KR20220121399A - Phase Shift Blankmask and Photomask for EUV lithography - Google Patents

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KR20220121399A
KR20220121399A KR1020210025384A KR20210025384A KR20220121399A KR 20220121399 A KR20220121399 A KR 20220121399A KR 1020210025384 A KR1020210025384 A KR 1020210025384A KR 20210025384 A KR20210025384 A KR 20210025384A KR 20220121399 A KR20220121399 A KR 20220121399A
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김용대
양철규
박민광
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주식회사 에스앤에스텍
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Abstract

A blank mask for EUV lithography comprises: a reflective film formed on a substrate; and a phase shift film formed on the reflective film, wherein the phase shift film is formed of a material including tantalum (Ta) and niobium (Nb). A phase shift blank mask for Euv lithography with the phase shift film having a reflectance of 5 to 20% and a phase shift amount of 170 to 230° can be manufactured.

Description

극자외선 리소그래피용 위상반전 블랭크마스크 및 포토마스크 {Phase Shift Blankmask and Photomask for EUV lithography}Phase Shift Blankmask and Photomask for EUV lithography

본 발명은 블랭크마스크(Phase shift Blankmask) 및 포토마스크(Photomask)에 관한 것으로서, Wafer Printing 시 우수한 해상도(Resolution) 구현을 위하여 EUV 노광광에 대해 위상을 반전시키는 위상반전막을 구비한 극자외선 리소그래피용 위상반전 블랭크 마스크 및 이를 이용하여 제조되는 포토마스크에 관한 것이다.The present invention relates to a phase shift blankmask and a photomask, and a phase for extreme ultraviolet lithography having a phase shift film that reverses the phase with respect to EUV exposure light to realize excellent resolution during wafer printing. It relates to an inverted blank mask and a photomask manufactured using the same.

최근 반도체 제조를 위한 리소그래피 기술은 ArF, ArFi MP(Multiple) Lithography 에서 EUV Lithography 기술로의 발전이 이루어지고 있다. EUV Lithography 기술은 13.5nm 의 노광파장을 사용함으로써 해상도(Resolution) 향상 및 공정 단순화가 가능하여, 10nm 급 이하 반도체 소자 제조용으로 각광받고 있는 기술이다.Recently, lithography technology for semiconductor manufacturing is being developed from ArF and ArFi MP (Multiple) Lithography to EUV Lithography technology. EUV lithography technology uses an exposure wavelength of 13.5 nm to improve resolution and simplify the process, so it is a technology that is spotlighted for manufacturing semiconductor devices of 10 nm or less.

한편, EUV Lithography 기술에 있어서, EUV 광은 모든 물질에 대해 잘 흡수되고, 또한 이 파장에서 물질의 굴절률이 1에 가깝기 때문에, 기존의 KrF 또는 ArF 광을 사용한 포토 리소그래피와 같은 굴절 광학계를 사용할 수 없다. 이 때문에, EUV 리소그래피에서는 반사 광학계를 이용한 반사형 포토마스크가 사용된다.On the other hand, in EUV lithography technology, EUV light is well absorbed by all materials, and since the refractive index of the material at this wavelength is close to 1, a refractive optical system such as photolithography using KrF or ArF light cannot be used. . For this reason, in EUV lithography, a reflective photomask using a reflective optical system is used.

블랭크마스크는 상기 포토마스크의 원재료로서, 반사형 구조를 형성하기 위하여, 기판 상에 EUV 광을 반사하는 반사막, EUV 광을 흡수하는 흡수막의 2가지 박막을 포함하여 이루어진다. 포토마스크는 이러한 블랭크마스크의 흡수막을 패터닝함으로써 제작되며, 반사막의 반사율과 흡수막의 반사율의 명암비(Contrast) 차이를 이용하여 Wafer에 패턴을 형성하는 원리를 이용한다.The blank mask is a raw material of the photomask and includes two thin films, a reflective film for reflecting EUV light and an absorbing film for absorbing EUV light, on a substrate to form a reflective structure. The photomask is manufactured by patterning the absorption film of the blank mask, and uses the principle of forming a pattern on the wafer by using the difference in contrast between the reflectance of the reflective film and the reflectance of the absorbing film.

한편, 최근에는 10nm 급 이하, 즉 7nm 급 또는 5nm급 소자 나아가 3nm급 이하의 반도체 소자 제조를 위한 블랭크마스크 개발이 요구되고 있다. 그런데 5nm 급 이하, 예컨대 3nm 급의 공정에서는 현재의 바이너리 형태의 포토마스크를 이용할 경우 더블 패터닝 리소그래피(DPL : Double Pattering Lithography) 기술이 적용되어야만 하는 문제점을 가진다. 이에 따라, 상기와 같은 흡수막을 구비한 바이너리 형태의 블랭크마스크에 비하여 더욱 높은 해상도(Resolution)를 구현할 수 있는 위상반전 블랭크마스크의 개발이 시도되고 있다.On the other hand, in recent years, there is a demand for the development of a blank mask for manufacturing semiconductor devices of 10 nm or less, that is, 7 nm or less, or 5 nm or less, semiconductor devices of 3 nm or less. However, in a process of 5 nm or less, for example, 3 nm, when using a current binary photomask, there is a problem in that double patterning lithography (DPL) technology must be applied. Accordingly, attempts have been made to develop a phase inversion blank mask capable of realizing a higher resolution than the binary blank mask having the absorption film as described above.

도 1 은 극자외선 리소그래피용 위상반전 블랭크마스크의 기본 구조를 도시한 도면이다. 극자외선 리소그래피용 위상반전 블랭크마스크는, 기판(102), 기판(102)상에 적층된 반사막(104), 반사막(104) 위에 형성된 위상반전막(108), 및 위상반전막(108) 위에 형성된 레지스트막(110)을 포함하여 구성된다.1 is a view showing the basic structure of a phase inversion blank mask for extreme ultraviolet lithography. A phase shift blank mask for extreme ultraviolet lithography includes a substrate 102 , a reflective film 104 laminated on the substrate 102 , a phase shift film 108 formed on the reflective film 104 , and a phase shift film 108 formed on the and a resist film 110 .

상기와 같은 EUV 리소그래피용 위상반전 블랭크마스크에서, 위상반전막(108)은 일반적으로 포토마스크 제작이 용이하고, Wafer Printing 시 Performance가 우수한 재료를 이용하여 제작되는 것이 바람직하다. 예를 들어, 위상반전막 물질로서 루테늄(Ru)계 물질을 사용할 수 있다. 루테늄(Ru)계 물질은 13.5nm 파장에서 낮은 굴절률(Low n) 및 낮은 소멸계수(Low k)를 가지기 때문에, 두께 박막화가 가능하면서도 높은 반사율 및 위상량 구현이 가능하다. 그러나 13.5nm 에서의 높은 반사율은 Wafer Printing 시 원하지 않는 위치가 노광되는 현상, 즉 사이드로브(Side-lobe) 현상을 발생시켜 사용하기 어려운 문제점을 가진다. 이를 위해서는 추가적으로 흡수막 등을 포함하는 구조가 필요하다.In the phase shift blank mask for EUV lithography as described above, the phase shift film 108 is generally easy to manufacture a photomask and is preferably manufactured using a material having excellent performance during wafer printing. For example, a ruthenium (Ru)-based material may be used as the phase shift film material. Since the ruthenium (Ru)-based material has a low refractive index (Low n) and a low extinction coefficient (Low k) at a wavelength of 13.5 nm, it is possible to reduce the thickness and realize high reflectivity and phase amount. However, the high reflectivity at 13.5nm has a problem in that it is difficult to use because an unwanted position is exposed during wafer printing, that is, a side-lobe phenomenon occurs. For this, a structure including an absorption film and the like is additionally required.

한편, 기존의 탄탈륨(Ta)계 물질은 상대적으로 높은 굴절률(High n) 및 높은 소멸계수(High k)를 가져 소정의 반사율 및 위상량 구현이 어려운 문제점을 가진다. 구체적으로, 탄탈륨(Ta)계 물질은 두께 제어(일반적으로 55~65nm)를 통해 180° 가량의 위상량을 구현할 수 있지만, 반사막에 대한 상대반사율이 5% 미만으로 낮아 위상반전막으로서 높은 Wafer Printing 효과를 가지기 어렵다.Meanwhile, the conventional tantalum (Ta)-based material has a relatively high refractive index (High n) and a high extinction coefficient (High k), so it is difficult to implement a predetermined reflectance and phase amount. Specifically, a tantalum (Ta)-based material can realize a phase amount of about 180° through thickness control (generally 55 to 65 nm), but the relative reflectivity to the reflective film is less than 5%, so it is a high wafer printing film. It is difficult to have an effect.

한편, 위상반전막(108)은 식각 시 패턴 정확도(Fidelity)를 우수하게 하기 위하여 비정질 형태로 구성되는 것이 바람직하다.Meanwhile, the phase shift layer 108 is preferably formed in an amorphous form in order to improve pattern fidelity during etching.

또한, 위상반전막(108)은 낮은 박막 스트레스(Stress)를 가지는 것이 필요하다. 일반적으로 박막의 스트레스는 평탄도 변화(△TIR : Total indicated reading)로 표기된다. 박막의 패턴 형성 과정에서 박막 스트레스의 풀림(Release) 현상은 패턴 정렬도(Registration)의 변화를 발생시킨다. 이러한 문제점은 패턴 크기 및 밀도에 따라 다르게 발생하는데, 이를 효과적으로 제어하기 위해서는 박막이 낮은 스트레스를 갖도록 하는 것이 필요하다.In addition, the phase shift film 108 needs to have a low thin film stress. In general, the stress of the thin film is expressed as a change in flatness (ΔTIR: Total indicated reading). In the process of forming a pattern of a thin film, a release phenomenon of thin film stress causes a change in pattern registration. These problems occur differently depending on the pattern size and density, and in order to effectively control them, it is necessary to make the thin film have low stress.

