(310), 챔버 본체부(100)의 내부에서 제1고정 지그부(310)의 맞은편에 위치되어 반응가스 분사용 샤워헤드(200)의 타측을 지지하는 제2고정 지그부(320)를 포함한다.
제1고정 지그부(310)와 제2고정 지그부(320)는 각각 이격된 한쌍으로 구비되고, 반응가스 분사용 샤워헤드(200)는 한쌍의 제1고정 지그부(310)와 한쌍의 제2고정 지그부(320) 사이에서 가압되어 위치가 고정된다.
한쌍의 제1고정 지그부(310)는 챔버 개폐부(110)가 닫혀지면 한쌍의 제2고정 지그부(320)에 의해 지지된 반응가스 분사용 샤워헤드(200)를 가압하여 고정하고, 챔버 개폐부(110)가 열리면 반응가스 분사용 샤워헤드(200)의 가압 상태를 해제한다.
챔버 개폐부(110)가 챔버 본체부(100)의 후면에 구비될 때 반응가스 분사용 샤워헤드(200)의 폭방향 위치는 슬라이드 레일부(140)에 지지되어 정렬되고, 반응가스 분사용 샤워헤드(200)의 길이 방향 즉, 전후 방향 위치는 제1고정 지그부(310)와 제2고정 지그부(320) 사이에서 가압되어 고정된다.
제1고정 지그부(310)는 반응가스 분사용 샤워헤드(200)의 외측면을 지지하는 제1지그부재(311), 제1지그부재(311)를 직선 이동시키는 제1지그 이동부(312)를 포함한다.
또한, 제2고정 지그부(320)는 반응가스 분사용 샤워헤드(200)의 외측면을 지지하는 제2지그부재(321), 제2지그부재(321)를 직선 이동시키는 제2지그 이동부(322)를 포함한다.
제1고정 지그부(310)와 제2고정 지그부(320)는 각각 제1지그부재(311)를 제1지그 이동부(312)로 이동시키고, 제2지그부재(321)를 제2지그 이동부(322)로 이동시켜 챔버 개폐부(110)가 닫힌 상태에서 반응가스 분사용 샤워헤드(200)를 정위치 즉, 정해진 분사위치로 조정하여 위치시킬 수 있고, 정위치에서 위치를 고정시킬 수 있다.
또한, 제1지그부재(311)는 평면으로 형성된 평면 지지부, 경사진 경사면을 구비하고, 경사진 경사면이 서로 마주보도록 위치되어 경사진 경사면 사이에서 곡면을 안정적으로 지지할 수 있다.
제2고정 지그부(320)는 평면으로 형성된 평면 지지부, 경사진 경사면을 구비하고, 경사진 경사면이 서로 마주보도록 위치되어 경사진 경사면 사이에서 곡면을 안정적으로 지지할 수 있다.
일 예로 도 6을 참고하면 사각 형상을 가지는 반응가스 분사용 샤워헤드(200)의 경우 제1지그부재(311)와 제2지그부재(321)는 평면 지지부로 반응가스 분사용 샤워헤드(200)의 외측면을 지지하여 반응가스 분사용 샤워헤드(200)의 위치를 안정적으로 고정시킬 수 있다.
또한, 도 7을 참고하면 평면에서 원형상을 가지는 반응가스 분사용 샤워헤드(200)의 경우 제1지그부재(311)와 제2지그부재(321)는 경사면을 통해 반응가스 분사용 샤워헤드(200)의 곡면을 지지하여 반응가스 분사용 샤워헤드(200)의 위치를 안정적으로 고정시킬 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 기판 처리용 공정 챔버의 일 실시예는 챔버 개폐부(110)의 개폐를 감지하는 챔버 개폐센서부(111)를 더 포함한다.
챔버 개폐부(110)가 닫히면 챔버 개폐센서부(111)로 감지하고, 제1지그 이동부(312)와 제2지그 이동부(322)가 작동되어 제1지그부재(311)와 제2지그부재(321)의 사이에서 반응가스 분사용 샤워헤드(200)의 위치를 조정하여 반응가스 분사용 샤워헤드(200)를 정위치 즉, 정해진 분사위치로 조정하여 위치시킨 후 고정시킬 수 있다.
