KR20220159856A - Transmitter circuit and operating method thereof - Google Patents

Transmitter circuit and operating method thereof Download PDF

Info

Publication number
KR20220159856A
KR20220159856A KR1020210119857A KR20210119857A KR20220159856A KR 20220159856 A KR20220159856 A KR 20220159856A KR 1020210119857 A KR1020210119857 A KR 1020210119857A KR 20210119857 A KR20210119857 A KR 20210119857A KR 20220159856 A KR20220159856 A KR 20220159856A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
signal
parallel
clock
signals
circuit
Prior art date
Application number
KR1020210119857A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
박준용
김주환
변진도
신은석
조현윤
최영돈
최정환
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to US17/737,575 priority Critical patent/US11914416B2/en
Priority to EP22172018.8A priority patent/EP4106203A3/en
Priority to EP23183217.1A priority patent/EP4243355A3/en
Priority to CN202210550849.0A priority patent/CN115408325A/en
Priority to TW111119280A priority patent/TWI843107B/en
Publication of KR20220159856A publication Critical patent/KR20220159856A/en

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/56Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
    • H03K17/687Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors
    • H03K17/693Switching arrangements with several input- or output-terminals, e.g. multiplexers, distributors
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K19/00Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
    • H03K19/0002Multistate logic

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Computing Systems (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Dc Digital Transmission (AREA)

Abstract

A transmitter circuit according to a technical idea of the present disclosure comprises: a clock generator that generates a plurality of first clock signals having phases different from each other; a multiplexer comprising a plurality of selection circuits, each of which selectively provides at least two or more parallel signals among a plurality of parallel signals to an output node in response to at least two or more first clock signals among the plurality of first clock signals; and an output driver that generates a serial signal by amplifying the signal of the output node. Therefore, the present invention is capable of increasing a slew rate of the serial signal.

Description

송신기 회로 및 이의 동작 방법{TRANSMITTER CIRCUIT AND OPERATING METHOD THEREOF}Transmitter circuit and its operating method {TRANSMITTER CIRCUIT AND OPERATING METHOD THEREOF}

본 개시의 기술적 사상은 송신기 회로에 관한 것으로서, 자세하게는 출력 노드를 구동하는 둘 이상의 선택 회로들을 포함하는 송신기 회로 및 송신기 회로의 동작 방법에 관한 것이다.The technical idea of the present disclosure relates to a transmitter circuit, and more particularly, to a transmitter circuit including two or more selection circuits for driving an output node and a method of operating the transmitter circuit.

송신기 회로는 복수의 병렬 신호들을 순차적으로 출력함으로써 직렬 신호를 생성하는 시리얼라이저를 포함할 수 있다. 시리얼라이저는 상이한 위상을 갖는 복수의 클럭 신호들을 기초로 복수의 병렬 신호들을 순차적으로 출력할 수 있다. 복수의 클럭 신호들 간에 발생하는 스큐로 인해 시리얼라이저의 성능이 열화될 수 있다.The transmitter circuit may include a serializer that generates a serial signal by sequentially outputting a plurality of parallel signals. The serializer may sequentially output a plurality of parallel signals based on a plurality of clock signals having different phases. Performance of a serializer may be degraded due to a skew that occurs between a plurality of clock signals.

본 개시의 기술적 사상은 송신기 회로에 관한 것으로서, 둘 이상의 선택 회로를 구동함으로써 직렬 신호의 슬루율을 높이는 송신기 회로 및 송신기 회로의 동작 방법을 제공한다.The technical idea of the present disclosure relates to a transmitter circuit, and provides a transmitter circuit and a method of operating the transmitter circuit to increase a slew rate of a serial signal by driving two or more selection circuits.

상기와 같은 목적을 달성하기 위하여, 본 개시의 일 측면에 따른 송신기 회로는, 서로 상이한 위상을 갖는 복수의 제1 클럭 신호들을 생성하는 클럭 생성기, 각각, 복수의 제1 클럭 신호들 중 적어도 둘 이상의 제1 클럭 신호들에 응답하여 복수의 병렬 신호들 중 적어도 둘 이상의 병렬 신호들을 선택적으로 출력 노드에 제공하는 복수의 선택 회로들을 포함하는 멀티 플렉서 및 출력 노드의 신호를 증폭함으로써 직렬 신호를 생성하는 출력 드라이버를 포함한다.In order to achieve the above object, a transmitter circuit according to an aspect of the present disclosure includes a clock generator for generating a plurality of first clock signals having phases different from each other, and at least two or more of the plurality of first clock signals, respectively. Generating a serial signal by amplifying a signal of a multiplexer including a plurality of selection circuits including a plurality of selection circuits selectively providing at least two or more parallel signals among a plurality of parallel signals to an output node in response to the first clock signals Include the output driver.

본 개시의 다른 측면에 따른 송신기 회로는, 서로 상이한 위상을 갖는 복수의 제1 클럭 신호들을 생성하는 클럭 생성기, 각각, 상기 직렬 신호가 천이되는지 여부를 나타내는 천이 신호 및 복수의 병렬 신호들 중 적어도 하나 이상의 병렬 신호를 수신하고, 복수의 제1 클럭 신호들에 응답하여 수신된 신호들을 기초로 출력 노드를 구동하는 복수의 선택 회로들, 출력 노드의 신호를 증폭함으로써 직렬 신호를 생성하는 출력 드라이버를 포함하고, 직렬 신호가 천이되는지 여부를 기초로 복수의 선택 회로들 중 적어도 둘 이상의 선택 회로들이 동시에 출력 노드를 구동한다.A transmitter circuit according to another aspect of the present disclosure includes a clock generator generating a plurality of first clock signals having phases different from each other, at least one of a transition signal indicating whether the serial signal is transitioning and a plurality of parallel signals, respectively. A plurality of selection circuits receiving the above parallel signals and driving an output node based on the received signals in response to a plurality of first clock signals, and an output driver generating a serial signal by amplifying a signal of the output node. and at least two or more selection circuits among a plurality of selection circuits simultaneously drive the output node based on whether the serial signal transitions.

본 개시의 다른 측면에 따른 송신기 회로의 동작 방법은, 기준 클럭 신호를 기초로 서로 상이한 위상을 갖는 복수의 제1 클럭 신호들을 생성하는 단계, 각각, 복수의 제1 클럭 신호들 중 하나에 응답하여 동작하고 복수의 병렬 신호들 중 둘 이상의 병렬 신호를 수신하는 복수의 선택 회로들 중, 둘 이상의 선택 회로들을 동시에 사용하여 출력 노드를 구동함으로써 복수의 병렬 신호들을 순차적으로 출력하는 단계 및 출력 노드의 신호를 증폭함으로써 직렬 신호를 생성하는 단계를 포함한다.A method of operating a transmitter circuit according to another aspect of the present disclosure includes generating a plurality of first clock signals having different phases based on a reference clock signal, each in response to one of the plurality of first clock signals. Among a plurality of selection circuits operating and receiving two or more parallel signals among a plurality of parallel signals, sequentially outputting a plurality of parallel signals by simultaneously using two or more selection circuits to drive an output node, and a signal of the output node Generating a serial signal by amplifying .

본 개시의 예시적 실시 예에 따라, 둘 이상의 선택 회로를 구동함으로써 직렬 신호의 슬루율을 높이는 송신기 회로 및 송신기 회로의 동작 방법이 제공될 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present disclosure, a transmitter circuit and a method of operating the transmitter circuit that increase a slew rate of a serial signal by driving two or more selection circuits may be provided.

도 1은 본 개시의 예시적 실시 예에 따른 송신기 회로를 설명하기 위한 도면이다.
도 2는 본 개시의 예시적 실시 예에 따른 시리얼라이징 동작을 설명하는 도면이다.
도 3은 본 개시의 예시적 실시 예에 따른 다중-구동(multi-driving) 동작을 설명하기 위한 도면이다.
도 4a 및 도 4b는 본 개시의 예시적 실시 예에 따른 클럭 생성기를 설명하기 위한 도면이다.
도 5는 본 개시의 예시적 실시 예에 따른 듀티 비 변경 동작을 설명하는 도면이다.
도 6은 본 개시의 예시적 실시 예에 따른 듀티 제어 회로의 회로도이다.
도 7은 본 개시의 예시적 실시 예에 따른 시리얼라이징 과정을 설명하는 타이밍도이다.
도 8a 내지 도 8c는 본 개시의 예시적 실시 예에 따른 선택 회로의 구조를 설명하는 회로도이다.
도 9는 본 개시의 예시적 실시 예에 따른 송신기 회로를 설명하는 도면이다.
도 10은 본 개시의 예시적 실시 예에 따른 송신기 회로의 동작을 설명하기 위한 타이밍도이다.
도 11은 본 개시의 예시적 실시 예에 따른 송신기 회로의 동작 방법을 설명하는 흐름도이다.
도 12는 본 개시의 예시적 실시 예에 따른 구동 모드를 설명하는 흐름도이다.
도 13은 본 발명의 실시예에 따른 멀티 플렉서를 포함하는 반도체 메모리 장치를 설명하는 도면이다.
1 is a diagram for explaining a transmitter circuit according to an exemplary embodiment of the present disclosure.
2 is a diagram illustrating a serialization operation according to an exemplary embodiment of the present disclosure.
3 is a diagram for explaining a multi-driving operation according to an exemplary embodiment of the present disclosure.
4A and 4B are diagrams for explaining a clock generator according to an exemplary embodiment of the present disclosure.
5 is a diagram explaining a duty ratio change operation according to an exemplary embodiment of the present disclosure.
6 is a circuit diagram of a duty control circuit according to an exemplary embodiment of the present disclosure.
7 is a timing diagram illustrating a serialization process according to an exemplary embodiment of the present disclosure.
8A to 8C are circuit diagrams illustrating the structure of a selection circuit according to an exemplary embodiment of the present disclosure.
9 is a diagram illustrating a transmitter circuit according to an exemplary embodiment of the present disclosure.
10 is a timing diagram illustrating an operation of a transmitter circuit according to an exemplary embodiment of the present disclosure.
11 is a flowchart illustrating a method of operating a transmitter circuit according to an exemplary embodiment of the present disclosure.
12 is a flowchart illustrating a driving mode according to an exemplary embodiment of the present disclosure.
13 is a diagram illustrating a semiconductor memory device including a multiplexer according to an embodiment of the present invention.

이하, 본 발명의 다양한 실시 예가 첨부된 도면을 참조하여 기재된다.Hereinafter, various embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 개시의 예시적 실시 예에 따른 송신기 회로를 설명하기 위한 도면이다. 도 2는 본 개시의 예시적 실시 예에 따른 시리얼라이징 동작을 설명하는 도면이다.1 is a diagram for explaining a transmitter circuit according to an exemplary embodiment of the present disclosure. 2 is a diagram illustrating a serialization operation according to an exemplary embodiment of the present disclosure.

도 1을 참조하면, 송신기 회로(1)는 제1 내지 4 병렬 신호들(D[1:4])을 병렬로 수신하고, 직렬 신호(D_TX)를 출력할 수 있다. 제1 내지 4 병렬 신호들(D[1:4]) 각각은 상이한 채널을 통해 멀티 플렉서(10)에 전달될 수 있고, 직렬 신호(D_TX)는 하나의 채널을 통해 외부로 출력될 수 있다. 4개의 병렬 신호들이 수신되는 것으로 도시되었으나, 실시예는 이에 제한되지 않으며, N(N은 2 이상의 정수)개의 병렬 신호들이 수신될 수 있다.Referring to FIG. 1 , the transmitter circuit 1 may receive first to fourth parallel signals D[1:4] in parallel and output a serial signal D_TX. Each of the first to fourth parallel signals D[1:4] may be transmitted to the multiplexer 10 through different channels, and the serial signal D_TX may be externally output through one channel. . Although it is illustrated that four parallel signals are received, the embodiment is not limited thereto, and N (N is an integer equal to or greater than 2) parallel signals may be received.

송신기 회로(1)는 멀티 플렉서(10), 출력 드라이버(15) 및 클럭 생성기(20)를 포함할 수 있다.The transmitter circuit 1 may include a multiplexer 10 , an output driver 15 and a clock generator 20 .

멀티 플렉서(10)는 제1 내지 4 클럭 신호(CK1 내지 CK4)에 응답하여 제1 내지 4 병렬 신호(D[1:4])를 출력할 수 있다. 구체적으로, 도 2를 참조하면, 멀티 플렉서(10)는 제1 클럭 신호(CK1)에 응답하여 제1 병렬 신호(D1)를 출력할 수 있고, 제2 클럭 신호(CK2)에 응답하여 제2 병렬 신호(D2)를 출력할 수 있고, 제3 클럭 신호(CK3)에 응답하여 제3 병렬 신호(D3)를 출력할 수 있고, 제4 클럭 신호(CK4)에 응답하여 제4 병렬 신호(D4)를 출력할 수 있다. 즉, 멀티 플렉서(10)는 제1 내지 4 병렬 신호(D[1:4])를 하나의 직렬 신호(D_TX)로 변환하는 시리얼라이징 동작을 수행할 수 있다. 실시예는 이에 제한되지 않으며, 멀티 플렉서(10)는 N개의 병렬 신호를 하나의 직렬 신호(D_TX)로 변환할 수 있다.The multiplexer 10 may output first to fourth parallel signals D[1:4] in response to first to fourth clock signals CK1 to CK4. Specifically, referring to FIG. 2 , the multiplexer 10 may output the first parallel signal D1 in response to the first clock signal CK1 and output the first parallel signal D1 in response to the second clock signal CK2. 2 parallel signals D2 may be output, the third parallel signal D3 may be output in response to the third clock signal CK3, and the fourth parallel signal D3 may be output in response to the fourth clock signal CK4. D4) can be output. That is, the multiplexer 10 may perform a serialization operation of converting the first to fourth parallel signals D[1:4] into one serial signal D_TX. The embodiment is not limited thereto, and the multiplexer 10 may convert N parallel signals into one serial signal D_TX.

멀티 플렉서(10)는 제1 내지 4 선택 회로들(11 내지 14)을 포함할 수 있다. 제1 내지 4 선택 회로들(11 내지 14) 각각은, 둘 이상의 병렬 신호들 및 둘 이상의 클럭 신호들을 수신할 수 있고, 클럭 신호의 활성 레벨(논리 하이 레벨 또는 논리 로우 레벨) 또는 활성 엣지(상승 엣지 또는 하강 엣지)에 응답하여, 병렬 신호를 출력할 수 있다. 예를 들어, 제1 선택 회로(11)는 제1 클럭 신호(CK1)의 활성 엣지에 응답하여 제1 병렬 신호(D1)를 출력할 수 있고, 제2 클럭 신호(CK2)의 활성 엣지에 응답하여 제2 병렬 신호(D2)를 출력할 수 있다. 제2 선택 회로(12)는 제2 클럭 신호(CK2)의 활성 에지에 응답하여 제2 병렬 신호(D2)를 출력할 수 있고, 제3 클럭 신호(CK3)의 활성 엣지에 응답하여 제3 병렬 신호(D3)를 출력할 수 있다. 제3 선택 회로(13)는 제3 클럭 신호(CK3)의 활성 에지에 응답하여 제3 병렬 신호(D3)를 출력할 수 있고, 제4 클럭 신호(CK4)의 활성 엣지에 응답하여 제4 병렬 신호(D4)를 출력할 수 있다. 제4 선택 회로(14)는 제1 클럭 신호(CK1)의 활성 에지에 응답하여 제1 병렬 신호(D1)를 출력할 수 있고, 제4 클럭 신호(CK4)의 활성 엣지에 응답하여 제4 병렬 신호(D4)를 출력할 수 있다. 설명의 편의를 위하여, 4개의 클럭 신호를 도시하였으나, 실시예는 이에 제한되지 않으며, 멀티 플렉서(10)는 N개의 클럭 신호들을 기초로 N개의 병렬 신호들에 대한 시리얼라이징 동작을 수행함으로써 직렬 신호(D_TX)를 생성할 수 있다.The multiplexer 10 may include first to fourth selection circuits 11 to 14 . Each of the first to fourth selection circuits 11 to 14 may receive two or more parallel signals and two or more clock signals, and may receive an active level (logic high level or logic low level) or an active edge (rising edge) of the clock signal. edge or falling edge), a parallel signal can be output. For example, the first selection circuit 11 may output the first parallel signal D1 in response to an active edge of the first clock signal CK1 and respond to an active edge of the second clock signal CK2. Thus, the second parallel signal D2 may be output. The second selection circuit 12 may output the second parallel signal D2 in response to the active edge of the second clock signal CK2, and output the third parallel signal D2 in response to the active edge of the third clock signal CK3. A signal D3 can be output. The third selection circuit 13 may output the third parallel signal D3 in response to the active edge of the third clock signal CK3, and output the fourth parallel signal D3 in response to the active edge of the fourth clock signal CK4. A signal D4 can be output. The fourth selection circuit 14 may output the first parallel signal D1 in response to the active edge of the first clock signal CK1, and output the fourth parallel signal D1 in response to the active edge of the fourth clock signal CK4. A signal D4 can be output. For convenience of explanation, four clock signals are shown, but the embodiment is not limited thereto. A signal D_TX can be generated.

하나의 병렬 신호는 둘 이상의 선택 회로들에 입력될 수 있고, 클럭 신호에 응답하여 둘 이상의 선택 회로들로부터 출력될 수 있다.One parallel signal may be input to two or more selection circuits and may be output from the two or more selection circuits in response to a clock signal.

설명의 편의를 위하여, 멀티 플렉서(10)가 4개의 선택 회로를 포함하는 것으로 도시하였으나, 실시예는 이에 제한되지 않는다. 예를 들어, 멀티 플렉서(10)는 N개의 선택 회로를 포함할 수 있고, N개의 선택 회로들 각각은 2개 이상의 병렬 신호들 및 2개 이상의 클럭 신호들을 수신할 수 있고, 2개 이상의 클럭 신호들을 기초로 2개 이상의 병렬 신호들을 선택적으로 출력할 수 있다.For convenience of description, the multiplexer 10 is illustrated as including four selection circuits, but the embodiment is not limited thereto. For example, multiplexer 10 may include N selection circuits, each of the N selection circuits may receive two or more parallel signals and two or more clock signals, and may receive two or more clock signals. Two or more parallel signals can be selectively output based on the signals.

