KR20230041950A - Organic electroluminescent device - Google Patents

Organic electroluminescent device Download PDF

Info

Publication number
KR20230041950A
KR20230041950A KR1020220116300A KR20220116300A KR20230041950A KR 20230041950 A KR20230041950 A KR 20230041950A KR 1020220116300 A KR1020220116300 A KR 1020220116300A KR 20220116300 A KR20220116300 A KR 20220116300A KR 20230041950 A KR20230041950 A KR 20230041950A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
group
substituted
carbon atoms
unsubstituted
ring
Prior art date
Application number
KR1020220116300A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
춘량 짜오
쩡 왕
슈에차오 티옌
빙지옌 가오
리우환 차이
신 비
샤 촨쥔
웬 레이몬드 퀑 츼
웬 레이몬드 퀑 ?M
Original Assignee
베이징 썸머 스프라우트 테크놀로지 컴퍼니 리미티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 베이징 썸머 스프라우트 테크놀로지 컴퍼니 리미티드 filed Critical 베이징 썸머 스프라우트 테크놀로지 컴퍼니 리미티드
Publication of KR20230041950A publication Critical patent/KR20230041950A/en

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/30Coordination compounds
    • H10K85/321Metal complexes comprising a group IIIA element, e.g. Tris (8-hydroxyquinoline) gallium [Gaq3]
    • H10K85/322Metal complexes comprising a group IIIA element, e.g. Tris (8-hydroxyquinoline) gallium [Gaq3] comprising boron
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/10OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/654Aromatic compounds comprising a hetero atom comprising only nitrogen as heteroatom
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H10K85/6572Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only nitrogen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. phenanthroline or carbazole
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H10K85/6574Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only oxygen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. cumarine dyes

Abstract

The present invention provides an organic electroluminescent device. The corresponding organic electroluminescent device comprises an anode, a cathode, and an organic layer arranged between the anode and the cathode. The organic layer includes at least an organic light emitting layer. The organic light emitting layer includes a first host material and a second host material having a high triplet state with a first compound having the structure of formula 1. The organic electroluminescent device of the present invention has an excellent comprehensive device performance and exhibits, for example, a narrower half-width, longer life, and higher efficiency. Also disclosed is electronic equipment including the corresponding organic electroluminescent device. Also disclosed is a composition of a first host material and a second host material having a high triplet state with a first compound having the structure of formula 1.

Description

유기 전계발광소자 {ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICE}Organic electroluminescent device {ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICE}

본 발명은 유기 전자소자, 예를 들어 유기 전계발광소자에 관한 것이다. 특히, 유기 발광층에 식 1 구조를 갖는 제1 화합물과 높은 삼중항 상태를 갖는 제1 호스트 재료 및 제2 호스트 재료로 이루어진 신규 재료 조합을 포함하는 유기 전계발광소자 및 해당 유기 전계발광소자를 포함하는 전자설비, 및 식 1 구조를 갖는 제1 화합물과 높은 삼중항 상태를 갖는 제1 호스트 재료 및 제2 호스트 재료의 조성물에 관한 것이다.The present invention relates to organic electronic devices, such as organic electroluminescent devices. In particular, an organic electroluminescent device including a novel material combination consisting of a first compound having Formula 1 structure, a first host material and a second host material having a high triplet state in an organic light emitting layer, and an organic electroluminescent device comprising the organic light emitting device Electronic equipment and a composition of a first compound having a structure of Formula 1 and a first host material and a second host material having a high triplet state.

유기 전자소자는, 유기 발광다이오드(OLEDs), 유기 전계효과트랜지스터(O-FETs), 유기 발광트랜지스터(OLETs), 유기 광전소자(OPVs), 염료감응형 태양전지(DSSCs), 유기 광학검출기, 유기 광수용체, 유기 전계효과소자(OFQDs), 발광 전기화학전지(LECs), 유기 레이저 다이오드 및 유기 플라즈마(plasma) 발광소자를 포함하되 이에 한정되지 않는다.Organic electronic devices include organic light emitting diodes (OLEDs), organic field effect transistors (O-FETs), organic light emitting transistors (OLETs), organic photoelectric devices (OPVs), dye-sensitized solar cells (DSSCs), organic optical detectors, organic photoreceptors, organic field effect devices (OFQDs), light emitting electrochemical cells (LECs), organic laser diodes and organic plasma light emitting devices, but are not limited thereto.

1987년, Eastman Kodak의 Tang 및 Van Slyke는, 전자 수송층 및 발광층으로서 아릴아민 정공 수송층 및 트리-8-히드록시퀴놀린-알루미늄층(tris-8-hydroxyquinoline aluminum layer)을 포함하는 2 층 유기 전계 발광소자를 보도하였다(Applied Physics Letters, 1987,51(12): 913-915). 소자에 바이어스를 가하게 되면, 소자에서 녹색 빛이 방출된다. 상기 발명은 현대 유기 발광다이오드(OLEDs)의 발전에 토대를 마련하였다. 가장 선진적인 OLEDs는 전하 주입 및 수송층, 전하 및 엑시톤 차단층(exciton blocking layer), 및 캐소드(cathode)와 애노드(anode) 사이의 하나 또는 복수의 발광층과 같은 복수 층을 포함할 수 있다. OLEDs는 자가발광 고체소자이기 때문에, 디스플레이 및 조명 응용에 엄청난 잠재력을 제공해준다. 또한, 유기 자재의 고유특성(예를 들어 이들의 가요성)은 이들이 특수한 응용(예를 들어 가요성 기판 상에서의 제조)에 적합하도록 한다.Tang and Van Slyke of Eastman Kodak in 1987, a two-layer organic electroluminescent device comprising an arylamine hole transport layer and a tris-8-hydroxyquinoline aluminum layer as an electron transport layer and a light emitting layer reported (Applied Physics Letters, 1987,51(12): 913-915). When a bias is applied to the device, green light is emitted from the device. This invention laid the foundation for the development of modern organic light emitting diodes (OLEDs). The most advanced OLEDs may include multiple layers, such as charge injection and transport layers, charge and exciton blocking layers, and one or multiple light emitting layers between the cathode and anode. Because OLEDs are self-luminous solid-state devices, they offer tremendous potential for display and lighting applications. In addition, the inherent properties of organic materials (eg their flexibility) make them suitable for special applications (eg manufacturing on flexible substrates).

OLED는 이의 발광 매거니즘에 따라 세 가지의 다른 유형으로 분류될 수 있다. Tang과 van Slyke가 발명한 OLED는 형광 OLED이다. 이는 일중항 상태(singlet state) 발광만 사용한다. 소자에서 생성된 삼중항 상태(triplet state)는 비방사성 감쇠채널을 통해 낭비된다. 따라서, 형광 OLED의 내부 양자 효율(IQE)은 25%에 불과하다. 이러한 한정은 OLED의 상업화를 방해한다. 1997년, Forrest와 Thompson은, 착물을 함유하는 중금속으로부터의 삼중항 상태 발광을 발광체로 사용하는 인광 OLED를 리포트하였다. 따라서, 일중항 상태와 삼중항 상태를 획득할 수 있어 100%의 IQE를 달성할 수 있다. 이의 효율이 높기 때문에, 인광 OLED의 발견 및 발전은 액티브 매트릭스 OLED(AMOLED)의 상업화에 직접적인 공헌을 하였다. 최근에, Adachi는 유기 화합물의 열활성화지연형광(TADF)을 통해 고효율을 달성하였다. 이러한 발광체는 엑시톤(exciton)이 삼중항 상태에서 일중항 상태로 돌아갈 수 있도록 작은 일중항-삼중항 상태의 간격(gap)을 구비한다. TADF 소자에서, 삼중항 상태 엑시톤(triplet exciton)은 역항간교차(reverse intersystem crossing)를 통해 일중항 상태 엑시톤을 생성할 수 있어 높은 IQE를 달성할 수 있다.OLEDs can be classified into three different types according to their light emitting mechanism. The OLED invented by Tang and van Slyke is a fluorescent OLED. It uses only singlet state light emission. The triplet state created in the device is wasted through the non-radiative decay channel. Therefore, the internal quantum efficiency (IQE) of the fluorescent OLED is only 25%. These limitations hinder the commercialization of OLEDs. In 1997, Forrest and Thompson reported a phosphorescent OLED using triplet state emission from a heavy metal containing complex as a light emitting body. Therefore, the singlet state and the triplet state can be obtained, and an IQE of 100% can be achieved. Because of their high efficiency, the discovery and development of phosphorescent OLEDs has directly contributed to the commercialization of active matrix OLEDs (AMOLEDs). Recently, Adachi has achieved high efficiency through thermally activated delayed fluorescence (TADF) of organic compounds. Such a light emitting body has a small singlet-triplet state gap so that exciton can return from a triplet state to a singlet state. In the TADF device, triplet excitons can generate singlet excitons through reverse intersystem crossing, so that a high IQE can be achieved.

OLEDs는 또한 사용되는 재료의 형태에 따라 저분자 및 고분자 OLED로 나눌 수 있다. 저분자는 고분자가 아닌 임의의 유기 또는 유기 금속재료를 지칭한다. 정확한 구조를 구비한다면 저분자의 분자량은 매우 클 수 있다. 명확한 구조를 구비하는 덴드리틱 고분자(dendritic polymer)는 소분자로 간주된다. 고분자 OLED는 공액 고분자(conjugated polymer) 및 펜던트 발광기(pendant emitting groups)를 구비하는 비공액 고분자를 포함한다. 제조과정에 포스트중합(post polymerization)이 발생하면, 저분자 OLED는 고분자 OLED로 변할 수 있다.OLEDs can also be divided into low-molecular and high-molecular OLEDs depending on the type of material used. Small molecule refers to any organic or organometallic material that is not a polymer. The molecular weight of a small molecule can be very large if it has the correct structure. Dendritic polymers with well-defined structures are considered small molecules. Polymeric OLEDs include conjugated polymers and non-conjugated polymers with pendant emitting groups. When post-polymerization occurs during the manufacturing process, low-molecular OLEDs can be transformed into high-molecular OLEDs.

이미 다양한 OLED 제조방법이 존재한다. 저분자 OLED는 통상적으로 진공 열증착(vacuum thermal evaporation)을 통해 제조된다. 고분자 OLED는 용액공정, 예를 들어 스핀 코팅, 잉크젯 프린팅 및 노즐 프린팅에 의해 제조된다. 재료가 용매에 용해되거나 분산될 수 있으면 저분자 OLED도 용액공정에 의해 제조될 수 있다.There are already various OLED manufacturing methods. Small molecule OLEDs are typically manufactured through vacuum thermal evaporation. Polymer OLEDs are prepared by solution processes such as spin coating, inkjet printing and nozzle printing. If the material can be dissolved or dispersed in a solvent, even low-molecular OLEDs can be prepared by a solution process.

OLED의 발광색은 발광재료 구조설계에 의해 실현될 수 있다. OLED는 원하는 스펙트럼을 실현할 수 있도록 하나의 발광층 또는 복수의 발광층을 포함할 수 있다. 녹색, 황색 및 적색 OLED에서, 인광재료는 이미 상업화를 성공적으로 실현하였다. 청색 인광소자는 여전히 청색 불포화, 짧은 소자수명 및 높은 작동전압 등 문제가 존재한다. 상업용 풀 컬러 OLED 디스플레이는 통상적으로 청색 형광과, 인광 황색 또는 적색과 녹색을 사용하는 혼합전략을 사용한다. 현재, 인광 OLED의 효율이 고휘도의 경우에 급격히 감소되는 문제가 여전히 존재한다. 이 외, 보다 포화된 발광 스펙트럼, 더 높은 효율 및 더 긴 소자수명을 구비하는 것을 원한다.The emission color of OLED can be realized by structural design of light emitting materials. An OLED may include one light emitting layer or a plurality of light emitting layers to realize a desired spectrum. In green, yellow and red OLEDs, phosphorescent materials have already successfully realized commercialization. Blue phosphorescent devices still have problems such as blue unsaturation, short device lifetime, and high operating voltage. Commercial full-color OLED displays typically use a hybrid strategy using blue fluorescence and phosphorescent yellow or red and green. Currently, there still exists a problem that the efficiency of phosphorescent OLEDs is rapidly reduced in the case of high luminance. Besides, it is desired to have a more saturated emission spectrum, higher efficiency and longer device life.

CN112745342A에서는, 다음과 같은 일반식 화합물

Figure pat00001
을 개시하였고, 여기서 Y1, Y2, Y3은 각각 B, N에서 선택된다. 해당 출원에서는 해당 유형의 붕소-질소 화합물이 발광 게스트 재료로 사용되는 것을 개시하였고, 구체적으로 이의 소자 실시예에서 CBP를 TADF 소자에서의 호스트 재료로서 사용하여, 비교적 우수한 녹색광 TADF 소자 성능을 얻었다. 그러나, 해당 출원은 발광층에 제2 호스트 재료를 도입함으로써 소자 성능에 일으키는 변화를 연구하지 않았고, 또한 해당 유형의 붕소-질소 화합물을 청색광 방출 소자에 사용할 때의 소자 성능에 대해 연구하지 않았다.In CN112745342A, a compound of the general formula
Figure pat00001
disclosed, where Y 1 , Y 2 , Y 3 are selected from B and N, respectively. This application discloses that this type of boron-nitrogen compound is used as a light emitting guest material, and specifically, in the device examples thereof, CBP is used as a host material in the TADF device to obtain relatively good green light TADF device performance. However, the application did not study the change in device performance caused by introducing the second host material into the light emitting layer, nor did the device performance when a boron-nitrogen compound of that type was used in a blue light emitting device.

CN113045595A에서는, 다음과 같은 일반식 화합물

Figure pat00002
을 개시하였고, 이는 더 나아가 일반식이
Figure pat00003
인 화합물을 개시하였으며, 여기서 고리 A에 대해 수많은 헤테로고리 구조, 예를 들어,
Figure pat00004
,
Figure pat00005
등을 개시하였다. 해당 출원에서는 해당 유형의 붕소-질소 화합물이 발광 재료로 사용되는 것을 개시하였고, 구체적으로, 소자 실시예에서 ADN을 호스트 재료로서 소자에 응용하여, 비교적 우수한 청색 형광 소자 성능을 얻었다. 그러나, 해당 출원에서는 해당 유형의 화합물이 TADF 소자에 응용되는 것을 개시하지 않았고, 해당 유형의 붕소-질소 화합물과 높은 삼중항 상태를 갖는 이중 호스트 재료의 특정 조합을 개시하지 않았다.In CN113045595A, a compound of the general formula
Figure pat00002
disclosed, which further general formula
Figure pat00003
Phosphorus compounds are disclosed wherein, for ring A, a number of heterocyclic structures are disclosed, for example,
Figure pat00004
,
Figure pat00005
etc. have been initiated. This application discloses that a boron-nitrogen compound of this type is used as a light emitting material, and specifically, ADN was applied to the device as a host material in device examples to obtain relatively excellent performance of a blue fluorescent device. However, the application does not disclose the application of this type of compound to a TADF device, nor does it disclose a specific combination of a boron-nitrogen compound of that type and a dual host material having a high triplet state.

CN107501311A에서는 일반식이

Figure pat00006
인 화합물을 개시하였으며, 여기서, 불포화 고리 Z2와 고리 Z5에는 포화 결합이 존재하고, 더 나아가, 해당 출원에서는 일반식이
Figure pat00007
인 화합물을 개시하였으며, 도 5의 핵자기 결과에 따르면, 이는 화합물
Figure pat00008
의 합성을 완료하였음을 알 수 있다. 해당 출원에서는 불포화 고리 Z2와 고리 Z5에 포화 결합이 존재하기 때문에, 방향족 고리로 쉽게 산화되어, 결국 소자 수명을 단축시킬 수 있다. 또한, 해당 출원은 해당 유형의 화합물이 발광 재료로서 단일 호스트 재료와 배합하여 사용하는 응용만을 개시하였고, 이중 호스트 재료와의 특정 조합으로서의 응용 및 해당 특정 조합이 소자에 미치는 영향을 개시하지 않았다.In CN107501311A, the general formula is
Figure pat00006
Disclosed is a phosphorus compound, wherein a saturated bond is present in an unsaturated ring Z 2 and a ring Z 5 , and furthermore, in the application, the general formula
Figure pat00007
A phosphorus compound was disclosed, and according to the nuclear magnetic results of FIG. 5, it is a compound
Figure pat00008
It can be seen that the synthesis of In this application, since a saturated bond is present in the unsaturated ring Z 2 and the ring Z 5 , it is easily oxidized to an aromatic ring, which can eventually shorten the life of the device. In addition, the application only discloses an application in which the compound of this type is used in combination with a single host material as a light emitting material, and does not disclose an application as a specific combination with a dual host material and an effect of the specific combination on the device.

CN112341482A에서는, 다음과 같은 일반식 화합물:

Figure pat00009
을 개시하였으며, 여기서 G는 치환 또는 비치환된 헤테로방향족기이고, 상기 G에서 헤테로방향족기의 고리원자는 적어도 하나의 붕소 원자 및 두 개의 질소 원자를 포함하며; 이에 개시된 구체적인 화합물은
Figure pat00010
,
Figure pat00011
,
Figure pat00012
등을 포함한다. 해당 출원의 화합물에서는 4 개의 질소 원자와 2 개의 붕소 원자의 큰 평면 시스템을 사용하여 우수한 소자 성능을 달성하였지만, 이는 4 개의 질소 원자와 2 개의 붕소 원자가 발광 재료의 LUMO를 너무 깊게 만들어, 발광 재료와 호스트 재료 사이의 HOMO가 가까워져, 발광 재료의 정공 포획(hole trap) 능력이 저하되고, 결국 소자 효율을 저하시키는 것에 대해 고려하지 않았다. 또한, 해당 유형의 화합물은 분자량이 비교적 커서 실제 응용에서 지나치게 높은 증착 온도를 초래한다. TADF 소자의 연구에서, 해당 출원은 단일 호스트 및 발광 재료로서 해당 유형의 화합물만 사용하여 소자 성능을 연구하였고, 이와 이중 호스트 재료가 TADF 소자에 응용되어 소자에 미치는 영향을 연구하지 않았다.In CN112341482A, a compound of the general formula:
Figure pat00009
Disclosed, wherein G is a substituted or unsubstituted heteroaromatic group, wherein the ring atoms of the heteroaromatic group in G include at least one boron atom and two nitrogen atoms; Specific compounds disclosed herein are
Figure pat00010
,
Figure pat00011
,
Figure pat00012
Include etc. In the compound of the application, excellent device performance was achieved by using a large planar system of 4 nitrogen atoms and 2 boron atoms, but this made the LUMO of the light emitting material too deep because the 4 nitrogen atoms and 2 boron atoms made the light emitting material and The fact that the HOMO between the host materials becomes closer, the hole trapping ability of the light emitting material is lowered, and consequently the device efficiency is lowered is not considered. In addition, this type of compound has a relatively large molecular weight, resulting in excessively high deposition temperatures in practical applications. In the study of the TADF device, the application studied the device performance using only a compound of that type as a single host and light emitting material, and did not study the effect of this dual host material applied to the TADF device.

선행 기술에는, 붕소, 질소 등을 중심 원자로 하는 많은 다환 축합 구조가 개시되어 있으며, 그 중 특정 폐루프 구조를 갖는 붕소-질소 헤테로 고리 화합물도 종종 보고되었고, 이는 다양한 단일 호스트 재료와 배합하여 사용할 수 있다. 그러나, 선행 기술에는 특정 폐루프 구조를 갖는 붕소-질소 헤테로 고리 화합물과 높은 삼중항 상태를 갖는 이중 호스트 재료의 특정 조합을 개시하지 않았다. 본 발명자는 심도 있는 연구 끝에, 특정 폐루프 구조를 갖는 붕소 함유 헤테로 고리 화합물을 발광 재료로 사용하고, 높은 삼중항 상태의 정공수송형 호스트 재료와 전자수송형 호스트 재료를 혼합하여 호스트 재료로 사용하는 신규 재료 조합을 발견하였으며, 이런 신규 재료 조합을 TADF 발광 소자에 응용하면 보다 우수한 소자 성능을 제공할 수 있다.In the prior art, many polycyclic condensation structures having boron, nitrogen, etc. as central atoms have been disclosed, and among them, boron-nitrogen heterocyclic compounds having a specific closed-loop structure have also been reported, which can be used in combination with various single host materials. there is. However, the prior art did not disclose a specific combination of a boron-nitrogen heterocyclic compound having a specific closed-loop structure and a dual host material having a high triplet state. After in-depth research, the present inventors use a boron-containing heterocyclic compound having a specific closed-loop structure as a light emitting material, and mix a high triplet state hole transporting host material and an electron transporting host material to use as a host material. A new material combination was discovered, and application of this new material combination to a TADF light emitting device can provide better device performance.

본 발명은 적어도 일부의 상기 문제를 해결하기 위해, 신규 재료 조합을 갖는 유기 전계발광소자를 제공하는 것을 목적으로 한다. 상기 유기 전계발광소자는 식 1 구조를 갖는 제1 화합물과 높은 삼중항 상태를 갖는 제1 호스트 재료 및 제2 호스트 재료로 이루어진 신규 재료 조합을 사용하며; 이러한 신규 재료 조합은 유기 전계발광소자의 발광층에 사용될 수 있다. 이러한 신규 재료 조합은 소자에서 우수한 종합적 소자 성능을 나타내며, 예를 들어 더 좁은 반치폭, 더 긴 수명 및 더 높은 효율을 나타낸다.The present invention aims to provide an organic electroluminescent device having a novel material combination, in order to solve at least some of the above problems. The organic electroluminescent device uses a novel material combination consisting of a first compound having a structure of formula 1, a first host material and a second host material having a high triplet state; This novel material combination can be used for a light emitting layer of an organic electroluminescent device. This new material combination exhibits good overall device performance in the device, for example narrower full width at half maximum, longer lifetime and higher efficiency.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 유기 전계발광소자를 개시하였으며, 이는,According to one embodiment of the present invention, an organic electroluminescent device is disclosed, which includes:

양극, anode,

음극, 및cathode, and

양극과 음극 사이에 배치된 유기층을 포함하며, 여기서 상기 유기층은 적어도 유기 발광층을 포함하고;an organic layer disposed between an anode and a cathode, wherein the organic layer includes at least an organic light emitting layer;

여기서, 상기 유기 발광층은 적어도 제1 화합물, 제1 호스트 재료 및 제2 호스트 재료를 포함하며;Here, the organic light emitting layer includes at least a first compound, a first host material and a second host material;

여기서 상기 제1 호스트 재료 및 제2 호스트 재료의 삼중항 상태의 에너지 준위는 모두 2.69eV보다 높고;Here, the energy levels of the triplet state of the first host material and the second host material are both higher than 2.69 eV;

여기서 상기 제1 화합물은 식 1로 나타내는 구조를 가지며,Here, the first compound has a structure represented by Formula 1,

Figure pat00013
Figure pat00013

식 1에서, 고리 A, 고리 B, 고리 C, 고리 D, 고리 E는 각각 독립적으로 5∼30 개 탄소원자를 갖는 불포화 탄소고리 또는 3∼30 개 탄소원자를 갖는 불포화 헤테로고리에서 선택되고;In Formula 1, ring A, ring B, ring C, ring D, and ring E are each independently selected from an unsaturated carbon ring having 5 to 30 carbon atoms or an unsaturated hetero ring having 3 to 30 carbon atoms;

Y1은 B, P=O, P=S, As, As=O, As=S, SiR' 또는 GeR'에서 선택되며;Y 1 is selected from B, P=O, P=S, As, As=O, As=S, SiR' or GeR';

Ra, Rb, Rc, Rd, Re은 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 단일치환, 다중치환 또는 비치환을 나타내고;Each occurrence of R a , R b , R c , R d , R e identically or differently represents mono-substitution, poly-substitution or non-substitution;

R', Ra, Rb, Rc, Rd, Re은 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 수소, 듀테륨, 할로겐, 1∼20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬기, 3∼20 개의 고리탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 시클로알킬기, 1∼20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로알킬기, 3-20 개의 고리원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로시클릭기, 7∼30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아랄킬기, 1∼20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알콕시기, 6∼30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴옥시기, 2∼20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알케닐기, 6∼30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴기, 3∼30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기, 3∼20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬실릴기, 6∼20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴실릴기, 3∼20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬게르마닐기, 6∼20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴게르마닐기, 0∼20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아미노기, 아실기, 카르보닐기, 카르복실산기, 에스테르기, 시아노기, 이소시아노기, 하이드록시기, 술파닐기, 술피닐기, 술포닐기, 포스피노기, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되며;R', R a , R b , R c , R d , R e are identical or different each time they appear, hydrogen, deuterium, halogen, substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, 3 to 20 rings A substituted or unsubstituted cycloalkyl group having carbon atoms, a substituted or unsubstituted heteroalkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted heterocyclic group having 3 to 20 ring atoms, and a 7 to 30 carbon atoms A substituted or unsubstituted aralkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted alkoxy group having 6 to 30 carbon atoms, a substituted or unsubstituted aryloxy group having 2 to 20 carbon atoms, or a substituted or unsubstituted alkoxy group having 2 to 20 carbon atoms cyclic alkenyl group, substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 carbon atoms, substituted or unsubstituted heteroaryl group having 3 to 30 carbon atoms, substituted or unsubstituted alkylsilyl having 3 to 20 carbon atoms group, a substituted or unsubstituted arylsilyl group having 6 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted alkylgermanyl group having 3 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted arylgerma group having 6 to 20 carbon atoms Nyl group, substituted or unsubstituted amino group having 0 to 20 carbon atoms, acyl group, carbonyl group, carboxylic acid group, ester group, cyano group, isocyano group, hydroxy group, sulfanyl group, sulfinyl group, sulfonyl group, phosphino selected from the group consisting of groups, and combinations thereof;

L1, L2은 각각 독립적으로 단일 결합, O, S, Se, SiRR, PR, 치환 또는 비치환된 비닐렌기, 6-30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴렌기, 3∼30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴렌기, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되고; 복수의 R가 동시에 존재할 경우, 복수의 R은 동일하거나 상이하며;L 1 and L 2 are each independently a single bond, O, S, Se, SiRR, PR, a substituted or unsubstituted vinylene group, a substituted or unsubstituted arylene group having 6 to 30 carbon atoms, and 3 to 30 carbon atoms. It is selected from the group consisting of a substituted or unsubstituted heteroarylene group having a group, and a combination thereof; When a plurality of R's are present at the same time, the plurality of R's are the same or different;

R은 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 수소, 듀테륨, 할로겐, 1∼20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬기, 3∼20 개의 고리탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 시클로알킬기, 1∼20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로알킬기, 3-20 개의 고리원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로시클릭기, 7∼30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아랄킬기, 6∼30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴기, 3∼30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택되고;Each occurrence of R, identically or differently, is hydrogen, deuterium, halogen, a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted cycloalkyl group having 3 to 20 ring carbon atoms, and 1 to 20 carbon atoms. substituted or unsubstituted heteroalkyl group having 3 to 20 ring atoms, substituted or unsubstituted heterocyclic group having 7 to 30 carbon atoms, substituted or unsubstituted aralkyl group having 6 to 30 carbon atoms, It is selected from the group consisting of a substituted or unsubstituted aryl group and a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 3 to 30 carbon atoms;

인접한 치환기 Ra, Rb, Rc, Rd, Re, R은 임의로 연결되어 고리를 형성할 수 있다.Adjacent substituents R a , R b , R c , R d , R e , R may be optionally linked to form a ring.

본 발명의 다른 일 실시예에 따르면, 전자설비를 더 개시하였으며, 이는 전술한 유기 전계발광소자를 포함한다.According to another embodiment of the present invention, an electronic device is further disclosed, which includes the organic electroluminescent device described above.

본 발명의 다른 일 실시예에 따르면, 조성물을 더 개시하였으며, 이는 적어도 제1 화합물, 제1 호스트 재료 및 제2 호스트 재료를 포함한다.According to another embodiment of the present invention, a composition is further disclosed, which includes at least a first compound, a first host material and a second host material.

본 발명은 신규 전계발광소자를 개시하였으며, 상기 전계발광소자는 제1 화합물, 제1 호스트 재료 및 제2 호스트 재료로 이루어진 신규 재료 조합을 사용하며, 이러한 신규 재료 조합은 유기 전계발광소자의 발광층에 사용될 수 있다. 이러한 신규 재료 조합은 신규 전계발광소자가 더 좁은 반치폭, 더 긴 수명 및 더 높은 효율을 획득하도록 하여, 더 우수한 소자 성능을 제공할 수 있다.The present invention discloses a novel electroluminescent device, wherein the electroluminescent device uses a novel material combination consisting of a first compound, a first host material, and a second host material, and this novel material combination is used in a light emitting layer of an organic electroluminescent device. can be used This novel material combination allows the novel electroluminescent device to obtain a narrower half-width, longer lifetime and higher efficiency, providing better device performance.

도 1은 본문에서 개시된 화합물 및 조성물을 포함하는 유기발광장치의 개략도이다.
도 2는 본문에서 개시된 화합물 및 조성물을 포함하는 다른 유기발광장치의 개략도이다.
1 is a schematic diagram of an organic light emitting device including the compounds and compositions disclosed herein.
2 is a schematic diagram of another organic light emitting device incorporating the compounds and compositions disclosed herein.

OLED는 여러 종류의 기판(예를 들어, 유리, 플라스틱 및 금속)상에서 제조될 수 있다. 도 1은 유기 발광장치(100)를 개략적으로 비 한정적으로 나타낸다. 도면은 반드시 비율에 따라 그려진 것이 아니며, 도면에서의 일부 층구조는 필요에 따라 생략될 수도 있다. 장치(100)는 기판(101), 양극(110), 정공 주입층(120), 정공 수송층(130), 전자 차단층(140), 발광층(150), 정공 차단층(160), 전자 수송층(170), 전자 주입층(180) 및 음극(190)을 포함할 수있다. 장치(100)는 설명된 층들을 순차적으로 증착하여 제조될 수 있다. 각 층의 성질과 기능 및 예시적인 재료는 미국 특허 US7,279,704B2 제6-10 칼럼에서 더 구체적으로 설명하였으며, 상기 특허의 전부 내용은 본 출원에 인용되어 결합된다. OLEDs can be fabricated on several types of substrates (eg glass, plastic and metal). 1 schematically and non-limitingly shows an organic light emitting device 100 . The drawings are not necessarily drawn to scale, and some layer structures in the drawings may be omitted if necessary. The device 100 includes a substrate 101, an anode 110, a hole injection layer 120, a hole transport layer 130, an electron blocking layer 140, a light emitting layer 150, a hole blocking layer 160, an electron transport layer ( 170), an electron injection layer 180, and a cathode 190. Device 100 may be fabricated by sequentially depositing the described layers. The nature and function of each layer and exemplary materials are described in more detail in US Pat. No. 7,279,704B2, columns 6-10, the entire contents of which are incorporated herein by reference.

이러한 층에서의 각 층은 더 많은 예시를 구비한다. 전문을 인용하는 방식으로 결합된 미국특허 제5,844,363호에 개시된 유연하고 투명한 기판-애노드 조합을 예로 들 수 있다. p-도핑된 정공 수송층의 예시로는, 전문을 인용하는 방식으로 결합된 미국특허출원공개 제2003/0230980호에 개시된 바와 같이 50:1의 몰비로 F4 -TCNQ가 도핑된 m-MTDATA이다. 전문을 인용하는 방식으로 결합된 미국특허 제6303238호(Thompson 등에게 수여됨)에서는 호스트 재료(host material)의 예시를 개시하였다. n-도핑된 전자 수송층의 예시로는, 전문을 인용하는 방식으로 결합된 미국특허출원공개 제2003/0230980호에 개시된 바와 같이 1:1의 몰비로 Li가 도핑된 BPhen이다. 전문을 인용하는 방식으로 결합된 미국특허 제5703436호 및 제5707745호에서는 음극의 예시를 개시하였으며, 이는 Mg:Ag와 같은 금속 박층, 오버라잉(overlying)된 투명하고 전도성을 가지며 스퍼터 증착(sputter-deposited)된 ITO층을 가지는 복합 음극을 포함한다. 전문을 인용하는 방식으로 결합된 미국특허 제6097147호 및 미국특허출원공개 제2003/0230980호에서는 차단층의 원리 및 사용에 대해 더 구체적으로 설명하였다. 전문을 인용하는 방식으로 결합된 미국특허출원공개 제2004/0174116호에서는 주입층의 예시를 제공하였다. 전문을 인용하는 방식으로 결합된 미국특허출원공개 제2004/0174116호에서 보호층에 대한 설명을 찾을 수 있다.Each layer in this layer has more examples. An example is the flexible and transparent substrate-anode combination disclosed in U.S. Patent No. 5,844,363 bonded in an inclusive manner. An example of a p-doped hole transport layer is m-MTDATA doped with F4-TCNQ in a molar ratio of 50:1 as disclosed in US Patent Application Publication No. 2003/0230980, which is incorporated by reference in its entirety. US Pat. No. 6,303,238 (to Thompson et al.), incorporated by reference in its entirety, discloses an example of a host material. An example of an n-doped electron transport layer is BPhen doped with Li in a molar ratio of 1:1 as disclosed in US Patent Application Publication No. 2003/0230980 combined in an inclusive manner. U.S. Patent Nos. 5703436 and 5707745, incorporated by reference in their entirety, disclose examples of cathodes, which are transparent, conductive, and sputter-deposited over a thin metal layer such as Mg:Ag. It includes a composite anode having an ITO layer deposited thereon. U.S. Patent No. 6097147 and U.S. Patent Application Publication No. 2003/0230980, which are incorporated by reference in their entirety, describe the principle and use of the barrier layer in more detail. US Patent Application Publication No. 2004/0174116, incorporated by reference in its entirety, provides an example of an injection layer. A description of the protective layer can be found in US Patent Application Publication No. 2004/0174116, incorporated herein by reference in its entirety.

비 한정적인 실시예를 통해 상기 계층구조를 제공한다. OLED의 기능은 상술한 여러 종류의 층을 조합함으로써 구현할 수 있고, 또는 일부 층을 완전히 생략할 수 있다. 이는 명확하게 설명되지 않은 다른 층을 더 포함할 수 있다. 각 층 내에는 단일 재료 또는 여러 종류의 재료의 혼합물을 사용함으로써 최적의 성능을 구현할 수 있다. 임의의 기능층은 여러 개의 서브 층을 포함할 수 있다. 예를 들어, 발광층은 원하는 발광 스펙트럼을 구현할 수 있도록 2층의 서로 다른 발광재료를 구비할 수 있다.The hierarchical structure is provided through a non-limiting embodiment. The function of the OLED can be realized by combining several types of layers described above, or some layers can be completely omitted. It may further include other layers not explicitly described. Optimum performance can be achieved by using a single material or a mixture of different materials within each layer. Any functional layer may include several sub-layers. For example, the light emitting layer may include two layers of different light emitting materials to realize a desired light emitting spectrum.

일 실시예에서, OLED는 음극과 양극 사이에 배치된 "유기층"을 구비하는 것으로 설명될 수 있다. 해당 유기층은 하나 또는 복수의 층을 포함할 수 있다.In one embodiment, an OLED can be described as having an “organic layer” disposed between a cathode and an anode. The organic layer may include one or a plurality of layers.

OLED도 캡슐화층이 필요하며, 도 2에서는 유기 발광장치(200)를 개략적, 비한정적으로 도시하였다. 이와 도 1의 차이점은, 음극(190) 위에는 환경으로부터 유해물질(예를 들어, 수분 및 산소)을 방지하도록 캡슐화층(Encapsulation layer)(102)을 더 포함하는 것이다. 캡슐화 기능을 제공할 수 있는 임의의 재료는 모두 캡슐화층(예를 들어, 유리 또는 유기-무기 혼합층)으로 사용될 수 있다. 캡슐화층은 OLED소자의 외부에 직접적 또는 간접적으로 배치되어야 한다. 다중박막 캡슐화는 미국특허 US7968146B2에서 기술되었으며, 그 전부내용은 본 출원에 인용되어 결합된다.OLED also requires an encapsulation layer, and FIG. 2 schematically and non-limitingly illustrates the organic light emitting device 200 . The difference between this and FIG. 1 is that an encapsulation layer 102 is further included on the cathode 190 to prevent harmful substances (eg, moisture and oxygen) from the environment. Any material capable of providing an encapsulation function can be used as the encapsulation layer (eg glass or organic-inorganic mixed layer). The encapsulation layer should be placed directly or indirectly on the outside of the OLED device. Multilayer encapsulation is described in US patent US7968146B2, the entire contents of which are incorporated herein by reference.