도 8은 본 발명에 따른 반응가스 분사용 샤워헤드(200)의 일 실시예를 도시한 사시도이고, 도 9 및 도 10은 본 발명에 따른 반응가스 분사용 샤워헤드(200)의 일 실시예를 도시한 단면도이다.
도 8 내지 도 10을 참고하여 본 발명에 따른 반응가스 분사용 샤워헤드(200)의 일 실시예를 하기에서 상세하게 설명한다.
본 발명에 따른 반응가스 분사용 샤워헤드(200)의 일 실시예는 기판 처리를 위한 공정챔버 내에 장착되고 반응가스 공급부가 연결되며 하부면에 복수의 분사구를 노출시키는 분사용 개방부(211)가 위치된 노즐 몸체부(210), 노즐 몸체부(210)의 측면에서 슬라이드 방식으로 분리 가능하게 결합되며 복수의 분사구가 위치된 노즐 패널부(220)를 포함한다.
노즐 패널부(220)에는 반응가스를 기판 상에 분사하는 복수의 분사구가 위치되고, 복수의 분사구는 분사 중심에서 방사상으로 위치되어 기판에 반응가스를 고르게 분사할 수 있다.
복수의 분사구는 공지의 샤워헤드에서 실시 중인 다양한 형태로 배치될 수 있는 바 더 상세한 설명은 생략함을 밝혀둔다.
노즐 패널부(220)는 유지 보수를 위해 노즐 몸체부(210)에서 분리될 수 있고, 기판의 표면 처리 설계에 따라 분사구의 디자인이 다른 즉, 분사구의 형태 및 크기가 다른 것으로 교체되어 사용될 수 있다.
노즐 몸체부(210)의 상면에는 반응가스 공급부의 반응가스 공급호스부(130)가 연결되어 반응가스 공급호스부(130)를 통해 반응가스를 내부로 공급받는다.
노즐 몸체부(210)의 내부로 공급된 반응가스는 노즐 패널부(220)의 분사구를 통해 분사된다.
노즐 몸체부(210)의 내부에는 일측으로 개방되고 노즐 패널부(220)가 슬라이드 이동되어 삽입되는 슬라이드 삽입부(212)가 위치되고, 본 발명에 따른 반응가스 분사용 샤워헤드(200)의 일 실시예는 슬라이드 삽입부(212)의 개방된 일측을 개폐하는 노즐 개폐부(230)를 더 포함한다.
슬라이드 삽입부(212)의 내측면에는 노즐 패널부(220)의 상부면을 지지하여 노즐 패널부(220)의 슬라이드 이동을 안내하는 패널 이동용 레일부(213)가 위치된다.
패널 이동용 레일부(213)는 슬라이드 삽입부(212)의 내측면에 각각 서로 마주보고 위치되어 노즐 패널부(220)의 상부면 중 일부분을 받쳐 지지하는 2개의 상면 지지 레일부재(213a)를 포함할 수 있다.
슬라이드 삽입부(212)의 내부에는 상면 지지 레일부재(213a)의 상부 측으로 반응가스가 내부로 공급되는 분사용 여유공간이 위치되어 반응가스 공급호스부(130)로 공급된 반응가스가 복수의 분사구를 통해 고르게 분사될 수 있다.
노즐 패널부(220)는 슬라이드 삽입부(212)의 하면부와 상면 지지 레일부재(213a) 즉, 패널 이동용 레일부(213) 사이로 삽입되어 슬라이드 이동하면서 노즐 몸체부(210)의 내부로 삽입되고, 복수의 분사구가 분사용 개방부(211) 내에서 정해진 분사위치로 정렬되어 분사위치에서 위치가 정확하게 고정될 수 있다.
노즐 개폐부(230)는 노즐 몸체부(210)에 회전 가능하게 힌지 결합되어 개폐되는 것을 일 예로 하고, 후술될 챔버 본체부(100)의 챔버 개폐부(110)와 마주보고 위치된다.
노즐 개폐부(230)는 챔버 본체부(100)의 챔버 개폐부(110)가 열린 상태에서 열려 챔버 본체부(100)의 개방부를 통해 열려 슬라이드 삽입부(212)를 열 수 있다.
