KR20220101830A - Cleaning Method of Deposition Chamber for Depositing Metal Oxide Semiconductor Material - Google Patents
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- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims abstract description 72
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 53
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 45
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 title claims abstract description 45
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 45
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 41
- 238000000151 deposition Methods 0.000 title claims abstract description 35
- 230000008021 deposition Effects 0.000 title claims abstract description 28
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 219
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 claims abstract description 11
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 claims description 225
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims description 196
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 195
- 230000004913 activation Effects 0.000 claims description 15
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract description 20
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 abstract description 9
- 238000005108 dry cleaning Methods 0.000 abstract description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 98
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 72
- 239000010408 film Substances 0.000 description 37
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N zinc oxide Inorganic materials [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 11
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 9
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 8
- 239000000047 product Substances 0.000 description 8
- 238000001994 activation Methods 0.000 description 7
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 7
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 6
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 6
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 4
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- -1 IGZO Substances 0.000 description 3
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 3
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910015844 BCl3 Inorganic materials 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N Chlorine Chemical compound ClCl KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 238000010849 ion bombardment Methods 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- FAQYAMRNWDIXMY-UHFFFAOYSA-N trichloroborane Chemical compound ClB(Cl)Cl FAQYAMRNWDIXMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000678 plasma activation Methods 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
- C23C16/4405—Cleaning of reactor or parts inside the reactor by using reactive gases
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
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- C23C16/40—Oxides
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
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- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32357—Generation remote from the workpiece, e.g. down-stream
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- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
- H01J37/32853—Hygiene
- H01J37/32862—In situ cleaning of vessels and/or internal parts
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02565—Oxide semiconducting materials not being Group 12/16 materials, e.g. ternary compounds
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- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Materials Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
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- Power Engineering (AREA)
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- Plasma & Fusion (AREA)
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Abstract
Description
본 발명은 증착 챔버의 세정 방법에 관한 것으로, 특히, IGZO와 같은 금속 산화물 반도체 물질의 증착 챔버의 인시츄 건식 세정 방법에 관한 것이다.FIELD OF THE INVENTION The present invention relates to a method for cleaning a deposition chamber, and more particularly, to a method for in situ dry cleaning of a deposition chamber of a metal oxide semiconductor material such as IGZO.
박막 트랜지스터(TFT, Thin-Film Transistor)는 많은 집적회로(IC)에서 스위칭 및 구동(driving) 디바이스로서 사용된다. 예컨대, 박막 트랜지스터는 디스플레이 패널에서 픽셀들을 제어하기 위해 사용된다. Thin-Film Transistors (TFTs) are used as switching and driving devices in many integrated circuits (ICs). For example, thin film transistors are used to control pixels in a display panel.
박막 트랜지스터의 채널층에 사용된 주요 재료는 비정질 실리콘 및 다결정 실리콘이다. 그러나, 비정질 실리콘을 사용하는 종래의 박막 트랜지스터는 캐리어의 이동도가 충분히 높지 않으며, 다결정 실리콘을 사용하는 박막 트랜지스터는 패널상의 수많은 박막 트랜지스터간의 특성 편차라는 측면에서 개선이 요구된다. 더욱이, 실리콘은 가시광선에 대해 투명하지 않기 때문에, 개구율이 충분하지 않으며, 투명한 디스플레이 패널을 구현할 수 없다는 근본적인 문제점을 포함한다. The main materials used for the channel layer of the thin film transistor are amorphous silicon and polycrystalline silicon. However, the conventional thin film transistor using amorphous silicon does not have a sufficiently high carrier mobility, and the thin film transistor using polycrystalline silicon is required to be improved in terms of characteristic deviation between numerous thin film transistors on a panel. Moreover, since silicon is not transparent to visible light, the aperture ratio is not sufficient, and there are fundamental problems that a transparent display panel cannot be realized.
투명하면서도 캐리어 이동도를 향상시킬 수 있는 박막 트랜지스터의 채널층 재료로서 각광을 받고 있는 재료들 중 하나는 인듐-갈륨-아연 산화물(IGZO), 산화아연(zinc oxide) 등과 같은 금속 산화물이다. 특히, IGZO는 가시광선에 대해 투명하며, 비정질 실리콘에 비해 20~50배의 캐리어 이동도를 가지기 때문에, 디스플레이 패널의 박막 트랜지스터의 채널층 재료로서 유망하다.One of the materials attracting attention as a material for a channel layer of a thin film transistor that is transparent and can improve carrier mobility is a metal oxide such as indium-gallium-zinc oxide (IGZO) or zinc oxide. In particular, IGZO is transparent to visible light and has a carrier mobility of 20 to 50 times that of amorphous silicon, so it is promising as a material for a channel layer of a thin film transistor of a display panel.
디스플레이 패널의 박막 트랜지스터의 제조 과정은 증착 장치의 챔버 내에서 기판 상에 소정의 물질을 퇴적하여 박막을 형성하는 공정을 수반한다. 박막 형성 공정을 수행하는 동안, 챔버의 내벽과 챔버의 내부에 노출되는 부품들의 표면에도 원하지 않게 부산물이 퇴적되어 오염원으로 작용할 수 있다.A manufacturing process of a thin film transistor of a display panel involves a process of forming a thin film by depositing a predetermined material on a substrate in a chamber of a deposition apparatus. During the thin film forming process, unwanted by-products may be deposited on the inner wall of the chamber and on the surfaces of parts exposed to the interior of the chamber, which may act as a contamination source.
즉, 챔버 내부에 퇴적되어 남아 있는 잔류막은 그 두께가 증가하면 박리되어 파티클 (particle) 발생의 원인이 된다. 이와 같이 발생된 파티클은 후속 공정에서 기판 상에 형성되는 박막 내에 들어가거나, 박막 표면에 부착되어 박막 트랜지스터 소자의 결함 원인으로 작용할 수 있으며, 제품의 불량률을 높일 수 있다. 따라서, 이러한 잔류막이 박리되어 파티클이 발생하기 이전에 챔버 내부에 퇴적된 잔류막을 제거하는 세정을 행할 필요가 있다.That is, the residual film deposited inside the chamber is peeled off when the thickness is increased to cause the generation of particles. The particles generated in this way may enter the thin film formed on the substrate in a subsequent process or may be attached to the surface of the thin film to act as a cause of defects in the thin film transistor device, and may increase the defect rate of the product. Therefore, it is necessary to perform cleaning to remove the residual film deposited in the chamber before the residual film is peeled off and particles are generated.
특히, IGZO 박막의 증착을 수행하는 증착 장치는 증착 과정에서 다량의 다량의 파티클을 발생시키기 때문에 매우 빈번한 세정이 요구된다. 그러나, 종래의 세정 방법에서는 챔버 내의 잔류막을 주로 습식 세정에 의하여 제거하므로, 세정시마다 진공상태의 증착 챔버를 개방하여야 한다. 이에 따라, 세정 비용이 증가하고 장치 재현성 및 가동률의 확보가 어려운 문제점이 있었다.In particular, since the deposition apparatus for performing the deposition of the IGZO thin film generates a large amount of particles in the deposition process, very frequent cleaning is required. However, in the conventional cleaning method, since the residual film in the chamber is mainly removed by wet cleaning, the deposition chamber in a vacuum state must be opened every cleaning. Accordingly, there is a problem in that the cleaning cost increases and it is difficult to secure device reproducibility and operation rate.
본 발명은, 이러한 종래의 세정 방법의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 디스플레이 패널의 박막 트랜지스터의 채널층 재료로서 사용되는 IGZO 등과 같은 금속 산화물 반도체 박막을 형성하기 위한 증착 장치의 챔버를 인시츄(in-situ)로 건식 세정하기 위한 방법을 제공하는 것이다.The present invention is to solve the problems of the conventional cleaning method, and in-situ a chamber of a deposition apparatus for forming a metal oxide semiconductor thin film such as IGZO used as a channel layer material of a thin film transistor of a display panel. To provide a method for dry cleaning in situ).