본 발명의 실시예에 따라 제조된 소자는 해당 소자의 하나 또는 복수의 전자부재모듈(또는 유닛)을 구비하는 여러 종류의 소비재에 통합될 수 있다. 이러한 소비재의 일부 예시는 평판 디스플레이, 모니터, 의료 모니터, 텔레비전, 광고판, 실내 또는 실외용 조명등 및/또는 신호 발사등, 헤드업 디스플레이(head-up display), 전체적으로 투명하거나 부분적으로 투명한 디스플레이, 플렉시블 디스플레이, 스마트폰, 태블릿, 태블릿 폰, 웨어러블 장치(wearable device), 스마트 시계, 랩톱 컴퓨터(laptop computer), 디지털 카메라, 캠코더, 뷰파인더(viewfinder), 마이크로 디스플레이, 3-D 디스플레이, 차량 디스플레이 및 후미등을 포함한다.A device fabricated according to an embodiment of the present invention may be integrated into various types of consumer goods having one or a plurality of electronic member modules (or units) of the device. Some examples of such consumer products are flat panel displays, monitors, medical monitors, televisions, billboards, indoor or outdoor lighting and/or signal launchers, head-up displays, fully transparent or partially transparent displays, flexible displays, Includes smartphones, tablets, tablet phones, wearable devices, smart watches, laptop computers, digital cameras, camcorders, viewfinders, micro-displays, 3-D displays, vehicle displays and taillights do.

본문에 기재된 재료 및 구조는 상기에 열거된 다른 유기 전자소자에 사용될 수도 있다.The materials and structures described herein may be used in other organic electronic devices listed above.

본문에 사용된 "상단"은 기판과 가장 멀리 위치함을 의미하고, "하단"은 기판과 가장 가깝게 위치함을 의미한다. 제1 층이 제2 층 "상"에 "배치"된다고 설명되는 경우, 제1 층은 기판과 비교적 멀리 위치하도록 배치된다. 제1 층 "및" 제2 층이 "접촉"한다고 규정되지 않는 한, 제1 층과 제2 층 사이에는 다른 층이 존재할 수 있다. 예를 들면, 음극과 양극 사이에 여러 종류의 유기층이 존재하더라도 여전히 음극이 양극 "상"에 "배치"된다고 설명할 수 있다.As used herein, "top" means the farthest from the substrate, and "bottom" means the closest to the substrate. When a first layer is described as being “disposed” “on” a second layer, the first layer is disposed relatively far from the substrate. Other layers may be present between the first layer and the second layer, unless it is specified that the first layer "and" the second layer "contact." For example, it can be described that the negative electrode is still “placed” “on” the positive electrode, even though there are several kinds of organic layers between the negative electrode and the positive electrode.

본문에 사용된 "용액 처리 가능"은, 용액 또는 현탁액의 형태로 액체 매질에서 용해, 분산 또는 수송될 수 있음 및/또는 액체 매질로부터 침전될 수 있음을 의미한다.As used herein, “solution processable” means capable of being dissolved, dispersed, or transported in a liquid medium in the form of a solution or suspension and/or capable of being precipitated from a liquid medium.

리간드가 발광재료의 감광성능에 직접적으로 작용한다고 사료되는 경우, 리간드는 "감광성 리간드"라 할 수 있다. 리간드가 발광재료의 감광성능에 작용하지 않는다고 사료되는 경우, 리간드는 "보조 리간드"라 할 수 있는데, 보조 리간드는 감광성 리간드의 성질을 변경할 수 있다.When it is considered that the ligand directly affects the photosensitivity of the light emitting material, the ligand may be referred to as a "photosensitive ligand". When it is considered that the ligand does not affect the photosensitive performance of the light emitting material, the ligand can be referred to as an "auxiliary ligand", and the auxiliary ligand can change the properties of the photosensitive ligand.

형광 OLED의 내부 양자 효율(IQE)은 지연형광을 통해 25%의 스핀 통계(spin statistics) 한계를 초과할 수 있는 것으로 여겨진다. 지연형광은 일반적으로 두 가지 유형, 즉 P형 지연형광 및 E형 지연형광으로 나뉠 수 있다. P형 지연형광은 삼중항-삼중항 소멸(TTA)에 의해 생성된다.It is believed that the internal quantum efficiency (IQE) of fluorescent OLEDs can exceed the spin statistics limit of 25% through delayed fluorescence. Delayed fluorescence can generally be divided into two types: P-type delayed fluorescence and E-type delayed fluorescence. P-type delayed fluorescence is produced by triplet-triplet quenching (TTA).

다른 측면으로, E형 지연형광은 2개의 삼중항 상태의 충돌에 의존하지 않고 삼중항 상태와 일중항 여기상태(singlet-excited state) 사이의 전이에 의존한다. E형 지연형광을 생성할 수 있는 화합물은 에너지 상태 간의 전환을 진행할 수 있도록 매우 작은 일중항-삼중항 갭(gap)을 구비해야 한다. 열에너지는 삼중항 상태에서 일중항 상태로의 전이(transition)를 활성화할 수 있다. 이러한 유형의 지연형광은 또한 열활성 지연형광(TADF)이라 한다. TADF의 현저한 특징으로는 지연요소는 온도가 높아짐에 따라 증가하는 것이다. 역계간교차(reverse intersystem crossing)(RISC)의 속도가 충분히 빨라 삼중항 상태에 의한 비방사성감쇠를 최소화한다면, 백필고리(back-filling)된 일중항 여기상태의 비율은 75%에 도달할 수 있다. 일중항 상태의 총 비율은 100%일 수 있으며 이는 전계가 생성한 엑시톤의 스핀 통계의 25%를 훨씬 초과한다.On the other hand, E-type delayed fluorescence does not depend on collisions between two triplet states, but rather on a transition between a triplet state and a singlet-excited state. A compound capable of generating E-type delayed fluorescence must have a very small singlet-triplet gap so that transition between energy states can proceed. Thermal energy can activate a transition from the triplet state to the singlet state. This type of delayed fluorescence is also referred to as thermally activated delayed fluorescence (TADF). A remarkable feature of TADF is that the delay factor increases with increasing temperature. If the rate of reverse intersystem crossing (RISC) is fast enough to minimize the non-radiative attenuation by triplet states, the proportion of back-filled singlet excited states can reach 75%. . The total fraction of singlet states can be 100%, which far exceeds 25% of the field-generated excitons' spin statistics.

E형 지연형광의 특징은 들뜬 복합체(exciplex system) 시스템 또는 단일 화합물에서 발견될 수 있다. 이론에 구속되지 안고, E형 지연형광은 발광재료가 일중항-삼중항의 작은 에너지 갭(energy gap)(ΔES-T)을 구비해야 한다고 여겨진다. 비금속을 함유하는 유기 공예체-수용체 발광재료는 이러한 특징을 실현할 가능성이 있다. 이러한 재료의 방출은 일반적으로 공예체-수용체 전하이동(CT)형 방출로 표징된다. 이러한 공예체-수용체형 화합물에서 HOMO와 LUMO의 공간적 분리는 일반적으로 작은 ΔES-T을 생성한다. 이러한 상태는 CT 상태를 포함할 수 있다. 일반적으로, 공예체-수용체 발광재료는 전자 공예체부분(예를 들어, 아미노기 또는 카바졸 유도체)과 전자 수용체부분(예를 들어, N을 함유하는 6원 방향족고리)을 연결함으로써 구성된다.Characteristics of type E delayed fluorescence can be found in exciplex systems or single compounds. Without being bound by theory, it is believed that E-type delayed fluorescence requires the light emitting material to have a small singlet-triplet energy gap (ΔES-T). Organic shell-acceptor luminescent materials containing non-metals have the potential to realize these characteristics. The release of these materials is generally characterized as anti-receptor charge transfer (CT) type release. Spatial separation of HOMO and LUMO in these antireceptor-receptor compounds usually results in small ΔES-T. Such conditions may include CT conditions. In general, a craft-acceptor luminescent material is constituted by connecting an electron crafting body moiety (eg, an amino group or a carbazole derivative) and an electron acceptor moiety (eg, a 6-membered aromatic ring containing N).

치환기 용어의 정의에 관하여,Regarding the definition of substituent terms,

할로겐 또는 할로젠화물-은 본문에 사용된 바와 같이 불소, 염소, 브롬 및 요오드를 포함한다.Halogen or halide-as used herein includes fluorine, chlorine, bromine and iodine.

알킬기는 본문에 사용된 바와 같이 직쇄형 알킬기 및 분지형 알킬기를 포함한다. 알킬기는 1∼20 개의 탄소원자를 갖는 알킬기일 수 있고, 바람직하게는 1∼12 개의 탄소원자를 갖는 알킬기이고, 더 바람직하게는 1∼6 개의 탄소원자를 갖는 알킬기이다. 알킬기의 예시는 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 2차부틸기(Sec-butyl), 이소부틸기, t-부틸기, n-펜틸기, n-헥실기, n-헵틸기, n-옥틸기, n-노닐기, n-데실기, n-운데실기, n-도데실기, n-트리데실기, n-테트라데실기, n-펜타데실기, n-헥사데실기, n-헵타데실기, n-옥타데실기, 네오펜틸기, 1-메틸펜틸기, 2-메틸펜틸기, 1-펜틸헥실기, 1-부틸펜틸기, 1-헵틸옥틸기, 3-메틸펜틸기를 포함한다. 상기에서, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 2차부틸기, 이소부틸기, t-부틸기, n-펜틸기, 네오펜틸기 및 n-헥실기가 바람직하다. 또한, 알킬기는 임의로 치환될 수 있다.Alkyl groups as used herein include straight chain alkyl groups and branched alkyl groups. The alkyl group may be an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, preferably an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, and more preferably an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms. Examples of the alkyl group are methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, n-butyl group, secondary butyl group (Sec-butyl), isobutyl group, t-butyl group, n-pentyl group, n-hexyl group, n -Heptyl group, n-octyl group, n-nonyl group, n-decyl group, n-undecyl group, n-dodecyl group, n-tridecyl group, n-tetradecyl group, n-pentadecyl group, n-hexadecyl group Decyl group, n-heptadecyl group, n-octadecyl group, neopentyl group, 1-methylpentyl group, 2-methylpentyl group, 1-pentylhexyl group, 1-butylpentyl group, 1-heptyloctyl group, 3 -Contains a methylpentyl group. In the above, methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, n-butyl group, secondary butyl group, isobutyl group, t-butyl group, n-pentyl group, neopentyl group and n-hexyl group are preferred. Also, the alkyl group may be optionally substituted.

시클로알킬기는 본 문에 사용된 바와 같이 고리형 알킬기를 포함한다. 시클로알킬기는 3 내지 20 개 고리탄소원자(ring carbon atoms)를 구비하는 시클로알킬기일 수 있으며, 4 내지 10 개 탄소 원자를 구비하는 시클로알킬기가 바람직하다. 시클로알킬기의 예시는 시클로부틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 4-메틸시클로헥실기, 4,4-디메틸시클로헥실기, 1-아다만틸기, 2-아다만틸기, 1-노르보르닐기(1-norbornyl), 2- 노르보르닐기 등을 포함한다. 상기에서 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 4-메틸시클로헥실기, 4,4-디메틸시클로헥실기가 바람직하다. 또한, 시클로알킬기는 임의로 치환될 수 있다.Cycloalkyl groups as used herein include cyclic alkyl groups. The cycloalkyl group may be a cycloalkyl group having 3 to 20 ring carbon atoms, and a cycloalkyl group having 4 to 10 carbon atoms is preferable. Examples of the cycloalkyl group are cyclobutyl group, cyclopentyl group, cyclohexyl group, 4-methylcyclohexyl group, 4,4-dimethylcyclohexyl group, 1-adamantyl group, 2-adamantyl group, 1-norbornyl group (1-norbornyl), 2-norbornyl groups, and the like. In the above, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a 4-methylcyclohexyl group, and a 4,4-dimethylcyclohexyl group are preferable. Also, the cycloalkyl group may be optionally substituted.

헤테로알킬기는 본 문에 사용된 바와 같으며, 헤테로알킬기는 알킬기 사슬 중의 하나 또는 복수의 탄소가 질소원자, 산소원자, 황원자, 셀레늄원자, 인원자, 규소원자, 게르마늄원자 및 붕소원자로 이루어진 군에서 선택된 헤테로 원자에 의해 치환되어 형성된 것을 포함한다. 헤테로알킬기는 1 내지 20 개 탄소 원자를 구비하는 헤테로알킬기일 수 있으며, 1 내지 10 개의 탄소원자를 구비하는 헤테로알킬기가 바람직하며, 1 내지 6개의 탄소원자를 구비하는 헤테로알킬기가 더 바람직하다. 헤테로알킬기의 실예는 메톡시메틸기, 에톡시메틸기, 에톡시에틸기, 메틸티오메틸기(methylthiomethyl), 에틸티오메틸기, 에틸티오에틸기, 메톡시메톡시메틸기, 에톡시메톡시메틸기, 에톡시에톡시에틸기, 히드록시메틸기, 히드록시에틸기, 히드록시프로필기, 술파닐메틸기, 술파닐에틸기, 술파닐프로필기, 아미노메틸기, 아미노에틸기, 아미노프로필기, 디메틸아미노메틸기, 트리메틸게르마닐메틸기, 트리메틸게르마닐에틸기, 트리메틸게르마닐이소프로필기, 디메틸에틸게르마닐메틸기, 디메틸이소프로필게르마닐메틸기, tert-부틸디메틸게르마닐메틸기, 트리에틸게르마닐메틸기, 트리에틸게르마닐에틸기, 트리이소프로필게르마닐메틸기, 트리이소프로필게르마닐에틸기, 트리메틸실릴메틸기, 트리메틸실릴에틸기, 트리메틸실릴이소프로필기, 트리이소프로필실릴메틸기, 트리이소프로필실릴에틸기를 포함한다. 또한, 헤테로알킬기는 임의로 치환될 수 있다.The heteroalkyl group is as used herein, and the heteroalkyl group is selected from the group consisting of a nitrogen atom, an oxygen atom, a sulfur atom, a selenium atom, a phosphorus atom, a silicon atom, a germanium atom, and a boron atom in which one or a plurality of carbons in the alkyl group chain It includes those formed by being substituted by a hetero atom. The heteroalkyl group may be a heteroalkyl group having 1 to 20 carbon atoms, preferably a heteroalkyl group having 1 to 10 carbon atoms, and more preferably a heteroalkyl group having 1 to 6 carbon atoms. Examples of the heteroalkyl group include methoxymethyl group, ethoxymethyl group, ethoxyethyl group, methylthiomethyl group, ethylthiomethyl group, ethylthioethyl group, methoxymethoxymethyl group, ethoxymethoxymethyl group, ethoxyethoxyethyl group, Hydroxymethyl group, hydroxyethyl group, hydroxypropyl group, sulfanylmethyl group, sulfanylethyl group, sulfanylpropyl group, aminomethyl group, aminoethyl group, aminopropyl group, dimethylaminomethyl group, trimethylgermanylmethyl group, trimethylgermanylethyl group, Trimethylgermanylisopropyl group, dimethylethylgermanylmethyl group, dimethylisopropylgermanylmethyl group, tert-butyldimethylgermanylmethyl group, triethylgermanylmethyl group, triethylgermanylethyl group, triisopropylgermanylmethyl group, triisopropyl germanylethyl group, trimethylsilylmethyl group, trimethylsilylethyl group, trimethylsilylisopropyl group, triisopropylsilylmethyl group, and triisopropylsilylethyl group. Also, the heteroalkyl group may be optionally substituted.

알케닐기는 본문에 사용된 바와 같이 직쇄형 올레핀기, 분지형 올레핀기 및 고리형 올레핀기를 포함한다. 알케닐기는 2 내지 20 개의 탄소원자를 함유하는 알케닐기일 수 있고, 바람직하게 2 내지 10 개의 탄소원자를 갖는 알케닐기일 수 있다. 알케닐기의 예로는 비닐기, 프로페닐기, 1-부테닐기, 2-부테닐기, 3-부테닐기, 1,3-부타디에닐기(1,3-butadienyl), 1-메틸비닐기, 스티릴기, 2,2-디페닐비닐기, 1,2-디페닐비닐기, 1-메틸알릴기, 1,1-디메틸알릴기, 2-메틸알릴기, 1-페닐알릴기, 2-페닐알릴기, 3-페닐알릴기, 3,3-디페닐알릴기, 1,2-디메틸알릴기, 1-페닐-1-부테닐기, 3-페닐-1-부테닐기, 시클로펜테닐기, 시클로펜타디에닐기, 시클로헥세닐기, 시클로헵테닐기(cycloheptenyl), 시클로헵타트리에닐기, 시클로옥테닐기, 시클로옥타테트라에닐기(cyclooctatetraenyl) 및 노르보네닐기(norbornenyl)를 포함한다. 또한, 알케닐기는 임의로 치환될 수 있다.Alkenyl groups as used herein include straight chain olefin groups, branched olefin groups and cyclic olefin groups. The alkenyl group may be an alkenyl group containing 2 to 20 carbon atoms, preferably an alkenyl group having 2 to 10 carbon atoms. Examples of the alkenyl group include a vinyl group, a propenyl group, a 1-butenyl group, a 2-butenyl group, a 3-butenyl group, a 1,3-butadienyl group, a 1-methylvinyl group, a styryl group, 2,2-diphenylvinyl group, 1,2-diphenylvinyl group, 1-methylallyl group, 1,1-dimethylallyl group, 2-methylallyl group, 1-phenylallyl group, 2-phenylallyl group, 3-phenylallyl group, 3,3-diphenylallyl group, 1,2-dimethylallyl group, 1-phenyl-1-butenyl group, 3-phenyl-1-butenyl group, cyclopentenyl group, cyclopentadienyl group, cyclohexenyl group, cycloheptenyl group, cycloheptatrienyl group, cyclooctenyl group, cyclooctatetraenyl group, and norbornenyl group. Also, the alkenyl group may be optionally substituted.

알키닐기는 본문에 사용된 바와 같이 직쇄형 알키닐기를 포함한다. 알키닐기는 2 내지 20 개의 탄소원자를 함유하는 알키닐기일 수 있고, 바람직하게 2 내지 10 개의 탄소원자를 갖는 알키닐기일 수 있다. 알키닐기의 실예는 에티닐기, 프로피닐기, 프로파길기, 1-부티닐기, 2-부티닐기, 3-부티닐기, 1-펜티닐기, 2-펜티닐기, 3,3-디메틸-1-부티닐기, 3-에틸-3-메틸-1-펜티닐기, 3,3-디이소프로필1-펜티닐기, 페닐에티닐기, 페닐프로피닐기 등을 포함한다. 상기에서, 에티닐기, 프로피닐기, 프로파길기, 1-부티닐기, 2-부티닐기, 3-부티닐기, 1-펜티닐기, 페닐에티닐기가 바람직하다. 또한, 알키닐기는 임의로 치환될 수 있다.Alkynyl groups as used herein include straight-chain alkynyl groups. The alkynyl group may be an alkynyl group containing 2 to 20 carbon atoms, preferably an alkynyl group having 2 to 10 carbon atoms. Examples of the alkynyl group include ethynyl group, propynyl group, propargyl group, 1-butynyl group, 2-butynyl group, 3-butynyl group, 1-pentynyl group, 2-pentynyl group, 3,3-dimethyl-1-butynyl group , 3-ethyl-3-methyl-1-pentynyl group, 3,3-diisopropyl 1-pentynyl group, phenylethynyl group, phenylpropynyl group and the like. In the above, ethynyl group, propynyl group, propargyl group, 1-butynyl group, 2-butynyl group, 3-butynyl group, 1-pentynyl group and phenylethynyl group are preferred. Also, an alkynyl group may be optionally substituted.

아릴기 또는 방향족기는 본문에 사용된 바와 같이 융합 시스템(condensed systems)과 비융합 시스템을 고려한다. 아릴기는 6 내지 30 개의 탄소원자를 갖는 아릴기일 수 있고, 바람직하게 6 내지 20 개의 탄소원자를 갖는 아릴기이며, 더 바람직하게는 6 내지 12 개의 탄소원자를 갖는 아릴기이다. 아릴기의 예시는 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 트리페닐렌(triphenylene group)기, 테트라페닐렌기, 나프틸기, 안트라센기, 페날렌기(phenalene group), 페난트렌기, 플루오렌기, 피렌기(pyrene), 크라이센기(chrysene group), 페릴렌기(perylene group) 및 아줄렌(azulene group)기를 포함하고, 바람직하게는 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 트리페닐렌기, 플루오렌기및 나트탈렌기를 포함한다. 비융합 아릴기의 예시는 페닐기, 비페닐-2-일기(biphenyl-2-yl), 비페닐-3-일기, 비페닐-4-일기, p-터페닐-4-일기, p-터페닐-3-일기, p-터페닐-2-일기, m-터페닐-4-일기, m-터페닐-3-일기, m-터페닐-2-일기, o-톨릴기, m-톨릴기, p-톨릴기, p-(2-페닐프로필)페닐기, 4'-메틸비페닐릴기, 4"-터트부틸기-p-터페닐-4-일기, o-쿠메닐기(o-cumenyl), m-쿠메닐기, p-쿠메닐기, 2,3-크실릴기, 3,4-크실릴기, 2,5-크실릴기, 메시틸기(mesityl) 및 m-쿼트리페닐기(m-quaterphenyl)를 포함한다. 또한, 아릴기는 임의로 치환될 수 있다.Aryl groups or aromatic groups, as used herein, consider condensed and unfused systems. The aryl group may be an aryl group having 6 to 30 carbon atoms, preferably an aryl group having 6 to 20 carbon atoms, and more preferably an aryl group having 6 to 12 carbon atoms. Examples of the aryl group include a phenyl group, a biphenyl group, a terphenyl group, a triphenylene group, a tetraphenylene group, a naphthyl group, an anthracene group, a phenalene group, a phenanthrene group, a fluorene group, a pyrene group ( pyrene), a chrysene group, a perylene group, and an azulene group, preferably a phenyl group, a biphenyl group, a terphenyl group, a triphenylene group, a fluorene group, and a naphthalene group. do. Examples of non-fused aryl groups are phenyl group, biphenyl-2-yl group (biphenyl-2-yl), biphenyl-3-yl group, biphenyl-4-yl group, p-terphenyl-4-yl group, p-terphenyl -3-yl group, p-terphenyl-2-yl group, m-terphenyl-4-yl group, m-terphenyl-3-yl group, m-terphenyl-2-yl group, o-tolyl group, m-tolyl group , p-tolyl group, p-(2-phenylpropyl)phenyl group, 4'-methylbiphenylyl group, 4"-tertbutyl group-p-terphenyl-4-yl group, o-cumenyl group (o-cumenyl), m-cumenyl group, p-cumenyl group, 2,3-xylyl group, 3,4-xylyl group, 2,5-xylyl group, mesityl group and m-quaterphenyl group (m-quaterphenyl) In addition, the aryl group may be optionally substituted.

헤테로시클릭기 또는 헤테로 시클릴은 본 문에 사용된 바와 같이, 비방향족 고리형 그룹을 고려한다. 비방향족 헤테로시클릭기는 3-20 개의 고리원자를 갖는 포화 헤테로시클릭기 및 3-20 개 고리원자를 갖는 불포화 비방향족 헤테로시클릭기를 포함하며, 여기서 적어도 하나의 고리원자는 질소원자, 산소원자, 황원자, 셀레늄원자, 규소원자, 인원자, 게르마늄원자 및 붕소원자로 이루어진 군에서 선택되며, 바람직한 비방향족 헤테로시클릭기는 3 내지 7개의 고리원자를 포함하는 것으로, 질소, 산소, 규소 또는 황과 같은 적어도 하나의 헤테로원자를 포함한다. 비방향족헤테로시클릭기의 예시는옥시라닐기(oxiranyl group), 옥세타닐기(oxetanyl group), 테드라하이드로퓨란기(tetrahydrofuran group), 테드라하이드로피란기(tetrahydropyran group), 디옥솔란기(dioxolane group), 다이옥산기(dioxane group), 아지리디닐기(aziridinyl group), 디히드로피롤기(dihydropyrrole group), 테트라히드로피롤기(Tetrahydropyrrole group), 피페리딘기(piperidine group), 옥사졸리디닐기(oxazolidinyl group), 모르폴리노기(morpholino group), 피페라지닐기(piperazinyl group), 옥세핀기(oxepine group), 티에핀기(thiepine group), 아제핀기(azepine group) 및 테트라히드로실롤기(tetrahydrosilole group)를 포함한다. 또한, 헤테로시클릭기는 임의로 치환될 수 있다.Heterocyclic group or heterocyclyl, as used herein, refers to a non-aromatic cyclic group. Non-aromatic heterocyclic groups include saturated heterocyclic groups having 3-20 ring atoms and unsaturated non-aromatic heterocyclic groups having 3-20 ring atoms, wherein at least one ring atom is a nitrogen atom or an oxygen atom. , It is selected from the group consisting of a sulfur atom, a selenium atom, a silicon atom, a phosphorus atom, a germanium atom and a boron atom, and a preferred non-aromatic heterocyclic group containing 3 to 7 ring atoms, such as nitrogen, oxygen, silicon or sulfur. contains at least one heteroatom. Examples of the non-aromatic heterocyclic group include an oxiranyl group, an oxetanyl group, a tetrahydrofuran group, a tetrahydropyran group, and a dioxolane group. group), dioxane group, aziridinyl group, dihydropyrrole group, tetrahydropyrrole group, piperidine group, oxazolidinyl group group), morpholino group, piperazinyl group, oxepine group, thiepine group, azepine group and tetrahydrosilole group include Also, the heterocyclic group may be optionally substituted.

헤테로아릴기는 본 문에 사용된 바와 같이, 1∼5 개의 헤테로원자를 함유할 수 있는 비융합 및 융합된 헤테로방향족 그룹을 포함하고, 여기서 적어도 하나의 헤테로원자는 질소원자, 산소원자, 황원자, 셀레늄원자, 규소원자, 인원자, 게르마늄원자 및 붕소원자로 이루어진 군에서 선택된다. 이소아릴기도 헤테로아릴기를 의미한다. 헤테로아릴기는 3∼30 개의 탄소원자를 갖는 헤테로아릴기일 수 있고, 바람직하게 3∼20 개의 탄소원자를 갖는 헤테로아릴기이며, 더 바람직하게는 3∼12 개의 탄소원자를 갖는 헤테로아릴기이다. 적합한 헤테로아릴기는 디벤조티오펜기(dibenzothiophene), 디벤조퓨란기(dibenzofuran), 디벤조셀레노펜기(dibenzoselenophene), 퓨란기, 티오펜기, 벤조퓨란기, 벤조티오펜기, 벤조셀레노펜기(benzoselenophene), 카바졸기(carbazole), 인돌로카바졸기(indolocarbazole), 피리딘인돌로기(pyridine indole), 피롤로피리딘기(Pyrrolopyridine), 피라졸기, 이미다졸기, 트리아졸기(Triazole), 옥사졸기(oxazole), 티아졸기, 옥사디아졸기, 옥사트리아졸기, 디옥사졸기, 티아디아졸기, 피리딘, 피리다진(pyridazine), 피리미딘, 피라진(pyrazine), 트리아진기(triazine), 옥사진기(oxazine), 옥사티아진기(oxathiazine), 옥사디아진기(oxadiazine), 인돌기(Indole), 벤즈이미다졸기(benzimidazole), 인다졸기, 인독사진기(indoxazine), 벤조옥사졸기, 벤지스옥사졸기(benzisoxazole), 벤조티아졸기, 퀴놀린기(quinoline), 이소퀴놀린기, 신놀린기(Cinnoline group), 퀴나졸린기, 퀴녹살린기, 나프티리딘기, 프탈라진기(phthalazine), 프테리딘기(pteridine), 크산텐기(xanthene), 아크리딘기, 페나진기, 페노티아진기, 벤조푸라노피리딘기(Benzofuranopyridine group), 푸라노디피리딘기(Furanodipyridine group), 벤조티에노피리딘기(benzothienopyridine), 티에노디피리딘기(thienodipyridine), 벤조셀레노페노피리딘기 (benzoselenophenopyridine), 셀레노페노디피리딘기(selenophenodipyridine)을 포함하고, 바람직하게는 디벤조티오펜기, 디벤조퓨란기, 디벤조셀레노펜기, 카바졸기, 인돌로카바졸기, 이미다졸기, 피리딘기, 트리아진기, 벤즈이미다졸기, 1,2-아자보란기(1,2-azaborane), 1,3-아자보란기, 1,4- 아자보란기, 보라진기(borazine) 및 이들의 아자 유사체를 포함한다. 또한, 헤테로아릴기는 임의로 치환될 수 있다.Heteroaryl groups, as used herein, include unfused and fused heteroaromatic groups which may contain from 1 to 5 heteroatoms, wherein at least one heteroatom is a nitrogen atom, an oxygen atom, a sulfur atom, or a selenium atom. It is selected from the group consisting of an atom, a silicon atom, a phosphorus atom, a germanium atom, and a boron atom. An isoaryl group also means a heteroaryl group. The heteroaryl group may be a heteroaryl group having 3 to 30 carbon atoms, preferably a heteroaryl group having 3 to 20 carbon atoms, and more preferably a heteroaryl group having 3 to 12 carbon atoms. Suitable heteroaryl groups include dibenzothiophene, dibenzofuran, dibenzoselenophene, furan, thiophene, benzofuran, benzothiophene, benzoselenophene. (benzoselenophene), carbazole, indolocarbazole, pyridine indole, pyrrolopyridine, pyrazole, imidazole, triazole, oxazole (oxazole), thiazole group, oxadiazole group, oxatriazole group, dioxazole group, thiadiazole group, pyridine, pyridazine, pyrimidine, pyrazine, triazine, oxazine , oxathiazine, oxadiazine, indole, benzimidazole, indazole, indoxazine, benzoxazole, benzisoxazole , benzothiazole group, quinoline group, isoquinoline group, cinnoline group, quinazoline group, quinoxaline group, naphthyridine group, phthalazine group, pteridine group, xan Ten group (xanthene), acridine group, phenazine group, phenothiazine group, benzofuranopyridine group, furanodipyridine group, benzothienopyridine group, thienodipyridine group ), benzoselenophenopyridine, selenophenodipyridine, preferably dibenzothiophene, dibenzofuran, dibenzoselenophene, carbazole, indolocarba sol group, imidazole group, pyridine group, triazine group, benzimidazole group, 1,2-azaborane group ), 1,3-azaborane group, 1,4-azaborane group, borazine group and their aza analogues. Also, a heteroaryl group may be optionally substituted.

알콕시기는 본문에 사용된 바와 같이 -O-알킬기, -O-시클로알킬기, -O-헤테로알킬기 또는 -O-헤테로시클릭기로 표시된다. 알킬기, 시클로알킬기, 헤테로알킬기 및 헤테로시클릭기의 예와 바람직한 예는 상기와 같다. 알콕시기는 1∼20 개의 탄소원자를 갖는 알콕시기일 수 있고, 바람직하게 1∼6 개의 탄소원자를 갖는 알콕시기이다. 알콕시기의 예시는 메톡시기, 에톡시기, 프로폭시기, 부톡시기, 펜틸옥시기, 헥실옥시기, 시클로프로필옥시기, 시클로부틸옥시기, 시클로펜틸옥시기, 시클로헥실옥시기, 테트라히드로퓨라닐옥시기(tetrahydrofuranyloxy group), 테트라히드로피라닐옥시기(tetrahydropyranyloxy group), 메톡시프로필옥시기, 에톡시에틸옥시기, 메톡시메틸옥시기 및 에톡시메틸옥시기를 포함한다. 또한, 알콕시기는 임의로 치환될 수 있다.Alkoxy groups, as used herein, are represented by -O-alkyl groups, -O-cycloalkyl groups, -O-heteroalkyl groups, or -O-heterocyclic groups. Examples and preferred examples of the alkyl group, cycloalkyl group, heteroalkyl group and heterocyclic group are as described above. The alkoxy group may be an alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms, preferably an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms. Examples of the alkoxy group include a methoxy group, an ethoxy group, a propoxy group, a butoxy group, a pentyloxy group, a hexyloxy group, a cyclopropyloxy group, a cyclobutyloxy group, a cyclopentyloxy group, a cyclohexyloxy group, and tetrahydrofuranyloxy. It includes a tetrahydrofuranyloxy group, a tetrahydropyranyloxy group, a methoxypropyloxy group, an ethoxyethyloxy group, a methoxymethyloxy group and an ethoxymethyloxy group. Also, the alkoxy group may be optionally substituted.

아릴옥시기는 본문에 사용된 바와 같이 -O-아릴기 또는 -O-헤테로아릴기로 표시된다. 아릴기 및 헤테로아릴기의 예시와 바람직한 예는 상기와 같다. 아릴옥시기는 6∼30 개의 탄소원자를 갖는 아릴옥시기일 수 있고, 바람직하게 6∼20 개의 탄소원자를 갖는 아릴옥시기이다. 아릴옥시기의 예시는 페녹시기 및 비페닐옥시기를 포함한다. 또한, 아릴옥시기는 임의로 치환될 수 있다.An aryloxy group, as used herein, is denoted by an -O-aryl group or an -O-heteroaryl group. Examples and preferred examples of the aryl group and the heteroaryl group are as described above. The aryloxy group may be an aryloxy group having 6 to 30 carbon atoms, and is preferably an aryloxy group having 6 to 20 carbon atoms. Examples of aryloxy groups include phenoxy groups and biphenyloxy groups. Also, the aryloxy group may be optionally substituted.

아랄킬기(Arylalkyl group)는 본 문에 사용된 바와 같이 아릴기로 치환된 알킬기를 포함한다. 아랄킬기는 7∼30 개의 탄소원자를 갖는 아랄킬기일 수 있고, 바람직하게 7∼20 개의 탄소원자를 갖는 아랄킬기이며, 더 바람직하게는 7∼13 개의 탄소원자를 갖는 아랄킬기이다. 아랄킬기의 예시는 벤질기, 1-페닐에틸기, 2-페닐에틸기, 1-페닐이소프로필기, 2-페닐이소프로필기, 페닐t-부틸기, α-나프틸메틸기, 1-α-나프틸-에틸기, 2-α-나프틸에틸기, 1-α-나프틸이소프로필기, 2-α-나프틸이소프로필기, β-나프틸메틸기, 1-β-나프틸-에틸기, 2-β-나프틸-에틸기, 1-β-나프틸이소프로필기, 2-β-나프틸이소프로필기, p-메틸벤질기, m-메틸벤질기, o-메틸벤질기, p-클로로벤질기(p-chlorobenzyl), m-클로로벤질기, o-클로로벤질기, p-브로모벤질기(p-bromobenzyl), m-브로모벤질기, o-브로모벤질기, p-요오드벤질기(p-iodobenzyl), m-요오드벤질기, o-요오드벤질기, p-하이드록시벤질기(p-hydroxybenzyl), m-하이드록시벤질기, o-하이드록시벤질기, p-아미노벤질기, m-아미노벤질기, o-아미노벤질기, p-니트로벤질기, m-니트로벤질기, o-니트로벤질기, p-시아노벤질기, m-시아노벤질기, o-시아노벤질기, 1-하이드록시-2-페닐이소프로필기 및 1-클로로-2-페닐이소프로필기를 포함한다. 상기에서, 벤질기, p-시아노벤질기, m-시아노벤질기, o-시아노벤질기, 1-페닐에틸기, 2-페닐에틸기, 1-페닐이소프로필기 및 2-페닐이소프로필기가 바람직하다. 또한, 아랄킬기는 임의로 치환될 수 있다.Aralkyl group as used herein includes an alkyl group substituted with an aryl group. The aralkyl group may be an aralkyl group having 7 to 30 carbon atoms, preferably an aralkyl group having 7 to 20 carbon atoms, and more preferably an aralkyl group having 7 to 13 carbon atoms. Examples of the aralkyl group are benzyl group, 1-phenylethyl group, 2-phenylethyl group, 1-phenylisopropyl group, 2-phenylisopropyl group, phenyl t-butyl group, α-naphthylmethyl group, 1-α-naphthyl group -Ethyl group, 2-α-naphthylethyl group, 1-α-naphthylisopropyl group, 2-α-naphthylisopropyl group, β-naphthylmethyl group, 1-β-naphthyl-ethyl group, 2-β- Naphthyl-ethyl group, 1-β-naphthylisopropyl group, 2-β-naphthylisopropyl group, p-methylbenzyl group, m-methylbenzyl group, o-methylbenzyl group, p-chlorobenzyl group (p -chlorobenzyl), m-chlorobenzyl group, o-chlorobenzyl group, p-bromobenzyl group (p-bromobenzyl), m-bromobenzyl group, o-bromobenzyl group, p-iodobenzyl group (p- iodobenzyl), m-iodobenzyl group, o-iodobenzyl group, p-hydroxybenzyl group (p-hydroxybenzyl), m-hydroxybenzyl group, o-hydroxybenzyl group, p-aminobenzyl group, m-amino Benzyl group, o-aminobenzyl group, p-nitrobenzyl group, m-nitrobenzyl group, o-nitrobenzyl group, p-cyanobenzyl group, m-cyanobenzyl group, o-cyanobenzyl group, 1- It includes a hydroxy-2-phenylisopropyl group and a 1-chloro-2-phenylisopropyl group. In the above, the benzyl group, p-cyanobenzyl group, m-cyanobenzyl group, o-cyanobenzyl group, 1-phenylethyl group, 2-phenylethyl group, 1-phenylisopropyl group and 2-phenylisopropyl group desirable. Also, an aralkyl group may be optionally substituted.