노즐 개폐부(230)는 도시되지 않았지만 도어 잠금부를 구비하여 닫힌 상태로 잠금될 수 있고, 도어 잠금부는 매미고리인 것을 일 예로 하고 이외에도 공지의 도어 잠금 구조로 다양하게 변형되어 실시될 수 있는 바 더 상세한 설명은 생략함을 밝혀둔다.
노즐 개폐부(230)와 노즐 몸체부(210)의 사이는 패킹링부에 의해 밀폐되고, 패킹링부는 노즐 개폐부(230) 또는 노즐 몸체부(210)에 노즐 개폐부(230)에 의해 개방되는 개방부를 감싸도록 위치되어 노즐 개폐부(230)가 닫힌 상태에서 노즐 개폐부(230)와 노즐 몸체부(210)의 사이를 실링한다.
패킹링부는 노즐 개폐부(230)의 닫힌 상태를 실링하는 공지의 실링 구조로 다양하게 변형되어 실시될 수 있다.
노즐 패널부(220)는 슬라이드 삽입부(212) 내에 삽입되고, 노즐 개폐부(230)의 안쪽면에는 슬라이드 삽입부(212) 내에 삽입된 노즐 패널부(220)의 일단부 측을 가압하여 노즐 패널부(220)의 위치를 고정하는 패널 위치 고정돌기부(240)가 돌출되게 위치된다.
패널 위치 고정돌기부(240)는 기설정된 강도 이상을 가지는 우레탄, 합성 고무 등 탄성재질로 제조되는 것을 일 예로 하여 노즐 개폐부(230)가 닫히 상태에서 노즐 패널부(220)의 일단부 측을 가압하여 노즐 패널부(220)의 위치를 견고하게 고정시킬 수 있다.
본 발명에 따른 반응가스 분사용 샤워헤드(200)의 일 실시예는 노즐 몸체부(210) 내로 삽입된 노즐 패널부(220)를 밀어 노즐 몸체부(210) 내로 인출시키는 패널 인출부(250)를 더 포함한다.
패널 인출부(250)는 노즐 패널부(220)의 단부 측에 삽입되어 위치되는 자석부(251), 노즐 몸체부(210) 내에 자석부(251)와 마주보게 위치되는 전자석부(252), 전자석부(252)의 작동을 제어하는 작동 제어부(253)를 포함한다.
작동 제어부(253)는 노즐 개폐부(230)의 개폐를 감지하는 노즐 개폐센서부(253a)를 포함하고, 노즐 개폐센서부(253a)에서 노즐 개폐부(230)가 열린 것이 감지되면 전자석부(252)를 작동시키되, 마주보는 자석부(251)의 극성과 동일한 극성을 가지고 마주보도록 전자석부(252)를 작동시킴으로써 노즐 패널부(220)를 자력으로 밀어 노즐 몸체부(210)의 외측으로 인출되게 한다.
작동 제어부(253)는 노즐 개폐부(230)가 닫힌 상태에서 전자석부(252)를 작동시키되 마주보는 자석부(251)의 극성과 반대 극성을 가지고 마주보도록 전자석부(252)를 작동시킴으로써 노즐 패널부(220)를 자력으로 노즐 몸체부(210)의 내측면에 밀착시켜 위치를 견고하게 고정시킬 수 있다.
패널 인출부(250)는 노즐 몸체부(210) 내로 삽입된 노즐 패널부(220)를 밀어 노즐 몸체부(210)의 외부로 인출시킴으로써 노즐 패널부(220)의 교체 작업을 용이하게 수행할 수 있게 한다.
도 11은 본 발명에 따른 기판 처리용 공정 챔버의 다른 실시예를 도시한 개략도이고, 본 발명에 따른 기판 처리용 공정 챔버의 다른 실시예는 최하단에 위치되는 제1적층 챔버, 최상단에 위치되는 제2적층 챔버, 제1적층 챔버와 제2적층 챔버의 사이에서 적층되는 제3적층 챔버를 포함할 수 있다.
제3적층 챔버는 1개 이상으로 적층될 수 있고, 제1적층 챔버와 제2적층 챔버 만으로도 구성될 수도 있음을 밝혀둔다.
