KR20220112936A - Multiplexer - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 멀티플렉서에 관한 것으로, 보다 상세하게는 안테나와 연결되어 서로 다른 주파수 대역의 신호를 통과시키는 복수개의 필터를 포함하는 멀티플렉서에 관한 것이다.The present invention relates to a multiplexer, and more particularly, to a multiplexer including a plurality of filters connected to an antenna to pass signals of different frequency bands.
현재, 이동통신단말기는 다중밴드(Multiband) 및 다중모드(Multimode)의 통신 기능을 갖추는 추세이며, 따라서 RF 프론트 엔드 모듈에는 멀티플렉서가 필수적으로 구비된다.Currently, mobile communication terminals tend to have communication functions of multiband and multimode, and therefore, a multiplexer is essential in the RF front-end module.
멀티플렉서는 통상적으로 안테나와 연결되어 서로 다른 주파수 대역의 신호를 통과시키는 복수개의 필터를 포함하며, 이들 복수개의 필터는 저역통과필터(lowpass filter), 대역통과필터(bandpass filter), 또는 고역통과필터(highpass filter)로 구성된다.A multiplexer is typically connected to an antenna and includes a plurality of filters that pass signals of different frequency bands, and these plurality of filters include a lowpass filter, a bandpass filter, or a highpass filter ( highpass filter).
그런데 기존의 멀티플렉서는 인덕터와 커패시터로 구현되는 LC 필터만으로 구성되거나, 표면탄성파(surface acoustic wave, SAW) 소자를 이용한 SAW 필터만으로 구성되거나, LC 필터 및 SAW 필터로 구성된 것들이었다.However, the existing multiplexers consisted of only an LC filter implemented with an inductor and a capacitor, a SAW filter using a surface acoustic wave (SAW) device, or a LC filter and a SAW filter.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 집중 소자(lumped element)를 사용하지 않고, IDT 커패시터와 제1 인덕터를 이용하여 구성된 멀티플렉서를 제공하는 데 있다.The technical problem to be achieved by the present invention is to provide a multiplexer configured using an IDT capacitor and a first inductor without using a lumped element.
상기 기술적 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 멀티플렉서는, 안테나와 연결되어 서로 다른 주파수 대역의 신호를 통과시키는 복수개의 필터들을 포함하며, 상기 복수개의 필터들은 각각 저역통과 필터, 대역통과 필터 및 고역통과 필터를 포함하고, 상기 고역통과 필터는 적어도 하나 이상의 제1 IDT(inter digital transducer) 커패시터와 적어도 하나의 제1 인덕터로 구성되고, 상기 저역통과 필터는 SAW(surface acoustic wave) 공진기, 적어도 하나 이상의 제2 IDT 커패시터 및 적어도 하나 이상의 제2 인덕터로 구성된 것을 특징으로 한다.A multiplexer according to an embodiment of the present invention for solving the above technical problem includes a plurality of filters connected to an antenna to pass signals of different frequency bands, and the plurality of filters are low-pass filters, band-pass filters, respectively. a filter and a high-pass filter, wherein the high-pass filter includes at least one first inter digital transducer (IDT) capacitor and at least one first inductor, the low-pass filter comprising a surface acoustic wave (SAW) resonator; It is characterized in that it is composed of at least one or more second IDT capacitors and at least one or more second inductors.
상기 고역통과 필터는, 적어도 하나 이상의 상기 제1 IDT 커패시터가 래더 형태로 연결되고, 적어도 하나 이상의 상기 제1 인덕터의 일단이 상기 제1 IDT 커패시터에 직렬 연결되고, 상기 제1 인덕터의 타단이 접지되어 있는 것을 특징으로 한다.In the high-pass filter, at least one or more of the first IDT capacitors are connected in a ladder form, one end of at least one of the first inductors is connected in series to the first IDT capacitor, and the other end of the first inductor is grounded. characterized by having
상기 제1 인덕터는, 패키지 내에 임베디드된 것을 특징으로 한다.The first inductor is embedded in a package.
