KR20220098627A - Device for collecting contamination particle and extreme ultraviolet lithographic Apparatus having it - Google Patents
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- 239000002245 particle Substances 0.000 title claims abstract description 111
- 238000011109 contamination Methods 0.000 title claims abstract description 8
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims abstract description 82
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 51
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims abstract description 40
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 17
- 230000002265 prevention Effects 0.000 claims abstract description 14
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 claims description 79
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 26
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 9
- 239000003344 environmental pollutant Substances 0.000 claims description 5
- 231100000719 pollutant Toxicity 0.000 claims description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 13
- 239000010408 film Substances 0.000 description 10
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 9
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 6
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 6
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 6
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002717 carbon nanostructure Substances 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052770 Uranium Inorganic materials 0.000 description 1
- VZPPHXVFMVZRTE-UHFFFAOYSA-N [Kr]F Chemical compound [Kr]F VZPPHXVFMVZRTE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- ISQINHMJILFLAQ-UHFFFAOYSA-N argon hydrofluoride Chemical compound F.[Ar] ISQINHMJILFLAQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 1
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 238000001900 extreme ultraviolet lithography Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001151 other effect Effects 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- PUDIUYLPXJFUGB-UHFFFAOYSA-N praseodymium atom Chemical compound [Pr] PUDIUYLPXJFUGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 229910052701 rubidium Inorganic materials 0.000 description 1
- IGLNJRXAVVLDKE-UHFFFAOYSA-N rubidium atom Chemical compound [Rb] IGLNJRXAVVLDKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 1
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- JFALSRSLKYAFGM-UHFFFAOYSA-N uranium(0) Chemical compound [U] JFALSRSLKYAFGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
- G03F7/70916—Pollution mitigation, i.e. mitigating effect of contamination or debris, e.g. foil traps
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
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Abstract
Description
본 발명은 오염 입자 포집부와 이를 포함하는 극자외선 노광 장치에 관한 것으로서, 극자외선 광원부로부터 발생하는 오염 입자가 조명 광학부와 패터닝 디바이스, 또는 공정 챔버로 유입되는 것을 방지하기 위한 오염 입자 포집부와 이를 포함하는 극자외선 노광 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a contaminant particle collecting unit and an extreme ultraviolet exposure apparatus including the same, comprising: a contaminating particle collecting unit for preventing contaminant particles generated from the extreme ultraviolet light source from flowing into an illumination optical unit, a patterning device, or a process chamber; It relates to an extreme ultraviolet exposure apparatus including the same.
반도체 생산 공정에 도입된 극자외선 노광 기술에서 사용되는 극자외선 광원부는 플라즈마를 생성하여 이로부터 극자외선을 발생시킴에 따라 오염 입자도 함께 발생되고 이러한 오염 입자가 상기 극자외선을 받아들이는 조명 광학부로 유입될 수 있고 노광 공정에서 마스크 또는 레티클이라고 하는 패터닝 디바이스 또는 이를 보호하는 펠리클에 상기 오염 입자가 흡착될 수 있으며 이에 따라 노광 공정 또는 노광 마스크 검사 시에 패터닝 오류가 발생할 수 있다.The extreme ultraviolet light source unit used in the extreme ultraviolet exposure technology introduced in the semiconductor production process generates plasma and generates extreme ultraviolet rays from it, so contaminant particles are also generated, and these contaminant particles are introduced into the lighting optics that accepts the extreme ultraviolet rays In the exposure process, the contaminant particles may be adsorbed to a patterning device called a mask or a reticle or a pellicle protecting the same, and accordingly, a patterning error may occur during the exposure process or exposure mask inspection.
이와 같이 노광 공정에서 패터닝 오류가 발생할 수 있는 상황을 방지하기 위해서는 노광 장치의 청결도를 유지하여야 하고, 오염 입자에 의해서 노광 장치가 오염되는 것을 방지하기 위해서 노광 공정이 중단될 수도 있으므로, 반도체 생산 수율을 저감시키게 된다.As described above, in order to prevent a situation in which a patterning error may occur in the exposure process, cleanliness of the exposure apparatus must be maintained, and the exposure process may be interrupted to prevent the exposure apparatus from being contaminated by contaminants, thereby reducing the semiconductor production yield. will reduce
등록특허공보 제10-1707763호는 펠리클 및 이것을 포함하는 EUV 노광 장치에 관한 것으로서, 극자외선(EUV: Extreme Ultra Violet) 노광장치의 비산 입자가 조명 광학부 내부의 소자와 마스크에 흡착되지 않도록 필터 윈도우를 구비하고, 비산 입자가 상기 마스크에 더욱 더 흡착되지 않도록 상기 마스크에는 보호부재로서 펠리클을 부착하고 있는데, 상기 필터 윈도우와 상기 펠리클에 흡착되는 입자의 크기가 소정의 크기 이상이 되면 마스크에 입사되는 광경로에 왜곡이 발생할 수 있다는 문제점이 있다.Patent Registration No. 10-1707763 relates to a pellicle and an EUV exposure apparatus including the same, and a filter window to prevent scattering particles of the EUV (Extreme Ultra Violet) exposure apparatus from adsorbing to the elements and the mask inside the illumination optical unit. and a pellicle is attached to the mask as a protective member so that scattering particles are not further adsorbed to the mask. There is a problem that distortion may occur in the optical path.
미국 특허공보 US9,395,630 B2는 노광장치에 관한 것으로서, 극자외선 노광장치의 오염 입자가 마스크에 흡착되지 않도록 멤브레인을 광경로 상에 구비하고 있으나, 상기 멤브레인이 광경로 상에 위치함으로써 광경로와 광강도에 영향을 미칠 수 있다는 문제점이 있다.U.S. Patent Publication No. 9,395,630 B2 relates to an exposure apparatus, in which a membrane is provided on the optical path so that contaminant particles of the extreme ultraviolet exposure apparatus are not adsorbed to the mask. There is a problem that the strength may be affected.
공개특허공보 제10-2009-0052274호는 노광장치에 관한 것으로서, 마스크 주변을 둘러싸는 전극을 구비하고 상기 전극과 경통 간에 전계가 형성되도록 전극에 양(+) 또는 음(-)의 전압을 인가하는데, 전극에 음(-)의 전압을 인가하는 경우 음(-)으로 대전된 오염 입자는 경통에 의해 포획되고 양(+)으로 대전된 오염 입자는 전극에 의해 포획되도록 하고, 전극에 양(+)의 전압을 인가하는 경우 음(-)으로 대전된 오염 입자는 전극에 의해 포획되고 양(+)으로 대전된 오염 입자는 경통에 의해 포획되도록 하고 있으나, 전극을 마스크 주변에 추가적으로 구비해야 하고 전극에 양(+)의 전압과 음(-)의 전압을 각각 인가해야 하고 전극과 경통 사이에 전계가 형성되도록 하기 위해서 구조가 복잡해 진다는 문제점이 있다.Laid-Open Patent Publication No. 10-2009-0052274 relates to an exposure apparatus, which includes an electrode surrounding a mask and applies a positive (+) or negative (-) voltage to the electrode so that an electric field is formed between the electrode and a barrel. However, when a negative (-) voltage is applied to the electrode, the negatively charged contaminant particles are captured by the tube, and the positively (+) charged contaminant particles are captured by the electrode, and the positive (-) When a +) voltage is applied, the negatively charged polluting particles are captured by the electrode and the positively charged polluting particles are captured by the barrel, but an electrode must be additionally provided around the mask. There is a problem in that a positive (+) voltage and a negative (-) voltage must be applied to the electrode, respectively, and the structure becomes complicated in order to form an electric field between the electrode and the barrel.
