KR20230009792A - Gel pad - Google Patents

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KR20230009792A
KR20230009792A KR1020210149844A KR20210149844A KR20230009792A KR 20230009792 A KR20230009792 A KR 20230009792A KR 1020210149844 A KR1020210149844 A KR 1020210149844A KR 20210149844 A KR20210149844 A KR 20210149844A KR 20230009792 A KR20230009792 A KR 20230009792A
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gel pad
gel
silicone polymer
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KR1020210149844A
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조영재
정윤우
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플라텍(주)
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Abstract

One aspect of the present invention provides a gel pad as an adhesive means that is sandwiched between a device for forming a reactive gas atmosphere inside and a component provided at the inside of the device to make the component adhere to the inside of the device. The gel pad comprises: an outer pad attached to the outer peripheral surface of the component and having an inner hole including a screw hole through which a screw is fastened to the component; an inner pad attached while separated from the outer pad at the inside of the outer pad; and an inner slit separating the outer pad and the inner pad. The outer pad includes an air discharge passage that extends from the inner hole in the direction of the inner pad, connects the inner hole and the inner slit, and has a width narrower than the diameter of the inner hole. Excellent adhesion can be secured.

Description

겔패드{Gel pad}Gel pad {Gel pad}

본 발명의 일 측면은 상부구성요소와 하부구성요소를 서로 접합하기 위한 겔패드에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 플라즈마 식각장치에서 실리콘링을 정전척(Electrostatic chuck, ESC)에 접합시키기 위하여 사용될 수 있는 겔패드에 관한 것이다.One aspect of the present invention relates to a gel pad for bonding an upper component and a lower component to each other, and more specifically, it can be used to bond a silicon ring to an electrostatic chuck (ESC) in a plasma etching device It's about gel pads.

IC 제작에 사용되는 반도체 기판이나, 평판 패널 디스플레이의 제작에 사용되는 유리 패널 등의 기판을 처리하는 방법으로 플라즈마 식각 방식이 널리 활용되고 있다. 플라즈마 식각 방식을 플라즈마 처리 챔버의 내부에 대상 기판을 위치시킨 후 내부에서 플라즈마를 발생시켜 원하는 위치에서 플라즈마의 반응성을 이용해 식각 진행하는 방법이다.A plasma etching method is widely used as a method of processing substrates such as semiconductor substrates used in IC manufacturing or glass panels used in flat panel display manufacturing. The plasma etching method is a method in which a target substrate is placed inside a plasma processing chamber, then plasma is generated therein, and etching is performed using the reactivity of the plasma at a desired location.

플라즈마 처리 챔버의 내부에는, 일반적으로 인입 가스 포트 세트를 제공하여 가스 상태의 소스 재료, 예를 들어 유전체 윈도우와 기판 사이의 RF-유도 플라즈마 영역에 에천트 소스 가스를 용이하게 도입한다. 기판은 챔버 내로 안내되고 정전척 상에 놓여 고정된다. 일반적으로, 정전척은 플라즈마 생성을 위한 하부 전극 역할을 수행하고, 상부에 구비되는 제1 RF 전원과 함께 제2 RF전원으로 동작 가능하게 연결되며, 제2RF 전원은 RF생성기와 RF정합 네트워크를 포함하여 이루어진다.Inside the plasma processing chamber, a set of inlet gas ports are generally provided to facilitate introduction of a gaseous source material, eg, an etchant source gas, into the RF-induced plasma region between the dielectric window and the substrate. A substrate is guided into the chamber and placed on an electrostatic chuck to be secured. In general, an electrostatic chuck serves as a lower electrode for plasma generation, and is operably connected to a second RF power source together with a first RF power source provided thereon, and the second RF power source includes an RF generator and an RF matching network. It is done by

한편, 플라즈마를 생성하기 위하여, 상인입 가스 포트 세트를 통해 챔버 내로 프로세스 소스 가스가 도입되고. 그 다음, 제1 RF 전원을 이용하여 유도 코일에 전력을 공급하며, 제2RF전원을 이용하여 정전척에 전력을 공급한다. 유전체 윈도우 를 통해 결합된 제1RF 전원로부터 공급된 RF에너지는 프로세스 소스 가스를 여기시켜 플라즈마를 생성하게 된다.Meanwhile, a process source gas is introduced into the chamber through a set of inlet gas ports to create a plasma. Next, power is supplied to the induction coil using the first RF power source, and power is supplied to the electrostatic chuck using the second RF power source. RF energy supplied from the first RF power source coupled through the dielectric window excites the process source gas to generate plasma.

플라즈마 식각 장치의 정전척 상부에는 실리콘링이 구비되는 기술이 활용되기도 하였는데, 플라즈마 처리 기술에서 실리콘이나 세라믹 소재로 이루어지는 실리콘링(또는 포커스링)은 기판의 표면에 플라즈마로부터의 이온을 집중하는 것을 도와, 예를 들어 프로세스의 균일도를 개선하는 기능을 수행하였다. 또한, 실리콘링은 플라즈마 식각 처리 동안 정전척의 일부가 손상되는 것을 보호하는 역할을 수행하여 장치의 수명을 향상시킴으로써 공정의 효율을 향상시키는 효과를 제공하였다. A technology in which a silicon ring is provided on the upper part of the electrostatic chuck of the plasma etching device has been used. In the plasma processing technology, a silicon ring (or focus ring) made of silicon or ceramic material helps to focus ions from plasma on the surface of the substrate. , for example, to improve the uniformity of the process. In addition, the silicon ring serves to protect a part of the electrostatic chuck from being damaged during the plasma etching process, thereby improving the lifespan of the device, thereby providing an effect of improving process efficiency.

최근, 실리콘 웨이퍼의 외부 식각을 제어하여 수율을 향상시키기 위하여 정전척의 외주면을 따라 별도의 플라즈마를 형성하기 위한 기술이 연구되고 있으며, 이때, 정전척과 실리콘링을 접합시키기 위하여 접착수단이 고려될 수 있다. 접착수단은 정전척 상에서 실리콘링이 위치되는 부분을 따라 원형으로 구비되고, 접착수단은 나사가 결합되는 결합공이 위치하는 부분까지 포함하도록 위치되는 것도 가능하지만, 이 경우 나사가 결합되는 결합공 부위에서 불순물 또는 전하가 축적되어 아크가 발생하는 아킹(Arcing)현상이 관찰되어 이를 해결하기 위한 방법이 연구되고 있다.Recently, a technique for forming a separate plasma along the outer circumferential surface of the electrostatic chuck has been studied in order to improve yield by controlling external etching of the silicon wafer, and at this time, an adhesive means may be considered to bond the electrostatic chuck and the silicon ring. . The adhesive means is provided in a circular shape along the portion where the silicone ring is located on the electrostatic chuck, and it is also possible that the adhesive means is positioned so as to include the portion where the coupling hole to which the screw is coupled is located. An arcing phenomenon in which an arc is generated due to accumulation of impurities or charges has been observed, and methods for solving this phenomenon are being studied.

대한민국 등록특허 제10-0993161호Republic of Korea Patent No. 10-0993161

본 발명의 목적은, 정전척인 ESC(Electrostatic chuck)기판과 커플링링(Coupling ring)을 실리콘링(Silicon ring)에 접합하면서도 나사결합공에서의 아킹(Arcing)현상을 방지할 수 있고, 정전척과 실리콘링 사이에서 우수한 접착력과 열전달 역할을 수행할 수 있는 겔패드를 제공하는 데에 있다. An object of the present invention is to prevent an arcing phenomenon in a screw coupling hole while bonding an electrostatic chuck (ESC) substrate and a coupling ring to a silicon ring, and to provide an electrostatic chuck and It is an object of the present invention to provide a gel pad capable of performing a role of excellent adhesion and heat transfer between silicone rings.

또, 본발명의 목적은 플라즈마 식각 장치의 내부에서 발생하는 플라즈마가 부품 간의 결합 틈으로 유입되어 실리콘링과 커플링링을 체결하는 결합나사(32)를 식각시키는 현상을 방지하도록 플라즈마의 유입경로를 차단해 결합나사(32)의 식각, 부식 및 변형을 예방하여 결합나사(32)의 수명을 늘리고 플라즈마 식각장치의 작업 경제성을 향상시킬 수 있는 겔패드를 제공하는 데에 있다.In addition, an object of the present invention is to block the inflow path of the plasma to prevent the plasma generated inside the plasma etching device from flowing into the coupling gap between the parts and etching the coupling screw 32 fastening the coupling ring with the silicon ring It is to provide a gel pad that can prevent etching, corrosion and deformation of the coupling screw 32 to increase the life of the coupling screw 32 and improve the work economy of the plasma etching device.

본 발명의 바람직한 일 예시는 내부에 반응성 가스 분위기를 형성하는 장치의 상기 내부에 구비되는 부품과 상기 장치의 사이에 끼워져 상기 부품을 상기 장치의 내부에 접착시키는 접착수단으로서,A preferred example of the present invention is an adhesive means for bonding the component to the inside of the device by being interposed between a component provided inside the device for forming a reactive gas atmosphere therein and the device,

적어도 2이상의 비닐기를 가지는 폴리실록산을 포함하는 제1 실리콘 폴리머와, 적어도 하나 이상의 Si-H 결합을 가지는 폴리실록산 또는 오르가노하이드로겐 폴리실록산을 포함하는 제2 실리콘 폴리머를 포함하는 합성수지; 및a synthetic resin comprising a first silicone polymer including polysiloxane having at least two vinyl groups and a second silicone polymer including polysiloxane or organohydrogen polysiloxane having at least one Si-H bond; and

상기 합성수지에 분산되며 알루미나(Al2O3), 질화붕소(BN, 보론나이트라이드), 흑연, 그래핀, 탄소나노튜브, 숯 및 탄화실리콘(SiC)으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 어느 하나 이상인 세라믹입자;를 포함하는 겔패드인 것이 좋다.Dispersed in the synthetic resin, at least one ceramic selected from the group consisting of alumina (Al 2 O 3 ), boron nitride (BN, boron nitride), graphite, graphene, carbon nanotubes, charcoal, and silicon carbide (SiC) It is preferable that it is a gel pad containing; particles.

또한,상기 합성수지와 상기 세라믹입자의 계면 접착성을 향상시키기 위한 실란커플링제를 포함하는 것이 좋다.In addition, it is preferable to include a silane coupling agent for improving interfacial adhesion between the synthetic resin and the ceramic particles.

또, 상기 제1 실리콘 폴리머와 상기 제2 실리콘 폴리머의 중량 비율은 1:3 내지 3:1 인 것이 바람직하다.Also, the weight ratio of the first silicone polymer to the second silicone polymer is preferably 1:3 to 3:1.

여기에서, 상기 세라믹입자는 상기 합성수지 및 상기 세라믹입자 전체에 대하여 60 내지 93 중량%로 포함되는 것이 좋다.Here, it is preferable that the ceramic particles are included in an amount of 60 to 93% by weight based on the total weight of the synthetic resin and the ceramic particles.

또, 상기 겔패드의 열전도도는 2.0 W/m·K 이상인 것이 바람직하다.In addition, it is preferable that the thermal conductivity of the gel pad is 2.0 W/m·K or more.

또한, 상기 실란커플링제는,In addition, the silane coupling agent,

트리메톡시실릴 벤조산, γ메타크릴 옥시프로필 트리메톡시실란, 비닐 트리아세톡시실란, 비닐 트리메톡시실란, γ이소시아네이트 프로필 트리에톡시실란, γ글리시독시 프로필 트리메톡시실란, β에폭시사이클로헥실)에틸트리메톡시실란, 비닐클로로실란, 비닐트리메톡시실란, 비닐트리에톡시실란, 2-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란, 3-글리시독시프로필트리메톡시실란, 3-글리시독시프로필메틸디에톡시실란, 3-글리시독시프로필디에톡시실란, 3-글리시독시프로필트리에톡시실란, p-스티릴트리메톡시실란, 3-메타크릴옥시프로필트리에톡시실란, 3-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란, 3-메타크릴옥시프로필메틸디메톡시실란,3-메타크릴옥시프로필메틸디에톡시실란, 3-아크릴옥시프로필트리메톡시실란, N-2-(아미노에틸)-3-아미노프로필메틸디메톡시실란, N-2-(아미노에틸)-3-아미노프로필트리메톡시실란, N-2-(아미노에틸)-3-아미노프로필메틸트리에톡시실란, 3-아미노프로필트리메톡시실란, 3-아미노프로필트리에톡시실란, 3-트리에톡시실릴-N-(1,3-디메틸부틸리덴)프로필아민, N-페닐-3-아미노프로필트리메톡시실란, 3-클로로프로필트리메톡시실란, 3-머캅토프로필메틸디메톡시실란, 3-머캅토프로필트리메톡시실란, 비스(트리에톡시실릴프로필)테트라설파이드 및 3-이소시아네이트프로필트리에톡시실란 으로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 또는 2종 이상인 것이 바람직하다.trimethoxysilyl benzoic acid, γ methacryloxypropyl trimethoxysilane, vinyl triacetoxysilane, vinyl trimethoxysilane, γ isocyanate propyl triethoxysilane, γ glycidoxy propyl trimethoxysilane, β epoxycyclohexyl ) Ethyltrimethoxysilane, vinylchlorosilane, vinyltrimethoxysilane, vinyltriethoxysilane, 2-(3,4-epoxycyclohexyl)ethyltrimethoxysilane, 3-glycidoxypropyltrimethoxysilane , 3-glycidoxypropylmethyldiethoxysilane, 3-glycidoxypropyldiethoxysilane, 3-glycidoxypropyltriethoxysilane, p-styryltrimethoxysilane, 3-methacryloxypropyltrie Toxysilane, 3-methacryloxypropyltrimethoxysilane, 3-methacryloxypropylmethyldimethoxysilane, 3-methacryloxypropylmethyldiethoxysilane, 3-acryloxypropyltrimethoxysilane, N-2- (Aminoethyl)-3-aminopropylmethyldimethoxysilane, N-2-(aminoethyl)-3-aminopropyltrimethoxysilane, N-2-(aminoethyl)-3-aminopropylmethyltriethoxysilane , 3-aminopropyltrimethoxysilane, 3-aminopropyltriethoxysilane, 3-triethoxysilyl-N-(1,3-dimethylbutylidene)propylamine, N-phenyl-3-aminopropyltri Methoxysilane, 3-chloropropyltrimethoxysilane, 3-mercaptopropylmethyldimethoxysilane, 3-mercaptopropyltrimethoxysilane, bis(triethoxysilylpropyl)tetrasulfide and 3-isocyanatepropyltrie It is preferable that it is 1 type(s) or 2 or more types selected from the group which consists of toxysilanes.

