KR20220159267A - Substrate processing apparatus and substrate processing method - Google Patents

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히로유키 히가시
토오루 나카무라
카즈요시 시노하라
타카히토 나카쇼야
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

A technique capable of reducing temperature unevenness in liquid processing between a plurality of liquid processing modules is provided. According to one aspect of the present invention, a substrate processing device has a plurality of liquid processing modules. The plurality of liquid processing modules are arranged and disposed in at least one of a horizontal direction and a vertical direction and perform liquid processing by supplying a processing liquid to a substrate. In addition, the liquid processing modules have a liquid processing unit, a heat source region, and a fan. The liquid processing unit performs liquid processing on the substrate. The heat source region has a heat source below the liquid processing unit. The fan cools the heat source region.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 {SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD}Substrate processing apparatus and substrate processing method {SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD}

개시의 실시 형태는, 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.An embodiment of the disclosure relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method.

반도체 디바이스 등의 제조 프로세스에서는, 반도체 웨이퍼 등의 기판에 대하여 처리액을 공급하여 액 처리를 행하는 프로세스가 다용되고 있다. 이러한 프로세스로서는, 예를 들면, 세정액에 의한 기판의 세정 처리, 도금액에 의한 기판의 도금 처리, 에칭액에 의한 에칭 처리 등을 들 수 있다.BACKGROUND OF THE INVENTION In manufacturing processes of semiconductor devices and the like, a process of supplying a processing liquid to a substrate such as a semiconductor wafer to perform liquid processing is frequently used. Examples of such a process include a substrate cleaning process using a cleaning solution, a substrate plating process using a plating solution, and an etching process using an etchant.

일본특허공개공보 2014-099528호Japanese Patent Laid-Open No. 2014-099528

본 개시는, 복수의 액 처리 모듈의 사이에 있어서의 액 처리의 온도 불균일을 저감시킬 수 있는 기술을 제공한다.The present disclosure provides a technique capable of reducing temperature unevenness in liquid processing between a plurality of liquid processing modules.

본 개시의 일태양에 따른 기판 처리 장치는, 복수의 액 처리 모듈을 구비한다. 복수의 액 처리 모듈은, 수평 방향 및 수직 방향 중 적어도 일방으로 배열되어 배치되고, 기판에 처리액을 공급하여 액 처리를 행한다. 또한, 상기 액 처리 모듈은 액 처리 유닛과, 열원 영역과, 팬을 가진다. 액 처리 유닛은, 상기 기판에 액 처리를 행한다. 열원 영역은, 상기 액 처리 유닛의 하방에 열원을 가진다. 팬은, 상기 열원 영역을 냉각한다. A substrate processing apparatus according to one aspect of the present disclosure includes a plurality of liquid processing modules. A plurality of liquid processing modules are arranged and arranged in at least one of a horizontal direction and a vertical direction, and perform liquid processing by supplying a processing liquid to a substrate. In addition, the liquid processing module has a liquid processing unit, a heat source region, and a fan. A liquid processing unit performs liquid processing on the substrate. The heat source region has a heat source below the liquid processing unit. A fan cools the heat source region.

본 개시에 따르면, 복수의 액 처리 모듈의 사이에 있어서의 액 처리의 온도 불균일을 저감시킬 수 있다.According to the present disclosure, it is possible to reduce temperature unevenness of liquid processing among a plurality of liquid processing modules.

도 1은 실시 형태에 따른 액 처리 장치의 외관 구성을 나타내는 모식 사시도이다.
도 2는 실시 형태에 따른 액 처리 장치의 모식 평단면도이다.
도 3은 실시 형태에 따른 액 처리 장치의 모식 종단면도이다.
도 4는 실시 형태에 따른 액 처리 모듈의 모식 횡단면도이다.
도 5는 실시 형태에 따른 액 처리 유닛의 구성을 나타내는 모식 측단면도이다.
도 6은 실시 형태에 따른 복수의 액 처리 모듈의 온도 제어 처리를 설명하기 위한 도이다.
도 7은 실시 형태에 따른 복수의 액 처리 모듈의 온도 제어 처리를 설명하기 위한 도이다.
도 8은 실시 형태에 따른 복수의 액 처리 모듈의 온도 제어 처리를 설명하기 위한 도이다.
도 9는 실시 형태에 따른 복수의 액 처리 모듈의 다른 온도 제어 처리를 설명하기 위한 도이다.
도 10은 실시 형태에 따른 복수의 액 처리 모듈의 다른 온도 제어 처리를 설명하기 위한 도이다.
도 11은 실시 형태에 따른 복수의 액 처리 모듈의 또 다른 온도 제어 처리를 설명하기 위한 도이다.
도 12는 실시 형태에 따른 복수의 액 처리 모듈의 또 다른 온도 제어 처리를 설명하기 위한 도이다.
도 13은 실시 형태에 따른 복수의 액 처리 모듈의 배기 처리를 설명하기 위한 도이다.
도 14는 실시 형태에 따른 액 처리 장치가 실행하는 온도 제어 처리의 순서를 나타내는 순서도이다.1 is a schematic perspective view showing an external configuration of a liquid processing device according to an embodiment.
2 is a schematic plan cross-sectional view of a liquid processing device according to an embodiment.
3 is a schematic longitudinal sectional view of a liquid processing device according to an embodiment.
4 is a schematic cross-sectional view of a liquid processing module according to an embodiment.
5 is a schematic side cross-sectional view showing the configuration of a liquid processing unit according to an embodiment.
6 is a diagram for explaining temperature control processing of a plurality of liquid processing modules according to the embodiment;
7 is a diagram for explaining temperature control processing of a plurality of liquid processing modules according to the embodiment;
8 is a diagram for explaining temperature control processing of a plurality of liquid processing modules according to the embodiment;
9 is a diagram for explaining another temperature control process of a plurality of liquid process modules according to the embodiment.
10 is a diagram for explaining another temperature control process of a plurality of liquid process modules according to the embodiment.
11 is a diagram for explaining another temperature control process of a plurality of liquid process modules according to the embodiment.
12 is a diagram for explaining yet another temperature control process of a plurality of liquid process modules according to the embodiment.
13 is a diagram for explaining exhaust processing of a plurality of liquid processing modules according to the embodiment;
14 is a flowchart showing a sequence of temperature control processing executed by the liquid processing device according to the embodiment.

이하, 첨부 도면을 참조하여, 본원이 개시하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법의 실시 형태를 상세하게 설명한다. 또한, 이하에 나타내는 각 실시 형태에 의해 본 개시가 한정되는 것은 아니다. 또한, 도면은 모식적인 것이며, 각 요소의 치수의 관계, 각 요소의 비율 등은, 현실과 상이한 경우가 있는 것에 유의할 필요가 있다. 또한 도면의 상호 간에 있어서도, 서로의 치수의 관계 및 비율이 상이한 부분이 포함되어 있는 경우가 있다.Hereinafter, embodiments of a substrate processing apparatus and a substrate processing method disclosed herein will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In addition, this indication is not limited by each embodiment shown below. In addition, it is necessary to note that the drawings are schematic, and the relationship between the dimensions of each element, the ratio of each element, and the like may differ from reality. Moreover, even in each other of drawings, there may be a case where the relationship and ratio of dimensions are different from each other.

반도체 디바이스 등의 제조 프로세스에서는, 반도체 웨이퍼 등의 기판에 대하여 처리액을 공급하여 액 처리를 행하는 프로세스가 다용되고 있다. 이러한 프로세스로서는, 예를 들면, 세정액에 의한 기판의 세정 처리, 도금액에 의한 기판의 도금 처리, 에칭액에 의한 에칭 처리 등을 들 수 있다.BACKGROUND OF THE INVENTION In manufacturing processes of semiconductor devices and the like, a process of supplying a processing liquid to a substrate such as a semiconductor wafer to perform liquid processing is frequently used. Examples of such a process include a substrate cleaning process using a cleaning solution, a substrate plating process using a plating solution, and an etching process using an etchant.

또한, 이런 종류의 액 처리를 효율적으로 행하기 위하여, 1 개의 액 처리 장치에 복수의 액 처리 모듈이 마련되어 있다.In addition, in order to efficiently perform this type of liquid processing, a plurality of liquid processing modules are provided in one liquid processing device.

그러나, 상기의 종래 기술에서는, 고온으로 사용되는 처리액의 배관 라인의 근처에, 실온으로 사용되는 처리액의 배관 라인이 존재하는 경우, 고온으로 사용되는 처리액의 배관 라인으로부터의 방열에 의해 실온의 처리액의 온도가 상승할 우려가 있다.However, in the prior art described above, when there is a piping line for a processing liquid used at a room temperature near a piping line for a processing liquid used at a high temperature, heat is released from the piping line for a processing liquid used at a high temperature to room temperature. There is a possibility that the temperature of the treatment liquid of

또한, 복수의 액 처리 모듈의 사이에서는, 다음의 기판의 액 처리를 개시할 때까지의 대기 시간이 반드시 일정하지 않은 점에서, 이러한 대기 시간이 길어짐으로써, 실온의 처리액이 더 온도 상승해 버리는 경우가 있다. 즉, 종래 기술에서는, 복수의 액 처리 모듈의 사이에 있어서, 대기 시간의 불균일성에 기인하여 액 처리의 온도 불균일이 생길 우려가 있었다.In addition, since the waiting time until the start of the liquid processing of the next substrate is not always constant between the plurality of liquid processing modules, as this waiting time becomes longer, the temperature of the processing liquid at room temperature rises further. There are cases. That is, in the prior art, between a plurality of liquid processing modules, there is a possibility that temperature non-uniformity of liquid processing may occur due to non-uniformity of waiting time.

따라서, 상술한 문제점을 극복하고, 복수의 액 처리 모듈의 사이에 있어서의 액 처리의 온도 불균일을 저감시킬 수 있는 기술의 실현이 기대되고 있다.Therefore, realization of a technique capable of overcoming the above-mentioned problems and reducing the temperature non-uniformity of liquid processing between a plurality of liquid processing modules is expected.