상기 저역통과 필터는, 상기 제2 IDT 커패시터와 상기 제2 인덕터가 병렬 연결된 것을 특징으로 한다.The low-pass filter is characterized in that the second IDT capacitor and the second inductor are connected in parallel.
상기 제2 인덕터는 패키지 내에 임베디드된 것을 특징으로 한다.The second inductor is embedded in the package.
상기 기술적 과제를 해결하기 위한 본 발명의 다른 실시예에 따른 멀티플렉서는, 적어도 하나 이상의 제1 IDT 커패시터와 상기 제1 IDT 커패시터에 병렬 연결된 적어도 하나 이상의 제1 인덕터만을 포함하는 고역통과 필터; 적어도 하나 이상의 제1 SAW 공진기, 적어도 하나 이상의 제2 IDT 커패시터 및 적어도 하나 이상의 제2 인덕터를 포함하는 저역통과 필터; 및 적어도 하나 이상의 제2 SAW 공진기 및 적어도 하나 이상의 제3 인덕터를 포함하는 대역통과 필터를 포함하고, 상기 제1 인덕터, 상기 제2 인덕터 및 상기 제3 인덕터는 모두 패키지 기판 내에 임베디드된 것을 특징으로 한다.A multiplexer according to another embodiment of the present invention for solving the technical problem, a high-pass filter including only at least one first IDT capacitor and at least one or more first inductors connected in parallel to the first IDT capacitor; a lowpass filter comprising at least one first SAW resonator, at least one second IDT capacitor, and at least one second inductor; and a bandpass filter comprising at least one or more second SAW resonators and at least one or more third inductors, wherein the first inductor, the second inductor and the third inductor are all embedded in a package substrate. .
상기된 본 발명에 의하면, 집중 소자(lumped element)를 사용하지 않고, IDT 커패시터와 제1 인덕터를 이용하여 저역통과 필터와 고역통과 필터를 구성함으로써, 멀티플렉서의 구성을 위한 자재비용을 절감할 수 있고, 표면 실장 기술(SMT: Surface Maunt Technology) 공정을 생략할 수 있으므로, 멀티플렉서의 제조 공정 시간을 단축시킬 수 있다. According to the present invention described above, by configuring the low-pass filter and the high-pass filter using the IDT capacitor and the first inductor without using a lumped element, the material cost for the configuration of the multiplexer can be reduced and , since the surface mount technology (SMT) process can be omitted, the manufacturing process time of the multiplexer can be shortened.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 멀티플렉서의 회로 구성도이다.
도 2는 도 1에 도시된 멀티플렉서를 구성하는 고역통과 필터를 나타내는 회로도이다.
도 3a는 본 발명의 일 실시예에 따른 멀티플렉서의 평면 구조도이고, 도 3b는 본 발명의 일 실시예에 따른 멀티플렉서의 측면 구조도이다.
도 4는 도 2에 도시된 고역통과 필터의 성능을 평가하기 위한 일 예의 그래프이다.
도 5는 도 1에 도시된 멀티플렉서를 구성하는 저역통과 필터를 나타내는 회로도이다.
도 6은 도 5에 도시된 저역통과 필터의 성능을 평가하기 위한 일 예의 그래프이다.1 is a circuit configuration diagram of a multiplexer according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a circuit diagram illustrating a high-pass filter constituting the multiplexer shown in FIG. 1 .
FIG. 3A is a plan structural diagram of a multiplexer according to an embodiment of the present invention, and FIG. 3B is a side structural diagram of a multiplexer according to an embodiment of the present invention.
FIG. 4 is a graph of an example for evaluating the performance of the high-pass filter shown in FIG. 2 .
FIG. 5 is a circuit diagram illustrating a low-pass filter constituting the multiplexer shown in FIG. 1 .
6 is a graph of an example for evaluating the performance of the low-pass filter shown in FIG. 5 .