또, 상기 적어도 2 이상의 비닐기를 포함하는 폴리실록산은 아래 화학식 1 내지 화학식 3 중 어느 하나의 구조를 가지는 것이 좋다.In addition, the polysiloxane containing at least two or more vinyl groups preferably has a structure of any one of Formulas 1 to 3 below.

(화학식 1)(Formula 1)

Figure pat00001
Figure pat00001

(화학식 2)(Formula 2)

Figure pat00002
Figure pat00002

(화학식 3)(Formula 3)

Figure pat00003
Figure pat00003

(여기에서, n, m은 100 내지 300 인 정수이고, x, y 및 z는 각각 0 내지 200 인 정수이며, x+y+z 는 100 내지 400 이다.)(Here, n and m are integers from 100 to 300, x, y and z are integers from 0 to 200, respectively, and x+y+z is from 100 to 400.)

또, 상기 제1 실리콘 폴리머 및 상기 제2 실리콘 폴리머는 중량평균 분자량이 10만 ~ 12만 g/mol인 것이 바람직하다.In addition, the first silicone polymer and the second silicone polymer preferably have a weight average molecular weight of 100,000 to 120,000 g/mol.

또한, 상기 적어도 2 이상의 비닐기를 포함하는 폴리실록산의 비닐기의 함량이 0.01 ~ 0.1 mol% 인 것이 바람직하다.In addition, the content of the vinyl group of the polysiloxane including at least two or more vinyl groups is preferably 0.01 to 0.1 mol%.

이때, 상기 세라믹입자는,At this time, the ceramic particles,

평균 입경이 서로 다른 적어도 2 이상의 세라믹입자를 포함하는 것도 좋다.It is also good to include at least two or more ceramic particles having different average particle diameters.

또, 상기 세라믹입자는,In addition, the ceramic particles,

입경이 10 ~ 100㎛ 인 제1 세라믹입자, 입경이 1~10㎛인 제2 세라믹입자 및 입경이 1㎛ 이하인 제3세라믹입자로 이루어지는 군에서 선택된 적어도 2 이상의의 세라믹입자의 혼합물을 포함하는 것이 바람직하다.It includes a mixture of at least two or more ceramic particles selected from the group consisting of first ceramic particles having a particle size of 10 to 100 μm, second ceramic particles having a particle size of 1 to 10 μm, and third ceramic particles having a particle size of 1 μm or less. desirable.

이때, 상기 세라믹입자는,At this time, the ceramic particles,

상기 제1 세라믹입자와 상기 제2 세라믹입자를 포함하고,Including the first ceramic particle and the second ceramic particle,

상기 제1 세라믹입자와 상기 제2 세라믹입자의 중량 분율은 5:3 내지 10:7인 겔패드.A weight fraction of the first ceramic particles and the second ceramic particles is 5:3 to 10:7 gel pad.

본 발명의 다른 측면은 내부에 반응성 가스 분위기를 형성하는 장치의 상기 내부에 구비되는 부품과 상기 장치의 사이에 끼워져 상기 부품을 상기 장치의 내부에 접착시키는 접착수단으로서,Another aspect of the present invention is an adhesive means for bonding the component to the inside of the device by being sandwiched between a component provided inside the device for forming a reactive gas atmosphere therein and the device,

내부에 구비되는 내부홀과, 상기 내부홀의 직경보다 좁은 폭을 가지며 상기 내부홀로부터 내측으로 연장되는 공기배출통로를 포함하는 외측패드와, 상기 외측패드의 상기 내측에 구비되는 내측패드, 및 상기 외측패드와 상기 내측패드 사이를 분리하고, 상기 공기배출통로와 연결되는 내부슬릿;을 포함하고,An outer pad including an inner hole provided therein, an air discharge passage having a narrower width than the diameter of the inner hole and extending inwardly from the inner hole, an inner pad provided on the inner side of the outer pad, and the outer pad An inner slit separating the pad and the inner pad and connected to the air discharge passage;

상기 외측패드 및 내측패드는,The outer pad and the inner pad,

적어도 2이상의 비닐기를 가지는 폴리실록산을 포함하는 제1 실리콘 폴리머와, 적어도 하나 이상의 Si-H 결합을 가지는 폴리실록산 또는 오르가노하이드로겐 폴리실록산을 포함하는 제2 실리콘 폴리머를 포함하는 합성수지; 및a synthetic resin comprising a first silicone polymer including polysiloxane having at least two vinyl groups and a second silicone polymer including polysiloxane or organohydrogen polysiloxane having at least one Si-H bond; and

상기 합성수지에 분산되며 알루미나(Al2O3), 질화붕소(BN, 보론나이트라이드), 흑연, 그래핀, 탄소나노튜브, 숯 및 탄화실리콘(SiC)으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 어느 하나 이상인 세라믹입자;를 포함하는 겔패드 세트이다.Dispersed in the synthetic resin, at least one ceramic selected from the group consisting of alumina (Al 2 O 3 ), boron nitride (BN, boron nitride), graphite, graphene, carbon nanotubes, charcoal, and silicon carbide (SiC) It is a gel pad set comprising; particles.

이때, 상기 겔패드 세트는,At this time, the gel pad set,

상기 외측패드, 상기 내측패드, 및 상기 외측패드와 상기 내측패드의 상부 및 하부에서 밀착되는 한 쌍의 필름을 포함하는 것이 좋다.It is preferable to include the outer pad, the inner pad, and a pair of films adhered to upper and lower portions of the outer pad and the inner pad.

또한, 상기 합성수지와 상기 세라믹입자의 계면 접착성을 향상시키기 위한 실란커플링제를 포함하는것이 바람직하다.In addition, it is preferable to include a silane coupling agent for improving interfacial adhesion between the synthetic resin and the ceramic particles.

또, 상기 제1 실리콘 폴리머와 상기 제2 실리콘 폴리머의 중량 비율은 1:3 내지 3:1 인 것이 좋다.Also, the weight ratio of the first silicone polymer to the second silicone polymer is preferably 1:3 to 3:1.

또, 상기 세라믹입자는 상기 합성수지 및 상기 세라믹입자 전체에 대하여 60 내지 93 중량%로 포함되는 것이 바람직하다.In addition, the ceramic particles are preferably included in an amount of 60 to 93% by weight based on the total weight of the synthetic resin and the ceramic particles.

또한, 상기 외측패드 및 상기 내측패드의 열전도도는 2.0 W/m·K 이상인 것이 좋다.In addition, it is preferable that the thermal conductivities of the outer pad and the inner pad be 2.0 W/m·K or more.

또, 상기 세라믹입자는,In addition, the ceramic particles,

평균 입경이 서로 다른 적어도 2 이상의 세라믹입자를 포함하는 것이 바람직하다.It is preferable to include at least two or more ceramic particles having different average particle diameters.

또한, 상기 세라믹입자는,In addition, the ceramic particles,

입경이 10 ~ 100㎛ 인 제1 세라믹입자, 입경이 1~10㎛인 제2 세라믹입자 및 입경이 1㎛ 이하인 제3세라믹입자로 이루어지는 군에서 선택된 적어도 2 이상의의 세라믹입자의 혼합물을 포함하는 것이 바람직하다.It includes a mixture of at least two or more ceramic particles selected from the group consisting of first ceramic particles having a particle size of 10 to 100 μm, second ceramic particles having a particle size of 1 to 10 μm, and third ceramic particles having a particle size of 1 μm or less. desirable.

본 발명의 일 측면에 따른 겔패드는, 정전척 상에서 정전척과 실리콘링 간의 접착이 잘 이루어지게 하면서도 나사가 결합되는 나사결합공의 위치에 개방된 내부홀을 포함하는 구조로 이루어져, 나사결합공의 위치에서 일어날 수 있는 아킹현상을 예방할 수 있다.The gel pad according to one aspect of the present invention has a structure including an open inner hole at a position of a screw coupling hole to which a screw is coupled while ensuring good adhesion between the electrostatic chuck and the silicon ring on the electrostatic chuck, It is possible to prevent an arcing phenomenon that may occur at the location.

또, 본 발명의 일 측면에 따른 겔패드는, 외측패드에 구비되는 내부홀의 공기를 배출할 수 있도록 공기배출로를 포함하여 내부홀에 공기가 갇히거나 기포가 형성되는 문제를 해결할 수 있다.In addition, the gel pad according to one aspect of the present invention can solve the problem of air being trapped in the inner hole or bubbles being formed by including an air discharge path to discharge air from the inner hole provided in the outer pad.

더 나아가, 본 발명의 일 측면에 따른 겔패드는, 공기배출로가 연결되는 방향이 외측패드의 내부홀로부터 내측패드 방향으로 향하도록 구비되어 있어, 외측패드의 외부로부터 플라즈마가 공기배출로를 통하여 유입되는 것을 방지할 수 있으며, 그로인해 내부홀의 위치에 구비된 결합나사가 플라즈마에 의해 식각, 부식, 변형되는 문제를 해결할 수 있다.Furthermore, in the gel pad according to one aspect of the present invention, the direction in which the air discharge path is connected is from the inner hole of the outer pad toward the inner pad, so that plasma from the outside of the outer pad passes through the air discharge path. It is possible to prevent the inflow, thereby solving the problem that the coupling screw provided at the position of the inner hole is etched, corroded, or deformed by plasma.

도 1 및 도 2는 플라즈마 식각장치의 내부구조의 단면 및 플라즈마의 발생을 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 3은 커플링링에 결합나사(32), 전원핀(33) 및 온도센서(34)가 체결된 상태를 나타낸 도면이다.
도 4는 플라즈마 식각장치에서 사용되는 실리콘링의 일 예시를 나타낸 도면이다.
도 5 내지 9은 본 발명의 바람직한 실시예의 구조를 나타낸 도면이다.
도 10은 종래에 정전척과 실리콘링을 접착하기 위한 수단의 구조를 나타낸 도면이다.
도 11 및 12는 본 발명의 비교예의 구조를 나타낸 도면이다.
도 13은 비교예의 실험 결과 부식, 변형된 결합나사를 촬영한 도면이다.
도 14 내지 도 16은 필러와 실란커플링제의 양에 대한 열전도도 변화를 도시한 도면이다.
1 and 2 are cross-sectional views schematically illustrating a cross-section of an internal structure of a plasma etching device and generation of plasma.
3 is a view showing a state in which the coupling screw 32, the power pin 33, and the temperature sensor 34 are fastened to the coupling ring.
4 is a diagram showing an example of a silicon ring used in a plasma etching apparatus.
5 to 9 are diagrams showing the structure of a preferred embodiment of the present invention.
10 is a view showing the structure of a conventional means for bonding an electrostatic chuck and a silicon ring.
11 and 12 are diagrams showing the structure of a comparative example of the present invention.
13 is a photograph of a corrosion and deformed coupling screw as a result of an experiment in a comparative example.
14 to 16 are diagrams showing changes in thermal conductivity with respect to the amount of the filler and the silane coupling agent.

이하에 본 발명을 상세하게 설명하기에 앞서, 본 명세서에 사용된 용어는 특정의 실시예를 기술하기 위한 것일 뿐 첨부하는 특허청구의 범위에 의해서만 한정되는 본 발명의 범위를 한정하려는 것은 아님을 이해하여야 한다. 본 명세서에 사용되는 모든 기술용어 및 과학용어는 다른 언급이 없는 한은 기술적으로 통상의 기술을 가진 자에게 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가진다.Prior to describing the present invention in detail below, it is understood that the terms used herein are intended to describe specific embodiments and are not intended to limit the scope of the present invention, which is limited only by the appended claims. shall. All technical and scientific terms used herein have the same meaning as commonly understood by a person of ordinary skill in the art unless otherwise specified.

본 명세서 및 청구범위의 전반에 걸쳐, 다른 언급이 없는 한 포함(comprise, comprises, comprising)이라는 용어는 언급된 물건, 단계 또는 일군의 물건, 및 단계를 포함하는 것을 의미하고, 임의의 어떤 다른 물건, 단계 또는 일군의 물건 또는 일군의 단계를 배제하는 의미로 사용된 것은 아니다.Throughout this specification and claims, the terms "comprise", "comprise" and "comprising", unless stated otherwise, are meant to include a stated object, step or group of objects, and steps, and any other object However, it is not used in the sense of excluding a step or a group of objects or a group of steps.

한편, 본 발명의 여러 가지 실시예들은 명확한 반대의 지적이 없는 한 그 외의 어떤 다른 실시예들과 결합될 수 있다. 특히 바람직하거나 유리하다고 지시하는 어떤 특징도 바람직하거나 유리하다고 지시한 그 외의 어떤 특징 및 특징들과 결합될 수 있다. On the other hand, various embodiments of the present invention can be combined with any other embodiments unless clearly indicated to the contrary. Any feature indicated as being particularly desirable or advantageous may be combined with any other features and characteristics indicated as being particularly desirable or advantageous.

도면들에 있어서, 구성 요소의 폭, 길이, 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수도 있다. 전체적으로 도면 설명시 관찰자 시점에서 설명하였고, 일 구성요소가 다른 구성요소 "위에/아래에" 또는 "상에/하에" 있다고 할 때, 이는 다른 구성요소 "바로 위에/바로 아래에" 있는 경우 뿐 아니라, 그 중간에 또 다른 구성요소가 있는 경우도 포함한다.In the drawings, the width, length, thickness, etc. of components may be exaggerated for convenience. When describing the drawings as a whole, it is described from the observer's point of view, and when one component is said to be "above/below" or "above/below" another component, this is not only the case of being "directly above/below" another component. , including the case where there is another component in the middle.

