KR20220133510A

KR20220133510A - Electronic device and customized temperature compensation mehtod

Info

Publication number: KR20220133510A
Application number: KR1020210038706A
Authority: KR
Inventors: 김진규; 이승영; 하종식
Original assignee: 삼성전자주식회사
Priority date: 2021-03-25
Filing date: 2021-03-25
Publication date: 2022-10-05
Also published as: WO2022203271A1

Abstract

According to various embodiments, an electronic device comprises: a system-on-chip (SoC); a memory; and a processor functionally connected to the SoC and the memory. The memory stores a temperature mapping dynamic voltage and frequency scaling (DVFS) table in which temperatures are recorded for each domain included in the SoC, and the processor is configured to reset a reference temperature for temperature compensation on the basis of the temperatures included in the DVFS table set in response to the SoC, change to a customized temperature compensation policy, and when a DVFS policy is changed on the basis of a workload rate, determine whether to change the DVFS policy by comparing a currently measured system temperature with the recorded temperature included in the DVFS table. The present invention can reduce current consumption by securing stability for each electronic device.

Description

ELECTRONIC DEVICE AND CUSTOMIZED TEMPERATURE COMPENSATION MEHTOD

다양한 실시예들은 전자 장치 및 커스터마이즈된 온도 보상 방법에 관한 것이다. Various embodiments relate to an electronic device and a customized temperature compensation method.

전자 장치의 성능이 발전됨에 따라, 전력 소모의 효율적인 관리를 위한 방안이 제공되고 있다. 예를 들어, 모듈 또는 칩(예: SOC(system on chip)) 제품들은, 전자 장치의 동작 환경에 따라 칩에 인가되는 전압 및 동작 주파수를 가변적으로 조정하여 전력 소모를 줄이는 동적 전압 주파수 스케일링(dynamic voltage and frequency scaling, DVFS) 정책이 적용되고 있다. 칩을 생산하는 벤더(vendor)는, 동작 환경에 따라 칩의 동작 속도를 보장하기 위해 동작 주파수 및 동작 전압을 측정한 DVFS 테이블을 전자 장치 제조사로 제공하고 있다. As the performance of electronic devices develops, a method for efficiently managing power consumption has been provided. For example, module or chip (eg, system on chip (SOC)) products reduce power consumption by variably adjusting a voltage applied to a chip and an operating frequency according to an operating environment of an electronic device. voltage and frequency scaling (DVFS) policy is being applied. A chip manufacturing vendor provides electronic device manufacturers with a DVFS table in which operating frequencies and operating voltages are measured in order to guarantee an operating speed of a chip according to an operating environment.

배터리를 포함하는 전자 장치는 발열로 인해 시스템 온도가 증가하는 경우 시스템 문제가 발생하게 되므로, 온도 보상 시스템을 적용하고 있다. 전자 장치의 온도 보상(온도 제어)은 시스템 온도가 설정된 기준 온도를 초과하면 클럭 주파수를 감소시키거나 시스템을 오프(off)하는 동작으로 구현되고 있다In an electronic device including a battery, a system problem occurs when a system temperature increases due to heat generation, so a temperature compensation system is applied. Temperature compensation (temperature control) of electronic devices is implemented by reducing the clock frequency or turning off the system when the system temperature exceeds a set reference temperature.

한편, 생산된 칩을 실제 전자 장치에 적용하는 경우, 다양한 환경적 요인(예: 보드 자체가 가지고 있는 보드 전압 강하(board IR drop), PMIC(power management integrated circuit) 변이, 온도 특성)으로 인해 칩 마다 성능 차이가 발생될 수 있다. 그러나 칩을 생산하는 벤더(vendor)는 DVFS 레벨 별 클럭 주파수에 대한 전압을 체크(또는 퓨징(fusing))하여 DVFS테이블을 제조사로 제공하고 있으나, 온도에 대한 값을 체크(또는 퓨징(fusing))하지 않고 있다. On the other hand, when the produced chip is applied to an actual electronic device, due to various environmental factors (e.g., board IR drop of the board itself, power management integrated circuit (PMIC) variation, temperature characteristics), the chip Performance differences may occur for each. However, the vendor that produces the chip provides the DVFS table to the manufacturer by checking (or fusing) the voltage for the clock frequency for each DVFS level, but checking the value for the temperature (or fusing) not doing

따라서, 칩을 실장한 전자 장치는 칩 특성에 따른 온도 특성을 고려하지 않은 상태에서 공통적으로 정해진 기준 온도를 기반으로 온도 보상을 적용하게 되므로, 온도에 취약한 전자 장치에 대한 안정성 문제 및 성능 저하에 대한 문제가 발생되고 있다. Therefore, since the electronic device on which the chip is mounted applies temperature compensation based on a commonly determined reference temperature without considering the temperature characteristic according to the chip characteristics, it is possible to prevent stability problems and performance degradation of electronic devices that are vulnerable to temperature. A problem is occurring.

다양한 실시 예들에 따른 전자 장치는, 전자 장치의 모듈(또는 시스템 온 칩) 별로 온도 특성을 확인하고, 전자 장치 마다 커스터마이즈된 온도 보상 시스템을 제공할 수 있다. The electronic device according to various embodiments may check temperature characteristics for each module (or system-on-chip) of the electronic device, and may provide a customized temperature compensation system for each electronic device.

다양한 실시 예에 따르면, 전자 장치에 있어서, 시스템 온칩(SoC), 메모리 및 상기 시스템온칩 및 메모리와 기능적으로 연결된 프로세서를 포함하고, 상기 메모리는, 상기 시스템 온 칩에 포함된 도메인 별로 온도가 기록된 온도 매핑 DVFS (dynamic voltage and frequency scaling)테이블을 저장하고, 상기 프로세서는, 시스템 온 칩에 대응하여 설정된 DVFS (dynamic voltage and frequency scaling) 테이블에 포함된 온도를 기반으로 온도 보상의 기준 온도를 재설정하여 커스터마이즈된 온도 보상 정책으로 변경하고, 상기 작업 부하율을 기반으로 DVFS 정책 변경 시 현재 시스템 온도와 상기 DVFS 테이블에 포함된 기록 온도를 비교하여 DVFS 정책의 변경 여부를 결정하도록 설정될 수 있다. According to various embodiments, an electronic device includes a system-on-chip (SoC), a memory, and a processor functionally connected to the system-on-chip and the memory, wherein the memory includes a temperature recorded for each domain included in the system-on-chip. The temperature mapping DVFS (dynamic voltage and frequency scaling) table is stored, and the processor resets the reference temperature of temperature compensation based on the temperature included in the DVFS (dynamic voltage and frequency scaling) table set in response to the system-on-chip. It may be configured to change to a customized temperature compensation policy and determine whether to change the DVFS policy by comparing the current system temperature with the recorded temperature included in the DVFS table when the DVFS policy is changed based on the workload rate.

다양한 실시 예에 다르면, 시스템 온 칩을 포함하는 전자 장치의 커스터마이즈 온도 보상 방법에 있어서, 복 수개의 시스템 온 칩에 대응하여 DVFS (dynamic voltage and frequency scaling)테이블을 획득하는 동작, 각 시스템 온 칩에 포함된 어느 하나의 도메인을 상기 DVFS 테이블에 기록된 제1 레벨의 클럭 주파수 및 전압으로 설정하는 동작, 제1 온도 환경에서 상기 도메인을 통해 테스트 동작을 수행하는 동작; 상기 테스트 동작이 성공한 것에 반응하여 상기 제1 온도 환경에서 제2 온도 환경으로 증가한 후, 상기 테스트 동작을 재수행하고, 테스트 동작이 실패할 때까지 온도 증가 및 테스트 동작의 수행을 반복하는 동작, 상기 제1 테스트 동작이 실패한 것에 반응하여 상기 도메인과 관련하여 제1 레벨에서 동작이 가능한 허용 온도를 기록하는 동작, 도메인 별로 동작 레벨 마다 허용 온도를 기록하여 온도 매핑 DVFS 테이블을 생성하는 동작, 상기 온도 매핑 DVFS 테이블을 통해 온도 보상의 기준 온도를 변경하는 동작, 및 상기 DVFS 정책 변경 시에, 상기 변경된 기준 온도 및 상기 시스템 온 칩의 측정 온도를 비교하여 DVFS 정책의 변경 여부를 결정하는 동작을 포함하고, 상기 온도 매핑 DVFS 테이블은, 시스템 온 칩 별로 온도 적합성 테스트를 통해 다르게 작성된 것을 특징으로 할 수 있다. According to various embodiments, in the method for customizing temperature compensation of an electronic device including a system-on-chip, the operation of acquiring a dynamic voltage and frequency scaling (DVFS) table corresponding to a plurality of system-on-chips, setting any one included domain to a clock frequency and voltage of a first level recorded in the DVFS table, performing a test operation through the domain in a first temperature environment; After increasing from the first temperature environment to the second temperature environment in response to the success of the test operation, re-performing the test operation, and repeating the temperature increase and the execution of the test operation until the test operation fails; 1 In response to the failure of the test operation, the operation of recording the allowable temperature that can be operated at the first level in relation to the domain, the operation of recording the allowable temperature for each operation level for each domain and creating a temperature mapping DVFS table, the temperature mapping DVFS changing a reference temperature for temperature compensation through a table, and determining whether to change the DVFS policy by comparing the changed reference temperature with the measured temperature of the system-on-chip when the DVFS policy is changed, The temperature mapping DVFS table may be characterized in that it is written differently through a temperature compatibility test for each system-on-chip.

다양한 실시예에 따르면, 모듈(예: SOC(system on chip))이 실장된 전자 장치 별로 온도 특성(예: 온도를 변화시키면서 실제 동작 여부를 판단)을 확인하여 전자 장치 별로 온도에 대한 취약점(weak point)을 찾을 수 있다. According to various embodiments, a temperature characteristic (eg, determining whether an actual operation is performed while changing a temperature) is checked for each electronic device in which a module (eg, a system on chip (SOC)) is mounted, so that each electronic device has a temperature weakness. point) can be found.

다양한 실시예에 따르면, 전자 장치 별로 커스터마이즈된 온도 기준에 기반하여 온도 보상을 처리함으로써, 전자 장치 별로 안정성을 확보하여 소모 전류를 줄일 수 있고, 전자 장치 별로 온도 보상 기준을 다르게 설정함으로써 각 장치들의 성능 향상을 제공할 수 있다. According to various embodiments, it is possible to reduce current consumption by securing stability for each electronic device by processing temperature compensation based on a temperature standard customized for each electronic device, and performance of each device by setting a temperature compensation standard differently for each electronic device can provide improvement.

도 1은 다양한 실시 예들에 따른 네트워크 환경 내의 전자 장치의 블록도이다.
도 2는 일 실시예에 따른 전자 장치의 구성을 나타낸다.
도 3은 다양한 실시예에 따른 온도 보상 정책을 커스터마이즈하기 위한 온도 테스트 방법을 나타내는 도면이다.
도 4는 다양한 실시예에 따르면, DVFS (dynamic voltage and frequency scaling) 테이블과 온도 적용 DVFS (dynamic voltage and frequency scaling) 테이블을 도시한다.
도 5는 다양한 실시예에 따른 커스터마이즈된 온도 보상 정책을 설명하기 위한 도면이다.
도 6은 다양한 실시예에 따른 커스터마이즈된 온도 조절을 위한 설정 방법을 나타낸다.
도 7은 다양한 실시예에 따른 커스터마이즈된 온도 조절을 위한 설정 방법을 나타낸다. 1 is a block diagram of an electronic device in a network environment according to various embodiments of the present disclosure;
2 illustrates a configuration of an electronic device according to an exemplary embodiment.
3 is a diagram illustrating a temperature test method for customizing a temperature compensation policy according to various embodiments of the present disclosure;
4 illustrates a dynamic voltage and frequency scaling (DVFS) table and a temperature application dynamic voltage and frequency scaling (DVFS) table according to various embodiments.
5 is a diagram for explaining a customized temperature compensation policy according to various embodiments.
6 illustrates a setting method for customized temperature control according to various embodiments of the present disclosure.
7 illustrates a setting method for customized temperature control according to various embodiments of the present disclosure.

본 문서에 개시된 다양한 실시예들에 따른 전자 장치는 다양한 형태의 장치가 될 수 있다. 전자 장치는, 예를 들면, 휴대용 통신 장치(예: 스마트폰), 컴퓨터 장치, 휴대용 멀티미디어 장치, 휴대용 의료 기기, 카메라, 웨어러블 장치, 또는 가전 장치를 포함할 수 있다. 본 문서의 실시예에 따른 전자 장치는 전술한 기기들에 한정되지 않는다.The electronic device according to various embodiments disclosed in this document may have various types of devices. The electronic device may include, for example, a portable communication device (eg, a smart phone), a computer device, a portable multimedia device, a portable medical device, a camera, a wearable device, or a home appliance device. The electronic device according to the embodiment of the present document is not limited to the above-described devices.

도 1은 다양한 실시예들에 따른, 네트워크 환경(100) 내의 전자 장치(101)의 블록도이다. 1 is a block diagram of an electronic device 101 in a network environment 100 according to various embodiments.

