KR20220101410A - Surface acoustic wave device - Google Patents

Surface acoustic wave device Download PDF

Info

Publication number
KR20220101410A
KR20220101410A KR1020210003388A KR20210003388A KR20220101410A KR 20220101410 A KR20220101410 A KR 20220101410A KR 1020210003388 A KR1020210003388 A KR 1020210003388A KR 20210003388 A KR20210003388 A KR 20210003388A KR 20220101410 A KR20220101410 A KR 20220101410A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
reflector
idt
acoustic wave
surface acoustic
wave device
Prior art date
Application number
KR1020210003388A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
고재관
Original Assignee
(주)와이솔
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by (주)와이솔 filed Critical (주)와이솔
Priority to KR1020210003388A priority Critical patent/KR20220101410A/en
Publication of KR20220101410A publication Critical patent/KR20220101410A/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46—Filters
    • H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
    • H03H9/6489—Compensation of undesirable effects
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
    • H03H9/145—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
    • H03H9/14538—Formation
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46—Filters
    • H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
    • H03H9/6423—Means for obtaining a particular transfer characteristic
    • H03H9/6433—Coupled resonator filters
    • H03H9/644—Coupled resonator filters having two acoustic tracks
    • H03H9/6456—Coupled resonator filters having two acoustic tracks being electrically coupled
    • H03H9/6469—Coupled resonator filters having two acoustic tracks being electrically coupled via two connecting electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/70—Multiple-port networks for connecting several sources or loads, working on different frequencies or frequency bands, to a common load or source
    • H03H9/72—Networks using surface acoustic waves
    • H03H9/725—Duplexers

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)

Abstract

The present invention relates to a surface acoustic wave device capable of suppressing the generation of a notch while guaranteeing an attenuation characteristic of a rejection band. According to the present invention, the surface acoustic wave device includes: a piezoelectric substrate; an interdigital transducer (IDT) arranged on the piezoelectric substrate; a first reflector arranged on one side of the IDT on the piezoelectric substrate; and a second reflector arranged on the other side of the IDT on the piezoelectric substrate. The first reflector includes: a 1-1 reflector connected to ground connection; and a 1-2 reflector electrically isolated from the 1-1 reflector and arranged between the 1-1 reflector and an IDT electrode. The second reflector includes: a 2-1 reflector connected to the ground connection; and a 2-2 reflector electrically isolated from the 2-1 reflector and arranged between the 2-1 reflector and the IDT electrode.

Description

표면 탄성파 소자{SURFACE ACOUSTIC WAVE DEVICE}Surface acoustic wave device {SURFACE ACOUSTIC WAVE DEVICE}

본 발명은 표면 탄성파 소자에 관한 것으로, 보다 상세하게는 통과대역의 노치 발생을 억제할 수 있는 표면 탄성파 소자에 관한 것이다.The present invention relates to a surface acoustic wave device, and more particularly, to a surface acoustic wave device capable of suppressing generation of a notch in a pass band.

표면 탄성파(Surface Acoustic Wave)는 탄성체 기판의 표면을 따라 전파되는 음향파이다. 이러한 음향파는 압전 효과의 결과물로서 전기 신호로부터 생성되고, 음향파의 전계가 기판 표면 부근에 집중되면 그 표면 바로 위에 놓인 다른 반도체의 전도 전자와 상호 작용할 수 있다. 음향파가 전파되는 매질은 전자기계 결합 계수가 높고 음향파 에너지 손실이 낮은 압전 물질이며, 반도체는 전도 전자의 이동도가 높고 최적의 저항률을 가진 물체로서 직류 전원 요소가 낮아 최적의 효율을 확보할 수 있다. 이러한 표면 탄성파와 반도체 전도 전자의 상호 작용을 이용하여 전자 회로를 전자 기계적 소자로 대체한 것이 표면 탄성파 소자 (SAW device)이다.A surface acoustic wave is an acoustic wave propagating along the surface of an elastic substrate. These acoustic waves are generated from electrical signals as a result of the piezoelectric effect, and when the electric field of the acoustic waves is concentrated near the surface of the substrate, they can interact with conduction electrons of other semiconductors that lie directly on the surface. The medium through which acoustic waves propagate is a piezoelectric material with high electromagnetic coupling coefficient and low acoustic wave energy loss. Semiconductors are objects with high conduction electron mobility and optimum resistivity. can A surface acoustic wave device (SAW device) replaces an electronic circuit with an electromechanical device by using the interaction between the surface acoustic wave and the semiconductor conduction electrons.