<액 처리 장치의 구성><Configuration of liquid processing device>

먼저, 실시 형태에 따른 액 처리 장치(1)의 개략 구성에 대하여, 도 1 및 도 2를 참조하여 설명한다. 도 1은 실시 형태에 따른 액 처리 장치(1)의 외관 구성을 나타내는 모식 사시도이며, 도 2는 실시 형태에 따른 액 처리 장치(1)의 모식 평단면도이다. 액 처리 장치(1)는 기판 처리 장치의 일례이다.First, a schematic configuration of the liquid processing device 1 according to the embodiment will be described with reference to FIGS. 1 and 2 . 1 is a schematic perspective view showing an external configuration of a liquid processing device 1 according to an embodiment, and FIG. 2 is a schematic plan cross-sectional view of a liquid processing device 1 according to an embodiment. The liquid processing device 1 is an example of a substrate processing device.

또한 이하에 있어서는, 위치 관계를 명확하게 하기 위하여, 서로 직교하는 X축, Y축 및 Z축을 규정하고, Z축 정방향을 연직 상향 방향으로 한다. 또한, 이하에서는, X축 부방향측을 액 처리 장치의 전방, X축 정방향측을 액 처리 장치의 후방이라 규정한다.In addition, in the following, in order to clarify the positional relationship, the X-axis, Y-axis and Z-axis that are orthogonal to each other are defined, and the positive Z-axis direction is taken as the vertically upward direction. In the following description, the side in the negative X-axis direction is defined as the front of the liquid processing device, and the side in the positive X-axis direction is defined as the rear side of the liquid processing device.

도 1에 나타내는 바와 같이, 실시 형태에 따른 액 처리 장치(1)는, 배치 스테이션(3)과, 반입반출 스테이션(4)과, 전달 스테이션(5)과, 액 처리 스테이션(6)을 구비한다. 이들은, 액 처리 장치(1)의 전방으로부터 후방으로, 배치 스테이션(3), 반입반출 스테이션(4), 전달 스테이션(5) 및 액 처리 스테이션(6)의 순으로 인접하여 배치된다.As shown in FIG. 1 , a liquid processing device 1 according to an embodiment includes a placement station 3, a carry-in/out station 4, a transfer station 5, and a liquid processing station 6. . These are arranged adjacently from the front to the rear of the liquid processing device 1, in the order of the placement station 3, the carry-in/out station 4, the transfer station 5, and the liquid processing station 6.

배치 스테이션(3)은, 복수 매(예를 들면, 25 매)의 웨이퍼(W)를 수평 상태로 수용하는 캐리어(C)가 배치되는 장소이며, 예를 들면 4 개의 캐리어(C)가 반입반출 스테이션(4)의 전벽(前壁)에 밀착시킨 상태로 좌우로 배열되어 배치된다.The placement station 3 is a place where carriers C that accommodate a plurality of wafers W in a horizontal state (for example, 25 sheets) are placed, and for example, four carriers C are carried in and out. They are arranged side by side in a state of being in close contact with the front wall of the station 4.

도 2에 나타내는 바와 같이, 반입반출 스테이션(4)은, 배치 스테이션(3)의 후방(X축 정방향측)에 배치되고, 내부에 기판 반송 장치(41)를 구비한다. 이러한 반입반출 스테이션(4)에서는, 기판 반송 장치(41)가, 배치 스테이션(3)에 배치된 캐리어(C)와 전달 스테이션(5)과의 사이에서 웨이퍼(W)의 반송을 행한다.As shown in FIG. 2 , the carry-in/out station 4 is disposed behind the placement station 3 (on the positive X-axis direction side), and has a substrate transport device 41 inside. In such a carry-in/out station 4 , the substrate transfer device 41 transfers the wafers W between the carrier C disposed in the placement station 3 and the transfer station 5 .

전달 스테이션(5)은, 반입반출 스테이션(4)의 후방에 배치되고, 전달대(51)를 구비한다. 이러한 전달 스테이션(5)에서는, 전달대(51)를 개재하여, 반입반출 스테이션(4)의 기판 반송 장치(41)와, 후술하는 액 처리 스테이션(6)의 기판 반송 장치(61)와의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달이 행해진다.The delivery station 5 is disposed behind the carry-in/out station 4 and includes a delivery table 51 . In such a transfer station 5, between the substrate transfer device 41 of the carry-in/out station 4 and the substrate transfer device 61 of the liquid processing station 6 described later via the transfer table 51, Transfer of the wafer W is performed.

액 처리 스테이션(6)은, 전달 스테이션(5)의 후방에 배치된다. 이러한 액 처리 스테이션(6)에는, Y축 방향 중앙부에 기판 반송 장치(61)가 배치되고, 이러한 기판 반송 장치(61)의 좌우 양측에 각각 복수(여기서는, 5 개씩)의 액 처리 유닛(2)이 전후 방향으로 배열되어 배치된다.The liquid processing station 6 is disposed behind the transfer station 5 . In this liquid processing station 6, a substrate transport device 61 is disposed at the center in the Y-axis direction, and a plurality of liquid processing units 2 (here, five each) are placed on both left and right sides of the substrate transport device 61, respectively. It is arranged and arranged in the front-back direction.

이러한 액 처리 스테이션(6)에서는, 기판 반송 장치(61)가, 전달 스테이션(5)의 전달대(51)와 각 액 처리 유닛(2)과의 사이에서 웨이퍼(W)의 반송을 행하고, 각 액 처리 유닛(2)이, 웨이퍼(W)에 대하여 액 처리를 행한다.In such a liquid processing station 6, the substrate transfer device 61 transfers the wafer W between the transfer table 51 of the transfer station 5 and each liquid processing unit 2, and The liquid processing unit 2 performs liquid processing on the wafer W.

액 처리 유닛(2)은, 웨이퍼(W)에 처리액을 공급함으로써, 웨이퍼(W)에 대하여 정해진 액 처리를 행하는 장치이다. 여기서는, 액 처리 유닛(2)이, 웨이퍼(W)의 세정을 행하는 기판 세정 장치인 경우의 예에 대하여 설명하지만, 액 처리 유닛은, 기판 세정 장치에 한정되지 않는다.The liquid processing unit 2 is a device that performs a predetermined liquid process on the wafer W by supplying a processing liquid to the wafer W. Here, an example in which the liquid processing unit 2 is a substrate cleaning device that cleans the wafer W will be described, but the liquid processing unit is not limited to the substrate cleaning device.

또한, 액 처리 장치(1)는 제어부(9)를 구비한다. 제어부(9)는, 액 처리 장치(1)의 동작을 제어하는 장치이다. 이러한 제어부(9)는, 예를 들면 컴퓨터이며, 도시하지 않는 기억부를 구비한다. 기억부에는, 액 처리 등의 각종 처리를 제어하는 프로그램이 저장된다. 제어부(9)는 기억부에 기억된 프로그램을 읽어내 실행함으로써 액 처리 장치(1)의 동작을 제어한다.In addition, the liquid processing device 1 includes a control unit 9 . The controller 9 is a device that controls the operation of the liquid processing device 1 . Such control unit 9 is, for example, a computer, and includes a storage unit not shown. The storage unit stores programs for controlling various types of processing such as liquid processing. The controller 9 controls the operation of the liquid processing device 1 by reading and executing a program stored in the storage unit.

또한 이러한 프로그램은, 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기록 매체에 기록되어 있던 것으로서, 그 기록 매체로부터 제어부(9)의 기억부에 인스톨된 것이어도 된다. 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기록 매체로서는, 예를 들면 하드 디스크(HD), 플렉시블 디스크(FD), 콤팩트 디스크(CD), 마그넷 옵티컬 디스크(MO), 메모리 카드 등이 있다.In addition, these programs may be those recorded on a computer-readable recording medium, and may be installed in the storage unit of the control unit 9 from the recording medium. Examples of computer-readable recording media include hard disks (HD), flexible disks (FD), compact disks (CD), magnet optical disks (MO), and memory cards.

액 처리 장치(1)에서는, 먼저, 반입반출 스테이션(4)의 기판 반송 장치(41)가, 배치 스테이션(3)에 배치된 캐리어(C)로부터 1 매의 웨이퍼(W)를 취출하고, 취출한 웨이퍼(W)를 전달 스테이션(5)의 전달대(51)에 배치한다. 전달대(51)에 배치된 웨이퍼(W)는, 액 처리 스테이션(6)의 기판 반송 장치(61)에 의해 반송되어, 어느 하나의 액 처리 유닛(2)으로 반입된다.In the liquid processing device 1, first, the substrate transport device 41 of the carry-in/out station 4 takes out one wafer W from the carrier C placed in the placement station 3, and takes it out. One wafer (W) is placed on the transfer table 51 of the transfer station 5 . The wafer W placed on the transfer table 51 is transported by the substrate transfer device 61 of the liquid processing station 6 and carried into one of the liquid processing units 2 .

액 처리 유닛(2)으로 반입된 웨이퍼(W)는, 이러한 액 처리 유닛(2)에 의해 기판 세정 처리가 실시된 후, 기판 반송 장치(61)에 의해 액 처리 유닛(2)으로부터 반출되고, 전달대(51)에 다시 배치된다. 그리고, 전달대(51)에 배치된 처리가 끝난 웨이퍼(W)는, 반입반출 스테이션(4)의 기판 반송 장치(41)에 의해 캐리어(C)로 되돌려진다.The wafer W carried into the liquid processing unit 2 is carried out from the liquid processing unit 2 by the substrate transfer device 61 after the substrate cleaning process is performed by the liquid processing unit 2, It is placed back on the transfer table 51. Then, the processed wafers W disposed on the transfer table 51 are returned to the carrier C by the substrate transfer device 41 of the carry-in/out station 4 .

<액 처리 장치의 배관 라인 구성><Configuration of piping line of liquid processing device>

이어서, 액 처리 장치(1)에 마련되는 각종 배관 라인의 구성에 대하여, 도 3 ~ 도 5를 참조하여 설명한다. 도 3은 실시 형태에 따른 액 처리 장치(1)의 모식 종단면도이다. 도 3에 나타내는 바와 같이, 처리액의 공급 계통은 공급원(80)과, 배관 라인(81 ~ 84)과, 복수의 밸브 박스(85)와, 복수의 통류 제어 유닛(86)을 가진다.Next, the configuration of various piping lines provided in the liquid processing device 1 will be described with reference to FIGS. 3 to 5 . 3 is a schematic longitudinal sectional view of the liquid processing device 1 according to the embodiment. As shown in FIG. 3 , the processing liquid supply system includes a supply source 80 , pipe lines 81 to 84 , a plurality of valve boxes 85 , and a plurality of through-flow control units 86 .