도 1을 참조하면, 네트워크 환경(100)에서 전자 장치(101)는 제 1 네트워크(198)(예: 근거리 무선 통신 네트워크)를 통하여 전자 장치(102)와 통신하거나, 또는 제 2 네트워크(199)(예: 원거리 무선 통신 네트워크)를 통하여 전자 장치(104) 또는 서버(108) 중 적어도 하나와 통신할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 전자 장치(101)는 서버(108)를 통하여 전자 장치(104)와 통신할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 전자 장치(101)는 프로세서(120), 메모리(130), 입력 모듈(150), 음향 출력 모듈(155), 디스플레이 모듈(160), 오디오 모듈(170), 센서 모듈(176), 인터페이스(177), 연결 단자(178), 햅틱 모듈(179), 카메라 모듈(180), 전력 관리 모듈(188), 배터리(189), 통신 모듈(190), 가입자 식별 모듈(196), 또는 안테나 모듈(197)을 포함할 수 있다. 어떤 실시예에서는, 전자 장치(101)에는, 이 구성요소들 중 적어도 하나(예: 연결 단자(178))가 생략되거나, 하나 이상의 다른 구성요소가 추가될 수 있다. 어떤 실시예에서는, 이 구성요소들 중 일부들(예: 센서 모듈(176), 카메라 모듈(180), 또는 안테나 모듈(197))은 하나의 구성요소(예: 디스플레이 모듈(160))로 통합될 수 있다.Referring to FIG. 1 , in a network environment 100 , an electronic device 101 communicates with an electronic device 102 through a first network 198 (eg, a short-range wireless communication network) or a second network 199 . It may communicate with at least one of the electronic device 104 and the server 108 through (eg, a long-distance wireless communication network). According to an embodiment, the electronic device 101 may communicate with the electronic device 104 through the server 108 . According to an embodiment, the electronic device 101 includes a processor 120 , a memory 130 , an input module 150 , a sound output module 155 , a display module 160 , an audio module 170 , and a sensor module ( 176), interface 177, connection terminal 178, haptic module 179, camera module 180, power management module 188, battery 189, communication module 190, subscriber identification module 196 , or an antenna module 197 . In some embodiments, at least one of these components (eg, the connection terminal 178 ) may be omitted or one or more other components may be added to the electronic device 101 . In some embodiments, some of these components (eg, sensor module 176 , camera module 180 , or antenna module 197 ) are integrated into one component (eg, display module 160 ). can be

프로세서(120)는, 예를 들면, 소프트웨어(예: 프로그램(140))를 실행하여 프로세서(120)에 연결된 전자 장치(101)의 적어도 하나의 다른 구성요소(예: 하드웨어 또는 소프트웨어 구성요소)를 제어할 수 있고, 다양한 데이터 처리 또는 연산을 수행할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 데이터 처리 또는 연산의 적어도 일부로서, 프로세서(120)는 다른 구성요소(예: 센서 모듈(176) 또는 통신 모듈(190))로부터 수신된 명령 또는 데이터를 휘발성 메모리(132)에 저장하고, 휘발성 메모리(132)에 저장된 명령 또는 데이터를 처리하고, 결과 데이터를 비휘발성 메모리(134)에 저장할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 프로세서(120)는 메인 프로세서(121)(예: 중앙 처리 장치 또는 어플리케이션 프로세서) 또는 이와는 독립적으로 또는 함께 운영 가능한 보조 프로세서(123)(예: 그래픽 처리 장치, 신경망 처리 장치(NPU: neural processing unit), 이미지 시그널 프로세서, 센서 허브 프로세서, 또는 커뮤니케이션 프로세서)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(101)가 메인 프로세서(121) 및 보조 프로세서(123)를 포함하는 경우, 보조 프로세서(123)는 메인 프로세서(121)보다 저전력을 사용하거나, 지정된 기능에 특화되도록 설정될 수 있다. 보조 프로세서(123)는 메인 프로세서(121)와 별개로, 또는 그 일부로서 구현될 수 있다.The processor 120, for example, executes software (eg, a program 140) to execute at least one other component (eg, a hardware or software component) of the electronic device 101 connected to the processor 120. It can control and perform various data processing or operations. According to one embodiment, as at least part of data processing or operation, the processor 120 converts commands or data received from other components (eg, the sensor module 176 or the communication module 190 ) to the volatile memory 132 . may be stored in , process commands or data stored in the volatile memory 132 , and store the result data in the non-volatile memory 134 . According to an embodiment, the processor 120 is a main processor 121 (eg, a central processing unit or an application processor) or a secondary processor 123 (eg, a graphic processing unit, a neural network processing unit) a neural processing unit (NPU), an image signal processor, a sensor hub processor, or a communication processor). For example, when the electronic device 101 includes the main processor 121 and the sub-processor 123 , the sub-processor 123 uses less power than the main processor 121 or is set to be specialized for a specified function. can The auxiliary processor 123 may be implemented separately from or as a part of the main processor 121 .

보조 프로세서(123)는, 예를 들면, 메인 프로세서(121)가 인액티브(예: 슬립) 상태에 있는 동안 메인 프로세서(121)를 대신하여, 또는 메인 프로세서(121)가 액티브(예: 어플리케이션 실행) 상태에 있는 동안 메인 프로세서(121)와 함께, 전자 장치(101)의 구성요소들 중 적어도 하나의 구성요소(예: 디스플레이 모듈(160), 센서 모듈(176), 또는 통신 모듈(190))와 관련된 기능 또는 상태들의 적어도 일부를 제어할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 보조 프로세서(123)(예: 이미지 시그널 프로세서 또는 커뮤니케이션 프로세서)는 기능적으로 관련 있는 다른 구성요소(예: 카메라 모듈(180) 또는 통신 모듈(190))의 일부로서 구현될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 보조 프로세서(123)(예: 신경망 처리 장치)는 인공지능 모델의 처리에 특화된 하드웨어 구조를 포함할 수 있다. 인공지능 모델은 기계 학습을 통해 생성될 수 있다. 이러한 학습은, 예를 들어, 인공지능이 수행되는 전자 장치(101) 자체에서 수행될 수 있고, 별도의 서버(예: 서버(108))를 통해 수행될 수도 있다. 학습 알고리즘은, 예를 들어, 지도형 학습(supervised learning), 비지도형 학습(unsupervised learning), 준지도형 학습(semi-supervised learning) 또는 강화 학습(reinforcement learning)을 포함할 수 있으나, 전술한 예에 한정되지 않는다. 인공지능 모델은, 복수의 인공 신경망 레이어들을 포함할 수 있다. 인공 신경망은 심층 신경망(DNN: deep neural network), CNN(convolutional neural network), RNN(recurrent neural network), RBM(restricted boltzmann machine), DBN(deep belief network), BRDNN(bidirectional recurrent deep neural network), 심층 Q-네트워크(deep Q-networks) 또는 상기 중 둘 이상의 조합 중 하나일 수 있으나, 전술한 예에 한정되지 않는다. 인공지능 모델은 하드웨어 구조 이외에, 추가적으로 또는 대체적으로, 소프트웨어 구조를 포함할 수 있다. The secondary processor 123 may, for example, act on behalf of the main processor 121 while the main processor 121 is in an inactive (eg, sleep) state, or when the main processor 121 is active (eg, executing an application). ), together with the main processor 121, at least one of the components of the electronic device 101 (eg, the display module 160, the sensor module 176, or the communication module 190) It is possible to control at least some of the related functions or states. According to an embodiment, the coprocessor 123 (eg, an image signal processor or a communication processor) may be implemented as part of another functionally related component (eg, the camera module 180 or the communication module 190). have. According to an embodiment, the auxiliary processor 123 (eg, a neural network processing unit) may include a hardware structure specialized for processing an artificial intelligence model. Artificial intelligence models can be created through machine learning. Such learning may be performed, for example, in the electronic device 101 itself on which artificial intelligence is performed, or may be performed through a separate server (eg, the server 108). The learning algorithm may include, for example, supervised learning, unsupervised learning, semi-supervised learning, or reinforcement learning, but in the above example not limited The artificial intelligence model may include a plurality of artificial neural network layers. Artificial neural networks include deep neural networks (DNNs), convolutional neural networks (CNNs), recurrent neural networks (RNNs), restricted boltzmann machines (RBMs), deep belief networks (DBNs), bidirectional recurrent deep neural networks (BRDNNs), It may be one of deep Q-networks or a combination of two or more of the above, but is not limited to the above example. The artificial intelligence model may include, in addition to, or alternatively, a software structure in addition to the hardware structure.

메모리(130)는, 전자 장치(101)의 적어도 하나의 구성요소(예: 프로세서(120) 또는 센서 모듈(176))에 의해 사용되는 다양한 데이터를 저장할 수 있다. 데이터는, 예를 들어, 소프트웨어(예: 프로그램(140)) 및, 이와 관련된 명령에 대한 입력 데이터 또는 출력 데이터를 포함할 수 있다. 메모리(130)는, 휘발성 메모리(132) 또는 비휘발성 메모리(134)를 포함할 수 있다. The memory 130 may store various data used by at least one component (eg, the processor 120 or the sensor module 176 ) of the electronic device 101 . The data may include, for example, input data or output data for software (eg, the program 140 ) and instructions related thereto. The memory 130 may include a volatile memory 132 or a non-volatile memory 134 .

프로그램(140)은 메모리(130)에 소프트웨어로서 저장될 수 있으며, 예를 들면, 운영 체제(142), 미들 웨어(144) 또는 어플리케이션(146)을 포함할 수 있다. The program 140 may be stored as software in the memory 130 , and may include, for example, an operating system 142 , middleware 144 , or an application 146 .

입력 모듈(150)은, 전자 장치(101)의 구성요소(예: 프로세서(120))에 사용될 명령 또는 데이터를 전자 장치(101)의 외부(예: 사용자)로부터 수신할 수 있다. 입력 모듈(150)은, 예를 들면, 마이크, 마우스, 키보드, 키(예: 버튼), 또는 디지털 펜(예: 스타일러스 펜)을 포함할 수 있다. The input module 150 may receive a command or data to be used by a component (eg, the processor 120 ) of the electronic device 101 from the outside (eg, a user) of the electronic device 101 . The input module 150 may include, for example, a microphone, a mouse, a keyboard, a key (eg, a button), or a digital pen (eg, a stylus pen).

음향 출력 모듈(155)은 음향 신호를 전자 장치(101)의 외부로 출력할 수 있다. 음향 출력 모듈(155)은, 예를 들면, 스피커 또는 리시버를 포함할 수 있다. 스피커는 멀티미디어 재생 또는 녹음 재생과 같이 일반적인 용도로 사용될 수 있다. 리시버는 착신 전화를 수신하기 위해 사용될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 리시버는 스피커와 별개로, 또는 그 일부로서 구현될 수 있다.The sound output module 155 may output a sound signal to the outside of the electronic device 101 . The sound output module 155 may include, for example, a speaker or a receiver. The speaker can be used for general purposes such as multimedia playback or recording playback. The receiver can be used to receive incoming calls. According to one embodiment, the receiver may be implemented separately from or as part of the speaker.

디스플레이 모듈(160)은 전자 장치(101)의 외부(예: 사용자)로 정보를 시각적으로 제공할 수 있다. 디스플레이 모듈(160)은, 예를 들면, 디스플레이, 홀로그램 장치, 또는 프로젝터 및 해당 장치를 제어하기 위한 제어 회로를 포함할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 디스플레이 모듈(160)은 터치를 감지하도록 설정된 터치 센서, 또는 상기 터치에 의해 발생되는 힘의 세기를 측정하도록 설정된 압력 센서를 포함할 수 있다. The display module 160 may visually provide information to the outside (eg, a user) of the electronic device 101 . The display module 160 may include, for example, a control circuit for controlling a display, a hologram device, or a projector and a corresponding device. According to an embodiment, the display module 160 may include a touch sensor configured to sense a touch or a pressure sensor configured to measure the intensity of a force generated by the touch.

오디오 모듈(170)은 소리를 전기 신호로 변환시키거나, 반대로 전기 신호를 소리로 변환시킬 수 있다. 일 실시예에 따르면, 오디오 모듈(170)은, 입력 모듈(150)을 통해 소리를 획득하거나, 음향 출력 모듈(155), 또는 전자 장치(101)와 직접 또는 무선으로 연결된 외부 전자 장치(예: 전자 장치(102))(예: 스피커 또는 헤드폰)를 통해 소리를 출력할 수 있다.The audio module 170 may convert a sound into an electric signal or, conversely, convert an electric signal into a sound. According to an embodiment, the audio module 170 acquires a sound through the input module 150 or an external electronic device (eg, a sound output module 155 ) directly or wirelessly connected to the electronic device 101 . The electronic device 102) (eg, a speaker or headphones) may output a sound.

센서 모듈(176)은 전자 장치(101)의 작동 상태(예: 전력 또는 온도), 또는 외부의 환경 상태(예: 사용자 상태)를 감지하고, 감지된 상태에 대응하는 전기 신호 또는 데이터 값을 생성할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 센서 모듈(176)은, 예를 들면, 제스처 센서, 자이로 센서, 기압 센서, 마그네틱 센서, 가속도 센서, 그립 센서, 근접 센서, 컬러 센서, IR(infrared) 센서, 생체 센서, 온도 센서, 습도 센서, 또는 조도 센서를 포함할 수 있다. The sensor module 176 detects an operating state (eg, power or temperature) of the electronic device 101 or an external environmental state (eg, a user state), and generates an electrical signal or data value corresponding to the sensed state. can do. According to an embodiment, the sensor module 176 may include, for example, a gesture sensor, a gyro sensor, a barometric pressure sensor, a magnetic sensor, an acceleration sensor, a grip sensor, a proximity sensor, a color sensor, an IR (infrared) sensor, a biometric sensor, It may include a temperature sensor, a humidity sensor, or an illuminance sensor.

인터페이스(177)는 전자 장치(101)가 외부 전자 장치(예: 전자 장치(102))와 직접 또는 무선으로 연결되기 위해 사용될 수 있는 하나 이상의 지정된 프로토콜들을 지원할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 인터페이스(177)는, 예를 들면, HDMI(high definition multimedia interface), USB(universal serial bus) 인터페이스, SD카드 인터페이스, 또는 오디오 인터페이스를 포함할 수 있다.The interface 177 may support one or more specified protocols that may be used by the electronic device 101 to directly or wirelessly connect with an external electronic device (eg, the electronic device 102 ). According to an embodiment, the interface 177 may include, for example, a high definition multimedia interface (HDMI), a universal serial bus (USB) interface, an SD card interface, or an audio interface.