본 발명의 세정 방법은, 금속 산화물 반도체 물질을 증착하는 증착 챔버를 세정하기 위한 방법으로서, 제1 염소계 가스와 제2 염소계 가스를 포함하는 복수의 염소계 가스를 활성화시키는 활성화 단계, 상기 활성화 단계에서 생성된 복수의 염소계 가스의 라디칼(radical)에 의해 상기 증착 챔버를 세정하는 세정 단계를 포함하며, 상기 라디칼은, 제1 염소계 가스로부터 생성되어 금속 산화물 반도체 물질과 반응하는 제1 염소계 라디칼과, 제2 염소계 가스로부터 생성되어 금속 산화물 반도체 물질과 반응하며, 제1 염소계 라디칼과 다른 제2 염소계 라디칼을 포함하며, 상기 활성화 단계에서는 제1 염소계 라디칼과 제2 염소계 라디칼의 농도의 곱이 최대가 되도록, 상기 제1 염소계 가스와 상기 제2 염소계 가스의 유량비를 제어하는 것을 특징으로 한다.The cleaning method of the present invention is a method for cleaning a deposition chamber for depositing a metal oxide semiconductor material, wherein an activation step of activating a plurality of chlorine-based gases including a first chlorine-based gas and a second chlorine-based gas is generated in the activation step a cleaning step of cleaning the deposition chamber by radicals of a plurality of chlorine-based gases, wherein the radicals are generated from the first chlorine-based gas and react with the metal oxide semiconductor material; It is generated from the chlorine-based gas and reacts with the metal oxide semiconductor material, and includes a second chlorine-based radical different from the first chlorine-based radical, and in the activation step, the product of the concentration of the first chlorine-based radical and the second chlorine-based radical is maximized. It is characterized in that the flow ratio of the first chlorine-based gas and the second chlorine-based gas is controlled.
본 발명에 따르면, IGZO 등의 금속 산화물 반도체 박막의 증착 챔버를 인시츄로 건식 세정할 수 있다.According to the present invention, a deposition chamber of a metal oxide semiconductor thin film such as IGZO can be dry cleaned in situ.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 기판 처리 장치의 모식적 단면도이다.
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 세정 방법의 흐름도이다.
도 3은 제1 실시예에 있어서 제1 염소계 가스와 제2 염소계 가스의 유량비에 따른 에칭 레이트를 나타내는 그래프이다.
도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 기판 처리 장치의 모식적 단면도이다.
도 5는 본 발명의 제2 실시예에 따른 세정 방법의 흐름도이다.
도 6은 제2 실시예에 있어서 제1 염소계 가스와 제2 염소계 가스의 유량비에 따른 에칭 레이트를 나타내는 그래프이다.1 is a schematic cross-sectional view of a substrate processing apparatus according to a first embodiment of the present invention.
2 is a flowchart of a cleaning method according to the first embodiment of the present invention.
3 is a graph showing the etching rate according to the flow rate ratio of the first chlorine-based gas and the second chlorine-based gas in the first embodiment.
4 is a schematic cross-sectional view of a substrate processing apparatus according to a second embodiment of the present invention.
5 is a flowchart of a cleaning method according to a second embodiment of the present invention.
6 is a graph showing the etching rate according to the flow rate ratio of the first chlorine-based gas and the second chlorine-based gas in the second embodiment.
본 발명의 다양한 실시형태 또는 실시예를 설명하기 위해 도면을 참조하여 구체적인 사항들이 설명된다. 다만, 플라즈마 세정에 관한 주지의 구조들 및 시스템들에 관한 세부사항들은, 본 발명의 실시예의 설명을 불필요하게 모호하게 하는 것을 회피하기 위해 생략된다. Specific details are described with reference to the drawings to explain various embodiments or embodiments of the present invention. However, details regarding well-known structures and systems related to plasma cleaning are omitted in order to avoid unnecessarily obscuring the description of the embodiment of the present invention.
도면에 도시된 많은 세부사항들, 치수들, 각도들 및 다른 특징들은 예시적인 것이며, 본 발명의 기술적 사상 또는 범위를 벗어나지 않고 다른 세부사항들, 구성요소들, 치수들, 각도들 및 특징들을 가질 수 있다. 또한, 본 발명의 다른 구현예는 이하에서 설명되는 여러 세부사항들 없이 실시될 수도 있다.Many of the details, dimensions, angles and other features shown in the drawings are exemplary and may have other details, components, dimensions, angles and features without departing from the spirit or scope of the invention. can In addition, other embodiments of the invention may be practiced without the various details set forth below.
본 발명은, 기판 처리 장치의 챔버로부터 금속 산화물 반도체 물질, 이를테면, IGZO, ZnO, In2O3 등을 인-시츄로 건식 세정하는 방법에 관한 것이다. 여기서, 기판 처리 장치는 CVD, PE-CVD(plasma enhanced-CVD), 펄스식-CVD, ALD, PE-ALD, MOCVD(metal-organic chemical vapor deposition) 또는 이들의 조합에 의해 IGZO를 포함하는 금속 산화물 반도체 물질을 증착하는데 사용될 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 또한, 기판 처리 장치는, LCD(liquid crystal display)나 OLED(organic light emitting diode) 패널을 제작하기 위해 기판상에 구조들 및 디바이스들을 형성하는데 사용될 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. The present invention relates to a method for in-situ dry cleaning of metal oxide semiconductor materials, such as IGZO, ZnO, In 2 O 3 , etc., from a chamber of a substrate processing apparatus. Here, the substrate processing apparatus is a metal oxide including IGZO by CVD, plasma enhanced-CVD (PE-CVD), pulsed-CVD, ALD, PE-ALD, metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD), or a combination thereof. It can be used to deposit a semiconductor material, but is not limited thereto. Further, the substrate processing apparatus may be used to form structures and devices on a substrate to fabricate a liquid crystal display (LCD) or organic light emitting diode (OLED) panel, but is not limited thereto.
전술한 바와 같이, 금속 산화물 반도체 물질의 증착 동안, 기판 뿐만 아니라 기판 처리 장치의 챔버 내부 전체에 걸쳐 금속 산화물 반도체막이 형성된다. 기판 이외의 챔버 내벽 또는 챔버 내의 각종 부품에 증착된 막은, 오염원으로서의 파티클 생성, 균일성 저하 및 기판 처리 가스 유입구 막힘을 유발하여서, 수율 저하로 이어질 수 있다.As described above, during the deposition of the metal oxide semiconductor material, a metal oxide semiconductor film is formed over the entire interior of the chamber of the substrate processing apparatus as well as the substrate. Films deposited on the inner walls of the chamber other than the substrate or on various components within the chamber can cause particle generation as a source of contamination, reduced uniformity, and blockage of substrate processing gas inlets, leading to lower yields.
챔버 내벽 또는 챔버내의 다른 부품들상의 원치 않는 금속 산화물 반도체막을 제거하기 위한 하나의 방법은, 소정의 증착 사이클마다 주기적으로 챔버를 개방 또는 분해하여 세정액으로 잔류막들을 습식 세정하는 것이다. 그러나, 이러한 기판 처리 장치는 진공상태에서 기판의 처리(예컨대, 증착)를 진행하므로, 세정을 위해서 진공상태의 챔버를 대기 개방하고, 세정 공정의 완료 후 다시 챔버내를 진공 배기하는 것은 상당한 시간을 요하며, 기판 처리 장치의 가동 시간에 상당히 영향을 준다. One method for removing unwanted metal oxide semiconductor films on chamber interior walls or other components within the chamber is to periodically open or disassemble the chamber every predetermined deposition cycle to wet clean the residual films with a cleaning solution. However, since such a substrate processing apparatus processes a substrate in a vacuum state (eg, deposition), it takes a considerable time to open the vacuum chamber to the atmosphere for cleaning and to evacuate the chamber again after the cleaning process is completed. and significantly affects the operating time of the substrate processing apparatus.
다른 접근법은 반응종 또는 라디칼을 함유하는 플라즈마에 의해 건식 세정을 행하는 것이다. 플라즈마는, 잔류막과 반응하여 잔류막을 에칭하는 반응종 또는 라디칼, 이온 등을 포함한다. 예컨대, NF3 플라즈마는 반도체나 디스플레이 산업에서 기판 처리 장치의 챔버들로부터 SiOx 및 SiNx 막들을 제거하기 위해 널리 사용된다. 그러나, NF3 플라즈마는 IGZO와 같은 금속 산화물 반도체 물질의 잔류막의 에칭 또는 세정에 효과적이지 않다. Another approach is to perform dry cleaning with a plasma containing reactive species or radicals. The plasma contains reactive species, radicals, ions, and the like that react with the residual film to etch the residual film. For example, NF3 plasma is widely used in the semiconductor or display industry to remove SiOx and SiNx films from chambers of substrate processing apparatus. However, NF3 plasma is not effective for etching or cleaning residual films of metal oxide semiconductor materials such as IGZO.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, 소정의 유량비로 공급된 복수의 염소계 가스의 혼합물로부터 생성된 라디칼을 기판 처리 챔버로 유입하거나 기판 처리 챔버내에서 다이렉트로 생성하여 챔버 내의 잔류 금속 산화물 반도체막과 반응시킴으로써, 기판 처리 챔버로부터 잔류 금속 산화물 반도체막을 효과적으로 제거한다.According to an embodiment of the present invention, radicals generated from a mixture of a plurality of chlorine-based gases supplied at a predetermined flow rate are introduced into the substrate processing chamber or are directly generated in the substrate processing chamber to react with the residual metal oxide semiconductor film in the chamber. By doing so, the residual metal oxide semiconductor film is effectively removed from the substrate processing chamber.