제1적층 챔버, 제2적층 챔버, 제3적층 챔버는 외측면에 내부를 개폐하는 챔버 개폐부(110)가 구비되고, 내부에 반도체용 기판이 로딩되는 챔버 본체부(100), 챔버 본체부(100) 내에 위치되어 로딩된 반도체용 기판에 반응 가스를 분사하는 반응가스 분사용 샤워헤드(200)를 포함하며, 챔버 본체부(100)와 반응가스 분사용 샤워헤드(200)의 실시예는 상기한 도 1 내지 도 9에 도시된 챔버 본체부(100)와 반응가스 분사용 샤워헤드(200)의 일 실시예를 포함한다.
제1적층 챔버와 제3적층 챔버는 상부 측으로 다른 챔버가 적층되므로 제1적층 챔버와 제3적층 챔버의 챔버 본체부(100)는 외측면에 챔버 개폐부(110)가 위치되어 반응가스 분사용 샤워헤드(200)가 챔버 본체부(100)의 외측면에 위치되는 챔버 개폐부(110)를 통해 분리 또는 결합되는 구조를 가지며, 최상단에 위치되는 제2적층 챔버의 경우 상부 측에 다른 챔버가 적층되지 않으므로 상부 측에 챔버 개폐부가 위치될 수 있고, 다른 외측면에 챔버 개폐부가 위치될 수도 있음을 밝혀둔다.
즉, 챔버가 n개로 적층되는 경우 최상단에 위치되는 n번째 챔버는 공지된 챔버 구조와 같이 상부 측에 개폐부가 위치될 수 있고, 다른 측면에 개폐부가 위치될 수도 있음을 밝혀둔다.
한편, 반응가스 분사용 샤워헤드(200)가 도 1 내지 도 6의 실시예인 경우 상기에서 언급한 바와 같이 챔버 본체부(100)의 챔버 개폐부(110)를 열어 반응가스 분사용 샤워헤드(200)를 슬라이딩 이동시켜 간단하게 분리 또는 결합시킬 수 있다.
또한, 반응가스 분사용 샤워헤드(200)가 도 7 내지 도 10의 실시예인 경우 챔버 개폐부(110)는 챔버 본체부(100)의 후면에 위치되어 챔버 본체부(100)의 후면을 개방하고, 반응가스 분사용 샤워헤드(200)는 노즐 몸체부(210)의 후면이 노즐 개폐부(230)에 의해 개방되는 것을 일 예로 한다.
챔버 개폐부(110)는 챔버 본체부(100)에 도어 힌지로 회전 가능하게 결합되고, 도어 힌지를 중심으로 회전되어 챔버 본체부(100)의 후면을 개폐하는 것을 일 예로 한다.
챔버 개폐부(110)는 도시되지 않았지만 도어 잠금부를 구비하여 닫힌 상태로 잠금될 수 있고, 도어 잠금부는 공지의 도어 잠금 구조로 다양하게 변형되어 실시될 수 있는 바 더 상세한 설명은 생략함을 밝혀둔다.
챔버 개폐부(110)와 챔버 본체부(100)의 사이는 패킹링부에 의해 밀폐되고, 패킹링부는 챔버 개폐부(110) 또는 챔버 본체부(100)에 챔버 개폐부(110)에 의해 개방되는 개방부를 감싸도록 위치되어 챔버 개폐부(110)가 닫힌 상태에서 챔버 개폐부(110)와 챔버 본체부(100)의 사이를 실링한다.
패킹링부는 챔버 개폐부(110)의 닫힌 상태를 실링하여 챔버 본체부(100) 내의 진공상태를 유지할 수 있도록 하는 공지의 실링 구조로 다양하게 변형되어 실시될 수 있다.
노즐 개폐부(230)는 챔버 개폐부(110)와 서로 마주보는 면에 위치되어 챔버 개폐부(110)가 열린 상태에서 열려 노즐 패널부(220)를 노즐 몸체부(210)에서 분리하고, 다시 노즐 패널부(220)를 노즐 몸체부(210) 내로 삽입시킬 수 있다.
복수로 적층된 챔버 본체부(100)는 챔버 개폐부(110)를 통해 개방되는 후면을 통해 반응가스 분사용 샤워헤드(200)의 노즐 패널부(220)를 분리하여 교체할 수 있다.
