KR20220146764A - 압전 모듈을 포함하는 전자 장치 - Google Patents

압전 모듈을 포함하는 전자 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20220146764A
KR20220146764A KR1020210053430A KR20210053430A KR20220146764A KR 20220146764 A KR20220146764 A KR 20220146764A KR 1020210053430 A KR1020210053430 A KR 1020210053430A KR 20210053430 A KR20210053430 A KR 20210053430A KR 20220146764 A KR20220146764 A KR 20220146764A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
electrode
region
piezoelectric
layer
electronic device
Prior art date
Application number
KR1020210053430A
Other languages
English (en)
Inventor
이봉재
김선아
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020210053430A priority Critical patent/KR20220146764A/ko
Priority to PCT/KR2022/005932 priority patent/WO2022231264A1/ko
Publication of KR20220146764A publication Critical patent/KR20220146764A/ko
Priority to US18/376,401 priority patent/US20240029469A1/en

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06V—IMAGE OR VIDEO RECOGNITION OR UNDERSTANDING
    • G06V40/00—Recognition of biometric, human-related or animal-related patterns in image or video data
    • G06V40/10—Human or animal bodies, e.g. vehicle occupants or pedestrians; Body parts, e.g. hands
    • G06V40/12—Fingerprints or palmprints
    • G06V40/13—Sensors therefor
    • G06V40/1306—Sensors therefor non-optical, e.g. ultrasonic or capacitive sensing
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F1/00—Details not covered by groups G06F3/00 - G06F13/00 and G06F21/00
    • G06F1/16—Constructional details or arrangements
    • G06F1/1613—Constructional details or arrangements for portable computers
    • G06F1/1633—Constructional details or arrangements of portable computers not specific to the type of enclosures covered by groups G06F1/1615 - G06F1/1626
    • G06F1/1684—Constructional details or arrangements related to integrated I/O peripherals not covered by groups G06F1/1635 - G06F1/1675
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F1/00—Details not covered by groups G06F3/00 - G06F13/00 and G06F21/00
    • G06F1/16—Constructional details or arrangements
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F21/00—Security arrangements for protecting computers, components thereof, programs or data against unauthorised activity
    • G06F21/30—Authentication, i.e. establishing the identity or authorisation of security principals
    • G06F21/45—Structures or tools for the administration of authentication
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/016—Input arrangements with force or tactile feedback as computer generated output to the user
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/0414—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means using force sensing means to determine a position
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/0416—Control or interface arrangements specially adapted for digitisers
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06V—IMAGE OR VIDEO RECOGNITION OR UNDERSTANDING
    • G06V40/00—Recognition of biometric, human-related or animal-related patterns in image or video data
    • G06V40/10—Human or animal bodies, e.g. vehicle occupants or pedestrians; Body parts, e.g. hands
    • G06V40/12—Fingerprints or palmprints
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04M—TELEPHONIC COMMUNICATION
    • H04M1/00—Substation equipment, e.g. for use by subscribers
    • H04M1/02—Constructional features of telephone sets
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04M—TELEPHONIC COMMUNICATION
    • H04M1/00—Substation equipment, e.g. for use by subscribers
    • H04M1/02—Constructional features of telephone sets
    • H04M1/0202—Portable telephone sets, e.g. cordless phones, mobile phones or bar type handsets
    • H04M1/026—Details of the structure or mounting of specific components
    • H04M1/0266—Details of the structure or mounting of specific components for a display module assembly
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04M—TELEPHONIC COMMUNICATION
    • H04M1/00—Substation equipment, e.g. for use by subscribers
    • H04M1/72—Mobile telephones; Cordless telephones, i.e. devices for establishing wireless links to base stations without route selection
    • H04M1/724—User interfaces specially adapted for cordless or mobile telephones
    • H04M1/72469—User interfaces specially adapted for cordless or mobile telephones for operating the device by selecting functions from two or more displayed items, e.g. menus or icons
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/01—Manufacture or treatment
    • H10N30/03—Assembling devices that include piezoelectric or electrostrictive parts
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/01—Manufacture or treatment
    • H10N30/05—Manufacture of multilayered piezoelectric or electrostrictive devices, or parts thereof, e.g. by stacking piezoelectric bodies and electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/01—Manufacture or treatment
    • H10N30/07—Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base
    • H10N30/071—Mounting of piezoelectric or electrostrictive parts together with semiconductor elements, or other circuit elements, on a common substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/101—Piezoelectric or electrostrictive devices with electrical and mechanical input and output, e.g. having combined actuator and sensor parts
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/20—Piezoelectric or electrostrictive devices with electrical input and mechanical output, e.g. functioning as actuators or vibrators
    • H10N30/204—Piezoelectric or electrostrictive devices with electrical input and mechanical output, e.g. functioning as actuators or vibrators using bending displacement, e.g. unimorph, bimorph or multimorph cantilever or membrane benders
    • H10N30/2047—Membrane type
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/30—Piezoelectric or electrostrictive devices with mechanical input and electrical output, e.g. functioning as generators or sensors
    • H10N30/302—Sensors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/80—Constructional details
    • H10N30/87—Electrodes or interconnections, e.g. leads or terminals
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/80—Constructional details
    • H10N30/88—Mounts; Supports; Enclosures; Casings
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one piezoelectric, electrostrictive or magnetostrictive element covered by groups H10N30/00 – H10N35/00
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04M—TELEPHONIC COMMUNICATION
    • H04M2250/00—Details of telephonic subscriber devices
    • H04M2250/12—Details of telephonic subscriber devices including a sensor for measuring a physical value, e.g. temperature or motion

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Human Computer Interaction (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Computer Security & Cryptography (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Software Systems (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • User Interface Of Digital Computer (AREA)

Abstract

일 실시예에 따른 전자 장치는 하우징; 및 상기 하우징 내에 위치하고, 초음파를 이용하여 생체 정보를 검출하는 제1 영역 및 햅틱 피드백을 제공하는 제2 영역을 포함하는 압전 모듈을 포함하고, 상기 압전 모듈은, 대면하는 제1 전극층과 제2 전극층; 및 상기 제1 전극층 및 상기 제2 전극층 사이에 위치하며, 압전 물질을 포함하는 압전층;을 포함하고, 상기 압전 모듈의 상기 제1 영역 내에 위치하는 상기 압전층의 적어도 일 영역은 제1 주파수 대역으로 진동하여 상기 초음파를 발산하고, 상기 압전 모듈의 상기 제2 영역 내에 위치하는 상기 압전층의 적어도 일 영역은 상기 제1 주파수 대역보다 낮은 제2 주파수 대역으로 진동할 수 있다.

