KR20220154552A

KR20220154552A - 전력 증폭기를 포함하는 전자 장치 및 전력 증폭기를 포함하는 프런트 앤드 모듈

Info

Publication number: KR20220154552A
Application number: KR1020210062270A
Authority: KR
Inventors: 장규재; 김천식; 반주호; 임종혁; 조대영; 홍영준; 최대한; 고혜용; 임영섭; 조성열; 진태경
Original assignee: 삼성전자주식회사
Priority date: 2021-05-13
Filing date: 2021-05-13
Publication date: 2022-11-22
Also published as: WO2022240043A1

Abstract

다양한 실시예에 따라서, 전자 장치는, 통신 프로세서, 상기 통신 프로세서로부터 출력된 신호를 입력 받아 RF(radio frequency) 신호로 변조하는 RFIC(RF integrated circuit), 전력 관리 회로, 상기 전력 관리 회로로부터 공급된 전원에 기반하여, 상기 RFIC로부터 출력된 RF 신호를 증폭시키는 제1 전력 증폭기, 상기 전력 관리 회로로부터 공급된 상기 전원에 기반하여, 상기 RFIC로부터 출력된 상기 RF 신호를 증폭시키는 제2 전력 증폭기, 상기 제1 전력 증폭기의 전원 공급 단자에 병렬 연결되는 적어도 하나의 커패시터, 및 상기 전원 공급 단자와 상기 적어도 하나의 커패시터 사이에 연결되는 적어도 하나의 스위치를 포함하고, 상기 통신 프로세서는, 상기 RF 신호의 주파수 대역에 기반하여 설정된 전력 증폭 모드를 확인하고, 상기 확인된 전력 증폭 모드에 대응하는 제어 신호를 출력하여 상기 적어도 하나의 스위치를 제어할 수 있다. 그 밖의 다양한 실시예가 가능하다.

Description

전력 증폭기를 포함하는 전자 장치 및 전력 증폭기를 포함하는 프런트 앤드 모듈{ELECTRONIC DEVICE COMPRISING POWER AMPLIFIER AND FRONT END MODULE COMPRISING POWER AMPLIFIER}

다양한 실시예들은, 전력 증폭기를 포함하는 전자 장치 및 전력 증폭기를 포함하는 프런트 앤드 모듈에 관한 것이다.

RF(radio frequency) 신호를 송수신하는 다양한 유형의 전자 장치에는 RF 신호를 증폭하기 위해 적어도 하나의 전력 증폭기(power amplifier; PA)가 포함될 수 있다.

다양한 실시예에 따라, 전력 증폭기는 효율을 증대시키기 위해 다양한 방식으로 구현될 수 있다. 예컨대, 전력 증폭기는 ET(envelope tracking) 모드를 적용하여 성능을 개선할 수 있다. 다른 방법으로서, 전력 증폭기는 전력 관리 회로를 이용한 APT(average power tracking) 모드를 적용할 수 있다.

예컨대, 전자 장치에서 지원하는 주파수 대역이 증가함에 따라 RF(radio frequency) 신호를 증폭하기 위한 전력 증폭 회로는 복수의 전력 증폭기들을 포함할 수 있다. 상기 복수의 전력 증폭기들이 병렬로 연결되는 경우, 각 전력 증폭기들은 전원 공급 방식에 따라 서로 다른 모드로 동작할 수 있다. 예컨대, 제1 전력 증폭기와 제2 전력 증폭기가 병렬로 연결되는 경우, 제1 전력 증폭기는 ET 모드로 동작할 수 있으며, 제2 전력 증폭기는 APT 모드로 동작할 수 있다.

다양한 실시예에 따라, 하나의 전력 관리 회로에서 복수의 전력 증폭기들에 동시에 전원을 공급하는 경우, 각 모드에 따른 최적의 커패시턴스가 상이하여 상기 복수의 전력 증폭기들이 해당 모드에 따른 최적의 성능을 제공하지 못할 수 있다.

다양한 실시예에서는, 하나의 전력 관리 회로에서 복수의 전력 증폭기들에 동시에 전원을 공급하는 경우, 각 전력 증폭기의 동작 모드에 따라 커패시턴스를 조정할 수 있는 전력 증폭기를 포함하는 전자 장치 및 전력 증폭기를 포함하는 프런트 앤드 모듈을 제공할 수 있다.

다양한 실시예에서는, 하나의 전력 증폭기가 복수의 모드들을 지원하는 경우, 전력 증폭기의 동작 모드에 따라 커패시턴스를 조정할 수 있는 전력 증폭기를 포함하는 전자 장치 및 전력 증폭기를 포함하는 프런트 앤드 모듈을 제공할 수 있다.

다양한 실시예 중 어느 하나에 따른 전자 장치는, 통신 프로세서, 상기 통신 프로세서로부터 출력된 신호를 입력 받아 RF(radio frequency) 신호로 변조하는 RFIC(RF integrated circuit), 전력 관리 회로, 상기 전력 관리 회로로부터 공급된 전원에 기반하여, 상기 RFIC로부터 출력된 RF 신호를 증폭시키는 제1 전력 증폭기, 상기 전력 관리 회로로부터 공급된 상기 전원에 기반하여, 상기 RFIC로부터 출력된 상기 RF 신호를 증폭시키는 제2 전력 증폭기, 상기 제1 전력 증폭기의 전원 공급 단자에 병렬 연결되는 적어도 하나의 커패시터, 및 상기 전원 공급 단자와 상기 적어도 하나의 커패시터 사이에 연결되는 적어도 하나의 스위치를 포함하고, 상기 통신 프로세서는, 상기 RF 신호의 주파수 대역에 기반하여 설정된 전력 증폭 모드를 확인하고, 상기 확인된 전력 증폭 모드에 대응하는 제어 신호를 출력하여 상기 적어도 하나의 스위치를 제어할 수 있다.

다양한 실시예 중 어느 하나에 따른 전자 장치는, 통신 프로세서, 상기 통신 프로세서로부터 출력된 신호를 입력 받아 RF(radio frequency) 신호로 변조하는 RFIC(RF integrated circuit), 전력 관리 회로, 상기 전력 관리 회로로부터 공급된 전원에 기반하여, 상기 RFIC로부터 출력된 RF 신호를 증폭시키는 제1 전력 증폭기, 상기 전력 관리 회로로부터 공급된 상기 전원에 기반하여, 상기 RFIC로부터 출력된 상기 RF 신호를 증폭시키는 제2 전력 증폭기, 및 상기 제1 전력 증폭기의 전원 공급 단자에 병렬 연결되는 가변 커패시터를 포함하고, 상기 통신 프로세서는, 상기 RF 신호의 주파수 대역에 기반하여 설정된 전력 증폭 모드를 확인하고, 상기 확인된 전력 증폭 모드에 대응하는 제어 신호를 출력하여 상기 가변 커패시터의 커패시턴스를 조정할 수 있다.

다양한 실시예 중 어느 하나에 따른 프런트 앤드 모듈은, 전력 관리 회로, 상기 전력 관리 회로로부터 공급된 전원에 기반하여, 상기 RFIC로부터 출력된 RF 신호를 증폭시키는 제1 전력 증폭기, 상기 전력 관리 회로로부터 공급된 상기 전원에 기반하여, 상기 RFIC로부터 출력된 상기 RF 신호를 증폭시키는 제2 전력 증폭기, 상기 제1 전력 증폭기의 전원 공급 단자에 병렬 연결되는 적어도 하나의 커패시터, 및 상기 전원 공급 단자와 상기 적어도 하나의 커패시터 사이에 연결되는 적어도 하나의 스위치를 포함하고, 상기 적어도 하나의 스위치는, 상기 RF 신호의 주파수 대역에 기반하여 설정된 전력 증폭 모드에 대응하는 제어 신호에 의해 제어될 수 있다.

다양한 실시예에서는, 하나의 전력 관리 회로에서 복수의 전력 증폭기들에 동시에 전원을 공급하는 경우, 각 전력 증폭기의 동작 모드에 따라 커패시턴스를 조정함으로써 각 동작 모드별 전력 증폭기의 최적의 성능을 제공할 수 있다.

다양한 실시예에서는, 하나의 전력 증폭기가 복수의 모드들을 지원하는 경우, 전력 증폭기의 동작 모드에 따라 커패시턴스를 조정함으로써 각 동작 모드별 전력 증폭기의 최적의 성능을 제공할 수 있으며, 복수의 전력 관리 회로를 사용하지 않아 부품 가격을 절감할 수 있다.

도 1은 다양한 실시예들에 따른, 네트워크 환경 내의 전자 장치의 블록도이다.
도 2a는 다양한 실시예들에 따른, 복수개의 셀룰러 네트워크들을 포함하는 네트워크 환경에서의 전자 장치의 블록도이다.
도 2b는 다양한 실시예들에 따른, 복수개의 셀룰러 네트워크들을 포함하는 네트워크 환경에서의 전자 장치의 블록도이다.
도 3은 다양한 실시예들에 따른, 전자 장치의 블록도이다.
도 4는 다양한 실시예들에 따른, 전자 장치의 블록도이다.
도 5a, 도 5b, 및 도 5c는 다양한 실시예에 따른 전력 증폭기의 동작 모드를 나타내는 도면이다.
도 6은 다양한 실시예에 따른 전자 장치의 블록도를 도시한다.
도 7은 다양한 실시예에 따른 전자 장치의 블록도를 도시한다.
도 8a는 다양한 실시예들에 따른, 복수의 RFFE를 포함하는 전자 장치의 블록도이다.
도 8b는 다양한 실시예들에 따른, 복수의 RFFE를 포함하는 전자 장치의 블록도이다.
도 8c는 다양한 실시예들에 따른, 복수의 RFFE를 포함하는 전자 장치의 블록도이다.
도 9는 다양한 실시예들에 따른, 복수의 RFFE를 포함하는 전자 장치의 블록도이다.
도 10a는 다양한 실시예들에 따른, 복수의 RFFE를 포함하는 전자 장치의 블록도이다.
도 10b는 다양한 실시예들에 따른, 복수의 RFFE를 포함하는 전자 장치의 블록도이다.
도 10c는 다양한 실시예들에 따른, 복수의 RFFE를 포함하는 전자 장치의 블록도이다.
도 11은 다양한 실시예에 따른 전자 장치의 블록도를 도시한다.
도 12는 다양한 실시예에 따른 전자 장치의 블록도를 도시한다.
도 13은 다양한 실시예에 따른 전자 장치의 블록도를 도시한다.
도 14는 다양한 실시예에 따른 전자 장치의 블록도를 도시한다.
도 15는 다양한 실시예에 따른 전자 장치의 스위칭 회로를 도시한다.
도 16은 다양한 실시예에 따른 전자 장치의 스위칭 회로를 도시한다.
도 17a는 다양한 실시예들에 따른, 복수의 RFFE를 포함하는 전자 장치의 블록도이다.
도 17b는 다양한 실시예들에 따른, 복수의 RFFE를 포함하는 전자 장치의 블록도이다.
도 18은 다양한 실시예에 따른 전자 장치의 동작을 나타내는 흐름도이다.
도 19는 다양한 실시예에 따른 전자 장치의 동작을 나타내는 흐름도이다.
도 20은 다양한 실시예에 따른 전자 장치의 동작을 나타내는 흐름도이다.

도 1은, 다양한 실시예들에 따른, 네트워크 환경(100) 내의 전자 장치(101)의 블록도이다. 도 1을 참조하면, 네트워크 환경(100)에서 전자 장치(101)는 제1 네트워크(198)(예: 근거리 무선 통신 네트워크)를 통하여 전자 장치(102)와 통신하거나, 또는 제2 네트워크(199)(예: 원거리 무선 통신 네트워크)를 통하여 전자 장치(104) 또는 서버(108)와 통신할 수 있다. 일실시예에 따르면, 전자 장치(101)는 서버(108)를 통하여 전자 장치(104)와 통신할 수 있다. 일실시예에 따르면, 전자 장치(101)는 프로세서(120), 메모리(130), 입력 모듈(150), 음향 출력 모듈(155), 디스플레이 모듈(160), 오디오 모듈(170), 센서 모듈(176), 인터페이스(177), 연결 단자(178), 햅틱 모듈(179), 카메라 모듈(180), 전력 관리 모듈(188), 배터리(189), 통신 모듈(190), 가입자 식별 모듈(196), 또는 안테나 모듈(197)을 포함할 수 있다. 어떤 실시예에서는, 전자 장치(101)에는, 이 구성요소들 중 적어도 하나(예: 연결 단자(178))가 생략되거나, 하나 이상의 다른 구성요소가 추가될 수 있다. 어떤 실시예에서는, 이 구성요소들 중 일부들(예: 센서 모듈(176), 카메라 모듈(180), 또는 안테나 모듈(197))은 하나의 구성요소(예: 디스플레이 모듈(160))로 통합될 수 있다.

프로세서(120)는, 예를 들면, 소프트웨어(예: 프로그램(140))를 실행하여 프로세서(120)에 연결된 전자 장치(101)의 적어도 하나의 다른 구성요소(예: 하드웨어 또는 소프트웨어 구성요소)를 제어할 수 있고, 다양한 데이터 처리 또는 연산을 수행할 수 있다. 일실시예에 따르면, 데이터 처리 또는 연산의 적어도 일부로서, 프로세서(120)는 다른 구성요소(예: 센서 모듈(176) 또는 통신 모듈(190))로부터 수신된 명령 또는 데이터를 휘발성 메모리(132)에 저장하고, 휘발성 메모리(132)에 저장된 명령 또는 데이터를 처리하고, 결과 데이터를 비휘발성 메모리(134)에 저장할 수 있다. 일실시예에 따르면, 프로세서(120)는 메인 프로세서(121)(예: 중앙 처리 장치 또는 어플리케이션 프로세서) 또는 이와는 독립적으로 또는 함께 운영 가능한 보조 프로세서(123)(예: 그래픽 처리 장치, 신경망 처리 장치(NPU: neural processing unit), 이미지 시그널 프로세서, 센서 허브 프로세서, 또는 커뮤니케이션 프로세서)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(101)가 메인 프로세서(121) 및 보조 프로세서(123)를 포함하는 경우, 보조 프로세서(123)는 메인 프로세서(121)보다 저전력을 사용하거나, 지정된 기능에 특화되도록 설정될 수 있다. 보조 프로세서(123)는 메인 프로세서(121)와 별개로, 또는 그 일부로서 구현될 수 있다.

보조 프로세서(123)는, 예를 들면, 메인 프로세서(121)가 인액티브(예: 슬립) 상태에 있는 동안 메인 프로세서(121)를 대신하여, 또는 메인 프로세서(121)가 액티브(예: 어플리케이션 실행) 상태에 있는 동안 메인 프로세서(121)와 함께, 전자 장치(101)의 구성요소들 중 적어도 하나의 구성요소(예: 디스플레이 모듈(160), 센서 모듈(176), 또는 통신 모듈(190))와 관련된 기능 또는 상태들의 적어도 일부를 제어할 수 있다. 일실시예에 따르면, 보조 프로세서(123)(예: 이미지 시그널 프로세서 또는 커뮤니케이션 프로세서)는 기능적으로 관련 있는 다른 구성요소(예: 카메라 모듈(180) 또는 통신 모듈(190))의 일부로서 구현될 수 있다. 일실시예에 따르면, 보조 프로세서(123)(예: 신경망 처리 장치)는 인공지능 모델의 처리에 특화된 하드웨어 구조를 포함할 수 있다. 인공지능 모델은 기계 학습을 통해 생성될 수 있다. 이러한 학습은, 예를 들어, 인공지능이 수행되는 전자 장치(101) 자체에서 수행될 수 있고, 별도의 서버(예: 서버(108))를 통해 수행될 수도 있다. 학습 알고리즘은, 예를 들어, 지도형 학습(supervised learning), 비지도형 학습(unsupervised learning), 준지도형 학습(semi-supervised learning) 또는 강화 학습(reinforcement learning)을 포함할 수 있으나, 전술한 예에 한정되지 않는다. 인공지능 모델은, 복수의 인공 신경망 레이어들을 포함할 수 있다. 인공 신경망은 심층 신경망(DNN: deep neural network), CNN(convolutional neural network), RNN(recurrent neural network), RBM(restricted boltzmann machine), DBN(deep belief network), BRDNN(bidirectional recurrent deep neural network), 심층 Q-네트워크(deep Q-networks) 또는 상기 중 둘 이상의 조합 중 하나일 수 있으나, 전술한 예에 한정되지 않는다. 인공지능 모델은 하드웨어 구조 이외에, 추가적으로 또는 대체적으로, 소프트웨어 구조를 포함할 수 있다.

메모리(130)는, 전자 장치(101)의 적어도 하나의 구성요소(예: 프로세서(120) 또는 센서 모듈(176))에 의해 사용되는 다양한 데이터를 저장할 수 있다. 데이터는, 예를 들어, 소프트웨어(예: 프로그램(140)) 및, 이와 관련된 명령에 대한 입력 데이터 또는 출력 데이터를 포함할 수 있다. 메모리(130)는, 휘발성 메모리(132) 또는 비휘발성 메모리(134)를 포함할 수 있다.

프로그램(140)은 메모리(130)에 소프트웨어로서 저장될 수 있으며, 예를 들면, 운영 체제(142), 미들 웨어(144) 또는 어플리케이션(146)을 포함할 수 있다.

입력 모듈(150)은, 전자 장치(101)의 구성요소(예: 프로세서(120))에 사용될 명령 또는 데이터를 전자 장치(101)의 외부(예: 사용자)로부터 수신할 수 있다. 입력 모듈(150)은, 예를 들면, 마이크, 마우스, 키보드, 키(예: 버튼), 또는 디지털 펜(예: 스타일러스 펜)을 포함할 수 있다.

