KR20220117210A - 개별화된 캡슐화된 부품 및 이를 제조하는 방법 - Google Patents

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게랄드 미텐도르퍼
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에베 그룹 에. 탈너 게엠베하
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Abstract

본 발명은 다음 단계를 포함하는 개별화된 캡슐화된 부품(6, 7)을 제조하는 방법에 관한 것이다:
- 기판(1)의 기판 표면(1o)에 프레임 구조(4, 4', 4'', 4''')를 도포하는 단계 - 상기 프레임 구조(4, 4', 4'', 4''')는 기판 표면(1o) 상에 배열된 부품(2, 2')을 둘러쌈 - ,
- 프레임 구조(4, 4', 4'', 4''')에 커버 기판(5)을 접합하는 단계,
- 프레임 구조(4, 4', 4'', 4''')를 경화하는 단계,
- 캡슐화된 부품(6, 7)을 개별화하는 단계를 포함하고,
- 프레임 구조(4, 4', 4'', 4''')는 접착제로 형성된다.

Description

개별화된 캡슐화된 부품 및 이를 제조하는 방법
본 발명은 조정된 청구항에 따른 방법, 시스템 및 부품에 관한 것이다.
반도체 산업에서 부품 생산은 웨이퍼 생산(영어: 프론트엔드)과 조립(영어: 백엔드) 영역으로 나뉜다. 부품의 면적에 따라 기판이나 웨이퍼는 웨이퍼 생산 후 최대 수백 개의 부품을 포함한다. 부품은 톱질(영어: 다이싱)에 의해 개별화되고 배선 및 캡슐화되거나 조립체의 하우징에 주조된다. 다수의 부품을 공통 캐리어에 장착할 수도 있으며 캡슐화(영어: 포장)가 수행된다.
주조 부품에 사용되는 주조 수지 또는 예를 들어 에폭시 수지와 같은 주조 화합물은 밀폐형 캡슐화의 바람직한 실시예가 아니다. 이러한 주조 화합물은 하우징 공동이 필요하지 않은 반도체 부품에 특히 적합하다. 부품의 광학적 또는 기계적 특성이 손상되면 주조 화합물을 더 이상 사용할 수 없다.
하우징의 캡슐화는 기계적 보호와 공기 습도, 산소 또는 먼지 입자와 같은 환경적 영향으로부터 보호하는 역할을 한다. 밀폐 포장을 사용하면 하우징에 기밀한 분위기를 조성할 수 있으므로 요구 사항에 따라 진공 또는 보호 가스 분위기에서 부품을 저장할 수 있다. 예를 들어 부품 캐리어는 보호 가스 아래에서 하우징 커버에 접착되거나 납땜되는 경우가 많다. 캡슐화에서 더 오래 진공을 활성화하기 위해, 게터(getter)가 또한 사용될 수 있다. 게터는 화학 반응이나 흡착에 의해 분자를 결합할 수 있는 화학적 반응성 물질이다.
부품 또는 유닛은 특히 광학 및/또는 전자 종류의 기능 단위, 특히 센서, 칩, LED(발광 다이오드) 또는 광전자 부품, MEMS(마이크로 전자기계 시스템), 렌즈 및 렌즈 스택, 공진기 등이다. 캡슐화되는 센서는 예를 들어 광학 센서, 가속도 센서 및 회전 센서를 포함한다. 부품 또는 장치는 반도체 기판 처리에서 나타나는 집적 회로를 포함할 수 있다.
MEMS는 종종 종래 기술에서 패키지로 개별적으로 밀봉 밀봉되어 포장된다. 그러나 단일 칩 처리에는 시간이 많이 걸린다.
따라서 최근에는 특히 웨이퍼 구조화 후에 웨이퍼 레벨에서 완전히 캡슐화 프로세스를 수행하는 새로운 패키징 개념이 개발되었다. WLP(웨이퍼 레벨 패키징)는 웨이퍼 레벨에서 캡슐화하여 개별 부품의 처리를 방지한다. 따라서 WLP는 모든 프로세스가 기판 또는 웨이퍼에서 직접 발생하고, WLP 패키지는 캡슐화 후에만 다이싱 및 레이저 조사와 같은 다른 방법에 의해 웨이퍼에서 개별화된다는 점에서 기존 캡슐화와 다르다. 부품의 크기를 정의하고 부품 크기에 대한 캡슐화 크기의 비율로 계산되는 형상 계수는 따라서 거의 1이다.
복수의 부품, 특히 칩이 수직으로 2개 이상의 층으로 집적되는 경우, 3D-IC(3D-integrated Circuit)라고 한다. 3D-IC의 캡슐화, 3D 패키징은 단일 하우징에 여러 개의 칩을 적층하여 공간을 절약한다. W2W(Wafer-to-Wafer) 공정에서, 웨이퍼 및 그 위에 위치된 부품은 커버 기판에 접합된 다음 다이싱된다. 대안적으로, 예를 들어 이미 개별화된 커버가 분리된 부품에 개별적으로 적용되는 칩-투-웨이퍼(C2W) 프로세스가 가능할 것이다. 그런 다음 웨이퍼는 완성된 캡슐화된 부품으로 다이싱된다. C2W 프로세스를 통해 다양한 크기의 칩을 사용할 수 있다.
소형화 요구 사항으로 인해, 예를 들어 탱크 및 커버로 구성되고 함께 폐쇄, 용접 또는 납땜되는 세라믹 또는 금속으로 제조된 기존 하우징은 더 이상 문제가 되지 않는다.
종래 기술에서는, 웨이퍼 레벨에서 거의 밀폐 또는 밀폐 캡슐화를 위한 많은 접근 방식, 예를 들어 무엇보다도 금속을 사용한 용접 또는 납땜, 유리-프릿 결합, 융합 결합, 양극 결합 또는 플라스틱과의 접착 결합과 같은 결합 방법, 또는 벤조시클로부텐(BCB) 또는 액체-크리스탈 폴리머(LCP)와 같은 중합체 재료의 사용을 포함하는 방법이 있다.
양극 접합의 경우, 3차원 구조화 유리 웨이퍼는 기판 또는 제품 웨이퍼의 부품을 캡슐화하는 데 사용된다. 유사하게, 다른 접합 방법의 경우 구조화된 실리콘 웨이퍼가 필요하다. 그러나 3차원 구조의 커버 기판으로 덮는 것은 3차원 구조를 먼저 생산해야 하기 때문에 시간과 비용이 많이 든다. 융합 결합과 같은 방법의 사용을 제한하는 높은 공정 온도는 또 다른 문제이다.
BCB는 거의 밀폐된 밀봉을 위한 중간 층으로서 선행 기술에서 사용된다. 후자는 열의 영향으로 중합되며 반도체 산업에서 유전체, 중간층 또는 밀봉층으로 사용된다. LCP는 가스 및 수증기에 대한 우수한 차단 특성을 갖고 있어 부품을 캡슐화하기 위한 필름으로 응용 분야에 사용된다. LCP 필름은 예를 들어 제품 기판을 덮고 개별 부품을 위한 공동을 포함한다. 그러나 PCB와 LCP는 거의 밀폐된 캡슐화만 가능하다.
접착제를 사용하는 경우, 부품과 함께 제공된 기판 또는 제품 기판에 접착제를 사용하여 접착되는 커버 기판을 사용하여 캡슐화된다. 접착제가 폴리머인 경우 폴리머의 차단 특성도 기밀 밀봉에 적합해야 한다.
특히 하우징 공동이 존재할 때, 생성된 캡슐화의 확산 기밀성이라는 의미에서 밀폐형 캡슐화의 생성은 여전히 큰 도전이다. 밀폐 포장을 사용하면 하우징에 기밀한 분위기를 조성할 수 있으므로 요구 사항에 따라 진공 또는 보호 가스 분위기에서 부품을 저장할 수 있다. 기밀성이 제공되지 않거나 불충분하게만 제공되면 부품의 저항 또는 사용 수명이 단축된다. 시간이 지남에 따라 침투하는 수분은 종종 결로 형성 또는 부식 형성으로 인한 오작동과 같은 문제를 일으킨다. 유기 발광 다이오드는 예를 들어 수분뿐만 아니라 산소에도 매우 민감하다.
오늘날 존재하는 종래 기술의 접착제의 문제점은 비밀폐성 또는 거의 밀폐된 캡슐화가 종종 얻어진다는 점이다. 예를 들어 밀폐형 캡슐화는 에폭시 접착제로 불가능하다.