이하에서는 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 설명한다. 이하 설명 및 첨부된 도면들에서 실질적으로 동일한 구성요소들은 각각 동일한 부호들로 나타냄으로써 중복 설명을 생략하기로 한다. 또한 본 발명을 설명함에 있어 관련된 공지기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. In the following description and the accompanying drawings, substantially the same components are denoted by the same reference numerals, so that redundant descriptions will be omitted. In addition, in the description of the present invention, if it is determined that a detailed description of a related known function or configuration may unnecessarily obscure the gist of the present invention, a detailed description thereof will be omitted.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 멀티플렉서(100)의 회로 구성도이다. 1 is a circuit configuration diagram of a
본 발명의 일 실시예에 따른 멀티플렉서(100)는 안테나와 연결되어 서로 다른 주파수 대역의 신호를 통과시키는 복수개의 필터들을 포함한다. 멀티플렉서(100)는 안테나 측이 입력인 경우 복수개의 출력을 가지며, 안테나(100) 측이 출력인 경우 복수개의 입력을 가지는 구조이다. The
도 1을 참조하면, 본 실시예에 따른 멀티플렉서(100)는 안테나와 연결되어 서로 다른 주파수 대역의 신호를 통과시키는 고역통과 필터(110: highpass filter, HPF), 저역통과 필터(120: lowpass filter, LPF), 대역통과 필터(130: bandpass filter, BPF)를 포함한다.1, the
다만, 본 발명의 멀티플렉서(100)는 예시적인 것으로, 병렬 연결된 2개의 필터로 구성될 수도 있고(다이플렉서(diplexer) 또는 듀플렉서(duplexer)로 칭해짐), 병렬 연결된 4개의 필터로 구성될 수도 있으며(쿼드플렉서(quadplexer)로 칭해짐), 나아가 병렬 연결된 5개의 필터(퀸트플렉서(quintplexer)로 칭해짐) 또는 그 이상의 필터로 구성될 수도 있다.However, the
또한, 멀티플렉서(100)는 임피던스 매칭소자를 포함할 수 있다. 임피던스 매칭소자는 매칭되는 임피던스에 따라 인덕터 및/또는 커패시터를 포함할 수 있으며, 임피던스 매칭을 통해 최대전력의 신호를 전달할 수 있다. 임피던스 매칭소자는 안테나와 접지 사이에 연결될 수도 있고, 대안적으로 또는 추가적으로, 안테나와 각 필터들 사이에 연결되어 임피던스를 매칭할 수도 있다.Also, the
본 발명의 실시예에서는 복수개의 필터들 중 적어도 하나는 LC 필터를 사용하고, 복수개의 필터들 중 다른 적어도 하나는 SAW 필터를 사용한다. LC 필터는 넓은 통과대역을 구현하기에는 적합하지만, 스커트(skirt) 특성을 좋게 하기에는 한계가 있다. 반면에 SAW 필터는 그 특성상 LC 필터에 비하여 넓은 통과대역을 구현하기는 어렵지만, 스커트(skirt) 특성이 양호한 장점이 있다. 스커트 특성이란 통과대역(pass band)과 저지대역(stop band)이 얼마나 잘 구분되느냐를 말하는 것으로, 스커트 특성이 좋다는 것은 통과대역과 저지대역 사이의 천이대역(transition band)의 기울기가 가파름을 의미한다.In an embodiment of the present invention, at least one of the plurality of filters uses an LC filter, and at least one of the plurality of filters uses a SAW filter. The LC filter is suitable for implementing a wide passband, but has a limit in improving skirt characteristics. On the other hand, the SAW filter has an advantage in that it is difficult to implement a wider passband than the LC filter due to its characteristics, but has a good skirt characteristic. The skirt characteristic refers to how well the pass band and the stop band are distinguished. A good skirt characteristic means that the slope of the transition band between the pass band and the stop band is steep. .
따라서 각 필터의 요구되는 통과대역폭과 통과대역 간의 간격을 고려하여 LC 필터와 SAW 필터를 함께 사용하면, LC 필터와 SAW 필터의 장점을 모두 활용할 수 있게 된다.Therefore, if the LC filter and the SAW filter are used together in consideration of the pass bandwidth required for each filter and the interval between the pass bands, the advantages of both the LC filter and the SAW filter can be utilized.
