KR20220105577A - Organic electroluminescence device and polycyclic compound for organic electroluminescence device - Google Patents
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Abstract
Description
유기 전계 발광 소자 및 유기 전계 발광 소자용 다환 화합물{ORGANIC ELECTROLUMINESCENCE DEVICE AND POLYCYCLIC COMPOUND FOR ORGANIC ELECTROLUMINESCENCE DEVICE}Polycyclic compound for organic electroluminescent device and organic electroluminescent device
최근, 영상 표시 장치로서, 유기 전계 발광 표시 장치(Organic Electroluminescence Display)의 개발이 왕성하게 이루어져 왔다. 유기 전계 발광 표시 장치는 액정 표시 장치 등과는 다르고, 제1 전극 및 제2 전극으로부터 주입된 정공 및 전자를 발광층에 있어서 재결합시킴으로써, 발광층에 있어서 유기 화합물을 포함하는 발광 재료를 발광시켜서 표시를 실현하는 소위 자발광형의 표시 장치이다.Recently, as an image display device, an organic electroluminescence display has been actively developed. An organic electroluminescent display device is different from a liquid crystal display device, and by recombination of holes and electrons injected from the first electrode and the second electrode in the light emitting layer, the light emitting material containing the organic compound is emitted in the light emitting layer to realize display. It is a so-called self-luminous type display device.
유기 전계 발광 소자를 표시 장치에 응용함에 있어서는, 유기 전계 발광 소자의 저 구동 전압화, 고 발광 효율화 및 장수명화가 요구되고 있으며, 이를 안정적으로 구현할 수 있는 유기 전계 발광 소자용 재료 개발이 지속적으로 요구되고 있다.In the application of organic electroluminescent devices to display devices, low driving voltage, high luminous efficiency, and long lifespan of the organic electroluminescent devices are required, and the development of materials for organic electroluminescent devices that can stably implement them is continuously required. have.
본 발명은 유기 전계 발광 소자 및 유기 전계 발광 소자용 다환 화합물을 제공하는 것을 일 목적으로 하며, 보다 구체적으로 고효율의 유기 전계 발광 소자 및 유기 전계 발광 소자의 발광층에 포함되는 다환 화합물을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a polycyclic compound for an organic electroluminescent device and an organic electroluminescent device, and more specifically, to provide a polycyclic compound included in a light emitting layer of an organic electroluminescent device and an organic electroluminescent device with high efficiency The purpose.
일 실시예에서, 하기 화학식 1로 표시되는 다환 화합물을 제공한다. In one embodiment, a polycyclic compound represented by the following Chemical Formula 1 is provided.
[화학식 1][Formula 1]
상기 화학식 1에서, X1 내지 X2는 각각 독립적으로 O, S, 또는 NR7이고, e 및 f는 내지 각각 독립적으로 0 이상 4이하의 정수이고, g는 0 이상 2이하의 정수이고, h는 0 이상 3 이하의 정수이고, R1 내지 R4, R5-1 내지 R5-3 및 R6-1 내지 R6-3은 각각 독립적으로, 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 니트로기, 시아노기, 히드록시기, 치환 또는 비치환된 아민기, 치환 또는 비치환된 티올기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴기이거나, 또는 인접하는 기와 결합하여 고리를 형성하고, R7은 수소 원자, 중수소 원자, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴기이거나, 또는 인접하는 기와 결합하여 고리를 형성하고, Y1, 및 Y2는 각각 독립적으로 각각 독립적으로, 수소 원자, 중수소 원자, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 이상 20 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 고리형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴기이고, 단, Y1, 및 Y2 중 적어도 하나는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 이상 20 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 고리형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴기이다.In
상기 X1 및 X2 중 적어도 하나는 NR7이고, R7은 치환 또는 비치환된 고리형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴기일 수 있다. At least one of X 1 and X 2 is NR 7 , R 7 is a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 ring carbon atoms, or a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 2 to 30 ring carbon atoms can
상기 화학식 1은 하기 화학식 2-1 내지 화학식 2-5 중 어느 하나로 표시될 수 있다.
[화학식 2-1][Formula 2-1]
[화학식 2-2][Formula 2-2]
[화학식 2-3][Formula 2-3]
[화학식 2-4][Formula 2-4]
[화학식 2-5][Formula 2-5]
상기 화학식 2-1 내지 화학식 2-5에서, Ar1-1 및 Ar1-2는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 고리형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴기이고, R1 내지 R4, R5-1 내지 R5-3, R6-1 내지 R6-3, Y1, Y2, 및 e 내지 h는 상기 화학식 1에서 정의한 바와 동일하다. In Formulas 2-1 to 2-5, Ar 1-1 and Ar 1-2 are each independently a substituted or unsubstituted aryl group having 6 or more and 30 or less ring carbon atoms, or a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 2 or more and 30 or less ring carbon atoms, R 1 to R 4 , R 5-1 to R 5-3, R 6-1 to R 6-3 , Y 1 , Y 2 , and e to h are the same as defined in
상기 Ar1-1, 및 Ar1-2는 각각 독립적으로 하기 화학식 5-1 내지 화학식 5-3 중 어느 하나로 표시될 수 있다.The Ar 1-1 and Ar 1-2 may each independently be represented by any one of the following Chemical Formulas 5-1 to 5-3.
[화학식 5-1] [Formula 5-1]
[화학식 5-2] [Formula 5-2]
[화학식 5-3] [Formula 5-3]
상기 화학식 5-1 내지 화학식 5-3 에서,In Formulas 5-1 to 5-3,
Ra1 내지 Ra5는 각각 독립적으로 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로 아릴기이고, m1, m3, 및 m5은 각각 독립적으로 0 이상 5 이하의 정수이고, m2는 0 이상 9 이하의 정수이고, m4는 0 이상 3 이하의 정수이다.R a1 to R a5 are each independently a hydrogen atom, a deuterium atom, a halogen atom, a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 ring carbon atoms, or a substituted or an unsubstituted heteroaryl group having 2 or more and 30 or less carbon atoms, m1, m3, and m5 are each independently an integer of 0 or more and 5 or less, m2 is an integer of 0 or more and 9 or less, m4 is 0 or more and 3 or less is the integer of
상기 R5-1 내지 R5-3, 및 R6-1 내지 R6-3, 중 적어도 하나는 치환된 아민기일 수 있다. The R 5-1 to R 5-3 , and At least one of R 6-1 to R 6-3 may be a substituted amine group.
상기 화학식 1은 하기 화학식 3-1 또는 화학식 3-2로 표시될 수 있다.
[화학식 3-1][Formula 3-1]
[화학식 3-2][Formula 3-2]
상기 화학식 3-1 및 화학식 3-2에서, Ar3-1, Ar3-2, Ar4-1 및 Ar4-2는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기이고, X1, X2, R1 내지 R4, R5-1 내지 R5-3, R6-1 내지 R6-3, Y1, Y2, 및 e 내지 h는 상기 화학식 1에서 정의한 바와 동일하다. In Formulas 3-1 and 3-2, Ar 3-1, Ar 3-2 , Ar 4-1 and Ar 4-2 is each independently a substituted or unsubstituted aryl group having 6 or more and 30 or less ring carbon atoms, X 1 , X 2 , R 1 to R 4 , R 5-1 to R 5-3, R 6- 1 to R 6-3 , Y 1 , Y 2 , and e to h are the same as defined in
상기 화학식 1은 하기 화학식 4로 표시될 수 있다.
[화학식 4][Formula 4]
상기 화학식 4에서, Ar3-1, Ar3-2, Ar4-1 및 Ar4-2는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기이고, X1, X2, R1 내지 R4, R5-1, R5-3, R6-1, R6-3, Y1, Y2, 및 e 내지 h는 화학식 1에서 정의한 바와 동일하다. In Formula 4, Ar 3-1, Ar 3-2 , Ar 4-1 and Ar 4-2 is each independently a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 ring carbon atoms, X 1 , X 2 , R 1 to R 4 , R 5-1 , R 5-3, R 6- 1 , R 6-3 , Y 1 , Y 2 , and e to h are the same as defined in
상기 Ar3-1, Ar3-2, Ar4-1 및 Ar4-2는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 18 이하의 아릴기일 수 있다. Ar 3-1, Ar 3-2 , Ar 4-1 and Ar 4-2 may be each independently a substituted or unsubstituted aryl group having 6 or more and 18 or less ring carbon atoms.
상기 화학식 1로 표시되는 다환 화합물은 하기 화합물군 1에 표시된 화합물들 중 어느 하나일 수 있다. The polycyclic compound represented by Formula 1 may be any one of the compounds shown in
일 실시예에서, 제1 전극, 상기 제1 전극 상에 제공된 정공 수송 영역, 상기 정공 수송 영역 상에 제공된 발광층, 상기 발광층 상에 제공된 전자 수송 영역 및 상기 전자 수송 영역 상에 제공된 제2 전극을 포함하고, 상기 발광층은 본 발명의 일 실시예의 다환 화합물을 포함하는 유기 전계 발광 소자를 제공한다. In one embodiment, a first electrode, a hole transport region provided on the first electrode, a light emitting layer provided on the hole transport region, an electron transport region provided on the light emitting layer, and a second electrode provided on the electron transport region And, the light emitting layer provides an organic electroluminescent device comprising the polycyclic compound of an embodiment of the present invention.
상기 발광층은 지연 형광을 방출할 수 있다. The light emitting layer may emit delayed fluorescence.
상기 발광층은 제1 화합물 및 제2 화합물을 포함하는 지연 형광 발광층이고, 상기 제1 화합물은 상기 다환 화합물을 포함할 수 있다. The emission layer may be a delayed fluorescence emission layer including the first compound and the second compound, and the first compound may include the polycyclic compound.
상기 발광층은 430nm 내지 480nm 파장의 광을 방출하는 열활성 지연 형광 발광층일 수 있다. The emission layer may be a thermally activated delayed fluorescence emission layer emitting light having a wavelength of 430 nm to 480 nm.
본 발명의 일 실시예에 따른 유기 전계 발광 소자는 효율이 우수하다.The organic electroluminescent device according to an embodiment of the present invention has excellent efficiency.
본 발명의 일 실시예에 따른 다환 화합물은 유기 전계 발광 소자의 발광층의 재료로서 사용될 수 있고, 이를 사용함으로써 유기 전계 발광 소자의 효율 향상이 가능하다.The polycyclic compound according to an embodiment of the present invention can be used as a material of the light emitting layer of the organic electroluminescent device, and by using the same, it is possible to improve the efficiency of the organic electroluminescent device.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 나타낸 평면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 나타낸 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 전계 발광 소자를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 전계 발광 소자를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 전계 발광 소자를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 전계 발광 소자를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 나타낸 단면도이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 나타낸 단면도이다.1 is a plan view illustrating a display device according to an exemplary embodiment.
2 is a cross-sectional view illustrating a display device according to an exemplary embodiment.
3 is a cross-sectional view schematically illustrating an organic electroluminescent device according to an embodiment of the present invention.
4 is a cross-sectional view schematically illustrating an organic electroluminescent device according to an embodiment of the present invention.
5 is a cross-sectional view schematically illustrating an organic electroluminescent device according to an embodiment of the present invention.
6 is a cross-sectional view schematically illustrating an organic electroluminescent device according to an embodiment of the present invention.
7 is a cross-sectional view illustrating a display device according to an exemplary embodiment.
8 is a cross-sectional view illustrating a display device according to an exemplary embodiment.
본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.Since the present invention can have various changes and can have various forms, specific embodiments are illustrated in the drawings and described in detail in the text. However, this is not intended to limit the present invention to the specific disclosed form, it should be understood to include all modifications, equivalents and substitutes included in the spirit and scope of the present invention.
각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다. 첨부된 도면에 있어서, 구조물들의 치수는 본 발명의 명확성을 위하여 실제보다 확대하여 도시한 것이다. 제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.In describing each figure, like reference numerals have been used for like elements. In the accompanying drawings, the dimensions of the structures are enlarged than the actual size for clarity of the present invention. Terms such as first, second, etc. may be used to describe various elements, but the elements should not be limited by the terms. The above terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another. For example, without departing from the scope of the present invention, a first component may be referred to as a second component, and similarly, a second component may also be referred to as a first component. The singular expression includes the plural expression unless the context clearly dictates otherwise.
본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다. In the present application, terms such as “comprise” or “have” are intended to designate that a feature, number, step, operation, component, part, or combination thereof described in the specification exists, but one or more other features It is to be understood that it does not preclude the possibility of the presence or addition of numbers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof.
본 출원에서, 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "상에" 또는 "상부에" 있다고 할 경우, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "하에" 또는 "하부에" 있다고 할 경우, 이는 다른 부분 "바로 아래에" 있는 경우뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 또한, 본 출원에서 "상에" 배치된다고 하는 것은 상부뿐 아니라 하부에 배치되는 경우도 포함하는 것일 수 있다.In the present application, when a part of a layer, film, region, plate, etc. is said to be “on” or “on” another part, this means not only when it is “directly on” another part, but also when there is another part in between. also includes Conversely, when a part of a layer, film, region, plate, etc. is said to be “under” or “under” another part, this includes not only cases where it is “directly under” another part, but also cases where another part is in between. . In addition, in the present application, “on” may include the case of being disposed not only on the upper part but also on the lower part.
본 명세서에서, "치환 또는 비치환된"은 중수소 원자, 할로겐 원자, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 실릴기, 옥시기, 티오기, 설피닐기, 설포닐기, 카보닐기, 붕소기, 포스핀 옥사이드기, 포스핀 설파이드기, 알킬기, 알케닐기, 알키닐기, 알콕시기, 탄화수소 고리기, 아릴기 및 헤테로고리기로 이루어진 군에서 선택되는 1개 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 것을 의미할 수 있다. 또한, 상기 예시된 치환기 각각은 치환 또는 비치환된 것일 수 있다. 예를 들어, 바이페닐기는 아릴기로 해석될 수도 있고, 페닐기로 치환된 페닐기로 해석될 수도 있다.As used herein, "substituted or unsubstituted" is a deuterium atom, a halogen atom, a cyano group, a nitro group, an amino group, a silyl group, an oxy group, a thio group, a sulfinyl group, a sulfonyl group, a carbonyl group, a boron group, a phosphine oxide It may mean unsubstituted or substituted with one or more substituents selected from the group consisting of a group, a phosphine sulfide group, an alkyl group, an alkenyl group, an alkynyl group, an alkoxy group, a hydrocarbon ring group, an aryl group, and a heterocyclic group. In addition, each of the substituents exemplified above may be substituted or unsubstituted. For example, a biphenyl group may be interpreted as an aryl group or a phenyl group substituted with a phenyl group.
본 명세서에서, "인접하는 기와 서로 결합하여 고리를 형성"한다는 인접하는 기와 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 탄화수소 고리, 또는 치환 또는 비치환된 헤테로 고리를 형성하는 것을 의미할 수 있다. 탄화수소 고리는 지방족 탄화수소 고리 및 방향족 탄화수소 고리를 포함한다. 헤테로 고리는 지방족 헤테로 고리 및 방향족 헤테로 고리를 포함한다. 탄화수소 고리 및 헤테로 고리는 단환 또는 다환일 수 있다. 또한, 서로 결합하여 형성된 고리는 다른 고리와 연결되어 스피로 구조를 형성하는 것일 수도 있다.In the present specification, "adjacent groups combine with each other to form a ring" may mean that adjacent groups combine with each other to form a substituted or unsubstituted hydrocarbon ring, or a substituted or unsubstituted hetero ring. Hydrocarbon rings include aliphatic hydrocarbon rings and aromatic hydrocarbon rings. Heterocycles include aliphatic heterocycles and aromatic heterocycles. The hydrocarbon ring and the hetero ring may be monocyclic or polycyclic. In addition, the rings formed by bonding to each other may be connected to other rings to form a spiro structure.
본 명세서에서, "인접하는 기"는 해당 치환기가 치환된 원자와 직접 연결된 원자에 치환된 치환기, 해당 치환기가 치환된 원자에 치환된 다른 치환기, 또는 해당 치환기와 입체구조적으로 가장 인접한 치환기를 의미할 수 있다. 예컨대, 1,2-디메틸벤젠(1,2-dimethylbenzene)에서 2개의 메틸기는 서로 "인접하는 기"로 해석될 수 있고, 1,1-디에틸시클로펜테인(1,1-diethylcyclopentane)에서 2개의 에틸기는 서로 "인접하는 기"로 해석될 수 있다. 또한, 4,5-디메틸페난트렌(4,5-dimethylphenanthrene)에서 2개의 메틸기는 서로 "인접하는 기"로 해석될 수 있다.As used herein, "adjacent group" means a substituent substituted on an atom directly connected to the atom in which the substituent is substituted, another substituent substituted on the atom in which the substituent is substituted, or a substituent that is sterically closest to the substituent. can For example, two methyl groups in 1,2-dimethylbenzene can be interpreted as “adjacent groups” to each other, and 2 in 1,1-diethylcyclopentane The two ethyl groups can be interpreted as "adjacent groups" to each other. In addition, two methyl groups in 4,5-dimethylphenanthrene may be interpreted as “adjacent groups” to each other.
본 명세서에서, 할로겐 원자의 예로는 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자 또는 요오드 원자가 있다.In the present specification, examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom or an iodine atom.
본 명세서에서, 알킬기는 직쇄, 분지쇄 또는 고리형일 수 있다. 알킬기의 탄소수는 1 이상 50 이하, 1 이상 30 이하, 1 이상 20 이하, 1 이상 10 이하 또는 1 이상 6 이하이다. 알킬기의 예로는 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, s-부틸기, t-부틸기, i-부틸기, 2- 에틸부틸기, 3, 3-디메틸부틸기, n-펜틸기, i-펜틸기, 네오펜틸기, t-펜틸기, 시클로펜틸기, 1-메틸펜틸기, 3-메틸펜틸기, 2-에틸펜틸기, 4-메틸-2-펜틸기, n-헥실기, 1-메틸헥실기, 2-에틸헥실기, 2-부틸헥실기, 시클로헥실기, 4-메틸시클로헥실기, 4-t-부틸시클로헥실기, n-헵틸기, 1-메틸헵틸기, 2,2-디메틸헵틸기, 2-에틸헵틸기, 2-부틸헵틸기, n-옥틸기, t-옥틸기, 2-에틸옥틸기, 2-부틸옥틸기, 2-헥실옥틸기, 3,7-디메틸옥틸기, 시클로옥틸기, n-노닐기, n-데실기, 아다만틸기, 2-에틸데실기, 2-부틸데실기, 2-헥실데실기, 2-옥틸데실기, n-운데실기, n-도데실기, 2-에틸도데실기, 2-부틸도데실기, 2-헥실도데실기, 2-옥틸도데실기, n-트리데실기, n-테트라데실기, n-펜타데실기, n-헥사데실기, 2-에틸헥사데실기, 2-부틸헥사데실기, 2-헥실헥사데실기, 2-옥틸헥사데실기, n-헵타데실기, n-옥타데실기, n-노나데실기, n-이코실기, 2-에틸이코실기, 2-부틸이코실기, 2-헥실이코실기, 2-옥틸이코실기, n-헨이코실기, n-도코실기, n-트리코실기, n-테트라코실기, n-펜타코실기, n-헥사코실기, n-헵타코실기, n-옥타코실기, n-노나코실기, 및 n-트리아콘틸기 등을 들 수 있지만, 이들에 한정되지 않는다.In the present specification, the alkyl group may be linear, branched or cyclic. Carbon number of an alkyl group is 1 or more and 50 or less, 1 or more and 30 or less, 1 or more and 20 or less, 1 or more and 10 or less, or 1 or more and 6 or less. Examples of the alkyl group include methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, s-butyl group, t-butyl group, i-butyl group, 2-ethylbutyl group, 3, 3-dimethylbutyl group , n-pentyl group, i-pentyl group, neopentyl group, t-pentyl group, cyclopentyl group, 1-methylpentyl group, 3-methylpentyl group, 2-ethylpentyl group, 4-methyl-2-pentyl group , n-hexyl group, 1-methylhexyl group, 2-ethylhexyl group, 2-butylhexyl group, cyclohexyl group, 4-methylcyclohexyl group, 4-t-butylcyclohexyl group, n-heptyl group, 1 -Methylheptyl group, 2,2-dimethylheptyl group, 2-ethylheptyl group, 2-butylheptyl group, n-octyl group, t-octyl group, 2-ethyloctyl group, 2-butyloctyl group, 2-hexyl group Siloctyl group, 3,7-dimethyloctyl group, cyclooctyl group, n-nonyl group, n-decyl group, adamantyl group, 2-ethyldecyl group, 2-butyldecyl group, 2-hexyldecyl group, 2-ox Tyldecyl group, n-undecyl group, n-dodecyl group, 2-ethyldodecyl group, 2-butyldodecyl group, 2-hexyldodecyl group, 2-octyldodecyl group, n-tridecyl group, n-tetradecyl group, n -Pentadecyl group, n-hexadecyl group, 2-ethylhexadecyl group, 2-butylhexadecyl group, 2-hexylhexadecyl group, 2-octylhexadecyl group, n-heptadecyl group, n-octadecyl group , n-nonadecyl group, n-icosyl group, 2-ethyl icosyl group, 2-butyl icosyl group, 2-hexyl icosyl group, 2-octyl icosyl group, n-henicosyl group, n-docosyl group, n-tricho Sil group, n-tetracosyl group, n-pentacosyl group, n-hexacosyl group, n-heptacosyl group, n-octacosyl group, n-nonacosyl group, n-triacontyl group, etc. are mentioned, It is not limited to these.
본 명세서에서, 탄화수소 고리기는 지방족 탄화수소 고리로부터 유도된 임의의 작용기 또는 치환기를 의미한다. 탄화수소 고리기는 고리 형성 탄소수 5 이상 20 이하의 포화 탄화수소 고리기일 수 있다.As used herein, the hydrocarbon ring group means any functional group or substituent derived from an aliphatic hydrocarbon ring. The hydrocarbon ring group may be a saturated hydrocarbon ring group having 5 to 20 ring carbon atoms.
본 명세서에서, 아릴기는 방향족 탄화수소 고리로부터 유도된 임의의 작용기 또는 치환기를 의미한다. 아릴기는 단환식 아릴기 또는 다환식 아릴기일 수 있다. 아릴기의 고리 형성 탄소수는 6 이상 30 이하, 6 이상 20 이하, 또는 6 이상 15 이하일 수 있다. 아릴기의 예로는 페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 안트라세닐기, 페난트릴기, 바이페닐기, 터페닐기, 쿼터페닐기, 퀸크페닐기(quinquephenyl), 섹시페닐기, 트리페닐에닐기, 피레닐기, 벤조 플루오란테닐기, 크리세닐기 등을 예시할 수 있지만, 이들에 한정되지 않는다.As used herein, the aryl group means any functional group or substituent derived from an aromatic hydrocarbon ring. The aryl group may be a monocyclic aryl group or a polycyclic aryl group. The number of ring carbon atoms of the aryl group may be 6 or more and 30 or less, 6 or more and 20 or less, or 6 or more and 15 or less. Examples of the aryl group include a phenyl group, a naphthyl group, a fluorenyl group, an anthracenyl group, a phenanthryl group, a biphenyl group, a terphenyl group, a quarterphenyl group, a quinquephenyl group, a sexyphenyl group, a triphenylenyl group, a pyrenyl group, a benzofluoro Although a lanthenyl group, a chrysenyl group, etc. can be illustrated, it is not limited to these.
본 명세서에서, 플루오레닐기는 치환될 수 있고, 치환기 2개가 서로 결합하여 스피로 구조를 형성할 수도 있다. 플루오레닐기가 치환되는 경우의 예시는 하기와 같다. 다만, 이에 의하여 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the fluorenyl group may be substituted, and two substituents may be bonded to each other to form a spiro structure. Examples of the case in which the fluorenyl group is substituted are as follows. However, the present invention is not limited thereto.
본 명세서에서, 헤테로 고리기는 헤테로 원자로 B, O, N, P, Si 및 S 중 1개 이상을 포함하는 고리로부터 유도된 임의의 작용기 또는 치환기를 의미한다. 헤테로 고리기는 지방족 헤테로 고리기 및 방향족 헤테로 고리기를 포함한다. 방향족 헤테로 고리기는 헤테로아릴기일 수 있다. 지방족 헤테로 고리 및 방향족 헤테로 고리는 단환 또는 다환일 수 있다.As used herein, the heterocyclic group refers to any functional group or substituent derived from a ring including at least one of B, O, N, P, Si and S as a hetero atom. The heterocyclic group includes an aliphatic heterocyclic group and an aromatic heterocyclic group. The aromatic heterocyclic group may be a heteroaryl group. The aliphatic heterocycle and the aromatic heterocycle may be monocyclic or polycyclic.
본 명세서에서, 헤테로고리기는 헤테로 원자로 B, O, N, P, Si 및 S 중 1개 이상을 포함하는 것일 수 있다. 헤테로고리기가 헤테로 원자를 2개 이상 포함할 경우, 2개 이상의 헤테로 원자는 서로 동일할 수도 있고, 상이할 수도 있다. 헤테로고리기는 단환식 헤테로고리기 또는 다환식 헤테로고리기일 수 있으며, 헤테로아릴기를 포함하는 개념이다. 헤테로고리기의 고리 형성 탄소수는 2 이상 30 이하, 2 이상 20 이하, 또는 2 이상 10 이하일 수 있다.In the present specification, the heterocyclic group may include one or more of B, O, N, P, Si and S as a hetero atom. When the heterocyclic group includes two or more heteroatoms, the two or more heteroatoms may be the same as or different from each other. The heterocyclic group may be a monocyclic heterocyclic group or a polycyclic heterocyclic group, and is a concept including a heteroaryl group. The number of ring carbon atoms of the heterocyclic group may be 2 or more and 30 or less, 2 or more and 20 or less, or 2 or more and 10 or less.
본 명세서에서, 지방족 헤테로 고리기는 헤테로 원자로 B, O, N, P, Si 및 S 중 1개 이상을 포함하는 것일 수 있다. 지방족 헤테로 고리기는 고리 형성 탄소수는 2 이상 30 이하, 2 이상 20 이하, 또는 2 이상 10 이하일 수 있다. 지방족 헤테로 고리기의 예로는 옥시란기, 티이란기, 피롤리딘기, 피페리딘기, 테트라하이드로퓨란기, 테트라하이드로티오펜기, 티안기, 테트라하이드로피란기, 1,4-디옥산기, 등이 있으나 이들에 한정되지 않는다.In the present specification, the aliphatic heterocyclic group may include one or more of B, O, N, P, Si and S as a hetero atom. The aliphatic heterocyclic group may have 2 or more and 30 or less, 2 or more and 20 or less, or 2 or more and 10 or less. Examples of the aliphatic heterocyclic group include an oxirane group, a thiirane group, a pyrrolidine group, a piperidine group, a tetrahydrofuran group, a tetrahydrothiophene group, a thiane group, a tetrahydropyran group, a 1,4-dioxane group, and the like, but are not limited thereto.
