KR20220136824A - Current mode logic circuit and PAM4 driving circuit including the same - Google Patents

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KR20220136824A
KR20220136824A KR1020210042985A KR20210042985A KR20220136824A KR 20220136824 A KR20220136824 A KR 20220136824A KR 1020210042985 A KR1020210042985 A KR 1020210042985A KR 20210042985 A KR20210042985 A KR 20210042985A KR 20220136824 A KR20220136824 A KR 20220136824A
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Abstract

A current mode logic circuit according to an embodiment comprises: a first circuit which includes a first transistor connected to an input voltage, and a second transistor connected to an inverting input voltage; a second circuit which includes a third transistor connected to a cascode input voltage, and a fourth transistor connected to a cascode inverting input voltage; and a fifth transistor which has one end connected to the first transistor and the third transistor, and the other end connected to the second transistor and the fourth transistor.

Description

전류 모드 로직 회로 및 이를 포함하는 PAM4 구동 회로{Current mode logic circuit and PAM4 driving circuit including the same}Current mode logic circuit and PAM4 driving circuit including the same

본 발명은 전류 모드 로직 회로 및 이를 포함하는 PAM4 구동 회로에 관한 발명으로서, 보다 상세하게는 전류 모드 로직 회로 내부에 흐르는 전류의 방향을 변화시켜 입력 트랜지스터에 인가되는 전압을 크기를 감소시키는 방법으로, 안정적으로 전류 모드 로직 회로 및 이를 포함하는 PAM 4 구동 회로를 구동시킬 수 있는 기술에 관한 발명이다.The present invention relates to a current mode logic circuit and a PAM4 driving circuit including the same, and more particularly, by changing the direction of the current flowing inside the current mode logic circuit to reduce the magnitude of the voltage applied to the input transistor, The present invention relates to a technology capable of stably driving a current mode logic circuit and a PAM 4 driving circuit including the same.

전류 모드 로직 회로(Current Mode Logic Circuit)는 반도체 논리 디바이스의 일종으로, 차동 연결된 전류 스위치를 사용하여 구성한 비포화형 고속 논리 회로를 의미한다.A current mode logic circuit is a type of semiconductor logic device, and refers to a non-saturation type high-speed logic circuit constructed using differentially connected current switches.

고속 동작 신호처리 회로들은 전류-모드-로직 (Current Mode Logic, CML)이라는 기법을 이용하여 구현되는데, 일반적으로 차동 증폭기에 저항 소자를 부하로 사용한 형태로 구성되므로, NMOS(N-channel metal oxide semiconductor) 나 PMOS(N-channel metal oxide semiconductor) 소자를 쌍으로 연결한 CMOS(Complementary metal-oxide semiconductor) 방식보다 높은 동작 속도를 달성할 수 있는 장점이 있다.High-speed operation signal processing circuits are implemented using a technique called Current Mode Logic (CML). Generally, they are configured in the form of using a resistive element as a load in a differential amplifier, so NMOS (N-channel metal oxide semiconductor ) or PMOS (N-channel metal oxide semiconductor) devices have the advantage of achieving higher operating speed than the complementary metal-oxide semiconductor (CMOS) method in which a pair is connected.

또한, 전류 모드 로직 회로는 차등 신호로 전송이 될 수 있기 때문에 노이즈 측면에서도 장점을 가지고 있다. 따라서, 10Gbps급의 수동형 광 네트워크(Gigabit capable Passive Optical Network: GPON)를 지원하기 위한 고속 동작을 필요로 하는 장치를 구성하는 기가 대역 집적회로에는 대부분 전류 모드 로직을 사용하고 있다. In addition, the current mode logic circuit has an advantage in terms of noise because it can be transmitted as a differential signal. Accordingly, most of the current mode logic is used in gigaband integrated circuits constituting devices requiring high-speed operation to support a 10-Gbps Gigabit Capable Passive Optical Network (GPON).

전류 모드 로직 회로의 출력 전압 레벨은 차동 트랜지스터의 드레인 노드에 인가되는 전압에 따라 가변되는 특징을 가지고 있다. 따라서, 전류 모드 로직 회로의 출력 전압을 높이고 싶은 경우에는 일반적으로 차동 트랜지스터의 드레인 노드에 인가돠는 전압의 크기를 증가시킨다.The output voltage level of the current mode logic circuit is variable according to the voltage applied to the drain node of the differential transistor. Accordingly, when it is desired to increase the output voltage of the current mode logic circuit, the magnitude of the voltage applied to the drain node of the differential transistor is generally increased.

그러나, 출력 전압의 레벨을 높이기 위해 트랜지스터의 드레인 노드에 인가되는 전압의 크기를 계속 증가시키면, 트랜지스터 소자가 정상적으로 동작할 수 있는 전압의 범위를 벗어나 트랜지스터 소자가 파괴(breakdown)되는 문제가 발생하므로, 트랜지스터에 인가되는 입력 전압의 레벨이 트랜지스터가 소자가 파괴되지 않는 범위 내로 설계를 하는 것이 일반적이었다. However, if the level of the voltage applied to the drain node of the transistor is continuously increased in order to increase the level of the output voltage, the transistor device may break out of the voltage range at which the transistor device can operate normally. It is common to design the level of the input voltage applied to the transistor within a range in which the transistor does not destroy the device.

하지만, 기술이 발전함에 따라 트랜지스터의 크기는 점점 작아지게 되고, 이에 따라 소자의 내구성이 약해짐에 따라, 드레인 노드에 인가할 수 있는 전압의 크기는 계속 작아질 수 밖에 없게 되고, 이에 따라 전류 모드 로직 회로의 출력 전압의 레벨이 감소하는 문제점이 발생하였다.However, as the technology advances, the size of the transistor becomes smaller and, accordingly, the durability of the device becomes weaker, so the size of the voltage that can be applied to the drain node continues to decrease. There is a problem in that the level of the output voltage of the logic circuit is decreased.

즉, 과거에는 1.8V 정도의 고전압을 트랜지스터의 드레인 노드에 인가할 수 있어, 높은 출력 전압을 얻기가 상대적으로 용이하였는데, 현재는 소자를 안정적으로 작동시키기 위해 트랜지스터의 드레인 노드에0.8V 이하의 전압을 인가하기 때문에, 이에 따라 전류 모드 로직 회로의 출력 전압이 낮아지는 문제가 존재한다.That is, in the past, a high voltage of about 1.8V could be applied to the drain node of the transistor, so it was relatively easy to obtain a high output voltage. Currently, in order to operate the device stably, a voltage of 0.8V or less is applied to the drain node of the transistor. , there is a problem in that the output voltage of the current mode logic circuit is lowered accordingly.

대한민국 공개특허 10-2006-0043278 A (차동 전류 모드 위상 주파수 검출기 회로)Korean Patent Laid-Open Patent Publication 10-2006-0043278 A (Differential Current Mode Phase Frequency Detector Circuit)

따라서, 일 실시예에 따른 전류 모드 로직 회로 및 PAM4 구동 회로는 상기 설명한 문제점을 해결하기 위해 고안된 발명으로서, 전류 모드 로직 회로에서 입력 전압을 증가시켜도 트랜지스터 소자가 파괴되지 않으면서 안정적으로 전류 모드 로직 회로를 구동할 수 있는 회로를 구현하는데 그 목적이 있다.Accordingly, the current mode logic circuit and the PAM4 driving circuit according to an embodiment are inventions designed to solve the above-described problems, and the current mode logic circuit stably without destroying the transistor element even when the input voltage is increased in the current mode logic circuit. The purpose is to implement a circuit that can drive

보다 구체적으로, 전류 모드 로직 회로 내부에 흐르는 전류의 방향 및 크기를 변화시켜, 입력 트랜지스터의 드레인과 게이트 사이에 인가되는 전압의 크기를 감소시켜, 입력 트랜지스터가 높은 전압에 의해 파괴되지 않고 보다 안정적으로 구동될 수 있는 회로를 제공하는데 그 목적이 있다.More specifically, by changing the direction and magnitude of the current flowing inside the current mode logic circuit, the magnitude of the voltage applied between the drain and the gate of the input transistor is reduced, so that the input transistor is not destroyed by the high voltage and more stably An object of the present invention is to provide a circuit that can be driven.

일 실시예에 따른 전류 모드 로직 회로는 입력 전압과 연결되는 제1트랜지스터 및 반전 입력 전압과 연결되는 제2트랜지스터를 포함하는 제1회로; 캐스코드 입력 전압과 연결되는 제3트랜지스터 및 캐스코드 반전 입력 전압과 연결되는 제4트랜지스터;를 포함하는 제2회로; 및 일단은 상기 제1트랜지스터 및 상기 제3트랜지스터와 연결되고, 타단은 상기 제2트랜지스터 및 상기 제4트랜지스터와 연결되는 제5트랜지스터를 포함할 수 있다.A current mode logic circuit according to an embodiment includes a first circuit including a first transistor connected to an input voltage and a second transistor connected to an inverted input voltage; a second circuit including a third transistor connected to the cascode input voltage and a fourth transistor connected to the cascode inversion input voltage; and a fifth transistor having one end connected to the first transistor and the third transistor and the other end connected to the second transistor and the fourth transistor.

상기 제5트랜지스터는 외부 전압과 연결되어 있어, 제5트랜지스터의 게이트에 인가되는 전압의 크기는 가변될 수 있다. Since the fifth transistor is connected to an external voltage, the magnitude of the voltage applied to the gate of the fifth transistor may be varied.

상기 제5트랜지스터에 흐르는 전류의 방향은, 상기 입력 전압과 상기 반전 입력 전압의 ON/OFF 에 따라 바뀔 수 있다.The direction of the current flowing through the fifth transistor may be changed according to ON/OFF of the input voltage and the inverted input voltage.

상기 제5트랜지스터에 흐르는 전류의 방향은, 상기 입력 전압이 OFF이고, 상기 반전 입력 전압이 ON인 경우, 전류의 방향이 상기 제3트랜지스터에서 상기 제5트랜지스터로 흐를 수 있다.When the input voltage is OFF and the inverted input voltage is ON, the direction of the current flowing through the fifth transistor may flow from the third transistor to the fifth transistor.

상기 입력 전압이 OFF인 경우, 상기 제3트랜지스터에 흐르는 전류를 상기 제5트랜지스터로 도통 시킴으로써, 상기 제1트랜지스터의 드레인과 게이트 사이에 인가되는 전압의 크기를 감소될 수 있다. When the input voltage is OFF, the voltage applied between the drain and the gate of the first transistor may be reduced by conducting a current flowing through the third transistor to the fifth transistor.

상기 제5트랜지스터에 흐르는 전류의 방향은, 상기 입력 전압이 ON이고, 상기 반전 입력 전압이 OFF인 경우, 전류의 방향이 상기 제4트랜지스터에서 상기 제5트랜지스터로 흐를 수 있다.When the input voltage is ON and the inverted input voltage is OFF, the direction of the current flowing through the fifth transistor may flow from the fourth transistor to the fifth transistor.

상기 입력 전압이 ON인 경우, 상기 제4회로에 흐르는 전류를 상기 제5트랜지스터로 도통시킴으로써, 상기 제2트랜지스터의 드레인과 게이트에 인가되는 전압의 크기를 감소될 수 있다.When the input voltage is ON, the voltage applied to the drain and gate of the second transistor may be reduced by conducting a current flowing through the fourth circuit to the fifth transistor.

다른 실시예에 따른 전류 모드 로직 회로는 입력 전압과 연결되는 제1트랜지스터 및 반전 입력 전압과 연결되는 제2트랜지스터를 포함하는 제1회로 및 캐스코드 입력 전압과 연결되는 제3트랜지스터 및 캐스코드 반전 입력 전압과 연결되는 제4트랜지스터를 포함하는 제2회로를 포함하고, 상기 제1회로는, 상기 제1트랜지스터와 상기 제3트랜지스터 사이에 연결되어, 상기 제1트랜지스터에 인가되는 전압의 크기를 제어하는 제1종속 회로를 포함하고, 상기 제2회로는, 상기 제2트랜지스터와 상기 제4트랜지스터 사이에 연결되어, 상기 제2트랜지스터에 인가되는 전압의 크기를 제어하는 제2종속 회로를 포함할 수 있다.A current mode logic circuit according to another embodiment includes a first circuit including a first transistor connected to an input voltage and a second transistor connected to an inverted input voltage and a third transistor connected to a cascode input voltage and a cascode inversion input a second circuit including a fourth transistor connected to a voltage, wherein the first circuit is connected between the first transistor and the third transistor to control the magnitude of the voltage applied to the first transistor A first slave circuit may be included, and the second circuit may include a second slave circuit connected between the second transistor and the fourth transistor to control a level of a voltage applied to the second transistor. .

