KR20220159349A - 물리적 증기 증착 챔버를 위한 가열식 차폐기 - Google Patents

물리적 증기 증착 챔버를 위한 가열식 차폐기 Download PDF

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KR20220159349A
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일리야 라비츠키
키이스 에이. 밀러
고이치 요시도메
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어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
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Abstract

프로세스 챔버에서의 사용을 위한 프로세스 차폐기의 실시예들이 본원에 제공된다. 일부 실시예들에서, 프로세스 챔버에서의 사용을 위한 프로세스 차폐기는 원통형 형상을 갖는 본체를 포함하며, 본체는 상부 부분 및 하부 부분을 포함하고, 상부 부분은 외부 립을 갖고, 하부 부분은 상부 부분으로부터 반경 방향 내측으로 그리고 하향으로 연장되고, 외부 립은, 패스너들을 수용하기 위한 복수의 개구들, 외부 립의 외부 표면으로부터 반경 방향 내측으로 연장되는 복수의 정렬 슬롯들, 및 노치형 하부 주변 에지를 포함하고, 외부 립의 하부 표면은 복수의 홈들을 포함한다.

Description

물리적 증기 증착 챔버를 위한 가열식 차폐기
[0001] 본 개시내용의 실시예들은 일반적으로 기판 프로세싱 장비에 관한 것이다.
[0002] PVD(physical vapor deposition)은 기판 상에 박막을 증착하는 데 사용될 수 있는 프로세스이다. PVD 프로세스는 일반적으로, 소스 재료를 포함하는 타깃을 플라즈마로부터의 이온들로 충격(bombarding)을 가하여, 소스 재료가 타깃으로부터 스퍼터링(sputter)되는 것을 유발시키는 것을 포함한다. 그런 다음, 방출된 소스 재료는 프로세싱되는 기판을 향해 가속되어, 다른 반응물들과의 반응과 함께 또는 반응 없이 소스 재료의 증착을 초래한다. PVD 챔버에서의 소스 재료의 증착은 또한 PVD 챔버의 내부 표면들이 코팅되는 것을 수반한다.
[0003] 다수의 컴포넌트들을 포함할 수 있는 프로세스 키트들은 PVD 챔버의 내부 표면들 상의 원치 않는 증착을 감소시키거나 또는 방지하도록 제공될 수 있다. 그러나, 프로세스 키트들 상의 증착 빌드 업(build up)은 세정 또는 교체를 요구한다. 프로세스 키트들의 유지보수는 통상적으로, PVD 챔버로부터 프로세스 키트들을 제거하는 것, 프로세스 키트들을 화학적으로 식각하는 것, 그리고 프로세스 키트들을 PVD 챔버 내로 재설치하는 것을 포함한다. 본 발명자들은 화학적 식각 프로세스를 인 시튜(in situ)로 수행하는 것을 제안한다. 그러나, 특정 인 시튜 세정 프로세스들을 위해, 높은 챔버 온도가 요구될 수 있다.
[0004] 따라서, 본 발명자들은 본원에서 높은 챔버 온도 프로세스들을 위한 개선된 프로세스 키트들을 제공한다.
[0005] 프로세스 챔버(process chamber)에서의 사용을 위한 프로세스 차폐기(shield)의 실시예들이 본원에 제공된다. 일부 실시예들에서, 프로세스 챔버에서의 사용을 위한 프로세스 차폐기는 원통형 형상을 갖는 본체를 포함하며, 본체는 상부 부분 및 하부 부분을 포함하고, 상부 부분은 외부 립을 갖고, 하부 부분은 상부 부분으로부터 반경 방향 내측으로 그리고 하향으로 연장되고, 외부 립은, 패스너(fastener)들을 수용하기 위한 복수의 개구들, 외부 립의 외부 표면으로부터 반경 방향 내측으로 연장되는 복수의 정렬 슬롯들, 및 노치형(notched) 하부 주변 에지를 포함하고, 외부 립의 하부 표면은 복수의 홈들을 포함한다.
[0006] 일부 실시예들에서, 프로세스 챔버에서의 사용을 위한 프로세스 키트는 상부 부분 및 하부 부분을 갖는 원통형 본체를 갖는 프로세스 차폐기 ― 상부 부분은 외부 립을 갖고, 하부 부분은 상부 부분으로부터 반경 방향 내측으로 그리고 하향으로 연장되고, 복수의 정렬 슬롯들은 외부 립의 외부 표면으로부터 반경 방향 내측으로 연장됨 ― ; 및 외부 립의 복수의 개구들을 통해 프로세스 차폐기의 상부 부분에 커플링되는 히터 링(heater ring)을 포함하며, 히터 링은 내부에 매립된 저항성 가열 엘리먼트를 포함하고, 히터 링은 프로세스 차폐기의 복수의 정렬 슬롯들의 위치와 대응하는 복수의 핀 슬롯들을 포함한다.
[0007] 일부 실시예들에서, 프로세스 챔버는 내부에 내부 볼륨을 규정하는 챔버 본체; 챔버 본체의 최상부에 근접하게 내부 볼륨에 배치되는 타깃; 타깃에 대향하게 내부 볼륨에 배치되는 기판 지지부; 타깃으로부터 기판 지지부로 연장되는 원통형 본체를 갖는 차폐기 ― 차폐기는 외부 립을 가짐 ― ; 차폐기를 둘러싸며, 내부에 배치되는 냉각 채널을 갖는 어댑터(adapter); 및 차폐기의 외부 립과 히터 링 사이에 어댑터를 클램핑(clamp)하기 위해 외부 립의 복수의 개구들을 통해 외부 립에 체결되는 히터 링을 포함한다.
[0008] 본 개시내용의 다른 실시예들 및 추가적 실시예들이 아래에 설명된다.
[0009] 위에서 간단히 요약되고 아래에서 더 상세하게 논의되는 본 개시내용의 실시예들은, 첨부된 도면들에서 도시된 개시내용의 예시적인 실시예들을 참조로 하여 이해될 수 있다. 그러나, 첨부된 도면들은 개시내용의 단지 통상적인 실시예들을 예시하고, 따라서 범위를 제한하는 것으로 간주되지 않아야 하는데, 이는 본 개시내용이 다른 동등하게 효과적인 실시예들을 허용할 수 있기 때문이다.
[0010] 도 1은 본 개시내용의 일부 실시예들에 따른 프로세스 챔버의 개략적인 측면도이다.
[0011] 도 2는 본 개시내용의 일부 실시예들에 따른 프로세스 챔버의 부분 단면 등축도이다.
