KR20220105911A - Organic electroluminescent device - Google Patents

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KR20220105911A KR1020210008853A KR20210008853A KR20220105911A KR 20220105911 A KR20220105911 A KR 20220105911A KR 1020210008853 A KR1020210008853 A KR 1020210008853A KR 20210008853 A KR20210008853 A KR 20210008853A KR 20220105911 A KR20220105911 A KR 20220105911A
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팡 웨이칭
루 쨔
자이하오 추이
샤오 첸
시아 추안준
윈 레이먼드 궈훙 치
징 왕
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Abstract

An organic electroluminescent device is disclosed. The organic electroluminescent device comprises a specific combination of organic layers in which a hole transport material is doped with a p-type conductivity doping material. The organic electroluminescent device can provide better device performance, such as improved lifespan and reduced voltage. The organic electroluminescent device may include: an anode; a cathode; a light emitting layer disposed between the anode and the cathode; and a first organic layer disposed between the anode and the light emitting layer.

Description

유기 전계발광소자{ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICE}Organic electroluminescent device {ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICE}

본 발명은 유기 전계발광소자에 관한 것이다. 특히, p형 전도재료가 도핑된 정공 주입층을 구비하는 유기 전계발광소자 및 디스플레이 조립체에 관한 것이다.The present invention relates to an organic electroluminescent device. In particular, it relates to an organic electroluminescent device and a display assembly having a hole injection layer doped with a p-type conductive material.

유기 전계발광소자는 소자 양단에 전압을 인가하는 것을 통해 전기 에너지를 빛으로 전환하는 것이다. 일반적으로 유기 전계발광소자는 양극, 음극, 및 양극과 음극 사이에 있는 유기층을 포함한다. 전계발광소자의 유기층은 정공 주입층, 정공 수송층, 전자 차단층, 발광층(호스트 재료(host material) 및 도핑 재료를 포함), 전자 완충층, 정공 차단층, 전자 수송층 및 전자 주입층 등을 포함한다. 재료의 상이한 기능에 따라, 유기층을 이루는 재료는 정공 주입재료, 정공 수송재료, 전자 차단재료, 호스트 재료, 발광 재료, 전자 완충재료, 정공 차단재료, 전자 수송재료, 정공 차단재료 등으로 나뉠 수 있다. 소자에 바이어스를 인가하게 되면, 정공은 양극에서 발광층으로 주입되며, 전자는 음극에서 발광층으로 주입된다. 정공과 전자가 만나 여기자를 형성하며, 여기자가 재결합하여 광을 방출한다.An organic electroluminescent device converts electrical energy into light by applying a voltage across the device. In general, an organic electroluminescent device includes an anode, a cathode, and an organic layer interposed between the anode and the cathode. The organic layer of the electroluminescent device includes a hole injection layer, a hole transport layer, an electron blocking layer, a light emitting layer (including a host material and a doping material), an electron buffer layer, a hole blocking layer, an electron transport layer and an electron injection layer. According to the different functions of the material, the material constituting the organic layer can be divided into a hole injection material, a hole transport material, an electron blocking material, a host material, a light emitting material, an electron buffering material, a hole blocking material, an electron transporting material, a hole blocking material, etc. . When a bias is applied to the device, holes are injected from the anode into the emission layer, and electrons are injected from the cathode into the emission layer. Holes and electrons meet to form excitons, and the excitons recombine to emit light.

정공 주입층은 단일 재료층일 수 있고, 여러 종류의 재료층일 수도 있고, 여기서, 여러 종류의 재료층 중, 일정한 비례의 p형 전도 도핑재료가 도핑된 정공 수송층 재료가 가장 흔히 사용되며, 일반적으로 도핑 비례는 5%보다 낮은데 가장 상용되는 도핑 비례는 1%~3% 사이이다. p형 전도 도핑재료의 강한 전자포획 능력을 통해 p형 도핑 효과를 달성하며, 정공 주입 및 전도 성능을 향상시킨다. 이처럼 p형 전도재료가 도핑된 정공 주입층은 일반적으로 단일층 재료에 비해 더 낮은 전압을 가지므로, 광범위하게 응용된다. 상용되는 p형 전도재료의 LUMO 에너지준위는 -5.1eV 좌우이며, 일반적으로 HOMO 에너지준위가 -5.1eV 좌우인 정공 수송재료와 배합될 수 있다. 오늘날 업계에서 사용하는 정공 수송재료의 유형이 매우 광범위하며, 그 중 에너지준위가 -5.2eV 또는 더 깊은 HOMO를 포함한다. 그러나, LUMO 에너지준위가 -5.1eV 또는 더 얕은 p형 전도재료는 HOMO 에너지준위가 -5.2eV 또는 더 깊은 정공 수송재료와 효과적으로 매칭되어 p형 도핑효과를 달성하지 못할 수 있다. 따라서 p형 도핑기술의 광범위한 응용을 위해, LUMO 에너지준위가 -5.1eV보다 깊은 p형 전도도핑재료을 개발 및 이용할 필요가 있다. 한편, OLED 소자에서 대부분 발광층의 호스트 재료는 HOMO 에너지준위가 -5.4eV 내지 -5.6eV 좌우이며, 이는 정공 수송층재료보다 훨씬 깊으므로, 정공이 수송층에서 발광층으로 진입 시 비교적 높은 퍼텐셜 장벽(potential barrier)을 만나게 된다. 이러한 문제를 해결하기 위해, 일반적으로 정공 수송층과 발광층 사이에 HOMO 에너지준위가 이들 사이에 있는 한 층의 전자 차단층(또는 제2 정공 수송층이라 함)을 삽입하며, 즉 정공 주입층과 발광층 사이에 제1 정공 수송층 및 제2 정공 수송층을 형성하여 위치에너지가 점진적인 구조를 형성한다. 그러나, 이러한 구조에서의 정공 주입은 여전히 제1 정공 수송층의 HOMO 에너지준위로부터 발광층의 호스트 재료의 HOMO 에너지준위까지 동일한 크기의 총 퍼텐셜 장벽 높이를 직면하게 되며, 추가로 증가된 재료는 더 많은 경계면의 흠결을 초래하여 수명에 영향을 미치고, 공정상 복잡성을 증가시킨다. 따라서, HOMO 에너지준위가 더 깊은 정공 수송재료를 정공 주입층과 발광층 사이의 유일한 정공 수송재료층으로 사용할 수 있다면, 정공이 정공 주입층에서 발광층으로의 퍼텐셜 장벽을 감소시키는 동시에, 추가로 증가되는 재료를 절감할 수도 있다. 더 나아가, 정공 주입층에도 HOMO 에너지준위가 깊은 동일한 정공 수송재료를 사용하며, LUMO 에너지준위가 상기 정공 수송재료와 매칭되는 p형 전도도핑재료를 사용하여 도핑하는 경우, 양자의 배합으로도 정공 주입의 총 퍼텐셜 장벽이 낮아 여러 종류의 정공 수송재료의 사용을 생략할 수 있는 간단하고 효과적인 소자를 구현할 수 있다.The hole injection layer may be a single material layer or may be several types of material layers, where, among the various types of material layers, a hole transport layer material doped with a p-type conductive doping material of a certain proportion is most commonly used, and generally doping The proportion is lower than 5%, but the most common doping proportion is between 1% and 3%. The p-type doping effect is achieved through the strong electron trapping ability of the p-type conductive doping material, and the hole injection and conduction performance is improved. As such, the hole injection layer doped with the p-type conductive material generally has a lower voltage than that of the single layer material, and thus is widely applied. The LUMO energy level of a commercially available p-type conductive material is -5.1eV right and left, and it can be combined with hole transporting materials with a HOMO energy level of -5.1eV left and right in general. There is a wide range of types of hole transport materials used in industry today, including HOMOs with energy levels of -5.2 eV or deeper. However, a p-type conductive material having a LUMO energy level of -5.1 eV or shallower may not achieve the p-type doping effect because the HOMO energy level is effectively matched with a hole transporting material having a HOMO energy level of -5.2 eV or deeper. Therefore, for the wide application of the p-type doping technology, it is necessary to develop and use a p-type conductive doping material whose LUMO energy level is deeper than -5.1 eV. On the other hand, in most OLED devices, the host material of the light emitting layer has a HOMO energy level of -5.4 eV to -5.6 eV left and right, which is much deeper than the hole transport layer material. Therefore, a relatively high potential barrier when holes enter the emission layer from the transport layer. will meet In order to solve this problem, in general, an electron blocking layer (or referred to as a second hole transport layer) having a HOMO energy level between them is inserted between the hole transport layer and the light emitting layer, that is, between the hole injection layer and the light emitting layer. The first hole transport layer and the second hole transport layer are formed to form a structure in which potential energy is gradual. However, hole injection in this structure still faces a total potential barrier height of the same size from the HOMO energy level of the first hole transport layer to the HOMO energy level of the host material of the light emitting layer, and the additionally increased material has more of the interface. It can lead to defects, affecting the lifespan and increasing the complexity of the process. Therefore, if a hole transport material with a deeper HOMO energy level can be used as the only hole transport material layer between the hole injection layer and the light emitting layer, a material in which the potential barrier of holes from the hole injection layer to the light emitting layer is reduced and further increased. may be reduced. Furthermore, if the same hole transport material having a deep HOMO energy level is used for the hole injection layer and doping using a p-type conductive doping material having a LUMO energy level matching the hole transport material, hole injection is also performed with a combination of both. A simple and effective device that can omit the use of various types of hole transport materials can be realized due to the low total potential barrier of

OLED 소자에서 흔히 깊은 HOMO 에너지준위의 유기재료를 수송재료로 사용하는데, 예를 들어, 화합물

Figure pat00001
의 HOMO 에너지준위는 -5.28eV이고, JP2009076817A에서 정공 수송층재료로 사용되는 것을 개시하였고, WO2013129835A1에서 전자 차단층재료로 사용되는 것을 개시하였으며 US20150364696A1에서는 호스트 재료로 사용되는 것을 개시하였다. 화합물
Figure pat00002
의 HOMO 에너지준위는 -5.29eV이고, WO2019088231A1에서 전자 차단층재료로 사용되는 것을 개시하였고, US10103338 및 US20140319472A1에서는 정공 수송층재료로 사용되는 것을 개시하였다. 그러나, 현재 상기 깊은 에너지준위의 수송재료를 정공 주입층재료로 사용하는 동시에 깊은 에너지준위의 p형 전도재료를 도핑하는 것에 대한 개시 및 보도는 없다.In OLED devices, an organic material with a deep HOMO energy level is often used as a transport material, for example, a compound
Figure pat00001
HOMO energy level of -5.28 eV, JP2009076817A discloses its use as a hole transport layer material, WO2013129835A1 discloses its use as an electron blocking layer material, and US20150364696A1 discloses its use as a host material. compound
Figure pat00002
has a HOMO energy level of -5.29 eV, and was disclosed to be used as an electron blocking layer material in WO2019088231A1, and used as a hole transport layer material in US10103338 and US20140319472A1. However, there is currently no disclosure or report on using the transport material of the deep energy level as the hole injection layer material and doping the p-type conductive material of the deep energy level.

본 발명자는 전술한 사상을 응용하여 심도있는 연구를 거친 후, 깊은 LUMO 에너지준위를 갖는 p형 전도도핑재료 및 깊은 HOMO 에너지준위를 갖는 정공 수송재료의 특정 조합의 유기층을 포함하고 더 좋은 소자성능을 제공할 수 있으며 제조공정이 더 간단한 유기 전계발광소자를 개시하였다.After in-depth research by applying the above-mentioned ideas, the present inventors included an organic layer of a specific combination of a p-type conductive doping material having a deep LUMO energy level and a hole transporting material having a deep HOMO energy level, and improved device performance. Disclosed is an organic electroluminescent device that can provide and has a simpler manufacturing process.

본 발명은 상기 과제의 적어도 일부분을 해결하기 위해, 깊은 LUMO 에너지준위의 p형 전도도핑재료가 깊은 HOMO 에너지준위의 정공 수송재료에 도핑되는 특정 조합의 유기층을 구비하는 유기 전계발광소자를 제공하는 것을 목적으로 한다. 상기 유기 전계발광소자는 수명의 증가, 전압의 감소 등 더 좋은 소자성능을 제공할 수 있다.The present invention provides an organic electroluminescent device having an organic layer of a specific combination in which a p-type conductive doping material of a deep LUMO energy level is doped into a hole transporting material of a deep HOMO energy level in order to solve at least a part of the above problems The purpose. The organic electroluminescent device may provide better device performance, such as an increase in lifetime and a decrease in voltage.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 유기 전계발광소자를 개시하며, 이는,According to an embodiment of the present invention, an organic electroluminescent device is disclosed, which comprises:

양극;anode;

음극; cathode;

양극과 음극 사이에 배치된 발광층; 및a light emitting layer disposed between the anode and the cathode; and

양극과 발광층 사이에 배치된 제1 유기층; 을 포함하고,a first organic layer disposed between the anode and the light emitting layer; including,

여기서, 상기 제1 유기층은 식 1의 화합물과 식 2의 화합물을 더 함유한다.Here, the first organic layer further contains the compound of Formula 1 and the compound of Formula 2.

Figure pat00003
Figure pat00003

여기서 식 1에서,Here in Equation 1,

X 및 Y는 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 NR', CR''R"', O, S 또는 Se에서 선택되고;X and Y, identically or differently each time they appear, are selected from NR', CR''R"', O, S or Se;

Z1 및 Z2는 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 O, S 또는 Se에서 선택되며;Z 1 and Z 2 are identically or differently each time they appear are selected from O, S or Se;

R, R', R" 및 R"'은 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 수소, 듀테륨, 할로겐, 니트로소기, 니트로기, 아실기, 카르보닐기, 카르복실산기, 에스테르기, 시아노기, 이소시아노기, SCN, OCN, SF5, 보라닐기(Boranyl), 술피닐기, 술포닐기, 포스포로소기(phosphoroso), 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬기, 3~20 개의 고리탄소원자(ring carbon atoms)를 갖는 치환 또는 비치환된 시클로알킬기(cycloalkyl group), 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로알킬기, 7~30 개의 탄소원자수를 갖는 치환 또는 비치환된 아랄킬기, 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알콕시기, 6~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴옥시기, 2~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알케닐기, 2~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알키닐기, 6~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴기, 3~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기, 3~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬실릴기(alkylsilyl group), 6~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴실릴기(arylsilyl group) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되고;R, R', R" and R"' are identically or differently each time they appear hydrogen, deuterium, halogen, nitroso group, nitro group, acyl group, carbonyl group, carboxylic acid group, ester group, cyano group, isocyano group, SCN, OCN, SF 5 , boranyl group, sulfinyl group, sulfonyl group, phosphoroso group, substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, 3 to 20 ring carbon atoms atoms), a substituted or unsubstituted heteroalkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted aralkyl group having 7 to 30 carbon atoms, 1 to 20 A substituted or unsubstituted alkoxy group having 6 to 30 carbon atoms, a substituted or unsubstituted aryloxy group having 6 to 30 carbon atoms, a substituted or unsubstituted alkenyl group having 2 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted alkenyl group having 2 to 20 carbon atoms A substituted or unsubstituted alkynyl group, a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 carbon atoms, a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 3 to 30 carbon atoms, a substituted or unsubstituted group having 3 to 20 carbon atoms selected from the group consisting of an alkylsilyl group, a substituted or unsubstituted arylsilyl group having 6 to 20 carbon atoms, and combinations thereof;

각 R은 동일하거나 상이할 수 있으며, R, R', R" 및 R"' 중 적어도 하나는 적어도 하나의 전자 흡인기(electron withdrawing group)를 구비하는 그룹이며;each R can be the same or different, and at least one of R, R', R" and R"' is a group having at least one electron withdrawing group;

식 1에서 인접한 치환기는 임의로 연결되어 고리를 형성할 수 있다.In Formula 1, adjacent substituents may be optionally connected to form a ring.

Figure pat00004
Figure pat00004

여기서, 식 2에서,Here, in Equation 2,

X1~X8은 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 CR1 또는 N에서 선택되고;X 1 to X 8 are identically or differently selected from CR 1 or N whenever they appear;

L은 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 6~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴렌기, 3~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴렌기 또는 이들의 조합에서 선택되며;L is, identically or differently, each occurrence selected from a substituted or unsubstituted arylene group having 6 to 30 carbon atoms, a substituted or unsubstituted heteroarylene group having 3 to 30 carbon atoms, or a combination thereof;

Ar1 및 Ar2는 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 6~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴기, 3~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기에서 선택되고;Ar 1 and Ar 2 , identically or differently each time they appear, are selected from a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 carbon atoms, a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 3 to 30 carbon atoms;

R1은 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 수소, 듀테륨, 할로겐, 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬기, 3~20 개의 고리탄소원자(ring carbon atoms)를 갖는 치환 또는 비치환된 시클로알킬기(cycloalkyl group), 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로알킬기, 7~30 개의 탄소원자수를 갖는 치환 또는 비치환된 아랄킬기, 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알콕시기, 6~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴옥시기, 2~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알케닐기, 6~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴기, 3~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기, 3~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬실릴기(alkylsilyl group), 6~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴실릴기(arylsilyl group), 0~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아민기, 아실기, 카르보닐기, 카르복실산기, 에스테르기, 니트릴기, 이소니트릴기, 티올기(thiol group), 술피닐기, 술포닐기, 포스피노기 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되며;R 1 is identically or differently each time it appears hydrogen, deuterium, halogen, substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, substituted or unsubstituted cyclo having 3 to 20 ring carbon atoms A cycloalkyl group, a substituted or unsubstituted heteroalkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted aralkyl group having 7 to 30 carbon atoms, a substituted or unsubstituted alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms group, a substituted or unsubstituted aryloxy group having 6 to 30 carbon atoms, a substituted or unsubstituted alkenyl group having 2 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 carbon atoms, 3~ A substituted or unsubstituted heteroaryl group having 30 carbon atoms, a substituted or unsubstituted alkylsilyl group having 3 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted arylsilyl group having 6 to 20 carbon atoms ( arylsilyl group), a substituted or unsubstituted amine group having 0 to 20 carbon atoms, an acyl group, a carbonyl group, a carboxylic acid group, an ester group, a nitrile group, an isonitrile group, a thiol group, a sulfinyl group, a sulfonyl group , is selected from the group consisting of a phosphino group and combinations thereof;

식 2에서 인접한 치환기는 임의로 연결되어 고리를 형성할 수 있다.In Formula 2, adjacent substituents may be optionally connected to form a ring.

본 발명의 다른 실시예에 따르면, 전술한 유기 전계발광소자를 포함하는 디스플레이 조립체를 더 개시하였다.According to another embodiment of the present invention, a display assembly including the above-described organic electroluminescent device is further disclosed.

본 발명은 비교적 깊은 LUMO 에너지준위를 갖는 p형 전도도핑재료 및 비교적 깊은 HOMO 에너지준위를 갖는 정공 수송재료를 갖는 유기층을 포함하는, 구조가 간단한 OLED 소자를 개시하며, 두 가지 특정 재료의 효과적인 매칭에 의해 정공의 주입 및 수송에 유리하다. 이외, 특정된 정공 수송재료의 HOMO 에너지준위는 발광층의 호스트 재료의 HOMO 에너지준위와 비슷하므로, 전자 차단층의 사용을 생략할 수 있어, 소자 구조, 즉 공정 절차의 간소화를 실현할 수 있다. 또한, 에너지준위가 더 잘 매칭되므로, 정공이 양극에서 주입되어 발광층까지 수송되는 것이 더욱 원할하도록 하여 전압을 감소시킬 수 있다. 마지막으로, 재료의 절감으로 인해 경계면과 경계면의 흠결 발생을 감소시키므로, 소자 수명도 향상된다.The present invention discloses an OLED device with a simple structure, comprising an organic layer having a p-type conductive doping material having a relatively deep LUMO energy level and a hole transporting material having a relatively deep HOMO energy level, and is suitable for effective matching of two specific materials. It is advantageous for hole injection and transport. In addition, since the HOMO energy level of the specified hole transport material is similar to the HOMO energy level of the host material of the light emitting layer, the use of the electron blocking layer can be omitted, so that the device structure, that is, the process procedure can be simplified. In addition, since the energy level is better matched, the voltage can be reduced by making it more smooth for holes to be injected from the anode and transported to the light emitting layer. Finally, since the generation of defects at the interface is reduced due to the saving of materials, the lifetime of the device is also improved.

도 1은 유기 전계발광소자(100)의 개략도이다.1 is a schematic diagram of an organic electroluminescent device 100 .

OLED는 여러 종류의 기판(예를 들어, 유리, 플라스틱 및 금속)상에서 제조될 수 있다. 도 1은 유기 전계발광소자(100)를 개략적으로 비 한정적으로 나타낸다. 도면은 반드시 비율에 따라 그려진 것이 아니며, 도면에서의 일부 층구조는 필요에 따라 생략될 수도 있다. 유기 전계발광소자(100)는 양극층(101), 정공 주입층(HIL)(102), 정공 수송층(HTL)(103), 전자 차단층(또한 제2 정공 수송층이라 함)(EBL)(104), 발광층(EML)(105), 정공 차단층(HBL)(106), 전자 수송층(ETL)(107), 전자 주입층(EIL)(108) 및 음극층(109)을 포함할 수 있다. 장치(100)는 설명된 층들을 순차적으로 증착하여 제조될 수 있다. 각 층의 성질과 기능 및 예시적인 재료는 미국 특허 US7279704B2 제6-10 칼럼에서 더 구체적으로 설명하였으며, 상기 특허의 전부 내용은 본 출원에 인용되어 결합된다. OLEDs can be fabricated on several types of substrates (eg, glass, plastic, and metal). 1 schematically and non-limitingly shows an organic electroluminescent device 100 . The drawings are not necessarily drawn to scale, and some layer structures in the drawings may be omitted if necessary. The organic electroluminescent device 100 includes an anode layer 101 , a hole injection layer (HIL) 102 , a hole transport layer (HTL) 103 , an electron blocking layer (also referred to as a second hole transport layer) (EBL) 104 . ), an emission layer (EML) 105 , a hole blocking layer (HBL) 106 , an electron transport layer (ETL) 107 , an electron injection layer (EIL) 108 , and a cathode layer 109 . Device 100 may be fabricated by sequentially depositing the described layers. The properties and functions of each layer and exemplary materials are described in more detail in US Patent US7279704B2 columns 6-10, the entire contents of which are incorporated herein by reference.

