KR20220111963A - A collector, a plasma generator including the collector and processing apparatus including the plasma generator - Google Patents

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KR20220111963A
KR20220111963A KR1020210015399A KR20210015399A KR20220111963A KR 20220111963 A KR20220111963 A KR 20220111963A KR 1020210015399 A KR1020210015399 A KR 1020210015399A KR 20210015399 A KR20210015399 A KR 20210015399A KR 20220111963 A KR20220111963 A KR 20220111963A
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Abstract

The present invention relates to a collector. The collector according to an embodiment of the present invention includes: a housing that provides a collection space in which powder contained in gas is collected, and has an inlet through which the gas is introduced into the collection space and an outlet through which the gas is discharged from the collection space; and a partition wall unit that partitions the collection space into two or more spaces and has an opening through which the spaces communicate with each other.

Description

포집기, 포집기를 포함하는 플라즈마 발생 장치 및 플라즈마 발생 장치를 포함하는 공정 처리 장치{A collector, a plasma generator including the collector and processing apparatus including the plasma generator}A collector, a plasma generator including a collector, and a process processing apparatus including a plasma generator {A collector, a plasma generator including the collector and processing apparatus including the plasma generator}

본 발명은 배기 가스 내의 파우더를 포집하는 포집기, 포집기를 포함하는 플라즈마 발생 장치 및 플라즈마 발생 장치를 포함하는 공정 처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a collector for collecting powder in exhaust gas, a plasma generator including the collector, and a process treatment apparatus including the plasma generator.

디스플레이나 반도체를 제조하기 위해서는 증착, 애싱, 식각, 세정 등의 공정이 저압에서 수행되어야 할 경우가 많다. 특히, 집적 회로(ICs) 제조 공정에서 박막을 처리하는데 사용할 수 있는 입증된 기술들 중에서, 화학기상 증착법(CVD)은 상업화된 공정에서 종종 사용된다. CVD의 변형인 원자층 증착(ALD)은 이제 균일성, 뛰어난 스텝 커버리지(step coverage) 및 기판 크기를 증가시키기 위한 비용 효율적 규모성(cost effective scalability)를 달성하기 위한 가능성 있는 우수한 방법으로 알려지고 있다. In order to manufacture a display or a semiconductor, processes such as deposition, ashing, etching, and cleaning often have to be performed at low pressure. In particular, among the proven techniques available for processing thin films in integrated circuit (ICs) manufacturing processes, chemical vapor deposition (CVD) is often used in commercialized processes. Atomic layer deposition (ALD), a variant of CVD, is now known as a promising superior method for achieving uniformity, excellent step coverage and cost effective scalability to increase substrate size. .

이러한 신공정인 ALD 공정 시스템에서는 공정 웨이퍼의 크기 증가에 따라 배기 가스량이 증가된다. 이로 인한 공정 부산물의 증가는 공정 시스템에서 배기가스를 배출시키기 위한 펌프 동작에 영향을 미치고, 펌프의 유지 보수로 인해 메인 공정 프로세스에 악영향을 미치게 된다.In the ALD process system, which is a new process, the amount of exhaust gas increases as the size of the process wafer increases. This increase in process by-products affects the operation of the pump for discharging exhaust gas from the process system, and adversely affects the main process process due to the maintenance of the pump.

본 발명은 반도체 공정 등에서 발생하는 공정 부산물을 효과적으로 제거하기 위한 포집기를 제공하는 데 목적이 있다. An object of the present invention is to provide a collector for effectively removing process by-products generated in a semiconductor process or the like.

또한, 상기 포집기를 포함하는 플라즈마 발생 장치를 제공하는 데 다른 목적이 있다.Another object of the present invention is to provide a plasma generating device including the collector.

본 발명은 상기 플라즈마 발생 장치를 채용한 공정 처리 장치를 제공하는 데 또 다른 목적이 있다.Another object of the present invention is to provide a process processing apparatus employing the plasma generating apparatus.

본 발명의 일 실시 예에 따른 포집기는, 가스에 포함된 파우더가 포집되는 포집 공간을 제공하고, 상기 포집 공간으로 가스가 유입되는 유입구 및 상기 포집 공간으로부터 가스가 배출되는 유출구가 형성되는 하우징; 및 상기 포집 공간을 2개 이상의 공간으로 구획하고, 상기 공간 간에 연통되는 개구가 형성되는 격벽부;를 포함한다.A collector according to an embodiment of the present invention includes: a housing that provides a collection space in which powder contained in gas is collected, and an inlet through which gas flows into the collection space and an outlet through which gas is discharged from the collection space; and a partition wall part partitioning the collection space into two or more spaces and having an opening communicating between the spaces.

상기 격벽부는 양측 공간이 서로 수평 방향으로 배열되도록 상기 포집 공간을 구획하고, 상기 개구는 상기 격벽부의 상단에 인접한 영역에 형성될 수 있다.The partition wall portion may partition the collection space so that both spaces are arranged in a horizontal direction, and the opening may be formed in a region adjacent to an upper end of the partition wall portion.

상기 포집기는, 상기 유출구에 연결되고 상기 포집 공간의 내측으로 연장되는 유출관을 더 포함하되, 상기 유출구는 상기 하우징의 저면의 중심부에 형성되고, 상기 유출관은, 상단은 상기 하우징의 상면에 체결되고, 하단은 상기 유출구와 연통되고, 상기 유출관의 외측 옆면의 상단에는 상기 포집 공간 내의 가스가 내부로 유입되는 배기 개구가 형성되고, 상기 격벽부는 상기 유출관의 외측 옆면으로부터 상기 하우징의 내측 옆면으로 연장되며, 상기 공간 중 하나에는 상기 하나를 상기 유출관의 외주 방향에 따라 구획하는 구획벽이 제공되고, 상기 유입구는 하우징의 외벽의 상기 구획벽에 의해 구획된 구획 공간 중 하나에 대향되는 영역에 형성되고, 상기 배기 개구는 상기 구획벽에 의해 구획된 구획 공간 중 다른 하나에 대향되는 영역에 형성될 수 있다.The collector may further include an outlet pipe connected to the outlet and extending inside the collecting space, wherein the outlet is formed in a central portion of a bottom surface of the housing, and the outlet pipe has an upper end fastened to the upper surface of the housing The lower end communicates with the outlet, and the upper end of the outer side surface of the outlet pipe has an exhaust opening through which the gas in the collection space flows into the inside, and the partition wall portion is the inner side surface of the housing from the outer side surface of the outlet pipe. and a partition wall dividing the one of the spaces along the outer circumferential direction of the outlet pipe is provided in one of the spaces, and the inlet is an area opposite to one of the partition spaces partitioned by the partition wall of the outer wall of the housing , and the exhaust opening may be formed in a region opposite to the other one of the partition spaces partitioned by the partition wall.

상기 격벽부는 상기 유출관의 외주 방향을 따라 복수개가 서로 이격되어 제공될 수 있다.A plurality of the partition wall portions may be provided to be spaced apart from each other along the outer circumferential direction of the outlet pipe.

상기 배기 개구에는 외측으로 연장되는 개구 조절관이 연결되고, 상기 개구 조절관의 끝단에는 개방된 연통구가 형성되며, 상기 연통구는 상기 구획 공간 중 상기 유출관이 대향하는 구획 공간에 가장 인접한 격벽부로부터 멀어지는 방향을 바라보도록 제공될 수 있다.An opening control pipe extending outwardly is connected to the exhaust opening, and an open communication hole is formed at an end of the opening control pipe, and the communication port is a partition wall portion closest to a partition space facing the outlet pipe among the partition spaces. It may be provided to face a direction away from the .

상기 유입구는 상기 하우징의 상면에 형성될 수 있다.The inlet may be formed on an upper surface of the housing.

상기 유입구에는 위로 연장되는 연결관이 연결되고, 상기 연결관의 상단에는 개방된 연결 개구가 형성되고, 상기 연결 개구는 위에서 바라볼 때, 상기 하우징의 중심부에 위치될 수 있다.An upwardly extending connector may be connected to the inlet, and an open connection opening may be formed at an upper end of the connector, and the connection opening may be located at the center of the housing when viewed from above.

상기 연결관의 하단은 상기 유입구에 삽입되고, 일측 방향으로 갈수록 아래 방향으로 경사지도록 제공될 수 있다.The lower end of the connector may be inserted into the inlet and inclined downward toward one side.

상기 포집기는, 상기 포집 공간 내에서 파우더의 포집 효율을 증가시키는 포집 강화부를 더 포함할 수 있다.The collector may further include a collecting reinforcing unit that increases the collecting efficiency of the powder in the collecting space.

상기 포집 강화부는 상기 하우징의 상면으로부터 아래 방향으로 연장되는 포집 강화봉을 포함하고, 상기 포집 강화봉은 상기 공간 중 적어도 하나에 제공될 수 있다.The collecting reinforcing part may include a collecting reinforcing rod extending downward from the upper surface of the housing, and the collecting reinforcing bar may be provided in at least one of the spaces.

상기 포집 강화봉은 상기 하우징의 상면을 따라 복수개가 서로 이격되게 배열될 수 있다.A plurality of the collecting reinforcing rods may be arranged to be spaced apart from each other along the upper surface of the housing.

상기 포집 강화봉의 외측 옆면에는 외측으로 돌출되는 돌출부가 형성될 수 있다.A protrusion protruding outwardly may be formed on an outer side surface of the collecting reinforcing rod.

상기 돌출부의 상면은 외측으로 갈수록 아래를 향해 경사질 수 있다.The upper surface of the protrusion may be inclined downward toward the outside.

상기 돌출부는 상기 포집 강화봉의 외측 옆면의 일부를 외주 방향을 따라 감싸는 링 형상으로 제공될 수 있다.The protrusion may be provided in a ring shape surrounding a portion of the outer side surface of the collecting reinforcing rod along the outer circumferential direction.

상기 돌출부는 복수개가 상기 포집 강화봉의 길이 방향을 따라 배열될 수 있다.A plurality of the protrusions may be arranged along the longitudinal direction of the collecting reinforcing rod.

상기 포집 강화부는, 상기 격벽부 중 하나의 격벽부 및 상기 하나의 격벽부에 인접한 다른 하나의 격벽부 사이에 설치되고 위에서 바라볼 때 상기 유출관을 바라보는 면이 오목하게 휘어진 곡면 플레이트 형상을 가지는 곡면 블레이드를 포함할 수 있다.The collection reinforcing part is installed between one bulkhead part of the bulkhead part and the other bulkhead part adjacent to the one bulkhead part and has a curved plate shape in which a surface facing the outlet pipe is concavely curved when viewed from above. It may include a curved blade.

상기 곡면 블레이드는 상기 유출관의 반경 방향을 따라 복수개가 서로 이격되게 제공될 수 있다.A plurality of curved blades may be provided to be spaced apart from each other in a radial direction of the outlet pipe.

상기 곡면 블레이드는 상기 개구보다 높게 배치될 수 있다.The curved blade may be disposed higher than the opening.

상기 포집 강화부는, 상기 격벽부의 일면을 바라볼 때 상기 개구를 가리는 커버부를 포함하고, 상기 커버부의 상기 일면이 바라보는 방향과 수직인 방향을 바라보는 측면에는 상기 개구와 연통되는 연통 개구가 형성될 수 있다.The collection reinforcing part includes a cover part that covers the opening when looking at one surface of the partition wall part, and a communication opening communicating with the opening is formed on the side facing the direction perpendicular to the direction in which the one surface of the cover part is viewed. can

상기 커버부는, 상기 격벽부의 일면을 바라볼 때 상기 개구를 가리고, 상기 일면으로부터 이격되는 커버 플레이트; 및 양 끝단이 각각 상기 커버 플레이트 및 상기 격벽부에 연결되어 상기 커버 플레이트를 지지하는 지지 부재를 포함할 수 있다.The cover portion may include a cover plate that covers the opening when looking at one surface of the partition wall portion and is spaced apart from the one surface; and a support member having both ends respectively connected to the cover plate and the partition wall portion to support the cover plate.

