KR20220143090A - 전자 장치의 제조 방법 - Google Patents

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KR20220143090A
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adhesive resin
layer
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electronic device
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도루 미우라
히로요시 구리하라
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미쓰이 가가쿠 토세로 가부시키가이샤
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Abstract

기재층(10)과, 기재층(10)의 제1 면(10A)측에 마련되고, 또한, 전자 부품(70)을 임시 고정하기 위한 점착성 수지층(A)과, 기재층(10)의 제2 면(10B)측에 마련된 점착성 수지층(B)과, 기재층(10)과 점착성 수지층(A) 사이 또는 기재층(10)과 점착성 수지층(B) 사이에 마련되고, 또한, 외부 자극에 의해 가교 가능한 요철 흡수성 수지층(C)을 구비하는 점착성 필름(50)과, 점착성 필름(50)의 점착성 수지층(A)에 첩부되고, 또한, 요철 구조(75)을 갖는 전자 부품(70)을, 구비하는 구조체(100)를 준비하는 준비 공정과, 구조체(100) 중의 요철 흡수성 수지층(C)에 대하여 외부 자극을 부여함으로써, 요철 흡수성 수지층(C)을 가교하는 가교 공정과, 밀봉재(60)에 의해 전자 부품(70)을 밀봉하는 밀봉 공정을 적어도 구비하는 전자 장치의 제조 방법.

Description

전자 장치의 제조 방법
본 발명은, 전자 장치의 제조 방법에 관한 것이다.
전자 장치(예를 들어, 반도체 장치)를 제조할 때, 통상 반도체 칩 등의 전자 부품을 밀봉 수지로 덮어서 밀봉 수지체를 형성하는 것이 행하여진다. 이때, 지지판 상에 임시 고정재를 통해 전자 부품을 고정한 상태에서 밀봉 수지로 전자 부품을 덮는 공정이 채용되는 경우가 있다.
이러한 전자 장치의 제조 방법에 관한 기술로서는, 예를 들어 특허문헌 1(국제 공개 제2015/098829호)에 기재된 것을 들 수 있다.
특허문헌 1에는, 지지판, 상기 지지판 상에 적층된 임시 고정재 및 상기 임시 고정재 상에 임시 고정된 반도체 칩을 구비하는 칩 임시 고정체, 상기 칩 임시 고정체 상에 배치된 열경화성 수지 시트, 그리고 90℃의 인장 저장 탄성률이 200MPa 이상이고, 상기 열경화성 수지 시트 상에 배치된 세퍼레이터를 구비하는 적층체를 가압하여, 상기 반도체 칩 및 상기 반도체 칩을 덮는 상기 열경화성 수지 시트를 구비하는 밀봉체를 형성하는 공정을 포함하는 반도체 패키지의 제조 방법이 기재되어 있다.
국제 공개 제2015/098829호 공보
본 발명자들의 검토에 의하면, 점착성 필름 상에, 예를 들어 범프와 같은 요철 구조를 갖는 전자 부품을 배치하여 밀봉재에 의해 전자 부품을 밀봉할 때에 전자 부품의 수평 방향으로 위치가 어긋나 버리는(이하, 전자 부품의 위치 어긋남으로도 칭함) 경우나, 점착성 필름과 전자 부품 사이에 밀봉재가 침입해 버리는 경우가 있는 것이 밝혀졌다.
한편, 본 발명자들의 새로운 검토에 의하면, 점착성 필름으로서, 요철 흡수성 수지층을 구비하는 점착성 필름을 사용함으로써, 밀봉 공정에서의 전자 부품의 위치 어긋남이나 점착성 필름과 전자 부품 사이에 밀봉재가 침입해 버리는 것을 억제할 수 있는 것을 발견하였다.
그러나, 도 4의 (a) 내지 (c)에 도시하는 바와 같이, 요철 흡수성 수지층을 구비하는 점착성 필름(50A)을 사용하면, 요철 구조(75A)를 갖는 전자 부품(70A)을 배치하여 밀봉재(60A)에 의해 전자 부품을 밀봉할 때에, 열에 의해 요철 흡수성 수지층이 연화되고, 밀봉재(60A)의 압력에 의해 전자 부품(70A)이 점착성 필름(50A)에 내려앉기 쉬워지고, 그 결과, 도 4의 (d)에 도시하는 바와 같은, 스탠드 오프(90)라고 하는 전자 부품(70A)의 밀봉 불량이 일어나 버리는 경우가 있는 것이 밝혀졌다.
본 발명은 상기 사정을 감안하여 이루어진 것이고, 스탠드 오프라고 하는 전자 부품의 밀봉 불량의 발생을 억제하는 것이 가능한 전자 장치의 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명자들은, 상기 과제를 달성하기 위하여 예의 검토를 거듭하였다. 그 결과, 점착성 필름으로서, 외부 자극에 의해 가교 가능한 요철 흡수성 수지층을 구비하는 점착성 필름을 사용함으로써, 스탠드 오프라고 하는 전자 부품의 밀봉 불량의 발생을 억제할 수 있는 것을 발견하고, 본 발명을 완성시켰다.
본 발명에 따르면, 이하에 나타내는 전자 장치의 제조 방법이 제공된다.
[1]
기재층과, 상기 기재층의 제1 면측에 마련되고, 또한, 전자 부품을 임시 고정하기 위한 점착성 수지층(A)과, 상기 기재층의 제2 면측에 마련된 점착성 수지층(B)과, 상기 기재층과 상기 점착성 수지층(A) 사이 또는 상기 기재층과 상기 점착성 수지층(B) 사이에 마련되고, 또한, 외부 자극에 의해 가교 가능한 요철 흡수성 수지층(C)을 구비하는 점착성 필름과,
상기 점착성 필름의 상기 점착성 수지층(A)에 첩부되고, 또한, 요철 구조를 갖는 전자 부품을, 구비하는 구조체를 준비하는 준비 공정과,
상기 구조체 중의 상기 요철 흡수성 수지층(C)에 대하여 외부 자극을 부여함으로써, 상기 요철 흡수성 수지층(C)을 가교하는 가교 공정과,
밀봉재에 의해 상기 전자 부품을 밀봉하는 밀봉 공정
을 적어도 구비하는 전자 장치의 제조 방법.
[2]
상기 [1]에 기재된 전자 장치의 제조 방법에 있어서,
상기 점착성 수지층(B)이 외부 자극에 의해 점착력이 저하되는 층인 전자 장치의 제조 방법.
[3]
상기 [1] 또는 [2]에 기재된 전자 장치의 제조 방법에 있어서,
상기 외부 자극이 열 또는 광인 전자 장치의 제조 방법.
[4]
상기 [1] 내지 [3]의 어느 하나에 기재된 전자 장치의 제조 방법에 있어서,
상기 요철 흡수성 수지층(C)이 적어도 상기 기재층과 상기 점착성 수지층(A) 사이에 마련되어 있는 전자 장치의 제조 방법.
[5]
상기 [1] 내지 [4]의 어느 하나에 기재된 전자 장치의 제조 방법에 있어서,
상기 전자 부품의 상기 요철 구조는 범프 전극을 포함하는 전자 장치의 제조 방법.
[6]
상기 [5]에 기재된 전자 장치의 제조 방법에 있어서,
상기 범프 전극의 높이를 H[㎛]로 하고, 상기 요철 흡수성 수지층의 두께를 d[㎛]로 했을 때, H/d가 0.01 이상 1 이하인 전자 장치의 제조 방법.
[7]
상기 [1] 내지 [6]의 어느 하나에 기재된 전자 장치의 제조 방법에 있어서,
상기 요철 흡수성 수지층(C)을 가교하여 얻어지는 요철 흡수성 수지층(C')의 125℃에서의 저장 탄성률 E'이 1.0×106Pa 이상 1.0×109Pa 이하인 전자 장치의 제조 방법.
[8]
상기 [1] 내지 [7]의 어느 하나에 기재된 전자 장치의 제조 방법에 있어서,
상기 요철 흡수성 수지층이 가교성 수지를 포함하는 전자 장치의 제조 방법.
[9]
상기 [1] 내지 [8]의 어느 하나에 기재된 전자 장치의 제조 방법에 있어서,
상기 요철 흡수성 수지층의 두께가 10㎛ 이상 1000㎛ 이하인 전자 장치의 제조 방법.
[10]
상기 [1] 내지 [9]의 어느 하나에 기재된 전자 장치의 제조 방법에 있어서,
상기 구조체가 상기 점착성 수지층(B)에 첩부된 지지 기판을 더 구비하는 전자 장치의 제조 방법.
[11]
상기 [10]에 기재된 전자 장치의 제조 방법에 있어서,
상기 밀봉 공정 후에, 외부 자극을 부여함으로써 상기 점착성 수지층(B)의 점착력을 저하시켜서 상기 구조체로부터 상기 지지 기판을 박리하는 제1 박리 공정을 더 구비하는 전자 장치의 제조 방법.
[12]
상기 [11]에 기재된 전자 장치의 제조 방법에 있어서,
상기 제1 박리 공정 후에, 상기 전자 부품으로부터 상기 점착성 필름을 박리하는 제2 박리 공정을 더 구비하는 전자 장치의 제조 방법.
[13]
상기 [1] 내지 [12]의 어느 하나에 기재된 전자 장치의 제조 방법에 있어서,
상기 밀봉재가 에폭시 수지계 밀봉재인 전자 장치의 제조 방법.
[14]
상기 [1] 내지 [13]의 어느 하나에 기재된 전자 장치의 제조 방법에 있어서,
상기 점착성 수지층(A)을 구성하는 점착성 수지가 (메트)아크릴계 점착성 수지, 실리콘계 점착성 수지, 우레탄계 점착성 수지, 올레핀계 점착성 수지 및 스티렌계 점착성 수지로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상을 포함하는 전자 장치의 제조 방법.
[15]
기재층과, 상기 기재층의 제1 면측에 마련되고, 또한, 전자 부품을 임시 고정하기 위한 점착성 수지층(A)과, 상기 기재층과 상기 점착성 수지층(A) 사이에 마련되고, 또한, 외부 자극에 의해 가교 가능한 요철 흡수성 수지층(C)을 구비하는 점착성 필름과,
상기 점착성 필름의 상기 점착성 수지층(A)에 첩부되고, 또한, 요철 구조를 갖는 전자 부품을, 구비하는 구조체를 준비하는 준비 공정과,
상기 구조체 중의 상기 요철 흡수성 수지층(C)에 대하여 외부 자극을 부여함으로써, 상기 요철 흡수성 수지층(C)을 가교하는 가교 공정과,
밀봉재에 의해 상기 전자 부품을 밀봉하는 밀봉 공정
을 적어도 구비하는 전자 장치의 제조 방법.
본 발명에 따르면, 스탠드 오프라고 하는 전자 부품의 밀봉 불량의 발생을 억제하는 것이 가능한 전자 장치의 제조 방법을 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명에 관한 실시 형태의 점착성 필름의 구조의 일례를 모식적으로 도시한 단면도이다.
도 2는 본 발명에 관한 실시 형태의 전자 장치의 제조 방법의 일례를 모식적으로 도시한 단면도이다.
도 3은 본 발명에 관한 실시 형태의 전자 장치의 제조 방법의 일례를 모식적으로 도시한 단면도이다.
도 4는 스탠드 오프라고 하는 전자 부품의 밀봉 불량을 설명하기 위한 도면이다.
이하, 본 발명의 실시 형태에 대해서, 도면을 사용하여 설명한다. 또한, 모든 도면에 있어서, 마찬가지의 구성 요소에는 공통의 부호를 붙이고, 적절히 설명을 생략한다. 또한, 도면은 개략도이고, 실제의 치수 비율과는 일치하고 있지 않다. 또한, 수치 범위의 「A 내지 B」는 특별히 언급이 없으면, A 이상 B 이하를 나타낸다. 또한, 본 실시 형태에 있어서, 「(메트)아크릴」이란 아크릴, 메타크릴 또는 아크릴 및 메타크릴의 양쪽을 의미한다.
1. 전자 장치의 제조 방법
처음에, 본 실시 형태에 따른 전자 장치의 제조 방법에 대하여 설명한다. 도 1은, 본 발명에 관한 실시 형태의 점착성 필름(50)의 구조의 일례를 모식적으로 도시한 단면도이다. 도 2 및 3은, 본 발명에 관한 실시 형태의 전자 장치의 제조 방법의 일례를 모식적으로 도시한 단면도이다.