음향 출력 모듈(155)은 음향 신호를 전자 장치(101)의 외부로 출력할 수 있다. 음향 출력 모듈(155)은, 예를 들면, 스피커 또는 리시버를 포함할 수 있다. 스피커는 멀티미디어 재생 또는 녹음 재생과 같이 일반적인 용도로 사용될 수 있다. 리시버는 착신 전화를 수신하기 위해 사용될 수 있다. 일실시예에 따르면, 리시버는 스피커와 별개로, 또는 그 일부로서 구현될 수 있다.

디스플레이 모듈(160)은 전자 장치(101)의 외부(예: 사용자)로 정보를 시각적으로 제공할 수 있다. 디스플레이 모듈(160)은, 예를 들면, 디스플레이, 홀로그램 장치, 또는 프로젝터 및 해당 장치를 제어하기 위한 제어 회로를 포함할 수 있다. 일실시예에 따르면, 디스플레이 모듈(160)은 터치를 감지하도록 설정된 터치 센서, 또는 상기 터치에 의해 발생되는 힘의 세기를 측정하도록 설정된 압력 센서를 포함할 수 있다.

오디오 모듈(170)은 소리를 전기 신호로 변환시키거나, 반대로 전기 신호를 소리로 변환시킬 수 있다. 일실시예에 따르면, 오디오 모듈(170)은, 입력 모듈(150)을 통해 소리를 획득하거나, 음향 출력 모듈(155), 또는 전자 장치(101)와 직접 또는 무선으로 연결된 외부 전자 장치(예: 전자 장치(102))(예: 스피커 또는 헤드폰)를 통해 소리를 출력할 수 있다.

센서 모듈(176)은 전자 장치(101)의 작동 상태(예: 전력 또는 온도), 또는 외부의 환경 상태(예: 사용자 상태)를 감지하고, 감지된 상태에 대응하는 전기 신호 또는 데이터 값을 생성할 수 있다. 일실시예에 따르면, 센서 모듈(176)은, 예를 들면, 제스처 센서, 자이로 센서, 기압 센서, 마그네틱 센서, 가속도 센서, 그립 센서, 근접 센서, 컬러 센서, IR(infrared) 센서, 생체 센서, 온도 센서, 습도 센서, 또는 조도 센서를 포함할 수 있다.

인터페이스(177)는 전자 장치(101)가 외부 전자 장치(예: 전자 장치(102))와 직접 또는 무선으로 연결되기 위해 사용될 수 있는 하나 이상의 지정된 프로토콜들을 지원할 수 있다. 일실시예에 따르면, 인터페이스(177)는, 예를 들면, HDMI(high definition multimedia interface), USB(universal serial bus) 인터페이스, SD카드 인터페이스, 또는 오디오 인터페이스를 포함할 수 있다.

연결 단자(178)는, 그를 통해서 전자 장치(101)가 외부 전자 장치(예: 전자 장치(102))와 물리적으로 연결될 수 있는 커넥터를 포함할 수 있다. 일실시예에 따르면, 연결 단자(178)는, 예를 들면, HDMI 커넥터, USB 커넥터, SD 카드 커넥터, 또는 오디오 커넥터(예: 헤드폰 커넥터)를 포함할 수 있다.

햅틱 모듈(179)은 전기적 신호를 사용자가 촉각 또는 운동 감각을 통해서 인지할 수 있는 기계적인 자극(예: 진동 또는 움직임) 또는 전기적인 자극으로 변환할 수 있다. 일실시예에 따르면, 햅틱 모듈(179)은, 예를 들면, 모터, 압전 소자, 또는 전기 자극 장치를 포함할 수 있다.

카메라 모듈(180)은 정지 영상 및 동영상을 촬영할 수 있다. 일실시예에 따르면, 카메라 모듈(180)은 하나 이상의 렌즈들, 이미지 센서들, 이미지 시그널 프로세서들, 또는 플래시들을 포함할 수 있다.

전력 관리 모듈(188)은 전자 장치(101)에 공급되는 전력을 관리할 수 있다. 일실시예에 따르면, 전력 관리 모듈(188)은, 예를 들면, PMIC(power management integrated circuit)의 적어도 일부로서 구현될 수 있다.

배터리(189)는 전자 장치(101)의 적어도 하나의 구성요소에 전력을 공급할 수 있다. 일실시예에 따르면, 배터리(189)는, 예를 들면, 재충전 불가능한 1차 전지, 재충전 가능한 2차 전지 또는 연료 전지를 포함할 수 있다.

통신 모듈(190)은 전자 장치(101)와 외부 전자 장치(예: 전자 장치(102), 전자 장치(104), 또는 서버(108)) 간의 직접(예: 유선) 통신 채널 또는 무선 통신 채널의 수립, 및 수립된 통신 채널을 통한 통신 수행을 지원할 수 있다. 통신 모듈(190)은 프로세서(120)(예: 어플리케이션 프로세서)와 독립적으로 운영되고, 직접(예: 유선) 통신 또는 무선 통신을 지원하는 하나 이상의 커뮤니케이션 프로세서를 포함할 수 있다. 일실시예에 따르면, 통신 모듈(190)은 무선 통신 모듈(192)(예: 셀룰러 통신 모듈, 근거리 무선 통신 모듈, 또는 GNSS(global navigation satellite system) 통신 모듈) 또는 유선 통신 모듈(194)(예: LAN(local area network) 통신 모듈, 또는 전력선 통신 모듈)을 포함할 수 있다. 이들 통신 모듈 중 해당하는 통신 모듈은 제1 네트워크(198)(예: 블루투스, WiFi(wireless fidelity) direct 또는 IrDA(infrared data association)와 같은 근거리 통신 네트워크) 또는 제2 네트워크(199)(예: 레거시 셀룰러 네트워크, 5G 네트워크, 차세대 통신 네트워크, 인터넷, 또는 컴퓨터 네트워크(예: LAN 또는 WAN)와 같은 원거리 통신 네트워크)를 통하여 외부의 전자 장치(104)와 통신할 수 있다. 이런 여러 종류의 통신 모듈들은 하나의 구성요소(예: 단일 칩)로 통합되거나, 또는 서로 별도의 복수의 구성요소들(예: 복수 칩들)로 구현될 수 있다. 무선 통신 모듈(192)은 가입자 식별 모듈(196)에 저장된 가입자 정보(예: 국제 모바일 가입자 식별자(IMSI))를 이용하여 제1 네트워크(198) 또는 제2 네트워크(199)와 같은 통신 네트워크 내에서 전자 장치(101)를 확인 또는 인증할 수 있다.

무선 통신 모듈(192)은 4G 네트워크 이후의 5G 네트워크 및 차세대 통신 기술, 예를 들어, NR 접속 기술(new radio access technology)을 지원할 수 있다. NR 접속 기술은 고용량 데이터의 고속 전송(eMBB(enhanced mobile broadband)), 단말 전력 최소화와 다수 단말의 접속(mMTC(massive machine type communications)), 또는 고신뢰도와 저지연(URLLC(ultra-reliable and low-latency communications))을 지원할 수 있다. 무선 통신 모듈(192)은, 예를 들어, 높은 데이터 전송률 달성을 위해, 고주파 대역(예: mmWave 대역)을 지원할 수 있다. 무선 통신 모듈(192)은 고주파 대역에서의 성능 확보를 위한 다양한 기술들, 예를 들어, 빔포밍(beamforming), 거대 배열 다중 입출력(massive MIMO(multiple-input and multiple-output)), 전차원 다중입출력(FD-MIMO: full dimensional MIMO), 어레이 안테나(array antenna), 아날로그 빔형성(analog beam-forming), 또는 대규모 안테나(large scale antenna)와 같은 기술들을 지원할 수 있다. 무선 통신 모듈(192)은 전자 장치(101), 외부 전자 장치(예: 전자 장치(104)) 또는 네트워크 시스템(예: 제2 네트워크(199))에 규정되는 다양한 요구사항을 지원할 수 있다. 일실시예에 따르면, 무선 통신 모듈(192)은 eMBB 실현을 위한 Peak data rate(예: 20Gbps 이상), mMTC 실현을 위한 손실 Coverage(예: 164dB 이하), 또는 URLLC 실현을 위한 U-plane latency(예: 다운링크(DL) 및 업링크(UL) 각각 0.5ms 이하, 또는 라운드 트립 1ms 이하)를 지원할 수 있다.

안테나 모듈(197)은 신호 또는 전력을 외부(예: 외부의 전자 장치)로 송신하거나 외부로부터 수신할 수 있다. 일실시예에 따르면, 안테나 모듈(197)은 서브스트레이트(예: PCB) 위에 형성된 도전체 또는 도전성 패턴으로 이루어진 방사체를 포함하는 안테나를 포함할 수 있다. 일실시예에 따르면, 안테나 모듈(197)은 복수의 안테나들(예: 어레이 안테나)을 포함할 수 있다. 이런 경우, 제1 네트워크(198) 또는 제2 네트워크(199)와 같은 통신 네트워크에서 사용되는 통신 방식에 적합한 적어도 하나의 안테나가, 예를 들면, 통신 모듈(190)에 의하여 상기 복수의 안테나들로부터 선택될 수 있다. 신호 또는 전력은 상기 선택된 적어도 하나의 안테나를 통하여 통신 모듈(190)과 외부의 전자 장치 간에 송신되거나 수신될 수 있다. 어떤 실시예에 따르면, 방사체 이외에 다른 부품(예: RFIC(radio frequency integrated circuit))이 추가로 안테나 모듈(197)의 일부로 형성될 수 있다.

다양한 실시예에 따르면, 안테나 모듈(197)은 mmWave 안테나 모듈을 형성할 수 있다. 일실시예에 따르면, mmWave 안테나 모듈은 인쇄 회로 기판, 상기 인쇄 회로 기판의 제1 면(예: 아래 면)에 또는 그에 인접하여 배치되고 지정된 고주파 대역(예: mmWave 대역)을 지원할 수 있는 RFIC, 및 상기 인쇄 회로 기판의 제2 면(예: 윗 면 또는 측 면)에 또는 그에 인접하여 배치되고 상기 지정된 고주파 대역의 신호를 송신 또는 수신할 수 있는 복수의 안테나들(예: 어레이 안테나)을 포함할 수 있다.

상기 구성요소들 중 적어도 일부는 주변 기기들간 통신 방식(예: 버스, GPIO(general purpose input and output), SPI(serial peripheral interface), 또는 MIPI(mobile industry processor interface))을 통해 서로 연결되고 신호(예: 명령 또는 데이터)를 상호간에 교환할 수 있다.

일실시예에 따르면, 명령 또는 데이터는 제2 네트워크(199)에 연결된 서버(108)를 통해서 전자 장치(101)와 외부의 전자 장치(104)간에 송신 또는 수신될 수 있다. 외부의 전자 장치(102, 또는 104) 각각은 전자 장치(101)와 동일한 또는 다른 종류의 장치일 수 있다. 일실시예에 따르면, 전자 장치(101)에서 실행되는 동작들의 전부 또는 일부는 외부의 전자 장치들(102, 104, 또는 108) 중 하나 이상의 외부의 전자 장치들에서 실행될 수 있다. 예를 들면, 전자 장치(101)가 어떤 기능이나 서비스를 자동으로, 또는 사용자 또는 다른 장치로부터의 요청에 반응하여 수행해야 할 경우에, 전자 장치(101)는 기능 또는 서비스를 자체적으로 실행시키는 대신에 또는 추가적으로, 하나 이상의 외부의 전자 장치들에게 그 기능 또는 그 서비스의 적어도 일부를 수행하라고 요청할 수 있다. 상기 요청을 수신한 하나 이상의 외부의 전자 장치들은 요청된 기능 또는 서비스의 적어도 일부, 또는 상기 요청과 관련된 추가 기능 또는 서비스를 실행하고, 그 실행의 결과를 전자 장치(101)로 전달할 수 있다. 전자 장치(101)는 상기 결과를, 그대로 또는 추가적으로 처리하여, 상기 요청에 대한 응답의 적어도 일부로서 제공할 수 있다. 이를 위하여, 예를 들면, 클라우드 컴퓨팅, 분산 컴퓨팅, 모바일 에지 컴퓨팅(MEC: mobile edge computing), 또는 클라이언트-서버 컴퓨팅 기술이 이용될 수 있다. 전자 장치(101)는, 예를 들어, 분산 컴퓨팅 또는 모바일 에지 컴퓨팅을 이용하여 초저지연 서비스를 제공할 수 있다. 다른 실시예에 있어서, 외부의 전자 장치(104)는 IoT(internet of things) 기기를 포함할 수 있다. 서버(108)는 기계 학습 및/또는 신경망을 이용한 지능형 서버일 수 있다. 일실시예에 따르면, 외부의 전자 장치(104) 또는 서버(108)는 제2 네트워크(199) 내에 포함될 수 있다. 전자 장치(101)는 5G 통신 기술 및 IoT 관련 기술을 기반으로 지능형 서비스(예: 스마트 홈, 스마트 시티, 스마트 카, 또는 헬스 케어)에 적용될 수 있다.

도 2a는 다양한 실시예들에 따른, 복수개의 셀룰러 네트워크들을 포함하는 네트워크 환경에서의 전자 장치(101)의 블록도(200)이다. 도 2a를 참조하면, 전자 장치(101)는 제1 커뮤니케이션 프로세서(212), 제2 커뮤니케이션 프로세서(214), 제1 radio frequency integrated circuit(RFIC)(222), 제2 RFIC(224), 제3 RFIC(226), 제4 RFIC(228), 제1 radio frequency front end(RFFE)(232), 제2 RFFE(234), 제1 안테나 모듈(242), 제2 안테나 모듈(244), 및 안테나(248)을 포함할 수 있다. 전자 장치(101)는 프로세서(120) 및 메모리(130)를 더 포함할 수 있다. 제2 네트워크(199)는 제1 셀룰러 네트워크(292)와 제2 셀룰러 네트워크(294)를 포함할 수 있다. 다른 실시예에 따르면, 전자 장치(101)는 도1에 기재된 부품들 중 적어도 하나의 부품을 더 포함할 수 있고, 제2 네트워크(199)는 적어도 하나의 다른 네트워크를 더 포함할 수 있다. 일실시예에 따르면, 제1 커뮤니케이션 프로세서(212), 제2 커뮤니케이션 프로세서(214), 제1 RFIC(222), 제2 RFIC(224), 제4 RFIC(228), 제1 RFFE(232), 및 제2 RFFE(234)는 무선 통신 모듈(192)의 적어도 일부를 형성할 수 있다. 다른 실시예에 따르면, 제4 RFIC(228)는 생략되거나, 제3 RFIC(226)의 일부로서 포함될 수 있다.

제1 커뮤니케이션 프로세서(212)는 제1 셀룰러 네트워크(292)와의 무선 통신에 사용될 대역의 통신 채널의 수립, 및 수립된 통신 채널을 통한 레거시 네트워크 통신을 지원할 수 있다. 다양한 실시예들에 따르면, 제1 셀룰러 네트워크는 2세대(2G), 3G, 4G, 또는 long term evolution(LTE) 네트워크를 포함하는 레거시 네트워크일 수 있다. 제2 커뮤니케이션 프로세서(214)는 제2 셀룰러 네트워크(294)와의 무선 통신에 사용될 대역 중 지정된 대역(예: 약 6GHz ~ 약 60GHz)에 대응하는 통신 채널의 수립, 및 수립된 통신 채널을 통한 5G 네트워크 통신을 지원할 수 있다. 다양한 실시예들에 따르면, 제2 셀룰러 네트워크(294)는 3GPP에서 정의하는 5G 네트워크일 수 있다. 추가적으로, 일실시예에 따르면, 제1 커뮤니케이션 프로세서(212) 또는 제2 커뮤니케이션 프로세서(214)는 제2 셀룰러 네트워크(294)와의 무선 통신에 사용될 대역 중 다른 지정된 대역(예: 약 6GHz 이하)에 대응하는 통신 채널의 수립, 및 수립된 통신 채널을 통한 5G 네트워크 통신을 지원할 수 있다. 일실시예에 따르면, 제1 커뮤니케이션 프로세서(212)와 제2 커뮤니케이션 프로세서(214)는 단일(single) 칩 또는 단일 패키지 내에 구현될 수 있다. 다양한 실시예들에 따르면, 제1 커뮤니케이션 프로세서(212) 또는 제2 커뮤니케이션 프로세서(214)는 프로세서(120), 보조 프로세서(123), 또는 통신 모듈(190)과 단일 칩 또는 단일 패키지 내에 형성될 수 있다. 일실시예에 따르면, 제1 커뮤니케이션 프로세서(212)와 제2 커뮤니케이션 프로세서(214)는 인터페이스(미도시)에 의해 직접적으로 또는 간접적으로 서로 연결되어, 어느 한 방향으로 또는 양 방향으로 데이터 또는 제어 신호를 제공하거나 받을 수 있다.

구현에 따라, 제1 커뮤니케이션 프로세서(212)는 제2 커뮤니케이션 프로세서(214)와 직접 연결되지 않을 수도 있다. 이 경우, 제1 커뮤니케이션 프로세서(212)는 제2 커뮤니케이션 프로세서(214)와, 프로세서(120)(예: application processor)를 통하여 데이터를 송수신할 수도 있다. 예를 들어, 제1 커뮤니케이션 프로세서(212) 및 제2 커뮤니케이션 프로세서(214)는, 프로세서(120)(예: application processor)와 HS-UART 인터페이스 또는 PCIe 인터페이스를 통하여 데이터를 송수신할 수 있으나, 인터페이스의 종류에는 제한이 없다. 또는, 제1 커뮤니케이션 프로세서(212) 및 제2 커뮤니케이션 프로세서(214)는, 프로세서(120)(예: application processor)와 공유 메모리(shared memory)를 이용하여 컨트롤 정보와 패킷 데이터 정보를 교환할 수 있다.

