KR20220142919A - Compound, Organic EL Device and Display Device - Google Patents

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KR20220142919A
KR20220142919A KR1020220031389A KR20220031389A KR20220142919A KR 20220142919 A KR20220142919 A KR 20220142919A KR 1020220031389 A KR1020220031389 A KR 1020220031389A KR 20220031389 A KR20220031389 A KR 20220031389A KR 20220142919 A KR20220142919 A KR 20220142919A
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Abstract

According to the present invention, a compound applicable to an electron transport layer or a hole blocking layer of an organic electroluminescent device, the organic electroluminescent device using such a compound, and a display apparatus including the organic electroluminescent device are provided. In particular, when the novel compound represented by chemical formula 1 of the present invention is used as a material for the electron transport layer and/or the hole blocking layer, a full color display panel with greatly improved performance and lifespan can be manufactured.

Description

화합물, 유기 전계 발광 소자 및 표시 장치{Compound, Organic EL Device and Display Device}Compound, Organic EL Device and Display Device

본 발명은 유기 전계 발광 소자용 재료로서 사용될 수 있는 신규한 유기 화합물, 이를 포함하는 유기 전계 발광소자 및 표시 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a novel organic compound that can be used as a material for an organic electroluminescent device, an organic electroluminescent device including the same, and a display device.

최근, 풀 컬러 평판 디스플레이로서 유기 전계 발광 소자를 사용한 디스플레이가 주목받고 있으며, 스마트폰, TV, 자동차, VR(Virtual Reality) 헤드 마운트 장치 등의 표시장치에 사용되고 있다. Recently, as a full-color flat panel display, a display using an organic electroluminescent element is attracting attention, and is used in display devices such as smartphones, TVs, automobiles, and VR (Virtual Reality) head mounted devices.

유기 전계 발광 소자는, 양극 및 음극으로 이루어지는 한 쌍의 전극과, 당해 한 쌍의 전극 사이에 배치되고 유기 화합물을 함유하는 1층 또는 복수의 층으로 이루어진 구조를 갖는다. 유기 화합물을 함유하는 층에는, 발광층이나 정공, 전자 등의 전하를 수송 또는 주입하는 전하 수송/주입층 등이 있는데, 이들 층에 적당한 여러 가지의 유기 재료가 개발되고 있다.An organic electroluminescent element has a structure which consists of a pair of electrodes which consist of an anode and a cathode, and one layer or a plurality of layers disposed between the pair of electrodes and containing an organic compound. The layer containing the organic compound includes a light emitting layer and a charge transport/injection layer that transports or injects charges such as holes and electrons, and various organic materials suitable for these layers have been developed.

유기 전계 발광 소자를 사용한 디스플레이의 응용분야를 더욱 넓히기 위해서, 소자의 소비 전력의 저감(저전압화 및 외부 양자 효율 향상), 장수명화가 요구되고 있다. In order to further broaden the field of application of displays using organic electroluminescent elements, reduction of power consumption of elements (lower voltage and improvement of external quantum efficiency) and longer lifespan are required.

특히, 청색 발광 소자의 저소비 전력화, 장수명화가 요구되고 있으며, 이를 위해 각종 전자 수송/주입층용 재료가 검토되고 있다. In particular, lower power consumption and longer lifespan of blue light emitting devices are required, and for this purpose, various materials for electron transport/injection layers are being studied.

예를 들면, 특허문헌 1에 기재되어 있는 바와 같이, 피리딘 유도체나 비피리딘 유도체를 전자 수송/주입층용 재료로서 사용함으로써, 유기 EL 소자를 저전압으로 구동시키는 것이 가능한 것으로 알려져 있다. For example, as described in Patent Document 1, it is known that an organic EL device can be driven at a low voltage by using a pyridine derivative or a bipyridine derivative as a material for an electron transport/injection layer.

또한, 벤즈이미다졸이나 벤조티아졸 유도체를 전자 수송/주입층용 재료로서 유기 전계 발광 소자에 사용하고자 하는 검토도 이루어지고 있다(특허문헌 2∼4를 참조). Further, studies have been made to use benzimidazole or benzothiazole derivatives as materials for electron transport/injection layers in organic electroluminescent devices (see Patent Documents 2 to 4).

종래의 다른 전자 수송/주입층용 재료로서, 피리미딘 유도체나 트리아진 유도체도 알려져 있다(특허문헌 5).As another conventional material for an electron transport/injection layer, a pyrimidine derivative and a triazine derivative are also known (Patent Document 5).

그러나, 이러한 종래의 전자 수송/주입층 재료의 경우, 발광효율, 구동전압, 및 수명의 측면에서 더욱 개선이 요구되고 있다.However, in the case of such a conventional electron transport/injection layer material, further improvement is required in terms of luminous efficiency, driving voltage, and lifetime.

또한, 종래의 유기 전계 발광 소자에서는, 발광층에서 생성된 엑시톤 및/또는 정공이 전자수송층으로 확산되어 전자수송층과의 계면에서 발광함으로 인해, 발광효율이 감소하고, 수명이 감소하는 문제가 있었다.In addition, in the conventional organic electroluminescent device, excitons and/or holes generated in the light emitting layer diffuse into the electron transport layer and emit light at the interface with the electron transport layer, resulting in reduced luminous efficiency and reduced lifetime.

일본 공개특허 제2003-123983Japanese Patent Laid-Open No. 2003-123983 미국 특허 공개 2003/215667US Patent Publication 2003/215667 국제 공개 2003/060956International Publication 2003/060956 국제 공개 2008/117976International Publication 2008/117976 등록특허공보 제2084906호Registered Patent Publication No. 2084906

본 발명은, 전자에 대한 높은 안정도와 높은 전자 이동도를 가지며, 엑시톤 및/또는 정공이 전자수송층으로 확산되는 것을 억제할 수 있는 화합물, 이러한 화합물을 채용하여 높은 효율, 낮은 구동전압, 장수명을 갖는 유기 전계 발광 소자 및 이를 이용한 표시 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.The present invention provides a compound that has high stability and high electron mobility with respect to electrons, and can suppress the diffusion of excitons and/or holes into the electron transport layer. An object of the present invention is to provide an organic electroluminescent device and a display device using the same.

상기한 목적을 달성하기 위해, 본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 제공한다.In order to achieve the above object, the present invention provides a compound represented by the following formula (1).

[화학식 1][Formula 1]

Figure pat00001
Figure pat00001

상기 화학식 1에 있어서,In Formula 1,

X1 및 X2는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 직접결합, CRaRb, O, S 또는 NRc로 이루어진 군으로부터 선택되며, X1 및 X2 모두가 직접결합인 것은 아니고,X 1 and X 2 are the same or different from each other, and are each independently selected from the group consisting of a direct bond, CR a R b , O, S or NR c , and both X 1 and X 2 are not a direct bond,

R1 내지 R4, Ra 내지 Rc는 서로 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로 수소, 중수소, 트리플루오로메틸기, 니트로기, 할로겐기, 히드록시기, 시아노기, 치환 또는 비치환된 포스핀옥사이드기, 치환 또는 비치환된 C1-C20의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3-C30의 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2-C30의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2-C20의 알키닐기, 치환 또는 비치환된 C1-C20의 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3-C20의 아르알킬기, 치환 또는 비치환된 C3-C30의 아릴기, 치환 또는 비치환된 C3-C30의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C3-C20의 헤테로아르알킬기, 치환 또는 비치환된 C1-C30의 알킬실릴기, 치환 또는 비치환된 C3-C30의 아릴실릴기, 및 치환 또는 비치환된 C3-C30의 헤테로아릴실릴기로 이루어진 군으로부터 선택되고, 서로 인접한 기는 결합하여 치환 또는 비치환된 고리를 형성할 수 있으며,R 1 to R 4 , R a to R c are the same as or different from each other, and each independently hydrogen, deuterium, trifluoromethyl group, nitro group, halogen group, hydroxyl group, cyano group, substituted or unsubstituted phosphine oxide group , substituted or unsubstituted C 1 -C 20 alkyl group, substituted or unsubstituted C 3 -C 30 cycloalkyl group, substituted or unsubstituted C 2 -C 30 alkenyl group, substituted or unsubstituted C 2 - C 20 alkynyl group, substituted or unsubstituted C 1 -C 20 heteroalkyl group, substituted or unsubstituted C 3 -C 20 aralkyl group, substituted or unsubstituted C 3 -C 30 aryl group, substituted or Unsubstituted C 3 -C 30 heteroaryl group, substituted or unsubstituted C 3 -C 20 heteroaralkyl group, substituted or unsubstituted C 1 -C 30 alkylsilyl group, substituted or unsubstituted C 3 -C 30 selected from the group consisting of an arylsilyl group, and a substituted or unsubstituted C 3 -C 30 heteroarylsilyl group, and adjacent groups may combine to form a substituted or unsubstituted ring,

m, n, o 및 p는 0 내지 4의 정수이고,m, n, o and p are integers from 0 to 4,

L1은 직접결합, 치환 또는 비치환된 C3-C30의 아릴렌기, 및 치환 또는 비치환된 C3-C30의 헤테로아릴렌기로 이루어진 군으로부터 선택되며,L 1 is a direct bond, a substituted or unsubstituted C 3 -C 30 arylene group, and a substituted or unsubstituted C 3 -C 30 heteroarylene group is selected from the group consisting of,

A는 하기 [화학식 2]로 표시되고,A is represented by the following [Formula 2],

[화학식 2][Formula 2]

Figure pat00002
Figure pat00002

Y1 내지 Y10은 서로 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로 N 또는 CRd이고, Y1 내지 Y10중 적어도 하나는 N이며,Y 1 To Y 10 Are the same as or different from each other, each independently N or CR d , Y 1 To Y 10 At least one of N,

CRd의 Rd 중 하나가 L1과 결합되고,one of R d of CR d is bonded to L 1 ,

Rd는 수소, 중수소, 트리플루오로메틸기, 니트로기, 할로겐기, 히드록시기, 시아노기, 치환 또는 비치환된 포스핀옥사이드기, 치환 또는 비치환된 C1-C20의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3-C30의 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2-C30의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2-C20의 알키닐기, 치환 또는 비치환된 C1-C20의 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3-C20의 아르알킬기, 치환 또는 비치환된 C3-C30의 아릴기, 치환 또는 비치환된 C3-C30의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C3-C20의 헤테로아르알킬기, 치환 또는 비치환된 C1-C30의 알킬실릴기, 치환 또는 비치환된 C3-C30의 아릴실릴기, 및 치환 또는 비치환된 C3-C30의 헤테로아릴실릴기로 이루어진 군으로부터 선택되며, 서로 인접하는 기는 결합하여 치환 또는 비치환된 고리를 형성할 수 있다.R d is hydrogen, deuterium, trifluoromethyl group, nitro group, halogen group, hydroxyl group, cyano group, substituted or unsubstituted phosphine oxide group, substituted or unsubstituted C 1 -C 20 alkyl group, substituted or unsubstituted a C 3 -C 30 cycloalkyl group, a substituted or unsubstituted C 2 -C 30 alkenyl group, a substituted or unsubstituted C 2 -C 20 alkynyl group, a substituted or unsubstituted C 1 -C 20 hetero Alkyl group, substituted or unsubstituted C 3 -C 20 aralkyl group, substituted or unsubstituted C 3 -C 30 aryl group, substituted or unsubstituted C 3 -C 30 heteroaryl group, substituted or unsubstituted C 3 -C 20 heteroaralkyl group, substituted or unsubstituted C 1 -C 30 alkylsilyl group, substituted or unsubstituted C 3 -C 30 arylsilyl group, and substituted or unsubstituted C 3 -C 30 is selected from the group consisting of a heteroarylsilyl group, and adjacent groups may combine to form a substituted or unsubstituted ring.

또한, 본 발명은, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 유기물층에 포함하는 유기 전계 발광 소자 및 유기 전계 발광 소자를 포함하는 표시 장치를 제공한다.In addition, the present invention provides an organic electroluminescent device including the compound represented by Formula 1 in an organic material layer, and a display device including the organic electroluminescent device.

본 발명의 화학식 1로 표시되는 신규 화합물을 특히, 전자 수송층 및/또는 정공 저지층의 재료로 사용할 경우, 종래 물질에 비해 우수한 발광성능, 낮은 구동전압, 높은 효율 및 장수명을 갖는 유기 전계 발광 소자를 제조할 수 있고, 나아가 성능 및 수명이 크게 향상된 풀 칼라 디스플레이 패널을 제조할 수 있다.In particular, when the novel compound represented by Formula 1 of the present invention is used as a material for an electron transport layer and/or a hole blocking layer, an organic electroluminescent device having superior light emitting performance, low driving voltage, high efficiency and long lifespan compared to conventional materials In addition, it is possible to manufacture a full-color display panel with greatly improved performance and lifespan.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 전계 발광 소자의 모식적 단면도이다.1 is a schematic cross-sectional view of an organic electroluminescent device according to an embodiment of the present invention.

이하, 본 발명의 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명한다. 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In describing the present invention, if it is determined that a detailed description of a related known configuration or function may obscure the gist of the present invention, the detailed description thereof will be omitted.

<본 발명의 화합물에 대한 설명><Description of the compound of the present invention>

본 발명에 따른 화합물은 하기 화학식 1로 표시되는 화합물이다.The compound according to the present invention is a compound represented by the following formula (1).

[화학식 1][Formula 1]

Figure pat00003
Figure pat00003

상기 화학식 1에 있어서,In Formula 1,

X1 및 X2는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 직접결합, CRaRb, O, S 또는 NRc로 이루어진 군으로부터 선택되며, X1 및 X2 모두가 직접결합인 것은 아니고,X 1 and X 2 are the same or different from each other, and are each independently selected from the group consisting of a direct bond, CR a R b , O, S or NR c , and both X 1 and X 2 are not a direct bond,

R1 내지 R4, Ra 내지 Rc는 서로 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로 수소, 중수소, 트리플루오로메틸기, 니트로기, 할로겐기, 히드록시기, 시아노기, 치환 또는 비치환된 포스핀옥사이드기, 치환 또는 비치환된 C1-C20의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3-C30의 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2-C30의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2-C20의 알키닐기, 치환 또는 비치환된 C1-C20의 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3-C20의 아르알킬기, 치환 또는 비치환된 C3-C30의 아릴기, 치환 또는 비치환된 C3-C30의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C3-C20의 헤테로아르알킬기, 치환 또는 비치환된 C1-C30의 알킬실릴기, 치환 또는 비치환된 C3-C30의 아릴실릴기, 및 치환 또는 비치환된 C3-C30의 헤테로아릴실릴기로 이루어진 군으로부터 선택되고, 서로 인접한 기는 결합하여 치환 또는 비치환된 고리를 형성할 수 있으며,R 1 to R 4 , R a to R c are the same as or different from each other, and each independently hydrogen, deuterium, trifluoromethyl group, nitro group, halogen group, hydroxyl group, cyano group, substituted or unsubstituted phosphine oxide group , substituted or unsubstituted C 1 -C 20 alkyl group, substituted or unsubstituted C 3 -C 30 cycloalkyl group, substituted or unsubstituted C 2 -C 30 alkenyl group, substituted or unsubstituted C 2 - C 20 alkynyl group, substituted or unsubstituted C 1 -C 20 heteroalkyl group, substituted or unsubstituted C 3 -C 20 aralkyl group, substituted or unsubstituted C 3 -C 30 aryl group, substituted or Unsubstituted C 3 -C 30 heteroaryl group, substituted or unsubstituted C 3 -C 20 heteroaralkyl group, substituted or unsubstituted C 1 -C 30 alkylsilyl group, substituted or unsubstituted C 3 -C 30 selected from the group consisting of an arylsilyl group, and a substituted or unsubstituted C 3 -C 30 heteroarylsilyl group, and adjacent groups may combine to form a substituted or unsubstituted ring,

m, n, o 및 p는 0 내지 4의 정수이고,m, n, o and p are integers from 0 to 4,

L1은 직접결합, 치환 또는 비치환된 C3-C30의 아릴렌기, 및 치환 또는 비치환된 C3-C30의 헤테로아릴렌기로 이루어진 군으로부터 선택되며,L 1 is a direct bond, a substituted or unsubstituted C 3 -C 30 arylene group, and a substituted or unsubstituted C 3 -C 30 heteroarylene group is selected from the group consisting of,

A는 하기 [화학식 2]로 표시되고,A is represented by the following [Formula 2],

[화학식 2][Formula 2]

Figure pat00004
Figure pat00004

Y1 내지 Y10은 서로 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로 N 또는 CRd이고, Y1 내지 Y10중 적어도 하나는 N이며,Y 1 To Y 10 Are the same as or different from each other, each independently N or CR d , Y 1 To Y 10 At least one of N,

CRd의 Rd 중 하나가 L1과 결합되고,one of R d of CR d is bonded to L 1 ,

Rd는 수소, 중수소, 트리플루오로메틸기, 니트로기, 할로겐기, 히드록시기, 시아노기, 치환 또는 비치환된 포스핀옥사이드기, 치환 또는 비치환된 C1-C20의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3-C30의 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2-C30의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2-C20의 알키닐기, 치환 또는 비치환된 C1-C20의 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3-C20의 아르알킬기, 치환 또는 비치환된 C3-C30의 아릴기, 치환 또는 비치환된 C3-C30의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C3-C20의 헤테로아르알킬기, 치환 또는 비치환된 C1-C30의 알킬실릴기, 치환 또는 비치환된 C3-C30의 아릴실릴기, 및 치환 또는 비치환된 C3-C30의 헤테로아릴실릴기로 이루어진 군으로부터 선택되며, 서로 인접하는 기는 결합하여 치환 또는 비치환된 고리를 형성할 수 있다.R d is hydrogen, deuterium, trifluoromethyl group, nitro group, halogen group, hydroxyl group, cyano group, substituted or unsubstituted phosphine oxide group, substituted or unsubstituted C 1 -C 20 alkyl group, substituted or unsubstituted a C 3 -C 30 cycloalkyl group, a substituted or unsubstituted C 2 -C 30 alkenyl group, a substituted or unsubstituted C 2 -C 20 alkynyl group, a substituted or unsubstituted C 1 -C 20 hetero Alkyl group, substituted or unsubstituted C 3 -C 20 aralkyl group, substituted or unsubstituted C 3 -C 30 aryl group, substituted or unsubstituted C 3 -C 30 heteroaryl group, substituted or unsubstituted C 3 -C 20 heteroaralkyl group, substituted or unsubstituted C 1 -C 30 alkylsilyl group, substituted or unsubstituted C 3 -C 30 arylsilyl group, and substituted or unsubstituted C 3 -C 30 is selected from the group consisting of a heteroarylsilyl group, and adjacent groups may combine to form a substituted or unsubstituted ring.

이하, 본 발명에 있어서의 치환기를 상세하게 설명한다.Hereinafter, the substituent in this invention is demonstrated in detail.

본 명세서에 기재된 화합물에 치환기가 결합되지 않은 위치는 수소이거나 중수소가 결합될 수 있다.A position to which a substituent is not bonded to the compound described herein may be hydrogen or deuterium may be bonded.

본 명세서에 있어서, "치환"이라는 용어는 화합물의 탄소 원자에 결합된 수소원자가 다른 치환기로 바뀌는 것을 의미하며, 치환되는 위치는 수소 원자가 치환되는 위치 즉, 치환기가 치환 가능한 위치라면 한정하지 않으며, 2 이상 치환되는 경우, 2 이상의 치환기는 서로 동일하거나 상이할 수 있다.As used herein, the term "substitution" means that a hydrogen atom bonded to a carbon atom of a compound is changed to another substituent, and the position to be substituted is not limited as long as the position at which the hydrogen atom is substituted, that is, the position where the substituent is substitutable, 2 In the case of more than one substitution, two or more substituents may be the same as or different from each other.

본 명세서에서 "치환 또는 비치환된" 이라는 용어는 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 니트로기; 히드록시기; 시아노기; 카보닐기; 에스테르기; 이미드기; 아미노기; 포스핀옥사이드기; 알콕시기; 아릴옥시기; 알킬티옥시기; 아릴티옥시기; 알킬술폭시기; 아릴술폭시기; 실릴기; 붕소기; 알킬기; 시클로알킬기; 알케닐기; 아릴기; 아랄킬기; 아르알케닐기; 알킬아릴기; 알킬아민기; 아랄킬아민기; 헤테로아릴아민기; 아릴아민기; 아릴포스핀기; 및 헤테로고리기로 이루어진 군에서 선택된 1개 이상의 치환기로 치환 또는 비치환되거나, 상기 예시된 치환기 중 2 이상의 치환기가 연결된 치환 또는 비치환된 것을 의미한다. 예컨대, "2 이상의 치환기가 연결된 치환기"는 비페닐기일 수 있다. 즉, 비페닐기는 아릴기일 수도 있고, 2개의 페닐기가 연결된 치환기로 해석될 수 있다.As used herein, the term "substituted or unsubstituted" refers to deuterium; halogen group; nitrile group; nitro group; hydroxyl group; cyano group; carbonyl group; ester group; imid; amino group; phosphine oxide group; alkoxy group; aryloxy group; alkyl thiooxy group; arylthioxy group; an alkyl sulfoxy group; arylsulfoxy group; silyl group; boron group; an alkyl group; cycloalkyl group; alkenyl group; aryl group; aralkyl group; aralkenyl group; an alkylaryl group; an alkylamine group; an aralkylamine group; heteroarylamine group; arylamine group; an arylphosphine group; and substituted or unsubstituted by one or more substituents selected from the group consisting of a heterocyclic group, or substituted or unsubstituted in which two or more substituents among the exemplified substituents are connected. For example, "a substituent in which two or more substituents are connected" may be a biphenyl group. That is, the biphenyl group may be an aryl group, and may be interpreted as a substituent in which two phenyl groups are connected.