예컨대, 통과대역폭이 상대적으로 큰 주파수 대역에는 LC 필터를 사용하고, 통과 대역폭이 상대적으로 작은 주파수 대역에는 SAW 필터를 사용할 수 있다. 또한 이웃한 두 통과대역 간의 간격이 큰 경우 LC 필터를 사용하고, 이웃한 두 통과대역 간의 간격이 좁은 경우 둘 중 하나 혹은 양쪽 모두 SAW 필터를 사용할 수 있다.For example, an LC filter may be used for a frequency band having a relatively large pass bandwidth, and a SAW filter may be used for a frequency band having a relatively small pass bandwidth. In addition, when the interval between two neighboring passbands is large, the LC filter may be used, and when the interval between the two neighboring passbands is small, one or both of the two neighboring passbands may use the SAW filter.
가령, 저역통과 필터(120)는 GPS 대역 필터, 대역통과 필터(130)는 2.4GHz 와이파이 대역 필터, 고역통과 필터(110)는 5GHz 와이파이 대역 필터일 수 있다.For example, the low-
GPS 대역과 2.4GHz 와이파이 대역은 통과대역폭이 비교적 작고 그 사이의 간격이 좁으므로 저역통과 필터(120)와 대역통과 필터(130)로는 SAW 필터를 사용하고, 5GHz 와이파이 대역은 2.4GHz 와이파이 대역과 비교적 떨어져 있고 통과대역폭이 크므로 고역통과 필터(110)로는 LC 필터를 사용할 수 있다.Since the GPS band and the 2.4 GHz Wi-Fi band have relatively small passbands and a narrow interval therebetween, a SAW filter is used as the low-
고역통과 필터(110)는 입력신호의 주파수 성분중에서 차단주파수(Cut-off Frequency) 보다 높은 주파수 성분만을 통과시키고, 그보다 낮은 주파수 성분은 가능한 한 저지하는 필터이다.The high-
저역통과 필터(120)는 입력신호의 주파수 성분중에서 차단주파수 보다 낮은 주파수 성분만을 통과시키고, 그보다 높은 주파수 성분은 가능한 한 저지하는 필터이다.The low-
대역통과 필터(130)는 입력신호의 주파수 성분중에서 하위 차단주파수와 상위 차단주파수 사이의 주파수 성분만을 통과시키고, 하위 차단주파수 보다 낮은 주파수 성분이나 상위 차단주파수 성분은 가능한 한 저지하는 필터이다.The
이하에서는, 본 발명의 주요 특징이 되는 고역통과 필터(110) 및 저역통과 필터(120)를 중심으로 설명한다.Hereinafter, the high-
본 발명의 고역통과 필터(110)는 적어도 하나 이상의 제1 IDT 커패시터와 제1 인덕터로 구성된 것일 수 있다. 고역통과 필터(110)는 적어도 하나 이상의 제1 IDT 커패시터가 래더 형태로 연결되고, 적어도 하나 이상의 제1 인덕터의 일단이 제1 IDT 커패시터에 직렬 연결되고, 제1 인덕터의 타단이 접지되어 있을 수 있다. The high-
도 2는 도 1에 도시된 멀티플렉서(100)를 구성하는 고역통과 필터(110)를 나타내는 회로도이다. FIG. 2 is a circuit diagram illustrating the high-
도 2에 도시된 고역통과 필터(110)는 적어도 2개 이상의 직렬 연결된 제1 IDT 커패시터들(C1) 및 적어도 2개 이상의 병렬 연결된 제1 IDT 커패시터들(C2)을 포함하고 있다. The high-
직렬 연결된 제1 IDT 커패시터들(C1) 및 병렬 연결된 제1 IDT 커패시터들(C2)을 포함하여 제1 IDT 커패시터들 그룹(G1)으로 칭할 수 있다. IDT 커패시터는 SAW 공진기가 90도 회전한 것을 칩 형태로 구성한 것이다. 즉, IDT 커패시터는 SAW 공진기의 빗살 전극(IDT) 방향을 90도 회전하고 SAW 공진기와 달리 reflector(반사기)를 사용 하지 않는 구성요소이다. 또한, SAW 공진기와 동일 칩에 실장 시 SAW 공진기의 빗살 전극과 IDT 커패시터의 빗살 전극 방향은 90도 각도를 이룬다. The first IDT capacitors C1 connected in series and the first IDT capacitors C2 connected in parallel may be referred to as a first group of IDT capacitors G1. The IDT capacitor is a chip formed by rotating the SAW resonator 90 degrees. That is, the IDT capacitor rotates the direction of the comb electrode (IDT) of the SAW resonator by 90 degrees, and unlike the SAW resonator, the IDT capacitor is a component that does not use a reflector. In addition, when mounted on the same chip as the SAW resonator, the direction of the comb electrode of the SAW resonator and the comb electrode of the IDT capacitor forms a 90 degree angle.
