KR20230016391A - Method of treating substrate - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 기판 처리 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 클리닝 주기를 개선할 수 있는 기판 처리 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing method, and more particularly, to a substrate processing method capable of improving a cleaning cycle.
기판 상에 증착 공정을 수행할 경우 공정 챔버 내벽(process chamber wall)에 형성된 증착막의 누적에 의하여 파티클이 발생하고 공정 특성이 변화하게 된다. 따라서, 챔버 내부면에 형성된 누적 증착막의 두께가 소정의 설정 두께에 이르게 되면 인-시츄 건식 세정(in-situ dry clean)과 PM(Preventive Maintenance)을 진행하게 된다. 그러나, 상기 클리닝은 생산성에 영향을 미치게 되므로 클리닝 주기의 연장을 위하여 많은 연구가 진행되고 있다.When a deposition process is performed on a substrate, particles are generated and process characteristics are changed due to accumulation of a deposition film formed on a process chamber wall. Therefore, when the thickness of the accumulated deposition film formed on the inner surface of the chamber reaches a predetermined set thickness, in-situ dry cleaning and preventive maintenance (PM) are performed. However, since the cleaning affects productivity, many studies are being conducted to extend the cleaning cycle.
관련 선행기술로는 대한민국 공개특허공보 제 10-2011-0118337호가 있다.As related prior art, there is Korean Patent Publication No. 10-2011-0118337.
본 발명은 클리닝 주기를 개선하여 생산성을 향상시킬 수 있는 기판 처리 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 그러나 이러한 과제는 예시적인 것으로, 이에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.An object of the present invention is to provide a substrate processing method capable of improving productivity by improving a cleaning cycle. However, these tasks are illustrative, and the scope of the present invention is not limited thereby.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일 관점에 따른 기판 처리 방법은 챔버 내부로 기판을 로딩하는 기판 로딩 단계; 상기 기판 상에 소스가스 및 반응가스를 교번적으로 공급하여 상기 기판 상에 실리콘 산화막을 증착하는 박막 증착 단계; 및 상기 실리콘 산화막을 증착한 후 상기 챔버 외부로 상기 기판을 언로딩하는 기판 언로딩 단계;를 포함하는 단계를 반복 수행하되, 상기 기판 로딩 단계 전에 상기 챔버 내벽에 상기 소스가스가 흡착되는 것을 억제하도록 질소를 포함하는 처리가스로 상기 챔버 내부를 플라즈마 처리하는 챔버 처리 단계;를 더 포함한다. A substrate processing method according to one aspect of the present invention for solving the above problems includes a substrate loading step of loading a substrate into a chamber; a thin film deposition step of depositing a silicon oxide film on the substrate by alternately supplying a source gas and a reaction gas to the substrate; and a substrate unloading step of unloading the substrate out of the chamber after depositing the silicon oxide film; to suppress adsorption of the source gas to the inner wall of the chamber before the substrate loading step. A chamber processing step of plasma processing the inside of the chamber with a processing gas containing nitrogen;
상기 기판 처리 방법에서, 상기 처리가스는 NH3 또는 N2를 포함할 수 있다.In the substrate processing method, the processing gas may include NH 3 or N 2 .
상기 기판 처리 방법에서, 상기 소스가스는 실리콘 함유 가스이며, 상기 반응가스는 산소 함유가스일 수 있다.In the substrate processing method, the source gas may be a silicon-containing gas, and the reaction gas may be an oxygen-containing gas.
상기 기판 처리 방법에서, 상기 소스가스는 아미노 계열의 실란 가스를 포함하고, 상기 반응가스는 플라즈마 상태인 O2를 포함할 수 있다. In the substrate processing method, the source gas may include an amino-based silane gas, and the reaction gas may include O 2 in a plasma state.
상기 기판 처리 방법에서, 상기 아미노 계열의 실란 가스는 DIPAS, BDEAS, BTBAS 또는 3DMAS를 포함할 수 있다.In the substrate processing method, the amino-based silane gas may include DIPAS, BDEAS, BTBAS, or 3DMAS.
상기 기판 처리 방법에서, 상기 챔버 처리 단계, 상기 기판 로딩 단계, 상기 박막 증착 단계 및 상기 기판 언로딩 단계를 복수회 반복 수행하기 전에, 상기 챔버 내부면을 세정하는 클리닝 단계 및 상기 챔버 내부면을 코팅하는 시즈닝 단계;를 단수회 수행할 수 있다. In the substrate processing method, before the chamber processing step, the substrate loading step, the thin film deposition step, and the substrate unloading step are repeatedly performed a plurality of times, a cleaning step of cleaning the inner surface of the chamber and coating the inner surface of the chamber The seasoning step of doing; may be performed a single number of times.
상기 기판 처리 방법에서, 상기 기판 로딩 단계, 상기 박막 증착 단계 및 상기 기판 언로딩 단계를 포함하는 단위사이클을 복수회 반복 수행하되, 상기 단위사이클을 복수회 반복 수행하는 동안 상기 챔버 처리 단계는 상기 기판 로딩 단계 전에 매회 수행할 수 있다. In the substrate processing method, a unit cycle including the substrate loading step, the thin film deposition step, and the substrate unloading step is repeatedly performed a plurality of times, and the chamber processing step is performed while repeating the unit cycle a plurality of times. This can be done every time before the loading step.
상기 기판 처리 방법에서, 상기 단위사이클을 최초 수행한 후에 상기 챔버 처리 단계는 상기 기판 언로딩 단계 후 상기 기판 로딩 단계 전에 수행될 수 있다. In the substrate processing method, after performing the unit cycle first, the chamber processing step may be performed after the substrate unloading step and before the substrate loading step.
상기 기판 처리 방법에서, 상기 기판 로딩 단계, 상기 박막 증착 단계 및 상기 기판 언로딩 단계를 포함하는 단위사이클을 복수회 반복 수행하되, 상기 단위사이클을 복수회 반복 수행하는 동안 상기 챔버 처리 단계는 상기 기판 로딩 단계 전에 간헐적으로 수행할 수 있다. In the substrate processing method, a unit cycle including the substrate loading step, the thin film deposition step, and the substrate unloading step is repeatedly performed a plurality of times, and the chamber processing step is performed while repeating the unit cycle a plurality of times. It can be done intermittently before the loading step.