본 명세서에서, 헤테로아릴기는 헤테로 원자로 B, O, N, P, Si 및 S 중 1개 이상을 포함하는 것일 수 있다. 헤테로아릴기가 헤테로 원자를 2개 이상 포함할 경우, 2개 이상의 헤테로 원자는 서로 동일할 수도 있고, 상이할 수도 있다. 헤테로아릴기는 단환식 헤테로고리기 또는 다환식 헤테로고리기일 수 있다. 헤테로아릴기의 고리 형성 탄소수는 2 이상 30 이하, 2 이상 20 이하, 또는 2 이상 10 이하일 수 있다. 헤테로아릴기의 예로는 티오펜기, 퓨란기, 피롤기, 이미다졸기, 트리아졸기, 피리딘기, 비피리딘기, 피리미딘기, 트리아진기, 트리아졸기, 아크리딜기, 피리다진기, 피라지닐기, 퀴놀린기, 퀴나졸린기, 퀴녹살린기, 페녹사진기, 프탈라진기, 피리도 피리미딘기, 피리도 피라진기, 피라지노 피라진기, 이소퀴놀린기, 인돌기, 카바졸기, N-아릴카바졸기, N-헤테로아릴카바졸기, N-알킬카바졸기, 벤조옥사졸기, 벤조이미다졸기, 벤조티아졸기, 벤조카바졸기, 벤조티오펜기, 디벤조티오펜기, 티에노티오펜기, 벤조퓨란기, 페난트롤린기, 티아졸기, 이소옥사졸기, 옥사졸기, 옥사디아졸기, 티아디아졸기, 페노티아진기, 디벤조실롤기 및 디벤조퓨란기 등이 있으나, 이들에 한정되지 않는다.In the present specification, the heteroaryl group may include one or more of B, O, N, P, Si and S as a hetero atom. When the heteroaryl group includes two or more hetero atoms, the two or more hetero atoms may be the same as or different from each other. The heteroaryl group may be a monocyclic heterocyclic group or a polycyclic heterocyclic group. The number of ring carbon atoms of the heteroaryl group may be 2 or more and 30 or less, 2 or more and 20 or less, or 2 or more and 10 or less. Examples of the heteroaryl group include a thiophene group, a furan group, a pyrrole group, an imidazole group, a triazole group, a pyridine group, a bipyridine group, a pyrimidine group, a triazine group, a triazole group, an acridyl group, a pyridazine group, a pyrazinyl group. group, quinoline group, quinazoline group, quinoxaline group, phenoxazine group, phthalazine group, pyridopyrimidine group, pyridopyrazine group, pyrazinopyrazine group, isoquinoline group, indole group, carbazole group, N-arylcarba Zol group, N-heteroarylcarbazole group, N-alkylcarbazole group, benzooxazole group, benzoimidazole group, benzothiazole group, benzocarbazole group, benzothiophene group, dibenzothiophene group, thienothiophene group, benzofuran group, a phenanthroline group, a thiazole group, an isoxazole group, an oxazole group, an oxadiazole group, a thiadiazole group, a phenothiazine group, a dibenzosilol group and a dibenzofuran group, but are not limited thereto.
본 명세서에서, 아릴렌기는 2가기인 것을 제외하고는 전술한 아릴기에 관한 설명이 적용될 수 있다. 헤테로아릴렌기는 2가기인 것을 제외하고는 전술한 헤테로아릴기에 관한 설명이 적용될 수 있다.In the present specification, the description of the above-described aryl group may be applied except that the arylene group is a divalent group. Except that the heteroarylene group is a divalent group, the description of the above-described heteroaryl group may be applied.
본 명세서에서, 실릴기는 알킬 실릴기 및 아릴 실릴기를 포함한다. 실릴기의 예로는 트리메틸실릴기, 트리에틸실릴기, t-부틸디메틸실릴기, 비닐디메틸실릴기, 프로필디메틸실릴기, 트리페닐실릴기, 디페닐실릴기, 페닐실릴기 등이 있으나, 이들에 한정되지 않는다.In the present specification, the silyl group includes an alkyl silyl group and an aryl silyl group. Examples of the silyl group include a trimethylsilyl group, a triethylsilyl group, a t-butyldimethylsilyl group, a vinyldimethylsilyl group, a propyldimethylsilyl group, a triphenylsilyl group, a diphenylsilyl group, a phenylsilyl group, and the like. not limited
본 명세서에서, 아민기는 알킬 아민기, 아릴 아민기, 또는 헤테로아릴 아민기를 포함할 수 있다. 아민기는 상기 정의된 알킬기, 아릴기, 또는 헤테로아릴기에 질소 원자가 결합된 것을 의미할 수 있다. 아민노기의 예로는 메틸아민기, 디메틸아민기, 페닐아민기, 디페닐아민기, 나프틸아민기, 9-메틸-안트라세닐아민기, 트리페닐아민기 등이 있으나, 이들에 한정되지 않는다.In the present specification, the amine group may include an alkyl amine group, an aryl amine group, or a heteroaryl amine group. The amine group may mean that a nitrogen atom is bonded to an alkyl group, an aryl group, or a heteroaryl group as defined above. Examples of the amino group include, but are not limited to, a methylamine group, a dimethylamine group, a phenylamine group, a diphenylamine group, a naphthylamine group, a 9-methyl-anthracenylamine group, and a triphenylamine group.
본 명세서에서, 티올기는 알킬 티오기 및 아릴 티오기를 포함할 수 있다. 티올기는 상기 정의된 알킬기 또는 아릴기에 황 원자가 결합된 것을 의미할 수 있다. 티올기의 예로는 메틸티오기, 에틸티오기, 프로필티오기, 펜틸티오기, 헥실티오기, 옥틸티오기, 도데실티오기, 시클로펜틸티오기, 시클로헥실티오기, 페닐티오기, 나프틸티오기 등이 있으나, 이들에 한정되지 않는다. In the present specification, the thiol group may include an alkyl thio group and an aryl thio group. The thiol group may mean that a sulfur atom is bonded to an alkyl group or an aryl group as defined above. Examples of the thiol group include methylthio group, ethylthio group, propylthio group, pentylthio group, hexylthio group, octylthio group, dodecylthio group, cyclopentylthio group, cyclohexylthio group, phenylthio group, naphthylthio group and the like, but are not limited thereto.
본 명세서에서, 옥시기는 상기 정의된 알킬기 또는 아릴기에 산소 원자가 결합된 것을 의미할 수 있다. 옥시기는 알콕시기 및 아릴 옥시기를 포함할 수 있다. 알콕시기는 직쇄, 분지쇄 또는 고리쇄일 수 있다. 알콕시기의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 예를 들어 1 이상 20 이하 또는 1 이상 10 이하인 것일 수 있다. 옥시기의 예로는 메톡시, 에톡시, n-프로폭시, 이소프로폭시, 부톡시, 펜틸옥시, 헥실옥시, 옥틸옥시, 노닐옥시, 데실옥시, 벤질옥시 등이 있으나, 이들에 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the oxy group may mean that an oxygen atom is bonded to an alkyl group or an aryl group as defined above. The oxy group may include an alkoxy group and an aryl oxy group. The alkoxy group may be straight-chain, branched-chain or cyclic. The number of carbon atoms of the alkoxy group is not particularly limited, but may be, for example, 1 or more and 20 or less or 1 or more and 10 or less. Examples of the oxy group include, but are not limited to, methoxy, ethoxy, n-propoxy, isopropoxy, butoxy, pentyloxy, hexyloxy, octyloxy, nonyloxy, decyloxy, benzyloxy, etc. it is not
본 명세서에서, 붕소기는 상기 정의된 알킬기 또는 아릴기에 붕소 원자가 결합된 것을 의미할 수 있다. 붕소기는 알킬 붕소기 및 아릴 붕소기를 포함한다. 붕소기의 예로는 트리메틸붕소기, 트리에틸붕소기, t-부틸디메틸붕소기, 트리페닐붕소기, 디페닐붕소기, 페닐붕소기 등이 있으나, 이들에 한정되지 않는다.In the present specification, the boron group may mean that a boron atom is bonded to an alkyl group or an aryl group as defined above. The boron group includes an alkyl boron group and an aryl boron group. Examples of the boron group include, but are not limited to, a trimethylboron group, a triethylboron group, a t-butyldimethylboron group, a triphenylboron group, a diphenylboron group, and a phenylboron group.
본 명세서에서, 알케닐기는 직쇄 또는 분지쇄일 수 있다. 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 2 이상 30 이하, 2 이상 20 이하 또는 2 이상 10 이하이다. 알케닐기의 예로는 비닐기, 1-부테닐기, 1-펜테닐기, 1,3-부타디에닐 아릴기, 스티레닐기, 스티릴비닐기 등이 있으나, 이들에 한정되지 않는다.In the present specification, the alkenyl group may be linear or branched. Although carbon number is not specifically limited, 2 or more and 30 or less, 2 or more and 20 or less, or 2 or more and 10 or less. Examples of the alkenyl group include, but are not limited to, a vinyl group, a 1-butenyl group, a 1-pentenyl group, a 1,3-butadienyl aryl group, a styrenyl group, a styryl vinyl group, and the like.
본 명세서에서, 알킬티오기, 알킬아릴기, 알킬아미노기, 알킬 붕소기, 알킬 실릴기, 알킬 아민기 중 알킬기는 전술한 알킬기의 예시와 같다.In the present specification, the alkyl group among the alkylthio group, the alkylaryl group, the alkylamino group, the alkyl boron group, the alkyl silyl group, and the alkylamine group is the same as the above-described alkyl group.
본 명세서에서, 아릴옥시기, 아릴티오기, 아릴아미노기, 아릴 붕소기, 아릴 실릴기, 아릴 아민기 중의 아릴기는 전술한 아릴기의 예시와 같다In the present specification, the aryl group in the aryloxy group, the arylthio group, the arylamino group, the aryl boron group, the aryl silyl group, and the arylamine group is the same as the examples of the aryl group described above.
본 명세서에서, 직접 결합(direct linkage)은 단일 결합을 의미하는 것일 수 있다.In the present specification, direct linkage may mean a single bond.
한편, 본 명세서에서 ""는 연결되는 위치를 의미한다. On the other hand, in this specification " " means the location to be connected.
이하, 도면들을 참조하여 본 발명의 일 실시예들에 대하여 설명한다.Hereinafter, one embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
도 1은 표시 장치(DD)의 일 실시예를 나타낸 평면도이다. 도 2는 일 실시예의 표시 장치(DD)의 단면도이다. 도 2는 도 1의 I-I'선에 대응하는 부분을 나타낸 단면도이다.1 is a plan view illustrating an exemplary embodiment of a display device DD. 2 is a cross-sectional view of a display device DD according to an exemplary embodiment. FIG. 2 is a cross-sectional view showing a portion corresponding to the line I-I' of FIG. 1 .
표시 장치(DD)는 표시 패널(DP) 및 표시 패널(DP) 상에 배치된 광학층(PP)을 포함할 수 있다. 표시 패널(DP)은 유기 전계 발광 소자(EDL-1, ED-2, ED-3)를 포함한다. 표시 장치(DD)는 복수 개의 유기 전계 발광 소자들(ED-1, ED-2, ED-3)을 포함할 수 있다. 광학층(PP)은 표시 패널(DP) 상에 배치되어 외부광에 의한 표시 패널(DP)에서의 반사광을 제어할 수 있다. 광학층(PP)은 예를 들어, 편광층을 포함하는 것이거나 또는 컬러필터층을 포함하는 것일 수 있다. 한편, 도면에 도시된 바와 달리 일 실시예의 표시 장치(DD)에서 광학층(PP)은 생략될 수 있다.The display device DD may include a display panel DP and an optical layer PP disposed on the display panel DP. The display panel DP includes organic electroluminescent devices EDL-1, ED-2, and ED-3. The display device DD may include a plurality of organic electroluminescent devices ED-1, ED-2, and ED-3. The optical layer PP may be disposed on the display panel DP to control light reflected from the display panel DP by external light. The optical layer PP may include, for example, a polarizing layer or a color filter layer. Meanwhile, unlike illustrated in the drawings, the optical layer PP may be omitted in the display device DD according to an exemplary embodiment.
표시 패널(DP)은 베이스층(BS), 베이스층(BS) 상에 제공된 회로층(DP-CL) 및 표시 소자층(DP-ED)을 포함하는 것일 수 있다. 표시 소자층(DP-ED)은 화소 정의막(PDL), 화소 정의막(PDL) 사이에 배치된 유기 전계 발광 소자들(ED-1, ED-2, ED-3), 및 유기 전계 발광 소자들(ED-1, ED-2, ED-3) 상에 배치된 봉지층(TFE)을 포함할 수 있다. The display panel DP may include a base layer BS, a circuit layer DP-CL provided on the base layer BS, and a display element layer DP-ED. The display element layer DP-ED includes the pixel defining layer PDL, the organic electroluminescent devices ED-1, ED-2, and ED-3 disposed between the pixel defining layer PDL, and the organic electroluminescent device. An encapsulation layer TFE disposed on the ED-1, ED-2, and ED-3 may be included.
베이스층(BS)은 표시 소자층(DP-ED)이 배치되는 베이스 면을 제공하는 부재일 수 있다. 베이스층(BS)은 유리기판, 금속기판, 플라스틱기판 등일 수 있다. 하지만, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며 베이스층(BS)은 무기층, 유기층 또는 복합재료층일 수 있다.The base layer BS may be a member that provides a base surface on which the display element layer DP-ED is disposed. The base layer BS may be a glass substrate, a metal substrate, a plastic substrate, or the like. However, the embodiment is not limited thereto, and the base layer BS may be an inorganic layer, an organic layer, or a composite material layer.
일 실시예에서 회로층(DP-CL)은 베이스층(BS) 상에 배치되고, 회로층(DP-CL)은 복수의 트랜지스터들(미도시)을 포함하는 것일 수 있다. 트랜지스터들(미도시)은 각각 제어 전극, 입력 전극, 및 출력 전극을일 실시예에서 회로층(DP-CL)은 베이스층(BS) 상에 배치되고, 회로층(DP-CL)은 복수의 트랜지스터들(미도시)을 포함하는 것일 수 있다. 트랜지스터들(미도시)은 각각 제어 전극, 입력 전극, 및 출력 전극을 포함하는 것일 수 있다. 예를 들어, 회로층(DP-CL)은 표시 소자층(DP-ED)의 유기 전계 발광 소자들(ED-1, ED-2, ED-3)을 구동하기 위한 스위칭 트랜지스터 및 구동 트랜지스터를 포함하는 것일 수 있다. In an embodiment, the circuit layer DP-CL may be disposed on the base layer BS, and the circuit layer DP-CL may include a plurality of transistors (not shown). Transistors (not shown) each have a control electrode, an input electrode, and an output electrode. In an embodiment, the circuit layer DP-CL is disposed on the base layer BS, and the circuit layer DP-CL includes a plurality of It may include transistors (not shown). Each of the transistors (not shown) may include a control electrode, an input electrode, and an output electrode. For example, the circuit layer DP-CL includes a switching transistor and a driving transistor for driving the organic electroluminescent elements ED-1, ED-2, and ED-3 of the display element layer DP-ED. may be doing
유기 전계 발광 소자들(ED-1, ED-2, ED-3) 각각은 후술하는 도 3 내지 도 6에 따른 일 실시예의 유기 전계 발광 소자(ED)의 구조를 갖는 것일 수 있다. 유기 전계 발광 소자들(ED-1, ED-2, ED-3) 각각은 제1 전극(EL1), 정공 수송 영역(HTR), 발광층(EML-R, EML-G, EML-B), 전자 수송 영역(ETR), 및 제2 전극(EL2)을 포함할 수 있다. Each of the organic electroluminescent devices ED-1, ED-2, and ED-3 may have the structure of the organic electroluminescent device ED of an embodiment according to FIGS. 3 to 6 to be described later. Each of the organic electroluminescent devices ED-1, ED-2, and ED-3 includes a first electrode EL1, a hole transport region HTR, a light emitting layer EML-R, EML-G, EML-B, and an electron. It may include a transport region ETR and a second electrode EL2 .
도 2에서는 화소 정의막(PDL)에 정의된 개구부(OH) 내에 유기 전계 발광 소자들(ED-1, ED-2, ED-3)의 발광층(EML-R, EML-G, EML-B)이 배치되며, 정공 수송 영역(HTR), 전자 수송 영역(ETR) 및 제2 전극(EL2)은 유기 전계 발광 소자들(ED-1, ED-2, ED-3) 전체에서 공통층으로 제공되는 실시예를 도시하였다. 하지만, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며, 도 2에 도시된 것과 달리 일 실시예에서 정공 수송 영역(HTR) 및 전자 수송 영역(ETR)은 화소 정의막(PDL)에 정의된 개구부(OH) 내부에 패턴닝 되어 제공되는 것일 수 있다. 예를 들어, 일 실시예에서 유기 전계 발광 소자(ED-1, ED-2, ED-3)의 정공 수송 영역(HTR), 발광층(EML-R, EML-G, EML-B), 및 전자 수송 영역(ETR) 등은 잉크젯 프린팅법으로 패턴닝되어 제공되는 것일 수 있다.In FIG. 2 , the emission layers EML-R, EML-G, and EML-B of the organic electroluminescent devices ED-1, ED-2, and ED-3 in the opening OH defined in the pixel defining layer PDL. is disposed, and the hole transport region HTR, the electron transport region ETR, and the second electrode EL2 are provided as a common layer in all of the organic electroluminescent devices ED-1, ED-2, and ED-3. Examples are shown. However, the exemplary embodiment is not limited thereto, and unlike that illustrated in FIG. 2 , in an exemplary embodiment, the hole transport region HTR and the electron transport region ETR are located inside the opening OH defined in the pixel defining layer PDL. It may be provided after being patterned. For example, in one embodiment, the hole transport region (HTR) of the organic electroluminescent device (ED-1, ED-2, ED-3), the light emitting layer (EML-R, EML-G, EML-B), and the electron The transport region ETR and the like may be provided by being patterned by an inkjet printing method.
봉지층(TFE)은 유기 전계 발광 소자들(ED-1, ED-2, ED-3)을 커버하는 것일 수 있다. 봉지층(TFE)은 표시 소자층(DP-ED)을 밀봉하는 것일 수 있다. 봉지층(TFE)은 박막 봉지층일 수 있다. 봉지층(TFE)은 하나의 층 또는 복수의 층들이 적층된 것일 수 있다. 봉지층(TFE)은 적어도 하나의 절연층을 포함한다. 일 실시예에 따른 봉지층(TFE)은 적어도 하나의 무기막(이하, 봉지 무기막)을 포함할 수 있다. 또한, 일 실시예에 따른 봉지층(TFE)은 적어도 하나의 유기막(이하, 봉지 유기막) 및 적어도 하나의 봉지 무기막을 포함할 수 있다.The encapsulation layer TFE may cover the organic electroluminescent devices ED-1, ED-2, and ED-3. The encapsulation layer TFE may encapsulate the display element layer DP-ED. The encapsulation layer TFE may be a thin-film encapsulation layer. The encapsulation layer TFE may be a single layer or a stack of a plurality of layers. The encapsulation layer TFE includes at least one insulating layer. The encapsulation layer TFE according to an embodiment may include at least one inorganic layer (hereinafter, referred to as an encapsulation inorganic layer). Also, the encapsulation layer TFE according to an embodiment may include at least one organic layer (hereinafter, referred to as an encapsulation organic layer) and at least one encapsulation inorganic layer.
봉지 무기막은 수분/산소로부터 표시 소자층(DP-ED)을 보호하고, 봉지 유기막은 먼지 입자와 같은 이물질로부터 표시 소자층(DP-ED)을 보호한다. 봉지 무기막은 실리콘 나이트라이드, 실리콘 옥시 나이트라이드, 실리콘 옥사이드, 티타늄옥사이드, 또는 알루미늄옥사이드 등을 포함할 수 있고, 이에 특별히 제한되지 않는다. 봉지 유기막은 아크릴계 화합물, 에폭시계 화합물 등을 포함하는 것일 수 있다. 봉지 유기막은 광중합 가능한 유기물질을 포함하는 것일 수 있으며 특별히 제한되지 않는다.The encapsulation inorganic film protects the display element layer DP-ED from moisture/oxygen, and the encapsulation organic film protects the display element layer DP-ED from foreign substances such as dust particles. The encapsulation inorganic layer may include silicon nitride, silicon oxynitride, silicon oxide, titanium oxide, or aluminum oxide, but is not particularly limited thereto. The encapsulation organic layer may include an acryl-based compound, an epoxy-based compound, or the like. The encapsulation organic layer may include a photopolymerizable organic material, and is not particularly limited.
봉지층(TFE)은 제2 전극(EL2) 상에 배치되고, 개구부(OH)를 채우고 배치될 수 있다.The encapsulation layer TFE may be disposed on the second electrode EL2 , and may be disposed to fill the opening OH.
도 1 및 도 2를 참조하면, 표시 장치(DD)는 비발광 영역(NPXA) 및 발광 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)을 포함할 수 있다. 발광 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B) 각각은 발광 소자들(ED-1, ED-2, ED-3) 각각에서 생성된 광이 방출되는 영역일 수 있다. 유기 전계 발광 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)은 평면 상에서 서로 이격된 것일 수 있다. 1 and 2 , the display device DD may include a non-emission area NPXA and light-emitting areas PXA-R, PXA-G, and PXA-B. Each of the light emitting regions PXA-R, PXA-G, and PXA-B may be a region from which light generated from each of the light emitting devices ED-1, ED-2, and ED-3 is emitted. The organic electroluminescent regions PXA-R, PXA-G, and PXA-B may be spaced apart from each other on a plane.
발광 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B) 각각은 화소 정의막(PDL)으로 구분되는 영역일 수 있다. 비발광 영역들(NPXA)은 이웃하는 발광 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B) 사이의 영역들로 화소 정의막(PDL)과 대응하는 영역일 수 있다. 한편, 본 명세서에서 발광 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B) 각각은 화소(Pixel)에 대응하는 것일 수 있다. 화소 정의막(PDL)은 유기 전계 발광 소자들(ED-1, ED-2, ED-3)을 구분하는 것일 수 있다. 유기 전계 발광 소자들(ED-1, ED-2, ED-3)의 발광층(EML-R, EML-G, EML-B)은 화소 정의막(PDL)에 정의된 개구부(OH)에 배치되어 구분될 수 있다. Each of the emission areas PXA-R, PXA-G, and PXA-B may be a region divided by the pixel defining layer PDL. The non-emission regions NPXA are regions between the neighboring emission regions PXA-R, PXA-G, and PXA-B, and may correspond to the pixel defining layer PDL. Meanwhile, in the present specification, each of the emission areas PXA-R, PXA-G, and PXA-B may correspond to a pixel. The pixel defining layer PDL may separate the organic electroluminescent devices ED-1, ED-2, and ED-3. The emission layers EML-R, EML-G, and EML-B of the organic electroluminescent devices ED-1, ED-2, and ED-3 are disposed in the opening OH defined in the pixel defining layer PDL. can be distinguished.
발광 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)은 유기 전계 발광 소자들(ED-1, ED-2, ED-3)에서 생성되는 광의 컬러에 따라 복수 개의 그룹으로 구분될 수 있다. 도 1 및 도 2에 도시된 일 실시예의 표시 장치(DD)에는 적색광, 녹색광, 및 청색광을 발광하는 3개의 발광 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)을 예시적으로 도시하였다. 예를 들어, 일 실시예의 표시 장치(DD)는 서로 구분되는 적색 발광 영역(PXA-R), 녹색 발광 영역(PXA-G), 및 청색 발광 영역(PXA-B)을 포함할 수 있다.The light emitting regions PXA-R, PXA-G, and PXA-B may be divided into a plurality of groups according to the color of light generated by the organic electroluminescent devices ED-1, ED-2, and ED-3. . 3 light emitting regions PXA-R, PXA-G, and PXA-B emitting red light, green light, and blue light are exemplarily shown in the display device DD of the exemplary embodiment shown in FIGS. 1 and 2 . . For example, the display device DD according to an exemplary embodiment may include a red light emitting area PXA-R, a green light emitting area PXA-G, and a blue light emitting area PXA-B.
일 실시예에 따른 표시 장치(DD)에서 복수 개의 유기 전계 발광 소자들(ED-1, ED-2, ED-3)은 서로 상이한 파장 영역의 광을 방출하는 것일 수 있다. 예를 들어, 일 실시예에서 표시 장치(DD)는 적색광을 방출하는 제1 유기 전계 발광 소자(ED-1), 녹색광을 방출하는 제2 유기 전계 발광 소자(ED-2), 및 청색광을 방출하는 제3 유기 전계 발광 소자(ED-3)를 포함할 수 있다. 즉, 표시 장치(DD)의 적색 발광 영역(PXA-R), 녹색 발광 영역(PXA-G), 및 청색 발광 영역(PXA-B)은 각각 제1 유기 전계 발광 소자(ED-1), 제2 유기 전계 발광 소자(ED-2), 및 제3 유기 전계 발광 소자(ED-3)에 대응할 수 있다.In the display device DD according to an exemplary embodiment, the plurality of organic electroluminescent devices ED-1, ED-2, and ED-3 may emit light of different wavelength ranges. For example, in an exemplary embodiment, the display device DD emits a first organic EL device ED-1 emitting red light, a second organic EL device ED-2 emitting green light, and a blue light emitting device. It may include a third organic electroluminescent device (ED-3). That is, the red light emitting area PXA-R, the green light emitting area PXA-G, and the blue light emitting area PXA-B of the display device DD are the first organic electroluminescent element ED-1 and the second light emitting area PXA-B, respectively. It may correspond to the 2nd organic electroluminescent element ED-2, and the 3rd organic electroluminescent element ED-3.
하지만, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며 제1 내지 제3 유기 전계 발광 소자들(ED-1, ED-2, ED-3)은 동일한 파장 영역의 광을 방출하는 것이거나, 또는 적어도 하나가 상이한 파장 영역의 광을 방출하는 것일 수 있다. 예를 들어, 제1 내지 제3 유기 전계 발광 소자들(ED-1, ED-2, ED-3)은 모두 청색광을 방출하는 것일 수 있다.However, embodiments are not limited thereto, and the first to third organic electroluminescent devices ED-1, ED-2, and ED-3 emit light in the same wavelength region, or at least one has a different wavelength. It may be to emit light in the area. For example, all of the first to third organic electroluminescent devices ED-1, ED-2, and ED-3 may emit blue light.
일 실시예에 따른 표시 장치(DD)에서의 발광 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)은 스트라이프 형태로 배열된 것일 수 있다. 도 1을 참조하면, 복수 개의 적색 발광 영역들(PXA-R), 복수 개의 녹색 발광 영역들(PXA-G), 및 복수 개의 청색 발광 영역들(PXA-B)이 각각 제2 방향축(DR2)을 따라 정렬된 것일 수 있다. 또한, 제1 방향축(DR1)을 따라 적색 발광 영역(PXA-R), 녹색 발광 영역(PXA-G), 및 청색 발광 영역(PXA-B)의 순서로 번갈아 가며 배열된 것일 수 있다. The light emitting areas PXA-R, PXA-G, and PXA-B in the display device DD according to an exemplary embodiment may be arranged in a stripe shape. Referring to FIG. 1 , a plurality of red light-emitting areas PXA-R, a plurality of green light-emitting areas PXA-G, and a plurality of blue light-emitting areas PXA-B are respectively formed along a second direction axis DR2 . ) may be sorted. Also, the red light emitting area PXA-R, the green light emitting area PXA-G, and the blue light emitting area PXA-B may be alternately arranged in the order along the first direction axis DR1 .
도 1 및 도 2에서는 발광 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)의 면적이 모두 유사한 것으로 도시하였으나, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며 발광 영역들(PXA-R PXA-G, PXA-B)의 면적은 방출하는 광의 파장 영역에 따라 서로 상이할 수 있다. 한편, 발광 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)의 면적은 제1 방향축(DR1)과 제2 방향축(DR2)이 정의하는 평면 상에서 보았을 때의 면적을 의미할 수 있다.1 and 2 show that the areas of the light emitting regions PXA-R, PXA-G, and PXA-B are all similar, but the embodiment is not limited thereto. The area of -B) may be different from each other depending on the wavelength region of the emitted light. Meanwhile, the area of the light emitting regions PXA-R, PXA-G, and PXA-B may mean an area when viewed on a plane defined by the first direction axis DR1 and the second direction axis DR2. .