Description

압전 모듈을 포함하는 전자 장치{ELECTRONIC DEVICE INCLUDING PIEZOELECTRIC MODULE}
본 문서에서 개시되는 다양한 실시예들은 압전 모듈을 포함하는 전자 장치에 관한 것이다.
최근에는 다양한 종류의 전자 장치들이 개발 및 보급되고 있다. 예를 들어, 기존의 데스크탑 PC뿐만이 아니라, 스마트폰, 태플릿 PC 또는 웨어러블 디바이스와 같은 다양한 기능을 가지는 모바일 장치들의 보급이 확대되고 있다. 또한, 최근의 전자 장치들은 다양한 기능을 수행하기 위하여 다양한 종류의 센서를 포함하고 있다. 예를 들어, 전자 장치의 잠금 및 해제, 보안 및/또는 사용자 인증과 관련하여, 최근의 많은 전자 장치들이 생체 센서를 통해 획득한 사용자의 생체 정보(예: 지문 정보)를 사용하고 있다.
다양한 실시예들은 압전 모듈을 통해 생체 정보 검출 및 햅틱 피드백 제공이 모두 가능한 전자 장치를 제공할 수 있다.
다양한 실시예들은 플렉서블 디스플레이 배면에 유연한 재질의 압전 모듈을 배치하여, 딱딱한(rigid) 재질의 압전 모듈보다 내구성이 향상된 전자 장치를 제공할 수 있다.
본 개시에서 이루고자 하는 기술적 과제는 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
일 실시예에 따른 전자 장치는 하우징; 및 상기 하우징 내에 위치하고, 초음파를 이용하여 생체 정보를 검출하는 제1 영역 및 햅틱 피드백을 제공하는 제2 영역을 포함하는 압전 모듈을 포함하고, 상기 압전 모듈은, 대면하는 제1 전극층과 제2 전극층; 및 상기 제1 전극층 및 상기 제2 전극층 사이에 위치하며, 압전 물질을 포함하는 압전층;을 포함하고, 상기 압전 모듈의 상기 제1 영역 내에 위치하는 상기 압전층의 적어도 일 영역은 제1 주파수 대역으로 진동하여 상기 초음파를 발산하고, 상기 압전 모듈의 상기 제2 영역 내에 위치하는 상기 압전층의 적어도 일 영역은 상기 제1 주파수 대역보다 낮은 제2 주파수 대역으로 진동할 수 있다.
일 실시예에 따른 전자 장치는 하우징; 및 상기 하우징 내에 위치하는 디스플레이; 및 상기 디스플레이의 배면에 위치하고, 초음파를 이용하여 생체 정보를 검출하는 제1 영역 및 햅틱 피드백을 제공하는 제2 영역을 포함하는 압전 모듈을 포함하고, 상기 압전 모듈은, 상기 제1 영역에 위치하는 복수의 제1 단위 전극들 및 상기 제2 영역에 위치하는 복수의 제2 단위 전극들을 포함하는 제1 전극층; 상기 제1 전극층과 대면하는 제2 전극층; 및 상기 제1 전극층과 상기 제2 전극층 사이에 위치하는 압전층을 포함하고, 상기 제1 단위 전극의 면적은 상기 제2 단위 전극의 면적보다 작을 수 있다.
다양한 실시예들에 따르면, 전자 장치는 압전 모듈을 통해 생체 정보 검출 및 햅틱 피드백 제공이 모두 가능할 수 있다.
다양한 실시예들에 따르면, 플렉서블 디스플레이 배면에 유연한 재질의 압전 모듈이 위치하여, 전자 장치의 내구성이 향상될 수 있다.
이 외에, 본 문서를 통해 직접적 또는 간접적으로 파악되는 다양한 효과들이 제공될 수 있다.
도 1은 다양한 실시예들에 따른 네트워크에서 전자 장치의 블록도를 나타낸다.
도 2는 일 실시 예에 따른 전자 장치의 전면 사시도이다.
도 3은 도 2에 도시된 전자 장치의 후면 사시도이다.
도 4는 도 2에 도시된 전자 장치의 분해 사시도이다.
도 5는 일 실시예에 따른 전자 장치에 포함되는 압전 모듈을 나타내는 평면도이다.
도 6은 일 실시예에 따른 전자 장치에 포함되는 압전 모듈을 도 5의 A-A'선을 따라 자른 단면도이다.
도 7은 일 실시예에 따른 전자 장치에 포함되는 압전 모듈의 제1 영역에서 초음파 진동의 송신 모드를 나타내는 도면이다.
도 8은 일 실시예에 따른 전자 장치에 포함되는 압전 모듈의 제1 영역에서 초음파 진동의 수신 모드를 나타내는 도면이다.
도 9는 일 실시예에 따른 전자 장치에 포함되는 압전 모듈의 햅틱 피드백 동작을 나타내는 도면이다.
도 10은 일 실시예에 따른 전자 장치의 단면도이다.
도 11은 일 실시예에 따른 전자 장치의 단면도이다.
도 12는 일 실시예에 따른 전자 장치의 단면도이다.
도 13은 일 실시예에 따른 전자 장치의 단면도이다.
도 14는 일 실시예에 따른 전자 장치의 단면도이다.
도 15는 일 실시예에 따른 전자 장치의 압전 모듈에 포함되는 제1 전극층의 제2 단위 전극을 나타내는 평면도이다.
도 16은 일 실시예에 따른 전자 장치의 압전 모듈에 포함되는 제2 전극층의 제2 대향 전극을 나타내는 평면도이다.
도 17은 일 실시예에 따른 전자 장치의 압전 모듈에 포함되는 제1 전극층의 제2 단위 전극을 나타내는 평면도이다.
도 18은 일 실시예에 따른 전자 장치의 압전 모듈에 포함되는 제2 전극층의 제2 대향 전극을 나타내는 평면도이다.
도 19는 일 실시예에 따른 전자 장치의 압전 모듈을 나타내는 도면이다.
도 20은 일 실시예에 따른 전자 장치의 압전 모듈의 단면도이다.
도 21은 햅틱 피드백을 제공하는 일 실시예에 따른 전자 장치를 나타내는 도면이다.
도 22는 햅틱 피드백을 제공하는 일 실시예에 따른 전자 장치를 나타내는 도면이다.
도 23은 햅틱 피드백을 제공하는 일 실시예에 따른 전자 장치를 나타내는 도면이다.
도 24는 일 실시예에 따른 전자 장치를 나타내는 도면이다.
도면의 설명과 관련하여, 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일 또는 유사한 참조 부호가 사용될 수 있다.
이하, 본 발명의 다양한 실시 예가 첨부된 도면을 참조하여 기재된다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 실시 예의 다양한 변경(modification), 균등물(equivalent), 및/또는 대체물(alternative)을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
도 1은, 다양한 실시예들에 따른, 네트워크 환경(100) 내의 전자 장치(101)의 블록도이다. 도 1을 참조하면, 네트워크 환경(100)에서 전자 장치(101)는 제 1 네트워크(198)(예: 근거리 무선 통신 네트워크)를 통하여 전자 장치(102)와 통신하거나, 또는 제 2 네트워크(199)(예: 원거리 무선 통신 네트워크)를 통하여 전자 장치(104) 또는 서버(108) 중 적어도 하나와 통신할 수 있다. 일실시예에 따르면, 전자 장치(101)는 서버(108)를 통하여 전자 장치(104)와 통신할 수 있다. 일실시예에 따르면, 전자 장치(101)는 프로세서(120), 메모리(130), 입력 모듈(150), 음향 출력 모듈(155), 디스플레이 모듈(160), 오디오 모듈(170), 센서 모듈(176), 인터페이스(177), 연결 단자(178), 햅틱 모듈(179), 카메라 모듈(180), 전력 관리 모듈(188), 배터리(189), 통신 모듈(190), 가입자 식별 모듈(196), 또는 안테나 모듈(197)을 포함할 수 있다. 어떤 실시예에서는, 전자 장치(101)에는, 이 구성요소들 중 적어도 하나(예: 연결 단자(178))가 생략되거나, 하나 이상의 다른 구성요소가 추가될 수 있다. 어떤 실시예에서는, 이 구성요소들 중 일부들(예: 센서 모듈(176), 카메라 모듈(180), 또는 안테나 모듈(197))은 하나의 구성요소(예: 디스플레이 모듈(160))로 통합될 수 있다.
프로세서(120)는, 예를 들면, 소프트웨어(예: 프로그램(140))를 실행하여 프로세서(120)에 연결된 전자 장치(101)의 적어도 하나의 다른 구성요소(예: 하드웨어 또는 소프트웨어 구성요소)를 제어할 수 있고, 다양한 데이터 처리 또는 연산을 수행할 수 있다. 일실시예에 따르면, 데이터 처리 또는 연산의 적어도 일부로서, 프로세서(120)는 다른 구성요소(예: 센서 모듈(176) 또는 통신 모듈(190))로부터 수신된 명령 또는 데이터를 휘발성 메모리(132)에 저장하고, 휘발성 메모리(132)에 저장된 명령 또는 데이터를 처리하고, 결과 데이터를 비휘발성 메모리(134)에 저장할 수 있다. 일실시예에 따르면, 프로세서(120)는 메인 프로세서(121)(예: 중앙 처리 장치 또는 어플리케이션 프로세서) 또는 이와는 독립적으로 또는 함께 운영 가능한 보조 프로세서(123)(예: 그래픽 처리 장치, 신경망 처리 장치(NPU: neural processing unit), 이미지 시그널 프로세서, 센서 허브 프로세서, 또는 커뮤니케이션 프로세서)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(101)가 메인 프로세서(121) 및 보조 프로세서(123)를 포함하는 경우, 보조 프로세서(123)는 메인 프로세서(121)보다 저전력을 사용하거나, 지정된 기능에 특화되도록 설정될 수 있다. 보조 프로세서(123)는 메인 프로세서(121)와 별개로, 또는 그 일부로서 구현될 수 있다.
보조 프로세서(123)는, 예를 들면, 메인 프로세서(121)가 인액티브(예: 슬립) 상태에 있는 동안 메인 프로세서(121)를 대신하여, 또는 메인 프로세서(121)가 액티브(예: 어플리케이션 실행) 상태에 있는 동안 메인 프로세서(121)와 함께, 전자 장치(101)의 구성요소들 중 적어도 하나의 구성요소(예: 디스플레이 모듈(160), 센서 모듈(176), 또는 통신 모듈(190))와 관련된 기능 또는 상태들의 적어도 일부를 제어할 수 있다. 일실시예에 따르면, 보조 프로세서(123)(예: 이미지 시그널 프로세서 또는 커뮤니케이션 프로세서)는 기능적으로 관련 있는 다른 구성요소(예: 카메라 모듈(180) 또는 통신 모듈(190))의 일부로서 구현될 수 있다. 일실시예에 따르면, 보조 프로세서(123)(예: 신경망 처리 장치)는 인공지능 모델의 처리에 특화된 하드웨어 구조를 포함할 수 있다. 인공지능 모델은 기계 학습을 통해 생성될 수 있다. 이러한 학습은, 예를 들어, 인공지능 모델이 수행되는 전자 장치(101) 자체에서 수행될 수 있고, 별도의 서버(예: 서버(108))를 통해 수행될 수도 있다. 학습 알고리즘은, 예를 들어, 지도형 학습(supervised learning), 비지도형 학습(unsupervised learning), 준지도형 학습(semi-supervised learning) 또는 강화 학습(reinforcement learning)을 포함할 수 있으나, 전술한 예에 한정되지 않는다. 인공지능 모델은, 복수의 인공 신경망 레이어들을 포함할 수 있다. 인공 신경망은 심층 신경망(DNN: deep neural network), CNN(convolutional neural network), RNN(recurrent neural network), RBM(restricted boltzmann machine), DBN(deep belief network), BRDNN(bidirectional recurrent deep neural network), 심층 Q-네트워크(deep Q-networks) 또는 상기 중 둘 이상의 조합 중 하나일 수 있으나, 전술한 예에 한정되지 않는다. 인공지능 모델은 하드웨어 구조 이외에, 추가적으로 또는 대체적으로, 소프트웨어 구조를 포함할 수 있다.
메모리(130)는, 전자 장치(101)의 적어도 하나의 구성요소(예: 프로세서(120) 또는 센서 모듈(176))에 의해 사용되는 다양한 데이터를 저장할 수 있다. 데이터는, 예를 들어, 소프트웨어(예: 프로그램(140)) 및, 이와 관련된 명령에 대한 입력 데이터 또는 출력 데이터를 포함할 수 있다. 메모리(130)는, 휘발성 메모리(132) 또는 비휘발성 메모리(134)를 포함할 수 있다.
프로그램(140)은 메모리(130)에 소프트웨어로서 저장될 수 있으며, 예를 들면, 운영 체제(142), 미들 웨어(144) 또는 어플리케이션(146)을 포함할 수 있다.
입력 모듈(150)은, 전자 장치(101)의 구성요소(예: 프로세서(120))에 사용될 명령 또는 데이터를 전자 장치(101)의 외부(예: 사용자)로부터 수신할 수 있다. 입력 모듈(150)은, 예를 들면, 마이크, 마우스, 키보드, 키(예: 버튼), 또는 디지털 펜(예: 스타일러스 펜)을 포함할 수 있다.
음향 출력 모듈(155)은 음향 신호를 전자 장치(101)의 외부로 출력할 수 있다. 음향 출력 모듈(155)은, 예를 들면, 스피커 또는 리시버를 포함할 수 있다. 스피커는 멀티미디어 재생 또는 녹음 재생과 같이 일반적인 용도로 사용될 수 있다. 리시버는 착신 전화를 수신하기 위해 사용될 수 있다. 일실시예에 따르면, 리시버는 스피커와 별개로, 또는 그 일부로서 구현될 수 있다.
디스플레이 모듈(160)은 전자 장치(101)의 외부(예: 사용자)로 정보를 시각적으로 제공할 수 있다. 디스플레이 모듈(160)은, 예를 들면, 디스플레이, 홀로그램 장치, 또는 프로젝터 및 해당 장치를 제어하기 위한 제어 회로를 포함할 수 있다. 일실시예에 따르면, 디스플레이 모듈(160)은 터치를 감지하도록 설정된 터치 센서, 또는 상기 터치에 의해 발생되는 힘의 세기를 측정하도록 설정된 압력 센서를 포함할 수 있다.
오디오 모듈(170)은 소리를 전기 신호로 변환시키거나, 반대로 전기 신호를 소리로 변환시킬 수 있다. 일실시예에 따르면, 오디오 모듈(170)은, 입력 모듈(150)을 통해 소리를 획득하거나, 음향 출력 모듈(155), 또는 전자 장치(101)와 직접 또는 무선으로 연결된 외부 전자 장치(예: 전자 장치(102))(예: 스피커 또는 헤드폰)를 통해 소리를 출력할 수 있다.
센서 모듈(176)은 전자 장치(101)의 작동 상태(예: 전력 또는 온도), 또는 외부의 환경 상태(예: 사용자 상태)를 감지하고, 감지된 상태에 대응하는 전기 신호 또는 데이터 값을 생성할 수 있다. 일실시예에 따르면, 센서 모듈(176)은, 예를 들면, 제스처 센서, 자이로 센서, 기압 센서, 마그네틱 센서, 가속도 센서, 그립 센서, 근접 센서, 컬러 센서, IR(infrared) 센서, 생체 센서, 온도 센서, 습도 센서, 또는 조도 센서를 포함할 수 있다.
인터페이스(177)는 전자 장치(101)가 외부 전자 장치(예: 전자 장치(102))와 직접 또는 무선으로 연결되기 위해 사용될 수 있는 하나 이상의 지정된 프로토콜들을 지원할 수 있다. 일실시예에 따르면, 인터페이스(177)는, 예를 들면, HDMI(high definition multimedia interface), USB(universal serial bus) 인터페이스, SD카드 인터페이스, 또는 오디오 인터페이스를 포함할 수 있다.
연결 단자(178)는, 그를 통해서 전자 장치(101)가 외부 전자 장치(예: 전자 장치(102))와 물리적으로 연결될 수 있는 커넥터를 포함할 수 있다. 일실시예에 따르면, 연결 단자(178)는, 예를 들면, HDMI 커넥터, USB 커넥터, SD 카드 커넥터, 또는 오디오 커넥터(예: 헤드폰 커넥터)를 포함할 수 있다.
햅틱 모듈(179)은 전기적 신호를 사용자가 촉각 또는 운동 감각을 통해서 인지할 수 있는 기계적인 자극(예: 진동 또는 움직임) 또는 전기적인 자극으로 변환할 수 있다. 일실시예에 따르면, 햅틱 모듈(179)은, 예를 들면, 모터, 압전 소자, 또는 전기 자극 장치를 포함할 수 있다.
카메라 모듈(180)은 정지 영상 및 동영상을 촬영할 수 있다. 일실시예에 따르면, 카메라 모듈(180)은 하나 이상의 렌즈들, 이미지 센서들, 이미지 시그널 프로세서들, 또는 플래시들을 포함할 수 있다.
전력 관리 모듈(188)은 전자 장치(101)에 공급되는 전력을 관리할 수 있다. 일실시예에 따르면, 전력 관리 모듈(188)은, 예를 들면, PMIC(power management integrated circuit)의 적어도 일부로서 구현될 수 있다.
배터리(189)는 전자 장치(101)의 적어도 하나의 구성요소에 전력을 공급할 수 있다. 일실시예에 따르면, 배터리(189)는, 예를 들면, 재충전 불가능한 1차 전지, 재충전 가능한 2차 전지 또는 연료 전지를 포함할 수 있다.
통신 모듈(190)은 전자 장치(101)와 외부 전자 장치(예: 전자 장치(102), 전자 장치(104), 또는 서버(108)) 간의 직접(예: 유선) 통신 채널 또는 무선 통신 채널의 수립, 및 수립된 통신 채널을 통한 통신 수행을 지원할 수 있다. 통신 모듈(190)은 프로세서(120)(예: 어플리케이션 프로세서)와 독립적으로 운영되고, 직접(예: 유선) 통신 또는 무선 통신을 지원하는 하나 이상의 커뮤니케이션 프로세서를 포함할 수 있다. 일실시예에 따르면, 통신 모듈(190)은 무선 통신 모듈(192)(예: 셀룰러 통신 모듈, 근거리 무선 통신 모듈, 또는 GNSS(global navigation satellite system) 통신 모듈) 또는 유선 통신 모듈(194)(예: LAN(local area network) 통신 모듈, 또는 전력선 통신 모듈)을 포함할 수 있다. 이들 통신 모듈 중 해당하는 통신 모듈은 제 1 네트워크(198)(예: 블루투스, WiFi(wireless fidelity) direct 또는 IrDA(infrared data association)와 같은 근거리 통신 네트워크) 또는 제 2 네트워크(199)(예: 레거시 셀룰러 네트워크, 5G 네트워크, 차세대 통신 네트워크, 인터넷, 또는 컴퓨터 네트워크(예: LAN 또는 WAN)와 같은 원거리 통신 네트워크)를 통하여 외부의 전자 장치(104)와 통신할 수 있다. 이런 여러 종류의 통신 모듈들은 하나의 구성요소(예: 단일 칩)로 통합되거나, 또는 서로 별도의 복수의 구성요소들(예: 복수 칩들)로 구현될 수 있다. 무선 통신 모듈(192)은 가입자 식별 모듈(196)에 저장된 가입자 정보(예: 국제 모바일 가입자 식별자(IMSI))를 이용하여 제 1 네트워크(198) 또는 제 2 네트워크(199)와 같은 통신 네트워크 내에서 전자 장치(101)를 확인 또는 인증할 수 있다.