이러한 층에서의 각 층은 더 많은 예시를 구비한다. 전문을 인용하는 방식으로 결합된 미국특허 제5844363호에 개시된 유연하고 투명한 기판-애노드 조합을 예로 들 수 있다. p-도핑된 정공 수송층의 예시로는, 전문을 인용하는 방식으로 결합된 미국특허출원공개 제2003/0230980호에 개시된 바와 같이 50:1의 몰비로 F4 -TCNQ가 도핑된 m-MTDATA이다. 전문을 인용하는 방식으로 결합된 미국특허 제6303238호(Thompson 등에게 수여됨)에서는 호스트 재료(host material)의 예시를 개시하였다. n-도핑된 전자 수송층의 예시로는, 전문을 인용하는 방식으로 결합된 미국특허출원공개 제2003/0230980호에 개시된 바와 같이 1:1의 몰비로 Li가 도핑된 BPhen이다. 전문을 인용하는 방식으로 결합된 미국특허 제5703436호 및 제5707745호에서는 음극의 예시를 개시하였으며, 이는 Mg:Ag와 같은 금속 박층, 오버라잉(overlying)된 투명하고 전도성을 가지며 스퍼터 증착(sputter-deposited)된 ITO층을 가지는 복합 음극을 포함한다. 전문을 인용하는 방식으로 결합된 미국특허 제6097147호 및 미국특허출원공개 제2003/0230980호에서는 차단층의 원리 및 사용에 대해 더 구체적으로 설명하였다. 전문을 인용하는 방식으로 결합된 미국특허출원공개 제2004/0174116호에서는 주입층의 예시를 제공하였다. 전문을 인용하는 방식으로 결합된 미국특허출원공개 제2004/0174116호에서 보호층에 대한 설명을 찾을 수 있다.Each layer in these layers has more examples. An example is the flexible and transparent substrate-anode combination disclosed in US 5844363, incorporated by reference in its entirety. An example of a p-doped hole transport layer is m-MTDATA doped with F4-TCNQ in a molar ratio of 50:1, as disclosed in US Patent Application Publication No. 2003/0230980, which is incorporated by way of reference in its entirety. US Patent No. 6303238 (to Thompson et al.), incorporated by reference in its entirety, discloses an example of a host material. An example of an n-doped electron transport layer is BPhen doped with Li in a molar ratio of 1:1 as disclosed in U.S. Patent Application Publication No. 2003/0230980, incorporated by reference in its entirety. U.S. Pat. Nos. 5703436 and 5707745, incorporated by reference in their entirety, disclose examples of a cathode, which is a thin layer of metal such as Mg:Ag, overlying a transparent, conductive, sputter-deposited layer. and a composite cathode having an ITO layer deposited thereon. U.S. Patent No. 6097147 and U.S. Patent Application Publication No. 2003/0230980, which are incorporated by reference in their entirety, describe the principle and use of the barrier layer in more detail. US Patent Application Publication No. 2004/0174116, incorporated by reference in its entirety, provides an example of an injection layer. A description of the protective layer may be found in US Patent Application Publication No. 2004/0174116, incorporated by reference in its entirety.

비 한정적인 실시예를 통해 상기 계층구조를 제공한다. OLED의 기능은 상술한 여러 종류의 층을 조합함으로써 구현할 수 있고, 또는 일부 층을 완전히 생략할 수 있다. 이는 명확하게 설명되지 않은 다른 층을 더 포함할 수 있다. 각 층 내에는 단일 재료 또는 여러 종류의 재료의 혼합물을 사용함으로써 최적의 성능을 구현할 수 있다. 임의의 기능층은 여러 개의 서브 층을 포함할 수 있다. 예를 들어, 발광층은 원하는 발광 스펙트럼을 구현할 수 있도록 2 층의 서로 다른 발광재료를 구비할 수 있다.The hierarchical structure is provided through a non-limiting example. The function of the OLED can be realized by combining the various types of layers described above, or some layers can be completely omitted. It may further include other layers not explicitly described. Optimal performance can be achieved by using a single material or a mixture of several types of materials within each layer. Any functional layer may include several sub-layers. For example, the light emitting layer may include two different light emitting materials to realize a desired emission spectrum.

일 실시예에서, OLED는 음극과 양극 사이에 배치된 "유기층"을 구비하는 것으로 설명될 수 있다. 해당 유기층은 하나 또는 복수의 층을 포함할 수 있다.In one embodiment, an OLED can be described as having an “organic layer” disposed between a cathode and an anode. The organic layer may include one or a plurality of layers.

본 발명의 실시예에 따라 제조된 소자는 해당 소자의 하나 또는 복수의 전자부재모듈(또는 유닛)을 구비하는 여러 종류의 소비재에 통합될 수 있다. 이러한 소비재의 일부 예시는 평판 디스플레이, 모니터, 의료 모니터, 텔레비전, 광고판, 실내 또는 실외용 조명등 및/또는 신호 발사등, 헤드업 디스플레이(head-up display), 전체적으로 투명하거나 부분적으로 투명한 디스플레이, 플렉시블 디스플레이, 스마트폰, 태블릿, 태블릿 폰, 웨어러블 장치(wearable device), 스마트 시계, 랩톱 컴퓨터(laptop computer), 디지털 카메라, 캠코더, 뷰파인더(viewfinder), 마이크로 디스플레이, 3D 디스플레이, 차량 디스플레이 및 후미등을 포함한다.A device manufactured according to an embodiment of the present invention may be integrated into various types of consumer goods having one or a plurality of electronic member modules (or units) of the device. Some examples of such consumer goods include flat panel displays, monitors, medical monitors, televisions, billboards, indoor or outdoor lighting and/or signal launch lights, head-up displays, fully transparent or partially transparent displays, flexible displays, Smartphones, tablets, tablet phones, wearable devices, smart watches, laptop computers, digital cameras, camcorders, viewfinders, micro displays, 3D displays, vehicle displays and tail lights.

본문에 기재된 재료 및 구조는 상기에 열거된 다른 유기 전자소자에 사용될 수도 있다.The materials and structures described herein may also be used in other organic electronic devices listed above.

본문에 사용된 "상단"은 기판과 가장 멀리 위치함을 의미하고, "하단"은 기판과 가장 가깝게 위치함을 의미한다. 제1 층이 제2 층 "상"에 "배치"된다고 설명되는 경우, 제1 층은 기판과 비교적 멀리 위치하도록 배치된다. 제1 층 "및" 제2 층이 "접촉"한다고 규정되지 않는 한, 제1 층과 제2 층 사이에는 다른 층이 존재할 수 있다. 예를 들면, 음극과 양극 사이에 여러 종류의 유기층이 존재하더라도 여전히 음극이 양극 "상"에 "배치"된다고 설명할 수 있다.As used herein, "top" means located furthest from the substrate, and "bottom" means located closest to the substrate. When a first layer is described as being “disposed” “on” a second layer, the first layer is disposed relatively remote from the substrate. Other layers may exist between the first layer and the second layer, unless it is specified that the first layer “and” the second layer “contact”. For example, it can be explained that even if there are several kinds of organic layers between the cathode and the anode, the cathode is still "disposed" "on" the anode.

본문에 사용된 "용액 처리 가능"은, 용액 또는 현탁액의 형태로 액체 매질에서 용해, 분산 또는 수송될 수 있음 및/또는 액체 매질로부터 침전될 수 있음을 의미한다.As used herein, “solution treatable” means capable of being dissolved, dispersed or transported in and/or precipitated from a liquid medium in the form of a solution or suspension.

본문에서, 금속의 일함수는 하나의 전자를 물체 내부에서 마침 해당 물체 표면까지 이동하는데 필요한 최소 에너지를 의미한다. 본문의 모든 "금속 일함수"는 모두 음의 값으로 나타나며, 즉 수치가 작을수록(즉 절대치가 클수록) 전자를 진공 준위(vacuum level)로 흡인하는데 필요한 에너지가 더 크다. 예를 들어, "금속 일함수가 -5eV보다 작음"은 전자를 진공 준위로 흡인하는데 5eV보다 큰 에너지가 필요한 것을 의미한다.In this context, the work function of a metal means the minimum energy required to move one electron from the inside of an object to the surface of the object. All “metal work functions” in the text are negative values, that is, the smaller the number (ie, the larger the absolute value), the greater the energy required to attract electrons to the vacuum level. For example, "the metal work function is less than -5 eV" means that an energy greater than 5 eV is required to attract electrons to the vacuum level.

본문에서, HOMO 에너지준위(최고 점유 궤도) 및 LUMO 에너지준위(최저 미점유 궤도)의 수치는 전기화학 순환전압전류 방법으로 측정해내며, 전기화학 순환전압전류법은 가장 흔히 사용되는 유기 재료 에너지준위의 측정 방법이다. 테스트 방법은 아래와 같다: 백금 디스크 전극을 작업 전극으로 하고, Ag/AgNO3 전극을 기준 전극으로 하며, 백금 와이어 전극을 보조 전극으로 하고, 스캔 속도는 100mV/s이고 테스트 온도는 25→이며, 용매는 무수 DMF이다. 예를 들어, 해당 방법으로 측정된 HATCN의 LUMO 에너지준위는 -4.2eV이다. 본문에서 모든 "HOMO 에너지준위", "LUMO 에너지준위"의 에너지준위가 모두 음의 값을 취한다는 것은, 수치가 작을수록(즉 절대치가 클수록) 에너지준위가 더 깊음을 나타내는 것을 의미이다.In the text, the numerical values of the HOMO energy level (highest occupied orbit) and LUMO energy level (lowest unoccupied orbital) are measured by the electrochemical cyclic voltammetry method, and the electrochemical cyclic voltammetry method is the most commonly used organic material energy level. method of measurement. The test method is as follows: Platinum disk electrode as working electrode, Ag/AgNO 3 The electrode is used as the reference electrode, the platinum wire electrode is the auxiliary electrode, the scan rate is 100 mV/s, the test temperature is 25→, and the solvent is anhydrous DMF. For example, the LUMO energy level of HATCN measured by this method is -4.2eV. In the text, the fact that the energy levels of all “HOMO energy levels” and “LUMO energy levels” all take negative values means that the smaller the number (that is, the greater the absolute value), the deeper the energy level.

치환기 용어의 정의에 관하여,Regarding the definition of the term substituent,

할로겐 또는 할로젠화물-은 본문에 사용된 바와 같이 불소, 염소, 브롬 및 요오드를 포함한다.Halogen or halide - as used herein includes fluorine, chlorine, bromine and iodine.

알킬기는 직쇄형 알킬기 및 분지형 알킬기를 포함한다. 알킬기의 예시는 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 2차부틸기(Sec-butyl), 이소부틸기, t-부틸기, n-펜틸기, n-헥실기, n-헵틸기, n-옥틸기, n-노닐기, n-데실기, n-운데실기, n-도데실기, n-트리데실기, n-테트라데실기, n-펜타데실기, n-헥사데실기, n-헵타데실기, n-옥타데실기, 네오펜틸기, 1-메틸펜틸기, 2-메틸펜틸기, 1-펜틸헥실기, 1-부틸펜틸기, 1-헵틸옥틸기, 3-메틸펜틸기를 포함한다. 또한, 알킬기는 임의로 치환될 수 있다. 알킬기 사슬에서의 탄소는 기타 헤테로원자에 의해 치환될 수 있다. 상기에서, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 2차부틸기, 이소부틸기, t-부틸기, n-펜틸기 및 네오펜틸기가 바람직하다.The alkyl group includes a straight-chain alkyl group and a branched alkyl group. Examples of the alkyl group include methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, n-butyl group, sec-butyl group, isobutyl group, t-butyl group, n-pentyl group, n-hexyl group, n -heptyl group, n-octyl group, n-nonyl group, n-decyl group, n-undecyl group, n-dodecyl group, n-tridecyl group, n-tetradecyl group, n-pentadecyl group, n-hexa Decyl group, n-heptadecyl group, n-octadecyl group, neopentyl group, 1-methylpentyl group, 2-methylpentyl group, 1-pentylhexyl group, 1-butylpentyl group, 1-heptyloctyl group, 3 -Contains a methylpentyl group. Also, the alkyl group may be optionally substituted. Carbons in the alkyl group chain may be substituted by other heteroatoms. In the above, methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, n-butyl group, sec-butyl group, isobutyl group, t-butyl group, n-pentyl group and neopentyl group are preferable.

시클로알킬기는 본문에 사용된 바와 같이 고리형 알킬기를 포함한다. 바람직한 시클로알킬기는 4~10 개의 고리탄소원자를 함유하는 시클로알킬기이며, 이는 시클로부틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 4-메틸시클로헥실기, 4,4-디메틸시클로헥실기, 1-아다만틸기, 2-아다만틸기, 1-노르보르닐기(1-norbornyl), 2- 노르보르닐기 등을 포함한다. 또한, 시클로알킬기는 임의로 치환될 수 있다. 고리에서의 탄소는 기타 헤테로원자에 의해 치환될 수 있다.Cycloalkyl groups as used herein include cyclic alkyl groups. Preferred cycloalkyl groups are cycloalkyl groups containing 4 to 10 ring carbon atoms, which are cyclobutyl group, cyclopentyl group, cyclohexyl group, 4-methylcyclohexyl group, 4,4-dimethylcyclohexyl group, 1-adaman tyl group, 2-adamantyl group, 1-norbornyl group (1-norbornyl), 2-norbornyl group, and the like. In addition, the cycloalkyl group may be optionally substituted. Carbons in the ring may be substituted by other heteroatoms.

알케닐기는 본문에 사용된 바와 같이 직쇄형 올레핀기 및 분지형 올레핀기를 포함한다. 바람직한 알케닐기는 2~15 개의 탄소원자를 함유하는 알케닐기이다. 알케닐기의 예시는 비닐기, 알릴기, 1-부테닐기, 2-부테닐기, 3-부테닐기, 1,3-부타디에닐기(1,3-butadienyl), 1-메틸비닐기, 스티릴기, 2,2-디페닐비닐기, 1,2-디페닐비닐기, 1-메틸알릴기, 1,1-디메틸알릴기, 2-메틸알릴기, 1-페닐알릴기, 2-페닐알릴기, 3-페닐알릴기, 3,3-디페닐알릴기, 1,2-디메틸알릴기, 1-페닐-1-부테닐기 및 3-페닐-1-부테닐기를 포함한다. 또한, 알케닐기는 임의로 치환될 수 있다.Alkenyl groups, as used herein, include straight chain olefin groups and branched olefin groups. Preferred alkenyl groups are alkenyl groups containing from 2 to 15 carbon atoms. Examples of the alkenyl group include a vinyl group, an allyl group, a 1-butenyl group, a 2-butenyl group, a 3-butenyl group, a 1,3-butadienyl group (1,3-butadienyl), a 1-methylvinyl group, a styryl group, 2,2-diphenylvinyl group, 1,2-diphenylvinyl group, 1-methylallyl group, 1,1-dimethylallyl group, 2-methylallyl group, 1-phenylallyl group, 2-phenylallyl group, 3-phenylallyl group, 3,3-diphenylallyl group, 1,2-dimethylallyl group, 1-phenyl-1-butenyl group and 3-phenyl-1-butenyl group. Also, the alkenyl group may be optionally substituted.

알키닐기는 본문에 사용된 바와 같이 직쇄형 알키닐기 및 분지형 알키닐기를 포함한다. 바람직한 알키닐기는 2~15 개의 탄소원자를 함유하는 알키닐기이다. 또한, 알키닐기는 임의로 치환될 수 있다.Alkynyl groups, as used herein, include straight-chain alkynyl groups and branched alkynyl groups. A preferred alkynyl group is an alkynyl group containing from 2 to 15 carbon atoms. Also, the alkynyl group may be optionally substituted.

아릴기 또는 방향족기는 본문에 사용된 바와 같이 융합 시스템(condensed systems)과 비융합 시스템을 고려한다. 바람직한 아릴기는 6~60 개의 탄소원자를 함유하는 아릴기이고, 더 바람직하게는 6~20 개의 탄소원자를 함유하는 아릴기이며, 보다 더 바람직하게는 6~12 개의 탄소원자를 함유하는 아릴기이다. 아릴기의 예시는 페닐기, 비페닐, 터페닐, 트리페닐렌(triphenylene), 테트라페닐렌, 나프탈렌, 안트라센, 페날렌(phenalene), 페난트렌, 플루오렌, 피렌, 크리센(chrysene), 페릴렌(perylene) 및 아줄렌(azulene)을 포함하고, 바람직하게는 페닐기, 비페닐, 터페닐, 트리페닐렌, 플루오렌 및 나트탈렌을 포함한다. 또한, 아릴기는 임의로 치환될 수 있다. 비융합 아릴기의 예시는 페닐기, 비페닐-2-일기(biphenyl-2-yl group), 비페닐-3-일기, 비페닐-4-일기, p-터페닐-4-일기, p-터페닐-3-일기, p-터페닐-2-일기, m-터페닐-4-일기, m-터페닐-3-일기, m-터페닐-2-일기, o-톨릴기, m-톨릴기, p-톨릴기, p-(2-페닐프로필)페닐기, 4'-메틸비페닐릴기, 4''-터트부틸기-p-터페닐-4-일기, o-쿠메닐기(o-cumenyl), m-쿠메닐기, p-쿠메닐기, 2,3-크실릴기, 3,4-크실릴기, 2,5-크실릴기, 메시틸기(mesityl group) 및 m-쿼테르페닐기(m-quaterphenyl)를 포함한다.Aryl or aromatic groups contemplate condensed and unfused systems as used herein. A preferred aryl group is an aryl group containing 6 to 60 carbon atoms, more preferably an aryl group containing 6 to 20 carbon atoms, and still more preferably an aryl group containing 6 to 12 carbon atoms. Examples of the aryl group include a phenyl group, biphenyl, terphenyl, triphenylene, tetraphenylene, naphthalene, anthracene, phenalene, phenanthrene, fluorene, pyrene, chrysene, perylene (perylene) and azulene (azulene), and preferably includes a phenyl group, biphenyl, terphenyl, triphenylene, fluorene and naphthalene. Also, the aryl group may be optionally substituted. Examples of the non-fused aryl group include a phenyl group, a biphenyl-2-yl group, a biphenyl-3-yl group, a biphenyl-4-yl group, a p-terphenyl-4-yl group, and a p-ter Phenyl-3-yl group, p-terphenyl-2-yl group, m-terphenyl-4-yl group, m-terphenyl-3-yl group, m-terphenyl-2-yl group, o-tolyl group, m-tol Lyl group, p-tolyl group, p-(2-phenylpropyl)phenyl group, 4'-methylbiphenylyl group, 4''-tertbutyl group-p-terphenyl-4-yl group, o-cumenyl group (o-cumenyl group ), m-cumenyl group, p-cumenyl group, 2,3-xylyl group, 3,4-xylyl group, 2,5-xylyl group, mesityl group and m-quaterphenyl group (m -quaterphenyl).

헤테로시클릭기 또는 헤테로시클릴은 본문에 사용된 바와 같이 방향족 고리형 그룹 및 비방향족 고리형 그룹을 고려한다. 헤테로방향족기는 또한 헤테로아릴기를 의미한다. 바람직한 비방향족헤테로시클릭기는 3~7 개의 고리원자를 함유하는 것으로, 질소, 산소 및 황과 같은 적어도 하나의 헤테로원자를 포함한다. 헤테로시클릭기는 질소원자, 산소원자, 황원자 및 셀레늄원자에서 선택된 적어도 하나의 헤테로원자를 구비하는 방향족헤테로시클릭기일 수 있다.Heterocyclic group or heterocyclyl, as used herein, contemplates aromatic cyclic groups and non-aromatic cyclic groups. A heteroaromatic group also refers to a heteroaryl group. Preferred non-aromatic heterocyclic groups are those containing 3-7 ring atoms and contain at least one heteroatom such as nitrogen, oxygen and sulfur. The heterocyclic group may be an aromatic heterocyclic group having at least one heteroatom selected from a nitrogen atom, an oxygen atom, a sulfur atom and a selenium atom.

헤테로아릴기는 본문에 사용된 바와 같이, 1~5 개의 헤테로원자를 함유할 수 있는 비융합 및 융합된 헤테로방향족 그룹을 포함하는 것을 고려하였다. 바람직한 헤테로아릴기는 3~30 개의 탄소원자를 함유하는 헤테로아릴기이고, 더 바람직하게는 3~20 개의 탄소원자를 함유하는 헤테로아릴기이며, 보다 더 바람직하게는 3~12 개의 탄소원자를 함유하는 헤테로아릴기이다. 적합한 헤테로아릴기는 디벤조티오펜(dibenzothiophene), 디벤조푸란(dibenzofuran), 디벤조셀레노펜(dibenzoselenophene), 푸란, 티오펜, 벤조푸란, 벤조티오펜, 벤조셀레노펜(benzoselenophene), 카바졸(carbazole), 인돌로카르바졸(indolocarbazole), 피리딘인돌로(pyridine indole), 피롤로피리딘(Pyrrolopyridine), 피라졸, 이미다졸, 트리아졸(Triazole), 옥사졸(oxazole), 티아졸, 옥사디아졸, 옥사트리아졸, 디옥사졸, 티아디아졸, 피리딘, 피리다진(pyridazine), 피리미딘, 피라진(pyrazine), 트리아진(triazine), 옥사진(oxazine), 옥사티아진(oxathiazine), 옥사디아진(oxadiazine), 인돌(Indole), 벤즈이미다졸(benzimidazole), 인다졸, 인독사진(indoxazine), 벤조옥사졸, 벤지스옥사졸(benzisoxazole), 벤조티아졸, 퀴놀린(quinoline), 이소퀴놀린, 신놀린, 퀴나졸린, 퀴녹살린, 나프티리딘, 프탈라진(phthalazine), 프테리딘(pteridine), 크산텐(xanthene), 아크리딘, 페나진, 페노티아진, 벤조푸라노피리딘(Benzofuranopyridine), 푸라노디피리딘(Furanodipyridine), 벤조티에노피리딘 (Benzothienopyridine), 티에노디피리딘(Thienodipyridine), 벤조셀레노페노피리딘 (benzoselenophenopyridine), 셀레노페노디피리딘 (selenophenodipyridine)을 포함하고, 바람직하게는 디벤조티오펜, 디벤조푸란, 디벤조셀레노펜, 카바졸, 인돌로카르바졸, 이미다졸, 피리딘, 트리아진, 벤즈이미다졸, 1,2-아자보란(1,2-azaborane), 1,3-아자보란, 1,4- 아자보란, 보라진(borazine) 및 이들의 아자 유사체를 포함한다. 또한, 헤테로아릴기는 임의로 치환될 수 있다.Heteroaryl groups, as used herein, are contemplated to include unfused and fused heteroaromatic groups which may contain 1-5 heteroatoms. A preferred heteroaryl group is a heteroaryl group containing 3 to 30 carbon atoms, more preferably a heteroaryl group containing 3 to 20 carbon atoms, even more preferably a heteroaryl group containing 3 to 12 carbon atoms. to be. Suitable heteroaryl groups include dibenzothiophene, dibenzofuran, dibenzoselenophene, furan, thiophene, benzofuran, benzothiophene, benzoselenophene, carbazole ), indolocarbazole, pyridine indole, pyrrolopyridine, pyrazole, imidazole, triazole, oxazole, thiazole, oxadiazole, Oxatriazole, dioxazole, thiadiazole, pyridine, pyridazine, pyrimidine, pyrazine, triazine, oxazine, oxathiazine, oxadiazine (oxadiazine), indole, benzimidazole, indazole, indoxazine, benzoxazole, benzisoxazole, benzothiazole, quinoline, isoquinoline, cinnamon Noline, quinazoline, quinoxaline, naphthyridine, phthalazine, pteridine, xanthene, acridine, phenazine, phenothiazine, benzofuranopyridine, Furanodipyridine, benzothienopyridine, thienodipyridine, benzoselenophenopyridine, selenophenopyridine, selenophenodipyridine, preferably dibenzothiophene. Dibenzofuran, dibenzoselenophene, carbazole, indolocarbazole, imidazole, pyridine, triazine, benzimidazole, 1,2-azaborane, 1,3-azaborane, 1,4-azaborane, borazine and their aza analogues. Also, the heteroaryl group may be optionally substituted.