상기 기판 처리 방법에서, 상기 챔버 처리 단계는 상기 챔버 내부로 기판을 반입하지 않은 상태에서 수행하는 것을 특징으로 할 수 있다. In the substrate processing method, the chamber processing step may be performed in a state in which a substrate is not carried into the chamber.
상기 기판 처리 방법에서, 상기 챔버 처리 단계는 상기 챔버 내벽의 표면 상태를 O-H기에서 O-N기로 변형하는 단계를 포함할 수 있다. In the substrate processing method, the chamber processing step may include changing a surface state of an inner wall of the chamber from an O-H group to an O-N group.
상기한 바와 같이 이루어진 본 발명의 일부 실시예들에 따르면, 클리닝 주기를 개선하여 생산성을 향상시킬 수 있는 기판 처리 방법을 구현할 수 있다. 물론 이러한 효과에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.According to some embodiments of the present invention made as described above, it is possible to implement a substrate processing method capable of improving productivity by improving a cleaning cycle. Of course, the scope of the present invention is not limited by these effects.
도 1은 일반적인 실리콘 산화막 증착 공정을 포함하는 기판 처리 방법을 도해하는 순서도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 실리콘 산화막 증착 공정을 포함하는 기판 처리 방법을 도해하는 순서도이다.
도 3 및 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 실리콘 산화막 증착 공정을 포함하는 기판 처리 방법 중 다양한 양태를 도해하는 순서도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 실리콘 산화막 증착 공정을 포함하는 기판 처리 방법에서 챔버 처리 단계를 수행하기 전 챔버 내부면의 표면 상태를 개념적으로 도해하는 도면이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 실리콘 산화막 증착 공정을 포함하는 기판 처리 방법에서 챔버 처리 단계를 수행한 후 챔버 내부면의 표면 상태를 개념적으로 도해하는 도면이다.
도 7 및 도 8은 본 발명의 실험예에 따른 기판 처리 방법에서 파티클 트렌드를 비교하여 나타낸 도면이다.
도 9는 본 발명의 실험예에 따른 기판 처리 방법에서 실리콘 산화막의 누적 두께에 따른 생산성(UPEH)을 비교하여 나타낸 도면이다. 1 is a flow chart illustrating a substrate processing method including a typical silicon oxide film deposition process.
2 is a flow chart illustrating a substrate processing method including a silicon oxide film deposition process according to an embodiment of the present invention.
3 and 4 are flow charts illustrating various aspects of a substrate processing method including a silicon oxide film deposition process according to an embodiment of the present invention.
5 is a diagram conceptually illustrating a surface state of an inner surface of a chamber before performing a chamber processing step in a substrate processing method including a silicon oxide film deposition process according to an embodiment of the present invention.
6 is a diagram conceptually illustrating a surface state of an inner surface of a chamber after performing a chamber processing step in a substrate processing method including a silicon oxide film deposition process according to an embodiment of the present invention.
7 and 8 are diagrams showing a comparison of particle trends in a substrate processing method according to an experimental example of the present invention.
9 is a diagram showing a comparison of productivity (UPEH) according to the cumulative thickness of a silicon oxide film in a substrate processing method according to an experimental example of the present invention.
명세서 전체에 걸쳐서, 막, 영역 또는 기판 등과 같은 하나의 구성요소가 다른 구성요소 "상에" 위치한다고 언급할 때는, 상기 하나의 구성요소가 직접적으로 상기 다른 구성요소 "상에" 접촉하거나, 그 사이에 개재되는 또 다른 구성요소들이 존재할 수 있다고 해석될 수 있다. 반면에, 하나의 구성요소가 다른 구성요소 "직접적으로 상에" 위치한다고 언급할 때는, 그 사이에 개재되는 다른 구성요소들이 존재하지 않는다고 해석된다. Throughout the specification, when referring to an element such as a film, region, or substrate being located “on” another element, the one element directly contacts “on” the other element, or It can be interpreted that there may be other components interposed therebetween. On the other hand, when an element is referred to as being located “directly on” another element, it is interpreted that there are no other elements intervening therebetween.
본 발명의 실시예들은 본 발명의 이상적인 실시예들을 개략적으로 도시하는 도면들을 참조하여 설명한다. 도면들에 있어서, 예를 들면, 제조 기술 및/또는 공차(tolerance)에 따라, 도시된 형상의 변형들이 예상될 수 있다. 따라서, 본 발명 사상의 실시예는 본 명세서에 도시된 영역의 특정 형상에 제한된 것으로 해석되어서는 아니 되며, 예를 들면 제조상 초래되는 형상의 변화를 포함하여야 한다. 또한, 도면에서 각 층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장된 것일 수 있다. 동일한 부호는 동일한 요소를 지칭한다.Embodiments of the present invention are described with reference to drawings that schematically show idealized embodiments of the present invention. In the drawings, variations of the depicted shape may be expected, depending on, for example, manufacturing techniques and/or tolerances. Therefore, embodiments of the inventive concept should not be construed as being limited to the specific shape of the region shown in this specification, but should include, for example, a change in shape caused by manufacturing. In addition, the thickness or size of each layer in the drawings may be exaggerated for convenience and clarity of explanation. Like symbols refer to like elements.
도 1은 일반적인 실리콘 산화막 증착 공정을 포함하는 기판 처리 방법을 도해하는 순서도이다.1 is a flow chart illustrating a substrate processing method including a typical silicon oxide film deposition process.
도 1을 참조하면, 일반적인 실리콘 산화막 증착 공정을 포함하는 기판 처리 방법에서는 챔버 내부면을 코팅하는 시즈닝(seasoning) 단계(S100), 챔버 내부로 기판을 로딩하는 단계(S310), 기판 상에 실리콘 산화막을 증착하는 단계(S320), 챔버 외부로 기판을 언로딩하는 단계(S330)를 순차적으로 수행한다. Referring to FIG. 1, in a substrate processing method including a general silicon oxide film deposition process, a seasoning step of coating an inner surface of a chamber (S100), a step of loading a substrate into the chamber (S310), and a silicon oxide film on the substrate Depositing (S320) and unloading the substrate out of the chamber (S330) are sequentially performed.