이러한 표면 탄성파 소자(이하, SAW 소자)는 다양한 통신 응용으로 사용될 뿐만 아니라, 이동통신 휴대폰, 기지국, GPS 장치 등의 중요한 부품으로 사용되고 있다. 가장 흔히 사용되는 SAW 소자 형태는 통과대역 필터(passband filter) 및 공진기(resonator)이다. 낮은 가격뿐만 아니라 작은 사이즈와 우수한 기술적 파라미터(저손실, 선택성 등등)로 인해, SAW 소자는 다른 물리적 원리에 기반한 소자에 비하여 실질적으로 더 높은 경쟁력을 점유하고 있다.Such surface acoustic wave devices (hereinafter referred to as SAW devices) are used not only for various communication applications, but also as important components for mobile communication phones, base stations, GPS devices, and the like. The most commonly used types of SAW devices are passband filters and resonators. Due to small size and excellent technical parameters (low loss, selectivity, etc.) as well as low price, SAW devices have a substantially higher competitive edge compared to devices based on other physical principles.

발명자는, 통과대역 필터에서 표면탄성파 소자의 반사기(reflector)를 접지시키면 저지대역의 감쇠 특성이 개선됨을 확인할 수 있었다. 도 1은 이러한 표면탄성파 소자의 구조를 나타낸다. 도 1을 참조하면, 표면탄성파 소자는 압전기판 상에 배치된 IDT(Interdigital Transducer)(1)와, 압전기판 상에 IDT(Interdigital Transducer)의 양측에 각각 배치된 반사기(2, 3)을 포함하고, 반사기(2, 3)는 접지와 연결된다. 도 2는 도 1의 표면탄성파 소자의 그룹 딜레이(group delay) 특성과 삽입손실(insertion loss) 특성을 보여주는 그래프이다. 도 2를 참조하면, 저지대역의 감쇠 특성은 양호하지만, 몇몇 주파수에서 노치가 발생하는 문제가 발생한다. 특히 GPS 장치의 경우 그룹 딜레이 특성이 보다 중요한데, 노치가 작더라도 그룹 딜레이 특성이 요구되는 성능을 만족하지 못할 수 있다. The inventor has confirmed that the stopband attenuation characteristics are improved when the reflector of the surface acoustic wave element is grounded in the passband filter. 1 shows the structure of such a surface acoustic wave device. 1, the surface acoustic wave device includes an IDT (Interdigital Transducer) 1 disposed on a piezoelectric substrate, and reflectors 2 and 3 disposed on both sides of an IDT (Interdigital Transducer) on the piezoelectric substrate, respectively, and , the reflectors 2 and 3 are connected to ground. FIG. 2 is a graph showing a group delay characteristic and an insertion loss characteristic of the surface acoustic wave device of FIG. 1 . Referring to FIG. 2 , although the attenuation characteristic of the stopband is good, a problem occurs in that a notch occurs at some frequencies. In particular, in the case of a GPS device, the group delay characteristic is more important, and even if the notch is small, the group delay characteristic may not satisfy the required performance.

이에 본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 저지대역의 감쇠 특성을 보장하면서 노치 발생을 억제할 수 있는 표면탄성파 소자를 제공하는 데 있다. Accordingly, an object of the present invention is to provide a surface acoustic wave device capable of suppressing generation of a notch while ensuring a damping characteristic of a stopband.