본 발명은 반응가스 분사용 샤워헤드(200)가 슬라이드 방식으로 결합, 분리되어 공정챔버의 측면 방향에서 교체 작업이 가능하여 샤워헤드의 교체 작업 시 편의성을 크게 증대시키고, 교체 작업 시 소요되는 시간을 크게 단축시킬수 있다.
본 발명은 공정챔버의 측면 또는 후면을 열어 샤워헤드를 교체할 수 있어 적층시켜 설비를 구성할 수 있어 설비 설치 공간을 줄여 설비 공간을 효율적으로 확보하고, 공정챔버의 적층 구조로 생산성을 크게 향상시킬 수 있다.
본 발명은 상기한 실시 예에 한정되는 것이 아니라, 본 발명의 요지에 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 변경하여 실시할 수 있으며 이는 본 발명의 구성에 포함됨을 밝혀둔다.
100 : 챔버 본체부
110 : 챔버 개폐부
111 : 챔버 개폐센서부 120 : 기판 받침부
130 : 반응가스 공급호스부 140 : 슬라이드 레일부
141 : 받침 레일부재 141a : 레일 돌기부
150 : 샤워헤드 측면 지지부
200 : 반응가스 분사용 샤워헤드 200a : 안착 몸체부
200b : 돌출 몸체부 200c : 돌기 삽입부
210 : 노즐 몸체부 211 : 분사용 개방부
212 : 슬라이드 삽입부 213 : 패널 이동용 레일부
213a : 상면 지지 레일부재 220 : 노즐 패널부
230 : 노즐 개폐부 240 : 패널 위치 고정돌기부
250 : 패널 인출부 251 : 자석부
252 : 전자석부 253 : 작동 제어부
253a : 노즐 개폐센서부
300 : 샤워헤드 고정부 310 : 제1고정 지그부
311 : 제1지그부재 312 : 제1지그 이동부
320 : 제2고정 지그부 321 : 제2지그부재
322 : 제2지그 이동부
111 : 챔버 개폐센서부 120 : 기판 받침부
130 : 반응가스 공급호스부 140 : 슬라이드 레일부
141 : 받침 레일부재 141a : 레일 돌기부
150 : 샤워헤드 측면 지지부
200 : 반응가스 분사용 샤워헤드 200a : 안착 몸체부
200b : 돌출 몸체부 200c : 돌기 삽입부
210 : 노즐 몸체부 211 : 분사용 개방부
212 : 슬라이드 삽입부 213 : 패널 이동용 레일부
213a : 상면 지지 레일부재 220 : 노즐 패널부
230 : 노즐 개폐부 240 : 패널 위치 고정돌기부
250 : 패널 인출부 251 : 자석부
252 : 전자석부 253 : 작동 제어부
253a : 노즐 개폐센서부
300 : 샤워헤드 고정부 310 : 제1고정 지그부
311 : 제1지그부재 312 : 제1지그 이동부
320 : 제2고정 지그부 321 : 제2지그부재
322 : 제2지그 이동부
Claims (20)
- 외측면에 내부를 개폐하는 챔버 개폐부가 구비되고, 내부에 반도체용 기판이 로딩되는 챔버 본체부; 및
상기 챔버 개폐부에 의해 열린 개방부를 통해 상기 챔버 본체부 내에 슬라이드 방식으로 분리 가능하게 결합되고, 로딩된 반도체용 기판에 반응 가스를 분사하는 반응가스 분사용 샤워헤드를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리용 공정 챔버.
- 청구항 1에 있어서,
상기 챔버 본체부의 내부에는 상기 반응가스 분사용 샤워헤드의 하부면을 받쳐 지지하여 상기 반응가스 분사용 샤워헤드의 슬라이드 이동을 안내하는 슬라이드 레일부가 위치되는 것을 특징으로 하는 기판 처리용 공정 챔버.
- 청구항 2에 있어서,
상기 슬라이드 레일부는 상기 챔버 본체부의 내측면에 각각 서로 마주보고 이격되게 위치되어 상기 반응가스 분사용 샤워헤드의 하부면 중 일부분을 받쳐 지지하는 2개의 받침 레일부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리용 공정 챔버.