공개특허공보 제10-2018-0135490호는 EUV 리소그래피를 위한 멤브레인에 관한 것으로서, 높은 극자외선 투과율을 갖는 멤브레인을 패터닝 디바이스용 펠리클로 사용하여 오염 입자가 패터닝 디바이스에 흡착되는 것을 방지하고 있으나, 상기 멤브레인에 오염 입자가 흡착되어 패터닝 오류가 발생할 수 있다는 문제점이 있다.Patent Publication No. 10-2018-0135490 relates to a membrane for EUV lithography, and uses a membrane having high extreme ultraviolet transmittance as a pellicle for a patterning device to prevent contaminant particles from adsorbing to the patterning device, but the membrane There is a problem that contaminant particles are adsorbed to the surface, and patterning errors may occur.
공개특허공보 제10-2017-0089449호는 EUV 펠리클 구조체에 관한 것으로서, 열방출, 내화학성, 인성 강도가 우수한 복수 개의 박막들로 구성되는 펠리클 멤브레인과 이로부터 열을 흡수하여 방열하는 냉각 구조체를 포함하고 있으나, 상기 펠리클 멤브레인에 오염 입자가 흡착되어 패터닝 오류가 발생할 수 있다는 문제점이 있다.Laid-Open Patent Publication No. 10-2017-0089449 relates to an EUV pellicle structure, comprising a pellicle membrane composed of a plurality of thin films having excellent heat dissipation, chemical resistance, and toughness strength, and a cooling structure that absorbs and radiates heat from the pellicle membrane However, there is a problem that a patterning error may occur because the contaminant particles are adsorbed to the pellicle membrane.
본 발명은 극자외선 광원부에서 발생되는 오염 입자가 조명 광학부로 유입되는 것을 방지하는 것을 목적으로 한다.An object of the present invention is to prevent contaminant particles generated from the extreme ultraviolet light source from flowing into the lighting optical unit.
본 발명의 다른 목적은, 극자외선 광원부에서 발생되는 오염 입자가 패터닝 디바이스 또는 이를 보호하는 펠리클에 흡착되는 것을 방지하는 것이다.Another object of the present invention is to prevent the contaminant particles generated from the extreme ultraviolet light source from being adsorbed to the patterning device or the pellicle protecting the same.
본 발명의 또 다른 목적은, 극자외선 광원부에서 발생되는 오염 입자가 조명 광학부와 패터닝 디바이스, 또는 공정 챔버로 유입되어 흡착되는 것을 방지하여 노광 공정의 효율과 생산성을 높이고자 하는 것이다.Another object of the present invention is to increase the efficiency and productivity of an exposure process by preventing contaminant particles generated from an extreme ultraviolet light source from being introduced into and adsorbed into an illumination optical unit, a patterning device, or a process chamber.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 상기 목적으로만 제한하지 아니하고, 위에서 명시적으로 나타내지 아니한 다른 기술적 과제는 이하 본 발명의 구성 및 작용을 통하여 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 쉽게 이해할 수 있을 것이다.The problem to be solved by the present invention is not limited only to the above purpose, and other technical problems not explicitly shown above can be easily understood by those of ordinary skill in the art to which the present invention belongs through the configuration and operation of the present invention below. will be able
본 발명에서는, 상기 과제를 해결하기 위하여 이하의 구성을 포함한다.In this invention, in order to solve the said subject, the following structure is included.
본 발명은 오염 방지 기능을 갖는 극자외선 노광 장치에 관한 것으로서, 극자외선 광원부, 상기 극자외선 광원부로부터 생성되는 광을 패터닝 디바이스로 유도하는 조명 광학부, 상기 극자외선 광원부와 상기 조명 광학부 사이에 설치되는 제 1 오염 입자 포집부, 상기 패터닝 디바이스로부터 반사되는 광을 광 감응 층이 적층된 기판으로 유도하는 투영 광학부를 포함하고, 제 1 오염 입자 포집부에 양(+)의 전압이 인가되는 것을 특징으로 한다.The present invention relates to an extreme ultraviolet exposure apparatus having a contamination prevention function, wherein an extreme ultraviolet light source unit, an illumination optical unit for guiding light generated from the extreme ultraviolet light source unit to a patterning device, is installed between the extreme ultraviolet light source unit and the illumination optical unit a first contaminant collecting unit to be formed, and a projection optical unit for guiding light reflected from the patterning device to a substrate on which a photosensitive layer is laminated, wherein a positive voltage is applied to the first contaminating particle collecting unit do it with
본 발명의 제 1 오염 입자 포집부에 인가되는 양(+)의 전압을 양(+)의 펄스 전압으로 인가하는 것을 특징으로 한다.The positive (+) voltage applied to the first contaminant particle collecting unit of the present invention is characterized in that it is applied as a positive (+) pulse voltage.
본 발명은 상기 조명 광학부와 상기 패터닝 디바이스 사이에 설치되는 제 2 오염 입자 포집부를 더 포함하고 제 2 오염 입자 포집부에 양(+)의 전압이 인가되는 것을 특징으로 한다.The present invention further includes a second contaminant particle collecting unit installed between the illumination optical unit and the patterning device, and a positive (+) voltage is applied to the second contaminating particle collecting unit.
본 발명의 제 1 오염 입자 포집부에 인가되는 양(+)의 전압의 절대치가 제 2 오염 입자 포집부에 인가되는 양(+)의 전압의 절대치보다 큰 것을 특징으로 한다.According to the present invention, the absolute value of the positive voltage applied to the first contaminant particle collecting unit is greater than the absolute value of the positive voltage applied to the second contaminating particle collecting unit.
본 발명의 제 1 오염 입자 포집부와 제 2 오염 입자 포집부에 인가되는 양(+)의 전압을 양(+)의 펄스 전압으로 인가하는 것을 특징으로 한다.A positive (+) voltage applied to the first contaminating particle collecting unit and the second contaminating particle collecting unit of the present invention is applied as a positive (+) pulse voltage.
본 발명의 제 1 오염 입자 포집부와 제 2 오염 입자 포집부는 메시 부재로 형성되는 것을 특징으로 한다.The first contaminant particle collecting unit and the second contaminating particle collecting unit of the present invention are characterized in that they are formed of a mesh member.
본 발명은 상기 패터닝 디바이스 상부에 부착되는 펠리클을 더 포함하고, 상기 펠리클에 음(-)의 전압이 인가되는 것을 특징으로 한다.The present invention further comprises a pellicle attached to the upper portion of the patterning device, characterized in that a negative (-) voltage is applied to the pellicle.
본 발명의 상기 펠리클에 인가되는 음(-)의 전압을 음(-)의 펄스 전압으로 인가하는 것을 특징으로 한다.It is characterized in that the negative (-) voltage applied to the pellicle of the present invention is applied as a negative (-) pulse voltage.