상기 커버부는, 상기 개구에 연결되고, 상기 일면이 바라보는 방향으로 연장되고, 양 끝단 간에 연통되는 가이드 부재; 상기 가이드 부재의 옆면의 외측 및 상기 양 끝단 중 상기 개구로부터 먼 끝단을 감싸되, 상기 가이드 부재 및 상기 격벽부로부터 이격되는 커버 부재;를 포함할 수 있다.The cover part may include a guide member connected to the opening, extending in a direction in which the one surface is viewed, and communicating between both ends; and a cover member that surrounds the outer side of the side surface of the guide member and an end far from the opening among the both ends, the cover member being spaced apart from the guide member and the partition wall portion.

상기 커버 부재의 상기 일면과 같은 방향을 바라보는 외측면은 상단으로부터 아래 방향으로 갈수록 상기 개구로부터 멀어지는 방향으로 경사지는 외측 경사 영역을 포함할 수 있다.The outer surface of the cover member facing in the same direction as the one surface may include an outer inclined region that is inclined in a direction away from the opening in a downward direction from an upper end.

상기 커버 부재의 상기 일면을 바라보는 내측면은 하단으로부터 위 방향으로 갈수록 상기 개구로부터 멀어지는 방향으로 경사지는 내측 경사 영역을 포함할 수 있다.An inner surface of the cover member facing the one surface may include an inner inclined region that is inclined in a direction away from the opening from a lower end to an upper side.

상기 커버부는 상기 가이드 부재의 옆면으로부터 연장되고, 끝단이 상기 커버 부재의 상기 옆면에 대향되는 영역에 연결되는 커버 지지 부재를 더 포함할 수 있다.The cover part may further include a cover support member extending from a side surface of the guide member and having an end connected to an area opposite to the side surface of the cover member.

본 발명의 일 실시 예에 따른 플라즈마 발생 장치는, 내부에 플라즈마 형성 공간을 제공하는 반응기; 및 상기 반응기에 연결되며 상기 플라즈마와 반응한 배기 가스의 상변화에 의해 생성된 파우더를 포집하는 포집기를 포함하고, 상기 포집기는, 상기 파우더가 포집되는 포집 공간을 제공하고, 상기 포집 공간으로 상기 배기 가스가 유입되는 유입구 및 상기 포집 공간으로부터 상기 배기 가스가 배출되는 유출구가 형성되는 하우징; 및 상기 포집 공간을 2개 이상의 공간으로 구획하고, 상기 공간 간에 연통되는 개구가 형성되는 격벽부;를 포함한다.A plasma generating apparatus according to an embodiment of the present invention includes: a reactor providing a plasma forming space therein; and a collector connected to the reactor and configured to collect powder generated by a phase change of the exhaust gas reacted with the plasma, wherein the collector provides a collection space in which the powder is collected, and the exhaust gas into the collection space. a housing having an inlet through which gas is introduced and an outlet through which the exhaust gas is discharged from the collection space; and a partition wall part partitioning the collection space into two or more spaces and having an opening communicating between the spaces.

본 발명의 일 실시 예에 따른 공정 처리 장치는, 기판을 처리하는 공정 챔버; 및 상기 공정 챔버에 연결된 플라즈마 발생 장치를 포함하며, 상기 플라즈마 발생 장치는 내부에 플라즈마 형성 공간을 제공하는 반응기; 및 상기 반응기에 연결되며 상기 플라즈마와 반응한 배기 가스의 상변화에 의해 생성된 파우더를 포집하는 포집기를 포함하며, 상기 포집기는, 상기 파우더가 포집되는 포집 공간을 제공하고, 상기 포집 공간으로 상기 배기 가스가 유입되는 유입구 및 상기 포집 공간으로부터 상기 배기 가스가 배출되는 유출구가 형성되는 하우징; 및 상기 포집 공간을 2개 이상의 공간으로 구획하고, 상기 공간 간에 연통되는 개구가 형성되는 격벽부;를 포함한다.A process processing apparatus according to an embodiment of the present invention includes a process chamber for processing a substrate; and a plasma generating device connected to the process chamber, wherein the plasma generating device includes: a reactor providing a plasma forming space therein; and a collector connected to the reactor and collecting powder generated by a phase change of the exhaust gas reacted with the plasma, wherein the collector provides a collection space in which the powder is collected, and the exhaust gas into the collection space. a housing having an inlet through which gas is introduced and an outlet through which the exhaust gas is discharged from the collection space; and a partition wall part partitioning the collection space into two or more spaces and having an opening communicating between the spaces.

본 발명의 일 실시 예에는 포집 효율이 향상된 포집기를 제공한다. 또한, 본 발명의 일 실시 예는 상기 포집기를 포함하는 플라즈마 발생 장치를 제공한다.An embodiment of the present invention provides a collector with improved collection efficiency. In addition, an embodiment of the present invention provides a plasma generating device including the collector.

또한, 본 발명의 일 실시 예에 따르면, 부산물에 의해 영향받는 펌프 동작 시간을 연장시켜 메인 공정 프로세스의 공정시간을 확보 가능한 플라즈마 발생 장치를 제공한다.In addition, according to an embodiment of the present invention, there is provided a plasma generating apparatus capable of securing the processing time of the main process process by extending the operation time of the pump affected by the by-product.

본 발명의 일 실시 예에 따르면, 상기 플라즈마 발생 장치를 포함하는 공정 처리 장치를 제공한다.According to an embodiment of the present invention, there is provided a process processing apparatus including the plasma generating apparatus.

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 플라즈마 발생 장치가 반도체 공정 중 배기 가스 처리용 장치로 사용된 것을 개략적으로 도시한 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 포집기를 도시한 사시도이다.
도 3은 도 2의 포집기의 분해 사시도이다.
도 4는 도 3에 도시된 하우징의 내부를 보여주는 평면도이다.
도 5는 도 3에 도시된 격벽부를 보여주는 정면도이다.
도 6은 도 3에 도시된 유출관을 보여주는 사시도이다.
도 7은 도 2에 도시된 연결관을 보여주는 사시도이다.
도 8은 도 3에 도시된 커버의 저면을 보여주는 사시도이다.
도 9는 도 3에 도시된 포집 강화봉의 다른 예를 보여주는 사시도이다.
도 10은 다른 실시 예에 따른 포집 강화부를 보여주는 사시도이다.
도 11은 도 10에 도시된 곡면 블레이드의 평면도이다.
도 12는 또 다른 실시 예에 따른 포집 강화부를 보여주는 사시도이다.
도 13은 도 12에 도시된 커버부의 측면도이다.
도 14는 다른 실시 예에 따른 커버부를 보여주는 사시도이다.
도 15은 도 14의 커버부의 측면도이다.
도 16 및 도 17은 본 발명의 다른 실시 예들에 따른 공정 처리 장치들을 도시한 개략도들이다.1 is a diagram schematically illustrating that a plasma generating apparatus according to an embodiment of the present invention is used as an apparatus for treating exhaust gas during a semiconductor process.
2 is a perspective view illustrating a collector according to an embodiment of the present invention.
3 is an exploded perspective view of the collector of FIG. 2 .
FIG. 4 is a plan view showing the inside of the housing shown in FIG. 3 .
FIG. 5 is a front view showing the partition wall portion shown in FIG. 3 .
6 is a perspective view showing the outlet pipe shown in FIG. 3 .
7 is a perspective view showing the connector shown in FIG. 2 .
FIG. 8 is a perspective view showing a bottom surface of the cover shown in FIG. 3 .
FIG. 9 is a perspective view showing another example of the collecting reinforcing rod shown in FIG. 3 .
10 is a perspective view showing a collection reinforcement according to another embodiment.
11 is a plan view of the curved blade shown in FIG. 10 .
12 is a perspective view showing a collection reinforcement according to another embodiment.
13 is a side view of the cover shown in FIG. 12 .
14 is a perspective view illustrating a cover unit according to another exemplary embodiment.
FIG. 15 is a side view of the cover part of FIG. 14 ;
16 and 17 are schematic diagrams illustrating process processing apparatuses according to other embodiments of the present invention.

본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시 예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.Since the present invention can have various changes and can have various forms, specific embodiments are illustrated in the drawings and described in detail in the text. However, this is not intended to limit the present invention to the specific disclosed form, it should be understood to include all modifications, equivalents and substitutes included in the spirit and scope of the present invention.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 보다 상세하게 설명하고자 한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings.

본 발명의 일 실시 예는 반도체 공정 등에 사용되는 플라즈마 발생 장치에 관한 것이다. One embodiment of the present invention relates to a plasma generating apparatus used in a semiconductor process or the like.

본 발명의 일 실시 예에 있어서, 플라즈마는 가스와 연관된 대전 입자의 집합을 포함하는 물질, 또는 물질의 상태를 의미한다. 여기서 사용되는 것에 따르면, 플라즈마는 라디칼과 같이 이온화된 종, 이온화된 종과 결합된 중성자 및/또는 분자를 포함할 수 있다. 반응기 내의 물질은, 점화 후, 플라즈마 상태에서 종으로 단독해서 구성되어 있는 그러한 물질에 한정되지 않으며 모두 플라즈마로 지칭한다. In an embodiment of the present invention, the plasma refers to a substance including a set of charged particles associated with a gas, or a state of the substance. As used herein, a plasma may include ionized species such as radicals, neutrons and/or molecules bound to the ionized species. The material in the reactor is not limited to those materials that, after ignition, consist solely of species in the plasma state, all refer to as plasma.

본 발명의 일 실시 예에 있어서, 플라즈마 발생 장치는 반응기를 포함하며, 반응기는 가스 및/또는 플라즈마를 수용하고 내부에서 플라즈마가 점화 및/또는 지속될 수 있는 컨테이너 또는 컨테이너의 일부를 의미한다. 반응기는 플라즈마 발생 장치에 포함되는 다양한 다른 부품, 예를 들어, 발전기와 냉각 부품과 같은 다른 부품들과 결합될 수 있다. 반응기는 다양한 형상을 갖는 채널을 한정할 수 있다. 예를 들면, 채널은 선 형상을 가질 수 있고, 또는 고리 형상(토로이드형 플라즈마를 제공하기 위함)을 가질 수 있다. In an embodiment of the present invention, the plasma generating device includes a reactor, and the reactor means a container or a part of a container that contains gas and/or plasma and in which plasma can be ignited and/or continued. The reactor may be combined with various other components included in the plasma generating device, for example, other components such as generators and cooling components. The reactor may define channels having various shapes. For example, the channel may have a linear shape, or it may have an annular shape (to provide a toroidal plasma).

플라즈마 발생 장치는 반도체 공정을 위한 공정 챔버의 후단에 배치되는 것일 수 있다. 반도체 공정을 위한 공정 챔버는 기판의 식각, 증착, 세정 공정 등을 수행하기 위한 것일 수 있다. The plasma generating apparatus may be disposed at a rear end of a process chamber for a semiconductor process. The process chamber for the semiconductor process may be for performing etching, deposition, cleaning processes of a substrate, and the like.