[0012] 도 3은 본 개시내용의 일부 실시예들에 따른 프로세스 챔버의 부분 단면 등축도이다.
[0013] 도 4는 본 개시내용의 일부 실시예들에 따른 프로세스 챔버의 부분 단면 등축도이다.
[0014] 도 5는 본 개시내용의 일부 실시예들에 따른 히터 링의 최상부 등축 평면도이다.
[0015] 도 6은 본 개시내용의 일부 실시예들에 따른 프로세스 차폐기의 부분 평면도이다.
[0016] 도 7은 본 개시내용의 일부 실시예들에 따른 프로세스 차폐기의 부분 평면도이다.
[0017] 도 8은 본 개시내용의 일부 실시예들에 따른 프로세스 차폐기의 부분 저면도이다.
[0018] 도 9는 본 개시내용의 일부 실시예들에 따른 프로세스 차폐기의 측단면도이다.
[0019] 이해를 용이하게 하기 위해, 도면들에 공통인 동일한 엘리먼트들을 지정하기 위해 가능한 경우에 동일한 참조 번호들이 사용되었다. 도면들은 실척대로 도시되어 있지 않으며, 명료함을 위해 단순화될 수 있다. 일 실시예의 엘리먼트들 및 특징들은 추가적 언급 없이 유리하게 다른 실시예들에 포함될 수 있다.
[0020] PVD 챔버에서의 사용을 위한 프로세스 키트들의 실시예들이 본원에 제공된다. 본원에 설명되는 바와 같은 프로세스 키트들은 프로세스 차폐기를 포함하여, 다수의 컴포넌트들을 포함할 수 있다. 일부 실시예들에서, 프로세스 차폐기는 유리하게, 프로세스 챔버의 물-냉각 어댑터 또는 물-냉각 측벽들과 같은 프로세스 챔버의 인접한 냉각 컴포넌트들로부터 열적으로 디커플링되어, 프로세스 차폐기는 고온들(예컨대, 250 ℃ 이상의 온도들)로 가열될 수 있다. 일부 실시예들에서, 프로세스 차폐기는 유리하게, 프로세스 차폐기를 전기적으로 접지시키기 위해 프로세스 챔버의 냉각 어댑터 또는 냉각 측벽들에 전기적으로 커플링된다.
[0021] 도 1은 본 개시내용의 일부 실시예들에 따른 프로세스 챔버(100)의 개략적인 측면도를 도시한다. 일부 실시예들에서, 프로세스 챔버(100)는 PVD(physical vapor deposition) 챔버이다. 본 개시내용과 함께 사용하기에 적합한 PVD 챔버들의 예들은 APPLIED ENDURA IMPULSE™ 및 캘리포니아주 산타클라라의 Applied Materials, Inc.로부터 상업적으로 입수가능한 다른 PVD 프로세싱 챔버들을 포함한다. Applied Materials, Inc. 또는 다른 제조업체로부터의 다른 프로세싱 챔버들이 또한 본원에 개시된 본 발명의 장치로부터 이익을 얻을 수 있다.
[0022] 프로세스 챔버(100)는 프로세싱 볼륨(108) 및 비프로세싱 볼륨(109)을 갖는 내부 볼륨을 둘러싸는 챔버 벽들(106)을 포함한다. 챔버 벽들(106)은 측벽들(116), 최하부 벽(126), 및 실링(ceiling)(124)을 포함한다. 실링(124)은 내부 볼륨을 밀봉하기 위한 챔버 덮개 또는 유사한 커버(cover)일 수 있다. 프로세스 챔버(100)는 독립형 챔버일 수 있거나, 예컨대, 다양한 챔버들 사이에서 기판들(104)을 이송하는 기판 이송 메커니즘(예컨대, 기판 이송 로봇)에 의해 연결된 상호 연결된 챔버들의 클러스터를 갖는 프로세스 시스템들의 ENDURA®, CENTURA®, 또는 PRODUCER® 라인들 중 임의의 것과 같은 다중-챔버 플랫폼(도시되지 않음)의 일부일 수 있다. 프로세스 챔버(100)는 기판(104) 상에 재료를 스퍼터링 증착(sputter deposit)할 수 있는 PVD 챔버일 수 있다. 스퍼터 증착에 적합한 재료들의 비제한적인 예들은 알루미늄, 구리, 탄탈륨, 탄탈륨 질화물, 티타늄, 티타늄 질화물, 텅스텐, 텅스텐 질화물 등 중 하나 이상을 포함한다.
[0023] 프로세스 챔버(100)는, 기판(104)을 지지하기 위한 페데스탈(pedestal)(134)을 포함하는 기판 지지부(130)를 포함한다. 페데스탈(134)은, 프로세스 챔버(100)의 상부 섹션에 배치되는 타깃(140)의 스퍼터링 표면(139)에 실질적으로 평행한 평면을 갖는 기판 지지 표면(138)을 갖는다. 타깃(140)은 기판(104) 상에 스퍼터링될 재료 및 배킹 플레이트(backing plate)를 포함할 수 있다. 페데스탈(134)의 기판 지지 표면(138)은 프로세싱 동안 기판(104)을 수용하고 지지하도록 구성된다. 페데스탈(134)은 전극(118) 또는 히터(이를테면, 전기 저항 히터, 열 교환기, 또는 다른 적합한 가열 디바이스)를 갖는 정전 척(electrostatic chuck)을 포함할 수 있다. 전극(118)은 전극 전력 소스(170b)에 커플링될 수 있다. 전극 전력 소스(170b)는 DC 전력 소스 또는 RF 전력 소스일 수 있다. 동작 시, 기판(104)은 프로세스 챔버(100)의 측벽(116)에 있는 슬릿 밸브(142)를 통해 프로세스 챔버(100)의 비프로세싱 볼륨(109) 내로 도입되고, 기판(104)의 로딩 동안 비프로세싱 포지션에 있는 기판 지지부(130) 상에 배치된다. 기판 지지부(130)는 지지 리프트 메커니즘에 의해 리프팅(lift)되거나 또는 하강될 수 있고, 리프트 핑거 조립체(finger assembly)는 로봇 아암에 의해 기판 지지부(130) 상에 기판(104)을 배치하는 동안 기판(104)을 기판 지지부(130) 상에 리프팅 및 하강시키는 데 사용될 수 있다. 페데스탈(134)은 전기적 플로팅(floating) 전위로 유지될 수 있거나 또는 플라즈마 동작 동안 접지될 수 있다.