또한 본 발명은 오염 방지 기능을 갖는 극자외선 노광 장치에 관한 것으로서, 극자외선 광원부, 상기 극자외선 광원부로부터 생성되는 광을 패터닝 디바이스로 유도하는 조명 광학부, 상기 극자외선 광원부와 상기 조명 광학부 사이에 설치되는 오염 입자 차단부, 상기 조명 광학부와 상기 패터닝 디바이스 사이에 설치되는 오염 입자 포집부를 포함하고, 상기 오염 입자 차단부에 음(-)의 전압이 인가되고, 상기 오염 입자 포집부에 양(+)의 전압이 인가되는 것을 특징으로 한다.Further, the present invention relates to an extreme ultraviolet exposure apparatus having a contamination prevention function, wherein an extreme ultraviolet light source unit, an illumination optical unit for guiding light generated from the extreme ultraviolet light source unit to a patterning device, and between the extreme ultraviolet light source unit and the illumination optical unit a contaminant particle blocking unit installed, and a contaminant particle collecting unit installed between the illumination optical unit and the patterning device, wherein a negative (-) voltage is applied to the contaminant particle blocking unit, and a positive (-) voltage is applied to the contaminant particle collecting unit. It is characterized in that a voltage of +) is applied.
본 발명의 상기 오염 입자 차단부에 인가되는 음(-)의 전압을 음(-)의 펄스 전압으로 인가하고, 상기 오염 입자 포집부에 인가되는 양(+)의 전압을 양(+)의 펄스 전압으로 인가하는 것을 특징으로 한다.A negative (-) voltage applied to the polluting particle blocking unit of the present invention is applied as a negative (-) pulse voltage, and a positive (+) voltage applied to the polluting particle collecting unit is applied as a positive (+) pulse. It is characterized in that the voltage is applied.
또한 본 발명은 극자외선 광원부와 조명 광학부 사이에 설치되는 오염 입자 포집부에 관한 것으로서, 극자외선 광원부로부터 발생되는 오염 입자가 조명 광학부로 유입되는 것을 차단하기 위한 메시 부재, 상기 메시 부재에 양(+)의 전압을 인가하는 전원 입력부를 포함하고, 상기 극자외선 광원부로부터 발생되는 오염 입자는 음(-)으로 대전되어 상기 메시 부재에 양(+)의 전압이 인가되는 경우 조명 광학부로 유입되는 것이 차단되어 포집되는 것을 특징으로 한다.The present invention also relates to a contaminant particle collecting unit installed between the extreme ultraviolet light source unit and the illumination optical unit. It includes a power input unit for applying a voltage of +), and the pollutant particles generated from the extreme ultraviolet light source unit are negatively (-) charged so that when a positive (+) voltage is applied to the mesh member, it is introduced into the illumination optical unit. It is characterized in that it is blocked and collected.
또한 본 발명은 극자외선 광원부와 패터닝 디바이스 사이에 설치되는 오염 입자 포집부에 관한 것으로서, 극자외선 광원부로부터 발생되는 오염 입자가 패터닝 디바이스로 유입되는 것을 차단하기 위한 메시 부재, 상기 메시 부재에 양(+)의 전압을 인가하는 전원 입력부를 포함하고, 상기 극자외선 광원부로부터 발생되는 오염 입자는 음(-)으로 대전되어 상기 메시 부재에 양(+)의 전압이 인가되는 경우 패터닝 디바이스로 유입되는 것이 차단되어 포집되는 것을 특징으로 한다.The present invention also relates to a contaminant particle collecting unit installed between the extreme ultraviolet light source unit and the patterning device, wherein a mesh member for blocking contaminant particles generated from the extreme ultraviolet light source unit from flowing into the patterning device; ), and the pollutant particles generated from the extreme ultraviolet light source are negatively (-) charged so that when a positive (+) voltage is applied to the mesh member, it is blocked from flowing into the patterning device. It is characterized by being collected.
본 발명의 상기 메시 부재에 인가되는 양(+)의 전압을 양(+)의 펄스 전압으로 인가하는 것을 특징으로 한다.It is characterized in that the positive (+) voltage applied to the mesh member of the present invention is applied as a positive (+) pulse voltage.
본 발명의 효과는 극자외선 광원부에서 발생되는 오염 입자가 조명 광학부로 유입되는 것을 방지하는 것을 가능하게 하는 것이다.An effect of the present invention is to prevent the contaminant particles generated from the extreme ultraviolet light source from flowing into the illumination optical unit.
또한 본 발명의 다른 효과는, 극자외선 광원부에서 발생되는 오염 입자가 패터닝 디바이스 또는 이를 보호하는 펠리클에 흡착되는 것을 방지하는 것을 가능하게 하는 것이다.Another effect of the present invention is to prevent the contaminant particles generated from the extreme ultraviolet light source from being adsorbed to the patterning device or the pellicle protecting the same.
또한 본 발명의 또 다른 효과는, 극자외선 광원부에서 발생되는 오염 입자가 조명 광학부와 패터닝 디바이스, 또는 공정 챔버로 유입되어 흡착되는 것을 방지하여 노광 공정의 효율과 생산성을 높이고자 하는 것이다.In addition, another effect of the present invention is to increase the efficiency and productivity of the exposure process by preventing the contaminant particles generated from the extreme ultraviolet light source from flowing into and adsorbing into the illumination optical unit, the patterning device, or the process chamber.
본 발명에 의한 효과는 상기 효과로만 제한하지 아니하고, 위에서 명시적으로 나타내지 아니한 다른 효과는 이하 본 발명의 구성 및 작용을 통하여 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 쉽게 이해할 수 있을 것이다.The effects of the present invention are not limited to the above effects, and other effects not explicitly shown above will be easily understood by those of ordinary skill in the art to which the present invention pertains through the configuration and operation of the present invention below.
도 1은 일반적인 극자외선 노광 장치의 개략적인 구성도를 도시한다.
도 2는 일반적인 극자외선 광원부의 개략적인 구성도를 도시한다.
도 3은 종래의 극자외선 노광 장치의 구성도를 도시한다.
도 4는 본 발명의 극자외선 노광 장치의 일실시예의 전체적인 구성도를 도시한다.
도 5는 본 발명의 극자외선 노광 장치의 다른 일실시예의 전체적인 구성도를 도시한다.
도 6은 본 발명의 극자외선 노광 장치의 또 다른 일실시예의 전체적인 구성도를 도시한다.
도 7은 본 발명의 극자외선 노광 장치의 메시 부재에 인가되는 음(-)의 펄스 전압 파형을 도시한다.
도 8은 본 발명의 극자외선 노광 장치의 메시 부재에 인가되는 양(+)의 펄스 전압 파형을 도시한다.
도 9는 본 발명의 극자외선 노광 장치의 패터닝 디바이스에 부착되는 펠리클의 일실시예의 구체적인 구성도를 도시한다.
도 10은 본 발명의 극자외선 노광 장치의 패터닝 디바이스에 부착되는 펠리클의 다른 일실시예의 구체적인 구성도를 도시한다.
도 11은 본 발명의 극자외선 노광 장치의 패터닝 디바이스에 부착되는 펠리클의 또 다른 일실시예의 구체적인 구성도를 도시한다.1 shows a schematic configuration diagram of a general extreme ultraviolet exposure apparatus.
2 shows a schematic configuration diagram of a general extreme ultraviolet light source unit.