클럭 생성기(20)는 제1 내지 4 클럭 신호들(CK[1:4])을 생성할 수 있다. 제1 내지 4 클럭 신호들(CK[1:4])의 듀티 비는 멀티 플렉서(10)에 포함되는 선택 회로의 개수에 반비례할 수 있다. 예를 들어, 도 1에서, 멀티 플렉서(10)에 포함되는 선택 회로의 개수는 4개이므로, 제1 내지 4 클럭 신호들(CK[1:4])의 듀티 비는 25%일 수 있다. 다만, 실시 예는 이에 제한되지 않으며, 멀티 플렉서(10)에 포함되는 선택 회로의 개수가 5개인 경우, 클럭 생성기(20)가 생성하는 클럭 신호의 듀티 비는 20%일 수 있다. 듀티 비는 한 사이클에서 활성 신호에 인가되는 시구간의 비율을 나타낼 수 있다. 제1 내지 4 클럭 신호들(CK[1:4])은 서로 상이한 위상을 가질 수 있다. 예를 들어, 도 2를 참조하면, 제1 클럭 신호(CK1)의 위상은 0이고, 제2 클럭 신호(CK2)의 위상은 90이고, 제3 클럭 신호(CK3)의 위상은 180이고, 제4 클럭 신호(CK4)의 위상은 270일 수 있다. 다만, 실시예는 이에 제한되지 않으며, 클럭 생성기(20)는 상호 일정한 위상 차이를 갖는 N개의 클럭 신호들을 생성할 수 있다.The clock generator 20 may generate first to fourth clock signals CK[1:4]. The duty ratio of the first to fourth clock signals CK[1:4] may be in inverse proportion to the number of selection circuits included in the multiplexer 10 . For example, in FIG. 1 , since the number of selection circuits included in the multiplexer 10 is four, the duty ratio of the first to fourth clock signals CK[1:4] may be 25%. . However, the embodiment is not limited thereto, and when the number of selection circuits included in the multiplexer 10 is five, the duty ratio of the clock signal generated by the clock generator 20 may be 20%. The duty ratio may indicate a ratio of a time period applied to an active signal in one cycle. The first to fourth clock signals CK[1:4] may have different phases. For example, referring to FIG. 2 , the phase of the first clock signal CK1 is 0, the phase of the second clock signal CK2 is 90, the phase of the third clock signal CK3 is 180, The phase of the 4 clock signal CK4 may be 270. However, the embodiment is not limited thereto, and the clock generator 20 may generate N clock signals having a constant phase difference.

출력 드라이버(15)는 멀티 플렉서(10)로부터 수신된 신호를 증폭시킴으로써 직렬 신호(D_TX)를 생성할 수 있다. 직렬 신호(D_TX)는 제1 내지 4 병렬 신호들(D[1:4])이 반복적으로 나열되는 신호 패턴을 가질 수 있다.The output driver 15 may generate a serial signal D_TX by amplifying a signal received from the multiplexer 10 . The serial signal D_TX may have a signal pattern in which the first to fourth parallel signals D[1:4] are repeatedly arranged.

본 개시의 예시적 실시 예에 따른 송신기 회로(1)는, 하나의 클럭 신호에 응답하여 둘 이상의 선택 회로들이 동일한 병렬 신호를 출력할 수 있고, 출력 드라이버(15)에 전달되는 신호의 슬루율이 높아질 수 있다. 즉, 둘 이상의 선택 회로가 출력 노드를 구동함으로써 높은 슬루율을 갖는 출력 신호가 제공될 수 있다.In the transmitter circuit 1 according to an exemplary embodiment of the present disclosure, two or more selection circuits may output the same parallel signal in response to one clock signal, and the slew rate of the signal transmitted to the output driver 15 may be reduced. can rise That is, an output signal having a high slew rate can be provided by driving the output node by two or more selection circuits.

도 3은 본 개시의 예시적 실시 예에 따른 다중-구동(multi-driving) 동작을 설명하기 위한 도면이다.3 is a diagram for explaining a multi-driving operation according to an exemplary embodiment of the present disclosure.

도 3을 참조하면, 송신기 회로(1)는 제1 내지 4 선택 회로들(11 내지 14) 및 출력 드라이버(15)를 포함할 수 있다. 간략히 도시되었으나, 도 1에 도시된 바와 같이, 제1 내지 4 선택 회로들(11 내지 14)은 제1 내지 4 병렬 신호들(D[1:4])을 수신하고, 제1 내지 4 클럭 신호들(CK[1:4])에 따라 제1 내지 4 병렬 신호들(D[1:4])을 선택적으로 출력할 수 있다.Referring to FIG. 3 , the transmitter circuit 1 may include first to fourth selection circuits 11 to 14 and an output driver 15 . Although briefly shown, as shown in FIG. 1, the first to fourth selection circuits 11 to 14 receive the first to fourth parallel signals D[1:4], and the first to fourth clock signals The first to fourth parallel signals D[1:4] may be selectively output according to CK[1:4].

제1 내지 4 선택 회로들(11 내지 14)은 수신하는 병렬 신호의 논리 레벨에 따라 출력 노드(Nout)를 구동할 수 있다. 구체적으로, 병렬 신호가 논리 하이 레벨인 경우, 제1 내지 4 선택 회로들(11 내지 14)은 출력 노드(Nout)를 프리차지할 수 있고, 병렬 신호가 논리 로우 레벨인 경우, 제1 내지 4 선택 회로들(11 내지 14)은 출력 노드(Nout)를 디스차지할 수 있다.The first to fourth selection circuits 11 to 14 may drive the output node Nout according to the logic level of the received parallel signal. Specifically, when the parallel signal is a logic high level, the first to fourth selection circuits 11 to 14 may precharge the output node Nout, and when the parallel signal is a logic low level, the first to fourth selection circuits 11 to 14 may precharge the output node Nout. The circuits 11 to 14 may discharge the output node Nout.

제1 내지 4 선택 회로들(11 내지 14) 각각은 드라이버 및 스위치를 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 선택 회로(11)는 제1 드라이버(DR1) 및 제1 스위치(SW1)를 포함할 수 있다. 제1 드라이버(DR1)는 제1 또는 2 병렬 신호(D1, D2)를 출력할 수 있고, 제1 스위치(SW1)는 제1 클럭 신호(CK1) 또는 제2 클럭 신호(CK2)에 의헤 제어될 수 있다. 구체적으로, 제1 클럭 신호(CK1)의 활성 레벨에 따라 제1 스위치(SW1)는 턴-온될 수 있고, 제1 드라이버(DR1)가 출력하는 제1 병렬 신호(D1)는 출력 노드(Nout)에 전달될 수 있다.Each of the first to fourth selection circuits 11 to 14 may include a driver and a switch. For example, the first selection circuit 11 may include a first driver DR1 and a first switch SW1. The first driver DR1 may output the first or second parallel signals D1 and D2, and the first switch SW1 may be controlled by the first clock signal CK1 or the second clock signal CK2. can Specifically, the first switch SW1 may be turned on according to the active level of the first clock signal CK1, and the first parallel signal D1 output by the first driver DR1 may be output to the output node Nout. can be forwarded to

제1 내지 4 선택 회로들(11 내지 14) 중 둘 이상은 하나의 클럭 신호에 응답하여 동일한 병렬 신호를 출력할 수 있다. 예를 들어, 제1 클럭 신호(CK1)의 활성 레벨에 응답하여 제1 스위치(SW1) 및 제4 스위치(SW4)는 턴-온될 수 있고, 제1 드라이버(DR1) 및 제4 드라이버(DR4)는 제1 병렬 신호(D1)를 출력 노드(Nout)에 전달할 수 있다. 즉, 송신기 회로(1)는 둘 이상의 선택 회로들을 동시에 구동시킴으로써 직렬 신호(D_TX)를 생성할 수 있다.Two or more of the first to fourth selection circuits 11 to 14 may output the same parallel signal in response to one clock signal. For example, the first switch SW1 and the fourth switch SW4 may be turned on in response to the active level of the first clock signal CK1, and the first driver DR1 and the fourth driver DR4 may be turned on. may deliver the first parallel signal D1 to the output node Nout. That is, the transmitter circuit 1 can generate the serial signal D_TX by simultaneously driving two or more selection circuits.

출력 노드(Nout)에서 선택 회로를 바라볼 때, 제1 내지 4 선택 회로들(11 내지 14) 각각은 커패시터로 이해될 수 있다. 본 개시의 예시적 실시예에 따라 동시에 둘 이상의 선택 회로가 출력 노드(Nout)를 구동하는 경우, 출력 노드(Nout)에서 선택 회로 측을 바라본 출력 커패시턴스의 값은 낮아질 수 있다. 출력 커패시턴스의 값이 낮아지는 경우 직렬 신호(D_TX)의 슬루율이 높아질 수 있다. 예를 들어, 도 3에 도시된 바와 같이, 둘 이상의 선택 회로들이 출력 노드(Nout)를 동시에 구동하는 다중-구동(multi-driving) 동작이 수행되는 경우, 출력 노드(Nout)의 슬루율이 높아질 수 있다. 제1 내지 4 선택 회로(11 내지 14) 중 하나의 선택 회로가 출력 노드(Nout)를 구동하는 동작은 단일-구동(single-driving) 동작으로 지칭될 수 있다.When looking at the selection circuit from the output node Nout, each of the first to fourth selection circuits 11 to 14 may be understood as a capacitor. According to an exemplary embodiment of the present disclosure, when two or more selection circuits drive the output node Nout at the same time, the value of the output capacitance viewed from the output node Nout toward the selection circuit side may be lowered. When the value of the output capacitance decreases, the slew rate of the serial signal D_TX may increase. For example, as shown in FIG. 3 , when a multi-driving operation in which two or more selection circuits simultaneously drive the output node Nout is performed, the slew rate of the output node Nout may increase. can An operation in which one of the first to fourth selection circuits 11 to 14 drives the output node Nout may be referred to as a single-driving operation.

단일 구동 동작과 비교할 때, 다중 구동 동작 시 직렬 신호(DTX)의 슬루율이 높아질 수 있으므로, 송신기 회로(1)의 성능이 향상될 수 있다.Compared to the single driving operation, since the slew rate of the serial signal DTX can be increased during the multi driving operation, the performance of the transmitter circuit 1 can be improved.

도 4a 및 4b는 본 개시의 예시적 실시 예에 따른 클럭 생성기를 설명하기 위한 도면이다.4A and 4B are diagrams for explaining a clock generator according to an exemplary embodiment of the present disclosure.

도 4a를 참조하면, 클럭 생성기(20a)는 위상 고정 루프(Phase Locked Loop, PLL)(21), 다중-위상 클럭 생성기(22a) 및 듀티 제어 회로(23)를 포함할 수 있다. 클럭 생성기(20a)는 도 1의 클럭 생성기(20)의 일 예시일 수 있다.Referring to FIG. 4A , the clock generator 20a may include a phase locked loop (PLL) 21, a multi-phase clock generator 22a, and a duty control circuit 23. The clock generator 20a may be an example of the clock generator 20 of FIG. 1 .

위상 고정 루프(21)는 기준 클럭 신호(Ref_CK)를 생성할 수 있고, 기준 클럭 신호(Ref_CK)를 다중-위상 클럭 생성기(22)에 전달할 수 있다. 기준 클럭 신호(Ref_CK)의 듀티 비는 50%일 수 있다.The phase locked loop 21 may generate a reference clock signal Ref_CK and transfer the reference clock signal Ref_CK to the multi-phase clock generator 22 . The duty ratio of the reference clock signal Ref_CK may be 50%.

다중-위상 클럭 생성기(22a)는 기준 클럭 신호(Ref_CK)를 기초로 서로 상이한 위상을 갖는 제1 내지 4 다중 위상 클럭 신호들(pCK1 내지 pCK4)을 생성할 수 있다. 예를 들어, 제1 다중 위상 클럭 신호(pCK1)의 위상은 0일 수 있고, 제2 다중 위상 클럭 신호(pCK2)의 위상은 90일 수 있고, 제3 다중 위상 클럭 신호(pCK3)의 위상은 180일 수 있고, 제4 다중 위상 클럭 신호(pCK4)의 위상은 270일 수 있다. 다중-위상 클럭 생성기(22a)는 지연 고정 루프(Delay Locked Loop, DLL)를 포함할 수 있다.The multi-phase clock generator 22a may generate first to fourth multi-phase clock signals pCK1 to pCK4 having different phases based on the reference clock signal Ref_CK. For example, the phase of the first multi-phase clock signal pCK1 may be 0, the phase of the second multi-phase clock signal pCK2 may be 90, and the phase of the third multi-phase clock signal pCK3 may be 180, and the phase of the fourth multi-phase clock signal pCK4 may be 270. The multi-phase clock generator 22a may include a Delay Locked Loop (DLL).

듀티 제어 회로(23)는 제1 내지 4 다중 위상 클럭 신호들(pCK1 내지 pCK4)을 기초로 제1 내지 4 클럭 신호들(CK1 내지 CK4) 및 제1 내지 4 반전 클럭 신호들(nCK1 내지 nCK4)을 생성할 수 있다. 제1 내지 4 클럭 신호들(CK1 내지 CK4) 및 제1 내지 4 반전 클럭 신호들(nCK1 내지 nCK4)의 듀티 비는 제1 내지 4 다중 위상 클럭 신호들(pCK1 내지 pCK4)과 상이할 수 있다. 예를 들어, 제1 내지 4 클럭 신호들(CK1 내지 CK4) 및 제1 내지 4 반전 클럭 신호들(nCK1 내지 nCK4)의 듀티 비는 25%일 수 있다.The duty control circuit 23 generates first to fourth clock signals CK1 to CK4 and first to fourth inverted clock signals nCK1 to nCK4 based on the first to fourth multi-phase clock signals pCK1 to pCK4. can create Duty ratios of the first to fourth clock signals CK1 to CK4 and the first to fourth inverted clock signals nCK1 to nCK4 may be different from those of the first to fourth multi-phase clock signals pCK1 to pCK4. For example, the duty ratio of the first to fourth clock signals CK1 to CK4 and the first to fourth inverted clock signals nCK1 to nCK4 may be 25%.

제1 내지 4 반전 클럭 신호들(nCK1 내지 nCK4)은 제1 내지 4 클럭 신호들(CK1 내지 CK4)의 반전된 논리 레벨을 가질 수 있다.The first to fourth inverted clock signals nCK1 to nCK4 may have inverted logic levels of the first to fourth clock signals CK1 to CK4 .

도 4b를 참조하면, 클럭 생성기(20b)는 메모리 컨트롤러(2)로부터 기준 클럭 신호(Ref_CK)를 수신하고, 기준 클럭 신호(Ref_CK)를 기초로 제1 내지 4 클럭 신호들(CK1 내지 CK4) 및 제1 내지 4 반전 클럭 신호들(nCK1 내지 nCK4)을 생성할 수 있다. 클럭 생성기(20b)는 도 1의 클럭 생성기(20)의 일 예시일 수 있다.Referring to FIG. 4B , the clock generator 20b receives the reference clock signal Ref_CK from the memory controller 2, and generates first to fourth clock signals CK1 to CK4 and CK1 to CK4 based on the reference clock signal Ref_CK. First to fourth inverted clock signals nCK1 to nCK4 may be generated. The clock generator 20b may be an example of the clock generator 20 of FIG. 1 .

일부 실시예들에서, 클럭 생성기(20b)는 반도체 메모리 장치(예를 들어, 도 13의 1300)에 포함될 수 있고, 메모리 컨트롤러(2)는 기준 클럭 신호(Ref_CK)를 반도체 메모리 장치(1300)에 전달할 수 있다. 일부 실시예들에서, 기준 클럭 신호(Ref_CK)는 쓰기 클럭(Write Clock, WCK) 신호로 지칭될 수 있다. 반도체 메모리 장치(1300)는 쓰기 클럭(WCK) 신호를 기초로 시리얼라이징 동작을 수행함으로써 직렬 신호를 생성하고, 생성된 직렬 신호를 메모리 컨트롤러(2)에 전달할 수 있다.In some embodiments, the clock generator 20b may be included in a semiconductor memory device (eg, 1300 of FIG. 13 ), and the memory controller 2 transmits the reference clock signal Ref_CK to the semiconductor memory device 1300 . can be conveyed In some embodiments, the reference clock signal Ref_CK may be referred to as a write clock (WCK) signal. The semiconductor memory device 1300 may generate a serial signal by performing a serialization operation based on the write clock (WCK) signal and transfer the generated serial signal to the memory controller 2 .

도 5는 본 개시의 예시적 실시 예에 따른 듀티 비 변경 동작을 설명하는 도면이다. 도 6은 본 개시의 예시적 실시 예에 따른 듀티 제어 회로의 회로도이다.5 is a diagram explaining a duty ratio change operation according to an exemplary embodiment of the present disclosure. 6 is a circuit diagram of a duty control circuit according to an exemplary embodiment of the present disclosure.

도 5를 참조하면, 제1 내지 4 다중 위상 클럭 신호들(pCK1 내지 pCK4)의 듀티 비는 50%일 수 있다. 제1 다중 위상 클럭 신호(pCK1)의 위상은 0일 수 있고, 제2 다중 위상 클럭 신호(pCK2)의 위상은 90일 수 있고, 제3 다중 위상 클럭 신호(pCK3)의 위상은 180일 수 있고, 제4 다중 위상 클럭 신호(pCK4)의 위상은 270일 수 있다.Referring to FIG. 5 , the duty ratio of the first to fourth multi-phase clock signals pCK1 to pCK4 may be 50%. The phase of the first multi-phase clock signal pCK1 may be 0, the phase of the second multi-phase clock signal pCK2 may be 90, the phase of the third multi-phase clock signal pCK3 may be 180, , the phase of the fourth multi-phase clock signal pCK4 may be 270.

도 4 및 도 6을 참조하면, 듀티 제어 회로(23)는 제1 내지 4 다중 위상 클럭 신호들(pCK1 내지 pCK4)을 기초로 제1 내지 4 클럭 신호들(CK1 내지 CK4)을 생성할 수 있다. 제1 내지 4 클럭 신호들(CK1 내지 CK4)의 듀티 비는 25%일 수 있다. 도 5에 도시되지 않았으나, 듀티 제어 회로(23)는 제1 내지 4 반전 클럭 신호들(nCK1 내지 nCK4)을 생성할 수 있고, 제1 내지 4 반전 클럭 신호들(nCK1 내지 nCK4)은 제1 내지 4 클럭 신호들(CK1 내지 CK4)과 반대되는 위상을 가질 수 있다.4 and 6 , the duty control circuit 23 may generate first to fourth clock signals CK1 to CK4 based on the first to fourth multi-phase clock signals pCK1 to pCK4. . A duty ratio of the first to fourth clock signals CK1 to CK4 may be 25%. Although not shown in FIG. 5, the duty control circuit 23 may generate first to fourth inverted clock signals nCK1 to nCK4, and the first to fourth inverted clock signals nCK1 to nCK4 may generate first to fourth inverted clock signals nCK1 to nCK4. It may have a phase opposite to that of the four clock signals CK1 to CK4.