일실시예에 따르면, 제1 커뮤니케이션 프로세서(212)와 제2 커뮤니케이션 프로세서(214)는 단일(single) 칩 또는 단일 패키지 내에 구현될 수 있다. 다양한 실시예들에 따르면, 제1 커뮤니케이션 프로세서(212) 또는 제2 커뮤니케이션 프로세서(214)는 프로세서(120), 보조 프로세서(123), 또는 통신 모듈(190)과 단일 칩 또는 단일 패키지 내에 형성될 수 있다. 예를 들어, 도 2b에서와 같이, 통합 커뮤니케이션 프로세서(260)는, 제1 셀룰러 네트워크, 및 제2 셀룰러 네트워크와의 통신을 위한 기능을 모두 지원할 수 있다.

제1 RFIC(222)는, 송신 시에, 제1 커뮤니케이션 프로세서(212)에 의해 생성된 기저대역(baseband) 신호를 제1 셀룰러 네트워크(292)(예: 레거시 네트워크)에 사용되는 약 700MHz 내지 약 3GHz의 라디오 주파수(RF) 신호로 변환할 수 있다. 수신 시에는, RF 신호가 안테나(예: 제1 안테나 모듈(242))를 통해 제1 셀룰러 네트워크(292)(예: 레거시 네트워크)로부터 획득되고, RFFE(예: 제1 RFFE(232))를 통해 전처리(preprocess)될 수 있다. 제1 RFIC(222)는 전처리된 RF 신호를 제1 커뮤니케이션 프로세서(212)에 의해 처리될 수 있도록 기저대역 신호로 변환할 수 있다.

제2 RFIC(224)는, 송신 시에, 제1 커뮤니케이션 프로세서(212) 또는 제2 커뮤니케이션 프로세서(214)에 의해 생성된 기저대역 신호를 제2 셀룰러 네트워크(294)(예: 5G 네트워크)에 사용되는 Sub6 대역(예: 약 6GHz 이하)의 RF 신호(이하, 5G Sub6 RF 신호)로 변환할 수 있다. 수신 시에는, 5G Sub6 RF 신호가 안테나(예: 제2 안테나 모듈(244))를 통해 제2 셀룰러 네트워크(294)(예: 5G 네트워크)로부터 획득되고, RFFE(예: 제2 RFFE(234))를 통해 전처리될 수 있다. 제2 RFIC(224)는 전처리된 5G Sub6 RF 신호를 제1 커뮤니케이션 프로세서(212) 또는 제2 커뮤니케이션 프로세서(214) 중 대응하는 커뮤니케이션 프로세서에 의해 처리될 수 있도록 기저대역 신호로 변환할 수 있다.

제3 RFIC(226)는 제2 커뮤니케이션 프로세서(214)에 의해 생성된 기저대역 신호를 제2 셀룰러 네트워크(294)(예: 5G 네트워크)에서 사용될 5G Above6 대역(예: 약 6GHz ~ 약 60GHz)의 RF 신호(이하, 5G Above6 RF 신호)로 변환할 수 있다. 수신 시에는, 5G Above6 RF 신호가 안테나(예: 안테나(248))를 통해 제2 셀룰러 네트워크(294)(예: 5G 네트워크)로부터 획득되고 제3 RFFE(236)를 통해 전처리될 수 있다. 제3 RFIC(226)는 전처리된 5G Above6 RF 신호를 제2 커뮤니케이션 프로세서(214)에 의해 처리될 수 있도록 기저대역 신호로 변환할 수 있다. 일실시예에 따르면, 제3 RFFE(236)는 제3 RFIC(226)의 일부로서 형성될 수 있다.

전자 장치(101)는, 일실시예에 따르면, 제3 RFIC(226)와 별개로 또는 적어도 그 일부로서, 제4 RFIC(228)를 포함할 수 있다. 이런 경우, 제4 RFIC(228)는 제2 커뮤니케이션 프로세서(214)에 의해 생성된 기저대역 신호를 중간(intermediate) 주파수 대역(예: 약 9GHz ~ 약 11GHz)의 RF 신호(이하, IF 신호)로 변환한 뒤, 상기 IF 신호를 제3 RFIC(226)로 전달할 수 있다. 제3 RFIC(226)는 IF 신호를 5G Above6 RF 신호로 변환할 수 있다. 수신 시에, 5G Above6 RF 신호가 안테나(예: 안테나(248))를 통해 제2 셀룰러 네트워크(294)(예: 5G 네트워크)로부터 수신되고 제3 RFIC(226)에 의해 IF 신호로 변환될 수 있다. 제4 RFIC(228)는 IF 신호를 제2 커뮤니케이션 프로세서(214)가 처리할 수 있도록 기저대역 신호로 변환할 수 있다.

일실시예에 따르면, 제1 RFIC(222)와 제2 RFIC(224)는 단일 칩 또는 단일 패키지의 적어도 일부로 구현될 수 있다. 일실시예에 따르면, 제1 RFFE(232)와 제2 RFFE(234)는 단일 칩 또는 단일 패키지의 적어도 일부로 구현될 수 있다. 일실시예에 따르면, 제1 안테나 모듈(242) 또는 제2 안테나 모듈(244)중 적어도 하나의 안테나 모듈은 생략되거나 다른 안테나 모듈과 결합되어 대응하는 복수의 대역들의 RF 신호들을 처리할 수 있다.

일실시예에 따르면, 제3 RFIC(226)와 안테나(248)는 동일한 서브스트레이트에 배치되어 제3 안테나 모듈(246)을 형성할 수 있다. 예를 들어, 무선 통신 모듈(192) 또는 프로세서(120)가 제1 서브스트레이트(예: main PCB)에 배치될 수 있다. 이런 경우, 제1 서브스트레이트와 별도의 제2 서브스트레이트(예: sub PCB)의 일부 영역(예: 하면)에 제3 RFIC(226)가, 다른 일부 영역(예: 상면)에 안테나(248)가 배치되어, 제3 안테나 모듈(246)이 형성될 수 있다. 제3 RFIC(226)와 안테나(248)를 동일한 서브스트레이트에 배치함으로써 그 사이의 전송 선로의 길이를 줄이는 것이 가능하다. 이는, 예를 들면, 5G 네트워크 통신에 사용되는 고주파 대역(예: 약 6GHz ~ 약 60GHz)의 신호가 전송 선로에 의해 손실(예: 감쇄)되는 것을 줄일 수 있다. 이로 인해, 전자 장치(101)는 제2 셀룰러 네트워크(294)(예: 5G 네트워크)와의 통신의 품질 또는 속도를 향상시킬 수 있다.

일실시예에 따르면, 안테나(248)는 빔포밍에 사용될 수 있는 복수개의 안테나 엘레멘트들을 포함하는 안테나 어레이로 형성될 수 있다. 이런 경우, 제3 RFIC(226)는, 예를 들면, 제3 RFFE(236)의 일부로서, 복수개의 안테나 엘레멘트들에 대응하는 복수개의 위상 변환기(phase shifter)(238)들을 포함할 수 있다. 송신 시에, 복수개의 위상 변환기(238)들 각각은 대응하는 안테나 엘레멘트를 통해 전자 장치(101)의 외부(예: 5G 네트워크의 베이스 스테이션)로 송신될 5G Above6 RF 신호의 위상을 변환할 수 있다. 수신 시에, 복수개의 위상 변환기(238)들 각각은 대응하는 안테나 엘레멘트를 통해 상기 외부로부터 수신된 5G Above6 RF 신호의 위상을 동일한 또는 실질적으로 동일한 위상으로 변환할 수 있다. 이것은 전자 장치(101)와 상기 외부 간의 빔포밍을 통한 송신 또는 수신을 가능하게 한다.

제2 셀룰러 네트워크(294)(예: 5G 네트워크)는 제1 셀룰러 네트워크(292)(예: 레거시 네트워크)와 독립적으로 운영되거나(예: Stand-Alone (SA)), 연결되어 운영될 수 있다(예: Non-Stand Alone (NSA)). 예를 들면, 5G 네트워크에는 액세스 네트워크(예: 5G radio access network(RAN) 또는 next generation RAN(NG RAN))만 있고, 코어 네트워크(예: next generation core(NGC))는 없을 수 있다. 이런 경우, 전자 장치(101)는 5G 네트워크의 액세스 네트워크에 액세스한 후, 레거시 네트워크의 코어 네트워크(예: evolved packed core(EPC))의 제어 하에 외부 네트워크(예: 인터넷)에 액세스할 수 있다. 레거시 네트워크와 통신을 위한 프로토콜 정보(예: LTE 프로토콜 정보) 또는 5G 네트워크와 통신을 위한 프로토콜 정보(예: New Radio(NR) 프로토콜 정보)는 메모리(230)에 저장되어, 다른 부품(예: 프로세서(120), 제1 커뮤니케이션 프로세서(212), 또는 제2 커뮤니케이션 프로세서(214))에 의해 액세스될 수 있다.

도 3은 다양한 실시예들에 따른, 전자 장치의 블록도이다. 도 3을 참조하면, 다양한 실시예에 따라 전자 장치(101)는 AP(120), CP(260), RFIC(220), RFFE(230), 안테나(240), 전력 관리 회로(310)(예: 도 1의 전력 관리 모듈(188)))를 포함할 수 있다. CP(260)에서 생성된 베이스밴드 신호는 RFIC(220)로 전송될 수 있다. RFIC(220)는 CP(260)로부터 수신된 베이스 밴드 신호를 RF(radio frequency) 신호로 변조할 수 있다. 상기 RFIC(220)에서 변조된 RF 신호는 RFFE(230)로 입력될 수 있다. RFFE(230)는 전력 증폭기(power amplifier; PA), 필터(filter), 또는 ASM(antenna switching module)을 포함할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.

다양한 실시예에 따라, RFFE(230)는 각 무선 주파수 대역의 RF 신호를 처리할 수 있다. 상기 도 3의 RFFE(230)는 적어도 하나의 전력 증폭기를 포함하는 다양한 형태로 구현될 수 있다. 예컨대, 상기 RFFE(230)는 PAM(power amplifier module), FEM(front end module), PAMiD(power amplifier module including duplxer), LPAMID(LNA and PAM with integrated duplxer or diplxer), LPAMIF(PA with integrated low noise amplifier and filter)의 형태로 구성될 수도 있다. 도 3에서는 설명의 편의상 적어도 하나의 전력 증폭기가 RFFE(230) 내에 포함되는 것으로 예시하나 후술하는 다양한 실시예들이 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 RFFE(230)로 입력된 RF 신호는 적어도 하나의 전력 증폭기를 통해 원하는 크기의 신호로 증폭된 후, 안테나(240)로 전송될 수 있다. 안테나(240)는 RFFE(230)로부터 수신된 신호를 전송할 수 있다.

다양한 실시예에 따라, 안테나(240)로부터 수신된 RF 신호는 RFFE(230)로 전송될 수 있다. RFFE(230)는 안테나(240)로부터 수신된 RF 신호를 LNA(now noise amplifier)를 통해 증폭시킬 수 있다. 상기 RFFE(230)에서 증폭된 신호는 RFIC(220)로 전송될 수 있다. RFIC(220)는 상기 RFFE(230)를 통해 증폭된 신호를 수신하고, 베이스밴드 신호로 복조할 수 있다. 상기 RFIC(220)에서 복조된 신호는 CP(260)로 전송될 수 있다.

다양한 실시예에 따라, 전력 관리 회로(310)는 RFFE(230)에 포함된 전력 증폭기에 전원(Vcc)(예: 입력 전력)을 공급할 수 있다. 예컨대, 상기 전력 관리 회로(310)는 CP(260)의 제어 신호에 기반하여 전력 증폭기의 전력 증폭 모드에 대응하는 전원(Vcc)을 상기 전력 증폭기의 전원 공급 단자에 공급할 수 있다. 다양한 실시예에 따라, 상기 전력 증폭 모드는 배터리 다이렉트(battery direct) 모드, APT(average power tracking) 모드, ET(envelope tracking) 모드 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.

도 5a, 도 5b, 및 도 5c는 다양한 실시예에 따른 전력 증폭기의 전력 증폭 모드를 나타내는 도면이다. 도 5a, 도 5b, 및 도 5c를 참조하면, 다양한 실시예에 따라, 상기 전자 장치의 RFFE에 포함된 전력 증폭기는 설정에 따라 다양한 모드로 동작할 수 있다. 예컨대, 도 5a에 도시된 바와 같이 배터리 다이렉트(battery direct) 모드로 동작하거나, 도 5b에 도시된 바와 같이 APT(average power tracking) 모드로 동작하거나, 도 5c에 도시된 바와 같이 ET(envelope tracking) 모드로 동작할 수 있다.

상기 도 5a에 도시된 배터리 다이렉트 모드는 전력 증폭기의 입력 전력(501)을 직접(direct) 설정된 값(V_batt)으로 입력할 수 있다. 상기 도 5b에 도시된 APT 모드는 전자 장치에 필요한 만큼의 입력 전력(502)을 공급하는 방식으로서, 설정된 시간 단위로(예컨대, 서브 프레임 단위 또는 슬롯 단위로) 설정된 전력을 공급할 수 있다. 예컨대, 상기 APT 모드로 동작하는 경우, RF 신호의 송신 전력이 10~18dBm으로 설정된 서브프레임(또는 슬롯)에서는 3V의 전원(Vcc)이 전력 증폭기로 공급될 수 있으며, RF 신호의 송신 전력이 18~24dBm으로 설정된 서브프레임(또는 슬롯)에서는 4V의 전원(Vcc)이 전력 증폭기로 공급될 수 있다. 상기 도 5c에 도시된 ET 모드에서 전자 장치(101)는 전송하고자 하는 RF 신호의 송신 전력의 크기를 실시간으로 추적하여 전력 증폭기에 입력 전력(503)을 공급하도록 제어할 수 있다.

다양한 실시예에 따라, 전력 관리 회로(310)는 CP(260)로부터 전력 증폭 모드에 대응하는 정보를 수신하고, 상기 수신된 전력 증폭 모드에 대응하는 정보에 기반하여 RFFE(230)에 포함된 적어도 하나의 전력 증폭기에 공급되는 전원(Vcc)(예: 입력 전력)을 제어할 수 있다. 이에 대한 상세한 실시예는 도 8a 이하의 설명에서 후술하기로 한다.

도 4는 다양한 실시예들에 따른, 전자 장치의 블록도이다. 도 4를 참조하면, 다양한 실시예에 따라 전자 장치(101)는 AP(120), CP(260), RFIC(220), 제1 RFFE(230a), 제2 RFFE(230b), 제1 안테나(240a), 제2 안테나(240b), 전력 관리 회로(310)(예: 도 1의 전력 관리 모듈(188)))를 포함할 수 있다. CP(260)에서 생성된 베이스밴드 신호는 RFIC(220)로 전송될 수 있다. RFIC(220)는 CP(260)로부터 수신된 베이스 밴드 신호를 RF(radio frequency) 신호로 변조할 수 있다. 상기 RFIC(220)에서 변조된 RF 신호는 제1 RFFE(230a) 또는 제2 RFFE(230b) 중 주파수 대역, 주파수 대역폭, 또는 전력 증폭 모드(예: ET 모드, APT 모드)에 기반하여 선택된 어느 하나의 RFFE로 입력될 수 있다. 예컨대, 상기 제1 RFFE(230a)는 제1 주파수 대역 신호의 처리에 적합하도록 설계될 수 있으며, 상기 제2 RFFE(230b)는 제2 주파수 대역 신호의 처리에 적합하도록 설계될 수 있다. 예컨대, 상기 제1 RFFE(230a)는 제1 주파수 대역폭의 처리에 적합하도록 설계될 수 있으며, 상기 제2 RFFE(230b)는 제2 주파수 대역폭의 처리에 적합하도록 설계될 수 있다. 예컨대, 상기 제1 RFFE(230a)는 제1 전력 증폭 모드로 동작하도록 설계될 수 있으며, 상기 제2 RFFE(230b)는 제2 전력 증폭 모드로 동작하도록 설계될 수 있다.

다양한 실시예에 따라, 전송하고자 하는 RF 신호의 주파수 대역이 제1 주파수 대역(예: B2 대역)이면, 상기 RF 신호는 제1 RFFE(230a)를 통해 처리될 수 있으며, 전송하고자 하는 RF 신호의 주파수 대역이 제2 주파수 대역(예: B66 대역)이면, 상기 RF 신호는 제2 RFFE(230b)를 통해 처리될 수 있다. 다양한 실시예에 따라, 전송하고자 하는 RF 신호의 주파수 대역폭이 제1 대역폭(예: 60MHz)이면, 상기 RF 신호는 제1 RFFE(230a)를 통해 처리될 수 있으며, 전송하고자 하는 RF 신호의 주파수 대역폭이 제2 대역폭(예: 100MHz)이면, 상기 RF 신호는 제2 RFFE(230b)를 통해 처리될 수 있다. 다양한 실시예에 따라, 전송하고자 하는 RF 신호가 ET 모드에 의해 처리되는 신호이면, 상기 RF 신호는 제1 RFFE(230a)를 통해 처리될 수 있으며, 전송하고자 하는 RF 신호가 APT 모드에 의해 처리되는 신호이면, 상기 RF 신호는 제2 RFFE(230b)를 통해 처리될 수 있다.