알킬실릴기(alkylsilyl group)는 본문 사용된 바와 같이 알킬기로 치환된 실릴기를 포함한다. 알킬실릴기는 3∼20 개의 탄소원자를 갖는 알킬실릴기일 수 있고, 바람직하게 3∼10 개의 탄소원자를 갖는 알킬실릴기이다. 알킬실릴기의 예시는 트리메틸실릴기, 트리에틸실릴기, 메틸디에틸실릴기, 에틸디메틸실릴기, 트리프로필실릴기, 트리부틸실릴기, 트리이소프로필실릴기, 메틸디이소프로필실릴기, 디메틸이소프로필실릴기, 트리-t-부틸실릴기, 트리이소부틸실릴기, 디메틸-t-부틸실릴기, 메틸-di-t-부틸실릴기를 포함한다. 또한, 알킬실릴기는 임의로 치환될 수 있다.An alkylsilyl group as used herein includes a silyl group substituted with an alkyl group. The alkylsilyl group may be an alkylsilyl group having 3 to 20 carbon atoms, and is preferably an alkylsilyl group having 3 to 10 carbon atoms. Examples of the alkylsilyl group are trimethylsilyl group, triethylsilyl group, methyldiethylsilyl group, ethyldimethylsilyl group, tripropylsilyl group, tributylsilyl group, triisopropylsilyl group, methyldiisopropylsilyl group, dimethyl and an isopropylsilyl group, a tri-t-butylsilyl group, a triisobutylsilyl group, a dimethyl-t-butylsilyl group, and a methyl-di-t-butylsilyl group. Also, the alkylsilyl group may be optionally substituted.

아릴실릴기(arylsilyl group)는 본 문에 사용된 바와 같이 적어도 하나의 아릴기로 치환된 실릴기를 포함한다. 아릴실릴기는 6∼30 개의 탄소원자를 갖는 아릴실릴기일 수 있고, 바람직하게 8∼20 개의 탄소원자를 갖는 아릴실릴기이다. 아릴실릴기의 예시는 트리페닐실릴기, 페닐디비페닐실릴기(phenyldibiphenylsilyl group), 디페닐비페닐실릴기, 페닐디에틸실릴기, 디페닐에틸실릴기, 페닐디메틸실릴기, 디페닐메틸실릴기, 페닐디이소프로필실릴기, 디페닐이소프로필실릴기, 디페닐부틸실릴기, 디페닐이소부틸실릴기, 디페닐-t-부틸실릴기를 포함한다. 또한, 아릴실릴기는 임의로 치환될 수 있다.An arylsilyl group as used herein includes a silyl group substituted with at least one aryl group. The arylsilyl group may be an arylsilyl group having 6 to 30 carbon atoms, and is preferably an arylsilyl group having 8 to 20 carbon atoms. Examples of the arylsilyl group include a triphenylsilyl group, a phenyldibiphenylsilyl group, a diphenylbiphenylsilyl group, a phenyldiethylsilyl group, a diphenylethylsilyl group, a phenyldimethylsilyl group, and a diphenylmethylsilyl group. , A phenyldiisopropylsilyl group, a diphenylisopropylsilyl group, a diphenylbutylsilyl group, a diphenylisobutylsilyl group, and a diphenyl-t-butylsilyl group. Also, the arylsilyl group may be optionally substituted.

알킬게르마닐기(alkylgermanyl)는 본문에 사용된 바와 같이 알킬기로 치환된 게르마닐기를 포함한다. 알킬게르마닐기는 3∼20개의 탄소원자를 갖는 알킬게르마닐기일 수 있고, 바람직하게는 3∼10개의 탄소원자를 갖는 알킬게르마닐기다. 알킬게르마닐기의 예시는 트리메틸게르마닐기, 트리에틸게르마닐기, 메틸디에틸게르마닐기, 에틸디메틸게르마닐기, 트리프로필게르마닐기, 트리부틸게르마닐기, 트리이소프로필게르마닐기, 메틸디이소프로필게르마닐기, 디메틸이소프로필게르마닐기, 트리t-부틸게르마닐기, 트리이소부틸게르마닐기, 디메틸t-부틸게르마닐기, 메틸디-t-부틸게르마닐기를 포함한다. 또한, 알킬게르마닐기는 임의로 치환될 수 있다.An alkylgermanyl group as used herein includes a germanyl group substituted with an alkyl group. The alkylgermanyl group may be an alkylgermanyl group having 3 to 20 carbon atoms, preferably an alkylgermanyl group having 3 to 10 carbon atoms. Examples of the alkyl germanyl group include a trimethylgermanyl group, a triethylgermanyl group, a methyldiethylgermanyl group, an ethyldimethylgermanyl group, a tripropylgermanyl group, a tributylgermanyl group, a triisopropylgermanyl group, A methyldiisopropylgermanyl group, a dimethylisopropylgermanyl group, a trit-butylgermanyl group, a triisobutylgermanyl group, a dimethyl t-butylgermanyl group, and a methyldi-t-butylgermanyl group are included. Also, the alkylgermanyl group may be optionally substituted.

아릴게르마닐기(arylgermanyl)는 본문에 사용된 바와 같이 적어도 하나의 아릴기 또는 헤테로아릴기로 치환된 게르마닐기를 포함한다. 아릴게르마닐기는 6∼30개의 탄소원자를 갖는 아릴게르마닐기일 수 있고, 바람직하게는 8∼20개의 탄소원자를 갖는 아릴게르마닐기다. 아릴게르마닐기의 예시는 트리페닐게르마닐기, 페닐디비페닐게르마닐기, 디페닐비페닐게르마닐기, 페닐디에틸게르마닐기, 디페닐에틸게르마닐기, 페닐디메틸게르마닐기, 디페닐메틸게르마닐기, 페닐디이소프로필게르마닐기, 디페닐이소프로필게르마닐기, 디페닐부틸게르마닐기, 디페닐이소부틸게르마닐기, 디페닐t-부틸게르마닐기를 포함한다. 또한, 아릴게르마닐기는 임의로 치환될 수 있다.An arylgermanyl group, as used herein, includes a germanyl group substituted with at least one aryl group or heteroaryl group. The arylgermanyl group may be an arylgermanyl group having 6 to 30 carbon atoms, preferably an arylgermanyl group having 8 to 20 carbon atoms. Examples of the arylgermanyl group include a triphenylgermanyl group, a phenyldibiphenylgermanyl group, a diphenylbiphenylgermanyl group, a phenyldiethylgermanyl group, a diphenylethylgermanyl group, a phenyldimethylgermanyl group, and a diphenyl group. methyl germanyl group, phenyl diisopropyl germanyl group, diphenyl isopropyl germanyl group, diphenyl butyl germanyl group, diphenyl isobutyl germanyl group, and diphenyl t-butyl germanyl group. Also, the arylgermanyl group may be optionally substituted.

아자디벤조퓨란(azadibenzofuran), 아자디벤조티오펜 등에서의 용어 "아자"는 상응하는 방향족 단편에서의 하나 또는 복수의 C-H 그룹이 질소원자로 대체됨을 의미한다. 예를 들어, 아자트리페닐렌(azatriphenylene)은 디벤조[f, h]퀴녹살린, 디벤조[f, h]퀴놀린 및 고리계에 2 개 또는 그 이상의 질소를 갖는 기타 유사체를 포함한다. 본 분야 당업자는 상술한 아자 유도체의 기타 질소 유사체를 쉽게 생각해낼 수 있으며, 이러한 모든 유사체는 본문에 기재된 용어에 포함되는 것으로 확정된다.The term "aza" in azadibenzofuran, azadibenzothiophene, etc. means that one or more C-H groups in the corresponding aromatic fragment are replaced with nitrogen atoms. For example, azatriphenylene includes dibenzo[f,h]quinoxaline, dibenzo[f,h]quinoline, and other analogs having two or more nitrogens in the ring system. Other nitrogenous analogs of the aza derivatives described above can readily be envisioned by those skilled in the art, and all such analogs are intended to be included within the term set forth herein.

본 발명에서, 달리 정의되지 않는 한, 치환된 알킬기, 치환된 시클로알킬기, 치환된 헤테로알킬기, 치환된 헤테로시클릭기, 치환된 아랄킬기, 치환된 알콕시기, 치환된 아릴옥시기, 치환된 알케닐기, 치환된 알키닐기, 치환된 아릴기, 치환된 헤테로아릴기, 치환된 알킬실릴기, 치환된 아릴실릴기, 치환된 알킬게르마닐기, 치환된 아릴게르마닐기, 치환된 아미노기, 치환된 아실기, 치환된 카르보닐기, 치환된 카르복실산기, 치환된 에스테르기, 치환된 술피닐기로 이루어진 군 중의 임의의 하나의 용어가 사용되는 경우, 이는 알킬기, 시클로알킬기, 헤테로알킬기, 헤테로시클릭기, 아랄킬기, 알콕시기, 아릴옥시기, 알케닐기, 알키닐기, 아릴기, 헤테로아릴기, 알킬실릴기, 아릴실릴기, 알킬게르마닐기, 아릴게르마닐기, 아미노기, 아실기, 카르보닐기, 카르복실산기, 에스테르기, 술피닐기, 술포닐기 및 포스피노기 중의 임의의 하나의 그룹이, 듀테륨, 할로겐, 1∼20 개의 탄소원자를 갖는 비치환된 알킬기, 3∼20 개의 고리탄소원자(ring carbon atoms)를 갖는 비치환된 시클로알킬기(cycloalkyl group), 1∼20 개의 탄소원자를 갖는 비치환된 헤테로알킬기, 3∼20 개의 고리원자를 갖는 비치환된 헤테로시클릭기, 7∼30 개의 탄소원자를 갖는 비치환된 아랄킬기, 1∼20 개의 탄소원자를 갖는 비치환된 알콕시기, 6∼30 개의 탄소원자를 갖는 비치환된 아릴옥시기, 2∼20 개의 탄소원자를 갖는 비치환된 알케닐기, 2∼20 개의 탄소원자를 갖는 비치환된 알키닐기, 6∼30 개의 탄소원자를 갖는 비치환된 아릴기, 3∼30 개의 탄소원자를 갖는 비치환된 헤테로아릴기, 3∼20 개의 탄소원자를 갖는 비치환된 알킬실릴기(alkylsilyl group), 6∼20 개의 탄소원자를 갖는 비치환된 아릴실릴기(arylsilyl group), 3∼20 개의 탄소원자를 갖는 비치환된 알킬게르마닐기, 6∼20 개의 탄소원자를 갖는 비치환된 아릴게르마닐기, 0∼20 개의 탄소원자를 갖는 비치환된 아미노기, 아실기, 카르보닐기, 카르복실산기, 에스테르기, 시아노기, 이소시아노기, 하이드록시기, 메르캅토기(mercapto group), 술피닐기, 술포닐기, 포스피노기 및 이들 조합에서 선택된 하나 또는 복수 개에 의해 치환될 수 있음을 의미한다.In the present invention, unless otherwise defined, a substituted alkyl group, a substituted cycloalkyl group, a substituted heteroalkyl group, a substituted heterocyclic group, a substituted aralkyl group, a substituted alkoxy group, a substituted aryloxy group, a substituted alkoxy group, Nyl group, substituted alkynyl group, substituted aryl group, substituted heteroaryl group, substituted alkylsilyl group, substituted arylsilyl group, substituted alkylgermanyl group, substituted arylgermanyl group, substituted amino group, substituted When a term of any one of the group consisting of an acyl group, a substituted carbonyl group, a substituted carboxylic acid group, a substituted ester group, and a substituted sulfinyl group is used, it is an alkyl group, a cycloalkyl group, a heteroalkyl group, a heterocyclic group, Aralkyl group, alkoxy group, aryloxy group, alkenyl group, alkynyl group, aryl group, heteroaryl group, alkylsilyl group, arylsilyl group, alkylgermanyl group, arylgermanyl group, amino group, acyl group, carbonyl group, carboxyl group Any one group of an acid group, an ester group, a sulfinyl group, a sulfonyl group, and a phosphino group is deuterium, a halogen, an unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, and 3 to 20 ring carbon atoms. An unsubstituted cycloalkyl group having, an unsubstituted heteroalkyl group having 1 to 20 carbon atoms, an unsubstituted heterocyclic group having 3 to 20 ring atoms, and an unsubstituted group having 7 to 30 carbon atoms aralkyl group having 1 to 20 carbon atoms, unsubstituted alkoxy group having 6 to 30 carbon atoms, unsubstituted aryloxy group having 2 to 20 carbon atoms, unsubstituted alkenyl group having 2 to 20 carbon atoms, An unsubstituted alkynyl group having 6 to 30 carbon atoms, an unsubstituted aryl group having 3 to 30 carbon atoms, an unsubstituted heteroaryl group having 3 to 20 carbon atoms, an unsubstituted alkylsilyl group having 3 to 20 carbon atoms ), an unsubstituted arylsilyl group having 6 to 20 carbon atoms, an unsubstituted alkylgermanyl group having 3 to 20 carbon atoms, an unsubstituted arylgermanyl group having 6 to 20 carbon atoms, unsubstituted with 0 to 20 carbon atoms One or more selected from an amino group, an acyl group, a carbonyl group, a carboxylic acid group, an ester group, a cyano group, an isocyano group, a hydroxy group, a mercapto group, a sulfinyl group, a sulfonyl group, a phosphino group, and combinations thereof means that it can be substituted by a dog.

이해해야 할 것은, 분자 단편이 치환기로 설명되거나 기타 형태로 기타 부분에 연결되는 경우, 그것이 단편(예를 들어, 페닐기, 페닐렌기, 나프틸기, 디벤조퓨란기)인지 또는 그것이 전체 분자(예를 들어, 벤젠, 나프틸기(naphthalene group), 디벤조퓨란기)인지에 따라 명명된다. 본문에 사용된 바와 같이, 치환기 또는 단편연결을 지정하는 이러한 상이한 방식은 동일한 것으로 간주한다.It should be understood that if a molecule fragment is described by a substituent or linked to other moieties in other ways, it is a fragment (e.g. phenyl group, phenylene group, naphthyl group, dibenzofuran group) or it is the entire molecule (e.g. , benzene, naphthyl group, dibenzofuran group). As used herein, these different ways of designating substituents or fragment linkages are considered equivalent.

본 출원에 언급된 화합물에서, 수소원자는 부분적 또는 전체적으로 듀테륨으로 대체될 수 있다. 탄소 및 질소와 같은 다른 원소도 이들의 기타 안정적인 동위원소로 대체될 수 있다. 이는 소자의 효율 및 안정성을 향상시키므로, 화합물에서 기타 안정적인 동위원소를 대체하는 것은 바람직할 수 있다.In the compounds mentioned in this application, hydrogen atoms may be partially or entirely replaced by deuterium. Other elements such as carbon and nitrogen may also be replaced by other stable isotopes of these. As this improves the efficiency and stability of the device, it may be desirable to substitute other stable isotopes in the compound.

본 출원에 언급된 화합물에서, 다중치환은 이중치환을 포함한 최대 사용가능한 치환까지의 범위를 나타낸다. 본 출원에서 언급된 화합물에서, 어느 치환기가 다중치환(이치환, 삼치환, 사치환 등을 포함)을 나타낼 경우, 해당 치환기가 그 연결 구조에서의 복수의 사용가능한 치환 위치에 존재할 수 있음을 나타내고, 복수의 사용가능한 치환 위치에 존재하는 치환기는 동일한 구조일 수 있고 상이한 구조일 수도 있다.In the compounds mentioned in this application, polysubstitution refers to a range up to the maximum usable substitution, including disubstitutions. In the compounds mentioned in this application, when any substituent represents polysubstitution (including di-, tri-, tetra-substitution, etc.), it indicates that the substituent may be present at a plurality of available substitution positions in the linkage structure, Substituents present at a plurality of available substitution positions may be of the same structure or may be of different structures.

본 발명에 언급된 화합물에서, 예를 들어 인접한 치환기는 임의로 연결되어 고리를 형성할 수 있다고 명확하게 한정하지 않는 한, 상기 화합물에서 인접한 치환기는 임의로 연결되어 고리를 형성할 수 없다. 본 발명에 언급된 화합물에서, 인접한 치환기는 임의로 연결되어 고리를 형성할 수 있다는 것은, 인접한 치환기가 연결되어 고리를 형성할 수 있는 경우를 포함하고, 또한 인접한 치환기가 연결되지 않아 고리를 형성하지 않는 경우도 포함한다. 인접한 치환기가 임의로 연결되어 고리를 연결할 수 있는 경우, 형성된 고리는 단환식 고리, 다환식 고리(스피로고리, 가교고리, 축합고리를 포함)지환식(alicyclic) 고리, 헤테로지환식(heteroalicyclic) 고리, 방향족 고리 또는 헤테로방향족 고리일 수 있다. 이러한 표현에서, 인접한 치환기는 동일한 원자에 결합된 치환기, 서로 직접 결합된 탄소원자에 결합된 치환기, 또는 더 멀리 떨어진 탄소원자에 결합된 치환기를 지칭할 수 있다. 바람직하게는, 인접한 치환기는 동일한 탄소원자에 결합된 치환기 및 서로 직접 결합된 탄소원자에 결합된 치환기를 지칭한다.In the compounds mentioned in the present invention, for example, adjacent substituents in the compound cannot be optionally linked to form a ring, unless it is specifically defined that the adjacent substituents can be optionally linked to form a ring. In the compounds mentioned in the present invention, adjacent substituents may be optionally linked to form a ring, including cases where adjacent substituents may be linked to form a ring, and also when adjacent substituents are not linked to form a ring. Including case When adjacent substituents can be arbitrarily connected to link rings, the formed rings are monocyclic rings, polycyclic rings (including spiro rings, bridging rings, and condensed rings) alicyclic rings, heteroalicyclic rings, It may be an aromatic ring or a heteroaromatic ring. In this expression, adjacent substituents may refer to substituents bonded to the same atom, substituents bonded to carbon atoms directly bonded to each other, or substituents bonded to carbon atoms further apart. Preferably, adjacent substituents refer to substituents bonded to the same carbon atom and substituents bonded to carbon atoms bonded directly to each other.

인접한 치환기는 임의로 연결되어 고리를 형성할 수 있다는 표현의 의도는 또한 동일한 탄소원자에 결합된 2개의 치환기가 화학결합에 의해 서로 연결되어 고리를 형성하였음을 간주하려는 것이며, 이는 하기 식을 통해 예시된다:The intention of the expression that adjacent substituents may be optionally linked to form a ring is also to consider that two substituents bonded to the same carbon atom are linked to each other by chemical bonds to form a ring, which is exemplified through the following formula :

Figure pat00014
.
Figure pat00014
.

인접한 치환기는 임의로 연결되어 고리를 형성할 수 있다는 표현의 의도는 또한 서로 직접 결합된 탄소원자에 결합된 2 개의 치환기가 화학결합에 의해 서로 연결되어 고리를 형성하였음을 간주하려는 것이며, 이는 하기 식을 통해 예시된다:The intention of the expression that adjacent substituents may be optionally linked to form a ring is also to consider that two substituents bonded to carbon atoms directly bonded to each other are linked to each other by chemical bonds to form a ring, which represents the following formula exemplified via:

Figure pat00015
.
Figure pat00015
.

인접한 치환기는 임의로 연결되어 고리를 형성할 수 있다는 표현의 의도는 또한 더 멀리 떨어진 탄소원자에 결합된 2 개의 치환기가 화학결합에 의해 서로 연결되어 고리를 형성하였음을 간주하려는 것이며, 이는 하기 식을 통해 예시된다:The expression that adjacent substituents may be arbitrarily linked to form a ring is also intended to consider that two substituents bonded to carbon atoms farther apart are linked to each other by chemical bonds to form a ring, which is expressed through the following formula exemplified by:

Figure pat00016
.
Figure pat00016
.

이외, 인접한 치환기는 임의로 연결되어 고리를 형성할 수 있다는 표현의 의도는 또한 서로 인접한 2 개의 치환기 중 하나가 수소를 나타낼 경우, 두 번째 치환기는 수소원자가 결합된 위치 측에 결합되어 고리를 형성하였음을 간주하려는 것이다. 이는 하기 식을 통해 예시된다:.In addition, the intention of the expression that adjacent substituents can be arbitrarily linked to form a ring is also that when one of the two adjacent substituents represents hydrogen, the second substituent is bonded to the position where the hydrogen atom is bonded to form a ring. to be considered. This is illustrated through the formula:

Figure pat00017
Figure pat00017

본 발명의 일 실시예에 따르면, 유기 전계발광소자를 개시하였으며, 이는:According to one embodiment of the present invention, an organic electroluminescent device is disclosed, which:

양극, anode,

음극, 및cathode, and

양극과 음극 사이에 배치된 유기층을 포함하며, 여기서 상기 유기층은 적어도 유기 발광층을 포함하고;an organic layer disposed between an anode and a cathode, wherein the organic layer includes at least an organic light emitting layer;

여기서, 상기 유기 발광층은 적어도 제1 화합물, 제1 호스트 재료 및 제2 호스트 재료를 포함하며;Here, the organic light emitting layer includes at least a first compound, a first host material and a second host material;

여기서 상기 제1 호스트 재료 및 제2 호스트 재료의 삼중항 상태의 에너지 준위는 모두 2.69eV보다 높고;Here, the energy levels of the triplet state of the first host material and the second host material are both higher than 2.69 eV;

여기서 상기 제1 화합물은 식 1로 나타내는 구조를 가지며,Here, the first compound has a structure represented by Formula 1,

Figure pat00018
Figure pat00018

식 1에서, 고리 A, 고리 B, 고리 C, 고리 D, 고리 E는 각각 독립적으로 5∼30 개 탄소원자를 갖는 불포화 탄소고리 또는 3∼30 개 탄소원자를 갖는 불포화 헤테로고리에서 선택되고;In Formula 1, ring A, ring B, ring C, ring D, and ring E are each independently selected from an unsaturated carbon ring having 5 to 30 carbon atoms or an unsaturated hetero ring having 3 to 30 carbon atoms;

Y1은 B, P=O, P=S, As, As=O, As=S, SiR' 또는 GeR'에서 선택되며;Y 1 is selected from B, P=O, P=S, As, As=O, As=S, SiR' or GeR';

Ra, Rb, Rc, Rd, Re은 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 단일치환, 다중치환 또는 비치환을 나타내고;Each occurrence of R a , R b , R c , R d , R e identically or differently represents mono-substitution, poly-substitution or non-substitution;

R', Ra, Rb, Rc, Rd, Re은 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 수소, 듀테륨, 할로겐, 1∼20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬기, 3∼20 개의 고리탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 시클로알킬기, 1∼20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로알킬기, 3-20 개의 고리원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로시클릭기, 7∼30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아랄킬기, 1∼20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알콕시기, 6∼30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴옥시기, 2∼20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알케닐기, 6∼30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴기, 3∼30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기, 3∼20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬실릴기, 6∼20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴실릴기, 3∼20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬게르마닐기, 6∼20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴게르마닐기, 0∼20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아미노기, 아실기, 카르보닐기, 카르복실산기, 에스테르기, 시아노기, 이소시아노기, 하이드록시기, 술파닐기, 술피닐기, 술포닐기, 포스피노기, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되며;R', R a , R b , R c , R d , R e are identical or different each time they appear, hydrogen, deuterium, halogen, substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, 3 to 20 rings A substituted or unsubstituted cycloalkyl group having carbon atoms, a substituted or unsubstituted heteroalkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted heterocyclic group having 3 to 20 ring atoms, and a 7 to 30 carbon atoms A substituted or unsubstituted aralkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted alkoxy group having 6 to 30 carbon atoms, a substituted or unsubstituted aryloxy group having 2 to 20 carbon atoms, or a substituted or unsubstituted alkoxy group having 2 to 20 carbon atoms cyclic alkenyl group, substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 carbon atoms, substituted or unsubstituted heteroaryl group having 3 to 30 carbon atoms, substituted or unsubstituted alkylsilyl having 3 to 20 carbon atoms group, a substituted or unsubstituted arylsilyl group having 6 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted alkylgermanyl group having 3 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted arylgerma group having 6 to 20 carbon atoms Nyl group, substituted or unsubstituted amino group having 0 to 20 carbon atoms, acyl group, carbonyl group, carboxylic acid group, ester group, cyano group, isocyano group, hydroxy group, sulfanyl group, sulfinyl group, sulfonyl group, phosphino selected from the group consisting of groups, and combinations thereof;

L1, L2은 각각 독립적으로 단일 결합, O, S, Se, SiRR, PR, 치환 또는 비치환된 비닐렌기, 6-30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴렌기, 3∼30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴렌기, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되고; 복수의 R가 동시에 존재할 경우, 복수의 R은 동일하거나 상이하며;L 1 and L 2 are each independently a single bond, O, S, Se, SiRR, PR, a substituted or unsubstituted vinylene group, a substituted or unsubstituted arylene group having 6 to 30 carbon atoms, and 3 to 30 carbon atoms. It is selected from the group consisting of a substituted or unsubstituted heteroarylene group having a group, and a combination thereof; When a plurality of R's are present at the same time, the plurality of R's are the same or different;

R은 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 수소, 듀테륨, 할로겐, 1∼20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬기, 3∼20 개의 고리탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 시클로알킬기, 1∼20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로알킬기, 3-20 개의 고리원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로시클릭기, 7∼30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아랄킬기, 6∼30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴기, 3∼30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택되고;Each occurrence of R, identically or differently, is hydrogen, deuterium, halogen, a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted cycloalkyl group having 3 to 20 ring carbon atoms, and 1 to 20 carbon atoms. substituted or unsubstituted heteroalkyl group having 3 to 20 ring atoms, substituted or unsubstituted heterocyclic group having 7 to 30 carbon atoms, substituted or unsubstituted aralkyl group having 6 to 30 carbon atoms, It is selected from the group consisting of a substituted or unsubstituted aryl group and a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 3 to 30 carbon atoms;

인접한 치환기 Ra, Rb, Rc, Rd, Re, R은 임의로 연결되어 고리를 형성할 수 있다.Adjacent substituents R a , R b , R c , R d , R e , R may be optionally linked to form a ring.

본 문에서, 인접한 치환기 Ra, Rb, Rc, Rd, Re, R은 임의로 연결되어 고리를 형성할 수 있다는 것은, 그 중 인접한 치환기 군에 있어서, 예를 들어, 두 개의 치환기 Ra 사이, 두 개의 치환기 Rb 사이, 두 개의 치환기 Rc 사이, 두 개의 치환기 Rd 사이, 두 개의 치환기 Re 사이, 두 개의 치환기 R 사이, 치환기 R와 Ra사이, 치환기 R와 Rd사이, 치환기 R와 Rc사이, 치환기 R와 Re사이, 이러한 치환기 군 중 임의의 하나 또는 복수 개는 연결되어 고리를 형성할 수 있음을 나타내는 의미이다. 자명한 것은, 이러한 치환기 군은 모두 연결되지 않아 고리를 형성하지 않을 수도 있다.In the present text, adjacent substituents R a , R b , R c , R d , R e , R may be optionally linked to form a ring, which means that in adjacent substituent groups among them, for example, two substituents R Between a , between two substituents R b , between two substituents R c , between two substituents R d , between two substituents R e , between two substituents R, between substituents R and R a , between substituents R and R d , between the substituents R and R c , between the substituents R and R e , any one or a plurality of these substituent groups may be connected to form a ring. Obviously, all of these substituent groups may not be linked to form a ring.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 유기 발광층에 포함된 화합물은 모두 금속을 함유하지 않는다.According to one embodiment of the present invention, all compounds included in the organic light emitting layer do not contain metal.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 여기서, 식 1에서, 고리 A, 고리 B, 고리 C, 고리 D 및 고리 E는 각각 독립적으로 5원 불포화 탄소고리, 6-30 개 탄소원자를 갖는 방향족 고리 또는 3∼30 개 탄소원자를 갖는 헤테로 방향족 고리에서 선택된다.According to one embodiment of the present invention, wherein, in Formula 1, ring A, ring B, ring C, ring D and ring E are each independently a 5-membered unsaturated carbon ring, an aromatic ring having 6-30 carbon atoms, or 3 It is selected from heteroaromatic rings having ~30 carbon atoms.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 여기서, 식 1에서, 고리 A, 고리 B, 고리 C, 고리 D 및 고리 E는 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 5원 불포화 탄소고리, 6-18 개 탄소원자를 갖는 방향족 고리 또는 3-18 개 탄소원자를 갖는 헤테로 방향족 고리에서 선택된다.According to one embodiment of the present invention, where, in Formula 1, Ring A, Ring B, Ring C, Ring D and Ring E are the same or different each time they appear, a 5-membered unsaturated carbon ring having 6 to 18 carbon atoms. It is selected from an aromatic ring or a heteroaromatic ring having 3-18 carbon atoms.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 여기서, 식 1에서, 고리 A, 고리 B, 고리 C, 고리 D 및 고리 E는 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 벤젠 고리, 피리딘 고리, 나프탈렌 고리, 페난트렌 고리, 안트라센 고리, 인덴 고리, 플루오렌 고리, 인돌 고리, 카바졸 고리, 벤조퓨란 고리, 디벤조퓨란 고리, 벤조실롤 고리, 디벤조실롤 고리, 벤조티오펜 고리, 디벤조티오펜 고리, 디벤조셀레노펜 고리, 시클로펜타디엔 고리, 퓨란 고리, 티오펜 고리, 실롤 고리 혹은 이들의 조합에서 선택된다.According to one embodiment of the present invention, where, in Formula 1, Ring A, Ring B, Ring C, Ring D and Ring E are identically or differently each time they appear, a benzene ring, a pyridine ring, a naphthalene ring, a phenanthrene ring, Anthracene ring, indene ring, fluorene ring, indole ring, carbazole ring, benzofuran ring, dibenzofuran ring, benzosilol ring, dibenzosilol ring, benzothiophene ring, dibenzothiophene ring, dibenzoselenophene rings, cyclopentadiene rings, furan rings, thiophene rings, silol rings, or combinations thereof.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 여기서, 식 1에서, Y1은 B, P=O 또는 P=S에서 선택된다.According to one embodiment of the present invention, where, in Equation 1, Y 1 is selected from B, P=0 or P=S.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 여기서, 식 1에서, Y1은 B이다.According to one embodiment of the present invention, where, in Formula 1, Y 1 is B.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 여기서 제1 화합물은 식 2로 나타내는 구조를 가지며,According to one embodiment of the present invention, wherein the first compound has a structure represented by Formula 2,

Figure pat00019
Figure pat00019

Ra, Rb, Rc, Rd, Re은 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 단일치환, 다중치환 또는 비치환을 나타내고;Each occurrence of R a , R b , R c , R d , R e identically or differently represents mono-substitution, poly-substitution or non-substitution;

Ra, Rb, Rc, Rd, Re은 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 수소, 듀테륨, 할로겐, 1∼20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬기, 3∼20 개의 고리탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 시클로알킬기, 1∼20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로알킬기, 3-20 개의 고리원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로시클릭기, 7∼30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아랄킬기, 1∼20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알콕시기, 6∼30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴옥시기, 2∼20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알케닐기, 6∼30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴기, 3∼30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기, 3∼20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬실릴기, 6∼20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴실릴기, 3∼20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬게르마닐기, 6∼20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴게르마닐기, 0∼20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아미노기, 아실기, 카르보닐기, 카르복실산기, 에스테르기, 시아노기, 이소시아노기, 하이드록시기, 술파닐기, 술피닐기, 술포닐기, 포스피노기, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되며;Each occurrence of R a , R b , R c , R d , R e is identically or differently hydrogen, deuterium, halogen, a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, or a ring having 3 to 20 ring carbon atoms. A substituted or unsubstituted cycloalkyl group, a substituted or unsubstituted heteroalkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted heterocyclic group having 3 to 20 ring atoms, a substituted or unsubstituted heterocyclic group having 7 to 30 carbon atoms Unsubstituted aralkyl group, substituted or unsubstituted alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms, substituted or unsubstituted aryloxy group having 6 to 30 carbon atoms, substituted or unsubstituted alkoxy group having 2 to 20 carbon atoms Nyl group, substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 carbon atoms, substituted or unsubstituted heteroaryl group having 3 to 30 carbon atoms, substituted or unsubstituted alkylsilyl group having 3 to 20 carbon atoms, 6 A substituted or unsubstituted arylsilyl group having to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted alkylgermanyl group having 3 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted arylgermanyl group having 6 to 20 carbon atoms, 0 A substituted or unsubstituted amino group, acyl group, carbonyl group, carboxylic acid group, ester group, cyano group, isocyano group, hydroxy group, sulfanyl group, sulfinyl group, sulfonyl group, phosphino group, and It is selected from the group consisting of combinations thereof;

L1, L2은 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 단일 결합, O, S, Se, SiRR, PR, 치환 또는 비치환된 비닐렌기, 6-30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴렌기, 3∼30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴렌기, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되고; 복수의 R가 동시에 존재할 경우, 복수의 R은 동일하거나 상이하며;Each time L 1 , L 2 appears identically or differently, a single bond, O, S, Se, SiRR, PR, a substituted or unsubstituted vinylene group, a substituted or unsubstituted arylene group having 6 to 30 carbon atoms, 3 It is selected from the group consisting of a substituted or unsubstituted heteroarylene group having about 30 carbon atoms, and combinations thereof; When a plurality of R's are present at the same time, the plurality of R's are the same or different;

R은 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 수소, 듀테륨, 할로겐, 1∼20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬기, 3∼20 개의 고리탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 시클로알킬기, 1∼20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로알킬기, 3-20 개의 고리원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로시클릭기, 7∼30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아랄킬기, 6∼30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴기, 3∼30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택되고;Each occurrence of R, identically or differently, is hydrogen, deuterium, halogen, a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted cycloalkyl group having 3 to 20 ring carbon atoms, and 1 to 20 carbon atoms. substituted or unsubstituted heteroalkyl group having 3 to 20 ring atoms, substituted or unsubstituted heterocyclic group having 7 to 30 carbon atoms, substituted or unsubstituted aralkyl group having 6 to 30 carbon atoms, It is selected from the group consisting of a substituted or unsubstituted aryl group and a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 3 to 30 carbon atoms;

인접한 치환기 Ra, Rb, Rc, Rd, Re, R은 임의로 연결되어 고리를 형성할 수 있다.Adjacent substituents R a , R b , R c , R d , R e , R may be optionally linked to form a ring.

본 발명의 일 실시예에 따르면, L1과 L2은 단일 결합이다.According to one embodiment of the present invention, L 1 and L 2 are single bonds.

본 발명의 일 실시예에 따르면, L1 또는 L2은 단일 결합이다.According to one embodiment of the present invention, L 1 or L 2 is a single bond.