도 6을 참조하면, 듀티 제어 회로(23)는 제1 내지 4 클럭 생성 회로(231 내지 234)를 포함할 수 있다. 제1 클럭 생성 회로(231)는 제1 클럭 신호(CK1) 및 제1 반전 클럭 신호(nCK1)를 생성할 수 있고, 제2 클럭 생성 회로(232)는 제2 클럭 신호(CK2) 및 제2 반전 클럭 신호(nCK2)를 생성할 수 있고, 제3 클럭 생성 회로(233)는 제3 클럭 신호(CK3) 및 제3 반전 클럭 신호(nCK3)를 생성할 수 있고, 제4 클럭 생성 회로(234)는 제4 클럭 신호(CK4) 및 제1 반전 클럭 신호(nCK4)를 생성할 수 있다. 제1 내지 4 클럭 생성 회로(231 내지 234) 각각은 제1 내지 4 다중 위상 클럭 신호(pCK1 내지 pCK4)를 수신할 수 있다.Referring to FIG. 6 , the duty control circuit 23 may include first to fourth clock generation circuits 231 to 234 . The first clock generation circuit 231 may generate the first clock signal CK1 and the first inverted clock signal nCK1, and the second clock generation circuit 232 may generate the second clock signal CK2 and the second inverted clock signal nCK1. The third clock generation circuit 233 can generate the third clock signal CK3 and the third inverted clock signal nCK3, and the fourth clock generation circuit 234 can generate the inverted clock signal nCK2. ) may generate a fourth clock signal CK4 and a first inverted clock signal nCK4. Each of the first to fourth clock generation circuits 231 to 234 may receive the first to fourth multi-phase clock signals pCK1 to pCK4.

제1 클럭 생성 회로(231)는 제1 다중 위상 클럭 신호(pCK1) 및 제4 다중 위상 클럭 신호(pCK4)에 대한 NAND 연산을 수행하고, NAND 연산의 결과를 반전시킴으로써 제1 클럭 신호(CK1)를 생성할 수 있다. 즉, 결과적으로, 제1 클럭 신호(CK1)는, 위상이 270 차이나는 제1 다중 위상 클럭 신호(pCK1)와 제4 다중 위상 클럭 신호(pCK4) 간의 AND 연산으로 획득될 수 있다. 제1 클럭 생성 회로(231)는 제2 다중 위상 클럭 신호(pCK2) 및 제3 다중 위상 클럭 신호(pCK3) 각각은 반전시키고, 반전된 신호들의 NAND 연산을 통해 제1 반전 클럭 신호(nCK1)를 생성할 수 있다. 즉, 결과적으로, 제1 반전 클럭 신호(nCK1)는, 위상이 90도 차이나는 제2 다중 위상 클럭 신호(pCK2)와 제3 다중 위상 클럭 신호(pCK3) 간의 OR 연산으로 획득될 수 있다.The first clock generation circuit 231 performs a NAND operation on the first multi-phase clock signal pCK1 and the fourth multi-phase clock signal pCK4 and inverts the result of the NAND operation, thereby generating the first clock signal CK1. can create That is, as a result, the first clock signal CK1 can be obtained through an AND operation between the first multi-phase clock signal pCK1 and the fourth multi-phase clock signal pCK4 having a phase difference of 270 degrees. The first clock generation circuit 231 inverts each of the second multi-phase clock signal pCK2 and the third multi-phase clock signal pCK3 and generates a first inverted clock signal nCK1 through a NAND operation of the inverted signals. can create That is, as a result, the first inverted clock signal nCK1 may be obtained through an OR operation between the second multi-phase clock signal pCK2 and the third multi-phase clock signal pCK3 having a phase difference of 90 degrees.

제2 클럭 생성 회로(232) 내지 4 클럭 생성 회로(234)는 제1 클럭 생성 회로(231)와 동일한 방식으로 동작할 수 있으므로, 제2 클럭 생성 회로(232) 내지 4 클럭 생성 회로(234)에 대한 설명은 생략될 수 있다.Since the second clock generator circuit 232 to the fourth clock generator circuit 234 can operate in the same way as the first clock generator circuit 231, the second clock generator circuit 232 to the fourth clock generator circuit 234 A description of may be omitted.

제1 내지 4 클럭 신호들(CK1 내지 CK4) 및 제1 내지 4 반전 클럭 신호들(nCK1 내지 nCK4)을 생성하는 실시 예는 이에 제한되지 않으며, 다양한 방식으로 듀티비가 조절된 복수의 클럭 신호들 및 복수의 클럭 신호들의 반전 신호들이 생성될 수 있다.An embodiment of generating the first to fourth clock signals CK1 to CK4 and the first to fourth inverted clock signals nCK1 to nCK4 is not limited thereto, and a plurality of clock signals having duty ratios adjusted in various ways and Inversion signals of a plurality of clock signals may be generated.

도 7은 본 개시의 예시적 실시 예에 따른 시리얼라이징 과정을 설명하는 타이밍도이다. 도 7은 도 1과 함께 참조하여 후술될 수 있다. 7 is a timing diagram illustrating a serialization process according to an exemplary embodiment of the present disclosure. FIG. 7 may be described later with reference to FIG. 1 .

도 7을 참조하면, 제1 내지 4 클럭 신호(CK1 내지 CK4)는 단위 간격(Unit Interval, UI) 동안 논리 하이 레벨을 유지할 수 있다. 제1 내지 4 병렬 신호(D[1:4]) 각각은 제1 내지 4 클럭 신호(CK1 내지 CK4)의 활성 엣지 타이밍에 동기화되기 위하여 미리 정해진 단위 간격 동안 동일한 논리 레벨을 유지할 수 있다. 예를 들어, 제1 내지 4 병렬 신호(D[1:4]) 각각은 단위 간격(UI)의 4배에 대응하는 시간 동안 동일한 논리 레벨을 유지할 수 있다.Referring to FIG. 7 , the first to fourth clock signals CK1 to CK4 may maintain a logic high level during a unit interval (Unit Interval, UI). Each of the first to fourth parallel signals D[1:4] may maintain the same logic level for a predetermined unit interval in order to be synchronized with active edge timings of the first to fourth clock signals CK1 to CK4. For example, each of the first to fourth parallel signals D[1:4] may maintain the same logic level for a time corresponding to four times the unit interval UI.

멀티 플렉서(10)는 제1 시점(t11)에 제1 클럭 신호(CK1)의 활성 엣지에 응답하여 제1 병렬 신호(D1)를 직렬 신호(D_TX)로서 출력할 수 있다. 제1 병렬 신호(D1)가 논리 하이 레벨을 나타내므로, 직렬 신호(D_TX)도 논리 하이 레벨을 나타낼 수 있다. 멀티 플렉서(10)는 제2 시점(t12)에 제2 클럭 신호(CK2)의 활성 엣지에 응답하여 제2 병렬 신호(D2)를 직렬 신호(D_TX)로서 출력할 수 있다. 제2 병렬 신호(D2)가 논리 로우 레벨을 나타내므로, 직렬 신호(D_TX)는 논리 로우 레벨로 천이될 수 있다. 도 1에 도시된 바와 같이, 제1 선택 회로(11) 및 제2 선택 회로(12)는 제2 클럭 신호(CK2)에 응답하여 제2 병렬 신호(D2)를 동시에 출력할 수 있다. 따라서, 제2 시점(t12)에 직렬 신호(D_TX)가 천이될 때 슬루율이 높아질 수 있다. 마찬가지로, 제3 시점(t13), 제4 시점(t14), 제6 시점(t16) 및 제8 시점(t18)에 직렬 신호(D_TX)는 천이될 수 있고, 둘 이상의 선택 회로가 동시에 직렬 신호(D_TX)를 구동하므로 슬루율이 높아질 수 있다.The multiplexer 10 may output the first parallel signal D1 as the serial signal D_TX in response to the active edge of the first clock signal CK1 at the first time point t11. Since the first parallel signal D1 indicates a logic high level, the serial signal D_TX may also indicate a logic high level. The multiplexer 10 may output the second parallel signal D2 as the serial signal D_TX in response to the active edge of the second clock signal CK2 at the second time point t12. Since the second parallel signal D2 represents the logic low level, the serial signal D_TX can transition to the logic low level. As shown in FIG. 1 , the first selection circuit 11 and the second selection circuit 12 may simultaneously output the second parallel signal D2 in response to the second clock signal CK2. Accordingly, when the serial signal D_TX transitions at the second time point t12, the slew rate may increase. Similarly, at the third time point t13, the fourth time point t14, the sixth time point t16, and the eighth time point t18, the serial signal D_TX may be transitioned, and two or more selection circuits simultaneously use the serial signal ( D_TX), the slew rate can be increased.

즉, 제1 내지 4 클럭 신호(CK1 내지 CK4) 각각에 응답하여, 2개의 선택 회로가 동일한 병렬 신호를 출력하므로, 직렬 신호(D_TX)의 슬루율이 높아질 수 있고 송신기 회로(1)의 성능이 향상될 수 있다. 실시 예는 이에 제한되지 않으며, 제1 내지 4 클럭 신호(CK 내지 CK4) 각각에 응답하여, 셋 이상의 선택 회로들이 동일한 병렬 신호를 출력함으로써 송신기 회로(1)의 성능을 향상시킬 수도 있다.That is, since the two selection circuits output the same parallel signal in response to each of the first to fourth clock signals CK1 to CK4, the slew rate of the serial signal D_TX can be increased and the performance of the transmitter circuit 1 can be improved. can be improved The embodiment is not limited thereto, and the performance of the transmitter circuit 1 may be improved by outputting the same parallel signal from three or more selection circuits in response to the first to fourth clock signals CK to CK4, respectively.

도 8a 내지 도 8c는 본 개시의 예시적 실시 예에 따른 선택 회로의 구조를 설명하는 회로도이다. 구체적으로, 도 8a는 논리 게이트 레벨에서 선택 회로를 설명하는 회로도이고, 도 8b 및 8c는 트랜지스터 레벨에서 선택 회로를 설명하는 회로도이다. 8A to 8C are circuit diagrams illustrating the structure of a selection circuit according to an exemplary embodiment of the present disclosure. Specifically, FIG. 8A is a circuit diagram illustrating the selection circuit at the logic gate level, and FIGS. 8B and 8C are circuit diagrams illustrating the selection circuit at the transistor level.

도 8a를 참조하면, 멀티 플렉서(30)는 제1 내지 4 선택 회로들(31 내지 34)를 포함할 수 있다. 제1 선택 회로(31)에 대해 후술되는 설명은 제2 내지 4 선택 회로(32 내지 34)에도 적용될 수 있다.Referring to FIG. 8A , the multiplexer 30 may include first to fourth selection circuits 31 to 34 . The description given below for the first selection circuit 31 can also be applied to the second to fourth selection circuits 32 to 34.

제1 선택 회로(31)는 AOI(AND-OR-INVETER)22 회로(311), OAI(OR-AND-INVERTER)22 회로(312), 제1 P-타입 트랜지스터(P1) 및 제2 N-타입 트랜지스터(N1)를 포함할 수 있다.The first selection circuit 31 includes an AND-OR-INVETER (AOI) 22 circuit 311, an OR-AND-INVERTER (OAI) 22 circuit 312, a first P-type transistor P1 and a second N- type transistor N1 may be included.

AOI22 회로(311)는 제1 및 2 병렬 신호(D1, D2) 및 제1 및 2 클럭 신호(CK1, CK2)를 수신하고, 제1 P-타입 트랜지스터(P1)의 게이트 단을 구동할 수 있다. 구체적으로, AOI22 회로(311)는 제1 클럭 신호(CK1)의 활성 엣지에 응답하여 논리 하이 레벨의 제1 병렬 신호(D1)를 반전시킴으로써 제1 P-타입 트랜지스터(P1)를 턴-온시킬 수 있다. 또는, AOI22 회로(311)는 제2 클럭 신호(CK2)의 활성 엣지에 응답하여 논리 하이 레벨의 제2 병렬 신호(D2)를 반전시킴으로써 제1 P-타입 트랜지스터(P1)를 턴-온시킬 수 있다. 제1 P-타입 트랜지스터(P1)가 턴-온됨으로써 논리 하이 레벨의 직렬 신호(D_TX)가 생성될 수 있다. 즉, 제1 선택 회로(31)는 제1 및 2 클럭 신호(CK1, CK2)를 기초로 논리 하이 레벨을 갖는 제1 및 2 병렬 신호(D1, D2)를 출력함으로써 직렬 신호(D_TX)를 생성할 수 있다.The AOI22 circuit 311 may receive the first and second parallel signals D1 and D2 and the first and second clock signals CK1 and CK2 and drive the gate terminal of the first P-type transistor P1. . Specifically, the AOI22 circuit 311 turns on the first P-type transistor P1 by inverting the first parallel signal D1 of the logic high level in response to the active edge of the first clock signal CK1. can Alternatively, the AOI22 circuit 311 may turn on the first P-type transistor P1 by inverting the second parallel signal D2 of the logic high level in response to the active edge of the second clock signal CK2. have. When the first P-type transistor P1 is turned on, a logic high level serial signal D_TX may be generated. That is, the first selection circuit 31 generates the serial signal D_TX by outputting first and second parallel signals D1 and D2 having a logic high level based on the first and second clock signals CK1 and CK2. can do.

OAI22 회로(312)는 제1 및 2 병렬 신호(D1, D2) 및 제1 및 2 반전 클럭 신호(nCK1, nCK2)를 수신하고, 제1 N-타입 트랜지스터(N1)의 게이트 단을 구동할 수 있다. 구체적으로, OAI22 회로(312)는 제1 반전 클럭 신호(nCK1)의 활성 엣지에 응답하여 논리 로우 레벨의 제1 병렬 신호(D1)를 반전시킴으로써 제1 N-타입 트랜지스터(N1)를 턴-온시킬 수 있다. 제1 N-타입 트랜지스터(N1)는 턴-온됨으로써 논리 로우 레벨의 직렬 신호(D_TX)를 생성할 수 있다. 즉, 제1 선택 회로(31)는 제1 및 2 반전 클럭 신호(nCK1, nCK2)를 기초로 논리 로우 레벨을 갖는 제1 및 2 병렬 신호(D1, D2)를 출력함으로써 직렬 신호(D_TX)를 생성할 수 있다.The OAI22 circuit 312 may receive the first and second parallel signals D1 and D2 and the first and second inverted clock signals nCK1 and nCK2 and drive the gate terminal of the first N-type transistor N1. have. Specifically, the OAI22 circuit 312 turns on the first N-type transistor N1 by inverting the first parallel signal D1 of the logic low level in response to the active edge of the first inverted clock signal nCK1. can make it When the first N-type transistor N1 is turned on, a logic low level serial signal D_TX may be generated. That is, the first selection circuit 31 outputs the first and second parallel signals D1 and D2 having a logic low level based on the first and second inverted clock signals nCK1 and nCK2 to obtain the serial signal D_TX. can create

제2 선택 회로(32)는 제2 및 3 클럭 신호(CK2, CK3)를 기초로 논리 하이 레벨을 갖는 제2 및 3 병렬 신호(D2, D3)를 출력하거나, 제2 및 3 반전 클럭 신호(nCK2, nCK3)를 기초로 논리 로우 레벨을 갖는 제2 및 3 병렬 신호(D2, D3)를 출력함으로써 직렬 신호(D_TX)를 생성할 수 있다. 제3 선택 회로(33)는 제3 및 4 클럭 신호(CK3, CK4)를 기초로 논리 하이 레벨을 갖는 제3 및 4 병렬 신호(D3, D4)를 출력하거나, 제3 및 4 반전 클럭 신호(nCK3, nCK4)를 기초로 논리 로우 레벨을 갖는 제3 및 4 병렬 신호(D3, D4)를 출력함으로써 직렬 신호(D_TX)를 생성할 수 있다. 제4 선택 회로(34)는 제1 및 4 클럭 신호(CK1, CK4)를 기초로 논리 하이 레벨을 갖는 제1 및 4 병렬 신호(D1, D4)를 출력하거나, 제1 및 4 반전 클럭 신호(nCK1, nCK4)를 기초로 논리 로우 레벨을 갖는 제1 및 4 병렬 신호(D1, D4)를 출력함으로써 직렬 신호(D_TX)를 생성할 수 있다. 즉, 제1 내지 4 병렬 신호(D1 내지 D4) 각각은 적어도 둘 이상의 선택 회로에 의해 동시에 선택됨으로써 직렬 신호(D_TX)를 구성할 수 있다.The second selection circuit 32 outputs second and third parallel signals D2 and D3 having a logic high level based on the second and third clock signals CK2 and CK3, or outputs second and third inverted clock signals ( The serial signal D_TX may be generated by outputting second and third parallel signals D2 and D3 having a logic low level based on nCK2 and nCK3. The third selection circuit 33 outputs third and fourth parallel signals D3 and D4 having a logic high level based on the third and fourth clock signals CK3 and CK4, or third and fourth inverted clock signals ( The serial signal D_TX may be generated by outputting the third and fourth parallel signals D3 and D4 having a logic low level based on nCK3 and nCK4. The fourth selection circuit 34 outputs first and fourth parallel signals D1 and D4 having a logic high level based on the first and fourth clock signals CK1 and CK4, or outputs first and fourth inverted clock signals ( The serial signal D_TX may be generated by outputting first and fourth parallel signals D1 and D4 having a logic low level based on nCK1 and nCK4. That is, each of the first to fourth parallel signals D1 to D4 may be simultaneously selected by at least two or more selection circuits to form the serial signal D_TX.

본 발명의 실시예는 이에 제한되지 않으며, 하나의 병렬 신호가 둘 이상의 선택 회로에 의해 동시에 출력되는 멀티 플렉서 구조는 본 발명의 실시예에 포함될 수 있다. 또한, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 하나의 선택 회로는 둘 이상의 병렬 신호를 수신하고, 둘 이상의 클럭 신호 각각에 응답하여 둘 이상의 병렬 신호들 중 하나를 출력할 수 있다.The embodiment of the present invention is not limited thereto, and a multiplexer structure in which one parallel signal is simultaneously output by two or more selection circuits may be included in the embodiment of the present invention. Also, according to an embodiment of the present invention, one selection circuit may receive two or more parallel signals and output one of the two or more parallel signals in response to each of the two or more clock signals.