챔버 내부로 기판을 차례로 반입하여 로딩, 증착, 언로딩하는 단계(S300)는 시즈닝 단계(S100) 후에 복수회 반복 수행할 수 있다. The steps of loading, depositing, and unloading substrates sequentially into the chamber (S300) may be repeatedly performed a plurality of times after the seasoning step (S100).
기판 상에 증착 공정을 수행할 경우 챔버 내부면, 예를 들어, 공정 챔버 내벽(process chamber wall)과 샤워헤드(showerhead)에도 증착된 실리콘 산화막의 누적에 의하여 파티클이 발생하고 공정 특성이 변화하게 된다. 따라서, 챔버 내부면에 형성된 누적 증착막의 두께가 소정의 설정 두께에 이르게 되면 인-시츄 건식 세정(in-situ dry clean)과 PM 공정을 진행하게 된다. 상기 클리닝 공정의 주기가 짧을수록 기판 처리 생산량은 감소하게 된다. 이하에서는 클리닝 주기를 개선하여 생산성을 향상시킬 수 있는 기판 처리 방법을 개시한다.When a deposition process is performed on a substrate, particles are generated and process characteristics are changed due to the accumulation of silicon oxide film deposited on the inner surface of the chamber, for example, the process chamber wall and the showerhead. . Therefore, when the thickness of the accumulated deposition film formed on the inner surface of the chamber reaches a predetermined set thickness, in-situ dry cleaning and PM processes are performed. The shorter the cycle of the cleaning process, the lower the substrate processing yield. Hereinafter, a substrate processing method capable of improving productivity by improving a cleaning cycle will be disclosed.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 실리콘 산화막 증착 공정을 포함하는 기판 처리 방법을 도해하는 순서도이다.2 is a flow chart illustrating a substrate processing method including a silicon oxide film deposition process according to an embodiment of the present invention.
도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법은 챔버 내부로 기판을 로딩하는 기판 로딩 단계(S310); 상기 기판 상에 소스가스 및 반응가스를 교번적으로 공급하여 상기 기판 상에 실리콘 산화막을 증착하는 박막 증착 단계(S320); 및 상기 실리콘 산화막을 증착한 후 상기 챔버 외부로 상기 기판을 언로딩하는 기판 언로딩 단계(S330);를 포함하여 반복 수행하되, 상기 기판 로딩 단계(S310) 전에 상기 챔버 내벽에 상기 소스가스가 흡착되는 것을 억제하도록 질소 원소를 포함하는 처리가스로 플라즈마 처리하는 챔버 처리 단계(S200);를 더 포함한다. 박막 증착 단계(S320)는 원자층 증착 공정을 이용할 수 있다.Referring to FIG. 2 , a substrate processing method according to an embodiment of the present invention includes a substrate loading step of loading a substrate into a chamber ( S310 ); a thin film deposition step (S320) of depositing a silicon oxide film on the substrate by supplying a source gas and a reaction gas alternately to the substrate; and a substrate unloading step (S330) of unloading the substrate out of the chamber after depositing the silicon oxide film; wherein the source gas is adsorbed on the inner wall of the chamber before the substrate loading step (S310). It further includes a chamber processing step (S200) of plasma processing with a processing gas containing a nitrogen element to suppress the deterioration. The thin film deposition step ( S320 ) may use an atomic layer deposition process.
상기 챔버 처리 단계(S200)는 상기 기판 로딩 단계(S310) 전에 수행하며, 상기 챔버 내부로 기판을 반입하지 않은 상태에서 수행하는 것을 특징으로 한다. 챔버 처리 단계는 플라즈마 상태의 처리가스를 챔버 내부에 제공하여 챔버 내부면의 표면 상태를 변경하기 위하여 수행되는 것이며, 챔버 내부로 기판을 반입하여 챔버 처리 단계를 수행한다면 상술한 효과를 효과적으로 구현할 수 없다. The chamber processing step (S200) is performed before the substrate loading step (S310), and is characterized in that it is performed in a state in which no substrate is carried into the chamber. The chamber processing step is performed to change the surface state of the inner surface of the chamber by supplying processing gas in a plasma state to the inside of the chamber. If the chamber processing step is performed by carrying a substrate into the chamber, the above-described effect cannot be effectively implemented. .
상기 소스가스는 실리콘 함유 가스일 수 있다. 일 예로, 상기 소스가스는 아미노 계열의 실란 가스를 포함할 수 있으며, 상기 아미노 계열의 실란 가스는, 예를 들어, DIPAS, BDEAS, BTBAS 또는 3DMAS를 포함할 수 있다.The source gas may be a silicon-containing gas. For example, the source gas may include an amino-based silane gas, and the amino-based silane gas may include, for example, DIPAS, BDEAS, BTBAS, or 3DMAS.
상기 반응가스는 산소 함유가스일 수 있다. 일 예로, 상기 반응가스는 플라즈마 상태인 O2를 포함할 수 있다. The reaction gas may be an oxygen-containing gas. For example, the reaction gas may include O 2 in a plasma state.
상기 처리가스는 NH3 또는 N2를 포함할 수 있다. The processing gas may include NH 3 or N 2 .
나아가, 상기 챔버 처리 단계(S200), 상기 기판 로딩 단계(S310), 상기 박막 증착 단계(S320) 및 상기 기판 언로딩 단계(S330)를 복수회 반복 수행하기 전에, 상기 챔버 내부면을 세정하는 클리닝 단계 및 상기 챔버 내부면을 코팅하는 시즈닝 단계(S100);를 단수회 수행할 수 있다. Furthermore, before the chamber processing step (S200), the substrate loading step (S310), the thin film deposition step (S320), and the substrate unloading step (S330) are repeatedly performed a plurality of times, cleaning for cleaning the inner surface of the chamber and the seasoning step (S100) of coating the inner surface of the chamber; may be performed a single number of times.