공급원(80)은, 각종 처리액을 공급한다. 공급원(80)은, 예를 들면, 각종 처리액을 개별로 저류하는 복수의 탱크(도시하지 않음)와, 이러한 복수의 탱크에 저류되는 각종 처리액을 대응하는 배관 라인(81 ~ 84)으로 보내는 복수의 펌프(도시하지 않음)를 구비한다.The supply source 80 supplies various processing liquids. The supply source 80 includes, for example, a plurality of tanks (not shown) that individually store various treatment liquids, and various treatment liquids stored in these plurality of tanks are sent to corresponding pipe lines 81 to 84. A plurality of pumps (not shown) are provided.

배관 라인(81 ~ 84)은, 예를 들면, 일단 및 타단이 각각 공급원(80)에 접속되고, 대응하는 처리액의 순환 경로를 형성한다. 배관 라인(81) 및 배관 라인(82)은 열원의 일례이며, 고온의 처리액을 액 처리 유닛(2)으로 공급한다.The pipe lines 81 to 84, for example, have one end and the other end connected to the supply source 80, respectively, and form a circulation path for the corresponding treatment liquid. The piping line 81 and the piping line 82 are examples of heat sources, and supply high-temperature processing liquid to the liquid processing unit 2 .

배관 라인(81)에는, 예를 들면, 공급원(80)으로부터 공급되는 고온의 SC1(암모니아와 과산화수소수와의 혼합액)이 통류한다. 배관 라인(82)에는, 예를 들면, 공급원(80)으로부터 공급되는 고온의 DIW(탈이온수)가 통류한다.High-temperature SC1 (liquid mixture of ammonia and aqueous hydrogen peroxide) supplied from the supply source 80 flows through the pipe line 81, for example. High-temperature DIW (deionized water) supplied from the supply source 80 flows through the pipe line 82 , for example.

배관 라인(83) 및 배관 라인(84)은, 실온의 처리액을 액 처리 유닛(2)으로 공급한다. 배관 라인(83)에는, 예를 들면, 공급원(80)으로부터 공급되는 실온의 DHF(희불산)가 통류한다. 배관 라인(84)에는, 예를 들면, 공급원(80)으로부터 공급되는 실온의 DIW가 통류한다.The piping line 83 and the piping line 84 supply the processing liquid at room temperature to the liquid processing unit 2 . Room temperature DHF (dilute hydrofluoric acid) supplied from the supply source 80 flows through the pipe line 83 , for example. Room temperature DIW supplied from the supply source 80 flows through the pipe line 84 , for example.

복수의 밸브 박스(85)는, 배관 라인(81 ~ 84)을 따라 배치되고, 또한 액 처리 스테이션(6)에 마련되는 복수의 액 처리 유닛(2)의 하방에 각각 배치된다.The plurality of valve boxes 85 are disposed along the pipe lines 81 to 84 and are respectively disposed below the plurality of liquid processing units 2 provided in the liquid processing station 6 .

밸브 박스(85)에는, 통류 제어 유닛(86)이 수용된다. 통류 제어 유닛(86)은, 유량 조절 밸브 및 유량계 등을 포함하는 통류 제어 기기를 평판 형상의 지지 부재에 집약하여 장착한 장치이다.In the valve box 85, the flow control unit 86 is accommodated. The flow control unit 86 is a device in which flow control devices including a flow control valve, a flow meter, and the like are collectively attached to a flat support member.

도 4는 실시 형태에 따른 액 처리 모듈(7)의 모식 횡단면도이다. 실시 형태에 따른 액 처리 장치(1)에서는, 도 4에 나타내는 바와 같이, 1 개의 액 처리 유닛(2)과, 이러한 액 처리 유닛(2)에 대응하는 1 개의 열원 영역(8)으로, 1 개의 액 처리 모듈(7)이 구성된다.4 is a schematic cross-sectional view of the liquid processing module 7 according to the embodiment. In the liquid processing device 1 according to the embodiment, as shown in FIG. 4 , one liquid processing unit 2 and one heat source region 8 corresponding to the liquid processing unit 2 are provided. A liquid processing module 7 is configured.

열원 영역(8)은 상술한 배관 라인(81 ~ 84)과, 밸브 박스(85)와, 통류 제어 유닛(86)에 더하여, 제어 기판(87)을 가진다. 제어 기판(87)은 열원의 일례이며, 통류 제어 유닛(86) 등을 제어한다. 제어 기판(87)은, 예를 들면, 밸브 박스(85)에 수용된다.The heat source region 8 has a control board 87 in addition to the above-described piping lines 81 to 84, a valve box 85, and a flow control unit 86. The control board 87 is an example of a heat source and controls the flow control unit 86 and the like. The control board 87 is housed in the valve box 85, for example.

또한, 열원 영역(8)의 근방에는 온도 센서(91)와, 팬(92)이 마련된다. 온도 센서(91)는, 열원 영역(8)의 온도를 측정한다. 팬(92)은, 열원 영역(8)을 냉각한다. 팬(92)은, 예를 들면, 액 처리 장치(1)의 외부의 분위기를 열원 영역(8)을 향해 취입함으로써, 열원 영역(8)을 냉각한다.Further, a temperature sensor 91 and a fan 92 are provided in the vicinity of the heat source region 8 . The temperature sensor 91 measures the temperature of the heat source region 8 . The fan 92 cools the heat source region 8 . The fan 92 cools the heat source region 8 by blowing an atmosphere outside the liquid processing device 1 toward the heat source region 8, for example.

도 4에 나타내는 바와 같이, 실시 형태에 따른 열원 영역(8)에서는, 열원인 배관 라인(81), 배관 라인(82) 및 제어 기판(87)이, 밸브 박스(85)의 상측에 배치되고, 실온의 처리액이 통류하는 배관 라인(83) 및 배관 라인(84)이, 밸브 박스(85)의 하측에 배치된다.As shown in FIG. 4 , in the heat source region 8 according to the embodiment, a piping line 81 as a heat source, a piping line 82, and a control board 87 are disposed above the valve box 85, A piping line 83 and a piping line 84 through which the treatment liquid at room temperature flows are arranged below the valve box 85 .

이와 같이, 실온의 처리액이 통류하는 배관 라인(83) 및 배관 라인(84)과, 열원을 이간하여 배치함으로써, 실온의 처리액의 온도 상승을 억제할 수 있고, 또한 고온의 처리액의 온도 저하를 억제할 수 있다. 즉, 실시 형태에 따르면, 각종 처리액의 온도 불균일을 저감시킬 수 있다.In this way, by arranging the piping lines 83 and 84 through which the processing liquid at room temperature passes, and the heat source, the temperature rise of the processing liquid at room temperature can be suppressed and the temperature of the high-temperature processing liquid can be suppressed. decline can be prevented. That is, according to the embodiment, temperature nonuniformity of various treatment liquids can be reduced.

액 처리 장치(1)에는, 액 처리 유닛(2)으로 공급된 후의 처리액을 액 처리 장치(1)의 외부로 배출하기 위한 배출 계통도 마련되어 있다. 이러한 배출 계통은, 도 4에 나타내는 바와 같이, 배출용 주배관(100)과, 이러한 배출용 주배관(100)으로부터 처리액마다 분기하는 복수의 배출용 분기관(101, 102)(도 5 참조)을 포함하여 구성된다.The liquid processing device 1 is also provided with a discharge system for discharging the processing liquid supplied to the liquid processing unit 2 to the outside of the liquid processing device 1 . As shown in FIG. 4 , such a discharge system includes a discharge main pipe 100 and a plurality of discharge branch pipes 101 and 102 branching from the discharge main pipe 100 for each treatment liquid (see FIG. 5 ). consists of including

그리고, 도 4에 나타내는 바와 같이, 배출용 주배관(100)과, 배출용 분기관(101, 102)은, 액 처리 스테이션(6)에 배치된다. 각종 처리액은, 웨이퍼(W)(도 5 참조)에 공급된 후, 배출용 주배관(100) 및 배출용 분기관(101, 102)을 지나 액 처리 장치(1)의 외부로 배출된다.And as shown in FIG. 4 , the main pipe 100 for discharge and the branch pipes 101 and 102 for discharge are arranged in the liquid processing station 6 . After the various processing liquids are supplied to the wafer W (see FIG. 5 ), they are discharged to the outside of the liquid processing device 1 through the discharge main pipe 100 and the discharge branch pipes 101 and 102 .

도 5는 실시 형태에 따른 액 처리 유닛(2)의 구성을 나타내는 모식 측단면도다. 도 5에 나타내는 바와 같이, 액 처리 유닛(2)은 회전 플레이트(24)와, 회전 지지부(25)를 구비한다.5 is a schematic side cross-sectional view showing the configuration of the liquid processing unit 2 according to the embodiment. As shown in FIG. 5 , the liquid processing unit 2 includes a rotation plate 24 and a rotation support part 25 .

회전 플레이트(24)는, 웨이퍼(W)를 회전 가능하게 유지한다. 회전 지지부(25)는, 이러한 회전 플레이트(24)를 하면측으로부터 지지하고, 도시하지 않는 회전 모터에 의해 회전 플레이트(24)를 회전시킨다.The rotating plate 24 holds the wafer W rotatably. The rotation support part 25 supports this rotation plate 24 from the lower surface side, and rotates the rotation plate 24 by a rotation motor (not shown).

회전 플레이트(24)는 원판 형상의 부재이며, 그 표면에는 웨이퍼(W)를 유지하는 복수의 유지 부재(241)가 마련되어 있다. 웨이퍼(W)는, 회전 플레이트(24)의 표면보다 상방의 위치에 간극을 개재하여 유지된다. 회전 지지부(25)는, 액 처리 유닛(2)이 배치되는 베이스 플레이트(28) 상에 마련된 축받이부(251)에 회전 가능하게 유지된다.The rotation plate 24 is a disk-shaped member, and a plurality of holding members 241 holding the wafer W are provided on its surface. The wafer W is held at a position above the surface of the rotation plate 24 with a gap therebetween. The rotational support part 25 is rotatably held by the bearing part 251 provided on the base plate 28 on which the liquid processing unit 2 is disposed.