본 명세서에 있어서, 할로겐기의 예로는 불소, 염소, 브롬 또는 요오드가 있다.In the present specification, examples of the halogen group include fluorine, chlorine, bromine or iodine.

본 명세서에서 카보닐기의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 1 내지 40인 것이 바람직하다. 구체적으로 하기와 같은 구조의 화합물이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the number of carbon atoms of the carbonyl group is not particularly limited, but it is preferably from 1 to 40 carbon atoms. Specifically, it may be a compound having the following structure, but is not limited thereto.

Figure pat00005
Figure pat00005

본 명세서에 있어서, 에스테르기는 에스테르기의 산소가 탄소수 1 내지 40의 직쇄, 분지쇄 또는 고리쇄 알킬기 또는 탄소수 6 내지 30의 아릴기로 치환될 수 있다. 구체적으로, 하기 구조식의 화합물이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present specification, in the ester group, the oxygen of the ester group may be substituted with a linear, branched or cyclic alkyl group having 1 to 40 carbon atoms or an aryl group having 6 to 30 carbon atoms. Specifically, it may be a compound of the following structural formula, but is not limited thereto.

Figure pat00006
Figure pat00006

본 명세서에 있어서, 이미드기의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 1 내지 25인 것이 바람직하다. 구체적으로 하기와 같은 구조의 화합물이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the number of carbon atoms of the imide group is not particularly limited, but it is preferably from 1 to 25 carbon atoms. Specifically, it may be a compound having the following structure, but is not limited thereto.

Figure pat00007
Figure pat00007

본 명세서에 있어서, 실릴기는 -SiRaRbRc의 화학식으로 표시될 수 있고, 상기 Ra, Rb 및 Rc는 각각 수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 또는 치환 또는 비치환된 아릴기일 수 있다. 상기 실릴기는 구체적으로 트리메틸실릴기, 트리에틸실릴기, t-부틸디메틸실릴기, 비닐디메틸실릴기, 프로필디메틸실릴기, 트리페닐실릴기, 디페닐실릴기, 페닐실릴기 등이 있으나 이에 한정되지 않는다.In the present specification, the silyl group may be represented by the formula of -SiR a R b R c , wherein R a , R b and R c are each hydrogen; a substituted or unsubstituted alkyl group; Or it may be a substituted or unsubstituted aryl group. The silyl group specifically includes, but is not limited to, a trimethylsilyl group, a triethylsilyl group, a t-butyldimethylsilyl group, a vinyldimethylsilyl group, a propyldimethylsilyl group, a triphenylsilyl group, a diphenylsilyl group, a phenylsilyl group, and the like. does not

본 명세서에 있어서, 붕소기는 -BRaRb의 화학식으로 표시될 수 있고, 상기 Ra 및 Rb는 각각 수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 또는 치환 또는 비치환된 아릴기일 수 있다. 상기 붕소기는 구체적으로 트리메틸붕소기, 트리에틸붕소기, t-부틸디메틸붕소기, 트리페닐붕소기, 페닐붕소기 등이 있으나 이에 한정되지 않는다.In the present specification, the boron group may be represented by the formula of -BR a R b , wherein R a and R b are each hydrogen; a substituted or unsubstituted alkyl group; Or it may be a substituted or unsubstituted aryl group. Specifically, the boron group includes, but is not limited to, a trimethylboron group, a triethylboron group, a t-butyldimethylboron group, a triphenylboron group, a phenylboron group, and the like.

본 명세서에 있어서, 알킬기는 직쇄 또는 분지쇄일 수 있고, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나 1 내지 40인 것이 바람직하다. 일 실시상태에 따르면, 상기 알킬기의 탄소수는 1 내지 20이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 알킬기의 탄소수는 1 내지 10이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 알킬기의 탄소수는 1 내지 6이다. 알킬기의 구체적인 예로는 메틸, 에틸, 프로필, n-프로필, 이소프로필, 부틸, n-부틸, 이소부틸, tert-부틸, sec-부틸, 1-메틸-부틸, 1-에틸-부틸, 펜틸, n-펜틸, 이소펜틸, 네오펜틸, tert-펜틸, 헥실, n-헥실, 1-메틸펜틸, 2-메틸펜틸, 4-메틸-2-펜틸, 3,3-디메틸부틸, 2-에틸부틸, 헵틸, n-헵틸, 1-메틸헥실, 시클로펜틸메틸, 시클로헥실메틸, 옥틸, n-옥틸, tert-옥틸, 1-메틸헵틸, 2-에틸헥실, 2-프로필펜틸, n-노닐, 2,2-디메틸헵틸, 1-에틸-프로필, 1,1-디메틸-프로필, 이소헥실, 4-메틸헥실, 5-메틸헥실 등이 있으나, 이들에 한정되지 않는다.In the present specification, the alkyl group may be linear or branched, and the number of carbon atoms is not particularly limited, but is preferably 1 to 40. According to an exemplary embodiment, the number of carbon atoms in the alkyl group is 1 to 20. According to another exemplary embodiment, the alkyl group has 1 to 10 carbon atoms. According to another exemplary embodiment, the alkyl group has 1 to 6 carbon atoms. Specific examples of the alkyl group include methyl, ethyl, propyl, n-propyl, isopropyl, butyl, n-butyl, isobutyl, tert-butyl, sec-butyl, 1-methyl-butyl, 1-ethyl-butyl, pentyl, n -pentyl, isopentyl, neopentyl, tert-pentyl, hexyl, n-hexyl, 1-methylpentyl, 2-methylpentyl, 4-methyl-2-pentyl, 3,3-dimethylbutyl, 2-ethylbutyl, heptyl , n-heptyl, 1-methylhexyl, cyclopentylmethyl, cyclohexylmethyl, octyl, n-octyl, tert-octyl, 1-methylheptyl, 2-ethylhexyl, 2-propylpentyl, n-nonyl, 2,2 -dimethylheptyl, 1-ethyl-propyl, 1,1-dimethyl-propyl, isohexyl, 4-methylhexyl, 5-methylhexyl, and the like, but is not limited thereto.

본 명세서에 있어서, 상기 알콕시기는 직쇄, 분지쇄 또는 고리쇄일 수 있다. 알콕시기의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 1 내지 40인 것이 바람직하다. 구체적으로, 메톡시, 에톡시, n-프로폭시, 이소프로폭시, i-프로필옥시, n-부톡시, 이소부톡시, tert-부톡시, sec-부톡시, n-펜틸옥시, 네오펜틸옥시, 이소펜틸옥시, n-헥실옥시, 3,3-디메틸부틸옥시, 2-에틸부틸옥시, n-옥틸옥시, n-노닐옥시, n-데실옥시, 벤질옥시, p-메틸벤질옥시 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the alkoxy group may be a straight chain, branched chain or cyclic chain. Although carbon number of an alkoxy group is not specifically limited, It is preferable that it is C1-C40. Specifically, methoxy, ethoxy, n-propoxy, isopropoxy, i-propyloxy, n-butoxy, isobutoxy, tert-butoxy, sec-butoxy, n-pentyloxy, neopentyloxy, Isopentyloxy, n-hexyloxy, 3,3-dimethylbutyloxy, 2-ethylbutyloxy, n-octyloxy, n-nonyloxy, n-decyloxy, benzyloxy, p-methylbenzyloxy, etc. may be, but is not limited thereto.

본 명세서에 기재된 알킬기, 알콕시기 및 그 외 알킬기 부분을 포함하는 치환체는 직쇄 또는 분쇄 형태를 모두 포함한다.The substituents containing an alkyl group, an alkoxy group, and other alkyl group moieties described herein include both straight-chain or pulverized forms.

본 명세서에 있어서, 상기 알케닐기는 직쇄 또는 분지쇄일 수 있고, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 2 내지 40인 것이 바람직하다. 일 실시상태에 따르면, 상기 알케닐기의 탄소수는 2 내지 20이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 알케닐기의 탄소수는 2 내지 10이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 알케닐기의 탄소수는 2 내지 6이다. 구체적인 예로는 비닐, 1-프로페닐, 이소프로페닐, 1-부테닐, 2-부테닐, 3-부테닐, 1-펜테닐, 2-펜테닐, 3-펜테닐, 3-메틸-1-부테닐, 1,3-부타디에닐, 알릴, 1-페닐비닐-1-일, 2-페닐비닐-1-일, 2,2-디페닐비닐-1-일, 2-페닐-2-(나프틸-1-일)비닐-1-일, 2,2-비스(디페닐-1-일)비닐-1-일, 스틸베닐기, 스티레닐기 등이 있으나 이들에 한정되지 않는다.In the present specification, the alkenyl group may be linear or branched, and the number of carbon atoms is not particularly limited, but is preferably 2 to 40. According to an exemplary embodiment, the carbon number of the alkenyl group is 2 to 20. According to another exemplary embodiment, the carbon number of the alkenyl group is 2 to 10. According to another exemplary embodiment, the alkenyl group has 2 to 6 carbon atoms. Specific examples include vinyl, 1-propenyl, isopropenyl, 1-butenyl, 2-butenyl, 3-butenyl, 1-pentenyl, 2-pentenyl, 3-pentenyl, 3-methyl-1- Butenyl, 1,3-butadienyl, allyl, 1-phenylvinyl-1-yl, 2-phenylvinyl-1-yl, 2,2-diphenylvinyl-1-yl, 2-phenyl-2-( Naphthyl-1-yl)vinyl-1-yl, 2,2-bis(diphenyl-1-yl)vinyl-1-yl, stilbenyl group, styrenyl group, and the like, but are not limited thereto.

본 명세서에 있어서, 알키닐기는 탄소수 2 내지 20의 알키닐기이고, 더욱 바람직하게는, 상기 알키닐기는 에티닐기(ethynyl group) 등 삼중결합을 포함하는 불포화 지방족 히드로카빌기이나, 이에 한정되지 않는다. In the present specification, the alkynyl group is an alkynyl group having 2 to 20 carbon atoms, and more preferably, the alkynyl group is an unsaturated aliphatic hydrocarbyl group including a triple bond such as an ethynyl group, but is not limited thereto.

본 명세서에 있어서, 시클로알킬기는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 3 내지 60인 것이 바람직하며, 일 실시상태에 따르면, 상기 시클로알킬기의 탄소수는 3 내지 40이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 시클로알킬기의 탄소수는 3 내지 20이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 시클로알킬기의 탄소수는 3 내지 6이다. 구체적으로 시클로프로필, 시클로부틸, 시클로펜틸, 3-메틸시클로펜틸, 2,3-디메틸시클로펜틸, 시클로헥실, 3-메틸시클로헥실, 4-메틸시클로헥실, 2,3-디메틸시클로헥실, 3,4,5-트리메틸시클로헥실, 4-tert-부틸시클로헥실, 시클로헵틸, 시클로옥틸 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.In the present specification, the cycloalkyl group is not particularly limited, but preferably has 3 to 60 carbon atoms, and according to an exemplary embodiment, the cycloalkyl group has 3 to 40 carbon atoms. According to another exemplary embodiment, the carbon number of the cycloalkyl group is 3 to 20. According to another exemplary embodiment, the cycloalkyl group has 3 to 6 carbon atoms. Specifically, cyclopropyl, cyclobutyl, cyclopentyl, 3-methylcyclopentyl, 2,3-dimethylcyclopentyl, cyclohexyl, 3-methylcyclohexyl, 4-methylcyclohexyl, 2,3-dimethylcyclohexyl, 3, 4,5-trimethylcyclohexyl, 4-tert-butylcyclohexyl, cycloheptyl, cyclooctyl, and the like, but is not limited thereto.

본 명세서에 있어서, 알킬아민기는 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 1 내지 40인 것이 바람직하다. 알킬아민기의 구체적인 예로는 메틸아민기, 디메틸아민기, 에틸아민기, 디에틸아민기, 페닐아민기, 나프틸아민기, 비페닐아민기, 안트라세닐아민기, 9-메틸-안트라세닐아민기, 디페닐아민기, 페닐나프틸아민기, 디톨릴아민기, 페닐톨릴아민기, 트리페닐아민기 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the number of carbon atoms of the alkylamine group is not particularly limited, but is preferably 1 to 40. Specific examples of the alkylamine group include a methylamine group, a dimethylamine group, an ethylamine group, a diethylamine group, a phenylamine group, a naphthylamine group, a biphenylamine group, an anthracenylamine group, and 9-methyl-anthracenylamine. group, diphenylamine group, phenylnaphthylamine group, ditolylamine group, phenyltolylamine group, triphenylamine group, and the like, but is not limited thereto.

본 명세서에 있어서, 아릴아민기의 예로는 치환 또는 비치환된 모노아릴아민기, 치환 또는 비치환된 디아릴아민기, 또는 치환 또는 비치환된 트리아릴아민기가 있다. 상기 아릴아민기 중의 아릴기는 단환식 아릴기일 수 있고, 다환식 아릴기일 수 있다. 상기 2 이상의 아릴기를 포함하는 아릴아민기는 단환식 아릴기, 다환식 아릴기, 또는 단환식아릴기와 다환식 아릴기를 동시에 포함할 수 있다. In the present specification, examples of the arylamine group include a substituted or unsubstituted monoarylamine group, a substituted or unsubstituted diarylamine group, or a substituted or unsubstituted triarylamine group. The aryl group in the arylamine group may be a monocyclic aryl group or a polycyclic aryl group. The arylamine group including two or more aryl groups may include a monocyclic aryl group, a polycyclic aryl group, or a monocyclic aryl group and a polycyclic aryl group at the same time.

아릴 아민기의 구체적인 예로는 페닐아민, 나프틸아민, 비페닐아민, 안트라세닐아민, 3-메틸-페닐아민, 4-메틸-나프틸아민, 2-메틸-비페닐아민, 9-메틸-안트라세닐아민, 디페닐 아민기, 페닐 나프틸 아민기, 디톨릴 아민기, 페닐 톨릴 아민기, 카바졸 및 트리페닐 아민기 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.Specific examples of the aryl amine group include phenylamine, naphthylamine, biphenylamine, anthracenylamine, 3-methyl-phenylamine, 4-methyl-naphthylamine, 2-methyl-biphenylamine, 9-methyl-anthra Cenyl amine, diphenyl amine group, phenyl naphthyl amine group, ditolyl amine group, phenyl tolyl amine group, carbazole and triphenyl amine group, but is not limited thereto.

본 명세서에 있어서, 헤테로아릴아민기의 예로는 치환 또는 비치환된 모노헤테로아릴아민기, 치환 또는 비치환된 디헤테로아릴아민기, 또는 치환 또는 비치환된 트리헤테로아릴아민기가 있다. 상기 헤테로아릴아민기 중의 헤테로아릴기는 단환식 헤테로고리기일 수 있고, 다환식 헤테로고리기일 수 있다. 상기 2 이상의 헤테로고리기를 포함하는 헤테로아릴아민기는 단환식 헤테로고리기, 다환식 헤테로고리기, 또는 단환식 헤테로고리기와 다환식 헤테로고리기를 동시에 포함할 수 있다. In the present specification, examples of the heteroarylamine group include a substituted or unsubstituted monoheteroarylamine group, a substituted or unsubstituted diheteroarylamine group, or a substituted or unsubstituted triheteroarylamine group. The heteroaryl group in the heteroarylamine group may be a monocyclic heterocyclic group or a polycyclic heterocyclic group. The heteroarylamine group including two or more heterocyclic groups may include a monocyclic heterocyclic group, a polycyclic heterocyclic group, or a monocyclic heterocyclic group and a polycyclic heterocyclic group at the same time.

본 명세서에 있어서, 아릴헤테로아릴아민기는 아릴기 및 헤테로고리기로 치환된 아민기를 의미한다.In the present specification, the aryl heteroarylamine group refers to an amine group substituted with an aryl group and a heterocyclic group.

본 명세서에 있어서, 아릴포스핀기의 예로는 치환 또는 비치환된 모노아릴포스핀기, 치환 또는 비치환된 디아릴포스핀기, 또는 치환 또는 비치환된 트리아릴포스핀기가 있다. 상기 아릴포스핀기 중의 아릴기는 단환식 아릴기일 수 있고, 다환식 아릴기일 수 있다. 상기 아릴기가 2 이상을 포함하는 아릴포스핀기는 단환식 아릴기, 다환식 아릴기, 또는 단환식 아릴기와 다환식 아릴기를 동시에 포함할 수 있다.In the present specification, examples of the aryl phosphine group include a substituted or unsubstituted monoaryl phosphine group, a substituted or unsubstituted diaryl phosphine group, or a substituted or unsubstituted triaryl phosphine group. The aryl group in the arylphosphine group may be a monocyclic aryl group or a polycyclic aryl group. The arylphosphine group including two or more aryl groups may include a monocyclic aryl group, a polycyclic aryl group, or a monocyclic aryl group and a polycyclic aryl group at the same time.

본 명세서에 있어서, 아릴기는 특별히 한정되지 않으나 탄소수 6 내지 60인 것이 바람직하며, 단환식 아릴기 또는 다환식 아릴기일 수 있다. 일 실시상태에 따르면, 상기 아릴기의 탄소수는 6 내지 30이다. 일 실시상태에 따르면, 상기 아릴기의 탄소수는 6 내지 20이다. 상기 아릴기가 단환식 아릴기로는 페닐기, 비페닐기, 터페닐기 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 다환식 아릴기로는 나프틸기, 안트라세닐기, 페난트릴기, 파이레닐기, 페릴레닐기, 크라이세닐기, 플루오레닐기 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the aryl group is not particularly limited, but preferably has 6 to 60 carbon atoms, and may be a monocyclic aryl group or a polycyclic aryl group. According to an exemplary embodiment, the carbon number of the aryl group is 6 to 30. According to an exemplary embodiment, the carbon number of the aryl group is 6 to 20. The aryl group may be a monocyclic aryl group such as a phenyl group, a biphenyl group, or a terphenyl group, but is not limited thereto. The polycyclic aryl group may be a naphthyl group, an anthracenyl group, a phenanthryl group, a pyrenyl group, a perylenyl group, a chrysenyl group, a fluorenyl group, and the like, but is not limited thereto.

본 명세서에 있어서, 플루오레닐기는 치환될 수 있고, 치환기 2개가 서로 결합하여 스피로 구조를 형성할 수 있다.In the present specification, the fluorenyl group may be substituted, and two substituents may be bonded to each other to form a spiro structure.

상기 플루오레닐기가 치환되는 경우,

Figure pat00008
,
Figure pat00009
,
Figure pat00010
등의 스피로플루오레닐기,
Figure pat00011
(9,9-디메틸플루오레닐기), 및
Figure pat00012
(9,9-디페닐플루오레닐기) 등의 치환된 플루오레닐기가 될 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니다.When the fluorenyl group is substituted,
Figure pat00008
,
Figure pat00009
,
Figure pat00010
spirofluorenyl groups such as
Figure pat00011
(9,9-dimethylfluorenyl group), and
Figure pat00012
It may be a substituted fluorenyl group such as (9,9-diphenylfluorenyl group). However, the present invention is not limited thereto.

본 명세서에 있어서, 헤테로고리기는 이종원자로 N, O, P, S, Si 및 Se 중 1개 이상을 포함하는 헤테로고리기로서, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나 탄소수 1 내지 60인 것이 바람직하다. 일 실시상태에 따르면, 상기 헤테로고리기의 탄소수는 1 내지 30이다. 헤테로고리기의 예로는 예로는 피리딘기, 피롤기, 피리미딘기, 피리다진기, 퓨란기, 티오펜기, 이미다졸기, 피라졸기, 옥사졸기, 이소옥사졸기, 티아졸기, 이소티아졸기, 트리아졸기, 옥사디아졸기, 티아디아졸기, 디티아졸기, 테트라졸기, 피란기, 티오피란기, 피라진기, 옥사진기, 티아진기, 디옥신기, 트리아진기, 테트라진기, 퀴놀린기, 이소퀴놀린기, 퀴나졸린기, 퀴녹살린기, 나프티리딘기, 아크리딘기, 크산텐기, 페난트리딘기, 디아자나프탈렌기, 트리아자인덴기, 인돌기, 인돌린기, 인돌리진기, 프탈라진기, 피리도 피리미딘기, 피리도 피라진기, 피라지노 피라진기, 벤조티아졸기, 벤즈옥사졸기, 벤즈이미다졸기, 벤조티오펜기, 벤조퓨란기, 디벤조티오펜기, 디벤조퓨란기, 디벤조실롤기, 카바졸기, 벤조카바졸기, 디벤조카바졸기, 인돌로카바졸기, 인데노카바졸기, 페나진기, 이미다조피리딘기, 페녹사진기, 페난트리딘기, 페난트롤린(phenanthroline)기, 페노티아진(phenothiazine)기, 이미다조피리딘기, 이미다조페난트리딘기. 벤조이미다조퀴나졸린기, 또는 벤조이미다조페난트리딘기,

Figure pat00013
,
Figure pat00014
,
Figure pat00015
등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the heterocyclic group is a heterocyclic group including at least one of N, O, P, S, Si and Se as a heteroatom, and the number of carbon atoms is not particularly limited, but it is preferably from 1 to 60 carbon atoms. According to an exemplary embodiment, the heterocyclic group has 1 to 30 carbon atoms. Examples of the heterocyclic group include a pyridine group, a pyrrole group, a pyrimidine group, a pyridazine group, a furan group, a thiophene group, an imidazole group, a pyrazole group, an oxazole group, an isoxazole group, a thiazole group, an isothiazole group, Triazole group, oxadiazole group, thiadiazole group, dithiazole group, tetrazole group, pyran group, thiopyran group, pyrazine group, oxazine group, thiazine group, dioxine group, triazine group, tetrazine group, quinoline group, isoquinoline group, Quinazoline group, quinoxaline group, naphthyridine group, acridine group, xanthene group, phenanthridine group, diazanaphthalene group, triazaindene group, indole group, indoline group, indolizine group, phthalazine group, pyridopyrimi Dean group, pyridopyrazine group, pyrazino pyrazine group, benzothiazole group, benzoxazole group, benzimidazole group, benzothiophene group, benzofuran group, dibenzothiophene group, dibenzofuran group, dibenzosilol group, Carbazole group, benzocarbazole group, dibenzocarbazole group, indolocarbazole group, indenocarbazole group, phenazine group, imidazopyridine group, phenoxazine group, phenanthridine group, phenanthroline group, phenothiazine ) group, an imidazopyridine group, and an imidazophenanthridine group. a benzimidazoquinazoline group, or a benzimidazophenanthridine group;
Figure pat00013
,
Figure pat00014
,
Figure pat00015
and the like, but are not limited thereto.