상기 제1종속 회로는, 그라운드와 접지 연결되는 제1전류원;을 포함하고,The first slave circuit includes a first current source connected to a ground and a ground;

상기 제2종속 회로는, 그라운드와 접지 연결되는 제2전류원;을 포함할 수 있다.The second dependent circuit may include a second current source connected to the ground and the ground.

상기 제1전류원은, 상기 입력 전압이 OFF이고, 상기 반전 입력 전압이 ON인 경우 전류가 흐르고, 상기 입력 전압이 ON이고, 상기 반전 입력 전압이 OFF인 경우 전류가 흐르지 않고, 상기 제2전류원은, 상기 입력 전압이 ON이고, 상기 반전 입력 전압이 OFF인 경우 전류가 흐르고, 상기 입력 전압이 OFF이고, 상기 반전 입력 전압이 ON인 경우 전류가 흐르지 않을 수 있다.In the first current source, the input voltage is OFF, the current flows when the inverted input voltage is ON, the current does not flow when the input voltage is ON and the inverted input voltage is OFF, the second current source is , a current may flow when the input voltage is ON and the inverted input voltage is OFF, and no current flows when the input voltage is OFF and the inverted input voltage is ON.

일 실시예에 따른 PAM 4 구동 회로는, 제1입력 전압과 연결되는 제1트랜지스터 및 제1캐스코드 입력 전압과 연결되는 제3트랜지스터를 포함하는 제1회로; 제1반전 입력 전압과 연결되는 제2트랜지스터 및 제1캐스코드 반전 입력 전압과 연결되는 제4트랜지스터를 포함하는 제2회로; 및 일단은 상기 제1회로와 연결되고 타단은 상기 제2회로와 연결되는 제1부하;를 포함하는 제1전류 모드 로직 회로; 및 제2입력 전압과 연결되는 제6트랜지스터 및 제2캐스코드 입력 전압과 연결되는 제8트랜지스터를 포함하는 제3회로; 제2반전 입력 전압과 연결되는 제7트랜지스터 및 제2캐스코드 반전 입력 전압과 연결되는 제9트랜지스터를 포함하는 제4회로; 및 일단은 상기 제3회로와 연결되고 타단은 상기 제4회로와 연결되는 제2부하;를 포함하는 제2전류 모드 로직 회로;를 포함할 수 있다. A PAM 4 driving circuit according to an embodiment includes: a first circuit including a first transistor connected to a first input voltage and a third transistor connected to a first cascode input voltage; a second circuit including a second transistor connected to the first inverted input voltage and a fourth transistor connected to the first cascode inverted input voltage; and a first load having one end connected to the first circuit and the other end connected to the second circuit; and a third circuit including a sixth transistor connected to the second input voltage and an eighth transistor connected to the second cascode input voltage; a fourth circuit including a seventh transistor connected to a second inverted input voltage and a ninth transistor connected to a second cascode inverted input voltage; and a second current mode logic circuit including a second load having one end connected to the third circuit and the other end connected to the fourth circuit.

상기 제1부하 및 상기 제2부하에 흐르는 전류의 방향은, 상기 입력 전압들과 상기 반전 입력 전압들의 ON/OFF 에 따라 바뀔 수 있다. The direction of the current flowing through the first load and the second load may be changed according to ON/OFF of the input voltages and the inverted input voltages.

상기 제1부하는, 상기 제2트랜지스터 및 상기 제3트랜지스터 및 제1외부 전압과 연결되는 제5트랜지스터를 포함하고, 상기 제2부하는, 상기 제7트랜지스터 및 상기 제8트랜지스터 및 제2외부 전압과 연결되는 제10트랜지스터를 포함할 수 있다.The first load includes the second transistor, the third transistor, and a fifth transistor connected to a first external voltage, and the second load includes the seventh transistor and the eighth transistor and a second external voltage. It may include a tenth transistor connected to.

상기 제1부하는, 상기 제2트랜지스터 및 상기 제3트랜지스터와 연결되는 제1저항을 포함하고, 상기 제2부하는, 상기 제7트랜지스터 및 상기 제8트랜지스터와 연결되며, 상기 제1저항보다 2배의 저항 값을 가지는 제2저항을 포함할 수 있다. The first load includes a first resistor connected to the second transistor and the third transistor, and the second load is connected to the seventh transistor and the eighth transistor, and is 2 less than the first resistor. A second resistor having a double resistance value may be included.

상기 제1부하는, 상기 제1트랜지스터 및 상기 제3트랜지스터와 연결되는 제1-1저항, 상기 제2트랜지스터 및 상기 제4트랜지스터와 연결되는 제1-2저항 및 상기 제1-1저항과 상기 제1-2저항 사이에 연결되는 제1캐패시터를 포함하고, 상기 제2부하는, 상기 제6트랜지스터 및 상기 제8트랜지스터와 연결되는 제2-1저항, 상기 제7트랜지스터 및 상기 제9트랜지스터와 연결되는 제2-2저항 및 상기 제2-1저항과 상기 제2-2저항 사이에 연결되는 제2캐패시터를 포함할 수 있다. The first load includes a 1-1 resistor connected to the first transistor and the third transistor, a 1-2 resistance connected to the second transistor and the fourth transistor, and the 1-1 resistor and the a first capacitor connected between a 1-2th resistor, and the second load includes: a 2-1th resistor connected to the sixth and eighth transistors; the seventh transistor; and the ninth transistor; A 2-2 resistor connected thereto and a second capacitor connected between the 2-1 th resistor and the 2-2 resistor may be included.

일 실시예에 따른 전류 모드 로직 회로 및 이를 포함하는 PAM4 구동 회로는 회로의 구동 전압을 높여도 종래 기술과 다르게 입력 트랜지스터에 인가되는 전압의 크기가 낮아져 입력 트랜지스터를 안정적으로 구동시킬 수 있어, 전류 모드 로직 회로의 내구성을 높일 수 있으며, 추가적인 전력 소모 없이 작은 면적으로도 이를 구현할 수 있는 장점이 존재한다. In the current mode logic circuit and the PAM4 driving circuit including the same according to an embodiment, the voltage applied to the input transistor is lowered unlike the prior art even when the driving voltage of the circuit is increased, so that the input transistor can be stably driven. The durability of the logic circuit can be increased, and there is an advantage that it can be implemented in a small area without additional power consumption.

이에 따라, 전류 모드 로직 회로의 출력 신호 및 신호대잡음비(SNR, signal to noise ratio) 을 향상시켜 노이즈 및 간섭의 영향을 줄일 수 있는 효과도 존재한다.Accordingly, there is an effect of reducing the influence of noise and interference by improving the output signal and signal to noise ratio (SNR) of the current mode logic circuit.

도 1은 종래 기술에 따른 전류 모드 로직 회로의 구조를 도시한 회로도이다.
도 2는 종래 기술에 따른 전류 모드 로직 회로에 입력되는 입력 전압과 반전 입력 전압의 식과 전류 모드 로직 회로에서 출력되는 출력 전압과 반전 출력 전압의 식을 표시한 도면이다.
도 3은 트랜지스터의 게이트 - 산화물 파괴 현상을 설명하기 위한 도면이다.
도 4는 일 실시예에 따른 전류 모드 로직 회로의 구조를 도시한 회로도이다.
도 5는 일 실시예에 따른 전류 모드 로직 회로에서 입력 전압이 0인 경우에 흐르는 전류의 방향을 도시한 도면이다.
도 6은 일 실시예에 따른 전류 모드 로직 회로에서 반전 입력 전압이 0인 경우에 흐르는 전류의 방향을 도시한 도면이다.
도 7은 일 실시예에 따른 전류 모드 로직 회로와 종래 기술에 따른 전류 모드 로직 회로에서의 전압 크기에 대한 실험 결과를 도시한 도면이다.
도 8은 다른 실시예에 따른 전류 모드 로직 회로의 구조를 도시한 회로도이다.
도 9은 일 실시예에 따른 PAM4 구동 회로의 구조를 도시한 회로도이다.
도 10는 다른 실시예에 따른 PAM4 구동 회로의 구조를 도시한 회로도이다.
도 11은 또 다른 실시예에 따른 PAM4 구동 회로의 구조를 도시한 회로도이다.
도12는 일 실시예에 따른 PAM4 구동 회로의 종래 기술에 따른 PAM4 구동 회로에 대한 실험 결과를 도시한 도면이다.
도 13은 일 실시예에 따른 PAM16 구동 회로의 구조를 도시한 회로도이다.
도 14는 일 실시예에 따른 PAM16 구동 회로에서 저항들이 배치될 수 있는 구조를 도시한 회로도이다.
1 is a circuit diagram showing the structure of a current mode logic circuit according to the prior art.
FIG. 2 is a diagram illustrating equations of an input voltage and an inverted input voltage input to a current mode logic circuit and equations of an output voltage and an inverted output voltage output from the current mode logic circuit according to the prior art.
3 is a diagram for explaining a gate-oxide destruction phenomenon of a transistor.
4 is a circuit diagram illustrating a structure of a current mode logic circuit according to an exemplary embodiment.
5 is a diagram illustrating a direction of a current flowing when an input voltage is 0 in a current mode logic circuit according to an exemplary embodiment.
6 is a diagram illustrating a direction of a current flowing when an inverted input voltage is 0 in a current mode logic circuit according to an exemplary embodiment.
7 is a diagram illustrating experimental results on voltage levels in a current mode logic circuit according to an embodiment and a current mode logic circuit according to the related art.
8 is a circuit diagram illustrating a structure of a current mode logic circuit according to another embodiment.
9 is a circuit diagram illustrating a structure of a PAM4 driving circuit according to an exemplary embodiment.
10 is a circuit diagram illustrating a structure of a PAM4 driving circuit according to another embodiment.
11 is a circuit diagram illustrating a structure of a PAM4 driving circuit according to another embodiment.
12 is a diagram illustrating experimental results of a PAM4 driving circuit according to a prior art of a PAM4 driving circuit according to an embodiment.
13 is a circuit diagram illustrating a structure of a PAM16 driving circuit according to an exemplary embodiment.
14 is a circuit diagram illustrating a structure in which resistors may be disposed in a PAM16 driving circuit according to an exemplary embodiment.

본 명세서에 기재된 실시예와 도면에 도시된 구성은 개시된 발명의 바람직한 일 예에 불과할 뿐이며, 본 출원의 출원시점에 있어서 본 명세서의 실시예와 도면을 대체할 수 있는 다양한 변형 예들이 있을 수 있다.The configuration shown in the embodiments and drawings described in this specification is only a preferred example of the disclosed invention, and there may be various modifications that can replace the embodiments and drawings of the present specification at the time of filing of the present application.

본 명세서 전체에서, 어떤 부분이 다른 부분과 "연결"되어 있다고 할 때, 이는 직접적으로 연결되어 있는 경우뿐 아니라, 간접적으로 연결되어 있는 경우를 포함하고, 간접적인 연결은 무선 통신망을 통해 연결되는 것을 포함한다.Throughout this specification, when a part is "connected" to another part, it includes not only a case in which it is directly connected, but also a case in which it is indirectly connected, and the indirect connection refers to being connected through a wireless communication network. include

또한, 본 명세서에서 사용한 용어는 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 개시된 발명을 제한 및/또는 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 명세서에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는다.In addition, the terms used herein are used to describe the embodiments, and are not intended to limit and/or limit the disclosed invention. The singular expression includes the plural expression unless the context clearly dictates otherwise. In the present specification, terms such as “comprise” or “have” are intended to designate that a feature, number, step, operation, component, part, or combination thereof described in the specification exists, but one or more other features It does not preclude the possibility of the presence or addition of numbers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof.