본 실시 형태에 따른 전자 장치의 제조 방법은, 이하의 3개의 공정을 적어도 구비하고 있다.
(1) 기재층(10)과, 기재층(10)의 제1 면(10A)측에 마련되고, 또한, 전자 부품(70)을 임시 고정하기 위한 점착성 수지층(A)과, 기재층(10)의 제2 면(10B)측에 마련된 점착성 수지층(B)과, 기재층(10)과 점착성 수지층(A) 사이 또는 기재층(10)과 점착성 수지층(B) 사이에 마련되고, 또한, 외부 자극에 의해 가교 가능한 요철 흡수성 수지층(C)을 구비하는 점착성 필름(50)과, 점착성 필름(50)의 점착성 수지층(A)에 첩부되고, 또한, 요철 구조(75)를 갖는 전자 부품(70)을 구비하는 구조체(100)를 준비하는 준비 공정
(2) 구조체(100) 중의 요철 흡수성 수지층(C)에 대하여 외부 자극을 부여함으로써, 요철 흡수성 수지층(C)을 가교하는 가교 공정과,
(3) 밀봉재(60)에 의해 전자 부품(70)을 밀봉하는 밀봉 공정
여기서, 지지 기판(80)으로서, 예를 들어 척 테이블 등을 사용하는 경우, 점착성 필름(50)은 점착성 수지층(B)이 없어도 지지 기판(80)에 고정할 수 있다. 그 때문에, 점착성 필름(50)에 있어서, 기재층(10)의 제2 면(10B)측에 마련된 점착성 수지층(B)은 마련하지 않아도 된다.
상술한 바와 같이, 본 발명자들의 검토에 의하면, 점착성 필름으로서, 요철 흡수성 수지층을 구비하는 점착성 필름을 사용함으로써, 밀봉 공정에서의 전자 부품의 위치 어긋남이나 점착성 필름과 전자 부품 사이에 밀봉재가 침입해 버리는 것을 억제할 수 있는 것을 발견하였다.
그러나, 도 4의 (a) 내지 (c)에 도시하는 바와 같이, 요철 흡수성 수지층을 구비하는 점착성 필름(50A)을 사용하면, 요철 구조(75A)를 갖는 전자 부품(70A)을 배치하여 밀봉재(60A)에 의해 전자 부품을 밀봉할 때에, 열에 의해 요철 흡수성 수지층이 연화되고, 밀봉재(60A)의 압력에 의해 전자 부품(70A)이 점착성 필름(50A)에 내려앉기 쉬워지고, 그 결과, 도 4의 (d)에 도시하는 바와 같은, 스탠드 오프(90)라고 하는 전자 부품(70A)의 밀봉 불량이 일어나 버리는 경우가 있는 것이 밝혀졌다.
본 발명자들은, 밀봉 공정에서의 전자 부품의 위치 어긋남이나 점착성 필름과 전자 부품 사이에 밀봉재가 침입해 버리는 것을 억제할 수 있음과 함께, 밀봉 공정에서의 스탠드 오프의 발생을 억제하는 것이 가능한 전자 장치의 제조 방법을 실현하기 위해서, 예의 검토를 거듭하였다. 그 결과, 기재층(10)과, 기재층(10)의 제1 면(10A)측에 마련되고, 또한, 전자 부품을 임시 고정하기 위한 점착성 수지층(A)과, 기재층(10)의 제2 면(10B)측에 마련된 점착성 수지층(B)과, 기재층(10)과 점착성 수지층(A) 사이 또는 기재층(10)과 점착성 수지층(B) 사이에 마련되고, 또한, 외부 자극에 의해 가교 가능한 요철 흡수성 수지층(C)을 구비하는 점착성 필름(50)을 사용함으로써, 밀봉 공정에서의 전자 부품의 위치 어긋남이나 점착성 필름과 전자 부품 사이에 밀봉재가 침입해 버리는 것을 억제할 수 있음과 함께, 밀봉 공정에서의 스탠드 오프의 발생을 억제 할 수 있는 것을 처음으로 발견하였다.
즉, 본 실시 형태에 따르면, 요철 구조를 갖는 전자 부품을 임시 고정하기 위한 점착성 필름으로서, 외부 자극에 의해 가교 가능한 요철 흡수성 수지층(C)을 갖는 점착성 필름(50)을 사용함으로써, 요철 구조를 갖는 전자 부품에 대한 점착성 필름(50)의 밀착성이 향상되기 때문에, 전자 부품을 밀봉하는 공정에 있어서, 밀봉재의 유동에 의한 압력 등에 의해 전자 부품의 위치가 어긋나 버리는 것이나, 점착성 필름과 전자 부품 사이에 밀봉재가 침입해 버리는 것을 억제할 수 있다. 또한, 요철 구조를 갖는 전자 부품을 임시 고정한 후에, 외부 자극에 의해 요철 흡수성 수지층(C)을 가교 경화시켜서 탄성률을 높임으로써, 전자 부품의 밀봉 공정에 있어서, 전자 부품이 점착성 필름에 내려앉는 것을 억제할 수 있다.
이상과 같이, 본 실시 형태에 따른 전자 장치의 제조 방법에 의하면, 밀봉 공정에서의 전자 부품의 위치 어긋남이나 점착성 필름과 전자 부품 사이에 밀봉재가 침입해 버리는 것을 억제할 수 있음과 함께, 밀봉 공정에서의 스탠드 오프의 발생을 억제하는 것이 가능하게 된다.
이하, 본 실시 형태에 따른 전자 장치의 제조 방법 각 공정에 대하여 설명한다.
((1) 준비 공정)
준비 공정에서는, 점착성 필름(50)과, 점착성 필름(50)의 점착성 수지층(A)에 첩부되고, 또한, 요철 구조(75)를 갖는 전자 부품(70)을 구비하는 구조체(100)를 준비한다. 여기서, 구조체(100)는, 점착성 필름(50)의 점착성 수지층(B)에 첩부된 지지 기판(80)을 더 구비해도 된다.
이러한 구조체(100)는, 예를 들어 이하의 수순으로 제작할 수 있다.
먼저, 지지 기판(80) 상에 점착성 필름(50)을, 점착성 수지층(B)이 지지 기판(80)측이 되도록 접착한다. 점착성 수지층(B) 상에는 세퍼레이터라고 칭하는 보호 필름이 부착되어 있어도 되고, 당해 보호 필름을 박리하고, 점착성 수지층(B)의 노출면을 지지 기판(80) 표면에 접착할 수 있다.
지지 기판(80)으로서는, 예를 들어 석영 기판, 유리 기판, SUS 기판 등을 사용할 수 있다.
이어서, 점착성 필름(50)의 점착성 수지층(A) 상에 전자 부품(70)을 배치함으로써 구조체(100)를 얻을 수 있다.
전자 부품(70)으로서는, 예를 들어 IC, LSI, 디스크리트, 발광 다이오드, 수광 소자 등의 반도체 칩이나 반도체 패널, 반도체 패키지 등을 들 수 있다.
전자 부품(70)의 표면은, 예를 들어 전극을 가짐으로써, 요철 구조(75)로 되어 있다.
또한, 전극은, 예를 들어 전자 장치를 실장면에 실장할 때에, 실장면에 형성된 전극에 대하여 접합되어, 전자 장치와 실장면(프린트 기판 등의 실장면) 사이의 전기적 접속을 형성하는 것이다.
전극으로서는, 예를 들어 볼 범프, 인쇄 범프, 스터드 범프, 도금 범프, 필러 범프 등의 범프 전극을 들 수 있다. 즉, 전극은, 통상 볼록 전극이다. 이들의 범프 전극은 1종 단독으로 사용해도 되고 2종 이상을 병용해도 된다.
또한, 범프 전극을 구성하는 금속종은 특별히 한정되지 않고, 예를 들어 은, 금, 구리, 주석, 납, 비스무트 및 이들의 합금 등을 들 수 있다. 이들의 금속종은 1종 단독으로 사용해도 되고 2종 이상을 병용해도 된다.
((2) 가교 공정)
이어서, 구조체(100) 중의 요철 흡수성 수지층(C)에 대하여 외부 자극을 부여함으로써, 요철 흡수성 수지층(C)을 가교한다.
요철 흡수성 수지층(C)의 열 가교 방법으로서는 가교성 수지를 열경화할 수 있는 방법이라면 특별히 한정되지 않지만, 라디칼 중합 개시제에 의한 열 가교를 들 수 있다.
라디칼 중합 개시제에 의한 열 가교는, 가교성 수지의 가교에 사용되고 있는 라디칼 중합 개시제를 사용할 수 있다. 라디칼 중합 개시제로서는, 공지된 열 라디칼 중합 개시제를 사용할 수 있다.
라디칼 중합 개시제에 의한 열 가교의 경우, 가열 온도는, 예를 들어 80℃ 내지 150℃이고, 가열 처리 시간은, 예를 들어 5 내지 120분이다.
또한, 요철 흡수성 수지층(C)에 자외선 등의 광을 조사함으로써, 요철 흡수성 수지층(C)을 가교시켜서 경화시킬 수 있다.
자외선 가교의 경우, 예를 들어 0 내지 100℃의 환경 하에서, 고압 수은 램프를 사용하여 주 파장 365nm의 자외선을, 조사 강도 1 내지 50mW/㎠로 자외선량 100 내지 10000mJ/㎠의 조건에서 요철 흡수성 수지층(C)에 조사함으로써, 요철 흡수성 수지층(C)을 가교시켜서 경화시킬 수 있다.
또한, 어느 가교 방법에 있어서도 요철 흡수성 수지층(C)에 가교 보조제를 배합하여 요철 흡수성 수지층(C)의 가교를 행해도 된다.
((3) 밀봉 공정)
이어서, 밀봉재(60)에 의해 전자 부품(70)을 밀봉한다.
밀봉재(60)에 의해 전자 부품(70)을 덮고, 예를 들어 150℃ 이하의 온도에서 밀봉재(60)를 경화시켜서, 전자 부품(70)을 밀봉한다. 여기서, 점착성 필름(50)의 점착성 수지층(B)이 기체 발생 성분 및 열팽창성의 미소구로부터 선택되는 적어도 1종을 포함하는 경우에는, 밀봉재(60)를 경화시키는 온도는, 기체가 발생하는 온도나 열팽창성의 미소구가 열팽창하는 온도를 초과하지 않는 범위가 바람직하다.
또한, 밀봉재(60)의 형태로서는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 과립상, 시트상 또는 액상이다.
밀봉재(60)로서는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 에폭시 수지를 사용한에폭시 수지계 밀봉재를 사용할 수 있다.
특히, 점착성 필름(50)에 대한 밀봉재(60)의 친화성이 보다 양호해지고, 전자 부품(70)을 보다 한층 불균일 없이 밀봉하는 것이 가능하게 되는 점에서, 액상의 에폭시 수지계 밀봉재가 바람직하다.
이러한 에폭시 수지계 밀봉재로서는, 예를 들어 나가세 켐텍스사제의 T693/R4000 시리즈나 T693/R1000 시리즈, T693/R5000 시리즈 등을 사용할 수 있다.
밀봉 방법으로서는, 예를 들어 트랜스퍼 성형, 사출 성형, 압축 성형, 주형 성형 등을 들 수 있다. 밀봉재(60)로 전자 부품(70)을 밀봉 후, 예를 들어 150℃ 이하의 온도에서 가열함으로써 밀봉재(60)를 경화시켜, 전자 부품(70)이 밀봉된 구조체(100)가 얻어진다.
((4) 제1 박리 공정)
본 실시 형태에 따른 전자 장치의 제조 방법에 있어서, 도 3의 (4)에 도시하는 바와 같이, (3) 밀봉 공정 후에, 외부 자극을 부여함으로써 점착성 수지층(B)의 점착력을 저하시켜서 구조체(100)로부터 지지 기판(80)을 박리하는 제1 박리 공정을 더 구비해도 된다.
지지 기판(80)은, 예를 들어 전자 부품(70)을 밀봉한 후, 150℃를 초과하는 온도로 가열하여, 점착성 수지층(B)의 접착력을 저하시킴으로써, 점착성 필름(50)으로부터 용이하게 제거할 수 있다.
((5) 제2 박리 공정)
본 실시 형태에 따른 전자 장치의 제조 방법에 있어서, 도 3의 (5)에 도시하는 바와 같이, 제1 박리 공정 후에, 전자 부품(70)으로부터 점착성 필름(50)을 박리하여, 전자 장치(200)를 얻는 제2 박리 공정을 더 구비해도 된다.