3 shows a configuration diagram of a conventional extreme ultraviolet exposure apparatus.
4 is a view showing the overall configuration of an embodiment of the extreme ultraviolet exposure apparatus of the present invention.
5 is a view showing the overall configuration of another embodiment of the extreme ultraviolet exposure apparatus of the present invention.
6 is a view showing the overall configuration of another embodiment of the extreme ultraviolet exposure apparatus of the present invention.
7 shows a negative (-) pulse voltage waveform applied to the mesh member of the extreme ultraviolet exposure apparatus of the present invention.
8 shows a waveform of a positive (+) pulse voltage applied to the mesh member of the extreme ultraviolet exposure apparatus of the present invention.
9 shows a detailed configuration diagram of an embodiment of a pellicle attached to a patterning device of the extreme ultraviolet exposure apparatus of the present invention.
10 shows a specific configuration diagram of another embodiment of the pellicle attached to the patterning device of the extreme ultraviolet exposure apparatus of the present invention.
11 shows a detailed configuration diagram of another embodiment of the pellicle attached to the patterning device of the extreme ultraviolet exposure apparatus of the present invention.
이하 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 전체적인 구성 및 작용에 대해 설명하기로 한다. 이러한 실시예는 예시적인 것으로서 본 발명의 구성 및 작용을 제한하지는 아니하고, 실시예에서 명시적으로 나타내지 아니한 다른 구성 및 작용도 이하 본 발명의 실시예를 통하여 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 쉽게 이해할 수 있는 경우는 본 발명의 기술적 사상으로 볼 수 있을 것이다.Hereinafter, the overall configuration and operation according to a preferred embodiment of the present invention will be described. These embodiments are illustrative and do not limit the configuration and operation of the present invention, and other configurations and operations that are not explicitly shown in the embodiments are provided below through the embodiments of the present invention. A case that can be easily understood by the possessor may be regarded as the technical idea of the present invention.
일반적으로 극자외선(EUV: Extreme Ultraviolet) 노광 장치(Lithographic Apparatus)는 종래의 불화 크립톤(KrF) 또는 불화 아르곤(ArF) 노광 공정과는 달리 13.5 nm의 짧은 파장을 갖는 광원인 극자외선을 사용하여 노광을 수행하는 장치로서, 짧은 파장의 광원을 사용하여 해상도를 극대화함으로써 패터닝 횟수 등 공정 횟수를 대폭 저감할 수 있다.In general, Extreme Ultraviolet (EUV) exposure apparatus (Lithographic Apparatus) is exposed using extreme ultraviolet light, a light source having a short wavelength of 13.5 nm, unlike the conventional krypton fluoride (KrF) or argon fluoride (ArF) exposure process. As an apparatus for performing a process, the number of processes such as the number of patterning can be greatly reduced by maximizing the resolution by using a light source of a short wavelength.
도 1은 일반적인 극자외선 노광 장치의 개략적인 구성도를 도시한다.1 shows a schematic configuration diagram of a general extreme ultraviolet exposure apparatus.
도 1을 참조하면, 일반적인 극자외선 노광 장치는 EUV 광원부(10), 조명 광학부(20), 투영 광학부(30)를 구비하고, 상기 EUV 광원부(10)는 극자외선을 발생시키고, 상기 조명 광학부(20)는 극자외선을 마스크 또는 레티클이라고 불리는 패터닝 디바이스(40)로 유도하고, 상기 패터닝 디바이스(40)는 상기 극자외선을 반사하고, 상기 투영 광학부(30)는 상기 패터닝 디바이스(40)에서 반사된 극자외선을 포토 레지스트(51)가 코팅된 기판(50)의 특정 영역으로 유도하여 노광 공정을 수행하게 된다. 상기 패터닝 디바이스(40)에는 오염 물질이 흡착되어 패터닝 오류가 발생하는 것을 방지하기 위하여 펠리클(41)을 부착하여 상기 패터닝 디바이스(40)를 보호하게 된다.Referring to FIG. 1 , a general EUV exposure apparatus includes an EUV
도 2는 일반적인 극자외선 광원부의 개략적인 구성도를 도시한다.2 shows a schematic configuration diagram of a general extreme ultraviolet light source unit.
도 2를 참조하면, 일반적인 극자외선(EUV: Extreme Ultraviolet) 광원부(10)는 레이저 생성 플라즈마(LPP: Laser Produced Plasma) 소스로서 레이저 광원(11), 타겟 공급부(12), 집광부(13)를 구비하고 있다.Referring to FIG. 2 , a general extreme ultraviolet (EUV)
상기 레이저 광원(11)은 고출력 레이저 펄스를 출력하고 상기 타겟 공급부(12)는 주석, 리튬, 크세논 등 또는 이들의 화합물의 방울 입자를 떨어뜨리며, 상기 고출력 레이저 펄스와 상기 방울 입자가 충돌하면 상기 방울 입자의 원자가 이온화되어 플라즈마가 생성된다.The
상기 생성된 플라즈마에서는 극자외선(EUV: Extreme Ultraviolet)이 방사되고 이러한 방사되는 극자외선을 상기 집광부(13)에서 집광하여 조명 광학부(20)로 방출하게 된다.Extreme ultraviolet (EUV) is emitted from the generated plasma, and the emitted extreme ultraviolet rays are condensed by the
한편, 상기 플라즈마를 생성하는 과정에서 방울 입자에서 비산하는 입자가 발생하게 되고 이러한 비산하는 입자가 오염 입자가 되어 노광 장치의 렌즈 등 광학부와 패터닝 디바이스에 흡착되어 오염을 일으킬 수 있으므로, 극자외선을 사용하는 노광 장치에서는 상기 극자외선 광원부(10)에 발생하는 오염 입자가 각종 광학부와 패터닝 디바이스를 오염시키는 것을 방지할 필요가 있다.On the other hand, in the process of generating the plasma, scattering particles are generated from the droplet particles, and these scattering particles become contaminant particles and are adsorbed to optical parts and patterning devices such as lenses of exposure apparatus to cause contamination. In the exposure apparatus to be used, it is necessary to prevent the contaminant particles generated in the extreme ultraviolet
상기 오염 입자는 플라즈마를 생성하는 과정에서 발생한다는 점에서 음(-)의 전하를 띄게 되는데, 이에 대해서 구체적으로 설명하면 다음과 같다.The contaminant particles have a negative charge in that they are generated in the process of generating plasma, which will be described in detail as follows.
플라즈마 내에 플로팅(floating) 기판을 놓게 되면 상기 플로팅 기판에 전자, 이온, 중성원자가 충돌하게 되며, 전자가 상기 플로팅 기판에 충돌하여 축적되면 상기 플로팅 기판이 음(-) 전하를 띄게 되고, 이온이 상기 플로팅 기판에 충돌하여 축적되면 상기 플로팅 기판이 양(+) 전하를 띄게 된다.When a floating substrate is placed in the plasma, electrons, ions, and neutral atoms collide with the floating substrate. When electrons collide with the floating substrate and accumulate, the floating substrate becomes negatively charged, and the ions are When it collides with the floating substrate and accumulates, the floating substrate becomes positively charged.
