KR20230037368A - Method for forming photoresist patterns - Google Patents
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Abstract
Description
본 기재는 포토레지스트 패턴 형성방법, 구체적으로 패턴 처리 조성물을 사용한 패턴 처리 방법에 관한 것이다.The present disclosure relates to a method of forming a photoresist pattern, and specifically to a method of pattern processing using a pattern processing composition.
최근 반도체 산업은 수백 나노미터 크기의 패턴에서 수 내지 수십 나노미터 크기의 패턴을 가지는 초미세 기술로 발전하고 있다. 이러한 초미세 기술을 실현하기 위해서는 효과적인 리소그래픽 기법이 필수적이다.In recent years, the semiconductor industry has been developing from hundreds of nanometer-sized patterns to ultra-fine technologies having several to several tens of nanometer-sized patterns. Effective lithographic techniques are essential to realize these ultra-fine technologies.
전형적인 리소그래픽 기법은 반도체 기판 위에 재료층을 형성하고 그 위에 포토레지스트 층을 코팅하고 노광 및 현상을 하여 포토레지스트 패턴을 형성한 후, 상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 하여 재료층을 식각하는 과정을 포함한다.A typical lithographic technique involves forming a material layer on a semiconductor substrate, coating a photoresist layer thereon, exposing and developing the photoresist pattern, and then etching the material layer using the photoresist pattern as a mask. do.
리소그래픽 기법이 발전함에 따라 패턴 집적도가 높아지고 있고, 이 과정에서 발생하는 다양한 문제점을 해결하기 위한 소재 및 기술이 요구되고 있다. 특히 EUV를 광원으로 하여 포토레지스트를 패터닝 할 경우 고해상도의 패턴이 구현 가능하나 photon shot noise로 인해 패턴 상에 랜덤하게 single line open(SLO) defect이 발생하게 된다. 이러한 SLO defect은 수율을 저하시키므로 이를 개선하기 위한 기술 개발이 요구되고 있다.As lithographic techniques develop, the degree of integration of patterns increases, and materials and technologies for solving various problems occurring in this process are required. In particular, when photoresist is patterned using EUV as a light source, high-resolution patterns can be realized, but single line open (SLO) defects occur randomly on the pattern due to photon shot noise. Since this SLO defect lowers the yield, technology development to improve it is required.
고해상도의 패턴 구현이 가능할 뿐만 아니라, SLO (Single line open) defect을 제거하여 수율을 개선시킬 수 있는 포토레지스트 패턴형성방법을 제공한다. Provides a photoresist pattern formation method capable of implementing high-resolution patterns and improving yield by removing single line open (SLO) defects.
다른 구현예는 상기 포토레지스트 패턴형성방법에 의하여 제조된 반도체 소자를 제공한다. Another embodiment provides a semiconductor device manufactured by the photoresist pattern forming method.
일 구현예에 따르면, 기판 위에 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 상기 포토레지스트 패턴 위에 하이드록시기 및 불소를 함유하는 구조 단위를 포함하는 아크릴계 중합체를 포함하는 유기 상층막 조성물을 도포하는 단계; 상기 유기 상층막 조성물이 도포된 기판을 건조 및 가열하여 상층막을 코팅하는 단계; 및 상기 상층막이 코팅된 기판에 아세테이트계 화합물 및 에테르계 화합물을 포함하는 린스액을 분사하여 상기 상층막을 제거하는 단계를 포함하는 포토레지스트 패턴 형성방법을 제공한다.According to one embodiment, forming a photoresist pattern on a substrate; coating an organic upper layer composition including an acrylic polymer including a structural unit containing a hydroxyl group and fluorine on the photoresist pattern; coating an upper layer by drying and heating the substrate coated with the organic upper layer composition; and removing the upper layer layer by spraying a rinsing solution containing an acetate-based compound and an ether-based compound on the substrate coated with the upper layer layer.
상기 하이드록시기 및 불소를 함유하는 구조 단위는 하기 화학식 1로 표시될 수 있다.The structural unit containing the hydroxy group and fluorine may be represented by Formula 1 below.
[화학식 1][Formula 1]
상기 화학식 1에서,In Formula 1,
R1은 수소 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기이고,R 1 is hydrogen or a substituted or unsubstituted C1 to C10 alkyl group;
R2는 수소, 불소, 하이드록시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 또는 이들의 조합이고,R 2 is hydrogen, fluorine, a hydroxyl group, a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkyl group, or a combination thereof;
L1 및 L2는 각각 독립적으로, 단일결합, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬렌기, 또는 이들의 조합이고,L 1 and L 2 are each independently a single bond, a substituted or unsubstituted C1 to C10 alkylene group, or a combination thereof;
X1은 단일 결합, -O-, -S-, -S(O)-, -S(O)2-, -C(O)-, -(CO)O-, -O(CO), -O(CO)O-, -NR’- (여기서, R’은 수소, 중수소, 또는 C1 내지 C10 알킬기이다), 또는 이들의 조합이고,X 1 is a single bond, -O-, -S-, -S(O)-, -S(O) 2 -, -C(O)-, -(CO)O-, -O(CO), - O(CO)O-, -NR'- (where R' is hydrogen, deuterium, or a C1 to C10 alkyl group), or a combination thereof;
R2, L1 및 L2는 불소 및 하이드록시기를 포함하고,R 2 , L 1 and L 2 include fluorine and a hydroxy group;
*은 연결 지점이다.* is a connection point.
일 예로, 상기 하이드록시기 및 불소를 함유하는 구조 단위는 하기 화학식 2로 표시될 수 있다.For example, the structural unit containing the hydroxyl group and fluorine may be represented by Formula 2 below.
[화학식 2][Formula 2]
상기 화학식 2에서,In Formula 2,
R1은 수소 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기이고,R 1 is hydrogen or a substituted or unsubstituted C1 to C10 alkyl group;
Ra, Rb, Rc, Rd 및 R2는 각각 독립적으로 수소, 불소, 하이드록시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 또는 이들의 조합이고,R a , R b , R c , R d and R 2 are each independently hydrogen, fluorine, a hydroxyl group, a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkyl group, or a combination thereof;
m1 및 m2는 각각 독립적으로 1 내지 10의 정수 중 하나이고,m1 and m2 are each independently one of integers from 1 to 10,
X1은 단일 결합, -O-, -S-, -S(O)-, -S(O)2-, -C(O)-, -(CO)O-, -O(CO), -O(CO)O-, -NR’- (여기서, R’은 수소, 중수소, 또는 C1 내지 C10 알킬기이다), 또는 이들의 조합이고,X 1 is a single bond, -O-, -S-, -S(O)-, -S(O) 2 -, -C(O)-, -(CO)O-, -O(CO), - O(CO)O-, -NR'- (where R' is hydrogen, deuterium, or a C1 to C10 alkyl group), or a combination thereof;
Ra, Rb, Rc, Rd 및 R2는 불소 및 하이드록시기를 포함한다.R a , R b , R c , R d and R 2 include fluorine and a hydroxy group.
예컨대 상기 하이드록시기 및 불소를 함유하는 구조 단위는 하기 그룹 Ⅰ에서 선택될 수 있다.For example, the structural unit containing the hydroxyl group and fluorine may be selected from the following group I.
[그룹 Ⅰ][Group I]
상기 그룹 Ⅰ에서, R3 내지 R6은 각각 독립적으로 수소 또는 메틸기이고, *는 연결지점이다.In Group I, R 3 to R 6 are each independently hydrogen or a methyl group, and * is a linking point.
상기 아크릴계 중합체의 중량 평균 분자량은 1,000 g/mol 내지 50,000 g/mol일 수 있다.The acrylic polymer may have a weight average molecular weight of 1,000 g/mol to 50,000 g/mol.
상기 유기 상층막 조성물은, 불소를 함유하는 산성 화합물을 더욱 포함할 수 있다.The organic upper layer film composition may further include an acidic compound containing fluorine.
상기 불소를 함유하는 산성 화합물은, 적어도 하나의 불소를 함유하는 설폰산 화합물, 적어도 하나의 불소를 함유하는 설폰이미드 화합물, 및 적어도 하나의 불소를 함유하는 카르복실산 화합물 중에서 선택되는 적어도 1종일 수 있다.The fluorine-containing acidic compound is at least one selected from sulfonic acid compounds containing at least one fluorine, sulfonimide compounds containing at least one fluorine, and carboxylic acid compounds containing at least one fluorine. can
상기 불소를 함유하는 산성 화합물은 하기 화학식 3 내지 화학식 6으로 표시되는 화합물 중 적어도 1종일 수 있다.The fluorine-containing acidic compound may be at least one of compounds represented by
[화학식 3][Formula 3]
[화학식 4] [화학식 5][Formula 4] [Formula 5]
[화학식 6][Formula 6]
상기 화학식 3 내지 화학식 6에서,In
R7 내지 R10은 각각 독립적으로 불소, 적어도 하나의 불소로 치환된 C1 내지 C20 알킬기, 적어도 하나의 불소로 치환된 C2 내지 C20 알케닐기, 적어도 하나의 불소로 치환된 C2 내지 C20 알키닐기, 적어도 하나의 불소로 치환된 C3 내지 C20 시클로알킬기, 적어도 하나의 불소로 치환된 C3 내지 C20 시클로알케닐기, 적어도 하나의 불소로 치환된 C3 내지 C20 시클로알키닐기, 적어도 하나의 불소로 치환된 C6 내지 C20 아릴기, 적어도 하나의 불소로 치환된 C1 내지 C20 헤테로아릴기 또는 이들의 조합이고,R 7 to R 10 are each independently fluorine, a C1 to C20 alkyl group substituted with at least one fluorine, a C2 to C20 alkenyl group substituted with at least one fluorine, a C2 to C20 alkynyl group substituted with at least one fluorine, at least C3 to C20 cycloalkyl group substituted with one fluorine, C3 to C20 cycloalkenyl group substituted with at least one fluorine, C3 to C20 cycloalkynyl group substituted with at least one fluorine, C6 to C20 substituted with at least one fluorine An aryl group, a C1 to C20 heteroaryl group substituted with at least one fluorine, or a combination thereof;
L3은 적어도 하나의 불소로 치환된 C1 내지 C10 알킬렌기, 적어도 하나의 불소로 치환된 C3 내지 C20 사이클로알킬렌기, 적어도 하나의 불소로 치환된 C6 내지 C20 아릴렌기, 적어도 하나의 불소로 치환된 C1 내지 C20 헤테로아릴렌기, 또는 이들의 조합이다.L 3 is a C1 to C10 alkylene group substituted with at least one fluorine, a C3 to C20 cycloalkylene group substituted with at least one fluorine, a C6 to C20 arylene group substituted with at least one fluorine, or a C3 to C20 cycloalkylene group substituted with at least one fluorine. A C1 to C20 heteroarylene group, or a combination thereof.