연결 단자(178)는, 그를 통해서 전자 장치(101)가 외부 전자 장치(예: 전자 장치(102))와 물리적으로 연결될 수 있는 커넥터를 포함할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 연결 단자(178)는, 예를 들면, HDMI 커넥터, USB 커넥터, SD 카드 커넥터, 또는 오디오 커넥터(예: 헤드폰 커넥터)를 포함할 수 있다.The connection terminal 178 may include a connector through which the electronic device 101 can be physically connected to an external electronic device (eg, the electronic device 102 ). According to an embodiment, the connection terminal 178 may include, for example, an HDMI connector, a USB connector, an SD card connector, or an audio connector (eg, a headphone connector).

햅틱 모듈(179)은 전기적 신호를 사용자가 촉각 또는 운동 감각을 통해서 인지할 수 있는 기계적인 자극(예: 진동 또는 움직임) 또는 전기적인 자극으로 변환할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 햅틱 모듈(179)은, 예를 들면, 모터, 압전 소자, 또는 전기 자극 장치를 포함할 수 있다.The haptic module 179 may convert an electrical signal into a mechanical stimulus (eg, vibration or movement) or an electrical stimulus that the user can perceive through tactile or kinesthetic sense. According to an embodiment, the haptic module 179 may include, for example, a motor, a piezoelectric element, or an electrical stimulation device.

카메라 모듈(180)은 정지 영상 및 동영상을 촬영할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 카메라 모듈(180)은 하나 이상의 렌즈들, 이미지 센서들, 이미지 시그널 프로세서들, 또는 플래시들을 포함할 수 있다.The camera module 180 may capture still images and moving images. According to an embodiment, the camera module 180 may include one or more lenses, image sensors, image signal processors, or flashes.

전력 관리 모듈(188)은 전자 장치(101)에 공급되는 전력을 관리할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 전력 관리 모듈(188)은, 예를 들면, PMIC(power management integrated circuit)의 적어도 일부로서 구현될 수 있다.The power management module 188 may manage power supplied to the electronic device 101 . According to an embodiment, the power management module 188 may be implemented as, for example, at least a part of a power management integrated circuit (PMIC).

배터리(189)는 전자 장치(101)의 적어도 하나의 구성요소에 전력을 공급할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 배터리(189)는, 예를 들면, 재충전 불가능한 1차 전지, 재충전 가능한 2차 전지 또는 연료 전지를 포함할 수 있다.The battery 189 may supply power to at least one component of the electronic device 101 . According to one embodiment, battery 189 may include, for example, a non-rechargeable primary cell, a rechargeable secondary cell, or a fuel cell.

통신 모듈(190)은 전자 장치(101)와 외부 전자 장치(예: 전자 장치(102), 전자 장치(104), 또는 서버(108)) 간의 직접(예: 유선) 통신 채널 또는 무선 통신 채널의 수립, 및 수립된 통신 채널을 통한 통신 수행을 지원할 수 있다. 통신 모듈(190)은 프로세서(120)(예: 어플리케이션 프로세서)와 독립적으로 운영되고, 직접(예: 유선) 통신 또는 무선 통신을 지원하는 하나 이상의 커뮤니케이션 프로세서를 포함할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 통신 모듈(190)은 무선 통신 모듈(192)(예: 셀룰러 통신 모듈, 근거리 무선 통신 모듈, 또는 GNSS(global navigation satellite system) 통신 모듈) 또는 유선 통신 모듈(194)(예: LAN(local area network) 통신 모듈, 또는 전력선 통신 모듈)을 포함할 수 있다. 이들 통신 모듈 중 해당하는 통신 모듈은 제 1 네트워크(198)(예: 블루투스, WiFi(wireless fidelity) direct 또는 IrDA(infrared data association)와 같은 근거리 통신 네트워크) 또는 제 2 네트워크(199)(예: 레거시 셀룰러 네트워크, 5G 네트워크, 차세대 통신 네트워크, 인터넷, 또는 컴퓨터 네트워크(예: LAN 또는 WAN)와 같은 원거리 통신 네트워크)를 통하여 외부의 전자 장치(104)와 통신할 수 있다. 이런 여러 종류의 통신 모듈들은 하나의 구성요소(예: 단일 칩)로 통합되거나, 또는 서로 별도의 복수의 구성요소들(예: 복수 칩들)로 구현될 수 있다. 무선 통신 모듈(192)은 가입자 식별 모듈(196)에 저장된 가입자 정보(예: 국제 모바일 가입자 식별자(IMSI))를 이용하여 제 1 네트워크(198) 또는 제 2 네트워크(199)와 같은 통신 네트워크 내에서 전자 장치(101)를 확인 또는 인증할 수 있다. The communication module 190 is a direct (eg, wired) communication channel or a wireless communication channel between the electronic device 101 and an external electronic device (eg, the electronic device 102, the electronic device 104, or the server 108). It can support establishment and communication performance through the established communication channel. The communication module 190 may include one or more communication processors that operate independently of the processor 120 (eg, an application processor) and support direct (eg, wired) communication or wireless communication. According to one embodiment, the communication module 190 is a wireless communication module 192 (eg, a cellular communication module, a short-range wireless communication module, or a global navigation satellite system (GNSS) communication module) or a wired communication module 194 (eg, : It may include a local area network (LAN) communication module, or a power line communication module). A corresponding communication module among these communication modules is a first network 198 (eg, a short-range communication network such as Bluetooth, wireless fidelity (WiFi) direct, or infrared data association (IrDA)) or a second network 199 (eg, legacy It may communicate with the external electronic device 104 through a cellular network, a 5G network, a next-generation communication network, the Internet, or a computer network (eg, a telecommunication network such as a LAN or a WAN). These various types of communication modules may be integrated into one component (eg, a single chip) or may be implemented as a plurality of components (eg, multiple chips) separate from each other. The wireless communication module 192 uses subscriber information (eg, International Mobile Subscriber Identifier (IMSI)) stored in the subscriber identification module 196 within a communication network such as the first network 198 or the second network 199 . The electronic device 101 may be identified or authenticated.

무선 통신 모듈(192)은 4G 네트워크 이후의 5G 네트워크 및 차세대 통신 기술, 예를 들어, NR 접속 기술(new radio access technology)을 지원할 수 있다. NR 접속 기술은 고용량 데이터의 고속 전송(eMBB(enhanced mobile broadband)), 단말 전력 최소화와 다수 단말의 접속(mMTC(massive machine type communications)), 또는 고신뢰도와 저지연(URLLC(ultra-reliable and low-latency communications))을 지원할 수 있다. 무선 통신 모듈(192)은, 예를 들어, 높은 데이터 전송률 달성을 위해, 고주파 대역(예: mmWave 대역)을 지원할 수 있다. 무선 통신 모듈(192)은 고주파 대역에서의 성능 확보를 위한 다양한 기술들, 예를 들어, 빔포밍(beamforming), 거대 배열 다중 입출력(massive MIMO(multiple-input and multiple-output)), 전차원 다중입출력(FD-MIMO: full dimensional MIMO), 어레이 안테나(array antenna), 아날로그 빔형성(analog beam-forming), 또는 대규모 안테나(large scale antenna)와 같은 기술들을 지원할 수 있다. 무선 통신 모듈(192)은 전자 장치(101), 외부 전자 장치(예: 전자 장치(104)) 또는 네트워크 시스템(예: 제 2 네트워크(199))에 규정되는 다양한 요구사항을 지원할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 무선 통신 모듈(192)은 eMBB 실현을 위한 Peak data rate(예: 20Gbps 이상), mMTC 실현을 위한 손실 Coverage(예: 164dB 이하), 또는 URLLC 실현을 위한 U-plane latency(예: 다운링크(DL) 및 업링크(UL) 각각 0.5ms 이하, 또는 라운드 트립 1ms 이하)를 지원할 수 있다.The wireless communication module 192 may support a 5G network after a 4G network and a next-generation communication technology, for example, a new radio access technology (NR). NR access technology includes high-speed transmission of high-capacity data (eMBB (enhanced mobile broadband)), minimization of terminal power and access to multiple terminals (mMTC (massive machine type communications)), or high reliability and low latency (URLLC (ultra-reliable and low-latency) -latency communications)). The wireless communication module 192 may support a high frequency band (eg, mmWave band) to achieve a high data rate, for example. The wireless communication module 192 uses various techniques for securing performance in a high-frequency band, for example, beamforming, massive multiple-input and multiple-output (MIMO), all-dimensional multiplexing. It may support technologies such as full dimensional MIMO (FD-MIMO), an array antenna, analog beam-forming, or a large scale antenna. The wireless communication module 192 may support various requirements defined in the electronic device 101 , an external electronic device (eg, the electronic device 104 ), or a network system (eg, the second network 199 ). According to an embodiment, the wireless communication module 192 may include a peak data rate (eg, 20 Gbps or more) for realizing eMBB, loss coverage (eg, 164 dB or less) for realizing mMTC, or U-plane latency for realizing URLLC ( Example: Downlink (DL) and uplink (UL) each 0.5 ms or less, or round trip 1 ms or less) can be supported.

안테나 모듈(197)은 신호 또는 전력을 외부(예: 외부의 전자 장치)로 송신하거나 외부로부터 수신할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 안테나 모듈(197)은 서브스트레이트(예: PCB) 위에 형성된 도전체 또는 도전성 패턴으로 이루어진 방사체를 포함하는 안테나를 포함할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 안테나 모듈(197)은 복수의 안테나들(예: 어레이 안테나)을 포함할 수 있다. 이런 경우, 제 1 네트워크(198) 또는 제 2 네트워크(199)와 같은 통신 네트워크에서 사용되는 통신 방식에 적합한 적어도 하나의 안테나가, 예를 들면, 통신 모듈(190)에 의하여 상기 복수의 안테나들로부터 선택될 수 있다. 신호 또는 전력은 상기 선택된 적어도 하나의 안테나를 통하여 통신 모듈(190)과 외부의 전자 장치 간에 송신되거나 수신될 수 있다. 어떤 실시예에 따르면, 방사체 이외에 다른 부품(예: RFIC(radio frequency integrated circuit))이 추가로 안테나 모듈(197)의 일부로 형성될 수 있다. The antenna module 197 may transmit or receive a signal or power to the outside (eg, an external electronic device). According to an embodiment, the antenna module 197 may include an antenna including a conductor formed on a substrate (eg, a PCB) or a radiator formed of a conductive pattern. According to an embodiment, the antenna module 197 may include a plurality of antennas (eg, an array antenna). In this case, at least one antenna suitable for a communication method used in a communication network such as the first network 198 or the second network 199 is connected from the plurality of antennas by, for example, the communication module 190 . can be selected. A signal or power may be transmitted or received between the communication module 190 and an external electronic device through the selected at least one antenna. According to some embodiments, other components (eg, a radio frequency integrated circuit (RFIC)) other than the radiator may be additionally formed as a part of the antenna module 197 .

다양한 실시예에 따르면, 안테나 모듈(197)은 mmWave 안테나 모듈을 형성할 수 있다. 일 실시예에 따르면, mmWave 안테나 모듈은 인쇄 회로 기판, 상기 인쇄 회로 기판의 제 1 면(예: 아래 면)에 또는 그에 인접하여 배치되고 지정된 고주파 대역(예: mmWave 대역)을 지원할 수 있는 RFIC, 및 상기 인쇄 회로 기판의 제 2 면(예: 윗 면 또는 측 면)에 또는 그에 인접하여 배치되고 상기 지정된 고주파 대역의 신호를 송신 또는 수신할 수 있는 복수의 안테나들(예: 어레이 안테나)을 포함할 수 있다.According to various embodiments, the antenna module 197 may form a mmWave antenna module. According to one embodiment, the mmWave antenna module comprises a printed circuit board, an RFIC disposed on or adjacent to a first side (eg, underside) of the printed circuit board and capable of supporting a designated high frequency band (eg, mmWave band); and a plurality of antennas (eg, an array antenna) disposed on or adjacent to a second side (eg, top or side) of the printed circuit board and capable of transmitting or receiving signals of the designated high frequency band. can do.

상기 구성요소들 중 적어도 일부는 주변 기기들간 통신 방식(예: 버스, GPIO(general purpose input and output), SPI(serial peripheral interface), 또는 MIPI(mobile industry processor interface))을 통해 서로 연결되고 신호(예: 명령 또는 데이터)를 상호간에 교환할 수 있다.At least some of the components are connected to each other through a communication method between peripheral devices (eg, a bus, general purpose input and output (GPIO), serial peripheral interface (SPI), or mobile industry processor interface (MIPI)) and a signal ( e.g. commands or data) can be exchanged with each other.