특히, 본 발명의 바람직한 실시형태에 따르면, 금속 산화물 반도체막과 반응하여 휘발성 생성물을 발생시키는 전체 라디칼의 농도를 극대화시킬 수 있도록, 플라즈마의 종류, 염소계 가스의 종류 등에 기초하여 복수의 염소계 가스의 유량비를 조절한다.In particular, according to a preferred embodiment of the present invention, the flow ratio of the plurality of chlorine-based gases based on the type of plasma, the type of the chlorine-based gas, etc. so as to maximize the concentration of all radicals that react with the metal oxide semiconductor film to generate volatile products. adjust the
이하 본 발명의 구체적인 실시예를 설명한다.Hereinafter, specific embodiments of the present invention will be described.
<제1 실시예><First embodiment>
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 기판 처리 장치를 모식적으로 나타내는 도면이다. 본 발명의 제1 실시예에서는, 복수개의 서로 다른 염소계 가스를 기판 처리 장치의 챔버(즉, 기판 처리 공간)내로 소정의 유량비로 도입하여, 다이렉트 플라즈마에 의해 라디칼 등을 생성하고, 이에 의해 챔버내에 퇴적된 IGZO 등의 금속 산화물 반도체 물질을 인시츄로 건식 세정한다.1 is a diagram schematically showing a substrate processing apparatus according to a first embodiment of the present invention. In the first embodiment of the present invention, a plurality of different chlorine-based gases are introduced into a chamber (that is, a substrate processing space) of a substrate processing apparatus at a predetermined flow rate to generate radicals or the like by direct plasma, thereby creating a chamber in the chamber. The deposited metal oxide semiconductor material such as IGZO is dry cleaned in situ.
도 1을 참조하면, 본 발명의 제1 실시예에 따른 기판 처리 장치는, 기판 처리 공간을 정의하는 챔버(10), 제1 염소계 가스를 공급하는 제1 염소계 가스원(20), 제1 염소계 가스와 다른 제2 염소계 가스를 공급하는 제2 염소계 가스원(25), 제1 염소계 가스와 제2 염소계 가스를 챔버내의 기판 처리 공간으로 공급하기 위한 샤워 헤드(30), 샤워 헤드(30)에 접속되어, 샤워 헤드(30)에 전원을 인가하기 위한 제1 전원 공급부(40), 제1 염소계 가스원(20) 및 제2 염소계 가스원(25)으로부터의 샤워헤드(30)로의 복수의 염소계 가스의 공급 유량을 제어하고, 또한, 제1 전원 공급부(40)에 의한 샤워헤드(30)의 전원 공급을 제어하는 제어부(50), 및 처리 대상으로서의 기판(S)을 지지하는 기판 지지부(60)를 포함한다.Referring to FIG. 1 , a substrate processing apparatus according to a first embodiment of the present invention includes a
본 발명의 제1 실시예에 따른 기판 처리 장치는, 기판의 처리시에, 예를 들어 IGZO를 포함하는 금속 산화물 반도체 물질의 박막 증착 시에 챔버(10) 내에 퇴적되는 금속 산화물 반도체 물질의 잔류막을 건식 세정하여 제거한다. 즉, 기판 처리 장치에 의한 기판 처리 공정은 기판 상에 인듐과 갈륨이 도핑된 아연 산화물(IGZO)을 증착하는 공정일 수 있으며, 이 경우 챔버(10) 내에 퇴적되는 잔류막은 인듐과 갈륨이 도핑된 아연 산화물을 포함할 수 있다.In the substrate processing apparatus according to the first embodiment of the present invention, a residual film of a metal oxide semiconductor material deposited in a
제1 염소계 가스원(20) 및 제2 염소계 가스원(25)은 각각 챔버(10)의 외부에 설치될 수 있으며, 제1 염소계 가스 및 제2 염소계 가스를 별도로 샤워 헤드(30)에 공급한다. 도 1에서는, 제1 염소계 가스 및 제2 염소계 가스가 샤워 헤드(30)에 별도의 공급로를 통해 공급되는 것으로 도시하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 샤워 헤드(30)에 공급되기 전에 하나의 공급로에서 혼합되어, 샤워 헤드(30)에 공급되어도 된다.The first chlorine-based
후술하는 바와 같이, 제1 염소계 가스 및 제2 염소계 가스는 각각 활성화되어 챔버(10) 내의 잔류 금속 산화물 반도체막을 식각하여 세정하기 위한 라디칼 등을 생성한다. IGZO, 아연 산화물 등의 금속 산화물 반도체 물질을 포함하는 잔류막을 효율적으로 식각하기 위하여, 제1 염소계 가스 및 제2 염소계 가스는 각각 Cl2, BCl3, ClF3, ClF4, HCl, CCl4, CoCl2, TiCl4 중 어느 하나를 포함한다. 바람직하게는, 제1 염소계 가스 및 제2 염소계 가스는 서로 다른 염소계 가스이다. 보다 바람직하게는, 제1 염소계 가스는 BCl3이고, 제2 염소계 가스는 Cl2이다.As will be described later, the first chlorine-based gas and the second chlorine-based gas are respectively activated to generate radicals for cleaning and etching the residual metal oxide semiconductor film in the
도 1에는, 챔버(10)내로 공급되는 가스의 가스원으로서 제1 염소계 가스원(20)과 제2 염소계 가스원(25)을 도시하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 다른 가스원을 더 포함할 수 있다. 예컨대, 본 발명의 제1 실시예에 따른 기판 처리 장치는, 아르곤(Ar)을 포함하는 불활성 가스원, H2, H2O 등을 공급하기 위한 수소(H) 함유 가스원 등을 더 가질 수 있다. 1, the first chlorine-based
샤워 헤드(30)는 챔버(10) 내부에 착탈 가능하게 설치되며, 챔버(10)의 기판 처리 공간으로 제1 염소계 가스를 공급하기 위한 제1 염소계 가스 공급로 및 제2 염소계 가스를 공급하기 위한 제2 염소계 가스 공급로를 포함한다. The
제1 전원 공급부(40)는 샤워 헤드(30)에 접속되어, 샤워 헤드(30)에 전원을 인가한다. 제1 전원 공급부(40)가 인가하는 전원은, 고주파 전력 또는 RF(Radio Frequency) 전력, 예를 들어, LF(Low Frequency) 전력, MF(Middle Frequency), HF(High Frequency) 전력, 또는 VHF(Very High Frequency) 전력일 수 있다.The first
여기서, LF 전력은 3㎑ 내지 300㎑ 범위의 주파수를 가지고, MF 전력은 300㎑ 내지 3㎒ 범위의 주파수를 가지고, HF 전력은 3㎒ 내지 30㎒ 범위의 주파수를 가지며, VHF 전력은 30㎒ 내지 300㎒ 범위의 주파수를 가질 수 있다.Here, the LF power has a frequency in the range of 3 kHz to 300 kHz, the MF power has a frequency in the range of 300 kHz to 3 MHz, the HF power has a frequency in the range of 3 MHz to 30 MHz, and the VHF power is in the range of 30 MHz to 30 MHz It may have a frequency in the range of 300 MHz.