상기 불소를 함유하는 산성 화합물은 하기 그룹 Ⅱ에 나열된 화합물 중 적어도 1종일 수 있다.The fluorine-containing acidic compound may be at least one of the compounds listed in Group II below.
[그룹 Ⅱ][Group II]
상기 아크릴계 중합체 및 상기 불소를 함유하는 산성 화합물은 3 : 1 내지 30 : 1의 중량비로 포함될 수 있다.The acrylic polymer and the fluorine-containing acidic compound may be included in a weight ratio of 3:1 to 30:1.
상기 아크릴계 중합체 및 상기 불소를 함유하는 산성 화합물의 총 중량은 상기 유기 상층막 조성물의 총 중량을 기준으로 0.1 중량% 내지 10 중량%로 포함될 수 있다.The total weight of the acrylic polymer and the fluorine-containing acidic compound may be included in an amount of 0.1% to 10% by weight based on the total weight of the organic upper layer film composition.
상기 유기 상층막 조성물은 에테르계 용매를 포함할 수 있다.The organic upper layer composition may include an ether-based solvent.
상기 아세테이트계 화합물은 하기 화학식 7로 표시될 수 있다.The acetate-based compound may be represented by Formula 7 below.
[화학식 7][Formula 7]
상기 화학식 7에서,In Formula 7,
n은 1 내지 10의 정수 중 하나이고,n is one of the integers from 1 to 10;
Re 및 Rf는 각각 독립적으로 수소, 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기, 또는 이들의 조합이고,R e and R f are each independently hydrogen or a substituted or unsubstituted C1 to C10 alkyl group, or a combination thereof;
R11은 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기 또는 이들의 조합이다.R 11 is a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkyl group, a substituted or unsubstituted C6 to C20 aryl group, or a combination thereof.
구체적으로, 상기 화학식 7의 n은 1 내지 5의 정수 중 하나이고, Re 및 Rf는 각각 독립적으로 수소, 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C6 알킬기, 또는 이들의 조합이고, R11은 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기일 수 있다.Specifically, n in Formula 7 is an integer of 1 to 5, R e and R f are each independently hydrogen, a substituted or unsubstituted C1 to C6 alkyl group, or a combination thereof, and R 11 is substituted. Or it may be an unsubstituted C1 to C10 alkyl group.
예컨대, 상기 아세테이트계 화합물은 하기 그룹 Ⅲ에 나열된 화합물에서 선택될 수 있다.For example, the acetate-based compound may be selected from compounds listed in Group III below.
[그룹 Ⅲ][Group III]
상기 에테르계 화합물은 하기 화학식 8로 표시될 수 있다.The ether-based compound may be represented by Formula 8 below.
[화학식 8][Formula 8]
상기 화학식 8에서,In Formula 8,
R12 및 R13은 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 알킬기이다.R 12 and R 13 are each independently a substituted or unsubstituted C3 to C20 alkyl group.
상기 에테르계 화합물은, 디이소프로필에테르, 디프로필에테르, 디이소아밀에테르, 디아밀에테르, 디부틸에테르, 디이소부틸에테르, 디-sec-부틸에테르, 디헥실에테르, 비스(2-에틸헥실)에테르, 디데실에테르, 디운데실에테르, 디도데실에테르, 디테트라데실에테르, 헥사데실에테르, 부틸메틸에테르, 부틸에틸에테르, 부틸프로필에테르, tert-부틸메틸에테르, tert-부틸에틸에테르, tert-부틸프로필에테르, 디-tert-부틸에테르, 시클로펜틸메틸에테르, 시클로헥실메틸에테르, 시클로펜틸에틸에테르, 시클로헥실에틸에테르, 시클로펜틸프로필에테르, 시클로펜틸-2-프로필에테르, 시클로헥실프로필에테르, 시클로헥실-2-프로필에테르, 시클로펜틸부틸에테르, 시클로펜틸-tert-부틸에테르, 시클로헥실부틸에테르, 시클로헥실-tert-부틸에테르, 2-옥타논, 4-헵타논 및 이들의 조합에서 선택될 수 있다.The ether compounds include diisopropyl ether, dipropyl ether, diisoamyl ether, diamyl ether, dibutyl ether, diisobutyl ether, di-sec-butyl ether, dihexyl ether, bis(2-ethylhexyl ) ether, didecyl ether, diundecyl ether, didodecyl ether, ditetradecyl ether, hexadecyl ether, butylmethyl ether, butylethyl ether, butylpropyl ether, tert-butylmethyl ether, tert-butylethyl ether, tert -Butyl propyl ether, di-tert-butyl ether, cyclopentyl methyl ether, cyclohexyl methyl ether, cyclopentyl ethyl ether, cyclohexyl ethyl ether, cyclopentyl propyl ether, cyclopentyl-2-propyl ether, cyclohexyl propyl ether, cyclohexyl-2-propyl ether, cyclopentyl butyl ether, cyclopentyl-tert-butyl ether, cyclohexyl-butyl ether, cyclohexyl-tert-butyl ether, 2-octanone, 4-heptanone, and combinations thereof. can
다른 일 구현예에 따르면, 상술한 포토레지스트 패턴형성방법에 따라 제조된 포토레지스트 패턴이 형성된 기판을 포함하는 반도체 소자를 제공한다.According to another embodiment, a semiconductor device including a substrate having a photoresist pattern manufactured by the above-described photoresist pattern forming method is provided.
포토레지스트 미세 패턴의 손실 없이 SLO 디펙트를 효과적으로 제거할 수 있는 포토레지스트 패턴형성방법을 제공할 수 있다.It is possible to provide a photoresist pattern forming method capable of effectively removing SLO defects without loss of photoresist fine patterns.
또한, 고가의 재료 사용 및 복잡한 공정 단계 없이 비교적 간단한 후 처리 방법을 도입한 것으로써 공정 경제상 유리하다. In addition, it is advantageous in terms of process economy by introducing a relatively simple post-processing method without using expensive materials and complicated process steps.
따라서, 일 구현예에 따른 포토레지스트 패턴형성방법은 EUV 등 고에너지 광원을 이용한 포토레지스트의 미세 패턴 형성에 유리하게 사용될 수 있다.Therefore, the method of forming a photoresist pattern according to an embodiment may be advantageously used to form a fine pattern of a photoresist using a high-energy light source such as EUV.
도 1은 일 구현예에 따른 포토레지스트 패턴형성방법을 설명하기 위한 단면도이다. 1 is a cross-sectional view illustrating a method of forming a photoresist pattern according to an embodiment.
이하, 본 발명의 구현예에 대하여 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 구현예에 한정되지 않는다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail so that those skilled in the art can easily implement the present invention. However, the present invention may be embodied in many different forms and is not limited to the embodiments set forth herein.
도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우 뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다. In the drawings, the thickness is enlarged in order to clearly express various layers and regions, and the same reference numerals are attached to similar parts throughout the specification. When a part such as a layer, film, region, plate, etc. is said to be "on" another part, this includes not only the case where it is "directly on" the other part, but also the case where there is another part in between. Conversely, when a part is said to be "directly on" another part, it means that there is no other part in between.
본 명세서에서 별도의 정의가 없는 한, '치환된'이란, 화합물 중의 수소 원자가 할로겐 원자(F, Br, Cl, 또는 I), 하이드록시기, 알콕시기, 니트로기, 시아노기, 아미노기, 아지도기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, 카르보닐기, 카르바밀기, 티올기, 에스테르기, 카르복실기나 그의 염, 술폰산기나 그의 염, 인산이나 그의 염, 비닐기, C1 내지 C20 알킬기, C2 내지 C20 알케닐기, C2 내지 C20 알키닐기, C6 내지 C30 아릴기, C7 내지 C30 아릴알킬기, C6 내지 C30 알릴기, C1 내지 C30 알콕시기, C1 내지 C20 헤테로알킬기, C3 내지 C20 헤테로아릴알킬기, C3 내지 C30 사이클로알킬기, C3 내지 C15의 사이클로알케닐기, C6 내지 C15 사이클로알키닐기, C3 내지 C30 헤테로사이클로알킬기 및 이들의 조합에서 선택된 치환기로 치환된 것을 의미한다.Unless otherwise defined herein, 'substituted' means that a hydrogen atom in a compound is a halogen atom (F, Br, Cl, or I), a hydroxy group, an alkoxy group, a nitro group, a cyano group, an amino group, or an azido group. , amidino group, hydrazino group, hydrazono group, carbonyl group, carbamyl group, thiol group, ester group, carboxyl group or its salt thereof, sulfonic acid group or its salt thereof, phosphoric acid group or its salt thereof, vinyl group, C1 to C20 alkyl group, C2 to C20 alkenyl group, C2 to C20 alkynyl group, C6 to C30 aryl group, C7 to C30 arylalkyl group, C6 to C30 allyl group, C1 to C30 alkoxy group, C1 to C20 heteroalkyl group, C3 to C20 heteroarylalkyl group, C3 to C30 It means substituted with a substituent selected from a cycloalkyl group, a C3 to C15 cycloalkenyl group, a C6 to C15 cycloalkynyl group, a C3 to C30 heterocycloalkyl group, and combinations thereof.
또한, 본 명세서에서 별도의 정의가 없는 한, '헤테로'란, N, O, S 및 P에서 선택된 헤테로 원자를 각각 독립적으로 1 내지 10개 함유한 것을 의미한다.In addition, unless otherwise defined herein, 'hetero' means containing 1 to 10 heteroatoms each independently selected from N, O, S and P.
또한, 본 명세서에서 아크릴계 중합체란 아크릴계 중합체 및 메타크릴계 중합체를 통칭하는 것이다.In addition, in the present specification, an acrylic polymer refers to an acrylic polymer and a methacrylic polymer.
본 명세서에서 특별히 언급하지 않는 한 중량평균 분자량은 분체 시료를 테트라하이드로퓨란(THF)에 녹인 후, Agilent Technologies社의 1200 series 겔 투과 크로마토그래피(Gel Permeation Chromatography; GPC)를 이용하여 측정(컬럼은 Shodex社 LF-804, 표준시료는 Shodex社 폴리스티렌을 사용함)한 것이다.Unless otherwise specified in the present specification, the weight average molecular weight is measured by dissolving the powder sample in tetrahydrofuran (THF) and then using Agilent Technologies' 1200 series Gel Permeation Chromatography (GPC) (column is Shodex). company LF-804, standard sample used Shodex polystyrene).
또한, 본 명세서에서 별도의 정의가 없는 한, '*'는 화합물의 구조 단위 또는 화합물 부분(moiety)의 연결 지점을 가리킨다.In addition, unless otherwise defined herein, '*' indicates a structural unit of a compound or a connecting point of a compound moiety.
이하 일 구현예에 따른 레지스트 상층막 조성물에 관하여 설명한다.Hereinafter, a resist overlayer film composition according to an embodiment will be described.