본 발명의 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 통상의 기술자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The technical problems of the present invention are not limited to the technical problems mentioned above, and other technical problems not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

상기 기술적 과제를 해결하기 위한 본 발명에 따른 표면탄성파 소자는, 압전기판; 상기 압전기판 상에 배치된 IDT(Interdigital Transducer); 상기 압전기판 상에 상기 IDT의 일측에 배치된 제1 반사기; 및 상기 압전기판 상에 상기 IDT의 상기 일측에 대향하는 타측에 배치된 제2 반사기를 포함하고, 상기 제1 반사기는, 접지와 연결된 제1-1 반사기; 및 상기 제1-1 반사기와 상기 IDT 전극 사이에 배치되고 상기 제1-1 반사기와 전기적으로 격리된 제1-2 반사기를 포함하고, 상기 제2 반사기는, 접지와 연결된 제2-1 반사기; 및 상기 제2-1 반사기와 상기 IDT 전극 사이에 배치되고 상기 제2-1 반사기와 전기적으로 격리된 제2-2 반사기를 포함하는 것을 특징으로 한다.A surface acoustic wave device according to the present invention for solving the above technical problem, a piezoelectric substrate; an interdigital transducer (IDT) disposed on the piezoelectric substrate; a first reflector disposed on one side of the IDT on the piezoelectric substrate; and a second reflector disposed on the piezoelectric substrate on the other side opposite to the one side of the IDT, wherein the first reflector includes: a 1-1 reflector connected to a ground; and a 1-2 th reflector disposed between the 1-1 reflector and the IDT electrode and electrically isolated from the 1-1 reflector, wherein the second reflector includes: a 2-1 th reflector connected to a ground; and a second-second reflector disposed between the second-first reflector and the IDT electrode and electrically isolated from the second-first reflector.

상기 제1-1 반사기와 상기 제1-2 반사기의 전극지의 개수는 동일하거나, 상기 제2-1 반사기와 상기 제2-2 반사기의 전극지의 개수는 동일할 수 있다.The number of electrode fingers of the 1-1 reflector and the 1-2 reflector may be the same, or the number of electrode fingers of the 2-1 th reflector and the 2-2 reflector may be the same.

상기 제1-1 반사기와 상기 제1-2 반사기의 전극지의 개수의 비는 3:7 내지 7:3고, 상기 제2-1 반사기와 상기 제2-2 반사기의 전극지의 개수의 비는 3:7 내지 7:3일 수 있다.The ratio of the number of electrode fingers of the 1-1 reflector and the 1-2 reflector is 3:7 to 7:3, and the ratio of the number of electrode fingers of the 2-1 reflector and the 2-2 reflector is 3 :7 to 7:3.

상기 제1-2 반사기는, 서로 전기적으로 격리된 복수 개의 반사기를 포함할 수 있다.The 1-2 reflectors may include a plurality of reflectors electrically isolated from each other.

상기 제2-2 반사기는, 서로 전기적으로 격리된 복수 개의 반사기를 포함할 수 있다.The 2-2 reflector may include a plurality of reflectors electrically isolated from each other.

상기 표면탄성파 소자는 통과대역 필터로 동작할 수 있다.The surface acoustic wave device may operate as a passband filter.

본 발명에 의하면, 저지대역의 감쇠 특성을 보장하면서 노치 발생을 억제할 수 있는 표면탄성파 소자를 제공할 수 있다. Advantageous Effects of Invention According to the present invention, it is possible to provide a surface acoustic wave device capable of suppressing generation of a notch while ensuring a damping characteristic of a stopband.

본 발명의 효과들은 이상에서 언급한 효과들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 효과들은 아래의 기재로부터 통상의 기술자에게 명확하게 이해 될 수 있을 것이다.Effects of the present invention are not limited to the effects mentioned above, and other effects not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

도 1은 반사기를 접지와 연결하여 저지대역의 감쇠 특성을 개선한 표면탄성파 소자의 구조를 나타낸다.
도 2는 도 1의 표면탄성파 소자의 그룹 딜레이 특성과 삽입 손실 특성을 보여주는 그래프이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 표면탄성파 소자의 구조를 나타낸다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 표면탄성파 소자의 그룹 딜레이 특성과 삽입 손실 특성을 도 2와 비교하여 보여주는 그래프이다.
도 5는 본 발명의 변형된 실시예에 따른 표면탄성파 소자의 구조를 나타낸다.1 shows a structure of a surface acoustic wave device in which a stopband attenuation characteristic is improved by connecting a reflector to the ground.
FIG. 2 is a graph showing a group delay characteristic and an insertion loss characteristic of the surface acoustic wave device of FIG. 1 .
3 shows the structure of a surface acoustic wave device according to an embodiment of the present invention.
FIG. 4 is a graph showing group delay characteristics and insertion loss characteristics of a surface acoustic wave device according to an embodiment of the present invention compared with FIG. 2 .
5 shows the structure of a surface acoustic wave device according to a modified embodiment of the present invention.

