KR20230058211A - Substrate treating apparatus - Google Patents

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KR20230058211A
KR20230058211A KR1020210141623A KR20210141623A KR20230058211A KR 20230058211 A KR20230058211 A KR 20230058211A KR 1020210141623 A KR1020210141623 A KR 1020210141623A KR 20210141623 A KR20210141623 A KR 20210141623A KR 20230058211 A KR20230058211 A KR 20230058211A
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전민성
김윤상
김지헌
홍진희
전영은
진영조
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세메스 주식회사
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Abstract

본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 일 실시 예에 있어서, 기판 처리 장치는, 내부에 처리 공간을 갖는 챔버; 상기 처리 공간 내에 배치되며, 기판을 지지하는 지지 유닛; 및 상기 처리 공간으로 공급된 공정 가스로부터 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 생성 유닛을 포함하되, 상기 플라즈마 생성 유닛은: 하부 전극 부재; 상기 하부 전극과 대향되게 배치되는 상부 전극 부재; 및 상기 상부 전극 부재에 고주파 전력을 인가하는 고주파 전원을 포함하며, 상기 상부 전극 부재는: 서로 적층되어 제공되는 복수개의 투명 플레이트; 및 상기 복수개의 투명 플레이트에 각각에 적층되며, 평면에서 바라볼 때 서로 겹치지 않는 복수개의 전극 패턴을 포함한다.The present invention provides an apparatus for processing a substrate. In one embodiment, a substrate processing apparatus includes a chamber having a processing space therein; a support unit disposed in the processing space and supporting a substrate; and a plasma generating unit generating plasma from a process gas supplied to the processing space, wherein the plasma generating unit includes: a lower electrode member; an upper electrode member disposed to face the lower electrode; and a high frequency power supply for applying high frequency power to the upper electrode member, wherein the upper electrode member includes: a plurality of transparent plates stacked on each other; and a plurality of electrode patterns stacked on each of the plurality of transparent plates and not overlapping each other when viewed from a plane.

Description

기판 처리 장치{SUBSTRATE TREATING APPARATUS}Substrate processing apparatus {SUBSTRATE TREATING APPARATUS}

본 발명은 플라즈마를 이용하여 기판을 처리하는 기판 처리 장치에 관한 발명이다. The present invention relates to a substrate processing apparatus for processing a substrate using plasma.

반도체소자를 제조하기 위해서, 기판을 포토리소그라피, 식각, 애싱, 이온주입, 박막 증착, 그리고 세정 등 다양한 공정을 수행하여 기판 상에 원하는 패턴을 형성한다. 이 중 식각 공정은 기판 상에 형성된 막 중 선택된 영역을 제거하는 공정으로 습식식각과 건식식각이 사용된다.In order to manufacture a semiconductor device, a substrate is subjected to various processes such as photolithography, etching, ashing, ion implantation, thin film deposition, and cleaning to form a desired pattern on the substrate. Among them, the etching process is a process of removing a selected region from a film formed on a substrate, and wet etching and dry etching are used.

이 중 건식식각을 위해 플라즈마를 이용한 식각 장치가 사용된다. 일반적으로 플라즈마를 형성하기 위해서는 챔버의 내부공간에 전자기장을 형성하고, 전자기장은 챔버 내에 제공된 공정가스로부터 플라즈마를 생성한다.Among them, an etching device using plasma is used for dry etching. In general, in order to form plasma, an electromagnetic field is formed in an inner space of a chamber, and the electromagnetic field generates plasma from a process gas supplied into the chamber.

플라즈마는 이온이나 전자, 라디칼 등으로 이루어진 이온화된 가스 상태를 말한다. 반도체 소자 제조 공정은 플라즈마를 사용하여 식각 공정을 수행한다. Plasma refers to an ionized gaseous state composed of ions, electrons, or radicals. In a semiconductor device manufacturing process, an etching process is performed using plasma.

본 발명은 하나의 챔버에서 플라즈마 처리와 급속 가열이 가능하면서, 기판상에서의 식각이나 성막의 균일도가 개선될 수 있는 기판 처리 장치를 제안하고자 한다. The present invention intends to propose a substrate processing apparatus capable of improving the uniformity of etching or film formation on a substrate while enabling plasma processing and rapid heating in one chamber.

본 발명이 해결하고자 하는 과제가 상술한 과제로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 과제들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The problem to be solved by the present invention is not limited to the above-mentioned problem, and problems not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from this specification and the accompanying drawings. .

본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 일 실시 예에 있어서, 기판 처리 장치는, 내부에 처리 공간을 갖는 챔버; 상기 처리 공간 내에 배치되며, 기판을 지지하는 지지 유닛; 및 상기 처리 공간으로 공급된 공정 가스로부터 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 생성 유닛을 포함하되, 상기 플라즈마 생성 유닛은: 하부 전극 부재; 상기 하부 전극과 대향되게 배치되는 상부 전극 부재; 및 상기 상부 전극 부재에 고주파 전력을 인가하는 고주파 전원을 포함하며, 상기 상부 전극 부재는: 서로 적층되어 제공되는 복수개의 투명 플레이트; 및 상기 복수개의 투명 플레이트에 각각에 적층되며, 평면에서 바라볼 때 서로 겹치지 않는 복수개의 전극 패턴을 포함한다.The present invention provides an apparatus for processing a substrate. In one embodiment, a substrate processing apparatus includes a chamber having a processing space therein; a support unit disposed in the processing space and supporting a substrate; and a plasma generating unit generating plasma from a process gas supplied to the processing space, wherein the plasma generating unit includes: a lower electrode member; an upper electrode member disposed to face the lower electrode; and a high frequency power supply for applying high frequency power to the upper electrode member, wherein the upper electrode member includes: a plurality of transparent plates stacked on each other; and a plurality of electrode patterns stacked on each of the plurality of transparent plates and not overlapping each other when viewed from a plane.

일 실시 예에 있어서, 상기 고주파 전원은: 상기 복수개의 전극 패턴 각각과 연결되는 복수개의 고주파 전원을 포함할 수 있다.In an embodiment, the high frequency power source may include a plurality of high frequency power sources connected to each of the plurality of electrode patterns.

일 실시 예에 있어서, 상기 복수개의 고주파 전원은, 고주파 전력의 주파수는 동일하되 서로 시차를 갖는 것일 수 있다.In an embodiment, the plurality of high frequency power sources may have the same frequency but a time difference from each other.

일 실시 예에 있어서, 상기 복수개의 고주파 전원은, 각각 고주파 전력의 주파수는 서로 상이한 것일 수 있다.In an embodiment, the plurality of high frequency power sources may have different frequencies of the high frequency power sources.

일 실시 예에 있어서, 상기 전극 패턴은 투명 전극으로 제공될 수 있다.In one embodiment, the electrode pattern may be provided as a transparent electrode.

일 실시 예에 있어서, 상기 투명 전극은, ITO, MnSnO, CNT, ZnO, IZO, ATO, SnO2, IrO2, RuO2, 그래핀, 카본 나노 튜브(CNT), AZO, FTO, GZO, In2O3, MgO, 전도성 고분자, metal nanowire 중 어느 하나 이거나 그 이상의 혼합물질, 또는 다중 중첩에 의하여 이루어질 수 있다.In one embodiment, the transparent electrode is ITO, MnSnO, CNT, ZnO, IZO, ATO, SnO 2 , IrO 2 , RuO 2 , graphene, carbon nanotube (CNT), AZO, FTO, GZO, In2O3, It can be made of any one of MgO, conductive polymer, and metal nanowire, or a mixture of more, or multiple overlapping.

일 실시 예에 있어서, 상기 복수개의 전극 패턴 중 선택된 복수개의 전극 패턴인 제1 군의 전극 패턴은 서로 병렬로 연결되고, 나머지 복수개의 전극 패턴인 제2 군의 전극 패턴은 서로 병렬로 연결되며, 제1 군의 전극 패턴에는 제1 고주파 전원이 인가되고, 제2 군의 전극 패턴에는 제2 고주파 전원이 인가될 수 있다.In one embodiment, the electrode patterns of the first group, which are a plurality of electrode patterns selected from among the plurality of electrode patterns, are connected in parallel to each other, and the electrode patterns of the second group, which are the remaining plurality of electrode patterns, are connected in parallel to each other, A first high frequency power source may be applied to the electrode patterns of the first group, and a second high frequency power source may be applied to the electrode patterns of the second group.

일 실시 예에 있어서, 상기 제1 고주파 전원과 제2 고주파 전원이 공급하는 고주파 전력의 주파수는 동일하되, 시차를 갖는 것일 수 있다.In an embodiment, the frequency of the high frequency power supplied by the first high frequency power source and the second high frequency power source may be the same, but may have a time difference.

일 실시 예에 있어서, 상기 제1 고주파 전원과 제2 고주파 전원이 공급하는 고주파 전력의 주파수는 서로 상이한 것일 수 있다.In an embodiment, frequencies of the high frequency power supplied by the first and second high frequency power sources may be different from each other.

일 실시 예에 있어서, 상기 복수개의 투명 플레이트는, 제1 투명 플레이트와 상기 제1 플레이트의 상층에 적층되는 제2 투명 플레이트를 포함하고, 상기 복수개의 전극 패턴은, 상기 제1 투명 플레이트에 적층되는 상기 제1 전극 패턴과;상기 제2 투명 플레이트에 적층되는 상기 제2 전극 패턴을 포함하며, 상기 제1 전극 패턴과 상기 제2 전극 패턴은 은 중심이 같고 직경이 상이한 복수개의 링 형상의 조합으로 이루어질 수 있다.In one embodiment, the plurality of transparent plates include a first transparent plate and a second transparent plate stacked on top of the first plate, and the plurality of electrode patterns are stacked on the first transparent plate. The first electrode pattern and the second electrode pattern stacked on the second transparent plate, wherein the first electrode pattern and the second electrode pattern are a combination of a plurality of ring shapes having the same silver center and different diameters. It can be done.