박막 증착 장치를 이용하여 박막 형성 공정을 진행하는 동안에, 박막 증착 시에 생성되는 반응 생성물은 반도체 박막의 표면 뿐만 아니라, 챔버 내부 표면에도 퇴적(부착)되어 버린다. 반도체 양산용 박막 증착 장치는 많은 양의 기판을 처리하기 때문에 챔버 내부에 반응 생성물이 부착된 상태에서 박막 증착 처리를 계속하면, 반응 생성물이 박리되어 파티클(particle)이 발생된다. 이러한 파티클은 증착 공정의 불량을 야기하고 기판에 부착되어 반도체 소자의 수율을 저하시킬 수 있다. 이 때문에, 일정 시간 또는 일정 매수의 기판 증착 공정이 종료된 후에는 챔버 내부를 세정하여야 한다.During a thin film formation process using a thin film deposition apparatus, a reaction product generated during thin film deposition is deposited (attached) to not only the surface of the semiconductor thin film but also the inner surface of the chamber. Since the thin film deposition apparatus for mass production of semiconductors processes a large amount of substrates, if the thin film deposition process is continued while the reaction product is attached to the inside of the chamber, the reaction product is separated and particles are generated. Such particles may cause defects in a deposition process and may be attached to a substrate to reduce the yield of a semiconductor device. For this reason, the inside of the chamber must be cleaned after a certain period of time or a certain number of substrate deposition processes are completed.
챔버 내부를 클리닝한 이후에, 후속의 증착될 물질과 동일한 물질, 후속 공정 진행 시에도 떨어지지 않는 접착성이 강한 물질 또는 파티클이 발생된다 하더라도 후속의 증착될 박막에 영향을 크게 미치치 않는 물질로 챔버 내부를 시즈닝 처리함으로써, 챔버 클리닝 이후 챔버의 분위기를 최적의 조건으로 조성하여 안정적인 반도체 장치의 생산을 도모할 수 있다. 본 발명에서, 시즈닝층은 실리콘 산화막으로 이루어진 단일 시즈닝층이거나 실리콘 산화막 및 상기 실리콘 산화막 상의 실리콘 질화막으로 이루어진 복합 시즈닝층일 수 있다.After cleaning the inside of the chamber, use the same material as the material to be deposited later, a material with strong adhesion that does not fall off during the subsequent process, or a material that does not significantly affect the thin film to be deposited even if particles are generated inside the chamber By performing the seasoning process, it is possible to promote stable production of a semiconductor device by creating an optimal condition for the atmosphere of the chamber after chamber cleaning. In the present invention, the seasoning layer may be a single seasoning layer made of a silicon oxide layer or a composite seasoning layer made of a silicon oxide layer and a silicon nitride layer on the silicon oxide layer.
한편, 상기 챔버 처리 단계(S200)와 챔버 내부로 기판을 차례로 반입하여 로딩, 증착, 언로딩하는 단계(S300)가 수행되는 양태는 다양하게 구성될 수 있다. Meanwhile, the chamber processing step (S200) and loading, depositing, and unloading (S300) of loading, depositing, and unloading the substrate sequentially into the chamber may be performed in various ways.
도 3 및 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 실리콘 산화막 증착 공정을 포함하는 기판 처리 방법 중 다양한 양태를 도해하는 순서도이다.3 and 4 are flow charts illustrating various aspects of a substrate processing method including a silicon oxide film deposition process according to an embodiment of the present invention.
도 2 및 도 3을 참조하면, 상기 기판 처리 방법에서, 상기 기판 로딩 단계(S310), 상기 박막 증착 단계(S320) 및 상기 기판 언로딩 단계(S330)를 포함하는 단위사이클(S300)을 복수회 반복 수행하되, 상기 단위사이클(S300)을 복수회 반복 수행하는 동안 상기 챔버 처리 단계(S200)는 상기 기판 로딩 단계(S310) 전에 매회 수행할 수 있다. 2 and 3, in the substrate processing method, a unit cycle (S300) including the substrate loading step (S310), the thin film deposition step (S320), and the substrate unloading step (S330) is performed a plurality of times. It is repeatedly performed, but while the unit cycle (S300) is repeatedly performed a plurality of times, the chamber processing step (S200) may be performed each time before the substrate loading step (S310).
즉, 챔버 내부면을 세정하는 클리닝 단계 및 상기 챔버 내부면을 코팅하는 시즈닝 단계(S100)를 수행한 후에, 챔버 처리 단계(S200)와 단위사이클(S300)를 순차적으로 반복하여 복수회 수행할 수 있다. 상기 단위사이클(S300)은 상기 기판 로딩 단계(S310), 상기 박막 증착 단계(S320) 및 상기 기판 언로딩 단계(S330)를 순차적으로 포함한다. 상기 단위사이클(S300)을 최초 수행한 후에, 상기 챔버 처리 단계(S200)는 상기 기판 언로딩 단계(S330) 후 상기 기판 로딩 단계(S310) 전에 수행될 수 있다. That is, after performing the cleaning step of cleaning the inner surface of the chamber and the seasoning step of coating the inner surface of the chamber (S100), the chamber treatment step (S200) and the unit cycle (S300) are sequentially repeated and performed multiple times. there is. The unit cycle (S300) sequentially includes the substrate loading step (S310), the thin film deposition step (S320) and the substrate unloading step (S330). After the first unit cycle (S300) is performed, the chamber processing step (S200) may be performed after the substrate unloading step (S330) and before the substrate loading step (S310).
도 2 및 도 4를 참조하면, 상기 기판 처리 방법에서, 상기 기판 로딩 단계(S310), 상기 박막 증착 단계(S320) 및 상기 기판 언로딩 단계(S330)를 포함하는 단위사이클(S300)을 복수회 반복 수행하되, 상기 단위사이클(S300)을 복수회 반복 수행하는 동안 상기 챔버 처리 단계(S200)는 상기 기판 로딩 단계(S310) 전에 간헐적으로 수행할 수 있다. 2 and 4, in the substrate processing method, a unit cycle (S300) including the substrate loading step (S310), the thin film deposition step (S320), and the substrate unloading step (S330) is performed a plurality of times. Although repeatedly performed, the chamber treatment step (S200) may be intermittently performed before the substrate loading step (S310) while the unit cycle (S300) is repeatedly performed a plurality of times.
