KR20230034942A - 마이크로 및/또는 나노 구조체 제조 장치 및 방법 - Google Patents

Abstract

마이크로 및/또는 나노 구조체를 제조하기 위한 장치 및 방법.

Description

마이크로 및/또는 나노 구조체 제조 장치 및 방법

본 발명은 마이크로 및/또는 나노 구조체를 제조하기 위한 장치 및 방법에 관한 것이다.

종래 기술에서, 마이크로 및/또는 나노 구조체는 포토리소그래피에 의해 및/또는 임프린트 리소그래피의 도움으로 생성된다. 최근에는 임프린트 리소그래피가 주로 확립되었다. 임프린트 리소그래피의 도움으로 스탬프를 사용하여 재료에 마이크로 및/또는 나노미터 크기의 구조를 엠보싱하는 것이 가능하다. 상기 재료는 기판에 적용되는 엠보싱 재료이다.

이러한 임프린트 공정은 많은 포토리소그래피 공정보다 더 빠르고 더 효율적이고 더 낮은 비용으로 수행될 수 있기 때문에 최근 몇 년 동안 점점 더 중요해졌다.

엠보싱 재료의 침착 후, 기판에 대한 구조화된 스탬프의 정렬이 일어난다. 그러면 구조화된 스탬프와 기판이 서로 접근한다. 구조화된 스탬프의 구조는 엠보싱 재료에 형성된다. 엠보싱 재료에서 구조화된 스탬프를 제거하기 전에 엠보싱 재료는 경화된다. 상기 경화는 열적으로 및/또는 전자기 복사에 의해 발생한다.

수정되거나 확장된 마스크 얼라이너와는 별도로, 특별한 실시예를 위해 설계된 별도의 임프린트 장치도 있다. 이러한 장치는 대부분 매우 정밀한 정렬 시스템으로 스탬프를 기판과 더 높은 정밀도로 정렬할 수 있다. 또한, 이러한 장치는 진공을 생성할 수 있고 특수 분배 시스템 등을 갖추고 있다.

엠보싱 기술은 하드 또는 소프트 스탬프와 함께 작동한다. 엠보싱 리소그래피 기술 중에서 항상 선호되는 것은 주로 소위 소프트 스탬프를 사용하는 것이다. 그 이유는 스탬프 제작의 용이성, 효율적인 엠보싱 공정, 각 스탬프 재료의 매우 우수한 표면 특성, 낮은 생산 비용, 엠보싱 제품의 재현성 및 무엇보다도 엠보싱 및 성형 위치에서 제거하는 동안 스탬프의 탄성 변형 가능성이 있다. 폴리머로 만들어진 스탬프, 특히 마이크로 또는 나노 구조 표면을 가진 엘라스토머는 nm 미만에서 최대 > 1000 μm 범위의 구조를 생성하기 위해 소프트 리소그래피에 사용된다.

엘라스토머 스탬프는 마스터의 네거티브로 제작된다. 마스터 스탬프는 금속, 플라스틱 및/또는 세라믹으로 만든 단단한 스탬프로, 이에 상응하는 고가의 공정을 통해 한 번 생산된다. 그런 다음 마스터에서 원하는 수의 엘라스토머 스탬프를 생성할 수 있다. 석영의 탄성 계수는 약 100GPa에 이른다. 이에 비해 폴리머의 탄성 계수(경질 및 연질 폴리머)는 수십 배 더 작기 때문에 석영에 비해 후자는 "소프트"(소프트 리소그래피)라고 한다. 엘라스토머 스탬프를 사용하면 넓은 표면에서 컨포멀하고 균일한 접촉이 가능하다. 마스터 스탬프 및 엠보싱 제품과 비교적 쉽게 분리된다. 스탬프와 기판의 우수한 분리를 보장하기 위해 스탬프 표면은 가능한 한 낮은 표면 에너지를 가진다. 예를 들어, 접착 방지 코팅이 종종 필요하거나 유리하다.

소프트 리소그래피 공정을 수행하기 위해 캐리어를 통해 엘라스토머 스탬프를 지지할 수 있다. 예를 들어, 두께가 다른 유리 캐리어 기판이 현재 사용된다. 두꺼운 유리 기판을 사용하면 엘라스토머 스탬프가 적어도 부분적으로 가요성을 잃다. 한편, 스탬프의 가요성은 캐리어의 선택에 의해 제어될 수 있다. 강성 캐리어의 사용은 일반적으로 엠보싱 공정 후에 스탬프와 기판의 분리를 어렵게 만든다.

유사하게, 종래 기술에 따른 얇은 기판은 더 나은 취급을 위해 기판 캐리어를 필요로 한다. 공지된 소프트 리소그래피 공정은 예를 들어 마이크로 및/또는 나노 접촉 프린팅(μ/nCP) 및 나노임프린트 리소그래피(NIL)를 포함한다.

나노임프린트 리소그래피의 경우 엠보싱 재료의 경화는 열 또는 UV 방사를 통해 발생할 수 있다. 두 경우 모두 구조화된 스탬프가 엠보싱 재료에 압입된다. 구조화된 스탬프와 기판은 고해상도 표면 구조화가 수행될 수 있도록 압력에 의해 함께 압착된다. UV-NIL의 경우 열 NIL에 비해 더 작은 접촉 압력으로 작업할 수 있으며 공정은 실온에서 발생할 수 있다. NIL 공정에서 가장 중요한 매개변수는 온도(무엇보다 열 NIL의 경우), 압입 압력 및 엠보싱 재료와 구조화된 스탬프 사이의 접착력이다.

소프트 스탬프와 덜 소프트한 스탬프, 특히 엘라스토머 스탬프는 나노임프린트 공정 중에 적용된 압력에 의해 변형될 수 있다. 이 변형은 압력에 따라 다르다. 이러한 변형은 더 작은 구조의 경우 더 큰 영향을 미치고 더 소프트한 스탬프 재료의 경우 더 두드러질 것으로 예상된다. 접촉 압력으로 인해 발생하는 마이크로 및 나노 구조의 변형 또는 왜곡은 엠보싱 기판의 경화된 엠보싱 재료에서 발견되며 따라서 엠보싱 공정의 품질 및 재현성을 감소시킨다.

구조화된 스탬프 및/또는 기판이 너무 뻣뻣한 경우, 스탬프 구조가 있는 구조화된 스탬프와 엠보싱 재료가 있는 기판 사이에 등각 또는 이음새 없는 접촉을 달성하기 위해 외부 압력, 특히 접촉 압력이 필요하다. 종래 기술에서는, 스탬프 구조를 전달하는 역할을 하는 힘으로 구조화된 스탬프 및/또는 기판에 작용하고 결과적으로 기판 접촉면에 직각이 되도록 개별적으로 제어가능하거나 조절가능한 액추에이터를 포함하는 액추에이터 장치가 사용된다.

더 넓은 면적의 경우 정확하게 압력을 전체 접촉면에 균일하게 분배하고 불규칙성을 보상하기가 어렵다. 따라서 불균일한 구조화가 엠보싱에서 발생할 수 있다. 스탬프 표면의 비균질성도 엠보싱 공정의 품질에 영향을 미친다. 또한, 압력에 의한 엠보싱 동안의 가스 함유물 및 이와 관련된 엠보싱 결함은 종래 기술에 공지되어 있다.

NIL에서 발생할 수 있는 엠보싱 결함은 예를 들어 균열, 불규칙하게 채워진 스탬프 구조(즉, 예를 들어 공기 포함) 및 불균일한 래커 층 두께이다.

덜 널리 퍼진 모세관력 리소그래피(CFL)도 소프트 리소그래피 공정 중 하나이며 외부 압력 없이 스탬프 구조를 채우기 위해 모세관력을 사용하는 것을 기반으로 한다. Adv. Funct. Mater. (2002) 12: 405-413에서, CFL은 eponym H. H. Lee에 의해 상세히 기술된다. 엘라스토머 스탬프는 기판과 등각 접촉하게 된다. 그러나 공동을 채우려면 엠보싱 재료의 점도가 매우 낮아야 한다. 따라서 CFL은 더 높은 온도 및/또는 엠보싱 재료의 용매 비율이 높고 용매 대기가 종종 필요하다. PDMS는 용매와 가스에 대해 투과성이 있기 때문에 거의 독점적으로 순수한 PDMS가 CFL의 스탬프 재료로 사용된다. PDMS 스탬프로 엠보싱하는 동안 캐비티는 모세관력의 영향으로 채워지고 엠보싱 재료의 용매는 PDMS 스탬프를 통해 확산되어 빠져나갈 수 있다. 에폭시 소재 SU-8은 CFL의 엠보싱 소재로 자리 잡았다. 용제 기반 공정에서 PDMS의 팽윤 및 열 기반 공정에서 현저한 확장과 같은 문제는 CFL이 실험실 규모에서만 수행되고 임프린트 장치를 사용한 산업적 구현이 알려져 있지 않음을 의미한다. 또한 엠보싱 재료는 일반적으로 CFL에서 열적으로 가교된다.

US 7,442,336 B2에는 엠보싱 재료로 기판을 엠보싱하기 위한 장치 및 방법이 명시되며, 여기서 기판과 스탬프는 정의된 거리까지 천천히 함께 가까워져 모세관력으로 인해 중간 공간이 엠보싱 재료로 채워진다. 외력은 엠보싱 재료의 특성, 엠보싱할 층의 두께 및 기판 표면의 크기에 따라 가능한 한 작게 유지된다.

US 8,871,048 B2에서 유연한 엘라스토머 스탬프가 사용되어 외부 가압력을 가능한 한 낮게 유지할 수 있다.

MIMIC(Micro-forming in capillaries)도 PDMS 스탬프로 구조를 생성하기 위해 모세관력을 사용한다. 그러나 MIMIC에서는 릴리프 구조의 PDMS 스탬프를 기판에 압착한다. 따라서 스탬프와 기판 사이에 3차원 구조의 중공이 생긴다. 스탬프 앞에 모노머 용액을 적용하면 자연스럽게 모세관이 채워진다. 경화 후 기판에서 스탬프를 제거할 수 있다. 폴리머의 3차원 구조가 기판에 남는다.

종래 기술에서는 소프트 스탬프의 탄성 특성이 마이크로 및 나노 구조의 변형 또는 뒤틀림을 초래한다는 것이 특히 문제가 된다. 접촉 압력으로 인해 발생하는 마이크로 및 나노 구조의 변형 및 뒤틀림은 엠보싱 기판의 경화된 엠보싱 재료에서 발견되며 따라서 엠보싱 공정의 품질 및 재현성을 저하시킨다.

소프트 스탬프는 적용된 압력으로 인해 나노임프린트 공정 중에 변형될 수 있다. 상기 변형은 특히 압력에 따라 달라진다. 또한, 압력으로 엠보싱할 때의 가스 함유물 및 이와 관련된 엠보싱 결함은 종래 기술에 공지되어 있다.

구조화된 스탬프 및/또는 기판이 너무 뻣뻣한 경우, 구조화된 스탬프와 엠보싱 재료가 있는 기판 사이에 컨포멀하고 매끄러운 접촉을 달성하기 위해 외부 압력, 즉 접촉 압력이 필요하다. 따라서 압력에 따른 변형이 발생하여 엠보싱 공정의 품질이 저하될 수 있다.

따라서, 본 발명의 과제는 종래 기술에서 언급된 단점을 적어도 부분적으로 제거하는, 특히 완전히 제거하는 기판뿐만 아니라 장치 및 방법을 특정하는 것이다.

상기 문제점은 독립항의 특징으로 해결된다. 본 발명의 유리한 전개는 종속항에 제시되어 있다. 명세서, 청구범위 및/또는 도면에 주어진 적어도 두 가지 특징의 모든 조합은 또한 본 발명의 범위 내에 속한다. 명시된 값 범위에서 명시된 한계 내에 있는 값은 제한 값으로 공개된 것으로 간주되며 모든 조합으로 청구될 수 있다. 장치와 관련하여 공개된 기능이 또한 방법의 특징으로 인식되면 후자도 방법에 따른 것으로 적용되어야 하며 그 반대도 마찬가지이다.

다음에서 구조화 및 엠보싱은 마이크로 및/또는 나노 구조의 생산을 의미하는 것으로 이해된다. 특히 엠보싱시 접촉압력이 발생하지 않아야 한다.

본 발명은 마이크로 및/또는 나노미터 크기의 구조를 생산하기 위한 방법 및 장치를 설명한다. 무엇보다도, 본 발명은 매우 얇은, 특히 유연한 기판을 사용하고 모세관력을 사용하여 생산에서 전술한 기술적 문제를 해결한다는 아이디어를 기반으로 한다. 엠보싱 재료와 구조화된 스탬프 사이에 접촉이 이루어진 후, 바람직하게는 적어도 하나의 제어 가능한 고정 요소에 의해 기판의 고정이 적어도 부분적으로 취소되고, 그 결과 엠보싱 공정이 바람직하게 시작된다.