본 발명의 일 측면에 따른 겔패드(1)는 내부공간에 반응성 가스 분위기를 형성하는 장치의 내부에 구비되는 링형상의 부품과 장치의 사이에 끼워져 해당 부품을 장치의 내부에서 접착시키는 접착수단으로서, 보다 구체적으로는 플라즈마 식각장치의 내부에서 장치에 포함되는 정전척(Electrostatic chuck, ESC) 또는 ESC기판 상에서 실리콘링(또는 포커스링)을 접합시키고, 실리콘링에 커플링 링을 접합하기 위하여 사용되는 것일 수 있다.Gel pad 1 according to one aspect of the present invention is a ring-shaped component provided inside a device for forming a reactive gas atmosphere in an internal space and an adhesive means for bonding the corresponding component inside the device by being sandwiched between the device. , More specifically, it is used to bond a silicon ring (or focus ring) on an electrostatic chuck (ESC) or ESC substrate included in the device inside the plasma etching device, and to bond the coupling ring to the silicon ring. it could be

겔패드(1)는 외측패드(100)와, 내측패드(200) 및 내부슬릿(300)을 포함하여 이루어지며, 실리콘링(30)과 정전척(20) 사이의 접착 및 실리콘링(30)과 커플링링(25)사이의 접착이 겔패드(1)를 통해 얻어질 수 있다. The gel pad 1 includes an outer pad 100, an inner pad 200, and an inner slit 300, and adhesion between the silicone ring 30 and the electrostatic chuck 20 and the silicone ring 30 Adhesion between the coupling ring 25 may be obtained through the gel pad 1.

도 1은 플라즈마 식각장치(10)의 구조를 예시적으로 나타낸 도면으로, 정전척(20) 상에는 식각하고자 하는 실리콘 웨이퍼(40)가 배치될 수 있으며, 실리콘링(30)은 정전척(20)의 주변 둘레에 구비되어 상부에 올려지는 실리콘 웨이퍼(40)를 고정하며, 하부에서 커플링링(25)과 결합되는 구조를 갖는다.FIG. 1 is a diagram showing the structure of a plasma etching apparatus 10 by way of example. A silicon wafer 40 to be etched may be disposed on an electrostatic chuck 20, and a silicon ring 30 is formed on the electrostatic chuck 20. It is provided around the periphery of and fixes the silicon wafer 40 placed on the top, and has a structure coupled with the coupling ring 25 at the bottom.

도 1에 나타낸 플라즈마 식각장치는 상부전극에 60 MHz의 고주파 RF 전력이 공급되고, 하부전극으로는 정전척(20)과 실리콘링을 각각 사용할 수 있으며, 하부전극에는 약 400kHz 전도의 저주파 RF 전력이 공급되는 특징이 있다.In the plasma etching apparatus shown in FIG. 1, high frequency RF power of 60 MHz is supplied to the upper electrode, an electrostatic chuck 20 and a silicon ring can be used as the lower electrode, and low frequency RF power of about 400 kHz conduction is applied to the lower electrode. Features supplied.

이때, 실리콘링(30)은 RF를 공급받아 정전척(20)의 외주면을 따라 플라즈마를 발생시켜 실리콘 웨이퍼(40)의 엣지(edge) 또는 가장자리에 대한 식각을 제어할 수 있게 하는 구조를 가지는 점에서 식각단계의 수율이 우수하게 얻어질 수 있다.At this time, the silicon ring 30 receives RF and generates plasma along the outer circumferential surface of the electrostatic chuck 20 to control the edge of the silicon wafer 40 or etching of the edge. The yield of the etching step can be obtained excellently.

도 2는 플라즈마 식각장치의 결합구조를 보다 상세하게 나타낸 단면도이다. 중심에 구비되는 정전척(20)의 외주면을 따라 커플링링(25)이 구비되고, 정전척(20)의 외주면과 상기 커플링링(25)의 상부에 실리콘링(30)이 결합되며, 실리콘링(30)은 정전척(20)의 상부면 일부와 커플링링(25)의 상부면에 동시에 접촉되는 것이 바람직하고, 이때 본 발명의 겔패드(1)가 실리콘링(30)과 정전척(20)의 접촉면 및 실리콘링(30)과 커플링링(25)의 접촉면 사이에 구비될 수 있다.2 is a cross-sectional view showing a coupling structure of a plasma etching device in more detail. A coupling ring 25 is provided along the outer circumferential surface of the electrostatic chuck 20 provided at the center, a silicon ring 30 is coupled to the outer circumferential surface of the electrostatic chuck 20 and an upper portion of the coupling ring 25, and the silicon ring (30) is preferably in contact with a part of the upper surface of the electrostatic chuck 20 and the upper surface of the coupling ring 25 at the same time. It may be provided between the contact surface of the ) and the contact surface of the silicon ring 30 and the coupling ring 25.

여기에서, 실리콘링(30)과 커플링링(25)은 결합나사에 의해 체결되는 것이 바람직하며, 실리콘링(30)과 커플링링(25)에는 결합나사가 체결되기위한 나사결합공(31) 또는 암형홈이 구비되는 것이 좋으며, 실리콘링(30)과 커플링링(25)에 나사결합공(31) 또는 암형홈이 구비된 것을 도 3에서 확인할 수 있다.Here, it is preferable that the silicone ring 30 and the coupling ring 25 are fastened by a coupling screw, and the silicon ring 30 and the coupling ring 25 have a screw coupling hole 31 for fastening the coupling screw, or It is preferable to have a female groove, and it can be seen in FIG. 3 that the silicone ring 30 and the coupling ring 25 are provided with a screw coupling hole 31 or a female groove.

도 4는 결합나사(32), 전원핀(33)이 방사방향으로 대칭적인 위치에 각 3개씩 결합되며, 적어도 하나 이상의 온도센서(34)가 결합된 상태를 나타낸 사진이다. 전원핀(33)은 정전척(20)의 외부에 플라즈마를 생성할 수 있도록 RF를 공급하기 위한 전극 및 전극을 보호하는 구성요소로 활용되며, 그 개수나 결합 위치는 제한되지 않으나 2개 이상인 것이 좋으며, 대칭적인 구조를 갖는 것이 바람직하다. 4 is a photograph showing a state in which three coupling screws 32 and power pins 33 are coupled at symmetric positions in the radial direction, and at least one temperature sensor 34 is coupled. The power pins 33 are used as electrodes for supplying RF to generate plasma to the outside of the electrostatic chuck 20 and as components for protecting the electrodes, and the number or coupling position thereof is not limited, but two or more power pins are preferred. It is desirable to have a symmetrical structure.

플라즈마 식각장치의 내부에는 반응성의 기체가 주입되어 가해지는 전기장에 의해 반응성 기체 분자들이 플라즈마화 될 수 있으며, 이 과정에서 반응성 기체 분위기에 내부 부품들이 노출되어 부식되거나 식각되는 문제가 자주 발생하는데, 겔패드(1)는 플라즈마 내성이 우수하면서 부품이 결합된 틈새를 따라 침투되는 플라즈마의 침투경로를 차단해 결합나사(32), 전원핀(33) 등이 식각되는 것을 방지할 수 있는 효과를 갖는다. 특히, 전술한 바와 같이 실리콘 웨이퍼의 엣지 식각을 위한 RF를 추가 공급하는 경우 가장자리에서 플라즈마의 침투가 더욱 활발히 일어날 수 있어 결합나사 등의 플라즈마 식각과 부식을 방지하기 위한 방안이 더욱더 유리한 효과를 갖는다.Reactive gas molecules are injected into the inside of the plasma etching device and the reactive gas molecules can be plasmaized by the applied electric field. In this process, internal parts are exposed to the reactive gas atmosphere, causing corrosion or etching. The pad 1 has an effect of preventing the coupling screw 32, the power pin 33, and the like from being etched by blocking the penetration path of plasma penetrating along the gap where the parts are coupled while having excellent plasma resistance. In particular, as described above, when additionally supplying RF for edge etching of a silicon wafer, plasma penetration can occur more actively at the edge, so a method for preventing plasma etching and corrosion such as a coupling screw has a more advantageous effect.

도 5는 플라즈마 식각장치의 내부에 설치되는 부품인 실리콘링(30)의 구조를 개략적으로 나타낸 도면이다. 실리콘링(30)은 고리형태로 성형된 탄화실리콘(SiC) 소재로 이루어질 수 있으며, 내부에는 결합나사(32)가 체결될 수 있는 나사결합공(31) 또는 암형홈이 구비된다.5 is a diagram schematically showing the structure of a silicon ring 30, which is a component installed inside the plasma etching apparatus. The silicon ring 30 may be formed of a ring-shaped silicon carbide (SiC) material, and has a screw coupling hole 31 or a female groove into which a coupling screw 32 can be fastened.

본 발명의 겔패드(1)는 원형상의 외주면과, 상기 외주면과 동심원을 이루는 빈공간을 내부에 가지는 고리(링) 형태의 실리콘링을 단단하게 접합, 고정시키기 위하여 실리콘링(30)의 적어도 일부분과 대응되는 형상을 가지며, 실리콘링(30)의 외주면을 따라 구비되는 외측패드(100)와, 실리콘링(30)의 내주면을 따라 구비되는 내측패드(200)를 포함하여 이루어지는 것이 좋다.The gel pad 1 of the present invention is at least a portion of the silicone ring 30 in order to firmly bond and fix a silicone ring in the form of a ring (ring) having a circular outer circumferential surface and an empty space concentric with the outer circumferential surface therein. It has a shape corresponding to and preferably includes an outer pad 100 provided along the outer circumferential surface of the silicon ring 30 and an inner pad 200 provided along the inner circumferential surface of the silicon ring 30.

외측패드와 내측패드는 접착되는 대상에 따라 구분되는 것도 가능하며, 정전척과 접착되는 부분에는 내측패드가, 커플링링과 접착되는 부분에는 외측패드가 구비되는 것이 바람직하다.The outer pad and the inner pad may be classified according to the object to be bonded, and it is preferable that the inner pad is provided at a portion bonded to the electrostatic chuck and the outer pad is provided at a portion bonded to the coupling ring.

보다 구체적으로는 겔패드는 고리 형태의 실리콘링(30)링에 대하여 곡선 형태의 외주면과 내주면을 가지고, 외주면과 내주면을 연결하는 측면을 양측에 가진다. 여기에서 겔패드는 외측원의 원호 일부인 외주면과, 외주면을 이루는 외측원과 동심원을 이루는 내측원의 원호를 내주면으로 가지며, 그 외측원과 내측원의 중심을 기준으로 n등분한 영역에 대응되는 형태로 이루어질 수 있고, 여기에서 n은 2 이상의 자연수로서 3 내지 12 또는 4 내지 12이고, 예를들어 4, 6, 8, 9, 12일 수 있다.More specifically, the gel pad has a curved outer and inner circumferential surface with respect to the ring-shaped silicon ring 30, and has side surfaces connecting the outer and inner circumferential surfaces on both sides. Here, the gel pad has an outer circumferential surface, which is a part of the arc of the outer circle, and an arc of an inner circle concentric with the outer circle constituting the outer circumferential surface, as an inner circumferential surface, corresponding to an area divided into n equal parts based on the center of the outer circle and the inner circle. , where n is a natural number of 2 or greater and is 3 to 12 or 4 to 12, for example, 4, 6, 8, 9, or 12.

겔패드(1)의 외측패드와 내측패드(100, 200)는 실리콘을 포함하는 합성수지와 세라믹입자(또는 필러)를 포함하는 조성물로 이루어진다. The outer and inner pads 100 and 200 of the gel pad 1 are made of a composition containing a synthetic resin containing silicon and ceramic particles (or fillers).

실리콘을 포함하는 합성수지는 겔패드(1)가 우수한 접착 특성을 가질 수 있게 한다. 실리콘을 포함하는 합성수지는 강한 결합력을 가지는 화학적 결합인 규소-산소간 결합(-Si-O-)를 포함할 수 있으며, 무기와 유기의 특성을 겸비하는 장점이 있고, 접합 대상인 실리콘링과의 접합특성이 우수한 장점을 가질 수 있다.The synthetic resin containing silicone allows the gel pad 1 to have excellent adhesive properties. The synthetic resin containing silicon may include a silicon-oxygen bond (-Si-O-), which is a chemical bond with strong bonding strength, has the advantage of combining inorganic and organic properties, and is bonded to a silicon ring, which is a bonding target. It can have excellent characteristics.

해당 세라믹 소재의 접착을 위한 합성수지 기술분야에서 통상적으로 사용되는 Si을 포함하는 폴리머 또는 실리콘 러버(rubber)가 겔패드의 실리콘을 포함하는 합성수지로 사용될 수 있고, 합성수지로는 서로 다른 2종 이상의 실리콘 폴리머가 혼합된 혼합물이 사용될 수 있으며, 예를 들어 서로 다른 액상의 실리콘 폴리머들을 혼합한 2액상 실리콘 혼합액이 사용되는 것이 좋다. Si-containing polymers or silicone rubbers commonly used in the synthetic resin technology field for bonding the ceramic material may be used as the silicone-containing synthetic resin of the gel pad, and two or more different silicone polymers are used as the synthetic resins. A mixed mixture may be used, and for example, a two-liquid silicone mixture in which different liquid silicone polymers are mixed is preferably used.

또한, 실리콘 폴리머를 2액상으로 혼합하는 경우 가교결합 및 중합 형성 반응의 종류에 따라 부가형, 축합형으로 나뉠 수 있는데, 부가형의 2액상 실리콘 혼합액이 사용되는 것이 바람직하다.In addition, when the silicone polymer is mixed in a two-liquid phase, it can be divided into an addition type and a condensation type depending on the type of crosslinking and polymerization formation reaction. It is preferable to use a two-liquid silicone mixture of the addition type.

부가형의 경우 축합형 대비 가용시간이 길고 심부결화성이 양호한 특징이 있으며, 경화속도는 경화 온도에 의존하는 경향이 있으나, 경화시 부산물이 없어 VOC 발생이 없는 장점이 있고, 전기절연성 및 열전도 특성이 안정적인 장점이 있다. In the case of the addition type, it has a longer pot life compared to the condensation type and has good deep curing properties, and the curing speed tends to depend on the curing temperature, but has the advantage of not generating VOC due to no by-products during curing, and has excellent electrical insulation and thermal conductivity. It has stable advantages.

또, 본 발명에서 사용되는 실리콘을 포함하는 합성수지는 가열경화형 실리콘 폴리머가 사용되는 것이 접착 특성이 우수하고 물성이 우수하여 좋다.In addition, as the synthetic resin containing silicone used in the present invention, it is preferable to use a heat-curable silicone polymer because it has excellent adhesive properties and excellent physical properties.