일 실시예에 따르면, 명령 또는 데이터는 제 2 네트워크(199)에 연결된 서버(108)를 통해서 전자 장치(101)와 외부의 전자 장치(104)간에 송신 또는 수신될 수 있다. 외부의 전자 장치(102, 또는104) 각각은 전자 장치(101)와 동일한 또는 다른 종류의 장치일 수 있다. 일 실시예에 따르면, 전자 장치(101)에서 실행되는 동작들의 전부 또는 일부는 외부의 전자 장치들(102,104, 또는108) 중 하나 이상의 외부의 전자 장치들에서 실행될 수 있다. 예를 들면, 전자 장치(101)가 어떤 기능이나 서비스를 자동으로, 또는 사용자 또는 다른 장치로부터의 요청에 반응하여 수행해야 할 경우에, 전자 장치(101)는 기능 또는 서비스를 자체적으로 실행시키는 대신에 또는 추가적으로, 하나 이상의 외부의 전자 장치들에게 그 기능 또는 그 서비스의 적어도 일부를 수행하라고 요청할 수 있다. 상기 요청을 수신한 하나 이상의 외부의 전자 장치들은 요청된 기능 또는 서비스의 적어도 일부, 또는 상기 요청과 관련된 추가 기능 또는 서비스를 실행하고, 그 실행의 결과를 전자 장치(101)로 전달할 수 있다. 전자 장치(101)는 상기 결과를, 그대로 또는 추가적으로 처리하여, 상기 요청에 대한 응답의 적어도 일부로서 제공할 수 있다. 이를 위하여, 예를 들면, 클라우드 컴퓨팅, 분산 컴퓨팅, 모바일 에지 컴퓨팅(MEC: mobile edge computing), 또는 클라이언트-서버 컴퓨팅 기술이 이용될 수 있다. 전자 장치(101)는, 예를 들어, 분산 컴퓨팅 또는 모바일 에지 컴퓨팅을 이용하여 초저지연 서비스를 제공할 수 있다. 다른 실시예에 있어서, 외부의 전자 장치(104)는 IoT(internet of things) 기기를 포함할 수 있다. 서버(108)는 기계 학습 및/또는 신경망을 이용한 지능형 서버일 수 있다. 일 실시예에 따르면, 외부의 전자 장치(104) 또는 서버(108)는 제 2 네트워크(199) 내에 포함될 수 있다. 전자 장치(101)는 5G 통신 기술 및 IoT 관련 기술을 기반으로 지능형 서비스(예: 스마트 홈, 스마트 시티, 스마트 카, 또는 헬스 케어)에 적용될 수 있다. According to an embodiment, the command or data may be transmitted or received between the electronic device 101 and the external electronic device 104 through the server 108 connected to the second network 199 . Each of the external electronic devices 102 or 104 may be the same as or different from the electronic device 101 . According to an embodiment, all or a part of operations executed in the electronic device 101 may be executed in one or more external electronic devices 102 , 104 , or 108 . For example, when the electronic device 101 needs to perform a function or service automatically or in response to a request from a user or other device, the electronic device 101 may perform the function or service itself instead of executing the function or service itself. Alternatively or additionally, one or more external electronic devices may be requested to perform at least a part of the function or the service. One or more external electronic devices that have received the request may execute at least a part of the requested function or service, or an additional function or service related to the request, and transmit a result of the execution to the electronic device 101 . The electronic device 101 may process the result as it is or additionally and provide it as at least a part of a response to the request. For this purpose, for example, cloud computing, distributed computing, mobile edge computing (MEC), or client-server computing technology may be used. The electronic device 101 may provide an ultra-low latency service using, for example, distributed computing or mobile edge computing. In another embodiment, the external electronic device 104 may include an Internet of things (IoT) device. The server 108 may be an intelligent server using machine learning and/or neural networks. According to an embodiment, the external electronic device 104 or the server 108 may be included in the second network 199 . The electronic device 101 may be applied to an intelligent service (eg, smart home, smart city, smart car, or health care) based on 5G communication technology and IoT-related technology.

도 2는 일 실시예에 따른 전자 장치의 구성을 나타낸다.2 illustrates a configuration of an electronic device according to an exemplary embodiment.

도 2를 참조하면, 다양한 실시예에 따르면, 전자 장치(101)는 프로세서(210)(예: 도 1의 프로세서(120) 및 메모리(220)(예: 도 1의 메모리(130))을 포함할 수 있다. Referring to FIG. 2 , according to various embodiments, the electronic device 101 includes a processor 210 (eg, the processor 120 of FIG. 1 and a memory 220 (eg, the memory 130 of FIG. 1 )). can do.

메모리(220)는 프로세서(210)에서 수행될 수 있는 다양한 인스트럭션(instruction)들을 저장할 수 있다. 인스트럭션들은 프로세서(210)에 의해 인식될 수 있는 산술 및 논리 연산, 데이터 이동, 입출력과 같은 제어 명령을 포함할 수 있다. 메모리(220)는 동적 전압 주파수 스케일링 프로그램 및 온도 보상 프로그램을 저장하고, 프로그램들을 실행하기 위한 다양한 인스트럭션들을 저장할 수 있다. The memory 220 may store various instructions that may be executed by the processor 210 . The instructions may include control commands such as arithmetic and logical operations, data movement, and input/output that may be recognized by the processor 210 . The memory 220 may store a dynamic voltage frequency scaling program and a temperature compensation program, and may store various instructions for executing the programs.

메모리(220)는 DVFS(dynamic voltage and frequency scaling) 테이블을 저장할 수 있다. DVFS 테이블은 전자 장치의 동작 환경(예: 로드(load), 주파수, 전압)을 기반으로 모듈(또는 시스템 온 칩)에 포함된 도메인(또는 컴포넌트)의 동작(예: 클럭/주파수 및 전압)을 가변적으로 구동하기 위한 적어도 하나의 조건이 정의된 테이블일 수 있다. The memory 220 may store a dynamic voltage and frequency scaling (DVFS) table. The DVFS table records the operation (eg clock/frequency and voltage) of the domain (or component) included in the module (or system-on-chip) based on the operating environment (eg, load, frequency, voltage) of the electronic device. It may be a table in which at least one condition for variably driving is defined.

일 실시예에 따르면, DVFS 테이블은 각 도메인 별로 허용 온도가 기록된 온도 매핑 DVFS 테이블(221)을 포함할 수 있다. 온도 매핑 DVFS 테이블(221)은 온도 적합성 테스트를 통해 각 도메인 별로 제1 동작 레벨에서의 허용 온도, 제2 동작 레벨 에서의 허용 온도, 제3 동작 레벨에서의 허용 온도, 또는 제N 동작 레벨에서의 허용 온도가 기록된 테이블일 수 있다. According to an embodiment, the DVFS table may include a temperature mapping DVFS table 221 in which allowable temperatures are recorded for each domain. The temperature mapping DVFS table 221 shows the allowable temperature at the first operating level, the allowable temperature at the second operating level, the allowable temperature at the third operating level, or the Nth operating level for each domain through the temperature suitability test. It may be a table in which permissible temperatures are recorded.

후술할 프로세서(210)에 포함된 모듈들의 동작들은 메모리(220)에 저장된 인스트럭션들을 로딩(loading)함으로써 수행될 수 있다. Operations of modules included in the processor 210 to be described later may be performed by loading instructions stored in the memory 220 .

프로세서(210)는, 동작 전압 주파수 스케일링(DVFS: dynamic voltage and frequency scaling) 제어 모듈(211) 및 온도 측정 모듈(215)을 포함할 수 있다. The processor 210 may include a dynamic voltage and frequency scaling (DVFS) control module 211 and a temperature measurement module 215 .

어떤 실시예에 따르면, 동작 전압 주파수 스케일링(DVFS) 제어 모듈(211) 및 온도 측정 모듈(215)은 프로세서(210)와 별도의 모듈로 구성되며, 프로세서(210)의 제어 하에 동작할 수 있다. According to some embodiments, the operating voltage frequency scaling (DVFS) control module 211 and the temperature measurement module 215 are configured as separate modules from the processor 210 , and may operate under the control of the processor 210 .

DVFS 제어 모듈(211)은 전자 장치의 구동 조건(예: 주파수 또는 인가 전압)을 결정하여 전자 장치(101)의 동작을 수행하거나 또는 데이터를 처리할 수 있다. DVFS 제어 모듈(211)은 DVFS 테이블을 기반으로 정의된 레벨의 클럭 주파수 및 동작 전압을 이용하여 부팅 과정을 수행하거나, 입력 이벤트 또는 사전 정의된 스케줄에 따라 작업(task, process, 기능)을 실행할 수 있다. The DVFS control module 211 may determine a driving condition (eg, a frequency or an applied voltage) of the electronic device to perform an operation of the electronic device 101 or process data. The DVFS control module 211 may perform a booting process using a clock frequency and operating voltage of a level defined based on the DVFS table, or execute a task (task, process, function) according to an input event or a predefined schedule. have.

일 예로서, DVFS 제어 모듈(211)은 기능 또는 어플리케이션(응용 프로그램) 실행 시에, DVFS 테이블에 기반하여 특정 레벨의 전압 및 클럭 주파수를 결정하고, 결정된 전압 및 클럭 주파수에 따라 전원 공급 및 신호 배분이 수행되도록 제어할 수 있다. As an example, the DVFS control module 211 determines a specific level of voltage and clock frequency based on the DVFS table when a function or application (application program) is executed, and supplies power and distributes signals according to the determined voltage and clock frequency. You can control this to happen.

DVFS 제어 모듈(211)은 실행된 기능 또는 어플리케이션을 확인하고 사전 정의된 스케줄링에 따라 작업 부하율(task load)을 모니터링할 수 있다. 작업 부하율은 작업 실행에 따른 연산량일 수 있다.The DVFS control module 211 may check an executed function or application and monitor a task load according to a predefined scheduling. The workload rate may be a computational amount according to the execution of the job.

예를 들어, DVFS 제어 모듈(211)은 실행 중인 작업 기능을 확인하고, 정해진 측정 주기(sampling rate) 마다 작업 부하율을 산출하고, 산출된 작업 부하율에 따라 DVFS 테이블을 참조하여 클럭 주파수 및 동작 전압 중 적어도 하나의 레벨 변경을 결정할 수 있다. For example, the DVFS control module 211 checks the work function being executed, calculates a work load rate for each predetermined measurement period (sampling rate), and refers to the DVFS table according to the calculated work load rate among the clock frequency and the operating voltage. At least one level change may be determined.

DVFS 제어 모듈(211)은 작업 부하율이 현재 레벨에서 설정된 임계값을 만족하는지를 확인하고, 작업 부하율이 높은 도메인을 다른 레벨의 클럭 주파수 및 동작 전압으로 DFVS 정책을 변경해야 하는지를 결정할 수 있다. The DVFS control module 211 may determine whether the workload rate satisfies a threshold set at the current level, and determine whether to change the DFVS policy to a domain having a high workload rate to a different level of clock frequency and operating voltage.

DVFS 제어 모듈(211)은 모니터링 결과, DFVS 정책을 변경해야 하는 것으로 결정된 것에 반응하여 온도 측정 모듈로 온도 측정을 요청할 수 있다. As a result of monitoring, the DVFS control module 211 may request a temperature measurement from the temperature measurement module in response to determining that the DFVS policy needs to be changed.

온도 측정 모듈(215)은, 모듈 내의 각 도메인의 온도를 측정하고, 측정 결과 정보를 DVFS 제어 모듈(211)로 전달할 수 있다. 일 예를 들어, 온도 측정 모듈(215)은 모듈 내부 온도 이외에 전자 장치의 다른 구성요소들에 의한 외부 온도, 또는 배터리 온도를 측정할 수 있다. The temperature measurement module 215 may measure the temperature of each domain in the module and transmit measurement result information to the DVFS control module 211 . For example, the temperature measuring module 215 may measure an external temperature by other components of the electronic device or a battery temperature in addition to the internal temperature of the module.

다른 예를 들어, 온도 측정 모듈(215)은 모듈의 내부 온도, 외부 온도 및 배터리 온도를 조합하여 시스템 온도(또는 종합 온도)를 측정하고, 시스템 온도 정보를 DVFS 제어 모듈(211)로 전달할 수 있다. As another example, the temperature measurement module 215 may measure a system temperature (or overall temperature) by combining the internal temperature, external temperature, and battery temperature of the module, and transmit system temperature information to the DVFS control module 211 . .

DVFS 제어 모듈(211)은 DFVS 정책 변경이 결정된 것에 기반하여 DFVS 정책을 변경할 도메인의 현재 측정된 온도와 온도 적용 DFVS 테이블에 기록된 온도를 비교하여 DFVS 정책을 변경할지 여부를 결정할 수 있다. The DVFS control module 211 may determine whether to change the DFVS policy by comparing the currently measured temperature of the domain whose DFVS policy is to be changed with the temperature recorded in the temperature application DFVS table based on the determination of the DFVS policy change.

DVFS 제어 모듈(211)은 현재 측정된 온도보다 기록된 온도가 높은 것에 반응하여 DFVS 정책을 변경하지 않고 현재 레벨의 클럭 및 전압을 유지할 수 있다. DVFS 제어 모듈(211)은 현재 측정된 온도보다 기록된 온도가 낮은 것에 반응하여 작업 부하율이 높은 도메인의 DFVS 정책을 변경하여 다른 레벨의 레벨의 클럭 및 전압으로 동작하도록 제어할 수 있다. The DVFS control module 211 may maintain the current level of the clock and voltage without changing the DFVS policy in response to the recorded temperature being higher than the currently measured temperature. In response to the recorded temperature being lower than the currently measured temperature, the DVFS control module 211 may change the DFVS policy of the domain having a high workload rate to operate with clocks and voltages of different levels.

다양한 실시 예에 따르면, 전자 장치(101)에 있어서, 시스템 온칩(SoC), 메모리(예: 도 1의 메모리(130), 도 2의 메모리(220)) 및 상기 시스템온칩 및 메모리와 기능적으로 연결된 프로세서(예: 도 1의 프로세서(120), 도 2의 프로세서(210))를 포함하고, 상기 메모리는, 상기 시스템 온 칩에 포함된 도메인 별로 온도가 기록된 온도 매핑 DVFS (dynamic voltage and frequency scaling)테이블(예: 도 1의 온도 매핑 DVFS 테이블(221))을 저장하고, 상기 프로세서는, 시스템 온 칩에 대응하여 설정된 온도 매핑 DVFS (dynamic voltage and frequency scaling) 테이블에 포함된 온도를 기반으로 온도 보상의 기준 온도를 재설정하여 커스터마이즈된 온도 보상 정책으로 변경하고, 상기 시스템 온 칩의 작업 부하율을 기반으로 DVFS 정책 변경 시 현재 시스템 온도와 상기 온도 매핑 DVFS 테이블에 포함된 기록 온도를 비교하여 상기 DVFS 정책의 변경 여부를 결정하도록 설정될 수 있다. According to various embodiments, in the electronic device 101, a system-on-chip (SoC), a memory (eg, the memory 130 of FIG. 1 , the memory 220 of FIG. 2 ), and the system-on-chip and the memory are functionally connected. A processor (eg, the processor 120 of FIG. 1 , the processor 210 of FIG. 2 ) is included, and the memory includes a temperature mapping dynamic voltage and frequency scaling (DVFS) in which temperatures are recorded for each domain included in the system-on-chip. ) stores a table (eg, the temperature mapping DVFS table 221 of FIG. 1 ), and the processor performs a temperature based on the temperature included in the temperature mapping DVFS (dynamic voltage and frequency scaling) table set in response to the system-on-chip. The DVFS policy is changed to a customized temperature compensation policy by resetting the reference temperature of compensation, and comparing the current system temperature with the recorded temperature included in the temperature mapping DVFS table when the DVFS policy is changed based on the system-on-chip workload rate. may be set to determine whether to change

다양한 실시예에 따르면, 상기 프로세서(120,210)는 상기 전자 장치에 적용된 디폴트 온도 보상 정책을 확인하고, 상기 DVFS 테이블에 온도 필드가 기록된 것에 반응하여, 상기 온도 보상의 기준 온도를 재설정하고, 상기 디폴트 온도 보상 정책을 상기 커스터마이즈된 온도 보상 정책으로 변경하도록 설정될 수 있다. According to various embodiments, the processor 120 or 210 checks the default temperature compensation policy applied to the electronic device, and in response to the temperature field being recorded in the DVFS table, resets the reference temperature of the temperature compensation, and the default It may be set to change the temperature compensation policy to the customized temperature compensation policy.