한편, 발광 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)의 배열 형태는 도 1에 도시된 것에 한정되지 않으며, 적색 발광 영역(PXA-R), 녹색 발광 영역(PXA-G), 및 청색 발광 영역(PXA-B)이 배열되는 순서는 표시 장치(DD)에서 요구되는 표시 품질의 특성에 따라 다양하게 조합되어 제공될 수 있다. 예를 들어, 발광 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)의 배열 형태는 펜타일(PENTILE®) 배열 형태이거나, 다이아몬드 배열 형태를 갖는 것일 수 있다.Meanwhile, the arrangement of the light emitting areas PXA-R, PXA-G, and PXA-B is not limited to that illustrated in FIG. 1 , and includes a red light emitting area PXA-R, a green light emitting area PXA-G, and the order in which the blue light emitting areas PXA-B are arranged may be provided in various combinations according to characteristics of display quality required for the display device DD. For example, the arrangement of the light emitting regions PXA-R, PXA-G, and PXA-B may be a PENTILE® arrangement or a diamond arrangement.
또한, 발광 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)의 면적은 서로 상이한 것일 수 있다. 예를 들어, 일 실시예에서 녹색 발광 영역(PXA-G)의 면적이 청색 발광 영역(PXA-B)의 면적 보다 작을 수 있으나 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다.Also, the areas of the light emitting regions PXA-R, PXA-G, and PXA-B may be different from each other. For example, in an exemplary embodiment, the area of the green light emitting area PXA-G may be smaller than the area of the blue light emitting area PXA-B, but the exemplary embodiment is not limited thereto.
이하, 도 3 내지 도 6은 일 실시예에 따른 유기 전계 발광 소자를 개략적으로 나타낸 단면도이다. 일 실시예에 따른 유기 전계 발광 소자(ED)는 순차적으로 적층된 제1 전극(EL1), 정공 수송 영역(HTR), 발광층(EML), 전자 수송 영역(ETR), 및 제2 전극(EL2)을 포함할 수 있다. Hereinafter, FIGS. 3 to 6 are cross-sectional views schematically illustrating an organic electroluminescent device according to an embodiment. The organic electroluminescent device ED according to an exemplary embodiment includes a first electrode EL1, a hole transport region HTR, a light emitting layer EML, an electron transport region ETR, and a second electrode EL2 that are sequentially stacked. may include
일 실시예의 유기 전계 발광 소자(ED)는 제1 전극(EL1)과 제2 전극(EL2) 사이에 배치된 발광층(EML)에 후술하는 일 실시예의 다환 화합물을 포함한다. 하지만, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며 일 실시예의 유기 전계 발광 소자(ED)는 발광층(EML)이외에 제1 전극(EL1)과 제2 전극(EL2) 사이에 배치된 복수의 기능층들인 정공 수송 영역(HTR) 또는 전자 수송 영역(ETR)에 후술하는 일 실시예에 따른 다환 화합물을 포함하거나, 또는 제2 전극(EL2) 상에 배치된 캡핑층(CPL)에 후술하는 일 실시예에 따른 다환 화합물을 포함할 수 있다.The organic electroluminescent device ED according to an embodiment includes the polycyclic compound according to an embodiment to be described later in the emission layer EML disposed between the first electrode EL1 and the second electrode EL2. However, the embodiment is not limited thereto, and the organic electroluminescent device ED according to an embodiment has a hole transport region that is a plurality of functional layers disposed between the first electrode EL1 and the second electrode EL2 in addition to the emission layer EML. The polycyclic compound according to an embodiment including the polycyclic compound according to an embodiment to be described later in the (HTR) or the electron transport region (ETR), or the polycyclic compound according to an embodiment to be described later in the capping layer CPL disposed on the second electrode EL2 may include
한편, 도 4는 도 3과 비교하여, 정공 수송 영역(HTR)이 정공 주입층(HIL) 및 정공 수송층(HTL)을 포함하고, 전자 수송 영역(ETR)이 전자 주입층(EIL) 및 전자 수송층(ETL)을 포함하는 일 실시예의 유기 전계 발광 소자(ED)의 단면도를 나타낸 것이다. 또한, 도 5는 도 3과 비교하여 정공 수송 영역(HTR)이 정공 주입층(HIL), 정공 수송층(HTL), 및 전자 저지층(EBL)을 포함하고, 전자 수송 영역(ETR)이 전자 주입층(EIL), 전자 수송층(ETL), 및 정공 저지층(HBL)을 포함하는 일 실시예의 유기 전계 발광 소자(ED)의 단면도를 나타낸 것이다. 도 6은 도 4와 비교하여 제2 전극(EL2) 상에 배치된 캡핑층(CPL)을 포함하는 일 실시예의 유기 전계 발광 소자(ED)의 단면도를 나타낸 것이다.Meanwhile, in FIG. 4 , compared to FIG. 3 , the hole transport region HTR includes the hole injection layer HIL and the hole transport layer HTL, and the electron transport region ETR includes the electron injection layer EIL and the electron transport layer. A cross-sectional view of an organic electroluminescent device (ED) of an embodiment including (ETL) is shown. In addition, in FIG. 5 , the hole transport region (HTR) includes a hole injection layer (HIL), a hole transport layer (HTL), and an electron blocking layer (EBL) as compared with FIG. 3 , and the electron transport region (ETR) is an electron injection region A cross-sectional view of an organic electroluminescent device (ED) of an embodiment including a layer (EIL), an electron transport layer (ETL), and a hole blocking layer (HBL) is shown. 6 is a cross-sectional view of the organic electroluminescent device ED according to an embodiment including the capping layer CPL disposed on the second electrode EL2 as compared with FIG. 4 .
제1 전극(EL1)은 도전성을 갖는다. 제1 전극(EL1)은 금속 합금 또는 도전성 화합물로 형성될 수 있다. 제1 전극(EL1)은 애노드(anode) 또는 캐소드(cathode)일 수 있다. 하지만 실시예가 이에 한정되지 않는다. 또한, 제1 전극(EL1)은 화소 전극일 수 있다. 제1 전극(EL1)은 투과형 전극, 반투과형 전극 또는 반사형 전극일 수 있다. 제1 전극(EL1)은 Ag, Mg, Cu, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, Ca, LiF, Mo, Ti, W, In, Sn, 및 Zn 중 선택되는 적어도 하나, 이들 중 선택되는 2종 이상의 화합물, 이들 중 선택되는 2종 이상의 혼합물, 또는 이들의 산화물을 포함하는 것일 수 있다. 제1 전극(EL1)이 투과형 전극인 경우, 제1 전극(EL1)은 투명 금속 산화물, 예를 들어, ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), ZnO(zinc oxide), ITZO(indium tin zinc oxide) 등을 포함할 수 있다. 제1 전극(EL1)이 반투과형 전극 또는 반사형 전극인 경우, 제1 전극(EL1)은 Ag, Mg, Cu, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, Ca, LiF/Ca(LiF와 Ca의 적층 구조), LiF/Al(LiF와 Al의 적층 구조), Mo, Ti, W 또는 이들의 화합물이나 혼합물(예를 들어, Ag와 Mg의 혼합물)을 포함할 수 있다. 또는 상기 물질로 형성된 반사막이나 반투과막 및 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), ZnO(zinc oxide), ITZO(indium tin zinc oxide) 등으로 형성된 투명 도전막을 포함하는 복수의 층 구조일 수 있다. 예를 들어, 제1 전극(EL1)은 ITO/Ag/ITO의 3층 구조를 가질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 제1 전극(EL1)의 두께는 약 700Å 내지 약 10000Å일 수 있다. 예를 들어, 제1 전극(EL1)의 두께는 약 1000Å 내지 약 3000Å일 수 있다.The first electrode EL1 has conductivity. The first electrode EL1 may be formed of a metal alloy or a conductive compound. The first electrode EL1 may be an anode or a cathode. However, the embodiment is not limited thereto. Also, the first electrode EL1 may be a pixel electrode. The first electrode EL1 may be a transmissive electrode, a transflective electrode, or a reflective electrode. The first electrode EL1 is selected from Ag, Mg, Cu, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, Ca, LiF, Mo, Ti, W, In, Sn, and Zn. At least one, two or more compounds selected from these, a mixture of two or more selected from these, or an oxide thereof may be included. When the first electrode EL1 is a transmissive electrode, the first electrode EL1 is a transparent metal oxide, for example, indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), zinc oxide (ZnO), or indium (ITZO). tin zinc oxide) and the like. When the first electrode EL1 is a transflective electrode or a reflective electrode, the first electrode EL1 may include Ag, Mg, Cu, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, Ca, LiF/Ca (layered structure of LiF and Ca), LiF/Al (layered structure of LiF and Al), Mo, Ti, W, or a compound or mixture thereof (eg, a mixture of Ag and Mg) have. Alternatively, a plurality of layer structures including a reflective or semi-transmissive film formed of the above material and a transparent conductive film formed of indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), zinc oxide (ZnO), indium tin zinc oxide (ITZO), etc. can be For example, the first electrode EL1 may have a three-layer structure of ITO/Ag/ITO, but is not limited thereto. The thickness of the first electrode EL1 may be about 700 Å to about 10000 Å. For example, the thickness of the first electrode EL1 may be about 1000 Å to about 3000 Å.
정공 수송 영역(HTR)은 제1 전극(EL1) 상에 제공된다. 정공 수송 영역(HTR)은 정공 주입층(HIL), 정공 수송층(HTL), 정공 버퍼층(미도시), 및 전자 저지층(EBL) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 정공 수송 영역(HTR)의 두께는 예를 들어, 약 50Å 내지 약 15,000Å인 것일 수 있다.The hole transport region HTR is provided on the first electrode EL1 . The hole transport region HTR may include at least one of a hole injection layer HIL, a hole transport layer HTL, a hole buffer layer (not shown), and an electron blocking layer EBL. The thickness of the hole transport region HTR may be, for example, about 50 Å to about 15,000 Å.
정공 수송 영역(HTR)은 단일 물질로 이루어진 단일층, 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 단일층, 또는 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 복수의 층을 갖는 다층 구조를 가질 수 있다.The hole transport region HTR may have a single layer made of a single material, a single layer made of a plurality of different materials, or a multilayer structure having a plurality of layers made of a plurality of different materials.
예를 들어, 정공 수송 영역(HTR)은 정공 주입층(HIL) 또는 정공 수송층(HTL)의 단일층의 구조를 가질 수도 있고, 정공 주입 물질 및 정공 수송 물질로 이루어진 단일층 구조를 가질 수도 있다. 또한, 정공 수송 영역(HTR)은 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 단일층의 구조를 갖거나, 제1 전극(EL1)으로부터 차례로 적층된 정공 주입층(HIL)/정공 수송층(HTL), 정공 주입층(HIL)/정공 수송층(HTL)/정공 버퍼층(미도시), 정공 주입층(HIL)/정공 버퍼층(미도시), 정공 수송층(HTL)/정공 버퍼층, 또는 정공 주입층(HIL)/정공 수송층(HTL)/전자 저지층(EBL)의 구조를 가질 수 있으나, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다.For example, the hole transport region HTR may have a single-layer structure of the hole injection layer HIL or the hole transport layer HTL, or may have a single-layer structure including a hole injection material and a hole transport material. In addition, the hole transport region HTR has a single layer structure made of a plurality of different materials, or a hole injection layer HIL/hole transport layer HTL and a hole injection layer sequentially stacked from the first electrode EL1 . (HIL) / hole transport layer (HTL) / hole buffer layer (not shown), hole injection layer (HIL) / hole buffer layer (not shown), hole transport layer (HTL) / hole buffer layer, or hole injection layer (HIL) / hole transport layer (HTL)/electron blocking layer (EBL) may have a structure, but the embodiment is not limited thereto.
정공 수송 영역(HTR)은, 진공 증착법, 스핀 코팅법, 캐스트법, LB법(Langmuir-Blodgett), 잉크젯 프린팅법, 레이저 프린팅법, 레이저 열전사법(Laser Induced Thermal Imaging, LITI) 등과 같은 다양한 방법을 이용하여 형성될 수 있다.Hole transport region (HTR), vacuum deposition method, spin coating method, casting method, LB method (Langmuir-Blodgett), inkjet printing method, laser printing method, laser thermal imaging (Laser Induced Thermal Imaging, LITI), such as various methods It can be formed using
정공 수송 영역(HTR)은 하기 화학식 H-1로 표시되는 화합물을 더 포함하는 것일 수 있다. The hole transport region (HTR) may further include a compound represented by the following Chemical Formula H-1.
[화학식 H-1][Formula H-1]
상기 화학식 H-1에서, L1 및 L2는 각각 독립적으로 직접 결합(direct linkage), 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴렌기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴렌기일 수 있다. a 및 b는 각각 독립적으로 0 이상 10 이하의 정수일 수 있다. 한편, a 또는 b가 2 이상의 정수인 경우 복수의 L1 및 L2는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴렌기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴렌기일 수 있다.In Formula H-1, L 1 and L 2 are each independently a direct linkage, a substituted or unsubstituted arylene group having 6 to 30 carbon atoms, or a substituted or unsubstituted
화학식 H-1에서 Ar1 및 Ar2는 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴기일 수 있다. 또한, 화학식 H-1에서 Ar3은 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기일 수 있다.In Formula H-1, Ar 1 and Ar 2 may each independently be a substituted or unsubstituted aryl group having 6 or more and 30 or less ring carbon atoms, or a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 2 or more and 30 or less ring carbon atoms. . In addition, in Formula H-1, Ar 3 may be a substituted or unsubstituted aryl group having 6 or more and 30 or less ring carbon atoms.
상기 화학식 H-1로 표시되는 화합물은 모노아민 화합물일 수 있다. 또는, 상기 화학식 H-1로 표시되는 화합물은 Ar1 내지 Ar3 중 적어도 하나가 아민기를 치환기로 포함하는 디아민 화합물일 수 있다. 또한, 상기 화학식 H-1로 표시되는 화합물은 Ar1 및 Ar2 중 적어도 하나에 치환 또는 비치환된 카바졸기를 포함하는 카바졸계 화합물, 또는 Ar1 및 Ar2 중 적어도 하나에 치환 또는 비치환된 플루오렌기를 포함하는 플루오렌계 화합물일 수 있다. The compound represented by Formula H-1 may be a monoamine compound. Alternatively, the compound represented by Formula H-1 may be a diamine compound in which at least one of Ar 1 to Ar 3 includes an amine group as a substituent. In addition, the compound represented by Formula H-1 is a carbazole-based compound including a carbazole group substituted or unsubstituted in at least one of Ar 1 and Ar 2 , or a carbazole-based compound including a carbazole group substituted or unsubstituted in at least one of Ar 1 and Ar 2 It may be a fluorene-based compound including a fluorene group.
화학식 H-1로 표시되는 화합물은 하기 화합물군 H의 화합물들 중 어느 하나로 표시될 수 있다. 하지만, 하기 화합물군 H에 나열된 화합물들은 예시적인 것으로 화학식 H-1로 표시되는 화합물이 하기 화합물군 H에 표시된 것에 한정되는 것은 아니다.The compound represented by Formula H-1 may be represented by any one of compounds of the following compound group H. However, the compounds listed in the following compound group H are exemplary, and the compound represented by the formula (H-1) is not limited to those shown in the following compound group H.
[화합물군 H][Compound group H]
정공 수송 영역(HTR)은 구리프탈로시아닌(copper phthalocyanine) 등의 프탈로시아닌(phthalocyanine) 화합물, DNTPD(N1,N1'-([1,1'-biphenyl]-4,4'-diyl)bis(N1-phenyl-N4,N4-di-m-tolylbenzene-1,4-diamine)), m-MTDATA(4,4',4"-[tris(3-methylphenyl)phenylamino] triphenylamine), TDATA(4,4'4"-Tris(N,N-diphenylamino)triphenylamine), 1-TNATA(4,4',4"-tris[N(1-naphthyl)-N-phenylamino]-triphenylamine), 2-TNATA(4,4',4"-tris[N(2-naphthyl)-N-phenylamino]-triphenylamine), PEDOT/PSS(Poly(3,4-ethylenedioxythiophene)/Poly(4-styrenesulfonate)), PANI/DBSA(Polyaniline/Dodecylbenzenesulfonic acid), PANI/CSA(Polyaniline/Camphor sulfonicacid), PANI/PSS(Polyaniline/Poly(4-styrenesulfonate)), NPB(N,N'-di(naphthalene-l-yl)-N,N'-diphenyl-benzidine), 트리페닐아민을 포함하는 폴리에테르케톤(TPAPEK), 4-Isopropyl-4'-methyldiphenyliodonium [Tetrakis(pentafluorophenyl)borate], HATCN(dipyrazino[2,3-f: 2',3'-h] quinoxaline-2,3,6,7,10,11-hexacarbonitrile) 등을 더 포함할 수 있다.The hole transport region (HTR) is a phthalocyanine compound such as copper phthalocyanine, DNTPD(N 1 ,N 1' -([1,1'-biphenyl]-4,4'-diyl)bis(N) 1 -phenyl-N 4 ,N 4 -di-m-tolylbenzene-1,4-diamine)), m-MTDATA(4,4',4"-[tris(3-methylphenyl)phenylamino] triphenylamine), TDATA( 4,4'4"-Tris(N,N-diphenylamino)triphenylamine), 1-TNATA(4,4',4"-tris[N(1-naphthyl)-N-phenylamino]-triphenylamine), 2-TNATA (4,4',4"-tris[N(2-naphthyl)-N-phenylamino]-triphenylamine), PEDOT/PSS(Poly(3,4-ethylenedioxythiophene)/Poly(4-styrenesulfonate)), PANI/DBSA (Polyaniline/Dodecylbenzenesulfonic acid), PANI/CSA(Polyaniline/Camphor sulfonicacid), PANI/PSS(Polyaniline/Poly(4-styrenesulfonate)), NPB(N,N'-di(naphthalene-l-yl)-N,N '-diphenyl-benzidine), polyether ketone containing triphenylamine (TPAPEK), 4-Isopropyl-4'-methyldiphenyliodonium [Tetrakis(pentafluorophenyl)borate], HATCN(dipyrazino[2,3-f: 2',3 '-h] quinoxaline-2,3,6,7,10,11-hexacarbonitrile) and the like may be further included.
정공 수송 영역(HTR)은 예를 들어, N-페닐카바졸, 폴리비닐카바졸 등의 카바졸계 유도체, 플루오렌(fluorene)계 유도체, TPD(N,N'-bis(3-methylphenyl)-N,N'-diphenyl-[1,1'-biphenyl]-4,4'-diamine), TCTA(4,4',4"-tris(N-carbazolyl)triphenylamine) 등과 같은 트리페닐아민계 유도체, NPB(N,N'-di(naphthalene-l-yl)-N,N'-diphenyl-benzidine), TAPC(4,4′-Cyclohexylidene bis[N,N-bis(4-methylphenyl)benzenamine]), HMTPD(4,4'-Bis[N,N'-(3-tolyl)amino]-3,3'-dimethylbiphenyl), mCP(1,3-Bis(N-carbazolyl)benzene) 등을 더 포함할 수도 있다.The hole transport region (HTR) is, for example, a carbazole-based derivative such as N-phenylcarbazole or polyvinylcarbazole, a fluorene-based derivative, or TPD (N,N'-bis(3-methylphenyl)-N). Triphenylamine derivatives such as ,N'-diphenyl-[1,1'-biphenyl]-4,4'-diamine), TCTA (4,4',4"-tris(N-carbazolyl)triphenylamine), NPB (N,N'-di(naphthalene-l-yl)-N,N'-diphenyl-benzidine), TAPC(4,4′-Cyclohexylidene bis[N,N-bis(4-methylphenyl)benzenamine]), HMTPD (4,4'-Bis[N,N'-(3-tolyl)amino]-3,3'-dimethylbiphenyl), mCP(1,3-Bis(N-carbazolyl)benzene), etc. may be further included. .
정공 수송 영역(HTR)은 CzSi(9-(4-tert-Butylphenyl)-3,6-bis(triphenylsilyl)-9H-carbazole), CCP(9-phenyl-9H-3,9'-bicarbazole), 또는 mDCP(1,3-bis(1,8-dimethyl-9H-carbazol-9-yl)benzene)등을 더 포함할 수 있다.The hole transport region (HTR) is CzSi(9-(4-tert-Butylphenyl)-3,6-bis(triphenylsilyl)-9H-carbazole), CCP(9-phenyl-9H-3,9'-bicarbazole), or It may further include mDCP (1,3-bis(1,8-dimethyl-9H-carbazol-9-yl)benzene).
정공 수송 영역(HTR)은 상술한 정공 수송 영역의 화합물들을 정공 주입층(HIL), 정공 수송층(HTL), 및 전자 저지층(EBL) 중 적어도 하나에 포함할 수 있다.The hole transport region HTR may include the above-described compounds of the hole transport region in at least one of the hole injection layer HIL, the hole transport layer HTL, and the electron blocking layer EBL.
정공 수송 영역(HTR)의 두께는 약 100Å 내지 약 10000Å, 예를 들어, 약 100Å 내지 약 5000Å일 수 있다. 정공 주입층(HIL)의 두께는, 예를 들어, 약 30Å 내지 약 1000Å이고, 정공 수송층(HTL)의 두께는 약 30Å 내지 약 1000Å 일 수 있다. 예를 들어, 전자 저지층(EBL)의 두께는 약 10Å 내지 약 1000Å일 수 있다. 정공 수송 영역(HTR), 정공 주입층(HIL), 정공 수송층(HTL) 및 전자 저지층(EBL)의 두께가 전술한 바와 같은 범위를 만족할 경우, 실질적인 구동 전압 상승 없이 만족스러운 정도의 정공 수송 특성을 얻을 수 있다.The hole transport region HTR may have a thickness of about 100 Å to about 10000 Å, for example, about 100 Å to about 5000 Å. The thickness of the hole injection layer HIL may be, for example, about 30 Å to about 1000 Å, and the thickness of the hole transport layer HTL may be about 30 Å to about 1000 Å. For example, the thickness of the electron blocking layer (EBL) may be about 10 Å to about 1000 Å. When the thicknesses of the hole transport region (HTR), the hole injection layer (HIL), the hole transport layer (HTL), and the electron blocking layer (EBL) satisfy the above-described ranges, satisfactory hole transport characteristics without a substantial increase in driving voltage can get
정공 수송 영역(HTR)은 앞서 언급한 물질 외에, 도전성 향상을 위하여 전하 생성 물질을 더 포함할 수 있다. 전하 생성 물질은 정공 수송 영역(HTR) 내에 균일하게 또는 불균일하게 분산되어 있을 수 있다. 전하 생성 물질은 예를 들어, p-도펀트(dopant)일 수 있다. p-도펀트는 퀴논(quinone) 유도체, 금속 산화물 및 시아노(cyano)기 함유 화합물 중 하나일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, p-도펀트의 비제한적인 예로는, TCNQ(Tetracyanoquinodimethane) 및 F4-TCNQ(2,3,5,6-tetrafluoro-7,7'8,8-tetracyanoquinodimethane) 등과 같은 퀴논 유도체, 텅스텐 산화물 및 몰리브덴 산화물 등과 같은 금속 산화물 등을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The hole transport region HTR may further include a charge generating material to improve conductivity, in addition to the aforementioned materials. The charge generating material may be uniformly or non-uniformly dispersed in the hole transport region HTR. The charge generating material may be, for example, a p-dopant. The p-dopant may be one of a quinone derivative, a metal oxide, and a cyano group-containing compound, but is not limited thereto. For example, non-limiting examples of p-dopants include quinone derivatives such as TCNQ (Tetracyanoquinodimethane) and F4-TCNQ (2,3,5,6-tetrafluoro-7,7'8,8-tetracyanoquinodimethane), tungsten oxide, and the like. and metal oxides such as molybdenum oxide, etc., but is not limited thereto.
전술한 바와 같이, 정공 수송 영역(HTR)은 정공 주입층(HIL) 및 정공 수송층(HTL) 외에, 정공 버퍼층(미도시) 및 전자 저지층(EBL) 중 적어도 하나를 더 포함할 수 있다. 정공 버퍼층(미도시)은 발광층(EML)에서 방출되는 광의 파장에 따른 공진 거리를 보상하여 광 방출 효율을 증가시킬 수 있다. 정공 버퍼층(미도시)에 포함되는 물질로는 정공 수송 영역(HTR)에 포함될 수 있는 물질을 사용할 수 있다. 전자 저지층(EBL)은 전자 수송 영역(ETR)으로부터 정공 수송 영역(HTR)으로의 전자 주입을 방지하는 역할을 하는 층이다.As described above, the hole transport region HTR may further include at least one of a hole buffer layer (not shown) and an electron blocking layer EBL, in addition to the hole injection layer HIL and the hole transport layer HTL. The hole buffer layer (not shown) may increase light emission efficiency by compensating for a resonance distance according to a wavelength of light emitted from the emission layer EML. As a material included in the hole buffer layer (not shown), a material capable of being included in the hole transport region HTR may be used. The electron blocking layer EBL is a layer serving to prevent electron injection from the electron transport region ETR to the hole transport region HTR.
발광층(EML)은 정공 수송 영역(HTR) 상에 제공된다. 발광층(EML)은 예를 들어 약 100Å 내지 약 1000Å 또는, 약 100Å 내지 약 300Å의 두께를 갖는 것일 수 있다. 발광층(EML)은 단일 물질로 이루어진 단일층, 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 단일층 또는 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 복수의 층을 갖는 다층 구조를 가질 수 있다.The emission layer EML is provided on the hole transport region HTR. The emission layer EML may have a thickness of, for example, about 100 Å to about 1000 Å, or about 100 Å to about 300 Å. The emission layer EML may have a single layer made of a single material, a single layer made of a plurality of different materials, or a multilayer structure having a plurality of layers made of a plurality of different materials.
일 실시예의 유기 전계 발광 소자(ED)는 일 실시예에 따른 다환 화합물을 포함하는 것일 수 있다. 일 실시예의 다환 화합물은 하기 화학식 1로 표시되는 것일 수 있다.The organic electroluminescent device (ED) according to an embodiment may include the polycyclic compound according to the embodiment. The polycyclic compound according to an embodiment may be represented by the following
[화학식 1][Formula 1]
화학식 1에서, X1 내지 X2는 각각 독립적으로 O, S, 또는 NR7이고, R7은 수소 원자, 중수소 원자, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴기이거나, 또는 인접하는 기와 결합하여 고리를 형성한다. In
화학식 1에서, R1 내지 R4, R5-1 내지 R5-3 및 R6-1 내지 R6-3은 각각 독립적으로, 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 니트로기, 시아노기, 히드록시기, 치환 또는 비치환된 아민기, 치환 또는 비치환된 티올기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴기이거나, 또는 인접하는 기와 결합하여 고리를 형성한다. In
화학식 1에서, e 및 f는 내지 각각 독립적으로 0 이상 4이하의 정수이다. 한편, e가 2 이상일 경우, 복수의 R1은 서로 동일하거나 상이하고, f가 2 이상일 경우, 복수의 R2는 서로 동일하거나 상이하다.In
화학식 1에서, g는 0 이상 2이하의 정수이고, 한편, g가 2 이상일 경우, 복수의 R3는 서로 동일하거나 상이하다.In
화학식 1에서, h는 0 이상 3 이하의 정수이고, 한편, h가 2 이상일 경우, 복수의 R4는 서로 동일하거나 상이하다.In
화학식 1에서, Y1, 및 Y2는 각각 독립적으로 각각 독립적으로, 수소 원자, 중수소 원자, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 이상 20 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 고리형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴기이다. 단, Y1, 및 Y2 중 적어도 하나는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 이상 20 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 고리형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴기이다.In
일 실시예에서, 화학식 1의 X1 및 X2 중 적어도 하나는 NR7이고, R7은 치환 또는 비치환된 고리형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴기일 수 있다. 예를 들어, 화학식 1은 하기 화학식 2-1 내지 화학식 2-5 중 어느 하나로 표시될 수 있다. In one embodiment, at least one of X 1 and X 2 in
[화학식 2-1][Formula 2-1]
[화학식 2-2][Formula 2-2]
[화학식 2-3][Formula 2-3]
[화학식 2-4][Formula 2-4]
[화학식 2-5][Formula 2-5]
화학식 2-1 내지 화학식 2-5에서, Ar1-1 및 Ar1-2는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 고리형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴기일 수 있다. In Formulas 2-1 to 2-5, Ar1-1and Ar1-2may be each independently a substituted or unsubstituted aryl group having 6 or more and 30 or less ring carbon atoms, or a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 2 or more and 30 or less ring carbon atoms.