무선 통신 모듈(192)은 4G 네트워크 이후의 5G 네트워크 및 차세대 통신 기술, 예를 들어, NR 접속 기술(new radio access technology)을 지원할 수 있다. NR 접속 기술은 고용량 데이터의 고속 전송(eMBB(enhanced mobile broadband)), 단말 전력 최소화와 다수 단말의 접속(mMTC(massive machine type communications)), 또는 고신뢰도와 저지연(URLLC(ultra-reliable and low-latency communications))을 지원할 수 있다. 무선 통신 모듈(192)은, 예를 들어, 높은 데이터 전송률 달성을 위해, 고주파 대역(예: mmWave 대역)을 지원할 수 있다. 무선 통신 모듈(192)은 고주파 대역에서의 성능 확보를 위한 다양한 기술들, 예를 들어, 빔포밍(beamforming), 거대 배열 다중 입출력(massive MIMO(multiple-input and multiple-output)), 전차원 다중입출력(FD-MIMO: full dimensional MIMO), 어레이 안테나(array antenna), 아날로그 빔형성(analog beam-forming), 또는 대규모 안테나(large scale antenna)와 같은 기술들을 지원할 수 있다. 무선 통신 모듈(192)은 전자 장치(101), 외부 전자 장치(예: 전자 장치(104)) 또는 네트워크 시스템(예: 제 2 네트워크(199))에 규정되는 다양한 요구사항을 지원할 수 있다. 일실시예에 따르면, 무선 통신 모듈(192)은 eMBB 실현을 위한 Peak data rate(예: 20Gbps 이상), mMTC 실현을 위한 손실 Coverage(예: 164dB 이하), 또는 URLLC 실현을 위한 U-plane latency(예: 다운링크(DL) 및 업링크(UL) 각각 0.5ms 이하, 또는 라운드 트립 1ms 이하)를 지원할 수 있다.
안테나 모듈(197)은 신호 또는 전력을 외부(예: 외부의 전자 장치)로 송신하거나 외부로부터 수신할 수 있다. 일실시예에 따르면, 안테나 모듈(197)은 서브스트레이트(예: PCB) 위에 형성된 도전체 또는 도전성 패턴으로 이루어진 방사체를 포함하는 안테나를 포함할 수 있다. 일실시예에 따르면, 안테나 모듈(197)은 복수의 안테나들(예: 어레이 안테나)을 포함할 수 있다. 이런 경우, 제 1 네트워크(198) 또는 제 2 네트워크(199)와 같은 통신 네트워크에서 사용되는 통신 방식에 적합한 적어도 하나의 안테나가, 예를 들면, 통신 모듈(190)에 의하여 상기 복수의 안테나들로부터 선택될 수 있다. 신호 또는 전력은 상기 선택된 적어도 하나의 안테나를 통하여 통신 모듈(190)과 외부의 전자 장치 간에 송신되거나 수신될 수 있다. 어떤 실시예에 따르면, 방사체 이외에 다른 부품(예: RFIC(radio frequency integrated circuit))이 추가로 안테나 모듈(197)의 일부로 형성될 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 안테나 모듈(197)은 mmWave 안테나 모듈을 형성할 수 있다. 일실시예에 따르면, mmWave 안테나 모듈은 인쇄 회로 기판, 상기 인쇄 회로 기판의 제 1 면(예: 아래 면)에 또는 그에 인접하여 배치되고 지정된 고주파 대역(예: mmWave 대역)을 지원할 수 있는 RFIC, 및 상기 인쇄 회로 기판의 제 2 면(예: 윗 면 또는 측 면)에 또는 그에 인접하여 배치되고 상기 지정된 고주파 대역의 신호를 송신 또는 수신할 수 있는 복수의 안테나들(예: 어레이 안테나)을 포함할 수 있다.
상기 구성요소들 중 적어도 일부는 주변 기기들간 통신 방식(예: 버스, GPIO(general purpose input and output), SPI(serial peripheral interface), 또는 MIPI(mobile industry processor interface))을 통해 서로 연결되고 신호(예: 명령 또는 데이터)를 상호간에 교환할 수 있다.
일실시예에 따르면, 명령 또는 데이터는 제 2 네트워크(199)에 연결된 서버(108)를 통해서 전자 장치(101)와 외부의 전자 장치(104)간에 송신 또는 수신될 수 있다. 외부의 전자 장치(102, 또는 104) 각각은 전자 장치(101)와 동일한 또는 다른 종류의 장치일 수 있다. 일실시예에 따르면, 전자 장치(101)에서 실행되는 동작들의 전부 또는 일부는 외부의 전자 장치들(102, 104, 또는 108) 중 하나 이상의 외부의 전자 장치들에서 실행될 수 있다. 예를 들면, 전자 장치(101)가 어떤 기능이나 서비스를 자동으로, 또는 사용자 또는 다른 장치로부터의 요청에 반응하여 수행해야 할 경우에, 전자 장치(101)는 기능 또는 서비스를 자체적으로 실행시키는 대신에 또는 추가적으로, 하나 이상의 외부의 전자 장치들에게 그 기능 또는 그 서비스의 적어도 일부를 수행하라고 요청할 수 있다. 상기 요청을 수신한 하나 이상의 외부의 전자 장치들은 요청된 기능 또는 서비스의 적어도 일부, 또는 상기 요청과 관련된 추가 기능 또는 서비스를 실행하고, 그 실행의 결과를 전자 장치(101)로 전달할 수 있다. 전자 장치(101)는 상기 결과를, 그대로 또는 추가적으로 처리하여, 상기 요청에 대한 응답의 적어도 일부로서 제공할 수 있다. 이를 위하여, 예를 들면, 클라우드 컴퓨팅, 분산 컴퓨팅, 모바일 에지 컴퓨팅(MEC: mobile edge computing), 또는 클라이언트-서버 컴퓨팅 기술이 이용될 수 있다. 전자 장치(101)는, 예를 들어, 분산 컴퓨팅 또는 모바일 에지 컴퓨팅을 이용하여 초저지연 서비스를 제공할 수 있다. 다른 실시예에 있어서, 외부의 전자 장치(104)는 IoT(internet of things) 기기를 포함할 수 있다. 서버(108)는 기계 학습 및/또는 신경망을 이용한 지능형 서버일 수 있다. 일실시예에 따르면, 외부의 전자 장치(104) 또는 서버(108)는 제 2 네트워크(199) 내에 포함될 수 있다. 전자 장치(101)는 5G 통신 기술 및 IoT 관련 기술을 기반으로 지능형 서비스(예: 스마트 홈, 스마트 시티, 스마트 카, 또는 헬스 케어)에 적용될 수 있다.
도 2는, 일 실시 예에 따른 전자 장치의 전면 사시도이다. 도 3은 도 2에 도시된 전자 장치의 후면 사시도이다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 일 실시 예에 따른 전자 장치(200)(예: 도 1의 전자 장치(101))는, 제1 면(또는 전면)(210A), 제2 면(또는 후면)(210B), 및 제1 면(210A) 및 제2 면(210B) 사이의 공간을 둘러싸는 측면(210C)을 포함하는 하우징(210)을 포함할 수 있다. 다른 실시 예(미도시)에서, 하우징(210)은, 도 2의 제1 면(210A), 제2 면(210B) 및 측면(210C)들 중 일부를 형성하는 구조를 지칭할 수도 있다.
일 실시 예에 따르면, 제1 면(210A)은 적어도 일부분이 실질적으로 투명한 전면 플레이트(202)(예: 다양한 코팅 레이어들을 포함하는 글라스 플레이트, 또는 폴리머 플레이트)에 의하여 형성될 수 있다. 제2 면(210B)은 실질적으로 불투명한 후면 플레이트(211)에 의하여 형성될 수 있다. 상기 후면 플레이트(211)는, 예를 들어, 코팅 또는 착색된 유리, 세라믹, 폴리머, 금속(예: 알루미늄, 스테인레스 스틸(STS), 또는 마그네슘), 또는 상기 물질들 중 적어도 둘의 조합에 의하여 형성될 수 있다. 상기 측면(210C)은, 전면 플레이트(202) 및 후면 플레이트(211)와 결합하며, 금속 및/또는 폴리머를 포함하는 측면 베젤 구조(또는 “측면 부재”)(218)에 의하여 형성될 수 있다. 어떤 실시 예에서, 후면 플레이트(211) 및 측면 베젤 구조(218)는 일체로 형성되고 동일한 물질(예: 알루미늄과 같은 금속 물질)을 포함할 수 있다.
도시된 실시 예에서, 상기 전면 플레이트(202)는, 상기 제1 면(210A)으로부터 상기 후면 플레이트(211) 쪽으로 휘어져 심리스하게(seamless) 연장된 2개의 제1 영역(210D)들을, 상기 전면 플레이트(202)의 긴 엣지(long edge) 양단에 포함할 수 있다.
도시된 실시 예(도 3 참조)에서, 상기 후면 플레이트(211)는, 상기 제2 면(210B)으로부터 상기 전면 플레이트(202) 쪽으로 휘어져 심리스하게 연장된 2개의 제2 영역(210E)들을 긴 엣지 양단에 포함할 수 있다.
어떤 실시 예에서, 상기 전면 플레이트(202)(또는 상기 후면 플레이트(211))는 상기 제1 영역(210D)들(또는 상기 제2 영역(210E)들) 중 하나 만을 포함할 수 있다. 다른 실시 예에서, 상기 전면 플레이트(202)(또는 상기 후면 플레이트(211))는 상기 제1 영역(210D)들 (또는 제2 영역(210E)들) 중 일부를 포함하지 않을 수 있다.
상기 실시 예들에서, 상기 전자 장치(200)의 측면에서 볼 때, 측면 베젤 구조(218)는, 상기와 같은 제1 영역(210D)들 또는 제2 영역(210E)들이 포함되지 않는 측면 쪽(예: 단변)에서는 제1 두께(또는 폭)을 가지고, 상기 제1 영역(210D)들 또는 제2 영역(210E)들을 포함한 측면 쪽(예: 장변)에서는 상기 제1 두께보다 얇은 제2 두께를 가질 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 전자 장치(200)는 디스플레이(201), 오디오 모듈(203, 207, 214), 센서 모듈(204, 216, 219), 카메라 모듈(205, 212, 213), 키 입력 장치(217A, 217B, 217C), 발광 소자(206), 및 커넥터 홀(208, 209) 중 적어도 하나 이상을 포함할 수 있다. 어떤 실시 예에서, 전자 장치(200)는, 구성요소들 중 적어도 하나(예: 키 입력 장치(217A, 217B, 217C), 또는 발광 소자(206))를 생략하거나 다른 구성요소를 추가적으로 포함할 수 있다.
디스플레이(201)는, 예를 들어, 전면 플레이트(202)의 상당 부분을 통하여 노출될 수 있다. 어떤 실시 예에서는, 상기 제1 면(210A), 및 상기 측면(210C)의 제1 영역(210D)들을 포함하는 전면 플레이트(202)를 통하여 상기 디스플레이(201)의 적어도 일부가 노출될 수 있다.
어떤 실시 예에서, 디스플레이(201)의 모서리는 상기 전면 플레이트(202)의 인접한 외곽 형상과 대체로 동일하게 형성될 수 있다. 다른 실시 예(미도시)에서, 디스플레이(201)가 노출되는 면적을 확장하기 위하여, 디스플레이(201)의 외곽과 전면 플레이트(202)의 외곽 간의 간격은 대체로 동일하게 형성될 수 있다.
일 실시 예에서, 하우징(210)의 표면(또는 전면 플레이트(202))은 디스플레이(201)가 시각적으로 노출됨에 따라 형성되는 화면 표시 영역을 포함할 수 있다. 일례로, 화면 표시 영역은 제1 면(210A), 및 측면의 제1 영역(210D)들을 포함할 수 있다.
도시된 실시 예에서, 화면 표시 영역(210A, 210D)은 사용자의 생체 정보를 획득하도록 구성된 센싱 영역(210F) 및 사용자에게 햅틱 피드백을 제공하는 햅틱 영역(210G)을 포함할 수 있다. 여기서, “화면 표시 영역(210A, 210D)이 센싱 영역(210F) 및 햅틱 영역(210G)을 포함함”의 의미는 센싱 영역(210F) 및 햅틱 영역(210G)의 적어도 일부가 화면 표시 영역(210A, 210D)에 겹쳐질(overlapped) 수 있는 것으로 이해될 수 있다. 다시 말해, 센싱 영역(210F)은 화면 표시 영역(210A, 210D)의 다른 영역과 마찬가지로 디스플레이(201)에 의해 시각 정보를 표시할 수 있고, 추가적으로 사용자의 생체 정보(예: 지문 정보)를 획득할 수 있는 영역을 의미할 수 있다. 햅틱 영역(210G)은 화면 표시 영역(210A, 210D)의 다른 영역과 마찬가지로 디스플레이(201)에 의해 시각 정보를 표시할 수 있고, 추가적으로 사용자에게 햅틱 피드백을 제공하는 영역을 의미할 수 있다.
도시된 실시 예에서, 디스플레이(201)의 화면 표시 영역(210A, 210D)은 제1 카메라 장치(205)(예: 펀치 홀 카메라)가 시각적으로 노출될 수 있는 영역(210H)을 포함할 수 있다. 상기 제1 카메라 장치(205)가 시각적으로 노출된 영역(210H)은 가장자리의 적어도 일부가 화면 표시 영역(210A, 210D)에 의해 둘러싸일 수 있다. 다양한 실시 예에서, 상기 제1 카메라 장치(205)는 복수의 카메라 장치를 포함할 수 있다.
다른 실시 예(미도시)에서, 디스플레이(201)의 화면 표시 영역(210A, 210D)의 일부에는 리세스 또는 개구부(opening)가 형성되고, 상기 리세스 또는 상기 개구부(opening)와 정렬되는 오디오 모듈(214), 제1 센서 모듈(204), 및 발광 소자(206) 중 적어도 하나 이상을 포함할 수 있다.
다른 실시 예(미도시)에서, 디스플레이(201)는 화면 표시 영역(210A, 210D)의 배면에, 오디오 모듈(214), 센서 모듈(204, 216, 219), 및 발광 소자(206) 중 적어도 하나 이상을 포함할 수 있다.
다른 실시 예(미도시)에서, 디스플레이(201)는, 터치 감지 회로, 터치의 세기(압력)를 측정할 수 있는 압력 센서, 및/또는 자기장 방식의 스타일러스 펜을 검출하는 디지타이저와 결합되거나 인접하여 배치될 수 있다.
어떤 실시 예에서, 상기 센서 모듈(204, 216, 219)의 적어도 일부, 및/또는 키 입력 장치(217A, 217B, 217C)의 적어도 일부는, 상기 측면(210C)(예: 제1 영역(210D)들 및/또는 상기 제2 영역(210E)들)에 배치될 수 있다.
오디오 모듈(203, 207, 214)은, 마이크 홀(203) 및 스피커 홀(207, 214)을 포함할 수 있다. 마이크 홀(203)은 외부의 소리를 획득하기 위한 마이크가 내부에 배치될 수 있고, 어떤 실시 예에서는 소리의 방향을 감지할 수 있도록 복수개의 마이크가 배치될 수 있다. 스피커 홀(207, 214)은, 외부 스피커 홀(207) 및 통화용 리시버 홀(214)을 포함할 수 있다. 어떤 실시 예에서는 스피커 홀(207, 214)과 마이크 홀(203)이 하나의 홀로 구현 되거나, 스피커 홀(207, 214) 없이 스피커가 포함될 수 있다(예: 피에조 스피커).
센서 모듈(204, 216, 219)은, 전자 장치(200)의 내부의 작동 상태, 또는 외부의 환경 상태에 대응하는 전기 신호 또는 데이터 값을 생성할 수 있다. 예를 들어, 센서 모듈(204, 216, 219)은, 하우징(210)의 제1 면(210A)에 배치된 제1 센서 모듈(204)(예: 근접 센서), 하우징(210)의 제2 면(210B)에 배치된 제2 센서 모듈(216)(예: TOF 카메라 장치), 상기 하우징(210)의 제2 면(210B)에 배치된 제3 센서 모듈(219)(예: HRM 센서) 및/또는 디스플레이(201) 아래에 배치되는 제4 센서 모듈(예: 도 4의 압전 모듈(235))(예: 지문 센서)을 포함할 수 있다.
다양한 실시 예에서, 제2 센서 모듈(216)은 거리 측정을 위한 TOF 카메라 장치를 포함할 수 있다.
다양한 실시 예에서, 제4 센서 모듈(예: 도 4의 압전 모듈(235))은 적어도 일부가 화면 표시 영역(210A, 210D)에 배치될 수 있다. 일례로, 제4 센서 모듈은 디스플레이(201)의 배면에 배치될 수 있다. 즉, 제4 센서 모듈은 화면 표시 영역(210A, 210D)으로 노출되지 않으며, 화면 표시 영역(210A, 210D)의 적어도 일부에 센싱 영역(210F) 또는 햅틱 영역(210G)을 형성할 수 있다. 어떤 실시 예에서(미도시), 상기 센싱 영역(210F)은 하우징(210)의 제1 면(210A)(예: 화면 표시 영역(210A, 210D))뿐만 아니라 제2 면(210B)에 배치될 수도 있다.
다양한 실시 예에서, 전자 장치(200)는, 도시 되지 않은 센서 모듈, 예를 들어, 제스처 센서, 자이로 센서, 기압 센서, 마그네틱 센서, 가속도 센서, 그립 센서, 컬러 센서, IR(infrared) 센서, 생체 센서, 온도 센서, 습도 센서, 또는 조도 센서 중 적어도 하나를 더 포함할 수 있다.
카메라 모듈(205, 212, 213)은, 전자 장치(200)의 제1 면(210A)으로 노출되는 제1 카메라 장치(205)(예: 펀치 홀 카메라 장치), 및 제2 면(210B)으로 노출되는 제2 카메라 장치(212), 및/또는 플래시(213)를 포함할 수 있다.
도시된 실시 예에서, 제1 카메라 장치(205)는 제1 면(210A) 중 화면 표시 영역(210D)의 일부를 통해 노출될 수 있다. 일례로, 제1 카메라 장치(205)는 디스플레이(201)의 일부에 형성된 개구(미도시)를 통해 화면 표시 영역(210D)의 일부 영역으로 노출될 수 있다.
도시된 실시 예에서, 제2 카메라 장치(212)는 복수의 카메라 장치(예: 듀얼 카메라, 트리플 카메라)를 포함할 수 있다. 다만, 제2 카메라 장치(212)가 반드시 복수의 카메라 장치를 포함하는 것으로 한정되는 것은 아니며 하나의 카메라 장치를 포함할 수도 있다.
상기 카메라 장치들(205, 212)은, 하나 또는 복수의 렌즈들, 이미지 센서, 및/또는 이미지 시그널 프로세서를 포함할 수 있다. 플래시(213)는, 예를 들어, 발광 다이오드 또는 제논 램프(xenon lamp)를 포함할 수 있다. 어떤 실시 예에서는, 2개 이상의 렌즈들(적외선 카메라, 광각 및 망원 렌즈) 및 이미지 센서들이 전자 장치(200)의 한 면에 배치될 수 있다.
키 입력 장치(217A, 217B, 217C)는, 하우징(210)의 측면(210C)에 배치될 수 있다. 다른 실시 예에서는, 전자 장치(200)는 상기 언급된 키 입력 장치(217A, 217B, 217C) 중 일부 또는 전부를 포함하지 않을 수 있고 포함되지 않은 키 입력 장치(217A, 217B, 217C)는 디스플레이(201) 상에 소프트 키와 같은 다른 형태로 구현될 수 있다.
발광 소자(206)는, 예를 들어, 하우징(210)의 제1 면(210A)에 배치될 수 있다. 발광 소자(206)는, 예를 들어, 전자 장치(200)의 상태 정보를 광 형태로 제공할 수 있다. 다른 실시 예에서, 발광 소자(206)는, 예를 들어, 제1 카메라 장치(205)의 동작과 연동되는 광원을 제공할 수 있다. 발광 소자(206)는, 예를 들어, LED, IR LED 및 제논 램프를 포함할 수 있다.
커넥터 홀(208, 209)은, 외부 전자 장치와 전력 및/또는 데이터를 송수신하기 위한 커넥터(예를 들어, USB 커넥터)를 수용할 수 있는 제1 커넥터 홀(208), 및/또는 외부 전자 장치와 오디오 신호를 송수신하기 위한 커넥터를 수용할 수 있는 제2 커넥터 홀(209)(예를 들어, 이어폰 잭)을 포함할 수 있다.