본 명세서에 있어서, 함질소 헤테로고리기는 고리원으로 질소 원자를 적어도 1개 이상 포함하는 헤테로고리기로서, 고리를 이루는 원자는 5개, 6개 또는 7 이상일 수 있다.In the present specification, the nitrogen-containing heterocyclic group is a heterocyclic group including at least one nitrogen atom as a ring member, and the number of atoms constituting the ring may be 5, 6, or 7 or more.

구체적으로, 단환식의 함질소 헤테로고리기의 예로는 피리딘기, 피리미딘기, 피라진기, 피리다진기, 트리아진기, 피라졸기, 옥사졸기, 티아졸기, 트리아졸기, 옥사디아졸기, 티아디아졸기가 있다. 또한, 다환식의 함질소 헤테로고리기의 예로는 벤즈이미다졸기, 벤즈옥사졸기, 벤조티아졸기, 페나지닐기, 페녹사진기, 페난트리딘기, 페난트롤린기, 페노티아진기, 이미다조피리딘기, 이미다조페난트리딘기, 벤조이미다조퀴나졸린기, 벤조이미다조페난트리딘기 등이 있다.Specifically, examples of the monocyclic nitrogen-containing heterocyclic group include a pyridine group, a pyrimidine group, a pyrazine group, a pyridazine group, a triazine group, a pyrazole group, an oxazole group, a thiazole group, a triazole group, an oxadiazole group, and a thiadiazole group. there is In addition, examples of the polycyclic nitrogen-containing heterocyclic group include a benzimidazole group, a benzoxazole group, a benzothiazole group, a phenazinyl group, a phenoxazine group, a phenanthridine group, a phenanthroline group, a phenothiazine group, an imidazopyridine group, and an imidazophenanthridine group, a benzimidazoquinazoline group, and a benzimidazophenanthridine group.

본 명세서에 있어서, 아릴옥시기, 아릴티옥시기, 아릴술폭시기, 아릴포스핀기, 아르알킬기, 아랄킬아민기, 아르알케닐기, 알킬아릴기, 아릴아민기, 아릴헤테로아릴아민기 중의 아릴기는 전술한 아릴기에 관한 설명이 적용될 수 있다.In the present specification, the aryl group in the aryloxy group, arylthioxy group, arylsulfoxy group, arylphosphine group, aralkyl group, aralkylamine group, aralkenyl group, alkylaryl group, arylamine group, and arylheteroarylamine group is described above. The description of one aryl group may apply.

본 명세서에 있어서, 알킬티옥시기, 알킬술폭시기, 아랄킬기, 아랄킬아민기, 알킬아릴기, 알킬아민기 중 알킬기는 전술한 알킬기에 관한 설명이 적용될 수 있다. In the present specification, the description of the above-described alkyl group may be applied to the alkyl group among the alkylthioxy group, the alkylsulfoxy group, the aralkyl group, the aralkylamine group, the alkylaryl group, and the alkylamine group.

본 명세서에 있어서, 헤테로아릴기, 헤테로아릴아민기, 아릴헤테로아릴아민기 중 헤테로아릴기는 방향족인 것을 제외하고는 전술한 헤테로고리기에 관한 설명이 적용될 수 있다. In the present specification, the description of the heterocyclic group described above may be applied, except that the heteroaryl group among the heteroaryl group, the heteroarylamine group, and the arylheteroarylamine group is aromatic.

본 명세서에 있어서, 아르알케닐기 중 알케닐기는 전술한 알케닐기에 관한 설명이 적용될 수 있다. In the present specification, the description of the above-described alkenyl group may be applied to the alkenyl group among the aralkenyl groups.

본 명세서에 있어서, 아릴렌기는 2가기인 것을 제외하고는 전술한 아릴기에 관한 설명이 적용될 수 있다. In the present specification, the description of the above-described aryl group may be applied except that the arylene group is a divalent group.

본 명세서에 있어서, 헤테로아릴렌기는 방향족 헤테로고리기의 2가기인 것을 제외하고는 전술한 헤테로고리기에 관한 설명이 적용될 수 있다.In the present specification, the description of the heterocyclic group described above may be applied, except that the heteroarylene group is a divalent group of the aromatic heterocyclic group.

본 명세서에 있어서, "인접하는 기"는 해당 치환기가 치환된 원자와 직접 연결된 원자에 치환된 치환기, 해당 치환기와 입체구조적으로 가장 가깝게 위치한 치환기, 또는 해당 치환기가 치환된 원자에 치환된 다른 치환기를 의미할 수 있다. 예컨대, 벤젠고리에서 오쏘(ortho) 위치에 치환된 2개의 치환기 및 지방족 고리에서 동일 탄소에 치환된 2개의 치환기는 서로 "인접하는 기"로 해석될 수 있다.In the present specification, "adjacent group" refers to a substituent substituted on an atom directly connected to the atom in which the substituent is substituted, a substituent sterically closest to the substituent, or another substituent substituted at the atom in which the substituent is substituted. can mean For example, two substituents substituted at an ortho position in a benzene ring and two substituents substituted at the same carbon in an aliphatic ring may be interpreted as "adjacent groups".

본 명세서에 있어서, 인접하는 기가 서로 결합하여 형성된 고리는 단환 또는 다환일 수 있으며, 지방족, 방향족 또는 지방족과 방향족의 축합고리일 수 있으며, 탄화수소 고리를 형성할 수 있다.In the present specification, a ring formed by bonding adjacent groups to each other may be monocyclic or polycyclic, and may be a condensed ring of aliphatic, aromatic or aliphatic and aromatic, and may form a hydrocarbon ring.

본 발명의 일 실시형태에 있어서, Y1 내지 Y10 중 적어도 두개가 N이다. In one embodiment of the present invention, at least two of Y 1 to Y 10 are N.

본 발명의 일 실시형태에 있어서, A는 하기 구조를 가진다.In one embodiment of the present invention, A has the following structure.

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이처럼, 본 발명의 화합물은, 종래의 전자수송 재료의 전자 끌게 또는 전자 받게 기(Electron Withdrawing Group)인 트리아진기나 피리미딘기보다 전자 이동도가 높은 벤조퀴나졸린기를 포함함으로써, 구동 전압 및 효율 개선의 효과를 얻을 수 있다.As such, the compound of the present invention includes a benzoquinazoline group having higher electron mobility than a triazine group or a pyrimidine group, which is an electron withdrawing or electron accepting group of a conventional electron transport material, thereby improving driving voltage and efficiency effect can be obtained.

본 발명의 일 실시형태에 있어서, X2가 직접결합이다. In one embodiment of the present invention, X 2 is a direct bond.

본 발명의 일 실시형태에 있어서, X1이 O이다. In one embodiment of the present invention, X 1 is O.

본 발명의 일 실시형태에 있어서, X1이 직접결합이다.In one embodiment of the present invention, X 1 is a direct bond.

본 발명의 일 실시형태에 있어서, L1이 직접결합이다. In one embodiment of the present invention, L 1 is a direct bond.

본 발명의 일 실시형태에 있어서, L1이 치환 또는 비치환된 C3-C30의 아릴렌기이다. 아릴렌기의 링커를 도입한 본 발명의 화합물은, 전자수송층뿐만 아니라 정공이 전자수송층으로 넘어오는 것을 막는 정공 저지층의 특성을 구현할 수 있다.In one embodiment of the present invention, L1 is a substituted or unsubstituted C 3 -C 30 arylene group. The compound of the present invention introducing a linker of an arylene group can implement the characteristics of the hole blocking layer that prevents the passing of holes to the electron transport layer as well as the electron transport layer.

본 발명의 일 실시형태에 있어서, 상기 화학식 1의 화합물은 하기 화합물중 어느 하나이다.In one embodiment of the present invention, the compound of Formula 1 is any one of the following compounds.

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이하에, 본 발명의 일 실시형태에 따른 유기 전계 발광 소자에 대해서 도면에 기초하여 상세하게 설명한다. 도 1은, 본 발명의 일 실시형태에 따른 유기 전계 발광 소자를 나타내는 개략 단면도이다.Hereinafter, an organic electroluminescent device according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. 1 is a schematic cross-sectional view showing an organic electroluminescent device according to an embodiment of the present invention.

<유기 전계 발광 소자><Organic electroluminescent device>

도 1에 나타낸 유기 전계 발광 소자(1)는, 기판(100) 상에 설치된 양극(110, 제1 전극)과, 양극(110) 상에 설치된 정공 주입층(120)과, 정공 주입층(120) 상에 설치된 정공 수송층(130)과, 정공 수송층(130) 상에 설치된 발광층(140)과, 발광층(140) 상에 설치된 전자 수송층(150)과, 전자 수송층(150) 상에 설치된 전자 주입층(160)과, 전자 주입층(160) 상에 설치된 음극(170, 제2 전극)을 갖는다. 여기서, 양극(110)과 음극(170) 사이의 층들이 유기물층을 구성한다.The organic electroluminescent device 1 shown in FIG. 1 includes an anode 110 (first electrode) provided on a substrate 100 , a hole injection layer 120 provided on the anode 110 , and a hole injection layer 120 . ) provided on the hole transport layer 130 , the light emitting layer 140 provided on the hole transport layer 130 , the electron transport layer 150 provided on the light emitting layer 140 , and the electron injection layer provided on the electron transport layer 150 . 160 and a cathode 170 (second electrode) provided on the electron injection layer 160 . Here, the layers between the anode 110 and the cathode 170 constitute an organic material layer.

또한, 유기 전계 발광 소자(1)는, 적층 구조를 반대로 해서(소위 인버트형 소자), 예를 들면, 기판(100) 상에 설치된 음극과, 음극 상에 설치된 전자 주입층과, 전자 주입층 상에 설치된 전자 수송층과, 전자 수송층 상에 설치된 발광층과, 발광층 상에 설치된 정공 수송층과, 정공 수송층 상에 설치된 정공 주입층과, 정공 주입층 상에 설치된 양극을 갖는 구성으로 해도 된다.In addition, the organic electroluminescent element 1 has a laminated structure reversed (so-called inverted element), for example, a cathode provided on the substrate 100, an electron injection layer provided on the cathode, and an electron injection layer on An electron transport layer provided on the , a light emitting layer provided on the electron transport layer, a hole transport layer provided on the light emitting layer, a hole injection layer provided on the hole transport layer, and an anode provided on the hole injection layer may be configured.

본 발명의 유기 전계 발광 소자에 있어서 상기 각 층 모두가 필수적인 것은 아니며, 최소 구성 단위를 양극(110)과 발광층(140)과 음극(170)으로 이루어지는 구성으로 하고, 정공 주입층(120), 정공 수송층(130), 전자 수송층(150), 전자 주입층(160) 중 적어도 하나를 생략하여도 된다.In the organic electroluminescent device of the present invention, all of the above layers are not essential, and the minimum structural unit is composed of an anode 110 , a light emitting layer 140 , and a cathode 170 , and a hole injection layer 120 , a hole At least one of the transport layer 130 , the electron transport layer 150 , and the electron injection layer 160 may be omitted.

예컨대, 유기 전계 발광 소자의 적층 구조를 상술한 「양극/정공 주입층/정공 수송층/발광층/전자 수송층/전자 주입층/음극」의 구성 외에, 「양극/정공 수송층/발광층/전자 수송층/전자 주입층/음극」, 「양극/정공 주입층/발광층/전자 수송층/전자 주입층/음극」, 「양극/정공 주입층/정공 수송층/발광층/전자 주입층/음극」, 「양극/정공 주입층/정공 수송층/발광층/전자 수송층/음극」, 「양극/발광층/전자 수송층/전자 주입층/음극」, 「양극/정공 수송층/발광층/전자 주입층/음극」, 「양극/정공 수송층/발광층/전자 수송층/음극」, 「양극/정공 주입층/발광층/전자 주입층/음극」, 「양극/정공 주입층/발광층/전자 수송층/음극」, 「양극/발광층/전자 수송층/음극」, 「양극/발광층/전자 주입층/음극」의 구성 등으로 하여도 된다.For example, in addition to the configuration of "anode / hole injection layer / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / electron injection layer / cathode" described above for the laminate structure of the organic electroluminescent element, "anode / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / electron injection layer/cathode", "anode/hole injection layer/light emitting layer/electron transport layer/electron injection layer/cathode", "anode/hole injection layer/hole transport layer/light emitting layer/electron injection layer/cathode", "anode/hole injection layer/ "Hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / cathode", "anode / light emitting layer / electron transport layer / electron injection layer / cathode", "anode / hole transport layer / light emitting layer / electron injection layer / cathode", "anode / hole transport layer / light emitting layer / electrons Transport layer/cathode”, “Anode/hole injection layer/light-emitting layer/electron injection layer/cathode”, “anode/hole injection layer/light-emitting layer/electron transport layer/cathode”, “anode/light-emitting layer/electron transport layer/cathode”, “anode/ light emitting layer/electron injection layer/cathode".

또한, 발광층(140)에서의 정공과 전자의 농도의 밸런스 조절 등의 목적을 위해, 양극(110)과 발광층(140) 사이의 영역(정공 수송 영역) 및 발광층(140)과 음극(170) 사이의 영역(전자 수송 영역)에 별도의 층(예컨대, 정공저지층 및/또는 전자 저지층 등)을 추가하여도 된다. In addition, for the purpose of adjusting the balance of the concentrations of holes and electrons in the light emitting layer 140 , the region (hole transport region) between the anode 110 and the light emitting layer 140 and between the light emitting layer 140 and the cathode 170 . A separate layer (eg, a hole blocking layer and/or an electron blocking layer, etc.) may be added to the region (electron transport region) of .

이러한 경우, 유기 전계 발광 소자(1)는, 「양극/정공주입층/정공수송층/전자저지층/발광층/전자수송층/전자주입층/음극」, 「양극/정공주입층/정공수송층/발광층/정공저지층/전자수송층/전자주입층/음극」, 「양극/정공주입층/정공수송층/전자저지층/발광층/정공저지층/전자수송층/전자주입층/음극」등의 적층 구조를 가질 수 있다.In this case, the organic electroluminescent device 1 is "anode / hole injection layer / hole transport layer / electron blocking layer / light emitting layer / electron transport layer / electron injection layer / cathode", "anode / hole injection layer / hole transport layer / light emitting layer / It can have a stacked structure such as hole blocking layer/electron transport layer/electron injection layer/cathode”, “anode/hole injection layer/hole transport layer/electron blocking layer/light emitting layer/hole blocking layer/electron transport layer/electron injection layer/cathode” have.

또한, 상기 각 층은 각각 단일층으로 이루어져도 되고, 복수층으로 이루어져도 된다.In addition, each said layer may consist of a single layer, respectively, and may consist of multiple layers.

이하, 유기 전계 발광 소자(1)의 제조에 사용되는 기판(10)과 유기 전계 발광 소자(1)를 이루는 각 층에 대하여 구체적으로 설명한다.Hereinafter, each layer constituting the substrate 10 and the organic EL device 1 used for manufacturing the organic EL device 1 will be described in detail.

기판(100)은, 유기 전계 발광 소자(1)를 지지하는 지지체로서, 통상, 유리, 금속, 폴리머, 반도체(실리콘) 등이 사용된다. 기판(100)은, 목적에 따라 판상, 필름상 또는 시트상으로 형성되고, 예를 들면, 유리판, 금속판, 금속박, 폴리머 필름, 폴리머 시트 등이 사용된다. 그 중에서도 유리판 및 폴리에스테르, 폴리메타크릴레이트, 폴리카보네이트, 폴리술폰 등의 투명한 합성 수지제의 판이 바람직하다. 플렉서블 디스플레이를 제조하는 경우에는, 기판(100)으로서 유리판(캐리어 글라스라고도 함)상에 열 안정성이 높고 유연성을 가진 고분자 물질(예컨대, 폴리이미드)를 도포한 것으로 사용할 수 있다.The substrate 100 is a support for supporting the organic electroluminescent device 1 , and usually glass, metal, polymer, semiconductor (silicon), or the like is used. The substrate 100 is formed in a plate shape, a film shape, or a sheet shape depending on the purpose, and for example, a glass plate, a metal plate, metal foil, a polymer film, a polymer sheet, or the like is used. Among them, glass plates and plates made of transparent synthetic resins such as polyester, polymethacrylate, polycarbonate and polysulfone are preferable. In the case of manufacturing a flexible display, as the substrate 100 , a polymer material having high thermal stability and flexibility (eg, polyimide) coated on a glass plate (also referred to as carrier glass) may be used.

유리 기판이면, 소다 석회 유리나 무알칼리 유리 등이 사용되며, 또한 두께도 기계적 강도를 유지하는 데에 충분한 두께가 있으면 되므로, 예를 들면, 0.2㎜ 이상이면 된다. 두께의 상한값으로서는, 예를 들면, 2㎜ 이하, 바람직하게는 1㎜ 이하이다. 유리의 재질에 대해서는, 유리로부터의 용출 이온이 적은 편이 좋기 때문에 무알칼리 유리가 바람직하지만, SiO2 등의 배리어 코팅을 실시한 소다 석회 유리도 시판되고 있으므로 이를 사용할 수 있다. 또한, 기판(100)에는 가스 배리어성을 높이기 위해서, 적어도 편면에 치밀한 실리콘 산화막 등의 가스 배리어막을 설치해도 되고, 특히 가스 배리어성이 낮은 폴리머 판, 필름 또는 시트를 기판(100)으로서 사용할 경우에는 가스 배리어막을 설치하는 것이 바람직하다.If it is a glass substrate, soda-lime glass, an alkali free glass, etc. are used, and since thickness also needs just to have sufficient thickness to maintain mechanical strength, what is necessary is just 0.2 mm or more, for example. As an upper limit of thickness, it is 2 mm or less, for example, Preferably it is 1 mm or less. As for the material of the glass, since it is preferable that there are few ions eluted from the glass, an alkali - free glass is preferable. In addition, in order to improve gas barrier properties, a gas barrier film such as a dense silicon oxide film may be provided on at least one side of the substrate 100. In particular, when a polymer plate, film or sheet having low gas barrier properties is used as the substrate 100 , It is preferable to provide a gas barrier film.

양극(110)은 정공을 주입하는 전극으로서, 양극 물질로는 유기물층으로의 정공 주입이 원활할 수 있도록 일함수가 큰 물질이 바람직하다.The anode 110 is an electrode for injecting holes, and the anode material is preferably a material having a large work function so that holes can be smoothly injected into the organic material layer.

양극(110)을 형성하는 재료의 예로서는, 무기 화합물 및 유기 화합물을 들 수 있다. 무기 화합물로서는, 예를 들면, 금속(알루미늄, 금, 은, 니켈, 팔라듐, 크롬, 바나듐, 구리, 아연 등) 또는 이들의 합금, 금속 산화물(인듐의 산화물, 주석의 산화물, 인듐-주석 산화물(ITO), 인듐-아연 산화물(IZO) 등), ZnO:Al 또는 SNO2 : Sb와 같은 금속과 산화물의 조합, 할로겐화 금속(요오드화구리 등), 황화구리, 카본블랙, ITO 유리나 네사 유리 등을 들 수 있다. 유기 화합물로서는, 예를 들면, 폴리(3-메틸티오펜), 폴리[3,4-(에틸렌-1,2-디옥시)티오펜](PEDOT) 등의 폴리티오펜, 폴리피롤, 폴리아닐린 등의 도전성 폴리머 등을 들 수 있다. 그 밖에, 유기 전계 발광 소자의 양극으로서 사용되고 있는 물질 중에서 적당히 선택해서 사용할 수 있다.Examples of the material for forming the anode 110 include inorganic compounds and organic compounds. Examples of the inorganic compound include metals (aluminum, gold, silver, nickel, palladium, chromium, vanadium, copper, zinc, etc.) or alloys thereof, metal oxides (indium oxide, tin oxide, indium-tin oxide ( ITO), indium-zinc oxide (IZO), etc.), ZnO:Al or SNO2 : a combination of metal and oxide such as Sb, metal halide (copper iodide, etc.), copper sulfide, carbon black, ITO glass or nesa glass, etc. can Examples of the organic compound include polythiophene such as poly(3-methylthiophene) and poly[3,4-(ethylene-1,2-dioxy)thiophene] (PEDOT), polypyrrole, polyaniline, etc. A conductive polymer etc. are mentioned. In addition, it can select and use suitably from the material used as an anode of an organic electroluminescent element.