또한, 고역통과 필터(110)는 제1 인덕터를 적어도 2개 이상 포함하되, 2개 이상의 제1 인덕터들(L1)이 제1 IDT 커패시터들(C2) 및 접지 사이에 각각 직렬 연결되어 있다. 제1 인덕터 그룹(G2)을 구성하는 이러한 제1 인덕터들(L1) 각각은 패키지(PKB) 내에 임베디드된 것일 수 있다. In addition, the high-
도 3a는 본 발명의 일 실시예에 따른 멀티플렉서(100)의 평면 구조도이고, 도 3b는 본 발명의 일 실시예에 따른 멀티플렉서(100)의 측면 구조도이다. 3A is a plan structural diagram of the
도 3a를 참조하면, 고역통과 필터(110)를 구성하는 커패시터가 IDT 커패시터로 구성됨을 예시하고 있고, 도 3b를 참조하면, 패키지(PKG) 내에 고역통과 필터(110)를 구성하는 제1 인덕터들(L1)이 임베디드된 것을 예시하고 있다. 제1 인덕터들(L1)은 후술하는 저역통과 필터(120)를 구성하는 노치필터의 구성요소인 인덕터와 패키지 내에서 접지(GND)와 연결되어 있다.Referring to FIG. 3A , the capacitor constituting the high-
도 4는 도 3에 도시된 고역통과 필터(110)의 성능을 평가하기 위한 일 예의 그래프이다.4 is a graph of an example for evaluating the performance of the high-
도 4를 참조하면, 고역통과 필터(110)의 커패시터를 일반 커패시터와 IDT 커패시터로 각각 구성한 경우에, IDT 커패시터의 경우에는 2200 내지 2300 [MHz]에서 Spurious가 발생하지만, 이는 비 스펙 대역에 해당하고, 나머지 대역에서는 동일한 특성을 나타내므로, 고역통과 필터(110)의 커패시터를 일반 커패시터 대신에 IDT 커패시터로 구성하더라도, 고역통과 필터로서 동일한 성능을 나타내고 있다.Referring to Figure 4, when the capacitor of the high-
한편, 본 발명의 저역통과 필터(120)는 특정 주파수 대역을 차단하는 노치 필터(Notch filter)들을 포함하는 것일 수 있다. Meanwhile, the low-
도 5는 도 1에 도시된 멀티플렉서를 구성하는 저역통과 필터(120)를 나타내는 회로도이다.FIG. 5 is a circuit diagram illustrating the low-
도 5를 참조하면, 저역통과 필터(120)는 제1 노치회로(120-1) 및 제2 노치회로(120-2) 및 SAW 공진기들(120-3)을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 5 , the low-
저역통과 필터(120)는 617~960 [MHz]의 주파수를 제외한 대역통과 필터(130)의 대역(1710~2200 MHz)과 고역통과 필터(110)의 대역(2300~2690 MHz)의 감쇄(attenuation) 확보가 필요함에 따라 도 5와 같은 노치 회로들로 구성될 수 있다. The low-
제1 노치 회로(120-1)는 제2 IDT 커패시터(C3)와 제2 인덕터(L2)가 병렬 연결된 것일 수 있다. 제1 노치 회로(120-1)는 대역통과 필터(130)의 대역인 1710~2200 [MHz]의 주파수 감쇄용 필터이다. In the first notch circuit 120 - 1 , the second IDT capacitor C3 and the second inductor L2 may be connected in parallel. The first notch circuit 120-1 is a filter for frequency attenuation of 1710 to 2200 [MHz], which is the band of the
제2 IDT 커패시터(C3)는 SAW 공진기가 90도 회전한 것을 칩 형태로 구성한 것이다. 즉, 제2 IDT 커패시터(C3)는 SAW 공진기의 빗살 전극(IDT) 방향을 90도 회전한 것으로, reflector가 없으며, SAW 공진기와 동일 칩에 실장 시 SAW 공진기의 빗살 전극과 제2 IDT 커패시터(C3)의 빗살 전극 방향은 90도 각도를 이룬다. The second IDT capacitor C3 is formed in the form of a chip in which the SAW resonator is rotated by 90 degrees. That is, the second IDT capacitor (C3) rotates the direction of the comb electrode (IDT) of the SAW resonator by 90 degrees, there is no reflector, and when mounted on the same chip as the SAW resonator, the comb electrode of the SAW resonator and the second IDT capacitor (C3) ), the direction of the comb electrode forms an angle of 90 degrees.