다양한 실시예에 따라, 제1 RFFE(230a) 또는 제2 RFFE(230b)는 각 무선 주파수 대역의 RF 신호를 처리할 수 있다. 상기 도 4의 제1 RFFE(230a) 또는 제2 RFFE(230b)는 다양한 형태로 구현될 수 있다. 예컨대, 상기 제1 RFFE(230a) 또는 제2 RFFE(230b)는 PAM(power amplifier module), FEM(front end module), PAMiD(power amplifier module including duplxer), LPAMID(LNA and PAM with integrated duplxer), LPAMIF(PA with integrated low noise amplifier and filter)의 형태로 구성될 수도 있다. 상기 제1 RFFE(230a)로 입력된 RF 신호는 전력 증폭기를 통해 원하는 크기의 신호로 증폭된 후, 제1 안테나(240a)로 전송될 수 있다. 제1 안테나(240a)는 제1 RFFE(230a)로부터 수신된 신호를 전송할 수 있다. 상기 제2 RFFE(230b)로 입력된 RF 신호는 전력 증폭기를 통해 원하는 크기의 신호로 증폭된 후, 제2 안테나(240b)로 전송될 수 있다. 제2 안테나(240b)는 제2 RFFE(230b)로부터 수신된 신호를 전송할 수 있다.

다양한 실시예에 따라, 전력 관리 회로(310)는 제1 RFFE(230a) 및 제2 RFFE(230b)와 병렬 연결될 수 있다. 전력 관리 회로(310)는 제1 RFFE(230a) 및 제2 RFFE(230b)에 전력 증폭기에 공통으로 입력 전력(Vcc)을 공급할 수 있다. 예컨대, 상기 전력 관리 회로(310)는 전력 증폭기의 전력 증폭 모드에 기반하여 상기 전력 증폭기에 입력 전력을 공급할 수 있다. 상기 전력 증폭 모드는 배터리 다이렉트(battery direct) 모드, APT(average power tracking) 모드, ET(envelope tracking) 모드 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.

다양한 실시예에 따라, 제1 RFFE(230a)의 전력 증폭기와 제2 RFFE(230b)의 전력 증폭기는 서로 상이한 전력 증폭 모드로 동작할 수 있다. 예컨대, 도 8a에 도시된 바와 같이 제1 RFFE(230a)는 ET 모드로 동작하고, 제2 RFFE(230b)는 APT 모드로 동작할 수 있다. 예컨대, 도 8b에 도시된 바와 같이 제1 RFFE(230a)는 ET 모드로 동작하고, 제2 RFFE(230b)는 APT 모드 또는 ET 모드로 동작할 수 있다. 예컨대, 도 8c에 도시된 바와 같이 제1 RFFE(230a)는 APT 모드로 동작하고, 제2 RFFE(230b)는 APT 모드 또는 ET 모드로 동작할 수 있다.

다양한 실시예에 따라, 전력 관리 회로(310)는 CP(260)로부터 전력 증폭 모드에 대응하는 정보를 수신하고, 상기 수신된 전력 증폭 모드에 대응하는 정보에 기반하여 제1 RFFE(230a) 및 제2 RFFE(230b) 중 어느 하나에 포함된 전력 증폭기로 전원(예: 입력 전력)을 공급할 수 있다. 이에 대한 상세한 실시예는 도 8a 이하의 설명에서 후술하기로 한다.

도 6은 다양한 실시예에 따른 전자 장치의 블록도를 도시한다. 도 6을 참조하면, 적어도 하나의 RFIC(220)에는 복수의 RFFE들(611, 612, 613, 621, 622, 623, 631, 632, 633, 640)이 연결될 수 있다. 복수의 RFFE들(611, 612, 613, 621, 622, 623, 631, 632, 633, 640)은 복수의 안테나들(651, 652, 661, 662, 671, 672, 673, 681, 691, 692)에 연결될 수 있다.

다양한 실시예에 따라, 제1-1 RFFE(611)는 제1 메인 안테나(main antenna)(651)와 전기적으로 연결될 수 있다. 제2-1 RFFE(621)는 제2 메인 안테나(661)와 전기적으로 연결될 수 있다. 제1-2 RFFE(612) 및 제1-3 RFFE(613)는 제1 서브 안테나(sub antenna)(652)와 전기적으로 연결되어 상기 제1 메인 안테나(651)와 다이버시티를 제공할 수 있다. 제2-2 RFFE(622) 및 제2-3 RFFE(623)는 제2 서브 안테나(sub antenna)(662)와 전기적으로 연결되어 상기 제2 메인 안테나(661)와 다이버시티를 제공할 수 있다. 제3-1 RFFE(631)는 두 개의 제3 메인 안테나들(671, 672)과 연결되어 MIMO를 제공할 수 있다. 또 다른 예로, 제3-2 RFFE(632) 및 제3-3 RFFE(633)는 듀플렉서를 통해 제3 서브 안테나(sub antenna)(673)와 연결되어 상기 제3 메인 안테나들(671, 672)와 MIMO 또는 다이버시티를 제공할 수 있다. 또 다른 예로, 제5 안테나(681)는 RFFE를 통하지 않고 RFIC(220)에서 직접 연결될 수 있다. 또 다른 예로, 제6-1 안테나(691) 및 제6-2 안테나(692)도 RFFE를 통하지 않고 RFIC(220)에서 직접 연결될 수 있으며, 2 개의 안테나를 통해 MIMO 또는 다이버시티를 제공할 수 있다. 또 다른 예로, 제4 RFFE(640)는 두 개의 WIFI 안테나들과 연결될 수 있다.

다양한 실시예에 따라, 도 6의 RFFE들 중 적어도 하나는 도 3, 도 4에서 전술한 RFFE(230), 제1 RFFE(230a), 제2 RFFE(230b) 중 어느 하나에 대응할 수 있다. 도 6의 안테나들 중 적어도 하나는 도 3, 도 4에서 전술한 안테나(240), 제1 안테나(240a), 제2 안테나(240b) 중 어느 하나에 대응할 수 있다.

도 7은 다양한 실시예에 따른 전자 장치의 블록도를 도시한다. 도 7을 참조하면, 적어도 하나의 RFIC(220)에는 복수의 PAM들(711, 751, 761, 771) 및/또는 복수의 FEM들(721, 731, 741)들이 연결될 수 있다. 상기 복수의 PAM들(711, 751, 761, 771) 및/또는 복수의 FEM들(721, 731, 741)들은 각각 적어도 하나의 안테나(712, 713, 722, 732, 733, 742, 743, 752, 762, 772, 773)에 연결될 수 있다.

상기 복수의 PAM들(711, 751, 761, 771) 각각은 적어도 하나의 전력 증폭기(power amplifier; PA)를 포함할 수 있으며, 송신 신호를 상기 전력 증폭기에 의해 증폭하여 안테나(712, 713, 752, 761, 772, 773)를 통해 전송할 수 있다. 상기 PAM #3(761)는 적어도 하나의 다이플렉서 또는 적어도 하나의 듀플렉서를 포함하여 PAMiD(power amplitude module including duplexer)의 형태로 형성될 수도 있다. 상기 PAM #3(761)는 안테나(762)를 통해 수신된 데이터를 다이플렉서 또는 듀플렉서를 통해 LNA(763)로 전송할 수 있다. 상기 LNA(763)에서 수신된 데이터는 저잡음 증폭된 후 RFIC(220)로 전송될 수 있다. 다양한 실시예에 따라, 상기 복수의 FEM들(721, 731, 741) 각각은 저잡음 증폭기(low noise amplifier; LNA)를 포함할 수 있으며, 수신 신호를 상기 전력 증폭기에 의해 증폭하여 RFIC(220)로 전송할 수 있다.

다양한 실시예에 따라, PAM #1(711)은 중대역(mid band) 또는 고대역(high band) 5G 주파수(예컨대, N1 대역, 또는 N3 대역) 신호를 송수신 처리할 수 있다. PAM #2(751)은 초고대역(ultra high band) 5G 주파수(예컨대, N78 대역) 신호를 송수신 처리할 수 있다. 예컨대, 상기 전자 장치(101)가 SA로 동작할 경우, 상기 PAM #1(711) 또는 PAM #N(771)을 통해 5G 주파수 신호를 송수신 처리할 수 있다. 상기 전자 장치(101)가 EN-DC로 동작할 경우, 상기 PAM #1(711) 및 PAM #N(771)을 통해 각각 5G 주파수 신호 및 LTE 주파수 신호를 송수신 처리할 수 있다.

도 8a는 다양한 실시예들에 따른, 복수의 RFFE를 포함하는 전자 장치의 블록도이다. 도 8a를 참조하면, 전자 장치(101)는 전력 관리 회로(310)(power management IC; PMIC), 제1 RFFE(230a), 제2 RFFE(230b)를 포함할 수 있다. 상기 제1 RFFE(230a)는 제1 전력 증폭기(810a), 제1 필터(820a), 제1 ASM(antenna switch module)(830a)을 포함할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 제2 RFFE(230b)는 제2 전력 증폭기(810b), 제2 필터(820b), 제2 ASM(antenna switch module)(830b)을 포함할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.

다양한 실시예에 따라, 전력 관리 회로(310)는 제1 RFFE(230a) 및 제2 RFFE(230b)에 병렬 연결될 수 있다. 상기 전력 관리 회로(310)는 제1 RFFE(230a)에 포함된 제1 전력 증폭기(810a)에 전원(예: 입력 전력)(Vcc)을 공급할 수 있으며, 제2 RFFE(230b)에 포함된 제2 전력 증폭기(810b)에 전원(예: 입력 전력)(Vcc)을 공급할 수 있다. 예컨대, 전자 장치(101)가 제1 RFFE(230a)를 통해 RF 신호를 전송하는 경우, 전력 관리 회로(310)는 ET 모드에 기반하여 제1 RFFE(230a)에 포함된 제1 전력 증폭기(810a)에 전원을 공급할 수 있으며, 상기 제2 RFFE(230b)에는 RF 신호가 전송되지 않도록 제어될 수 있다. 다양한 실시예에 따라, 상기 제1 RFFE(230a)는 복수의 저대역 주파수(예: B5, B12, B13, B17)에 대응하는 RF 신호를 처리할 수 있다. 예컨대, 상기 ET 모드를 지원하는 제1 RFFE(230a)는 전송하고자 하는 RF 신호의 설정된 목표 전력이 설정값(예컨대, 18dBm) 이상인 경우 ET 모드로 동작하고, 설정값 미만인 경우 APT 모드로 동작할 수 있다.

다양한 실시예에 따라, 전자 장치(101)가 제2 RFFE(230b)를 통해 RF 신호를 전송하는 경우, 전력 관리 회로(310)는 APT 모드에 기반하여 제2 RFFE(230b)에 포함된 제2 전력 증폭기(810b)에 전원을 공급할 수 있으며, 상기 제1 RFFE(230a)에는 RF 신호가 전송되지 않도록 제어될 수 있다. 다양한 실시예에 따라, 상기 제2 RFFE(230b)는 ET 모드로 처리될 수 없고 APT 모드로만 처리될 수 있는 주파수 대역(예: B41)의 RF 신호를 처리할 수 있다.

다양한 실시예에 따라, CP(260)는 상기 제1 RFFE(230a) 및 제2 RFFE(230b) 중 전송하고자 하는 RF 신호의 주파수 대역, 주파수 대역폭, 또는 전력 증폭 모드 중 적어도 하나에 기반하여 상기 RF 신호를 전송할 RFFE를 선택할 수 있다. 상기 CP(260)는 상기 전송하고자 하는 RF 신호를 RFIC(220)에서 상기 선택된 RFFE로 전송하도록 제어할 수 있다.

다양한 실시예에 따라, 상기 전력 관리 회로(310)와 제1 RFFE(230a) 사이에는 제1 커패시터(840a)가 병렬 연결될 수 있으며, 상기 전력 관리 회로(310)와 제2 RFFE(230b) 사이에는 제2 커패시터(840b)가 병렬 연결될 수 있다. 예컨대, 상기 제1 커패시터(840a)는 ET 모드 동작을 위해 전력 관리 회로(310)의 로드가 허용하는 최대 커패시턴스의 기준(예컨대, 750pF)을 초과하지 않는 부품을 사용할 수 있다. 다양한 실시예에 따라, 전력 관리 회로(310)는 APT 모드에 기반하여 제2 RFFE(230b)에 포함된 제2 전력 증폭기(810b)에 전원을 공급할 수 있으며, 상기 제2 커패시터(840b)는 APT 모드 동작을 위해 설정된 커패시턴스를 고려한 부품을 사용할 수 있다.

다양한 실시예에 따라, 전자 장치(101)가 ET 모드로 동작하는 제1 RFFE(230a)를 사용하여 RF 신호를 전송할 때, 제1 커패시터(840a)뿐만 아니라 제2 커패시터(840b)가 병렬 연결된 상태이므로 ET 모드에 대한 최적의 성능을 제공하지 못할 수 있다. 예컨대, 제1 커패시터(840a)의 커패시턴스와 제2 커패시터(840b)의 커패시턴스의 합이 ET 모드 동작을 위해 전력 관리 회로(310)의 로드가 허용하는 최대 커패시턴스의 기준(예컨대, 750pF)을 초과하게 되어 제1 RFFE(230a)가 정상적인 ET 모드로 동작하지 않을 수 있다.

다른 실시예에 따라, 상기 제1 RFFE(230a)와 제2 RFFE(230b)가 각각 해당 전력 증폭 모드에 따른 최적의 성능을 제공하기 위해 별도의 전력 관리 회로를 구비하는 경우, 부품 추가에 따른 비용이 증가하고 부품 실장 공간이 줄어들 수 있다.

도 8b는 다양한 실시예들에 따른, 복수의 RFFE를 포함하는 전자 장치의 블록도이다. 도 8b를 참조하면, 전자 장치(101)는 전력 관리 회로(310)(power management IC; PMIC), 제1 RFFE(230a), 제2 RFFE(230b)를 포함할 수 있다. 상기 제1 RFFE(230a)는 제1 전력 증폭기(810a), 제1 필터(820a), 제1 ASM(antenna switch module)(830a)을 포함할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 제2 RFFE(230b)는 제2 전력 증폭기(810b), 제2 필터(820b), 제2 ASM(antenna switch module)(830b)을 포함할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.

다양한 실시예에 따라, 전력 관리 회로(310)는 제1 RFFE(230a) 및 제2 RFFE(230b)에 병렬 연결될 수 있다. 상기 전력 관리 회로(310)는 제1 RFFE(230a)에 포함된 제1 전력 증폭기(810a)에 전원(예: 입력 전력)(Vcc)을 공급할 수 있으며, 제2 RFFE(230b)에 포함된 제2 전력 증폭기(810b)에 전원(예: 입력 전력)(Vcc)을 공급할 수 있다. 예컨대, 전자 장치(101)가 제1 RFFE(230a)에 의해 RF 신호를 전송하는 경우, 전력 관리 회로(310)는 ET 모드에 기반하여 제1 RFFE(230a)에 포함된 제1 전력 증폭기(810a)에 전원을 공급할 수 있으며, 상기 제2 RFFE(230b)에는 RF 신호가 전송되지 않도록 제어될 수 있다. 전자 장치(101)가 제2 RFFE(230b)에 의해 RF 신호를 전송하는 경우, 전력 관리 회로(310)는 APT 모드 또는 ET 모드에 기반하여 제2 RFFE(230b)에 포함된 제2 전력 증폭기(810b)에 전원을 공급할 수 있으며, 상기 제1 RFFE(230a)에는 RF 신호가 전송되지 않도록 제어될 수 있다. 예컨대, 제2 RFFE(230b)에서 처리되는 주파수 대역 중 N41 주파수 대역의 RF 신호에 대해서는 APT 모드에 따라 전원을 공급할 수 있으며, N2 또는 N66 주파수 대역의 신호에 대해서는 ET 모드에 따라 전원을 공급할 수 있다.

다양한 실시예에 따라, 상기 전력 관리 회로(310)와 제1 RFFE(230a) 사이에는 제1 커패시터(840a)가 병렬 연결될 수 있으며, 상기 전력 관리 회로(310)와 제2 RFFE(230b) 사이에는 제2 커패시터(840b)가 병렬 연결될 수 있다. 예컨대, 상기 제1 커패시터(840a)는 ET 모드 동작을 위해 전력 관리 회로(310)의 로드가 허용하는 최대 커패시턴스의 기준(예컨대, 750pF)을 초과하지 않는 부품을 사용할 수 있다. 다양한 실시예에 따라, 전력 관리 회로(310)는 APT 모드 또는 ET 모드에 기반하여 제2 RFFE(230b)에 포함된 제2 전력 증폭기(810b)에 전원을 공급할 수 있으며, 상기 제2 커패시터(840b)는 APT 모드 동작을 위해 설정된 커패시턴스를 고려한 부품을 사용할 수 있다. 다양한 실시예에 따라, 전자 장치(101)가 ET 모드로 동작하는 제1 RFFE(230a)를 사용하여 RF 신호를 전송할 때, 제1 커패시터(840a)뿐만 아니라 제2 커패시터(840b)가 병렬 연결된 상태이므로 ET 모드에 대한 최적의 성능을 제공하지 못할 수 있다. 예컨대, 제1 커패시터(840a)의 커패시턴스와 제2 커패시터(840b)의 커패시턴스의 합이 ET 모드 동작을 위해 전력 관리 회로(310)의 로드가 허용하는 최대 커패시턴스의 기준(예컨대, 750pF)을 초과하게 되어 제1 RFFE(230a)가 정상적인 ET 모드로 동작하지 않을 수 있다.

도 8c는 다양한 실시예들에 따른, 복수의 RFFE를 포함하는 전자 장치의 블록도이다. 도 8c를 참조하면, 전자 장치(101)는 전력 관리 회로(310)(power management IC; PMIC), 제1 RFFE(230a), 제2 RFFE(230b)를 포함할 수 있다. 상기 제1 RFFE(230a)는 제1 전력 증폭기(810a), 제1 필터(820a), 제1 ASM(antenna switch module)(830a)을 포함할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 제2 RFFE(230b)는 제2 전력 증폭기(810b), 제2 필터(820b), 제2 ASM(antenna switch module)(830b)을 포함할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.