부가형 2액상 실리콘 혼합액을 제조하기 위한 실리콘 폴리머로는 분자에 적어도 하나 이상의 알케닐 그룹을 포함하는 폴리오가노실록산 또는 폴리디오가노실록산을 포함하는 것이 바람직하며, 예를 들어 적어도 2 이상의 비닐기를 포함하는 폴리실록산을 사용하는 것이 좋다.The silicone polymer for preparing the addition-type two-liquid silicone mixture preferably includes polyorganosiloxane or polydiorganosiloxane containing at least one alkenyl group in the molecule, for example, polysiloxane containing at least two or more vinyl groups. It is good to use

더욱 구체적으로는, 부가형 2액상 실리콘 혼합액은 제1 실리콘 폴리머 및 제2 실리콘 폴리머를 포함하는 혼합액으로서, 제1 실리콘 폴리머로 적어도 2 이상의 비닐기를 포함하는 폴리실록산과, 제2 실리콘 폴리머로 적어도 하나 이상의 Si-H 결합을 가지는 폴리실록산 또는 오르가노하이드로겐 폴리실록산을 부가반응 시켜 가교시키는 것이 가능하고, 제1 및 제2 실리콘 폴리머로 적어도 2 이상의 비닐기를 포함하는 폴리실록산 화합물 2종류를 혼합한 이후에 적어도 하나 이상의 Si-H 결합을 가지는 폴리실록산 또는 오르가노하이드로겐 폴리실록산을 소량 추가적으로 첨가하여 가교결합 시켜 얻어질 수 있다.More specifically, the addition-type two-liquid silicone mixture is a mixture containing a first silicone polymer and a second silicone polymer, wherein the first silicone polymer is polysiloxane containing at least two vinyl groups, and the second silicone polymer is at least one Si. -It is possible to cross-link polysiloxane or organohydrogen polysiloxane having an H bond by addition reaction, and after mixing two types of polysiloxane compounds containing at least two or more vinyl groups as the first and second silicone polymers, at least one or more Si It can be obtained by cross-linking by additionally adding a small amount of polysiloxane or organohydrogen polysiloxane having a -H bond.

여기에서, 제1 실리콘 폴리머로 적어도 2 이상의 비닐기를 포함하는 폴리실록산과, 제2 실리콘 폴리머로 적어도 하나 이상의 Si-H 결합을 가지는 폴리실록산 또는 오르가노하이드로겐 폴리실록산을 포함하는 부가형의 2액상 실리콘 혼합액에는 적어도 2 이상의 비닐기를 포함하는 폴리실록산인 제1 실리콘 폴리머와, 다른 구조의 액상 실리콘 폴리머인 제2 실리콘 폴리머가 중량 비율로 1:3 내지 3:1로 혼합되는 것이 좋으며, 바람직하게는 중량비로 1:1로 혼합되는 것이 좋다.Here, the addition-type two-liquid silicone mixture containing polysiloxane containing at least two or more vinyl groups as the first silicone polymer and polysiloxane or organohydrogen polysiloxane having at least one Si-H bond as the second silicone polymer contains at least It is preferable to mix the first silicone polymer, which is a polysiloxane containing two or more vinyl groups, and the second silicone polymer, which is a liquid silicone polymer having a different structure, in a weight ratio of 1:3 to 3:1, preferably 1:1 in a weight ratio. It is good to mix with

여기에서, 적어도 2 이상의 비닐기를 포함하는 폴리실록산은 아래 화학식 1 내지 화학식 3 중 어느 하나의 구조를 가지는 것이 좋다.Here, the polysiloxane including at least two or more vinyl groups preferably has a structure of any one of Formulas 1 to 3 below.

(화학식 1)(Formula 1)

Figure pat00004
Figure pat00004

(화학식 2)(Formula 2)

Figure pat00005
Figure pat00005

(화학식 3)(Formula 3)

Figure pat00006
Figure pat00006

(이때, n, m은 100 내지 300 인 정수이고, x, y 및 z 는 각각 0 내지 200 인 정수이고, x+y+z 는 100 내지 400 이다.)(At this time, n and m are integers from 100 to 300, x, y and z are integers from 0 to 200, respectively, and x+y+z is from 100 to 400.)

n, m , x, y, z 및 x+y+z의 값이 너무 적은 경우 고분자로서의 성질이 약해져 점성이 저하되거나 접착 특성이 열화될 수 있으며, 너무 큰경우 성형이 어려워지고 물성이 균일하게 얻어지지 못하는 문제가 있을 수 있다.If the values of n, m, x, y, z, and x+y+z are too small, the properties as a polymer may be weakened and the viscosity may decrease or the adhesive properties may deteriorate. There may be issues that cannot be supported.

제1 및 제2 실리콘 폴리머를 혼합한 2액상 실리콘 혼합액을 겔패드 소재로 사용하는 경우 화학적 안정성이 우수하여 플라즈마 분위기에서 표면이 쉽게 반응하거나 식각되지 않으며, 부가형의 가교결합이 형성된 실리콘 폴리머 혼합액을 사용함으로써 플라즈마 조건에서 사용되는 부품의 접합 등에 적합한 장점이 있다.When a two-liquid silicone mixture containing the first and second silicone polymers is used as a gel pad material, the chemical stability is excellent and the surface is not easily reacted or etched in a plasma atmosphere, and a silicone polymer mixture with addition-type crosslinking is used. By doing so, there is an advantage suitable for bonding of parts used in plasma conditions.

2액상 실리콘 혼합액에 포함되는 제1 및 제2 실리콘 폴리머는 중량 평균 분자량이 10만 ~ 12만 g/mol, 바람직하게는 105,000 ~ 110,000 g/mol인 고분자인 것이 좋고, 2이상의 비닐기를 포함하는 경우 비닐기의 함량이 0.01 ~ 0.1 mol%, 바람직하게는 0.03 ~ 0.09 mol% 인 것이 좋다.The first and second silicone polymers included in the two-liquid silicone mixture are preferably polymers having a weight average molecular weight of 100,000 to 120,000 g/mol, preferably 105,000 to 110,000 g/mol, and contain two or more vinyl groups. It is preferable that the content of the vinyl group is 0.01 to 0.1 mol%, preferably 0.03 to 0.09 mol%.

평균 분자량이 너무 낮은 경우 가교결합 시 경화 물성이 좋지 않을 수 있으며 접착 특성이 나쁠 수 있고, 평균 분자량이 너무 큰 경우 성형성이 좋지 않을 수 있으며, 비닐기의 함량이 너무 낮거나 높은 경우 가교결합이 충분히 이루어지지 않거나 과하게 많이 형성되어 경화시 물성이 나빠지는 문제가 있을 수 있다.If the average molecular weight is too low, curing properties and adhesive properties may be poor during crosslinking. If the average molecular weight is too high, moldability may be poor. If the content of vinyl groups is too low or high, crosslinking may be difficult. There may be a problem in that physical properties are deteriorated during curing due to insufficient or excessive formation.

또한, 경화전 실리콘 의 점도는 200 ~ 230 Pa·s 인 것이 좋고, 바람직하게는 210~220 Pa·s 인 것이 좋다. 점도가 너무 낮은 경우 접착강도가 떨어질 수 있고 너무 높은경우 성형이 어려워지는 문제가 있을 수 있다.In addition, the viscosity of the silicone before curing is preferably 200 to 230 Pa·s, preferably 210 to 220 Pa·s. If the viscosity is too low, the adhesive strength may decrease, and if the viscosity is too high, there may be a problem in that molding is difficult.

또한, 합성수지 자체의 열전도도는 0.5 W/m·K 미만으로 상대적으로 낮으며, 겔패드의 열전도도 특성을 향상시키기 위하여 합성수지보다 열전도도가 높은 세라믹입자가 분산되는 것이 좋다.In addition, the thermal conductivity of the synthetic resin itself is relatively low, less than 0.5 W/m·K, and ceramic particles having higher thermal conductivity than the synthetic resin are preferably dispersed in order to improve the thermal conductivity of the gel pad.

겔패드에 포함되는 구성요소 중 하나인 세라믹입자는 실리콘을 포함하는 합성수지와 함께 배합되며, 필러라고도 부를 수 있다. 세라믹입자는 접합부위에서의 겔패드의 열전도, 접착력, 눌림율, 이형성 등의 물성을 향상시키는 역할을 수행 할 수 있다.Ceramic particles, one of the components included in the gel pad, are blended with a synthetic resin containing silicon, and may also be referred to as a filler. The ceramic particles can play a role in improving physical properties such as heat conduction, adhesive strength, compression rate, release property, etc. of the gel pad at the junction.

세라믹입자의 종류는 제한되지 않으나, 실리콘을 포함하는 합성수지에 균일하게 분산될 수 있으면서, 열전도도가 우수한 세라믹 소재로 이루어진 입자라면 통상의 기술자가 유추할 수 있는 다양한 물질이 사용 가능하고, 예를 들어 알루미나(Al2O3), 질화붕소(BN, 보론나이트라이드), 탄소분말(C) 및 탄화실리콘(SiC)으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 어느 하나 이상이 사용되는 것이 바람직하다. 여기에서 탄소분말에는 흑연, 그래핀, 탄소나노튜브, 숯 등이 포함된다.The type of ceramic particles is not limited, but as long as the particles are made of a ceramic material that can be uniformly dispersed in a synthetic resin containing silicon and has excellent thermal conductivity, various materials that can be inferred by a person skilled in the art can be used, for example At least one or more selected from the group consisting of alumina (Al 2 O 3 ), boron nitride (BN, boron nitride), carbon powder (C), and silicon carbide (SiC) is preferably used. Here, the carbon powder includes graphite, graphene, carbon nanotubes, charcoal, and the like.

세라믹입자의 입경은 입자의 종류와 기능에 따라 달라질 수 있으며, 알루미나 입자를 사용하는 경우에는 입경이 10 ~ 100㎛인 제1 세라믹입자, 입경이 1~10㎛인 제2 세라믹입자 및 입경이 1㎛ 이하인 제3세라믹입자로 이루어지는 군에서 선택된 적어도 하나 이상의 세라믹입자 또는 세라믹입자의 혼합물이 사용될 수 있다.The particle diameter of the ceramic particles may vary depending on the type and function of the particles. In the case of using alumina particles, the first ceramic particles having a particle diameter of 10 to 100㎛, the second ceramic particles having a particle diameter of 1 to 10㎛, and the particle diameter of 1 At least one ceramic particle or a mixture of ceramic particles selected from the group consisting of third ceramic particles having a size of ㎛ or less may be used.

본 발명의 바람직한 일 실시예로는 제1 내지 제3 세라믹입자로 입경이 70㎛, 7㎛, 0.2㎛ 등인 분말을 개별적 또는 혼합하여 사용하고, 입경이 0.2㎛ 이하인 초미분 세라믹입자가 활용되는 경우도 있다.In a preferred embodiment of the present invention, powder having a particle diameter of 70 μm, 7 μm, 0.2 μm, etc. is used individually or mixed as the first to third ceramic particles, and ultrafine ceramic particles having a particle diameter of 0.2 μm or less are used. There is also

입경이 작은 세라믹입자를 사용하는 경우 겔패드의 열전도도는 높아지나, 수지의 이형성 등 물성이 저하될 수 있고, 비용이 높아지는 단점을 가지므로, 5W/m·K 이상의 높은 열전도도를 가지는 겔패드를 제조하고자 하는 경우 초미분의 알루미나가 세라믹입자로 필요할 수 있고, 3W/m·K 이상의 열전도도를 목표로 하는 경우 초미분 알루미나를 세라믹입자로 포함하지 않는 것도 가능하다. When ceramic particles with a small particle size are used, the thermal conductivity of the gel pad increases, but the physical properties such as resin releasability may deteriorate and the cost increases. Therefore, the gel pad has a high thermal conductivity of 5 W/m K or more. In case of manufacturing, ultra-fine alumina may be required as ceramic particles, and in the case of targeting thermal conductivity of 3 W/m·K or more, it is possible not to include ultra-fine alumina as ceramic particles.

세라믹입자로서 알루미나를 사용하는 경우 알루미나입자의 입경이 70㎛인 제1세라믹입자와, 입경이 7㎛인 제2세라믹입자의 비율은 5:3 내지 10:7 인 것이 좋고, 바람직하게는 3:2 정도인 것이 좋다. 알루미나 입자간 입경 비율이 해당 범위를 만족하는 경우 상대적으로 열전도도가 향상되며, 성형성과 이형 특성도 우수한 장점이 있다.When alumina is used as the ceramic particle, the ratio of the first ceramic particle having a particle diameter of 70 μm to the second ceramic particle having a particle diameter of 7 μm is preferably 5:3 to 10:7, preferably 3: 2 is good. When the particle diameter ratio between alumina particles satisfies the corresponding range, thermal conductivity is relatively improved, and formability and mold release characteristics are also excellent.

세라믹입자로 SiC 입자를 사용하는 경우 8㎛의 입경을 갖는 분말이 사용될 수 있다.In the case of using SiC particles as ceramic particles, powder having a particle diameter of 8 μm may be used.

세라믹 입자는 전체 조성물의 총량에 대해 60 내지 93 중량% 로 포함되는 것이 좋고, 예를들어 63 내지 92 중량% 로 포함되는 것이 좋으며, 바람직하게는 63.77 내지 91.99 중량%인 것이 좋다. 세라믹 입자의 함량이 너무 낮으면 열전도율이 낮아져 내부의 열을 효과적으로 전달하지 못하는 문제가 있을 수 있으며, 세라믹 입자의 함량이 너무 높으면 성형성이나 탄성, 접착 특성이 부족해지는 문제가 생길 수 있다.The ceramic particles are preferably included in 60 to 93% by weight based on the total amount of the composition, for example, 63 to 92% by weight, preferably 63.77 to 91.99% by weight. If the content of the ceramic particles is too low, thermal conductivity may be lowered, resulting in a problem of not effectively transferring internal heat, and if the content of the ceramic particles is too high, problems such as poor formability, elasticity, and adhesive properties may occur.

한편, 세라믹입자를 합성수지에 혼합시켜 사용하는 경우, 세라믹 입자의 극성이나 구조에 따라 실리콘을 포함하는 합성수지와의 혼합이 쉽지 않은 문제가 생길 수 있으며, 이를 극복하기 위하여 실란 커플링제(Silane coupling agent)가 함께 투입될 수 있고, 실리콘오일이나 이형제 등이 추가적으로 첨가될 수 있다. On the other hand, when ceramic particles are mixed with synthetic resin and used, mixing with the synthetic resin containing silicon may be difficult depending on the polarity or structure of the ceramic particles. To overcome this problem, a silane coupling agent is used. may be added together, and silicone oil or a release agent may be additionally added.