또한 접착제가 필요할 뿐만 아니라 개별 부품을 둘러싸는 프레임 구조를 먼저 적용하거나 구축해야 한다. 이것은 제품 기판 및/또는 커버 기판 상에 있을 수 있고 및/또는 구조화된 기판 커버, 즉 커버 기판일 수도 있다.
EP1474356B1은 예를 들어 SU-8과 같은 광패턴화 가능한 에폭시 수지로 만들어진 프레임 구조를 사용한다. 프레임 구조에 대한 커버 기판의 연결은 추가 접착제 층의 도움으로 또는 커버 기판을 프레임 구조에 접합함으로써 발생한다.
US6,995,462B2에서, 투명 커버 기판은 광학 센서를 사용하여 제품 웨이퍼에 결합된다. 접착제는 제품 웨이퍼 또는 커버 기판에 직접 구조화되어 적용된다. 사용된 접착제는 예를 들어 에폭시, 실리콘 또는 아크릴 접착제이다. 그런 다음 캡슐화된 부품이 개별화된다.
US7,541,658B2는 또한 프레임 구조를 구축하기 위해 캐리어 기판의 개별 칩 센서 주위에 가교성 물질을 반복적으로 적용하는 것을 보여준다. 그런 다음 칩은 커버 기판으로 캡슐화된다.
종래 기술의 결점은 프레임 구조가 접착층으로 캐리어 기판에 고정되어야 하고 추가 접착층으로 커버 기판에 고정되어야 한다는 점이다. 이 방법은 매우 많은 단계를 포함하고 시간이 많이 걸린다.
종래 기술의 문제점은 캡슐화된 부품의 개별화 후에 종종 패키지의 불충분한 기밀 밀봉만이 프레임 구조에 사용되는 종래의 접착제 또는 추가 재료로 달성될 수 있다는 사실에 있다. 이는 캡슐화된 부품의 장기 신뢰성 및 단축된 유효 수명 문제를 의미한다.
해결되어야 할 본 발명의 문제는 선행 기술의 단점을 제거하고 특히 부품의 밀폐 캡슐화를 위한 개선되고 단순화된 방법을 지정하는 것으로 구성된다.
이 문제는 독립항의 특징으로 해결된다. 본 발명의 유리한 개발은 종속항에 기재되어 있다. 본 발명의 범위는 또한 설명, 청구범위 및/또는 도면에 명시된 특징 중 적어도 2개의 모든 조합을 포함한다. 명시된 값 범위의 경우 명시된 한계 내에 있는 값도 제한 값으로 개시되는 것으로 간주되며 어떤 조합으로든 청구할 수 있다.
본 발명은 다음 단계를 포함하는 개별화된 캡슐화된 부품을 제조하는 방법에 관한 것이다:
- 기판의 기판 표면 상에 프레임 구조를 적용하는 단계 - 상기 프레임 구조는 기판 표면 상에 배열된 부품을 둘러쌈 - ,
- 프레임 구조에 커버 기판를 접합하는 단계,
- 프레임 구조를 경화하는 단계,
- 캡슐화된 부품을 개별화하는 단계,
여기서 프레임 구조는 접착제로부터 본 발명에 따라 형성된다.
본 발명은 또한 하기를 포함하는, 본 발명에 따른 방법이 수행될 수 있는, 개별화된 캡슐화된 부품을 생산하기 위한 시스템에 관한 것이다:
- 개별화되고 캡슐화된 부품을 수용하기 위한 공정 챔버,
- 개별화되고 캡슐화된 부품을 수용하기 위한 수용 장치,
- 부품의 프레임 구조를 처리하기 위한 처리 수단.
본 발명은 또한 본 발명에 따른 방법 및/또는 본 발명에 따른 시스템으로 제조된 개별화된 캡슐화된 부품에 관한 것이다.
프레임 구조의 더 빠르고 간단한 생산이 유리하게 가능하고 동시에 추가 접착층이 필요하지 않으므로 더 적은 작업 단계가 필요하다.
특히, 본 발명의 기초가 되는 사상은, 부품을 개별화한 후 확산 기밀이라는 의미에서 완전히 밀폐된 캡슐화를 달성하기 위해 프레임 구조의 후처리가 수행된다는 것이다.
접착제는 바람직하게는 실리콘 접착제이다. 따라서 개선된 기밀성이 유리하게 달성될 수 있다.
개별화된 캡슐화된 부품은 바람직하게는 유리 유사 구조, 특히 SiO2 구조가 발생하는 방식으로 처리된다. 따라서 개선된 밀봉이 유리하게 달성될 수 있다.
개별화된 캡슐화된 부품은 바람직하게는 플라즈마 및/또는 가스로 처리된다. 따라서 개선된 기밀성이 유리하게 달성될 수 있다.
본 발명은 특히 접착제로 접합된 적층 구조를 갖는 캡슐화된 부품에 관한 것으로서, 외부 에지들이 거의 동일하며, 다음을 포함한다:
- 부품,
- 부품을 둘러싸고 적층 구조 내부에 폐쇄된 공동을 형성하는 프레임 구조, 및
- 확산 방지 커버,
여기서 프레임 구조는 부품과 커버 사이의 스페이서 역할을 하며, 여기서 캡슐화된 부품의 개별화 후 기밀성은 프레임 구조의 처리 또는 플라즈마, 바람직하게는 O2-플라즈마 및/또는 UV/오존 및/또는 레이저 및/또는 반응성 가스에 의해 이미 경화된 접착제의 처리에 의해 달성된다.
본 발명에 따른 부품은 특히 유리하게는 선행 기술에 비해 개선된 밀폐 캡슐화를 달성하는데, 왜냐하면 프레임 재료로 만들어진 외벽의 후처리는 표면의 조밀화로 이어지며 따라서 장기간 신뢰성이 증가된 밀폐 캡슐화로 이어지기 때문이다.
특히, 본 발명은 하기 단계들을 갖는 밀폐된 캡슐화된 부품을 제조하는 방법을 설명한다:
- 각각의 경우에 제품 기판의 개별 부품, 바람직하게는 유닛 유형에 따라 미리 결합된 부품을 둘러싸는 프레임 구조를 적용하는 단계,
- 확산 방지 커버 기판에 프레임 구조를 접착하여 제품 기판과 커버 기판을 접합하는 단계,
- 프레임 구조의 접착제를 경화하는 단계,
- 캡슐화된 부품을 개별화하는 단계,
- 플라즈마, 바람직하게는 O2-플라즈마 및/또는 UV/오존 및/또는 레이저 및/또는 반응성 가스로 이미 개별화되고 캡슐화된 부품을 처리하는 단계 - 조밀한 SiO2를 형성하기 위한 표면 전환이 접착 프레임 구조의 처리에 의해 달성됨 - .
특정 실시예에서, 프레임 구조의 경화는 또한 제품 기판과 커버 기판의 결합 전에 일어날 수 있거나, 또는 프레임 구조의 경화는 바람직하게는 프레임 구조 상의 커버 기판의 결합 전에 일어나는 것이 바람직하다. 이 실시예에서, 접착제 층은 제품 기판과 커버 기판의 접합 전에 이미 경화된 프레임 구조 상에 합동으로 적용되고 접합 후에 경화된다. 실시예의 선택은 또한 무엇보다도 프레임 구조의 요구되는 높이에 의해 안내된다. 프레임 구조의 요구되는 높이를 달성하기 위해, 프레임 구조에 대한 재료의 반복 적용도 고려될 수 있고, 여기서 각 층은 재료 선택에 따라 다음 층이 적용되기 전에 경화되지 않거나 부분적으로 경화되거나 완전히 경화된다.
본 발명의 핵심 양태는 특히, 이미 개별화되고 캡슐화된 부품의 프레임 구조에 대한 후속 화학적 및/또는 물리적 처리의 결과로서, 웨이퍼 레벨에 접착제를 사용하여 캡슐화하는 단순화된 방법을 사용할 수 있어 고품질 및 기밀성의 캡슐화를 가능하게 할 수 있다는 점이다.
따라서 프레임 구조는 기계적 안정제 역할을 할 뿐만 아니라 대기 및/또는 주변 환경, 특히 유체, 보다 구체적으로 유체 또는 기체, 특히 물(수분) 및 산소에서 발생하는 입자 및 매체에 대한 보호 역할도 한다.