본 발명은 ArF 엑시머 레이저(파장 193nm) 등의 단파장 광원, 또는 EUV(Extreme ultraviolet; 파장 13.5nm) 등 고 에너지선을 이용한 포토리소그래피의 미세 패턴 형성 공정 중 간단한 공정을 부가함으로서 레지스트 패턴에 남아 있는 SLO 디펙트를 제거하여 포토레지스트의 패터닝을 개선시킬 수 있는 레지스트 상층막 조성물, 그리고 이러한 상층막을 이용한 포토레지스트 패턴 형성 방법에 관한 것이다.According to the present invention, SLO remaining in a resist pattern is obtained by adding a simple process among micro-pattern formation processes of photolithography using a short-wavelength light source such as an ArF excimer laser (wavelength: 193 nm) or a high-energy ray such as EUV (Extreme ultraviolet; wavelength: 13.5 nm). A resist upper layer composition capable of improving photoresist patterning by removing defects, and a method of forming a photoresist pattern using the upper layer film.
구체적으로, 일 구현예에 따른 포토레지스트 패턴형성방법에 대하여 도 1을 참고하여 설명한다.Specifically, a method of forming a photoresist pattern according to an embodiment will be described with reference to FIG. 1 .
본 발명의 구현예에 따른 패턴 형성 방법은, 기판 위에 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계(1), 상기 포토레지스트 패턴 위에 하이드록시기 및 불소를 함유하는 구조 단위를 포함하는 아크릴계 중합체를 포함하는 유기 상층막 조성물을 도포하는 단계, 상기 유기 상층막 조성물이 도포된 기판을 건조 및 가열하여 상층막을 코팅하는 단계(2), 및 상기 상층막이 코팅된 기판에 아세테이트계 화합물 및 에테르계 화합물의 혼합 용매를 포함하는 린스액을 분사하여 상기 상층막을 제거하는 단계(3)를 포함할 수 있다.A pattern formation method according to an embodiment of the present invention includes forming a photoresist pattern on a substrate (1), an organic upper layer including an acrylic polymer including a structural unit containing a hydroxyl group and fluorine on the photoresist pattern Applying a film composition, drying and heating the substrate to which the organic upper layer composition is applied to coat the upper layer film (2), and including a mixed solvent of an acetate-based compound and an ether-based compound on the substrate coated with the upper layer film. and a step (3) of removing the upper layer film by spraying a rinsing liquid.
기판 위에 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계(1)는 반도체 레지스트용 조성물을 기판(100) 상에 스핀 코팅, 슬릿 코팅, 잉크젯 프린팅 등으로 도포하는 공정 및 도포된 반도체 포토레지스트용 조성물을 건조 및 가열하여 포토 레지스트 막(101)을 형성하는 공정, 상기 포토 레지스트 막(101)을 선택적으로 노광 및 현상하여 노광 영역에 해당하는 포토레지스트 막을 용해시켜 제거함으로써 포토레지스트 패턴(102a)을 형성하는 단계를 포함할 수 있다. Step (1) of forming a photoresist pattern on a substrate is a process of applying a composition for semiconductor resist on the
상기 포토레지스트 패턴(102a)을 형성하는 단계는 공지된 방법에 의해 수행될 수 있으며, 상세한 내용은 생략한다.Forming the
이와 같이 형성된 포토레지스트 패턴(102a)에는 인접하는 패턴과 연결되는 브릿지(10) 및 패턴의 간극에 잔존하는 스컴(20)이 발생할 수 있으며, 이들 결함은 이후 형성되는 박막 패턴에 SLO 디펙트를 유발하여 수율 저하의 원인이 될 수 있다.
일 구현예에 따른 포토레지스트 패턴형성방법에는 상기 포토레지스트 패턴 형성 이후에 남아 있는 브릿지(10) 및 스컴(20)을 제거하기 위하여 상기 포토레지스트 패턴 위에 하이드록시기 및 불소를 함유하는 구조 단위를 포함하는 아크릴계 중합체를 포함하는 유기 상층막 조성물을 도포하고, 상기 유기 상층막 조성물이 도포된 기판을 건조 및 가열하여 상층막(30)을 코팅하는 단계(2), 및 상기 상층막이 코팅된 기판에 아세테이트계 화합물 및 에테르계 화합물의 혼합 용매를 포함하는 린스액을 분사하여 상기 상층막을 제거하는 단계(3)가 포함될 수 있다.A photoresist pattern forming method according to an embodiment includes a structural unit containing a hydroxy group and fluorine on the photoresist pattern to remove the
상기 유기 상층막 조성물은 아크릴계 중합체를 포함하며, 상기 아크릴계 중합체는 하이드록시기 및 불소를 함유하는 구조 단위를 포함할 수 있다.The organic upper layer composition may include an acrylic polymer, and the acrylic polymer may include a structural unit containing a hydroxyl group and fluorine.
일 예로 상기 하이드록시기 및 불소를 함유하는 구조 단위는 하기 화학식 1로 표시될 수 있다.For example, the structural unit containing the hydroxyl group and fluorine may be represented by Formula 1 below.
[화학식 1][Formula 1]
상기 화학식 1에서,In Formula 1,
R1은 수소 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기이고,R 1 is hydrogen or a substituted or unsubstituted C1 to C10 alkyl group;
R2는 수소, 불소, 하이드록시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 또는 이들의 조합이고,R 2 is hydrogen, fluorine, a hydroxyl group, a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkyl group, or a combination thereof;
L1 및 L2는 각각 독립적으로, 단일결합, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬렌기, 또는 이들의 조합이고,L 1 and L 2 are each independently a single bond, a substituted or unsubstituted C1 to C10 alkylene group, or a combination thereof;
X1은 단일 결합, -O-, -S-, -S(O)-, -S(O)2-, -C(O)-, -(CO)O-, -O(CO), -O(CO)O-, -NR’- (여기서, R’은 수소, 중수소, 또는 C1 내지 C10 알킬기이다), 또는 이들의 조합이고,X 1 is a single bond, -O-, -S-, -S(O)-, -S(O) 2 -, -C(O)-, -(CO)O-, -O(CO), - O(CO)O-, -NR'- (where R' is hydrogen, deuterium, or a C1 to C10 alkyl group), or a combination thereof;
R2, L1 및 L2는 불소 및 하이드록시기를 포함하고,R 2 , L 1 and L 2 include fluorine and a hydroxy group;
*은 연결 지점이다.* is a connection point.
R2, L1 및 L2가 불소 및 하이드록시기를 포함한다는 의미는, The meaning that R 2 , L 1 and L 2 include fluorine and a hydroxy group,
R2가 적어도 하나의 불소 및 적어도 하나의 하이드록시기로 치환된 C1 내지 C10 알킬기이거나, 또는R 2 is a C1 to C10 alkyl group substituted with at least one fluorine and at least one hydroxy group, or
L1 및 L2 중 적어도 하나가, 적어도 하나의 불소 및 적어도 하나의 하이드록시기로 치환된 C1 내지 C10 알킬기렌이거나, 또는At least one of L 1 and L 2 is C1 to C10 alkylene substituted with at least one fluorine and at least one hydroxy group, or
L1 및 L2 중 적어도 하나가, 적어도 하나의 불소로 치환된 C1 내지 C10 알킬기렌이고, 나머지 하나가 적어도 하나의 하이드록시기로 치환된 C1 내지 C10 알릴렌기이거나, 또는At least one of L 1 and L 2 is a C1 to C10 alkyl group substituted with at least one fluorine, and the other is a C1 to C10 allylene group substituted with at least one hydroxy group, or
R2가 불소이고, L1 및 L2 중 적어도 하나가 하이드록시기로 치환된 C1 내지 C10 알킬렌기이거나, 또는 R 2 is fluorine, and at least one of L 1 and L 2 is a C1 to C10 alkylene group substituted with a hydroxyl group; or
R2가 하이드록시기이고, L1 및 L2 중 적어도 하나가 불소로 치환된 C1 내지 C10 알킬렌기이거나, 또는R 2 is a hydroxyl group, and at least one of L 1 and L 2 is a C1 to C10 alkylene group substituted with fluorine; or
R2가 적어도 하나의 불소 및 적어도 하나의 하이드록시기로 치환된 C1 내지 C10 알킬기이거나, 또는R 2 is a C1 to C10 alkyl group substituted with at least one fluorine and at least one hydroxy group, or
R2가 적어도 하나의 하이드록시기 및 적어도 하나의 불소로 치환된 C1 내지 C10 알킬기로 치환된 C1 내지 C10 알킬기인 경우를 포함할 수 있다.It may include a case where R 2 is a C1 to C10 alkyl group substituted with at least one hydroxyl group and a C1 to C10 alkyl group substituted with at least one fluorine.
구체적인 일 예로 상기 하이드록시기 및 불소를 함유하는 구조 단위는 하기 화학식 2로 표시될 수 있다.As a specific example, the structural unit containing the hydroxy group and fluorine may be represented by
[화학식 2][Formula 2]
상기 화학식 2에서,In
R1은 수소 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기이고,R 1 is hydrogen or a substituted or unsubstituted C1 to C10 alkyl group;
Ra, Rb, Rc, Rd 및 R2는 각각 독립적으로 수소, 불소, 하이드록시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 또는 이들의 조합이고,R a , R b , R c , R d and R 2 are each independently hydrogen, fluorine, a hydroxyl group, a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkyl group, or a combination thereof;
m1 및 m2는 각각 독립적으로 1 내지 10의 정수 중 하나이고,m1 and m2 are each independently one of integers from 1 to 10,
X1은 단일 결합, -O-, -S-, -S(O)-, -S(O)2-, -C(O)-, -(CO)O-, -O(CO), -O(CO)O-, -NR’- (여기서, R’은 수소, 중수소, 또는 C1 내지 C10 알킬기이다), 또는 이들의 조합이고,X 1 is a single bond, -O-, -S-, -S(O)-, -S(O) 2 -, -C(O)-, -(CO)O-, -O(CO), - O(CO)O-, -NR'- (where R' is hydrogen, deuterium, or a C1 to C10 alkyl group), or a combination thereof;
Ra, Rb, Rc, Rd 및 R2는 불소 및 하이드록시기를 포함하며,R a , R b , R c , R d and R 2 contain fluorine and a hydroxy group;
*은 연결 지점이다.* is a connection point.