또한, 위상반전막(108)은 낮은 표면 거칠기(Surface Roughness)를 가지는 것이 필요하다. 기존의 바이너리형 블랭크마스크의 경우 노광광에 대하여 반사율이 낮아 상대적으로 표면 거칠기에 의한 난반사 영향이 미미하지만, 위상반전막은 5% 이상의 반사율이 요구됨에 따라, 그 영향이 커지게 된다. 예를 들어 위상반전막의 표면 거칠기(Surface Roughness)가 높아지면 노광광의 난반사에 의한 반사율 감소 또는 반사광의 플레어(Flare) 현상에 의해 Contrast 감소가 발생할 수 있고, Wafer PR 패턴의 LER(Line Edge Roughness) 및 LWR(Line Width Roughness)가 나빠지는 문제점이 있다.In addition, the phase shift layer 108 needs to have a low surface roughness. In the case of the conventional binary blank mask, the reflectivity to exposure light is low, so the effect of diffuse reflection due to the surface roughness is relatively insignificant. For example, if the surface roughness of the phase shift film increases, the contrast may decrease due to a decrease in reflectance due to diffuse reflection of exposure light or a flare phenomenon of reflected light, and LER (Line Edge Roughness) and There is a problem in that the Line Width Roughness (LWR) deteriorates.

본 발명은 상기의 문제점을 해결하고자 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은 사이드로브(side-lobe) 현상이 발생하지 않으면서도 위상반전막에 대해 요구되는 반사율과 위상반전량을 충족시킬 수 있는 EUV 리소그래피용 위상반전 블랭크마스크를 제공하는 것이다.The present invention has been devised to solve the above problems, and an object of the present invention is EUV lithography that can satisfy the reflectance and phase shift required for the phase shift film without side-lobe phenomenon occurring. To provide a phase inversion blank mask for

본 발명의 다른 목적은, 위상반전막의 표면 거칠기 제어를 통해 Wafer Printing 시 Contrast, LER, LWR 등의 특성을 우수하게 할 수 있는 고품질의 EUV 리소그래피용 위상반전 블랭크마스크를 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a high quality phase shift blank mask for EUV lithography that can improve characteristics such as contrast, LER, and LWR during wafer printing by controlling the surface roughness of the phase shift film.

본 발명에 따른 EUV 리소그래피용 블랭크마스크는, 기판, 상기 기판 상에 형성된 반사막, 상기 반사막 상에 형성된 위상반전막을 포함하며, 상기 위상반전막은 탄탈륨(Ta) 및 니우븀(Nb)을 포함하는 물질로 형성되는 것을 특징으로 한다.The blank mask for EUV lithography according to the present invention includes a substrate, a reflective film formed on the substrate, and a phase shift film formed on the reflective film, wherein the phase shift film is a material containing tantalum (Ta) and niobium (Nb). characterized in that it is formed.

상기 위상반전막의 탄탈륨(Ta)의 함유량은 30~70at% 인 것이 바람직하다.The content of tantalum (Ta) in the phase shift film is preferably 30 to 70 at%.

상기 위상반전막은 몰리브데늄(Mo), 루테늄(Ru), 실리콘(Si), 보론(B), 및 티타늄(Ti) 중 하나 이상을 추가로 포함하는 물질로 형성될 수 있다. 상기 위상반전막의 보론(B)의 함유량은 하방으로 갈수록 증가하는 것이 바람직하다.The phase shift layer may be formed of a material further including at least one of molybdenum (Mo), ruthenium (Ru), silicon (Si), boron (B), and titanium (Ti). It is preferable that the content of boron (B) in the phase shift film increases downward.

상기 위상반전막은 질소(N)를 추가로 포함하는 물질로 형성될 수 있다. 상기 위상반전막의 질소(N)의 함유량은 1~30at% 인 것이 바람직하다. 상기 위상반전막의 질소(N)의 함유량은 하방으로 갈수록 감소하는 것이 바람직하다.The phase shift layer may be formed of a material further containing nitrogen (N). The content of nitrogen (N) in the phase shift film is preferably 1 to 30 at%. It is preferable that the nitrogen (N) content of the phase shift film decreases toward the bottom.

상기 위상반전막은 산소(O)를 추가로 포함하는 물질로 형성될 수 있다. 상기 위상반전막은 2층 이상의 다층 구조를 가질 수 있다. 이때 상기 위상반전막의 최상부층은 산소(O)를 추가로 포함하는 물질로 형성되고 상기 최상부층 아래의 하부층은 산소(O)를 포함하지 않는 물질로 형성되는 것이 바람직하다.The phase shift layer may be formed of a material further containing oxygen (O). The phase shift film may have a multilayer structure of two or more layers. In this case, it is preferable that the uppermost layer of the phase shift film is formed of a material additionally containing oxygen (O), and the lower layer under the uppermost layer is formed of a material not containing oxygen (O).

상기 최상부층의 산소(O) 함유량은 1~40at% 이다. 상기 최상부층은 질소(N)를 더 포함하는 물질로 형성될 수 있다. 상기 최상부층의 질소(N)와 산소(O)의 합계 함유량은 1~40at% 이다.The oxygen (O) content of the uppermost layer is 1 to 40 at%. The uppermost layer may be formed of a material further containing nitrogen (N). The total content of nitrogen (N) and oxygen (O) in the uppermost layer is 1 to 40 at%.

상기 하부층은 질소(N)를 더 포함하는 물질로 형성될 수 있다. 상기 하부층의 질소(N)의 함유량은 1~40at% 이다.The lower layer may be formed of a material further containing nitrogen (N). The content of nitrogen (N) in the lower layer is 1 to 40 at%.

상기 최상부층은 2~10nm 의 두께를 갖는다. 상기 하부층은 45~60nm 의 두께를 갖는다.The top layer has a thickness of 2 to 10 nm. The lower layer has a thickness of 45 to 60 nm.

본 발명의 블랭크마스크는 상기 위상반전막상에 형성된 하드마스크막을 더 포함한다. 상기 하드마스크막은 크롬(Cr), 또는 크롬(Cr)에 탄소(C), 산소(O), 질소(N) 중 하나 이상을 포함하는 물질로 형성될 수 있다.The blank mask of the present invention further includes a hard mask film formed on the phase shift film. The hard mask layer may be formed of chromium (Cr) or a material including at least one of carbon (C), oxygen (O), and nitrogen (N) in chromium (Cr).

상기 위상반전막은 Ta : Nb = 30~60at% : 40~70at% 의 조성비를 갖는 스퍼터링 타겟을 이용하여 형성된다.The phase shift film is formed using a sputtering target having a composition ratio of Ta: Nb = 30 to 60 at%: 40 to 70 at%.

상기 위상반전막은 13.5nm 파장의 극자외선 노광광에 대한 반사율이 5~20% 이다. 상기 위상반전막은 170~230°의 위상반전량을 갖는다. 상기 위상반전막은 300nm 이하의 평탄도를 갖는다. 상기 위상반전막은 0.5nmRMS 이하의 거칠기를 갖는다.The phase shift film has a reflectance of 5 to 20% with respect to extreme ultraviolet exposure light having a wavelength of 13.5 nm. The phase shift film has a phase shift amount of 170 to 230°. The phase shift layer has a flatness of 300 nm or less. The phase shift film has a roughness of 0.5 nmRMS or less.

본 발명의 다른 측면에 의하면, 상기와 같은 구성을 갖는 블랭크마스크를 이용하여 제작된 포토마스크가 제공된다.According to another aspect of the present invention, there is provided a photomask manufactured using the blank mask having the above configuration.

본 발명에 따르면, 5~20% 의 상대반사율(하부의 반사막의 반사율에 대비한 상대적인 반사율)을 가지고 170~230°의 위상반전량을 가지는 위상반전막을 구비한 극자외선 리소그래피용 위상반전 블랭크마스크가 제공된다. 또한 본 발명에 따르면, 위상반전막의 표면 거칠기가 0.5nmRMS 이하, 나아가 0.3nmRMS 이하인 극자외선 리소그래피용 위상반전 블랭크마스크가 제공된다.According to the present invention, a phase shift blank mask for extreme ultraviolet lithography having a phase shift film having a phase shift amount of 170 to 230° with a relative reflectance of 5 to 20% (relative reflectance compared to the reflectance of the lower reflective film) is is provided Further, according to the present invention, there is provided a phase shift blank mask for extreme ultraviolet lithography having a surface roughness of the phase shift film of 0.5 nmRMS or less, and further, 0.3 nmRMS or less.

또한 본 발명의 위상반전막은 식각 시 깊이 방향으로 식각속도가 동일하거나 더 빠른 어느 한 층을 구비함으로써, 패턴 프로파일이 우수하다는 장점이 있다.In addition, the phase shift film of the present invention has an advantage in that the pattern profile is excellent by having one layer having the same or faster etching rate in the depth direction during etching.

이러한 블랭크마스크를 이용하여 제작된 포토마스크를 이용하여, 최종적으로 7nm 이하의 패턴 제작 시 우수한 해상도(Resolution)을 얻을 수 있다.By using a photomask manufactured using such a blank mask, excellent resolution can be obtained when finally a pattern of 7 nm or less is manufactured.