그런데 플라즈마 내 이온의 밀도는 전자의 밀도와 유사하지만, 전자의 평균속도는 이온의 평균속도에 비하여 아주 크므로, 일반적으로 상기 플로팅 기판에 도달하는 전자의 수가 이온의 수보다 아주 많아지게 되어 상기 플로팅 기판에는 이온보다는 전자가 더 많이 축적되어 음(-) 전하를 띄게 된다.However, although the density of ions in the plasma is similar to that of electrons, the average velocity of electrons is very large compared to the average velocity of ions, so the number of electrons reaching the floating substrate is generally much greater than the number of ions, so that the floating In the substrate, more electrons than ions are accumulated, resulting in a negative (-) charge.
또한 플라즈마 내에는 중성원자 또는 중성원자가 응집되어 형성되는 입자도 존재하게 되는데, 이와 같은 입자가 상기 플로팅 기판과 같은 역할을 하게 되어 이러한 입자도 음(-) 전하를 띄게 되며, 이러한 입자가 오염 입자로 작용하게 된다.In addition, there are also particles formed by aggregation of neutral atoms or neutral atoms in the plasma. Such particles act like the floating substrate, so these particles also have a negative (-) charge, and these particles become contaminant particles. it will work
도 3은 종래의 극자외선 노광 장치의 구성도를 도시하고, 도 4는 본 발명의 극자외선 노광 장치의 일실시예의 전체적인 구성도를 도시한다.FIG. 3 shows a configuration diagram of a conventional extreme ultraviolet exposure apparatus, and FIG. 4 shows an overall configuration diagram of an embodiment of the extreme ultraviolet exposure apparatus of the present invention.
도 3, 도 4를 참조하면, 종래의 극자외선 노광 장치와 본 발명의 극자외선 노광 장치는 EUV 광원부(10), 조명 광학부(20), 투영 광학부(30)를 구비하고, 상기 EUV 광원부(10)는 극자외선을 발생시키고, 상기 조명 광학부(20)는 극자외선을 마스크 또는 레티클이라고 불리는 패터닝 디바이스(40)로 유도하고, 상기 패터닝 디바이스(40)는 상기 극자외선을 반사하고, 상기 투영 광학부(30)는 상기 패터닝 디바이스(40)에서 반사된 극자외선을 포토 레지스트(51)가 코팅된 기판(50)의 특정 영역으로 유도하여 노광 공정을 수행하게 된다. 상기 패터닝 디바이스(40)에는 오염 물질이 흡착되어 패터닝 오류가 발생하는 것을 방지하기 위하여 펠리클(41)을 부착하여 상기 패터닝 디바이스(40)를 보호하게 된다.3 and 4 , the conventional extreme ultraviolet exposure apparatus and the extreme ultraviolet exposure apparatus of the present invention include an EUV
또한 종래의 극자외선 노광 장치는 EUV 광원부(10)에서 발생하는 오염 입자가 상기 조명 광학부(20)로 유입되거나 패터닝 디바이스(40)로 유입되는 것을 방지하기 위하여 필터부를 구비하고 있으나, 상기 필터부는 상기 오염 입자가 빠져나가지 못하도록 밀폐하기 위한 수단으로서 상기 극자외선의 광경로에도 영향을 미치게 된다.In addition, the conventional extreme ultraviolet exposure apparatus includes a filter unit to prevent the contaminant particles generated from the EUV
그러나 본 발명의 극자외선 노광 장치에서는 EUV 광원부(10)에서 발생하는 오염 입자가 상기 조명 광학부(20)로 유입되는 것을 방지하기 위하여 메시 부재(21)를 그 사이에 구비하고 상기 메시 부재(21)에 인가하는 전압(Vp1)을 양(+)의 전압으로 인가하여 음(-) 전하를 띄는 오염 입자를 포집하게 된다.However, in the extreme ultraviolet exposure apparatus of the present invention, a
결국 상기 메시 부재는 다공성 부재로서 EUV 광원부(10)에서 방출되는 극자외선의 광경로에 미치는 영향을 최소화하면서 오염 입자의 유입도 더욱 더 방지할 수 있게 된다.As a result, the mesh member is a porous member, and it is possible to further prevent the inflow of contaminant particles while minimizing the influence on the optical path of the EUV
도 5는 본 발명의 극자외선 노광 장치의 다른 일실시예의 전체적인 구성도를 도시한다.5 is a view showing the overall configuration of another embodiment of the extreme ultraviolet exposure apparatus of the present invention.
도 5를 참조하면, 본 발명의 다른 실시예인 극자외선 노광 장치는 EUV 광원부(10), 조명 광학부(20), 투영 광학부(30)를 구비하고, 상기 EUV 광원부(10)는 극자외선을 발생시키고, 상기 조명 광학부(20)는 극자외선을 마스크 또는 레티클이라고 불리는 패터닝 디바이스(40)로 유도하고, 상기 패터닝 디바이스(40)는 상기 극자외선을 반사하고, 상기 투영 광학부(30)는 상기 패터닝 디바이스(40)에서 반사된 극자외선을 포토 레지스트(51)가 코팅된 기판(50)의 특정 영역으로 유도하여 노광 공정을 수행하게 된다.Referring to FIG. 5 , the extreme ultraviolet exposure apparatus according to another embodiment of the present invention includes an EUV
또한 EUV 광원부(10)에서 발생하는 오염 입자가 상기 조명 광학부(20)로 유입되는 것을 방지하기 위하여 메시 부재(21)를 그 사이에 구비하고 상기 메시 부재(21)에 인가하는 전압(Vp1)을 양(+)의 전압으로 인가하여 음(-) 전하를 띄는 오염 입자를 포집하거나, 또는 상기 메시 부재에 인가하는 전압(Vp1)을 음(-)의 전압으로 인가하여 음(-) 전하를 띄는 오염 입자를 밀어내게 된다.In addition, in order to prevent contaminant particles generated from the EUV
상기 조명 광학부(20)와 패터닝 디바이스(40) 사이에도 메시 부재(22)를 구비하고 상기 메시 부재(22)에 인가하는 전압(Vp2)을 양(+)의 전압으로 인가하여 음(-) 전하를 띄는 오염 입자가 상기 패터닝 디바이스(40)로 유입되지 않도록 포집하게 된다.A
상기 메시 부재(21)에 인가되는 양(+) 또는 음(-)의 전압(Vp1)과 상기 메시 부재(22)에 인가되는 양(+)의 전압(Vp2)에 의해서 오염 입자를 일차적으로 포집 또는 차단하고 상기 조명 광학부(20) 내로 유입된 오염 입자는 포집할 수 있고, 상기 오염 입자의 운동량을 고려하여 상기 메시 부재(21)에 인가되는 양(+) 또는 음(-)의 전압(Vp1)의 절대치와 상기 메시 부재(22)에 인가되는 양(+)의 전압(Vp2)의 절대치가 서로 다르게 설정될 수 있는데, 상기 EUV 광원부(10)에서 발생하여 방출되는 오염 입자의 운동량이 더 클 수 있다는 점에서 상기 메시 부재(21)에 인가되는 양(+) 또는 음(-)의 전압(Vp1)의 절대치가 상기 메시 부재(22)에 인가되는 양(+)의 전압(Vp2)의 절대치보다 더 크게 설정되는 것이 바람직하다.Contaminant particles are primarily removed by a positive (+) or negative (-) voltage V p1 applied to the
도 6은 본 발명의 극자외선 노광 장치의 또 다른 일실시예의 전체적인 구성도를 도시한다.6 is a view showing the overall configuration of another embodiment of the extreme ultraviolet exposure apparatus of the present invention.