[0024] 프로세스 챔버(100)는 또한, 프로세스 키트(150)를 포함하며, 이 프로세스 키트(150)는 예컨대, 컴포넌트 표면들로부터 스퍼터링 증착물들을 세정하거나, 부식된 컴포넌트들을 교체 또는 수리하거나, 또는 다른 프로세스들을 위해 프로세스 챔버(100)를 적응시키기 위해, 프로세스 챔버(100)로부터 용이하게 제거될 수 있는 다양한 컴포넌트들을 포함한다. 프로세스 키트(150)는 프로세스 차폐기(152)를 포함한다. 프로세스 차폐기(152)는 타깃(140)의 스퍼터링 표면(139) 및 기판 지지부(130)를 둘러싸도록 크기가 정해진 직경(예컨대, 스퍼터링 표면(139)보다 크고 기판 지지부(130)의 지지 표면보다 큰 직경)을 갖는다. 프로세스 차폐기(152)는 알루미늄, 알루미늄 합금, 티타늄, 티타늄 합금(titanium allow), 스테인리스강, 또는 세라믹으로 제조될 수 있다.
[0025] DC 전력 소스(190)는, 스퍼터링 프로세스 및/또는 세정 프로세스 동안 전기적으로 플로팅될 수 있는, 프로세스 키트(150)의 프로세스 차폐기(152)에 비해, 타깃(140)에 바이어스 전압을 인가할 수 있다. 프로세스 키트(150)는, 스퍼터링 프로세스 또는 세정 프로세스를 수행하기에 적합한 온도로 프로세스 차폐기(152)를 가열하기 위해 프로세스 차폐기(152)에 커플링되는 히터 링(132)을 포함할 수 있다. 일부 실시예들에서, 프로세스 키트(150)는 프로세스 차폐기(152)를 둘러싸는 어댑터(adapter)(120)를 포함한다. 일부 실시예들에서, 프로세스 차폐기(152) 및 히터 링(132)은, 프로세스 차폐기(152) 및 히터 링(132)이 그들 사이에 측벽들(116)의 일부분 또는 어댑터(120)를 클램핑하도록 커플링된다(아래에서 더 상세하게 설명됨). 일부 실시예들에서, 어댑터(120)는 내부에 배치되는 냉각 채널(232)을 포함한다. 냉각 채널(232)은 어댑터를 냉각시키기 위해 냉각 채널(232)을 통한 냉각제의 유동을 용이하게 하도록 구성된다. 일부 실시예들에서, 어댑터는 약 20 ℃ 내지 약 50 ℃의 온도로 냉각된다.
[0026] 일부 실시예들에서, 프로세스 차폐기(152)는 프로세스 차폐기(152)와 어댑터(120) 사이에 배치되는 RF 개스킷(gasket)들과 같은 스프링 부재들(176)을 수용하기 위한 복수의 홈들(도 8 참조)을 포함한다. 스프링 부재들(176)은 프로세스 차폐기(152) 및 어댑터(120)를 전기적으로 커플링시키도록 구성된다. 일부 실시예들에서, 프로세스 차폐기(152)는 프로세스 차폐기(152)와 격리기 링(isolator ring)(114) 사이에 배치되는 RF 개스킷(gasket)들과 같은 스프링 부재들(174)을 수용하기 위한 복수의 홈들(602)(도 6 및 도 7을 참조)을 포함한다. 격리기 링(114)은 프로세스 차폐기(152)로부터 타깃(140)을 전기적으로 격리시키도록 구성된다. 스프링 부재들(174)은 유리하게, 프로세스 차폐기(152)와 타깃(140) 사이에 균일한 갭을 유지한다.
[0027] 일부 실시예들에서, 히터 링(132)은 구리 또는 구리 합금을 포함한다. 히터(136)는 히터 링(132) 내에 매립되거나 또는 그렇지 않으면 히터 링(132)에 커플링되는 저항성 가열 엘리먼트와 같은 가열 엘리먼트를 포함할 수 있다. 일부 실시예들에서, 세정 프로세스를 수행하기에 적합한 온도는 약 250 ℃ 내지 약 350 ℃이다. DC 전력 소스(190) 또는 제2 DC 전력 소스(190a)는 또한, (예컨대, 프로세스 차폐기(152)의 세정 프로세스를 수행할 때) 히터 링(132)의 히터(136)에 바이어스 전압을 인가하는 데 사용될 수 있다.
[0028] 일부 실시예들에서, 프로세스 키트(150)는 페데스탈(134) 상에 그리고 프로세스 차폐기(152)와 기판 지지부(130) 사이에 배치되는 증착 링(154)을 더 포함한다. 증착 링(154) 및 프로세스 차폐기(152)는 증착 링(154)과 프로세스 차폐기(152) 사이에 구불구불한 가스 유동 경로를 규정하고, 서로 협력하여 기판 지지부(130)의 주변 벽들 및 기판(104)의 돌출 에지(153) 상의 스퍼터 증착물들의 형성을 감소시킨다.
[0029] 일부 실시예들에서, 프로세스 키트(150)는, 원치 않는 스퍼터링 증착물들로부터 프로세스 챔버(100)의 내부 표면들을 보호하고, 히터 링(132)으로부터의 프로세스 차폐기(152)로 열을 다시 반사시킴으로써 열 손실을 감소시키기 위한 반사성 라이너(reflective liner)(148)를 포함한다. 일부 실시예들에서, 반사성 라이너(148)는 히터 링(132) 및 어댑터(120) 중 적어도 하나에 커플링된다. 일부 실시예들에서, 반사성 라이너(148)는 "L" 형상 또는 "C" 형상 단면을 갖는다.
[0030] 일부 실시예들에서, 프로세스 키트(150)는 기판 지지부(130)에 커플링되는 접지 브래킷(grounding bracket)(146)을 포함한다. 일부 실시예들에서, 접지 브래킷은 접지 루프들(156)에 커플링된다. 접지 루프(156)는, 기판 지지부(130)가 상승된 포지션에 있을 때 프로세스 차폐기(152)의 최하부 표면과 접촉하고 프로세스 차폐기(152)를 전기적으로 접지시키도록 그리고 기판 지지부(130)가 하강된 포지션에 있을 때 프로세스 차폐기(152)로부터 이격되도록 구성된다.