또한, 본 명세서에서 사용한 "제1", "제2" 등과 같이 서수를 포함하는 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되지는 않으며, 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다.In addition, terms including an ordinal number such as "first", "second", etc. used herein may be used to describe various elements, but the elements are not limited by the terms, and the terms are It is used only for the purpose of distinguishing one component from another. For example, without departing from the scope of the present invention, a first component may be referred to as a second component, and similarly, a second component may also be referred to as a first component.

또한, "~부", "~기", "~블록", "~부재", "~모듈" 등의 용어는 적어도 하나의 기능이나 동작을 처리하는 단위를 의미할 수 있다. 예를 들어, 상기 용어들은 FPGA(field-programmable gate array) / ASIC(application specific integrated circuit) 등 적어도 하나의 하드웨어, 메모리에 저장된 적어도 하나의 소프트웨어 또는 프로세서에 의하여 처리되는 적어도 하나의 프로세스를 의미할 수 있다.In addition, terms such as "~ part", "~ group", "~ block", "~ member", and "~ module" may mean a unit for processing at least one function or operation. For example, the terms may mean at least one process processed by at least one hardware such as a field-programmable gate array (FPGA) / application specific integrated circuit (ASIC), at least one software stored in a memory, or a processor. have.

각 단계들에 붙여지는 부호는 각 단계들을 식별하기 위해 사용되는 것으로 이들 부호는 각 단계들 상호 간의 순서를 나타내는 것이 아니며, 각 단계들은 문맥상 명백하게 특정 순서를 기재하지 않는 이상 명기된 순서와 다르게 실시될 수 있다.The signs attached to each step are used to identify each step, and these signs do not indicate the order between the steps, and each step is performed differently from the stated order unless the context clearly indicates a specific order. can be

이하에서는 본 발명에 따른 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, an embodiment according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 종래 기술에 따른 전류 모드 로직 회로의 구조를 도시한 회로도이고, 도 2는 종래 기술에 따른 전류 모드 로직 회로에 입력되는 입력 전압과 반전 입력 전압의 식과 전류 모드 로직 회로에서 출력되는 출력 전압과 반전 출력 전압의 식을 표시한 도면이며, 도 3은 트랜지스터의 게이트 - 산화물 파괴 현상을 설명하기 위한 도면이다.1 is a circuit diagram illustrating a structure of a current mode logic circuit according to the prior art, and FIG. 2 is an input voltage input to a current mode logic circuit according to the prior art and an inverted input voltage equation and an output voltage output from the current mode logic circuit It is a diagram showing the expression of the over-inverted output voltage, and FIG. 3 is a diagram for explaining the gate-oxide destruction phenomenon of the transistor.

도 1내지 도 3을 참조하면, 종래 기술에 따른 전류 모드 로직 회로에서 구동 전압이 Vtt(V)이고 입력 전압(Vip)과 반전 입력 전압(Vin)이 Vd(V) 와 0(V)로 입력 된다면, 전류 모드 로직 회로의 출력 전압(Vop)과 반전 전압 출력(Von)은 (Vtt -Itx*Rt) (V) 와 Vtt(V)로 출력이 된다. 이와 반대로 입력 전압과 반전 입력 전압이 0(V) 와 Vd (V)로 입력 된다면, 전류 모드 로직 회로의 출력 전압(Vop)과 반전 전압 출력(Von)은 Vtt(V)와 (Vtt -Itx*Rt) (V)로 출력이 된다.1 to 3, in a current mode logic circuit according to the prior art, the driving voltage is Vtt(V), and the input voltage Vip and the inverted input voltage Vin are input as Vd(V) and 0(V). If so, the output voltage (Vop) and the inverted voltage output (Von) of the current mode logic circuit are output as (Vtt -Itx*Rt) (V) and Vtt(V). Conversely, if the input voltage and inverting input voltage are input as 0(V) and Vd(V), the output voltage (Vop) and inverting voltage output (Von) of the current mode logic circuit are Vtt(V) and (Vtt -Itx* Rt) is output as (V).

회로의 출력 전압이 0 ~ Vtt (V)범위가 아닌 이유는 전류 모드 로직 회로는 그 특성상 차동 트랜지스터인 제1트랜지스터(T1)와 제2트랜지스터(T2)가 수렴(saturation)영역에서 동작하여야 하고, 동시에 전류원(Itx)도 구동되어야 하므로 일정한 전압을 필요로 하므로, 전류 모드 회로의 출력 전압과 반전 출력 전압은 0 ~ Vtt (V)가 아닌 그보다 작은 범위인 (Vtt -Itx*Rt) ~ Vtt (V)로 출력이 된다. The reason that the output voltage of the circuit is not in the range of 0 ~ Vtt (V) is that the first transistor T1 and the second transistor T2, which are differential transistors, must operate in a convergence region due to the characteristics of the current mode logic circuit. Since the current source (Itx) must be driven at the same time, a constant voltage is required, so the output voltage and inverting output voltage of the current mode circuit are not 0 ~ Vtt (V), but a smaller range (Vtt -Itx*Rt) ~ Vtt (V) ) is output.

전류 모드 로직 회로에서 출력 폭(스윙)은 출력 전압과 반전 출력 전압의 차이로 정의될 수 있다. 즉, 출력 전압의 레벨이 높은 값과 출력 전압의 레벨이 낮은 값의 차이가 출력의 폭으로 정의될 수 있다. 따라서, 도 1과 같은 전류 모드 로직 회로에서의 출력의 폭은 Itx*Rt가 된다.In a current mode logic circuit, the output width (swing) may be defined as the difference between the output voltage and the inverted output voltage. That is, a difference between a value having a high level of the output voltage and a value having a low level of the output voltage may be defined as the width of the output. Accordingly, the width of the output in the current mode logic circuit as shown in FIG. 1 becomes Itx*Rt.

전류 모드 로직 회로는 그 특성상 출력의 폭이 CMOS로 구현된 회로보다 작아지게 되는데, 이는 노이즈나 간섭이 큰 환경에서 높은 전압을 유지하면서 고속으로 전류 모드 로직 회로를 구동시키는데 많은 어려움을 발생시킨다. 따라서, 전류 모드 로직 회로에서 출력의 폭을 넓히고자 하는 경우 구동 전압인 Vtt의 크기를 높이는 방법으로 회로의 출력의 폭을 넓힌다.Due to the characteristics of the current mode logic circuit, the output width becomes smaller than that of the CMOS circuit, which causes a lot of difficulty in driving the current mode logic circuit at high speed while maintaining a high voltage in an environment with large noise or interference. Therefore, when the width of the output in the current mode logic circuit is to be increased, the width of the output of the circuit is increased by increasing the magnitude of the driving voltage Vtt.

그러나, 일반적인 트랜지스터는 스트레스(stress)를 받지 않고 정상적으로 동작할 수 있는 전압 범위가 정해져 있으므로, 전류 모드 로직 회로에서 출력의 폭을 넓히고자 구동 전원의 전압의 크기를 무작정 높이는 것은 자칫 트랜지스터에 과부하가 발생하여 소자가 파괴되는 문제가 발생할 수 있다.However, since general transistors have a fixed voltage range that can operate normally without stress, inadvertently increasing the voltage of the driving power source to widen the output width in a current mode logic circuit may result in overloading the transistor. As a result, there may be a problem that the device is destroyed.

구체적으로, 도 3에 도시된 바와 같이 NMOS 트랜지스터의 경우 트랜지스터의 드레인(Drain)과 게이트(Gate) 사이의 전압(Vdg)이 일정 전압보다 높으면, 소자가 그 전압을 견딜 수 없어 게이트-산화물의 파괴(gate-oxide breakdown) 현상이 발생한다.Specifically, as shown in FIG. 3 , in the case of an NMOS transistor, if the voltage (Vdg) between the drain and the gate of the transistor is higher than a predetermined voltage, the device cannot withstand the voltage and the gate-oxide is destroyed. (gate-oxide breakdown) phenomenon occurs.

따라서, 일반적으로 회로를 제작함에 있어서 트랜지스터에 인가되는 바이어스 전압은 소자가 파괴되지 않도록 일정 수준을 넘지 않게 제어가 되어야 하는데, 기술이 발전함에 따라 더욱 높은 출력을 얻고자, 구동 전압의 크기를 계속 높이게 되면, 입력 트랜지스터들의 드레인과 게이트 사이의 전압(Vdg)값이 더욱 커지게 되고, 이는 곧 소자가 견딜 수 있는 한계 동작 전압 범위(Vbreak)를 벗어나게 되므로 앞서 설명한 게이트-산화물의 파괴 현상이 발생할 수 있다.Therefore, in general, in manufacturing a circuit, the bias voltage applied to the transistor should be controlled not to exceed a certain level so as not to destroy the device. Then, the voltage (Vdg) between the drain and the gate of the input transistors becomes larger, which soon exceeds the limiting operating voltage range (Vbreak) that the device can withstand, so the gate-oxide breakdown phenomenon described above may occur .

따라서, 일 실시예에 따른 전류 모드 로직 회로(10)는 이러한 문제점들을 모두 해결하기 위해 고안된 발명으로서, 전류 모드 로직 회로에서 구동 전압 및 출력 전압의 폭에는 변화를 주지 않으면서 입력 트랜지스터의 드레인과 게이트 사이에 인가되는 전압의 크기를 작게 하여 트랜지스터가 파괴되지 않고 안정적으로 구동될 수 있는 전류 모드 로직 회로 및 이를 포함하는 고차 PAM구동 회로를 제공하기 위해 고안된 발명이다. 이하 도면을 통해 본 발명의 다양한 실시예에 대해 알아보도록 한다. Accordingly, the current mode logic circuit 10 according to an embodiment is an invention designed to solve all of these problems, and the drain and gate of the input transistor without changing the widths of the driving voltage and the output voltage in the current mode logic circuit. It is an invention designed to provide a current mode logic circuit that can be stably driven without destroying a transistor by reducing the voltage applied therebetween, and a high-order PAM driving circuit including the same. Hereinafter, various embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

도 4는 일 실시예에 따른 전류 모드 로직 회로의 구조를 도시한 회로도이다.4 is a circuit diagram illustrating a structure of a current mode logic circuit according to an exemplary embodiment.

도 4를 참조하면, 일 실시예에 따른 전류 모드 로직 회로(10)는 공급 전압(Vtt)과 연결되는 제1트림 저항(Rt1) 및 제2트림 저항(Rt2), 입력 전압(Vip)과 연결되는 제1트랜지스터(T1), 반전 입력 전압(Vin)과 연결되는 제2트랜지스터(T2), 제1트랜지스터(T1) 및 제2트랜지스터(T2)와 각각 캐스코드(Cascode) 방식으로 접속된 제3트랜지스터(T3) 및 제4트랜지스터(T4) 그리고 일단이 제1트랜지스터(T1) 및 제3트랜지스터(T3)와 연결되고, 타단이 제2트랜지스터(T2) 및 제4트랜지스터(T4)와 연결되는 제5트랜지스터(T5)를 포함할 수 있다. Referring to FIG. 4 , the current mode logic circuit 10 according to an embodiment is connected to a first trim resistor Rt1 and a second trim resistor Rt2 connected to a supply voltage Vtt, and an input voltage Vip. The first transistor T1 to be used, the second transistor T2 connected to the inverted input voltage Vin, the first transistor T1 and the second transistor T2 and the third connected in a cascode manner, respectively A transistor T3 and a fourth transistor T4, one end connected to the first transistor T1 and the third transistor T3, and the other end connected to the second transistor T2 and the fourth transistor T4 Five transistors T5 may be included.

제1트림 저항(Rt1), 제1트랜지스터(T1) 및 제2트랜지스터(T2)를 합쳐 제1회로로, 제2트림 저항(Rt2), 제3트랜지스터(T3) 및 제4트랜지스터(T4)를 합쳐 제2회로라 지칭할 수 있다. The first trimmed resistor Rt1, the first transistor T1, and the second transistor T2 are combined to form a first circuit, and the second trimmed resistor Rt2, the third transistor T3, and the fourth transistor T4 are connected. Together, it may be referred to as a second circuit.