일 실시 예에 있어서, 상기 복수개의 투명 플레이트는, 제1 투명 플레이트와 상기 제1 플레이트의 상층에 적층되는 제2 투명 플레이트를 포함하고, 상기 복수개의 전극 패턴은, 상기 제1 투명 플레이트에 적층되는 상기 제1 전극 패턴과;상기 제2 투명 플레이트에 적층되는 상기 제2 전극 패턴을 포함하며, 상기 제1 전극 패턴과 상기 제2 전극 패턴은 선형의 전극이 나란히 배치되어 이루어질 수 있다.In one embodiment, the plurality of transparent plates include a first transparent plate and a second transparent plate stacked on top of the first plate, and the plurality of electrode patterns are stacked on the first transparent plate. It includes the first electrode pattern; and the second electrode pattern laminated on the second transparent plate, and the first electrode pattern and the second electrode pattern may be formed by arranging linear electrodes side by side.

일 실시 예에 있어서, 상기 투명 플레이트는 유전체로 제공될 수 있다.In one embodiment, the transparent plate may be provided as a dielectric material.

일 실시 예에 있어서, 상기 투명 플레이트는 쿼츠, 사파이어, 이트륨 옥사이드, 스피넬 구조 세라믹 중 어느 하나의 소재로 제공될 수 있다.In one embodiment, the transparent plate may be provided with any one material of quartz, sapphire, yttrium oxide, and spinel structured ceramic.

일 실시 예에 있어서, 상기 처리 공간에 면하는 상기 투명 플레이트의 일면에는 내식각성 소재의 보호층이 더 제공될 수 있다.In one embodiment, a protective layer of an etch-resistant material may be further provided on one surface of the transparent plate facing the processing space.

일 실시 예에 있어서, 상기 상부 전극 부재의 상부에 배치되며, 상기 전극 부재를 투과하여 상기 기판에 가열을 위한 에너지를 조사하는 가열 유닛을 더 포함할 수 있다.In one embodiment, a heating unit disposed above the upper electrode member and irradiating energy for heating the substrate through the electrode member may be further included.

일 실시 예에 있어서, 상기 가열 유닛은, 플래시 램프, 마이크로파 유닛, 레이저 유닛 중 어느 하나일 수 있다.In one embodiment, the heating unit may be any one of a flash lamp, a microwave unit, and a laser unit.

본 발명에 따르면 기판상에서의 식각이나 성막의 균일도를 개선할 수 있다. According to the present invention, it is possible to improve the uniformity of etching or film formation on a substrate.

본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.The effects of the present invention are not limited to the above-mentioned effects, and effects not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from this specification and the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 도면이다.
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 상부 전극 부재를 나타내는 단면도이다.
도 3은 본 발명의 제1 실시 예에 따른 전극 패턴의 패턴과 전극 패턴에 인가되는 고주파 전원을 설명하는 도면이다.
도 4는 본 발명의 제2 실시 예에 따른 전극 패턴의 패턴과 전극 패턴에 인가되는 고주파 전원을 설명하는 도면이다.
도 5는 본 발명의 제2 실시예에 따른 상부 전극 부재와 이에 고주파 전원을 인가하는 제1 방법에 관련된 단면도이다.
도 6은 본 발명의 제3 실시예에 따른 상부 전극 부재와 이에 고주파 전원을 인가하는 제1 방법에 관련된 단면도이다.
도 7은 본 발명의 제3 실시예에 따른 상부 전극 부재와 이에 고주파 전원을 인가하는 제2 방법에 관련된 단면도이다.
도 7은 본 발명의 제3 실시예에 따른 상부 전극 부재와 이에 고주파 전원을 인가하는 제3 방법에 관련된 단면도이다.
도 8은 본 발명의 제3 실시예에 따른 상부 전극 부재와 이에 고주파 전원을 인가하는 제3 방법에 관련된 단면도이다.
도 9는 본 발명의 제3 실시예에 따른 상부 전극 부재와 이에 고주파 전원을 인가하는 제4 방법에 관련된 단면도이다.
도 10은 본 발명의 제3 실시예에 따른 상부 전극 부재와 이에 고주파 전원을 인가하는 제5 방법에 관련된 단면도이다.
도 11는 본 발명의 제4실시예에 따른 상부 전극 부재를 나타내는 단면도이다. 1 is a view showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
2 is a cross-sectional view showing an upper electrode member according to a first embodiment of the present invention.
3 is a diagram illustrating a pattern of electrode patterns and a high-frequency power applied to the electrode patterns according to the first embodiment of the present invention.
4 is a diagram illustrating a pattern of electrode patterns and a high frequency power applied to the electrode patterns according to a second embodiment of the present invention.
5 is a cross-sectional view related to an upper electrode member according to a second embodiment of the present invention and a first method for applying a high-frequency power thereto.
6 is a cross-sectional view related to an upper electrode member according to a third embodiment of the present invention and a first method for applying a high frequency power thereto.
7 is a cross-sectional view related to an upper electrode member according to a third embodiment of the present invention and a second method of applying a high frequency power thereto.
7 is a cross-sectional view related to an upper electrode member according to a third embodiment of the present invention and a third method of applying a high frequency power thereto.
8 is a cross-sectional view related to an upper electrode member according to a third embodiment of the present invention and a third method of applying a high frequency power thereto.
9 is a cross-sectional view related to an upper electrode member according to a third embodiment of the present invention and a fourth method of applying a high frequency power thereto.
10 is a cross-sectional view related to an upper electrode member according to a third embodiment of the present invention and a fifth method of applying a high frequency power thereto.
11 is a cross-sectional view showing an upper electrode member according to a fourth embodiment of the present invention.

본 발명의 다른 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술 되는 실시 예를 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시 예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시 예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.Other advantages and features of the present invention, and methods for achieving them, will become clear with reference to the embodiments described below in detail in conjunction with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below and may be implemented in various different forms, but only the present embodiments make the disclosure of the present invention complete, and the common knowledge in the art to which the present invention belongs It is provided to fully inform the holder of the scope of the invention, and the present invention is only defined by the scope of the claims.

만일 정의되지 않더라도, 여기서 사용되는 모든 용어들(기술 혹은 과학 용어들을 포함)은 이 발명이 속한 종래 기술에서 보편적 기술에 의해 일반적으로 수용되는 것과 동일한 의미를 가진다. 일반적인 사전들에 의해 정의된 용어들은 관련된 기술 그리고/혹은 본 출원의 본문에 의미하는 것과 동일한 의미를 갖는 것으로 해석될 수 있고, 그리고 여기서 명확하게 정의된 표현이 아니더라도 개념화되거나 혹은 과도하게 형식적으로 해석되지 않을 것이다.Even if not defined, all terms (including technical or scientific terms) used herein have the same meaning as generally accepted by common technology in the prior art to which this invention belongs. Terms defined by general dictionaries may be interpreted to have the same meaning as they have in the related art and/or the text of the present application, and are not conceptualized or overly formalized, even if not expressly defined herein. won't

제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성 요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성 요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다.Terms such as first and second may be used to describe various components, but the components should not be limited by the terms. These terms are only used for the purpose of distinguishing one component from another. For example, a first element may be termed a second element, and similarly, a second element may be termed a first element, without departing from the scope of the present invention.

단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 또한 도면에서 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있다.Singular expressions include plural expressions unless the context clearly dictates otherwise. In addition, shapes and sizes of elements in the drawings may be exaggerated for clearer description.

본 명세서에서 사용된 용어는 실시 예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 '포함한다' 및/또는 이 동사의 다양한 활용형들 예를 들어, '포함', '포함하는', '포함하고', '포함하며' 등은 언급된 조성, 성분, 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 조성, 성분, 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다. 본 명세서에서 '및/또는' 이라는 용어는 나열된 구성들 각각 또는 이들의 다양한 조합을 가리킨다.Terms used in this specification are for describing embodiments and are not intended to limit the present invention. In this specification, singular forms also include plural forms unless specifically stated otherwise in a phrase. As used in the specification, 'comprise' and/or various conjugations of this verb, such as 'comprise', 'comprising', 'comprising', 'comprising', etc., refer to a mentioned composition, ingredient, component, Steps, acts and/or elements do not preclude the presence or addition of one or more other compositions, ingredients, components, steps, acts and/or elements. In this specification, the term 'and/or' refers to each of the listed elements or various combinations thereof.

이하에서 XXX-1, XXX-2, XXX-3, XXX-4, XXX-n으로 표기한 구성은 편의상 XXX로 통칭될 수 있다.Hereinafter, configurations denoted as XXX-1, XXX-2, XXX-3, XXX-4, and XXX-n may be collectively referred to as XXX for convenience.

본 발명의 실시예에서는 플라즈마를 이용하여 기판을 식각하는 기판 처리 장치에 대해 설명한다. 그러나 본 발명의 기술적 특징은 이에 한정되지 않으며 플라즈마를 이용하여 기판(W)을 처리하는 다양한 종류의 장치에 적용될 수 있다. 그러나 본 발명은 이에 한정되지 않고, 상부에 놓여진 기판을 플라즈마 처리하는 다양한 종류의 장치에 적용 가능하다.In an embodiment of the present invention, a substrate processing apparatus for etching a substrate using plasma will be described. However, the technical features of the present invention are not limited thereto and can be applied to various types of devices for processing the substrate W using plasma. However, the present invention is not limited thereto, and can be applied to various types of devices for plasma processing a substrate placed thereon.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 도면이다.1 is a view showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 기판 처리 장치(10)는 공정 챔버(100), 지지 유닛(200), 가스 공급 유닛(300), 플라즈마 생성 유닛(400), 그리고 가열 유닛(500)을 포함할 수 있다. 기판 처리 장치(10)는 플라즈마를 이용하여 기판(W)을 처리한다.Referring to FIG. 1 , a substrate processing apparatus 10 may include a process chamber 100, a support unit 200, a gas supply unit 300, a plasma generation unit 400, and a heating unit 500. . The substrate processing apparatus 10 processes the substrate W using plasma.