화학식 2-1 내지 화학식 2-5에서, R1 내지 R4, R5-1 내지 R5-3, R6-1 내지 R6-3, Y1, Y2, 및 e 내지 h는 화학식 1에서 정의한 바와 동일하다. In Formulas 2-1 to 2-5, R 1 to R 4 , R 5-1 to R 5-3 , R 6-1 to R 6-3 , Y 1 , Y 2 , and e to h are in
일 실시예에서, Ar1-1, 및 Ar1-2는 각각 독립적으로 하기 화학식 5-1 내지 화학식 5-3 중 어느 하나로 표시될 수 있다. In an embodiment, Ar 1-1 and Ar 1-2 may each independently be represented by any one of the following Chemical Formulas 5-1 to 5-3.
[화학식 5-1] [Formula 5-1]
[화학식 5-2] [Formula 5-2]
[화학식 5-3] [Formula 5-3]
화학식 5-1 내지 화학식 5-3 에서, Ra1 내지 Ra5는 각각 독립적으로 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로 아릴기일 수 있다. In Formulas 5-1 to 5-3, R a1 to R a5 are each independently a hydrogen atom, a deuterium atom, a halogen atom, a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, and a substituted or unsubstituted ring carbon number It may be an aryl group of 6 or more and 30 or less, or a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 2 or more and 30 or less ring carbon atoms.
화학식 5-1에서, m1은 0 이상 5 이하의 정수이고, 한편, m1이 2 이상인 경우, 복수의 Ra1은 서로 동일하거나 상이하다.In Formula 5-1, m1 is an integer of 0 or more and 5 or less, on the other hand, when m1 is 2 or more, a plurality of R a1s are the same as or different from each other.
화학식 5-2에서, m2는 0 이상 9 이하의 정수이고, 한편, m2가 2 이상인 경우, 복수의 Ra2는 서로 동일하거나 상이하다.In Formula 5-2, m2 is an integer of 0 or more and 9 or less, on the other hand, when m2 is 2 or more, a plurality of R a2 are the same as or different from each other.
화학식 5-3에서, m3는 0 이상 5 이하의 정수이고, 한편, m3이 2 이상인 경우, 복수의 Ra3는 서로 동일하거나 상이하다.In Formula 5-3, m3 is an integer of 0 or more and 5 or less, on the other hand, when m3 is 2 or more, a plurality of R a3 are the same as or different from each other.
화학식 5-3에서, m4는 0 이상 3 이하의 정수이고, 한편, m4가 2 이상인 경우, 복수의 Ra4는 서로 동일하거나 상이하다.In Formula 5-3, m4 is an integer of 0 or more and 3 or less, on the other hand, when m4 is 2 or more, a plurality of R a4 are the same as or different from each other.
화학식 5-3에서, m5는 0 이상 5 이하의 정수이고, 한편, m5가 2 이상인 경우, 복수의 Ra5는 서로 동일하거나 상이하다.In Formula 5-3, m5 is an integer of 0 or more and 5 or less, on the other hand, when m5 is 2 or more, a plurality of R a5 are the same as or different from each other.
일 실시예에서, 화학식 1의 R5-1 내지 R5-3, 및 R6-1 내지 R6-3, 중 적어도 하나는 치환된 아민기일 수 있다. In one embodiment, R 5-1 to R 5-3 of
일 실시예에서, 화학식 1의 R5-2는 치환된 아민기일 수 있다. 예를 들어, 화학식 1은 하기 화학식 3-1로 표시될 수 있다. In one embodiment, R 5-2 in
[화학식 3-1][Formula 3-1]
화학식 3-1에서, Ar3-1, 및 Ar3-2는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기일 수 있고, X1, X2, R1 내지 R4, R5-1, R5-3, R6-1 내지 R6-3, Y1, Y2, 및 e 내지 h는 화학식 1에서 정의한 바와 동일하다. In Formula 3-1, Ar 3-1 and Ar 3-2 may each independently be a substituted or unsubstituted aryl group having 6 or more and 30 or less ring carbon atoms, X 1 , X 2 , R 1 to R 4 , R 5-1 , R 5-3 , R 6-1 to R 6-3 , Y 1 , Y 2 , and e to h are the same as defined in
일 실시예에서, 화학식 1의 R6-2는 치환된 아민기일 수 있다. 예를 들어, 화학식 1은 하기 화학식 3-2로 표시될 수 있다.In one embodiment, R 6-2 of
[화학식 3-2][Formula 3-2]
화학식 3-2에서, Ar4-1 및 Ar4-2는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기일 수 있고, X1, X2, R1 내지 R4, R5-1 내지 R5-3, R6-1, R6-3, Y1, Y2, 및 e 내지 h는 화학식 1에서 정의한 바와 동일하다. In Formula 3-2, Ar 4-1 and Ar 4-2 may be each independently a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 ring carbon atoms, X 1 , X 2 , R 1 to R 4 , R 5-1 to R 5-3, R 6 -1 , R 6-3 , Y 1 , Y 2 , and e to h are the same as defined in
일 실시예에서, 화학식 1의 R5-2, 및 R6-2는 각각 치환된 아민기일 수 있다. 예를 들어, 화학식 1은 하기 화학식 4로 표시될 수 있다.In one embodiment, R 5-2 and R 6-2 of
[화학식 4][Formula 4]
화학식 4에서, Ar3-1, Ar3-2, Ar4-1 및 Ar4-2는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기일 수 있고, X1, X2, R1 내지 R4, R5-1, R5-3, R6-1, R6-3, Y1, Y2, 및 e 내지 h는 화학식 1에서 정의한 바와 동일하다. In Formula 4, Ar 3-1, Ar 3-2 , Ar 4-1 and Ar 4-2 may be each independently a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 ring carbon atoms, X 1 , X 2 , R 1 to R 4 , R 5-1 , R 5-3, R 6 -1 , R 6-3 , Y 1 , Y 2 , and e to h are the same as defined in
일 실시예에서, 화학식 3-1, 또는 화학식 4에서, Ar3-1, 및 Ar3-2는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 18 이하의 아릴기일 수 있다. In one embodiment, in Formula 3-1 or Formula 4, Ar 3-1, and Ar 3-2 may be each independently a substituted or unsubstituted aryl group having 6 or more and 18 or less ring carbon atoms.
일 실시예에서, 화학식 3-2, 또는 화학식 4에서, Ar4-1 및 Ar4-2는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 18 이하의 아릴기일 수 있다.In one embodiment, in Formula 3-2 or Formula 4, Ar 4-1 and Ar 4-2 may be each independently a substituted or unsubstituted aryl group having 6 or more and 18 or less ring carbon atoms.
발명의 일 실시예에 따른 화학식 1로 표시되는 다환 화합물은 하기 화합물군 1에 표시된 화합물들 중 선택되는 어느 하나일 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니다. The polycyclic compound represented by
[화합물군 1] [Compound group 1]
1`14 1`14
. .
화학식 1 등으로 표시되는 일 실시예의 다환 화합물은 형광 발광 재료 또는 열활성 지연 형광(Thermally Activated Delayed Fluorescence, TADF) 재료로 사용될 수 있다. 예를 들어, 일 실시예의 다환 화합물은 청색광을 발광하는 형광 도펀트 재료 또는 TADF 도펀트 재료로 사용될 수 있다. 일 실시예의 다환 화합물은 490nm 이하의 파장 영역에서 발광 중심 파장(λmax)을 갖는 발광 재료일 수 있다. 예를 들어, 화학식 1로 표시되는 일 실시예의 다환 화합물은 450nm 이상 470nm 이하의 파장 영역에서 발광 중심 파장을 갖는 발광 재료일 수 있다. 즉, 일 실시예의 다환 화합물은 청색 열활성 지연 형광 도펀트일 수 있다. 하지만, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다.The polycyclic compound of one embodiment represented by
도 3 내지 도 6에 도시된 일 실시예의 유기 전계 발광 소자(ED)에서 발광층(EML)은 제1 화합물 및 제2 화합물을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 화합물은 도펀트를 포함할 수 있고, 제2 화합물은 호스트를 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 제1 화합물은 화학식 1로 표시되는 다환 화합물일 수 있다. In the organic electroluminescent device ED of the exemplary embodiment shown in FIGS. 3 to 6 , the emission layer EML may include a first compound and a second compound. For example, the first compound may include a dopant, and the second compound may include a host. In one embodiment, the first compound may be a polycyclic compound represented by
본 발명의 일 실시예에 따른 다환 화합물은 황 원소 도입에 의한 중원자 효과에 의해 스핀 궤도 상호 작용이 증대함에 따라 kRISC를 증대시켜, Triplet-Triplet Annihilation(TTA), 및 Singlet-Triplet Annihilation(STA)를 억제할 수 있다. 또한, 화학식 1 등으로 표시되는 일 실시예의 다환 화합물은 특정 위치에 치환기 Y1 및/또는 Y2를 필수적으로 포함하여, 분자 부피가 증대하여 여기 상태에 있는 인접 분자 간 거리를 벌려 TTA, 및 STA를 억제할 수 있다. 따라서, 일 실시예의 다환 화합물을 발광층(EML)에 포함한 일 실시예의 유기 전계 발광 소자(ED)는 Roll off가 억제되고, 개선된 수명 특성을 나타낼 수 있다. The polycyclic compound according to an embodiment of the present invention increases k RISC as the spin orbital interaction increases due to the heavy atom effect caused by the introduction of sulfur element, so that Triplet-Triplet Annihilation (TTA), and Singlet-Triplet Annihilation (STA) ) can be suppressed. In addition, the polycyclic compound of an embodiment represented by
또한, 화학식 1로 표시되는 일 실시예의 다환 화합물을 발광층(EML)에 포함하는 일 실시예의 유기 전계 발광 소자(ED)는 지연 형광을 방출하는 것일 수 있다. 일 실시예의 유기 전계 발광 소자(ED)는 열활성 지연 형광(Thermally Activated Delayed Fluorescence, TADF)을 발광하는 것일 수 있으며, 유기 전계 발광 소자(ED)는 고효율 특성을 나타낼 수 있다. In addition, the organic electroluminescent device (ED) of an embodiment including the polycyclic compound of an embodiment represented by
일 실시예의 유기 전계 발광 소자(ED)는 상술한 일 실시예의 다환 화합물 이외에 하기의 발광층 재료를 더 포함하는 것일 수 있다. 일 실시예의 유기 전계 발광 소자(ED)에서 발광층(EML)은 안트라센 유도체, 피렌 유도체, 플루오란텐 유도체, 크리센 유도체, 디하이드로벤즈안트라센 유도체, 또는 트리페닐렌 유도체를 포함하는 것일 수 있다. 구체적으로, 발광층(EML)은 안트라센 유도체 또는 피렌 유도체를 포함하는 것일 수 있다.The organic electroluminescent device (ED) of an embodiment may further include the following light emitting layer material in addition to the polycyclic compound of the embodiment described above. In the organic electroluminescent device (ED) of an embodiment, the emission layer (EML) may include an anthracene derivative, a pyrene derivative, a fluoranthene derivative, a chrysene derivative, a dihydrobenzanthracene derivative, or a triphenylene derivative. Specifically, the emission layer EML may include an anthracene derivative or a pyrene derivative.
도 3 내지 도 6에 도시된 일 실시예의 유기 전계 발광 소자(ED)에서 발광층(EML)은 호스트 및 도펀트를 포함할 수 있고, 발광층(EML)은 하기 화학식 E-1로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다. 하기 화학식 E-1로 표시되는 화합물은 형광 호스트재료로 사용될 수 있다.In the organic electroluminescent device (ED) of an embodiment shown in FIGS. 3 to 6 , the emission layer (EML) may include a host and a dopant, and the emission layer (EML) may include a compound represented by the following Chemical Formula E-1. can The compound represented by the following Chemical Formula E-1 may be used as a fluorescent host material.
[화학식 E-1][Formula E-1]
화학식 E-1에서, R31 내지 R40은 각각 독립적으로, 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 치환 또는 비치환된 실릴기, 치환 또는 비치환된 티오기, 치환 또는 비치환된 옥시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 10 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 10 이하의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴기이거나, 또는 인접하는 기와 결합하여 고리를 형성하는 것일 수 있다. 한편, R31 내지 R40은 인접하는 기와 서로 결합하여 포화탄화수소 고리, 불포화탄화수소 고리, 포화헤테로 고리 또는 불포화헤테로 고리를 형성할 수 있다.In Formula E-1, R 31 to R 40 are each independently a hydrogen atom, a deuterium atom, a halogen atom, a substituted or unsubstituted silyl group, a substituted or unsubstituted thio group, a substituted or unsubstituted oxy group, a substituted Or an unsubstituted alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, a substituted or unsubstituted alkenyl group having 1 to 10 carbon atoms, a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 carbon atoms, or a substituted or unsubstituted ring forming group It may be a heteroaryl group having 2 or more and 30 or less carbon atoms, or may be combined with an adjacent group to form a ring. Meanwhile, R 31 to R 40 may combine with adjacent groups to form a saturated hydrocarbon ring, an unsaturated hydrocarbon ring, a saturated hetero ring, or an unsaturated hetero ring.
화학식 E-1에서 c 및 d는 각각 독립적으로 0 이상 5 이하의 정수일 수 있다.In Formula E-1, c and d may each independently be an integer of 0 or more and 5 or less.
화학식 E-1은 하기 화합물 E1 내지 화합물 E19 중 어느 하나로 표시되는 것일 수 있다.Formula E-1 may be represented by any one of the following compounds E1 to E19.
일 실시예에서 발광층(EML)은 하기 화학식 E-2a 또는 화학식 E-2b로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다. 하기 화학식 E-2a 또는 화학식 E-2b로 표시되는 화합물은 인광 호스트재료로 사용될 수 있다.In an embodiment, the emission layer EML may include a compound represented by the following Chemical Formula E-2a or Chemical Formula E-2b. The compound represented by Formula E-2a or Formula E-2b below may be used as a phosphorescent host material.
[화학식 E-2a][Formula E-2a]
화학식 E-2a에서, a는 0 이상 10 이하의 정수이고, La는 직접 결합, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴렌기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴렌기일 수 있다. 한편, a가 2 이상의 정수인 경우 복수 개의 La는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴렌기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴렌기일 수 있다. In Formula E-2a, a is an integer from 0 to 10, and L a is a direct bond, a substituted or unsubstituted arylene group having 6 to 30 carbon atoms, or a substituted or unsubstituted
또한, 화학식 E-2a에서 A1 내지 A5는 각각 독립적으로 N 또는 CRi일 수 있다. Ra 내지 Ri는 각각 독립적으로, 수소 원자, 중수소 원자, 치환 또는 비치환된 아민기, 치환 또는 비치환된 티오기, 치환 또는 비치환된 옥시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 이상 20 이하의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴기이거나, 또는 인접하는 기와 서로 결합하여 고리를 형성하는 것일 수 있다. Ra 내지 Ri는 인접하는 기와 서로 결합하여 탄화수소 고리 또는 N, O, S 등을 고리 형성 원자로 포함하는 헤테로 고리를 형성할 수 있다.In addition, in Formula E-2a, A 1 to A 5 may each independently represent N or CR i . R a to R i are each independently a hydrogen atom, a deuterium atom, a substituted or unsubstituted amine group, a substituted or unsubstituted thio group, a substituted or unsubstituted oxy group, a substituted or unsubstituted C1 or more and 20 or less of an alkyl group, a substituted or unsubstituted alkenyl group having 2 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 ring carbon atoms, or a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 2 to 30 ring carbon atoms Or, it may be combined with an adjacent group to form a ring. R a to R i may combine with an adjacent group to form a hydrocarbon ring or a hetero ring including N, O, S, etc. as ring forming atoms.
한편, 화학식 E-2a에서 A1 내지 A5 중 선택되는 두 개 또는 세 개는 N이고 나머지는 CRi일 수 있다.Meanwhile, in Formula E-2a, two or three selected from A 1 to A 5 may be N and the rest may be CR i .
[화학식 E-2b][Formula E-2b]
화학식 E-2b에서 Cbz1 및 Cbz2는 각각 독립적으로 비치환된 카바졸기, 또는 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기로 치환된 카바졸기일 수 있다. Lb는 직접 결합, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴렌기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴렌기일 수 있다. b는 0 이상 10 이하의 정수이고, b가 2 이상의 정수인 경우 복수 개의 Lb는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴렌기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴렌기일 수 있다.In Formula E-2b, Cbz1 and Cbz2 may each independently represent an unsubstituted carbazole group or a carbazole group substituted with an aryl group having 6 to 30 ring carbon atoms. L b may be a direct bond, a substituted or unsubstituted arylene group having 6 to 30 ring carbon atoms, or a substituted or unsubstituted heteroarylene group having 2 to 30 ring carbon atoms. b is an integer of 0 or more and 10 or less, and when b is an integer of 2 or more, a plurality of L b are each independently a substituted or unsubstituted arylene group having 6 to 30 carbon atoms, or a substituted or unsubstituted
화학식 E-2a 또는 화학식 E-2b로 표시되는 화합물은 하기 화합물군 E-2의 화합물들 중 어느 하나로 표시될 수 있다. 하지만, 하기 화합물군 E-2에 나열된 화합물들은 예시적인 것으로 화학식 E-2a 또는 화학식 E-2b로 표시되는 화합물이 하기 화합물군 E-2에 표시된 것에 한정되는 것은 아니다.The compound represented by Formula E-2a or Formula E-2b may be represented by any one of the compounds of the following compound group E-2. However, the compounds listed in the following compound group E-2 are exemplary, and the compounds represented by the formulas E-2a or E-2b are not limited to those shown in the following compound groups E-2.
[화합물군 E-2][Compound group E-2]
발광층(EML)은 호스트 물질로 당 기술분야에 알려진 일반적인 재료를 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 발광층(EML)은 호스트 물질로 BCPDS (bis (4-(9H-carbazol-9-yl) phenyl) diphenylsilane), POPCPA ((4-(1-(4-(diphenylamino) phenyl) cyclohexyl) phenyl) diphenyl-phosphine oxide), DPEPO(Bis[2-(diphenylphosphino)phenyl] ether oxide), CBP(4,4'-bis(N-carbazolyl)-1,1'-biphenyl), mCP(1,3-Bis(carbazol-9-yl)benzene), PPF (2,8-Bis(diphenylphosphoryl)dibenzo[b,d]furan), TCTA(4,4',4''-Tris(carbazol-9-yl)-triphenylamine) 및 TPBi(1,3,5-tris(1-phenyl-1H-benzo[d]imidazole-2-yl)benzene) 중 적어도 하나를 포함하는 것일 수 있다. 다만, 이에 의하여 한정되는 것은 아니며, 예를 들어, Alq3(tris(8-hydroxyquinolino)aluminum), ADN(9,10-di(naphthalene-2-yl)anthracene), TBADN(2-tert-butyl-9,10-di(naphth-2-yl)anthracene), DSA(distyrylarylene), CDBP(4,4′-bis(9-carbazolyl)-2,2′-dimethyl-biphenyl), MADN(2-Methyl-9,10-bis(naphthalen-2-yl)anthracene), CP1(Hexaphenyl cyclotriphosphazene), UGH2 (1,4-Bis(triphenylsilyl)benzene), DPSiO3 (Hexaphenylcyclotrisiloxane), DPSiO4 (Octaphenylcyclotetra siloxane) 등을 호스트 재료로 사용할 수 있다.The light emitting layer EML may further include a general material known in the art as a host material. For example, the light emitting layer (EML) is a host material as BCPDS (bis (4- (9H-carbazol-9-yl) phenyl) diphenylsilane), POPCPA ((4- (1- (4- (diphenylamino) phenyl) cyclohexyl) phenyl) diphenyl-phosphine oxide), DPEPO(Bis[2-(diphenylphosphino)phenyl] ether oxide), CBP(4,4'-bis(N-carbazolyl)-1,1'-biphenyl), mCP(1,3 -Bis(carbazol-9-yl)benzene), PPF (2,8-Bis(diphenylphosphoryl)dibenzo[b,d]furan), TCTA(4,4',4''-Tris(carbazol-9-yl) -triphenylamine) and TPBi(1,3,5-tris(1-phenyl-1H-benzo[d]imidazole-2-yl)benzene) may be included. However, the present invention is not limited thereto, and for example, Alq 3 (tris(8-hydroxyquinolino)aluminum), ADN(9,10-di(naphthalene-2-yl)anthracene), TBADN(2-tert-butyl- 9,10-di(naphth-2-yl)anthracene), DSA(distyrylarylene), CDBP(4,4′-bis(9-carbazolyl)-2,2′-dimethyl-biphenyl), MADN(2-Methyl- 9,10-bis(naphthalen-2-yl)anthracene), CP1 (Hexaphenyl cyclotriphosphazene), UGH2 (1,4-Bis(triphenylsilyl)benzene), DPSiO 3 (Hexaphenylcyclotrisiloxane), DPSiO 4 (Octaphenylcyclotetra siloxane), etc. can be used as
발광층(EML)은 하기 화학식 M-a 또는 화학식 M-b로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다. 하기 화학식 M-a 또는 화학식 M-b로 표시되는 화합물은 인광 도펀트재료로 사용될 수 있다.The emission layer EML may include a compound represented by the following Chemical Formula M-a or Chemical Formula M-b. The compound represented by the following Chemical Formula M-a or Chemical Formula M-b may be used as a phosphorescent dopant material.
[화학식 M-a][Formula M-a]
상기 화학식 M-a에서, Y1 내지 Y4, 및 Z1 내지 Z4는 각각 독립적으로 CR1 또는 N이고, R1 내지 R4는 각각 독립적으로, 수소 원자, 중수소 원자, 치환 또는 비치환된 아민기, 치환 또는 비치환된 티오기, 치환 또는 비치환된 옥시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 이상 20 이하의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴기이거나, 또는 인접하는 기와 서로 결합하여 고리를 형성하는 것일 수 있다. 화학식 M-a에서, m은 0 또는 1이고, n은 2 또는 3이다. 화학식 M-a에서 m이 0일 때, n은 3이고, m이 1일 때, n은 2 이다. In Formula Ma, Y 1 to Y 4 , and Z 1 to Z 4 are each independently CR 1 or N, and R 1 to R 4 are each independently a hydrogen atom, a deuterium atom, a substituted or unsubstituted amine group. , a substituted or unsubstituted thio group, a substituted or unsubstituted oxy group, a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted alkenyl group having 2 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted ring It may be an aryl group having 6 or more and 30 or less carbon atoms, or a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 2 or more and 30 or less ring carbon atoms, or may be bonded to adjacent groups to form a ring. In formula Ma, m is 0 or 1, and n is 2 or 3. In formula Ma, when m is 0, n is 3, and when m is 1, n is 2.
화학식 M-a로 표시되는 화합물은 적색 인광 도펀트 또는 녹색 인광 도펀트로 사용될 수 있다. The compound represented by Formula M-a may be used as a red phosphorescent dopant or a green phosphorescent dopant.
화학식 M-a로 표시되는 화합물은 하기 화합물 M-a1 내지 M-a25 중 어느 하나로 표시될 수 있다. 하지만, 하기 화합물 M-a1 내지 M-a25는 예시적인 것으로 화학식 M-a로 표시되는 화합물이 하기 화합물 M-a1 내지 M-a25로 표시된 것에 한정되는 것은 아니다.The compound represented by Formula M-a may be represented by any one of the following compounds M-a1 to M-a25. However, the following compounds M-a1 to M-a25 are exemplary, and the compounds represented by the formula M-a are not limited to those represented by the following compounds M-a1 to M-a25.
화합물 M-a1 및 화합물 M-a2는 적색 도펀트 재료로 사용될 수 있고, 화합물 M-a3 및 화합물 M-a4는 녹색 도펀트 재료로 사용될 수 있다.The compound M-a1 and the compound M-a2 may be used as a red dopant material, and the compound M-a3 and the compound M-a4 may be used as a green dopant material.
[화학식 M-b][Formula M-b]
화학식 M-b에서, Q1 내지 Q4는 각각 독립적으로 C 또는 N이며, C1 내지 C4는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 고리형성 탄소수 5 이상 30 이하의 탄화수소고리, 또는 치환 또는 비치환된 고리형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로고리이다. L21 내지 L24는 각각 독립적으로 직접 결합, , , , , , , 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 2가의 알킬기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴렌기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴렌기이고, e1 내지 e4는 각각 독립적으로 0 또는 1이다. R31 내지 R39는 각각 독립적으로 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 시아노기, 치환 또는 비치환된 아민기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴기이거나, 또는 인접하는 기와 서로 결합하여 고리를 형성하고, d1 내지 d4는 각각 독립적으로 0 이상 4 이하의 정수이다. In Formula Mb, Q 1 to Q 4 are each independently C or N, and C1 to C4 are each independently a substituted or unsubstituted hydrocarbon ring having 5 to 30 carbon atoms, or a substituted or unsubstituted
화학식 M-b로 표시되는 화합물은 청색 인광 도펀트 또는 녹색 인광 도펀트로 사용될 수 있다. The compound represented by Formula M-b may be used as a blue phosphorescent dopant or a green phosphorescent dopant.
화학식 M-b로 표시되는 화합물은 하기 화합물들 중 어느 하나로 표시될 수 있다. 하지만, 하기 화합물들은 예시적인 것으로 화학식 M-b로 표시되는 화합물이 하기 화합물들로 표시된 것에 한정되는 것은 아니다.The compound represented by Formula M-b may be represented by any one of the following compounds. However, the following compounds are exemplary and the compound represented by Formula M-b is not limited to those represented by the following compounds.
상기 화합물들에서, R, R38, 및 R39는 각각 독립적으로 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 시아노기, 치환 또는 비치환된 아민기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴기일 수 있다.In the above compounds, R, R 38 , and R 39 are each independently a hydrogen atom, a deuterium atom, a halogen atom, a cyano group, a substituted or unsubstituted amine group, a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, It may be a substituted or unsubstituted aryl group having 6 or more and 30 or less ring carbon atoms, or a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 2 or more and 30 or less ring carbon atoms.
발광층(EML)은 하기 화학식 F-a 내지 화학식 F-c 중 어느 하나로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다. 하기 화학식 F-a 내지 화학식 F-c로 표시되는 화합물은 형광 도펀트재료로 사용될 수 있다.The emission layer EML may include a compound represented by any one of the following Chemical Formulas F-a to F-c. The compounds represented by the following Chemical Formulas F-a to F-c may be used as a fluorescent dopant material.