실란커플링제는 한쪽이 고분자에 혼합되는 무기 충진제 또는 필러의 표면에 결합할 수 있고, 다른 한쪽은 매트릭스 수지와 친화성을 가져 필러와 매트릭스 수지의 분산성을 향상시키고, 필러와 수지 고분자와의 계면 접착성을 좋게하여 혼합 후 강도 등을 향상시킬 수 있는 화합물이다.One side of the silane coupling agent can bind to the surface of the inorganic filler or filler mixed with the polymer, and the other side has affinity with the matrix resin to improve the dispersibility of the filler and the matrix resin, and the interface between the filler and the resin polymer. It is a compound that can improve adhesion and improve strength after mixing.

실란커플링제의 예시로는, 트리메톡시실릴 벤조산, γ메타크릴 옥시프로필 트리메톡시실란, 비닐 트리아세톡시실란, 비닐 트리메톡시실란, γ이소시아네이트 프로필 트리에톡시실란, γ글리시독시 프로필 트리메톡시실란, β에폭시사이클로헥실)에틸트리메톡시실란, 비닐클로로실란, 비닐트리메톡시실란, 비닐트리에톡시실란, 2-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란, 3-글리시독시프로필트리메톡시실란, 3-글리시독시프로필메틸디에톡시실란, 3-글리시독시프로필디에톡시실란, 3-글리시독시프로필트리에톡시실란, p-스티릴트리메톡시실란, 3-메타Examples of the silane coupling agent include trimethoxysilyl benzoic acid, γ methacryloxypropyl trimethoxysilane, vinyl triacetoxysilane, vinyl trimethoxysilane, γ isocyanate propyl triethoxysilane, γ glycidoxy propyl tree Methoxysilane, β-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane, vinylchlorosilane, vinyltrimethoxysilane, vinyltriethoxysilane, 2-(3,4-epoxycyclohexyl)ethyltrimethoxysilane, 3- glycidoxypropyltrimethoxysilane, 3-glycidoxypropylmethyldiethoxysilane, 3-glycidoxypropyldiethoxysilane, 3-glycidoxypropyltriethoxysilane, p-styryltrimethoxysilane, 3-meta

크릴옥시프로필트리에톡시실란, 3-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란, 3-메타크릴옥시프로필메틸디메톡시실란,3-메타크릴옥시프로필메틸디에톡시실란, 3-아크릴옥시프로필트리메톡시실란, N-2-(아미노에틸)-3-아미노프로필메틸디메톡시실란, N-2-(아미노에틸)-3-아미노프로필트리메톡시실란, N-2-(아미노에틸)-3-아미노프로필메틸트리에톡시실란, 3-아미노프로필트리메톡시실란, 3-아미노프로필트리에톡시실란, 3-트리에톡시실릴-N-(1,3-디메틸부틸리덴)프로필아민, N-페닐-3-아미노프로필트리메톡시실란, 3-클로로프로필트리메톡시실란, 3-머캅토프로필메틸디메톡시실란, 3-머캅토프로필트리메톡시실란, 비스(트리에톡시실릴프로필)테트라설파이드, 3-이소시아네이트프로필트리에톡시실란 등을 들 수 있으며, 이들을 단독 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.Cryloxypropyltriethoxysilane, 3-methacryloxypropyltrimethoxysilane, 3-methacryloxypropylmethyldimethoxysilane, 3-methacryloxypropylmethyldiethoxysilane, 3-acryloxypropyltrimethoxysilane , N-2-(aminoethyl)-3-aminopropylmethyldimethoxysilane, N-2-(aminoethyl)-3-aminopropyltrimethoxysilane, N-2-(aminoethyl)-3-aminopropyl Methyltriethoxysilane, 3-aminopropyltrimethoxysilane, 3-aminopropyltriethoxysilane, 3-triethoxysilyl-N-(1,3-dimethylbutylidene)propylamine, N-phenyl- 3-aminopropyltrimethoxysilane, 3-chloropropyltrimethoxysilane, 3-mercaptopropylmethyldimethoxysilane, 3-mercaptopropyltrimethoxysilane, bis(triethoxysilylpropyl)tetrasulfide, 3 -Isocyanate propyltriethoxysilane etc. are mentioned, These can be used individually or in mixture of 2 or more types.

실란커플링제는 겔패드를 이루는 전체 조성물의 총량에 대해 0.001 ~ 0.1 중량% 로 포함될 수 있다.The silane coupling agent may be included in an amount of 0.001 to 0.1% by weight based on the total amount of the total composition constituting the gel pad.

실란커플링제는 가수분해 및 축합 반응에 참여할 수 있어 액상 실리콘 폴리머를 포함하는 합성수지와 세라믹 입자의 혼합시 분산성을 좋게 할 수 있다.Since the silane coupling agent can participate in hydrolysis and condensation reactions, it can improve dispersibility when mixing the synthetic resin containing the liquid silicone polymer and the ceramic particles.

실리콘오일은 물리적, 화학적으로 안정하며 내열성과 내한성 및 전기특성이 우후사고, 계면특성이 독특하여 다양한 분야에 사용되며, 예를들어, 디메틸실리콘오일, 메틸페닐실리콘오일, 메틸하이드로겐오일 및 유기변성실리콘오일로 이루어지는 군에서 선택되는 하나 이상이 사용될 수 있으며, 본 발명의 바람직한 실시예는 폴리디메틸실록산(Polydimethylsiloxane)을 사용한다.Silicone oil is physically and chemically stable, has excellent heat resistance, cold resistance and electrical properties, and has unique interface properties, so it is used in various fields. For example, dimethyl silicone oil, methylphenyl silicone oil, methyl hydrogen oil and organic modified silicone One or more selected from the group consisting of oil may be used, and a preferred embodiment of the present invention uses polydimethylsiloxane.

실리콘오일의 열전도도는 세라믹입자보다 낮고, 합성수지보다 낮거나 같은 것이 좋으며, 예를들어 0.1 ~ 0.15 W/m·K인 물질이 사용될 수 있다. 실리콘오일의 열전도도가 너무 낮으면 겔패드의 열전도 특성이 약해지고 세라믹입자의 비율이 증가하여 접착성이 저하되는 문제가 있다.The thermal conductivity of silicone oil is lower than that of ceramic particles, and preferably lower than or equal to that of synthetic resin, and for example, a material having 0.1 to 0.15 W/m·K may be used. If the thermal conductivity of silicone oil is too low, the thermal conductivity of the gel pad is weakened and the proportion of ceramic particles increases, resulting in a decrease in adhesiveness.

또한, 실리콘오일은 170 ~ 200℃ 의 내열한계를 가지며, 내열한계가 너무 낮은 경우 겔패드를 고온 조건에서 가동되는 장치에 활용하기 어려운 문제가 있다.In addition, silicone oil has a heat resistance limit of 170 to 200 ° C., and if the heat resistance limit is too low, it is difficult to utilize the gel pad for devices operating under high temperature conditions.

겔패드는 실리콘을 포함하는 합성수지와 필러, 실리콘오일을 혼합한 후, 열처리를 통해 실리콘을 포함하는 합성수지를 경화하는 과정을 거쳐 제조될 수 있으며, 실리콘을 포함하는 합성수지를 따로 열처리하여 경화시킨 후 필러 및 실리콘오일과 혼합하여 제조되는 것도 가능하다.The gel pad can be manufactured by mixing a synthetic resin containing silicone, a filler, and silicone oil, and then curing the synthetic resin containing silicone through heat treatment. And it is also possible to be prepared by mixing with silicone oil.

한편, 본 발명의 겔패드는 열전도도가 2.0 W/m·K 이상이며, 바람직하게는 2.5W/m·K 일 수 있고, 더욱 바람직하게는 2.9 W/m·K 이상, 예를들어 3.5 W/m·K 이상인 것도 바람직하다.Meanwhile, the gel pad of the present invention has a thermal conductivity of 2.0 W/m K or more, preferably 2.5 W/m K, more preferably 2.9 W/m K or more, for example, 3.5 W It is also preferable that it is /m·K or more.

겔패드의 열전도도가 높을수록 플라즈마 발생을 위해 RF가 공급되는 정전척(20) 및 실리콘링(30), 커플링링(25)의 온도를 빠르게 냉각할 수 있어 좋은 효과를 기대할 수 있다.The higher the thermal conductivity of the gel pad, the faster the temperature of the electrostatic chuck 20, the silicon ring 30, and the coupling ring 25 to which RF is supplied for plasma generation can be cooled, so a good effect can be expected.

겔패드(1)를 실리콘링(30)에 부착시키는 경우 실리콘링(30)을 플라즈마 식각장치에서 고정시키기 위한 결합나사(32)가 체결되는 나사결합공(31)을 막거나 차폐시키지 않기 위하여 내부홀(110)을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.When the gel pad 1 is attached to the silicon ring 30, the screw coupling hole 31 to which the coupling screw 32 for fixing the silicon ring 30 in the plasma etching device is fastened is not blocked or shielded. It is characterized by comprising a hole 110.

종래에는 실리콘링의 결합시 나사결합공(31)의 여부나 위치에 무관하게 접착제 또는 접착소재를 사용하였으며, 이로 인해 나사결합공(31)이 막히게 되고, 막힌 나사결합공(31)이 접착소재에 의해 막힘으로 인하여 불순물 또는 전하가 축적되고, 아크(Arc)가 발생하는 아킹(Arcing)현상이 일어나기도 하였다.Conventionally, when coupling the silicone ring, an adhesive or adhesive material was used regardless of the presence or location of the screw connection hole 31, and this causes the screw connection hole 31 to be clogged, and the clogged screw connection hole 31 is an adhesive material. Impurities or charges are accumulated due to clogging by , and an arcing phenomenon in which an arc is generated sometimes occurs.

내부홀(110)은 나사결합공(31)을 가리지 않도록 나사결합공(31)의 직경보다 조금 더 큰 직경을 갖는 구명 형태를 가진다. 예를들어, 내부홀(110)의 직경은 3 내지 3.5 mm일 수 있고, 바람직하게는 3.2 내지 3.4 mm인 것이 좋으며, 3.37 mm일 수 있고, 나사결합공(31)의 직경대비 1.05 ~ 1.2배인 것이 좋다.The inner hole 110 has a hole shape having a diameter slightly larger than the diameter of the screw hole 31 so as not to cover the screw hole 31 . For example, the diameter of the inner hole 110 may be 3 to 3.5 mm, preferably 3.2 to 3.4 mm, may be 3.37 mm, and 1.05 to 1.2 times the diameter of the screw coupling hole 31. It is good.

내부홀의 직경이 너무작은경우 결합공에 부품 등이 결합될 때 겔패드가 손상되거나 결합이 방해되고, 내부홀의 직경이 너무 큰 경우 접착 효과가 떨어지거나 플라즈마의 차단 효과가 약해지는 문제가 있을 수 있다.If the diameter of the inner hole is too small, the gel pad is damaged or the coupling is hindered when parts are coupled to the coupling hole, and if the diameter of the inner hole is too large, the adhesive effect may be reduced or the plasma blocking effect may be weakened. .

내부홀(110)은 외측패드(100)에 구비되는 것이 좋고, 이는 실리콘링(30)에 구비되는 나사결합공(31)의 위치와 수, 크기에 따라 달라질 수 있다.The inner hole 110 is preferably provided on the outer pad 100, which may vary depending on the position, number, and size of the screw coupling holes 31 provided on the silicon ring 30.

외측패드(100)는 적어도 하나 이상의 내부홀(110)을 구비하는 것이 좋으나, 둘 이상의 내부홀(110)이 외측패드(100)에 구비되는 것도 가능하다. 본 발명의 바람직한 일 실시예는 9개의 나사결합공(31)을 가지는 실리콘링(30)을 접합하기 위하여 1개의 내부홀(110)을 외측패드(100)에 가지는 겔패드(1)가 9개 필요한 구조를 갖는다.The outer pad 100 preferably has at least one inner hole 110, but it is also possible that the outer pad 100 has two or more inner holes 110. In a preferred embodiment of the present invention, nine gel pads 1 having one inner hole 110 on the outer pad 100 to join the silicone ring 30 having nine screw holes 31 have the required structure.

또한, 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 겔패드(1)는 외측패드(100)의 내부홀(110)에서 내측패드(200) 방향으로 확장되어 내부홀(110)의 내부 빈공간을 외측패드(100)와 내측패드(200) 사이의 내부슬릿(300)과 연결하는 공기배출로(120)를 포함한다.In addition, the gel pad 1 according to a preferred embodiment of the present invention extends from the inner hole 110 of the outer pad 100 toward the inner pad 200 to fill the empty space inside the inner hole 110 with the outer pad. An air outlet 120 connected to the inner slit 300 between the 100 and the inner pad 200 is included.

공기배출로(120)는 겔패드(1)를 이용한 실리콘링의 접착시 내부홀(110) 부분에서 발생하는 기포를 제거하기 위한 수단으로서, 내부홀(110) 부분의 내부에 갇힌 공기가 공기배출로(120)를 통하여 외측패드(100)와 내측패드(200) 사이에 구비되는 내부슬릿(300)으로 배출시킬 수 있어 겔패드(1) 내에서 접합부에 기포가 생기는 문제를 방지할 수 있다.The air discharge path 120 is a means for removing air bubbles generated in the inner hole 110 when the silicone ring is bonded using the gel pad 1, and the air trapped inside the inner hole 110 is discharged. It can be discharged through the furnace 120 through the inner slit 300 provided between the outer pad 100 and the inner pad 200, thereby preventing the problem of air bubbles forming at the joint in the gel pad 1.

