KR20230046226A - Polycyclic aromatic compound - Google Patents

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KR20230046226A
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구오팡 왕
료스케 카와스미
야스히로 콘도
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에스케이머티리얼즈제이엔씨 주식회사
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Abstract

The present invention relates to a polycyclic aromatic compound which has a structure consisting of one or two or more structural units represented by formula (1), wherein an A ring, a B ring, a C ring, and a D ring are substituted or unsubstituted aryl rings or substituted or unsubstituted heteroaryl rings, and X^1, X^2, and X^3 are >N-R^XN, >O, >S, or a single bond, etc., and R^XN represents substituted or unsubstituted aryl or substituted or unsubstituted heteroaryl, etc. The polycyclic aromatic compound is useful as a material for organic devices such as organic electroluminescent elements.

Description

다환 방향족 화합물 {POLYCYCLIC AROMATIC COMPOUND}Polycyclic aromatic compound {POLYCYCLIC AROMATIC COMPOUND}

본 발명은, 다환 방향족 화합물, 이것을 사용한 유기 전계 발광 소자, 유기 전계 효과 트랜지스터 및 유기 박막 태양 전지 등의 유기 디바이스, 및, 표시 장치 및 조명 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a polycyclic aromatic compound, an organic electroluminescent element using the same, organic devices such as an organic field effect transistor and an organic thin film solar cell, and a display device and a lighting device.

종래, 전계 발광하는 발광 소자를 사용한 표시 장치는, 저전력화나 박형화가 가능하기 때문에, 다양하게 연구되고, 또한, 유기 재료로 이루어지는 유기 전계 발광 소자는, 경량화나 대형화가 용이하여 활발하게 검토되어 왔다. 특히, 광의 삼원색 중 하나인 청색이나 녹색 등의 발광 특성을 가지는 유기 재료의 개발, 및 정공, 전자 등의 전하 수송 능력(반도체나 초전도체가 될 가능성을 가짐)을 구비한 유기 재료의 개발에 대해서는, 고분자 화합물, 저분자 화합물을 막론하고 지금까지 활발하게 연구되어 왔다. Conventionally, display devices using electroluminescent light-emitting elements can be reduced in power and reduced in thickness, so various researches have been conducted, and organic electroluminescent elements made of organic materials have been actively studied because they are easy to reduce in weight and increase in size. In particular, for the development of organic materials having luminescent properties such as blue or green, which are one of the three primary colors of light, and the development of organic materials having charge transport capabilities (possibly becoming semiconductors or superconductors) such as holes and electrons, Both high-molecular compounds and low-molecular compounds have been actively studied.

유기 EL 소자는, 양극 및 음극으로 이루어지는 한 쌍의 전극과, 해당 한 쌍의 전극 사이에 배치되어, 유기 화합물을 포함하는 한층 또는 복수의 층으로 이루어지는 구조를 가진다. 유기 화합물을 포함하는 층에는, 발광층이나, 정공, 전자 등의 전하를 수송 또는 주입하는 전하 수송/주입층 등이 있으며, 이들 층에 적당한 다양한 유기 재료가 개발되고 있다. An organic EL element has a structure composed of a pair of electrodes composed of an anode and a cathode, and one layer or a plurality of layers disposed between the pair of electrodes and containing an organic compound. Layers containing organic compounds include a light emitting layer and a charge transport/injection layer that transports or injects charges such as holes and electrons, and various organic materials suitable for these layers have been developed.

발광층용의 발광 재료로서는, 현재, 형광 재료, 인광 재료, 열활성형 지연 형광(TADF) 재료의 3종류가 이용되고 있다. 예를 들면, 형광 재료로는 아자보린 유도체를 개량한 재료 등이 보고되고 있고(특허문헌1), 인광 재료로는 다좌 리간드를 가지는 귀금속 착체 등이 개발되어 있고(특허문헌2), 열활성형 지연 형광(TADF) 재료로는 카르바조니트릴 화합물 등이 개발되어 있다(비특허문헌1).As light-emitting materials for the light-emitting layer, three types of fluorescent materials, phosphorescent materials, and thermally activated delayed fluorescence (TADF) materials are currently used. For example, materials improved from azaborine derivatives have been reported as fluorescent materials (Patent Document 1), noble metal complexes having multidentate ligands, etc. have been developed as phosphorescent materials (Patent Document 2), and thermally activated type A carbazonitrile compound or the like has been developed as a delayed fluorescence (TADF) material (Non-Patent Document 1).

어느 재료를 사용한 소자도, 효율의 저하로 이어지는 발광층 또는 주변층으로부터의 에너지의 누출을 막기 위해서 높은 최저 여기 일중항 에너지 또는 최저 여기 삼중항 에너지를 가지는 재료가 발광층의 인접층 또는 호스트로 사용된다.In any device using either material, a material having a high minimum singlet excitation energy or minimum triplet excitation energy is used as an adjacent layer or host of the light emitting layer in order to prevent energy leakage from the light emitting layer or neighboring layers leading to a decrease in efficiency.

특허문헌1: 국제공개 제2015/102118호Patent Document 1: International Publication No. 2015/102118 특허문헌2: 일본특허공개 2014-239225호 공보Patent Document 2: Japanese Unexamined Patent Publication No. 2014-239225

비특허문헌 1: Nature Vol.49213 December 2012Non-Patent Document 1: Nature Vol.49213 December 2012

상술하는 바와 같이, 유기 EL 소자에 사용되는 재료로서는 여러 가지의 것이 개발되고 있지만, 유기 EL 소자용 재료의 선택지를 늘리기 위해서, 종래의 것과는 다른 화합물로 이루어지는 재료의 개발이 기대되고 있다. 또한, 특허문헌 1에서는, 붕소를 포함하는 다환 방향족 화합물과 그것을 사용한 유기 EL 소자가 보고되어 있지만, 소자 특성을 더 향상시키기 위해, 발광 효율 및 소자 수명을 향상시킬 수 있는 발광층용 재료 및 주변층용 재료가 요구되고 있다.As described above, various materials have been developed as materials used for organic EL devices, but development of materials composed of compounds different from conventional ones is expected in order to increase the choice of materials for organic EL devices. In addition, in Patent Document 1, a polycyclic aromatic compound containing boron and an organic EL device using the same are reported, but in order to further improve device characteristics, materials for light emitting layers and materials for peripheral layers capable of improving luminous efficiency and lifetime of devices is being requested.

본 발명자들은, 상기 과제를 해결하기 위해서 예의 검토한 결과, 신규의 다환 방향족 화합물의 제조에 성공하고, 나아가 높은 일중항 에너지와 삼중항 에너지를 가지는 재료로서 이 화합물이 유효한 것을 찾아냈다. 그리고, 예를 들면 이러한 다환 방향족 화합물을 호스트 재료 또는 발광층에 인접하는 층의 재료로 하고, 그것보다 작은 삼중항 에너지를 가지는 화합물을 도펀트 재료로 한 발광층을 한 쌍의 전극 사이에 배치하여 유기 EL 소자를 구성함으로써, 뛰어난 유기 EL 소자가 얻어지는 것을 찾아내고, 본 발명을 완성시켰다. 즉 본 발명은, 이하와 같은 다환 방향족 화합물, 나아가 이하와 같은 다환 방향족 화합물을 포함하는 유기 디바이스용 재료 등을 제공한다.As a result of intensive studies to solve the above problems, the inventors of the present invention succeeded in producing a novel polycyclic aromatic compound and found that this compound is effective as a material having high singlet energy and triplet energy. Then, for example, an organic EL element by disposing a light emitting layer using such a polycyclic aromatic compound as a host material or a material of a layer adjacent to the light emitting layer and using a compound having a lower triplet energy as a dopant material between a pair of electrodes. By constituting, it was found that an excellent organic EL element can be obtained, and the present invention was completed. That is, the present invention provides a polycyclic aromatic compound as described below, a material for an organic device containing the polycyclic aromatic compound as described below, and the like.

<1> 하기 식(1)으로 나타내어지는 구조 단위 1개 또는 2개 이상으로 이루어지는 구조를 가지는 다환 방향족 화합물;<1> A polycyclic aromatic compound having a structure composed of one or two or more structural units represented by the following formula (1);

Figure pat00001
Figure pat00001

식(1) 중, In formula (1),

A환, B환, C환 및 D환은, 각각 독립적으로, 치환 또는 무치환의 아릴환 또는 치환 또는 무치환의 헤테로아릴환이며,A ring, B ring, C ring, and D ring are each independently a substituted or unsubstituted aryl ring or a substituted or unsubstituted heteroaryl ring;

B환과 C환은 단결합 또는 연결기를 통하여 더 결합하고 있어도 되고, X2가 단결합일 때 C환과 D환은 연결기를 통하여 더 결합하고 있어도 되고, X3이 단결합일 때 D환과 A환은 연결기를 통하여 더 결합하고 있어도 되고,Ring B and C may further bond through a single bond or linking group, when X 2 is a single bond, ring C and ring D may further bond through a linking group, and when X 3 is a single bond, ring D and ring A further bond through a linking group you can do,

X1, X2 및 X3은, 각각 독립적으로, >C(-RXC)2, >N-RXN, >O, >Si(-RXI)2, >S 또는 단결합이며, 단, X1과 X2가 동시에 단결합이 되지는 않고,X 1 , X 2 and X 3 are each independently >C(-R XC ) 2 , >NR XN , >O, >Si(-R XI ) 2 , >S or a single bond, provided that X 1 and X 2 do not form a single bond at the same time,

RXC, RXN 및 RXI는, 각각 독립적으로, 수소, 치환 또는 무치환의 아릴, 치환 또는 무치환의 헤테로아릴, 치환 또는 무치환의 알킬 또는 치환 또는 무치환의 시클로알킬이거나, 또는 동일한 원소에 결합하고 있는 A환∼D환으로부터 선택되는 1개 또는 2개의 환과 상기 원소와 함께 환을 형성하고 있고, 단, 2개의 RXC는 서로 결합하고 있어도 되며, 또한 2개의 RXI는 서로 결합하고 있어도 되고,R XC , R XN and R XI are each independently hydrogen, substituted or unsubstituted aryl, substituted or unsubstituted heteroaryl, substituted or unsubstituted alkyl, or substituted or unsubstituted cycloalkyl, or the same element One or two rings selected from rings A to D bonded to and together with the above elements form a ring, provided that two R XC may be bonded to each other, and two R XI are bonded to each other, may be,

식(1)으로 나타내어지는 화합물 또는 구조에 있어서의 적어도 하나의 수소는, 중수소, 시아노 또는 할로겐으로 치환되어 있어도 된다.At least one hydrogen in the compound or structure represented by formula (1) may be substituted with heavy hydrogen, cyano or halogen.

<2> 식(1)으로 나타내어지는 구조 단위 1개로 이루어지는 구조를 가지는, <1>에 기재된 다환 방향족 화합물.<2> The polycyclic aromatic compound according to <1>, which has a structure composed of one structural unit represented by Formula (1).

<3> A환, B환, C환 및 D환이, 모두 치환 또는 무치환의 벤젠환인, <1> 또는 <2>에 기재된 다환 방향족 화합물.<3> The polycyclic aromatic compound according to <1> or <2>, wherein all of ring A, ring B, ring C, and ring D are substituted or unsubstituted benzene rings.

<4> X1, X2 및 X3이, 각각 독립적으로, >N-RXN, >O, >S 또는 단결합이며, RXN이, 치환 또는 무치환의 아릴 또는 치환 또는 무치환의 헤테로아릴인, <1>∼<3> 중 어느 하나에 기재된 다환 방향족 화합물.<4> X 1 , X 2 and X 3 are each independently >NR XN , >O, >S or a single bond, and R XN is substituted or unsubstituted aryl or substituted or unsubstituted heteroaryl , The polycyclic aromatic compound according to any one of <1> to <3>.

<5> 하기 어느 하나의 식으로 나타내어지는, <1>에 기재된 다환 방향족 화합물.<5> The polycyclic aromatic compound according to <1>, represented by any of the following formulas.

Figure pat00002
Figure pat00002

<6> <1>∼<5> 중 어느 하나에 기재된 다환 방향족 화합물을 함유하는, 유기 디바이스용 재료.<6> A material for organic devices containing the polycyclic aromatic compound according to any one of <1> to <5>.

<7> 양극 및 음극으로 이루어지는 한 쌍의 전극과 해당 한 쌍의 전극 사이에 배치되는 유기층을 가지고, 상기 유기층이 <1>∼<5> 중 어느 하나에 기재된 다환 방향족 화합물을 함유하는, 유기 전계 발광 소자.<7> An organic electric field comprising a pair of electrodes composed of an anode and a cathode, and an organic layer disposed between the pair of electrodes, wherein the organic layer contains the polycyclic aromatic compound according to any one of <1> to <5>. light emitting element.

<8> 상기 유기층이 발광층인, <7>에 기재된 유기 전계 발광 소자.<8> The organic electroluminescent element according to <7>, wherein the organic layer is a light emitting layer.

<9> 상기 발광층이, 호스트 재료로서의 상기 다환 방향족 화합물과, 도펀트 재료를 포함하는, <8>에 기재된 유기 전계 발광 소자.<9> The organic electroluminescent element according to <8>, wherein the light emitting layer contains the polycyclic aromatic compound as a host material and a dopant material.

<10> 상기 유기층이 전자 수송층인, <7>에 기재된 유기 전계 발광 소자.<10> The organic electroluminescent device according to <7>, wherein the organic layer is an electron transport layer.

<11> 상기 유기층이 정공 수송층인, <7>에 기재된 유기 전계 발광 소자.<11> The organic electroluminescent device according to <7>, wherein the organic layer is a hole transport layer.

<12> <7>∼<11> 중 어느 하나에 기재된 유기 전계 발광 소자를 구비한 표시 장치 또는 조명 장치.<12> A display device or lighting device provided with the organic electroluminescent element according to any one of <7> to <11>.

본 발명의 바람직한 양태에 의하면, 신규인 다환 방향족 화합물을 예를 들면 발광층에 있어서의 호스트 재료, 호스트 재료의 1성분 또는 발광층에 인접하는 층의 성분으로서 사용한 유기 EL 소자를 제작함으로써, 양자 효율이나 소자 수명이 뛰어난 유기 EL 소자를 제공할 수 있다.According to a preferred embodiment of the present invention, by producing an organic EL device using a novel polycyclic aromatic compound as, for example, a host material in the light emitting layer, one component of the host material, or a component of a layer adjacent to the light emitting layer, quantum efficiency and device An organic EL element with excellent lifetime can be provided.

도 1은 본 실시형태에 관한 유기 EL 소자를 나타내는 개략 단면도이다.
도 2는 일반적인 형광 도펀트를 사용한 TAF 소자의 호스트, 어시스팅 도펀트 및 이미팅 도펀트의 에너지 관계를 나타내는 에너지 준위도이다.
도 3은 본 발명의 일 양태의 유기 전계 발광 소자에 있어서의, 호스트, 어시스팅 도펀트 및 이미팅 도펀트의 에너지 관계의 일 예를 나타내는 에너지 준위도이다.
1 is a schematic cross-sectional view showing an organic EL element according to this embodiment.
2 is an energy level diagram showing energy relationships among a host, an assisting dopant, and an emitting dopant of a TAF device using a typical fluorescent dopant.
3 is an energy level diagram showing an example of an energy relationship among a host, an assisting dopant, and an emitting dopant in an organic electroluminescent device according to one embodiment of the present invention.

이하에 있어서, 본 발명에 대하여 상세하게 설명한다. 이하에 기재하는 구성 요건의 설명은, 대표적인 실시 형태나 구체예에 기초하여 이루어지는 경우가 있지만, 본 발명은 그러한 실시 형태에 한정되는 것은 아니다. 또한, 본 명세서에 있어서 「∼」을 사용하여 나타내어지는 수치 범위는 「∼」전후에 기재되는 수치를 하한값 및 상한값으로서 포함하는 범위를 의미한다.In the following, the present invention will be described in detail. The description of the constitutional requirements described below may be made based on typical embodiments or specific examples, but the present invention is not limited to such embodiments. In addition, in this specification, the numerical range expressed using "-" means the range which includes the numerical value described before and after "-" as a lower limit and an upper limit.

본 명세서에 있어서, 구조식의 설명에 있어서 「수소 원자(H)」를 「수소」라고 하는 경우가 있다. 마찬가지로 「탄소 원자(C)」를 「탄소」라고 하는 경우가 있다.In this specification, "hydrogen atom (H)" may be referred to as "hydrogen" in the description of the structural formula. Similarly, "carbon atom (C)" may be referred to as "carbon".

본 명세서에 있어서, 「인접하는 기」라고 할 때는, 구조식 중에서 인접하는 2개의 원자(공유 결합으로 직접 결합하는 2개의 원자)에 각각 결합하고 있는 2개의 기를 의미한다.In this specification, "adjacent groups" means two groups respectively bonded to two adjacent atoms (two atoms directly bonded by covalent bonds) in the structural formula.

본 명세서에 있어서 「Me」는 메틸, 「Et」는 에틸, 「nBu」는 n-부틸(노말부틸), 「tBu」는 t-부틸(터셔리부틸), 「iBu」는 이소부틸, 「secBu」는 세컨더리부틸, 「nPr」은 n-프로필(노말프로필), 「iPr」은 이소프로필, 「tAm」은 t-아밀, 「2EH」는 2-에틸헥실, 「tOct」는 t-옥틸, 「Ph」는 페닐, 「Mes」는 메시틸(2,4,6-트리메틸페닐), 「Tf」는 트리플루오로메탄술포닐, 「TMS」는 트리메틸실릴, 「D」는 중수소를 나타낸다.In the present specification, "Me" is methyl, "Et" is ethyl, "nBu" is n-butyl (normal butyl), "tBu" is t-butyl (tertiary butyl), "iBu" is isobutyl, "secBu" ” is secondary butyl, “nPr” is n-propyl (normal propyl), “iPr” is isopropyl, “tAm” is t-amyl, “2EH” is 2-ethylhexyl, “tOct” is t-octyl, “ Ph" represents phenyl, "Mes" represents mesityl (2,4,6-trimethylphenyl), "Tf" represents trifluoromethanesulfonyl, "TMS" represents trimethylsilyl, and "D" represents deuterium.

본 명세서에 있어서, 유기 전계 발광 소자를 유기 EL 소자라고 하는 경우가 있다.In this specification, an organic electroluminescent element is sometimes referred to as an organic EL element.

본 명세서에 있어서 화학 구조나 치환기를 탄소수로 나타낸 것이 있으나, 화학 구조에 치환기가 치환한 경우나, 치환기에 치환기가 더 치환한 경우 등에 있어서의 탄소수는, 화학 구조나 치환기 각각의 탄소수를 의미하고, 화학 구조와 치환기의 합계 탄소수나, 치환기와 치환기의 합계 탄소수를 의미하는 것은 아니다. 예를 들면, 「탄소수X의 치환기A로 치환된 탄소수Y의 치환기B」란, 「탄소수Y의 치환기B」에 「탄소수X의 치환기A」가 치환하는 것을 의미하고, 탄소수Y는 치환기A 및 치환기B의 합계의 탄소수가 아니다. 또한 예를 들면, 「치환기A로 치환된 탄소수Y의 치환기B」란, 「탄소수Y의 치환기B」에 「(탄소수 한정이 없는) 치환기A」가 치환하는 것을 의미하고, 탄소수Y는 치환기A 및 치환기B의 합계의 탄소수가 아니다. In the present specification, chemical structures and substituents are expressed in terms of carbon number, but the number of carbon atoms in the case where a substituent is substituted in a chemical structure or a substituent is further substituted in a substituent means the number of carbon atoms in each chemical structure or substituent, It does not mean the total carbon number of a chemical structure and a substituent, or the total number of carbon atoms of a substituent and a substituent. For example, "substituent B of carbon number Y substituted with substituent A of carbon number X" means that "substituent A of carbon number X" is substituted for "substituent B of carbon number Y", and carbon number Y is substituent A and substituent It is not the carbon number of the sum of B. Further, for example, "substituent B of carbon number Y substituted with substituent A" means that "substituent A (with no carbon number limitation)" is substituted for "substituent B of carbon number Y", and carbon number Y is substituent A and It is not the carbon number of the sum of the substituents B.

본 명세서에 있어서, 치환기는, 다른 치환기로 치환되어 있는 경우가 있다. 예를 들면, 특정한 치환기에 관하여, 「치환 또는 무치환의」이라고 설명이 되는 경우가 있다. 이는 그 특정한 치환기가 적어도 하나의 다른 치환기로 치환되어 있거나, 또는 치환되어 있지 않은 것을 의미한다. 같은 의미로 「치환되어 있어도 된다」라고 하는 경우도 있다. 본 명세서에 있어서, 이 때의 상기 특정의 치환기를 「제1 치환기」, 상기의 다른 치환기를 「제2 치환기」라고 하는 경우가 있다. In this specification, a substituent may be substituted with another substituent. For example, a specific substituent may be described as "substituted or unsubstituted". This means that the specific substituent is substituted with at least one other substituent or is not substituted. In some cases, "may be substituted" with the same meaning. In this specification, the specific substituent at this time may be referred to as a "first substituent" and the other substituent described above as a "second substituent".

1. 본 발명의 1. of the present invention 다환dahwan 방향족 화합물 aromatic compounds

본 발명의 다환 방향족 화합물은 식(1)으로 나타내어지는 구조 단위 1개 또는 2개 이상으로 이루어지는 구조를 가지는 다환 방향족 화합물이다.The polycyclic aromatic compound of the present invention is a polycyclic aromatic compound having a structure composed of one or two or more structural units represented by formula (1).

Figure pat00003
Figure pat00003

본 발명자들은, 방향족환을 산소, 질소, 황 등의 헤테로 원소에 의해 연결한 본 발명의 다환 방향족 화합물이, 큰 HOMO-LUMO갭(박막에 있어서의 밴드 갭Eg)과 높은 삼중항 에너지를 가지는 것을 찾아냈다. 이것은, 헤테로 원소를 포함하는 환은 방향족성이 낮기 때문에, 공역계의 확장에 따른 HOMO-LUMO갭의 감소가 억제되는 것, 분자 내의 변형을 이용해 공역계의 확장을 억제함으로써 큰 HOMO-LUMO갭을 얻을 수 있는 것이 원인이 되고 있는 것으로 생각된다.The inventors of the present invention found that the polycyclic aromatic compound of the present invention in which aromatic rings are linked by hetero elements such as oxygen, nitrogen, and sulfur has a large HOMO-LUMO gap (band gap Eg in thin films) and high triplet energy. Found it. This is because the ring containing a hetero element has low aromaticity, so the reduction of the HOMO-LUMO gap due to the expansion of the conjugated system is suppressed, and a large HOMO-LUMO gap is obtained by suppressing the expansion of the conjugated system using intramolecular strain. It is thought that what could be the cause.

또한, 본 발명에 관한 헤테로 원소를 함유하는 다환 방향족 화합물은, 높은 삼중항 에너지를 가지는 재료로서, 인광 유기 EL 소자나 열활성형 지연 형광을 이용한 유기 EL 소자의 호스트 화합물, 발광층에 인접하는 전자 저지층(전자 블로킹층)이나 정공 저지층(정공 블로킹층), 전자 수송층이나 정공 수송층으로서도 유용하다. 나아가, 이들 다환 방향족 화합물은, 치환기의 도입에 의해, HOMO와 LUMO의 에너지를 임의로 움직일 수 있기 때문에, 이온화 포텐셜이나 전자 친화력을 주변 재료에 따라 최적화하는 것이 가능하다. In addition, the polycyclic aromatic compound containing a hetero element according to the present invention is a material having high triplet energy, and is a host compound of a phosphorescent organic EL device or an organic EL device using thermally activated delayed fluorescence, and electron blocking adjacent to a light emitting layer. It is useful also as a layer (electron blocking layer), a hole blocking layer (hole blocking layer), an electron transport layer, or a hole transport layer. Furthermore, since these polycyclic aromatic compounds can arbitrarily move the energies of HOMO and LUMO by introducing a substituent, it is possible to optimize the ionization potential and electron affinity according to the surrounding material.

<식(1)으로 나타내어지는 구조 단위의 환구조><Ring structure of structural unit represented by formula (1)>

식(1)에 있어서 원 내의 「A」, 「B」, 「C」, 「D」는 원으로 나타내어지는 환구조를 나타내는 부호이다.In Formula (1), "A", "B", "C", and "D" in a circle are symbols representing ring structures represented by circles.

A환, B환, C환 및 D환은, 각각 독립적으로, 치환 또는 무치환의 아릴환 또는 치환 또는 무치환의 헤테로아릴환이다.A ring, B ring, C ring, and D ring are each independently a substituted or unsubstituted aryl ring or a substituted or unsubstituted heteroaryl ring.

식(1)으로 나타내어지는 구조 단위의 A환, B환, C환 및 D환에 있어서의 치환 또는 무치환의 아릴환 또는 치환 또는 무치환의 헤테로아릴환에 있어서, 「치환 혹은 무치환의(치환 또는 무치환의)」이라고 할 때의 치환기로서는, 후술하는 치환기군 Z에서 선택되는 적어도 하나의 치환기가 바람직하다.In the substituted or unsubstituted aryl ring or substituted or unsubstituted heteroaryl ring in the A ring, B ring, C ring and D ring of the structural unit represented by Formula (1), "substituted or unsubstituted ( As the substituent in the case of "substituted or unsubstituted)", at least one substituent selected from the substituent group Z described later is preferable.

식(1)으로 나타내어지는 구조 단위는, A환, B환, C환 및 D환인 적어도 4개의 방향족환을 산소, 질소, 황 등의 헤테로 원소에 의해 연결하여 환구조가 더 형성된 구조를 가진다. 형성된 환구조는 축합환 구조이며, 적어도 2개의 환으로 구성되고, 그 1개의 환으로서 7원환∼9원환의 구조를 포함한다. 식(1)으로 나타내어지는 구조 단위는, 이 축합환에, A환, B환, C환 및 D환이 각각 더 축합되어 있는 구조를 가진다.The structural unit represented by formula (1) has a structure in which a ring structure is further formed by linking at least four aromatic rings, namely A ring, B ring, C ring and D ring, with hetero elements such as oxygen, nitrogen and sulfur. The formed ring structure is a condensed ring structure and is composed of at least two rings, including a 7- to 9-membered ring structure as one ring. The structural unit represented by Formula (1) has a structure in which ring A, ring B, ring C, and ring D are each further condensed with this condensed ring.

A환은, 그 구조 중의 아릴환 또는 헤테로아릴환의 환상에서 연속하는 3개의 탄소에 결합손을 가지는 3가의 기를 형성하고 있다. 이 3개의 결합손에서 각각 X1, N, X3에 결합한다. A환이 다른 환에 더 결합하고 있을 때에는, 4가의 기로 되어 있어도 된다. A환 중에서 상기의 3개의 결합손을 가지는 탄소를 환구성 원소로 하는 환은 5원환 또는 6원환인 것이 바람직하고, 6원환인 것이 보다 바람직하다. 이 환은 다른 환과 더 축합하고 있어도 된다. 6원환의 예로서는, 벤젠환을 들 수 있다. 벤젠환이 다른 환과 더 축합하고 있는 예로서는, 나프탈렌환, 디벤조푸란환, 디벤조티오펜환, 카르바졸환을 들 수 있다.The A ring forms a trivalent group having bonds at three consecutive carbon atoms of the aryl ring or heteroaryl ring in the structure. Each of these three bonds binds to X 1 , N, and X 3 . When ring A is further bonded to another ring, it may be a tetravalent group. Among the A rings, the ring containing carbon having the above three bonds as a ring constituent element is preferably a 5-membered ring or a 6-membered ring, and more preferably a 6-membered ring. This ring may further condense with another ring. A benzene ring is mentioned as an example of a 6-membered ring. Examples of further condensation of the benzene ring with other rings include a naphthalene ring, a dibenzofuran ring, a dibenzothiophene ring, and a carbazole ring.

B환, C환 및 D환은 모두, 그 구조 중의 아릴환 또는 헤테로아릴환의 환상에서 서로 인접하는 2개의 탄소에 결합손을 가지는 2가의 기를 형성하고 있다. B환은 상기의 2개의 결합손에서 X1, N에 결합하고, C환은 상기의 2개의 결합손에서 N, X2에 결합하고, D환은 상기의 2개의 결합손에서 X2, X3에 결합하고 있다. B환, C환 및 D환이 각각 다른 환에 더 결합하고 있을 때에는, 3가의 기로 되어 있어도 된다. B환, C환 및 D환 중에서 상기의 2개의 결합손을 가지는 탄소를 환구성 원소로 하는 환은 5원환 또는 6원환인 것이 바람직하고, 6원환인 것이 보다 바람직하다. 이 환은 다른 환과 더 축합하고 있어도 된다. 6원환의 예로서는, 벤젠환을 들 수 있다. 벤젠환이 다른 환과 더 축합하고 있는 예로서는, 나프탈렌환, 디벤조푸란환, 디벤조티오펜환, 카르바졸환을 들 수 있다.Ring B, C ring and D ring all form a divalent group having a bond at two carbon atoms adjacent to each other in the ring of the aryl ring or heteroaryl ring in the structure. Ring B binds to X 1 and N in the above two bonds, Ring C bonds to N and X 2 in the above two bonds, and Ring D bonds to X 2 and X 3 in the above two bonds. are doing When ring B, ring C, and ring D are further bonded to other rings, they may be trivalent. Among the B rings, C rings and D rings, the ring containing carbon having the above two bonds as a ring constituent element is preferably a 5-membered ring or a 6-membered ring, more preferably a 6-membered ring. This ring may further condense with another ring. A benzene ring is mentioned as an example of a 6-membered ring. Examples of further condensation of the benzene ring with other rings include a naphthalene ring, a dibenzofuran ring, a dibenzothiophene ring, and a carbazole ring.

식(1)으로 나타내어지는 구조 단위에 있어서, B환과 C환은 단결합 또는 연결기를 통하여 더 결합하고 있어도 되고, X2가 단결합일 때 C환과 D환은 연결기를 통하여 더 결합하고 있어도 되며, X3이 단결합일 때 D환과 A환은 연결기를 통하여 더 결합하고 있어도 된다. 연결기로서는, >N-R, >C(-R)2, >Si(-R)2, >O 또는 >S를 들 수 있다. 이 때의 R은, 각각 독립적으로, 수소, 치환 또는 무치환의 아릴, 치환 또는 무치환의 헤테로아릴, 치환 또는 무치환의 알킬 또는 치환 또는 무치환의 시클로알킬이며, >C(-R)2에 있어서의 2개의 R은 서로 결합하여 환을 형성하고 있어도 되고, >Si(-R)2에 있어서의 2개의 R은 서로 결합하여 환을 형성하고 있어도 된다.In the structural unit represented by Formula (1), ring B and ring C may be further bonded through a single bond or a linking group, and when X 2 is a single bond, ring C and ring D may be further bonded through a linking group, and when X 3 is a single bond, When it is a single bond, ring D and ring A may be further bonded via a linking group. Examples of the linking group include >NR, >C(-R) 2 , >Si(-R) 2 , >O or >S. R in this case is each independently hydrogen, substituted or unsubstituted aryl, substituted or unsubstituted heteroaryl, substituted or unsubstituted alkyl, or substituted or unsubstituted cycloalkyl, and >C(-R) 2 The two Rs in may be bonded to each other to form a ring, and the two Rs in >Si(-R) 2 may be bonded to each other to form a ring.

식(1)의 A환, B환, C환 및 D환이 모두 치환 또는 무치환의 벤젠환인 구조는 하기 식(2)으로 나타낼 수 있고, 식(2)으로 나타내어지는 구조 단위는 식(1)으로 나타내어지는 구조 단위의 바람직한 일 예이다.A structure in which all of the A rings, B rings, C rings and D rings in formula (1) are substituted or unsubstituted benzene rings can be represented by the following formula (2), and the structural unit represented by formula (2) is formula (1) It is a preferred example of the structural unit represented by

Figure pat00004
Figure pat00004

식(1)에 있어서의 A환, B환, C환 및 D환은, 각각, 식(2)에 있어서의 a환 및 그 치환기, b환 및 그 치환기, c환 및 그 치환기, 및 d환 및 그 치환기에 대응한다.A ring, B ring, C ring and D ring in formula (1) are, respectively, a ring and its substituents, b ring and its substituents, c ring and its substituents, and d ring and its substituents in formula (2), respectively. corresponding to that substituent.

식(2)에 있어서의 Ra는 각각 독립적으로 치환기이다. 이 치환기는, 후술하는 치환기군 Z에서 선택되는 적어도 하나의 치환기이다. 「Ra-」은, 그 선의 말단이 내부에 있는 환을 구성하는 원소이며 치환 가능한 원소 중 어느 하나에 Ra로 나타내어지는 치환기가 치환되어 있어도 되는 것을 나타내고, n1∼n4은 그 치환수를 나타낸다. 한편, 「Ra-」의 선의 말단이 내부에 있는 환이 파선과 함께 축합환이 되어 있을 때에는, Ra로 나타내어지는 치환기는 축합환의 어느 위치에서 치환되어 있어도 된다. 구체적으로는 n1은 0∼3의 정수, n2는 0∼4의 정수, n3은 0∼4의 정수, n4는 0∼4의 정수이다. X1, X2, X3은 식(1)에 있어서의 X1, X2, X3과 각각 동일한 의미이며, 바람직한 범위도 동일하다.R a in Formula (2) is a substituent each independently. This substituent is at least one substituent selected from substituent group Z described later. "R a -" is an element constituting the ring at the end of the line and indicates that any one of the substitutable elements may be substituted by the substituent represented by R a , and n1 to n4 indicate the number of substitutions. . On the other hand, when the ring in which the end of the line of "R a -" is inside is a condensed ring together with a broken line, the substituent represented by R a may be substituted at any position in the condensed ring. Specifically, n1 is an integer of 0 to 3, n2 is an integer of 0 to 4, n3 is an integer of 0 to 4, and n4 is an integer of 0 to 4. X 1 , X 2 , X 3 have the same meaning as X 1 , X 2 , X 3 in Formula (1), respectively, and the preferred ranges are also the same.

식(2)에 있어서의 파선은 파선의 양단에 있는 원소가 연결되어 있어도 되는 것을 나타낸다. 구체적으로는 이하와 같다.The broken line in Formula (2) indicates that elements at both ends of the broken line may be connected. Specifically, it is as follows.

a환과 a환상의 2개의 탄소에 결합하는 파선에 의해 축합환을 형성하고 있어도 된다. b환과 b환상의 2개의 탄소에 결합하는 어느 일방의 파선에 의해 축합환을 형성하고 있어도 된다. c환과 c환상의 2개의 탄소에 결합하는 파선에 의해 축합환을 형성하고 있어도 된다. d환과 d환상의 2개의 탄소에 결합하는 파선에 의해 축합환을 형성하고 있어도 된다. 형성되는 환은 파선으로 나타내는 다른 환과 함께 축합환을 형성하고 있어도 된다. 형성되는 축합환으로서는, 어느 것도, 나프탈렌환, 디벤조푸란환, 디벤조티오펜환 또는 카르바졸환이 바람직하다.A condensed ring may be formed by a ring and a broken line bonded to two carbon atoms of the a ring. A condensed ring may be formed by either of the broken lines bonded to the b ring and the two carbon atoms of the b ring. A condensed ring may be formed by a c ring and a broken line bonded to two carbon atoms of the c ring. A condensed ring may be formed by a broken line bonded to the d ring and the two carbon atoms of the d ring. The formed ring may form a condensed ring together with other rings indicated by broken lines. As the condensed ring formed, any of them is preferably a naphthalene ring, a dibenzofuran ring, a dibenzothiophene ring or a carbazole ring.

또한, b환과 c환은 파선이 단결합, >N-RXBC, >O 또는 >S가 되어 더 결합하고 있어도 된다. X2가 단결합일 때 c환과 d환은 파선이 >N-RXCD, >O 또는 >S가 되어 더 결합하고 있어도 된다. X3이 단결합일 때 d환과 a환은 파선이 >N-RXDA, >O 또는 >S가 되어 더 결합하고 있어도 된다. RXBC, RXCD, 및 RXDA는, 각각 독립적으로, 수소, 치환 또는 무치환의 아릴, 치환 또는 무치환의 헤테로아릴, 치환 또는 무치환의 알킬 또는 치환 또는 무치환의 시클로알킬이다. 여기서, 「치환 또는 무치환의」라고 할 때의 치환기로서는, 후술하는 치환기군 Z에서 선택되는 적어도 하나의 치환기를 들 수 있다.In addition, the b ring and the c ring may be further bonded such that the broken line is a single bond, >NR XBC , >O or >S. When X 2 is a single bond, rings c and d may be further bonded with a broken line indicating >NR XCD , >O or >S. When X 3 is a single bond, the d and a rings may be further bonded such that the broken line indicates >NR XDA , >O or >S. R XBC , R XCD , and R XDA are each independently hydrogen, substituted or unsubstituted aryl, substituted or unsubstituted heteroaryl, substituted or unsubstituted alkyl, or substituted or unsubstituted cycloalkyl. Here, as a substituent in the case of "substituted or unsubstituted", at least one substituent selected from the substituent group Z described later can be mentioned.

파선의 양단에 있는 다른 환상의 원소가 연결됨으로써 적어도 3개의 환이 축합된 축합환이 형성되는데, 이 때의 축합환으로서는 카르바졸환 이외에, b환과 c환이 연결되는 경우에는 페녹사진환, 페노티아진환 등을 들 수 있다.A condensed ring in which at least three rings are condensed is formed by connecting the other cyclic elements at both ends of the broken line. In addition to the carbazole ring, the condensed ring at this time is a phenoxazine ring, a phenothiazine ring, etc. when ring b and c ring are connected. can be heard

식(2)에 있어서 양단에 있는 원소가 연결되어 있는 파선은 식(2)으로 나타내어지는 구조 단위 중 0∼3개인 것이 바람직하고, 0∼2개인 것이 보다 바람직하고, 0인 것이 보다 더 바람직하다.In Formula (2), the broken line connecting the elements at both ends is preferably 0 to 3 of the structural units represented by Formula (2), more preferably 0 to 2, and still more preferably 0. .

식(2)에 있어서 Ra는 치환 또는 무치환의 아릴 또는 치환 또는 무치환의 헤테로아릴인 것이 바람직하다. n1∼n4는 모두 0 또는 1인 것이 바람직하고, 0인 것이 보다 바람직하다.In formula (2), R a is preferably a substituted or unsubstituted aryl or a substituted or unsubstituted heteroaryl. It is preferable that all of n1-n4 are 0 or 1, and it is more preferable that they are 0.

<X1, X2, X3><X 1 , X 2 , X 3 >

X1, X2 및 X3은, 각각 독립적으로, >C(-RXC)2, >N-RXN, >O, >Si(-RXI)2, >S 또는 단결합이다. RXC, RXN, 및 RXI는, 각각 독립적으로, 수소, 치환 또는 무치환의 아릴, 치환 또는 무치환의 헤테로아릴, 치환 또는 무치환의 알킬 또는 치환 또는 무치환의 시클로알킬이거나, 또는 동일한 원소에 결합하고 있는 A환∼D환으로부터 선택되는 1개 또는 2개의 환과 상기 원소와 함께 환을 형성하고 있고, 단, 2개의 RXC는 서로 결합하고 있어도 되며, 또한 2개의 RXI는 서로 결합하고 있어도 되나, X1과 X2가 동시에 단결합이 되지는 않는다.X 1 , X 2 and X 3 are each independently >C(-R XC ) 2 , >NR XN , >O, >Si(-R XI ) 2 , >S or a single bond. R XC , R XN , and R XI are each independently hydrogen, substituted or unsubstituted aryl, substituted or unsubstituted heteroaryl, substituted or unsubstituted alkyl, or substituted or unsubstituted cycloalkyl, or the same One or two rings selected from rings A to D bonded to an element and the element together form a ring, provided that two R XC may be bonded to each other, and two R XI are bonded to each other However, X 1 and X 2 do not form a single bond at the same time.

RXC, RXN 및 RXI에 있어서, 「치환 또는 무치환의」등이라고 할 때의 치환기로서는 치환기군 Z에서 선택되는 적어도 하나의 치환기를 들 수 있고, 치환 또는 무치환의 아릴, 치환 또는 무치환의 헤테로아릴, 무치환의 시클로알킬 또는 무치환의 알킬이 바람직하다. RXN으로서는 치환 또는 무치환의 아릴 또는 치환 또는 무치환의 헤테로아릴이 바람직하고, 예를 들면, 비페닐릴 또는 디페닐트리아지닐 등이나 이들을 치환기로 하는 기 등이 바람직하다. RXC 및 RXI로서는, 치환 또는 무치환의 아릴 또는 무치환의 알킬이 바람직하다.In R XC , R XN and R XI , the substituent in the case of "substituted or unsubstituted" etc. includes at least one substituent selected from substituent group Z, and includes substituted or unsubstituted aryl, substituted or unsubstituted A substituted heteroaryl, unsubstituted cycloalkyl or unsubstituted alkyl is preferred. As R XN , substituted or unsubstituted aryl or substituted or unsubstituted heteroaryl is preferable, and for example, biphenylyl, diphenyltriazinyl, etc., and groups using these as substituents are preferable. As R XC and R XI , substituted or unsubstituted aryl or unsubstituted alkyl is preferable.