공정 챔버(100)는 내부에 공정 수행을 위한 공간(105)을 가진다. 공정 챔버(100)의 바닥면에는 배기홀(103)이 형성된다. 배기홀(103)은 펌프(122)가 장착된 배기 라인(121)과 연결된다. 공정 과정에서 발생한 반응 부산물 및 공정 챔버(100) 내부에 머무르는 가스는 배기 라인(121)을 통해 배기홀(103)로 배기된다. 따라서, 공정 챔버(100)의 외부로 배출될 수 있다. 또한, 배기 과정에 의해 공정 챔버(100)의 내부 공간(105)은 소정 압력으로 감압된다. 일 예로, 배기홀(103)은 후술하는 라이너 유닛(130)의 관통홀(158)과 직접 통하는 위치에 제공될 수 있다. The process chamber 100 has a space 105 for performing a process therein. An exhaust hole 103 is formed on the bottom surface of the process chamber 100 . The exhaust hole 103 is connected to the exhaust line 121 to which the pump 122 is mounted. Reaction by-products generated during the process and gas remaining in the process chamber 100 are exhausted to the exhaust hole 103 through the exhaust line 121 . Therefore, it can be discharged to the outside of the process chamber 100 . In addition, the internal space 105 of the process chamber 100 is depressurized to a predetermined pressure by the exhausting process. For example, the exhaust hole 103 may be provided at a position directly communicating with the through hole 158 of the liner unit 130 to be described later.

공정 챔버(100)의 측벽에는 개구(104)가 형성된다. 개구(104)는 공정 챔버(100) 내부로 기판이 출입하는 통로로 기능한다. 개구(104)는 도어 어셈블리에 의해 개폐된다. 일 예에 의하면, 도어 어셈블리는 외측 도어, 내측 도어, 그리고 연결판을 가진다. 외측 도어는 공정 챔버의 외벽에 제공된다. 내측 도어는 공정 챔버의 내벽에 제공된다. 외측 도어와 내측 도어는 연결판에 의해 서로 고정 결합된다. 연결판은 개구를 통해 공정 챔버의 내측에서 외측까지 연장되게 제공된다. 도어 구동기은 외측 도어를 상하 방향으로 이동시킨다. 도어 구동기는 유공압 실린더나 모터를 포함할 수 있다.An opening 104 is formed in a sidewall of the process chamber 100 . The opening 104 functions as a passage through which a substrate enters and exits the process chamber 100 . The opening 104 is opened and closed by the door assembly. According to one example, the door assembly has an outer door, an inner door, and a connecting plate. An outer door is provided on the outer wall of the process chamber. An inner door is provided on an inner wall of the process chamber. The outer door and the inner door are fixedly coupled to each other by a connecting plate. The connection plate is provided to extend from the inside to the outside of the process chamber through the opening. The door driver moves the outer door up and down. The door actuator may include a hydraulic/pneumatic cylinder or a motor.

공정 챔버(100)의 내부 공간(105) 중 아래 영역에는 지지 유닛(200)이 위치한다. 지지 유닛(200)의 일 예로 정전 척 유닛이 제공될 수 있다. 정전 척 유닛으로 제공되는 지지 유닛(200)은 정전기력에 의해 기판(W)을 지지한다. 이와 달리 지지 유닛(200)은 기계적 클램핑, 진공에 의한 클램핑 등과 같은 다양한 방식으로 기판(W)을 지지할 수 있다. The support unit 200 is positioned in a lower area of the inner space 105 of the process chamber 100 . As an example of the support unit 200 , an electrostatic chuck unit may be provided. The support unit 200 provided as an electrostatic chuck unit supports the substrate W by electrostatic force. Unlike this, the support unit 200 may support the substrate W in various ways, such as mechanical clamping or vacuum clamping.

지지 유닛(200)은 정전 척(240), 링 어셈블리(260), 그리고 가스 공급 라인부(270)를 포함할 수 있다. 정전 척(240)의 상면에는 기판(W)이 놓인다. 정전 척(240)은 정전기력에 의해 기판(W)을 그 상면에 지지한다. The support unit 200 may include an electrostatic chuck 240 , a ring assembly 260 , and a gas supply line unit 270 . A substrate W is placed on the upper surface of the electrostatic chuck 240 . The electrostatic chuck 240 supports the substrate W on its upper surface by electrostatic force.

링 어셈블리(260)는 링 형상으로 제공된다. 링 어셈블리(260)는 지지판(210)의 둘레를 감싸도록 제공된다. 일 예로, 링 어셈블리(260)는 정전 척(240)의 둘레를 감싸도록 제공된다. 링 어셈블리(260)는 기판(W)의 가장자리 영역을 지지한다. 일 예에 의하면, 링 어셈블리(260)는 포커스 링(262)과 절연 링(264)을 가진다. 포커스 링(262)은 정전 척(240)을 감싸도록 제공되며 플라즈마를 기판(W)으로 집중시킨다. 절연 링(264)는 포커스 링(262)을 감싸도록 제공된다. 선택적으로 링 어셈블리(260)는 플라즈마에 의해 정전 척(240)의 측면이 손상되는 것을 방지하도록 포커스 링(262)의 둘레에 밀착되게 제공되는 에지 링(도시되지 않음)을 포함할 수 있다. 상술한 바와 달리 링 어셈블리(260)의 구조는 다양하게 변경될 수 있다. The ring assembly 260 is provided in a ring shape. The ring assembly 260 is provided to surround the circumference of the support plate 210 . For example, the ring assembly 260 is provided to surround the circumference of the electrostatic chuck 240 . The ring assembly 260 supports the edge area of the substrate (W). According to one example, the ring assembly 260 has a focus ring 262 and an isolation ring 264 . A focus ring 262 is provided to surround the electrostatic chuck 240 and focuses the plasma onto the substrate W. An insulating ring 264 is provided to surround the focus ring 262 . Optionally, the ring assembly 260 may include an edge ring (not shown) provided in close contact with the circumference of the focus ring 262 to prevent damage to the side surface of the electrostatic chuck 240 by plasma. Unlike the above, the structure of the ring assembly 260 may be variously changed.

가스 공급 라인부(270)는 가스 공급원(272)과 가스 공급 라인(274)을 포함한다. 가스 공급 라인(274)은 링 어셈블리(260)와 지지판(210) 사이에 제공된다. 가스 공급 라인(274)은 링 어셈블리(260)의 상면 또는 지지판(210)의 가장자리 영역에 잔류하는 이물질을 제거하도록 가스를 공급한다. 일 예로, 가스는 질소 가스(N2)일 수 있다. 선택적으로, 다른 가스 또는 세정제를 공급할 수 있다. 가스 공급 라인(274)은 지지판(210) 내부에서 포커스 링(262)과 정전 척(240) 사이로 연결되도록 형성될 수 있다. 이와 달리, 가스 공급 라인(274)은 포커스 링(262) 내부에서 제공되어, 포커스 링(262)과 정전 척(240) 사이로 연결되도록 절곡되는 구조일 수 있다.The gas supply line unit 270 includes a gas supply source 272 and a gas supply line 274 . A gas supply line 274 is provided between the ring assembly 260 and the support plate 210 . The gas supply line 274 supplies gas to remove foreign substances remaining on the top surface of the ring assembly 260 or the edge area of the support plate 210 . For example, the gas may be nitrogen gas (N2). Optionally, other gases or cleaning agents may be supplied. The gas supply line 274 may be formed to be connected between the focus ring 262 and the electrostatic chuck 240 inside the support plate 210 . Alternatively, the gas supply line 274 may be provided inside the focus ring 262 and bent to be connected between the focus ring 262 and the electrostatic chuck 240 .

일 예에 의하면, 정전 척(240)은 세라믹 재질로 제공되고, 포커스 링(262)은 실리콘 재질로 제공되고, 절연 링(264)은 쿼츠 재질로 제공될 수 있다. According to an example, the electrostatic chuck 240 may be made of a ceramic material, the focus ring 262 may be made of a silicon material, and the insulating ring 264 may be made of a quartz material.

정전 척(240)의 내부에는 가열 부재(282)가 제공될 수 있다. 가열 부재(282)는 열선으로 제공될 수 있다.A heating member 282 may be provided inside the electrostatic chuck 240 . The heating member 282 may be provided as a hot wire.

정전 척(240)의 하부에는, 플라즈마 발생 유닛(400)을 이루는 하부 전극 부재(440)가 제공될 수 있다. 하부 전극 부재(440) 내에는 공정 진행 중 기판(W)을 공정 온도로 유지하도록 하는 냉각 수단(284)이 제공될 수 있다. 냉각 수단(284)는 하부 전극 부재(440)의 내부에 형성되어 냉매가 흐르는 냉각 유로로 제공될 수 있다.A lower electrode member 440 constituting the plasma generating unit 400 may be provided below the electrostatic chuck 240 . A cooling unit 284 may be provided in the lower electrode member 440 to maintain the substrate W at a process temperature during the process. The cooling unit 284 may be formed inside the lower electrode member 440 and provided as a cooling passage through which a refrigerant flows.

가스 공급 유닛(300)은 공정 챔버(100)의 내부 공간(105)으로 공정 가스를 공급한다. 가스 공급 유닛(300)은 가스 저장부(310), 가스 공급 라인(320)을 포함한다. 가스 공급 라인(320)은 가스 저장부(310)와 공정 챔버(100)의 가스 유입 포트를 연결한다. 가스 공급 라인(320)은 가스 저장부(310)에 저장된 공정 가스를 내부 공간(105)에 공급한다. 가스 공급 라인(320)에는 그 통로를 개폐하거나, 그 통로를 흐르는 유체의 유량을 조절하는 밸브(322)가 설치될 수 있다.The gas supply unit 300 supplies process gas to the inner space 105 of the process chamber 100 . The gas supply unit 300 includes a gas storage unit 310 and a gas supply line 320 . The gas supply line 320 connects the gas storage unit 310 and a gas inlet port of the process chamber 100 . The gas supply line 320 supplies process gas stored in the gas storage unit 310 to the inner space 105 . A valve 322 may be installed in the gas supply line 320 to open or close the passage or to adjust the flow rate of the fluid flowing through the passage.

플라즈마 생성 유닛(400)은 방전 공간에 머무르는 공정 가스로부터 플라즈마를 발생시킨다. 방전 공간은 공정 챔버(100) 내에서 지지 유닛(200)의 상부 영역에 해당된다. 플라즈마 생성 유닛(400)은 용량 결합형 플라즈마(capacitive coupled plasma) 소스를 가질 수 있다. The plasma generating unit 400 generates plasma from process gas remaining in the discharge space. The discharge space corresponds to an upper region of the support unit 200 in the process chamber 100 . The plasma generating unit 400 may have a capacitive coupled plasma source.