도 4는 도 2에 도시된 전자 장치의 분해 사시도이다. 도 4를 참조하면, 전자 장치(200)는, 전면 플레이트(220), 디스플레이(230)(예: 도 2의 디스플레이(201)), 압전 모듈(235), 측면 부재(240), 제1 지지 부재(242)(예: 브라켓), 인쇄 회로 기판(250), 배터리(252), 제2 지지 부재(260)(예: 리어 케이스), 안테나(270) 및 후면 플레이트(280)를 포함할 수 있다. 어떤 실시 예에서, 전자 장치(200)는, 구성요소들 중 적어도 하나(예: 제1 지지 부재(242), 또는 제2 지지 부재(260))를 생략하거나 다른 구성요소를 추가적으로 포함할 수 있다. 전자 장치(200)의 구성요소들 중 적어도 하나는, 도 2 또는 도 3의 전자 장치(200)의 구성요소들 중 적어도 하나와 동일, 또는 유사할 수 있으며, 중복되는 설명은 이하 생략한다.
디스플레이(230)는 전면 플레이트(220) 아래에 위치하며, 화면을 표시할 수 있다.
압전 모듈(235)은 디스플레이(230) 아래에 위치할 수 있다. 압전 모듈(235)은 디스플레이(230)의 적어도 일부와 중첩할 수 있다. 압전 모듈(235)은 생체 정보(예: 지문 정보)를 획득하는 제1 영역(236)(예: 도 2의 센싱 영역(210F)) 및 사용자에게 햅틱 피드백을 제공하는 제2 영역(237)(예: 도 2의 햅틱 영역(210G))을 포함할 수 있다.
제1 지지 부재(242)는, 전자 장치(200) 내부에 배치되어 측면 부재(240)와 연결될 수 있거나, 측면 부재(240)와 일체로 형성될 수 있다. 제1 지지 부재(242)는, 예를 들어, 금속 재질 및/또는 비금속 (예: 폴리머) 재질로 형성될 수 있다. 제1 지지 부재(242)는, 일면에 디스플레이(230)가 결합되고 타면에 인쇄 회로 기판(250)이 결합될 수 있다. 인쇄 회로 기판(250)에는, 프로세서, 메모리, 및/또는 인터페이스가 장착될 수 있다. 프로세서는, 예를 들어, 중앙처리장치, 어플리케이션 프로세서, 그래픽 처리 장치, 이미지 시그널 프로세서, 센서 허브 프로세서, 또는 커뮤니케이션 프로세서 중 하나 또는 그 이상을 포함할 수 있다.
메모리는, 예를 들어, 휘발성 메모리 또는 비휘발성 메모리를 포함할 수 있다.
인터페이스는, 예를 들어, HDMI(high definition multimedia interface), USB(universal serial bus) 인터페이스, SD카드 인터페이스, 및/또는 오디오 인터페이스를 포함할 수 있다. 인터페이스는, 예를 들어, 전자 장치(200)를 외부 전자 장치와 전기적 또는 물리적으로 연결시킬 수 있으며, USB 커넥터, SD 카드/MMC 커넥터, 또는 오디오 커넥터를 포함할 수 있다.
배터리(252)는 전자 장치(200)의 적어도 하나의 구성 요소에 전력을 공급하기 위한 장치로서, 예를 들면, 재충전 불가능한 1차 전지, 또는 재충전 가능한 2차 전지, 또는 연료 전지를 포함할 수 있다. 배터리(252)의 적어도 일부는, 예를 들어, 인쇄 회로 기판(250)과 실질적으로 동일 평면 상에 배치될 수 있다. 배터리(252)는 전자 장치(200) 내부에 일체로 배치될 수 있고, 전자 장치(200)와 탈부착 가능하게 배치될 수도 있다.
안테나(270)는, 후면 플레이트(280)와 배터리(252) 사이에 배치될 수 있다. 안테나(270)는, 예를 들어, NFC(near field communication) 안테나, 무선 충전 안테나, 및/또는 MST(magnetic secure transmission) 안테나를 포함할 수 있다. 안테나(270)는, 예를 들어, 외부 장치와 근거리 통신을 하거나, 충전에 필요한 전력을 무선으로 송수신 할 수 있다. 다른 실시 예에서는, 측면 부재(240) 및/또는 상기 제1 지지 부재(242)의 일부 또는 그 조합에 의하여 안테나 구조가 형성될 수 있다.
이하, 도 5 및 도 6을 참조하여, 일 실시예에 따른 전자 장치에 포함되는 압전 모듈(500)(예: 도 4의 압전 모듈(235))에 대해 설명한다. 도 5는 일 실시예에 따른 전자 장치에 포함되는 압전 모듈(500)을 나타내는 평면도이다. 도 6은 일 실시예에 따른 전자 장치에 포함되는 압전 모듈(500)을 도 5의 A-A'선을 따라 자른 단면도이다.
도 5 및 도 6을 참조하면, 압전 모듈(500)은 초음파를 이용하여 사용자의 생체 정보(예: 지문 정보)를 검출하는 제1 영역(A1) 및 햅틱을 제공하는 제2 영역(A2)을 포함할 수 있다. 압전 모듈(500)의 제1 영역(A1)은 전자 장치(예: 도 2의 전자 장치(200))에서 생체 정보를 검출하는 센싱 영역(예: 도 2의 센싱 영역(210F))에 대응하여 배치될 수 있다. 압전 모듈(500)의 제2 영역(A2)은 전자 장치(예: 도 2의 전자 장치(200))에서 햅틱 피드백을 제공하는 햅틱 영역(예: 도 2의 햅틱 영역(210G))에 대응하여 배치될 수 있다.
압전 모듈(500)은 기판(510), 제1 전극층(520), 제2 전극층(540) 및 압전층(530)을 포함할 수 있다.
기판(510)은 잘 휘어지고 구부러지며 접히거나 말릴 수 있는 플렉서블한 소재를 포함할 수 있다. 예컨대, 기판(510)은 폴리이미드(polyimide), 폴리아미드(polyamide), 폴리카보네이트(polycarbonate), 또는 폴리에틸렌 테레프탈레이드(polyethylene terephthalate) 같은 폴리머를 포함할 수 있다. 기판(510)에는 압전 모듈(500)의 구동을 위한 도전 패턴(미도시) 및 전기적 소자(미도시)가 위치할 수 있다.
제1 전극층(520)은 기판(510)의 일 면(예: -Z 방향의 면)에 위치할 수 있다. 제1 전극층(520)은 기판(510)에 -Z 방향으로 인접할 수 있다. 제1 전극층(520)은 제1 영역(A1)에 위치하는 복수의 제1 단위 전극(521) 및 제2 영역(A2)에 위치하는 복수의 제2 단위 전극(522)을 포함할 수 있다. 하나의 제1 단위 전극(521)의 너비(w1)(또는 면적)는 하나의 제2 단위 전극(522)의 너비(w2)(또는 면적)보다 작을 수 있다. 예를 들어, 제1 단위 전극(521)의 너비(w1)는 약 10 μm 내지 약 100 μm 일 수 있다. 제2 단위 전극(522)의 너비(w2)는 약 1mm 내지 약 100mm 일 수 있다.
제2 전극층(540)은 제1 전극층(520)의 -Z 방향 측에 위치하며, 제1 전극층(520)과 대면할 수 있다. 제2 전극층(540)은 제1 영역(A1)에 위치하는 제1 대향 전극(541) 및 제2 영역(A2)에 위치하는 제2 대향 전극(542)을 포함할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 제1 대향 전극(541) 및 제2 대향 전극(542)은 전기적으로 연결되지 않고, 서로 다른 전압을 인가 받을 수 있다. 다른 일 실시예에 따르면, 제1 대향 전극(541) 및 제2 대향 전극(542)은 전기적으로 연결되어, 동일한 전압을 인가 받을 수도 있다. 도시한 바와 달리, 제1 전극층(520)은 제1 영역(A1) 및 제2 영역(A2)의 전 영역에 일체로 형성될 수도 있다.
압전층(530)은 제1 전극층(520)과 제2 전극층(540) 사이에 위치할 수 있다. 압전층(530)은 제1 영역(A1) 및 제2 영역(A2)에 위치할 수 있다. 압전층(530)은 압전 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 압전층(530)은 폴리머(예: PVDF, PVDF-TrFE)를 포함할 수 있고, 플렉서블 할 수 있다. 압전층(530)은 제1 전극층(520)과 제2 전극층(540)에 인가되는 전압의 차이에 기반하여 수축하거나 팽창하며 진동할 수 있다. 압전층(530)에 가해지는 전계에 따른 압전층(530)의 방향별 수축 또는 팽창 정도는 압전 물질의 압전변형상수(piezoelectric strain constant)에 기반하여 결정될 수 있다. 제1 영역(A1) 내에 위치하는 압전층(530)의 적어도 일 영역은 제1 전극층(520)의 제1 단위 전극(521)과 제2 전극층(540)의 제1 대향 전극(541)에 인가되는 전압의 차이에 기반하여, 제1 주파수 대역으로 진동할 수 있다. 제2 영역(A2) 내에 위치하는 압전층(530)의 적어도 일 영역은 제1 전극층(520)의 제2 단위 전극(522)과 제2 전극층(540)의 제2 대향 전극(542)에 인가되는 전압의 차이에 기반하여, 제2 주파수 대역으로 진동할 수 있다. 제2 주파수 대역은 제1 주파수 대역보다 낮을 수 있다.
이하, 도 7 및 도 8을 참조하여, 일 실시예에 따른 전자 장치에 포함되는 압전 모듈의 제1 영역에서의 생체 정보 검출 동작에 대해 설명한다. 도 7은 일 실시예에 따른 전자 장치에 포함되는 압전 모듈의 제1 영역에서 초음파 진동의 송신 모드를 나타내는 도면이다. 도 8은 일 실시예에 따른 전자 장치에 포함되는 압전 모듈의 제1 영역에서 초음파 진동의 수신 모드를 나타내는 도면이다.
도 7 및 도 8을 참조하면, 일 실시예에 따른 전자 장치는 디스플레이(710) 및 디스플레이(710)의 배면에 위치하는 압전 모듈(720)(예: 도 4의 압전 모듈(235) 또는 도 5의 압전 모듈(500))을 포함할 수 있다.
디스플레이(710)는 +Z 방향으로 화면을 표시할 수 있다. 생체 정보를 검출하는 모드에서, 외부 객체(730)(예: 손가락)는 디스플레이(710)의 +Z 방향의 면 측에 배치될 수 있다.
압전 모듈(720)은 생체 정보를 검출하는 제1 영역(A1)을 포함할 수 있다. 압전 모듈(720)은 기판(721), 제1 전극층의 제1 단위 전극(722), 제2 전극층의 제1 대향 전극(724), 제1 단위 전극(722)과 제1 대향 전극(724) 사이에 위치하는 압전층(723), 제1 단자(725) 및 제2 단자(726)를 포함할 수 있다. 제1 단자(725)는 제1 단위 전극(722)에 전기적으로 연결되고, 제2 단자(726)는 제1 대향 전극(724)에 전기적으로 연결될 수 있다.
먼저, 도 7을 참조하면, 압전 모듈(720)의 송신 모드에서, 제1 단자(725)는 접지될 수 있고, 제2 단자(726)는 전기적 신호를 제1 대향 전극(724)에 인가할 수 있다. 압전층(723)은 제1 대향 전극(724)에 인가되는 전기적 신호에 의해 수축 또는 팽창하며, +/-Z 방향으로 제1 주파수 대역(예: 10 MHz 내지 20 MHz)으로 진동할 수 있다. 압전층(723)은 제1 주파수 대역으로 진동하여 초음파를 발생시킬 수 있다. 압전 모듈(720)에서 발생한 초음파는 디스플레이(710) 상에 배치된 객체(730)로 전달되어 반사될 수 있다.
도 8을 참조하면, 압전 모듈(720)의 수신 모드에서, 제2 단자(726)는 접지될 수 있다. 압전 모듈(720)은 객체(730)에서 반사된 초음파를 감지하여 생체 정보(예: 지문 정보)를 검출할 수 있다. 객체(730)에서 반사된 초음파는 객체(730)의 지문의 마루(ridge)와 골(valley)에 따라 다른 반사 패턴을 가질 수 있다. 제1 단위 전극(722)은 픽셀 별로 반사되는 초음파 진동의 세기를 전기적 신호로 변환할 수 있다. 압전 모듈(720)은 제1 단위 전극(722)을 통해 픽셀 별로 지문의 골과 마루에 따른 초음파의 반사 패턴을 감지하여 생체 정보를 검출할 수 있다.
이하, 도 9를 참조하여, 일 실시예에 따른 전자 장치에 포함되는 압전 모듈(900)의 제2 영역(A2)에서의 햅틱 피드백 동작에 대해 설명한다. 도 9는 일 실시예에 따른 전자 장치에 포함되는 압전 모듈(900)의 햅틱 피드백 동작을 나타내는 도면이다.
도 9를 참조하면, 압전 모듈(900)(예: 도 4의 압전 모듈(235), 도 5의 압전 모듈(500) 또는 도 7의 압전 모듈(720))은 햅틱 피드백을 제공하는 제2 영역(A2)을 포함할 수 있다. 압전 모듈(900)은 기판(910), 제1 전극층의 복수의 제2 단위 전극(921, 922, 923), 제2 전극층의 제2 대향 전극(940) 및 제2 단위 전극(920)과 제2 대향 전극(940) 사이에 위치하는 압전층(930)을 포함할 수 있다.
압전 모듈(900)의 제2 영역(A2)의 복수의 제2 단위 전극(921, 922, 923)의 크기는 제1 영역의 제1 단위 전극의 크기에 비해 크게 형성되어, 복수의 제2 단위 전극(921, 922, 923)과 제2 대향 전극(940)의 전압 차에 의한 제2 영역(A2)에서 압전층(930)의 +/-X 방향으로의 수축 또는 팽창이 제1 영역에 비해 클 수 있다. 이에 따라, 압전 모듈(900)은 압전층(930)의 +/-X 방향으로의 수축 또는 팽창에 의한 전자 장치의 표면의 변형 또는 진동을 이용하여, 사용자에 햅틱 피드백을 제공할 수 있다.
예를 들어, 복수의 제2 단위 전극(921, 922, 923) 중 어느 하나의 제2 단위 전극(922)에 제2 대향 전극(940)과 소정의 전압차를 가지도록 전압을 인가하고, 인접하는 제2 단위 전극들(921, 923)에 제2 대향 전극(940)과 전압차가 0이 되도록 전압을 인가하면, 상기 제2 단위 전극(922)에 대응하는 압전층(930)이 +/-X 방향으로 수축할 수 있다. 압전층(930)이 +/-X 방향으로 수축하면, 압전 모듈(900)에서 상기 제2 단위 전극(922)에 대응하는 영역이 +Z 방향으로 돌출될 수 있다. 복수의 제2 단위 전극(921, 922, 923) 중 어느 하나의 제2 단위 전극(922)에 인가되는 전압의 극성을 변경하면, 상기 제2 단위 전극(922)에 대응하는 압전층(930)이 +/-X 방향으로 팽창할 수 있다. 압전층(930)이 +/-X 방향으로 팽창하면, 압전 모듈(900)에서 상기 제2 단위 전극(922)에 대응하는 영역이 -Z 방향으로 돌출될 수 있다. 복수의 제2 단위 전극(921, 922, 923)에 인가되는 전압은 압전층(930)의 압전 물질의 압전변형상수(piezoelectric strain constant)에 기반하여 결정될 수 있다. 압전층(930)은 복수의 제2 단위 전극(921, 922, 923)에 인가되는 전기적 신호에 의해 수축 또는 팽창하며, +/-X 방향으로 제2 주파수 대역(예: DC(0 Hz) 내지 20 Hz)으로 진동할 수 있다. 예를 들어, 제2 주파수 대역은 가청 주파수 대역 보다 낮을 수 있다. 압전층(930)의 +/-X 방향으로의 수축 또는 팽창에 의해 기판(910) 및 기판(910) 위에 배치되는 디스플레이의 +/-Z 방향으로의 변형을 야기할 수 있다.
이하, 도 10을 참조하여, 일 실시예에 따른 전자 장치(1000)에 대해 설명한다. 도 10은 일 실시예에 따른 전자 장치(1000)의 단면도이다. 일 실시예에 따른 전자 장치(1000)(예: 도 1의 전자 장치(101) 또는 도 2의 전자 장치(200))는 윈도우(1010), 접착층(1015), 편광층(1020), 디스플레이(1030), 배리어층(1040), 블랙 코팅층(1050), 압전 모듈(1060), 배면층(1070) 및 쿠션층(1080)을 포함할 수 있다.
윈도우(1010)는 투명한 재질을 포함하여, 광을 투과시킬 수 있다.
접착층(1015)은 윈도우(1010)와 편광층(1020) 사이에서 윈도우(1010)와 편광층(1020)을 접착할 수 있다. 접착층(1015)은 투명한 물질을 포함하는 OCA(optical clear adhesive)일 수 있다.
편광층(1020)은 윈도우(1010) 아래(예: -z 방향)에 위치할 수 있다. 편광층(1020)은 외광이 반사되어 시인되는 것을 방지할 수 있다.
디스플레이(1030)는 패널 기판(1031) 및 패널 기판(1031) 상(예: +z 방향)에 배치되는 발광 소자들(1032)을 포함할 수 있다. 패널 기판(1031)은 플렉서블한 소재를 포함할 수 있다. 디스플레이(1030)는 발광 소자들(1032)을 통해 이미지를 표시할 수 있다. 예를 들어, 발광 소자들(1032)은 유기 발광 다이오드(OLED)를 포함할 수 있다.
배리어층(1040)은 디스플레이(1030)의 아래(예: -z 방향)에 위치할 수 있다.
블랙 코팅층(1050)은 배리어층(1040)의 아래(예: -z 방향)에 위치할 수 있다. 블랙 코팅층(1050)은 디스플레이(1030)에서 방출된 광이 배면 방향(예: -Z 방향)으로 진행하는 것을 방지할 수 있다.
압전 모듈(1060)은 기판(1061), 제1 전극층(1062), 제2 전극층(1064), 및 압전층(1063)을 포함할 수 있다. 제1 전극층(1062)은 제1 영역(A1)에 위치하는 제1 단위 전극(1062a) 및 제2 영역(A2)에 위치하는 제2 단위 전극(1062b)을 포함할 수 있다. 제2 전극층(1064)은 제1 영역(A1) 및 제2 영역(A2)에 일체로 위치할 수 있다.
배면층(1070)은 압전 모듈(1060) 아래(예: -z 방향)에 위치할 수 있다. 배면층(1070)은 초음파를 반사하여, 전자 장치(1000)의 배면 방향(예: -Z 방향)으로 진행하는 초음파를 차단할 수 있다.
쿠션층(1080)은 배면층(1070) 아래(예: -z 방향)에 위치할 수 있다. 쿠션층(1080)은 충격을 흡수하여 디스플레이(1030) 및 압전 모듈(1060)을 보호할 수 있다.
이하, 도 11을 참조하여, 일 실시예에 따른 전자 장치(1100)에 대해 설명한다. 도 11은 일 실시예에 따른 전자 장치(1100)의 단면도이다. 일 실시예에 따른 전자 장치(1100)(예: 도 1의 전자 장치(101) 또는 도 2의 전자 장치(200))는 윈도우(1110), 접착층(1115), 편광층(1120), 디스플레이(1130), 블랙 코팅층(1150), 압전 모듈(1160), 배면층(1170) 및 쿠션층(1180)을 포함할 수 있다.
디스플레이(1130)는 패널 기판(1131) 및 패널 기판(1131) 상(예: +z 방향)에 배치되는 발광 소자들(1132)을 포함할 수 있다.
압전 모듈(1160)은 기판(1161), 제1 전극층(1162), 제2 전극층(1164), 및 압전층(1163)을 포함할 수 있다. 제1 전극층(1162)은 제1 영역(A1)에 위치하는 제1 단위 전극(1162a) 및 제2 영역(A2)에 위치하는 제2 단위 전극(1162b)을 포함할 수 있다. 제2 전극층(1164)은 제1 영역(A1) 및 제2 영역(A2)에 일체로 위치할 수 있다.