또한, 제1 전원 공급부(40)는 샤워 헤드(30)에 인가되는 전원의 부하 임피던스와 소스 임피던스를 정합시키기 위한 임피던스 매칭 회로를 포함할 수도 있다. 임피던스 매칭 회로는 가변 커패시터 및 가변 인덕터 중 적어도 하나로 구성되는 적어도 2개의 임피던스 소자를 포함하여 이루어질 수 있다.In addition, the first
기판 지지부(60)는 기판 처리 공정에 따라 승강 및/또는 회전하도록 설치될 수 있다. 이와 같은 기판 지지부(60)의 승강 및/또는 회전은 챔버(10)의 바닥면을 관통하는 지지축 및 지지축에 연결되는 구동부(미도시)에 의하여 이루어진다. 도 1에는 도시하지 않았으나, 챔버(10)내의 진공 상태를 유지하면서도 지지축을 구동부에 연결하기 위해, 벨로우즈와 같은 신축가능부재가 사용될 수 있다. The
기판 지지부(20)는 접지될 수 있으나, 전원 공급부(40) 또는 별도의 제2 전원 공급부(45)에 의하여 샤워 헤드(30)와 상이한 전원이 인가될 수도 있다. 제2 전원 공급부(45)는 플라즈마로부터 기판(S)으로의 부가적인 전위를 설정하는데 사용될 수 있다. 이에 의해, 제2 전원 공급부(45)는 에칭/세정 효과를 향상시키기 위해 더 많은 이온 충격을 제공하도록 바이어스를 증가시키는 역할을 할 수 있다. 제2 전원 공급부(45)는 DC 전원, 펄스식 DC 전원, RF 바이어스 전원, 펄스식 RF 소스 또는 바이어스 전원, 또는 이들의 조합일 수 있다. 본 실시예에서는 DC 바이어스 전원이다.The
제어부(50)는 제1 염소계 가스 및 제2 염소계 가스를 활성화시키기 위한 전원(소정의 크기의 전력 및 소정 범위의 주파수)을 공급하기 위해, 샤워 헤드(30), 제1 전원 공급부(40) 및/또는 제2 전원 공급부(45)를 제어할 수 있다. The
또한, 제어부(50)는 제1 염소계 가스원(20) 및 제2 염소계 가스원(25)으로부터 공급되는 제1 염소계 가스 및 제2 염소계 가스의 공급 유량 등을 제어할 수 있다. 즉, 제어부(50)는 제1 염소계 가스, 제2 염소계 가스의 종류에 따라 제1 염소계 가스 및 제2 염소계 가스의 공급량을 제어할 수 있다. 예를 들어, 제1 염소계 가스로서 BCl3가 사용되고, 제2 염소계 가스로서 Cl2가 사용되는 경우, 후술하는 바와 같이, 제어부(50)는 제1 염소계 가스와 제2 염소계 가스의 공급량을 동일하게 제어할 수 있다.In addition, the
이와 같이, 제어부(50)는 제1 염소계 가스, 제2 염소계 가스 및 기타 공급 가스의 종류에 따라 제1 염소계 가스 및 제2 염소계 가스의 공급량을 제어함으로써, 챔버(10) 내에 금속 산화물 반도체막과 반응할 수 있는 전체 라디칼의 농도가 극대화되도록 할 수 있다. In this way, the
이하에서, 도 2를 참조하여 본 발명의 제1 실시예에 따른 챔버 세정 방법을 상세하게 설명한다. 본 발명의 제1 실시예에 따른 챔버 세정 방법의 설명에 있어 전술한 기판 처리 장치에 관한 설명과 중복되는 설명은 생략한다.Hereinafter, a chamber cleaning method according to a first embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIG. 2 . In the description of the chamber cleaning method according to the first embodiment of the present invention, a description overlapping with the description of the above-described substrate processing apparatus will be omitted.
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 챔버 세정 방법을 개략적으로 나타내는 도면이다.2 is a diagram schematically illustrating a chamber cleaning method according to a first embodiment of the present invention.
본 발명의 제1 실시예에 따른 챔버 세정 방법은, 제1 염소계 가스 및 제2 염소계 가스를 포함하는 복수의 염소계 가스를 소정의 유량비로 챔버(10) 내로 공급하는 단계(S01); 챔버(10)내에서 다이렉트 플라즈마에 의해 제1 염소계 가스 및 제2 염소계 가스를 포함하는 복수의 염소계 가스를 활성화시키는 단계(S02); 활성화 단계에서 생성된 반응종 또는 라디칼, 이온 등에 의해 챔버(10) 내에 퇴적된 금속 산화물 반도체 물질을 건식 세정하는 단계(S03); 및 챔버(10)를 퍼징하는 단계(S04)를 포함한다.A chamber cleaning method according to a first embodiment of the present invention includes: supplying a plurality of chlorine-based gases including a first chlorine-based gas and a second chlorine-based gas into the
제1 염소계 가스 및 제2 염소계 가스를 포함하는 복수의 염소계 가스를 공급하는 단계(S01)에서는, 제1 염소계 가스원(20)으로부터 제공되는 제1 염소계 가스와 제2 염소계 가스원(25)로부터 제공되는 제2 염소계 가스를 샤워 헤드(30)를 통하여 챔버(10) 내로 공급한다. 즉, 제1 염소계 가스 및 제2 염소계 가스는 챔버(10) 내에 설치되는 하나의 샤워 헤드(30)로부터 동시에 공급될 수 있으며, 제1 염소계 가스 및 제2 염소계 가스는 샤워 헤드(30) 내에 서로 다른 경로로 형성되는 가스 공급로를 따라 챔버(10) 내로 공급될 수 있다.In the step of supplying a plurality of chlorine-based gases including the first chlorine-based gas and the second chlorine-based gas (S01), from the first chlorine-based gas and the second chlorine-based
제1 염소계 가스 및 제2 염소계 가스는, 전술한 바와 같이, 각각 독립적으로 Cl2, BCl3, ClF3, ClF4, HCl, CCl4, CoCl2, TiCl4 등 로부터 선택된 하나의 염소계 가스일 수 있다. 예컨대, 제1 염소계 가스는 BCl3이고, 제2 염소계 가스는 Cl2일 수 있다. 가스 공급 단계(S01)에서는 복수의 염소계 가스 이외에 H2, H2O 등의 수소(H) 함유 가스나, 아르곤(Ar), 제논(Ze) 및 헬륨(He) 등 중 적어도 하나의 불활성 가스가 함께 공급될 수 있다. 불활성 가스는 염소계 가스에 대한 캐리어 가스의 역할을 하거나, 염소계 가스나 수소(H) 함유 가스가 역류하는 것을 방지하는 역할을 할 수 있으며, 플라즈마 형성을 위한 방전 효율을 향상시킬 수 있다. 또한, 불활성 가스는 플라즈마에 의해 이온화되어 이온 충격(ion bombardment)를 제공함으로써, 라디칼에 의한 화학적 반응을 촉진시킬 수 있다.As described above, the first chlorine-based gas and the second chlorine-based gas may each independently be one chlorine-based gas selected from Cl 2 , BCl 3 , ClF 3 , ClF 4 , HCl, CCl 4 , CoCl 2 , TiCl 4 and the like. have. For example, the first chlorine-based gas may be BCl 3 , and the second chlorine-based gas may be Cl 2 . In the gas supply step (S01), in addition to the plurality of chlorine-based gases, H 2 , at least one inert gas of hydrogen (H) containing gas such as H 2 O, argon (Ar), xenon (Ze), and helium (He) can be supplied together. The inert gas may serve as a carrier gas for the chlorine-based gas or prevent a reverse flow of the chlorine-based gas or hydrogen (H)-containing gas, and may improve discharge efficiency for plasma formation. In addition, the inert gas may be ionized by the plasma to provide ion bombardment, thereby promoting a chemical reaction by radicals.