또한, 액 처리 유닛(2)은, 웨이퍼(W)의 표면에 고온의 처리액을 공급하는 제 1 노즐(26)과, 웨이퍼(W)의 표면에 실온의 처리액을 공급하는 제 2 노즐(27)을 구비한다.In addition, the liquid processing unit 2 includes a first nozzle 26 that supplies a high-temperature processing liquid to the surface of the wafer W, and a second nozzle that supplies a room temperature processing liquid to the surface of the wafer W ( 27) is provided.

제 1 노즐(26)은, 제 1 암(261)에 지지되어 있고, 회전 플레이트(24)에 유지된 웨이퍼(W)의 상방의 처리 위치와, 이 처리 위치로부터 퇴피한 퇴피 위치와의 사이에서 이동할 수 있다. 또한, 제 2 노즐(27)은, 제 2 암(271)에 지지되어 있고, 상기 처리 위치와 퇴피 위치와의 사이에서 이동 가능하다.The first nozzle 26 is supported by the first arm 261 and positioned between a processing position above the wafer W held on the rotary plate 24 and a retracted position retracted from the processing position. can move Moreover, the 2nd nozzle 27 is supported by the 2nd arm 271, and is movable between the said processing position and a retracted position.

제 1 노즐(26)은, 개폐 밸브(11) 및 통류 제어 유닛(86)을 개재하여 배관 라인(81)에 접속되고, 또한 개폐 밸브(12) 및 통류 제어 유닛(86)을 개재하여 배관 라인(82)에 접속된다.The 1st nozzle 26 is connected to the piping line 81 via the on-off valve 11 and the through-flow control unit 86, and the piping line through the on-off valve 12 and the flow-through control unit 86. It is connected to (82).

제 2 노즐(27)은, 개폐 밸브(13) 및 통류 제어 유닛(86)을 개재하여 배관 라인(83)에 접속되고, 또한 개폐 밸브(14) 및 통류 제어 유닛(86)을 개재하여 배관 라인(84)에 접속된다.The second nozzle 27 is connected to the piping line 83 via the on-off valve 13 and the flow-through control unit 86, and is further connected to the piping line via the on-off valve 14 and the flow-through control unit 86. It is connected to (84).

실시 형태에서는, 고온의 처리액을 토출하는 제 1 노즐(26)을 지지하는 제 1 암(261)과, 실온의 처리액을 토출하는 제 2 노즐(27)을 지지하는 제 2 암(271)이 개별로 마련된다.In the embodiment, the first arm 261 supporting the first nozzle 26 for discharging the high-temperature processing liquid and the second arm 271 supporting the second nozzle 27 for discharging the processing liquid at room temperature are provided individually.

이 때문에, 실시 형태에서는, 제 1 노즐(26)과 제 2 노즐(27)을 단일의 암에 마련하는 경우와 비교하여, 실온의 처리액의 온도 상승을 억제할 수 있고, 또한 고온의 처리액의 온도 저하를 억제할 수 있다. 즉, 실시 형태에 따르면, 각종 처리액의 온도 불균일을 저감시킬 수 있다.For this reason, in the embodiment, compared to the case where the first nozzle 26 and the second nozzle 27 are provided in a single arm, the temperature rise of the treatment liquid at room temperature can be suppressed, and the treatment liquid at high temperature can be suppressed. temperature decrease can be suppressed. That is, according to the embodiment, temperature nonuniformity of various treatment liquids can be reduced.

또한 본 개시에 있어서, 액 처리 유닛(2)에 마련되는 노즐의 구성은 도 5의 예에 한정되지 않고, 배관 라인(81 ~ 84)에 각각 접속되는 개별의 노즐이 액 처리 유닛(2)에 마련되어 있어도 된다.In the present disclosure, the configuration of nozzles provided in the liquid processing unit 2 is not limited to the example of FIG. 5 , and individual nozzles connected to the pipe lines 81 to 84 are respectively connected to the liquid processing unit 2. may be provided.

또한, 액 처리 유닛(2)은, 회전하는 웨이퍼(W)로부터 털어내진 약액을 받아 외부로 배출하기 위한 컵(23)을 더 구비한다. 컵(23)은, 회전 플레이트(24)에 유지된 웨이퍼(W)를 둘러싸도록 마련된 원환 형상의 부재이며, 저면에 접속된 배출용 주배관(100)을 거쳐, 내부의 처리액을 배출할 수 있다.In addition, the liquid processing unit 2 further includes a cup 23 for receiving and discharging the chemical liquid shaken from the rotating wafer W to the outside. The cup 23 is an annular member provided to surround the wafer W held on the rotating plate 24, and can discharge the processing liquid therein via the main discharge pipe 100 connected to the bottom surface. .

배출용 주배관(100)은, 하류측에 있어서 분기되어, SC1 또는 DHF를 배출하기 위한 배출용 분기관(101)과, DIW를 배출하기 위한 배출용 분기관(102)에 각각 개폐 밸브(15, 16)를 개재하여 접속된다.The discharge main pipe 100 is branched on the downstream side, and the discharge branch pipe 101 for discharging SC1 or DHF and the discharge branch pipe 102 for discharging DIW have opening/closing valves 15, 16) is connected.

또한, 컵(23)의 외방에는, 케이싱(21)이 마련되어 있다. 케이싱(21)의 기판 반송 장치(61)(도 2 참조)와 대향하는 면에는, 도시하지 않는 개폐 도어가 마련되어 있고, 이 개폐 도어를 엶으로써, 기판 반송 장치(61)를 케이싱(21) 내에 진입시킬 수 있다.Further, a casing 21 is provided outside the cup 23 . An opening/closing door (not shown) is provided on a surface of the casing 21 facing the substrate transport device 61 (see FIG. 2 ), and by opening this door, the substrate transport device 61 is placed inside the casing 21 can enter.

<온도 제어 처리><Temperature control processing>

이어서, 실시 형태에 따른 액 처리 장치(1)에 있어서의 온도 제어 처리의 상세에 대하여, 도 6 ~ 도 13을 참조하여 설명한다. 도 6 ~ 도 8은 실시 형태에 따른 복수의 액 처리 모듈(7)의 온도 제어 처리를 설명하기 위한 도이다.Next, details of temperature control processing in the liquid processing device 1 according to the embodiment will be described with reference to FIGS. 6 to 13 . 6 to 8 are diagrams for explaining temperature control processing of a plurality of liquid processing modules 7 according to the embodiment.

또한 이후의 예에서는, 수평 방향으로 배열된 5 개의 액 처리 모듈(7)을, 일방측으로부터 차례로 액 처리 모듈(M1 ~ M5)이라 호칭한다. 또한, 그래프 내에 있어서, 실선으로 나타낸 온도는 현재의 열원 영역(8)의 온도이며, 파선으로 나타낸 온도는 과거의 열원 영역(8)의 온도이며, 일점 쇄선으로 나타낸 온도는 예측되는 장래의 열원 영역(8)의 온도이다.In the following example, the five liquid processing modules 7 arranged in the horizontal direction are referred to as liquid processing modules M1 to M5 sequentially from one side. Further, in the graph, the temperature indicated by the solid line is the temperature of the current heat source region 8, the temperature indicated by the broken line is the temperature of the heat source region 8 in the past, and the temperature indicated by the dotted line is the predicted future heat source region. is the temperature of (8).

도 6에 나타내는 바와 같이, 액 처리 모듈(M1 ~ M5)에 각각 마련되는 복수의 열원 영역(8)(도 4 참조)의 온도에는, 불균일이 생기는 경우가 있다. 이 복수의 열원 영역(8)에 있어서의 온도의 불균일은, 예를 들면, 액 처리 모듈(M1 ~ M5)의 설치 개소의 차이(예를 들면, 배기 덕트의 위치 또는 인접하는 액 처리 모듈(7)의 차이 등)에 기인한다.As shown in FIG. 6 , the temperature of the plurality of heat source regions 8 (see FIG. 4 ) provided in each of the liquid processing modules M1 to M5 may be uneven. The non-uniformity of temperature in the plurality of heat source regions 8 is caused by, for example, a difference in the installation location of the liquid processing modules M1 to M5 (for example, the position of an exhaust duct or adjacent liquid processing modules 7 ). ) due to differences in

또한, 이 복수의 열원 영역(8)에 있어서의 온도의 불균일은, 예를 들면, 액 처리 모듈(M1 ~ M5)에 있어서 배관 라인(81 ~ 84)(도 4 참조)이 공용되고 있음으로써, 상류와 하류에서 처리액의 유량이 바뀌는 것에 기인한다.In addition, the unevenness of the temperature in the plurality of heat source regions 8 is caused by, for example, the piping lines 81 to 84 (see Fig. 4) being shared in the liquid processing modules M1 to M5. This is due to the change in the flow rate of the treatment liquid in the upstream and downstream.

또한, 이 복수의 열원 영역(8)에 있어서의 온도의 불균일은, 예를 들면, 액 처리 모듈(M1 ~ M5)에 있어서의 액 처리의 타이밍의 차이(예를 들면, 메인터넌스 모드에서 액 처리 모듈(7)이 정지하는 것 등)에 기인한다.In addition, the non-uniformity of temperature in the plurality of heat source regions 8 is caused by, for example, a difference in timing of liquid processing in liquid processing modules M1 to M5 (for example, liquid processing module in maintenance mode). (7) stops, etc.).

따라서, 실시 형태에서는, 제어부(9)(도 2 참조)가, 액 처리 모듈(M1 ~ M5)에 각각 마련되는 복수의 팬(92)(도 4 참조)을 개별로 제어한다. 이에 의해, 도 7에 나타내는 바와 같이, 제어부(9)는, 액 처리 모듈(M1 ~ M5)에 마련되는 모든 열원 영역(8)의 온도가 제 1 온도 범위(R1)에 들어가도록 한다. Accordingly, in the embodiment, the controller 9 (see FIG. 2 ) individually controls the plurality of fans 92 (see FIG. 4 ) provided in the liquid processing modules M1 to M5 respectively. As a result, as shown in FIG. 7 , the control unit 9 makes the temperatures of all the heat source regions 8 provided in the liquid processing modules M1 to M5 fall within the first temperature range R1.