도 1 은 종래의 극자외선 리소그래피용 위상반전 블랭크마스크의 기본 구조를 도시한 도면.
도 2 는 본 발명에 따른 극자외선 리소그래피용 위상반전 블랭크마스크를 도시한 도면.
도 3 은 본 발명의 블랭크마스크에서 위상반전막의 구체적인 구성의 실시예를 도시한 도면.1 is a view showing the basic structure of a conventional phase inversion blank mask for extreme ultraviolet lithography.
2 is a view showing a phase shift blank mask for extreme ultraviolet lithography according to the present invention.
3 is a view showing an embodiment of a specific configuration of a phase shift film in the blank mask of the present invention.

이하에서는 도면을 참조하여 본 발명을 보다 구체적으로 기술한다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to the drawings.

도 2 는 본 발명에 따른 극자외선 리소그래피용 위상반전 블랭크마스크를 도시한 도면이다.2 is a view showing a phase shift blank mask for extreme ultraviolet lithography according to the present invention.

본 발명에 따른 극자외선 리소그패리용 위상반전 블랭크마스크는, 기판(202), 기판(202)상에 적층된 반사막(204), 반사막(204) 위에 적층된 캡핑막(205), 캡핑막(205) 위에 적층된 위상반전막(208), 위상반전막(208) 위에 적층된 하드마스크막(209), 및 하드마스크막(209) 위에 적층된 레지스트막(210)을 구비한다. 또한 본 발명의 블랭크마스크는, 기판(202)의 후면에 형성된 도전막(201), 및 캡핑막(205)과 위상반전막(208) 사이에 형성된 식각저지막(207)을 추가적으로 구비할 수 있다. 또한, 위상반전막(208)과 레지스트막(210) 사이에는 흡수막(도시되지 않음)이 추가로 구비될 수 있다.The phase shift blank mask for extreme ultraviolet lithography parity according to the present invention includes a substrate 202, a reflective film 204 laminated on the substrate 202, a capping film 205 laminated on the reflective film 204, a capping film ( 205 ), a phase shift film 208 laminated on the phase shift film 208 , a hard mask film 209 laminated on the phase shift film 208 , and a resist film 210 laminated on the hard mask film 209 . In addition, the blank mask of the present invention may additionally include a conductive film 201 formed on the rear surface of the substrate 202 , and an etch stop film 207 formed between the capping film 205 and the phase shift film 208 . . In addition, an absorption film (not shown) may be additionally provided between the phase shift film 208 and the resist film 210 .

기판(202)은 EUV 노광광을 이용하는 반사형 블랭크마스크용 글래스 기판으로서 적합하도록 노광 시의 열에 의한 패턴의 변형 및 스트레스를 방지하기 위해 0±1.0×10-7/℃ 범위 내의 저 열팽창 계수를 가지며, 바람직하게는 0±0.3×10-7/℃ 범위 내의 저 열팽창 계수를 갖는 LTEM(Low Thermal Expansion Material) 기판으로 구성된다. 기판(202)의 소재로서는 SiO2-TiO2 계 유리, 다성분계 유리 세라믹 등을 이용할 수 있다.The substrate 202 has a low coefficient of thermal expansion within the range of 0±1.0×10 −7 /° C. in order to prevent deformation and stress of the pattern due to heat during exposure to be suitable as a glass substrate for a reflective blank mask using EUV exposure light. , preferably composed of a low thermal expansion material (LTM) substrate having a low coefficient of thermal expansion within the range of 0±0.3×10 −7 /°C. As a material of the substrate 202 , SiO 2 -TiO 2 glass, multi-component glass ceramic, or the like can be used.

기판(202)은 노광 시 반사광의 패턴 위치 에러(Pattern Position Error)를 제어하기 위하여 낮은 수치의 평탄도(Flatness)가 요구된다. 평탄도는 TIR(Total Indicated Reading) 값으로 표현되고, 기판(202)은 낮은 TIR 값을 갖는 것이 바람직하다. 기판(202)의 평탄도는 132mm2 영역 또는 142mm2 영역에서 100㎚ 이하, 바람직하게는 50㎚ 이하, 더욱 바람직하게는 30nm 이하이다.The substrate 202 requires a low level of flatness to control a pattern position error of reflected light during exposure. The flatness is expressed as a TIR (Total Indicated Reading) value, and the substrate 202 preferably has a low TIR value. The flatness of the substrate 202 is 100 nm or less, preferably 50 nm or less, and more preferably 30 nm or less in an area of 132 mm 2 or 142 mm 2 .

반사막(204)은 EUV 노광광을 반사하는 기능을 가지며, 각 층의 굴절률이 상이한 다층막 구조를 갖는다. 구체적으로는, 반사막(204)은 Mo 재질의 층과 Si 재질의 층을 교대로 40~60 층 적층하여 형성한다. 반사막(204)의 최상부층은 반사막(204)의 산화를 방지하기 위하여 Si 재질의 보호막으로 구성되는 것이 바람직하다.The reflective film 204 has a function of reflecting EUV exposure light, and has a multilayer structure in which the refractive index of each layer is different. Specifically, the reflective film 204 is formed by alternately stacking 40 to 60 layers of Mo and Si layers. The uppermost layer of the reflective film 204 is preferably formed of a Si protective film to prevent oxidation of the reflective film 204 .

반사막(204)은 이미지 감도(Image Contrast)를 좋게 하기 위하여 13.5㎚ 파장에 대한 높은 반사율이 요구되는데, 이러한 다층 반사막의 반사 강도(Reflection Intensity)는 노광광의 입사 각도 및 각 층의 두께에 따라 달라지게 된다. 예를 들어, 노광광의 입사 각도가 5~6˚일 경우, Mo 층 및 Si 층이 각각 2.8㎚, 4.2㎚의 두께로 형성되는 것이 바람직하다.The reflective film 204 is required to have high reflectivity with respect to a wavelength of 13.5 nm in order to improve image contrast, and the reflection intensity of such a multilayer reflective film varies depending on the incident angle of exposure light and the thickness of each layer. do. For example, when the incident angle of the exposure light is 5 to 6°, the Mo layer and the Si layer are preferably formed to have a thickness of 2.8 nm and 4.2 nm, respectively.

반사막(204)은 13.5㎚ 의 EUV 노광광에 대하여 60% 이상, 바람직하게는 64% 이상의 반사율을 갖는 것이 바람직하다.The reflective film 204 preferably has a reflectance of 60% or more, preferably 64% or more, with respect to the EUV exposure light of 13.5 nm.

반사막(204)의 표면 평탄도를 TIR(Total Indicated Reading)로 정의할 때 TIR 은 1,000㎚ 이하, 바람직하게는 500㎚ 이하, 더욱 바람직하게는 300㎚ 이하의 값을 갖는다. 반사막(204)의 표면 TIR 이 높은 경우 EUV 노광광이 반사되는 위치의 에러를 유발하며, 위치 에러가 클수록 패턴 위치 에러(Pattern Position Error)가 커진다.When the surface flatness of the reflective film 204 is defined as TIR (Total Indicated Reading), TIR has a value of 1,000 nm or less, preferably 500 nm or less, and more preferably 300 nm or less. When the surface TIR of the reflective film 204 is high, an error in the position where the EUV exposure light is reflected is caused, and the larger the position error, the greater the pattern position error.

반사막(204)은 EUV 노광광에 대한 난반사를 억제하기 위하여 0.5㎚Rms 이하, 바람직하게는 0.3㎚Rms 이하, 더욱 바람직하게는 0.1㎚Rms 이하의 표면 거칠기(Surface Roughness) 값을 갖는다.The reflective film 204 has a surface roughness value of 0.5 nmRms or less, preferably 0.3 nmRms or less, and more preferably 0.1 nmRms or less in order to suppress diffuse reflection with respect to EUV exposure light.

캡핑막(205)은 반사막(204) 상에 형성되며, 반사막(204)의 산화막 형성을 방지하여 반사막(204)의 EUV 노광광에 대한 반사율을 유지하고, 위상반전막(208) 패터닝 진행 시 반사막(204)이 식각되는 것을 막아주는 역할을 한다. 바람직한 예로서, 캡핑막(205)은 루테늄(Ru)을 포함하는 재질로 형성된다. 캡핑막(205)은 2~5nm 두께로 형성하는 것이 바람직하다. 캡핑막(205)의 두께가 2nm 이하일 경우 캡핑막(205)으로서의 기능을 발휘하기 어려우며, 5nm 이상일 경우 EUV 노광광에 대한 반사율이 저하되는 문제가 있다.The capping film 205 is formed on the reflective film 204 , and prevents the formation of an oxide film on the reflective film 204 to maintain the reflectance of the reflective film 204 with respect to EUV exposure light, and when the phase shift film 208 is patterned, the reflective film It serves to prevent 204 from being etched. As a preferred example, the capping layer 205 is formed of a material containing ruthenium (Ru). The capping film 205 is preferably formed to a thickness of 2 to 5 nm. When the thickness of the capping layer 205 is 2 nm or less, it is difficult to exert a function as the capping layer 205, and when it is 5 nm or more, there is a problem in that reflectance for EUV exposure light is lowered.

식각저지막(207)은 캡핑막(205)과 위상반전막(208) 사이에 선택적으로 구비되며, 위상반전막(208)의 패터닝을 위한 드라이 에칭(Dry Etching) 공정 또는 세정(Cleaning) 공정 시 하부의 캡핑막(205)을 보호하는 역할을 한다. 식각저지막(207)은 바람직하게는 위상반전막(208)에 대해 10 이상의 식각 선택비(Etch Selectivity)를 갖는 물질로 형성된다.The etch stop layer 207 is selectively provided between the capping layer 205 and the phase shift layer 208 , and during a dry etching process or a cleaning process for patterning the phase shift layer 208 . It serves to protect the lower capping layer 205 . The etch stop layer 207 is preferably formed of a material having an etch selectivity of 10 or more with respect to the phase shift layer 208 .