플라즈마 생성 유닛(400)은 상부 전극 부재(420), 하부 전극 부재(440), 그리고 고주파 전원(460)을 포함할 수 있다. 고주파 전원(460)은 복수개의 고주파 전원으로 제공된다. 예컨대, 고주파 전원(460)은 제1 고주파 전원(460-1)과 제2 고주파 전원(460-2)을 포함할 수 있다. 상부 전극 부재(420)와 하부 전극 부재(440)는 서로 상하 방향으로 대향되게 제공될 수 있다. 하부 전극(440)은 정전 척(240) 내에 제공될 수 있다.The plasma generating unit 400 may include an upper electrode member 420 , a lower electrode member 440 , and a high frequency power source 460 . The high frequency power source 460 is provided as a plurality of high frequency power sources. For example, the high frequency power supply 460 may include a first high frequency power supply 460-1 and a second high frequency power supply 460-2. The upper electrode member 420 and the lower electrode member 440 may be provided to face each other in a vertical direction. The lower electrode 440 may be provided within the electrostatic chuck 240 .

본 발명의 실시 예에 따른 플라즈마 생성 유닛(400)은 상부 전극 부재(420)와 하부 전극 부재(440) 간에 전계를 발생시키기 위해 상부 전극 부재(420)와 하부 전극 부재(440) 중 적어도 하나에 RF 전압을 인가함으로써 플라즈마를 발생시킬 수 있다. The plasma generating unit 400 according to an embodiment of the present invention is applied to at least one of the upper electrode member 420 and the lower electrode member 440 to generate an electric field between the upper electrode member 420 and the lower electrode member 440. Plasma may be generated by applying an RF voltage.

본 발명의 실시 예에 따른 상부 전극 부재(420)는 후술할 가열 유닛(500)에서 인가되는 에너지가 기판으로 손실 없이 전달될 수 있도록 투명 플레이트(421)와 전극 패턴(422)을 포함하는 구조로 제공될 수 있다. 본 발명의 실시 예에 따른 상부 전극 부재(420)에 대해서는 도 2 내지 도 6에서 후술한다.The upper electrode member 420 according to an embodiment of the present invention has a structure including a transparent plate 421 and an electrode pattern 422 so that energy applied from the heating unit 500 to be described later can be transferred to the substrate without loss. can be provided. The upper electrode member 420 according to an embodiment of the present invention will be described later with reference to FIGS. 2 to 6 .

일 예에 의하면, 상부 전극 부재(420)에 고주파 전원(460)이 연결되고 하부 전극 부재(440)가 접지될 수 있다. 또한, 선택적으로 상부 전극 부재(420) 및 하부 전극 부재(440) 모두에 고주파 전원(460)이 연결될 수 있다. 일 예에 의하면, 고주파 전원(460)은 상부 전극 부재(420) 또는 하부 전극 부재(440)에 연속적으로 전력을 인가하거나 펄스로 전력을 인가할 수 있다.According to an example, the high frequency power source 460 may be connected to the upper electrode member 420 and the lower electrode member 440 may be grounded. Also, the high frequency power source 460 may be selectively connected to both the upper electrode member 420 and the lower electrode member 440 . According to an example, the high frequency power supply 460 may continuously apply power to the upper electrode member 420 or the lower electrode member 440 or may apply power in pulses.

가열 유닛(500)은 지지 유닛(200) 상의 기판을 가열하기 위해, 기판에 에너지를 전달할 수 있다. 가열 유닛(500)은 고속 열원(Rapid Thermal source)일 수 있다. 실시 예에 있어서, 고속 열원은 섬광을 발생시키는 플래시 램프, 마이크로파를 발생시키는 마이크로파 유닛, 레이저를 발생시키고 전달하는 레이저 유닛으로 제공될 수 있다. 기판을 가열하는 에너지는 섬광, 마이크로파, 레이저 등으로 선택될 수 있다. The heating unit 500 may deliver energy to the substrate to heat the substrate on the support unit 200 . The heating unit 500 may be a rapid thermal source. In an embodiment, the high-speed heat source may be provided as a flash lamp generating flash light, a microwave unit generating microwaves, or a laser unit generating and transmitting laser. The energy to heat the substrate can be chosen as flashing light, microwave, laser or the like.

일 예에 있어서, 가열 유닛(500)이 마이크로파 유닛으로 제공되면, 가열 유닛(500)은 마이크로파를 기판에 인가할 수 있다. 예컨대, 가열 유닛(500)은 1 내지 5 GHz 주파수의 마이크로파를 인가할 수 있다. 마이크로파의 파장은 반도체 칩의 금속 배선층 두께 및 간격보다 훨씬 길기 때문에 마이크로파가 금속물질로 침투하는 깊이는 수 ㎛ 미만이다. 일 예시에 따르면, 마이크로파 열처리에 의해 기판 또는 다이의 표면을 발열시켜, 표면 온도를 목표 온도로 급속하게 승온시킬 수 있는 효과가 있다. 마이크로파로 기판을 가열하면, 기판의 표면만이 선택적으로 가열되므로, 승온 속도 및 냉각 속도가 빠르고, 짧은 시간내에 기판의 표면을 목표 온도로 가열할 수 있어 공정 시간을 단축할 수 있다. In one example, if the heating unit 500 is provided as a microwave unit, the heating unit 500 may apply microwaves to the substrate. For example, the heating unit 500 may apply microwaves having a frequency of 1 to 5 GHz. Since the wavelength of the microwave is much longer than the thickness and spacing of the metal wiring layer of the semiconductor chip, the penetration depth of the microwave into the metal material is less than several micrometers. According to one example, the surface temperature of the substrate or die can be rapidly raised to a target temperature by generating heat on the surface of the substrate or die by microwave heat treatment. When the substrate is heated with microwaves, since only the surface of the substrate is selectively heated, the heating and cooling rates are fast, and the surface of the substrate can be heated to a target temperature within a short period of time, thereby shortening the process time.

최근에는 에칭 공정으로 ALE가 적용된다. ALE(Atomic layer etching)는 통제된 양의 물질을 제거하는 방법으로, 표면의 막질을 수정(modification)하는 흡착 반응과, 수정된 막질을 제거하는 탈착 반응을 이용한다. 여기서 흡착 반응은 상대적으로 저온(예컨대, 상온 이하)에서 반응성이 높고, 탈착 반응은 상대적으로 고온(예컨대, 섭씨 500도 이상)에서 반응성이 높다. 본 발명의 실시 예가 적용되면, 급속 가열과 급속 냉각이 가능함에 따라, 흡착 반응과 탈착 반응 각각에서 반응성이 높은 온도를 적용할 수 있다.Recently, ALE is applied as an etching process. ALE (Atomic layer etching) is a method of removing a controlled amount of material, and uses an adsorption reaction to modify the surface film quality and a desorption reaction to remove the modified film quality. Here, the adsorption reaction is highly reactive at a relatively low temperature (eg, below room temperature), and the desorption reaction is highly reactive at a relatively high temperature (eg, 500 degrees Celsius or more). When an embodiment of the present invention is applied, as rapid heating and rapid cooling are possible, a highly reactive temperature can be applied in each of the adsorption reaction and the desorption reaction.

본 발명의 실시 예에 의하면, 섬광, 마이크로파 및 레이저와 같은 에너지가 상부 전극 부재(420)를 통과하여 기판을 가열할 수 있다. 상부 전극 부재(420)는 투광성, 마이크로파 투과성 소재로 제공될 수 있다.According to an embodiment of the present invention, energy such as flash light, microwave, or laser may pass through the upper electrode member 420 to heat the substrate. The upper electrode member 420 may be made of a light-transmitting or microwave-transmitting material.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 상부 전극 부재(1420)를 나타내는 단면도이다. 본 발명에서는, 기판의 열 및 플라즈마 균일도를 개선시키기 위한, 투명 전극(422)을 포함하는 상부 전극 부재(420)를 제안한다. 본 발명에 따른 상부 전극 부재(420)는, 투명 플레이트(421)와, 도전성 소재로 투명 플레이트(421)에 적층되어 제공되는 전극 패턴(422)을 포함할 수 있다. 일 예시에 따르면, 전극 패턴(422)은 투명 플레이트(421)의 상면에 제공되어, 플라즈마로부터 식각되지 않도록 보호될 수 있다. 투명 플레이트(421)에서 처리 공간(105)에 면하는 면에는 내식각성 소재의 보호층(423)이 제공될 수 있다. 보호층(423)은 내식각성 소재로 제공되어, 플라즈마 처리 과정에서 소재의 식각을 방지할 수 있다. 2 is a cross-sectional view showing an upper electrode member 1420 according to an embodiment of the present invention. In the present invention, an upper electrode member 420 including a transparent electrode 422 for improving heat and plasma uniformity of a substrate is proposed. The upper electrode member 420 according to the present invention may include a transparent plate 421 and an electrode pattern 422 provided by being laminated on the transparent plate 421 with a conductive material. According to one example, the electrode pattern 422 may be provided on the upper surface of the transparent plate 421 to be protected from being etched by plasma. A protective layer 423 of an etch-resistant material may be provided on a surface of the transparent plate 421 facing the processing space 105 . The protective layer 423 is made of an etch-resistant material and can prevent the material from being etched during a plasma treatment.