또한, 공기배출로(120)는 내부홀(110)에서 내측패드(200) 방향으로 이어져 내부슬릿(300)으로 연결되는데, 공기배출로(120)가 외측패드(100)의 바깥 외주면 방향으로 연결되지 않음으로 인해, 장치 내부에 발생한 플라즈마가 실리콘링 및 커플링링(20)의 사이로 침투하여 공기배출로(120)를 따라 결합나사(32)까지 침투하는 문제를 방지할 수 있다. 플라즈마가 공기배출로(120)를 통해 내부홀(110)까지 유입되는 경우, 플라즈마에 의해 노출된 결합나사(32)가 식각, 부식 또는 변형될 수 있어 결합나사(32)의 수명이 감소할 뿐 아니라, 플라즈마 식각장치의 유지관리가 어려워져 부품교체 주기가 길어져 경제성이 떨어질 수 있다.In addition, the air discharge path 120 extends from the inner hole 110 toward the inner pad 200 and is connected to the inner slit 300, and the air discharge path 120 is connected to the outer peripheral surface of the outer pad 100. Due to this, it is possible to prevent a problem in which the plasma generated inside the device penetrates between the silicon ring and the coupling ring 20 and penetrates to the coupling screw 32 along the air discharge path 120. When the plasma flows into the inner hole 110 through the air discharge path 120, the coupling screw 32 exposed by the plasma may be etched, corroded, or deformed, reducing the lifespan of the coupling screw 32. In addition, the maintenance of the plasma etching device becomes difficult, and the parts replacement cycle becomes longer, which may reduce economic feasibility.

공기배출로는 폭에 따라 내부홀에 구비되는 결합나사(32)의 식각정도를 조절할 수 있으면서도 공기배출 기능을 수행할 수 있다. 예를 들어 공기배출로의 폭은 내부홀의 직경보다 작은 것이 좋고, 폭이 1.2 내지 1.5 mm 일 수 있으며, 바람직하게는 1.43~1.45mm 인 것이 좋다.The air discharge path can perform an air discharge function while adjusting the degree of etching of the coupling screw 32 provided in the inner hole according to the width. For example, the width of the air discharge path is preferably smaller than the diameter of the inner hole, and may be 1.2 to 1.5 mm, preferably 1.43 to 1.45 mm.

공기배출로의 폭이 너무 좁은 경우 공기배출이 원활하지 않은 문제가 있고, 공기배출로의 폭이 너무 넓은 경우 플라즈마의 침투율이 높아져 결합나사(32)가 빠르게 부식되거나 겔패드의 접착력이 저하될 수 있다.If the width of the air discharge path is too narrow, there is a problem in that the air discharge is not smooth, and if the width of the air discharge path is too wide, the penetration rate of plasma increases, which can quickly corrode the coupling screw 32 or deteriorate the adhesive strength of the gel pad. there is.

한편, 공기배출로가 연결되는 겔패드의 내부슬릿은 폭이 공기배출로 폭의 0.9 내지 1.1배인 것이 좋으며, 바람직하게는 공기배출로와 동일한 폭으로 구비되는 것도 좋다.On the other hand, the width of the inner slit of the gel pad to which the air discharge passage is connected is preferably 0.9 to 1.1 times the width of the air discharge passage, and preferably provided with the same width as the air discharge passage.

내부슬릿은 골기배출로를 통해 내부홀에서 배출되는 공기가 자연스럽게 분산되어 하자를 유발하지 않도록 하며, 인접하게 부착되는 겔패드의 내부슬릿과 서로 말단에서 연통될 수 있는 것을 특징으로 한다. 이때 환형으로 배열된 겔패드의 내부슬릿들은 서로 일체로 연결되어 내부에서 발생한 기체들을 적절히 분산시켜 겔패드가 변형되거나 압력에 의해 접착이 떨어지는 등의 문제를 효과적으로 방지하면서도 외부에서 침투될 수 있는 플라즈마의 유입을 효과적으로 막을 수 있어 자체적으로 가스를 포집하고 외부외 분리시키는 환형의 저장공간을 형성할 수 있다.The inner slit is characterized in that the air discharged from the inner hole through the bone discharge path is naturally dispersed so as not to cause a defect, and can communicate with the inner slit of the adjacent gel pad at the end. At this time, the internal slits of the gel pads arranged in an annular shape are integrally connected to each other to appropriately disperse the gas generated inside to effectively prevent problems such as deformation of the gel pad or deterioration of adhesion due to pressure, while preventing plasma penetration from the outside. Since the inflow can be effectively prevented, it is possible to form an annular storage space that collects gas on its own and separates it from the outside.

도 6 내지 10은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 겔패드(1)를 실리콘링(30)에 부착한 상태를 도시한 도면이다. 도 6 내지 10 의 (a) 도면은 겔패드(1)의 외측패드(100)와 내측패드(200) 구조를 개략적으로 나타낸 도면이고, 도 6 내지 10 의 (b) 도면은 외측패드(100)와 내측패드(200)를 실리콘링(30)에 부착한 상태를 나타낸 도면이다.6 to 10 are views showing a state in which the gel pad 1 according to a preferred embodiment of the present invention is attached to the silicone ring 30. 6 to 10 (a) schematically shows the structure of the outer pad 100 and the inner pad 200 of the gel pad 1, and the (b) drawing of FIGS. 6 to 10 shows the outer pad 100 It is a view showing a state in which the inner pad 200 is attached to the silicon ring 30.

공기배출로(120)는 직선 또는 곡선을 포함하여 이루어질 수 있으며, 그 폭은 일정한 것이 바람직하다.The air discharge passage 120 may include a straight line or a curved line, and preferably has a constant width.

공기배출로(120)는 직선형태인 경우, 하나 이상의 꺾인점을 갖는 경로로 구비될 수 있으며, 나선의 일부를 포함하는 곡선 또는 구면의 일부를 포함하는 곡성이 사용되는 것도 가능하다.When the air discharge path 120 is in the form of a straight line, it may be provided as a path having one or more bent points, and it is also possible to use a curved line including a part of a spiral or a curved line including a part of a spherical surface.

한편, 도 11은 실리콘링(30)을 정전척(20)에 부착시키기 위해 사용가능한 다른 종류의 패드 형태를 나타낸 도면이다. 도 8에서는 종래 기술과 본 발명의 겔패드를 대비하기 위하여 같은 도면부호를 사용하였으나, 도면부호가 같은 구성요소가 종래기술과 본원발명에서 동일한 구성요소임을 의미하는 것은 아니며, 이해를 돕기 위하여 임시적으로 도면부호를 동일하게 표시하였다. Meanwhile, FIG. 11 is a view showing another type of pad shape usable for attaching the silicon ring 30 to the electrostatic chuck 20 . In FIG. 8, the same reference numerals are used to compare the prior art and the gel pad of the present invention, but components with the same reference numerals do not mean that they are the same components in the prior art and the present invention. The same reference numerals are indicated.

도 11의 (a), (b)는 각각 종래의 외측패드 또는 내측패드를 나타내는 것으로 내부홀(110)이 구비되지 않으며, 공기배출로(120) 또한 포함되지 않는 것을 알 수 있다.11 (a) and (b) show conventional outer pads or inner pads, respectively, and it can be seen that the inner hole 110 is not provided and the air discharge path 120 is not included.

도 11의 (c)도면에서는 외측패드(100)의 내주면측에 일부 함몰된 구간이 포함되는 것을 볼 수 있다. 이는 내부홀(110)과 공기배출로(120)와 그 형태나 구성, 크기가 전혀 다르며, 전체 접합영역이 상대적으로 감소하는 차이가 있다.In (c) of FIG. 11 , it can be seen that a partially recessed section is included on the inner circumferential side of the outer pad 100 . This is completely different from the inner hole 110 and the air discharge path 120 in shape, configuration, and size, and there is a difference in that the entire junction area is relatively reduced.

도 12 및 도 13은 비교예에 해당하는 겔패드(1)의 구조를 나타낸 도면이다. 도 10의 (a)는 내부홀(110)을 포함하되, 공기배출로(120)를 포함하지 않는 형태의 외측패드(100)가 구비된 겔패드(1)를 나타낸 도면이고, 도 10의 (b)는 내부홀(110)로부터 연장되는 공기배출로(120)가 외측패드(100)의 바깥방향을 향해 연장되어 외주면과 연결된 구조를 포함하는 겔패드(1)를 나타낸 도면이다.12 and 13 are diagrams showing the structure of a gel pad 1 corresponding to a comparative example. 10(a) is a view showing a gel pad 1 provided with an outer pad 100 having an inner hole 110 but not including an air outlet 120, and FIG. b) is a view showing the gel pad 1 including a structure in which the air discharge path 120 extending from the inner hole 110 extends outwardly of the outer pad 100 and is connected to the outer circumferential surface.

도 14는 겔패드(1)를 이용하여 실리콘링(30)의 접합 후, 플라즈마 식각을 수행한 뒤 결합나사(32)의 변화를 나타낸 참고도이다. 좌측의 기존 결합나사(32)는 플라즈마 식각장치에 사용된 이후 식각, 부식 및 변형 되어 교체가 필요한 상태임을 확인할 수 있다.FIG. 14 is a reference view showing the change of the coupling screw 32 after bonding the silicon ring 30 using the gel pad 1 and performing plasma etching. It can be seen that the existing coupling screw 32 on the left is in need of replacement due to etching, corrosion, and deformation after being used in the plasma etching device.

외측패드(100)와 내측패드(200)는 내부슬릿(300)으로 서로 분리되어 있는 것이 좋으며, 그 간격은 일정한 것이 좋다. 내부슬릿(300)이 없는 경우, 작업자가 겔패드(1)를 실리콘링(30)에 접합시키는 데 어려움이 있어 휴먼에러(human error)가 발생할 가능성이 높고, 균일한 두께로 부착되지 않을 가능성이 있다.It is preferable that the outer pad 100 and the inner pad 200 are separated from each other by an inner slit 300, and the interval is preferably constant. If there is no inner slit 300, it is difficult for the operator to bond the gel pad 1 to the silicone ring 30, so there is a high possibility of human error and a high possibility of not attaching with a uniform thickness. there is.

또한, 내부슬릿(300)이 있는 경우, 온도의 변화로 인한 겔패드(1)의 열팽창시 내부슬릿(300)이 좁아지며 열팽창에 대한 완충작용을 수행할 수 있으므로, 열팽창으로 인해 외부로 겔패드(1)가 빠져나오거나 실리콘링(30)을 밀어 압력을 가하는 문제를 예방할 수 있다.In addition, when there is an internal slit 300, when the gel pad 1 thermally expands due to a change in temperature, the internal slit 300 narrows and can buffer the thermal expansion, so that the gel pad is externally exposed due to thermal expansion. (1) can prevent the problem of coming out or pushing the silicon ring 30 to apply pressure.

본 발명의 다른 측면은 전술한 겔 패드를 포함하는 겔패드 세트(set)이다.Another aspect of the present invention is a gel pad set comprising the aforementioned gel pad.

겔패드 세트는 전술한 겔패드를 활용하기 위한 어플리케이션의 일 예시로서, 전술한 겔패드를 보관하거나 유통하기 쉽게 하고, 외측패드 및 내측패드의 표면에 이물질이 오염되어 접착력을 저하시키는 문제를 방지하기 위하여 외측패드 및 내측패드의 상부 및 하부에서 밀착되는 한 쌍의 필름을 포함한다.The gel pad set is an example of an application for utilizing the above-described gel pad, to make it easy to store or distribute the above-described gel pad, and to prevent the surface of the outer and inner pads from being contaminated with foreign substances and deteriorating adhesive strength. In order to do so, a pair of films adhered to the top and bottom of the outer pad and the inner pad are included.

여기에서 사용되는 한 쌍의 필름은 적어도 일 면이 이형성을 가지는 이형성 필름인 것이 좋으며, 외측패드 및 내측패드와 밀착되는 면이 이형성을 가지는 것이 바람직하다.The pair of films used herein is preferably a release film having release properties on at least one surface, and preferably has release properties on surfaces in close contact with the outer pad and the inner pad.

한 쌍의 필름은 외측패드 및 내측패드보다 넓은 면적을 가져 외측패드 및 내측패드의 모든 표면을 덮을 수 있는 것이 좋고, 사용자들이 쉽게 필름을 제거할 수 있도록 외측패드 및 내측패드 외부로 더 돌출되는 손잡이부를 포함하는 것이 좋다.It is recommended that the pair of films have a larger area than the outer and inner pads to cover all surfaces of the outer and inner pads, and the handle protrudes further out of the outer and inner pads so that users can easily remove the films. It is good to include wealth.

도 9 및 도 10에는 도면부호로 나타내지는 않았지만 외측패드 및 내측패드 보다 넓은 면적을 가지는 필름을 도시하였다.9 and 10 show a film having a larger area than the outer pad and the inner pad, although not indicated by reference numerals.

한 쌍의 필름은 투명성 필름 또는 반투명성 필름일 수 있으며, 불투명성 필름이 사용되는 것도 가능하지만 바람직하게는 투명성 필름인 것이 좋다,The pair of films may be transparent films or translucent films, and an opaque film may be used, but preferably a transparent film.

이형성 필름을 포함하는 겔패드 세트의 경우 일측의 필름을 사용자가 제거한 후 겔패드를 부착하고자 하는 부품의 접착면에 필름이 제거된 겔패드 세트의 면이 닿도록 하여 접착시키고, 남은 필름을 제거하고 부품을 장치가 구비되는 위치에 접착시킴으로써 부품과 장치를 접착시킬 수 있다.In the case of a gel pad set including a release film, after the user removes one side of the film, the surface of the gel pad set from which the film is removed is brought into contact with the adhesive surface of the part to which the gel pad is to be attached, and the remaining film is removed. The component and the device can be bonded by adhering the component to a location where the device is provided.

이하에서는 실시예를 통하여 본 발명의 내용을 상세히 설명한다. Hereinafter, the contents of the present invention will be described in detail through examples.

<실시예><Example>

실시예 1 내지 22Examples 1 to 22

실시예의 겔패드는 실리콘을 포함하는 수지로 양 말단에 비닐기를 포함하는 폴리실록산(제1 실리콘 폴리머)과, Si-H 결합을 가지는 오르가노하이드로겐 폴리실록산(제2 실리콘 폴리머)을 1:1 중량비율로 혼합하여 얻어진 2액상 실리콘 혼합액(SL7220, KCC)을 준비하고, 세라믹입자로 알루미나(입경: 70㎛, 7㎛, 0.2㎛), SiC, 탄소분말 등을 선택하여 사용하였으며, 추가적으로 실란커플링제, 디메틸 실리콘 오일을 첨가하여 겔 패드를 제조하였다.The gel pad of the embodiment is a silicone containing polysiloxane (first silicone polymer) containing vinyl groups at both ends and organohydrogen polysiloxane (second silicone polymer) having a Si-H bond in a weight ratio of 1:1. A two-liquid silicon mixture (SL7220, KCC) obtained by mixing was prepared, and alumina (particle diameter: 70 μm, 7 μm, 0.2 μm), SiC, carbon powder, etc. were selected and used as ceramic particles, additionally a silane coupling agent, A gel pad was prepared by adding dimethyl silicone oil.