다양한 실시예에 따라, 전력 관리 회로(310)는 제1 RFFE(230a) 및 제2 RFFE(230b)에 병렬 연결될 수 있다. 상기 전력 관리 회로(310)는 제1 RFFE(230a)에 포함된 제1 전력 증폭기(810a)에 전원(예: 입력 전력)(Vcc)을 공급할 수 있으며, 제2 RFFE(230b)에 포함된 제2 전력 증폭기(810b)에 전원(예: 입력 전력)(Vcc)을 공급할 수 있다. 예컨대, 전자 장치(101)가 제1 RFFE(230a)에 의해 RF 신호를 전송하는 경우, 전력 관리 회로(310)는 APT 모드에 기반하여 제1 RFFE(230a)에 포함된 제1 전력 증폭기(810a)에 전원을 공급할 수 있으며, 상기 제2 RFFE(230b)에는 RF 신호가 전송되지 않도록 제어될 수 있다. 전자 장치(101)가 제2 RFFE(230b)에 의해 RF 신호를 전송하는 경우, 전력 관리 회로(310)는 APT 모드 또는 ET 모드에 기반하여 제2 RFFE(230b)에 포함된 제2 전력 증폭기(810b)에 전원을 공급할 수 있으며, 상기 제1 RFFE(230a)에는 RF 신호가 전송되지 않도록 제어될 수 있다.

다양한 실시예에 따라, 상기 전력 관리 회로(310)와 제1 RFFE(230a) 사이에는 제1 커패시터(840a)가 병렬 연결될 수 있으며, 상기 전력 관리 회로(310)와 제2 RFFE(230b) 사이에는 제2 커패시터(840b)가 병렬 연결될 수 있다. 예컨대, 상기 제2 커패시터(840b)는 ET 모드 동작을 위해 전력 관리 회로(310)의 로드가 허용하는 최대 커패시턴스의 기준(예컨대, 750pF)을 초과하지 않는 부품을 사용할 수 있다. 다양한 실시예에 따라, 전력 관리 회로(310)는 APT 모드에 기반하여 제1 RFFE(230a)에 포함된 제1 전력 증폭기(810a)에 전원을 공급할 수 있으며, 상기 제1 커패시터(840a)는 APT 모드 동작을 위해 설정된 커패시턴스를 고려한 부품을 사용할 수 있다. 다양한 실시예에 따라, 전자 장치(101)가 APT 모드 또는 ET 모드로 동작하는 제2 RFFE(230b)를 사용하여 RF 신호를 전송할 때, 제2 커패시터(840b)뿐만 아니라 제1 커패시터(840a)가 병렬 연결된 상태이므로 ET 모드에 대한 최적의 성능을 제공하지 못할 수 있다. 예컨대, 제1 커패시터(840a)의 커패시턴스와 제2 커패시터(840b)의 커패시턴스의 합이 ET 모드 동작을 위해 전력 관리 회로(310)의 로드가 허용하는 최대 커패시턴스의 기준(예컨대, 750pF)을 초과하게 되어 제2 RFFE(230b)가 정상적인 ET 모드로 동작하지 않을 수 있다.

도 9는 다양한 실시예들에 따른, 복수의 RFFE를 포함하는 전자 장치의 블록도이다. 도 9를 참조하면, 전자 장치(101)는 전력 관리 회로(310)(power management IC; PMIC), N개의 RFFE(예: 제1 RFFE(230a), 제2 RFFE(230b),..., 제n RFFE(230n))를 포함할 수 있다. 상기 제1 RFFE(230a)는 제1 전력 증폭기(810a), 제1 필터(820a), 제1 ASM(antenna switch module)(830a)을 포함할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 제2 RFFE(230b)는 제2 전력 증폭기(810b), 제2 필터(820b), 제2 ASM(antenna switch module)(830b)을 포함할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 제n RFFE(230n)는 제n 전력 증폭기(810n), 제n 필터(820n), 제n ASM(antenna switch module)(830n)을 포함할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.

다양한 실시예에 따라, 전력 관리 회로(310)는 제1 RFFE(230a), 제2 RFFE(230b),..., 제n RFFE(230n)에 병렬 연결될 수 있다. 상기 전력 관리 회로(310)는 제1 RFFE(230a)에 포함된 제1 전력 증폭기(810a), 제2 RFFE(230b)에 포함된 제2 전력 증폭기(810b), 제n RFFE(230n)에 포함된 제n 전력 증폭기(810n)에 전원(예: 입력 전력)(Vcc)을 공급할 수 있다.

다양한 실시예에 따라, 상기 전력 관리 회로(310)와 제1 RFFE(230a) 사이에는 제1 커패시터(840a)가 병렬 연결될 수 있으며, 상기 전력 관리 회로(310)와 제2 RFFE(230b) 사이에는 제2 커패시터(840b)가 병렬 연결될 수 있으며, 상기 전력 관리 회로(310)와 제n RFFE(230n) 사이에는 제n 커패시터(840n)가 병렬 연결될 수 있다.

상기 복수의 RFFE들 중 적어도 2개의 RFFE에는 서로 동일한 전력 증폭 모드 또는 서로 상이한 전력 증폭 모드가 적용될 수 있다. 상기 도 8a, 도 8b, 도 8c에서 전술한 바와 같이 각 RFFE에 서로 상이한 전력 증폭 모드가 적용될 수 있으나, 각 RFFE에 연결된 커패시터는 특정 전력 증폭 모드에 최적화되도록 설치될 수 없으므로, 각 RFFE에 대한 최적의 성능을 제공하지 못할 수 있다. 예컨대, 각 RFFE에 최적화된 커패시터가 각 RFFE에 병렬 연결되더라도, 각 RFFE에 대한 커패시턴스는 상기 RFFE의 개수만큼 중첩되어 정상적인 ET 모드를 지원하지 못할 수 있다.

도 10a는 다양한 실시예들에 따른, 복수의 RFFE를 포함하는 전자 장치의 블록도이다. 도 10a를 참조하면, 전자 장치(101)는 전력 관리 회로(310)(예: PMCI(power management IC)), 제1 RFFE(230a), 제2 RFFE(230b)를 포함할 수 있다. 상기 제1 RFFE(230a)는 제1 전력 증폭기(810a), 제1 필터(820a), 제1 ASM(antenna switch module)(830a)을 포함할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 제2 RFFE(230b)는 제2 전력 증폭기(810b), 제2 필터(820b), 제2 ASM(antenna switch module)(830b)을 포함할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 상기 제1 RFFE(230a)는 도 8a, 도 8b, 도 8c 중 어느 하나의 제1 RFFE(230a)에 대응할 수 있으며, 상기 제2 RFFE(230b)는 도 8a, 도 8b, 도 8c 중 어느 하나의 제2 RFFE(230b)에 대응할 수 있다. 다양한 실시예에 따라, 상기 제1 RFFE(230a)는 ET 모드, APT 모드, APT/ET 모드 중 어느 하나의 전력 증폭 모드를 지원할 수 있고, 상기 제2 RFFE(230b)는 ET 모드, APT 모드, APT/ET 모드 중 어느 하나의 전력 증폭 모드를 지원할 수 있다.

다양한 실시예에 따라, 상기 전력 관리 회로(310)와 제1 RFFE(230a) 사이에는 제1 커패시터(840a)가 병렬 연결될 수 있으며, 상기 전력 관리 회로(310)와 제2 RFFE(230b) 사이에는 제2 커패시터(840b)가 병렬 연결될 수 있다. 상기 제2 RFFE(230b)는 상기 전력 관리 회로(310)와 상기 제2 커패시터(840b) 사이에 스위치(1010)를 더 포함할 수 있다.

다양한 실시예에 따라, 전자 장치(101)가 제1 RFFE(230a)에 의해 RF 신호를 전송하는 경우, 전력 관리 회로(310)는 ET 모드에 기반하여 제1 RFFE(230a)에 포함된 제1 전력 증폭기(810a)에 전원을 공급할 수 있으며, 상기 제2 RFFE(230b)에는 RF 신호가 전송되지 않도록 제어될 수 있다. 상기 제1 RFFE(230a)가 ET 모드에 기반하여 동작할 때, 상기 제2 RFFE(230b)에 포함된 스위치(1010)는 오프(off) 상태가 되도록 제어될 수 있다. 상기 스위치(1010)가 오프 상태로 제어됨에 따라, 상기 전력 관리 회로(310)는 제2 커패시터(840b)와 연결되지 않도록 제어될 수 있다. 상기 제1 RFFE(230a)에서의 커패시턴스는 상기 스위치(1010)가 오프 상태로 제어됨에 따라 상기 제2 커패시터(840b)의 영향을 받지 않게 되어, 상기 제1 RFFE(230a)는 ET 모드에 대한 최적의 성능을 제공할 수 있다.

다양한 실시예에 따라, 전자 장치(101)가 제2 RFFE(230b)에 의해 RF 신호를 전송하는 경우, 전력 관리 회로(310)는 APT 모드에 기반하여 제2 RFFE(230b)에 포함된 제2 전력 증폭기(810b)에 전원을 공급할 수 있으며, 상기 제1 RFFE(230a)에는 RF 신호가 전송되지 않도록 제어될 수 있다. 다양한 실시예에 따라, 상기 제2 RFFE(230b)에 포함된 스위치(1010)는 온(on) 상태가 되도록 제어될 수 있다. 상기 스위치(1010)가 온 상태로 제어됨에 따라, 상기 전력 관리 회로(310)는 제2 커패시터(840b)와 연결되도록 제어될 수 있다. 상기 제2 RFFE(230b)에서의 커패시턴스는 상기 제1 커패시터(840a) 및 제2 커패시터(840b)의 합에 의해 결정되므로, 상기 제2 RFFE(230b)는 APT 모드에 대한 최적의 성능을 제공할 수 있다.

다양한 실시예에 따라, 상기 도 10a에서는 상기 제1 커패시터(840a) 또는 제2 커패시터(840b)가 상기 제1 RFFE(230a) 또는 제2 RFFE(230b)의 외부에 배치된 것으로 도시되어 있으나, 상기 제1 RFFE(230a) 또는 제2 RFFE(230b)의 내부에 포함될 수도 있다.

다양한 실시예에 따라, 상기 도 10a에 도시된 바와 같이 스위치(1010)가 상기 제2 RFFE(230b)의 내부에 배치되는 경우, 상기 스위치(1010)는 RFIC(220)의 MIPI(mobile industry processor interface) 버스 라인을 통해 제공되는 제어 신호에 의해 제어될 수 있다.

도 10b는 다양한 실시예들에 따른, 복수의 RFFE를 포함하는 전자 장치의 블록도이다. 도 10b를 참조하면, 도 10a와 비교할 때, 제2 커패시터(840b)와의 연결을 스위칭하기 위한 스위치(1020)는 상기 제2 RFFE(230b)의 외부에 배치될 수 있다. 예컨대, 상기 전력 관리 회로(310)와 제2 RFFE(230b) 사이에 병렬 연결된 제2 커패시터(840b)는, 상기 제2 RFFE(230b)의 외부에 배치된 스위치(1020)에 의해 상기 전력 관리 회로(310)와의 연결이 제어될 수 있다.

도 10c는 다양한 실시예들에 따른, 복수의 RFFE를 포함하는 전자 장치의 블록도이다. 도 10c를 참조하면, 전자 장치(101)는 전력 관리 회로(310)(power management IC; PMIC), 제1 RFFE(230a), 제2 RFFE(230b)를 포함할 수 있다. 상기 제1 RFFE(230a)는 제1 전력 증폭기(810a), 제1 필터(820a), 제1 ASM(antenna switch module)(830a)을 포함할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 제2 RFFE(230b)는 제2 전력 증폭기(810b), 제2 필터(820b), 제2 ASM(antenna switch module)(830b)을 포함할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.

다양한 실시예에 따라, 상기 전력 관리 회로(310)와 제1 RFFE(230a) 사이에는 제1 커패시터(840a)가 병렬 연결될 수 있으며, 상기 전력 관리 회로(310)와 제2 RFFE(230b) 사이에는 제2 커패시터(840b) 및 제3 커패시터(840c)가 병렬 연결될 수 있다. 상기 제2 RFFE(230b)는 상기 전력 관리 회로(310)와 상기 제2 커패시터(840b) 및 제3 커패시터(840c) 사이에 스위치(1030)를 더 포함할 수 있다.

다양한 실시예에 따라, 전자 장치(101)가 제1 RFFE(230a)에 의해 RF 신호를 전송하는 경우, 전력 관리 회로(310)는 ET 모드에 기반하여 제1 RFFE(230a)에 포함된 제1 전력 증폭기(810a)에 전원을 공급할 수 있으며, 상기 제2 RFFE(230b)에는 RF 신호가 전송되지 않도록 제어될 수 있다. 다양한 실시예에 따라, 상기 제2 RFFE(230b)에 연결된 스위치(1030)는 제2 커패시터(840b) 또는 제3 커패시터(840c)에 연결되도록 제어할 수 있다. 다양한 실시예에 따라, 전자 장치(101)가 제2 RFFE(230b)에 의해 RF 신호를 전송하는 경우, 전력 관리 회로(310)는 APT 모드에 기반하여 제2 RFFE(230b)에 포함된 제2 전력 증폭기(810b)에 전원을 공급할 수 있으며, 상기 제1 RFFE(230a)에는 RF 신호가 전송되지 않도록 제어될 수 있다. 다양한 실시예에 따라, 상기 제2 RFFE(230b)에 연결된 스위치(1030)는 제2 커패시터(840b) 또는 제3 커패시터(840c)에 연결되도록 제어할 수 있다. 다양한 실시예에 따라, 각 전력 증폭 모드에 기반하여 스위치(1030)를 제2 커패시터(840b) 또는 제3 커패시터(840c)에 연결되도록 제어함으로써 최적의 성능을 제공할 수 있다.

다양한 실시예에 따라, 상기 도 10c에서는 상기 제2 RFFE(230b)에 두 개의 커패시터(예: 제2 커패시터(840b), 제3 커패시터(840c))가 연결된 것으로 도시하였으나, 3 이상의 커패시터가 병렬 연결되도록 구현할 수도 있다. 다양한 실시예에 따라, 상기 도 10c에서 제1 커패시터(810a)가 제1 RFFE(230a)에 연결되지 않고, 제2 RFFE(230b)와 연결되도록 할 수 있다. 예컨대, 제1 커패시터(840a)는 제2 커패시터(840b) 또는 제3 커패시터(840c)와 병렬 연결되고, 스위치(1030)는 전력 증폭 모드에 따라 제1 커패시터(840a), 제2 커패시터(840b) 또는 제3 커패시터(840c) 중 어느 하나의 커패시터와 연결되도록 제어할 수 있다.

도 11은 다양한 실시예에 따른 전자 장치의 블록도를 도시한다. 도 11을 참조하면, 다양한 실시예에 따라 전자 장치(101)는 CP(260), RFIC(220), RFFE(1100), 전력 관리 회로(310)(예: 도 1의 전력 관리 모듈(188)))를 포함할 수 있다. 상기 도 11에 예시된 전자 장치(101)는 하나의 RFFE(1100)를 포함하는 것으로 도시하고 있으나, 다양한 실시예에 따라, 도 4, 도 8a, 도 8b, 도 8c, 도 9, 도 10a, 도 10b, 도 10c에 예시된 바와 같이 복수의 RFFE들을 포함할 수도 있다.

다양한 실시예에 따라, CP(260)에서 생성된 베이스밴드 신호는 RFIC(220)로 전송될 수 있다. RFIC(220)는 CP(260)로부터 수신된 베이스 밴드 신호를 RF(radio frequency) 신호로 변조할 수 있다. 상기 RFIC(220)에서 변조된 RF 신호는 RF 신호 전송 라인(1102)을 통해 RFFE(1100)의 전력 증폭기(1110)로 입력될 수 있다. RFFE(1100)는 전력 증폭기(power amplifier; PA), 필터(filter), 또는 ASM(antenna switching module)을 포함할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 RFFE(1100)는 스위치(1120), 적어도 하나의 커패시터(예: 제1 커패시터(C1)(1131), 제2 커패시터(C2)(1132), 제3 커패시터(C3)(1133))를 포함할 수 있다.

다양한 실시예에 따라, RFIC(220)는 RFFE(1100)로 MIPI 버스 라인(1101)을 통해 제어 신호를 전송할 수 있다. 예컨대, 전자 장치(101)는 RFIC(220)에서 MIPI 버스 라인(1101)을 통해 스위치(1120)를 제어하기 위한 제어 신호를 전송할 수 있다. RFFE(1100)에 포함된 스위치(1120)는 상기 MIPI 버스 라인(1101)을 통해 수신된 제어 신호에 기반하여 제1 커패시터(1131), 제2 커패시터(1132), 또는 제3 커패시터(1133) 중 하나의 커패시터가 전력 증폭기(1110)의 전원 입력 단자에 연결되도록 스위칭 될 수 있다.

다양한 실시예에 따라, 상기 스위치(1120)를 제어하기 위한 제어 신호는 RF 신호의 주파수 대역 및/또는 RF 신호의 주파수 대역폭에 기반하여 설정될 수 있다. 예컨대, 상기 제어 신호는 하기 <표 1>과 같이 RF 신호의 주파수 대역폭에 기반하여 설정될 수 있다.

상기 <표 1>을 참조하면, 상기 RFIC(220)에서 전송되는 RF 신호가 B41 대역의 RF 신호로서, 60MHz의 대역폭을 갖는 신호인 경우, RFFE(1100)가 ET 모드로 동작할 수 있으며, 상기 MIPI 버스 라인(1101)을 통해 스위치(1120)를 제어함으로써 10pF의 커패시턴스를 갖도록 제어할 수 있다. 상기 RFIC(220)에서 전송되는 RF 신호가 B41 대역의 RF 신호로서, 100MHz의 대역폭을 갖는 신호인 경우, ET 모드를 지원하지 못하여 RFFE(1100)가 APT 모드로 동작할 수 있으며, 상기 MIPI 버스 라인(1101)을 통해 스위치(1120)를 제어함으로써 200pF의 커패시턴스를 갖도록 제어할 수 있다.