RXC, RXN, 또는 RXI가, 동일한 원소에 결합하고 있는 A환∼D환으로부터 선택되는 1개 또는 2개의 환과 상기 원소와 함께 환을 형성하고 있다는 것은, 이하의 어느 결합에 의해 환을 형성하는 것을 의미한다.R XC , R XN , or R XI forms a ring with one or two rings selected from A to D rings bonded to the same element together with the above element, which means that the ring is formed by any of the following bonds. means to form

X1인 >C(-RXC)2의 적어도 하나의 RXC가 A환 및/또는 B환과 결합;at least one R XC of X 1 >C(-R XC ) 2 bonded to ring A and/or ring B;

X1인 >N-RXN의 RXN이 A환 및/또는 B환과 결합; R XN of >NR XN where X 1 is bonded to ring A and/or ring B;

X1인 >Si(-RXI)2의 적어도 하나의 RXI가 A환 및/또는 B환과 결합 X 1 >Si(-R XI ) 2 At least one R XI bonded to ring A and/or ring B

X2인 >C(-RXC)2의 적어도 하나의 RXC가 C환 및/또는 D환과 결합;X 2 >C(-R XC ) 2 where at least one R XC is bonded to ring C and/or ring D;

X2인 >N-RXN의 RXN이 C환 및/또는 D환과 결합;R XN of >NR XN where X 2 is bonded to ring C and/or ring D;

X2인 >Si(-RXI)2의 적어도 하나의 RXI가 C환 및/또는 D환과 결합; X 2 >Si(-R XI ) 2 where at least one R XI is bonded to the C ring and/or the D ring;

X3인 >C(-RXC)2의 적어도 하나의 RXC가 D환 및/또는 A환과 결합: At least one R XC of >C(-R XC ) 2 where X 3 is bonded to ring D and/or ring A:

X3인 >N-RXN의 RXN이 D환 및/또는 A환과 결합; R XN of >NR XN of X 3 is bonded to ring D and/or ring A;

X3인 >Si(-RXI)2의 적어도 하나의 RXI가 D환 및/또는 A환과 결합. At least one R XI of X 3 >Si(-R XI ) 2 is bonded to the D ring and/or the A ring.

상기 중, 이하의 어느 것이 바람직하다.Among the above, any of the following is preferable.

X2인 >N-RXN의 RXN이 C환 및/또는 D환과 결합; 또는 R XN of >NR XN where X 2 is bonded to ring C and/or ring D; or

X3인 >N-RXN의 RXN이 D환 및/또는 A환과 결합.R XN of >NR XN of X 3 is bonded to D ring and/or A ring.

상기한 바와 같이 A환∼D환으로부터 선택되는 1개 또는 2개의 환에 결합하고 있는 RXC, RXN, 및 RXI는 식(1)으로 나타내어지는 구조 단위 중 1개 또는 2개인 것이 바람직하고, 1개인 것이 보다 바람직하다.As described above, it is preferable that R XC , R XN , and R XI bonded to one or two rings selected from rings A to D are one or two of the structural units represented by formula (1), , more preferably one.

형성되는 환구조의 예를 이하에 나타낸다. 이하에 있어서는, X2인 >N-RXN의 RXN이 C환 및/또는 D환과 결합하여 환구조를 형성한 예로서 나타낸다.An example of the ring structure formed is shown below. In the following, it is shown as an example in which R XN of X 2 >NR XN is bonded to the C ring and/or the D ring to form a ring structure.

Figure pat00005
Figure pat00005

X1, X2, X3은, 각각 독립적으로, >N-RXN, >O, >S 또는 단결합인 것이 바람직하고, >O, >S 또는 단결합인 것이 보다 바람직하고, 단결합인 것이 보다 더 바람직하다.X 1 , X 2 , and X 3 are each independently >NR XN , >O, >S or preferably a single bond, more preferably >O, >S or a single bond, and more preferably a single bond. more preferable

X1은 >O 또는 단결합인 것이 보다 바람직하다. X2, X3은 모두 >N-RXN이거나, 어느 일방이 >N-RXN이며, 타방이 단결합인 것이 보다 바람직하다. RXN은 치환 또는 무치환의 아릴 또는 치환 또는 무치환의 헤테로아릴인 것이 바람직하다.X 1 is more preferably >0 or a single bond. More preferably, both X 2 and X 3 are >NR XN , or one of them is >NR XN and the other is a single bond. R XN is preferably a substituted or unsubstituted aryl or a substituted or unsubstituted heteroaryl.

<동일 원자에 결합하는 2개의 기가 서로 결합하는 경우><When two groups bonded to the same atom bond to each other>

>C(-RXC)2, >Si(-RXI)2- 등에 있어서의 동일 원자에 결합하는 2개의 기(2개의 RXC, 2개의 RXI, 그밖의 2개의 R)은 각각 서로 결합하여 환을 형성하고 있어도 된다. 단결합 또는 연결기(이들을 총칭하여 결합기라고도 말한다)에 의해 결합하고 있으면 되고, 연결기로서는, -CH2-CH2-, -CHR-CHR-, -CR2-CR2-, -CH=CH-, -CR=CR-, -C≡C-, -N(-R)-, -O-, -S-, -C(-R)2-, -Si(-R)2-, 또는 -Se-을 들 수 있고, 예를 들면 이하의 구조를 들 수 있다. 한편, 상기 -CHR-CHR-의 R, -CR2-CR2-의 R, -CR=CR-의 R, -N(-R)-의 R, -C(-R)2-의 R, 및 -Si(-R)2-의 R은, 각각 독립적으로, 수소, 알킬 또는 시클로알킬로 치환되어 있어도 되는 아릴, 알킬 또는 시클로알킬로 치환되어 있어도 되는 헤테로아릴, 시클로알킬로 치환되어 있어도 되는 알킬, 알킬 또는 시클로알킬로 치환되어 있어도 되는 알케닐, 알킬 또는 시클로알킬로 치환되어 있어도 되는 알키닐, 또는 알킬 또는 시클로알킬로 치환되어 있어도 되는 시클로알킬이다. 또한, 인접하는 2개의 R끼리가 환을 형성하고, 시클로알킬렌, 아릴렌, 및 헤테로아릴렌을 형성하고 있어도 된다.>C(-R XC ) 2 , >Si(-R XI ) 2 - Two groups (two R XC , two R XI , other two Rs) bonded to the same atom in the etc. are bonded to each other, respectively. Thus, a ring may be formed. What is necessary is just to couple by a single bond or a linking group (these are collectively referred to as a linking group), and as the linking group, -CH 2 -CH 2 -, -CHR-CHR-, -CR 2 -CR 2 -, -CH=CH-, -CR=CR-, -C≡C-, -N(-R)-, -O-, -S-, -C(-R) 2 -, -Si(-R) 2 -, or -Se- are mentioned, and the following structures are mentioned, for example. Meanwhile, the R of -CHR-CHR-, the R of -CR 2 -CR 2 -, the R of -CR=CR-, the R of -N(-R)-, the R of -C(-R) 2 -, and R in -Si(-R) 2 - are each independently hydrogen, aryl which may be substituted with alkyl or cycloalkyl, heteroaryl which may be substituted with alkyl or cycloalkyl, alkyl which may be substituted with cycloalkyl , alkenyl which may be substituted with alkyl or cycloalkyl, alkynyl which may be substituted with alkyl or cycloalkyl, or cycloalkyl which may be substituted with alkyl or cycloalkyl. Moreover, two adjacent Rs may form a ring, and may form cycloalkylene, arylene, and heteroarylene.

Figure pat00006
Figure pat00006

결합기로서는, 단결합, 연결기로서의 -CR=CR-, -N(-R)-, -O-, -S-, -C(-R)2-, -Si(-R)2-, 및 -Se-이 바람직하고, 단결합, 연결기로서의 -CR=CR-, -N(-R)-, -O-, -S-, 및 -C(-R)2-이 보다 바람직하고, 단결합, 연결기로서의 -CR=CR-, -N(-R)-, -O-, 및 -S-이 보다 더 바람직하고, 단결합이 가장 바람직하다.As a bonding group, -CR=CR-, -N(-R)-, -O-, -S-, -C(-R) 2 -, -Si(-R) 2 -, and - as a single bond or a linking group. Se- is preferable, and -CR=CR-, -N(-R)-, -O-, -S-, and -C(-R) 2 - as a single bond or linking group are more preferable, and a single bond, -CR=CR-, -N(-R)-, -O-, and -S- as linking groups are more preferred, and a single bond is most preferred.

결합기에 의해 2개의 R이 결합하는 위치는, 결합 가능한 위치라면 특별히 한정되지 않지만, 가장 인접하는 위치에서 결합하는 것이 바람직하고, 예를 들면 2개의 기가 페닐인 경우, 페닐에 있어서의 「C」나 「Si」의 결합 위치(1위)를 기준으로 하여 오르토(2위)의 위치끼리에서 결합하는 것이 바람직하다(상기 구조식을 참조).The position at which two R are bonded by a bonding group is not particularly limited as long as it can be bonded, but it is preferable to bond at the most adjacent position, for example, when the two groups are phenyl, "C" in phenyl or It is preferable to bond to each other at ortho (second position) positions based on the bonding position (first position) of "Si" (see the above structural formula).

<환 및 치환기의 구체적인 설명><Specific description of rings and substituents>

본 명세서에 있어서 기재하는 환 및 치환기의 상세에 대해서 이하에서 설명한다.The details of the rings and substituents described in this specification are described below.

「아릴환」은, 예를 들면 탄소수 6∼30의 아릴환이며, 바람직하게는, 탄소수 6∼20의 아릴환, 탄소수 6∼16의 아릴환, 탄소수 6∼12의 아릴환, 또는 탄소수 6∼10의 아릴환 등이다."Aryl ring" is, for example, an aryl ring having 6 to 30 carbon atoms, preferably an aryl ring having 6 to 20 carbon atoms, an aryl ring having 6 to 16 carbon atoms, an aryl ring having 6 to 12 carbon atoms, or a carbon number 6 to 12 ring. an aryl ring of 10; and the like.

구체적인 「아릴환」은, 예를 들면, 단환계인 벤젠환, 축합 2환계인 나프탈렌환, 축합 3환계인, 아세나프틸렌환, 플루오렌환, 페날렌환, 또는 페난트렌환, 안트라센환, 축합 4환계인, 트리페닐렌환, 피렌환, 또는 나프타센환, 또는, 축합 5환계인 페릴렌환 또는 펜타센환 등이다.Specific "aryl rings" include, for example, a monocyclic benzene ring, a condensed bicyclic naphthalene ring, a condensed tricyclic acenaphthylene ring, a fluorene ring, a phenalene ring, or a phenanthrene ring, an anthracene ring, or a condensed tricyclic ring. A ring system, such as a triphenylene ring, a pyrene ring, or a naphthacene ring, or a condensed five-ring system, such as a perylene ring or a pentacene ring.

「헤테로아릴환」은, 예를 들면 탄소수 2∼30의 헤테로아릴환이며, 바람직하게는, 탄소수 2∼25의 헤테로아릴환, 탄소수 2∼20의 헤테로아릴환, 탄소수 2∼15의 헤테로아릴환, 또는 탄소수 2∼10의 헤테로아릴환 등이다. 또한, 「헤테로아릴환」은, 예를 들면 환구성 원자로서 탄소 이외에 산소, 황, 및 질소에서 선택되는 헤테로 원자를 1∼5개 함유하는 복소환 등이다.The "heteroaryl ring" is, for example, a heteroaryl ring having 2 to 30 carbon atoms, and preferably a heteroaryl ring having 2 to 25 carbon atoms, a heteroaryl ring having 2 to 20 carbon atoms, and a heteroaryl ring having 2 to 15 carbon atoms. , or a heteroaryl ring having 2 to 10 carbon atoms. In addition, a "heteroaryl ring" is, for example, a heterocyclic ring containing 1 to 5 heteroatoms selected from oxygen, sulfur, and nitrogen in addition to carbon as ring-constituting atoms.

구체적인 「헤테로아릴환」은, 예를 들면, 피롤환, 옥사졸환, 이소옥사졸환, 티아졸환, 이소티아졸환, 이미다졸환, 옥사디아졸환(푸라잔환 등), 티아디아졸환, 트리아졸환, 테트라졸환, 피라졸환, 피리딘환, 피리미딘환, 피리다진환, 피라진환, 트리아진환, 인돌환, 이소인돌환, 1H-인다졸환, 벤조이미다졸환, 벤조옥사졸환, 벤조티아졸환, 1H-벤조트리아졸환, 퀴놀린환, 이소퀴놀린환, 신놀린환, 퀴나졸린환, 퀴녹살린환, 페난트롤린환, 프탈라진환, 나프트리딘환, 퓨린환, 프테리딘환, 카르바졸환, 아크리딘환, 페녹사티인환, 페녹사진환, 페노티아진환, 페나진환, 페나자실린환, 인돌리진환, 푸란환, 벤조푸란환, 이소벤조푸란환, 디벤조푸란환, 나프토벤조푸란환, 티오펜환, 벤조티오펜환, 이소벤조티오펜환, 디벤조티오펜환, 나프토벤조티오펜환, 벤조포스폴환, 디벤조포스폴환, 벤조포스폴옥사이드환, 디벤조포스폴옥사이드환, 티안트렌환, 인돌로카르바졸환, 벤조인돌로카르바졸환, 디벤조인돌로카르바졸환, 이미다졸린환, 또는 옥사졸린환 등이다.Specific "heteroaryl rings" include, for example, a pyrrole ring, an oxazole ring, an isoxazole ring, a thiazole ring, an isothiazole ring, an imidazole ring, an oxadiazole ring (such as a furazane ring), a thiadiazole ring, a triazole ring, and a tetracyclic ring. sol ring, pyrazole ring, pyridine ring, pyrimidine ring, pyridazine ring, pyrazine ring, triazine ring, indole ring, isoindole ring, 1H-indazole ring, benzoimidazole ring, benzooxazole ring, benzothiazole ring, 1H-benzo Triazole ring, quinoline ring, isoquinoline ring, cinnoline ring, quinazoline ring, quinoxaline ring, phenanthroline ring, phthalazine ring, naphthridine ring, purine ring, pteridine ring, carbazole ring, acridine ring, phenol Noxathiin ring, phenoxazine ring, phenothiazine ring, phenazine ring, phenazacillin ring, indolizine ring, furan ring, benzofuran ring, isobenzofuran ring, dibenzofuran ring, naphthobenzofuran ring, thiophene ring , Benzothiophene ring, isobenzothiophene ring, dibenzothiophene ring, naphthobenzothiophene ring, benzophosphole ring, dibenzophosphole ring, benzophosphole oxide ring, dibenzophosphole oxide ring, thianthrene ring , an indolocarbazole ring, a benzoindolocarbazole ring, a dibenzoindolocarbazole ring, an imidazoline ring, or an oxazoline ring.

본 명세서에 있어서 치환기군 Z는, In the present specification, the substituent group Z is,

아릴, 헤테로아릴, 알킬 및 시클로알킬로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 하나의 기로 치환되어 있어도 되는 아릴, aryl which may be substituted with at least one group selected from the group consisting of aryl, heteroaryl, alkyl and cycloalkyl;

아릴, 헤테로아릴, 알킬 및 시클로알킬로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 하나의 기로 치환되어 있어도 되는 헤테로아릴,heteroaryl which may be substituted with at least one group selected from the group consisting of aryl, heteroaryl, alkyl and cycloalkyl;

아릴, 헤테로아릴, 알킬 및 시클로알킬로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 하나의 기로 치환되어 있어도 되는 디아릴아미노(2개의 아릴은 서로 연결기를 통하여 결합하고 있어도 됨),diarylamino which may be substituted with at least one group selected from the group consisting of aryl, heteroaryl, alkyl and cycloalkyl (two aryls may be bonded to each other via a linking group);

아릴, 헤테로아릴, 알킬 및 시클로알킬로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 하나의 기로 치환되어 있어도 되는 디헤테로아릴아미노(2개의 헤테로아릴은 서로 연결기를 통하여 결합하고 있어도 됨),diheteroarylamino which may be substituted with at least one group selected from the group consisting of aryl, heteroaryl, alkyl and cycloalkyl (two heteroaryls may be bonded to each other via a linking group);

아릴, 헤테로아릴, 알킬 및 시클로알킬로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 하나의 기로 치환되어 있어도 되는 아릴헤테로아릴아미노(아릴과 헤테로아릴은 서로 연결기를 통하여 결합하고 있어도 됨), Arylheteroarylamino which may be substituted with at least one group selected from the group consisting of aryl, heteroaryl, alkyl and cycloalkyl (aryl and heteroaryl may be bonded to each other via a linking group);

아릴, 헤테로아릴, 알킬 및 시클로알킬로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 하나의 기로 치환되어 있어도 되는 디아릴보릴(2개의 아릴은 단결합 또는 연결기를 통하여 결합하고 있어도 됨), diarylboryl which may be substituted with at least one group selected from the group consisting of aryl, heteroaryl, alkyl and cycloalkyl (two aryls may be bonded via a single bond or a linking group);

아릴, 헤테로아릴 및 시클로알킬로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 하나의 기로 치환되어 있어도 되는 알킬, Alkyl which may be substituted with at least one group selected from the group consisting of aryl, heteroaryl and cycloalkyl;

아릴, 헤테로아릴, 알킬 및 시클로알킬로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 하나의 기로 치환되어 있어도 되는 시클로알킬, cycloalkyl which may be substituted with at least one group selected from the group consisting of aryl, heteroaryl, alkyl and cycloalkyl;

아릴, 헤테로아릴 및 시클로알킬로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 하나의 기로 치환되어 있어도 되는 알콕시, alkoxy which may be substituted with at least one group selected from the group consisting of aryl, heteroaryl and cycloalkyl;

아릴, 헤테로아릴, 알킬 및 시클로알킬로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 하나의 기로 치환되어 있어도 되는 아릴옥시, 및 aryloxy which may be substituted with at least one group selected from the group consisting of aryl, heteroaryl, alkyl and cycloalkyl, and

치환 실릴로 이루어진다.It consists of substituted silyl.

치환기군 Z의 각 기에 있어서의 제2 치환기인 아릴은, 아릴, 헤테로아릴, 알킬, 또는 시클로알킬로 더 치환되어 있어도 되며, 마찬가지로, 제2 치환기인 헤테로아릴은 아릴, 헤테로아릴, 알킬, 또는 시클로알킬로 치환되어 있어도 된다.The aryl as the second substituent in each group of the substituent group Z may be further substituted with aryl, heteroaryl, alkyl, or cycloalkyl, and similarly, the heteroaryl as the second substituent is aryl, heteroaryl, alkyl, or cycloalkyl. It may be substituted by alkyl.

본 명세서에 있어서, 「아릴」은, 예를 들면 탄소수 6∼30의 아릴이며, 바람직하게는, 탄소수 6∼20의 아릴, 탄소수 6∼16의 아릴, 탄소수 6∼12의 아릴, 또는 탄소수 6∼10의 아릴 등이다.In the present specification, “aryl” refers to, for example, aryl having 6 to 30 carbon atoms, preferably aryl having 6 to 20 carbon atoms, aryl having 6 to 16 carbon atoms, aryl having 6 to 12 carbon atoms, or aryl having 6 to 12 carbon atoms. aryl of 10, etc.

구체적인 「아릴」은, 예를 들면, 단환계인 페닐, 2환계인 비페닐릴(2-비페닐릴, 3-비페닐릴, 또는 4-비페닐릴), 축합 2환계인 나프틸(1-나프틸 또는 2-나프틸), 3환계인 터페닐릴(m-터페닐-2'-일, m-터페닐-4'-일, m-터페닐-5'-일, o-터페닐-3'-일, o-터페닐-4'-일, p-터페닐-2'-일, m-터페닐-2-일, m-터페닐-3-일, m-터페닐-4-일, o-터페닐-2-일, o-터페닐-3-일, o-터페닐-4-일, p-터페닐-2-일, p-터페닐-3-일, 또는 p-터페닐-4-일), 축합 3환계인, 아세나프틸렌-(1-, 3-, 4-, 또는 5-)일, 플루오렌-(1-, 2-, 3-, 4-, 또는 9-)일, 페날렌-(1- 또는 2-)일, 페난트렌-(1-, 2-, 3-, 4-, 또는 9-)일, 또는 안트라센-(1-, 2-, 또는 9-)일, 4환계인 쿼터페닐릴(5'-페닐-m-터페닐-2-일, 5'-페닐-m-터페닐-3-일, 5'-페닐-m-터페닐-4-일, 또는 m-쿼터페닐), 축합 4환계인, 트리페닐렌-(1- 또는 2-)일, 피렌-(1-, 2-, 또는 4-)일, 또는 나프타센-(1-, 2-, 또는 5-)일, 또는, 축합 5환계인, 페릴렌-(1-, 2-, 또는 3-)일, 또는 펜타센-(1-, 2-, 5-, 또는 6-)일 등이다. 그 밖에, 스피로플루오렌의 1가의 기 등을 들 수 있다.Specific "aryl" includes, for example, monocyclic phenyl, bicyclic biphenylyl (2-biphenylyl, 3-biphenylyl, or 4-biphenylyl), condensed bicyclic naphthyl (1- naphthyl or 2-naphthyl), tricyclic terphenylyl (m-terphenyl-2'-yl, m-terphenyl-4'-yl, m-terphenyl-5'-yl, o-terphenyl -3'-yl, o-terphenyl-4'-yl, p-terphenyl-2'-yl, m-terphenyl-2-yl, m-terphenyl-3-yl, m-terphenyl-4 -yl, o-terphenyl-2-yl, o-terphenyl-3-yl, o-terphenyl-4-yl, p-terphenyl-2-yl, p-terphenyl-3-yl, or p -terphenyl-4-yl), condensed tricyclic, acenaphthylene-(1-, 3-, 4-, or 5-)yl, fluorene-(1-, 2-, 3-, 4-, or 9-)yl, phenalen-(1- or 2-)yl, phenanthrene-(1-, 2-, 3-, 4-, or 9-)yl, or anthracene-(1-, 2-, Or 9-) day, tetracyclic quaterphenylyl (5'-phenyl-m-terphenyl-2-yl, 5'-phenyl-m-terphenyl-3-yl, 5'-phenyl-m-terphenyl -4-yl, or m-quaterphenyl), condensed tetracyclic, triphenylene-(1- or 2-)yl, pyrene-(1-, 2-, or 4-)yl, or naphthacene-( 1-, 2-, or 5-)yl, or perylene-(1-, 2-, or 3-)yl, or pentacene-(1-, 2-, 5-, or 6-) days, etc. In addition, the monovalent group of spirofluorene, etc. are mentioned.

또한, 제2 치환기로서의 아릴에는, 해당 아릴이, 페닐 등의 아릴(구체예는 상술한 기), 메틸 등의 알킬(구체예는 후술하는 기), 및 시클로헥실 또는 아다만틸 등의 시클로알킬(구체예는 후술하는 기)로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 하나의 기로 치환된 구조도 포함된다.In the aryl as the second substituent, the aryl is aryl such as phenyl (specific examples are groups described above), alkyls such as methyl (specific examples are groups described later), and cycloalkyls such as cyclohexyl or adamantyl. (Specific examples are groups described later) and structures substituted with at least one group selected from the group consisting of are also included.

그 일 예로서는, 제2 치환기로서의 플루오레닐의 9위가, 페닐 등의 아릴, 메틸 등의 알킬, 또는 시클로헥실 또는 아다만틸 등의 시클로알킬로 치환된 기를 들 수 있다.One example thereof is a group in which the ninth position of fluorenyl as the second substituent is substituted with an aryl such as phenyl, an alkyl such as methyl, or a cycloalkyl such as cyclohexyl or adamantyl.

「아릴렌」은, 예를 들면 탄소수 6∼30의 아릴렌이며, 바람직하게는, 탄소수 6∼20의 아릴렌, 탄소수 6∼16의 아릴렌, 탄소수 6∼12의 아릴렌, 또는 탄소수 6∼10의 아릴렌 등이다."Arylene" is, for example, arylene having 6 to 30 carbon atoms, and preferably includes arylene having 6 to 20 carbon atoms, arylene having 6 to 16 carbon atoms, arylene having 6 to 12 carbon atoms, or arylene having 6 to 12 carbon atoms. Arylene of 10, etc.

구체적인 「아릴렌」은, 예를 들면, 상술한 「아릴」(1가의 기)로부터 하나의 수소를 제거한 2가의 기를 들 수 있다.A specific "arylene" includes, for example, a divalent group obtained by removing one hydrogen from the aforementioned "aryl" (monovalent group).

「헤테로아릴」은, 예를 들면 탄소수 2∼30의 헤테로아릴이며, 바람직하게는, 탄소수 2∼25의 헤테로아릴, 탄소수 2∼20의 헤테로아릴, 탄소수 2∼15의 헤테로아릴, 또는 탄소수 2∼10의 헤테로아릴 등이다. 「헤테로아릴」은, 환구성 원자로서 탄소 이외에 산소, 황, 및 질소 등으로부터 선택되는 헤테로 원자를, 하나 이상, 바람직하게는 1∼5개 함유한다."Heteroaryl" is, for example, a heteroaryl having 2 to 30 carbon atoms, preferably a heteroaryl having 2 to 25 carbon atoms, a heteroaryl having 2 to 20 carbon atoms, a heteroaryl having 2 to 15 carbon atoms, or a heteroaryl having 2 to 15 carbon atoms. heteroaryl of 10; and the like. "Heteroaryl" contains one or more, preferably 1 to 5, heteroatoms selected from oxygen, sulfur, nitrogen, etc. in addition to carbon as ring-constituting atoms.

구체적인 「헤테로아릴」로서는, 예를 들면, 피롤일, 옥사졸릴, 이소옥사졸릴, 티아졸릴, 이소티아졸릴, 이미다졸릴, 옥사디아졸릴, 티아디아졸릴, 트리아졸릴, 테트라졸릴, 피라졸릴, 피리딜, 피리미디닐, 피리다지닐, 피라지닐, 트리아지닐, 인돌일, 이소인돌일, 1H-인다졸일, 벤조이미다졸릴, 벤조옥사졸릴, 벤조티아졸릴, 1H-벤조트리아졸릴, 퀴놀리닐, 이소퀴놀리닐, 신놀리닐, 퀴나졸리닐, 퀴녹살리닐, 페난트롤리닐, 프탈라지닐, 나프티리디닐, 퓨리닐, 프테리디닐, 카르바졸릴, 아크리디닐, 페녹사티이닐, 페녹사지닐, 페노티아지닐, 페나지닐, 페나자실리닐, 인돌리지닐, 푸라닐, 벤조푸라닐, 이소벤조푸라닐, 디벤조푸라닐, 나프토벤조푸라닐, 티에닐, 벤조티에닐, 이소벤조티에닐, 디벤조티에닐, 나프토벤조티에닐, 벤조포스포릴, 디벤조포스포릴, 벤조포스폴옥사이드환의 1가의 기, 디벤조포스폴옥사이드환의 1가의 기, 푸라자닐, 티안트레닐, 인돌로카르바졸릴, 벤조인돌로카르바졸릴, 디벤조인돌로카르바졸릴, 이미다졸리닐, 또는 옥사졸리닐 등이다. 그 밖에, 스피로플루오렌의 1가의 기, 스피로[플루오렌-9,9'-잔텐]의 1가의 기, 스피로비[실라플루오렌]의 1가의 기, 벤조셀레노펜의 1가의 기를 들 수 있다.Specific examples of "heteroaryl" include pyrroleyl, oxazolyl, isoxazolyl, thiazolyl, isothiazolyl, imidazolyl, oxadiazolyl, thiadiazolyl, triazolyl, tetrazolyl, pyrazolyl, pyr Dill, pyrimidinyl, pyridazinyl, pyrazinyl, triazinyl, indolyl, isoindoleyl, 1H-indazolyl, benzoimidazolyl, benzooxazolyl, benzothiazolyl, 1H-benzotriazolyl, quinolinyl , isoquinolinyl, cinnolinyl, quinazolinyl, quinoxalinyl, phenanthrolinyl, phthalazinyl, naphthyridinyl, purinyl, pteridinyl, carbazolyl, acridinyl, phenoxathinyl, phenoxazinil, phenothiazinil, phenazinyl, phenazacillinyl, indolizinyl, furanil, benzofuranil, isobenzofuranil, dibenzofuranil, naphthobenzofuranil, thienyl, benzothienyl, Isobenzothienyl, dibenzothienyl, naphthobenzothienyl, benzophosphoryl, dibenzophosphoryl, monovalent group of benzophosphole oxide ring, monovalent group of dibenzophosphole oxide ring, furazanyl, thianthrenyl , indolocarbazolyl, benzoindolocarbazolyl, dibenzoindolocarbazolyl, imidazolinyl, or oxazolinyl, and the like. In addition, a monovalent group of spirofluorene, a monovalent group of spiro[fluorene-9,9'-xanthene], a monovalent group of spirovi[silafluorene], and a monovalent group of benzoselenophene are exemplified. .

또한, 제2 치환기로서의 헤테로아릴에는, 해당 헤테로아릴이, 페닐 등의 아릴(구체예는 상술한 기), 메틸 등의 알킬(구체예는 후술하는 기) 및 시클로헥실 또는 아다만틸 등의 시클로알킬(구체예는 후술하는 기)로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 하나의 기로 치환된 구조도 포함된다.In the heteroaryl as the second substituent, the heteroaryl is aryl such as phenyl (specific examples are groups described above), alkyls such as methyl (specific examples are groups described later), and cyclohexyl or adamantyl such as cyclohexyl. Structures substituted with at least one group selected from the group consisting of alkyl (specific examples of which will be described later) are also included.

그 일 예로서는, 제2 치환기로서의 카르바졸릴의 9위가, 페닐 등의 아릴, 메틸 등의 알킬, 또는 시클로헥실 또는 아다만틸 등의 시클로알킬로 치환된 기를 들 수 있다. 또한, 피리딜, 피리미디닐, 트리아지닐, 카르바졸릴 등의 함질소 헤테로아릴이 페닐 또는 비페닐릴 등으로 더 치환된 기도 제2 치환기로서의 헤테로아릴에 포함된다.One example thereof is a group in which the ninth position of carbazolyl as the second substituent is substituted with an aryl such as phenyl, an alkyl such as methyl, or a cycloalkyl such as cyclohexyl or adamantyl. In addition, groups in which nitrogen-containing heteroaryl such as pyridyl, pyrimidinyl, triazinyl, and carbazolyl is further substituted with phenyl or biphenylyl are also included in heteroaryl as the second substituent.

「헤테로아릴렌」은, 예를 들면 탄소수 2∼30의 헤테로아릴렌이며, 바람직하게는, 탄소수 2∼25의 헤테로아릴렌, 탄소수 2∼20의 헤테로아릴렌, 탄소수 2∼15의 헤테로아릴렌, 또는 탄소수 2∼10의 헤테로아릴렌 등이다. 또한, 「헤테로아릴렌」은, 예를 들면 환구성 원자로서 탄소 이외에 산소, 황, 및 질소로부터 선택되는 헤테로 원자를 1∼5개 함유하는 복소환 등의 2가의 기이다. "Heteroarylene" is, for example, heteroarylene having 2 to 30 carbon atoms, preferably heteroarylene having 2 to 25 carbon atoms, heteroarylene having 2 to 20 carbon atoms, and heteroarylene having 2 to 15 carbon atoms. , or heteroarylene having 2 to 10 carbon atoms. In addition, "heteroarylene" is a divalent group such as a heterocycle containing, for example, 1 to 5 heteroatoms selected from oxygen, sulfur, and nitrogen in addition to carbon as ring-constituting atoms.

구체적인 「헤테로아릴렌」은, 예를 들면, 상술한 「헤테로아릴」(1가의 기)로부터 하나의 수소를 제거한 2가의 기를 들 수 있다.Specific examples of the "heteroarylene" include a divalent group obtained by removing one hydrogen from the aforementioned "heteroaryl" (monovalent group).

「디아릴아미노」는, 2개의 아릴이 치환된 아미노이며, 이 아릴의 상세에 대해서는 상술한 「아릴」의 설명을 인용할 수 있다. "Diarylamino" is amino in which two aryls are substituted, and the description of "aryl" described above can be cited for details of this aryl.

「디헤테로아릴아미노」는, 2개의 헤테로아릴이 치환된 아미노이며, 이 헤테로아릴의 상세에 대해서는 상술한 「헤테로아릴」의 설명을 인용할 수 있다. "Diheteroarylamino" is amino in which two heteroaryls are substituted, and the description of "heteroaryl" described above can be cited for details of this heteroaryl.

「아릴헤테로아릴아미노」는, 아릴 및 헤테로아릴이 치환된 아미노이며, 이 아릴 및 헤테로아릴의 상세에 대해서는 상술한 「아릴」 및 「헤테로아릴」의 설명을 인용할 수 있다."Arylheteroarylamino" is amino in which aryl and heteroaryl are substituted, and the description of "aryl" and "heteroaryl" described above can be cited for details of the aryl and heteroaryl.

제1 치환기로서의 디아릴아미노에 있어서의 2개의 아릴은 서로 연결기를 통하여 결합하고 있어도 되고, 제1 치환기로서의 디헤테로아릴아미노에 있어서의 2개의 헤테로아릴은 서로 연결기를 통하여 결합하고 있어도 되며, 제1 치환기로서의 아릴헤테로아릴아미노의 아릴과 헤테로아릴은 서로 연결기를 통하여 결합하고 있어도 된다. 여기서, 「연결기를 통하여 결합」이라고 하는 기재는, 하기에 나타낸 바와 같이 예를 들면 디페닐아미노의 2개의 페닐이 연결기로 결합을 형성하는 것을 나타낸다. 또한 이 설명은 아릴이나 헤테로아릴로 형성된, 디헤테로아릴아미노 및 아릴헤테로아릴아미노에 대해서도 적용된다. The two aryls in diarylamino as the first substituent may be bonded to each other via a linking group, and the two heteroaryls in diheteroarylamino as the first substituent may be bonded to each other via a linking group. The aryl and heteroaryl of arylheteroarylamino as a substituent may be bonded to each other through a linking group. Here, the description of "bonding via a linking group" indicates that, for example, two phenyls of diphenylamino form a bond with a linking group, as shown below. This statement also applies to diheteroarylamino and arylheteroarylamino, formed from aryls or heteroaryls.

Figure pat00007
Figure pat00007

연결기로서는 구체적으로는, >O, >N-RX, >C(-RX)2, >Si(-RX)2, >S, >CO, >CS, >SO, >SO2, 및 >Se을 들 수 있다. RX는 각각 독립적으로 알킬, 시클로알킬, 아릴, 또는 헤테로아릴이며, 이들은 알킬, 시클로알킬, 아릴, 또는 헤테로아릴로 치환되어 있어도 된다. 또한, >C(-RX)2, >Si(-RX)2에 있어서의 RX는, 단결합 또는 연결기 XY를 통하여 서로 결합하여 환을 형성해도 된다. XY로서는 >O, >N-RY, >C(-RY)2, >Si(-RY)2, >S, >CO, >CS, >SO, >SO2, 및 >Se을 들 수 있으며, RY는 각각 독립적으로 알킬, 시클로알킬, 아릴 또는 헤테로아릴이고, 이들은 알킬, 시클로알킬, 아릴, 또는 헤테로아릴로 치환되어 있어도 된다. 단, XY가 >C(-RY)2 및 >Si(-RY)2인 경우에는, 2개의 RY는 결합하여 환을 더 형성하지 않는다. 나아가 연결기로서는, 알케닐렌도 들 수 있다. 해당 알케닐렌의 임의의 수소는 각각 독립적으로 RX로 치환되어 있어도 되고, RX는 각각 독립적으로 알킬, 시클로알킬, 치환 실릴, 아릴 및 헤테로아릴이며, 이들은 알킬, 시클로알킬, 치환 실릴, 아릴로 치환되어 있어도 된다.Specifically as the linking group, >O, >NR X , >C(-R X ) 2 , >Si(-R X ) 2 , >S, >CO, >CS, >SO, >SO 2 , and >Se can be heard R X is each independently an alkyl, cycloalkyl, aryl or heteroaryl, which may be substituted with alkyl, cycloalkyl, aryl or heteroaryl. In addition, R X in >C(-R X ) 2 and >Si(-R X ) 2 may be bonded to each other via a single bond or a linking group XY to form a ring. Examples of X Y include >O, >NR Y , >C(-R Y ) 2 , >Si(-R Y ) 2 , >S, >CO, >CS, >SO, >SO 2 , and >Se. and R Y are each independently alkyl, cycloalkyl, aryl or heteroaryl, which may be substituted with alkyl, cycloalkyl, aryl or heteroaryl. However, when XY is >C(-R Y ) 2 and >Si(-R Y ) 2 , two R Y are bonded together to form no further ring. Furthermore, alkenylene is also mentioned as a linking group. Any hydrogen of the alkenylene may be each independently substituted with R X , and each R X is independently an alkyl, cycloalkyl, substituted silyl, aryl, and heteroaryl, which are alkyl, cycloalkyl, substituted silyl, or aryl. may be substituted.

또한, 본 명세서에서 단순히 「디아릴아미노」, 「디헤테로아릴아미노」 또는 「아릴헤테로아릴아미노」라고 기재되어 있는 경우는, 특별히 한정하지 않는 한, 각각 「디아릴아미노의 2개의 아릴은 서로 연결기를 통하여 결합하고 있어도 된다」, 「상기 디헤테로아릴아미노의 2개의 헤테로아릴은 서로 연결기를 통하여 결합하고 있어도 된다」 및 「상기 아릴헤테로아릴아미노의 아릴과 헤테로아릴은 서로 연결기를 통하여 결합하고 있어도 된다」라고 하는 설명이 더해져 있는 것으로 한다.In addition, in the present specification, when simply described as “diarylamino,” “diheteroarylamino,” or “arylheteroarylamino,” unless otherwise specified, each “two aryls of diarylamino are a linking group may be bonded through", "the two heteroaryls of the diheteroarylamino may be bonded to each other through a linking group", and "the aryl and heteroaryl of the arylheteroarylamino may be bonded to each other through a linking group" It is assumed that an explanation such as "is added.

「디아릴보릴」은, 2개의 아릴이 치환된 보릴이며, 이 아릴의 상세에 대해서는 상술한 「아릴」의 설명을 인용할 수 있다. 또한, 이 2개의 아릴은, 단결합 또는 연결기(예를 들면, -CH=CH-, -CR=CR-, -C≡C-, >N-R, >O, >S, >C(-R)2, >Si(-R)2, 또는 >Se)를 통하여 결합하고 있어도 된다. 여기서, 상기 -CR=CR-의 R, >N-R의 R, >C(-R)2의 R, 및 >Si(-R)의 R은, 아릴, 헤테로아릴, 디아릴아미노, 알킬, 알케닐, 알키닐, 시클로알킬, 알콕시, 또는 아릴옥시이며, 이들 기는, 아릴, 헤테로아릴, 알킬, 알케닐, 알키닐, 또는 시클로알킬로 더 치환되어 있어도 된다. 또한, 인접하는 2개의 R끼리가 환을 형성하고, 시클로알킬렌, 아릴렌, 및 헤테로아릴렌을 형성하고 있어도 된다. 여기서 열거한 치환기의 상세에 대해서는, 상술한 「아릴」, 「아릴렌」, 「헤테로아릴」, 「헤테로아릴렌」, 및 「디아릴아미노」의 설명, 및, 후술하는 「알킬」, 「알케닐」, 「알키닐」, 「시클로알킬」, 「시클로알킬렌」, 「알콕시」, 및 「아릴옥시」의 설명을 인용할 수 있다. 또한, 본 명세서에서 단순히 「디아릴보릴」이라고 기재되어 있는 경우는, 특별히 한정하지 않는 한, 「디아릴보릴의 2개의 아릴은 서로 단결합 또는 연결기를 통하여 결합하고 있어도 된다」라고 하는 설명이 더해져 있는 것으로 한다."Diarylboryl" is a boryl in which two aryls are substituted, and the description of "aryl" described above can be cited for details of this aryl. In addition, these two aryls are single bonds or linking groups (for example, -CH=CH-, -CR=CR-, -C≡C-, >NR, >O, >S, >C(-R) 2 , >Si(-R) 2 , or >Se). Here, the R of -CR=CR-, R of >NR, R of >C(-R) 2 , and R of >Si(-R) are aryl, heteroaryl, diarylamino, alkyl, alkenyl , alkynyl, cycloalkyl, alkoxy, or aryloxy, and these groups may be further substituted with aryl, heteroaryl, alkyl, alkenyl, alkynyl, or cycloalkyl. Moreover, two adjacent Rs may form a ring, and may form cycloalkylene, arylene, and heteroarylene. For the details of the substituents listed here, the description of "aryl", "arylene", "heteroaryl", "heteroarylene", and "diarylamino" described above, and "alkyl" and "alkyl" described later Descriptions of "kenyl", "alkynyl", "cycloalkyl", "cycloalkylene", "alkoxy", and "aryloxy" can be cited. In addition, when it is simply described as "diaryl boryl" in this specification, unless otherwise limited, "two aryls of diaryl boryl may be bonded to each other through a single bond or a linking group". do as there is

「알킬」은, 직쇄 및 분기쇄 중 어느 것이라도 되며, 예를 들면 탄소수 1∼24의 직쇄 알킬 또는 탄소수 3∼24의 분기쇄 알킬이고, 바람직하게는, 탄소수 1∼18의 알킬(탄소수 3∼18의 분기쇄 알킬), 탄소수 1∼12의 알킬(탄소수 3∼12의 분기쇄 알킬), 탄소수 1∼6의 알킬(탄소수 3∼6의 분기쇄 알킬), 탄소수 1∼5의 알킬(탄소수 3∼5의 분기쇄 알킬), 탄소수 1∼4의 알킬(탄소수 3∼4의 분기쇄 알킬)등이다."Alkyl" may be either straight chain or branched chain, and is, for example, straight chain alkyl having 1 to 24 carbon atoms or branched chain alkyl having 3 to 24 carbon atoms, preferably, alkyl having 1 to 18 carbon atoms (C 3 to 24 carbon atoms). branched chain alkyl of 18), alkyl of 1 to 12 carbon atoms (branched chain alkyl of 3 to 12 carbon atoms), alkyl of 1 to 6 carbon atoms (branched chain alkyl of 3 to 6 carbon atoms), alkyl of 1 to 5 carbon atoms (3 carbon atoms) to 5 branched chain alkyl), C1-4 alkyl (C3-4 branched chain alkyl), and the like.