제3트랜지스터(T3)와 제4트랜지스터(T4)는 도 4에 도시된 바와 같이 제1트림 저항(R1)과 제1트랜지스터(T1) 사이에 배치되며, 제4트랜지스터(T4)는 제2트림 저항(R2)과 제2트랜지스터(T2) 사이에 배치될 수 있다.The third transistor T3 and the fourth transistor T4 are disposed between the first trim resistor R1 and the first transistor T1 as shown in FIG. 4 , and the fourth transistor T4 has the second trim It may be disposed between the resistor R2 and the second transistor T2.

또한, 전류 모드 로직 회로(10)는 도면에는 도시하지 않았지만 전류 모드 로직 회로(10)에 입력되는 모든 종류의 전압(입력 전압, 반전 입력 전압, 캐스코드 입력 전압)을 조절할 수 있는 제어부(미도시)를 포함할 수 있으며, 본 명세서의 도면은 설명의 편의를 위해 모든 입력 전압은 전류 모드 로직 회로(10)의 왼쪽에서 인가되고, 모든 반전 입력 전압은 전류 모드 로직 회로(10)의 오른쪽에서 인가되는 것으로 도시하였지만, 본 발명의 실시예가 이로 한정되는 것은 아니고, 입력 전압과 반전 입력 전압의 위치는 스위치 될 수 있다. In addition, although not shown in the drawing, the current mode logic circuit 10 is a control unit (not shown) capable of adjusting all kinds of voltages (input voltage, inverted input voltage, cascode input voltage) input to the current mode logic circuit 10 . ), and in the drawings of this specification, for convenience of explanation, all input voltages are applied from the left side of the current mode logic circuit 10 , and all inverted input voltages are applied from the right side of the current mode logic circuit 10 . Although shown as being, the embodiment of the present invention is not limited thereto, and the positions of the input voltage and the inverted input voltage may be switched.

또한, 도면에서 설명되는 트랜지스터에는 특정 트랜지스터로 한정되는 것은 아니고, 본 발병의 원리에 따라 전류의 흐름에 맞는 트랜지스터 예를 들어, NMOS, PMOS, CMOS 등이 회로에 배치될 수 있다. In addition, the transistor described in the drawings is not limited to a specific transistor, and according to the principle of the present invention, a transistor suitable for the flow of current, for example, NMOS, PMOS, CMOS, etc. may be disposed in the circuit.

일 실시예에 따른 전류 모드 로직 회로(10)는 도 4에 도시된 바와 같이 회로가 구성되는 경우, 입력 트랜지스터에 해당하는 제1트랜지스터(T1)와 제2트랜지스터(T2)에 각각 제3트랜지스터(T3)와 제4트랜지스터(T4)가 캐스코드 방식으로 연결되어 있기 때문에, 제1트랜지스터(T1)와 제2트랜지스터(T2)에 부하되는 전압의 크기를 감소시키는 역할을 할 수 있다. 즉, 제3트랜지스터(T3)와 제4트랜지스터(T4)는 감소되는 전압의 크기만큼 제1트랜지스터(T1)와 제2트랜지스터(T2)를 보호하는 역할을 할 수 있다.In the current mode logic circuit 10 according to an embodiment, when the circuit is configured as shown in FIG. 4 , the first transistor T1 and the second transistor T2 corresponding to the input transistor have a third transistor ( Since T3) and the fourth transistor T4 are connected in a cascode manner, the magnitude of the voltage applied to the first transistor T1 and the second transistor T2 may be reduced. That is, the third transistor T3 and the fourth transistor T4 may serve to protect the first transistor T1 and the second transistor T2 by the amount of the reduced voltage.

전류 모드 로직 회로(10)가 도4에 도시된 바와 다르게 제5트랜지스터(T5) 없이 구현되는 경우에, 제1트랜지스터(T1)에는 입력 전압으로 전압 0 (V)가, 제2트랜지스터(T2)에는 반전 입력 전압으로 Vd(일 예로 1.0V)가 입력되고, 제3트랜지스터(T3) 및 제4트랜지스터(T4)에는 캐스코드 입력 전압 및 캐스코드 반전 입력 전압으로 Vca(일 예로 1.2V)가 입력되는 경우, 제3트랜지스터(T3)의 드레인과 게이트 사이의 전압은 Vtt (V)가 아니라 Vtt-Vca (V)가 된다. 따라서, Vca (V) 전압만큼 여유 전압이 발생하기 때문에 구동 전압을 Vca (V) 만큼 더 높일 수 있어, 입력 트랜지스터에 해당하는 제1트랜지스터(T1)의 안정성을 높일 수 있는 효과가 존재한다. When the current mode logic circuit 10 is implemented without the fifth transistor T5 as shown in FIG. 4 , the voltage 0 (V) as the input voltage to the first transistor T1 and the second transistor T2 Vd (for example, 1.0V) is input as an inverted input voltage to , and Vca (for example, 1.2V) is input as a cascode input voltage and a cascode inverted input voltage to the third transistor T3 and the fourth transistor T4. , the voltage between the drain and gate of the third transistor T3 becomes Vtt-Vca (V), not Vtt (V). Accordingly, since a spare voltage is generated as much as Vca (V) voltage, the driving voltage can be further increased by Vca (V), thereby increasing the stability of the first transistor T1 corresponding to the input transistor.

본 발명에서는 캐스코드 입력 전압(Vcasp)과 캐스코드 반전 입력 전압(Vcasn)이 고정된 동일한 전압인 Vcas가 입력되는 것을 전제로 설명하지만, 캐스코드 입력 전압과 캐스코드 반전 입력 전압이 시간에 따라 서로 다르게 ON/OFF 될 수 도 있다. In the present invention, the cascode input voltage (Vcasp) and the cascode inversion input voltage (Vcasn) are described on the premise that the same voltage Vcas is input, but the cascode input voltage and the cascode inversion input voltage are each other over time. It can also be turned ON/OFF differently.

다만, 제5트랜지스터(T5)가 없이 전류 모드 회로가 구현되는 경우, 입력 전압이 전류 모드 로직 회로(10)에 지속적으로 들어오는 경우 시간이 지남에 따라, 회로의 특성상 입력 트랜지스터들의(T1, T2) 드레인-게이트 전압이 캐스코드 입력 전압의 크기로 수렴을 하게 되고(예를 들어 캐스코드 입력 전압이 1.2V인 경우 입력 트랜지스터의 드레인-게이트 전압이 1V까지 수렴한다), 이는 입력 트랜지스터이 견딜 수 있는 동작 범위를 초과하는 전압이 입력되어 소자가 파괴될 수 있는 문제점이 존재한다.However, when the current mode circuit is implemented without the fifth transistor T5, when the input voltage continuously enters the current mode logic circuit 10 over time, the characteristics of the input transistors T1 and T2 The drain-gate voltage converges to the magnitude of the cascode input voltage (for example, when the cascode input voltage is 1.2V, the drain-gate voltage of the input transistor converges to 1V), which is an operation that the input transistor can tolerate There is a problem in that a voltage exceeding the range may be input and the device may be destroyed.

그러나, 도 5에 도시된 바와 같이 전류 모드 로직 회로(10)가 제1회로와 제2회로 사이, 구체적으로 일단이 제1트랜지스터(T1) 및 제3트랜지스터(T3)와 연결되어 있고, 타단이 제2트랜지스터(T2) 및 제4트랜지스터(T4)와 연결되어 있으며, 외부 전압(Vb)으로부터 게이트 전압을 입력 받는 제5트랜지스터(T5)를 포함하고 있는 경우, 제1회로 또는 제2회로에 흐르는 전류의 일부를 제2회로 또는 제1회로로 도통시킬 수 있어, 제1트랜지스터(T1)와 제2트랜지스터(T2)에 인가되는 전압의 크기를 감소시킬 수 있다. However, as shown in FIG. 5, the current mode logic circuit 10 is between the first circuit and the second circuit, specifically, one end is connected to the first transistor T1 and the third transistor T3, and the other end is connected to the first transistor T1 and the third transistor T3. When a fifth transistor T5 that is connected to the second transistor T2 and the fourth transistor T4 and receives a gate voltage from the external voltage Vb is included, flowing through the first circuit or the second circuit A portion of the current may be conducted to the second circuit or the first circuit, so that the magnitude of the voltage applied to the first transistor T1 and the second transistor T2 may be reduced.

이를 도 5와 도 6을 통해 자세히 살펴보면, 도 5일 실시예에 따른 전류 모드 로직 회로에서 입력 전압이 0인 경우에 흐르는 전류의 방향을 도시한 도면이고, 도 6은 일 실시예에 따른 전류 모드 로직 회로에서 반전 입력 전압이 0인 경우에 흐르는 전류의 방향을 도시한 도면이다.Looking at this in detail with reference to FIGS. 5 and 6 , FIG. 5 is a view showing the direction of a current flowing when the input voltage is 0 in the current mode logic circuit according to the embodiment, and FIG. 6 is the current mode according to the embodiment. It is a diagram showing the direction of the current flowing when the inverted input voltage is 0 in the logic circuit.

도 5에 도시된 바와 같이 입력 전압이 0(V)이고 캐스코드 입력 전압에 일정 크기의 전압이 인가된 경우, 제1회로의 접점 X1이, 제2회로의 접점 X2보다 전압이 높게 형성되므로, 전류는 제5트랜지스터(T5)를 통해 제1회로에서 제2회로로 흐를 수 있게 된다. 즉, 전류가 제1회로에서 제2회로로 흐르므로 입력 전압이 인가되지 않은 제1트랜지스터(T1)의 드레인과 게이트 사이의 전압을 그만큼 낮출 수 있어, 입력 트랜지스터에 해당하는 제1트랜지스터(T1)의 안정시킬 수 있는 효과가 존재한다.As shown in FIG. 5, when the input voltage is 0 (V) and a voltage of a certain magnitude is applied to the cascode input voltage, the contact X1 of the first circuit has a higher voltage than the contact X2 of the second circuit, Current can flow from the first circuit to the second circuit through the fifth transistor T5. That is, since the current flows from the first circuit to the second circuit, the voltage between the drain and the gate of the first transistor T1 to which no input voltage is applied can be lowered by that much, so that the first transistor T1 corresponding to the input transistor There is a stabilizing effect of

이와 같은 원리로, 반전 입력 전압이 0(V)이고 캐스코드 입력 전압과 반전 입력 전압에 일정 크기의 전압이 인가된 경우에는, 제2회로의 접점 X2가, 제1회로의 접점 X1보다 전압이 높게 형성되므로, 전류는 제5트랜지스터(T5)를 통해 제2회로에서 제1회로로 흐를 수 있게 된다. 즉, 전류가 제2회로에서 제1회로로 흐르므로 입력 전압이 인가되지 않은 제3트랜지스터(T3)의 드레인과 게이트 사이의 전압을 그만큼 낮출 수 있어, 입력 트랜지스터에 해당하는 제2트랜지스터(T2)의 안정시킬 수 있는 효과가 존재한다.In this way, when the inverted input voltage is 0 (V) and a voltage of a certain magnitude is applied to the cascode input voltage and the inverted input voltage, the contact X2 of the second circuit has a voltage higher than that of the contact X1 of the first circuit. Since it is formed high, the current can flow from the second circuit to the first circuit through the fifth transistor T5. That is, since the current flows from the second circuit to the first circuit, the voltage between the drain and the gate of the third transistor T3 to which the input voltage is not applied can be lowered by that much, so that the second transistor T2 corresponding to the input transistor There is a stabilizing effect of

따라서, 제5트랜지스터(T5)는 전류가 흐르면서 동시에 전류의 흐름이 바뀔 수 있는 스위치 역할을 할 수 있는 트랜지스터이면 이에 포함될 수 있으며, 대표적으로 NMOS, PMOS 또는 CMOS 등이 이에 포함될 수 있다. Accordingly, the fifth transistor T5 may be included as long as it is a transistor capable of serving as a switch capable of changing the flow of current while flowing current, and may include, for example, NMOS, PMOS, or CMOS.