따라서 본 발명은 특히 엠보싱 공정에서 외부 압력을 사용하지 않거나 구조화된 스탬프와 엠보싱 재료의 접촉 압력 없이 구조화된 스탬프와 엠보싱 재료를 등각 접촉시키는 방법 및 장치에 관한 것이다.

따라서, 본 발명은 적어도 하기 순서로 하기 단계를 갖는 마이크로 및/또는 나노 구조체를 제조하는 방법에 관한 것이다:

a) 기판 수용 장치 상에 엠보싱 재료로 기판을 고정시키는 단계,

b) 엠보싱 재료와 구조화된 스탬프의 접촉 단계,

c) 기판의 고정을 적어도 부분적으로 취소하는 단계,

d) 엠보싱 재료의 경화 단계,

f) 구조화된 스탬프에서 엠보싱 재료를 제거하는 단계.

또한, 본 발명은 엠보싱 재료를 갖는 기판이 기판 수용 장치 상에 고정될 수 있고, 구조화된 스탬프가 상기 기판과 접촉하게 될 수 있는, 전술한 방법으로 마이크로 및/또는 나노 구조를 제조하기 위한 장치에 관한 것이다. 기판의 고정이 적어도 부분적으로 취소될 수 있고, 엠보싱 재료가 경화될 수 있고, 엠보싱 재료가 구조화된 스탬프로부터 제거될 수 있다.

또한, 본 발명은 마이크로 및/또는 나노 구조체를 갖는 물품에 관한 것이며, 마이크로 및/또는 나노 구조체는 본 발명에 따른 방법 및 본 발명에 따른 장치로 제조된다.

본 발명의 바람직한 실시예에서, 기판이 가요성이고 따라서 특히 고정의 취소 후 또는 엠보싱 재료의 구조화 동안 구조화된 스탬프와 적어도 부분적으로 등각일 수 있도록 제공된다. 기판은 특히 두께가 얇거나 및/또는 부분적으로 유연한 재료로 구성되어 생산 중에 유리하게 부분적으로 구조화된 스탬프의 구조를 취할 수 있다. 기판은 또한 구조화된 스탬프에 적응하지 않거나 완전히 적응할 수 있다. 엠보싱 재료의 경화 후, 경화된 기판 엠보싱 재료는 특히 단위를 형성한다. 따라서 기판은 유리하게 엠보싱 공정을 보조하고 엠보싱 결함을 방지할 수 있다. 또한 얇고 유연한 기판은 생산 공정 중에 변형될 수 있다. 특히, 기판은 모세관력의 작용에 의해 컨포멀한 방식으로 구조화된 스탬프를 향해 유리하게 당겨지고 그에 따라 변형된다. 또한 가요성으로 인해 생산 시 선호하는 균일한 접촉이 가능하다. 기판의 가요성은 유리하게 엠보싱 결함 없이 조심스럽고 균일한 엠보싱을 가능하게 한다. 추가적인 자유도는 고정의 취소에 의해 유리하게 얻어지며, 그 결과 특히 모세관력의 작용으로 인해 얇고 유연한 기판이 원하는 방식으로 생산 공정을 지원한다. 고정 해제 후, 기판은 기판 수용 장치 상에 자유로워진다. 엠보싱 재료 및 기판이 구조화된 스탬프 쪽으로 당겨지기 때문에, 기판이 특히 모세관력에 의해 기판 수용 장치로부터 부분적으로 또는 완전히 들어올려지는 것도 생각할 수 있다. 특히 기판의 가요성으로 인해 구조를 엠보싱 재료로 전달하는 데 외부 압력이 필요하지 않다. 따라서 기판은 특히 불규칙성을 보상할 수 있으므로 엠보싱 공정의 품질이 더욱 향상된다.

본 발명의 또 다른 유리한 실시예에서, 기판 고정의 적어도 부분적인 취소 후에, 기판 수용 장치로부터 기판의 적어도 부분적인 분리가 특히 상대 이동에 의해 발생하도록 제공된다. 기판 수용 장치와 기판 및/또는 기판 수용 장치와 스탬프 수용 장치의 상대 이동에 의해 및/또는 모세관력에 의해. 분리는 특히 기판과 기판 수용 장치 사이에 간격을 생성할 수 있다. 그러나 그것은 또한 고정의 취소가 기판의 분리 또는 간격 생성으로 이어지지 않는다는 것도 생각할 수 있다. 또한, 특히 액추에이터에 의해 고정의 적어도 부분적인 취소 후에 기판과 기판 수용 장치 사이에 공간이 생성되는 것도 가능하다. 액추에이터에 의해 생성된 간격은 공정, 특히 재료 특성에 유리하게 적용된다. 특히 표면 장력 및 모세관력으로 인해 기판은 엠보싱 재료에 계속 접착되거나 구조화된 스탬프 쪽으로 끌어당겨지며, 그 결과 기판의 자유도도 유리하게 생성된다. 스탬프 수용 장치에 대한 기판 수용 장치의 배열에 대응하여, 추가의 힘, 특히 중력이 엠보싱 공정 중에 작용할 수 있다. 특히, 간격은 특히 엠보싱 재료에 작용하는 모세관력으로 인해 기판에 가해지는 흡입에 의해 접촉하는 동안 부분적으로 이미 생성될 수 있다. 그러나, 바람직하게는 고정의 적어도 부분적인 취소 이후까지 간격이 생성되지 않는다. 간격의 결과, 엠보싱 공정, 특히 동시 및/또는 병렬로 수행되는 복수의 엠보싱 단계의 재현성 및 효율성이 유리하게 개선될 수 있다. 또한 기판은 자유도가 높아짐에 따라 변형될 수 있고 구조화된 스탬프에 적응할 수 있다. 특히, 따라서 엠보싱 결함이 방지될 수 있다.

본 발명의 또 다른 유리한 실시예에서, 구조화된 스탬프가 하드 스탬프 또는 소프트 스탬프가 되도록 제공된다. 특히, 구조화된 스탬프는 소프트 또는 하드 엠보싱 구조를 포함할 수 있다. 하드 스탬프는 특히 마스터 스탬프를 의미하는 것으로 이해된다. 따라서 소프트 스탬프 및 마이크로 및/또는 나노 구조는 생산 공정, 특히 적합한 선택을 통해 효율적이고 비용 효율적으로 생산될 수 있다.

공정 매개변수 및 기술적으로 적절한 생산 재료. 또한, 구조화된 스탬프의 변형, 특히 구조화된 스탬프의 엠보싱 구조의 변형은 구조화된 스탬프의 적절한 선택에 의해 방지될 수 있고 균일하고 재현 가능한 엠보싱이 발생할 수 있다.

본 발명의 또 다른 유리한 실시예에서, 엠보싱 재료가 특히 모세관력에 의해 압력 및/또는 접촉 압력 없이 구조화되도록 제공된다. 따라서 구조화된 스탬프의 변형이 유리하게 감소될 수 있고, 특히 방지될 수 있다. 또한, 엠보싱 공정의 재현성이 증가되고 엠보싱 결함이 방지될 수 있다. 또한 이 방법은 보다 효율적이고 비용 효율적이다. 외부 가압력이 없는 구조의 유리한 생산은 경화 후 엠보싱 재료의 재료 특성, 예를 들어 강도 값 또는 표면 특성을 유리하게 개선할 수 있다. 또한, 기판은 유리하게 분리 후에 유지될 수 있다. 상기 방법의 장점은 마이크로 및/또는 나노 구조의 생산에도 사용되어 구조의 크기가 작을수록 모세관력이 더 강하게 작용한다는 점이다. 따라서, 엠보싱은 기계적 압력 없이 수행될 수 있고, 여기서 엠보싱 재료는 구조에 의해 유리하게 수용되고 따라서 구조에 특히 잘 적응될 수 있다. 유리하게는, 엠보싱 재료와 구조화된 스탬프의 접촉이 일어날 때, 구조화된 스탬프, 특히 엠보싱 구조 표면의 접촉 또는 습윤만이 요구된다.

본 발명의 또 다른 유리한 실시예에서, 엠보싱 재료를 갖는 기판이 특히 기판 수용 장치에 배열된 제어 가능한 고정 요소에 의해 기판 수용 장치 상에 고정되도록 제공된다.

진공 및/또는 저압에 의해 및/또는 적어도 하나의 제어 가능한 고정 요소에 의해, 특히 저압을 끄고 및/또는 과압을 생성함으로써 고정이 취소된다. 적어도 하나의 고정 요소는 유리하게 기판 수용 장치 상에 기판을 고정할 수 있고, 특히 특정 지점에 기판을 고정할 수 있다. 고정 요소는 특히 특히 원형 또는 나선형 형상으로 기판 수용 장치 표면에 임의로 배열되거나 설정되는 진공 트랙일 수 있다. 고정 요소는 바람직하게는 초과 압력 및/또는 부족 압력을 생성할 수 있다. 그로부터 발생하는 힘은 특히 기판 상에, 특히 기판 수용 장치에 대면하는 기판의 측면 상에 임의로 도입될 수 있다. 특히, 예를 들어 기판의 곡률이 생성될 수 있다. 기판은 예를 들어 저압에 의해 기판 수용 장치의 에지에 고정되고, 과압은 다른 고정 요소에 의해 생성되며, 여기서 기판은 유리하게는 특히 중앙에서 상승된다. 이러한 방식으로 특히 접촉 중에 접점을 조정할 수 있다. 또한, 적어도 하나의 고정 요소는 기술적으로 편리하고 제어된 부분 고정 또는 고정 취소에 의해 엠보싱 결함, 특히 가스 함유물을 유리하게 방지할 수 있다. 고정을 취소하는 동안 고정 요소는 특정 순서로 개별적으로 및/또는 그룹으로 기판을 릴리스할 수도 있다. 따라서 구조물의 생산이 유리하게 개시될 수 있으며, 특히 특정 영역에서 개시될 수 있다. 고정 요소는 바람직하게는 구조화된 스탬프로부터 경화된 엠보싱 재료로 기판을 제거하는 것이 고정 요소에 의해 보조될 수 있도록 구성된다. 엠보싱 공정은 고정 요소에 의해 유리하게 개시될 수 있다. 기판의 해제 또는 자유화 동안, 모세관력은 특히 엠보싱 재료 및/또는 기판에 유리하게 작용할 수 있다.

고정 요소를 통해 특히 구조의 세심하고 균일한 생산이 가능하다. 또한, 기판의 제거는 또한 특히 조심스럽고 유리한 방식으로 수행될 수 있다. 기판 수용 장치 및 기판은 바람직하게는 웨이퍼 형상을 갖는다.

본 발명의 또 다른 유리한 실시예에서, 특히 적어도 하나의 제어 가능한 고정 요소를 제어함으로써 기판의 고정 및 기판 고정의 적어도 부분적인 취소가 제어되어 엠보싱 재료 및/또는 구조화된 스탬프와 엠보싱 재료의 접촉 후 기판의 해제 또는 분리가 특정 시간에 일어난다. 적어도 하나의 고정 요소는 바람직하게는 제어 유닛에 의해 제어되고 따라서 유리하게 기판의 고정 취소 시간에 영향을 미치고 따라서 기판의 분리 또는 시간 또는 해제에 영향을 미친다. 특히 고정 해제가 복수의 제어 가능한 고정 요소에 의해 상이한 지점에서 시작되도록 제공될 수 있다. 따라서 고정을 취소하기 위한 시간 및 장소는 특히 유리하게 제어될 수 있다. 제어 유닛은 바람직하게는 값, 특히 센서에 의해 제공된 값에 따라 적어도 하나의 고정 요소를 제어한다.

본 발명의 또 다른 유리한 실시예에서, 구조화된 스탬프는 고정의 적어도 부분적인 취소 후에 엠보싱 재료 및/또는 기판이 구조화된 스탬프에 적합하거나 구조화된 스탬프를 향해 인출되는 방식으로 구성되도록 제공된다. 특히 모세관력에 의한 외부 압력 없이 컨포멀한 방식으로 스탬핑한다. 구조화된 스탬프, 특히 구조화된 스탬프의 엠보싱 구조는, 특히 모세관력에 의해 구조가 엠보싱 재료로 유리하게 전달되는 방식으로 구성된다. 특히 접촉하는 동안 엠보싱 재료와 접촉하는 구조화된 스탬프의 접촉 표면은 특히 전체 영역에 걸쳐 균일한 접촉이 가능하도록 구성된다. 유리하게는, 구조화된 스탬프의 엠보싱 구조의 구조 또는 오목부 및/또는 돌출부는 구조화가 압력 없이 일어날 수 있도록 배열된다. 전사될 엠보싱 구조는 특히 고정을 취소한 후 기판이 구조와 일치하도록 적응될 수 있도록 구성된다. 유리하게는, 구조화된 스탬프는 또한 유리하게 용이한 제거를 위해 설계된다. 특히, 구조화된 스탬프 또는 엠보싱 구조는 반복적으로 사용될 수 있다. 따라서 생산 공정은 동일한 구조화된 스탬프를 사용하여 연속적인 경우에 효율적이고 반복적으로 수행될 수 있다.