예를 들어, 챔버 내부면을 세정하는 클리닝 단계 및 상기 챔버 내부면을 코팅하는 시즈닝 단계(S100) 및 챔버 처리 단계(S200)를 수행한 후에, 상기 기판 로딩 단계(S310), 상기 박막 증착 단계(S320) 및 상기 기판 언로딩 단계(S330)를 포함하는 단위사이클(S300)을 복수회(N회) 반복 수행한 후에 챔버 처리 단계(S200)를 다시 수행할 수 있다. For example, after performing the cleaning step of cleaning the inner surface of the chamber, the seasoning step of coating the inner surface of the chamber (S100) and the chamber processing step (S200), the substrate loading step (S310) and the thin film deposition step ( After the unit cycle (S300) including the step (S320) and the substrate unloading step (S330) is repeatedly performed a plurality of times (N times), the chamber treatment step (S200) may be performed again.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 실리콘 산화막 증착 공정을 포함하는 기판 처리 방법에서 챔버 처리 단계를 수행하기 전 챔버 내부면의 표면 상태를 개념적으로 도해하는 도면이다. 5 is a diagram conceptually illustrating a surface state of an inner surface of a chamber before performing a chamber processing step in a substrate processing method including a silicon oxide film deposition process according to an embodiment of the present invention.
도 5를 참조하면, 챔버 처리 단계를 수행하기 전 챔버 내부면(예를 들어, 챔버 내벽)의 표면 상태는 O-H기가 다수 존재함을 확인할 수 있다. Referring to FIG. 5 , it can be confirmed that a number of O-H groups are present in the surface state of the inner surface of the chamber (eg, the inner wall of the chamber) before performing the chamber treatment step.
도 5에 도시된 챔버 처리 단계를 수행하기 전 챔버 내부면(예를 들어, 챔버 내벽)의 표면 상태는 도 3에서 클리닝, 시즈닝 단계(S100)를 수행한 후 챔버 내부 처리(S200)를 수행하기 전의 표면 상태, 도 3에서 기판 로딩, 증착, 기판 언로딩 단계(S300)를 수행한 후 챔버 내부 처리(S200)를 다시 수행하기 전의 표면 상태, 도 4에서 클리닝, 시즈닝 단계(S100)를 수행한 후 챔버 내부 처리(S200)를 수행하기 전의 표면 상태 또는 도 4에서 기판 로딩, 증착, 기판 언로딩 단계(S300)를 N회 반복 수행한 후 챔버 내부 처리(S200)를 다시 수행하기 전의 표면 상태를 포함할 수 있다.The surface condition of the inner surface of the chamber (eg, the inner wall of the chamber) before performing the chamber treatment step shown in FIG. 5 is performed after the cleaning and seasoning step (S100) in FIG. The surface state before, after performing the substrate loading, deposition, and substrate unloading steps (S300) in FIG. 3 and before performing the chamber internal treatment (S200) again, the surface state after performing the cleaning and seasoning steps (S100) in FIG. 4 The surface state before performing the post-chamber internal treatment (S200) or the surface state before performing the chamber internal treatment (S200) again after performing the substrate loading, deposition, and substrate unloading steps (S300) repeatedly N times in FIG. can include
상기 O-H기를 구성하는 산소(O) 원소는 실리콘 산화막 증착 단계(S320)에서 제공되는 반응가스인 플라즈마 상태인 O2에서 유래하며, 상기 O-H기를 구성하는 수소(H) 원소는 실리콘 산화막 증착 단계(S320)에서 제공되는 소스가스인 아미노 계열의 실란 가스에서 유래한다. The oxygen (O) element constituting the OH group is derived from the plasma state O 2 , which is a reaction gas provided in the silicon oxide film deposition step (S320), and the hydrogen (H) element constituting the OH group is a silicon oxide film deposition step (S320 ) is derived from amino-based silane gas, which is a source gas provided by
챔버 내부로 공급된 소스가스인 아미노 계열의 실란 가스는 챔버 내부면에 형성된 O-H기와 용이하게 반응하므로, 기판 상에 실리콘 산화막을 증착하는 과정을 반복함에 따라 챔버 내부면에도 형성되는 실리콘 산화막의 두께가 점점 두꺼워진다. Amino-based silane gas, which is the source gas supplied into the chamber, easily reacts with the O-H group formed on the inner surface of the chamber. As the process of depositing the silicon oxide film on the substrate is repeated, the thickness of the silicon oxide film formed on the inner surface of the chamber also increases. getting thicker
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 실리콘 산화막 증착 공정을 포함하는 기판 처리 방법에서 챔버 처리 단계를 수행한 후 챔버 내부면의 표면 상태를 개념적으로 도해하는 도면이다.6 is a diagram conceptually illustrating a surface state of an inner surface of a chamber after performing a chamber processing step in a substrate processing method including a silicon oxide film deposition process according to an embodiment of the present invention.
도 6을 참조하면, 챔버 처리 단계를 수행한 후 챔버 내부면(예를 들어, 챔버 내벽, 샤워헤드)의 표면 상태는 O-H기에서 O-N기로 변형된 것을 확인할 수 있다. 처리가스가 챔버 내부면 억제제로 기능하여, 챔버 내부면의 O-H구조와 소스가스인 DIPAS의 Si-H가 치환되는 과정에서 챔버 내부면의 표면 상태를 O-N으로 변형하여 방해함으로써 실리콘 산화막이 챔버 내부면에 증착되는 것을 감소시킬 수 있다.Referring to FIG. 6 , it can be seen that the surface state of the inner surface of the chamber (eg, the inner wall of the chamber, the shower head) is transformed from the O-H group to the O-N group after the chamber treatment step is performed. The process gas functions as a suppressor on the inner surface of the chamber, and in the process of replacing the O-H structure of the inner surface of the chamber with the Si-H of DIPAS, the source gas, the surface state of the inner surface of the chamber is transformed into O-N and disturbed, so that the silicon oxide film is formed on the inner surface of the chamber. deposits can be reduced.