[0031] 프로세스 챔버(100)는 프로세스 가스들을 프로세싱 볼륨(108)에 공급하도록 구성되는 가스 소스(161)를 갖는 가스 전달 시스템(160)에 커플링된다. 일부 실시예들에서, 가스 소스(161)로부터의 프로세스 가스는 도관(163)을 통해 프로세스 키트(150)로 유동되고, 프로세스 키트(150)를 통해 프로세싱 볼륨(108) 내로 유동된다(도 2와 관련하여 아래에서 더 상세하게 설명됨). 일부 실시예들에서, 프로세스 키트(150)는 적어도 하나의 가스 전달 채널(128)을 포함한다. 일부 실시예들에서, 적어도 하나의 가스 전달 채널(128)은 더 균일한 가스 전달을 제공하기 위해 정반대로 대향하는 2개의 가스 전달 채널들을 포함한다. 일부 실시예들에서, 적어도 하나의 가스 전달 채널(128)은 어댑터(120)의 외부 표면으로부터 어댑터(120)의 내부 표면으로 연장된다. 일부 실시예들에서, 적어도 하나의 가스 전달 채널(128)은 어댑터(120)의 외부 표면으로부터 어댑터(120)의 내부 표면으로 반경 방향 내측으로 그리고 하향으로 연장된다. 본 발명자들은, 프로세스 키트(150) 내에 가스 공급부를 포함시킴으로써, 프로세싱 볼륨(108)이 프로세스 가스들을 수용하기 때문에, 처리량(throughput)이 유리하게 증가될 수 있어, 그에 따라 프로세스 가스들을 프로세싱 볼륨(108)에 제공하기 위한 시간량을 감소시킬 수 있다는 것을 발견하였다. 일부 실시예들에서, 가스 소스(161)로부터의 프로세스 가스는, 도관(165)을 통하여 측벽들(116)을 통해 유동되고, 그런 다음, 비프로세싱 볼륨(109)으로 그리고 그런 다음, 프로세싱 볼륨(108)으로 유동된다. 도관(163) 및 도관(165)은, 도관(163) 및 도관(165)을 통해, 세팅된 유량(set flow rate)의 프로세스 가스를 통과시키기 위해 질량 유동 제어기들과 같은 가스 유동 제어 밸브들(도시되지 않음)을 포함할 수 있다.
[0032] 프로세스 가스는, 타깃(140)으로부터 기판(104) 상에 재료를 에너지적으로 충돌시키고 스퍼터링할 수 있는 비반응성 가스, 이를테면, 아르곤 또는 크세논을 포함할 수 있다. 프로세스 가스는, 기판(104) 상에 층을 형성하기 위해, 스퍼터링된 재료와 반응할 수 있는 반응성 가스, 이를테면, 산소-함유 가스 및 질소-함유 가스 중 하나 이상을 포함할 수 있다. 그런 다음, 가스는 타깃(140)을 스퍼터링하기 위한 플라즈마를 형성하거나 또는 생성하기 위해 RF 전력 소스(170)에 의해 에너자이징된다. 예컨대, 프로세스 가스들은 고 에너지 전자들에 의해 이온화되고, 이온화된 가스들은 음의 전압으로 바이어싱되는 스퍼터링 재료로 끌어당겨진다. 일부 실시예들에서, 반응성 가스들은 화합물들을 생성하기 위해 타깃(140)과 직접적으로 반응할 수 있고, 그런 다음, 타깃(140)으로부터 후속적으로 스퍼터링될 수 있다. 그러한 실시예들에서, 타깃(140)은 DC 전력 소스(190) 및 RF 전력 소스(170) 둘 모두에 의해 에너자이징될 수 있다. 일부 실시예들에서, DC 전력 소스(190)는 타깃(140)에 전력을 공급하기 위해 펄스형 DC를 제공하도록 구성될 수 있다.
[0033] 프로세스 키트(150) 주위의 세정 프로세스를 위해, 프로세스 가스는 산소, 또는 예컨대, 오존, 수산화물 또는 과산화물을 포함하는 다른 산소 함유 가스들을 포함할 수 있다. 일부 실시예들에서, 프로세스 가스는 염소, 이원자 염소, 또는 다른 염소 함유 가스들을 포함할 수 있다. 사용되는 가스의 타입은, 예컨대, 타깃 재료의 타입, 챔버의 타입(예컨대, PVD, CVD 등), 제조업체의 선호도 등에 의존할 수 있다.
[0034] 일부 실시예들에서, RF 전력 소스(170)에 의해 공급되는 RF 에너지는 주파수가 약 2 MHz 내지 약 60 MHz의 범위일 수 있거나, 예컨대, 2 MHz, 13.56 MHz, 27.12 MHz, 또는 60 MHz와 같은 비제한적인 주파수들이 사용될 수 있다. 일부 실시예들에서, 상기 복수(즉, 2개 이상)의 주파수들의 RF 에너지를 제공하기 위해 복수의 RF 전력 소스들이 제공될 수 있다. (예컨대, 프로세스 키트(150) 주위의 영역의 세정 프로세스를 수행할 때) 페데스탈(134) 및/또는 프로세스 차폐기(152)에 바이어스 전압을 공급하는 데 추가 RF 전력 소스가 또한 사용될 수 있다. 예컨대, 일부 실시예들에서, 전극(118)에 에너지를 공급하는 데 추가 RF 전력 소스(170a)가 사용될 수 있다. 전극(118)은 프로세스 차폐기(152) 및/또는 페데스탈(134)에 전력을 공급하는 데 사용될 수 있다. 더욱이, 일부 실시예들에서, RF 전력 소스(170)는 전극(118)에 에너지를 공급하도록 구성될 수 있다. 커버 또는 실링(124)으로부터 전극(118)으로의 전기적 경로를 스위칭하기 위해 하나 이상의 추가 컴포넌트들(예컨대, 스위칭 회로)이 제공될 수 있다.
[0035] 소비된 프로세스 가스 및 부산물들은 배기 펌프(exhaust pump)(162)를 통해 프로세스 챔버(100)로부터 배기된다. 배기 펌프(162)는 프로세스 챔버(100)에서의 가스의 압력을 제어하기 위해 스로틀(throttle) 밸브(도시되지 않음)를 갖는 배기 도관(168)을 통해 소비된 프로세스 가스를 수용한다. 배기 도관(168)은 하나 이상의 펌프들(하나가 도시됨)을 포함하는 배기 펌프(162)에 연결된다.
[0036] 일부 실시예들에서, 프로세스 챔버(100)는 타깃(140)의 스퍼터링을 개선하기 위해 타깃(140) 주위의 자기장을 성형하기 위해 타깃(140) 위에 배치되는 자기장 발생기(164)를 포함할 수 있다. 용량성으로 발생된 플라즈마는 자기장 발생기(164)에 의해 향상될 수 있으며, 여기서 예컨대, 영구 자석 또는 전자기 코일들은 기판(104)의 평면에 대해 수직인 회전 축을 갖는 회전 자기장을 갖는 자기장을 프로세스 챔버(100)에 제공할 수 있다. 추가적으로 또는 대안적으로, 프로세스 챔버(100)는 타깃 재료의 스퍼터링을 개선하기 위해 타깃(140)에 인접한 고밀도 플라즈마 구역에서 이온 밀도를 증가시키기 위해 프로세스 챔버(100)의 타깃(140) 근처에 자기장을 발생시키는 자기장 발생기(164)를 포함할 수 있다.