도 6을 참조하면, 본 발명의 또 다른 실시예인 극자외선 노광 장치는 EUV 광원부(10), 조명 광학부(20), 투영 광학부(30)를 구비하고, 상기 EUV 광원부(10)는 극자외선을 발생시키고, 상기 조명 광학부(20)는 극자외선을 마스크 또는 레티클이라고 불리는 패터닝 디바이스(40)로 유도하고, 상기 패터닝 디바이스(40)는 상기 극자외선을 반사하고, 상기 투영 광학부(30)는 상기 패터닝 디바이스(40)에서 반사된 극자외선을 포토 레지스트(51)가 코팅된 기판(50)의 특정 영역으로 유도하여 노광 공정을 수행하게 된다.Referring to FIG. 6 , an extreme ultraviolet exposure apparatus according to another embodiment of the present invention includes an EUV
또한 EUV 광원부(10)에서 발생하는 오염 입자가 상기 조명 광학부(20)로 유입되는 것을 방지하기 위하여 메시 부재(21)를 그 사이에 구비하고 상기 메시 부재에 인가하는 전압(Vp1)을 음(-)의 전압으로 인가하여 음(-) 전하를 띄는 오염 입자를 밀어내게 된다.In addition, in order to prevent the contaminant particles generated from the EUV
상기 조명 광학부(20)와 패터닝 디바이스(40) 사이에도 메시 부재(22)를 구비하고 상기 메시 부재(22)에 음(-)의 전압(Vp2)을 인가하여 음(-) 전하를 띄는 오염 입자가 상기 패터닝 디바이스(40)로 유입되지 않도록 차단하게 된다.A
상기 조명 광학부(20)와 패터닝 디바이스(40) 사이에도 메시 부재(22)를 구비하고 상기 메시 부재(22)에 인가하는 전압(Vp2)을 양(+)의 전압으로 인가하여 음(-) 전하를 띄는 오염 입자가 상기 패터닝 디바이스(40)로 유입되지 않도록 포집하게 된다.A
상기 메시 부재(21)에 인가되는 음(-)의 전압(Vp1)과 상기 메시 부재(22)에 인가되는 양(+)의 전압(Vp2)에 의해서 오염 입자를 일차적으로 차단하고 상기 조명 광학부(20) 내로 유입된 오염 입자는 포집할 수 있고, 상기 오염 입자의 운동량을 고려하여 상기 메시 부재(21)에 인가되는 음(-)의 전압(Vp1)의 절대치와 상기 메시 부재(22)에 인가되는 양(+)의 전압(Vp2)의 절대치가 서로 다르게 설정될 수 있는데, 상기 EUV 광원부(10)에서 발생하여 방출되는 오염 입자의 운동량이 더 클 수 있다는 점에서 상기 메시 부재(21)에 인가되는 음(-)의 전압(Vp1)의 절대치가 상기 메시 부재(22)에 인가되는 양(+)의 전압(Vp2)의 절대치보다 더 크게 설정되는 것이 바람직하다.Contaminant particles are primarily blocked by the negative (-) voltage (V p1 ) applied to the mesh member ( 21 ) and the positive (+) voltage (V p2 ) applied to the mesh member ( 22 ) and the illumination The contaminant particles introduced into the
상기 패터닝 디바이스(40)에는 오염 입자가 흡착되어 패터닝 오류가 발생하는 것을 방지하기 위하여 펠리클(41)을 부착하여 상기 패터닝 디바이스(40)를 보호하게 되는데, 상기 펠리클(41)에도 인가하는 전압(Vp3)을 음(-)의 전압으로 인가하여 음(-) 전하를 띄는 오염 입자가 상기 펠리클(41)에 흡착되어 패터닝 오류를 일으키는 것을 방지할 수 있게 된다.A
상기 패터닝 디바이스(40)에 오염 물질이 흡착되어 패터닝 오류가 발생하는 것을 방지하기 위하여 펠리클(41)을 부착하더라도 상기 펠리클(41)에 흡착되는 오염 입자의 크기가 10 ~ 20 마이크로미터 정도 이상이 되면 패터닝 오류를 일으키게 되므로, 상기 펠리클(41)에 인가하는 전압(Vp3)을 음(-)의 전압으로 인가하여 상기 펠리클(41)에 오염 입자가 흡착되는 것을 방지함으로써 패터닝 오류를 일으키는 것을 더욱 더 방지할 수 있게 된다.Even if the
상기 메시 부재(21)에 인가되는 음(-)의 전압(Vp1)과 상기 메시 부재(22)에 인가되는 양(+)의 전압(Vp2)에 의해서 오염 입자를 이중으로 차단하고, 상기 펠리클(41)에 인가되는 음(-)의 전압(Vp3)에 의해서 오염 입자가 상기 펠리클(41)에 흡착되는 것을 방지할 수 있고, 상기 오염 입자의 운동량을 고려하여 상기 메시 부재(21)에 인가되는 음(-)의 전압(Vp1)의 절대치, 상기 메시 부재(22)에 인가되는 양(+)의 전압(Vp2)의 절대치, 상기 펠리클(41)에 인가되는 음(-)의 전압(Vp3)의 절대치가 서로 다르게 설정될 수 있는데, 상기 EUV 광원부(10)에서 발생하여 방출되는 오염 입자의 운동량이 더 클 수 있다는 점에서 상기 메시 부재(21)에 인가되는 음(-)의 전압(Vp1)의 절대치가 상기 메시 부재(22)에 인가되는 양(+)의 전압(Vp2)의 절대치와 상기 펠리클(41)에 인가되는 음(-)의 전압(Vp3)의 절대치보다 더 크게 설정되는 것이 바람직하고, 상기 메시 부재(22)에 인가되는 양(+)의 전압(Vp2)의 절대치가 상기 펠리클(41)에 인가되는 음(-)의 전압(Vp3)의 절대치보다 더 크게 설정되는 것이 바람직하다.The contaminant particles are double blocked by the negative (-) voltage V p1 applied to the
도 7은 본 발명의 극자외선 노광 장치의 메시 부재에 인가되는 음(-)의 펄스 전압 파형을 도시하고, 도 8은 본 발명의 극자외선 노광 장치의 메시 부재에 인가되는 양(+)의 펄스 전압 파형을 도시한다.7 shows a negative (-) pulse voltage waveform applied to the mesh member of the extreme ultraviolet exposure apparatus of the present invention, and FIG. 8 is a positive (+) pulse applied to the mesh member of the extreme ultraviolet exposure apparatus of the present invention. The voltage waveform is shown.