전극 패턴(422)에는 고주파 전원(460)이 연결된다. 전극 패턴(422)은 투명 전극을 포함할 수 있다. 일 예시에 따르면, 전극 패턴(422)는 산화인듐과 산화주석으로 이루어진 ITO(Indium Tin Oxide) 물질로 형성된 투명 전극일 수 있다. 일 예시에 따르면, 전극 패턴(422)은 ITO(Indium Tin Oxide), MnSnO(Manganese Tin Oxide), CNT(Carbon Nano Tube), ZnO(Zinc Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), ATO(Antimony Tin Oxide), SnO2, IrO2, RuO2, Dielectric/Metal/Dielectric multilayer(SnO2/Ag/SnO2), 그래핀, Carbon Nano Tube(CNT), FTO (Fluorine-doped Tin Oxide), AZO(Aluminum-doped Zinc Oxide), GZO(Gallium-doped Zinc Oxide), In2O3, MgO, 은나노 와이어 (Silver Nanowire), 전도성 고분자 중 어느 하나일 수 있다. 또는 이들의 혼합 물질로 제공될 수 있다. 즉, 전극 패턴(422)는 투명 전도성 소재로 제공될 수 있다. 이를 통해 전술한 가열을 위한 에너지의 투과율을 높일 수 있다. A high frequency power source 460 is connected to the electrode pattern 422 . The electrode pattern 422 may include a transparent electrode. According to one example, the electrode pattern 422 may be a transparent electrode formed of an indium tin oxide (ITO) material composed of indium oxide and tin oxide. According to an example, the electrode pattern 422 may include indium tin oxide (ITO), manganese tin oxide (MnSnO), carbon nano tube (CNT), zinc oxide (ZnO), indium zinc oxide (IZO), and antimony tin oxide (ATO). ), SnO 2 , IrO 2 , RuO 2 , Dielectric/Metal/Dielectric multilayer (SnO 2 /Ag/SnO 2 ), graphene, Carbon Nano Tube (CNT), FTO (Fluorine-doped Tin Oxide), AZO (Aluminum- doped zinc oxide), gallium-doped zinc oxide (GZO), In 2 O 3 , MgO, silver nanowires, and conductive polymers. or a mixture thereof may be provided. That is, the electrode pattern 422 may be provided with a transparent conductive material. Through this, it is possible to increase the transmittance of energy for the aforementioned heating.

투명 플레이트(421)는 유전체 윈도우와 같은 역할을 수행할 수 있다. 투명 플레이트(421)는 투명성을 갖는 소재로 이루어질 수 있다. 일 예시에 따르면 투명 플레이트(421)는 쿼츠 소재로 제공될 수 있다. 일 예시에 따르면 투명 플레이트(421)는 SiO2일 수 있다. 선택적으로, 투명 플레이트(421)는 사파이어, 이트륨 옥사이드, 스피넬 구조 세라믹 중 어느 하나이거나, 이들의 조합일 수 있다. The transparent plate 421 may serve as a dielectric window. The transparent plate 421 may be made of a transparent material. According to one example, the transparent plate 421 may be provided with a quartz material. According to one example, the transparent plate 421 may be SiO 2 . Optionally, the transparent plate 421 may be any one of sapphire, yttrium oxide, spinel structured ceramics, or a combination thereof.

일 예시에 따르면, 상부 전극 부재(420)가 포함하는 전극 패턴(422)과 투명 플레이트(421) 및 보호층(423)은, 가열 유닛(500)으로부터 제공되는 에너지가 통과할 수 있도록 투명한 소재로 제공될 수 있다. 일 예시에 따르면 보호층(423)은 내식각성 소재로 제공될 수 있다. 일 예시에 따르면 보호층(423)은 MgAl2O4, Y2O3, YSZ(Yttria-stabilized zirconia, ZrO2/Y2O3), YAG(yttrium aluminum garnet, Y3Al5O12), Al2O3, Cr2O3, Nb2O5, γ-AlON, Si3N3 중 어느 하나일 수 있다. 또는 이들 을 적층하여 제공될 수 있다. 보호층(423)은 투명성을 가지면서, 내플라즈마성 및 내식각성을 가지는 소재로 제공될 수 있다. According to one example, the electrode pattern 422 included in the upper electrode member 420, the transparent plate 421, and the protective layer 423 are made of a transparent material so that energy provided from the heating unit 500 can pass therethrough. can be provided. According to one example, the protective layer 423 may be provided with an etch-resistant material. According to an example, the protective layer 423 may include MgAl 2 O 4 , Y 2 O 3 , Yttria-stabilized zirconia (YSZ, ZrO 2 /Y 2 O 3 ), yttrium aluminum garnet (YAG, Y 3 Al 5 O 12 ), It may be any one of Al 2 O 3 , Cr 2 O 3 , Nb 2 O 5 , γ-AlON, and Si 3 N 3 . Or it may be provided by stacking them. The protective layer 423 may be provided with a material having transparency and plasma resistance and corrosion resistance.

일 실시 예에 있어서, 투명 플레이트(421)는 제1 투명 플레이트(421-1)와 제2 투명 플레이트(421-2)를 포함한다. 제2 투명 플레이트(421-2)는 제1 투명 플레이트(421-1)의 상층에 적층(stack)된다. 제1 투명 플레이트(421-1) 상에는 제1 전극 패턴(422-1)이 적층된다. 제2 투명 플레이트(421-2) 상에는 제2 전극 패턴(422-2)이 적층된다. 제1 전극 패턴(422-1)과 제2 전극 패턴(422-2)은 상하방향으로 중첩되지 않도록 패턴이 형성된다. 패턴이 중첩되지 않음으로 인해, 가열 유닛(500)에 의해 상부 전극 부재(420)을 통과하는 가열 에너지의 균일성이 유지될 수 있다. 또한, 처리 공간에서 플라즈마 형성의 유니포미티를 도모할 수 있다. In one embodiment, the transparent plate 421 includes a first transparent plate 421-1 and a second transparent plate 421-2. The second transparent plate 421-2 is stacked on top of the first transparent plate 421-1. A first electrode pattern 422-1 is stacked on the first transparent plate 421-1. A second electrode pattern 422-2 is stacked on the second transparent plate 421-2. The pattern is formed such that the first electrode pattern 422-1 and the second electrode pattern 422-2 do not overlap in the vertical direction. Since the patterns do not overlap, uniformity of heating energy passing through the upper electrode member 420 by the heating unit 500 may be maintained. In addition, uniformity of plasma formation can be achieved in the processing space.

제1 전극 패턴(422-1)에는 제1 고주파 전원(460-1)이 연결된다. 제1 고주파 전원(460-1)은 제1 전극 패턴(422-1)에 제1 고주파 전력을 인가한다. 제2 전극 패턴(422-2)에는 제2 고주파 전원(460-2)이 연결된다. 제2 고주파 전원(460-2)은 제2 전극 패턴(422-2)에 제2 고주파 전력을 인가한다. 제1 고주파 전원(460-1)과 제2 고주파 전원(460-2)은 동일한 주파수의 전력을 공급하되 서로 시차를 가지며 제1 전극 패턴(422-1)과 제2 전극 패턴(422-2)에 고주파 전력을 인가할 수 있다. 시차를 준다는 것은 고주파 전력의 위상을 쉬프트하는 것을 의미한다. 다른 예로, 제1 고주파 전원(460-1)과 제2 고주파 전원(460-2)은 서로 상이한 주파수의 전력을 공급할 수 있다. 예컨대, 주파수는 13.56, 12.56, 13.96 MHz 등일 수 있다. 시차를 갖는 고주파 전력을 제1 전극 패턴(422-1)과 제2 전극 패턴(422-2)에 각각 인가하거나, 서로 상이한 고주파 전력을 제1 전극 패턴(422-1)과 제2 전극 패턴(422-2)에 각각 인가함으로써, 공진(Harmonic, Resonance) 영향을 피하여 플라즈마의 발생을 제어할 수 있다. 플라즈마의 발생을 제어함으로써 플라즈마 균일도를 개선할 수 있다.A first high frequency power source 460-1 is connected to the first electrode pattern 422-1. The first high frequency power supply 460-1 applies the first high frequency power to the first electrode pattern 422-1. A second high frequency power supply 460-2 is connected to the second electrode pattern 422-2. The second high frequency power supply 460-2 applies the second high frequency power to the second electrode pattern 422-2. The first high frequency power supply 460-1 and the second high frequency power supply 460-2 supply power of the same frequency but have a time difference, and the first electrode pattern 422-1 and the second electrode pattern 422-2 High-frequency power may be applied to Giving a time difference means shifting the phase of the high frequency power. As another example, the first high frequency power supply 460-1 and the second high frequency power supply 460-2 may supply power of different frequencies. For example, the frequency may be 13.56, 12.56, 13.96 MHz, and the like. High frequency power having a time difference is applied to the first electrode pattern 422-1 and the second electrode pattern 422-2, respectively, or different high frequency powers are applied to the first electrode pattern 422-1 and the second electrode pattern ( 422-2), it is possible to control the generation of plasma by avoiding the influence of resonance (Harmonic, Resonance). Plasma uniformity can be improved by controlling the generation of plasma.

도 3은 본 발명의 제1 실시 예에 따른 전극 패턴의 패턴과 전극 패턴에 인가되는 고주파 전원을 설명하는 도면이다. 도 3을 참조하면, 제1 실시 예에 따른 전극 패턴(1422)은, 제1 전극 패턴(1422-1)과 제2 전극 패턴(1422-2)을 포함한다. 제1 전극 패턴(1422-1)과 제2 전극 패턴(1422-2)은 나란히 배치된 선형의 조합으로 이루어진다. 전극 패턴(1422)을 이루는 패턴은 제1 전극 패턴(1422-1)과 제2 전극 패턴(1422-2)이 서로 겹치지 않으면서 서로 엇갈리게 배치되어 이루어진다. 제1 전극 패턴(1422-1)에는 제1 고주파 전원(460-1)이 연결된다. 제2 전극 패턴(1422-2)에는 제2 고주파 전원(460-2)이 연결된다. 3 is a diagram illustrating a pattern of electrode patterns and a high-frequency power applied to the electrode patterns according to the first embodiment of the present invention. Referring to FIG. 3 , an electrode pattern 1422 according to the first embodiment includes a first electrode pattern 1422-1 and a second electrode pattern 1422-2. The first electrode pattern 1422-1 and the second electrode pattern 1422-2 are formed of a linear combination arranged side by side. The pattern constituting the electrode pattern 1422 is formed by staggering the first electrode pattern 1422-1 and the second electrode pattern 1422-2 without overlapping each other. A first high frequency power source 460-1 is connected to the first electrode pattern 1422-1. A second high frequency power supply 460-2 is connected to the second electrode pattern 1422-2.