[화학식 F-a][Formula F-a]
상기 화학식 F-a에서, Ra 내지 Rj 중 선택되는 두 개는 각각 독립적으로 로 치환되는 것일 수 있다. Ra 내지 Rj 중 로 치환되지 않은 나머지들은 각각 독립적으로 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 시아노기, 치환 또는 비치환된 아민기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴기일 수 있다. 에서 Ar1 및 Ar2는 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴기일 수 있다. 예를 들어, Ar1 및 Ar2 중 적어도 하나는 고리 형성 원자로 O 또는 S를 포함하는 헤테로아릴기일 수 있다.In Formula Fa, two selected from R a to R j are each independently may be substituted with of R a to R j Residues not substituted with are each independently a hydrogen atom, a deuterium atom, a halogen atom, a cyano group, a substituted or unsubstituted amine group, a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted ring carbon number It may be an aryl group of 6 or more and 30 or less, or a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 2 or more and 30 or less ring carbon atoms. In Ar 1 and Ar 2 may each independently be a substituted or unsubstituted aryl group having 6 or more and 30 or less ring carbon atoms, or a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 2 or more and 30 or less ring carbon atoms. For example, at least one of Ar 1 and Ar 2 may be a heteroaryl group including O or S as a ring-forming atom.
[화학식 F-b][Formula F-b]
상기 화학식 F-b에서, Ra 및 Rb는 각각 독립적으로, 수소 원자, 중수소 원자, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 이상 20 이하의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴기이거나, 또는 인접하는 기와 서로 결합하여 고리를 형성하는 것일 수 있다. Ar1 내지 Ar4는 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴기일 수 있다.In Formula Fb, R a and R b are each independently a hydrogen atom, a deuterium atom, a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted alkenyl group having 2 to 20 carbon atoms, a substituted or It may be an unsubstituted aryl group having 6 or more and 30 or less ring carbon atoms, or a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 2 or more and 30 or less ring carbon atoms, or bonding with adjacent groups to form a ring. Ar 1 to Ar 4 may each independently be a substituted or unsubstituted aryl group having 6 or more and 30 or less ring carbon atoms, or a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 2 or more and 30 or less ring carbon atoms.
화학식 F-b에서 U 및 V는 각각 독립적으로 0 또는 1일 수 있다. 화학식 F-b에서, U는 U의 위치에 결합된 고리의 개수를 의미하고 V는 V의 위치에 결합된 고리의 개수를 의미하는 것이다. 예를 들어, U 또는 V가 1인 경우 U 또는 V가 기재된 고리가 축합환을 구성하며, U 또는 V가 0인 경우는 U 또는 V가 기재되어 있는 고리는 존재하지 않는 것을 의미한다. 구체적으로 U가 0이고 V가 1인 경우, 또는 U가 1이고 V가 0인 경우 화학식 F-b의 플루오렌 코어를 갖는 축합환은 4환의 고리화합물일 수 있다. 또한, U 및 V가 모두 0인 경우 화학식 F-b의 축합환은 3환의 고리화합물일 수 있다. 또한, U 및 V가 모두 1인 경우 화학식 F-b의 플루오렌 코어를 갖는 축합환은 5환의 고리 화합물일 수 있다.In Formula F-b, U and V may each independently be 0 or 1. In Formula F-b, U means the number of rings bonded to the U position and V means the number of rings bonded to the V position. For example, when U or V is 1, the ring in which U or V is described constitutes a condensed ring, and when U or V is 0, it means that the ring in which U or V is described does not exist. Specifically, when U is 0 and V is 1, or when U is 1 and V is 0, the condensed ring having a fluorene core of Formula F-b may be a tetracyclic compound. In addition, when both U and V are 0, the condensed ring of Formula F-b may be a tricyclic compound. In addition, when both U and V are 1, the condensed ring having a fluorene core of Formula F-b may be a 5-ring compound.
화학식 F-b에서, U 또는 V가 1인 경우 U 및 V는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 5 이상 30 이하의 탄화수소고리, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로고리일 수 있다.In Formula F-b, when U or V is 1, U and V are each independently a substituted or unsubstituted hydrocarbon ring having 5 to 30 carbon atoms, or a substituted or unsubstituted heterocyclic ring having 2 to 30 carbon atoms. can be
[화학식 F-c][Formula F-c]
화학식 F-c에서, A1 및 A2는 각각 독립적으로, O, S, Se, 또는 NRm이고, Rm은 수소 원자, 중수소 원자, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴기일 수 있다. R1 내지 R11는 각각 독립적으로, 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 시아노기, 치환 또는 비치환된 아민기, 치환 또는 비치환된 보릴기, 치환 또는 치환된 옥시기, 치환 또는 비치환된 티오기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴기이거나, 또는 인접하는 기와 서로 결합하여 고리를 형성한다.In Formula Fc, A 1 and A 2 are each independently O, S, Se, or NR m , and R m is a hydrogen atom, a deuterium atom, a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted It may be an aryl group having 6 or more and 30 or less ring carbon atoms, or a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 2 or more and 30 or less ring carbon atoms. R 1 to R 11 are each independently a hydrogen atom, a deuterium atom, a halogen atom, a cyano group, a substituted or unsubstituted amine group, a substituted or unsubstituted boyl group, a substituted or substituted oxy group, a substituted or unsubstituted A thio group, a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 ring carbon atoms, or a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 2 to 30 ring carbon atoms, or , or adjacent groups combine with each other to form a ring.
화학식 F-c에서 A1 및 A2는 각각 독립적으로 이웃하는 고리의 치환기들과 결합하여 축합고리를 형성할 수 있다. 예를 들어, A1 및 A2가 각각 독립적으로 NRm일 때, A1은 R4 또는 R5와 결합하여 고리를 형성하는 것일 수 있다. 또한, A2는 R7 또는 R8과 결합하여 고리를 형성하는 것일 수 있다. In Formula Fc, A 1 and A 2 may each independently combine with a substituent of a neighboring ring to form a condensed ring. For example, when A 1 and A 2 are each independently NR m , A 1 may be combined with R 4 or R 5 to form a ring. In addition, A 2 may be combined with R 7 or R 8 to form a ring.
일 실시예에서 발광층(EML)은 공지의 도펀트 재료로, 스티릴 유도체(예를 들어, 1, 4-bis[2-(3-N-ethylcarbazoryl)vinyl]benzene(BCzVB), 4-(di-p-tolylamino)-4'-[(di-p-tolylamino)styryl]stilbene(DPAVB), N-(4-((E)-2-(6-((E)-4-(diphenylamino)styryl)naphthalen-2-yl)vinyl)phenyl)-N-phenylbenzenamine(N-BDAVBi)), 페릴렌 및 그 유도체(예를 들어, 2, 5, 8, 11-Tetra-t-butylperylene(TBP)), 피렌 및 그 유도체(예를 들어, 1, 1-dipyrene, 1, 4-dipyrenylbenzene, 1, 4-Bis(N, N-Diphenylamino)pyrene) 등을 포함할 수 있다. In an embodiment, the light emitting layer (EML) is a known dopant material, and a styryl derivative (eg, 1,4-bis[2-(3-N-ethylcarbazoryl)vinyl]benzene(BCzVB), 4-(di-) p-tolylamino)-4'-[(di-p-tolylamino)styryl]stilbene (DPAVB), N-(4-((E)-2-(6-((E)-4-(diphenylamino)styryl) naphthalen-2-yl)vinyl)phenyl)-N-phenylbenzenamine (N-BDAVBi)), perylene and its derivatives (eg, 2, 5, 8, 11-Tetra-t-butylperylene (TBP)), pyrene and derivatives thereof (eg, 1, 1-dipyrene, 1, 4-dipyrenylbenzene, 1, 4-Bis(N, N-Diphenylamino)pyrene) and the like.
발광층(EML)은 공지의 인광 도펀트 물질을 포함하는 것일 수 있다. 예를 들어, 인광 도펀트는 이리듐(Ir), 백금(Pt), 오스뮴(Os), 금(Au), 티탄(Ti), 지르코늄(Zr), 하프늄(Hf), 유로퓸(Eu), 터븀(Tb) 또는 툴륨(Tm)를 포함하는 금속 착체가 사용될 수 있다. 구체적으로, FIrpic(iridium(III) bis(4,6-difluorophenylpyridinato-N,C2′)picolinate), Fir6(Bis(2,4-difluorophenylpyridinato)-tetrakis(1-pyrazolyl)borate iridium(Ⅲ)), 또는 PtOEP(platinum octaethyl porphyrin)가 인광 도펀트로 사용될 수 있다. 하지만, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다.The emission layer EML may include a known phosphorescent dopant material. For example, phosphorescent dopants include iridium (Ir), platinum (Pt), osmium (Os), gold (Au), titanium (Ti), zirconium (Zr), hafnium (Hf), europium (Eu), and terbium (Tb). ) or a metal complex containing thulium (Tm) may be used. Specifically, FIrpic(iridium(III) bis(4,6-difluorophenylpyridinato-N,C2′)picolinate), Fir6(Bis(2,4-difluorophenylpyridinato)-tetrakis(1-pyrazolyl)borate iridium(III)), or Platinum octaethyl porphyrin (PtOEP) may be used as a phosphorescent dopant. However, the embodiment is not limited thereto.
도 3 내지 도 6에 도시된 일 실시예의 유기 전계 발광 소자(ED)에서, 전자 수송 영역(ETR)은 발광층(EML) 상에 제공된다. 전자 수송 영역(ETR)은, 정공 저지층(HBL), 전자 수송층(ETL) 및 전자 주입층(EIL) 중 적어도 하나를 포함할 수 있으나, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다.3 to 6 , the electron transport region ETR is provided on the emission layer EML. The electron transport region ETR may include at least one of a hole blocking layer HBL, an electron transport layer ETL, and an electron injection layer EIL, but embodiments are not limited thereto.
전자 수송 영역(ETR)은 단일 물질로 이루어진 단일층, 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 단일층 또는 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 복수의 층을 갖는 다층 구조를 가질 수 있다. The electron transport region ETR may have a single layer made of a single material, a single layer made of a plurality of different materials, or a multilayer structure having a plurality of layers made of a plurality of different materials.
예를 들어, 전자 수송 영역(ETR)은 전자 주입층(EIL) 또는 전자 수송층(ETL)의 단일층의 구조를 가질 수도 있고, 전자 주입 물질과 전자 수송 물질로 이루어진 단일층 구조를 가질 수도 있다. 또한, 전자 수송 영역(ETR)은, 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 단일층의 구조를 갖거나, 발광층(EML)으로부터 차례로 적층된 전자 수송층(ETL)/전자 주입층(EIL), 정공 저지층(HBL)/전자 수송층(ETL)/전자 주입층(EIL) 구조를 가질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 전자 수송 영역(ETR)의 두께는 예를 들어, 약 1000Å 내지 약 1500Å인 것일 수 있다.For example, the electron transport region ETR may have a single layer structure of the electron injection layer EIL or the electron transport layer ETL, or may have a single layer structure including an electron injection material and an electron transport material. In addition, the electron transport region ETR has a single layer structure made of a plurality of different materials, or an electron transport layer (ETL)/electron injection layer (EIL), a hole blocking layer ( HBL)/electron transport layer (ETL)/electron injection layer (EIL) structure, but is not limited thereto. The thickness of the electron transport region ETR may be, for example, about 1000 Å to about 1500 Å.
전자 수송 영역(ETR)은, 진공 증착법, 스핀 코팅법, 캐스트법, LB법(Langmuir-Blodgett), 잉크젯 프린팅법, 레이저 프린팅법, 레이저 열전사법(Laser Induced Thermal Imaging, LITI) 등과 같은 다양한 방법을 이용하여 형성될 수 있다.Electron transport region (ETR), vacuum deposition method, spin coating method, casting method, LB method (Langmuir-Blodgett), inkjet printing method, laser printing method, laser thermal imaging (Laser Induced Thermal Imaging, LITI), such as various methods It can be formed using
전자 수송 영역(ETR)은 하기 화학식 ET-1로 표시되는 화합물을 포함하는 것일 수 있다.The electron transport region (ETR) may include a compound represented by the following Chemical Formula ET-1.
[화학식 ET-1][Formula ET-1]
화학식 ET-1에서, X1 내지 X3 중 적어도 하나는 N이고 나머지는 CRa이다. Ra는 수소 원자, 중수소 원자, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴기일 수 있다. Ar1 내지 Ar3 은 각각 독립적으로 수소 원자, 중수소 원자, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴기일 수 있다In Formula ET-1, at least one of X 1 to X 3 is N and the rest is CR a . R a is a hydrogen atom, a deuterium atom, a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 ring carbon atoms, or a substituted or unsubstituted
화학식 ET-1에서, a 내지 c는 각각 독립적으로 0 내지 10 이하의 정수일 수 있다. 화학식 ET-1에서 L1 내지 L3은 각각 독립적으로 직접 결합(direct linkage), 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴렌기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴렌기일 수 있다. 한편, a 내지 c가 2 이상의 정수인 경우 L1 내지 L3은 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴렌기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴렌기일 수 있다.In Formula ET-1, a to c may each independently be an integer of 0 to 10 or less. In Formula ET-1, L 1 to L 3 are each independently a direct linkage, a substituted or unsubstituted arylene group having 6 or more and 30 or less ring carbon atoms, or a substituted or unsubstituted ring carbon number of 2 or more and 30 or less It may be a heteroarylene group of. On the other hand, when a to c are an integer of 2 or more, L 1 to L 3 are each independently a substituted or unsubstituted arylene group having 6 or more and 30 or less ring carbon atoms, or a substituted or unsubstituted heterocyclic group having 2 or more and 30 or less ring carbon atoms. It may be an arylene group.
전자 수송 영역(ETR)이 전자 수송층(ETL)을 포함할 경우, 전자 수송 영역(ETR)은 안트라센계 화합물을 포함하는 것일 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니며, 전자 수송 영역은 예를 들어, Alq3(Tris(8-hydroxyquinolinato)aluminum), 1,3,5-tri[(3-pyridyl)-phen-3-yl]benzene, 2,4,6-tris(3'-(pyridin-3-yl)biphenyl-3-yl)-1,3,5-triazine, 2-(4-(N-phenylbenzoimidazol-1-yl)phenyl)-9,10-dinaphthylanthracene, TPBi(1,3,5-Tri(1-phenyl-1H-benzo[d]imidazol-2-yl)benzene), BCP(2,9-Dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline), Bphen(4,7-Diphenyl-1,10-phenanthroline), TAZ(3-(4-Biphenylyl)-4-phenyl-5-tert-butylphenyl-1,2,4-triazole), NTAZ(4-(Naphthalen-1-yl)-3,5-diphenyl-4H-1,2,4-triazole), tBu-PBD(2-(4-Biphenylyl)-5-(4-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazole), BAlq(Bis(2-methyl-8-quinolinolato-N1,O8)-(1,1'-Biphenyl-4-olato)aluminum), Bebq2(berylliumbis(benzoquinolin-10-olate)), ADN(9,10-di(naphthalene-2-yl)anthracene), BmPyPhB(1,3-Bis[3,5-di(pyridin-3-yl)phenyl]benzene) 및 이들의 혼합물을 포함하는 것일 수 있다. When the electron transport region ETR includes the electron transport layer ETL, the electron transport region ETR may include an anthracene-based compound. However, the present invention is not limited thereto, and the electron transport region is, for example, Alq 3 (Tris(8-hydroxyquinolinato)aluminum), 1,3,5-tri[(3-pyridyl)-phen-3-yl]benzene, 2,4,6-tris(3'-(pyridin-3-yl)biphenyl-3-yl)-1,3,5-triazine, 2-(4-(N-phenylbenzoimidazol-1-yl)phenyl)- 9,10-dinaphthylanthracene, TPBi(1,3,5-Tri(1-phenyl-1H-benzo[d]imidazol-2-yl)benzene), BCP(2,9-Dimethyl-4,7-diphenyl-1 ,10-phenanthroline), Bphen(4,7-Diphenyl-1,10-phenanthroline), TAZ(3-(4-Biphenylyl)-4-phenyl-5-tert-butylphenyl-1,2,4-triazole), NTAZ(4-(Naphthalen-1-yl)-3,5-diphenyl-4H-1,2,4-triazole), tBu-PBD(2-(4-Biphenylyl)-5-(4-tert-butylphenyl) -1,3,4-oxadiazole), BAlq(Bis(2-methyl-8-quinolinolato-N1,O8)-(1,1'-Biphenyl-4-olato)aluminum), Bebq 2 (berylliumbis(benzoquinolin-10) -olate)), ADN (9,10-di(naphthalene-2-yl)anthracene), BmPyPhB(1,3-Bis[3,5-di(pyridin-3-yl)phenyl]benzene) and mixtures thereof may include.
전자 수송 영역(ETR)은 하기 화합물 ET1 내지 ET36 중 적어도 하나를 포함하는 것일 수 있다.The electron transport region (ETR) may include at least one of the following compounds ET1 to ET36.
또한, 전자 수송 영역(ETR)은 LiF, NaCl, CsF, RbCl, RbI, CuI, KI와 같은 할로겐화 금속, Yb와 같은 란타넘족 금속, 또한 상기의 할로겐화 금속과 란타넘족 금속의 공증착 재료를 포함할 수 있다. 예를 들어, 전자 수송 영역(ETR)은 공증착 재료로 KI:Yb, RbI:Yb, LiF:Yb 등을 포함할 수 있다. 한편, 전자 수송 영역(ETR)은 Li2O, BaO 와 같은 금속 산화물, 또는 Liq(8-hydroxyl-Lithium quinolate) 등이 사용될 수 있으나 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 전자 수송 영역(ETR)은 또한 전자 수송 물질과 절연성의 유기 금속염(organo metal salt)이 혼합된 물질로 이루어질 수 있다. 유기 금속염은 에너지 밴드 갭(energy band gap)이 대략 4eV 이상의 물질이 될 수 있다. 구체적으로 예를 들어, 유기 금속염은 금속 아세테이트(metal acetate), 금속 벤조에이트(metal benzoate), 금속 아세토아세테이트(metal acetoacetate), 금속 아세틸아세토네이트(metal acetylacetonate) 또는 금속 스테아레이트(stearate)를 포함할 수 있으나, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. In addition, the electron transport region ETR may include a metal halide such as LiF, NaCl, CsF, RbCl, RbI, CuI, KI, a lanthanide metal such as Yb, and a co-deposition material of the above metal halide and the lanthanide metal. can For example, the electron transport region ETR may include KI:Yb, RbI:Yb, LiF:Yb, or the like as a co-deposition material. Meanwhile, as the electron transport region ETR, a metal oxide such as Li 2 O, BaO, or 8-hydroxyl-Lithium quinolate (Liq) may be used, but the embodiment is not limited thereto. The electron transport region ETR may also be formed of a material in which an electron transport material and an insulating organo metal salt are mixed. The organometallic salt may be a material having an energy band gap of about 4 eV or more. Specifically, for example, the organometallic salt may include metal acetate, metal benzoate, metal acetoacetate, metal acetylacetonate or metal stearate. However, the embodiment is not limited thereto.
전자 수송 영역(ETR)은 상술한 전자 수송 영역의 화합물들을 전자 주입층(EIL), 전자 수송층(ETL), 및 정공 저지층(HBL) 중 적어도 하나에 포함할 수 있다.The electron transport region ETR may include the above-described electron transport region compounds in at least one of the electron injection layer EIL, the electron transport layer ETL, and the hole blocking layer HBL.
전자 수송 영역(ETR)이 전자 수송층(ETL)을 포함하는 경우, 전자 수송층(ETL)의 두께는 약 100Å 내지 약 1000Å, 예를 들어 약 150Å 내지 약 500Å일 수 있다. 전자 수송층(ETL)의 두께가 전술한 바와 같은 범위를 만족할 경우, 실질적인 구동 전압 상승 없이 만족스러운 정도의 전자 수송 특성을 얻을 수 있다.전자 수송 영역(ETR)이 전자 주입층(EIL)을 포함하는 경우, 전자 주입층(EIL)의 두께는 약 1Å 내지 약 100Å, 약 3Å 내지 약 90Å일 수 있다. 전자 주입층(EIL)의 두께가 전술한 바와 같은 범위를 만족할 경우, 실질적인 구동 전압 상승 없이 만족스러운 정도의 전자 주입 특성을 얻을 수 있다.When the electron transport region ETR includes the electron transport layer ETL, the thickness of the electron transport layer ETL may be about 100 Å to about 1000 Å, for example, about 150 Å to about 500 Å. When the thickness of the electron transport layer ETL satisfies the above range, a satisfactory electron transport characteristic may be obtained without a substantial increase in driving voltage. In this case, the thickness of the electron injection layer EIL may be about 1 Å to about 100 Å, or about 3 Å to about 90 Å. When the thickness of the electron injection layer EIL satisfies the above-described range, a satisfactory level of electron injection characteristics may be obtained without a substantial increase in driving voltage.
제2 전극(EL2)은 전자 수송 영역(ETR) 상에 제공된다. 제2 전극(EL2)은 공통 전극일 수 있다. 제2 전극(EL2)은 캐소드(cathode) 또는 애노드(anode)일 수 있으나 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 제1 전극(EL1)이 애노드인 경우 제2 전극(EL2)은 캐소드일 수 있고, 제1 전극(EL1)이 캐소드인 경우 제2 전극(EL2)은 애노드일 수 있다. 제2 전극은 Ag, Mg, Cu, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, Ca, LiF, Mo, Ti, W, In, Sn, 및 Zn 중 선택되는 적어도 하나, 이들 중 선택되는 2종 이상의 화합물, 이들 중 선택되는 2종 이상의 혼합물, 또는 이들의 산화물을 포함하는 것일 수 있다.The second electrode EL2 is provided on the electron transport region ETR. The second electrode EL2 may be a common electrode. The second electrode EL2 may be a cathode or an anode, but the embodiment is not limited thereto. For example, when the first electrode EL1 is an anode, the second electrode EL2 may be a cathode, and when the first electrode EL1 is a cathode, the second electrode EL2 may be an anode. The second electrode is at least one selected from Ag, Mg, Cu, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, Ca, LiF, Mo, Ti, W, In, Sn, and Zn; It may include two or more compounds selected from these, a mixture of two or more selected from these, or oxides thereof.
제2 전극(EL2)은 투과형 전극, 반투과형 전극 또는 반사형 전극일 수 있다. 제2 전극(EL2)이 투과형 전극인 경우, 제2 전극(EL2)은 투명 금속 산화물, 예를 들어, ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), ZnO(zinc oxide), ITZO(indium tin zinc oxide) 등으로 이루어질 수 있다.The second electrode EL2 may be a transmissive electrode, a transflective electrode, or a reflective electrode. When the second electrode EL2 is a transmissive electrode, the second electrode EL2 is a transparent metal oxide, for example, indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), zinc oxide (ZnO), or indium (ITZO). tin zinc oxide) and the like.
제2 전극(EL2)이 반투과형 전극 또는 반사형 전극인 경우, 제2 전극(EL2)은 Ag, Mg, Cu, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Mo, Ti, Yb, W 또는 이들을 포함하는 화합물이나 혼합물(예를 들어, AgMg, AgYb, 또는 MgAg)을 포함할 수 있다. 또는 제2 전극(EL2)은 상기 물질로 형성된 반사막이나 반투과막 및 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), ZnO(zinc oxide), ITZO(indium tin zinc oxide) 등으로 형성된 투명 도전막을 포함하는 복수의 층 구조일 수 있다. 예를 들어, 제2 전극(EL2)은 상술한 금속재료, 상술한 금속재료들 중 선택된 2종 이상의 금속재료들의 조합, 또는 상술한 금속재료들의 산화물 등을 포함하는 것일 수 있다.When the second electrode EL2 is a transflective electrode or a reflective electrode, the second electrode EL2 may include Ag, Mg, Cu, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Mo, Ti, Yb, W, or a compound or mixture comprising these (eg, AgMg, AgYb, or MgAg). Alternatively, the second electrode EL2 may be a reflective or semi-transmissive layer formed of the above material, and a transparent conductive material formed of indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), zinc oxide (ZnO), indium tin zinc oxide (ITZO), or the like. It may be a multi-layer structure comprising a film. For example, the second electrode EL2 may include the aforementioned metal material, a combination of two or more metal materials selected from among the aforementioned metal materials, or an oxide of the aforementioned metal materials.
도시하지는 않았으나, 제2 전극(EL2)은 보조 전극과 연결될 수 있다. 제2 전극(EL2)이 보조 전극과 연결되면, 제2 전극(EL2)의 저항을 감소 시킬 수 있다.Although not shown, the second electrode EL2 may be connected to the auxiliary electrode. When the second electrode EL2 is connected to the auxiliary electrode, the resistance of the second electrode EL2 may be reduced.
한편, 일 실시예의 발광 소자(ED)의 제2 전극(EL2) 상에는 캡핑층(CPL)이 더 배치될 수 있다. 캡핑층(CPL)은 다층 또는 단층을 포함할 수 있다.Meanwhile, a capping layer CPL may be further disposed on the second electrode EL2 of the light emitting device ED according to an exemplary embodiment. The capping layer CPL may include multiple layers or a single layer.
일 실시예에서, 캡핑층(CPL)은 유기층 또는 무기층일 수 있다. 예를 들어, 캡핑층(CPL)이 무기물을 포함하는 경우, 무기물은 LiF 등의 알칼리금속 화합물, MgF2 등의 알칼리토금속 화합물, SiON, SiNX, SiOy 등을 포함하는 것일 수 있다. In an embodiment, the capping layer CPL may be an organic layer or an inorganic layer. For example, when the capping layer CPL includes an inorganic material, the inorganic material may include an alkali metal compound such as LiF, an alkaline earth metal compound such as MgF 2 , SiON, SiN X , SiOy, or the like.
예를 들어, 캡핑층(CPL)이 유기물을 포함하는 경우, 유기물은 α-NPD, NPB, TPD, m-MTDATA, Alq3, CuPc, TPD15(N4,N4,N4',N4'-tetra (biphenyl-4-yl) biphenyl-4,4'-diamine), TCTA(4,4',4"- Tris (carbazol sol-9-yl) triphenylamine) 등을 포함하거나, 에폭시 수지, 또는 메타크릴레이트와 같은 아크릴레이트를 포함할 수 있다. 다만, 실시예가 이에 제한되는 것은 아니며 이외에 하기와 같은 화합물 P1 내지 P5를 포함할 수 있다.For example, when the capping layer (CPL) includes an organic material, the organic material is α-NPD, NPB, TPD, m-MTDATA, Alq 3 , CuPc, TPD15(N4,N4,N4',N4'-tetra (biphenyl) -4-yl) biphenyl-4,4'-diamine), TCTA (4,4',4"-Tris (carbazol sol-9-yl) triphenylamine), etc., or such as epoxy resin, or methacrylate It may include an acrylate, but the embodiment is not limited thereto, and may include the following compounds P1 to P5.
한편, 캡핑층(CPL)의 굴절률은 1.6 이상일 수 있다. 구체적으로, 550nm 이상 660nm 이하의 파장 범위의 광에 대해서 캡핑층(CPL)의 굴절률은 1.6 이상일 수 있다.Meanwhile, the refractive index of the capping layer CPL may be 1.6 or more. Specifically, the refractive index of the capping layer CPL may be 1.6 or more with respect to light in a wavelength range of 550 nm or more and 660 nm or less.
도 7 및 도 8은 각각 일 실시예에 따른 표시 장치에 대한 단면도이다. 이하 도 7 및 도 8을 참조하여 설명하는 일 실시예에 대한 표시 장치에 대한 설명에 있어서 상술한 도 1 내지 도 6에서 설명한 내용과 중복되는 내용은 다시 설명하지 않으며 차이점을 위주로 설명한다.7 and 8 are cross-sectional views of a display device according to an exemplary embodiment, respectively. Hereinafter, in the description of the display device according to the exemplary embodiment described with reference to FIGS. 7 and 8 , the content overlapping with the content described with reference to FIGS. 1 to 6 will not be described again, and will be mainly described with reference to differences.