본 발명의 일 실시예에 따르면, Ra, Rb, Rc, Rd, Re은 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 수소, 듀테륨, 할로겐, 시아노기, 하이드록시기, 술파닐기, 1∼6 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬기, 3∼6 개의 고리탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 시클로알킬기, 1∼6 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로알킬기, 6∼24 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴기, 3∼12 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기, 3∼6 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬실릴기, 6∼12 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴실릴기, 3∼6 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬게르마닐기, 6∼12 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴게르마닐기, 0∼12 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아미노기, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되며;According to one embodiment of the present invention, R a , R b , R c , R d , R e are identically or differently each time they appear, hydrogen, deuterium, halogen, cyano group, hydroxyl group, sulfanyl group, 1 to 6 A substituted or unsubstituted alkyl group having two carbon atoms, a substituted or unsubstituted cycloalkyl group having 3 to 6 ring carbon atoms, a substituted or unsubstituted heteroalkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a substituted or unsubstituted heteroalkyl group having 6 to 24 carbon atoms Or an unsubstituted aryl group, a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 3 to 12 carbon atoms, a substituted or unsubstituted alkylsilyl group having 3 to 6 carbon atoms, a substituted or unsubstituted group having 6 to 12 carbon atoms arylsilyl group, substituted or unsubstituted alkylgermanyl group having 3 to 6 carbon atoms, substituted or unsubstituted arylgermanyl group having 6 to 12 carbon atoms, substituted or unsubstituted having 0 to 12 carbon atoms It is selected from the group consisting of amino groups, and combinations thereof;

본 발명의 일 실시예에 따르면, Ra, Rb, Rc, Rd, Re은 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 수소, 듀테륨, 불소, 시아노기, 하이드록시기, 술파닐기, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, 시클로프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, t-부틸기, 시클로펜틸기, 네오펜틸기, 시클로헥실기, 트리메틸실릴기, 트리메틸게르마닐기, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 쿼터페닐기, 트리페닐렌기, 테트라페닐렌기, 나프틸기, 페난트렌기, 안트라센기, 인데닐기, 플루오렌기, 인돌릴기, 카바졸기, 벤조퓨란기, 디벤조퓨란기, 벤조실롤기, 디벤조실롤기, 벤조티오펜기, 디벤조티오펜기, 디벤조셀레노펜기, 디페닐아미노기, 디벤조퓨라닐페닐아미노기, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된다. According to one embodiment of the present invention, each occurrence of R a , R b , R c , R d , R e is identically or differently hydrogen, deuterium, fluorine, cyano group, hydroxyl group, sulfanyl group, methyl group, ethyl group , n-propyl group, isopropyl group, cyclopropyl group, n-butyl group, isobutyl group, t-butyl group, cyclopentyl group, neopentyl group, cyclohexyl group, trimethylsilyl group, trimethylgermanyl group, phenyl group , Biphenyl group, terphenyl group, quaterphenyl group, triphenylene group, tetraphenylene group, naphthyl group, phenanthrene group, anthracene group, indenyl group, fluorene group, indolyl group, carbazole group, benzofuran group, dibenzofuran group, It is selected from the group consisting of a benzosilol group, a dibenzosilol group, a benzothiophene group, a dibenzothiophene group, a dibenzoselenophene group, a diphenylamino group, a dibenzofuranylphenylamino group, and combinations thereof.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 여기서 Ra, Rb, Rc, Rd, Re 중 적어도 하나는 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 듀테륨, 할로겐, 1∼20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬기, 3∼20 개의 고리탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 시클로알킬기, 1∼20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로알킬기, 3-20 개의 고리원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로시클릭기, 7∼30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아랄킬기, 1∼20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알콕시기, 6∼30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴옥시기, 2∼20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알케닐기, 6∼30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴기, 3∼30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기, 3∼20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬실릴기, 6∼20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴실릴기, 3∼20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬게르마닐기, 6∼20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴게르마닐기, 0∼20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아미노기, 아실기, 카르보닐기, 카르복실산기, 에스테르기, 시아노기, 이소시아노기, 하이드록시기, 술파닐기, 술피닐기, 술포닐기, 포스피노기, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된다.According to one embodiment of the present invention, where at least one of R a , R b , R c , R d , and R e is identically or differently deuterium, halogen, substituted or unsubstituted having 1 to 20 carbon atoms each time it appears. substituted or unsubstituted cycloalkyl group having 3 to 20 ring carbon atoms, substituted or unsubstituted heteroalkyl group having 1 to 20 carbon atoms, substituted or unsubstituted heterocyclic group having 3 to 20 ring atoms group, a substituted or unsubstituted aralkyl group having 7 to 30 carbon atoms, a substituted or unsubstituted alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted aryloxy group having 6 to 30 carbon atoms, and a 2 to 30 carbon atom group. A substituted or unsubstituted alkenyl group having 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 carbon atoms, a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 3 to 30 carbon atoms, and a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 3 to 20 carbon atoms. A substituted or unsubstituted alkylsilyl group having 6 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted arylsilyl group having 3 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted alkylgermanyl group having 6 to 20 carbon atoms, A substituted or unsubstituted arylgermanyl group, a substituted or unsubstituted amino group having 0 to 20 carbon atoms, an acyl group, a carbonyl group, a carboxylic acid group, an ester group, a cyano group, an isocyano group, a hydroxyl group, a sulfanyl group, It is selected from the group consisting of a sulfinyl group, a sulfonyl group, a phosphino group, and combinations thereof.

본 발명의 일 실시예에 따르면, Ra, Rb, Rc, Rd, Re 중 적어도 하나는 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 듀테륨, 할로겐, 시아노기, 하이드록시기, 술파닐기, 1∼6 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬기, 3∼6 개의 고리탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 시클로알킬기, 1∼6 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로알킬기, 6∼24 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴기, 3∼12 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기, 3∼6 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬실릴기, 6∼12 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴실릴기, 3∼6 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬게르마닐기, 6∼12 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴게르마닐기, 0∼12 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아미노기, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되며;According to one embodiment of the present invention, whenever at least one of R a , R b , R c , R d , and R e appears, identically or differently, deuterium, halogen, cyano group, hydroxy group, sulfanyl group, 1 to 1 A substituted or unsubstituted alkyl group having 6 carbon atoms, a substituted or unsubstituted cycloalkyl group having 3 to 6 ring carbon atoms, a substituted or unsubstituted heteroalkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a substituted or unsubstituted heteroalkyl group having 6 to 24 carbon atoms A substituted or unsubstituted aryl group, a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 3 to 12 carbon atoms, a substituted or unsubstituted alkylsilyl group having 3 to 6 carbon atoms, a substituted or unsubstituted alkylsilyl group having 6 to 12 carbon atoms A cyclic arylsilyl group, a substituted or unsubstituted alkylgermanyl group having 3 to 6 carbon atoms, a substituted or unsubstituted arylgermanyl group having 6 to 12 carbon atoms, a substituted or unsubstituted group having 0 to 12 carbon atoms It is selected from the group consisting of cyclic amino groups, and combinations thereof;

본 발명의 일 실시예에 따르면, Ra, Rb, Rc, Rd, Re 중 적어도 하나는 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 듀테륨, 불소, 시아노기, 하이드록시기, 술파닐기, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, 시클로프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, t-부틸기, 시클로펜틸기, 네오펜틸기, 시클로헥실기, 트리메틸실릴기, 트리메틸게르마닐기, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 쿼터페닐기, 트리페닐렌기, 테트라페닐렌기, 나프틸기, 페난트렌기, 안트라센기, 인데닐기, 플루오렌기, 인돌릴기, 카바졸기, 벤조퓨란기, 디벤조퓨란기, 벤조실롤기, 디벤조실롤기, 벤조티오펜기, 디벤조티오펜기, 디벤조셀레노펜기, 디페닐아미노기, 디벤조퓨라닐페닐아미노기, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된다. According to an embodiment of the present invention, whenever at least one of R a , R b , R c , R d , and R e appears, identically or differently, deuterium, fluorine, cyano group, hydroxyl group, sulfanyl group, methyl group, Ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, cyclopropyl group, n-butyl group, isobutyl group, t-butyl group, cyclopentyl group, neopentyl group, cyclohexyl group, trimethylsilyl group, trimethylgermanyl group, Phenyl group, biphenyl group, terphenyl group, quaterphenyl group, triphenylene group, tetraphenylene group, naphthyl group, phenanthrene group, anthracene group, indenyl group, fluorene group, indolyl group, carbazole group, benzofuran group, dibenzofuran group , A benzosilol group, a dibenzosilol group, a benzothiophene group, a dibenzothiophene group, a dibenzoselenophene group, a diphenylamino group, a dibenzofuranylphenylamino group, and combinations thereof.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 여기서, 식 2 중 적어도 하나의 Ra은 6∼30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴기, 3∼30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된다.According to one embodiment of the present invention, wherein, in Formula 2, at least one R a is a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 carbon atoms, or a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 3 to 30 carbon atoms. It is selected from the group consisting of, and combinations thereof.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 여기서, 식 2 중 적어도 하나의 Ra은 6∼18 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴기, 3∼18 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된다.According to one embodiment of the present invention, wherein, in Formula 2, at least one R a is a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 18 carbon atoms, or a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 3 to 18 carbon atoms. It is selected from the group consisting of, and combinations thereof.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 여기서, 식 2 중 적어도 하나의 Ra은 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 비페닐기, 치환 또는 비치환된 트리페닐렌기, 치환 또는 비치환된 테트라페닐렌기, 나프틸기, 치환 또는 비치환된 페난트렌기, 치환 또는 비치환된 안트라센기, 치환 또는 비치환된 플루오렌기, 치환 또는 비치환된 카바졸기, 치환 또는 비치환된 벤조퓨란기, 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란기, 치환 또는 비치환된 벤조실롤기, 치환 또는 비치환된 디벤조실롤기, 치환 또는 비치환된 벤조티오펜기, 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜기, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된다.According to one embodiment of the present invention, wherein, in Formula 2, at least one R a is a substituted or unsubstituted phenyl group, a substituted or unsubstituted biphenyl group, a substituted or unsubstituted triphenylene group, or a substituted or unsubstituted tetra A phenylene group, a naphthyl group, a substituted or unsubstituted phenanthrene group, a substituted or unsubstituted anthracene group, a substituted or unsubstituted fluorene group, a substituted or unsubstituted carbazole group, a substituted or unsubstituted benzofuran group, a substituted Or an unsubstituted dibenzofuran group, a substituted or unsubstituted benzosilol group, a substituted or unsubstituted dibenzosilol group, a substituted or unsubstituted benzothiophene group, a substituted or unsubstituted dibenzothiophene group, and It is selected from the group consisting of combinations thereof.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 여기서, 식 2 중 적어도 하나의 Ra은 치환 또는 비치환된 카바졸기, 또는 치환 또는 비치환된 아자카바졸기에서 선택된다.According to one embodiment of the present invention, here, at least one R a in Formula 2 is selected from a substituted or unsubstituted carbazole group or a substituted or unsubstituted azacarbazole group.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 여기서 상기 제1 화합물의 HOMO 에너지 준위는 -5.2eV보다 작다.According to one embodiment of the present invention, the HOMO energy level of the first compound is less than -5.2eV.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 여기서 상기 제1 화합물의 HOMO 에너지 준위는 -5.3eV보다 작거나 같다.According to one embodiment of the present invention, the HOMO energy level of the first compound is less than or equal to -5.3eV.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 여기서 상기 제1 화합물의 HOMO 에너지 준위는 -5.4eV보다 작거나 같다.According to one embodiment of the present invention, the HOMO energy level of the first compound is less than or equal to -5.4eV.

본 문에서 화합물의 HOMO 에너지 준위 및 LUMO 에너지 준위는 순환전압전류법을 통해 무수 DMF를 용매로 사용하여 측정된 화합물의 전기화학적 성질이다. 구체적인 측정 방법은 하기에서 상세히 설명하도록 한다.In this paper, the HOMO energy level and LUMO energy level of a compound are the electrochemical properties of the compound measured using anhydrous DMF as a solvent through cyclic voltammetry. A specific measurement method will be described in detail below.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 제1 화합물은 화합물 BD-1-1 내지 화합물 BD-1-31, 화합물 BD-2-1 내지 화합물 BD-2-28, 화합물 BD-3-1 내지 화합물 BD-3-22, 화합물 BD-4-1 내지 화합물 BD-4-36, 화합물 BD-5-1 내지 화합물 BD-5-36, 화합물 BD-6-1 내지 화합물 BD-6-42로 이루어진 군에서 선택되며; 상기 화합물 BD-1-1 내지 화합물 BD-1-31, 화합물 BD-2-1 내지 화합물 BD-2-28, 화합물 BD-3-1 내지 화합물 BD-3-22, 화합물 BD-4-1 내지 화합물 BD-4-36, 화합물 BD-5-1 내지 화합물 BD-5-36, 화합물 BD-6-1 내지 화합물 BD-6-42의 구체적인 구조는 청구항 9를 참조한다.According to one embodiment of the present invention, the first compound is compound BD-1-1 to compound BD-1-31, compound BD-2-1 to compound BD-2-28, compound BD-3-1 to compound The group consisting of BD-3-22, compound BD-4-1 to compound BD-4-36, compound BD-5-1 to compound BD-5-36, compound BD-6-1 to compound BD-6-42 is selected from; Compound BD-1-1 to Compound BD-1-31, Compound BD-2-1 to Compound BD-2-28, Compound BD-3-1 to Compound BD-3-22, Compound BD-4-1 to For specific structures of Compound BD-4-36, Compound BD-5-1 to Compound BD-5-36, Compound BD-6-1 to Compound BD-6-42, see Claim 9.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 제1 화합물은 화합물 BD-1-1 내지 화합물 BD-1-31, 화합물 BD-2-1 내지 화합물 BD-2-28, 화합물 BD-3-1 내지 화합물 BD-3-24, 화합물 BD-4-1 내지 화합물 BD-4-36, 화합물 BD-5-1 내지 화합물 BD-5-36, 화합물 BD-6-1 내지 화합물 BD-6-42로 이루어진 군에서 선택되며; 상기 화합물 BD-1-1 내지 화합물 BD-1-31, 화합물 BD-2-1 내지 화합물 BD-2-28, 화합물 BD-3-1 내지 화합물 BD-3-24, 화합물 BD-4-1 내지 화합물 BD-4-36, 화합물 BD-5-1 내지 화합물 BD-5-36, 화합물 BD-6-1 내지 화합물 BD-6-42의 구체적인 구조는 청구항 9를 참조한다.According to one embodiment of the present invention, the first compound is compound BD-1-1 to compound BD-1-31, compound BD-2-1 to compound BD-2-28, compound BD-3-1 to compound The group consisting of BD-3-24, compound BD-4-1 to compound BD-4-36, compound BD-5-1 to compound BD-5-36, compound BD-6-1 to compound BD-6-42 is selected from; Compound BD-1-1 to Compound BD-1-31, Compound BD-2-1 to Compound BD-2-28, Compound BD-3-1 to Compound BD-3-24, Compound BD-4-1 to For specific structures of Compound BD-4-36, Compound BD-5-1 to Compound BD-5-36, Compound BD-6-1 to Compound BD-6-42, see Claim 9.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 화합물 BD-1-1 내지 화합물 BD-1-31, 화합물 BD-2-1 내지 화합물 BD-2-28, 화합물 BD-3-1 내지 화합물 BD-3-22, 화합물 BD-4-1 내지 화합물 BD-4-36, 화합물 BD-5-1 내지 화합물 BD-5-36, 화합물 BD-6-1 내지 화합물 BD-6-42의 구조 중의 수소는 듀테륨에 의해 부분적 또는 전체적으로 치환될 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the compound BD-1-1 to compound BD-1-31, the compound BD-2-1 to compound BD-2-28, the compound BD-3-1 to compound BD-3- 22, compound BD-4-1 to compound BD-4-36, compound BD-5-1 to compound BD-5-36, compound BD-6-1 to compound BD-6-42, hydrogen in the structure is may be partially or wholly substituted by

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 화합물 BD-1-1 내지 화합물 BD-1-31, 화합물 BD-2-1 내지 화합물 BD-2-28, 화합물 BD-3-1 내지 화합물 BD-3-24, 화합물 BD-4-1 내지 화합물 BD-4-36, 화합물 BD-5-1 내지 화합물 BD-5-36, 화합물 BD-6-1 내지 화합물 BD-6-42의 구조 중의 수소는 듀테륨에 의해 부분적 또는 전체적으로 치환될 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the compound BD-1-1 to compound BD-1-31, the compound BD-2-1 to compound BD-2-28, the compound BD-3-1 to compound BD-3- 24, compound BD-4-1 to compound BD-4-36, compound BD-5-1 to compound BD-5-36, compound BD-6-1 to compound BD-6-42, hydrogen in the structure is may be partially or wholly substituted by

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 제1 호스트 재료는 식 3 내지 식 5 중의 임의의 하나로 나타낸 구조를 구비하고,According to one embodiment of the present invention, the first host material has a structure represented by any one of Formulas 3 to 5,

Figure pat00020
,
Figure pat00021
,
Figure pat00022
,
Figure pat00020
,
Figure pat00021
,
Figure pat00022
,

식 3에서, X1 내지 X3은 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 CR4 또는 N으로부터 선택되고, X1 내지 X3 중 적어도 하나는 N으로부터 선택되고;In Formula 3, each occurrence of X 1 to X 3 is identically or differently selected from CR 4 or N, and at least one of X 1 to X 3 is selected from N;

L은 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 단일 결합, 6-30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴렌기, 3∼30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴렌기, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되며;Whenever L appears, identically or differently, a group consisting of a single bond, a substituted or unsubstituted arylene group having 6 to 30 carbon atoms, a substituted or unsubstituted heteroarylene group having 3 to 30 carbon atoms, and combinations thereof is selected from;

식 4 또는 식 5에서, X4는 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 CR4 또는 N으로부터 선택되고, 식 4 또는 식 5 중 적어도 하나의 X4는 N으로부터 선택되며;In Formula 4 or Formula 5, each occurrence of X 4 is identically or differently selected from CR 4 or N, and at least one X 4 of Formula 4 or 5 is selected from N;

Z는 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 O 또는 S로부터 선택되고;Z is the same or different O each time it appears or S;

R1-R4은 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 수소, 듀테륨, 할로겐, 1∼20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬기, 3∼20 개의 고리탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 시클로알킬기, 1∼20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로알킬기, 3-20 개의 고리원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로시클릭기, 7∼30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아랄킬기, 1∼20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알콕시기, 6∼30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴옥시기, 2∼20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알케닐기, 2∼20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알키닐기, 6∼30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴기, 3∼30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기, 3∼20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬실릴기, 6∼20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴실릴기, 3∼20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬게르마닐기, 6∼20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴게르마닐기, 0∼20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아미노기, 아실기, 카르보닐기, 카르복실산기, 에스테르기, 시아노기, 이소시아노기, 하이드록시기, 술파닐기, 술피닐기, 술포닐기, 포스피노기, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되며;Each time R 1 -R 4 appears identically or differently, hydrogen, deuterium, halogen, a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted cycloalkyl group having 3 to 20 ring carbon atoms, 1 Substituted or unsubstituted heteroalkyl group having to 20 carbon atoms, substituted or unsubstituted heterocyclic group having 3 to 20 ring atoms, substituted or unsubstituted aralkyl group having 7 to 30 carbon atoms, 1 to 20 A substituted or unsubstituted alkoxy group having two carbon atoms, a substituted or unsubstituted aryloxy group having 6 to 30 carbon atoms, a substituted or unsubstituted alkenyl group having 2 to 20 carbon atoms, and a substituted or unsubstituted alkenyl group having 2 to 20 carbon atoms. A substituted or unsubstituted alkynyl group, a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 carbon atoms, a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 3 to 30 carbon atoms, a substituted or unsubstituted group having 3 to 20 carbon atoms substituted or unsubstituted arylsilyl group having 6 to 20 carbon atoms, substituted or unsubstituted alkylgermanyl group having 3 to 20 carbon atoms, substituted or unsubstituted alkylsilyl group having 6 to 20 carbon atoms Arylgermanyl group, substituted or unsubstituted amino group having 0 to 20 carbon atoms, acyl group, carbonyl group, carboxylic acid group, ester group, cyano group, isocyano group, hydroxyl group, sulfanyl group, sulfinyl group, sulfonyl group It is selected from the group consisting of , phosphino groups, and combinations thereof;

인접한 치환기 R4은 임의로 연결되어 고리를 형성할 수 있다.Adjacent substituents R 4 may be optionally linked to form a ring.

해당 실시예에서, 인접한 치환기 R4은 임의로 연결되어 고리를 형성할 수 있다는 것은, 두 개의 치환기 R4 사이는 연결되어 고리를 형성할 수 있음을 나타내는 의미이다. 자명한 것은, 두 개의 치환기 R4 사이는 모두 연결되지 않아 고리를 형성하지 않을 수도 있다.In this Example, the fact that adjacent substituents R 4 may be optionally linked to form a ring means that two substituents R 4 may be linked to form a ring. Obviously, between the two substituents R 4 may not form a ring by not connecting at all.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 여기서, 식 3에서, X1 내지 X3 중 적어도 두 개는 N이다.According to an embodiment of the present invention, in Formula 3, at least two of X 1 to X 3 are N.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 여기서, 식 3에서, X1 내지 X3 은 N이다.According to one embodiment of the present invention, where, in Formula 3, X 1 to X 3 are N.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 여기서, 식 3에서, L은 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 단일 결합, 6-18 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴렌기, 3-18 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴렌기, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되며;According to one embodiment of the present invention, where, in Formula 3, L is identically or differently each time it appears, a single bond, a substituted or unsubstituted arylene group having 6-18 carbon atoms, a substituted arylene group having 3-18 carbon atoms or an unsubstituted heteroarylene group, and is selected from the group consisting of combinations thereof;

본 발명의 일 실시예에 따르면, 여기서, 식 3에서, L은 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 단일 결합, 페닐렌기, 비페닐렌기, 플루오레닐렌기, 트리페닐레닐렌기, 푸라닐렌기, 티에닐렌기, 디벤조푸라닐렌기, 디벤조티오페닐렌기, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된다.According to one embodiment of the present invention, where, in Formula 3, L is identically or differently each time it appears, a single bond, a phenylene group, a biphenylene group, a fluorenylene group, a triphenylenylene group, a furanylene group, thienyl It is selected from the group consisting of a rene group, a dibenzofuranylene group, a dibenzothiophenylene group, and combinations thereof.

본 발명의 일 실시예에 따르면, R1 내지 R4은 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 수소, 듀테륨, 할로겐, 시아노기, 1∼20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬기, 3∼20 개의 고리탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 시클로알킬기, 6∼30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴기, 3∼30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된다.According to one embodiment of the present invention, whenever R 1 to R 4 appear identically or differently, hydrogen, deuterium, halogen, cyano group, substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, 3 to 20 rings In the group consisting of a substituted or unsubstituted cycloalkyl group having carbon atoms, a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 carbon atoms, a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 3 to 30 carbon atoms, and combinations thereof is chosen

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 R1 내지 R4은 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 수소, 듀테륨, 할로겐, 시아노기, 6∼18 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴기, 3∼18 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된다.According to one embodiment of the present invention, whenever R 1 to R 4 appear identically or differently, hydrogen, deuterium, halogen, cyano group, a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 18 carbon atoms, and 3 to 18 carbon atoms are selected. It is selected from the group consisting of a substituted or unsubstituted heteroaryl group having two carbon atoms, and combinations thereof.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 R1 내지 R4은 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 수소, 듀테륨, 불소, 시아노기, 페닐기, 비페닐기, 트리페닐렌기, 테트라페닐렌기, 인데닐기, 플루오렌기, 인돌릴기, 카바졸기, 벤조퓨란기, 디벤조퓨란기, 벤조실롤기, 디벤조실롤기, 벤조티오펜기, 디벤조티오펜기, 디벤조셀레노펜기, 트리아진기 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된다. According to one embodiment of the present invention, whenever R 1 to R 4 appear, they are identically or differently hydrogen, deuterium, fluorine, cyano group, phenyl group, biphenyl group, triphenylene group, tetraphenylene group, indenyl group, fluorene group, indolyl group, carbazole group, benzofuran group, dibenzofuran group, benzosilol group, dibenzosilol group, benzothiophene group, dibenzothiophene group, dibenzoselenophene group, triazine group, and combinations thereof selected from the group consisting of

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 제1 호스트 재료는 화합물 N-1-1 내지 화합물 N-1-53, 화합물 N-2-1 내지 화합물 N-2-32로 이루어진 군에서 선택되며; 상기 화합물 N-1-1 내지 화합물 N-1-53, 화합물 N-2-1 내지 화합물 N-2-32의 구체적인 구조는 청구항 14를 참조한다.According to one embodiment of the present invention, the first host material is selected from the group consisting of compound N-1-1 to compound N-1-53 and compound N-2-1 to compound N-2-32; For the specific structure of the compound N-1-1 to compound N-1-53 and the compound N-2-1 to compound N-2-32, see claim 14.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 화합물 N-1-1 내지 화합물 N-1-53, 화합물 N-2-1 내지 화합물 N-2-32의 구조 중의 수소는 듀테륨에 의해 부분적 또는 전체적으로 치환될 수 있다.According to one embodiment of the present invention, hydrogen in the structures of the compounds N-1-1 to N-1-53 and compounds N-2-1 to N-2-32 may be partially or entirely substituted by deuterium. can

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 제2 호스트 재료는 식 6으로 나타낸 구조를 구비하고,According to one embodiment of the present invention, the second host material has a structure represented by Equation 6,

Figure pat00023
Figure pat00023

식 6에서,In Equation 6,

L11은 단일 결합, 6-30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴렌기, 3∼30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴렌기, 혹은 이들의 조합에서 선택되고;L 11 is selected from a single bond, a substituted or unsubstituted arylene group having 6 to 30 carbon atoms, a substituted or unsubstituted heteroarylene group having 3 to 30 carbon atoms, or a combination thereof;

Ar11은 6∼30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴기, 3∼30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기, 0∼30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아미노기, 혹은 이들의 조합에서 선택되며;Ar 11 is a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 carbon atoms, a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 3 to 30 carbon atoms, a substituted or unsubstituted amino group having 0 to 30 carbon atoms, or any of these is selected from a combination of;

R6은 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 단일치환, 다중치환 또는 비치환을 나타내고;Each occurrence of R 6 identically or differently represents mono-substitution, poly-substitution or non-substitution;

R6은 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 수소, 듀테륨, 할로겐, 1∼20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬기, 3∼20 개의 고리탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 시클로알킬기, 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로알킬기, 3-20 개의 고리원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로시클릭기, 7∼30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아랄킬기, 1∼20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알콕시기, 6∼30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴옥시기, 2∼20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알케닐기, 6∼30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴기, 3∼30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기, 3∼20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬실릴기, 6∼20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴실릴기, 3∼20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬게르마닐기, 6∼20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴게르마닐기, 0∼20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아미노기, 아실기, 카르보닐기, 카르복실산기, 에스테르기, 시아노기, 이소시아노기, 하이드록시기, 술파닐기, 술피닐기, 술포닐기, 포스피노기, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되며;Whenever R 6 appears, identically or differently, hydrogen, deuterium, halogen, a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted cycloalkyl group having 3 to 20 ring carbon atoms, or 1 to 20 carbon atoms A substituted or unsubstituted heteroalkyl group having carbon atoms, a substituted or unsubstituted heterocyclic group having 3 to 20 ring atoms, a substituted or unsubstituted aralkyl group having 7 to 30 carbon atoms, and a substituted or unsubstituted aralkyl group having 1 to 20 carbon atoms. A substituted or unsubstituted alkoxy group having 6 to 30 carbon atoms, a substituted or unsubstituted aryloxy group having 2 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted alkenyl group having 6 to 30 carbon atoms, or a substituted or unsubstituted group having 6 to 30 carbon atoms. cyclic aryl group, substituted or unsubstituted heteroaryl group having 3 to 30 carbon atoms, substituted or unsubstituted alkylsilyl group having 3 to 20 carbon atoms, substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 20 carbon atoms Silyl group, substituted or unsubstituted alkylgermanyl group having 3 to 20 carbon atoms, substituted or unsubstituted arylgermanyl group having 6 to 20 carbon atoms, substituted or unsubstituted amino group having 0 to 20 carbon atoms , It is selected from the group consisting of an acyl group, a carbonyl group, a carboxylic acid group, an ester group, a cyano group, an isocyano group, a hydroxy group, a sulfanyl group, a sulfinyl group, a sulfonyl group, a phosphino group, and combinations thereof;

인접한 치환기 R6은 임의로 연결되어 고리를 형성할 수 있다.Adjacent substituents R 6 may be optionally linked to form a ring.

본 문에서, 인접한 치환기 R6은 임의로 연결되어 고리를 형성할 수 있다는 것은, 두 개의 치환기 R6 사이는 연결되어 고리를 형성할 수 있음을 나타내는 의미이다. 자명한 것은, 두 개의 치환기 R6 사이는 모두 연결되지 않아 고리를 형성하지 않을 수도 있다.In the present specification, the fact that adjacent substituents R 6 may be optionally linked to form a ring means that two substituents R 6 may be linked to form a ring. Obviously, the two substituents R 6 may not form a ring by not connecting at all.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 제2 호스트 재료는 식 6-1 또는 식 6-2로 나타낸 구조를 구비하고,According to one embodiment of the present invention, the second host material has a structure represented by Formula 6-1 or Formula 6-2,

Figure pat00024
,
Figure pat00025
,
Figure pat00024
,
Figure pat00025
,

L11, L12은 단일 결합, 6-30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴렌기, 3∼30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴렌기, 혹은 이들의 조합에서 선택되고;L 11 and L 12 are selected from a single bond, a substituted or unsubstituted arylene group having 6 to 30 carbon atoms, a substituted or unsubstituted heteroarylene group having 3 to 30 carbon atoms, or a combination thereof;

Ar11은 6∼30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴기, 3∼30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기, 0∼30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아미노기, 혹은 이들의 조합에서 선택되며;Ar 11 is a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 carbon atoms, a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 3 to 30 carbon atoms, a substituted or unsubstituted amino group having 0 to 30 carbon atoms, or any of these is selected from a combination of;

R6은 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 단일치환, 다중치환 또는 비치환을 나타내고;Each occurrence of R 6 identically or differently represents mono-substitution, poly-substitution or non-substitution;

R6은 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 수소, 듀테륨, 할로겐, 1∼20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬기, 3∼20 개의 고리탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 시클로알킬기, 1∼20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로알킬기, 3-20 개의 고리원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로시클릭기, 7∼30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아랄킬기, 1∼20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알콕시기, 6∼30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴옥시기, 2∼20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알케닐기, 6∼30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴기, 3∼30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기, 3∼20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬실릴기, 6∼20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴실릴기, 3∼20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬게르마닐기, 6∼20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴게르마닐기, 0∼20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아미노기, 아실기, 카르보닐기, 카르복실산기, 에스테르기, 시아노기, 이소시아노기, 하이드록시기, 술파닐기, 술피닐기, 술포닐기, 포스피노기, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되며;Whenever R 6 appears, identically or differently, hydrogen, deuterium, halogen, a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted cycloalkyl group having 3 to 20 ring carbon atoms, or 1 to 20 carbon atoms A substituted or unsubstituted heteroalkyl group having carbon atoms, a substituted or unsubstituted heterocyclic group having 3 to 20 ring atoms, a substituted or unsubstituted aralkyl group having 7 to 30 carbon atoms, and a substituted or unsubstituted aralkyl group having 1 to 20 carbon atoms. A substituted or unsubstituted alkoxy group having 6 to 30 carbon atoms, a substituted or unsubstituted aryloxy group having 2 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted alkenyl group having 6 to 30 carbon atoms, or a substituted or unsubstituted group having 6 to 30 carbon atoms. cyclic aryl group, substituted or unsubstituted heteroaryl group having 3 to 30 carbon atoms, substituted or unsubstituted alkylsilyl group having 3 to 20 carbon atoms, substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 20 carbon atoms Silyl group, substituted or unsubstituted alkylgermanyl group having 3 to 20 carbon atoms, substituted or unsubstituted arylgermanyl group having 6 to 20 carbon atoms, substituted or unsubstituted amino group having 0 to 20 carbon atoms , It is selected from the group consisting of an acyl group, a carbonyl group, a carboxylic acid group, an ester group, a cyano group, an isocyano group, a hydroxy group, a sulfanyl group, a sulfinyl group, a sulfonyl group, a phosphino group, and combinations thereof;

인접한 치환기 R6은 임의로 연결되어 고리를 형성할 수 있다.Adjacent substituents R 6 may be optionally linked to form a ring.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 제2 호스트 재료는 식 6-3 또는 식 6-4로 나타낸 구조를 구비하고,According to one embodiment of the present invention, the second host material has a structure represented by Formula 6-3 or Formula 6-4,

Figure pat00026
,
Figure pat00027
,
Figure pat00026
,
Figure pat00027
,

Ar11은 6∼30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴기, 3∼30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기, 0∼30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아미노기, 혹은 이들의 조합에서 선택되고;Ar 11 is a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 carbon atoms, a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 3 to 30 carbon atoms, a substituted or unsubstituted amino group having 0 to 30 carbon atoms, or any of these is selected from a combination of;

L11은 단일 결합, 6-30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴렌기, 3∼30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴렌기, 혹은 이들의 조합에서 선택되며;L 11 is selected from a single bond, a substituted or unsubstituted arylene group having 6 to 30 carbon atoms, a substituted or unsubstituted heteroarylene group having 3 to 30 carbon atoms, or a combination thereof;

R6은 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 단일치환, 다중치환 또는 비치환을 나타내고;Each occurrence of R 6 identically or differently represents mono-substitution, poly-substitution or non-substitution;

R6은 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 수소, 듀테륨, 할로겐, 1∼20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬기, 3∼20 개의 고리탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 시클로알킬기, 1∼20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로알킬기, 3-20 개의 고리원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로시클릭기, 7∼30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아랄킬기, 1∼20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알콕시기, 6∼30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴옥시기, 2∼20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알케닐기, 6∼30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴기, 3∼30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기, 3∼20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬실릴기, 6∼20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴실릴기, 3∼20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬게르마닐기, 6∼20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴게르마닐기, 0∼20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아미노기, 아실기, 카르보닐기, 카르복실산기, 에스테르기, 시아노기, 이소시아노기, 하이드록시기, 술파닐기, 술피닐기, 술포닐기, 포스피노기, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되며;Whenever R 6 appears, identically or differently, hydrogen, deuterium, halogen, a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted cycloalkyl group having 3 to 20 ring carbon atoms, or 1 to 20 carbon atoms A substituted or unsubstituted heteroalkyl group having carbon atoms, a substituted or unsubstituted heterocyclic group having 3 to 20 ring atoms, a substituted or unsubstituted aralkyl group having 7 to 30 carbon atoms, and a substituted or unsubstituted aralkyl group having 1 to 20 carbon atoms. A substituted or unsubstituted alkoxy group having 6 to 30 carbon atoms, a substituted or unsubstituted aryloxy group having 2 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted alkenyl group having 6 to 30 carbon atoms, or a substituted or unsubstituted group having 6 to 30 carbon atoms. cyclic aryl group, substituted or unsubstituted heteroaryl group having 3 to 30 carbon atoms, substituted or unsubstituted alkylsilyl group having 3 to 20 carbon atoms, substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 20 carbon atoms Silyl group, substituted or unsubstituted alkylgermanyl group having 3 to 20 carbon atoms, substituted or unsubstituted arylgermanyl group having 6 to 20 carbon atoms, substituted or unsubstituted amino group having 0 to 20 carbon atoms , It is selected from the group consisting of an acyl group, a carbonyl group, a carboxylic acid group, an ester group, a cyano group, an isocyano group, a hydroxy group, a sulfanyl group, a sulfinyl group, a sulfonyl group, a phosphino group, and combinations thereof;

인접한 치환기 R6은 임의로 연결되어 고리를 형성할 수 있다.Adjacent substituents R 6 may be optionally linked to form a ring.

본 발명의 일 실시예에 따르면, R6은 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 수소, 듀테륨, 할로겐, 시아노기, 1∼20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬기, 3∼20 개의 고리탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 시클로알킬기, 6∼30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴기, 3∼30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기, 3∼20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬실릴기, 6∼20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴실릴기, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된다.According to one embodiment of the present invention, whenever R 6 appears, identically or differently, hydrogen, deuterium, halogen, cyano group, substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, and 3 to 20 ring carbon atoms are selected. A substituted or unsubstituted cycloalkyl group, a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 carbon atoms, a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 3 to 30 carbon atoms, a substituted or unsubstituted group having 3 to 20 carbon atoms It is selected from the group consisting of an alkylsilyl group, a substituted or unsubstituted arylsilyl group having 6 to 20 carbon atoms, and combinations thereof.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 R6은 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 수소, 듀테륨, 할로겐, 시아노기, 6∼18 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴기, 3∼18 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된다.According to one embodiment of the present invention, whenever R 6 appears, identically or differently, hydrogen, deuterium, halogen, cyano group, substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 18 carbon atoms, or 3 to 18 carbon atoms It is selected from the group consisting of a substituted or unsubstituted heteroaryl group having, and a combination thereof.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 R6은 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 수소, 듀테륨, 불소, 시아노기, 페닐기, 비페닐기, 트리페닐렌기, 테트라페닐렌기, 인데닐기, 플루오렌기, 인돌릴기, 카바졸기, 벤조퓨란기, 디벤조퓨란기, 벤조실롤기, 디벤조실롤기, 벤조티오펜기, 디벤조티오펜기, 디벤조셀레노펜기, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된다. According to one embodiment of the present invention, whenever R 6 appears, the same or different is hydrogen, deuterium, fluorine, cyano group, phenyl group, biphenyl group, triphenylene group, tetraphenylene group, indenyl group, fluorene group, indole group. It is selected from the group consisting of a reel group, a carbazole group, a benzofuran group, a dibenzofuran group, a benzosilol group, a dibenzosilol group, a benzothiophene group, a dibenzothiophene group, a dibenzoselenophene group, and combinations thereof .