도 6에 도시된 챔버 처리 단계를 수행한 후 챔버 내부면(예를 들어, 챔버 내벽, 샤워헤드)의 표면 상태는 도 3에서 클리닝, 시즈닝 단계(S100)를 수행하고 챔버 내부 처리(S200)를 수행한 후의 표면 상태, 도 3에서 기판 로딩, 증착, 기판 언로딩 단계(S300)를 수행하고 챔버 내부 처리(S200)를 다시 수행한 후의 표면 상태, 도 4에서 클리닝, 시즈닝 단계(S100)를 수행하고 챔버 내부 처리(S200)를 수행한 후의 표면 상태 또는 도 4에서 기판 로딩, 증착, 기판 언로딩 단계(S300)를 N회 반복 수행한 후 챔버 내부 처리(S200)를 다시 수행한 후의 표면 상태를 포함할 수 있다.After performing the chamber treatment step shown in FIG. 6, the surface state of the chamber inner surface (eg, chamber inner wall, shower head) is the cleaning and seasoning step (S100) in FIG. 3 and the chamber internal treatment (S200) Surface state after performing, substrate loading, deposition, and substrate unloading steps (S300) in FIG. 3 and surface state after performing chamber internal processing (S200) again, cleaning and seasoning steps (S100) in FIG. 4 The surface state after performing the chamber internal treatment (S200) or the surface state after performing the chamber internal treatment (S200) again after performing the substrate loading, deposition, and substrate unloading steps (S300) repeatedly N times in FIG. can include
상기 O-N기를 구성하는 산소(O) 원소는 실리콘 산화막 증착 단계(S320)에서 제공되는 반응가스인 플라즈마 상태인 O2에서 유래하며, 상기 O-N기를 구성하는 질소(N) 원소는 챔버 내부 처리(S200)에서 제공되는 처리가스(예를 들어, 원소인 NH3 또는 N2)를 구성하는 질소 원소에서 유래한다. The oxygen (O) element constituting the ON group is derived from O 2 , which is a plasma state, which is a reaction gas provided in the silicon oxide film deposition step (S320), and the nitrogen (N) element constituting the ON group is treated inside the chamber (S200) It originates from the nitrogen element constituting the processing gas (for example, elemental NH 3 or N 2 ) provided from
챔버 내부로 공급된 소스가스인 아미노 계열의 실란 가스와 챔버 내부면에 형성된 O-N기 사이에는 반발력이 형성되므로, 소스가스인 아미노 계열의 실란 가스는 챔버 내부면에 흡착되지 못한다. Since a repulsive force is formed between the amino-based silane gas, which is the source gas, and the O-N group formed on the inner surface of the chamber, the amino-based silane gas, which is the source gas, is not adsorbed on the inner surface of the chamber.
따라서, 챔버 내부면에 형성된 O-N기의 표면 상태에서는 챔버 내부면에 실리콘 산화막이 증착되는 것이 억제된다. 이러한 이유로 챔버 내부 처리(S200)에서 제공되는 처리가스는 실리콘 산화막의 억제제(inhibitor)로 이해될 수 있다. Therefore, in the surface state of the O-N group formed on the inner surface of the chamber, deposition of a silicon oxide film on the inner surface of the chamber is suppressed. For this reason, the process gas provided in the process inside the chamber (S200) can be understood as an inhibitor of the silicon oxide film.
소스가스인 아미노 계열의 실란(Amino silane) 가스는, 예를 들어, DIPAS, BDEAS, BTBAS 또는 3DMAS를 포함할 수 있으며, 도 6에 개시된 예시적인 아미노 계열의 실란 가스는 DIPAS이다. The source gas, amino silane gas, may include, for example, DIPAS, BDEAS, BTBAS, or 3DMAS, and the exemplary amino-based silane gas shown in FIG. 6 is DIPAS.
본 발명에서는 소스가스인 아미노 계열의 실란 가스의 증착 억제 공정을 진행하여 샤워헤드 및 챔버 내벽 영역에 증착을 억제하여 클리닝 주기 사이에 진행되는 증착 공정의 횟수를 더 많이 적용할 수 있도록 할 수 있다. In the present invention, the deposition suppression process of amino-based silane gas, which is a source gas, is performed to suppress deposition on the showerhead and inner wall regions of the chamber, so that more deposition processes between cleaning cycles can be applied.
이하에서는 본 발명의 일 실시예에 따른 실리콘 산화막 증착 공정을 포함하는 기판 처리 방법에 따라 클리닝 주기를 개선하여 생산성을 향상시킬 수 있다는 실험 결과를 설명한다. Hereinafter, experimental results showing that productivity can be improved by improving a cleaning cycle according to a substrate processing method including a silicon oxide film deposition process according to an embodiment of the present invention will be described.
도 7은 본 발명의 실험예에 따른 기판 처리 방법에서 파티클 트렌드를 비교하여 나타낸 도면이다. 7 is a view showing a comparison of particle trends in a substrate processing method according to an experimental example of the present invention.
도 7에서 "Normal ALD Ox" 항목은 도 1에 개시된 기판 처리 방법에 해당하며, "Wall 10s" 항목은 도 3에 개시된 기판 처리 방법으로서 챔버 내부 처리(S200)의 플라즈마 처리 시간이 10초인 경우에 해당하며, "Wall 5s" 항목은 도 3에 개시된 기판 처리 방법으로서 챔버 내부 처리(S200)의 플라즈마 처리 시간이 5초인 경우에 해당한다. 한편, 가로축의 0, 4000Å, 5000Å, 6000Å, 7000Å, 8000Å, 9000Å, 10000Å, 11000Å은 실리콘 산화막의 증착 공정의 누적 두께를 의미한다. In FIG. 7, the “Normal ALD Ox” item corresponds to the substrate processing method disclosed in FIG. 1, and the “
도 7을 참조하면, 증착 두께에 대한 파티클 트렌드를 비교하였으며 파티클 낙하 기준은 >30ea@35nm로 평가하였다. Referring to FIG. 7, particle trends for deposition thickness were compared and the particle drop criterion was evaluated as >30ea@35nm.