도 7을 참조하면, 일 실시예에 따른 표시 장치(DD)는 표시 소자층(DP-ED)을 포함하는 표시 패널(DP), 표시 패널(DP) 상에 배치된 광제어층(CCL) 및 컬러필터층(CFL)을 포함하는 것일 수 있다.Referring to FIG. 7 , a display device DD according to an exemplary embodiment includes a display panel DP including a display element layer DP-ED, a light control layer CCL disposed on the display panel DP, and It may include a color filter layer (CFL).
도 7에 도시된 일 실시예에서 표시 패널(DP)은 베이스층(BS), 베이스층(BS) 상에 제공된 회로층(DP-CL) 및 표시 소자층(DP-ED)을 포함하고, 표시 소자층(DP-ED)은 유기 전계 발광 소자(ED)를 포함하는 것일 수 있다.In the exemplary embodiment illustrated in FIG. 7 , the display panel DP includes a base layer BS, a circuit layer DP-CL provided on the base layer BS, and a display element layer DP-ED. The device layer DP-ED may include an organic electroluminescent device ED.
유기 전계 발광 소자(ED)는 제1 전극(EL1), 제1 전극(EL1) 상에 배치된 정공 수송 영역(HTR), 정공 수송 영역(HTR) 상에 배치된 발광층(EML), 발광층(EML) 상에 배치된 전자 수송 영역(ETR), 및 전자 수송 영역(ETR) 상에 배치된 제2 전극(EL2)을 포함하는 것일 수 있다. 한편, 도 7에 도시된 유기 전계 발광 소자(ED)의 구조는 상술한 도 3 내지 도 6의 유기 전계 발광 소자의 구조가 동일하게 적용될 수 있다.The organic electroluminescent device ED includes a first electrode EL1 , a hole transport region HTR disposed on the first electrode EL1 , an emission layer EML disposed on the hole transport region HTR, and an emission layer EML ) may include an electron transport region ETR disposed on the electron transport region ETR, and a second electrode EL2 disposed on the electron transport region ETR. On the other hand, the structure of the organic electroluminescent device (ED) shown in FIG. 7 may be the same as that of the organic electroluminescent device of FIGS. 3 to 6 described above.
도 7을 참조하면, 발광층(EML)은 화소 정의막(PDL)에 정의된 개구부(OH) 내에 배치되는 것일 수 있다. 예를 들어, 화소 정의막(PDL)에 의해 구분되어 각 발광 영역(PXA-R, PXA-G, PXA-B)에 대응하여 제공된 발광층(EML)은 동일한 파장 영역의 광을 방출하는 것일 수 있다. 일 실시예의 표시 장치(DD)에서 발광층(EML)은 청색광을 방출하는 것일 수 있다. 한편, 도시된 것과 달리 일 실시예에서 발광층(EML)은 발광 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B) 전체에 공통층으로 제공되는 것일 수 있다.Referring to FIG. 7 , the emission layer EML may be disposed in the opening OH defined in the pixel defining layer PDL. For example, the emission layer EML divided by the pixel defining layer PDL and provided corresponding to each of the emission regions PXA-R, PXA-G, and PXA-B may emit light of the same wavelength region. . In the display device DD according to an exemplary embodiment, the emission layer EML may emit blue light. Meanwhile, unlike illustrated, in an exemplary embodiment, the emission layer EML may be provided as a common layer in all of the emission regions PXA-R, PXA-G, and PXA-B.
광제어층(CCL)은 표시 패널(DP) 상에 배치될 수 있다. 광제어층(CCL)은 광변환체를 포함하는 것일 수 있다. 광변환체는 양자점 또는 형광체 등일 수 있다. 광변환체는 제공받은 광을 파장 변환하여 방출하는 것일 수 있다. 즉, 광제어층(CCL)은 양자점을 포함하는 층이거나 또는 형광체를 포함하는 층일 수 있다. The light control layer CCL may be disposed on the display panel DP. The light control layer CCL may include a light converter. The light converter may be a quantum dot or a phosphor. The light converter may convert the received light to a wavelength and emit it. That is, the light control layer CCL may be a layer including quantum dots or a layer including a phosphor.
양자점의 코어는 II-VI족 화합물, III-V족 화합물, IV-VI족 화합물, IV족 원소, IV족 화합물 및 이들의 조합에서 선택될 수 있다.The core of the quantum dot may be selected from a group II-VI compound, a group III-V compound, a group IV-VI compound, a group IV element, a group IV compound, and combinations thereof.
II-VI족 화합물은 CdSe, CdTe, CdS, ZnS, ZnSe, ZnTe, ZnO, HgS, HgSe, HgTe, MgSe, MgS 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물; CdSeS, CdSeTe, CdSTe, ZnSeS, ZnSeTe, ZnSTe, HgSeS, HgSeTe, HgSTe, CdZnS, CdZnSe, CdZnTe, CdHgS, CdHgSe, CdHgTe, HgZnS, HgZnSe, HgZnTe, MgZnSe, MgZnS 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물; 및 HgZnTeS, CdZnSeS, CdZnSeTe, CdZnSTe, CdHgSeS, CdHgSeTe, CdHgSTe, HgZnSeS, HgZnSeTe, HgZnSTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다. Group II-VI compounds include diatomic compounds selected from the group consisting of CdSe, CdTe, CdS, ZnS, ZnSe, ZnTe, ZnO, HgS, HgSe, HgTe, MgSe, MgS, and mixtures thereof; CdSeS, CdSeTe, CdSTe, ZnSeS, ZnSeTe, ZnSTe, HgSeS, HgSeTe, HgSTe, CdZnS, CdZnSe, CdZnTe, CdHgS, CdHgSe, CdHgZnTe, HgZnS, HgZnSe, HgZnTe, MgZnS, MgZnS and mixtures of three members selected from the group consisting of: bovine compounds; and HgZnTeS, CdZnSeS, CdZnSeTe, CdZnSTe, CdHgSeS, CdHgSeTe, CdHgSTe, HgZnSeS, HgZnSeTe, HgZnSTe, and mixtures thereof.
III-VI족 화합물은 In2S3, In2Se3 등과 같은 이원소 화합물, InGaS 3 , InGaSe3 등과 같은 삼원소 화합물, 또는 이들의 임의의 조합을 포함할 수 있다.The group III-VI compound may include a binary compound such as In 2 S 3 , In 2 Se 3 , or the like, a ternary compound such as InGaS 3 , InGaSe 3 , or the like, or any combination thereof.
I-III-VI족 화합물은 AgInS, AgInS2, CuInS, CuInS2, AgGaS2, CuGaS2 CuGaO2, AgGaO2, AgAlO2 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물, 또는 AgInGaS2, CuInGaS2 등의 사원소 화합물로부터 선택될 수 있다.The group I-III-VI compound is a ternary compound selected from the group consisting of AgInS, AgInS 2 , CuInS, CuInS 2 , AgGaS 2 , CuGaS 2 CuGaO 2 , AgGaO 2 , AgAlO 2 and mixtures thereof, or AgInGaS 2 , It may be selected from quaternary compounds such as CuInGaS 2 .
III-V족 화합물은 GaN, GaP, GaAs, GaSb, AlN, AlP, AlAs, AlSb, InN, InP, InAs, InSb 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물, GaNP, GaNAs, GaNSb, GaPAs, GaPSb, AlNP, AlNAs, AlNSb, AlPAs, AlPSb, InGaP, InAlP, InNP, InNAs, InNSb, InPAs, InPSb 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물, 및 GaAlNP, GaAlNAs, GaAlNSb, GaAlPAs, GaAlPSb, GaInNP, GaInNAs, GaInNSb, GaInPAs, GaInPSb, InAlNP, InAlNAs, InAlNSb, InAlPAs, InAlPSb 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다. 한편, III-V족 화합물은 II족 금속을 더 포함할 수 있다. 예를 들어, III- II-V족 화합물로 InZnP 등이 선택될 수 있다.The group III-V compound is a binary compound selected from the group consisting of GaN, GaP, GaAs, GaSb, AlN, AlP, AlAs, AlSb, InN, InP, InAs, InSb, and mixtures thereof, GaNP, GaNAs, GaNSb, GaPAs , GaPSb, AlNP, AlNAs, AlNSb, AlPAs, AlPSb, InGaP, InAlP, InNP, InNAs, InNSb, InPAs, InPSb and a ternary compound selected from the group consisting of mixtures thereof, and GaAlNPs, GaAlNAs, GaAlNSb, GaAlPAs, GaAlPSb , GaInNP, GaInNAs, GaInNSb, GaInPAs, GaInPSb, InAlNP, InAlNAs, InAlNSb, InAlPAs, InAlPSb, and may be selected from the group consisting of a quaternary compound selected from the group consisting of mixtures thereof. Meanwhile, the group III-V compound may further include a group II metal. For example, InZnP or the like may be selected as the group III-II-V compound.
IV-VI족 화합물은 SnS, SnSe, SnTe, PbS, PbSe, PbTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물; SnSeS, SnSeTe, SnSTe, PbSeS, PbSeTe, PbSTe, SnPbS, SnPbSe, SnPbTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물; 및 SnPbSSe, SnPbSeTe, SnPbSTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다. IV족 원소로는 Si, Ge 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다. IV족 화합물로는 SiC, SiGe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물일 수 있다. The group IV-VI compound is a binary compound selected from the group consisting of SnS, SnSe, SnTe, PbS, PbSe, PbTe, and mixtures thereof; a ternary compound selected from the group consisting of SnSeS, SnSeTe, SnSTe, PbSeS, PbSeTe, PbSTe, SnPbS, SnPbSe, SnPbTe, and mixtures thereof; and a quaternary compound selected from the group consisting of SnPbSSe, SnPbSeTe, SnPbSTe, and mixtures thereof. The group IV element may be selected from the group consisting of Si, Ge, and mixtures thereof. The group IV compound may be a di-element compound selected from the group consisting of SiC, SiGe, and mixtures thereof.
이때, 이원소 화합물, 삼원소 화합물 또는 사원소 화합물은 균일한 농도로 입자 내에 존재하거나, 농도 분포가 부분적으로 다른 상태로 나누어져 동일 입자 내에 존재하는 것일 수 있다. 또한 하나의 양자점이 다른 양자점을 둘러싸는 코어/쉘 구조를 가질 수도 있다. 코어와 쉘의 계면은 쉘에 존재하는 원소의 농도가 중심으로 갈수록 낮아지는 농도 구배(gradient)를 가질 수 있다.In this case, the binary compound, the ternary compound, or the quaternary compound may be present in the particle at a uniform concentration, or may be present in the same particle as the concentration distribution is partially divided into different states. Also, one quantum dot may have a core/shell structure surrounding another quantum dot. The interface between the core and the shell may have a concentration gradient in which the concentration of elements present in the shell decreases toward the center.
몇몇 실시예에서, 양자점은 전술한 나노 결정을 포함하는 코어 및 상기 코어를 둘러싸는 쉘을 포함하는 코어-쉘 구조를 가질 수 있다. 상기 양자점의 쉘은 상기 코어의 화학적 변성을 방지하여 반도체 특성을 유지하기 위한 보호층 역할 및/또는 양자점에 전기 영동 특성을 부여하기 위한 차징층(charging layer)의 역할을 수행할 수 있다. 상기 쉘은 단층 또는 다중층일 수 있다. 코어와 쉘의 계면은 쉘에 존재하는 원소의 농도가 중심으로 갈수록 낮아지는 농도 구배(gradient)를 가질 수 있다. 상기 양자점의 쉘의 예로는 금속 또는 비금속의 산화물, 반도체 화합물 또는 이들의 조합 등을 들 수 있다.In some embodiments, the quantum dots may have a core-shell structure including a core including the aforementioned nanocrystals and a shell surrounding the core. The shell of the quantum dot may serve as a protective layer for maintaining semiconductor properties by preventing chemical modification of the core and/or a charging layer for imparting electrophoretic properties to the quantum dots. The shell may be single-layered or multi-layered. The interface between the core and the shell may have a concentration gradient in which the concentration of elements present in the shell decreases toward the center. Examples of the shell of the quantum dot may include a metal or non-metal oxide, a semiconductor compound, or a combination thereof.
예를 들어, 상기 금속 또는 비금속의 산화물은 SiO2, Al2O3, TiO2, ZnO, MnO, Mn2O3, Mn3O4, CuO, FeO, Fe2O3, Fe3O4, CoO, Co3O4, NiO 등의 이원소 화합물, 또는 MgAl2O4, CoFe2O4, NiFe2O4, CoMn2O4등의 삼원소 화합물을 예시할 수 있으나 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다.For example, the metal or non-metal oxide is SiO 2 , Al 2 O 3 , TiO 2 , ZnO, MnO, Mn 2 O 3 , Mn 3 O 4 , CuO, FeO, Fe 2 O 3 , Fe 3 O 4 , A binary compound such as CoO, Co 3 O 4 , NiO, or a ternary compound such as MgAl 2 O 4 , CoFe 2 O 4 , NiFe 2 O 4 , CoMn 2 O 4 may be exemplified, but the present invention is not limited thereto it is not
또, 상기 반도체 화합물은 CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, ZnSeS, ZnTeS, GaAs, GaP, GaSb, HgS, HgSe, HgTe, InAs, InP, InGaP, InSb, AlAs, AlP, AlSb등을 예시할 수 있으나 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다.In addition, the semiconductor compound is exemplified by CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, ZnSeS, ZnTeS, GaAs, GaP, GaSb, HgS, HgSe, HgTe, InAs, InP, InGaP, InSb, AlAs, AlP, AlSb, etc. However, the present invention is not limited thereto.
양자점은 약 45nm 이하, 바람직하게는 약 40nm 이하, 더욱 바람직하게는 약 30nm 이하의 발광 파장 스펙트럼의 반치폭(full width of half maximum, FWHM)을 가질 수 있으며, 이 범위에서 색순도나 색재현성을 향상시킬 수 있다. 또한 이러한 양자점을 통해 발광되는 광은 전 방향으로 방출되는바, 광 시야각이 향상될 수 있다. The quantum dots may have a full width of half maximum (FWHM) of the emission wavelength spectrum of about 45 nm or less, preferably about 40 nm or less, more preferably about 30 nm or less, and in this range, color purity or color reproducibility can be improved. can In addition, since light emitted through the quantum dots is emitted in all directions, a wide viewing angle may be improved.
또한, 양자점의 형태는 당 분야에서 일반적으로 사용하는 형태의 것으로 특별히 한정하지 않지만, 보다 구체적으로 구형, 피라미드형, 다중 가지형(multi-arm), 또는 입방체(cubic)의 나노 입자, 나노 튜브, 나노와이어, 나노 섬유, 나노 판상 입자 등의 형태의 것을 사용할 수 있다.In addition, the shape of the quantum dot is not particularly limited to that generally used in the art, but more specifically spherical, pyramidal, multi-arm, or cubic nanoparticles, nanotubes, Nanowires, nanofibers, nanoplatelets, etc. can be used.
양자점은 입자 크기에 따라 방출하는 광의 색상을 조절 할 수 있으며, 이에 따라 양자점은 청색, 적색, 녹색 등 다양한 발광 색상을 가질 수 있다.A quantum dot can control the color of light emitted according to the particle size, and accordingly, the quantum dot can have various emission colors such as blue, red, and green.
광제어층(CCL)은 복수 개의 광제어부들(CCP1, CCP2, CCP3)을 포함하는 것일 수 있다. 광제어부들(CCP1, CCP2, CCP3)은 서로 이격된 것일 수 있다. The light control layer CCL may include a plurality of light control units CCP1 , CCP2 , and CCP3 . The light control units CCP1 , CCP2 , and CCP3 may be spaced apart from each other.
도 7을 참조하면, 서로 이격된 광제어부들(CCP1, CCP2, CCP3) 사이에 분할패턴(BMP)이 배치될 수 있으나 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 도 7에서 분할패턴(BMP)은 광제어부들(CCP1, CCP2, CCP3)과 비중첩하는 것으로 도시되었으나, 광제어부들(CCP1, CCP2, CCP3)의 엣지는 분할패턴(BMP)과 적어도 일부가 중첩할 수 있다.Referring to FIG. 7 , a division pattern BMP may be disposed between the light control units CCP1 , CCP2 , and CCP3 spaced apart from each other, but the embodiment is not limited thereto. In FIG. 7 , the division pattern BMP is illustrated as non-overlapping the light control units CCP1 , CCP2 , and CCP3 , but the edges of the light control units CCP1 , CCP2 , CCP3 at least partially overlap the division pattern BMP. can do.
광제어층(CCL)은 유기 전계 발광 소자(ED)에서 제공되는 제1 색광을 제2 색광으로 변환하는 제1 양자점(QD1)을 포함하는 제1 광제어부(CCP1), 제1 색광을 제3 색광을 변환하는 제2 양자점(QD2)을 포함하는 제2 광제어부(CCP2), 및 제1 색광을 투과시키는 제3 광제어부(CCP3)를 포함하는 것일 수 있다.The light control layer CCL includes a first light control unit CCP1 including a first quantum dot QD1 that converts a first color light provided from the organic electroluminescent device ED into a second color light, and a third light of the first color. It may include a second light control unit CCP2 including the second quantum dots QD2 for converting color light, and a third light control unit CCP3 for transmitting the first color light.
일 실시예에서 제1 광제어부(CCP1)는 제2 색광인 적색광을 제공하고, 제2 광제어부(CCP2)는 제3 색광인 녹색광을 제공하는 것일 수 있다. 제3 광제어부(CCP3)는 유기 전계 발광 소자(ED)에서 제공된 제1 색광인 청색광을 투과시켜 제공하는 것일 수 있다. 예를 들어, 제1 양자점(QD1)은 적색 양자점이고 제2 양자점(QD2)은 녹색 양자점일 수 있다. 양자점(QD1, QD2)에 대하여는 상술한 내용과 동일한 내용이 적용될 수 있다.In an exemplary embodiment, the first light control unit CCP1 may provide red light as the second color light, and the second light control unit CCP2 may provide green light as the third color light. The third light control unit CCP3 may transmit and provide blue light, which is the first color light provided from the organic electroluminescent device ED. For example, the first quantum dot QD1 may be a red quantum dot, and the second quantum dot QD2 may be a green quantum dot. The same contents as described above may be applied to the quantum dots QD1 and QD2.
또한, 광제어층(CCL)은 산란체(SP)를 더 포함하는 것일 수 있다. 제1 광제어부(CCP1)는 제1 양자점(QD1)과 산란체(SP)를 포함하고, 제2 광제어부(CCP2)는 제2 양자점(QD2)과 산란체(SP)를 포함하며, 제3 광제어부(CCP3)는 양자점을 미포함하고 산란체(SP)를 포함하는 것일 수 있다.In addition, the light control layer CCL may further include a scatterer SP. The first light control unit CCP1 includes a first quantum dot QD1 and a scatterer SP, and the second light control unit CCP2 includes a second quantum dot QD2 and a scatterer SP, and the third The light control unit CCP3 may not include quantum dots and may include a scatterer SP.
산란체(SP)는 무기 입자일 수 있다. 예를 들어, 산란체(SP)는 TiO2, ZnO, Al2O3, SiO2, 및 중공 실리카 중 적어도 하나를 포함하는 것일 수 있다. 산란체(SP)는 TiO2, ZnO, Al2O3, SiO2, 및 중공 실리카 중 어느 하나를 포함하는 것이거나, TiO2, ZnO, Al2O3, SiO2, 및 중공 실리카 중 선택되는 2종 이상의 물질이 혼합된 것일 수 있다.The scatterers SP may be inorganic particles. For example, the scatterer SP may include at least one of TiO 2 , ZnO, Al 2 O 3 , SiO 2 , and hollow silica. The scatterers (SP) are TiO 2 , ZnO, Al 2 O 3 , SiO 2 , and any one of hollow silica, or TiO 2 , ZnO, Al 2 O 3 , SiO 2 , and hollow silica selected from It may be a mixture of two or more substances.
광제어층(CCL)은 베리어층(BFL1)을 포함하는 것일 수 있다. 베리어층(BFL1)은 수분 및/또는 산소(이하, '수분/산소'로 칭함)의 침투를 막는 역할을 하는 것일 수 있다. 베리어층(BFL1)은 광제어부들(CCP1, CCP2, CCP3) 상에 배치되어 광제어부들(CCP1, CCP2, CCP3)이 수분/산소에 노출되는 것을 차단할 수 있다. 한편, 베리어층(BFL1)은 광제어부들(CCP1, CCP2, CCP3)을 커버하는 것일 수 있다. 또한, 광제어부들(CCP1, CCP2, CCP3)과 컬러필터층(CFL) 사이에도 베리어층(BFL2)이 제공될 수도 있다.The light control layer CCL may include a barrier layer BFL1 . The barrier layer BFL1 may serve to prevent penetration of moisture and/or oxygen (hereinafter, referred to as 'moisture/oxygen'). The barrier layer BFL1 may be disposed on the light control units CCP1 , CCP2 , and CCP3 to block the light control units CCP1 , CCP2 , and CCP3 from being exposed to moisture/oxygen. Meanwhile, the barrier layer BFL1 may cover the light control units CCP1 , CCP2 , and CCP3 . Also, a barrier layer BFL2 may be provided between the light control units CCP1 , CCP2 , and CCP3 and the color filter layer CFL.
베리어층(BFL1, BFL2)은 적어도 하나의 무기층을 포함하는 것일 수 있다. 즉, 베리어층(BFL1, BFL2)은 무기 물질을 포함하여 이루어질 수 있다. 예를 들어, 베리어층(BFL1, BFL2)은 실리콘 질화물, 알루미늄 질화물, 지르코늄 질화물, 티타늄 질화물, 하프늄 질화물, 탄탈륨 질화물, 실리콘 산화물, 알루미늄 산화물, 티타늄 산화물, 주석 산화물, 세륨 산화물 및 실리콘 산화질화물이나 광투과율이 확보된 금속 박막 등을 포함하여 이루어질 수 있다. 한편, 베리어층(BFL1, BFL2)은 유기막을 더 포함할 수 있다. 베리어층(BFL1, BFL2)은 단일층 또는 복수의 층으로 구성되는 것일 수 있다.The barrier layers BFL1 and BFL2 may include at least one inorganic layer. That is, the barrier layers BFL1 and BFL2 may include an inorganic material. For example, the barrier layers BFL1 and BFL2 may be formed of silicon nitride, aluminum nitride, zirconium nitride, titanium nitride, hafnium nitride, tantalum nitride, silicon oxide, aluminum oxide, titanium oxide, tin oxide, cerium oxide, and silicon oxynitride or photonic acid. It may be formed by including a metal thin film, etc. having a secure transmittance. Meanwhile, the barrier layers BFL1 and BFL2 may further include an organic layer. The barrier layers BFL1 and BFL2 may be formed of a single layer or a plurality of layers.
일 실시예의 표시 장치(DD)에서 컬러필터층(CFL)은 광제어층(CCL) 상에 배치될 수 있다. 예를 들어, 컬러필터층(CFL)은 광제어층(CCL) 상에 직접 배치될 수 있다. 이 경우 베리어층(BFL2)은 생략될 수 있다. In the display device DD according to an exemplary embodiment, the color filter layer CFL may be disposed on the light control layer CCL. For example, the color filter layer CFL may be directly disposed on the light control layer CCL. In this case, the barrier layer BFL2 may be omitted.
컬러필터층(CFL)은 차광부(BM) 및 필터들(CF-1, CF-2, CF-3)을 포함하는 것일 수 있다. 컬러필터층(CFL)은 제2 색광을 투과시키는 제1 필터(CF1), 제3 색광을 투과시키는 제2 필터(CF2), 및 제1 색광을 투과시키는 제3 필터(CF3)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 필터(CF1)는 적색 필터, 제2 필터(CF2)는 녹색 필터이고, 제3 필터(CF3)는 청색 필터일 수 있다. 필터들(CF1, CF2, CF3) 각각은 고분자 감광수지와 안료 또는 염료를 포함하는 것일 수 있다. 제1 필터(CF1)는 적색 안료 또는 염료를 포함하고, 제2 필터(CF2)는 녹색 안료 또는 염료를 포함하며, 제3 필터(CF3)는 청색 안료 또는 염료를 포함하는 것일 수 있다. 한편, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며 제3 필터(CF3)는 안료 또는 염료를 포함하지 않는 것일 수 있다. 제3 필터(CF3)는 고분자 감광수지를 포함하고 안료 또는 염료를 미포함하는 것일 수 있다. 제3 필터(CF3)는 투명한 것일 수 있다. 제3 필터(CF3)는 투명 감광수지로 형성된 것일 수 있다.The color filter layer CFL may include a light blocking part BM and filters CF-1, CF-2, and CF-3. The color filter layer CFL may include a first filter CF1 that transmits the second color light, a second filter CF2 that transmits the third color light, and a third filter CF3 that transmits the first color light. . For example, the first filter CF1 may be a red filter, the second filter CF2 may be a green filter, and the third filter CF3 may be a blue filter. Each of the filters CF1, CF2, and CF3 may include a polymer photosensitive resin and a pigment or dye. The first filter CF1 may include a red pigment or dye, the second filter CF2 may include a green pigment or dye, and the third filter CF3 may include a blue pigment or dye. Meanwhile, the embodiment is not limited thereto, and the third filter CF3 may not include a pigment or dye. The third filter CF3 may include a polymer photosensitive resin and may not include a pigment or dye. The third filter CF3 may be transparent. The third filter CF3 may be formed of a transparent photosensitive resin.
또한, 일 실시예에서 제1 필터(CF1)와 제2 필터(CF2)는 황색(yellow) 필터일 수 있다. 제1 필터(CF1)와 제2 필터(CF2)는 서로 구분되지 않고 일체로 제공될 수도 있다.Also, in an embodiment, the first filter CF1 and the second filter CF2 may be yellow filters. The first filter CF1 and the second filter CF2 are not separated from each other and may be provided integrally.
차광부(BM)는 블랙 매트릭스일 수 있다. 차광부(BM)는 흑색 안료 또는 흑색염료를 포함하는 유기 차광 물질 또는 무기 차광 물질을 포함하여 형성될 수 있다. 차광부(BM)는 빛샘 현상을 방지하고, 인접하는 필터들(CF1, CF2, CF3) 사이의 경계를 구분하는 것일 수 있다. 또한, 일 실시예에서 차광부(BM)는 청색 필터로 형성되는 것일 수 있다.The light blocking part BM may be a black matrix. The light blocking part BM may include an organic light blocking material including a black pigment or a black dye, or an inorganic light blocking material. The light blocking part BM may prevent a light leakage phenomenon and divide a boundary between the adjacent filters CF1 , CF2 , and CF3 . Also, in an embodiment, the light blocking part BM may be formed of a blue filter.
제1 내지 제3 필터(CF1, CF2, CF3) 각각은 적색 발광 영역(PXA-R), 녹색 발광 영역(PXA-G), 및 청색 발광 영역(PXA-B) 각각에 대응하여 배치될 수 있다.Each of the first to third filters CF1 , CF2 , and CF3 may be disposed to correspond to each of the red emission region PXA-R, the green emission region PXA-G, and the blue emission region PXA-B. .
컬러필터층(CFL) 상에는 베이스 기판(BL)이 배치될 수 있다. 베이스 기판(BL)은 컬러필터층(CFL) 및 광제어층(CCL) 등이 배치되는 베이스 면을 제공하는 부재일 수 있다. 베이스 기판(BL)은 유리기판, 금속기판, 플라스틱기판 등일 수 있다. 하지만, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며 베이스 기판(BL)은 무기층, 유기층 또는 복합재료층일 수 있다. 또한, 도시된 것과 달리 일 실시예에서 베이스 기판(BL)은 생략될 수 있다.A base substrate BL may be disposed on the color filter layer CFL. The base substrate BL may be a member that provides a base surface on which the color filter layer CFL and the light control layer CCL are disposed. The base substrate BL may be a glass substrate, a metal substrate, a plastic substrate, or the like. However, the embodiment is not limited thereto, and the base substrate BL may be an inorganic layer, an organic layer, or a composite material layer. Also, unlike illustrated, in an exemplary embodiment, the base substrate BL may be omitted.