Ra, Rb, Rc, Rd 및 R2가 불소 및 하이드록시기를 포함한다는 의미는, The meaning that R a , R b , R c , R d and R 2 include fluorine and a hydroxy group,
Ra, Rb, Rc, Rd 및 R2 중 적어도 하나가 각각 독립적으로 불소 및 하이드록시기이거나, 또는 At least one of R a , R b , R c , R d and R 2 is each independently a fluorine group and a hydroxy group, or
Ra, Rb, Rc, Rd 및 R2 중 적어도 하나가 각각 독립적으로 불소로 치환된 C1 내지 C10 알킬기 및 하이드록시기로 치환된 C1 내지 C10 알킬기이거나, 또는At least one of R a , R b , R c , R d and R 2 is each independently a C1 to C10 alkyl group substituted with fluorine and a C1 to C10 alkyl group substituted with a hydroxy group, or
Ra, Rb, Rc, Rd 및 R2 중 적어도 하나가 각각 독립적으로 하이드록시기 및 불소로 치환된 C1 내지 C10 알킬기이거나, 또는At least one of R a , R b , R c , R d and R 2 is each independently a hydroxy group and a C1 to C10 alkyl group substituted with fluorine, or
Ra, Rb, Rc, Rd 및 R2 중 적어도 하나가 각각 독립적으로 하이드록시기 및 불소로 치환된 C1 내지 C10 알킬기로 치환된 C1 내지 C10 알킬기이거나, 또는At least one of R a , R b , R c , R d and R 2 is each independently a C1 to C10 alkyl group substituted with a hydroxyl group and a C1 to C10 alkyl group substituted with fluorine, or
Ra, Rb, Rc, Rd 및 R2 중 적어도 하나가 불소이고, 나머지 중 적어도 하나가 하이드록시기이거나, 또는At least one of R a , R b , R c , R d and R 2 is fluorine, and at least one of the others is a hydroxy group, or
Ra, Rb, Rc, Rd 및 R2 중 적어도 하나가 불소이고, 나머지 중 적어도 하나가 하이드록시기로 치환된 C1 내지 C10 알킬기이거나, 또는At least one of R a , R b , R c , R d and R 2 is fluorine, and at least one of the others is a C1 to C10 alkyl group substituted with a hydroxy group, or
Ra, Rb, Rc, Rd 및 R2 중 적어도 하나가 하이드록시기이고, 나머지 중 적어도 하나가 불소로 치환된 C1 내지 C10 알킬기이거나, 또는At least one of R a , R b , R c , R d and R 2 is a hydroxyl group, and at least one of the others is a C1 to C10 alkyl group substituted with fluorine, or
Ra, Rb, Rc, Rd 및 R2 중 적어도 하나가 불소로 치환된 C1 내지 C20 알킬기이고, 나머지 중 적어도 하나가 하이드록시기로 치환된 C1 내지 C20 알킬기인 경우를 포함할 수 있다.It may include a case where at least one of R a , R b , R c , R d and R 2 is a C1 to C20 alkyl group substituted with fluorine, and at least one of the others is a C1 to C20 alkyl group substituted with a hydroxy group.
예컨대, 상기 R1은 수소 또는 메틸기이고,For example, the R 1 is hydrogen or a methyl group,
상기 X1은 단일 결합 또는 -O-이며,X 1 is a single bond or -O-;
상기 R2는 불소, 하이드록시기, 적어도 하나의 불소로 치환된 C1 내지 C10 알킬기 또는 적어도 하나의 하이드록시기로 치환된 C1 내지 C10 알킬기일 수 있다.R 2 may be fluorine, a hydroxy group, a C1 to C10 alkyl group substituted with at least one fluorine, or a C1 to C10 alkyl group substituted with at least one hydroxy group.
일 예로 상기 화학식 2의 Rc, Rd 및 R2는 불소 및 하이드록시기를 포함할 수 있다.For example, R c , R d and R 2 in
구체적인 일 예로 상기 화학식 2의 Rc 및 Rd 중 적어도 하나는 불소 또는 적어도 하나의 불소로 치환된 C1 내지 C10 알킬기이고, R2는 하이드록시기 또는 적어도 하나의 하이드록시기로 치환된 C1 내지 C10 알킬기일 수 있다.As a specific example, at least one of R c and R d in
구체적인 일 예로 상기 화학식 2의 Rc 및 Rd 중 적어도 하나는 하이드록시기 또는 적어도 하나의 하이드록시기로 치환된 C1 내지 C10 알킬기이고, R2는 불소 또는 적어도 하나의 불소로 치환된 C1 내지 C10 알킬기일 수 있다.As a specific example, at least one of R c and R d in
구체적인 일 예로 상기 화학식 2의 Rc는 하이드록시기 또는 적어도 하나의 하이드록시기로 치환된 C1 내지 C10 알킬기이고, Rd는 불소 또는 적어도 하나의 불소로 치환된 C1 내지 C10 알킬기이며, R2는 하이드록시기, 불소 또는 적어도 하나의 불소 또는 적어도 하나의 하이드록시기로 치환된 C1 내지 C10 알킬기일 수 있다.As a specific example, R c in
구체적인 일 예로 상기 화학식 2의 Rc 및 Rd 중 적어도 하나는 불소 또는 적어도 하나의 불소로 치환된 C1 내지 C10 알킬기이고, R2는 하이드록시기이거나, 또는 적어도 하나의 하이드록시기 및 적어도 하나의 불소로 치환된 C1 내지 C5 알킬기로 치환된 C1 내지 C5 알킬기일 수 있다.As a specific example, at least one of R c and R d in
예컨대 상기 하이드록시기 및 불소를 함유하는 구조 단위는 하기 그룹 Ⅰ에서 선택될 수 있다.For example, the structural unit containing the hydroxyl group and fluorine may be selected from the following group I.
[그룹 Ⅰ][Group I]
상기 그룹 Ⅰ에서, R3 내지 R6은 각각 독립적으로 수소 또는 메틸기이고, *는 연결지점이다.In Group I, R 3 to R 6 are each independently hydrogen or a methyl group, and * is a linking point.
상기 아크릴계 중합체는 하이드록시기 및 불소를 동시에 함유하는 구조 단위를 포함함으로써, 유기 용매에 대한 용해도가 우수하고 패턴에 균일하게 코팅이 가능하며 포토레지스트에의 영향을 최소화할 수 있다.Since the acrylic polymer includes a structural unit simultaneously containing a hydroxyl group and fluorine, it has excellent solubility in an organic solvent, can be uniformly coated on a pattern, and can minimize the effect on a photoresist.
상기 아크릴계 중합체는 1,000 g/mol 내지 50,000 g/mol의 중량평균분자량(Mw)을 가질 수 있다. 예를 들어, 약 2,000 g/mol 내지 30,000 g/mol, 예를 들어 약 3,000 g/mol 내지 20,000 g/mol, 예를 들어 약 4,000 g/mol 내지 10,000 g/mol의 중량평균분자량을 가질 수 있으며, 이들에 제한되지 않는다. 상기 아크릴계 중합체의 중량평균분자량이 상기 범위인 경우, 상기 유기 상층막 조성물의 탄소 함량 및 용매에 대한 용해도를 조절하여 최적화할 수 있다.The acrylic polymer may have a weight average molecular weight (Mw) of 1,000 g/mol to 50,000 g/mol. for example, from about 2,000 g/mol to 30,000 g/mol, such as from about 3,000 g/mol to 20,000 g/mol, such as from about 4,000 g/mol to 10,000 g/mol; , but not limited to these. When the weight average molecular weight of the acrylic polymer is within the above range, it may be optimized by adjusting the carbon content and solubility of the organic upper layer film composition in a solvent.
또한, 상기 유기 상층막 조성물은 불소를 함유하는 산성 화합물을 더욱 포함하며, 상기 불소를 함유하는 산성 화합물은 적어도 하나의 불소를 함유하는 설폰산 화합물, 적어도 하나의 불소를 함유하는 설폰이미드 화합물, 및 적어도 하나의 불소를 함유하는 카르복실산 화합물 중에서 선택되는 적어도 1종일 수 있다.In addition, the organic upper layer film composition further includes a fluorine-containing acidic compound, wherein the fluorine-containing acidic compound includes at least one fluorine-containing sulfonic acid compound, at least one fluorine-containing sulfonimide compound, And it may be at least one selected from carboxylic acid compounds containing at least one fluorine.
예컨대 상기 불소를 함유하는 산성 화합물은 2종의 화합물이 포함된 혼합물일 수 있으며, 2종의 화합물이 포함된 혼합물로서는, 적어도 하나의 불소를 함유하는 설폰산 화합물, 및 적어도 하나의 불소를 함유하는 설폰이미드 화합물에서 선택된 2종의 화합물이 1 : 0.1 내지 1 : 50의 중량비로 포함될 수 있다. 더욱 구체적으로는 상기 2종의 산성 화합물을 1 : 0.3 내지 1 : 40, 예컨대 1 : 0.3 내지 1 : 35, 또는 1 : 1 내지 1 : 30 의 중량비로 포함할 수 있다.For example, the fluorine-containing acidic compound may be a mixture containing two compounds, and the mixture containing the two compounds includes at least one fluorine-containing sulfonic acid compound and at least one fluorine-containing mixture. Two types of compounds selected from sulfonimide compounds may be included in a weight ratio of 1:0.1 to 1:50. More specifically, the two acidic compounds may be included in a weight ratio of 1:0.3 to 1:40, such as 1:0.3 to 1:35, or 1:1 to 1:30.
이와 같이 2종의 산성 화합물이 포함된 혼합물이 첨가되는 경우 레지스트의 defect부를 선택적으로 제거할 수 있다.In this way, when a mixture containing two kinds of acidic compounds is added, the defect portion of the resist can be selectively removed.
이에 따라 일 구현예에 따르면, 고해상도의 패턴을 높은 수율로 얻을 수 있다.Accordingly, according to one embodiment, a high-resolution pattern can be obtained with high yield.
일 예로 상기 불소를 함유하는 산성 화합물은 하기 화학식 3 내지 화학식 6으로 표시되는 화합물 중 적어도 1종일 수 있다.For example, the fluorine-containing acidic compound may be at least one of the compounds represented by
[화학식 3][Formula 3]
[화학식 4] [화학식 5][Formula 4] [Formula 5]
[화학식 6][Formula 6]
상기 화학식 3 내지 화학식 6에서,In
R7 내지 R10은 각각 독립적으로 불소, 적어도 하나의 불소로 치환된 C1 내지 C20 알킬기, 적어도 하나의 불소로 치환된 C2 내지 C20 알케닐기, 적어도 하나의 불소로 치환된 C2 내지 C20 알키닐기, 적어도 하나의 불소로 치환된 C3 내지 C20 시클로알킬기, 적어도 하나의 불소로 치환된 C3 내지 C20 시클로알케닐기, 적어도 하나의 불소로 치환된 C3 내지 C20 시클로알키닐기, 적어도 하나의 불소로 치환된 C6 내지 C20 아릴기, 적어도 하나의 불소로 치환된 C1 내지 C20 헤테로아릴기 또는 이들의 조합이고,R 7 to R 10 are each independently fluorine, a C1 to C20 alkyl group substituted with at least one fluorine, a C2 to C20 alkenyl group substituted with at least one fluorine, a C2 to C20 alkynyl group substituted with at least one fluorine, at least C3 to C20 cycloalkyl group substituted with one fluorine, C3 to C20 cycloalkenyl group substituted with at least one fluorine, C3 to C20 cycloalkynyl group substituted with at least one fluorine, C6 to C20 substituted with at least one fluorine An aryl group, a C1 to C20 heteroaryl group substituted with at least one fluorine, or a combination thereof;
L3은 적어도 하나의 불소로 치환된 C1 내지 C10 알킬렌기, 적어도 하나의 불소로 치환된 C3 내지 C20 사이클로알킬렌기, 적어도 하나의 불소로 치환된 C6 내지 C20 아릴렌기, 적어도 하나의 불소로 치환된 C1 내지 C20 헤테로아릴렌기, 또는 이들의 조합이다.L 3 is a C1 to C10 alkylene group substituted with at least one fluorine, a C3 to C20 cycloalkylene group substituted with at least one fluorine, a C6 to C20 arylene group substituted with at least one fluorine, or a C3 to C20 cycloalkylene group substituted with at least one fluorine. A C1 to C20 heteroarylene group, or a combination thereof.