다양한 실시예에 따라, 상기 제어 신호는 하기 <표 2>와 같이 RF 신호의 주파수 대역에 기반하여 설정될 수 있다.

상기 <표 2>를 참조하면, 상기 RFIC(220)에서 전송되는 RF 신호가 B2 대역의 RF 신호인 경우, RFFE(1100)가 ATP 모드로 동작할 수 있으며, 상기 MIPI 버스 라인(1101)을 통해 스위치(1120)를 제어함으로써 상기 B2 대역의 신호에 적합한 10pF의 커패시턴스를 갖도록 제어할 수 있다. 상기 RFIC(220)에서 전송되는 RF 신호가 B66 대역의 RF 신호인 경우, RFFE(1100)가 ATP 모드로 동작할 수 있으며, 상기 MIPI 버스 라인(1101)을 통해 스위치(1120)를 제어함으로써 상기 B66 대역의 신호에 적합한 200pF의 커패시턴스를 갖도록 제어할 수 있다.

다양한 실시예에 따라, 상기 RFCI(220)에서 상기 MIPI 버스 라인(1101)을 통해 전송되는 제어 신호는 상기 스위치(1120)가 연결되는 각 노드에 대응하는 값을 포함할 수 있다. 다른 예로서, 상기 RFCI(220)에서 상기 MIPI 버스 라인(1101)을 통해 전송되는 제어 신호는 주파수 대역 및/또는 주파수 대역폭에 대응하는 정보를 포함할 수 있다. 상기 RFFE(1100)는 상기 주파수 대역 및/또는 주파수 대역폭에 대응하는 정보에 기반하여 상기 스위치(1120)의 연결을 제어하기 위한 제어 신호를 생성하여 스위치(1120)의 동작을 제어할 수 있다. 다른 예로서, 상기 RFCI(220)에서 상기 MIPI 버스 라인(1101)을 통해 전송되는 제어 신호는 전력 증폭 모드(예: ET 모드, APT 모드) 에 대응하는 정보를 포함할 수 있다. 상기 RFFE(1100)는 상기 전력 증폭 모드에 대응하는 정보에 기반하여 상기 스위치(1120)의 연결을 제어하기 위한 제어 신호를 생성하여 스위치(1120)의 동작을 제어할 수 있다.

다양한 실시예에 따라, 상기 도 11에서는 RFFE(1100)가 3개의 커패시터들을 포함하는 것으로 도시되어 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 상기 RFFE(1100)는 1개 또는 2개의 커패시터를 포함할 수도 있으며, 4개 이상의 커패시터들을 포함할 수도 있다. 다양한 실시예에 따라, 상기 커패시터의 개수는 상기 RFFE(1100)에서 처리하는 RF 신호의 주파수 대역의 개수에 대응하여 설정될 수도 있다. 예컨대, 상기 RFFE(1100)에서 처리하는 RF 신호의 주파수 대역이 3개의 주파수 대역이면, 각 주파수 대역에 따라 최적의 커패시턴스를 갖도록 3개의 커패시터들을 배치할 수 있다.

도 12는 다양한 실시예에 따른 전자 장치의 블록도를 도시한다. 도 12를 참조하면, 다양한 실시예에 따라 전자 장치(101)는 CP(260), RFIC(220), RFFE(1200), 전력 관리 회로(310)(예: 도 1의 전력 관리 모듈(188))), 스위치(1220), 적어도 하나의 커패시터(예: 제1 커패시터(C1)(1231), 제2 커패시터(C2)(1232))를 포함할 수 있다. 상기 도 12에 예시된 전자 장치(101)는 하나의 RFFE(1200)를 포함하는 것으로 도시하고 있으나, 다양한 실시예에 따라, 도 4, 도 8a, 도 8b, 도 8c, 도 9, 도 10a, 도 10b, 도 10c에 예시된 바와 같이 복수의 RFFE들을 포함할 수도 있다.

다양한 실시예에 따라, CP(260)에서 생성된 베이스밴드 신호는 RFIC(220)로 전송될 수 있다. RFIC(220)는 CP(260)로부터 수신된 베이스 밴드 신호를 RF(radio frequency) 신호로 변조할 수 있다. 상기 RFIC(220)에서 변조된 RF 신호는 RF 신호 전송 라인(1202)을 통해 RFFE(1200)의 전력 증폭기(1210)로 입력될 수 있다. RFFE(1200)는 전력 증폭기(power amplifier; PA), 필터(filter), 또는 ASM(antenna switching module)을 포함할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.

다양한 실시예에 따라, RFIC(220)는 상기 스위치(1220)로 GPIO(general purpose input and output) 라인(1201)을 통해 제어 신호를 전송할 수 있다. 예컨대, 전자 장치(101)는 RFIC(220)에서 GPIO 라인(1201)을 통해 스위치(1220)를 제어하기 위한 제어 신호를 전송할 수 있다. 상기 스위치(1220)는 상기 GPIO 라인(1201)을 통해 수신된 제어 신호에 기반하여 제1 커패시터(1231), 또는 제2 커패시터(1232) 중 하나의 커패시터가 전력 증폭기(1210)의 전원 입력 단자에 연결되도록 스위칭 될 수 있다.

다양한 실시예에 따라, 상기 스위치(1220)를 제어하기 위한 제어 신호는 RF 신호의 주파수 대역 및/또는 RF 신호의 주파수 대역폭에 기반하여 설정될 수 있다. 예컨대, 상기 제어 신호는 하기 <표 3>과 같이 RF 신호의 주파수 대역폭에 기반하여 설정될 수 있다.

상기 <표 3>을 참조하면, 상기 RFIC(220)에서 전송되는 RF 신호가 B41 대역의 RF 신호로서, 60MHz의 대역폭을 갖는 신호인 경우, RFFE(1200)가 ET 모드로 동작할 수 있으며, 상기 GPIO 라인(1201)을 통해 'High' 신호를 전송하여 스위치(1220)를 제어함으로써 10pF의 커패시턴스를 갖도록 제어할 수 있다. 상기 RFIC(220)에서 전송되는 RF 신호가 B41 대역의 RF 신호로서, 100MHz의 대역폭을 갖는 신호인 경우, ET 모드를 지원하지 못하여 RFFE(1200)가 APT 모드로 동작할 수 있으며, 상기 GPIO 라인(1201)을 통해 'Low' 신호를 전송하여 스위치(1220)를 제어함으로써 200pF의 커패시턴스를 갖도록 제어할 수 있다.

다양한 실시예에 따라, 상기 제어 신호는 하기 <표 4>와 같이 RF 신호의 주파수 대역에 기반하여 설정될 수 있다.

상기 <표 4>를 참조하면, 상기 RFIC(220)에서 전송되는 RF 신호가 B2 대역의 RF 신호인 경우, RFFE(1200)가 ATP 모드로 동작할 수 있으며, 상기 GPIO 라인(1201)을 통해 'High' 신호를 전송하여 스위치(1220)를 제어함으로써 상기 B2 대역의 신호에 적합한 10pF의 커패시턴스를 갖도록 제어할 수 있다. 상기 RFIC(220)에서 전송되는 RF 신호가 B66 대역의 RF 신호인 경우, RFFE(1200)가 ATP 모드로 동작할 수 있으며, 상기 GPIO 라인(1201)을 통해 'Low' 신호를 전송하여 스위치(1220)를 제어함으로써 상기 B66 대역의 신호에 적합한 200pF의 커패시턴스를 갖도록 제어할 수 있다.

도 13은 다양한 실시예에 따른 전자 장치의 블록도를 도시한다. 도 13을 참조하면, 다양한 실시예에 따라 전자 장치(101)는 CP(260), RFIC(220), RFFE(1300), 전력 관리 회로(310)(예: 도 1의 전력 관리 모듈(188))), 스위치(1320), 적어도 하나의 커패시터(예: 제1 커패시터(C1)(1331), 제2 커패시터(C2)(1332))를 포함할 수 있다. 상기 도 13에 예시된 전자 장치(101)는 하나의 RFFE(1300)를 포함하는 것으로 도시하고 있으나, 다양한 실시예에 따라, 도 4, 도 8a, 도 8b, 도 8c, 도 9, 도 10a, 도 10b, 도 10c에 예시된 바와 같이 복수의 RFFE들을 포함할 수도 있다.

다양한 실시예에 따라, CP(260)에서 생성된 베이스밴드 신호는 RFIC(220)로 전송될 수 있다. RFIC(220)는 CP(260)로부터 수신된 베이스 밴드 신호를 RF(radio frequency) 신호로 변조할 수 있다. 상기 RFIC(220)에서 변조된 RF 신호는 RF 신호 전송 라인(1302)을 통해 RFFE(1300)의 전력 증폭기(1310)로 입력될 수 있다. RFFE(1300)는 전력 증폭기(power amplifier; PA), 필터(filter), 또는 ASM(antenna switching module)을 포함할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.

다양한 실시예에 따라, CP(260)는 상기 스위치(1320)로 GPIO(general purpose input and output) 라인(1301)을 통해 제어 신호를 전송할 수 있다. 예컨대, 전자 장치(101)는 CP(260)에서 GPIO 라인(1301)을 통해 스위치(1320)를 제어하기 위한 제어 신호를 전송할 수 있다. 상기 스위치(1320)는 상기 GPIO 라인(1301)을 통해 수신된 제어 신호에 기반하여 제1 커패시터(1331), 또는 제2 커패시터(1332) 중 하나의 커패시터가 전력 증폭기(1310)의 전원 입력 단자에 연결되도록 스위칭 될 수 있다.

다양한 실시예에 따라, 상기 스위치(1320)를 제어하기 위한 제어 신호는 RF 신호의 주파수 대역 및/또는 RF 신호의 주파수 대역폭에 기반하여 설정될 수 있다. 예컨대, 상기 제어 신호는 전술한 <표 3>과 같이 RF 신호의 주파수 대역폭에 기반하여 설정될 수 있다. 예컨대, 상기 RFIC(220)에서 전송되는 RF 신호가 B41 대역의 RF 신호로서, 60MHz의 대역폭을 갖는 신호인 경우, RFFE(1300)가 ET 모드로 동작할 수 있으며, 상기 GPIO 라인(1301)을 통해 'High' 신호를 전송하여 스위치(1320)를 제어함으로써 10pF의 커패시턴스를 갖도록 제어할 수 있다. 상기 RFIC(220)에서 전송되는 RF 신호가 B41 대역의 RF 신호로서, 100MHz의 대역폭을 갖는 신호인 경우, ET 모드를 지원하지 못하여 RFFE(1300)가 APT 모드로 동작할 수 있으며, 상기 GPIO 라인(1301)을 통해 'Low' 신호를 전송하여 스위치(1320)를 제어함으로써 200pF의 커패시턴스를 갖도록 제어할 수 있다.

다양한 실시예에 따라, 상기 제어 신호는 전술한 <표 4>와 같이 RF 신호의 주파수 대역에 기반하여 설정될 수 있다. 예컨대, 상기 RFIC(220)에서 전송되는 RF 신호가 B2 대역의 RF 신호인 경우, RFFE(1300)가 ATP 모드로 동작할 수 있으며, 상기 GPIO 라인(1301)을 통해 'High' 신호를 전송하여 스위치(1320)를 제어함으로써 상기 B2 대역의 신호에 적합한 10pF의 커패시턴스를 갖도록 제어할 수 있다. 상기 RFIC(220)에서 전송되는 RF 신호가 B66 대역의 RF 신호인 경우, RFFE(1300)가 ATP 모드로 동작할 수 있으며, 상기 GPIO 라인(1301)을 통해 'Low' 신호를 전송하여 스위치(1320)를 제어함으로써 상기 B66 대역의 신호에 적합한 200pF의 커패시턴스를 갖도록 제어할 수 있다.

도 14는 다양한 실시예에 따른 전자 장치의 블록도를 도시한다. 도 14를 참조하면, 다양한 실시예에 따라 전자 장치(101)는 CP(260), RFIC(220), 제1 RFFE(1400a), 제2 RFFE(1400b), 전력 관리 회로(310)(예: 도 1의 전력 관리 모듈(188))), 스위칭 회로(1420), 제1 커패시터(C1)(1431), 제2 커패시터(C2)(1432)를 포함할 수 있다.

다양한 실시예에 따라, CP(260)에서 생성된 베이스밴드 신호는 RFIC(220)로 전송될 수 있다. RFIC(220)는 CP(260)로부터 수신된 베이스 밴드 신호를 RF(radio frequency) 신호로 변조할 수 있다. 상기 RFIC(220)에서 변조된 RF 신호는 제1 RF 신호 전송 라인(1402a) 또는 제2 RF 신호 전송 라인(1402b)을 통해 제1 RFFE(1400a)의 제1 전력 증폭기(1410a) 또는 제2 RFFE(1400b)의 제2 전력 증폭기(1410b)로 입력될 수 있다. 제1 RFFE(1400a) 또는 제2 RFFE(1400b)는 전력 증폭기(power amplifier; PA), 필터(filter), 또는 ASM(antenna switching module)을 포함할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.

다양한 실시예에 따라, CP(260)는 상기 스위칭 회로(1420)로 GPIO(general purpose input and output) 라인(1401)을 통해 제어 신호를 전송할 수 있다. 예컨대, 전자 장치(101)는 CP(260)에서 GPIO 라인(1401)을 통해 스위칭 회로(1420)를 제어하기 위한 제어 신호를 전송할 수 있다. 상기 스위칭 회로(1420)는 상기 GPIO 라인(1401)을 통해 수신된 제어 신호에 기반하여 제2 커패시터(1432)와의 연결을 제어할 수 있다.

다양한 실시예에 따라, 상기 스위칭 회로(1420)를 제어하기 위한 제어 신호는 RF 신호의 주파수 대역 및/또는 RF 신호의 주파수 대역폭에 기반하여 설정될 수 있다.

다양한 실시예에 따라, 상기 RF 신호가 제1 RF 신호 전송 라인(1402a)를 통해 상기 제1 RFFE(1400a)로 전송되고, 상기 제1 RFFE(1400a)가 ET 모드로 동작하는 경우, 상기 GPIO 라인(1401)을 통해 'High' 신호를 전송하여 스위칭 회로(1420)를 제어함으로써 제2 커패시터(1430)와의 연결이 오픈 상태가 되도록 제어할 수 있다. 상기 RF 신호가 제2 RF 신호 전송 라인(1402b)를 통해 상기 제2 RFFE(1400b)로 전송되고, 상기 제2 RFFE(1400b)가 APT 모드로 동작하는 경우, 상기 GPIO 라인(1401)을 통해 'Low' 신호를 전송하여 스위칭 회로(1420)를 제어함으로써 제2 커패시터(1430)가 제2 RFFE(1400b)와 연결된 상태가 되도록 제어할 수 있다.

도 15는 다양한 실시예에 따른 전자 장치의 스위칭 회로를 도시한다. 도 15를 참조하면, 스위칭 회로(1420)는 제어 단자(control pin)로 입력되는 제어 신호(예: Vgs)에 의해 Vin과 Vout 간의 연결을 제어할 수 있다. 예컨대, 스위칭 회로(1420)는 제어 단자(control pin)로 입력되는 제어 신호(예: Vgs)에 의해 Vin 단자와 Vout 단자 간의 연결을 제어하여 제1 커패시터(1431)와의 연결을 제어할 수 있다.

도 16은 다양한 실시예에 따른 전자 장치의 스위칭 회로를 도시한다. 도 16을 참조하면, 도 15의 스위칭 회로(1420)는 적어도 하나의 저항(R1(1611), R2(1612), ESR(1613), RL(1614)), 적어도 하나의 커패시터(예: C1(1621), C2(1622)), 적어도 하나의 FET(field-effect transistor)(Q1(1601), Q2(1602))를 포함할 수 있다.

다양한 실시예에 따라, CP(260) 또는 RFIC(220)의 GPIO 라인(1301, 1401)을 통해 전송되는 제어 신호는 Q2(1602)의 게이트 단자에 Vgs 전압으로 공급될 수 있다. 상기 Q2(1602)는 상기 제어 신호에 의해 온/오프될 수 있으며, 상기 Q2(1602)의 온/오프 제어에 따라 Q1(1601)이 온/오프 제어될 수 있다. 상기 Q1(1601)의 온/오프 제어에 따라 Vin 단자와 Vout 단자가 연결되거나 오픈 상태가 될 수 있다. 예컨대, 전력 관리 회로(310)는 상기 스위칭 회로(1420)를 구동시키기 위한 전원(예: Vin)을 공급할 수 있다. CP(260) 또는 전력 관리 회로(310)는 Q2(1602)의 온/오프를 제어하기 위한 제어 신호로서 Vgs를 상기 Q2(1602)의 게이트 단자로 제공할 수 있다. 다양한 실시예에 따라, ATP 모드에서 상기 제어 신호에 의해 Q2(1602)의 게이트 단자에 'High' 신호에 대응하는 전압이 인가되면, Q2(1602)가 턴 온되고, 상기 Q2(1602)가 턴 온됨에 따라 Q1(1601)의 소스 단자에 인가된 Vin 전압과 게이트 단자 간의 전위차가 발생하여 Q1(1601)이 턴 온 될 수 있다. 상기 Q1(1601)이 턴 온 됨에 따라 Vin 단자는 Vout과 연결된 상태가 되고, 상기 Vout에 연결된 C1(1621)이 Vin 단자와 연결된 상태가 될 수 있다. 다양한 실시예에 따라, ET 모드에서 상기 제어 신호에 의해 Q2(1602)의 게이트 단자에 'Low' 신호에 대응하는 전압이 인가되면, Q2(1602)가 턴 오프 되고, 상기 Q2(1602)가 턴 오프 됨에 따라 Q1(1601)의 소스 단자에 인가된 Vin 전압과 게이트 단자 간의 전위차가 발생하지 않아 Q1(1601)가 턴 오프 될 수 있다. 상기 Q1(1601)이 턴 오프 됨에 따라 Vin 단자는 Vout과 오픈된 상태가 되고, 상기 Vout에 연결된 C1(1621)이 Vin 단자와 오픈된 상태가 될 수 있다.