위상반전막(208)은 노광광의 위상을 반전시켜 반사시킴으로써, 반사막(204)에 의해 반사되는 노광광과 상쇄 간섭을 통해 해상도를 향상시킬 수 있다. 위상반전막(208)은 노광광의 파장에 대하여 위상반전 제어(Phase Shift Control)가 용이하면서도 투과도가 높은 물질로 형성된다. 이러한 물질로서 본 발명에서는 탄탈륨(Ta)과 니오븀(Nb)이 사용된다. Ta 와 Nb 을 포함하는 재질은 내약품성이 우수하고, 건식 식각 시 일반적으로 사용되는 불소(F)계 또는 염소(Cl)계 가스를 용이하게 적용할 수 있는 장점을 가진다.The phase shift film 208 reverses the phase of the exposure light and reflects it, thereby improving the resolution through destructive interference with the exposure light reflected by the reflective film 204 . The phase shift layer 208 is formed of a material with high transmittance while easily performing phase shift control with respect to the wavelength of exposure light. As such materials, tantalum (Ta) and niobium (Nb) are used in the present invention. The material containing Ta and Nb has excellent chemical resistance and has the advantage of easily applying a fluorine (F)-based or chlorine (Cl)-based gas generally used during dry etching.

특히 Nb 은 Ta 에 비하여 굴절률과 소멸계수가 낮아 위상반전막(208)에 대해 요구되는 위상반전량의 구현이 용이하고 상대적으로 높은 반사율의 구현이 가능하다. 즉, Ta 계의 재질만 사용할 때에 비하여 Nb 을 포함함으로써 반사율을 높일 수 있다.In particular, Nb has a lower refractive index and extinction coefficient than Ta, so that it is easy to implement a phase shift amount required for the phase shift film 208 and a relatively high reflectivity can be realized. That is, the reflectance can be increased by including Nb compared to the case where only the Ta-based material is used.

한편, 위상반전막(208)은 Ta 와 Nb 외에도 몰리브데늄(Mo), 루테늄(Ru), 실리콘(Si), 보론(B) 및 티타늄(Ti) 중 하나 이상의 물질을 추가로 포함할 수 있다. 특히 보론(B)을 포함하는 경우 식각 속도가 증가되고 박막이 비정질화되므로, 패턴 프로파일이 우수해지고 표면 거칠기가 개선된다.Meanwhile, the phase shift layer 208 may further include one or more of molybdenum (Mo), ruthenium (Ru), silicon (Si), boron (B), and titanium (Ti) in addition to Ta and Nb. . In particular, when boron (B) is included, the etching rate is increased and the thin film becomes amorphous, so that the pattern profile is excellent and the surface roughness is improved.

Ta 및 Nb 은 위상반전막(208)의 반사율과 위상반전량을 결정한다. 위상반전막(208)에 포함되는 Ta 의 함유량은 30~70at% 인 것이 바람직하다. Ta 의 함유량이 70at% 이상일 경우 13.5nm 파장에서 5% 이상의 상대반사율 구현이 어려우며, 반대로 30at% 이하일 경우 20% 이상의 높은 반사율로 인하여 사이드로브(side-lobe) 현상이 발생한다. 더욱 바람직하게는 Ta 는 40~60at% 의 함유량을 갖는다.Ta and Nb determine the reflectance and the phase shift amount of the phase shift film 208 . The content of Ta contained in the phase shift film 208 is preferably 30 to 70 at%. When the content of Ta is 70at% or more, it is difficult to implement a relative reflectance of 5% or more at a wavelength of 13.5nm. More preferably, Ta has a content of 40 to 60 at%.

한편, 위상반전막(208)은 질소(N)를 포함하여 형성되는 것이 바람직하다. 질소(N)는 위상반전막(208)의 박막 결정성을 비정질화하여 패턴 형성 시 패턴 모양(Pattern Profile)을 우수하게 한다. 또한 질소(N)는 Ta 와 Nb 대비 낮은 원자량을 가짐에 따라 Sputtering 후 박막의 표면 거칠기를 낮추는 기능을 한다. 이를 통해 위상반전막(208) 표면에서 발생하는 난반사 등을 제어하기 용이하다. 또한 질소(N)은 광학적으로 Ta 와 Nb 대비 낮은 소멸계수(k) 가지고 있으므로, 5~20% 범위의 반사율 및 180° 내외의 위상반전량을 구현을 용이하게 한다. 그러나, 질소(N)의 함유량이 증가할 경우 식각 속도가 느려지고, 따라서 패턴 프로파일이 나빠질 수 있다. 이에 따라 위상반전막(208)에 포함되는 질소(N)의 함유량은 1~30at% 인 것이 바람직하다.Meanwhile, the phase shift film 208 is preferably formed including nitrogen (N). Nitrogen (N) makes the thin film crystallinity of the phase shift film 208 amorphous, thereby improving the pattern profile during pattern formation. In addition, since nitrogen (N) has a lower atomic weight than Ta and Nb, it functions to lower the surface roughness of the thin film after sputtering. Through this, it is easy to control diffuse reflection, etc. occurring on the surface of the phase shift film 208 . In addition, since nitrogen (N) optically has a lower extinction coefficient (k) compared to Ta and Nb, it facilitates the realization of reflectance in the range of 5 to 20% and the amount of phase shift around 180°. However, when the content of nitrogen (N) is increased, the etching rate is slowed, and thus the pattern profile may be deteriorated. Accordingly, the content of nitrogen (N) included in the phase shift film 208 is preferably 1 to 30 at%.

위상반전막(208)은 산소(O)를 추가적으로 포함할 수 있다. Ta 를 포함하는 막은 산소(O)를 추가로 포함할 경우에는 불소계 식각 가스에 의해 식각되는 특성을 갖게 되며, 산소(O)를 포함하지 않을 경우에는 염소계 식각 가스에 의해 식각되는 특성을 갖게 된다. 따라서, 위상반전막(208)이 2층 또는 3층 이상의 다층으로 구성될 경우 위상반전막(208)의 최상부층을 산소(O)를 포함하는 층으로 구성함으로써 최상부층이 하드마스크의 역할도 동시에 수행하도록 할 수 있다. 그러나, 위상반전막(208) 상부의 레지스트막(210)과의 접착력(Adhesion) 등을 고려하여, 위상반전막(208)의 상부에 별도의 하드마스크막을 추가적으로 형성할 수도 있다.The phase shift layer 208 may additionally include oxygen (O). When the film containing Ta further contains oxygen (O), it has a characteristic of being etched by a fluorine-based etching gas, and when it does not contain oxygen (O), it has a characteristic of being etched by a chlorine-based etching gas. Therefore, when the phase shift film 208 is composed of two or three or more multi-layers, the uppermost layer of the phase shift film 208 is composed of a layer containing oxygen (O) so that the uppermost layer serves as a hard mask at the same time. can make it work. However, a separate hard mask layer may be additionally formed on the phase shift layer 208 in consideration of adhesion with the resist layer 210 on the phase shift layer 208 .

또한 위상반전막(208)의 최상부층이 산소(O)를 포함할 경우, 자외선 영역을 이용하는 검사장비에 대한 검사감도(Inspection Contrast)가 향상되는 장점을 가진다. 그러나, e-beam 을 이용하거나 또는 13.5nm 파장을 이용하는 검사장비를 사용하여 검사할 경우에는 검사감도 문제가 없으므로, 최상부층이 산소(O)를 포함하지 않아도 무방하다.In addition, when the uppermost layer of the phase shift film 208 contains oxygen (O), there is an advantage in that the inspection sensitivity (Inspection Contrast) for inspection equipment using the ultraviolet region is improved. However, since there is no problem in inspection sensitivity when inspecting using an e-beam or inspection equipment using a 13.5 nm wavelength, the uppermost layer does not need to contain oxygen (O).

한편, 위상반전막(208)은 탄소(C)와 수소(H) 중 하나 이상을 추가로 포함하여 형성할 수도 있다.Meanwhile, the phase shift layer 208 may be formed by additionally including at least one of carbon (C) and hydrogen (H).

위상반전막(208)을 형성하기 위한 스퍼터링 타겟은 Ta : Nb = 30~60at% : 40~70at% 의 조성비를 갖는다. 또한 위상반전막(208)의 스퍼터링 타겟으로 B 를 포함할 경우 B 의 함유량은 0~30at% 의 범위를 가진다. B 의 함유량이 30at% 이상인 경우 위상반전막(208)에 결함(defect)이 발생할 수 있다.The sputtering target for forming the phase shift film 208 has a composition ratio of Ta: Nb = 30 to 60 at%: 40 to 70 at%. In addition, when B is included as the sputtering target of the phase shift film 208, the content of B is in the range of 0 to 30 at%. When the content of B is 30 at% or more, defects may occur in the phase shift film 208 .

위상반전막(208)은 13.5nm 파장의 극자외선 노광광에서 5~20% 의 상대반사율을 갖는다. 여기에서 상대반사율은 반사막(204)의 반사율에 대비한 위상반전막(208)의 반사율을 의미한다.The phase shift film 208 has a relative reflectance of 5 to 20% in extreme ultraviolet exposure light having a wavelength of 13.5 nm. Here, the relative reflectance means the reflectance of the phase shift film 208 compared to the reflectance of the reflective film 204 .