프레임 구조의 접착제는 예를 들어 잉크젯 공정, 인쇄 공정, 주조, 코팅, 분무, 압출 및/또는 래커와 같은 공정에 의해 적용될 수 있다. 접착제의 적용을 위한 추가 기술은 예를 들어 스프레이 코팅 또는 스프레이 래커링이다. 노즐이 기판에 대해 상대적인 운동을 하면서, 도포될 액체를 분무하는 기술이다. 노즐과 기판 사이의 상대적인 이동은 단순 회전, 병진 이동 또는 복잡한 이동이 될 수 있다.
일부 접착 재료는 점도가 높기 때문에, 필요한 경우, 용매로 희석해야 한다. 제품 기판에 대한 본 발명에 따른 프레임 구조의 적용은 예를 들어 이와 관련하여 참조되는 WO 2016/113008A1에 따른 시스템으로 수행될 수 있다.
대안적으로, 잉크젯 공정 및 인쇄 공정, 예를 들어 마이크로접촉 인쇄 공정, 스크린 인쇄 또는 플렉소프린팅이 접착제 구조 또는 프레임 구조의 적용으로부터 사용될 수 있다.
본 발명에 따른 방법은 두 부분으로 된 캡슐화, 즉, 제품 기판 상의 부품을 둘러싸는 프레임 구조 및 그 위에 배치된 커버 기판을 기반으로 한다. 캡슐화를 위한 접합 전에 제품 기판과 커버 기판이 가능한 한 정확하게 정렬되어야 한다. 기판의 정렬은 바람직하게는 상응하는 정렬 장치로 수행된다. 이러한 정렬 장치는 예를 들어 이와 관련하여 참조되는 WO 2014/202106A1에 설명되어 있다. 정렬은 바람직하게는 정렬 마크에 의해 발생한다. 기능 단위, 즉, 부품은 제품 기판의 정렬 표시 옆에 위치된다.
기판은 바람직하게는 대략적으로 동일한 직경을 가지며, 특히 5mm 미만, 바람직하게는 3mm 미만, 더욱 더 바람직하게는 1mm 미만만큼 서로 발산한다.
기판을 접합하기 위한 시스템은 예를 들어 특허 명세서 EP1564804B1 및 US6,214,692B1에 설명되어 있다. 정렬 및 결합은 특히 명시된 특허 명세서에 따라 이루어지며 더 자세히 설명되지 않는다.
개별화는 다양한 방법으로 수행할 수 있다. 예를 들어, 기계적 다이싱 및 플라즈마 기반 및/또는 레이저 기반 분리 방법이 개별화에서 분리 방법으로서 사용된다.
본 발명의 또 다른 주제는 특히 본 발명에 따른 방법을 수행하는, 특히 개별화되고 캡슐화된 부품을 생산 및/또는 처리하기 위한 시스템에 관한 것으로서, 아래를 포함한다:
- 개별화되고 캡슐화된 부품을 수용하기 위한 공정 챔버,
- 개별화되고 캡슐화된 부품을 수용하기 위한 수용 장치,
- 개별화되고 캡슐화된 부품의 프레임 구조를 처리하기 위한 플라즈마 소스 및/또는 UV광 및/또는 오존 소스 및/또는 레이저 소스,
- 공정 챔버 내로 하나 이상의 기체 성분을 도입하기 위한 수단,
- 수용 장치 및 공정 챔버의 온도 제어를 위한 가열 수단 및 제어 수단.
장치/시스템은 모듈 방식으로 설계될 수 있으며 특히 전체 시스템의 일부가 될 수 있다. 그러나 장치 자체가 복수의 모듈이 있는 전체 시스템일 수도 있다.
본 발명에 따른 장치 및 본 발명에 따른 방법에 의해, 특히 장치에 다수의 개별화된 캡슐화된 부품을 동시에 로딩하는 것이 가능하고, 그런 다음 프레임 구조의 외벽을 동시에 처리하여, 조밀한 SiO2, 특히 SiO2를 형성하기 위한 표면 전환이 즉시 이루어지므로 캡슐화의 장기간 기밀성이 보장된다.
프레임 구조의 접착 재료 또는 재료
접착제, 특히 UV 접착제는 본 발명에 따른 방법에서 제품 기판을 커버 기판에 접합하기 위해 사용된다. 제품 기판의 개별 부품 주위의 프레임 구조도 접착제로 생성된다. 개별화 후 프레임 구조는 캡슐화된 부품의 외벽을 정의한다.
캡슐화된 부품의 개별화는 예를 들어 후자가 제품 기판의 부품 주위에 어떻게 적용되었는지에 따라 프레임 구조를 통해 중간에서 또는 두 개의 프레임 구조 사이에서 수행될 수 있다.
접착제의 경화는 전자기 복사, 열, 전류, 자기장 및/또는 다른 방법에 의해 수행될 수 있다.
재료에 따라, 접착제의 경화는 전자기 복사, 바람직하게는 UV 광선 또는 IR 광선에 의해 발생한다. 전자기 복사선은 10 nm 내지 2000 nm, 바람직하게는 10 nm 내지 1500 nm, 보다 바람직하게는 10 nm 내지 1000 nm, 가장 바람직하게는 10 nm 내지 500 nm 범위의 파장을 갖는다.
열 경화 방법도 고려될 수 있다. 열 경화는 0℃ 내지 500℃, 바람직하게는 0℃ 내지 400℃, 더욱 더 바람직하게는 0℃ 내지 300℃, 가장 바람직하게는 0℃ 내지 200℃에서 일어난다.
경화는 특히 접착제의 중합을 기반으로 한다. 중합은 소위 개시제에 의해 시작된다. 경화를 위해 전자기 복사가 사용되는 경우, 2개의 기판, 특히 커버 기판 중 적어도 하나는 투명하거나 접착제의 가교가 일어나는 파장 범위의 전자기 복사에 대해 충분히 투명하다. 특히, 커버 기판은 유리 또는 사파이어 기판이다.
접착을 위해, 접착제의 적용은 전체 영역에 걸쳐 또는 제품 기판 및/또는 커버(커버 기판) 및/또는 중간 층의 프레임 구조를 따라 선택적으로 이루어질 수 있다. 프레임 구조가 접착제와 함께 적용되는 경우, 접착제의 적용은 바람직하게는 제품 기판 상에 프레임 구조를 생성하기 위해 선택적으로 또는 구조화된 방식으로 이루어진다.
영구 접착제를 사용하는 것이 바람직하다. 영구 접착제는 고분자 사슬로 화학적, 열적 또는 전자기적 영향으로 서로 영구적으로 가교 결합된다. 가교 공정은 비가역적이다. 이러한 폴리머는 기판, 특히 다른 재료로 만들어진 기판을 함께 결합하는 데 사용된다.
본 발명에 따르면, 접착제에는 특히 에폭시 수지, 포토레지스트 재료, 플루오로폴리머, 실세스퀴옥산, 벤조실코부텐, 폴리메틸 메타크릴레이트, 폴리디메틸실록산(PDMS), 폴리아릴렌 에테르, 폴리에테르에테르케톤, 액정 중합체 및 열가소성 공중합체, 예를 들어 폴리비닐리덴 클로라이드가 포함된다.
W2W(Wafer-to-Wafer) 공정의 경우, SU-8 및 BCB(benzocyclobutene)와 같은 에폭시 재료가 250°C 미만의 접합 온도에서 접착제로 확립된다.
화학적 및/또는 물리적 처리에 의해 전환되어 조밀한 SiO2를 형성할 수 있는 Si-O 및/또는 Si-OH 단위를 경화 후 표면에 또는 표면에 가까운 층에 포함하는 예를 들어 폴리디메틸실록산(PDMS) 접착제 또는 8작용성 다면체 실세스퀴옥산(POSS)을 함유하는 접착제와 같은 실리콘 기판 상의 접착제가 바람직하게 사용된다. 특히, 표면 전환이 일어나야 하며, 그 결과 실리콘 베이스에 접착제로 만들어진 프레임 구조의 밀폐가 이루어진다.
특정 실시예에서, 프레임 구조 재료 또는 접착제는 또한 특별한 특성을 나타내기 위해 중합체 복합재일 수 있다. 접착제는 예를 들어 유기 및 무기 분획 둘 모두를 가질 수 있거나, 예를 들어 금속 입자, 특히 나노입자와 같은 입자를 함유하거나, 또한 전기 전도성일 수 있다. 경화된 접착제가 전자기 복사의 일부만 통과시키면, 프레임 구조 또는 접착제가 필터 역할을 한다.