또한, 제2 인덕터(L2)는 패키지(PKG) 내에 임베디드된 것일 수 있다. 제2 인덕터(L2)는 전술한 고역통과 필터(110)를 구성하는 제1 인덕터들(L1)과 패키지 내에서 접지(GND)와 연결되어 있다.Also, the second inductor L2 may be embedded in the package PKG. The second inductor L2 is connected to the first inductors L1 constituting the above-described high-
제2 노치 회로(120-2)는 고역통과 필터(110)의 대역인 2300~2690 [MHz]의 주파수 감쇄용 필터로 제1 노치 회로(120-1)에 직렬 연결되어 있다. 제2 노치 회로(120-2)는 커패시터(C)와 인덕터(L)가 병렬 연결된 것일 수 있으며, 커패시터(C)와 인덕터(L) 모두는 패키지 내에 임베디든 된 것일 수 있다. The second notch circuit 120-2 is a filter for frequency attenuation of 2300-2690 [MHz], which is the band of the high-
SAW 공진기들(120-3)은 제1 노치 회로(120-1)와 병렬 연결되어 있으며, 또한 접지(GND)되어 있다. 여기서, SAW 공진기들(120-3)의 공진 주파수는 대역통과 필터(130)의 대역(1710~2200 MHz)에 위치한다.The SAW resonators 120 - 3 are connected in parallel with the first notch circuit 120 - 1 and are also grounded (GND). Here, the resonant frequency of the SAW resonators 120 - 3 is located in the band (1710 to 2200 MHz) of the
도 6은 도 5에 도시된 저역통과 필터(120)의 성능을 평가하기 위한 일 예의 그래프이다.6 is a graph of an example for evaluating the performance of the low-
도 6을 참조하면, 저역통과 필터(120)가 제1 노치 회로(120-1), 제2 노치 회로(120-2) 및 SAW 공진기들(120-3)로 구성함으로써, 각 대역에 대응하는 노치 기능을 수행할 수 있다.Referring to FIG. 6 , the low-
도 6에서, 제1 노치 회로(120-1)의 주파수는 대역통과 필터(130)의 대역인 1710~2200 [MHz]의 주파수 대역을 감쇄(200)시키며, 제2 노치 회로(120-2)의 주파수는 고역통과 필터(110)의 대역인 2300~2690 [MHz]의 주파수 대역을 감쇄(210)시키는 것을 도시하고 있다. 또한, SAW 공진기들(120-3)의 주파수는 대역통과 필터(130)의 대역에 해당하는 1200 [MHz]의 주파수 대역을 감쇄(220)시키는 것을 도시하고 있다.6, the frequency of the first notch circuit 120-1
이제까지 본 발명에 대하여 그 바람직한 실시예들을 중심으로 살펴보았다. 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 변형된 형태로 구현될 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 개시된 실시예들은 한정적인 관점이 아니라 설명적인 관점에서 고려되어야 한다. 본 발명의 범위는 전술한 설명이 아니라 특허청구범위에 나타나 있으며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 차이점은 본 발명에 포함된 것으로 해석되어야 할 것이다.So far, the present invention has been looked at with respect to preferred embodiments thereof. Those of ordinary skill in the art to which the present invention pertains will understand that the present invention can be implemented in a modified form without departing from the essential characteristics of the present invention. Therefore, the disclosed embodiments are to be considered in an illustrative rather than a restrictive sense. The scope of the present invention is indicated in the claims rather than the foregoing description, and all differences within the scope equivalent thereto should be construed as being included in the present invention.