[0037] 프로세스 챔버(100)의 다양한 컴포넌트들은 제어기(180)에 의해 제어될 수 있다. 제어기(180)는 기판(104)을 프로세싱하기 위해 컴포넌트들을 동작시키기 위한 명령 세트들을 갖는 프로그램 코드를 포함한다. 예컨대, 제어기(180)는, 기판 지지부(130) 및 기판 이송 메커니즘을 동작시키기 위한 기판 포지셔닝 명령 세트들; 프로세스 키트(150) 주위의 영역이 세정되어야 할 때 프로세스 챔버(100)의 프로세싱 볼륨(108)에 플라즈마를 생성하도록 구성되는 마이크로파 전력 소스(181)의 전력 제어; 프로세스 챔버(100)로의 스퍼터링 가스의 유동을 세팅하기 위해 가스 유동 제어 밸브들을 동작시키기 위한 가스 유동 제어 명령 세트들; 프로세스 챔버(100)에서 압력을 유지하도록 동작시키기 위한 가스 압력 제어 명령 세트들; 히터(136)의 하나 이상의 가열 컴포넌트들의 온도 제어; 프로세스 키트(150) 주위의 영역에 대한 세정 프로세스 명령 세트들; 가스 에너자이징 전력 레벨을 세팅하도록 RF 전력 소스(170)를 동작시키기 위한 가스 에너자이저 제어 명령 세트들; 하나 이상의 환형 열 전달 채널들로의 열 전달 매체의 유량을 제어하도록 열 전달 매체 공급기 또는 기판 지지부(130)의 온도 제어 시스템을 제어하기 위한 온도 제어 명령 세트들; 및 프로세스 챔버(100)에서 프로세스를 모니터링하기 위한 프로세스 모니터링 명령 세트들을 포함하는 프로그램 코드를 포함할 수 있다. 프로세스 챔버(100)의 다양한 컴포넌트들은 제어기(180)에 의해 제어될 수 있다.
[0038] 도 2는 본 개시내용의 일부 실시예들에 따른 프로세스 챔버의 부분 단면 등축도이다. 일부 실시예들에서, 프로세스 차폐기(152)는 원통형 형상을 갖는 본체(202)를 포함한다. 본체는 상부 부분(206) 및 하부 부분(204)을 포함한다. 일부 실시예들에서, 프로세스 차폐기(152)는 프로세스 차폐기(152)를 통한 유동 전도도를 증가시키기 위한 복수의 통기구(vent)들(252)을 포함한다. 일부 실시예들에서, 복수의 통기구들(252)은 프로세스 차폐기(152) 주위에 배열된다. 일부 실시예들에서, 복수의 통기구들(252)은 프로세스 차폐기(152) 주위에 규칙적인 인터벌들로 배열된다. 일부 실시예들에서, 복수의 통기구들(252)은 프로세스 차폐기(152)의 중앙 개구를 따라 연장되는 중심 축에 대해 프로세스 차폐기(152) 주위에 선대칭 패턴으로 배열된다. 일부 실시예들에서, 복수의 통기구들(252)의 각각의 통기구는 원형, 타원형, 또는 다른 형상의 개구이다. 하부 부분(204)은 상부 부분(206)으로부터 반경 방향 내측으로 그리고 하향으로 연장된다. 상부 부분(206)의 프로세싱 볼륨 대면(facing) 표면은 하부 부분(204)의 프로세싱 볼륨 대면 표면과 연속적이다. 일부 실시예들에서, 상부 부분(206)의 최하부로부터 프로세스 차폐기(152)의 최하부까지의 하부 부분(204)의 외부 표면(240)은 실질적으로 수직이다. 일부 실시예들에서, 외부 표면(240)은 상부 부분(206)의 프로세싱 볼륨 대면 표면의 반경 방향 외측에 전체적으로 배치된다.
[0039] 일부 실시예들에서, 하부 부분(204)의 상부 표면(208)은 실질적으로 수평이다. 일부 실시예들에서, 상부 표면(208)은 증착 링(154)의 상부 표면(212)의 인접한 부분과 실질적으로 동일 평면에 있다. 일부 실시예들에서, 하부 부분(204)은 하부 부분(204)의 본체로부터 반경 방향 내측으로 연장되는 내부 립(230)을 포함한다. 일부 실시예들에서, 제1 레그(leg)(236)는 내부 립(230)의 최내측 부분으로부터 하향으로 연장된다. 일부 실시예들에서, 제1 레그(236)는 하부 부분(204)의 하부 표면과 상부 표면(208) 사이의 위치까지 연장된다. 제1 레그(236)의 내부 표면은 하부 부분(204)의 최내측 표면을 규정한다.
[0040] 일부 실시예들에서, 증착 링(154)은 페데스탈(134) 상에 놓이는 내부 부분(218)을 포함한다. 일부 실시예들에서, 내부 부분(218)의 상부 표면은 증착 링(154)의 상부 표면(212)을 규정한다. 일부 실시예들에서, 증착 링(154)의 제1 레그(222)는 내부 부분(218)으로부터 하향으로 연장된다. 일부 실시예들에서, 증착 링(154)은 제1 레그(222)로부터 반경 방향 내측으로 연장되는 외부 부분(224)을 포함한다. 일부 실시예들에서, 증착 링(154)의 제2 레그(226)는 외부 부분(224)으로부터 상향으로 연장된다. 일부 실시예들에서, 제1 레그(222), 외부 부분(224), 및 제2 레그(226)는 프로세스 차폐기(152)의 제1 레그(236) 주위에 배치되어 이들 사이에 구불구불한 가스 유동 경로를 규정한다.