본 발명의 또 다른 유리한 실시예에서, 기판이 접촉 후 및/또는 고정의 적어도 부분적인 취소 후에 특히 모세관력 및/또는 표면 장력에 의해 엠보싱 재료에 의해 유지되도록 제공된다. 따라서 기판은 구조화된 스탬프 상의 엠보싱 재료로 인한 고정 취소 후에 적어도 부분적으로 접착된다. 특히 엠보싱 재료에 작용하는 모세관력으로 인해 기판 수용 장치로부터 기판이 분리될 수 있다. 기판의 해제의 결과 또는 고정의 취소의 결과로서, 기판은 계속 유지되며, 여기서 기판은 구조화된 스탬프에 유리하게 적응될 수 있다. 특히, 기판은 유리하게 엠보싱 구조에 자유롭고 균일하게 적용될 수 있다. 또한 불규칙성을 보상할 수 있다. 존재하는 모든 가스 함유물 특히 탈출할 수 있다. 따라서 엠보싱 공정의 품질이 향상되는 이점이 있다.

본 발명의 또 다른 유리한 실시예에서, 마이크로 및/또는 나노 구조체가 복수의 층에서 서로 위에 및/또는 단계-반복 공정에서 서로 옆에 생성되도록 제공된다. 다층 빌드업은 특히 기판의 최소 요구 가요성이 더 이상 없을 때까지 반복적으로 수행된다. 따라서 공정은 보다 효율적이고 비용 효율적으로 수행될 수 있다. 또한, 서로 다른 레이어가 서로 위에 생성될 수 있다. 또한, 일정한 엠보싱 공정에서 다수의 기능적 구조가 넓은 면적에 걸쳐 또는 서로 옆에 생성될 수 있다. 따라서 가장 다양한 제품, 특히 구조화된 필름을이 방법으로 효율적으로 생산할 수 있다. 특히, 구조화된 스탬프는 접촉 압력이 없으면 구조화된 스탬프의 저항이 증가하거나 구조화된 스탬프가 복수의 엠보싱 단계에 걸쳐 사용될 수 있기 때문에 구조화된 스탬프를 반복적으로 사용할 수 있는 이점이 있다.

본 발명의 다른 유리한 실시예에서, 기판의 두께가 1㎛ 내지 2000㎛, 바람직하게는 10㎛ 내지 750㎛, 보다 바람직하게는 100㎛ 내지 500㎛가 되도록 제공된다. 더 얇은 기판을 사용하여 기판의 가요성을 높일 수 있다. 따라서 기판은 엠보싱 구조에 훨씬 더 적합할 수 있으며 불규칙성을 보상할 수 있다. 또한 더 많은 엠보싱 단계에서 필요한 가요성이 제공되기 때문에 더 많은 수의 레이어가 서로 위에 생성될 수 있다.

본 발명의 다른 유리한 실시예에서, 엠보싱 재료의 점도가 100,000cP 미만, 바람직하게는 10,000cP 미만, 보다 바람직하게는 1000cP 미만, 가장 바람직하게는 500cP 미만이 되도록 제공된다. 더 낮은 cP 값을 갖는 엠보싱 재료의 사용을 통해, 특히 기판의 고정, 모세관 힘의 효과 및 기판 및/또는 엠보싱 재료의 엠보싱 구조에 대한 등각 적응이 개선될 수 있다. 또한 낮은 cP 값은 요철 보정에 유리하다. 또한 기판의 가요성을 최적의 방식으로 활용하여 엠보싱 품질을 높였다. 엠보싱 재료의 적절한 점도에 의해, 엠보싱 재료의 엠보싱 거동 및 특히 기판의 유지가 유리하게 조정될 수 있다.

본 발명의 다른 유리한 실시예에서, 구조화된 스탬프가 엠보싱 구조를 포함하고 및/또는 엠보싱 구조로 코팅되도록 제공된다. 따라서 엠보싱 스탬프 자체가 엠보싱 구조를 포함하거나 엠보싱 구조로 코팅될 수 있으며, 특히 엠보싱 공정에 개별적으로 적용된다. 따라서 엠보싱 거동이 유리하게 조정될 수 있다. 특히, 구조의 생산은 다른 엠보싱 코팅에 의해 공정에 개별적으로 조정될 수 있다. 다른 엠보싱 구조는 예를 들어 엠보싱 스탬프를 사용하여 특히 단계별 반복 공정에서 전사될 수 있다.

본 발명의 또 다른 유리한 실시예에서, 마이크로 및/또는 나노 구조체를 제조하기 위한 장치가 특히 전술한 공정을 수행할 수 있도록 제공되며, 여기서 엠보싱 재료를 갖는 기판은 기판 수용 장치 상에 고정될 수 있다. 구조화된 스탬프는 엠보싱 재료와 접촉할 수 있고, 기판의 고정은 적어도 부분적으로 취소되고, 엠보싱 재료는 경화될 수 있으며, 엠보싱 재료는 구조화된 스탬프로부터 제거될 수 있다. 상기 장치는 특히 추가 압착력 없이 유리하게 마이크로 및/또는 나노 구조체를 생성할 수 있다. 따라서 엠보싱 공정의 품질이 향상된다.

본 발명의 또 다른 유리한 실시예에서, 장치가 다음을 추가로 포함하도록 제공된다.: 압력, 거리 및/또는 온도의 측정을 위한 하나 이상의 센서, 및/또는 스탬프 수용 장치 및/또는 기판 수용 장치 및 제어 유닛의 조정을 위한 하나 이상의 액추에이터, 여기서 제어 유닛은 특히 적어도 하나의 센서에 의해 측정된 값에 따라 적어도 하나의 고정 요소 및/또는 적어도 하나의 액추에이터를 제어하고, 엠보싱이 있는 기판에 대한 구조화된 스탬프의 상대 이동 재료, 특히 구조화된 스탬프와 기판 사이의 간격의 생성 또는 감소는 접촉이 특히 압력 없이 수행될 수 있는 방식으로 수행될 수 있다. 특히 센서 값에 기초하여 제어 유닛이 액추에이터를 트리거함으로써 구조화된 스탬프 표면, 특히 엠보싱 구조 표면의 접촉을 발생시키도록 제공된다. 따라서 추가적인 접촉 압력 없이 접촉하는 것이 유리하게 일어날 수 있다. 간격을 생성하기 위한 액추에이터는 임의의 구성요소, 바람직하게는 기판 수용 장치 및/또는 스탬프 수용 장치와 함께 배열되거나 맞물릴 수 있다. 따라서 마이크로구조 및/또는 나노구조의 생산이 최적의 방식으로 수행되는 것이 유리하게 보장될 수 있다. 또한, 제어 유닛은 고정 요소에 의한 기판의 고정이 특히 센서 값에 따라 몰딩 위치로부터 분리 및 제거 동안 유리하게 수행되는 방식으로 구성된다. 이는 공정 품질을 높이고 엠보싱 결함을 피할 수 있다는 장점이 있다.

본 발명의 덜 바람직한 실시예에서, 별도로 제어할 수 있는 액추에이터를 트리거하여 장치의 제어 장치가 추가 접촉 압력과 접촉하도록 제공된다. 기판 접촉 표면에 직교하는 스탬프 구조의 전달을 위한 합력은 < 500 N 이다. 구조화된 스탬프는 예를 들어 웨이퍼 형식의 전체 영역에 걸쳐 있을 수 있거나 또는 대안적으로 특히 단계별 반복 프로세스에서 엠보싱될 기판보다 작은 정의된 영역을 가질 수 있다. 기판 접촉 표면에 직각인 스탬프 구조의 전달을 위한 결과적인 압력은 특히 50 N/mm²미만, 바람직하게는 25 N/mm²미만, 더 바람직하게는 10 N/mm²미만, 가장 바람직하게는 1 N/mm² 미만, 최대로 바람직하게는 0.1 N/mm² 미만이다.

본 발명에서 기판은 종래 기술에 기판된 기판에 비해 매우 얇다. 기판(또는 제품 기판)의 안정화를 위해 캐리어 기판이 사용되지 않거나 캐리어 기판 또는 캐리어 플레이트 또는 캐리어 필름 자체가 얇고 유연하다. 따라서 엠보싱될 기판은 매우 유연하며 특히 유연하게 장착된다.

마이크로 및/또는 나노임프린트 공정은 구조화된 스탬프, 바람직하게는 엘라스토머 구조화된 스탬프, 바람직하게는 웨이퍼 형식의 구조화된 스탬프로 수행된다. 구조화된 스탬프는 바람직하게는 전체 영역에 걸쳐 미리 래커 처리된 기판과 접촉하게 되며, 특히 기판 상에 제공된 엠보싱 재료와 접촉하게 된다.

구조화된 스탬프 및 기판은 각각 임프린트 장치의 수용 장치 상 에 고정 된다. 기판 수용 장치에 대한 기판의 고정은 바람직하게는 진공 또는 저압의 도움으로 일어난다. 정렬 후 기판과 구조화된 스탬프의 접촉면이 전체 영역에 걸쳐 접촉한다. 구조화된 스탬프가 기판과 접촉하자마자, 특히 진공의 중단에 의해 엠보싱 재료로 코팅된 기판으로부터 고정이 해제된다. 모세관 힘의 효과를 통해 얇고 유연한 기판이 구조화된 스탬프를 향해 컨포멀 방식으로 당겨진다. 기판의 가요성 및 기판의 탈착을 통해 얻은 자유도의 결과로, 기판은 변형될 수 있고 구조화된 스탬프에 적응될 수 있다. 따라서 엠보싱 중에 균일한 접촉이 가능하다.

기판과 기판 스탬프는 엠보싱 재료를 사이에 두고 모세관력에 의해 함께 고정된다. 이를 위해 적어도 기판, 바람직하게는 기판 및 구조화된 스탬프는 고도의 가요성을 가져야 한다. 엠보싱 재료의 점성으로 인해 구조화된 스탬프의 중간 공간도 모세관 효과로 인해 엠보싱 재료로 완전히 채워진다.

모세관 힘의 사용으로 인해 마이크로 및/또는 나노 구조의 엠보싱 또는 생산 중에 기판과 구조화된 스탬프의 추가 외부 압력 및/또는 접촉 압력이 필요하지 않다. 따라서 접촉 압력으로 인한 구조화된 스탬프 구조의 변형이 방지되며, 특히 방지된다. 표면 장력 및/또는 인터페이스 장력으로 인해 발생하는 힘을 의미하는 것으로 이해된다. 모세관 상승 및 모세관 함몰은 특히 생산 중에 사용될 수 있다. 접착력 및 중력과 같은 추가 힘이 생산 과정에서 발생할 수도 있다. 작은 마이크로 및/또는 나노 구조체로 인해, 구조의 크기가 작을수록 모세관력 또는 모세관 압력의 효과가 더 크다는 사실을 유리하게 사용할 수 있다.

기판의 가요성은 구조화된 스탬프 및/또는 기판의 불규칙성을 보상할 수 있게 하고 또한 예를 들어 공기 함유물에 의해 야기되는 추가적인 엠보싱 결함을 방지할 수 있게 하여, 그 결과 엠보싱 공정의 품질이 매우 높다.

모세관 힘의 사용을 통해, 특히 엠보싱 동안 기판과 스탬프의 추가적인 외부 압력 및/또는 접촉 압력이 필요하지 않다. 힘 전달을 위해 작동 장치가 필요하지 않기 때문에 장치 및 엠보싱 공정이 바람직하게 단순화된다.

기판의 가요성 및 외부 압력 없이 접촉한 후 기판의 분리로 인해 얻은 자유도의 결과로, 기판은 변형될 수 있고 특히 구조화된 스탬프에 적응할 수 있다.

엠보싱 동안 균일하고 컨포멀한 접촉이 가능하다. 따라서 엠보싱 및 후속 경화 동안 접촉되지 않거나 불량하게 접촉된 영역으로 인해 발생하는 엠보싱 갭 없이 매우 우수한 임프린트가 얻어진다.

제안된 발명은 접촉 압력에 의해 야기되는 구조화된 스탬프의 마이크로 및/또는 나노 구조의 변형을 방지한다.