접합하는 동안, 제품 기판과 커버 기판이 접합된다. 접합은 프레임 구조를 확산 방지 커버 기판에 접착함으로써 이루어지며, 접합 중에 압력 및/또는 온도가 또한 사용될 수 있다.
개별화되고 캡슐화된 부품에서 프레임 구조의 표면 변환.
웨이퍼 레벨 패키징의 마지막 공정 단계 중 하나는 개별화이고, 여기서 완성된 그리고 캡슐화된 부품의 준비 처리된 기판이 분리된다. 부품의 개별화(engl.: 다이싱)는 다이싱, 레이저 처리(레이저 다이싱) 또는 플라즈마 가공(플라즈마 다이싱)에 의해 수행될 수 있다.
캡슐화된 부품의 개별화 후에만 프레임 구조가 본 발명에 따라 후처리되어, 원하는 캡슐화의 기밀성이 달성될 수 있다. 개별화 후 캡슐화된 부품의 프레임 구조의 처리는 복수의 개별화되고 캡슐화된 부품에 대해 동시에 수행될 수 있다는 이점이 있다.
개별화 후에, 캡슐화된 부품이 반드시 노출될 필요는 없다. 개별화 전에, 예를 들어 다이싱 테이프(영어: dicing tape)가 기판에 접착될 수 있다. 다이싱 테이프는 예를 들어 접착 테이프, 열 테이프 또는 UV 테이프이다. 기판은 다이싱 프레임으로 고정된다. 다이싱 링은 확장된 상태에서 테이프를 추가로 고정할 수 있으며, 기판과 다이싱 프레임 사이에 압착된다.
제1 예시적인 실시예에서, 다이싱 테이프를 확장함으로써 분리된 캡슐화된 부품의 간격을 증가시키기 위해 캡슐화된 부품의 추가 처리가 필요하다. 예를 들어 확장 프레임이 이러한 목적으로 사용된다. 이것은 측벽에 대한 개선된 접근, 즉 캡슐화된 부품의 프레임 구조에 대한 접근을 허용하고, 따라서 더 효율적인 후처리를 가능하게 한다.
개별화되고 캡슐화된 부품이 여전히 테이프, 특히 다이싱 프레임에 고정된 다이싱 테이프에 고정되어 있는 경우, 기판 또는 웨이퍼의 모든 개별화된 부품은 더 많은 시간이 소요되는 개별 칩 처리가 필요하지 않고 웨이퍼 수준에서 동시에 처리될 수 있다. 웨이퍼의 핸들링을 위해 이미 존재하는 장치가 유리하게 사용될 수 있으며, 그 결과 후처리 공정이 단순화된다.
예를 들어, 특히 플라즈마 프로세스와 같은 (후) 처리 방법과 테이프 및 프레임 재료의 호환성은 바람직하게는 때때로 확인되고 상응하는 적절한 재료가 선택된다.
예를 들어 고온 및/또는 화학적 및/또는 물리적 에칭 속도에서, 테이프가 더 이상 적합하지 않은 공정 조건에서, 캡슐화된 부품은 제2 예시적인 실시예에서 개별 칩 처리 프로세스에서 처리된다. 따라서, 이 실시예에서도, 복수의 개별화되고 캡슐화된 부품이 동시에 처리될 수 있다.
제3 예시적인 실시예에서, 개별화되고 캡슐화된 부품은 또한 목적에 적합한 수용 장치에서 느슨하게 운반되고 취급될 수 있다.
본 발명에 따르면, 예를 들어 PDMS 접착제 또는 POSS-함유 접착제와 같은 실리콘 베이스 상의 접착제가 프레임 구조의 제조에 특히 바람직하며, 이는 경화 후 표면에 또는 표면에 가까운 층에 Si-O 및/또는 Si-OH 단위를 포함하고, 이는 후처리 동안 화학적 및/또는 물리적 프로세스에 의해 SiOx 또는 SiO2 표면층을 형성하도록 전환될 수 있다.
플라즈마 공정 및 이온 스퍼터링 공정은 반도체 산업에서 표면의 세정 및/또는 활성화를 위해 사용된다. 선행 기술에 속하는 표면 세정 및/또는 표면 활성화 방법은 일반적으로 후속 공정을 위한 기판 표면의 예비 처리에 사용된다. 폴리디메틸실록산(PDMS)의 표면은 플라즈마 처리에 의해 활성화되어 제2 PDMS 표면 또는 유리 표면과의 영구 결합이 가능한 것이 과학 출판물(예를 들어, "Progress in Adhesion and Adhesives", Ed. K.L. Mittal, Scrivener Publishing 및 John Wiley & Sons, 2015)로부터 알려져 있다. 표면은 O2 플라즈마 처리에 의해 산화되고, PDMS 표면에 실라놀 그룹이 발생한다. 2 개의 플라즈마 처리된 표면 사이에 접촉이 이루어지면, 공유 -O-Si-O- 화합물이 발생한다.
본 발명에 따르면, 보다 복잡한 유기 기체 화합물 상의 산소, 질소, 희가스에 의해 생성된 플라즈마는 바람직하게는 플라즈마에 존재하는 이온 및 라디칼에 의한 표면 반응에 의해서뿐만 아니라 이온 충격에 의해서도 기판 표면을 수정할 수 있다.
바람직한 실시예에서, 산소-플라즈마(O2-플라즈마)가 사용된다. 본 발명에 따르면, O2-플라즈마 처리의 공정 파라미터는 조밀한 SiO2를 형성하기 위해 실리콘 베이스 상의 접착제로 만들어진 노출된 프레임 구조의 표면 전환이 일어나는 방식으로 최적화된다. 이를 위해, 가스 혼합물, 온도 및 O2-플라즈마 처리 기간과 같은 공정 파라미터가 최적화되어 조밀한 SiO2를 형성하기 위한 성공적이고 내구성 있는 표면 전환이 발생한다. 따라서 캡슐화된 부품의 이미 경화된 외부 프레임 구조의 기밀 밀봉이 달성된다.
본 발명에 따른 추가 실시예에서, O2-플라즈마 공정에 추가 성분이 도입되어, 프레임 구조의 표면과의 반응에 의해 노출된 프레임 구조의 보다 신속한 표면 전환을 통해 조밀한 SiO2 또는 SiOx를 형성한다.
본 발명에 따르면, 추가 성분은 바람직하게는 복수의 물질의 혼합물 또는 개별 화합물일 수 있다. 추가 성분은 바람직하게는 기체로서 도입된다. 본 발명에 따른 독립적인 실시예에서, 실록산은 화합물로서 사용된다. 여기에는 예를 들어 디실록산, 헥사메틸디실록산(HMDS) 및 옥타메틸트리실록산이 포함된다. HMDS는 플라즈마에 안정적이고 긁힘 방지 층 및 보호 층을 증착하는 데 적합하다. HMDS-산소 가스 혼합물이 있는 플라즈마가 사용된다. 실록산 단량체의 반응성이 높은 단편(다른, 라디칼 및 이온)이 플라즈마에서 발생하여 표면에 중합체 층을 형성한다(플라즈마 중합). 산소 농도가 증가함에 따라, Si-O-Si 라디칼의 재결합을 통해 층 증착이 발생하고, 층은 석영과 유사해진다. SiOx 층의 두께는 처리 기간과 실록산의 농도에 의해 제어될 수 있다. 처리는 SiOx 표면층의 형성에 의한 캡슐화의 프레임 구조가 확산 방지의 의미에서 원하는 기밀성에 도달할 때까지만 계속된다.
추가의 바람직한 실시예에서, 프레임 구조는 부품의 개별화 후에 UV-광/오존(O3) 처리를 겪는다. 표면은 단파 UV 광선 처리를 통해 클리닝 및/또는 수정될 수 있다. 200nm 이하의 파장을 가진 자외선이 산소에 부딪히면 오존이 형성된다. 오존은 그 자체로 UV 광선에 의해 분해되어 반응성이 높은 자유 산소 라디칼을 형성한다.
특히, 실리콘 베이스 상의 접착제는 UV/오존 처리 동안 광화학 공정에 의해 SiOx 표면층을 형성하도록 변환될 수 있는 Si-O 및/또는 Si-OH 단위를 경화 후 표면에 또는 표면에 가까운 층에 포함하는 예를 들어 PDMS 접착제 또는 POSS 함유 접착제와 같은 프레임 구조를 생성하는 데 사용된다. 이러한 광화학 공정은 바람직하게는 실온에서 발생한다.
공정 파라미터는 얇은 SiOx 표면층이 발생할 수 있는 방식으로 최적화된다. 또 다른 실시예에서, 플라즈마 처리와 유사한 이 공정에서 추가 성분이 또한 도입될 수 있다.