도 4는 본 발명의 제2 실시 예에 따른 전극 패턴의 패턴과 전극 패턴에 인가되는 고주파 전원을 설명하는 도면이다. 도 4를 참조한다. 제2 실시 예에 따른 전극 패턴(2422)은, 제1 전극 패턴(2422-1)과 제2 전극 패턴(2422-2)을 포함한다. 제1 전극 패턴(2422-1)과 제2 전극 패턴(2422-2)은 각각 중심이 같고 직경이 상이한 복수개의 링 형상의 조합으로 이루어진다. 제1 전극 패턴(2422-1)과 제2 전극 패턴(2422-2)은 서로 겹치지 않으면서, 엇갈리게 배치된다. 제1 전극 패턴(2422-1)에는 제1 고주파 전원(460-1)이 연결된다. 제2 전극 패턴(2422-2)에는 제2 고주파 전원(460-2)이 연결된다. 4 is a diagram illustrating a pattern of electrode patterns and a high frequency power applied to the electrode patterns according to a second embodiment of the present invention. See FIG. 4 . An electrode pattern 2422 according to the second embodiment includes a first electrode pattern 2422-1 and a second electrode pattern 2422-2. The first electrode pattern 2422-1 and the second electrode pattern 2422-2 are formed of a combination of a plurality of rings having the same center and different diameters. The first electrode pattern 2422-1 and the second electrode pattern 2422-2 are alternately disposed without overlapping each other. A first high frequency power supply 460-1 is connected to the first electrode pattern 2422-1. A second high frequency power source 460-2 is connected to the second electrode pattern 2422-2.

도 5는 본 발명의 제2 실시예에 따른 상부 전극 부재(2420)와 이에 고주파 전원을 인가하는 제1 방법에 관련된 단면도이다. 제1 실시 예에 따른 상부 전극 부재(1420)가 2층의 전극 패턴을 갖는 반면, 제2 실시 예에 따른 상부 전극 부재(2420)는 3층의 전극 패턴을 갖는다. 5 is a cross-sectional view related to an upper electrode member 2420 according to a second embodiment of the present invention and a first method of applying a high frequency power thereto. While the upper electrode member 1420 according to the first embodiment has a two-layer electrode pattern, the upper electrode member 2420 according to the second embodiment has a three-layer electrode pattern.

투명 플레이트(421)는 제1 투명 플레이트(421-1)와 제2 투명 플레이트(421-2)와 제3 투명 전극 플레이트(421-3)를 포함한다. 제3 투명 플레이트(421-3)는 제2 투명 플레이트(421-2)의 상층에 적층(stack)된다. 제2 투명 플레이트(421-2)는 제1 투명 플레이트(421-1)의 상층에 적층(stack)된다. 제1 투명 플레이트(421-1) 상에는 제1 전극 패턴(422-1)이 적층된다. 제2 투명 플레이트(421-2) 상에는 제2 전극 패턴(422-2)이 적층된다. 제3 투명 플레이트(421-3) 상에는 제3 전극 패턴(422-3)이 적층된다. 제1 전극 패턴(422-1)과 제2 전극 패턴(422-2)과 제3 전극 패턴(422-3)은 상하방향으로 중첩되지 않도록 패턴이 형성된다. 패턴이 중첩되지 않음으로 인해, 가열 유닛(500)에 의해 상부 전극 부재(420)을 통과하는 가열 에너지의 균일성이 유지될 수 있다. 또한, 처리 공간에서 플라즈마 형성의 유니포미티를 도모할 수 있다. 제1 전극 패턴(422-1)에는 제1 고주파 전원(460-1)이 연결된다. 제2 전극 패턴(422-2)에는 제2 고주파 전원(460-2)이 연결된다. 제3 전극 패턴(422-3)에는 제3 고주파 전원(460-3)이 연결된다. The transparent plate 421 includes a first transparent plate 421-1, a second transparent plate 421-2, and a third transparent electrode plate 421-3. The third transparent plate 421-3 is stacked on top of the second transparent plate 421-2. The second transparent plate 421-2 is stacked on top of the first transparent plate 421-1. A first electrode pattern 422-1 is stacked on the first transparent plate 421-1. A second electrode pattern 422-2 is stacked on the second transparent plate 421-2. A third electrode pattern 422-3 is stacked on the third transparent plate 421-3. The first electrode pattern 422-1, the second electrode pattern 422-2, and the third electrode pattern 422-3 are patterned so that they do not overlap in the vertical direction. Since the patterns do not overlap, uniformity of heating energy passing through the upper electrode member 420 by the heating unit 500 may be maintained. In addition, uniformity of plasma formation can be achieved in the processing space. A first high frequency power source 460-1 is connected to the first electrode pattern 422-1. A second high frequency power supply 460-2 is connected to the second electrode pattern 422-2. A third high frequency power source 460 - 3 is connected to the third electrode pattern 422 - 3 .

제1 고주파 전원(460-1)과 제2 고주파 전원(460-2)과 제3 고주파 전원(460-3)은 동일한 주파수의 전력을 공급하되 서로 시차를 가지며 제1 전극 패턴(422-1)과 제2 전극 패턴(422-2)과 제3 전극 패턴(422-3)에 고주파 전력을 인가할 수 있다. 시차를 준다는 것은 고주파 전력의 위상을 쉬프트하는 것을 의미한다. 다른 예로, 제1 고주파 전원(460-1)과 제2 고주파 전원(460-2)과 제3 고주파 전원(460-3)은 서로 상이한 주파수의 전력을 공급할 수 있다. 예컨대, 주파수는 13.56, 12.56, 13.96 MHz 등일 수 있다. 시차를 갖는 고주파 전력을 제1 전극 패턴(422-1)과 제2 전극 패턴(422-2)과 제3 전극 패턴(422-3)에 각각 인가하거나, 서로 상이한 고주파 전력을 제1 전극 패턴(422-1)과 제2 전극 패턴(422-2)과 제3 전극 패턴(422-3)에 각각 인가함으로써, 공진(Harmonic, Resonance) 영향을 피하여 플라즈마의 발생을 제어할 수 있다. 플라즈마의 발생을 제어함으로써 플라즈마 균일도를 개선할 수 있다.The first high frequency power supply 460-1, the second high frequency power supply 460-2, and the third high frequency power supply 460-3 supply power of the same frequency, but have a time difference, and form the first electrode pattern 422-1. High frequency power may be applied to the second electrode pattern 422-2 and the third electrode pattern 422-3. Giving a time difference means shifting the phase of the high frequency power. As another example, the first high frequency power supply 460-1, the second high frequency power supply 460-2, and the third high frequency power supply 460-3 may supply power of different frequencies. For example, the frequency may be 13.56, 12.56, 13.96 MHz, and the like. High frequency power having a time difference is applied to the first electrode pattern 422-1, the second electrode pattern 422-2, and the third electrode pattern 422-3, respectively, or different high frequency powers are applied to the first electrode pattern ( 422-1), the second electrode pattern 422-2, and the third electrode pattern 422-3, respectively, it is possible to control the generation of plasma by avoiding the effect of resonance. Plasma uniformity can be improved by controlling the generation of plasma.

도 6은 본 발명의 제3 실시예에 따른 상부 전극 부재(3420)와 이에 고주파 전원을 인가하는 제1 방법에 관련된 단면도이다. 제1 실시 예에 따른 상부 전극 부재(1420)가 2층의 전극 패턴을 갖는 반면, 제3 실시 예에 따른 상부 전극 부재(3420)는 4층의 전극 패턴을 갖는다. 6 is a cross-sectional view related to an upper electrode member 3420 according to a third embodiment of the present invention and a first method of applying a high frequency power thereto. While the upper electrode member 1420 according to the first embodiment has two-layer electrode patterns, the upper electrode member 3420 according to the third embodiment has four-layer electrode patterns.

투명 플레이트(421)는 제1 투명 플레이트(421-1)와 제2 투명 플레이트(421-2)와 제3 투명 전극 플레이트(421-3)와 제4 투명 전극 플레이트(421-4)를 포함한다. 제4 투명 플레이트(421-4)는 제3 투명 플레이트(421-3)의 상층에 적층(stack)된다. 제3 투명 플레이트(421-3)는 제2 투명 플레이트(421-2)의 상층에 적층(stack)된다. 제2 투명 플레이트(421-2)는 제1 투명 플레이트(421-1)의 상층에 적층(stack)된다. The transparent plate 421 includes a first transparent plate 421-1, a second transparent plate 421-2, a third transparent electrode plate 421-3, and a fourth transparent electrode plate 421-4. . The fourth transparent plate 421-4 is stacked on top of the third transparent plate 421-3. The third transparent plate 421-3 is stacked on top of the second transparent plate 421-2. The second transparent plate 421-2 is stacked on top of the first transparent plate 421-1.

제1 투명 플레이트(421-1) 상에는 제1 전극 패턴(422-1)이 적층된다. 제2 투명 플레이트(421-2) 상에는 제2 전극 패턴(422-2)이 적층된다. 제3 투명 플레이트(421-3) 상에는 제3 전극 패턴(422-3)이 적층된다. 제4 투명 플레이트(421-4) 상에는 제4 전극 패턴(422-4)이 적층된다.A first electrode pattern 422-1 is stacked on the first transparent plate 421-1. A second electrode pattern 422-2 is stacked on the second transparent plate 421-2. A third electrode pattern 422-3 is stacked on the third transparent plate 421-3. A fourth electrode pattern 422-4 is stacked on the fourth transparent plate 421-4.

제1 전극 패턴(422-1)과 제2 전극 패턴(422-2)과 제3 전극 패턴(422-3)과 제4 전극 패턴(422-4)은 상하방향으로 중첩되지 않도록 패턴이 형성된다. 패턴이 중첩되지 않음으로 인해, 가열 유닛(500)에 의해 상부 전극 부재(420)을 통과하는 가열 에너지의 균일성이 유지될 수 있다. 또한, 처리 공간에서 플라즈마 형성의 유니포미티를 도모할 수 있다. 제1 전극 패턴(422-1)과 제2 전극 패턴(422-2)과 제3 전극 패턴(422-3)과 제4 전극 패턴(422-4)은 서로 병렬으로 연결되고 제1 고주파 전원(460-1)과 연결될 수 있다. The first electrode pattern 422-1, the second electrode pattern 422-2, the third electrode pattern 422-3, and the fourth electrode pattern 422-4 are patterned so that they do not overlap in the vertical direction. . Since the patterns do not overlap, uniformity of heating energy passing through the upper electrode member 420 by the heating unit 500 may be maintained. In addition, uniformity of plasma formation can be achieved in the processing space. The first electrode pattern 422-1, the second electrode pattern 422-2, the third electrode pattern 422-3, and the fourth electrode pattern 422-4 are connected in parallel to each other, and the first high frequency power source ( 460-1).