다양한 실시예에 따르면, 온도 매핑 DVFS 테이블은, 시스템 온 칩 별로 온도 적합성 테스트를 통해 다르게 작성될 수 있다. According to various embodiments, the temperature mapping DVFS table may be differently written for each system-on-chip through a temperature suitability test.

다양한 실시예에 따르면, 상기 도메인은, 리틀 코어, 빅 코어, 미들 코어, 메모리 인터페이스, 버스 인터페이스 및 그래픽 처리 코어 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. According to various embodiments, the domain may include at least one of a little core, a big core, a middle core, a memory interface, a bus interface, and a graphic processing core.

다양한 실시예에 따르면, 상기 프로세서(120,210)는, 상기 온도 보상의 기준 온도로서, 상기 시스템 온 칩의 클럭 주파수 감소 기준을 나타내는 제1 임계 온도 및 동작 오프 기준을 나타내는 제2 임계 온도를 결정하도록 설정될 수 있다. According to various embodiments, the processors 120 and 210 are set to determine, as the reference temperature for temperature compensation, a first threshold temperature indicating a clock frequency reduction reference of the system-on-chip and a second threshold temperature indicating an operation-off reference can be

다양한 실시예에 따르면, 상기 프로세서(120,210)는 상기 시스템 온 칩의 작업 부하율을 모니터링하고, 상기 작업 부하율이 설정된 임계값을 만족하는 제1 도메인을 확인하고, 상기 작업 부하율에 따라 상기 제1 도메인과 관련하여 다른 레벨의 클럭 주파수 및 동작 전압으로 상기 DFVS 정책을 변경해야 하는지를 결정하도록 설정될 수 있다. According to various embodiments, the processors 120 and 210 monitor the workload rate of the system-on-chip, identify a first domain that satisfies a threshold value in which the workload rate is set, and according to the workload rate, the first domain and the It can be configured to determine whether the DFVS policy should be changed with a different level of clock frequency and operating voltage in relation to it.

다양한 실시예에 따르면, 상기 프로세서(120,210)는 상기 작업 부하율에 기반하여 상기 제1 도메인의 DFVS 정책이 변경되는 것으로 결정되는 경우, 상기 제1 도메인의 온도를 측정하고, 상기 제1 도메인과 관련하여 상기 온도 매핑 DFVS 테이블을 통해 현재 레벨에 기록된 온도를 확인하고, 상기 측정된 현재 온도보다 기록된 온도가 높은 것에 반응하여 상기 제1 도메인과 관련하여 다른 레벨로 DFVS 정책을 변경하고, 상기 측정된 현재 온도보다 기록된 온도가 낮은 것에 반응하여 상기 제1 도메인의 현재 레벨에 대한 DFVS 정책을 유지하도록 설정될 수 있다. According to various embodiments, when it is determined that the DFVS policy of the first domain is changed based on the workload rate, the processors 120 and 210 measure the temperature of the first domain and relate to the first domain. Check the temperature recorded at the current level through the temperature mapping DFVS table, change the DFVS policy to another level in relation to the first domain in response to the recorded temperature being higher than the measured current temperature, and It may be configured to maintain the DFVS policy for the current level of the first domain in response to the recorded temperature being lower than the current temperature.

다양한 실시예에 따르면, 상기 프로세서(120,210)는 상기 시스템 온 칩에 포함된 적어도 하나의 도메인을 DVFS 테이블에 기록된 제1 레벨의 클럭 주파수 및 전압으로 설정하고, 제1 온도 환경에서 상기 도메인을 통해 테스트 동작을 수행하고, 상기 테스트 동작이 성공한 것에 반응하여 상기 제1 온도 환경에서 제2 온도 환경으로 증가한 후, 상기 테스트 동작을 재수행하고, 상기 테스트 동작이 실패할 때까지 온도 환경 증가 및 테스트 동작의 수행을 반복하고, 상기 제1 테스트 동작이 실패한 것에 반응하여 상기 도메인과 관련하여 제1 레벨에서 동작 가능한 허용 온도를 기록하고, 도메인 별로 동작 레벨 마다 허용 온도를 기록하여 상기 온도 매핑 DVFS 테이블을 생성하도록 설정될 수 있다. According to various embodiments, the processors 120 and 210 set at least one domain included in the system-on-chip to the clock frequency and voltage of the first level recorded in the DVFS table, and use the domain in the first temperature environment. After performing a test operation, increasing from the first temperature environment to a second temperature environment in response to the success of the test operation, re-performing the test operation, increasing the temperature environment and increasing the temperature environment until the test operation fails Repeat the execution, record the allowable temperature operable at the first level with respect to the domain in response to the failure of the first test operation, and record the allowable temperature for each operation level for each domain to generate the temperature mapping DVFS table can be set.

다양한 실시예에 따르면, 상기 프로세서(120,210)는 상기 온도 매핑 DVFS 테이블로 DVFS 정책과 관련된 온도 보상 정책을 변경하도록 설정될 수 있다. According to various embodiments, the processors 120 and 210 may be configured to change the temperature compensation policy related to the DVFS policy using the temperature mapping DVFS table.

도 3은 다양한 실시예에 따른 온도 보상 정책을 커스터마이즈하기 위한 온도 테스트 방법을 나타내는 도면이고 도 4는 다양한 실시예에 따르면, DVFS (dynamic voltage and frequency scaling) 테이블과 온도 적용 DVFS (dynamic voltage and frequency scaling) 테이블을 도시한다. 3 is a diagram illustrating a temperature test method for customizing a temperature compensation policy according to various embodiments, and FIG. 4 is a dynamic voltage and frequency scaling (DVFS) table and temperature applied dynamic voltage and frequency scaling (DVFS) according to various embodiments. ) shows the table.

도 3을 참조하면, 일 실시예에 따르면, 310 동작에서, 테스트 장치(다시 말해, 제조사, 설계자 또는 온도 적합성 테스트 주체)는 모듈(예: 시스템 온 칩)과 관련하여 도메인 별 DVFS (dynamic voltage and frequency scaling) 테이블을 획득할 수 있다. Referring to FIG. 3 , according to an embodiment, in operation 310 , a test device (ie, a manufacturer, a designer, or a temperature compatibility test subject) performs a dynamic voltage and frequency scaling) table can be obtained.

일 예를 들어, 모듈은 다양한 컴포넌트(component) 예를 들어, big core, middle core, little core, memory interface(예: MIF), 버스 인터페이스(예: INT), 그래픽 처리 프로세서(예: GUP, G3D), 또는 이미지 처리 프로세서(ISP)를 포함할 수 있다. 각 컴포넌트(다시 말해 도메인)는 독립적인 도메인으로서 구별될 수 있다. 도메인들은 각각 상이한 전압 및/또는 전력에서 동작할 수 있다. 도메인들은 모듈에 따라 상이할 수 있다. For example, the module includes various components, for example, big core, middle core, little core, memory interface (eg MIF), bus interface (eg INT), graphics processing processor (eg GUP, G3D). ), or an image processing processor (ISP). Each component (ie a domain) can be distinguished as an independent domain. The domains may each operate at different voltages and/or powers. Domains may differ from module to module.

일 예로서, 모듈(또는 시스템 온 칩(system on chip))을 생산하는 벤더(vender)는, 생산한 모듈에 포함된 도메인 별로 적합한 동작 전압 및 클럭 주파수를 체크(또는 퓨징(fusing))하고, 이를 기록한 DVFS 테이블을 전자 장치 제조사로 제공할 수 있다. 전자 장치 제조사는 벤더로부터 제공된 DVFS 테이블을 기반으로 DVFS 정책을 전자 장치에 설정할 수 있다. As an example, a vendor producing a module (or a system on chip) checks (or fusing) a suitable operating voltage and clock frequency for each domain included in the produced module, The DVFS table in which this is recorded may be provided to the electronic device manufacturer. The electronic device manufacturer may set the DVFS policy in the electronic device based on the DVFS table provided by the vendor.

예를 들어, 벤더로부터 제공된 DVFS 테이블은 <4001>에 도시된 바와 같이, 도메인 별로 클럭(또는 동작 주파수) 및 동작 전압을 체크(또는 퓨징)하여 기록된 조건을 포함할 수 있다. DVFS 테이블은 도메인 별로 클럭 및 이에 대응하는 동작 전압을 포함할 수 있다. 각 도메인들은 각 도메인 별로 기록된 클럭 및 동작 전압에 기반하여 동적으로 조절될 수 있다. For example, as shown in <4001>, the DVFS table provided by the vendor may include conditions recorded by checking (or fusing) a clock (or operating frequency) and operating voltage for each domain. The DVFS table may include clocks and corresponding operating voltages for each domain. Each domain may be dynamically adjusted based on a clock and operating voltage recorded for each domain.

320 동작에서, 테스트 장치는, 벤더로부터 제공된 모듈의 온도 적합성 테스트를 위해 특정 도메인(또는 모듈의 도메인들)을 DVFS 테이블에 기록된 제1 레벨의 클럭 및 전압으로 설정할 수 있다. In operation 320 , the test device may set a specific domain (or domains of the module) to the clock and voltage of the first level recorded in the DVFS table for the temperature suitability test of the module provided from the vendor.

일 실시예에 따르면, 테스트 장치는, 각 도메인 별로 온도 적합성 테스트를 실행할 수 있다. 예를 들어, 첫번째 단계로서, 테스트 장치는 리틀 코어에 대한 온도 적합성 테스트를 실행하기 위해 리틀 코어 도메인에 기록된 제1 레벨(예: 제1 클럭(예: 2.0 Ghz) 및 제1 전압(1.2 V))로 리틀 코어를 설정할 수 있다. According to an embodiment, the test device may execute a temperature compatibility test for each domain. For example, as a first step, the test device uses a first level (such as a first clock (such as 2.0 Ghz) and a first voltage (such as 1.2 V) written to the little core domain to run a temperature compatibility test for the little core. )) to set Little Core.

다른 실시예에 따르면, 테스트 장치는 모듈에 포함된 도메인들을 종합적으로 온도 적합성 테스트를 실행할 수 있다. 예를 들어, 테스트 장치는 모듈에 포함된 각 도메인들을 DVFS 테이블 참고하여 모듈을 설정할 수 있다. 테스트 장치는, 모듈에 포함된 각 도메인들을 동작시키기 위해, 리틀 코어, 빅 코어, 미들 코어, 메모리 인터페이스, 버스 인터페이스, 또는 그래픽 처리 코어 별로 DVFS 테이블에 기록된 제1 레벨들의 클럭 및 동작 전압들로 설정할 수 있다. According to another embodiment, the test device may comprehensively execute the temperature compatibility test on domains included in the module. For example, the test device may configure the module by referring to the DVFS table for each domain included in the module. In order to operate each domain included in the module, the test device uses first levels of clocks and operating voltages recorded in the DVFS table for each little core, big core, middle core, memory interface, bus interface, or graphic processing core. can be set.

330 동작에서, 테스트 장치는, 제1 온도 환경(또는 디폴트 온도, 베이직 온도)으로 설정하고, 340 동작에서, 테스트 장치는 제1 온도 환경에서 모듈을 통해 테스트(test) 동작을 수행할 수 있다. In operation 330 , the test device may set the first temperature environment (or default temperature, basic temperature), and in operation 340 , the test device may perform a test operation through the module in the first temperature environment.

일 예로서, 설계자는 설정된 제1 온도(예: 40도) 환경까지 테스트 장치(또는 주변 환경)를 쿨링(cooling)하여 모듈에 대한 환경을 제1 온도로 유지시킬 수 있다. 테스트 장치는, 설정된 제1 온도 환경에서 특정 도메인(또는 모듈)에 기반한 테스트(test) 동작(압축 테스트(Zip), 압축 해제 테스트(Unzip), 램오버 안정화 테스트(memtes))을 수행할 수 있다. 테스트 동작은, 모듈에 포함된 컴포넌트(다시 말해, 도메인)를 통해 실행되는 동작 또는 기능을 수행하는 테스트 알고리즘일 수 있다. As an example, the designer may maintain the environment for the module at the first temperature by cooling the test device (or the surrounding environment) up to the set first temperature (eg, 40 degrees) environment. The test device may perform a test operation (compression test (Zip), decompression test (Unzip), and ramover stabilization test (memtes)) based on a specific domain (or module) in a set first temperature environment. . The test operation may be a test algorithm that performs an operation or function executed through a component (ie, a domain) included in a module.

350 동작에서, 테스트 장치는 제1 온도 환경에서 특정 도메인(또는 모듈)에 기반한 테스트 동작이 실패하는지 여부를 결정할 수 있다. In operation 350 , the test device may determine whether a test operation based on a specific domain (or module) fails in the first temperature environment.