추가의 바람직한 실시예에서, 프레임 구조는 부품의 개별화 후에 복사선 소스, 특히 레이저로 처리된다. 본 발명에 따르면, 프레임 구조는 접착제, 바람직하게는 중합체 접착제로부터 제조된다.
폴리머 매트릭스의 레이저 조사의 경우, 열 및 비열 상호 작용 프로세스가 모두 발생하여 조사된 구조의 광화학적 분해로 이어질 수 있다. 이들은 복잡한 광화학 및 광열 반응이며, 여기서 광화학 및 광열 반응의 비율은 다양할 수 있으므로, 1) 고분자 재료, 2) 레이저 파장, 3) 펄스 시간 등의 선택에 의해 제어된다. 비열 과정은 열 효과가 여전히 존재하지만 무시할 수 있음을 의미하는 것으로 이해된다.
레이저로 프레임 구조를 조사하면, 고온의 발생 없이, 폴리머 조각, 분해 생성물 및 기체 생성물이 발생할 수 있다. 부품 및 캡슐화에 대한 변형 또는 손상을 방지하기 위해 비열 상호 작용 프로세스가 선호된다.
절제 한계 미만의 낮은 플루언스(일정한 펄스 지속 시간을 갖는 단위 면적당 복사 에너지)로, 폴리머 표면의 화학적 조성 변화를 달성할 수 있다. 절제 없이 폴리머를 조사할 수 있는 강도는 재료에 따라 다르며 실험적으로 결정된다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 캡슐화된 개별화된 부품, 특히 프레임 구조는 미리 결정된 파장 및/또는 전력 및/또는 펄스 지속 시간에 노출되며, 여기서 미리 정의된 프로세스 파라미터는 바람직하게는 주어진 재료에 적합하다. 이 실시예는 침투 깊이 및 프로세스가 파장 및/또는 펄스 시간 및/또는 레이저 파워에 의해 영향을 받을 수 있기 때문에 유리하다.
본 발명에 따르면, 조밀한 SiOx를 형성하기 위한 원하는 재료 전환이 최적화된 방식으로 일어나도록 프레임 구조 또는 접착 재료의 재료와 후처리 공정이 서로 일치된다.
본 발명의 본질적인 이점은 특히 W2W 공정에서 접착층으로서 접착제를 사용하여 제조된 캡슐화된 부품의 기밀성 및 그에 따른 품질 및 유효 수명이 증가된다는 점에 있다.
기판
기판 또는 반도체 기판은 아직 개별화되지 않은, 특히 반도체 산업의 원형 반제품을 의미하는 것으로 이해된다. 특히, 본 발명에 따른 실시예는 웨이퍼에 관한 것이다. 제품 기판 및 커버 기판은 방사상 대칭인 것이 바람직하다. 기판이 임의의 직경을 가질 수 있지만, 기판 직경은 특히 1인치, 2인치, 3인치, 4인치, 5인치, 6인치, 8인치, 12인치, 18인치 또는 18인치 초과이다. 특별한 실시예에서, 기판은 또한 직사각형, 또는 적어도 하나의 원형 형상에서 갈라지는 형상을 가질 수 있다. 기판은 특히 웨이퍼를 의미하는 것으로 후속 텍스트에서 이해된다.
기판은 바람직하게는 서로 특히 5mm 미만, 바람직하게는 3mm 미만, 더욱 더 바람직하게는 1mm 미만으로 서로 발산하는 대략 동일한 직경(D1 및 D2)을 갖는 것이 바람직하다.
커버 기판
본 발명에 따르면, 접착제의 프레임 구조는 포장될 부품 주위에 침착된다. 프레임은 부품과 높이가 같거나 또는 부품보다 높으며, 확산 방지 커버로 폐쇄되어 있다. 커버 기판의 재료로서는 유리, 실리콘, 플라스틱이 바람직하다. 추가 재료는 예를 들어 사파이어 유리, 반도체, 화합물 반도체, 산화물, 세라믹 또는 금속이다. 확산 방지 기판 커버는 부품을 빛으로부터 보호해야 하는 경우 투명하거나 불투명할 수 있다. 예를 들어 LED는 여러 층으로 구성되며 일반적으로 유리 또는 플라스틱 판으로 밀봉된다. 산소, 습기 또는 먼지 입자가 고장으로 이어질 수 있기 때문에 여기서 캡슐화의 품질은 본질적으로 유효 수명을 결정한다.
본 발명의 추가 이점, 특징 및 세부사항은 도면의 도움으로 실시예의 바람직한 예에 대한 다음의 설명으로부터 드러난다.
도 1a는 부품이 있는 제품 기판의 평면도를 보여준다.
도 1b는 제1 실시예에서 제품 기판의 단면도를 도시한다.
도 1c는 제2 실시예에서 제품 기판의 단면도를 도시한다.
도 2a는 제1 실시예에서 본 발명에 따른 방법의 제1 공정 단계 후의 제품 기판을 도시한다.
도 2b는 도 2a의 제품 기판의 측면도를 도시한다.
도 2c는 제2 실시예에서 본 발명에 따른 방법의 제1 공정 단계 후의 제품 기판의 측면도를 도시한다.
도 3a는 제1 실시예에서 제품 기판의 프레임 구조의 측면도를 도시한다.
도 3b는 제2 실시예에서 제품 기판의 프레임 구조의 측면도를 도시한다.
도 3c는 제3 실시예에서 제품 기판의 프레임 구조의 측면도를 도시한다.
도 4a는 제1 실시예에서 캡슐화되고 개별화된 부품의 측면도를 도시한다.
도 4b는 조밀한 SiOx를 형성하기 위한 표면 전환을 위한 표면의 후처리 공정 단계 이후의 제1 실시예에서 캡슐화되고 개별화된 부품의 측면도를 도시한다.
도 4c는 조밀한 SiOx를 형성하기 위한 표면 전환을 위한 표면의 후처리의 마지막 공정 단계 이후에 본 발명에 따른 캡슐화되고 개별화된 부품의 평면도를 나타낸다.
도 5a는 캡슐화된 부품의 후처리를 위한 본 발명에 따른 장치의 제1 실시예의 개략도를 도시한다.
도 5b는 캡슐화된 부품의 후처리를 위한 본 발명에 따른 장치의 제2 실시예의 개략도를 도시한다.
도면에서 동일한 부품 또는 동일한 기능을 갖는 부품은 동일한 참조 번호로 표시된다. 수치는 표현을 개선하기 위해 실제 크기로 표시되지 않았다.
제품 기판(1)은 도 1a에 도시되어 있으며, 그 표면(1o) 상에서 그 위에 위치된 부품(2)이 생산된다. 도 1b에 따르면, 이러한 부품(2)는 또한 전기 전도성 연결부(3, 3')를 포함할 수 있다.
도 1c에 따른 추가 실시예에서, 부품(2')은 캐리어 기판(1') 상에 및/또는 캐리어 기판(1')을 갖는 광학 구조, 특히 마이크로렌즈이다. 처리된 기판(1, 1')은 웨이퍼 레벨에서 캡슐화 프로세스를 완전히 수행할 수 있도록 부품(2, 2') 사이에 정밀하게 정의된 자유 영역(1f)을 가지고 있다.
도 2a에 따른 본 발명에 따른 예시적인 방법의 제1 단계에서, 프레임 구조(4)가 부품(2) 사이에 증착된다.
본 발명에 따른 캡슐화 프로세스는 2-부분 캡슐화에 기초하고, 즉, 도 2b 및 도 2c에 따라 프레임 구조(4)가 부품(2, 2')을 둘러싸고 커버 기판(5)이 그 위에 배치된다.
프레임 구조(4)는 기판(5)을 덮기 위해 접합에 사용되는 접착제로 제조된다.
도 2b에 따른 측면도에서, 넓은 프레임 구조(4)가 증착되었음을 알 수 있다. 부품(2)과 프레임 구조(4) 사이에 자유 공간(1f')이 있다. 도 2b에 따른 캡슐화 후 부품의 개별화는 예를 들어 교차선(S)을 따라 이루어진다.
도 2c에 따른 실시예의 다른 예에서, 개별 프레임 구조(4')는 각각의 경우에 부품(2) 사이에 증착되어, 부품의 개별화는 2개의 프레임 구조(4') 사이의 캡슐화 후에 발생한다. 이와 관련하여 교차선(S')을 참조하도록 한다.