일 실시예에 따른 전자 장치(1100)는 배리어층(예: 도 10의 배리어층(1040))을 압전 모듈(1160)의 기판(1161)으로서 포함할 수 있다.
이하, 도 12를 참조하여, 일 실시예에 따른 전자 장치(1200)에 대해 설명한다. 도 12는 일 실시예에 따른 전자 장치(1200)의 단면도이다.
일 실시예에 따른 전자 장치(1200)(예: 도 1의 전자 장치(101) 또는 도 2의 전자 장치(200))는 윈도우(1210), 접착층(1215), 편광층(1220), 디스플레이(1230), 블랙 코팅층(1250), 압전 모듈(1260), 배면층(1270) 및 쿠션층(1280)을 포함할 수 있다.
디스플레이(1230)는 패널 기판(1231) 및 패널 기판(1231) 상(예: +z 방향)에 배치되는 발광 소자들(1232)을 포함할 수 있다.
압전 모듈(1260)은 기판(1261), 제1 전극층(1262), 제2 전극층(1264), 및 압전층(1263)을 포함할 수 있다. 제1 전극층(1262)은 제1 영역(A1)에 위치하는 제1 단위 전극(1262a) 및 제2 영역(A2)에 위치하는 제2 단위 전극(1262b)을 포함할 수 있다. 제2 전극층(1264)은 제1 영역(A1)에 위치하는 제1 대향 전극(1264a) 및 제2 영역(A2)에 위치하는 제2 대향 전극(1264b)을 포함할 수 있다. 일 실시예에 따른 전자 장치(1200)에 포함되는 압전 모듈(1260)의 제2 전극층(1264)은 제1 대향 전극(1264a)과 제2 대향 전극(1264b)을 포함하여, 제1 영역(A1)과 제2 영역(A2)의 개별적인 제어가 가능할 수 있다.
이하, 도 13을 참조하여, 일 실시예에 따른 전자 장치(1300)에 대해 설명한다. 도 13은 일 실시예에 따른 전자 장치(1300)의 단면도이다.
일 실시예에 따른 전자 장치(1300)(예: 도 1의 전자 장치(101) 또는 도 2의 전자 장치(200))는 윈도우(1310), 접착층(1315), 편광층(1320), 디스플레이(1330), 배리어층(1340), 블랙 코팅층(1350), 압전 모듈(1360), 배면층(1370) 및 쿠션층(1380)을 포함할 수 있다.
디스플레이(1330)는 패널 기판(1331) 및 패널 기판(1331) 상(예: +z 방향)에 배치되는 발광 소자들(1332)을 포함할 수 있다.
압전 모듈(1360)은 기판(1361), 제1 전극층(1362), 제2 전극층(1364), 및 압전층(1363)을 포함할 수 있다. 제1 전극층(1362)은 제1 영역(미도시)에 위치하는 제1 단위 전극(미도시) 및 제2 영역(A2)에 위치하는 제2 단위 전극(1362b)을 포함할 수 있다.
배면층(1370)은 제2 영역(A2)에서 복수의 홀(1371)을 포함할 수 있다. 배면층(1370)은 복수의 홀(1371)을 포함하여, 압전 모듈(1360)의 제2 영역(A2)이 쉽게 연신될 수 있고, 햅틱 피드백을 위한 진동이 효과적으로 수행될 수 있다. 도시한 바와 달리, 쿠션층(1380) 또한 복수의 홀을 포함할 수 있다.
이하, 도 14를 참조하여, 일 실시예에 따른 전자 장치(1400)에 대해 설명한다. 도 14는 일 실시예에 따른 전자 장치의 단면도이다.
일 실시예에 따른 전자 장치(1400)(예: 도 1의 전자 장치(101) 또는 도 2의 전자 장치(200))는 적어도 일 영역이 접히거나 펼쳐질 수 있는 폴더블 전자 장치(1400)일 수 있다. 일 실시예에 따른 전자 장치(1400)는 접힐 수 있는 벤딩 영역(BA), 벤딩 영역(BA)의 양 측에 위치하는 제1 평탄 영역(FA1) 및 제2 평탄 영역(FA2)을 포함할 수 있다. 도 14는 전자 장치(1400)의 펼침 상태를 도시한다. 전자 장치(1400)는 제1 평탄 영역(FA1) 및 제2 평탄 영역(FA2)이 대면하도록 접힐 수 있다.
일 실시예에 따른 전자 장치(1400)는 윈도우(1410), 접착층(1415), 편광층(1420), 디스플레이(1430), 배리어층(1440), 블랙 코팅층(1450), 압전 모듈(1460), 배면층(1470) 및 쿠션층(1480)을 포함할 수 있다.
디스플레이(1430)는 패널 기판(1431) 및 패널 기판(1431) 상(예: +z 방향)에 배치되는 발광 소자들(1432)을 포함할 수 있다.
압전 모듈(1460)에서 생체 정보를 검출하는 제1 영역(A1) 및 햅틱 피드백을 제공하는 제2 영역(A2)은 벤딩 영역(BA)을 제외한 영역에 위치할 수 있다. 압전 모듈(1460)에서 제1 영역(A1)은 제1 평탄 영역(FA1) 및 제2 평탄 영역(FA2) 중 적어도 일 영역에 위치할 수 있다. 압전 모듈(1460)에서 제2 영역(A2)은 제1 평탄 영역(FA1) 및 제2 평탄 영역(FA2)에서 제1 영역(A1)을 제외한 나머지 영역에 위치할 수 있다.
압전 모듈(1460)은 기판(1461), 제1 전극층(1462), 제2 전극층(1464) 및 압전층(1463)을 포함할 수 있다. 제1 전극층(1462)은 제1 영역(A1)에 위치하는 제1 단위 전극(1462a) 및 제2 영역(A2)에 위치하는 제2 단위 전극(1462b)을 포함할 수 있다. 압전 모듈(1460)의 제1 전극층(1462), 제2 전극층(1464) 및 압전층(1463)은 벤딩 영역(BA)에서 제거될 수 있다. 압전층(1463)은 제1 평탄 영역(FA1)에 위치하는 제1 압전층(1463a) 및 제2 평탄 영역(FA2)에 위치하는 제2 압전층(1463b)을 포함할 수 있다. 제1 압전층(1463a) 및 제2 압전층(1463b)은 벤딩 영역(BA)의 양 측에 위치하며, 서로 이격될 수 있다. 제2 전극층(1464)은 제1 평탄 영역(FA1)에 위치하는 제1 서브 전극층(1464a) 및 제2 평탄 영역(FA2)에 위치하는 제2 서브 전극층(1464b)을 포함할 수 있다. 제1 서브 전극층(1464a) 및 제2 서브 전극층(1464b)은 벤딩 영역(BA)의 양 측에 위치하며, 서로 이격될 수 있다. 실시예에 따라서는, 기판(1461)은 벤딩 영역(BA)에서 제거될 수도 있다.
배면층(1470)은 벤딩 영역(BA)에서 제거될 수 있다. 예를 들어, 배면층(1470)은 제1 평탄 영역(FA1)에 위치하는 제1 배면층(1471) 및 제2 평탄 영역(FA2)에 위치하는 제2 배면층(1472)을 포함할 수 있다. 제1 배면층(1471) 및 제2 배면층(1472)은 벤딩 영역(BA)의 양 측에 위치하며, 서로 이격될 수 있다.
쿠션층(1480)은 벤딩 영역(BA)에서 제거될 수 있다. 예를 들어, 쿠션층(1480)은 제1 평탄 영역(FA1)에 위치하는 제1 쿠션층(1481) 및 제2 평탄 영역(FA2)에 위치하는 제2 쿠션층(1482)을 포함할 수 있다. 제1 쿠션층(1481) 및 제2 쿠션층(1482)은 벤딩 영역(BA)의 양 측에 위치하며, 서로 이격될 수 있다.
도 15는 일 실시예에 따른 전자 장치의 압전 모듈에 포함되는 제1 전극층의 제2 단위 전극(1510)을 나타내는 평면도이다.
제2 단위 전극(1510)은 압전 모듈의 제2 영역에 위치하고, 제2 단위 전극(1510)에는 햅틱 피드백을 위한 전압이 인가될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 제2 단위 전극(1510)은 육각형 모양일 수 있다.
도 16은 일 실시예에 따른 전자 장치의 압전 모듈에 포함되는 제2 전극층의 제2 대향 전극(1610)을 나타내는 평면도이다.
제2 대향 전극(1610)은 압전 모듈의 제2 영역에서 제2 단위 전극(예: 도 15의 제2 단위 전극(1510))과 대면할 수 있다. 제2 대향 전극(1610)에는 햅틱 피드백을 위한 전압이 인가될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 제2 대향 전극(1610)은 육각형 모양의 몸체부들(1611) 및 몸체부들(1611)을 연결하는 연결부(1612)를 포함할 수 있다.
도 17은 일 실시예에 따른 전자 장치의 압전 모듈에 포함되는 제1 전극층의 제2 단위 전극(1710)을 나타내는 평면도이다.
제2 단위 전극(1710)은 압전 모듈의 제2 영역에 위치하고, 제2 단위 전극(1710)에는 햅틱 피드백을 위한 전압이 인가될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 제2 단위 전극(1710)은 육각형 모양일 수 있다. 제2 단위 전극(1710)은 외곽을 따라 위치하는 적어도 하나의 홀(1711)을 포함할 수 있다. 이에 따라, 제2 단위 전극(1710)은 외곽부의 변형량이 감소할 수 있고, 압전 모듈의 진동 시에 제2 단위 전극(1710)이 쉽게 연신될 수 있다.
도 18은 일 실시예에 따른 전자 장치의 압전 모듈에 포함되는 제2 전극층의 제2 대향 전극(1810)을 나타내는 평면도이다.
제2 대향 전극(1810)은 압전 모듈의 제2 영역에서 제2 단위 전극(예: 도 15의 제2 단위 전극(1510))과 대면할 수 있다. 제2 대향 전극(1810)에는 햅틱 피드백을 위한 전압이 인가될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 제2 대향 전극(1810)은 육각형 모양의 몸체부들(1811), 몸체부들(1811)을 연결하는 연결부(1812) 및 몸체부들(1811)의 외곽을 따라 위치하는 적어도 하나의 홀(1813)을 포함할 수 있다.
도 19는 일 실시예에 따른 전자 장치의 압전 모듈(1900)을 나타내는 도면이다. 도 19에서, 제1 전극층의 제1 단위 전극으로 설명하나, 도 19의 구성은 제1 전극층의 제2 단위 전극에도 동일하게 적용될 수 있다.
도 19를 참조하면, 압전 모듈(1900)은 제1 전극층의 제1 단위 전극들(1910)(또는 제2 단위 전극들), 압전층(1920), 제2 전극층(1930), 제1 단위 전극들(1910) 각각에 전기적으로 연결되는 제1 구동 회로들(DC1), 제2 전극층(1930)에 전기적으로 연결되는 LC 공진 회로(1940) 및 LC 공진 회로(1940)에 전기적으로 연결되는 제2 구동 회로(DC2) 및 제3 구동 회로(DC3)를 포함할 수 있다. 실시예에 따라서는, LC 공진 회로(1940) 및 제3 구동 회로(DC3)는 생략될 수도 있다. 압전층(1920)은 제1 단위 전극(1910) 및 제2 전극층(1930)의 전압차(Vnm)에 기반하여, 수축 또는 팽창될 수 있다.
제1 구동 회로(DC1)는 제1 트랜지스터(T1), 제2 트랜지스터(T2) 및 스위치(SW)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 트랜지스터(T1)는 P형 트랜지스터일 수 있고, 제2 트랜지스터(T2)는 N형 트랜지스터일 수 있다. 제1 트랜지스터(T1)는 제1 게이트 신호(GPnm)에 의해 온(on) 또는 오프(off)될 수 있다. 제1 트랜지스터(T1)의 소스 전극은 VDD 전압선에 연결될 수 있고, 제1 트랜지스터(T1)의 드레인 전극은 스위치(SW), 제2 트랜지스터(T2) 및 제1 단위 전극(1910)과 연결될 수 있다. 제2 트랜지스터(T2)는 제2 게이트 신호(GNnm)에 의해 온 또는 오프 될 수 있다. 제2 트랜지스터(T2)의 소스 전극은 VEE 전압선에 연결될 수 있고, 제2 트랜지스터(T2)의 드레인 전극은 스위치(SW), 제1 트랜지스터(T1) 및 제1 단위 전극(1910)과 연결될 수 있다. 제1 트랜지스터(T1)가 온 되고, 제2 트랜지스터(T2)가 오프 되면, 제1 단위 전극(1910)에는 VDD 전압이 인가될 수 있다. 제1 트랜지스터(T1)가 오프 되고, 제2 트랜지스터(T2)가 온 되면, 제1 단위 전극(1910)에는 VEE 전압이 인가될 수 있다.
제2 구동 회로(DC2)는 제3 트랜지스터(T3) 및 제4 트랜지스터(T4)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 제3 트랜지스터(T3)는 P형 트랜지스터일 수 있고, 제4 트랜지스터(T4)는 N형 트랜지스터일 수 있다. 제3 트랜지스터(T3)는 제3 게이트 신호(GPcomk1)에 의해 온(on) 또는 오프(off)될 수 있다. 제3 트랜지스터(T3)의 소스 전극은 VDDCOM 전압선에 연결될 수 있고, 제3 트랜지스터(T3)의 드레인 전극은 제4 트랜지스터(T4) 및 LC 공진 회로(1940)와 연결될 수 있다. 제4 트랜지스터(T4)는 제4 게이트 신호(GNcomk1)에 의해 온 또는 오프 될 수 있다. 제4 트랜지스터(T4)의 소스 전극은 VEECOM 전압선에 연결될 수 있고, 제4 트랜지스터(T4)의 드레인 전극은 제3 트랜지스터(T3) 및 LC 공진 회로(1940)와 연결될 수 있다. LC 공진 회로(1940) 및 제3 구동 회로(DC3)를 포함하지 않는 실시예에서, 제2 구동 회로(DC2)는 제2 전극층(1930)에 직접적으로 연결될 수 있다. 이 경우, 제3 트랜지스터(T3)가 온 되고, 제4 트랜지스터(T4)가 오프 되면, 제2 전극층(1930)에는 VDDCOM 전압이 인가될 수 있다. 제3 트랜지스터(T3)가 오프 되고, 제4 트랜지스터(T4)가 온 되면, 제2 전극층(1930)에는 VEECOM 전압이 인가될 수 있다.
제3 구동 회로(DC3)는 제5 트랜지스터(T5) 및 제6 트랜지스터(T6)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 제5 트랜지스터(T5)는 P형 트랜지스터일 수 있고, 제6 트랜지스터(T6)는 N형 트랜지스터일 수 있다. 제5 트랜지스터(T5)는 제5 게이트 신호(GPcomk2)에 의해 온(on) 또는 오프(off)될 수 있다. 제5 트랜지스터(T5)의 소스 전극은 VDDCOM 전압선에 연결될 수 있고, 제5 트랜지스터(T5)의 드레인 전극은 제6 트랜지스터(T6) 및 LC 공진 회로(1940)와 연결될 수 있다. 제6 트랜지스터(T6)는 제6 게이트 신호(GNcomk2)에 의해 온 또는 오프 될 수 있다. 제6 트랜지스터(T6)의 소스 전극은 VEECOM 전압선에 연결될 수 있고, 제6 트랜지스터(T6)의 드레인 전극은 제5 트랜지스터(T5) 및 LC 공진 회로(1940)와 연결될 수 있다.
압전 모듈(1900)의 송신 모드 또는 햅틱 모드에서, 복수의 트랜지스터(T1, T2, T3, T4, T5, T6)의 온, 오프에 따라 제1 단위 전극(1910)에는 제1 전압이 인가되고, 제2 전극층(1930)에는 제2 전압이 인가될 수 있다. 제1 단위 전극(1910)과 제2 전극층(1930) 사이에 위치하는 압전층(1920)은 제1 전압과 제2 전압의 차이 값(Vnm)에 기반하여, 수축 또는 팽창할 수 있다. 압전 모듈(1900)은 제1 단위 전극(1910)에 인가되는 제1 전압 및 제2 전극층(1930)에 인가되는 제2 전압을 주기적으로 변경하여 압전층(1920)이 수축 및 팽창을 반복하며 진동할 수 있다.
압전 모듈(1900)의 수신 모드에서, 제1 트랜지스터(T1)와 제2 트랜지스터(T2)는 오프 되고, 스위치(SW)는 온(닫힘)될 수 있다. 스위치(SW)가 온 됨에 따라, 수신 모드 제어 신호(RXnm)가 제1 단위 전극(1910)에 인가될 수 있다.
도 20은 일 실시예에 따른 전자 장치의 압전 모듈(2000)의 단면도이다. 압전 모듈(2000)은 생체 정보를 검출하거나, 햅틱 피드백을 제공하는 활성 영역(AA)(예: 제1 영역(A1) 또는 제2 영역(A2)) 및 비활성 영역(NA)을 포함할 수 있다.
압전 모듈(2000)은 기판(2010), 버퍼층(2015), 제1 트랜지스터(T1), 제2 트랜지스터(T2), 제3 트랜지스터(T3), 제4 트랜지스터(T4), 복수의 신호선들, 절연층(2040), 평탄화층(2050), 제1 단위 전극(2061)(또는, 제2 단위 전극), 보호층(2070), 압전층(2080), 제2 전극층(2085) 및 반사층(2090)을 포함할 수 있다.
기판(2010)은 플렉서블한 소재를 포함할 수 있다.
버퍼층(2015)은 기판(2010) 위에 위치할 수 있다. 버퍼층(2015)은 다결정 규소를 형성하기 위한 결정화 공정 시 기판(2010)으로부터 불순물을 차단하여 다결정 규소의 특성을 향상시키고, 기판(2010)을 평탄화하여 버퍼층(2015) 위에 위치하는 반도체(2020)의 스트레스를 완화할 수 있다.
반도체(2020)는 N형 불순물 또는 P형 불순물로 채널 도핑이 되어 있는 채널(channel) 및 채널의 양 옆에 위치하며 채널에 도핑된 도핑 불순물보다 도핑 농도가 높은 소스 전극과 드레인 전극을 포함할 수 있다. 반도체(2020)는 다결정 규소 또는 산화물 반도체로 이루어질 수 있다.
제1 트랜지스터(T1)는 활성 영역(AA)에 위치할 수 있다. 제1 트랜지스터(T1)는 제1 게이트 전극(2022a), 제1 채널(2022b), 제1 소스 전극(2022c) 및 제1 드레인 전극(2022d)을 포함할 수 있다. 제1 게이트 전극(2022a)은 제1 채널(2022b)과 중첩할 수 있다. 제1 게이트 전극(2022a)은 제1 게이트선(2042)에 연결될 수 있다. 제1 소스 전극(2022c)은 VDD 전압선(2032)과 연결될 수 있다. 제1 드레인 전극(2022d)은 제1 연결 부재(2043)를 통해 제1 단위 전극(2061)(또는, 제2 단위 전극)과 연결될 수 있다.
제2 트랜지스터(T2)는 활성 영역(AA)에 위치할 수 있다. 제2 트랜지스터(T2)는 제2 게이트 전극(2021a), 제2 채널(2021b), 제2 소스 전극(2021c) 및 제2 드레인 전극(2021d)을 포함할 수 있다. 제2 게이트 전극(2021a)은 제2 채널(2021b)과 중첩할 수 있다. 제2 게이트 전극(2021a)은 제2 게이트선(2041)에 연결될 수 있다. 제2 소스 전극(2021c)은 VEE 전압선(2031)과 연결될 수 있다. 제2 드레인 전극(2021d)은 제1 연결 부재(2043)를 통해 제1 단위 전극(2061)(또는, 제2 단위 전극)과 연결될 수 있다.
제3 트랜지스터(T3)는 비활성 영역(NA)에 위치할 수 있다. 제3 트랜지스터(T3)는 제3 게이트 전극(2024a), 제3 채널(2024b), 제3 소스 전극(2024c) 및 제3 드레인 전극(2024d)을 포함할 수 있다. 제3 게이트 전극(2024a)은 제3 채널(2024b)과 중첩할 수 있다. 제3 게이트 전극(2024a)은 제3 게이트선(2046)에 연결될 수 있다. 제3 소스 전극(2024c)은 VDDCOM 전압선(2034)과 연결될 수 있다. 제3 드레인 전극(2024d)은 제2 연결 부재(2047) 및 제3 연결 부재(2065)를 통해 제2 전극층(2085)과 연결될 수 있다.