알콕시기-는 -O-알킬기로 표시된다. 알킬기의 예시와 바람직한 예시는 상술한 바와 같다. 1~20 개의 탄소원자를 구비하고 바람직하게는 1~6 개의 탄소원자를 구비하는 알콕시기의 예시는 메톡시기, 에톡시기, 프로폭시기, 부톡시기, 펜틸옥시기 및 헥실옥시기를 포함한다. 3 개 이상의 탄소원자를 구비하는 알콕시기는 직쇄형, 고리형 또는 분지형일 수 있다.The alkoxy group- is represented by an -O-alkyl group. Examples and preferred examples of the alkyl group are as described above. Examples of the alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms and preferably having 1 to 6 carbon atoms include a methoxy group, an ethoxy group, a propoxy group, a butoxy group, a pentyloxy group and a hexyloxy group. Alkoxy groups having 3 or more carbon atoms may be straight-chain, cyclic or branched.

아릴옥시기-는 -O-아릴기 또는 -O-헤테로아릴기로 표시된다. 아릴기 및 헤테로아릴기의 예시와 바람직한 예시는 상술한 바와 같다. 6~40 개의 탄소원자를 구비하는 아릴옥시기의 예시는 페녹시기 및 비페닐옥시기를 포함한다.The aryloxy group- is represented by an -O-aryl group or an -O-heteroaryl group. Examples and preferred examples of the aryl group and the heteroaryl group are as described above. Examples of the aryloxy group having 6 to 40 carbon atoms include a phenoxy group and a biphenyloxy group.

아랄킬기(Arylalkyl group)는 본문에 사용된 바와 같이 아릴치환기를 구비하는 알킬기이다. 또한, 아랄킬기는 임의로 치환될 수 있다. 아랄킬기의 예시는 벤질기, 1-페닐에틸기, 2-페닐에틸기, 1-페닐이소프로필기, 2-페닐이소프로필기, 페닐t-부틸기, α-나프틸메틸기, 1-α-나프틸-에틸기, 2-α-나프틸에틸기, 1-α-나프틸이소프로필기, 2-α-나프틸이소프로필기, β-나프틸메틸기, 1-β-나프틸-에틸기, 2-β-나프틸-에틸기, 1-β-나프틸이소프로필기, 2-β-나프틸이소프로필기, p-메틸벤질기, m-메틸벤질기, o-메틸벤질기, p-클로로벤질기(p-chlorobenzyl), m-클로로벤질기, o-클로로벤질기, p-브로모벤질기(p-bromobenzyl), m-브로모벤질기, o-브로모벤질기, p-요오드벤질기 (p-iodobenzyl), m-요오드벤질기, o-요오드벤질기, p-하이드록시벤질기(p-hydroxybenzyl), m-하이드록시벤질기, o-하이드록시벤질기, p-아미노벤질기, m-아미노벤질기, o-아미노벤질기, p-니트로벤질기, m-니트로벤질기, o-니트로벤질기, p-시아노벤질기, m-시아노벤질기, o-시아노벤질기, 1-하이드록시-2-페닐이소프로필기 및 1-클로로-2-페닐이소프로필기를 포함한다. 상기에서, 벤질기, p-시아노벤질기, m-시아노벤질기, o-시아노벤질기, 1-페닐에틸기, 2-페닐에틸기, 1-페닐이소프로필기 및 2-페닐이소프로필기가 바람직하다.Arylalkyl group is an alkyl group having an aryl substituent as used herein. In addition, the aralkyl group may be optionally substituted. Examples of the aralkyl group include benzyl group, 1-phenylethyl group, 2-phenylethyl group, 1-phenylisopropyl group, 2-phenylisopropyl group, phenylt-butyl group, α-naphthylmethyl group, 1-α-naphthyl group -Ethyl group, 2-α-naphthylethyl group, 1-α-naphthylisopropyl group, 2-α-naphthylisopropyl group, β-naphthylmethyl group, 1-β-naphthyl-ethyl group, 2-β- Naphthyl-ethyl group, 1-β-naphthylisopropyl group, 2-β-naphthylisopropyl group, p-methylbenzyl group, m-methylbenzyl group, o-methylbenzyl group, p-chlorobenzyl group (p -chlorobenzyl), m-chlorobenzyl group, o-chlorobenzyl group, p-bromobenzyl group (p-bromobenzyl), m-bromobenzyl group, o-bromobenzyl group, p-iodobenzyl group (p- iodobenzyl), m-iodobenzyl group, o-iodobenzyl group, p-hydroxybenzyl group (p-hydroxybenzyl), m-hydroxybenzyl group, o-hydroxybenzyl group, p-aminobenzyl group, m-amino Benzyl group, o-aminobenzyl group, p-nitrobenzyl group, m-nitrobenzyl group, o-nitrobenzyl group, p-cyanobenzyl group, m-cyanobenzyl group, o-cyanobenzyl group, 1- hydroxy-2-phenylisopropyl group and 1-chloro-2-phenylisopropyl group. In the above, the benzyl group, p-cyanobenzyl group, m-cyanobenzyl group, o-cyanobenzyl group, 1-phenylethyl group, 2-phenylethyl group, 1-phenylisopropyl group and 2-phenylisopropyl group desirable.

아자디벤조푸란(azadibenzofuran), 아자-디벤조티오펜 등에서의 용어 "아자"는 상응하는 방향족 단편에서의 하나 또는 복수의 C-H 그룹이 질소원자로 대체됨을 의미한다. 예를 들어, 아자트리페닐렌(azatriphenylene)은 디벤조[f, h]퀴녹살린, 디벤조[f, h]퀴놀린 및 고리계에 2 개 또는 그 이상의 질소를 갖는 기타 유사체를 포함한다. 본 분야 당업자는 상술한 아자 유도체의 기타 질소 유사체를 쉽게 생각해낼 수 있으며, 이러한 모든 유사체는 본문에 기재된 용어에 포함되는 것으로 확정된다. The term "aza" in azadibenzofuran, aza-dibenzothiophene and the like means that one or more C-H groups in the corresponding aromatic fragment are replaced by a nitrogen atom. For example, azatriphenylene includes dibenzo[f, h]quinoxaline, dibenzo[f,h]quinoline and other analogs having two or more nitrogens in the ring system. Other nitrogen analogs of the above-described aza derivatives can readily be conceived by those skilled in the art, and all such analogs are intended to be encompassed by the terms set forth herein.

본 발명에서, 달리 정의되지 않는 한, 치환된 알킬기, 치환된 시클로알킬기, 치환된 헤테로알킬기, 치환된 아랄킬기, 치환된 알콕시기, 치환된 아릴옥시기, 치환된 알케닐기, 치환된 아키닐기, 치환된 아릴기, 치환된 헤테로아릴기, 치환된 알킬실릴기, 치환된 아릴실릴기, 치환된 아미노기, 치환된 아실기, 치환된 카르보닐기, 치환된 카르복실산기, 치환된 에스테르기, 치환된 술피닐기, 치환된 술포닐기, 치환된 포스포로소기로 이루어진 군 중의 임의의 하나의 용어가 사용되는 경우, 이는 알킬기, 시클로알킬기, 헤테로알킬기, 아랄킬기, 알콕시기, 아릴옥시기, 알케닐기, 아키닐기, 아릴기, 헤테로아릴기, 알킬실릴기, 아릴실릴기, 아미노기, 아실기, 카르보닐기, 카르복실산기, 에스테르기, 술피닐기, 술포닐기 및 포스포로소기 중의 임의의 하나의 그룹이, 듀테륨, 할로겐, 1~20 개의 탄소원자를 갖는 비치환된 알킬기, 3~20 개의 고리탄소원자(ring carbon atoms)를 갖는 비치환된 시클로알킬기(cycloalkyl group), 1~20 개의 탄소원자를 갖는 비치환된 헤테로알킬기, 7~30 개의 탄소원자를 갖는 비치환된 아랄킬기, 1~20 개의 탄소원자를 갖는 비치환된 알콕시기, 6~30 개의 탄소원자를 갖는 비치환된 아릴옥시기, 2~20 개의 탄소원자를 갖는 비치환된 알케닐기, 2~20 개의 탄소원자를 갖는 비치환된 아키닐기, 6~30 개의 탄소원자를 갖는 비치환된 아릴기, 3~30 개의 탄소원자를 갖는 비치환된 헤테로아릴기, 3~20 개의 탄소원자를 갖는 비치환된 알킬실릴기(alkylsilyl group), 6~20 개의 탄소원자를 갖는 비치환된 아릴실릴기(arylsilyl group), 0~20 개의 탄소원자를 갖는 비치환된 아미노기, 아실기, 카르보닐기, 카르복실산기, 에스테르기, 시아노기, 이소시아노기, 티올기(thiol group), 술피닐기, 술포닐기, 포스포로소기 및 이들 조합에서 선택된 하나 또는 복수 개에 의해 치환될 수 있음을 의미한다.In the present invention, unless otherwise defined, a substituted alkyl group, a substituted cycloalkyl group, a substituted heteroalkyl group, a substituted aralkyl group, a substituted alkoxy group, a substituted aryloxy group, a substituted alkenyl group, a substituted aquinyl group, Substituted aryl group, substituted heteroaryl group, substituted alkylsilyl group, substituted arylsilyl group, substituted amino group, substituted acyl group, substituted carbonyl group, substituted carboxylic acid group, substituted ester group, substituted sulfide When any one term from the group consisting of a nyl group, a substituted sulfonyl group, a substituted phosphoroso group is used, it is an alkyl group, a cycloalkyl group, a heteroalkyl group, an aralkyl group, an alkoxy group, an aryloxy group, an alkenyl group, an aquinyl group , an aryl group, a heteroaryl group, an alkylsilyl group, an arylsilyl group, an amino group, an acyl group, a carbonyl group, a carboxylic acid group, an ester group, a sulfinyl group, a sulfonyl group and a phosphoroso group. , an unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, an unsubstituted cycloalkyl group having 3 to 20 ring carbon atoms, an unsubstituted heteroalkyl group having 1 to 20 carbon atoms, unsubstituted aralkyl group having 7 to 30 carbon atoms, unsubstituted alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms, unsubstituted aryloxy group having 6 to 30 carbon atoms, unsubstituted aralkyl group having 2 to 20 carbon atoms an alkenyl group, an unsubstituted aquinyl group having 2 to 20 carbon atoms, an unsubstituted aryl group having 6 to 30 carbon atoms, an unsubstituted heteroaryl group having 3 to 30 carbon atoms, 3 to 20 carbon atoms An unsubstituted alkylsilyl group, an unsubstituted arylsilyl group having 6 to 20 carbon atoms, an unsubstituted amino group having 0 to 20 carbon atoms, an acyl group, a carbonyl group, a carboxylic acid group, It means that it may be substituted by one or more selected from an ester group, a cyano group, an isocyano group, a thiol group, a sulfinyl group, a sulfonyl group, a phosphoroso group, and combinations thereof.

이해해야 할 것은, 분자 단편이 치환기로 설명되거나 기타 형태로 기타 부분에 연결되는 경우, 그것이 단편(예를 들어, 페닐기, 페닐렌기, 나프틸기, 디벤조푸란기)인지 또는 그것이 전체 분자(예를 들어, 벤젠, 나프탈렌(naphthalene), 디벤조푸란)인지에 따라 명명된다. 본문에 사용된 바와 같이, 치환기 또는 단편연결을 지정하는 이러한 상이한 방식은 동일한 것으로 간주한다. It is to be understood that when a molecular fragment is described with a substituent or linked to other moieties in other forms, it is a fragment (eg, a phenyl group, a phenylene group, a naphthyl group, a dibenzofuran group) or whether it is the whole molecule (eg , benzene, naphthalene, or dibenzofuran). As used herein, these different ways of designating a substituent or a fragment linkage are considered equivalent.

본 출원에 언급된 화합물에서, 수소원자는 부분적 또는 전체적으로 듀테륨으로 대체될 수 있다. 탄소 및 질소와 같은 다른 원소도 이들의 기타 안정적인 동위원소로 대체될 수 있다. 이는 소자의 효율 및 안정성을 향상시키므로, 화합물에서 기타 안정적인 동위원소를 대체하는 것은 바람직할 수 있다.In the compounds referred to in the present application, hydrogen atoms may be partially or completely replaced by deuterium. Other elements such as carbon and nitrogen may also be replaced with other stable isotopes thereof. As this improves the efficiency and stability of the device, it may be desirable to substitute other stable isotopes in the compound.

본 출원에 언급된 화합물에서, 다중치환은 이중치환을 포함한 최대 사용가능한 치환까지의 범위를 나타낸다. 본 출원에서 언급된 화합물에서, 어느 치환기가 다중치환(이치환, 삼치환, 사치환 등을 포함)을 나타낼 경우, 해당 치환기가 그 연결 구조에서의 복수의 사용가능한 치환 위치에 존재할 수 있음을 나타내고, 복수의 사용가능한 치환 위치에 존재하는 치환기는 동일한 구조일 수 있고 부동한 구조일 수도 있다.In the compounds mentioned in this application, polysubstitution refers to a range up to the maximum usable substitution including disubstitution. In the compounds mentioned in this application, when any substituent represents polysubstitution (including disubstitution, trisubstitution, tetrasubstitution, etc.), it indicates that the substituent may exist at a plurality of available substitution positions in the linking structure, Substituents present at a plurality of available substitution positions may be of the same structure or of different structures.

본 발명에 언급된 화합물에서, 예를 들어 인접한 치환기는 임의로 연결되어 고리를 형성할 수 있다고 명확하게 한정하지 않는 한, 상기 화합물에서 인접한 치환기는 임의로 연결되어 고리를 형성할 수 없다. 본 발명에 언급된 화합물에서, 인접한 치환기는 임의로 연결되어 고리를 형성할 수 있다는 것은, 인접한 치환기가 연결되어 고리를 형성할 수 있는 경우를 포함하고, 또한 인접한 치환기가 연결되어 고리를 형성하지 않는 경우도 포함한다. 인접한 치환기가 임의로 연결되어 고리를 연결할 수 있는 경우, 형성된 고리는 단환식 고리, 다환식 고리, 지환식(alicyclic) 고리, 헤테로지환식(heteroalicyclic) 고리, 방향족 고리 또는 헤테로방향족 고리일 수 있다. 이러한 표현에서, 인접한 치환기는 동일한 원자에 결합된 치환기, 서로 직접 결합된 탄소원자에 결합된 치환기, 또는 더 멀리 떨어진 탄소원자에 결합된 치환기를 지칭할 수 있다. 바람직하게는, 인접한 치환기는 동일한 탄소원자에 결합된 치환기 및 서로 직접 결합된 탄소원자에 결합된 치환기를 지칭한다.In the compounds mentioned herein, for example, adjacent substituents in the compounds cannot be optionally joined to form a ring, unless it is expressly defined that adjacent substituents may optionally be joined to form a ring. In the compounds mentioned in the present invention, that adjacent substituents may be optionally joined to form a ring includes the case where adjacent substituents may be joined to form a ring, and also when adjacent substituents are joined to not form a ring also includes When adjacent substituents are optionally connected to connect the rings, the formed ring may be a monocyclic ring, a polycyclic ring, an alicyclic ring, a heteroalicyclic ring, an aromatic ring or a heteroaromatic ring. In this expression, adjacent substituents may refer to substituents bonded to the same atom, substituents bonded to carbon atoms bonded directly to each other, or substituents bonded to more distant carbon atoms. Preferably, adjacent substituents refer to substituents bonded to the same carbon atom and substituents bonded to carbon atoms bonded directly to each other.

인접한 치환기는 임의로 연결되어 고리를 형성할 수 있다는 표현의 의도는 또한 동일한 탄소원자에 결합된 2 개의 치환기가 화학결합에 의해 서로 연결되어 고리를 형성하였음을 간주하려는 것이며, 이는 하기 식을 통해 예시된다:The intention of the expression that adjacent substituents may be optionally linked to form a ring is also intended to contemplate that two substituents bonded to the same carbon atom are linked to each other by a chemical bond to form a ring, which is illustrated by the formula :

Figure pat00005
Figure pat00005

인접한 치환기는 임의로 연결되어 고리를 형성할 수 있다는 표현의 의도는 또한 서로 직접 결합된 탄소원자에 결합된 2 개의 치환기가 화학결합에 의해 서로 연결되어 고리를 형성하였음을 간주하려는 것이며, 이는 하기 식을 통해 예시된다:The intent of the statement that adjacent substituents may be optionally linked to form a ring is also intended to contemplate that two substituents bonded to a carbon atom directly bonded to each other are linked to each other by a chemical bond to form a ring, which has the formula It is exemplified through:

Figure pat00006
Figure pat00006

이외, 인접한 치환기는 임의로 연결되어 고리를 형성할 수 있다는 표현의 의도는 또한 서로 직접 결합된 탄소원자에 결합된 2 개의 치환기 중 하나가 수소를 나타낼 경우, 두 번째 치환기는 수소원자가 결합된 위치 측에 결합되어 고리를 형성하였음을 간주하려는 것이다. 이는 하기 식을 통해 예시된다:In addition, the intention of the expression that adjacent substituents may be optionally connected to form a ring is also intended to mean that when one of the two substituents bonded to a carbon atom directly bonded to each other represents hydrogen, the second substituent is on the side where the hydrogen atom is bonded It is intended to assume that they are joined to form a ring. This is exemplified through the formula:

Figure pat00007
Figure pat00007

본 발명의 일 실시예에 따르면, 유기 전계발광소자를 개시하며, 이는,According to an embodiment of the present invention, an organic electroluminescent device is disclosed, which comprises:

양극;anode;

음극; cathode;

양극과 음극 사이에 배치된 발광층; 및a light emitting layer disposed between the anode and the cathode; and

양극과 발광층 사이에 배치된 제1 유기층; 을 포함하고,a first organic layer disposed between the anode and the light emitting layer; including,

여기서, 상기 제1 유기층은 식 1의 화합물과 식 2의 화합물을 함유한다:wherein the first organic layer contains a compound of formula 1 and a compound of formula 2:

Figure pat00008
Figure pat00008

여기서 식 1에서,Here in Equation 1,

X 및 Y는 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 NR', CR''R"', O, S 또는 Se에서 선택되고;X and Y, identically or differently each time they appear, are selected from NR', CR''R"', O, S or Se;

Z1 및 Z2는 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 O, S 또는 Se에서 선택되며;Z 1 and Z 2 are identically or differently each time they appear are selected from O, S or Se;

R, R', R" 및 R"'은 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 수소, 듀테륨, 할로겐, 니트로소기, 니트로기, 아실기, 카르보닐기, 카르복실산기, 에스테르기, 시아노기, 이소시아노기, SCN, OCN, SF5, 보라닐기(Boranyl), 술피닐기, 술포닐기, 포스포로소기(phosphoroso), 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬기, 3~20 개의 고리탄소원자(ring carbon atoms)를 갖는 치환 또는 비치환된 시클로알킬기(cycloalkyl group), 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로알킬기, 7~30 개의 탄소원자수를 갖는 치환 또는 비치환된 아랄킬기, 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알콕시기, 6~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴옥시기, 2~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알케닐기, 2~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알키닐기, 6~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴기, 3~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기, 3~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬실릴기(alkylsilyl group), 6~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴실릴기(arylsilyl group) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된다.R, R', R" and R"' are identically or differently each time they appear hydrogen, deuterium, halogen, nitroso group, nitro group, acyl group, carbonyl group, carboxylic acid group, ester group, cyano group, isocyano group, SCN, OCN, SF 5 , boranyl group, sulfinyl group, sulfonyl group, phosphoroso group, substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, 3 to 20 ring carbon atoms atoms), a substituted or unsubstituted heteroalkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted aralkyl group having 7 to 30 carbon atoms, 1 to 20 A substituted or unsubstituted alkoxy group having 6 to 30 carbon atoms, a substituted or unsubstituted aryloxy group having 6 to 30 carbon atoms, a substituted or unsubstituted alkenyl group having 2 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted alkenyl group having 2 to 20 carbon atoms A substituted or unsubstituted alkynyl group, a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 carbon atoms, a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 3 to 30 carbon atoms, a substituted or unsubstituted group having 3 to 20 carbon atoms It is selected from the group consisting of an alkylsilyl group, a substituted or unsubstituted arylsilyl group having 6 to 20 carbon atoms, and combinations thereof.

각 R은 동일하거나 상이할 수 있으며, R, R', R" 및 R"' 중 적어도 하나는 적어도 하나의 전자 흡인기를 갖는 그룹이고;each R can be the same or different, and at least one of R, R', R" and R"' is a group having at least one electron withdrawing group;

식 1에서 인접한 치환기는 임의로 연결되어 고리를 형성할 수 있다.In Formula 1, adjacent substituents may be optionally connected to form a ring.

Figure pat00009
Figure pat00009

여기서, 식 2에서,Here, in Equation 2,

X1~X8은 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 CR1 또는 N에서 선택되고;X 1 to X 8 are identically or differently selected from CR 1 or N whenever they appear;

L은 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 6~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴렌기, 3~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴렌기 또는 이들의 조합에서 선택되며;L is, identically or differently, each occurrence selected from a substituted or unsubstituted arylene group having 6 to 30 carbon atoms, a substituted or unsubstituted heteroarylene group having 3 to 30 carbon atoms, or a combination thereof;

Ar1 및 Ar2는 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 6~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴기, 3~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기에서 선택되고;Ar 1 and Ar 2 , identically or differently each time they appear, are selected from a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 carbon atoms, a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 3 to 30 carbon atoms;

R1은 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 수소, 듀테륨, 할로겐, 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬기, 3~20 개의 고리탄소원자(ring carbon atoms)를 갖는 치환 또는 비치환된 시클로알킬기(cycloalkyl group), 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로알킬기, 7~30 개의 탄소원자수를 갖는 치환 또는 비치환된 아랄킬기, 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알콕시기, 6~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴옥시기, 2~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알케닐기, 6~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴기, 3~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기, 3~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬실릴기(alkylsilyl group), 6~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴실릴기(arylsilyl group), 0~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아민기, 아실기, 카르보닐기, 카르복실산기, 에스테르기, 니트릴기, 이소니트릴기, 티올기(thiol group), 술피닐기, 술포닐기, 포스피노기 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되며;R 1 is identically or differently each time it appears hydrogen, deuterium, halogen, substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, substituted or unsubstituted cyclo having 3 to 20 ring carbon atoms A cycloalkyl group, a substituted or unsubstituted heteroalkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted aralkyl group having 7 to 30 carbon atoms, a substituted or unsubstituted alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms group, a substituted or unsubstituted aryloxy group having 6 to 30 carbon atoms, a substituted or unsubstituted alkenyl group having 2 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 carbon atoms, 3~ A substituted or unsubstituted heteroaryl group having 30 carbon atoms, a substituted or unsubstituted alkylsilyl group having 3 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted arylsilyl group having 6 to 20 carbon atoms ( arylsilyl group), a substituted or unsubstituted amine group having 0 to 20 carbon atoms, an acyl group, a carbonyl group, a carboxylic acid group, an ester group, a nitrile group, an isonitrile group, a thiol group, a sulfinyl group, a sulfonyl group , is selected from the group consisting of a phosphino group and combinations thereof;

식 2에서 인접한 치환기는 임의로 연결되어 고리를 형성할 수 있다.In Formula 2, adjacent substituents may be optionally connected to form a ring.