본 발명의 일 실시 예는 플라즈마 발생 장치, 및 상기 플라즈마 발생 장치를 포함하는 공정 처리 장치일 수 있다. 본 발명의 일 실시 예에 있어서, 상기 플라즈마 발생 장치는 플라즈마 시스템을 의미하는 것으로서, 설명한 부품 이외에도 추가적인 공정 부품을 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 플라즈마 시스템은 하나 이상의 반응기, 전력 공급 부품, 계측 부품, 제어 부품, 등이나 그 이외의 다양한 다른 부품을 포함할 수 있다. An embodiment of the present invention may be a plasma generating apparatus and a process processing apparatus including the plasma generating apparatus. In an embodiment of the present invention, the plasma generating apparatus refers to a plasma system, and may further include additional process components in addition to the described components. For example, a plasma system may include one or more reactors, power supply components, instrumentation components, control components, etc. or various other components.

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 플라즈마 발생 장치가 반도체 공정 중 배기 가스 처리용 장치로 사용된 것을 개략적으로 도시한 도면이다.1 is a diagram schematically illustrating that a plasma generating apparatus according to an embodiment of the present invention is used as an apparatus for treating exhaust gas during a semiconductor process.

도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 플라즈마 발생 장치(10)는 TCP(transformer coupled plasma) 타입의 플라즈마 발생부와, 상기 플라즈마 발생부에 연결된 포집기(120)를 포함할 수 있다. 플라즈마 발생부는 반응기(110), 변압기(150), 및 전원 공급부(미도시)를 포함할 수 있다. 플라즈마 발생부는 TCP 타입 이외에도 다양한 종류가 사용될 수 있으며, 예를 들어, CCP(Capacitively Coupled Plasma) 타입이나 ICP(Inductively Coupled Plasma) 타입의 장치가 사용될 수도 있다.Referring to FIG. 1 , a plasma generating apparatus 10 according to an embodiment of the present invention may include a TCP (transformer coupled plasma) type plasma generating unit and a collector 120 connected to the plasma generating unit. The plasma generator may include a reactor 110 , a transformer 150 , and a power supply unit (not shown). Various types of the plasma generator may be used in addition to the TCP type, for example, a capacitively coupled plasma (CCP) type or an inductively coupled plasma (ICP) type device may be used.

반응기(110)는 플라즈마 발생 장치의 주요 구성으로서, 플라즈마 채널 공간을 제공한다. 반응기(110)는 토로이달 형상을 가지며 그 내부에 플라즈마 채널이 형성되는 공간이 제공된다. 토로이달 형상은 닫힌 경로를 가지며, 그 경로 내에 플라즈마 채널이 형성되어 플라즈마의 흐름이 이루어진다. 반응기(110)는 일측에 주입구(170a)가 형성되고, 타측에 배출구(170b)가 형성되는 구조를 가지며, 주입구(170a)의 방향으로부터 가스의 흐름이 적어도 2개 이상으로 분기되는 대칭형 구조일 수 있다. The reactor 110 is a main component of the plasma generating device, and provides a plasma channel space. The reactor 110 has a toroidal shape and a space in which a plasma channel is formed is provided. The toroidal shape has a closed path, and a plasma channel is formed in the path to flow the plasma. The reactor 110 has a structure in which an inlet 170a is formed on one side and an outlet 170b is formed on the other side, and the flow of gas from the direction of the inlet 170a is branched into at least two or more It can be a symmetrical structure have.

본 발명의 일 실시 예에 있어서, 플라즈마 채널은 한정된 부피를 가지며 반응기(110)에 의해 둘러싸인다. 플라즈마 채널은 가스 및/또는 플라즈마를 포함할 수 있고, 가스 종 및 플라즈마 종을 받거나 이송하기 위하여 반응기(110)의 하나 이상의 유입구와 하나 이상의 배출구(170b)를 통해 교환될 수 있다. 플라즈마 채널은 소정의 길이를 가지는 바, 여기서 플라즈마 채널의 길이는 플라즈마가 존재할 수 있는 총 경로의 길이를 의미한다. In one embodiment of the present invention, the plasma channel has a limited volume and is surrounded by the reactor 110 . The plasma channel may contain gas and/or plasma and may be exchanged through one or more inlets and one or more outlets 170b of the reactor 110 to receive or transport gaseous species and plasma species. The plasma channel has a predetermined length, where the length of the plasma channel means the length of a total path through which plasma can exist.

본 발명의 일 실시 예에 있어서, 플라즈마 시스템은 채널 내에 직류 또는 교류 전기장를 인가하는 수단을 포함할 수 있으며, 상기 전기장을 이용하여 플라즈마 채널 내에서 플라즈마를 유지할 수 있고, 단독으로 또는 다른 수단과 협력하여 플라즈마 채널 내의 플라즈마를 점화할 수 있다.In an embodiment of the present invention, the plasma system may include means for applying a direct current or alternating electric field within the channel, and the electric field may be used to maintain the plasma within the plasma channel, either alone or in cooperation with other means. Plasma in the plasma channel may be ignited.

반응기(110) 본체에는 플라즈마 채널 형성 공간으로 공급되는 가스가 주입되는 주입구(170a) 및 플라즈마 채널 형성 공간으로부터 외부로 가스가 배출되는 배출구(170b)가 설치된다.An inlet 170a through which gas supplied to the plasma channel forming space is injected and an outlet 170b through which gas is discharged from the plasma channel forming space are installed in the reactor 110 body.

주입구(170a)는 플라즈마 채널 형성 공간으로 가스를 공급하기 위한 것으로서, 일단이 외측으로 개구되고 타단이 토로이드에 연결되어 플라즈마 채널 형성 공간에 연통하는 소정의 직경을 갖는 개구의 형태로 제공된다.The injection hole 170a is for supplying a gas to the plasma channel forming space, and is provided in the form of an opening having a predetermined diameter, one end of which is open to the outside and the other end connected to the toroid to communicate with the plasma channel forming space.

배출구(170b)는 주입구(170a)와 이격되며 플라즈마 채널 형성 공간으로부터 외부로 가스를 배출하기 위한 것으로서 일단이 토로이드에 연결되어 플라즈마 채널 형성 공간에 연통하고 타단이 소정의 직경을 가지며 외측으로 개구된 형태로 제공된다. The outlet (170b) is spaced apart from the inlet (170a) and for discharging gas from the plasma channel forming space to the outside. One end is connected to the toroid to communicate with the plasma channel forming space, and the other end has a predetermined diameter and is opened to the outside. provided in the form.

주입구(170a)의 일단과 배출구(170b)의 타단은 플라즈마 발생 장치를 이루는 다른 추가적인 구성요소에 연결될 수 있는 바, 예를 들어 주입구(170a)의 일단은 상부 어댑터에, 배출구(170b)의 타단은 포집기(120)의 유입구(후술함)에 연결될 수 있다. One end of the inlet 170a and the other end of the outlet 170b may be connected to other additional components constituting the plasma generating device, for example, one end of the inlet 170a is to the upper adapter, and the other end of the outlet 170b is It may be connected to an inlet (to be described later) of the collector 120 .

또한 반응기(110) 몸체에는 플라즈마 방전을 점화하기 위한 점화기(140)가 제공될 수 있다. 본 발명에 있어서, 점화는 플라즈마를 형성하기 위하여 가스 내의 초기 붕괴의 원인이 되는 공정이다. 상기 점화기(140)는 다양한 위치에 배치될 수 있으나, 본 발명의 일 실시 예에서는 가스 주입구(170a) 근처에 배치될 수 있다.In addition, the reactor 110 body may be provided with an igniter 140 for igniting the plasma discharge. In the present invention, ignition is the process responsible for the initial collapse in the gas to form a plasma. The igniter 140 may be disposed in various positions, but in an embodiment of the present invention may be disposed near the gas inlet 170a.

도시하지는 않았으나, 본 발명의 일 실시 예에 있어서, 서로 인접한 두 개의 바디 사이에는 절연부가 제공된다. Although not shown, in an embodiment of the present invention, an insulating portion is provided between two bodies adjacent to each other.

변압기(150)는 반응기(110) 본체에 설치된다. 변압기(150)는 반응기(110) 본체 내부의 플라즈마 채널 형성 공간 내에 플라즈마의 발생을 위한 유도 기전력을 제공한다. 이를 위해 변압기(150)는 코어 및 코어에 권선되는 일차 권선 코일을 포함할 수 있다. 코어는 페라이트 코어일 수 있다. 변압기(150)의 코어는 플라즈마 방전 채널의 일부를 쇄교하도록 반응기(110) 본체에 배치되고, 그 코어에 일차 권선 코일이 권선될 수 있다. The transformer 150 is installed in the reactor 110 body. The transformer 150 provides an induced electromotive force for the generation of plasma in the plasma channel forming space inside the reactor 110 body. To this end, the transformer 150 may include a core and a primary winding coil wound around the core. The core may be a ferrite core. The core of the transformer 150 is disposed in the reactor 110 body to link a part of the plasma discharge channel, and a primary winding coil may be wound on the core.

도시하지는 않았으나, 권선 코일에는 배선을 통해 전원 공급부가 연결된다. 전원 공급부는 RF 전원을 생성하는 RF 생성기(RF Generator), 임피던스 매칭을 위한 RF 매칭기(RF matcher)를 포함할 수 있다. 전원 공급부는 권선 코일에 전원을 공급하여 구동한다. 일차 권선 코일이 구동되면 반응기(110) 본체 내부의 플라즈마 방전 채널이 이차 권선으로 기능하여 플라즈마 채널 형성 공간 내에서 플라즈마가 방전될 수 있다. 페라이트 코어는 주입구(170a)와 배출구(170b) 사이의 토로이드에 설치될 수 있다. 본 발명의 일 실시 예에 있어서, 코어는 주입구(170a)의 양쪽으로 가스를 분기시키는 대칭형 구조의 우측과 좌측 각각에 일대일로 장착되는 대칭적 구조를 형성할 수 있다. 그러나, 코어의 위치는 이에 한정되는 것은 아니다.Although not shown, a power supply is connected to the winding coil through wiring. The power supply unit may include an RF generator for generating RF power and an RF matcher for impedance matching. The power supply unit is driven by supplying power to the winding coil. When the primary winding coil is driven, the plasma discharge channel inside the reactor 110 body functions as a secondary winding, so that plasma can be discharged in the plasma channel formation space. The ferrite core may be installed in the toroid between the inlet (170a) and the outlet (170b). In one embodiment of the present invention, the core may form a symmetrical structure that is mounted one-to-one on the right side and the left side of the symmetrical structure for branching gas to both sides of the inlet (170a). However, the position of the core is not limited thereto.

포집기(120)는 상기 플라즈마 발생 장치의 배출구(170b)에 연결되며, 플라즈마와 반응한 배기 가스의 상 변화에 의해 생성된 파우더를 포집한다. The collector 120 is connected to the outlet 170b of the plasma generating device, and collects the powder generated by the phase change of the exhaust gas reacting with the plasma.

본 발명의 일 실시 예에 있어서, 포집기(120)는 파우더를 효율적으로 포집하기 위해 다양한 구성을 가질 수 있는 바, 이에 대해서는 후술한다.In one embodiment of the present invention, the collector 120 may have various configurations in order to efficiently collect the powder, which will be described later.

포집기(120)의 일측에는 파우더가 포집기(120)에서 포집된 후의 배기 가스를 외부로 배출시키고, 반응기 및 포집기(120)의 내부를 진공상태로 만드는 배기 펌프(미도시)가 설치될 수 있다. At one side of the collector 120, an exhaust pump (not shown) for discharging the exhaust gas after the powder is collected by the collector 120 to the outside and making the inside of the reactor and collector 120 in a vacuum state may be installed.