또한, 제1 염소계 가스 및 제2 염소계 가스를 공급하는 단계(S01)에서는 제1 염소계 가스 및 제2 염소계 가스의 종류에 따라 제1 염소계 가스와 제2 염소계 가스의 유량을 제어하여 공급한다. 즉, 제어부(50)는, 전술한 바와 같이, 제1 염소계 가스 및 제2 염소계 가스의 종류에 따라 제1 염소계 가스와 제2 염소계 가스의 유량을 제어한다. 이를 통해, 후술하는 바와 같이, IGZO와 같은 금속 산화물 반도체 물질의 잔류막과 반응할 수 있는 전체 라디칼의 농도를 극대화하고, 이에 따라 세정 속도를 극대화할 수 있다. In addition, in the step of supplying the first chlorine-based gas and the second chlorine-based gas (S01), the flow rates of the first chlorine-based gas and the second chlorine-based gas are controlled and supplied according to the types of the first chlorine-based gas and the second chlorine-based gas. That is, as described above, the
복수의 염소계 가스를 활성화시키는 단계(S02)에서는, 제1 전원 공급부(40)를 통해 RF 전원을 샤워 헤드(30)에 인가하고, 제2 전원 공급부(45)를 통해 DC 바이어스 전원을 기판 지지부(60)에 인가하여, 기판 처리 공간에 다이렉트 플라즈마를 생성한다. 구체적으로, 본 실시예에서는 제1 염소계 가스, 제2 염소계 가스 및 불활성 가스로서 각각 BCl3, Cl2, Ar을 챔버(10)내에 공급한 상태에서, 700W의 RF전력 및 -50V의 DC 바이어스를 인가하여 다이렉트 플라즈마를 발생시켰다. In the step (S02) of activating the plurality of chlorine-based gases, RF power is applied to the
복수개의 염소계 가스의 라디칼 또는 활성종 및 이온 등에 의해 챔버(10) 내의 IGZO 잔류막을 세정하는 단계(S03)에서는, 복수개의 염소계 가스로부터 생성된 라디칼 또는 활성종이 챔버(10) 내의 IGZO 잔류막과 화학적으로 반응하여 휘발성 물질을 생성함으로써, IGZO 잔류막을 세정한다.In the step (S03) of cleaning the IGZO residual film in the
본 발명의 발명자들이 예의 실험한 바에 따르면, 복수개의 서로 다른 염소계 가스의 유량비에 따라, 이들로부터 생성된 라디칼 또는 활성종 중 IGZO와 같은 금속 산화물 반도체 물질과 반응하는 전체 라디칼 또는 활성종의 농도가 달라지며, 이에 따라 세정 레이트가 달라진다.According to an intensive experiment conducted by the inventors of the present invention, according to the flow rate ratio of a plurality of different chlorine-based gases, the concentration of total radicals or active species reacting with a metal oxide semiconductor material such as IGZO among radicals or active species generated therefrom is different. and the cleaning rate is changed accordingly.
예컨대, 도 3은, 제1 염소계 가스가 BCl3이고, 제2 염소계 가스가 Cl2인 경우에 있어서, 이들 염소계 가스의 유량비에 따른 IGZO의 에칭 레이트를 나타낸다. 도 3에 도시된 바와 같이, IGZO의 에칭 레이트는 BCl3와 Cl2의 유량비가 1:1인 경우에 가장 높음을 알 수 있다. 이는 BCl3와 Cl2의 유량비가 1:1일 때, IGZO막과 반응하여 휘발성의 염화물을 생성시키는 BCl 라디칼(제1 염소계 라디칼)과 Cl 라디칼(제2 염소계 라디칼)과의 농도의 합이 최대가 되기 때문으로 추측된다.For example, FIG. 3 shows the etching rate of IGZO according to the flow rate ratio of these chlorine-type gas, when a 1st chlorine-type gas is BCl3 and a 2nd chlorine-type gas is Cl2. As shown in FIG. 3 , it can be seen that the etching rate of IGZO is highest when the flow ratio of BCl3 and Cl2 is 1:1. This means that when the flow ratio of BCl 3 and Cl 2 is 1:1, the sum of the concentrations of the BCl radical (first chlorine-based radical) and the Cl radical (second chlorine-based radical) that reacts with the IGZO film to generate volatile chloride is the maximum. It is presumed to be because
즉, 유량비가 2:1인 경우, BCl라디칼의 농도는 유량비가 1:1인 경우에 비해 커지나 Cl 라디칼의 농도가 상대적으로 더 많이 작아지기 때문에, 전체적으로 IGZO 막과 반응하는 총 라디칼의 농도의 합이 작아진다. 유량비가 1:2인 경우에는, 유량비가 1:1인 경우에 비해 Cl 라디칼의 농도가 커지나 BCl 라디칼의 농도가 상대적으로 더 많이 작아져, 마찬가지로 IGZO막과 반응하는 총 라디칼의 농도의 합이 작아지며, 이에 따라, IGZO의 에칭레이트가 상대적으로 낮아진다.That is, when the flow ratio is 2:1, the concentration of BCl radicals increases compared to the case where the flow ratio is 1:1, but since the concentration of Cl radicals becomes relatively smaller, the sum of the concentrations of total radicals reacting with the IGZO film as a whole this gets smaller In the case of the flow ratio of 1:2, the concentration of Cl radicals becomes larger compared to the case of the flow ratio of 1:1, but the concentration of BCl radicals becomes relatively smaller, and the sum of the concentrations of total radicals reacting with the IGZO film is similarly small. and, accordingly, the etch rate of IGZO is relatively low.
즉, 본 실시예의 세정방법에 있어서는, 제1 염소계 가스로부터의 라디칼 중 IGZO와 반응하는 제1 염소계 라디칼과, 제2 염소계 가스로부터의 라디칼 중 IGZO와 반응하는 제2 염소계 라디칼의 농도의 곱이 최대가 되도록 제1 염소계 가스와 제2 염소계 가스의 유량비를 조절함으로써, 다이렉트 플라즈마하에서의 IGZO에 대한 세정 레이트를 극대화한다. That is, in the cleaning method of this embodiment, the product of the concentration of the first chlorine-based radical reacting with IGZO among radicals from the first chlorine-based gas and the concentration of the second chlorine-based radical reacting with IGZO among radicals from the second chlorine-based gas is the maximum By adjusting the flow ratio of the first chlorine-based gas and the second chlorine-based gas as possible, the cleaning rate for IGZO under direct plasma is maximized.
도 3에서는, 제1 염소계 가스로서 BCl3를, 제2 염소계 가스로서 Cl2를 사용하는 경우를 예로 들었으나, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 제1 염소계 가스 및 제2 염소계 가스로서 다른 가스를 사용할 수 있으며, 어떤 염소계 가스의 조합을 사용하는가에 따라, IGZO 잔류막과 반응하여 휘발성 염화물을 생성할 수 있는 라디칼의 농도곱을 극대화하는 유량비가 달라질 수 있다.In FIG. 3, the case of using BCl 3 as the first chlorine-based gas and Cl 2 as the second chlorine-based gas is exemplified, but the present invention is not limited thereto, and other gases are used as the first chlorine-based gas and the second chlorine-based gas. It can be used, and depending on which chlorine-based gas combination is used, the flow ratio that maximizes the concentration product of radicals that can react with the IGZO residual film to generate volatile chloride may vary.
챔버를 퍼징하는 단계(S04)는 챔버를 세정하는 단계(S03)에서 염소계 활성종과 금속 산화물 반도체 물질의 반응에 의해 생성된 휘발성 물질을 퍼징 가스에 의해 챔버(10) 외부로 배출하여 제거한다. 퍼징가스로서는 질소나 불활성 가스를 사용할 수 있다.In the step of purging the chamber (S04), the volatile material generated by the reaction of the chlorine-based active species and the metal oxide semiconductor material in the step of cleaning the chamber (S03) is discharged to the outside of the
본 발명의 제1 실시예에 따른 챔버 세정 방법은 기판 처리 과정과 인시츄로 이루어질 수 있다. 즉, 기판 지지부(60)에 기판이 안착된 상태에서, 기판상에 인듐과 갈륨이 도핑된 아연 산화물(IGZO)이 증착되고, 증착이 완료되면 기판은 외부로 반출된다. 이러한 증착 사이클이 소정의 횟수만큼 행해진 후에, 챔버(10) 내부를 세정하기 위하여 챔버(10) 내부로 증착 공정 가스를 공급하지 않은 상태에서, 상술한 바와 같이, 제1 염소계 가스, 제2 염소계 가스 및 불활성 가스 등을 공급한다. 샤워 헤드(30)에 RF 전원이 인가되어 생성된 다이렉트 플라즈마내의 BCl 라디칼 및 Cl 라디칼 등이 챔버(10) 내부에서 금속 산화물 반도체 물질의 잔류막과 화학적으로 반응하여 잔류막이 에칭되어 제거된다. 이러한 세정 공정이 완료되고 나면, 제1 염소계 가스 및 제2 염소계 가스 등의 공급을 중단하고, 다시 기판을 챔버(10) 내부로 반입하여 증착 공정을 수행할 수 있다.The chamber cleaning method according to the first embodiment of the present invention may include a substrate processing process and an in situ process. That is, in a state in which the substrate is seated on the
본 발명의 제1 실시예에 따른 챔버 세정 방법에 의하면, 빈번한 세정이 요구되는 IGZO와 같은 금속 산화물 반도체 물질의 증착 공정에서 챔버(10)를 진공 개방하지 않고 인시츄 건식 세정이 가능하게 되어, 작업 능률의 향상 및 높은 장치 재현성과 가동률을 확보할 수 있다. 특히, 기판 처리 공간내로 공급되는 복수의 염소계 가스의 유량비를 조절함으로써, IGZO 잔류막의 에칭 레이트를 극대화할 수 있다. According to the chamber cleaning method according to the first embodiment of the present invention, in-situ dry cleaning is possible without vacuum opening the
<제2 실시예><Second embodiment>
도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 기판 처리 장치의 개략적 단면도이다. 본 실시예의 기판 처리 장치는, 제1 실시예의 기판 처리 장치와 마찬가지로, IGZO와 같은 금속 산화물 반도체 물질을 증착하도록 구성될 수 있으며, IGZO 등의 증착 공정 후에, 이하 설명하는 바와 같이, 기판 처리 장치의 증착 챔버의 세정 공정을 수행할 수 있다.4 is a schematic cross-sectional view of a substrate processing apparatus according to a second embodiment of the present invention. The substrate processing apparatus of this embodiment, like the substrate processing apparatus of the first embodiment, may be configured to deposit a metal oxide semiconductor material such as IGZO, and after the deposition process of IGZO or the like, as will be described below, of the substrate processing apparatus A cleaning process of the deposition chamber may be performed.