제4 트랜지스터(T4)는 비활성 영역(NA)에 위치할 수 있다. 제4 트랜지스터(T4)는 제4 게이트 전극(2023a), 제4 채널(2023b), 제4 소스 전극(2023c) 및 제4 드레인 전극(2023d)을 포함할 수 있다. 제4 게이트 전극(2023a)은 제4 채널(2023b)과 중첩할 수 있다. 제4 게이트 전극(2023a)은 제4 게이트선(2045)에 연결될 수 있다. 제4 소스 전극(2023c)은 VEECOM 전압선(2033)과 연결될 수 있다. 제4 드레인 전극(2023d)은 제2 연결 부재(2047) 및 제3 연결 부재(2065)를 통해 제2 전극층(2085)과 연결될 수 있다.
절연층(2040)은 복수의 도전 패턴 층들 사이에 위치할 수 있다.
평탄화층(2050)은 절연층(2040) 위에 위치할 수 있다. 평탄화층(2050)은 도전 패턴들 및 절연층(2040)의 상부면을 평탄화할 수 있다.
제1 단위 전극(2061)(또는, 제2 단위 전극)은 평탄화층(2050) 위에 위치할 수 있다.
보호층(2070)은 제1 단위 전극(2061) 위를 덮어 제1 단위 전극(2061)을 보호할 수 있다.
보호층(2070) 위에 압전층(2080), 제2 전극층(2085) 및 반사층(2090)(예: 도 10의 배면층(1070))이 차례로 적층될 수 있다. 제2 전극층(2085)은 비활성 영역(NA)까지 연장되어, 비활성 영역(NA)에서 제2 연결 부재(2047) 및 제3 연결 부재(2065)를 통해 제3 트랜지스터(T3) 및 제4 트랜지스터(T4)에 연결될 수 있다.
도 21은 햅틱 피드백을 제공하는 일 실시예에 따른 전자 장치(2100)를 나타내는 도면이다. 이하, 전자 장치(예: 도 1의 전자 장치(101) 또는 도 2의 전자 장치(200))의 동작은 프로세서(예: 도 1의 프로세서(120))의 동작으로서 참조될 수 있다.
도 21을 참조하면, 일 실시예에 따른 전자 장치(2100)는 압전 모듈을 통해 전자 장치(2100)의 적어도 일 부분에 요철(2101)(또는 진동)을 형성하여, 사용자 촉감을 이용한 사용자와의 상호작용이 가능할 수 있다. 일 실시예에 따른 전자 장치(2100)는 요철(2101)의 위치가 일 방향으로 이동하도록 압전 모듈을 제어할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(2100)의 압전 모듈은 요철(2101)의 위치를 일 방향으로 이동하여, 사용자 입력 위치를 가이드하거나, 사용자 인터페이스의 종류(예: 볼륨 업 아이콘)를 촉감을 통해 사용자에게 나타낼 수 있다.
도 22는 햅틱 피드백을 제공하는 일 실시예에 따른 전자 장치(2200)를 나타내는 도면이다. 도 22를 참조하면, 일 실시예에 따른 전자 장치(2200)(예: 도 1의 전자 장치(101) 또는 도 2의 전자 장치(200))는 생체 정보를 검출하는 제1 영역(A1) 및 햅틱 피드백을 제공하는 제2 영역(A2)을 포함할 수 있다. 전자 장치(2200)는 제2 영역(A2)의 적어도 일 부분에 요철(2201)(또는 진동)을 발생시킬 수 있다. 전자 장치(2200)는, 제2 영역(A2) 내에서, 제1 영역(A1)의 주변부로부터 제1 영역(A1)을 향하는 방향으로 요철(2201)이 이동하도록 압전 모듈을 제어할 수 있다. 이에 따라, 전자 장치(2200)는 생체 정보를 검출하는 제1 영역(A1)으로 사용자 손가락이 위치하도록 가이드할 수 있다.
도 23은 햅틱 피드백을 제공하는 일 실시예에 따른 전자 장치(2300)를 나타내는 도면이다. 일 실시예에 따른 전자 장치(2300)(예: 도 1의 전자 장치(101) 또는 도 2의 전자 장치(200))는 디스플레이를 통해 복수의 아이콘들(2301, 2302, 2303)을 표시할 수 있다. 일 실시예에 따른 전자 장치(2300)는 복수의 아이콘들(2301, 2302, 2303) 각각에 대응하는 위치에 요철 또는 진동을 이용한 햅틱 피드백을 제공할 수 있다. 전자 장치(2300)는 복수의 아이콘들(2301, 2302, 2303) 각각에 대하여 서로 다른 햅틱 피드백을 제공할 수 있다. 예를 들어, 복수의 아이콘들(2301, 2302, 2303) 각각에 대하여 요철 또는 진동의 강도를 다르게 적용하거나, 요철의 이동 방향을 다르게 제어할 수 있다.
이하, 도 24를 참조하여, 일 실시예에 따른 전자 장치(2400)에 대해 설명한다. 도 24는 일 실시예에 따른 전자 장치(2400)를 나타내는 도면이다.
일 실시예에 따른 전자 장치(2400)(예: 도 1의 전자 장치(101) 또는 도 2의 전자 장치(200))는 압전 모듈(2410)을 포함할 수 있다. 압전 모듈(2410)은 복수의 전극들을 포함하는 제1 전극층을 포함할 수 있다. 제1 전극층의 복수의 전극 중 적어도 하나는 송신 전극(2411)을 포함할 수 있고, 나머지 전극 중 적어도 하나는 수신 전극(2412)을 포함할 수 있다. 압전 모듈(2410)의 송신 전극(2411)에 인가되는 전압에 기반하여, 송신 전극(2411)측의 압전층의 적어도 일 영역이 제3 주파수 대역(예: 20 KHz 내지 100 KHz)으로 진동하여, 초음파를 방출할 수 있다. 예를 들어, 제3 주파수 대역은 가청 주파수 대역 보다 높을 수 있고, 생체 정보 검출을 위해 방출되는 초음파의 제1 주파수 대역 보다는 낮을 수 있다. 압전 모듈(2410)의 수신 전극(2412)은 외부 객체에 의해 반사된 초음파를 감지할 수 있다. 압전 모듈(2410)은 감지된 초음파를 통해 외부 객체의 근접 여부를 검출할 수 있다. 실시예에 따라서는, 압전 모듈(2410)은 가청 주파수 대역의 음파를 발생시킬 수 있고, 지정된 사운드를 출력할 수도 있다.
일 실시예에 따른 전자 장치는 하우징(예: 도 2의 하우징(210)); 및 상기 하우징 내에 위치하고, 초음파를 이용하여 생체 정보를 검출하는 제1 영역 및 햅틱 피드백을 제공하는 제2 영역을 포함하는 압전 모듈(예: 도 4의 압전 모듈(235))을 포함하고, 상기 압전 모듈은, 대면하는 제1 전극층(예: 도 5의 제1 전극층(520))과 제2 전극층(예: 도 5의 제2 전극층(540)); 및 상기 제1 전극층 및 상기 제2 전극층 사이에 위치하며, 압전 물질을 포함하는 압전층(예: 도 5의 압전층(530));을 포함하고, 상기 압전 모듈의 상기 제1 영역 내에 위치하는 상기 압전층의 적어도 일 영역은 제1 주파수 대역으로 진동하여 상기 초음파를 발산하고, 상기 압전 모듈의 상기 제2 영역 내에 위치하는 상기 압전층의 적어도 일 영역은 상기 제1 주파수 대역보다 낮은 제2 주파수 대역으로 진동할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 제1 전극층은 상기 제1 영역에 위치하는 제1 단위 전극(예: 도 5의 제1 단위 전극(521)) 및 상기 제2 영역에 위치하는 제2 단위 전극(예: 도 5의 제2 단위 전극(522))을 포함하고, 상기 제1 단위 전극의 너비는 상기 제2 단위 전극의 너비보다 작을 수 있다.
일 실시예에서, 상기 제2 전극층은 상기 제1 영역에 위치하며 상기 제1 단위 전극에 대향하는 제1 대향 전극(예: 도 5의 제1 대향 전극(541)) 및 상기 제2 영역에 위치하며 상기 제2 단위 전극에 대향하는 제2 대향 전극(예: 도 5의 제2 대향 전극(542))을 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 제2 단위 전극 및 제2 대향 전극은 육각형 모양일 수 있다.
일 실시예에서, 상기 제2 단위 전극은 외곽을 따라 위치하는 적어도 하나의 홀을 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 제2 대향 전극은 복수의 몸체부들(예: 도 16의 몸체부들(1611)) 및 상기 복수의 몸체부들을 연결하는 연결부들(예: 도 16의 연결부(1612))을 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 압전 모듈은 플렉서블 기판(예: 도 5의 기판(510))을 더 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 압전 모듈의 일 측에 위치하고, 상기 압전 모듈로부터 발산된 초음파를 반사하는 배면층(예: 도 10의 배면층(1070))을 더 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 배면층(예: 도 13의 배면층(1370))은 상기 제2 영역에서 복수의 홀(예: 도 13의 복수의 홀(1371))을 포함할 수 있다.
일 실시예에 따른 전자 장치는 디스플레이(예: 도 7의 디스플레이(710))를 더 포함하고, 상기 압전 모듈은 상기 디스플레이의 배면에 위치할 수 있다.
일 실시예에 따른 전자 장치는 상기 디스플레이와 상기 압전 모듈 사이에 위치하는 배리어층(예: 도 10의 배리어층(1040))을 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 따른 전자 장치는 접히거나 펼쳐질 수 있는 벤딩 영역을 더 포함하고, 상기 압전층은 상기 벤딩 영역의 양측에 위치하는 제1 압전층(예: 도 14의 제1 압전층(1463a)) 및 제2 압전층(예: 도 14의 제2 압전층(1463b))을 포함하고, 상기 제1 압전층과 상기 제2 압전층은 이격될 수 있다.
일 실시예에서, 상기 압전 모듈은, 상기 제2 전극층 및 제1 전압선에 연결되는 적어도 하나의 트랜지스터를 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 압전 모듈은 상기 제1 영역 및 상기 제2 영역의 외측에 위치하는 비활성 영역을 더 포함하고, 상기 제2 전극층은 상기 제1 영역 또는 상기 제2 영역으로부터 상기 비활성 영역까지 연장되고, 상기 비활성 영역에서 상기 제2 단위 전극은 상기 적어도 하나의 트랜지스터와 연결될 수 있다.
일 실시예에서, 상기 제1 전극층은 적어도 하나의 송신 전극 및 적어도 하나의 수신 전극을 포함하고, 상기 압전 모듈은, 상기 송신 전극에 인가되는 전압에 기반하여 초음파를 방출하고, 상기 수신 전극을 통해 외부 객체에 의해 반사된 초음파를 감지하여, 상기 외부 객체의 근접 여부를 검출할 수 있다.
일 실시예에 따른 전자 장치는 하우징(예: 도 2의 하우징(210)); 및 상기 하우징 내에 위치하는 디스플레이(예: 도 7의 디스플레이(710)); 및 상기 디스플레이의 배면에 위치하고, 초음파를 이용하여 생체 정보를 검출하는 제1 영역 및 햅틱 피드백을 제공하는 제2 영역을 포함하는 압전 모듈(예: 도 4의 압전 모듈(235))을 포함하고, 상기 압전 모듈은, 상기 제1 영역에 위치하는 복수의 제1 단위 전극들(예: 도 5의 제1 단위 전극(521)) 및 상기 제2 영역에 위치하는 복수의 제2 단위 전극들(예: 도 5의 제2 단위 전극(522))을 포함하는 제1 전극층(예: 도 5의 제1 전극층(520)); 상기 제1 전극층과 대면하는 제2 전극층(예: 도 5의 제2 전극층(540)); 및 상기 제1 전극층과 상기 제2 전극층 사이에 위치하는 압전층(예: 도 5의 압전층(530))을 포함하고, 상기 제1 단위 전극의 면적은 상기 제2 단위 전극의 면적보다 작을 수 있다.
일 실시예에서, 상기 제2 전극층은 상기 제1 영역에 위치하며 상기 제1 단위 전극에 대향하는 제1 대향 전극(예: 도 5의 제1 대향 전극(541)) 및 상기 제2 영역에 위치하며 상기 제2 단위 전극에 대향하는 제2 대향 전극(예: 도 5의 제2 대향 전극(542))을 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 압전 모듈은, 상기 복수의 제2 단위 전극들 중 적어도 어느 하나와 상기 제2 전극층에 인가되는 전압 차에 기반하여, 상기 제2 영역의 일 영역에 요철을 형성하고, 상기 제2 영역 내에서 상기 요철의 위치를 이동하도록 설정될 수 있다.
일 실시예에서, 상기 압전 모듈은 상기 제2 영역 내에서 상기 제1 영역을 향하는 방향으로 상기 요철의 위치를 이동하도록 설정될 수 있다.
일 실시예에서, 상기 디스플레이는 제1 아이콘 및 제2 아이콘을 표시하고, 상기 압전 모듈은, 상기 제1 아이콘에 대응하는 위치와 상기 제2 아이콘에 대응하는 위치에 서로 다른 강도의 진동을 발생시키도록 설정될 수 있다.
본 문서에 개시된 다양한 실시예들에 따른 전자 장치는 다양한 형태의 장치가 될 수 있다. 전자 장치는, 예를 들면, 휴대용 통신 장치(예: 스마트폰), 컴퓨터 장치, 휴대용 멀티미디어 장치, 휴대용 의료 기기, 카메라, 웨어러블 장치, 또는 가전 장치를 포함할 수 있다. 본 문서의 실시예에 따른 전자 장치는 전술한 기기들에 한정되지 않는다.
본 문서의 다양한 실시예들 및 이에 사용된 용어들은 본 문서에 기재된 기술적 특징들을 특정한 실시예들로 한정하려는 것이 아니며, 해당 실시예의 다양한 변경, 균등물, 또는 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 도면의 설명과 관련하여, 유사한 또는 관련된 구성요소에 대해서는 유사한 참조 부호가 사용될 수 있다. 아이템에 대응하는 명사의 단수 형은 관련된 문맥상 명백하게 다르게 지시하지 않는 한, 상기 아이템 한 개 또는 복수 개를 포함할 수 있다. 본 문서에서, "A 또는 B", "A 및 B 중 적어도 하나", "A 또는 B 중 적어도 하나", "A, B 또는 C", "A, B 및 C 중 적어도 하나", 및 "A, B, 또는 C 중 적어도 하나"와 같은 문구들 각각은 그 문구들 중 해당하는 문구에 함께 나열된 항목들 중 어느 하나, 또는 그들의 모든 가능한 조합을 포함할 수 있다. "제 1", "제 2", 또는 "첫째" 또는 "둘째"와 같은 용어들은 단순히 해당 구성요소를 다른 해당 구성요소와 구분하기 위해 사용될 수 있으며, 해당 구성요소들을 다른 측면(예: 중요성 또는 순서)에서 한정하지 않는다. 어떤(예: 제 1) 구성요소가 다른(예: 제 2) 구성요소에, "기능적으로" 또는 "통신적으로"라는 용어와 함께 또는 이런 용어 없이, "커플드" 또는 "커넥티드"라고 언급된 경우, 그것은 상기 어떤 구성요소가 상기 다른 구성요소에 직접적으로(예: 유선으로), 무선으로, 또는 제 3 구성요소를 통하여 연결될 수 있다는 것을 의미한다.
본 문서의 다양한 실시예들에서 사용된 용어 "모듈"은 하드웨어, 소프트웨어 또는 펌웨어로 구현된 유닛을 포함할 수 있으며, 예를 들면, 로직, 논리 블록, 부품, 또는 회로와 같은 용어와 상호 호환적으로 사용될 수 있다. 모듈은, 일체로 구성된 부품 또는 하나 또는 그 이상의 기능을 수행하는, 상기 부품의 최소 단위 또는 그 일부가 될 수 있다. 예를 들면, 일실시예에 따르면, 모듈은 ASIC(application-specific integrated circuit)의 형태로 구현될 수 있다.
본 문서의 다양한 실시예들은 기기(machine)(예: 전자 장치(101)) 의해 읽을 수 있는 저장 매체(storage medium)(예: 내장 메모리(136) 또는 외장 메모리(138))에 저장된 하나 이상의 명령어들을 포함하는 소프트웨어(예: 프로그램(140))로서 구현될 수 있다. 예를 들면, 기기(예: 전자 장치(101))의 프로세서(예: 프로세서(120))는, 저장 매체로부터 저장된 하나 이상의 명령어들 중 적어도 하나의 명령을 호출하고, 그것을 실행할 수 있다. 이것은 기기가 상기 호출된 적어도 하나의 명령어에 따라 적어도 하나의 기능을 수행하도록 운영되는 것을 가능하게 한다. 상기 하나 이상의 명령어들은 컴파일러에 의해 생성된 코드 또는 인터프리터에 의해 실행될 수 있는 코드를 포함할 수 있다. 기기로 읽을 수 있는 저장 매체는, 비일시적(non-transitory) 저장 매체의 형태로 제공될 수 있다. 여기서, ‘비일시적’은 저장 매체가 실재(tangible)하는 장치이고, 신호(signal)(예: 전자기파)를 포함하지 않는다는 것을 의미할 뿐이며, 이 용어는 데이터가 저장 매체에 반영구적으로 저장되는 경우와 임시적으로 저장되는 경우를 구분하지 않는다.
일실시예에 따르면, 본 문서에 개시된 다양한 실시예들에 따른 방법은 컴퓨터 프로그램 제품(computer program product)에 포함되어 제공될 수 있다. 컴퓨터 프로그램 제품은 상품으로서 판매자 및 구매자 간에 거래될 수 있다. 컴퓨터 프로그램 제품은 기기로 읽을 수 있는 저장 매체(예: compact disc read only memory(CD-ROM))의 형태로 배포되거나, 또는 어플리케이션 스토어(예: 플레이 스토어™)를 통해 또는 두 개의 사용자 장치들(예: 스마트 폰들) 간에 직접, 온라인으로 배포(예: 다운로드 또는 업로드)될 수 있다. 온라인 배포의 경우에, 컴퓨터 프로그램 제품의 적어도 일부는 제조사의 서버, 어플리케이션 스토어의 서버, 또는 중계 서버의 메모리와 같은 기기로 읽을 수 있는 저장 매체에 적어도 일시 저장되거나, 임시적으로 생성될 수 있다.
다양한 실시예들에 따르면, 상기 기술한 구성요소들의 각각의 구성요소(예: 모듈 또는 프로그램)는 단수 또는 복수의 개체를 포함할 수 있으며, 복수의 개체 중 일부는 다른 구성요소에 분리 배치될 수도 있다. 다양한 실시예들에 따르면, 전술한 해당 구성요소들 중 하나 이상의 구성요소들 또는 동작들이 생략되거나, 또는 하나 이상의 다른 구성요소들 또는 동작들이 추가될 수 있다. 대체적으로 또는 추가적으로, 복수의 구성요소들(예: 모듈 또는 프로그램)은 하나의 구성요소로 통합될 수 있다. 이런 경우, 통합된 구성요소는 상기 복수의 구성요소들 각각의 구성요소의 하나 이상의 기능들을 상기 통합 이전에 상기 복수의 구성요소들 중 해당 구성요소에 의해 수행되는 것과 동일 또는 유사하게 수행할 수 있다. 다양한 실시예들에 따르면, 모듈, 프로그램 또는 다른 구성요소에 의해 수행되는 동작들은 순차적으로, 병렬적으로, 반복적으로, 또는 휴리스틱하게 실행되거나, 상기 동작들 중 하나 이상이 다른 순서로 실행되거나, 생략되거나, 또는 하나 이상의 다른 동작들이 추가될 수 있다.