이하에서는 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 설명한다. 이하 설명 및 첨부된 도면들에서 실질적으로 동일한 구성요소들은 각각 동일한 부호들로 나타냄으로써 중복 설명을 생략하기로 한다. 또한 본 발명을 설명함에 있어 관련된 공지기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. In the following description and the accompanying drawings, substantially the same components are denoted by the same reference numerals, so that redundant descriptions will be omitted. In addition, in the description of the present invention, if it is determined that a detailed description of a related known function or configuration may unnecessarily obscure the gist of the present invention, a detailed description thereof will be omitted.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 표면탄성파 소자의 구조를 나타낸다.3 shows the structure of a surface acoustic wave device according to an embodiment of the present invention.

도 3을 참조하면, 본 실시예에 따른 표면탄성파 소자는, 압전기판 상에 배치된 IDT(Interdigital Transducer)(10)와, 압전기판 상에 IDT(10)의 일측에 배치된 제1 반사기(20)와, 압전기판 상에 IDT(10)의 상기 일측에 대향하는 타측에 배치된 제2 반사기(30)를 포함한다. 여기서, 제1 반사기(20)는 서로 전기적으로 격리된 제1-1 반사기(21)와 제1-2 반사기(22)를 포함하고, 제2 반사기(30) 역시 서로 전기적으로 격리된 제2-1 반사기(31)와 제2-2 반사기(32)를 포함한다. 제1-1 반사기(21)는 IDT(10)로부터 상대적으로 멀게 배치되고, 제1-2 반사기(22)는 제1-1 반사기(21)와 IDT(10) 사이에 배치되며, 제1-1 반사기(21)는 접지와 연결된다. 제2-1 반사기(31)는 IDT(10)로부터 상대적으로 멀게 배치되고, 제2-2 반사기(32)는 제2-1 반사기(31)와 IDT(10) 사이에 배치되며, 제2-1 반사기(31)는 접지와 연결된다. 즉, 본 발명의 실시예는, 반사기를 서로 전기적으로 격리된 두 개의 반사기로 분리하여, 그중 IDT로부터 멀리 있는 반사기만 접지와 연결한 것이다. 발명자는, 이러한 변형을 통해 저지대역의 감쇠 특성에는 영향을 미치지 않으면서 노치 발생을 억제할 수 있음을 확인할 수 있었다.Referring to FIG. 3 , the surface acoustic wave device according to the present embodiment includes an interdigital transducer (IDT) 10 disposed on a piezoelectric substrate, and a first reflector 20 disposed on one side of the IDT 10 on the piezoelectric substrate. ) and a second reflector 30 disposed on the other side opposite to the one side of the IDT 10 on the piezoelectric substrate. Here, the first reflector 20 includes a 1-1 reflector 21 and a 1-2 reflector 22 that are electrically isolated from each other, and the second reflector 30 is also electrically isolated from each other. It includes a first reflector 31 and a second-second reflector 32 . The 1-1 reflector 21 is disposed relatively far from the IDT 10, the 1-2 reflector 22 is disposed between the 1-1 reflector 21 and the IDT 10, and the 1-th reflector 21 and the IDT 10 are disposed. 1 The reflector 21 is connected to ground. The second-first reflector 31 is disposed relatively far from the IDT 10 , the second-second reflector 32 is disposed between the second-first reflector 31 and the IDT 10 , and the second-second reflector 31 is disposed between the IDT 10 , 1 The reflector 31 is connected to ground. That is, in the embodiment of the present invention, the reflector is separated into two reflectors electrically isolated from each other, and only the reflector farther from the IDT is connected to the ground. The inventors have confirmed that the notch generation can be suppressed without affecting the damping characteristics of the stopband through this modification.

도 4는 본 발명의 실시예에 따른 표면탄성파 소자의 그룹 딜레이 특성과 삽입 손실 특성을 도 2와 비교하여 보여주는 그래프이다.FIG. 4 is a graph showing group delay characteristics and insertion loss characteristics of a surface acoustic wave device according to an embodiment of the present invention in comparison with FIG. 2 .