전자 부품(70)으로부터 점착성 필름(50)을 박리하는 방법으로서는, 예를 들어 기계적으로 박리하는 방법이나, 점착성 필름(50) 표면의 점착력을 저하시키고 나서 박리하는 방법 등을 들 수 있다.
(그 밖의 공정)
본 실시 형태에 따른 전자 장치의 제조 방법에 있어서, 도 3의 (6)에 도시하는 바와 같이, 얻어진 전자 장치(200)의 노출면에, 배선층(310) 및 범프(320)를 형성하여, 전자 장치(300)를 얻는 공정 (6)을 더 구비해도 된다.
배선층(310)은, 최외면에 형성된 외부 접속 단자인 패드(도시하지 않음)와, 노출한 전자 부품(70)과 해당 패드를 전기적으로 접속하는 배선(도시하지 않음)을 구비한다. 배선층(310)은, 종래 공지된 방법에 의해 형성할 수 있고, 다층 구조여도 된다.
그리고, 배선층(310)의 패드 상에 범프(320)를 형성하고, 전자 장치(300)를 얻을 수 있다. 범프(320)로서는, 땜납 범프나 금 범프 등을 들 수 있다. 땜납 범프는, 예를 들어 배선층(310)의 외부 접속 단자인 패드 상에 땜납 볼을 배치하고, 가열하여 땜납을 용융시킴(리플로우함)으로써 형성할 수 있다. 금 범프는, 볼 본딩법, 도금법, Au 볼 전사법 등의 방법에 의해 형성할 수 있다.
또한, 본 실시 형태에 따른 전자 장치의 제조 방법에 있어서, 도 3의 (7)에 도시하는 바와 같이, 전자 장치(300)를 다이싱하여, 복수의 전자 장치(400)를 얻는 공정 (7)을 더 구비해도 된다.
전자 장치(300)의 다이싱은, 공지의 방법으로 행할 수 있다.
2. 점착성 필름
이하, 본 실시 형태에 따른 점착성 필름(50)에 대하여 설명한다.
도 1은, 본 발명에 관한 실시 형태의 점착성 필름(50)의 구조의 일례를 모식적으로 도시한 단면도이다.
도 1에 도시하는 바와 같이, 본 실시 형태에 따른 점착성 필름(50)은, 기재층(10)과, 기재층(10)의 제1 면(10A)측에 마련되고, 또한, 전자 부품을 임시 고정하기 위한 점착성 수지층(A)과, 기재층(10)의 제2 면(10B)측에 마련된 점착성 수지층(B)과, 기재층(10)과 점착성 수지층(A) 사이 또는 기재층(10)과 점착성 수지층(B) 사이에 마련되고, 또한, 외부 자극에 의해 가교 가능한 요철 흡수성 수지층(C)을 구비한다.
요철 흡수성 수지층(C)은, 점착성 필름(50)의 요철 흡수성을 보다 한층 양호하게 하는 관점에서, 적어도 기재층(10)과 점착성 수지층(A) 사이에 위치하는 것이 바람직하다.
기재층(10)과 점착성 수지층(A) 사이에 요철 흡수성 수지층(C)이 위치하는 경우, 점착성 수지층(B)과 기재층(10) 사이에 다른 요철 흡수성 수지층(C2)을 더 구비해도 되고, 이 경우, 요철 흡수성 수지층(C)과 요철 흡수성 수지층(C2)은 재질, 두께 등이 같아도 되고 달라도 된다.
본 실시 형태에 따른 점착성 필름(50) 전체의 두께는, 기계적 특성과 취급성의 밸런스의 관점에서, 바람직하게는 10㎛ 이상 1000㎛ 이하이고, 보다 바람직하게는 20㎛ 이상 500㎛ 이하이다.
이어서, 본 실시 형태에 따른 점착성 필름(50)을 구성하는 각 층에 대하여 설명한다.
<기재층>
기재층(10)은, 점착성 필름(50)의 취급성이나 기계적 특성, 내열성 등의 특성을 보다 양호하게 하는 것을 목적으로 하여 마련되는 층이다.
기재층(10)은 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 수지 필름을 들 수 있다.
상기 수지 필름을 구성하는 수지로서는, 공지된 열가소성 수지를 사용할 수 있다. 예를 들어, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리(4-메틸-1-펜텐), 폴리(1-부텐) 등의 폴리올레핀; 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리부틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트 등의 폴리에스테르; 나일론-6, 나일론-66, 폴리메타크실렌아디파미드 등의 폴리아미드; 폴리아크릴레이트; 폴리메타아크릴레이트; 폴리염화비닐; 폴리염화비닐리덴; 폴리이미드; 폴리에테르이미드; 에틸렌·아세트산비닐 공중합체; 폴리아크릴로니트릴; 폴리카르보네이트; 폴리스티렌; 아이오노머; 폴리술폰; 폴리에테르술폰; 폴리페닐렌에테르 등으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상을 들 수 있다.
이들 중에서도, 투명성이나 기계적 강도, 가격 등의 밸런스가 우수한 관점에서, 폴리프로필렌, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리아미드, 폴리이미드로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상이 바람직하고, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트로부터 선택되는 적어도 1종이 보다 바람직하다.
기재층(10)은, 단층이어도, 2종 이상의 층이어도 된다.
또한, 기재층(10)을 형성하기 위하여 사용하는 수지 필름의 형태로서는, 연신 필름이어도 되고, 1축 방향 또는 2축 방향으로 연신한 필름이어도 되지만, 기재층(10)의 기계적 강도를 향상시키는 관점에서, 1축 방향 또는 2축 방향으로 연신한 필름인 것이 바람직하다.
기재층(10)의 두께는, 양호한 필름 특성을 얻는 관점에서, 바람직하게는 1㎛ 이상 500㎛ 이하, 보다 바람직하게는 5㎛ 이상 300㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 10㎛ 이상 250㎛ 이하이다.
기재층(10)은, 다른 층과의 접착성을 개량하기 위해서, 표면 처리를 행해도 된다. 구체적으로는, 코로나 처리, 플라스마 처리, 언더코트 처리, 프라이머 코팅 처리 등을 행해도 된다.
<점착성 수지층(A)>
점착성 수지층(A)은, 기재층(10)의 한쪽 면측에 마련되는 층이고, 예를 들어 전자 장치의 제조 공정에 있어서 밀봉재에 의해 전자 부품을 밀봉할 때에, 전자 부품의 표면에 접촉하여 전자 부품을 임시 고정하기 위한 층이다.
점착성 수지층(A)은, 점착성 수지(A1)를 포함한다.
점착성 수지(A1)로서는, 예를 들어 (메트)아크릴계 점착성 수지(a), 실리콘계 점착성 수지, 우레탄계 점착성 수지, 올레핀계 점착성 수지, 스티렌계 점착성 수지 등을 들 수 있다.
이들 중에서도 점착력의 조정을 용이하게 하는 관점 등에서, (메트)아크릴계 점착성 수지(a)가 바람직하다.
점착성 수지층(A)로서는, 방사선에 의해 점착력을 저하시키는 방사선 가교형 점착성 수지층을 사용할 수도 있다. 방사선 가교형 점착성 수지층은, 방사선의 조사에 의해 가교하여 점착력이 현저하게 감소하기 때문에, 전자 부품으로부터 점착성 필름(50)을 박리하기 쉬워진다. 방사선으로서는, 자외선, 전자선, 적외선 등을 들 수 있다.
방사선 가교형 점착성 수지층으로서는, 자외선 가교형 점착성 수지층이 바람직하다.
점착성 수지층(A)에 사용되는 (메트)아크릴계 점착성 수지(a)로서는, 예를 들어 (메트)아크릴산알킬에스테르 모노머 단위(a1) 및 가교제와 반응할 수 있는 관능기를 갖는 모노머 단위(a2)를 포함하는 공중합체를 들 수 있다.
본 실시 형태에 있어서, (메트)아크릴산알킬에스테르란, 아크릴산알킬에스테르, 메타크릴산알킬에스테르 또는 이들의 혼합물을 의미한다.
본 실시 형태에 따른 (메트)아크릴계 점착성 수지(a)는, 예를 들어 (메트)아크릴산알킬에스테르 모노머(a1) 및 가교제와 반응할 수 있는 관능기를 갖는 모노머(a2)를 포함하는 모노머 혼합물을 공중합함으로써 얻을 수 있다.
(메트)아크릴산알킬에스테르 모노머 단위(a1)를 형성하는 모노머(a1)로서는, 탄소수 1 내지 12 정도의 알킬기를 갖는 (메트)아크릴산알킬에스테르를 들 수 있다. 바람직하게는 탄소수 1 내지 8의 알킬기를 갖는 (메트)아크릴산알킬에스테르이다. 구체적으로는, 아크릴산메틸, 메타크릴산메틸, 아크릴산에틸, 메타크릴산에틸, 아크릴산부틸, 메타크릴산부틸, 아크릴산-2-에틸헥실, 메타크릴산-2-에틸헥실 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 사용해도 된다.
본 실시 형태에 따른 (메트)아크릴계 점착성 수지(a)에 있어서, (메트)아크릴산알킬에스테르 모노머 단위(a1)의 함유량은, (메트)아크릴계 점착성 수지(a) 중의 전체 모노머 단위의 합계를 100질량％로 했을 때, 10질량％ 이상 98.9질량％ 이하인 것이 바람직하고, 50질량％ 이상 97질량％ 이하인 것이 보다 바람직하고, 85질량％ 이상 95질량％ 이하인 것이 더욱 바람직하다.
가교제와 반응할 수 있는 관능기를 갖는 모노머(a2)를 형성하는 모노머(a2)로서는, 아크릴산, 메타크릴산, 이타콘산, 메사콘산, 시트라콘산, 푸마르산, 말레산, 이타콘산모노알킬에스테르, 메사콘산모노알킬에스테르, 시트라콘산모노알킬에스테르, 푸마르산모노알킬에스테르, 말레산모노알킬에스테르, 아크릴산글리시딜, 메타크릴산글리시딜, 아크릴산-2-히드록시에틸, 메타크릴산-2-히드록시에틸, 아크릴아미드, 메타크릴아미드, tert-부틸아미노에틸아크릴레이트, tert-부틸아미노에틸메타크릴레이트 등을 들 수 있다. 바람직하게는, 아크릴산, 메타크릴산, 아크릴산-2-히드록시에틸, 메타크릴산-2-히드록시에틸, 아크릴아미드, 메타크릴아미드 등이다. 이들은 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 사용해도 된다.
본 실시 형태에 따른 (메트)아크릴계 점착성 수지(a)에 있어서, 모노머 단위(a2)의 함유량은, (메트)아크릴계 점착성 수지(a) 중의 전체 모노머 단위의 합계를 100질량％로 했을 때, 1질량％ 이상 40질량％ 이하인 것이 바람직하고, 1질량％ 이상 20질량％ 이하인 것이 보다 바람직하고, 1질량％ 이상 10질량％ 이하인 것이 더욱 바람직하다.
본 실시 형태에 따른 (메트)아크릴계 점착성 수지(a)는, 모노머 단위(a1), 모노머 단위(a2) 이외에, 2 관능성 모노머 단위(a3)나 계면 활성제로서의 성질을 갖는 특정한 코모노머(이하, 중합성 계면 활성제라고 칭함) 단위를 더 포함해도 된다.
중합성 계면 활성제는, 모노머(a1), 모노머(a2) 및 모노머(a3)와 공중합하는 성질을 가짐과 함께, 유화 중합하는 경우에는 유화제로서의 작용을 갖는다.
2 관능성 모노머 단위(a3)를 형성하는 모노머(a3)로서는, 메타크릴산알릴, 아크릴산알릴, 디비닐벤젠, 메타크릴산비닐, 아크릴산비닐, 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사(메트)아크릴레이트, 테트라에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트나, 예를 들어 양쪽 말단이 디아크릴레이트 또는 디메타크릴레이트로 주쇄의 구조가 프로필렌글리콜형(예를 들어, 니혼 유시(주)제, 상품명; PDP-200, 동 PDP-400, 동 ADP-200, 동 ADP-400), 테트라메틸렌글리콜형(예를 들어, 니혼 유시(주)제, 상품명; ADT-250, 동 ADT-850) 및 이들의 혼합형(예를 들어, 니혼 유시(주)제, 상품명: ADET-1800, 동 ADPT-4000)인 것 등을 들 수 있다.