엠보싱 재료의 점도는 바람직하게는 1 내지 100,000cP 사이에 있으므로, 엠보싱 재료 또는 엠보싱 래커의 폭넓은 선택 및 기판, 스탬프 재료 및 엠보싱 재료의 최적 조합을 통한 공정 최적화가 가능하다.

특히 엠보싱 재료는 점도가 낮을 필요가 없다. 특히 용매 대기(a solvent atmosphere)가 필요하지 않다.

접촉 및 엠보싱은 특히 대기압, 예를 들어 공기 또는 불활성 가스 대기에서 수행될 수 있다. 다른, 특히 제어 가능한 공정 압력도 생각할 수 있다.

접촉 및 엠보싱은 특히 실온 및 승온에서 수행될 수 있다.

설명된 방법은 유리하게 높은 처리량을 가능하게 하고 특히 생산 단위당 단위 비용을 줄일 수 있다.

주기적 및 비주기적 마이크로 및 나노 구조의 엠보싱이 가능하다.

정밀한 정렬이 절대적으로 필요한 것은 아니다. 기판과 구조화된 스탬프의 접촉 전 정렬 정도는 예를 들어 매우 정밀한 정렬 시스템을 사용하여 대략적으로만 또는 미세하게 각각의 경우에 따라 달라질 수 있다.

다양한 유형의 유연한 기판이 설명된 방법에서 사용될 수 있다.

엠보싱 또는 생산은 매끄러운 표면 및/또는 거친 표면으로 수행될 수 있다. 거칠기는 경우에 따라 다양할 수 있다.

엠보싱 또는 생산은 특히 편평한 및/또는 곡면 스탬프 표면으로 수행될 수 있다. 기판의 가요성과 외부 압력 없이 접촉 후 기판의 탈착으로 인한 이동성으로 인해 기판이 변형되어 스탬프에 적응될 수 있다.

전도성 및 비전도성 UV 경화 엠보싱 재료를 모두 사용할 수 있다.

전도성 및 비전도성 열 경화성 엠보싱 재료를 모두 사용할 수 있다.

제안된 발명으로 다층 엠보싱 공정이 수행될 수 있다. 가요성 기판의 이미 엠보싱되고 경화된 제 1 층은 추가 단계에서 제 2 엠보싱 재료로 다시 코팅될 수 있고, 이어서 다시 엠보싱되고 경화된다. 추가 층의 생산은 특히 충분한 기판 가요성이 여전히 존재하는 한 생각할 수 있다. 또한, 복수의 엠보싱 단계가 병렬로 및/또는 나란히 수행될 수 있고, 각각의 경우에 이전에 생성된 기판과 조합될 수 있다.

기술된 방법에서, 기판 상의 엠보싱 재료의 두께는 필요에 따라 변할 수 있으므로, 엠보싱 재료의 얇고 두꺼운 층 모두가 엠보싱되거나 생성될 수 있다.

제안된 발명에 의해, 양 작업 스탬프는 임프린트 리소그래피용으로 제조될 수 있고 또한 일반적으로 열적으로 또는 전자기 복사선, 특히 UV 복사선에 의해 경화될 수 있는 상이한 유형의 엠보싱 재료가 기판의 구조화를 위해 엠보싱될 수 있다. UV-경화성 엠보싱 재료가 바람직하게 사용된다.

제안된 발명은 특히 다음 제품의 생산에 사용될 수 있다.:

- 1D-, 2D- 및/또는 3D 회절 광학 소자(DOE),

- 미세유체 성분,

- 렌즈 및 렌즈 시스템,

- 프레넬 렌즈,

- 생의학 요소,

- 편광판,

- 나노 구조체 전극,

- IR 파동 전도체,

- 가상 현실 응용을 위한 각도 광학,

- 광섬유 연결,

- 임프린트 리소그래피용 작업 스탬프

- 기타.

모세관 효과는 특히 액체 자체의 표면 장력 또는 액체와 고체 표면 사이의 인터페이스 장력에 의해 발생한다. 모세관력은 고체 표면과 액체 사이 또는 특히 소량의 액체가 존재하는 고체 사이의 상호 작용에서 나타난다. 액체 분자 사이의 응집력 및 액체 분자 사이의 접착력과 기판 표면 및 사이에 놓이는 엠보싱 재료를 사용한 코팅으로 인한 기판 스탬프는 특히 다음의 작용 없이 접촉 후 두 표면이 접촉 상태를 유지한다는 사실에 기여한다. 외력. 얇고 유연한 기판이 유리하게 사용되어 모세관력이 상응하는 강한 효과를 가지며 기판이 구조화된 스탬프를 향해 컨포멀 방식으로 당겨진다.

또 다른 양태는 구조화된 스탬프가 기판과 접촉하자마자 얇게 코팅된 기판이 분리된다는 것이다. 엠보싱 재료로 코팅된 기판의 고정은 특히 고정의 해제, 예를 들어 진공 중단에 의해 해제된다. 모세관력의 영향으로 인해 얇고 유연한 기판이 등각 방식으로 구조화된 스탬프에 연결된 상태로 유지된다.

기판 수용 장치로부터 기판의 분리로 인해 기판의 가요성 및 획득된 자유도의 결과로서, 기판은 변형될 수 있고 구조화된 스탬프에 적응될 수 있다. 따라서 엠보싱 중에 균일한 접촉이 가능하다.

컨포멀 콘택의 결과, 구조화된 스탬프의 중간 공간은 특히 엠보싱 재료의 점성 및 모세관 효과로 인해 완전히 채워진다. 모세관 압력은 특히 구조의 크기에 따라 달라진다.

구조가 작을수록 모세관 압력이 커진다. 모세관 압력이 이 범위에서 가장 높기 때문에 더 낮은 nm 범위(≤ 50 nm)에서 고해상도 구조화가 가능하다.

또한, 엠보싱 공정 중 외부의 접촉압력에 의해 발생하는 엠보싱 불량을 방지할 수 있는 장점이 있다.

방법

기판은 종래 기술의 기판에 비해 매우 얇다. 기판(또는 제품 기판)의 안정화를 위해 캐리어 기판이 사용되지 않거나 캐리어 기판 또는 캐리어 플레이트 또는 캐리어 필름 자체가 얇고 유연하다. 따라서 엠보싱될 기판은 매우 유연하다. 마이크로 및/또는 나노임프린트 공정은 구조화된 스탬프, 바람직하게는 엘라스토머 스탬프, 특히 웨이퍼 형식으로 수행된다. 구조화된 스탬프는 바람직하게는 전체 영역에 걸쳐 사전 래커 처리된 기판과 접촉하게 된다.

구조화된 스탬프 및 기판은 특히 임프린트 장치의 수용 장치 상 에 각각 고정된다. 기판 수용 장치에 대한 기판의 고정은 바람직하게는 진공 또는 저압의 도움으로 일어난다. 정렬 후 기판과 구조화된 스탬프의 접촉면이 전체 영역에 걸쳐 접촉한다. 구조화된 스탬프가 기판과 접촉하자마자, 특히 진공의 중단에 의해 엠보싱 재료로 코팅된 기판으로부터 고정이 해제된다. 릴리스 공정은 전체 영역 또는 미리 정의된 과정을 따라 작동할 수 있다. 고정 요소는 그에 따라 제어된다.

접촉이 발생한 후 기판이 전체 영역에 걸쳐 수용 장치에서 분리되면 기판과 구조화된 스탬프 사이에 존재하는 엠보싱 재료를 통해 작용하는 모세관 효과(모세관력)로 인해 기판이 구조화된 스탬프에 계속 접착된다. 본 발명에 따르면, 성공적인 엠보싱 또는 생산을 위해 추가적인 외부 가압력이 필요하지 않다.

모세관 힘의 작용으로 인해 얇고 유연한 기판이 등각 방식으로 스탬프 쪽으로 끌어당겨진다. 기판의 가요성과 기판의 분리로 인해 얻은 자유도의 결과로 기판이 변형되어 스탬프에 적응할 수 있다. 따라서 엠보싱 동안 균일한 접촉이 가능하다.

기판과 구조화된 스탬프는 모세관력으로 인해 엠보싱 재료가 그 사이에 놓이면서 함께 고정된다. 이를 위해서는 적어도 기판이 높은 수준의 가요성을 가져야 한다. 엠보싱 재료의 점성으로 인해 구조화된 스탬프의 중간 공간은 특히 모세관 효과로 인해 엠보싱으로 완전히 채워진다.

따라서 제안된 발명은 접촉 압력으로 인한 구조화된 스탬프 구조의 변형을 방지한다. 또한, 기판의 가요성은 스탬프 및/또는 기판의 불규칙성을 보상할 수 있게 하고 또한 예를 들어 공기 함유물에 의해 야기되는 것과 같은 추가적인 엠보싱 결함을 방지하여 그 결과 엠보싱 공정의 품질이 매우 높다.

구조화된 스탬프에 대한 얇은 기판의 적응 및 변형 동안, 기판과 구조화된 스탬프 사이에 존재하는 가스, 특히 공기 또는 불활성 가스가 밀려나올 수 있어서, 가스 함유물 없이 엠보싱이 발생할 수 있다. 특히 기판을 유지하거나 고정하는 고정 요소에 의한 조절된 방출에 의해 공기 또는 다른 가스의 혼입이 방지될 수 있다. 기판의 유리한 분리는 특히 고정 요소에서의 단일 해제, 특히 웨이퍼 표면을 따라 집중된 해제에 의해 발생할 수 있다.

엠보싱 재료의 경화 후, 기판은 필요하다면 다시 진공으로 수용 장치 상에 고정될 수 있고, 따라서 몰딩 위치로부터의 제거가 일어날 수 있다.

마이크로 및/또는 나노 구조체화를 위한 구조화된 스탬프로 얇고 가요성 기판을 엠보싱하기 위한 본 발명에 따른 방법은 특히 다음 단계, 특히 다음 순서를 포함한다:

a) 해당 수용 장치에 기판 및 구조화된 스탬프를 고정하는 단계;

b) 기판에 엠보싱 재료를 도포하는 단계;

c) 기판 및 구조화된 스탬프의 대략적 및/또는 미세 조정 단계;

d) 기판이 모세관 효과에 의해 구조화된 스탬프 쪽으로 끌어당겨지고 등각 접촉이 발생하도록 특히 기판 수용 장치 및/또는 스탬프 수용 장치의 상대 이동에 의해 기판을 엠보싱 재료와 구조화된 스탬프와 접촉시켜 엠보싱 공정을 시작하는 단계;

e) 접촉이 일어나자마자 기판 수용 장치 상의 가요성 기판으로부터 의 고정 해제 단계. 이와 같이 얻어진 자유도의 결과로, 가요성 기판은 변형될 수 있고 구조화된 스탬프에 적응될 수 있다.

f) 엠보싱 재료의 경화 단계;

g) 기판 수용 장치 상에 엠보싱된 기판의 갱신된 고정 및 몰딩 위치로부터 구조화된 스탬프 및 기판의 제거 단계.

엠보싱은 바람직하게는 기판 및 구조화된 스탬프의 접촉 표면을 엠보싱 재료와 접촉한 후에, 따라서 특히 기판의 탈착을 통한 모세관력의 적용 후에 개시된다.

해제 후, 얇은 기판은 특히 더 이상 수용 장치에 대한 임의의 고정을 받지 않으며 따라서 구조화된 스탬프에 적응될 수 있다.

접촉은 바람직하게는 전체 영역에 걸친 접촉을 기술한다. 또는 가장자리 또는 중간에서 접촉이 발생할 수 있다. 점 접촉을 위해, 구조화된 스탬프 및/또는 기판의 만곡은 본 발명에 따른 추가 실시예에서 만곡 수단에 의해 수행된다. 접촉은 특히 제어된 고정 요소에 의해 유리하게 도움이 될 수 있다.

다른 실시예에서, 단계별 반복 공정이 수행된다. 구조화된 스탬프는 반복 구조가 예를 들어 엠보싱 롤러의 둘레에 적용되는 방식으로 단계별 반복 공정에서 사용된다. 장치는 엠보싱 기판의 경화를 위한 경화 수단, 특히 섹션별로, 바람직하게는 단계-반복 공정에 대응하는 섹션, 특히 구조화된 스탬프의 스탬프 영역에 대응하는 섹션을 포함하도록 제공된다.

기판, 구조화된 스탬프 및 엠보싱 재료

특히 바람직하게는, 기판 및/또는 기판 스탬프는 전체 기판 표면 또는 구조화된 스탬프 표면에 걸쳐 등각 접촉을 가능하게 하기 위해 가요성이다. 바람직한 실시예에서, 기판은 매우 얇아서 유리한 가요성이 제공된다. 기판의 안정화를 위해 캐리어 기판이 사용되지 않거나, 캐리어 기판 또는 캐리어 플레이트 또는 캐리어 필름 자체가 얇고 유연하다. 따라서 엠보싱될 기판은 매우 유연하다. 얇은 기판은 수용 장치에 고정되어 취급이 용이하다.