배기 가스는 공정을 진행하면서 발생되거나 공정을 진행하면서 공정 챔버로부터 반응하지 않은 상태로 반응기(110) 및 포집기(120)로 유입되는 공정 부산물을 포함하는 것으로서 그 종류는 한정되는 것은 아니다. 배기 가스에 포함된 공정 부산물은 예를 들어 PFCs(perfluorocompounds), 전구체(Zr-precursor, Si-precursor, Ti-precursor, Hf-precursor 등), TiCl4, WF6, SiH4, Si2H6, SiH2Cl2, NF3, NH3, NH4Cl, TiO2, WN, ZrO2, TiN 등을 포함할 수 있다. The exhaust gas is generated during the process or includes process by-products introduced into the reactor 110 and the collector 120 in an unreacted state from the process chamber during the process, and the type thereof is not limited. Process by-products contained in the exhaust gas include, for example, perfluorocompounds (PFCs), precursors (Zr-precursor, Si-precursor, Ti-precursor, Hf-precursor, etc.), TiCl 4 , WF 6 , SiH 4 , Si 2 H 6 , SiH 2 Cl 2 , NF 3 , NH 3 , NH 4 Cl, TiO 2 , WN, ZrO 2 , TiN, and the like.

포집기(120)는 배기가스가 플라즈마 에너지를 인가받아 유해한 성분들이 산화 등의 반응으로 인해 연소되거나 정화됨으로써 파우더 형태의 부산물로서 이물질들이 형성되면 그 이물질들을 포집한다. The collector 120 collects foreign substances when foreign substances are formed as by-products in the form of powder as the exhaust gas is applied with plasma energy and harmful components are burned or purified due to a reaction such as oxidation.

본 발명의 일 실시 예에 있어서, 포집기(120)는 플라즈마와 반응한 배기 가스의 상 변화에 의해 생성된 파우더를 포집하기 위한 구성을 포함한다.In one embodiment of the present invention, the collector 120 includes a configuration for collecting the powder generated by the phase change of the exhaust gas reacted with the plasma.

도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 포집기를 도시한 사시도이다. 도 3은 도 2의 포집기의 분해 사시도이다. 도 4는 도 3에 도시된 하우징의 내부를 보여주는 평면도이다.2 is a perspective view illustrating a collector according to an embodiment of the present invention. 3 is an exploded perspective view of the collector of FIG. 2 . FIG. 4 is a plan view showing the inside of the housing shown in FIG. 3 .

도 2 내지 도 4를 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 포집기(120)는 하우징(1200), 격벽부(2200), 구획벽(3200), 유출관(4200), 연결관(5200) 및 포집 강화부(5300)를 포함할 수 있다. 2 to 4 , the collector 120 according to an embodiment of the present invention includes a housing 1200 , a bulkhead part 2200 , a partition wall 3200 , an outlet pipe 4200 , and a connection pipe 5200 . and a collection strengthening unit 5300 .

하우징(1200)은 내부에 포집 공간(TA)을 제공한다. 포집기(120)로 유입되는 가스에 포함된 파우더는 포집 공간(TA)에 포집된다. 하우징(1200)에는 유입구(1201) 및 유출구(1202)가 형성된다. 유입구(1201)를 통해 포집 공간(TA) 내로 가스가 유입되고, 포집 공간(TA) 내의 가스는 유출구(1202)를 통해 포집 공간(TA)으로부터 유출된다. The housing 1200 provides a collecting space TA therein. The powder contained in the gas flowing into the collector 120 is collected in the collection space TA. The housing 1200 has an inlet 1201 and an outlet 1202 formed therein. Gas flows into the collection space TA through the inlet 1201 , and the gas in the collection space TA flows out from the collection space TA through the outlet 1202 .

격벽부(2200)는 포집 공간(TA)을 2개 이상의 공간(R1, R2, R3)으로 구획한다. 격벽부(2200)는 격벽부(2200)에 의해 구획되는 양측 공간(R1, R2, R3)이 서로 수평 방향으로 배열되도록 포집 공간(TA)을 구획할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 격벽부(2200)는 유출관(4200)의 외측 옆면으로부터 하우징(1200)의 내측 옆면으로 연장되게 제공될 수 있다. 격벽부(2200)는 유출관(4200)의 외주 방향을 따라 복수개가 서로 이격되어 제공될 수 있다. 예를 들면, 격벽부(2200)는 총 3개가 유출관(4200)의 외주 방향을 따라 서로 이격되게 제공될 수 있다.The partition wall part 2200 divides the collection space TA into two or more spaces R 1 , R 2 , and R 3 . The partition wall part 2200 may partition the collection space TA so that both spaces R 1 , R 2 , and R 3 partitioned by the partition wall part 2200 are arranged in a horizontal direction with each other. According to an embodiment, the partition wall part 2200 may be provided to extend from an outer side surface of the outlet pipe 4200 to an inner side surface of the housing 1200 . A plurality of partition wall portions 2200 may be provided to be spaced apart from each other along the outer circumferential direction of the outlet pipe 4200 . For example, a total of three partition wall portions 2200 may be provided to be spaced apart from each other along the outer circumferential direction of the outlet pipe 4200 .

구획벽(3200)은 공간(R1, R2, R3) 중 하나(R1)에 제공된다. 구획벽(3200)은 그 하나(R1)를 유출관(4200)의 외주 방향에 따라 구획한다.The partition wall 3200 is provided in one R 1 of the spaces R 1 , R 2 , R 3 . The partition wall 3200 divides the one (R 1 ) along the outer circumferential direction of the outlet pipe 4200 .

일 실시 예에 따르면, 유입구(1201)는 하우징(1200)의 외벽의 구획벽(3200)에 의해 구획된 구획 공간(R1a, R1b) 중 하나(R1a)에 대향되는 영역에 형성될 수 있다. 유입구(1201)는 하우징(1200)의 상면에 형성될 수 있다. 예를 들면, 유출구(1202)는 하우징(1200)의 저면의 중심부에 형성될 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 유입구(1201)에는 파우더를 포함하는 배기 가스가 유입될 수 있다. 예를 들면, 유입구(1201)는 반응기(110)의 배출구(170b)와 연결될 수 있다. 유출구(1202)에는 배기 펌프가 연결될 수 있다. 하우징(1200)의 옆면의 각 공간(R2, R3) 및 구획 공간(R1a, R2a)에 대향되는 영역에는 각각 내부의 파우더를 청소할 수 있도록 관리 개구(1203)가 형성될 수 있다. 각각의 관리 개구(1203)에는 개폐 가능한 도어(1204)가 제공될 수 있다.According to an embodiment, the inlet 1201 may be formed in an area opposite to one of the partition spaces R 1a and R 1b partitioned by the partition wall 3200 of the outer wall of the housing 1200 (R 1a ). have. The inlet 1201 may be formed on the upper surface of the housing 1200 . For example, the outlet 1202 may be formed in the center of the bottom surface of the housing 1200 . According to an embodiment, exhaust gas including powder may be introduced into the inlet 1201 . For example, the inlet 1201 may be connected to the outlet 170b of the reactor 110 . An exhaust pump may be connected to the outlet 1202 . A management opening 1203 may be formed in a region opposite to each of the spaces R 2 and R 3 and the partitioned spaces R 1a and R 2a of the side surface of the housing 1200 to clean the powder therein, respectively. Each management opening 1203 may be provided with an openable and openable door 1204 .

일 실시 예에 따르면, 하우징(1200)은 외측 하우징(1210) 및 내측 하우징(1220)을 포함할 수 있다. 외측 하우징(1210)은 내부에 내측 하우징(1220), 격벽부(2200) 및 구획벽(3200)가 수용될 수 있는 공간을 가진다. 내측 하우징(1220)은 격벽부(2200) 및 구획벽(3200)의 내측단을 서로 연결하고, 격벽부(2200) 및 구획벽(3200)의 외측단을 서로 연결함으로써 격벽부(2200) 및 구획벽(3200)와 함께 각각의 공간(R1, R2, R3) 및 구획 공간(R1a, R1b)을 형성한다. 내측 하우징(1220)의 격벽부(2200) 및 구획벽(3200)의 내측단을 연결하는 벽은 위에서 바라볼 때, 유출구(1202)를 둘러싸도록 제공될 수 있다. 따라서, 아래에서 설명될 유출관(4200)은 옆면이 내측 하우징(1220)의 격벽부(2200) 및 구획벽(3200)의 내측단을 연결하는 벽에 의해 둘러싸일 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 내측 하우징(1220)의 격벽부(2200) 및 구획벽(3200)의 내측단을 연결하는 벽과 격벽부(2200) 및 구획벽(3200)의 외측단을 연결하는 벽은 격벽부(2200) 중 배기 개구(4210)에 가장 인접한 하나와 구획벽(3200) 간에는 연결되지 않을 수 있다. According to an embodiment, the housing 1200 may include an outer housing 1210 and an inner housing 1220 . The outer housing 1210 has a space in which the inner housing 1220 , the partition wall part 2200 , and the partition wall 3200 can be accommodated therein. The inner housing 1220 connects the inner ends of the partition wall part 2200 and the partition wall 3200 to each other, and connects the outer ends of the partition wall part 2200 and the partition wall 3200 to each other. Together with the wall 3200 it forms respective spaces R 1 , R 2 , R 3 and compartment spaces R 1a , R 1b . A wall connecting the partition wall portion 2200 of the inner housing 1220 and the inner end of the partition wall 3200 may be provided to surround the outlet port 1202 when viewed from above. Accordingly, the outlet pipe 4200 to be described below may have a side surface surrounded by a wall connecting the partition wall 2200 of the inner housing 1220 and the inner end of the partition wall 3200 . According to an embodiment, the wall connecting the inner ends of the partition wall part 2200 and the partition wall 3200 of the inner housing 1220 and the wall connecting the outer ends of the partition wall part 2200 and the partition wall 3200 are The partition wall 3200 may not be connected to one of the partition walls 2200 that is closest to the exhaust opening 4210 .

이와 달리, 내측 하우징(1220)의 격벽부(2200) 및 구획벽(3200)의 외측단을 연결하는 영역은 제공되지 않고, 격벽부(2200) 및 구획벽(4210)의 외측단은 외측 하우징(1210)의 내측면에 직접 연결됨으로써, 각각의 공간(R1, R2, R3) 및 구획 공간(R1a, R1b)을 형성할 수 있다.On the contrary, a region connecting the outer ends of the partition wall part 2200 and the partition wall 3200 of the inner housing 1220 is not provided, and the outer ends of the partition wall part 2200 and the partition wall 4210 are connected to the outer housing ( By being directly connected to the inner surface of the 1210, each space (R 1 , R 2 , R 3 ) and the partition space (R 1a , R 1b ) may be formed.

외측 하우징(1210) 및 내측 하우징(1220)은 상면이 개방되고, 외측 하우징(1210) 및 내측 하우징(1220)의 상면은 커버(1230)에 의해 덮일 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 관리 개구(1203)는 외측 하우징(1210) 및 내측 하우징(1220)을 함께 관통하도록 형성될 수 있다. 유입구(1201)는 커버(1230)를 관통하도록 형성될 수 있다. 커버(1230)의 중심부에는 유출관(4200)의 상단이 삽입 체결되는 체결구(1231)가 형성될 수 있다. Upper surfaces of the outer housing 1210 and the inner housing 1220 may be opened, and upper surfaces of the outer housing 1210 and the inner housing 1220 may be covered by a cover 1230 . According to an embodiment, the management opening 1203 may be formed to pass through the outer housing 1210 and the inner housing 1220 together. The inlet 1201 may be formed to pass through the cover 1230 . A fastener 1231 to which the upper end of the outlet pipe 4200 is inserted and fastened may be formed in the center of the cover 1230 .

도 5는 도 3에 도시된 격벽부를 보여주는 정면도이다. FIG. 5 is a front view showing the partition wall portion shown in FIG. 3 .