도 7, 도 8을 참조하면, 상기 메시 부재(21)에 인가되는 전압(Vp1)은 양(+) 또는 음(-)의 펄스 전압(Vp+, Vp-)이고, 상기 메시 부재(22)에 인가되는 전압(Vp2)도 양(+) 또는 음(-)의 펄스 전압 펄스 전압(Vp+, Vp-)이며, 상기 펠리클(41)에 인가되는 전압(Vp3)은 음(-)의 펄스 전압 펄스 전압(Vp-)으로 인가될 수 있으며, 상기 메시 부재(21)에 인가되는 전압(Vp1), 상기 메시 부재(22)에 인가되는 전압(Vp2), 상기 펠리클(41)에 인가되는 전압(Vp3)을 펄스 전압으로 인가하는 경우 듀티비를 서로 다르게 조절하여 음(-) 또는 양(+)으로 있는 시간(t1)을 증가 또는 감소시킬 수 있다.7 and 8, the voltage V p1 applied to the
특히, 듀티비를 조절하는 경우, 상기 메시 부재(21)에 인가되는 전압(Vp1)이 상기 메시 부재(22)에 인가되는 전압(Vp2)과 상기 펠리클(41)에 인가되는 전압(Vp3)보다 양(+) 또는 음(-)으로 있는 시간(t1)이 더 크게 설정되는 것이 바람직하고, 상기 메시 부재(22)에 인가되는 전압(Vp2)이 상기 펠리클(41)에 인가되는 전압(Vp3)보다 양(+) 또는 음(-)으로 있는 시간(t1)이 더 크게 설정되는 것이 바람직하다.In particular, when the duty ratio is adjusted, the voltage V p1 applied to the
도 9은 본 발명의 극자외선 노광 장치의 패터닝 디바이스에 부착되는 펠리클의 일실시예의 구체적인 구성도를 도시고, 도 10는 본 발명의 극자외선 노광 장치의 패터닝 디바이스에 부착되는 펠리클의 다른 일실시예의 구체적인 구성도를 도시하며, 도 11은 본 발명의 극자외선 노광 장치의 패터닝 디바이스에 부착되는 펠리클의 또 다른 일실시예의 구체적인 구성도를 도시한다.9 shows a specific configuration diagram of an embodiment of a pellicle attached to the patterning device of the extreme ultraviolet exposure apparatus of the present invention, and FIG. 10 is another embodiment of the pellicle attached to the patterning device of the extreme ultraviolet exposure apparatus of the present invention. It shows a specific configuration diagram, and FIG. 11 shows a specific configuration diagram of another embodiment of the pellicle attached to the patterning device of the extreme ultraviolet exposure apparatus of the present invention.
도 9, 도 10, 도 11을 참조하면, 패터닝 디바이스(40)에 부착되는 펠리클(41)은 다층막으로 형성될 수 있고, 상기 다층막으로는 일반적으로 캐핑층(41a), EUV 투과층(41b), 열방출층(41c)을 포함할 수 있으며, 이외에도 상기 층들을 교대로 복수개 적층하여 형성할 수도 있다.9, 10, and 11 , the
상기 캐핑층(41a)은 열방출과 내화학성이 우수한 물질로서 티타늄(Ti), 탄탈럼(Ta), 텅스텐(W), 몰리브데넘(Mo), 크롬(Cr), 코발트(Co), 붕소(B), 탄 소(C), 니켈(Ni), 금(Au), 백금(Pt), 또는 탄소 나노 구조체 등을 포함할 수 있고, 상기 EUV 투과층(41b)은 극자외선에 대한 투과도가 높은 물질로서 베릴륨(Be), 붕소(B), 탄소(C), 실리콘/규소(Si), 인(P), 황(S), 칼륨(K), 칼슘(Ca), 스칸듐(Sc), 브로민(Br), 루비듐(Rb), 스트론튬(Sr), 이트륨(Y), 지르코늄(Zr), 나이오븀(Nb), 몰리브데넘(Mo), 바륨(Ba), 란타넘(La), 세륨(Ce), 프라세오디뮴(Pr), 우라늄(U) 등을 포함할 수 있으며, 상기 열방출층(41c)은 펠리클의 냉각효과를 높일 수 있는 물질로서 금속 또는 탄소 나노 구조체 등을 포함할 수 있다.The
상기 다층막으로 형성되는 펠리클(41)은 패터닝 디바이스(40)에 부착되어 오염 물질이 상기 패터닝 디바이스(40)에 흡착되어 패터닝 오류가 발생하는 것을 방지하게 되지만, 상기 펠리클(41)에 흡착되는 오염 입자의 크기가 10 ~ 20 마이크로미터 정도 이상이 되면 역시 패터닝 오류를 일으키게 되므로, 상기 펠리클(41)에도 음(-)의 전압(Vp3)을 인가하여 상기 펠리클(41)에 오염 입자가 흡착되는 것을 방지함으로써 패터닝 오류를 일으키는 것을 더욱 더 방지할 수 있게 된다.The
특히 다층막으로 형성되는 펠리클(41)에 인가하는 전압(Vp3)을 음(-)의 전압으로 인가하는 경우 적어도 하나의 도전성을 갖는 층에 음(-)의 전압을 인가할 수 있고, 상기 캐핑층(41a) 또는 열방출층(41c)에 음(-)의 전압을 인가하는 것이 바람직하다.In particular, when the voltage V p3 applied to the
한편, 도면에 구체적으로 도시된 바는 없으나, 상기 펠리클(41)은 다층막으로 형성되는 펠리클막과 상기 펠리클막을 지지하는 프레임으로 구성될 수 있는데, 상기 펠리클막의 다층막을 구분하여 전압(Vp3)을 인가하기 보다는 펠리클막의 다층막을 구분하지 않고 펠리클막 전체에 전압(Vp3)을 인가할 수도 있다.On the other hand, although not specifically shown in the drawings, the
10: EUV 광원부
11: 레이저 광원
12: 타겟 공급부
13: 집광부
20: 조명 광학부
21, 22: 메시 부재
30: 투영 광학부
40: 패터닝 디바이스
41: 펠리클
41a: 캐핑층
41b: EUV 투과층
41c: 열방출층
50: 기판
51: 포토 레지스트10: EUV light source unit
11: laser light source
12: target supply
13: light collecting unit
20: illumination optics
21, 22: no mesh
30: projection optics
40: patterning device
41: pellicle
41a: capping layer
41b: EUV transmission layer
41c: heat dissipation layer
50: substrate
51: photoresist
Claims (13)
극자외선 광원부,
상기 극자외선 광원부로부터 생성되는 광을 패터닝 디바이스로 유도하는 조명 광학부,
상기 극자외선 광원부와 상기 조명 광학부 사이에 설치되는 제 1 오염 입자 포집부,
상기 패터닝 디바이스로부터 반사되는 광을 광 감응 층이 적층된 기판으로 유도하는 투영 광학부를 포함하고,
제 1 오염 입자 포집부에 양(+)의 전압이 인가되는 것을 특징으로 하는 오염 방지 기능을 갖는 극자외선 노광 장치.
In the extreme ultraviolet exposure apparatus having a contamination prevention function,
extreme ultraviolet light source,
an illumination optical unit for guiding the light generated from the extreme ultraviolet light source unit to a patterning device;
a first contaminant particle collecting unit installed between the extreme ultraviolet light source unit and the illumination optical unit;
projection optics for directing the light reflected from the patterning device to the substrate on which the light-sensitive layer is laminated;
An extreme ultraviolet exposure apparatus having a pollution prevention function, characterized in that a positive (+) voltage is applied to the first contaminant particle collecting unit.
제 1 오염 입자 포집부에 인가되는 양(+)의 전압을 양(+)의 펄스 전압으로 인가하는 것을 특징으로 하는 오염 방지 기능을 갖는 극자외선 노광 장치.