도 7은 본 발명의 제3 실시예에 따른 상부 전극 부재(3420)와 이에 고주파 전원을 인가하는 제2 방법에 관련된 단면도이다. 실시 예에 따르면, 제1 전극 패턴(422-1)과 제2 전극 패턴(422-2)은 제1 군의 전극 패턴을 이루며 서로 병렬로 연결되고, 제1 고주파 전원(460-1)과 연결된다. 제3 전극 패턴(422-3)과 제4 전극 패턴(422-4)은 제2 군의 전극 패턴을 이루며 서로 병렬적으로 연결되고 제2 고주파 전원(460-2)과 연결된다. 7 is a cross-sectional view related to an upper electrode member 3420 according to a third embodiment of the present invention and a second method of applying a high frequency power thereto. According to the embodiment, the first electrode pattern 422-1 and the second electrode pattern 422-2 form a first group of electrode patterns, are connected in parallel to each other, and are connected to the first high frequency power source 460-1. do. The third electrode pattern 422-3 and the fourth electrode pattern 422-4 form a second group of electrode patterns and are connected in parallel to each other and connected to the second high frequency power supply 460-2.

제1 고주파 전원(460-1)과 제2 고주파 전원(460-2)은 동일한 주파수의 전력을 공급하되 서로 시차를 가지며 제1 전극 패턴(422-1)과 제2 전극 패턴(422-2)에 고주파 전력을 인가할 수 있다. 시차를 준다는 것은 고주파 전력의 위상을 쉬프트하는 것을 의미한다. 다른 예로, 제1 고주파 전원(460-1)과 제2 고주파 전원(460-2)은 서로 상이한 주파수의 전력을 공급할 수 있다. 예컨대, 주파수는 13.56, 12.56, 13.96 MHz 등일 수 있다. 시차를 갖는 고주파 전력을 제1 전극 패턴(422-1)과 제2 전극 패턴(422-2)에 각각 인가하거나, 서로 상이한 고주파 전력을 제1 전극 패턴(422-1)과 제2 전극 패턴(422-2)에 각각 인가함으로써, 공진(Harmonic, Resonance) 영향을 피하여 플라즈마의 발생을 제어할 수 있다. 플라즈마의 발생을 제어함으로써 플라즈마 균일도를 개선할 수 있다.The first high frequency power supply 460-1 and the second high frequency power supply 460-2 supply power of the same frequency but have a time difference, and the first electrode pattern 422-1 and the second electrode pattern 422-2 High-frequency power may be applied to Giving a time difference means shifting the phase of the high frequency power. As another example, the first high frequency power supply 460-1 and the second high frequency power supply 460-2 may supply power of different frequencies. For example, the frequency may be 13.56, 12.56, 13.96 MHz, and the like. High frequency power having a time difference is applied to the first electrode pattern 422-1 and the second electrode pattern 422-2, respectively, or different high frequency powers are applied to the first electrode pattern 422-1 and the second electrode pattern ( 422-2), it is possible to control the generation of plasma by avoiding the influence of resonance (Harmonic, Resonance). Plasma uniformity can be improved by controlling the generation of plasma.

도 8은 본 발명의 제3 실시예에 따른 상부 전극 부재(3420)와 이에 고주파 전원을 인가하는 제3 방법에 관련된 단면도이다. 실시 예에 따르면, 제1 전극 패턴(422-1)과 제3 전극 패턴(422-3)은 제1 군의 전극 패턴을 이루며 서로 병렬로 연결되고, 제1 고주파 전원(460-1)과 연결된다. 제2 전극 패턴(422-2)과 제4 전극 패턴(422-4)은 제2 군의 전극 패턴을 이루며 서로 병렬적으로 연결되고 제2 고주파 전원(460-2)과 연결된다.8 is a cross-sectional view related to an upper electrode member 3420 according to a third embodiment of the present invention and a third method of applying a high frequency power thereto. According to the embodiment, the first electrode pattern 422-1 and the third electrode pattern 422-3 form a first group of electrode patterns, are connected in parallel to each other, and are connected to the first high frequency power source 460-1. do. The second electrode pattern 422-2 and the fourth electrode pattern 422-4 form a second group of electrode patterns and are connected in parallel to each other and connected to the second high frequency power supply 460-2.

제1 고주파 전원(460-1)과 제2 고주파 전원(460-2)은 동일한 주파수의 전력을 공급하되 서로 시차를 가지며 제1 전극 패턴(422-1)과 제2 전극 패턴(422-2)에 고주파 전력을 인가할 수 있다. 시차를 준다는 것은 고주파 전력의 위상을 쉬프트하는 것을 의미한다. 다른 예로, 제1 고주파 전원(460-1)과 제2 고주파 전원(460-2)은 서로 상이한 주파수의 전력을 공급할 수 있다. 예컨대, 주파수는 13.56, 12.56, 13.96 MHz 등일 수 있다. 시차를 갖는 고주파 전력을 제1 전극 패턴(422-1)과 제2 전극 패턴(422-2)에 각각 인가하거나, 서로 상이한 고주파 전력을 제1 전극 패턴(422-1)과 제2 전극 패턴(422-2)에 각각 인가함으로써, 공진(Harmonic, Resonance) 영향을 피하여 플라즈마의 발생을 제어할 수 있다. 플라즈마의 발생을 제어함으로써 플라즈마 균일도를 개선할 수 있다.The first high frequency power supply 460-1 and the second high frequency power supply 460-2 supply power of the same frequency but have a time difference, and the first electrode pattern 422-1 and the second electrode pattern 422-2 High-frequency power may be applied to Giving a time difference means shifting the phase of the high frequency power. As another example, the first high frequency power supply 460-1 and the second high frequency power supply 460-2 may supply power of different frequencies. For example, the frequency may be 13.56, 12.56, 13.96 MHz, and the like. High frequency power having a time difference is applied to the first electrode pattern 422-1 and the second electrode pattern 422-2, respectively, or different high frequency powers are applied to the first electrode pattern 422-1 and the second electrode pattern ( 422-2), it is possible to control the generation of plasma by avoiding the influence of resonance (Harmonic, Resonance). Plasma uniformity can be improved by controlling the generation of plasma.

도 9은 본 발명의 제3 실시예에 따른 상부 전극 부재(3420)와 이에 고주파 전원을 인가하는 제4 방법에 관련된 단면도이다. 실시 예에 따르면, 제1 전극 패턴(422-1)과 제2 전극 패턴(422-2)과 제3 전극 패턴(422-3)과 제4 전극 패턴(422-4)은 서로 병렬으로 연결되고 제1 고주파 전원(460-1)과 연결될 수 있다. 제1 전극 패턴(422-1)과 제1 고주파 전원(460-1)의 사이, 제2 전극 패턴(422-2)과 제1 고주파 전원(460-1)의 사이, 제3 전극 패턴(422-3)과 제1 고주파 전원(460-1)의 사이, 제4 전극 패턴(422-4)과 제1 고주파 전원(460-1)의 사이에는 각각 스위치가 제공되어, 제1 내지 제4 전극 패턴(422-1, 422-2, 422-3, 422-4)의 각각에 선택적으로 전력이 인가되도록 제어될 수 있다. 9 is a cross-sectional view related to an upper electrode member 3420 according to a third embodiment of the present invention and a fourth method of applying a high-frequency power thereto. According to the embodiment, the first electrode pattern 422-1, the second electrode pattern 422-2, the third electrode pattern 422-3, and the fourth electrode pattern 422-4 are connected in parallel to each other, It may be connected to the first high frequency power supply 460-1. Between the first electrode pattern 422-1 and the first high frequency power supply 460-1, between the second electrode pattern 422-2 and the first high frequency power supply 460-1, the third electrode pattern 422 -3) and the first high frequency power supply 460-1, and switches are provided between the fourth electrode pattern 422-4 and the first high frequency power supply 460-1, respectively, so that the first to fourth electrodes Power may be selectively applied to each of the patterns 422-1, 422-2, 422-3, and 422-4.

도 10는 본 발명의 제3 실시예에 따른 상부 전극 부재(3420)와 이에 고주파 전원을 인가하는 제5 방법에 관련된 단면도이다. 실시 예에 따르면, 제1 전극 패턴(422-1)과 제3 전극 패턴(422-3)은 제1 군의 전극 패턴을 이루며 서로 병렬로 연결되고, 제1 고주파 전원(460-1)과 연결된다. 제2 전극 패턴(422-2)과 제4 전극 패턴(422-4)은 제2 군의 전극 패턴을 이루며 서로 병렬적으로 연결되고 제2 고주파 전원(460-2)과 연결된다. 제1 전극 패턴(422-1)과 제1 고주파 전원(460-1)의 사이, 제2 전극 패턴(422-2)과 제2 고주파 전원(460-2)의 사이, 제3 전극 패턴(422-3)과 제1 고주파 전원(460-1)의 사이, 제4 전극 패턴(422-4)과 제2 고주파 전원(460-2)의 사이에는 각각 스위치가 제공되어, 제1 내지 제4 전극 패턴(422-1, 422-2, 422-3, 422-4)의 각각에 선택적으로 전력이 인가되도록 제어될 수 있다. 10 is a cross-sectional view related to an upper electrode member 3420 according to a third embodiment of the present invention and a fifth method of applying a high frequency power thereto. According to the embodiment, the first electrode pattern 422-1 and the third electrode pattern 422-3 form a first group of electrode patterns, are connected in parallel to each other, and are connected to the first high frequency power source 460-1. do. The second electrode pattern 422-2 and the fourth electrode pattern 422-4 form a second group of electrode patterns and are connected in parallel to each other and connected to the second high frequency power supply 460-2. Between the first electrode pattern 422-1 and the first high frequency power supply 460-1, between the second electrode pattern 422-2 and the second high frequency power supply 460-2, the third electrode pattern 422 -3) and the first high frequency power supply 460-1, and switches are provided between the fourth electrode pattern 422-4 and the second high frequency power supply 460-2, respectively, so that the first to fourth electrodes Power may be selectively applied to each of the patterns 422-1, 422-2, 422-3, and 422-4.