기판은 임의의 형상, 바람직하게는 원형, 직사각형 또는 정사각형, 보다 바람직하게는 웨이퍼 형태를 가질 수 있다. 기판의 직경은 2인치 이상, 바람직하게는 4인치 이상, 보다 바람직하게는 6인치 이상, 더욱 바람직하게는 8인치 이상, 가장 바람직하게는 12인치 이상이다. 기판은 특히 웨이퍼를 의미하는 것으로 이해된다.

기판의 두께는 특히 1㎛ 내지 2000㎛, 바람직하게는 10㎛ 내지 750㎛, 더욱 바람직하게는 100㎛ 내지 500㎛이다.

구조화된 스탬프는 임의의 형상, 바람직하게는 원형, 직사각형 또는 정사각형, 더 바람직하게는 웨이퍼 형식을 가질 수 있다. 구조화된 스탬프의 직경은 기판의 직경과 대체로 일치하는 것이 바람직하다.

소프트 리소그래피 공정을 구현하기 위해 엘라스토머 구조 스탬프가 표준으로 사용되며 UV 투과 폴리머 스탬프가 선호된다.

UV-NIL용 투명 엘라스토머 구조 스탬프는 예를 들어 다음 폴리머로 생산된다.: 폴리디메틸실록산(PDMS), 폴리오가노실세스퀴옥산(POSS), 퍼플루오르화 폴리에스테르(PFPE), 폴리테트라플루오로에틸렌(PTFE), 폴리비닐 알코올(PVA), 폴리비닐클로라이드(PVC), 에틸렌 테트라플루오로에틸렌 등과 같은 실리콘. 복수의 재료 및 복수의 층 시스템의 조합이 가능하다.

구조화된 스탬프는 바람직하게는 캐리어(engl.: 백플레인), 특히 플레이트, 가장 바람직하게는 유리 캐리어 상에 고정된다. 캐리어에 대해 더 생각할 수 있는 재료는 폴리머 및/또는 금속이다. 캐리어는 특히 스탬프 캐리어 기판일 수도 있다.

그 엠보싱 측면에서, 구조화된 스탬프는 특히 바람직하게는 특히 규칙적으로 배열된 엠보싱 측면의 전체 엠보싱 영역에 걸쳐 분포된 복수의 엠보싱 구조를 갖는다. 엠보싱 스탬프의 개별 구조의 치수는 바람직하게는 마이크로미터 및/또는 나노미터 범위에 있다. 개별 구조의 치수는 특히 20μm 미만이다. 개별 구조의 치수는 특히 0.1 nm 내지 20 μm, 바람직하게는 1 nm 내지 10 μm, 보다 바람직하게는 1 nm 내지 5 μm, 더욱 더 바람직하게는 1 nm 내지 2 μm이다.

구조화된 스탬프는 처리될 기판 표면을 향하는 측면에 위치된 포지티브 및/또는 네거티브 프로파일링을 포함할 수 있다. 구조화된 스탬프는 또한 다른 치수를 가진 엠보싱 구조를 포함할 수 있다.

대안적인 실시예에서, 구조화된 스탬프는 예를 들어 유리, 석영 또는 이산화규소와 같은 경질 UV 투명 재료로 제조된다. 이 실시예에서, 기판은 특히 요구되는 박층 두께 및 가요성을 가져야 한다. 추가 실시예에서, 구조화된 스탬프는 예를 들어 실리콘, 반도체 재료, 또는 Ni 또는 Ti와 같은 금속과 같은 경질 재료로 제조된다.

엠보싱 재료는 특히 화학적 및/또는 물리적 공정에 의해 경화된다. 특히, 엠보싱 재료는 전자기 방사선 및/또는 온도에 의해 경화된다.

경화는 바람직하게는 전자기 방사, 특히 바람직하게는 UV 방사에 의해 일어난다.이 경우에, 엠보싱 재료가 구조화된 스탬프 면으로부터 경화된다면, 구조화된 스탬프는 요구되는 전자기 방사에 대해 투명한 것이 바람직하다.

엠보싱 구조로부터 멀리 향하는 구조화된 스탬프의 측면에, 대응하는 방사원이 바람직하게 배열된다. 따라서 구조화된 스탬프는 특히 5000 nm 내지 10 nm, 바람직하게는 1000 nm 내지 100 nm, 보다 바람직하게는 700 nm 내지 200 nm, 가장 바람직하게는 500 nm 내지 250 nm의 파장 범위에서 투명하다.

구조화된 스탬프의 광학적 투명도는 0.01% 초과, 바람직하게는 20% 초과, 보다 바람직하게는 50% 초과, 가장 바람직하게는 80% 초과, 가장 바람직하게는 95% 초과이다.

엠보싱 재료의 점도는 바람직하게는 1 내지 100,000 cP 사이에 있으므로, 엠보싱 재료/엠보싱 래커의 폭넓은 선택 및 기판, 스탬프 재료 및 엠보싱 재료의 최적 조합을 통한 공정 최적화가 가능하다. 점도는 특히 100,000cP 미만, 바람직하게는 10,000cP 미만, 보다 바람직하게는 1000cP 미만, 가장 바람직하게는 500cP 미만이다.

엠보싱 재료는 특히 전체 영역에 걸쳐 코팅되거나 기판 또는 구조화된 스탬프에 정의된 거리에서 방울로 적용된다. 엠보싱 재료는 바람직하게는 기판 상에 도포된다. 엠보싱 재료의 도포는 기판의 고정 전 또는 후에 일어날 수 있다. 본 발명에 따르면, 구조화된 스탬프의 지형에 따라 또는 구조의 크기에 따라 더 많은 엠보싱 재료 또는 더 많은 방울로 영역이 정의될 수도 있다. 엠보싱 재료의 적용은 예를 들어 구조화된 스탬프와 기판 사이에 배열될 수 있는 노즐이 있는 계량 장치로 수행될 수 있다.

또 다른 실시예에서, 본 발명은 예를 들어 스핀-코팅 공정과 같은 확립된 산업적 코팅 공정과 조합하여 사용될 수 있다. 코팅은 별도의 모듈에서 엠보싱 공정과 별도로 수행할 수 있다. 따라서 기판의 코팅은 신속하고 결함이 없으며 전체 영역에 걸쳐 입자가 없고 표준화된다. 특히 처리량 이점과 비용 절감이 발생한다.

장치

본 발명은 특히 바람직하게는 UV-투과성 구조화된 스탬프로부터 기판의 편평한 면 상으로, 특히 전체적으로 코팅된 구조, 특히 마이크로 또는 나노 구조체의 전사를 위한 기술된 방법 및 장치에 관한 것이다. 기판 수용 표면 상에 기판을 수용하는 기판 홀더 및 구조화된 스탬프의 구조화된 표면을 갖는 영역으로서, 기판 접촉 표면과 평행하게 정렬될 수 있고 그에 대향하여 배치될 수 있다.

상기 장치는 주변에 대해 밀봉 될 수 있는 공정 챔버에 설치될 수 있다. 따라서 공정 챔버의 배기 및/또는 임의의 가스 또는 가스 혼합물로 공정 챔버의 환기가 가능하다. 공정 챔버는 1 bar 미만, 바람직하게는 10 mbar 미만, 보다 바람직하게는 5 mbar 미만의 압력으로 배기될 수 있다.

바람직한 실시예에서, 본 발명에 따른 방법은 대기압, 예를 들어 공기 또는 불활성 기체 대기에서 수행된다.

공정 챔버는 특히 모든 가스 또는 가스 혼합물로 플러싱될 수 있다. 이는 특히 엠보싱이 진공 상태에서 발생하지 않도록 의도된 경우에 유리하다. 진공을 사용하지 않는 가능한 이유는 주변 압력이 낮을 때 엠보싱 재료의 높은 휘발성 때문일 수 있다. 높은 증기압을 특징으로 하는 약간의 휘발성은 공정 챔버의 오염에 결정적으로 기여할 수 있다.

사용된 가스는 엠보싱 재료와 상호 작용이 거의 없어야 한다. 특히 바람직하게는, 플러싱은 엠보싱 재료와 상호 작용하지 않는 불활성 가스를 사용하는 것이다.

접촉 및 엠보싱은 상온 및 상승된 온도 모두에서 수행될 수 있다. 본 발명에 따른 장비는 온도 조절 및 가열을 위한 적절한 수단을 갖는다.

다른 실시예에서, 기판과 구조화된 스탬프의 접촉은 여기에서 결함이 발생할 수 있고 재현 가능한 조정 정확도가 충족될 수 없기 때문에 특히 중요하다. 상기 장치는 예를 들어 SVA(Smart®View Alignment) 방법의 도움으로 서로 다른 레이어의 매우 정밀하고 조정된 엠보싱을 위해 정렬과 함께 사용할 수 있다. 기판의 정렬된 접촉면과 (나노)구조 스탬프의 접촉의 중요한 단계에서, 100㎛ 미만, 특히 10㎛ 미만, 바람직하게는 1 ㎛ 미만, 가장 바람직하게는 100 nm 미만, 가장 바람직하게는 10 nm 미만의 보다 정확한 조정 정확도 또는 오프셋이 바람직하다.

기판 및 구조화된 스탬프는 설명된 장치에서 정렬된 방식으로 함께 가져와 마이크로 및/또는 나노임프린트 엠보싱 공정에 대한 접근 및 조정이 제어된 방식으로 수행된다. 장치는 바람직하게는 특허 명세서 EP2612109B1에 따라 평행하게 정렬된 스탬프와 기판 사이의 비접촉 쐐기 오차 보상을 위한 시스템을 포함하고, 접근 수단은 최종 위치에 도달할 때까지 수용 장치의 수용 표면을 가로지르는 병진 방향(T)으로 제 2 표면을 향한 제 1 표면의 접근을 위해 사용된다.

다른 실시예에서, 대략적인 정렬이면 충분하다. 정확한 정렬은 특히 필요하지 않은데, 그 이유는 기판 홀더로부터의 분리로 인해 가요성 및 주어진 이동성으로 인해 얇은 기판이 구조화된 스탬프에 적응될 수 있기 때문이다.

기판과 구조화된 스탬프는 수용 장치(영어 : 척)에 고정된다. 수용 장치에 결정적인 것은 특히 고정 및 고정을 위한 평평한 수용 표면 또는 고정 표면이다. 기판 및 구조화된 스탬프를 위한 수용 장치는 바람직하게는 진공 샘플 홀더이다. 정전기 시료 홀더, 자기 또는 전기 고정 장치가 있는 시료 홀더, 접착 특성이 가변적이거나 적절한 기계적 클램핑이 있는 시료 홀더의 사용도 생각할 수 있다.

바람직한 실시예에서, 기판 및 구조화된 스탬프는 진공 트랙이 밀링되는 평평하고 경화된 표면 상에 저압 또는 진공에 의해 고정된다. 기판 수용 장치는 전체 표면 또는 표면의 외부 구역에 진공 트랙을 갖는다. 부압 채널은 바람직하게는 특히 전체 원주 주위에서 수용 장치의 중심 Z에 대해 동심원으로, 특히 원형으로 연장된다. 따라서 특히 균일한 고정이 유리하게 달성된다.

수용 장치, 특히 기판 수용 장치는 바람직하게는 표면의 외부 영역에만 진공 트랙을 가져서 기판이 특히 에지에서 부분적으로만 고정된다. 특히, 기판 및/또는 구조화된 스탬프를 수용 장치로부터 완전히 해제할 가능성이 있다. 이를 위해 수용 장치의 고정, 특히 진공 유지가 비활성화된다. 고정을 위해 저압으로 작용하는 고정 요소는 또한 기판의 분리를 위해 과압으로 작용할 수 있다. 유리한 실시예에 따르면, 엠보싱 및 경화 공정 후 전체 영역에 걸쳐 기판의 고정을 보장하기 위하여 수용 장치는 다음을 위해 제 2 진공 구역을 포함할 수 있다.

고정 요소가 진공 요소로 제공되는 경우, 고정 요소는 1bar 미만, 바람직하게는 0.1mbar 미만, 더욱 바람직하게는 0.01mbar 미만, 가장 바람직하게는 0.001mbar 미만, 가장 바람직하게는 0.0001mbar 미만의 압력을 생성할 수 있다. 고정 요소는 특히 개별적으로 또는 그룹으로 제어될 수 있다.