The method of claim 1,
An extreme ultraviolet exposure apparatus having a pollution prevention function, characterized in that a positive (+) voltage applied to the first contaminant particle collecting unit is applied as a positive (+) pulse voltage.
상기 조명 광학부와 상기 패터닝 디바이스 사이에 설치되는 제 2 오염 입자 포집부를 더 포함하고,
제 2 오염 입자 포집부에 양(+)의 전압이 인가되는 것을 특징으로 하는 오염 방지 기능을 갖는 극자외선 노광 장치.
The method of claim 1,
Further comprising a second contaminant particle collecting unit installed between the illumination optical unit and the patterning device,
An extreme ultraviolet exposure apparatus having a contamination prevention function, characterized in that a positive (+) voltage is applied to the second contaminant particle collecting unit.
제 1 오염 입자 포집부에 인가되는 양(+)의 전압의 절대치가 제 2 오염 입자 포집부에 인가되는 양(+)의 전압의 절대치보다 큰 것을 특징으로 하는 오염 방지 기능을 갖는 극자외선 노광 장치.
4. The method of claim 3,
The extreme ultraviolet exposure apparatus having a pollution prevention function, characterized in that the absolute value of the positive voltage applied to the first contaminant particle collecting unit is greater than the absolute value of the positive voltage applied to the second contaminating particle collecting unit. .
제 1 오염 입자 포집부와 제 2 오염 입자 포집부에 인가되는 양(+)의 전압을 양(+)의 펄스 전압으로 인가하는 것을 특징으로 하는 오염 방지 기능을 갖는 극자외선 노광 장치.
4. The method of claim 3,
An extreme ultraviolet exposure apparatus having a pollution prevention function, wherein a positive (+) voltage applied to the first contaminating particle collecting unit and the second contaminating particle collecting unit is applied as a positive (+) pulse voltage.
The extreme ultraviolet exposure apparatus of claim 3 , wherein the first contaminant particle collecting unit and the second contaminating particle collecting unit are formed of a mesh member.
상기 패터닝 디바이스 상부에 부착되는 펠리클을 더 포함하고,상기 펠리클에 음(-)의 전압이 인가되는 것을 특징으로 하는 오염 방지 기능을 갖는 극자외선 노광 장치.
The method of claim 1,
Further comprising a pellicle attached to the upper portion of the patterning device, Extreme ultraviolet exposure apparatus having a pollution prevention function, characterized in that a negative (-) voltage is applied to the pellicle.
상기 펠리클에 인가되는 음(-)의 전압을 음(-)의 펄스 전압으로 인가하는 것을 특징으로 하는 오염 방지 기능을 갖는 극자외선 노광 장치.
8. The method of claim 7,
An extreme ultraviolet exposure apparatus having a pollution prevention function, characterized in that the negative (-) voltage applied to the pellicle is applied as a negative (-) pulse voltage.
극자외선 광원부,
상기 극자외선 광원부로부터 생성되는 광을 패터닝 디바이스로 유도하는 조명 광학부,
상기 극자외선 광원부와 상기 조명 광학부 사이에 설치되는 오염 입자 차단부,
상기 조명 광학부와 상기 패터닝 디바이스 사이에 설치되는 오염 입자 포집부를 포함하고,
상기 오염 입자 차단부에 음(-)의 전압이 인가되고, 상기 오염 입자 포집부에 양(+)의 전압이 인가되는 것을 특징으로 하는 오염 방지 기능을 갖는 극자외선 노광 장치.
In the extreme ultraviolet exposure apparatus having a contamination prevention function,
extreme ultraviolet light source,
an illumination optical unit for guiding the light generated from the extreme ultraviolet light source unit to a patterning device;
a pollutant particle blocking unit installed between the extreme ultraviolet light source unit and the illumination optical unit;
and a contaminant particle collecting unit installed between the illumination optical unit and the patterning device,
A negative (-) voltage is applied to the polluting particle blocking unit and a positive (+) voltage is applied to the polluting particle collecting unit.
상기 오염 입자 차단부에 인가되는 음(-)의 전압을 음(-)의 펄스 전압으로 인가하고, 상기 오염 입자 포집부에 인가되는 양(+)의 전압을 양(+)의 펄스 전압으로 인가하는 것을 특징으로 하는 오염 방지 기능을 갖는 극자외선 노광 장치.
10. The method of claim 9,
A negative (-) voltage applied to the polluting particle blocking unit is applied as a negative (-) pulse voltage, and a positive (+) voltage applied to the polluting particle collecting unit is applied as a positive (+) pulse voltage. Extreme ultraviolet exposure apparatus having a pollution prevention function, characterized in that.
극자외선 광원부로부터 발생되는 오염 입자가 조명 광학부로 유입되는 것을 차단하기 위한 메시 부재,
상기 메시 부재에 양(+)의 전압을 인가하는 전원 입력부를 포함하고,
상기 극자외선 광원부로부터 발생되는 오염 입자는 음(-)으로 대전되어 상기 메시 부재에 양(+)의 전압이 인가되는 경우 조명 광학부로 유입되는 것이 차단되어 포집되는 것을 특징으로 하는 극자외선 광원부와 조명 광학부 사이에 설치되는 오염 입자 포집부.
In the contaminant particle collecting unit installed between the extreme ultraviolet light source unit and the illumination optical unit,
A mesh member for blocking the contaminant particles generated from the extreme ultraviolet light source from flowing into the lighting optics;
and a power input for applying a positive (+) voltage to the mesh member,
The extreme ultraviolet light source unit and lighting, characterized in that the pollutant particles generated from the extreme ultraviolet light source unit are negatively charged and are blocked from flowing into the lighting optical unit when a positive (+) voltage is applied to the mesh member. A contaminant particle collecting unit installed between the optics.
극자외선 광원부로부터 발생되는 오염 입자가 패터닝 디바이스로 유입되는 것을 차단하기 위한 메시 부재,
상기 메시 부재에 양(+)의 전압을 인가하는 전원 입력부를 포함하고,
상기 극자외선 광원부로부터 발생되는 오염 입자는 음(-)으로 대전되어 상기 메시 부재에 양(+)의 전압이 인가되는 경우 패터닝 디바이스로 유입되는 것이 차단되어 포집되는 것을 특징으로 하는 극자외선 광원부와 패터닝 디바이스 사이에 설치되는 오염 입자 포집부.
In the contaminant particle collecting unit installed between the extreme ultraviolet light source unit and the patterning device,
A mesh member for blocking the contaminant particles generated from the extreme ultraviolet light source from flowing into the patterning device;
and a power input for applying a positive (+) voltage to the mesh member,
The extreme ultraviolet light source unit and patterning, characterized in that the pollutant particles generated from the extreme ultraviolet light source are negatively (-) charged and are blocked from flowing into the patterning device when a positive (+) voltage is applied to the mesh member. A contaminant collecting unit installed between the devices.
상기 메시 부재에 인가되는 양(+)의 전압을 양(+)의 펄스 전압으로 인가하는 것을 특징으로 하는 오염 방지 기능을 갖는 극자외선 노광 장치.11. The method according to claim 9 or 10,
An extreme ultraviolet exposure apparatus having a pollution prevention function, characterized in that the positive (+) voltage applied to the mesh member is applied as a positive (+) pulse voltage.
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| Country | Link |
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| KR (1) | KR102625228B1 (en) |
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