정공 주입층(120)은, 양극(110)으로부터 이동해오는 정공을, 효율적으로 발광층(140) 내 또는 정공 수송층(130) 내에 주입하는 역할을 한다. 정공 수송층(130)은, 양극(110)으로부터 주입된 정공 또는 양극(110)으로부터 정공 주입층(120)을 통해 주입된 정공을, 효율적으로 발광층(140)으로 수송하는 역할을 한다. 정공 주입층(120) 및 정공 수송층(130)은, 각각 정공 주입·수송 재료의 1종 또는 2종 이상을 적층, 혼합하거나 정공 주입·수송 재료와 고분자 결착제의 혼합물에 의해 형성된다. 또한, 정공 주입·수송 재료에 염화철(Ⅲ)과 같은 무기염을 첨가해서 층을 형성해도 된다.The hole injection layer 120 serves to efficiently inject holes moving from the anode 110 into the light emitting layer 140 or the hole transport layer 130 . The hole transport layer 130 serves to efficiently transport holes injected from the anode 110 or holes injected from the anode 110 through the hole injection layer 120 to the emission layer 140 . The hole injection layer 120 and the hole transport layer 130 are formed by laminating and mixing one or more types of hole injection and transport materials, respectively, or a mixture of a hole injection and transport material and a polymer binder. Further, an inorganic salt such as iron (III) chloride may be added to the hole injection/transport material to form a layer.

정공 주입·수송성 물질로서는, 정공 주입 효율이 높고, 주입된 정공을 효율적으로 수송하는 것이 바람직하다. 이를 위해서는 이온화 포텐셜이 작고, 또한 정공 이동도가 크고, 또 안정성이 우수하며, 트랩이 되는 불순물이 제조시 및 사용시에 발생하기 어려운 물질인 것이 바람직하다.As the hole injection/transport material, it is preferable that the hole injection efficiency is high and the injected hole is efficiently transported. For this purpose, it is preferable that the ionization potential is small, the hole mobility is large, the stability is excellent, and it is a material that is difficult to generate trap impurities during manufacture and use.

정공 주입층(120) 및 정공 수송층(130)을 형성하는 재료로서는, 광도전 재료에 있어서, 정공의 전하 수송 재료로서 종래부터 관용되고 있는 화합물, p형 반도체, 유기 전계 발광 소자의 정공 주입층 및 정공 수송층에 사용되고 있는 공지의 화합물 중에서 임의의 화합물을 선택해서 사용할 수 있다. As a material for forming the hole injection layer 120 and the hole transport layer 130, a compound conventionally used as a charge transport material for holes in a photoconductive material, a p-type semiconductor, a hole injection layer of an organic electroluminescent device, and Any compound can be selected and used from the well-known compounds used for a hole transport layer.

이들 구체예는, 카르바졸 유도체(N-페닐카르바졸, 폴리비닐카르바졸 등), 비스(N-아릴카르바졸) 또는 비스(N-알킬카르바졸) 등의 비스카르바졸 유도체, 트리아릴아민 유도체(방향족 제 3급 아미노를 주쇄 또는 측쇄에 갖는 폴리머, 1,1-비스(4-디-p-톨릴아미노페닐)시클로헥산, N,N'-디페닐-N,N'-디(3-메틸페닐)-4,4'-디아미노비페닐, N,N'-디페닐-N,N'-디나프틸-4,4'-디아미노비페닐, N,N'-디페닐-N,N'-디(3-메틸페닐)-4,4'-디페닐-1,1'-디아민, N,N'-디나프틸-N,N'-디페닐-4,4'-디페닐-1,1'-디아민, N4,N4 '-디페닐-N4,N4 '-비스(9-페닐-9H-카르바졸-3-일)-[1,1'-비페닐]-4,4'-디아민, N4,N4,N4 ',N4'-테트라[1,1'-비페닐]-4-일)-[1,1'-비페닐]-4,4'-디아민, 4,4',4"-트리스(3-메틸페닐(페닐)아미노)트리페닐아민 등의 트리페닐아민 유도체, 스타버스트 아민 유도체 등), 스틸벤 유도체, 프탈로시아닌 유도체(무금속, 구리 프탈로시아닌 등), 피라졸린 유도체, 히드라존계 화합물, 벤조퓨란 유도체나 티오펜 유도체, 옥사디아졸 유도체, 퀴녹살린 유도체(예를 들면, 1,4,5,8,9,12-헥사아자트리페닐렌-2,3,6,7,10,11-헥사카르보니트릴 등), 포르피린 유도체 등의 복소환 화합물, 폴리실란 등이다. 폴리머계에서는 상기 단량체를 측쇄에 갖는 폴리카보네이트나 스티렌 유도체, 폴리비닐카르바졸 및 폴리실란 등이 바람직하지만, 발광 소자의 제작에 필요한 박막을 형성하고, 양극으로부터 정공을 주입할 수 있으며, 또한 정공을 수송할 수 있는 화합물이면 특별히 한정되지 않는다.These specific examples include carbazole derivatives (N-phenylcarbazole, polyvinylcarbazole, etc.), bis(N-arylcarbazole) or bis(N-alkylcarbazole) biscarbazole derivatives, and triarylamine derivatives. (Polymer having aromatic tertiary amino in the main chain or side chain, 1,1-bis(4-di-p-tolylaminophenyl)cyclohexane, N,N'-diphenyl-N,N'-di(3- methylphenyl)-4,4'-diaminobiphenyl, N,N'-diphenyl-N,N'-dinaphthyl-4,4'-diaminobiphenyl, N,N'-diphenyl-N, N'-di(3-methylphenyl)-4,4'-diphenyl-1,1'-diamine, N,N'-dinaphthyl-N,N'-diphenyl-4,4'-diphenyl- 1,1'-diamine, N 4 ,N 4 ' -diphenyl-N 4 ,N 4 ' -bis(9-phenyl-9H-carbazol-3-yl)-[1,1'-biphenyl]- 4,4'-diamine, N 4 ,N 4 ,N 4 ' ,N 4'-tetra [ 1,1'-biphenyl]-4-yl)-[1,1'-biphenyl]-4,4 Triphenylamine derivatives such as '-diamine, 4,4',4"-tris(3-methylphenyl(phenyl)amino)triphenylamine, starburst amine derivatives, etc.), stilbene derivatives, phthalocyanine derivatives (metal-free, copper phthalocyanine, etc.), pyrazoline derivatives, hydrazone compounds, benzofuran derivatives or thiophene derivatives, oxadiazole derivatives, quinoxaline derivatives (e.g., 1,4,5,8,9,12-hexaazatriphenylene) -2,3,6,7,10,11-hexacarbonitrile, etc.), heterocyclic compounds such as porphyrin derivatives, polysilanes, etc. In the polymer system, polycarbonate having the above-mentioned monomers in the side chain, styrene derivatives, polyvinylcarps, etc. Bazole, polysilane, etc. are preferable, but if it is a compound which can form the thin film required for manufacture of a light emitting element, can inject a hole from an anode, and can also transport a hole, it will not specifically limit.

또한, 유기 반도체의 도전성은, 그 도핑에 의해 강한 영향을 받는 것도 알려져 있다. 이러한 유기 반도체 매트릭스 물질은, 전자 공여성이 양호한 화합물 또는 전자 수용성이 양호한 화합물로 구성되어 있다. 전자 공여 물질의 도핑을 위해서, 테트라시아노퀴논디메탄(TCNQ) 또는 2,3,5,6-테트라플루오로테트라시아노-1,4-벤조퀴논디메탄(F4TCNQ) 등의 강한 전자 수용체가 알려져 있다(예를 들면, 문헌 「M.Pfeiffer, A.Beyer, T.Fritz, K.Leo, Appl. Phys. Lett., 73(22), 3202-3204(1998)」 및 문헌「J.Blochwitz, M.Pheiffer, T.Fritz, K.Leo, Appl. Phys. Lett., 73(6), 729-731(1998)」을 참조). 이들은 전자 공여형 베이스 물질(정공 수송 물질)에 있어서의 전자 이동 프로세스에 의해, 이른바 정공을 생성한다. 정공의 수 및 이동도에 따라, 베이스 물질의 전도성이 상당히 크게 변화한다. 정공 수송 특성을 갖는 매트릭스 물질로서는, 예를 들면 벤지딘 유도체(TPD 등) 또는 스타버스트 아민 유도체(TDATA 등), 또는 특정 금속 프탈로시아닌(특히, 아연 프탈로시아닌(ZnPc) 등)이 알려져 있다(일본 특허공개 2005-167175호 공보).Moreover, it is also known that the electroconductivity of an organic semiconductor is strongly influenced by the doping. Such an organic semiconductor matrix material is composed of a compound having a good electron donating property or a good electron accepting compound. For doping of the electron donor material, a strong electron acceptor such as tetracyanoquinonedimethane (TCNQ) or 2,3,5,6-tetrafluorotetracyano-1,4-benzoquinonedimethane (F4TCNQ) is used. known (eg, M. Pfeiffer, A. Beyer, T. Fritz, K. Leo, Appl. Phys. Lett., 73 (22), 3202-3204 (1998) and J. Blochwitz , M. Pheiffer, T. Fritz, K. Leo, Appl. Phys. Lett., 73 (6), 729-731 (1998)). These generate so-called holes by an electron transfer process in an electron-donating type base material (hole-transporting material). Depending on the number and mobility of holes, the conductivity of the base material changes significantly. As a matrix material having hole transport properties, for example, benzidine derivatives (TPD, etc.) or starburst amine derivatives (TDATA, etc.), or specific metal phthalocyanines (especially zinc phthalocyanine (ZnPc) etc.) are known (Japanese Patent Laid-Open 2005) -167175 publication).

정공주입층(120)과 정공수송층(130) 사이에 추가로 정공버퍼층이 구비될 있으며, 당 기술분야에 알려져 있는 정공주입 또는 수송재료를 포함할 수 있다.An additional hole buffer layer may be provided between the hole injection layer 120 and the hole transport layer 130 , and may include hole injection or transport materials known in the art.

발광층(140)은, 전계가 인가된 전극 사이에서, 양극(110)으로부터 주입된 정공과, 음극(170)으로부터 주입된 전자를 재결합시킴으로써 발광하는 층이다. 발광층(140)을 형성하는 재료로서는, 정공과 전자의 재결합에 의해 여기되어 발광하는 화합물(발광성 화합물)이면 되고, 안정적인 박막 형상을 형성할 수 있으며, 또한, 고체 상태로 강한 발광(형광) 효율을 보이는 화합물인 것이 바람직하다. The light emitting layer 140 is a layer that emits light by recombination of holes injected from the anode 110 and electrons injected from the cathode 170 between electrodes to which an electric field is applied. The material for forming the light emitting layer 140 may be a compound that emits light by being excited by recombination of holes and electrons (a light emitting compound), and a stable thin film shape can be formed, and strong light emission (fluorescence) efficiency in a solid state It is preferable that it is a visible compound.

발광층(140)의 발광메커니즘은 형광 및 인광으로 구분된다. 형광은, 정공과 전자의 결합에 의해 생긴 여기자 중 일중항 상태의 여기자가 바닥상태로 내려오면서 발광하는 메커니즘이며, 인광은 삼중항 상태의 여기자가 바닥상태로 내려오면서 발광하는 메커니즘이다. 정공과 전자의 결합에 의해 25%의 일중항 여기자와, 75%이 삼중항 여기자가 생기는데, 25%의 일중항 여기자만 발광에 기여하는 형광과 달리, 인광의 경우, 75%의 삼중항 여기자와 계간 전이를 통해 삼중항 여기자로 전환될 수 있는 25%의 일중항 여기자가 모두 발광에 기여하기 때문에, 이론적으로 100%의 내부 양자 효율을 구현하는 것이 가능하다.The light emitting mechanism of the light emitting layer 140 is divided into fluorescence and phosphorescence. Fluorescence is a mechanism in which excitons in a singlet state come down to the ground state among excitons generated by the combination of holes and electrons and emit light while phosphorescence is a mechanism in which excitons in a triplet state emit light as they descend to the ground state. 25% of singlet excitons and 75% of triplet excitons are generated by the combination of holes and electrons. Unlike fluorescence, where only 25% of singlet excitons contribute to light emission, in phosphorescence, 75% of triplet excitons and Since 25% of singlet excitons that can be converted to triplet excitons through intercalation all contribute to light emission, it is theoretically possible to realize 100% internal quantum efficiency.

발광층(140)은 단일층이어도 복수층으로 되어 있어도 되고, 색순도 향상과 양자 효율 향상을 위하여 호스트 및 도펀트를 포함할 수 있다. 이러한 구조의 발광층(140)에서는, 호스트에서 생성된 여기자가 도펀트로 전이하여 발광한다. 호스트 재료와 도펀트 재료는, 각각 1종류이어도, 복수의 조합이어도 된다. 도펀트 재료는 호스트 재료의 전체에 포함되어 있어도, 부분적으로 포함되어 있어도 된다. 도핑 방법으로서는, 호스트 재료와의 공증착법에 의해 형성할 수 있지만, 호스트 재료와 미리 혼합한 후에 동시에 증착하거나, 유기 용매와 함께 호스트 재료와 미리 혼합한 후에 습식 성막법에 의해 제막해도 된다.The light emitting layer 140 may be a single layer or a plurality of layers, and may include a host and a dopant to improve color purity and quantum efficiency. In the light emitting layer 140 having such a structure, excitons generated in the host are transferred to the dopant to emit light. The number of host material and the dopant material may be one, respectively, or a plurality of combinations may be sufficient as them. The dopant material may be contained in the whole host material, or may be contained partially. As a doping method, although it can form by the co-evaporation method with a host material, you may vapor-deposit simultaneously after pre-mixing with a host material, or you may form into a film by the wet film-forming method after pre-mixing with a host material with an organic solvent.

호스트 재료의 사용량은 호스트 재료의 종류에 따라 다르고, 그 호스트 재료의 특성에 맞춰서 정하면 된다. 호스트 재료의 사용량의 기준은, 바람직하게는 발광층용 재료 전체의 50~99.999중량%이며, 보다 바람직하게는 80~99.95중량%이고, 더욱 바람직하게는 90~99.9중량%이다.The usage-amount of a host material changes with the kind of host material, and what is necessary is just to set it according to the characteristic of the host material. The standard of the usage-amount of a host material becomes like this. Preferably it is 50-99.999 weight% of the whole material for light emitting layer, More preferably, it is 80-99.95 weight%, More preferably, it is 90-99.9 weight%.

도펀트 재료의 사용량은 도펀트 재료의 종류에 따라 다르고, 그 도펀트 재료의 특성에 맞춰서 정하면 된다. 도펀트 재료의 사용량의 기준은, 바람직하게는 발광층용 재료 전체의 0.001~50중량%이며, 보다 바람직하게는 0.05~20중량%이고, 더욱 바람직하게는 0.1~10중량%이다. 상기의 범위이면, 예를 들면, 농도 소광 현상을 방지할 수 있다는 점에서 바람직하다.The usage-amount of a dopant material changes with the kind of dopant material, and what is necessary is just to set it according to the characteristic of the dopant material. The standard of the usage-amount of dopant material becomes like this. Preferably it is 0.001 to 50 weight% of the whole material for light emitting layer, More preferably, it is 0.05 to 20 weight%, More preferably, it is 0.1 to 10 weight%. If it is the said range, it is preferable at the point which can prevent the density-quenching phenomenon, for example.

호스트 재료로는 축합 방향족환 유도체 또는 헤테로환 함유 화합물 등이 있다. 구체적으로 축합 방향족환 유도체로는 안트라센 유도체, 피렌 유도체, 나프탈렌 유도체, 펜타센 유도체, 페난트렌 화합물, 플루오란텐 화합물 등이 있고, 헤테로환 함유 화합물로는 카바졸 유도체, 디벤조퓨란 유도체, 래더형 퓨란 화합물, 피리미딘 유도체 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.Examples of the host material include a condensed aromatic ring derivative or a compound containing a heterocyclic ring. Specifically, condensed aromatic ring derivatives include anthracene derivatives, pyrene derivatives, naphthalene derivatives, pentacene derivatives, phenanthrene compounds, fluoranthene compounds, etc., and heterocyclic-containing compounds include carbazole derivatives, dibenzofuran derivatives, ladder type Furan compounds, pyrimidine derivatives, and the like, but are not limited thereto.

발광층이 적색 발광을 하는 경우, 도펀트로는 PIQIr(acac)(bis(1-phenylisoquinoline)acetylacetonateiridium), PQIr(acac)(bis(1-phenylquinoline)acetylacetonate iridium), PQIr(tris(1-phenylquinoline)iridium), PtOEP(octaethylporphyrin platinum)와 같은 인광 물질이나, Alq3(tris(8-hydroxyquinolino)aluminum)와 같은 형광 물질이 사용될 수 있으나, 이에만 한정된 것은 아니다. 발광층이 녹색 발광을 하는 경우, 도펀트로는 Ir(ppy)3(fac tris(2-phenylpyridine)iridium)와 같은 인광물질이나, Alq3(tris(8-hydroxyquinolino)aluminum)와 같은 형광 물질이 사용될 수 있으나, 이에만 한정된 것은 아니다. 발광층이 청색 발광을 하는 경우, 발광 도펀트로는 (4,6-F2ppy)2Irpic와 같은 인광 물질이나, spiro-DPVBi, spiro-6P, 디스틸벤젠(DSB), 디스트릴아릴렌(DSA), PFO계 고분자, PPV계 고분자와 같은 형광 물질이 사용될 수 있으나, 이에만 한정된 것은 아니다.When the emission layer emits red light, dopants include PIQIr(acac)(bis(1-phenylisoquinoline)acetylacetonateiridium), PQIr(acac)(bis(1-phenylquinoline)acetylacetonate iridium), PQIr(tris(1-phenylquinoline)iridium) , a phosphorescent material such as octaethylporphyrin platinum (PtOEP), or a fluorescent material such as Alq3 (tris(8-hydroxyquinolino)aluminum) may be used, but is not limited thereto. When the emission layer emits green light, a phosphor such as Ir(ppy)3 (fac tris(2-phenylpyridine)iridium) or a fluorescent material such as Alq3(tris(8-hydroxyquinolino)aluminum) may be used as the dopant. , but is not limited thereto. When the light-emitting layer emits blue light, the light-emitting dopant is a phosphor such as (4,6-F2ppy)2Irpic, spiro-DPVBi, spiro-6P, distylbenzene (DSB), distrylarylene (DSA), or PFO. A fluorescent material such as a polymer-based polymer or a PPV-based polymer may be used, but is not limited thereto.

예컨대, 청색 발광 도펀트로서, 하기 식(BD-YX2)로 표시되는 다환방향족 화합물 또는 하기 식(BD-YX2)로 표시되는 구조를 복수 가지는 다환방향족 화합물의 다량체를 사용하여도 된다.For example, as the blue light emitting dopant, a polyaromatic compound represented by the following formula (BD-YX2) or a multimer of a polyaromatic compound having a plurality of structures represented by the following formula (BD-YX2) may be used.

Figure pat00038
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상기 식(BD-YX2)에서, A환, B환 및 C환은 각각 독립적으로 아릴환 또는 헤테로아릴환이며, 이들 환에서의 적어도 1개의 수소는 치환되어 있어도 되고,In the formula (BD-YX2), ring A, ring B and ring C are each independently an aryl ring or a heteroaryl ring, and at least one hydrogen in these rings may be substituted;

Y1은 B, P, P=O, P=S, Al, Ga, As, Si-R 또는 Ge-R이며, 상기 Si-R 및 Ge-R의 R은, 아릴, 알킬 또는 시클로알킬이며,Y1 is B, P, P=O, P=S, Al, Ga, As, Si-R or Ge-R, wherein R of Si-R and Ge-R is aryl, alkyl or cycloalkyl;

X1 및 X2는 각각 독립적으로 >O, >N-R, >C(-R)2, >S 또는 >Se이며, 상기 >N-R의 R은, 치환되어 있어도 되는 아릴, 치환되어 있어도 되는 헤테로아릴, 치환되어 있어도 되는 알킬 또는 치환되어 있어도 되는 시클로알킬이X1 and X2 are each independently >O, >NR, >C(-R) 2 , >S or >Se, wherein R of >NR is optionally substituted aryl, optionally substituted heteroaryl, or substituted optionally alkyl or optionally substituted cycloalkyl;

며, 상기 >C(-R)2의 R은, 수소, 치환되어 있어도 되는 아릴, 치환되어 있어도 되는 알킬 또는 치환되어 있어도 되는 시클로알킬이며, 또한 상기 >N-R의 R 및 상기 >C(-R)2의 R 중 적어도 1개는 연결기 또는 단결합에 의해 상기 A환, B환 및 C환 중 적어도 1개와 결합하고 있어도 되고,and R in >C(-R) 2 is hydrogen, optionally substituted aryl, optionally substituted alkyl, or optionally substituted cycloalkyl, and R in >NR and >C(-R) At least one of R of 2 may be bonded to at least one of the A ring, the B ring and the C ring by a linking group or a single bond,

식(BD-YX2)로 표시되는 화합물 또는 구조에서의 적어도 1개의 수소는, 중수소, 시아노 또는 할로겐으로 치환되어 있어도 되고, At least one hydrogen in the compound or structure represented by the formula (BD-YX2) may be substituted with deuterium, cyano or halogen,

식(BD-YX2)로 표시되는 화합물 또는 구조에서의, A환, B환, C환, 아릴 및 헤테로아릴 중 적어도 1개는, 적어도 1개의 시클로알칸으로 축합되어 있어도 되고, 상기 시클로알칸에서의 적어도 1개의 수소는 치환되어 있어도 되고, 상기 시클로알칸에서의 적어도 1개의 -CH2-는 -O-로 치환되어 있어도 된다. In the compound or structure represented by the formula (BD-YX2), at least one of ring A, ring B, ring C, aryl and heteroaryl may be condensed with at least one cycloalkane, At least one hydrogen may be substituted, and at least one -CH2- in the cycloalkane may be substituted with -O-.