위상반전막(208)은 170~230°의 위상반전량을 가지며, 바람직하게는 Wafer Printing 시 NILS 의 효과가 극대화되는 위상량을 갖는다. 일반적으로 NILS 는 패턴 밀도(Pattern Density) 및 패턴 모양(Line & Space, Contact Pattern) 등에 따라 달라지기 때문에 효과적인 NILS 구현을 위해서 위상반전막(208)은 170~230°, 바람직하게는 180~220° 의 위상반전량을 갖는다.The phase shift film 208 has a phase shift amount of 170 to 230°, and preferably has a phase amount that maximizes the effect of NILS during wafer printing. In general, since NILS varies depending on pattern density and pattern shape (Line & Space, Contact Pattern), the phase shift film 208 is 170 to 230°, preferably 180 to 220° for effective NILS implementation. has a phase shift of

위상반전막(208)은 단층 또는 다층 구조로 설계되며, 단층일 경우 위상반전막(208)의 깊이 방향으로, 즉 도면상에서 하방으로 식각 속도가 동일하거나 빨라지도록 또는 느려지도록 설계할 수 있다. 바람직하게는 깊이 방향으로 식각 속도가 빨라지도록 설계함으로써 풋팅(Footing)과 같은 현상을 방지할 수 있다. 이를 위해서 위상반전막(208)은 단층의 연속막의 형태 또는 다층막의 형태로 구현이 가능하여, 이들을 혼합하여 형성해도 무방하다.The phase shift film 208 is designed to have a single-layer or multi-layer structure, and in the case of a single-layer structure, the etch rate may be designed to be the same, faster, or slower in the depth direction of the phase shift film 208 , that is, downward in the drawing. Preferably, a phenomenon such as footing can be prevented by designing the etch rate to be increased in the depth direction. To this end, the phase shift film 208 may be implemented in the form of a single-layer continuous film or a multi-layer film, and may be formed by mixing them.

구체적으로는, 위상반전막(208)이 TaNbN(하부층) 및 TaNbNO(최상부층)로 구성될 경우, 하층의 TaNbN 은 성막 시 질소(N)의 함유량을 깊이 방향으로 연속적으로 감소시킴으로써 깊이 방향으로 식각 속도를 증가시킬 수 있다. 또한, TaNbN 재질에 보론(B)이 포함되면 식각 속도가 증가하므로, 보론(B)의 함유량을 깊이 방향으로 연속적으로 증가시킴으로써 깊이 방향으로 식각 속도를 증가시킬 수 있다.Specifically, when the phase shift film 208 is composed of TaNbN (lower layer) and TaNbNO (top layer), TaNbN of the lower layer is etched in the depth direction by continuously decreasing the nitrogen (N) content in the depth direction during film formation. speed can be increased. In addition, since the etch rate increases when boron (B) is included in the TaNbN material, the etch rate can be increased in the depth direction by continuously increasing the content of boron (B) in the depth direction.

또 다른 방법으로, TaNbN 의 다층 구조로 위상반전막(208)이 형성될 경우, 상층에 비하여 최하층의 질소(N)의 함유량을 감소시키거나 보론(B)의 함유량을 증가시킴으로써 최하층의 식각 속도를 증가시킬 수 있다. 상기 예시된 방법을 포함하여, 다양한 조합등을 통해 식각 속도 제어가 가능하다. 이를 통해, 최종 형성되는 위상반전막(208)의 패턴 Profile 을 우수하게 할 수 있다.As another method, when the phase shift film 208 is formed with a multilayer structure of TaNbN, the etching rate of the lowermost layer is decreased by decreasing the nitrogen (N) content of the lowermost layer or increasing the boron (B) content compared to the upper layer. can increase It is possible to control the etching rate through various combinations including the above-exemplified method. Through this, the pattern profile of the finally formed phase shift film 208 can be improved.

위상반전막(208)은 그림자 효과(Shadowing Effect)의 감소를 위하여 두께가 작을수록 우수하다. 위상반전막(208)은 30~70nm 의 두께를 가지며, 바람직하게는 40~60nm 의 두께를 갖는다.The smaller the thickness of the phase shift film 208, the better it is to reduce a shadowing effect. The phase shift film 208 has a thickness of 30 to 70 nm, preferably 40 to 60 nm.

위상반전막(208)은 Charge-up 현상을 감소시키기 위하여 면저항이 낮을수록 유리하다. 본 발명의 위상반전막(208)은 1000Ω/□ 이하의 면저항을 가지며, 바람직하게는 500Ω/□ 이하, 더욱 바람직하게는 100Ω/□ 이하의 면저항을 갖는다.The phase shift film 208 is advantageous as the sheet resistance is lower in order to reduce the charge-up phenomenon. The phase shift film 208 of the present invention has a sheet resistance of 1000Ω/□ or less, preferably 500Ω/□ or less, and more preferably 100Ω/□ or less.

위상반전막(208)은 Registration 영향을 감소시키기 위해서 낮은 평탄도(△TIR)를 갖는 것이 바람직하다. 본 발명의 위상반전막(208)은 300nm 이하의 평탄도를 가지며, 바람직하게는 200nm, 더욱 바람직하게는 100nm 이하의 평탄도를 갖는다.The phase shift film 208 preferably has a low flatness (ΔTIR) in order to reduce the effect of registration. The phase shift film 208 of the present invention has a flatness of 300 nm or less, preferably 200 nm or less, and more preferably 100 nm or less.

위상반전막(208)은 표면에서의 난반사에 의한 Flare 현상을 방지하고 반사광의 Intensity 감소를 방지하기 위하여 낮은 표면 거칠기를 갖는 것이 바람직하다. 본 발명의 위상반전막(208)은 0.5nmRMS 이하의 거칠기를 가지며, 바람직하게는 0.3nmRMS 이하의 거칠기를 갖는다.The phase shift film 208 preferably has a low surface roughness in order to prevent a flare phenomenon due to diffuse reflection from the surface and reduce intensity of reflected light. The phase shift film 208 of the present invention has a roughness of 0.5 nmRMS or less, and preferably has a roughness of 0.3 nmRMS or less.

본 발명의 위상반전막(208)은 포토마스크의 세정 시 우수한 내약품성을 가지며, 구체적으로는 본 발명에 따른 위상반전막(208)은 SC-1 및 SPM 공정 후의 두께 변화가 1nm 이하이다.The phase shift film 208 of the present invention has excellent chemical resistance when cleaning a photomask, and specifically, the phase shift film 208 according to the present invention has a thickness change of 1 nm or less after SC-1 and SPM processes.

하드마스크막(209)은 위상반전막(208)에 대해 식각 선택비를 갖는 물질로 구성된다. 전술한 바와 같이, 위상반전막(208)의 최상부층이 산소(O)를 포함하는 재질 예컨대 TaNbON 으로 형성될 경우, TaNbON 은 불소계 식각 가스에 의해 식각되는 특성을 가지므로 위상반전막(208)의 최상부층이 그 하부층에 대한 하드마스크의 기능을 수행할 수 있다. 그러나, TaNbON 은 상부 레지스트막(210)과의 접착력 문제를 야기할 수 있으므로, 이러한 구조의 위상반전막(208)의 상부에 염소계 식각 가스에 의해 식각되는 물질, 예컨대 크롬(Cr)을 포함하는 물질의 하드마스크막(209)을 추가로 형성할 수 있다. 바람직하게는 하드마스크막(209)은 탄소(C), 산소(O), 질소(N) 중 하나 이상을 추가로 포함하는 물질, 즉 Cr, CrC, CrO, CrN, CrCO, CrON, CrCN, CrCON 중 어느 하나로 형성될 수 있다. 하드마스크막(209)은 2~10nm 의 두께를 갖는다.The hard mask layer 209 is made of a material having an etch selectivity with respect to the phase shift layer 208 . As described above, when the uppermost layer of the phase shift film 208 is formed of a material containing oxygen (O), for example, TaNbON, since TaNbON has a property of being etched by a fluorine-based etching gas, The top layer may function as a hardmask for the underlying layer. However, since TaNbON may cause an adhesion problem with the upper resist film 210 , a material that is etched by a chlorine-based etching gas on the phase shift film 208 having such a structure, for example, a material containing chromium (Cr) A hard mask layer 209 of may be additionally formed. Preferably, the hard mask layer 209 is a material further containing one or more of carbon (C), oxygen (O), and nitrogen (N), that is, Cr, CrC, CrO, CrN, CrCO, CrON, CrCN, CrCON. It may be formed by any one of them. The hard mask film 209 has a thickness of 2 to 10 nm.

한편, 전술한 바와 같이 e-beam Inspection 및 13.5nm Inspection 을 사용하는 경우에는 위상반전막(208)이 산소(O)를 포함하지 않아도 무방하므로 TaNbN 으로 위상반전막(208)이 구현될 수 있다. 이 경우, 위상반전막(208)은 염소계 식각 가스에 의해 식각되므로 하드마스크막(209)은 불소계 식각 가스에 의해 식각되는 물질로 형성될 수 있다. 예컨대 하드마스크막(209)은 Si 계 물질 또는 Si 에 C, O, N 중 하나 이상을 추가로 포함하는 물질로 형성할 수 있으며, 구체적으로는, Si, SiC, SiO, SiN, SiCO, SiCN, SiON, SiCON 중 어느 하나로 형성될 수 있다.Meanwhile, as described above, when the e-beam inspection and the 13.5 nm inspection are used, the phase shift film 208 does not need to contain oxygen (O), so the phase shift film 208 can be implemented with TaNbN. In this case, since the phase shift layer 208 is etched by the chlorine-based etching gas, the hard mask layer 209 may be formed of a material etched by the fluorine-based etching gas. For example, the hard mask layer 209 may be formed of a Si-based material or a material further including one or more of C, O, and N in Si, specifically, Si, SiC, SiO, SiN, SiCO, SiCN, It may be formed of any one of SiON and SiCON.