해당 실시예에서, 식 1 중 인접한 치환기가 임의로 연결되어 고리를 형성할 수 있다는 것은, 인접한 치환기 R'' 및 R"' 사이에는 연결되어 고리를 형성할 수 있는 경우가 존재한다는 의미이다. 본 분야 당업자에 있어서, 식 1 중 인접한 치환기 R'' 및 R"' 사이가 각각 연결되지 않아 고리를 형성하지 않을 수 있음은 자명하게 확정 가능한 것이다.In the embodiment, the fact that adjacent substituents in Formula 1 may be optionally connected to form a ring means that there is a case in which adjacent substituents R'' and R"' may be connected to form a ring. For those skilled in the art, it is obvious that the adjacent substituents R'' and R"' in Formula 1 may not be connected to each other to form a ring.

해당 실시예에서, 식 2 중 인접한 치환기는 임의로 연결되어 고리를 형성할 수 있다는 것은, 식 2 중 인접한 치환기 R1 사이에는 연결되어 고리를 형성할 수 있는 경우가 존재한다는 의미이다. 본 분야 당업자에 있어서, 식 2 중 인접한 치환기 R1 사이가 각각 연결되지 않아 고리를 형성하지 않을 수 있음은 자명하게 확정 가능한 것이다.In the embodiment, the fact that adjacent substituents in Formula 2 may be optionally connected to form a ring means that there are cases in which adjacent substituents R 1 in Formula 2 may be connected to form a ring. For those skilled in the art, it is obvious that the adjacent substituents R 1 in Formula 2 may not be connected to each other to form a ring.

본 발명의 일 실시예에 따르면, X 및 Y는 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 NR' 또는 CR''R"'에서 선택되고, R', R" 및 R"'는 적어도 하나의 전자 흡인기를 갖는 그룹이며; 바람직하게는, R, R', R" 및 R"'는 적어도 하나의 전자 흡인기를 갖는 그룹이다.According to an embodiment of the present invention, X and Y are identically or differently selected from NR' or CR''R"' whenever they appear, and R', R" and R"' have at least one electron withdrawing group. is a group; preferably, R, R', R" and R"' are a group having at least one electron withdrawing group.

본 발명의 일 실시예에 따르면, X 및 Y는 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 O, S 또는 Se에서 선택되고, R 중 적어도 하나는 적어도 하나의 전자 흡인기를 갖는 그룹이고; 바람직하게 R은 모두 적어도 하나의 전자 흡인기를 갖는 그룹이다.According to an embodiment of the present invention, X and Y are identically or differently selected from O, S or Se whenever they appear, and at least one of R is a group having at least one electron withdrawing group; Preferably all R are groups having at least one electron withdrawing group.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 전자 흡인기의 Hammett 상수는 0.05 이상이고 바람직하게는 0.3 이상이며 더 바람직하게는 0.5 이상이다. 본 발명의 상기 전자 흡인기의 Hammett 치환기 상수값은 0.05 이상이고 바람직하게는 0.3 이상이며 더 바람직하게는 0.5 이상이며, 전자 흡인 능력이 비교적 강하며, 화합물의 LUMO 에너지준위를 현저히 감소시켜 전하 이동도를 향상시키는 효과를 달성할 수 있다. 설명해야 할 것은, 상기 Hammett 치환기 상수값은 Hammett 치환기 파라(para) 상수 및/또는 메타(meta) 상수를 포함하고, 파라 상수 및 메타 상수 중 하나가 0.05 이상인 조건을 충족하기만 하면, 본 발명에서 선택된 그룹으로서 사용될 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the Hammett constant of the electron withdrawing group is 0.05 or more, preferably 0.3 or more, and more preferably 0.5 or more. The Hammett substituent constant value of the electron withdrawing group of the present invention is 0.05 or more, preferably 0.3 or more, and more preferably 0.5 or more, and the electron withdrawing ability is relatively strong, and the LUMO energy level of the compound is significantly reduced to increase the charge mobility. improving effect can be achieved. It should be explained that the Hammett substituent constant value includes the Hammett substituent para constant and/or meta constant, and as long as one of the para constant and the meta constant satisfies the condition of 0.05 or more, in the present invention It can be used as a selected group.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 전자 흡인기는 할로겐; 니트로소기; 니트로기; 아실기; 카르보닐기; 카르복실산기; 에스테르기; 시아노기; 이소시아노기; SCN; OCN; SF5; 보라닐기(Boranyl); 술피닐기; 술포닐기; 포스포로소기(phosphoroso); 아자방향족고리; 및 할로겐, 니트로소기, 니트로기, 아실기, 카르보닐기, 카르복실산기, 에스테르기, 시아노기, 이소시아노기, SCN, OCN, SF5, 보라닐기(Boranyl), 술피닐기, 술포닐기, 포스포로소기(phosphoroso), 아자방향족고리 중의 하나 또는 복수 개로 치환된 하기 임의의 하나의 그룹: 1~20 개의 탄소원자를 갖는 알킬기, 3~20 개의 고리탄소원자(ring carbon atoms)를 갖는 시클로알킬기(cycloalkyl group), 1~20 개의 탄소원자를 갖는 헤테로알킬기, 7~30 개의 탄소원자를 갖는 아랄킬기, 1~20 개의 탄소원자를 갖는 알콕시기, 6~30 개의 탄소원자를 갖는 아릴옥시기, 2~20 개의 탄소원자를 갖는 알케닐기, 2~20 개의 탄소원자를 갖는 아키닐기, 6~30 개의 탄소원자를 갖는 아릴기, 3~30 개의 탄소원자를 갖는 헤테로아릴기, 3~20 개의 탄소원자를 갖는 알킬실릴기(alkylsilyl group), 6~20 개의 탄소원자를 갖는 아릴실릴기(arylsilyl group); 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되며;According to an embodiment of the present invention, the electron withdrawing group is halogen; nitroso group; nitro group; acyl group; carbonyl group; carboxylic acid group; ester group; cyano group; isocyano group; SCN; OCN; SF 5 ; Boranyl group (Boranyl); sulfinyl group; sulfonyl group; phosphoroso group; aza aromatic ring; and halogen, nitroso group, nitro group, acyl group, carbonyl group, carboxylic acid group, ester group, cyano group, isocyano group, SCN, OCN, SF5, boranyl group, sulfinyl group, sulfonyl group, phosphoroso group ( phosphoroso), any one of the following groups substituted with one or a plurality of azaaromatic rings: an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a cycloalkyl group having 3 to 20 ring carbon atoms, A heteroalkyl group having 1 to 20 carbon atoms, an aralkyl group having 7 to 30 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms, an aryloxy group having 6 to 30 carbon atoms, an alkenyl group having 2 to 20 carbon atoms , an aquinyl group having 2 to 20 carbon atoms, an aryl group having 6 to 30 carbon atoms, a heteroaryl group having 3 to 30 carbon atoms, an alkylsilyl group having 3 to 20 carbon atoms, 6 to 20 an arylsilyl group having two carbon atoms; and combinations thereof;

바람직하게는, 상기 전자 흡인기는 F, CF3, OCF3, SF5, SO2CF3, 시아노기, 이소시아노기, SCN, OCN, 피리미딜기, 트리아지닐기 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된다.Preferably, the electron withdrawing group is from the group consisting of F, CF 3 , OCF 3 , SF 5 , SO 2 CF 3 , cyano group, isocyano group, SCN, OCN, pyrimidyl group, triazinyl group, and combinations thereof. is chosen

본 발명의 일 실시예에 따르면, 여기서 X 및 Y는 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 아래의 구조로 이루어진 군에서 선택된다:According to an embodiment of the present invention, wherein X and Y are identically or differently each time they appear are selected from the group consisting of:

Figure pat00010
Figure pat00010

Figure pat00011
Figure pat00011

여기서, R2는 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 수소, 듀테륨, 할로겐, 니트로소기, 니트로기, 아실기, 카르보닐기, 카르복실산기, 에스테르기, 시아노기, 이소시아노기, SCN, OCN, SF5, 보라닐기(Boranyl), 술피닐기, 술포닐기, 포스포로소기(phosphoroso), 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬기, 3~20 개의 고리탄소원자(ring carbon atoms)를 갖는 치환 또는 비치환된 시클로알킬기(cycloalkyl group), 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로알킬기, 7~30 개의 탄소원자수를 갖는 치환 또는 비치환된 아랄킬기, 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알콕시기, 6~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴옥시기, 2~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알케닐기, 2~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아키닐기, 6~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴기, 3~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기, 3~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬실릴기(alkylsilyl group), 6~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴실릴기(arylsilyl group) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되고;Here, R 2 is the same or different whenever it appears hydrogen, deuterium, halogen, nitroso group, nitro group, acyl group, carbonyl group, carboxylic acid group, ester group, cyano group, isocyano group, SCN, OCN, SF5, purple Nyl group (Boranyl), sulfinyl group, sulfonyl group, phosphoroso group (phosphoroso), substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, substituted or unsubstituted having 3 to 20 ring carbon atoms cycloalkyl group, substituted or unsubstituted heteroalkyl group having 1 to 20 carbon atoms, substituted or unsubstituted aralkyl group having 7 to 30 carbon atoms, substituted or unsubstituted having 1 to 20 carbon atoms an alkoxy group, a substituted or unsubstituted aryloxy group having 6 to 30 carbon atoms, a substituted or unsubstituted alkenyl group having 2 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted aquinyl group having 2 to 20 carbon atoms, A substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 carbon atoms, a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 3 to 30 carbon atoms, a substituted or unsubstituted alkylsilyl group having 3 to 20 carbon atoms , is selected from the group consisting of a substituted or unsubstituted arylsilyl group having 6 to 20 carbon atoms and combinations thereof;

바람직하게, R2는 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 F, CF3, OCF3, SF5, SO2CF3, 시아노기, 이소시아노기, SCN, OCN, 펜타플루오로페닐기, 4-시아노테트라플루오로페닐기, 테트라플루오로피리딜기, 피리미딜기, 트리아지닐기 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되며;Preferably, R 2 is identically or differently each time it appears F, CF 3 , OCF 3 , SF 5 , SO 2 CF 3 , cyano group, isocyano group, SCN, OCN, pentafluorophenyl group, 4-cyanotetra It is selected from the group consisting of a fluorophenyl group, a tetrafluoropyridyl group, a pyrimidyl group, a triazinyl group, and combinations thereof;

여기서, V 및 W는 나타낼 때마다 동일하거나 상이하게 CRvRw, NRv, O, S, Se에서 선택되며;wherein V and W are identically or differently each time they appear selected from CR v R w , NR v , O, S, Se;

여기서, Ar은 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 6~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴기 또는 3~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기에서 선택되고;wherein Ar is, identically or differently each time it appears, selected from a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 carbon atoms or a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 3 to 30 carbon atoms;

여기서, A, Ra, Rb, Rc, Rd, Re, Rf, Rg, Rh, Rv 및 Rw는 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 수소, 듀테륨, 할로겐, 니트로소기, 니트로기, 아실기, 카르보닐기, 카르복실산기, 에스테르기, 시아노기, 이소시아노기, SCN, OCN, SF5, 보라닐기(Boranyl), 술피닐기, 술포닐기, 포스포로소기(phosphoroso), 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬기, 3~20 개의 고리탄소원자(ring carbon atoms)를 갖는 치환 또는 비치환된 시클로알킬기(cycloalkyl group), 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로알킬기, 7~30 개의 탄소원자수를 갖는 치환 또는 비치환된 아랄킬기, 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알콕시기, 6~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴옥시기, 2~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알케닐기, 2~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아키닐기, 6~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴기, 3~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기, 3~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬실릴기(alkylsilyl group), 6~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴실릴기(arylsilyl group) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되며;where A, R a , R b , R c , R d , Re e , R f , R g , R h , R v and R w are identically or differently each time they appear hydrogen, deuterium, halogen, nitroso group, Nitro group, acyl group, carbonyl group, carboxylic acid group, ester group, cyano group, isocyano group, SCN, OCN, SF 5 , boranyl group, sulfinyl group, sulfonyl group, phosphoroso group, 1- A substituted or unsubstituted alkyl group having 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted cycloalkyl group having 3 to 20 ring carbon atoms, a substituted or unsubstituted group having 1 to 20 carbon atoms a heteroalkyl group, a substituted or unsubstituted aralkyl group having 7 to 30 carbon atoms, a substituted or unsubstituted alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted aryloxy group having 6 to 30 carbon atoms, A substituted or unsubstituted alkenyl group having 2 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted aquinyl group having 2 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 carbon atoms, 3 to 30 carbon atoms A substituted or unsubstituted heteroaryl group having a character, a substituted or unsubstituted alkylsilyl group having 3 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted arylsilyl group having 6 to 20 carbon atoms and combinations thereof;

여기서, A는 적어도 하나의 전자 흡인기를 갖는 그룹이며, 상기 임의의 구조에 있어서, Ra, Rb, Rc, Rd, Re, Rf, Rg, Rh, Rv 및 Rw 중의 하나 또는 복수 개가 나타날 경우, Ra, Rb, Rc, Rd, Re, Rf, Rg, Rh, Rv 및 Rw 중의 적어도 하나는, 적어도 하나의 전자 흡인기를 갖는 그룹이며; 바람직하게, 상기 적어도 하나의 전자 흡인기를 갖는 그룹은 F, CF3, OCF3, SF5, SO2CF3, 시아노기, 이소시아노기, SCN, OCN, 펜타플루오로페닐기, 4-시아노테트라플루오로페닐기, 테트라플루오로피리딜기, 피리미딜기, 트리아지닐기 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된다.wherein A is a group having at least one electron withdrawing group, and in any of the above structures, R a , R b , R c , R d , Re e , R f , R g , R h , R v and R w When one or more of R a , R b , R c , R d , Re , R f , R g , R h , R v and R w are present, at least one of R a , R b , R c , R d , R g , R h , R v and R w is a group having at least one electron withdrawing group is; Preferably, the group having at least one electron withdrawing group is F, CF 3 , OCF 3 , SF 5 , SO 2 CF 3 , cyano group, isocyano group, SCN, OCN, pentafluorophenyl group, 4-cyanotetra It is selected from the group consisting of a fluorophenyl group, a tetrafluoropyridyl group, a pyrimidyl group, a triazinyl group, and combinations thereof.

해당 실시예에서, "*"는 상기 X 및 Y 그룹이 식 1에서의 데하이드로벤조디옥사졸 고리, 데하이드로벤조디티아졸 고리 또는 데하이드로벤조디티아졸 고리와 연결되는 위치를 나타낸다.In this embodiment, "*" represents a position at which the X and Y groups are connected to the dehydrobenzodioxazole ring, dehydrobenzodithiazole ring or dehydrobenzodithiazole ring in Formula 1.

본 발명의 일 실시예에 따르면, X 및 Y는 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 아래의 구조로 이루어진 군에서 선택된다:According to an embodiment of the present invention, X and Y are identically or differently each time they appear are selected from the group consisting of:

Figure pat00012
Figure pat00012

Figure pat00013
Figure pat00013

해당 실시예에서, "*"는 상기 X 및 Y 그룹이 식 1에서의 데하이드로벤조디옥사졸 고리, 데하이드로벤조디티아졸 고리 또는 데하이드로벤조디티아졸 고리와 연결되는 위치를 나타낸다.In this embodiment, "*" represents a position at which the X and Y groups are connected to the dehydrobenzodioxazole ring, dehydrobenzodithiazole ring or dehydrobenzodithiazole ring in Formula 1.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 여기서 R은 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 수소; 듀테륨; 할로겐; 니트로소기; 니트로기; 아실기; 카르보닐기; 카르복실산기; 에스테르기; 시아노기; 이소시아노기; SCN; OCN; SF5; 보라닐기(Boranyl); 술피닐기; 술포닐기; 포스포로소기(phosphoroso); 1~20 개의 탄소원자를 갖는 비치환된 알킬기; 3~20 개의 고리탄소원자(ring carbon atoms)를 갖는 비치환된 시클로알킬기(cycloalkyl group); 1~20 개의 탄소원자를 갖는 비치환된 알콕시기; 2~20 개의 탄소원자를 갖는 비치환된 알케닐기; 6~30 개의 탄소원자를 갖는 비치환된 아릴기; 3~30 개의 탄소원자를 갖는 비치환된 헤테로아릴기; 및 할로겐, 니트로소기, 니트로기, 아실기, 카르보닐기, 카르복실산기, 에스테르기, 시아노기, 이소시아노기, SCN, OCN, SF5, 보라닐기(Boranyl), 술피닐기, 술포닐기 및 포스포로소기(phosphoroso) 중의 하나 또는 복수 개로 치환된 하기 임의의 하나의 그룹: 1~20 개의 탄소원자를 갖는 알킬기, 3~20 개의 고리탄소원자(ring carbon atoms)를 갖는 시클로알킬기(cycloalkyl group), 1~20 개의 탄소원자를 갖는 알콕시기, 2~20 개의 탄소원자를 갖는 알케닐기, 6~30 개의 탄소원자를 갖는 아릴기, 3~30 개의 탄소원자를 갖는 헤테로아릴기; 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된다.According to an embodiment of the present invention, wherein R is identically or differently each time it appears hydrogen; deuterium; halogen; nitroso group; nitro group; acyl group; carbonyl group; carboxylic acid group; ester group; cyano group; isocyano group; SCN; OCN; SF 5 ; Boranyl group (Boranyl); sulfinyl group; sulfonyl group; phosphoroso group; an unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms; an unsubstituted cycloalkyl group having 3 to 20 ring carbon atoms; an unsubstituted alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms; an unsubstituted alkenyl group having 2 to 20 carbon atoms; an unsubstituted aryl group having 6 to 30 carbon atoms; an unsubstituted heteroaryl group having 3 to 30 carbon atoms; and halogen, nitroso group, nitro group, acyl group, carbonyl group, carboxylic acid group, ester group, cyano group, isocyano group, SCN, OCN, SF 5 , boranyl group, sulfinyl group, sulfonyl group and phosphoroso group (phosphoroso) any one of the following groups substituted with one or a plurality of groups: an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a cycloalkyl group having 3 to 20 ring carbon atoms, 1 to 20 an alkoxy group having 2 carbon atoms, an alkenyl group having 2 to 20 carbon atoms, an aryl group having 6 to 30 carbon atoms, a heteroaryl group having 3 to 30 carbon atoms; and combinations thereof.

바람직하게, R은 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 수소; 듀테륨; 메틸기; 이소프로필기; NO2; SO2CH3; SCF3; C2F5; OC2F5; OCH3; 디페닐메틸실릴기; 페닐기; 메톡시페닐기; p-메틸페닐기; 2,6-디이소프로필페닐기; 비페닐기; 폴리플루오로페닐기; 디플루오로피리딜기; 니트로페닐기; 디메틸티아졸기; CN 또는 CF3 중의 하나 또는 복수 개로 치환된 비닐기; CN 또는 CF3 중의 하나로 치환된 에티닐기; 디메틸포스포노옥시; 디페닐포스포노옥시; F; CF3; OCF3; SF5; SO2CF3; 시아노기; 이소시아노기; SCN; OCN; 트리플루오로메틸페닐기; 트리플루오로메톡시페닐기; 비스(트리플루오로메틸)페닐기; 비스(트리플루오로메톡시)페닐기; 4-시아노테트라플루오로페닐기; F, CN 또는 CF3 중의 하나 또는 복수 개로 치환된 페닐기 또는 비페닐기; 테트라플루오로피리딜기; 피리미딜기; 트리아지닐기; 디페닐보라닐기; 옥사보라안트릴기(Oxaboraanthryl); 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된다.Preferably, R is identically or differently each time it appears hydrogen; deuterium; methyl group; isopropyl group; NO 2 ; SO 2 CH 3 ; SCF 3 ; C 2 F 5 ; OC 2 F 5 ; OCH 3 ; diphenylmethylsilyl group; phenyl group; methoxyphenyl group; p-methylphenyl group; 2,6-diisopropylphenyl group; biphenyl group; polyfluorophenyl group; difluoropyridyl group; nitrophenyl group; dimethylthiazole group; a vinyl group substituted with one or a plurality of CN or CF 3 ; an ethynyl group substituted with one of CN or CF 3 ; dimethylphosphonooxy; diphenylphosphonooxy; F; CF 3 ; OCF 3 ; SF 5 ; SO 2 CF 3 ; cyano group; isocyano group; SCN; OCN; trifluoromethylphenyl group; trifluoromethoxyphenyl group; a bis(trifluoromethyl)phenyl group; bis(trifluoromethoxy)phenyl group; 4-cyanotetrafluorophenyl group; a phenyl group or a biphenyl group substituted with one or more of F, CN, or CF 3 ; tetrafluoropyridyl group; pyrimidyl group; triazinyl group; diphenyl boranyl group; Oxaboraanthryl group (Oxaboraanthryl); and combinations thereof.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 여기서 X 및 Y는

Figure pat00014
이다.According to an embodiment of the present invention, X and Y are
Figure pat00014
to be.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 여기서 R은 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 아래의 구조로 이루어진 군에서 선택된다:According to one embodiment of the present invention, wherein R is selected from the group consisting of the same or different each time it appears:

Figure pat00015
Figure pat00015

Figure pat00016
Figure pat00016

Figure pat00017
Figure pat00017

Figure pat00018
Figure pat00018

해당 실시예에서, "

Figure pat00019
"는 상기 R 그룹이 식 1에서의 데하이드로벤조디옥사졸 고리, 데하이드로벤조디티아졸 고리 또는 데하이드로벤조디티아졸 고리와 연결되는 위치를 나타낸다.In that example, "
Figure pat00019
" represents the position at which the R group is connected to the dehydrobenzodioxazole ring, dehydrobenzodithiazole ring or dehydrobenzodithiazole ring in Formula 1.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 식 1로 표시된 하나의 화합물 중 2 개의 R은 동일하다.According to an embodiment of the present invention, two R in one compound represented by Formula 1 are the same.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 식 1의 화합물은 식 3으로 표시된 구조를 구비한다:According to one embodiment of the present invention, the compound of Formula 1 has a structure represented by Formula 3:

Figure pat00020
Figure pat00020

여기서, 식 3 중의 2 개의 Z 구조는 동일하고, 2 개의 R 구조는 동일하거나 상이하며, 상기 Z, X, Y, R은 각각 청구항 11의 표에 나타난 원자 또는 그룹에서 선택된 것에 대응되고;wherein, two Z structures in Formula 3 are the same, two R structures are the same or different, and Z, X, Y, and R each correspond to an atom or group selected from the atoms or groups shown in the table of claim 11;

여기서, 식 3의 구조를 갖는 화합물은 화합물 1 내지 화합물 1356에서 선택되고, 여기서 화합물 1 내지 화합물 1356의 구체적인 구조는 청구항 11을 참조한다.Here, the compound having the structure of Formula 3 is selected from Compound 1 to Compound 1356, and for specific structures of Compound 1 to Compound 1356, refer to claim 11.