도 7은 일 실시예에 따른 전류 모드 로직 회로와 종래 기술에 따른 전류 모드 로직 회로에서의 전압 크기에 대한 실험 결과를 도시한 도면으로서, 구체적으로 도 7의 (a)는 제5트랜지스터를 포함하는 경우에 제1트랜지스터(T1)에 인가되는 전압의 크기를, 도 8의 (b)는 제5트랜지스터를 포함하는 경우에 제1트랜지스터(T1)에 인가되는 전압의 크기를 실험 결과로서 도시한 도면이다.7 is a view showing experimental results for voltage magnitudes in a current mode logic circuit according to an embodiment and a current mode logic circuit according to the prior art. Specifically, FIG. A diagram showing the magnitude of the voltage applied to the first transistor T1 in this case, and the magnitude of the voltage applied to the first transistor T1 in the case in which the fifth transistor is included as an experimental result in FIG. 8B. to be.

도 7에 도시된 바와 같이 제5트랜지스터를 포함하지 않는 경우 제1트랜지스터에 인가되는 드레인-게이트 사이의 전압(V2)의 크기는 986.5mV에 해당하나, 제5트랜지스터를 포함하고 있는 경우 전류가 제1회로에서 제2회로 방향으로 흐를 수 있기 때문에, 제1트랜지스터에 인가되는 드레인-게이트 사이의 전압(V1)의 크기는 904.8Mv 로 낮아진다. 즉, 제5트랜지스터를 포함시켜 전류의 일부를 제5트랜지스터(T5)를 흐르게 하는 경우 입력 전압이 인가되지 않는 입력 트랜지스터(T1)의 드레인-게이트 사이의 전압의 크기를 낮출 수 있어 입력 트랜지스터의 안정성을 높일 수 있는 효과가 존재한다. As shown in FIG. 7, when the fifth transistor is not included, the voltage V2 between the drain and the gate applied to the first transistor corresponds to 986.5 mV. However, when the fifth transistor is included, the current is Since it can flow from the first circuit to the second circuit, the magnitude of the drain-gate voltage V1 applied to the first transistor is lowered to 904.8Mv. That is, when a portion of the current flows through the fifth transistor T5 by including the fifth transistor, the level of the voltage between the drain and the gate of the input transistor T1 to which the input voltage is not applied can be lowered, thereby reducing the stability of the input transistor. There is an effect that can increase the

도 8을 다른 실시예에 따른 전류 모드 로직 회로의 구조를 도시한 회로도이다.8 is a circuit diagram illustrating a structure of a current mode logic circuit according to another embodiment.

도8을 참조하면, 다른 실시예에 따른 전류 모드 로직 회로(10)는 공급 전압(Vtt)과 연결되는 제1트림 저항(Rt1) 및 제2트림 저항(Rt2), 입력 전압(Vip)과 연결되는 제1트랜지스터(T1), 반전 입력 전압(Vin)과 연결되는 제2트랜지스터(T2), 제1트랜지스터(T1) 및 제2트랜지스터(T2)와 각각 캐스코드(Cascode) 방식으로 접속된 제3트랜지스터(T3) 및 제4트랜지스터(T4), 제1트랜지스터(T1) 및 제2트랜지스터(T2)와 연결되는 제1종속 회로(Z1)와 제3트랜지스터(T3) 및 제4트랜지스터(T4)와 연결되는 제2종속 회로(Z2)를 포함할 수 있다. Referring to FIG. 8 , a current mode logic circuit 10 according to another embodiment is connected to a first trim resistor Rt1 and a second trim resistor Rt2 connected to a supply voltage Vtt, and an input voltage Vip. The first transistor T1 to be used, the second transistor T2 connected to the inverted input voltage Vin, the first transistor T1 and the second transistor T2 and the third connected in a cascode manner, respectively A first dependent circuit Z1 connected to a transistor T3 and a fourth transistor T4, a first transistor T1 and a second transistor T2, and a third transistor T3 and a fourth transistor T4 and It may include a connected second dependent circuit (Z2).

도 8에 따른 전류 모드 로직 회로(10)의 제1종속 회로(Z1)와 제2종속 회로(Z2)는 입력 전압이 0V 또는 반전 입력 전압이 0V 인 경우 제1트랜지스터(T1)와 제2트랜지스터(T2)의 드레인-게이트 사이의 전압을 낮춰주기 위한 회로를 의미한다. 도 8에서는 제1종속 회로(Z1)의 구성 요소를 제1전류원(Ib1)으로, 제2종속 회로(Z2)의 구성 요소를 제2전류원(Ib2)로 한정하여 설명하지만, 본 발명의 실시예가 이로 한정되는 것은 아니고, 제1트랜지스터(T1)와 제2트랜지스터(T2)의 드레인-게이트 사이의 전압을 낮출 수 있는 구성 요소이면 제1종속 회로(Z1)와 제2종속 회로(Z2)에 포함될 수 있다. The first and second dependent circuits Z1 and Z2 of the current mode logic circuit 10 according to FIG. 8 have a first transistor T1 and a second transistor when the input voltage is 0V or the inverted input voltage is 0V. It means a circuit for lowering the voltage between the drain and gate of (T2). In FIG. 8, the components of the first slave circuit Z1 are limited to the first current source Ib1 and the components of the second slave circuit Z2 are limited to the second current source Ib2, but the embodiment of the present invention is not The present invention is not limited thereto, and if it is a component capable of lowering the voltage between the drain and gate of the first transistor T1 and the second transistor T2, it is included in the first and second dependent circuits Z1 and Z2. can

제1전류와(Ib1)과 제2전류원(Ib2)은 도 8에 도시된 바와 같이 각각 그라운드와 연결될 수 있으며, 제1전류원(Ib1)은 입력 전압이 OFF이고, 반전 입력 전압이 ON인 경우 전류가 흐르고, 입력 전압이 ON이고, 반전 입력 전압이 OFF인 경우 전류가 흐르지 않도록 제어될 수 있으며, 제2전류원(Ib2) 또한, 입력 전압이 ON이고, 상기 반전 입력 전압이 OFF인 경우 전류가 흐르고, 입력 전압이 OFF이고, 상기 반전 입력 전압이 ON인 경우 전류가 흐르지 않도록 제어 될 수 있다. The first current Ib1 and the second current source Ib2 may be respectively connected to the ground as shown in FIG. 8 , and the first current source Ib1 has an input voltage of OFF and a current when the inverted input voltage is ON. flows, the input voltage is ON, and can be controlled so that no current flows when the inverted input voltage is OFF, and the second current source (Ib2) also flows when the input voltage is ON and the inverted input voltage is OFF , when the input voltage is OFF and the inverted input voltage is ON, it can be controlled so that no current flows.

입력 전압이 OFF이고, 반전 입력 전압이 ON인 경우, 제1전류원(Ib1)에 의해 제3트랜지스터(T3)에서 제1종속 회로(Z1) 방향으로 전류가 일부 흐르기 때문에, 전류가 흐르지 않는 경우보다 제1트랜지스터(T1)의 드레인-게이트 사이의 전압이 낮아져, 제1트랜지스터(T1)가 파괴되지 않고 더욱더 안정적으로 구동될 수 있다. When the input voltage is OFF and the inverted input voltage is ON, since some current flows from the third transistor T3 to the first slave circuit Z1 by the first current source Ib1, compared to the case where no current flows Since the voltage between the drain and gate of the first transistor T1 is lowered, the first transistor T1 may be driven more stably without being destroyed.

또한, 입력 전압이 ON이고, 반전 입력 전압이 OFF인 경우, 제2전류원(Ib2)에 의해 제4트랜지스터(T4)에서 제2종속 회로(Z2) 방향으로 전류가 일부 흐르기 때문에, 전류가 흐르지 않는 경우보다 제3트랜지스터(T3)의 드레인-게이트 사이의 전압이 낮아져, 제3트랜지스터(T3)가 파괴되지 않고 더욱더 안정적으로 구동될 수 있다.In addition, when the input voltage is ON and the inverted input voltage is OFF, the current does not flow because a part of the current flows from the fourth transistor T4 to the second slave circuit Z2 by the second current source Ib2. Since the voltage between the drain and gate of the third transistor T3 is lower than in the case of the third transistor T3 , the third transistor T3 may be driven more stably without being destroyed.

도 9 내지 도 11은 본 발명에 따른 전류 모드 회로를 이용하여 PAM 구동 회로를 구현하는 다양한 실시예를 도시한 도면이다. 9 to 11 are diagrams illustrating various embodiments of implementing a PAM driving circuit using a current mode circuit according to the present invention.

PAM(Pulse Amplitude Modulation) 구동 회로는 펄스 진폭 변조 회로를 의미하며, PAM 구동 회로는 일반적으로 전류 모드 로직 회로를 병렬적으로 단계적으로 연결하여 구동하며, 2개를 병렬적으로 연결한 경우PAM4 구동 회로라 하고, 3개를 병렬적으로 연결한 경우 PAM8 구동 회로, 4개를 병렬적으로 연결한 경우 PAM16 구동 회로라 지칭한다.PAM (Pulse Amplitude Modulation) driving circuit refers to a pulse amplitude modulation circuit, and PAM driving circuit is generally driven by connecting current mode logic circuits in parallel step by step, and when two are connected in parallel, PAM4 driving circuit When three are connected in parallel, it is referred to as a PAM8 driving circuit, and when four are connected in parallel, it is referred to as a PAM16 driving circuit.

도 9를 참조하면, 일 실시예에 따른 PAM4 구동 회로(100)는 제1전류 모드 로직 회로(11)와 제2전류 모드 로직 회로(12)를 포함할 수 있으며, 제1전류 모드 로직 회로(11)는 공급 전압(Vtt)과 연결되는 제1트림 저항(Rt1) 및 제2트림 저항(Rt2), 제1입력 전압(Vip1)과 연결되는 제1트랜지스터(M1), 제1반전 입력 전압(Vin)과 연결되는 제2트랜지스터(M2), 제1트랜지스터(M1) 및 제2트랜지스터(M2)와 각각 캐스코드(Cascode) 방식으로 접속된 제3트랜지스터(M3) 및 제4트랜지스터(M4) 그리고 일단이 제1트랜지스터(M1) 및 제3트랜지스터(M3)와 연결되고, 타단이 제2트랜지스터(M2) 및 제4트랜지스터(M4)와 연결되며, 제1외부 전압(Vb1)으로부터 게이트 입력 전압을 입력 받는 제5트랜지스터(M5)를 포함할 수 있으며, 여기서 제5트랜지스터는 제1부하로 지칭할 수 있다.Referring to FIG. 9 , the PAM4 driving circuit 100 according to an embodiment may include a first current mode logic circuit 11 and a second current mode logic circuit 12 , and a first current mode logic circuit ( 11) is a first trim resistor Rt1 and a second trim resistor Rt2 connected to the supply voltage Vtt, a first transistor M1 connected to the first input voltage Vip1, a first inverted input voltage ( Vin) connected to the second transistor M2, the first transistor M1, and the second transistor M2 and the third transistor M3 and the fourth transistor M4 connected in a cascode manner, respectively, and One end is connected to the first transistor (M1) and the third transistor (M3), the other end is connected to the second transistor (M2) and the fourth transistor (M4), the gate input voltage from the first external voltage (Vb1) It may include a fifth transistor M5 that receives an input, where the fifth transistor may be referred to as a first load.

제2전류 모드 로직 회로(12)는 제2입력 전압(Vip2)과 연결되는 제6트랜지스터(M6), 제2반전 입력 전압(Vin)과 연결되는 제7트랜지스터(M7), 제6트랜지스터(M6) 및 제7트랜지스터(M7)와 각각 캐스코드(Cascode) 방식으로 접속된 제8트랜지스터(M8) 및 제9트랜지스터(M9) 그리고 일단이 제6트랜지스터(M6) 및 제7트랜지스터(M7)와 연결되고, 타단이 제8트랜지스터(M8) 및 제9트랜지스터(M9)와 연결되며, 제2외부 전압(Vb2)으로부터 게이트 입력 전압을 입력 받는 제10트랜지스터(M10)를 포함할 수 있으며, 여기서 제10트랜지스터는 제2부하로 지칭할 수 있다.The second current mode logic circuit 12 includes a sixth transistor M6 connected to the second input voltage Vip2, a seventh transistor M7 connected to the second inverted input voltage Vin, and a sixth transistor M6 ) and the seventh transistor M7 and the eighth transistors M8 and the ninth transistor M9 connected in a cascode manner, respectively, and one end connected to the sixth transistor M6 and the seventh transistor M7 and a tenth transistor M10 having the other end connected to the eighth transistor M8 and the ninth transistor M9 and receiving a gate input voltage from the second external voltage Vb2, where the tenth The transistor may be referred to as a second load.