구체적인 「알킬」은, 예를 들면, 메틸, 에틸, n-프로필, 이소프로필, 1-에틸-1-메틸프로필, 1,1-디에틸프로필, 1,1,2-트리메틸프로필, 1,1,2,2-테트라메틸프로필, 1-에틸-1,2,2-트리메틸프로필, n-부틸, 이소부틸, s-부틸, t-부틸, 2-에틸부틸, 1,1-디메틸부틸, 3,3-디메틸부틸, 1,1-디에틸부틸, 1-에틸-1-메틸부틸, 1-프로필-1-메틸부틸, 1,1,3-트리메틸부틸, 1-에틸-1,3-디메틸부틸, n-펜틸, 이소펜틸, 네오펜틸, t-펜틸(t-아밀), 1-메틸펜틸, 2-프로필펜틸, 1,1-디메틸펜틸, 1-에틸-1-메틸펜틸, 1-프로필-1-메틸펜틸, 1-부틸-1-메틸펜틸, 1,1,4-트리메틸펜틸, n-헥실, 1-메틸헥실, 2-에틸헥실, 1,1-디메틸헥실, 1-에틸-1-메틸헥실, 1,1,5-트리메틸헥실, 3,5,5-트리메틸헥실, n-헵틸, 1-메틸헵틸, 1-헥실헵틸, 1,1-디메틸헵틸, 2,2-디메틸헵틸, 2,6-디메틸-4-헵틸, n-옥틸, t-옥틸(1,1,3,3-테트라메틸부틸), 1,1-디메틸옥틸, n-노닐, n-데실, 1-메틸데실, n-운데실, n-도데실, n-트리데실, n-테트라데실, n-펜타데실, n-헥사데실, n-헵타데실, n-옥타데실, 또는 n-에이코실 등이다.Specific "alkyl" includes, for example, methyl, ethyl, n-propyl, isopropyl, 1-ethyl-1-methylpropyl, 1,1-diethylpropyl, 1,1,2-trimethylpropyl, 1,1 ,2,2-tetramethylpropyl, 1-ethyl-1,2,2-trimethylpropyl, n-butyl, isobutyl, s-butyl, t-butyl, 2-ethylbutyl, 1,1-dimethylbutyl, 3 ,3-dimethylbutyl, 1,1-diethylbutyl, 1-ethyl-1-methylbutyl, 1-propyl-1-methylbutyl, 1,1,3-trimethylbutyl, 1-ethyl-1,3-dimethyl Butyl, n-pentyl, isopentyl, neopentyl, t-pentyl (t-amyl), 1-methylpentyl, 2-propylpentyl, 1,1-dimethylpentyl, 1-ethyl-1-methylpentyl, 1-propyl -1-methylpentyl, 1-butyl-1-methylpentyl, 1,1,4-trimethylpentyl, n-hexyl, 1-methylhexyl, 2-ethylhexyl, 1,1-dimethylhexyl, 1-ethyl-1 -Methylhexyl, 1,1,5-trimethylhexyl, 3,5,5-trimethylhexyl, n-heptyl, 1-methylheptyl, 1-hexylheptyl, 1,1-dimethylheptyl, 2,2-dimethylheptyl, 2,6-dimethyl-4-heptyl, n-octyl, t-octyl (1,1,3,3-tetramethylbutyl), 1,1-dimethyloctyl, n-nonyl, n-decyl, 1-methyldecyl , n-undecyl, n-dodecyl, n-tridecyl, n-tetradecyl, n-pentadecyl, n-hexadecyl, n-heptadecyl, n-octadecyl, or n-eicosyl.

「알케닐」에 대해서는, 상술한 「알킬」의 설명을 참고로 할 수 있고, 「알킬」의 구조 중의 C-C 단결합을 C=C 이중 결합으로 치환한 기이며, 1개뿐만 아니라 2개 이상의 단결합이 이중 결합으로 치환된 기(알카디엔-일이나 알카트리엔-일이라고도 불림)도 포함한다.Regarding "alkenyl", the description of "alkyl" described above can be referred to, and it is a group in which the C-C single bond in the structure of "alkyl" is substituted with a C=C double bond, and not only one but two or more groups Also includes groups in which a bond is substituted with a double bond (also called alkadien-yl or alkathien-yl).

「알키닐」에 대해서는, 상술한 「알킬」의 설명을 참고로 할 수 있고, 「알킬」의 구조 중의 C-C 단결합을 C≡C 삼중 결합으로 치환한 기이며, 1개뿐만 아니라 2개 이상의 단결합이 삼중 결합으로 치환된 기(알카디인-일이나 알카트리인-일이라고도 불림)도 포함한다.Regarding "alkynyl", the description of "alkyl" described above can be referred to, and it is a group in which the C-C single bond in the structure of "alkyl" is substituted with a C≡C triple bond, and not only one but two or more groups Also includes groups in which a bond is substituted with a triple bond (also called alkadiyn-yl or alkathrin-yl).

「시클로알킬」은, 예를 들면 탄소수 3∼24의 시클로알킬이며, 바람직하게는, 탄소수 3∼20의 시클로알킬, 탄소수 3∼16의 시클로알킬, 탄소수 3∼14의 시클로알킬, 탄소수 3∼12의 시클로알킬, 탄소수 5∼10의 시클로알킬, 탄소수 5∼8의 시클로알킬, 탄소수 5∼6의 시클로알킬, 또는 탄소수 5의 시클로알킬 등이다."Cycloalkyl" is, for example, a cycloalkyl of 3 to 24 carbon atoms, preferably a cycloalkyl of 3 to 20 carbon atoms, a cycloalkyl of 3 to 16 carbon atoms, a cycloalkyl of 3 to 14 carbon atoms, or a cycloalkyl of 3 to 12 carbon atoms. cycloalkyl, cycloalkyl of 5 to 10 carbon atoms, cycloalkyl of 5 to 8 carbon atoms, cycloalkyl of 5 to 6 carbon atoms, or cycloalkyl of 5 carbon atoms.

구체적인 「시클로알킬」은, 예를 들면, 시클로프로필, 시클로부틸, 시클로펜틸, 시클로헥실, 시클로헵틸, 시클로옥틸, 시클로노닐, 시클로데실, 또는 이들 탄소수 1∼5나 탄소수 1∼4의 알킬(특히 메틸) 치환체, 비시클로[1.1.0]부틸, 비시클로[1.1.1]펜틸, 비시클로[2.1.0]펜틸, 비시클로[2.1.1]헥실, 비시클로[3.1.0]헥실, 비시클로[2.2.1]헵틸, 비시클로[2.2.2]옥틸, 아다만틸, 디아만틸, 데카히드로나프탈레닐, 또는 데카히드로아줄레닐 등이다.Specific "cycloalkyl" includes, for example, cyclopropyl, cyclobutyl, cyclopentyl, cyclohexyl, cycloheptyl, cyclooctyl, cyclononyl, cyclodecyl, or alkyls having 1 to 5 carbon atoms or 1 to 4 carbon atoms (especially methyl) substituents, bicyclo[1.1.0]butyl, bicyclo[1.1.1]pentyl, bicyclo[2.1.0]pentyl, bicyclo[2.1.1]hexyl, bicyclo[3.1.0]hexyl, bi cyclo[2.2.1]heptyl, bicyclo[2.2.2]octyl, adamantyl, diamantyl, decahydronaphthalenyl, or decahydroazulenyl, and the like.

「시클로알킬렌」은, 예를 들면 탄소수 3∼24의 시클로알킬렌이며, 바람직하게는, 탄소수 3∼20의 시클로알킬렌, 탄소수 3∼16의 시클로알킬렌, 탄소수 3∼14의 시클로알킬렌, 탄소수 3∼12의 시클로알킬렌, 탄소수 5∼10의 시클로알킬렌, 탄소수 5∼8의 시클로알킬렌, 탄소수 5∼6의 시클로알킬렌, 또는 탄소수 5의 시클로알킬렌 등이다."Cycloalkylene" is, for example, a cycloalkylene having 3 to 24 carbon atoms, preferably a cycloalkylene having 3 to 20 carbon atoms, a cycloalkylene having 3 to 16 carbon atoms, or a cycloalkylene having 3 to 14 carbon atoms. , C3-C12 cycloalkylene, C5-C10 cycloalkylene, C5-C8 cycloalkylene, C5-C6 cycloalkylene, or C5 cycloalkylene.

구체적인 「시클로알킬렌」은, 예를 들면, 상술한 「시클로알킬」(1가의 기)로부터 하나의 수소를 제거한 2가의 기를 들 수 있다.Specific examples of "cycloalkylene" include divalent groups obtained by removing one hydrogen from the aforementioned "cycloalkyls" (monovalent groups).

「알콕시」는, 「Alk-O-(Alk는 알킬)」로 나타내어지는 기이며, 이 알킬의 상세에 대해서는 상술한 「알킬」의 설명을 인용할 수 있다."Alkoxy" is a group represented by "Alk-O- (Alk is alkyl)", and the description of "alkyl" described above can be cited for details of this alkyl.

「아릴옥시」는, 「Ar-O-(Ar은 아릴)」로 나타내어지는 기이며, 이 아릴의 상세에 대해서는 상술한 「아릴」의 설명을 인용할 수 있다."Aryloxy" is a group represented by "Ar-O- (Ar is aryl)", and the description of "aryl" described above can be cited for details of this aryl.

「치환 실릴」은, 예를 들면, 아릴, 알킬, 및 시클로알킬 중 적어도 하나로 치환된 실릴이며, 바람직하게는, 트리아릴실릴, 트리알킬실릴, 트리시클로알킬실릴, 디알킬시클로알킬실릴, 또는 알킬디시클로알킬실릴이다. "Substituted silyl" is, for example, silyl substituted with at least one of aryl, alkyl, and cycloalkyl, preferably triarylsilyl, trialkylsilyl, tricycloalkylsilyl, dialkylcycloalkylsilyl, or alkyl dicycloalkylsilyl.

「트리아릴실릴」은, 3개의 아릴로 치환된 실릴기이며, 이 아릴의 상세에 대해서는 상술한 「아릴」의 설명을 인용할 수 있다. "Triarylsilyl" is a silyl group substituted with three aryls, and the description of "aryl" described above can be cited for details of this aryl.

구체적인 「트리아릴실릴」은, 예를 들면, 트리페닐실릴, 디페닐모노나프틸실릴, 모노페닐디나프틸실릴, 또는 트리나프틸실릴 등이다.Specific examples of "triarylsilyl" include triphenylsilyl, diphenylmononaphthylsilyl, monophenyldinaphthylsilyl, and trinaphthylsilyl.

「트리알킬실릴」은, 3개의 알킬로 치환된 실릴기이며, 이 알킬의 상세에 대해서는 상술한 「알킬」의 설명을 인용할 수 있다."Trialkylsilyl" is a silyl group substituted with three alkyls, and the description of "alkyl" described above can be cited for details of this alkyl.

구체적인 「트리알킬실릴」은, 예를 들면, 트리메틸실릴, 트리에틸실릴, 트리n-프로필실릴, 트리이소프로필실릴, 트리n-부틸실릴, 트리이소부틸실릴, 트리s-부틸실릴, 트리t-부틸실릴, 에틸디메틸실릴, n-프로필디메틸실릴, 이소프로필디메틸실릴, n-부틸디메틸실릴, 이소부틸디메틸실릴, s-부틸디메틸실릴, t-부틸디메틸실릴, 메틸디에틸실릴, n-프로필디에틸실릴, 이소프로필디에틸실릴, n-부틸디에틸실릴, s-부틸디에틸실릴, t-부틸디에틸실릴, 메틸디n-프로필실릴, 에틸디n-프로필실릴, n-부틸디n-프로필실릴, s-부틸디n-프로필실릴, t-부틸디n-프로필실릴, 메틸디이소프로필실릴, 에틸디이소프로필실릴, n-부틸디이소프로필실릴, s-부틸디이소프로필실릴, 또는 t-부틸디이소프로필실릴 등이다.Specific "trialkylsilyl" includes, for example, trimethylsilyl, triethylsilyl, trin-propylsilyl, triisopropylsilyl, trin-butylsilyl, triisobutylsilyl, tris-butylsilyl, trit- Butylsilyl, ethyldimethylsilyl, n-propyldimethylsilyl, isopropyldimethylsilyl, n-butyldimethylsilyl, isobutyldimethylsilyl, s-butyldimethylsilyl, t-butyldimethylsilyl, methyldiethylsilyl, n-propyldi Ethylsilyl, isopropyldiethylsilyl, n-butyldiethylsilyl, s-butyldiethylsilyl, t-butyldiethylsilyl, methyldi-n-propylsilyl, ethyldi-n-propylsilyl, n-butyldin- propylsilyl, s-butyldin-propylsilyl, t-butyldin-propylsilyl, methyldiisopropylsilyl, ethyldiisopropylsilyl, n-butyldiisopropylsilyl, s-butyldiisopropylsilyl, or t-butyldiisopropylsilyl and the like.

「트리시클로알킬실릴」은, 3개의 시클로알킬로 치환된 실릴기이며, 이 시클로알킬의 상세에 대해서는 상술한 「시클로알킬」의 설명을 인용할 수 있다. "Tricycloalkylsilyl" is a silyl group substituted with three cycloalkyls, and the description of "cycloalkyl" described above can be cited for details of this cycloalkyl.

구체적인 「트리시클로알킬실릴」은, 예를 들면, 트리시클로펜틸실릴 또는 트리시클로헥실실릴 등이다. Specific "tricycloalkylsilyl" is, for example, tricyclopentylsilyl or tricyclohexylsilyl.

「디알킬시클로알킬실릴」은, 2개의 알킬 및 1개의 시클로알킬로 치환된 실릴기이며, 이 알킬 및 시클로알킬의 상세에 대해서는 상술한 「알킬」 및 「시클로알킬」의 설명을 인용할 수 있다."Dialkylcycloalkylsilyl" is a silyl group substituted with two alkyls and one cycloalkyl, and the descriptions of "alkyl" and "cycloalkyl" described above can be cited for details of these alkyls and cycloalkyls. .

「알킬디시클로알킬실릴」은, 1개의 알킬 및 2개의 시클로알킬로 치환된 실릴기이며, 이 알킬 및 시클로알킬의 상세에 대해서는 상술한 「알킬」 및 「시클로알킬」의 설명을 인용할 수 있다."Alkyldicycloalkylsilyl" is a silyl group substituted with one alkyl and two cycloalkyls, and for details of these alkyls and cycloalkyls, the descriptions of "alkyl" and "cycloalkyl" described above can be cited. .

식(1)으로 나타내어지는 구조 단위 1개 또는 2개 이상으로 이루어지는 구조를 가지는 다환 방향족 화합물의 용도에 따라 상기 구조 단위가 가지는 치환기를 선택하면 된다. 바람직하게는, 메틸, t-부틸, 아다만틸, 페닐, o-톨릴, 나프틸, 비페닐릴, 터페닐, 디페닐아미노, 카르바졸릴, 디벤조푸라닐, 디벤조티오페닐, 3,5-디-카르바졸릴페닐, 카르바졸릴 치환 페닐, 피리딜, 페닐 치환 피리딜, 비피리딜, 피페리디닐, 페닐 치환 피페리디닐, 피라지닐, 페닐 치환 피라지닐, 트리아지닐, 3,5-디페닐-트리아지닐, 비페닐 치환 트리아지닐, 카르바졸릴 치환 트리아지닐, 시아노이다. 식(1)으로 나타내어지는 구조 단위 1개 또는 2개 이상으로 이루어지는 구조를 가지는 다환 방향족 화합물을 정공 수송층 또는 정공 수송성 호스트로서 사용할 때에는, 치환기는 디페닐아미노, 카르바졸릴, 디벤조푸라닐, 디벤조티오페닐, 3,5-디-카르바졸릴페닐, 카르바졸릴 치환 페닐이 보다 바람직하다. 전자 수송층 또는 전자 수송성 호스트로서 사용할 때는, 치환기는 피리딜, 페닐 치환 피리딜, 비피리딜, 피페리디닐, 페닐 치환 피페리디닐, 피라지닐, 페닐 치환 피라지닐, 트리아지닐, 3,5-디페닐-트리아지닐, 비페닐 치환 트리아지닐, 카르바졸릴 치환 트리아지닐, 시아노가 바람직하다. 호스트 재료로서 사용할 때는, 치환기는 페닐, 나프틸, 비페닐릴, 터페닐, 디페닐아미노, 카르바졸릴, 디벤조푸라닐, 디벤조티오페닐, 3,5-디-카르바졸릴페닐, 카르바졸릴 치환 페닐, 피리딜, 페닐 치환 피리딜, 비피리딜, 피페리디닐, 페닐 치환 피페리디닐, 피라지닐, 페닐 치환 피라지닐, 트리아지닐, 3,5-디페닐-트리아지닐, 비페닐 치환 트리아지닐, 카르바졸릴 치환 트리아지닐이 바람직하다.What is necessary is just to select the substituent which the said structural unit has according to the use of the polycyclic aromatic compound which has the structure which consists of 1 or 2 or more structural units represented by Formula (1). Preferably, methyl, t-butyl, adamantyl, phenyl, o-tolyl, naphthyl, biphenylyl, terphenyl, diphenylamino, carbazolyl, dibenzofuranyl, dibenzothiophenyl, 3, 5-di-carbazolylphenyl, carbazolyl substituted phenyl, pyridyl, phenyl substituted pyridyl, bipyridyl, piperidinyl, phenyl substituted piperidinyl, pyrazinyl, phenyl substituted pyrazinyl, triazinyl, 3, 5-diphenyl-triazinyl, biphenyl substituted triazinyl, carbazolyl substituted triazinyl, cyano. When a polycyclic aromatic compound having a structure composed of one or two or more structural units represented by Formula (1) is used as a hole transport layer or a hole transport host, the substituent is diphenylamino, carbazolyl, dibenzofuranyl, Benzothiophenyl, 3,5-di-carbazolylphenyl, and carbazolyl-substituted phenyl are more preferable. When used as an electron transport layer or electron transport host, substituents include pyridyl, phenyl substituted pyridyl, bipyridyl, piperidinyl, phenyl substituted piperidinyl, pyrazinyl, phenyl substituted pyrazinyl, triazinyl, 3,5-di Phenyl-triazinyl, biphenyl-substituted triazinyl, carbazolyl-substituted triazinyl, and cyano are preferred. When used as a host material, substituents include phenyl, naphthyl, biphenylyl, terphenyl, diphenylamino, carbazolyl, dibenzofuranyl, dibenzothiophenyl, 3,5-di-carbazolylphenyl, carbazolyl Bazolyl substituted phenyl, pyridyl, phenyl substituted pyridyl, bipyridyl, piperidinyl, phenyl substituted piperidinyl, pyrazinyl, phenyl substituted pyrazinyl, triazinyl, 3,5-diphenyl-triazinyl, biphenyl Substituted triazinyl and carbazolyl substituted triazinyl are preferred.

RXC, RXN, RXI, RXBC, RXCD, 및 RXDA에 있어서, 「치환 또는 무치환의」라고 할 때의 치환기로서는, 아릴(아릴, 헤테로아릴로 치환되어 있어도 된다), 치환 또는 무치환의 헤테로아릴(아릴, 헤테로아릴로 치환되어 있어도 된다), 알킬, 시클로알킬, 또는 이하의 어느 식으로 나타내어지는 치환기 등을 들 수 있다.In R XC , R XN , R XI , R XBC , R XCD , and R XDA , as a substituent for "substituted or unsubstituted", aryl (may be substituted with aryl or heteroaryl), substituted or unsubstituted heteroaryl (which may be substituted with aryl or heteroaryl), alkyl, cycloalkyl, or a substituent represented by any of the following formulas; and the like.

Figure pat00008
Figure pat00008

<구조 단위 1개 또는 2개 이상으로 이루어지는 구조 ><Structure consisting of one or more structural units>

본 발명의 다환 방향족 화합물은 식(1)으로 나타내어지는 구조 단위 1개 또는 2개 이상으로 이루어지는 구조를 가지는 다환 방향족 화합물이다. 상기 구조 단위 1개로 이루어지는 구조를 가지는 다환 방향족 화합물은, 식(1)으로 나타내어지는 구조 단위로서 상기에서 설명한 식으로 나타내어지는 다환 방향족 화합물이다. 식(1)으로 나타내어지는 구조 단위 2개 이상으로 이루어지는 구조를 가지는 다환 방향족 화합물로서는, 식(1)으로 나타내어지는 구조 단위로서 상기에서 설명한 식으로 나타내어지는 다환 방향족 화합물의 다량체에 해당하는 화합물이다. 다량체는, 2∼6량체가 바람직하고, 2∼3량체가 보다 바람직하고, 2량체가 특히 바람직하다. 다량체는, 1개의 화합물 중에 상기 단위 구조를 복수 가지는 형태이면 되고, 상기 구조 단위에 포함되는 임의의 환(A환, B환, C환 또는 D환)을 복수의 단위 구조에서 공유하도록 하여 결합한 형태여도 되고, 또한, 상기 단위 구조에 포함되는 임의의 환(A환, B환, C환 또는 D환)끼리가 축합하도록 하여 결합한 형태라면 된다. 또한, 상기 단위 구조가 단결합, 탄소수 1∼3의 알킬렌, 페닐렌, 나프틸렌 등의 연결기로 복수 결합한 형태여도 된다. 이들 중, 환을 공유하도록 하여 결합한 형태가 바람직하다.The polycyclic aromatic compound of the present invention is a polycyclic aromatic compound having a structure composed of one or two or more structural units represented by formula (1). The polycyclic aromatic compound having a structure composed of one structural unit is a polycyclic aromatic compound represented by the formula described above as a structural unit represented by formula (1). The polycyclic aromatic compound having a structure composed of two or more structural units represented by formula (1) is a compound corresponding to a multimer of the polycyclic aromatic compound represented by the formula described above as the structural unit represented by formula (1). . As for a multimer, a 2-hexamer is preferable, a 2-3mer is more preferable, and a dimer is especially preferable. The multimer may be in the form of having a plurality of the unit structures in one compound, and any rings (A rings, B rings, C rings or D rings) contained in the structural units are shared in a plurality of unit structures and bonded. It may be a form, and any ring (ring A, B, C, or D) contained in the unit structure may be condensed and bonded to each other. Moreover, the form in which the said unit structure couple|bonded with multiple coupling groups, such as a single bond and C1-C3 alkylene, phenylene, and naphthylene, may be sufficient. Among these, a form in which rings are shared and bonded is preferable.

<중수소, 시아노, 또는 할로겐에 의한 치환의 설명><Description of Substitution with Deuterium, Cyano or Halogen>

본 발명의 다환 방향족 화합물에 있어서의 적어도 하나의 수소는, 중수소, 시아노, 또는 할로겐으로 치환되어 있어도 된다. 할로겐은, 불소, 염소, 브롬, 또는 요오드이며, 불소, 염소, 또는 브롬이 바람직하고, 불소 또는 염소가 보다 바람직하다.At least one hydrogen in the polycyclic aromatic compound of the present invention may be substituted with heavy hydrogen, cyano or halogen. Halogen is fluorine, chlorine, bromine or iodine, preferably fluorine, chlorine or bromine, more preferably fluorine or chlorine.

<본 발명의 다환 방향족 화합물의 구체예><Specific examples of polycyclic aromatic compounds of the present invention>

본 발명의 다환 방향족 화합물의 구체예로서, 하기 구조식 중 어느 하나로 나타내어지는 화합물을 들 수 있다. Specific examples of the polycyclic aromatic compound of the present invention include compounds represented by any one of the following structural formulas.

Figure pat00009
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2. 2. 다환dahwan 방향족 화합물의 제조 방법 Method for producing aromatic compounds

본 발명의 다환 방향족 화합물은, 기본적으로는 X3의 위치가 할로겐화된 A환과 B환의 축환 구조와 X2-D환-X3을 포함하는 구조를 각각 준비하고(이 때 C환은 어느 쪽의 구조에 소속되어 있어도 된다), 마지막으로 환화시킴으로써 제조된다.The polycyclic aromatic compound of the present invention basically prepares a condensed ring structure of ring A and ring B in which the position of X3 is halogenated, and a structure containing X2-D ring-X3, respectively (at this time, ring C belongs to which structure may be present), and finally prepared by cyclization.

중간체는 상법으로 합성하고, 환화 반응에서는, 예를 들면 에테르화 반응이라면, 구핵 치환 반응, 울만 반응과 같은 일반적 반응을 이용할 수 있고, 아미노화 반응이라면 구핵 치환 반응, 버치왈드-하트윅 반응과 같은 일반적 반응을 이용할 수 있다.The intermediate is synthesized by a conventional method, and in the cyclization reaction, for example, in the case of an etherification reaction, a general reaction such as a nucleophilic substitution reaction or a Ullmann reaction can be used, and in the case of an amination reaction, a nucleophilic substitution reaction or a Birchwald-Hartwick reaction can be used. A general reaction can be used.

환화 반응은, 하기 스킴(1)∼(2)에 나타내는 것과 같은 2 케이스의 환화 반응이 있다. 단, 하기 스킴(1)∼(2)에 있어서, 환화 반응에 이용되는, A환, B환, C환, D환, X1, X2 및 X3에 결합한 탈리기 등의 치환기는 생략되어 있다.The cyclization reaction has two cases of cyclization reactions as shown in the following schemes (1) to (2). However, in the following schemes (1) to (2), substituents such as ring A, ring B, ring C, ring D, and leaving groups bonded to X1, X2 and X3 used in the cyclization reaction are omitted.

Figure pat00026
Figure pat00026

이하, 상기 케이스에 대하여, A환, B환, C환 및 D환이 벤젠환인 화합물(a), (b) 및 (c)를 예로 하여 환화 반응의 제조 방법을 설명한다.In the case described above, a method for producing a cyclization reaction will be described below using compounds (a), (b) and (c) in which rings A, B, C and D are benzene rings as examples.

케이스 1의 예로서, 스킴(3)에 기술한 방법이 있다.As an example of Case 1, there is the method described in Scheme (3).

Figure pat00027
Figure pat00027

스킴(3)에 있어서는, 구리 촉매 또는 팔라듐 촉매 등을 사용하여, 크로스 커플링 반응시켜, 목적물을 얻을 수 있다.In Scheme (3), a cross-coupling reaction can be carried out using a copper catalyst, a palladium catalyst, or the like, so that the desired product can be obtained.

상기 스킴(3)에 있어서는, 구리 촉매를 사용하는 경우에는, 구리 가루, 산화구리 또는 할로겐화구리 등이 사용된다. 사용되는 염기는 탄산세슘, 탄산칼륨, 탄산나트륨, 탄산칼슘, 탄산마그네슘, 탄산수소나트륨, 인산삼칼륨, 수소화나트륨 등이며, 반응 촉진제는 크라운 에테르(예를 들면, 18-크라운-6-에테르), 폴리에틸렌글리콜(PEG), 폴리에틸렌글리콜디알킬에테르(PEGDM) 등을 들 수 있다. 그리고, 반응 용매에는 N,N-디메틸포름아미드, 니트로벤젠, 디메틸술폭시드, 디클로로벤젠, o-디클로로벤젠, 퀴놀린 등이 사용된다. 반응 온도는 160∼250℃ 이지만, 기질의 반응성이 낮은 경우에는 오토 클레이브 등을 사용하여 보다 고온의 반응을 행해도 된다.In the scheme (3), when a copper catalyst is used, copper powder, copper oxide or copper halide is used. The base used is cesium carbonate, potassium carbonate, sodium carbonate, calcium carbonate, magnesium carbonate, sodium hydrogen carbonate, tripotassium phosphate, sodium hydride, etc., and the reaction accelerator is crown ether (e.g., 18-crown-6-ether), Polyethylene glycol (PEG), polyethylene glycol dialkyl ether (PEGDM), etc. are mentioned. In addition, N,N-dimethylformamide, nitrobenzene, dimethyl sulfoxide, dichlorobenzene, o-dichlorobenzene, quinoline, etc. are used as the reaction solvent. The reaction temperature is 160 to 250°C, but when the reactivity of the substrate is low, the reaction may be performed at a higher temperature using an autoclave or the like.

팔라듐 촉매를 사용하는 경우에는, 초산팔라듐, 염화팔라듐, 브롬화팔라듐, 트리스(디벤질리덴아세톤)2팔라듐(0), 트리스(디벤질리덴아세톤)2팔라듐클로로포름 착체(0), 테트라키스(트리페닐포스핀)팔라듐(0), [1,1'-비스(디페닐포스피노)페로센]팔라듐(II)디클로라이드디클로로메탄 착체(1:1) 등이 사용된다. 사용되는 염기는 탄산리튬, 탄산나트륨, 탄산칼륨, 탄산루비듐, 탄산세슘, 탄산수소나트륨, 수소화나트륨, 알콕시칼륨(예를 들면, 메톡시칼륨, 에톡시칼륨, 노말프로폭시칼륨, 이소프로폭시칼륨, n-부톡시칼륨 및 tert-부톡시칼륨 등), 알콕시나트륨(예를 들면, 메톡시나트륨, 에톡시나트륨, 노말프로폭시나트륨, 이소프로폭시나트륨, n-부톡시나트륨 및 tert-부톡시나트륨 등)을 들 수 있다. 반응 촉진제는 2,2'-(디페닐포스피노)-1,1'-비나프틸, 1,1'-(디페닐포스피노)페로센, 디시클로헥실포스피노비페닐, 디-tert-부틸포스피노비페닐, 트리(tert-부틸)포스핀, 1-(N,N-디메틸아미노메틸)-2-(디-tert-부틸포스피노)페로센, 1-(N,N-디부틸아미노메틸)-2-(디-tert-부틸포스피노)페로센, 1-(메톡시메틸)-2-(디-tert-부틸포스피노)페로센, 1,1'-비스(디-tert-부틸포스피노)페로센, 2,2'-비스(디-tert-부틸포스피노)-1,1'-비나프틸, 2-메톡시-2'-(디-tert-부틸포스피노)-1,1'-비나프틸 등이 사용된다. 그리고, 반응 용매에는 벤젠, 톨루엔, 크실렌, 메시틸렌 등의 방향족 탄화수소 용매가 사용된다. 용매는 단독으로 사용해도 되고, 혼합 용매로서 사용해도 된다. 반응 온도는 통상 50∼200℃의 범위에서 실시되지만, 보다 바람직하게는 80∼140℃이다.In the case of using a palladium catalyst, palladium acetate, palladium chloride, palladium bromide, tris(dibenzylideneacetone)2palladium(0), tris(dibenzylideneacetone)2palladiumchloroform complex(0), tetrakis(triphenyl Phosphine) palladium (0), [1,1'-bis (diphenylphosphino) ferrocene] palladium (II) dichloride dichloromethane complex (1: 1), etc. are used. The base used is lithium carbonate, sodium carbonate, potassium carbonate, rubidium carbonate, cesium carbonate, sodium hydrogen carbonate, sodium hydride, potassium alkoxy (e.g. potassium methoxy, potassium ethoxy, normal propoxy potassium, isopropoxy potassium, n-butoxypotassium and tert-butoxypotassium, etc.), alkoxysodium (e.g., methoxysodium, ethoxysodium, n-propoxysodium, isopropoxysodium, n-butoxysodium and tert-butoxysodium etc.) can be mentioned. The reaction promoter is 2,2'-(diphenylphosphino)-1,1'-binaphthyl, 1,1'-(diphenylphosphino)ferrocene, dicyclohexylphosphinobiphenyl, di-tert-butyl Phosphinobiphenyl, tri(tert-butyl)phosphine, 1-(N,N-dimethylaminomethyl)-2-(di-tert-butylphosphino)ferrocene, 1-(N,N-dibutylaminomethyl )-2-(di-tert-butylphosphino)ferrocene, 1-(methoxymethyl)-2-(di-tert-butylphosphino)ferrocene, 1,1'-bis(di-tert-butylphosphino ) Ferrocene, 2,2'-bis(di-tert-butylphosphino)-1,1'-binaphthyl, 2-methoxy-2'-(di-tert-butylphosphino)-1,1' -Binaphthyl, etc. are used. In addition, aromatic hydrocarbon solvents such as benzene, toluene, xylene, and mesitylene are used as the reaction solvent. The solvent may be used alone or as a mixed solvent. The reaction temperature is usually carried out in the range of 50 to 200°C, but is more preferably 80 to 140°C.

케이스 2의 예로서, 스킴(4), 스킴(5)에 기술한 방법이 있다.As examples of case 2, there are methods described in schemes (4) and (5).

Figure pat00028
Figure pat00028

스킴(4) 및 스킴(5)에 있어서는, 구리 촉매 또는 팔라듐 촉매 등을 사용하여, 분자내 크로스 커플링 반응시켜, 목적물을 얻을 수 있다. 이 때의 반응 조건은 스킴(3)과 마찬가지이다.In schemes (4) and (5), the target product can be obtained by carrying out intramolecular cross-coupling reaction using a copper catalyst or a palladium catalyst. The reaction conditions at this time are the same as in Scheme (3).

스킴(4)에 있어서는, 그 후, 구리 촉매 또는 팔라듐 촉매 등을 사용하여, 얻어진 원환을 가지는 중간체를 할로겐화아릴 화합물과 크로스 커플링 반응시켜, 목적물을 얻을 수 있다.In Scheme (4), thereafter, the obtained intermediate having a ring is subjected to a cross-coupling reaction with an aryl halide compound using a copper catalyst or a palladium catalyst to obtain the target product.

상술한 스킴(1)∼(5)이 본 발명의 다환 방향족 화합물의 대표 화합물의 제조 방법이며, 그 밖의 화합물도, 이 유사 방법으로 합성할 수 있다. 또한, 본 발명의 다환 방향족 화합물에는, 적어도 일부의 수소가 중수소, 시아노, 또는 할로겐으로 치환되어 있는 화합물도 포함되는데, 이러한 화합물 등은 원하는 위치가 중수소화, 시아노화, 불소화 또는 염소화 등의 할로겐화된 원료를 사용함으로써, 상기와 마찬가지로 제조할 수 있다.Schemes (1) to (5) described above are methods for producing representative compounds of the polycyclic aromatic compounds of the present invention, and other compounds can also be synthesized by similar methods. The polycyclic aromatic compounds of the present invention also include compounds in which at least a portion of hydrogen is substituted with deuterium, cyano, or halogen. In such compounds, the desired position is deuterated, cyanated, fluorinated, or halogenated such as chlorinated. By using the prepared raw material, it can be manufactured in the same way as above.

3. 유기 3. organic 디바이스device

본 발명에 관한 다환 방향족 화합물은, 유기 디바이스용 재료로서 사용할 수 있다. 유기 디바이스로서는, 예를 들면, 유기 전계 발광 소자, 유기 전계 효과 트랜지스터 또는 유기 박막 태양 전지 등을 들 수 있다.The polycyclic aromatic compound according to the present invention can be used as a material for organic devices. As an organic device, an organic electroluminescent element, an organic field effect transistor, or an organic thin-film solar cell etc. are mentioned, for example.

3-1. 유기 3-1. abandonment 전계electric field 발광 소자 light emitting element

이하에, 본 실시형태에 관한 유기 EL 소자에 대해서 도면에 기초하여 상세에 설명한다. 도 1은, 본 실시형태에 관한 유기 EL 소자를 나타내는 개략 단면도이다.Hereinafter, the organic EL element according to the present embodiment will be described in detail based on the drawings. 1 is a schematic cross-sectional view showing an organic EL element according to this embodiment.

<유기 전계 발광 소자의 구조><Structure of organic electroluminescent device>

도 1에 나타낸 유기 EL 소자(100)는, 기판(101)과, 기판(101) 상에 설치된 양극(102)과, 양극(102) 상에 설치된 정공 주입층(103)과, 정공 주입층(103) 상에 설치된 정공 수송층(104)과, 정공 수송층(104) 상에 설치된 발광층(105)과, 발광층(105) 상에 설치된 전자 수송층(106)과, 전자 수송층(106) 상에 설치된 전자 주입층(107)과, 전자 주입층(107) 상에 설치된 음극(108)을 갖는다.The organic EL device 100 shown in FIG. 1 includes a substrate 101, an anode 102 provided on the substrate 101, a hole injection layer 103 provided on the anode 102, and a hole injection layer ( 103), the hole transport layer 104 provided on the hole transport layer 104, the light emitting layer 105 provided on the hole transport layer 104, the electron transport layer 106 provided on the light emitting layer 105, and the electron injection provided on the electron transport layer 106 It has a layer (107) and a cathode (108) provided on the electron injection layer (107).

또한, 유기 EL 소자(100)는, 제작 순서를 반대로 하여, 예를 들면, 기판(101)과, 기판(101) 상에 설치된 음극(108)과, 음극(108) 상에 설치된 전자 주입층(107)과, 전자 주입층(107) 상에 설치된 전자 수송층(106)과, 전자 수송층(106) 상에 설치된 발광층(105)과, 발광층(105) 상에 설치된 정공 수송층(104)과, 정공 수송층(104) 상에 설치된 정공 주입층(103)과, 정공 주입층(103) 상에 설치된 양극(102)을 가지는 구성으로 해도 된다. In addition, the organic EL element 100 is manufactured by reversing the manufacturing order, for example, the substrate 101, the cathode 108 provided on the substrate 101, and the electron injection layer provided on the cathode 108 ( 107), an electron transport layer 106 provided on the electron injection layer 107, a light emitting layer 105 provided on the electron transport layer 106, a hole transport layer 104 provided on the light emitting layer 105, and a hole transport layer It is good also as a structure which has the hole injection layer 103 provided on 104, and the anode 102 provided on the hole injection layer 103.

상기 각 층 모두가 없으면 안되는 것은 아니고, 최소 구성 단위를 양극(102)과 발광층(105)과 음극(108)으로 이루어지는 구성으로 하고, 정공 주입층(103), 정공 수송층(104), 전자 수송층(106), 전자 주입층(107)은 임의로 설치되는 층이다. 또한, 상기 각 층은, 각각 단일층으로 이루어져도 되고, 복수층으로 이루어져도 된다.It is not necessary to have all of the above layers, and the minimum structural unit is composed of an anode 102, a light emitting layer 105, and a cathode 108, and the hole injection layer 103, the hole transport layer 104, and the electron transport layer ( 106), the electron injection layer 107 is an arbitrarily provided layer. In addition, each said layer may consist of a single layer, respectively, and may consist of multiple layers.

유기 EL 소자를 구성하는 층의 양태로서는, 상술하는 「기판/양극/정공 주입층/정공 수송층/발광층/전자 수송층/전자 주입층/음극」의 구성 양태의 이외에, 「기판/양극/정공 수송층/발광층/전자 수송층/전자 주입층/음극」, 「기판/양극/정공 주입층/발광층/전자 수송층/전자 주입층/음극」, 「기판/양극/정공 주입층/정공 수송층/발광층/전자 주입층/음극」, 「기판/양극/정공 주입층/정공 수송층/발광층/전자 수송층/음극」, 「기판/양극/발광층/전자 수송층/전자 주입층/음극」, 「기판/양극/정공 수송층/발광층/전자 주입층/음극」, 「기판/양극/정공 수송층/발광층/전자 수송층/음극」, 「기판/양극/정공 주입층/발광층/전자 주입층/음극」, 「기판/양극/정공 주입층/발광층/전자 수송층/음극」, 「기판/양극/발광층/전자 수송층/음극」, 「기판/양극/발광층/전자 주입층/음극」의 구성 양태여도 된다. As an aspect of the layer constituting the organic EL element, in addition to the constitutional aspect of the above-described "substrate/anode/hole injection layer/hole transport layer/light emitting layer/electron transport layer/electron injection layer/cathode", "substrate/anode/hole transport layer/ Emitting layer/electron transport layer/electron injection layer/cathode", "substrate/anode/hole injection layer/emission layer/electron transport layer/electron injection layer/cathode", "substrate/anode/hole injection layer/hole transport layer/emission layer/electron injection layer" / cathode", "substrate/anode/hole injection layer/hole transport layer/emission layer/electron transport layer/cathode", "substrate/anode/emission layer/electron transport layer/electron injection layer/cathode", "substrate/anode/hole transport layer/emission layer" /electron injection layer/cathode", "substrate/anode/hole transport layer/light emitting layer/electron transport layer/cathode", "substrate/anode/hole injection layer/light emitting layer/electron injection layer/cathode", "substrate/anode/hole injection layer" /Light emitting layer/electron transport layer/cathode”, “substrate/anode/light emitting layer/electron transport layer/cathode”, or “substrate/anode/light emitting layer/electron injection layer/cathode” may be used.

유기 EL 소자는 나아가 전자 저지층(전자 블로킹층) 및 정공 저지층(정공 블로킹층)에서 선택되는 어느 하나 또는 쌍방을 가지고 있어도 된다. 전자 저지층은 발광층보다 얕은 LUMO 및 발광층 또는 정공 수송층과 가까운 HOMO를 가지고, 발광층과 정공 수송층의 사이에 배치된다. 전자가 발광층 내에 머물러 정공 수송층으로 누출되지 않기 때문에, 정공 수송층의 열화에 의한 단수명화와 재결합 효율 저하에 의한 효율의 저하를 막을 수 있다. 정공 저지층은 발광층보다 깊은 HOMO 및 발광층 또는 정공 수송층과 가까운 LUMO를 가지고, 발광층과 전자 수송층의 사이에 배치된다. 정공이 발광층 내에 머물러 전자 수송층으로 누출되지 않기 때문에, 전자 수송층의 열화에 의한 단수명화와 재결합 효율 저하에 의한 효율의 저하를 막을 수 있다. 정공 주입·수송층이 전자 저지층을 겸하고 있어도 된다. 전자 주입·수송층이 정공 저지층을 겸하고 있어도 된다.The organic EL element may further have any one or both selected from an electron blocking layer (electron blocking layer) and a hole blocking layer (hole blocking layer). The electron blocking layer has a LUMO shallower than that of the light emitting layer and a HOMO close to that of the light emitting layer or the hole transport layer, and is disposed between the light emitting layer and the hole transport layer. Since electrons stay in the light emitting layer and do not leak into the hole transport layer, shortening of life due to deterioration of the hole transport layer and decrease in efficiency due to reduction in recombination efficiency can be prevented. The hole blocking layer has a HOMO deeper than that of the light emitting layer and a LUMO close to that of the light emitting layer or the hole transporting layer, and is disposed between the light emitting layer and the electron transporting layer. Since the holes stay in the light emitting layer and do not leak into the electron transport layer, shortening of life due to deterioration of the electron transport layer and decrease in efficiency due to reduction in recombination efficiency can be prevented. The hole injection/transport layer may also serve as an electron blocking layer. The electron injection/transport layer may also serve as a hole blocking layer.