[0041] 일부 실시예들에서, 상부 부분(206)은 외부 립(214)을 포함한다. 외부 립(214)은 히터 링(132)을 프로세스 차폐기(152)에 체결하기 위한 패스너들(220)을 수용하기 위한 복수의 개구들(216)을 포함한다. 도 6 및 도 7은 본 개시내용의 일부 실시예들에 따라 프로세스 차폐기(152)의 부분 평면도들이다. 일부 실시예들에서, 복수의 개구들(216)의 각각의 개구는 패스너들(220) 중 하나를 수용하기 위한 카운터보어(counterbore)(606)를 포함한다. 일부 실시예들에서, 도 6에 도시된 바와 같이, 카운터보어(606)는 실질적으로 원형 형상을 갖는다. 일부 실시예들에서, 복수의 개구들(216)의 각각의 개구는 패스너들(220) 중 하나를 수용하기 위한 카운터보어(608)를 포함한다. 일부 실시예들에서, 도 7에 도시된 바와 같이, 카운터보어(608)는 실질적으로 타원형 또는 세장형 원형 형상을 갖는다. 일부 실시예들에서, 프로세스 차폐기(152)의 외부 립(214)은 복수의 개구들(216)로부터 외부 립(214)의 외부 표면(610)으로 연장되는 복수의 반경 방향 가스 분배 채널들(604)을 포함한다.
[0042] 일부 실시예들에서, 외부 립(214)의 상부 표면(612)은 스프링 부재들(174)을 수용하기 위한 복수의 홈들(602)을 포함한다. 일부 실시예들에서, 복수의 홈들(602)은 프로세스 차폐기(152) 주위에 규칙적인 인터벌들로 배치된다. 스프링 부재들(174)은, 복수의 홈들(602)에 배치될 때, 프로세스 차폐기(152)와 타깃(140) 사이에 원하는 갭을 유지하기 위해 외부 립(214)의 상부 표면(612)을 넘어서 연장된다. 일부 실시예들에서, 복수의 홈들(602) 각각은 복수의 개구들(216)의 인접한 개구들 사이에서 연장된다. 일부 실시예들에서, 복수의 홈들(602) 각각은 인접한 카운터보어들(606, 608)의 측벽들로부터 연장된다.
[0043] 도 8은 본 개시내용의 일부 실시예들에 따른 프로세스 차폐기의 부분 저면도이다. 일부 실시예들에서, 외부 립(214)의 하부 표면(802)은 스프링 부재들(176)을 수용하기 위한 복수의 홈들(804)을 포함한다. 일부 실시예들에서, 복수의 홈들(804)은 프로세스 차폐기(152) 주위에 규칙적인 인터벌들로 배열된다. 일부 실시예들에서, 외부 립(214)의 하부 표면(802) 상의 복수의 홈들(804)은 외부 립(214)의 상부 표면(612) 상의 복수의 홈들(602)보다 짧은 길이 동안 연장된다. 예컨대, 스프링 부재들(174)은 약 1.5 인치 내지 약 3.5 인치의 길이를 가질 수 있다. 예컨대, 스프링 부재들(176)은 약 0.5 인치 내지 약 1.5 인치의 길이를 가질 수 있다. 복수의 홈들(804)은 프로세스 차폐기(152)와 다른 챔버 컴포넌트, 예컨대, 어댑터(120) 또는 측벽들(116) 사이의 전기적 커플링을 유지하기 위해 스프링 부재들(176)을 하우징(house)하도록 구성된다.
[0044] 도 2로 다시 리턴하면, 일부 실시예들에서, 인서트(insert)(238)는 프로세스 차폐기와 패스너들(220) 사이의 접촉 면적을 증가시키기 위해 패스너들(220) 중 각각의 패스너와 프로세스 차폐기(152) 사이의 복수의 개구들(216) 중 각각의 개구에(예컨대, 카운터보어(606) 또는 카운터보어(708)에) 배치된다. 증가된 접촉 면적은 유리하게, 프로세스 차폐기(152)의 변형을 감소시키고, 패스너들(220)의 풀림(loosening)을 감소시킨다. 이로써, 카운터보어(708)는 카운터보어(606)보다 프로세스 차폐기(152)와의 더 큰 접촉 면적을 갖는 인서트(238)를 수용할 수 있다. 일부 실시예들에서, 인서트(238)는 원뿔형 와셔(conical washer) 및 평와셔(flat washer) 중 적어도 하나를 포함한다. 일부 실시예들에서, 인서트(238)는 카운터보어(708)와 유사하게 성형된다.
[0045] 일부 실시예들에서, 외부 립(214)은 어댑터(120)를 수용하기 위한 노치형 하부 주변 에지를 포함한다. 일부 실시예들에서, 어댑터(120)의 내부 립(246)은 유리하게, 패스너들(220)을 통해 외부 립(214)과 히터 링(132) 사이에 클램핑된다. 일부 실시예들에서, 외부 립(214)은 격리기 링(114)을 수용하기 위한 노치형 상부 주변 에지를 포함한다.
[0046] 프로세스 키트(150)는 프로세스 키트(150)를 통한 가스 유동 경로를 규정한다. 일부 실시예들에서, 가스 유동 경로는 어댑터(120)와 프로세스 차폐기(152) 사이의 구역으로부터 복수의 반경 방향 가스 분배 채널들(604)을 통해 격리기 링(114)과 프로세스 차폐기(152) 사이의 제1 갭(254)을 통해 그리고 타깃(140)과 프로세스 차폐기(152) 사이의 제2 갭(250)을 통해 프로세스 차폐기(152)의 원통형 본체 내의 구역으로 연장된다. 제1 갭(254) 및 제2 갭(250)은, 프로세스 차폐기(152)가 가열될 때 격리 링(114) 또는 타깃(140)에 접촉하지 않고 프로세스 차폐기(152)의 열 팽창을 수용하도록 크기가 정해진다.
[0047] 도 3은 본 개시내용의 일부 실시예들에 따른 프로세스 챔버의 부분 단면 등축도이다. 일부 실시예들에서, 어댑터(120)의 내부 립(246)은 프로세스 차폐기(152)를 어댑터(120)에 정렬시키기 위한 복수의 정렬 핀들(302)을 포함한다. 복수의 정렬 핀들(302)의 각각의 정렬 핀은 프로세스 차폐기(152)를 어댑터(120)에 정렬시키기 위해 프로세스 차폐기(152)의 정렬 슬롯(304) 내로 연장된다. 일부 실시예들에서, 프로세스 차폐기(152)는 정렬 핀들(302) 각각의 숄더(shoulder)(308) 상에 놓인다. 정렬 핀들(302)은, 어댑터(120)와 프로세스 차폐기(152) 사이의 열적 커플링(thermal coupling)을 감소시키거나 또는 방지하기 위해 어댑터(120)의 내부 립(246)과 프로세스 차폐기(152)의 외부 립(214) 사이에 갭을 제공하도록 구성된다. 어댑터(120)와 프로세스 차폐기(152)의 열적 디커플링(thermal decoupling)은 유리하게, 어댑터(120)가 약 20 ℃ 내지 약 50 ℃의 온도를 갖는 동안, 프로세스 차폐기(152)를 250 ℃ 초과의 온도들로 가열하는 것을 용이하게 한다. 일부 실시예들에서, 정렬 핀들(302)은 서로 약 120도 이격된 3개의 핀들을 포함한다. 일부 실시예들에서, 정렬 핀들(302)은 어댑터(120)의 내부 립(246)의 상부 표면과 프로세스 차폐기(152)의 외부 립(214)의 하부 표면 사이에 약 0.005 인치 내지 약 .02 인치의 갭을 제공한다.