일 예로 상기 R7 내지 R10은 각각 독립적으로 적어도 하나의 불소로 치환된 C1 내지 C10 알킬기, 적어도 하나의 불소로 치환된 C6 내지 C20 아릴기 또는 이들의 조합일 수 있다.For example, R 7 to R 10 may each independently be a C1 to C10 alkyl group substituted with at least one fluorine, a C6 to C20 aryl group substituted with at least one fluorine, or a combination thereof.
예컨대 상기 산성 화합물은 하기 그룹 Ⅱ에 나열된 화합물 중 적어도 1종일 수 있다.For example, the acidic compound may be at least one of the compounds listed in Group II below.
[그룹 Ⅱ][Group II]
한편, 상기 아크릴계 중합체 및 상기 불소를 함유하는 산성 화합물은 3 : 1 내지 30 :1의 중량비, 예를 들어 5 : 1 내지 25 :1, 또는 5 : 1 내지 20 : 1의 중량비로 포함될 수 있다. Meanwhile, the acrylic polymer and the fluorine-containing acidic compound may be included in a weight ratio of 3:1 to 30:1, for example, 5:1 to 25:1, or 5:1 to 20:1.
상기 아크릴계 중합체와 상기 불소를 함유하는 산성 화합물을 상기 중량비로 포함함으로써, SLO 디펙트 제거에 용이한 유기 상층막을 제공할 수 있다.By including the acrylic polymer and the acidic compound containing fluorine in the above weight ratio, an organic upper layer film that can easily remove SLO defects can be provided.
상기 아크릴계 중합체 및 상기 불소를 함유하는 산성 화합물의 총 중량은 상기 유기 상층막 조성물의 총 중량을 기준으로 0.1 중량% 내지 10 중량%로 포함될 수 있다. 상기 범위로 포함됨으로써 유기 상층막 제거가 용이할 수 있다.The total weight of the acrylic polymer and the fluorine-containing acidic compound may be included in an amount of 0.1% to 10% by weight based on the total weight of the organic upper layer film composition. By being included within the above range, it may be easy to remove the organic upper layer film.
한편, 상기 유기 상층막 조성물은, 에폭시계 수지, 노볼락계 수지, 글리콜루릴계 수지, 및 멜라민계 수지 중 하나 이상의 다른 중합체를 더 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.Meanwhile, the organic upper layer film composition may further include one or more other polymers selected from among epoxy-based resins, novolak-based resins, glycoluril-based resins, and melamine-based resins, but is not limited thereto.
상기 유기 상층막 조성물은 추가적으로 계면활성제, 열산 발생제, 가소제, 또는 이들의 조합을 포함하는 첨가제를 더 포함할 수 있다.The organic upper layer composition may further include an additive including a surfactant, a thermal acid generator, a plasticizer, or a combination thereof.
상기 계면활성제는 예컨대 알킬벤젠설폰산 염, 알킬피리디늄 염, 폴리에틸렌글리콜, 제4 암모늄 염 등을 사용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.As the surfactant, for example, alkylbenzenesulfonic acid salts, alkylpyridinium salts, polyethylene glycol, quaternary ammonium salts, etc. may be used, but are not limited thereto.
상기 열산발생제는 예컨대 p-톨루엔술폰산, 트리플루오로메탄술폰산, 피리디늄p-톨루엔술폰산, 살리실산, 술포살리실산, 구연산, 안식향산, 하이드록시안식향산, 나프탈렌카르본산 등의 산성 화합물 또는/및 벤조인토실레이트, 2-니트로벤질토실레이트, 그 밖에 유기술폰산알킬에스테르 등을 사용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. The thermal acid generator is, for example, an acidic compound such as p-toluenesulfonic acid, trifluoromethanesulfonic acid, pyridinium p-toluenesulfonic acid, salicylic acid, sulfosalicylic acid, citric acid, benzoic acid, hydroxybenzoic acid, naphthalenecarboxylic acid, or/and benzointosyl rate, 2-nitrobenzyl tosylate, and other organic sulfonic acid alkyl esters may be used, but are not limited thereto.
상기 첨가제는 상기 유기 상층막 조성물 100 중량부에 대하여 0.001 내지 40 중량부로 포함될 수 있다. 상기 범위로 포함함으로써 유기 상층막 조성물의 광학적 특성을 변경시키지 않으면서 용해도를 향상시킬 수 있다.The additive may be included in an amount of 0.001 to 40 parts by weight based on 100 parts by weight of the organic upper layer film composition. By including it within the above range, solubility may be improved without changing the optical properties of the organic upper layer composition.
또한, 상기 유기 상층막 조성물은 유기 상층막 조성물에 대하여 충분한 용해성 또는 분산성을 가지는 유기 용매를 포함할 수 있다. In addition, the organic upper layer film composition may include an organic solvent having sufficient solubility or dispersibility with respect to the organic upper layer film composition.
상기 유기 용매는 에테르계 화합물을 포함할 수 있으며, 예컨대 상기 에테르계 화합물은 하기 화학식 8로 표시될 수 있다.The organic solvent may include an ether-based compound, and for example, the ether-based compound may be represented by Chemical Formula 8 below.
[화학식 8][Formula 8]
상기 화학식 8에서,In Formula 8,
R12 및 R13은 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 알킬기이다.R 12 and R 13 are each independently a substituted or unsubstituted C3 to C20 alkyl group.
구체적인 일 예로, 상기 에테르계 화합물은 디이소프로필에테르, 디프로필에테르, 디이소아밀에테르, 디아밀에테르, 디부틸에테르, 디이소부틸에테르, 디-sec-부틸에테르, 디헥실에테르, 비스(2-에틸헥실)에테르, 디데실에테르, 디운데실에테르, 디도데실에테르, 디테트라데실에테르, 헥사데실에테르, 부틸메틸에테르, 부틸에틸에테르, 부틸프로필에테르, tert-부틸메틸에테르, tert-부틸에틸에테르, tert-부틸프로필에테르, 디-tert-부틸에테르, 시클로펜틸메틸에테르, 시클로헥실메틸에테르, 시클로펜틸에틸에테르, 시클로헥실에틸에테르, 시클로펜틸프로필에테르, 시클로펜틸-2-프로필에테르, 시클로헥실프로필에테르, 시클로헥실-2-프로필에테르, 시클로펜틸부틸에테르, 시클로펜틸-tert-부틸에테르, 시클로헥실부틸에테르, 시클로헥실-tert-부틸에테르, 2-옥타논, 4-헵타논 및 이들의 조합에서 선택될 수 있다.As a specific example, the ether-based compound is diisopropyl ether, dipropyl ether, diisoamyl ether, diamyl ether, dibutyl ether, diisobutyl ether, di-sec-butyl ether, dihexyl ether, bis(2 -Ethylhexyl) ether, didecyl ether, diundecyl ether, didodecyl ether, ditetradecyl ether, hexadecyl ether, butylmethyl ether, butylethyl ether, butylpropyl ether, tert-butylmethyl ether, tert-butylethyl Ether, tert-butylpropyl ether, di-tert-butyl ether, cyclopentylmethyl ether, cyclohexylmethyl ether, cyclopentylethyl ether, cyclohexylethyl ether, cyclopentylpropylether, cyclopentyl-2-propylether, cyclohexyl Propyl ether, cyclohexyl-2-propyl ether, cyclopentyl butyl ether, cyclopentyl-tert-butyl ether, cyclohexyl butyl ether, cyclohexyl-tert-butyl ether, 2-octanone, 4-heptanone and combinations thereof can be selected from
상기 유기 상층막은 예컨대 유기 상층막 조성물을 포토레지스트 패턴 위에 도포한 후 건조 및 가열 단계를 거쳐 경화된 형태일 수 있다.The organic upper layer film may be, for example, in a form in which an organic upper layer composition is coated on a photoresist pattern and then cured through drying and heating steps.
상기 유기 상층막 조성물이 도포된 기판을 가열하는 단계는 100 ℃ 내지 500 ℃의 온도에서 수행될 수 있다.The heating of the substrate coated with the organic upper layer composition may be performed at a temperature of 100 °C to 500 °C.
상기 상층막이 코팅된 기판에 린스액을 분사하여 상기 상층막을 제거하는 단계에서, 상기 린스액은 포토레지스트에 대해서는 반응성이 낮고 상층막에 대해서는 용해도가 높은 용매가 유리하며, 예컨대 아세테이트계 화합물을 포함할 수 있다.In the step of removing the upper layer film by spraying a rinsing liquid on the substrate coated with the upper layer film, the rinsing liquid is preferably a solvent having low reactivity to the photoresist and high solubility to the upper layer film, and may include, for example, an acetate-based compound. can
상기 린스액에 포함되는 아세테이트계 화합물은 하기 화학식 7로 표시될 수 있다.The acetate-based compound included in the rinsing liquid may be represented by Formula 7 below.
[화학식 7][Formula 7]
상기 화학식 7에서,In Formula 7,
n은 1 내지 10의 정수 중 하나이고,n is an integer from 1 to 10;
Re 및 Rf는 각각 독립적으로 수소, 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기, 또는 이들의 조합이고,R e and R f are each independently hydrogen or a substituted or unsubstituted C1 to C10 alkyl group, or a combination thereof;
R11은 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기 또는 이들의 조합이다.R 11 is a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkyl group, a substituted or unsubstituted C6 to C20 aryl group, or a combination thereof.
아세테이트계 화합물을 포함함으로서, 포토레지스트에 대한 영향을 최소화 하면서도 유기 상층막 조성물에 대해서는 충분한 용해성 및/또는 분산성을 가질 수 있다.By including the acetate-based compound, it may have sufficient solubility and/or dispersibility in the organic upper layer composition while minimizing the effect on the photoresist.
예컨대 상기 화학식 7의 n은 1 내지 5의 정수 중 하나이고, Re 및 Rf는 각각 독립적으로 수소, 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C6 알킬기, 또는 이들의 조합이고, R11은 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기일 수 있다.For example, n in Formula 7 is an integer of 1 to 5, R e and R f are each independently hydrogen, a substituted or unsubstituted C1 to C6 alkyl group, or a combination thereof, and R 11 is a substituted or unsubstituted It may be a cyclic C1 to C10 alkyl group.