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 제2 호스트 재료는 화합물 P-1 내지 화합물 P-24로 이루어진 군에서 선택되며, 상기 화합물 P-1 내지 화합물 P-24의 구체적인 구조는 청구항 19를 참조한다.According to one embodiment of the present invention, the second host material is selected from the group consisting of compound P-1 to compound P-24, and the specific structure of the compound P-1 to compound P-24 refers to claim 19 .

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 제1 화합물은 지연형광 발광재료이고, 제1 호스트 재료는 n형 호스트 재료이며, 제2 호스트 재료는 p형 호스트 재료이다.According to an embodiment of the present invention, the first compound is a delayed fluorescence light emitting material, the first host material is an n-type host material, and the second host material is a p-type host material.

본 문에서 p형 호스트 재료는 카바졸기를 포함하는 유기 화합물 또는 트리아릴아민 유기 화합물이고, 이의 HOMO 값은 일반적으로 -5.8eV보다 크며; n형 호스트 재료는 피리딘기, 피리미딘기, 트리아진기, 아자디벤조퓨란기, 아자디벤조티오펜기, 아자카바졸기 등 화학 그룹을 포함하는 유기 화합물이고, 이의 LUMO 값은 일반적으로 -2.3eV보다 작다.In this context, the p-type host material is an organic compound containing a carbazole group or a triarylamine organic compound, and its HOMO value is generally greater than -5.8 eV; The n-type host material is an organic compound containing a chemical group such as a pyridine group, a pyrimidine group, a triazine group, an azadibenzofuran group, an azadibenzothiophene group, and an azacarbazole group, and its LUMO value is generally -2.3eV smaller than

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 유기 전계발광소자는 청색광을 방출한다.According to one embodiment of the present invention, the organic electroluminescent device emits blue light.

본 발명의 다른 일 실시예에 따르면, 전자설비를 더 개시하였으며, 이는 전술한 임의의 하나의 실시예에서 설명한 유기 전계발광소자를 포함한다.According to another embodiment of the present invention, an electronic equipment is further disclosed, which includes the organic electroluminescent device described in any one of the embodiments described above.

본 발명의 다른 일 실시예에 따르면, 조성물을 더 개시하였으며, 이는 적어도 제1 화합물, 제1 호스트 재료 및 제2 호스트 재료를 포함하되, 상기 제1 화합물, 제1 호스트 재료 및 제2 호스트 재료는 전술한 임의의 하나의 실시예에서 설명한 바와 같다.According to another embodiment of the present invention, a composition is further disclosed, comprising at least a first compound, a first host material and a second host material, wherein the first compound, the first host material and the second host material are As described in any one of the embodiments described above.

기타 재료와의 조합Combination with other materials

본 발명에 기재된 유기 발광소자에서의 특정층에 사용되는 재료는, 소자에 존재하는 다양한 기타 재료와 조합되어 사용될 수 있다. 이러한 재료의 조합은 미국특허출원 US2016/0359122A1의 제0132∼0161 단락에 상세하게 기술되었으며, 그 전부 내용은 본문에 인용되어 결합된다. 여기서, 기술되거나 언급된 재료는, 본문에 개시된 화합물과 조합되어 사용될 수 있는 재료의 비한정적인 예시이고, 본 분야 당업자는 조합 및 사용가능한 기타 재료를 식별할 수 있도록 문헌을 용이하게 참고할 수 있다.Materials used for a specific layer in the organic light emitting device described in the present invention may be used in combination with various other materials present in the device. The combination of these materials is described in detail in paragraphs 0132 to 0161 of US patent application US2016/0359122A1, the entire contents of which are incorporated herein by reference. The materials described or referenced herein are non-limiting examples of materials that can be used in combination with the compounds disclosed herein, and those skilled in the art can readily refer to the literature to identify combinations and other materials that can be used.

본문에서는, 유기 발광소자에서의 구체적인 층에 사용가능한 재료는 상기 소자에 존재하는 여러 종류의 기타 재료와 조합되어 사용될 수 있는 것으로 설명된다. 예를 들어, 본문에 개시된 화합물 여러 종류의 호스트, 도판트(dopant), 수송층, 차단층, 주입층, 전극 및 존재할 수 있는 기타 층과 결합되어 사용될 수 있다. 이러한 재료의 조합은 특허출원 US2015/0349273A1의 제0080-0101 단락에 상세하게 기술되었으며, 그 전부 내용은 본문에 인용되어 결합된다. 여기서, 기술되거나 언급된 재료는, 본문에 개시된 화합물과 조합되어 사용될 수 있는 재료의 비한정적인 예시이고, 본 분야 당업자는 조합 및 사용가능한 기타 재료를 식별할 수 있도록 문헌을 용이하게 참고할 수 있다.In this text, it is explained that materials usable for a specific layer in an organic light emitting device can be used in combination with various types of other materials present in the device. For example, the compounds disclosed herein may be used in combination with various types of hosts, dopants, transport layers, blocking layers, injection layers, electrodes, and other layers that may be present. The combination of these materials is described in detail in paragraphs 0080-0101 of patent application US2015/0349273A1, the entire contents of which are incorporated herein by reference. The materials described or referenced herein are non-limiting examples of materials that can be used in combination with the compounds disclosed herein, and those skilled in the art can readily refer to the literature to identify combinations and other materials that can be used.

재료합성의 실시예에서, 별도로 언급되지 않는 한 모든 반응은 질소 가스 보호 하에서 진행된다. 모든 반응용매는 무수(anhydrous)이고 상업적 공급원으로부터 받은 그대로 사용된다. 합성된 생성물은 본 분야 상규적인 하나 또는 여러 종류의 설비(BRUKER의 핵자기공명분광기, SHIMADZU의 액체 크로마토그래피(liquid chromatography), 크로마토그래프 질량 분석계(liquid chromatograph-mass spectrometry), 가스 크로마토그래프 질량 분석계(gas chromatograph-mass spectrometry), 시차주사 열량계(differential scanning calorimeter), 상해 LENGGUANG TECH.의 형광분광광도계, 우한 CORRTEST의 전기화학 워크스테이션 및 안후이 BEQ의 승화장치(sublimation apparatus) 등을 포함하나 이에 한정되지 않음)를 사용하여, 본 분야 당업자에게 잘 알려진 방법에 의해 구조가 확인되고 특성이 테스트된다. 소자의 실시예에서, 소자의 특성도 본 분야 상규적인 설비(ANGSTROM ENGINEERING에서 생산한 증착기, 소주 FATAR에서 생산한 광학 테스트시스템 및 수명테스트 시스템, 북경 ELLITOP에서 생산한 타원계측기(ellipsometer) 등을 포함하나 이에 한정되지 않음)를 사용하여, 본 분야 당업자에게 잘 알려진 방법에 의해 테스트된다. 본 분야 당업자는 상기 설비의 사용, 테스트 방법 등 관련내용을 잘 알고 있어 시료의 고유 데이터를 확실하면서도 영향을 받지 않고 얻을 수 있으므로, 본원에서 상기 관련내용을 더이상 설명하지 않는다.In the material synthesis example, all reactions are conducted under nitrogen gas protection unless otherwise noted. All reaction solvents were anhydrous and used as received from commercial sources. The synthesized product is synthesized using one or several types of equipment routine in this field (BRUKER's nuclear magnetic resonance spectrometer, SHIMADZU's liquid chromatography, liquid chromatograph-mass spectrometry, gas chromatograph mass spectrometer ( gas chromatograph-mass spectrometry), differential scanning calorimeter, fluorescence spectrophotometer of Shanghai LENGGUANG TECH., electrochemical workstation of Wuhan CORRTEST, and sublimation apparatus of Anhui BEQ, etc. ), the structure is confirmed and the properties are tested by methods well known to those skilled in the art. In the embodiment of the device, the characteristics of the device also include regular equipment in this field (evaporator produced by ANGSTROM ENGINEERING, optical test system and life test system produced by Suzhou FATAR, ellipsometer produced by Beijing ELLITOP, etc. (but not limited thereto) is tested by methods well known to those skilled in the art. A person skilled in the art is well aware of the use of the equipment, the test method, and the like, so that the unique data of the sample can be obtained reliably and unaffected, so the above related details are not further described herein.

재료 합성 실시예:Material Synthesis Example:

본 발명의 화합물의 제조방법은 제한되지 않고, 전형적으로는 하기 화합물을 예로 들고 있으나 이에 한정되는 것이 아니며, 그의 합성경로 및 제조방법은 다음과 같다.The preparation method of the compound of the present invention is not limited, and typically includes the following compounds as examples, but is not limited thereto, and the synthesis route and preparation method thereof are as follows.

합성 실시예 1: 화합물 BD-1-1의 합성Synthesis Example 1: Synthesis of Compound BD-1-1

제1 단계: 중간물 1의 합성Step 1: Synthesis of Intermediate 1

Figure pat00028
Figure pat00028

실온에서 질소가스의 보호하에, 순차적으로 2-브로모-9-페닐-9H-카바졸(15.0g, 46.5mmol), 카바졸(7.8g, 46.5mmol), 팔라듐 아세테이트(1.0g, 4.6mmol), 트리-tert-부틸포스핀 테트라플루오로보레이트(2.7g, 9.3mmol), 소듐-tert-부톡사이드(11.0g, 114.7mmol)를 자일렌(150.0mL)에 첨가하고, 그 다음 140℃까지 승온하여 반응이 완료될 때까지 반응시킨다. 반응이 완료된 후, 반응액을 뜨거울 때 셀라이트로 여과시키고 농축시키며, 톨루엔으로 재결정하여 백색 고체인 중간물 1(13.6g, 33.3mmol, 72%)을 얻는다.Under the protection of nitrogen gas at room temperature, sequentially 2-bromo-9-phenyl-9H-carbazole (15.0 g, 46.5 mmol), carbazole (7.8 g, 46.5 mmol), palladium acetate (1.0 g, 4.6 mmol) , tri-tert-butylphosphine tetrafluoroborate (2.7 g, 9.3 mmol) and sodium-tert-butoxide (11.0 g, 114.7 mmol) were added to xylene (150.0 mL), then the temperature was raised to 140 °C. and react until the reaction is complete. After the reaction was completed, the reaction solution was filtered through celite while hot, concentrated, and recrystallized from toluene to obtain Intermediate 1 (13.6 g, 33.3 mmol, 72%) as a white solid.

제2 단계: 화합물 BD-1-1의 합성Step 2: Synthesis of Compound BD-1-1

Figure pat00029
Figure pat00029

실온에서 질소가스의 보호하에, 중간물 1(13.6g, 33.3mmol)을 o-디클로로벤젠(150.0mL)에 용해시킨 다음, 삼브롬화붕소(BBr3, 20.0mL)를 첨가하고, 시스템을 고압솥에서 180℃까지 가열하여 36h 동안 반응시킨다. 반응물이 실온까지 냉각된 후, 고체를 여과시키고, 고체를 재결정하여 황색 고체인 BD-1-1(0.75g, 1.8mmol, 5.4%)을 얻으며, 해당 생성물은 분자량이 416.2인 목표 생성물인 것으로 확인되었다. Under the protection of nitrogen gas at room temperature, Intermediate 1 (13.6 g, 33.3 mmol) was dissolved in o-dichlorobenzene (150.0 mL), then boron tribromide (BBr 3 , 20.0 mL) was added, and the system was autoclaved. heated to 180 ° C and reacted for 36 h. After the reaction was cooled to room temperature, the solid was filtered and the solid was recrystallized to obtain BD-1-1 (0.75 g, 1.8 mmol, 5.4%) as a yellow solid, which was identified as the target product with a molecular weight of 416.2 It became.

합성 실시예 2: 화합물 BD-1-2의 합성Synthesis Example 2: Synthesis of Compound BD-1-2

제1 단계: 중간물 2의 합성Step 1: Synthesis of Intermediate 2

Figure pat00030
Figure pat00030

5-브로모-4-플루오로-2-메틸아닐린(60g, 294mmol)을 2L의 3구 플라스크에 넣고 염산(12M, 226mL)을 첨가하여 백색 고체가 석출되면 0℃에서 30 min 동안 교반하고, 아질산나트륨(40g, 580mmol) 수용액을 서서히 떨어뜨린다. 30min 동안 교반한 후, 요오드화칼륨(160g, 962mmol)을 첨가한다. 0℃에서 유지하면서 2h 동안 교반한 후, 티오황산나트륨 고용체를 추가하고 30min 동안 교반한다. 수상을 에틸아세테이트로 추출한 후, 유기상을 합병하고, 컬럼크로마토그래피로 정제하여 중간물 2(66.2g, 210mmol)를 얻는다.5-Bromo-4-fluoro-2-methylaniline (60 g, 294 mmol) was put in a 2 L three-necked flask, hydrochloric acid (12 M, 226 mL) was added, and when a white solid precipitated, stirred at 0 ° C. for 30 min, An aqueous solution of sodium nitrite (40 g, 580 mmol) was slowly dropped. After stirring for 30 min, potassium iodide (160 g, 962 mmol) is added. After stirring for 2 h while maintaining at 0° C., sodium thiosulfate solid solution is added and stirred for 30 min. After extracting the aqueous phase with ethyl acetate, the organic phases were combined and purified by column chromatography to obtain intermediate 2 (66.2 g, 210 mmol).

제2 단계: 중간물 3의 합성Step 2: Synthesis of Intermediate 3

Figure pat00031
Figure pat00031

질소가스의 조건 하에, 중간물 2(58.9g, 187mmol)를 탄산세슘(122g, 374mmol), 카바졸(31.2g, 187mmol)과 혼합하고, NMP(370mL)를 첨가하고, 130℃까지 가열하여 2h 동안 반응시킨다. 반응물이 실온까지 냉각된 후, 대량의 물을 넣고, 에틸아세테이트로 추출한 후, 유기상을 합병하고, 컬럼크로마토그래피로 정제하여 중간물 3(86.4g, 187mmol)을 얻는다.Under the condition of nitrogen gas, Intermediate 2 (58.9g, 187mmol) was mixed with cesium carbonate (122g, 374mmol) and carbazole (31.2g, 187mmol), NMP (370mL) was added, and heated to 130°C for 2h. react while After the reactants were cooled to room temperature, a large amount of water was added, extracted with ethyl acetate, and the organic phases were combined and purified by column chromatography to obtain an intermediate 3 (86.4 g, 187 mmol).

제3 단계: 중간물 4의 합성Step 3: Synthesis of Intermediate 4

Figure pat00032
Figure pat00032

중간물 3(86.4g, 187mmol)과 이소프로폭시피나콜라토보레이트(45.7mL, 224mmol)를 혼합하고, 테트라히드로퓨란(200mL)을 첨가한 후, 0℃에서 교반하고, 이소프로필 염화마그네슘(200mmol, 100mL)을 서서히 떨어뜨린다. 반응온도를 실온까지 천천히 승온하고 밤새 교반한다. 반응이 완료된 후, 대량의 물을 넣고, 수상을 에틸아세테이트로 추출한다. 유기상을 합병하고, 컬럼크로마토그래피로 정제하여, 최종적으로 중간물 4(31.1g, 93mmol)을 얻는다.Intermediate 3 (86.4 g, 187 mmol) and isopropoxy pinacola toborate (45.7 mL, 224 mmol) were mixed, tetrahydrofuran (200 mL) was added, stirred at 0 ° C, and isopropyl magnesium chloride (200 mmol) was added. , 100 mL) is slowly dropped. The reaction temperature was slowly raised to room temperature and stirred overnight. After the reaction is complete, a large amount of water is added, and the aqueous phase is extracted with ethyl acetate. The organic phases were combined and purified by column chromatography to finally obtain Intermediate 4 (31.1 g, 93 mmol).

제4 단계: 중간물 5의 합성Step 4: Synthesis of Intermediate 5

Figure pat00033
Figure pat00033

질소가스의 조건 하에, 중간물 4(31.1g, 93mmol), o-니트로브로모벤젠(18.8g, 93mmol), 테트라키스(트리페닐포스핀)팔라듐(2.68g, 2.3mmol), 탄산칼륨(25g, 186mmol)을 플라스크에 첨가하고, 톨루엔/에탄올/물=3/1/1(총 180mL)을 첨가하며, 90℃까지 가열하여 2h 동안 반응시킨다. 반응물이 실온까지 냉각된 후, 수상을 디클로로메탄으로 추출하고, 유기상을 합병하며, 컬럼크로마토그래피로 정제하여, 최종적으로 중간물 5(31.9g, 70mmol)를 얻는다.Under the condition of nitrogen gas, intermediate 4 (31.1 g, 93 mmol), o-nitrobromobenzene (18.8 g, 93 mmol), tetrakis (triphenylphosphine) palladium (2.68 g, 2.3 mmol), potassium carbonate (25 g) , 186 mmol) was added to the flask, and toluene/ethanol/water=3/1/1 (total 180 mL) was added, heated to 90° C. and reacted for 2 h. After the reactants were cooled to room temperature, the aqueous phase was extracted with dichloromethane, the organic phases were combined, and purified by column chromatography to finally obtain intermediate 5 (31.9 g, 70 mmol).

제5 단계: 중간물 6의 합성Step 5: Synthesis of Intermediate 6

Figure pat00034
Figure pat00034

질소가스의 조건 하에, 중간물 5(31.9g, 70mmol), 트리페닐포스핀(55g, 210mmol), 디클로로벤젠(100mL)을 혼합하고, 180℃까지 가열하여 밤새 반응시킨다. 반응물이 실온까지 냉각된 후, 대부분의 디클로로벤젠을 회전건조하고, 컬럼크로마토그래피로 정제하여 최종적으로 중간물 6(20.7g, 48.6mmol)을 얻는다.Intermediate 5 (31.9g, 70mmol), triphenylphosphine (55g, 210mmol), and dichlorobenzene (100mL) were mixed under the condition of nitrogen gas, and reacted overnight by heating to 180°C. After the reactant was cooled to room temperature, most of the dichlorobenzene was spin-dried and purified by column chromatography to finally obtain an intermediate 6 (20.7 g, 48.6 mmol).

제6 단계: 중간물 7의 합성Step 6: Synthesis of Intermediate 7

Figure pat00035
Figure pat00035

질소가스의 조건 하에, 중간물 6(20.7g, 48.6mmol), 구리 분말(1.5g, 24mmol), 황산나트륨(20g, 145.5mmol), 탄산칼륨(19.7g, 145.5mmol)을 플라스크에 첨가하고, 반응용매인 니트로벤젠(300mL)을 첨가하여, 200℃까지 승온하여 밤새 반응시킨다. 반응물이 실온까지 냉각된 후, 셀라이트로 여과시키고 감압증류하여 대부분의 니트로벤젠을 제거한 후, 컬럼크로마토그래피로 정제하여 중간물 7(19.3g, 38.6mmol)을 얻는다.Under the condition of nitrogen gas, intermediate 6 (20.7 g, 48.6 mmol), copper powder (1.5 g, 24 mmol), sodium sulfate (20 g, 145.5 mmol), and potassium carbonate (19.7 g, 145.5 mmol) were added to the flask and reacted. Nitrobenzene (300 mL) as a solvent was added, and the temperature was raised to 200° C. to react overnight. After the reactant was cooled to room temperature, filtered through celite, distilled under reduced pressure to remove most of the nitrobenzene, and purified by column chromatography to obtain an intermediate 7 (19.3 g, 38.6 mmol).

제7 단계: 화합물 BD-1-2의 합성Step 7: Synthesis of Compound BD-1-2

Figure pat00036
Figure pat00036

질소가스의 조건 하에, 중간물 7(20.1g, 38.6mmol)을 t-부틸벤젠(100mL)에 첨가한 후, -30℃로 온도를 내리고, n-부틸리튬(2.4M, 24mL)을 떨어뜨리고, 첨가 완료한 후, 얼음욕을 제거하고, 온도를 실온으로 복귀한 다음, 60℃까지 승온하여 1h 동안 반응시키며, -30℃로 온도를 내리고, 삼브롬화붕소(7mL, 77mmol)를 떨어뜨리고, 실온으로 복귀하고 30min 동안 교반한 다음, 0℃로 냉각시키고, N,N-디이소프로필에틸아민(DIPEA, 13mL, 77mmol)을 떨어뜨리고, 얼음욕을 제거하고, 시스템이 더 이상 발열하지 않을 때까지 반응시키고, 다시 120℃까지 승온하여 밤새 반응시킨다. 얼음욕에서 염화암모늄 용액을 첨가하여 퀀칭하고, 에틸아세테이트로 추출하며, 유기상을 농축한 후 톨루엔으로 여과된 고체를 용해하고, 재결정하여 화합물 BD-1-2(2.4g, 5.5mmol)를 얻는다. 생성물은 분자량이 430.2인 목표 생성물인 것으로 확인되었다.Under the condition of nitrogen gas, intermediate 7 (20.1 g, 38.6 mmol) was added to t-butylbenzene (100 mL), then the temperature was lowered to -30 ° C, and n-butyllithium (2.4 M, 24 mL) was dropped. , After the addition was completed, the ice bath was removed, the temperature was returned to room temperature, then the temperature was raised to 60 ° C and reacted for 1 h, the temperature was lowered to -30 ° C, boron tribromide (7 mL, 77 mmol) was dropped, Return to room temperature and stir for 30 min, then cool to 0 °C, dropwise N,N-diisopropylethylamine (DIPEA, 13 mL, 77 mmol), remove the ice bath, and when the system no longer exotherms and reacted overnight by raising the temperature to 120°C. Quenched by adding ammonium chloride solution in an ice bath, extracted with ethyl acetate, concentrated the organic phase, dissolved the filtered solid with toluene, and recrystallized to obtain compound BD-1-2 (2.4 g, 5.5 mmol). The product was identified as the target product with a molecular weight of 430.2.

합성 실시예 3: BD-3-23의 합성Synthesis Example 3: Synthesis of BD-3-23

제1 단계: 중간물 8의 합성Step 1: Synthesis of Intermediate 8

Figure pat00037
Figure pat00037

2L의 반응플라스크에 순차적으로 2-브로모-5-플루오로-니트로벤젠(220g, 1mol), 페닐보론산(146g, 1.2mol), 테트라키스(트리페닐포스핀)팔라듐(2g, 1.7mmol), 탄산칼륨(272g, 2mol), 톨루엔 720mL, 에탄올 240mL 및 물 240mL를 첨가하고, 반응액에 5min 동안 연속적으로 질소가스를 통과시키고, 질소가스의 보호 하에 90℃까지 가열하여 2h 동안 반응시킨다. 반응물이 실온까지 냉각된 후, 디클로로메탄으로 추출하고, 유기상을 합병하며, 컬럼크로마토그래피로 정제하여, 중간물 8(160g, 736mmol)을 얻는다.2-bromo-5-fluoro-nitrobenzene (220 g, 1 mol), phenylboronic acid (146 g, 1.2 mol), tetrakis (triphenylphosphine) palladium (2 g, 1.7 mmol) were sequentially added to a 2 L reaction flask. , Potassium carbonate (272 g, 2 mol), toluene 720 mL, ethanol 240 mL and water 240 mL were added, nitrogen gas was continuously passed through the reaction solution for 5 min, heated to 90 ° C. under the protection of nitrogen gas, and reacted for 2 h. After the reaction was cooled to room temperature, it was extracted with dichloromethane, and the organic phases were combined and purified by column chromatography to obtain intermediate 8 (160 g, 736 mmol).

제2 단계: 중간물 9의 합성Step 2: Synthesis of Intermediate 9

Figure pat00038
Figure pat00038

250mL의 반응플라스크에 순차적으로 중간물 8(88g, 405mmol), 사브롬화탄소(181g, 546mmol), 리튬t-부톡사이드(43.6g, 546mmol) 및 100mL DMF를 첨가한다. 실온에서 교반하여 반응이 완료된 후, 디클로로메탄으로 추출하고, 유기상을 합병하며, 컬럼크로마토그래피로 정제하여, 중간물 9(20g, 67.5mmol)를 얻는다.Intermediate 8 (88 g, 405 mmol), carbon tetrabromide (181 g, 546 mmol), lithium t-butoxide (43.6 g, 546 mmol) and 100 mL DMF were sequentially added to a 250 mL reaction flask. After the reaction was completed by stirring at room temperature, extraction was performed with dichloromethane, the organic phases were combined, and purified by column chromatography to obtain intermediate 9 (20 g, 67.5 mmol).

제3 단계: 중간물 11의 합성Step 3: Synthesis of Intermediate 11

Figure pat00039
Figure pat00039

중간물 10(11.4g, 38.8mmol)을 DMF(190mL)에 넣고, 얼음물(ice-water bath)에서 교반한 후, 배치식으로 수소화 나트륨(60%, 2.3g, 58mmol)를 첨가한 후, 실온으로 복귀하고 반시간 동안 반응시키며, 반응물을 다시 얼음물에 놓고, 중간물 9를 첨가하고, 저온에서 2시간 동안 반응시킨다. 반응이 완료된 후, 물 200mL를 첨가하고, 에틸아세테이트로 추출하고, 유기상을 합병하며, 감압 회전하여 용매를 제거하고, 컬럼크로마토그래피로 정제하여, 연한 황색 고체인 중간물 11(24.6g, 37mmol)을 얻는다.Intermediate 10 (11.4g, 38.8mmol) was put in DMF (190mL), stirred in an ice-water bath, and then sodium hydride (60%, 2.3g, 58mmol) was added in batches, followed by room temperature Return to and react for half an hour, put the reactant back into ice water, add intermediate 9, and react for 2 hours at low temperature. After the reaction was completed, 200 mL of water was added, extracted with ethyl acetate, the organic phases were combined, the solvent was removed by rotation under reduced pressure, and purified by column chromatography to obtain intermediate 11 (24.6 g, 37 mmol) as a pale yellow solid. get

제4 단계: 중간물 12의 합성Step 4: Synthesis of Intermediate 12

Figure pat00040
Figure pat00040

중간물 11(24.6g, 37mmol), PPh3(26g, 100mmol), o-디클로로벤젠(1,2-Dichlorobenzene)70mL를 혼합하고, 반응액에 5min 동안 연속적으로 질소가스를 통과시키고, 질소가스의 보호 하에 180℃까지 가열하여 12h 동안 반응시킨다. 반응이 완료된 후, 컬럼크로마토그래피로 정제하여, 백색 고체인 중간물 12(11.5g, 18mmol)를 얻는다.Intermediate 11 (24.6g, 37mmol), PPh 3 (26g, 100mmol), o-dichlorobenzene (1,2-Dichlorobenzene) 70mL were mixed, nitrogen gas was continuously passed through the reaction solution for 5 minutes, and nitrogen gas React for 12 h by heating to 180° C. under protection. After the reaction was completed, purification was performed by column chromatography to obtain intermediate 12 (11.5 g, 18 mmol) as a white solid.

제5 단계: 중간물 13의 합성Step 5: Synthesis of Intermediate 13

Figure pat00041
Figure pat00041

중간물 12(11.5g, 18mmol), 요오도벤젠(10g, 54mmol), 구리 분말(1g, 15mmol), 탄산칼륨(6.2g, 45mmol), 황산나트륨(6.4g, 45mmol), 니트로벤젠 30 mL을 혼합하고, 200℃까지 가열하여 12h 동안 반응시킨다. 반응이 완료된 후, 컬럼크로마토그래피로 정제하여, 백색 고체인 중간물 13(9g, 12.7mmol)을 얻는다.Mix intermediate 12 (11.5 g, 18 mmol), iodobenzene (10 g, 54 mmol), copper powder (1 g, 15 mmol), potassium carbonate (6.2 g, 45 mmol), sodium sulfate (6.4 g, 45 mmol), and 30 mL of nitrobenzene. and heated to 200° C. to react for 12 h. After the reaction was completed, purification was performed by column chromatography to obtain intermediate 13 (9g, 12.7mmol) as a white solid.

제6 단계: BD-3-23의 합성Step 6: Synthesis of BD-3-23

Figure pat00042
Figure pat00042

중간물 13(9g, 12.7mmol)을 t-부틸벤젠(60mL)에 용해시키고, 질소가스로 배기시키고, 드라이아이스-에탄올에서 냉각시킨다. n-부틸리튬(2.5M, 6mL)을 첨가한 다음 실온으로 복귀한다. 60℃로 올려 반시간 동안 반응한 다음, 0℃로 낮추고, 삼브롬화붕소(1.5mL, 15.2mmol)를 첨가한다. 반시간 동안 반응한 후, 시스템을 다시 0℃로 냉각시키고, 디이소프로필에틸아민(DIPEA, 4.5mL, 25mmol)을 첨가하고, 130℃까지 가열하여 12h 동안 반응시킨다. 반응이 완료된 후, 컬럼크로마토그래피로 정제하여, 황색 고체인 BD-3-23(1g, 1.57mmol)을 얻는다. 생성물은 분자량이 637.3인 목표 생성물인 것으로 확인되었다.Intermediate 13 (9 g, 12.7 mmol) was dissolved in t-butylbenzene (60 mL), evacuated with nitrogen gas, and cooled in dry ice-ethanol. Add n-butyllithium (2.5M, 6mL) then return to room temperature. After raising the temperature to 60° C. and reacting for half an hour, the temperature was lowered to 0° C., and boron tribromide (1.5 mL, 15.2 mmol) was added. After reacting for half an hour, the system was cooled down to 0°C again, diisopropylethylamine (DIPEA, 4.5mL, 25mmol) was added, heated to 130°C, and reacted for 12h. After the reaction was completed, purification was performed by column chromatography to obtain BD-3-23 (1 g, 1.57 mmol) as a yellow solid. The product was identified as the target product with a molecular weight of 637.3.

합성 실시예 4: BD-3-24의 합성Synthesis Example 4: Synthesis of BD-3-24

제1 단계: 중간물 15의 합성Step 1: Synthesis of Intermediate 15

Figure pat00043
Figure pat00043

중간물 14(14g, 36.1mmol)을 DMF(180mL)에 넣고, 얼음물(ice-water bath)에서 교반한 후, 배치식으로 수소화 나트륨(60%, 2.1g, 54mmol)를 첨가한 후, 실온으로 복귀하고 반시간 동안 반응시키며, 반응물을 다시 얼음물에 놓고, 중간물 9를 첨가하여, 저온에서 2시간 동안 반응시킨다. 반응이 완료된 후, 물 200mL를 첨가하여, 에틸아세테이트로 추출하고, 유기상을 합병하며, 감압 회전하여 용매를 제거하고, 컬럼크로마토그래피로 정제하여, 연한 황색 고체인 중간물 15(23g, 35.8mmol)을 얻는다.Intermediate 14 (14g, 36.1mmol) was put in DMF (180mL), stirred in an ice-water bath, and then sodium hydride (60%, 2.1g, 54mmol) was added in a batchwise manner and then brought to room temperature. After returning and reacting for half an hour, the reactants were again placed in ice water, intermediate 9 was added, and reacted at low temperature for 2 hours. After the reaction was completed, 200 mL of water was added, extracted with ethyl acetate, the organic phases were combined, the solvent was removed by rotation under reduced pressure, and the product was purified by column chromatography to obtain an intermediate 15 (23 g, 35.8 mmol) as a pale yellow solid. get

제2 단계: 중간물 16의 합성Step 2: Synthesis of Intermediate 16

Figure pat00044
Figure pat00044

중간물 15(23g, 35.8mmol), PPh3(27.6g, 93.5mmol), o-디클로로벤젠 70mL를 혼합하고, 질소가스로 배기시키며, 180℃까지 가열하여 12h 동안 반응시킨다. 컬럼크로마토그래피로 정제하여, 백색 고체인 중간물 16(9.5g, 15mmol)을 얻는다.Intermediate 15 (23g, 35.8mmol), PPh 3 (27.6g, 93.5mmol), and 70mL of o-dichlorobenzene were mixed, evacuated with nitrogen gas, and heated to 180°C to react for 12h. Purification by column chromatography gave intermediate 16 (9.5 g, 15 mmol) as a white solid.

제3 단계: 중간물 17의 합성Step 3: Synthesis of Intermediate 17

Figure pat00045
Figure pat00045

중간물 16(9.5g, 15mmol), 요오도벤젠(9.18g, 45mmol), 구리 분말(960mg, 15mmol), 탄산칼륨(6.2g, 45mmol), 황산나트륨(6.4g, 45mmol), 니트로벤젠 30mL을 혼합하고, 200℃까지 가열하여 12h 동안 반응시킨다. 여과하고 감압증류하여 니트로벤젠을 제거하고, 컬럼크로마토그래피로 정제하여, 백색 고체인 중간물 17(9.5g, 13.4mmol)을 얻는다.Mix intermediate 16 (9.5g, 15mmol), iodobenzene (9.18g, 45mmol), copper powder (960mg, 15mmol), potassium carbonate (6.2g, 45mmol), sodium sulfate (6.4g, 45mmol), and 30mL of nitrobenzene. and heated to 200° C. to react for 12 h. Nitrobenzene was removed by filtration and distillation under reduced pressure, followed by purification by column chromatography to obtain intermediate 17 (9.5 g, 13.4 mmol) as a white solid.

제4 단계: BD-3-24의 합성Step 4: Synthesis of BD-3-24

Figure pat00046
Figure pat00046

중간물 17(12g, 17mmol)을 t-부틸벤젠(85mL)에 용해시키고, 질소가스로 배기시키고, 드라이아이스-에탄올에서 냉각시킨다. n-부틸리튬(2.5M, 8mL)을 첨가한 다음 실온으로 복귀한다. 60℃로 올려 반시간 동안 반응한 다음, 0℃로 낮추고, 삼브롬화붕소(2mL, 20.4mmol)를 첨가한다. 반시간 동안 반응한 후, 시스템을 다시 0℃로 냉각시키고, 디이소프로필에틸아민(6mL, 20.4mmol)을 첨가하고, 130℃까지 가열하여 12h 동안 반응시킨다. 반응이 완료된 후, 에틸아세테이트로 추출하고, 황산마그네슘-알칼리성알루미나로 여과한 후, 감압 회전하여 용매를 제거한다. 컬럼크로마토그래피로 정제하여, 황색 고체인 BD-3-24(4g, 3.2mmol)을 얻는다. 생성물은 분자량이 637.3인 목표 생성물인 것으로 확인되었다.Intermediate 17 (12 g, 17 mmol) was dissolved in t-butylbenzene (85 mL), evacuated with nitrogen gas, and cooled in dry ice-ethanol. Add n-butyllithium (2.5M, 8mL) then return to room temperature. After raising the temperature to 60° C. and reacting for half an hour, the temperature was lowered to 0° C., and boron tribromide (2 mL, 20.4 mmol) was added. After reacting for half an hour, the system was again cooled to 0°C, diisopropylethylamine (6mL, 20.4mmol) was added, heated to 130°C, and reacted for 12h. After the reaction is complete, the mixture is extracted with ethyl acetate, filtered with magnesium sulfate-alkaline alumina, and then rotated under reduced pressure to remove the solvent. Purified by column chromatography to obtain BD-3-24 (4 g, 3.2 mmol) as a yellow solid. The product was identified as the target product with a molecular weight of 637.3.

합성 실시예 5: BD-3-8의 합성Synthesis Example 5: Synthesis of BD-3-8

제1 단계: 중간물 18의 합성Step 1: Synthesis of Intermediate 18

Figure pat00047
Figure pat00047

1,5-디브로모-2,4-디클로로벤젠(23g, 84.5mmol)을 250mL의 병에 넣고, 얼음물에 놓고, 농황산(110mL)을 첨가하며, HNO3(7mL, 110mmol)을 서서히 떨어뜨리고, 12h 동안 교반한다. 반응이 완료된 후, 컬럼크로마토그래피로 정제하여, 백색 고체인 중간물 18(10g, 31mmol)을 얻는다.1,5-Dibromo-2,4-dichlorobenzene (23 g, 84.5 mmol) was placed in a 250 mL bottle, placed in ice water, concentrated sulfuric acid (110 mL) was added, and HNO 3 (7 mL, 110 mmol) was slowly added dropwise. , stirred for 12 h. After the reaction was completed, purification was performed by column chromatography to obtain intermediate 18 (10 g, 31 mmol) as a white solid.