[0048] 일부 실시예들에서, 히터 링(132)은 히터 링(132) 및 프로세스 차폐기(152)의 증가된 온도 제어를 제공하기 위해 냉각제를 순환시키기 위한 냉각 채널(314)을 포함한다. 일부 실시예들에서, 측벽들(116)의 상부 표면은 어댑터(120)와 측벽들(116) 사이에 진공 밀봉부를 형성하기 위해 o-링(312)을 수용하기 위한 o-링 홈(310)을 포함한다. 일부 실시예들에서, 어댑터(120)는 격리 링(114)을 수용하기 위한 노치형 상부 내부 에지를 포함한다. 일부 실시예들에서, 노치형 상부 내부 에지에 의해 규정된 표면은 어댑터(120)와 격리 링(114) 사이에 진공 밀봉부를 형성하기 위해 o-링(320)을 수용하기 위한 o-링 홈(316)을 포함한다.
[0049] 도 4는 본 개시내용의 일부 실시예들에 따른 프로세스 챔버의 부분 단면 등축도이다. 일부 실시예들에서, 반사성 라이너(148)는 어댑터(120)에 커플링된다. 일부 실시예들에서, 반사성 라이너(148)는 복수의 스탠드오프(standoff)들(402)을 통해 어댑터(120)에 커플링된다. 일부 실시예들에서, 복수의 스탠드오프들(402)은 히터 링(132)의 복수의 절단부(cutout)들(408) 내로 연장된다. 일부 실시예들에서, 복수의 절단부들(408)은 히터 링(132)의 외부 표면으로부터 반경 방향 내측으로 연장된다. 일부 실시예들에서, 복수의 스탠드오프들(402)은 중앙 개구(412)를 포함한다. 복수의 제1 패스너들(406)은 어댑터(120)를 복수의 스탠드오프들(402)에 커플링시키기 위해 어댑터(120)의 개구들(420)을 통해 그리고 복수의 스탠드오프들(402)의 각각의 개개의 스탠드오프의 제1 단부에 있는 중앙 개구(412) 내로 연장될 수 있다. 복수의 제2 패스너들(404)은 반사성 라이너(148)를 복수의 스탠드오프들(402) 및 더 나아가 어댑터(120)에 커플링시키기 위해 반사성 라이너(148)의 개구들(410)을 통해 그리고 복수의 스탠드오프들(402)의 각각의 개개의 스탠드오프의 제2 단부에 있는 중앙 개구(412) 내로 연장될 수 있다.
[0050] 도 5는 본 개시내용의 일부 실시예들에 따른 히터 링(132)의 최상부 등축 평면도이다. 히터 링(132)은 프로세스 차폐기(152)를 히터 링(132)에 커플링시키는 것을 용이하게 하기 위해 프로세스 차폐기(152)의 복수의 개구들(216)과 대응하는 복수의 개구들(504)을 포함한다. 일부 실시예들에서, 히터 링(132)은 정렬 핀들(302)의 위치와 대응하는 복수의 핀 슬롯들(508)을 포함한다. 일부 실시예들에서, 복수의 핀 슬롯들(508)은 3개의 슬롯들을 포함한다. 일부 실시예들에서, 복수의 절단부들(408)은 8개의 절단부들을 포함한다.
[0051] 일부 실시예들에서, 히터 링(132)은 히터 링(132)의 본체(510)로부터 반경 방향 외측으로 연장되는 복수의 위치 탭(tab)들(506)을 포함한다. 복수의 위치 탭들(506)은, 히터 링(132)이 히터 링(132)을 정렬시키기 위해 프로세스 챔버(100)에 배치될 때 챔버 컴포넌트 상에 놓일 수 있다. 예컨대, 일부 실시예들에서, 복수의 위치 탭들(506)은 측벽들(116) 상에 놓인다.
[0052] 도 9는 본 개시내용의 일부 실시예들에 따른 프로세스 차폐기의 측단면도이다. 일부 실시예들에서, 하부 부분(204)의 외부 표면(240)은 외부 립(214)으로부터 반경 방향 내측으로 그리고 하향하여 연장되는 제1 부분(904)을 포함한다. 일부 실시예들에서, 외부 표면(240)은 프로세스 차폐기(152)의 제1 부분(904)으로부터 하부 표면(910)으로 하향하여 연장되는 제2 부분(906)을 포함한다. 일부 실시예들에서, 제2 부분(906)은 실질적으로 수직 하향으로 연장된다. 일부 실시예들에서, 제2 부분(906)은 제1 부분(904)의 반경 방향 내측에 배치된다.
[0053] 전술한 내용들은 본 개시내용의 실시예들에 관한 것이지만, 본 개시내용의 기본 범위를 벗어나지 않으면서 본 개시내용의 다른 그리고 추가적 실시예들이 고안될 수 있다.

Claims (20)

  1. 프로세스 챔버(process chamber)에서의 사용을 위한 프로세스 차폐기(shield)로서,
    원통형 형상을 갖는 본체를 포함하며,
    상기 본체는 상부 부분 및 하부 부분을 포함하고,
    상기 상부 부분은 외부 립(lip)을 갖고, 상기 하부 부분은 상기 상부 부분으로부터 반경 방향 내측으로 그리고 하향으로 연장되고,
    상기 외부 립은, 패스너들을 수용하기 위한 복수의 개구들, 상기 외부 립의 외부 표면으로부터 반경 방향 내측으로 연장되는 복수의 정렬 슬롯들, 및 노치형(notched) 하부 주변 에지를 포함하고, 그리고
    상기 외부 립의 하부 표면은 복수의 홈들을 포함하는, 프로세스 챔버에서의 사용을 위한 프로세스 차폐기.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 프로세스 차폐기의 외부 립은 상기 외부 립의 복수의 개구들로부터 상기 외부 립의 외부 표면으로 연장되는 반경 방향 가스 분배 채널들을 포함하는, 프로세스 챔버에서의 사용을 위한 프로세스 차폐기.
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 외부 립의 상부 표면은 스프링 부재들을 수용하기 위한 복수의 홈들을 포함하는, 프로세스 챔버에서의 사용을 위한 프로세스 차폐기.