프레임 구조(4)의 높이는 요구 사항이나 부품 유형(2, 2')에 따라 크게 달라질 수 있다. 부품(2, 2') 위의 공동이 필요하거나 요구되는 경우, 프레임 구조(4)의 필요한 높이는 각 개별 경우에 최적화된다.
프레임 구조(4)의 높이는 여전히 필요한 임의의 접착층을 포함하여 프레임(4, 4', 4'', 4''')의 전체 높이를 의미하는 것으로 이해된다.
프레임 구조(4, 4', 4'', 4''')는 기판(5)을 덮는 접착에 사용되는 접착 재료로 제조된다. 따라서, 바람직한 실시예에서, 프레임 구조를 생성하기 위해 접착 재료만이 사용된다.
프레임 구조의 증착 후, 도 3a 및 도 3b에 따라 부품(2, 2')과 프레임 구조(4, 4'') 사이에 높이 차이(H)가 발생한다. 도 3b에 따른 실시예에서, 프레임 구조(4'')와 부품(2)가 거의 동일한 높이이기 때문에, 높이 차이(H)는 거의 0이다.
도 3c에 따른 다른 실시예에서, 프레임 구조(4''')는 재료의 복수 층의 증착에 의해 구축될 수 있다. 본 발명에 따르면, 프레임 구조(4''')를 위한 재료로서의 접착제는 각각의 증착된 층 후에 부분적으로 또는 완전히 가교결합될 수 있는데, 즉, 예를 들어 UV 복사 또는 열 공급에 의해 경화된다. 대안적인 실시예에서, 접착제의 점도 및/또는 유동 특성에 따라, 복수의 층이 완전한 경화가 일어나기 전에 먼저 서로 증착될 수 있다.
본 발명에 따르면, 경화는 바람직하게는 접착제의 중합에 기초한다. 중합은 소위 개시제에 의해 시작된다. 경화를 위해 전자기 복사가 사용되는 경우, 2개의 기판, 특히 커버 기판 중 적어도 하나는 접착제의 가교가 일어나는 파장의 전자기 복사에 대해 투명하거나 또는 충분히 투명하다.
특별한 실시예에서, 프레임 구조의 완전한 경화는 또한 제품 기판과 커버 기판의 접합 전에 일어날 수 있다. 이 실시예에서, 접착제 층은 제품 기판과 커버 기판의 접합 전에 이미 경화된 프레임 구조 상에 합동으로 적용되고 접합 후에 경화된다.
경화 과정은 전자기 복사, 바람직하게는 UV-광 및/또는 열 복사의 영향 하에 발생한다. 전자기 복사선은 10 nm 내지 2000 nm, 바람직하게는 10 nm 내지 1500 nm, 보다 바람직하게는 10 nm 내지 1000 nm, 가장 바람직하게는 10 nm 내지 500 nm 범위의 파장을 갖는다.
열처리는 750℃ 미만, 바람직하게는 500℃ 미만, 더욱 더 바람직하게는 250℃ 미만, 가장 바람직하게는 100℃ 미만, 가장 바람직하게는 50℃ 미만에서 일어난다. 열처리는 바람직하게는 샘플 홀더를 통한 열 전도를 통해 수행된다. 그러나 주변 분위기의 가열 또는 이들의 조합도 생각할 수 있다.
제2 공정 단계에서, 제품 기판과 커버 기판의 접합은 도 2b 및 도 2c에 따른 확산 방지 커버 기판에 프레임 구조를 접착함으로써 발생하며, 여기서 접착제는 프레임 구조를 형성한다. 압력 및/또는 온도는 또한 제품 기판과 접착제의 접합에 사용될 수 있다. 투명 커버 기판의 경우, 프레임 구조/접착제의 경화는 제품 기판과 커버 기판의 결합 후에 일어날 수 있다.
캡슐화된 부품의 개별화는 추가 공정 단계에서 발생한다. 도 4a는 개별화되고 캡슐화된 부품(6)을 보여준다. 유닛(2)은 프레임 구조(4)에 의해 측면에 프레임이 형성된다. 준비 처리된 기판에 있는 완성된 캡슐화된 부품은 개별화 중에 분리된다. 부품의 개별화는 다이싱, 레이저 공정(레이저 다이싱) 또는 플라즈마 공정(플라즈마 다이싱)에 의해 발생할 수 있다.
프레임 구조(4o)의 외부 표면은 고품질 및 기밀성의 캡슐화를 가능하게 하지 않는다. 부품의 장기적인 안정성을 가능하게 하기 위해, 개별화되고 캡슐화된 부품은 이후 마지막 공정 단계에서 처리된다. 특히, 프레임 구조(4)의 외부 표면(4o)의 화학적 전환이 달성된다. 이미 개별화되고 캡슐화된 부품의 프레임 구조(4o)의 표면에 대한 본 발명의 후속적인 화학적 및/또는 물리적 처리의 결과로서, 웨이퍼 레벨에서 캡슐화를 위한 단순화된 방법이 사용되어, 고품질 및 기밀성의 캡슐화를 가능하게 한다.
따라서 처리된 프레임 구조는 기계적 안정제로서 뿐만 아니라, 대기 및/또는 주변 환경, 특히 유체, 보다 구체적으로 액체 또는 기체, 특히 물(습도) 및 산소에서 발생하는 입자 및 매체에 대한 보호 역할도 한다.
도 4b 및 도 4c는 본 발명에 따른 캡슐화된 부품의 후처리에 의해 변경된 외부 프레임 구조(8)의 측면도 및 평면도를 각각 도시한다. 본 발명에 따르면, 실리콘 베이스 상의 접착제는 SiOx 표면층 또는 SiO2층을 형성하기 위해 후처리 동안 화학적 및/또는 물리적 공정에 의해 전환될 수 있는 Si-O 및/또는 Si-OH 유닛을 경화 후 표면에 또는 표면에 가까운 층에 포함하는 예를 들어 PTMS 접착제 또는 POSS 함유 접착제와 같은 프레임 구조를 생성하는 데 특히 바람직하다.
본 발명에 따르면, 프레임 구조의 외층은 석영과 같이 된다. SiOx 층의 두께는 처리 기간에 따라 제어될 수 있다. 처리는 SiOx 표면층의 형성에 의한 캡슐화의 프레임 구조가 확산 방지의 의미에서 원하는 기밀성에 도달할 때까지만 계속된다. 외부 프레임 구조에 SiOx 표면층 또는 SiO2층을 형성하면 프레임 구조와 기판의 다른 재료에도 불구하고 밀폐 캡슐화가 가능하다.
마지막 공정 단계에서 캡슐화된 부품의 후처리가 발생한다.
도 5a는 제1 실시예에 따른 캡슐화된 부품의 후처리를 수행하기 위한 공정 챔버를 도시한다. 개별화 후에, 캡슐화된 부품이 반드시 노출될 필요는 없다.
개별화되고 캡슐화된 부품이 여전히 테이프, 특히 다이싱 프레임에 고정된 다이싱 테이프에 고정되어 있는 경우, 기판 또는 웨이퍼의 모든 개별화된 부품은 더 많은 시간이 소요되는 개별 칩 처리가 필요하지 않고 웨이퍼 수준에서 동시에 처리될 수 있다. 웨이퍼의 핸들링을 위해 이미 존재하는 장치가 유리하게 사용될 수 있으며, 그 결과 공정 챔버(9, 9')에서의 후처리 프로세스가 단순화된다.
제1 실시예에서, 다이싱 테이프를 확장함으로써 분리된 부품의 간격을 증가시키기 위해 캡슐화된 부품의 추가 처리가 필요하다. 예를 들어 확장 프레임이 이러한 목적으로 사용된다. 이것은 측벽에 대한 개선된 접근, 즉 캡슐화된 부품의 프레임 구조에 대한 접근을 허용하고, 따라서 더 효율적인 후처리를 가능하게 한다.
테이프가 더 이상 적합하지 않은 공정 조건, 예를 들어, 고온 및/또는 화학적 및/또는 물리적 에칭 속도에서, 캡슐화된 부품은 제2 실시예에서 개별 칩 처리 프로세스에서 처리된다. 기판 상의 정의된 위치에 개별화되고 캡슐화된 부품의 층을 배치하기 위한 장치 및 방법은 종래 기술에 알려져 있다.
따라서, 본 발명에 따르면, 복수의 개별화되고 캡슐화된 부품은 또한 이 실시예에서 동시에 처리될 수 있다.