상기 아세테이트계 화합물의 구체예로는, 프로필 아세테이트, n-부틸 아세테이트, 이소부틸 아세테이트, sec-부틸 아세테이트, n-아밀 아세테이트, 이소아밀 아세테이트, 헥실 아세테이트 등을 들 수 있으나 이에 한정되지 않는다.Specific examples of the acetate-based compound include, but are not limited to, propyl acetate, n-butyl acetate, isobutyl acetate, sec-butyl acetate, n-amyl acetate, isoamyl acetate, and hexyl acetate.
일 실시예에서 상기 아세테이트계 화합물은 하기 그룹 Ⅲ에 나열된 화합물에서 선택되는 적어도 1종일 수 있다.In one embodiment, the acetate-based compound may be at least one selected from compounds listed in Group III.
[그룹 Ⅲ][Group III]
상기 린스액에 포함되는 에테르계 화합물은 전술한 바와 같다.The ether-based compound included in the rinsing liquid is as described above.
아세테이트계 화합물 및 에테르계 화합물의 혼합 용매를 포함하는 린스액으로 사용하는 경우, 레지스트 패턴에 남아 있는 SLO 디펙트를 제거하여 포토레지스트의 패터닝을 효과적으로 개선시킬 수 있다.When used as a rinse solution containing a mixed solvent of an acetate-based compound and an ether-based compound, photoresist patterning can be effectively improved by removing SLO defects remaining in a resist pattern.
이와 같이, 상층막을 코팅하는 단계(2) 및 이를 제거하는 단계(3)를 수행한 이후에 형성된 포토레지스트 패턴(102b)은 상기 단계(2) 및 단계(3)을 수행하기 이전에 형성된 포토레지스트 패턴(102a)과 비교 시, 브릿지(10) 및 스컴(20)이 제거되어 포토레지스트의 패터닝이 개선될 수 있다.As such, the
상기 포토레지스트 패턴(102b)을 식각 마스크로 적용하여 노출된 박막을 식각하는 단계(4)를 거쳐 최종적으로 박막 패턴(103)이 형성될 수 있으며, 이와 같이 형성된 박막 패턴은 미세 패턴의 손실 없이 SLO 디펙트가 효과적으로 제거될 수 있다.Through step 4 of etching the exposed thin film by applying the
일 구현예에 따른 포토레지스트 패턴 형성방법은 SLO 디펙트의 제거가 용이하므로 고해상도 구현에 유리하다.The method of forming a photoresist pattern according to an embodiment is advantageous in implementing high resolution because it is easy to remove SLO defects.
유기 상층막 형성 및 제거는 간단한 공정으로 수행될 수 있어 공정 경제상 유리하며, SLO 디펙트 제거에 따라 수율이 향상될 수 있다.Formation and removal of the organic upper layer can be performed in a simple process, which is advantageous in terms of process economy, and yield can be improved by removing the SLO defect.
다른 구현예에 따르면, 상술한 포토레지스트 패턴형성방법에 따라 제조된 포토레지스트 패턴을 제공한다. According to another embodiment, a photoresist pattern manufactured according to the photoresist pattern forming method described above is provided.
상기 박막의 식각은 예컨대 식각 가스를 사용한 건식 식각으로 수행할 수 있으며, 식각 가스는 예컨대 CHF3, CF4, Cl2, BCl3 및 이들의 혼합 가스를 사용할 수 있다.Etching of the thin film may be performed by, for example, dry etching using an etching gas, and the etching gas may be, for example, CHF 3 , CF 4 , Cl 2 , BCl 3 or a mixed gas thereof.
앞서 수행된 노광 공정에서, EUV 광원을 사용하여 수행된 노광 공정에 의해 형성된 포토레지스트 패턴(102b)을 이용하여 형성된 박막 패턴은 상기 포토레지스트 패턴(102b)에 대응되는 폭을 가질 수 있다. 일 예로, 상기 포토레지스트 패턴(102b)과 동일하게 5 nm 내지 100 nm의 폭을 가질 수 있다. 예를 들어, EUV 광원을 사용하여 수행된 노광 공정에 의해 형성된 박막 패턴(103)은 상기 포토레지스트 패턴(102b)과 마찬가지로 5 nm 내지 90 nm, 5 nm 내지 80 nm, 5 nm 내지 70 nm, 5 nm 내지 60 nm, 5 nm 내지 50 nm, 5 nm 내지 40 nm, 5 nm 내지 30 nm, 5 nm 내지 20 nm의 폭을 가질 수 있으며, 보다 구체적으로 20 nm 이하의 폭으로 형성될 수 있다.In the previously performed exposure process, the thin film pattern formed using the
이하, 상술한 포토레지스트 패턴형성방법에 관한 실시예를 통하여 본 발명을 더욱 상세하게 설명하도록 한다. 그러나 하기 실시예들에 의하여 본 발명의 기술적 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail through examples of the photoresist pattern forming method described above. However, the present invention is not technically limited by the following examples.
합성예synthesis example
아크릴계 중합체의 합성Synthesis of acrylic polymers
합성예 1: 모노머의 합성Synthesis Example 1: Synthesis of monomers
질소 분위기 하에서 헥사플로오로-2,3-비스(트리플루오로메틸)-2,3-부탄디올(퍼플루오로피나콜) 20 g (59.86 mmol), 2-(하이드록시에틸)메타크릴레이트 7.79 g (59.86 mmol) 및 트리페닐포스핀(PH3P) 18.84 g (71.84 mmol)를 디에틸에테르 110 ml에 혼합하여 교반한다. 30 분간 교반 후에 혼합물의 온도를 0 ℃로 낮추어 디이소프로필아조디카르복시레이트(DIAD) 14.52 g(71.84 mmol)과 디에틸에테르 35 ml혼합물을 2 시간에 걸쳐 천천히 적하한다. 이후 상온에서 24 시간 동안 교반한 후 혼합물을 농축한다. 농축된 혼합물을 디클로로메탄에 녹여 실리카겔을 이용한 칼럼크로마토그래피하여 합성된 물질을 분리한다. 다시 감압 증류하여 하기 화학식 1a로 표시되는 2-[3,3,3-Trifluoro-2-hydroxy-1,1,2-tris(trifluoromethyl)propoxy]ethyl 2-methyl-2-propenoate을 합성하였다.Hexafluoro-2,3-bis (trifluoromethyl) -2,3-butanediol (perfluoropinacol) 20 g (59.86 mmol), 2- (hydroxyethyl) methacrylate 7.79 g under a nitrogen atmosphere (59.86 mmol) and 18.84 g (71.84 mmol) of triphenylphosphine (PH 3 P) were mixed with 110 ml of diethyl ether and stirred. After stirring for 30 minutes, the temperature of the mixture was lowered to 0° C., and a mixture of 14.52 g (71.84 mmol) of diisopropyl azodicarboxylate (DIAD) and 35 ml of diethyl ether was slowly added dropwise over 2 hours. After stirring at room temperature for 24 hours, the mixture is concentrated. Dissolve the concentrated mixture in dichloromethane and separate the synthesized material by column chromatography using silica gel. It was distilled under reduced pressure again to synthesize 2-[3,3,3-Trifluoro-2-hydroxy-1,1,2-tris(trifluoromethyl)propoxy]ethyl 2-methyl-2-propenoate represented by Chemical Formula 1a.
* 1H-NMR (Acetone-d6): δ1.90(3H, t), 4.36(4H, m), 5.63(1H, t), 6.09(1H, t), 8.34(1H,s)* 1 H-NMR (Acetone-d6): δ1.90 (3H, t), 4.36 (4H, m), 5.63 (1H, t), 6.09 (1H, t), 8.34 (1H, s)
* 19F-NMR (Acetone-d6): δ-70.12(6F, m), -65.38(6F, m)* 19 F-NMR (Acetone-d6): δ-70.12 (6F, m), -65.38 (6F, m)
[화학식 1a][Formula 1a]
합성예 2: 공중합체 P1의 제조Synthesis Example 2: Preparation of Copolymer P1
질소 분위기하에서 500mL 2구 둥근 플라스크에 단량체로 상기 합성예 1에서 제조한 화학식 1a의 화합물 (37.5g, 84.0mmol), dimethyl 2,2'-azobis(2-methylpropionate)(Wako Chemical社, 2.5g, 10.9mmol), 및 diisoamyl ether(DIAE, 60g)을 투입하고 콘덴서를 연결한다. 온도를 110oC로 승온하여 24시간 동안 반응시킨 뒤 반응액을 상온으로 냉각시킨다. 반응액을 225g의 heptane이 담긴 1L 광구병에 교반하며 dropping하여 검(gum)을 생성시킨 후 상층액을 제거한다. 남겨진 검을 DIAE 40g에 용해시킨 후, 여기에 heptane 180g을 첨가하여 침전물을 형성, 및 상층액을 제거하는 과정을 3회 반복하여 단분자 및 올리고머를 제거한다. The compound of Formula 1a (37.5g, 84.0mmol),
최종적으로 하기 화학식 1b로 표시되는 구조 단위를 포함하는 중합체 P1 22.5g(중량 평균 분자량: 4,500)을 얻었다.Finally, 22.5 g of polymer P1 (weight average molecular weight: 4,500) containing a structural unit represented by the following formula (1b) was obtained.
[화학식 1b][Formula 1b]
상기 화학식 1b에서, *는 연결지점이다.In Formula 1b, * is a linking point.
실시예 1Example 1
합성예 2로부터 제조된 중합체 P1 2g(4.3wt%), triflouromethylsulfonic acid 0.04g(0.09wt%), 및 Bis(trifluoromethanesulfonyl)imide 0.10(0.22wt%)을 diisoamyl ether 44.4g(95.4wt%)에 녹인 후 실온(23℃)에서 24시간 동안 교반하여 실시예 1에 따른 유기 상층막 조성물을 제조하였다.After dissolving 2g (4.3wt%) of polymer P1 prepared from Synthesis Example 2, 0.04g (0.09wt%) of triflouromethylsulfonic acid, and 0.10 (0.22wt%) of Bis (trifluoromethanesulfonyl)imide in diisoamyl ether 44.4g (95.4wt%) An organic top layer composition according to Example 1 was prepared by stirring at room temperature (23° C.) for 24 hours.