본 실시 형태에 따른 (메트)아크릴계 점착성 수지(a)에 있어서, 모노머 단위(a3)의 함유량은, (메트)아크릴계 점착성 수지(a) 중의 전체 모노머 단위의 합계를 100질량％로 했을 때, 0.1질량％ 이상 30질량％ 이하인 것이 바람직하고, 0.1질량％ 이상 20질량％ 이하인 것이 보다 바람직하고, 0.1질량％ 이상 15질량％ 이하인 것이 더욱 바람직하고, 0.1질량％ 이상 5질량％ 이하인 것이 특히 바람직하다.
중합성 계면 활성제의 예로서는, 예를 들어 폴리옥시에틸렌노닐페닐에테르의 벤젠환에 중합성의 1-프로페닐기를 도입한 것(다이이찌 고교 세야꾸(주)제; 상품명: 아쿠알론 RN-10, 동 RN-20, 동 RN-30, 동 RN-50 등), 폴리옥시에틸렌노닐페닐에테르의 황산에스테르의 암모늄염의 벤젠환에 중합성의 1-프로페닐기를 도입한 것(다이이찌 고교 세야꾸(주)제; 상품명: 아쿠알론 HS-10, 동 HS-20, 동 HS-1025 등) 및 분자 내에 중합성 이중 결합을 갖는, 술포숙신산디에스테르계(가오(주)제; 상품명: 라테물 S-120A, 동 S-180A 등) 등을 들 수 있다.
본 실시 형태에 따른 (메트)아크릴계 점착성 수지(a)에 있어서, 중합성 계면 활성제의 함유량은, (메트)아크릴계 점착성 수지(a) 중의 전체 모노머 단위의 합계를 100질량％로 했을 때, 0.1질량％ 이상 30질량％ 이하인 것이 바람직하고, 0.1질량％ 이상 20질량％ 이하인 것이 보다 바람직하고, 0.1질량％ 이상 15질량％ 이하인 것이 더욱 바람직하고, 0.1질량％ 이상 5질량％ 이하인 것이 특히 바람직하다.
본 실시 형태에 따른 (메트)아크릴계 점착성 수지(a)는, 또한 필요에 따라, 아세트산비닐, 아크릴로니트릴, 스티렌 등의 중합성 이중 결합을 갖는 모노머에 의해 형성된 모노머 단위를 더 함유해도 된다.
본 실시 형태에 따른 (메트)아크릴계 점착성 수지(a)의 중합 반응 기구로서는, 라디칼 중합, 음이온 중합, 양이온 중합 등을 들 수 있다. (메트)아크릴계 점착성 수지(a)의 제조 비용, 모노머의 관능기의 영향 및 전자 부품 표면에 대한 이온의 영향 등을 고려하면 라디칼 중합에 의해 중합하는 것이 바람직하다.
라디칼 중합 반응에 의해 중합할 때, 라디칼 중합 개시제로서, 벤조일퍼옥시드, 디-t-부틸퍼옥시드, 디쿠밀퍼옥시드, 3,3,5-트리메틸헥사노일퍼옥시드, 디-2-에틸헥실퍼옥시디카르보네이트, 메틸에틸케톤퍼옥시드, t-부틸퍼옥시프탈레이트, t-부틸퍼옥시벤조에이트, 디-t-부틸퍼옥시아세테이트, t-부틸퍼옥시이소부티레이트, t-부틸퍼옥시-2-헥사노에이트, t-부틸퍼옥시-2-에틸헥사노에이트, t-부틸퍼옥시-3,5,5-트리메틸헥사노에이트, 아세틸퍼옥시드, 이소부티릴퍼옥시드, 옥타노일퍼옥시드, t-부틸퍼옥시드, 디-t-아밀퍼옥시드 등의 유기 과산화물; 과황산암모늄, 과황산칼륨, 과황산나트륨 등의 무기 과산화물; 2,2'-아조비스이소부티로니트릴, 2,2'-아조비스-2-메틸부티로니트릴, 4,4'-아조비스-4-시아노발레릭애시드 등의 아조 화합물을 들 수 있다.
유화 중합법에 의해 중합하는 경우에는, 이들의 라디칼 중합 개시제 중에서, 수용성의 과황산암모늄, 과황산칼륨, 과황산나트륨 등의 무기 과산화물, 동일하게 수용성의 4,4'-아조비스-4-시아노발레릭애시드 등의 분자 내에 카르복실기를 가진 아조 화합물이 바람직하다. 전자 부품 표면에 대한 이온의 영향을 고려하면, 과황산암모늄, 4,4'-아조비스-4-시아노발레릭애시드 등의 분자 내에 카르복실기를 갖는 아조 화합물이 더욱 바람직하고, 4,4'-아조비스-4-시아노발레릭애시드 등의 분자 내에 카르복실기를 갖는 아조 화합물이 특히 바람직하다.
본 실시 형태에 따른 점착성 수지층(A)은, 점착성 수지(A1)에 추가하여, 가교성의 관능기를 1 분자 중에 2개 이상 갖는 가교제(A2)를 더 포함하는 것이 바람직하다.
가교성의 관능기를 1 분자 중에 2개 이상 갖는 가교제(A2)는, 점착성 수지(A1)가 갖는 관능기와 반응시켜, 점착력 및 응집력을 조정하기 위하여 사용한다.
이러한 가교제(A2)로서는, 소르비톨폴리글리시딜에테르, 폴리글리세롤폴리글리시딜에테르, 펜타에리트리톨폴리글리시딜에테르, 디글리세롤폴리글리시딜에테르, 글리세롤폴리글리시딜에테르, 네오펜틸글리콜디글리시딜에테르, 레소르신디글리시딜에테르 등의 에폭시계 화합물; 테트라메틸렌디이소시아네이트, 헥사메틸렌디이소시아네이트, 트리메틸올프로판의 톨루엔디이소시아네이트 3부가물, 폴리이소시아네이트, 디페닐메탄디이소시아네이트, 톨릴렌디이소시아네이트 등의 이소시아네이트계 화합물; 트리메틸올프로판-트리-β-아지리디닐프로피오네이트, 테트라메틸올메탄-트리-β-아지리디닐프로피오네이트, N,N'-디페닐메탄-4,4'-비스(1-아지리딘카르복시아미드), N,N'-헥사메틸렌-1,6-비스(1-아지리딘카르복시아미드), N,N'-톨루엔-2,4-비스(1-아지리딘카르복시아미드), 트리메틸올프로판-트리-β-(2-메틸아지리딘)프로피오네이트 등의 아지리딘계 화합물; N,N,N',N'-테트라글리시딜-m-크실렌디아민, 1, 3-비스(N,N'-디글리시딜아미노메틸)시클로헥산 등의 4 관능성 에폭시계 화합물; 헥사메톡시메틸올멜라민 등의 멜라민계 화합물 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다.
이들 중에서도, 에폭시계 화합물, 이소시아네이트계 화합물 및 아지리딘계 화합물로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상을 포함하는 것이 바람직하다.
가교제(A2)의 함유량은, 통상 가교제(A2) 중의 관능기 수가 점착성 수지(A1) 중의 관능기 수보다도 많아지지 않는 정도의 범위가 바람직하다. 그러나, 가교 반응에서 새롭게 관능기가 발생하는 경우나, 가교 반응이 느린 경우 등, 필요에 따라서 과잉으로 함유해도 된다.
점착성 수지층(A)중의 가교제(A2)의 함유량은, 점착성 수지층(A)의 내열성이나 밀착력과의 밸런스를 향상시키는 관점에서, 점착성 수지(A1) 100질량부에 대하여, 0.1질량부 이상 15질량부 이하인 것이 바람직하다.
점착성 수지층(A)은 그 밖의 성분으로서, 가소제, 점착 부여 수지 등의 첨가제를 포함해도 된다. 점착성 수지층(A)이 방사선 가교형 점착성 수지층인 경우에는 방사선 가교를 위한 각종 첨가제를 포함해도 된다. 점착성 수지층(A) 중의 점착성 수지(A1) 및 가교제(A2)의 함유량의 합계는, 점착성 수지층(A)의 전체를 100질량％로 했을 때, 바람직하게는 50질량％ 이상, 보다 바람직하게는 70질량％ 이상, 더욱 바람직하게는 90질량％ 이상, 특히 바람직하게는 95질량％ 이상이다. 이에 의해, 전자 부품으로부터 점착성 필름을 박리할 때의 전자 부품측의 접착제 잔여물을 보다 한층 억제할 수 있다.
점착성 수지층(A)의 두께는 특별히 제한되지 않지만, 예를 들어 1㎛ 이상 100㎛ 이하인 것이 바람직하고, 3㎛ 이상 50㎛ 이하인 것이 보다 바람직하다.
점착성 수지층(A)은, 예를 들어 기재층(10) 상이나 요철 흡수성 수지층(C) 상에 점착제를 도포함으로써 형성할 수 있다. 점착제는 용제에 용해하여 도포액으로서 도포해도 되고, 수계 에멀션으로서 도포해도 되고, 액상의 점착제를 바로 도포해도 된다.
그 중에서도 수계 에멀션 도포액이 바람직하다. 수계 에멀션 도포액으로서는, 예를 들어 (메트)아크릴계 점착성 수지(a), 실리콘계 점착성 수지, 우레탄계 점착성 수지, 올레핀계 점착성 수지, 스티렌계 점착성 수지 등을 물에 분산시킨 도포액을 들 수 있다.
유기 용제에 용해한 점착제 도포액을 사용해도 된다. 유기 용제는 특별히 한정되지 않고, 용해성이나 건조 시간을 감안하여 공지 중에서 적절히 선택하면 된다. 유기 용제로서는, 아세트산에틸, 아세트산메틸 등의 에스테르계; 아세톤, MEK 등의 케톤계; 벤젠, 톨루엔, 에틸벤젠 등의 방향족계; 헵탄, 헥산, 시클로헥산 등의 직쇄 내지 환상 지방족계; 이소프로판올, 부탄올 등의 알코올계를 예시할 수 있다. 유기 용제로서 아세트산에틸, 톨루엔이 바람직하다. 이들의 용제는, 1종 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 혼합하여 사용해도 된다.
점착제 도포액을 도포하는 방법으로서는, 종래 공지된 도포 방법, 예를 들어 롤 코터법, 리버스 롤 코터법, 그라비아 롤법, 바 코팅법, 콤마 코터법, 다이 코터법 등을 채용할 수 있다. 도포된 점착제의 건조 조건에는 특별히 제한은 없지만, 일반적으로는, 80 내지 200℃의 온도 범위에 있어서, 10초 내지 10분간 건조시키는 것이 바람직하다. 더욱 바람직하게는, 80 내지 170℃에서, 15초 내지 5분간 건조시킨다. 가교제와 점착제의 가교 반응을 충분히 촉진시키기 위해서, 점착제 도포액의 건조가 종료한 후, 40 내지 80℃에서 5 내지 300시간 정도 가열해도 된다.
또한, 기재층(10)과 점착성 수지층(A)이나 요철 흡수성 수지층(C)과는 공압출 성형에 의해 형성해도 되고, 필름상의 기재층(10)과 필름상의 점착성 수지층(A)을 라미네이트(적층)하여 형성해도 된다.
<점착성 수지층(B)>
본 실시 형태에 따른 점착성 필름(50)은, 기재층(10)의 제1 면(10A)과는 반대측의 제2 면(10B)측에 점착성 수지층(B)을 구비한다.
점착성 수지층(B)은, 외부 자극에 의해 점착력이 저하되는 층인 것이 바람직하다. 이에 의해, 외부 자극을 부여함으로써 지지 기판으로부터 점착성 필름(50)을 용이하게 박리할 수 있다.
여기서, 외부 자극에 의해 점착력이 저하되는 점착성 수지층(B)로서는, 예를 들어 가열에 의해 점착력이 저하되는 가열 박리형의 점착성 수지층이나, 방사선 등의 광에 의해 점착력이 저하되는 광 박리형의 점착성 수지층 등을 들 수 있다. 이들 중에서도 가열에 의해 점착력이 저하되는 가열 박리형의 점착성 수지층이 바람직하다.
가열 박리형의 점착성 수지층으로서는, 예를 들어 기체 발생 성분을 포함하는 가열 팽창형 점착제, 팽창하여 점착력을 저감할 수 있는 열팽창성의 미소구를 포함하는 가열 팽창형 점착제, 열에 의해 접착제 성분이 가교 반응함으로써 점착력이 저하되는 가열 팽창형 점착제 등에 의해 구성된 점착성 수지층을 들 수 있다.