도 5를 참조하면, 격벽부(2200)에는 각 공간(R1, R2, R3) 간에 연통되도록 개구(2210)가 형성된다. 일 실시 예에 따르면, 개구(2210)는 격벽부(2200)의 상단에 인접한 영역에 형성된다. 따라서, 가스가 각각의 개구(2210)를 관통할 때, 무거운 파우더는 개구(2210)를 통과하기 전의 공간에 포집되고, 가스는 개구(2210)를 통해 다음 공간이나 유출관(4200) 내로 이동될 수 있다. 이와 다르게, 구획벽(3200)은 공간 간의 연통되는 개구가 형성되어 있지 않다.Referring to FIG. 5 , an opening 2210 is formed in the partition 2200 to communicate between the spaces R 1 , R 2 , and R 3 . According to an embodiment, the opening 2210 is formed in a region adjacent to the upper end of the partition wall portion 2200 . Thus, as the gas passes through each opening 2210 , the heavy powder is collected in the space before passing through the opening 2210 , and the gas is moved through the opening 2210 into the next space or into the outlet pipe 4200 . can Unlike this, the partition wall 3200 does not have an opening communicating between spaces.

도 6은 도 3에 도시된 유출관을 보여주는 사시도이다. 6 is a perspective view showing the outlet pipe shown in FIG. 3 .

도 6을 참조하면, 유출관(4200)은 유출구(1202)에 연결된다. 유출관(4200)은 포집 공간(TA)의 내측으로 연장된다. 유출관(4200)은 길이 방향이 상하 방향인 원통형의 관으로 제공될 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 유출관(4200)의 상단은 하우징(1200)의 상면에 체결된다. 유출관(4200)의 하단은 유출구(1202)와 연통된다. 유출관(4200)의 외측 옆면의 상단에는 배기 개구(4210)가 형성된다. 포집 공간(TA) 내의 가스는 배기 개구(4210)를 통해 유출관(4200)의 내부로 유입된다. 배기 개구(4210)가 유출관(4200)의 외측 옆면의 상단에 형성됨으로써 상대적으로 무거운 파우더는 배기 개구(4210)로 유입되기 전에 낙하하여 배기 개구(4210)에 대향되는 구획 공간(R1b)에 포집될 수 있다. 도 4에 도시된 바와 같이, 배기 개구(4210)는 구획벽(3200)에 의해 구획된 구획 공간 중 다른 하나(R1b)에 대향되는 영역에 형성된다. 유출관(4200)으로 유입된 가스는 포집 공간(TA)의 외부로 배출된다. Referring to FIG. 6 , the outlet pipe 4200 is connected to the outlet 1202 . The outlet pipe 4200 extends to the inside of the collection space TA. The outlet pipe 4200 may be provided as a cylindrical pipe having a longitudinal direction in the vertical direction. According to an embodiment, the upper end of the outlet pipe 4200 is fastened to the upper surface of the housing 1200 . The lower end of the outlet pipe 4200 communicates with the outlet 1202 . An exhaust opening 4210 is formed at the upper end of the outer side surface of the outlet pipe 4200 . The gas in the collection space TA is introduced into the outlet pipe 4200 through the exhaust opening 4210 . Since the exhaust opening 4210 is formed at the upper end of the outer side surface of the outlet pipe 4200, the relatively heavy powder falls before flowing into the exhaust opening 4210 and in the partition space R 1b opposite to the exhaust opening 4210. can be captured. As shown in FIG. 4 , the exhaust opening 4210 is formed in a region opposite to the other one R 1b among the partition spaces partitioned by the partition wall 3200 . The gas introduced into the outlet pipe 4200 is discharged to the outside of the collection space TA.

유출관(4200)의 배기 개구(4210)에는 유출관(4200)의 외측으로 연장되는 개구 조절관(4220)이 연결될 수 있다. 개구 조절관(4220)의 끝단에는 개구 조절관(4220)의 내외부 간에 연통되도록 연통구(4221)가 형성된다. 일 실시 예에 따르면, 연통구(4221)는 구획 공간 중 배기 개구(4210)가 대향하는 구획 공간(R1b)에 가장 인접한 격벽부(2200)로부터 멀어지는 방향을 바라보도록 제공될 수 있다. 상술한 바와 같이, 개구 조절관(4220)이 제공됨으로써, 배기 개구(4210)에 인접한 개구(2210)를 통과한 가스가 개구 조절관(4220)에 의해 우회되며 유출관(4200)의 외측면에 충돌한 후 배기 개구(4210)로 유입되게 하여 파우더의 포집 효율을 높일 수 있다. 연통구(4221)가 바라보는 방향은 필요에 따라 다르게 제공될 수 있다.An opening control pipe 4220 extending to the outside of the outlet pipe 4200 may be connected to the exhaust opening 4210 of the outlet pipe 4200 . A communication hole 4221 is formed at the end of the opening control tube 4220 to communicate between the inside and the outside of the opening control tube 4220 . According to an embodiment, the communication hole 4221 may be provided to face the direction away from the partition wall part 2200 closest to the partition space R 1b facing the exhaust opening 4210 in the partition space. As described above, since the opening control pipe 4220 is provided, the gas that has passed through the opening 2210 adjacent to the exhaust opening 4210 is diverted by the opening control pipe 4220 and is disposed on the outer surface of the outlet pipe 4200 . After the collision, the powder is introduced into the exhaust opening 4210 to increase the powder collection efficiency. The direction in which the communication hole 4221 looks may be provided differently as needed.

상술한 바와 같이, 포집 공간(TA) 내에 격벽부(2200), 구획벽(3200) 및 유출관(4200)이 제공됨으로써, 유입구(1201)를 통해 포집 공간(TA)으로 유입된 가스는 도 4에 화살표로 표시된 바와 같이, 유출관(4200)의 외주 방향을 따라 순차적으로 개구(2210)를 통해 격벽부(2200)를 지나고, 이 후, 개구 조절관(4220) 및 유출관(4200)의 내부를 지나 하우징(1200)의 외부로 배출되고, 이 과정에서 파우더는 포집 공간(TA)에 포집된다. As described above, since the partition wall part 2200 , the partition wall 3200 , and the outlet pipe 4200 are provided in the collection space TA, the gas introduced into the collection space TA through the inlet 1201 is shown in FIG. 4 . As indicated by an arrow in , sequentially along the outer periphery direction of the outlet pipe 4200 passes through the partition wall portion 2200 through the opening 2210, and then, the opening control pipe 4220 and the inside of the outlet pipe 4200 It passes through and is discharged to the outside of the housing 1200, and in this process, the powder is collected in the collection space TA.

도 7은 도 2에 도시된 연결관을 보여주는 사시도이다.7 is a perspective view showing the connector shown in FIG. 2 .

도 7을 참조하면, 연결관(5200)은 유입구(1201)에 연결된다. 연결관(5200)은 유입구(1201)로부터 위 방향으로 연장된다. 연결관(5200)의 상단에는 연결관(5200)의 내외부간이 연통되도록 연결 개구(5210)가 형성된다. 일 실시 예에 따르면, 연결 개구(5210)는 위에서 바라볼 때, 하우징(1200)의 중심부에 위치될 수 있다. 따라서, 반응기(110)의 배출구(170b)가 하우징(1200)의 상면의 중심부에 대향된 상태에서도 반응기(110)의 배출구(170b) 및 포집기(120)의 유입구(1201)를 연결관(5200)을 이용해 서로 연결할 수 있다. 연결관(5200)의 하단은 유입구(1201)에 삽입 체결될 수 있다. 이 때, 연결관(5200)의 하단은 일측 방향으로 갈수록 아래 방향으로 경사지도록 제공될 수 있다. 연결관(5200)의 하단이 상술한 바와 같은 형상을 가짐으로써, 보다 쉽게 유입구(1201)에 삽입될 수 있다.Referring to FIG. 7 , the connection pipe 5200 is connected to the inlet 1201 . The connector 5200 extends upwardly from the inlet 1201 . A connection opening 5210 is formed at an upper end of the connection pipe 5200 so that the inside and outside of the connection pipe 5200 communicate with each other. According to an embodiment, the connection opening 5210 may be located at the center of the housing 1200 when viewed from above. Therefore, even in a state in which the outlet 170b of the reactor 110 is opposed to the center of the upper surface of the housing 1200, the outlet 170b of the reactor 110 and the inlet 1201 of the collector 120 are connected to the connecting pipe 5200. can be used to connect to each other. The lower end of the connector 5200 may be inserted and fastened to the inlet 1201 . At this time, the lower end of the connection pipe 5200 may be provided to be inclined downward toward one side. Since the lower end of the connecting pipe 5200 has the above-described shape, it can be more easily inserted into the inlet 1201 .

도 8은 도 3에 도시된 커버의 저면을 보여주는 사시도이다.FIG. 8 is a perspective view showing a bottom surface of the cover shown in FIG. 3 .

도 3 및 도 8을 참조하면, 포집 강화부(5300)는 포집 공간(TA) 내에서 파우더의 포집 효율을 증가시킨다. 일 실시 예에 따르면, 포집 강화부(5300)는 포집 강화봉(5310)을 포함할 수 있다. 포집 강화봉(5310)은 하우징(1200)의 상면으로부터 아래 방향으로 연장되는 원기둥의 바(Bar) 형상으로 제공될 수 있다. 포집 강화봉(5310)은 공간(R1, R2, R3)들 중 적어도 하나에 제공될 수 있다. 예를 들면, 포집 강화봉(5310)은 포집 공간(TA) 내의 공간들 중 유입구(1201)가 대향되는 구획 공간(R1a)을 제외한 모든 공간(R1b, R2, R3)에 제공될 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 포집 강화봉(5310)은 상단이 커버(1230)의 저면에 형성된 체결홈(1232)에 삽입 체결될 수 있다. 포집 강화봉(5310)은 하우징(1200)의 상면을 따라 복수개가 서로 이격되게 배열될 수 있다. 포집 강화봉(5310)은 서로 행과 열의 간격을 달리함으로써 다양한 밀집도로 제공될 수 있다. 예를 들면, 포집 강화봉(5310)은 제공되는 각 공간마다 서로 다른 밀집도로 제공될 수 있다. 이와 달리, 포집 강화봉(5310)은 제공되는 각 공간에 서로 동일한 밀집도로 제공될 수 있다. 포집 강화봉(5310)은 금속으로 제공될 수 있다. 포집 강화봉(5310)은 열전달율이 높은 금속으로 제공되어 포집 강화봉(5310)의 표면 및 포집 공간(TA)을 지나는 가스 간의 온도차가 발생될 수 있다. 이러한 온도 차이는 파우더 포집 효율을 높일 수 있다. 배기가스는 포집 강화봉(5310)에 충돌하게 되고, 포집 강화봉(5310)의 낮은 온도로 인해 생성된 파우더는 포집 공간(TA) 아래로 낙하하게 된다.3 and 8 , the collection reinforcement unit 5300 increases the collection efficiency of the powder in the collection space TA. According to an embodiment, the collection reinforcing unit 5300 may include a collection reinforcing rod 5310 . The collection reinforcing rod 5310 may be provided in the shape of a cylindrical bar extending downward from the upper surface of the housing 1200 . The collection reinforcing rod 5310 may be provided in at least one of the spaces R 1 , R 2 , and R 3 . For example, the collection reinforcing rod 5310 is to be provided in all spaces R 1b , R 2 , R 3 except for the partition space R 1a facing the inlet 1201 among the spaces within the collection space TA. can According to an embodiment, the collecting reinforcing rod 5310 may be inserted and fastened at an upper end into a fastening groove 1232 formed on a bottom surface of the cover 1230 . A plurality of collecting reinforcing rods 5310 may be arranged to be spaced apart from each other along the upper surface of the housing 1200 . The collection reinforcing rods 5310 may be provided in various densities by varying the spacing between rows and columns. For example, the collection reinforcing rod 5310 may be provided with a different density for each space provided. Alternatively, the collection reinforcing rods 5310 may be provided with the same density in each space provided. The collection reinforcing rod 5310 may be made of metal. The collecting reinforcing rod 5310 is made of a metal having a high heat transfer rate, so that a temperature difference may be generated between the surface of the collecting reinforcing bar 5310 and the gas passing through the collecting space TA. This temperature difference can increase the powder collection efficiency. The exhaust gas collides with the collecting reinforcing rod 5310, and the powder generated due to the low temperature of the collecting reinforcing bar 5310 falls below the collecting space TA.