도 8은 일 실시예에 따른 표시 장치의 일부를 나타낸 단면도이다. 도 8에서는 도 7의 표시 패널(DP)에 대응하는 일 부분의 단면도를 도시하였다. 일 실시예의 표시 장치(DD-TD)에서 유기 전계 발광 소자(ED-BT)는 복수 개의 발광구조들(OL-B1, OL-B2, OL-B3)을 포함하는 것일 수 있다. 유기 전계 발광 소자(ED-BT)는 서로 마주하는 제1 전극(EL1)과 제2 전극(EL2), 제1 전극(EL1)과 제2 전극(EL2) 사이에서 두께 방향으로 순차적으로 적층되어 제공되는 복수 개의 발광구조들(OL-B1, OL-B2, OL-B3)을 포함하는 것일 수 있다. 발광구조들(OL-B1, OL-B2, OL-B3) 각각은 발광층(EML, 도 7), 발광층(EML, 도7)을 사이에 두고 배치된 정공 수송 영역(HTR) 및 전자 수송 영역(ETR)을 포함하는 것일 수 있다. 8 is a cross-sectional view illustrating a portion of a display device according to an exemplary embodiment. FIG. 8 is a cross-sectional view of a portion corresponding to the display panel DP of FIG. 7 . In the display device DD-TD according to an exemplary embodiment, the organic electroluminescent device ED-BT may include a plurality of light-emitting structures OL-B1 , OL-B2 , and OL-B3 . The organic electroluminescent device (ED-BT) is provided by being sequentially stacked in the thickness direction between the first electrode EL1 and the second electrode EL2 and the first electrode EL1 and the second electrode EL2 facing each other It may include a plurality of light emitting structures OL-B1, OL-B2, and OL-B3. Each of the light emitting structures OL-B1 , OL-B2 , and OL-B3 includes an emission layer EML ( FIG. 7 ), a hole transport region HTR and an electron transport region ( FIG. 7 ) disposed with the emission layer EML ( FIG. 7 ) interposed therebetween. ETR) may be included.
즉, 일 실시예의 표시 장치(DD-TD)에 포함된 유기 전계 발광 소자(ED-BT)는 복수의 발광층들을 포함하는 탠덤(Tandem) 구조의 유기 전계 발광 소자일 수 있다.That is, the organic electroluminescent device ED-BT included in the display device DD-TD according to an exemplary embodiment may be an organic electroluminescent device having a tandem structure including a plurality of light emitting layers.
도 8에 도시된 일 실시예에서 발광구조들(OL-B1, OL-B2, OL-B3) 각각에서 방출되는 광은 모두 청색광일 수 있다. 하지만, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며 발광구조들(OL-B1, OL-B2, OL-B3) 각각에서 방출되는 광의 파장 영역은 서로 상이할 수 있다. 예를 들어, 서로 다른 파장 영역의 광을 방출하는 복수 개의 발광구조들(OL-B1, OL-B2, OL-B3)을 포함하는 유기 전계 발광 소자(ED-BT)는 백색광을 방출할 수 있다.In the embodiment shown in FIG. 8 , all of the light emitted from each of the light emitting structures OL-B1 , OL-B2 , and OL-B3 may be blue light. However, the embodiment is not limited thereto, and wavelength ranges of light emitted from each of the light emitting structures OL-B1 , OL-B2 , and OL-B3 may be different from each other. For example, an organic electroluminescent device ED-BT including a plurality of light emitting structures OL-B1 , OL-B2 , and OL-B3 emitting light of different wavelength ranges may emit white light. .
이웃하는 발광구조들(OL-B1, OL-B2, OL-B3) 사이에는 전하생성층(CGL1, CGL2)이 배치될 수 있다. 전하생성층(CGL1, CGL2)은 p형 전하생성층 또는 n형 전하생성층을 포함하는 것일 수 있다.Charge generation layers CGL1 and CGL2 may be disposed between the adjacent light emitting structures OL-B1 , OL-B2 , and OL-B3 . The charge generation layers CGL1 and CGL2 may include a p-type charge generation layer or an n-type charge generation layer.
이하, 구체적인 실시예 및 비교예를 통해 본 발명을 보다 구체적으로 설명한다. 하기 실시예는 본 발명의 이해를 돕기 위한 예시에 불과하며, 본 발명의 범위가 이에 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail through specific examples and comparative examples. The following examples are only examples to help the understanding of the present invention, and the scope of the present invention is not limited thereto.
[실시예][Example]
1. 다환 화합물의 합성1. Synthesis of polycyclic compounds
먼저, 본 실시 형태에 따른 다환 화합물의 합성 방법에 대해서, 화합물군 1의 화합물 1, 화합물 2, 화합물 3, 화합물 89, 화합물 411, 화합물 249, 및 화합물 331의 합성 방법을 예시하여 구체적으로 설명한다. 또한, 이하에 설명하는 다환 화합물의 합성법은 일 실시예로서, 본 발명의 실시형태에 따른 다환 화합물의 합성법이 하기의 실시예에 한정되지 않는다.First, the synthesis method of the polycyclic compound according to the present embodiment will be described in detail by exemplifying the synthesis methods of
<화합물 1의 합성><Synthesis of
일 실시예에 따른 다환 화합물 1은 예를 들어 하기 반응식 1의 단계에 의해 합성될 수 있다.
[반응식 1][Scheme 1]
(1) 화합물 A의 합성(1) Synthesis of compound A
Ar 분위기하, 1,3-dibromo-5-chlorobenzene(25.0g, 92.5mmol)과 Diphenylamine(31.3g, 185mmol), Tris (dibenzylideneacetone) dipalladium (0) - chloroform adduct (Pd2(dba)3CHCl3, 1.78g, 1.94mmol), 2-Dicyclohexylphosphino -2',6'-dimethoxybiphenyl (SPhos, 1.59g, 3.88mmol), tBuONa(27.1g, 282mmol)을 Toluene 400 ml에 더하여, 80로 6시간 반응시켰다. 냉각해 물을 더하여, Celite로 여과해 분액한 후, 유기층을 농축했다. Silica gel column chromatography로 정제해 화합물 A (33.1g, 수율 80%)를 얻었다. FAB MS 측정에서 화합물 A의 분자량은 447이었다. Under Ar atmosphere, 1,3-dibromo-5-chlorobenzene (25.0 g, 92.5 mmol) and Diphenylamine (31.3 g, 185 mmol), Tris (dibenzylideneacetone) dipalladium (0) - chloroform adduct (Pd 2 (dba) 3 CHCl 3 , 1.78g, 1.94mmol), 2-Dicyclohexylphosphino -2',6'-dimethoxybiphenyl (SPhos, 1.59g, 3.88mmol), and tBuONa (27.1g, 282mmol) were added to 400 ml of Toluene, 80 was reacted for 6 hours. After cooling, water was added, and the mixture was separated by filtration with Celite, and the organic layer was concentrated. Purification by silica gel column chromatography gave compound A (33.1 g, yield 80%). The molecular weight of Compound A was 447 as determined by FAB MS.
(2) 화합물 B의 합성(2) Synthesis of compound B
Ar 분위기하, 화합물 A (33.0g, 73.8 mmol)와 화합물 F (12.5 g, 73.8 mmol), Pd(dba)2 (1.54g, 2.68 mmol), P(t-Bu)3HBF4 (1.56 g, 5.40 mmol), tBuONa (9.68 g, 100 mmol)을 Toluene 300 ml에 더하여, 80로 2시간 가열 교반했다. 물을 더하여 Celite 여과해 분액하여, 유기층을 농축했다. Silica gel column chromatography로 정제해 화합물 B (28.0 g, 수율 65%)를 얻었다. FAB MS 측정에서 화합물 B의 분자량은 745이었다. Under Ar atmosphere, compound A (33.0 g, 73.8 mmol) and compound F (12.5 g, 73.8 mmol), Pd(dba) 2 (1.54 g, 2.68 mmol), P(t-Bu) 3 HBF 4 (1.56 g, 5.40 mmol), tBuONa (9.68 g, 100 mmol) was added to 300 ml of Toluene, 80 was heated and stirred for 2 hours. Water was added, the mixture was separated by Celite filtration, and the organic layer was concentrated. Purification by silica gel column chromatography gave compound B (28.0 g, yield 65%). The molecular weight of compound B was 745 as determined by FAB MS.
(3) 화합물 C의 합성(3) Synthesis of compound C
Ar 분위기하, 1,3-dibromo-5-fluorobenzene (50.0g, 197mmol)과 N-phenyl-biphenyl-2-amine (70.0g, 414mmol), Pd(dba)2 (5.66g, 9.85mmol), P(t-Bu)3HBF4 (2.86 g, 9.85 mmol), tBuONa (66.2 g, 689mmol)을 Toluene 700 ml에 더하여, 80로 2시간 가열 교반했다. 물을 더하여 Celite 여과해 분액하여, 유기층을 농축했다. Silica gel column chromatography로 정제해 화합물 C (74.6 g, 수율 88%)를 얻었다. FAB MS 측정에서 화합물 C의 분자량은 FAB MS 측정에서 화합물 C의 분자량은 583이었다. Under Ar atmosphere, 1,3-dibromo-5-fluorobenzene (50.0 g, 197 mmol) and N-phenyl-biphenyl-2-amine (70.0 g, 414 mmol), Pd(dba) 2 (5.66 g, 9.85 mmol), P (t-Bu) 3 HBF 4 (2.86 g, 9.85 mmol) and tBuONa (66.2 g, 689 mmol) were added to 700 ml of Toluene, 80 was heated and stirred for 2 hours. Water was added, the mixture was separated by Celite filtration, and the organic layer was concentrated. Purification by silica gel column chromatography gave compound C (74.6 g, yield 88%). The molecular weight of Compound C as measured by FAB MS was 583 as the molecular weight of Compound C as measured by FAB MS.
(4) 화합물 D의 합성(4) Synthesis of compound D
Ar 분위기하, 화합물 C (25.0g, 58.0mmol)와 3-chlorobenzenethiol (10.9g, 75.5mmol), K3PO4(49.3g, 232mmol)를 1-Methyl-2-pyrrolidone (NMP, 250ml)에 더하여, 170로 10시간 가열 교반했다. 냉각해, 물과 Toluene을 더하여, 분액해, 유기층을 농축했다. Silica gel column chromatography로 정제해 화합물 D (19.3g, 수율 60%)를 얻었다. FAB MS 측정에서 화합물 D의 분자량은 707이었다. In Ar atmosphere, compound C (25.0g, 58.0mmol), 3-chlorobenzenethiol (10.9g, 75.5mmol), K 3 PO 4 (49.3g, 232mmol) was added to 1-Methyl-2-pyrrolidone (NMP, 250ml) , 170 was heated and stirred for 10 hours. It cooled, water and Toluene were added, liquid-separated, and the organic layer was concentrated. Purification by silica gel column chromatography gave compound D (19.3 g, yield 60%). The molecular weight of compound D was 707 in FAB MS measurement.
(5) 화합물 E의 합성(5) Synthesis of compound E
화합물 E의 합성은 화합물 B의 합성과 같은 방법으로 실시하여, 화합물 D(19.0g, 34.2mmol)와 화합물 B(15.3g, 34.2mmol)로부터 화합물 E(29.7g, 수율 79%)를 얻었다. FAB MS 측정에서 화합물 E의 분자량은 1416이었다. The synthesis of compound E was carried out in the same manner as the synthesis of compound B, and compound E (29.7 g, yield 79%) was obtained from compound D (19.0 g, 34.2 mmol) and compound B (15.3 g, 34.2 mmol). The molecular weight of compound E was 1416 as determined by FAB MS.
(6) 화합물 1의 합성(6) Synthesis of
Ar 분위기하, 화합물 E(29.0g, 26.4 mmol)를 1,2-Dichlorobenzene(ODCB, 380 ml)에 용해해, BBr3(39.7g, 158mmol)을 더하여, 180로 10시간 가열 교반했다. 실온까지 냉각해, N,N-Diisopropylethylamine (110g, 851 mmol)을 더하여, 물을 더하여, Celite 여과해 분액하여, 유기층을 농축했다. Silica gel column chromatography로 정제해 화합물 1 (8.82 g, 수율 30%)을 얻었다. FAB MS 측정에서 화합물 1의 분자량은 1431였다. 승화 정제(395, 7.5Х10-3Pa)해 디바이스 평가를 실시하였다.In an Ar atmosphere, compound E (29.0 g, 26.4 mmol) was dissolved in 1,2-Dichlorobenzene (ODCB, 380 ml), and BBr 3 (39.7 g, 158 mmol) was added, 180 was heated and stirred for 10 hours. After cooling to room temperature, N,N-Diisopropylethylamine (110 g, 851 mmol) was added, water was added, the mixture was separated by Celite filtration, and the organic layer was concentrated. Purification by silica gel column chromatography gave compound 1 (8.82 g, yield 30%). In FAB MS measurement, the molecular weight of
<화합물 2의 합성><Synthesis of
일 실시예에 따른 다환 화합물 2는 예를 들어 하기 반응식 2의 단계에 의해 합성될 수 있다.
[반응식 2][Scheme 2]
(1) 화합물 F의 합성(1) Synthesis of compound F
화합물 F의 합성은 화합물 B의 합성과 같은 방법으로 실시하여, 화합물 F (20.0g, 수율 85%)를 얻었다. FAB MS 측정에서 화합물 F의 분자량은 636이었다. The synthesis of compound F was carried out in the same manner as in the synthesis of compound B, to obtain compound F (20.0 g, yield 85%). The molecular weight of compound F was 636 as determined by FAB MS.
화합물H의 합성은 화합물 B의 합성과 같은 방법으로 실시하여, 화합물G(13.4g, 24.1mmol)와 화합물 F(15.3g, 24.1mmol)로부터 화합물 H(21.0g, 수율 76%)를 얻었다. FAB MS 측정에서 화합물 H의 분자량은 1154였다. The synthesis of compound H was carried out in the same manner as that of compound B, and compound H (21.0 g, yield 76%) was obtained from compound G (13.4 g, 24.1 mmol) and compound F (15.3 g, 24.1 mmol). The molecular weight of compound H was 1154 as determined by FAB MS.
(2) 화합물 2의 합성(2) Synthesis of
화합물 2의 합성은, 화합물 1의 합성과 같은 방법으로 실시하여, 화합물H(20.0g, 17.3mmol)로부터 화합물 2(4.1g, 수율 20%)를 얻었다. FAB MS 측정에서 화합물2의 분자량은 1170이었다. 승화 정제(390℃, 6.5×10-3Pa)해 디바이스 평가를 실시하였다. The synthesis of
<화합물 3의 합성><Synthesis of
일 실시예에 따른 다환 화합물 3은 예를 들어 하기 반응식 3의 단계에 의해 합성될 수 있다.
[반응식 3][Scheme 3]
(1) 화합물 I의 합성(1) Synthesis of compound I
화합물 I의 합성은 화합물 B의 합성과 같은 방법으로 실시하여, 화합물 I (30.0g, 수율 82%)를 얻었다. FAB MS 측정에서 화합물 I의 분자량은 655였다. The synthesis of compound I was carried out in the same manner as the synthesis of compound B, to obtain compound I (30.0 g, yield 82%). The molecular weight of compound I was 655 by FAB MS measurement.
(2) 화합물 J의 합성(2) Synthesis of compound J
Ar 분위기하, 화합물 I(28.0g, 42.7mmol)와 1-fluoro-3-iodobenzene (75.8 g, 341.5mmol)과 CuI (8.1g, 42.7mmol), K2CO3 (29.5g, 213mmol)을 190℃로 72시간 가열 교반했다. 냉각하여 Toluene과 물을 더하여, Celite 여과해, 유기층을 농축했다. Silica gel column chromatography로 정제해 화합물 J (16.6g, 수율 52%)를 얻었다. FAB MS 측정에서 화합물 J의 분자량은 749였다. In an Ar atmosphere, compound I (28.0 g, 42.7 mmol), 1-fluoro-3-iodobenzene (75.8 g, 341.5 mmol), CuI (8.1 g, 42.7 mmol), and K 2 CO 3 (29.5 g, 213 mmol) were 190 The mixture was heated and stirred at °C for 72 hours. After cooling, toluene and water were added, filtered through Celite, and the organic layer was concentrated. Purification by silica gel column chromatography gave compound J (16.6 g, yield 52%). The molecular weight of compound J was 749 as determined by FAB MS.
(3) 화합물 K의 합성(3) Synthesis of compound K
화합물 K의 합성은 화합물 D의 합성과 같은 방법으로 실시하여, 화합물 J(25.0g, 33.3mmol)와 3,5-dichlorobenzenethiol (7.76g, 43.3mmol)로부터 화합물 K(19.1g, 수율 62%)를 얻었다. FAB MS 측정에서 화합물 K의 분자량은 908이었다. The synthesis of compound K was carried out in the same manner as that of compound D, and compound K (19.1 g, yield 62%) was obtained from compound J (25.0 g, 33.3 mmol) and 3,5-dichlorobenzenethiol (7.76 g, 43.3 mmol). got it The molecular weight of compound K was 908 as determined by FAB MS.
(4) 화합물 L의 합성(4) Synthesis of compound L
화합물 L의 합성은 화합물 C의 합성과 같은 방법으로 실시하여, 화합물 K(19.0g, 20.9mmol)와 Diphenylamine (7.42 g, 43.9mmol)으로부터 화합물 K(22.1g, 수율 90%)를 얻었다. FAB MS 측정에서 화합물 L의 분자량은 1174였다. The synthesis of compound L was carried out in the same manner as the synthesis of compound C, and compound K (22.1 g, yield 90%) was obtained from compound K (19.0 g, 20.9 mmol) and diphenylamine (7.42 g, 43.9 mmol). The molecular weight of compound L was 1174 as determined by FAB MS.
(5) 화합물 3의 합성(5) Synthesis of
화합물 3의 합성은, 화합물 1의 합성과 같은 방법으로 실시하여, 화합물 L (22.0g, 18.7mmol)로부터 화합물 3 (3.34 g, 수율 15%)을 얻었다. FAB MS 측정에서 화합물 3의 분자량은 1190이었다. 승화 정제(395℃, 8.8×10-3Pa)해 디바이스 평가를 실시하였다.The synthesis of
<화합물 89의 합성><Synthesis of compound 89>
일 실시예에 따른 다환 화합물 89는 예를 들어 하기 반응식 4의 단계에 의해 합성될 수 있다. Polycyclic compound 89 according to an embodiment may be synthesized, for example, by the steps of Scheme 4 below.
[반응식 4][Scheme 4]
(1) 화합물 M의 합성(1) Synthesis of compound M
화합물 M의 합성은 화합물 C의 합성과 같은 방법으로 실시하여, 1-bromo-3,5-difluorobenzene(25.0g, 129mmol)과 Diphenylamine (24.1 g, 142mmol)으로부터 화합물 M(33.2g, 수율 91%)을 얻었다. FAB MS 측정에서 화합물 M의 분자량은 281이었다. The synthesis of compound M was carried out in the same way as the synthesis of compound C, and compound M (33.2 g, yield 91%) was obtained from 1-bromo-3,5-difluorobenzene (25.0 g, 129 mmol) and diphenylamine (24.1 g, 142 mmol). got The molecular weight of compound M was 281 as determined by FAB MS.
(2) 화합물 N의 합성(2) Synthesis of compound N
화합물 N의 합성은 화합물 D의 합성과 같은 방법으로 실시하여, 화합물 M (25.0g, 88.8 mmol)과 Phenol (10.9 g, 115mmol)로부터 화합물 N(20.7g, 수율 64%)을 얻었다. FAB MS 측정에서 화합물 N의 분자량은 355였다. The synthesis of compound N was carried out in the same manner as the synthesis of compound D, and compound N (20.7 g, yield 64%) was obtained from compound M (25.0 g, 88.8 mmol) and Phenol (10.9 g, 115 mmol). The molecular weight of compound N was 355 as determined by FAB MS.
(3) 화합물 O의 합성(3) Synthesis of compound O
화합물 O의 합성은 화합물 D의 합성과 같은 방법으로 실시하여, 화합물 N (20.0g, 56.3mmol)으로부터 화합물 O(21.6g, 수율 80%)를 얻었다. FAB MS 측정에서 O의 분자량은 480이었다. The synthesis of compound O was carried out in the same manner as the synthesis of compound D, to obtain compound O (21.6 g, yield 80%) from compound N (20.0 g, 56.3 mmol). The molecular weight of O was 480 in FAB MS measurement.
(3) 화합물 P의 합성(3) Synthesis of compound P
화합물 P의 합성은 화합물 H의 합성과 같은 방법으로 실시하여, 화합물 O(21.0g, 43.8mmol)로부터 화합물 P(33.6g, 수율 75%)를 얻었다. FAB MS 측정에서 화합물 P의 분자량은 1023이었다. The synthesis of compound P was carried out in the same manner as in the synthesis of compound H, to obtain compound P (33.6 g, yield 75%) from compound O (21.0 g, 43.8 mmol). The molecular weight of compound P was 1023 as determined by FAB MS.
(4) 화합물 89의 합성(4) Synthesis of compound 89
화합물 89의 합성은, 화합물 1의 합성과 같은 방법으로 실시하여, 화합물 P (33.0g, 32.3mmol)로부터 화합물 84 (11.7 g, 수율 35%)를 얻었다. FAB MS 측정에서 화합물 83의 분자량은 1038이었다. 승화 정제(395℃, 9.7×10-3Pa)해 디바이스 평가를 실시하였다.The synthesis of compound 89 was carried out in the same manner as in the synthesis of
<화합물 411의 합성><Synthesis of compound 411>
일 실시예에 따른 다환 화합물 411은 예를 들어 하기 반응식 5의 단계에 의해 합성될 수 있다. Polycyclic compound 411 according to an embodiment may be synthesized, for example, by the steps of
[반응식 5][Scheme 5]
(1) 화합물 Q의 합성(1) Synthesis of compound Q
화합물 Q의 합성은 화합물 D의 합성과 같은 방법으로 실시하여, 화합물 M (25.0g, 88.8 mmol)과 Thiophenol (12.7 g, 116mmol)로부터 화합물 Q(17.8g, 수율 54%)를 얻었다. FAB MS 측정에서 화합물 Q의 분자량은 371이었다. The synthesis of compound Q was carried out in the same manner as the synthesis of compound D, to obtain compound Q (17.8 g, yield 54%) from compound M (25.0 g, 88.8 mmol) and thiophenol (12.7 g, 116 mmol). The molecular weight of compound Q was 371 as determined by FAB MS.
(2) 화합물 R의 합성(2) Synthesis of compound R
화합물 R의 합성은 화합물 D의 합성과 같은 방법으로 실시하여, 화합물 Q (17.0g, 45.8mmol)로부터 화합물 R(16.3g, 수율 72%)을 얻었다. FAB MS 측정에서 O의 분자량은 496이었다. The synthesis of compound R was carried out in the same manner as that of compound D, to obtain compound R (16.3 g, yield 72%) from compound Q (17.0 g, 45.8 mmol). The molecular weight of O was 496 in FAB MS measurement.
(3) 화합물 S의 합성(3) Synthesis of compound S
화합물 S의 합성은 화합물 H의 합성과 같은 방법으로 실시하여, 화합물 R(16.0g, 32.2mmol)로부터 화합물 S(25.8g, 수율 77%)를 얻었다. FAB MS 측정에서 S의 분자량은 1039였다. The synthesis of compound S was carried out in the same manner as in the synthesis of compound H, to obtain compound S (25.8 g, yield 77%) from compound R (16.0 g, 32.2 mmol). The molecular weight of S was 1039 in FAB MS measurement.
(4) 화합물 411의 합성(4) Synthesis of compound 411
화합물 411의 합성은, 화합물 1의 합성과 같은 방법으로 실시하여, 화합물 S (25.0g, 24.4mmol)로부터 화합물 411 (11.4 g, 수율 45%)을 얻었다. FAB MS 측정에서 화합물 411의 분자량은 1054였다. 승화 정제(395℃, 7.7×10-3Pa)해 디바이스 평가를 실시하였다.The synthesis of compound 411 was carried out in the same manner as in the synthesis of
<화합물 249의 합성><Synthesis of compound 249>
일 실시예에 따른 다환 화합물 249은 예를 들어 하기 반응식 6의 단계에 의해 합성될 수 있다. Polycyclic compound 249 according to an embodiment may be synthesized, for example, by the steps of Scheme 6 below.
[반응식 6][Scheme 6]
(1) 화합물 T의 합성(1) Synthesis of compound T
화합물 T의 합성은 화합물 B의 합성과 같은 방법으로 실시하여, 화합물 T (20.0g, 수율 80%)를 얻었다. FAB MS 측정에서 화합물 T의 분자량은 581이었다. The synthesis of compound T was carried out in the same manner as in the synthesis of compound B, to obtain compound T (20.0 g, yield 80%). The molecular weight of compound T was 581 as determined by FAB MS.
(2) 화합물 U의 합성(2) Synthesis of compound U
화합물 U의 합성은, 화합물 J의 합성과 같은 방법으로 실시하여, 화합물 T(18.0g, 31.0mmol)와 1-fluoro-3-iodobenzene (55.0 g, 248mmol)으로부터 화합물 U (13.6g, 수율 65%)를 얻었다. FAB MS 측정에서 화합물 U의 분자량은 675였다. The synthesis of compound U was carried out in the same manner as that of compound J, and compound U (13.6 g, yield 65%) from compound T (18.0 g, 31.0 mmol) and 1-fluoro-3-iodobenzene (55.0 g, 248 mmol) ) was obtained. The molecular weight of compound U was 675 as determined by FAB MS.
(3) 화합물 V의 합성(3) Synthesis of compound V
화합물 V의 합성은 화합물 D의 합성과 같은 방법으로 실시하여, 화합물 U(13.0g, 19.3mmol)와 3,5-dichlorobenzenethiol (4.48g, 25.0mmol)로부터 화합물 V(12.0g, 수율 75%)를 얻었다. FAB MS 측정에서 화합물 V의 분자량은 834였다. The synthesis of compound V was carried out in the same manner as that of compound D, and compound V (12.0 g, yield 75%) was obtained from compound U (13.0 g, 19.3 mmol) and 3,5-dichlorobenzenethiol (4.48 g, 25.0 mmol). got it The molecular weight of compound V was 834 as determined by FAB MS.
(4) 화합물 W의 합성(4) Synthesis of compound W
화합물 W의 합성은 화합물 C의 합성과 같은 방법으로 실시하여, 화합물 V(11.0g, 13.2mmol)와 Diphenylamine (4.67 g, 27.7mmol)으로부터 화합물 W(13.3g, 수율 92%)를 얻었다. FAB MS 측정에서 화합물 W의 분자량은 1099였다. The synthesis of compound W was carried out in the same way as the synthesis of compound C, and compound W (13.3 g, yield 92%) was obtained from compound V (11.0 g, 13.2 mmol) and diphenylamine (4.67 g, 27.7 mmol). The molecular weight of compound W was 1099 as determined by FAB MS.
(5) 화합물 249의 합성(5) Synthesis of compound 249
화합물 249의 합성은, 화합물 1의 합성과 같은 방법으로 실시하여, 화합물 W (13.0g, 11.8mmol)로부터 화합물 249 (2.38 g, 수율 18%)를 얻었다. FAB MS 측정에서 화합물 249의 분자량은 1115였다. 승화 정제(380℃, 7.8×10-3Pa)해 디바이스 평가를 실시하였다.The synthesis of compound 249 was carried out in the same manner as in the synthesis of
<화합물 331의 합성><Synthesis of compound 331>
일 실시예에 따른 다환 화합물 331은 예를 들어 하기 반응식 7의 단계에 의해 합성될 수 있다.Polycyclic compound 331 according to an embodiment may be synthesized, for example, by the steps of Scheme 7 below.