도 17a는 다양한 실시예들에 따른, 복수의 RFFE를 포함하는 전자 장치의 블록도이다. 도 17a를 참조하면, 전자 장치(101)는 전력 관리 회로(310)(예: PMCI(power management IC)), 제1 RFFE(230a), 제2 RFFE(230b), 가변 커패시터(1710)를 포함할 수 있다. 상기 제1 RFFE(230a)는 제1 전력 증폭기(810a), 제1 필터(820a), 제1 ASM(antenna switch module)(830a)을 포함할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 제2 RFFE(230b)는 제2 전력 증폭기(810b), 제2 필터(820b), 제2 ASM(antenna switch module)(830b)을 포함할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 상기 제1 RFFE(230a)는 도 8a, 도 8b, 도 8c 중 어느 하나의 제1 RFFE(230a)에 대응할 수 있으며, 상기 제2 RFFE(230b)는 도 8a, 도 8b, 도 8c 중 어느 하나의 제2 RFFE(230b)에 대응할 수 있다. 다양한 실시예에 따라, 상기 제1 RFFE(230a)는 ET 모드, APT 모드, APT/ET 모드 중 어느 하나의 전력 증폭 모드를 지원할 수 있고, 상기 제2 RFFE(230b)는 ET 모드, APT 모드, APT/ET 모드 중 어느 하나의 전력 증폭 모드를 지원할 수 있다.

다양한 실시예에 따라, 상기 전력 관리 회로(310)와 제2 RFFE(230b) 사이에는 가변 커패시터(1710)가 병렬 연결될 수 있다. 다양한 실시예에 따라, 전자 장치(101)가 제1 RFFE(230a)에 의해 RF 신호를 전송하는 경우, 전력 관리 회로(310)는 ET 모드에 기반하여 제1 RFFE(230a)에 포함된 제1 전력 증폭기(810a)에 전원을 공급할 수 있으며, 상기 제2 RFFE(230b)에는 RF 신호가 전송되지 않도록 제어될 수 있다. 상기 제1 RFFE(230a)가 ET 모드에 기반하여 동작할 때, 상기 제2 RFFE(230b)에 연결된 가변 커패시터(1710)는 CP(260), 또는 RFIC(220)으로부터 전송된 제어 신호에 의해 상기 ET 모드에 최적화된 성능의 커패시턴스를 갖도록 제어될 수 있다.

다양한 실시예에 따라, 전자 장치(101)가 제2 RFFE(230b)에 의해 RF 신호를 전송하는 경우, 전력 관리 회로(310)는 APT 모드에 기반하여 제2 RFFE(230b)에 포함된 제2 전력 증폭기(810b)에 전원을 공급할 수 있으며, 상기 제1 RFFE(230a)에는 RF 신호가 전송되지 않도록 제어될 수 있다. 다양한 실시예에 따라, 상기 제2 RFFE(230b)가 APT 모드에 기반하여 동작할 때, 상기 제2 RFFE(230b)에 연결된 가변 커패시터(1710)는 CP(260), 또는 RFIC(220)으로부터 전송된 제어 신호에 의해 상기 APT 모드에 최적화된 성능의 커패시턴스를 갖도록 제어될 수 있다.

다양한 실시예에 따라, 상기 도 17a에서는 하나의 전력 관리 회로(310)에 2 개의 RFFE(230a, 230b)가 병렬 연결된 것으로 도시하고 있으나, 다양한 실시예에 따라, 3 개 이상의 RFFE가 연결될 수도 있다. 다양한 실시예에 따라, 가변 커패시터(1710)는 상기 RFFE(230a, 230b)를 통해 처리되는 RF 신호의 주파수 대역, 주파수 대역폭, 전력 증폭 모드 중 적어도 하나에 기반하여 설정된 최적의 커패시턴스를 갖도록 제어될 수 있다.

도 17b는 다양한 실시예들에 따른, 복수의 RFFE를 포함하는 전자 장치의 블록도이다. 도 17b를 참조하면, 상기 도 17a에서는 하나의 전력 관리 회로(310)에 2 개의 RFFE(230a, 230b)가 병렬 연결된 것으로 도시하고 있으나, 다양한 실시예에 따라, 하나의 RFFE가 연결될 수도 있다. 다양한 실시예에 따라, 가변 커패시터(1710)는 상기 RFFE(230b)를 통해 처리되는 RF 신호의 주파수 대역, 주파수 대역폭, 전력 증폭 모드 중 적어도 하나에 기반하여 설정된 최적의 커패시턴스를 갖도록 제어될 수 있다.

도 18은 다양한 실시예에 따른 전자 장치의 동작을 나타내는 흐름도이다. 도 18을 참조하면, 전자 장치(101)(예: CP(260))는 동작 1810에서 전송할 RF 신호의 주파수 대역 및/또는 주파수 대역폭에 기반하여 설정된 전력 증폭기(예: 제1 전력 증폭기(810a) 또는 제2 전력 증폭기(810b)) 또는 전력 증폭 모드를 확인할 수 있다.

예컨대, 전자 장치(101)는 수신 신호의 세기(예컨대, RSRP(reference signal received power)와 관련된 정보(예: 측정 결과(measurement report))를 기지국으로 전송할 수 있다. 기지국은 상기 측정 결과에 기반하여, 전자 장치(101)에서 사용할 셀 ID가 포함된 RRC Reconfiguration 메시지를 전자 장치(101)에 전송할 수 있다. 전자 장치(101)의 CP(260)는 상기 기지국으로부터 수신된 메시지에 기반하여 사용할 주파수 대역 및/또는 주파수 대역폭을 확인할 수 있다. 전자 장치(101)의 CP(260)는 상기 확인된 주파수 대역 및/주파수 대역폭에 기반하여 사용할 RFFE 및/또는 전력 증폭 모드(예: ET 모드, APT 모드)를 선택할 수 있다. 다양한 실시예에 따라, 전자 장치(101)는 전력 증폭기(예: 제1 전력 증폭기(810a) 또는 제2 전력 증폭기(810b))의 출력 전력(예컨대, RF 신호의 송신 전력)에 기반하여 설정된 전력 증폭 모드를 결정할 수 있다. 예컨대, 전력 증폭기의 출력 전력이 18~23dBm으로 설정된 경우 ET 모드로 결정될 수 있으며, 전력 증폭기의 출력 전력이 10~18dBm으로 설정된 경우 APT 모드로 결정될 수 있으며, 전력 증폭기의 출력 전력이 10dBm 이하로 설정된 경우 다이렉트 모드로 결정될 수 있다.

다양한 실시예에 따라, 전자 장치(101)(예: CP(260) 또는 RFIC(220))는 동작 1820에서 상기 확인된 전력 증폭 모드에 대응하는 제어 신호를 생성할 수 있다. 예컨대, 전술한 바와 같이, 전자 장치(101)는 동작 1830에서 상기 전력 증폭 모드에 따라 각 RFFE가 최적의 커패시턴스를 갖도록, 커패시터의 연결을 제어할 수 있다. 예컨대, 전자 장치(101)는 상기 생성된 제어 신호에 기반하여 복수의 전력 증폭기들 중 제1 전력 증폭기의 전원 공급 단자에 병렬 연결된 커패시터의 연결을 제어할 수 있다.

다양한 실시예에 따라, 전자 장치(101)는 상기 제어 신호에 기반하여, 상기 커패시터에 연결된 스위치를 온 또는 오프 상태로 제어할 수 있다. 다양한 실시예에 따라, 전자 장치(101)는 상기 확인된 주파수 대역에 기반하여 스위치를 통해 적어도 하나의 커패시터와의 연결을 제어함으로써 각 주파수 대역에 대응하는 최적의 커패시턴스를 갖도록 설정할 수 있다. 예컨대, 전자 장치(101)는 전송할 RF 신호의 주파수 대역이 B2인 경우 100pF의 커패시턴스를 갖도록 제어하고, B66인 경우 200pF의 커패시턴스를 갖도록 제어하고, B41인 경우 300pF의 커패시턴스를 갖도록 제어할 수 있다. 다양한 실시예에 따라, 전자 장치(101)는 상기 확인된 주파수 대역이 전력 증폭 모드로서 APT 모드를 사용하는 주파수 대역인 경우, 상기 커패시터에 연결된 스위치를 통해 적어도 하나의 커패시터와의 연결을 제어함으로써 각 주파수 대역에 대응하는 최적의 커패시턴스를 갖도록 설정할 수 있다. 예컨대, 전자 장치(101)는 전송할 RF 신호의 주파수 대역이 B2인 경우 100pF의 커패시턴스를 갖도록 상기 스위치를 제어하고, B66인 경우 200pF의 커패시턴스를 갖도록 상기 스위치를 조정하고, B41인 경우 300pF의 커패시턴스를 갖도록 상기 스위치를 조정할 수 있다. 다양한 실시예에 따라, 상기 확인된 주파수 대역이 전력 전송 모드로서 APT 모드를 사용하지 않는 주파수 대역인 경우(예컨대, ET 모드를 사용하는 주파수 대역인 경우), 전자 장치(101)는 커패시터에 연결된 상기 스위치를 오프 상태로 제어함으로써 ET 모드에 최적인 커패시턴스를 갖도록 제어할 수 있다. 다양한 실시예에 따라, 상기 스위치가 도 11에 도시된 바와 같이 RFFE(1100)의 내부에 포함된 경우, 전술한 바와 같이 RFIC(220)와 연결된 MIPI 버스 라인(1101)을 통해 제공되는 제어 신호에 의해 상기 스위치가 제어될 수 있다. 다양한 실시예에 따라, 상기 스위치가 도 12 또는 도 13에 도시된 바와 같이 RFFE(1100)의 외부에 배치된 경우, 전술한 바와 같이 RFIC(220) 또는 CP(260)와 연결된 GPIO 라인(1201, 1301)을 통해 제공되는 제어 신호에 의해 상기 스위치가 제어될 수 있다.

다양한 실시예에 따라, 상기 동작 1810 내지 동작 1830은 주기적으로 수행될 수도 있으며, 주파수 대역 및/또는 주파수 대역폭이 변경될 때마다 수행될 수도 있다.

도 19는 다양한 실시예에 따른 전자 장치의 동작을 나타내는 흐름도이다. 도 19를 참조하면, 전자 장치(101)(예: CP(260))는 동작 1910에서 전송할 RF 신호의 주파수 대역 및/또는 주파수 대역폭에 기반하여 설정된 전력 증폭기(예: 제1 전력 증폭기(810a) 또는 제2 전력 증폭기(810b)) 또는 전력 증폭 모드를 확인할 수 있다.

다양한 실시예에 따라, 전자 장치(101)(예: CP(260) 또는 RFIC(220))는 동작 1920에서 상기 확인된 전력 증폭 모드에 대응하는 제어 신호를 생성할 수 있다. 예컨대, 전술한 바와 같이, 전자 장치(101)는 동작 1930에서 상기 전력 증폭 모드에 따라 각 RFFE가 최적의 커패시턴스를 갖도록, 가변 커패시터의 커패시턴스를 조정할 수 있다. 예컨대, 전자 장치(101)는 상기 생성된 제어 신호에 기반하여 전력 증폭기의 전원 공급 단자에 병렬 연결된 가변 커패시터의 커패시턴스를 조정할 수 있다.

다양한 실시예에 따라, 전자 장치(101)는 상기 확인된 주파수 대역에 기반하여 상기 가변 커패시터의 커패시턴스를 조정함으로써 각 주파수 대역에 대응하는 최적의 커패시턴스를 갖도록 설정할 수 있다. 예컨대, 전자 장치(101)는 전송할 RF 신호의 주파수 대역이 B2인 경우 100pF의 커패시턴스를 갖도록 가변 커패시터의 커패시턴스를 조정하고, B66인 경우 200pF의 커패시턴스를 갖도록 가변 커패시터의 커패시턴스를 조정하고, B41인 경우 300pF의 커패시턴스를 갖도록 가변 커패시터의 커패시턴스를 조정할 수 있다. 다양한 실시예에 따라, 전자 장치(101)는 상기 확인된 주파수 대역이 전력 증폭 모드로서 APT 모드를 사용하는 주파수 대역인 경우, 상기 가변 커패시터의 커패시턴스를 조정함으로써 각 주파수 대역에 대응하는 최적의 커패시턴스를 갖도록 설정할 수 있다. 예컨대, 전자 장치(101)는 전송할 RF 신호의 주파수 대역이 B2인 경우 100pF의 커패시턴스를 갖도록 상기 가변 커패시터의 커패시턴스를 조정하고, B66인 경우 200pF의 커패시턴스를 갖도록 상기 가변 커패시터의 커패시턴스를 조정하고, B41인 경우 300pF의 커패시턴스를 갖도록 상기 가변 커패시터의 커패시턴스를 조정할 수 있다. 다양한 실시예에 따라, 상기 확인된 주파수 대역이 전력 전송 모드로서 APT 모드를 사용하지 않는 주파수 대역인 경우(예컨대, ET 모드를 사용하는 주파수 대역인 경우), 전자 장치(101)는 상기 가변 커패시터의 커패시턴스를 조정하거나 상기 가변 커패시터에 연결된 스위치를 오프 상태로 제어함으로써 ET 모드에 최적인 커패시턴스를 갖도록 제어할 수 있다. 다양한 실시예에 따라, 상기 스위치가 도 11에 도시된 바와 같이 RFFE(1100)의 내부에 포함된 경우, 전술한 바와 같이 RFIC(220)와 연결된 MIPI 버스 라인(1101)을 통해 제공되는 제어 신호에 의해 상기 가변 커패시터의 커패시턴스가 조정될 수 있다. 다양한 실시예에 따라, 상기 스위치가 도 12 또는 도 13에 도시된 바와 같이 RFFE(1100)의 외부에 배치된 경우, 전술한 바와 같이 RFIC(220) 또는 CP(260)와 연결된 GPIO 라인(1201, 1301)을 통해 제공되는 제어 신호에 의해 상기 가변 커패시터의 커패시턴스가 제어될 수 있다.

다양한 실시예에 따라, 상기 동작 1910 내지 동작 1930은 주기적으로 수행될 수도 있으며, 주파수 대역 및/또는 주파수 대역폭이 변경될 때마다 수행될 수도 있다.

도 20은 다양한 실시예에 따른 전자 장치의 동작을 나타내는 흐름도이다. 도 20을 참조하면, 전자 장치(101)(예: CP(260))는 동작 2002에서 전송할 RF 신호의 주파수 대역 및/또는 주파수 대역폭을 확인할 수 있다.

다양한 실시예에 따라, 전자 장치(101)는 동작 2004에서 다중 연결 전력 증폭기인 경우(동작 2004-예), 동작 2006에서 다중 연결된 복수의 전력 증폭기들 중 RF 신호를 전송할 전력 증폭기의 전송 모드를 확인할 수 있다. 전자 장치(101)는 동작 2004에서 다중 연결 전력 증폭기가 아닌 경우(동작 2004-아니오), 동작 2008에서 해당 전력 증폭기의 전력 전송 모드를 확인할 수 있다.

다양한 실시예에 따라, 상기 전력 전송 모드를 확인한 결과, APT 모드를 사용하는 경우(동작 2010-예), 전자 장치(101)는 동작 2012에서 상기 동작 2002에서 확인된 주파수 대역에 대응하여 설정된 커패시턴스로 조정할 수 있다. 다양한 실시예에 따라, 전자 장치(101)는 RFFE에 연결된 적어도 하나의 커패시턴스와의 연결을 제어하거나 가변 커패시터의 커패시턴스를 조정함으로써 해당 주파수 대역에 최적인 커패시턴스를 갖도록 제어할 수 있다. 예컨대, 전자 장치(101)는 전송할 RF 신호의 주파수 대역이 B2인 경우 100pF의 커패시턴스를 갖도록 커패시턴스를 조정하고, B66인 경우 200pF의 커패시턴스를 갖도록 커패시턴스를 조정하고, B41인 경우 300pF의 커패시턴스를 갖도록 커패시턴스를 조정할 수 있다.

다양한 실시예에 따라, 상기 전력 전송 모드를 확인한 결과, APT 모드를 사용하지 않는 경우(동작 2010-아니오)(예컨대, ET 모드를 사용하는 경우), 전자 장치(101)는 동작 2014에서 커패시터에 연결된 스위치를 오프 상태로 제어함으로써 ET 모드에 최적인 커패시턴스를 갖도록 제어할 수 있다.

다양한 실시예에 따라, 전자 장치(101)는 동작 2016에서 주파수 대역의 변경 여부를 확인할 수 있다. 상기 확인 결과, 주파수 대역이 변경된 것으로 판단하면(동작 2016-예), 동작 2002에서 전송할 RF 신호의 주파수 대역을 확인하고, 전술한 동작을 반복 수행할 수 있다. 상기 확인 결과, 주파수 대역이 변경되지 않은 것으로 판단하면(동작 2016-아니오), 현재 설정된 커패시턴스 또는 스위치 상태를 유지할 수 있다.

전술한 바와 같이 다양한 실시예에 따라, 하나의 전력 관리 회로(310)에 복수의 RFFE(230)들이 연결된 구조에서 각 전력 증폭 모드에 맞도록 커패시턴스를 조정함으로써 하기 <표 5>에 예시된 바와 같이 각 전력 증폭 모드(예: ET 모드 또는 APT 모드) 별 최적의 RF 송신 성능을 제공할 수 있다.