본 발명에 따른 수용 장치는 고정 기판과 수용 장치 사이의 물리적 및/또는 화학적 특성이 측정될 수 있는 센서를 대안적으로 또는 추가로 포함할 수 있다. 이러한 센서는 예를 들어 온도 센서, 압력 센서 또는 거리 센서이다. 또한, 복수의 상이한 유형의 센서가 통합되는 것도 생각할 수 있다. 또한 센서를 장치의 다른 부분에 배치할 수도 있다. 예를 들어, 거리 센서 또는 압력 센서가 수용 장치 사이에 배치될 수 있다. 특히, 엠보싱 재료를 갖는 기판과 스탬프 또는 스탬프 구조 사이의 거리 및/또는 작용력이 측정될 수 있다.

또한, 수용 표면의 윤곽은 필요에 따라 수용 표면의 수용 평면에 대해 후퇴될 수 있어서 수용 표면의 크기를 감소시키거나 변화시키는 오목부가 형성된다. 따라서 양면이 구조화되거나 처리된 기판(제품 기판)도 사용할 수 있다.

추가 실시예에서, 수용 장치는 기판 및/또는 구조화된 스탬프가 전체 영역에 걸쳐 또는 부분적으로 열처리될 수 있도록 구성된다. 수용 장치는 -100℃ 내지 500℃, 바람직하게는 -50℃ 내지 450℃, 보다 더 바람직하게는 -25℃ 내지 400℃, 가장 바람직하게는 0℃ 내지 350℃의 온도 범위에서 열처리될 수 있다.

본 발명에 따른 기판 수용 장치의 실시예는 또한 그 위에 액체층이 있는 기판의 핸들링을 가능하게 한다. 액체 층은 특히 접촉하는 동안 인터페이스에 위치하는 액체 엠보싱 래커 또는 엠보싱 재료이다.

엠보싱 재료는 특히 전체 영역에 걸쳐 코팅되거나 기판 또는 구조화된 스탬프에 정의된 거리에서 방울로 적용된다. 엠보싱 재료는 바람직하게는 기판 상에 적용된다. 기판 및/또는 구조화된 스탬프의 지형에 따라 더 많은 엠보싱 재료 또는 더 많은 방울로 영역을 정의할 수도 있다. 엠보싱 재료의 적용은 특히 구조화된 스탬프와 기판 사이에 배열될 수 있는 노즐을 갖는 계량 장치로 수행될 수 있다.

다른 실시예에서, 상기 방법은 예를 들어 스핀-코팅 공정과 같은 확립된 산업적 코팅 공정과 조합하여 사용될 수 있다. 코팅은 별도의 모듈에서 엠보싱 공정과 별도로 수행할 수 있다. 따라서 기판의 코팅은 빠르고, 결함이 없고, 전체 영역에 걸쳐 입자가 없고 표준화될 수 있다. 특히 이것은 처리량 이점을 수반한다.

다른 실시예에서, 수용 장치는 바람직하게는 중앙에, 특히 부분적으로만 고정된 구조화된 스탬프 및/또는 기판의 벤딩을 위한 장치를 포함한다. 벤딩을 위한 장치를 커브 요소라고 한다. 곡선 요소는 특히 구조화된 스탬프와 구조화된 스탬프를 휘게 하는 수용 장치 사이에 과압을 생성하기 위해 유체, 바람직하게는 기체가 빠져나갈 수 있는 노즐이다. 구조화된 스탬프가 바람직하게는 원주에서 수용 장치로 진공에 의해 고정된다는 사실로 인해 구조화된 스탬프의 곡률이 발생한다.

본 발명에 따르면, 엠보싱은 엠보싱 재료와 접촉, 바람직하게는 기판 및 구조화된 스탬프의 접촉 표면의 전체 영역에 걸쳐 접촉한 후, 및 따라서 특히 기판의 분리로 인해 모세관력이 시작된 후 시작된다.

본 발명의 추가적인 이점, 특징 및 세부 사항은 도면의 도움으로 실시예의 바람직한 예에 대한 다음의 설명으로부터 드러난다.

도 1a: 방법의 제 1 실시예에서 장치의 단면도,
도 1b는 구조화된 스탬프와 기판 홀더가 외부 접촉 압력 없이 끝점까지 접근한 후의 상기 방법의 제 1 실시예에서 장치의 단면도,
도 1c: 방법의 제 1 실시예에서 장치의 단면도, 여기서 기판은 진공 트랙에서 진공의 중단에 의해 기판 수용 장치로부터 분리되고 모세관력으로 인해 구조화된 스탬프에 컨포멀 방식으로 부착된다.
도 1d: 엠보싱 또는 제조 후 방법의 제 1 실시예에서 구조화된 스탬프 수용 장치의 단면도, 여기서 경화성 엠보싱 재료는 특히 자외선에 의해 투명 구조화된 스탬프를 통해 스택에서 가교되거나 경화된다.
도 1e: 엠보싱 후의 장치의 단면도를 도시, 구조화된 스탬프 및 몰딩 위치로부터의 기판의 제거는 기판 수용 장치 상에 엠보싱된 기판의 새로운 고정 후에 발생한다.
도 2: 단면도의 확대도와 함께 방법의 제 1 실시예에서 장치의 단면도,
도 3a는 방법의 제 1 실시예에서 장치의 제 2 단면도, 여기서 기판은 진공 트랙에서 진공의 중단에 의해 기판 수용 장치로부터 분리되고 모세관력에 의해 구조화된 스탬프에 컨포멀 방식으로 부착된다.
도 3b는 엠보싱 후 장치의 단면도, 여기서 구조화된 스탬프와 기판 은 기판 수용 장치에 엠보싱된 기판을 새로 고정한 후 몰딩 위치에서 제거된다.
도 4a: 본 발명에 따른 방법의 제 2 실시예에서 장치의 단면도,
도 4b: 엠보싱 및 경화 후 방법의 제 2 실시예에서 장치의 단면도.
도 4c: 몰딩 위치로부터 제거된 후 방법의 제 2 실시예에서 장치의 단면도.
도 4d: 단계별 반복 엠보싱 공정의 제 2 반복 단계에서 방법의 제 2 실시예에서 장치의 단면도.

동일한 구성요소 또는 동일한 기능을 가진 구성요소는 도면에서 동일한 참조 번호로 표시된다. 수치는 표현을 개선하기 위해 축척에 맞게 표현되지 않았다.

도 1a는 제 1 실시예에서 장치의 단면도를 도시한다. 도 1a는 특히 구조화된 스탬프(2) 및 기판(1)을 수용하기 위한 장치의 수용 장치(5 및 6)를 도시한다. 수용 장치(5 및 6)의 수용 표면은 특히 구조화된 스탬프(2) 및 기판(1)의 치수 및 둘레 윤곽에 맞춰진다.

바람직한 실시예에서, 도 1a 내지 1e의 구조화된 스탬프(2)는 엘라스토머 소프트 스탬프(2)이다. 엘라스토머 구조화된 스탬프(2)는 큰 표면에 걸쳐 컨포멀하고 균일한 접촉을 가능하게 한다. 구조화된 스탬프(2)와 기판(1)의 양호한 분리를 보장하기 위해, 스탬프 표면은 가능한 한 낮은 표면 에너지를 갖는다.

엘라스토머 구조 스탬프(2)는 필요한 경우 캐리어 또는 스탬프 캐리어 기판(4)에 의해 지지된다. 다른 실시예에서, 두께가 다른 유리 캐리어 기판이 사용된다. 스탬프 캐리어 기판(4)을 사용한 결과, 엘라스토머 구조 스탬프(2)는 적어도 부분적으로 가요성을 상실한다. 한편, 구조화된 스탬프(2)의 가요성은 캐리어(4)의 선택에 의해 제어될 수 있다. 대안적인 실시예에서, 캐리어(4)는 플레이트일 수 있다. 제 3 실시예에서, 캐리어(4)가 필요하지 않다. 구조화된 스탬프(2)의 구조는 도 1a 내지 1e의 실시예에 제한되지 않는다.

구조화된 스탬프(2)의 구조(3, 3')는 마이크로 미터 및/또는 나노 미터 범위의 치수를 갖는다. 바람직한 실시예에서, 구조화된 스탬프(2)의 고정은 진공 장치(미도시)의 진공 트랙(8)을 통한 저압 또는 진공에 의해 일어난다. 도 1a 내지 1e에 따른 실시예의 예에서, 구조화된 스탬프의 고정을 위한 부압은 서로 동심으로 연장되고 구조화된 스탬프를 수용하기 위한 스탬프 수용 장치(5)의 수용 표면을 덮는 복수의 진공 트랙(8)으로서 적용된다. 대안적인 실시예에서, 진공 트랙(8)은 스탬프 수용 장치(5)의 수용 표면의 측면 에지 영역에만 위치된다. 상기 대안적인 실시예에서, 스탬프 수용 장치(5)의 수용 표면의 오직 외부 원형 섹션만이 진공 트랙(8)에 의해 구조화된 스탬프(2)를 고정하기 위해 제공된다.

도 1a 내지 1e에 따른 바람직한 실시예에서, 기판(1)은 종래 기술의 기판에 비해 매우 얇아서 가요성이 제공된다.이 제 1 실시예에서, 기판(1) 또는 제품 기판의 안정화를 위해 캐리어 기판이 사용되지 않는다. 얇은 기판(1)은 수용 장치(6)에 고정되어 취급이 용이하다. 대안적인 실시예에서, 캐리어(도시되지 않음)는 얇은 기판(1)의 안정화를 위해 사용된다. 캐리어는 예를 들어 캐리어 기판, 캐리어 플레이트 또는 캐리어 필름일 수 있다. 캐리어는 기판을 지지하고 휨을 방지하지만 그 자체도 얇아서 충분한 가요성을 갖는다. 따라서 엠보싱될 기판은 유연하다.

바람직한 실시예에서, 도 1a 내지 1e의 기판은 매우 얇은 기판이다. 기판(1)의 두께는 특히 1㎛ 내지 2000㎛, 바람직하게는 10㎛ 내지 750㎛, 더욱 바람직하게는 100㎛ 내지 500㎛이다.

구조화된 스탬프(2), 기판(1) 및 엠보싱 재료(7)의 두께는 표현을 개선하기 위해 도면에서 실제 축척으로 표현되지 않았다.

도 1a의 기판 수용 장치(6)의 수용 표면은 바람직하게는 적어도 대부분이 기판(1)의 치수에 맞춰진다. 바람직한 실시예에서, 기판(1)의 고정은 진공 장치(미도시)의 진공 트랙(9)을 통한 저압 또는 진공에 의해 일어난다.

도 1a 내지 1e에 따른 실시예의 예에서, 기판(1)의 고정을 위한 부압은 서로에 대해 동심으로 연장되고 기판(1)을 수용하기 위한 기판 수용 장치(6)의 수용 표면을 덮는 복수의 진공 트랙(9)으로서 적용된다. 고정 수단은 또한 특히 수용 표면 상에 특히 균일하게 분포되고 구역으로 분할되는 개별적으로 제어 가능한 고정 요소로서 구성된다. 도 1a 및 1b에서, 기판 수용 장치(6)의 수용 표면의 측면 에지 구역에 있는 진공 트랙(9)만이 먼저 개별적으로 제어되고 활성화된다(제어 또는 활성화는 화살표로 표시됨). 에지 영역은 특히 수용 표면의 반경의 절반, 바람직하게는 반경의 1/4까지 연장된다.

도 1a에 따른 기판은 엠보싱 재료(7)로 전체 영역에 걸쳐 이미 코팅되어 있다. 바람직한 실시예에서, 방법은 예를 들어 스핀 코팅 공정과 같은 확립된 산업 코팅 공정과 조합하여 사용된다. 층의 적용은 특히 스핀, 스프레이 또는 잉크젯 공정뿐만 아니라 침지 코팅 또는 롤 코팅 공정에서 발생한다. 코팅은 별도의 모듈에서 엠보싱 공정과 별도로 수행할 수 있다.

도 2에 따른 대안적인 실시예에서, 엠보싱 재료(7')의 적용은 구조화된 스탬프(2)와 기판(1) 사이에 배열될 수 있는 노즐(12)을 갖는 계량 장치(13)로 수행될 수 있다. 상기 실시예에서, 엠보싱 재료(7')는 기판(1)에 정의된 거리에서 액적으로 적용된다. 액적의 부피는 정밀하게 측정되고 제어되어 엠보싱 구조의 구조 오목부와 기판 표면 사이에 남아 있는 가능한 중간층의 중간층 두께가 조정된다. 가능한 한 얇은 중간층 두께가 바람직하다. 바람직하게는, 중간층 두께는 50μm 내지 0.01nm, 보다 바람직하게는 10μm 내지 0.01nm, 가장 바람직하게는 1μm 내지 0.01nm이다.