제2 단계: 중간물 19의 합성Step 2: Synthesis of Intermediate 19

Figure pat00048
Figure pat00048

중간물 18(35g, 110mmol), 페닐보론산(14g, 114mmol), 테트라키스(트리페닐포스핀)팔라듐(3.2g, 2.7mmol), 탄산칼륨(30g, 220mmol), 톨루엔 110mL, 에탄올 35mL 및 물 35mL를 첨가하고, 반응액에 5min 동안 연속적으로 질소가스를 통과시키고, 90℃까지 가열하여 2시간 동안 반응시킨다. 반응이 완료된 후, 컬럼크로마토그래피로 정제하여, 백색 고체인 중간물 19(26g, 82.8mmol)를 얻는다.Intermediate 18 (35 g, 110 mmol), phenylboronic acid (14 g, 114 mmol), tetrakis(triphenylphosphine)palladium (3.2 g, 2.7 mmol), potassium carbonate (30 g, 220 mmol), 110 mL toluene, 35 mL ethanol and water 35 mL was added, nitrogen gas was continuously passed through the reaction solution for 5 min, and the mixture was heated to 90° C. and reacted for 2 hours. After the reaction was completed, purification was performed by column chromatography to obtain Intermediate 19 (26 g, 82.8 mmol) as a white solid.

제3 단계: 중간물 20의 합성Step 3: Synthesis of Intermediate 20

Figure pat00049
Figure pat00049

카바졸(13.8g, 82.8mmol)을 DMF(200mL)에 넣고, 얼음물에서 교반한 후, 소량으로 여러 번 수소화 나트륨(60%, 3.3g, 82.8mmol)을 첨가한 후, 실온으로 복귀하고 반시간 동안 반응시킨 다음, 반응물을 다시 얼음물에 놓고, 중간물 19(26g, 82.8mmol)를 첨가하고, 저온에서 2시간 동안 반응시킨다. 반응이 완료된 후, 컬럼크로마토그래피로 정제하여, 연한 황색 고체인 중간물 20(18g, 29.6mmol)을 얻는다.Carbazole (13.8 g, 82.8 mmol) was added to DMF (200 mL), stirred in ice water, and sodium hydride (60%, 3.3 g, 82.8 mmol) was added several times in small portions, then returned to room temperature for half an hour. After reacting for 2 hours, the reactant was placed in ice water again, intermediate 19 (26 g, 82.8 mmol) was added, and reacted at low temperature for 2 hours. After the reaction was completed, purification was performed by column chromatography to obtain an intermediate 20 (18 g, 29.6 mmol) as a pale yellow solid.

제4 단계: 중간물 21의 합성Step 4: Synthesis of Intermediate 21

Figure pat00050
Figure pat00050

중간물 20(18g, 29.6mmol), PPh3(23g, 88.8mmol), o-디클로로벤젠 50mL를 혼합하고, 반응액에 5min 동안 연속적으로 질소가스를 통과시키고, 180℃까지 가열하여 12h 동안 반응시킨다. 반응이 완료된 후, 컬럼크로마토그래피로 정제하여, 백색 고체인 중간물 21(8g, 13.9mmol)를 얻는다.Intermediate 20 (18 g, 29.6 mmol), PPh 3 (23 g, 88.8 mmol), and 50 mL of o-dichlorobenzene were mixed, nitrogen gas was continuously passed through the reaction solution for 5 min, and the reaction was heated to 180 ° C and reacted for 12 h. . After the reaction was completed, purification was performed by column chromatography to obtain an intermediate 21 (8g, 13.9mmol) as a white solid.

제5 단계: 중간물 22의 합성Step 5: Synthesis of Intermediate 22

Figure pat00051
Figure pat00051

중간물 21(8g, 13.9mmol), 요오도벤젠(8.5g, 41.7mmol), 구리 분말(448mg, 7mmol), 탄산칼륨(5.7g, 41.7mmol), 황산나트륨(6g, 41.7mmol), 니트로벤젠 70mL을 혼합하고, 200℃까지 가열하여 12h 동안 반응시킨다. 반응이 완료된 후, 컬럼크로마토그래피로 정제하여, 백색 고체인 중간물 22(5.6g, 8.6mmol)를 얻는다.Intermediate 21 (8g, 13.9mmol), iodobenzene (8.5g, 41.7mmol), copper powder (448mg, 7mmol), potassium carbonate (5.7g, 41.7mmol), sodium sulfate (6g, 41.7mmol), nitrobenzene 70mL are mixed, heated to 200 ° C, and reacted for 12 h. After the reaction was completed, the product was purified by column chromatography to obtain an intermediate 22 (5.6 g, 8.6 mmol) as a white solid.

제6 단계: BD-3-8의 합성Step 6: Synthesis of BD-3-8

Figure pat00052
Figure pat00052

중간물 22(5.6g, 8.6mmol)를 t-부틸벤젠(40mL)에 용해시키고, 질소가스로 배기시키고, 드라이아이스-에탄올에서 냉각시킨다. n-부틸리튬(2.5M, 5mL)을 첨가한 다음 실온으로 복귀한다. 60℃로 올려 반시간 동안 반응한 다음, 0℃로 낮추고, 삼브롬화붕소(1.6mL, 17.2mmol)를 첨가한다. 반시간 동안 반응한 후, 시스템을 다시 0℃로 냉각시키고, 디이소프로필에틸아민(2.8mL, 17.2mmol)을 첨가하고, 130℃까지 가열하여 12h 동안 반응시킨다. 반응이 완료된 후, 컬럼크로마토그래피로 정제하여, 황색 고체인 BD-3-8(0.8g, 1.37mmol)을 얻는다. 생성물은 분자량이 581.2인 목표 생성물인 것으로 확인되었다.Intermediate 22 (5.6 g, 8.6 mmol) was dissolved in t-butylbenzene (40 mL), evacuated with nitrogen gas, and cooled in dry ice-ethanol. Add n-butyllithium (2.5M, 5mL) then return to room temperature. After raising the temperature to 60° C. and reacting for half an hour, the temperature was lowered to 0° C. and boron tribromide (1.6 mL, 17.2 mmol) was added. After reacting for half an hour, the system was cooled again to 0°C, diisopropylethylamine (2.8mL, 17.2mmol) was added, heated to 130°C, and reacted for 12h. After the reaction was completed, purification was performed by column chromatography to obtain BD-3-8 (0.8 g, 1.37 mmol) as a yellow solid. The product was identified as the target product with a molecular weight of 581.2.

합성 비교예 1: 비교 화합물 A의 합성Synthesis Comparative Example 1: Synthesis of Comparative Compound A

제1 단계: 2-클로로-N1,N1,N3,N3-테트라페닐-1,3-디아민의 합성Step 1: Synthesis of 2-chloro-N 1 ,N 1 ,N 3 ,N 3 -tetraphenyl-1,3-diamine

Figure pat00053
Figure pat00053

질소가스의 보호 하에, Pd2(dba)3(850.0mg, 0.93mmol)을 자일렌(500.0mL)에 첨가하고, Sphos(1.52g, 3.72mmol)를 첨가하여 20min 동안 교반한 후, 순차적으로 1-브로모-2,3-디클로로벤젠(20g, 88.5mmol), 디페닐아민(33g, 195.2mmol), 소듐-tert-부톡사이드(34g, 354.2mmol)를 혼합하고, 140℃까지 승온하여 반응이 완료될 때까지 반응시킨다. 반응이 완료된 후, 반응액을 셀라이트로 여과시킨 다음 농축시켜, 톨루엔으로 용해하고, 짧은 실리카겔 칼럼(Short Silicagel Column)으로 여과한 후 농축하여 최종적으로 톨루엔으로 2회 재결정하여, 백색 고체인 2-클로로-N1,N1,N3,N3-테트라페닐-1,3-디아민(32.6g, 73mmol, 82.5%)을 얻는다.Under the protection of nitrogen gas, Pd 2 (dba) 3 (850.0mg, 0.93mmol) was added to xylene (500.0mL), and Sphos (1.52g, 3.72mmol) was added and stirred for 20min, followed by 1 -Bromo-2,3-dichlorobenzene (20g, 88.5mmol), diphenylamine (33g, 195.2mmol), and sodium-tert-butoxide (34g, 354.2mmol) were mixed, and the temperature was raised to 140℃ to cause reaction. React until complete. After the reaction was completed, the reaction solution was filtered through celite, concentrated, dissolved in toluene, filtered through a short silica gel column, concentrated, and finally recrystallized twice with toluene to obtain 2- This gives chloro-N 1 ,N 1 ,N 3 ,N 3 -tetraphenyl-1,3-diamine (32.6 g, 73 mmol, 82.5%).

제2 단계: 비교 화합물 A의 합성Step 2: Synthesis of Comparative Compound A

Figure pat00054
Figure pat00054

질소가스의 보호 하에, 2-클로로-N1,N1,N3,N3-테트라페닐-1,3-디아민(20.0g, 44.7mmol)을 t-부틸벤젠(200.0mL)에 첨가한 후, -30℃로 온도를 내리고, t-부틸리튬(46.0mL, 59.8mmol)을 떨어뜨리고, 첨가 완료한 후, 얼음욕을 제거하고, 온도를 실온으로 복귀한 다음, 60℃까지 승온하여 1h 동안 반응시킨 후, -30℃로 온도를 내리고, 삼브롬화붕소(5.5mL, 58.5mmol)를 떨어뜨리며, 실온으로 복귀하고 30min 동안 교반한 다음, 0℃로 냉각시키고, N,N-디이소프로필에틸아민(14.8mL, 89.4mmol)을 떨어뜨리고, 얼음욕을 제거하고, 시스템이 더 이상 발열하지 않을 때까지 반응시키고, 120℃까지 승온하여 밤새 반응시킨다. 얼음욕에서 아세트산칼륨 용액을 첨가하여 퀀칭하고, 에틸아세테이트로 추출하며, 유기상을 농축한 후 톨루엔으로 용해하여, 순차적으로 황산마그네슘과 짧은 실리카겔 칼럼으로 여과하고, 여과액을 농축시키고 톨루엔-노멀헵탄 시스템으로 재결정하여 황색 고체인 비교 화합물 A(2.1g, 5.0mmol, 11%)를 얻는다.Under the protection of nitrogen gas, after adding 2-chloro-N 1 ,N 1 ,N 3 ,N 3 -tetraphenyl-1,3-diamine (20.0 g, 44.7 mmol) to t-butylbenzene (200.0 mL) , the temperature was lowered to -30 ° C, t-butyllithium (46.0 mL, 59.8 mmol) was dropped, the addition was completed, the ice bath was removed, the temperature was returned to room temperature, and then the temperature was raised to 60 ° C for 1 h. After the reaction, the temperature was lowered to -30 ° C, boron tribromide (5.5 mL, 58.5 mmol) was dropped, returned to room temperature, stirred for 30 min, cooled to 0 ° C, and N, N-diisopropylethyl Amine (14.8mL, 89.4mmol) is dropped, the ice bath is removed, and the system is allowed to react until it no longer exotherms, then heated to 120° C. and allowed to react overnight. Quenched by the addition of potassium acetate solution in an ice bath, extracted with ethyl acetate, concentrated the organic phase and dissolved with toluene, filtered sequentially with magnesium sulfate and a short silica gel column, and concentrated the filtrate with a toluene-normal-heptane system. recrystallized to obtain Comparative Compound A (2.1g, 5.0mmol, 11%) as a yellow solid.

합성 비교예 2: 비교 화합물 B의 합성Synthesis Comparative Example 2: Synthesis of Comparative Compound B

제1 단계: 9,9',9"-(2-브로모벤젠-1,3,5-트리일)트리스(9H-카바졸)의 합성Step 1: Synthesis of 9,9',9"-(2-bromobenzene-1,3,5-triyl)tris(9H-carbazole)

Figure pat00055
Figure pat00055

질소가스의 보호 하에, 2,4,6-트리플루오로브로모벤젠(4.2g, 20mmol)을 DMF(50ml)에 첨가하고, 실온에서 카바졸(13.2g, 80mmol), NaH(60%, 3.3g, 82mmol)을 첨가하고 실온에서 반응이 완료되도록 한다. 유기상을 물로 희석한 후 고체가 석출되고, 고체를 여과하여 수집하고, 컬럼크로마토그래피로 정제하여, 백색 고체인 9,9',9"-(2-브로모벤젠-1,3,5-트리일)트리스(9H-카바졸)(6.5g, 10mmol)을 얻는다.Under the protection of nitrogen gas, 2,4,6-trifluorobromobenzene (4.2 g, 20 mmol) was added to DMF (50 ml), and carbazole (13.2 g, 80 mmol), NaH (60%, 3.3 g) was added at room temperature. , 82 mmol) was added and the reaction was allowed to complete at room temperature. After diluting the organic phase with water, a solid was precipitated, and the solid was collected by filtration and purified by column chromatography to obtain a white solid of 9,9',9"-(2-bromobenzene-1,3,5-tri 1) Tris (9H-carbazole) (6.5 g, 10 mmol) is obtained.

제2 단계: 비교 화합물 B의 합성Step 2: Synthesis of Comparative Compound B

Figure pat00056
Figure pat00056

질소가스의 보호 하에, 9,9',9"-(2-브로모벤젠-1,3,5-트리일)트리스(9H-카바졸)(6.5g, 10mmol)를 t-부틸벤젠(150mL)에 첨가한 후, 온도를 -30℃로 내리고, n-부틸리튬(5 mL, 12.5 mmol)을 떨어뜨리고, 첨가 완료한 후, 얼음욕을 제거하고, 온도를 실온으로 복귀한 다음, 60℃까지 승온하여 1h 동안 반응시키고, -30℃로 온도를 내리며, 삼브롬화붕소(1.2 mL, 12 mmol)를 떨어뜨리고, 실온으로 복귀한 후 30min 동안 교반한 다음, 0℃로 냉각시키고, N,N-디이소프로필에틸아민(3.5 mL, 20 mmol)을 떨어뜨리고, 얼음욕을 제거하며, 시스템이 더 이상 발열하지 않을 때까지 반응시킨 후, 120℃까지 승온하여 12h 동안 반응시킨다. 얼음욕에서 아세트산칼륨 용액을 첨가하여 퀀칭하고, 에틸아세테이트로 추출하며, 감압 회전하여 용매를 제거하고 톨루엔으로 용해하여, 순차적으로 황산마그네슘과 실리카겔로 여과하고, 여과액을 농축시키고 톨루엔으로 재결정하여 황색 고체인 화합물 B(0.6g, 1mmol)를 얻는다. 해당 생성물은 분자량이 581.2인 목표 생성물인 것으로 확인되었다. Under the protection of nitrogen gas, 9,9',9"-(2-bromobenzene-1,3,5-triyl)tris(9H-carbazole) (6.5 g, 10 mmol) was dissolved in t-butylbenzene (150 mL). ), the temperature was lowered to -30 ° C, n-butyllithium (5 mL, 12.5 mmol) was dropped, and after the addition was complete, the ice bath was removed, the temperature was returned to room temperature, and then the temperature was returned to 60 ° C. The temperature was raised to and reacted for 1 h, the temperature was lowered to -30 ° C, boron tribromide (1.2 mL, 12 mmol) was dropped, returned to room temperature, stirred for 30 min, cooled to 0 ° C, N, N -Diisopropylethylamine (3.5 mL, 20 mmol) was dropped, the ice bath was removed, and the reaction was continued until the system no longer exothermed, then the temperature was raised to 120° C. and reacted for 12 h. Quenched by adding potassium solution, extracted with ethyl acetate, rotated under reduced pressure to remove the solvent, dissolved with toluene, sequentially filtered with magnesium sulfate and silica gel, concentrated the filtrate and recrystallized with toluene to obtain Compound B as a yellow solid (0.6 g, 1 mmol) The product was identified as the target product with a molecular weight of 581.2.

해당 분야 당업자가 알 수 있다시피, 상기 제조방법은 단지 하나의 예시적인 예일뿐이며, 해당 분야 당업자는 이를 개진함으로써 본 발명의 기타 화합물의 구조를 획득할 수 있다.As can be appreciated by those skilled in the art, the above preparation method is only one illustrative example, and a person skilled in the art can obtain the structure of other compounds of the present invention by elucidating them.

특정 분자 구조가 화합물 에너지 및 전자 분포에 주는 영향을 확인하기 위해, 순환전압전류법을 통해 화합물의 전기화학적 성질을 측정하였다. 테스트는 Wuhan Corrtest Instrument Corp., Ltd에서 생산한 전기화학적 워크스테이션 모델 CorrTest CS120을 사용하고, 3전극 작업 시스템을 사용한다. 백금 디스크 전극을 작업 전극으로, Ag/AgNO3 전극을 기준 전극으로, 백금 와이어 전극을 보조 전극으로 한다. 무수 DMF를 용매로, 0.1mol/L의 테트라부틸암모늄 헥사플루오로포스페이트를 지지 전해질로 사용하여, 측정 예정 화합물을 10-3mol/L의 용액으로 만들고, 테스트하기 전에 용액에 질소가스를 10min 동안 통과시켜 산소를 제거한다. 기기 파라미터 설정: 스캔 속도는 100mV/s이고, 전위 간격은 0.5mV이며, 테스트 창은 -1V ∼ -2.9V이다.In order to confirm the effect of a specific molecular structure on the energy and electron distribution of the compound, the electrochemical properties of the compound were measured through cyclic voltammetry. The test uses an electrochemical workstation model CorrTest CS120 produced by Wuhan Corrtest Instrument Corp., Ltd, and uses a three-electrode working system. A platinum disk electrode is used as the working electrode, an Ag/AgNO 3 electrode is used as the reference electrode, and a platinum wire electrode is used as the auxiliary electrode. Using anhydrous DMF as a solvent and 0.1 mol/L of tetrabutylammonium hexafluorophosphate as a supporting electrolyte, the compound to be measured was made into a 10 -3 mol/L solution, and nitrogen gas was blown into the solution for 10 min before testing. pass through to remove oxygen. Instrument parameter settings: scan rate is 100mV/s, potential interval is 0.5mV, and test window is -1V to -2.9V.

순환전압전류법(CV)으로 하기 화합물의 HOMO 및 LUMO 에너지 준위를 측정하였으며, 구체적인 결과는 표 1에 나타낸 바와 같다.The HOMO and LUMO energy levels of the following compounds were measured by cyclic voltammetry (CV), and the specific results are shown in Table 1.

Figure pat00057
Figure pat00057

Figure pat00058
Figure pat00058

표 1 화합물의 전기화학적 성질Table 1 Electrochemical properties of compounds

Figure pat00059
Figure pat00059

상기 표 1의 결과로부터 알 수 있다시피, 본 발명의 제1 화합물의 독특한 붕소-질소 결합 폐루프 구조는 화합물의 LUMO 에너지 준위 및 HOMO 에너지 준위를 효과적으로 감소시킬 수 있다. 결합 폐루프 구조가 없는 붕소-질소 비교 화합물 A를 비교하면, 본 문에 설명된 제1 화합물의 LUMO 에너지 준위는 0.67eV이상 더 깊고, HOMO 에너지 준위는 0.13eV이상 더 깊다. 이러한 데이터는 본 발명의 제1 화합물의 붕소-질소 결합 폐루프 구조가 화합물의 LUMO 에너지 준위 및 HOMO 에너지 준위를 효과적으로 감소시킬 수 있음을 입증하였다. 화합물 B는 용해성이 너무 약해서 대응하는 전기적 데이터를 얻지 못하였다.As can be seen from the results of Table 1, the unique boron-nitrogen bond closed loop structure of the first compound of the present invention can effectively reduce the LUMO energy level and the HOMO energy level of the compound. Comparing the boron-nitrogen comparative compound A without a bonded closed loop structure, the LUMO energy level of the first compound described herein is more than 0.67 eV deeper, and the HOMO energy level is more than 0.13 eV deeper. These data demonstrated that the boron-nitrogen bond closed-loop structure of the first compound of the present invention can effectively reduce the LUMO energy level and the HOMO energy level of the compound. Compound B was too soluble to obtain corresponding electrical data.

삼중항 상태 에너지 준위의 측정:Measurement of triplet state energy levels:

삼중항 상태 에너지 준위(T1)는 긴 수명을 갖는 삼중항 상태 엑시톤의 특성을 이용하여 초저온상태에서 측정하였다. 구체적으로, 화합물을 2-메틸테트라히드로퓨란 용매에 용해시켜 10-5M 농도의 용액을 제조하고, 상기 용액을 석영 샘플 튜브에 넣고 듀어병에 넣어 77K로 냉각시키며, 인광 측정용 샘플에 350nm 광원을 조사하여 인광 스펙트럼을 측정한다. 스펙트럼은 Shanghai Lengguang Technology Co., Ltd.에서 생산한 모델 F98인 분광광도계를 사용하여 측정하였다.The triplet state energy level (T 1 ) was measured in an ultra-low temperature state using the characteristics of a triplet state exciton having a long lifetime. Specifically, the compound was dissolved in 2-methyltetrahydrofuran solvent to prepare a solution of 10 -5 M concentration, the solution was placed in a quartz sample tube, put in a Dewar bottle, cooled to 77K, and a 350nm light source was applied to the sample for phosphorescence measurement. to measure the phosphorescence spectrum. Spectra were measured using a spectrophotometer, Model F98, produced by Shanghai Lengguang Technology Co., Ltd.

인광 스펙트럼의 세로축은 인광 강도이고, 가로축은 파장이다. 인광 스펙트럼의 단파장측의 피크에 대응되는 파장에 대해 최소값 λ1(nm)을 취한 후, 해당 파장값을 하기 환산식 F1에 대입하여 삼중항 상태 에너지를 계산한다.The vertical axis of the phosphorescence spectrum is the phosphorescence intensity, and the horizontal axis is the wavelength. After taking the minimum value λ 1 (nm) for the wavelength corresponding to the peak on the shorter wavelength side of the phosphorescence spectrum, the triplet state energy is calculated by substituting the corresponding wavelength value into the conversion formula F 1 below.

환산식 F1: T1(eV)=1240/λ1 Conversion formula F 1 : T 1 (eV)=1240/λ 1

상기 방법으로 하기 화합물의 삼중항 상태 에너지 준위 T1(eV)을 측정하였으며, 구체적인 결과는 표 2에 나타낸 바와 같다.The triplet state energy level T 1 (eV) of the following compounds was measured by the above method, and the specific results are shown in Table 2.

표 2 화합물의 삼중항 상태Table 2 Triplet States of Compounds

Figure pat00060
Figure pat00060

상기 표 2의 결과로부터 알 수 있다시피, 본 발명에 사용된 제1 호스트 재료 및 제2 호스트 재료의 삼중항 상태는 모두 2.69eV보다 높다. 자명한 것은, 짙은 청색광 TADF 전계발광소자에 적용되는 호스트 재료로서, 그의 삼중항 상태는 해당 짙은 청색광 TADF 전계발광소자에 사용되는 모든 발광 재료보다 높아야 한다, 본 발명에서와 같이 제1 호스트 재료 및 제2 호스트 재료의 삼중항 상태는 모두 발광 재료인 제1 화합물보다 높다.As can be seen from the results of Table 2 above, the triplet states of the first host material and the second host material used in the present invention are both higher than 2.69 eV. Obviously, as a host material applied to a deep blue light TADF electroluminescent device, its triplet state must be higher than all light emitting materials used in the deep blue light TADF electroluminescent device. As in the present invention, the first host material and the second host material Both of the triplet states of the two host materials are higher than those of the first compound, which is the light emitting material.

전계발광소자의 제조방법은 한정되지 않으며, 하기 실시예의 제조방법은 예시일 뿐, 한정하려는 의도가 아님을 이해해야 한다. 해당 분야 당업자는 선행 기술에 따라 하기 실시예의 제조방법을 합리적으로 개선할 수 있다. 예시적으로, 발광층 중 각종 재료의 비율은 특별히 한정되지 않으며, 당업자는 선행 기술에 따라 일정한 범위 내에서 합리적으로 선택할 수 있다. 예를 들어, 발광층 재료의 총 중량을 기준으로, 호스트 재료는 80∼99%, 발광 재료는 1∼20%를 차지하거나; 호스트 재료는 90∼99%, 발광 재료는 1∼10%를 차지하거나; 호스트 재료는 95%-99%, 발광 재료는 1%-5%를 차지할 수 있다. 또한, 호스트 재료는 한 가지 또는 두 가지의 재료일 수 있으며, 여기서 두 가지 호스트 재료가 호스트 재료에서 차지하는 비율은 100:0 내지 1:99이거나, 80:20 내지 20:80이거나, 60:40 내지 40:60일 수 있다. 소자의 실시예에서, 소자의 특성은 해당 분야의 통상적인 설비(Angstrom Engineering에서 생산한 증착기, Suzhou Fstar에서 생산한 광학 테스트 시스템 및 수명 테스트 시스템, 베이징 ELLITOP에서 생산한 엘립소미터 등을 포함하지만 이에 한정되지 않음)를 사용하여, 해당 분야의 당업자가 숙지하는 방법으로 테스트한다.It should be understood that the manufacturing method of the electroluminescent device is not limited, and the manufacturing method of the following examples is only an example and is not intended to be limiting. A person skilled in the art can rationally improve the manufacturing methods of the following examples according to the prior art. Illustratively, the ratio of various materials in the light emitting layer is not particularly limited, and a person skilled in the art may reasonably select within a certain range according to the prior art. For example, based on the total weight of the light emitting layer materials, the host material accounts for 80 to 99% and the light emitting material accounts for 1 to 20%; The host material accounts for 90 to 99%, and the light emitting material accounts for 1 to 10%; The host material may occupy 95%-99%, and the light emitting material may occupy 1%-5%. In addition, the host material may be one or two materials, wherein the ratio of the two host materials to the host material is 100:0 to 1:99, 80:20 to 20:80, or 60:40 to 60:40. It could be 40:60. In the embodiment of the device, the characteristics of the device include, but are not limited to, conventional equipment in the field (evaporator produced by Angstrom Engineering, optical test system and life test system produced by Suzhou Fstar, ellipsometer produced by Beijing ELLITOP, etc.). not limited), and tested by a method known to those skilled in the art.

소자 실시예 1Device Example 1

먼저, 80nm 두께의 인듐주석산화물(ITO) 양극을 구비하는 유리기판을 세정한 다음, 산소 플라스마 및 UV 오존을 사용하여 처리한다. 처리 후, 기판을 글로브 박스에서 드라이하여 수분을 제거한다. 다음, 기판을 기판 홀더에 장착하고 진공실에 넣는다. 아래에서 지정된 유기층을 약 10-8토르(Torr)의 진공도에서 0.2-2 옹스트롬(angstrom)/초의 속도로 열진공 증착을 통해 ITO 양극 상에 순차적으로 증착시킨다. 정공 주입층(HIL)으로서 화합물 HI를 사용하되, 두께는 100Å이다. 정공 수송층(HTL)으로서 화합물 HT를 사용하되, 두께는 300Å이다. 전자 차단층(EBL)으로서 화합물 P-3을 사용하되, 두께는 50Å이다. 그리고, 제1 호스트로서의 화합물 N-2-24, 제2 호스트로서의 화합물 P-3, 및 도펀트로서의 제1 화합물 BD-1-1을 공증착(co-deposited)시켜 발광층(EML)으로 사용하되, 두께는 300Å이다. 정공 차단층(HBL)으로서 화합물 N-2-24를 사용하되, 두께는 50Å이다. 정공 차단층에, 화합물 ET와 8-히드록시 퀴놀린-리튬(Liq)을 공증착시켜 전자 수송층(ETL)으로 사용하되, 두께는 300Å이다. 마지막으로, 10Å 두께의 8-히드록시 퀴놀린-리튬(Liq)을 증착시켜 전자 주입층으로 사용하고, 1200Å의 알루미늄을 증착시켜 음극으로 사용한다. 다음, 해당 소자를 글로브 박스로 다시 옮기고, 유리 뚜껑(glass lid)과 흡습제를 사용하여 봉입(encapsulate)함으로써 해당 소자를 완성시킨다.First, a glass substrate having an 80 nm thick indium tin oxide (ITO) anode is cleaned and then treated using oxygen plasma and UV ozone. After treatment, the substrate is dried in a glove box to remove moisture. Next, the substrate is mounted on the substrate holder and placed in a vacuum chamber. The organic layers specified below are sequentially deposited on the ITO anode through thermal vacuum evaporation at a vacuum degree of about 10 −8 Torr and at a rate of 0.2-2 angstroms/sec. Compound HI was used as the hole injection layer (HIL), but the thickness was 100 Å. Compound HT was used as the hole transport layer (HTL), but the thickness was 300 Å. Compound P-3 was used as the electron blocking layer (EBL), but the thickness was 50 Å. Then, the compound N-2-24 as the first host, the compound P-3 as the second host, and the first compound BD-1-1 as the dopant are co-deposited and used as the light emitting layer (EML), The thickness is 300 Å. Compound N-2-24 was used as the hole blocking layer (HBL), but the thickness was 50 Å. A compound ET and 8-hydroxyquinoline-lithium (Liq) were co-deposited on the hole blocking layer to be used as an electron transport layer (ETL), the thickness of which was 300 Å. Finally, 10 Å thick 8-hydroxyquinoline-lithium (Liq) is deposited and used as an electron injection layer, and 1200 Å aluminum is deposited and used as a cathode. Next, the corresponding element is moved back to the glove box, and the corresponding element is completed by encapsulating it using a glass lid and a moisture absorbent.

소자 실시예 2Device Example 2

발광층(EML)에서 화합물 N-2-24 대신 화합물 N-1-15를 사용하는 것 외에는, 소자 실시예 2의 실시방식은 소자 실시예 1과 동일하다.Except for using the compound N-1-15 instead of the compound N-2-24 in the light emitting layer (EML), the implementation of Device Example 2 is the same as Device Example 1.

소자 실시예 3Device Example 3

발광층(EML)에서 화합물 BD-1-1 대신 화합물 BD-1-2를 사용하는 것 외에는, 소자 실시예 3의 실시방식은 소자 실시예 1과 동일하다.Except for using the compound BD-1-2 instead of the compound BD-1-1 in the light emitting layer (EML), the implementation of Device Example 3 is the same as Device Example 1.

소자 실시예 4Device Example 4

발광층(EML)에서 화합물 N-2-24 대신 화합물 N-1-15를 사용하는 것 외에는, 소자 실시예 4의 실시방식은 소자 실시예 3과 동일하다.Except for using the compound N-1-15 instead of the compound N-2-24 in the light emitting layer (EML), the implementation of Device Example 4 is the same as Device Example 3.

소자 실시예 5Device Example 5

발광층(EML)에서 화합물 N-2-24 대신 화합물 N-2-10을 사용하는 것 외에는, 소자 실시예 5의 실시방식은 소자 실시예 3과 동일하다.Except for using the compound N-2-10 instead of the compound N-2-24 in the light emitting layer (EML), the implementation of Device Example 5 is the same as Device Example 3.

소자 실시예 6Device Example 6

발광층(EML)에서 화합물 BD-1-1 대신 화합물 BD-3-23을 사용하는 것 외에는, 소자 실시예 6의 실시방식은 소자 실시예 1과 동일하다.Except for using the compound BD-3-23 instead of the compound BD-1-1 in the light emitting layer (EML), the implementation of Device Example 6 is the same as Device Example 1.

소자 실시예 7Device Example 7

발광층(EML)에서 화합물 N-2-24 대신 화합물 N-1-15를 사용하는 것 외에는, 소자 실시예 7의 실시방식은 소자 실시예 6과 동일하다.Except for using the compound N-1-15 instead of the compound N-2-24 in the light emitting layer (EML), the implementation of Device Example 7 is the same as Device Example 6.

소자 실시예 8Device Example 8

발광층(EML)에서 화합물 BD-1-1 대신 화합물 BD-3-24를 사용하는 것 외에는, 소자 실시예 8의 실시방식은 소자 실시예 1과 동일하다.Except for using the compound BD-3-24 instead of the compound BD-1-1 in the light emitting layer (EML), the implementation of Device Example 8 is the same as Device Example 1.

소자 실시예 9Device Example 9

발광층(EML)에서 화합물 N-2-24 대신 화합물 N-1-15를 사용하는 것을 제외하고, 소자 실시예 9의 실시방식은 소자 실시예 8과 동일하다.The embodiment of Device Example 9 is the same as Device Example 8, except for using the compound N-1-15 instead of the compound N-2-24 in the light emitting layer (EML).

소자 비교예 1Device Comparative Example 1

발광층(EML)에서 화합물 BD-1-1 대신 화합물 A를 사용하는 것 외에는, 소자 비교예 1의 실시방식은 소자 실시예 1과 동일하다.Except for using Compound A instead of Compound BD-1-1 in the light emitting layer (EML), the embodiment of Device Comparative Example 1 is the same as Device Example 1.

소자 비교예 2Device Comparative Example 2

발광층(EML)에서 화합물 BD-1-1 대신 화합물 A를 사용하는 것 외에는, 소자 비교예 2의 실시방식은 소자 실시예 2와 동일하다.Except for using Compound A instead of Compound BD-1-1 in the light emitting layer (EML), the embodiment of Device Comparative Example 2 is the same as Device Example 2.

소자 비교예 3Device Comparative Example 3

발광층(EML)에서 화합물 N-2-24와 화합물 P-3 대신 화합물 P-3을 호스트로 사용하는 것 외에는, 소자 비교예 3의 실시방식은 소자 실시예 3과 동일하다.Device Comparative Example 3 was implemented in the same manner as Device Example 3, except that Compound P-3 was used as a host instead of Compound N-2-24 and Compound P-3 in the light emitting layer (EML).

소자 비교예 4Device Comparative Example 4

발광층(EML)에서 화합물 N-2-24와 화합물 P-3 대신 화합물 N-2-24를 호스트로 사용하는 것 외에는, 소자 비교예 4의 실시방식은 소자 실시예 3과 동일하다.Except for using the compound N-2-24 as a host instead of the compound N-2-24 and the compound P-3 in the light emitting layer (EML), the embodiment of Device Comparative Example 4 is the same as Device Example 3.

소자 비교예 5Device Comparative Example 5

발광층(EML)에서 화합물 N-1-15와 화합물 P-3 대신 화합물 N-1-15를 호스트로 사용하는 것 외에는, 소자 비교예 5의 실시방식은 소자 실시예 4와 동일하다.Except for using the compound N-1-15 as a host instead of the compound N-1-15 and the compound P-3 in the light emitting layer (EML), the embodiment of Device Comparative Example 5 is the same as Device Example 4.

상세한 소자 층 부분 구조와 두께는 하기 표 3과 같다. 여기서 사용되는 재료가 2종 이상인 층은, 상이한 화합물을 이에 언급된 중량비로 도핑함으로써 얻어진다.The detailed device layer partial structure and thickness are shown in Table 3 below. A layer of two or more kinds of materials used herein is obtained by doping different compounds in the weight ratios mentioned therein.

표 3 소자 실시예 및 비교예의 소자 구조Table 3 Device Structures of Device Examples and Comparative Examples

Figure pat00061
Figure pat00061

Figure pat00062
Figure pat00062

소자에 사용되는 재료 구조는 아래와 같다:The material structure used for the device is as follows:

Figure pat00063
Figure pat00063

Figure pat00064
Figure pat00064

표 4는 300cd/m2인 조건에서 측정된 CIE 값, 최대방출파장(λmax), 반치폭(FWHM), 소자 수명(LT95) 및 외부 양자 효율(EQE)을 측정하였다.Table 4 shows the CIE value, maximum emission wavelength (λ max ), full width at half maximum (FWHM), device lifetime (LT95), and external quantum efficiency (EQE) measured under the condition of 300 cd/m 2 .