이러한 제 1 온도 범위(R1)는 소여의 온도 범위의 일례이며, 예를 들면 온도(T1) ~ 온도(T2)의 범위이다. 또한, 제어부(9)는, 열원 영역(8)의 온도를, 온도 센서(91)(도 4 참조)에 의해 측정한다.This first temperature range R1 is an example of the given temperature range, and is, for example, the range of the temperature T1 to the temperature T2. In addition, the control unit 9 measures the temperature of the heat source region 8 by the temperature sensor 91 (see FIG. 4 ).

그리고, 제어부(9)는, 열원 영역(8)의 온도가 제 1 온도 범위(R1)에 들어간 액 처리 모듈(7)에서만 웨이퍼(W)(도 5 참조)의 액 처리를 행한다. 환언하면, 제어부(9)는, 열원 영역(8)의 온도가 제 1 온도 범위(R1)에 들어가 있지 않은 액 처리 모듈(7)에서는, 웨이퍼(W)의 액 처리를 행하지 않는다.Then, the control unit 9 performs liquid processing on the wafer W (see FIG. 5 ) only in the liquid processing module 7 where the temperature of the heat source region 8 falls within the first temperature range R1. In other words, the control unit 9 does not perform liquid processing of the wafer W in the liquid processing module 7 in which the temperature of the heat source region 8 does not fall within the first temperature range R1.

이에 의해, 열원 영역(8)의 온도 불균일이 큰 액 처리 모듈(7)을 이용하여 액 처리를 실시함으로써, 복수의 액 처리 모듈(7)의 사이에 있어서의 액 처리의 온도 불균일이 커지는 것을 억제할 수 있다. 즉, 실시 형태에 따르면, 복수의 액 처리 모듈(7)의 사이에 있어서의 액 처리의 온도 불균일을 저감시킬 수 있다.Accordingly, by performing the liquid processing using the liquid processing module 7 having a large temperature unevenness in the heat source region 8, an increase in the temperature unevenness of the liquid processing among the plurality of liquid processing modules 7 is suppressed. can do. That is, according to the embodiment, it is possible to reduce temperature unevenness of liquid processing between the plurality of liquid processing modules 7 .

또한 상기의 예에서는, 제어부(9)가, 열원 영역(8)의 온도가 제 1 온도 범위(R1)에 들어가 있지 않은 액 처리 모듈(7)에 있어서, 웨이퍼(W)의 액 처리를 행하지 않는 예에 대하여 나타냈지만, 본 개시는 이러한 예에 한정되지 않는다.Further, in the above example, the control unit 9 does not perform liquid processing of the wafer W in the liquid processing module 7 in which the temperature of the heat source region 8 is not within the first temperature range R1. Although shown with respect to examples, this disclosure is not limited to these examples.

예를 들면, 열원 영역(8)의 온도가 제 1 온도 범위(R1)에 들어가 있지 않은 액 처리 모듈(7)에 있어서, 제어부(9)는, 처리 대상인 웨이퍼(W)와는 상이한 개소(예를 들면, 더미 웨이퍼 또는 처리액의 배출구 등)에 처리액을 토출해도 된다.For example, in the liquid processing module 7 in which the temperature of the heat source region 8 does not fall within the first temperature range R1, the control unit 9 is located at a location different from that of the wafer W to be processed (for example, For example, the processing liquid may be discharged to a dummy wafer or a processing liquid outlet, etc.).

이에 의해, 열원 영역(8) 내에 장기간 체류함으로써 온도가 불균일해진 처리액을 배관 라인(81 ~ 84)으로부터 배출할 수 있는 점에서, 토출되는 처리액의 온도 불균일을 저감시킬 수 있다.As a result, the treatment liquid whose temperature has become uneven due to long-term stay in the heat source region 8 can be discharged from the pipe lines 81 to 84, and thus the temperature unevenness of the discharged treatment liquid can be reduced.

또한 제어부(9)는, 모든 열원 영역(8)의 온도가 제 1 온도 범위(R1)에 들어간 후에도, 복수의 팬(92)을 개별로 제어하여, 각 열원 영역(8)의 온도 제어를 계속한다. 그리고, 실시 형태에서는, 도 8에 나타내는 바와 같이, 액 처리 모듈(M1 ~ M5)에 마련되는 모든 열원 영역(8)의 온도를, 각 열원 영역(8)의 평균 온도(Ta)에 근접하도록 한다.Further, the control unit 9 individually controls the plurality of fans 92 even after the temperatures of all the heat source regions 8 fall within the first temperature range R1, and continues to control the temperature of each heat source region 8. do. In the embodiment, as shown in FIG. 8 , the temperature of all the heat source regions 8 provided in the liquid processing modules M1 to M5 is made close to the average temperature Ta of each heat source region 8. .

이에 의해, 복수의 열원 영역(8)의 온도 불균일을 더 저감시킬 수 있는 점에서, 복수의 액 처리 모듈(7)의 사이에 있어서의 액 처리의 온도 불균일을 더 저감시킬 수 있다.As a result, since the temperature unevenness of the plurality of heat source regions 8 can be further reduced, the temperature unevenness of liquid processing between the plurality of liquid processing modules 7 can be further reduced.

또한, 실시 형태에서는, 도 8에 나타내는 바와 같이, 제어부(9)가, 액 처리 모듈(M1 ~ M5)에 마련되는 모든 열원 영역(8)의 온도가 제 2 온도 범위(R2)에 들어가도록 제어해도 된다. 이러한 제 2 온도 범위(R2)는, 제 1 온도 범위(R1)에 포함되고, 또한 이러한 제 1 온도 범위(R1)보다 좁은 온도 범위(예를 들면, 온도(T3) ~ 온도(T4)의 범위)이다.In the embodiment, as shown in FIG. 8 , the controller 9 controls the temperature of all heat source regions 8 provided in the liquid processing modules M1 to M5 to fall within the second temperature range R2. You can do it. The second temperature range R2 is included in the first temperature range R1 and is narrower than the first temperature range R1 (for example, the range of the temperature T3 to the temperature T4). )to be.

이에 의해서도, 복수의 열원 영역(8)의 온도 불균일을 더 저감시킬 수 있는 점에서, 복수의 액 처리 모듈(7)의 사이에 있어서의 액 처리의 온도 불균일을 더 저감시킬 수 있다.Also by this, since the temperature unevenness of the plurality of heat source regions 8 can be further reduced, the temperature unevenness of liquid processing between the plurality of liquid processing modules 7 can be further reduced.

도 9 및 도 10은 실시 형태에 따른 복수의 액 처리 모듈(7)의 다른 온도 제어 처리를 설명하기 위한 도이다. 도 9에 나타내는 바와 같이, 현시점에서 모든 열원 영역(8)의 온도가 제 1 온도 범위(R1)에 들어가 있는 경우에도, 각 모듈에서 예정된 가동률의 대소에 따라서는, 장래 적어도 일부의 열원 영역(8)의 온도가 제 1 온도 범위(R1)로부터 벗어날 가능성이 있다. 9 and 10 are diagrams for explaining other temperature control processing of the plurality of liquid processing modules 7 according to the embodiment. As shown in FIG. 9 , even when the temperature of all heat source regions 8 is within the first temperature range R1 at present, depending on the magnitude of the operation rate scheduled for each module, at least some of the heat source regions 8 in the future There is a possibility that the temperature of ) deviates from the first temperature range R1.

예를 들면, 도 9의 예에서는, 액 처리 모듈(M2) 및 액 처리 모듈(M3)의 예정 가동률이 크기 때문에, 열원 영역(8)의 온도가 장래 제 1 온도 범위(R1)로부터 벗어난다고 예측된다. 특히, 도 9의 예에서는, 액 처리 모듈(M3)의 열원 영역(8)의 온도가 장래 제 1 온도 범위(R1)로부터 크게 벗어난다고 예측된다.For example, in the example of FIG. 9 , since the expected operating rates of the liquid processing module M2 and the liquid processing module M3 are large, it is predicted that the temperature of the heat source region 8 will deviate from the first temperature range R1 in the future. do. In particular, in the example of FIG. 9 , it is predicted that the temperature of the heat source region 8 of the liquid processing module M3 will greatly deviate from the first temperature range R1 in the future.

따라서, 실시 형태에서는, 제어부(9)가, 먼저 액 처리 모듈(M1 ~ M5)에서 예정되어 있는 액 처리의 스케줄 등에 기초하여, 액 처리 모듈(M1 ~ M5)의 예정 가동률을 구한다.Accordingly, in the embodiment, the control unit 9 first obtains the scheduled operation rate of the liquid processing modules M1 to M5 based on the schedule of the liquid processing scheduled in the liquid processing modules M1 to M5.

이어서, 제어부(9)는, 구해진 액 처리 모듈(M1 ~ M5)의 예정 가동률에 기초하여, 액 처리 모듈(M1 ~ M5)에 있어서의 장래의 열원 영역(8)의 온도를 예측한다. 그리고, 제어부(9)는, 예측된 장래의 열원 영역(8)의 온도에 기초하여, 도 10에 나타내는 바와 같이, 액 처리 모듈(M1 ~ M5)에 각각 마련되는 팬(92)을 개별로 제어한다.Next, the control unit 9 predicts the temperature of the future heat source region 8 in the liquid processing modules M1 to M5 based on the obtained expected operating rates of the liquid processing modules M1 to M5. And, based on the temperature of the predicted future heat source region 8, the controller 9 individually controls the fans 92 provided in the liquid processing modules M1 to M5, respectively, as shown in FIG. 10 . do.

예를 들면, 도 10의 예에서는, 예정 가동률이 크기 때문에, 액 처리 모듈(M3)의 열원 영역(8)의 온도가 제 1 온도 범위(R1)를 크게 벗어난다고 예측되는 점에서, 제어부(9)는, 액 처리 모듈(M3)의 팬(92)을 높은 회전수로 제어한다.For example, in the example of FIG. 10 , since the expected operation rate is large, it is predicted that the temperature of the heat source region 8 of the liquid processing module M3 is largely out of the first temperature range R1, so the control unit 9 ) controls the fan 92 of the liquid processing module M3 to a high rotation speed.