제1 온도 환경에서 특정 도메인(또는 모듈)에 기반한 테스트동작이 실패하지 않을 경우, 360 동작에서, 테스트 장치는, 온도를 증가시킬 수 있다. If the test operation based on the specific domain (or module) does not fail in the first temperature environment, in operation 360 , the test device may increase the temperature.

예를 들어, 설계자는 제1 온도보다 증가된 제2 온도(예: 45 도, 50도) 환경을 유지하고, 340 동작으로 진행하여 테스트 동작을 다시 수행할 수 있다. 설계자는 테스트 동작 수행을 실패하는 온도 조건을 찾기 위해, 테스트 동작이 실패할 때까지 온도를 설정된 범위만큼 증가시켜(예: 제N 온도)가면서 제1 레벨의 클럭 및 동작 전압으로 특정 도메인(예: 리틀 코어)(또는 모듈)에 대한 테스트 동작을 반복적으로 수행할 수 있다. For example, the designer may maintain the environment of the second temperature (eg, 45 degrees, 50 degrees) increased from the first temperature, and proceed to operation 340 to perform the test operation again. In order to find a temperature condition that fails to perform a test operation, the designer increases the temperature by a set range (eg, N-th temperature) until the test operation fails, while using a clock and operating voltage of the first level in a specific domain (eg: A test operation for a little core) (or module) can be repeatedly performed.

370 동작에서, 테스트 장치는 제1 온도에서 테스트 동작이 실패하는 경우, 제1 레벨로 설정된 특정 도메인의 허용 온도(다시 말해, 동작이 가능한 최적 온도)를 기록할 수 있다. In operation 370 , when the test operation fails at the first temperature, the test device may record an allowable temperature (ie, an optimum temperature for operation) of a specific domain set as the first level.

380 동작에서, 테스트 장치는 제 1 레벨에 대한 온도 적합성 테스트 후, 제2 레벨에 대한 온도 적합성 테스트를 수행하기 위해 제2 레벨의 클럭 및 전압으로 모듈 또는 특정 도메인을 설정할 수 있다. 테스트 장치는 제1 레벨에서 테스트 동작이 실패하는 온도를 기록하고, 다시 제3 레벨의 모듈 또는 특정 도메인을 설정한 후 테스트하여 온도를 기록하는 과정을 반복할 수 있다. In operation 380 , after the temperature compatibility test for the first level, the test device may set a module or a specific domain to the clock and voltage of the second level to perform the temperature compatibility test for the second level. The test device may record the temperature at which the test operation fails at the first level, and repeat the process of setting the module or specific domain of the third level and then testing and recording the temperature.

일 실시예에 따르면, 테스트 장치는 각 도메인 별로 320 동작 내지 380 동작을 수행하여 온도 적합성 테스트를 실행하고, 허용 온도를 기록할 수 있다. According to an embodiment, the test device may perform a temperature suitability test by performing operations 320 to 380 for each domain, and record the allowable temperature.

390 동작에서, 테스트 장치는, 도메인 별로 각 레벨 마다 온도 적합성 테스트를 수행하여 허용 온도를 기록함으로써, 온도 적용 DVFS 테이블(다시 말해, 온도 필드에 온도가 기록된 DVFS 테이블)을 작성할 수 있다. In operation 390 , the test device may create a temperature-applied DVFS table (that is, a DVFS table in which a temperature is recorded in a temperature field) by performing a temperature compatibility test for each domain and recording an allowable temperature.

온도 적용 DFVS 테이블은 <4002>에 도시된 바와 같이, 도메인 별로 클럭(또는 동작 주파수) 및 이에 대응하는 동작 전압과 함께 각 레벨에 대한 허용 온도를 포함할 수 있다. 각 도메인들은 각 도메인 별로 기록된 클럭 및 동작 전압에 기반하여 동적으로 조절될 수 있다. 전자 장치는, DFVS 테이블에 기반하여 DVFS 정책을 변경해야 할 경우, 온도 필드에 포함된 온도 조건을 기반으로 DVFS 정책 변경 여부를 결정할 수 있다. As shown in <4002>, the temperature application DFVS table may include a clock (or operating frequency) for each domain and an allowable temperature for each level along with a corresponding operating voltage. Each domain may be dynamically adjusted based on a clock and operating voltage recorded for each domain. When the DVFS policy needs to be changed based on the DFVS table, the electronic device may determine whether to change the DVFS policy based on a temperature condition included in the temperature field.

일 실시예에 따르면, 온도 적용 DFVS 테이블은 제조사에 의해 작성될 수 있으나, 이에 한정하지 않으며, 벤더(vender)의 의해 작성될 수도 있다. According to an embodiment, the temperature application DFVS table may be prepared by a manufacturer, but is not limited thereto, and may be prepared by a vendor.

도 5는 다양한 실시예에 따른 커스터마이즈된 온도 보상 정책을 설명하기 위한 도면이다. 5 is a diagram for explaining a customized temperature compensation policy according to various embodiments.

도 5를 참조하면, 각 모듈 마다 동작이 가능한 허용 온도 조건들이 다를 수 있다. 다양한 실시예들은, 전자 장치 별로 온도에 취약한 시료(예: 모듈)를 구분하고, 해당 모듈(또는 각 도메인들)의 허용 온도에 따라 온도 보상 기준을 재설정(또는 변경)하고 온도 보상 정책을 적용할 수 있다. 전자 장치는 내부에 장착된 모듈의 각 도메인 별로 허용 온도가 기록된 온도 매핑 DVFS 테이블을 기반으로 온도 보상 정책을 적용(또는 재설정)할 수 있다. Referring to FIG. 5 , the allowable temperature conditions for operation may be different for each module. According to various embodiments, it is possible to classify a sample (eg, a module) vulnerable to temperature for each electronic device, reset (or change) a temperature compensation standard according to the allowable temperature of the corresponding module (or each domain), and apply a temperature compensation policy. can The electronic device may apply (or reset) the temperature compensation policy based on the temperature mapping DVFS table in which the allowable temperature is recorded for each domain of the module mounted therein.

다양한 실시예들은 전자 장치 마다 다른 전자 장치들과 동일한 온도 기준으로 온도 보상 정책이 실행되는 것이 아니라, 전자 장치 별로 모듈의 온도 특성에 맞게 커스터마이즈된 온도 보상 정책으로 온도 보상을 수행할 수 있다.According to various embodiments, the temperature compensation policy may be customized for each electronic device according to the temperature characteristic of the module, rather than the temperature compensation policy being executed based on the same temperature as that of other electronic devices for each electronic device.

예를 들어, 제1 전자 장치(501)는 제1 전자 장치(5001) 내에 실장된 제1 모듈에 대해 온도 테스트를 수행하여 기록한 제1 온도 적용 테이블(511)을 기반으로 온도 보상 정책이 설정될 수 있다. 제2 전자 장치(502)는 제2 전자 장치(502) 내에 실장된 제2 모듈에 대해 온도 테스트를 수행하여 기록한 제2 온도 적용 테이블(521)을 기반으로 온도 보상 정책이 설정될 수 있다. 제3 전자 장치(503)는 제3 전자 장치(503) 내에 실장된 제3 모듈에 대해 온도 테스트를 수행하여 기록한 제3 온도 적용 테이블(531)을 기반으로 온도 보상 정책이 설정될 수 있다. For example, the first electronic device 501 may set a temperature compensation policy based on the first temperature application table 511 recorded by performing a temperature test on the first module mounted in the first electronic device 5001 . can The second electronic device 502 may set a temperature compensation policy based on the second temperature application table 521 recorded by performing a temperature test on the second module mounted in the second electronic device 502 . The third electronic device 503 may set a temperature compensation policy based on the third temperature application table 531 recorded by performing a temperature test on the third module mounted in the third electronic device 503 .

전자 장치의 온도 보상 정책은, 모듈(시스템 온 칩)의 로드(load)량 또는 처리량에 따라 모듈의 온도가 상승하는 경우, 온도를 감소시키거나 동작을 오프(off)하도록 제어하는 알고리즘일 수 있다. 일 예로서, 전자 장치는 모듈의 온도를 감소시키기 위해, 모듈 내에 포함된 특정 도메인의 클럭 주파수(또는 동작 주파수)을 낮춰 모듈의 온도가 감소되도록 제어할 수 있다. The temperature compensation policy of the electronic device may be an algorithm that controls to decrease the temperature or turn off the operation when the temperature of the module increases according to the load amount or throughput of the module (system-on-chip). . As an example, in order to reduce the temperature of the module, the electronic device may control the temperature of the module to decrease by lowering the clock frequency (or operating frequency) of a specific domain included in the module.

종래의 온도 보상 정책은, 전자 장치가 모듈의 내부 온도, 외부 온도 및 배터리 온도 중 적어도 하나를 조합하여 종합 온도를 측정하고, 종합 온도가 설정된 제1 임계 온도를 초과(예: 80도)하면 클럭 주파수를 낮추고, 제2 임계 온도를 초과(예: 90도)하면 동작을 오프(off)하도록 제어할 수 있다. In the conventional temperature compensation policy, the electronic device measures the total temperature by combining at least one of the internal temperature, the external temperature, and the battery temperature of the module, and when the total temperature exceeds a set first threshold temperature (eg, 80 degrees), the clock When the frequency is lowered and the second threshold temperature is exceeded (eg, 90 degrees), the operation may be controlled to be turned off.

반면에, 본원의 다양한 실시예에 따른 온도 보상 정책은, 전자 장치 별로 모듈의 온도 특성이 반영된 온도를 기반으로 제1 임계 온도 및 제2 임계 온도를 변경(또는 재설정)하고 변경된 온도 기준으로 온도 보상 정책을 적용할 수 있다. 예를 들어, 제1 전자 장치(501)는 85도에서 클럭 주파수를 낮추고, 95도에서 동작을 오프하도록 온도 보상 정책이 수행될 수 있는 반면에, 제2 전자 장치는, 70 도에서 클럭 주파수를 낮추고 85도에서 동작을 오프하도록 온도 보상 정책이 수행될 수도 있다. On the other hand, the temperature compensation policy according to various embodiments of the present disclosure changes (or resets) the first threshold temperature and the second threshold temperature based on the temperature at which the temperature characteristic of the module is reflected for each electronic device, and compensates the temperature based on the changed temperature. policy can be applied. For example, a temperature compensation policy may be performed such that the first electronic device 501 lowers the clock frequency at 85 degrees and turns off the operation at 95 degrees, while the second electronic device increases the clock frequency at 70 degrees. A temperature compensation policy may be implemented to lower it and turn off operation at 85 degrees.

다양한 실시예에 따르면, 전자 장치 마다 온도에 취약한 특성을 판별하고, 전자 장치의 특성에 맞게 커스터마이즈된 온도 보상 정책을 수행할 수 있으므로, 전자 장치마다 온도에 대한 손상(damage)를 최소화할 뿐만 아니라, 성능 향상을 제공할 수 있다. According to various embodiments, it is possible to determine a characteristic vulnerable to temperature for each electronic device and perform a temperature compensation policy customized to the characteristic of the electronic device, thereby minimizing damage to temperature for each electronic device, It can provide performance improvement.

도 6은 다양한 실시예에 따른 커스터마이즈된 온도 조절을 위한 설정 방법을 나타낸다. 6 illustrates a setting method for customized temperature control according to various embodiments of the present disclosure.

도 6을 참조하면, 일 실시예에 따르면 전자 장치(101)의 프로세서(예: 도 1의 프로세서(120), 도 2의 프로세서(220))는, 610 동작에서, 온도 보상 정책에 설정된 기준 온도를 확인할 수 있다. Referring to FIG. 6 , according to an embodiment, in operation 610 , the processor of the electronic device 101 (eg, the processor 120 of FIG. 1 , the processor 220 of FIG. 2 ) has a reference temperature set in the temperature compensation policy. can be checked.

온도 보상 정책은 각 모듈에 포함된 도메인들의 실행 특성에 따른 내부 온도, 외부 온도, 및/또는 배터리 온도에 기초하여 종합 온도를 측정하고, 종합 온도에 따라 온도 조절 동작을 수행할 수 있다. The temperature compensation policy may measure an overall temperature based on an internal temperature, an external temperature, and/or a battery temperature according to execution characteristics of domains included in each module, and perform a temperature control operation according to the overall temperature.

프로세서(220)는 온도 보상을 위해 디폴트로 설정된 기준 온도 예를 들어, 클럭 감소 기준을 나타내는 제1 임계 온도와 동작 오프(OFF) 기준을 나타내는 제2 임계 온도를 확인할 수 있다. 예를 들어, 디폴트로 설정된 온도 보상 정책일 경우, 제1 임계 온도는 80도일 수 있으며, 제2 임계 온도는 90도 일 수 있다. The processor 220 may identify a reference temperature set as a default for temperature compensation, for example, a first threshold temperature indicating a clock reduction reference and a second threshold temperature indicating an operation-off reference. For example, in the case of a default temperature compensation policy, the first threshold temperature may be 80 degrees, and the second threshold temperature may be 90 degrees.

620 동작에서, 프로세서(220)는 온도 보상 정책을 변경해야 하는지를 결정할 수 있다. 예를 들어, 프로세서(220)는 DVFS 테이블에 온도 필드가 기록되어 있는 경우, 디폴트 온도 보상 정책을 변경하는 것으로 결정할 수 있다. 프로세서(220)는 온도 매핑 DVFS 테이블이 메모리에 저장된 경우, 디폴트 온도 보상 정책을 변경하는 것으로 결정할 수 있다. In operation 620 , the processor 220 may determine whether to change the temperature compensation policy. For example, when the temperature field is recorded in the DVFS table, the processor 220 may determine to change the default temperature compensation policy. When the temperature mapping DVFS table is stored in the memory, the processor 220 may determine to change the default temperature compensation policy.

625 동작에서, 프로세서(220)는, 기본 타입의 DVFS 테이블이 저장된 경우 온도 보상에 대해 기존 정책(다시 말해, 디폴트 온도 보상 정책)을 유지할 수 있다. In operation 625 , the processor 220 may maintain an existing policy for temperature compensation (ie, a default temperature compensation policy) when the DVFS table of the basic type is stored.