레지스트막(210)은 화학증폭형 레지스트(CAR: Chemically Amplified Resist)로 구성된다. 레지스트막(210)은 40~100㎚, 바람직하게는 40~80nm 의 두께를 갖는다.The resist film 210 is formed of a chemically amplified resist (CAR). The resist film 210 has a thickness of 40 to 100 nm, preferably 40 to 80 nm.

도전막(201)은 기판(202)의 후면에 형성된다. 도전막(201)은 낮은 면저항 값을 가져 정전척(Electronic-Chuck)과 극자외선 리소그래피용 블랭크마스크의 밀착성을 향상시키며, 정전척과의 마찰에 의해 파티클이 발생하는 것을 방지하는 기능을 한다. 도전막(201)은 100Ω/□ 이하의 면저항을 가지며, 바람직하게는, 50Ω/□ 이하, 더욱 바람직하게는 20Ω/□ 이하의 면저항을 갖는다.The conductive film 201 is formed on the back surface of the substrate 202 . The conductive film 201 has a low sheet resistance value to improve adhesion between the electrostatic chuck and the blank mask for extreme ultraviolet lithography, and functions to prevent particles from being generated by friction with the electrostatic chuck. The conductive film 201 has a sheet resistance of 100 Ω/□ or less, preferably 50 Ω/□ or less, and more preferably 20 Ω/□ or less.

도전막(201)은 단일막, 연속막, 또는 다층막의 형태로 구성될 수 있다. 도전막(201)은, 예를 들어, 크롬(Cr) 또는 탄탈륨(Ta)을 주성분으로 하여 형성될 수 있다.The conductive film 201 may be formed in the form of a single film, a continuous film, or a multilayer film. The conductive film 201 may be formed using, for example, chromium (Cr) or tantalum (Ta) as a main component.

도 3 은 본 발명의 블랭크마스크에서 위상반전막의 구체적인 구성의 실시예를 도시한 도면이다. 도 3 에서는 도시 및 설명의 편의상 도 2 에 도시된 구성에 대응되는 구성에 대해서는 동일한 도면부호를 부여하였다.3 is a view showing an embodiment of a specific configuration of the phase shift film in the blank mask of the present invention. In FIG. 3 , the same reference numerals are given to components corresponding to those shown in FIG. 2 for convenience of illustration and description.

도 3 에는 캡핑막(205)부터 하드마스크막(209)까지의 구성만을 도시하였고, 나머지 막들(201, 202, 204, 210)은 그 도시를 생략하였다. 또한 도 3 의 실시예에서 식각저지막(207)은 도시가 생략되어 있다. 그러나, 식각저지막(207)은 각 실시예에 대해 필요에 따라 추가할 수도 있고 생략될 수도 있다.3 shows only the structures from the capping layer 205 to the hard mask layer 209, and the remaining layers 201, 202, 204, and 210 are omitted. Also, in the embodiment of FIG. 3 , the etch stop layer 207 is omitted. However, the etch stop layer 207 may be added or omitted as needed for each embodiment.

본 실시예에서, 위상반전막(208)은 하층을 구성하는 제1층(208a)과 최상부층을 구성하는 제2층(208b)으로 구성되어 있다. 제1층(208a)은 TaNbN 으로 형성되고 제2층(208b)은 TaNbO 로 형성된다. 제1층(208a)은 그 조성이나 조성비가 상이한 2층 이상의 구조로 형성될 수 있으다. 제1층(208a)은 B 를 추가로 포함하여 TaNbBN 으로 형성될 수 있다. 제2층(208b)은 질소(N)를 추가로 포함하여 TaNbON 으로 형성될 수도 있다. 전술한 바와 같이, 탄탈륨(Ta)은 산소(O)가 추가되는 경우 불소(F)계 식각 가스에 의해 식각되며 산소(O)가 추가되지 않는 경우에는 염소(Cl)계 식각 가스에 의해 식각되는 특성을 갖는다. 따라서, 제2층(208b)은 불소계 식각 가스에 의해 식각되고 제1층(208a)은 염소계 식각 가스에 의해 식각되므로, 제2층(208b)과 제1층(208a)은 식각 선택비를 갖는다.In this embodiment, the phase shift film 208 is composed of a first layer 208a constituting a lower layer and a second layer 208b constituting an uppermost layer. The first layer 208a is formed of TaNbN and the second layer 208b is formed of TaNbO. The first layer 208a may have a structure of two or more layers having different compositions or composition ratios. The first layer 208a may further include B and be formed of TaNbBN. The second layer 208b may be formed of TaNbON by further including nitrogen (N). As described above, tantalum (Ta) is etched by a fluorine (F)-based etching gas when oxygen (O) is added, and is etched by a chlorine (Cl)-based etching gas when oxygen (O) is not added. have characteristics. Accordingly, since the second layer 208b is etched by the fluorine-based etching gas and the first layer 208a is etched by the chlorine-based etching gas, the second layer 208b and the first layer 208a have an etch selectivity. .

한편, 캡핑막(205)을 구성하는 Ru 재질은 불소계 식각 가스와 염소계 식각 r가스 모두에 의해 식각되지만, 산소(O)를 포함하지 않는 경우에는 식각 속도가 현저히 감소하는 특성을 가진다. 따라서 캡핑막(205)은 위상반전막(208)의 제1층(208a)에 대해 식각 선택비를 갖는다.On the other hand, the Ru material constituting the capping layer 205 is etched by both the fluorine-based etching gas and the chlorine-based etching r gas, but when oxygen (O) is not included, the etching rate is significantly reduced. Accordingly, the capping layer 205 has an etch selectivity with respect to the first layer 208a of the phase shift layer 208 .

제1층(208a)은 Ta : Nb : N = 30~60 : 30~60 : 1~40at% 의 조성비를 가지며, 제2층(208b)은 Ta : Nb : O(+N) = 30~60 : 30~60 : 1~40at% 의 조성비를 갖는다.The first layer 208a has a composition ratio of Ta:Nb:N=30-60:30-60:1-40at%, and the second layer 208b has Ta:Nb:O(+N)=30-60 : 30~60 : It has a composition ratio of 1~40at%.

제1층(208a)은 질소의 함유량이 높을 경우 식각 속도(Etch-rate)가 저하되는 요인으로 작용하기 때문에, 질소(N)의 함유량은 1~40at% 로 조절되는 것이 바람직하다.Since the first layer 208a acts as a factor for lowering the etching rate when the nitrogen content is high, the nitrogen (N) content is preferably adjusted to 1 to 40 at%.

전술한 바와 같이 제2층(208b)은 산소(O)를 함유함으로써 제1층(208a)에 대해 하드마스크의 기능을 할 수 있으며, 이 경우 위상반전막(208) 상부의 하드마스크막(209)은 생략될 수도 있다. 이때 제2층(208b)의 산소(O)의 함유량이 1at% 이하인 경우에는 불소계 식각 가스에 의해 식각되는 특성이 미약하여 하드마스크막의 기능을 갖기 어렵다. 제2층(208b)의 산소(O)의 함유량이 40at% 이상인 경우에는 박막 형성의 재현 가능성 확보가 어렵다. 제2층(208b)이 산소(O)와 질소(N)를 함께 포함하는 경우에는 산소(O)와 질소(N)의 합계 함유량이 1~40at% 가 되도록 하는 것이 바람직하다.As described above, the second layer 208b may function as a hard mask with respect to the first layer 208a by containing oxygen (O), and in this case, the hard mask film 209 on the phase shift film 208 . ) may be omitted. In this case, when the oxygen (O) content of the second layer 208b is 1 at% or less, the property of being etched by the fluorine-based etching gas is weak and it is difficult to have a function of a hard mask layer. When the oxygen (O) content of the second layer 208b is 40 at% or more, it is difficult to secure the reproducibility of thin film formation. When the second layer 208b contains both oxygen (O) and nitrogen (N), the total content of oxygen (O) and nitrogen (N) is preferably 1 to 40 at%.

제1층(208a)은 위상반전량 확보를 위하여 45~60nm 의 두께를 갖는 것이 바람직하다. 제2층(208b)은 2~10nm 의 두께를 갖는다. 제2층(208b)이 2nm 이하의 두께를 갖는 경우에는 하부의 층에 대한 식각선택비 확보가 어려우며, 10nm 이상의 두께를 갖는 경우에는 제2층(208b)의 식각을 위한 레지스트막(210)의 두께 감소가 어려워진다. The first layer 208a preferably has a thickness of 45 to 60 nm in order to secure the amount of phase shift. The second layer 208b has a thickness of 2 to 10 nm. When the second layer 208b has a thickness of 2 nm or less, it is difficult to secure an etch selectivity for the underlying layer, and when the second layer 208b has a thickness of 10 nm or more, the resist film 210 for etching the second layer 208b It becomes difficult to reduce the thickness.

한편 하드마스크막(209)이 크롬(Cr)을 포함하는 물질 예컨대 CrCON 으로 형성되는 경우, 하드마스크막(209)은 2~10nm 의 두께를 갖는 것이 바람직하다.Meanwhile, when the hardmask film 209 is formed of a material containing chromium (Cr), for example, CrCON, the hardmask film 209 preferably has a thickness of 2 to 10 nm.