도 9는 도 3에 도시된 포집 강화봉의 다른 예를 보여주는 사시도이다. FIG. 9 is a perspective view showing another example of the collecting reinforcing rod shown in FIG. 3 .

도 9를 참조하면, 포집 강화봉(5310)의 외측 옆면에는 외측으로 돌출되는 돌출부(5311)가 형성될 수 있다. 돌출부(5311)가 제공됨으로써, 돌출부(5311)와의 충돌로 인해 파우더 포집 효율이 증가될 수 있다. 돌출부(5311)의 상면은 외측으로 갈수록 아래 방향으로 경사지도록 제공될 수 있다. 돌출부(5311)에 낙하된 파우더는 상면의 경사 방향을 따라 아래로 낙하되어 돌출부(5311) 상에 파우더가 쌓이는 것을 방지할 수 있다. 돌출부(5311)는 포집 강화봉(5310)의 외측 옆면의 일부를 외주 방향을 따라 감사는 링 형상으로 제공될 수 있다. 돌출부(5311)는 복수개가 포집 강화봉(5310)의 길이 방향을 따라 배열될 수 있다. 돌출부(5311)는 포집 강화봉(5310)의 하단으로부터 하우징(1200)의 상면에서 연장된 길이의 1/2지점보다 아래 영역에 제공될 수 있다. 각각의 포집 강화봉(5310)에 제공되는 돌출부(5311)의 형상, 수 및 설치 높이는 서로 동일하게 제공될 수 있다. 이와 달리, 각각의 포집 강화봉(5310)에 제공되는 돌출부(5311)의 형상, 수 및 설치 높이는 필요에 따라 서로 다르게 제공될 수 있다.Referring to FIG. 9 , a protrusion 5311 protruding outwardly may be formed on an outer side surface of the collecting reinforcing rod 5310 . By providing the protrusion 5311 , the powder collection efficiency may be increased due to collision with the protrusion 5311 . The upper surface of the protrusion 5311 may be provided to be inclined downward toward the outside. The powder falling on the protrusion 5311 may fall downward along the inclined direction of the upper surface to prevent the powder from accumulating on the protrusion 5311 . The protrusion 5311 may be provided in the form of a ring in which a portion of the outer side surface of the collecting reinforcing rod 5310 is curved along the outer circumferential direction. A plurality of protrusions 5311 may be arranged along the longitudinal direction of the collecting reinforcing rod 5310 . The protrusion 5311 may be provided in an area lower than 1/2 of the length extending from the lower end of the collecting reinforcing rod 5310 on the upper surface of the housing 1200 . The shape, number, and installation height of the protrusions 5311 provided on each of the collecting reinforcing rods 5310 may be the same as each other. Alternatively, the shape, number, and installation height of the protrusions 5311 provided on each of the collecting reinforcing rods 5310 may be provided differently as needed.

여기서, 돌출부(5311)은 배기가스가 지날 때 인접 포집 강화봉의 돌출부와 서로 충돌되어 포집 강화봉(5310)을 요동하게 함으로써 파우더가 포집 강화봉(5310)에 적층되지 않고 아래로 떨어지도록 한다.Here, the protrusions 5311 collide with the protrusions of the adjacent collecting reinforcing rods when the exhaust gas passes and cause the collecting reinforcing rods 5310 to vibrate so that the powder is not stacked on the collecting reinforcing rods 5310 and falls down.

도 10은 다른 실시 예에 따른 포집 강화부를 보여주는 사시도이다. 도 11은 도 10에 도시된 곡면 블레이드의 평면도이다. 10 is a perspective view showing a collection reinforcement according to another embodiment. 11 is a plan view of the curved blade shown in FIG. 10 .

도 10을 참조하면, 포집 강화부(5300)는 곡면 블레이드(5320)를 포함할 수 있다. 곡면 블레이드(5320)는 격벽부(2200) 중 하나 및 그 하나의 격벽부(2200)에 인접한 다른 하나 사이에 설치된다. 일 실시 예에 따르면, 곡면 블레이드(5320)는 가스의 경로를 따라 유출관(4200)의 배기 개구(4210)가 대향되는 구획 공간(R1b) 직전의 공간(R3)에 제공될 수 있다. 곡면 블레이드(5320)는 위에서 바라볼 때, 유출관(4200)을 바라보는 면이 오목하게 휘어진 곡면 플레이트 형상으로 제공될 수 있다. 곡면 블레이드(5320)는 유출관(4200)의 반경 방향을 따라 복수개가 서로 이격되게 제공될 수 있다. 곡면 블레이드(5320)는 개구(2210)보다 높게 배치될 수 있다. 곡면 블레이드(5320)가 제공됨으로써, 곡면 블레이드(5320)가 제공된 공간(R3)지나는 가스에 회전력을 제공하여 그 다음 공간(R1b)에서 가스가 내측벽에 충돌되는 것을 유도하여 파우더의 포집 효율을 높일 수 있다.Referring to FIG. 10 , the collecting reinforcing unit 5300 may include a curved blade 5320 . The curved blade 5320 is installed between one of the partition wall portions 2200 and the other adjacent to the one partition wall portion 2200 . According to an embodiment, the curved blade 5320 may be provided in the space R 3 immediately before the partition space R 1b facing the exhaust opening 4210 of the outlet pipe 4200 along the gas path. The curved blade 5320 may be provided in the shape of a curved plate in which a surface facing the outlet pipe 4200 is concavely curved when viewed from above. A plurality of curved blades 5320 may be provided to be spaced apart from each other along the radial direction of the outlet pipe 4200 . The curved blade 5320 may be disposed higher than the opening 2210 . By providing the curved blade 5320, the space R 3 provided with the curved blade 5320 provides a rotational force to the gas passing through the space R 1b and induces the gas to collide with the inner wall in the next space R 1b to induce the powder collection efficiency can increase

도 12는 또 다른 실시 예에 따른 포집 강화부를 보여주는 사시도이다. 도 13은 도 12에 도시된 커버부의 측면도이다. 12 is a perspective view showing a collection reinforcement according to another embodiment. 13 is a side view of the cover shown in FIG. 12 .

도 12 및 도 13을 참조하면, 포집 강화부(5300)는 커버부(5330)를 포함할 수 있다. 커버부(5330)는 격벽부(2200)의 일면을 바라볼 때 개구(2210)를 가리도록 제공된다. 커버부(5330)가 설치되는 격벽부(2200)의 일면은 개구(2210)로 가스가 유입되는 방향을 바라보는 면일 수 있다. 커버부(5330)의 격벽부(2200)의 일면이 바라보는 방향과 수직인 방향을 바라보는 측면에는 개구(2210)와 연통되는 연통 개구(5331)가 형성된다. 일 실시 예에 따르면, 커버부(5330)는 커버 플레이트(5332) 및 지지 부재(5333)를 포함한다. 12 and 13 , the collection reinforcement part 5300 may include a cover part 5330 . The cover part 5330 is provided to cover the opening 2210 when one surface of the partition wall part 2200 is viewed. One surface of the partition wall part 2200 on which the cover part 5330 is installed may be a surface facing the direction in which gas flows into the opening 2210 . A communication opening 5331 communicating with the opening 2210 is formed on a side of the cover portion 5330 facing the direction perpendicular to the direction in which one surface of the partition wall portion 2200 is viewed. According to an embodiment, the cover part 5330 includes a cover plate 5332 and a support member 5333 .

커버 플레이트(5332)는 격벽부(2200)의 일면을 바라볼 때, 개구(2210)를 가리고, 격벽부(2200)의 일면으로부터 이격된다. 일 실시 예에 따르면, 개구(2210)는 직사각형 형상을 가지고, 커버 플레이트(5332)는 개구(2210)보다 외측으로 넓은 면적을 가지는 직사각형 형상의 플레이트로 제공될 수 있다. 즉, 연통 개구(5331)는 격벽부(2200) 및 커버 플레이트(5332)의 사이에 형성된다.The cover plate 5332 covers the opening 2210 when one surface of the partition wall part 2200 is viewed and is spaced apart from the one surface of the partition wall part 2200 . According to an embodiment, the opening 2210 may have a rectangular shape, and the cover plate 5332 may be provided as a plate having a rectangular shape having a larger area outside the opening 2210 . That is, the communication opening 5331 is formed between the partition wall portion 2200 and the cover plate 5332 .

지지 부재(5333)는 양 끝단이 각각 커버 플레이트(5332) 및 격벽부(2200)에 연결되어 커버 플레이트(5332)를 지지한다. 일 실시 예에 따르면, 지지 부재(5333)는 커버 플레이트(5332)의 각 모서리에 인접한 영역에 위치될 수 있다. Both ends of the support member 5333 are respectively connected to the cover plate 5332 and the partition wall 2200 to support the cover plate 5332 . According to an embodiment, the support member 5333 may be located in a region adjacent to each corner of the cover plate 5332 .

커버부(5330)가 제공됨으로써, 개구(2210)를 통과하기 전 가스는 연통 개구(5331)로 우회됨으로써 속도가 감소하여 파우더의 포집 효율을 증가시킬 수 있다. By providing the cover part 5330 , the gas before passing through the opening 2210 is diverted to the communication opening 5331 , thereby reducing the speed, thereby increasing the powder collection efficiency.

커버부(5330)는 포집 강화봉(5310)이나 곡면 블레이드(5320)와 같은 공간에 제공될 수 있다. 예를 들면, 커버부(5330)는 곡면 블레이드(5320)의 양 끝단이 연결되는 격벽부(2200) 각각에 제공될 수 있다. 커버부(5330)는 가스의 속도를 감소시켜 곡면 블레이드(5320)나 포집 강화봉(5310)의 포집 효율을 더욱 높일 수 있다.The cover part 5330 may be provided in the same space as the collection reinforcing rod 5310 or the curved blade 5320 . For example, the cover part 5330 may be provided on each of the partition walls 2200 to which both ends of the curved blade 5320 are connected. The cover part 5330 may reduce the gas velocity to further increase the collection efficiency of the curved blade 5320 or the collection reinforcing rod 5310 .

도 14는 다른 실시 예에 따른 커버부를 보여주는 사시도이다. 도 15은 도 14의 커버부의 측면도이다.14 is a perspective view illustrating a cover unit according to another exemplary embodiment. FIG. 15 is a side view of the cover part of FIG. 14 ;

도 14 및 도 15를 참조하면, 커버부(5330)는 가이드 부재(5334), 커버 부재(5335) 및 커버 지지 부재(5336)를 포함할 수 있다. 가이드 부재(5334)는 개구(2210)에 연결되고, 격벽부(2200)의 일면이 바라보는 방향으로 연장된다. 가이드 부재(5334)는 양 끝단 간에 연통되는 관 형상으로 제공된다. 커버 부재(5335)는 가이드 부재(5334)의 옆면의 외측 및 가이드 부재(5334)의 양 끝단 중 개구(2210)로부터 먼 끝단을 감싼다. 커버 부재(5335)는 가이드 부재(5334) 및 격벽부(2200)로부터 이격되게 제공된다. 14 and 15 , the cover part 5330 may include a guide member 5334 , a cover member 5335 , and a cover support member 5336 . The guide member 5334 is connected to the opening 2210 and extends in a direction in which one surface of the partition wall part 2200 is viewed. The guide member 5334 is provided in a tubular shape communicating between both ends. The cover member 5335 covers the outer side of the side surface of the guide member 5334 and the end far from the opening 2210 among both ends of the guide member 5334 . The cover member 5335 is provided to be spaced apart from the guide member 5334 and the partition wall portion 2200 .