표 4 소자 데이터Table 4 Device Data

Figure pat00065
Figure pat00065

상기 표 4로부터 알 수 있다시피, 본 발명의 특정 폐루프 구조를 갖는 제1 화합물과 본 발명의 제1 호스트 재료 및 제2 호스트 재료의 특정 조합을 사용하는 실시예 1 및 실시예 3은, 특정 폐루프 구조를 구비하지 않는 화합물 A과 본 발명의 제1 호스트 재료 및 제2 호스트 재료의 조합을 사용하는 비교예 1에 비해, 실시예는 우수한 종합적 소자 성능, 예를 들어 더 좁은 반치폭과 더 긴 수명 등을 구비한다. 비교예 1은 EQE가 비교적 높지만, 화합물 A의 HOMO 에너지 준위(-5.20eV)가 비교적 얕기 때문에, 이는 LUMO 에너지 준위(-2.82eV)가 비교적 깊은 n형 호스트 재료, 즉 본 발명의 제1 호스트 재료인 화합물 N-2-24와 엑시플렉스(exciplex)를 생성하여, 결국 발광 파장이 대폭 적색 편이되어, 청색 발광을 얻을 수 없는 것은 물론, 본 발명의 실시예에서와 같은 짙은 청색광 방출을 얻을 수 없으며, 또한 이의 반치폭이 넓어지고, 광의 포화도가 낮아지며, 수명도 크게 줄어든다. 이는 본 발명의 깊은 HOMO 에너지 준위를 갖는 제1 화합물을 청색광 TADF 발광 재료로 사용하는 것이, 비교적 얕은 HOMO 에너지 준위을 갖는 화합물 A을 적용하는 것에 비해 우수한 종합적 소자 성능을 얻을 수 있음을 나타낸다.As can be seen from Table 4 above, Examples 1 and 3 using a specific combination of the first compound having a specific closed-loop structure of the present invention and the first host material and the second host material of the present invention, Compared to Comparative Example 1 using a combination of the compound A not having a closed loop structure and the first host material and the second host material of the present invention, the Example has excellent overall device performance, for example, a narrower half-full width and a longer life span, etc. Comparative Example 1 has a relatively high EQE, but since the HOMO energy level (-5.20 eV) of Compound A is relatively shallow, this is an n-type host material with a relatively deep LUMO energy level (-2.82 eV), that is, the first host material of the present invention By generating an exciplex with the phosphorus compound N-2-24, the emission wavelength is significantly red-shifted in the end, so that blue light emission cannot be obtained, and deep blue light emission as in the embodiment of the present invention cannot be obtained. , In addition, its full width at half maximum is widened, the saturation of light is lowered, and the lifetime is greatly reduced. This indicates that using the first compound having a deep HOMO energy level of the present invention as a blue light TADF light emitting material can obtain superior overall device performance compared to applying Compound A having a relatively shallow HOMO energy level.

본 발명의 특정 폐루프 구조를 갖는 제1 화합물과 본 발명의 제1 호스트 재료 및 제2 호스트 재료의 특정 조합을 사용하는 실시예 2 및 실시예 4를, 특정 폐루프 구조를 구비하지 않는 화합물 A과 본 발명의 제1 호스트 재료와 제2 호스트 재료의 조합을 사용하는 비교예 2에 비교할 때, 실시예 2 및 실시예 4의 EQE가 비교예 2보다 약간 낮지만, 더 중요한 것은, 실시예 2 및 실시예 4의 수명이 크게 향상되고, 각각 10배 이상 향상되어, 우수한 종합적 소자 성능을 얻었다.Examples 2 and 4 using a specific combination of the first compound having a specific closed-loop structure of the present invention and the first host material and the second host material of the present invention were compared with Compound A not having a specific closed-loop structure. and Comparative Example 2 using a combination of the first host material and the second host material of the present invention, the EQEs of Examples 2 and 4 are slightly lower than those of Comparative Example 2, but more importantly, Example 2 and Example 4 were significantly improved, each improved by 10 times or more, and excellent overall device performance was obtained.

본 발명의 발광 재료인 제1 화합물과 이중 호스트인 제1 호스트 재료 및 제2 호스트 재료의 특정 조합을 사용하는 실시예 3-5는, 본 발명의 제1 화합물을 발광 재료로 사용하고 단독으로 본 발명의 제2 호스트 재료를 단일 호스트 재료로 사용하는 비교예 3에 각각 비해, 이의 EQE는 최고로 181% 향상되었으며, 소자 수명은 최고로 169% 향상되었다. 특히, 실시예 5는 비교예 3에 비하여 이의 최대방출파장이 3nm 청색 편이되고, 반치폭은 11.2nm 좁아졌으며, 이는 청색광 TADF 소자의 성능 연구에서는 아주 큰 개선이며, 우수한 종합적 소자 성능을 얻었다.Examples 3-5 using a specific combination of the first compound as the light emitting material of the present invention and the first host material and the second host material as the dual host use the first compound of the present invention as the light emitting material and alone Compared to Comparative Example 3 using the second host material of the invention as a single host material, respectively, its EQE was improved by 181% at most, and the life of the device was improved by 169% at most. In particular, in Example 5, compared to Comparative Example 3, its maximum emission wavelength was blue-shifted by 3 nm and its full width at half maximum was narrowed by 11.2 nm, which is a great improvement in the performance study of blue light TADF devices, and excellent overall device performance was obtained.

본 발명의 발광 재료인 제1 화합물과 이중 호스트인 제1 호스트 재료 및 제2 호스트 재료의 특정 조합을 사용하는 실시예 3은, 본 발명의 제1 화합물을 발광 재료로 사용하고 단독으로 본 발명의 제1 호스트 재료를 단일 호스트 재료로 사용하는 비교예 4에 비해, 이의 EQE는 83.4% 향상되었으며, 소자 수명도 4배 이상 향상되었다. 마찬가지로, 본 발명의 발광 재료인 제1 화합물과 이중 호스트인 제1 호스트 재료 및 제2 호스트 재료의 특정 조합을 사용하는 실시예 4는, 본 발명의 제1 화합물을 발광 재료로 사용하고 단독으로 본 발명의 제1 호스트 재료를 사용하는 비교예 5에 비해, 이의 EQE는 17.8% 향상되었으며, 소자 수명도 크게 연장되어 50여배 향상되었다. 이러한 데이터는 본 출원의 특정 조합이 우수한 종합적 소자 성능을 얻을 수 있음을 나타낸다.Example 3 using a specific combination of the first compound, which is the light emitting material of the present invention, and the first host material and the second host material, which are double hosts, uses the first compound of the present invention as the light emitting material and alone Compared to Comparative Example 4 in which the first host material was used as a single host material, the EQE thereof was improved by 83.4%, and the lifespan of the device was improved by more than 4 times. Similarly, Example 4 using a specific combination of the first compound as the light emitting material of the present invention and the first host material and the second host material as a dual host, using the first compound of the present invention as the light emitting material and alone Compared to Comparative Example 5 using the first host material of the invention, its EQE was improved by 17.8%, and the life of the device was greatly extended and improved by about 50 times. These data indicate that certain combinations of the present application can achieve good overall device performance.

또한, 본 발명의 제1 화합물 BD-1-1을 기반으로, 이를 유도하여 새로운 발광 재료 BD-3-23 및 BD-3-24를 설계하였다. 소자에 사용된 BD-1-1의 우수한 소자 성능의 기초 상에서, BD-3-23과 BD-3-24는 소자에서 소자 성능을 더욱 향상시켰다. 실시예 6 및 실시예 8에서는 실시예 1에서의 BD-1-1 대신 각각 BD-3-23과 BD-3-24를 사용하여, EQE는 각각 33% 및 39% 향상되었고, 수명도 크게 향상되어 각각 88% 및 43% 향상되었으며; 실시예 7 및 실시예 9에서는 실시예 2에서의 BD-1-1 대신 각각 BD-3-23과 BD-3-24를 사용하여, EQE는 각각 59% 및 66% 향상되었고, 수명도 크게 향상되어 각각 70% 및 53% 향상되었다. 이러한 데이터는 본 출원의 특정 조합이 보다 우수한 종합적 소자 성능을 얻을 수 있음을 나타낸다.In addition, based on the first compound BD-1-1 of the present invention, new light emitting materials BD-3-23 and BD-3-24 were designed by inducing it. On the basis of the excellent device performance of BD-1-1 used in the device, BD-3-23 and BD-3-24 further improved the device performance in the device. In Examples 6 and 8, BD-3-23 and BD-3-24 were used instead of BD-1-1 in Example 1, and the EQE was improved by 33% and 39%, respectively, and the lifespan was greatly improved. was improved by 88% and 43%, respectively; In Examples 7 and 9, BD-3-23 and BD-3-24 were used instead of BD-1-1 in Example 2, and the EQE was improved by 59% and 66%, respectively, and the lifespan was greatly improved. and improved by 70% and 53%, respectively. These data indicate that certain combinations of the present application can yield better overall device performance.

소자 실시예 10Device Example 10

발광층(EML)에서 화합물 BD-1-1 대신 화합물 BD-3-8을 사용하고, HBL에서 화합물 N-2-24 대신 화합물 N-1-15를 사용하는 것을 제외하고, 소자 실시예 10의 실시방식은 소자 실시예 1과 동일하다.Execution of Device Example 10, except that compound BD-3-8 was used instead of compound BD-1-1 in the light emitting layer (EML) and compound N-1-15 was used instead of compound N-2-24 in HBL. The manner is the same as that of Device Example 1.

소자 실시예 11Device Example 11

발광층(EML)에서 화합물 N-2-24 대신 화합물 N-1-15를 사용하는 것을 제외하고, 소자 실시예 11의 실시방식은 소자 실시예 10과 동일하다.Except for using the compound N-1-15 instead of the compound N-2-24 in the light emitting layer (EML), the implementation of Device Example 11 is the same as Device Example 10.

소자 비교예 6Device Comparative Example 6

발광층(EML)에서 화합물 BD-3-8 대신 화합물 B를 사용하는 것 외에는, 소자 비교예 6의 실시방식은 소자 실시예 10과 동일하다.Except for using compound B instead of compound BD-3-8 in the light emitting layer (EML), the embodiment of Device Comparative Example 6 is the same as Device Example 10.

소자 비교예 7Device Comparative Example 7

발광층(EML)에서 화합물 N-2-24 대신 화합물 N-1-15를 사용하는 것 외에는, 소자 비교예 7의 실시방식은 소자 비교예 6과 동일하다.Except for using the compound N-1-15 instead of the compound N-2-24 in the light emitting layer (EML), the embodiment of Device Comparative Example 7 is the same as Device Comparative Example 6.

표 5 소자 실시예 10-11 및 비교예 6 -7의 소자 구조Table 5 Device Structures of Device Examples 10-11 and Comparative Examples 6-7

Figure pat00066
Figure pat00066

소자에 새로 사용되는 재료 구조는 아래와 같다:The new material structure used in the device is as follows:

Figure pat00067
.
Figure pat00067
.

표 6은 300cd/m2인 조건에서 측정된 CIE 값, 최대방출파장(λmax), 반치폭(FWHM), 소자 수명(LT95) 및 외부 양자 효율(EQE)을 나타낸다.Table 6 shows the CIE value, maximum emission wavelength (λ max ), full width at half maximum (FWHM), device lifetime (LT95), and external quantum efficiency (EQE) measured under the condition of 300 cd/m 2 .

표 6 300cd/m2에서의 소자 실시예 10-11 및 비교예 6-7의 소자 데이터Table 6 Device data of Examples 10-11 and Comparative Examples 6-7 at 300 cd/m 2

Figure pat00068
Figure pat00068

표 6으로부터 알 수 있다시피, 실시예 10과 비교예 6을 비교하고, 실시예 11과 비교예 7을 비교하면, 차이점은 단지 화합물 BD-3-8과 화합물 B에서 고리 D의 축합 고리 방식만 다를 뿐이다. 실시예 10는 비교예 6에 비해, 실시예 11는 비교예 7에 비해, 이들의 EQE는 각각 52.3% 및 37.6% 향상되었고, 수명은 각각 9.15배 및 3.76배 크게 향상되었다.As can be seen from Table 6, comparing Example 10 with Comparative Example 6 and comparing Example 11 with Comparative Example 7, the only difference is the condensed ring manner of ring D in compound BD-3-8 and compound B. It's just different. Compared to Comparative Example 6 in Example 10 and Comparative Example 7 in Example 11, their EQEs were improved by 52.3% and 37.6%, respectively, and lifespans were greatly improved by 9.15 times and 3.76 times, respectively.

이상은 모두 본 출원의 특정 화합물의 조합이 보다 우수한 종합적 소자 성능을 얻을 수 있음을 나타낸다.All of the above indicates that a combination of specific compounds of the present application can obtain better overall device performance.

표 7은 실시예 10 내지 11 및 비교예 6 내지 7이 1000cd/m2인 조건에서 측정된 CIE 값, 최대방출파장(λmax), 반치폭(FWHM), 소자 수명(LT95) 및 외부 양자 효율(EQE)을 나타낸다.Table 7 shows the CIE values, maximum emission wavelength (λ max ) , full width at half maximum (FWHM), device lifetime (LT95) and external quantum efficiency ( EQE).

표 7 1000cd/m2에서 소자 실시예 10-11 및 비교예 6-7의 소자 데이터Table 7 Device data of Device Examples 10-11 and Comparative Examples 6-7 at 1000 cd/m 2

Figure pat00069
Figure pat00069

표 7로부터 알 수 있다시피, 실시예 10과 비교예 6을 비교하고, 실시예 11과 비교예 7을 비교하면, 차이점은 단지 화합물 BD-3-8과 화합물 B에서 고리 D의 축합방식만 다를 뿐이다. 실시예 10는 비교예 6에 비해, 실시예 11는 비교예 7에 비해, 이들의 EQE가 각각 78.5% 및 87.3% 향상되었고, 수명이 각각 9.14배 및 3.76배 크게 향상되었다.As can be seen from Table 7, when Example 10 and Comparative Example 6 are compared, and Example 11 and Comparative Example 7 are compared, the only difference is the condensation method of Ring D in Compound BD-3-8 and Compound B. only Compared to Comparative Example 6 in Example 10 and Comparative Example 7 in Example 11, their EQEs were improved by 78.5% and 87.3%, respectively, and lifespans were greatly improved by 9.14 times and 3.76 times, respectively.

지연형광의 연구에서, 원래 S1 상태에 점유하던 25%의 엑시톤이 신속하게 방사함으로써 비활성화되어 나노초급의 프롬프트 형광(prompt fluorescence, PF)을 생성하고, 75%의 T1 상태 엑시톤은 RISC 과정을 통해 S1 상태로 상향 변환(up-conversion)된 후 방사선에 의해 비활성화되어 마이크로초급 또는 심지어 밀리초급 수명의 지연형광(delayed fluorescence, DF)을 생성한다. DF의 수명이 일반적으로 비교적 길기에, 이는 고휘도에서 삼중항 상태 엑시톤의 퀀칭이 통상적으로 더 심각하여, 결국 지연형광 소자가 고휘도에서의 효율이 롤오프된다. 따라서 고휘도 조건에서 지연형광 소자의 효율의 롤오프를 줄이는 방법을 연구하는 것은 지연형광 연구에서의 중점 중 하나이다. 상기 표 6 및 표 7에서 알 수 있다시피, 실시예 10과 비교예 6, 실시예 11과 비교예 7을 비교하면, 차이점은 단지 화합물 BD-3-8과 화합물 B 중 고리 D의 연결방식만 다를 뿐, 상이한 휘도 조건에서 EQE와 LT95는 모두 크게 향상되었다. 또한, 실시예 10의 테스트조건을 300cd/m2에서 1000cd/m2로 변경하였을 때, 외부 양자 효율은 19.76%에서 18.00%로 감소되었고, 롤오프율은 8.9%이며, 반면 비교예 6의 테스트조건을 300cd/m2에서 1000cd/m2로 변경하였을 때, 외부 양자 효율은 12.97%에서 10.08%로 감소되었고, 롤오프율은 22.3%이며; 마찬가지로 실시예 11과 비교예 7을 비교하면, 실시예 11의 테스트조건을 300cd/m2에서 1000cd/m2로 변경하였을 때, 외부 양자 효율은 16.88%에서 15.29%로 감소되었고, 롤오프율은 9.4%이며, 반면 비교예 7의 테스트조건을 300cd/m2에서 1000cd/m2로 변경하였을 때, 외부 양자 효율은 12.26%에서 8.16%으로 감소되었고, 롤오프율은 33.4%이다. 붕소-질소 유형의 화합물의 선택에서, 본 발명의 연결 방식(고리 A는 고리 D에 연결되고, 고리 C는 고리 E에 연결됨)을 구비하는 화합물은, 연결 방식(고리 B는 고리 D에 연결되고, 고리 C는 고리 E에 연결됨)을 구비하는 화합물 B에 비하여, 효율 롤오프가 현저하게 개선되며 이는 지연형광의 연구에서 아주 큰 개선이며, 소자의 성능에서도 비교적 큰 개선이다.In the study of delayed fluorescence, 25% of the excitons originally occupied in the S1 state are inactivated by rapid emission to generate nanosecondary prompt fluorescence (PF), and 75% of the excitons in the T1 state are released into the S1 state through the RISC process. After up-conversion to the state, they are inactivated by radiation to produce microsecond or even millisecond lifetime delayed fluorescence (DF). Since the lifetime of DF is generally relatively long, this means that the quenching of triplet state excitons at high luminance is usually more severe, and consequently, the efficiency of the delayed light emitting device at high luminance rolls off. Therefore, research on how to reduce the roll-off of the delayed fluorescence device's efficiency under high luminance conditions is one of the main focuses of delayed fluorescence research. As can be seen from Tables 6 and 7 above, when Example 10 and Comparative Example 6 and Example 11 and Comparative Example 7 are compared, the only difference is the connection method of Ring D in Compound BD-3-8 and Compound B. Only at different luminance conditions, both EQE and LT95 improved significantly. In addition, when the test condition of Example 10 was changed from 300 cd/m 2 to 1000 cd/m 2 , the external quantum efficiency was reduced from 19.76% to 18.00%, and the roll-off ratio was 8.9%, whereas the test condition of Comparative Example 6 was reduced. When is changed from 300 cd/m 2 to 1000 cd/m 2 , the external quantum efficiency is reduced from 12.97% to 10.08%, and the roll-off ratio is 22.3%; Similarly, comparing Example 11 and Comparative Example 7, when the test conditions of Example 11 were changed from 300 cd/m 2 to 1000 cd/m 2 , the external quantum efficiency decreased from 16.88% to 15.29%, and the roll-off ratio was 9.4 %, whereas when the test conditions of Comparative Example 7 were changed from 300 cd/m 2 to 1000 cd/m 2 , the external quantum efficiency was reduced from 12.26% to 8.16%, and the roll-off ratio was 33.4%. In the selection of the boron-nitrogen type compound, the compound having the connection mode of the present invention (ring A is connected to ring D, ring C is connected to ring E), the connection mode (ring B is connected to ring D and , ring C is connected to ring E), the efficiency roll-off is significantly improved, which is a great improvement in the study of delayed fluorescence and a relatively great improvement in the performance of the device.

종합하면, 본 발명에서 높은 삼중항 상태를 갖는 제1 호스트 재료 및 제2 호스트 재료를 특정된 비교적 깊은 LUMO 에너지 준위를 갖는 제1 화합물과 조합하여 발광 재료로 사용하고, 청색광 TADF 전계발광 소자에 사용하면 소자의 종합적 성능은 크게 향상될 수 있으며, 이는 본 발명의 높은 삼중항 상태를 갖는 제1 호스트 재료, 제2 호스트 재료와 특정된 비교적 깊은 LUMO 에너지 준위를 갖는 제1 화합물을 특정 조합으로 사용함에 있어서의 우수한 성능을 충분히 입증하였다. In summary, in the present invention, a first host material and a second host material having a high triplet state are combined with a first compound having a specified relatively deep LUMO energy level to be used as a light emitting material, and used in a blue light TADF electroluminescent device The overall performance of the bottom device can be greatly improved, which is due to the use of a first host material having a high triplet state of the present invention, a second host material and a first compound having a specified relatively deep LUMO energy level in a specific combination. Its excellent performance was fully demonstrated.

본문에 기재된 다양한 실시예는 단지 예시일뿐이며 본 발명의 범위를 한정하려는 의도가 아님을 이해해야 한다. 따라서, 청구하려는 본 발명은 본문에 기재된 구체적인 실시예 및 바람직한 실시예의 변경을 포함할 수 있다는 것은 본 분야 당업자에게 자명한 것이다. 본문에 기재된 재료 및 구조에서의 다수는 본 발명의 사상을 벗어나지 않는 한, 기타 재료 및 구조로 대체하여 사용할 수 있다. 본 발명이 작용되는 이유에 대한 다양한 이론은 한정적인 것이 아님을 이해해야 한다.It should be understood that the various embodiments described herein are merely illustrative and are not intended to limit the scope of the present invention. Accordingly, it is apparent to those skilled in the art that the claimed invention may include modifications of the specific and preferred embodiments described herein. Many of the materials and structures described herein may be substituted for other materials and structures without departing from the spirit of the present invention. It should be understood that the various theories as to why this invention works are not limiting.

Claims (23)

유기 전계발광소자에 있어서,
양극,
음극, 및
양극과 음극 사이에 배치된 유기층을 포함하며, 여기서 상기 유기층은 적어도 유기 발광층을 포함하고;
여기서, 상기 유기 발광층은 적어도 제1 화합물, 제1 호스트 재료 및 제2 호스트 재료를 포함하며;
여기서 상기 제1 호스트 재료 및 제2 호스트 재료의 삼중항 상태의 에너지 준위는 모두 2.69eV보다 높고;
여기서 상기 제1 화합물은 식 1로 나타내는 구조를 가지며,
Figure pat00070

식 1에서, 고리 A, 고리 B, 고리 C, 고리 D, 고리 E는 각각 독립적으로 5∼30 개 탄소원자를 갖는 불포화 탄소고리 또는 3∼30 개 탄소원자를 갖는 불포화 헤테로고리에서 선택되고;
Y1은 B, P=O, P=S, As, As=O, As=S, SiR' 또는 GeR'에서 선택되며;
Ra, Rb, Rc, Rd, Re은 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 단일치환, 다중치환 또는 비치환을 나타내고;
R', Ra, Rb, Rc, Rd, Re은 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 수소, 듀테륨, 할로겐, 1∼20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬기, 3∼20 개의 고리탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 시클로알킬기, 1∼20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로알킬기, 3-20 개의 고리원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로시클릭기, 7∼30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아랄킬기, 1∼20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알콕시기, 6∼30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴옥시기, 2∼20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알케닐기, 6∼30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴기, 3∼30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기, 3∼20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬실릴기, 6∼20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴실릴기, 3∼20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬게르마닐기, 6∼20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴게르마닐기, 0∼20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아미노기, 아실기, 카르보닐기, 카르복실산기, 에스테르기, 시아노기, 이소시아노기, 하이드록시기, 술파닐기, 술피닐기, 술포닐기, 포스피노기, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되며;
L1, L2은 각각 독립적으로 단일 결합, O, S, Se, SiRR, PR, 치환 또는 비치환된 비닐렌기, 6-30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴렌기, 3∼30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴렌기, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되고; 복수의 R가 동시에 존재할 경우, 복수의 R은 동일하거나 상이하며;
R은 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 수소, 듀테륨, 할로겐, 1∼20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬기, 3∼20 개의 고리탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 시클로알킬기, 1∼20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로알킬기, 3-20 개의 고리원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로시클릭기, 7∼30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아랄킬기, 6∼30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴기, 3∼30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택되고;
인접한 치환기 Ra, Rb, Rc, Rd, Re, R은 임의로 연결되어 고리를 형성할 수 있는 유기 전계발광소자.
In the organic electroluminescent device,
anode,
cathode, and
an organic layer disposed between an anode and a cathode, wherein the organic layer includes at least an organic light emitting layer;
Here, the organic light emitting layer includes at least a first compound, a first host material and a second host material;
Here, the energy levels of the triplet state of the first host material and the second host material are both higher than 2.69 eV;
Here, the first compound has a structure represented by Formula 1,
Figure pat00070

In Formula 1, ring A, ring B, ring C, ring D, and ring E are each independently selected from an unsaturated carbon ring having 5 to 30 carbon atoms or an unsaturated hetero ring having 3 to 30 carbon atoms;
Y 1 is selected from B, P=O, P=S, As, As=O, As=S, SiR' or GeR';
Each occurrence of R a , R b , R c , R d , R e identically or differently represents mono-substitution, poly-substitution or non-substitution;
R', R a , R b , R c , R d , R e are identical or different each time they appear, hydrogen, deuterium, halogen, substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, 3 to 20 rings A substituted or unsubstituted cycloalkyl group having carbon atoms, a substituted or unsubstituted heteroalkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted heterocyclic group having 3 to 20 ring atoms, and a 7 to 30 carbon atoms A substituted or unsubstituted aralkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted alkoxy group having 6 to 30 carbon atoms, a substituted or unsubstituted aryloxy group having 2 to 20 carbon atoms, or a substituted or unsubstituted alkoxy group having 2 to 20 carbon atoms cyclic alkenyl group, substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 carbon atoms, substituted or unsubstituted heteroaryl group having 3 to 30 carbon atoms, substituted or unsubstituted alkylsilyl having 3 to 20 carbon atoms group, a substituted or unsubstituted arylsilyl group having 6 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted alkylgermanyl group having 3 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted arylgerma group having 6 to 20 carbon atoms Nyl group, substituted or unsubstituted amino group having 0 to 20 carbon atoms, acyl group, carbonyl group, carboxylic acid group, ester group, cyano group, isocyano group, hydroxy group, sulfanyl group, sulfinyl group, sulfonyl group, phosphino selected from the group consisting of groups, and combinations thereof;
L 1 and L 2 are each independently a single bond, O, S, Se, SiRR, PR, a substituted or unsubstituted vinylene group, a substituted or unsubstituted arylene group having 6 to 30 carbon atoms, and 3 to 30 carbon atoms. It is selected from the group consisting of a substituted or unsubstituted heteroarylene group having a group, and a combination thereof; When a plurality of R's are present at the same time, the plurality of R's are the same or different;
Each occurrence of R, identically or differently, is hydrogen, deuterium, halogen, a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted cycloalkyl group having 3 to 20 ring carbon atoms, and 1 to 20 carbon atoms. substituted or unsubstituted heteroalkyl group having 3 to 20 ring atoms, substituted or unsubstituted heterocyclic group having 7 to 30 carbon atoms, substituted or unsubstituted aralkyl group having 6 to 30 carbon atoms, It is selected from the group consisting of a substituted or unsubstituted aryl group and a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 3 to 30 carbon atoms;
Adjacent substituents R a , R b , R c , R d , R e , R may be optionally linked to form a ring.
제 1 항에 있어서, 식 1에서, 고리 A, 고리 B, 고리 C, 고리 D 및 고리 E는 각각 독립적으로 5원 불포화 탄소고리, 6-30 개 탄소원자를 갖는 방향족 고리 또는 3∼30 개 탄소원자를 갖는 헤테로 방향족 고리에서 선택되고;
바람직하게는 고리 A, 고리 B, 고리 C, 고리 D 및 고리 E는 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 5원 불포화 탄소고리, 6-18 개 탄소원자를 갖는 방향족 고리 또는 3-18 개 탄소원자를 갖는 헤테로 방향족 고리에서 선택되며;
더 바람직하게는 고리 A, 고리 B, 고리 C, 고리 D 및 고리 E는 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 벤젠 고리, 피리딘 고리, 나프탈렌 고리, 페난트렌 고리, 안트라센 고리, 인덴 고리, 플루오렌 고리, 인돌 고리, 카바졸 고리, 벤조퓨란 고리, 디벤조퓨란 고리, 벤조실롤 고리, 디벤조실롤 고리, 벤조티오펜 고리, 디벤조티오펜 고리, 디벤조셀레노펜 고리, 시클로펜타디엔 고리, 퓨란 고리, 티오펜 고리, 실롤 고리 혹은 이들의 조합에서 선택되는 유기 전계발광소자.
The method according to claim 1, wherein in Formula 1, ring A, ring B, ring C, ring D and ring E each independently represent a 5-membered unsaturated carbon ring, an aromatic ring having 6 to 30 carbon atoms, or a ring having 3 to 30 carbon atoms. It is selected from heteroaromatic rings having;
Preferably Ring A, Ring B, Ring C, Ring D and Ring E, identically or differently each time they appear, are a 5-membered unsaturated carbocyclic ring, an aromatic ring having 6-18 carbon atoms or a heteroaromatic ring having 3-18 carbon atoms. selected from rings;
More preferably, ring A, ring B, ring C, ring D and ring E are identically or differently each time they appear, benzene ring, pyridine ring, naphthalene ring, phenanthrene ring, anthracene ring, indene ring, fluorene ring, indole ring, carbazole ring, benzofuran ring, dibenzofuran ring, benzosilol ring, dibenzosilol ring, benzothiophene ring, dibenzothiophene ring, dibenzoselenophene ring, cyclopentadiene ring, furan ring, thio An organic electroluminescent device selected from an open ring, a silole ring, or a combination thereof.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
식 1에서, Y1은 B, P=O 또는 P=S에서 선택되고; 바람직하게는 Y1은 B인 유기 전계발광소자.
According to claim 1 or 2,
In Formula 1, Y 1 is selected from B, P=0 or P=S; Preferably, Y 1 is B, an organic electroluminescent device.
제 1 항에 있어서,
제1 화합물은 식 2로 나타내는 구조를 가지며,
Figure pat00071
,
Ra, Rb, Rc, Rd, Re은 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 단일치환, 다중치환 또는 비치환을 나타내고;
Ra, Rb, Rc, Rd, Re은 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 수소, 듀테륨, 할로겐, 1∼20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬기, 3∼20 개의 고리탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 시클로알킬기, 1∼20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로알킬기, 3-20 개의 고리원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로시클릭기, 7∼30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아랄킬기, 1∼20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알콕시기, 6∼30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴옥시기, 2∼20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알케닐기, 6∼30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴기, 3∼30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기, 3∼20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬실릴기, 6∼20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴실릴기, 3∼20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬게르마닐기, 6∼20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴게르마닐기, 0∼20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아미노기, 아실기, 카르보닐기, 카르복실산기, 에스테르기, 시아노기, 이소시아노기, 하이드록시기, 술파닐기, 술피닐기, 술포닐기, 포스피노기, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되며;
L1, L2은 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 단일 결합, O, S, Se, SiRR, PR, 치환 또는 비치환된 비닐렌기, 6-30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴렌기, 3∼30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴렌기, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되고; 복수의 R가 동시에 존재할 경우, 복수의 R은 동일하거나 상이하며;
R은 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 수소, 듀테륨, 할로겐, 1∼20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬기, 3∼20 개의 고리탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 시클로알킬기, 1∼20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로알킬기, 3-20 개의 고리원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로시클릭기, 7∼30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아랄킬기, 6∼30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴기, 3∼30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택되고;
인접한 치환기 Ra, Rb, Rc, Rd, Re, R은 임의로 연결되어 고리를 형성할 수 있는 유기 전계발광소자.
According to claim 1,
The first compound has a structure represented by Formula 2,
Figure pat00071
,
Each occurrence of R a , R b , R c , R d , R e identically or differently represents mono-substitution, poly-substitution or non-substitution;
Each occurrence of R a , R b , R c , R d , R e is identically or differently hydrogen, deuterium, halogen, a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, or a ring having 3 to 20 ring carbon atoms. A substituted or unsubstituted cycloalkyl group, a substituted or unsubstituted heteroalkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted heterocyclic group having 3 to 20 ring atoms, a substituted or unsubstituted heterocyclic group having 7 to 30 carbon atoms Unsubstituted aralkyl group, substituted or unsubstituted alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms, substituted or unsubstituted aryloxy group having 6 to 30 carbon atoms, substituted or unsubstituted alkoxy group having 2 to 20 carbon atoms Nyl group, substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 carbon atoms, substituted or unsubstituted heteroaryl group having 3 to 30 carbon atoms, substituted or unsubstituted alkylsilyl group having 3 to 20 carbon atoms, 6 A substituted or unsubstituted arylsilyl group having to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted alkylgermanyl group having 3 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted arylgermanyl group having 6 to 20 carbon atoms, 0 A substituted or unsubstituted amino group, acyl group, carbonyl group, carboxylic acid group, ester group, cyano group, isocyano group, hydroxy group, sulfanyl group, sulfinyl group, sulfonyl group, phosphino group, and It is selected from the group consisting of combinations thereof;
Each time L 1 , L 2 appears identically or differently, a single bond, O, S, Se, SiRR, PR, a substituted or unsubstituted vinylene group, a substituted or unsubstituted arylene group having 6 to 30 carbon atoms, 3 It is selected from the group consisting of a substituted or unsubstituted heteroarylene group having about 30 carbon atoms, and combinations thereof; When a plurality of R's are present at the same time, the plurality of R's are the same or different;
Each occurrence of R, identically or differently, is hydrogen, deuterium, halogen, a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted cycloalkyl group having 3 to 20 ring carbon atoms, and 1 to 20 carbon atoms. substituted or unsubstituted heteroalkyl group having 3 to 20 ring atoms, substituted or unsubstituted heterocyclic group having 7 to 30 carbon atoms, substituted or unsubstituted aralkyl group having 6 to 30 carbon atoms, It is selected from the group consisting of a substituted or unsubstituted aryl group and a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 3 to 30 carbon atoms;
Adjacent substituents R a , R b , R c , R d , R e , R may be optionally linked to form a ring.
제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
L1 및/또는 L2은 단일 결합인 유기 전계발광소자.
According to any one of claims 1 to 4,
An organic electroluminescent device in which L 1 and/or L 2 is a single bond.
제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
Ra, Rb, Rc, Rd, Re은 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 수소, 듀테륨, 할로겐, 시아노기, 하이드록시기, 술파닐기, 1∼6 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬기, 3∼6 개의 고리탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 시클로알킬기, 1∼6 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로알킬기, 6∼24 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴기, 3∼12 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기, 3∼6 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬실릴기, 6∼12 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴실릴기, 3∼6 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬게르마닐기, 6∼12 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴게르마닐기, 0∼12 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아미노기, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되며;
바람직하게는, Ra, Rb, Rc, Rd, Re은 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 수소, 듀테륨, 불소, 시아노기, 하이드록시기, 술파닐기, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, 시클로프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, t-부틸기, 시클로펜틸기, 네오펜틸기, 시클로헥실기, 트리메틸실릴기, 트리메틸게르마닐기, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 쿼터페닐기, 트리페닐렌기, 테트라페닐렌기, 나프틸기, 페난트렌기, 안트라센기, 인데닐기, 플루오렌기, 인돌릴기, 카바졸기, 벤조퓨란기, 디벤조퓨란기, 벤조실롤기, 디벤조실롤기, 벤조티오펜기, 디벤조티오펜기, 디벤조셀레노펜기, 디페닐아미노기, 디벤조퓨라닐페닐아미노기, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 유기 전계발광소자.
According to any one of claims 1 to 5,
Each occurrence of R a , R b , R c , R d , R e is identically or differently hydrogen, deuterium, halogen, cyano group, hydroxy group, sulfanyl group, substituted or unsubstituted group having 1 to 6 carbon atoms. Alkyl group, substituted or unsubstituted cycloalkyl group having 3 to 6 ring carbon atoms, substituted or unsubstituted heteroalkyl group having 1 to 6 carbon atoms, substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 24 carbon atoms, 3 to 6 carbon atoms A substituted or unsubstituted heteroaryl group having 12 carbon atoms, a substituted or unsubstituted alkylsilyl group having 3 to 6 carbon atoms, a substituted or unsubstituted arylsilyl group having 6 to 12 carbon atoms, and a 3 to 6 carbon atom group. A substituted or unsubstituted alkylgermanyl group having carbon atoms, a substituted or unsubstituted arylgermanyl group having 6 to 12 carbon atoms, a substituted or unsubstituted amino group having 0 to 12 carbon atoms, and combinations thereof selected from the group;
Preferably, each occurrence of R a , R b , R c , R d , R e is identically or differently hydrogen, deuterium, fluorine, cyano group, hydroxyl group, sulfanyl group, methyl group, ethyl group, n-propyl group , isopropyl group, cyclopropyl group, n-butyl group, isobutyl group, t-butyl group, cyclopentyl group, neopentyl group, cyclohexyl group, trimethylsilyl group, trimethylgermanyl group, phenyl group, biphenyl group, ter Phenyl group, quaterphenyl group, triphenylene group, tetraphenylene group, naphthyl group, phenanthrene group, anthracene group, indenyl group, fluorene group, indolyl group, carbazole group, benzofuran group, dibenzofuran group, benzosilol group, di An organic electroluminescent device selected from the group consisting of a benzosilol group, a benzothiophene group, a dibenzothiophene group, a dibenzoselenophene group, a diphenylamino group, a dibenzofuranylphenylamino group, and combinations thereof.
제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
Ra, Rb, Rc, Rd, Re 중 적어도 하나는 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 듀테륨, 할로겐, 1∼20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬기, 3∼20 개의 고리탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 시클로알킬기, 1∼20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로알킬기, 3-20 개의 고리원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로시클릭기, 7∼30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아랄킬기, 1∼20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알콕시기, 6∼30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴옥시기, 2∼20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알케닐기, 6∼30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴기, 3∼30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기, 3∼20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬실릴기, 6∼20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴실릴기, 3∼20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬게르마닐기, 6∼20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴게르마닐기, 0∼20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아미노기, 아실기, 카르보닐기, 카르복실산기, 에스테르기, 시아노기, 이소시아노기, 하이드록시기, 술파닐기, 술피닐기, 술포닐기, 포스피노기, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되고;
바람직하게는, Ra, Rb, Rc, Rd, Re 중 적어도 하나는 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 듀테륨, 할로겐, 시아노기, 하이드록시기, 술파닐기, 1∼6 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬기, 3∼6 개의 고리탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 시클로알킬기, 1∼6 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로알킬기, 6∼24 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴기, 3∼12 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기, 3∼6 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬실릴기, 6∼12 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴실릴기, 3∼6 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬게르마닐기, 6∼12 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴게르마닐기, 0∼12 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아미노기, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되며;
더 바람직하게는, Ra, Rb, Rc, Rd, Re 중 적어도 하나는 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 듀테륨, 불소, 시아노기, 하이드록시기, 술파닐기, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, 시클로프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, t-부틸기, 시클로펜틸기, 네오펜틸기, 시클로헥실기, 트리메틸실릴기, 트리메틸게르마닐기, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 쿼터페닐기, 트리페닐렌기, 테트라페닐렌기, 나프틸기, 페난트렌기, 안트라센기, 인데닐기, 플루오렌기, 인돌릴기, 카바졸기, 벤조퓨란기, 디벤조퓨란기, 벤조실롤기, 디벤조실롤기, 벤조티오펜기, 디벤조티오펜기, 디벤조셀레노펜기, 디페닐아미노기, 디벤조퓨라닐페닐아미노기, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 유기 전계발광소자.
According to any one of claims 1 to 5,
Whenever at least one of R a , R b , R c , R d , R e appears identically or differently, deuterium, halogen, a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, or 3 to 20 ring carbon atoms substituted or unsubstituted cycloalkyl group, substituted or unsubstituted heteroalkyl group having 1 to 20 carbon atoms, substituted or unsubstituted heterocyclic group having 3 to 20 ring atoms, substituted or unsubstituted heterocyclic group having 7 to 30 carbon atoms Or an unsubstituted aralkyl group, a substituted or unsubstituted alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted aryloxy group having 6 to 30 carbon atoms, or a substituted or unsubstituted group having 2 to 20 carbon atoms. An alkenyl group, a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 carbon atoms, a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 3 to 30 carbon atoms, a substituted or unsubstituted alkylsilyl group having 3 to 20 carbon atoms, A substituted or unsubstituted arylsilyl group having 6 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted alkylgermanyl group having 3 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted arylgermanyl group having 6 to 20 carbon atoms, A substituted or unsubstituted amino group having 0 to 20 carbon atoms, an acyl group, a carbonyl group, a carboxylic acid group, an ester group, a cyano group, an isocyano group, a hydroxy group, a sulfanyl group, a sulfinyl group, a sulfonyl group, a phosphino group, And it is selected from the group consisting of combinations thereof;
Preferably, at least one of R a , R b , R c , R d , R e is identically or differently each time it appears, deuterium, halogen, cyano group, hydroxyl group, sulfanyl group, having 1 to 6 carbon atoms. A substituted or unsubstituted alkyl group, a substituted or unsubstituted cycloalkyl group having 3 to 6 ring carbon atoms, a substituted or unsubstituted heteroalkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a substituted or unsubstituted group having 6 to 24 carbon atoms Aryl group, substituted or unsubstituted heteroaryl group having 3 to 12 carbon atoms, substituted or unsubstituted alkylsilyl group having 3 to 6 carbon atoms, substituted or unsubstituted arylsilyl group having 6 to 12 carbon atoms , A substituted or unsubstituted alkylgermanyl group having 3 to 6 carbon atoms, a substituted or unsubstituted arylgermanyl group having 6 to 12 carbon atoms, a substituted or unsubstituted amino group having 0 to 12 carbon atoms, and It is selected from the group consisting of combinations thereof;
More preferably, at least one of R a , R b , R c , R d , R e is, identically or differently, deuterium, fluorine, cyano group, hydroxyl group, sulfanyl group, methyl group, ethyl group, n- Propyl group, isopropyl group, cyclopropyl group, n-butyl group, isobutyl group, t-butyl group, cyclopentyl group, neopentyl group, cyclohexyl group, trimethylsilyl group, trimethylgermanyl group, phenyl group, biphenyl group , terphenyl group, quaterphenyl group, triphenylene group, tetraphenylene group, naphthyl group, phenanthrene group, anthracene group, indenyl group, fluorene group, indolyl group, carbazole group, benzofuran group, dibenzofuran group, benzosilol group , A dibenzosilol group, a benzothiophene group, a dibenzothiophene group, a dibenzoselenophene group, a diphenylamino group, a dibenzofuranylphenylamino group, and an organic electroluminescent device selected from the group consisting of combinations thereof.
제 1 항에 있어서,
상기 제1 화합물의 HOMO 에너지 준위는 -5.2eV보다 작고;
바람직하게는 상기 제1 화합물의 HOMO 에너지 준위는 -5.3eV보다 작거나 같으며;
더 바람직하게는 상기 제1 화합물의 HOMO 에너지 준위는 -5.4eV보다 작거나 같는 유기 전계발광소자.
According to claim 1,
The HOMO energy level of the first compound is less than -5.2eV;
Preferably, the HOMO energy level of the first compound is less than or equal to -5.3 eV;
More preferably, the HOMO energy level of the first compound is less than or equal to -5.4eV organic electroluminescent device.
제 1 항에 있어서, 상기 제1 화합물은 아래의 구조로 이루어진 군에서 선택되고,
Figure pat00072