일 실시예에서, 기판 수용 장치(6)는 또한 그 위에 액체층이 있는 기판(1)의 핸들링을 가능하게 한다. 액체 층은 특히 액체 엠보싱 라커 또는 엠보싱 재료(7, 7')이며, 접촉하는 동안 인터페이스에 위치한다.

도 1b는 추가 공정 단계의 장치를 보여준다. 정렬 후 기판(1)과 구조화된 스탬프(2)의 접촉면이 서로 더 가까워지고 전체 영역에 걸쳐 접촉이 이루어진다.

본 발명에 따른 실시예에서, 구조화된 스탬프(2)와 기판(1, 1') 사이에 접근하는 상대 이동이 일어난다. 바람직하게는, 수용 장치(5, 6) 중 하나만 이동된다. 바람직하게는, 구조화된 스탬프(2)만이 정적 기판 수용 장치(6)에 대해 전진된다.

도 1b에 따라 구조화된 스탬프(2)와 기판(1)을 접촉시키는 단계에서, 기판 수용 장치(6)의 에지 영역에 있는 고정 수단만이 사용된다. 구조화된 스탬프(2)가 기판(1)과 접촉하자마자, 진공 중단에 의해 엠보싱 재료(7, 7')로 코팅된 기판(1)으로부터 고정이 해제된다. 수용 표면에서 부압을 감소시킴으로써, 기판(1)의 탈착이 제어된 방식으로 수행될 수 있다. 고정 요소는 그에 따라 제어된다. 구조화된 스탬프(2)는 변경되지 않고 스탬프 수용 장치(5)에 고정된다.

탈착 후, 기판(1)은 도 1c에 따라 기판(1)과 구조화된 스탬프(2) 사이에 존재하는 엠보싱 재료(7, 7')를 통해 작용하는 모세관 효과 또는 모세관력으로 인해 구조화된 스탬프(2)에 계속 접착되고 엠보싱 공정이 전체 지역에 걸쳐 시작된다. 본 발명에 따르면, 성공적인 엠보싱 또는 생산을 위해 추가적인 외부 가압력이 필요하지 않다. 본 발명에 따르면, 수용 장치(5, 6)는 거리 H(도 2 참조)가 정밀하게 정의된 거리 HE로 감소되는 정도까지만 함께 가까워져 임프린트 공정이 추가적인 외부 가압력 없이 시작된다. 사용 중이다. 최종 거리 HE는 특히 100㎛ 미만, 바람직하게는 10㎛ 미만, 가장 바람직하게는 500nm 미만, 가장 바람직하게는 100nm 미만이다. 모세관 힘의 효과로 인해 얇고 유연한 기판 1이 구조화된 스탬프 2를 향해 컨포멀 방식으로 당겨진다. 기판(1)의 가요성과 기판(1)의 분리를 통해 얻은 자유도의 결과로 기판(1)은 변형되고 구조화된 스탬프(2)에 맞게 조정된다. 따라서 엠보싱 동안 균일한 접촉이 가능하다.

도 1c는 스탬프 수용 장치(5) 상에 로드된 특히 UV-투명한 구조화된 스탬프(2)를 갖는 장치를 도시하며, 여기에서 엠보싱 재료(7)가 그 사이에 놓여 있는 구조화된 스탬프(2) 상의 기판(1)은 모세관력에 의해 함께 유지된다. 이를 위해서는 적어도 기판(1)은 높은 가요성을 가져야 한다. 엠보싱 재료(7)의 점성으로 인해 구조화된 스탬프(2)의 중간 공간은 모세관 효과로 인해 완전히 채워진다.

도 1c에 따른 실시예에서, 기판(1)은 기판 수용 장치(6)에 대한 고정이 중단된 후 그리고 모세관력의 영향 후에 더 이상 기판 수용 장치(6)의 수용 표면 상에 놓이지 않는다.

제 2 실시예(미도시)에서, 기판(1)은 고정 수단에 의한 (능동적) 고정 없이 그리고 외력의 영향 없이 여전히 기판 수용 장치(6)의 수용 표면 상에 놓인다. 고정 수단(9)에 의한 기판 고정 해제 후 기판(1)과 기판 수용 장치(6)의 수용 표면 사이에 접촉이 여전히 존재하는지 여부에 관해, 이것은 예를 들어 엠보싱 재료(7, 7')의 양 및 점도, 구조화된 스탬프(2)의 구조(3, 3')의 크기, 최종 거리(H_E)의 조정 등과 같은 복수의 프로세스 파라미터(ab)에 의존한다.

대안적인 실시예(미도시)에서, 구조화된 스탬프(2)는 하부 수용 장치 상에 위치되고 상부 수용 장치 상의 기판(1)이 위치된다. 탈착 후, 기판(1)은 상기 기판(1)과 구조화된 스탬프(2) 사이에 존재하는 엠보싱 재료를 통해 작용하는 모세관력으로 인해 구조화된 스탬프(2)에 계속 접착되며, 또한 추가적인 중력에 의해 야기되고, 예를 들어 구조화된 스탬프 2에 정의된 거리에서 방울로 적용되는 엠보싱 재료(7) 위에 놓인다.

나타낸 모든 실시예에서, 엠보싱 재료(7)를 갖는 기판(1)과 구조화된 스탬프(2) 사이의 등각 또는 이음새 없는 접촉을 달성하기 위해 외부 압력, 특히 접촉 압력이 필요하지 않다. 스탬프 구조(3)의 전달을 위해 제공되는 힘으로 스탬프(2) 및/또는 기판(1)에 작용하고 결과적으로 기판 접촉면에 직각이 되도록 사용되어야 한다.

상기 방법은 접촉 압력으로 인한 구조화된 스탬프(2)의 구조(3)의 변형을 방지한다. 그리고 기판(1)의 가요성은 구조화된 스탬프(2) 및/또는 기판(1)의 불규칙성을 보상하는 것을 가능하게 하고, 또한 예를 들어 엠보싱 공정의 품질이 매우 높은 결과로 발생하는 공기 함유로 인해 발생하는 엠보싱 결함과 같은 추가 엠보싱 결함을 방지한다.

도 1d에 따른 다음 공정 단계에서, 경화성 엠보싱 재료(7), 특히 포토레지스트 또는 래커의 직접 가교결합이 UV 광(10)에 의해 일어난다. 일반적으로, 경화는 전자기 복사, 열, 전류, 자기장 또는 기타 방법으로. 경화는 바람직하게는 투명 스탬프 수용 장치(5) 및 투명 구조화된 스탬프(2)를 통해 일어난다. 스탬프 수용 장치(5) 내 또는 상의 방사원에 의한 엠보싱 재료(7)의 경화도 또한 생각할 수 있다.

도 1e에 따른 마지막 공정 단계에서, 몰딩 위치로부터 기판(1) 및 구조화된 스탬프(2)의 제거가 일어난다. 기판(1)은 제거되기 전에 기판 수용 장치(6) 상에 다시 고정된다. 기판(1)의 고정은 진공 장치(미도시)의 진공 트랙(9')을 통해 진공 또는 저압에 의해 발생한다.

몰딩 위치로부터의 제거를 위해, 기판 수용 장치(6)의 모든 고정 요소, 특히 개별적으로 제어가능하고 수용 표면 상에 균일하게 분포된 고정 요소(9')가 사용되고 활성화된다(활성화는 화살표로 표시됨).

도 1e는 엠보싱(1i) 후에 기판(1) 상의 엠보싱되고 경화된 엠보싱 재료(11)를 도시한다. 상기 방법은 서브-㎛ 범위, 바람직하게는 20㎛ 미만, 보다 바람직하게는 2㎛ 미만, 보다 더 바람직하게는 200nm 미만, 가장 바람직하게는 10nm 미만의 고해상도 구조화를 가능하게 한다.

장치는 바람직하게는 주변 대기에 대해 필요할 경우 밀봉될 수 있는 공통 작업 공간을 갖는 모듈 그룹을 포함한다. 상기 모듈, 예를 들어 코팅 모듈, 각인 모듈, 언로딩 모듈은 이동 장치(로봇 시스템)가 있는 중앙 모듈 주위에 클러스터 또는 별 모양의 형태로 배열될 수 있다.

도 3a는 기판(1')과 구조화된 스탬프(2)가 엠보싱 재료(7) 사이에 놓인 접촉 후 모세관력의 효과로 인해 엠보싱된 기판 변형이 있는 실시예를 도시한다. 도 3a의 개별 구성요소 및 기판(1')의 비율은 부분적으로 불균형하며, 이는 특히 구조화된 스탬프(2)의 구조(3)가 훨씬 더 확대된 형태로 표시되는 것으로 추적될 수 있다. 모세관 힘의 효과로 인해 얇고 유연한 기판(1')은 구조화된 스탬프(2)를 향해 컨포멀 방식으로 인발된다. 기판 수용 장치(6), 기판(1')은 변형될 수 있고 구조화된 스탬프(2)에 적응될 수 있다. 따라서 엠보싱 동안 균일한 접촉이 가능해진다. 이를 위해, 적어도 기판(1, 1'), 바람직하게는 기판(1, 1') 및 구조화된 스탬프(2)는 고도의 가요성을 가져야 한다. 기판(1, 1')의 고도의 가요성 및 등각 접촉의 결과, 엠보싱 결함이 감소되거나 제거되는 것이 바람직하다.

나노임프린트 리소그래피의 선행 기술에서 발생할 수 있는 엠보싱 결함은 무엇보다도 크랙, 불규칙하게 채워진 스탬프 구조(즉, 공기 함유물) 및 불균일한 래커층 두께이다. 예를 들어 래커와 같은 엠보싱 재료와 구조화된 스탬프 사이의 접착은 중요하다. 예를 들어 경화된 엠보싱 재료(11')가 구조화된 스탬프(2)의 오목한 부분에 더 강하게 부착되어 엠보싱된 구조가 성형 위치에서 제거하는 동안 찢어진다.

불규칙하게 채워진 스탬프 구조(3)는 경화된 엠보싱 재료(11')에서 개별 엠보싱 구조의 결함을 초래한다. 스탬프 구조의 충전은 무엇보다도 엠보싱 재료(7)의 점도, 코팅의 두께 또는 적용되는 엠보싱 재료의 크기 및 배열이 시간과 같은 요인에 따라 달라진다.

추가의 엠보싱 결함은 특히 예를 들어 일부 위치에서 구조(3)의 더 작은 깊이 또는 고르지 않은 표면과 같은 구조화된 스탬프(2) 자체의 결함에서 기인한다. 예를 들어 구조화된 스탬프(2)의 고르지 않은 표면과 같은 결함은 기판(1)의 가요성에 의해 보상된다.

본 발명에 따르면, 연성 구조의 스탬프(2)는 외부 압력이 가해지지 않기 때문에 공정 중에 변형될 수 없다. 기판(1, 1')은 너무 얇아서 종래 기술에서 발생하는 스탬프 결함 또는 결함이 보상될 수 있거나 발생하지 않는다. 도 3b는 몰딩 위치로부터 제거된 후, 기판(1i) 상의 엠보싱되고 경화된 엠보싱 재료(11')를 도시한다.

제안된 발명은 특히 다음 제품의 생산에 사용될 수 있다.:

- 1D-, 2D- 및/또는 3D 회절 광학 소자(DOE),

- 미세유체 성분,

- 렌즈 및 렌즈 시스템,

- 프레넬 렌즈,

- 생의학 요소,

- 편광판

- 나노 구조체 전극,

- IR 파동 전도체,

- 가상 현실 응용을 위한 각도 광학,

- 광섬유 연결,

- 임프린트 리소그래피용 작업 스탬프

- 기타.

도 4a 내지 4d는 단계적 반복 공정의 또 다른 실시예를 도시한다. 구조가 엠보싱될 기판(1'')보다 작은 구조화된 스탬프(2')가 사용된다. 도 4a 내지 4d에 따르면, 전체 기판(1'')을 엠보싱 재료(7'')로 엠보싱하기 위해 필요한 만큼 자주 또는 여러 번 공정을 반복한다. 본 발명에 따른 장비는 바람직하게는 주변에 대해 밀폐된 공정 챔버에 설치될 수 있다. 따라서 공정 챔버의 배기 및/또는 임의의 가스 또는 가스 혼합물로 공정 챔버의 환기가 가능하다.

도 4a는 전체 영역에 걸친 엠보싱 재료(7'')의 층을 갖는 기판(1'')을 도시한다. 다른 실시예에서, 엠보싱 재료의 방울이 정의된 거리에서 기판(1'') 상에 적용될 수 있다. 단계별 반복 구조 스탬프(2')는 기판(1'')보다 작다. 도 4a는 특히 구조화된 스탬프(2')를 수용하기 위한 장치의 수용 장치(5')의 단면도를 도시한다. 구조화된 스탬프(2')의 구조(3')는 마이크로 미터 및/또는 나노 미터 범위의 치수를 갖는다. 스탬프 수용 장치(5') 상의 구조화된 스탬프(2')의 고정은 바람직한 실시예에서 진공 장치(미도시)의 진공 트랙을 통한 저압 또는 진공에 의해 일어난다.