포토레지스트가 코팅된 실리콘 기판 위에 유기 상층막 조성물을 스핀-온 코팅 방법으로 도포한 후, 핫플레이트 위에서 110oC, 1분 동안 열처리 하여 약 50nm 두께의 유기 상층막을 형성하였다. 이후 하기 화학식 R1로 표시되는 n-부틸 아세테이트 50 wt% 및 하기 화학식 S1로 표시되는 디이소아밀 에테르 50 wt%가 포함된 혼합 용매를 린스액으로 적용하여 린스하고, 핫플레이트 위에서 110oC, 1분 동안 열처리하여 포토레지스트 패턴을 형성하였다.After applying the organic upper layer composition on the photoresist-coated silicon substrate by spin-on coating, heat treatment was performed on a hot plate at 110 ° C. for 1 minute to form an organic upper layer composition having a thickness of about 50 nm. Thereafter, a mixed solvent containing 50 wt% of n-butyl acetate represented by the following formula R1 and 50 wt% of diisoamyl ether represented by the following formula S1 was applied as a rinsing solution to rinse, and 110 o C, 1 on a hot plate A photoresist pattern was formed by heat treatment for a minute.
[화학식 R1] [화학식 S1][Formula R1] [Formula S1]
실시예 2 내지 7Examples 2 to 7
하기 표 1에 기재한 바와 같이 린스액의 조성을 변경한 것을 제외하고, 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 포토레지스트 패턴을 형성하였다.As shown in Table 1 below, a photoresist pattern was formed in the same manner as in Example 1, except that the composition of the rinse solution was changed.
*아세테이트계 화합물*Acetate-based compound
[화학식 R2] [화학식 R3] [Formula R2] [Formula R3]
*에테르계 화합물*Ether compounds
[화학식 S2] [Formula S2]
비교예 1 Comparative Example 1
유기 상층막 조성물의 도포 및 유기 상층막 형성 없이, 포토레지스트가 코팅된 실리콘 기판 위에 바로 하기 표 1에 기재한 바와 같이 해당 린스액을 적용하여 린스하고, 핫플레이트 위에서 110oC, 1분 동안 열처리하여 포토레지스트 패턴을 형성하였다.As shown in Table 1 below, directly on the photoresist-coated silicon substrate, without application of the organic upper layer composition and formation of the organic upper layer film, the rinsing solution was applied and rinsed, and heat treatment was performed on a hot plate at 110 ° C for 1 minute Thus, a photoresist pattern was formed.
평가 1: Non-pattern wafer (NPW) strip 평가Evaluation 1: Non-pattern wafer (NPW) strip evaluation
실시예 1 내지 7, 및 비교예 1에 따른 제조된 포토레지스트의 두께 변화를 측정한 후, 하기 식에 따라 NPW strip을 산출하여 그 결과를 하기 표 1에 나타내었다.After measuring the thickness change of the photoresist prepared according to Examples 1 to 7 and Comparative Example 1, NPW strip was calculated according to the following formula, and the results are shown in Table 1 below.
(NPW strip = 린스 후 PR두께(nm) - 초기 PR 두께(nm))(NPW strip = PR thickness after rinsing (nm) - initial PR thickness (nm))
평가 2: SLO 디펙트(defect) 평가Evaluation 2: SLO defect evaluation
12인치 실리콘 기판에 하부 SiON 막질-스핀 온 카본 막질-상부 SiON 막질 순서대로 형성하였다. 상부 SiON 막질 위에 36nm pitch의 1:1 line/space 포토레지스트 패턴을 EUV lithography 방법으로 형성하였다. 플라즈마를 이용한 건식 에칭을 통해 하부 SiON 막질에 포토레지스트 패턴을 전사하였다. DUV 레이저를 이용한 디펙트 분석 장비로 bright field에서 라인 패턴 사이의 bridge 디펙트를 비롯한 모든 디펙트 검사를 하였다. 검사된 디펙트는 SEM을 이용하여 분류하였고, 검출된 디펙트의 단위면적 당 개수(ea/cm2)로 나타내었다. A lower SiON film, a spin-on carbon film, and an upper SiON film were formed on a 12-inch silicon substrate in this order. A 1:1 line/space photoresist pattern with a 36 nm pitch was formed on the upper SiON film by EUV lithography. A photoresist pattern was transferred to the lower SiON film through dry etching using plasma. All defects including bridge defects between line patterns were inspected in the bright field with defect analysis equipment using a DUV laser. The inspected defects were classified using SEM and expressed as the number of detected defects per unit area (ea/cm 2 ).
이 때, 유기 상층막 조성물을 적용하지 않은 경우의 SLO defect 개수를 100으로 환산했을 때, 디펙트 개수가 80% 이하인 경우를 ‘○’, 디펙트 개수가 80% 초과인 경우를 ‘X’로 표기하였다.At this time, when the number of SLO defects in the case where the organic upper layer composition is not applied is converted to 100, the case where the number of defects is 80% or less is designated as '○', and the case where the number of defects exceeds 80% is designated as 'X' marked.
(nm)NPW strip
(nm)
화합물Acetate type
compound
화합물etheric
compound
(중량비)mixing ratio
(weight ratio)
표 1을 참고하면, 실시예 1 내지 7에 따라 제조된 포토레지스트 패턴은, 비교예 1에 따라 제조된 포토레지스트 패턴과 비교하여 NPW strip (-5.0 nm 내지 -2.5 nm 일 때 효과적임) 및 SLO 디펙트 개선 효과가 우수함을 확인할 수 있다.Referring to Table 1, the photoresist patterns prepared according to Examples 1 to 7, NPW strip (effective when -5.0 nm to -2.5 nm) and SLO compared to the photoresist pattern prepared according to Comparative Example 1 It can be confirmed that the defect improvement effect is excellent.
앞에서, 본 발명의 특정한 실시예가 설명되고 도시되었지만 본 발명은 기재된 실시예에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 사상 및 범위를 벗어나지 않고 다양하게 수정 및 변형할 수 있음은 이 기술의 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 자명한 일이다. 따라서, 그러한 수정예 또는 변형예들은 본 발명의 기술적 사상이나 관점으로부터 개별적으로 이해되어서는 안되며, 변형된 실시예들은 본 발명의 특허청구범위에 속한다 하여야 할 것이다.In the foregoing, although specific embodiments of the present invention have been described and shown, the present invention is not limited to the described embodiments, and it is common knowledge in the art that various modifications and variations can be made without departing from the spirit and scope of the present invention. It is self-evident to those who have Therefore, such modifications or variations should not be individually understood from the technical spirit or viewpoint of the present invention, and modified embodiments should fall within the scope of the claims of the present invention.
1: 기판 위에 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계
2: 상기 포토레지스트 패턴 위에 상층막을 코팅하는 단계
3: 상기 상층막이 코팅된 기판에 린스액을 분사하여 상기 상층막을 제거하는 단계
4: 상기 포토레지스트 패턴을 식각 마스크로 적용하여 노출된 박막을 식각하는 단계
10: 브릿지 20: 스컴
30: 상층막
100: 기판 101: 포토레지스트 막
102(a): 상층막을 코팅하는 단계 및 제거하는 단계를 수행하기 이전에 형성된 포토레지스트 패턴
102(b): 상층막을 코팅하는 단계 및 제거하는 단계를 수행한 이후에 형성된 포토레지스트 패턴
103: 박막 패턴1: Forming a photoresist pattern on a substrate
2: coating an upper layer film on the photoresist pattern
3: removing the upper layer film by spraying a rinse liquid on the substrate coated with the upper layer film
4: Etching the exposed thin film by applying the photoresist pattern as an etching mask
10: bridge 20: scum
30: upper film
100: substrate 101: photoresist film
102(a): Photoresist pattern formed before performing the steps of coating and removing the upper layer film
102(b): Photoresist pattern formed after performing the steps of coating and removing the upper layer film
103: thin film pattern
Claims (18)
상기 포토레지스트 패턴 위에 하이드록시기 및 불소를 함유하는 구조 단위를 포함하는 아크릴계 중합체를 포함하는 유기 상층막 조성물을 도포하는 단계;
상기 유기 상층막 조성물이 도포된 기판을 건조 및 가열하여 상층막을 코팅하는 단계; 및
상기 상층막이 코팅된 기판에 아세테이트계 화합물 및 에테르계 화합물의 혼합 용매를 포함하는 린스액을 분사하여 상기 상층막을 제거하는 단계
를 포함하는 포토레지스트 패턴 형성방법.Forming a photoresist pattern on a substrate;
coating an organic upper layer composition including an acrylic polymer including a structural unit containing a hydroxyl group and fluorine on the photoresist pattern;
coating an upper layer by drying and heating the substrate coated with the organic upper layer composition; and
Removing the upper layer film by spraying a rinse liquid containing a mixed solvent of an acetate-based compound and an ether-based compound on the substrate coated with the upper layer film.
Photoresist pattern forming method comprising a.
상기 하이드록시기 및 불소를 함유하는 구조 단위는 하기 화학식 1로 표시되는, 포토레지스트 패턴 형성방법:
[화학식 1]
상기 화학식 1에서,
R1은 수소 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기이고,
R2는 수소, 불소, 하이드록시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 또는 이들의 조합이고,
L1 및 L2는 각각 독립적으로, 단일결합, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬렌기, 또는 이들의 조합이고,
X1은 단일 결합, -O-, -S-, -S(O)-, -S(O)2-, -C(O)-, -(CO)O-, -O(CO), -O(CO)O-, -NR’- (여기서, R’은 수소, 중수소, 또는 C1 내지 C10 알킬기이다), 또는 이들의 조합이고,
R2, L1 및 L2는 불소 및 하이드록시기를 포함하고,
*은 연결 지점이다.In paragraph 1,
A method of forming a photoresist pattern, wherein the structural unit containing the hydroxyl group and fluorine is represented by Formula 1 below:
[Formula 1]
In Formula 1,
R 1 is hydrogen or a substituted or unsubstituted C1 to C10 alkyl group;
R 2 is hydrogen, fluorine, a hydroxyl group, a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkyl group, or a combination thereof;
L 1 and L 2 are each independently a single bond, a substituted or unsubstituted C1 to C10 alkylene group, or a combination thereof;
X 1 is a single bond, -O-, -S-, -S(O)-, -S(O) 2 -, -C(O)-, -(CO)O-, -O(CO), - O(CO)O-, -NR'- (where R' is hydrogen, deuterium, or a C1 to C10 alkyl group), or a combination thereof;
R 2 , L 1 and L 2 include fluorine and a hydroxy group;
* is a connection point.
상기 하이드록시기 및 불소를 함유하는 구조 단위는 하기 화학식 2로 표시되는, 포토레지스트 패턴 형성방법:
[화학식 2]
상기 화학식 2에서,
R1은 수소 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기이고,
Ra, Rb, Rc, Rd 및 R2는 각각 독립적으로 수소, 불소, 하이드록시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 또는 이들의 조합이고,
m1 및 m2는 각각 독립적으로 1 내지 10의 정수 중 하나이고,
X1은 단일 결합, -O-, -S-, -S(O)-, -S(O)2-, -C(O)-, -(CO)O-, -O(CO), -O(CO)O-, -NR’- (여기서, R’은 수소, 중수소, 또는 C1 내지 C10 알킬기이다), 또는 이들의 조합이고,
Ra, Rb, Rc, Rd 및 R2는 불소 및 하이드록시기를 포함하며,
*은 연결 지점이다.In paragraph 1,
A method of forming a photoresist pattern, wherein the structural unit containing the hydroxyl group and fluorine is represented by Formula 2 below:
[Formula 2]
In Formula 2,
R 1 is hydrogen or a substituted or unsubstituted C1 to C10 alkyl group;
R a , R b , R c , R d and R 2 are each independently hydrogen, fluorine, a hydroxyl group, a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkyl group, or a combination thereof;
m1 and m2 are each independently one of integers from 1 to 10,
X 1 is a single bond, -O-, -S-, -S(O)-, -S(O) 2 -, -C(O)-, -(CO)O-, -O(CO), - O(CO)O-, -NR'- (where R' is hydrogen, deuterium, or a C1 to C10 alkyl group), or a combination thereof;
R a , R b , R c , R d and R 2 contain fluorine and a hydroxy group;
* is a connection point.