도 4를 참조하면, 본 발명의 실시예는 도 2와 거의 동일한 저지대역의 감쇠 특성을 보이면서, 몇몇 주파수에서 발생했던 노치는 크게 줄어든 것을 확인할 수 있다.Referring to FIG. 4 , it can be seen that the embodiment of the present invention exhibits substantially the same stopband attenuation characteristics as in FIG. 2 , while notches occurring at some frequencies are significantly reduced.

다시 도 3을 참조하면, 본 실시예에서 제1-1 반사기(21)와 제1-2 반사기(22)의 전극지(electrode finger)의 개수는 동일하고, 제2-1 반사기(31)와 제2-2 반사기(32)의 전극지의 개수는 동일하나, 전극지의 개수가 상이하더라도 유사한 효과를 얻을 수 있다. 다만, 접지와 연결된(즉, IDT로부터 상대적으로 멀리 배치된) 반사기의 전극지의 개수가 접지와 연결되지 않은(즉, IDT에 인접한) 반사기보다 너무 많으면 노치가 비교적 심해지고, 그 반대의 경우 노치는 줄어들지만 저지대역의 감쇠 특성이 열화된다. 따라서, 노치 저감과 저지대역의 감쇠 특성을 모두 만족시키기 위해서는, 접지와 연결된 반사기와 접지와 연결되지 않은 반사기의 전극지의 개수의 비는 3:7 내지 7:3인 것이 바람직하다. 즉, 제1-1 반사기(21)와 제1-2 반사기(22)의 전극지의 개수의 비는 3:7 내지 7:3이고, 제2-1 반사기(31)와 제2-2 반사기(32)의 전극지의 개수의 비 역시 3:7 내지 7:3인 것이 바람직하다.Referring back to FIG. 3 , in this embodiment, the number of electrode fingers of the 1-1 reflector 21 and the 1-2 reflector 22 is the same, and the 2-1 reflector 31 and Although the number of electrode fingers of the 2-2 reflector 32 is the same, a similar effect can be obtained even if the number of electrode fingers is different. However, if the number of electrode fingers of the reflector connected to the ground (that is, disposed relatively far from the IDT) is too large than that of the reflector not connected to the ground (that is, adjacent to the IDT), the notch becomes relatively severe, and vice versa, the notch is It decreases, but the damping characteristics of the stopband deteriorate. Accordingly, in order to satisfy both the notch reduction and the attenuation characteristics of the stopband, the ratio of the number of electrode fingers of the reflector connected to the ground to the number of electrode fingers of the reflector not connected to the ground is preferably 3:7 to 7:3. That is, the ratio of the number of electrode fingers of the 1-1 reflector 21 and the 1-2 reflector 22 is 3:7 to 7:3, and the 2-1 reflector 31 and the 2-2 reflector ( 32), the ratio of the number of electrode fingers is also preferably 3:7 to 7:3.

실시예에 따라서는, 접지와 연결되지 않은 제1-2 반사기(22)와 제2-2 반사기(32)를 각각 서로 전기적으로 격리된 복수 개의 반사기로 분리할 수도 있다. 도 5는 이에 따른 표면탄성파 소자의 변형된 실시예를 나타낸다. According to an embodiment, the 1-2-th reflector 22 and the 2-2-2 reflector 32, which are not connected to the ground, may be divided into a plurality of reflectors electrically isolated from each other, respectively. 5 shows a modified embodiment of the surface acoustic wave device according to this.