도 8b를 참조하면, 멀티 플렉서(40)는 제1 내지 4 선택 회로들(41 내지 44)을 포함할 수 있다. 도 8b에서, 제1 선택 회로(41)에 대한 설명은 제2 내지 4 선택 회로들(42 내지 44)에도 적용될 수 있다.Referring to FIG. 8B , the multiplexer 40 may include first to fourth selection circuits 41 to 44 . In FIG. 8B, the description of the first selection circuit 41 can also be applied to the second to fourth selection circuits 42 to 44.

제1 선택 회로(41)는 AOI22 회로(411) 및 OAI22 회로(412)를 포함할 수 있다. AOI22 회로(411)는 제1 및 2 클럭 신호(CK1, CK2)에 응답하여 논리 하이 레벨을 갖는 제1 및 2 병렬 신호(D1, D2)가 직렬 신호(D_TX)로서 출력되도록 제1 P-타입 트랜지스터(P1)를 구동할 수 있다. OAI22 회로(412)는 제1 및 2 반전 클럭 신호(nCK1, nCK2)에 응답하여 논리 로우 레벨을 갖는 제1 및 2 병렬 신호(D1, D2)가 직렬 신호(D_TX)로서 출력되도록 제1 N-타입 트랜지스터(N1)를 구동할 수 있다.The first selection circuit 41 may include an AOI22 circuit 411 and an OAI22 circuit 412 . The AOI22 circuit 411 outputs the first and second parallel signals D1 and D2 having a logic high level as a serial signal D_TX in response to the first and second clock signals CK1 and CK2. It can drive transistor P1. The OAI22 circuit 412 outputs the first and second parallel signals D1 and D2 having a logic low level as serial signals D_TX in response to the first and second inverted clock signals nCK1 and nCK2. type transistor N1 can be driven.

AOI22 회로(411)는 제1 풀-업 회로(413) 및 제1 풀-다운 회로(414)를 포함할 수 있다. 제1 풀-업 회로(413)는 제1 P-타입 트랜지스터(P1)의 게이트 단과 연결된 노드를 프리차지할 수 있고, 제1 풀-다운 회로(414)는 제1 P-타입 트랜지스터(P1)의 게이트 단과 연결되는 노드를 디스차지할 수 있다.The AOI22 circuit 411 may include a first pull-up circuit 413 and a first pull-down circuit 414 . The first pull-up circuit 413 may precharge a node connected to the gate terminal of the first P-type transistor P1, and the first pull-down circuit 414 may precharge the node of the first P-type transistor P1. A node connected to the gate stage can be discharged.

제1 풀-업 회로(413)는 제2 내지 5 P-타입 트랜지스터(P12 내지 P15)를 포함할 수 있다. 제2 P-타입 트랜지스터(P12)의 게이트 단에는 제1 병렬 신호(D1)가 입력될 수 있고, 제3 P-타입 트랜지스터(P13)의 게이트 단에는 제2 병렬 신호(D2)가 입력될 수 있고, 제4 P-타입 트랜지스터(P14)의 게이트 단에는 제1 클럭 신호(CK1)가 입력될 수 있고, 제5 P-타입 트랜지스터(P15)의 게이트 단에는 제2 클럭 신호(CK2)가 입력될 수 있다. 제1 클럭 신호(CK1)가 논리 하이 레벨이고 제1 병렬 신호(D1)가 논리 하이 레벨일 때 제1 P-타입 트랜지스터(P1)는 턴-온될 수 있으므로 직렬 신호(D_TX)는 논리 하이 레벨을 나타낼 수 있다. 또한, 제2 클럭 신호(CK2)가 논리 하이 레벨이고 제2 병렬 신호(D2)가 논리 하이 레벨일 때 제1 P-타입 트랜지스터(P1)는 턴-온될 수 있으므로 직렬 신호(D_TX)는 논리 하이 레벨을 나타낼 수 있다. 즉, AOI22 회로(411)는 논리 하이 레벨을 갖는 제1 및 2 병렬 신호(D1, D2)가 직렬 신호(D_TX)에 반영되도록 제1 P-타입 트랜지스터(P1)를 구동할 수 있다.The first pull-up circuit 413 may include second to fifth P-type transistors P12 to P15. The first parallel signal D1 may be input to the gate terminal of the second P-type transistor P12, and the second parallel signal D2 may be input to the gate terminal of the third P-type transistor P13. The first clock signal CK1 may be input to the gate terminal of the fourth P-type transistor P14, and the second clock signal CK2 may be input to the gate terminal of the fifth P-type transistor P15. It can be. When the first clock signal CK1 is at a logic high level and the first parallel signal D1 is at a logic high level, the first P-type transistor P1 can be turned on so that the serial signal D_TX has a logic high level. can indicate Also, since the first P-type transistor P1 can be turned on when the second clock signal CK2 is at a logic high level and the second parallel signal D2 is at a logic high level, the serial signal D_TX is at a logic high level. level can be indicated. That is, the AOI22 circuit 411 may drive the first P-type transistor P1 so that the first and second parallel signals D1 and D2 having a logic high level are reflected in the serial signal D_TX.

OAI22 회로(412)는 제2 풀-업 회로(415) 및 제2 풀-다운 회로(416)를 포함할 수 있다. 제2 풀-업 회로(415)는 제1 N-타입 트랜지스터(N1)의 게이트 단과 연결된 노드를 프리차지할 수 있고, 제2 풀-다운 회로(416)는 제1 N-타입 트랜지스터(N1)의 게이트 단과 연결되는 노드를 디스차지할 수 있다.The OAI22 circuit 412 may include a second pull-up circuit 415 and a second pull-down circuit 416 . The second pull-up circuit 415 may precharge a node connected to the gate terminal of the first N-type transistor N1, and the second pull-down circuit 416 may precharge the node of the first N-type transistor N1. A node connected to the gate stage can be discharged.

제2 풀-업 회로(415)는 제6 내지 9 P-타입 트랜지스터(P16 내지 P19)를 포함할 수 있다. 제6 P-타입 트랜지스터(P16)의 게이트 단에는 제1 반전 클럭 신호(nCK1)가 입력될 수 있고, 제7 P-타입 트랜지스터(P17)의 게이트 단에는 제1 병렬 신호(D1)가 입력될 수 있고, 제8 P-타입 트랜지스터(P18)의 게이트 단에는 제2 반전 클럭 신호(nCK2)가 입력될 수 있고, 제9 P-타입 트랜지스터(P19)의 게이트 단에는 제2 병렬 신호(D2)가 입력될 수 있다. 제1 반전 클럭 신호(nCK1)가 논리 로우 레벨, 즉 제1 클럭 신호(CK1)가 논리 하이 레벨이고 제1 병렬 신호(D1)가 논리 로우 레벨일 때 제1 N-타입 트랜지스터(N1)는 턴-온될 수 있으므로 직렬 신호(D_TX)는 논리 로우 레벨을 나타낼 수 있다. 또한, 제2 반전 클럭 신호(nCK2)가 논리 로우 레벨, 즉 제2 클럭 신호(CK2)가 논리 하이 레벨이고 제2 병렬 신호(D2)가 논리 로우 레벨일 때 제1 N-타입 트랜지스터(N1)는 턴-온될 수 있으므로 직렬 신호(D_TX)는 논리 로우 레벨을 나타낼 수 있다. 즉, OAI22 회로(412)는 논리 로우 레벨을 갖는 제1 및 2 병렬 신호(D1, D2)가 직렬 신호(D_TX)에 반영되도록 제1 N-타입 트랜지스터(N1)를 구동할 수 있다.The second pull-up circuit 415 may include sixth to ninth P-type transistors P16 to P19. The first inverted clock signal nCK1 may be input to the gate terminal of the sixth P-type transistor P16, and the first parallel signal D1 may be input to the gate terminal of the seventh P-type transistor P17. The second inverted clock signal nCK2 may be input to the gate terminal of the eighth P-type transistor P18, and the second parallel signal D2 may be input to the gate terminal of the ninth P-type transistor P19. can be entered. When the first inverted clock signal nCK1 is at a logic low level, that is, when the first clock signal CK1 is at a logic high level and the first parallel signal D1 is at a logic low level, the first N-type transistor N1 turns - Since it can be turned on, the serial signal D_TX can indicate a logic low level. In addition, when the second inverted clock signal nCK2 is at a logic low level, that is, when the second clock signal CK2 is at a logic high level and the second parallel signal D2 is at a logic low level, the first N-type transistor N1 can be turned on, so the serial signal D_TX can indicate a logic low level. That is, the OAI22 circuit 412 may drive the first N-type transistor N1 such that the first and second parallel signals D1 and D2 having a logic low level are reflected in the serial signal D_TX.

제1 선택 회로(41)가 제1 및 2 클럭 신호(CK1, CK2)를 기초로 제1 및 2 병렬 신호(D1, D2)를 출력하는 것으로 설명되었으나 실시예는 이에 제한되지 않는다. 즉, 제1 선택 회로(41)는 셋 이상의 클럭 신호를 기초로 셋 이상의 병렬 신호들을 선택적으로 출력할 수도 있다. 또한, 제1 선택 회로(41)가 수신하는 병렬 신호들은 제1 및 2 병렬 신호(D1, D2)에 제한되지 않는다.Although the first selection circuit 41 has been described as outputting the first and second parallel signals D1 and D2 based on the first and second clock signals CK1 and CK2, the embodiment is not limited thereto. That is, the first selection circuit 41 may selectively output three or more parallel signals based on three or more clock signals. Also, the parallel signals received by the first selection circuit 41 are not limited to the first and second parallel signals D1 and D2.

도 8c를 참조하면, 멀티 플렉서(50)는 제1 내지 4 선택 회로들(51 내지 54)을 포함할 수 있다. 도 8c에서, 제1 선택 회로(45)에 대한 설명은 제2 내지 4 선택 회로들(52 내지 54)에도 적용될 수 있다.Referring to FIG. 8C , the multiplexer 50 may include first to fourth selection circuits 51 to 54 . In FIG. 8C, the description of the first selection circuit 45 can also be applied to the second to fourth selection circuits 52 to 54.

제1 선택 회로(51)는 AOI22 회로(511) 및 OAI22 회로(512)를 포함할 수 있다. AOI22 회로(511)는 제1 및 2 클럭 신호(CK1, CK2)에 응답하여 논리 하이 레벨을 갖는 제1 및 2 병렬 신호(D1, D2)가 직렬 신호(D_TX)로서 출력되도록 제1 P-타입 트랜지스터(P1)를 구동할 수 있다. OAI22 회로(512)는 제1 및 2 반전 클럭 신호(nCK1, nCK2)에 응답하여 논리 로우 레벨을 갖는 제1 및 2 병렬 신호(D1, D2)가 직렬 신호(D_TX)로서 출력되도록 제1 N-타입 트랜지스터(N1)를 구동할 수 있다.The first selection circuit 51 may include an AOI22 circuit 511 and an OAI22 circuit 512 . The AOI22 circuit 511 outputs the first and second parallel signals D1 and D2 having a logic high level as a serial signal D_TX in response to the first and second clock signals CK1 and CK2. It can drive transistor P1. The OAI22 circuit 512 outputs the first and second parallel signals D1 and D2 having a logic low level as a serial signal D_TX in response to the first and second inverted clock signals nCK1 and nCK2. type transistor N1 can be driven.

AOI22 회로(511)는 제1 구동 회로(513) 및 제2 구동 회로(514)를 포함할 수 있다. 제1 구동 회로(513)는 제1 입력 신호(D1)에 기초하여 제1 P-타입 트랜지스터(P1)의 게이트 단과 연결된 노드를 구동할 수 있고, 제2 구동 회로(514)는 제2 입력 신호(D2)에 기초하여 제1 P-타입 트랜지스터(P1)의 게이트 단과 연결된 노드를 구동할 수 있다.The AOI22 circuit 511 may include a first driving circuit 513 and a second driving circuit 514 . The first driving circuit 513 may drive a node connected to the gate terminal of the first P-type transistor P1 based on the first input signal D1, and the second driving circuit 514 may drive a node connected to the gate terminal of the first P-type transistor P1 based on the first input signal D1. Based on (D2), a node connected to the gate terminal of the first P-type transistor P1 may be driven.

제1 구동 회로(513)는 제2 내지 4 P-타입 트랜지스터(P22 내지 P24) 및 제2 및 3 N-타입 트랜지스터(N22 및 N23)를 포함할 수 있다. 제2 P-타입 트랜지스터(P22)의 게이트 단에는 제1 클럭 신호(CK1)가 입력될 수 있고, 제3 P-타입 트랜지스터(P23)의 게이트 단에는 제2 클럭 신호(CK2)가 입력될 수 있고, 제4 P-타입 트랜지스터(P24)의 게이트 단에는 제1 병렬 신호(D1)가 입력될 수 있고, 제2 N-타입 트랜지스터(N22)의 게이트 단에는 제1 클럭 신호(CK1)가 입력될 수 있고, 제3 N-타입 트랜지스터(N23)의 게이트 단에는 제1 병렬 신호(D1)가 입력될 수 있다. 제1 클럭 신호(CK1)가 논리 하이 레벨이고 제1 병렬 신호(D1)가 논리 하이 레벨일 때 제1 구동 회로(513)에 의해 제1 P-타입 트랜지스터(P1)는 턴-온될 수 있으므로 직렬 신호(D_TX)는 논리 하이 레벨을 나타낼 수 있다.The first driving circuit 513 may include second to fourth P-type transistors P22 to P24 and second and third N-type transistors N22 and N23. The first clock signal CK1 may be input to the gate terminal of the second P-type transistor P22, and the second clock signal CK2 may be input to the gate terminal of the third P-type transistor P23. The first parallel signal D1 may be input to the gate terminal of the fourth P-type transistor P24, and the first clock signal CK1 may be input to the gate terminal of the second N-type transistor N22. and the first parallel signal D1 may be input to the gate terminal of the third N-type transistor N23. When the first clock signal CK1 is at a logic high level and the first parallel signal D1 is at a logic high level, the first P-type transistor P1 may be turned on by the first driving circuit 513, so that the series Signal D_TX may indicate a logic high level.

제2 구동 회로(514)는 5 내지 7 P-타입 트랜지스터(P25 내지 P27) 및 제4 및 5 N-타입 트랜지스터(N24 및 N25)를 포함할 수 있다. 제5 P-타입 트랜지스터(P25)의 게이트 단에는 제2 클럭 신호(CK2)가 입력될 수 있고, 제6 P-타입 트랜지스터(P26)의 게이트 단에는 제1 클럭 신호(CK1)가 입력될 수 있고, 제7 P-타입 트랜지스터(P27)의 게이트 단에는 제2 병렬 신호(D2)가 입력될 수 있고, 제4 N-타입 트랜지스터(N24)의 게이트 단에는 제2 클럭 신호(CK2)가 입력될 수 있고, 제5 N-타입 트랜지스터(N25)의 게이트 단에는 제2 병렬 신호(D2)가 입력될 수 있다. 제2 클럭 신호(CK2)가 논리 하이 레벨이고 제2 병렬 신호(D2)가 논리 하이 레벨일 때 제1 P-타입 트랜지스터(P1)는 제2 구동 회로(514)에 의해 턴-온될 수 있으므로 직렬 신호(D_TX)는 논리 하이 레벨을 나타낼 수 있다.The second driving circuit 514 may include 5 to 7 P-type transistors P25 to P27 and 4 and 5 N-type transistors N24 and N25. The second clock signal CK2 may be input to the gate terminal of the fifth P-type transistor P25, and the first clock signal CK1 may be input to the gate terminal of the sixth P-type transistor P26. The second parallel signal D2 may be input to the gate terminal of the seventh P-type transistor P27, and the second clock signal CK2 may be input to the gate terminal of the fourth N-type transistor N24. and the second parallel signal D2 may be input to the gate terminal of the fifth N-type transistor N25. When the second clock signal CK2 is at a logic high level and the second parallel signal D2 is at a logic high level, the first P-type transistor P1 can be turned on by the second driving circuit 514, so that the series Signal D_TX may indicate a logic high level.

OAI22 회로(512)는 제3 구동 회로(515) 및 제4 구동 회로(516)를 포함할 수 있다. 제3 구동 회로(515)는 제1 입력 신호(D1)에 기초하여 제1 N-타입 트랜지스터(N1)의 게이트 단과 연결된 노드를 구동할 수 있고, 제4 구동 회로(516)는 제2 입력 신호(D2)에 기초하여 제1 N-타입 트랜지스터(N1)의 게이트 단과 연결된 노드를 구동할 수 있다.The OAI22 circuit 512 may include a third driving circuit 515 and a fourth driving circuit 516 . The third driving circuit 515 may drive a node connected to the gate terminal of the first N-type transistor N1 based on the first input signal D1, and the fourth driving circuit 516 may drive the second input signal Based on (D2), a node connected to the gate terminal of the first N-type transistor N1 may be driven.

제3 구동 회로(515)는 제8 및 9 P-타입 트랜지스터(P31 내지 P32) 및 제6 및 7 N-타입 트랜지스터(N26 및 N27)를 포함할 수 있다. 제8 P-타입 트랜지스터(P31)의 게이트 단에는 제1 병렬 신호(D1)가 입력될 수 있고, 제9 P-타입 트랜지스터(P32)의 게이트 단에는 제1 반전 클럭 신호(nCK1)가 입력될 수 있고, 제6 N-타입 트랜지스터(N26)의 게이트 단에는 제1 반전 클럭 신호(nCK1)가 입력될 수 있고, 제7 N-타입 트랜지스터(N27)의 게이트 단에는 제2 반전 클럭 신호(nCK2)가 입력될 수 있다. 제1 반전 클럭 신호(nCK1)가 논리 로우 레벨, 즉 제1 클럭 신호(CK1)가 논리 하이 레벨이고 제1 병렬 신호(D1)가 논리 로우 레벨일 때 제1 N-타입 트랜지스터(N1)는 제3 구동 회로(515)에 의해 턴-온될 수 있으므로 직렬 신호(D_TX)는 논리 로우 레벨을 나타낼 수 있다.The third driving circuit 515 may include eighth and ninth P-type transistors P31 to P32 and sixth and seventh N-type transistors N26 and N27. The first parallel signal D1 may be input to the gate terminal of the eighth P-type transistor P31, and the first inverted clock signal nCK1 may be input to the gate terminal of the ninth P-type transistor P32. The first inverted clock signal nCK1 may be input to the gate terminal of the sixth N-type transistor N26, and the second inverted clock signal nCK2 to the gate terminal of the seventh N-type transistor N27. ) can be entered. When the first inverted clock signal nCK1 is at a logic low level, that is, when the first clock signal CK1 is at a logic high level and the first parallel signal D1 is at a logic low level, the first N-type transistor N1 is 3 Since it can be turned on by the driving circuit 515, the serial signal D_TX can indicate a logic low level.