본 발명의 제2 실시예의 기판 처리 장치는, 기판 처리 챔버의 세정을 위한 라디칼 등을 기판 처리 공간으로부터 분리된 원격 플라즈마 및 기판 처리 공간내의 다이렉트 플라즈마의 조합(소위, 하이브리드 플라즈마)에 의해 생성한다는 점에서 제1 실시예의 기판 처리 장치와 다르다. 이하, 제1 실시예와의 차이점을 중심으로 설명한다.The substrate processing apparatus of the second embodiment of the present invention generates radicals or the like for cleaning a substrate processing chamber by a combination of a remote plasma separated from the substrate processing space and a direct plasma in the substrate processing space (so-called hybrid plasma). is different from the substrate processing apparatus of the first embodiment. Hereinafter, differences from the first embodiment will be mainly described.
본 실시예의 기판 처리 장치는, 기판 처리 장치의 챔버 또는 기판 처리 공간으로부터 떨어진 공간에 원격 또는 리모트 플라즈마를 형성시키는 원격 플라즈마 소스(70)를 더 포함한다. 본 실시예에 있어서, 도 4에 도시한 바와 같이, 예컨대, 유도 결합형의 원격 플라즈마 소스(70)가 제1 염소계 가스원(20) 및 제2 염소계 가스원(25)과 샤워 헤드(30) 사이에 연결된다.The substrate processing apparatus of this embodiment further includes a
또한, 본 실시예의 기판 처리 장치에서는, 샤워 헤드(30)에 제1 전력 공급부(40)가 접속되며, 기판 지지부(60)는 접지된다. 다만, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 기판 지지부(60)는 제1 실시예에서와 마찬가지로, DC 바이어스 전원과 같은 제2 전원 공급부(미도시)에 접속되어도 된다.In addition, in the substrate processing apparatus of this embodiment, the first
기판 처리 챔버에서 기판(S)을 처리(예컨대, 증착)하는 동안, 제1 염소계 가스, 제2 염소계 가스가 후술하는 바와 같이 소정의 유량비로 원격 플라즈마 소스(70)에 공급된다. 이 때, 복수의 염소계 가스 이외에 Ar 등의 불활성 가스가 함께 공급될 수 있다. During processing (eg, deposition) of the substrate S in the substrate processing chamber, the first chlorine-based gas and the second chlorine-based gas are supplied to the
원격 플라즈마 소스(70)는, 공급되는 복수의 염소계 가스 및 Ar 가스 등을 활성화 내지 이온화하기 위해, 원격으로(즉, 기판 처리 공간 외에서) 플라즈마를 생성한다. 원격 플라즈마 소스(70)에 의해 생성된 라디칼 및 이온을 포함하는 세정 가스 혼합물은 샤워 헤드(30)를 통해 기판 처리 공간내로 공급된다. The
본 실시예에 있어서, 기판 처리 공간으로 공급된 세정 가스 혼합물은, 기판 처리 공간내에서 제1 전력 공급부(40)에 의해 샤워 헤드(30)에 공급되는 RF 전력에 의해 추가로 활성화될 수 있다.In this embodiment, the cleaning gas mixture supplied to the substrate processing space may be further activated by RF power supplied to the
이처럼, 하이브리드 플라즈마(원격 플라즈마 및 다이렉트 플라즈마)에 의해 활성화된 세정 가스는, Cl 라디칼, BCl 라디칼, B 라디칼, Ar 이온 등을 포함한다. 이 중, Cl 라디칼 및 BCl 라디칼은 금속 산화물 반도체 물질의 잔류막과 반응하여 휘발성 생성물을 형성한다. 이러한 휘발성 생성물이 기판 처리 챔버로부터 제거됨으로써, 기판 처리 챔버의 세정이 행해진다. As such, the cleaning gas activated by the hybrid plasma (remote plasma and direct plasma) includes Cl radicals, BCl radicals, B radicals, Ar ions, and the like. Among them, Cl radicals and BCl radicals react with the residual film of the metal oxide semiconductor material to form volatile products. As these volatile products are removed from the substrate processing chamber, cleaning of the substrate processing chamber is performed.
도 5는, 제2 실시예의 기판 처리 장치의 챔버로부터 잔류 금속 산화물 반도체막을 제거하여 챔버를 세정하는데 사용될 수 있는 방법의 흐름도이다.5 is a flowchart of a method that can be used to clean the chamber by removing the residual metal oxide semiconductor film from the chamber of the substrate processing apparatus of the second embodiment.
단계 S11에서, 기판 처리 장치의 챔버내에 배치된 기판(S)상에 IGZO 재료가 증착된다. 기판(S)상에 IGZO 재료가 증착되는 동안, IGZO 재료는, 기판 처리 챔버의 다른 부품들, 예컨대, 샤워 헤드(30), 기판 지지부(60), 챔버(10)의 내부 측벽 등에 증착될 수 있다.In step S11, an IGZO material is deposited on a substrate S disposed in a chamber of a substrate processing apparatus. While the IGZO material is being deposited on the substrate S, the IGZO material may be deposited on other components of the substrate processing chamber, such as the
IGZO 재료는, 예컨대, CVD(chemical vapor deposition) 프로세스, PECVD(plasma-enhanced chemical vapor deposition) 프로세스, ALD(atomic layer deposition) 프로세스, MOCVD(metal-organic chemical vapor deposition) 프로세스 및 PVD(physical vapor deposition) 프로세스를 사용하여 증착될 수 있다.The IGZO material is, for example, a chemical vapor deposition (CVD) process, a plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) process, an atomic layer deposition (ALD) process, a metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD) process, and a physical vapor deposition (PVD) process. It can be deposited using a process.
증착 완료 후에, 기판(S)은 기판 처리 챔버의 밖으로 배출된다. 다만, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 기판(S)은 후술하는 세정 공정동안 기판 처리 챔버에 계속 유지될 수도 있다.After the deposition is completed, the substrate S is discharged out of the substrate processing chamber. However, the present invention is not limited thereto, and the substrate S may be continuously maintained in the substrate processing chamber during a cleaning process to be described later.
단계 S11이 진행되는 동안, 또는 그 전후하여, 단계 S12에서, 제1 염소계 가스원(20) 및 제2 염소계 가스원(25)으로부터 복수의 염소계 가스가 원격 플라즈마 소스(70)에 소정의 유량비로 공급되며, 원격 플라즈마 소스(70)에 의해 생성된 원격 플라즈마에 의해 복수의 염소계 가스가 활성화(제1 활성화 단계)된다. 본 실시예에 있어서, 제1 염소계 가스는 BCl3이며, 제2 염소계 가스는 Cl2이다. 따라서, 단계 S13에서 원격 플라즈마 소스(70)로부터 기판 처리 챔버내로 유입되는 세정가스는, BCl 라디칼, Cl 라디칼을 포함한다. During, before or after step S11, in step S12, a plurality of chlorine-based gases from the first chlorine-based
단계 S12에서는, 제1 염소계 가스 및 제2 염소계 가스를 포함하는 복수의 염소계 가스 이외에 Ar과 같은 불활성 가스가 함께 공급될 수 있다. 불활성 가스는 라디칼의 수명을 연장시키고 밀도를 증가시킬 수 있다.In step S12, an inert gas such as Ar in addition to the plurality of chlorine-based gases including the first chlorine-based gas and the second chlorine-based gas may be supplied together. Inert gases can extend the lifetime of radicals and increase their density.