특히, 상기 식(BD-YX2)에서 A환, B환 및 C환으로서의 아릴환 또는 헤테로아릴환은, Y1, X1 및 X2로 구성되는 상기 식 중앙의 축합 2환 구조와 결합을 공유하는 5원환 또는 6원환인 것이 바람직하다.In particular, the aryl ring or heteroaryl ring as ring A, ring B and ring C in the formula (BD-YX2) is a 5-membered ring or It is preferable that it is a 6-membered ring.

전자 주입층(160)은, 음극(170)으로부터 이동해오는 전자를, 효율적으로 발광층(140) 내 또는 전자 수송층(150) 내에 주입하는 역할을 한다. The electron injection layer 160 serves to efficiently inject electrons moving from the cathode 170 into the emission layer 140 or the electron transport layer 150 .

전자 수송층(150)은, 음극(170)으로부터 주입된 전자 또는 음극(170)으로부터 전자 주입층(160)을 통해 주입된 전자를, 효율적으로 발광층(140)으로 수송하는 역할을 한다. 전자 수송층(150)의 재료로는 전자 받개 특성을 가져 전자에 대한 이동성이 큰 화합물이 적합하다. 또한, 발광층(140)으로 전자를 주입하기에 적합한 LUMO(Lowest Unoccupied Molecular Orbital) 에너지 준위를 가져야 하며, 발광층(140)으로부터 정공이 전자 수송층(150)으로 넘어오는 것을 막기 위하여 발광층(140)의 HOMO(Highest Occupied Molecular Orbital) 에너지 준위와 차이가 큰 것이 바람직하다.The electron transport layer 150 serves to efficiently transport electrons injected from the cathode 170 or electrons injected from the cathode 170 through the electron injection layer 160 to the emission layer 140 . As the material of the electron transport layer 150, a compound having electron accepting properties and high electron mobility is suitable. In addition, it must have a lowest unoccupied molecular orbital (LUMO) energy level suitable for injecting electrons into the emission layer 140 , and the HOMO of the emission layer 140 in order to prevent holes from passing from the emission layer 140 to the electron transport layer 150 . (Highest Occupied Molecular Orbital) It is preferable that the difference from the energy level is large.

전자 수송층(150) 및 전자 주입층(160)은, 각각 전자 수송·주입 재료의 1종 또는 2종 이상을 적층, 혼합하여 형성된다. The electron transport layer 150 and the electron injection layer 160 are each formed by laminating and mixing one or two or more types of electron transporting/injecting materials.

전자 주입·수송층은, 음극으로부터 전자가 주입되고, 또한 전자를 수송하는 것을 담당하는 층이며, 전자 주입 효율이 높고, 주입된 전자를 효율적으로 수송하는 것이 바람직하다. 이를 위해서는 전자 친화력이 크고, 또한 전자 이동도가 크며, 또 안정성이 우수하고, 트랩이 되는 불순물이 제조시 및 사용시에 발생하기 어려운 물질인 것이 바람직하다. 본 실시형태에 있어서의 전자 주입·수송층은, 정공의 이동을 효율적으로 저지할 수 있는 층의 기능을 가져도 된다. 전자 수송층(150) 또는 전자 주입층(160)을 형성하는 재료로서는, 광도전 재료에 있어서 전자 전달 화합물로서 종래부터 관용되고 있는 화합물, 유기 전계 발광 소자의 전자 주입층 및 전자 수송층에 사용되고 있는 공지의 화합물 중에서 임의로 선택해서 사용할 수 있다. 본 발명에서는, 전자 수송 재료 및/또는 전자 주입 재료로서, 화학식 1로 표시되는 화합물을 사용할 수 있다.The electron injection/transport layer is a layer in which electrons are injected from the cathode and is responsible for transporting electrons, and it is preferable that the electron injection efficiency is high and the injected electrons are efficiently transported. For this purpose, it is preferable that the material is a material having high electron affinity, high electron mobility, excellent stability, and difficult to generate trap impurities during manufacture and use. The electron injection/transport layer in this embodiment may have the function of the layer which can block|block the movement of a hole efficiently. As a material for forming the electron transport layer 150 or the electron injection layer 160, a compound conventionally used as an electron transport compound in a photoconductive material, an electron injection layer and an electron transport layer of an organic electroluminescent device. It can be used arbitrarily selected from among the compounds. In the present invention, as the electron transport material and/or the electron injection material, the compound represented by the formula (1) can be used.

일반적으로, 전자 수송층 또는 전자 주입층에 사용되는 재료로서는, 탄소, 수소, 산소, 황, 규소 및 인 중에서 선택되는 1종 이상의 원자로 구성되는 방향족환 또는 복소 방향족환으로 이루어지는 화합물, 피롤 유도체 및 그 축합환 유도체 및 전자 수용성 질소를 갖는 금속 착체 중에서 선택되는 적어도 1종을 함유하는 것이 바람직하다. 구체적으로는, 나프탈렌, 안트라센 등의 축합환계 방향족환 유도체, 4,4'-비스(디페닐에테닐)비페닐로 대표되는 스티릴계 방향족환 유도체, 페리논 유도체, 쿠마린 유도체, 나프탈이미드 유도체, 안트라퀴논이나 디페노퀴논 등의 퀴논 유도체, 인옥사이드 유도체, 카르바졸 유도체 및 인돌 유도체 등을 들 수 있다. 전자 수용성 질소를 갖는 금속 착체로서는, 예를 들면, 히드록시페닐옥사졸 착체 등의 히드록시아졸 착체, 아조메틴 착체, 트로폴론 금속 착체, 플라보놀 금속 착체 및 벤조퀴놀린 금속 착체 등을 들 수 있다. 이들 재료는 단독으로도 사용되지만, 다른 재료와 혼합해서 사용해도 상관없다.Generally, as a material used for an electron transport layer or an electron injection layer, a compound consisting of an aromatic ring or a heteroaromatic ring composed of one or more atoms selected from carbon, hydrogen, oxygen, sulfur, silicon and phosphorus, a pyrrole derivative, and a condensation thereof It is preferable to contain at least 1 sort(s) chosen from a ring derivative and the metal complex which has electron-accepting nitrogen. Specifically, condensed ring derivatives such as naphthalene and anthracene, styryl aromatic ring derivatives typified by 4,4'-bis(diphenylethenyl)biphenyl, perinone derivatives, coumarin derivatives, and naphthalimide derivatives , quinone derivatives such as anthraquinone and diphenoquinone, phosphate derivatives, carbazole derivatives, and indole derivatives. Examples of the metal complex having electron-accepting nitrogen include hydroxyazole complexes such as hydroxyphenyloxazole complex, azomethine complex, tropolone metal complex, flavonol metal complex, and benzoquinoline metal complex. Although these materials are used individually, you may mix and use with other materials.

또한, 다른 전자 전달 화합물의 구체예로서, 피리딘 유도체, 나프탈렌 유도체, 안트라센 유도체, 페난트롤린 유도체, 페리논 유도체, 쿠마린 유도체, 나프탈이미드 유도체, 안트라퀴논 유도체, 디페노퀴논 유도체, 디페닐퀴논 유도체, 페릴렌 유도체, 옥사디아졸 유도체(1,3-비스[(4-t-부틸페닐)1,3,4-옥사디아졸릴]페닐렌 등), 티오펜 유도체, 트리아졸 유도체(N-나프틸-2,5-디페닐-1,3,4-트리아졸 등), 티아디아졸 유도체, 옥신 유도체의 금속 착체, 퀴놀리놀계 금속 착체, 퀴녹살린 유도체, 퀴녹살린 유도체의 폴리머, 벤자졸류 화합물, 갈륨 착체, 피라졸 유도체, 퍼플루오로화 페닐렌 유도체, 트리아진 유도체, 피라진 유도체, 벤조퀴놀린 유도체(2,2'-비스(벤조[h]퀴놀린-2-일)-9,9'-스피로비플루오렌 등), 이미다조피리딘 유도체, 보란 유도체, 벤조이미다졸 유도체(트리스(N-페닐벤조이미다졸-2-일)벤젠 등), 벤조옥사졸 유도체, 벤조티아졸 유도체, 퀴놀린 유도체, 터피리딘 등의 올리고피리딘 유도체, 비피리딘 유도체, 터피리딘 유도체(1,3-비스(4'-(2,2':6'2"-터피리디닐))벤젠 등), 나프티리딘 유도체(비스(1-나프틸)-4-(1,8-나프티리딘-2-일)페닐포스핀옥사이드 등), 알다진 유도체, 카르바졸 유도체, 인돌 유도체, 인옥사이드 유도체, 비스스티릴 유도체 등을 들 수 있다.Further, as specific examples of other electron transport compounds, pyridine derivatives, naphthalene derivatives, anthracene derivatives, phenanthroline derivatives, perinone derivatives, coumarin derivatives, naphthalimide derivatives, anthraquinone derivatives, diphenoquinone derivatives, diphenylquinones Derivatives, perylene derivatives, oxadiazole derivatives (1,3-bis[(4-t-butylphenyl)1,3,4-oxadiazolyl]phenylene, etc.), thiophene derivatives, triazole derivatives (N- naphthyl-2,5-diphenyl-1,3,4-triazole, etc.), thiadiazole derivatives, metal complexes of auxin derivatives, quinolinol-based metal complexes, quinoxaline derivatives, polymers of quinoxaline derivatives, benzazoles Compounds, gallium complexes, pyrazole derivatives, perfluorinated phenylene derivatives, triazine derivatives, pyrazine derivatives, benzoquinoline derivatives (2,2'-bis(benzo[h]quinolin-2-yl)-9,9' -spirobifluorene, etc.), imidazopyridine derivatives, borane derivatives, benzoimidazole derivatives (tris(N-phenylbenzoimidazol-2-yl)benzene, etc.), benzoxazole derivatives, benzothiazole derivatives, quinoline derivatives , oligopyridine derivatives such as terpyridine, bipyridine derivatives, terpyridine derivatives (1,3-bis(4'-(2,2':6'2"-terpyridinyl))benzene, etc.), naphthyridine derivatives ( bis(1-naphthyl)-4-(1,8-naphthyridin-2-yl)phenylphosphine oxide), aldazine derivatives, carbazole derivatives, indole derivatives, phosphoroxide derivatives, bisstyryl derivatives, etc. can be heard

또한, 전자 수용성 질소를 갖는 금속 착체를 사용할 수도 있고, 예를 들면, 퀴놀리놀계 금속 착체나 히드록시페닐옥사졸 착체 등의 히드록시아졸 착체, 아조메틴 착체, 트로폴론 금속 착체, 플라보놀 금속 착체 및 벤조퀴놀린 금속 착체 등을 들 수 있다.A metal complex having electron-accepting nitrogen can also be used. For example, a hydroxyazole complex such as a quinolinol-based metal complex or a hydroxyphenyloxazole complex, an azomethine complex, a tropolone metal complex, or a flavonol metal complex. and a benzoquinoline metal complex.

상술한 재료는 단독으로도 사용되지만, 다른 재료와 혼합해서 사용해도 상관없다.Although the above-mentioned materials are used individually, you may use it in mixture with other materials.

상술한 재료 중에서도, 보란 유도체, 피리딘 유도체, 플루오란텐 유도체, BO계 유도체, 안트라센 유도체, 벤조플루오렌 유도체, 포스핀옥사이드 유도체, 피리미딘 유도체, 카르바졸 유도체, 트리아진 유도체, 벤조이미다졸 유도체, 페난트롤린 유도체 및 퀴놀리놀계 금속 착체가 바람직하다. Among the above-mentioned materials, borane derivatives, pyridine derivatives, fluoranthene derivatives, BO derivatives, anthracene derivatives, benzofluorene derivatives, phosphine oxide derivatives, pyrimidine derivatives, carbazole derivatives, triazine derivatives, benzoimidazole derivatives, Phenanthroline derivatives and quinolinol-based metal complexes are preferred.

전자 수송층 또는 전자 주입층에는, 또한, 전자 수송층 또는 전자 주입층을 형성하는 재료를 환원할 수 있는 물질을 포함할 수도 있다. 이 환원성 물질은, 일정한 환원성을 가지는 것이면, 다양한 것이 사용되며, 예를 들면, 알칼리 금속, 알칼리 토류 금속, 희토류 금속, 알칼리 금속의 산화물, 알칼리 금속의 할로겐화물, 알칼리 토류 금속의 산화물, 알칼리 토류 금속의 할로겐화물, 희토류 금속의 산화물, 희토류 금속의 할로겐화물, 알칼리 금속의 유기 착체, 알칼리 토류 금속의 유기 착체 및 희토류 금속의 유기 착체로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1개를 바람직하게 사용할 수 있다.The electron transport layer or the electron injection layer may further contain a material capable of reducing the material forming the electron transport layer or the electron injection layer. As the reducing substance, various substances are used as long as they have a certain reducing property, for example, alkali metals, alkaline earth metals, rare earth metals, alkali metal oxides, alkali metal halides, alkaline earth metal oxides, alkaline earth metals. At least one selected from the group consisting of halides, rare earth metal oxides, rare earth metal halides, alkali metal organic complexes, alkaline earth metal organic complexes and rare earth metal organic complexes can be preferably used.

바람직한 환원성 물질로서는, Li(일함수 2.3 eV), Na(일함수 2.36 eV), K(일함수 2.28 eV), Rb(일함수 2.16 eV) 또는 Cs(일함수 1.95 eV) 등의 알칼리 금속이나, Ca(일함수 2.9 eV), Sr(일함수 2.0∼2.5 eV) 또는 Ba(일함수 2.52 eV) 등의 알칼리 토류 금속을 예로 들 수 있고, 일함수가 2.9 eV 이하인 것이 특히 바람직하다. 이들 중, 보다 바람직한 환원성 물질은, K, Rb 또는 Cs의 알칼리 금속이며, 더욱 바람직하게는 Rb 또는 Cs이며, 가장 바람직한 것은 Cs이다. 이들 알칼리 금속은, 특히 환원 능력이 높고, 전자 수송층 또는 전자 주입층을 형성하는 재료로의 비교적 소량의 첨가에 의해, 유기 EL 소자에서의 발광 휘도의 향상이나 장수명화가 도모된다. 또한, 일함수가 2.9 eV 이하인 환원성 물질로서, 이들 2종 이상의 알칼리 금속의 조합도 바람직하고, 특히, Cs를 포함한 조합, 예를 들면, Cs와 Na, Cs와 K, Cs와 Rb, 또는 Cs와 Na와 K의 조합이 바람직하다. Cs를 포함함으로써, 환원 능력을 효율적으로 발휘할 수 있고, 전자 수송층 또는 전자 주입층을 형성하는 재료로의 첨가에 의해, 유기 EL 소자에서의 발광 휘도의 향상이나 장수명화가 도모된다.Preferred reducing substances include alkali metals such as Li (work function 2.3 eV), Na (work function 2.36 eV), K (work function 2.28 eV), Rb (work function 2.16 eV) or Cs (work function 1.95 eV); alkaline earth metals such as Ca (work function 2.9 eV), Sr (work function 2.0 to 2.5 eV) or Ba (work function 2.52 eV) are exemplified, and those having a work function of 2.9 eV or less are particularly preferable. Among these, a more preferable reducing substance is an alkali metal of K, Rb, or Cs, More preferably, it is Rb or Cs, Most preferably, it is Cs. These alkali metals have particularly high reducing ability, and by adding a relatively small amount to a material for forming the electron transport layer or the electron injection layer, the luminance of light emission in the organic EL device and the lifespan of the alkali metal can be improved. In addition, as a reducing substance having a work function of 2.9 eV or less, a combination of two or more of these alkali metals is also preferable, and in particular, a combination containing Cs, for example, Cs and Na, Cs and K, Cs and Rb, or Cs and A combination of Na and K is preferred. By containing Cs, the reducing ability can be exhibited efficiently, and the improvement of the light emission luminance in an organic electroluminescent element and life extension are attained by addition to the material which forms an electron transport layer or an electron injection layer.

음극(170)은, 전자 주입층(160) 및 전자 수송층(150)을 통해, 발광층(140)에 전자를 주입하는 역할을 한다.The cathode 170 serves to inject electrons into the emission layer 140 through the electron injection layer 160 and the electron transport layer 150 .

음극(170)을 형성하는 재료로서는, 전자를 유기물층에 효율적으로 주입할 수 있도록 일함수가 작은 물질인 것이 바람직하다. 음극 재료의 구체예로서는, 주석, 인듐, 칼슘, 알루미늄, 은, 리튬, 나트륨, 칼륨, 티타늄, 이트륨, 가돌리늄, 납, 세슘 및 마그네슘 등의 금속 또는 이들의 합금(마그네슘-은 합금, 마그네슘-인듐 합금, 불화리튬/알루미늄 등의 알루미늄-리튬 합금 등) 등이 바람직하다. 전자 주입 효율을 높여 소자 특성을 향상시키기 위해서는, 리튬, 나트륨, 칼륨, 세슘, 칼슘, 마그네슘 또는 이들 저(低)일함수 금속을 함유하는 합금이 유효하다. 그러나, 이들 저일함수 금속은 일반적으로 대기 중에서 불안정한 경우가 많다. 이러한 점을 개선하기 위해서, 예를 들면, 유기물층에 미량의 리튬, 세슘이나 마그네슘을 도핑해서, 안정성이 높은 전극을 사용하는 방법이 알려져 있다. 그 밖의 도펀트로서는, 불화리튬, 불화세슘, 산화리튬 및 산화세슘과 같은 무기염도 사용할 수 있다. 단, 이들에 한정되지 않는다.The material for forming the cathode 170 is preferably a material having a small work function so that electrons can be efficiently injected into the organic material layer. Specific examples of the negative electrode material include metals such as tin, indium, calcium, aluminum, silver, lithium, sodium, potassium, titanium, yttrium, gadolinium, lead, cesium and magnesium, or alloys thereof (magnesium-silver alloy, magnesium-indium alloy). , an aluminum-lithium alloy such as lithium fluoride/aluminum, etc.) are preferable. In order to increase electron injection efficiency and improve device characteristics, lithium, sodium, potassium, cesium, calcium, magnesium, or an alloy containing these low work function metals is effective. However, these low work function metals are generally unstable in the atmosphere in many cases. In order to improve this point, for example, a method of using an electrode with high stability by doping a trace amount of lithium, cesium, or magnesium into an organic material layer is known. As other dopants, inorganic salts such as lithium fluoride, cesium fluoride, lithium oxide and cesium oxide can also be used. However, it is not limited to these.

유기물층은 정공수송층(130)과 발광층(140) 사이에 전자저지층을 더 포함할 수 있으며, 전자수송층(150)과 발광층(140) 사이에 정공저지층을 더 포함할 수 있다.The organic material layer may further include an electron blocking layer between the hole transport layer 130 and the emission layer 140 , and may further include a hole blocking layer between the electron transport layer 150 and the emission layer 140 .

전자저지층과 정공저지층은 발광층(140)에서 생성된 엑시톤이 발광층(140)에 인접하는 전자 수송층(150) 또는 정공 수송층(130)으로 확산되거나, 발광층(140)에서 재결합되지 않고 정공수송층(130) 또는 전자수송층(150)으로 전자 또는 정공이 넘어오는 것을 방지하는 층이다. 이로 인하여 발광층 내에서 발광에 기여하는 엑시톤의 수가 증가되어 소자의 발광 효율이 개선되고 구동전압이 낮아질 수 있다. 또한, 환원(전자 받게)에 의해 전자를 이동시키는 전자수송층(150)으로 정공이 확산되어 산화에 의한 비가역적 분해반응이 일어나는 것을 방지함으로써, 소자의 내구성 및 안정성이 향상되고 소자의 수명이 효율적으로 증가될 수 있다. In the electron blocking layer and the hole blocking layer, excitons generated in the light emitting layer 140 diffuse into the electron transport layer 150 or the hole transport layer 130 adjacent to the light emitting layer 140, or do not recombine in the light emitting layer 140. The hole transport layer ( 130) or the electron transport layer 150 is a layer that prevents electrons or holes from passing over. Due to this, the number of excitons contributing to light emission in the light emitting layer is increased, so that the light emission efficiency of the device can be improved and the driving voltage can be lowered. In addition, by preventing an irreversible decomposition reaction due to oxidation by diffusion of holes into the electron transport layer 150 that moves electrons by reduction (electron acceptor), the durability and stability of the device are improved and the lifespan of the device is effectively increased can be increased.