630 동작에서, 프로세서(220)는 정책을 변경하는 것으로 결정된 것에 반응하여 온도 매핑 DVFS 테이블에 기록된 허용 온도를 기반으로 온도 보상을 위해 커스터마이즈된 기준 온도를 결정할 수 있다. In operation 630 , the processor 220 may determine a customized reference temperature for temperature compensation based on the allowable temperature recorded in the temperature mapping DVFS table in response to determining to change the policy.

프로세서(220)는 온도 매핑 DVFS 테이블에 포함된 허용 온도를 기반으로 전자 장치에 최적화된 임계 온도들을 결정할 수 있다. 예를 들어, 프로세서(220)는 정책 변경을 위해, 클럭 주파수 감소의 기준을 나타내는 제1 임계 온도 및 동작 오프의 기준을 나타내는 제2 임계 온도를 결정할 수 있다. The processor 220 may determine threshold temperatures optimized for the electronic device based on the allowable temperature included in the temperature mapping DVFS table. For example, in order to change the policy, the processor 220 may determine a first threshold temperature indicating a criterion for reducing the clock frequency and a second threshold temperature indicating a criterion for turning off the operation.

640 동작에서, 프로세서(220)는 결정된 기준 온도로 변경하여 커스터마이즈된 온도 보상 정책으로 변경할 수 있다. In operation 640 , the processor 220 may change the determined reference temperature to a customized temperature compensation policy.

전자 장치 별로 커스터마이즈된 기준 온도는 상이할 수 있으며, 온도 특성에 따라 최적의 기준 온도로 온도 보상 정책이 수행될 수 있다. 예를 들어, 고온에 취약한 전자 장치는 온도 보상을 위한 기준 온도가 감소됨으로써, 고온에 대한 손상을 억제할 수 있다. 반면에 고온에 강한 전자 장치는 온도 보상을 위한 기준 온도가 증가됨으로써, 다른 전자 장치 대비 성능 효율을 높일 수 있다. A customized reference temperature for each electronic device may be different, and a temperature compensation policy may be performed with an optimal reference temperature according to temperature characteristics. For example, in an electronic device vulnerable to high temperature, a reference temperature for temperature compensation is reduced, thereby suppressing damage due to high temperature. On the other hand, an electronic device that is resistant to high temperature increases the reference temperature for temperature compensation, thereby increasing performance efficiency compared to other electronic devices.

도 7은 다양한 실시예에 따른 커스터마이즈된 온도 조절을 위한 설정 방법을 나타낸다. 7 illustrates a setting method for customized temperature control according to various embodiments of the present disclosure.

도 7을 참조하면, 일 실시예에 따르면 전자 장치(101)의 프로세서(예: 도 1의 프로세서(120), 도 2의 프로세서(220))는 전자 장치에 포함된 모듈(예: 시스템 온 칩)을 동작시키기 위해 정의된 레벨의 동작 주파수 및 동작 전압을 인가할 수 있다. 예를 들어, 프로세서(220)는 DVFS 테이블을 기반으로 정의된 레벨의 클럭 주파수 및 동작 전압을 이용하여 부팅 과정을 수행하거나, 슬립 상태 또는 액티브 상태를 지원할 수 있다. 프로세서(220)는 입력 이벤트 또는 사전 정의된 스케줄에 따라 작업(task, process, 기능)의 실행할 수 있다. Referring to FIG. 7 , according to an embodiment, the processor of the electronic device 101 (eg, the processor 120 of FIG. 1 and the processor 220 of FIG. 2 ) is a module (eg, a system-on-chip) included in the electronic device. ), an operating frequency and operating voltage of a defined level can be applied to operate. For example, the processor 220 may perform a booting process or support a sleep state or an active state using a clock frequency and an operating voltage of a level defined based on the DVFS table. The processor 220 may execute a task (task, process, function) according to an input event or a predefined schedule.

720 동작에서, 프로세서(220)는 작업 부하율을 모니터링할 수 있다. 프로세서(220)는 사전 정의된 스케줄링에 따라 작업 부하율을 측정할 수 있다. 작업 부하율은 작업 실행에 따른 연산량일 수 있다. 작업 부하율을 시스템 작업 부하율 또는 모듈 작업 부하율로 지칭될 수도 있다. In operation 720 , the processor 220 may monitor the workload rate. The processor 220 may measure a workload rate according to a predefined scheduling. The workload rate may be a computational amount according to the execution of the job. The workload ratio may also be referred to as a system workload ratio or a module workload ratio.

프로세서(220)는 모듈에 포함된 특정 도메인 별로 작업 부하율을 모니터링할 수 있다. 프로세서(220)는 작업 부하율을 기준으로 DFVS 정책을 변경할 도메인을 확인할 수 있다. The processor 220 may monitor the workload rate for each specific domain included in the module. The processor 220 may identify a domain in which to change the DFVS policy based on the workload rate.

730 동작에서, 프로세서(220)는 작업 부하율이 현재 레벨에서 설정된 임계값을 만족하는지를 확인하고, 확인된 특정 도메인을 다른 레벨의 클럭 주파수 및 동작 전압으로 변경해야 하는지를 결정할 수 있다. In operation 730 , the processor 220 may determine whether the workload rate satisfies a threshold set at the current level, and determine whether the identified specific domain should be changed to a clock frequency and operating voltage of another level.

프로세서(220)는 특정 도메인과 관련된 작업 부하율이 현재 레벨에서 설정된 임계값보다 큰 경우, 현재 레벨보다 낮은 레벨의 동작 주파수 및 동작 전압으로 결정하고, 작업 부하율이 현재 레벨에서 설정된 임계값보다 작은 경우, 높은 레벨의 동작 주파수 및 동작 전압으로 결정할 수 있다. When the workload rate related to the specific domain is greater than the threshold value set at the current level, the processor 220 determines the operating frequency and operating voltage of the lower level than the current level, and when the workload rate is smaller than the threshold value set at the current level, It can be determined with a high level of operating frequency and operating voltage.

예를 들어, 특정 도메인(예: 빅 코어)이 2.7Ghz로 동작하는 동안, 프로세서(220)는 빅 코어에 대한 작업 부하율을 기준으로 다른 레벨의 동작 주파수 및 동작 전압을 변경(DFVS 정책 변경)하는 것으로 결정할 수 있다. For example, while a specific domain (eg, big core) operates at 2.7 Ghz, the processor 220 changes the operating frequency and operating voltage of different levels based on the workload rate for the big core (DFVS policy change). it can be decided that

740 동작에서, 프로세서(220)는 DFVS 정책 변경으로 결정된 것에 반응하여, 특정 도메인의 현재 온도를 측정할 수 있다. In operation 740 , the processor 220 may measure a current temperature of a specific domain in response to the determination of the DFVS policy change.

예를 들어, 프로세서(220)는 빅 코어의 현재 온도를 측정할 수 있다. For example, the processor 220 may measure the current temperature of the big core.

750 동작에서, 프로세서(220)는 온도 적용 DFVS 테이블을 기반으로 특정 도메인에서 현재 레벨에 기록된 온도를 확인할 수 있다. In operation 750 , the processor 220 may check the temperature recorded in the current level in the specific domain based on the temperature application DFVS table.

예를 들어, 프로세서(220)는 <4002>에 도시된 바와 같이, 온도 적용 DFVS 테이블에서 빅 코어와 관련하여 제1 레벨(예: 2.7Ghz, 1.5V)의 허용 온도(예: 70도)가 기록된 것을 확인할 수 있다. For example, as shown in <4002>, the processor 220 has an allowable temperature (eg, 70 degrees) of the first level (eg, 2.7Ghz, 1.5V) in relation to the big core in the temperature application DFVS table. recorded can be checked.

760 동작에서, 프로세서(220)는 현재 측정된 온도보다 기록된 온도가 높은지를 결정할 수 있다. 780 동작에서, 프로세서(220)는 현재 측정된 온도보다 기록된 온도가 높은 것에 반응하여 DFVS 정책을 변경하지 않고 현재 레벨의 클럭 주파수 및 전압을 유지할 수 있다. In operation 760 , the processor 220 may determine whether the recorded temperature is higher than the currently measured temperature. In operation 780 , the processor 220 may maintain the current level of the clock frequency and voltage without changing the DFVS policy in response to the recorded temperature being higher than the currently measured temperature.

예를 들어, 온도 적용 DFVS 테이블에서 제1 레벨에서 빅 코어의 기록된 온도는 70도에 해당되므로, 빅 코어는 제1 레벨을 기준으로 70도까지 동작 가능한 특성을 가지고 있을 수 있다. 프로세서(220)는 작업 부하율에 따라 빅 코어의 DFVS 정책을 변경하는 것으로 결정하더라도 빅 코어의 현재 온도가 65도에 해당되므로 DFVS 정책을 변경하지 않더라도 성능 저하를 발생시키지 않을 수 있다. For example, since the recorded temperature of the big core in the first level in the temperature application DFVS table corresponds to 70 degrees, the big core may have a characteristic that can operate up to 70 degrees based on the first level. Even if the processor 220 determines to change the DFVS policy of the big core according to the workload rate, since the current temperature of the big core corresponds to 65 degrees, performance degradation may not occur even if the DFVS policy is not changed.

780 동작에서, 프로세서(220)는 현재 측정된 온도보다 기록된 온도가 낮은 것에 반응하여 특정 도메인의 DFVS 정책을 변경하여 다른 레벨의 클럭주파수 및 전압으로 동작하도록 제어할 수 있다. In operation 780 , the processor 220 may change the DFVS policy of a specific domain in response to the recorded temperature being lower than the currently measured temperature to control operation at different clock frequencies and voltages.

다양한 실시 예에 따르면, 시스템 온 칩을 포함하는 전자 장치(101)의 커스터마이즈 온도 보상 방법에 있어서, 복 수개의 시스템 온 칩에 대응하여 DVFS (dynamic voltage and frequency scaling)테이블(예: 도 2의 온도 매핑 DVFS 테이블(221))을 획득하는 동작, 각 시스템 온 칩에 포함된 어느 하나의 도메인을 상기 DVFS 테이블에 기록된 제1 레벨의 클럭 주파수 및 전압으로 설정하는 동작, 제1 온도 환경에서 상기 도메인을 통해 테스트 동작을 수행하는 동작; 상기 테스트 동작이 성공한 것에 반응하여 상기 제1 온도 환경에서 제2 온도 환경으로 증가한 후, 상기 테스트 동작을 재수행하고, 테스트 동작이 실패할 때까지 온도 증가 및 테스트 동작의 수행을 반복하는 동작, 상기 제1 테스트 동작이 실패한 것에 반응하여 상기 도메인과 관련하여 제1 레벨에서 동작이 가능한 허용 온도를 기록하는 동작, 도메인 별로 동작 레벨 마다 허용 온도를 기록하여 온도 매핑 DVFS 테이블을 생성하는 동작, 상기 온도 매핑 DVFS 테이블을 통해 온도 보상의 기준 온도를 변경하는 동작, 및 상기 DVFS 정책 변경 시에, 상기 변경된 기준 온도 및 상기 시스템 온 칩의 측정 온도를 비교하여 DVFS 정책의 변경 여부를 결정하는 동작을 포함하고, 상기 온도 매핑 DVFS 테이블은, 시스템 온 칩 별로 온도 적합성 테스트를 통해 다르게 작성된 것을 특징으로 할 수 있다. According to various embodiments of the present disclosure, in a method for compensating for a customized temperature of the electronic device 101 including a system-on-chip, a dynamic voltage and frequency scaling (DVFS) table (eg, the temperature of FIG. 2 ) corresponding to a plurality of system-on-chips is provided. the operation of obtaining the mapping DVFS table 221), the operation of setting any one domain included in each system-on-chip to the clock frequency and voltage of the first level recorded in the DVFS table, and the operation of the domain in a first temperature environment the operation of performing a test operation through ; After increasing from the first temperature environment to the second temperature environment in response to the success of the test operation, re-performing the test operation, and repeating the temperature increase and the execution of the test operation until the test operation fails; 1 In response to the failure of the test operation, the operation of recording the allowable temperature that can be operated at the first level in relation to the domain, the operation of recording the allowable temperature for each operation level for each domain and creating a temperature mapping DVFS table, the temperature mapping DVFS changing a reference temperature for temperature compensation through a table, and determining whether to change the DVFS policy by comparing the changed reference temperature with the measured temperature of the system-on-chip when the DVFS policy is changed, The temperature mapping DVFS table may be characterized in that it is written differently through a temperature compatibility test for each system-on-chip.

다양한 실시예에 따르면, 상기 테스트 동작을 수행하는 동작은, 압축 테스트(Zip), 압축 해제 테스트(Unzip) 또는 램오버 안정화 테스트(memtes) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. According to various embodiments, the operation of performing the test operation may include at least one of a compression test (Zip), a decompression test (Unzip), and a RAM over stability test (memtes).

다양한 실시예에 따르면, 상기 온도 매핑 DVFS 테이블을 생성하는 동작은, 상기 온도 매핑 DVFS 테이블에 기록된 허용 온도를 기반으로 온도 보상 정책을 위해 커스터마이즈된 기준 온도를 결정하는 동작; 및 상기 온도 보상 정책과 관련하여, 상기 커스터마이즈된 기준 온도를 기반으로 커스터마이즈된 온도 보상 정책으로 설정하는 동작을 더 포함할 수 있다. According to various embodiments, the generating of the temperature mapping DVFS table may include: determining a customized reference temperature for a temperature compensation policy based on an allowable temperature recorded in the temperature mapping DVFS table; and in relation to the temperature compensation policy, setting a customized temperature compensation policy based on the customized reference temperature.

다양한 실시예에 따르면, 상기 커스터마이즈된 온도 보상 정책으로 설정하는 동작은, 클럭 주파수 감소 기준을 나타내는 제1 임계 온도 및 동작 오프의 기준을 나타내는 제2 임계 온도를 설정하는 동작을 더 포함할 수 있다. According to various embodiments, the setting of the customized temperature compensation policy may further include setting a first threshold temperature indicating a clock frequency reduction criterion and a second threshold temperature indicating an operation-off criterion.