단계 S13에서, 원격 플라즈마 소스(70)로부터 기판 처리 챔버 안으로 복수의 염소계 가스의 라디칼을 포함하는 세정가스 혼합물이 공급된다. 세정가스 혼합물은 원격 플라즈마에 의해 활성화된 것이다. 즉, 단계 S13에서 기판 처리 챔버 내로 유입되는 세정가스의 라디칼 혼합물은, 예컨대, 단계 S12의 제1 활성화 단계에 의해 활성화된 것이다.In step S13 , a cleaning gas mixture including radicals of a plurality of chlorine-based gases is supplied from the
또한, 단계 S13에서 기판 처리 챔버 내로 유입되는 세정가스 혼합물은 Ar과 같은 불활성 가스의 이온을 더 포함할 수 있다. 다만, 본 발명은 이에 한정되지 않고, Ar은 후술하는 단계 S14에서, 도시하지 않은 Ar 가스원으로부터 기판 처리 공간으로 직접 공급되어 다이렉트 플라즈마에 의해 이온화될 수도 있다.In addition, the cleaning gas mixture introduced into the substrate processing chamber in step S13 may further include ions of an inert gas such as Ar. However, the present invention is not limited thereto, and in step S14 to be described later, Ar may be directly supplied from an Ar gas source (not shown) to the substrate processing space and ionized by direct plasma.
단계 S14에서, 원격 플라즈마 소스(70)로부터 기판 처리 챔버의 기판 처리 공간내로 도입된 세정 가스 혼합물은 다이렉트 플라즈마에 의해 다시 한번 활성화된다(제2 활성화 단계). 다이렉트 플라즈마는 전술한 바와 같이, 제1 전력 공급원(40)에 의해 샤워 헤드(30)에 RF 전력을 인가함으로써 생성된다. In step S14, the cleaning gas mixture introduced into the substrate processing space of the substrate processing chamber from the
단계 S15에서, 하이브리드 플라즈마(원격 플라즈마와 다이렉트 플라즈마)에 의해 생성된 염소계 라디칼(BCl 라디칼, Cl 라디칼 등)에 의해 기판 처리 챔버내의 금속 산화물 반도체 잔류막이 제거된다. 본 발명자들이 예의 실험한 결과, 하이브리드 플라즈마에 의해 활성화된 세정가스는 제1 염소계 가스와 제2 염소계 가스의 유량에 따라 서로 다른 라디칼 농도 분포를 가지며, 이에 따라 서로 다른 세정 레이트를 달성할 수 있다.In step S15, the metal oxide semiconductor residual film in the substrate processing chamber is removed by chlorine-based radicals (BCl radicals, Cl radicals, etc.) generated by the hybrid plasma (remote plasma and direct plasma). As a result of intensive experiments by the present inventors, the cleaning gas activated by the hybrid plasma has different radical concentration distributions according to flow rates of the first chlorine-based gas and the second chlorine-based gas, and thus different cleaning rates can be achieved.
도 6은, 제1 염소계 가스와 제2 염소계 가스의 유량비에 따른 세정 레이트를 나타낸 그래프이다. 여기서, 제1 염소계 가스는 BCl3이고 제2 염소계 가스는 Cl2이다. 인가된 RF 전력은 700W이고, 압력은 10mTorr이며, DC 바이어스는 인가하지 않은 상태에서 세정 레이트를 측정하였다.6 is a graph showing the cleaning rate according to the flow rate ratio of the first chlorine-based gas and the second chlorine-based gas. Here, the first chlorine-based gas is BCl 3 and the second chlorine-based gas is Cl 2 . The applied RF power was 700 W, the pressure was 10 mTorr, and the cleaning rate was measured with no DC bias applied.
도 6에 도시한 바와 같이, 제1 염소계 가스와 제2 염소계 가스의 유량비에 따라, 세정 레이트가 달라진다. 특히, 제1 염소계 가스와 제2 염소계 가스의 유량비가 1:2인 경우에 세정 레이트가 극대화됨을 알 수 있다. 본 발명자들이 측정한 바에 따르면, 제2 실시예에서 하이브리드 플라즈마에 의해 복수의 염소계 가스를 활성화하는 경우, 제1 실시예와 달리, B 라디칼, Cl 라디칼, Ar 라디칼의 농도가 증가하고, BCl 라디칼의 농도가 감소하는 것으로 확인되었다. 즉, 제2 실시예에 있어서는, Cl 라디칼의 농도가 증가하지만, BCl 라디칼의 농도는 감소하며, 대신 B 라디칼의 농도가 증가한다. B 라디칼은 금속 산화물 반도체 잔류막의 산소 성분과 반응하여 B2O3 막을 형성하여 금속 산화물 반도체 잔류막의 에칭을 방해한다. 이것이, 제2 실시예에서 세정 레이트가 극대화되는 유량비가 제1 실시예와 다른 이유의 하나로 추측된다.As shown in FIG. 6 , the cleaning rate varies according to the flow rate ratio of the first chlorine-based gas and the second chlorine-based gas. In particular, it can be seen that the cleaning rate is maximized when the flow ratio of the first chlorine-based gas and the second chlorine-based gas is 1:2. According to the measurements by the present inventors, when a plurality of chlorine-based gases are activated by the hybrid plasma in the second embodiment, unlike the first embodiment, the concentrations of B radicals, Cl radicals, and Ar radicals increase, and the concentrations of BCl radicals increase. It was confirmed that the concentration decreased. That is, in the second embodiment, the concentration of Cl radicals increases, but the concentration of BCl radicals decreases, and instead the concentration of B radicals increases. The B radical reacts with the oxygen component of the metal oxide semiconductor residual film to form a B 2 O 3 film, thereby preventing etching of the metal oxide semiconductor residual film. This is presumed to be one of the reasons why the flow rate ratio at which the cleaning rate is maximized in the second embodiment is different from that in the first embodiment.
도 6은 제1 염소계 가스 및 제2 염소계 가스가 각각 BCl3 및 Cl2인 경우이나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 즉, 제1 염소계 가스 및 제2 염소계 가스를 어떤 염소계 가스를 사용하는가에 따라 유량비에 따른 세정 레이트가 다른 거동을 보일 수 있으며, 세정 레이트가 극대화되는 유량비가 1:2가 아닌 다른 비율일 수도 있다.6 is a case in which the first chlorine-based gas and the second chlorine-based gas are BCl 3 and Cl 2 , respectively, but the present invention is not limited thereto. That is, the cleaning rate according to the flow ratio may exhibit different behavior depending on which chlorine-based gas is used for the first chlorine-based gas and the second chlorine-based gas, and the flow ratio at which the cleaning rate is maximized may be a ratio other than 1:2. .
단계 S16에서, 가스 상태인 휘발성 생성물은, 기판 처리 챔버의 밖으로 퍼징된다. 퍼지 가스를 기판 처리 챔버 안으로 유동시킴으로써, 기판 처리 챔버는 능동적으로 퍼징될 수 있다. 퍼지 가스를 유입시킴과 함께 기판 처리 챔버로부터 임의의 부산물들 뿐만 아니라 임의의 잔류 세정 가스를 제거하기 위하여, 기판 처리 챔버를 감압시킬 수 있다. 기판 처리 챔버를 진공배기함으로써, 기판 처리 챔버는 퍼징될 수 있다. In step S16, the gaseous volatile products are purged out of the substrate processing chamber. By flowing a purge gas into the substrate processing chamber, the substrate processing chamber may be actively purged. The substrate processing chamber may be depressurized to remove any residual cleaning gas as well as any by-products from the substrate processing chamber along with introducing the purge gas. By evacuating the substrate processing chamber, the substrate processing chamber may be purged.