본 발명의 유리한 실시예에서, 장치가 엠보싱 기판(1'')의 경화를 위한 경화 수단, 특히 섹션별로, 바람직하게는 단계-반복 공정에 상응하는 섹션, 특히 구조화된 스탬프의 스탬프 영역에 상응하는 섹션을 포함하도록 제공된다. .

단계별 반복 장치는 특허 명세서 EP2287666A1에 설명된 장치의 추가 개발로 간주된다. EP2287666A1에서, 엠보싱 공정 내의 복수의 엠보싱 단계에서 기판을 엠보싱하기 위한 단계-반복 장치 및 장치에 포함된 추가 장치, 특히 조정 장치가 설명되어 있다.

도 4b에 따른 공정 단계에서, 엠보싱 재료(7'')는 단계적으로 반복되는 구조화된 스탬프(2')에 의해 구조화된다. 구조화된 스탬프(2')는이 제 1 위치에서 엠보싱하기 위해 제 1 위치로 이동된다. 바람직하게는, 구조화된 스탬프(2')만이 정적 캐리어 기판에 대해 더 가까워진다. 접촉 후, 경화성 엠보싱 재료(7''), 특히 포토레지스트 또는 래커의 직접적인 가교 결합은 UV 광(10)에 의해 발생한다. 일반적으로, 경화는 전자기 방사선, 열, 전류, 자기장 또는 기타 방법. 경화는 바람직하게는 투명 스탬프 수용 장치(5') 및 투명 구조화된 스탬프(2')를 통해 일어난다. 스탬프 수용 장치(5') 내 또는 상의 방사선원에 의한 엠보싱 재료(7'')의 경화도 본 발명에 따라 생각할 수 있다.

도 4c에 따라 몰딩 위치로부터 제거된 후, 기판(1'')의 정의된 섹션은 경화된 엠보싱 재료(11')로 엠보싱 처리된다.

도 4d에 따른 단계별 반복 공정의 추가 공정 단계에서, 단계별 반복 구조화된 스탬프(2')는 제 1 위치로부터 제 1 위치와 상이한 제 2 미리 정의된 위치로 이동한다.

위치를 잡고 다시 엠보싱한다. 접촉 후, UV 광(10)에 의해 엠보싱 처리된 경화성 엠보싱 재료(7'')의 직접적인 가교 결합이 일어난다. 본 발명에 따르면, 다중 경화가 또한 생각할 수 있는데, 여기서 제 1 경화는 각각의 개별 엠보싱 단계 후에 국부적으로 발생하고, 단계-반복 공정이 완료되면 전체 기판(1'')의 추가 경화가 예를 들어 별도의 모듈에서 발생한다.

도 4a 내지 4d에 따른 공정은 기판(1'')의 원하는 영역이 엠보싱될 때까지 계속될 수 있다.이 실시예에서 구조화된 스탬프(2')는 기판(1'') 상의 엠보싱 재료(7'')와 접촉한 후에 외력 효과 없이 엠보싱을 가능하게 한다. 구조화된 스탬프는 특히 기판 표면에 평행하게 이동하기 위한 수단 및 Z-방향을 따라 접근하기 위한 그리고 성형 위치로부터 제거하기 위한 리프팅 시스템(도시되지 않음)을 갖는다. 단계별 반복 장치의 위치결정 테이블의 고도의 정밀도는 기판(1'')의 전체 원주에서 구조화된 스탬프(2')로 매끄러운 엠보싱을 가능하게 한다. 이전에 엠보싱된 구조, 특히 예를 들어 이전에 엠보싱된 구조 섹션의 에지에서 중첩 구조와의 정렬이 본 발명에 따라 가능하다. 연속 기판의 사용은 단계별 반복 공정에서 생각할 수 있다. 연속 기판은 특히 길이가 폭보다 몇 배 더 긴 제 1 롤 상에 저장된 기판이다. 특히, 연속 기판은 필름이다.

반복적으로 또는 구조화된 스탬프(2')로 서로 옆에서 수행되는 엠보싱에 의해 렌즈 어레이, 예를 들어 특히 마이크로 및/또는 나노 렌즈 어레이가 생성된다.

본 발명에 따르면, 성공적인 엠보싱을 위해 추가적인 외부 가압력이 필요하지 않다. 본 발명에 따르면, 스탬프 수용 장치(5')는 거리 H가 정밀하게 정의된 최종 거리 H'E로 감소되는 기판(1'') 쪽으로만 사전 정의된 위치에 가까워지므로 임프린트 공정이 추가의 추가 없이 시작된다. 외부 가압력이 가해지고 있다. 최종 위치 H'E는 특히 100㎛ 미만, 바람직하게는 10㎛ 미만, 가장 바람직하게는 500nm 미만, 가장 바람직하게는 100nm 미만이다. 모세관 힘의 효과를 통해 얇고 유연한 기판(1'')이 구조화된 스탬프(2')를 향해 등각 방식으로 끌어당겨진다. 기판(1'')의 가요성으로 인해 기판(1'')은 구조화된 스탬프(2')에 맞게 변형되고 적응될 수 있다. 따라서 엠보싱 동안 균일한 접촉이 가능하다.

1, 1', 1'': 기판, 제품 기판
1i: 엠보싱 후 기판
2, 2’: 구조 스탬프
3, 3' :엠보싱 구조
4: 안정화를 위한 스탬프 캐리어 기판 또는 백플레이트
5, 5': 스탬프 수용 장치
6: 기판 수용 장치
7, 7', 7'': 엠보싱 재료
8, 8': 스탬프 수용 장치의 진공 트랙
9, 9': 기판 수용 장치의 진공 트랙
10: 방사선원
11, 11': 엠보싱 및 경화 엠보싱 소재
12: 노즐
13: 계량 장치
H: 거리
H_E, H'_E: 최종 거리

Claims (15)

1. 마이크로 및/또는 나노 구조체를 제조 하는 방법에 있어서,
a) 기판 수용 장치(6) 상에 엠보싱 재료(7, 7', 7'')로 기판(1, 1', 1'')을 고정하는 단계,
b) 엠보싱 재료(7, 7', 7'')와 구조화된 스탬프(2, 2')의 접촉 단계,
c) 기판(1, 1', 1'')의 고정을 적어도 부분적으로 취소하는 단계,
d) 엠보싱 재료(7, 7', 7'')의 경화 단계,
f) 구조화된 스탬프(2, 2')로부터 엠보싱 재료(7, 7', 7'')의 제거 단계를 순서대로 수행하는 것을 특징으로 하는 방법.

제 1항에 있어서, 기판(1, 1', 1'')은 가요성이고 따라서 적어도 부분적으로 고정을 취소한 후에 구조화된 스탬프(2, 2')와 적어도 부분적으로 등각일 수 있는 것을 특징으로 하는 방법.

전항 중 어느 한 항에 있어서, 기판의 고정을 적어도 부분적으로 취소한 후, 기판 수용 장치(6)로부터 기판(1, 1', 1'')의 적어도 부분적인 분리가 특히 기판 수용 장치(6)와 기판(1, 1', 1'')의 상대적 이동 및/또는 기판 수용 장치(6)와 스탬프 수용 장치(5, 5')의 상대적 이동 및/또는 모세관력에 의해 발생하는 것을 특징으로 하는 방법.

전항 중 어느 한 항에 있어서, 엠보싱 재료(7, 7', 7'')는 특히 모세관력에 의해 압력 및/또는 접촉 압력 없이 구조화되는 것을 특징으로 하는 방법.

전항 중 어느 한 항에 있어서, 엠보싱 재료(7, 7', 7'')가 있는 기판(1, 1', 1'')은 기판 수용 장치(6)에 기판 수용 장치(6)에 배열된 적어도 하나의 제어 가능한 고정 요소(9, 9')에 의해, 특히 진공 및/또는 부압에 의해 고정되고 및/또는,
상기 고정은 적어도 하나의 제어 가능한 고정 요소(9, 9')에 의해, 특히 부압을 끄고 및/또는 과압을 생성함으로써 취소되는 것을 특징으로 하는 방법.

전항 중 어느 한 항에 있어서, 기판(1, 1', 1'')의 고정 및 기판(1, 1', 1'')의 고정의 적어도 부분적인 취소는, 엠보싱 재료(7, 7', 7'')의 구조화 및/또는 구조화된 스탬프(2, 2)의 접촉 후 기판(1, 1', 1'')의 해제 또는 분리 ')와 엠보싱 소재(7, 7', 7'')는 특정 시간에 발생하도록 특히 적어도 하나의 제어 가능한 고정 요소(9, 9')를 제어함으로써 제어되는 것을 특징으로 하는 방법.

전항 중 어느 한 항에 있어서, 구조화된 스탬프(2, 2')는 고정의 적어도 부분적인 취소 후에 엠보싱 재료(7, 7')가 , 7'') 및/또는 기판(1, 1', 1'')은 특히 모세관력에 의한 외부 압력 없이 컨포멀 방식으로 구조화된 스탬프(2, 2')에 맞춰지는 것을 특징으로 하는 방법.

전항 중 어느 한 항에 있어서, 기판(1, 1', 1'')은 특히 모세관력에 의해 엠보싱 재료(7, 7', 7'')에 의해 접촉 후 및/또는 고정의 적어도 부분적인 취소 후에 유지되는 것을 특징으로 하는 방법.

전항 중 어느 한 항에 있어서, 마이크로 및/또는 나노 구조체가 복수의 층에서 서로 위에 및/또는 단계별 반복 공정에서 서로 옆에 생성되는 것을 특징으로 하는 방법.

전항 중 어느 한 항에 있어서, 기판(1, 1', 1'')의 두께는 1㎛ 내지 2000㎛, 바람직하게는 10㎛ 내지 750㎛, 더욱 바람직하게는 100㎛ 내지 500㎛ 사이인 것을 특징으로 하는 방법.

전항 중 어느 한 항에 있어서, 엠보싱 재료(7, 7', 7'')의 점도가 100,000cP 미만, 바람직하게는 10,000cP 미만, 보다 바람직하게는 1000cP 미만, 가장 바람직하게는 500cp 미만인 것을 특징으로 하는 방법.

전항 중 어느 한 항에 있어서, 구조화된 스탬프(2, 2')는 엠보싱 구조(3, 3')를 포함하고 및/또는 엠보싱 구조(3, 3')로 코팅되는 것을 특징으로 하는 방법.

특히 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 따른 방법으로 마이크로 및/또는 나노 구조체를 제조하기 위한 장치에 있어서,
- 엠보싱 재료(7, 7', 7'')를 갖는 기판(1, 1', 1'')은 기판 수용 장치(6) 상에 고정될 수 있고,
- 구조화된 스탬프(2, 2')는 엠보싱 재료(7, 7', 7'')와 접촉할 수 있으며, 및
- 기판(1, 1', 1'')의 고정은 적어도 부분적으로 취소될 수 있으며,
- 엠보싱 재료(7, 7', 7'')는 경화될 수 있고,
- 구조화된 스탬프(2, 2')에서 엠보싱 재료(7, 7', 7'')를 제거할 수 있는 것을 특징으로 하는 장치.

제 13항에 있어서,
● 압력, 거리 및/또는 온도 및/또는 측정을 위한 하나 이상의 센서, 및/또는
● 스탬프 수용 장치(5, 5') 및/또는 기판 수용 장치(6)의 조정을 위한 하나 이상의 액추에이터 및/또는
● 제어 유닛을 포함하고,
상기 제어 유닛은 특히 적어도 하나의 센서에 의해 측정된 값에 따라 적어도 하나의 고정 요소(9, 9') 및/또는 적어도 하나의 액추에이터를 제어하고, 엠보싱 재료(7, 7', 7'')가 있는 기판(1, 1', 1'')에 대한 구조화된 스탬프(2, 2')의 상대적 이동, 특히 생성 또는 감소 구조화된 스탬프(2, 2')와 기판(1, 1', 1'') 사이의 간격은 특히 압력 없이 접촉이 수행될 수 있는 방식으로 수행될 수 있는 것을 특징으로 하는 장치.

마이크로 및/또는 나노 구조체를 갖는 물품에 있어서, 상기 마이크로 및/또는 나노 구조체는 전술한 청구항 중 적어도 하나에 따른 방법 및/또는 전술한 청구항 중 적어도 하나에 따른 장치로 생성되는 것을 특징으로 하는 물품.

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