제4 구동 회로(516)는 제10 및 11 P-타입 트랜지스터(P33 내지 P34) 및 제8 및 9 N-타입 트랜지스터(N28 및 N29)를 포함할 수 있다. 제10 P-타입 트랜지스터(P33)의 게이트 단에는 제2 병렬 신호(D2)가 입력될 수 있고, 제11 P-타입 트랜지스터(P34)의 게이트 단에는 제2 반전 클럭 신호(nCK2)가 입력될 수 있고, 제8 N-타입 트랜지스터(N28)의 게이트 단에는 제2 반전 클럭 신호(nCK2)가 입력될 수 있고, 제9 N-타입 트랜지스터(N29)의 게이트 단에는 제1 반전 클럭 신호(nCK1)가 입력될 수 있다. 제2 반전 클럭 신호(nCK2)가 논리 로우 레벨, 즉 제2 반전 신호(CK2)가 논리 하이 레벨이고 제1 병렬 신호(D1)가 논리 로우 레벨일 때 제1 N-타입 트랜지스터(N1)는 제4 구동 회로(516)에 의해 턴-온될 수 있으므로 직렬 신호(D_TX)는 논리 로우 레벨을 나타낼 수 있다.The fourth driving circuit 516 may include tenth and eleventh P-type transistors P33 to P34 and eighth and ninth N-type transistors N28 and N29. The second parallel signal D2 may be input to the gate terminal of the tenth P-type transistor P33, and the second inverted clock signal nCK2 may be input to the gate terminal of the eleventh P-type transistor P34. The second inverted clock signal nCK2 may be input to the gate terminal of the eighth N-type transistor N28, and the first inverted clock signal nCK1 to the gate terminal of the ninth N-type transistor N29. ) can be entered. When the second inverted clock signal nCK2 is at a logic low level, that is, when the second inverted signal CK2 is at a logic high level and the first parallel signal D1 is at a logic low level, the first N-type transistor N1 is 4 Since it can be turned on by the driving circuit 516, the serial signal D_TX can indicate a logic low level.

도 9는 본 개시의 예시적 실시 예에 따른 송신기 회로를 설명하는 도면이다.9 is a diagram illustrating a transmitter circuit according to an exemplary embodiment of the present disclosure.

도 10은 본 개시의 예시적 실시 예에 따른 송신기 회로의 동작을 설명하기 위한 타이밍도이다.10 is a timing diagram illustrating an operation of a transmitter circuit according to an exemplary embodiment of the present disclosure.

도 9를 참조하면, 송신기 회로(2)는 멀티 플렉서(60), 천이 신호 생성 회로(70) 및 출력 드라이버(15)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 9 , the transmitter circuit 2 may include a multiplexer 60 , a transition signal generator circuit 70 and an output driver 15 .

멀티 플렉서(60)는 제1 내지 4 병렬 신호(D1 내지 D4)를 선택적으로 출력할 수 있고, 출력 드라이버(15)는 멀티 플렉서(60)의 출력을 증폭함으로써 직렬 신호(D_TX)를 생성할 수 있다.The multiplexer 60 may selectively output first to fourth parallel signals D1 to D4, and the output driver 15 amplifies the output of the multiplexer 60 to generate a serial signal D_TX. can do.

멀티 플렉서(60)는 제1 내지 4 선택 회로(61 내지 64)를 포함할 수 있다. 제1 내지 4 선택 회로(61 내지 64) 각각은 병렬 신호(D1 내지 D4) 및 천이 신호(T1 내지 T4)을 수신할 수 있다. 예를 들어, 제1 선택 회로(61)는 제1 병렬 신호(D1) 및 제1 천이 신호(T1)를 수신할 수 있고, 제2 선택 회로(62)는 제2 병렬 신호(D2) 및 제2 천이 신호(T2)를 수신할 수 있고, 제3 선택 회로(63)는 제3 병렬 신호(D3) 및 제3 천이 신호(T3)를 수신할 수 있고, 제4 선택 회로(64)는 제4 병렬 신호(D4) 및 제4 천이 신호(T4)를 수신할 수 있다.The multiplexer 60 may include first to fourth selection circuits 61 to 64 . Each of the first to fourth selection circuits 61 to 64 may receive parallel signals D1 to D4 and transition signals T1 to T4. For example, the first selection circuit 61 may receive the first parallel signal D1 and the first transition signal T1, and the second selection circuit 62 may receive the second parallel signal D2 and the first transition signal T1. 2 transition signal T2 can be received, the third selection circuit 63 can receive the third parallel signal D3 and the third transition signal T3, and the fourth selection circuit 64 can receive the third parallel signal D3 and the third transition signal T3. 4 parallel signals D4 and a fourth transition signal T4 may be received.

도 10을 참조하면, 멀티 플렉서(60)는 순차적으로 논리 하이 레벨(H)로 천이하는 제1 내지 4 클럭 신호(CK1 내지 CK4)를 기초로 제1 내지 4 병렬 신호(D1 내지 D4)를 출력할 수 있고, 이로 인해 직렬 신호(D_TX)가 생성될 수 있다.Referring to FIG. 10 , the multiplexer 60 generates first to fourth parallel signals D1 to D4 based on first to fourth clock signals CK1 to CK4 sequentially transitioning to a logic high level (H). output, and thereby a serial signal (D_TX) can be generated.

도 9 및 10을 참조하면, 천이 신호 생성 회로(70)는 직렬 신호(D_TX)의 천이 여부를 나타내는 제1 내지 4 천이 신호들(T1 내지 T4)을 생성할 수 있다. 직렬 신호(D_TX)가 천이하는 경우, 제1 내지 4 천이 신호들(T1 내지 T4) 중 하나는 논리 하이 레벨을 나타낼 수 있고, 나머지 천이 신호는 논리 로우 레벨을 나타낼 수 있다.Referring to FIGS. 9 and 10 , the transition signal generation circuit 70 may generate first to fourth transition signals T1 to T4 indicating whether the serial signal D_TX is transitioning. When the serial signal D_TX transitions, one of the first to fourth transition signals T1 to T4 may indicate a logic high level, and the remaining transition signals may indicate a logic low level.

천이 신호 생성 회로(70)는 제1 내지 4 신호 생성 회로(71 내지 74)를 포함할 수 있다.The transition signal generating circuit 70 may include first to fourth signal generating circuits 71 to 74 .

제1 신호 생성 회로(71)는 제1 및 4 병렬 신호(D1, D4)를 기초로 제1 천이 신호(T1)를 생성할 수 있다. 구체적으로, 제1 천이 신호(T1)는 직렬 신호(D_TX) 중 인접하는 제4 병렬 신호(D4) 부분과 제1 병렬 신호(D1) 부분 간의 논리 레벨의 천이가 발생했는지 여부를 나타낼 수 있다. 예를 들어, 도 10에서, 제5 시점(t25)에서, 직렬 신호(D_TX) 중 인접하는 제4 병렬 신호(D4) 부분과 제1 병렬 신호(D1) 부분 간의 논리 레벨의 천이가 발생하지 않았으므로 제1 천이 신호(T1)는 논리 로우 레벨을 나타낼 수 있다.The first signal generating circuit 71 may generate a first transition signal T1 based on the first and fourth parallel signals D1 and D4. Specifically, the first transition signal T1 may indicate whether a logic level transition has occurred between adjacent parts of the fourth parallel signal D4 and the first parallel signal D1 of the serial signal D_TX. For example, in FIG. 10 , at the fifth point in time t25 , logic level transition between adjacent parts of the fourth parallel signal D4 and the first parallel signal D1 of the serial signal D_TX does not occur. Therefore, the first transition signal T1 may indicate a logic low level.

제2 신호 생성 회로(72)는 제1 및 4 병렬 신호(D1, D4)를 기초로 제2 천이 신호(T2)를 생성할 수 있다. 구체적으로, 제2 천이 신호(T2)는 직렬 신호(D_TX) 중 인접하는 제1 병렬 신호(D1) 부분과 제2 병렬 신호(D2) 부분에서 논리 레벨의 천이가 발생했는지 여부를 나타낼 수 있다. 예를 들어, 도 10에서, 제2 시점(t22) 및 제6 시점(t26)에서, 직렬 신호(D_TX) 중 인접하는 제1 병렬 신호(D1) 부분과 제2 병렬 신호(D2) 부분에서 논리 레벨의 천이가 발생하였으므로 제2 천이 신호(T2)는 미리 결정된 시간(예를 들어, 단위 간격) 동안 논리 하이 레벨을 유지할 수 있다.The second signal generating circuit 72 may generate a second transition signal T2 based on the first and fourth parallel signals D1 and D4. Specifically, the second transition signal T2 may indicate whether logic level transitions have occurred in adjacent portions of the first parallel signal D1 and the second parallel signal D2 of the serial signal D_TX. For example, in FIG. 10 , at the second time point t22 and the sixth time point t26 , logic is applied to the adjacent first parallel signal D1 portion and second parallel signal D2 portion of the serial signal D_TX. Since the level transition has occurred, the second transition signal T2 can maintain the logic high level for a predetermined time (eg, unit interval).

제3 신호 생성 회로(73)는 제2 및 3 병렬 신호(D2, D3)를 기초로 제3 천이 신호(T3)를 생성할 수 있다. 구체적으로, 제3 천이 신호(T3)는 직렬 신호(D_TX) 중 인접하는 제2 병렬 신호(D2)와 제3 병렬 신호(D3) 부분에서 논리 레벨의 천이가 발생했는지 여부를 나타낼 수 있다. 예를 들어, 도 10에서, 제3 시점(t23)에서, 직렬 신호(D_TX) 중 인접하는 제2 병렬 신호(D2) 부분과 제3 병렬 신호(D3) 부분에서 논리 레벨의 천이가 발생하였으므로 제3 천이 신호(T3)는 미리 결정된 시간(예를 들어, 단위 간격) 동안 논리 하이 레벨을 유지할 수 있다.The third signal generating circuit 73 may generate a third transition signal T3 based on the second and third parallel signals D2 and D3. Specifically, the third transition signal T3 may indicate whether logic level transitions have occurred in adjacent portions of the second parallel signal D2 and the third parallel signal D3 of the serial signal D_TX. For example, in FIG. 10, at the third time point t23, logic level transitions occur in the adjacent second parallel signal D2 and third parallel signal D3 portions of the serial signal D_TX. 3 The transition signal T3 may maintain a logic high level for a predetermined time (eg, unit interval).

제4 신호 생성 회로(74)는 제3 및 4 병렬 신호(D3, D4)를 기초로 제4 천이 신호(T4)를 생성할 수 있다. 구체적으로, 제4 천이 신호(T4)는 직렬 신호(D_TX) 중 인접하는 제3 병렬 신호(D3)와 제4 병렬 신호(D4) 부분에서 논리 레벨의 천이가 발생했는지 여부를 나타낼 수 있다. 예를 들어, 도 10에서, 제4 시점(t24) 및 제8 시점(t28)에서, 직렬 신호(D_TX) 중 인접하는 제3 병렬 신호(D3) 부분과 제4 병렬 신호(D4) 부분에서 논리 레벨의 천이가 발생하였으므로 제4 천이 신호(T4)는 미리 결정된 시간(예를 들어, 단위 간격) 동안 논리 하이 레벨을 유지할 수 있다.The fourth signal generating circuit 74 may generate a fourth transition signal T4 based on the third and fourth parallel signals D3 and D4. Specifically, the fourth transition signal T4 may indicate whether logic level transitions have occurred in portions of the third parallel signal D3 and the fourth parallel signal D4 adjacent to each other of the serial signal D_TX. For example, in FIG. 10, at the fourth time point t24 and the eighth time point t28, logic is applied to the third parallel signal D3 part and the fourth parallel signal D4 part of the serial signal D_TX. Since the level transition has occurred, the fourth transition signal T4 can maintain the logic high level for a predetermined time (eg, unit interval).

제1 선택 회로(61)는 제1 클럭 신호(CK1) 및 제2 클럭 신호(CK2)의 활성 레벨(예를 들어, 논리 하이 레벨) 또는 활성 엣지(예를 들어, 상승 엣지)에 응답하여 제1 병렬 신호(D1) 또는 제2 천이 신호(T2)를 선택할 수 있다. 구체적으로, 제1 선택 회로(61)는 제1 클럭 신호(CK1)의 활성 엣지에 응답하여 제1 병렬 신호(D1)를 출력할 수 있다. 또한, 제1 선택 회로(61)는 제2 클럭 신호(CK2)의 활성 엣지에 응답하여 제2 천이 신호(T2)를 기초로 출력 노드(Nout)를 구동할 수 있다. 제1 선택 회로(61)는 제2 천이 신호(T2)의 논리 레벨이 논리 로우 레벨인 경우 출력 노드를 구동하지 않을 수 있고, 제2 천이 신호(T2)의 논리 레벨이 논리 하이 레벨인 경우 출력 노드(Nout)를 구동할 수 있다. 예를 들어, 예를 들어, 논리 하이 레벨을 갖는 제1 병렬 신호(D1) 부분에서 논리 로우 레벨을 갖는 제2 병렬 신호(D2) 부분으로 논리 레벨의 천이가 발생하는 경우, 제1 선택 회로(61)는 제2 클럭 신호(CK2)의 활성 엣지에 응답하여 출력 노드(Nout)를 디스차지할 수 있다. 또는, 논리 로우 레벨을 갖는 제1 병렬 신호(D1) 부분에서 논리 하이 레벨을 갖는 제2 병렬 신호(D2) 부분으로 논리 레벨의 천이가 발생하는 경우, 제1 선택 회로(61)는 제2 클럭 신호(CK2)의 활성 엣지에 응답하여 출력 노드(Nout)를 프리차지할 수 있다.The first selection circuit 61 responds to an active level (eg, a logic high level) or an active edge (eg, a rising edge) of the first clock signal CK1 and the second clock signal CK2. One parallel signal D1 or the second transition signal T2 can be selected. Specifically, the first selection circuit 61 may output the first parallel signal D1 in response to the active edge of the first clock signal CK1. Also, the first selection circuit 61 may drive the output node Nout based on the second transition signal T2 in response to the active edge of the second clock signal CK2. The first selection circuit 61 may not drive the output node when the logic level of the second transition signal T2 is a logic low level, and if the logic level of the second transition signal T2 is a logic high level, output You can drive a node (Nout). For example, when a logic level transition occurs from a portion of the first parallel signal D1 having a logic high level to a portion of the second parallel signal D2 having a logic low level, the first selection circuit ( 61) may discharge the output node Nout in response to an active edge of the second clock signal CK2. Alternatively, when a logic level transition occurs from a portion of the first parallel signal D1 having a logic low level to a portion of the second parallel signal D2 having a logic high level, the first selection circuit 61 generates a second clock In response to the active edge of the signal CK2, the output node Nout may be precharged.

즉, 제1 선택 회로(61)는 직렬 신호(D_TX)에 포함된 제1 병렬 신호(D1) 부분과 제2 병렬 신호(D2) 부분 사이에 논리 레벨 천이가 있는 경우, 제2 선택 회로(62)와 함께 출력 노드(Nout)를 구동함으로써 직렬 신호(D_TX)의 슬루율을 높일 수 있다.That is, when there is a logic level transition between the first parallel signal D1 part and the second parallel signal D2 part included in the serial signal D_TX, the second selection circuit 62 ) together, the slew rate of the serial signal D_TX can be increased by driving the output node Nout.

제2 선택 회로(62)는 제2 클럭 신호(CK2) 및 제3 클럭 신호(CK3)의 활성 레벨(예를 들어, 논리 하이 레벨) 또는 활성 엣지(예를 들어, 상승 엣지)에 응답하여 제2 병렬 신호(D2) 또는 제3 천이 신호(T3)를 선택할 수 있다. 구체적으로, 제2 선택 회로(62)는 제2 클럭 신호(CK2)의 활성 엣지에 응답하여 제2 병렬 신호(D2)를 출력할 수 있다. 또한, 제2 선택 회로(62)는 제3 클럭 신호(CK3)의 활성 엣지에 응답하여 제3 천이 신호(T3)를 기초로 출력 노드(Nout)를 구동할 수 있다. 제2 선택 회로(62)는 제3 천이 신호(T3)의 논리 레벨이 논리 로우 레벨인 경우 출력 노드(Nout)를 구동하지 않을 수 있고, 제3 천이 신호(T3)의 논리 레벨이 논리 하이 레벨인 경우 출력 노드(Nout)를 구동할 수 있다. 예를 들어, 예를 들어, 논리 하이 레벨을 갖는 제2 병렬 신호(D2) 부분에서 논리 로우 레벨을 갖는 제3 병렬 신호(D3) 부분으로 논리 레벨의 천이가 발생하는 경우, 제2 선택 회로(62)는 제3 클럭 신호(CK3)의 활성 엣지에 응답하여 출력 노드(Nout)를 디스차지할 수 있다. 또는, 논리 로우 레벨을 갖는 제2 병렬 신호(D2) 부분에서 논리 하이 레벨을 갖는 제3 병렬 신호(D3) 부분으로 논리 레벨의 천이가 발생하는 경우, 제2 선택 회로(62)는 제3 클럭 신호(CK3)의 활성 엣지에 응답하여 출력 노드(Nout)를 프리차지할 수 있다.The second selection circuit 62 responds to an active level (eg, a logic high level) or an active edge (eg, a rising edge) of the second clock signal CK2 and the third clock signal CK3. Two parallel signals D2 or a third transition signal T3 can be selected. Specifically, the second selection circuit 62 may output the second parallel signal D2 in response to an active edge of the second clock signal CK2. Also, the second selection circuit 62 may drive the output node Nout based on the third transition signal T3 in response to an active edge of the third clock signal CK3. The second selection circuit 62 may not drive the output node Nout when the logic level of the third transition signal T3 is a logic low level, and the logic level of the third transition signal T3 is a logic high level. In case of , the output node Nout can be driven. For example, when a logic level transition occurs from a portion of the second parallel signal D2 having a logic high level to a portion of the third parallel signal D3 having a logic low level, the second selection circuit ( 62) may discharge the output node Nout in response to an active edge of the third clock signal CK3. Alternatively, when a logic level transition occurs from a portion of the second parallel signal D2 having a logic low level to a portion of the third parallel signal D3 having a logic high level, the second selection circuit 62 generates a third clock In response to the active edge of the signal CK3, the output node Nout may be precharged.