유기 EL 소자는 고T1층을 더 가지고 있어도 된다. 고T1층은, 발광층에 사용되는 호스트 화합물, 어시스팅 도펀트 화합물 또는 이미팅 도펀트 화합물보다 높은 T1을 가지고, 발광층과 정공 수송층의 사이 및/또는 발광층과 전자 저지층의 사이에 배치된다. T1 에너지의 값은 소자의 발광 기구에 따라 다르지만, 호스트에 사용되는 화합물보다 높은 T1을 가진다. 발광층의 주위에 고T1층을 가짐으로써, 삼중항 에너지를 가두어, 통상 형광 분자에서는 발광으로 연결되지 않는 삼중항 에너지를 일중항 에너지로 변환하여, 높은 효율을 얻을 수 있다. 정공 주입·수송층 또는 전자 저지층이 고T1층을 겸하고 있어도 된다. 전자 주입·수송층 또는 정공 저지층이 고T1층을 겸하고 있어도 된다.The organic EL element may further have a high T1 layer. The high T1 layer has a T1 higher than that of the host compound, assisting dopant compound or emitting dopant compound used in the light emitting layer, and is disposed between the light emitting layer and the hole transport layer and/or between the light emitting layer and the electron blocking layer. The value of T1 energy varies depending on the light emission mechanism of the device, but has a higher T1 than the compound used for the host. By having a high T1 layer around the light emitting layer, the triplet energy is confined and the triplet energy, which is not normally converted to light emission in fluorescent molecules, is converted into singlet energy, so that high efficiency can be obtained. The hole injection/transport layer or the electron blocking layer may serve as the high T1 layer. The electron injection/transport layer or the hole blocking layer may serve as the high T1 layer.

본 발명의 다환 방향족 화합물은, 유기 전계 발광 소자용 재료로서 사용하는 것이 바람직하다. 일반적으로, 도너 구조를 가지는 화합물은 발광층에 있어서의 정공 수송성 호스트 재료 및 정공 수송층에 사용할 수 있고, 억셉터 구조를 가지는 화합물은 전자 수송성 호스트 재료 및 전자 수송층에 사용할 수 있고, 도너 구조 및 억셉터 구조를 모두 가지는 화합물은 정공 수송층, 발광층에 있어서의 호스트 및 전자 수송층의 어느 것에도 사용할 수 있다. 도너 구조 및 억셉터 구조는, 예를 들면, Advanced Functional Materials 2020, 2008332 등을 참고로 할 수 있다. 보다 구체적으로는, 도너 구조는, 트리아릴아민 구조 및 카르바졸 구조를 들 수 있고, 억셉터 구조는, 트리아진 구조, 피리미딘 구조 및 피리딘 구조를 들 수 있다. 본 발명에 관한 다환 방향족 화합물은 가지고 있는 부분 구조에 따라, 발광층에 있어서의 호스트 재료, 정공 수송층 재료, 전자 수송층 재료 등으로서 사용할 수 있다.The polycyclic aromatic compound of the present invention is preferably used as a material for an organic electroluminescent device. In general, a compound having a donor structure can be used for a hole transporting host material and a hole transporting layer in a light emitting layer, and a compound having an acceptor structure can be used for an electron transporting host material and an electron transporting layer, and a donor structure and an acceptor structure A compound having both can be used for any of the host and electron transport layer in a hole transport layer and a light emitting layer. For the donor structure and the acceptor structure, reference may be made to, for example, Advanced Functional Materials 2020, 2008332, and the like. More specifically, the donor structure includes a triarylamine structure and a carbazole structure, and the acceptor structure includes a triazine structure, a pyrimidine structure, and a pyridine structure. The polycyclic aromatic compound according to the present invention can be used as a host material, a hole transport layer material, an electron transport layer material, or the like in a light emitting layer depending on the partial structure it has.

<유기 전계 발광 소자에 있어서의 기판><Substrate in organic electroluminescence device>

기판(101)은, 유기 EL 소자(100)의 지지체이며, 통상, 석영, 유리, 금속, 플라스틱 등이 사용된다. 기판(101)은, 목적에 따라 판상, 필름상, 또는 시트상으로 형성되고, 예를 들면, 유리판, 금속판, 금속박, 플라스틱 필름, 플라스틱 시트 등이 사용된다. 그 중에서도, 유리판, 및, 폴리에스테르, 폴리메타크릴레이트, 폴리카보네이트, 폴리설폰 등의 투명한 합성 수지제의 판이 바람직하다. 유리 기판인 경우에는, 소다 석회 유리나 무알칼리 유리 등이 사용되며, 또한, 두께도 기계적 강도를 유지하는 데에 충분한 두께가 있으면 된다. 또한, 기판(101)에는, 가스 배리어성을 높이기 위해, 적어도 편면(片面)에 치밀한 실리콘 산화막 등의 가스 배리어 막을 형성해도 되고, 특히 가스 배리어성이 낮은 합성 수지제의 판, 필름 또는 시트를 기판(101)으로서 사용하는 경우에는 가스 배리어 막을 형성하는 것이 바람직하다. The substrate 101 is a support for the organic EL element 100, and usually quartz, glass, metal, plastic or the like is used. The substrate 101 is formed in the shape of a plate, film, or sheet depending on the purpose, and for example, a glass plate, a metal plate, a metal foil, a plastic film, a plastic sheet, or the like is used. Especially, a glass plate and a board made of transparent synthetic resins, such as polyester, polymethacrylate, polycarbonate, and polysulfone, are preferable. In the case of a glass substrate, soda-lime glass, non-alkali glass, etc. are used, and thickness should just have enough thickness to maintain mechanical strength. In addition, a gas barrier film such as a dense silicon oxide film may be formed on at least one side of the substrate 101 to improve gas barrier properties, and in particular, a plate, film or sheet made of synthetic resin having low gas barrier properties is used as the substrate. When used as (101), it is preferable to form a gas barrier film.

<유기 전계 발광 소자에 있어서의 양극><Anode in Organic Electroluminescence Device>

양극(102)은, 발광층(105)에 정공을 주입하는 역할을 한다. 한편, 양극(102)과 발광층(105)의 사이에 정공 주입층(103) 및 정공 수송층(104) 중 적어도 하나의 층이 설치되어 있는 경우에는, 이들을 통해 발광층(105)에 정공을 주입하게 된다.The anode 102 serves to inject holes into the light emitting layer 105 . Meanwhile, when at least one of the hole injection layer 103 and the hole transport layer 104 is provided between the anode 102 and the light emitting layer 105, holes are injected into the light emitting layer 105 through them. .

양극(102)을 형성하는 재료로서는, 무기 화합물 및 유기 화합물을 들 수 있다. 무기 화합물로서는, 예를 들면, 금속(알루미늄, 금, 은, 니켈, 팔라듐, 크롬 등), 금속 산화물(인듐의 산화물, 주석의 산화물, 인듐-주석 산화물(ITO), 인듐-아연 산화물(IZO) 등), 할로겐화 금속(요오드화 구리 등), 황화 구리, 카본블랙, ITO 유리나 네사 유리 등을 들 수 있다. 유기 화합물로서는, 예를 들면, 폴리(3-메틸티오펜) 등의 폴리티오펜, 폴리피롤, 폴리아닐린 등의 도전성 폴리머 등을 들 수 있다. 그 밖에, 유기 EL 소자의 양극으로서 사용되고 있는 물질 중에서 적절히 선택하여 사용할 수 있다.Materials forming the anode 102 include inorganic compounds and organic compounds. Examples of the inorganic compound include metals (aluminum, gold, silver, nickel, palladium, chromium, etc.), metal oxides (indium oxide, tin oxide, indium-tin oxide (ITO), indium-zinc oxide (IZO)) etc.), metal halides (such as copper iodide), copper sulfide, carbon black, ITO glass and Nessa glass. As an organic compound, conductive polymers, such as polythiophene, such as poly(3-methylthiophene), polypyrrole, and polyaniline, etc. are mentioned, for example. In addition, it can be used suitably selected from materials used as anodes of organic EL elements.

<유기 전계 발광 소자에 있어서의 정공 주입층, 정공 수송층><Hole Injection Layer, Hole Transport Layer in Organic Electroluminescent Device>

정공 주입층(103)은, 양극(102)으로부터 이동해 오는 정공을, 효율적으로 발광층(105) 내 또는 정공 수송층(104) 내로 주입하는 역할을 한다. 정공 수송층(104)은, 양극(102)으로부터 주입된 정공 또는 양극(102)으로부터 정공 주입층(103)을 통해 주입된 정공을, 효율적으로 발광층(105)으로 수송하는 역할을 한다. 정공 주입층(103) 및 정공 수송층(104)은, 각각, 정공 주입·수송 재료의 1종 또는 2종 이상을 적층 또는 혼합에 의해 형성된다. 또한, 정공 주입·수송 재료에 염화철(III)과 같은 무기염을 첨가하여 층을 형성해도 된다.The hole injection layer 103 serves to efficiently inject holes moving from the anode 102 into the light emitting layer 105 or into the hole transport layer 104 . The hole transport layer 104 serves to efficiently transport holes injected from the anode 102 or holes injected from the anode 102 through the hole injection layer 103 to the light emitting layer 105 . The hole injection layer 103 and the hole transport layer 104 are formed by laminating or mixing one type or two or more types of hole injection/transport materials, respectively. Alternatively, a layer may be formed by adding an inorganic salt such as iron (III) chloride to the hole injection/transport material.

정공 주입·수송성 물질로서는 전계가 가해진 전극 사이에서 정극(正極)으로부터의 정공을 효율적으로 주입·수송하는 것이 필요하고, 정공 주입 효율이 높고, 주입된 정공을 효율적으로 수송하는 것이 바람직하다. 그러기 위해서는 이온화 포텐셜이 작고, 게다가 정공 이동도가 크고, 나아가 안정성이 우수하며, 트랩이 되는 불순물이 제조시 및 사용시에 발생하기 어려운 물질인 것이 바람직하다. 정공 수송층용의 재료로서, 본 발명의 다환 방향족 화합물을 사용하는 것도 바람직하다. As the hole injection/transport material, it is necessary to efficiently inject/transport holes from the positive electrode between electrodes to which an electric field is applied, and it is preferable to have high hole injection efficiency and efficiently transport the injected holes. For this purpose, it is preferable that the material has a small ionization potential, a high hole mobility, and excellent stability, and is difficult to generate trap impurities during production and use. As a material for the hole transport layer, it is also preferable to use the polycyclic aromatic compound of the present invention.

정공 주입층(103) 및 정공 수송층(104)을 형성하는 재료로서는, 광도전 재료에 있어서, 정공의 전하 수송 재료로서 종래부터 관용되고 있는 화합물, p형 반도체, 유기 EL 소자의 정공 주입층 및 정공 수송층에 사용되고 있는 공지의 화합물 중에서 임의의 화합물을 선택하여 사용할 수 있다. 이들의 구체예는, 카르바졸 유도체(N-페닐카르바졸, 폴리비닐카르바졸 등), 비스(N-아릴카르바졸) 또는 비스(N-알킬카르바졸) 등의 비스카르바졸 유도체, 트리아릴아민 유도체(방향족 제3급 아미노를 주사슬 또는 측사슬에 갖는 폴리머, 1,1-비스(4-디-p-톨릴아미노페닐)시클로헥산, N,N'-디페닐-N,N'-디(3-메틸페닐)-4,4'-디아미노비페닐, N,N'-디페닐-N,N'-디나프틸-4,4'-디아미노비페닐, N,N'-디페닐-N,N'-디(3-메틸페닐)-4,4'-디페닐-1,1'-디아민, N,N'-디나프틸-N,N'-디페닐-4,4'-디페닐-1,1'-디아민, N4,N4 '-디페닐-N4,N4'-비스(9-페닐-9H-카르바졸-3-일)-[1,1'-비페닐]-4,4'-디아민, N4,N4,N4 ',N4'-테트라[1,1'-비페닐]-4-일)-[1,1'-비페닐]-4,4'-디아민, 4,4',4"-트리스(3-메틸페닐(페닐)아미노)트리페닐아민 등의 트리페닐아민 유도체, 스타버스트아민 유도체 등), 스틸벤 유도체, 프탈로시아닌 유도체(무금속, 구리 프탈로시아닌 등), 피라졸린 유도체, 히드라존계 화합물, 벤조푸란 유도체나 티오펜 유도체, 옥사디아졸 유도체, 퀴녹살린 유도체(예를 들면, 1,4,5,8,9,12-헥사아자트리페닐렌-2,3,6,7,10,11-헥사카르보니트릴 등), 포르피린 유도체 등의 복소환 화합물, 폴리실란 등이다. 폴리머계에서는 상기 단량체를 측사슬에 갖는 폴리카보네이트나 스티렌 유도체, 폴리비닐카르바졸 및 폴리실란 등이 바람직하지만, 발광 소자의 제작에 필요한 박막을 형성하고, 양극으로부터 정공을 주입할 수 있으며, 나아가 정공을 수송할 수 있는 화합물이라면 특별히 한정되지 않는다.As the material forming the hole injection layer 103 and the hole transport layer 104, in the photoconductive material, a compound conventionally used as a hole charge transport material, a p-type semiconductor, a hole injection layer of an organic EL device, and a hole Any compound may be selected and used from known compounds used in the transport layer. Specific examples thereof include carbazole derivatives (N-phenylcarbazole, polyvinylcarbazole, etc.), biscarbazole derivatives such as bis(N-arylcarbazole) or bis(N-alkylcarbazole), triarylamine Derivatives (polymers having aromatic tertiary aminos in the main or side chains, 1,1-bis(4-di-p-tolylaminophenyl)cyclohexane, N,N'-diphenyl-N,N'-di (3-methylphenyl)-4,4'-diaminobiphenyl, N,N'-diphenyl-N,N'-dinaphthyl-4,4'-diaminobiphenyl, N,N'-diphenyl -N,N'-di(3-methylphenyl)-4,4'-diphenyl-1,1'-diamine, N,N'-dinaphthyl-N,N'-diphenyl-4,4'- Diphenyl-1,1'-diamine, N 4 ,N 4 ' -diphenyl-N 4 ,N 4' -bis(9-phenyl-9H-carbazol-3-yl)-[1,1'-bi phenyl] -4,4'-diamine, N 4 ,N 4 ,N 4 ' ,N 4' -tetra[1,1'-biphenyl]-4-yl)-[1,1'-biphenyl]- Triphenylamine derivatives such as 4,4'-diamine, 4,4',4"-tris(3-methylphenyl(phenyl)amino)triphenylamine, starburstamine derivatives, etc.), stilbene derivatives, phthalocyanine derivatives (no metals, copper phthalocyanine, etc.), pyrazoline derivatives, hydrazone-based compounds, benzofuran derivatives or thiophene derivatives, oxadiazole derivatives, quinoxaline derivatives (e.g., 1,4,5,8,9,12-hexaaza triphenylene-2,3,6,7,10,11-hexacarbonitrile, etc.), heterocyclic compounds such as porphyrin derivatives, polysilanes, etc. In the polymer system, polycarbonates or styrene derivatives having the above monomers in their side chains , polyvinylcarbazole, polysilane, etc. are preferable, but it is not particularly limited as long as it is a compound capable of forming a thin film necessary for manufacturing a light emitting device, injecting holes from an anode, and transporting holes.

또한, 유기 반도체의 도전성은, 그 도핑에 의해, 강한 영향을 받는 것도 알려져 있다. 이와 같은 유기 반도체 매트릭스 물질은, 전자 공여성이 양호한 화합물, 또는, 전자 수용성이 양호한 화합물로 구성되어 있다. 전자 공여 물질의 도핑을 위해, 테트라시아노퀴논디메탄(TCNQ) 또는 2,3,5,6-테트라플루오로테트라시아노-1,4-벤조퀴논디메탄(F4TCNQ) 등의 강한 전자 수용체가 알려져 있다(예를 들면, 문헌 「M.Pfeiffer, A.Beyer, T.Fritz, K.Leo, Appl.Phys.Lett., 73(22), 3202-3204(1998)」 및 문헌 「J.Blochwitz, M.Pfeiffer, T.Fritz, K.Leo, Appl.Phys.Lett., 73(6), 729-731(1998)」을 참조). 이들은, 전자 공여형 베이스 물질(정공 수송 물질)에 있어서의 전자 이동 프로세스에 의해, 이른바 정공을 생성한다. 정공의 수 및 이동도에 따라, 베이스 물질의 전도성이, 상당히 크게 변화된다. 정공 수송 특성을 갖는 매트릭스 물질로서는, 예를 들면 벤지딘 유도체(TPD 등) 또는 스타버스트아민 유도체(TDATA 등), 또는, 특정한 금속 프탈로시아닌(특히, 아연 프탈로시아닌(ZnPc) 등)이 알려져 있다(일본특허공개 2005-167175호 공보). It is also known that the conductivity of an organic semiconductor is strongly influenced by its doping. Such an organic semiconductor matrix material is composed of a compound having good electron donating property or a compound having good electron accepting property. For doping of electron donor materials, strong electron acceptors such as tetracyanoquinonedimethane (TCNQ) or 2,3,5,6-tetrafluorotetracyano-1,4-benzoquinonedimethane (F4TCNQ) are used. known (see, for example, M. Pfeiffer, A. Beyer, T. Fritz, K. Leo, Appl. Phys. Lett., 73(22), 3202-3204 (1998) and J. Blochwitz , M. Pfeiffer, T. Fritz, K. Leo, Appl. Phys. Lett., 73(6), 729-731 (1998)). These generate so-called holes by an electron transfer process in an electron donating base material (hole transport material). Depending on the number and mobility of holes, the conductivity of the base material varies considerably. As matrix materials having hole transport properties, for example, benzidine derivatives (TPD, etc.) or starburstamine derivatives (TDATA, etc.), or specific metal phthalocyanines (particularly, zinc phthalocyanine (ZnPc), etc.) are known (Japanese Patent Publication) Publication No. 2005-167175).

상술한 정공 주입층용 재료 및 정공 수송층용 재료는, 이들에 반응성 치환기가 치환한 반응성 화합물을 모노머로 하여 고분자화시킨 고분자 화합물, 또는 그 고분자 가교체, 또는, 주사슬형 고분자와 상기 반응성 화합물을 반응시킨 펜던트형 고분자 화합물, 또는 그 펜던트형 고분자 가교체로서도, 정공층용 재료에 사용할 수 있다.The material for the hole injection layer and the material for the hole transport layer described above are a polymer compound obtained by polymerizing a reactive compound substituted with a reactive substituent as a monomer, or a crosslinked polymer thereof, or a main chain polymer and the reactive compound reacted A pendant-type polymer compound or a pendant-type polymer crosslinked product thereof can also be used for the hole layer material.

<유기 전계 발광 소자에 있어서의 발광층><Light-emitting layer in organic electroluminescent device>

발광층(105)은, 전계가 부여된 전극 사이에 있어서, 양극(102)으로부터 주입된 정공과, 음극(108)으로부터 주입된 전자를 재결합시킴으로써 발광하는 층이다. 발광층(105)을 형성하는 재료로서는, 정공과 전자의 재결합에 의해 여기되어 발광하는 화합물(발광성 화합물)이면 되고, 안정된 박막 형상을 형성할 수 있으며, 또한, 고체 상태에서 강한 발광(형광) 효율을 나타내는 화합물인 것이 바람직하다. 본 발명의 다환 방향족 화합물은 발광층용의 재료로서 사용하는 것도 바람직하다. The light-emitting layer 105 is a layer that emits light by recombination of holes injected from the anode 102 and electrons injected from the cathode 108 between electrodes to which an electric field is applied. The material for forming the light emitting layer 105 may be a compound (luminescent compound) that is excited by recombination of holes and electrons and emits light. It is preferable that it is a compound which shows. It is also preferable to use the polycyclic aromatic compound of the present invention as a material for a light emitting layer.

발광층은 단일층이라도 되고 복수층으로 이루어져 있어도 어느 것이라도 되고, 각각 발광층용 재료(호스트 재료, 도펀트 재료)에 의해 형성된다. 호스트 재료와 도펀트 재료는, 각각 1종류여도, 복수의 조합이어도, 어느 것이라도 된다. 도펀트 재료는 호스트 재료의 전체에 포함되어 있어도, 부분적으로 포함되어 있어도, 어느 것이어도 된다. 도핑 방법으로서는, 호스트 재료와의 공증착법에 의해 형성할 수 있지만, 호스트 재료와 미리 혼합하고 나서 동시에 증착하거나, 유기 용매와 함께 호스트 재료와 미리 혼합하고 나서 습식 성막법에 의해 제막하거나 해도 된다.The light emitting layer may be either a single layer or a plurality of layers, and each is formed of a light emitting layer material (host material, dopant material). The host material and the dopant material may be of one type, a combination of a plurality of materials, or any of them. The dopant material may be included in the entire host material, or partially included, or any of them may be used. As the doping method, it can be formed by co-evaporation with the host material, but it may be deposited simultaneously after mixing with the host material in advance, or formed into a film by wet film forming after mixing with the host material in advance with an organic solvent.

호스트 재료의 사용량은 호스트 재료의 종류에 따라 다르며, 그 호스트 재료의 특성에 맞춰 결정하면 된다. 호스트 재료의 사용량의 기준은, 바람직하게는 발광층용 재료 전체 질량에 대해 50∼99.999질량%이며, 보다 바람직하게는 80∼99.95질량%이며, 보다 더 바람직하게는 90∼99.9질량%이다.The amount of host material used varies depending on the type of host material, and may be determined according to the characteristics of the host material. The standard for the amount of host material used is preferably 50 to 99.999% by mass, more preferably 80 to 99.95% by mass, still more preferably 90 to 99.9% by mass with respect to the total mass of the material for the light emitting layer.

도펀트 재료의 사용량은 도펀트 재료의 종류에 따라 다르며, 그 도펀트 재료의 특성에 맞춰 결정하면 된다. 도펀트 재료의 사용량의 기준은, 바람직하게는 발광층용 재료 전체 질량에 대해 0.001∼50질량%이며, 보다 바람직하게는 0.05∼20질량%이며, 보다 더 바람직하게는 0.1∼10질량%이다. 상기의 범위이면, 예를 들면, 농도 소광 현상을 방지할 수 있다는 점에서 바람직하다. 또한, 내구성의 관점에서, 도펀트 재료의 수소는 일부 또는 전부가 중수소화되어 있는 것도 바람직하다.The amount of dopant material used varies depending on the type of dopant material, and may be determined according to the characteristics of the dopant material. The reference amount of the dopant material used is preferably 0.001 to 50% by mass, more preferably 0.05 to 20% by mass, still more preferably 0.1 to 10% by mass with respect to the total mass of the material for the light emitting layer. The above range is preferable in that, for example, the concentration quenching phenomenon can be prevented. From the standpoint of durability, it is also preferable that part or all of the hydrogen in the dopant material is deuterated.

도펀트 재료로서는, 이미팅 도펀트와 어시스팅 도펀트 재료를 사용해도 된다. 어시스팅 도펀트 재료로서는 열활성형 지연 형광 재료를 사용하는 것이 바람직하다. 어시스팅 도펀트 재료를 사용한 유기 전계 발광 소자에 있어서는, 이미팅 도펀트 재료의 사용량은 저농도인 것이 농도 소광 현상을 방지할 수 있다는 점에서 바람직하다. 어시스팅 도펀트 재료의 사용량이 고농도인 것이 열활성형 지연 형광 기구의 효율의 점에서는 바람직하다. 또한, 열활성형 지연 형광 어시스팅 도펀트 재료를 사용한 유기 전계 발광 소자에 있어서는, 어시스팅 도펀트 재료의 열활성형 지연 형광 기구의 효율의 점에서는, 어시스팅 도펀트 재료의 사용량에 비해 이미팅 도펀트 재료의 사용량이 저농도인 것이 바람직하다.As the dopant material, you may use an emitting dopant and an assisting dopant material. As the assisting dopant material, it is preferable to use a thermally activated delayed fluorescent material. In an organic EL device using an assisting dopant material, it is preferable that the amount of the emitting dopant material used is low in concentration to prevent concentration quenching. A high concentration of the assisting dopant material is preferred from the viewpoint of the efficiency of the thermally activated delayed fluorescence device. In addition, in an organic electroluminescent device using a thermally activated delayed fluorescence assisting dopant material, in terms of the efficiency of the thermally activated delayed fluorescence mechanism of the assisting dopant material, the amount of the assisting dopant material is compared to the amount of the assisting dopant material. It is preferable that the amount used is low concentration.

어시스팅 도펀트 재료가 사용되는 경우에 있어서의, 호스트 재료, 어시스팅 도펀트 재료 및 이미팅 도펀트 재료의 사용량의 기준은, 각각, 발광층용 재료 전체 질량에 대하여 40∼99질량%, 59∼1질량% 및 20∼0.001질량%이며, 바람직하게는, 각각, 60∼95질량%, 39∼5질량% 및 10∼0.01질량%이며, 보다 바람직하게는, 70∼90질량%, 29∼10질량% 및 5∼0.05질량%이다. In the case where an assisting dopant material is used, the standards for the amounts of the host material, the assisting dopant material, and the emitting dopant material used are 40 to 99% by mass and 59 to 1% by mass, respectively, with respect to the total mass of the material for the light emitting layer. and 20 to 0.001% by mass, preferably 60 to 95% by mass, 39 to 5% by mass and 10 to 0.01% by mass, more preferably 70 to 90% by mass, 29 to 10% by mass and It is 5-0.05 mass %.

<호스트 재료><Host Material>

호스트 재료로서는, 이전부터 발광체로서 알려져 있었던 안트라센이나 피렌 등의 축합환 유도체, 비스스티릴안트라센 유도체나 디스티릴벤젠 유도체 등의 비스스티릴 유도체, 테트라페닐부타디엔 유도체, 시클로펜타디엔 유도체, 플루오렌 유도체, 벤조플루오렌 유도체, N-페닐카르바졸 유도체, 카르바조니트릴 유도체 등을 들 수 있다.As the host material, condensed ring derivatives such as anthracene and pyrene, bisstyryl derivatives such as bisstyrylanthracene derivatives and distyrylbenzene derivatives, tetraphenylbutadiene derivatives, cyclopentadiene derivatives, fluorene derivatives, Benzofluorene derivatives, N-phenylcarbazole derivatives, carbazonitrile derivatives, etc. are mentioned.

호스트 재료의 삼중항 에너지는, 발광층 내에서의 TADF의 발생을 저해하지 않고 촉진시키는 관점에서, 발광층 내에 있어서 가장 높은 삼중항 에너지를 가지는 도펀트 또는 어시스팅 도펀트의 삼중항 에너지에 비해 높은 것이 바람직하고, 구체적으로는, 호스트 재료의 삼중항 에너지는, 0.01eV 이상이 바람직하고, 0.03eV 이상이 보다 바람직하고, 0.1eV 이상이 보다 더 바람직하다. 또한, 호스트 재료에 TADF 활성인 화합물을 사용해도 된다.The triplet energy of the host material is preferably higher than the triplet energy of the dopant or assisting dopant having the highest triplet energy in the light emitting layer from the viewpoint of promoting the generation of TADF in the light emitting layer without hindering it, Specifically, the triplet energy of the host material is preferably 0.01 eV or higher, more preferably 0.03 eV or higher, and still more preferably 0.1 eV or higher. Further, a compound having TADF activity may be used for the host material.

호스트 재료는, 1종류여도 되고, 복수의 조합이어도 된다. 복수의 조합인 경우, 정공 수송성 호스트 재료와 전자 수송성 호스트 재료의 조합인 것이 바람직하다.One type of host material may be sufficient as it, and a some combination may be sufficient as it. In the case of a plurality of combinations, a combination of a hole-transporting host material and an electron-transporting host material is preferable.

본 발명의 다환 방향족 화합물은 호스트 재료로서 바람직하게 사용할 수 있다. 본 발명의 다환 방향족 화합물은 단독으로 사용해도 되고, 정공 수송성 호스트 재료로서 사용해도 되고, 전자 수송성 호스트 재료로서 사용해도 된다.The polycyclic aromatic compound of the present invention can be preferably used as a host material. The polycyclic aromatic compound of the present invention may be used alone, may be used as a hole-transporting host material, or may be used as an electron-transporting host material.

[정공 수송성 호스트 재료(HH)][Hole-transporting host material (HH)]

바람직한 정공 수송성 호스트 재료(HH)의 예로서는, 본 발명의 다환 방향족 화합물 이외에, 식(HH-1)으로 나타내어지는 화합물 및 식(HH-1)으로 나타내어지는 부분 구조를 가지는 화합물을 들 수 있다. Examples of preferable hole-transporting host materials (HH) include, in addition to the polycyclic aromatic compounds of the present invention, compounds represented by formula (HH-1) and compounds having partial structures represented by formula (HH-1).

Figure pat00029
Figure pat00029

식(HH-1)에 있어서, In formula (HH-1),

Q는, >O, >S, 또는, >N-A이며, Q is >O, >S, or >N-A;

식(HH-1)에 있어서의 2개의 페닐 각각에 있어서의 Q가 결합하는 탄소 원자와 이웃하는 1개의 탄소 원자는, 서로, L로 결합하고 있어도 되고,The carbon atom to which Q is bonded in each of the two phenyls in the formula (HH-1) and the adjacent one carbon atom may be bonded to each other by L,

L은, 단결합, >O, >S 또는 >C(-A)2이며, L is a single bond, >O, >S or >C(-A) 2 ,

A는, 수소, 아릴, 헤테로아릴, 디아릴아미노, 알킬, 시클로알킬, 알콕시 또는 아릴옥시이며, >C(-A)2에 있어서의 2개의 A는 서로 결합하여, 아릴, 헤테로아릴, 시클로알킬을 형성해도 된다. A is hydrogen, aryl, heteroaryl, diarylamino, alkyl, cycloalkyl, alkoxy or aryloxy, and the two A's in >C(-A) 2 are bonded to each other to form aryl, heteroaryl, cycloalkyl may form

정공 수송성 호스트 재료가 식(HH-1)으로 나타내어지는 구조를 부분 구조로서 포함할 때, 이 부분 구조를 하나 포함하는 것이어도 되지만 2개 이상 포함하는 것도 바람직하다. 2개 이상 포함하는 경우, 그 2개 이상의 부분 구조는 서로 동일해도 되고 달라도 된다. 2개 이상의 부분 구조는 서로 단결합으로 결합하고 있어도 되고, 부분 구조에 포함되는 임의의 환을 공유하도록 하여 결합하고 있어도 되며, 부분 구조에 포함되는 임의의 환끼리가 축합하도록 하여 결합하고 있어도 된다. 부분 구조는 아릴, 헤테로아릴, 디아릴아미노, 또는 아릴옥시로부터 선택되는 치환기를 더 가지고 있어도 된다.When the hole-transporting host material contains the structure represented by formula (HH-1) as a partial structure, it may contain one partial structure, but it is also preferable to include two or more of these partial structures. When two or more are included, the two or more partial structures may be the same as or different from each other. Two or more partial structures may be bonded to each other by a single bond, may be bonded by sharing an arbitrary ring included in the partial structure, or may be bonded by condensing arbitrary rings included in the partial structure. The partial structure may further have a substituent selected from aryl, heteroaryl, diarylamino, or aryloxy.

정공 수송성 호스트 재료는, 트리아릴아민 구조, 카르바졸환, 디벤조푸란환, 및 디벤조티오펜환, 및 페녹사진 또는 페노티아진을 포함하는 축합 다환으로 이루어지는 군에서 선택되는 하나 이상의 부분 구조를 포함하는 화합물인 것이 바람직하다. 정공 수송성 호스트 재료는 이와 같은 부분 구조를 1개 포함하는 것이어도 되지만 2개 이상 포함하는 것도 바람직하다. 2개 이상 포함하는 경우, 그 2개 이상의 부분 구조는 서로 동일해도 되고 달라도 된다.The hole-transporting host material has at least one partial structure selected from the group consisting of a triarylamine structure, a carbazole ring, a dibenzofuran ring, and a dibenzothiophene ring, and a phenoxazine or phenothiazine-containing condensed polycyclic ring. It is preferable that it is a compound containing. The hole-transporting host material may contain one such partial structure, but it is also preferable to include two or more. When two or more are included, the two or more partial structures may be the same as or different from each other.

정공 수송성 호스트 재료의 구체예로서는, 이하의 화합물을 들 수 있다.Specific examples of the hole-transporting host material include the following compounds.

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상기 중, HH-1-1, HH-1-2, HH-1-4∼HH-1-12, HH-1-17, HH-1-18, HH-1-20∼HH-1-24, HH-1-82, HH-1-84∼HH-1-89, HH-1-91, HH-1-92 및 HH-1-106∼HH-1-108이 바람직하다.Among the above, HH-1-1, HH-1-2, HH-1-4 to HH-1-12, HH-1-17, HH-1-18, HH-1-20 to HH-1-24 , HH-1-82, HH-1-84 to HH-1-89, HH-1-91, HH-1-92 and HH-1-106 to HH-1-108 are preferred.

[전자 수송성 호스트 재료(EH)] [Electron transport host material (EH)]

전자 수송성 호스트 재료(EH)의 예로서는, 본 발명의 다환 방향족 화합물 이외에, 식(EH-1)으로 나타내어지는 화합물, 및 식(EH-1)으로 나타내어지는 부분 구조를 가지는 화합물을 들 수 있다. Examples of the electron-transporting host material (EH) include, in addition to the polycyclic aromatic compound of the present invention, a compound represented by formula (EH-1) and a compound having a partial structure represented by formula (EH-1).

Figure pat00042
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식(EH-1)에 있어서, In formula (EH-1),

J는, 각각 독립적으로, =C(-A)- 또는 =N-이며, 적어도 3개의 J는 =C(-A)-이며,J is, each independently, =C(-A)- or =N-, and at least three Js are =C(-A)-;

Z는, -O-, -S-, -C(=O)-, -P(=O)(-A)-, -P(=S)(-A)-, -N(-A)-, -B(-A)- 또는 -S(=O)2-이며,Z is -O-, -S-, -C(=O)-, -P(=O)(-A)-, -P(=S)(-A)-, -N(-A)- , -B(-A)- or -S(=0) 2 -,

Z가 결합하는 탄소 원자와 이웃하는 J와 Z가 결합하는 A는, 서로, L로 결합하고 있어도 되고,The carbon atom to which Z is bonded and the A to which neighboring J and Z are bonded may be bonded to each other by L,

L은, 단결합, >O, >S 또는 >C(-A)2이며,L is a single bond, >O, >S or >C(-A) 2 ,

A는, 수소, 아릴, 헤테로아릴, 디아릴아미노, 알킬, 시클로알킬, 트리아릴실릴, 알콕시 또는 아릴옥시이며, >C(-A)2에 있어서의 2개의 A는 서로 결합하여, 아릴, 헤테로아릴, 시클로알킬을 형성해도 되고,A is hydrogen, aryl, heteroaryl, diarylamino, alkyl, cycloalkyl, triarylsilyl, alkoxy or aryloxy, and the two A's in >C(-A) 2 are bonded to each other to form aryl, hetero may form aryl or cycloalkyl;

모든 J가, =C(-A)-일 때, A 또는 Z 중 어느 하나가 헤테로 원자를 가진다.When all J's are =C(-A)-, either A or Z has a heteroatom.

식(EH-1)에 있어서의 A로 나타내어지는, 아릴, 헤테로아릴, 디아릴아미노, 알킬, 시클로알킬, 트리아릴실릴, 알콕시 또는 아릴옥시에 대해서는 식(HH-1)에 있어서의 A의 설명을 참조할 수 있다. 식(EH-1)에 있어서의 2개의 A가 서로 결합하여, 아릴, 헤테로아릴, 시클로알킬을 형성할 때의 아릴, 헤테로아릴, 시클로알킬에 대해서도 식(HH-1)에 있어서의 설명을 참조할 수 있다.Description of A in formula (HH-1) for aryl, heteroaryl, diarylamino, alkyl, cycloalkyl, triarylsilyl, alkoxy or aryloxy represented by A in formula (EH-1) can refer to. For aryls, heteroaryls, and cycloalkyls when two A's in formula (EH-1) combine with each other to form an aryl, heteroaryl, or cycloalkyl, see the description in formula (HH-1). can do.

전자 수송성 호스트 재료가 식(EH-1)으로 나타내어지는 구조를 부분 구조로서 포함할 때, 이 부분 구조를 1개 포함하는 것이어도 되지만 2개 이상 포함하는 것도 바람직하다. 2개 이상 포함하는 경우, 그 2개 이상의 부분 구조는 서로 동일해도 되고 달라도 된다. 2개 이상의 부분 구조는 서로 단결합으로 결합하고 있어도 되며, 부분 구조에 포함되는 임의의 환을 공유하도록 하여 결합하고 있어도 되고, 부분 구조에 포함되는 임의의 환끼리가 축합하도록 하여 결합하고 있어도 된다. 부분 구조는 아릴, 헤테로아릴, 디아릴아미노, 또는 아릴옥시로부터 선택되는 치환기를 더 가지고 있어도 된다. When the electron transporting host material contains the structure represented by formula (EH-1) as a partial structure, it may contain one partial structure, but it is also preferable to include two or more of these partial structures. When two or more are included, the two or more partial structures may be the same as or different from each other. Two or more partial structures may be bonded to each other by a single bond, may be bonded by sharing an arbitrary ring included in the partial structure, or may be bonded by condensing arbitrary rings included in the partial structure. The partial structure may further have a substituent selected from aryl, heteroaryl, diarylamino, or aryloxy.

전자 수송성 호스트 재료의 구체예로서는, 이하의 화합물을 들 수 있다. Specific examples of the electron-transporting host material include the following compounds.

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Figure pat00044
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전자 수송성 호스트 재료(식(EH-1)으로 나타내어지는 부분 구조를 갖는 화합물)의 다른 바람직한 예로서, 하기 식(EH-1b)으로 나타내어지는 다환 방향족 화합물, 또는 하기 식(EH-1b)으로 나타내어지는 구조를 복수 가지는 다환 방향족 화합물의 다량체를 들 수 있다. As another preferable example of the electron-transporting host material (a compound having a partial structure represented by formula (EH-1)), a polycyclic aromatic compound represented by the following formula (EH-1b) or a compound represented by the following formula (EH-1b) Polymers of polycyclic aromatic compounds having a plurality of supporting structures are exemplified.

Figure pat00056
Figure pat00056

식(EH-1b)에 있어서, In formula (EH-1b),

R1, R2, R3, R4 및 R5(이후, 「R1 등」 이라고도 함)는, 각각 독립적으로, 수소 또는 치환기군 Z에서 선택되는 치환기이다. R 1 , R 2 , R 3 , R 4 and R 5 (hereinafter also referred to as “R 1 etc.”) are each independently hydrogen or a substituent selected from substituent group Z.

식(EH-1b)에 있어서, X1 및 X2는, 각각 독립적으로, >N-R(아민성 질소), >O, >C(-R)2, >S 또는 >Se이며, X1 및 X2가 함께 >C(-R)2가 되지는 않고, In Formula (EH-1b), X 1 and X 2 are each independently >NR (amine nitrogen), >O, >C(-R) 2 , >S or >Se, and X 1 and X 2 together does not result in >C(-R) 2 ,

상기 >N-R 및 >C(-R)2에 있어서의 R은, 각각 독립적으로, 수소 또는 치환기군 Z에서 선택되는 치환기이며, 상기 >N-R 및 >C(-R)2의 R은 각각 독립적으로 연결기 또는 단결합에 의해 상기 a환, b환 및 c환 중 적어도 하나의 환과 결합하고 있어도 된다.R in >NR and >C(-R) 2 is each independently hydrogen or a substituent selected from substituent group Z, and R in >NR and >C(-R) 2 is each independently a linking group. Alternatively, it may be bonded to at least one of the a-rings, b-rings and c-rings by a single bond.

Y1, Y2, Y3, Y4, Y5 및 Y6(이후, 「Y1 등」 이라고도 함)은, 각각 독립적으로, =C(-R)- 또는 =N-(피리딘성 질소)이며, 적어도 하나는 =N-(피리딘성 질소)이고, Y 1 , Y 2 , Y 3 , Y 4 , Y 5 and Y 6 (hereinafter also referred to as “Y 1 etc.”) are each independently =C(-R)- or =N- (pyridinous nitrogen) , and at least one is =N-(pyridinic nitrogen),

상기 =C(-R)-에 있어서의 R은, 각각 독립적으로, 수소 또는 치환기군 Z에서 선택되는 치환기이다. R in =C(-R)- above is each independently hydrogen or a substituent selected from substituent group Z.

상기 R1, R2, R3, R4 및 R5, 및, 상기 Y1∼Y6으로서의 =C(-R)-의 R 중 인접하는 기끼리가 결합하여 a환, b환 및 c환 중 적어도 하나의 환과 함께 아릴환 또는 헤테로아릴환을 형성하고 있어도 되고, 형성된 환은 치환기군 Z에서 선택되는 적어도 하나의 기로 치환되어 있어도 된다.Adjacent groups among R 1 , R 2 , R 3 , R 4 and R 5 , and R in =C(-R)- as Y 1 to Y 6 are bonded to each other to form ring a, ring b and ring c An aryl ring or a heteroaryl ring may be formed together with at least one of the rings, and the formed ring may be substituted with at least one group selected from substituent group Z.

식(EH-1b)으로 나타내어지는 화합물 및 구조에 있어서의 적어도 하나의 수소는, 시아노, 할로겐 또는 중수소로 치환되어 있어도 된다.At least one hydrogen in the compound and structure represented by formula (EH-1b) may be substituted with cyano, halogen or deuterium.