한편, 예정 가동률이 작기 때문에, 액 처리 모듈(M1)의 열원 영역(8)의 온도는 제 1 온도 범위(R1)를 벗어나지 않는다고 예측되는 점에서, 제어부(9)는, 액 처리 모듈(M1)의 팬(92)을 낮은 회전수로 제어한다.On the other hand, since it is predicted that the temperature of the heat source region 8 of the liquid processing module M1 will not deviate from the first temperature range R1 because the scheduled operation rate is small, the control unit 9 determines that the liquid processing module M1 The fan 92 of is controlled at a low rotational speed.

이와 같이, 실시 형태에서는, 액 처리 모듈(M1 ~ M5)의 예정 가동률에 기초하여 장래의 열원 영역(8)의 온도를 예측하고, 예측된 장래의 열원 영역(8)의 온도에 기초하여, 액 처리 모듈(M1 ~ M5)에 각각 마련되는 팬(92)을 개별로 제어해도 된다.In this way, in the embodiment, the temperature of the future heat source region 8 is predicted based on the expected operation rates of the liquid processing modules M1 to M5, and based on the predicted temperature of the future heat source region 8, the liquid The fans 92 provided in each of the processing modules M1 to M5 may be individually controlled.

이에 의해, 복수의 액 처리 모듈(7)의 사이에 있어서의 가동률이 크게 불균일해진 경우에도, 복수의 액 처리 모듈(7)의 사이에 있어서의 액 처리의 온도 불균일을 저감시킬 수 있다.This makes it possible to reduce temperature unevenness of liquid processing between the plurality of liquid processing modules 7 even when the operating rates among the plurality of liquid processing modules 7 are greatly non-uniform.

도 11 및 도 12는 실시 형태에 따른 복수의 액 처리 모듈(7)의 또 다른 온도 제어 처리를 설명하기 위한 도이다. 도 11에 나타내는 바와 같이, 액 처리 모듈(M1 ~ M5)에 각각 마련되는 복수의 열원 영역(8)(도 4 참조)의 냉각 용이성에는, 불균일이 생기는 경우가 있다.11 and 12 are diagrams for explaining another temperature control process of the plurality of liquid process modules 7 according to the embodiment. As shown in FIG. 11 , unevenness may occur in the ease of cooling of the plurality of heat source regions 8 (see FIG. 4 ) respectively provided in the liquid processing modules M1 to M5.

이 복수의 열원 영역(8)에 있어서의 냉각 용이성의 불균일은, 예를 들면, 액 처리 모듈(M1 ~ M5)의 설치 개소의 차이(예를 들면, 배기 덕트의 위치 또는 인접하는 액 처리 모듈(7)의 차이 등)에 기인한다.The unevenness in the ease of cooling in the plurality of heat source regions 8 is caused by, for example, differences in installation locations of the liquid processing modules M1 to M5 (for example, the positions of exhaust ducts or adjacent liquid processing modules ( 7), etc.).

또한, 이 복수의 열원 영역(8)에 있어서의 냉각 용이성의 불균일은, 예를 들면, 액 처리 모듈(M1 ~ M5)에 있어서 배관 라인(81 ~ 84)이 공용되고 있는 점에서, 상류와 하류에서 유량이 바뀌는 것에 기인한다.In addition, the unevenness in the ease of cooling in the plurality of heat source regions 8 is due to the fact that, for example, the piping lines 81 to 84 are shared in the liquid processing modules M1 to M5, upstream and downstream. This is due to the change in flow rate in

또한, 이 복수의 열원 영역(8)에 있어서의 냉각 용이성의 불균일은, 예를 들면, 액 처리 모듈(M1 ~ M5)에 있어서의 액 처리의 타이밍의 차이(예를 들면, 메인터넌스 모드에서 액 처리 모듈(7)이 정지하는 것 등)에 기인한다.In addition, unevenness in the ease of cooling in the plurality of heat source regions 8 is caused by, for example, differences in timing of liquid processing in the liquid processing modules M1 to M5 (for example, liquid processing in maintenance mode). module 7 stops, etc.).

그리고, 실시 형태에서는, 복수의 열원 영역(8)에 있어서의 냉각 용이성의 불균일이 존재하는 것에 의해, 각 모듈에 있어서 동일한 회전수로 팬(92)을 회전시킨 경우에도, 동일하게는 냉각할 수 없을 가능성이 있다.And, in the embodiment, since there is unevenness in the ease of cooling in the plurality of heat source regions 8, even when the fan 92 is rotated at the same rotation speed in each module, cooling can be performed in the same way. there is a possibility that there is no

예를 들면, 도 11의 예에서는, 액 처리 모듈(M3)이 냉각되기 어렵기 때문에, 다른 액 처리 모듈(7)과 동일한 회전수로 팬(92)을 회전시킨 경우에도, 제 1 온도 범위(R1)에 들어가기 어렵다고 예측된다.For example, in the example of FIG. 11 , since the liquid processing module M3 is difficult to cool, even when the fan 92 is rotated at the same rotational speed as the other liquid processing modules 7, the first temperature range ( R1) is predicted to be difficult to enter.

따라서, 실시 형태에서는, 제어부(9)가, 먼저 액 처리 모듈(M1 ~ M5)에 마련되는 열원 영역(8)의 각각의 냉각 용이성을 구한다. 예를 들면, 실시 형태에서는, 액 처리 모듈(M1 ~ M5)의 대기 시간에 있어서, 모든 배관 라인에 대하여 팬(92)의 송풍량을 일정하게 하여, 온도의 내려간 정도를 온도 센서(91)에 의해 측정함으로써, 열원 영역(8)의 각각의 냉각 용이성을 구할 수 있다.Therefore, in the embodiment, the control unit 9 first obtains the ease of cooling of each of the heat source regions 8 provided in the liquid processing modules M1 to M5. For example, in the embodiment, during the waiting time of the liquid processing modules M1 to M5, the air flow rate of the fan 92 is kept constant for all piping lines, and the degree of temperature drop is measured by the temperature sensor 91. By measuring, the ease of cooling of each of the heat source regions 8 can be obtained.

이어서, 제어부(9)는, 구해진 열원 영역(8)의 냉각 용이성에 기초하여, 액 처리 모듈(M1 ~ M5)에 각각 마련되는 팬(92)을 개별로 제어한다.Subsequently, the controller 9 individually controls the fans 92 provided in each of the liquid processing modules M1 to M5 based on the calculated ease of cooling of the heat source region 8 .

예를 들면, 도 12의 예에서는, 액 처리 모듈(M3)의 열원 영역(8)이 냉각하기 어렵다고 구해진 점에서, 제어부(9)는, 액 처리 모듈(M3)의 팬(92)을 높은 회전수로 제어한다. 한편, 액 처리 모듈(M1)의 열원 영역(8)은 냉각하기 쉽다고 구해진 점에서, 제어부(9)는, 액 처리 모듈(M1)의 팬(92)을 낮은 회전수로 제어한다.For example, in the example of FIG. 12 , since it is determined that the heat source region 8 of the liquid processing module M3 is difficult to cool, the control unit 9 rotates the fan 92 of the liquid processing module M3 at a high speed. control by numbers On the other hand, since it is determined that the heat source region 8 of the liquid processing module M1 is easy to cool, the controller 9 controls the fan 92 of the liquid processing module M1 to a low rotational speed.

이와 같이, 실시 형태에서는, 액 처리 모듈(M1 ~ M5)에 있어서의 열원 영역(8)의 냉각 용이성에 기초하여, 액 처리 모듈(M1 ~ M5)에 각각 마련되는 팬(92)을 개별로 제어해도 된다.In this way, in the embodiment, the fans 92 provided in the liquid processing modules M1 to M5 are individually controlled based on the ease of cooling the heat source regions 8 in the liquid processing modules M1 to M5. You can do it.

이에 의해, 복수의 액 처리 모듈(7)의 사이에서 열원 영역(8)의 냉각 용이성이 불균일해진 경우에도, 복수의 액 처리 모듈(7)의 사이에 있어서의 액 처리의 온도 불균일을 저감시킬 수 있다.Accordingly, even when the ease of cooling of the heat source region 8 is non-uniform among the plurality of liquid processing modules 7, the temperature non-uniformity of liquid processing among the plurality of liquid processing modules 7 can be reduced. have.

도 13은 실시 형태에 따른 복수의 액 처리 모듈(7)의 배기 처리를 설명하기 위한 도이다. 수평 방향으로 배열되어 배치되는 복수의 열원 영역(8)은, 도 13에 나타내는 바와 같이 서로 이어져 있는 한 무리의 열원 영역(8A)으로서 구성된다.13 is a diagram for explaining exhaust processing of a plurality of liquid processing modules 7 according to the embodiment. As shown in Fig. 13, the plurality of heat source regions 8 arranged in a row in the horizontal direction are constituted as a group of heat source regions 8A connected to each other.

그리고, 실시 형태에 따른 액 처리 장치(1)는, 한 무리의 열원 영역(8A) 내의 분위기를 배출하는 배출구(93)를 가진다. 이에 의해, 팬(92)에 의해 열원 영역(8)에 공급되는 풍량이 커진 경우에, 열원 영역(8)의 분위기가 예기치 못한 개소로부터 유출되는 것을 억제할 수 있다.And, the liquid processing device 1 according to the embodiment has an outlet 93 for discharging the atmosphere in the group of heat source regions 8A. Accordingly, when the air volume supplied to the heat source region 8 by the fan 92 is increased, the atmosphere of the heat source region 8 can be suppressed from flowing out from an unexpected location.

또한, 실시 형태에서는, 제어부(9)가, 복수의 팬(92)의 회전수에 따라, 배출구(93)로부터의 배기량을 제어하면 된다. 예를 들면, 제어부(9)는, 복수의 팬(92)의 회전수에 따라, 배출구(93)의 개방도를 조정하면 된다. 이에 의해, 열원 영역(8)의 압력 환경을 일정하게 할 수 있다.In the embodiment, the controller 9 may control the amount of exhaust from the outlet 93 according to the rotational speed of the plurality of fans 92 . For example, the controller 9 may adjust the opening degree of the discharge port 93 according to the number of rotations of the plurality of fans 92 . Thereby, the pressure environment of the heat source area|region 8 can be made constant.