본 발명의 일 실시예에 따르면, L는 치환 또는 비치환된 페닐렌기, 치환 또는 비치환된 비페닐렌기, 치환 또는 비치환된 터페닐렌기, 치환 또는 비치환된 나프틸렌기, 치환 또는 비치환된 플루오레닐리덴기, 치환 또는 비치환된 실라플루오레닐리덴기(Silafluorenylidene), 치환 또는 비치환된 카바졸일렌기 (carbazolylene), 치환 또는 비치환된 디벤조푸라닐렌기(dibenzofuranylene), 치환 또는 비치환된 디벤조티오페닐렌기(dibenzothiophenylene), 치환 또는 비치환된 디벤조셀레노페닐렌기(dibenzoselenophenylene), 치환 또는 비치환된 페난트릴렌기(phenanthrylene), 치환 또는 비치환된 트리페닐렌기, 치환 또는 비치환된 피리디닐렌기(pyridinylene), 치환 또는 비치환된 스피로비플루오레닐렌기, 치환 또는 비치환된 안트릴렌기, 치환 또는 비치환된 피레닐렌기 또는 이들의 조합이며; 바람직하게 L는 치환 또는 비치환된 페닐렌기, 또는 치환 또는 비치환된 비페닐렌기이며; 더 바람직하게 L는 페닐렌기 또는 비페닐렌기이다.According to an embodiment of the present invention, L is a substituted or unsubstituted phenylene group, a substituted or unsubstituted biphenylene group, a substituted or unsubstituted terphenylene group, a substituted or unsubstituted naphthylene group, a substituted or unsubstituted fluorenylidene group, substituted or unsubstituted silafluorenylidene, substituted or unsubstituted carbazolylene, substituted or unsubstituted dibenzofuranylene, substituted or unsubstituted a dibenzothiophenylene group, a substituted or unsubstituted dibenzoselenophenylene group, a substituted or unsubstituted phenanthrylene group, a substituted or unsubstituted triphenylene group, a substituted or unsubstituted a pyridinylene group, a substituted or unsubstituted spirobifluorenylene group, a substituted or unsubstituted anthrylene group, a substituted or unsubstituted pyrenylene group, or a combination thereof; Preferably, L is a substituted or unsubstituted phenylene group, or a substituted or unsubstituted biphenylene group; More preferably, L is a phenylene group or a biphenylene group.

본 발명의 일 실시예에 따르면, R1은 수소, 듀테륨, 할로겐, 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬기, 3~20 개의 고리탄소원자(ring carbon atoms)를 갖는 치환 또는 비치환된 시클로알킬기(cycloalkyl group), 6~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴기, 3~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기에서 선택되고; 바람직하게 R1은 수소, 듀테륨, 6~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴기, 3~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기에서 선택된다.According to an embodiment of the present invention, R 1 is hydrogen, deuterium, halogen, a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted having 3 to 20 ring carbon atoms selected from a cycloalkyl group, a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 carbon atoms, a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 3 to 30 carbon atoms; Preferably R 1 is selected from hydrogen, deuterium, a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 carbon atoms, and a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 3 to 30 carbon atoms.

본 발명의 일 실시예에 따르면, Ar1 및 Ar2는 6~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴기, 3~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기에서 선택되고; 바람직하게 Ar1 및 Ar2는 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 디벤조티에닐기, 스피로비플루오레닐기, 피리딜기 또는 피리미딜기이다.According to an embodiment of the present invention, Ar 1 and Ar 2 are selected from a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 3 to 20 carbon atoms; Preferably, Ar 1 and Ar 2 are a phenyl group, a biphenyl group, a terphenyl group, a naphthyl group, a fluorenyl group, a dibenzothienyl group, a spirobifluorenyl group, a pyridyl group or a pyrimidyl group.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 식 2의 구조를 갖는 상기 화합물은 화합물 H-1 내지 화합물 H-176으로 이루어진 군에서 선택되고, 여기서 화합물 H-1 내지 화합물 H-176의 구체적인 구조는 청구항 15를 참조한다.According to an embodiment of the present invention, the compound having the structure of Formula 2 is selected from the group consisting of Compound H-1 to Compound H-176, wherein the specific structure of Compound H-1 to Compound H-176 is claimed in claim 15 see

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 유기 전계발광소자는 양극과 발광층 사이에 배치된 제2 유기층을 더 포함하며, 상기 제2 유기층은 식 2의 화합물을 함유한다.According to an embodiment of the present invention, the organic electroluminescent device further includes a second organic layer disposed between the anode and the light emitting layer, wherein the second organic layer contains the compound of Formula 2.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 제1 유기층은 양극과 접촉한다.According to an embodiment of the present invention, the first organic layer is in contact with the anode.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 제1 유기층에 함유된 식 1의 화합물이 전체 제1 유기층을 차지하는 중량비는 5% 이하이거나, 3% 이하이며, 더 바람직하게는 2% 이하이거나 1% 이하이다.According to an embodiment of the present invention, the weight ratio of the compound of Formula 1 contained in the first organic layer to the total first organic layer is 5% or less, 3% or less, more preferably 2% or less, or 1% or less to be.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 제2 유기층은 발광층과 접촉한다.According to an embodiment of the present invention, the second organic layer is in contact with the light emitting layer.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 양극과 발광층 사이에 배치된 제3 유기층을 더 포함하며, 상기 제3 유기층은 제2 유기층과 상이한 화합물을 함유한다.According to an embodiment of the present invention, it further includes a third organic layer disposed between the anode and the light emitting layer, wherein the third organic layer contains a compound different from that of the second organic layer.

본 발명의 다른 실시예에 따르면, 전술한 어느 하나의 실시예에 따른 유기 전계발광소자를 포함하는 디스플레이 조립체를 더 개시하였다.According to another embodiment of the present invention, a display assembly including the organic electroluminescent device according to any one of the above-described embodiments is further disclosed.

전형적인 OLED 소자 구조도는 도 1에 도시된 바와 같다. 여기서, OLED 소자(100)는 양극층(101), 정공 주입층(HIL)(102), 정공 수송층(HTL)(103), 전자 차단층(또한 제2 정공 수송층이라 함)(EBL)(104), 발광층(EML)(105), 정공 차단층(HBL)(106), 전자 수송층(ETL)(107), 전자 주입층(EIL)(108) 및 음극층(109)을 포함한다. 여기서, 발광층(105)은 일반적으로 적어도 하나의 호스트 재료 및 적어도 하나의 발광 재료를 함유하고, 전자 차단층(104) 및 정공 차단층(106)은 선택가능한 층이다. 정공 주입층(102)은 상용되는 HATCN과 같은 단일 재료층일 수 있으며; 정공 주입층(102)도 일정한 비례의 p형 전도도핑재료가 도핑된 정공 수송재료일 수 있으며, 일반적으로 도핑 비례는 5% 이하인데, 상용되는 도핑 비례는 1%~3% 사이이며, 이처럼 p형 전도재료가 도핑된 정공 주입층은 일반적으로 단일층 재료에 비해 더 낮은 전압을 가지므로, 광범위하게 응용된다. HOMO 에너지준위가 일반적으로 -5.1eV 좌우인 화합물 HT 재료와 같은 상용되는 정공 수송층 재료는, 상용되는 양극층 ITO의 일함수(work function) -4.8eV와 비슷하여, 정공의 양극층으로부터의 효과적인 주입을 확보한다. 그러나, 대부분 발광층의 호스트 재료는 HOMO 에너지준위가 정공 수송층재료보다 훨씬 깊어, 일반적으로 -5.4eV 내지 -5.6eV 좌우이므로, 정공이 수송층에서 발광층으로 진입 시 비교적 높은 퍼텐셜 장벽을 만나게 된다. 이러한 문제를 해결하기 위해, 일반적으로 정공 수송층과 발광층 사이에 HOMO 에너지준위가 이들 사이에 있는 한 층의 제2 정공 수송층을 삽입하여 위치에너지가 점진적인 형태를 형성한다. 그러나, 이러한 구조에서의 정공은 여전히 동일한 총 퍼텐셜 장벽 높이를 직면하게 되며, 추가로 증가된 재료는 더 많은 경계면의 흠결을 초래하여 수명에 영향을 미치고, 공정상 복잡성을 증가시킨다. 만약, 정공 주입층의 HOMO 에너지준위도 호스트 에너지준위에 접근할 수 있다면, 정공이 수송되어 발광층으로 진입하기 전의 퍼텐셜 장벽이 감소되며 심지어 사라질 수 있다. 그러나, HOMO 에너지준위가 과도하게 깊으면 정공이 양극층으로부터 주입하기 어렵고 옴접촉이 떨어져 전압의 증가를 초래한다. 에너지준위가 깊은 정공 주입재료에 p형 전도도핑재료를 주입하면 이러한 현상을 완화시킬 수 있으나[Lussem et al. PSS A 210, No. 1, 9-43(2013)], LUMO 에너지준위가 -5.06eV에 불과한 화합물 PD와 같은 상용되는 p형 전도도핑재료는, 에너지준위가 깊은 정공 수송재료와 매우 좋은 도핑효과를 이룰 수 없다. 더 좋은 매칭을 위해, p형 전도도핑재료의 LUMO 에너지준위도 더 깊어야 한다.A typical OLED device structure is shown in FIG. 1 . Here, the OLED device 100 includes an anode layer 101 , a hole injection layer (HIL) 102 , a hole transport layer (HTL) 103 , an electron blocking layer (also referred to as a second hole transport layer) (EBL) 104 . ), an emission layer (EML) 105 , a hole blocking layer (HBL) 106 , an electron transport layer (ETL) 107 , an electron injection layer (EIL) 108 , and a cathode layer 109 . Here, the light-emitting layer 105 generally contains at least one host material and at least one light-emitting material, and the electron blocking layer 104 and the hole blocking layer 106 are selectable layers. The hole injection layer 102 may be a single material layer, such as commercially available HATCN; The hole injection layer 102 may also be a hole transport material doped with a p-type conductive doping material of a certain proportion, and generally the doping ratio is 5% or less, but the commonly used doping ratio is between 1% and 3%. A hole injection layer doped with a type conductive material generally has a lower voltage than a single layer material, and therefore has a wide range of applications. A commercially available hole transport layer material, such as a compound HT material with a HOMO energy level generally left and right of -5.1 eV, approximates the work function of a commercially available anode layer ITO of -4.8 eV, resulting in effective injection of holes from the anode layer. to secure However, most of the host materials of the light emitting layer have a HOMO energy level much deeper than that of the hole transport layer material, generally -5.4 eV to -5.6 eV left and right, so that holes encounter a relatively high potential barrier when entering the light emitting layer from the transport layer. In order to solve this problem, in general, a second hole transport layer having a HOMO energy level between them is inserted between the hole transport layer and the light emitting layer to form a gradual form of potential energy. However, the holes in this structure still face the same total potential barrier height, and the additionally increased material results in more interface defects, which affects the lifetime and increases the complexity of the process. If the HOMO energy level of the hole injection layer can also approach the host energy level, the potential barrier before the holes are transported and enter the light emitting layer can be reduced and even disappeared. However, if the HOMO energy level is excessively deep, it is difficult for holes to be injected from the anode layer, and the ohmic contact is dropped, resulting in an increase in voltage. This phenomenon can be alleviated by injecting a p-type conductive doping material into a hole injection material with a deep energy level [Lussem et al. PSS A 210, No. 1, 9-43 (2013)], a commercially available p-type conductive doping material such as compound PD having a LUMO energy level of only -5.06 eV cannot achieve a very good doping effect with a hole transport material having a deep energy level. For better matching, the LUMO energy level of the p-type conductive doping material should also be deeper.

본 발명은 더 깊은 LUMO 에너지준위를 갖는 p형 전도도핑재료(식 1에 나타낸 화합물의 LUMO 에너지준위는 -5.2eV 좌우임)와 더 깊은 HOMO 에너지준위를 갖는 정공 수송재료(식 2에 나타난 화합물의 HOMO 에너지준위가 -5.2eV 좌우임)을 공증착(codeposition)시켜 정공 주입층을 형성한 다음, 해당 정공 수송재료를 정공 수송층으로 하고 그 위에 발광층을 직접 증착시킨다. 에너지준위가 더 잘 매칭되고 필름층과 재료가 감소되어 소자의 전압을 감소하고 수명을 향상시키며 공정을 간소화시킨다.The present invention relates to a p-type conductive doping material having a deeper LUMO energy level (the LUMO energy level of the compound shown in Equation 1 is -5.2 eV left and right) and a hole transporting material having a deeper HOMO energy level (the compound shown in Equation 2) HOMO energy level is -5.2 eV left and right) to form a hole injection layer by co-deposition, and then, using the hole transport material as a hole transport layer, a light emitting layer is directly deposited thereon. Energy levels are better matched, and film layers and materials are reduced, reducing device voltages, improving lifetime, and simplifying processes.

실시예Example

아래에서, 하기 실시예를 참조하여 본 발명을 더 상세히 설명하도록 한다. 아래 실시예에서 사용된 화합물은 본 분야 당업자가 쉽게 얻을 수 있으므로, 본문에서 그 합성방법을 더 설명하지 않으며, 예를 들어, 전부 내용이 참조로서 포함되는 중국 특허 CN201911046002.3에서 찾아 볼 수 있다. 매우 명확한 것은, 하기 실시예는 단지 예시적인 목적으로 사용될 뿐 본 발명의 범위를 한정하는데 사용되지 않으며, 본 분야 당업자는 이를 개진함으로써 본 발명의 기타 실시예를 얻을 수 있다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to the following examples. Since the compounds used in the examples below can be readily obtained by those skilled in the art, the synthesis method thereof is not further described in the text, and can be found, for example, in Chinese Patent CN201911046002.3, the contents of which are incorporated by reference in their entirety. It is very clear that the following examples are used for illustrative purposes only and are not used to limit the scope of the present invention, and those skilled in the art can obtain other examples of the present invention by practicing them.

실시예 1-1: 먼저 사전 패턴화된 80nm 두께의 인듐주석산화물(ITO) 양극을 구비하는 0.7mm 두께의 유리기판을 사용하며, 탈이온수와 세제로 기판을 수세척 후, 산소 플라즈마 및 UV 오존으로 ITO 표면을 처리한다. 이어서, 기판을 글로브 박스에서 드라이하여 수분을 제거하고, 브라켓에 장착하여 진공 챔버 내로 전송한다. 약 10-8토르(torr)의 진공도에서 0.1~5Å/s의 속도로 진공 열증착을 통해, 하기 지정된 유기층을 순차적으로 ITO 양극층에 증착시킨다: 화합물 H-26 및 화합물 70을 동시에 증착시켜 정공 주입층(HIL, 97:3, 100Å)으로 하고, 화합물 H-26을 증착시켜 정공 수송층(HTL, 1250Å)으로 하며, 화합물 BH 및 화합물 BD를 동시에 증착시켜 발광층(EML, 96:4, 250Å)으로 하고, 화합물 HB를 증착시켜 정공 차단층(HBL, 50Å)으로 하며, 화합물 ET 및 8-히드록시퀴놀린-리튬(Liq)을 공증착시켜 전자 수송층(ETL, 40:60, 300Å)으로 하고, 마지막으로 10Å 두께의 Liq를 증착시켜 전자 주입층(EIL)으로 하며 120nm의 알루미늄을 증착시켜 음극으로 한다. 다음, 해당 소자를 글러브 박스로 다시 옮기고 유리 뚜껑(glass lid)을 사용하여 봉입(encapsulate)함으로써 해당 소자를 완성시킨다.Example 1-1: First, a 0.7 mm thick glass substrate having a pre-patterned 80 nm thick indium tin oxide (ITO) anode was used, and the substrate was washed with deionized water and detergent, followed by oxygen plasma and UV ozone. Treat the ITO surface with Then, the substrate is dried in a glove box to remove moisture, mounted on a bracket, and transferred into a vacuum chamber. Through vacuum thermal evaporation at a rate of 0.1-5 Å/s at a vacuum degree of about 10 -8 torr, the following designated organic layers are sequentially deposited on the ITO anode layer: Compound H-26 and Compound 70 are simultaneously deposited to form holes Injection layer (HIL, 97:3, 100Å), compound H-26 is deposited to form a hole transport layer (HTL, 1250Å), and compound BH and compound BD are simultaneously deposited to light emitting layer (EML, 96:4, 250Å) and depositing compound HB to form a hole blocking layer (HBL, 50 Å), and co-depositing compound ET and 8-hydroxyquinoline-lithium (Liq) to form an electron transport layer (ETL, 40: 60, 300 Å), Finally, Liq with a thickness of 10 Å is deposited to form an electron injection layer (EIL), and 120 nm aluminum is deposited as a cathode. Next, the device is transferred back to the glove box and encapsulated using a glass lid to complete the device.

비교예 1-1: 정공 주입층(HIL, 3:97, 100Å)으로서 화합물 PD 및 화합물 H-26을 동시에 증착시키는 것 외에는 실시예 1-1의 제조방법과 동일하다.Comparative Example 1-1: It is the same as the manufacturing method of Example 1-1, except that compound PD and compound H-26 are simultaneously deposited as a hole injection layer (HIL, 3:97, 100 Å).

비교예 1-2: 정공 주입층(HIL, 3:97, 100Å)으로서 화합물 PD 및 화합물 HT를 동시에 증착시키는 것, 정공 수송층(HTL, 1200Å)으로서 화합물 HT를 증착시키는 것 및 HTL에 화합물 H-26을 증착시켜 제2 정공 수송층(HTL2, 50Å)으로 하는 것 외에는 실시예 1-1의 제조방법과 동일하다.Comparative Example 1-2: Simultaneous deposition of compound PD and compound HT as a hole injection layer (HIL, 3:97, 100 Å), deposition of compound HT as a hole transport layer (HTL, 1200 Å), and compound H- on HTL 26 is deposited to form the second hole transport layer (HTL2, 50 Å), but is the same as the manufacturing method of Example 1-1.

상세한 소자의 일부 층구조와 두께는 하기 표에 나타난 바와 같다. 여기서, 사용되는 재료가 두 가지 이상인 층은, 상이한 화합물을 이에 언급된 중량비로 도핑함으로써 얻어진다.Some layer structures and thicknesses of the detailed devices are shown in the table below. Here, a layer in which two or more materials are used is obtained by doping different compounds in the weight ratios mentioned therein.

실시예 1-1, 비교예 1-1 및 1-2의 소자 구조Device structures of Example 1-1, Comparative Examples 1-1 and 1-2 소자 IDDevice ID HILHIL HTLHTL HTL2HTL2 EMLEML HBLHBL ETLETL 실시예 1-1Example 1-1 H-26:70 (97:3)
(100Å)
H-26:70 (97:3)
(100Å)
H-26
(1250Å)
H-26
(1250Å)
BH:BD (96:4)
(250Å)
BH:BD (96:4)
(250Å)
HB (50Å)HB (50Å) ET : Liq (40:60) (300Å)ET: Liq (40:60) (300Å)
비교예 1-1Comparative Example 1-1 H-26:PD (97:3)
(100Å)
H-26:PD (97:3)
(100Å)
H-26
(1250Å)
H-26
(1250Å)
BH:BD (96:4)
(250Å)
BH:BD (96:4)
(250Å)
HB (50Å)HB (50Å) ET : Liq (40:60) (300Å)ET: Liq (40:60) (300Å)
비교예 1-2Comparative Example 1-2 HT:PD (97:3)
(100Å)
HT:PD (97:3)
(100Å)
HT
(1200Å)
HT
(1200Å)
H-26
(50Å)
H-26
(50Å)
BH:BD (96:4)
(250Å)
BH:BD (96:4)
(250Å)
HB (50Å)HB (50Å) ET : Liq (40:60) (300Å)ET: Liq (40:60) (300Å)

화합물 70, H-26, HT, PD, BH, BD, HB, ET 및 Liq의 구조식은 아래와 같다:The structural formulas of compound 70, H-26, HT, PD, BH, BD, HB, ET and Liq are as follows:

Figure pat00021
Figure pat00021

Figure pat00022
Figure pat00022

표 2에서는 실시예 1-1과 비교예 1-1, 1-2의 소자성능을 요약하였다. 여기서 색좌표 및 전압은 15mA/cm2의 전류밀도에서 측정되며, 소자 수명(LT95)은 80mA/cm2의 구동조건에서 휘도가 초기휘도의 95%까지 감쇠하는데 걸리는 시간을 측정한 것이다.Table 2 summarizes the device performance of Example 1-1 and Comparative Examples 1-1 and 1-2. Here, the color coordinates and voltage are measured at a current density of 15 mA/cm 2 , and the device lifetime (LT95) is a measure of the time it takes for the luminance to decay to 95% of the initial luminance under the driving condition of 80 mA/cm 2 .

실시예 1-1, 비교예 1-1 및 1-2의 소자 성능 데이터Device performance data of Example 1-1, Comparative Examples 1-1 and 1-2 At 15 mA/cm2 At 15 mA/cm 2 At 80 mA/cm2 At 80 mA/cm 2 CIExCIEx CIEyCIEy 전압 [V]voltage [V] LT95 [h]LT95 [h] 실시예 1-1Example 1-1 0.1380.138 0.0940.094 4.24.2 14.714.7 비교예 1-1Comparative Example 1-1 0.1380.138 0.0930.093 4.54.5 6.86.8 비교예 1-2Comparative Example 1-2 0.1390.139 0.0940.094 4.34.3 7.27.2

실시예 1-1은 p형 전도도핑재료로서 LUMO 에너지준위가 -5.20eV인 화합물 70을 사용하여 정공 수송재료로서 HOMO 에너지준위가 -5.28eV인 화합물 H-26에 도핑하였다. 비교에 1-1은 p형 전도도핑재료로서 LUMO 에너지준위가 -5.06eV인 화합물 PD를 사용하여 정공 수송재료로서 HOMO 에너지준위가 -5.28eV인 화합물 H-26에 도핑하였다. 양자는 색상이 비슷하나, 실시예 1-1의 전압은 비교예 1-1의 전압에 비해 0.3V 낮고 수명은 2 배 이상으로 길어졌다. 이는 비교적 깊은 HOMO 에너지준위를 갖는 정공 수송재료 및 마찬가지로 비교적 깊은 LUMO 에너지준위를 갖는 p형 전도도핑재료를 조합하면, 정공의 주입 및 수송에 유리하고 소자성능이 LUMO 에너지준위가 얕은 p형 전도도핑재료 및 비교적 깊은 HOMO 에너지준위의 정공 수송재료의 조합보다 우수하다는 것을 설명한다.In Example 1-1, Compound 70 having a LUMO energy level of -5.20 eV was used as a p-type conductive doping material, and Compound H-26 having a HOMO energy level of -5.28 eV was doped as a hole transport material. For comparison, 1-1 used compound PD having a LUMO energy level of -5.06 eV as a p-type conductive doping material and doped compound H-26 having a HOMO energy level of -5.28 eV as a hole transport material. Both have similar colors, but the voltage of Example 1-1 is 0.3V lower than the voltage of Comparative Example 1-1, and the lifespan is more than doubled. This is because when a hole transporting material having a relatively deep HOMO energy level and a p-type conductive doping material having a relatively deep LUMO energy level are combined, it is advantageous for hole injection and transport and the device performance is a p-type conductive doping material having a shallow LUMO energy level. and the combination of hole transport materials with relatively deep HOMO energy levels.