도 1에 개시된 기판 처리 방법에 의하면, 실리콘 산화막의 누적 증착 두께가 7000Å에서 파티클 낙하 기준(>30ea@35nm)을 만족하므로 양산 과정에서는 실리콘 산화막의 누적 증착 두께가 6000Å에 도달하게 되면 챔버 클리닝 공정을 수행할 수 있다. According to the substrate processing method disclosed in FIG. 1, since the cumulative deposition thickness of the silicon oxide film satisfies the particle drop standard (>30ea@35nm) at 7000 Å, when the cumulative deposition thickness of the silicon oxide film reaches 6000 Å in the mass production process, the chamber cleaning process is performed. can be done
도 3에 개시된 기판 처리 방법 중 플라즈마 처리 시간이 10초인 조건을 적용하면, 실리콘 산화막의 누적 증착 두께가 11000Å에서도 파티클 낙하 기준(>30ea@35nm)을 만족하지만 파티클 입자 크기가 비교적 크므로 양산 과정에서는 실리콘 산화막의 누적 증착 두께가 10000Å에 도달하게 되면 챔버 클리닝 공정을 수행할 수 있다. Among the substrate processing methods disclosed in FIG. 3, when the plasma processing time of 10 seconds is applied, the particle drop standard (>30ea@35nm) is satisfied even when the cumulative deposition thickness of the silicon oxide film is 11000 Å, but the particle size is relatively large, so in the mass production process When the cumulative deposition thickness of the silicon oxide film reaches 10000 Å, the chamber cleaning process may be performed.
도 3에 개시된 기판 처리 방법 중 플라즈마 처리 시간이 5초인 조건을 적용하면, 실리콘 산화막의 누적 증착 두께가 9000Å에서 파티클 낙하 기준(>30ea@35nm)을 만족하므로 양산 과정에서는 실리콘 산화막의 누적 증착 두께가 8000Å에 도달하게 되면 챔버 클리닝 공정을 수행할 수 있다. In the substrate processing method disclosed in FIG. 3, if the plasma processing time is 5 seconds, the cumulative deposition thickness of the silicon oxide film satisfies the particle drop standard (>30ea@35nm) at 9000 Å, so the cumulative deposition thickness of the silicon oxide film in the mass production process When 8000 Å is reached, the chamber cleaning process can be performed.
도 8은 본 발명의 실험예에 따른 기판 처리 방법에서 파티클 트렌드를 비교하여 나타낸 도면이다. 8 is a view showing a comparison of particle trends in a substrate processing method according to an experimental example of the present invention.
도 8에서 "Normal ALD" 항목은 도 1에 개시된 기판 처리 방법에 해당하며, "post Inhibitor 5s" 항목은 도 3에 개시된 기판 처리 방법으로서 챔버 내부 처리(S200)의 플라즈마 처리 시간이 5초인 경우에 해당하며, "post Inhibitor 10s" 항목은 도 3에 개시된 기판 처리 방법으로서 챔버 내부 처리(S200)의 플라즈마 처리 시간이 10초인 경우에 해당한다. 한편, 가로축의 0, 4000Å, 5000Å, 6000Å, 7000Å, 8000Å, 9000Å, 10000Å, 11000Å은 실리콘 산화막의 증착 공정의 누적 두께를 의미한다. In FIG. 8, the “Normal ALD” item corresponds to the substrate processing method disclosed in FIG. 1, and the “
도 7 및 도 8을 참조하면, 도 1에 개시된 기판 처리 방법 대비 도 3에 개시된 기판 처리 방법 중 플라즈마 처리 시간이 5초인 조건을 적용하면, 챔버 클리닝 공정의 주기는 실리콘 산화막의 누적 증착 두께가 6000Å에서 8000Å으로 약 34% 정도 증가함을 확인할 수 있다.Referring to FIGS. 7 and 8 , compared to the substrate processing method disclosed in FIG. 1 , in the substrate processing method disclosed in FIG. 3 , when a plasma processing time of 5 seconds is applied, the cycle of the chamber cleaning process is such that the cumulative deposition thickness of the silicon oxide film is 6000 Å. From , it can be seen that about 34% increase from 8000 Å.
또한, 도 1에 개시된 기판 처리 방법 대비 도 3에 개시된 기판 처리 방법 중 플라즈마 처리 시간이 10초인 조건을 적용하면, 챔버 클리닝 공정의 주기는 실리콘 산화막의 누적 증착 두께가 6000Å에서 10000Å으로 약 65% 정도 증가함을 확인할 수 있다.In addition, compared to the substrate processing method disclosed in FIG. 1, when the plasma processing time is 10 seconds in the substrate processing method disclosed in FIG. 3, the cycle of the chamber cleaning process is about 65%, from 6000 Å to 10000 Å, increase can be seen.
즉, 도 1과 달리, 도 2 내지 도 4에 개시된 기판 처리 방법으로서 챔버 내부 처리(S200)를 수행하는 경우 클리닝 주기를 개선할 수 있음을 확인할 수 있다. That is, unlike FIG. 1 , it can be seen that the cleaning cycle can be improved when the chamber internal processing ( S200 ) is performed as the substrate processing method disclosed in FIGS. 2 to 4 .
도 9는 본 발명의 실험예에 따른 기판 처리 방법에서 실리콘 산화막의 누적 두께에 따른 생산성(UPEH)을 비교하여 나타낸 도면이다. 9 is a diagram showing a comparison of productivity (UPEH) according to the cumulative thickness of a silicon oxide film in a substrate processing method according to an experimental example of the present invention.
도 9에서 UPEH는 설비당 시간당 생산량(Unit Per Equipment Hour)을 의미하며, "Accume 0.4um"는 도 1에 개시된 기판 처리 방법에 해당하며, "Accume 0.7um"는 도 3에 개시된 기판 처리 방법 중 플라즈마 처리 시간이 5초인 조건을 적용한 경우에 해당하며, "Accume 1.0um"는 도 3에 개시된 기판 처리 방법 중 플라즈마 처리 시간이 10초인 조건을 적용한 경우에 해당한다. In FIG. 9, UPEH means unit per equipment hour, "Accume 0.4um" corresponds to the substrate processing method disclosed in FIG. 1, and "Accume 0.7um" corresponds to the substrate processing method disclosed in FIG. 3. This corresponds to the case where the plasma treatment time is 5 seconds, and “Accume 1.0um” corresponds to the case where the plasma treatment time is 10 seconds, among the substrate treatment methods disclosed in FIG. 3 .
도 9를 참조하면, 도 1과 달리, 도 2 내지 도 4에 개시된 기판 처리 방법으로서 챔버 내부 처리(S200)를 수행하는 경우 클리닝 주기 뿐만 아니라 생산성도 증가함을 확인할 수 있다. Referring to FIG. 9 , unlike FIG. 1 , it can be confirmed that productivity as well as cleaning cycle is increased when the chamber process (S200) is performed as the substrate processing method disclosed in FIGS. 2 to 4 .