전자저지층 또는 정공저지층은 당 기술분야에 알려져 있는 재료가 사용될 수 있는데, 본 발명의 화학식 1에 의해 표시되는 화합물은 바람직하게 정공저지층의 물질로서 사용될 수 있다.Materials known in the art may be used for the electron blocking layer or the hole blocking layer, and the compound represented by Formula 1 of the present invention may be preferably used as a material for the hole blocking layer.

유기물층은, 전자저지층과 발광층(140) 사이에 발광보조층(미도시)을 더 포함할 수 있다. 발광 보조층은 발광층(140)에 정공을 수송하는 역할을 하면서 유기물층의 두께를 조정하는 역할을 할 수 있다. 발광 보조층은 정공 수송 물질로 당 기술분야에 알려져 있는 재료가 사용될 수 있다. The organic layer may further include a light emitting auxiliary layer (not shown) between the electron blocking layer and the light emitting layer 140 . The light emitting auxiliary layer may serve to transport holes to the light emitting layer 140 and to adjust the thickness of the organic material layer. For the light emitting auxiliary layer, a material known in the art may be used as a hole transport material.

이상의 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층 및 전자 주입층 등에 사용되는 재료는 단독으로 각 층을 형성할 수 있지만, 고분자 결착제로서 폴리염화비닐, 폴리카보네이트, 폴리스티렌, 폴리(N-비닐카르바졸), 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리부틸메타크릴레이트, 폴리에스테르, 폴리술폰, 폴리페닐렌옥사이드, 폴리부타디엔, 탄화수소 수지, 케톤 수지, 페녹시 수지, 폴리아미드, 에틸셀룰로오스, 아세트산비닐 수지, ABS 수지, 폴리우레탄 수지 등의 용제 가용성 수지나, 페놀 수지, 자일렌 수지, 석유 수지, 요소 수지, 멜라민 수지, 불포화 폴리에스테르 수지, 알키드 수지, 에폭시 수지, 실리콘 수지 등의 경화성 수지 등으로 분산시켜 사용하는 것도 가능하다.The materials used for the above hole injection layer, hole transport layer, light emitting layer, electron transport layer and electron injection layer can form each layer alone, but as a polymer binder, polyvinyl chloride, polycarbonate, polystyrene, poly(N-vinylcarryl) Bazole), polymethyl methacrylate, polybutyl methacrylate, polyester, polysulfone, polyphenylene oxide, polybutadiene, hydrocarbon resin, ketone resin, phenoxy resin, polyamide, ethyl cellulose, vinyl acetate resin, ABS Used by dispersing in solvent-soluble resins such as resins and polyurethane resins, phenol resins, xylene resins, petroleum resins, urea resins, melamine resins, unsaturated polyester resins, alkyd resins, epoxy resins, silicone resins, etc. It is also possible to

<유기 전계 발광 소자의 제조 방법><Method for manufacturing organic electroluminescent device>

유기 전계 발광 소자를 구성하는 각 층은, 각 층을 구성해야 하는 재료를 증착법, 저항 가열 증착, 전자빔 증착, 스퍼터링, 분자 적층법, 인쇄법, 스핀 코트법 또는 캐스트법, 코팅법 등의 방법으로 박막으로 함으로써 형성할 수 있다. 이렇게 해서 형성된 각 층의 막 두께에 대해서는 특별히 한정은 없고, 재료의 성질에 따라 적당히 설정할 수 있지만, 통상 2㎚~5000㎚의 범위이다. 막 두께는 통상, 수정 발진식 막 두께 측정 장치 등으로 측정할 수 있다. 증착법을 이용해서 박막화할 경우, 그 증착 조건은, 재료의 종류, 막의 목적으로 하는 결정 구조 및 회합 구조 등에 따라 다르다. 증착 조건은 일반적으로 증착용 도가니의 가열 온도 +50~+400℃, 진공도 10-6~10-3Pa, 증착 속도 0.01~50㎚/초, 기판 온도 -150~+300℃, 막 두께 2㎚~5㎛의 범위에서 적당히 설정하는 것이 바람직하다.Each layer constituting the organic electroluminescent device is formed by depositing the material to be composed of each layer by vapor deposition, resistance heating deposition, electron beam deposition, sputtering, molecular lamination, printing, spin coating or casting, coating method, etc. It can form by setting it as a thin film. There is no limitation in particular about the film thickness of each layer formed in this way, Although it can set suitably according to the property of a material, Usually, it is the range of 2 nm - 5000 nm. The film thickness can be usually measured with a crystal oscillation type film thickness measuring device or the like. In the case of thin film formation using the vapor deposition method, the deposition conditions differ depending on the type of material, the target crystal structure and association structure of the film, and the like. The deposition conditions are generally: heating temperature of the crucible for deposition +50~+400℃, vacuum degree 10-6 ~ 10-3Pa , deposition rate 0.01~50nm/sec, substrate temperature -150~+300℃, film thickness 2nm It is preferable to set suitably in the range of -5 micrometers.

다음으로, 유기 전계발광 소자를 제조하는 방법의 일례로서, 양극/정공 주입층/정공 수송층/호스트 재료와 도펀트 재료로 이루어지는 발광층/전자 수송층/전자 주입층/음극으로 이루어지는 유기 전계 발광 소자의 제작법에 대해서 설명한다. Next, as an example of a method for manufacturing an organic electroluminescent device, an anode / hole injection layer / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / electron injection layer / cathode consisting of a host material and a dopant material. explain about

적당한 기판 상에, 양극 재료의 박막을 증착법 등에 의해 형성시켜 양극을 제작한 후, 이 양극 상에 정공 주입층 및 정공 수송층의 박막을 형성시킨다. 이 위에 호스트 재료와 도펀트 재료를 공증착(codeposition)하고 박막을 형성시켜 발광층으로 하고, 이 발광층 위에 전자 수송층, 전자 주입층을 형성시키고, 또한 음극용 물질로 이루어지는 박막을 증착법 등에 의해 형성시켜 음극으로 함으로써, 원하는 유기 전계 발광 소자가 얻어진다. 또한, 상술한 유기 전계 발광 소자의 제작에 있어서는, 제작 순서를 반대로 해서, 음극, 전자 주입층, 전자 수송층, 발광층, 정공 수송층, 정공 주입층, 양극의 순으로 제작하는 것도 가능하다.On a suitable substrate, a thin film of an anode material is formed by a vapor deposition method or the like to prepare an anode, and then a thin film of a hole injection layer and a hole transport layer is formed on the anode. A host material and a dopant material are co-deposited on this to form a thin film to form a light emitting layer, an electron transport layer and an electron injection layer are formed on the light emitting layer, and a thin film made of a material for a cathode is formed by vapor deposition or the like to form a cathode. Thereby, a desired organic electroluminescent element is obtained. In addition, in the manufacture of the above-mentioned organic electroluminescent device, it is also possible to produce in the order of the cathode, the electron injection layer, the electron transport layer, the light emitting layer, the hole transport layer, the hole injection layer, the anode by reversing the manufacturing order.

<유기 전계 발광 소자의 응용예><Application example of organic electroluminescent device>

또한, 본 발명은 유기 전계 발광 소자를 구비한 표시 장치 또는 유기 전계 발광 소자를 구비한 조명 장치 등에도 응용할 수 있다.Further, the present invention can also be applied to a display device including an organic electroluminescent device or a lighting device including an organic electroluminescent device.

유기 전계 발광 소자를 구비한 표시 장치 또는 조명 장치는, 본 실시형태에 이러한 유기 전계 발광 소자와 공지의 구동 장치(예컨대, 박막 트랜지스터의 드레인 전극 또는 소스 전극)를 접속하는 등 공지의 방법에 의해 제조할 수 있고, 직류 구동, 펄스 구동, 교류 구동 등 공지의 구동 방법을 적당히 이용해서 구동할 수 있다.A display device or a lighting device including an organic electroluminescent element is manufactured in the present embodiment by a known method such as connecting such an organic electroluminescent element and a known driving device (eg, a drain electrode or a source electrode of a thin film transistor). It can be driven by suitably using known driving methods such as DC driving, pulse driving, and AC driving.

표시 장치로서는, 예를 들면, 컬러 플랫 패널 디스플레이 등의 패널 디스플레이, 플렉시블 컬러 유기 전계 발광(EL) 디스플레이 등의 플렉시블 디스플레이 등을 들 수 있다(예를 들면, 일본 특허공개 평 10-335066호 공보, 일본 특허공개 2003-321546호 공보, 일본 특허공개 2004-281706호 공보 등 참조). 또한, 디스플레이의 표시 방식으로서는, 예를 들면, 매트릭스 및/또는 세그먼트 방식 등을 들 수 있다. 또한, 매트릭스 표시와 세그먼트 표시는 동일한 패널 안에 공존하고 있어도 된다.As a display apparatus, flexible displays, such as panel displays, such as a color flat panel display, and a flexible color organic electroluminescence (EL) display, etc. are mentioned, for example (For example, Unexamined-Japanese-Patent No. 10-335066, See Japanese Patent Laid-Open No. 2003-321546, Japanese Patent Laid-Open No. 2004-281706, etc.). Moreover, as a display method of a display, a matrix and/or a segment method etc. are mentioned, for example. In addition, the matrix display and the segment display may coexist in the same panel.

매트릭스에서는, 표시를 위한 화소가 격자상이나 모자이크상 등 2차원적으로 배치되어 있고, 화소의 집합으로 문자나 화상을 표시한다. 화소의 형상이나 사이즈는 용도에 따라 결정된다. 예를 들면, PC, 모니터, 텔레비전의 화상 및 문자 표시에는, 통상 한 변이 300㎛ 이하의 사각형의 화소가 사용되며, 또한 표시 패널과 같은 대형 디스플레이의 경우는, 한 변이 ㎜ 오더의 화소를 사용하게 된다. 모노크롬 표시의 경우는, 같은 색의 화소를 배열하면 되지만, 컬러 표시의 경우에는, 빨간색, 녹색, 파란색의 화소를 나열해서 표시시킨다. 이 경우, 전형적으로는 델타 타입과 스트라이프 타입이 있다. 그리고, 이 매트릭스의 구동 방법으로서는, 선순차(線順次) 구동 방법이나 액티브 매트릭스 중 어느 것이나 된다. 선순차 구동이 구조가 간단하다는 이점이 있지만, 동작 특성을 고려한 경우, 액티브 매트릭스가 우수한 경우가 있으므로, 이것도 용도에 따라 달리 사용하는 것이 필요하다.In the matrix, pixels for display are arranged two-dimensionally, such as a grid shape or a mosaic shape, and a character or an image is displayed by a set of pixels. The shape or size of the pixel is determined depending on the application. For example, a square pixel with a side of 300 μm or less is usually used for displaying images and characters on PCs, monitors, and televisions, and in the case of large displays such as display panels, pixels with a side of the order of mm are used. do. In the case of monochrome display, pixels of the same color may be arranged, but in the case of color display, pixels of red, green, and blue are displayed in a row. In this case, there are typically a delta type and a stripe type. Incidentally, as a driving method of this matrix, either a linear driving method or an active matrix may be used. Although line-sequential driving has an advantage in that it has a simple structure, an active matrix may be excellent when the operating characteristics are considered, so it is necessary to use this differently depending on the purpose.

세그먼트 방식(타입)에서는, 미리 정해진 정보를 표시하도록 패턴을 형성하고, 정해진 영역을 발광시키게 된다. 예를 들면, 디지털 시계나 온도계에 있어서의 시각이나 온도 표시, 오디오 기기나 전자 조리기 등의 동작 상태 표시 및 자동차의 패널 표시 등을 들 수 있다.In the segment method (type), a pattern is formed to display predetermined information, and a predetermined area is made to emit light. For example, time and temperature display in a digital watch or thermometer, operation state display of an audio device, an electronic cooker, etc., and a panel display of an automobile, etc. are mentioned.

조명 장치로서는, 예를 들면, 실내 조명 등의 조명 장치, 액정 표시 장치의 백라이트 등을 들 수 있다(예를 들면, 일본 특허공개 2003-257621호 공보, 일본 특허공개 2003-277741호 공보, 일본 특허공개 2004-119211호 공보 등 참조). 백라이트는, 주로 자발광하지 않는 표시 장치의 시인성을 향상시킬 목적으로 사용되며, 액정 표시 장치, 시계, 오디오 장치, 자동차 패널, 표시판 및 표지 등에 사용된다. 특히, 액정 표시 장치, 그 중에서도 박형화가 과제로 되고 있는 PC 용도의 백라이트로서는, 종래 방식이 형광등이나 도광판으로 이루어져 있기 때문에 박형화가 곤란한 것을 고려하면, 본 실시형태에 따른 발광 소자를 사용한 백라이트는 박형이고, 경량이 특징이 된다.Examples of the lighting device include lighting devices such as indoor lighting, backlights of liquid crystal display devices, and the like (for example, Japanese Patent Laid-Open Nos. 2003-257621, 2003-277741, Japanese Patents See Publication No. 2004-119211, etc.). The backlight is mainly used for the purpose of improving the visibility of a display device that does not emit light by itself, and is used in a liquid crystal display device, a watch, an audio device, an automobile panel, a display panel, a cover, and the like. In particular, as a backlight for a liquid crystal display device, especially a PC for which thinning is a problem, the backlight using the light emitting element according to the present embodiment is thin, considering that it is difficult to reduce the thickness because the conventional method consists of a fluorescent lamp or a light guide plate. , is characterized by light weight.

<실시예><Example>

이하에 실시예에 의해 본 발명을 더욱 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이들에 한정되지 않는다.The present invention will be more specifically described below by way of Examples, but the present invention is not limited thereto.

[본 발명의 화합물의 합성예][Synthesis example of the compound of the present invention]

[합성예 1] 화합물 2의 합성예[Synthesis Example 1] Synthesis Example of Compound 2

Figure pat00039
Figure pat00039

코어 1 (5.5 g, 10.0 mmol), [1,1'-Biphenyl]-4-ylboronic acid (2.0 g, 10.0 mmol), Pd(PPh3)4 (0.4 g, 0.4 mmol), NaOH (1.2 g, 30.0 mmol)을 둥근 바닥 플라스크에 다 넣은 후, Toluene 50 ml과 H2O 20 ml을 첨가한다. 그리고 110℃에서 3시간 동안 가열 환류하였다. 반응 종료 후, 생성된 고체를 여과하였다. 여과된 고체를 Toluene에 녹인 후 실리카 컬럼크로마토그래피를 통해 정제하여 목적 화합물 5.5 g (수율: 83 %)을 얻었다. [LCMS]: 662 Core 1 (5.5 g, 10.0 mmol), [1,1'-Biphenyl]-4-ylboronic acid (2.0 g, 10.0 mmol), Pd(PPh 3 ) 4 (0.4 g, 0.4 mmol), NaOH (1.2 g, 30.0 mmol) was added to a round bottom flask, and then 50 ml of Toluene and 20 ml of H 2 O were added. Then, it was heated and refluxed at 110° C. for 3 hours. After completion of the reaction, the resulting solid was filtered. The filtered solid was dissolved in toluene and purified through silica column chromatography to obtain 5.5 g of the target compound (yield: 83%). [LCMS]: 662

[합성예 2] 화합물 6의 합성예[Synthesis Example 2] Synthesis example of compound 6

Figure pat00040
Figure pat00040

코어 1 (5.5 g, 10.0 mmol), (4-(Naphthalen-1-yl)phenyl)boronic acid (2.5 g, 10.0 mmol), Pd(PPh3)4 (0.4 g, 0.4 mmol), NaOH (1.2 g, 30.0 mmol)을 둥근 바닥 플라스크에 다 넣은 후, Toluene 50 ml과 H2O 20 ml을 첨가한다. 그리고 110℃에서 3시간 동안 가열 환류하였다. 반응 종료 후, 생성된 고체를 여과하였다. 여과된 고체를 Toluene에 녹인 후 실리카 컬럼크로마토그래피를 정제하여 목적 화합물 5.3 g (수율: 74%)을 얻었다.[LCMS]: 712Core 1 (5.5 g, 10.0 mmol), (4-(Naphthalen-1-yl)phenyl)boronic acid (2.5 g, 10.0 mmol), Pd(PPh 3 ) 4 (0.4 g, 0.4 mmol), NaOH (1.2 g , 30.0 mmol) into a round bottom flask, and then 50 ml of Toluene and 20 ml of H 2 O are added. Then, it was heated and refluxed at 110° C. for 3 hours. After completion of the reaction, the resulting solid was filtered. The filtered solid was dissolved in toluene and purified by silica column chromatography to obtain 5.3 g (yield: 74%) of the target compound. [LCMS]: 712

[합성예 3] 화합물 8의 합성예[Synthesis Example 3] Synthesis example of compound 8

Figure pat00041
Figure pat00041

코어 1 (5.5 g, 10.0 mmol), (4'-Cyano-[1,1'-biphenyl]-3-yl)boronic acid (2.2 g, 10.0 mmol), Pd(PPh3)4 (0.4 g, 0.4 mmol), NaOH (1.2 g, 30.0 mmol)을 둥근 바닥 플라스크에 다 넣은 후, Toluene 50 ml과 H2O 20 ml을 첨가한다. 그리고 110℃에서 3시간 동안 가열 환류하였다. 반응 종료 후, 생성된 고체를 여과하였다. 여과된 고체를 Toluene에 녹인 후 실리카 컬럼크로마토그래피를 정제하여 목적 화합물 6.1 g (수율: 88 %)을 얻었다.[LCMS]: 687Core 1 (5.5 g, 10.0 mmol), (4'-Cyano-[1,1'-biphenyl]-3-yl)boronic acid (2.2 g, 10.0 mmol), Pd(PPh 3 ) 4 (0.4 g, 0.4 mmol) and NaOH (1.2 g, 30.0 mmol) were put into a round bottom flask, and then 50 ml of Toluene and 20 ml of H 2 O were added. Then, it was heated and refluxed at 110° C. for 3 hours. After completion of the reaction, the resulting solid was filtered. The filtered solid was dissolved in toluene and purified by silica column chromatography to obtain 6.1 g (yield: 88%) of the target compound. [LCMS]: 687

[합성예 4] 화합물 10의 합성예[Synthesis Example 4] Synthesis Example of Compound 10

Figure pat00042
Figure pat00042

코어-1 (5.5 g, 10.0 mmol), 2-Naphthyl boronic acid (1.7 g, 10.0 mmol), Pd(PPh3)4 (0.4 g, 0.4 mmol), NaOH (1.2 g, 30.0 mmol)을 둥근 바닥 플라스크에 다 넣은 후, Toluene 50 ml과 H2O 20 ml을 첨가한다. 그리고, 110℃에서 3시간 동안 가열 환류하였다. 반응 종료 후, 생성된 고체를 여과하였다. 여과된 고체를 Toluene에 녹인 후 실리카 컬럼크로마토그래피를 정제하여 목적 화합물 4.7 g (수율: 74%)을 얻었다. [LCMS]: 636Core-1 (5.5 g, 10.0 mmol), 2-Naphthyl boronic acid (1.7 g, 10.0 mmol), Pd(PPh 3 ) 4 (0.4 g, 0.4 mmol), NaOH (1.2 g, 30.0 mmol) in a round bottom flask After putting it all in, 50 ml of Toluene and 20 ml of H 2 O are added. Then, it was heated and refluxed at 110° C. for 3 hours. After completion of the reaction, the resulting solid was filtered. The filtered solid was dissolved in toluene and purified by silica column chromatography to obtain 4.7 g (yield: 74%) of the target compound. [LCMS]: 636

[합성예 5] 화합물 30 합성[Synthesis Example 5] Synthesis of compound 30

Figure pat00043
Figure pat00043

코어-2 (5.5 g, 10.0 mmol), (4-(naphthalen-1-yl)phenyl)boronic acid (2.5 g, 10.0 mmol), Pd(PPh3)4 (0.4 g, 0.4 mmol), NaOH (1.2 g, 30.0 mmol)을 둥근 바닥 플라스크에 다 넣은 후, Toluene 50 ml과 H2O 20 ml을 첨가한다. 그리고 110℃에서 3시간 동안 가열 환류하였다. 반응 종료 후, 생성된 고체를 여과하였다. 여과된 고체를 Toluene에 녹인 후 실리카 컬럼크로마토그래피를 정제하여 목적 화합물 6.2 g (수율: 88 %)을 얻었다. [LCMS]: 712Core-2 (5.5 g, 10.0 mmol), (4-(naphthalen-1-yl)phenyl)boronic acid (2.5 g, 10.0 mmol), Pd(PPh 3 ) 4 (0.4 g, 0.4 mmol), NaOH (1.2 g, 30.0 mmol) was put into a round bottom flask, and then 50 ml of Toluene and 20 ml of H 2 O were added. Then, it was heated and refluxed at 110° C. for 3 hours. After completion of the reaction, the resulting solid was filtered. The filtered solid was dissolved in toluene and purified by silica column chromatography to obtain 6.2 g (yield: 88%) of the target compound. [LCMS]: 712