식(EH-1b)에 있어서, R1, R2, R3, R4 및 R5는 모두 수소이거나, 또는, R3 및 R4가 모두 수소이며, 또한 R1, R2 및 R5로 이루어지는 군에서 선택되는 어느 하나 이상이 수소 이외의 치환기이고, 그 밖이 수소인 것이 바람직하다. 치환기로서는, 알킬, 알킬 또는 헤테로아릴로 치환되어 있어도 되는 아릴, 알킬 또는 아릴로 치환되어 있어도 되는 헤테로아릴, 또는 알킬 또는 아릴로 치환되어 있어도 되는 디아릴아미노가 바람직하다. 이 때, 알킬로서는, 탄소수 1∼6의 알킬(메틸, t-부틸 등)이 바람직하고, 아릴로서는 페닐 또는 비페닐이 바람직하고, 헤테로아릴로서는, 트리아지닐, 카르바졸릴(2-카르바졸릴, 3-카르바졸릴, 9-카르바졸릴 등), 피리미디닐, 피리디닐, 디벤조푸라닐 또는 디벤조티에닐이 바람직하다. 구체예로서는, 페닐, 비페닐, 디페닐트리아지닐, 카르바졸릴트리아지닐, 모노페닐피리미디닐, 디페닐피리미디닐, 카르바졸릴트리아지닐, 피리디닐, 디벤조푸라닐 및 디벤조티에닐을 들 수 있다.In the formula (EH-1b), R 1 , R 2 , R 3 , R 4 and R 5 are all hydrogen, or both R 3 and R 4 are hydrogen, and R 1 , R 2 and R 5 are also It is preferable that any one or more selected from the group which consists of is a substituent other than hydrogen, and others are hydrogen. As the substituent, aryl which may be substituted with alkyl, alkyl or heteroaryl, heteroaryl which may be substituted with alkyl or aryl, or diarylamino which may be substituted with alkyl or aryl is preferable. At this time, the alkyl is preferably an alkyl having 1 to 6 carbon atoms (methyl, t-butyl, etc.), the aryl is preferably phenyl or biphenyl, and the heteroaryl is triazinyl, carbazolyl (2-carbazolyl , 3-carbazolyl, 9-carbazolyl, etc.), pyrimidinyl, pyridinyl, dibenzofuranyl or dibenzothienyl are preferred. Specific examples include phenyl, biphenyl, diphenyltriazinyl, carbazolyltriazinyl, monophenylpyrimidinyl, diphenylpyrimidinyl, carbazolyltriazinyl, pyridinyl, dibenzofuranyl and dibenzothienyl. can be heard

Y1 등은, 각각 독립적으로, =C(-R)- 또는 =N-이며, 적어도 하나는 =N-이다. Y1∼Y6 중 어느 것이 =N-여도 된다. 바람직하게는, Y1 및 Y6이 =N-(a환이 피리미딘환), Y1 및 Y6이 =N-(a환이 피리딘환), Y2 및 Y5가 =N-(b환 및 c환이 피리딘환), Y3 및 Y4가 =N-(b환 및 c환이 피리딘환), Y2∼Y5가 =N-(b환 및 c환이 피리미딘환), Y1, Y3, Y4 및 Y6이 =N-(a환이 피리미딘환, b환 및 c환이 피리딘환), Y1, Y2, Y5 및 Y6이 =N-(a환이 피리미딘환, b환 및 c환이 피리딘환), Y1∼Y6이 =N-(a환, b환 및 c환이 피리미딘환), Y2 또는 Y5가 =N-(b환 또는 c환이 피리딘환)이다.Y 1 and the like are each independently =C(-R)- or =N-, and at least one of them is =N-. Any of Y 1 to Y 6 may be =N-. Preferably, Y 1 and Y 6 are =N- (a ring is a pyrimidine ring), Y 1 and Y 6 are =N- (a ring is a pyridine ring), Y 2 and Y 5 are =N- (b ring and ring c is pyridine ring), Y 3 and Y 4 are =N- (ring b and c are pyridine rings), Y 2 to Y 5 are =N- (ring b and c are pyrimidine rings), Y 1 , Y 3 , Y 4 and Y 6 are =N- (ring a is a pyrimidine ring, ring b and ring c are a pyridine ring), Y 1 , Y 2 , Y 5 and Y 6 are =N- (ring a is a pyrimidine ring, ring b and c ring is a pyridine ring), Y 1 to Y 6 is =N- (ring a, b and c are pyrimidine rings), and Y 2 or Y 5 is =N- (ring b or c is a pyridine ring).

또한, 이상의 =N-의 배치 관계에 더하여, X1 및 X2가 >O인 것이 바람직하고, 하기 식 중 어느 하나로 나타내어지는 부분 구조를 포함하는 다환 방향족 화합물이 바람직하다. Further, in addition to the arrangement relationship of =N- above, it is preferable that X 1 and X 2 are >0, and a polycyclic aromatic compound containing a partial structure represented by any one of the following formulas is preferable.

Figure pat00057
Figure pat00057

특히, 식(EH-1b-N1)으로 나타내어지는 부분 구조를 포함하는 다환 방향족 화합물은, N이 없는 구조와 비교하여, 높은 ES1, 높은 ET1, 작은 ΔES1T1을 갖는다.In particular, a polycyclic aromatic compound having a partial structure represented by formula (EH-1b-N1) has higher E S1 , higher E T1 , and smaller ΔE S1T1 than a structure without N.

식(EH-1b)으로 나타내어지는 다환 방향족 화합물의 구체예를 이하에 나타낸다.Specific examples of the polycyclic aromatic compound represented by formula (EH-1b) are shown below.

Figure pat00058
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Figure pat00059
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Figure pat00060
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Figure pat00061
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Figure pat00062
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Figure pat00063
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상기 중, EH-1-1∼EH-1-4, EH-1-10, EH-1-21∼EH-1-25, EH-1-32, EH-1-33, EH-1-51∼EH-1-59, EH-1-61, EH-1-66, EH-1-68, EH-1-71, EH-1-72, EH-1-90, EH-1-100, EH-1-101, EH-1-104, EH-1-115, EH-1-117, EH-1-120, EH-1-122, EH-1-123, EH-1-127∼EH-1-130이 바람직하다.Among the above, EH-1-1 to EH-1-4, EH-1-10, EH-1-21 to EH-1-25, EH-1-32, EH-1-33, EH-1-51 ∼EH-1-59, EH-1-61, EH-1-66, EH-1-68, EH-1-71, EH-1-72, EH-1-90, EH-1-100, EH -1-101, EH-1-104, EH-1-115, EH-1-117, EH-1-120, EH-1-122, EH-1-123, EH-1-127 to EH-1 -130 is preferred.

[정공 수송성 호스트 재료 및 전자 수송성 호스트 재료의 조합] [Combination of hole-transporting host material and electron-transporting host material]

정공 수송성 호스트 재료 및 전자 수송성 호스트 재료의 조합은, 정공 수송성 호스트 재료, 전자 수송성 호스트 재료 및 도펀트 재료의 HOMO, LUMO 및 여기 삼중항 에너지에 의해 선택된다. A combination of the hole-transporting host material and the electron-transporting host material is selected according to the HOMO, LUMO, and triplet excitation energy of the hole-transporting host material, the electron-transporting host material, and the dopant material.

HOMO 및 LUMO에 관해서는, 정공 수송성 호스트 재료의 HOMO(HH)가 전자 수송성 호스트 재료의 HOMO(EH)보다 얕고, 전자 수송성 호스트 재료의 LUMO(EH)가 정공 수송성 호스트 재료의 LUMO(HH)보다 깊은 조합을 선택하고, 보다 구체적으로는, HOMO(HH)가 HOMO(EH)보다 0.10eV 이상 얕고, LUMO(HH)가 HOMO(EH)보다 0.10eV 이상 깊은 조합이 바람직하고, HOMO(HH)가 HOMO(EH)보다 0.20eV 이상 얕고, LUMO(HH)가 HOMO(EH)보다 0.20eV 이상 깊은 조합이 더 바람직하고, HOMO(HH)가 HOMO(EH)보다 0.25eV 이상 얕고, LUMO(HH)가 HOMO(EH)보다 0.25eV 이상 깊은 조합이 보다 더 바람직하다.Regarding HOMO and LUMO, the HOMO (HH) of the hole-transporting host material is shallower than the HOMO (EH) of the electron-transporting host material, and the LUMO (EH) of the electron-transporting host material is deeper than the LUMO (HH) of the hole-transporting host material. Select a combination, more specifically, a combination in which HOMO(HH) is 0.10 eV or more shallower than HOMO(EH), LUMO(HH) is 0.10 eV or more deeper than HOMO(EH), and HOMO(HH) is HOMO A combination in which 0.20eV or more shallow than (EH), LUMO(HH) is 0.20eV or more deeper than HOMO(EH) is more preferable, HOMO(HH) is 0.25eV or more shallower than HOMO(EH), and LUMO(HH) is HOMO A combination at least 0.25 eV deeper than (EH) is more preferable.

정공 수송성 호스트 재료 및 전자 수송성 호스트 재료는 엑사이플렉스(exciplex)라고 불리는 회합체를 형성하는 조합이어도 된다. 엑사이플렉스는, 비교적 깊은 LUMO 준위를 갖는 재료와, 얕은 HOMO 준위를 갖는 재료 사이에서 형성하기 쉬운 것이 일반적으로 알려져 있다. 정공 수송성 호스트 재료 및 전자 수송성 호스트 재료의 상호 작용, 구체적으로는 엑사이플렉스를 형성하고 있는지의 여부는, 정공 수송성 호스트 재료 및 전자 수송성 호스트 재료만으로 이루어지는 단층 막을 발광층의 형성 조건과 동일하게 형성하여 발광 스펙트럼(형광, 인광 스펙트럼)을 측정하고, 얻어진 발광 스펙트럼을, 정공 수송성 호스트 재료 및 전자 수송성 호스트 재료 각각이 단독으로 나타내는 발광 스펙트럼을 비교함으로써 판단할 수 있다. 정공 수송성 호스트 재료 및 전자 수송성 호스트 재료를 포함하는 혼합 막의 스펙트럼이, 정공 수송성 호스트 재료의 막의 스펙트럼, 및 전자 수송성 호스트 재료의 막의 스펙트럼 어느 것과도 다른 발광 파장을 나타냄으로써 판단할 수 있다. 구체적으로는, 스펙트럼의 피크 파장이 10nm 이상 다른 것을 지표로 하면 된다.The hole-transporting host material and the electron-transporting host material may be a combination that forms an association called an exciplex. It is generally known that exciplex is easy to form between a material having a relatively deep LUMO level and a material having a shallow HOMO level. The interaction of the hole-transporting host material and the electron-transporting host material, specifically, whether or not an exciplex is formed is determined by forming a monolayer film composed of the hole-transporting host material and the electron-transporting host material under the same conditions as the formation conditions of the light emitting layer, and emitting light. It can be judged by measuring the spectrum (fluorescence and phosphorescence spectrum) and comparing the obtained emission spectrum with the emission spectrum exhibited by each of the hole-transporting host material and the electron-transporting host material alone. The spectrum of the mixed film containing the hole-transporting host material and the electron-transporting host material can be determined by showing an emission wavelength different from both the spectrum of the film of the hole-transporting host material and the spectrum of the film of the electron-transporting host material. Specifically, what is necessary is just to use the indicator as the peak wavelengths of the spectra differing by 10 nm or more.

엑사이플렉스를 형성하지 않는 정공 수송성 호스트 재료 및 전자 수송성 호스트 재료의 조합의 구체예로서는 이하의 조합을 들 수 있다. 상기의 HOMO, LUMO 및 여기 삼중항 에너지의 물성값을 만족시키기 위해, 정공 수송성 호스트 재료에 있어서는, 카르바졸, 디벤조푸란, 디벤조티오펜, 트리아릴아민, 인돌로카르바졸 및 벤조옥사지노페녹사진을 부분 구조로서 갖는 화합물이 바람직하고, 카르바졸, 디벤조푸란 및 디벤조티오펜을 부분 구조로서 갖는 화합물이 보다 바람직하고, 카르바졸을 부분 구조로서 갖는 화합물이 보다 더 바람직하다. 마찬가지로, 전자 수송성 호스트 재료에 있어서는, 피리딘, 트리아진, 포스핀옥사이드, 벤조푸로피리딘 및 디벤조옥사실린을 부분 구조로서 갖는 화합물이 바람직하고, 트리아진, 포스핀옥사이드, 벤조푸로피리딘 및 디벤조옥사실린을 부분 구조로서 갖는 화합물이 보다 바람직하고, 트리아진을 갖는 화합물이 보다 더 바람직하다.Specific examples of combinations of a hole-transporting host material and an electron-transporting host material that do not form an exciplex include the following combinations. In order to satisfy the above physical property values of HOMO, LUMO and excitation triplet energy, in the hole transporting host material, carbazole, dibenzofuran, dibenzothiophene, triarylamine, indolocarbazole and benzoxazinophenoxazine A compound having as a partial structure is preferable, a compound having carbazole, dibenzofuran and dibenzothiophene as a partial structure is more preferable, and a compound having carbazole as a partial structure is even more preferable. Similarly, in the electron-transporting host material, compounds having pyridine, triazine, phosphine oxide, benzofuropyridine and dibenzoxacillin as partial structures are preferred, and triazine, phosphine oxide, benzofuropyridine and dibenzooxa A compound having silin as a partial structure is more preferred, and a compound having triazine is even more preferred.

보다 구체적으로는, 정공 수송성 호스트 재료는, HH-1-1, HH-1-2, HH-1-4∼HH-1-12, HH-1-17, HH-1-18, HH-1-20∼HH-1-24, HH-1-82, HH-1-84∼HH-1-89, HH-1-91, HH-1-92 및 HH-1-106∼HH-1-108로 이루어지는 군에서 선택되는 것이 바람직하고, 전자 수송성 호스트 재료는, EH-1-1∼EH-1-4, EH-1-10, EH-1-21∼EH-1-25, EH-1-32, EH-1-33, EH-1-51∼EH-1-59, EH-1-61, EH-1-71, EH-1-72, EH-1-90, EH-1-100, EH-1-101, EH-1-104, EH-1-117, EH-1-120, EH-1-122, EH-1-123, 및 EH-1-127∼EH-1-130으로 이루어지는 군에서 선택되는 것이 바람직하다. 조합으로서 바람직한 예로서는, 화합물HH-1-1 및 화합물EH-1-22, 화합물HH-1-1 및 화합물EH-1-23, 화합물HH-1-1 및 화합물EH-1-24, 화합물HH-1-2 및 화합물EH-1-22, 화합물HH-1-2 및 화합물EH-1-23, 화합물HH-1-2 및 화합물EH-1-24, 또는 화합물HH-1-1 및 화합물EH-1-128을 들 수 있다. More specifically, the hole-transporting host material is HH-1-1, HH-1-2, HH-1-4 to HH-1-12, HH-1-17, HH-1-18, HH-1 -20 to HH-1-24, HH-1-82, HH-1-84 to HH-1-89, HH-1-91, HH-1-92 and HH-1-106 to HH-1-108 It is preferably selected from the group consisting of, and the electron transporting host material is EH-1-1 to EH-1-4, EH-1-10, EH-1-21 to EH-1-25, EH-1- 32, EH-1-33, EH-1-51 to EH-1-59, EH-1-61, EH-1-71, EH-1-72, EH-1-90, EH-1-100, EH-1-101, EH-1-104, EH-1-117, EH-1-120, EH-1-122, EH-1-123, and EH-1-127 to EH-1-130 It is preferable to be selected from the group. Preferred examples of combinations include compound HH-1-1 and compound EH-1-22, compound HH-1-1 and compound EH-1-23, compound HH-1-1 and compound EH-1-24, compound HH- 1-2 and compound EH-1-22, compound HH-1-2 and compound EH-1-23, compound HH-1-2 and compound EH-1-24, or compound HH-1-1 and compound EH- 1-128 may be cited.

엑사이플렉스를 형성하는 정공 수송성 호스트 재료 및 전자 수송성 호스트 재료의 조합의 구체예로서는 이하의 조합을 들 수 있다. 상기, HOMO, LUMO 및 여기 삼중항 에너지의 물성치를 만족시키기 위해, 정공 수송성 호스트 재료에 있어서는, 카르바졸, 트리아릴아민, 인돌로카르바졸 및 벤조옥사지노페녹사진을 부분 구조로서 갖는 화합물이 바람직하고, 트리아릴아민, 인돌로카르바졸 및 벤조옥사지노페녹사진을 부분 구조로서 갖는 화합물이 보다 바람직하고, 트리아릴아민을 부분 구조로서 갖는 화합물이 보다 더 바람직하다. 마찬가지로, 전자 수송성 호스트 재료에 있어서는, 피리딘, 트리아진, 포스핀옥사이드 및 벤조푸로피리딘을 부분 구조로서 갖는 화합물이 바람직하고, 트리아진, 포스핀옥사이드, 벤조푸로피리딘 및 디벤조옥사실린을 부분 구조로서 갖는 화합물이 보다 바람직하고, 포스핀옥사이드 및 트리아진을 갖는 화합물이 보다 더 바람직하다.Specific examples of combinations of a hole-transporting host material and an electron-transporting host material forming an exciplex include the following combinations. In order to satisfy the above physical properties of HOMO, LUMO and excitation triplet energy, compounds having carbazole, triarylamine, indolocarbazole and benzoxazinophenoxazine as partial structures are preferred for the hole-transporting host material, , compounds having triarylamine, indolocarbazole and benzoxazinophenoxazine as partial structures are more preferred, and compounds having triarylamine as partial structures are even more preferred. Similarly, in the electron-transporting host material, compounds having pyridine, triazine, phosphine oxide, and benzofuropyridine as partial structures are preferred, and triazine, phosphine oxide, benzofuropyridine, and dibenzoxacillin as partial structures. Compounds having phosphine oxide and triazine are more preferred.

보다 구체적으로는, 정공 수송성 호스트 재료는, HH-1-1, HH-1-2, HH-1-11, HH-1-12, HH-1-17, HH-1-18, HH-1-23 및 HH-1-24로 이루어지는 군에서 선택되는 것이 바람직하고, 전자 수송성 호스트 재료는, EH-1-1∼EH-1-4, EH-1-21∼EH-1-25, EH-1-51∼EH-1-57, EH-1-59, EH-1-66, EH-1-68, EH-1-90, EH-1-100, EH-1-101, EH-1-104, EH-1-117, EH-1-120, EH-1-122, EH-1-123, 및 EH-1-127∼EH-1-130으로 이루어지는 군에서 선택되는 것이 바람직하다. 조합으로서 바람직한 예로서는, 화합물HH-1-1 및 화합물EH-1-21, 화합물HH-1-2 및 화합물EH-1-21, 화합물HH-1-12 및 화합물EH-1-117, 화합물HH-1-1 및 화합물EH-1-130, 화합물HH-1-33 및 화합물EH-1-117, 화합물HH-1-48 및 화합물EH-1-117 또는 화합물HH-1-49 및 화합물EH-1-117을 들 수 있다.More specifically, the hole transporting host material is HH-1-1, HH-1-2, HH-1-11, HH-1-12, HH-1-17, HH-1-18, HH-1 It is preferably selected from the group consisting of -23 and HH-1-24, and the electron transporting host material is EH-1-1 to EH-1-4, EH-1-21 to EH-1-25, EH- 1-51 to EH-1-57, EH-1-59, EH-1-66, EH-1-68, EH-1-90, EH-1-100, EH-1-101, EH-1- 104, EH-1-117, EH-1-120, EH-1-122, EH-1-123, and EH-1-127 to EH-1-130. Preferable examples of combinations include compound HH-1-1 and compound EH-1-21, compound HH-1-2 and compound EH-1-21, compound HH-1-12 and compound EH-1-117, compound HH- 1-1 and compound EH-1-130, compound HH-1-33 and compound EH-1-117, compound HH-1-48 and compound EH-1-117 or compound HH-1-49 and compound EH-1 -117 can be heard.

그 밖에, 구체적인 정공 수송성 호스트 재료와 전자 수송성 호스트 재료의 조합에 대해서는, Organic Electronics 66(2019)227-24, Advanced. Functional Materals 25(2015) 361-366., Advanced Materials 26(2014) 4730-4734., ACS Applied Materials and Interfaces 8(2016) 32984-32991., ACS Applied Materals and Interfaces 2016, 8, 9806-9810, ACS Applied Materials and Interfaces 2016, 8, 32984-32991, Journal of Materials Chemisty C, 2018, 6, 8784-8792, Angewante Chemie International Edition. 2018, 57, 12380-12384, Advanced Functional Materials, 24, 2014, 3970, Advanced Materials, 26, 2014, 5684, 및, Synthetic Metals, 201, 2015, 49 등의 기재를 참조할 수 있다. In addition, for a specific combination of a hole-transporting host material and an electron-transporting host material, Organic Electronics 66 (2019) 227-24, Advanced. Functional Materals 25 (2015) 361-366., Advanced Materials 26 (2014) 4730-4734., ACS Applied Materials and Interfaces 8 (2016) 32984-32991., ACS Applied Materals and Interfaces 2016, 8, 9806-9810, ACS Applied Materials and Interfaces 2016, 8, 32984-32991, Journal of Materials Chemisty C, 2018, 6, 8784-8792, Angewante Chemie International Edition. 2018, 57, 12380-12384, Advanced Functional Materials, 24, 2014, 3970, Advanced Materials, 26, 2014, 5684, and Synthetic Metals, 201, 2015, 49 may be referred to.

<도펀트 재료 ><Dopant material>

도펀트 재료로서는, 공지의 화합물을 사용할 수 있고, 원하는 발광색에 따라 여러 가지 재료 중에서 선택할 수 있다. 구체적으로는, 예를 들면, 페난트렌, 안트라센, 피렌, 테트라센, 펜타센, 페릴렌, 나프토피렌, 디벤조피렌, 루브렌 및 크리센 등의 축합환 유도체, 벤조옥사졸 유도체, 벤조티아졸 유도체, 벤조이미다졸 유도체, 벤조트리아졸 유도체, 옥사졸 유도체, 옥사디아졸 유도체, 티아졸 유도체, 이미다졸 유도체, 티아디아졸 유도체, 트리아졸 유도체, 피라졸린 유도체, 스틸벤 유도체, 티오펜 유도체, 테트라페닐부타디엔 유도체, 시클로펜타디엔 유도체, 비스스티릴안트라센 유도체나 디스티릴벤젠 유도체 등의 비스스티릴 유도체(일본특허공개 평1-245087호 공보), 비스스티릴아릴렌 유도체(일본특허공개 평2-247278호 공보), 디아자인다센 유도체, 푸란 유도체, 벤조푸란 유도체, 페닐이소벤조푸란, 디메시틸이소벤조푸란, 디(2-메틸페닐)이소벤조푸란, 디(2-트리플루오로메틸페닐)이소벤조푸란, 페닐이소벤조푸란 등의 이소벤조푸란 유도체, 디벤조푸란 유도체, 7-디알킬아미노쿠마린 유도체, 7-피페리디노쿠마린 유도체, 7-히드록시쿠마린 유도체, 7-메톡시쿠마린 유도체, 7-아세톡시쿠마린 유도체, 3-벤조티아졸릴쿠마린 유도체, 3-벤조이미다졸릴쿠마린 유도체, 3-벤조옥사졸릴쿠마린 유도체 등의 쿠마린 유도체, 디시아노메틸렌피란 유도체, 디시아노메틸렌티오피란 유도체, 폴리메틴 유도체, 시아닌 유도체, 옥소벤조안트라센 유도체, 잔텐 유도체, 로다민 유도체, 플루오레세인 유도체, 피릴륨 유도체, 카르보스티릴 유도체, 아크리딘 유도체, 옥사진 유도체, 페닐렌옥사이드 유도체, 퀴나크리돈 유도체, 퀴나졸린 유도체, 피롤로피리딘 유도체, 푸로피리딘 유도체, 1,2,5-티아디아졸로피렌 유도체, 피로메텐 유도체, 페리논 유도체, 피롤로피롤 유도체, 스쿠아릴륨 유도체, 비오란트론 유도체, 페나진 유도체, 아크리돈 유도체, 데아자플라빈 유도체, 플루오렌 유도체 및 벤조플루오렌 유도체 등을 들 수 있다.As the dopant material, a known compound can be used, and it can be selected from various materials depending on the desired emission color. Specifically, for example, condensed ring derivatives such as phenanthrene, anthracene, pyrene, tetracene, pentacene, perylene, naphthopyrene, dibenzopyrene, rubrene and chrysene, benzoxazole derivatives, and benzothiazole derivatives, benzoimidazole derivatives, benzotriazole derivatives, oxazole derivatives, oxadiazole derivatives, thiazole derivatives, imidazole derivatives, thiadiazole derivatives, triazole derivatives, pyrazoline derivatives, stilbene derivatives, thiophene derivatives, Tetraphenylbutadiene derivatives, cyclopentadiene derivatives, bisstyryl derivatives such as bisstyrylanthracene derivatives and distyrylbenzene derivatives (Japanese Patent Laid-Open No. 1-245087), bisstyrylarylene derivatives (Japanese Patent Laid-Open No. 2 -247278), diazaindacene derivatives, furan derivatives, benzofuran derivatives, phenyl isobenzofuran, dimethyl isobenzofuran, di(2-methylphenyl)isobenzofuran, di(2-trifluoromethylphenyl)iso Isobenzofuran derivatives such as benzofuran and phenylisobenzofuran, dibenzofuran derivatives, 7-dialkylaminocoumarin derivatives, 7-piperidinocoumarin derivatives, 7-hydroxycoumarin derivatives, 7-methoxycoumarin derivatives, 7 -Coumarin derivatives such as acetoxycoumarin derivatives, 3-benzothiazolylcoumarin derivatives, 3-benzoimidazolylcoumarin derivatives, and 3-benzooxazolylcoumarin derivatives, dicyanomethylenepyran derivatives, dicyanomethylenethiopyran derivatives, polymethine derivatives, cyanine derivatives, oxobenzoanthracene derivatives, xanthene derivatives, rhodamine derivatives, fluorescein derivatives, pyrylium derivatives, carbostyril derivatives, acridine derivatives, oxazine derivatives, phenylene oxide derivatives, quinacridone derivatives, Quinazoline derivatives, pyrrolopyridine derivatives, furopyridine derivatives, 1,2,5-thiadiazolopyrene derivatives, pyrimethene derivatives, perinone derivatives, pyrrolopyrrole derivatives, squarylium derivatives, bioranthrone derivatives, phenazine derivatives, acridone derivatives, deazaflavin derivatives, fluorene derivatives and benzofluorene derivatives, and the like.

도펀트 재료로서는, 국제공개 제2015/102118호, 국제공개 제2018/212169호, 국제공개 제2020/162600호 등에 기재된 붕소를 포함하는 다환 방향족 화합물을 사용하는 것도 바람직하다. 붕소 원자를 갖는 다환 방향족 화합물은 형광체여도 되고, TADF 재료(열활성형 지연 형광체)여도 된다. 붕소 원자를 갖는 다환 방향족 화합물은 청색 발광 화합물인 것이 바람직하다.As a dopant material, it is also preferable to use a polycyclic aromatic compound containing boron described in International Publication No. 2015/102118, International Publication No. 2018/212169, International Publication No. 2020/162600 and the like. The polycyclic aromatic compound having a boron atom may be a phosphor or a TADF material (heat activated delayed phosphor). The polycyclic aromatic compound having a boron atom is preferably a blue light emitting compound.

여기 일중항 상태와 여기 삼중항 상태의 에너지 차이를 작게 함으로써, 통상은 천이 확률이 낮은 여기 삼중항 상태로부터 여기 일중항 상태로의 역항간 교차를 고효율로 생기게 함으로써, 일중항으로부터의 발광(열활성형 지연 형광, TADF)이 발현된다. 통상의 형광 발광에서는 전류 여기에 의해 생긴 75%의 삼중항 여기자는 열실활 경로를 통과하기 때문에 형광으로서 취출할 수는 없다. 한편, TADF에서는 모든 여기자를 형광 발광에 이용할 수 있어, 고효율인 유기 EL 소자를 실현할 수 있다.By reducing the energy difference between the singlet excited state and the triplet excited state, inverse intersystem crossing from the triplet excited state, which usually has a low transition probability, to the excited singlet state is generated with high efficiency, thereby emitting light from the singlet (thermal activity). delayed fluorescence, TADF) is expressed. In normal fluorescence emission, since 75% of triplet excitons generated by current excitation pass through the thermal deactivation pathway, they cannot be extracted as fluorescence. On the other hand, in TADF, all excitons can be used for fluorescence, and a highly efficient organic EL device can be realized.

붕소를 포함하는 다환 방향족 화합물의 바람직한 예로서, 하기 식(12), 식(13) 또는 식(14)으로 나타내어지는 화합물을 들 수 있다. As a preferable example of the polycyclic aromatic compound containing boron, the compound represented by following formula (12), formula (13), or formula (14) is mentioned.

Figure pat00064
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A환, B환, C환 및 D환은, 각각 독립적으로, 치환 또는 무치환의 아릴환 또는 치환 또는 무치환의 헤테로아릴환이며, A ring, B ring, C ring, and D ring are each independently a substituted or unsubstituted aryl ring or a substituted or unsubstituted heteroaryl ring;

Y는 B(붕소)이고, Y is B (boron);

X1, X2, X3 및 X4는, 각각 독립적으로, >O, >N-R, >S 또는 >Se이며, 상기 >N-R의 R은, 치환 또는 무치환의 아릴, 치환 또는 무치환의 헤테로아릴 또는 치환 또는 무치환의 알킬이고, 또한, 상기 >N-R의 R은 연결기 또는 단결합에 의해 상기 A환, B환, C환 및/또는 D환과 결합하고 있어도 되며, X 1 , X 2 , X 3 and X 4 are each independently >O, >NR, >S or >Se, wherein R of >NR is substituted or unsubstituted aryl, substituted or unsubstituted hetero aryl or substituted or unsubstituted alkyl, and R in >NR may be bonded to the A ring, B ring, C ring and/or D ring by a linking group or a single bond;

R1 및 R2는, 각각 독립적으로, 수소, 탄소수 1∼6의 알킬, 탄소수 6∼12의 아릴, 탄소수 2∼15의 헤테로아릴 또는 디아릴아미노(단 아릴은 탄소수 6∼12의 아릴)이고, R 1 and R 2 are each independently hydrogen, alkyl having 1 to 6 carbon atoms, aryl having 6 to 12 carbon atoms, heteroaryl having 2 to 15 carbon atoms, or diarylamino (wherein aryl is aryl having 6 to 12 carbon atoms); ,

Z1 및 Z2는, 각각 독립적으로, 치환기군 Z에서 선택되는 치환기이며, Z1은 연결기 또는 단결합으로 상기 A환과 결합해도 되고, Z2는 연결기 또는 단결합으로 상기 C환과 결합해도 되며, 그리고, Z 1 and Z 2 are each independently a substituent selected from substituent group Z, Z 1 may bond to the A ring through a linking group or a single bond, and Z 2 may bond to the C ring through a linking group or a single bond; and,

식(12)으로 나타내어지는 화합물에 있어서의 적어도 하나의 수소는 시아노, 할로겐 또는 중수소로 치환되어 있어도 된다.At least one hydrogen in the compound represented by formula (12) may be substituted with cyano, halogen or deuterium.

식(12)의 A환, B환, C환 및 D환에 있어서의, 아릴환 또는 헤테로아릴환이 치환되어 있을 때의 치환기 및 Z1, Z2로서는, 치환기군 Z에서 선택되는 치환기를 들 수 있다.In the A ring, B ring, C ring and D ring of formula (12), as the substituent when the aryl ring or heteroaryl ring is substituted, and Z 1 , Z 2 , a substituent selected from substituent group Z is exemplified. there is.

식(12)에 있어서의 X1, X2, X3 및 X4는, 각각 독립적으로, >O, >N-R, >S 또는 >Se이며, 상기 >N-R의 R은, 각각 독립적으로, 탄소수 6∼12의 아릴, 탄소수 2∼15의 헤테로아릴, 탄소수 3∼12의 시클로알킬 또는 탄소수 1∼6의 알킬이다. X 1 , X 2 , X 3 and X 4 in formula (12) are each independently >O, >NR, >S or >Se, and R in >NR is each independently 6 carbon atoms It is aryl of -12, heteroaryl of 2-15 carbon atoms, cycloalkyl of 3-12 carbon atoms, or alkyl of 1-6 carbon atoms.

식(12)으로 나타내어지는 화합물에 있어서는, 높은 TADF성의 관점에서, Z1 및 Z2가 치환기를 가져도 되는 디페닐아미노 또는 치환기를 가져도 되는 N-카르바졸릴인 것이 바람직하고, 치환기를 가져도 되는 디페닐아미노인 것이 보다 바람직하다. 치환기를 가져도 되는 디페닐아미노로서는, 무치환의 디페닐아미노 또는 적어도 하나의 탄소수 1∼4의 알킬을 가지는 디페닐아미노인 것이 바람직하고, 무치환의 디페닐아미노 또는 N에 대하여 m 위치 또는 o 위치에 적어도 하나의 메틸을 갖는 디페닐아미노가 보다 바람직하다. 합성의 용이함 및 발광 파장의 관점에서, A환, B환, C환 및 D환에 있어서의 아릴환 또는 헤테로아릴환은 Z1 및 Z2 이외에는 치환기를 갖지 않거나, 탄소수 1∼6의 알킬만을 그 밖의 치환기로서 갖는 것이 바람직하고, Z1 및 Z2 이외에는 치환기를 갖지 않는 것이 보다 바람직하다.In the compound represented by formula (12), from the viewpoint of high TADF property, it is preferable that Z 1 and Z 2 are diphenylamino which may have a substituent or N-carbazolyl which may have a substituent, and has a substituent It is more preferable that it is also diphenylamino. As diphenylamino which may have a substituent, unsubstituted diphenylamino or diphenylamino having at least one alkyl of 1 to 4 carbon atoms is preferable, and unsubstituted diphenylamino or m-position or o relative to N Diphenylamino having at least one methyl at the position is more preferred. From the viewpoint of the ease of synthesis and emission wavelength, the aryl or heteroaryl ring in the A ring, B ring, C ring, and D ring has no substituents other than Z 1 and Z 2 , or only alkyl having 1 to 6 carbon atoms other than Z 1 and Z 2 . It is preferable to have as a substituent, and it is more preferable to have no substituent other than Z 1 and Z 2 .

식(12)으로 나타내어지는 화합물의 예를 이하에 나타낸다. The example of the compound represented by Formula (12) is shown below.

Figure pat00065
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Figure pat00067
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Figure pat00068
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식(13) 및 식(14) 중,In formulas (13) and (14),

A11환, A21환, A31환, B11환, B21환, C11환, 및 C31환은, 각각 독립적으로, 치환 또는 무치환의 아릴환 또는 치환 또는 무치환의 헤테로아릴환이며, A 11 ring, A 21 ring, A 31 ring, B 11 ring, B 21 ring, C 11 ring, and C 31 ring are each independently a substituted or unsubstituted aryl ring or a substituted or unsubstituted heteroaryl ring. ,

Y11, Y21, Y31은 B(붕소)이고, Y 11 , Y 21 , Y 31 are B (boron);

X11, X12, X21, X22, X31, 및 X32는, 각각 독립적으로, >O, >N-R, >S 또는 >Se이며, 상기 >N-R의 R은, 치환 또는 무치환의 아릴, 치환 또는 무치환의 헤테로아릴 또는 치환 또는 무치환의 알킬이고, 또한, 상기 >N-R의 R은 연결기 또는 단결합에 의해 A11환, A21환, A31환, B11환, B21환, C11환, 및/또는 C31환과 결합하고 있어도 되며, X 11 , X 12 , X 21 , X 22 , X 31 , and X 32 are each independently >O, >NR, >S, or >Se, wherein R in >NR is substituted or unsubstituted aryl , substituted or unsubstituted heteroaryl or substituted or unsubstituted alkyl, and R in >NR is A 11 ring, A 21 ring, A 31 ring, B 11 ring, B 21 ring by a linking group or a single bond. , may be bonded to the C 11 ring, and/or the C 31 ring;

식(13) 및 식(14)으로 나타내어지는 화합물에 있어서의 적어도 하나의 수소는 시아노, 할로겐 또는 중수소로 치환되어 있어도 된다.At least one hydrogen in the compounds represented by formulas (13) and (14) may be substituted with cyano, halogen or deuterium.

식(13) 및 식(14)의 A11환, A21환, A31환, B11환, B21환, C11환, 및 C31환에 있어서의, 아릴환 또는 헤테로아릴환이 치환되어 있을 때의 치환기 및 Z1, Z2로서는, 치환기군 Z에서 선택되는 치환기를 들 수 있다.The aryl ring or heteroaryl ring in the A 11 ring, the A 21 ring, the A 31 ring, the B 11 ring, the B 21 ring, the C 11 ring, and the C 31 ring in Formulas (13) and (14) is substituted. As the substituent and Z 1 , Z 2 when present, a substituent selected from the substituent group Z is exemplified.

식(13) 및 식(14)에 있어서의 X11, X12, X21, X22, X31, 및 X32는, 각각 독립적으로, >O, >N-R, >S 또는 >Se이며, 상기 >N-R의 R은, 각각 독립적으로, 탄소수 6∼12의 아릴, 탄소수 2∼15의 헤테로아릴, 탄소수 3∼12의 시클로알킬 또는 탄소수 1∼6의 알킬이다.X 11 , X 12 , X 21 , X 22 , X 31 , and X 32 in Formulas (13) and (14) are each independently >O, >NR, >S, or >Se, and the above R in >NR is each independently an aryl having 6 to 12 carbon atoms, a heteroaryl having 2 to 15 carbon atoms, a cycloalkyl having 3 to 12 carbon atoms, or an alkyl having 1 to 6 carbon atoms.

식(13) 또는 식(14)으로 나타내어지는 화합물의 예를 이하에 나타낸다.Examples of compounds represented by formula (13) or formula (14) are shown below.

Figure pat00069
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Figure pat00070
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Figure pat00071
Figure pat00071

발광층에 있어서는, 본 발명의 다환 방향족 화합물을 호스트 재료로서 사용함과 함께, 도펀트 재료로서, 인광 재료 또는 TADF 재료(열활성형 지연 형광체)를 사용하는 것이 바람직하다. 인광 재료 또는 TADF 재료는, 발광층에 이미팅 도펀트로서 포함되어 있어도 되고, 어시스팅 도펀트로서 포함되어 있어도 된다.In the light emitting layer, while using the polycyclic aromatic compound of the present invention as a host material, it is preferable to use a phosphorescent material or a TADF material (heat activated delayed phosphor) as a dopant material. The phosphorescent material or TADF material may be included in the light emitting layer as an emitting dopant or may be included as an assisting dopant.

[인광 재료][Phosphorescent material]

인광 재료는 금속 원자에 의한 분자내 스핀-궤도 상호 작용(중원자 효과)을 이용하여, 삼중항으로부터의 발광을 얻는다. 이와 같은 인광 재료로서는, 예를 들면, 발광성 금속 착체를 사용할 수 있다. 발광성 금속 착체로서는, 예를 들면 하기 식(B-1) 및 하기 식(B-2)으로 나타내어지는 화합물을 들 수 있다. Phosphorescent materials utilize intramolecular spin-orbit interactions (heavy atom effect) by metal atoms to obtain light emission from triplets. As such a phosphorescent material, a luminescent metal complex can be used, for example. Examples of the luminescent metal complex include compounds represented by the following formula (B-1) and the following formula (B-2).

Figure pat00072
Figure pat00072

식(B-1)에 있어서, M은, Ir, Pt, Au, Eu, Ru, Re, Ag 및 Cu로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종이며, n은 1∼3의 정수이고, 「X-Y」는 각각 독립적으로 2좌의 리간드이다.In formula (B-1), M is at least one selected from the group consisting of Ir, Pt, Au, Eu, Ru, Re, Ag, and Cu, n is an integer of 1 to 3, and "X-Y" are each independently a bidentate ligand.

식(B-2)에 있어서, M은, Pt, Re 및 Cu로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종이며, 「W-X-Y-Z」는 4좌의 리간드이다. In formula (B-2), M is at least one selected from the group consisting of Pt, Re and Cu, and "W-X-Y-Z" is a tetradentate ligand.

식(B-1)에 있어서, 효율과 수명의 관점에서, M은 Ir이 바람직하고, n은 3이 바람직하다.In the formula (B-1), from the viewpoint of efficiency and lifetime, M is preferably Ir, and n is preferably 3.

식(B-2)에 있어서, 효율과 수명의 관점에서 M은 Pt가 바람직하다.In Formula (B-2), M is preferably Pt from the viewpoint of efficiency and lifetime.

식(B-1)에 있어서의 리간드(X-Y)는, 이하로 이루어지는 군에서 선택된 적어도 하나의 리간드를 가진다. 식(B-2)에 있어서의 리간드(W-X-Y-Z)는, 이하로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 하나의 리간드를 일부로서 가진다. The ligand (X-Y) in the formula (B-1) has at least one ligand selected from the group consisting of the following. The ligand (W-X-Y-Z) in the formula (B-2) has at least one ligand selected from the group consisting of the following as a part.