[반응식 7][Scheme 7]
(1) 화합물 X의 합성(1) Synthesis of compound X
화합물 X의 합성은 화합물 B의 합성과 같은 방법으로 실시하여, 화합물 X (18.0g, 수율 72%)를 얻었다. FAB MS 측정에서 화합물 X의 분자량은 597이었다. The synthesis of compound X was carried out in the same manner as that of compound B, to obtain compound X (18.0 g, yield 72%). The molecular weight of compound X was 597 as determined by FAB MS.
(2) 화합물 Y의 합성(2) Synthesis of compound Y
화합물 Y의 합성은, 화합물 J의 합성과 같은 방법으로 실시하여, 화합물 X(17.0g, 28.5mmol)와 1-fluoro-3-iodobenzene (50.6 g, 228mmol)으로부터 화합물 Y (14.7g, 수율 75%)를 얻었다. FAB MS 측정에서 화합물 Y의 분자량은 691이었다. The synthesis of compound Y was carried out in the same manner as the synthesis of compound J, and compound Y (14.7 g, yield 75%) from compound X (17.0 g, 28.5 mmol) and 1-fluoro-3-iodobenzene (50.6 g, 228 mmol) ) was obtained. The molecular weight of compound Y was 691 as determined by FAB MS.
(3) 화합물 Z의 합성(3) Synthesis of compound Z
화합물 Z의 합성은 화합물 D의 합성과 같은 방법으로 실시하여, 화합물 Y(14.0g, 20.3mmol)와 3,5-dichlorobenzenethiol (4.72g, 26.3mmol)로부터 화합물 Z(15.2g, 수율 88%)를 얻었다. FAB MS 측정에서 화합물 Z의 분자량은 850이었다. The synthesis of compound Z was carried out in the same way as the synthesis of compound D, and compound Z (15.2 g, yield 88%) was obtained from compound Y (14.0 g, 20.3 mmol) and 3,5-dichlorobenzenethiol (4.72 g, 26.3 mmol). got it The molecular weight of compound Z was 850 as determined by FAB MS.
(4) 화합물 AA의 합성(4) Synthesis of compound AA
화합물 AA의 합성은 화합물 C의 합성과 같은 방법으로 실시하여, 화합물 Z(15.0g, 17.7mmol)와 Diphenylamine (6.27 g, 37.1mmol)으로부터 화합물 AA(17.1g, 수율 87%)를 얻었다. FAB MS 측정에서 화합물 AA의 분자량은 1115였다. The synthesis of compound AA was carried out in the same manner as the synthesis of compound C, and compound AA (17.1 g, yield 87%) was obtained from compound Z (15.0 g, 17.7 mmol) and diphenylamine (6.27 g, 37.1 mmol). The molecular weight of compound AA was 1115 as determined by FAB MS.
(5) 화합물 331의 합성(5) Synthesis of compound 331
화합물 331의 합성은, 화합물 1의 합성과 같은 방법으로 실시하여, 화합물 AA (16.5g, 14.8mmol)로부터 화합물 331 (1.84 g, 수율 11%)을 얻었다. FAB MS 측정에서 화합물 331의 분자량은 1131이었다. 승화 정제(380℃, 6.8×10-3Pa)해 디바이스 평가를 실시하였다.The synthesis of compound 331 was carried out in the same manner as in the synthesis of
2. 발광 소자의 제작 및 평가2. Fabrication and evaluation of light emitting devices
(발광 소자의 제작)(Production of light emitting element)
하기 실시예 및 비교예 화합물을 발광층 재료로 사용하여 유기 전계 발광 소자를 제작하였다.An organic electroluminescent device was manufactured by using the compounds of the following Examples and Comparative Examples as a light emitting layer material.
[실시예 화합물][Example compound]
[비교예 화합물] [Comparative Example Compound]
유리 기판 상에 두께 1500Å의 ITO를 패터닝한 후, 초순수로 세척하고 UV 오존 처리를 10분간 실시하였다. 그 후, 100Å 두께로 HAT-CN을 증착하고, α-NPD를 두께 800Å로 증착하고, mCP를 50Å 두께로 증착하여 정공 수송 영역을 형성하였다. After patterning ITO with a thickness of 1500 Å on a glass substrate, it was washed with ultrapure water and subjected to UV ozone treatment for 10 minutes. Thereafter, HAT-CN was deposited to a thickness of 100 Å, α-NPD was deposited to a thickness of 800 Å, and mCP was deposited to a thickness of 50 Å to form a hole transport region.
다음으로, 발광층 형성시 일 실시예의 다환 화합물 또는 비교예 화합물과 mCBP를 1:99 비율로 공증착하여 두께 200Å의 층을 형성하였다. Next, when the light emitting layer was formed, the polycyclic compound of Example or the compound of Comparative Example and mCBP were co-deposited at a ratio of 1:99 to form a layer having a thickness of 200 Å.
발광층 상에 TPBi로 두께 300Å의 층을 형성하고, LiF로 두께 5Å의 층을 형성하여 전자 수송 영역을 형성하였다. 다음으로, 알루미늄(Al)으로 두께 1000Å의 제2 전극을 형성하였다. An electron transport region was formed by forming a 300 Å-thick layer of TPBi on the light emitting layer and a 5 Å-thick layer of LiF. Next, a second electrode having a thickness of 1000 Å was formed using aluminum (Al).
(유기 전계 발광 소자의 특성 평가)(Evaluation of characteristics of organic electroluminescent devices)
실시예 1 내지 7 및 비교예 1 내지 6에 따른 측정값을 하기 표 1에 나타냈다. Roll-off는 (1cd/m3의 외부 양자 효율)-(1000cd/m3)/ (1cd/m3의 외부 양자 효율)×100로 나타낸다. 최대 발광효율(EQEmax1000nit)은 10mA/cm2에서 측정한 값이며, 상대 수명은 비교예 3의 반감 수명을 1로 했을 때 상대 수명 값을 의미한다. 지연 형광의 발광 감쇠는 1%실시예 또는 비교예 화합물: mCBP (20nm)의 박막 PL(photoluminescence)을 측정한 값을 나타낸다. 또한 그 발광 감쇠와 발광 양자 수율로부터 역항간 교차 속도 상수(kRISC)를 산출했다. The measured values according to Examples 1 to 7 and Comparative Examples 1 to 6 are shown in Table 1 below. Roll-off is expressed as (external quantum efficiency of 1 cd/m 3 )-(1000 cd/m 3 )/(external quantum efficiency of 1 cd/m 3 )×100. The maximum luminous efficiency (EQE max1000nit ) is a value measured at 10 mA/cm 2 , and the relative lifetime means a relative lifetime value when the half-life of Comparative Example 3 is 1. Emission attenuation of delayed fluorescence represents a value measured by PL (photoluminescence) of a thin film of 1% Example or Comparative Example compound: mCBP (20 nm). In addition, the inverse interterm crossover rate constant (k RISC ) was calculated from the luminescence attenuation and luminescence quantum yield.
1000nit EQE max
1000nits
상대 수명LT50
Relative lifespan
상기 표 1을 참조하면, 실시예 1 내지 7은 비교예 1 내지 6에 비해 모두 장수명 및 고효율화를 동시에 달성함을 확인할 수 있다. Referring to Table 1, it can be seen that Examples 1 to 7 achieve both a longer lifespan and high efficiency compared to Comparative Examples 1 to 6 at the same time.
본 발명의 일 실시예에 따른 다환 화합물은 코어 구조 내에 황 원자를 도입하여 역항간 교차 속도 상수(kRISC)를 증대시킬 수 있다. 또한, 분자의 부피 향상을 위해 질소와 결합하는 페닐기의 오쏘(ortho) 위치에 하나 이상의 치환기를 가짐으로써, Roll-off를 발현시키는 요인 중 하나인 Triplet-Triplet Annihilation(TTA), 및 Singlet-Triplet Annihilation(STA)를 억제하여 낮은 Roll-off 값을 가진다. 이에 따라, 본 발명의 일 실시예에 따른 다환 화합물은 Roll-off를 효과적으로 억제하여 유기 전계 발광 소자의 고효율화 및 장수명을 달성함을 확인할 수 있다. The polycyclic compound according to an embodiment of the present invention may increase the inverse interterm crossover rate constant (k RISC ) by introducing a sulfur atom into the core structure. In addition, Triplet-Triplet Annihilation (TTA), which is one of factors that express Roll-off, and Singlet-Triplet Annihilation by having one or more substituents at the ortho position of the phenyl group bonding to nitrogen to improve the volume of the molecule (STA) is suppressed to have a low Roll-off value. Accordingly, it can be confirmed that the polycyclic compound according to an embodiment of the present invention effectively suppresses roll-off, thereby achieving high efficiency and long life of the organic electroluminescent device.
이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술 분야에 통상의 지식을 갖는 자라면, 후술될 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.Although the above has been described with reference to the preferred embodiment of the present invention, those skilled in the art or those having ordinary knowledge in the technical field will not depart from the spirit and technical scope of the present invention described in the claims to be described later. It will be understood that various modifications and variations of the present invention can be made without departing from the scope of the present invention.
따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허청구범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.Accordingly, the technical scope of the present invention should not be limited to the contents described in the detailed description of the specification, but should be defined by the claims.
DD, DD-TD : 표시 장치
ED: 유기 전계 발광 소자 EL1 : 제1 전극
EL2 : 제2 전극 HTR : 정공 수송 영역
EML : 발광층 ETR : 전자 수송 영역DD, DD-TD: display device
ED: organic electroluminescent element EL1: first electrode
EL2: second electrode HTR: hole transport region
EML: light emitting layer ETR: electron transport region
Claims (20)
상기 제1 전극 상에 제공된 정공 수송 영역;
상기 정공 수송 영역 상에 제공된 발광층;
상기 발광층 상에 제공된 전자 수송 영역; 및
상기 전자 수송 영역 상에 제공된 제2 전극을 포함하고,
상기 발광층은 하기 화학식 1로 표시되는 다환 화합물을 포함하는 것인 유기 전계 발광 소자:
[화학식 1]
상기 화학식 1에서,
X1 및 X2는 각각 독립적으로 O, S, 또는 NR7이고,
e 및 f는 내지 각각 독립적으로 0 이상 4이하의 정수이고,
g는 0 이상 2이하의 정수이고,
h는 0 이상 3 이하의 정수이고,
R1 내지 R4, R5-1 내지 R5-3 및 R6-1 내지 R6-3은 각각 독립적으로, 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 니트로기, 시아노기, 히드록시기, 치환 또는 비치환된 아민기, 치환 또는 비치환된 티올기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴기이거나, 또는 인접하는 기와 결합하여 고리를 형성하고,
R7은 수소 원자, 중수소 원자, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴기이거나, 또는 인접하는 기와 결합하여 고리를 형성하고,
Y1, 및 Y2는 각각 독립적으로 각각 독립적으로, 수소 원자, 중수소 원자, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 이상 20 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 고리형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴기이고,
단, Y1, 및 Y2 중 적어도 하나는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 이상 20 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 고리형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴기이다.
a first electrode;
a hole transport region provided on the first electrode;
a light emitting layer provided on the hole transport region;
an electron transport region provided on the light emitting layer; and
a second electrode provided on the electron transport region;
The light emitting layer is an organic electroluminescent device comprising a polycyclic compound represented by the following formula (1):
[Formula 1]
In Formula 1,
X 1 and X 2 are each independently O, S, or NR 7 ,
e and f are each independently an integer of 0 or more and 4 or less,
g is an integer of 0 or more and 2 or less,
h is an integer of 0 or more and 3 or less,
R 1 to R 4 , R 5-1 to R 5-3 and R 6-1 to R 6-3 are each independently a hydrogen atom, a deuterium atom, a halogen atom, a nitro group, a cyano group, a hydroxyl group, a substituted or unsubstituted A substituted or unsubstituted thiol group, a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 carbon atoms, a substituted or unsubstituted ring carbon number 2 or more and 30 or less heteroaryl group, or combine with an adjacent group to form a ring,
R 7 is a hydrogen atom, a deuterium atom, a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 carbon atoms, or a substituted or unsubstituted ring carbon number 2 to 30 or a heteroaryl group of, or combined with an adjacent group to form a ring,
Y 1 , and Y 2 are each independently each independently a hydrogen atom, a deuterium atom, a substituted or unsubstituted alkyl group having 6 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 ring carbon atoms, or A substituted or unsubstituted heteroaryl group having 2 or more and 30 or less ring carbon atoms,
However, at least one of Y 1 and Y 2 is a substituted or unsubstituted alkyl group having 6 or more and 20 or less carbon atoms, a substituted or unsubstituted aryl group having 6 or more and 30 or less ring carbon atoms, or a substituted or unsubstituted ring carbon number 2 or more and 30 or less heteroaryl groups.
상기 발광층은 지연 형광을 방출하는 유기 전계 발광 소자.
According to claim 1,
The light emitting layer is an organic electroluminescent device that emits delayed fluorescence.
상기 발광층은 제1 화합물 및 제2 화합물을 포함하는 지연 형광 발광층이고,
상기 제1 화합물은 상기 다환 화합물을 포함하는 유기 전계 발광 소자.
According to claim 1,
The light emitting layer is a delayed fluorescent light emitting layer comprising a first compound and a second compound,
The first compound is an organic electroluminescent device comprising the polycyclic compound.
상기 발광층은 430nm 내지 480nm 파장의 광을 방출하는 열활성 지연 형광 발광층인 유기 전계 발광 소자.
According to claim 1,
The light emitting layer is an organic electroluminescent device that is a thermally activated delayed fluorescent light emitting layer that emits light having a wavelength of 430 nm to 480 nm.
상기 X1 및 X2 중 적어도 하나는 NR7이고,
R7은 치환 또는 비치환된 고리형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴기인 유기 전계 발광 소자.
According to claim 1,
At least one of X 1 and X 2 is NR 7 ,
R 7 is a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 ring carbon atoms, or a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 2 to 30 ring carbon atoms.
상기 화학식 1은 하기 화학식 2-1 내지 화학식 2-5 중 어느 하나로 표시되는 유기 전계 발광 소자:
[화학식 2-1]
[화학식 2-2]
[화학식 2-3]
[화학식 2-4]
[화학식 2-5]
상기 화학식 2-1 내지 화학식 2-5에서,
Ar1-1 및 Ar1-2는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 고리형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴기이고,
R1 내지 R4, R5-1 내지 R5-3, R6-1 내지 R6-3, Y1, Y2, 및 e 내지 h는 상기 화학식 1에서 정의한 바와 동일하다.
According to claim 1,
Formula 1 is an organic electroluminescent device represented by any one of Formulas 2-1 to 2-5:
[Formula 2-1]
[Formula 2-2]
[Formula 2-3]
[Formula 2-4]
[Formula 2-5]
In Formulas 2-1 to 2-5,
Ar 1-1 and Ar 1-2 are each independently a substituted or unsubstituted aryl group having 6 or more and 30 or less ring carbon atoms, or a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 2 or more and 30 or less ring carbon atoms,
R 1 to R 4 , R 5-1 to R 5-3 , R 6-1 to R 6-3 , Y 1 , Y 2 , and e to h are the same as defined in Formula 1 above.
상기 Ar1-1, 및 Ar1-2는 각각 독립적으로 하기 화학식 5-1 내지 화학식 5-3 중 어느 하나로 표시되는 유기 전계 발광 소자:
[화학식 5-1]
[화학식 5-2]
[화학식 5-3]
상기 화학식 5-1 내지 화학식 5-3 에서,
Ra1 내지 Ra5는 각각 독립적으로 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로 아릴기이고,
m1, m3, 및 m5은 각각 독립적으로 0 이상 5 이하의 정수이고,
m2는 0 이상 9 이하의 정수이고,
m4는 0 이상 3 이하의 정수이다.
7. The method of claim 6,
The Ar 1-1 and Ar 1-2 are each independently an organic electroluminescent device represented by any one of the following Chemical Formulas 5-1 to 5-3:
[Formula 5-1]
[Formula 5-2]
[Formula 5-3]
In Formulas 5-1 to 5-3,
R a1 to R a5 are each independently a hydrogen atom, a deuterium atom, a halogen atom, a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 ring carbon atoms, or a substituted or It is an unsubstituted heteroaryl group having 2 or more and 30 or less ring carbon atoms,
m1, m3, and m5 are each independently an integer of 0 or more and 5 or less,
m2 is an integer of 0 or more and 9 or less,
m4 is an integer of 0 or more and 3 or less.
상기 R5-1 내지 R5-3, 및 R6-1 내지 R6-3 중 적어도 하나는 치환된 아민기인 유기 전계 발광 소자.
According to claim 1,
The R 5-1 to R 5-3 , and At least one of R 6-1 to R 6-3 is a substituted amine group.
상기 화학식 1은 하기 화학식 3-1 또는 화학식 3-2로 표시되는 유기 전계 발광 소자:
[화학식 3-1]
[화학식 3-2]
상기 화학식 3-1 및 화학식 3-2에서,
Ar3-1, Ar3-2, Ar4-1 및 Ar4-2는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기이고,
X1, X2, R1 내지 R4, R5-1 내지 R5-3, R6-1 내지 R6-3, Y1, Y2, 및 e 내지 h는 상기 화학식 1에서 정의한 바와 동일하다.
According to claim 1,
Formula 1 is an organic electroluminescent device represented by Formula 3-1 or Formula 3-2:
[Formula 3-1]
[Formula 3-2]
In Formulas 3-1 and 3-2,
Ar 3-1 , Ar 3-2 , Ar 4-1 and Ar 4-2 is each independently a substituted or unsubstituted aryl group having 6 or more and 30 or less ring carbon atoms,
X 1 , X 2 , R 1 to R 4 , R 5-1 to R 5-3 , R 6-1 to R 6-3 , Y 1 , Y 2 , and e to h are the same as defined in Formula 1 above. do.
상기 화학식 1은 하기 화학식 4로 표시되는 유기 전계 발광 소자:
[화학식 4]
상기 화학식 4에서,
Ar3-1, Ar3-2, Ar4-1 및 Ar4-2는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기이고,
X1, X2, R1 내지 R4, R5-1, R5-3, R6-1, R6-3, Y1, Y2, 및 e 내지 h는 상기 화학식 1에서 정의한 바와 동일하다.
According to claim 1,
Chemical Formula 1 is an organic electroluminescent device represented by the following Chemical Formula 4:
[Formula 4]
In Formula 4,
Ar 3-1 , Ar 3-2 , Ar 4-1 and Ar 4-2 is each independently a substituted or unsubstituted aryl group having 6 or more and 30 or less ring carbon atoms,
X 1 , X 2 , R 1 To R 4 , R 5-1 , R 5-3 , R 6-1 , R 6-3 , Y 1 , Y 2 , and e to h are the same as defined in Formula 1 above. do.
상기 Ar3-1, Ar3-2, Ar4-1 및 Ar4-2는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 18 이하의 아릴기인 유기 전계 발광 소자.
11. The method of claim 10,
Ar 3-1, Ar 3-2 , Ar 4-1 and Ar 4-2 is each independently a substituted or unsubstituted aryl group having 6 or more and 18 or less ring carbon atoms.
상기 화학식 1로 표시되는 다환 화합물은 하기 화합물군 1에 표시된 화합물들 중 어느 하나인 유기 전계 발광 소자:
[화합물군 1]
.
The method of claim 1,
The polycyclic compound represented by Formula 1 is an organic electroluminescent device which is any one of the compounds represented by the following compound group 1:
[Compound group 1]
.
[화학식 1]
상기 화학식 1에서,
X1 및 X2는 각각 독립적으로 O, S, 또는 NR7이고,
e 및 f는 각각 독립적으로 0 이상 4이하의 정수이고,
g는 0 이상 2이하의 정수이고,
h는 0 이상 3 이하의 정수이고,
R1 내지 R4, R5-1 내지 R5-3 및 R6-1 내지 R6-3은 각각 독립적으로, 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 니트로기, 시아노기, 히드록시기, 치환 또는 비치환된 아민기, 치환 또는 비치환된 티올기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴기이거나, 또는 인접하는 기와 결합하여 고리를 형성하고,
R7은 수소 원자, 중수소 원자, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴기이거나, 또는 인접하는 기와 결합하여 고리를 형성하고,
Y1, 및 Y2는 각각 독립적으로 각각 독립적으로, 수소 원자, 중수소 원자, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 이상 20 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 고리형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴기이고,
단, Y1, 및 Y2 중 적어도 하나는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 이상 20 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 고리형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴기이다.
A polycyclic compound represented by the following formula (1):
[Formula 1]
In Formula 1,
X 1 and X 2 are each independently O, S, or NR 7 ,
e and f are each independently an integer of 0 or more and 4 or less,
g is an integer of 0 or more and 2 or less,
h is an integer of 0 or more and 3 or less,
R 1 to R 4 , R 5-1 to R 5-3 and R 6-1 to R 6-3 are each independently a hydrogen atom, a deuterium atom, a halogen atom, a nitro group, a cyano group, a hydroxyl group, a substituted or unsubstituted A substituted or unsubstituted thiol group, a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 carbon atoms, a substituted or unsubstituted ring carbon number 2 or more and 30 or less heteroaryl group, or combine with an adjacent group to form a ring,
R 7 is a hydrogen atom, a deuterium atom, a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 carbon atoms, or a substituted or unsubstituted ring carbon number 2 to 30 or a heteroaryl group of, or combined with an adjacent group to form a ring,
Y 1 , and Y 2 are each independently each independently a hydrogen atom, a deuterium atom, a substituted or unsubstituted alkyl group having 6 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 ring carbon atoms, or A substituted or unsubstituted heteroaryl group having 2 or more and 30 or less ring carbon atoms,
However, at least one of Y 1 and Y 2 is a substituted or unsubstituted alkyl group having 6 or more and 20 or less carbon atoms, a substituted or unsubstituted aryl group having 6 or more and 30 or less ring carbon atoms, or a substituted or unsubstituted ring carbon number 2 or more and 30 or less heteroaryl groups.
상기 X1 및 X2 중 적어도 하나는 NR7이고,
R7은 치환 또는 비치환된 고리형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴기인 다환 화합물.
14. The method of claim 13,
At least one of X 1 and X 2 is NR 7 ,
R 7 is a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 ring carbon atoms, or a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 2 to 30 ring carbon atoms.
상기 화학식 1은 하기 화학식 2-1 내지 화학식 2-5 중 어느 하나로 표시되는 다환 화합물:
[화학식 2-1]
[화학식 2-2]
[화학식 2-3]
[화학식 2-4]
[화학식 2-5]
상기 화학식 2-1 내지 화학식 2-5에서,
Ar1-1 및 Ar1-2는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 고리형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴기이고,
R1 내지 R4, R5-1 내지 R5-3, R6-1 내지 R6-3, Y1, Y2, 및 e 내지 h는 상기 화학식 1에서 정의한 바와 동일하다.
14. The method of claim 13,
Formula 1 is a polycyclic compound represented by any one of Formulas 2-1 to 2-5:
[Formula 2-1]
[Formula 2-2]
[Formula 2-3]
[Formula 2-4]
[Formula 2-5]
In Formulas 2-1 to 2-5,
Ar 1-1 and Ar 1-2 are each independently a substituted or unsubstituted aryl group having 6 or more and 30 or less ring carbon atoms, or a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 2 or more and 30 or less ring carbon atoms,
R 1 to R 4 , R 5-1 to R 5-3 , R 6-1 to R 6-3 , Y 1 , Y 2 , and e to h are the same as defined in Formula 1 above.
상기 Ar1-1, 및 Ar1-2는 각각 독립적으로 하기 화학식 5-1 내지 화학식 5-3 중 어느 하나로 표시되는 다환 화합물:
[화학식 5-1]
[화학식 5-2]
[화학식 5-3]
상기 화학식 5-1 내지 화학식 5-3 에서,
Ra1 내지 Ra5는 각각 독립적으로 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로 아릴기이고,
m1, m3, 및 m5은 각각 독립적으로 0 이상 5 이하의 정수이고,
m2는 0 이상 9 이하의 정수이고,
m4는 0 이상 3 이하의 정수이다.
16. The method of claim 15,
Ar 1-1 and Ar 1-2 are each independently a polycyclic compound represented by any one of Formulas 5-1 to 5-3:
[Formula 5-1]
[Formula 5-2]
[Formula 5-3]
In Formulas 5-1 to 5-3,
R a1 to R a5 are each independently a hydrogen atom, a deuterium atom, a halogen atom, a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 ring carbon atoms, or a substituted or It is an unsubstituted heteroaryl group having 2 or more and 30 or less ring carbon atoms,
m1, m3, and m5 are each independently an integer of 0 or more and 5 or less,
m2 is an integer of 0 or more and 9 or less,
m4 is an integer of 0 or more and 3 or less.
상기 R5-1 내지 R5-3, 및 R6-1 내지 R6-3 중 적어도 하나는 치환된 아민기인 다환 화합물.
14. The method of claim 13,
The R 5-1 to R 5-3 , and A polycyclic compound wherein at least one of R 6-1 to R 6-3 is a substituted amine group.
상기 화학식 1은 하기 화학식 3-1 또는 화학식 3-2로 표시되는 다환 화합물:
[화학식 3-1]
[화학식 3-2]
상기 화학식 3-1 및 화학식 3-2에서,
Ar3-1, Ar3-2, Ar4-1 및 Ar4-2는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기이고,
X1, X2, R1 내지 R4, R5-1 내지 R5-3, R6-1 내지 R6-3, Y1, Y2, 및 e 내지 h는 상기 화학식 1에서 정의한 바와 동일하다.
14. The method of claim 13,
Formula 1 is a polycyclic compound represented by Formula 3-1 or Formula 3-2:
[Formula 3-1]
[Formula 3-2]
In Formulas 3-1 and 3-2,
Ar 3-1 , Ar 3-2 , Ar 4-1 and Ar 4-2 is each independently a substituted or unsubstituted aryl group having 6 or more and 30 or less ring carbon atoms,
X 1 , X 2 , R 1 to R 4 , R 5-1 to R 5-3 , R 6-1 to R 6-3 , Y 1 , Y 2 , and e to h are the same as defined in Formula 1 above. do.
상기 화학식 1은 하기 화학식 4로 표시되는 다환 화합물:
[화학식 4]
상기 화학식 4에서,
Ar3-1, Ar3-2, Ar4-1 및 Ar4-2는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기이고,
X1, X2, R1 내지 R4, R5-1, R5-3, R6-1, R6-3, Y1, Y2, 및 e 내지 h는 상기 화학식 1에서 정의한 바와 동일하다.
14. The method of claim 13,
Formula 1 is a polycyclic compound represented by Formula 4 below:
[Formula 4]
In Formula 4,
Ar 3-1 , Ar 3-2 , Ar 4-1 and Ar 4-2 is each independently a substituted or unsubstituted aryl group having 6 or more and 30 or less ring carbon atoms,
X 1 , X 2 , R 1 To R 4 , R 5-1 , R 5-3 , R 6-1 , R 6-3 , Y 1 , Y 2 , and e to h are the same as defined in Formula 1 above. do.
상기 화학식 1로 표시되는 다환 화합물은 하기 화합물군 1에 표시된 화합물들 중 어느 하나인 다환 화합물:
[화합물군 1]
.15. The method of claim 14,
The polycyclic compound represented by Formula 1 is a polycyclic compound which is any one of the compounds represented in the following compound group 1:
[Compound group 1]
.
Priority Applications (1)
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- 2021-10-20 KR KR1020210140578A patent/KR20220105577A/en unknown
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