본 실시 형태에 있어서, 점착성 수지층(B)에 사용되는 가열 팽창형 점착제는, 예를 들어 150℃를 초과하는 온도에서 가열함으로써 점착력이 저하 또는 상실되는 점착제이다. 예를 들어, 150℃ 이하에서는 박리하지 않고, 150℃를 초과하는 온도에서 박리하는 재료를 선택할 수 있고, 전자 장치의 제조 공정 중에 점착성 필름(50)이 지지 기판으로부터 박리하지 않는 정도의 점착력을 갖고 있는 것이 바람직하다.
여기서, 150℃를 초과하는 온도에서 가열함으로써 점착력이 저하 또는 상실되는 것은, 예를 들어 점착성 수지층 (B)측을 스테인리스판에 첩부하여, 140℃에서 1시간의 가열 처리를 행하고, 이어서 150℃를 초과하는 온도에서 2분간 가열한 후에 측정되는, 스테인리스판으로부터의 박리 강도에 의해 평가할 수 있다. 150℃를 초과하는 온도에서 가열할 때의 구체적인 가열 온도는, 기체가 발생하는 온도나 열팽창성의 미소구가 열팽창하는 온도보다도 높은 온도로 설정되고, 발생하는 기체나 열팽창성의 미소구의 종류에 의해 적절히 설정된다. 본 실시 형태에 있어서, 점착력이 상실된다는 것은, 예를 들어 23℃, 인장 속도 300mm/분의 조건에서 측정되는 180° 박리 강도가 0.5N/25mm 미만이 되는 경우를 말한다.
가열 팽창형 점착제에 사용되는 기체 발생 성분으로서는, 예를 들어 아조 화합물, 아지드 화합물, 멜드럼산 유도체 등을 사용할 수 있다. 또한, 탄산암모늄, 탄산수소암모늄, 탄산수소나트륨, 아질산암모늄, 수산화붕소나트륨, 각종 아지드류 등의 무기계 발포제나, 물; 트리클로로모노플루오로메탄, 디클로로모노플루오로메탄 등의 염불화 알칸계 화합물; 아조비스이소부티로니트릴, 아조디카르본아미드, 바륨아조디카르복실레이트 등의 아조계 화합물; 파라톨루엔술포닐히드라지드, 디페닐술폰-3,3'-디술포닐히드라지드, 4,4'-옥시비스(벤젠술포닐히드라지드), 알릴비스(술포닐히드라지드) 등의 히드라진계 화합물; p-톨루일렌술포닐세미카르바지드, 4,4'-옥시비스(벤젠술포닐세미카르바지드) 등의 세미카르바지드계 화합물; 5-모르폴릴-1,2,3,4-티아트리아졸 등의 트리아졸계 화합물; N,N'-디니트로소펜타메틸렌테트라민, N,N'-디메틸-N,N'-디니트로소테레프탈아미드 등의 N-니트로소계 화합물 등의 유기계 발포제 등도 사용할 수 있다. 기체 발생 성분은 점착성 수지(B1)에 첨가되어 있어도 되고, 점착성 수지(B1)에 직접 결합되어 있어도 된다.
가열 팽창형 점착제에 사용되는 열팽창성의 미소구로서는, 예를 들어 마이크로 캡슐화되어 있는 발포제를 사용할 수 있다. 이러한 열팽창성의 미소구로서는, 예를 들어 이소부탄, 프로판, 펜탄 등의 가열에 의해 용이하게 가스화하여 팽창하는 물질을, 탄성을 갖는 껍데기 내에 내포시킨 미소구 등을 들 수 있다. 상기 껍데기를 구성하는 재료로서, 예를 들어, 염화비닐리덴-아크릴로니트릴 공중합체, 폴리비닐알코올, 폴리비닐부티랄, 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리아크릴로니트릴, 폴리염화비닐리덴, 폴리술폰 등을 들 수 있다. 열팽창성의 미소구는, 예를 들어 코아세르베이션법이나, 계면 중합법 등에 의해 제조할 수 있다.
열팽창성의 미소구는 점착성 수지에 첨가할 수 있다.
기체 발생 성분 및 열팽창성의 미소구로부터 선택되는 적어도 1종의 함유량은, 가열 박리형의 점착성 수지층(B)의 팽창 배율이나 점착력의 저하성 등에 따라서 적절히 설정할 수 있고, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 가열 박리형의 점착성 수지층(B) 중의 점착성 수지(B1) 100질량부에 대하여, 예를 들어 1질량부 이상 150질량부 이하, 바람직하게는 10질량부 이상 130질량부 이하, 더욱 바람직하게는 12질량부 이상 100질량부 이하이다.
기체가 발생하는 온도나 열팽창성의 미소구가 열팽창하는 온도가, 150℃를 초과하는 온도가 되도록 설계하는 것이 바람직하다.
가열 팽창형 점착제를 구성하는 점착성 수지(B1)로서는, 예를 들어 (메트)아크릴계 수지(b), 우레탄계 수지, 실리콘계 수지, 폴리올레핀계 수지, 폴리에스테르계 수지, 폴리아미드계 수지, 불소계 수지, 스티렌-디엔 블록 공중합체계 수지 등을 들 수 있다. 이들 중에서도 (메트)아크릴계 수지(b)가 바람직하다.
점착성 수지층(B)에 사용되는 (메트)아크릴계 점착성 수지(b)로서는, 예를 들어 (메트)아크릴산알킬에스테르 모노머 단위(b1) 및 가교제와 반응할 수 있는 관능기를 갖는 모노머 단위(b2)를 포함하는 공중합체를 들 수 있다.
본 실시 형태에 있어서, (메트)아크릴산알킬에스테르란, 아크릴산알킬에스테르, 메타크릴산알킬에스테르 또는 이들의 혼합물을 의미한다.
본 실시 형태에 따른 (메트)아크릴계 점착성 수지(b)는, 예를 들어 (메트)아크릴산알킬에스테르 모노머(b1) 및 가교제와 반응할 수 있는 관능기를 갖는 모노머(b2)를 포함하는 모노머 혼합물을 공중합함으로써 얻을 수 있다.
(메트)아크릴산알킬에스테르 모노머 단위(b1)를 형성하는 모노머(b1)로서는, 탄소수 1 내지 12 정도의 알킬기를 갖는 (메트)아크릴산알킬에스테르를 들 수 있다. 바람직하게는 탄소수 1 내지 8의 알킬기를 갖는 (메트)아크릴산알킬에스테르이다. 구체적으로는, 아크릴산메틸, 메타크릴산메틸, 아크릴산에틸, 메타크릴산에틸, 아크릴산부틸, 메타크릴산부틸, 아크릴산-2-에틸헥실, 메타크릴산-2-에틸헥실 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 사용해도 된다.
본 실시 형태에 따른 (메트)아크릴계 점착성 수지(b)에 있어서, (메트)아크릴산알킬에스테르 모노머 단위(b1)의 함유량은, (메트)아크릴계 점착성 수지(b) 중의 전체 모노머 단위의 합계를 100질량％로 했을 때, 10질량％ 이상 98.9질량％ 이하인 것이 바람직하고, 50질량％ 이상 97질량％ 이하인 것이 보다 바람직하고, 85질량％ 이상 95질량％ 이하인 것이 더욱 바람직하다.
가교제와 반응할 수 있는 관능기를 갖는 모노머(b2)를 형성하는 모노머(b2)로서는, 아크릴산, 메타크릴산, 이타콘산, 메사콘산, 시트라콘산, 푸마르산, 말레산, 이타콘산모노알킬에스테르, 메사콘산모노알킬에스테르, 시트라콘산모노알킬에스테르, 푸마르산모노알킬에스테르, 말레산모노알킬에스테르, 아크릴산글리시딜, 메타크릴산글리시딜, 아크릴산-2-히드록시에틸, 메타크릴산-2-히드록시에틸, 아크릴아미드, 메타크릴아미드, tert-부틸아미노에틸아크릴레이트, tert-부틸아미노에틸메타크릴레이트 등을 들 수 있다. 바람직하게는, 아크릴산, 메타크릴산, 아크릴산-2-히드록시에틸, 메타크릴산-2-히드록시에틸, 아크릴아미드, 메타크릴아미드 등이다. 이들은 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 사용해도 된다.
본 실시 형태에 따른 (메트)아크릴계 점착성 수지(b)에 있어서, 모노머 단위(b2)의 함유량은, (메트)아크릴계 점착성 수지(b) 중의 전체 모노머 단위의 합계를 100질량％로 했을 때, 1질량％ 이상 40질량％ 이하인 것이 바람직하고, 1질량％ 이상 20질량％ 이하인 것이 보다 바람직하고, 1질량％ 이상 10질량％ 이하인 것이 더욱 바람직하다.
본 실시 형태에 따른 (메트)아크릴계 점착성 수지(b)는, 모노머 단위(b1), 모노머 단위(b2) 이외에, 2 관능성 모노머 단위(b3)나 계면 활성제로서의 성질을 갖는 특정한 코모노머(이하, 중합성 계면 활성제라고 칭함) 단위를 더 포함해도 된다.
중합성 계면 활성제는, 모노머(b1), 모노머(b2) 및 모노머(b3)와 공중합하는 성질을 가짐과 함께, 유화 중합하는 경우에는 유화제로서의 작용을 갖는다.
2 관능성 모노머 단위(b3)를 형성하는 모노머(b3)로서는, 메타크릴산알릴, 아크릴산알릴, 디비닐벤젠, 메타크릴산비닐, 아크릴산비닐, 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사(메트)아크릴레이트, 테트라에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트나, 예를 들어 양쪽 말단이 디아크릴레이트 또는 디메타크릴레이트로 주쇄의 구조가 프로필렌글리콜형(예를 들어, 니혼 유시(주)제; 상품명: PDP-200, 동 PDP-400, 동 ADP-200, 동 ADP-400), 테트라메틸렌글리콜형(예를 들어, 니혼 유시(주)제; 상품명: ADT-250, 동 ADT-850) 및 이들의 혼합형(예를 들어, 니혼 유시(주)제; 상품명: ADET-1800, 동 ADPT-4000)인 것 등을 들 수 있다.
본 실시 형태에 따른 (메트)아크릴계 점착성 수지(b)에 있어서, 모노머 단위(b3)의 함유량은, (메트)아크릴계 점착성 수지(b) 중의 전체 모노머 단위의 합계를 100질량％로 했을 때, 0.1질량％ 이상 30질량％ 이하인 것이 바람직하고, 0.1질량％ 이상 20질량％ 이하인 것이 보다 바람직하고, 0.1질량％ 이상 15질량％ 이하인 것이 더욱 바람직하고, 0.1질량％ 이상 5질량％ 이하인 것이 특히 바람직하다.
중합성 계면 활성제의 예로서는, 예를 들어 폴리옥시에틸렌노닐페닐에테르의 벤젠환에 중합성의 1-프로페닐기를 도입한 것(다이이찌 고교 세야꾸(주)제; 상품명: 아쿠알론 RN-10, 동 RN-20, 동 RN-30, 동 RN-50 등), 폴리옥시에틸렌노닐페닐에테르의 황산에스테르의 암모늄염 벤젠환에 중합성의 1-프로페닐기를 도입한 것(다이이찌 고교 세야꾸(주)제; 상품명: 아쿠알론 HS-10, 동 HS-20, 동 HS-1025 등) 및 분자 내에 중합성 이중 결합을 갖는, 술포숙신산디에스테르계(가오(주)제; 상품명: 라테물 S-120A, 동 S-180A 등) 등을 들 수 있다.
본 실시 형태에 따른 (메트)아크릴계 점착성 수지(b)에 있어서, 중합성 계면 활성제의 함유량은, (메트)아크릴계 점착성 수지(b) 중의 전체 모노머 단위의 합계를 100질량％로 했을 때, 0.1질량％ 이상 30질량％ 이하인 것이 바람직하고, 0.1질량％ 이상 20질량％ 이하인 것이 보다 바람직하고, 0.1질량％ 이상 15질량％ 이하인 것이 더욱 바람직하고, 0.1질량％ 이상 5질량％ 이하인 것이 특히 바람직하다.
본 실시 형태에 따른 (메트)아크릴계 점착성 수지(b)는, 또한 필요에 따라, 아세트산비닐, 아크릴로니트릴, 스티렌 등의 중합성 이중 결합을 갖는 모노머에 의해 형성된 모노머 단위를 더 함유해도 된다.