Figure pat00073
Figure pat00073

단, step,

---에 있어서 중심 금속 M과 결합하고, --- in combination with the central metal M,

Y는, 각각 독립적으로, BRe, NRe, PRe, O, S, Se, C=O, S=O, SO2, CReRf, SiReRf, 또는 GeReRf이며 Y is, each independently, BR e , NR e , PR e , O, S, Se, C=O, S=O, SO2, CR e R f , SiR e R f , or GeR e R f ;

환에 있어서의 방향족 탄소 C-H는, 각각 독립적으로, N으로 치환되어도 되고, Aromatic carbons C-H in the ring may each independently be substituted with N,

Re 및 Rf는, 임의로 축합 또는 결합하여 환을 형성해도 되며, R e and R f may be optionally condensed or bonded to form a ring,

Ra, Rb, Rc, 및 Rd는, 각각 독립적으로, 무치환 또는 1∼치환 가능한 최대수까지 치환해도 되고, R a , R b , R c , and R d may each independently be unsubstituted or substituted by 1 to the maximum number of substitutions;

Ra, Rb, Rc, Rd, Re, 및 Rf가, 각각 독립적으로, 수소, 중수소, 할로겐화물, 알킬, 시클로알킬, 헤테로알킬, 알콕시, 아릴옥시, 아미노, 실릴, 알케닐, 시클로알케닐, 헤테로알케닐, 아릴, 헤테로아릴, 니트릴, 이소니트릴, 술파닐, 또는, 이들의 조합이며, R a , R b , R c , R d , R e , and R f are each, independently, hydrogen, deuterium, halide, alkyl, cycloalkyl, heteroalkyl, alkoxy, aryloxy, amino, silyl, alkenyl , cycloalkenyl, heteroalkenyl, aryl, heteroaryl, nitrile, isonitrile, sulfanyl, or a combination thereof,

단, Ra, Rb, Rc, 및 Rd에 있어서의 임의의 2개의 인접하는 치환기가 축합 또는 결합하여 환을 형성하거나, 또는 다좌 리간드를 형성해도 된다.However, arbitrary two adjacent substituents in R a , R b , R c , and R d may form a ring by condensation or bonding, or may form a multidentate ligand.

식(B-1)으로 나타내어지는 화합물로서는, 예를 들면, Ir(ppy)3, Ir(ppy)2(acac), Ir(mppy)3, Ir(PPy)2(m-bppy), BtpIr(acac), Ir(btp)2(acac), Ir(2-phq)3, Hex-Ir(phq)3, Ir(fbi)2(acac), fac-Tris(2-(3-p-xylyl)phenyl)pyridine iridium(III), Eu(dbm)3(Phen), Ir(piq)3, Ir(piq)2(acac), Ir(Fliq)2(acac), Ir(Flq)2(acac), Ru(dtb-bpy)3·2(PF6), Ir(2-phq)3, Ir(BT)2(acac), Ir(DMP)3, Ir(Mphq)3IR(phq)2tpy, fac-Ir(ppy)2Pc, Ir(dp)PQ2, Ir(Dpm)(Piq)2, Hex-Ir(piq)2(acac), Hex-Ir(piq)3, Ir(dmpq)3, Ir(dmpq)2(acac), FPQIrpic 등을 들 수 있다.Examples of the compound represented by formula (B-1) include Ir(ppy) 3 , Ir(ppy) 2 (acac), Ir(mppy) 3 , Ir(PPy) 2 (m-bppy), BtpIr( acac), Ir(btp) 2 (acac), Ir(2-phq) 3 , Hex-Ir(phq) 3 , Ir(fbi) 2 (acac), fac-Tris(2-(3-p-xylyl) phenyl)pyridine iridium(III), Eu(dbm) 3 (Phen), Ir(piq) 3 , Ir(piq) 2 (acac), Ir(Fliq) 2 (acac), Ir(Flq) 2 (acac), Ru(dtb-bpy) 3 2(PF 6 ), Ir(2-phq) 3 , Ir(BT) 2 (acac), Ir(DMP) 3 , Ir(Mphq) 3 IR(phq) 2 tpy, fac -Ir(ppy) 2 Pc, Ir(dp)PQ 2 , Ir(Dpm)(Piq) 2 , Hex-Ir(piq) 2 (acac), Hex-Ir(piq) 3 , Ir(dmpq) 3 , Ir (dmpq) 2 (acac), FPQIrpic, and the like.

식(B-1)으로 나타내어지는 화합물로서는, 그 밖에는, 예를 들면 하기 식으로 나타내어지는 화합물을 들 수 있다.As a compound represented by Formula (B-1), the compound represented by a following formula is mentioned, for example in addition to this.

Figure pat00074
Figure pat00074

Figure pat00075
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Figure pat00076
Figure pat00076

또한, 일본특허공개 2006-089398호 공보, 일본특허공개 2006-080419호 공보, 일본특허공개 2005-298483호 공보, 일본특허공개 2005-097263호 공보, 및 일본특허공개 2004-111379호 공보, 미국 특허출원공개 제2019/0051845호 명세서 등에 기재된 이리듐 착체, 또는, Advanced Materials, 26:7116-7121, NPG Asia Materials 13, 53(2021), Applied Physics Letters, 117, 253301(2020), Light-Emitting Diode-An Outlook On the Empirical Features and Its Recent Technological Advancements, Chapter 5에 기재된 백금 착체를 사용해도 된다.Further, Japanese Unexamined Patent Publication No. 2006-089398, Japanese Unexamined Patent Publication No. 2006-080419, Japanese Unexamined Patent Publication No. 2005-298483, Japanese Unexamined Patent Publication No. 2005-097263, and Japanese Unexamined Patent Publication No. 2004-111379, US Patent Iridium complexes described in the specification of Patent Application Publication No. 2019/0051845, etc., or Advanced Materials, 26:7116-7121, NPG Asia Materials 13, 53 (2021), Applied Physics Letters, 117, 253301 (2020), Light-Emitting Diode- The platinum complex described in An Outlook On the Empirical Features and Its Recent Technological Advancements, Chapter 5 may be used.

[어시스팅 도펀트로서 사용되는 열활성형 지연 형광체][Heat activated delayed phosphor used as assisting dopant]

「열활성형 지연 형광체」란, 열 에너지를 흡수하여 최저 여기 삼중항 상태로부터 최저 여기 일중항 상태로의 역항간 교차를 일으키고, 그 최저 여기 일중항 상태로부터 방사 실활하여 지연 형광을 방사할 수 있는 화합물을 의미한다. 단, 「열활성형 지연 형광」이란, 최저 여기 삼중항 상태로부터 최저 여기 일중항 상태로의 여기 과정에서 고차 삼중항을 거치는 것도 포함한다. 예를 들면, Durham 대학 Monkman들에 의한 논문(NATURE COMMUNICATIONS, 7:13680, DOI:10.1038/ncomms 13680), 산업기술종합연구소 호소가이들에 의한 논문(Hosokai et al., Sci.Adv. 2017; 3:e1603282), 교토대학 사토들에 의한 논문(Scientific Reports, 7:4820, DOI:10.1038/s41598-017-05007-7) 및, 마찬가지로 교토대학 사토들에 의한 학회 발표(일본화학회 제98춘계 연회, 발표 번호: 2I4-15, DABNA를 발광 분자로서 사용한 유기 전계 발광에 있어서의 고효율 발광의 기구, 교토대학 대학원 공학 연구과) 등을 들 수 있다. 예를 들면, 대상 화합물을 포함하는 샘플에 대해, 300K로 형광 수명을 측정했을 때, 느린 형광 성분이 관측된 것을 가지고 해당 대상 화합물이 「열활성형 지연 형광체」라고 판정할 수 있다. 여기서, 느린 형광 성분이란, 형광 수명이 0.1μsec 이상의 것을 말한다. 형광 수명의 측정은, 예를 들면 형광 수명 측정 장치(하마마츠포토닉스사제, C11367-01)를 사용하여 행할 수 있다."Thermally activated delayed phosphor" is a phosphor capable of absorbing thermal energy to cause inverse intersystem crossing from the lowest triplet excited state to the lowest singlet excited state, and radiatively deactivated from the lowest singlet excited state to emit delayed fluorescence. means compound. However, "heat-activated delayed fluorescence" includes high-order triplet excitation in the excitation process from the lowest triplet excited state to the lowest singlet excited state. For example, a paper by Monkmans, Durham University (NATURE COMMUNICATIONS, 7:13680, DOI:10.1038/ncomms 13680), a paper by Hosokai et al. :e1603282), a paper by Kyoto University scholars (Scientific Reports, 7:4820, DOI:10.1038/s41598-017-05007-7), and a conference presentation by Kyoto University scholars (Japan Chemical Society 98th Spring Banquet) , Publication No.: 2I4-15, Mechanism of High Efficiency Luminescence in Organic Electroluminescence Using DABNA as a Light-Emitting Molecule, Graduate School of Engineering, Kyoto University), and the like. For example, when the fluorescence lifetime of a sample containing a target compound is measured at 300 K, a slow fluorescence component is observed, and the target compound can be determined to be a “heat-activated delayed phosphor”. Here, the slow fluorescence component refers to a fluorescence lifetime of 0.1 μsec or more. The fluorescence lifetime can be measured using, for example, a fluorescence lifetime measuring device (C11367-01 manufactured by Hamamatsu Photonics Co., Ltd.).

「열활성형 지연 형광체」는, 이미팅 도펀트의 발광을 어시스트하는 어시스팅 도펀트로서 기능시킬 수 있다.The "heat-activated delayed phosphor" can function as an assisting dopant that assists the light emission of the emitting dopant.

이하의 설명에서는, 열활성형 지연 형광체를 어시스팅 도펀트로서 사용하는 유기 전계 발광 소자를, 「TAF 소자」(TADF Assisting Fluorescence 소자)라고 하는 경우가 있다.In the following description, an organic electroluminescent element using a thermally activated delayed phosphor as an assisting dopant is sometimes referred to as a "TAF element" (TADF Assisting Fluorescence element).

TAF 소자에 있어서의 「호스트 화합물」이란, 형광 스펙트럼의 피크 단파장측의 어깨로부터 구해지는 최저 여기 일중항 에너지 준위가, 어시스팅 도펀트 및 이미팅 도펀트보다 높은 화합물을 의미한다.The "host compound" in the TAF element means a compound having a lower excitation singlet energy level determined from the shoulder of the short wavelength side of the peak of the fluorescence spectrum than the assisting dopant and the emitting dopant.

도 2에 일반적인 형광 도펀트를 이미팅 도펀트(ED)에 사용한 TAF 소자의 발광층의 에너지 준위도를 나타낸다. 도면 중, 호스트의 기저 상태의 에너지 준위를 E(1, G), 호스트의 형광 스펙트럼 단파장 측의 어깨로부터 구해지는 최저 여기 일중항 에너지 준위를 E(1, S, Sh), 호스트의 인광 스펙트럼의 단파장 측의 어깨로부터 구해지는 최저 여기 삼중항 에너지 준위를 E(1, T, Sh), 어시스팅 도펀트의 기저 상태 에너지 준위를 E(2, G), 어시스팅 도펀트의 형광 스펙트럼 단파장 측의 어깨로부터 구해지는 최저 여기 일중항 에너지 준위를 E(2, S, Sh), 어시스팅 도펀트의 인광 스펙트럼 단파장 측의 어깨로부터 구해지는 최저 여기 삼중항 에너지 준위를 E(2, T, Sh), 이미팅 도펀트의 기저 상태의 에너지 준위를 E(3, G), 이미팅 도펀트의 형광 스펙트럼 단파장 측의 어깨로부터 구해지는 최저 여기 일중항 에너지 준위를 E(3, S, Sh), 이미팅 도펀트의 인광 스펙트럼 단파장 측의 어깨로부터 구해지는 최저 여기 삼중항 에너지 준위를 E(3, T, Sh), 정공을 h+, 전자를 e-, 형광 공명 에너지 이동을 FRET(Fluorescence Resonance Energy Transfer)로 한다. TAF 소자에 있어서, 일반적인 형광 도펀트를 이미팅 도펀트(ED)로서 사용한 경우, 어시스팅 도펀트에서 업컨버전된 에너지는 이미팅 도펀트의 최저 여기 일중항 에너지 준위 E(3, S, Sh)로 이동하여 발광한다. 그러나, 어시스팅 도펀트 상의 일부의 최저 여기 삼중항 에너지 준위 E(2, T, Sh)가 이미팅 도펀트의 최저 여기 삼중항 에너지 준위 E(3, T, Sh)로 이동하거나, 이미팅 도펀트 상에서 최저 여기 일중항 에너지 준위 E(3, S, Sh)로부터 최저 여기 삼중항 에너지 준위 E(3, T, Sh)로의 항간 교차가 일어나고, 계속하여 기저 상태 E(3, G)로 열적(熱的)으로 실활한다. 이 경로에 의해 일부의 에너지는 발광에 이용되지 않아, 에너지의 낭비가 생긴다.FIG. 2 shows an energy level diagram of a light emitting layer of a TAF device using a general fluorescent dopant as an emitting dopant (ED). In the figure, the energy level of the ground state of the host is E(1, G), the lowest excitation singlet energy level obtained from the shoulder on the short wavelength side of the fluorescence spectrum of the host is E(1, S, Sh), and the phosphorescence spectrum of the host The lowest excitation triplet energy level obtained from the shoulder on the short wavelength side is E(1, T, Sh), the ground state energy level of the assisting dopant is E(2, G), and the fluorescence spectrum of the assisting dopant is from the shoulder on the short wavelength side. The lowest excitation singlet energy level obtained is E(2, S, Sh), the lowest excitation triplet energy level obtained from the shoulder on the short wavelength side of the phosphorescence spectrum of the assisting dopant is E(2, T, Sh), the emitting dopant The energy level of the ground state of E(3, G), the lowest excitation singlet energy level obtained from the shoulder on the short wavelength side of the fluorescence spectrum of the emitting dopant is E(3, S, Sh), the short wavelength phosphorescence spectrum of the emitting dopant The lowest excitation triplet energy level obtained from the side shoulder is E(3, T, Sh), the hole is h+, the electron is e-, and the fluorescence resonance energy transfer is FRET (Fluorescence Resonance Energy Transfer). In the TAF device, when a general fluorescent dopant is used as the emitting dopant (ED), energy upconverted from the assisting dopant moves to the lowest excitation singlet energy level E(3, S, Sh) of the assisting dopant and emits light. do. However, some lowest excitation triplet energy level E(2, T, Sh) on the assisting dopant moves to the lowest excitation triplet energy level E(3, T, Sh) of the emitting dopant, or Intersystem crossing occurs from the excitation singlet energy level E(3, S, Sh) to the lowest excitation triplet energy level E(3, T, Sh), and continues to the ground state E(3, G) deactivate with A part of the energy is not used for light emission through this path, and energy is wasted.

이에 대해, 예를 들면, 식(12), (13) 또는 (14)으로 나타내어지는 화합물을 이미팅 도펀트로서 사용한 TAF 소자에서는, 어시스팅 도펀트부터 이미팅 도펀트로 이동한 에너지를 효율적으로 발광에 이용할 수 있고, 이에 따라 높은 발광 효율을 실현할 수 있다. 이는, 이하의 발광 메커니즘에 의한 것으로 추측된다.In contrast, for example, in a TAF element using a compound represented by Formula (12), (13) or (14) as an emitting dopant, energy transferred from the assisting dopant to the emitting dopant is efficiently utilized for light emission. Therefore, high luminous efficiency can be realized. This is estimated to be based on the following light emission mechanism.

본 양태의 유기 전계 발광 소자에 있어서의 바람직한 에너지 관계를 도 3에 나타낸다. 본 양태의 유기 전계 발광 소자에 있어서는, 이미팅 도펀트로서의, 붕소 원자를 갖는 화합물이 높은 최저 여기 삼중항 에너지 준위 E(3, T, Sh)를 갖는다. 이 때문에, 어시스팅 도펀트에서 업컨버전된 최저 여기 일중항 에너지가, 예를 들어, 이미팅 도펀트에서 최저 여기 삼중항 에너지 준위 E(3, T, Sh)로 항간 교차한 경우에도, 이미팅 도펀트 상에서 업컨버전되거나, 어시스팅 도펀트(열활성형 지연 형광체) 상의 최저 여기 삼중항 에너지 준위 E(2, T, Sh)로 회수된다. 따라서, 생성된 여기 에너지를 낭비없이 발광에 이용할 수 있다. 또한, 업컨버전 및 발광의 기능을 각각 양호하게 할 수 있는 2종의 분자로 나눔으로써, 높은 에너지의 체류 시간이 감소하고, 화합물에 대한 부담이 감소할 것으로 예상된다. A preferable energy relationship in the organic electroluminescent device of the present embodiment is shown in FIG. 3 . In the organic electroluminescent device of this embodiment, a compound having a boron atom as an emitter dopant has a high lowest triplet excitation energy level E(3, T, Sh). Because of this, even when the lowest excitation singlet energy upconverted in the assisting dopant crosses intersystem to, for example, the lowest excitation triplet energy level E(3, T, Sh) in the emitting dopant, on the emitting dopant Upconverted or recovered to the lowest excitation triplet energy level E(2, T, Sh) on the assisting dopant (thermally activated delayed phosphor). Therefore, the generated excitation energy can be used for light emission without waste. In addition, by dividing into two types of molecules capable of improving the function of upconversion and light emission, respectively, it is expected that the residence time of high energy is reduced and the burden on the compound is reduced.

본 양태에 있어서, 호스트 화합물로서는, 본 발명의 다환 방향족 화합물을 사용하는 것이 바람직하다.In this aspect, it is preferable to use the polycyclic aromatic compound of this invention as a host compound.

호스트 화합물의 인광 스펙트럼의 피크 단파장 측의 어깨로부터 구해지는 최저 여기 삼중항 에너지 준위 E(1, T, Sh)는, 발광층 내에서의 TADF의 발생을 저해하지 않고 촉진시키는 관점에서, 발광층 내에 있어서 가장 높은 최저 여기 삼중항 에너지 준위를 가지는 이미팅 도펀트 또는 어시스팅 도펀트의 최저 여기 삼중항 에너지 준위 E(2, T, Sh), E(3, T, Sh)에 비하여 높은 것이 바람직하고, 구체적으로는, 호스트 화합물의 최저 여기 삼중항 에너지 준위 E(1, T, Sh)는 E(2, T, Sh), E(3, T, Sh)에 비해, 0.01eV 이상이 바람직하고, 0.03eV 이상이 보다 바람직하고, 0.1eV 이상이 보다 더 바람직하다. 또한, 호스트 화합물에 TADF 활성인 화합물을 사용해도 된다.The lowest excitation triplet energy level E (1, T, Sh) determined from the shoulder of the short wavelength side of the peak of the phosphorescence spectrum of the host compound is the highest in the light emitting layer from the viewpoint of promoting the generation of TADF in the light emitting layer without hindering it. It is preferably higher than the lowest triplet excitation energy levels E(2, T, Sh) and E(3, T, Sh) of the emitting dopant or assisting dopant having the highest lowest excitation triplet energy level, specifically, , The lowest excitation triplet energy level E(1, T, Sh) of the host compound is preferably 0.01 eV or more, and preferably 0.03 eV or more, compared to E(2, T, Sh), E(3, T, Sh). It is more preferable, and 0.1eV or more is even more preferable. Further, a compound having TADF activity may be used as the host compound.

TAF 소자에서 사용하는 열활성형 지연 형광체(TADF 화합물)은, 도너라고 불리는 전자 공여성의 치환기와 억셉터라고 불리는 전자 수용성의 치환기를 사용하여 분자 내의 HOMO(Highest Occupied Molecular Orbital)와 LUMO(Lowest Unoccupied Molecular Orbital)를 국재화(局在化)시켜서, 효율적인 역항간 교차(reverse intersystem crossing)가 일어나게 디자인된, 도너-억셉터형 열활성형 지연 형광체(D-A형 TADF 화합물)인 것이 바람직하다.The thermally activated delayed phosphor (TADF compound) used in the TAF element uses an electron-donating substituent called a donor and an electron-accepting substituent called an acceptor to achieve HOMO (Highest Occupied Molecular Orbital) and LUMO (Lowest Unoccupied It is preferable to be a donor-acceptor type thermally activated delayed phosphor (D-A type TADF compound) designed to localize molecular orbitals and cause efficient reverse intersystem crossing.

여기서, 「전자 공여성의 치환기」(도너)란, 열활성형 지연 형광체 분자 중에서 HOMO가 국재하는 치환기 및 부분 구조를 의미하고, 「전자 수용성의 치환기」(억셉터)란, 열활성형 지연 형광체 분자 중에서 LUMO가 국재하는 치환기 및 부분 구조를 의미하는 것으로 한다. Here, "electron-donating substituent" (donor) means a substituent and partial structure in which HOMO is localized in a thermally activated delayed phosphor molecule, and "electron-accepting substituent" (acceptor) means a thermally activated delayed phosphor It shall mean the substituent and partial structure in which LUMO localizes in a molecule.

일반적으로, 도너나 억셉터를 사용한 열활성형 지연 형광체는, 구조에 기인하여 스핀 궤도 결합(SOC: Spin Orbit Coupling)이 크고, 동시에, HOMO와 LUMO의 교환 상호 작용이 작고 ΔEST가 작으므로, 매우 빠른 역항간 교차 속도가 얻어진다. 한편, 도너나 억셉터를 사용한 열활성형 지연 형광체는, 여기 상태에서의 구조 완화가 커지고(어떤 분자에 있어서는, 기저 상태와 여기 상태에서는 안정 구조가 상이하므로, 외부 자극에 의해 기저 상태로부터 여기 상태로의 변환이 일어나면, 그 후, 여기 상태에 있어서의 안정 구조로 구조가 변화됨), 폭이 넓은 발광 스펙트럼을 제공하므로, 발광 재료로서 사용하면 색순도를 저하시킬 가능성이 있다. 그러나, 식(12), (13) 또는 (14)으로 나타내어지는 화합물 등의 적절한 이미팅 도펀트와 함께, 도너나 억셉터를 사용한 열활성형 지연 형광체를 어시스팅 도펀트로서 사용함으로써, 높은 색순도를 제공할 수 있다. In general, a thermally activated delayed phosphor using a donor or acceptor has a large spin-orbit coupling (SOC) due to its structure, and at the same time, the exchange interaction between HOMO and LUMO is small and ΔE ST is small, so, Very fast inverse interphase crossing velocities are obtained. On the other hand, thermally activated delayed phosphors using a donor or acceptor have a large structural relaxation in the excited state (since the stable structure is different between the ground state and the excited state in some molecules, it is changed from the ground state to the excited state by external stimulation). When conversion occurs, the structure is then changed to a stable structure in an excited state), providing a wide luminescence spectrum, so there is a possibility of reducing color purity when used as a luminescent material. However, high color purity is provided by using a thermally activated delayed phosphor using a donor or acceptor as an assisting dopant together with an appropriate emitting dopant such as a compound represented by formula (12), (13) or (14). can do.

TAF 소자에 있어서의 열활성형 지연 형광체로서, 예를 들면 도너 및 억셉터가 직접 또는 스페이서를 통하여 결합하고 있는 화합물을 사용할 수 있다. 본 발명의 열활성형 지연 형광체에 사용되는 전자 공여성기(도너성의 구조) 및 전자 수용성기(억셉터성의 구조)로서는, 예를 들면, Chemistry of Materials, 2017, 29, 1946-1963에 기재된 구조를 사용할 수 있다. 도너성의 구조로서는, 카르바졸, 디메틸카르바졸, 디-tert-부틸카르바졸, 디메톡시카르바졸, 테트라메틸카르바졸, 벤조플루오로카르바졸, 벤조티에노카르바졸, 페닐디히드로인돌로카르바졸, 페닐비카르바졸, 비카르바졸, 터카르바졸, 디페닐카르바졸릴아민, 테트라페닐카르바졸릴디아민, 페녹사진, 디히드로페나진, 페노티아진, 디메틸디히드로아크리딘, 디페닐아민, 비스(tert-부틸페닐)아민, N1-(4-(디페닐아미노)페닐)-N4,N4-디페닐벤젠-1,4-디아민, 디메틸테트라페닐디히드로아크리딘디아민, 테트라메틸-디히드로-인데노아크리딘 및 디페닐-디히드로디벤조아자실린 등을 들 수 있다. 억셉터성의 구조로서는, 술포닐디벤젠, 벤조페논, 페닐렌비스(페닐메타논), 벤조니트릴, 이소니코티노니트릴, 프탈로니트릴, 이소프탈로니트릴, 파라프탈로니트릴, 벤젠트리카르보니트릴, 트리아졸, 옥사졸, 티아디아졸, 벤조티아졸, 벤조비스(티아졸), 벤조옥사졸, 벤조비스(옥사졸), 퀴놀린, 벤조이미다졸, 디벤조퀴녹살린, 헵타아자페날렌, 티옥산톤디옥사이드, 디메틸안트라세논, 안트라센디온, 5H-시클로펜타[1,2-b:5,4-b']디피리딘, 플루오렌디카르보니트릴, 트리페닐트리아진, 피라진디카르보니트릴, 피리미딘, 페닐피리미딘, 메틸피리미딘, 피리딘디카르보니트릴, 디벤조퀴녹살린디카르보니트릴, 비스(페닐술포닐)벤젠, 디메틸티옥산텐디옥사이드, 티안트렌테트라옥사이드 및 트리스(디메틸페닐)보란을 들 수 있다. 특히, TAF 소자에 있어서의 열활성형 지연 형광을 갖는 화합물은, 부분 구조로서, 카르바졸, 페녹사진, 아크리딘, 트리아진, 피리미딘, 피라진, 티오잔텐, 벤조니트릴, 프탈로니트릴, 이소프탈로니트릴, 디페닐술폰, 트리아졸, 옥사디아졸, 티아디아졸 및 벤조페논으로부터 선택되는 적어도 하나를 갖는 화합물인 것이 바람직하다. As the thermally activated delayed phosphor in the TAF element, for example, a compound in which a donor and an acceptor are bonded directly or through a spacer can be used. As the electron-donating group (donor structure) and electron-accepting group (acceptor structure) used in the thermally activated delayed phosphor of the present invention, for example, the structure described in Chemistry of Materials, 2017, 29, 1946-1963 can be used As the donor structure, carbazole, dimethylcarbazole, di-tert-butylcarbazole, dimethoxycarbazole, tetramethylcarbazole, benzofluorocarbazole, benzothienocarbazole, phenyldihydroindolocarbazole, Phenylbicarbazole, bicarbazole, tercarbazole, diphenylcarbazolylamine, tetraphenylcarbazolyldiamine, phenoxazine, dihydrophenazine, phenothiazine, dimethyldihydroacridine, diphenylamine, bis (tert-butylphenyl)amine, N1-(4-(diphenylamino)phenyl)-N4,N4-diphenylbenzene-1,4-diamine, dimethyltetraphenyldihydroacridinediamine, tetramethyl-dihydro- indenoacridine and diphenyl-dihydrodibenzoazacillin; and the like. As the acceptor structure, sulfonyldibenzene, benzophenone, phenylenebis (phenylmethanone), benzonitrile, isonicotinonitrile, phthalonitrile, isophthalonitrile, paraphthalonitrile, benzenetricarbonitrile, triazole , oxazole, thiadiazole, benzothiazole, benzobis(thiazole), benzooxazole, benzobis(oxazole), quinoline, benzoimidazole, dibenzoquinoxaline, heptaazaphenalene, thioxanthone dioxide , dimethylanthracenone, anthracenedione, 5H-cyclopenta[1,2-b:5,4-b']dipyridine, fluorenedicarbonitrile, triphenyltriazine, pyrazinedicarbonitrile, pyrimidine, phenylpyridine midine, methylpyrimidine, pyridinedicarbonitrile, dibenzoquinoxalinedicarbonitrile, bis(phenylsulfonyl)benzene, dimethylthioxanthenedioxide, thianthrenetetraoxide and tris(dimethylphenyl)borane. In particular, the compound having thermally activated delayed fluorescence in the TAF element has, as a partial structure, carbazole, phenoxazine, acridine, triazine, pyrimidine, pyrazine, thioxanthene, benzonitrile, phthalonitrile, isop It is preferably a compound having at least one selected from talonitrile, diphenylsulfone, triazole, oxadiazole, thiadiazole and benzophenone.

TAF 소자에 있어서의 발광층의 어시스팅 도펀트로서 사용하는 화합물은, 열활성형 지연 형광체이며, 그 발광 스펙트럼이 이미팅 도펀트의 흡수 피크와 적어도 일부 중첩되는 화합물인 것이 바람직하다.The compound used as the assisting dopant of the light emitting layer in the TAF element is a thermally activated delayed phosphor, and it is preferable that the emission spectrum overlaps at least partially with the absorption peak of the emitting dopant.

<유기 전계 발광 소자에 있어서의 전자 주입층, 전자 수송층><Electron Injection Layer and Electron Transport Layer in Organic Electroluminescent Device>

전자 주입층(107)은, 음극(108)으로부터 이동해 오는 전자를, 효율적으로 발광층(105) 내 또는 전자 수송층(106) 내로 주입하는 역할을 한다. 전자 수송층(106)은, 음극(108)으로부터 주입된 전자 또는 음극(108)으로부터 전자 주입층(107)을 통해 주입된 전자를, 효율적으로 발광층(105)으로 수송하는 역할을 한다. 전자 수송층(106) 및 전자 주입층(107)은, 각각, 전자 수송·주입 재료의 1종 또는 2종 이상을 적층, 혼합하거나, 전자 수송·주입 재료와 고분자 결착제의 혼합물에 의해 형성된다.The electron injection layer 107 serves to efficiently inject electrons moving from the cathode 108 into the light emitting layer 105 or into the electron transport layer 106 . The electron transport layer 106 serves to efficiently transport electrons injected from the cathode 108 or electrons injected from the cathode 108 through the electron injection layer 107 to the light emitting layer 105 . The electron transport layer 106 and the electron injection layer 107 are formed by laminating or mixing one or more electron transport/injection materials, or a mixture of an electron transport/injection material and a polymeric binder.

전자 주입·수송층이란, 음극으로부터 전자가 주입되고, 또한 전자를 수송하는 것을 담당하는 층이며, 전자 주입 효율이 높고, 주입된 전자를 효율적으로 수송하는 것이 바람직하다. 이를 위해서는 전자 친화력이 크고, 또한 전자 이동도가 크고, 나아가 안정성이 우수하고, 트랩이 되는 불순물이 제조시 및 사용시에 발생하기 어려운 물질인 것이 바람직하다. 그러나, 정공과 전자의 수송 밸런스를 고려한 경우, 양극으로부터의 정공이 재결합하지 않고 음극측으로 흐르는 것을 효율적으로 저지할 수 있는 역할을 주로 하는 경우에는, 전자 수송 능력이 그다지 높지 않더라도, 발광 효율을 향상시키는 효과는 전자 수송 능력이 높은 재료와 동등하게 갖는다. 따라서, 본 실시 형태에 있어서의 전자 주입·수송층은, 정공의 이동을 효율적으로 저지할 수 있는 층의 기능도 포함되어도 된다.The electron injection/transport layer is a layer responsible for injecting electrons from the cathode and transporting the electrons, and preferably has high electron injection efficiency and efficiently transports the injected electrons. For this purpose, it is preferable to use a material that has high electron affinity, high electron mobility, and excellent stability, and is unlikely to generate trap impurities during production and use. However, in the case of considering the transport balance of holes and electrons, when the role of efficiently preventing the flow of holes from the anode to the cathode side without recombination is mainly performed, even if the electron transport capacity is not so high, the luminous efficiency is improved. The effect is equivalent to that of a material having a high electron transport ability. Therefore, the electron injection/transport layer in the present embodiment may also include a function of a layer capable of effectively blocking the movement of holes.

전자 수송층(106) 또는 전자 주입층(107)을 형성하는 재료(전자 수송 재료)로서는, 광도전 재료에 있어서 전자 전달 화합물로서 종래부터 관용되고 있는 화합물, 유기 EL 소자의 전자 주입층 및 전자 수송층에 사용되고 있는 공지의 화합물 중에서 임의로 선택하여 사용할 수 있다. 본 발명의 다환 방향족 화합물을 전자 수송층용의 재료로서 사용하는 것도 바람직하다.As the material (electron transport material) forming the electron transport layer 106 or the electron injection layer 107, a compound conventionally used as an electron transport compound in photoconductive materials, an electron injection layer and an electron transport layer of an organic EL device. It can be used by selecting it arbitrarily from known compounds in use. It is also preferable to use the polycyclic aromatic compound of the present invention as a material for an electron transport layer.

전자 수송층 또는 전자 주입층에 사용되는 재료로서는, 탄소, 수소, 산소, 황, 규소 및 인 중에서 선택되는 1종 이상의 원자로 구성되는 방향족환 또는 복소 방향족환으로 이루어지는 화합물, 피롤 유도체 및 그 축합환 유도체 및 전자 수용성 질소를 갖는 금속착체 중에서 선택되는 적어도 1종을 함유하는 것이 바람직하다. 구체적으로는, 나프탈렌, 안트라센 등의 축합환계 방향족환 유도체, 4,4'-비스(디페닐에테닐)비페닐로 대표되는 스티릴계 방향족환 유도체, 페리논 유도체, 쿠마린 유도체, 나프탈이미드 유도체, 안트라퀴논이나 디페노퀴논 등의 퀴논 유도체, 포스핀옥사이드 유도체, 아릴니트릴 유도체 및 인돌 유도체 등을 들 수 있다. 전자 수용성 질소를 갖는 금속 착체로서는, 예를 들면, 히드록시페닐옥사졸 착체 등의 히드록시아졸 착체, 아조메틴 착체, 트로폴론 금속 착체, 플라보놀 금속 착체 및 벤조퀴놀린 금속 착체 등을 들 수 있다. 이들 재료는 단독으로도 사용되지만, 다른 재료와 혼합하여 사용해도 상관없다.As the material used for the electron transport layer or the electron injection layer, compounds comprising an aromatic ring or heteroaromatic ring composed of at least one atom selected from carbon, hydrogen, oxygen, sulfur, silicon and phosphorus, pyrrole derivatives and condensed ring derivatives thereof; It is preferable to contain at least one kind selected from metal complexes having electron-accepting nitrogen. Specifically, condensed ring aromatic ring derivatives such as naphthalene and anthracene, styryl aromatic ring derivatives represented by 4,4'-bis(diphenylethenyl)biphenyl, perinone derivatives, coumarin derivatives, and naphthalimide derivatives , quinone derivatives such as anthraquinone and diphenoquinone, phosphine oxide derivatives, arylnitrile derivatives, and indole derivatives. Examples of the metal complex having electron-accepting nitrogen include hydroxyazole complexes such as hydroxyphenyloxazole complexes, azomethine complexes, tropolone metal complexes, flavonol metal complexes, and benzoquinoline metal complexes. Although these materials are used alone, you may mix and use them with other materials.

또한, 다른 전자 전달 화합물의 구체예로서, 피리딘 유도체, 나프탈렌 유도체, 안트라센 유도체, 페난트롤린 유도체, 페리논 유도체, 쿠마린 유도체, 나프탈이미드 유도체, 안트라퀴논 유도체, 디페노퀴논 유도체, 디페닐퀴논 유도체, 페릴렌 유도체, 옥사디아졸 유도체(1,3-비스[(4-t-부틸페닐)1,3,4-옥사디아졸릴]페닐렌 등), 티오펜 유도체, 트리아졸 유도체(N-나프틸-2,5-디페닐-1,3,4-트리아졸 등), 티아디아졸 유도체, 옥신 유도체의 금속 착체, 퀴놀리놀계 금속 착체, 퀴녹살린 유도체, 퀴녹살린 유도체의 폴리머, 벤자졸류 화합물, 갈륨 착체, 피라졸 유도체, 퍼플루오로화페닐렌 유도체, 트리아진 유도체, 피라진 유도체, 벤조퀴놀린 유도체(2,2'-비스(벤조[h]퀴놀린-2-일)-9,9'-스피로비플루오렌 등), 이미다조피리딘 유도체, 보란 유도체, 벤조이미다졸 유도체(트리스(N-페닐벤조이미다졸-2-일)벤젠 등), 벤조옥사졸 유도체, 벤조티아졸 유도체, 퀴놀린 유도체, 터피리딘 등의 올리고 피리딘 유도체, 비피리딘 유도체, 터피리딘 유도체((1,3-비스(2,2':6',2"-터피리딘-4'-일)벤젠 등), 나프티리딘 유도체(비스(1-나프틸)-4-(1,8-나프티리딘-2-일)페닐포스핀옥사이드 등), 알다진 유도체, 카르바졸 유도체, 인돌 유도체, 포스핀옥사이드 유도체, 비스스티릴 유도체 등을 들 수 있다.In addition, as specific examples of other electron transfer compounds, pyridine derivatives, naphthalene derivatives, anthracene derivatives, phenanthroline derivatives, perinone derivatives, coumarin derivatives, naphthalimide derivatives, anthraquinone derivatives, diphenoquinone derivatives, diphenylquinone Derivatives, perylene derivatives, oxadiazole derivatives (1,3-bis[(4-t-butylphenyl)1,3,4-oxadiazolyl]phenylene, etc.), thiophene derivatives, triazole derivatives (N- naphthyl-2,5-diphenyl-1,3,4-triazole, etc.), thiadiazole derivatives, metal complexes of auxin derivatives, quinolinol-based metal complexes, quinoxaline derivatives, polymers of quinoxaline derivatives, benzazoles compounds, gallium complexes, pyrazole derivatives, perfluorophenylene derivatives, triazine derivatives, pyrazine derivatives, benzoquinoline derivatives (2,2'-bis(benzo[h]quinolin-2-yl)-9,9' -spirobifluorene, etc.), imidazopyridine derivatives, borane derivatives, benzoimidazole derivatives (tris(N-phenylbenzoimidazol-2-yl)benzene, etc.), benzoxazole derivatives, benzothiazole derivatives, quinoline derivatives , Oligopyridine derivatives such as terpyridine, bipyridine derivatives, terpyridine derivatives ((1,3-bis(2,2':6',2"-terpyridin-4'-yl)benzene, etc.), naphthyridine derivatives (bis(1-naphthyl)-4-(1,8-naphthyridin-2-yl)phenylphosphine oxide, etc.), aldazine derivatives, carbazole derivatives, indole derivatives, phosphine oxide derivatives, bisstyryl derivatives etc. can be mentioned.

또한, 전자 수용성 질소를 갖는 금속 착체를 사용할 수도 있고, 예를 들면, 퀴놀리놀계 금속 착체나 히드록시페닐옥사졸 착체 등의 히드록시아졸 착체, 아조메틴 착체, 트로폴론 금속 착체, 플라보놀 금속 착체 및 벤조퀴놀린 금속 착체 등을 들 수 있다.In addition, metal complexes having electron-accepting nitrogen can also be used, for example, quinolinol-based metal complexes, hydroxyazole complexes such as hydroxyphenyloxazole complexes, azomethine complexes, tropolone metal complexes, and flavonol metal complexes. and benzoquinoline metal complexes.

상술한 재료는 단독으로도 사용되지만, 다른 재료와 혼합하여 사용해도 상관없다.The above materials are used alone, but may be used in combination with other materials.

상술한 재료 중에서도, 보란 유도체, 피리딘 유도체, 플루오란텐 유도체, BO계 유도체, 안트라센 유도체, 벤조플루오렌 유도체, 포스핀옥사이드 유도체, 피리미딘 유도체, 아릴니트릴 유도체, 트리아진 유도체, 벤조이미다졸 유도체, 페난트롤린 유도체, 및 퀴놀리놀계 금속 착체가 바람직하다.Among the above materials, borane derivatives, pyridine derivatives, fluoranthene derivatives, BO derivatives, anthracene derivatives, benzofluorene derivatives, phosphine oxide derivatives, pyrimidine derivatives, arylnitrile derivatives, triazine derivatives, benzoimidazole derivatives, Phenanthroline derivatives, and quinolinol-based metal complexes are preferred.

전자 수송층 또는 전자 주입층에는, 전자 수송층 또는 전자 주입층을 형성하는 재료를 환원할 수 있는 물질을 더 포함하고 있어도 된다. 이 환원성 물질은, 일정한 환원성을 가지는 물질이라면, 다양한 물질이 사용되고, 예를 들면, 알칼리 금속, 알칼리토류 금속, 희토류 금속, 알칼리 금속의 산화물, 알칼리 금속의 할로겐화물, 알칼리토류 금속의 산화물, 알칼리토류 금속의 할로겐화물, 희토류 금속의 산화물, 희토류 금속의 할로겐화물, 알칼리 금속의 유기 착체, 알칼리토류 금속의 유기 착체 및 희토류 금속의 유기 착체로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 하나를 바람직하게 사용할 수 있다.The electron transport layer or electron injection layer may further contain a substance capable of reducing a material forming the electron transport layer or electron injection layer. As long as this reducing substance has a certain reducing property, various substances are used, for example, alkali metals, alkaline earth metals, rare earth metals, oxides of alkali metals, halides of alkali metals, oxides of alkaline earth metals, and alkaline earths. At least one selected from the group consisting of metal halides, rare earth metal oxides, rare earth metal halides, alkali metal organic complexes, alkaline earth metal organic complexes, and rare earth metal organic complexes can be preferably used.

바람직한 환원성 물질로서는, Na(일함수 2.36eV), K(동 2.28eV), Rb(동 2.16eV) 또는 Cs(동 1.95eV) 등의 알칼리 금속이나, Ca(동 2.9eV), Sr(동 2.0∼2.5eV) 또는 Ba(동 2.52eV) 등의 알칼리토류 금속을 들 수 있고, 일함수가 2.9eV 이하인 물질이 특히 바람직하다. 이들 중, 보다 바람직한 환원성 물질은, K, Rb 또는 Cs의 알칼리 금속이며, 보다 더 바람직하게는 Rb 또는 Cs이며, 가장 바람직한 것은 Cs이다. 이들 알칼리 금속은, 특히 환원 능력이 높고, 전자 수송층 또는 전자 주입층을 형성하는 재료에의 비교적 소량의 첨가에 의해, 유기 EL 소자에 있어서의 발광 휘도의 향상이나 긴 수명화가 도모된다. 또한, 일함수가 2.9eV 이하인 환원성 물질로서, 이들 2종 이상의 알칼리 금속의 조합도 바람직하고, 특히, Cs를 포함한 조합, 예를 들면, Cs과 Na, Cs과 K, Cs과 Rb, 또는 Cs과 Na과 K의 조합이 바람직하다. Cs를 포함함으로써, 환원 능력을 효율적으로 발휘할 수 있고, 전자 수송층 또는 전자 주입층을 형성하는 재료에의 첨가에 의해, 유기 EL 소자에 있어서의 발광 휘도의 향상이나 긴 수명화가 도모된다.Preferred reducing substances include alkali metals such as Na (work function 2.36 eV), K (2.28 eV copper), Rb (2.16 eV copper) or Cs (1.95 eV copper), Ca (2.9 eV copper), and Sr (2.0 eV copper). to 2.5 eV) or an alkaline earth metal such as Ba (copper 2.52 eV), and a substance having a work function of 2.9 eV or less is particularly preferred. Among these, a more preferable reducing substance is an alkali metal of K, Rb or Cs, even more preferably Rb or Cs, and most preferably Cs. These alkali metals have particularly high reducing ability, and the addition of a relatively small amount to the material forming the electron transport layer or the electron injection layer can improve the light emission luminance and lengthen the lifetime of the organic EL device. In addition, as a reducing substance having a work function of 2.9 eV or less, a combination of two or more alkali metals is also preferable, and in particular, a combination containing Cs, for example, Cs and Na, Cs and K, Cs and Rb, or Cs and A combination of Na and K is preferred. By including Cs, reducing ability can be exhibited efficiently, and addition to the material forming the electron transport layer or electron injection layer can improve the luminescence brightness and lengthen the lifetime of the organic EL device.