구현예 1. TaNb 위상반전막을 구비한 EUV 용 블랭크 마스크 제조Embodiment 1. Manufacturing of blank mask for EUV with TaNb phase shift film

먼저, 블랭크마스크 제조를 위한 기판으로서, 6 inch x 6 inch x 0.25 inch 의 크기를 가지고, 평탄도(TIR: Total Indicated Reading)가 30㎚ 이하로 제어되며, SiO2-TiO2 성분으로 이루어진 LTEM(Low Thermal Expansion Material) 기판을 준비하였다.First, as a substrate for manufacturing a blank mask, it has a size of 6 inch x 6 inch x 0.25 inch, flatness (TIR: Total Indicated Reading) is controlled to 30 nm or less, and LTEM ( SiO 2 -TiO 2 component) Low Thermal Expansion Material) substrate was prepared.

이후 LTEM 기판의 전면부에 스퍼터링 설비를 이용하여 몰리브데늄(Mo) 4.8㎚, 실리콘(Si) 2.2㎚ 의 두께로 40층을 교대로 성막하여 반사막을 형성하였다. 반사막의 반사율을 EUV Reflectometer 를 이용하여 측정한 결과 13.5㎚ 의 파장에서 67.8% 의 반사율을 나타내었으며, 반사막의 표면 거칠기를 AFM(Atomic Force MiNboscopy) 장비를 이용하여 측정한 결과, 0.12㎚RMS 의 표면 거칠기를 나타내어 EUV 노광광이 다층 반사막에서 반사 시 표면 거칠기에 의한 난반사가 적게 일어나는 것을 알 수 있었다. 또한, Ultra-Flat 장비를 이용하여 다층 반사막 142㎟ 영역의 평탄도를 측정한 결과 +684㎚ 의 TIR 값(+ : Convex Type)을 나타내었다.Thereafter, 40 layers with a thickness of 4.8 nm of molybdenum (Mo) and 2.2 nm of silicon (Si) were alternately deposited on the front surface of the LTEM substrate by sputtering to form a reflective film. As a result of measuring the reflectance of the reflective film using an EUV reflectometer, it showed a reflectance of 67.8% at a wavelength of 13.5 nm. It can be seen that when EUV exposure light is reflected from the multilayer reflective film, diffuse reflection due to surface roughness occurs less. In addition, as a result of measuring the flatness of the 142 mm2 area of the multilayer reflective film using Ultra-Flat equipment, a TIR value of +684 nm (+: Convex Type) was shown.

이후 상기 다층 반사막 상에 루테늄(Ru)을 2.5㎚ 의 두께로 적층하여 캡핑막을 형성하였다.Thereafter, ruthenium (Ru) was laminated to a thickness of 2.5 nm on the multilayer reflective film to form a capping film.

캡핑막의 형성 후, 반사막에서와 동일하게 반사율을 측정한 결과 13.5㎚ 의 파장에서 67% 의 반사율을 나타내어, 반사막의 반사율 수치였던 67.8% 와 대비하여 반사율 변화가 거의 없음을 확인하였다. 또한, 표면 거칠기 및 평탄도를 동일하게 측정한 결과, 표면 거칠기 값은 0.13㎚RMS 를 나타내어 다층 반사막과 비교하여 거의 변화가 없었으며, TIR 값 또한 +670㎚ 로 변화가 거의 없음을 확인하였다.After the capping film was formed, the reflectance was measured in the same manner as in the reflective film, and as a result, a reflectance of 67% was shown at a wavelength of 13.5 nm, and it was confirmed that there was little change in the reflectance compared to the reflectance value of the reflective film of 67.8%. In addition, as a result of measuring the surface roughness and flatness in the same way, the surface roughness value showed 0.13 nm RMS, and there was little change compared to the multilayer reflective film, and it was confirmed that the TIR value also showed little change at +670 nm.

이후 캡핑막 상에 급속 열처리 장치(Rapid Thermal Process)를 이용하여 200℃에서 10분간 열처리를 실시하였다. 이후 평탄도를 측정한 결과 TIR 값이 -102nm(- : Concave Type)를 나타내어 반사막/캡핑막의 Bow 는 300nm 이하의 우수한 결과를 나타내었으며, 반사율은 64.2% 를 나타내었다.Thereafter, heat treatment was performed on the capping film at 200° C. for 10 minutes using a rapid thermal process. Then, as a result of measuring the flatness, the TIR value was -102 nm (-: Concave Type), and the bow of the reflective film/capping film showed excellent results of 300 nm or less, and the reflectance was 64.2%.

그리고 캡핑막상에 위상반전막 형성을 위하여 TaNb 타겟(Ta:Nb = 50:50at%)을 준비하고, Ar : N2 = 9sccm : 1.5sccm, 공정 파워는 0.6kW 조건으로 TaNbN 박막을 52nm 두께로 형성하였다. 이후 위상반전막 상부층 형성을 위하여 동일타겟으로 Ar : N2 : NO = 9 : 5 : 3sccm, 공정 파워는 0.7kW 조건으로 TaNbNO 박막을 5nm 두께로 형성하였다. 이후 반사율을 측정한 결과 6.1%를 나타내어, 반사막에 대한 상대 반사율은 9.53% 를 나타내었다. 그리고 위상량은 183°를 나타내었다.Then, a TaNb target (Ta:Nb = 50:50at%) was prepared to form a phase shift film on the capping film, and a TaNbN thin film was formed to a thickness of 52nm under the conditions of Ar:N2 = 9sccm:1.5sccm, and the process power was 0.6kW. did. Then, for the formation of the upper layer of the phase shift film, a TaNbNO thin film with a thickness of 5 nm was formed with the same target as Ar: N 2 : NO = 9: 5: 3 sccm and a process power of 0.7 kW. Then, as a result of measuring the reflectance, it was 6.1%, and the relative reflectance to the reflective film was 9.53%. And the phase amount was 183°.

상기 위상반전막상에 하드마스크막 형성을 위하여 크롬(Cr) 타겟을 준비한 후 Ar : N2 : CO2 = 5sccm : 5sccm : 5sccm, 공정 파워는 0.6kW 조건으로 CrCON 박막을 4nm 두께로 형성하였다.After preparing a chromium (Cr) target to form a hard mask film on the phase shift film, a CrCON thin film was formed to a thickness of 4 nm under the conditions of Ar: N 2 : CO 2 = 5 sccm: 5 sccm: 5 sccm, and process power of 0.6 kW.

이후 LTEM 기판의 후면에는 DC 마그네트론 반응성 스퍼터링 설비를 이용하여 크롬(Cr)을 주성분으로 하는 도전막(Conductive layer)을 형성하였다. 도전막은 CrN 박막의 1층 구조로 36nm 두께를 가지고 형성되었다. 이때, 도전막의 면저항을 4-Point Probe 를 이용하여 측정한 결과 26Ω/□의 면저항값을 나타내어 정전척과의 결합(E-Chucking)에 문제가 없음을 확인하였으며, 거칠기를 AFM 장비를 이용하여 1um x 1um 의 영역에서 측정한 결과 0.4nmRMS 를 나타내었다.Thereafter, a conductive layer containing chromium (Cr) as a main component was formed on the rear surface of the LTEM substrate using a DC magnetron reactive sputtering facility. The conductive film was formed with a thickness of 36 nm in a one-layer structure of a CrN thin film. At this time, as a result of measuring the sheet resistance of the conductive film using a 4-point probe, it showed a sheet resistance value of 26Ω/□, confirming that there was no problem in E-Chucking with the electrostatic chuck. As a result of measurement in a region of 1 μm, 0.4 nmRMS was obtained.

이후 화학증폭형 레지스트막을 80nm 두께로 하여 최종 블랭크 마스크 제조를 완료하였다.Thereafter, the final blank mask was manufactured by making the chemical amplification resist film to a thickness of 80 nm.

구현예 2. TaNbN 식각 속도 증가 (N 함유량 감소)Embodiment 2. TaNbN etch rate increase (N content decrease)

본 구현예 2 는 위상반전막 패턴 시 식각 속도를 증가시키기 위하여 TaNbN 하부층에서 질소 함유량을 감소시켜 형성하였다. 구체적으로는, TaNbN의 하부층은 Ar : N2 = 9 : 0.5sccm 조건에서 5nm 두께로 형성하였다.Embodiment 2 was formed by reducing the nitrogen content in the TaNbN lower layer in order to increase the etch rate during the phase shift film pattern. Specifically, the lower layer of TaNbN was formed to have a thickness of 5 nm under Ar: N 2 =9: 0.5 sccm.

구현예 1 에서는 식각 속도가 12Å/s를 나타내었으나, 구현예 2 의 조건에서 하부층에 질소 함유량을 감소시킴에 따라 식각 속도가 14.2Å/s를 나타내어 상대적으로 식각 속도가 증가하는 효과를 확인하였다.In Example 1, the etch rate was 12 Å/s, but as the nitrogen content in the lower layer was reduced under the conditions of Embodiment 2, the etch rate was 14.2 Å/s, confirming the effect of relatively increasing the etch rate.

구현예 3. B 함유량 증가에 따른 식각 속도 평가Embodiment 3. Evaluation of etch rate according to increase in B content

본 구현예 3 은 위상반전막 패턴 시 식각 속도를 증가시키기 위하여 TaNbN 에 보론(B)을 포함하였다.In Example 3, boron (B) was included in TaNbN in order to increase the etch rate during the phase shift film pattern.

먼저 타겟으로 Ta:Nb:B = 45 : 45 : 10at% 타겟을 이용하여 Ar : N2 = 9 : 1.5sccm 조건으로 구현예 1 과 동일하게 성막하였다. 이때 식각 속도를 측정한 결과 구현예 1 의 12Å/s 대비하여 구현예 3 에서는 15.2Å/s를 나타내었다.First, using Ta:Nb:B = 45:45:10at% target as a target, a film was formed in the same manner as in Example 1 under the conditions of Ar:N2 = 9:1.5sccm. At this time, as a result of measuring the etch rate, it was 15.2 Å/s in Example 3 compared to 12 Å/s in Example 1.