본 실시 형태에 따른 (메트)아크릴계 점착성 수지(b)의 중합 반응 기구로서는, 라디칼 중합, 음이온 중합, 양이온 중합 등을 들 수 있다. (메트)아크릴계 점착성 수지(b)의 제조 비용, 모노머의 관능기 영향 및 전자 부품 표면에 대한 이온의 영향 등을 고려하면 라디칼 중합에 의해 중합하는 것이 바람직하다.
라디칼 중합 반응에 의해 중합할 때, 라디칼 중합 개시제로서, 벤조일퍼옥시드, 디-t-부틸퍼옥시드, 디쿠밀퍼옥시드, 3,3,5-트리메틸헥사노일퍼옥시드, 디-2-에틸헥실퍼옥시디카르보네이트, 메틸에틸케톤퍼옥시드, t-부틸퍼옥시프탈레이트, t-부틸퍼옥시벤조에이트, 디-t-부틸퍼옥시아세테이트, t-부틸퍼옥시이소부티레이트, t-부틸퍼옥시-2-헥사노에이트, t-부틸퍼옥시-2-에틸헥사노에이트, t-부틸퍼옥시-3,5,5-트리메틸헥사노에이트, 아세틸퍼옥시드, 이소부티릴퍼옥시드, 옥타노일퍼옥시드, t-부틸퍼옥시드, 디-t-아밀퍼옥시드 등의 유기 과산화물; 과황산암모늄, 과황산칼륨, 과황산나트륨 등의 무기 과산화물; 2,2'-아조비스이소부티로니트릴, 2,2'-아조비스-2-메틸부티로니트릴, 4,4'-아조비스-4-시아노발레릭애시드 등의 아조 화합물을 들 수 있다.
유화 중합법에 의해 중합하는 경우에는, 이들 라디칼 중합 개시제 중에서, 수용성의 과황산암모늄, 과황산칼륨, 과황산나트륨 등의 무기 과산화물, 동일하게 수용성의 4,4'-아조비스-4-시아노발레릭애시드 등의 분자 내에 카르복실기를 가진 아조 화합물이 바람직하다. 전자 부품 표면에 대한 이온의 영향을 고려하면, 과황산암모늄, 4,4'-아조비스-4-시아노발레릭애시드 등의 분자 내에 카르복실기를 갖는 아조 화합물이 더욱 바람직하고, 4,4'-아조비스-4-시아노발레릭애시드 등의 분자 내에 카르복실기를 갖는 아조 화합물이 특히 바람직하다.
본 실시 형태에 따른 점착성 수지층(B)은, 점착성 수지(B1)에 추가하여, 가교성의 관능기를 1 분자 중에 2개 이상 갖는 가교제(B2)를 더 포함하는 것이 바람직하다.
가교성의 관능기를 1 분자 중에 2개 이상 갖는 가교제(B2)는, 점착성 수지(B1)가 갖는 관능기와 반응시켜, 점착력 및 응집력을 조정하기 위하여 사용한다.
이러한 가교제(B2)로서는, 소르비톨폴리글리시딜에테르, 폴리글리세롤폴리글리시딜에테르, 펜타에리트리톨폴리글리시딜에테르, 디글리세롤폴리글리시딜에테르, 글리세롤폴리글리시딜에테르, 네오펜틸글리콜디글리시딜에테르, 레소르신디글리시딜에테르 등의 에폭시계 화합물; 테트라메틸렌디이소시아네이트, 헥사메틸렌디이소시아네이트, 트리메틸올프로판의 톨루엔디이소시아네이트 3 부가물, 폴리이소시아네이트, 디페닐메탄디이소시아네이트, 톨릴렌디이소시아네이트 등의 이소시아네이트계 화합물; 트리메틸올프로판-트리-β-아지리디닐프로피오네이트, 테트라메틸올메탄-트리-β-아지리디닐프로피오네이트, N,N'-디페닐메탄-4,4'-비스(1-아지리딘카르복시아미드), N,N'-헥사메틸렌-1,6-비스(1-아지리딘카르복시아미드), N,N'-톨루엔-2,4-비스(1-아지리딘카르복시아미드), 트리메틸올프로판-트리-β-(2-메틸아지리딘)프로피오네이트 등의 아지리딘계 화합물; N,N,N',N'-테트라글리시딜-m-크실렌디아민, 1,3-비스(N,N'-디글리시딜아미노메틸)시클로헥산 등의 4 관능성 에폭시계 화합물; 헥사메톡시메틸올멜라민 등의 멜라민계 화합물 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다.
이들 중에서도, 에폭시계 화합물, 이소시아네이트계 화합물 및 아지리딘계 화합물로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상을 포함하는 것이 바람직하다.
가교제(B2)의 함유량은, 통상 가교제(B2) 중의 관능기 수가 점착성 수지(B1) 중의 관능기 수보다도 많아지지 않는 정도의 범위가 바람직하다. 그러나, 가교 반응으로 새롭게 관능기가 발생하는 경우나, 가교 반응이 느린 경우 등, 필요에 따라서 과잉으로 함유해도 된다.
점착성 수지층(B) 중의 가교제(B2)의 함유량은, 점착성 수지(B1) 100질량부에 대하여, 0.1질량부 이상 10질량부 이하인 것이 바람직하고, 0.5질량부 이상 5질량부 이하인 것이 보다 바람직하다.
본 실시 형태에 따른 점착성 수지층(B)은, 지지 기판에 대한 밀착성을 향상시키는 관점에서, 점착성 수지(B1)에 추가하여, 점착 부여 수지를 포함하는 것이 바람직하다. 점착성 수지층(B)에 점착 부여 수지를 함유시키는 것이, 상온 부근에 있어서의 지지 기판과의 밀착성의 조정이 용이하게 되기 때문에 바람직하다. 점착 부여 수지로서는, 그 연화점이 100℃ 이상인 것이 바람직하다. 점착 부여 수지의 구체예로서는, 에스테르화 등의 처리를 한 로진계 유도체 등의 로진계 수지; α-피넨계, β-피넨계, 디펜텐계, 테르펜페놀계 등의 테르펜계 수지; 검계, 우드계, 톨유계 등의 천연계 로진; 이들의 천연계 로진에 수소화, 불균화, 중합, 말레인화, 석유 수지; 쿠마론-인덴 수지 등을 들 수 있다.
이들 중에서도 연화점이 100 내지 160℃의 범위 내인 것이 보다 바람직하고, 120 내지 150℃의 범위인 것이 특히 바람직하다. 연화점이 상기 범위 내인 점착 부여 수지를 사용하면, 지지 기판으로의 오염, 접착제 잔여물이 적을뿐만 아니라, 작업 환경 하에서의 지지 기판과의 밀착성을 더욱 향상시키는 것이 가능하게 된다. 또한, 점착 부여 수지로서 중합 로진 에스테르계의 점착 부여 수지를 사용하면, 지지 기판으로의 오염, 접착제 잔여물이 적을뿐만 아니라, 80 내지 130℃의 환경 하에서의 지지 기판과의 점착성이 향상됨과 함께, 열팽창성의 미소구를 포함하는 가열 팽창형 점착제의 경우에는, 열팽창성 미소구의 팽창 후는 지지 기판으로부터 더 용이하게 박리 가능하게 된다.
점착 부여 수지의 배합 비율은, 점착성 수지층(B)의 탄성률을 원하는 소정의 수치 범위 내로 조정할 수 있도록 적절히 선택하면 되고, 특별히 제한은 없다. 단, 점착성 수지층(B)의 탄성률과 초기 박리력의 면에서, 점착성 수지(B1) 100질량부에 대하여, 1 내지 100질량부로 하는 것이 바람직하다. 점착 부여 수지의 배합 비율이, 점착성 수지(B1) 100질량부에 대하여, 상기 하한값 이상이면, 작업 시의 지지 기판과의 밀착성이 양호해지는 경향이 있다. 한편, 상기 상한값 이하이면, 상온에서의 지지 기판과의 첩부성이 양호해지는 경향이 있다. 지지 기판과의 밀착성 및 상온에서의 첩부성의 면에서, 점착 부여 수지의 배합 비율을, 점착성 수지(B1) 100질량부에 대하여, 2 내지 50질량부로 하는 것이 더욱 바람직하다. 또한, 점착 부여 수지의 산가는, 30 이하인 것이 바람직하다. 점착 부여 수지의 산가가 상기 상한값 이하이면 박리 시에 지지 기판에 접착제 잔여물이 발생하기 어려워지는 경향이 있다.
점착성 수지층(B)은, 그 밖의 성분으로서, 가소제 등의 첨가제를 포함해도 된다. 점착성 수지층(B) 중의 점착성 수지(B1), 가교제(B2) 및 점착 부여 수지의 함유량 합계는 점착성 수지층(B)의 전체를 100질량％로 했을 때, 바람직하게는 50질량％ 이상, 보다 바람직하게는 70질량％ 이상, 더욱 바람직하게는 90질량％ 이상, 특히 바람직하게는 95질량％ 이상이다. 또한 점착성 수지층(B)이 가열 팽창형 점착제에 의해 구성되어 있는 경우에는, 점착성 수지층(B) 중의 점착성 수지(B1), 가교제(B2), 점착 부여 수지, 기체 발생 성분 및 열팽창성의 미소구의 함유량의 합계는, 점착성 수지층(B)의 전체를 100질량％로 했을 때, 바람직하게는 50질량％ 이상, 보다 바람직하게는 70질량％ 이상, 더욱 바람직하게는 90질량％ 이상, 특히 바람직하게는 95질량％ 이상이다.
점착성 수지층(B)의 두께는 특별히 제한되지 않지만, 예를 들어 5㎛ 이상 300㎛ 이하인 것이 바람직하고, 20㎛ 이상 150㎛ 이하인 것이 보다 바람직하다.
점착성 수지층(B)은, 예를 들어 기재층(10) 상에 점착제 도포액을 도포하는 방법이나, 세퍼레이터 상에 형성한 점착성 수지층(B)을 기재(10) 상에 이착하는 방법 등에 의해 형성할 수 있다.
점착제 도포액을 도포하는 방법으로서는, 종래 공지된 도포 방법, 예를 들어 롤 코터법, 리버스 롤 코터법, 그라비아 롤법, 바 코팅법, 콤마 코터법, 다이 코터법 등을 채용할 수 있다. 도포된 점착제의 건조 조건에는 특별히 제한은 없지만, 일반적으로는, 80 내지 200℃의 온도 범위에 있어서, 10초 내지 10분간 건조시키는 것이 바람직하다. 더욱 바람직하게는, 80 내지 170℃에서, 15초 내지 5분간 건조시킨다. 가교제와 점착제와의 가교 반응을 충분히 촉진시키기 위해서, 점착제 도포액의 건조가 종료한 후, 40 내지 80℃에서 5 내지 300시간 정도 가열해도 된다.
또한, 기재층(10)과 점착성 수지층(B)은 공압출 성형에 의해 형성해도 되고, 필름상의 기재층(10)과 필름상의 점착성 수지층(B)을 라미네이트(적층)하여 형성 해도 된다.
<요철 흡수성 수지층(C)>
본 실시 형태에 따른 점착성 필름(50)은, 기재층(10)과 점착성 수지층(A) 사이 또는 기재층(10)과 점착성 수지층(B) 사이에, 외부 자극에 의해 가교 가능한 요철 흡수성 수지층(C)을 갖는다.
요철 흡수성 수지층(C)은, 전자 부품의 요철 구조가 형성된 면에 대한 점착성 필름(50)의 추종성을 양호하게 하고, 전자 부품의 요철 구조와 점착성 필름(50)의 밀착성을 양호하게 하는 것을 목적으로 하여 마련되는 층이다. 또한, 요철 흡수성 수지층(C)은 외부 자극에 의해 가교 경화함으로써, 요철 흡수성 수지층(C)의 탄성률을 높일 수 있다. 이에 의해, 전자 부품의 밀봉 공정에 있어서, 전자 부품이 점착성 필름에 내려앉는 것을 억제할 수 있다.
외부 자극으로서는, 예를 들어 열 또는 광을 들 수 있다.
요철 흡수성 수지층(C)을 구성하는 수지는, 요철 흡수성을 나타내는 것이면 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 열가소성 수지가 바람직하고, 폴리올레핀계 수지, 폴리스티렌계 수지 및 (메트)아크릴계 수지로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 또는 2종 이상이 보다 바람직하다. 또한, ASTM D-2240의 D형 쇼어에 의한 쇼어 D형 경도가, 바람직하게는 50 이하, 보다 바람직하게는 40 이하의 수지가 바람직하다.