도 9에서와 같이 전류 모드 로직 회로를 병렬적으로 연결하여 PAM4 구동 회로를 구현하는 경우, 각각의 전류 모드 회로(11,12)에의 동작 원리는 앞선 도면에서 설명한 바와 같이 동일하게 작동되므로, 입력 트랜지스터들에 인간되는 전압의 크기가 작아 소자가 파괴되지 않고 안정적으로 PAM4 구동 회로를 구동시킬 수 있는 장점이 존재한다. When the PAM4 driving circuit is implemented by connecting the current mode logic circuits in parallel as shown in FIG. 9 , the operating principle of each current mode circuit 11 and 12 is the same as described in the previous drawings, so the input transistor There is an advantage of stably driving the PAM4 driving circuit without destroying the device because the magnitude of the voltage applied to the device is small.

도 10에 따른 PAM 4 구동 회로의 경우, 전류 모드 회로의 기본적인 구성요소는 도 9에서의 전류 모드 로직 회로와 동일하나, 도 10에 도시된 바와 같이 전류가 흐르는 부하가 제1전류 모드 회로(11)에서는 제1저항(R1)으로, 제2전류 모드 회로(12)에서는 제1저항(R1)보다 2배의 저항 값을 가지는 제2저항(R2)으로 변경 된 거에 차이점이 존재한다. 도 10와 같은 구조로 PAM 4 구동 회로를 구현하는 경우 도 9에서와 마찬가지로 제1저항(R1) 및 제2저항(R2)을 통해 전류가 일부 흐르므로, 각각의 전류 모드 로직 회로(10)에서의 입력 트랜지스터의 게이트-드레인 전압의 크기를 낮출 수 있는 효과가 존재한다. 여기서 제1저항(R1)은 제1부하고, 제2저항(R2)은 제2부하로 지칭될 수 있다.In the case of the PAM 4 driving circuit according to FIG. 10, the basic components of the current mode circuit are the same as those of the current mode logic circuit in FIG. 9, but as shown in FIG. ) is changed to the first resistor R1, and in the second current mode circuit 12, a second resistor R2 having a resistance value twice that of the first resistor R1 is changed. When the PAM 4 driving circuit is implemented with the structure shown in FIG. 10 , as in FIG. 9 , some current flows through the first resistor R1 and the second resistor R2 , so that in each current mode logic circuit 10 There is an effect that can lower the magnitude of the gate-drain voltage of the input transistor. Here, the first resistor R1 may be referred to as a first load, and the second resistor R2 may be referred to as a second load.

도 11에 따른 PAM 4 구동 회로의 경우, 전류 모드 회로의 기본적인 구성요소는 도 9에서의 전류 모드 로직 회로와 동일하나, 도 11에 도시된 바와 같이 전류가 흐르는 부하가 제1전류 모드 회로(11)에서는 제1저항(R1-1), 제2저항(R1-2) 및 제1캐패시터(C1)로 구성된 제1부하로 변경되고, 제2전류 모드 회로(12)에서는 제3저항(R2-1), 제4저항(R2-2) 및 제2캐패시터(C2)로 구성된 제2부하로 변경된 것에 차이점이 존재한다. In the case of the PAM 4 driving circuit according to FIG. 11, the basic components of the current mode circuit are the same as those of the current mode logic circuit in FIG. 9, but as shown in FIG. ) is changed to the first load composed of the first resistor R1-1, the second resistor R1-2, and the first capacitor C1, and in the second current mode circuit 12, the third resistor R2- 1), there is a difference in the change to the second load composed of the fourth resistor (R2-2) and the second capacitor (C2).

도 11과 같은 구조로 PAM 4 구동 회로를 구현하는 경우, 앞서 설명한 효과와 더불어, 각각의 저항들 사이에 캐패시터가 연결되어 있으므로, 다른 회로에서의 신호들이 저항을 거쳐 들어오는 것을 방지할 수 있는 필터 효과도 존재한다.When the PAM 4 driving circuit is implemented with the structure shown in FIG. 11, in addition to the effect described above, since a capacitor is connected between each resistor, a filter effect that can prevent signals from other circuits from entering through the resistor also exist

도 12는 일 실시예에 따른 PAM4 구동 회로의 종래 기술에 따른 PAM4 구동 회로에 대한 실험 결과를 도시한 도면으로서, 도 12의 (a)는 종래기술에 따라 제1부하 및 제2부하 없이 PAM4 구동 회로를 구현한 경우에, 출력되는 파형을 도시한 도면이고, 도 12의 (b)는 본 발명에 따라 제1부하 및 제2부하를 포함하는 PAM4 구동 회로를 구현한 경우에, 출력되는 파형을 도시한 도면이고, 도 13는 종래 기술에 따른 PAM4 구동 회로와 본 발명에 따른 PAM4 구동 회로의 입력 트랜지스터에 인가되는 게이트-드레인 사이의 전압의 크기만을 비교 도시한 실험 결과이다.12 is a view showing experimental results of a PAM4 driving circuit according to a prior art of a PAM4 driving circuit according to an embodiment. When the circuit is implemented, it is a diagram showing the output waveform, and FIG. 12 (b) is the output waveform when the PAM4 driving circuit including the first load and the second load is implemented according to the present invention. 13 is an experimental result comparing only the magnitude of the voltage between the gate and the drain applied to the input transistor of the PAM4 driving circuit according to the prior art and the PAM4 driving circuit according to the present invention.

또한, 도 12에서 가장 아래 그래프는 전류 모드 회로의 출력 파형을, 위의 그래프가 입력 트랜지스터에 인가되는 시간에 따른 전압 파형이며, 도 13에서의 보라색 선이 본 발명에 따른 입력 트랜지스터에 인가되는 전압의 크기를 도시한 선이고, 초록색 선이 종래 기술에 따른 입력 트랜지스터에 인가되는 전압의 크기를 도시한 선이다.In addition, the lowermost graph in FIG. 12 is the output waveform of the current mode circuit, the upper graph is the voltage waveform with time applied to the input transistor, and the purple line in FIG. 13 is the voltage applied to the input transistor according to the present invention. is a line showing the magnitude of , and the green line is a line showing the magnitude of the voltage applied to the input transistor according to the prior art.

도 12 과 도 13에 도시된 바와 같이 종래 기술에 따를 경우, 입력 트랜지스터의 최고 전압은 1V와 비슷한 값을 여러 번 출력시키나, 본 발명의 경우 입력 트랜지스터의 최고 전압은 1V를 넘기지 않는 바, 본 발명에 따른 PAM 4 구동 회로가 종래 기술에 따른 PAM4 구동 회로보다 안정적으로 입력 트랜지스터들이 구동될 수 있는 것을 알 수 있다.12 and 13, according to the prior art, the highest voltage of the input transistor outputs a value similar to 1V several times, but in the present invention, the highest voltage of the input transistor does not exceed 1V. It can be seen that the input transistors can be driven more stably in the PAM 4 driving circuit according to the prior art than in the PAM 4 driving circuit according to the related art.

도 14는 일 실시예에 따른 PAM16 구동 회로의 구조를 도시한 회로도이다.14 is a circuit diagram illustrating a structure of a PAM16 driving circuit according to an exemplary embodiment.

도 14를 참조하면, 일 실시예에 따른 PAM4 구동 회로(100)는 제1전류 모드 로직 회로(11), 제2전류 모드 로직 회로(12), 제3전류 모드 로직 회로(13) 및 제4전류 모드 로직 회로(14)를 포함할 수 있으며, 상기 전류 모드 로직 회로들은 도면에 도시된 바와 같이 출력 전압을 공유하면서 병렬적으로 연결되어 있을 수 있다. Referring to FIG. 14 , the PAM4 driving circuit 100 according to an embodiment includes a first current mode logic circuit 11 , a second current mode logic circuit 12 , a third current mode logic circuit 13 , and a fourth A current mode logic circuit 14 may be included, and the current mode logic circuits may be connected in parallel while sharing an output voltage as shown in the figure.

구체적으로 제1전류 모드 로직 회로(11)는 공급 전압(Vtt)과 연결되는 제1트림 저항(Rt1) 및 제2트림 저항(Rt2), 제1입력 전압(Vip1)과 연결되는 제1트랜지스터(M1), 제1반전 입력 전압(Vin1)과 연결되는 제2트랜지스터(M2), 제1트랜지스터(M1) 및 제2트랜지스터(M2)와 각각 캐스코드(Cascode) 방식으로 접속된 제3트랜지스터(M3) 및 제4트랜지스터(M4) 그리고 제1트랜지스터(M1) 및 제3트랜지스터(M3)와 연결되는 제1-1저항(R1-1), 제2트랜지스터(M2) 및 제4트랜지스터(M4)와 연결되는 제1-2저항(R1-2)을 포함할 수 있으며, 제1-1저항(R1-1)과 제1-2저항(R1-2)은 직렬 연결될 수 있다. Specifically, the first current mode logic circuit 11 includes a first trim resistor Rt1 and a second trim resistor Rt2 connected to the supply voltage Vtt, and a first transistor connected to the first input voltage Vip1 ( M1), the second transistor M2 connected to the first inverting input voltage Vin1, the first transistor M1, and the second transistor M2 and the third transistor M3 connected in a cascode manner, respectively ) and the fourth transistor M4 and the 1-1 resistor R1-1 connected to the first transistor M1 and the third transistor M3, the second transistor M2 and the fourth transistor M4 and It may include a 1-2-th resistor R1-2 connected thereto, and the 1-1-th resistor R1-1 and the 1-2-th resistor R1-2 may be connected in series.

제2전류 모드 로직 회로(12)는 제2입력 전압(Vip2)과 연결되는 제6트랜지스터(M6), 제2반전 입력 전압(Vin2)과 연결되는 제7트랜지스터(M7), 제6트랜지스터(M6) 및 제7트랜지스터(M7)와 각각 캐스코드(Cascode) 방식으로 접속된 제8트랜지스터(M8) 및 제9트랜지스터(M9) 그리고 제6트랜지스터(M6) 및 제8트랜지스터(M8)와 연결되는 제2-1저항(R2-1), 제7트랜지스터(M7) 및 제9트랜지스터(M9)와 연결되는 제2-2저항(R2-2)을 포함할 수 있으며, 제2-1저항(R2-1)과 제2-2저항(R2-2)은 직렬 연결될 수 있다. The second current mode logic circuit 12 includes a sixth transistor M6 connected to the second input voltage Vip2, a seventh transistor M7 connected to the second inverted input voltage Vin2, and a sixth transistor M6 ) and the seventh transistor M7 and the eighth transistors M8 and the ninth transistor M9 connected in a cascode manner, respectively, and the sixth transistor M6 and the eighth transistor M8 connected to each other. It may include a 2-1 resistor R2-1, a 2-2 resistor R2-2 connected to the seventh transistor M7 and the ninth transistor M9, and a 2-1 resistor R2- 1) and the second-second resistor R2-2 may be connected in series.

제3전류 모드 로직 회로(13)는 제3입력 전압(Vip3)과 연결되는 제11트랜지스터(M11), 제3반전 입력 전압(Vin3)과 연결되는 제12트랜지스터(M12), 제11트랜지스터(M11) 및 제12트랜지스터(M12)와 각각 캐스코드(Cascode) 방식으로 접속된 제13트랜지스터(M13) 및 제14트랜지스터(M14) 그리고 제11트랜지스터(M11) 및 제13트랜지스터(M13)와 연결되는 제3-1저항(R3-1), 제12트랜지스터(T12) 및 제14트랜지스터(M14)와 연결되는 제3-2저항(R3-2)을 포함할 수 있으며, 제3-1저항(R3-1)과 제3-2저항(R3-2)은 직렬 연결될 수 있다. The third current mode logic circuit 13 includes an eleventh transistor M11 connected to the third input voltage Vip3, a twelfth transistor M12 connected to the third inverted input voltage Vin3, and an eleventh transistor M11 ) and a thirteenth transistor (M13) and a fourteenth transistor (M14) respectively connected to the cascode method with the twelfth transistor (M12), and a thirteenth transistor (M11) and a thirteenth transistor (M13) connected to the eleventh transistor (M11) and the thirteenth transistor (M13) It may include a 3-1 resistor R3-1, a 3-2 resistor R3-2 connected to the twelfth transistor T12, and the 14 th transistor M14, and a 3-1 resistor R3- 1) and the 3-2 resistor R3-2 may be connected in series.