<유기 전계 발광 소자에 있어서의 음극><Cathode in organic electroluminescence device>

음극(108)은, 전자 주입층(107) 및 전자 수송층(106)을 통하여, 발광층(105)에 전자를 주입하는 역할을 한다.The cathode 108 serves to inject electrons into the light emitting layer 105 through the electron injection layer 107 and the electron transport layer 106 .

음극(108)을 형성하는 재료로서는, 전자를 유기층에 효율적으로 주입할 수 있는 물질이라면 특별히 한정되지 않지만, 양극(102)을 형성하는 재료와 동일한 재료를 사용할 수 있다. 그 중에서도, 주석, 인듐, 칼슘, 알루미늄, 은, 구리, 니켈, 크롬, 금, 백금, 철, 아연, 리튬, 나트륨, 칼륨, 세슘 및 마그네슘 등의 금속 또는 그들의 합금(마그네슘-은 합금, 마그네슘-인듐 합금, 불화리튬/알루미늄 등의 알루미늄-리튬 합금 등) 등이 바람직하다. 전자 주입 효율을 높여 소자 특성을 향상시키기 위해서는, 리튬, 나트륨, 칼륨, 세슘, 칼슘, 마그네슘 또는 이들 저(低)일함수 금속을 포함하는 합금이 유효하다. 그러나, 이들 저일함수 금속은 일반적으로 대기 중에서 불안정한 경우가 많다. 이러한 점을 개선하기 위해, 예를 들면, 유기층에 미량의 리튬, 세슘이나 마그네슘을 도핑하여, 안정성이 높은 전극을 사용하는 방법이 알려져 있다. 그 밖의 도펀트로서는, 불화리튬, 불화세슘, 산화리튬 및 산화세슘과 같은 무기염도 사용할 수 있다. 단, 이들에 한정되지 않는다.The material forming the cathode 108 is not particularly limited as long as it is a material capable of efficiently injecting electrons into the organic layer, but the same material as the material forming the anode 102 can be used. Among them, metals or alloys thereof (magnesium-silver alloy, magnesium- aluminum-lithium alloys such as indium alloys and lithium fluoride/aluminum); In order to improve device characteristics by increasing electron injection efficiency, lithium, sodium, potassium, cesium, calcium, magnesium, or alloys containing these low work function metals are effective. However, these low work function metals are generally unstable in air in many cases. In order to improve this point, a method is known in which, for example, an organic layer is doped with a small amount of lithium, cesium or magnesium to use an electrode having high stability. As other dopants, inorganic salts such as lithium fluoride, cesium fluoride, lithium oxide and cesium oxide can also be used. However, it is not limited to these.

나아가, 전극 보호를 위해 백금, 금, 은, 구리, 철, 주석, 알루미늄 및 인듐 등의 금속, 또는 이들 금속을 사용한 합금, 그리고 실리카, 티타니아 및 질화규소 등의 무기물, 폴리비닐알콜, 염화비닐, 탄화수소계 고분자 화합물 등을 적층하는 것을, 바람직한 예로서 들 수 있다. 이들 전극의 제작법도, 저항 가열, 전자빔 증착, 스퍼터링, 이온 플레이팅 및 코팅 등, 도통(導通)을 취할 수 있으면 특별히 제한되지 않는다.Furthermore, metals such as platinum, gold, silver, copper, iron, tin, aluminum, and indium, or alloys using these metals, and inorganic substances such as silica, titania, and silicon nitride, polyvinyl alcohol, vinyl chloride, and hydrocarbons for electrode protection Preferred examples include laminating a polymeric compound or the like. Methods for producing these electrodes are not particularly limited as long as conduction can be achieved, such as resistance heating, electron beam evaporation, sputtering, ion plating and coating.

<유기 전계 발광 소자의 제작 방법><Method of manufacturing organic electroluminescence device>

유기 EL 소자를 구성하는 각 층은, 각 층을 구성하는 재료를 증착법, 저항 가열 증착, 전자빔 증착, 스퍼터링, 분자 적층법, 인쇄법, 스핀 코트법 또는 캐스트법, 코팅법 등의 방법으로 박막으로 함으로써, 형성할 수 있다. 이와 같이 하여 형성된 각 층의 막 두께에 대해서는 특별히 한정은 없고, 재료의 성질에 따라 적절히 설정할 수 있지만, 통상 2nm∼5000nm의 범위이다. 막 두께는 통상, 수정 발진식 막 두께 측정 장치 등으로 측정할 수 있다. 증착법을 이용하여 박막화하는 경우, 그 증착 조건은, 재료의 종류, 막의 목적으로 하는 결정 구조 및 회합 구조 등에 따라 다르다. 증착 조건은 일반적으로, 보트 가열 온도 +50∼+400℃, 진공도 10-6∼10-3Pa, 증착 속도 0.01∼50nm/초, 기판 온도 -150∼+300℃, 막 두께 2nm∼5㎛의 범위에서 적절히 설정하는 것이 바람직하다. For each layer constituting the organic EL device, the material constituting each layer is formed into a thin film by a method such as evaporation, resistance heating evaporation, electron beam evaporation, sputtering, molecular lamination method, printing method, spin coating method, casting method, or coating method. By doing so, it can be formed. The film thickness of each layer formed in this way is not particularly limited and can be appropriately set depending on the nature of the material, but is usually in the range of 2 nm to 5000 nm. The film thickness can usually be measured with a crystal oscillation type film thickness measuring device or the like. In the case of thinning using a vapor deposition method, the deposition conditions differ depending on the type of material, the target crystal structure and association structure of the film, and the like. Deposition conditions are generally boat heating temperature +50 to +400 ° C, vacuum degree 10 -6 to 10 -3 Pa, deposition rate 0.01 to 50 nm / sec, substrate temperature -150 to +300 ° C, film thickness 2 nm to 5 μm. It is desirable to set appropriately within the range.

이와 같이 하여 얻어진 유기 EL 소자에 직류 전압을 인가하는 경우에는, 양극을 +, 음극을 -의 극성으로 하여 인가하면 되고, 전압 2∼40V 정도를 인가하면, 투명 또는 반투명의 전극측(양극 또는 음극, 및 양쪽)에서 발광을 관측할 수 있다. 또한, 이 유기 EL 소자는, 펄스 전류나 교류 전류를 인가한 경우에도 발광한다. 또한, 인가하는 교류의 파형은 임의여도 된다.In the case of applying a direct current voltage to the organic EL element obtained in this way, the anode may be applied with + and the cathode as the polarity, and when a voltage of about 2 to 40 V is applied, the transparent or translucent electrode side (anode or cathode) , and both) can observe luminescence. In addition, this organic EL element emits light even when a pulse current or an alternating current is applied. In addition, the waveform of the alternating current to apply may be arbitrary.

다음으로, 유기 EL 소자를 제작하는 방법의 일 예로서, 양극/정공 주입층/정공 수송층/호스트 재료와 도펀트 재료로 이루어지는 발광층/전자 수송층/전자 주입층/음극으로 이루어지는 유기 EL 소자의 제작법에 대하여 설명한다. Next, as an example of a method for manufacturing an organic EL device, a method for manufacturing an organic EL device composed of an anode/a hole injection layer/a hole transport layer/a light emitting layer composed of a host material and a dopant material/an electron transport layer/an electron injection layer/cathode Explain.

<증착법><Deposition method>

적당한 기판 상에, 양극 재료의 박막을 증착법 등에 의해 형성시켜 양극을 제작한 후, 이 양극 상에 정공 주입층 및 정공 수송층의 박막을 형성시킨다. 이 위에 호스트 재료와 도펀트 재료를 공증착하고 박막을 형성시켜 발광층으로 하고 이 발광층 상에 전자 수송층, 전자 주입층을 형성시키고, 또한 음극용 물질로 이루어지는 박막을 증착법 등에 의해 형성시켜 음극으로 함으로써, 목적으로 하는 유기 EL 소자가 얻어진다. 또한, 상술한 유기 EL 소자의 제작에 있어서는, 제작 순서를 반대로 하여, 음극, 전자 주입층, 전자 수송층, 발광층, 정공 수송층, 정공 주입층, 양극의 순으로 제작하는 것도 가능하다.After fabricating an anode by forming a thin film of anode material on a suitable substrate by vapor deposition or the like, thin films of a hole injection layer and a hole transport layer are formed on the anode. A host material and a dopant material are co-evaporated thereon to form a thin film to form a light emitting layer, an electron transport layer and an electron injection layer are formed on the light emitting layer, and a thin film made of a material for the cathode is formed by a vapor deposition method or the like to form a cathode, The organic EL element which does is obtained. In addition, in fabricating the organic EL device described above, it is also possible to reverse the fabrication order and fabricate the cathode, electron injection layer, electron transport layer, light emitting layer, hole transport layer, hole injection layer and anode in this order.

<습식 성막법><Wet film forming method>

습식 성막법은, 유기 EL 소자의 각 유기층을 형성할 수 있는 저분자 화합물을 액상의 유기층 형성용 조성물로서 준비하고, 이를 사용함으로써 실시된다. 이 저분자 화합물을 용해하는 적당한 유기 용매가 없을 경우에는, 해당 저분자 화합물에 반응성 치환기를 치환시킨 반응성 화합물로서 용해성 기능을 가지는 다른 모노머나 주사슬형 고분자와 함께 고분자화시킨 고분자 화합물 등으로부터 유기층 형성용 조성물을 준비해도 된다.The wet film forming method is performed by preparing a low-molecular compound capable of forming each organic layer of an organic EL element as a liquid composition for forming an organic layer, and using the same. When there is no suitable organic solvent for dissolving the low molecular weight compound, a reactive compound obtained by substituting a reactive substituent in the low molecular weight compound and a composition for forming an organic layer from a high molecular compound polymerized together with other monomers having a soluble function or a main chain polymer, etc. you can prepare

습식 성막법은, 일반적으로는, 기판에 유기층 형성용 조성물을 도포하는 도포 공정 및 도포된 유기층 형성용 조성물로부터 용매를 제거하는 건조 공정을 거침으로써 도막을 형성한다. 상기 고분자 화합물이 가교성 치환기를 가지는 경우(이를 가교성 고분자 화합물이라고도 함)에는, 이 건조 공정에 의해 더 가교하여 고분자 가교체가 형성된다. 도포 공정의 차이에 따라, 스핀 코터를 사용하는 방법을 스핀 코트법, 슬릿 코터를 사용하는 방법을 슬릿 코트법, 판을 사용하는 방법을 그라비아 오프셋, 리버스 오프셋, 플렉소 인쇄법, 잉크젯 프린터를 사용하는 방법을 잉크젯법, 안개 형상으로 내뿜는 방법을 스프레이법이라고 부른다. 건조 공정에는, 풍건, 가열, 감압 건조 등의 방법이 있다. 건조 공정은 1회만 해도 되고, 다른 방법이나 조건을 이용하여 복수 회 행해도 된다. 또한, 예를 들면, 감압 하에서의 소성과 같이, 다른 방법을 병용해도 된다.In the wet film forming method, generally, a coating film is formed by passing through an application step of applying a composition for forming an organic layer to a substrate and a drying step of removing a solvent from the applied composition for forming an organic layer. When the polymer compound has a cross-linkable substituent (also referred to as a cross-linkable polymer compound), it is further cross-linked in this drying step to form a polymer cross-linked body. Depending on the difference in the coating process, the spin coat method uses a spin coater, the slit coat method uses a slit coater, and the gravure offset, reverse offset, flexographic printing, and inkjet printers are used for the plate method. The method of doing this is called the inkjet method, and the method of spraying in the form of mist is called the spray method. The drying process includes methods such as air drying, heating, and drying under reduced pressure. The drying step may be performed only once, or may be performed a plurality of times using different methods and conditions. In addition, you may use other methods together, such as baking under reduced pressure, for example.

습식 성막법이란 용액을 사용한 성막법으로서, 예를 들면, 일부의 인쇄법(잉크젯법), 스핀 코트법 또는 캐스트법, 코팅법 등이다. 습식 성막법은 진공 증착법과 달리 고가의 진공 증착 장치를 사용할 필요가 없고, 대기압 하에서 성막할 수 있다. 게다가, 습식 성막법은 대면적화나 연속 생산이 가능하여, 제조 비용의 저감으로 이어진다.The wet film forming method is a film forming method using a solution, and includes, for example, some printing methods (inkjet method), a spin coat method, a cast method, a coating method, and the like. Unlike the vacuum deposition method, the wet film formation method does not require the use of an expensive vacuum deposition apparatus and can form a film under atmospheric pressure. In addition, the wet film forming method enables large-area and continuous production, leading to reduction in manufacturing cost.

한편, 진공 증착법과 비교하는 경우에는, 습식 성막법은 적층화가 어려운 경우가 있다. 습식 성막법을 이용하여 적층막을 제작하는 경우, 상층의 조성물에 의한 하층의 용해를 방지할 필요가 있어, 용해성을 제어한 조성물, 하층의 가교 및 직교 용매(Orthogonal solvent, 서로 용해되지 않는 용매) 등이 구사된다. 그러나, 이들 기술을 사용하더라도, 모든 막의 도포에 습식 성막법을 이용하는 것은 어려운 경우가 있다. On the other hand, when compared with the vacuum evaporation method, the wet film formation method may be difficult to laminate. When a multilayer film is produced using a wet film forming method, it is necessary to prevent dissolution of the lower layer by the composition of the upper layer, so a composition with controlled solubility, cross-linking of the lower layer and orthogonal solvent (solvent that does not dissolve in each other), etc. this is spoken However, even if these techniques are used, there are cases where it is difficult to use the wet film formation method for coating all films.

이에, 일반적으로는, 몇 개의 층만을 습식 성막법을 이용하고, 나머지를 진공 증착법으로 유기 EL 소자를 제작하는 방법이 채용된다. Therefore, generally, a method of fabricating an organic EL device by using a wet film forming method for only a few layers and vacuum evaporation is employed for the rest.

예를 들면, 습식 성막법을 일부 적용하여 유기 EL 소자를 제작하는 절차를 이하에 나타낸다.For example, a procedure for fabricating an organic EL device by partially applying a wet film forming method is shown below.

(절차 1) 양극의 진공 증착법에 의한 성막 (Procedure 1) Film formation by vacuum evaporation of the anode

(절차 2) 정공 주입층용 재료를 포함하는 정공 주입층 형성용 조성물의 습식 성막법에 의한 성막 (Procedure 2) Formation of a composition for forming a hole injection layer containing a material for a hole injection layer by a wet film forming method

(절차 3) 정공 수송층용 재료를 포함하는 정공 수송층 형성용 조성물의 습식 성막법에 의한 성막(Procedure 3) Formation of a composition for forming a hole transport layer containing a material for a hole transport layer by a wet film forming method

(절차 4) 호스트 재료와 도펀트 재료를 포함하는 발광층 형성용 조성물의 습식 성막법에 의한 성막(Procedure 4) Formation of a composition for forming a light emitting layer containing a host material and a dopant material by a wet film forming method

(절차 5) 전자 수송층의 진공 증착법에 의한 성막(Procedure 5) Film formation of electron transport layer by vacuum deposition method

(절차 6) 전자 주입층의 진공 증착법에 의한 성막(Procedure 6) Film formation of electron injection layer by vacuum deposition method

(절차 7) 음극의 진공 증착법에 의한 성막(Procedure 7) Film formation by vacuum evaporation of cathode

이 순서를 거침으로써, 양극/정공 주입층/정공 수송층/호스트 재료와 도펀트 재료로 이루어지는 발광층/전자 수송층/전자 주입층/음극으로 이루어지는 유기 EL 소자가 얻어진다.By passing through this sequence, an organic EL device composed of anode/hole injection layer/hole transport layer/light emitting layer composed of host material and dopant material/electron transport layer/electron injection layer/cathode is obtained.

물론, 전자 수송층 및 전자 주입층에 대해서도, 각각 전자 수송층용 재료 및 전자 주입층용 재료를 포함하는 층형성용 조성물을 사용하여 습식 성막법에 의해 성막해도 된다. 이 때, 하층의 발광층의 용해를 막는 수단, 또는 상기 순서와는 반대로 음극측에서부터 성막하는 수단을 사용하는 것이 바람직하다. Of course, the electron transport layer and the electron injection layer may also be formed by a wet film forming method using a composition for layer formation containing a material for an electron transport layer and a material for an electron injection layer, respectively. At this time, it is preferable to use a means for preventing dissolution of the lower light emitting layer or a means for forming a film from the cathode side in the opposite order to the above procedure.

<그 밖의 성막법><Other Tabernacling Methods>

유기층 형성용 조성물의 성막화에는, 레이저 가열 묘화법(LITI)을 이용할 수 있다. LITI란 기재에 부착시킨 화합물을 레이저로 가열 증착하는 방법으로, 기재에 도포되는 재료에 유기층 형성용 조성물을 사용할 수 있다.A laser heating drawing method (LITI) can be used for film formation of the composition for forming an organic layer. LITI is a method of heating and depositing a compound attached to a substrate with a laser, and a composition for forming an organic layer can be used for a material applied to the substrate.

<임의의 공정><Random process>

성막의 각 공정의 전후에, 적절한 처리 공정, 세정 공정 및 건조 공정을 적절히 넣어도 된다. 처리 공정으로서는, 예를 들면, 노광 처리, 플라스마 표면 처리, 초음파 처리, 오존 처리, 적절한 용매를 사용한 세정 처리 및 가열 처리 등을 들 수 있다. 또한, 뱅크를 제작하는 일련의 공정도 들 수 있다.Appropriate treatment steps, washing steps, and drying steps may be suitably incorporated before and after each step of film formation. Examples of the treatment step include exposure treatment, plasma surface treatment, ultrasonic treatment, ozone treatment, washing treatment using an appropriate solvent, heat treatment, and the like. In addition, a series of steps for producing a bank are also mentioned.

뱅크의 제작에는 포토리소그래피 기술을 이용할 수 있다. 포토리소그래피가 이용 가능한 뱅크 재료로서는, 포지티브형 레지스트 재료 및 네가티브형 레지스트 재료를 사용할 수 있다. 또한, 잉크젯법, 그라비아 오프셋 인쇄, 리버스 오프셋 인쇄, 스크린 인쇄 등의 패턴 가능한 인쇄법도 사용할 수 있다. 이 때에는 영구 레지스트 재료를 사용할 수도 있다. A photolithography technique can be used for fabrication of the bank. As a bank material for which photolithography can be used, a positive type resist material and a negative type resist material can be used. In addition, patternable printing methods such as inkjet printing, gravure offset printing, reverse offset printing, and screen printing can also be used. In this case, a permanent resist material may be used.

<습식 성막법에 사용되는 유기층 형성용 조성물><Composition for Forming Organic Layer Used in Wet Film Formation>

유기층 형성용 조성물은, 유기 EL 소자의 각 유기층을 형성할 수 있는 저분자 화합물, 또는 해당 저분자 화합물을 고분자화시킨 고분자 화합물을 유기 용매에 용해시켜 얻어진다. 예를 들면, 발광층 형성용 조성물은, 제1 성분으로서 적어도 1종의 도펀트 재료인 다환 방향족 화합물(또는 그 고분자 화합물)과, 제2 성분으로서 적어도 1종의 호스트 재료와, 제3 성분으로서 적어도 1종의 유기 용매를 함유한다. 제1 성분은, 해당 조성물로부터 얻어지는 발광층의 도펀트 성분으로서 기능하고, 제2 성분은 발광층의 호스트 성분으로서 기능한다. 제3 성분은, 조성물 중의 제1 성분과 제2 성분을 용해하는 용매로서 기능하며, 도포시에는 제3 성분 자체의 제어된 증발 속도에 의해 평활하고 균일한 표면 형상을 부여한다.A composition for forming an organic layer is obtained by dissolving a low-molecular compound capable of forming each organic layer of an organic EL device or a high-molecular compound obtained by polymerizing the low-molecular compound in an organic solvent. For example, a composition for forming a light emitting layer includes at least one polycyclic aromatic compound (or a polymer compound thereof) as a dopant material as a first component, at least one host material as a second component, and at least one as a third component. Contains a species of organic solvent. The first component functions as a dopant component of the light emitting layer obtained from the composition, and the second component functions as a host component of the light emitting layer. The third component functions as a solvent for dissolving the first and second components in the composition, and upon application imparts a smooth and uniform surface shape by the controlled evaporation rate of the third component itself.

<유기 용매><Organic Solvent>

유기층 형성용 조성물은 적어도 1종의 유기 용매를 포함한다. 성막시에 유기 용매의 증발 속도를 제어함으로써, 성막성 및 도막의 결함 유무, 표면 거칠기, 평활성을 제어 및 개선할 수 있다. 또한, 잉크젯법을 사용한 성막 시는, 잉크젯 헤드의 핀홀에서의 메니스커스 안정성을 제어하여, 토출성을 제어·개선할 수 있다. 추가로, 막의 건조 속도 및 유도체 분자의 배향을 제어함으로써, 해당 유기층 형성용 조성물로부터 얻어지는 유기층을 갖는 유기 EL 소자의 전기 특성, 발광 특성, 효율, 및 수명을 개선할 수 있다.The composition for forming an organic layer contains at least one organic solvent. By controlling the evaporation rate of the organic solvent during film formation, it is possible to control and improve film formability, presence or absence of defects in the coating film, surface roughness, and smoothness. Further, in the case of film formation using the inkjet method, the meniscus stability in the pinhole of the inkjet head can be controlled to control and improve ejection properties. In addition, by controlling the drying speed of the film and the orientation of the derivative molecules, it is possible to improve the electrical characteristics, light-emitting characteristics, efficiency, and lifetime of an organic EL device having an organic layer obtained from the composition for forming an organic layer.

유기 용매는, 성막 후에, 진공, 감압, 가열 등의 건조 공정에 의해 도막에서 제거된다. 가열을 행하는 경우, 도포 성막성 개선의 관점에서는, 용질 중 적어도 1종의 유리 전이 온도(Tg) +30℃ 이하로 행하는 것이 바람직하다. 또한, 잔류 용매의 삭감 관점에서는, 용질 중 적어도 1종의 유리 전이점(Tg) -30℃ 이상으로 가열하는 것이 바람직하다. 가열 온도가 유기 용매의 비점보다 낮아도 막이 얇기 때문에, 유기 용매는 충분히 제거된다. 또한, 다른 온도에서 복수 회 건조를 행해도 되고, 복수의 건조 방법을 병용해도 된다.After film formation, the organic solvent is removed from the coating film by a drying process such as vacuum, reduced pressure, or heating. In the case of heating, from the viewpoint of improving coating film formability, it is preferable to perform heating at a glass transition temperature (Tg) of at least one of the solutes +30°C or lower. Further, from the viewpoint of reducing the residual solvent, it is preferable to heat the glass transition point (Tg) of at least one of the solutes to -30°C or higher. Since the film is thin even when the heating temperature is lower than the boiling point of the organic solvent, the organic solvent is sufficiently removed. Moreover, drying may be performed multiple times at different temperatures, or a plurality of drying methods may be used in combination.

(2) 유기 용매의 구체예 (2) Specific examples of organic solvents

유기층 형성용 조성물에 사용되는 유기 용매로서는, 알킬벤젠계 용매, 페닐에테르계 용매, 알킬에테르계 용매, 환상 케톤계 용매, 지방족 케톤계 용매, 단환성 케톤계 용매, 디에스테르 골격을 갖는 용매 및 함불소계 용매 등을 들 수 있지만, 이에 한정되지 않는다. 또한, 용매는 단일로 사용해도 되고, 혼합해도 된다.Examples of organic solvents used in the composition for forming an organic layer include alkylbenzene solvents, phenyl ether solvents, alkyl ether solvents, cyclic ketone solvents, aliphatic ketone solvents, monocyclic ketone solvents, solvents having a diester skeleton, and Fluorine-type solvent etc. are mentioned, but it is not limited to this. In addition, a solvent may be used singly or may be mixed.

<임의 성분><Optional ingredients>

유기층 형성용 조성물은, 그 성질을 손상하지 않는 범위에서, 임의 성분을 포함하고 있어도 된다. 임의 성분으로서는, 바인더 및 계면 활성제 등을 들 수 있다.The composition for forming an organic layer may contain arbitrary components within a range that does not impair its properties. As an arbitrary component, a binder, surfactant, etc. are mentioned.

<유기층 형성용 조성물의 조성 및 물성><Composition and physical properties of composition for forming organic layer>

유기층 형성용 조성물에 있어서의 각 성분의 함유량은, 유기층 형성용 조성물 중의 각 성분의 양호한 용해성, 보존 안정성 및 성막성, 및, 해당 유기층 형성용 조성물로부터 얻어지는 도막의 양질인 막질, 또한, 잉크젯법을 사용한 경우의 양호한 토출성, 해당 조성물을 사용하여 제작된 유기층을 갖는 유기 EL 소자의, 양호한 전기 특성, 발광 특성, 효율, 수명의 관점을 고려하여 결정된다.The content of each component in the composition for forming an organic layer determines the good solubility, storage stability and film-forming properties of each component in the composition for forming an organic layer, the quality of a coating film obtained from the composition for forming an organic layer, and the inkjet method. It is determined in consideration of the good ejection properties in the case of use, and the good electrical characteristics, light emitting characteristics, efficiency, and lifetime of an organic EL device having an organic layer produced using the composition.

유기층 형성용 조성물은, 상술한 성분을, 공지의 방법으로 교반, 혼합, 가열, 냉각, 용해, 분산 등을 적절히 선택하여 행함으로써 제조할 수 있다. 또한, 조제 후에, 여과, 탈가스(디가스라고도 함), 이온 교환 처리 및 불활성 가스 치환·봉입 처리 등을 적절히 선택하여 행해도 된다.The composition for forming an organic layer can be prepared by appropriately selecting and performing stirring, mixing, heating, cooling, dissolution, dispersion, etc. of the above-mentioned components by a known method. After preparation, filtration, degassing (also referred to as degassing), ion exchange treatment, and inert gas replacement/encapsulation treatment may be appropriately selected and performed.

<유기 전계 발광 소자의 응용예 ><Application examples of organic electroluminescent devices>

본 발명은, 유기 EL 소자를 구비한 표시 장치 또는 유기 EL 소자를 구비한 조명 장치 등에도 응용할 수 있다. INDUSTRIAL APPLICABILITY The present invention can also be applied to a display device including an organic EL element or a lighting device including an organic EL element.

유기 EL 소자를 구비한 표시 장치 또는 조명 장치는, 본 실시 형태에 따른 유기 EL 소자와 공지의 구동 장치를 접속하는 등 공지의 방법에 의해 제조할 수 있고, 직류 구동, 펄스 구동, 교류 구동 등 공지의 구동 방법을 적절히 사용하여 구동할 수 있다.A display device or lighting device including an organic EL element can be manufactured by a known method such as connecting the organic EL element according to the present embodiment to a known drive device, and known DC drive, pulse drive, AC drive, etc. It can be driven by appropriately using the driving method of .

표시 장치로서는, 예를 들면, 컬러 플랫 패널 디스플레이 등의 패널 디스플레이, 플렉서블 컬러 유기 전계 발광(EL) 디스플레이 등의 플렉서블 디스플레이 등을 들 수 있다(예를 들면, 일본특허공개 평10-335066호 공보, 일본특허공개 2003-321546호 공보, 일본특허공개 2004-281086호 공보 등 참조). 또한, 디스플레이의 표시 방식으로서는, 예를 들면, 매트릭스 및 세그먼트 방식 등을 들 수 있다. 또한, 매트릭스 표시와 세그먼트 표시는 같은 패널 안에 공존하고 있어도 된다. Examples of the display device include a panel display such as a color flat panel display, a flexible display such as a flexible color organic electroluminescent (EL) display, and the like (eg, Japanese Patent Laid-Open No. 10-335066, Japanese Unexamined Patent Publication No. 2003-321546, Japanese Unexamined Patent Publication No. 2004-281086, etc.). In addition, as a display method of a display, a matrix method, a segment method, etc. are mentioned, for example. Also, the matrix display and the segment display may coexist in the same panel.

매트릭스에서는, 표시를 위한 화소가 격자상이나 모자이크상 등 2차원적으로 배치되어 있고, 화소의 집합으로 문자나 화상을 표시한다. 화소의 형상이나 사이즈는 용도에 따라 결정된다. 예를 들면, 컴퓨터, 모니터, 텔레비전의 화상 및 문자 표시에는, 통상 한 변이 300㎛ 이하인 사각형의 화소가 사용되며, 또한, 표시 패널과 같은 대형 디스플레이의 경우는, 한 변이 mm 오더의 화소를 사용하게 된다. 모노크롬 표시의 경우는, 같은 색의 화소를 배열하면 되지만, 컬러 표시의 경우에는, 적색, 녹색, 청색 화소를 나열하여 표시시킨다. 이 경우, 전형적으로는 델타 타입과 스트라이프 타입이 있다. 그리고, 이 매트릭스의 구동 방법으로서는, 선 순차(線順次) 구동 방법이나 액티브 매트릭스 중 어느 것이어도 된다. 선순차 구동이 구조가 간단하다는 이점이 있지만, 동작 특성을 고려한 경우, 액티브 매트릭스가 우수한 경우가 있으므로, 이것도 용도에 따라 구분하여 사용하는 것이 필요하다. In the matrix, pixels for display are two-dimensionally arranged in a lattice or mosaic form, and characters or images are displayed by a set of pixels. The shape or size of the pixel is determined according to the purpose. For example, for displaying images and characters on computers, monitors, and televisions, square pixels with a side of 300 μm or less are usually used, and in the case of a large display such as a display panel, pixels on the order of mm are used. do. In the case of monochrome display, pixels of the same color may be arranged, but in the case of color display, red, green, and blue pixels are arranged and displayed. In this case, there are typically a delta type and a stripe type. Incidentally, as a driving method for this matrix, either a line-sequential driving method or an active matrix may be used. Line-sequential driving has the advantage of having a simple structure, but when operating characteristics are taken into consideration, the active matrix may be superior, so it is necessary to use this also according to the purpose.

세그먼트 방식(타입)에서는, 미리 정해진 정보를 표시하도록 패턴을 형성하고, 정해진 영역을 발광시키게 된다. 예를 들면, 디지털 시계나 온도계에 있어서의 시각이나 온도 표시, 오디오 기기나 전자 조리기 등의 동작 상태 표시 및 자동차의 패널 표시 등을 들 수 있다.In the segment method (type), a pattern is formed to display predetermined information, and a predetermined area is illuminated. For example, the time or temperature display in a digital watch or thermometer, the operation state display of an audio device or electric cooker, and the panel display of a car etc. are mentioned.

조명 장치로서는, 예를 들면, 실내 조명 등의 조명 장치, 액정 표시 장치의 백라이트 등을 들 수 있다(예를 들면, 일본특허공개 2003-257621호 공보, 일본특허공개 2003-277741호 공보, 일본특허공개 2004-119211호 공보 등 참조). 백라이트는, 주로 자발광 하지 않는 표시 장치의 시인성을 향상시키는 목적으로 사용되며, 액정 표시 장치, 시계, 오디오 장치, 자동차 패널, 표시판 및 표지 등에 사용된다. 특히, 액정 표시 장치, 그 중에서도 박형화가 과제가 되고 있는 컴퓨터 용도의 백라이트로서는, 종래 방식이 형광등이나 도광판으로 이루어져 있기 때문에 박형화가 곤란하다는 것을 고려하면, 본 실시 형태에 따른 발광 소자를 사용한 백라이트는 박형이고 경량인 것이 특징이 된다.Examples of the lighting device include lighting devices such as indoor lighting, backlights of liquid crystal display devices, and the like (for example, Japanese Patent Laid-Open No. 2003-257621, Japanese Patent Laid-Open No. 2003-277741, Japanese Patent). Publication No. 2004-119211, etc.). Backlights are mainly used for the purpose of improving the visibility of display devices that do not emit light, and are used in liquid crystal display devices, clocks, audio devices, automobile panels, display panels, and signs. In particular, considering that it is difficult to reduce the thickness of a liquid crystal display device, especially a backlight for a computer where thinning is a problem, because the conventional method consists of a fluorescent lamp or a light guide plate, the backlight using the light emitting element according to the present embodiment is thin. and is characterized by being lightweight.

3-2. 그 밖의 유기 3-2. other organic 디바이스device

본 발명에 따른 다환 방향족 화합물은, 상술한 유기 전계 발광 소자의 이외에, 유기 전계 효과 트랜지스터 또는 유기 박막 태양 전지 등의 제작에 사용할 수 있다.The polycyclic aromatic compound according to the present invention can be used for fabrication of an organic field effect transistor or an organic thin film solar cell in addition to the organic electroluminescent device described above.

[실시예][Example]

이하, 실시예에 의해 본 발명을 더 구체적으로 설명해 가지만, 본 발명은 이들에 한정되지 않는다. 먼저, 다환 방향족 화합물의 합성예에 대해, 이하에 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described more specifically by way of examples, but the present invention is not limited thereto. First, synthesis examples of polycyclic aromatic compounds are described below.

화합물(1-1)의 합성 Synthesis of compound (1-1)

Figure pat00077
Figure pat00077

질소 분위기하, 1,3-디클로로-2-니트로벤젠 66.1g, 페닐보론산 40g, 테트라키스(트리페닐포스핀)팔라듐(0)(Pd(PPh3)4) 15.2g, 인산삼칼륨 139.3g, 브롬화테트라부틸암모늄(TBAB) 4.2g, 톨루엔 400ml 및 물 40ml를 플라스크에 넣고, 교반하면서 4시간 환류하였다. 반응액을 실온까지 냉각한 후, 물 및 톨루엔을 더하여 분액한 후, 유기층을 실리카겔 쇼트 패스 컬럼(용리액:톨루엔)으로 정제하였다. 이어서, 실리카겔 컬럼 크로마토그래피(용리액:톨루엔/헵탄=1/4)로 정제하여, 중간체 화합물 3-클로로-2-니트로-1,1'-비페닐 58.7g을 얻었다. Under a nitrogen atmosphere, 66.1 g of 1,3-dichloro-2-nitrobenzene, 40 g of phenylboronic acid, tetrakis(triphenylphosphine)palladium(0)(Pd(PPh 3 ) 4 ) 15.2 g, 139.3 g of tripotassium phosphate , 4.2 g of tetrabutylammonium bromide (TBAB), 400 ml of toluene and 40 ml of water were placed in a flask, and the mixture was refluxed for 4 hours while stirring. After cooling the reaction solution to room temperature, water and toluene were added and separated, and then the organic layer was purified by a silica gel short pass column (eluent: toluene). Subsequently, purification was performed by silica gel column chromatography (eluent: toluene/heptane = 1/4) to obtain 58.7 g of an intermediate compound 3-chloro-2-nitro-1,1'-biphenyl.

Figure pat00078
Figure pat00078

질소 분위기하, 3-클로로-2-니트로-1,1'-비페닐 31.5g과 트리페닐포스핀 123.8g 및 1,2,4-트리클로로벤젠 285ml를 플라스크에 넣어 교반하고, 15시간 환류하였다. 반응 종료후, 용매를 감압 증류에 의해 제거하고, 이어서, NH2 실리카겔 컬럼 크로마토그래피(용리액:톨루엔/헵탄=1/4)로 정제를 행하여, 중간체 화합물 1-클로로-9H-카르바졸 19.8g을 얻었다.Under a nitrogen atmosphere, 31.5 g of 3-chloro-2-nitro-1,1'-biphenyl, 123.8 g of triphenylphosphine, and 285 ml of 1,2,4-trichlorobenzene were placed in a flask, stirred, and refluxed for 15 hours. . After completion of the reaction, the solvent was distilled off under reduced pressure, and then purified by NH2 silica gel column chromatography (eluent: toluene/heptane = 1/4) to obtain 19.8 g of an intermediate compound 1-chloro-9H-carbazole. .

Figure pat00079
Figure pat00079

질소 분위기하, 1-클로로-9H-카르바졸(10g), 1-클로로-2-요오드벤젠(17.7g), 구리(6.3g), 탄산 칼륨(27.4)g, 18-크라운-6-에테르(1.3g) 및 1,2-디클로로벤젠(100ml)을 플라스크에 넣고, 교반하면서 20시간 환류하였다. 반응 종료후, 반응액을 실온까지 냉각하고, 반응액을 실리카겔 쇼트 패스 컬럼(용리액:톨루엔)으로 정제하였다. 얻어진 조(粗)제품을 실리카겔 컬럼 크로마토그래피(용리액:톨루엔/헵탄=1/4)로 정제하여, 중간체 화합물 1-클로로-9-(2-클로로페닐)-9H-카르바졸 7.8g을 얻었다.Under a nitrogen atmosphere, 1-chloro-9H-carbazole (10 g), 1-chloro-2-iodobenzene (17.7 g), copper (6.3 g), potassium carbonate (27.4) g, 18-crown-6-ether ( 1.3 g) and 1,2-dichlorobenzene (100 ml) were put in a flask, and the mixture was refluxed for 20 hours while stirring. After completion of the reaction, the reaction solution was cooled to room temperature, and the reaction solution was purified by a silica gel short pass column (eluent: toluene). The obtained crude product was purified by silica gel column chromatography (eluent: toluene/heptane = 1/4) to obtain 7.8 g of intermediate compound 1-chloro-9-(2-chlorophenyl)-9H-carbazole.

Figure pat00080
Figure pat00080

질소 분위기하, 1-클로로-9-(2-클로로페닐)-9H-카르바졸 8.3g, N,N-디페닐벤젠-1,2-디아민 7.7g, 초산팔라듐 0.3g, 2-디시클로헥실포스피노-2',6'-디메톡시-1,1'-비페닐(Sphos) 1.1g, 나트륨t-부톡사이드(NaOtBu) 7.7g 및 크실렌 116ml를 플라스크에 넣고, 교반하면서 16시간 환류하였다. 반응 종료후, 반응액을 실온까지 냉각하고, 물 및 톨루엔을 더하여 분액하였다. 그 후, 유기층을 실리카겔 쇼트 패스 컬럼(용리액:톨루엔)으로 정제한 후, 실리카겔 컬럼 크로마토그래피(용리액:톨루엔/헵탄=1/4)로 정제하고, 나아가, 승화 정제를 하여, 목적 화합물(1-1)(5.4g)을 얻었다.Under a nitrogen atmosphere, 8.3 g of 1-chloro-9-(2-chlorophenyl)-9H-carbazole, 7.7 g of N,N-diphenylbenzene-1,2-diamine, 0.3 g of palladium acetate, and 2-dicyclohexyl 1.1 g of phosphino-2',6'-dimethoxy-1,1'-biphenyl (Sphos), 7.7 g of sodium t-butoxide (NaOtBu), and 116 ml of xylene were put in a flask and refluxed for 16 hours while stirring. After completion of the reaction, the reaction solution was cooled to room temperature, and water and toluene were added and separated. Thereafter, the organic layer was purified with a silica gel short pass column (eluent: toluene), followed by silica gel column chromatography (eluent: toluene/heptane = 1/4), and further purified by sublimation to obtain the target compound (1- 1) (5.4 g) was obtained.

Figure pat00081
Figure pat00081

MS 스펙트럼 및 NMR 측정에 의해 식(1-1)의 화합물의 구조를 확인하였다.The structure of the compound of Formula (1-1) was confirmed by MS spectrum and NMR measurement.

1H-NMR(CDCl3):δ=6.97-7.06(m, 8H), 7.14-7.15(m, 3H), 7.25-7.38(m, 10H), 7.71(d, 1H), 7.87(d, 1H), 7.93(d, 1H), 8.54(d, 1H). 1 H-NMR (CDCl 3 ): δ = 6.97-7.06 (m, 8H), 7.14-7.15 (m, 3H), 7.25-7.38 (m, 10H), 7.71 (d, 1H), 7.87 (d, 1H) ), 7.93 (d, 1H), 8.54 (d, 1H).

화합물(1-10)의 합성 Synthesis of compounds (1-10)

Figure pat00082
Figure pat00082

질소 분위기하, 1-클로로-9-(2-클로로페닐)-9H-카르바졸 8.3g, N-페닐벤젠-1,2-디아민 5.4g, 초산팔라듐 0.3g, 2-디시클로헥실포스피노-2',6'-디메톡시-1,1'-비페닐(Sphos) 1.1g, 나트륨t-부톡사이드(NaOtBu) 7.7g 및 크실렌 116ml를 플라스크에 넣고, 교반하면서 16시간 환류하였다. 반응 종료후, 반응액을 실온까지 냉각하고, 물 및 톨루엔을 더하여 분액하였다. 그 후, 유기층을 실리카겔 쇼트 패스 컬럼(용리액:톨루엔)으로 정제한 후, 실리카겔 컬럼 크로마토그래피(용리액:톨루엔/헵탄=1/4)로 정제하고, 4-페닐-4,9-디히드로디벤조[5,6:8,9][1,4,7]트리아조니노[3,2,1-jk]카르바졸(3.2g)을 얻었다.Under a nitrogen atmosphere, 8.3 g of 1-chloro-9-(2-chlorophenyl)-9H-carbazole, 5.4 g of N-phenylbenzene-1,2-diamine, 0.3 g of palladium acetate, 2-dicyclohexylphosphino- 1.1 g of 2',6'-dimethoxy-1,1'-biphenyl (Sphos), 7.7 g of sodium t-butoxide (NaOtBu), and 116 ml of xylene were placed in a flask and refluxed for 16 hours while stirring. After completion of the reaction, the reaction solution was cooled to room temperature, and water and toluene were added and separated. Thereafter, the organic layer was purified by a silica gel short pass column (eluent: toluene), followed by silica gel column chromatography (eluent: toluene/heptane = 1/4), and 4-phenyl-4,9-dihydrodibenzo [5,6:8,9][1,4,7]triazonino[3,2,1-jk]carbazole (3.2 g) was obtained.