100: 멀티플렉서
110: 고역통과 필터
120: 저역통과 필터
130: 대역통과 필터100: multiplexer
110: high pass filter
120: low-pass filter
130: bandpass filter
Claims (6)
상기 복수개의 필터들은 각각 저역통과 필터, 대역통과 필터 및 고역통과 필터를 포함하고,
상기 고역통과 필터는 적어도 하나 이상의 제1 IDT(inter digital transducer) 커패시터와 적어도 하나의 제1 인덕터로 구성되고,
상기 저역통과 필터는 SAW(surface acoustic wave) 공진기, 적어도 하나 이상의 제2 IDT 커패시터 및 적어도 하나 이상의 제2 인덕터로 구성된 것을 특징으로 하는 멀티플렉서.It is connected to the antenna and includes a plurality of filters that pass signals of different frequency bands,
Each of the plurality of filters includes a low-pass filter, a band-pass filter and a high-pass filter,
The high-pass filter includes at least one first inter digital transducer (IDT) capacitor and at least one first inductor,
The low-pass filter is a multiplexer comprising a surface acoustic wave (SAW) resonator, at least one or more second IDT capacitors, and at least one or more second inductors.
상기 고역통과 필터는,
적어도 하나 이상의 상기 제1 IDT 커패시터가 래더 형태로 연결되고, 적어도 하나 이상의 상기 제1 인덕터의 일단이 상기 제1 IDT 커패시터에 직렬 연결되고, 상기 제1 인덕터의 타단이 접지되어 있는 것을 특징으로 하는 멀티플렉서.The method according to claim 1,
The high-pass filter is
At least one or more of the first IDT capacitors are connected in a ladder form, one end of at least one of the first inductors is connected in series to the first IDT capacitor, and the other end of the first inductor is grounded. .
상기 제1 인덕터는,
패키지 내에 임베디드된 것을 특징으로 하는 멀티플렉서.3. The method according to claim 2,
The first inductor is
A multiplexer characterized in that it is embedded within a package.
상기 저역통과 필터는,
상기 제2 IDT 커패시터와 상기 제2 인덕터가 병렬 연결된 것을 특징으로 하는 멀티플렉서.The method according to claim 1,
The low-pass filter is
The multiplexer, characterized in that the second IDT capacitor and the second inductor are connected in parallel.
상기 제2 인덕터는 패키지 내에 임베디드된 것을 특징으로 하는 멀티플렉서.5. The method according to claim 4,
and the second inductor is embedded in a package.
적어도 하나 이상의 제1 SAW 공진기, 적어도 하나 이상의 제2 IDT 커패시터 및 적어도 하나 이상의 제2 인덕터를 포함하는 저역통과 필터; 및
적어도 하나 이상의 제2 SAW 공진기 및 적어도 하나 이상의 제3 인덕터를 포함하는 대역통과 필터를 포함하고,
상기 제1 인덕터, 상기 제2 인덕터 및 상기 제3 인덕터는 모두 패키지 기판 내에 임베디드된 것을 특징으로 하는 멀티플렉서.
a high-pass filter including only at least one first IDT capacitor and at least one or more first inductors connected in parallel to the first IDT capacitor;
a low-pass filter comprising at least one first SAW resonator, at least one second IDT capacitor, and at least one second inductor; and
a bandpass filter including at least one second SAW resonator and at least one third inductor,
The first inductor, the second inductor, and the third inductor are all embedded in a package substrate.
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