시료의 열전도율은 QTM710, TPS-2500S 장비를 사용하여 3종의 방식으로 측정하였다.The thermal conductivity of the sample was measured in three ways using QTM710 and TPS-2500S equipment.

접착력의 측정은 다음과 같은 방법으로 수행하였다. 1) Si bulk 지그(jig) 위에 가로와 세로가 모두 25mm인 시편을 부착한다. 2) 500g의 중량의 추를 시편의 위에 놓은 후 5분간 대기하였다. 3) 상하 그립에 지그를 체결하였다. 4) 0.5mm/min의 속도로 그립을 잡아당기며 추와 지그 사이의 시편의 접착강도를 측정하였다.Adhesive strength was measured in the following way. 1) Attach a specimen measuring 25 mm in width and length on a Si bulk jig. 2) A weight of 500 g was placed on the specimen and waited for 5 minutes. 3) The jig was fastened to the upper and lower grips. 4) The adhesive strength of the specimen between the weight and the jig was measured while pulling the grip at a speed of 0.5 mm/min.

겔패드의 열전도도는 포함되는 세라믹입자의 함량(비율)과, 함께 첨가되는 실란커플링제 함량(비율)에 따라 달라질 수 있으며, 이중 필러의 함량이 열전도도에 가장 높은 영향을 주는 것으로 확인되었으며, 실란커플링제 또한 열전도도에 유의미한 영향을 주는 것으로 확인되었으며, 구체적으로는 세라믹입자의 비율이 증가할수록 열전도도가 증가하고, 실란커플링제는 감소할수록 열전도도가 증가하였다.The thermal conductivity of the gel pad can vary depending on the content (ratio) of the ceramic particles and the content (ratio) of the silane coupling agent added together, and it has been confirmed that the content of the filler has the highest effect on the thermal conductivity, It was confirmed that the silane coupling agent also had a significant effect on the thermal conductivity. Specifically, as the ratio of ceramic particles increased, the thermal conductivity increased, and as the silane coupling agent decreased, the thermal conductivity increased.

구분division 실시예 1Example 1 실시예 2Example 2 실시예 3Example 3 실시예 4Example 4 실시예 5Example 5 실시예 6Example 6 실시예 7Example 7 실시예 8Example 8 제1 실리콘 폴리머(g)First silicone polymer (g) 3.38g3.38g 3.38g3.38g 2.252.25 2.252.25 3.383.38 2.252.25 3.383.38 2.252.25 제2 실리콘 폴리머 (g)Second silicone polymer (g) 3.28g3.28g 3.38g3.38g 2.252.25 2.252.25 3.383.38 2.252.25 3.383.38 2.252.25 Al2O3
(70um)
Al 2 O 3
(70um)
47.45g47.45g 47.45g47.45g 48.7448.74 48.7448.74 47.4547.45 48.7448.74 47.4547.45 48.7448.74
Al2O3
(7um)
Al 2 O 3
(7um)
31.64g31.64g 31.64g31.64g 32.4932.49 32.4932.49 31.6431.64 32.4932.49 31.6431.64 32.4932.49
Al2O3
(0.2um)
Al 2 O 3
(0.2um)
4.16g4.16g 4.16g4.16g 4.284.28 4.284.28 4.164.16 4.284.28 4.164.16 4.284.28
실리콘
오일
silicon
oil
7.2g7.2g 7.2g7.2g 7.2g7.2g 7.2g7.2g 7.2g7.2g 7.2g7.2g 7.2g7.2g 7.2g7.2g
실란커플링제Silane Coupling Agent 0.460.46 0.230.23 0.230.23 0.460.46 0.460.46 0.460.46 0.230.23 0.230.23 두께(mm)Thickness (mm) 0.530.53 0.530.53 0.520.52 0.520.52 0.530.53 0.520.52 0.530.53 0.520.52 열전도도(W/m·K)Thermal conductivity (W/m K) 2.3912.391 2.7452.745 3.6453.645 2.8072.807 2.5202.520 3.1163.116 2.8542.854 3.4933.493 필러 함량(중량%)Filler content (% by weight) 91.3891.38 90.5290.52 91.9991.99 90.7890.78 87.4587.45 88.9088.90 85.8585.85 87.2987.29 평가evaluation 성형성 좋지않음Poor formability 성형성 좋지않음Poor formability 성형성 좋지않음Poor formability 성형성 좋지않음Poor formability 성형성 좋지않음Poor formability 성형성 좋지않음Poor formability 성형성 좋지않음Poor formability 성형성 좋지않음Poor formability

표 1의 결과를 이용하여 겔패드의 열전도도에 영향을 미치는 요인인 세라믹입자와 실란커플링제의 함량에 따른 열전도도 변화를 도식화한 도면을 도 12 내지 14에 나타내었다.Figs. 12 to 14 show graphs showing changes in thermal conductivity according to the contents of the ceramic particles and the silane coupling agent, which are factors influencing the thermal conductivity of the gel pad, using the results of Table 1.

표 2 및 표 3은 실시예 9 내지 22에 대하여 성형특성을 실험한 후 결과를 정리한 표이다. 실험결과, 필러의 비율이 감소할수록 성형특성이 좋아졌으며, 실란커플링제의 비율이 증가할수록 성형성이 좋아짐을 알 수 있었다.Tables 2 and 3 are tables summarizing the results after testing the molding characteristics of Examples 9 to 22. As a result of the experiment, it was found that the moldability improved as the proportion of the filler decreased, and the moldability improved as the proportion of the silane coupling agent increased.

구분division 실시예 9Example 9 실시예 10Example 10 실시예 11Example 11 실시예 12Example 12 실시예 13Example 13 실시예 14Example 14 실시예 15Example 15 제1 실리콘 폴리머(g)First silicone polymer (g) 9g9g 6.75g6.75g 11.25g11.25g 11.25g11.25g 6.75g6.75g 9g9g 9g9g 제2 실리콘 폴리머 (g)Second silicone polymer (g) 9g9g 6.75g6.75g 11.25g11.25g 11.25g11.25g 6.75g6.75g 9g9g 9g9g Al2O3
(70um)
Al 2 O 3
(70um)
40.5g40.5g 43.2g43.2g 37.8g37.8g 37.8g37.8g 43.2g43.2g 40.5g40.5g 40.5g40.5g
Al2O3
(7um)
Al 2 O 3
(7um)
27g27g 28.8g28.8g 25.2g25.2g 25.2g25.2g 28.8g28.8g 27g27g 27g27g
Al2O3
(0.2um)
Al 2 O 3
(0.2um)
4.5g4.5g 4.5g4.5g 4.5g4.5g 4.5g4.5g 4.5g4.5g 4.5g4.5g 4.5g4.5g
실리콘
오일
silicon
oil
7.2g7.2g 7.2g7.2g 7.2g7.2g 7.2g7.2g 7.2g7.2g 7.2g7.2g 7.2g7.2g
실란
커플링제
Silane
coupling agent
0.56g0.56g 0.23g0.23g 0.23g0.23g 0.9g0.9g 0.9g0.9g 0.56g0.56g 0.56g0.56g
두께(mm)Thickness (mm) 0.550.55 0.530.53 0.520.52 0.520.52 0.520.52 0.50.5 0.550.55 열전도도(W/m·K)Thermal conductivity (W/m K) 2.2302.230 2.9722.972 1.5821.582 1.3011.301 2.5132.513 2.0622.062 2.3502.350 필러 함량(중량%)Filler content (% by weight) 73.6573.65 78.5278.52 69.2869.28 68.8168.81 77.9877.98 75.2175.21 74.3974.39 평가evaluation 성형성 좋음Good formability 성형성 좋음Good formability 성형성 좋음Good formability 성형성 좋음Good formability 성형성 좋음Good formability 성형성 좋음Good formability 성형성 좋음Good formability

구분division 실시예 16Example 16 실시예 17Example 17 실시예 18Example 18 실시예 19Example 19 실시예 20Example 20 실시예 21Example 21 실시예 22Example 22 제1 실리콘 폴리머(g)First silicone polymer (g) 9g9g 99 9g9g 9g9g 5.82g5.82g 12.18g12.18g 9g9g 제2 실리콘 폴리머(g)Second silicone polymer (g) 9g9g 9g9g 9g9g 9g9g 5.82g5.82g 12.18g12.18g 9g9g Al2O3
(70um)
Al 2 O 3
(70um)
40.5g40.5g 40.5g40.5g 40.5g40.5g 40.5g40.5g 44.32g44.32g 36.68g36.68g 40.5g40.5g
Al2O3
(7um)
Al 2 O 3
(7um)
27g27g 27g27g 27g27g 27g27g 29.54g29.54g 24.45g24.45g 27g27g
Al2O3
(0.2um)
Al 2 O 3
(0.2um)
4.5g4.5g 4.5g4.5g 4.5g4.5g 4.5g4.5g 4.5g4.5g 4.5g4.5g 4.5g4.5g
실리콘
오일
silicon
oil
7.2g7.2g 7.2g7.2g 7.2g7.2g 7.2g7.2g 7.2g7.2g 7.2g7.2g 7.2g7.2g
실란
커플링제
Silane
coupling agent
0.56g0.56g 1.04g1.04g 0.56g0.56g 0.56g0.56g 0.56g0.56g 0.56g0.56g 0.085g0.085g
두께(mm)Thickness (mm) 0.550.55 0.520.52 0.520.52 0.520.52 0.520.52 0.520.52 0.550.55 열전도도(W/m·K)Thermal conductivity (W/m K) 1.8781.878 2.4482.448 1.9121.912 2.1562.156 1.7511.751 2.2632.263 2.6732.673 필러 함량(중량%)Filler content (% by weight) 73.6573.65 73.0973.09 73.2573.25 72.3872.38 76.4376.43 63.7763.77 71.3771.37 평가evaluation 성형성 좋음Good formability 성형성 좋음Good formability 성형성 좋음Good formability 성형성 좋음Good formability 성형성 좋음Good formability 성형성 좋음Good formability 성형성 좋음Good formability

실시예 23 및 24Examples 23 and 24

실시예 1과 동일한 제1, 제2 실리콘 폴리머를 중량비율로 1:1로 혼합한 것을 23.6 g 준비한 후, 세라믹 분말로 알루미나를 126.9 g 를 준비하되, 평균입경이 각각 70, 7㎛인 분말을 70.5와 56.6g, 88.83과 38.07g 으로 하여 중량비율을 5:4 및 7:3으로 한 후, SiC 및 카본분말, 실리콘오일, 실란 커플링제를 투입하여 겔패드를 제조한 후, 열전도도, 설형성 및 이형특성을 관찰하여 표 4에 나타내었다.After preparing 23.6 g of a mixture of the same first and second silicone polymers in a weight ratio of 1:1 as in Example 1, 126.9 g of alumina was prepared as ceramic powder, but powder having average particle diameters of 70 and 7 μm, respectively 70.5 and 56.6g, 88.83 and 38.07g, and the weight ratio was 5:4 and 7:3, and then SiC, carbon powder, silicon oil, and silane coupling agent were added to prepare a gel pad, and thermal conductivity and Formation and release characteristics were observed and shown in Table 4.

구분division 실시예 23Example 23 실시예 24Example 24 제1 실리콘 폴리머(g)First silicone polymer (g) 11.811.8 11.811.8 제2 실리콘 폴리머(g)Second silicone polymer (g) 11.811.8 11.811.8 Al2O3 70um (g)Al 2 O 3 70um (g) 70.570.5 88.8388.83 Al2O3 7um (g)Al 2 O 3 7um (g) 56.456.4 38.0738.07 SiC 분말 (g)SiC powder (g) 0.60.6 0.60.6 Al2O3 0.2um (g)Al 2 O 3 0.2 μm (g) -- -- 카본 분말 (g)Carbon powder (g) 0.010.01 0.010.01 시리콘 오일 (g)Silicon Oil (g) 7.27.2 7.27.2 실란 커플링제(g)Silane coupling agent (g) 0.150.15 0.150.15 열전도도 1차Thermal conductivity 1st 1.6841.684 2.1902.190 열전도도 2차Secondary thermal conductivity 1.7531.753 2.4712.471 열전도도 3차Thermal conductivity 3rd -- 2.1652.165 열전도도 평균Thermal conductivity average 1.7181.718 2.2752.275 평가evaluation -. 성형성 좋음
-. 이형잘됨
-. Good formability
-. well done
-. 성형성 좋음
-. 이형잘됨
-. Good formability
-. well done

  실시예 23Example 23 실시예 24Example 24 TC-50TXS2
(신에츠 5W)
TC-50TXS2
(Shin-Etsu 5W)
COH-3114VO4 3.1W (5W)COH-3114VO4 3.1W (5W) COH-5051 5W (7W)COH-5051 5W (7W)
단면적(㎠)Cross-sectional area (cm2) 6.256.25 6.256.25 6.256.25 6.256.25 6.256.25 Max Load (Kpa)Max Load (Kpa) 108108 204204 150150 173173 8686 9999 386386 209209 9999 111111 9898 156156 162162 139139 7878 6464 9090 9090 184184 274274 5656 290290 307307 221221 347347 155155 213213 257257 345345 6262 9898 216216 154154 280280 103103 Max Load 평균.Max Load Average. 96.8696.86 222.14222.14 189.86189.86 205.86205.86 151.57151.57

표 5는 실시예 23, 24와 시판 경쟁사 제품에 대하여 접착력 테스트를 수행한 것이다. 실시예 24의 경우 평균 접착력이 222 kPa이상으로 평가되어 우수한 것으로 확인되었다.Table 5 is an adhesion test performed on Examples 23 and 24 and commercially available competitor products. In the case of Example 24, the average adhesive force was evaluated as 222 kPa or more, which was confirmed to be excellent.

전술한 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의하여 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The features, structures, effects, etc. illustrated in each of the above-described embodiments can be combined or modified with respect to other embodiments by those skilled in the art in the field to which the embodiments belong. Therefore, contents related to these combinations and variations should be construed as being included in the scope of the present invention.