열가소성 수지가 아닌 경우에도 상기와 동등한 요철 흡수성을 갖는 것이 바람직하다.
요철 흡수성 수지층(C)은 가교성 수지를 포함하는 것이 바람직하다. 요철 흡수성 수지층(C)이 가교성 수지를 포함함으로써, 외부 자극에 의해 요철 흡수성 수지층(C)을 보다 효과적으로 가교시킬 수 있고, 요철 흡수성 수지층(C)의 탄성률을 보다 한층 향상시키는 것이 가능하게 된다. 이에 의해, 밀봉재에 의해 전자 부품을 밀봉하는 공정에 있어서, 열에 의해 요철 흡수성 수지층이 연화되는 것을 억제할 수 있고, 그 결과, 밀봉재의 압력에 의해 전자 부품이 점착성 필름(50)에 내려앉는 것을 보다 한층 억제할 수 있다.
본 실시 형태에 따른 가교성 수지로서는 요철 흡수성 수지층(C)을 형성할 수 있고, 또한, 외부 자극에 의해 가교하여 탄성률이 향상되는 수지라면 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 에틸렌 및 탄소수 3 내지 20의 α-올레핀을 포함하는 에틸렌·α-올레핀 공중합체, 고밀도 에틸렌계 수지, 저밀도 에틸렌계 수지, 중밀도 에틸렌계 수지, 초저밀도 에틸렌계 수지, 직쇄상 저밀도 폴리에틸렌(LLDPE)계 수지, 프로필렌(공)중합체, 1-부텐(공)중합체, 4-메틸펜텐-1(공)중합체, 에틸렌·환상 올레핀 공중합체, 에틸렌·α-올레핀·환상 올레핀 공중합체, 에틸렌·α-올레핀·비공액 폴리엔 공중합체, 에틸렌·α-올레핀·공액 폴리엔 공중합체, 에틸렌·방향족 비닐 공중합체, 에틸렌·α-올레핀·방향족 비닐 공중합체 등의 올레핀계 수지; 에틸렌·불포화 무수 카르복실산 공중합체, 에틸렌·α-올레핀·불포화 무수 카르복실산 공중합체 등의 에틸렌·무수 카르복실산계 공중합체; 에틸렌·에폭시 함유 불포화 화합물 공중합체, 에틸렌·α-올레핀·에폭시 함유 불포화 화합물 공중합체 등의 에틸렌·에폭시계 공중합체; 에틸렌·(메트)아크릴산에틸 공중합체, 에틸렌·(메트)아크릴산메틸 공중합체, 에틸렌·(메트)아크릴산프로필 공중합체, 에틸렌·(메트)아크릴산부틸 공중합체, 에틸렌·(메트)아크릴산헥실 공중합체, 에틸렌·(메트)아크릴산-2-히드록시에틸 공중합체, 에틸렌·(메트)아크릴산-2-히드록시프로필 공중합체, 에틸렌·(메트)아크릴산글리시딜 공중합체 등의 에틸렌·(메트)아크릴산에스테르 공중합체; 에틸렌·(메트)아크릴산 공중합체, 에틸렌·말레산 공중합체, 에틸렌·푸마르산 공중합체, 에틸렌·크로톤산 공중합체 등의 에틸렌·에틸렌성 불포화산 공중합체; 에틸렌·아세트산비닐 공중합체, 에틸렌·프로피온산비닐 공중합체, 에틸렌·부티르산비닐 공중합체, 에틸렌·스테아르산비닐 공중합체 등의 에틸렌·비닐에스테르 공중합체; 에틸렌·스티렌 공중합체 등; (메트)아크릴산에스테르(공)중합체 등의 불포화 카르복실산에스테르(공)중합체; 에틸렌·아크릴산 금속염 공중합체, 에틸렌·메타아크릴산 금속염 공중합체 등의 아이오노머 수지; 우레탄계 수지; 실리콘계 수지; 아크릴산계 수지 ; 메타아크릴산계 수지; 환상 올레핀(공)중합체; α- 올레핀·방향족 비닐 화합물·방향족 폴리엔 공중합체; 에틸렌·α-올레핀·방향족 비닐 화합물; 방향족 폴리엔 공중합체; 에틸렌·방향족 비닐 화합물·방향족 폴리엔 공중합체; 스티렌계 수지; 아크릴로니트릴·부타디엔·스티렌 공중합체; 스티렌·공액 디엔 공중합체; 아크릴로니트릴·스티렌 공중합체; 아크릴로니트릴·에틸렌·α-올레핀·비공액 폴리엔·스티렌 공중합체; 아크릴로니트릴·에틸렌·α-올레핀·공액 폴리엔·스티렌 공중합체; 메타아크릴산·스티렌 공중합체; 에틸렌테레프탈레이트 수지; 불소 수지; 폴리에스테르카르보네이트; 폴리염화비닐; 폴리염화비닐리덴; 폴리올레핀계 열가소성 엘라스토머; 폴리스티렌계 열가소성 엘라스토머; 폴리우레탄계 열가소성 엘라스토머; 1,2-폴리부타디엔계 열가소성 엘라스토머; 트랜스 폴리이소프렌계 열가소성 엘라스토머; 염소화 폴리에틸렌계 열가소성 엘라스토머; 액정성 폴리에스테르; 폴리락트산 등으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상을 사용할 수 있다.
이들 중에서도, 유기 과산화물 등의 가교제를 사용한 열 가교나 광 가교가 용이한 점에서, 에틸렌 및 탄소수 3 내지 20의 α-올레핀으로 이루어지는 에틸렌·α-올레핀 공중합체, 저밀도 에틸렌계 수지, 중밀도 에틸렌계 수지, 초저밀도 에틸렌계 수지, 직쇄상 저밀도 폴리에틸렌(LLDPE)계 수지, 에틸렌·환상 올레핀 공중합체, 에틸렌·α-올레핀·환상 올레핀 공중합체, 에틸렌·α-올레핀·비공액 폴리엔 공중합체, 에틸렌·α-올레핀·공액 폴리엔 공중합체, 에틸렌·방향족 비닐 공중합체, 에틸렌·α-올레핀·방향족 비닐 공중합체 등의 올레핀계 수지, 에틸렌·불포화 무수 카르복실산 공중합체, 에틸렌·α-올레핀·불포화 무수 카르복실산 공중합체, 에틸렌·에폭시 함유 불포화 화합물 공중합체, 에틸렌·α-올레핀·에폭시 함유 불포화 화합물 공중합체, 에틸렌·아세트산비닐 공중합체, 에틸렌·아크릴산 공중합체, 에틸렌·메타아크릴산 공중합체 등의 에틸렌·불포화 카르복실산 공중합체, 1,2-폴리부타디엔계 열가소성 엘라스토머로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상을 사용하는 것이 바람직하다.
에틸렌 및 탄소수 3 내지 20의 α-올레핀으로 이루어지는 에틸렌·α-올레핀 공중합체, 저밀도 에틸렌계 수지, 초저밀도 에틸렌계 수지, 직쇄상 저밀도 폴리에틸렌(LLDPE)계 수지, 에틸렌·α-올레핀·비공액 폴리엔 공중합체, 에틸렌·α-올레핀·공액 폴리엔 공중합체, 에틸렌·불포화 무수 카르복실산 공중합체, 에틸렌·α-올레핀·불포화 무수 카르복실산 공중합체, 에틸렌·에폭시 함유 불포화 화합물 공중합체, 에틸렌·α-올레핀·에폭시 함유 불포화 화합물 공중합체, 에틸렌·아세트산비닐 공중합체, 에틸렌·아크릴산 공중합체, 에틸렌·메타아크릴산 공중합체 등의 에틸렌·불포화 카르복실산 공중합체로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상을 사용하는 것이 보다 바람직하다.
에틸렌 및 탄소수 3 내지 20의 α-올레핀으로 이루어지는 에틸렌·α-올레핀 공중합체, 저밀도 에틸렌계 수지, 초저밀도 에틸렌계 수지, 직쇄상 저밀도 폴리에틸렌(LLDPE)계 수지, 에틸렌·α-올레핀·비공액 폴리엔 공중합체, 에틸렌·α-올레핀·공액 폴리엔 공중합체, 에틸렌·아세트산비닐 공중합체, 에틸렌·아크릴산 공중합체, 에틸렌·메타아크릴산 공중합체 등의 에틸렌·불포화 카르복실산 공중합체로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상을 사용하는 것이 더욱 바람직하다.
이들 중에서도, 에틸렌·α-올레핀 공중합체 및 에틸렌·아세트산비닐 공중합체로부터 선택되는 적어도 1종이 특히 바람직하게 사용된다. 또한 본 실시 형태에 있어서는 상술한 수지는, 단독으로 사용해도 되고, 블렌드하여 사용해도 된다.
본 실시 형태에 있어서의 가교성 수지로서 사용되는, 에틸렌 및 탄소수 3 내지 20의 α-올레핀으로 이루어지는 에틸렌·α-올레핀 공중합체의 α-올레핀으로서는, 통상 탄소수 3 내지 20의 α-올레핀을 1종 단독으로 또는 2종류 이상을 조합하여 사용할 수 있다. 그 중에서도 바람직한 것은, 탄소수가 10 이하인 α-올레핀이고, 특히 바람직한 것은 탄소수가 3 내지 8의 α-올레핀이다. 이러한 α-올레핀으로서는, 예를 들어 프로필렌, 1-부텐, 1-펜텐, 1-헥센, 3-메틸-1-부텐, 3,3-디메틸-1-부텐, 4-메틸-1-펜텐, 1-옥텐, 1-데센, 1-도데센 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 입수의 용이함에서 프로필렌, 1-부텐, 1-펜텐, 1-헥센, 4-메틸-1-펜텐 및 1-옥텐이 바람직하다. 또한, 에틸렌·α-올레핀 공중합체는 랜덤 공중합체여도, 블록 공중합체여도 되지만, 유연성의 관점에서 랜덤 공중합체가 바람직하다.
요철 흡수성 수지층(C)으로서는, 예를 들어 일반적인 점착제에, 자외선 경화성 모노머 성분이나 올리고머 성분을 배합한 자외선 경화성 점착제를 사용할 수도 있다.
일반적인 점착제로서는, 예를 들어 (메트)아크릴계 점착제, 고무계 점착제 등을 들 수 있다. 이들 중에서도 (메트)아크릴계 중합체를 베이스 폴리머로 하는 (메트)아크릴계 점착제가 바람직하다.
자외선 경화성 모노머 성분으로서는, 예를 들어 우레탄 올리고머, 우레탄(메트)아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 테트라메틸올메탄테트라(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리스톨테트라(메트)아크릴레이트, 디펜타에리스톨모노히드록시펜타(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사(메트)아크릴레이트, 1,4-부탄디올디(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 또한 자외선 경화성 올리고머 성분으로서는, 예를 들어 우레탄계, 폴리에테르계, 폴리에스테르계, 폴리카르보네이트계, 폴리부타디엔계 등 여러가지 올리고머 등을 들 수 있다.
자외선 경화성 모노머 성분이나 올리고머 성분의 함유량은, 점착제를 구성하는 (메트)아크릴계 중합체 등의 베이스 폴리머 100질량부에 대하여, 예를 들어 5질량부 이상 500질량부 이하, 바람직하게는 40질량부 이상 150질량부 이하이다.
또한, 요철 흡수성 수지층(C)으로서는, 베이스 폴리머로서, 탄소-탄소 이중 결합을 폴리머 측쇄 또는 주쇄 중 혹은 주쇄 말단에 갖는 것을 사용한 자외선 경화성 점착제를 사용할 수 있다.
상기 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 베이스 폴리머는, 탄소-탄소 이중 결합을 갖고, 또한 점착성을 갖는 것을 사용할 수 있다. 이러한 베이스 폴리머로서는, (메트)아크릴계 중합체를 기본 골격으로 하는 것이 바람직하다.
(메트)아크릴계 중합체에 대한 불포화 결합의 도입법은 특별히 제한되지 않지만, 예를 들어 (메트)아크릴계 중합체에 관능기를 갖는 모노머를 공중합한 후, 이 관능기와 반응할 수 있는 관능기 및 불포화 결합을 갖는 화합물을, 불포화 결합의 자외선 경화성을 유지한 채 축합 또는 부가 반응시키는 방법을 들 수 있다.