제4전류 모드 로직 회로(14)는 제4입력 전압(Vip4)과 연결되는 제16트랜지스터(T16), 제4반전 입력 전압(Vin4)과 연결되는 제17트랜지스터(M17), 제16트랜지스터(M16) 및 제18트랜지스터(M18)와 각각 캐스코드(Cascode) 방식으로 접속된 제18트랜지스터(M18) 및 제19트랜지스터(M19) 그리고 제16트랜지스터(M16) 및 제18트랜지스터(M18)와 연결되는 제4-1저항(R4-1), 제17트랜지스터(M17) 및 제19트랜지스터(M19)와 연결되는 제4-2저항(R4-2)를 포함할 수 있으며, 제4-1저항(R4-1)과 제4-2저항(R4-2)은 직렬 연결될 수 있다. The fourth current mode logic circuit 14 includes a sixteenth transistor T16 connected to the fourth input voltage Vip4, a seventeenth transistor M17 connected to the fourth inverted input voltage Vin4, and a sixteenth transistor M16 ) and the 18th transistor (M18) and the 19th transistor (M19) respectively connected to the 18th transistor (M18) in a cascode method, and the 16th transistor (M16) and the 18th transistor (M18) connected to the A 4-1 resistor R4-1, a 17th transistor M17, and a 4-2th resistor R4-2 connected to the 19th transistor M19 may be included, and the 4-1th resistor R4- 1) and the 4-2th resistor R4-2 may be connected in series.

도 14에서와 같이 전류 모드 로직 회로를 병렬적으로 연결하여 PAM16구동 회로를 구현하는 경우, 각각의 전류 모드 회로(11,12,13,14)에의 동작 원리는 앞선 도면에서 설명한 바와 같이 동일하게 작동되므로, 입력 트랜지스터들에 인가되는 전압의 크기가 작아 소자가 파괴되지 않고 안정적으로 PAM16 구동 회로를 구동시킬 수 있는 장점이 존재한다. When the PAM16 driving circuit is implemented by connecting the current mode logic circuits in parallel as in FIG. 14 , the operation principle of each of the current mode circuits 11 , 12 , 13 , and 14 operates the same as described in the previous figure. Therefore, there is an advantage of stably driving the PAM16 driving circuit without destroying the device because the voltage applied to the input transistors is small.

지금까지 도면을 통해 일 실시예에 따른 전류 모드 로직 회로(10) 및 이를 포함하는 PAM4 구동 회로(100)에 대해 자세히 알아보았다. So far, the current mode logic circuit 10 and the PAM4 driving circuit 100 including the current mode logic circuit 10 according to an embodiment have been described in detail through the drawings.

일 실시예에 따른 전류 모드 로직 회로 및 이를 포함하는 PAM4 구동 회로는 회로의 구동 전압을 높여도 종래 기술과 다르게 입력 트랜지스터에 인가되는 전압의 크기가 낮아져 입력 트랜지스터를 안정적으로 구동시킬 수 있어, 전류 모드 로직 회로의 내구성을 높일 수 있으며, 추가적인 전력 소모 없이 작은 면적으로도 이를 구현할 수 있는 장점이 존재한다. In the current mode logic circuit and the PAM4 driving circuit including the same according to an embodiment, the voltage applied to the input transistor is lowered unlike the prior art even when the driving voltage of the circuit is increased, so that the input transistor can be stably driven. The durability of the logic circuit can be increased, and there is an advantage that it can be implemented in a small area without additional power consumption.

이에 따라, 전류 모드 로직 회로의 출력 신호 및 신호대잡음비(SNR, signal to noise ratio) 을 향상시켜 노이즈 및 간섭의 영향을 줄일 수 있는 효과도 존재한다.Accordingly, there is an effect of reducing the influence of noise and interference by improving the output signal and signal to noise ratio (SNR) of the current mode logic circuit.

이상에서 설명된 장치는 하드웨어 구성요소, 소프트웨어 구성요소, 및/또는 하드웨어 구성요소 및 소프트웨어 구성요소의 조합으로 구현될 수 있다. 예를 들어, 실시예들에서 설명된 장치 및 구성요소는, 예를 들어, 프로세서, 컨트롤러, ALU(arithmetic logic unit), 디지털 신호 프로세서(digital signal processor), 마이크로컴퓨터, FPA(field programmable array), PLU(programmable logic unit), 마이크로프로세서, 또는 명령(instruction)을 실행하고 응답할 수 있는 다른 어떠한 장치와 같이, 하나 이상의 범용 컴퓨터 또는 특수 목적 컴퓨터를 이용하여 구현될 수 있다. 처리 장치는 운영 체제(OS) 및 운영 체제 상에서 수행되는 하나 이상의 소프트웨어 애플리케이션을 수행할 수 있다. 또한, 처리 장치는 소프트웨어의 실행에 응답하여, 데이터를 접근, 저장, 조작, 처리 및 생성할 수도 있다. 이해의 편의를 위하여, 처리 장치는 하나가 사용되는 것으로 설명된 경우도 있지만, 해당 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는, 처리 장치가 복수 개의 처리 요소(processing element) 및/또는 복수 유형의 처리 요소를 포함할 수 있음을 알 수 있다. 예를 들어, 처리 장치는 복수 개의 프로세서 또는 하나의 프로세서 및 하나의 컨트롤러를 포함할 수 있다. 또한, 병렬 프로세서(parallel processor)와 같은, 다른 처리 구성(processing configuration)도 가능하다.The device described above may be implemented as a hardware component, a software component, and/or a combination of the hardware component and the software component. For example, devices and components described in the embodiments may include, for example, a processor, a controller, an arithmetic logic unit (ALU), a digital signal processor, a microcomputer, a field programmable array (FPA), It may be implemented using one or more general purpose or special purpose computers, such as a programmable logic unit (PLU), microprocessor, or any other device capable of executing and responding to instructions. The processing device may execute an operating system (OS) and one or more software applications running on the operating system. The processing device may also access, store, manipulate, process, and generate data in response to execution of the software. For convenience of understanding, although one processing device is sometimes described as being used, one of ordinary skill in the art will recognize that the processing device includes a plurality of processing elements and/or a plurality of types of processing elements. It can be seen that may include For example, the processing device may include a plurality of processors or one processor and one controller. Other processing configurations are also possible, such as parallel processors.

소프트웨어는 컴퓨터 프로그램(computer program), 코드(code), 명령(instruction), 또는 이들 중 하나 이상의 조합을 포함할 수 있으며, 원하는 대로 동작하도록 처리 장치를 구성하거나 독립적으로 또는 결합적으로(collectively) 처리 장치를 명령할 수 있다. 소프트웨어 및/또는 데이터는, 처리 장치에 의하여 해석되거나 처리 장치에 명령 또는 데이터를 제공하기 위하여, 어떤 유형의 기계, 구성요소(component), 물리적 장치, 가상 장치(virtual equipment), 컴퓨터 저장 매체 또는 장치에 구체화(embody)될 수 있다. 소프트웨어는 네트워크로 연결된 컴퓨터 시스템 상에 분산되어서, 분산된 방법으로 저장되거나 실행될 수도 있다. 소프트웨어 및 데이터는 하나 이상의 컴퓨터 판독 가능 기록 매체에 저장될 수 있다.The software may comprise a computer program, code, instructions, or a combination of one or more thereof, which configures a processing device to operate as desired or is independently or collectively processed You can command the device. The software and/or data may be any kind of machine, component, physical device, virtual equipment, computer storage medium or device, to be interpreted by or to provide instructions or data to the processing device. may be embodied in The software may be distributed over networked computer systems and stored or executed in a distributed manner. Software and data may be stored in one or more computer-readable recording media.

실시예에 따른 방법은 다양한 컴퓨터 수단을 통하여 수행될 수 있는 프로그램 명령 형태로 구현되어 컴퓨터 판독 가능 매체에 기록될 수 있다. 상기 컴퓨터 판독 가능 매체는 프로그램 명령, 데이터 파일, 데이터 구조 등을 단독으로 또는 조합하여 포함할 수 있다. 상기 매체에 기록되는 프로그램 명령은 실시예를 위하여 특별히 설계되고 구성된 것들이거나 컴퓨터 소프트웨어 당업자에게 공지되어 사용 가능한 것일 수도 있다. 컴퓨터 판독 가능 기록 매체의 예에는 하드 디스크, 플로피 디스크 및 자기 테이프와 같은 자기 매체(magnetic media), CD-ROM, DR와 같은 광기록 매체(optical media), 플롭티컬 디스크(floptical disk)와 같은 자기-광 매체(magneto-optical media), 및 롬(ROM), 램(RAM), 플래시 메모리 등과 같은 프로그램 명령을 저장하고 수행하도록 특별히 구성된 하드웨어 장치가 포함된다. 프로그램 명령의 예에는 컴파일러에 의해 만들어지는 것과 같은 기계어 코드뿐만 아니라 인터프리터 등을 사용해서 컴퓨터에 의해서 실행될 수 있는 고급 언어 코드를 포함한다.The method according to the embodiment may be implemented in the form of program instructions that can be executed through various computer means and recorded in a computer-readable medium. The computer-readable medium may include program instructions, data files, data structures, etc. alone or in combination. The program instructions recorded on the medium may be specially designed and configured for the embodiment, or may be known and available to those skilled in the art of computer software. Examples of the computer-readable recording medium include magnetic media such as hard disks, floppy disks and magnetic tapes, optical media such as CD-ROMs and DRs, and magnetic such as floppy disks. - includes magneto-optical media, and hardware devices specially configured to store and execute program instructions, such as ROM, RAM, flash memory, and the like. Examples of program instructions include not only machine language codes such as those generated by a compiler, but also high-level language codes that can be executed by a computer using an interpreter or the like.

이상과 같이 실시예들이 비록 한정된 실시예와 도면에 의해 설명되었으나, 해당 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 상기의 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다. 예를 들어, 설명된 기술들이 설명된 방법과 다른 순서로 수행되거나, 및/또는 설명된 시스템, 구조, 장치, 회로 등의 구성요소들이 설명된 방법과 다른 형태로 결합 또는 조합되거나, 다른 구성요소 또는 균등물에 의하여 대치되거나 치환되더라도 적절한 결과가 달성될 수 있다. 그러므로, 다른 구현들, 다른 실시예들 및 특허청구범위와 균등한 것들도 후술하는 특허청구범위의 범위에 속한다.As described above, although the embodiments have been described with reference to the limited embodiments and drawings, various modifications and variations are possible by those skilled in the art from the above description. For example, the described techniques are performed in a different order than the described method, and/or the described components of the system, structure, apparatus, circuit, etc. are combined or combined in a different form than the described method, or other components Or substituted or substituted by equivalents may achieve an appropriate result. Therefore, other implementations, other embodiments, and equivalents to the claims are also within the scope of the following claims.