상기 하이드록시기 및 불소를 함유하는 구조 단위는 하기 그룹 Ⅰ에서 선택되는 적어도 하나인, 포토레지스트 패턴 형성방법:
[그룹 Ⅰ]
상기 그룹 Ⅰ에서,
R3 내지 R6은 각각 독립적으로 수소 또는 메틸기이고, *는 연결지점이다.In paragraph 1,
The photoresist pattern forming method, wherein the structural unit containing a hydroxyl group and fluorine is at least one selected from Group I:
[Group I]
In Group I,
R 3 to R 6 are each independently hydrogen or a methyl group, and * is a linking point.
상기 아크릴계 중합체의 중량 평균 분자량은 1,000 g/mol 내지 50,000 g/mol인 포토레지스트 패턴 형성방법.In paragraph 1,
The weight average molecular weight of the acrylic polymer is 1,000 g / mol to 50,000 g / mol photoresist pattern forming method.
상기 유기 상층막 조성물은, 불소를 함유하는 산성 화합물을 더욱 포함하는 포토레지스트 패턴 형성방법.In paragraph 1,
The organic upper layer film composition further comprises an acidic compound containing fluorine.
상기 불소를 함유하는 산성 화합물은, 적어도 하나의 불소를 함유하는 설폰산 화합물, 적어도 하나의 불소를 함유하는 설폰이미드 화합물, 및 적어도 하나의 불소를 함유하는 카르복실산 화합물 중에서 선택되는 적어도 1종인, 포토레지스트 패턴 형성방법.In paragraph 6,
The fluorine-containing acidic compound is at least one selected from sulfonic acid compounds containing at least one fluorine, sulfonimide compounds containing at least one fluorine, and carboxylic acid compounds containing at least one fluorine. , Photoresist pattern formation method.
상기 불소를 함유하는 산성 화합물은 하기 화학식 3 내지 화학식 6으로 표시되는 화합물 중 적어도 1종인, 포토레지스트 패턴 형성방법:
[화학식 3]
[화학식 4] [화학식 5]
[화학식 6]
상기 화학식 3 내지 화학식 6에서,
R7 내지 R10은 각각 독립적으로 불소, 적어도 하나의 불소로 치환된 C1 내지 C20 알킬기, 적어도 하나의 불소로 치환된 C2 내지 C20 알케닐기, 적어도 하나의 불소로 치환된 C2 내지 C20 알키닐기, 적어도 하나의 불소로 치환된 C3 내지 C20 시클로알킬기, 적어도 하나의 불소로 치환된 C3 내지 C20 시클로알케닐기, 적어도 하나의 불소로 치환된 C3 내지 C20 시클로알키닐기, 적어도 하나의 불소로 치환된 C6 내지 C20 아릴기, 적어도 하나의 불소로 치환된 C1 내지 C20 헤테로아릴기 또는 이들의 조합이고,
L3은 적어도 하나의 불소로 치환된 C1 내지 C10 알킬렌기, 적어도 하나의 불소로 치환된 C3 내지 C20 사이클로알킬렌기, 적어도 하나의 불소로 치환된 C6 내지 C20 아릴렌기, 적어도 하나의 불소로 치환된 C1 내지 C20 헤테로아릴렌기, 또는 이들의 조합이다.In paragraph 6,
The acidic compound containing fluorine is at least one of the compounds represented by the following formulas 3 to 6, photoresist pattern forming method:
[Formula 3]
[Formula 4] [Formula 5]
[Formula 6]
In Formulas 3 to 6,
R 7 to R 10 are each independently fluorine, a C1 to C20 alkyl group substituted with at least one fluorine, a C2 to C20 alkenyl group substituted with at least one fluorine, a C2 to C20 alkynyl group substituted with at least one fluorine, at least C3 to C20 cycloalkyl group substituted with one fluorine, C3 to C20 cycloalkenyl group substituted with at least one fluorine, C3 to C20 cycloalkynyl group substituted with at least one fluorine, C6 to C20 substituted with at least one fluorine An aryl group, a C1 to C20 heteroaryl group substituted with at least one fluorine, or a combination thereof;
L 3 is a C1 to C10 alkylene group substituted with at least one fluorine, a C3 to C20 cycloalkylene group substituted with at least one fluorine, a C6 to C20 arylene group substituted with at least one fluorine, or a C3 to C20 cycloalkylene group substituted with at least one fluorine. A C1 to C20 heteroarylene group, or a combination thereof.
상기 불소를 함유하는 산성 화합물은 하기 그룹 Ⅱ에 나열된 화합물 중 적어도 1종인, 포토레지스트 패턴 형성방법:
[그룹 Ⅱ]
The photoresist pattern forming method, wherein the fluorine-containing acidic compound is at least one of the compounds listed in Group II:
[Group II]
상기 아크릴계 중합체 및 상기 불소를 함유하는 산성 화합물은 3 : 1 내지 30 : 1의 중량비로 포함되는, 포토레지스트 패턴 형성방법.In paragraph 6,
The acrylic polymer and the acidic compound containing fluorine are included in a weight ratio of 3: 1 to 30: 1, photoresist pattern forming method.
상기 아크릴계 중합체 및 상기 불소를 함유하는 산성 화합물의 총 중량은 상기 유기 상층막 조성물의 총 중량을 기준으로 0.1 중량% 내지 10 중량%로 포함되는 포토레지스트 패턴 형성방법.In paragraph 6,
A method of forming a photoresist pattern according to claim 1 , wherein a total weight of the acrylic polymer and the fluorine-containing acidic compound is 0.1% to 10% by weight based on the total weight of the organic upper layer film composition.
상기 유기 상층막 조성물은, 에테르계 용매를 포함하는, 포토레지스트 패턴 형성방법.In paragraph 1,
The organic upper layer composition comprises an ether-based solvent, a photoresist pattern forming method.
상기 아세테이트계 화합물은 하기 화학식 7로 표시되는, 포토레지스트 패턴 형성방법:
[화학식 7]
상기 화학식 7에서,
n은 1 내지 10의 정수 중 하나이고,
Re 및 Rf는 각각 독립적으로 수소, 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기, 또는 이들의 조합이고,
R11은 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기 또는 이들의 조합이다.In paragraph 1,
The acetate-based compound is represented by the following formula (7), photoresist pattern forming method:
[Formula 7]
In Formula 7,
n is one of the integers from 1 to 10;
R e and R f are each independently hydrogen or a substituted or unsubstituted C1 to C10 alkyl group, or a combination thereof;
R 11 is a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkyl group, a substituted or unsubstituted C6 to C20 aryl group, or a combination thereof.
상기 화학식 7의 n은 1 내지 5의 정수 중 하나이고,
Re 및 Rf는 각각 독립적으로 수소, 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C6 알킬기, 또는 이들의 조합이고,
R11은 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기인, 포토레지스트 패턴 형성방법.In paragraph 13,
n in Formula 7 is one of integers from 1 to 5;
R e and R f are each independently hydrogen, a substituted or unsubstituted C1 to C6 alkyl group, or a combination thereof;
R 11 is a substituted or unsubstituted C1 to C10 alkyl group, a photoresist pattern forming method.
상기 아세테이트계 화합물은 하기 그룹 Ⅲ에 나열된 화합물에서 선택되는 적어도 1종인, 포토레지스트 패턴 형성방법:
[그룹 Ⅲ]
The acetate-based compound is at least one selected from the compounds listed in Group III, photoresist pattern forming method:
[Group III]
상기 에테르계 화합물은 하기 화학식 8로 표시되는, 포토레지스트 패턴 형성방법:
[화학식 8]
상기 화학식 8에서,
R12 및 R13은 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 알킬기이다.In paragraph 1,
The ether-based compound is represented by the following formula (8), photoresist pattern forming method:
[Formula 8]
In Formula 8,
R 12 and R 13 are each independently a substituted or unsubstituted C3 to C20 alkyl group.
상기 에테르계 화합물은,
디이소프로필에테르, 디프로필에테르, 디이소아밀에테르, 디아밀에테르, 디부틸에테르, 디이소부틸에테르, 디-sec-부틸에테르, 디헥실에테르, 비스(2-에틸헥실)에테르, 디데실에테르, 디운데실에테르, 디도데실에테르, 디테트라데실에테르, 헥사데실에테르, 부틸메틸에테르, 부틸에틸에테르, 부틸프로필에테르, tert-부틸메틸에테르, tert-부틸에틸에테르, tert-부틸프로필에테르, 디-tert-부틸에테르, 시클로펜틸메틸에테르, 시클로헥실메틸에테르, 시클로펜틸에틸에테르, 시클로헥실에틸에테르, 시클로펜틸프로필에테르, 시클로펜틸-2-프로필에테르, 시클로헥실프로필에테르, 시클로헥실-2-프로필에테르, 시클로펜틸부틸에테르, 시클로펜틸-tert-부틸에테르, 시클로헥실부틸에테르, 시클로헥실-tert-부틸에테르, 2-옥타논, 4-헵타논 및 이들의 조합에서 선택되는 하나인, 포토레지스트 패턴 형성방법.In paragraph 1,
The ether-based compound,
Diisopropyl ether, dipropyl ether, diisoamyl ether, diamyl ether, dibutyl ether, diisobutyl ether, di-sec-butyl ether, dihexyl ether, bis(2-ethylhexyl) ether, didecyl ether , diundecyl ether, didodecyl ether, ditetradecyl ether, hexadecyl ether, butyl methyl ether, butyl ethyl ether, butyl propyl ether, tert-butyl methyl ether, tert- butyl ethyl ether, tert- butyl propyl ether, di -tert-butyl ether, cyclopentyl methyl ether, cyclohexyl methyl ether, cyclopentyl ethyl ether, cyclohexyl ethyl ether, cyclopentyl propyl ether, cyclopentyl-2-propyl ether, cyclohexyl propyl ether, cyclohexyl-2-propyl A photoresist pattern selected from ether, cyclopentyl butyl ether, cyclopentyl-tert-butyl ether, cyclohexyl butyl ether, cyclohexyl-tert-butyl ether, 2-octanone, 4-heptanone, and combinations thereof formation method.
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