- 청구항 3에 있어서,
상기 반응가스 분사용 샤워헤드는,
상기 받침 레일부재 상에 안착되는 안착 몸체부; 및
상기 안착 몸체부의 하부 측으로 돌출되고 양 측이 상기 받침 레일부재의 사이에서 받침 레일부재의 단부 측에 지지되는 돌출 몸체부를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리용 공정 챔버.
- 청구항 4에 있어서,
상기 받침 레일부재의 상면에는 레일 돌기부가 돌출되고, 상기 안착 몸체부에는 상기 레일 돌기부가 삽입되고 슬라이드 이동 방향으로 길게 형성된 돌기 삽입부가 위치되는 것을 특징으로 하는 기판 처리용 공정 챔버.
- 청구항 2에 있어서,
상기 슬라이드 레일부의 내측면 또는 상기 챔버 본체부의 내측면에는 스프링에 의해 탄성 지지되어 상기 반응가스 분사용 샤워헤드의 양측면에 각각 밀착되어 상기 반응가스 분사용 샤워헤드의 이동을 안내하는 샤워헤드 측면 지지부가 위치되는 것을 특징으로 하는 기판 처리용 공정 챔버.
- 청구항 2에 있어서,
상기 반응가스 분사용 샤워헤드는 직사각형 몸체가 중앙에 위치되고, 직사각형 몸체의 양측에 반원형 몸체가 위치된 평면 형상을 가지는 것을 특징으로 하는 기판 처리용 공정 챔버.
- 청구항 1에 있어서,
상기 챔버 개폐부의 안쪽면에는 상기 반응가스 분사용 샤워헤드를 가압하여 고정시키는 샤워헤드 고정부가 돌출되게 위치되는 것을 특징으로 하는 기판 처리용 공정 챔버.
- 청구항 8에 있어서,
상기 샤워헤드 고정부는,
상기 챔버 개폐부의 안쪽면에 돌출되게 위치되어 반응가스 분사용 샤워헤드의 일측을 가압하는 제1고정 지그부; 및
상기 챔버 본체부의 내부에서 상기 제1고정 지그부의 맞은편에 위치되어 상기 반응가스 분사용 샤워헤드의 타측을 지지하는 제2고정 지그부를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리용 공정 챔버.
- 청구항 1에 있어서,
상기 챔버 본체부의 상면부에는 반응가스 공급부와 연결되는 가스 공급 연결유로가 구비되고, 상기 반응가스 분사용 샤워헤드와 상기 가스 공급 연결유로의 사이에는 유로 밀봉부가 위치되는것을 특징으로 하는 기판 처리용 공정 챔버.
- 청구항 10에 있어서,
상기 유로 밀봉부는 상기 반응가스 분사용 샤워헤드의 상면부 상에 돌출되게 위치되며, 상기 챔버 본체부의 상면부에는 상기 반응가스 분사용 샤워헤드의 슬라이드 이동 시 상기 유로 밀봉부가 삽입되어 이동되는 밀봉 가이드 슬릿홈부가 위치되는 것을 특징으로 하는 기판 처리용 공정 챔버.
- 외측면에 내부를 개폐하는 챔버 개폐부를 포함하고, 내부에 반도체용 기판이 로딩되는 챔버 본체부;
상기 챔버 본체부 내에 배치되고, 로딩된 상기 반도체용 기판에 반응 가스를 분사하는 반응가스 분사용 샤워헤드;
상기 반응가스 분사용 샤워헤드에 상기 반응 가스를 제공하는 반응가스 공급부; 및
상기 반응가스 공급부와 상기 반응가스 분사용 샤워헤드 사이에 배치되는 유로 밀봉부를 포함하고,
상기 반응가스 공급부는 상기 반응가스 분사용 샤워헤드와 이격되는 기판 처리용 공정 챔버.
- 청구항 12에 있어서,
상기 반응가스 분사용 샤워헤드는 상기 챔버 본체부 내에 슬라이딩 방식으로 분리 가능하게 결합되는 기판 처리용 공정 챔버.
- 기판 처리를 위한 공정챔버 내에 장착되고 반응가스공급부가 연결되며 하부면에 복수의 분사구를 노출시키는 분사용 개방부가 위치된 노즐 몸체부; 및
상기 노즐 몸체부의 측면에서 슬라이드 방식으로 분리 가능하게 결합되며 복수의 분사구가 위치된 노즐 패널부를 포함하는 것을 특징으로 하는 반응가스 분사용 샤워헤드.