이후 화학증폭형 레지스트막을 80nm 두께로 하여 최종 블랭크 마스크 제조를 완료하였다.Thereafter, the final blank mask was manufactured by making the chemical amplification resist film to a thickness of 80 nm.

이상에서는, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 통하여 본 발명을 구체적으로 설명하지만, 실시예는 단지 본 발명의 예시 및 설명을 하기 위한 목적에서 사용된 것이지 의미 한정이나 특허청구범위에 기재된 본 발명의 범위를 제한하기 위하여 사용된 것은 아니다. 그러므로, 본 발명의 기술 분야에서 통상의 지식을 가진자라면 실시예로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술력 보호범위는 특허청구범위의 기술적 사항에 의해 정해져야 할 것이다.In the above, the present invention will be specifically described through examples of the present invention with reference to the drawings, but the examples are only used for the purpose of illustrating and explaining the present invention and limiting the meaning or the present invention described in the claims It is not used to limit the scope of Therefore, those skilled in the art will understand that various modifications and equivalent other embodiments are possible from the embodiments. Therefore, the true technical protection scope of the present invention will have to be determined by the technical matters of the claims.

Claims (23)

기판, 상기 기판 상에 형성된 반사막, 상기 반사막 상에 형성된 위상반전막을 포함하며,
상기 위상반전막은 탄탈륨(Ta) 및 니우븀(Nb)을 포함하는 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 극자외선 리소그래피용 블랭크마스크.
a substrate, a reflective film formed on the substrate, and a phase shift film formed on the reflective film,
The phase shift film is a blank mask for extreme ultraviolet lithography, characterized in that formed of a material containing tantalum (Ta) and niobium (Nb).
 제 1 항에 있어서,
상기 위상반전막의 탄탈륨(Ta)의 함유량은 30~70at% 인 것을 특징으로 하는 극자외선 리소그래피용 블랭크마스크.
The method of claim 1,
The blank mask for extreme ultraviolet lithography, characterized in that the content of tantalum (Ta) in the phase shift film is 30 to 70 at%.
 제 1 항에 있어서,
상기 위상반전막은 몰리브데늄(Mo), 루테늄(Ru), 실리콘(Si), 보론(B), 및 티타늄(Ti) 중 하나 이상을 추가로 포함하는 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 극자외선 리소그래피용 블랭크마스크.
The method of claim 1,
Extreme ultraviolet lithography, characterized in that the phase shift film is formed of a material further comprising at least one of molybdenum (Mo), ruthenium (Ru), silicon (Si), boron (B), and titanium (Ti). blank mask for dragons.
 제 3 항에 있어서,
상기 위상반전막의 보론(B)의 함유량은 하방으로 갈수록 증가하는 것을 특징으로 하는 극자외선 리소그래피용 블랭크마스크.
4. The method of claim 3,
A blank mask for extreme ultraviolet lithography, characterized in that the content of boron (B) in the phase shift film increases downward.
 제 1 항에 있어서,
상기 위상반전막은 질소(N)를 추가로 포함하는 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 극자외선 리소그래피용 블랭크마스크.
The method of claim 1,
The phase shift film is a blank mask for extreme ultraviolet lithography, characterized in that formed of a material further containing nitrogen (N).
 제 5 항에 있어서,
상기 위상반전막의 질소(N)의 함유량은 1~30at% 인 것을 특징으로 하는 극자외선 리소그래피용 블랭크마스크.
6. The method of claim 5,
A blank mask for extreme ultraviolet lithography, characterized in that the content of nitrogen (N) in the phase shift film is 1 to 30 at%.
 제 6 항에 있어서,
상기 위상반전막의 질소(N)의 함유량은 하방으로 갈수록 감소하는 것을 특징으로 하는 극자외선 리소그래피용 블랭크마스크.
7. The method of claim 6,
A blank mask for extreme ultraviolet lithography, characterized in that the content of nitrogen (N) in the phase shift film decreases downward.
 제 1 항에 있어서,
상기 위상반전막은 산소(O)를 추가로 포함하는 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 극자외선 리소그래피용 블랭크마스크.
The method of claim 1,
The phase shift film is a blank mask for extreme ultraviolet lithography, characterized in that formed of a material further containing oxygen (O).
 제 1 항에 있어서,
상기 위상반전막은 2층 이상의 다층 구조를 가지며,
상기 위상반전막의 최상부층은 산소(O)를 추가로 포함하는 물질로 형성되고 상기 최상부층 아래의 하부층은 산소(O)를 포함하지 않는 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 극자외선 리소그래피용 블랭크마스크.
The method of claim 1,
The phase shift film has a multilayer structure of two or more layers,
A blank mask for extreme ultraviolet lithography, characterized in that the uppermost layer of the phase shift film is formed of a material further containing oxygen (O), and the lower layer under the uppermost layer is formed of a material not containing oxygen (O).
 제 9 항에 있어서,
상기 최상부층의 산소(O) 함유량은 1~40at% 인 것을 특징으로 하는 극자외선 리소그래피용 블랭크마스크.
10. The method of claim 9,
The blank mask for extreme ultraviolet lithography, characterized in that the oxygen (O) content of the uppermost layer is 1 to 40 at%.
 제 9 항에 있어서,
상기 최상부층은 질소(N)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 극자외선 리소그래피용 블랭크마스크.
10. The method of claim 9,
The uppermost layer is a blank mask for extreme ultraviolet lithography, characterized in that it further comprises nitrogen (N).
 제 11 항에 있어서,
상기 최상부층의 질소(N)와 산소(O)의 합계 함유량은 1~40at% 인 것을 특징으로 하는 극자외선 리소그래피용 블랭크마스크.
12. The method of claim 11,
A blank mask for extreme ultraviolet lithography, characterized in that the total content of nitrogen (N) and oxygen (O) in the uppermost layer is 1 to 40 at%.
 제 11 항에 있어서,
상기 하부층은 질소(N)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 극자외선 리소그래피용 블랭크마스크.
12. The method of claim 11,
The lower layer is a blank mask for extreme ultraviolet lithography, characterized in that it further comprises nitrogen (N).
 제 12 항에 있어서,
상기 하부층의 질소(N)의 함유량은 1~40at% 인 것을 특징으로 하는 극자외선 리소그래피용 블랭크마스크.
13. The method of claim 12,
A blank mask for extreme ultraviolet lithography, characterized in that the content of nitrogen (N) in the lower layer is 1 to 40 at%.
 제 9 항에 있어서,
상기 최상부층은 2~10nm 의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 블랭크마스크.
10. The method of claim 9,
The top layer is a blank mask, characterized in that it has a thickness of 2 ~ 10nm.
 제 15 항에 있어서,
상기 하부층은 45~60nm 의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 블랭크마스크.
16. The method of claim 15,
The lower layer is a blank mask, characterized in that having a thickness of 45 ~ 60nm.
 제 9 항에 있어서,
상기 위상반전막상에 형성된 하드마스크막을 더 포함하며,
상기 하드마스크막은 크롬(Cr), 또는 크롬(Cr)에 탄소(C), 산소(O), 질소(N) 중 하나 이상을 포함하는 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 극자외선 리소그래피용 블랭크마스크.
10. The method of claim 9,
Further comprising a hard mask film formed on the phase shift film,
The hard mask layer is a blank mask for extreme ultraviolet lithography, characterized in that formed of a material containing at least one of carbon (C), oxygen (O), and nitrogen (N) in chromium (Cr) or chromium (Cr).
 제 1 항에 있어서,
상기 위상반전막은 Ta : Nb = 30~60at% : 40~70at% 의 조성비를 갖는 스퍼터링 타겟을 이용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 극자외선 리소그래피용 블랭크마스크.
The method of claim 1,
The phase shift film is a blank mask for extreme ultraviolet lithography, characterized in that it is formed using a sputtering target having a composition ratio of Ta: Nb = 30 to 60 at%: 40 to 70 at%.
 제 1 항에 있어서,
상기 위상반전막은 13.5nm 파장의 극자외선 노광광에 대한 반사율이 5~20% 인 것을 특징으로 하는 극자외선 리소그래피용 블랭크마스크.
The method of claim 1,
The phase shift film is a blank mask for extreme ultraviolet lithography, characterized in that the reflectance with respect to the extreme ultraviolet exposure light of 13.5 nm wavelength is 5 to 20%.
 제 1 항에 있어서,
상기 위상반전막은 170~230°의 위상반전량을 갖는 것을 특징으로 하는 극자외선 리소그래피용 블랭크마스크.
The method of claim 1,
The phase shift film is a blank mask for extreme ultraviolet lithography, characterized in that it has a phase shift amount of 170 ~ 230 °.
 제 1 항에 있어서,
상기 위상반전막은 300nm 이하의 평탄도를 갖는 것을 특징으로 하는 극자외선 리소그래피용 블랭크마스크.
The method of claim 1,
The phase shift film is a blank mask for extreme ultraviolet lithography, characterized in that it has a flatness of 300 nm or less.
 제 1 항에 있어서,
상기 위상반전막은 0.5nmRMS 이하의 거칠기를 갖는 것을 특징으로 하는 극자외선 리소그래피용 블랭크마스크.
The method of claim 1,
The phase shift film is a blank mask for extreme ultraviolet lithography, characterized in that it has a roughness of 0.5 nmRMS or less.
 제 1 항의 극자외선 리소그래피용 블랭크마스크를 이용하여 제작된 포토마스크.A photomask manufactured using the blank mask for extreme ultraviolet lithography of claim 1.
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