도 5를 참조하면, 본 실시예에 따른 표면탄성파 소자는, 압전기판 상에 배치된 IDT(Interdigital Transducer)(10)와, 압전기판 상에 IDT(10)의 일측에 배치된 제1 반사기(40)와, 압전기판 상에 IDT(10)의 상기 일측에 대향하는 타측에 배치된 제2 반사기(50)를 포함한다. 여기서, 제1 반사기(40)는 서로 전기적으로 격리된 제1-1 반사기(41), 제1-2 반사기(42) 및 제1-3 반사기(43)을 포함하고, 제2 반사기(50) 역시 서로 전기적으로 격리된 제2-1 반사기(51), 제2-2 반사기(52) 및 제2-3 반사기(53)를 포함한다. 그리고 제1-1 반사기(41)와 제2-1 반사기(51)만 접지와 연결되고, 제1-2 반사기(42), 제1-3 반사기(43), 제2-2 반사기(52) 및 제2-3 반사기(53)는 접지와 연결되지 않는다. 이러한 변형된 실시예 역시 저지대역의 감쇠 특성에는 영향을 미치지 않으면서 노치 발생을 억제할 수 있다.Referring to FIG. 5 , the surface acoustic wave device according to the present embodiment includes an interdigital transducer (IDT) 10 disposed on a piezoelectric substrate, and a first reflector 40 disposed on one side of the IDT 10 on the piezoelectric substrate. ) and a second reflector 50 disposed on the other side opposite to the one side of the IDT 10 on the piezoelectric substrate. Here, the first reflector 40 includes a 1-1 reflector 41, a 1-2 reflector 42 and a 1-3 reflector 43 that are electrically isolated from each other, and the second reflector 50 It also includes a 2-1 reflector 51 , a 2-2 reflector 52 , and a 2-3 th reflector 53 electrically isolated from each other. In addition, only the 1-1 reflector 41 and the 2-1 reflector 51 are connected to the ground, and the 1-2 reflector 42 , the 1-3 reflector 43 , and the 2-2 reflector 52 are connected to the ground. and the 2-3rd reflector 53 is not connected to the ground. This modified embodiment can also suppress the notch generation without affecting the damping characteristics of the stop band.

상기된 본 발명의 실시예들에 따른 표면탄성파 소자는 통과대역 필터로 동작할 수 있고, 이때 저지대역의 감쇠 특성을 보장하면서 노치 발생을 억제할 수 있다. 또한 본 발명의 실시예들에 따른 표면탄성파 소자는 그룹 딜레이 특성이 양호하여 GPS 장치에 사용될 경우 보다 뛰어난 성능을 발휘할 수 있다.The surface acoustic wave device according to the above-described embodiments of the present invention may operate as a passband filter, and in this case, it is possible to suppress the occurrence of a notch while ensuring the attenuation characteristic of the stopband. In addition, since the surface acoustic wave device according to the embodiments of the present invention has good group delay characteristics, it can exhibit superior performance when used in a GPS device.

이제까지 본 발명에 대하여 그 바람직한 실시예들을 중심으로 살펴보았다. 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 변형된 형태로 구현될 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 개시된 실시예들은 한정적인 관점이 아니라 설명적인 관점에서 고려되어야 한다. 본 발명의 범위는 전술한 설명이 아니라 특허청구범위에 나타나 있으며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 차이점은 본 발명에 포함된 것으로 해석되어야 할 것이다.So far, with respect to the present invention, the preferred embodiments have been looked at. Those of ordinary skill in the art to which the present invention pertains will understand that the present invention may be implemented in a modified form without departing from the essential characteristics of the present invention. Therefore, the disclosed embodiments are to be considered in an illustrative rather than a restrictive sense. The scope of the present invention is indicated in the claims rather than the foregoing description, and all differences within the scope equivalent thereto should be construed as being included in the present invention.

Claims (6)