- 청구항 14에 있어서,
상기 노즐 몸체부의 내부에는 일측으로 개방되고 상기 노즐 패널부가 슬라이드 이동되어 삽입되는 슬라이드 삽입부가 위치되고,
상기 슬라이드 삽입부의 개방된 일측을 개폐하는 노즐 개폐부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반응가스 분사용 샤워헤드.
- 청구항 15에 있어서,
상기 슬라이드 삽입부의 내측면에는 상기 노즐 패널부의 상부면을 지지하여 상기 노즐 패널부의 슬라이드 이동을 안내하는 패널 이동용 레일부가 위치되고,
상기 패널 이동용 레일부는 상기 슬라이드 삽입부의 내측면에 각각 서로 마주보고 위치되어 상기 노즐 패널부의 상부면 중 일부분을 받쳐 지지하는 2개의 상면 지지 레일부재를 포함하며,
상기 슬라이드 삽입부의 내부에는 상기 상면 지지 레일부재의 상부 측으로 반응가스가 내부로 공급되는 분사용 여유공간이 위치되는 것을 특징으로 하는 반응가스 분사용 샤워헤드.
- 청구항 15에 있어서,
상기 노즐 개폐부는 상기 노즐 몸체부에 회전 가능하게 힌지 결합되어 개폐되고,
상기 노즐 개폐부의 안쪽면에는 상기 노즐 패널부의 일단부 측을 가압하여 상기 노즐 패널부의 위치를 고정하는 패널 위치 고정돌기부가 돌출되게 위치되는 것을 특징으로 하는 반응가스 분사용 샤워헤드.
- 청구항 15에 있어서,
상기 노즐 몸체부 내로 삽입된 상기 노즐 패널부를 밀어 상기 노즐 몸체부 내로 인출시키는 패널 인출부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반응가스 분사용 샤워헤드.
- 제1공정 챔버; 및
상기 제1공정 챔버 상에 배치되는 제2공정 챔버를 포함하고,
상기 제1공정 챔버와 상기 제2공정 챔버는,
외측면에 내부를 개폐하는 챔버 개폐부가 구비되고, 내부에 반도체용 기판이 로딩되는 챔버 본체부; 및
상기 챔버 본체부 내에 분리 가능하게 위치되어 로딩된 반도체용 기판에 반응 가스를 분사하는 반응가스 분사용 샤워헤드를 포함하고,
상기 제1공정 챔버의 상기 챔버 본체부는 외측면에 상기 챔버 개폐부가 구비되고,
상기 반응가스 분사용 샤워헤드는 청구항 1 내지 청구항 18항 중 어느 한 항의 반응가스 분사용 샤워헤드인 것을 특징으로 하는 기판 처리용 공정 챔버.
- 청구항 19에 있어서,
상기 제1공정 챔버 상에서 최상단에 위치되는 상기 제2공정 챔버의 챔버 본체부는 외측면 또는 상부면에 상기 챔버 개폐부가 구비되는 것을 특징으로 하는 기판 처리용 공정 챔버.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020210143318A KR20230059286A (ko) | 2021-10-26 | 2021-10-26 | 기판 처리용 공정 챔버 및 반응가스 분사용 샤워헤드 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020210143318A KR20230059286A (ko) | 2021-10-26 | 2021-10-26 | 기판 처리용 공정 챔버 및 반응가스 분사용 샤워헤드 |
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---|---|
KR20230059286A true KR20230059286A (ko) | 2023-05-03 |
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---|---|---|---|
KR1020210143318A KR20230059286A (ko) | 2021-10-26 | 2021-10-26 | 기판 처리용 공정 챔버 및 반응가스 분사용 샤워헤드 |
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---|---|
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Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20210103278A (ko) | 2020-02-13 | 2021-08-23 | 주식회사 유진테크 | 기판 처리 장치 |
-
2021
- 2021-10-26 KR KR1020210143318A patent/KR20230059286A/ko not_active Application Discontinuation
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20210103278A (ko) | 2020-02-13 | 2021-08-23 | 주식회사 유진테크 | 기판 처리 장치 |
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