Figure pat00083
Figure pat00083

질소 분위기하, 4-페닐-4,9-디히드로디벤조[5,6:8,9][1,4,7]트리아조니노[3,2,1-jk]카르바졸 1.3g, 9,9'-(5-브로모-1,3-페닐렌)비스(9H-카르바졸) 1.8g, 초산팔라듐 0.03g, 트리터셔리부틸포스핀 0.9g, 인산칼륨 1.9g 및 크실렌 10ml를 플라스크에 넣고, 교반하면서 8시간 환류하였다. 반응 종료후, 반응액을 실온까지 냉각하고, 반응액을 실리카겔 쇼트 패스 컬럼(용리액:톨루엔)으로 정제하였다. 얻어진 조제품을 솔믹스 용제로 세정, 헵탄으로 수회 재침전을 행하였다. 나아가, 실리카겔 컬럼 크로마토그래피(용리액:톨루엔/헵탄=1/3)로 정제하고, 이어서, 승화 정제를 하여, 목적 화합물(1-10)(1.3g)을 얻었다.Under a nitrogen atmosphere, 4-phenyl-4,9-dihydrodibenzo[5,6:8,9][1,4,7]triazonino[3,2,1-jk]carbazole 1.3 g, 9 1.8g of 9'-(5-bromo-1,3-phenylene)bis(9H-carbazole), 0.03g of palladium acetate, 0.9g of tritertiarybutylphosphine, 1.9g of potassium phosphate and 10ml of xylene were added to a flask and refluxed for 8 hours while stirring. After completion of the reaction, the reaction solution was cooled to room temperature, and the reaction solution was purified by a silica gel short pass column (eluent: toluene). The obtained crude product was washed with Solmics solvent and reprecipitated several times with heptane. Furthermore, purification was performed by silica gel column chromatography (eluent: toluene/heptane = 1/3), followed by sublimation purification to obtain the target compound (1-10) (1.3 g).

Figure pat00084
Figure pat00084

MS 스펙트럼 및 NMR 측정에 의해 식(1-10)의 화합물의 구조를 확인하였다.The structure of the compound of Formula (1-10) was confirmed by MS spectrum and NMR measurement.

1H-NMR(CDCl3):δ=6.95(d, 2H), 7.01-7.06(m, 3H), 7.13(s, 2H), 7.15(s, 1H), 7.16-7.17(m, 7H), 7.23-7.42(m, 12H), 7.68-7.69(m, 5H), 7.87(d, 1H), 7.96(d, 1H), 8.30(d, 4H), 8.53(d, 1H). 1 H-NMR (CDCl 3 ): δ = 6.95 (d, 2H), 7.01-7.06 (m, 3H), 7.13 (s, 2H), 7.15 (s, 1H), 7.16-7.17 (m, 7H), 7.23-7.42 (m, 12H), 7.68-7.69 (m, 5H), 7.87 (d, 1H), 7.96 (d, 1H), 8.30 (d, 4H), 8.53 (d, 1H).

화합물(1-13)의 합성 Synthesis of compounds (1-13)

Figure pat00085
Figure pat00085

질소 분위기하, 4-페닐-4,9-디히드로디벤조[5,6:8,9][1,4,7]트리아조니노[3,2,1-jk]카르바졸 2.1g, 55%의 수소화나트륨(NaH) 1.24g 및 디메틸포름아미드(DMF) 77ml를 플라스크에 넣고, 실온에서 1시간 교반하였다. 그 후, 2-클로로-4,6-디페닐-1,3,5-트리아진 3.8g을 더하고, 실온에서 64시간 더 교반하였다. 반응 종료후, 빙수욕으로 냉각하면서, 서서히 물을 첨가하고, 초산에틸로 추출하였다. 이어서, 유기층의 용매를 감압 증류 제거된 조제품을 NH2 실리카겔 컬럼 크로마토그래피(용리액:톨루엔/헵탄=1/2(용량비))로 정제한 후, 솔믹스 용제로 수회 재침전을 행하고, 나아가, 승화 정제를 하여, 목적 화합물(1-13)(1.1g)을 얻었다.Under a nitrogen atmosphere, 4-phenyl-4,9-dihydrodibenzo[5,6:8,9][1,4,7]triazonino[3,2,1-jk]carbazole 2.1 g, 55 1.24 g of sodium hydride (NaH) and 77 ml of dimethylformamide (DMF) were put in a flask and stirred at room temperature for 1 hour. After that, 3.8 g of 2-chloro-4,6-diphenyl-1,3,5-triazine was added, and the mixture was further stirred at room temperature for 64 hours. After completion of the reaction, water was gradually added while cooling in an ice-water bath, followed by extraction with ethyl acetate. Subsequently, the crude product obtained by distilling off the solvent in the organic layer under reduced pressure was purified by NH 2 silica gel column chromatography (eluent: toluene/heptane = 1/2 (volume ratio)), followed by reprecipitation with Solmics solvent several times, followed by sublimation purification. to obtain the target compound (1-13) (1.1 g).

Figure pat00086
Figure pat00086

MS 스펙트럼 및 NMR 측정에 의해 식(1-13)의 화합물의 구조를 확인하였다.The structure of the compound of Formula (1-13) was confirmed by MS spectrum and NMR measurement.

1H-NMR(CDCl3):δ=6.95(d, 2H), 7.02-7.06(m, 3H), 7.15-7.16(m, 3H), 7.23-7.26(m, 4H), 7.34-7.37(m, 4H), 7.48(m, 6H), 7.69(d, 1H), 7.84(d, 1H), 7.92(d, 1H), 8.37(d, 4H), 8.57(d, 1H). 1 H-NMR (CDCl 3 ): δ = 6.95 (d, 2H), 7.02-7.06 (m, 3H), 7.15-7.16 (m, 3H), 7.23-7.26 (m, 4H), 7.34-7.37 (m , 4H), 7.48 (m, 6H), 7.69 (d, 1H), 7.84 (d, 1H), 7.92 (d, 1H), 8.37 (d, 4H), 8.57 (d, 1H).

화합물(1-68)의 합성 Synthesis of compound (1-68)

Figure pat00087
Figure pat00087

질소 분위기하, 2-브로모-1-클로로-3-플루오르벤젠 13.1g, 2-아미노페놀 7.5g, 탄산칼륨 21.6g 및 1-메틸-2-피롤리돈 90ml를 플라스크에 넣고, 150℃에서 6시간 가열 교반하였다. 반응 종료후에 반응액을 실온까지 냉각하고, 물 및 초산에틸을 더하여 분액하였다. 그 후, 실리카겔 컬럼 크로마토그래피(용리액:톨루엔/헵탄=3/1)로 정제하여, 중간체 화합물 2-(2-브로모-3-클로로페녹시)아닐린 15.3g을 얻었다.Under a nitrogen atmosphere, 13.1 g of 2-bromo-1-chloro-3-fluorobenzene, 7.5 g of 2-aminophenol, 21.6 g of potassium carbonate and 90 ml of 1-methyl-2-pyrrolidone were placed in a flask and heated at 150 ° C. The mixture was heated and stirred for 6 hours. After completion of the reaction, the reaction solution was cooled to room temperature, and water and ethyl acetate were added and separated. Thereafter, purification was performed by silica gel column chromatography (eluent: toluene/heptane = 3/1) to obtain 15.3 g of the intermediate compound 2-(2-bromo-3-chlorophenoxy)aniline.

Figure pat00088
Figure pat00088

질소 분위기하, 2-(2-브로모-3-클로로페녹시)아닐린 12.6g, [1,1'-비스(디페닐포스피노)페로센]팔라듐(II)디클로라이드디클로로메탄 착체(1:1)(Pd(dppf)Cl2-CH2Cl2) 1.0g, 나트륨t-부톡사이드(NaOtBu) 8.1g 및 톨루엔 315ml를 플라스크에 넣고, 교반하면서 2시간 환류하였다. 반응 종료후, 반응액을 실온까지 냉각하고, 물 및 톨루엔을 더하여 분액하였다. 그 후, 유기층을 실리카겔 쇼트 패스 컬럼(용리액:톨루엔)으로 정제한 후, 실리카겔 컬럼 크로마토그래피(용리액:톨루엔/헵탄=1/6)로 정제하여, 중간체 화합물 1-클로로-10H-페녹사진 6.3g을 얻었다.Under a nitrogen atmosphere, 12.6 g of 2-(2-bromo-3-chlorophenoxy)aniline, [1,1'-bis(diphenylphosphino)ferrocene]palladium(II)dichloridedichloromethane complex (1:1 ) (Pd(dppf)Cl 2 -CH 2 Cl 2 ) 1.0g, sodium t-butoxide (NaOtBu) 8.1g and toluene 315ml were put in a flask, and the mixture was refluxed for 2 hours while stirring. After completion of the reaction, the reaction solution was cooled to room temperature, and water and toluene were added and separated. Thereafter, the organic layer was purified by a silica gel short pass column (eluent: toluene) and then purified by silica gel column chromatography (eluent: toluene/heptane = 1/6) to obtain 6.3 g of an intermediate compound 1-chloro-10H-phenoxazine got

Figure pat00089
Figure pat00089

질소 분위기하, 2-브로모아닐린 50g, (2-플루오로페닐)보론산 44.7g, 디클로로비스[디-t-부틸(4-디메틸아미노페닐)포스피노]팔라듐(II)(Pd-132, 존슨·맛세이) 8.2g, 인산삼칼륨 185.1g, 브롬화테트라부틸암모늄(TBAB) 4.7g, 톨루엔 600ml 및 물 100ml를 플라스크에 넣고, 교반하면서 4시간 환류하였다. 반응액을 실온까지 냉각한 후, 물 및 톨루엔을 더하여 분액하였다. 그 후, 실리카겔 컬럼 크로마토그래피(용리액:톨루엔)로 정제하여, 중간체 화합물 2'-플루오로-[1,1'-비페닐]-2-아민 51.5g을 얻었다.Under a nitrogen atmosphere, 50 g of 2-bromoaniline, 44.7 g of (2-fluorophenyl)boronic acid, dichlorobis[di-t-butyl(4-dimethylaminophenyl)phosphino]palladium(II) (Pd-132, Johnson Massey) 8.2 g, tripotassium phosphate 185.1 g, tetrabutylammonium bromide (TBAB) 4.7 g, toluene 600 ml and water 100 ml were placed in a flask, and the mixture was refluxed for 4 hours while stirring. After cooling the reaction liquid to room temperature, water and toluene were added and liquid-separated. Thereafter, purification was performed by silica gel column chromatography (eluent: toluene) to obtain 51.5 g of an intermediate compound 2'-fluoro-[1,1'-biphenyl]-2-amine.

Figure pat00090
Figure pat00090

질소 분위기하, 1-클로로-10H-페녹사진 5.8g, 2'-플루오로-[1,1'-비페닐]-2-아민 5.5g, 초산팔라듐 0.3g, 2-디시클로헥실포스피노-2',6'-디메톡시-1,1'-비페닐(Sphos) 1.1g, 나트륨t-부톡사이드(NaOtBu) 7.7g 및 크실렌 116ml를 플라스크에 넣고, 교반하면서 16시간 환류하였다. 반응 종료후, 반응액을 실온까지 냉각하고, 물 및 톨루엔을 더하여 분액하였다. 그 후, 유기층을 실리카겔 쇼트 패스 컬럼(용리액:톨루엔)으로 정제한 후, 실리카겔 컬럼 크로마토그래피(용리액:톨루엔/헵탄=1/4)로 정제하여, 중간체 화합물 5H-디벤조[5,6:7,8][1,4]디아조니노[3,2,1-kl]페녹사진 3.5g을 얻었다.Under a nitrogen atmosphere, 5.8 g of 1-chloro-10H-phenoxazine, 5.5 g of 2'-fluoro-[1,1'-biphenyl]-2-amine, 0.3 g of palladium acetate, 2-dicyclohexylphosphino- 1.1 g of 2',6'-dimethoxy-1,1'-biphenyl (Sphos), 7.7 g of sodium t-butoxide (NaOtBu), and 116 ml of xylene were placed in a flask and refluxed for 16 hours while stirring. After completion of the reaction, the reaction solution was cooled to room temperature, and water and toluene were added and separated. Thereafter, the organic layer was purified by a silica gel short pass column (eluent: toluene) and then purified by silica gel column chromatography (eluent: toluene/heptane = 1/4) to obtain an intermediate compound 5H-dibenzo[5,6:7 3.5 g of ,8][1,4]diazonino[3,2,1-kl]phenoxazine was obtained.

Figure pat00091
Figure pat00091

질소 분위기하, 5H-디벤조[5,6:7,8][1,4]디아조니노[3,2,1-kl]페녹사진 2.3g, 구리 0.84g, 탄산칼륨 3.6g 및 요오드벤젠 66ml를 플라스크에 넣고, 교반하면서 6시간 환류하였다. 반응 종료후, 반응액을 실온까지 냉각하고, 반응액을 실리카겔 쇼트 패스 컬럼(용리액:톨루엔)으로 정제하였다. 얻어진 조제품을 솔믹스 용제로 세정, 헵탄으로 수회 재침전을 행하였다. 나아가, 실리카겔 컬럼 크로마토그래피(용리액:톨루엔/헵탄=1/3)로 정제하고, 이어서, 승화 정제를 하여, 목적 화합물(1-68)(2.3g)을 얻었다.Under a nitrogen atmosphere, 2.3 g of 5H-dibenzo[5,6:7,8][1,4]diazonino[3,2,1-kl]phenoxazine, 0.84 g of copper, 3.6 g of potassium carbonate and iodobenzene 66ml was put into a flask and refluxed for 6 hours while stirring. After completion of the reaction, the reaction solution was cooled to room temperature, and the reaction solution was purified by a silica gel short pass column (eluent: toluene). The obtained crude product was washed with Solmics solvent and reprecipitated several times with heptane. Furthermore, purification was performed by silica gel column chromatography (eluent: toluene/heptane = 1/3), followed by sublimation purification to obtain the target compound (1-68) (2.3 g).

Figure pat00092
Figure pat00092

MS 스펙트럼 및 NMR 측정에 의해 식(1-68)의 화합물의 구조를 확인하였다.The structure of the compound of formula (1-68) was confirmed by MS spectrum and NMR measurement.

1H-NMR(CDCl3):δ=7.89(d, 2H), 7.27(t, 2H), 7.16(t, 2H), 7.05(d, 2H), 6.98(d, 2H), 6.82∼6.77(m, 3H), 6.63(t, 1H), 6.52∼6.45(m, 3H), 6.39(d, 2H), 6.34(d, 1H). 1 H-NMR (CDCl 3 ): δ = 7.89 (d, 2H), 7.27 (t, 2H), 7.16 (t, 2H), 7.05 (d, 2H), 6.98 (d, 2H), 6.82 to 6.77 ( m, 3H), 6.63 (t, 1H), 6.52-6.45 (m, 3H), 6.39 (d, 2H), 6.34 (d, 1H).

화합물(1-85)의 합성 Synthesis of compound (1-85)

Figure pat00093
Figure pat00093

질소 분위기하, 5H-디벤조[5,6:7,8][1,4]디아조니노[3,2,1-kl]페녹사진 1.0g, 9,9'-(5-브로모-1,3-페닐렌)비스(9H-카르바졸) 1.8g, 초산팔라듐 0.03g, 트리터셔리부틸포스핀 0.9g, 인산칼륨 1.9g 및 크실렌 10ml를 플라스크에 넣고, 교반하면서 8시간 환류하였다. 반응 종료후, 반응액을 실온까지 냉각하고, 반응액을 실리카겔 쇼트 패스 컬럼(용리액:톨루엔)으로 정제하였다. 얻어진 조제품을 솔믹스 용제로 세정, 헵탄으로 수회 재침전을 행하였다. 나아가, 실리카겔 컬럼 크로마토그래피(용리액:톨루엔/헵탄=1/3)로 정제하고, 이어서, 승화 정제를 하여, 목적 화합물(1-85)(1.1g)을 얻었다.Under a nitrogen atmosphere, 5H-dibenzo[5,6:7,8][1,4]diazonino[3,2,1-kl]phenoxazine 1.0 g, 9,9'-(5-bromo- 1.8 g of 1,3-phenylene)bis(9H-carbazole), 0.03 g of palladium acetate, 0.9 g of tritertiary butylphosphine, 1.9 g of potassium phosphate, and 10 ml of xylene were placed in a flask and refluxed for 8 hours while stirring. After completion of the reaction, the reaction solution was cooled to room temperature, and the reaction solution was purified by a silica gel short pass column (eluent: toluene). The obtained crude product was washed with Solmics solvent and reprecipitated several times with heptane. Further, purification was performed by silica gel column chromatography (eluent: toluene/heptane = 1/3), followed by sublimation purification to obtain the target compound (1-85) (1.1 g).

Figure pat00094
Figure pat00094

MS 스펙트럼 및 NMR 측정에 의해 식(1-85)의 화합물의 구조를 확인하였다.The structure of the compound of formula (1-85) was confirmed by MS spectrum and NMR measurement.

1H-NMR(CDCl3):δ=6.62(d, 1H), 6.81(t, 1H), 6.88(d, 1H), 6.98-7.03(m, 3H), 7.10(s, 2H), 7.15(s, 1H), 7.15-7.17(m, 7H), 7.39-7.46(m, 8H), 7.63(d, 4H), 8.11(d, 2H), 8.29(d, 4H). 1 H-NMR (CDCl 3 ): δ = 6.62 (d, 1H), 6.81 (t, 1H), 6.88 (d, 1H), 6.98-7.03 (m, 3H), 7.10 (s, 2H), 7.15 ( s, 1H), 7.15-7.17 (m, 7H), 7.39-7.46 (m, 8H), 7.63 (d, 4H), 8.11 (d, 2H), 8.29 (d, 4H).

화합물(1-88)의 합성Synthesis of compound (1-88)

Figure pat00095
Figure pat00095

질소 분위기하, 5H-디벤조[5,6:7,8][1,4]디아조니노[3,2,1-kl]페녹사진 1.7g, 55%의 수소화나트륨(NaH) 1.24g 및 디메틸포름아미드(DMF) 77ml를 플라스크에 넣고, 실온에서 1시간 교반하였다. 그 후, 2-클로로-4,6-디페닐-1,3,5-트리아진 3.8g을 더하고, 실온에서 64시간 더 교반하였다. 반응 종료후, 빙수욕으로 냉각하면서, 서서히 물을 첨가하고, 초산에틸로 추출하였다. 이어서, 유기층의 용매를 감압 증류 제거하여 얻어진 조제품을 NH2 실리카겔 컬럼 크로마토그래피(용리액:톨루엔/헵탄=1/2(용량비))로 정제한 후, 솔믹스 용제로 수회 재침전을 행하고, 나아가, 승화 정제를 하여, 목적 화합물(1-88)(1.2g)을 얻었다.Under a nitrogen atmosphere, 1.7 g of 5H-dibenzo[5,6:7,8][1,4]diazonino[3,2,1-kl]phenoxazine, 1.24 g of 55% sodium hydride (NaH) and 77ml of dimethylformamide (DMF) was put into the flask and stirred at room temperature for 1 hour. After that, 3.8 g of 2-chloro-4,6-diphenyl-1,3,5-triazine was added, and the mixture was further stirred at room temperature for 64 hours. After completion of the reaction, water was gradually added while cooling in an ice-water bath, followed by extraction with ethyl acetate. Subsequently, the crude product obtained by distilling off the solvent in the organic layer under reduced pressure was purified by NH 2 silica gel column chromatography (eluent: toluene/heptane = 1/2 (volume ratio)), followed by reprecipitation with Solmics solvent several times, followed by sublimation. Purification was performed to obtain the target compound (1-88) (1.2 g).

Figure pat00096
Figure pat00096

MS 스펙트럼 및 NMR 측정에 의해 식(1-88)의 화합물의 구조를 확인하였다.The structure of the compound of formula (1-88) was confirmed by MS spectrum and NMR measurement.

1H-NMR(CDCl3):δ=6.62(d, 1H), 6.84-6.85(m, 2H), 6.94-7.02(m, 3H), 7.12-7.13(m, 3H), 7.37-7.38(m, 4H), 7.51(m, 6H), 8.09(d, 2H), 8.36(d, 4H). 1 H-NMR (CDCl 3 ): δ = 6.62 (d, 1H), 6.84-6.85 (m, 2H), 6.94-7.02 (m, 3H), 7.12-7.13 (m, 3H), 7.37-7.38 (m , 4H), 7.51 (m, 6H), 8.09 (d, 2H), 8.36 (d, 4H).

원료의 화합물을 적절히 변경함으로써, 상술한 합성예에 준한 방법으로, 본 발명의 다른 다환 방향족 화합물을 합성할 수 있다.Other polycyclic aromatic compounds of the present invention can be synthesized by a method according to the synthesis example described above by appropriately changing the compound of the raw material.

다음으로, 본 발명의 화합물의 기초 물성의 평가와 본 발명의 화합물을 사용한 유기 EL 소자의 제작과 평가에 대해 기재한다. 단, 본 발명의 화합물 적용은 이하에 나타낸 예에 한정되지 않고, 각 층의 막두께나 구성 재료는 본 발명의 화합물의 기초 물성에 따라 적절히 변경할 수 있다.Next, evaluation of the basic physical properties of the compound of the present invention and fabrication and evaluation of organic EL devices using the compound of the present invention are described. However, the application of the compound of the present invention is not limited to the examples shown below, and the film thickness and constituent materials of each layer can be appropriately changed depending on the basic physical properties of the compound of the present invention.

<증착형 유기 EL 소자의 평가><Evaluation of vapor deposition type organic EL device>

실시예 1-1∼7, 실시예 2-1∼4, 실시예 3-1∼4, 실시예 4-1∼4, 비교예 1-1, 비교예 2-1, 및 비교예 4-1∼2에 관한 유기 EL 소자를 제작하고, 휘도 1000cd/m2에 있어서의, 외부양자효율, 및LT50(초기 휘도 1000cd/m2에 있어서의 전류 밀도로 연속 구동시켰을 때에 500cd/m2이 될 때까지의 시간)을 측정하였다.Examples 1-1 to 7, Examples 2-1 to 4, Examples 3-1 to 4, Examples 4-1 to 4, Comparative Example 1-1, Comparative Example 2-1, and Comparative Example 4-1 The organic EL device according to -2 was fabricated, and the external quantum efficiency at luminance of 1000 cd/m 2 , and LT50 (at 500 cd/m 2 when continuously driven at current density at initial luminance of 1000 cd/m 2 ) time) was measured.

한편, 표 1에 있어서, 「호스트 1」은 정공 수송성 호스트 재료에 해당하고, 「호스트 2」는 전자 수송성 호스트 재료에 해당한다.On the other hand, in Table 1, "Host 1" corresponds to a hole-transporting host material, and "Host 2" corresponds to an electron-transporting host material.

Figure pat00097
Figure pat00097

Figure pat00098
Figure pat00098

<비교예1-1><Comparative Example 1-1>

스퍼터링에 의해 200nm의 두께로 제막한 ITO를 50nm까지 연마한, 26mm×28mm×0.7mm의 유리 기판((주) 옵토사이언스제)을 투명 지지 기판으로 하였다. 이 투명 지지 기판을 시판의 증착 장치(쇼와진공(주)제)의 기판 홀더에 고정하고, HAT-CN, HTL-1, TcTa, ETL-1, 및 ET7을 각각 넣은 몰리브덴제 증착용 보트, LiF 및 알루미늄을 각각 넣은 텅스텐제 증착용 보트를 장착하였다.A 26 mm × 28 mm × 0.7 mm glass substrate (manufactured by Opto Science Co., Ltd.) obtained by polishing ITO film formed to a thickness of 200 nm by sputtering to 50 nm was used as a transparent support substrate. A molybdenum evaporation boat in which this transparent support substrate was fixed to a substrate holder of a commercially available evaporation device (manufactured by Showa Vacuum Co., Ltd.), and HAT-CN, HTL-1, TcTa, ETL-1, and ET7 were placed, respectively; A boat for evaporation made of tungsten containing LiF and aluminum was installed.

투명 지지 기판의 ITO막 상에 순차로, 하기 각 층을 형성하였다. 진공조를 5×10-4Pa까지 감압하고, 먼저, HAT-CN을 가열해서 막 두께 5nm가 되도록 증착하여 정공 주입층을 형성하였다. 다음으로, HTL-1을 가열해서 막 두께 90nm가 되도록 증착하여 정공 수송층 1을 형성하고, 나아가 TcTa를 가열해서 막 두께 10nm가 되도록 증착하여 정공 수송층 2를 형성하였다. 다음으로, ETL-1과 new-DABNA를 동시에 가열해서 막 두께 20nm가 되도록 증착하여 발광층을 형성하였다. ETL-1과 new-DABNA의 질량비가 약 99대 1이 되도록 증착 속도를 조절하였다. 다음으로, ETL-1을 가열해서 막 두께 20nm가 되도록 증착하여 전자 수송층 1을 형성하고, 나아가 ET7을 가열해서 막 두께 10nm가 되도록 증착하여 전자 수송층 2를 형성하였다. 각 층의 증착 속도는 0.01∼1nm/초였다. 그 후, LiF를 가열하여 막 두께 1nm가 되도록 0.01∼0.1nm/초의 증착 속도로 증착하고, 이어서, 알루미늄을 가열하여 막 두께 100nm가 되도록 증착해서 음극을 형성하여, 유기 EL 소자를 얻었다. 이 때, 알루미늄의 증착 속도는 1∼10nm/초가 되도록 조절하였다.Each of the following layers was sequentially formed on the ITO film of the transparent support substrate. The vacuum chamber was depressurized to 5×10 -4 Pa, and first, HAT-CN was heated and vapor-deposited to a thickness of 5 nm to form a hole injection layer. Next, HTL-1 was heated and deposited to a film thickness of 90 nm to form a hole transport layer 1, and further, TcTa was heated and deposited to a film thickness of 10 nm to form a hole transport layer 2. Next, ETL-1 and new-DABNA were simultaneously heated and deposited to a film thickness of 20 nm to form a light emitting layer. The deposition rate was adjusted so that the mass ratio of ETL-1 and new-DABNA was about 99:1. Next, ETL-1 was heated and deposited to a film thickness of 20 nm to form an electron transport layer 1, and further, ET7 was heated and deposited to a film thickness of 10 nm to form an electron transport layer 2. The deposition rate of each layer was 0.01 to 1 nm/sec. Thereafter, LiF was heated and deposited at a deposition rate of 0.01 to 0.1 nm/sec to a film thickness of 1 nm, and then aluminum was heated and deposited to a film thickness of 100 nm to form a cathode to obtain an organic EL device. At this time, the deposition rate of aluminum was adjusted to be 1 to 10 nm/sec.

비교예 및 실시예에서 사용한 화합물의 화학 구조를 이하에 나타낸다.The chemical structures of the compounds used in Comparative Examples and Examples are shown below.

Figure pat00099
Figure pat00099

한편, (BN2/BSN-0230/S)은 다음과 같이 합성하였다. Meanwhile, (BN2/BSN-0230/S) was synthesized as follows.

질소 분위기하, (BN2/BSN-0230/S-Pre)(1.96g, 1.90mmol)의 o-디클로로벤젠(19mL) 용액에 삼브롬화붕소(1.91g, 7.6mmol)를 실온에서 적하하고, 그 후, 170℃에서 4시간 교반하였다. 반응 용액을 실온까지 냉각한 후, 인산 완충액(pH 7.0)에 주입하고, 수층을 톨루엔으로 추출하였다. 얻어진 유기층을 포화 식염수로 세정하고, 무수 황산마그네슘으로 건조하였다. 이 용액을 감압하에서 농축하고, 잔류물을 실리카겔 쇼트 패스 컬럼(용리액:톨루엔)으로 정제하였다. 나아가, 초산에틸로 가열 세정을 2회 행함으로써, 화합물(BN2/BSN-0230/S)을 황색 고체로서 얻었다(0.41g, 수율 21%).Under a nitrogen atmosphere, boron tribromide (1.91 g, 7.6 mmol) was added dropwise to a solution of (BN2/BSN-0230/S-Pre) (1.96 g, 1.90 mmol) in o-dichlorobenzene (19 mL) at room temperature, and then , and stirred at 170°C for 4 hours. After cooling the reaction solution to room temperature, it was poured into phosphate buffer (pH 7.0), and the aqueous layer was extracted with toluene. The obtained organic layer was washed with saturated brine and dried over anhydrous magnesium sulfate. The solution was concentrated under reduced pressure, and the residue was purified by a silica gel short pass column (eluent: toluene). Further, the compound (BN2/BSN-0230/S) was obtained as a yellow solid (0.41 g, yield 21%) by heating and washing with ethyl acetate twice.

Figure pat00100
Figure pat00100

LC-MS 측정과 NMR 측정에 의해 얻어진 화합물의 구조를 확인하였다.The structure of the obtained compound was confirmed by LC-MS measurement and NMR measurement.

LC-MS: [M+H+]=1038.40LC-MS: [M+H+]=1038.40

1H-NMR(500MHz, CDCl3):δ=10.20(s, 1H), 9.10(dd, J=7.7, 1.4Hz, 1H), 8.96(dd, J=7.7, 1.4Hz, 1H), 7.51-7.44(m, 7H), 7.40-7.35(m, 4H), 7.33(t, J=7.7Hz, 1H), 7.28(s, 1H), 7.24-7.16(m, 9H), 7.11-7.01(m, 11H), 6.98-6.92(m, 6H), 6.83(d, J=2.6Hz, 2H), 6.78(d, J=8.6Hz, 1H), 6.75(d, J=8.6Hz, 1H), 5.92(d, J=2.3Hz, 1H), 5.68-5.63(m, 2H). 1H -NMR (500MHz, CDCl 3 ): δ=10.20 (s, 1H), 9.10 (dd, J=7.7, 1.4Hz, 1H), 8.96 (dd, J=7.7, 1.4Hz, 1H), 7.51- 7.44(m, 7H), 7.40-7.35(m, 4H), 7.33(t, J=7.7Hz, 1H), 7.28(s, 1H), 7.24-7.16(m, 9H), 7.11-7.01(m, 11H), 6.98-6.92(m, 6H), 6.83(d, J=2.6Hz, 2H), 6.78(d, J=8.6Hz, 1H), 6.75(d, J=8.6Hz, 1H), 5.92( d, J = 2.3 Hz, 1H), 5.68-5.63 (m, 2H).

<실시예 1-1∼7, 실시예 2-1∼4, 실시예 3-1∼4, 실시예 4-1∼4, 비교예 2-1, 및 비교예 4-1∼2><Examples 1-1 to 7, Examples 2-1 to 4, Examples 3-1 to 4, Examples 4-1 to 4, Comparative Examples 2-1, and Comparative Examples 4-1 to 2>

비교예 1-1의 정공 수송층 2, 발광층, 전자 수송층 1을 표 1에 기재된 각 재료, 농도로 변경하여 각 소자를 제작하였다.Each element was fabricated by changing the hole transport layer 2, the light emitting layer, and the electron transport layer 1 of Comparative Example 1-1 to the materials and concentrations listed in Table 1.

각 소자의 평가 결과를 표 2에 나타낸다.Table 2 shows the evaluation results of each element.

Figure pat00101
Figure pat00101

실시예 1-1∼1-7은 비교예 1-1과 비교하여, 높은 효율과 긴 소자 수명이 얻어졌다. 또 실시예끼리의 비교로부터, 호스트 재료로서 카르바졸환 또는 트리아진환을 부분 구조로서 가지는 것이 바람직하고, 트리아진환을 부분 구조로서 가지는 것이 더 바람직하다. 또 중원환 부위를 비교하면, 화합물(1-68)의 부분 구조를 가지는 것이 바람직하다.In Examples 1-1 to 1-7, higher efficiency and longer element life were obtained compared to Comparative Example 1-1. Moreover, from comparison among Examples, as a host material, what has a carbazole ring or a triazine ring as a partial structure is preferable, and what has a triazine ring as a partial structure is more preferable. Moreover, when comparing the mid-membered ring moiety, one having a partial structure of compound (1-68) is preferable.

실시예 2-1∼2-4는 비교예 2-1과 비교하여, 높은 효율과 긴 소자 수명이 얻어졌다. 또 실시예끼리의 비교로부터, p-Host로서 사용하는 경우에는 카르바졸환을 부분 구조로서 가지는 것이 바람직하고, n-Host로서 사용하는 경우에는 트리아진환을 부분 구조로서 가지는 것이 바람직하고, 또 중원환 부위를 비교하면, 화합물(1-68)의 부분 구조를 가지는 것이 바람직하다.Compared with Comparative Example 2-1, Examples 2-1 to 2-4 obtained higher efficiency and longer device life. Further, from the comparison between the Examples, when used as a p-Host, those having a carbazole ring as a partial structure are preferable, and when used as an n-Host, those having a triazine ring as a partial structure are preferable, and also in the case of an intermediate ring ring. Comparing the sites, those having the partial structure of compound (1-68) are preferred.

실시예 3-1∼3-4는 비교예 2-1과 비교하여, 높은 효율과 긴 소자 수명이 얻어졌다. 또 실시예끼리의 비교로부터, 정공 수송층 2로서는 카르바졸환을 부분 구조로서 가지는 것이 바람직하고, 전자 수송층 1로서는 트리아진환을 부분 구조로서 가지는 것이 바람직하고, 또 중원환 부위를 비교하면, 화합물(1-68)의 부분 구조를 가지는 것이 바람직하다.In Examples 3-1 to 3-4, compared with Comparative Example 2-1, high efficiency and long device life were obtained. Further, from the comparison between Examples, the hole transport layer 2 preferably has a carbazole ring as a partial structure, and the electron transport layer 1 preferably has a triazine ring as a partial structure. Further, when comparing the intermediate ring moiety, compound (1 -68) is preferred.

실시예 4-1∼4-4는 비교예 4-1∼비교예 4-2와 비교하여, 높은 효율과 긴 소자 수명이 얻어졌다. 또 실시예끼리의 비교로부터, p-Host로서 사용하는 경우에는 카르바졸환을 부분 구조로서 가지는 것이 바람직하고, n-Host로서 사용하는 경우에는 트리아진환을 부분 구조로서 가지는 것이 바람직하고, 또 중원환 부위를 비교하면, 화합물(1-68)의 부분 구조를 가지는 것이 바람직하다.In Examples 4-1 to 4-4, higher efficiency and longer element life were obtained compared to Comparative Example 4-1 to Comparative Example 4-2. Further, from the comparison between the Examples, when used as a p-Host, those having a carbazole ring as a partial structure are preferable, and when used as an n-Host, those having a triazine ring as a partial structure are preferable, and also in the case of an intermediate ring ring. Comparing the sites, those having the partial structure of compound (1-68) are preferred.

본 발명의 화합물은 정공 수송층 2, 호스트 1, 호스트 2, 전자 수송층 1로서 사용할 수 있지만, 전자 수송층 1, 호스트 1 또는 호스트 2로서 사용하는 것이 바람직하고, 호스트 1 또는 호스트 2로서 사용하는 것이 보다 바람직하고, 호스트 2로서 사용하는 것이 가장 바람직하다.The compound of the present invention can be used as hole transport layer 2, host 1, host 2, or electron transport layer 1, but it is preferably used as electron transport layer 1, host 1 or host 2, and more preferably used as host 1 or host 2. and most preferably used as host 2.

100 유기 전계 발광 소자
101 기판
102 양극
103 정공 주입층
104 정공 수송층
105 발광층
106 전자 수송층
107 전자 주입층
108 음극
100 organic electroluminescent device
101 substrate
102 anode
103 hole injection layer
104 hole transport layer
105 light emitting layer
106 electron transport layer
107 electron injection layer
108 Cathode

Claims (12)

하기 식(1)으로 나타내어지는 구조 단위 1개 또는 2개 이상으로 이루어지는 구조를 가지는 다환 방향족 화합물;
Figure pat00102

식(1) 중,
A환, B환, C환 및 D환은, 각각 독립적으로, 치환 또는 무치환의 아릴환 또는 치환 또는 무치환의 헤테로아릴환이며,
B환과 C환은 단결합 또는 연결기를 통하여 더 결합하고 있어도 되고, X2가 단결합일 때 C환과 D환은 연결기를 통하여 더 결합하고 있어도 되며, X3이 단결합일 때 D환과 A환은 연결기를 통하여 더 결합하고 있어도 되고,
X1, X2 및 X3은, 각각 독립적으로, >C(-RXC)2, >N-RXN, >O, >Si(-RXI)2, >S 또는 단결합이며, 단, X1과 X2가 동시에 단결합이 되지는 않고,
RXC, RXN 및 RXI는, 각각 독립적으로, 수소, 치환 또는 무치환의 아릴, 치환 또는 무치환의 헤테로아릴, 치환 또는 무치환의 알킬 또는 치환 또는 무치환의 시클로알킬이거나, 또는 동일한 원소에 결합하고 있는 A환∼D환으로부터 선택되는 1개 또는 2개의 환과 상기 원소와 함께 환을 형성하고 있고, 단, 2개의 RXC는 서로 결합하고 있어도 되며, 또한 2개의 RXI는 서로 결합하고 있어도 되고,
식(1)으로 나타내어지는 화합물 또는 구조에 있어서의 적어도 하나의 수소는, 중수소, 시아노 또는 할로겐으로 치환되어 있어도 된다.
polycyclic aromatic compounds having a structure composed of one or two or more structural units represented by the following formula (1);
Figure pat00102

In formula (1),
A ring, B ring, C ring, and D ring are each independently a substituted or unsubstituted aryl ring or a substituted or unsubstituted heteroaryl ring;
Ring B and C may be further bonded through a single bond or linking group, when X 2 is a single bond, ring C and ring D may be further bonded through a linking group, and when X 3 is a single bond, ring D and ring A are further bonded through a linking group you can do,
X 1 , X 2 and X 3 are each independently >C(-R XC ) 2 , >NR XN , >O, >Si(-R XI ) 2 , >S or a single bond, provided that X 1 and X 2 do not form a single bond at the same time,
R XC , R XN and R XI are each independently hydrogen, substituted or unsubstituted aryl, substituted or unsubstituted heteroaryl, substituted or unsubstituted alkyl, or substituted or unsubstituted cycloalkyl, or the same element One or two rings selected from rings A to D bonded to and together with the above elements form a ring, provided that two R XC may be bonded to each other, and two R XI are bonded to each other, may be,
At least one hydrogen in the compound or structure represented by formula (1) may be substituted with heavy hydrogen, cyano or halogen.
제1항에 있어서,
식(1)으로 나타내어지는 구조 단위 1개로 이루어지는 구조를 가지는 다환 방향족 화합물.
According to claim 1,
A polycyclic aromatic compound having a structure consisting of one structural unit represented by Formula (1).
제1항 또는 제2항에 있어서,
A환, B환, C환 및 D환이, 모두 치환 또는 무치환의 벤젠환인 다환 방향족 화합물.
According to claim 1 or 2,
A polycyclic aromatic compound in which ring A, ring B, ring C and ring D are all substituted or unsubstituted benzene rings.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
X1, X2 및 X3이, 각각 독립적으로, >N-RXN, >O, >S 또는 단결합이며, RXN이, 치환 또는 무치환의 아릴 또는 치환 또는 무치환의 헤테로아릴인 다환 방향족 화합물.
According to any one of claims 1 to 3,
X 1 , X 2 and X 3 are each independently >NR XN , >O, >S or a single bond, and R XN is a substituted or unsubstituted aryl or a substituted or unsubstituted heteroaryl polycyclic aromatic compound .
제1항에 있어서,
하기 어느 하나의 식으로 나타내어지는 다환 방향족 화합물.
Figure pat00103
According to claim 1,
A polycyclic aromatic compound represented by any of the following formulas.
Figure pat00103
제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 기재된 다환 방향족 화합물을 함유하는, 유기 디바이스용 재료.A material for an organic device containing the polycyclic aromatic compound according to any one of claims 1 to 5. 양극 및 음극으로 이루어지는 한 쌍의 전극과 해당 한 쌍의 전극 사이에 배치되는 유기층을 가지고, 상기 유기층이 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 기재된 다환 방향족 화합물을 함유하는, 유기 전계 발광 소자.An organic electroluminescent device comprising a pair of electrodes comprising an anode and a cathode, and an organic layer disposed between the pair of electrodes, wherein the organic layer contains the polycyclic aromatic compound according to any one of claims 1 to 5. . 제7항에 있어서,
상기 유기층이 발광층인, 유기 전계 발광 소자.
According to claim 7,
An organic electroluminescent device in which the organic layer is a light emitting layer.
제8항에 있어서,
상기 발광층이, 호스트 재료로서의 상기 다환 방향족 화합물과, 도펀트 재료를 포함하는, 유기 전계 발광 소자.
According to claim 8,
The organic electroluminescent element in which the light emitting layer contains the polycyclic aromatic compound as a host material and a dopant material.
제7항에 있어서,
상기 유기층이 전자 수송층인, 유기 전계 발광 소자.
According to claim 7,
The organic electroluminescent device, wherein the organic layer is an electron transport layer.
제7항에 있어서,
상기 유기층이 정공 수송층인, 유기 전계 발광 소자.
According to claim 7,
The organic electroluminescent device, wherein the organic layer is a hole transport layer.
제7항 내지 제11항 중 어느 한 항에 기재된 유기 전계 발광 소자를 구비한 표시 장치 또는 조명 장치.A display device or lighting device comprising the organic electroluminescent device according to any one of claims 7 to 11.
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