1 : 겔패드
10 : 플라즈마 식각장치
20 : 정전척
25: 커플링링
30 : 실리콘링
31: 나사결합공
32 : 결합나사
33 : 전원핀
34 : 온도센서
40 : 실리콘 웨이퍼
100 : 외측패드
110 : 내부홀
120 : 공기배출로
200 : 내측패드
300 : 내부슬릿
1 : Gel pad
10: plasma etching device
20: electrostatic chuck
25: Coupling
30: silicon ring
31: screw joint
32: combination screw
33: power pin
34: temperature sensor
40: silicon wafer
100: outer pad
110: inner hole
120: air discharge path
200: inner pad
300: internal slit

Claims (20)

내부에 반응성 가스 분위기를 형성하는 장치의 상기 내부에 구비되는 부품과 상기 장치의 사이에 끼워져 상기 부품을 상기 장치의 내부에 접착시키는 접착수단으로서,
적어도 2이상의 비닐기를 가지는 폴리실록산을 포함하는 제1 실리콘 폴리머와, 적어도 하나 이상의 Si-H 결합을 가지는 폴리실록산 또는 오르가노하이드로겐 폴리실록산을 포함하는 제2 실리콘 폴리머를 포함하는 합성수지; 및
상기 합성수지에 분산되며 알루미나(Al2O3), 질화붕소(BN, 보론나이트라이드), 흑연, 그래핀, 탄소나노튜브, 숯 및 탄화실리콘(SiC)으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 어느 하나 이상인 세라믹입자;를 포함하는 겔패드.
An adhesive means for adhering the component to the inside of the device by being interposed between a component provided inside the device for forming a reactive gas atmosphere therein and the device,
a synthetic resin comprising a first silicone polymer including polysiloxane having at least two vinyl groups and a second silicone polymer including polysiloxane or organohydrogen polysiloxane having at least one Si-H bond; and
Dispersed in the synthetic resin, at least one ceramic selected from the group consisting of alumina (Al 2 O 3 ), boron nitride (BN, boron nitride), graphite, graphene, carbon nanotubes, charcoal, and silicon carbide (SiC) Particles; gel pad containing.
제1항에 있어서,
상기 합성수지와 상기 세라믹입자의 계면 접착성을 향상시키기 위한 실란커플링제를 포함하는 겔패드.
According to claim 1,
A gel pad comprising a silane coupling agent for improving interfacial adhesion between the synthetic resin and the ceramic particles.
제2항에 있어서,
상기 제1 실리콘 폴리머와 상기 제2 실리콘 폴리머의 중량 비율은 1:3 내지 3:1 인 겔패드.
According to claim 2,
The weight ratio of the first silicone polymer to the second silicone polymer is 1:3 to 3:1.
제3항에 있어서,
상기 세라믹입자는 상기 합성수지 및 상기 세라믹입자 전체에 대하여 60 내지 93 중량%로 포함되는 겔패드.
According to claim 3,
The ceramic particles are included in an amount of 60 to 93% by weight based on the total weight of the synthetic resin and the ceramic particles.
제4항에 있어서,
상기 겔패드의 열전도도는 2.0 W/m·K 이상인 겔패드.
According to claim 4,
The gel pad has a thermal conductivity of 2.0 W / m K or more.
제5항에 있어서,
상기 실란커플링제는,
트리메톡시실릴 벤조산, γ메타크릴 옥시프로필 트리메톡시실란, 비닐 트리아세톡시실란, 비닐 트리메톡시실란, γ이소시아네이트 프로필 트리에톡시실란, γ글리시독시 프로필 트리메톡시실란, β에폭시사이클로헥실)에틸트리메톡시실란, 비닐클로로실란, 비닐트리메톡시실란, 비닐트리에톡시실란, 2-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란, 3-글리시독시프로필트리메톡시실란, 3-글리시독시프로필메틸디에톡시실란, 3-글리시독시프로필디에톡시실란, 3-글리시독시프로필트리에톡시실란, p-스티릴트리메톡시실란, 3-메타크릴옥시프로필트리에톡시실란, 3-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란, 3-메타크릴옥시프로필메틸디메톡시실란,3-메타크릴옥시프로필메틸디에톡시실란, 3-아크릴옥시프로필트리메톡시실란, N-2-(아미노에틸)-3-아미노프로필메틸디메톡시실란, N-2-(아미노에틸)-3-아미노프로필트리메톡시실란, N-2-(아미노에틸)-3-아미노프로필메틸트리에톡시실란, 3-아미노프로필트리메톡시실란, 3-아미노프로필트리에톡시실란, 3-트리에톡시실릴-N-(1,3-디메틸부틸리덴)프로필아민, N-페닐-3-아미노프로필트리메톡시실란, 3-클로로프로필트리메톡시실란, 3-머캅토프로필메틸디메톡시실란, 3-머캅토프로필트리메톡시실란, 비스(트리에톡시실릴프로필)테트라설파이드 및 3-이소시아네이트프로필트리에톡시실란 으로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 또는 2종 이상인 겔패드.
According to claim 5,
The silane coupling agent,
trimethoxysilyl benzoic acid, γ methacryloxypropyl trimethoxysilane, vinyl triacetoxysilane, vinyl trimethoxysilane, γ isocyanate propyl triethoxysilane, γ glycidoxy propyl trimethoxysilane, β epoxycyclohexyl ) Ethyltrimethoxysilane, vinylchlorosilane, vinyltrimethoxysilane, vinyltriethoxysilane, 2-(3,4-epoxycyclohexyl)ethyltrimethoxysilane, 3-glycidoxypropyltrimethoxysilane , 3-glycidoxypropylmethyldiethoxysilane, 3-glycidoxypropyldiethoxysilane, 3-glycidoxypropyltriethoxysilane, p-styryltrimethoxysilane, 3-methacryloxypropyltrie Toxysilane, 3-methacryloxypropyltrimethoxysilane, 3-methacryloxypropylmethyldimethoxysilane, 3-methacryloxypropylmethyldiethoxysilane, 3-acryloxypropyltrimethoxysilane, N-2- (Aminoethyl)-3-aminopropylmethyldimethoxysilane, N-2-(aminoethyl)-3-aminopropyltrimethoxysilane, N-2-(aminoethyl)-3-aminopropylmethyltriethoxysilane , 3-aminopropyltrimethoxysilane, 3-aminopropyltriethoxysilane, 3-triethoxysilyl-N-(1,3-dimethylbutylidene)propylamine, N-phenyl-3-aminopropyltri Methoxysilane, 3-chloropropyltrimethoxysilane, 3-mercaptopropylmethyldimethoxysilane, 3-mercaptopropyltrimethoxysilane, bis(triethoxysilylpropyl)tetrasulfide and 3-isocyanatepropyltrie One or two or more gel pads selected from the group consisting of toxysilanes.
제6항에 있어서,
상기 적어도 2 이상의 비닐기를 포함하는 폴리실록산은 아래 화학식 1 내지 화학식 3 중 어느 하나의 구조를 가지는 것인 겔패드.
(화학식 1)
Figure pat00007

(화학식 2)
Figure pat00008

(화학식 3)
Figure pat00009

(여기에서, n, m은 100 내지 300 인 정수이고, x, y 및 z는 각각 0 내지 200 인 정수이며, x+y+z 는 100 내지 400 이다.)
According to claim 6,
The polysiloxane containing at least two or more vinyl groups has a structure of any one of Formulas 1 to 3 below.
(Formula 1)
Figure pat00007

(Formula 2)
Figure pat00008

(Formula 3)
Figure pat00009

(Here, n and m are integers from 100 to 300, x, y and z are integers from 0 to 200, respectively, and x+y+z is from 100 to 400.)
제7항에 있어서,
상기 제1 실리콘 폴리머 및 상기 제2 실리콘 폴리머는 중량평균 분자량이 10만 ~ 12만 g/mol인 겔패드.
According to claim 7,
The first silicone polymer and the second silicone polymer have a weight average molecular weight of 100,000 to 120,000 g / mol.
제8항에 있어서,
상기 적어도 2 이상의 비닐기를 포함하는 폴리실록산의 비닐기의 함량이 0.01 내지 0.1 mol% 인 겔패드.
According to claim 8,
The gel pad wherein the polysiloxane containing at least two vinyl groups has a vinyl group content of 0.01 to 0.1 mol%.
제9항에 있어서,
상기 세라믹입자는,
평균 입경이 서로 다른 적어도 2 이상의 세라믹입자를 포함하는 겔패드.
According to claim 9,
The ceramic particles,
A gel pad comprising at least two or more ceramic particles having different average particle diameters.
제10항에 있어서,
상기 세라믹입자는,
입경이 10 내지 100㎛ 인 제1 세라믹입자, 입경이 1 내지 10㎛인 제2 세라믹입자 및 입경이 1㎛ 이하인 제3세라믹입자로 이루어지는 군에서 선택된 적어도 2 이상의의 세라믹입자의 혼합물을 포함하는 겔패드.
According to claim 10,
The ceramic particles,
A gel comprising a mixture of at least two ceramic particles selected from the group consisting of first ceramic particles having a particle size of 10 to 100 μm, second ceramic particles having a particle size of 1 to 10 μm, and third ceramic particles having a particle size of 1 μm or less pad.
제11항에 있어서,
상기 세라믹입자는,
상기 제1 세라믹입자와 상기 제2 세라믹입자를 포함하고,
상기 제1 세라믹입자와 상기 제2 세라믹입자의 중량 분율은 5:3 내지 10:7인 겔패드.
According to claim 11,
The ceramic particles,
Including the first ceramic particle and the second ceramic particle,
A weight fraction of the first ceramic particles and the second ceramic particles is 5:3 to 10:7 gel pad.
내부에 반응성 가스 분위기를 형성하는 장치의 상기 내부에 구비되는 부품과 상기 장치의 사이에 끼워져 상기 부품을 상기 장치의 내부에 접착시키는 접착수단으로서,
내부에 구비되는 내부홀과, 상기 내부홀의 직경보다 좁은 폭을 가지며 상기 내부홀로부터 내측으로 연장되는 공기배출통로를 포함하는 외측패드와, 상기 외측패드의 상기 내측에 구비되는 내측패드, 및 상기 외측패드와 상기 내측패드 사이를 분리하고, 상기 공기배출통로와 연결되는 내부슬릿;을 포함하고,
상기 외측패드 및 내측패드는,
적어도 2이상의 비닐기를 가지는 폴리실록산을 포함하는 제1 실리콘 폴리머와, 적어도 하나 이상의 Si-H 결합을 가지는 폴리실록산 또는 오르가노하이드로겐 폴리실록산을 포함하는 제2 실리콘 폴리머를 포함하는 합성수지; 및
상기 합성수지에 분산되며 알루미나(Al2O3), 질화붕소(BN, 보론나이트라이드), 흑연, 그래핀, 탄소나노튜브, 숯 및 탄화실리콘(SiC)으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 어느 하나 이상인 세라믹입자;를 포함하는 겔패드 세트.
An adhesive means for adhering the component to the inside of the device by being interposed between a component provided inside the device for forming a reactive gas atmosphere therein and the device,
An outer pad including an inner hole provided therein, an air discharge passage having a narrower width than the diameter of the inner hole and extending inwardly from the inner hole, an inner pad provided on the inner side of the outer pad, and the outer pad An inner slit separating the pad and the inner pad and connected to the air discharge passage;
The outer pad and the inner pad,
a synthetic resin comprising a first silicone polymer including polysiloxane having at least two vinyl groups and a second silicone polymer including polysiloxane or organohydrogen polysiloxane having at least one Si-H bond; and
Dispersed in the synthetic resin, at least one ceramic selected from the group consisting of alumina (Al 2 O 3 ), boron nitride (BN, boron nitride), graphite, graphene, carbon nanotubes, charcoal, and silicon carbide (SiC) Particles; gel pad set comprising a.
제13항에 있어서,
상기 겔패드 세트는,
상기 외측패드, 상기 내측패드, 및 상기 외측패드와 상기 내측패드의 상부 및 하부에서 밀착되는 한 쌍의 필름을 포함하는 겔패드 세트.
According to claim 13,
The gel pad set,
A gel pad set comprising the outer pad, the inner pad, and a pair of films adhered to upper and lower portions of the outer pad and the inner pad.
제14항에 있어서,
상기 합성수지와 상기 세라믹입자의 계면 접착성을 향상시키기 위한 실란커플링제를 포함하는 겔패드 세트.
According to claim 14,
A gel pad set comprising a silane coupling agent for improving interfacial adhesion between the synthetic resin and the ceramic particles.
제15항에 있어서,
상기 제1 실리콘 폴리머와 상기 제2 실리콘 폴리머의 중량 비율은 1:3 내지 3:1 인 겔패드 세트.
According to claim 15,
A weight ratio of the first silicone polymer to the second silicone polymer is 1:3 to 3:1.
제16항에 있어서,
상기 세라믹입자는 상기 합성수지 및 상기 세라믹입자 전체에 대하여 60 내지 93 중량%로 포함되는 겔패드 세트.
According to claim 16,
The ceramic particles are contained in an amount of 60 to 93% by weight based on the total weight of the synthetic resin and the ceramic particles.
제17항에 있어서,
상기 외측패드 및 상기 내측패드의 열전도도는 2.0 W/m·K 이상인 겔패드 세트.
According to claim 17,
The gel pad set wherein the outer pad and the inner pad have thermal conductivity of 2.0 W/m K or more.
제18항에 있어서,
상기 세라믹입자는,
평균 입경이 서로 다른 적어도 2 이상의 세라믹입자를 포함하는 겔패드.
According to claim 18,
The ceramic particles,
A gel pad comprising at least two or more ceramic particles having different average particle diameters.
제19항에 있어서,
상기 세라믹입자는,
입경이 10 내지 100㎛ 인 제1 세라믹입자, 입경이 1 내지 10㎛인 제2 세라믹입자 및 입경이 1㎛ 이하인 제3세라믹입자로 이루어지는 군에서 선택된 적어도 2 이상의의 세라믹입자의 혼합물을 포함하는 겔패드.


According to claim 19,
The ceramic particles,
A gel comprising a mixture of at least two ceramic particles selected from the group consisting of first ceramic particles having a particle size of 10 to 100 μm, second ceramic particles having a particle size of 1 to 10 μm, and third ceramic particles having a particle size of 1 μm or less pad.


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* Cited by examiner, † Cited by third party
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