제3 실시예에서, 개별화되고 캡슐화된 부품은 또한 적절한 수용 장치에서 느슨하게 운반되고 취급될 수 있다.
도 5a 및 도 5b에 따르면, 예를 들어 확장된 다이싱 테이프 상에 위치된 다이싱된 캡슐화된 부품 구조로 공정 챔버(9, 9')를 로딩하는 것은 로딩 장치, 바람직하게는 에어록(10)을 통해 일어난다. 수용 장치(13)는 다이싱 프레임 또는 기판을 공정 챔버(9, 9')에 고정시키는 역할을 한다. 테이블(12)은 특히 다이싱 프레임 또는 기판이 로딩되는 동안, 후자가 위쪽으로 이동될 수 있고 로봇 암이 기판을 증착할 수 있도록 설계되었다. 보다 일반적으로, 테이블(12)은 요구사항에 따라 z-방향으로 이동된다.
또한, 수용 장치(13)의 회전 및/또는 틸팅이 가능하다. 테이블 이동을 위한 공간적으로 고정된 좌표 시스템은 도 5b에 예를 들어 표시된다.
공정 챔버(9, 9')는 바람직하게는 배기되고 가열될 수 있다. 가열은 가열된 수용 장치(들)(13)에 의해 및/또는 적절한 열원(도시되지 않음)에 의한 복사 가열에 의해 일어날 수 있다. 공정 챔버(9, 9')에는 흡입 및/또는 진공 시스템(11)이 제공된다. 도 5a 및 도 5b에 따른 수용 장치는 프레임 또는 기판을 다이싱하는 데 적합하다. 대안으로, 수용 장치로서의 바스켓도 가능하다.
수용 장치(13) 및/또는 공정 챔버(9, 9')는 0℃ 내지 1000℃, 바람직하게는 0℃ 내지 500℃, 보다 바람직하게는 0℃ 내지 400℃, 가장 바람직하게는 0℃ 내지 350℃의 온도 범위에서 가열되고 온도 제어될 수 있다. 수용 장치(13)는 특히 구멍을 포함할 수 있다. 이러한 구멍은 캡슐화된 부품보다 작을 수 있다.
수용 장치(13)는 물리적 및/또는 화학적 특성이 측정될 수 있는 센서(도시되지 않음)을 또한 포함할 수 있다. 이러한 센서는 예를 들어 온도 센서일 수 있다.
도 5a에 따른 실시예는 공정 챔버(9), 바람직하게는 플라즈마 챔버를 도시한다. 에너지 커플링의 유형과 관련하여 현저하게 다른 플라즈마를 생성하는 다양한 방법이 있다. DC 방전은 직류 전압을 인가하여 생성할 수 있다. 용량 결합 MHz 방전(CCP 용량 결합 플라즈마)은 플라즈마 에칭 및 플라즈마 코팅에 사용된다. 이온 흐름 및 플라즈마 밀도는 복수의 주파수를 사용하여 서로 별도로 제어될 수 있다. 유도 결합 방전(ICP Inductively Coupled Plasma)의 경우 플라즈마가 변압기의 2차 권선 역할을 하기 때문에 플라즈마 밀도가 더욱 증가한다.
산소, 질소, 희가스 또는 보다 복잡한 유기 기체 화합물에 의해 생성된 플라즈마는 이온 충격 및 플라즈마에 존재하는 이온 및/또는 라디칼에 의한 표면 반응 모두에 의해 기판 표면을 수정할 수 있다. 프레임 재료와의 화학적 상호작용을 가능하게 하는 플라즈마 공정이 사용되는 것이 바람직하다.
도 5a는 다운스트림 플라즈마 반응기(16)로부터 반응성 입자의 공급을 갖는 플라즈마 챔버(9)의 제1 실시예를 도시한다. 이러한 반응기는 플라즈마 에칭의 물리적 몫을 완전히 차단하는 데 사용된다. 플라즈마, 바람직하게는 산소 플라즈마(17)가 공정 챔버(9)의 내부에서 우세하다. 본 발명에 따르면, 개별 가스 및 이들의 혼합물을 사용하여 플라즈마를 생성할 수 있다. 바람직한 실시예에서, 산소 플라즈마(O2-플라즈마)가 사용된다.
플라즈마 챔버의 제2 실시예는 예를 들어 대칭 전극(도면에 표시되지 않음)을 갖는 평행판 반응기를 포함한다. 이 실시예에서, (무엇보다도) 프레임 재료와 화학적 및 물리적 상호작용이 일어난다. 플라즈마 챔버의 구조와 상관없이, O2-플라즈마 처리의 공정 파라미터는 실리콘 베이스에 접착제로 제조된 노출된 프레임 구조의 표면 전환이 발생하여 조밀한 SiO2를 형성하는 방식으로 최적화된다. 이를 위해, 가스 혼합물, 온도 및 O2-플라즈마 처리 기간과 같은 공정 파라미터가 최적화되어, 조밀한 SiO2를 형성하기 위한 성공적이고 내구성 있는 표면 전환이 발생한다. 따라서 캡슐화된 부품의 이미 경화된 외부 프레임 구조의 기밀 밀봉이 달성된다. 수용 장치(13)의 틸팅은 필요한 경우, 개별화되고 캡슐화된 부품의 측면 프레임 구조에 대한 최적화된 플라즈마 접근을 가능하게 한다.
본 발명에 따른 플라즈마 후처리의 제3 실시예에서, 프레임 구조의 표면과 반응하여 조밀한 SiO2 또는 SiOx를 형성하도록 노출된 프레임 구조의 보다 신속한 표면 전환을 달성하기 위해 O2-플라즈마 공정에 추가 부품이 도입된다. 추가 성분은 복수 물질의 혼합물 또는 개별 화합물일 수 있다. 추가 성분은 바람직하게는 기체로서 도입된다.
도 5a 및 도 5b에 따른 공정 챔버(9, 9')에서, 더욱 바람직하게는 기체 성분이 밸브(14, 14')에 의해 도입될 수 있다.
본 발명에 따른 실시예에서, 실록산은 화합물로서 사용된다. 여기에는 예를 들어 디실록산, 헥사메틸디실록산(HMDS) 및 옥타메틸트리실록산이 포함된다.
도 5b는 개별화되고 캡슐화된 부품의 후처리를 위한 공정 챔버(9')의 추가 실시예를 도시한다.
도 5b에 따른 공정 챔버(9')에서, 프레임 구조의 외부 표면은 개별화 후에 UV-광/오존(O3) 처리를 거친다. 수용 장치(13)는 다이싱 프레임 또는 기판을 공정 챔버(9')에 고정시키는 역할을 한다. 테이블(12)은 특히 다이싱 프레임 또는 기판이 로딩될 때 후자가 위쪽으로 이동될 수 있고 로봇 암이 기판을 증착할 수 있도록 설계되었다. 보다 일반적으로, 테이블(12)은 요구사항에 따라 z-방향으로 이동된다. 또한, 수용 장치(13)의 회전 또는 틸팅이 가능하다. 테이블 이동을 위한 공간적으로 고정된 좌표계는 도 5b에 나와 있다.
산소는 밸브(14, 14') 중 하나를 통해 공정 챔버로 도입된다. 복사선 소스(15)는 UV 광으로 캡슐화된 부품의 조사를 가능하게 한다. 200nm 이하의 파장을 가진 자외선이 산소에 부딪히면, 오존이 형성된다. 오존은 그 자체로 UV 광선에 의해 분해되어 반응성이 높은 자유 산소 라디칼을 형성한다.
본 발명에 따르면, 실리콘 베이스 상의 접착제는 특히 UV/오존 처리 동안 광화학 공정에 의해 SiOx 표면층을 형성하도록 변환될 수 있는 Si-O 및/또는 Si-OH 유닛을 경화 후 표면에 또는 표면에 가까운 층에 포함하는 예를 들어 PDMS 접착제 또는 POSS-함유 접착제와 같은 프레임 구조를 생성하는 데 사용된다. 이러한 광화학 공정은 바람직하게는 실온에서 발생한다.
공정 파라미터는 얇은 SiOx 표면층이 발생할 수 있는 방식으로 최적화된다. 추가 실시예에서, 추가적인 기체 성분은 또한 플라즈마 처리와 유사한 이 프로세스에서 밸브(14, 14')를 통해 도입될 수 있다. 도 5a의 공정 챔버와 유사하게, 흡입 시스템 및/또는 진공 시스템(11)과 에어록(10)도 여기에 존재한다.