실시 형태에 따른 기판 처리 장치(액 처리 장치(1))는, 복수의 액 처리 모듈(7)과 제어부(9)를 구비한다. 복수의 액 처리 모듈(7)은, 수평 방향 및 수직 방향 중 적어도 일방으로 배열되어 배치되고, 기판(웨이퍼(W))에 처리액을 공급하여 액 처리를 행한다. 제어부(9)는, 각 부를 제어한다. 또한, 액 처리 모듈(7)은 액 처리 유닛(2)과, 열원 영역(8)과, 온도 센서(91)와, 팬(92)을 가진다. 액 처리 유닛(2)은, 기판(웨이퍼(W))에 액 처리를 행한다. 열원 영역(8)은 열원(배관 라인(81), 배관 라인(82), 제어 기판(87))을 가진다. 온도 센서(91)는, 열원 영역(8)의 온도를 측정한다. 팬(92)은, 열원 영역(8)을 냉각한다. 또한, 제어부(9)는, 복수의 열원 영역(8)의 온도가 모두 소여의 온도 범위(제 1 온도 범위(R1))에 들어가도록, 복수의 팬(92)을 개별로 제어한다. 이에 의해, 복수의 액 처리 모듈(7)의 사이에 있어서의 액 처리의 온도 불균일을 저감시킬 수 있다.The substrate processing apparatus (liquid processing apparatus 1) according to the embodiment includes a plurality of liquid processing modules 7 and a control unit 9. The plurality of liquid processing modules 7 are arranged and arranged in at least one of a horizontal direction and a vertical direction, and perform liquid processing by supplying a processing liquid to a substrate (wafer W). The control unit 9 controls each unit. In addition, the liquid processing module 7 has a liquid processing unit 2, a heat source region 8, a temperature sensor 91, and a fan 92. The liquid processing unit 2 performs liquid processing on a substrate (wafer W). The heat source region 8 has a heat source (piping line 81, piping line 82, control board 87). The temperature sensor 91 measures the temperature of the heat source region 8 . The fan 92 cools the heat source region 8 . Further, the controller 9 individually controls the plurality of fans 92 so that the temperatures of the plurality of heat source regions 8 all fall within a given temperature range (first temperature range R1). In this way, it is possible to reduce temperature non-uniformity of liquid processing among the plurality of liquid processing modules 7 .

또한, 실시 형태에 따른 기판 처리 장치(액 처리 장치(1))에 있어서, 열원 영역(8)은, 복수의 액 처리 모듈(7)에 걸쳐 배치되고, 처리액이 통류하는 배관 라인(81 ~ 84)을 가진다. 이에 의해, 개별의 액 처리 모듈(7)에 각각 개별의 배관 라인을 잇는 경우에 비해, 배관 라인(81 ~ 84)의 구성을 간소화할 수 있다.Further, in the substrate processing device (liquid processing device 1) according to the embodiment, the heat source region 8 is disposed over the plurality of liquid processing modules 7, and the piping lines 81 to 81 through which the processing liquid flows. 84). This makes it possible to simplify the configuration of the piping lines 81 to 84 compared to the case where individual piping lines are connected to the individual liquid processing modules 7 respectively.

또한, 실시 형태에 따른 기판 처리 장치(액 처리 장치(1))에 있어서, 제어부(9)는, 소여의 온도 범위(제 1 온도 범위(R1))를 벗어나 있는 열원 영역(8)을 가지는 액 처리 모듈(7)에서는, 기판(웨이퍼(W))의 액 처리를 행하지 않는다. 이에 의해, 액 처리의 불량에 기인하는 웨이퍼(W)의 수율 저하를 억제할 수 있다.Further, in the substrate processing apparatus (liquid processing apparatus 1) according to the embodiment, the control unit 9 includes a liquid having a heat source region 8 out of a given temperature range (first temperature range R1). In the processing module 7, liquid processing of the substrate (wafer W) is not performed. Accordingly, it is possible to suppress a decrease in the yield of the wafers W due to defects in liquid processing.

또한, 실시 형태에 따른 기판 처리 장치(액 처리 장치(1))에 있어서, 제어부(9)는, 소여의 온도 범위(제 1 온도 범위(R1))를 벗어나 있는 열원 영역(8)을 가지는 액 처리 모듈(7)에서는, 기판(웨이퍼(W))과는 상이한 개소에 처리액을 토출한다. 이에 의해, 액 처리의 불량에 기인하는 웨이퍼(W)의 수율 저하를 억제할 수 있다.Further, in the substrate processing apparatus (liquid processing apparatus 1) according to the embodiment, the control unit 9 includes a liquid having a heat source region 8 out of a given temperature range (first temperature range R1). In the processing module 7, the processing liquid is discharged to a location different from that of the substrate (wafer W). Accordingly, it is possible to suppress a decrease in the yield of the wafers W due to defects in liquid processing.

또한, 실시 형태에 따른 기판 처리 장치(액 처리 장치(1))에 있어서, 제어부(9)는, 모든 열원 영역(8)이 소여의 온도 범위(제 1 온도 범위(R1))에 들어가 있는 경우, 모든 열원 영역(8)의 평균 온도(Ta)를 목표값으로서, 복수의 팬(92)을 개별로 제어한다. 이에 의해, 복수의 액 처리 모듈(7)의 사이에 있어서의 액 처리의 온도 불균일을 더 저감시킬 수 있다.In addition, in the substrate processing apparatus (liquid processing apparatus 1) according to the embodiment, the control unit 9 is configured when all of the heat source regions 8 are within a predetermined temperature range (first temperature range R1). , the plurality of fans 92 are individually controlled using the average temperature Ta of all heat source regions 8 as a target value. In this way, it is possible to further reduce temperature unevenness of liquid processing among the plurality of liquid processing modules 7 .

또한, 실시 형태에 따른 기판 처리 장치(액 처리 장치(1))에 있어서, 제어부(9)는, 미리 설정된 기판(웨이퍼(W))의 처리 스케줄에 기초하여, 열원 영역(8)이 소여의 온도 범위(제 1 온도 범위(R1))에 들어가 있는 경우라도 팬(92)을 제어한다. 이에 의해, 복수의 액 처리 모듈(7)의 사이에 있어서의 가동률이 크게 불균일해진 경우에도, 복수의 액 처리 모듈(7)의 사이에 있어서의 액 처리의 온도 불균일을 저감시킬 수 있다.In addition, in the substrate processing apparatus (liquid processing apparatus 1) according to the embodiment, the control unit 9 determines that the heat source region 8 is determined based on a predetermined processing schedule of the substrate (wafer W). The fan 92 is controlled even when it is in the temperature range (first temperature range R1). This makes it possible to reduce temperature unevenness of liquid processing between the plurality of liquid processing modules 7 even when the operating rates among the plurality of liquid processing modules 7 are greatly non-uniform.

또한, 실시 형태에 따른 기판 처리 장치(액 처리 장치(1))에 있어서, 제어부(9)는, 각각의 열원 영역(8)의 냉각 용이성에 따라, 복수의 팬(92)을 개별로 제어한다. 이에 의해, 복수의 액 처리 모듈(7)의 사이에서 열원 영역(8)의 냉각 용이성이 불균일해진 경우에도, 복수의 액 처리 모듈(7)의 사이에 있어서의 액 처리의 온도 불균일을 저감시킬 수 있다.Further, in the substrate processing apparatus (liquid processing apparatus 1) according to the embodiment, the controller 9 individually controls the plurality of fans 92 according to the ease of cooling of each heat source region 8. . Accordingly, even when the ease of cooling of the heat source region 8 is non-uniform among the plurality of liquid processing modules 7, the temperature non-uniformity of liquid processing among the plurality of liquid processing modules 7 can be reduced. have.

또한, 실시 형태에 따른 기판 처리 장치(액 처리 장치(1))는, 복수의 열원 영역(8)의 분위기를 배출하는 배출구(93)를 더 구비한다. 또한, 제어부(9)는, 복수의 팬(92)의 회전수에 따라, 배출구(93)로부터의 배기량을 제어한다. 이에 의해, 열원 영역(8)의 압력 환경을 일정하게 할 수 있다.Further, the substrate processing device (liquid processing device 1 ) according to the embodiment further includes an exhaust port 93 for discharging the atmosphere of the plurality of heat source regions 8 . In addition, the controller 9 controls the amount of exhaust from the outlet 93 according to the rotational speed of the plurality of fans 92 . Thereby, the pressure environment of the heat source area|region 8 can be made constant.

<온도 제어 처리의 순서><Sequence of temperature control processing>

이어서, 실시 형태에 따른 온도 제어 처리의 순서에 대하여, 도 14를 참조하여 설명한다. 도 14는 실시 형태에 따른 액 처리 장치(1)가 실행하는 온도 제어 처리의 순서를 나타내는 순서도이다.Next, the sequence of temperature control processing according to the embodiment will be described with reference to FIG. 14 . 14 is a flowchart showing a sequence of temperature control processing executed by the liquid processing device 1 according to the embodiment.

실시 형태에 따른 온도 처리에서는, 먼저, 제어부(9)가, 모든 열원 영역(8)의 온도가 제 1 온도 범위(R1)에 들어가 있는지 여부를 판정한다(단계(S101)). 그리고, 적어도 일부의 열원 영역(8)의 온도가 제 1 온도 범위(R1)에 들어가 있지 않은 경우(단계(S101), No), 제어부(9)는, 모든 열원 영역(8)의 온도가 제 1 온도 범위(R1)에 들어가도록 복수의 팬(92)을 개별로 제어한다(단계(S102)). In the temperature processing according to the embodiment, first, the control unit 9 determines whether or not the temperatures of all the heat source regions 8 fall within the first temperature range R1 (step S101). Then, when the temperature of at least part of the heat source regions 8 does not fall within the first temperature range R1 (step S101, No), the control unit 9 determines that the temperatures of all the heat source regions 8 are not within the first temperature range R1. A plurality of fans 92 are individually controlled so as to enter one temperature range R1 (step S102).