즉, 제2 선택 회로(62)는 직렬 신호(D_TX)에 포함된 제2 병렬 신호(D2) 부분과 제3 병렬 신호(D3) 부분 사이에 논리 레벨 천이가 있는 경우, 제3 선택 회로(63)와 함께 출력 노드(Nout)를 구동함으로써 직렬 신호(D_TX)의 슬루율을 높일 수 있다.That is, when there is a logic level transition between the second parallel signal D2 part and the third parallel signal D3 part included in the serial signal D_TX, the third selection circuit 63 ) together, the slew rate of the serial signal D_TX can be increased by driving the output node Nout.

제3 선택 회로(63)는 제3 클럭 신호(CK3) 및 제4 클럭 신호(CK4)의 활성 레벨(예를 들어, 논리 하이 레벨) 또는 활성 엣지(예를 들어, 상승 엣지)에 응답하여 제3 병렬 신호(D3) 또는 제4 천이 신호(T4)를 선택할 수 있다. 구체적으로, 제3 선택 회로(63)는 제3 클럭 신호(CK3)의 활성 엣지에 응답하여 제3 병렬 신호(D3)를 출력할 수 있다. 또한, 제3 선택 회로(63)는 제4 클럭 신호(CK4)의 활성 엣지에 응답하여 제4 천이 신호(T4)를 기초로 출력 노드(Nout)를 구동할 수 있다. 제3 선택 회로(63)는 제4 천이 신호(T4)의 논리 레벨이 논리 로우 레벨인 경우 출력 노드(Nout)를 구동하지 않을 수 있고, 제4 천이 신호(T4)의 논리 레벨이 논리 하이 레벨인 경우 출력 노드(Nout)를 구동할 수 있다. 예를 들어, 예를 들어, 논리 하이 레벨을 갖는 제3 병렬 신호(D3) 부분에서 논리 로우 레벨을 갖는 제4 병렬 신호(D4) 부분으로 논리 레벨의 천이가 발생하는 경우, 제3 선택 회로(63)는 제4 클럭 신호(CK4)의 활성 엣지에 응답하여 출력 노드(Nout)를 디스차지할 수 있다. 또는, 논리 로우 레벨을 갖는 제3 병렬 신호(D3) 부분에서 논리 하이 레벨을 갖는 제4 병렬 신호(D4) 부분으로 논리 레벨의 천이가 발생하는 경우, 제3 선택 회로(63)는 제4 클럭 신호(CK4)의 활성 엣지에 응답하여 출력 노드(Nout)를 프리차지할 수 있다.The third selection circuit 63 responds to active levels (eg, logic high levels) or active edges (eg, rising edges) of the third and fourth clock signals CK3 and CK4. The 3 parallel signals D3 or the 4th transition signal T4 can be selected. Specifically, the third selection circuit 63 may output the third parallel signal D3 in response to an active edge of the third clock signal CK3. Also, the third selection circuit 63 may drive the output node Nout based on the fourth transition signal T4 in response to an active edge of the fourth clock signal CK4. The third selection circuit 63 may not drive the output node Nout when the logic level of the fourth transition signal T4 is a logic low level, and the logic level of the fourth transition signal T4 is a logic high level. In case of , the output node Nout can be driven. For example, when a logic level transition occurs from a portion of the third parallel signal D3 having a logic high level to a portion of the fourth parallel signal D4 having a logic low level, the third selection circuit ( 63) may discharge the output node Nout in response to the active edge of the fourth clock signal CK4. Alternatively, when a logic level transition occurs from a portion of the third parallel signal D3 having a logic low level to a portion of the fourth parallel signal D4 having a logic high level, the third selection circuit 63 generates a fourth clock signal. In response to the active edge of the signal CK4, the output node Nout may be precharged.

즉, 제3 선택 회로(63)는 직렬 신호(D_TX)에 포함된 제3 병렬 신호(D3) 부분과 제4 병렬 신호(D4) 부분 사이에 논리 레벨 천이가 있는 경우, 제4 선택 회로(64)와 함께 출력 노드(Nout)를 구동함으로써 직렬 신호(D_TX)의 슬루율을 높일 수 있다.That is, when there is a logic level transition between the third parallel signal D3 and the fourth parallel signal D4 included in the serial signal D_TX, the fourth selection circuit 64 ) together, the slew rate of the serial signal D_TX can be increased by driving the output node Nout.

제4 선택 회로(64)는 제4 클럭 신호(CK4) 및 제1 클럭 신호(CK1)의 활성 레벨(예를 들어, 논리 하이 레벨) 또는 활성 엣지(예를 들어, 상승 엣지)에 응답하여 제4 병렬 신호(D4) 또는 제1 천이 신호(T1)를 선택할 수 있다. 구체적으로, 제4 선택 회로(64)는 제4 클럭 신호(CK4)의 활성 엣지에 응답하여 제4 병렬 신호(D4)를 출력할 수 있다. 또한, 제4 선택 회로(64)는 제1 클럭 신호(CK1)의 활성 엣지에 응답하여 제1 천이 신호(T1)를 기초로 출력 노드(Nout)를 구동할 수 있다. 제4 선택 회로(64)는 제1 천이 신호(T1)의 논리 레벨이 논리 로우 레벨인 경우 출력 노드(Nout)를 구동하지 않을 수 있고, 제1 천이 신호(T1)의 논리 레벨이 논리 하이 레벨인 경우 출력 노드(Nout)를 구동할 수 있다. 예를 들어, 예를 들어, 논리 하이 레벨을 갖는 제4 병렬 신호(D4) 부분에서 논리 로우 레벨을 갖는 제1 병렬 신호(D1) 부분으로 논리 레벨의 천이가 발생하는 경우, 제4 선택 회로(64)는 제1 클럭 신호(CK1)의 활성 엣지에 응답하여 출력 노드(Nout)를 디스차지할 수 있다. 또는, 논리 로우 레벨을 갖는 제4 병렬 신호(D4) 부분에서 논리 하이 레벨을 갖는 제1 병렬 신호(D1) 부분으로 논리 레벨의 천이가 발생하는 경우, 제4 선택 회로(64)는 제1 클럭 신호(CK1)의 활성 엣지에 응답하여 출력 노드(Nout)를 프리차지할 수 있다.The fourth selection circuit 64 responds to an active level (eg, a logic high level) or an active edge (eg, a rising edge) of the fourth clock signal CK4 and the first clock signal CK1. 4 parallel signals D4 or the first transition signal T1 can be selected. Specifically, the fourth selection circuit 64 may output the fourth parallel signal D4 in response to an active edge of the fourth clock signal CK4. Also, the fourth selection circuit 64 may drive the output node Nout based on the first transition signal T1 in response to the active edge of the first clock signal CK1. The fourth selection circuit 64 may not drive the output node Nout when the logic level of the first transition signal T1 is a logic low level, and the logic level of the first transition signal T1 is a logic high level. In case of , the output node Nout can be driven. For example, when a logic level transition occurs from a portion of the fourth parallel signal D4 having a logic high level to a portion of the first parallel signal D1 having a logic low level, the fourth selection circuit ( 64) may discharge the output node Nout in response to an active edge of the first clock signal CK1. Alternatively, when a logic level transition occurs from a portion of the fourth parallel signal D4 having a logic low level to a portion of the first parallel signal D1 having a logic high level, the fourth selection circuit 64 generates a first clock In response to the active edge of the signal CK1, the output node Nout may be precharged.

즉, 제4 선택 회로(64)는 직렬 신호(D_TX)에 포함된 제4 병렬 신호(D4) 부분과 제1 병렬 신호(D1) 부분 사이에 논리 레벨 천이가 있는 경우, 제1 선택 회로(61)와 함께 출력 노드(Nout)를 구동함으로써 직렬 신호(D_TX)의 슬루율을 높일 수 있다.That is, when there is a logic level transition between the fourth parallel signal D4 and the first parallel signal D1 included in the serial signal D_TX, the first selection circuit 61 ) together, the slew rate of the serial signal D_TX can be increased by driving the output node Nout.

본 개시의 예시적 실시예에 따르면, 직렬 신호(D_TX)의 논리 레벨이 천이될 때 복수의 선택 회로가 출력 노드를 구동하는 다중-구동 동작이 수행됨으로써 직렬 신호(D_TX)의 슬루율이 높아질 수 있다. 예를 들어, 도 10을 참조하면, 제2 시점(t22), 제3 시점(t23), 제4 시점(t24), 제6 시점(t26) 및 제8 시점(t28)에 제1 내지 4 천이 신호(T1 내지 T4) 중 하나는 활성 엣지를 가질 수 있고, 송신기 회로(2)는 복수의 선택 회로들이 출력 노드를 구동하는 다중 구동(multi-driving) 모드로 동작할 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present disclosure, a slew rate of the serial signal D_TX may be increased by performing a multi-driving operation in which a plurality of selection circuits drive an output node when the logic level of the serial signal D_TX is transitioned. have. For example, referring to FIG. 10 , first through fourth transitions are performed at the second time point t22, the third time point t23, the fourth time point t24, the sixth time point t26, and the eighth time point t28. One of the signals T1 to T4 may have an active edge, and the transmitter circuit 2 may operate in a multi-driving mode in which a plurality of select circuits drive the output node.

한편, 직렬 신호(D_TX)의 논리 레벨이 천이되지 않을 때 하나의 선택 회로가 출력 노드를 구동하는 단일-구동 동작이 수행됨으로써 전원 소비량이 감소될 수 있다. 예를 들어, 도 10을 참조하면, 제1 시점(t21), 제5 시점(t25), 제7 시점(t27)에 제1 내지 4 천이 신호(T1 내지 T4)는 활성 엣지를 가지지 않으므로, 송신기 회로(2)는 하나의 선택 회로가 출력 노드를 구동하는 단일 구동(single-driving) 모드로 동작할 수 있다.Meanwhile, when the logic level of the serial signal D_TX does not transition, a single-drive operation in which one selection circuit drives the output node is performed, thereby reducing power consumption. For example, referring to FIG. 10 , since the first to fourth transition signals T1 to T4 do not have active edges at the first time point t21, the fifth time point t25, and the seventh time point t27, the transmitter Circuit 2 can operate in a single-driving mode in which one select circuit drives the output node.

도 11은 본 개시의 예시적 실시 예에 따른 송신기 회로의 동작 방법을 설명하는 흐름도이다. 도 11을 참조하면, 송신기 회로의 동작 방법은 복수의 단계들(S1110 내지 S1130)을 포함할 수 있다. 도 11은 전술된 도면들을 참조하여 설명될 수 있다. 11 is a flowchart illustrating a method of operating a transmitter circuit according to an exemplary embodiment of the present disclosure. Referring to FIG. 11 , a method of operating a transmitter circuit may include a plurality of steps S1110 to S1130. 11 may be described with reference to the aforementioned drawings.

S1110 단계에서, 클럭 생성기(20)는 기준 클럭 신호를 기초로 서로 상이한 위상을 갖는 복수의 클럭 신호들(CK[1:4])을 생성할 수 있다. 기준 클럭 신호의 듀티 비는 50%일 수 있고, 복수의 클럭 신호들(CK[1:4])의 듀티 비는 50%보다 작을 수 있다. 예를 들어, 복수의 클럭 신호들(CK[1:4])의 듀티 비는 25%일 수 있다. S1110 단계에서, 도 4 내지 6을 참조하여 전술된 내용이 수행될 수 있다.In step S1110, the clock generator 20 may generate a plurality of clock signals CK[1:4] having different phases based on the reference clock signal. The duty ratio of the reference clock signal may be 50%, and the duty ratio of the plurality of clock signals CK[1:4] may be less than 50%. For example, the duty ratio of the plurality of clock signals CK[1:4] may be 25%. In step S1110, the above description with reference to FIGS. 4 to 6 may be performed.

S1120 단계에서, 멀티 플렉서(10)는 복수의 클럭 신호들(CK[1:4])을 기초로 동작하는 복수의 선택 회로들(11 내지 14) 중 둘 이상의 선택 회로들을 동시에 사용하여 출력 노드를 구동할 수 있다. 구체적으로, 도 1 및 3에 도시된 바와 같이, 제1 및 4 선택 회로(11, 14)는 제1 클럭 신호(CK1)에 응답하여 제1 병렬 신호(D1)를 출력 노드(Nout)에 동시에 제공할 수 있다. 둘 이상의 선택 회로들이 출력 노드를 구동하므로 직렬 신호(D_TX)의 슬루율이 높아질 수 있고 송신기 회로(1)의 성능이 향상될 수 있다.In step S1120, the multiplexer 10 simultaneously uses two or more selection circuits among a plurality of selection circuits 11 to 14 operating based on a plurality of clock signals CK[1:4] to generate an output node can drive Specifically, as shown in FIGS. 1 and 3, the first and fourth selection circuits 11 and 14 simultaneously transmit the first parallel signal D1 to the output node Nout in response to the first clock signal CK1. can provide Since two or more selection circuits drive the output node, the slew rate of the serial signal D_TX can be increased and the performance of the transmitter circuit 1 can be improved.

S1130 단계에서, 출력 드라이버(15)는 출력 노드(Nout)의 신호를 증폭시킴으로써 직렬 신호(D_TX)를 생성할 수 있다.In step S1130, the output driver 15 may generate the serial signal D_TX by amplifying the signal of the output node Nout.

도 12는 본 개시의 예시적 실시 예에 따른 구동 모드를 설명하는 흐름도이다. 도 12에서 설명되는 복수의 단계들(S1210 내지 S1230)은 도 11의 단계 S1120의 일 실시예일 수 있다. 도 12는 도 9 및 10을 함께 참조하여 후술될 수 있다. 12 is a flowchart illustrating a driving mode according to an exemplary embodiment of the present disclosure. The plurality of steps S1210 to S1230 described in FIG. 12 may be an embodiment of step S1120 of FIG. 11 . 12 may be described later with reference to FIGS. 9 and 10 together.

S1210 단계에서, 천이 신호 생성 회로(70)는 직렬 신호(D_TX)가 천이되는지 여부를 기초로 복수의 천이 신호들(T1 내지 T4)을 생성할 수 있다. 제1 천이 신호(T1)는 직렬 신호(D_TX) 중 연속하는 제4 병렬 신호(D4) 부분과 제1 병렬 신호(D1) 부분 사이에서 논리 레벨이 천이되는지 여부를 나타낼 수 있다. 제2 천이 신호(T2)는 직렬 신호(D_TX) 중 연속하는 제1 병렬 신호(D1) 부분과 제2 병렬 신호(D2) 부분 사이에서 논리 레벨이 천이되는지 여부를 나타낼 수 있다. 제3 천이 신호(T3)는 직렬 신호(D_TX) 중 연속하는 제2 병렬 신호(D2) 부분과 제3 병렬 신호(D3) 부분 사이에서 논리 레벨이 천이되는지 여부를 나타낼 수 있다. 제4 천이 신호(T4)는 직렬 신호(D_TX) 중 연속하는 제3 병렬 신호(D3) 부분과 제4 병렬 신호(D4) 부분 사이에서 논리 레벨이 천이되는지 여부를 나타낼 수 있다. 직렬 신호(D_TX)가 천이되는 경우 S1230 단계가 수행될 수 있고, 직렬 신호(D_TX)가 천이되지 않는 경우 S1220 단계가 수행될 수 있다.In step S1210, the transition signal generating circuit 70 may generate a plurality of transition signals T1 to T4 based on whether or not the serial signal D_TX transitions. The first transition signal T1 may indicate whether a logic level transitions between a portion of the fourth parallel signal D4 and a portion of the first parallel signal D1 of the serial signal D_TX. The second transition signal T2 may indicate whether a logic level transitions between the consecutive first parallel signal D1 portion and the second parallel signal D2 portion of the serial signal D_TX. The third transition signal T3 may indicate whether a logic level transitions between the consecutive second parallel signal D2 and third parallel signal D3 portions of the serial signal D_TX. The fourth transition signal T4 may indicate whether a logic level transitions between the consecutive third parallel signal D3 and fourth parallel signal D4 portions of the serial signal D_TX. When the serial signal D_TX transitions, step S1230 may be performed, and when the serial signal D_TX does not transition, step S1220 may be performed.

S1230 단계에서, 송신기 회로(2)는, 복수의 선택 회로들(61 내지 64) 중 둘 이상의 선택 회로들이 출력 노드(Nout)를 구동하는 다중 구동 모드로 동작할 수 있다. 둘 이상의 선택 회로들이 출력 노드(Nout)를 동시에 구동함으로써 직렬 신호(D_TX)의 슬루율이 높아질 수 있고 송신기 회로(2)의 성능이 향상될 수 있다.In step S1230, the transmitter circuit 2 may operate in a multi-driving mode in which two or more selection circuits among the plurality of selection circuits 61 to 64 drive the output node Nout. When two or more selection circuits simultaneously drive the output node Nout, the slew rate of the serial signal D_TX can be increased and the performance of the transmitter circuit 2 can be improved.

S1220 단계에서, 송신기 회로(2)는, 복수의 선택 회로들(61 내지 64) 중 하나의 선택 회로가 출력 노드(Nout)를 구동하는 단일 구동 모드로 동작할 수 있다. 직렬 신호(D_TX)의 논리 레벨의 천이가 없는 경우 하나의 선택 회로만 동작함으로써 전력 소모량이 감소될 수 있다.In step S1220, the transmitter circuit 2 may operate in a single driving mode in which one of the plurality of selection circuits 61 to 64 drives the output node Nout. When there is no transition of the logic level of the serial signal D_TX, power consumption can be reduced by operating only one selection circuit.

도 13은 본 발명의 실시예에 따른 멀티 플렉서를 포함하는 반도체 메모리 장치를 설명하는 도면이다.13 is a diagram illustrating a semiconductor memory device including a multiplexer according to an embodiment of the present invention.

도 13을 참조하면, 반도체 메모리 장치(1300)는 제어 로직(1310), 리프레쉬 어드레스 발생부(1315), 어드레스 버퍼(1320), 뱅크 제어 로직(1330), 로우 어드레스 멀티플렉서(1340), 칼럼 어드레스 래치(1350), 로우 디코더, 메모리 셀 어레이, 센스 앰프부, 입출력 게이팅 회로(1390), 데이터 입출력 버퍼(1395) 그리고 ECC 엔진(1400)을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 13 , the semiconductor memory device 1300 includes a control logic 1310, a refresh address generator 1315, an address buffer 1320, a bank control logic 1330, a row address multiplexer 1340, and a column address latch. 1350, a row decoder, a memory cell array, a sense amplifier unit, an input/output gating circuit 1390, a data input/output buffer 1395, and an ECC engine 1400.