공정 챔버(9')의 대안적인 실시예에서, 복사선 소스(들)(15)는 또한 IR 광 및/또는 레이저일 수 있다. 복사선 소스(15)는 필요에 따라 단 하나의 단일 복사선 소스뿐만 아니라 복수의 (병렬) 광원을 포함할 수도 있다. 이 복사선 소스는 이동 가능하도록 설계될 수 있다. 추가 실시예에서, 프레임 구조는 특히 부품의 개별화 후에 레이저로 처리된다.
본 발명에 따르면, 간섭성 광자 공급원, 특히 마이크로파 공급원, 바람직하게는 메이저, 또는 가시광선, IR, UV 및 x선 광에 대한 간섭성 광자 공급원으로 구성된 레이저가 적어도 주로, 바람직하게는 독점적으로 사용되는 것이 바람직하다. 절제 한계 미만의 낮은 플루언스(일정한 펄스 지속 시간으로 단위 면적당 복사 에너지)로, 프레임 재료 표면의 화학적 조성 변화를 달성할 수 있다.
캡슐화되고 개별화된 부품, 특히 프레임 구조는 미리 정의된 파장 및/또는 전력 및/또는 펄스 지속 시간에 노출되고, 여기서 미리 정의된 프로세스 파라미터는 바람직하게는 주어진 재료와 일치한다. 이 실시예는 침투 깊이 및 프로세스가 파장 및/또는 펄스 시간 및/또는 레이저 파워에 의해 영향을 받을 수 있기 때문에 유리하다. 광자 소스는 연속 작동 또는 바람직하게는 펄스 작동으로 작동될 수 있다. 펄스 시간은 특히 1초 미만, 바람직하게는 1ms 미만, 더욱 더 바람직하게는 1μs 미만, 가장 바람직하게는 1ns 미만이다. 연속적인 펄스 사이의 시간은 바람직하게는 1ms보다 크고, 더 바람직하게는 10ms보다 크고, 가장 바람직하게는 1s보다 크다. 수용 장치(13)의 틸팅은 또한, 필요한 경우, 개별화된 캡슐화된 부품의 (측면) 프레임 구조에 대한 최적화된 복사선 액세스를 가능하게 한다.
특별한 실시예에서, 본 발명에 따른 공정 챔버(9, 9')는 클러스터 시스템의 모듈로서 배열된다. 본 발명에 따른 공정 챔버가 캡슐화된 부품의 후처리를 위해 위치되는 모듈은, 요구 사항에 따라, 바람직하게는 (진공) 클러스터 시스템과 독립적으로 1 bar 미만, 바람직하게는 10-3 mbar 미만, 보다 바람직하게는 10-5mbar 미만, 가장 바람직하게는 10-8mbar 미만의 압력으로 배기될 수 있다.
처리된 캡슐화된 부품을 공정 챔버에서 언로딩한 후, 후자는 다이싱 테이프에서 개별적으로 제거될 수 있다.
특히, 프레임 구조의 재료 또는 접착 재료 및 후처리 공정은 조밀한 SiOx를 형성하기 위한 원하는 재료 변환이 최적화된 방식으로 일어나는 방식으로 서로 일치된다. 본 발명의 본질적인 이점은 특히, W2W 프로세스에서 접착층으로 접착제를 사용하여 생산된 캡슐화된 부품의 기밀성 및 그에 따른 품질 및 사용 수명은 후처리에 의해 증가된다는 점에 있다.
1 제품 기판/캐리어 기판
1o 기판 표면
1f, 1f' 노출된 표면
2, 2' 부품
3, 3' 접점 및/또는 전기 전도성 연결
4, 4', 4'', 4''' 프레임 구조
4o 캡슐화된 개별화된 부품 구조 상의 프레임 구조의 외부 표면
5 커버 기판
S, S' 교차선
H 프레임 구조와 부품 구조 사이의 높이 차이
6 캡슐화된 개별화된 부품
7 (프레임 구조) 표면의 후처리 후 캡슐화된 개별화된 부품
8 SiOx 표면층
9, 9' 공정 챔버
10 에어록
11 흡입 및/또는 진공 시스템
12 테이블
13 개별화된 캡슐화된 부품(다이싱 프레임, 기판, 바스켓 등)을 위한 수용 장치
14, 14' 가스 밸브
15 복사선 소스(들) (IR 광선 및/또는 UV 광선 및/또는 레이저 등)
16 다운스트림 플라즈마 반응기에서 반응성 입자의 공급
17 (O2)-플라즈마

Claims (8)

  1. 개별화된 캡슐화된 부품(6, 7)을 생산하는 방법으로서:
    - 기판(1)의 기판 표면(1o)에 프레임 구조(4, 4', 4'', 4''')를 도포하는 단계 - 상기 프레임 구조(4, 4', 4'', 4''')는 기판 표면(1o)에 배열된 부품(2, 2')을 둘러쌈 - ,
    - 프레임 구조(4, 4', 4'', 4''')에 커버 기판(5)을 접합하는 단계,
    - 프레임 구조(4, 4', 4'', 4''')를 경화하는 단계,
    - 캡슐화된 부품(6, 7)을 개별화하는 단계를 포함하고,
    - 상기 프레임 구조(4, 4', 4'', 4''')는 접착제로 형성되는 것을 특징으로 하는 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 접착제는 실리콘 접착제인, 방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 개별화된 캡슐화된 부품(6, 7)은 유리 유사 구조, 특히 SiO2 구조가 발생하는 방식으로 처리되는, 방법.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 개별화된 캡슐화된 부품(6, 7)은 플라즈마 및/또는 가스로 처리되는, 방법.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 프레임 구조(4, 4', 4'', 4''')를 경화하는 단계는 프레임 구조(4, 4', 4'', 4''') 상에 커버 기판(5)을 접합하기 전에 발생하는, 방법.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 프레임 구조의 접착제(4, 4', 4'', 4''')는 잉크젯 공정, 인쇄 공정, 주조, 코팅, 스프레이, 압출, 스프레이 코팅, 스프레이 래커 및/또는 래커에 의해 도포되는, 방법.
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 따른 방법이 수행될 수 있는, 개별화된 캡슐화된 부품(6, 7)을 생산하기 위한 시스템으로서,
    - 개별화되고 캡슐화된 부품(6, 7)을 수용하기 위한 공정 챔버(9, 9'),
    - 개별화되고 캡슐화된 부품(6, 7)을 수용하기 위한 수용 장치(13, 13'),
    - 부품(6, 7)의 프레임 구조(4, 4', 4'', 4''')를 처리하기 위한 처리 수단(15, 16, 17)을 포함하는, 시스템.
  8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 따른 방법 및/또는 시스템으로 제조된, 개별화된 캡슐화된 부품(6, 7).
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AT405775B (de) 1998-01-13 1999-11-25 Thallner Erich Verfahren und vorrichtung zum ausgerichteten zusammenführen von scheibenförmigen halbleitersubstraten
CA2446125A1 (en) * 2001-05-16 2002-11-21 Sekisui Chemical Co., Ltd. Curing resin composition and sealants and end-sealing materials for displays
DE10206919A1 (de) 2002-02-19 2003-08-28 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Erzeugung einer Abdeckung, Verfahren zum Herstellen eines gehäusten Bauelements
US20040038442A1 (en) * 2002-08-26 2004-02-26 Kinsman Larry D. Optically interactive device packages and methods of assembly
US6995462B2 (en) * 2003-09-17 2006-02-07 Micron Technology, Inc. Image sensor packages
DE102004007060B3 (de) 2004-02-13 2005-07-07 Thallner, Erich, Dipl.-Ing. Vorrichtung und Verfahren zum Verbinden von Wafern
TW200930135A (en) * 2007-08-31 2009-07-01 Tokyo Electron Ltd Organic electronic device, organic electronic device manufacturing method, organic electronic device manufacturing apparatus, substrate processing system, protection film structure and storage medium with control program stored therein
WO2014092013A1 (ja) * 2012-12-10 2014-06-19 旭硝子株式会社 封着材料、封着材料層付き基板、積層体および電子デバイス
EP3011589B9 (de) 2013-06-17 2018-09-05 Ev Group E. Thallner GmbH Vorrichtung und verfahren zum ausrichten von substraten
DE102015100579A1 (de) 2015-01-15 2016-07-21 Ev Group E. Thallner Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Beschichten von Substraten
WO2017203795A1 (ja) * 2016-05-25 2017-11-30 日本電気硝子株式会社 気密パッケージ及び気密パッケージの製造方法

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