LUMO 에너지준위가 얕은 p형 전도도핑재료와 비교적 얕은 HOMO 에너지준위의 정공 수송재료는 더 나은 조합이므로, 본 발명의 실시예도 이와 비교한다. 비교예 1-2는 p형 전도도핑재료로서 LUMO 에너지준위가 -5.06eV인 화합물 PD를 사용하여, 정공 수송재료로서 HOMO 에너지준위가 -5.14eV인 화합물 HT에 도핑하여 정공 주입층으로 하며, 정공 수송층으로서 화합물 HT를 추가하였으나, 화합물 HT의 HOMO 에너지준위는 발광층 BH의 HOMO 에너지준위(-5.66eV)에 비해 퍼텐셜 장벽이 비교적 크므로, 제2 정공 수송층으로서 화합물 H-26을 추가함으로써 점진적인 위치에너지를 형성하여 발광층으로의 정공의 주입을 돕는다. 해당 소자 구조도 업계에서 자주 사용하는 방법이다. 그 결과, 실시예 1-1의 전압은 비교예 1-2의 전압보다 0.1V 낮고 수명은 2배 넘게 길어졌다. 이는 비록 LUMO 에너지준위가 얕은 p형 전도도핑재료와 비교적 얕은 HOMO 에너지준위의 정공 수송재료의 조합 및 제2 정공 수송층의 추가로 점진적인 위치에너지를 이용하였으나, 이러한 업계에서 상용하는 방법은 여전히 본 발명의 실시예에 비해 뒤떨어지며, 특히 수명 측면에서 본 발명의 장점이 명백하다는 것을 설명한다.Since the p-type conductive doping material having a shallow LUMO energy level and a hole transporting material having a relatively shallow HOMO energy level are a better combination, the embodiment of the present invention is also compared thereto. Comparative Example 1-2 uses a compound PD having a LUMO energy level of -5.06 eV as a p-type conductive doping material, and doping a compound HT having a HOMO energy level -5.14 eV as a hole transport material to form a hole injection layer. Although compound HT was added as the transport layer, the HOMO energy level of the compound HT has a relatively large potential barrier compared to the HOMO energy level (-5.66 eV) of the light emitting layer BH. to help the injection of holes into the light emitting layer. The device structure is also a method frequently used in the industry. As a result, the voltage of Example 1-1 was 0.1V lower than the voltage of Comparative Example 1-2, and the lifetime was increased by more than twice. Although this uses a combination of a p-type conductive doping material with a shallow LUMO energy level and a hole transport material with a relatively shallow HOMO energy level and a gradual potential energy with the addition of a second hole transport layer, the method commonly used in this industry is still the method of the present invention. It lags behind the embodiment, and explains that the advantages of the present invention are obvious, especially in terms of life.

실시예 2-1: 모든 화합물 H-26이 모두 화합물 H-124로 대체되는 것 외에는, 실시예 1-1의 제조방법과 동일하다.Example 2-1: It is the same as the preparation method of Example 1-1, except that all compounds H-26 are all replaced with compound H-124.

비교예 2-1: 화합물 PD 및 화합물 H-124를 정공 주입층(HIL, 3:97, 100Å)으로 하는 것 외에는, 실시예 2-1의 제조방법과 동일하다.Comparative Example 2-1: It is the same as the preparation method of Example 2-1, except that the compound PD and the compound H-124 are used as a hole injection layer (HIL, 3:97, 100 Å).

비교예 2-2: 화합물 PD 및 화합물 HT를 정공 주입층(HIL, 3:97, 100Å)으로 하는 것, 화합물 HT를 정공 수송층(HTL, 1200Å)으로 하는 것 및 HTL에 화합물 H-124를 증착시켜 제2 정공 수송층(HTL2, 50Å)으로 하는 것 외에는, 실시예 2-1의 제조방법과 동일하다.Comparative Example 2-2: Compound PD and Compound HT as a hole injection layer (HIL, 3:97, 100 Å), Compound HT as a hole transport layer (HTL, 1200 Å), and Compound H-124 was deposited on HTL It is the same as the manufacturing method of Example 2-1, except that the second hole transport layer (HTL2, 50 Å) is formed.

상세한 소자의 일부 층구조와 두께는 하기 표에 나타난 바와 같다. 여기서, 사용되는 재료가 두 가지 이상인 층은, 상이한 화합물을 이에 언급된 중량비로 도핑함으로써 얻어진다.Some layer structures and thicknesses of the detailed devices are shown in the table below. Here, a layer in which two or more materials are used is obtained by doping different compounds in the weight ratios mentioned therein.

실시예 2-1, 비교예 2-1 및 2-2의 소자 구조Device structures of Example 2-1 and Comparative Examples 2-1 and 2-2 소자 IDDevice ID HILHIL HTLHTL HTL2HTL2 EMLEML HBLHBL ETLETL 실시예 2-1Example 2-1 H-124:70 (97:3)
(100Å)
H-124:70 (97:3)
(100Å)
H-124
(1250Å)
H-124
(1250Å)
BH:BD (96:4)
(250Å)
BH:BD (96:4)
(250Å)
HB (50Å)HB (50Å) ET : Liq (40:60) (300Å)ET: Liq (40:60) (300Å)
비교예 2-1Comparative Example 2-1 H-124:PD (97:3) (100Å)H-124:PD (97:3) (100 Å) H-124
(1250Å)
H-124
(1250Å)
BH:BD (96:4)
(250Å)
BH:BD (96:4)
(250Å)
HB (50Å)HB (50Å) ET : Liq (40:60) (300Å)ET: Liq (40:60) (300Å)
비교예 2-2Comparative Example 2-2 HT:PD (97:3)
(100Å)
HT:PD (97:3)
(100Å)
HT
(1200Å)
HT
(1200Å)
H-124
(50Å)
H-124
(50Å)
BH:BD (96:4)
(250Å)
BH:BD (96:4)
(250Å)
HB (50Å)HB (50Å) ET : Liq (40:60) (300Å)ET: Liq (40:60) (300Å)

화합물 H-124의 예시는 아래와 같다:Examples of compound H-124 are:

Figure pat00023
Figure pat00023

표 4에서는 실시예 2-1과 비교예 2-1, 2-2의 소자성능을 요약하였다. 여기서 색좌표 및 전압은 15mA/cm2의 전류밀도에서 측정되며, 소자 수명(LT95)은 80mA/cm2의 구동조건에서 휘도가 초기휘도의 95%까지 감쇠하는데 걸리는 시간을 측정한 것이다.Table 4 summarizes the device performance of Example 2-1 and Comparative Examples 2-1 and 2-2. Here, the color coordinates and voltage are measured at a current density of 15 mA/cm 2 , and the device lifetime (LT95) is a measure of the time it takes for the luminance to decay to 95% of the initial luminance under the driving condition of 80 mA/cm 2 .

실시예 2-1, 비교예 2-1 및 2-2의 소자 성능 데이터Device performance data of Example 2-1, Comparative Examples 2-1 and 2-2 At 15mA/cm2 At 15mA/cm 2 At 80 mA/cm2 At 80 mA/cm 2 CIExCIEx CIEyCIEy 전압 [V]voltage [V] LT95 [h]LT95 [h] 실시예 2-1Example 2-1 0.1400.140 0.0980.098 4.44.4 128128 비교예 2-1Comparative Example 2-1 0.1400.140 0.1000.100 6.16.1 107107 비교예 2-2Comparative Example 2-2 0.1380.138 0.0940.094 4.34.3 1818

실시예 2-1은 p형 전도도핑재료로서 LUMO 에너지준위가 -5.20eV인 화합물 70을 사용하여 정공 수송재료로서 HOMO 에너지준위가 -5.29eV인 화합물 H-124에 도핑하였다. 비교예 2-1은 p형 전도도핑재료로서 LUMO 에너지준위가 -5.06eV인 화합물 PD를 사용하여 정공 수송재료로서 HOMO 에너지준위가 -5.29eV인 화합물 H-124에 도핑하였다. 양자는 색상이 비슷하나, 그 결과 실시예 2-1의 전압은 비교예 2-1의 전압에 비해 1.7V 낮고 수명은 20% 길어진 것으로 나타났다. 이는 비교적 깊은 HOMO 에너지준위를 갖는 정공 수송재료 및 마찬가지로 비교적 깊은 LUMO 에너지준위를 갖는 p형 전도도핑재료를 조합하면, 정공의 주입 및 수송에 유리하고 소자성능이 LUMO 에너지준위가 얕은 p형 전도도핑재료 및 비교적 깊은 HOMO 에너지준위의 정공 수송재료의 조합보다 우수하다는 것을 설명한다.In Example 2-1, Compound 70 having a LUMO energy level of -5.20 eV was used as a p-type conductive doping material, and Compound H-124 having a HOMO energy level of -5.29 eV was doped as a hole transport material. In Comparative Example 2-1, compound PD having a LUMO energy level of -5.06 eV was used as a p-type conductive doping material, and compound H-124 having a HOMO energy level of -5.29 eV was doped as a hole transport material. Both have similar colors, but as a result, the voltage of Example 2-1 was 1.7V lower than the voltage of Comparative Example 2-1, and the lifespan was 20% longer. This is because when a hole transporting material having a relatively deep HOMO energy level and a p-type conductive doping material having a relatively deep LUMO energy level are combined, it is advantageous for hole injection and transport and the device performance is a p-type conductive doping material having a shallow LUMO energy level. and the combination of hole transport materials with relatively deep HOMO energy levels.

LUMO 에너지준위가 얕은 p형 전도도핑재료와 비교적 얕은 HOMO 에너지준위의 정공 수송재료는 더 나은 조합이므로, 본 발명의 실시예도 이와 비교한다. 비교예 2-2는 p형 전도도핑재료로서 LUMO 에너지준위가 -5.06eV인 화합물 PD를 사용하여, 정공 수송재료로서 HOMO 에너지준위가 -5.14eV인 화합물 HT에 도핑하여 정공 주입층으로 하며, 정공 수송층으로서 화합물 HT를 추가하였으나, 화합물 HT의 HOMO 에너지준위는 발광층 BH의 HOMO 에너지준위(-5.66eV)보다 퍼텐셜 장벽이 비교적 크므로, 제2 정공 수송층으로서 화합물 H-124를 추가함으로써 점진적인 위치에너지를 형성하여 발광층으로의 정공의 주입을 돕는다. 해당 소자 구조도 업계에서 자주 사용하는 방법이다. 그 결과, 실시예 2-1의 전압은 비교예 2-2의 전압보다 0.1V 높으나 수명은 6 배 넘게 길어졌다. 이는 비록 LUMO 에너지준위가 얕은 p형 전도도핑재료와 비교적 얕은 HOMO 에너지준위의 정공 수송재료의 조합 및 제2 정공 수송층의 추가로 점진적인 위치에너지를 이용하였으나, 이러한 업계에서 상용하는 방법은 여전히 본 발명의 실시예에 비해 뒤떨어지며, 특히 수명 측면에서 본 발명의 장점이 명백하다는 것을 설명한다.Since the p-type conductive doping material having a shallow LUMO energy level and a hole transporting material having a relatively shallow HOMO energy level are a better combination, the embodiment of the present invention is also compared thereto. Comparative Example 2-2 uses a compound PD having a LUMO energy level of -5.06 eV as a p-type conductive doping material, and doping a compound HT having a HOMO energy level -5.14 eV as a hole transport material to form a hole injection layer. Although compound HT was added as the transport layer, the HOMO energy level of compound HT has a relatively larger potential barrier than the HOMO energy level (-5.66 eV) of the light emitting layer BH. It helps to inject holes into the light emitting layer. The device structure is also a method frequently used in the industry. As a result, the voltage of Example 2-1 was 0.1V higher than that of Comparative Example 2-2, but the lifetime was increased by more than 6 times. Although this uses a combination of a p-type conductive doping material with a shallow LUMO energy level and a hole transport material with a relatively shallow HOMO energy level and a gradual potential energy with the addition of a second hole transport layer, the method commonly used in this industry is still the method of the present invention. It lags behind the embodiment, and explains that the advantages of the present invention are obvious, especially in terms of life.

실시예 3-1: 모든 화합물 H-26이 모두 화합물 H-176으로 대체되는 것 외에는, 실시예 1-1의 제조방법과 동일하다.Example 3-1: It is the same as the preparation method of Example 1-1, except that all compounds H-26 are all replaced with compound H-176.

비교예 3-1: 화합물 PD 및 화합물 H-176을 정공 주입층(HIL, 3:97, 100Å)으로 하는 것 외에는, 실시예 3-1의 제조방법과 동일하다.Comparative Example 3-1: It is the same as the preparation method of Example 3-1, except that compound PD and compound H-176 are used as a hole injection layer (HIL, 3:97, 100 Å).

비교예 3-2: 화합물 PD 및 화합물 HT를 정공 주입층(HIL, 3:97, 100Å)으로 하는 것, 화합물 HT를 정공 수송층(HTL, 1200Å)으로 하는 것 및 HTL에 화합물 H-176을 증착시켜 제2 정공 수송층(HTL2, 50Å)으로 하는 것 외에는, 실시예 3-1의 제조방법과 동일하다.Comparative Example 3-2: Compound PD and Compound HT as a hole injection layer (HIL, 3:97, 100 Å), Compound HT as a hole transport layer (HTL, 1200 Å), and Compound H-176 was deposited on HTL It is the same as the manufacturing method of Example 3-1, except that the second hole transport layer (HTL2, 50 Å) is formed.

상세한 소자의 일부 층구조와 두께는 하기 표에 나타난 바와 같다. 여기서, 사용되는 재료가 두 가지 이상인 층은, 상이한 화합물을 이에 언급된 중량비로 도핑함으로써 얻어진다.Some layer structures and thicknesses of the detailed devices are shown in the table below. Here, a layer in which two or more materials are used is obtained by doping different compounds in the weight ratios mentioned therein.

실시예 3-1, 비교예 3-1 및 3-2의 소자 구조Device structures of Example 3-1 and Comparative Examples 3-1 and 3-2 소자 IDDevice ID HILHIL HTLHTL HTL2HTL2 EMLEML HBLHBL ETLETL 실시예 3-1Example 3-1 H-176:70 (97:3)(100Å)H-176:70 (97:3) (100 Å) H-176
(1250Å)
H-176
(1250Å)
BH:BD (96:4)
(250Å)
BH:BD (96:4)
(250Å)
HB (50Å)HB (50Å) ET : Liq (40:60) (300Å)ET: Liq (40:60) (300Å)
비교예 3-1Comparative Example 3-1 H-176:PD (97:3) (100Å)H-176:PD (97:3) (100 Å) H-176
(1250Å)
H-176
(1250Å)
BH:BD (96:4)
(250Å)
BH:BD (96:4)
(250Å)
HB (50Å)HB (50Å) ET : Liq (40:60) (300Å)ET: Liq (40:60) (300Å)
비교예 3-2Comparative Example 3-2 HT:PD (97:3)
(100Å)
HT:PD (97:3)
(100Å)
HT
(1200Å)
HT
(1200Å)
H-176
(50Å)
H-176
(50Å)
BH:BD (96:4)
(250Å)
BH:BD (96:4)
(250Å)
HB (50Å)HB (50Å) ET : Liq (40:60) (300Å)ET: Liq (40:60) (300Å)

화합물 H-176의 예시는 아래와 같다:Examples of compound H-176 are:

Figure pat00024
Figure pat00024

표 6에서는 실시예 3-1과 비교예 3-1, 3-2의 소자성능을 요약하였다. 여기서 색좌표, 양자 효율 및 전압은 15mA/cm2의 전류밀도에서 측정되며, 소자 수명(LT95)은 80mA/cm2의 구동조건에서 휘도가 초기휘도의 95%까지 감쇠하는데 걸리는 시간을 측정한 것이다.Table 6 summarizes the device performance of Example 3-1 and Comparative Examples 3-1 and 3-2. Here, the color coordinates, quantum efficiency, and voltage are measured at a current density of 15mA/cm 2 , and the device lifetime (LT95) is a measurement of the time it takes for the luminance to decay to 95% of the initial luminance under the driving condition of 80mA/cm 2 .

실시예 3-1, 비교예 3-1 및 3-2의 소자 성능 데이터Device performance data of Example 3-1, Comparative Examples 3-1 and 3-2 At 15 mA/cm2 At 15 mA/cm 2 At 80 mA/cm2 At 80 mA/cm 2 CIExCIEx CIEyCIEy 전압 [V]voltage [V] EQE [%]EQE [%] LT95 [h]LT95 [h] 실시예 3-1Example 3-1 0.1370.137 0.0930.093 4.74.7 9.49.4 4040 비교예 3-1Comparative Example 3-1 0.1400.140 0.0970.097 6.16.1 8.78.7 1.31.3 비교예 3-2Comparative Example 3-2 0.1390.139 0.0890.089 4.34.3 9.19.1 2020

실시예 3-1은 p형 전도도핑재료로서 LUMO 에너지준위가 -5.20eV인 화합물 70을 사용하여 정공 수송재료로서 HOMO 에너지준위가 -5.29eV인 화합물 H-176에 도핑하였다. 비교예 3-1은 p형 전도도핑재료로서 LUMO 에너지준위가 -5.06eV인 화합물 PD를 사용하여 정공 수송재료로서 HOMO 에너지준위가 -5.29eV인 화합물 H-176에 도핑하였다. 양자는 색상이 비슷하나, 실시예 3-1의 전압은 비교예 3-1의 전압에 비해 1.4V 낮고 수명은 30배 이상 길어졌다. 이는 비교적 깊은 HOMO 에너지준위를 갖는 정공 수송재료 및 마찬가지로 비교적 깊은 LUMO 에너지준위를 갖는 p형 전도도핑재료를 조합하면, 정공의 주입 및 수송에 유리하고 소자성능이 LUMO 에너지준위가 비교적 얕은 p형 전도도핑재료 및 비교적 깊은 HOMO 에너지준위의 정공 수송재료의 조합보다 우수하다는 것을 설명한다.In Example 3-1, Compound 70 having a LUMO energy level of -5.20 eV was used as a p-type conductive doping material, and Compound H-176 having a HOMO energy level of -5.29 eV was doped as a hole transport material. In Comparative Example 3-1, compound PD having a LUMO energy level of -5.06 eV was used as a p-type conductive doping material, and compound H-176 having a HOMO energy level of -5.29 eV was doped as a hole transport material. Both have similar colors, but the voltage of Example 3-1 is 1.4V lower than the voltage of Comparative Example 3-1, and the lifespan is increased by more than 30 times. This is because when a hole transporting material having a relatively deep HOMO energy level and a p-type conductive doping material having a relatively deep LUMO energy level are combined, it is advantageous for hole injection and transport and the device performance is a p-type conductive doping having a relatively shallow LUMO energy level. It demonstrates superiority to the combination of materials and hole transport materials with relatively deep HOMO energy levels.

LUMO 에너지준위가 얕은 p형 전도도핑재료와 비교적 얕은 HOMO 에너지준위의 정공 수송재료는 더 나은 조합이므로, 본 발명의 실시예도 이와 비교한다. 비교예 3-2는 p형 전도도핑재료로서 LUMO 에너지준위가 -5.06eV인 화합물 PD를 사용하여, 정공 수송재료로서 HOMO 에너지준위가 -5.09eV인 화합물 HT에 도핑하여 정공 주입층으로 하며, 정공 수송층으로서 화합물 HT를 추가하였으나, 화합물 HT의 HOMO 에너지준위는 발광층 BH의 HOMO 에너지준위(-5.66eV)보다 퍼텐셜 장벽이 비교적 크므로, 제2 정공 수송층으로서 화합물 H-176을 추가함으로써 점진적인 위치에너지를 형성하여 발광층으로의 정공의 주입을 돕는다. 해당 소자 구조도 업계에서 자주 사용하는 방법이다. 실시예 3-1의 전압은 비교예 3-2의 전압보다 0.4V 높으나 수명은 2 배로 길어졌다. 이는 비록 LUMO 에너지준위가 얕은 p형 전도도핑재료와 비교적 얕은 HOMO 에너지준위의 정공 수송재료의 조합 및 제2 정공 수송층의 추가로 점진적인 위치에너지를 이용하였으나, 이러한 업계에서 상용하는 방법은 여전히 본 발명의 실시예에 비해 뒤떨어지며, 특히 수명 측면에서 다시금 본 발명의 장점이 부각됨을 설명한다.Since the p-type conductive doping material having a shallow LUMO energy level and a hole transporting material having a relatively shallow HOMO energy level are a better combination, the embodiment of the present invention is also compared thereto. Comparative Example 3-2 uses a compound PD having a LUMO energy level of -5.06 eV as a p-type conductive doping material, and doping a compound HT having a HOMO energy level -5.09 eV as a hole transport material to form a hole injection layer. Although compound HT was added as a transport layer, the HOMO energy level of compound HT has a relatively larger potential barrier than the HOMO energy level (-5.66 eV) of the light emitting layer BH, so by adding compound H-176 as a second hole transport layer, a gradual potential energy It helps to inject holes into the light emitting layer. The device structure is also a method frequently used in the industry. The voltage of Example 3-1 was 0.4V higher than the voltage of Comparative Example 3-2, but the lifetime was doubled. Although this uses a combination of a p-type conductive doping material with a shallow LUMO energy level and a hole transport material with a relatively shallow HOMO energy level and a gradual potential energy with the addition of a second hole transport layer, the method commercially available in this industry is still the method of the present invention. It is inferior to the embodiment, and in particular, it will be explained that the advantages of the present invention are highlighted again in terms of lifespan.

실시예 4-1: 먼저 사전 패턴화된 120nm 두께의 인듐주석산화물(ITO) 양극을 구비하는 0.7mm 두께의 유리기판을 사용하며, 탈이온수와 세제로 기판을 수세척 후, 산소 플라즈마 및 UV 오존으로 ITO 표면을 처리한다. 이어서, 기판을 글로브 박스에서 드라이하여 수분을 제거하고, 브라켓에 장착하여 진공 챔버 내로 전송한다. 약 10-8토르(torr)의 진공도에서 0.1~5Å/s의 속도로 진공 열증착을 통해, 하기 지정된 유기층을 순차적으로 ITO 양극층에 증착시킨다: 화합물 H-124 및 화합물 70을 동시에 증착시켜 정공 주입층(HIL, 97:3, 100Å)으로 하고, 화합물 H-124를 증착시켜 정공 수송층(HTL, 450Å)으로 하며, 화합물 RH 및 화합물 RD를 동시에 증착시켜 발광층(EML, 98:2, 400Å)으로 하고, 화합물 GH2를 증착시켜 정공 차단층(HBL, 50Å)으로 하며, 화합물 ET2 및 8-히드록시퀴놀린-리튬(Liq)을 공증착시켜 전자 수송층(ETL, 40:60, 350Å)으로 하고, 마지막으로 10Å 두께의 Liq를 증착시켜 전자 주입층(EIL)으로 하며 120nm의 알루미늄을 증착시켜 음극으로 한다. 다음, 해당 소자를 글러브 박스로 다시 옮기고 유리 뚜껑(glass lid)을 사용하여 봉입(encapsulate)함으로써 해당 소자를 완성시킨다.Example 4-1: First, a 0.7 mm thick glass substrate having a pre-patterned 120 nm thick indium tin oxide (ITO) anode was used, and the substrate was washed with deionized water and detergent, followed by oxygen plasma and UV ozone. Treat the ITO surface with Then, the substrate is dried in a glove box to remove moisture, mounted on a bracket, and transferred into a vacuum chamber. Through vacuum thermal evaporation at a rate of 0.1 to 5 Å/s at a vacuum degree of about 10 -8 torr, the following designated organic layers are sequentially deposited on the ITO anode layer: Compound H-124 and Compound 70 are simultaneously deposited to form holes Injection layer (HIL, 97:3, 100Å), compound H-124 is deposited to form a hole transport layer (HTL, 450Å), and compound RH and compound RD are simultaneously deposited to light emitting layer (EML, 98:2, 400Å) and depositing compound GH2 to form a hole blocking layer (HBL, 50Å), and co-depositing compound ET2 and 8-hydroxyquinoline-lithium (Liq) to form an electron transport layer (ETL, 40:60, 350Å), Finally, Liq with a thickness of 10 Å is deposited to form an electron injection layer (EIL), and 120 nm aluminum is deposited as a cathode. Next, the device is transferred back to the glove box and encapsulated using a glass lid to complete the device.