메모리 셀 어레이는 제1 내지 제4 뱅크 어레이들(1380a, 1380b, 1380c, 1380d)을 포함할 수 있다. 로우 디코더는 제1 내지 제4 뱅크 어레이들(1380a, 1380b, 1380c, 1380d)에 각각 연결된 제1 내지 제4 뱅크 로우 디코더들(1360a, 1360b, 1360c, 1360d)을 포함할 수 있다. 칼럼 디코더는 제1 내지 제4 뱅크 어레이들(1380a, 1380b, 1380c, 1380d)에 각각 연결된 제1 내지 제4 뱅크 칼럼 디코더들(1370a, 1370b, 1370c, 1370d)을 포함할 수 있다. 센스 앰프부는 제1 내지 제4 뱅크 어레이들(1380a, 1380b, 1380c, 1380d)에 각각 연결된 제1 내지 제4 뱅크 센스 앰프들(1385a, 1385b, 1385c, 1385d)을 포함할 수 있다. 제1 내지 제4 뱅크 어레이들(1380a, 1380b, 1380c, 1380d), 제1 내지 제4 뱅크 로우 디코더들(1360a, 1360b, 1360c, 1360d), 제1 내지 제4 뱅크 칼럼 디코더들(1370a, 1370b, 1370c, 1370d) 및 제1 내지 제4 뱅크 센스 앰프들(1385a, 1385b, 1385c, 1385d)은 제1 내지 제4 뱅크들을 각각 구성할 수 있다. 도 13에는 4개의 뱅크들을 포함하는 반도체 메모리 장치(1300)의 예가 도시되어 있으나, 실시예에 따라, 반도체 메모리 장치(1300)는 임의의 수의 뱅크들을 포함할 수 있다.The memory cell array may include first to fourth bank arrays 1380a, 1380b, 1380c, and 1380d. The row decoder may include first to fourth bank row decoders 1360a, 1360b, 1360c, and 1360d respectively connected to the first to fourth bank arrays 1380a, 1380b, 1380c, and 1380d. The column decoder may include first to fourth bank column decoders 1370a, 1370b, 1370c, and 1370d respectively connected to the first to fourth bank arrays 1380a, 1380b, 1380c, and 1380d. The sense amplifier unit may include first to fourth bank sense amplifiers 1385a, 1385b, 1385c, and 1385d respectively connected to the first to fourth bank arrays 1380a, 1380b, 1380c, and 1380d. First to fourth bank arrays 1380a, 1380b, 1380c, and 1380d, first to fourth bank row decoders 1360a, 1360b, 1360c, and 1360d, and first to fourth bank column decoders 1370a and 1370b , 1370c, 1370d) and the first to fourth bank sense amplifiers 1385a, 1385b, 1385c, and 1385d may configure the first to fourth banks, respectively. Although an example of the semiconductor memory device 1300 including four banks is shown in FIG. 13 , the semiconductor memory device 1300 may include any number of banks according to embodiments.

또한, 실시예에 따라, 반도체 메모리 장치(1300)는 DDR SDRAM (Double Data Rate Synchronous Dynamic Ramdom Access Memory), LPDDR (Low Power Double Data Rate) SDRAM, GDDR (Graphics Double Data Rate) SDRAM, RDRAM (Rambus Dynamic Ramdom Access Memory) 등과 같은 동적 랜덤 억세스 메모리 (Dynamic Ramdom Access Memory: DRAM) 이거나, 리프레쉬 동작이 필요한 임의의 휘발성 메모리 장치일 수 있다.Also, according to an embodiment, the semiconductor memory device 1300 may include DDR Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory (SDRAM), Low Power Double Data Rate (LPDDR) SDRAM, Graphics Double Data Rate (GDDR) SDRAM, and Rambus Dynamic RAM (RDRAM). It may be a dynamic random access memory (DRAM) such as a random access memory) or any volatile memory device requiring a refresh operation.

제어 로직(1310)은 반도체 메모리 장치(1300)의 동작을 제어할 수 있다. 예를 들어, 제어 로직(1310)은 반도체 메모리 장치(1300)가 기입 동작 또는 독출 동작을 수행하도록 제어 신호들을 생성할 수 있다. 제어 로직(1310)은 메모리 콘트롤러로부터 수신되는 커맨드(CMD)를 디코딩하는 커맨드 디코더(미도시) 및 반도체 메모리 장치(1300)의 동작 모드를 설정하기 위한 모드 레지스터(미도시)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 커맨드 디코더는 기입 인에이블 신호(/WE), 로우 어드레스 스트로브 신호(/RAS), 칼럼 어드레스 스트로브 신호(/CAS), 칩 선택 신호(/CS)등을 디코딩하여 커맨드(CMD)에 상응하는 제어 신호들을 생성할 수 있다.The control logic 1310 may control the operation of the semiconductor memory device 1300 . For example, the control logic 1310 may generate control signals to allow the semiconductor memory device 1300 to perform a write operation or a read operation. The control logic 1310 may include a command decoder (not shown) for decoding the command CMD received from the memory controller and a mode register (not shown) for setting an operation mode of the semiconductor memory device 1300 . For example, the command decoder decodes a write enable signal (/WE), a row address strobe signal (/RAS), a column address strobe signal (/CAS), a chip select signal (/CS), etc. Corresponding control signals can be generated.

제어 로직(1310)은 동기 방식으로 반도체 메모리 장치(1300)를 구동하기 위한 클럭(CLK) 및 클럭 인에이블 신호(CKE)를 더 수신할 수 있다. 제어 로직(1310)은 리프레쉬 커맨드에 응답하여 리프레쉬 어드레스 발생부(1315)가 오토 리프레쉬 동작을 수행하도록 제어하거나, 셀프 리프레쉬 진입 커맨드에 응답하여 리프레쉬 어드레스 발생부(1315)가 셀프 리프레쉬 동작을 수행하도록 제어할 수 있다.The control logic 1310 may further receive a clock CLK and a clock enable signal CKE for driving the semiconductor memory device 1300 in a synchronous manner. The control logic 1310 controls the refresh address generator 1315 to perform an auto refresh operation in response to a refresh command, or controls the refresh address generator 1315 to perform a self refresh operation in response to a self refresh entry command. can do.

리프레쉬 어드레스 발생부(1315)는 리프레쉬 동작이 수행될 메모리 셀 로우에 해당하는 리프레쉬 어드레스(REF_ADDR)를 생성할 수 있다. 리프레쉬 어드레스 발생부(1315)는 반도체 메모리 장치(1300)의 표준에서 정의된 리프레쉬 주기보다 긴 주기의 리프레쉬 레이트로 리프레쉬 어드레스(REF_ADDR)를 생성할 수 있다. 이에 따라, 반도체 메모리 장치(1300)의 리프레쉬 전류 및 리프레쉬 전력을 줄일 수 있다.The refresh address generator 1315 may generate a refresh address REF_ADDR corresponding to a memory cell row on which a refresh operation is to be performed. The refresh address generator 1315 may generate the refresh address REF_ADDR at a refresh rate longer than the refresh cycle defined in the standard for the semiconductor memory device 1300 . Accordingly, the refresh current and refresh power of the semiconductor memory device 1300 may be reduced.

어드레스 버퍼(1320)는 메모리 콘트롤러로부터 뱅크 어드레스(BANK_ADDR), 로우 어드레스(ROW_ADDR) 및 칼럼 어드레스(COL_ADDR)를 포함하는 어드레스(ADDR)를 수신할 수 있다. 또한, 어드레스 버퍼(1320)는 수신된 뱅크 어드레스(BANK_ADDR)를 뱅크 제어 로직(1330)에 제공하고, 수신된 로우 어드레스(ROW_ADDR)를 로우 어드레스 멀티플렉서(1340)로 제공하고, 수신된 칼럼 어드레스(COL_ADDR)를 칼럼 어드레스 래치(1350)에 제공할 수 있다.The address buffer 1320 may receive an address ADDR including a bank address BANK_ADDR, a row address ROW_ADDR, and a column address COL_ADDR from the memory controller. In addition, the address buffer 1320 provides the received bank address BANK_ADDR to the bank control logic 1330, provides the received row address ROW_ADDR to the row address multiplexer 1340, and provides the received column address COL_ADDR ) to the column address latch 1350.

뱅크 제어 로직(1330)은 뱅크 어드레스(BANK_ADDR)에 응답하여 뱅크 제어 신호들을 생성할 수 있다. 뱅크 제어 신호들에 응답하여, 제1 내지 제4 뱅크 로우 디코더들(1360a, 1360b, 1360c, 1360d) 중 뱅크 어드레스(BANK_ADDR)에 상응하는 뱅크 로우 디코더가 활성화되고, 제1 내지 제4 뱅크 칼럼 디코더들(1370a, 1370b, 1370c, 1370d) 중 뱅크 어드레스(BANK_ADDR)에 상응하는 뱅크 칼럼 디코더가 활성화될 수 있다.The bank control logic 1330 may generate bank control signals in response to the bank address BANK_ADDR. In response to the bank control signals, a bank row decoder corresponding to the bank address BANK_ADDR among the first to fourth bank row decoders 1360a, 1360b, 1360c, and 1360d is activated, and the first to fourth bank column decoders are activated. A bank column decoder corresponding to the bank address BANK_ADDR among the fields 1370a, 1370b, 1370c, and 1370d may be activated.

뱅크 제어 로직(1330)은 뱅크 그룹을 결정하는 뱅크 어드레스(BANK_ADDR)에 응답하여 뱅크 그룹 제어 신호들을 생성할 수 있다. 뱅크 그룹 제어 신호들에 응답하여, 제1 내지 제4 뱅크 로우 디코더들(1360a, 1360b, 1360c, 1360d) 중 뱅크 어드레스(BANK_ADDR)에 상응하는 뱅크 그룹의 로우 디코더들이 활성화되고, 제1 내지 제4 뱅크 칼럼 디코더들(1370a, 1370b, 1370c, 1370d) 중 뱅크 어드레스(BANK_ADDR)에 상응하는 뱅크 그룹의 칼럼 디코더들이 활성화될 수 있다.The bank control logic 1330 may generate bank group control signals in response to the bank address BANK_ADDR that determines the bank group. In response to the bank group control signals, row decoders of the bank group corresponding to the bank address BANK_ADDR among the first to fourth bank row decoders 1360a, 1360b, 1360c, and 1360d are activated, and the first to fourth row decoders are activated. Among the bank column decoders 1370a, 1370b, 1370c, and 1370d, column decoders of a bank group corresponding to the bank address BANK_ADDR may be activated.

로우 어드레스 멀티플렉서(1340)는 어드레스 버퍼(1320)로부터 로우 어드레스(ROW_ADDR)를 수신하고, 리프레쉬 어드레스 발생부(1315)로부터 리프레쉬 로우 어드레스(REF_ADDR)를 수신할 수 있다. 로우 어드레스 멀티플렉서(1340)는 로우 어드레스(ROW_ADDR) 또는 리프레쉬 로우 어드레스(REF_ADDR)를 선택적으로 출력할 수 있다. 로우 어드레스 멀티플렉서(1340)에서 출력되는 로우 어드레스는 제1 내지 제4 뱅크 로우 디코더들(1360a, 1360b, 1360c, 1360d)에 각각 인가될 수 있다.The row address multiplexer 1340 may receive the row address ROW_ADDR from the address buffer 1320 and the refresh row address REF_ADDR from the refresh address generator 1315 . The row address multiplexer 1340 may selectively output a row address ROW_ADDR or a refresh row address REF_ADDR. The row address output from the row address multiplexer 1340 may be applied to the first to fourth bank row decoders 1360a, 1360b, 1360c, and 1360d, respectively.

제1 내지 제4 뱅크 로우 디코더들(1360a, 1360b, 1360c, 1360d) 중 뱅크 제어 로직(1330)에 의해 활성화된 뱅크 로우 디코더는 로우 어드레스 멀티플렉서(1340)에서 출력된 로우 어드레스를 디코딩하여, 로우 어드레스에 상응하는 워드라인을 활성화할 수 있다. 예를 들어, 활성화된 뱅크 로우 디코더는 로우 어드레스에 상응하는 워드라인에 워드라인 구동 전압을 인가할 수 있다.A bank row decoder activated by the bank control logic 1330 among the first to fourth bank row decoders 1360a, 1360b, 1360c, and 1360d decodes the row address output from the row address multiplexer 1340 to obtain a row address The corresponding word line can be activated. For example, an activated bank row decoder may apply a word line driving voltage to a word line corresponding to a row address.

칼럼 어드레스 래치(1350)는 어드레스 버퍼(1320)로부터 칼럼 어드레스(COL_ADDR)를 수신하고, 수신된 칼럼 어드레스(COL_ADDR)를 일시적으로 저장할 수 있다. 칼럼 어드레스 래치(1350)는 버스트 모드에서 수신된 칼럼 어드레스(COL_ADDR)를 점진적으로 증가시킬 수 있다. 칼럼 어드레스 래치(1350)는 일시적으로 저장된 또는 점진적으로 증가된 칼럼 어드레스(COL_ADDR)를 제1 내지 제4 뱅크 칼럼 디코더들(1370a, 1370b, 1370c, 1370d)에 각각 인가할 수 있다.The column address latch 1350 may receive the column address COL_ADDR from the address buffer 1320 and temporarily store the received column address COL_ADDR. The column address latch 1350 may incrementally increase the column address COL_ADDR received in the burst mode. The column address latch 1350 may apply the temporarily stored or gradually increased column address COL_ADDR to the first to fourth bank column decoders 1370a, 1370b, 1370c, and 1370d, respectively.

제1 내지 제4 뱅크 칼럼 디코더들(1370a, 1370b, 1370c, 1370d) 중 뱅크 제어 로직(1330)에 의해 활성화된 뱅크 칼럼 디코더는 입출력 게이팅 회로(1390)를 통하여 뱅크 어드레스(BANK_ADDR) 및 칼럼 어드레스(COL_ADDR)에 상응하는 센스 앰프를 활성화시킬 수 있다.A bank column decoder activated by the bank control logic 1330 among the first to fourth bank column decoders 1370a, 1370b, 1370c, and 1370d receives a bank address BANK_ADDR and a column address (through an input/output gating circuit 1390). COL_ADDR) can activate the corresponding sense amplifier.

입출력 게이팅 회로(1390)는 입출력 데이터를 게이팅하는 회로들과 함께, 입력 데이터 마스크 로직, 제1 내지 제4 뱅크 어레이들(1380a, 1380b, 1380c, 1380d)로부터 출력된 데이터를 저장하기 위한 독출 데이터 래치들, 그리고 제1 내지 제4 뱅크 어레이들(1380a, 1380b, 1380c, 1380d)에 데이터를 기입하기 위한 기입 드라이버를 포함할 수 있다.The input/output gating circuit 1390 includes circuits for gating input/output data, an input data mask logic, and a read data latch for storing data output from the first to fourth bank arrays 1380a, 1380b, 1380c, and 1380d. , and a write driver for writing data to the first to fourth bank arrays 1380a, 1380b, 1380c, and 1380d.

제1 내지 제4 뱅크 어레이들(980a, 980b, 980c, 980d) 중 하나의 뱅크 어레이에서 독출될 데이터는 센스 앰프에 의해 감지 증폭되고, 독출 데이터 래치들에 저장될 수 있다. 독출 데이터 래치에 저장된 데이터(DQ)는 데이터 입출력 버퍼(1395)를 통하여 메모리 콘트롤러에 제공될 수 있다. 제1 내지 제4 뱅크 어레이들(1380a, 1380b, 1380c, 1380d) 중 하나의 뱅크 어레이에 기입될 데이터(DQ)는 메모리 콘트롤러로부터 데이터 입출력 버퍼(1395)로 제공될 수 있다. 데이터 입출력 버퍼(1395)에 제공된 데이터(DQ)는 기입 드라이버를 통하여 하나의 뱅크 어레이에 기입될 수 있다.Data to be read from one of the first to fourth bank arrays 980a, 980b, 980c, and 980d may be sensed and amplified by a sense amplifier and stored in read data latches. The data DQ stored in the read data latch may be provided to the memory controller through the data input/output buffer 1395 . Data DQ to be written in one of the first to fourth bank arrays 1380a, 1380b, 1380c, and 1380d may be provided to the data input/output buffer 1395 from the memory controller. Data DQ provided to the data input/output buffer 1395 may be written into one bank array through a write driver.

입출력 게이팅 회로(1390)는 멀티 플렉서(1391)를 포함할 수 있다. 멀티 플렉서(1391)는 도 1을 참조하여 전술된 멀티 플렉서(10), 도 8a를 참조하여 전술된 멀티 플렉서(30), 도 8b를 참조하여 전술된 멀티 플렉서(40), 도 8c를 참조하여 전술된 멀티 플렉서(50) 또는 도 9를 참조하여 전술된 멀티 플렉서(60) 중 어느 하나일 수 있다. 도시되지 않았으나, 입출력 게이팅 회로(1390)는 도 9의 천이 신호 생성 회로(70)를 포함할 수도 있다. 멀티 플렉서(1391)는 도 1 내지 12를 참조하여 전술된 방법을 사용하여 제1 내지 4 뱅크 어레이들(1380a, 1380b, 1380c, 1380d)로부터 병렬로 독출된 데이터를 직렬 신호로 변경할 수 있다.The input/output gating circuit 1390 may include a multiplexer 1391 . The multiplexer 1391 includes the multiplexer 10 described above with reference to FIG. 1, the multiplexer 30 described above with reference to FIG. 8A, the multiplexer 40 described above with reference to FIG. 8B, and FIG. It may be either the multiplexer 50 described above with reference to 8c or the multiplexer 60 described above with reference to FIG. 9 . Although not shown, the input/output gating circuit 1390 may include the transition signal generating circuit 70 of FIG. 9 . The multiplexer 1391 may convert data read in parallel from the first to fourth bank arrays 1380a, 1380b, 1380c, and 1380d into serial signals using the method described above with reference to FIGS. 1 to 12 .

이상에서와 같이 도면과 명세서에서 예시적인 실시 예들이 개시되었다. 본 명세서에서 특정한 용어를 사용하여 실시 예들을 설명되었으나, 이는 단지 본 개시의 기술적 사상을 설명하기 위한 목적에서 사용된 것이지 의미 한정이나 특허청구범위에 기재된 본 개시의 범위를 제한하기 위하여 사용된 것은 아니다. 그러므로 본 기술분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시 예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 개시의 진정한 기술적 보호범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다. As above, exemplary embodiments have been disclosed in the drawings and specifications. Although the embodiments have been described using specific terms in this specification, they are only used for the purpose of explaining the technical idea of the present disclosure, and are not used to limit the scope of the present disclosure described in the claims. . Therefore, those skilled in the art will understand that various modifications and equivalent other embodiments are possible therefrom. Therefore, the true technical scope of protection of the present disclosure should be determined by the technical spirit of the appended claims.