다만, 누적주기 증가폭 대비 생산성의 증가폭이 상대적으로 적게 증가한 것은 챔버 내부 처리 공정 시간이 적용됨에 따라 실질적인 공정시간 증가에 따른 현상이 반영된 것이다. However, the relatively small increase in the productivity increase compared to the increase in the cumulative cycle reflects the phenomenon caused by the actual increase in the process time as the processing time inside the chamber is applied.
본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.Although the present invention has been described with reference to the embodiments shown in the drawings, this is merely exemplary, and those skilled in the art will understand that various modifications and equivalent other embodiments are possible therefrom. Therefore, the true technical protection scope of the present invention should be determined by the technical spirit of the appended claims.
Claims (11)
상기 기판 상에 소스가스 및 반응가스를 교번적으로 공급하여 상기 기판 상에 실리콘 산화막을 증착하는 박막 증착 단계; 및
상기 실리콘 산화막을 증착한 후 상기 챔버 외부로 상기 기판을 언로딩하는 기판 언로딩 단계;를 포함하는 단계를 반복 수행하되,
상기 기판 로딩 단계 전에 상기 챔버 내벽에 상기 소스가스가 흡착되는 것을 억제하도록 질소를 포함하는 처리가스로 상기 챔버 내부를 플라즈마 처리하는 챔버 처리 단계;를 더 포함하는,
기판 처리 방법.a substrate loading step of loading a substrate into the chamber;
a thin film deposition step of depositing a silicon oxide film on the substrate by alternately supplying a source gas and a reaction gas to the substrate; and
After depositing the silicon oxide film, the substrate unloading step of unloading the substrate out of the chamber;
A chamber processing step of plasma-processing the inside of the chamber with a processing gas containing nitrogen to suppress adsorption of the source gas to the inner wall of the chamber before the substrate loading step; further comprising,
Substrate processing method.
상기 처리가스는 NH3 또는 N2를 포함하는,
기판 처리 방법.According to claim 1,
The processing gas contains NH 3 or N 2 ,
Substrate processing method.
상기 소스가스는 실리콘 함유 가스이며, 상기 반응가스는 산소 함유가스인,
기판 처리 방법.According to claim 1,
The source gas is a silicon-containing gas, and the reaction gas is an oxygen-containing gas,
Substrate processing method.
상기 소스가스는 아미노 계열의 실란 가스를 포함하고, 상기 반응가스는 플라즈마 상태인 O2를 포함하는,
기판 처리 방법.According to claim 3,
The source gas includes an amino-based silane gas, and the reaction gas includes O 2 in a plasma state.
Substrate processing method.
상기 아미노 계열의 실란 가스는 DIPAS, BDEAS, BTBAS 또는 3DMAS를 포함하는,
기판 처리 방법.According to claim 4,
The amino-based silane gas includes DIPAS, BDEAS, BTBAS or 3DMAS,
Substrate processing method.
상기 챔버 처리 단계, 상기 기판 로딩 단계, 상기 박막 증착 단계 및 상기 기판 언로딩 단계를 복수회 수행하기 전에, 상기 챔버 내부면을 세정하는 클리닝 단계 및 상기 챔버 내부면을 코팅하는 시즈닝 단계;를 단수회 수행하는,
기판 처리 방법.According to claim 1,
Before performing the chamber processing step, the substrate loading step, the thin film deposition step, and the substrate unloading step multiple times, a cleaning step of cleaning the inner surface of the chamber and a seasoning step of coating the inner surface of the chamber; performing,
Substrate processing method.
상기 기판 로딩 단계, 상기 박막 증착 단계 및 상기 기판 언로딩 단계를 포함하는 단위사이클을 복수회 반복 수행하되, 상기 단위사이클을 복수회 반복 수행하는 동안 상기 챔버 처리 단계는 상기 기판 로딩 단계 전에 매회 수행하는 것을 특징으로 하는,
기판 처리 방법.According to claim 1,
The unit cycle including the substrate loading step, the thin film deposition step, and the substrate unloading step is repeatedly performed a plurality of times, and the chamber treatment step is performed each time before the substrate loading step while repeating the unit cycle a plurality of times. characterized in that,
Substrate processing method.
상기 단위사이클을 최초 수행한 후에 상기 챔버 처리 단계는 상기 기판 언로딩 단계 후 상기 기판 로딩 단계 전에 수행되는 것을 특징으로 하는,
기판 처리 방법.According to claim 7,
Characterized in that the chamber treatment step is performed after the substrate unloading step and before the substrate loading step after performing the unit cycle for the first time.
Substrate processing method.
상기 기판 로딩 단계, 상기 박막 증착 단계 및 상기 기판 언로딩 단계를 포함하는 단위사이클을 복수회 반복 수행하되, 상기 단위사이클을 복수회 반복 수행하는 동안 상기 챔버 처리 단계는 상기 기판 로딩 단계 전에 간헐적으로 수행하는 것을 특징으로 하는,
기판 처리 방법.According to claim 1,
A unit cycle including the substrate loading step, the thin film deposition step, and the substrate unloading step is repeatedly performed a plurality of times, and the chamber treatment step is intermittently performed before the substrate loading step while the unit cycle is repeatedly performed a plurality of times. characterized in that,
Substrate processing method.
상기 챔버 처리 단계는 상기 챔버 내부로 기판을 반입하지 않은 상태에서 수행하는 것을 특징으로 하는,
기판 처리 방법.According to claim 1,
Characterized in that the chamber processing step is performed in a state where the substrate is not brought into the chamber,
Substrate processing method.
상기 챔버 처리 단계는 상기 챔버 내벽의 표면 상태를 O-H기에서 O-N기로 변형하는 단계를 포함하는,
기판 처리 방법.According to claim 1,
The chamber treatment step includes transforming the surface state of the inner wall of the chamber from an OH group to an ON group.
Substrate processing method.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020210097828A KR20230016391A (en) | 2021-07-26 | 2021-07-26 | Method of treating substrate |
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2021
- 2021-07-26 KR KR1020210097828A patent/KR20230016391A/en unknown
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