[합성예 6] 화합물 31 합성[Synthesis Example 6] Synthesis of compound 31

Figure pat00044
Figure pat00044

코어-2 (5.5 g, 10.0 mmol), 2-Naphthyl boronic acid (1.7 g, 10.0 mmol), Pd(PPh3)4 (0.4 g, 0.4 mmol), NaOH (1.2 g, 30.0 mmol)을 둥근 바닥 플라스크에 다 넣은 후, Toluene 50 ml과 H2O 20 ml을 첨가한다. 그리고 110℃에서 3시간 동안 가열 환류하였다. 반응 종료 후, 생성된 고체를 여과하였다. 여과된 고체를 Toluene에 녹인 후 실리카 컬럼크로마토그래피를 정제하여 목적 화합물 4.9 g (수율: 77 %)을 얻었다. [LCMS]: 636Core-2 (5.5 g, 10.0 mmol), 2-Naphthyl boronic acid (1.7 g, 10.0 mmol), Pd(PPh 3 ) 4 (0.4 g, 0.4 mmol), NaOH (1.2 g, 30.0 mmol) in a round bottom flask After putting it all in, 50 ml of Toluene and 20 ml of H 2 O are added. Then, it was heated and refluxed at 110° C. for 3 hours. After completion of the reaction, the resulting solid was filtered. The filtered solid was dissolved in toluene and purified by silica column chromatography to obtain 4.9 g (yield: 77%) of the target compound. [LCMS]: 636

[합성예 7] 화합물 33의 합성예[Synthesis Example 7] Synthesis example of compound 33

Figure pat00045
Figure pat00045

코어 2 (5.5 g, 10.0 mmol), (Dibenzo[b,d]furan-4-ylboronic acid (2.1 g, 10.0 mmol), Pd(PPh3)4 (0.4 g, 0.4 mmol), NaOH (1.2 g, 30.0 mmol)을 둥근 바닥 플라스크에 다 넣은 후, Toluene 50 ml과 H2O 20 ml을 첨가한다. 그리고 110℃에서 3시간 동안 가열 환류하였다. 반응 종료 후, 생성된 고체를 여과하였다. 여과된 고체를 Toluene에 녹인 후 실리카 컬럼크로마토그래피를 정제하여 목적 화합물 5.2 g (수율: 77 %)을 얻었다.[LCMS]: 676Core 2 (5.5 g, 10.0 mmol), (Dibenzo[b,d]furan-4-ylboronic acid (2.1 g, 10.0 mmol), Pd(PPh 3 ) 4 (0.4 g, 0.4 mmol), NaOH (1.2 g, 30.0 mmol) was put into a round bottom flask, 50 ml of Toluene and 20 ml of H 2 O were added, and the mixture was heated to reflux for 3 hours at 110° C. After completion of the reaction, the resulting solid was filtered. was dissolved in toluene and purified by silica column chromatography to obtain 5.2 g (yield: 77%) of the target compound. [LCMS]: 676

[합성예 8] 화합물 37 합성[Synthesis Example 8] Synthesis of compound 37

Figure pat00046
Figure pat00046

코어-3 (5.5g, 10.0 mmol), (4-cyanophenyl)boronic acid (1.5 g, 10.0 mmol), Pd(PPh3)4 (0.4 g, 0.4 mmol), NaOH (1.2 g, 30.0 mmol)을 둥근 바닥 플라스크에 다 넣은 후, Toluene 50 ml과 H2O 20 ml을 첨가한다. 그리고 110℃에서 3시간 동안 가열 환류하였다. 반응 종료 후, 생성된 고체를 여과하였다. 여과된 고체를 Toluene에 녹인 후 실리카 컬럼크로마토그래피를 정제하여 목적 화합물 4.0 g (수율: 65 %)을 얻었다. [LCMS]: 611Core-3 (5.5 g, 10.0 mmol), (4-cyanophenyl)boronic acid (1.5 g, 10.0 mmol), Pd(PPh 3 ) 4 (0.4 g, 0.4 mmol), NaOH (1.2 g, 30.0 mmol) After putting everything in the bottom flask, 50 ml of Toluene and 20 ml of H 2 O are added. Then, it was heated and refluxed at 110° C. for 3 hours. After completion of the reaction, the resulting solid was filtered. After dissolving the filtered solid in toluene, silica column chromatography was purified to obtain 4.0 g of the target compound (yield: 65%). [LCMS]: 611

[합성예 9] 화합물 38 합성[Synthesis Example 9] Synthesis of compound 38

Figure pat00047
Figure pat00047

코어-3 (5.5 g, 10.0 mmol), [1,1'-biphenyl]-4-ylboronic acid (2.0 g, 10.0 mmol), Pd(PPh3)4 (0.4 g, 0.4 mmol), NaOH (1.2 g, 30.0 mmol)을 둥근 바닥 플라스크에 다 넣은 후, Toluene 50 ml과 H2O 20 ml을 첨가한다. 그리고 110℃에서 3시간 동안 가열 환류하였다. 반응 종료 후, 생성된 고체를 여과하였다. 여과된 고체를 Toluene에 녹인 후 실리카 컬럼크로마토그래피를 정제하여 목적 화합물 5.0 g (수율: 75 %)을 얻었다. [LCMS]: 662Core-3 (5.5 g, 10.0 mmol), [1,1'-biphenyl]-4-ylboronic acid (2.0 g, 10.0 mmol), Pd(PPh 3 ) 4 (0.4 g, 0.4 mmol), NaOH (1.2 g , 30.0 mmol) into a round bottom flask, and then 50 ml of Toluene and 20 ml of H 2 O are added. Then, it was heated and refluxed at 110° C. for 3 hours. After completion of the reaction, the resulting solid was filtered. After dissolving the filtered solid in toluene, silica column chromatography was purified to obtain 5.0 g of the target compound (yield: 75%). [LCMS]: 662

[합성예 10] 화합물 48의 합성예[Synthesis Example 10] Synthesis Example of Compound 48

Figure pat00048
Figure pat00048

코어 3 (5.5g, 10.0 mmol), (Phenyl-d5)boronic acid (1.3 g, 10.0 mmol), Pd(PPh3)4 (0.4 g, 0.4 mmol), NaOH (1.2 g, 30.0 mmol)을 둥근 바닥 플라스크에 다 넣은 후, Toluene 50 ml과 H2O 20 ml을 첨가한다. 그리고 110℃에서 3시간 동안 가열 환류하였다. 반응 종료 후, 생성된 고체를 여과하였다. 여과된 고체를 Toluene에 녹인 후 실리카 컬럼크로마토그래피를 정제하여 목적 화합물 3.8 g (수율: 65 %)을 얻었다.[LCMS]: 591Round core 3 (5.5 g, 10.0 mmol), (Phenyl-d 5 )boronic acid (1.3 g, 10.0 mmol), Pd(PPh 3 ) 4 (0.4 g, 0.4 mmol), NaOH (1.2 g, 30.0 mmol) After putting everything in the bottom flask, 50 ml of Toluene and 20 ml of H 2 O are added. Then, it was heated and refluxed at 110° C. for 3 hours. After completion of the reaction, the resulting solid was filtered. The filtered solid was dissolved in toluene and purified by silica column chromatography to obtain 3.8 g (yield: 65 %) of the target compound. [LCMS]: 591

[합성예 11] 화합물 73의 합성예[Synthesis Example 11] Synthesis example of compound 73

Figure pat00049
Figure pat00049

코어 4 (6.0 g, 10.0 mmol), Phenylboronic acid (1.2 g, 10.0 mmol), Pd(PPh3)4 (0.4 g, 0.4 mmol), NaOH (1.2 g, 30.0 mmol)을 둥근 바닥 플라스크에 다 넣은 후, Toluene 50 ml과 H2O 20 ml을 첨가한다. 그리고 110℃에서 3시간 동안 가열 환류하였다. 반응 종료 후, 생성된 고체를 여과하였다. 여과된 고체를 Toluene에 녹인 후 실리카 컬럼크로마토그래피를 정제하여 목적 화합물 4.8 g (수율: 75 %)을 얻었다.[LCMS]: 636Core 4 (6.0 g, 10.0 mmol), Phenylboronic acid (1.2 g, 10.0 mmol), Pd(PPh 3 ) 4 (0.4 g, 0.4 mmol), and NaOH (1.2 g, 30.0 mmol) were all put into a round bottom flask. , 50 ml of Toluene and 20 ml of H 2 O are added. Then, it was heated and refluxed at 110° C. for 3 hours. After completion of the reaction, the resulting solid was filtered. The filtered solid was dissolved in toluene and purified by silica column chromatography to obtain 4.8 g (yield: 75%) of the target compound. [LCMS]: 636

[합성예 12] 화합물 90 합성[Synthesis Example 12] Synthesis of compound 90

Figure pat00050
Figure pat00050

코어-2 (5.5 g, 10.0 mmol), ((4-(naphthalen-2-yl)phenyl)boronic acid (2.5 g, 10.0 mmol), Pd(PPh3)4 (0.4 g, 0.4 mmol), NaOH (1.2 g, 30.0 mmol)을 둥근 바닥 플라스크에 다 넣은 후, Toluene 50 ml과 H2O 20 ml을 첨가한다. 그리고 110℃에서 3시간 동안 가열 환류하였다. 반응 종료 후, 생성된 고체를 여과하였다. 여과된 고체를 Toluene에 녹인 후 실리카 컬럼크로마토그래피를 정제하여 목적 화합물 4.1 g (수율: 58 %)을 얻었다. [LCMS]: 712Core-2 (5.5 g, 10.0 mmol), ((4-(naphthalen-2-yl)phenyl)boronic acid (2.5 g, 10.0 mmol), Pd(PPh 3 ) 4 (0.4 g, 0.4 mmol), NaOH ( 1.2 g, 30.0 mmol) was put into a round bottom flask, 50 ml of Toluene and 20 ml of H 2 O were added, and the mixture was heated to reflux for 3 hours at 110° C. After completion of the reaction, the resulting solid was filtered. The filtered solid was dissolved in toluene and purified by silica column chromatography to obtain 4.1 g (yield: 58%) of the target compound [LCMS]: 712

[합성예 13] 화합물 92의 합성예[Synthesis Example 13] Synthesis example of compound 92

Figure pat00051
Figure pat00051

코어 5 (6.0 g, 10.0 mmol), (Phenyl-d5)boronic acid (1.3 g, 10.0 mmol), Pd(PPh3)4 (0.4 g, 0.4 mmol), NaOH (1.2 g, 30.0 mmol)을 둥근 바닥 플라스크에 다 넣은 후, Toluene 50 ml과 H2O 20 ml을 첨가한다. 그리고 110℃에서 3시간 동안 가열 환류하였다. 반응 종료 후, 생성된 고체를 여과하였다. 여과된 고체를 Toluene에 녹인 후 실리카 컬럼크로마토그래피를 정제하여 목적 화합물 3.7 g (수율: 58 %)을 얻었다.[LCMS]: 641Round core 5 (6.0 g, 10.0 mmol), (Phenyl-d 5 )boronic acid (1.3 g, 10.0 mmol), Pd(PPh 3 ) 4 (0.4 g, 0.4 mmol), NaOH (1.2 g, 30.0 mmol) After putting everything in the bottom flask, 50 ml of Toluene and 20 ml of H 2 O are added. Then, it was heated and refluxed at 110° C. for 3 hours. After completion of the reaction, the resulting solid was filtered. The filtered solid was dissolved in toluene and purified by silica column chromatography to obtain 3.7 g (yield: 58 %) of the target compound. [LCMS]: 641

[합성예 14] 화합물 122 합성[Synthesis Example 14] Synthesis of compound 122

Figure pat00052
Figure pat00052

2-Bromospiro[fluorene-9,9'-xanthene] (4.1 g, 10.0 mmol), Sub-1 (4.5 g, 10.0 mmol), Pd(PPh3)4 (0.4 g, 0.4 mmol), NaOH (1.2 g, 30.0 mmol)을 둥근 바닥 플라스크에 다 넣은 후, Toluene 50 ml과 H2O 20 ml을 첨가한다. 그리고 110℃에서 3시간 동안 가열 환류하였다. 반응 종료 후, 생성된 고체를 여과하였다. 여과된 고체를 Toluene에 녹인 후 실리카 컬럼크로마토그래피를 정제하여 목적 화합물 5.2 g (수율: 71 %)을 얻었다. [LCMS]: 7382-Bromospiro[fluorene-9,9'-xanthene] (4.1 g, 10.0 mmol), Sub-1 (4.5 g, 10.0 mmol), Pd(PPh 3 ) 4 (0.4 g, 0.4 mmol), NaOH (1.2 g , 30.0 mmol) into a round bottom flask, and then 50 ml of Toluene and 20 ml of H 2 O are added. Then, it was heated and refluxed at 110° C. for 3 hours. After completion of the reaction, the resulting solid was filtered. The filtered solid was dissolved in toluene and purified by silica column chromatography to obtain 5.2 g (yield: 71%) of the target compound. [LCMS]: 738

[합성예 15] 화합물 130의 합성예[Synthesis Example 15] Synthesis example of compound 130

Figure pat00053
Figure pat00053

2-Bromospiro[fluorene-9,9'-xanthene] (4.1 g, 10.0 mmol), Sub-1 (4.3 g, 10.0 mmol), Pd(PPh3)4 (0.4 g, 0.4 mmol), NaOH (1.2 g, 30.0 mmol)을 둥근 바닥 플라스크에 다 넣은 후, Toluene 50 ml과 H2O 20 ml을 첨가한다. 그리고 110℃에서 3시간 동안 가열 환류하였다. 반응 종료 후, 생성된 고체를 여과하였다. 여과된 고체를 Toluene에 녹인 후 실리카 컬럼크로마토그래피를 정제하여 목적 화합물 5.1 g (수율: 71 %)을 얻었다.[LCMS]: 7122-Bromospiro[fluorene-9,9'-xanthene] (4.1 g, 10.0 mmol), Sub-1 (4.3 g, 10.0 mmol), Pd(PPh 3 ) 4 (0.4 g, 0.4 mmol), NaOH (1.2 g , 30.0 mmol) into a round bottom flask, and then 50 ml of Toluene and 20 ml of H 2 O are added. Then, it was heated and refluxed at 110° C. for 3 hours. After completion of the reaction, the resulting solid was filtered. The filtered solid was dissolved in toluene and purified by silica column chromatography to obtain 5.1 g (yield: 71%) of the target compound. [LCMS]: 712

[합성예 16] 화합물 145 합성[Synthesis Example 16] Synthesis of compound 145

Figure pat00054
Figure pat00054

4-Bromospiro[fluorene-9,9'-xanthene] (4.1 g, 10.0 mmol), Sub-2 (3.8 g, 10.0 mmol), Pd(PPh3)4 (0.4 g, 0.4 mmol), NaOH (1.2 g, 30.0 mmol)을 둥근 바닥 플라스크에 다 넣은 후, Toluene 50 ml과 H2O 20 ml을 첨가한다. 그리고 110℃에서 3시간 동안 가열 환류하였다. 반응 종료 후, 생성된 고체를 여과하였다. 여과된 고체를 Toluene에 녹인 후 실리카 컬럼크로마토그래피를 정제하여 목적 화합물 4.2 g (수율: 63 %)을 얻었다. [LCMS]: 6624-Bromospiro[fluorene-9,9'-xanthene] (4.1 g, 10.0 mmol), Sub-2 (3.8 g, 10.0 mmol), Pd(PPh 3 ) 4 (0.4 g, 0.4 mmol), NaOH (1.2 g , 30.0 mmol) into a round bottom flask, and then 50 ml of Toluene and 20 ml of H 2 O are added. Then, it was heated and refluxed at 110° C. for 3 hours. After completion of the reaction, the resulting solid was filtered. The filtered solid was dissolved in toluene and purified by silica column chromatography to obtain 4.2 g (yield: 63%) of the target compound. [LCMS]: 662

[합성예 17] 화합물 181 합성[Synthesis Example 17] Synthesis of compound 181

Figure pat00055
Figure pat00055

3-Bromospiro[fluorene-9,9'-xanthene] (4.1 g, 10.0 mmol), Sub-3 (4.5 g, 10.0 mmol), Pd(PPh3)4 (0.4 g, 0.4 mmol), NaOH (1.2 g, 30.0 mmol)을 둥근 바닥 플라스크에 다 넣은 후, Toluene 50 ml과 H2O 20 ml을 첨가한다. 그리고 110℃에서 3시간 동안 가열 환류하였다. 반응 종료 후, 생성된 고체를 여과하였다. 여과된 고체를 Toluene에 녹인 후 실리카 컬럼크로마토그래피를 정제하여 목적 화합물 6.4g (수율: 86 %)을 얻었다. [LCMS]: 7383-Bromospiro[fluorene-9,9'-xanthene] (4.1 g, 10.0 mmol), Sub-3 (4.5 g, 10.0 mmol), Pd(PPh 3 ) 4 (0.4 g, 0.4 mmol), NaOH (1.2 g , 30.0 mmol) into a round bottom flask, and then 50 ml of Toluene and 20 ml of H 2 O are added. Then, it was heated and refluxed at 110° C. for 3 hours. After completion of the reaction, the resulting solid was filtered. After dissolving the filtered solid in toluene, silica column chromatography was purified to obtain 6.4 g of the target compound (yield: 86%). [LCMS]: 738

[합성예 18] 화합물 183의 합성예[Synthesis Example 18] Synthesis Example of Compound 183

Figure pat00056
Figure pat00056

4-Bromospiro[fluorene-9,9'-xanthene] (4.1 g, 10.0 mmol), Sub-2 (4.5 g, 10.0 mmol), Pd(PPh3)4 (0.4 g, 0.4 mmol), NaOH (1.2 g, 30.0 mmol)을 둥근 바닥 플라스크에 다 넣은 후, Toluene 50 ml과 H2O 20 ml을 첨가한다. 그리고 110℃에서 3시간 동안 가열 환류하였다. 반응 종료 후, 생성된 고체를 여과하였다. 여과된 고체를 Toluene에 녹인 후 실리카 컬럼크로마토그래피를 정제하여 목적 화합물 4.7 g (수율: 63 %)을 얻었다.[LCMS]: 7384-Bromospiro[fluorene-9,9'-xanthene] (4.1 g, 10.0 mmol), Sub-2 (4.5 g, 10.0 mmol), Pd(PPh 3 ) 4 (0.4 g, 0.4 mmol), NaOH (1.2 g , 30.0 mmol) into a round bottom flask, and then 50 ml of Toluene and 20 ml of H 2 O are added. Then, it was heated and refluxed at 110° C. for 3 hours. After completion of the reaction, the resulting solid was filtered. The filtered solid was dissolved in toluene and purified by silica column chromatography to obtain 4.7 g (yield: 63%) of the target compound. [LCMS]: 738

[합성예 19] 화합물 189 합성[Synthesis Example 19] Synthesis of compound 189

Figure pat00057
Figure pat00057

2'-bromospiro[fluorene-9,9'-xanthene] (4.1 g, 10.0 mmol), Sub-2 (3.8 g, 10.0 mmol), Pd(PPh3)4 (0.4 g, 0.4 mmol), NaOH (1.2 g, 30.0 mmol)을 둥근 바닥 플라스크에 다 넣은 후, Toluene 50 ml과 H2O 20 ml을 첨가한다. 그리고 110℃에서 3시간 동안 가열 환류하였다. 반응 종료 후, 생성된 고체를 여과하였다. 여과된 고체를 Toluene에 녹인 후 실리카 컬럼크로마토그래피를 정제하여 목적 화합물 3.9 g (수율: 59 %)을 얻었다. [LCMS]: 6622'-bromospiro[fluorene-9,9'-xanthene] (4.1 g, 10.0 mmol), Sub-2 (3.8 g, 10.0 mmol), Pd(PPh 3 ) 4 (0.4 g, 0.4 mmol), NaOH (1.2 g, 30.0 mmol) was put into a round bottom flask, and then 50 ml of Toluene and 20 ml of H 2 O were added. Then, it was heated and refluxed at 110° C. for 3 hours. After completion of the reaction, the resulting solid was filtered. The filtered solid was dissolved in toluene and purified by silica column chromatography to obtain 3.9 g (yield: 59%) of the target compound. [LCMS]: 662

[합성예 20] 화합물 191 합성[Synthesis Example 20] Synthesis of compound 191

Figure pat00058
Figure pat00058

3'-bromospiro[fluorene-9,9'-xanthene] (4.1 g, 10.0 mmol), Sub-4 (4.5 g, 10.0 mmol), Pd(PPh3)4 (0.4 g, 0.4 mmol), NaOH (1.2 g, 30.0 mmol)을 둥근 바닥 플라스크에 다 넣은 후, Toluene 50 ml과 H2O 20 ml을 첨가한다. 그리고 110℃에서 3시간 동안 가열 환류하였다. 반응 종료 후, 생성된 고체를 여과하였다. 여과된 고체를 Toluene에 녹인 후 실리카 컬럼크로마토그래피를 정제하여 목적 화합물 4.9 g (수율: 66 %)을 얻었다. [LCMS]: 7383'-bromospiro[fluorene-9,9'-xanthene] (4.1 g, 10.0 mmol), Sub-4 (4.5 g, 10.0 mmol), Pd(PPh 3 ) 4 (0.4 g, 0.4 mmol), NaOH (1.2 g, 30.0 mmol) was put into a round bottom flask, and then 50 ml of Toluene and 20 ml of H 2 O were added. Then, it was heated and refluxed at 110° C. for 3 hours. After completion of the reaction, the resulting solid was filtered. The filtered solid was dissolved in toluene and purified by silica column chromatography to obtain 4.9 g (yield: 66%) of the target compound. [LCMS]: 738