Claims (20)

  1. 전자 장치에 있어서,
    하우징; 및
    상기 하우징 내에 위치하고, 초음파를 이용하여 생체 정보를 검출하는 제1 영역 및 햅틱 피드백을 제공하는 제2 영역을 포함하는 압전 모듈을 포함하고,
    상기 압전 모듈은,
    대면하는 제1 전극층과 제2 전극층; 및
    상기 제1 전극층 및 상기 제2 전극층 사이에 위치하며, 압전 물질을 포함하는 압전층;을 포함하고,
    상기 압전 모듈의 상기 제1 영역 내에 위치하는 상기 압전층의 적어도 일 영역은 제1 주파수 대역으로 진동하여 상기 초음파를 발산하고,
    상기 압전 모듈의 상기 제2 영역 내에 위치하는 상기 압전층의 적어도 일 영역은 상기 제1 주파수 대역보다 낮은 제2 주파수 대역으로 진동하는, 전자 장치.
  2. 제1 항에서,
    상기 제1 전극층은 상기 제1 영역에 위치하는 제1 단위 전극 및 상기 제2 영역에 위치하는 제2 단위 전극을 포함하고,
    상기 제1 단위 전극의 너비는 상기 제2 단위 전극의 너비보다 작은, 전자 장치.
  3. 제2 항에서,
    상기 제2 전극층은 상기 제1 영역에 위치하며 상기 제1 단위 전극에 대향하는 제1 대향 전극 및 상기 제2 영역에 위치하며 상기 제2 단위 전극에 대향하는 제2 대향 전극을 포함하는, 전자 장치.
  4. 제3 항에서,
    상기 제2 단위 전극 및 상기 제2 대향 전극은 육각형 모양인, 전자 장치.
  5. 제4 항에서,
    상기 제2 단위 전극은 외곽을 따라 위치하는 적어도 하나의 홀을 포함하는, 전자 장치.
  6. 제3 항에서,
    상기 제2 대향 전극은 복수의 몸체부들 및 상기 복수의 몸체부들을 연결하는 연결부들을 포함하는, 전자 장치.
  7. 제2 항에서,
    상기 압전 모듈은 플렉서블 기판을 더 포함하는, 전자 장치.
  8. 제2 항에서,
    상기 압전 모듈의 일 측에 위치하고, 상기 압전 모듈로부터 발산된 초음파를 반사하는 배면층을 더 포함하는, 전자 장치.
  9. 제8 항에서,
    상기 배면층은 상기 제2 영역에서 복수의 홀을 포함하는, 전자 장치.
  10. 제2 항에서,
    디스플레이를 더 포함하고,
    상기 압전 모듈은 상기 디스플레이의 배면에 위치하는, 전자 장치.
  11. 제10 항에서,
    상기 디스플레이와 상기 압전 모듈 사이에 위치하는 배리어층을 더 포함하는, 전자 장치.
  12. 제10 항에서,
    접히거나 펼쳐질 수 있는 벤딩 영역을 더 포함하고,
    상기 압전층은 상기 벤딩 영역의 양측에 위치하는 제1 압전층 및 제2 압전층을 포함하고,
    상기 제1 압전층과 상기 제2 압전층은 이격되는, 전자 장치.
  13. 제2 항에서,
    상기 압전 모듈은, 상기 제2 전극층 및 제1 전압선에 연결되는 적어도 하나의 트랜지스터를 포함하는, 전자 장치.
  14. 제13 항에서,
    상기 압전 모듈은 상기 제1 영역 및 상기 제2 영역의 외측에 위치하는 비활성 영역을 더 포함하고,
    상기 제2 전극층은 상기 제1 영역 또는 상기 제2 영역으로부터 상기 비활성 영역까지 연장되고,
    상기 비활성 영역에서 상기 제2 단위 전극은 상기 적어도 하나의 트랜지스터와 연결되는, 전자 장치.
  15. 제1 항에서,
    상기 제1 전극층은 적어도 하나의 송신 전극 및 적어도 하나의 수신 전극을 포함하고,
    상기 압전 모듈은,
    상기 송신 전극에 인가되는 전압에 기반하여 초음파를 방출하고,
    상기 수신 전극을 통해 외부 객체에 의해 반사된 초음파를 감지하여, 상기 외부 객체의 근접 여부를 검출하는, 전자 장치.
  16. 전자 장치에 있어서,
    하우징; 및
    상기 하우징 내에 위치하는 디스플레이; 및
    상기 디스플레이의 배면에 위치하고, 초음파를 이용하여 생체 정보를 검출하는 제1 영역 및 햅틱 피드백을 제공하는 제2 영역을 포함하는 압전 모듈을 포함하고,
    상기 압전 모듈은,
    상기 제1 영역에 위치하는 복수의 제1 단위 전극들 및 상기 제2 영역에 위치하는 복수의 제2 단위 전극들을 포함하는 제1 전극층;
    상기 제1 전극층과 대면하는 제2 전극층; 및
    상기 제1 전극층과 상기 제2 전극층 사이에 위치하는 압전층을 포함하고,
    상기 제1 단위 전극의 면적은 상기 제2 단위 전극의 면적보다 작은, 전자 장치.
  17. 제16 항에서,
    상기 제2 전극층은 상기 제1 영역에 위치하며 상기 제1 단위 전극에 대향하는 제1 대향 전극 및 상기 제2 영역에 위치하며 상기 제2 단위 전극에 대향하는 제2 대향 전극을 포함하는, 전자 장치.
  18. 제16 항에서,
    상기 압전 모듈은,
    상기 복수의 제2 단위 전극들 중 적어도 어느 하나와 상기 제2 전극층에 인가되는 전압 차에 기반하여, 상기 제2 영역의 일 영역에 요철을 형성하고,
    상기 제2 영역 내에서 상기 요철의 위치를 이동하도록 설정된, 전자 장치.
  19. 제18 항에서,
    상기 압전 모듈은 상기 제2 영역 내에서 상기 제1 영역을 향하는 방향으로 상기 요철의 위치를 이동하도록 설정된, 전자 장치.
  20. 제16 항에서,
    상기 디스플레이는 제1 아이콘 및 제2 아이콘을 표시하고,
    상기 압전 모듈은, 상기 제1 아이콘에 대응하는 위치와 상기 제2 아이콘에 대응하는 위치에 서로 다른 강도의 진동을 발생시키도록 설정된, 전자 장치.
KR1020210053430A 2021-04-26 2021-04-26 압전 모듈을 포함하는 전자 장치 KR20220146764A (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020210053430A KR20220146764A (ko) 2021-04-26 2021-04-26 압전 모듈을 포함하는 전자 장치
PCT/KR2022/005932 WO2022231264A1 (ko) 2021-04-26 2022-04-26 압전 모듈을 포함하는 전자 장치
US18/376,401 US20240029469A1 (en) 2021-04-26 2023-10-03 Electronic apparatus comprising piezoelectric module