다양한 실시예에 따르면, 상기 DVFS 정책의 변경 여부를 결정하는 동작은, 시스템 온 칩의 작업 부하율을 모니터링하는 동작; 상기 작업 부하율에 기반하여 다른 레벨의 DFVS 정책으로 변경해야 하는 결정에 반응하여, 상기 DFVS 정책을 변경할 제1 도메인의 온도를 측정하는 동작; 상기 제1 도메인과 관련하여 상기 온도 매핑 DFVS 테이블을 통해 현재 레벨에 기록된 온도를 확인하고 동작; 상기 측정된 현재 온도보다 기록된 온도가 높은 것에 반응하여 상기 제1 도메인과 관련하여 다른 레벨로 DFVS 정책을 변경하는 동작; 및 상기 측정된 현재 온도보다 기록된 온도가 낮은 것에 반응하여 상기 제1 도메인의 현재 레벨에 대한 DFVS 정책을 유지는 동작을 더 포함할 수 있다. According to various embodiments, the determining whether to change the DVFS policy may include: monitoring a system-on-chip workload rate; measuring a temperature of a first domain to change the DFVS policy in response to a decision to change to a DFVS policy of a different level based on the workload rate; checking and operating a temperature recorded in a current level through the temperature mapping DFVS table in relation to the first domain; changing the DFVS policy to a different level with respect to the first domain in response to the recorded temperature being higher than the measured current temperature; and maintaining the DFVS policy for the current level of the first domain in response to the recorded temperature being lower than the measured current temperature.

본 문서의 다양한 실시예들에서 사용된 용어 "모듈"은 하드웨어, 소프트웨어 또는 펌웨어로 구현된 유닛을 포함할 수 있으며, 예를 들면, 로직, 논리 블록, 부품, 또는 회로와 같은 용어와 상호 호환적으로 사용될 수 있다. 모듈은, 일체로 구성된 부품 또는 하나 또는 그 이상의 기능을 수행하는, 상기 부품의 최소 단위 또는 그 일부가 될 수 있다. 예를 들면, 일 실시예에 따르면, 모듈은 ASIC(application-specific integrated circuit)의 형태로 구현될 수 있다. The term “module” used in various embodiments of this document may include a unit implemented in hardware, software, or firmware, and is interchangeable with terms such as, for example, logic, logic block, component, or circuit. can be used as A module may be an integrally formed part or a minimum unit or a part of the part that performs one or more functions. For example, according to an embodiment, the module may be implemented in the form of an application-specific integrated circuit (ASIC).

본 문서의 다양한 실시예들은 기기(machine)(예: 전자 장치(101)) 의해 읽을 수 있는 저장 매체(storage medium)(예: 내장 메모리(136) 또는 외장 메모리(138))에 저장된 하나 이상의 명령어들을 포함하는 소프트웨어(예: 프로그램(140))로서 구현될 수 있다. 예를 들면, 기기(예: 전자 장치(101))의 프로세서(예: 프로세서(120))는, 저장 매체로부터 저장된 하나 이상의 명령어들 중 적어도 하나의 명령을 호출하고, 그것을 실행할 수 있다. 이것은 기기가 상기 호출된 적어도 하나의 명령어에 따라 적어도 하나의 기능을 수행하도록 운영되는 것을 가능하게 한다. 상기 하나 이상의 명령어들은 컴파일러에 의해 생성된 코드 또는 인터프리터에 의해 실행될 수 있는 코드를 포함할 수 있다. 기기로 읽을 수 있는 저장 매체는, 비일시적(non-transitory) 저장 매체의 형태로 제공될 수 있다. 여기서, '비일시적'은 저장 매체가 실재(tangible)하는 장치이고, 신호(signal)(예: 전자기파)를 포함하지 않는다는 것을 의미할 뿐이며, 이 용어는 데이터가 저장 매체에 반영구적으로 저장되는 경우와 임시적으로 저장되는 경우를 구분하지 않는다.Various embodiments of the present document include one or more instructions stored in a storage medium (eg, internal memory 136 or external memory 138) readable by a machine (eg, electronic device 101). may be implemented as software (eg, the program 140) including For example, the processor (eg, the processor 120 ) of the device (eg, the electronic device 101 ) may call at least one of the one or more instructions stored from the storage medium and execute it. This makes it possible for the device to be operated to perform at least one function according to the called at least one command. The one or more instructions may include code generated by a compiler or code executable by an interpreter. The device-readable storage medium may be provided in the form of a non-transitory storage medium. Here, 'non-transitory' only means that the storage medium is a tangible device and does not contain a signal (eg, electromagnetic wave), and this term refers to the case where data is semi-permanently stored in the storage medium and It does not distinguish between temporary storage cases.

일 실시예에 따르면, 본 문서에 개시된 다양한 실시예들에 따른 방법은 컴퓨터 프로그램 제품(computer program product)에 포함되어 제공될 수 있다. 컴퓨터 프로그램 제품은 상품으로서 판매자 및 구매자 간에 거래될 수 있다. 컴퓨터 프로그램 제품은 기기로 읽을 수 있는 저장 매체(예: compact disc read only memory(CD-ROM))의 형태로 배포되거나, 또는 어플리케이션 스토어(예: 플레이 스토어^TM)를 통해 또는 두 개의 사용자 장치들(예: 스마트 폰들) 간에 직접, 온라인으로 배포(예: 다운로드 또는 업로드)될 수 있다. 온라인 배포의 경우에, 컴퓨터 프로그램 제품의 적어도 일부는 제조사의 서버, 어플리케이션 스토어의 서버, 또는 중계 서버의 메모리와 같은 기기로 읽을 수 있는 저장 매체에 적어도 일시 저장되거나, 임시적으로 생성될 수 있다\According to one embodiment, the method according to various embodiments disclosed in this document may be provided in a computer program product (computer program product). Computer program products may be traded between sellers and buyers as commodities. The computer program product is distributed in the form of a machine-readable storage medium (eg compact disc read only memory (CD-ROM)), or via an application store (eg Play Store ^TM ) or on two user devices ( It can be distributed (eg downloaded or uploaded) directly, online between smartphones (eg: smartphones). In the case of online distribution, at least a portion of the computer program product may be temporarily stored or temporarily created in a machine-readable storage medium such as a memory of a server of a manufacturer, a server of an application store, or a memory of a relay server.

다양한 실시예들에 따르면, 상기 기술한 구성요소들의 각각의 구성요소(예: 모듈 또는 프로그램)는 단수 또는 복수의 개체를 포함할 수 있으며, 복수의 개체 중 일부는 다른 구성요소에 분리 배치될 수도 있다. 다양한 실시예들에 따르면, 전술한 해당 구성요소들 중 하나 이상의 구성요소들 또는 동작들이 생략되거나, 또는 하나 이상의 다른 구성요소들 또는 동작들이 추가될 수 있다. 대체적으로 또는 추가적으로, 복수의 구성요소들(예: 모듈 또는 프로그램)은 하나의 구성요소로 통합될 수 있다. 이런 경우, 통합된 구성요소는 상기 복수의 구성요소들 각각의 구성요소의 하나 이상의 기능들을 상기 통합 이전에 상기 복수의 구성요소들 중 해당 구성요소에 의해 수행되는 것과 동일 또는 유사하게 수행할 수 있다. 다양한 실시예들에 따르면, 모듈, 프로그램 또는 다른 구성요소에 의해 수행되는 동작들은 순차적으로, 병렬적으로, 반복적으로, 또는 휴리스틱하게 실행되거나, 상기 동작들 중 하나 이상이 다른 순서로 실행되거나, 생략되거나, 또는 하나 이상의 다른 동작들이 추가될 수 있다.According to various embodiments, each component (eg, a module or a program) of the above-described components may include a singular or a plurality of entities, and some of the plurality of entities may be separately disposed in other components. have. According to various embodiments, one or more components or operations among the above-described corresponding components may be omitted, or one or more other components or operations may be added. Alternatively or additionally, a plurality of components (eg, a module or a program) may be integrated into one component. In this case, the integrated component may perform one or more functions of each component of the plurality of components identically or similarly to those performed by the corresponding component among the plurality of components prior to the integration. . According to various embodiments, operations performed by a module, program, or other component are executed sequentially, in parallel, repeatedly, or heuristically, or one or more of the operations are executed in a different order, or omitted. , or one or more other operations may be added.

101: 전자 장치
120,220: 프로세서
211: DVFS 제어 모듈
215: 온도 측정 모듈101: electronic device
120,220: processor
211: DVFS control module
215: temperature measurement module

Claims

In an electronic device,
system-on-chip (SoC);
Memory; and
a processor functionally connected to the system-on-chip and memory, wherein the memory stores a temperature mapping dynamic voltage and frequency scaling (DVFS) table in which temperatures are recorded for each domain included in the system-on-chip;
The processor is
Based on the temperature included in the DVFS (dynamic voltage and frequency scaling) table set in response to the system-on-chip, the reference temperature of temperature compensation is reset and changed to a customized temperature compensation policy,
an electronic device configured to determine whether to change the DVFS policy by comparing a current system temperature with a recorded temperature included in the DVFS table when the DVFS policy is changed based on the workload rate of the system on chip.

According to claim 1,
The processor is
Check the default temperature compensation policy applied to the electronic device,
an electronic device configured to reset a reference temperature of the temperature compensation and change the default temperature compensation policy to the customized temperature compensation policy in response to the temperature field being recorded in the DVFS table.

According to claim 1,
The temperature mapping DVFS (dynamic voltage and frequency scaling) table is an electronic device, characterized in that it is written differently through a temperature suitability test for each system-on-chip;

According to claim 1,
The domain is
An electronic device including at least one of a little core, a big core, a middle core, a memory interface, a bus interface, and a graphics processing core.

According to claim 1,
The processor is
As the reference temperature of the temperature compensation,
The electronic device is configured to determine a first threshold temperature indicating a clock frequency reduction criterion of the system-on-chip and a second threshold temperature indicating an operation-off criterion.

According to claim 1,
The processor is
monitoring the workload rate of the system-on-a-chip;
an electronic device configured to identify a first domain in which the workload rate satisfies a set threshold, and determine whether to change the DFVS policy to a different level of clock frequency and operating voltage in relation to the first domain according to the workload rate .

7. The method of claim 6,
The processor is
If it is determined that the DFVS policy of the first domain is changed based on the workload rate, measure the temperature of the first domain;
Check the temperature recorded in the current level through the temperature mapping DFVS table in relation to the first domain,
change the DFVS policy to a different level with respect to the first domain in response to the recorded temperature being higher than the measured current temperature;
The electronic device configured to maintain a DFVS policy for a current level of the first domain in response to a recorded temperature being lower than the measured current temperature.

According to claim 1,
The processor is
setting at least one domain included in the system-on-chip to a clock frequency and voltage of a first level recorded in the temperature mapping DVFS table;
performing a test operation through the domain in a first temperature environment;
After the test operation is increased from the first temperature environment to the second temperature environment in response to the success of the test operation, the test operation is performed again, and the temperature environment increase and the test operation are repeated until the test operation fails,
record an allowable temperature operable at the first level with respect to the domain in response to the failure of the first test operation;
An electronic device configured to generate the temperature mapping DVFS table by recording an allowable temperature for each operation level for each domain.

9. The method of claim 8,
The processor is
an electronic device configured to change a temperature compensation policy related to the DVFS policy based on the temperature mapping DVFS table.

A method for customizing temperature compensation for an electronic device including a system-on-chip, the method comprising:
acquiring a dynamic voltage and frequency scaling (DVFS) table corresponding to a plurality of system-on-chips;
setting any one domain included in each system-on-chip to the clock frequency and voltage of the first level recorded in the DVFS table;
performing a test operation through the domain in a first temperature environment;
after increasing from the first temperature environment to the second temperature environment in response to the success of the test operation, re-performing the test operation, and repeating the temperature increase and the execution of the test operation until the test operation fails;
recording an allowable temperature for operation at a first level with respect to the domain in response to the failure of the first test operation;
generating a temperature mapping DVFS table by recording the allowable temperature for each operation level for each domain;
changing a reference temperature of temperature compensation through the temperature mapping DVFS table; and
determining whether to change the DVFS policy by comparing the changed reference temperature and the measured temperature of the system-on-chip when the DVFS policy is changed;
The method according to claim 1, wherein the temperature mapping DVFS table is written differently through a temperature compatibility test for each system-on-chip.

11. The method of claim 10,
The domain is
A method comprising at least one of a little core, a big core, a middle core, a memory interface, a bus interface and a graphics processing core.

11. The method of claim 10,
The operation of performing the test operation is,
A method that includes at least one of a compression test (Zip), a decompression test (Unzip), or a ramover stabilization test (memtes).

11. The method of claim 10,
The operation of creating the temperature mapping DVFS table comprises:
determining a customized reference temperature for a temperature compensation policy based on the allowable temperature recorded in the temperature mapping DVFS table; and
In relation to the temperature compensation policy, the method further comprising: setting a customized temperature compensation policy based on the customized reference temperature.

11. The method of claim 10,
The operation of setting the customized temperature compensation policy is,
The method further comprising the act of setting a first threshold temperature indicative of a clock frequency reduction criterion and a second threshold temperature indicative of a criterion of operation off.

11. The method of claim 10,
The operation of determining whether to change the DVFS policy is,
monitoring the workload rate of the system-on-a-chip;
measuring a temperature of a first domain to change the DFVS policy in response to a decision to change to a DFVS policy of a different level based on the workload rate;
checking the temperature recorded in the current level through the temperature mapping DFVS table in relation to the first domain;
changing the DFVS policy to a different level with respect to the first domain in response to the recorded temperature being higher than the measured current temperature; and
and maintaining a DFVS policy for the current level of the first domain in response to the recorded temperature being lower than the measured current temperature.