압전기판;
상기 압전기판 상에 배치된 IDT(Interdigital Transducer);
상기 압전기판 상에 상기 IDT의 일측에 배치된 제1 반사기; 및
상기 압전기판 상에 상기 IDT의 상기 일측에 대향하는 타측에 배치된 제2 반사기를 포함하고,
상기 제1 반사기는,
접지와 연결된 제1-1 반사기; 및
상기 제1-1 반사기와 상기 IDT 전극 사이에 배치되고 상기 제1-1 반사기와 전기적으로 격리된 제1-2 반사기를 포함하고,
상기 제2 반사기는,
접지와 연결된 제2-1 반사기; 및
상기 제2-1 반사기와 상기 IDT 전극 사이에 배치되고 상기 제2-1 반사기와 전기적으로 격리된 제2-2 반사기를 포함하는 것을 특징으로 하는 표면탄성파 소자.piezoelectric substrate;
an interdigital transducer (IDT) disposed on the piezoelectric substrate;
a first reflector disposed on one side of the IDT on the piezoelectric substrate; and
and a second reflector disposed on the other side opposite to the one side of the IDT on the piezoelectric substrate,
The first reflector,
a 1-1 reflector connected to ground; and
a first-second reflector disposed between the first-first reflector and the IDT electrode and electrically isolated from the first-first reflector;
The second reflector,
a 2-1 reflector connected to ground; and
and a 2-2 reflector disposed between the second-first reflector and the IDT electrode and electrically isolated from the second-first reflector. 제1항에 있어서,
상기 제1-1 반사기와 상기 제1-2 반사기의 전극지의 개수는 동일하거나,
상기 제2-1 반사기와 상기 제2-2 반사기의 전극지의 개수는 동일한 것을 특징으로 하는 표면탄성파 소자.According to claim 1,
The number of electrode fingers of the 1-1 reflector and the 1-2 reflector is the same,
The number of electrode fingers of the 2-1 reflector and the 2-2 reflector is the same. 제1항에 있어서,
상기 제1-1 반사기와 상기 제1-2 반사기의 전극지의 개수의 비는 3:7 내지 7:3고,
상기 제2-1 반사기와 상기 제2-2 반사기의 전극지의 개수의 비는 3:7 내지 7:3인 것인 것을 특징으로 하는 표면탄성파 소자.According to claim 1,
The ratio of the number of electrode fingers of the 1-1 reflector and the 1-2 reflector is 3:7 to 7:3,
The ratio of the number of electrode fingers of the second-first reflector and the second-second reflector is 3:7 to 7:3. 제1항에 있어서,
상기 제1-2 반사기는, 서로 전기적으로 격리된 복수 개의 반사기를 포함하는 것을 특징으로 하는 표면탄성파 소자.According to claim 1,
The first-2 reflectors may include a plurality of reflectors electrically isolated from each other. 제1항에 있어서,
상기 제2-2 반사기는, 서로 전기적으로 격리된 복수 개의 반사기를 포함하는 것을 특징으로 하는 표면탄성파 소자.According to claim 1,
The 2-2 reflector is a surface acoustic wave device comprising a plurality of reflectors electrically isolated from each other. 제1항에 있어서,
상기 표면탄성파 소자는 통과대역 필터로 동작하는 표면탄성파 소자.According to claim 1,
The surface acoustic wave device operates as a passband filter.
KR1020210003388A 2021-01-11 2021-01-11 Surface acoustic wave device KR20220101410A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020210003388A KR20220101410A (en) 2021-01-11 2021-01-11 Surface acoustic wave device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020210003388A KR20220101410A (en) 2021-01-11 2021-01-11 Surface acoustic wave device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20220101410A true KR20220101410A (en) 2022-07-19

Family

ID=82607125

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020210003388A KR20220101410A (en) 2021-01-11 2021-01-11 Surface acoustic wave device

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20220101410A (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7078989B2 (en) Multi-mode surface acoustic wave filter device and duplexer
JP5294868B2 (en) SAW filter for wide band rejection
JP6284800B2 (en) Surface acoustic wave device and filter
US11012052B2 (en) Surface acoustic wave filter
JPH0955640A (en) Surface acoustic wave filter
CN110800212B (en) Elastic wave device and composite filter device
KR20160028377A (en) Ladder filter and duplexer
JP2013081068A (en) One-chip leaky surface acoustic wave device
JP3419339B2 (en) Surface acoustic wave filters, duplexers, communication equipment
US8106725B2 (en) Acoustic wave filter device
WO2017159408A1 (en) Elastic wave device, bandpass filter, and composite filter device
WO2018142794A1 (en) Acoustic wave device, duplexer, and filter device
JP5850209B1 (en) Elastic wave device
US10574211B2 (en) Composite filter device
JP2022075959A (en) Acoustic wave filter
JP2021016116A (en) Multiplexer
JP7491087B2 (en) Filter Device
US11362643B2 (en) Multiplexer
JP6940012B2 (en) Filter device
KR20220101410A (en) Surface acoustic wave device
WO2016031391A1 (en) Ladder filter and duplexer
JPWO2018225621A1 (en) Acoustic wave filter device
JP7377450B2 (en) Filter circuits and composite filter devices
JP2002217680A (en) Ladder-type surface acoustic wave filter
JPWO2003096533A1 (en) Surface acoustic wave device, surface acoustic wave device and duplexer