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 복수의 개구들은 카운터보어(counterbore)를 포함하는, 프로세스 챔버에서의 사용을 위한 프로세스 차폐기.
  5. 제1 항에 있어서,
    상기 하부 부분의 외부 표면은 수직 하향으로 연장되는 부분을 포함하는, 프로세스 챔버에서의 사용을 위한 프로세스 차폐기.
  6. 제1 항 내지 제5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 외부 립은 노치형 상부 주변 에지를 포함하는, 프로세스 챔버에서의 사용을 위한 프로세스 차폐기.
  7. 제1 항 내지 제5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 하부 부분은 반경 방향 내측으로 연장되는 내부 립 및 상기 내부 립의 최내측 부분으로부터 수직 하향으로 연장되는 레그(leg)를 포함하는, 프로세스 챔버에서의 사용을 위한 프로세스 차폐기.
  8. 프로세스 챔버에서의 사용을 위한 프로세스 키트로서,
    제1 항 내지 제5 항 중 어느 한 항의 상기 프로세스 차폐기; 및
    상기 외부 립의 복수의 개구들을 통해 상기 프로세스 차폐기의 상부 부분에 커플링되는 히터 링(heater ring)을 포함하며,
    상기 히터 링은 내부에 매립된 저항성 가열 엘리먼트를 포함하고, 그리고
    상기 히터 링은 상기 프로세스 차폐기의 복수의 정렬 슬롯들의 위치와 대응하는 복수의 핀 슬롯들을 포함하는, 프로세스 챔버에서의 사용을 위한 프로세스 키트.
  9. 제8 항에 있어서,
    상기 프로세스 차폐기 및 기판 지지부 사이에 배치되는 증착 링(deposition ring)을 더 포함하는, 프로세스 챔버에서의 사용을 위한 프로세스 키트.
  10. 제8 항에 있어서,
    상기 히터 링은 내부에 매립된 가열 엘리먼트를 포함하는, 프로세스 챔버에서의 사용을 위한 프로세스 키트.
  11. 제8 항에 있어서,
    상기 프로세스 차폐기를 둘러싸는 어댑터(adapter)를 더 포함하며,
    상기 어댑터는 내부에 배치되는 냉각 채널을 가지며,
    상기 어댑터는 상기 프로세스 차폐기와 상기 히터 링 사이에 클램핑되는, 프로세스 챔버에서의 사용을 위한 프로세스 키트.
  12. 제11 항에 있어서,
    상기 어댑터는 상기 어댑터의 외부 표면으로부터 상기 어댑터의 내부 표면으로 연장되는 가스 전달 채널을 포함하는, 프로세스 챔버에서의 사용을 위한 프로세스 키트.
  13. 제11 항에 있어서,
    하나 이상의 스프링 부재들은 상기 프로세스 차폐기를 상기 어댑터에 전기적으로 커플링시키기 위해 상기 프로세스 차폐기와 상기 어댑터 사이에 배치되는, 프로세스 챔버에서의 사용을 위한 프로세스 키트.
  14. 제11 항에 있어서,
    상기 어댑터는 내부 립을 포함하고, 상기 내부 립은 상기 프로세스 차폐기를 상기 어댑터에 정렬시키기 위한 복수의 정렬 핀들을 포함하고, 그리고
    상기 정렬 핀들은 상기 어댑터의 내부 립과 상기 프로세스 차폐기의 외부 립 사이에 갭을 제공하도록 구성되는, 프로세스 챔버에서의 사용을 위한 프로세스 키트.
  15. 제11 항에 있어서,
    상기 히터 링의 절단부(cutout)들을 통과하는 스탠드오프(standoff)들을 통해 상기 어댑터에 커플링되는 반사성 라이너(reflective liner)를 더 포함하는, 프로세스 챔버에서의 사용을 위한 프로세스 키트.
  16. 프로세스 챔버로서,
    내부에 내부 볼륨을 규정하는 챔버 본체;
    상기 챔버 본체의 최상부에 근접하게 상기 내부 볼륨에 배치되는 타깃;
    상기 타깃에 대향하게 상기 내부 볼륨에 배치되는 기판 지지부;
    제1 항 내지 제5 항 중 어느 한 항의 프로세스 차폐기 ― 상기 프로세스 차폐기는 상기 타깃으로부터 상기 기판 지지부로 연장되며, 상기 프로세스 차폐기는 외부 립을 가짐 ― ;
    상기 프로세스 차폐기를 둘러싸며, 내부에 배치되는 냉각 채널을 갖는 어댑터; 및
    상기 프로세스 차폐기의 외부 립과 상기 히터 링 사이에 상기 어댑터를 클램핑(clamp)하기 위해 상기 외부 립의 복수의 개구들을 통해 상기 외부 립에 커플링되는 히터 링을 포함하는, 프로세스 챔버.
  17. 제16 항에 있어서,
    상기 어댑터는 내부 립을 포함하고, 상기 내부 립은 복수의 정렬 핀들을 포함하며,
    상기 복수의 정렬 핀들 각각은 상기 어댑터의 내부 립과 상기 프로세스 차폐기의 외부 립 사이에 갭을 제공하면서 상기 프로세스 차폐기를 상기 어댑터에 정렬시키기 위해 상기 프로세스 차폐기의 정렬 슬롯 내로 연장되는, 프로세스 챔버.
  18. 제16 항 또는 제17 항에 있어서,
    상기 프로세스 차폐기 및 상기 기판 지지부 사이에 배치되는 증착 링을 더 포함하며,
    상기 증착 링은 상기 프로세스 차폐기의 하부 부분의 상부 표면과 실질적으로 동일 평면에 있는 상부 표면을 포함하는, 프로세스 챔버.
  19. 제16 항 또는 제17 항에 있어서,
    상기 기판 지지부에 커플링되고, 상기 기판 지지부가 상승된 포지션에 있을 때 상기 프로세스 차폐기를 접지시키기 위해 상기 프로세스 차폐기에 전기적으로 커플링되도록 그리고 상기 기판 지지부가 하강된 포지션에 있을 때 상기 프로세스 차폐기로부터 이격되도록 구성되는 접지 브래킷(grounding bracket)을 더 포함하는, 프로세스 챔버.
  20. 제16 항 또는 제17 항에 있어서,
    격리기 링(isolator ring)을 더 포함하며,
    가스 유동 경로가 상기 격리기 링과 상기 프로세스 차폐기 사이의 제1 갭을 통해 그리고 상기 타깃과 상기 프로세스 차폐기 사이의 제2 갭을 통해 상기 프로세스 차폐기의 원통형 본체 내의 구역으로 연장되는, 프로세스 챔버.
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