이어서, 제어부(9)가, 모든 열원 영역(8)의 온도가 제 1 온도 범위(R1)에 들어가 있는지 여부를 판정한다(단계(S103)). 그리고, 적어도 일부의 열원 영역(8)의 온도가 제 1 온도 범위(R1)에 들어가 있지 않은 경우(단계(S103), No), 제어부(9)는, 제 1 온도 범위(R1)에 들어가기 위하여 소여의 시간(예를 들면, 60 초) 이상의 시간이 필요한지 여부를 판정한다(단계(S104)).Next, the controller 9 determines whether or not the temperatures of all the heat source regions 8 fall within the first temperature range R1 (step S103). Then, when the temperature of at least part of the heat source region 8 does not fall within the first temperature range R1 (step S103, No), the control unit 9 sets the temperature to enter the first temperature range R1. It is determined whether or not a given period of time (e.g., 60 seconds) or more is required (step S104).

그리고, 제 1 온도 범위(R1)에 들어가기 위하여 소여의 시간 이상의 시간이 필요한 경우(단계(S104), Yes), 제어부(9)는, 당해 열원 영역(8)을 가지는 액 처리 모듈(7)에 있어서, 웨이퍼(W)와는 상이한 개소에 처리액을 토출한다(단계(S105)). 그리고, 제어부(9)는, 일련의 온도 제어 처리를 종료한다.And, if more than the given time is required to enter the first temperature range R1 (step S104, Yes), the control unit 9 sends the liquid processing module 7 having the heat source region 8 to , the processing liquid is discharged to a location different from that of the wafer W (step S105). Then, the controller 9 ends a series of temperature control processes.

한편, 제 1 온도 범위(R1)에 들어가기 위하여 소여의 시간 이상의 시간이 필요하지 않은 경우(단계(S104), No), 제어부(9)는, 단계(S102)의 처리로 돌아온다.On the other hand, in order to enter the 1st temperature range R1, when time longer than the given time is not required (step S104, No), the control part 9 returns to the process of step S102.

또한, 단계(S101)의 처리에서, 모든 열원 영역(8)의 온도가 제 1 온도 범위(R1)에 들어가 있는 경우(단계(S101), Yes), 제어부(9)는, 모든 열원 영역(8)의 평균 온도(Ta)를 목표값으로서, 복수의 팬(92)을 개별로 제어한다(단계(S106)). 그리고, 제어부(9)는, 일련의 온도 제어 처리를 종료한다.Further, in the process of step S101, when the temperatures of all the heat source regions 8 fall within the first temperature range R1 (step S101, Yes), the controller 9 controls all the heat source regions 8 ) as a target value, the plurality of fans 92 are individually controlled (step S106). Then, the controller 9 ends a series of temperature control processes.

또한, 단계(S103)의 처리에서, 모든 열원 영역(8)의 온도가 제 1 온도 범위(R1)에 들어가 있는 경우(단계(S103), Yes), 제어부(9)는, 단계(S106)의 처리로 이행된다.Further, in the process of step S103, when the temperatures of all the heat source regions 8 fall within the first temperature range R1 (step S103, Yes), the control unit 9 determines the temperature of step S106. processing is carried out

실시 형태에 따른 기판 처리 방법은, 상술한 액 처리 장치(1)에 있어서, 복수의 열원 영역(8)의 온도가 모두 소여의 온도 범위(제 1 온도 범위(R1))에 들어가도록, 복수의 팬(92)을 개별로 제어하는 공정을 포함한다. 이에 의해, 복수의 액 처리 모듈(7)의 사이에 있어서의 액 처리의 온도 불균일을 저감시킬 수 있다.In the substrate processing method according to the embodiment, in the liquid processing device 1 described above, a plurality of heat source regions 8 are all within a given temperature range (first temperature range R1). The process of individually controlling the fans 92 is included. In this way, it is possible to reduce temperature non-uniformity of liquid processing among the plurality of liquid processing modules 7 .

이상, 본 개시의 실시 형태에 대하여 설명했지만, 본 개시는 상기의 실시 형태에 한정되는 것은 아니며, 그 취지를 일탈하지 않는 한에 있어서 각종 변경이 가능하다.As mentioned above, although embodiment of this indication was described, this indication is not limited to said embodiment, Various changes are possible unless it deviate from the meaning.

금회 개시된 실시 형태는 모든 점에서 예시로 제한적인 것은 아니라고 생각되어야 한다. 실로, 상기한 실시 형태는 다양한 형태로 구현될 수 있다. 또한, 상기의 실시 형태는 첨부한 특허 청구의 범위 및 그 취지를 일탈하지 않고, 다양한 형태로 생략, 치환, 변경되어도 된다.It should be thought that the embodiment disclosed this time is not limited to an example at all points. Indeed, the above embodiments may be implemented in various forms. In addition, the above embodiment may be omitted, substituted, or changed in various forms without departing from the scope of the appended claims and the gist thereof.

Claims (10)

수평 방향 및 수직 방향 중 적어도 일방으로 배열되어 배치되고, 기판에 처리액을 공급하여 액 처리를 행하는 복수의 액 처리 모듈을 구비하고,
상기 액 처리 모듈은,
상기 기판에 액 처리를 행하는 액 처리 유닛과,
상기 액 처리 유닛의 하방에 열원을 가지는 열원 영역과,
상기 열원 영역을 냉각하는 팬을 가지는 기판 처리 장치.A plurality of liquid processing modules arranged and arranged in at least one of a horizontal direction and a vertical direction to perform liquid processing by supplying a processing liquid to a substrate;
The liquid processing module,
a liquid processing unit that performs liquid processing on the substrate;
a heat source region having a heat source below the liquid processing unit;
A substrate processing apparatus having a fan for cooling the heat source region. 제 1 항에 있어서,
각 부를 제어하는 제어부를 구비하고,
상기 액 처리 모듈은,
상기 열원 영역의 온도를 측정하는 온도 센서를 가지고,
상기 제어부는,
복수의 상기 열원 영역의 온도가 모두 소여의 온도 범위에 들어가도록, 복수의 상기 팬을 개별로 제어하는 기판 처리 장치.According to claim 1,
A control unit for controlling each unit is provided;
The liquid processing module,
A temperature sensor for measuring the temperature of the heat source region;
The control unit,
A substrate processing apparatus that individually controls the plurality of fans so that the temperatures of the plurality of heat source regions all fall within a given temperature range. 제 2 항에 있어서,
상기 제어부는,
상기 소여의 온도 범위를 벗어나 있는 상기 열원 영역을 가지는 상기 액 처리 모듈에서는, 상기 기판의 액 처리를 행하지 않는 기판 처리 장치.According to claim 2,
The control unit,
In the liquid processing module having the heat source region out of the temperature range of the given temperature, liquid processing of the substrate is not performed. 제 2 항에 있어서,
상기 제어부는,
상기 소여의 온도 범위를 벗어나 있는 상기 열원 영역을 가지는 상기 액 처리 모듈에서는, 상기 기판과는 상이한 개소에 처리액을 토출하는 기판 처리 장치.According to claim 2,
The control unit,
In the liquid processing module having the heat source region out of the temperature range of the saw, the processing liquid is discharged to a location different from the substrate. 제 2 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제어부는,
모든 상기 열원 영역이 상기 소여의 온도 범위에 들어가 있는 경우, 모든 상기 열원 영역의 평균 온도를 목표값으로서, 복수의 상기 팬을 개별로 제어하는 기판 처리 장치.According to any one of claims 2 to 4,
The control unit,
and controlling the plurality of fans individually, taking an average temperature of all the heat source regions as a target value when all the heat source regions fall within the given temperature range. 제 2 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제어부는,
미리 설정된 상기 기판의 처리 스케줄에 기초하여, 상기 열원 영역이 상기 소여의 온도 범위에 들어가 있는 경우라도 상기 팬을 제어하는 기판 처리 장치.According to any one of claims 2 to 4,
The control unit,
Based on a processing schedule of the substrate set in advance, the substrate processing apparatus controls the fan even when the heat source region is within the given temperature range. 제 2 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제어부는,
각각의 상기 열원 영역의 냉각 용이성에 따라, 복수의 상기 팬을 개별로 제어하는 기판 처리 장치.According to any one of claims 2 to 4,
The control unit,
A substrate processing apparatus that individually controls a plurality of the fans according to the ease of cooling of each of the heat source regions. 제 2 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
복수의 상기 열원 영역의 분위기를 배출하는 배출구를 더 구비하고,
상기 제어부는,
복수의 상기 팬의 회전수에 따라, 상기 배출구로부터의 배기량을 제어하는 기판 처리 장치.According to any one of claims 2 to 4,
Further comprising an outlet for discharging the atmosphere of the plurality of heat source regions;
The control unit,
A substrate processing apparatus for controlling an exhaust amount from the exhaust port according to the rotational speed of the plurality of fans. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 열원 영역은,
복수의 상기 액 처리 모듈에 걸쳐 배치되고, 처리액이 통류하는 배관 라인을 가지는 기판 처리 장치.According to any one of claims 1 to 4,
The heat source region,
A substrate processing apparatus having a piping line disposed over a plurality of liquid processing modules and through which a processing liquid flows. 수평 방향 및 수직 방향 중 적어도 일방으로 배열되어 배치되고, 기판에 처리액을 공급하여 액 처리를 행하는 복수의 액 처리 모듈을 구비하고, 상기 액 처리 모듈은, 상기 기판에 액 처리를 행하는 액 처리 유닛과, 열원을 가지는 열원 영역과, 상기 열원 영역의 온도를 측정하는 온도 센서와, 상기 열원 영역을 냉각하는 팬을 가지는 기판 처리 장치에 있어서,
복수의 상기 열원 영역의 온도가 모두 소여의 온도 범위에 들어가도록, 복수의 상기 팬을 개별로 제어하는 공정을 포함하는 기판 처리 방법.A plurality of liquid processing modules arranged and arranged in at least one of a horizontal direction and a vertical direction to perform liquid processing by supplying a processing liquid to a substrate, wherein the liquid processing modules are liquid processing units configured to perform liquid processing on the substrate In a substrate processing apparatus having a heat source region having a heat source, a temperature sensor for measuring a temperature of the heat source region, and a fan for cooling the heat source region,
and individually controlling the plurality of fans so that temperatures of the plurality of heat source regions all fall within a predetermined temperature range.
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