[합성예 21] 화합물 201 합성[Synthesis Example 21] Synthesis of compound 201

Figure pat00059
Figure pat00059

9-bromospiro[benzo[c]fluorene-7,9'-xanthene] (4.6 g, 10.0 mmol), Sub-2 (3.8 g, 10.0 mmol), Pd(PPh3)4 (0.4 g, 0.4 mmol), NaOH (1.2 g, 30.0 mmol)을 둥근 바닥 플라스크에 다 넣은 후, Toluene 50 ml과 H2O 20 ml을 첨가한다. 그리고 110℃에서 3시간 동안 가열 환류하였다. 반응 종료 후, 생성된 고체를 여과하였다. 여과된 고체를 Toluene에 녹인 후 실리카 컬럼크로마토그래피를 정제하여 목적 화합물 5.3 g (수율: 74 %)을 얻었다. [LCMS]: 7129-bromospiro[benzo[c]fluorene-7,9'-xanthene] (4.6 g, 10.0 mmol), Sub-2 (3.8 g, 10.0 mmol), Pd(PPh 3 ) 4 (0.4 g, 0.4 mmol), After adding NaOH (1.2 g, 30.0 mmol) to the round bottom flask, 50 ml of Toluene and 20 ml of H 2 O are added. Then, it was heated and refluxed at 110° C. for 3 hours. After completion of the reaction, the resulting solid was filtered. The filtered solid was dissolved in toluene and purified by silica column chromatography to obtain 5.3 g (yield: 74%) of the target compound. [LCMS]: 712

[합성예 22] 화합물 202의 합성예[Synthesis Example 22] Synthesis Example of Compound 202

Figure pat00060
Figure pat00060

9-Bromospiro[benzo[c]fluorene-7,9'-xanthene] (4.6 g, 10.0 mmol), Sub-3 (4.5 g, 10.0 mmol), Pd(PPh3)4 (0.4 g, 0.4 mmol), NaOH (1.2 g, 30.0 mmol)을 둥근 바닥 플라스크에 다 넣은 후, Toluene 50 ml과 H2O 20 ml을 첨가한다. 그리고 110℃에서 3시간 동안 가열 환류하였다. 반응 종료 후, 생성된 고체를 여과하였다. 여과된 고체를 Toluene에 녹인 후 실리카 컬럼크로마토그래피를 정제하여 목적 화합물 6.8g (수율: 86 %)을 얻었다.[LCMS]: 7889-Bromospiro[benzo[c]fluorene-7,9'-xanthene] (4.6 g, 10.0 mmol), Sub-3 (4.5 g, 10.0 mmol), Pd(PPh 3 ) 4 (0.4 g, 0.4 mmol), After adding NaOH (1.2 g, 30.0 mmol) to the round bottom flask, 50 ml of Toluene and 20 ml of H 2 O are added. Then, it was heated and refluxed at 110° C. for 3 hours. After completion of the reaction, the resulting solid was filtered. The filtered solid was dissolved in toluene and purified by silica column chromatography to obtain 6.8 g (yield: 86%) of the target compound. [LCMS]: 788

[합성예 23] 화합물 218 합성[Synthesis Example 23] Synthesis of compound 218

Figure pat00061
Figure pat00061

4-bromospiro[benzo[b]fluorene-11,9'-xanthene] (4.6 g, 10.0 mmol), Sub-1 (4.5 g, 10.0 mmol), Pd(PPh3)4 (0.4 g, 0.4 mmol), NaOH (1.2 g, 30.0 mmol)을 둥근 바닥 플라스크에 다 넣은 후, Toluene 50 ml과 H2O 20 ml을 첨가한다. 그리고 110℃에서 3시간 동안 가열 환류하였다. 반응 종료 후, 생성된 고체를 여과하였다. 여과된 고체를 Toluene에 녹인 후 실리카 컬럼크로마토그래피를 정제하여 목적 화합물 5.5 g (수율: 70 %)을 얻었다. [LCMS]: 7884-bromospiro[benzo[b]fluorene-11,9'-xanthene] (4.6 g, 10.0 mmol), Sub-1 (4.5 g, 10.0 mmol), Pd(PPh 3 ) 4 (0.4 g, 0.4 mmol), After adding NaOH (1.2 g, 30.0 mmol) to the round bottom flask, 50 ml of Toluene and 20 ml of H 2 O are added. Then, it was heated and refluxed at 110° C. for 3 hours. After completion of the reaction, the resulting solid was filtered. After dissolving the filtered solid in toluene, silica column chromatography was purified to obtain 5.5 g of the target compound (yield: 70%). [LCMS]: 788

[합성예 24] 화합물 224 합성[Synthesis Example 24] Synthesis of compound 224

Figure pat00062
Figure pat00062

9-bromospiro[benzo[c]fluorene-7,9'-xanthene] (4.6 g, 10.0 mmol), Sub-5 (4.5 g, 10.0 mmol), Pd(PPh3)4 (0.4 g, 0.4 mmol), NaOH (1.2 g, 30.0 mmol)을 둥근 바닥 플라스크에 다 넣은 후, Toluene 50 ml과 H2O 20 ml을 첨가한다. 그리고 110℃에서 3시간 동안 가열 환류하였다. 반응 종료 후, 생성된 고체를 여과하였다. 여과된 고체를 Toluene에 녹인 후 실리카 컬럼크로마토그래피를 정제하여 목적 화합물 4.1 g (수율: 52 %)을 얻었다. [LCMS]: 7889-bromospiro[benzo[c]fluorene-7,9'-xanthene] (4.6 g, 10.0 mmol), Sub-5 (4.5 g, 10.0 mmol), Pd(PPh 3 ) 4 (0.4 g, 0.4 mmol), After adding NaOH (1.2 g, 30.0 mmol) to the round bottom flask, 50 ml of Toluene and 20 ml of H 2 O are added. Then, it was heated and refluxed at 110° C. for 3 hours. After completion of the reaction, the resulting solid was filtered. The filtered solid was dissolved in toluene and purified by silica column chromatography to obtain 4.1 g (yield: 52%) of the target compound. [LCMS]: 788

원료의 화합물을 적당히 변경함으로써, 상술한 합성예에 준한 방법으로, 본 발명의 다른 화합물을 합성할 수 있다.Other compounds of the present invention can be synthesized by a method according to the above-described synthesis example by appropriately changing the raw material compound.

[실시예 1][Example 1]

ITO (Indium tin oxide)가 1000Å두께로 박막 코팅된 유리 기판을 증류수 초음파로 세척하였다. 증류수 세척 완료 후에, 용제(이소프로필 알코올, 아세톤, 메탄올 등)로 초음파 세척을 하고, 건조시켰다. 이렇게 준비된 ITO 투명 전극 위에 HI를 40nm의 두께로 열진공 증착하여 제1 정공 주입층을 형성하였다. 제1 정공 주입층 상에 HAT-CN을 5nm의 두께로 열진공 증착하여 제2 정공주입층을 형성하고, 제2 정공 주입층 상에 정공을 수송하는 물질인 HT를 20nm의 두께로 진공 증착하여 정공수송층을 형성하였다. 이어서 정공 수송층 위에 호스트 BH와 도판트 BD(중량기준 95:5)을 20nm의 두께로 진공 증착하여 발광층을 형성하였다. 발광층 위에 ET-2를 10nm의 두께로 증착하여 전자 조절층을 형성하였고, 전자 조절층 상에 화합물 2를 20nm 두께로 형성하여 전자수송층을 형성하였다. 전자 수송층 위에 순차적으로 1nm 두께의 리튬 플루오라이드(LiF)를 증착하고 1,000Å두께의 알루미늄을 증착하여 음극을 형성함으로써, 유기 발광 소자를 제조하였다.A glass substrate coated with indium tin oxide (ITO) to a thickness of 1000 Å was washed with distilled water and ultrasonic waves. After completion of washing with distilled water, ultrasonic washing was performed with a solvent (isopropyl alcohol, acetone, methanol, etc.) and dried. A first hole injection layer was formed by thermal vacuum deposition of HI to a thickness of 40 nm on the prepared ITO transparent electrode. A second hole injection layer was formed by thermal vacuum deposition of HAT-CN to a thickness of 5 nm on the first hole injection layer, and HT, a material for transporting holes, was vacuum deposited on the second hole injection layer to a thickness of 20 nm. A hole transport layer was formed. Then, the host BH and the dopant BD (95:5 by weight) were vacuum-deposited to a thickness of 20 nm on the hole transport layer to form a light emitting layer. ET-2 was deposited on the emission layer to a thickness of 10 nm to form an electron control layer, and Compound 2 was formed on the electron control layer to a thickness of 20 nm to form an electron transport layer. An organic light-emitting device was manufactured by sequentially depositing lithium fluoride (LiF) with a thickness of 1 nm on the electron transport layer and depositing aluminum with a thickness of 1,000 Å to form a cathode.

Figure pat00063
Figure pat00063

[실시예 2 내지 15][Examples 2 to 15]

실시예 1에서 전자 수송층으로서 화합물 2 대신 화합물 10, 30, 31, 37, 38, 90, 122, 145, 181, 189, 191, 201, 218, 224를 사용한 것을 제외하고는 동일하게 유기 발광 소자를 제조하였다. An organic light emitting device was prepared in the same manner as in Example 1, except that Compounds 10, 30, 31, 37, 38, 90, 122, 145, 181, 189, 191, 201, 218, and 224 were used instead of Compound 2 as the electron transport layer. prepared.

[비교예 1 내지 4][Comparative Examples 1 to 4]

실시예 1에서 전자 수송층으로 화합물 2 대신 Alq3, BCP, 화합물 A 및 B를 사용한 것을 제외하고는 동일하게 유기 발광 소자를 제조하였다.An organic light emitting diode was prepared in the same manner as in Example 1, except that Alq3, BCP, and Compounds A and B were used instead of Compound 2 as the electron transport layer.

Figure pat00064
Figure pat00064

실시예 1 내지 15 및 비교예 1 내지 4와 같이 각각의 화합물을 전자 수송층(or 전자 조절층) 물질로 사용하여 제조한 유기 발광 소자의 구동전압, 전류효율, 발광피크 및 수명의 측정 결과를 [표1]에 나타내었다.As in Examples 1 to 15 and Comparative Examples 1 to 4, the measurement results of the driving voltage, current efficiency, emission peak and lifespan of the organic light emitting device prepared by using each compound as an electron transport layer (or electron control layer) material were [ Table 1].

[표 1] [Table 1]

Figure pat00065
Figure pat00065

표1에 나타낸 측정결과로부터 알 수 있는 바와 같이, 본 발명의 화합물을 전자수송층으로 사용한 실시예 1~15의 유기 발광 소자는 비교예의 유기 발광 소자에 비해, 구동전압, 전류효율 및 수명 중 적어도 하나가 우수함을 알 수 있다. As can be seen from the measurement results shown in Table 1, the organic light emitting devices of Examples 1 to 15 using the compound of the present invention as the electron transport layer compared to the organic light emitting devices of Comparative Examples, at least one of driving voltage, current efficiency, and lifespan can be seen to be excellent.

100 기판
110 양극(제1 전극)
120 정공주입층
130 정공수송층
140 발광층
150 전자수송층
160 전자주입층
170 음극(제2 전극)
100 boards
110 positive electrode (first electrode)
120 hole injection layer
130 hole transport layer
140 light emitting layer
150 electron transport layer
160 electron injection layer
170 cathode (second electrode)

Claims (14)

하기 화학식 1로 표시되는 화합물
[화학식 1]
Figure pat00066

상기 화학식 1에 있어서,
X1 및 X2는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 직접결합, CRaRb, O, S 또는 NRc로 이루어진 군으로부터 선택되며, X1 및 X2 모두가 직접결합인 것은 아니고,
R1 내지 R4, Ra 내지 Rc는 서로 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로 수소, 중수소, 트리플루오로메틸기, 니트로기, 할로겐기, 히드록시기, 시아노기, 치환 또는 비치환된 포스핀옥사이드기, 치환 또는 비치환된 C1-C20의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3-C30의 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2-C30의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2-C20의 알키닐기, 치환 또는 비치환된 C1-C20의 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3-C20의 아르알킬기, 치환 또는 비치환된 C3-C30의 아릴기, 치환 또는 비치환된 C3-C30의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C3-C20의 헤테로아르알킬기, 치환 또는 비치환된 C1-C30의 알킬실릴기, 치환 또는 비치환된 C3-C30의 아릴실릴기, 및 치환 또는 비치환된 C3-C30의 헤테로아릴실릴기로 이루어진 군으로부터 선택되고, 서로 인접한 기는 결합하여 치환 또는 비치환된 고리를 형성할 수 있으며,
m, n, o 및 p는 0 내지 4의 정수이고,
L1은 직접결합, 치환 또는 비치환된 C3-C30의 아릴렌기, 및 치환 또는 비치환된 C3-C30의 헤테로아릴렌기로 이루어진 군으로부터 선택되며,
A는 하기 [화학식 2]로 표시되고,
[화학식 2]
Figure pat00067

Y1 내지 Y10은 서로 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로 N 또는 CRd이고, Y1 내지 Y10중 적어도 하나는 N이며,
CRd의 Rd 중 하나가 L1과 결합되고,
Rd는 수소, 중수소, 트리플루오로메틸기, 니트로기, 할로겐기, 히드록시기, 시아노기, 치환 또는 비치환된 포스핀옥사이드기, 치환 또는 비치환된 C1-C20의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3-C30의 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2-C30의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2-C20의 알키닐기, 치환 또는 비치환된 C1-C20의 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3-C20의 아르알킬기, 치환 또는 비치환된 C3-C30의 아릴기, 치환 또는 비치환된 C3-C30의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C3-C20의 헤테로아르알킬기, 치환 또는 비치환된 C1-C30의 알킬실릴기, 치환 또는 비치환된 C3-C30의 아릴실릴기, 및 치환 또는 비치환된 C3-C30의 헤테로아릴실릴기로 이루어진 군으로부터 선택되며, 서로 인접하는 기는 결합하여 치환 또는 비치환된 고리를 형성할 수 있다.
A compound represented by the following formula (1)
[Formula 1]
Figure pat00066

In Formula 1,
X 1 and X 2 are the same or different from each other, and are each independently selected from the group consisting of a direct bond, CR a R b , O, S or NR c , and both X 1 and X 2 are not a direct bond,
R 1 to R 4 , R a to R c are the same as or different from each other, and each independently hydrogen, deuterium, trifluoromethyl group, nitro group, halogen group, hydroxyl group, cyano group, substituted or unsubstituted phosphine oxide group , substituted or unsubstituted C 1 -C 20 alkyl group, substituted or unsubstituted C 3 -C 30 cycloalkyl group, substituted or unsubstituted C 2 -C 30 alkenyl group, substituted or unsubstituted C 2 - C 20 alkynyl group, substituted or unsubstituted C 1 -C 20 heteroalkyl group, substituted or unsubstituted C 3 -C 20 aralkyl group, substituted or unsubstituted C 3 -C 30 aryl group, substituted or Unsubstituted C 3 -C 30 heteroaryl group, substituted or unsubstituted C 3 -C 20 heteroaralkyl group, substituted or unsubstituted C 1 -C 30 alkylsilyl group, substituted or unsubstituted C 3 -C 30 selected from the group consisting of an arylsilyl group, and a substituted or unsubstituted C 3 -C 30 heteroarylsilyl group, and adjacent groups may combine to form a substituted or unsubstituted ring,
m, n, o and p are integers from 0 to 4,
L 1 is a direct bond, a substituted or unsubstituted C 3 -C 30 arylene group, and a substituted or unsubstituted C 3 -C 30 heteroarylene group is selected from the group consisting of,
A is represented by the following [Formula 2],
[Formula 2]
Figure pat00067

Y 1 To Y 10 Are the same as or different from each other, each independently N or CR d , Y 1 To Y 10 At least one of N,
one of R d of CR d is bonded to L 1 ,
R d is hydrogen, deuterium, trifluoromethyl group, nitro group, halogen group, hydroxyl group, cyano group, substituted or unsubstituted phosphine oxide group, substituted or unsubstituted C 1 -C 20 alkyl group, substituted or unsubstituted a C 3 -C 30 cycloalkyl group, a substituted or unsubstituted C 2 -C 30 alkenyl group, a substituted or unsubstituted C 2 -C 20 alkynyl group, a substituted or unsubstituted C 1 -C 20 hetero Alkyl group, substituted or unsubstituted C 3 -C 20 aralkyl group, substituted or unsubstituted C 3 -C 30 aryl group, substituted or unsubstituted C 3 -C 30 heteroaryl group, substituted or unsubstituted C 3 -C 20 heteroaralkyl group, substituted or unsubstituted C 1 -C 30 alkylsilyl group, substituted or unsubstituted C 3 -C 30 arylsilyl group, and substituted or unsubstituted C 3 -C 30 is selected from the group consisting of a heteroarylsilyl group, and adjacent groups may combine to form a substituted or unsubstituted ring.
제1항에 있어서,
Y1 내지 Y10 중 적어도 두개가 N인 화합물.
According to claim 1,
A compound wherein at least two of Y 1 to Y 10 are N.
제2항에 있어서,
A는 하기 구조를 가지는 화합물.
Figure pat00068
3. The method of claim 2,
A is a compound having the following structure.
Figure pat00068
제1항에 있어서, X2가 직접결합인 화합물.The compound according to claim 1, wherein X 2 is a direct bond. 제5항에 있어서, X1이 O인 화합물.6. The compound of claim 5, wherein X 1 is O. 제1항에 있어서, X1이 직접결합인 화합물.The compound according to claim 1, wherein X 1 is a direct bond. 제1항에 있어서, L1이 직접결합인 화합물.The compound according to claim 1, wherein L 1 is a direct bond. 제1항에 있어서, L1이 치환 또는 비치환된 C3-C30의 아릴렌기인 화합물.The compound according to claim 1, wherein L 1 is a substituted or unsubstituted C 3 -C 30 arylene group. 제1항에 있어서,
상기 화학식 1의 화합물은 하기 화합물중 어느 하나인 화합물.
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According to claim 1,
The compound of Formula 1 is any one of the following compounds.
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제1전극과,
상기 제1 전극에 대향하는 제2 전극과,
상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 개재되는 유기물층을 포함하고,
상기 유기물층이 제1항의 화합물을 포함하는 유기 전계 발광 소자.
a first electrode;
a second electrode opposite the first electrode;
An organic material layer interposed between the first electrode and the second electrode,
An organic electroluminescent device comprising the compound of claim 1 in the organic material layer.
제10항에 있어서,
상기 제1 전극이 양극이고,
상기 제2 전극이 음극이며,
상기 유기물층이,
i) 발광층,
ii) 상기 제1 전극과 상기 발광층 사이에 개재되며, 정공 주입층, 정공 수송층, 및 전자 저지층 중 적어도 하나를 포함한 정공 수송 영역 및
iii) 상기 발광층과 상기 제2 전극 사이에 개재되며, 정공 저지층, 전자 수송층 및 전자 주입층 중 적어도 하나를 포함한 전자 수송 영역을 포함하며,
상기 전자 수송 영역이 제1항의 화합물을 포함하는,
유기 전계 발광 소자.
11. The method of claim 10,
The first electrode is an anode,
The second electrode is a negative electrode,
The organic layer,
i) a light emitting layer;
ii) a hole transport region interposed between the first electrode and the light emitting layer and including at least one of a hole injection layer, a hole transport layer, and an electron blocking layer;
iii) interposed between the light emitting layer and the second electrode and includes an electron transport region including at least one of a hole blocking layer, an electron transport layer, and an electron injection layer,
wherein the electron transport region comprises the compound of claim 1 ,
Organic electroluminescent device.
제11항에 있어서, 상기 전자 수송층 또는 상기 정공 저지층이 상기 화합물을 포함하는, 유기 전계 발광 소자.The organic electroluminescent device according to claim 11, wherein the electron transport layer or the hole blocking layer comprises the compound. 제11항에 있어서, 상기 전자 수송층 및/또는 전자 주입층이, 알칼리 금속, 알칼리 토류 금속, 희토류 금속, 알칼리 금속의 산화물, 알칼리 금속의 할로겐화물, 알칼리 토류 금속의 산화물, 알칼리 토류 금속의 할로겐화물, 희토류 금속의 산화물, 희토류 금속의 할로겐화물, 알칼리 금속의 유기 착체, 알칼리 토류 금속의 유기 착체 및 희토류 금속의 유기 착체로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1개를 더 함유하는, 유기 전계 발광 소자.The alkali metal, alkaline earth metal, rare earth metal, alkali metal oxide, alkali metal halide, alkaline earth metal oxide, alkaline earth metal halide, wherein the electron transporting layer and/or the electron injecting layer is An organic electroluminescent device further comprising at least one selected from the group consisting of rare earth metal oxides, rare earth metal halides, alkali metal organic complexes, alkaline earth metal organic complexes and rare earth metal organic complexes. 제10항의 유기 전계 발광 소자를 구비하고, 상기 유기 전계 발광 소자의 제1 전극이 박막 트랜지스터의 소스 전극 또는 드레인 전극과 전기적으로 연결된 표시 장치.A display device comprising the organic electroluminescent device of claim 10, wherein a first electrode of the organic electroluminescent device is electrically connected to a source electrode or a drain electrode of a thin film transistor.
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