도 11는 본 발명의 제4실시예에 따른 상부 전극 부재(4420) 나타내는 단면도이다. 제4 실시 예와 같이, 전극 패턴(421)의 전극 폭과 전극 간의 간격을 상이하게 할 수 있다. 전극 폭은 기판(W)에 대향하는 부분을 기준으로, 가운데 영역, 중간 영역, 바깥 영역을 각각 다른 폭으로 설정할 수 있다. 또한, 전극 간의 간격은 기판(W)에 대향하는 부분을 기준으로, 가운데 영역, 중간 영역, 바깥 영역을 각각 다른 간격으로 설정할 수 있다.11 is a cross-sectional view showing an upper electrode member 4420 according to a fourth embodiment of the present invention. As in the fourth embodiment, the electrode width of the electrode pattern 421 and the distance between the electrodes may be different. The electrode width may be set to different widths for the middle region, the middle region, and the outer region based on the portion facing the substrate W. In addition, the intervals between the electrodes may be set to different intervals for the middle region, the middle region, and the outer region based on the portion facing the substrate W.

이상의 실시 예들은 본 발명의 이해를 돕기 위하여 제시된 것으로, 본 발명의 범위를 제한하지 않으며, 이로부터 다양한 변형 가능한 실시 예들도 본 발명의 범위에 속하는 것임을 이해하여야 한다. 본 발명에서 제공되는 도면은 본 발명의 최적의 실시예를 도시한 것에 불과하다. 본 발명의 기술적 보호범위는 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이며, 본 발명의 기술적 보호범위는 특허청구범위의 문언적 기재 그 자체로 한정되는 것이 아니라 실질적으로는 기술적 가치가 균등한 범주의 발명까지 미치는 것임을 이해하여야 한다.It should be understood that the above embodiments are presented to aid understanding of the present invention, do not limit the scope of the present invention, and various deformable embodiments also fall within the scope of the present invention. The drawings provided in the present invention merely illustrate the optimal embodiment of the present invention. The scope of technical protection of the present invention should be determined by the technical spirit of the claims, and the scope of technical protection of the present invention is not limited to the literal description of the claims themselves, but is substantially equal to the scope of technical value. It should be understood that it extends to the invention of

Claims (16)

기판 처리 장치에 있어서,
내부에 처리 공간을 갖는 챔버;
상기 처리 공간 내에 배치되며, 기판을 지지하는 지지 유닛; 및
상기 처리 공간으로 공급된 공정 가스로부터 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 생성 유닛을 포함하되,
상기 플라즈마 생성 유닛은:
하부 전극 부재;
상기 하부 전극과 대향되게 배치되는 상부 전극 부재; 및
상기 상부 전극 부재에 고주파 전력을 인가하는 고주파 전원을 포함하며,
상기 상부 전극 부재는:
서로 적층되어 제공되는 복수개의 투명 플레이트; 및
상기 복수개의 투명 플레이트에 각각에 적층되며, 평면에서 바라볼 때 서로 겹치지 않는 복수개의 전극 패턴을 포함하는 기판 처리 장치.In the substrate processing apparatus,
a chamber having a processing space therein;
a support unit disposed in the processing space and supporting a substrate; and
A plasma generating unit generating plasma from a process gas supplied to the processing space;
The plasma generating unit:
lower electrode member;
an upper electrode member disposed to face the lower electrode; and
A high frequency power supply for applying high frequency power to the upper electrode member,
The upper electrode member is:
a plurality of transparent plates provided by being stacked on each other; and
A substrate processing apparatus including a plurality of electrode patterns stacked on each of the plurality of transparent plates and not overlapping each other when viewed from a plane. 제1 항에 있어서,
상기 고주파 전원은:
상기 복수개의 전극 패턴 각각과 연결되는 복수개의 고주파 전원을 포함하는 기판 처리 장치.According to claim 1,
The high frequency power source is:
A substrate processing apparatus comprising a plurality of high-frequency power supplies connected to each of the plurality of electrode patterns. 제2 항에 있어서,
상기 복수개의 고주파 전원은, 고주파 전력의 주파수는 동일하되 서로 시차를 갖는 것인 기판 처리 장치.According to claim 2,
The plurality of high frequency power supplies have the same frequency of the high frequency power but have a time difference from each other. 제2 항에 있어서,
상기 복수개의 고주파 전원은, 각각 고주파 전력의 주파수는 서로 상이한 것인 기판 처리 장치.According to claim 2,
The plurality of high frequency power sources, the substrate processing apparatus, the frequency of each of the high frequency power is different from each other. 제1 항에 있어서,
상기 전극 패턴은 투명 전극으로 제공되는 기판 처리 장치.According to claim 1,
The electrode pattern is a substrate processing apparatus provided as a transparent electrode. 제5 항에 있어서,
상기 투명 전극은,
ITO, MnSnO, CNT, ZnO, IZO, ATO, SnO2, IrO2, RuO2, 그래핀, 카본 나노 튜브(CNT), AZO, FTO, GZO, In2O3, MgO, 전도성 고분자, metal nanowire 중 어느 하나 이거나 그 이상의 혼합물질, 또는 다중 중첩에 의하여 이루어진 기판 처리 장치.According to claim 5,
The transparent electrode,
ITO, MnSnO, CNT, ZnO, IZO, ATO, SnO 2 , IrO 2 , RuO 2 , graphene, carbon nanotube (CNT), AZO, FTO, GZO, In2O3, MgO, conductive polymer, or metal nanowire A substrate processing device made of a mixture of more than one or multiple layers. 제1 항에 있어서,
상기 복수개의 전극 패턴 중 선택된 복수개의 전극 패턴인 제1 군의 전극 패턴은 서로 병렬로 연결되고, 나머지 복수개의 전극 패턴인 제2 군의 전극 패턴은 서로 병렬로 연결되며,
제1 군의 전극 패턴에는 제1 고주파 전원이 인가되고,
제2 군의 전극 패턴에는 제2 고주파 전원이 인가되는 기판 처리 장치.According to claim 1,
The electrode patterns of the first group, which are a plurality of electrode patterns selected from among the plurality of electrode patterns, are connected in parallel to each other, and the electrode patterns of the second group, which are the remaining plurality of electrode patterns, are connected in parallel to each other,
A first high-frequency power is applied to the electrode patterns of the first group,
A substrate processing apparatus in which a second high-frequency power is applied to the electrode patterns of the second group. 제7 항에 있어서,
상기 제1 고주파 전원과 제2 고주파 전원이 공급하는 고주파 전력의 주파수는 동일하되, 시차를 갖는 것인 기판 처리 장치.According to claim 7,
The frequency of the high-frequency power supplied by the first high-frequency power supply and the second high-frequency power supply is the same, but has a time difference. 제7 항에 있어서,
상기 제1 고주파 전원과 제2 고주파 전원이 공급하는 고주파 전력의 주파수는 서로 상이한 것인 기판 처리 장치.According to claim 7,
The substrate processing apparatus wherein the frequency of the high frequency power supplied by the first high frequency power supply and the second high frequency power supply is different from each other. 제1 항에 있어서,
상기 복수개의 투명 플레이트는, 제1 투명 플레이트와 상기 제1 플레이트의 상층에 적층되는 제2 투명 플레이트를 포함하고,
상기 복수개의 전극 패턴은,
상기 제1 투명 플레이트에 적층되는 상기 제1 전극 패턴과;
상기 제2 투명 플레이트에 적층되는 상기 제2 전극 패턴을 포함하며,
상기 제1 전극 패턴과 상기 제2 전극 패턴은 은 중심이 같고 직경이 상이한 복수개의 링 형상의 조합으로 이루어지는 기판 처리 장치.According to claim 1,
The plurality of transparent plates include a first transparent plate and a second transparent plate stacked on top of the first plate,
The plurality of electrode patterns,
the first electrode pattern laminated on the first transparent plate;
It includes the second electrode pattern laminated on the second transparent plate,
The first electrode pattern and the second electrode pattern are formed of a combination of a plurality of ring shapes having the same silver center and different diameters. 제1 항에 있어서,
상기 복수개의 투명 플레이트는, 제1 투명 플레이트와 상기 제1 플레이트의 상층에 적층되는 제2 투명 플레이트를 포함하고,
상기 복수개의 전극 패턴은,
상기 제1 투명 플레이트에 적층되는 상기 제1 전극 패턴과;
상기 제2 투명 플레이트에 적층되는 상기 제2 전극 패턴을 포함하며,
상기 제1 전극 패턴과 상기 제2 전극 패턴은 선형의 전극이 나란히 배치되어 이루어지는 기판 처리 장치.According to claim 1,
The plurality of transparent plates include a first transparent plate and a second transparent plate stacked on top of the first plate,
The plurality of electrode patterns,
the first electrode pattern laminated on the first transparent plate;
It includes the second electrode pattern laminated on the second transparent plate,
The first electrode pattern and the second electrode pattern are a substrate processing apparatus in which linear electrodes are disposed side by side. 제1 항에 있어서,
상기 투명 플레이트는 유전체로 제공되는 기판 처리 장치.According to claim 1,
The transparent plate is a substrate processing apparatus provided as a dielectric. 제1 항에 있어서,
상기 투명 플레이트는 쿼츠, 사파이어, 이트륨 옥사이드, 스피넬 구조 세라믹 중 어느 하나의 소재로 제공되는 기판 처리 장치.According to claim 1,
The transparent plate is a substrate processing device provided with any one of quartz, sapphire, yttrium oxide, and spinel structure ceramic. 제1 항에 있어서,
상기 처리 공간에 면하는 상기 투명 플레이트의 일면에는 내식각성 소재의 보호층이 더 제공되는 기판 처리 장치.According to claim 1,
A substrate processing apparatus further comprising a protective layer of an etch-resistant material on one surface of the transparent plate facing the processing space. 제1 항에 있어서,
상기 상부 전극 부재의 상부에 배치되며, 상기 전극 부재를 투과하여 상기 기판에 가열을 위한 에너지를 조사하는 가열 유닛을 더 포함하는 기판 처리 장치.According to claim 1,
and a heating unit disposed above the upper electrode member and irradiating energy for heating the substrate through the electrode member. 제13 항에 있어서,
상기 가열 유닛은,
플래시 램프, 마이크로파 유닛, 레이저 유닛 중 어느 하나인 기판 처리 장치.According to claim 13,
The heating unit is
A substrate processing device that is any one of a flash lamp, a microwave unit, and a laser unit.
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