이상 설명한 바와 같이, 어떤 염소계 가스를 사용하는가에 따라, 그리고, 복수의 서로 다른 염소계 가스를 어떤 플라즈마에 의해 활성화하는가에 따라 유량비에 따른 세정 레이트의 거동이 달라질 수 있으며, 본 발명에 따르면, 사용되는 복수의 염소계 가스의 종류, 플라즈마 활성화 방식 및 염소계 가스의 유량비를 조절하여 IGZO와 같은 금속 산화물 반도체 물질의 증착 챔버의 세정 레이트를 극대화할 수 있다.As described above, the behavior of the cleaning rate according to the flow rate may vary depending on which chlorine-based gas is used and depending on which plasma activates a plurality of different chlorine-based gases, and according to the present invention, A cleaning rate of a deposition chamber of a metal oxide semiconductor material such as IGZO may be maximized by adjusting the plurality of chlorine-based gases, plasma activation methods, and flow ratios of the chlorine-based gases.
10
챔버
20
제1 염소계 가스원
25
제2 염소계 가스원
30
샤워 헤드
40
제1 전원 공급부
45
제2 전원 공급부
50
제어부
60
기판 지지부
70
원격 플라즈마 소스10 chamber
20 First chlorine-based gas source
25 Second chlorine-based gas source
30 shower heads
40 first power supply
45 second power supply
50 control
60 substrate support
70 Remote Plasma Source
Claims (8)
제1 염소계 가스와 제2 염소계 가스를 포함하는 복수의 염소계 가스를 활성화시키는 활성화 단계,
상기 활성화 단계에서 생성된 복수의 염소계 가스의 라디칼(radical)에 의해 상기 증착 챔버를 세정하는 세정 단계를 포함하며,
상기 라디칼은, 제1 염소계 가스로부터 생성되어 금속 산화물 반도체 물질과 반응하는 제1 염소계 라디칼과, 제2 염소계 가스로부터 생성되어 금속 산화물 반도체 물질과 반응하며, 제1 염소계 라디칼과 다른 제2 염소계 라디칼을 포함하며,
상기 활성화 단계에서는 제1 염소계 라디칼과 제2 염소계 라디칼의 농도의 곱이 최대가 되도록, 상기 제1 염소계 가스와 상기 제2 염소계 가스의 유량비를 제어하는 것을 특징으로 하는 세정 방법.A method for cleaning a deposition chamber for depositing a metal oxide semiconductor material, comprising:
an activation step of activating a plurality of chlorine-based gases including a first chlorine-based gas and a second chlorine-based gas;
a cleaning step of cleaning the deposition chamber by radicals of a plurality of chlorine-based gases generated in the activation step;
The radical is a first chlorine-based radical that is generated from the first chlorine-based gas and reacts with the metal oxide semiconductor material, and a second chlorine-based radical that is generated from the second chlorine-based gas and reacts with the metal oxide semiconductor material, and is different from the first chlorine-based radical includes,
In the activation step, the cleaning method, characterized in that by controlling the flow rate ratio of the first chlorine-based gas and the second chlorine-based gas so that the product of the concentration of the first chlorine-based radical and the second chlorine-based radical is maximized.
상기 제1 염소계 가스 및 제2 염소계 가스는 각각 Cl2, BCl3, ClF3, ClF4, HCl, CCl4, CoCl2 및 TiCl4 로 이루어지는 염소계 가스군으로부터 선택되며, 상기 제1 염소계 가스 및 상기 제2 염소계 가스는 서로 다른 염소계 가스인 것을 특징으로 하는 세정 방법.According to claim 1,
The first chlorine-based gas and the second chlorine-based gas are each selected from the chlorine-based gas group consisting of Cl 2 , BCl 3 , ClF 3 , ClF 4 , HCl, CCl 4 , CoCl 2 and TiCl 4 , the first chlorine-based gas and the The cleaning method, characterized in that the second chlorine-based gas is a different chlorine-based gas.
상기 제1 염소계 가스는 BCl3이며, 상기 제1 염소계 라디칼은 BCl인 것을 특징으로 하는 세정 방법.3. The method of claim 2,
The first chlorine-based gas is BCl 3 , and the first chlorine-based radical is BCl.
상기 제2 염소계 가스는 Cl2이고, 상기 제2 염소계 라디칼은 Cl인 것을 특징으로 하는 세정 방법.4. The method of claim 3,
The second chlorine-based gas is Cl 2 , and the second chlorine-based radical is Cl.
상기 활성화 단계는, 다이렉트 플라즈마에 의해 상기 복수의 염소계 가스를 활성화시키는 것을 특징으로 하는 세정 방법.3. The method of claim 2,
The activating step may include activating the plurality of chlorine-based gases by direct plasma.
상기 제1 염소계 가스는 BCl3이고, 상기 제2 염소계 가스는 Cl2이며,
상기 활성화 단계에서는, BCl3와 Cl2의 유량비가 1:1이 되도록 BCl3와 Cl2를 각각 상기 증착 챔버로 공급하는 것을 특징으로 하는 세정 방법.6. The method of claim 5,
The first chlorine-based gas is BCl 3 and the second chlorine-based gas is Cl 2 ,
In the activation step, the cleaning method, characterized in that BCl 3 and Cl 2 are respectively supplied to the deposition chamber so that the flow ratio of BCl 3 and Cl 2 is 1:1.
상기 활성화 단계는, 리모트 플라즈마에 의한 제1 활성화 단계 및 다이렉트 플라즈마에 의한 제2 활성화 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 세정 방법.3. The method of claim 2,
The activation step includes a first activation step by remote plasma and a second activation step by direct plasma.
상기 제1 염소계 가스는 BCl3이고, 상기 제2 염소계 가스는 Cl2이며,
상기 제1 활성화 단계에서는, BCl3와 Cl2의 유량비가 1:2이 되도록 BCl3와 Cl2를 공급하는 것을 특징으로 하는 세정 방법.8. The method of claim 7,
The first chlorine-based gas is BCl 3 and the second chlorine-based gas is Cl 2 ,
In the first activation step, the cleaning method, characterized in that the supply of BCl 3 and Cl 2 so that the flow ratio of BCl 3 and Cl 2 is 1:2.
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020210003791A KR20220101830A (en) | 2021-01-12 | 2021-01-12 | Cleaning Method of Deposition Chamber for Depositing Metal Oxide Semiconductor Material |
PCT/KR2021/017073 WO2022154240A1 (en) | 2021-01-12 | 2021-11-19 | Method for cleaning deposition chamber for metal oxide semiconductor material |
KR1020230154582A KR20230160216A (en) | 2021-01-12 | 2023-11-09 | Cleaning Method of Deposition Chamber for Depositing Metal Oxide Semiconductor Material |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020210003791A KR20220101830A (en) | 2021-01-12 | 2021-01-12 | Cleaning Method of Deposition Chamber for Depositing Metal Oxide Semiconductor Material |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020230154582A Division KR20230160216A (en) | 2021-01-12 | 2023-11-09 | Cleaning Method of Deposition Chamber for Depositing Metal Oxide Semiconductor Material |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20220101830A true KR20220101830A (en) | 2022-07-19 |
Family
ID=82447456
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
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KR1020230154582A KR20230160216A (en) | 2021-01-12 | 2023-11-09 | Cleaning Method of Deposition Chamber for Depositing Metal Oxide Semiconductor Material |
Family Applications After (1)
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---|---|---|---|
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Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
KR (2) | KR20220101830A (en) |
WO (1) | WO2022154240A1 (en) |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7357138B2 (en) * | 2002-07-18 | 2008-04-15 | Air Products And Chemicals, Inc. | Method for etching high dielectric constant materials and for cleaning deposition chambers for high dielectric constant materials |
KR20070097875A (en) * | 2006-03-30 | 2007-10-05 | 삼성전자주식회사 | Method of cleaning a chamber and apparatus of cleaning a chamber using the same |
US8956929B2 (en) * | 2011-11-30 | 2015-02-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
JP6033071B2 (en) * | 2011-12-23 | 2016-11-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Semiconductor device |
JP6499980B2 (en) * | 2016-01-04 | 2019-04-10 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | Plasma processing method |
-
2021
- 2021-01-12 KR KR1020210003791A patent/KR20220101830A/en not_active IP Right Cessation
- 2021-11-19 WO PCT/KR2021/017073 patent/WO2022154240A1/en active Application Filing
-
2023
- 2023-11-09 KR KR1020230154582A patent/KR20230160216A/en not_active Application Discontinuation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20230160216A (en) | 2023-11-23 |
WO2022154240A1 (en) | 2022-07-21 |
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Date | Code | Title | Description |
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E902 | Notification of reason for refusal | ||
AMND | Amendment | ||
E601 | Decision to refuse application | ||
X091 | Application refused [patent] | ||
AMND | Amendment | ||
X601 | Decision of rejection after re-examination |