Claims (20)

복수의 병렬 신호들을 수신하고, 상기 복수의 병렬 신호들을 기초로 직렬 신호를 출력하는 송신기 회로에 있어서,
서로 상이한 위상을 갖는 복수의 제1 클럭 신호들을 생성하는 클럭 생성기;
각각, 상기 복수의 제1 클럭 신호들 중 적어도 둘 이상의 제1 클럭 신호들에 응답하여 상기 복수의 병렬 신호들 중 적어도 둘 이상의 병렬 신호들을 선택적으로 출력 노드에 제공하는 복수의 선택 회로들을 포함하는 멀티 플렉서; 및
상기 출력 노드의 신호를 증폭함으로써 상기 직렬 신호를 생성하는 출력 드라이버를 포함하는 송신기 회로.
A transmitter circuit for receiving a plurality of parallel signals and outputting a serial signal based on the plurality of parallel signals,
a clock generator generating a plurality of first clock signals having phases different from each other;
a plurality of selection circuits each comprising a plurality of selection circuits selectively providing at least two or more parallel signals among the plurality of parallel signals to an output node in response to at least two or more first clock signals among the plurality of first clock signals; plexus; and
and an output driver that generates the serial signal by amplifying the signal of the output node.
제1항에 있어서,
상기 복수의 선택 회로들 중 적어도 둘 이상의 선택 회로들은,
상기 복수의 제1 클럭 신호들 중 미리 결정된 클럭 신호에 응답하여, 상기 복수의 병렬 신호들 중 제1 병렬 신호를 상기 출력 노드에 제공하는 것을 특징으로 하는 송신기 회로.
According to claim 1,
At least two or more selection circuits among the plurality of selection circuits,
and providing a first parallel signal of the plurality of parallel signals to the output node in response to a predetermined one of the plurality of first clock signals.
제2항에 있어서,
상기 복수의 선택 회로들 중 상기 적어도 둘 이상의 선택 회로들을 제외한 나머지 선택 회로들은,
상기 둘 이상의 선택 회로들이 상기 제1 병렬 신호를 상기 출력 노드에 제공하는 동안 상기 출력 노드와의 연결이 차단되는 것을 특징으로 하는 송신기 회로.
According to claim 2,
Among the plurality of selection circuits, the remaining selection circuits other than the at least two selection circuits,
wherein the two or more selection circuits are disconnected from the output node while providing the first parallel signal to the output node.
제1항에 있어서,
상기 클럭 생성기는,
외부로부터 기준 클럭 신호를 수신하고, 상기 기준 클럭 신호를 딜레이시킴으로써 상이한 위상을 갖는 복수의 제2 클럭 신호들을 생성하는 다중 위상 클럭 생성기; 및
상기 복수의 제2 클럭 신호들의 듀티 비를 조정함으로써 상기 복수의 제1 클럭 신호들을 생성하는 듀티 제어 회로를 포함하는 것을 특징으로 하는 송신기 회로.
According to claim 1,
The clock generator,
a multi-phase clock generator for receiving a reference clock signal from the outside and generating a plurality of second clock signals having different phases by delaying the reference clock signal; and
and a duty control circuit configured to generate the plurality of first clock signals by adjusting duty ratios of the plurality of second clock signals.
제4항에 있어서,
상기 클럭 생성기는,
상기 복수의 제1 클럭 신호들의 듀티 비가 상기 복수의 선택 회로들의 개수에 반비례하도록 제어하는 것을 특징으로 하는 송신기 회로.
According to claim 4,
The clock generator,
Transmitter circuit characterized in that for controlling the duty ratio of the plurality of first clock signals in inverse proportion to the number of the plurality of selection circuits.
제1항에 있어서,
상기 복수의 선택 회로들 각각은,
상기 복수의 병렬 신호들 중 제1 병렬 신호 및 제2 병렬 신호의 제1 논리 레벨에 기초하여 상기 출력 노드를 프리차지하는 제1 P-타입 트랜지스터; 및
상기 제1 병렬 신호 및 상기 제2 병렬 신호의 제2 논리 레벨에 기초하여 상기 출력 노드를 디스차지하는 제1 N-타입 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 송신기 회로.
According to claim 1,
Each of the plurality of selection circuits,
a first P-type transistor precharging the output node based on a first logic level of a first parallel signal and a second parallel signal among the plurality of parallel signals; and
and a first N-type transistor to discharge the output node based on a second logic level of the first parallel signal and the second parallel signal.
제6항에 있어서,
상기 복수의 선택 회로들 각각은,
상기 제1 병렬 신호, 상기 복수의 제1 클럭 신호들 중 상기 제1 병렬 신호에 대응되는 제1 대상 클럭 신호, 상기 제2 병렬 신호 및 상기 복수의 제1 클럭 신호들 중 상기 제2 병렬 신호에 대응되는 제2 대상 클럭 신호를 수신하고, 상기 제1 P-타입 트랜지스터를 구동하는 AOI(AND-OR-INVERTER)22 회로;
상기 제1 병렬 신호, 상기 제1 대상 클럭 신호를 반전시킨 제1 반전 대상 클럭 신호, 상기 제2 병렬 신호 및 제2 대상 클럭 신호를 반전시킨 제2 반전 대상 클럭 신호를 수신하고, 상기 제1 N-타입 트랜지스터를 구동하는 OAI(OR-AND-INVERTER)22 회로를 포함하는 것을 특징으로 하는 송신기 회로.
According to claim 6,
Each of the plurality of selection circuits,
The first parallel signal, a first target clock signal corresponding to the first parallel signal among the plurality of first clock signals, the second parallel signal, and the second parallel signal among the plurality of first clock signals an AND-OR-INVERTER (AOI) 22 circuit for receiving a corresponding second target clock signal and driving the first P-type transistor;
receiving a first inverted target clock signal obtained by inverting the first parallel signal and the first target clock signal, and a second inverted target clock signal obtained by inverting the second parallel signal and the second target clock signal; A transmitter circuit comprising an OR-AND-INVERTER (OAI) 22 circuit for driving a -type transistor.
제7항에 있어서,
상기 AOI22 회로는,
상기 제1 대상 클럭 신호에 응답하여, 제1 논리 레벨을 갖는 상기 제1 병렬 신호를 기초로 상기 제1 P-타입 트랜지스터를 턴-온시키는 제1 부분 회로; 및
상기 제2 대상 클럭 신호에 응답하여, 상기 제1 논리 레벨을 갖는 상기 제2 병렬 신호를 기초로 상기 제1 P-타입 트랜지스터를 턴-온시키는 제2 부분 회로를 포함하는 것을 특징으로 하는 송신기 회로.
According to claim 7,
The AOI22 circuit,
a first sub-circuit for turning on the first P-type transistor based on the first parallel signal having a first logic level in response to the first target clock signal; and
and a second sub-circuit for turning on the first P-type transistor based on the second parallel signal having the first logic level in response to the second target clock signal. .
제7항에 있어서,
상기 OAI22 회로는,
상기 제1 반전 대상 클럭 신호에 응답하여, 제2 논리 레벨을 갖는 상기 제1 병렬 신호를 기초로 상기 제1 N-타입 트랜지스터를 턴-온시키는 제3 부분 회로; 및
상기 제2 반전 대상 클럭 신호에 응답하여, 상기 제2 논리 레벨을 갖는 상기 제2 병렬 신호를 기초로 상기 제1 N-타입 트랜지스터를 턴-온시키는 제4 부분 회로를 포함하는 것을 특징으로 하는 송신기 회로.
According to claim 7,
The OAI22 circuit,
a third sub-circuit turning on the first N-type transistor based on the first parallel signal having a second logic level in response to the first clock signal to be inverted; and
and a fourth sub-circuit for turning on the first N-type transistor based on the second parallel signal having the second logic level in response to the second clock signal to be inverted. Circuit.
복수의 병렬 신호들을 수신하고, 상기 복수의 병렬 신호들을 사용하여 직렬 신호를 출력하는 송신기 회로에 있어서,
서로 상이한 위상을 갖는 복수의 제1 클럭 신호들을 생성하는 클럭 생성기;
각각, 상기 직렬 신호가 천이되는지 여부를 나타내는 천이 신호 및 상기 복수의 병렬 신호들 중 적어도 하나 이상의 병렬 신호를 수신하고, 상기 복수의 제1 클럭 신호들에 응답하여 수신된 신호들을 기초로 출력 노드를 구동하는 복수의 선택 회로들;
상기 출력 노드의 신호를 증폭함으로써 상기 직렬 신호를 생성하는 출력 드라이버를 포함하고,
상기 직렬 신호가 천이되는지 여부를 기초로 상기 복수의 선택 회로들 중 적어도 둘 이상의 선택 회로들이 동시에 상기 출력 노드를 구동하는 것을 특징으로 하는 송신기 회로.
A transmitter circuit for receiving a plurality of parallel signals and outputting a serial signal using the plurality of parallel signals,
a clock generator generating a plurality of first clock signals having phases different from each other;
Each receives a transition signal indicating whether or not the serial signal is transitioning and at least one parallel signal among the plurality of parallel signals, and outputs an output node based on signals received in response to the plurality of first clock signals. a plurality of selection circuits that drive;
an output driver generating the serial signal by amplifying the signal of the output node;
At least two or more selection circuits among the plurality of selection circuits simultaneously drive the output node based on whether the serial signal transitions or not.
제10항에 있어서,
상기 직렬 신호가 천이되면 활성 논리 레벨을 갖는 천이 신호를 생성하고, 상기 천이 신호를 상기 복수의 선택 회로들에 제공하는 천이 신호 생성부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 송신기 회로.
According to claim 10,
and a transition signal generating unit configured to generate a transition signal having an active logic level when the serial signal transitions, and to provide the transition signal to the plurality of selection circuits.
제11항에 있어서,
상기 복수의 선택 회로들 각각은,
상기 복수의 제1 클럭 신호들 중 어느 하나의 제1 클럭 신호에 응답하여 다른 선택 회로가 병렬 신호를 출력하는 동안, 상기 천이 신호를 기초로 상기 출력 노드를 프리차지하거나 디스차지하는 것을 특징으로 하는 송신기 회로.
According to claim 11,
Each of the plurality of selection circuits,
Transmitter characterized in that the output node is precharged or discharged based on the transition signal while another selection circuit outputs a parallel signal in response to any one of the plurality of first clock signals. Circuit.
제12항에 있어서,
상기 복수의 선택 회로들 중 제1 선택 회로는,
상기 복수의 제1 클럭 신호들 중 활성 논리 레벨을 갖는 제1 클럭 신호에 응답하여 상기 복수의 병렬 신호들 중 제1 병렬 신호를 사용하여 상기 출력 노드를 구동하고,
상기 복수의 선택 회로들 중 제2 선택 회로는,
상기 제1 클럭 신호가 활성 논리 레벨을 갖는 동안 상기 천이 신호를 기초로 상기 출력 노드를 구동하는 것을 특징으로 하는 송신기 회로.
According to claim 12,
A first selection circuit among the plurality of selection circuits,
driving the output node using a first parallel signal among the plurality of parallel signals in response to a first clock signal having an active logic level among the plurality of first clock signals;
A second selection circuit among the plurality of selection circuits,
and driving the output node based on the transition signal while the first clock signal has an active logic level.
제10항에 있어서,
상기 직렬 신호가 천이되면 상기 복수의 선택 회로들 중 둘 이상의 선택 회로들이 상기 출력 노드를 구동하고,
상기 직렬 신호가 천이되지 않으면 상기 복수의 선택 회로들 중 하나의 선택 회로가 상기 출력 노드를 구동하는 것을 특징으로 하는 송신기 회로.
According to claim 10,
When the serial signal transitions, two or more selection circuits among the plurality of selection circuits drive the output node;
and if the serial signal does not transition, one of the plurality of selection circuits drives the output node.
제10항에 있어서,
상기 클럭 생성기는,
외부로부터 기준 클럭 신호를 수신하고, 상기 기준 클럭 신호를 딜레이시킴으로써 상이한 위상을 갖는 복수의 제2 클럭 신호들을 생성하는 다중 위상 클럭 생성기; 및
상기 복수의 제2 클럭 신호들의 듀티 비를 조정함으로써 상기 복수의 제1 클럭 신호들을 생성하는 듀티 제어 회로를 포함하는 것을 특징으로 하는 송신기 회로.
According to claim 10,
The clock generator,
a multi-phase clock generator for receiving a reference clock signal from the outside and generating a plurality of second clock signals having different phases by delaying the reference clock signal; and
and a duty control circuit configured to generate the plurality of first clock signals by adjusting duty ratios of the plurality of second clock signals.
제15항에 있어서,
상기 클럭 생성기는,
상기 복수의 제1 클럭 신호들의 듀티 비가 상기 복수의 선택 회로들의 개수에 반비례하도록 제어하는 것을 특징으로 하는 송신기 회로.
According to claim 15,
The clock generator,
Transmitter circuit characterized in that for controlling the duty ratio of the plurality of first clock signals in inverse proportion to the number of the plurality of selection circuits.
복수의 병렬 신호들을 기초로 직렬 신호를 생성하는 송신기 회로의 동작 방법에 있어서,
기준 클럭 신호를 기초로 서로 상이한 위상을 갖는 복수의 제1 클럭 신호들을 생성하는 단계;
각각, 상기 복수의 제1 클럭 신호들 중 하나에 응답하여 동작하고 상기 복수의 병렬 신호들 중 둘 이상의 병렬 신호를 수신하는 복수의 선택 회로들 중, 둘 이상의 선택 회로들을 동시에 사용하여 출력 노드를 구동함으로써 상기 복수의 병렬 신호들을 순차적으로 출력하는 단계; 및
상기 출력 노드의 신호를 증폭함으로써 상기 직렬 신호를 생성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 송신기 회로의 동작 방법.
A method of operating a transmitter circuit that generates a serial signal based on a plurality of parallel signals,
generating a plurality of first clock signals having phases different from each other based on the reference clock signal;
Among a plurality of selection circuits each operating in response to one of the plurality of first clock signals and receiving two or more parallel signals among the plurality of parallel signals, two or more selection circuits are simultaneously used to drive an output node. sequentially outputting the plurality of parallel signals by doing; and
and generating the serial signal by amplifying the signal of the output node.
제17항에 있어서,
상기 복수의 제1 클럭 신호들을 생성하는 단계는,
각각 상기 기준 클럭 신호와 동일한 듀티비를 갖고 서로 상이한 위상을 갖는 복수의 제2 클럭 신호들을 생성하는 단계; 및
상기 복수의 제2 클럭 신호들의 듀티비를 상기 복수의 선택 회로들의 개수에 반비례하도록 제어함으로써 상기 복수의 제1 클럭 신호들을 생성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 송신기 회로의 동작 방법.
According to claim 17,
Generating the plurality of first clock signals,
generating a plurality of second clock signals each having the same duty ratio as the reference clock signal and different phases from each other; and
and generating the plurality of first clock signals by controlling a duty ratio of the plurality of second clock signals to be in inverse proportion to the number of the plurality of selection circuits.
제17항에 있어서,
상기 복수의 병렬 신호들을 순차적으로 출력하는 단계는,
상기 직렬 신호가 천이되는지 여부를 기초로 상기 둘 이상의 선택 회로를 동시에 사용하여 상기 출력 노드를 구동하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 송신기 회로의 동작 방법.
According to claim 17,
The step of sequentially outputting the plurality of parallel signals,
and driving the output node by simultaneously using the two or more selection circuits based on whether the serial signal transitions.
제19항에 있어서,
상기 직렬 신호가 천이되지 않으면 상기 복수의 선택 회로들 중 하나의 선택 회로를 사용하여 상기 출력 노드를 구동하는 단계; 및
상기 직렬 신호가 천이되면 상기 복수의 선택 회로들 중 둘 이상의 선택 회로들을 동시에 사용하여 상기 출력 노드를 구동하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 송신기 회로의 동작 방법.
According to claim 19,
driving the output node using one of the plurality of selection circuits when the serial signal does not transition; and
and driving the output node by simultaneously using two or more selection circuits among the plurality of selection circuits when the serial signal transitions.
KR1020210119857A 2021-05-26 2021-09-08 Transmitter circuit and operating method thereof KR20220159856A (en)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US17/737,575 US11914416B2 (en) 2021-05-26 2022-05-05 Transmitter circuit and method of operating same
EP22172018.8A EP4106203A3 (en) 2021-05-26 2022-05-06 Transmitter circuit and method of operating same
EP23183217.1A EP4243355A3 (en) 2021-05-26 2022-05-06 Transmitter circuit and method of operating same
CN202210550849.0A CN115408325A (en) 2021-05-26 2022-05-18 Transmitter circuit and method of operating the same
TW111119280A TWI843107B (en) 2021-05-26 2022-05-24 Transmitter circuit and method of operating same

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020210067896 2021-05-26
KR20210067896 2021-05-26

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20220159856A true KR20220159856A (en) 2022-12-05

Family

ID=84392026

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020210119857A KR20220159856A (en) 2021-05-26 2021-09-08 Transmitter circuit and operating method thereof

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20220159856A (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6424590B1 (en) Semiconductor device
US8134877B2 (en) Semiconductor device having delay control circuit
US20130250705A1 (en) Clock signal generation apparatus for use in semiconductor memory device and its method
US7515482B2 (en) Pipe latch device of semiconductor memory device
US7668038B2 (en) Semiconductor memory device including a write recovery time control circuit
US20090244986A1 (en) Semiconductor memory device and methods thereof
US7304898B2 (en) Semiconductor memory device
KR100670698B1 (en) Pipe latch device of semiconductor memory device
EP4096098A1 (en) Transmitter circuit including selection circuit
KR20090126611A (en) Semiconductor memory device and operation method thereof
US20220284943A1 (en) Semiconductor memory device capable of operating at high speed, low power environment by optimizing latency of read command and write command depending on various operation modes
US6922372B2 (en) Synchronous semiconductor memory device having stable data output timing
US10535395B2 (en) Memory device with improved latency and operating method thereof
KR20220159856A (en) Transmitter circuit and operating method thereof
EP4243355A2 (en) Transmitter circuit and method of operating same
US8068383B2 (en) Semiconductor integrated circuit having address control circuit
TWI843107B (en) Transmitter circuit and method of operating same
US7715270B2 (en) Address synchronous circuit capable of reducing current consumption in DRAM
KR20220160453A (en) Selection circuit, operating method thereof and transmitter circuit inclduing the same