이들 관능기의 조합의 예로서는, 카르복실산기와 에폭시기, 카르복실산기와 아지리딜기, 히드록실기와 이소시아네이트기 등을 들 수 있다. 이들 관능기의 조합 중에서도, 히드록실기와 이소시아네이트기의 조합이 바람직하다. (메트)아크릴계 중합체가 히드록실기를 갖고, 상기 화합물이 이소시아네이트기를 갖는 경우가 바람직하다. 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 이소시아네이트 화합물로서는, 예를 들어 메타크릴로일이소시아네이트, 2-메타크릴로일옥시에틸이소시아네이트, m-이소프로페닐-α,α-디메틸벤질이소시아네이트 등을 들 수 있다. 또한, (메트)아크릴계 중합체로서는, 히드록시기 함유 모노머나 2-히드록시에틸비닐에테르, 4-히드록시부틸비닐에테르, 디에틸렌글리콜모노비닐에테르의에테르계 화합물 등을 공중합한 것이 사용된다.
상기 자외선 경화성 점착제는, 상기 자외선 경화성의 모노머 성분이나 올리고머 성분을 배합할 수도 있다. 자외선 경화성의 모노머 성분이나 올리고머 성분의 함유량은, 예를 들어 베이스 폴리머 100질량부에 대하여 30질량부 이하가 바람직하고, 10질량부 이하가 보다 바람직하다.
자외선 경화성 점착제는, 광중합 개시제를 포함하는 것이 바람직하다. 광중합 개시제로서는, 예를 들어 4-(2-히드록시에톡시)페닐(2-히드록시-2-프로필)케톤, α-히드록시-α,α'-디메틸아세토페논, 2-메틸-2-히드록시프로피오페논, 1-히드록시시클로헥실페닐케톤 등의 α-케톨계 화합물; 메톡시아세토페논, 2,2-디메톡시-2-페닐아세토페논, 2,2-디에톡시아세토페논, 2-메틸-1-[4-(메틸티오)-페닐]-2-모르폴리노프로판-1 등의 아세토페논계 화합물; 벤조인에틸에테르, 벤조인이소프로필에테르, 아니소인메틸에테르 등의 벤조인에테르계 화합물; 벤질디메틸케탈 등의 케탈계 화합물; 2-나프탈렌술포닐클로라이드 등의 방향족 술포닐클로라이드계 화합물; 1-페논-1,1-프로판디온-2-(o-에톡시카르보닐)옥심 등의 광활성 옥심계 화합물; 벤조페논, 벤조일벤조산, 3,3'-디메틸-4-메톡시벤조페논 등의 벤조페논계 화합물; 티오크산톤, 2-클로로티오크산톤, 2-메틸티오크산톤, 2,4-디메틸티오크산톤, 이소프로필티오크산톤, 2,4-디클로로티오크산톤, 2,4-디에틸티오크산톤, 2,4-디이소프로필티오크산톤 등의 티오크산톤계 화합물; 캄포퀴논; 할로겐화케톤; 아실포스핀옥시드; 아실포스포네이트 등을 들 수 있다.
광중합 개시제의 배합량은, 점착제를 구성하는 (메트)아크릴계 중합체 등의 베이스 폴리머 100질량부에 대하여, 0.1질량부 이상이 바람직하고, 0.5질량부 이상이 보다 바람직하고, 점착제의 보존성을 향상시키는 점에서, 15질량부 이하가 바람직하고, 5질량부 이하가 보다 바람직하다.
본 실시 형태에 따른 점착성 필름(50)에 있어서, 가교 전의 요철 흡수성 수지층(C)의 저장 탄성률 E'을 예시하면, 100℃에서 가교 반응이 일어나지 않는 경우에는, 100℃에서의 저장 탄성률 E'의 하한은, 전자 부품의 밀봉 공정에서의 전자 부품의 점착성 필름에 대한 내려앉음을 보다 한층 억제할 수 있는 점에서, 1.0×103Pa 이상이 바람직하고, 1.0×104Pa 이상이 보다 바람직하다. 마찬가지로, 100℃에서의 저장 탄성률 E'의 상한은, 밀봉 공정에서의 전자 부품의 위치 어긋남을 보다 한층 억제할 수 있는 점에서, 2.0×105Pa 이하가 바람직하고, 1.0×105Pa 이하가 보다 바람직하다.
가교 전의 요철 흡수성 수지층(C)의 저장 탄성률 E'은, 예를 들어 요철 흡수성 수지층(C)을 구성하는 각 성분의 종류나 배합 비율을 제어함으로써 상기 범위 내로 제어할 수 있다.
본 실시 형태에 따른 점착성 필름(50)에 있어서, 요철 흡수성 수지층(C)을 가교하여 얻어지는 요철 흡수성 수지층(C')의 125℃에서의 저장 탄성률 E'의 하한은, 전자 부품의 밀봉 공정에서의 전자 부품의 점착성 필름에 대한 내려앉음을 보다 한층 억제할 수 있는 점에서, 1.0×106Pa 이상이 바람직하고, 5.0×106Pa 이상이 보다 바람직하다.
또한, 본 실시 형태에 따른 점착성 필름(50)에 있어서, 요철 흡수성 수지층(C')의 125℃에서의 저장 탄성률 E'의 상한은, 밀봉 공정에서의 전자 부품의 위치 어긋남을 보다 한층 억제할 수 있는 점에서, 1.0×109Pa 이하가 바람직하고, 5.0×108Pa 이하가 보다 바람직하다.
요철 흡수성 수지층(C')의 125℃에서의 저장 탄성률 E'은, 예를 들어 요철 흡수성 수지층(C)을 구성하는 각 성분의 종류나 배합 비율을 제어함으로써 상기 범위 내로 제어할 수 있다.
요철 흡수성 수지층(C)의 두께는, 전자 부품의 요철 구조를 매립할 수 있는 두께라면, 특별히 제한되지 않지만, 예를 들어 10㎛ 이상 1000㎛ 이하인 것이 바람직하고, 20㎛ 이상 900㎛ 이하인 것이 보다 바람직하고, 30㎛ 이상 800㎛ 이하인 것이 더욱 바람직하고, 50㎛ 이상 700㎛ 이하인 것이 특히 바람직하다.
여기서, 전자 부품의 요철 구조가 범프 전극을 포함하는 경우에는, 범프 전극의 높이를 H[㎛]로 하고, 요철 흡수성 수지층(C)의 두께를 d[㎛]로 했을 때, H/d가 1 이하인 것이 바람직하고, 0.85 이하인 것이 보다 바람직하고, 0.7 이하인 것이 더욱 바람직하다. H/d가 상기 상한값 이하이면, 점착성 필름(50)의 두께를 보다 얇게 하면서, 요철 흡수성을 보다 양호하게 할 수 있다.
H/d의 하한은 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 0.01 이상이다. 범프 전극의 높이는, 일반적으로 2㎛ 이상 600㎛ 이하이다.
<그 밖의 층>
본 실시 형태에 따른 점착성 필름(50)은, 본 실시 형태의 효과를 손상시키지 않는 범위에서, 각 층의 사이에, 예를 들어 접착 용이층 등이 더 마련되어 있어도 된다.
이상, 본 발명의 실시 형태에 대하여 설명했지만, 이들은 본 발명의 예시이고, 상기 이외의 다양한 구성을 채용할 수도 있다.
또한, 본 발명은 전술한 실시 형태에 한정되는 것은 아니고, 본 발명의 목적을 달성할 수 있는 범위에서의 변형, 개량 등은 본 발명에 포함되는 것이다.
이 출원은, 2020년 3월 30일에 출원된 일본 출원 일본 특허 출원 제2020-061027호를 기초로 하는 우선권을 주장하고, 그 개시의 모두를 여기에 도입한다.
A: 점착성 수지층
B: 점착성 수지층
C: 요철 흡수성 수지층
C': 요철 흡수성 수지층
10: 기재층
10A: 제1 면
10B: 제2 면
50: 점착성 필름
50A: 점착성 필름
60: 밀봉재
60A: 밀봉재
70: 전자 부품
70A: 전자 부품
75: 요철 구조
75A: 요철 구조
80: 지지 기판
80A: 지지 기판
90: 스탠드 오프
100: 구조체
200: 전자 장치
300: 전자 장치
310: 배선층
320: 범프
400: 전자 장치

Claims (15)

  1. 기재층과, 상기 기재층의 제1 면측에 마련되고, 또한, 전자 부품을 임시 고정하기 위한 점착성 수지층(A)과, 상기 기재층의 제2 면측에 마련된 점착성 수지층(B)과, 상기 기재층과 상기 점착성 수지층(A) 사이 또는 상기 기재층과 상기 점착성 수지층(B) 사이에 마련되고, 또한, 외부 자극에 의해 가교 가능한 요철 흡수성 수지층(C)을 구비하는 점착성 필름과,
    상기 점착성 필름의 상기 점착성 수지층(A)에 첩부되고, 또한, 요철 구조를 갖는 전자 부품을, 구비하는 구조체를 준비하는 준비 공정과,
    상기 구조체 중의 상기 요철 흡수성 수지층(C)에 대하여 외부 자극을 부여함으로써, 상기 요철 흡수성 수지층(C)을 가교하는 가교 공정과,
    밀봉재에 의해 상기 전자 부품을 밀봉하는 밀봉 공정
    을 적어도 구비하는 전자 장치의 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 점착성 수지층(B)이 외부 자극에 의해 점착력이 저하되는 층인 전자 장치의 제조 방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 외부 자극이 열 또는 광인 전자 장치의 제조 방법.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 요철 흡수성 수지층(C)이 적어도 상기 기재층과 상기 점착성 수지층(A) 사이에 마련되어 있는 전자 장치의 제조 방법.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 전자 부품의 상기 요철 구조는 범프 전극을 포함하는 전자 장치의 제조 방법.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 범프 전극의 높이를 H[㎛]로 하고, 상기 요철 흡수성 수지층의 두께를 d[㎛]로 했을 때, H/d가 0.01 이상 1 이하인 전자 장치의 제조 방법.
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 요철 흡수성 수지층(C)을 가교하여 얻어지는 요철 흡수성 수지층(C')의 125℃에서의 저장 탄성률 E'이 1.0×106Pa 이상 1.0×109Pa 이하인 전자 장치의 제조 방법.
  8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 요철 흡수성 수지층이 가교성 수지를 포함하는 전자 장치의 제조 방법.
  9. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 요철 흡수성 수지층의 두께가 10㎛ 이상 1000㎛ 이하인 전자 장치의 제조 방법.
  10. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 구조체가 상기 점착성 수지층(B)에 첩부된 지지 기판을 더 구비하는 전자 장치의 제조 방법.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 밀봉 공정 후에, 외부 자극을 부여함으로써 상기 점착성 수지층(B)의 점착력을 저하시켜서 상기 구조체로부터 상기 지지 기판을 박리하는 제1 박리 공정을 더 구비하는 전자 장치의 제조 방법.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 제1 박리 공정 후에, 상기 전자 부품으로부터 상기 점착성 필름을 박리하는 제2 박리 공정을 더 구비하는 전자 장치의 제조 방법.
  13. 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 밀봉재가 에폭시 수지계 밀봉재인 전자 장치의 제조 방법.
  14. 제1항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 점착성 수지층(A)을 구성하는 점착성 수지가 (메트)아크릴계 점착성 수지, 실리콘계 점착성 수지, 우레탄계 점착성 수지, 올레핀계 점착성 수지 및 스티렌계 점착성 수지로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상을 포함하는 전자 장치의 제조 방법.
  15. 기재층과, 상기 기재층의 제1 면측에 마련되고, 또한, 전자 부품을 임시 고정하기 위한 점착성 수지층(A)과, 상기 기재층과 상기 점착성 수지층(A) 사이에 마련되고, 또한, 외부 자극에 의해 가교 가능한 요철 흡수성 수지층(C)을 구비하는 점착성 필름과,
    상기 점착성 필름의 상기 점착성 수지층(A)에 첩부되고, 또한, 요철 구조를 갖는 전자 부품을, 구비하는 구조체를 준비하는 준비 공정과,
    상기 구조체 중의 상기 요철 흡수성 수지층(C)에 대하여 외부 자극을 부여함으로써, 상기 요철 흡수성 수지층(C)을 가교하는 가교 공정과,
    밀봉재에 의해 상기 전자 부품을 밀봉하는 밀봉 공정
    을 적어도 구비하는 전자 장치의 제조 방법.
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