비교예 4-1: 화합물 HATCN을 정공 주입층(HIL, 100Å)으로 하는 것, 화합물 HT를 정공 수송층(HTL, 400Å)으로 하는 것 및 화합물 H-124를 제2 정공 수송층(HTL2, 50Å)으로 하는 것 외에는 실시예 4-1의 제조방법과 동일하다.Comparative Example 4-1: Compound HATCN as a hole injection layer (HIL, 100 Å), Compound HT as a hole transport layer (HTL, 400 Å), and Compound H-124 as a second hole transport layer (HTL2, 50 Å) Except that, the manufacturing method of Example 4-1 is the same.

실시예 4-1, 비교예 4-1의 소자 구조Device structure of Example 4-1 and Comparative Example 4-1 소자 IDDevice ID HILHIL HTLHTL HTL2HTL2 EMLEML HBLHBL ETLETL 실시예 4-1Example 4-1 H-124:70 (97:3)(100Å)H-124:70 (97:3) (100 Å) H-124 (450Å)H-124 (450Å) RH:RD (98:2)(400Å)RH:RD (98:2) (400 Å) GH2
(50Å)
GH2
(50Å)
ET2 : Liq (40:60) (350Å)ET2 : Liq (40:60) (350Å)
비교예 4-1Comparative Example 4-1 HATCN
(100Å)
HATCN
(100Å)
HT
(400Å)
HT
(400Å)
H-124
(50Å)
H-124
(50Å)
RH:RD (98:2)(400Å)RH:RD (98:2) (400 Å) GH2
(50Å)
GH2
(50Å)
ET2 : Liq (40:60) (350Å)ET2 : Liq (40:60) (350Å)

화합물 HATCN, RH, RD, GH2, ET2의 예시는 아래와 같다:Examples of compounds HATCN, RH, RD, GH2, ET2 are as follows:

Figure pat00025
Figure pat00025

표 8에서는 실시예 4-1과 비교예 4-1의 소자성능을 요약하였다. 여기서 색좌표, 양자 효율 및 전압은 15mA/cm2의 전류밀도에서 측정되며, 소자 수명(LT95)은 80mA/cm2의 구동조건에서 휘도가 초기휘도의 95%까지 감쇠하는데 걸리는 시간을 측정한 것이다.Table 8 summarizes the device performance of Example 4-1 and Comparative Example 4-1. Here, the color coordinates, quantum efficiency, and voltage are measured at a current density of 15mA/cm 2 , and the device lifetime (LT95) is a measurement of the time it takes for the luminance to decay to 95% of the initial luminance under the driving condition of 80mA/cm 2 .

실시예 4-1, 비교예 4-1의 소자 성능 데이터Device performance data of Example 4-1 and Comparative Example 4-1 At 15 mA/cm2 At 15 mA/cm 2 At 80 mA/cm2 At 80 mA/cm 2 CIExCIEx CIEyCIEy 전압 [V]voltage [V] EQE [%]EQE [%] LT95 [h]LT95 [h] 실시예 4-1Example 4-1 0.6820.682 0.3170.317 4.84.8 22.922.9 160160 비교예 4-1Comparative Example 4-1 0.6810.681 0.3170.317 4.84.8 23.223.2 140140

실시예 4-1은 적색광 소자에서, p형 전도도핑재료로서 LUMO 에너지준위가 -5.20eV인 화합물 70을 사용하여 정공 수송재료로서 HOMO 에너지준위가 -5.29eV인 화합물 H-124에 도핑하였다. 비교예 4-1은 업계에서 상용하는 적색광 소자 구조이며, 소자 데이터로부터 이가 업계 내에서 비교적 높은 적색광 소자 성능을 달성하였음을 알 수 있다. 비교예 4-1과 비교하되 색상을 확보하는 전제하에서 실시예 4-1의 전압, 효율은 거의 유지되며 수명은 14% 향상되었다. 즉, 비교적 깊은 HOMO 에너지준위를 갖는 정공 수송재료 및 마찬가지로 비교적 깊은 LUMO 에너지준위를 갖는 p형 전도도핑재료를 조합하여 사용한 간단한 소자 구조를 이용하면, 적색광 소자에서도 소자 성능을 현저히 향상시킬 수 있으며, 특히 소자 수명 측면에서 현저히 향상시킬 수 있다.In Example 4-1, in a red light device, Compound 70 having a LUMO energy level of -5.20 eV was used as a p-type conductive doping material, and Compound H-124 having a HOMO energy level of -5.29 eV was doped as a hole transport material. Comparative Example 4-1 has a structure of a red light device used in the industry, and it can be seen from the device data that it achieved relatively high red light device performance in the industry. Compared with Comparative Example 4-1, but under the premise of securing the color, the voltage and efficiency of Example 4-1 were almost maintained, and the lifespan was improved by 14%. That is, by using a simple device structure using a combination of a hole transporting material having a relatively deep HOMO energy level and a p-type conductive doping material having a relatively deep LUMO energy level as well, the device performance can be significantly improved even in a red light device. It can be significantly improved in terms of device lifetime.

실시예 5-1: 모든 화합물 H-124를 모두 화합물 H-176으로 대체하는 것 외에는, 실시예 4-1의 제조방법과 동일하다.Example 5-1: It is the same as the preparation method of Example 4-1, except that all compounds H-124 were replaced with all compounds H-176.

비교예 5-1: 화합물 HATCN을 정공 주입층(HIL, 100Å)으로 하는 것, 화합물 HT를 정공 수송층(HTL, 400Å)으로 하는 것 및 화합물 H-176을 제2 정공 수송층(HTL2, 50Å)으로 하는 것 외에는, 실시예 5-1의 제조방법과 동일하다.Comparative Example 5-1: Compound HATCN as a hole injection layer (HIL, 100 Å), compound HT as a hole transport layer (HTL, 400 Å), and Compound H-176 as a second hole transport layer (HTL2, 50 Å) Except that, it is the same as the manufacturing method of Example 5-1.

실시예 5-1, 비교예 5-1의 소자 구조Device structure of Example 5-1 and Comparative Example 5-1 소자 IDDevice ID HILHIL HTLHTL HTL2HTL2 EMLEML HBLHBL ETLETL 실시예 5-1Example 5-1 H-176:70 (97:3)(100Å)H-176:70 (97:3) (100 Å) H-176 (450Å)H-176 (450Å) RH:RD (98:2)(400Å)RH:RD (98:2) (400 Å) GH2
(50Å)
GH2
(50Å)
ET2 : Liq (40:60) (350Å)ET2 : Liq (40:60) (350Å)
비교예 5-1Comparative Example 5-1 HATCN
(100Å)
HATCN
(100Å)
HT
(400Å)
HT
(400Å)
H-176
(50Å)
H-176
(50Å)
RH:RD (98:2)(400Å)RH:RD (98:2) (400 Å) GH2
(50Å)
GH2
(50Å)
ET2 : Liq (40:60) (350Å)ET2 : Liq (40:60) (350Å)

표 10에서는 실시예 5-1과 비교예 5-1의 소자성능을 요약하였다. 여기서 색좌표, 양자 효율 및 전압은 15mA/cm2의 전류밀도에서 측정되며, 소자 수명(LT95)은 80mA/cm2의 구동조건에서 휘도가 초기휘도의 95%까지 감쇠하는데 걸리는 시간을 측정한 것이다.Table 10 summarizes the device performance of Example 5-1 and Comparative Example 5-1. Here, the color coordinates, quantum efficiency, and voltage are measured at a current density of 15mA/cm 2 , and the device lifetime (LT95) is a measurement of the time it takes for the luminance to decay to 95% of the initial luminance under the driving condition of 80mA/cm 2 .

실시예 5-1, 비교예 5-1의 소자 성능 데이터Device performance data of Example 5-1 and Comparative Example 5-1 At 15 mA/cm2 At 15 mA/cm 2 At 80 mA/cm2 At 80 mA/cm 2 CIExCIEx CIEyCIEy 전압 [V]voltage [V] EQE [%]EQE [%] LT95 [h]LT95 [h] 실시예 5-1Example 5-1 0.6810.681 0.3180.318 4.84.8 23.723.7 150150 비교예 5-1Comparative Example 5-1 0.6810.681 0.3170.317 4.84.8 23.623.6 135135

실시예 5-1은 적색광 소자에서, p형 전도도핑재료로서 LUMO 에너지준위가 -5.20eV인 화합물 70을 사용하여 정공 수송재료로서 HOMO 에너지준위가 -5.29eV인 화합물 H-176에 도핑하였다. 비교예 5-1은 업계에서 상용하는 적색광 소자 구조이며, 소자 데이터로부터 이가 업계 내에서 비교적 높은 적색광 소자 성능을 달성하였음을 알 수 있다. 비교예 5-1과 비교하되 색상을 확보하는 전제하에서 실시예 5-1의 전압, 효율은 거의 유지되며 수명은 11% 향상되었다. 즉, 비교적 깊은 HOMO 에너지준위를 갖는 정공 수송재료 및 마찬가지로 비교적 깊은 LUMO 에너지준위를 갖는 p형 전도도핑재료를 조합하여 사용한 간단한 소자 구조를 이용하면, 적색광 소자에서도 소자 성능을 현저히 향상시킬 수 있으며, 특히 소자 수명 측면에서 현저히 향상시킬 수 있음을 추가로 입증한다.In Example 5-1, Compound 70 having a LUMO energy level of -5.20 eV was used as a p-type conductive doping material in a red light device, and Compound H-176 having a HOMO energy level of -5.29 eV was doped as a hole transport material. Comparative Example 5-1 has a structure of a red light device used in the industry, and it can be seen from the device data that it achieved relatively high red light device performance in the industry. Compared with Comparative Example 5-1, but under the premise of securing the color, the voltage and efficiency of Example 5-1 were almost maintained, and the lifespan was improved by 11%. That is, by using a simple device structure using a combination of a hole transporting material having a relatively deep HOMO energy level and a p-type conductive doping material having a relatively deep LUMO energy level as well, the device performance can be significantly improved even in a red light device. It further demonstrates that significant improvements can be made in terms of device lifetime.

종합하면, 비교적 깊은 HOMO 에너지준위를 갖는 정공 수송재료 및 마찬가지로 비교적 깊은 LUMO 에너지준위를 갖는 p형 전도도핑재료를 조합하면, 정공의 주입 및 수송에 유리하고 소자성능이 LUMO 에너지준위가 얕은 p형 전도도핑재료 및 비교적 깊은 HOMO 에너지준위의 정공 수송재료의 조합보다 우수하다. 그리고, 본 발명의 조합은 여러 종류의 유기 전계발광소자에 응용되면 모두 소자 성능을 효과적으로 향상시킬 수 있으며, 이는 개발 잠재력이 비교적 큰 재료 조합이다.In summary, combining a hole transporting material having a relatively deep HOMO energy level and a p-type conducting doping material having a relatively deep LUMO energy level is advantageous for hole injection and transport and device performance is improved by a p-type conduction having a shallow LUMO energy level. It is superior to the combination of the doping material and the hole transport material with a relatively deep HOMO energy level. And, when the combination of the present invention is applied to various kinds of organic electroluminescent devices, all of them can effectively improve device performance, which is a material combination with a relatively large development potential.

본문에 기재된 다양한 실시예는 단지 예시일뿐이며 본 발명의 범위를 한정하려는 의도가 아님을 이해해야 한다. 따라서, 청구하려는 본 발명은 본문에 기재된 구체적인 실시예 및 바람직한 실시예의 변경을 포함할 수 있다는 것은 본 분야 당업자에게 자명한 것이다. 본문에 기재된 재료 및 구조에서의 다수는 본 발명의 사상을 벗어나지 않는 한, 기타 재료 및 구조로 대체하여 사용할 수 있다. 본 발명이 작용되는 이유에 대한 다양한 이론은 한정적인 것이 아님을 이해해야 한다.It should be understood that the various embodiments described herein are illustrative only and are not intended to limit the scope of the present invention. Accordingly, it will be apparent to those skilled in the art that the claimed invention may include modifications of the specific and preferred embodiments described herein. Many of the materials and structures described herein may be substituted for other materials and structures without departing from the spirit of the present invention. It should be understood that the various theories as to why the present invention works are not limiting.

Claims (21)

양극;
음극;
양극과 음극 사이에 배치된 발광층; 및
양극과 발광층 사이에 배치된 제1 유기층; 을 포함하고,
여기서, 상기 제1 유기층은 식 1의 화합물과 식 2의 화합물을 함유하며,
Figure pat00026

여기서 식 1에서,
X 및 Y는 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 NR', CR''R"', O, S 또는 Se에서 선택되고;
Z1 및 Z2는 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 O, S 또는 Se에서 선택되며;
R, R', R" 및 R"'은 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 수소, 듀테륨, 할로겐, 니트로소기, 니트로기, 아실기, 카르보닐기, 카르복실산기, 에스테르기, 시아노기, 이소시아노기, SCN, OCN, SF5, 보라닐기(Boranyl), 술피닐기, 술포닐기, 포스포로소기(phosphoroso), 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬기, 3~20 개의 고리탄소원자(ring carbon atoms)를 갖는 치환 또는 비치환된 시클로알킬기(cycloalkyl group), 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로알킬기, 7~30 개의 탄소원자수를 갖는 치환 또는 비치환된 아랄킬기, 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알콕시기, 6~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴옥시기, 2~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알케닐기, 2~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알키닐기, 6~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴기, 3~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기, 3~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬실릴기(alkylsilyl group), 6~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴실릴기(arylsilyl group) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되며;
각 R은 동일하거나 상이할 수 있으며, R, R', R" 및 R"' 중 적어도 하나는 적어도 하나의 전자 흡인기를 갖는 그룹이고;
식 1에서 인접한 치환기는 임의로 연결되어 고리를 형성할 수 있으며;
Figure pat00027

여기서, 식 2에서,
X1~X8은 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 CR1 또는 N에서 선택되고;
L은 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 6~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴렌기, 3~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴렌기 또는 이들의 조합에서 선택되며;
Ar1 및 Ar2는 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 6~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴기, 3~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기에서 선택되고;
R1은 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 수소, 듀테륨, 할로겐, 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬기, 3~20 개의 고리탄소원자(ring carbon atoms)를 갖는 치환 또는 비치환된 시클로알킬기(cycloalkyl group), 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로알킬기, 7~30 개의 탄소원자수를 갖는 치환 또는 비치환된 아랄킬기, 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알콕시기, 6~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴옥시기, 2~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알케닐기, 6~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴기, 3~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기, 3~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬실릴기(alkylsilyl group), 6~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴실릴기(arylsilyl group), 0~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아민기, 아실기, 카르보닐기, 카르복실산기, 에스테르기, 니트릴기, 이소니트릴기, 티올기(thiol group), 술피닐기, 술포닐기, 포스피노기 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되며;
식 2에서 인접한 치환기는 임의로 연결되어 고리를 형성할 수 있는 유기 전계발광소자.
anode;
cathode;
a light emitting layer disposed between the anode and the cathode; and
a first organic layer disposed between the anode and the light emitting layer; including,
Here, the first organic layer contains a compound of Formula 1 and a compound of Formula 2,
Figure pat00026

Here in Equation 1,
X and Y, identically or differently each time they appear, are selected from NR', CR''R"', O, S or Se;
Z 1 and Z 2 are identically or differently each time they appear are selected from O, S or Se;
R, R', R" and R"' are identically or differently each time they appear hydrogen, deuterium, halogen, nitroso group, nitro group, acyl group, carbonyl group, carboxylic acid group, ester group, cyano group, isocyano group, SCN, OCN, SF 5 , boranyl group, sulfinyl group, sulfonyl group, phosphoroso group, substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, 3 to 20 ring carbon atoms atoms), a substituted or unsubstituted heteroalkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted aralkyl group having 7 to 30 carbon atoms, 1 to 20 A substituted or unsubstituted alkoxy group having 6 to 30 carbon atoms, a substituted or unsubstituted aryloxy group having 6 to 30 carbon atoms, a substituted or unsubstituted alkenyl group having 2 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted alkenyl group having 2 to 20 carbon atoms A substituted or unsubstituted alkynyl group, a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 carbon atoms, a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 3 to 30 carbon atoms, a substituted or unsubstituted group having 3 to 20 carbon atoms selected from the group consisting of an alkylsilyl group, a substituted or unsubstituted arylsilyl group having 6 to 20 carbon atoms, and combinations thereof;
each R can be the same or different, and at least one of R, R', R" and R"' is a group having at least one electron withdrawing group;
Adjacent substituents in Formula 1 may be optionally linked to form a ring;
Figure pat00027

Here, in Equation 2,
X 1 to X 8 are identically or differently selected from CR 1 or N whenever they appear;
L is, identically or differently, each occurrence selected from a substituted or unsubstituted arylene group having 6 to 30 carbon atoms, a substituted or unsubstituted heteroarylene group having 3 to 30 carbon atoms, or a combination thereof;
Ar 1 and Ar 2 , identically or differently each time they appear, are selected from a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 carbon atoms, a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 3 to 30 carbon atoms;
R 1 is identically or differently each time it appears hydrogen, deuterium, halogen, substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, substituted or unsubstituted cyclo having 3 to 20 ring carbon atoms A cycloalkyl group, a substituted or unsubstituted heteroalkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted aralkyl group having 7 to 30 carbon atoms, a substituted or unsubstituted alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms group, a substituted or unsubstituted aryloxy group having 6 to 30 carbon atoms, a substituted or unsubstituted alkenyl group having 2 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 carbon atoms, 3~ A substituted or unsubstituted heteroaryl group having 30 carbon atoms, a substituted or unsubstituted alkylsilyl group having 3 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted arylsilyl group having 6 to 20 carbon atoms ( arylsilyl group), a substituted or unsubstituted amine group having 0 to 20 carbon atoms, an acyl group, a carbonyl group, a carboxylic acid group, an ester group, a nitrile group, an isonitrile group, a thiol group, a sulfinyl group, a sulfonyl group , is selected from the group consisting of a phosphino group and combinations thereof;
In Formula 2, adjacent substituents are optionally connected to an organic electroluminescent device that can form a ring.
제 1 항에 있어서,
X 및 Y는 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 CR''R"' 또는 NR'에서 선택되고, R', R" 및 R"'는 적어도 하나의 전자 흡인기를 갖는 그룹이며; 바람직하게는, R, R', R" 및 R"'는 적어도 하나의 전자 흡인기를 갖는 그룹인 유기 전계발광소자.
The method of claim 1,
X and Y are, identically or differently, each occurrence selected from CR''R"' or NR', and R', R" and R"' are groups having at least one electron withdrawing group; preferably, R, R', R" and R"' are groups having at least one electron withdrawing group.
제 1 항에 있어서,
X 및 Y는 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 O, S 또는 Se에서 선택되고, R 중 적어도 하나는 적어도 하나의 전자 흡인기를 갖는 그룹이고; 바람직하게 R은 모두 적어도 하나의 전자 흡인기를 갖는 그룹인 유기 전계발광소자.
The method of claim 1,
X and Y are identically or differently selected from O, S or Se at each occurrence, and at least one of R is a group having at least one electron withdrawing group; Preferably, all R is a group having at least one electron withdrawing group.
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 전자 흡인기의 Hammett 상수는 0.05 이상이고 바람직하게는 0.3 이상이며 더 바람직하게는 0.5 이상인 유기 전계발광소자.
4. The method according to any one of claims 1 to 3,
The Hammett constant of the electron withdrawing group is 0.05 or more, preferably 0.3 or more, and more preferably 0.5 or more.
제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 전자 흡인기는 할로겐; 니트로소기; 니트로기; 아실기; 카르보닐기; 카르복실산기; 에스테르기; 시아노기; 이소시아노기; SCN; OCN; SF5; 보라닐기(Boranyl); 술피닐기; 술포닐기; 포스포로소기(phosphoroso); 아자방향족고리; 및 할로겐, 니트로소기, 니트로기, 아실기, 카르보닐기, 카르복실산기, 에스테르기, 시아노기, 이소시아노기, SCN, OCN, SF5, 보라닐기(Boranyl), 술피닐기, 술포닐기, 포스포로소기(phosphoroso), 아자방향족고리 중의 하나 또는 복수 개로 치환된 하기 임의의 하나의 그룹: 1~20 개의 탄소원자를 갖는 알킬기, 3~20 개의 고리탄소원자(ring carbon atoms)를 갖는 시클로알킬기(cycloalkyl group), 1~20 개의 탄소원자를 갖는 헤테로알킬기, 7~30 개의 탄소원자를 갖는 아랄킬기, 1~20 개의 탄소원자를 갖는 알콕시기, 6~30 개의 탄소원자를 갖는 아릴옥시기, 2~20 개의 탄소원자를 갖는 알케닐기, 2~20 개의 탄소원자를 갖는 아키닐기, 6~30 개의 탄소원자를 갖는 아릴기, 3~30 개의 탄소원자를 갖는 헤테로아릴기, 3~20 개의 탄소원자를 갖는 알킬실릴기(alkylsilyl group), 6~20 개의 탄소원자를 갖는 아릴실릴기(arylsilyl group); 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되며;
바람직하게는, 상기 전자 흡인기는 F, CF3, OCF3, SF5, SO2CF3, 시아노기, 이소시아노기, SCN, OCN, 피리미딜기, 트리아지닐기 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 유기 전계발광소자.
5. The method according to any one of claims 1 to 4,
The electron withdrawing group is halogen; nitroso group; nitro group; acyl group; carbonyl group; carboxylic acid group; ester group; cyano group; isocyano group; SCN; OCN; SF 5 ; Boranyl group (Boranyl); sulfinyl group; sulfonyl group; phosphoroso group; aza aromatic ring; and halogen, nitroso group, nitro group, acyl group, carbonyl group, carboxylic acid group, ester group, cyano group, isocyano group, SCN, OCN, SF5, boranyl group, sulfinyl group, sulfonyl group, phosphoroso group ( phosphoroso), any one of the following groups substituted with one or a plurality of azaaromatic rings: an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a cycloalkyl group having 3 to 20 ring carbon atoms, A heteroalkyl group having 1 to 20 carbon atoms, an aralkyl group having 7 to 30 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms, an aryloxy group having 6 to 30 carbon atoms, an alkenyl group having 2 to 20 carbon atoms , an aquinyl group having 2 to 20 carbon atoms, an aryl group having 6 to 30 carbon atoms, a heteroaryl group having 3 to 30 carbon atoms, an alkylsilyl group having 3 to 20 carbon atoms, 6 to 20 an arylsilyl group having two carbon atoms; and combinations thereof;
Preferably, the electron withdrawing group is from the group consisting of F, CF 3 , OCF 3 , SF 5 , SO 2 CF 3 , cyano group, isocyano group, SCN, OCN, pyrimidyl group, triazinyl group, and combinations thereof. Organic electroluminescent device of choice.
제 1 항, 제 4 항, 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
X 및 Y는 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 아래의 구조로 이루어진 군에서 선택되는 유기 전계발광소자:
Figure pat00028