Figure pat00073

Figure pat00074

Figure pat00075

Figure pat00076

Figure pat00077

Figure pat00078

Figure pat00079

Figure pat00080

Figure pat00081

Figure pat00082

Figure pat00083

Figure pat00084

Figure pat00085

Figure pat00086

Figure pat00087

Figure pat00088

Figure pat00089

Figure pat00090

Figure pat00091

Figure pat00092

Figure pat00093

Figure pat00094

Figure pat00095

Figure pat00096

Figure pat00097

Figure pat00098

Figure pat00099

Figure pat00100

Figure pat00101

Figure pat00102

Figure pat00103

Figure pat00104

Figure pat00105

Figure pat00106

Figure pat00107

Figure pat00108

Figure pat00109

Figure pat00110

Figure pat00111

Figure pat00112

Figure pat00113

Figure pat00114

Figure pat00115

여기서 선택적으로, 상기 구조 중의 수소는 듀테륨에 의해 부분적 또는 전체적으로 치환될 수 있는 유기 전계발광소자.
The method of claim 1, wherein the first compound is selected from the group consisting of the following structure,
Figure pat00072

Figure pat00073

Figure pat00074

Figure pat00075

Figure pat00076

Figure pat00077

Figure pat00078

Figure pat00079

Figure pat00080

Figure pat00081

Figure pat00082

Figure pat00083

Figure pat00084

Figure pat00085

Figure pat00086

Figure pat00087

Figure pat00088

Figure pat00089

Figure pat00090

Figure pat00091

Figure pat00092

Figure pat00093

Figure pat00094

Figure pat00095

Figure pat00096

Figure pat00097

Figure pat00098

Figure pat00099

Figure pat00100

Figure pat00101

Figure pat00102

Figure pat00103

Figure pat00104

Figure pat00105

Figure pat00106

Figure pat00107

Figure pat00108

Figure pat00109

Figure pat00110

Figure pat00111

Figure pat00112

Figure pat00113

Figure pat00114

Figure pat00115

Optionally, hydrogen in the structure may be partially or entirely substituted by deuterium.
제 1 항에 있어서,
상기 제1 호스트 재료는 식 3 내지 식 5 중의 임의의 하나로 나타낸 구조를 구비하고,
Figure pat00116
,
Figure pat00117
,
Figure pat00118
,
식 3에서, X1 내지 X3은 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 CR4 또는 N으로부터 선택되고, X1 내지 X3 중 적어도 하나는 N으로부터 선택되고;
L은 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 단일 결합, 6-30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴렌기, 3∼30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴렌기, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되며;
식 4 또는 식 5에서, X4는 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 CR4 또는 N으로부터 선택되고, 적어도 하나의 X4는 N으로부터 선택되며;
Z는 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 O 또는 S로부터 선택되고;
R1-R4은 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 수소, 듀테륨, 할로겐, 1∼20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬기, 3∼20 개의 고리탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 시클로알킬기, 1∼20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로알킬기, 3-20 개의 고리원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로시클릭기, 7∼30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아랄킬기, 1∼20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알콕시기, 6∼30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴옥시기, 2∼20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알케닐기, 2∼20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알키닐기, 6∼30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴기, 3∼30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기, 3∼20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬실릴기, 6∼20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴실릴기, 3∼20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬게르마닐기, 6∼20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴게르마닐기, 0∼20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아미노기, 아실기, 카르보닐기, 카르복실산기, 에스테르기, 시아노기, 이소시아노기, 하이드록시기, 술파닐기, 술피닐기, 술포닐기, 포스피노기, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되며;
인접한 치환기 R4은 임의로 연결되어 고리를 형성할 수 있는 유기 전계발광소자.
According to claim 1,
The first host material has a structure represented by any one of Formulas 3 to 5,
Figure pat00116
,
Figure pat00117
,
Figure pat00118
,
In Formula 3, each occurrence of X 1 to X 3 is identically or differently selected from CR 4 or N, and at least one of X 1 to X 3 is selected from N;
Whenever L appears, identically or differently, a group consisting of a single bond, a substituted or unsubstituted arylene group having 6 to 30 carbon atoms, a substituted or unsubstituted heteroarylene group having 3 to 30 carbon atoms, and combinations thereof is selected from;
In Formula 4 or Formula 5, each occurrence of X 4 is identically or differently selected from CR 4 or N, and at least one X 4 is selected from N;
Z is the same or different O each time it appears or S;
Each time R 1 -R 4 appears identically or differently, hydrogen, deuterium, halogen, a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted cycloalkyl group having 3 to 20 ring carbon atoms, 1 Substituted or unsubstituted heteroalkyl group having to 20 carbon atoms, substituted or unsubstituted heterocyclic group having 3 to 20 ring atoms, substituted or unsubstituted aralkyl group having 7 to 30 carbon atoms, 1 to 20 A substituted or unsubstituted alkoxy group having two carbon atoms, a substituted or unsubstituted aryloxy group having 6 to 30 carbon atoms, a substituted or unsubstituted alkenyl group having 2 to 20 carbon atoms, and a substituted or unsubstituted alkenyl group having 2 to 20 carbon atoms. A substituted or unsubstituted alkynyl group, a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 carbon atoms, a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 3 to 30 carbon atoms, a substituted or unsubstituted group having 3 to 20 carbon atoms substituted or unsubstituted arylsilyl group having 6 to 20 carbon atoms, substituted or unsubstituted alkylgermanyl group having 3 to 20 carbon atoms, substituted or unsubstituted alkylsilyl group having 6 to 20 carbon atoms Arylgermanyl group, substituted or unsubstituted amino group having 0 to 20 carbon atoms, acyl group, carbonyl group, carboxylic acid group, ester group, cyano group, isocyano group, hydroxyl group, sulfanyl group, sulfinyl group, sulfonyl group It is selected from the group consisting of , phosphino groups, and combinations thereof;
An organic electroluminescent device wherein adjacent substituents R 4 may be optionally connected to form a ring.
제 10 항에 있어서,
식 3에서, X1 내지 X3 중 적어도 두 개는 N이고; 바람직하게는 X1 내지 X3 은 N인 유기 전계발광소자.
According to claim 10,
In Formula 3, at least two of X 1 to X 3 are N; Preferably, X 1 to X 3 are N organic electroluminescent devices.
제 10 항 또는 제 11 항에 있어서,
식 3에서, L은 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 단일 결합, 6-18 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴렌기, 3-18 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴렌기, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되며;
바람직하게, L은 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 단일 결합, 페닐렌기, 비페닐렌기, 플루오레닐렌기, 트리페닐레닐렌기, 푸라닐렌기, 티에닐렌기, 디벤조푸라닐렌기, 디벤조티오페닐렌기, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 유기 전계발광소자.
According to claim 10 or 11,
In Formula 3, whenever L appears, identically or differently, a single bond, a substituted or unsubstituted arylene group having 6 to 18 carbon atoms, a substituted or unsubstituted heteroarylene group having 3 to 18 carbon atoms, and It is selected from the group consisting of combinations;
Preferably, each time L appears, identically or differently, a single bond, a phenylene group, a biphenylene group, a fluorenylene group, a triphenylenylene group, a furanylene group, a thienylene group, a dibenzofuranylene group, a dibenzothiophenyl group An organic electroluminescent device selected from the group consisting of rene groups and combinations thereof.
제 10 항에 있어서,
상기 R1-R4은 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 수소, 듀테륨, 할로겐, 시아노기, 1∼20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬기, 3∼20 개의 고리탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 시클로알킬기, 6∼30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴기, 3∼30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되고;
바람직하게는, 상기 R1-R4은 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 수소, 듀테륨, 할로겐, 시아노기, 6∼18 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴기, 3∼18 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되며;
더 바람직하게는, 상기 R1-R4은 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 수소, 듀테륨, 불소, 시아노기, 페닐기, 비페닐기, 트리페닐렌기, 테트라페닐렌기, 인데닐기, 플루오렌기, 인돌릴기, 카바졸기, 벤조퓨란기, 디벤조퓨란기, 벤조실롤기, 디벤조실롤기, 벤조티오펜기, 디벤조티오펜기, 디벤조셀레노펜기, 트리아진기 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 유기 전계발광소자.
According to claim 10,
Each time R 1 -R 4 appears, identically or differently, hydrogen, deuterium, halogen, cyano group, substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, and substituted or unsubstituted ring carbon atoms having 3 to 20 carbon atoms are selected. It is selected from the group consisting of a cycloalkyl group, a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 carbon atoms, a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 3 to 30 carbon atoms, and combinations thereof;
Preferably, whenever R 1 -R 4 appear, identically or differently, hydrogen, deuterium, halogen, cyano group, a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 18 carbon atoms, or a substituted group having 3 to 18 carbon atoms Or an unsubstituted heteroaryl group, and is selected from the group consisting of combinations thereof;
More preferably, each occurrence of R 1 -R 4 is identically or differently hydrogen, deuterium, fluorine, cyano group, phenyl group, biphenyl group, triphenylene group, tetraphenylene group, indenyl group, fluorene group, indolyl group , selected from the group consisting of a carbazole group, a benzofuran group, a dibenzofuran group, a benzosilol group, a dibenzosilol group, a benzothiophene group, a dibenzothiophene group, a dibenzoselenophene group, a triazine group, and combinations thereof organic electroluminescent device.
제 1 항에 있어서, 상기 제1 호스트 재료는 아래 구조로 이루어진 군에서 선택되고,
Figure pat00119

Figure pat00120

Figure pat00121

Figure pat00122

Figure pat00123

Figure pat00124

Figure pat00125

Figure pat00126

Figure pat00127

Figure pat00128

Figure pat00129

Figure pat00130

Figure pat00131

Figure pat00132

Figure pat00133

Figure pat00134

Figure pat00135
;
여기서 선택적으로, 상기 구조 중의 수소는 듀테륨에 의해 부분적 또는 전체적으로 치환될 수 있는 유기 전계발광소자.
The method of claim 1, wherein the first host material is selected from the group consisting of the following structure,
Figure pat00119

Figure pat00120

Figure pat00121

Figure pat00122

Figure pat00123

Figure pat00124

Figure pat00125

Figure pat00126

Figure pat00127

Figure pat00128

Figure pat00129

Figure pat00130

Figure pat00131

Figure pat00132

Figure pat00133

Figure pat00134

Figure pat00135
;
Optionally, hydrogen in the structure may be partially or entirely substituted by deuterium.
제 1 항에 있어서,
상기 제2 호스트 재료는 식 6으로 나타낸 구조를 구비하고,
Figure pat00136

식 6에서,
L11은 단일 결합, 6-30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴렌기, 3∼30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴렌기, 혹은 이들의 조합에서 선택되고;
Ar11은 6∼30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴기, 3∼30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기, 0∼30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아미노기, 혹은 이들의 조합에서 선택되며;
R6은 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 단일치환, 다중치환 또는 비치환을 나타내고;
R6은 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 수소, 듀테륨, 할로겐, 1∼20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬기, 3∼20 개의 고리탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 시클로알킬기, 1∼20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로알킬기, 3-20 개의 고리원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로시클릭기, 7∼30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아랄킬기, 1∼20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알콕시기, 6∼30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴옥시기, 2∼20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알케닐기, 6∼30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴기, 3∼30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기, 3∼20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬실릴기, 6∼20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴실릴기, 3∼20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬게르마닐기, 6∼20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴게르마닐기, 0∼20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아미노기, 아실기, 카르보닐기, 카르복실산기, 에스테르기, 시아노기, 이소시아노기, 하이드록시기, 술파닐기, 술피닐기, 술포닐기, 포스피노기, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되며;
인접한 치환기 R6은 임의로 연결되어 고리를 형성할 수 있는 유기 전계발광소자.
According to claim 1,
The second host material has a structure represented by Formula 6,
Figure pat00136

In Equation 6,
L 11 is selected from a single bond, a substituted or unsubstituted arylene group having 6 to 30 carbon atoms, a substituted or unsubstituted heteroarylene group having 3 to 30 carbon atoms, or a combination thereof;
Ar 11 is a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 carbon atoms, a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 3 to 30 carbon atoms, a substituted or unsubstituted amino group having 0 to 30 carbon atoms, or any of these is selected from a combination of;
Each occurrence of R 6 identically or differently represents mono-substitution, poly-substitution or non-substitution;
Whenever R 6 appears, identically or differently, hydrogen, deuterium, halogen, a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted cycloalkyl group having 3 to 20 ring carbon atoms, or 1 to 20 carbon atoms A substituted or unsubstituted heteroalkyl group having carbon atoms, a substituted or unsubstituted heterocyclic group having 3 to 20 ring atoms, a substituted or unsubstituted aralkyl group having 7 to 30 carbon atoms, and a substituted or unsubstituted aralkyl group having 1 to 20 carbon atoms. A substituted or unsubstituted alkoxy group having 6 to 30 carbon atoms, a substituted or unsubstituted aryloxy group having 2 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted alkenyl group having 6 to 30 carbon atoms, or a substituted or unsubstituted group having 6 to 30 carbon atoms. cyclic aryl group, substituted or unsubstituted heteroaryl group having 3 to 30 carbon atoms, substituted or unsubstituted alkylsilyl group having 3 to 20 carbon atoms, substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 20 carbon atoms Silyl group, substituted or unsubstituted alkylgermanyl group having 3 to 20 carbon atoms, substituted or unsubstituted arylgermanyl group having 6 to 20 carbon atoms, substituted or unsubstituted amino group having 0 to 20 carbon atoms , It is selected from the group consisting of an acyl group, a carbonyl group, a carboxylic acid group, an ester group, a cyano group, an isocyano group, a hydroxy group, a sulfanyl group, a sulfinyl group, a sulfonyl group, a phosphino group, and combinations thereof;
An organic electroluminescent device wherein adjacent substituents R 6 may be optionally connected to form a ring.
제 15 항에 있어서,
상기 제2 호스트 재료는 식 6-1 또는 식 6-2로 나타낸 구조를 구비하고,
Figure pat00137
,
Figure pat00138
,
L11, L12은 단일 결합, 6-30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴렌기, 3∼30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴렌기, 혹은 이들의 조합에서 선택되고;
Ar11은 6∼30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴기, 3∼30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기, 0∼30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아미노기, 혹은 이들의 조합에서 선택되며;
R6은 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 단일치환, 다중치환 또는 비치환을 나타내고;
R6은 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 수소, 듀테륨, 할로겐, 1∼20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬기, 3∼20 개의 고리탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 시클로알킬기, 1∼20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로알킬기, 3-20 개의 고리원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로시클릭기, 7∼30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아랄킬기, 1∼20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알콕시기, 6∼30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴옥시기, 2∼20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알케닐기, 6∼30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴기, 3∼30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기, 3∼20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬실릴기, 6∼20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴실릴기, 3∼20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬게르마닐기, 6∼20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴게르마닐기, 0∼20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아미노기, 아실기, 카르보닐기, 카르복실산기, 에스테르기, 시아노기, 이소시아노기, 하이드록시기, 술파닐기, 술피닐기, 술포닐기, 포스피노기, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되며;
인접한 치환기 R6은 임의로 연결되어 고리를 형성할 수 있는 유기 전계발광소자.
According to claim 15,
The second host material has a structure represented by Formula 6-1 or Formula 6-2,
Figure pat00137
,
Figure pat00138
,
L 11 and L 12 are selected from a single bond, a substituted or unsubstituted arylene group having 6 to 30 carbon atoms, a substituted or unsubstituted heteroarylene group having 3 to 30 carbon atoms, or a combination thereof;
Ar 11 is a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 carbon atoms, a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 3 to 30 carbon atoms, a substituted or unsubstituted amino group having 0 to 30 carbon atoms, or any of these is selected from a combination of;
Each occurrence of R 6 identically or differently represents mono-substitution, poly-substitution or non-substitution;
Whenever R 6 appears, identically or differently, hydrogen, deuterium, halogen, a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted cycloalkyl group having 3 to 20 ring carbon atoms, or 1 to 20 carbon atoms A substituted or unsubstituted heteroalkyl group having carbon atoms, a substituted or unsubstituted heterocyclic group having 3 to 20 ring atoms, a substituted or unsubstituted aralkyl group having 7 to 30 carbon atoms, and a substituted or unsubstituted aralkyl group having 1 to 20 carbon atoms. A substituted or unsubstituted alkoxy group having 6 to 30 carbon atoms, a substituted or unsubstituted aryloxy group having 2 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted alkenyl group having 6 to 30 carbon atoms, or a substituted or unsubstituted group having 6 to 30 carbon atoms. cyclic aryl group, substituted or unsubstituted heteroaryl group having 3 to 30 carbon atoms, substituted or unsubstituted alkylsilyl group having 3 to 20 carbon atoms, substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 20 carbon atoms Silyl group, substituted or unsubstituted alkylgermanyl group having 3 to 20 carbon atoms, substituted or unsubstituted arylgermanyl group having 6 to 20 carbon atoms, substituted or unsubstituted amino group having 0 to 20 carbon atoms , It is selected from the group consisting of an acyl group, a carbonyl group, a carboxylic acid group, an ester group, a cyano group, an isocyano group, a hydroxy group, a sulfanyl group, a sulfinyl group, a sulfonyl group, a phosphino group, and combinations thereof;
An organic electroluminescent device wherein adjacent substituents R 6 may be optionally connected to form a ring.
제 16 항에 있어서,
상기 제2 호스트 재료는 식 6-3 또는 식 6-4로 나타낸 구조를 구비하고,
Figure pat00139
,
Figure pat00140
,
Ar11은 6∼30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴기, 3∼30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기, 0∼30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아미노기, 혹은 이들의 조합에서 선택되고;
L11은 단일 결합, 6-30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴렌기, 3∼30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴렌기, 혹은 이들의 조합에서 선택되며;
R6은 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 단일치환, 다중치환 또는 비치환을 나타내고;
R6은 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 수소, 듀테륨, 할로겐, 1∼20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬기, 3∼20 개의 고리탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 시클로알킬기, 1∼20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로알킬기, 3-20 개의 고리원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로시클릭기, 7∼30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아랄킬기, 1∼20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알콕시기, 6∼30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴옥시기, 2∼20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알케닐기, 6∼30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴기, 3∼30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기, 3∼20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬실릴기, 6∼20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴실릴기, 3∼20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬게르마닐기, 6∼20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴게르마닐기, 0∼20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아미노기, 아실기, 카르보닐기, 카르복실산기, 에스테르기, 시아노기, 이소시아노기, 하이드록시기, 술파닐기, 술피닐기, 술포닐기, 포스피노기, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되며;
인접한 치환기 R6은 임의로 연결되어 고리를 형성할 수 있는 유기 전계발광소자.
17. The method of claim 16,
The second host material has a structure represented by Formula 6-3 or Formula 6-4,
Figure pat00139
,
Figure pat00140
,
Ar 11 is a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 carbon atoms, a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 3 to 30 carbon atoms, a substituted or unsubstituted amino group having 0 to 30 carbon atoms, or any of these is selected from a combination of;
L 11 is selected from a single bond, a substituted or unsubstituted arylene group having 6 to 30 carbon atoms, a substituted or unsubstituted heteroarylene group having 3 to 30 carbon atoms, or a combination thereof;
Each occurrence of R 6 identically or differently represents mono-substitution, poly-substitution or non-substitution;
Whenever R 6 appears, identically or differently, hydrogen, deuterium, halogen, a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted cycloalkyl group having 3 to 20 ring carbon atoms, or 1 to 20 carbon atoms A substituted or unsubstituted heteroalkyl group having carbon atoms, a substituted or unsubstituted heterocyclic group having 3 to 20 ring atoms, a substituted or unsubstituted aralkyl group having 7 to 30 carbon atoms, and a substituted or unsubstituted aralkyl group having 1 to 20 carbon atoms. A substituted or unsubstituted alkoxy group having 6 to 30 carbon atoms, a substituted or unsubstituted aryloxy group having 2 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted alkenyl group having 6 to 30 carbon atoms, or a substituted or unsubstituted group having 6 to 30 carbon atoms. cyclic aryl group, substituted or unsubstituted heteroaryl group having 3 to 30 carbon atoms, substituted or unsubstituted alkylsilyl group having 3 to 20 carbon atoms, substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 20 carbon atoms Silyl group, substituted or unsubstituted alkylgermanyl group having 3 to 20 carbon atoms, substituted or unsubstituted arylgermanyl group having 6 to 20 carbon atoms, substituted or unsubstituted amino group having 0 to 20 carbon atoms , It is selected from the group consisting of an acyl group, a carbonyl group, a carboxylic acid group, an ester group, a cyano group, an isocyano group, a hydroxy group, a sulfanyl group, a sulfinyl group, a sulfonyl group, a phosphino group, and combinations thereof;
An organic electroluminescent device wherein adjacent substituents R 6 may be optionally connected to form a ring.
제 15 항 내지 제 17 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 R6은 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 수소, 듀테륨, 할로겐, 시아노기, 1∼20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬기, 3∼20 개의 고리탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 시클로알킬기, 6∼30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴기, 3∼30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기, 3∼20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬실릴기, 6∼20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴실릴기, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되고;
바람직하게는, 상기 R6은 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 수소, 듀테륨, 할로겐, 시아노기, 6∼18 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴기, 3∼18 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되고,
더 바람직하게는, 상기 R6은 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 수소, 듀테륨, 불소, 시아노기, 페닐기, 비페닐기, 트리페닐렌기, 테트라페닐렌기, 인데닐기, 플루오렌기, 인돌릴기, 카바졸기, 벤조퓨란기, 디벤조퓨란기, 벤조실롤기, 디벤조실롤기, 벤조티오펜기, 디벤조티오펜기, 디벤조셀레노펜기, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 유기 전계발광소자.
According to any one of claims 15 to 17,
Each time R 6 appears, identically or differently, hydrogen, deuterium, halogen, cyano group, a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted cycloalkyl group having 3 to 20 ring carbon atoms, Substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 carbon atoms, substituted or unsubstituted heteroaryl group having 3 to 30 carbon atoms, substituted or unsubstituted alkylsilyl group having 3 to 20 carbon atoms, 6 to 20 It is selected from the group consisting of a substituted or unsubstituted arylsilyl group having two carbon atoms, and combinations thereof;
Preferably, whenever R 6 appears, identically or differently, hydrogen, deuterium, halogen, cyano group, substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 18 carbon atoms, substituted or unsubstituted group having 3 to 18 carbon atoms, It is selected from the group consisting of a heteroaryl group, and combinations thereof,
More preferably, whenever R 6 appears, identically or differently, hydrogen, deuterium, fluorine, cyano group, phenyl group, biphenyl group, triphenylene group, tetraphenylene group, indenyl group, fluorene group, indolyl group, carbazole group , An organic electroluminescent device selected from the group consisting of a benzofuran group, a dibenzofuran group, a benzosilol group, a dibenzosilol group, a benzothiophene group, a dibenzothiophene group, a dibenzoselenopene group, and combinations thereof .
제 1 항에 있어서, 상기 제2 호스트 재료는 아래의 구조로 이루어진 군에서 선택되고,
Figure pat00141

Figure pat00142

Figure pat00143

Figure pat00144

여기서 선택적으로, 상기 구조 중의 수소는 듀테륨에 의해 부분적 또는 전체적으로 치환될 수 있는 유기 전계발광소자.
The method of claim 1, wherein the second host material is selected from the group consisting of the following structure,
Figure pat00141

Figure pat00142

Figure pat00143

Figure pat00144

Optionally, hydrogen in the structure may be partially or entirely substituted by deuterium.
제 1 항에 있어서,
상기 제1 화합물은 지연형광 발광재료이고, 제1 호스트 재료는 n형 호스트 재료이며, 제2 호스트 재료는 p형 호스트 재료인 유기 전계발광소자.
According to claim 1,
The first compound is a delayed fluorescence light emitting material, the first host material is an n-type host material, and the second host material is a p-type host material.
제 1 항 내지 제 20 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 유기 전계발광소자는 청색광을 방출하는 유기 전계발광소자.
21. The method of any one of claims 1 to 20,
The organic electroluminescent device is an organic electroluminescent device that emits blue light.
제 1 항 내지 제 21 항 중 어느 한 항에 따른 유기 전계발광소자를 포함하는 전자설비.An electronic device comprising the organic electroluminescent device according to any one of claims 1 to 21. 적어도 제1 화합물, 제1 호스트 재료 및 제2 호스트 재료를 포함하고;
여기서 상기 제1 호스트 재료 및 제2 호스트 재료의 삼중항 상태의 에너지 준위는 모두 2.69eV보다 높고;
여기서 상기 제1 화합물은 식 1로 나타내는 구조를 가지며,
Figure pat00145

식 1에서, 고리 A, 고리 B, 고리 C, 고리 D, 고리 E는 각각 독립적으로 5∼30 개 탄소원자를 갖는 불포화 탄소고리 또는 3∼30 개 탄소원자를 갖는 불포화 헤테로고리에서 선택되고;
Y1은 B, P=O, P=S, As, As=O, As=S, SiR' 또는 GeR'에서 선택되며;
Ra, Rb, Rc, Rd, Re은 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 단일치환, 다중치환 또는 비치환을 나타내고;
R', Ra, Rb, Rc, Rd, Re은 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 수소, 듀테륨, 할로겐, 1∼20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬기, 3∼20 개의 고리탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 시클로알킬기, 1∼20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로알킬기, 3-20 개의 고리원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로시클릭기, 7∼30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아랄킬기, 1∼20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알콕시기, 6∼30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴옥시기, 2∼20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알케닐기, 6∼30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴기, 3∼30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기, 3∼20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬실릴기, 6∼20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴실릴기, 3∼20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬게르마닐기, 6∼20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴게르마닐기, 0∼20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아미노기, 아실기, 카르보닐기, 카르복실산기, 에스테르기, 시아노기, 이소시아노기, 하이드록시기, 술파닐기, 술피닐기, 술포닐기, 포스피노기, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되고;
L1, L2은 각각 독립적으로 단일 결합, O, S, Se, SiRR, PR, 치환 또는 비치환된 비닐렌기, 6-30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴렌기, 3∼30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴렌기, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되고; 복수의 R가 동시에 존재할 경우, 복수의 R은 동일하거나 상이하며;
R은 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 수소, 듀테륨, 할로겐, 1∼20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬기, 3∼20 개의 고리탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 시클로알킬기, 1∼20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로알킬기, 3-20 개의 고리원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로시클릭기, 7∼30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아랄킬기, 6∼30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴기, 3∼30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택되고;
인접한 치환기 Ra, Rb, Rc, Rd, Re, R은 임의로 연결되어 고리를 형성할 수 있는 조성물.
comprising at least a first compound, a first host material and a second host material;
Here, the energy levels of the triplet state of the first host material and the second host material are both higher than 2.69 eV;
Here, the first compound has a structure represented by Formula 1,
Figure pat00145

In Formula 1, ring A, ring B, ring C, ring D, and ring E are each independently selected from an unsaturated carbon ring having 5 to 30 carbon atoms or an unsaturated hetero ring having 3 to 30 carbon atoms;
Y 1 is selected from B, P=O, P=S, As, As=O, As=S, SiR' or GeR';
Each occurrence of R a , R b , R c , R d , R e identically or differently represents mono-substitution, poly-substitution or non-substitution;
R', R a , R b , R c , R d , R e are identical or different each time they appear, hydrogen, deuterium, halogen, substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, 3 to 20 rings A substituted or unsubstituted cycloalkyl group having carbon atoms, a substituted or unsubstituted heteroalkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted heterocyclic group having 3 to 20 ring atoms, and a 7 to 30 carbon atoms A substituted or unsubstituted aralkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted alkoxy group having 6 to 30 carbon atoms, a substituted or unsubstituted aryloxy group having 2 to 20 carbon atoms, or a substituted or unsubstituted alkoxy group having 2 to 20 carbon atoms cyclic alkenyl group, substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 carbon atoms, substituted or unsubstituted heteroaryl group having 3 to 30 carbon atoms, substituted or unsubstituted alkylsilyl having 3 to 20 carbon atoms group, a substituted or unsubstituted arylsilyl group having 6 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted alkylgermanyl group having 3 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted arylgerma group having 6 to 20 carbon atoms Nyl group, substituted or unsubstituted amino group having 0 to 20 carbon atoms, acyl group, carbonyl group, carboxylic acid group, ester group, cyano group, isocyano group, hydroxy group, sulfanyl group, sulfinyl group, sulfonyl group, phosphino selected from the group consisting of groups, and combinations thereof;
L 1 and L 2 are each independently a single bond, O, S, Se, SiRR, PR, a substituted or unsubstituted vinylene group, a substituted or unsubstituted arylene group having 6 to 30 carbon atoms, and 3 to 30 carbon atoms. It is selected from the group consisting of a substituted or unsubstituted heteroarylene group having a group, and a combination thereof; When a plurality of R's are present at the same time, the plurality of R's are the same or different;
Each occurrence of R, identically or differently, is hydrogen, deuterium, halogen, a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted cycloalkyl group having 3 to 20 ring carbon atoms, and 1 to 20 carbon atoms. substituted or unsubstituted heteroalkyl group having 3 to 20 ring atoms, substituted or unsubstituted heterocyclic group having 7 to 30 carbon atoms, substituted or unsubstituted aralkyl group having 6 to 30 carbon atoms, It is selected from the group consisting of a substituted or unsubstituted aryl group and a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 3 to 30 carbon atoms;
wherein adjacent substituents R a , R b , R c , R d , R e , R may be optionally linked to form a ring.
KR1020220116300A 2021-09-18 2022-09-15 Organic electroluminescent device KR20230041950A (en)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202111091005 2021-09-18
CN202111091005.6 2021-09-18
CN202210915753.XA CN115843191A (en) 2021-09-18 2022-08-02 Organic electroluminescent device
CN202210915753.X 2022-08-02

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20230041950A true KR20230041950A (en) 2023-03-27

Family

ID=85574807

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020220116300A KR20230041950A (en) 2021-09-18 2022-09-15 Organic electroluminescent device

Country Status (2)

Country Link
KR (1) KR20230041950A (en)
CN (1) CN115843191A (en)

Also Published As

Publication number Publication date
CN115843191A (en) 2023-03-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102408338B1 (en) Organic electroluminescent materials and devices
CN113087711B (en) Organic electroluminescent materials and devices
KR102505667B1 (en) A phosphorescent organic metal complex and use thereof
CN113185532A (en) Triarylamine compounds containing thiophene
KR20220081934A (en) Phosphorescent organometallic complex and device thereof
CN115073501A (en) Organic electroluminescent material and device thereof
CN113968875A (en) Electroluminescent material and device
KR20230074407A (en) Heterocyclic compound having cyano-substitution
KR20220071124A (en) Organic electroluminescent material and device thereof
KR20220068178A (en) Organic electroluminescent material and device thereof
KR20210152397A (en) Electroluminescent material and device
CN114163462A (en) Polycyclic compounds and devices thereof
CN114249738A (en) Electroluminescent material and device
CN114256430A (en) Electroluminescent device
CN113402501A (en) Organic electroluminescent material containing spiroalkene structure and device
CN113620885A (en) Electronic transmission material containing deuterium atom and its application
KR20230041950A (en) Organic electroluminescent device
CN115490704B (en) Organic electroluminescent material and device
US20240016057A1 (en) Organic electroluminescent material and device thereof
EP4335846A1 (en) Organic electroluminescent material and device thereof
KR20230114720A (en) Organic electroluminescent material and device thereof
KR20220079462A (en) Electroluminescent material and device thereof
KR20220087365A (en) Electroluminescent device
KR20230064557A (en) Electroluminescent material and device thereof
KR20210154904A (en) Organic electroluminescent device