10: 전류 모드 로직 회로 11: 제1전류 모드 로직 회로
12: 제2전류 모드 로직 회로 13: 제3전류 모드 로직 회로
14: 제3전류 모드 로직 회로 T1: 제1트랜지스터
T2: 제2트랜지스터 T3: 제3트랜지스터
T4: 제4트랜지스터 T5: 제5트랜지스터
T6: 제6트랜지스터 Ib1: 제1전류원
Ib2: 제2전류원 Vin: 입력 전압
Vip: 반전 입력 전압 Von: 출력 전압
Vop: 반전 출력 전압 Vcasp: 캐스코드 입력 전압
Vcasn: 제2캐스코드 반전 입력 전압
Vtt: 구동 전압
10: current mode logic circuit 11: first current mode logic circuit
12: second current mode logic circuit 13: third current mode logic circuit
14: third current mode logic circuit T1: first transistor
T2: second transistor T3: third transistor
T4: fourth transistor T5: fifth transistor
T6: sixth transistor Ib1: first current source
Ib2: second current source Vin: input voltage
Vip: Inverting input voltage Von: Output voltage
Vop: inverted output voltage Vcasp: cascode input voltage
Vcasn: second cascode inverted input voltage
Vtt: drive voltage

Claims (15)

입력 전압과 연결되는 제1트랜지스터 및 반전 입력 전압과 연결되는 제2트랜지스터;를 포함하는 제1회로;
캐스코드 입력 전압과 연결되는 제3트랜지스터 및 캐스코드 반전 입력 전압과 연결되는 제4트랜지스터;를 포함하는 제2회로; 및
일단은 상기 제1트랜지스터 및 상기 제3트랜지스터와 연결되고, 타단은 상기 제2트랜지스터 및 상기 제4트랜지스터와 연결되는 제5트랜지스터;를 포함하는 것을 특징으로 하는 전류 모드 로직 회로.
a first circuit including a first transistor connected to an input voltage and a second transistor connected to an inverted input voltage;
a second circuit including a third transistor connected to the cascode input voltage and a fourth transistor connected to the cascode inversion input voltage; and
and a fifth transistor having one end connected to the first transistor and the third transistor and the other end connected to the second transistor and the fourth transistor.
제1항에 있어서,
상기 제5트랜지스터는 외부 전압과 연결되어 있어, 제5트랜지스터의 게이트에 인가되는 전압의 크기는 가변되는 것을 특징으로 하는, 전류 모드 로직 회로,
According to claim 1,
The fifth transistor is connected to an external voltage, so that the magnitude of the voltage applied to the gate of the fifth transistor is variable, a current mode logic circuit,
제1항에 있어서,
상기 제5트랜지스터에 흐르는 전류의 방향은,
상기 입력 전압과 상기 반전 입력 전압의 ON/OFF 에 따라 바뀌는 것을 특징으로 하는, 전류 모드 로직 회로,
According to claim 1,
The direction of the current flowing through the fifth transistor is,
Current mode logic circuit, characterized in that it changes according to ON/OFF of the input voltage and the inverted input voltage,
제3항에 있어서,
상기 제5트랜지스터에 흐르는 전류의 방향은,
상기 입력 전압이 OFF이고, 상기 반전 입력 전압이 ON인 경우, 전류의 방향이 상기 제3트랜지스터에서 상기 제5트랜지스터로 흐르는 것을 특징으로 하는, 전류 모드 로직 회로.
4. The method of claim 3,
The direction of the current flowing through the fifth transistor is,
A current mode logic circuit, characterized in that when the input voltage is OFF and the inverted input voltage is ON, a direction of a current flows from the third transistor to the fifth transistor.
제4항에 있어서,
상기 입력 전압이 OFF인 경우,
상기 제3트랜지스터에 흐르는 전류를 상기 제5트랜지스터로 도통 시킴으로써, 상기 제1트랜지스터의 드레인과 게이트 사이에 인가되는 전압의 크기를 감소시키는 것을 특징으로 하는, 전류 모드 로직 회로.
5. The method of claim 4,
When the input voltage is OFF,
A current mode logic circuit, characterized in that the voltage applied between the drain and the gate of the first transistor is reduced by conducting a current flowing through the third transistor to the fifth transistor.
제3항에 있어서,
상기 제5트랜지스터에 흐르는 전류의 방향은,
상기 입력 전압이 ON이고, 상기 반전 입력 전압이 OFF인 경우, 전류의 방향이 상기 제4트랜지스터에서 상기 제5트랜지스터로 흐르는 것을 특징으로 하는, 전류 모드 로직 회로.
4. The method of claim 3,
The direction of the current flowing through the fifth transistor is,
The current mode logic circuit, characterized in that when the input voltage is ON and the inverted input voltage is OFF, a direction of a current flows from the fourth transistor to the fifth transistor.
제6항에 있어서,
상기 입력 전압이 ON인 경우,
상기 제4회로에 흐르는 전류를 상기 제5트랜지스터로 도통 시킴으로써, 상기 제2트랜지스터의 드레인과 게이트에 인가되는 전압의 크기를 감소시키는 것을 특징으로 하는, 전류 모드 로직 회로.
7. The method of claim 6,
When the input voltage is ON,
The current mode logic circuit, characterized in that the voltage applied to the drain and gate of the second transistor is reduced by conducting a current flowing through the fourth circuit to the fifth transistor.
입력 전압과 연결되는 제1트랜지스터 및 반전 입력 전압과 연결되는 제2트랜지스터;를 포함하는 제1회로; 및
캐스코드 입력 전압과 연결되는 제3트랜지스터 및 캐스코드 반전 입력 전압과 연결되는 제4트랜지스터;를 포함하는 제2회로;를 포함하고,
상기 제1회로는,
상기 제1트랜지스터와 상기 제3트랜지스터 사이에 연결되어, 상기 제1트랜지스터에 인가되는 전압의 크기를 제어하는 제1종속 회로를 포함하고,
상기 제2회로는,
상기 제2트랜지스터와 상기 제4트랜지스터 사이에 연결되어, 상기 제2트랜지스터에 인가되는 전압의 크기를 제어하는 제2종속 회로를 포함하는 것을 특징으로 하는, 전류 모드 로직 회로.
a first circuit including a first transistor connected to an input voltage and a second transistor connected to an inverted input voltage; and
A second circuit including; a third transistor connected to the cascode input voltage and a fourth transistor connected to the cascode inversion input voltage;
The first circuit is
and a first slave circuit connected between the first transistor and the third transistor to control the magnitude of the voltage applied to the first transistor,
The second circuit is
and a second slave circuit connected between the second transistor and the fourth transistor to control the magnitude of the voltage applied to the second transistor.
제8항에 있어서,
상기 제1종속 회로는, 그라운드와 접지 연결되는 제1전류원;을 포함하고,
상기 제2종속 회로는, 그라운드와 접지 연결되는 제2전류원;을 포함하는 것을 특징으로 하는, 전류 모드 로직 회로.
9. The method of claim 8,
The first slave circuit includes a first current source connected to a ground and a ground;
The second slave circuit comprises a second current source connected to a ground and a ground.
제9항에 있어서,
상기 제1전류원은, 상기 입력 전압이 OFF이고, 상기 반전 입력 전압이 ON인 경우 전류가 흐르고, 상기 입력 전압이 ON이고, 상기 반전 입력 전압이 OFF인 경우 전류가 흐르지 않고,
상기 제2전류원은, 상기 입력 전압이 ON이고, 상기 반전 입력 전압이 OFF인 경우 전류가 흐르고, 상기 입력 전압이 OFF이고, 상기 반전 입력 전압이 ON인 경우 전류가 흐르지 않는 것을 특징으로 하는, 전류 모드 로직 회로.
10. The method of claim 9,
In the first current source, when the input voltage is OFF, when the inverted input voltage is ON, a current flows, when the input voltage is ON, and when the inverted input voltage is OFF, no current flows;
The second current source, characterized in that the input voltage is ON, the current flows when the inverted input voltage is OFF, the input voltage is OFF, and the current does not flow when the inverted input voltage is ON, mode logic circuit.
제1입력 전압과 연결되는 제1트랜지스터 및 제1캐스코드 입력 전압과 연결되는 제3트랜지스터를 포함하는 제1회로;
제1반전 입력 전압과 연결되는 제2트랜지스터 및 제1캐스코드 반전 입력 전압과 연결되는 제4트랜지스터를 포함하는 제2회로; 및
일단은 상기 제1회로와 연결되고 타단은 상기 제2회로와 연결되는 제1부하;를 포함하는 제1전류 모드 로직 회로; 및
제2입력 전압과 연결되는 제6트랜지스터 및 제2캐스코드 입력 전압과 연결되는 제8트랜지스터를 포함하는 제3회로;
제2반전 입력 전압과 연결되는 제7트랜지스터 및 제2캐스코드 반전 입력 전압과 연결되는 제9트랜지스터를 포함하는 제4회로; 및
일단은 상기 제3회로와 연결되고 타단은 상기 제4회로와 연결되는 제2부하;를 포함하는 제2전류 모드 로직 회로;를 포함하는 것을 특징으로 하는 PAM4 구동 회로.
a first circuit including a first transistor connected to a first input voltage and a third transistor connected to a first cascode input voltage;
a second circuit including a second transistor connected to the first inverted input voltage and a fourth transistor connected to the first cascode inverted input voltage; and
a first current mode logic circuit including a first load having one end connected to the first circuit and the other end connected to the second circuit; and
a third circuit including a sixth transistor connected to a second input voltage and an eighth transistor connected to a second cascode input voltage;
a fourth circuit including a seventh transistor connected to a second inverted input voltage and a ninth transistor connected to a second cascode inverted input voltage; and
and a second current mode logic circuit including a second load having one end connected to the third circuit and the other end connected to the fourth circuit.
제11항에 있어서
상기 제1부하 및 상기 제2부하에 흐르는 전류의 방향은,
상기 입력 전압들과 상기 반전 입력 전압들의 ON/OFF 에 따라 바뀌는 것을 특징으로 하는, PAM 4 구동 회로.
12. The method of claim 11
The direction of the current flowing through the first load and the second load is,
PAM 4 driving circuit, characterized in that it changes according to ON/OFF of the input voltages and the inverted input voltages.
제11항에 있어서
상기 제1부하는, 상기 제2트랜지스터 및 상기 제3트랜지스터 및 제1외부 전압과 연결되는 제5트랜지스터를 포함하고,
상기 제2부하는, 상기 제7트랜지스터 및 상기 제8트랜지스터 및 제2외부 전압과 연결되는 제10트랜지스터를 포함하는 것을, 특징으로 하는 PAM4 구동 회로.
12. The method of claim 11
The first load includes the second transistor, the third transistor, and a fifth transistor connected to a first external voltage,
The second load includes the seventh transistor, the eighth transistor, and a tenth transistor connected to a second external voltage.
제11항에 있어서
상기 제1부하는, 상기 제2트랜지스터 및 상기 제3트랜지스터와 연결되는 제1저항을 포함하고,
상기 제2부하는, 상기 제7트랜지스터 및 상기 제8트랜지스터와 연결되며, 상기 제1저항보다 2배의 저항 값을 가지는 제2저항을 포함하는 것을 특징으로 하는 PAM4 구동 회로.
12. The method of claim 11
The first load includes a first resistor connected to the second transistor and the third transistor,
and the second load includes a second resistor connected to the seventh transistor and the eighth transistor and having a resistance value twice that of the first resistor.
제11항에 있어서,
상기 제1부하는,
상기 제1트랜지스터 및 상기 제3트랜지스터와 연결되는 제1-1저항, 상기 제2트랜지스터 및 상기 제4트랜지스터와 연결되는 제1-2저항 및 상기 제1-1저항과 상기 제1-2저항 사이에 연결되는 제1캐패시터를 포함하고,
상기 제2부하는,
상기 제6트랜지스터 및 상기 제8트랜지스터와 연결되는 제2-1저항, 상기 제7트랜지스터 및 상기 제9트랜지스터와 연결되는 제2-2저항 및 상기 제2-1저항과 상기 제2-2저항 사이에 연결되는 제2캐패시터를 포함하는 것을 특징으로 하는, PAM4 구동 회로.
12. The method of claim 11,
The first load,
A 1-1 resistor connected to the first transistor and the third transistor, a 1-2 resistance connected to the second transistor and the fourth transistor, and between the 1-1 resistor and the 1-2 resistor a first capacitor connected to
The second load,
A 2-1 th resistor connected to the sixth and eighth transistors, a 2-2 th resistor connected to the seventh transistor and the ninth transistor, and between the 2-1 th resistor and the 2-2 resistor PAM4 driving circuit, characterized in that it comprises a second capacitor connected to.
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KR20060043278A (en) 2004-04-28 2006-05-15 세이코 엡슨 가부시키가이샤 Differential current mode phase/frequency detector circuit
JP2006261981A (en) * 2005-03-16 2006-09-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd Level shift circuit and level shift device
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