Figure pat00029

여기서, R2는 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 수소, 듀테륨, 할로겐, 니트로소기, 니트로기, 아실기, 카르보닐기, 카르복실산기, 에스테르기, 시아노기, 이소시아노기, SCN, OCN, SF5, 보라닐기(Boranyl), 술피닐기, 술포닐기, 포스포로소기(phosphoroso), 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬기, 3~20 개의 고리탄소원자(ring carbon atoms)를 갖는 치환 또는 비치환된 시클로알킬기(cycloalkyl group), 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로알킬기, 7~30 개의 탄소원자수를 갖는 치환 또는 비치환된 아랄킬기, 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알콕시기, 6~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴옥시기, 2~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알케닐기, 2~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아키닐기, 6~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴기, 3~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기, 3~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬실릴기(alkylsilyl group), 6~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴실릴기(arylsilyl group) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되고;
바람직하게, R2는 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 F, CF3, OCF3, SF5, SO2CF3, 시아노기, 이소시아노기, SCN, OCN, 펜타플루오로페닐기, 4-시아노테트라플루오로페닐기, 테트라플루오로피리딜기, 피리미딜기, 트리아지닐기 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되며;
여기서, V 및 W는 나타낼 때마다 동일하거나 상이하게 CRvRw, NRv, O, S 또는 Se에서 선택되며;
여기서, Ar은 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 6~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴기 또는 3~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기에서 선택되고;
여기서, A, Ra, Rb, Rc, Rd, Re, Rf, Rg, Rh, Rv 및 Rw는 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 수소, 듀테륨, 할로겐, 니트로소기, 니트로기, 아실기, 카르보닐기, 카르복실산기, 에스테르기, 시아노기, 이소시아노기, SCN, OCN, SF5, 보라닐기(Boranyl), 술피닐기, 술포닐기, 포스포로소기(phosphoroso), 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬기, 3~20 개의 고리탄소원자(ring carbon atoms)를 갖는 치환 또는 비치환된 시클로알킬기(cycloalkyl group), 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로알킬기, 7~30 개의 탄소원자수를 갖는 치환 또는 비치환된 아랄킬기, 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알콕시기, 6~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴옥시기, 2~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알케닐기, 2~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아키닐기, 6~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴기, 3~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기, 3~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬실릴기(alkylsilyl group), 6~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴실릴기(arylsilyl group) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되며;
여기서, A는 적어도 하나의 전자 흡인기를 갖는 그룹이며, 상기 임의의 구조에 있어서, Ra, Rb, Rc, Rd, Re, Rf, Rg, Rh, Rv 및 Rw 중의 하나 또는 복수 개가 나타날 경우, Ra, Rb, Rc, Rd, Re, Rf, Rg, Rh, Rv 및 Rw 중의 적어도 하나는, 적어도 하나의 전자 흡인기를 갖는 그룹이며; 바람직하게, 상기 적어도 하나의 전자 흡인기를 갖는 그룹은 F, CF3, OCF3, SF5, SO2CF3, 시아노기, 이소시아노기, SCN, OCN, 펜타플루오로페닐기, 4-시아노테트라플루오로페닐기, 테트라플루오로피리딜기, 피리미딜기, 트리아지닐기 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되며;
여기서, "*"는 상기 X 및 Y 그룹이 식 1에서의 데하이드로벤조디옥사졸 고리, 데하이드로벤조디티아졸 고리 또는 데하이드로벤조디티아졸 고리와 연결되는 위치를 나타낸다.
6. The method of any one of claims 1, 4, 5,
X and Y are the same or different whenever they appear organic electroluminescent device selected from the group consisting of:
Figure pat00028

Figure pat00029

Here, R 2 is the same or different whenever it appears hydrogen, deuterium, halogen, nitroso group, nitro group, acyl group, carbonyl group, carboxylic acid group, ester group, cyano group, isocyano group, SCN, OCN, SF5, purple Nyl group (Boranyl), sulfinyl group, sulfonyl group, phosphoroso group (phosphoroso), substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, substituted or unsubstituted having 3 to 20 ring carbon atoms cycloalkyl group, substituted or unsubstituted heteroalkyl group having 1 to 20 carbon atoms, substituted or unsubstituted aralkyl group having 7 to 30 carbon atoms, substituted or unsubstituted having 1 to 20 carbon atoms an alkoxy group, a substituted or unsubstituted aryloxy group having 6 to 30 carbon atoms, a substituted or unsubstituted alkenyl group having 2 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted aquinyl group having 2 to 20 carbon atoms, A substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 carbon atoms, a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 3 to 30 carbon atoms, a substituted or unsubstituted alkylsilyl group having 3 to 20 carbon atoms , is selected from the group consisting of a substituted or unsubstituted arylsilyl group having 6 to 20 carbon atoms and combinations thereof;
Preferably, R 2 is identically or differently each time it appears F, CF 3 , OCF 3 , SF 5 , SO 2 CF 3 , cyano group, isocyano group, SCN, OCN, pentafluorophenyl group, 4-cyanotetra It is selected from the group consisting of a fluorophenyl group, a tetrafluoropyridyl group, a pyrimidyl group, a triazinyl group, and combinations thereof;
wherein V and W are identically or differently each time they appear selected from CR v R w , NR v , O, S or Se;
wherein Ar is, identically or differently each time it appears, selected from a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 carbon atoms or a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 3 to 30 carbon atoms;
where A, R a , R b , R c , R d , Re e , R f , R g , R h , R v and R w are identically or differently each time they appear hydrogen, deuterium, halogen, nitroso group, Nitro group, acyl group, carbonyl group, carboxylic acid group, ester group, cyano group, isocyano group, SCN, OCN, SF 5 , boranyl group, sulfinyl group, sulfonyl group, phosphoroso group, 1- A substituted or unsubstituted alkyl group having 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted cycloalkyl group having 3 to 20 ring carbon atoms, a substituted or unsubstituted group having 1 to 20 carbon atoms a heteroalkyl group, a substituted or unsubstituted aralkyl group having 7 to 30 carbon atoms, a substituted or unsubstituted alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted aryloxy group having 6 to 30 carbon atoms, A substituted or unsubstituted alkenyl group having 2 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted aquinyl group having 2 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 carbon atoms, 3 to 30 carbon atoms A substituted or unsubstituted heteroaryl group having a character, a substituted or unsubstituted alkylsilyl group having 3 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted arylsilyl group having 6 to 20 carbon atoms and combinations thereof;
wherein A is a group having at least one electron withdrawing group, and in any of the above structures, R a , R b , R c , R d , Re e , R f , R g , R h , R v and R w When one or more of R a , R b , R c , R d , Re , R f , R g , R h , R v and R w are present, at least one of R a , R b , R c , R d , R g , R h , R v and R w is a group having at least one electron withdrawing group is; Preferably, the group having at least one electron withdrawing group is F, CF 3 , OCF 3 , SF 5 , SO 2 CF 3 , cyano group, isocyano group, SCN, OCN, pentafluorophenyl group, 4-cyanotetra It is selected from the group consisting of a fluorophenyl group, a tetrafluoropyridyl group, a pyrimidyl group, a triazinyl group, and combinations thereof;
Here, "*" represents a position where the X and Y groups are connected to the dehydrobenzodioxazole ring, dehydrobenzodithiazole ring or dehydrobenzodithiazole ring in Formula 1.
제 1 항, 제 4 항, 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
X 및 Y는 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 아래의 구조로 이루어진 군에서 선택되며:
Figure pat00030

여기서, "*"는 상기 X 및 Y 그룹이 식 1에서의 데하이드로벤조디옥사졸 고리, 데하이드로벤조디티아졸 고리 또는 데하이드로벤조디티아졸 고리와 연결되는 위치를 나타내는 유기 전계발광소자.
6. The method of any one of claims 1, 4, 5,
X and Y, identically or differently whenever they appear, are selected from the group consisting of:
Figure pat00030

Here, "*" represents a position in which the X and Y groups are connected to a dehydrobenzodioxazole ring, a dehydrobenzodithiazole ring or a dehydrobenzodithiazole ring in Formula 1;
제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
R은 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 수소; 듀테륨; 할로겐; 니트로소기; 니트로기; 아실기; 카르보닐기; 카르복실산기; 에스테르기; 시아노기; 이소시아노기; SCN; OCN; SF5; 보라닐기(Boranyl); 술피닐기; 술포닐기; 포스포로소기(phosphoroso); 1~20 개의 탄소원자를 갖는 비치환된 알킬기; 3~20 개의 고리탄소원자(ring carbon atoms)를 갖는 비치환된 시클로알킬기(cycloalkyl group); 1~20 개의 탄소원자를 갖는 비치환된 알콕시기; 2~20 개의 탄소원자를 갖는 비치환된 알케닐기; 6~30 개의 탄소원자를 갖는 비치환된 아릴기; 3~30 개의 탄소원자를 갖는 비치환된 헤테로아릴기; 및 할로겐, 니트로소기, 니트로기, 아실기, 카르보닐기, 카르복실산기, 에스테르기, 시아노기, 이소시아노기, SCN, OCN, SF5, 보라닐기(Boranyl), 술피닐기, 술포닐기 및 포스포로소기(phosphoroso) 중의 하나 또는 복수 개로 치환된 하기 임의의 하나의 그룹: 1~20 개의 탄소원자를 갖는 알킬기, 3~20 개의 고리탄소원자(ring carbon atoms)를 갖는 시클로알킬기(cycloalkyl group), 1~20 개의 탄소원자를 갖는 알콕시기, 2~20 개의 탄소원자를 갖는 알케닐기, 6~30 개의 탄소원자를 갖는 아릴기, 3~30 개의 탄소원자를 갖는 헤테로아릴기 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되며;
바람직하게, R은 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 수소; 듀테륨; 메틸기; 이소프로필기; NO2; SO2CH3; SCF3; C2F5; OC2F5; OCH3; 디페닐메틸실릴기; 페닐기; 메톡시페닐기; p-메틸페닐기; 2,6-디이소프로필페닐기; 비페닐기; 폴리플루오로페닐기; 디플루오로피리딜기; 니트로페닐기; 디메틸티아졸기; CN 또는 CF3 중의 하나 또는 복수 개로 치환된 비닐기; CN 또는 CF3 중의 하나로 치환된 에티닐기; 디메틸포스포노옥시; 디페닐포스포노옥시; F; CF3; OCF3; SF5; SO2CF3; 시아노기; 이소시아노기; SCN; OCN; 트리플루오로메틸페닐기; 트리플루오로메톡시페닐기; 비스(트리플루오로메틸)페닐기; 비스(트리플루오로메톡시)페닐기; 4-시아노테트라플루오로페닐기; F, CN 또는 CF3 중의 하나 또는 복수 개로 치환된 페닐기 또는 비페닐기; 테트라플루오로피리딜기; 피리미딜기; 트리아지닐기; 디페닐보라닐기; 옥사보라안트릴기(Oxaboraanthryl); 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 유기 전계발광소자.
8. The method according to any one of claims 1 to 7,
R is identically or differently each time it appears hydrogen; deuterium; halogen; nitroso group; nitro group; acyl group; carbonyl group; carboxylic acid group; ester group; cyano group; isocyano group; SCN; OCN; SF 5 ; Boranyl group (Boranyl); sulfinyl group; sulfonyl group; phosphoroso group; an unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms; an unsubstituted cycloalkyl group having 3 to 20 ring carbon atoms; an unsubstituted alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms; an unsubstituted alkenyl group having 2 to 20 carbon atoms; an unsubstituted aryl group having 6 to 30 carbon atoms; an unsubstituted heteroaryl group having 3 to 30 carbon atoms; and halogen, nitroso group, nitro group, acyl group, carbonyl group, carboxylic acid group, ester group, cyano group, isocyano group, SCN, OCN, SF 5 , boranyl group, sulfinyl group, sulfonyl group and phosphoroso group (phosphoroso) any one of the following groups substituted with one or a plurality of groups: an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a cycloalkyl group having 3 to 20 ring carbon atoms, 1 to 20 an alkoxy group having 2 carbon atoms, an alkenyl group having 2 to 20 carbon atoms, an aryl group having 6 to 30 carbon atoms, a heteroaryl group having 3 to 30 carbon atoms, and combinations thereof;
Preferably, R is identically or differently each time it appears hydrogen; deuterium; methyl group; isopropyl group; NO 2 ; SO 2 CH 3 ; SCF 3 ; C 2 F 5 ; OC 2 F 5 ; OCH 3 ; diphenylmethylsilyl group; phenyl group; methoxyphenyl group; p-methylphenyl group; 2,6-diisopropylphenyl group; biphenyl group; polyfluorophenyl group; difluoropyridyl group; nitrophenyl group; dimethylthiazole group; a vinyl group substituted with one or a plurality of CN or CF 3 ; an ethynyl group substituted with one of CN or CF 3 ; dimethylphosphonooxy; diphenylphosphonooxy; F; CF 3 ; OCF 3 ; SF 5 ; SO 2 CF 3 ; cyano group; isocyano group; SCN; OCN; trifluoromethylphenyl group; trifluoromethoxyphenyl group; a bis(trifluoromethyl)phenyl group; bis(trifluoromethoxy)phenyl group; 4-cyanotetrafluorophenyl group; a phenyl group or a biphenyl group substituted with one or more of F, CN, or CF 3 ; tetrafluoropyridyl group; pyrimidyl group; triazinyl group; diphenyl boranyl group; Oxaboraanthryl group (Oxaboraanthryl); And an organic electroluminescent device selected from the group consisting of combinations thereof.
제 8 항에 있어서,
X 및 Y는
Figure pat00031
인 유기 전계발광소자.
9. The method of claim 8,
X and Y are
Figure pat00031
Phosphorus organic electroluminescent device.
제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,
R은 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 아래의 구조로 이루어진 군에서 선택되는 유기 전계발광소자:
Figure pat00032

Figure pat00033

Figure pat00034

Figure pat00035

Figure pat00036

Figure pat00037

Figure pat00038

Figure pat00039

Figure pat00040

Figure pat00041

Figure pat00042

바람직하게는, 식 1로 표시된 하나의 화합물 중 2 개의 R은 동일하며;
여기서, "
Figure pat00043
"는 상기 R 그룹이 식 1에서의 데하이드로벤조디옥사졸 고리, 데하이드로벤조디티아졸 고리 또는 데하이드로벤조디티아졸 고리와 연결되는 위치를 나타낸다.
10. The method according to any one of claims 1 to 9,
R is the same or different whenever it appears organic electroluminescent device selected from the group consisting of the following structures:
Figure pat00032

Figure pat00033

Figure pat00034

Figure pat00035

Figure pat00036

Figure pat00037

Figure pat00038

Figure pat00039

Figure pat00040

Figure pat00041

Figure pat00042

Preferably, two R in one compound represented by formula 1 are the same;
here, "
Figure pat00043
" represents the position at which the R group is connected to the dehydrobenzodioxazole ring, dehydrobenzodithiazole ring or dehydrobenzodithiazole ring in Formula 1.
제 10 항에 있어서,
상기 식 1의 화합물은 식 3으로 표시된 구조를 구비하며;
Figure pat00044

식 3 중의 2 개의 Z 구조는 동일하고, 2 개의 R 구조는 동일하거나 상이하며, 상기 Z, X, Y, R은 각각 아래 표에 나타난 원자 또는 그룹에서 선택된 것에 대응되며;
여기서, 식 3 구조를 갖는 화합물은 아래 화합물로 이루어진 군에서 선택되는 유기 전계발광소자:
Figure pat00045

Figure pat00046

Figure pat00047

Figure pat00048

Figure pat00049

Figure pat00050

Figure pat00051

Figure pat00052

Figure pat00053

Figure pat00054

Figure pat00055

Figure pat00056

Figure pat00057

Figure pat00058


Figure pat00059

Figure pat00060

Figure pat00061

Figure pat00062

Figure pat00063

Figure pat00064
11. The method of claim 10,
The compound of Formula 1 has a structure represented by Formula 3;
Figure pat00044

two Z structures in Formula 3 are the same, and two R structures are the same or different, wherein Z, X, Y, and R correspond to each selected from the atoms or groups shown in the table below;
Here, the compound having the structure of Formula 3 is an organic electroluminescent device selected from the group consisting of the following compounds:
Figure pat00045

Figure pat00046

Figure pat00047

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제 1 항에 있어서,
L는치환 또는 비치환된 페닐렌기, 치환 또는 비치환된 비페닐렌기, 치환 또는 비치환된 터페닐렌기, 치환 또는 비치환된 나프틸렌기, 치환 또는 비치환된 플루오레닐리덴기, 치환 또는 비치환된 실라플루오레닐리덴기, 치환 또는 비치환된 카바졸일렌기(carbazolylene), 치환 또는 비치환된 디벤조푸라닐렌기 (dibenzofuranylene), 치환 또는 비치환된 디벤조티오페닐렌기(dibenzothiophenylene), 치환 또는 비치환된 디벤조셀레노페닐렌기(dibenzoselenophenylene), 치환 또는 비치환된 페난트릴렌기(phenanthrylene), 치환 또는 비치환된 트리페닐렌기, 치환 또는 비치환된 피리디닐렌기(pyridinylene), 치환 또는 비치환된 스피로비플루오레닐렌기, 치환 또는 비치환된 안트릴렌기, 치환 또는 비치환된 피레닐렌기 또는 이들의 조합에서 선택되며; 바람직하게 L는 치환 또는 비치환된 페닐렌기, 또는 치환 또는 비치환된 비페닐렌기에서 선택되며; 더 바람직하게 L는 페닐렌기 또는 비페닐렌기인 유기 전계발광소자.
The method of claim 1,
L is a substituted or unsubstituted phenylene group, a substituted or unsubstituted biphenylene group, a substituted or unsubstituted terphenylene group, a substituted or unsubstituted naphthylene group, a substituted or unsubstituted fluorenylidene group, a substituted or unsubstituted A substituted silafluorenylidene group, a substituted or unsubstituted carbazolylene group, a substituted or unsubstituted dibenzofuranylene group, a substituted or unsubstituted dibenzothiophenylene group, a substituted or Unsubstituted dibenzoselenophenylene group, substituted or unsubstituted phenanthrylene group, substituted or unsubstituted triphenylene group, substituted or unsubstituted pyridinylene group, substituted or unsubstituted selected from a spirobifluorenylene group, a substituted or unsubstituted anthrylene group, a substituted or unsubstituted pyrenylene group, or a combination thereof; Preferably L is selected from a substituted or unsubstituted phenylene group, or a substituted or unsubstituted biphenylene group; More preferably L is a phenylene group or a biphenylene group organic electroluminescent device.
제 1 항 또는 제 12 항에 있어서,
R1은 수소, 듀테륨, 할로겐, 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬기, 3~20 개의 고리탄소원자(ring carbon atoms)를 갖는 치환 또는 비치환된 시클로알킬기(cycloalkyl group), 6~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴기, 3~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기에서 선택되고; 바람직하게 R1은 수소, 듀테륨, 6~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴기, 3~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기에서 선택되는 유기 전계발광소자.
13. The method of claim 1 or 12,
R 1 is hydrogen, deuterium, halogen, a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted cycloalkyl group having 3 to 20 ring carbon atoms, 6 a substituted or unsubstituted aryl group having -30 carbon atoms, a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 3-30 carbon atoms; Preferably, R 1 is hydrogen, deuterium, an organic electroluminescent device selected from a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 carbon atoms, and a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 3 to 30 carbon atoms.
제 1 항, 제 12 항, 제 13 항 중 어느 한 항에 있어서,
Ar1 및 Ar2는 6~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴기, 3~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기에서 선택되고; 바람직하게 Ar1 및 Ar2는 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 디벤조티에닐기, 스피로비플루오레닐기, 피리딜기 또는 피리미딜기에서 선택되는 유기 전계발광소자.
14. The method of any one of claims 1, 12, 13,
Ar 1 and Ar 2 are selected from a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 3 to 20 carbon atoms; Preferably, Ar 1 and Ar 2 are selected from a phenyl group, a biphenyl group, a terphenyl group, a naphthyl group, a fluorenyl group, a dibenzothienyl group, a spirobifluorenyl group, a pyridyl group or a pyrimidyl group.
제 1 항에 있어서,
상기 식 2 구조를 갖는 화합물은 아래 화합물로 이루어진 군에서 선택되는 유기 전계발광소자:
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The method of claim 1,
The compound having the structure of Formula 2 is an organic electroluminescent device selected from the group consisting of the following compounds:
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제 1 항에 있어서,
양극과 발광층 사이에 배치된 제2 유기층을 더 포함하며, 상기 제2 유기층은 식 2의 화합물을 함유하는 유기 전계발광소자.
The method of claim 1,
An organic electroluminescent device further comprising a second organic layer disposed between the anode and the light emitting layer, wherein the second organic layer contains the compound of Formula 2.
제 1 항 또는 제 16 항에 있어서,
상기 제1 유기층은 양극과 접촉하는 유기 전계발광소자.
17. The method of claim 1 or 16,
The first organic layer is an organic electroluminescent device in contact with the anode.
제 1 항에 있어서,
상기 제1 유기층에 함유된 식 1의 화합물이 전체 제1 유기층을 차지하는 중량비는 5% 이하이거나, 3% 이하이거나, 2% 이하이거나, 또는 1% 이하인 유기 전계발광소자.
The method of claim 1,
The weight ratio of the compound of Formula 1 contained in the first organic layer to the total first organic layer is 5% or less, 3% or less, 2% or less, or 1% or less of the organic electroluminescent device.
제 16 항에 있어서,
상기 제2 유기층은 발광층과 접촉하는 유기 전계발광소자.
17. The method of claim 16,
The second organic layer is an organic electroluminescent device in contact with the light emitting layer.
제 1 항에 있어서,
양극과 발광층 사이에 배치된 제3 유기층을 더 포함하며, 상기 제3 유기층은 제2 유기층과 상이한 화합물을 함유하는 유기 전계발광소자.
The method of claim 1,
An organic electroluminescent device further comprising a third organic layer disposed between the anode and the light emitting layer, wherein the third organic layer contains a compound different from the second organic layer.
제 1 항에 따른 유기 전계발광소자를 포함하는 디스플레이 조립체.




A display assembly comprising the organic electroluminescent device according to claim 1 .




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