커버 지지 부재(5336)는 가이드 부재(5334) 및 커버 부재(5335)를 서로 이격되도록 연결한다. 커버 지지 부재(5336)는 가이드 부재(5334)의 옆면으로 연장되고, 끝단이 커버 부재(5335)의 가이드 부재(5334)의 옆면에 대향되는 영역에 연결된다. 따라서, 본 실시 예에 따른 커버부(5330)의 연통 개구(5331)는 격벽부(2200) 및 커버 부재(5335)의 사이에 형성된다. 이 경우, 개구(2210)를 통과하기 전의 가스는 연통 개구(5331)로 우회됨으로써 속도가 저하되고, 또한, 연통 개구(5331)로 유입된 가스는 가이드 부재(5334)에 의해 커버 부재(5335)의 내측으로 우회됨으로써 속도가 저하되며 경로가 증가함으로써 파우더의 포집 효율이 증가될 수 있다. The cover support member 5336 connects the guide member 5334 and the cover member 5335 to be spaced apart from each other. The cover support member 5336 extends to a side surface of the guide member 5334 , and an end thereof is connected to a region opposite to the side surface of the guide member 5334 of the cover member 5335 . Accordingly, the communication opening 5331 of the cover part 5330 according to the present embodiment is formed between the partition wall part 2200 and the cover member 5335 . In this case, the gas before passing through the opening 2210 is diverted to the communication opening 5331 , so that the speed is reduced, and the gas flowing into the communication opening 5331 is transferred by the guide member 5334 to the cover member 5335 . The speed is reduced by being diverted to the inside of the , and the powder collection efficiency can be increased by increasing the path.

커버 부재(5335)의 격벽부(2200)의 일면과 같은 방향을 바라보는 외측면은 상단으로부터 아래 방향으로 갈수록 개구(2210)로부터 멀어지는 방향으로 경사지는 외측 경사 영역(5335a)을 포함할 수 있다. 또한, 커버 부재(5335)의 격벽부(2200)의 일면을 바라보는 내측면은 하단으로부터 위 방향으로 갈수록 개구(2210)로부터 멀어지는 방향을 경사지는 내측 경사 영역(5335b)을 포함할 수 있다. 예를 들면, 커버 부재(5335)는 내측면 및 외측면이 각각 하나의 꼭짓점이 개구(2210)로부터 멀어지는 방향을 향하고, 옆면들 중 서로 대향되는 옆면이 각각 위 방향 및 아래 방향을 향하도록 제공되는 사각 뿔 형상으로 제공될 수 있다. The outer surface of the cover member 5335 facing in the same direction as the one surface of the partition wall portion 2200 may include an outer inclined region 5335a that is inclined in a direction away from the opening 2210 from the top to the bottom. In addition, an inner surface of the cover member 5335 facing one surface of the partition wall portion 2200 may include an inner inclined region 5335b that is inclined in a direction away from the opening 2210 from the lower end to the upper side. For example, the cover member 5335 is provided such that the inner side and the outer side face each of one vertex away from the opening 2210, and the opposite side surfaces of the side faces face upward and downward, respectively. It may be provided in the shape of a quadrangular pyramid.

상술한 바와 같이, 커버 부재(5335)에 외측 경사 영역(5335a) 및 내측 경사 영역(5335b)이 제공됨으로써, 커버 부재(5335)의 외측 및 내측에 낙하된 파우더가 경사 방향을 따라 아래 방향으로 미끄러져 커버 부재(5335)에 쌓이는 것을 방지할 수 있다.As described above, the cover member 5335 is provided with the outer inclined region 5335a and the inner inclined region 5335b, so that the powder falling on the outer and inner sides of the cover member 5335 slides downward along the inclined direction. It can be prevented from being accumulated on the cover member 5335 .

도 14의 커버부(5330)의 그 외의 기능 및 효과 등은 도 12의 커버부의 기능 및 효과와 동일 또는 유사할 수 있다.Other functions and effects of the cover part 5330 of FIG. 14 may be the same as or similar to the functions and effects of the cover part of FIG. 12 .

상술한 본 발명의 실시 예들에 따른 플라즈마 발생 장치는 반도체 공정 등에 사용될 수 있다. 특히, 본 발명의 실시 예들에 따른 포집기, 및/또는 이를 포함하는 플라즈마 발생 장치는 공정 중에 발생하는 배기 가스 처리를 위해 사용될 수 있다. The plasma generating apparatus according to the above-described embodiments of the present invention may be used in a semiconductor process or the like. In particular, the collector and/or the plasma generating apparatus including the same according to embodiments of the present invention may be used for treating exhaust gas generated during a process.

도 16 및 도 17은 본 발명의 다른 실시 예들에 따른 공정 처리 장치들을 도시한 개략도들이다.16 and 17 are schematic diagrams illustrating process processing apparatuses according to other embodiments of the present invention.

도 16은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 공정 처리 장치로서, 공정 챔버(20)에서의 공정 이후 단계에 플라즈마 발생 장치가 연결된 것을 도시하였다.FIG. 16 is a process processing apparatus according to another embodiment of the present invention, showing that the plasma generating apparatus is connected to the process after the process in the process chamber 20 .

도 16을 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 공정 처리 장치는 공정 챔버(20), 공정 챔버(20)에 연결되며, 플라즈마 발생부 및 포집기(120)를 포함하는 플라즈마 발생 장치(10)를 포함한다. 본 실시 예에 따르면 플라즈마 발생 장치(10)는 공정 챔버(20)에서 발생되는 배기 가스를 처리하는 배기 가스 처리 장치로 제공될 수 있다.Referring to FIG. 16 , the process processing apparatus according to an embodiment of the present invention includes a process chamber 20 and a plasma generator 10 connected to the process chamber 20 , and including a plasma generator and a collector 120 . includes According to the present embodiment, the plasma generating device 10 may be provided as an exhaust gas treating device for treating the exhaust gas generated in the process chamber 20 .

공정 챔버(20)는 포토레지스트를 제거하는 애싱(ashing) 챔버일 수 있고, 절연막을 증착시키도록 구성된 CVD(Chemical Vapor Deposition) 챔버일 수 있고, 각종 절연막 구조 및 금속 배선 구조들을 형성하기 위한 에칭 챔버일 수 있다. 또는 절연막이나 금속막 등을 증착시키키기 위한 PVD(Physical Vapor Deposition) 챔버 또는 ALD(Atomic Layer Deposition) 챔버일 수도 있다.The process chamber 20 may be an ashing chamber for removing photoresist, a Chemical Vapor Deposition (CVD) chamber configured to deposit an insulating film, and an etching chamber for forming various insulating film structures and metal wiring structures. can be Alternatively, it may be a PVD (Physical Vapor Deposition) chamber or ALD (Atomic Layer Deposition) chamber for depositing an insulating film or a metal film.

공정 챔버(20)는 내부에 피처리 기판(23)을 지지하기 위한 서셉터(21)를 포함할 수 있다. 피처리 기판(23)은 예를 들어, 반도체 장치를 제조하기 위한 실리콘 웨이퍼 기판 또는 액정디스플레이나 플라즈마 디스플레이 등의 제조를 위한 유리 기판 등일 수 있으며 그 종류는 한정되는 것이 아니다.The process chamber 20 may include a susceptor 21 for supporting the processing target substrate 23 therein. The target substrate 23 may be, for example, a silicon wafer substrate for manufacturing a semiconductor device or a glass substrate for manufacturing a liquid crystal display or a plasma display, and the type is not limited.

플라즈마 발생부는 공정 챔버(20)의 배기가스에 플라즈마 에너지 및/또는 정화 가스 등을 인가함으로써 배기 가스의 유해 성분들을 연소시키거나 정화시키는 데 사용된다. The plasma generator is used to burn or purify harmful components of the exhaust gas by applying plasma energy and/or a purification gas to the exhaust gas of the process chamber 20 .

본 발명의 일 실시 예에 있어서, 플라즈마 발생부에는 공정 챔버(20) 및/또는 플라즈마 발생부를 제어하는 제어부가 연결될 수 있다. 제어부는 공정 챔버(20) 및 플라즈마 발생부 전반을 제어하기 위한 구성 요소이다. 제어부는 전원 공급원과 연결되어 플라즈마 발생부에 공급되는 전원을 제어한다. 제어부는 제어 신호를 발생하여 플라즈마 발생부와 공정 챔버(20)의 동작을 제어할 수 있다. 예를 들어, 반응기(110)에는 플라즈마 상태를 측정하기 위한 측정 센서가 구비될 수 있으며, 제어부는 측정된 값과 정상 동작에 기준한 기준값과 비교하여 전원 공급원을 제어함으로써 무선 주파수의 전압 및 전류를 제어한다.In an embodiment of the present invention, a control unit for controlling the process chamber 20 and/or the plasma generating unit may be connected to the plasma generating unit. The control unit is a component for controlling the overall process chamber 20 and the plasma generator. The control unit is connected to the power source to control the power supplied to the plasma generator. The controller may generate a control signal to control the operation of the plasma generator and the process chamber 20 . For example, the reactor 110 may be provided with a measurement sensor for measuring the plasma state, and the controller compares the measured value with a reference value based on normal operation to control the power supply to measure the voltage and current of radio frequency. control

플라즈마 발생부에서 플라즈마에 의해 처리된 배기 가스 결과물들에는 파우더와 같은 최종 결과물이 생성될 수 있으며, 이러한 최종 결과물은 포집기(120)에서 포집될 수 있다.A final product such as powder may be generated in the exhaust gas products processed by the plasma in the plasma generator, and the final product may be collected by the collector 120 .

도 17은 본 발명의 일 실시 예에 따른 공정 처리 장치로서, 공정 챔버(20)에서의 공정 이후 단계에 플라즈마 발생 장치가 연결된 것을 도시한 것이다. 17 is a process processing apparatus according to an embodiment of the present invention, illustrating that the plasma generating apparatus is connected to a post-processing step in the process chamber 20 .

도 17을 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 공정 처리 장치는 공정 챔버(20), 공정 챔버(20)에 연결되며, 플라즈마 발생부 및 포집기(120)를 포함하는 플라즈마 발생 장치(10)를 포함한다. 본 실시 예에 따르면 플라즈마 발생 장치(10)는 공정 챔버(20)에서 발생되는 배기 가스를 처리하는 배기 가스 처리 장치로 제공될 수 있다. 여기서, 공정 챔버(20)와 포집기(120) 사이는 배기관으로 연결되며, 상기 배기관에 플라즈마 발생부가 연결된다. Referring to FIG. 17 , the process processing apparatus according to an embodiment of the present invention includes a process chamber 20 and a plasma generator 10 connected to the process chamber 20 , and including a plasma generator and a collector 120 . includes According to the present embodiment, the plasma generating device 10 may be provided as an exhaust gas treating device for treating the exhaust gas generated in the process chamber 20 . Here, an exhaust pipe is connected between the process chamber 20 and the collector 120 , and a plasma generator is connected to the exhaust pipe.

본 실시 예에 있어서, 배기관을 통해 배기 가스가 공정 챔버(20)를 통해 배출되며 플라즈마 발생부를 통해 플라즈마 에너지 및/또는 정화 가스 등을 배기가스에 인가함으로써 배기 가스의 유해 성분들을 연소시키거나 정화시킨다. 도 17에 도시된 실시 예는 도 16과 차이는 크지 않으며, 플라즈마 소스를 원격으로 제공한다는 점에서 다르다. In this embodiment, the exhaust gas is discharged through the process chamber 20 through the exhaust pipe, and by applying plasma energy and/or purification gas to the exhaust gas through a plasma generator, harmful components of the exhaust gas are burned or purified. . The embodiment shown in FIG. 17 is not significantly different from that of FIG. 16 in that the plasma source is provided remotely.

도 17에 있어서, 별도로 도시하지는 않았으나, 배기관과 플라즈마 발생부 사이에는 공정 챔버(20)로부터 배기되는 배기 가스와 플라즈마 발생부로부터 공급되는 플라즈마가 혼합되는 믹싱 챔버가 더 구비될 수 있다. 플라즈마 발생부는 플라즈마를 이용하여 라디칼을 형성할 수 있으며, 플라즈마는 믹싱 챔버 내로 공급되어 공정 챔버(20)로부터 배기되는 배기 가스와 반응하여 배기 가스를 분해할 수 있다. 분해된 배기 가스 결과물들에는 파우더와 같은 최종 결과물이 생성될 수 있으며, 이러한 최종 결과물은 포집기(120)에서 포집될 수 있다.In FIG. 17 , although not shown separately, a mixing chamber in which the exhaust gas exhausted from the process chamber 20 and the plasma supplied from the plasma generator are mixed may be further provided between the exhaust pipe and the plasma generator. The plasma generator may form radicals using plasma, and the plasma may be supplied into the mixing chamber and react with the exhaust gas exhausted from the process chamber 20 to decompose the exhaust gas. A final product such as powder may be generated in the decomposed exhaust gas products, and the final product may be collected by the collector 120 .

이상에서는 본 발명의 바람직한 실시 예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술 분야에 통상의 지식을 갖는 자라면, 후술될 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.Although described above with reference to preferred embodiments of the present invention, those skilled in the art or those having ordinary skill in the art will not depart from the spirit and scope of the present invention described in the claims to be described later. It will be understood that various modifications and variations of the present invention can be made without departing from the scope of the present invention.

따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허청구범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.Accordingly, the technical scope of the present invention should not be limited to the contents described in the detailed description of the specification, but should be defined by the claims.

10: 플라즈마 발생 장치 20: 공정 챔버
110: 반응기 150: 변압기
120: 포집기 1200: 하우징
2200: 격벽부 2210: 개구
3200: 구획벽 4200: 유출관
4210: 배기 개구 4220: 개구 조절관
4221: 연통구 5200: 연결관
5210: 연결 개구 5300: 포집 강화부
5310: 포집 강화봉 5311: 돌출부
5320: 곡면 블레이드 5330: 커버부
5331: 연통 개구 5332: 커버 플레이트
5333: 지지 부재 5334: 가이드 부재
5335: 커버 부재 5336: 커버 지지 부재10: plasma generating device 20: process chamber
110: reactor 150: transformer
120: collector 1200: housing
2200: bulkhead 2210: opening
3200: partition wall 4200: outlet pipe
4210: exhaust opening 4220: opening control tube
4221: communication port 5200: connector
5210: connection opening 5300: collection reinforcement part
5310: collecting reinforcing rod 5311: protrusion
5320: curved blade 5330: cover part
5331: communication opening 5332: cover plate
5333: support member 5334: guide member
5335: cover member 5336: cover support member

Claims (13)

가스에 포함된 파우더가 포집되는 포집 공간을 제공하고, 상기 포집 공간으로 가스가 유입되는 유입구 및 상기 포집 공간으로부터 가스가 배출되는 유출구가 형성되는 하우징; 및
상기 포집 공간을 2개 이상의 공간으로 구획하고, 상기 공간 간에 연통되는 개구가 형성되는 격벽부;를 포함하는 포집기.a housing that provides a collection space in which the powder contained in the gas is collected, and an inlet through which gas is introduced into the collection space and an outlet through which gas is discharged from the collection space; and
and a partition wall partitioning the collecting space into two or more spaces, and having an opening communicating between the spaces. 제 1 항에 있어서,
상기 격벽부는 양측 공간이 서로 수평 방향으로 배열되도록 상기 포집 공간을 구획하고,
상기 개구는 상기 격벽부의 상단에 인접한 영역에 형성되는 포집기.The method of claim 1,
The partition wall part divides the collection space so that both spaces are arranged in a horizontal direction with each other,
The opening is a collector formed in an area adjacent to the upper end of the partition wall. 제 2 항에 있어서,
상기 유출구에 연결되고, 상기 포집 공간의 내측으로 연장되는 유출관을 더 포함하되,
상기 유출구는 상기 하우징의 저면의 중심부에 형성되고,
상기 유출관은, 상단은 상기 하우징의 상면에 체결되고, 하단은 상기 유출구와 연통되고, 상기 유출관의 외측 옆면의 상단에는 상기 포집 공간 내의 가스가 내부로 유입되는 배기 개구가 형성되는 포집기.3. The method of claim 2,
Further comprising an outlet pipe connected to the outlet and extending to the inside of the collection space,
The outlet is formed in the center of the bottom surface of the housing,
The outlet pipe, the upper end is fastened to the upper surface of the housing, the lower end communicates with the outlet, the upper end of the outer side surface of the outlet pipe is a collector having an exhaust opening through which the gas in the collecting space flows into the collector. 제 3 항에 있어서,
상기 공간 중 하나에는 상기 하나를 상기 유출관의 외주 방향에 따라 구획하는 구획벽이 제공되고,
상기 유입구는 상기 구획벽에 의해 구획된 구획 공간 중 하나에 대향되는 영역에 형성되고,
상기 배기 개구는 상기 구획벽에 의해 구획된 구획 공간 중 다른 하나에 대향되는 영역에 형성되는 포집기.4. The method of claim 3,
One of the spaces is provided with a partition wall dividing the one along the outer circumferential direction of the outlet pipe,
The inlet is formed in an area opposite to one of the partition spaces partitioned by the partition wall,
The exhaust opening is formed in an area opposite to the other one of the partition spaces partitioned by the partition wall. 제 3 항에 있어서,
상기 격벽부는 상기 유출관의 외측 옆면으로부터 상기 하우징의 내측 옆면으로 연장되되, 상기 유출관의 외주 방향을 따라 복수개가 서로 이격되어 제공되는 포집기.4. The method of claim 3,
The bulkhead portion extends from the outer side surface of the outlet pipe to the inner side surface of the housing, a plurality of collectors are provided spaced apart from each other along the outer circumferential direction of the outlet pipe. 제 3 항에 있어서,
상기 유입구는 상기 하우징의 상면에 형성되고, 위로 연장되는 연결관이 연결되고,
상기 연결관의 상단에는 개방된 연결 개구가 형성되고,
상기 연결 개구는 위에서 바라볼 때, 상기 하우징의 중심부에 위치되는 포집기.4. The method of claim 3,
The inlet is formed on the upper surface of the housing, and a connecting pipe extending upward is connected,
An open connection opening is formed at the upper end of the connection pipe,
The connection opening is located in the center of the housing when viewed from above. 제 6 항에 있어서,
상기 연결관의 하단은 상기 유입구에 삽입되고, 일측 방향으로 갈수록 아래 방향으로 경사지도록 제공되는 포집기.7. The method of claim 6,
The lower end of the connector is inserted into the inlet, and the collector is provided to be inclined downward toward one side. 제 1 항에 있어서,
상기 하우징의 상면으로부터 아래 방향으로 연장되는 포집 강화봉을 더 포함하고,
상기 포집 강화봉은 상기 공간 중 적어도 하나에 제공되는 포집기.The method of claim 1,
Further comprising a collecting reinforcing rod extending downward from the upper surface of the housing,
The collecting reinforcing rod is a collector provided in at least one of the spaces. 제 8 항에 있어서,
상기 포집 강화봉의 외측 옆면에는 외측으로 돌출되는 돌출부가 형성되는 포집기.9. The method of claim 8,
A collector in which a protrusion protruding to the outside is formed on the outer side surface of the collecting reinforcing rod. 제 1 항에 있어서,
상기 격벽부 중 하나의 격벽부 및 상기 하나의 격벽부에 인접한 다른 하나의 격벽부 사이에 설치되고 위에서 바라볼 때 상기 유출구를 바라보는 면이 오목하게 휘어진 곡면 플레이트 형상을 가지는 곡면 블레이드를 더 포함하는 포집기.The method of claim 1,
It is installed between one of the partition wall portions and the other partition wall adjacent to the one partition wall portion, and when viewed from above, a curved surface blade having a curved plate shape in which a surface facing the outlet is concavely curved. Collector. 제 1 항에 있어서,
상기 격벽부의 일면을 바라볼 때 상기 개구를 가리는 커버부를 더 포함하고,
상기 커버부의 상기 일면이 바라보는 방향과 수직인 방향을 바라보는 측면에는 상기 개구와 연통되는 연통 개구가 형성되는 포집기.The method of claim 1,
Further comprising a cover portion for covering the opening when looking at one surface of the partition wall portion,
A collecting device in which a communication opening communicating with the opening is formed on a side facing the direction perpendicular to the direction in which the one side of the cover part is facing. 내부에 플라즈마 형성 공간을 제공하는 반응기; 및
상기 반응기에 연결되며 상기 플라즈마와 반응한 배기 가스의 상변화에 의해 생성된 파우더를 포집하는 포집기를 포함하고,
상기 포집기는,
상기 파우더가 포집되는 포집 공간을 제공하고, 상기 포집 공간으로 상기 배기 가스가 유입되는 유입구 및 상기 포집 공간으로부터 상기 배기 가스가 배출되는 유출구가 형성되는 하우징; 및
상기 포집 공간을 2개 이상의 공간으로 구획하고, 상기 공간 간에 연통되는 개구가 형성되는 격벽부;를 포함하는 플라즈마 발생 장치.a reactor providing a plasma forming space therein; and
It is connected to the reactor and includes a collector for collecting the powder generated by the phase change of the exhaust gas reacted with the plasma,
The collector,
a housing providing a collecting space in which the powder is collected, and having an inlet through which the exhaust gas flows into the collecting space and an outlet through which the exhaust gas is discharged from the collecting space; and
and a partition wall part partitioning the collection space into two or more spaces and having an opening communicating between the spaces. 기판을 처리하는 공정 챔버; 및
상기 공정 챔버에 연결된 플라즈마 발생 장치를 포함하며,
상기 플라즈마 발생 장치는
내부에 플라즈마 형성 공간을 제공하는 반응기; 및
상기 반응기에 연결되며 상기 플라즈마와 반응한 배기 가스의 상변화에 의해 생성된 파우더를 포집하는 포집기를 포함하며,
상기 포집기는,
상기 파우더가 포집되는 포집 공간을 제공하고, 상기 포집 공간으로 상기 배기 가스가 유입되는 유입구 및 상기 포집 공간으로부터 상기 배기 가스가 배출되는 유출구가 형성되는 하우징; 및
상기 포집 공간을 2개 이상의 공간으로 구획하고, 상기 공간 간에 연통되는 개구가 형성되는 격벽부;를 포함하는 공정 처리 장치.a process chamber for processing the substrate; and
a plasma generating device connected to the process chamber;
The plasma generator is
a reactor providing a plasma forming space therein; and
It is connected to the reactor and includes a collector for collecting the powder generated by the phase change of the exhaust gas reacted with the plasma,
The collector,
a housing providing a collecting space in which the powder is collected, and having an inlet through which the exhaust gas flows into the collecting space and an outlet through which the exhaust gas is discharged from the collecting space; and
and a partition wall partitioning the collection space into two or more spaces and having an opening communicating between the spaces.
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