상기 <표 5>를 참조하면, 다양한 실시예에 따라, APT 모드에서 커패시턴스의 조정이 가능한 경우, 커패시턴스를 조정하지 못하는 경우에 비해 ACLR(adjacent channel leakage ratio)의 성능이 좋아짐을 확인할 수 있다. 예컨대, 상기 <표 5>의 측정 결과에 따르면, APT 모드에서, 커패시턴스를 조정하지 못하는 경우 좌측 ACLR이 -33.7dB로 측정되고, 커패시턴스의 조정이 가능한 경우 좌측 ACLR이 -38.1dB로 측정됨을 확인할 수 있다. 예컨대, 다양한 실시예에 따라, ATP 모드에서 커패시턴스의 조정이 가능한 경우, 동일 전력(예: 23.7dBm)에서 ACLR(adjacent channel leakage ratio)의 성능이 4dB이상 좋아짐을 확인할 수 있다.

전술한 바와 같이 다양한 실시예에 따라, 하나의 전력 관리 회로(310)에 복수의 RFFE(230)들이 연결된 구조에서 각 전력 증폭 모드에 맞도록 커패시턴스를 조정함으로써, 복수의 RFFE(230)에 대응하는 복수의 전력 관리 회로(310)를 배치하지 않아도 되므로, 부품 가격을 절감할 수 있다.

다양한 실시예에 따라서, 상기 통신 프로세서는, 상기 RF 신호의 주파수 대역폭에 더 기반하여 설정된 전력 증폭 모드를 확인할 수 있다.

다양한 실시예에 따라서, 상기 통신 프로세서는, 상기 RF 신호의 주파수 대역에 기반하여 상기 제1 전력 증폭기 및 상기 제2 전력 증폭기 중 선택된 전력 증폭기를 통해 상기 RF 신호를 증폭시킬 수 있다.

다양한 실시예에 따라서, 상기 전력 증폭 모드는, ET(envelope tracking) 모드를 포함할 수 있다.

다양한 실시예에 따라서, 상기 전력 증폭 모드는, APT(average power tracking) 모드를 포함할 수 있다.

다양한 실시예에 따라서, 상기 전자 장치는, 상기 제1 전력 증폭기의 전원 공급 단자에 병렬 연결되는 복수의 커패시터들을 포함하고, 상기 적어도 하나의 스위치는, 상기 제어 신호에 기반하여, 상기 복수의 커패시터들 중 하나의 커패시터에 연결될 수 있다.

다양한 실시예에 따라서, 상기 적어도 하나의 스위치는, 상기 제1 전력 증폭기를 포함하는 제1 RFFE(RF front end) 회로의 내부에 포함될 수 있다.

다양한 실시예에 따라서, 상기 적어도 하나의 스위치는, 상기 제1 전력 증폭기를 포함하는 제1 RFFE(RF front end) 회로의 외부에 배치될 수 있다.

다양한 실시예에 따라서, 상기 통신 프로세서는, 상기 확인된 전력 증폭 모드에 대응하는 커패시터의 설정을 확인하고, 상기 커패시터의 설정에 대응하는 제어 신호를 출력하여 상기 적어도 하나의 스위치를 제어할 수 있다.

다양한 실시예에 따라서, 상기 통신 프로세서는, 상기 제어 신호를 상기 RFIC로 전송하고, 상기 RFIC는, 상기 제어 신호에 기반하여, 상기 적어도 하나의 스위치를 제어할 수 있다.

다양한 실시예에 따라서, 상기 RFIC는, MIPI(mobile industry processor interface) 버스 라인에 의해 상기 제어 신호를 상기 적어도 하나의 스위치로 전송할 수 있다.

다양한 실시예에 따라서, 상기 통신 프로세서는, GPIO(general purpose input and output) 라인에 의해 상기 제어 신호를 상기 적어도 하나의 스위치로 전송할 수 있다.

본 문서에 개시된 다양한 실시예들에 따른 전자 장치는 다양한 형태의 장치가 될 수 있다. 전자 장치는, 예를 들면, 휴대용 통신 장치(예: 스마트폰), 컴퓨터 장치, 휴대용 멀티미디어 장치, 휴대용 의료 기기, 카메라, 웨어러블 장치, 또는 가전 장치를 포함할 수 있다. 본 문서의 실시예에 따른 전자 장치는 전술한 기기들에 한정되지 않는다.

본 문서의 다양한 실시예들 및 이에 사용된 용어들은 본 문서에 기재된 기술적 특징들을 특정한 실시예들로 한정하려는 것이 아니며, 해당 실시예의 다양한 변경, 균등물, 또는 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 도면의 설명과 관련하여, 유사한 또는 관련된 구성요소에 대해서는 유사한 참조 부호가 사용될 수 있다. 아이템에 대응하는 명사의 단수 형은 관련된 문맥상 명백하게 다르게 지시하지 않는 한, 상기 아이템 한 개 또는 복수 개를 포함할 수 있다. 본 문서에서, "A 또는 B", "A 및 B 중 적어도 하나", "A 또는 B 중 적어도 하나", "A, B 또는 C", "A, B 및 C 중 적어도 하나", 및 "A, B, 또는 C 중 적어도 하나"와 같은 문구들 각각은 그 문구들 중 해당하는 문구에 함께 나열된 항목들 중 어느 하나, 또는 그들의 모든 가능한 조합을 포함할 수 있다. "제1", "제2", 또는 "첫째" 또는 "둘째"와 같은 용어들은 단순히 해당 구성요소를 다른 해당 구성요소와 구분하기 위해 사용될 수 있으며, 해당 구성요소들을 다른 측면(예: 중요성 또는 순서)에서 한정하지 않는다. 어떤(예: 제1) 구성요소가 다른(예: 제2) 구성요소에, "기능적으로" 또는 "통신적으로"라는 용어와 함께 또는 이런 용어 없이, "커플드" 또는 "커넥티드"라고 언급된 경우, 그것은 상기 어떤 구성요소가 상기 다른 구성요소에 직접적으로(예: 유선으로), 무선으로, 또는 제3 구성요소를 통하여 연결될 수 있다는 것을 의미한다.

본 문서의 다양한 실시예들에서 사용된 용어 "모듈"은 하드웨어, 소프트웨어 또는 펌웨어로 구현된 유닛을 포함할 수 있으며, 예를 들면, 로직, 논리 블록, 부품, 또는 회로와 같은 용어와 상호 호환적으로 사용될 수 있다. 모듈은, 일체로 구성된 부품 또는 하나 또는 그 이상의 기능을 수행하는, 상기 부품의 최소 단위 또는 그 일부가 될 수 있다. 예를 들면, 일실시예에 따르면, 모듈은 ASIC(application-specific integrated circuit)의 형태로 구현될 수 있다.

본 문서의 다양한 실시예들은 기기(machine)(예: 전자 장치(101)) 의해 읽을 수 있는 저장 매체(storage medium)(예: 내장 메모리(136) 또는 외장 메모리(138))에 저장된 하나 이상의 명령어들을 포함하는 소프트웨어(예: 프로그램(140))로서 구현될 수 있다. 예를 들면, 기기(예: 전자 장치(101))의 프로세서(예: 프로세서(120))는, 저장 매체로부터 저장된 하나 이상의 명령어들 중 적어도 하나의 명령을 호출하고, 그것을 실행할 수 있다. 이것은 기기가 상기 호출된 적어도 하나의 명령어에 따라 적어도 하나의 기능을 수행하도록 운영되는 것을 가능하게 한다. 상기 하나 이상의 명령어들은 컴파일러에 의해 생성된 코드 또는 인터프리터에 의해 실행될 수 있는 코드를 포함할 수 있다. 기기로 읽을 수 있는 저장 매체는, 비일시적(non-transitory) 저장 매체의 형태로 제공될 수 있다. 여기서, '비일시적'은 저장 매체가 실재(tangible)하는 장치이고, 신호(signal)(예: 전자기파)를 포함하지 않는다는 것을 의미할 뿐이며, 이 용어는 데이터가 저장 매체에 반영구적으로 저장되는 경우와 임시적으로 저장되는 경우를 구분하지 않는다.

일실시예에 따르면, 본 문서에 개시된 다양한 실시예들에 따른 방법은 컴퓨터 프로그램 제품(computer program product)에 포함되어 제공될 수 있다. 컴퓨터 프로그램 제품은 상품으로서 판매자 및 구매자 간에 거래될 수 있다. 컴퓨터 프로그램 제품은 기기로 읽을 수 있는 저장 매체(예: compact disc read only memory(CD-ROM))의 형태로 배포되거나, 또는 어플리케이션 스토어(예: 플레이 스토어^TM)를 통해 또는 두 개의 사용자 장치들(예: 스마트 폰들) 간에 직접, 온라인으로 배포(예: 다운로드 또는 업로드)될 수 있다. 온라인 배포의 경우에, 컴퓨터 프로그램 제품의 적어도 일부는 제조사의 서버, 어플리케이션 스토어의 서버, 또는 중계 서버의 메모리와 같은 기기로 읽을 수 있는 저장 매체에 적어도 일시 저장되거나, 임시적으로 생성될 수 있다.

다양한 실시예들에 따르면, 상기 기술한 구성요소들의 각각의 구성요소(예: 모듈 또는 프로그램)는 단수 또는 복수의 개체를 포함할 수 있으며, 복수의 개체 중 일부는 다른 구성요소에 분리 배치될 수도 있다. 다양한 실시예들에 따르면, 전술한 해당 구성요소들 중 하나 이상의 구성요소들 또는 동작들이 생략되거나, 또는 하나 이상의 다른 구성요소들 또는 동작들이 추가될 수 있다. 대체적으로 또는 추가적으로, 복수의 구성요소들(예: 모듈 또는 프로그램)은 하나의 구성요소로 통합될 수 있다. 이런 경우, 통합된 구성요소는 상기 복수의 구성요소들 각각의 구성요소의 하나 이상의 기능들을 상기 통합 이전에 상기 복수의 구성요소들 중 해당 구성요소에 의해 수행되는 것과 동일 또는 유사하게 수행할 수 있다. 다양한 실시예들에 따르면, 모듈, 프로그램 또는 다른 구성요소에 의해 수행되는 동작들은 순차적으로, 병렬적으로, 반복적으로, 또는 휴리스틱하게 실행되거나, 상기 동작들 중 하나 이상이 다른 순서로 실행되거나, 생략되거나, 또는 하나 이상의 다른 동작들이 추가될 수 있다.

101 : 전자 장치 120 : 프로세서
130 : 메모리 190 : 통신 모듈
197 : 안테나 모듈 212 : 제1 커뮤니케이션 프로세서
214 : 제2 커뮤니케이션 프로세서 220 : RFIC
222 : 제1 RFIC 224 : 제2 RFIC
226 : 제3 RFIC 230 : RFFE
231 : 전력 증폭 회로 232 : 제1 RFFE
234 : 제2 RFFE 236 : 제3 RFFE
238 : 위상 변환기 238 : 제4 RFIC
240 : 안테나 242 : 제1 안테나 모듈
244 : 제2 안테나 모듈 260 : 커뮤니케이션 프로세서
310 : 전력 관리 회로

Claims

전자 장치에 있어서,
통신 프로세서;
상기 통신 프로세서로부터 출력된 신호를 입력 받아 RF(radio frequency) 신호로 변조하는 RFIC(RF integrated circuit);
전력 관리 회로;
상기 전력 관리 회로로부터 공급된 전원에 기반하여, 상기 RFIC로부터 출력된 RF 신호를 증폭시키는 제1 전력 증폭기;
상기 전력 관리 회로로부터 공급된 상기 전원에 기반하여, 상기 RFIC로부터 출력된 상기 RF 신호를 증폭시키는 제2 전력 증폭기;
상기 제1 전력 증폭기의 전원 공급 단자에 병렬 연결되는 적어도 하나의 커패시터; 및
상기 전원 공급 단자와 상기 적어도 하나의 커패시터 사이에 연결되는 적어도 하나의 스위치;를 포함하고,
상기 통신 프로세서는,
상기 RF 신호의 주파수 대역에 기반하여 설정된 전력 증폭 모드를 확인하고,
상기 확인된 전력 증폭 모드에 대응하는 제어 신호를 출력하여 상기 적어도 하나의 스위치를 제어하는, 전자 장치.
제1항에 있어서, 상기 통신 프로세서는,
상기 RF 신호의 주파수 대역폭에 더 기반하여 설정된 전력 증폭 모드를 확인하는, 전자 장치.
제1항에 있어서, 상기 통신 프로세서는,
상기 RF 신호의 주파수 대역에 기반하여 상기 제1 전력 증폭기 및 상기 제2 전력 증폭기 중 선택된 전력 증폭기를 통해 상기 RF 신호를 증폭시키는, 전자 장치.
제1항에 있어서, 상기 전력 증폭 모드는,
ET(envelope tracking) 모드를 포함하는, 전자 장치.
제1항에 있어서, 상기 전력 증폭 모드는,
APT(average power tracking) 모드를 포함하는, 전자 장치.
제1항에 있어서, 상기 전자 장치는,
상기 제1 전력 증폭기의 전원 공급 단자에 병렬 연결되는 복수의 커패시터들을 포함하고,
상기 적어도 하나의 스위치는,
상기 제어 신호에 기반하여, 상기 복수의 커패시터들 중 하나의 커패시터에 연결되는, 전자 장치.
제1항에 있어서, 상기 적어도 하나의 스위치는,
상기 제1 전력 증폭기를 포함하는 제1 RFFE(RF front end) 회로의 내부에 포함되는, 전자 장치.
제1항에 있어서, 상기 적어도 하나의 스위치는,
상기 제1 전력 증폭기를 포함하는 제1 RFFE(RF front end) 회로의 외부에 배치되는, 전자 장치.
제1항에 있어서, 상기 통신 프로세서는,
상기 확인된 전력 증폭 모드에 대응하는 커패시터의 설정을 확인하고,
상기 커패시터의 설정에 대응하는 제어 신호를 출력하여 상기 적어도 하나의 스위치를 제어하는, 전자 장치.
제1항에 있어서, 상기 통신 프로세서는,
상기 제어 신호를 상기 RFIC로 전송하고,
상기 RFIC는,
상기 제어 신호에 기반하여, 상기 적어도 하나의 스위치를 제어하는, 전자 장치.
제10항에 있어서, 상기 RFIC는,
MIPI(mobile industry processor interface) 버스 라인에 의해 상기 제어 신호를 상기 적어도 하나의 스위치로 전송하는, 전자 장치.
제1항에 있어서, 상기 통신 프로세서는,
GPIO(general purpose input and output) 라인에 의해 상기 제어 신호를 상기 적어도 하나의 스위치로 전송하는, 전자 장치.
전자 장치에 있어서,
통신 프로세서;
상기 통신 프로세서로부터 출력된 신호를 입력 받아 RF(radio frequency) 신호로 변조하는 RFIC(RF integrated circuit);
전력 관리 회로;
상기 전력 관리 회로로부터 공급된 전원에 기반하여, 상기 RFIC로부터 출력된 RF 신호를 증폭시키는 제1 전력 증폭기;
상기 전력 관리 회로로부터 공급된 상기 전원에 기반하여, 상기 RFIC로부터 출력된 상기 RF 신호를 증폭시키는 제2 전력 증폭기; 및
상기 제1 전력 증폭기의 전원 공급 단자에 병렬 연결되는 가변 커패시터;를 포함하고,
상기 통신 프로세서는,
상기 RF 신호의 주파수 대역에 기반하여 설정된 전력 증폭 모드를 확인하고,
상기 확인된 전력 증폭 모드에 대응하는 제어 신호를 출력하여 상기 가변 커패시터의 커패시턴스를 조정하는, 전자 장치.
제13항에 있어서, 상기 통신 프로세서는,
상기 RF 신호의 주파수 대역폭에 더 기반하여 설정된 전력 증폭 모드를 확인하는, 전자 장치.
제13항에 있어서, 상기 통신 프로세서는,
상기 RF 신호의 주파수 대역에 기반하여 상기 제1 전력 증폭기 및 상기 제2 전력 증폭기 중 선택된 전력 증폭기를 통해 상기 RF 신호를 증폭시키는, 전자 장치.
제13항에 있어서, 상기 전력 증폭 모드는,
ET(envelope tracking) 모드를 포함하는, 전자 장치.
제13항에 있어서, 상기 전력 증폭 모드는,
APT(average power tracking) 모드를 포함하는, 전자 장치.
프런트 앤드 모듈에 있어서,
전력 관리 회로;
상기 전력 관리 회로로부터 공급된 전원에 기반하여, 상기 RFIC로부터 출력된 RF 신호를 증폭시키는 제1 전력 증폭기;
상기 전력 관리 회로로부터 공급된 상기 전원에 기반하여, 상기 RFIC로부터 출력된 상기 RF 신호를 증폭시키는 제2 전력 증폭기;
상기 제1 전력 증폭기의 전원 공급 단자에 병렬 연결되는 적어도 하나의 커패시터; 및
상기 전원 공급 단자와 상기 적어도 하나의 커패시터 사이에 연결되는 적어도 하나의 스위치;를 포함하고,
상기 적어도 하나의 스위치는, 상기 RF 신호의 주파수 대역에 기반하여 설정된 전력 증폭 모드에 대응하는 제어 신호에 의해 제어되는, 전력 증폭기를 포함하는 프런트 앤드 모듈.
제18항에 있어서, 상기 전력 증폭 모드는,
ET(envelope tracking) 모드를 포함하는, 전력 증폭기를 포함하는 프런트 앤드 모듈.
제18항에 있어서, 상기 전력 증폭 모드는,
APT(average power tracking) 모드를 포함하는, 전력 증폭기를 포함하는 프런트 앤드 모듈.