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020210053430A KR20220146764A (ko) 2021-04-26 2021-04-26 압전 모듈을 포함하는 전자 장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20220146764A true KR20220146764A (ko) 2022-11-02

Family

ID=83848358

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020210053430A KR20220146764A (ko) 2021-04-26 2021-04-26 압전 모듈을 포함하는 전자 장치

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20240029469A1 (ko)
KR (1) KR20220146764A (ko)
WO (1) WO2022231264A1 (ko)

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10127425B2 (en) * 2017-01-12 2018-11-13 Qualcomm Incorporated Dual-mode capacitive and ultrasonic fingerprint and touch sensor
KR102471819B1 (ko) * 2018-06-21 2022-11-29 삼성전자 주식회사 압전 소자를 이용하여, 압력 감지 및 초음파 신호를 송수신하는 센서 모듈을 포함하는 전자 장치
KR102653262B1 (ko) * 2018-10-16 2024-04-01 삼성전자 주식회사 개구부가 형성된 터치 레이어를 포함하는 전자 장치
KR102608894B1 (ko) * 2019-03-11 2023-12-01 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치와 그의 구동 방법
KR102662218B1 (ko) * 2019-06-17 2024-05-02 엘지디스플레이 주식회사 초음파 센서 및 디스플레이 장치

Also Published As

Publication number Publication date
WO2022231264A1 (ko) 2022-11-03
US20240029469A1 (en) 2024-01-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP3735612B1 (en) Display including plurality of wiring layers in bending region
US20230156347A1 (en) Electronic device comprising display and camera device
KR20220089360A (ko) 코일 안테나를 포함하는 전자 장치
KR20220008742A (ko) 플렉서블 디스플레이를 포함하는 전자 장치 및 방법
KR20220015775A (ko) 슬라이드 아웃 디스플레이를 포함하는 전자 장치
KR20200063565A (ko) 영역별로 다른 형상의 전극으로 형성된 디스플레이 패널을 포함하는 전자 장치
KR20220039535A (ko) 카메라 모듈의 접점 구조 및 이를 포함하는 전자 장치
EP3926438A1 (en) Electronic device including display with opening having shape different from that of sensor
KR20220146764A (ko) 압전 모듈을 포함하는 전자 장치
KR20220068100A (ko) 플렉서블 디스플레이를 포함하는 전자 장치
KR20220102321A (ko) 커넥터를 포함하는 전자 장치
KR20210151611A (ko) 안테나를 포함하는 전자 장치
US20230127293A1 (en) Electronic device including flexible display module and method for detecting damage to the display module
US20240118730A1 (en) Electronic device including connecting member of internal structure
US20230052376A1 (en) Electronic device including display
US20230259178A1 (en) Electronic device including foldable display
EP4350881A1 (en) Antenna structure and electronic device comprising antenna structure
US20230046690A1 (en) Electronic device including shielding member
US20230239388A1 (en) Electronic device comprising display module
US20220386003A1 (en) Electronic device including audio output module
KR20220039513A (ko) 디스플레이 모듈을 포함하는 전자 장치
KR20240071254A (ko) 디스플레이 및 이를 포함하는 전자 장치
KR20230137199A (ko) 터치 센서를 포함하는 전자 장치
KR20230156616A (ko) 연성 인쇄 회로 기판을 지지하기 위한 구조를 포함하는 전자 장치
KR20220089031A (ko) 전자 장치 및 전자 장치의 생체 정보 획득 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination