KR20220096961A - Hot stamping component, and method for manufacturing the same - Google Patents

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Abstract

A hot stamping component according to one embodiment of the present invention comprises: a steel plate; a plating layer including an intermixed layer, a first layer (Al-rich Fe_xAl_ySi_z), a second layer (Fe-rich Fe_xAl_ySi_z), and a third layer (Al-rich Fe_xAl_ySi_z) located on the steel plate and sequentially laminated; and an oxide layer located on the plating layer and having a thickness of 30 nm to 100 nm. The hot stamping component has improved weldability.

Description

핫 스탬핑 부품, 및 이의 제조 방법 {HOT STAMPING COMPONENT, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME}HOT STAMPING COMPONENT, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

본 발명은 핫 스탬핑 부품, 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.FIELD OF THE INVENTION The present invention relates to hot stamping parts and methods of manufacturing the same.

자동차 조립에 있어서 접합 및 용접은 필수적이다. 다양한 장점을 가진 저항 점 용접 공정은 차체 용접에 적합하여 가장 널리 적용되고 있는 용접법이다. 저항 점 용접부 품질은 차체 품질(강성 및 내구 특성 등)에 있어서 가장 중요한 관리 중점사항으로 용접 품질 확보가 가장 중요한 과제이다. Joining and welding are essential in automobile assembly. The resistance spot welding process with various advantages is the most widely applied welding method because it is suitable for car body welding. Resistance spot weld quality is the most important management point for car body quality (rigidity and durability characteristics, etc.), and securing welding quality is the most important task.

최근 차체 경량화 및 안정성 확보를 위해 핫 스탬핑 강판의 적용 비율이 증대되는 상황에서 용접 품질 또한 이와 함께 확보되어야 하나, 실상 열간 성형용 핫 스탬핑 강의 용접특성은 열위한 실정이다. 고강도 강의 경우 높은 강성과 합금량으로 인해 접촉저항 및 체적저항이 높아 용접 전류 통전 시 발열 속도가 높다. 특히 알루미늄(Al)계 도금 핫 스탬핑 강판의 경우 핫 스탬핑 공법을 위한 가열로 열처리 공정에서 도금층 내 알루미늄(Al), 실리콘(Si)과 모재 내 철(Fe)의 확산으로 인해 합금화 반응이 나타나고, 이로 인해 상호 확산층(interdiffusion layer) 및 다양한 금속간 화합물(IMC) 층이 형성되어 표면 저항이 증가하여 용접시 날림(expulsion)이 발생하고 민감도가 매우 높아 용접성은 더욱 취약하다. 그래서 중간 날림(expulsion) 발생에 민감하고 중간 날림(expulsion) 발생으로 인해 너겟 성장에 한계를 보이는 등 내부 결함이 발생하여 품질 확보에 어려움이 있다.In recent years, in a situation in which the application rate of hot stamping steel sheet is increasing in order to reduce vehicle body weight and secure stability, welding quality must also be secured along with this, but in reality, the welding characteristics of hot stamping steel for hot forming are poor. In the case of high-strength steel, the contact resistance and volume resistance are high due to high rigidity and alloy content, so the heat generation rate is high when the welding current is applied. In particular, in the case of aluminum (Al)-based plated hot stamping steel sheet, an alloying reaction occurs due to diffusion of aluminum (Al) and silicon (Si) in the plating layer and iron (Fe) in the base material in the heating furnace heat treatment process for the hot stamping method. Due to this, an interdiffusion layer and various intermetallic compound (IMC) layers are formed, which increases the surface resistance, so that expulsion occurs during welding, and the weldability is more vulnerable because the sensitivity is very high. Therefore, it is sensitive to occurrence of intermediate expulsion and internal defects such as limiting nugget growth due to occurrence of intermediate expulsion occur, making it difficult to secure quality.

이와 관련된 기술로는 대한민국 특허공개공보 제10-2018-0095757호(발명의 명칭: 핫 스탬핑 부품의 제조방법) 등이 있다.As a related technology, there is Korean Patent Laid-Open Publication No. 10-2018-0095757 (Title of the Invention: Method of Manufacturing Hot Stamping Part).

제10-2018-0095757호No. 10-2018-0095757

본 발명의 실시예들은 용접성이 향상된 핫 스탬핑 부품, 및 이의 제조 방법을 제공한다.SUMMARY Embodiments of the present invention provide a hot stamping part with improved weldability, and a method of manufacturing the same.

본 발명의 일 실시예에 따른 핫 스탬핑 부품은 강판; 상기 강판 상에 위치하며, 순차적으로 적층된 상호혼합층, 제1 층(Al-rich FexAlySiz), 제2 층(Fe-rich FexAlySiz), 및 제3 층(Al-rich FexAlySiz)을 포함하는 도금층; 및 상기 도금층 상에 위치하고 30 nm 내지 100 nm의 두께를 갖는 산화층을 포함한다.A hot stamping part according to an embodiment of the present invention includes a steel plate; An intermixed layer, a first layer (Al-rich Fe x Al y Si z ), a second layer (Fe-rich Fe x Al y Si z ), and a third layer (Al) disposed on the steel plate and sequentially stacked -rich Fe x Al y Si z ) including a plating layer; and an oxide layer positioned on the plating layer and having a thickness of 30 nm to 100 nm.

상기 상호혼합층은 상기 강판과 인접하는 제1 상호혼합층 및 상기 제1 상호혼합층과 인접하는 제2 상호혼합층을 포함하고, 상기 제1 상호혼합층 및 상기 제2 상호혼합층은 상이한 상을 가질 수 있다.The intermixed layer may include a first intermixed layer adjacent to the steel sheet and a second intermixed layer adjacent to the first intermixed layer, wherein the first intermixed layer and the second intermixed layer may have different phases.

상기 제2 상호혼합층의 Si 함량은 상기 제1 상호혼합층의 Si 함량보다 작을 수 있다.The Si content of the second intermixed layer may be less than the Si content of the first intermixed layer.

상기 제1 상호혼합층(Fe-rich FexAlySiz)은 x: 80wt% 내지 90wt%, y: 5wt% 내지 20wt%, z: 0wt% 초과 5wt% 이하이고, 상기 제2 상호혼합층(Fe-rich FexAlySiz)은 x: 40wt% 내지 60wt%, y: 30wt% 내지 50wt%, z: 0wt% 초과 20wt% 이하일 수 있다.The first intermixed layer (Fe-rich Fe x Al y Si z ) is x: 80wt% to 90wt%, y: 5wt% to 20wt%, z: more than 0wt% and 5wt% or less, and the second intermixed layer (Fe -rich Fe x Al y Si z ) is x: 40wt% to 60wt%, y: 30wt% to 50wt%, z: It may be more than 0wt% and 20wt% or less.

상기 상호혼합층의 전체 두께에 대한 상기 제2 상호혼합층의 두께 비율은 40 % 미만일 수 있다.A ratio of the thickness of the second intermixed layer to the total thickness of the intermixed layer may be less than 40%.

상기 상호혼합층은 4 ㎛ 내지 10 ㎛의 두께를 가질 수 있다.The intermixed layer may have a thickness of 4 μm to 10 μm.

상기 제2 상호혼합층은 상기 제2 층(Fe-rich FexAlySiz)과 동일한 상을 가질 수 있다.The second intermixed layer may have the same phase as the second layer (Fe-rich Fe x Al y Si z ).

상기 도금층에 대한 상기 제1 층 및 상기 제3 층의 면적분율은 40% 이상일 수 있다.An area fraction of the first layer and the third layer with respect to the plating layer may be 40% or more.

상기 제1 층(Al-rich FexAlySiz)은 x: 30wt% 내지 50wt%, y: 50wt% 내지 70wt%, z: 0wt% 초과 10wt% 이하이고, 상기 제2 층(Fe-rich FexAlySiz)은 x: 40wt% 내지 60wt%, y: 30wt% 내지 50wt%, z: 0wt% 초과 20wt% 이하이며, 상기 제3 층(Al-rich FexAlySiz)은 x: 30wt% 내지 50wt%, y: 50wt% 내지 70wt%, z: 0wt% 초과 10wt% 이하일 수 있다.The first layer (Al-rich Fe x Al y Si z ) is x: 30wt% to 50wt%, y: 50wt% to 70wt%, z: more than 0wt% and 10wt% or less, and the second layer (Fe-rich) Fe x Al y Si z ) is x: 40wt% to 60wt%, y: 30wt% to 50wt%, z: more than 0wt% and 20wt% or less, and the third layer (Al-rich Fe x Al y Si z ) is x: 30wt% to 50wt%, y: 50wt% to 70wt%, z: may be more than 0wt% and 10wt% or less.

본 발명의 일 실시예에 따른 핫 스탬핑 부품의 제조 방법은 서로 다른 온도 범위를 가지는 복수의 구간을 구비한 가열로 내로 블랭크를 투입하는 단계; 상기 블랭크를 단계적으로 가열하는 다단 가열 단계; 및 상기 블랭크를 균열 가열하는 균열 가열 단계를 포함하고, 상기 다단 가열 단계, 및 상기 균열 가열 단계에서는, 순차적으로 적층된 상호혼합층, 제1 층(Al-rich FexAlySiz), 제2 층(Fe-rich FexAlySiz), 및 제3 층(Al-rich FexAlySiz)을 포함하는 도금층이 형성되고, 상기 상호혼합층은 강판과 인접하는 제1 상호혼합층 및 상기 제1 상호혼합층과 인접하는 제2 상호혼합층을 포함하도록 형성된다.A method of manufacturing a hot stamping part according to an embodiment of the present invention includes: introducing a blank into a heating furnace having a plurality of sections having different temperature ranges; a multi-stage heating step of heating the blank step by step; and a crack heating step of crack heating the blank, wherein in the multi-stage heating step and the crack heating step, an intermixed layer sequentially stacked, a first layer (Al-rich Fe x Al y Si z ), a second A plating layer including a layer (Fe-rich Fe x Al y Si z ) and a third layer (Al-rich Fe x Al y Si z ) is formed, wherein the intermixed layer includes a first intermixed layer adjacent to the steel sheet and the formed to include a second intermixed layer adjacent to the first intermixed layer.

상기 복수의 구간에서 상기 블랭크를 다단 가열하는 구간의 길이와 상기 블랭크를 균열 가열하는 구간의 길이의 비는 1:1 내지 4:1을 만족할 수 있다.A ratio of a length of a section in which the blank is heated in multiple stages in the plurality of sections and a length of a section in which the blank is heated by cracking may satisfy 1:1 to 4:1.

상기 복수의 구간의 온도는 상기 가열로의 입구로부터 상기 가열로의 출구 방향으로 증가할 수 있다.The temperature of the plurality of sections may increase in a direction from the entrance of the heating furnace to the exit direction of the heating furnace.

상기 블랭크를 다단 가열하는 구간 중 서로 인접한 두 개의 구간들 간의 온도 차는 0℃ 보다 크고 100℃ 이하일 수 있다.The temperature difference between two adjacent sections of the section heating the blank in multiple stages may be greater than 0°C and less than or equal to 100°C.

상기 복수의 구간 중 상기 블랭크를 균열 가열하는 구간의 온도가 상기 블랭크를 다단 가열하는 구간들의 온도보다 높을 수 있다.A temperature of a section in which the blank is heated by cracking among the plurality of sections may be higher than a temperature of sections in which the blank is heated in multiple stages.

상기 블랭크는 상기 가열로 내에 180초 내지 360초 동안 체류할 수 있다.The blank may stay in the furnace for 180 seconds to 360 seconds.

상기 다단 가열 단계, 및 상기 균열 가열 단계에서는, 상기 도금층 상에 위치하되, 30 nm 내지 100 nm의 두께를 갖는 산화층이 형성될 수 있다.In the multi-stage heating step and the crack heating step, an oxide layer having a thickness of 30 nm to 100 nm may be formed on the plating layer.

상기 핫 스탬핑 부품은, 상기 제1 상호혼합층 및 상기 제2 상호혼합층은 상이한 상을 가질 수 있다.In the hot stamping part, the first intermixed layer and the second intermixed layer may have different phases.

상기 제1 상호혼합층의 Si 함량은 상기 제2 상호혼합층의 Si 함량보다 작을 수 있다. The Si content of the first intermixed layer may be less than the Si content of the second intermixed layer.

상기 제1 상호혼합층(Fe-rich FexAlySiz)은 x: 80wt% 내지 90wt%, y: 5wt% 내지 20wt%, z: 0wt% 초과 5wt% 이하이고, 상기 제2 상호혼합층(Fe-rich FexAlySiz)은 x: 40wt% 내지 60wt%, y: 30wt% 내지 50wt%, z: 0wt% 초과 20wt% 이하일 수 있다.The first intermixed layer (Fe-rich Fe x Al y Si z ) is x: 80wt% to 90wt%, y: 5wt% to 20wt%, z: more than 0wt% and 5wt% or less, and the second intermixed layer (Fe -rich Fe x Al y Si z ) is x: 40wt% to 60wt%, y: 30wt% to 50wt%, z: It may be more than 0wt% and 20wt% or less.

상기 상호혼합층의 전체 두께에 대한 상기 제2 상호혼합층의 두께 비율은 40% 미만일 수 있다.A ratio of the thickness of the second intermixed layer to the total thickness of the intermixed layer may be less than 40%.

상기 상호혼합층은 4 ㎛ 내지 10 ㎛의 두께를 가질 수 있다.The intermixed layer may have a thickness of 4 μm to 10 μm.

상기 제2 상호혼합층은 상기 제2 층(Fe-rich FexAlySiz)과 동일한 상을 가질 수 있다.The second intermixed layer may have the same phase as the second layer (Fe-rich Fe x Al y Si z ).

상기 균열 가열 단계 이후에, 상기 균열 가열된 블랭크를 상기 가열로로부터 프레스 금형으로 이송하는 단계; 상기 이송된 블랭크를 핫 스탬핑하여 성형체를 형성하는 단계; 및 상기 형성된 성형체를 냉각하는 단계를 더 포함할 수 있다.after the crack heating step, transferring the crack-heated blank from the heating furnace to a press mold; forming a molded body by hot stamping the transferred blank; and cooling the formed body.

본 발명의 실시예들에 의하면, 핫 스탬핑용 블랭크를 다단 가열 및 균열 가열함으로써 용접성이 우수한 층을 포함하는 다중층의 도금층을 형성하고, 상기 가열 단계의 온도를 제어함으로써 산화 피막의 두께를 감소시켜 용접성을 극대화할 수 있다.According to the embodiments of the present invention, a multi-layer plating layer including a layer having excellent weldability is formed by multi-stage heating and crack heating of a blank for hot stamping, and the thickness of the oxide film is reduced by controlling the temperature of the heating step. Weldability can be maximized.

도 1은 핫 스탬핑 동종 용접 부위에서 용융물의 비산 흔적을 보여주는 사진이다.
도 2는 용융물의 비산으로 인해 기공이 형성되어 용접 품질에 편차가 발생한 예를 보여주는 사진이다.
도 3a 및 도 3b는 일 실시예에 따른 핫 스탬핑용 부품의 단면을 도시한 단면도이다.
도 4는 일 실시예에 따른 핫 스탬핑 부품의 제조 방법을 개략적으로 도시한 순서도이다.
도 5는 일 실시예에 따른 핫 스탬핑 부품의 제조 방법의 다단 가열 단계,및 균열 가열 단계에 있어서, 복수의 구간을 구비한 가열로를 설명하기 위해 도시한 도면이다.
도 6은 일 실시예에 따른 핫 스탬핑 부품의 균열 가열 온도에 따른 부품 특성을 비교한 도면이다.
도 7은 일 실시예에 따른 핫 스탬핑 부품의 균열 가열 온도에 따른 표면접촉 저항을 비교한 그래프이다.
도 8은 서로 다른 실시예들에 따른 핫 스탬핑 부품의 단면을 도시한 단면도이다.
1 is a photograph showing traces of scattering of the melt in the hot stamping homogeneous welding site.
FIG. 2 is a photograph showing an example in which pores are formed due to scattering of the melt, resulting in a deviation in welding quality.
3A and 3B are cross-sectional views illustrating a cross-section of a component for hot stamping according to an embodiment.
4 is a flowchart schematically illustrating a method of manufacturing a hot stamping part according to an embodiment.
5 is a diagram illustrating a heating furnace having a plurality of sections in a multi-stage heating step and a crack heating step of a method for manufacturing a hot stamping part according to an embodiment.
6 is a view comparing the properties of the hot stamping parts according to the crack heating temperature according to the embodiment.
7 is a graph comparing surface contact resistance according to a crack heating temperature of a hot stamping part according to an embodiment.
8 is a cross-sectional view illustrating a cross-section of a hot stamping part according to different embodiments.

본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 본 발명의 효과, 및 특징 그리고 그것들을 달성하는 방법은 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 다양한 형태로 구현될 수 있다.Since the present invention can apply various transformations and can have various embodiments, specific embodiments are illustrated in the drawings and described in detail in the detailed description. Effects and features of the present invention and methods for achieving them will become apparent with reference to the embodiments described below in detail in conjunction with the drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below and may be implemented in various forms.

이하의 실시예에서, 제1, 제2 등의 용어는 한정적인 의미가 아니라 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하는 목적으로 사용되었다.In the following embodiments, terms such as first, second, etc. are used for the purpose of distinguishing one component from another, not in a limiting sense.

이하의 실시예에서, 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.In the following examples, the singular expression includes the plural expression unless the context clearly dictates otherwise.

이하의 실시예에서, 포함하다 또는 가지다 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 또는 구성요소가 존재함을 의미하는 것이고, 하나 이상의 다른 특징들 또는 구성요소가 부가될 가능성을 미리 배제하는 것은 아니다.In the following embodiments, terms such as include or have means that the features or components described in the specification are present, and the possibility that one or more other features or components will be added is not excluded in advance.

이하의 실시예에서, 막, 영역, 구성 요소 등의 부분이 다른 부분 위에 또는 상에 있다고 할 때, 다른 부분의 바로 위에 있는 경우뿐만 아니라, 그 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소 등이 개재되어 있는 경우도 포함한다.In the following embodiments, when it is said that a part such as a film, region, or component is on or on another part, not only when it is directly on the other part, but also another film, region, component, etc. is interposed therebetween. Including cases where there is

도면에서는 설명의 편의를 위하여 구성 요소들이 그 크기가 과장 또는 축소될 수 있다. 예컨대, 도면에서 나타난 각 구성의 크기, 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.In the drawings, the size of the components may be exaggerated or reduced for convenience of description. For example, since the size and thickness of each component shown in the drawings are arbitrarily indicated for convenience of description, the present invention is not necessarily limited to the illustrated bar.

어떤 실시예가 달리 구현 가능한 경우에 특정한 공정 순서는 설명되는 순서와 다르게 수행될 수도 있다. 예를 들어, 연속하여 설명되는 두 공정이 실질적으로 동시에 수행될 수도 있고, 설명되는 순서와 반대의 순서로 진행될 수 있다.In cases where certain embodiments may be implemented otherwise, a specific process sequence may be performed different from the described sequence. For example, two processes described in succession may be performed substantially simultaneously, or may be performed in an order opposite to the order described.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 도면을 참조하여 설명할 때 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면부호를 부여하기로 한다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings, and the same or corresponding components are given the same reference numerals when described with reference to the drawings.

이하에서, 저항 점 용접은 기본적으로 상, 하 두 전극으로 피 접합물을 가압한 후, 가압을 유지한 상태로 전극간에 전류를 통전시켜 피 접합물의 전기 저항열을 이용하여 용융시키는 용접법이다. 이때 접촉저항에 의해 접합면에서 발열이 시작된다. 알루미늄(Al)-실리콘(Si) 도금재의 경우, 핫 스탬핑 공법을 위한 가열로 열처리 공정에서 도금층 내의 알루미늄(Al) 및 실리콘(Si)과 모재의 철(Fe)의 상호 확산에 의해 합금화 반응이 나타나고, 이로 인해 상호확산층 및 다양한 금속간 화합물(IMC)이 형성되고, 표면층에는 산화 피막까지 형성될 수 있다. 따라서, 용접부의 표면 접촉저항이 매우 증가하며, 도금층이 맞닿은 접합부 계면에서는 전기저항에 의한 발열속도가 매우 높아 먼저 용융 너겟이 생성되고, 이러한 너겟의 급격한 성장으로 중간 날림(expulsion)이 발생하는 문제가 심화되고 용접품질이 저하된다. Hereinafter, resistance spot welding is a welding method in which an object to be joined is basically pressed with two upper and lower electrodes, and then a current is passed between the electrodes while maintaining the pressure to melt using the electrical resistance heat of the joined object. At this time, heat generation starts at the bonding surface due to the contact resistance. In the case of aluminum (Al)-silicon (Si) plating material, an alloying reaction occurs due to mutual diffusion of aluminum (Al) and silicon (Si) in the plating layer and iron (Fe) in the base material in the heating furnace heat treatment process for the hot stamping method. , thereby forming an interdiffusion layer and various intermetallic compounds (IMC), and even an oxide film may be formed on the surface layer. Therefore, the surface contact resistance of the welded part is very increased, and the heat generation rate due to electrical resistance is very high at the interface of the joint where the plating layer is in contact, so molten nuggets are first generated, and the rapid growth of these nuggets causes expulsion. deepening and the welding quality deteriorates.

도 1은 핫 스탬핑 동종 용접 부위에서 용융물의 비산 흔적을 보여주는 사진이고, 도 2는 용융물의 비산으로 인해 기공(노란 화살표 부분)이 형성되어 날림으로 인한 용접 품질에 편차가 발생한 예를 보여주는 사진이다. 이와 같이, 용융물의 비산으로 인해 핫 스탬핑 부품의 품질 확보 및 관리에 큰 어려움이 있다.1 is a photograph showing traces of scattering of the melt in the same type of hot stamping welding, and FIG. 2 is a photograph showing an example in which pores (yellow arrows) are formed due to the scattering of the melt, resulting in a deviation in welding quality due to blowing. As such, there is a great difficulty in securing and managing the quality of hot stamping parts due to scattering of the melt.

본 발명에서는 핫 스탬핑 공정 중에 부품의 표면 상에 산화 피막이 형성될 수 있고, 전술한 Al-Si 도금재의 경우 Al2O3 등의 알루미늄계 산화막이 형성될 수 있다. 알루미늄계 산화물은 저항 점 용접에 있어서 용접성을 저하시키는 물질로서, 용접 부위에서 저항이 높아지고 발열 속도가 매우 높아지고 용접성이 저하되는 문제점이 있었다. 이에 본 발명에서는 가열 온도를 제어하고 이에 따른 산화 피막의 두께를 제어함으로써 용접성이 향상된 핫 스탬핑 제조 방법 및 이에 따라 제조된 핫 스탬핑 부품을 제공하고자 한다.In the present invention, an oxide film may be formed on the surface of the component during the hot stamping process, and in the case of the Al-Si plating material described above, Al 2 O 3 An aluminum-based oxide film may be formed. Aluminum-based oxide is a material that reduces weldability in resistance spot welding, and has a problem in that the resistance is high at the welding site, the heat generation rate is very high, and the weldability is deteriorated. Accordingly, an object of the present invention is to provide a method for manufacturing hot stamping with improved weldability by controlling the heating temperature and thus the thickness of the oxide film, and a hot stamping part manufactured according to the method.

도 3a 및 도 3b는 일 실시예에 따른 핫 스탬핑용 부품의 단면을 도시한 단면도이다.3A and 3B are cross-sectional views illustrating a cross-section of a component for hot stamping according to an embodiment.

도 3a 및 도 3b를 참조하면, 핫 스탬핑용 부품(10)은 강판(100), 강판(100) 상에 위치하는 도금층(200) 및 상기 도금층(200) 상에 위치하는 산화층(300)을 포함할 수 있다. 도금층(200)과 산화층(300) 사이 또는 산화층(300) 상에 다른 층을 더 포함할 수도 있다.3A and 3B, the hot stamping component 10 includes a steel plate 100, a plating layer 200 positioned on the steel plate 100, and an oxide layer 300 positioned on the plating layer 200. can do. Another layer may be further included between the plating layer 200 and the oxide layer 300 or on the oxide layer 300 .

강판(100)은 소정의 합금 원소를 소정 함량 포함하도록 주조된 강 슬라브에 대해 열연 공정, 및/또는 냉연 공정을 진행하여 제조된 강판일 수 있다. 일 예로, 강판(100)은 탄소(C), 실리콘(Si), 망간(Mn), 인(P), 황(S), 티타늄(Ti), 보론(B), 잔부의 철(Fe), 및 기타 불가피한 불순물을 포함할 수 있다. 또한, 강판(100)은 니오븀(Nb), 몰리브덴(Mo), 및 알루미늄(Al) 중 하나 이상의 성분을 더 포함할 수 있다.The steel sheet 100 may be a steel sheet manufactured by performing a hot rolling process and/or a cold rolling process on a steel slab cast to contain a predetermined alloying element in a predetermined content. For example, the steel sheet 100 is carbon (C), silicon (Si), manganese (Mn), phosphorus (P), sulfur (S), titanium (Ti), boron (B), the balance iron (Fe), and other unavoidable impurities. In addition, the steel sheet 100 may further include one or more of niobium (Nb), molybdenum (Mo), and aluminum (Al).

도금층(200)은 강판(100)의 적어도 일면에 다중층으로 구비되고, 강판(100)으로부터 순차적으로 적층된 상호확산층(210), 제1 층(220), 제2 층(230) 및 제3 층(240)을 포함할 수 있다. 이하, 제1 층(220)은 Al-rich FexAlySiz, 제2 층(230)은 Fe-rich FexAlySiz, 제3 층(240)은 Al-rich FexAlySiz로 표기될 수 있다. 즉, 제1 층(220) 및 제3 층(240)은 Al-rich 층이고, 제2 층(230)은 Fe-rich 층일 수 있다. The plating layer 200 is provided in multiple layers on at least one surface of the steel sheet 100 , and the interdiffusion layer 210 , the first layer 220 , the second layer 230 and the third sequentially stacked from the steel sheet 100 . layer 240 . Hereinafter, the first layer 220 is Al-rich Fe x Al y Si z , the second layer 230 is Fe-rich Fe x Al y Si z , and the third layer 240 is Al-rich Fe x Al y It may be expressed as Si z . That is, the first layer 220 and the third layer 240 may be an Al-rich layer, and the second layer 230 may be an Fe-rich layer.

상호혼합층(210)은 강판(100)과 인접하는 제1 상호혼합층(211) 및 제1 상호혼합층(211)과 인접하는 제2 상호혼합층(212)을 포함하여, 일 실시예에 따른 도금층(200)은 최소 5중층 이상으로 구비될 수 있다. 두 상호혼합층(211, 212)는 서로 상이한 상을 가질 수 있다. 제1 상호혼합층(211) 및 제2 상호혼합층(212) 각각은 Fe-rich FexAlySiz으로 표기될 수 있고, 제1 상호혼합층(211)의 Si 함량은 제2 상호혼합층(21)의 Si 함량보다 작을 수 있다. 더 구체적으로, 제1 상호혼합층(211)은 x: 80wt% 내지 90wt%, y: 5wt% 내지 20wt%, z: 0wt% 초과 5wt% 이하이고, 제2 상호혼합층(212)은 x: 40wt% 내지 60wt%, y: 30wt% 내지 50wt%, z: 0wt% 초과 20wt% 이하일 수 있다. The intermixed layer 210 includes a first intermixed layer 211 adjacent to the steel sheet 100 and a second intermixed layer 212 adjacent to the first intermixed layer 211 , and the plating layer 200 according to an embodiment. ) may be provided with at least five layers or more. The two intermixed layers 211 and 212 may have different phases. Each of the first intermixed layer 211 and the second intermixed layer 212 may be denoted as Fe-rich Fe x Al y Si z , and the Si content of the first intermixed layer 211 is the second intermixed layer 21 . may be smaller than the Si content of More specifically, the first intermixed layer 211 has x: 80 wt% to 90 wt%, y: 5 wt% to 20 wt%, z: more than 0 wt% and 5 wt% or less, and the second intermixed layer 212 is x: 40 wt% to 60 wt%, y: 30 wt% to 50 wt%, z: may be more than 0 wt% and 20 wt% or less.

제1 상호혼합층(211)은 강판(100)과 인접하는 층으로서 제2 상호혼합층(212) 대비 상대적 고저항을 가지고, Al 함량은 상대적으로 낮으며, Si 함량 또한 상대적으로 낮다. 반대로 제2 상호혼합층(212)는 Al-rich 층인 제1 층(220)과 인접하는 층으로서 Al-rich 층인 제1 층(220) 대비 상대적 고저항을 가지고, Al 함량은 상대적으로 낮으며, Si 함량은 상대적으로 높다.The first intermixed layer 211 is a layer adjacent to the steel sheet 100 and has a relatively high resistance compared to the second intermixed layer 212 , and has a relatively low Al content and a relatively low Si content. Conversely, the second intermixed layer 212 is a layer adjacent to the first layer 220, which is an Al-rich layer, and has a relatively high resistance compared to the first layer 220, which is an Al-rich layer, and has a relatively low Al content, and Si The content is relatively high.

상호혼합층(210)의 전체 두께는 일 예로 약 4 ㎛ 내지 약 10 ㎛일 수 있다. The total thickness of the intermixed layer 210 may be, for example, about 4 μm to about 10 μm.

제1 층(220)은 Al-rich 층(Al-rich FexAlySiz)으로서, 일 예로 x=30~50wt%, y=50~70wt.%, z=0~10wt% 의 조성을 가질 수 있다. The first layer 220 is an Al-rich layer (Al-rich Fe x Al y Si z ), for example, having a composition of x=30-50wt%, y=50-70wt.%, z=0-10wt%. can

제2 층(230)은 Fe-rich 층(Fe-rich FexAlySiz)으로서, 일 예로 x=40~60wt%, y=30~50wt.%, z=0~20wt% 의 조성을 가질 수 있다.The second layer 230 is a Fe-rich layer (Fe-rich Fe x Al y Si z ), for example, having a composition of x = 40 to 60 wt%, y = 30 to 50 wt.%, z = 0 to 20 wt%. can

제3 층(240)은 Al-rich 층(Al-rich FexAlySiz)으로서, 일 예로 x=30~50wt%, y=50~70wt.%, z=0~10wt% 의 조성을 가질 수 있다.The third layer 240 is an Al-rich layer (Al-rich Fe x Al y Si z ), for example, having a composition of x=30-50wt%, y=50-70wt.%, z=0-10wt%. can

이때, 제2 상호혼합층(212)은 제2 층(Fe-rich FexAlySiz)(230)과 동일한 상을 가질 수 있다. In this case, the second intermixed layer 212 may have the same phase as the second layer (Fe-rich Fe x Al y Si z ) 230 .

강판(100)의 표면에 위치하는 상호혼합층(210)과 중간에 위치하는 제2 층(230)(Fe-rich)은 고저항 상(phase)을 갖는 층으로, 용접 시 높은 저항으로 인해 상기 고저항 상을 갖는 층의 분율이 높을수록 용접에 불리하다. Al-rich FexAlySiz 층인 제1 층(220) 및 제3 층(240)은 저저항의 상(phase)을 갖는 층으로 상기 저저항 상을 갖는 층의 분율이 높을수록 용접에 유리하다. 도금층(200)의 전기 저항, 즉 접촉 저항은 부품의 전기적 특성 및 층들 간의 분율과 밀접한 관련이 있다. 따라서, 이러한 고저항 층(210, 230)과 저저항 층(220, 240)은 분율을 최적화함으로써 핫 스탬핑 부품(10)의 용접성을 극대화할 수 있다. The intermixed layer 210 positioned on the surface of the steel sheet 100 and the second layer 230 (Fe-rich) positioned in the middle are layers having a high resistance phase, and due to the high resistance during welding, the high A higher fraction of a layer with a resistive phase is disadvantageous for welding. The first layer 220 and the third layer 240, which are Al-rich Fe x Al y Si z layers, are layers having a low-resistance phase, and the higher the fraction of the layer having the low-resistance phase, the more advantageous it is for welding. do. The electrical resistance of the plating layer 200, that is, the contact resistance, is closely related to the electrical properties of the component and the fraction between the layers. Accordingly, the high-resistance layers 210 and 230 and the low-resistance layers 220 and 240 can maximize the weldability of the hot stamping part 10 by optimizing the fraction.

일 예로, 용접성의 극대화를 위해 도금층(200) 전체에 대하여 저저항층인 제1 층(220) 및 제3 층(240)의 면적 분율은 약 40% 이상이고, 고저항층인 상호혼합층(210) 및 제2 층(230)의 면적 분율은 약 60% 이하로 제어될 수 있다. 상기 다중층으로 구비되는 도금층(200)을 구성하는 인자들을 수식으로 표현하면 다음과 같다.For example, in order to maximize weldability, the area fraction of the first layer 220 and the third layer 240, which are low-resistance layers, is about 40% or more with respect to the entire plating layer 200, and the intermixed layer 210, which is a high-resistance layer, is ) and the area fraction of the second layer 230 may be controlled to be about 60% or less. Factors constituting the plating layer 200 provided in the multi-layer are expressed by equations as follows.

40% < VAl-rich FexAlySiz ,  60%> V상호혼합층 + VFe-rich FexAlySiz = 1- VAl-rich FexAlySiz 40% < V Al-rich FexAlySiz , 60%> V intermixed layer + V Fe-rich FexAlySiz = 1- V Al-rich FexAlySiz

40% < VAl-rich FexAlySiz  (Al-rich FexAlySiz 에서 50wt% < y < 70wt%, 30wt% < x+z < 50wt%) 40% < V Al-rich FexAlySiz (50wt% < y < 70wt%, 30wt% < x+z < 50wt% in Al-rich FexAlySiz)

60% > V상호혼합층 + VFe-rich FexAlySiz  (Fe-rich FexAlySiz 에서 30wt% < y < 50wt%, 50wt% < x+z < 70wt%) 60% > V intermixed layer + V Fe-rich FexAlySiz (30wt% < y < 50wt%, 50wt% < x+z < 70wt% in Fe-rich FexAlySiz)

한편, 도금층(200)의 전기 저항은 도금층(200) 내의 실리콘(Si) 함량과 밀접한 관련이 있는데, 일반적으로 Si 함량이 감소할수록 점 용접 공정에서 스패터를 감소시키고 용접 강도를 확보할 수 있다. 즉, 본 발명에서는 상호혼합층(210) 중에서 Si 함량이 상대적으로 높은 제2 상호혼합층(212)의 분율(면적 또는 두께)이 낮을수록 용접성 확보에 유리하다. 따라서, 일 예로 상호혼합층(210)의 전체 두께에 대한 제2 상호혼합층(212)의 두께 비율은 약 40 % 미만일 수 있고, 상호혼합층(210)의 전체 두께에 대한 제1 상호혼합층(211)의 두께 비율은 약 60 % 초과일 수 있다. 일 예로, 상호혼합층(210)의 전체 두께에 대하여 제1 상호혼합층(211)은 약 62.3%, 제2 상호혼합층(212)은 약 37.7%의 분율을 가질 수 있다.On the other hand, the electrical resistance of the plating layer 200 is closely related to the silicon (Si) content in the plating layer 200, and in general, as the Si content decreases, spatter can be reduced in the spot welding process and welding strength can be secured. That is, in the present invention, the lower the fraction (area or thickness) of the second intermixed layer 212 having a relatively high Si content in the intermixed layer 210 is advantageous in securing weldability. Accordingly, for example, the ratio of the thickness of the second intermixed layer 212 to the total thickness of the intermixed layer 210 may be less than about 40%, and the thickness of the first intermixed layer 211 with respect to the total thickness of the intermixed layer 210 may be less than about 40%. The thickness ratio may be greater than about 60%. For example, the first intermixed layer 211 may have a fraction of about 62.3% and the second intermixed layer 212 may have a fraction of about 37.7% with respect to the total thickness of the intermixed layer 210 .

산화층(300)은 도금층(200) 상에 위치하는 핫 스탬핑 부품의 산화 피막으로서 알루미늄계 산화물, 일 예로 Al2O3을 포함할 수 있다. 산화층(300)의 두께는 약 30 nm 내지 약 100 nm일 수 있다. 핫 스탬핑 공정에서 가열 온도에 따라 산화층(300)의 두께가 다르게 형성될 수 있는데, 산화층(300)은 저항 점 용접시 저항을 증가시키고 발열 온도를 증가시켜 용접에 불리하므로 용접성 확보를 위해서는 그 두께를 최소화시키는 것이 필요하다. 이에 관하여는 후술하는 도 8에서 더 상세히 설명한다.The oxide layer 300 is an oxide film of the hot stamping part positioned on the plating layer 200 and may include an aluminum-based oxide, for example, Al 2 O 3 . The thickness of the oxide layer 300 may be about 30 nm to about 100 nm. In the hot stamping process, the thickness of the oxide layer 300 may be formed differently depending on the heating temperature. The oxide layer 300 increases resistance during resistance point welding and increases the exothermic temperature, which is disadvantageous for welding. It is necessary to minimize This will be described in more detail with reference to FIG. 8 to be described later.

도 4는 일 실시예에 따른 핫 스탬핑 부품의 제조 방법을 개략적으로 도시한 순서도이다.4 is a flowchart schematically illustrating a method of manufacturing a hot stamping part according to an embodiment.

도 4를 참조하면, 일 실시예에 따른 핫 스탬핑 부품의 제조 방법은 블랭크 형성 단계(S310), 다단 가열 단계(S320), 균열 가열 단계(S330), 이송 단계(S340), 형성 단계(S350), 및 냉각 단계(S360)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 4 , the method for manufacturing a hot stamping part according to an embodiment includes a blank forming step (S310), a multi-stage heating step (S320), a crack heating step (S330), a transferring step (S340), and a forming step (S350) , and a cooling step (S360).

블랭크 형성 단계(S310)는 도금층(200)이 형성된 강판(100)을 준비하고 재단하여 블랭크를 형성하는 단계일 수 있다. 블랭크 형성 단계(S310)에서는 강판을 목적에 따라 원하는 형상으로 재단하여 블랭크를 형성할 수 있다. 도금층(200)이 형성된 강판(100)을 준비하는 단계는, 핫 스탬핑 용으로 적용되는 공지의 조성을 가지는 강 슬라브를 준비하고, 상기 강 슬라브를 공지의 열간압연 및 냉간압연 중 적어도 하나를 수행한 후에 소둔 열처리함으로써, 강판재를 제조하는 과정으로 진행될 수 있다. 상기 소둔 열처리 후에, 상기 강판재 상에 Al-Si계 도금층 또는 Zn 도금층을 공지의 방법에 의해 형성할 수 있다. The blank forming step ( S310 ) may be a step of preparing and cutting the steel sheet 100 on which the plating layer 200 is formed to form a blank. In the blank forming step ( S310 ), a blank may be formed by cutting a steel sheet into a desired shape according to the purpose. In the step of preparing the steel sheet 100 on which the plating layer 200 is formed, a steel slab having a known composition applied for hot stamping is prepared, and the steel slab is subjected to at least one of known hot rolling and cold rolling. By annealing heat treatment, it may proceed to the process of manufacturing the steel sheet material. After the annealing heat treatment, an Al-Si-based plating layer or a Zn plating layer may be formed on the steel sheet material by a known method.

다단 가열 단계(S320)는 블랭크를 단계적으로 가열하는 단계일 수 있고, 균열 가열 단계(S330)는 균일한 온도로 다단 가열된 블랭크를 가열하는 단계일 수 있다. 다단 가열 단계(S320에서는 블랭크가 가열로 내에 구비된 복수의 구간을 통과하며 단계적으로 승온될 수 있다. 가열로 내에 구비된 복수의 구간 중 다단 가열 단계(S320)가 수행되는 구간은 복수 개 존재할 수 있고, 블랭크가 투입되는 가열로의 입구로부터 블랭크가 취출되는 가열로의 출구 방향으로 높아지도록 각 구간별로 온도가 설정되어 블랭크를 단계적으로 승온시킬 수 있다. 다단 가열 단계(S320) 이후에 균열 가열 단계(S330)가 이루어질 수 있다. 균열 가열 단계(S330)에서는 다단 가열된 블랭크가 Ac3 내지 1,000℃의 온도로 설정된 가열로의 구간을 통과하며 열처리될 수 있다. 바람직하게는 균열 가열 단계(S330)에서는 다단 가열된 블랭크를 900℃ 내지 1,000℃의 온도에서 균열 가열할 수 있다. 더욱 바람직하게는 균열 가열 단계(S330)에서는 다단 가열된 블랭크를 900℃ 내지 970℃의 온도에서 균열 가열할 수 있다. 또한, 가열로 내에 구비된 복수의 구간 중 균열 가열 단계(S330)가 수행되는 구간은 적어도 하나 이상일 수 있다. 상기 다단 가열 단계(S320) 및 균열 가열 단계(S330)의 구체적인 특징 및 나머지 단계들(S350~S370)에 관하여는 후술하는 도 5에서 더 설명한다.The multi-stage heating step (S320) may be a step of heating the blank step by step, and the crack heating step (S330) may be a step of heating the multi-step heated blank to a uniform temperature. In the multi-stage heating step (S320), the blank may pass through a plurality of sections provided in the heating furnace and the temperature may be raised step by step. Among the plurality of sections provided in the heating furnace, a plurality of sections in which the multi-stage heating step (S320) is performed may exist. In addition, the temperature is set for each section so as to increase from the inlet of the heating furnace into which the blank is input to the exit direction of the furnace in which the blank is taken out, so that the temperature of the blank can be increased step by step. (S330) may be made.In the crack heating step (S330), the multi-stage heated blank may be heat-treated while passing through the section of the heating furnace set at a temperature of Ac3 to 1,000° C. Preferably, in the crack heating step (S330) The multi-stage heated blank may be crack-heated at a temperature of 900° C. to 1,000° C. More preferably, in the crack heating step S330, the multi-stage heated blank may be crack-heated at a temperature of 900° C. to 970° C. Also , there may be at least one section in which the crack heating step (S330) is performed among a plurality of sections provided in the heating furnace.Specific features of the multi-stage heating step (S320) and the crack heating step (S330) and the remaining steps (S350) ~ S370) will be further described with reference to FIG. 5 to be described later.

도 5는 일 실시예에 따른 핫 스탬핑 부품의 제조 방법의 다단 가열 단계,및 균열 가열 단계에 있어서, 복수의 구간을 구비한 가열로를 설명하기 위해 도시한 도면이다.5 is a diagram illustrating a heating furnace having a plurality of sections in a multi-stage heating step and a crack heating step of a method for manufacturing a hot stamping part according to an embodiment.

도 5를 참조하면, 일 실시예에 따른 가열로는 서로 다른 온도 범위를 가지는 복수의 구간을 구비할 수 있다. 보다 구체적으로, 가열로는 제1 온도 범위(T1)를 가지는 제1 구간(P1), 제2 온도 범위(T2)를 가지는 제2 구간(P2), 제3 온도 범위(T3)를 가지는 제3 구간(P3), 제4 온도 범위(T4)를 가지는 제4 구간(P4), 제5 온도 범위(T5)를 가지는 제5 구간(P5), 제6 온도 범위(T6)를 가지는 제6 구간(P6), 및 제7 온도 범위(T7)를 가지는 제7 구간(P7)을 구비할 수 있다.Referring to FIG. 5 , the heating furnace according to an embodiment may include a plurality of sections having different temperature ranges. More specifically, the heating furnace has a first section P1 having a first temperature range T1 , a second section P2 having a second temperature range T2 , and a third section having a third temperature range T3 . A section P3, a fourth section P4 having a fourth temperature range T4, a fifth section P5 having a fifth temperature range T5, a sixth section having a sixth temperature range T6 ( P6), and a seventh section P7 having a seventh temperature range T7 may be provided.

일 예로, 다단 가열 단계(S320)에서는 블랭크가 가열로 내에 정의된 복수의 구간(예를 들어, 제1 구간(P1) 내지 제4 구간(P4))을 통과하며 단계적으로 다단 가열될 수 있다. 또한, 균열 가열 단계(S330)에서는 제1 구간(P1) 내지 제4 구간(P4)에서 다단 가열된 블랭크가 제5 구간(P5) 내지 제7 구간(P7)에서 균열 가열될 수 있다.For example, in the multi-stage heating step (S320), the blank may be heated in stages while passing through a plurality of sections (eg, the first section (P1) to the fourth section (P4)) defined in the heating furnace. In addition, in the crack heating step ( S330 ), the blank heated in multiple stages in the first section ( P1 ) to the fourth section ( P4 ) may be heated by cracking in the fifth section ( P5 ) to the seventh section ( P7 ).

제1 구간(P1) 내지 제7 구간(P7)은 차례대로 가열로 내에 배치될 수 있다. 제1 온도 범위(T1)를 가지는 제1 구간(P1)은 블랭크가 투입되는 가열로의 입구와 인접하고, 제7 온도 범위(T7)를 가지는 제7 구간(P7)은 블랭크가 배출되는 가열로의 출구와 인접할 수 있다. 따라서, 제1 온도 범위(T1)를 가지는 제1 구간(P1)이 가열로의 첫 번째 구간일 수 있고, 제7 온도 범위(T7)를 가지는 제7 구간(P7)이 가열로의 마지막 구간일 수 있다. 가열로의 복수의 구간들 중 제5 구간(P5), 제6 구간(P6), 및 제7 구간(P7)은 다단 가열이 수행되는 구간이 아닌 균열 가열이 수행되는 구간일 수 있다.The first section P1 to the seventh section P7 may be sequentially disposed in the heating furnace. The first section P1 having the first temperature range T1 is adjacent to the inlet of the furnace into which the blank is put, and the seventh section P7 having the seventh temperature range T7 is the furnace through which the blank is discharged. may be adjacent to the exit of Accordingly, the first section P1 having the first temperature range T1 may be the first section of the heating furnace, and the seventh section P7 having the seventh temperature range T7 is the last section of the furnace can Among the plurality of sections of the heating furnace, the fifth section (P5), the sixth section (P6), and the seventh section (P7) may be sections in which crack heating is performed, not a section in which multi-stage heating is performed.

가열로 내에 구비된 복수의 구간의 온도, 예컨대 제1 구간(P1) 내지 제7 구간(P7)의 온도는 블랭크가 투입되는 가열로의 입구로부터 블랭크가 취출되는 가열로의 출구 방향으로 증가할 수 있다. 다만, 제5 구간(P5), 제6 구간(P6) 및 제7 구간(P7)의 온도는 동일할 수도 있다. 또한, 가열로 내에 구비된 복수의 구간 중 서로 인접한 두 개의 구간들 간의 온도 차는 0℃ 보다 크고 100℃ 이하일 수 있다. 예를 들어, 제1 구간(P1)과 제2 구간(P2)의 온도 차는 0℃ 보다 크고 100℃ 이하일 수 있다.The temperature of a plurality of sections provided in the heating furnace, for example, the temperature of the first section (P1) to the seventh section (P7) can increase in the direction of the outlet of the furnace from which the blank is taken out from the inlet of the furnace into which the blank is put. have. However, the temperatures of the fifth section P5 , the sixth section P6 , and the seventh section P7 may be the same. In addition, a temperature difference between two adjacent sections among a plurality of sections provided in the heating furnace may be greater than 0°C and less than or equal to 100°C. For example, the temperature difference between the first section P1 and the second section P2 may be greater than 0°C and less than or equal to 100°C.

일 예로, 제1 구간(P1)의 제1 온도 범위(T1)는 840℃ 내지 860℃일 수 있고, 835℃ 내지 865℃일 수 있다. 제2 구간(P2)의 제2 온도 범위(T2)는 870℃ 내지 890℃일 수 있고, 865℃ 내지 895℃일 수 있다. 제3 구간(P3)의 제3 온도 범위(T3)는 900℃ 내지 920℃일 수 있고, 895℃ 내지 925℃일 수 있다. 제4 구간(P4)의 제4 온도 범위(T4)는 920℃ 내지 940℃일 수 있고, 915℃ 내지 945℃일 수 있다. 제5 구간(P5)의 제5 온도 범위(T5)는 Ac3 내지 1,000℃일 수 있다. 바람직하게는 제5 구간(P5)의 제5 온도 범위(T5)는 900℃ 이상 1,000℃ 이하일 수 있다. 더욱 바람직하게는 제5 구간(P5)의 제5 온도 범위(T5)는 900℃ 이상 1000℃이하일 수 있다. 제6 구간(P6)의 제6 온도 범위(T6), 및 제7 구간(P7)의 제7 온도 범위(T7)는 제5 구간(P5)의 제5 온도 범위(T5)와 동일할 수 있다.For example, the first temperature range T1 of the first section P1 may be 840°C to 860°C, and may be 835°C to 865°C. The second temperature range T2 of the second section P2 may be 870°C to 890°C, or 865°C to 895°C. The third temperature range T3 of the third section P3 may be 900°C to 920°C, and 895°C to 925°C. The fourth temperature range T4 of the fourth section P4 may be 920°C to 940°C, and may be 915°C to 945°C. The fifth temperature range T5 of the fifth section P5 may be Ac3 to 1,000°C. Preferably, the fifth temperature range T5 of the fifth section P5 may be 900°C or more and 1,000°C or less. More preferably, the fifth temperature range T5 of the fifth section P5 may be 900°C or more and 1000°C or less. The sixth temperature range T6 of the sixth section P6 and the seventh temperature range T7 of the seventh section P7 may be the same as the fifth temperature range T5 of the fifth section P5. .

도 5에서는 일 실시예에 따른 가열로가 서로 다른 온도 범위를 가지는 일곱 개의 구간을 구비한 것으로 도시되어 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 가열로 내에는 서로 다른 온도 범위를 가지는 다섯 개, 여섯 개, 또는 여덟 개 등의 구간이 구비될 수도 있다.5, the heating furnace according to an embodiment is illustrated as having seven sections having different temperature ranges, but the present invention is not limited thereto. Five, six, or eight sections having different temperature ranges may be provided in the furnace.

균열 가열 단계(S330)는 가열로의 복수의 구간 중 마지막 부분에서 이루어질 수 있다. 일 예로, 균열 가열 단계는 가열로의 제5 구간(P5), 제6 구간(P6), 및 제7 구간(P7)에서 이루어질 수 있다. 가열로 내에 복수의 구간이 구비되는 경우, 하나의 구간의 길이가 길면 상기 구간 내에서 온도 변화가 생기는 등의 문제점이 존재할 수 있다. 따라서, 균열 가열 단계가 수행되는 구간은 제5 구간(P5), 제6 구간(P6), 및 제7 구간(P7)으로 구분되되, 상기 제5 구간(P5), 제6 구간(P6), 및 상기 제7 구간(P7)은 가열로 내에서 동일한 온도 범위를 가질 수 있다.The crack heating step ( S330 ) may be performed in the last part of the plurality of sections of the heating furnace. For example, the crack heating step may be performed in the fifth section (P5), the sixth section (P6), and the seventh section (P7) of the heating furnace. When a plurality of sections are provided in the heating furnace, if the length of one section is long, there may be problems such as temperature change in the section. Accordingly, the section in which the crack heating step is performed is divided into a fifth section (P5), a sixth section (P6), and a seventh section (P7), the fifth section (P5), the sixth section (P6), And the seventh section P7 may have the same temperature range in the heating furnace.

균열 가열 단계(S330)에서는 다단 가열된 블랭크를 Ac3 내지 1,000℃의 온도에서 균열 가열할 수 있다. 바람직하게는 균열 가열 단계(S330)에서는 다단 가열된 블랭크를 900℃ 내지 1,000℃의 온도에서 균열 가열할 수 있다. 균열 가열하는 온도가 900℃ 미만인 경우 핫 스탬핑 부품의 재질이 확보되기 어렵고, 1000℃를 초과하는 경우는 표면접촉 저항이 과도하게 높은 문제점이 있다. 나아가, 약 900℃ 내지 약 1000℃ 범위 내에서도 용접 시 발열 온도를 높이는 원인이 되는 표면 산화층(300)의 두께를 최소화함과 동시에 용접성 확보에 유리한 상대적 Si 함량이 높은 상호혼합층의 분율을 높일 수 있는 온도 범위 설정이 필요하다. 이를 위해 일 예로, 균열 가열 단계(S330)에서는 다단 가열된 블랭크를 약 900℃ 이상 약 970℃ 미만 온도에서 균열 가열할 수 있다.In the crack heating step (S330), the multi-stage heated blank may be crack-heated at a temperature of Ac3 to 1,000°C. Preferably, in the crack heating step (S330), the multi-stage heated blank may be crack-heated at a temperature of 900 °C to 1,000 °C. When the temperature for crack heating is less than 900°C, it is difficult to secure the material of the hot stamping part, and when it exceeds 1000°C, there is a problem in that the surface contact resistance is excessively high. Furthermore, even within the range of about 900 ° C. to about 1000 ° C., while minimizing the thickness of the surface oxide layer 300 , which is a cause of increasing the exothermic temperature during welding, at the same time increasing the fraction of the intermixed layer having a high relative Si content advantageous for securing weldability. You need to set the range. To this end, for example, in the crack heating step ( S330 ), the multi-stage heated blank may be crack-heated at a temperature of about 900°C or higher and less than about 970°C.

일 예로, 블랭크가 다단 가열되는 구간의 길이(D1)와 블랭크가 균열 가열되는 구간의 길이(D2)의 비는 1:1 내지 4:1일 수 있다. 보다 구체적으로, 블랭크가 다단 가열되는 구간인 제1 구간(P1) 내지 제4 구간(P4)의 길이의 합과 블랭크가 균열 가열되는 구간인 제5 구간(P5), 내지 제7 구간(P7)의 길이의 합의 비는 1:1 내지 4:1을 만족할 수 있다. 블랭크가 균열 가열되는 구간의 길이가 증가하여 블랭크가 다단 가열되는 구간의 길이(D1)와 블랭크가 균열 가열되는 구간의 길이(D2)의 비가 1:1을 초과할 경우, 균열 가열 구간에서 오스테나이트(FCC) 조직이 생성되어 블랭크 내로 수소 침투량이 증가하여 지연파단이 증가할 수 있다. 또한, 블랭크가 균열 가열되는 구간의 길이가 감소하여 블랭크가 다단 가열되는 구간의 길이(D1)와 블랭크가 균열 가열되는 구간의 길이(D2)의 비가 4:1 미만인 경우, 균열 가열 구간(시간)이 충분히 확보되지 않아 핫 스탬핑 부품의 제조 공정에 의해 제조된 부품의 강도가 불균일할 수 있다.For example, the ratio of the length (D1) of the section in which the blank is heated in multiple stages to the length (D2) of the section in which the blank is heated by cracking may be 1:1 to 4:1. More specifically, the sum of the lengths of the first section (P1) to the fourth section (P4), which is a section in which the blank is heated in multiple stages, and the fifth section (P5), to the section where the blank is heated by cracking (P7) The ratio of the sum of the lengths of may satisfy 1:1 to 4:1. When the ratio of the length (D1) of the section in which the blank is heated in multiple stages (D1) to the length (D2) of the section in which the blank is heated by cracking (D2) exceeds 1:1 due to the increase in the length of the section where the blank is heated by cracking, austenite in the section where the crack is heated (FCC) tissue may be generated, which may increase the amount of hydrogen permeation into the blank, resulting in increased delayed rupture. In addition, when the ratio of the length (D1) of the section in which the blank is heated in multiple stages (D1) to the length (D2) of the section in which the blank is heated by cracking is less than 4:1 because the length of the section in which the blank is heated by cracking is reduced, the section is heated by cracking (time) Since this is not sufficiently secured, the strength of the parts manufactured by the manufacturing process of the hot stamping parts may be non-uniform.

일 예로, 가열로 내에 구비된 복수의 구간 중 균일 가열 단계(S330)가 수행되는 구간의 길이는 가열로의 총 길이의 20% 내지 50%일 수 있다. 또한, 다단 가열 단계(S320), 및 균열 가열 단계(S330)에서, 가열로 내에는 서로 다른 두께를 가지는 적어도 두 개의 블랭크가 동시에 이송될 수 있다.For example, the length of a section in which the uniform heating step S330 is performed among a plurality of sections provided in the heating furnace may be 20% to 50% of the total length of the heating furnace. In addition, in the multi-stage heating step ( S320 ) and the crack heating step ( S330 ), at least two blanks having different thicknesses may be simultaneously transferred into the heating furnace.

일 예로, 블랭크는 가열로 내에서 180초 내지 360초 동안 체류할 수 있다. 즉, 블랭크가 다단 가열, 및 균열 가열되는 시간은 180초 내지 360초일 수 있다. 블랭크가 가열로 내에 체류하는 시간이 180초 미만일 경우, 목적하는 균열 온도에서 충분히 균열되기 어려울 수 있다. 또한, 블랭크가 가열로 내에 체류하는 시간이 360초를 초과할 경우, 블랭크 내부로 침투하는 수소의 양이 증가하여 지연 파단의 위험이 높아지고, 핫 스탬핑 후의 내식성이 저하될 수 있다.For example, the blank may stay in the furnace for 180 seconds to 360 seconds. That is, the time during which the blank is heated in multiple stages and cracked may be 180 seconds to 360 seconds. If the residence time of the blank in the furnace is less than 180 seconds, it may be difficult to sufficiently crack at the desired cracking temperature. In addition, when the residence time of the blank in the furnace exceeds 360 seconds, the amount of hydrogen penetrating into the blank increases, thereby increasing the risk of delayed fracture, and corrosion resistance after hot stamping may decrease.

상기 가열 단계들(S320, S330)을 수행함에 따라 도금층(200)의 Al, Si와 강판(100)이 함유하는 Fe의 내부 확산으로 인해 합금화 반응이 수행될 수 있고, 이로 인해 도금층(200)은 도 3a에서 설명한 바와 같이 5층 이상의 다중층 구조로 형성될 수 있다.As the heating steps S320 and S330 are performed, an alloying reaction may be performed due to internal diffusion of Al and Si of the plating layer 200 and Fe contained in the steel sheet 100, and thereby the plating layer 200 is As described with reference to FIG. 3A , it may be formed in a multi-layer structure of five or more layers.

이송 단계(S340)는 가열된 블랭크를 가열로로부터 프레스 금형으로 이송하는 단계이다. 이송 단계(S340)에서 가열된 블랭크는 10초 내지 15초 동안 공랭될 수 있다.The transfer step (S340) is a step of transferring the heated blank from the heating furnace to the press mold. The blank heated in the transfer step (S340) may be air-cooled for 10 to 15 seconds.

형성 단계(S350)는 이송된 블랭크를 핫 스탬핑하여 성형체를 형성하는 단계이다. 냉각 단계(S360)는 형성된 성형체를 냉각하는 단계이다.The forming step ( S350 ) is a step of hot stamping the transferred blank to form a molded body. The cooling step (S360) is a step of cooling the formed body.

프레스 금형에서 최종 부품형상으로 성형하는 것과 동시에 성형체를 냉각하여 최종 제품이 형성될 수 있다. 프레스 금형에는 내부에 냉매가 순환하는 냉각 채널이 구비될 수 있다. 프레스 금형에 구비된 냉각 채널을 통하여 공급되는 냉매에 순환에 의해 가열된 블랭크를 급랭시킬 수 있게 된다. 이때, 판재의 스프링 백(spring back) 현상을 방지함과 더불어 원하는 형상을 유지하기 위해서는 프레스 금형을 닫은 상태에서 가압하면서 급랭을 실시할 수 있다. 가열된 블랭크를 성형 및 냉각 조작을 함에 있어, 마르텐사이트 종료 온도까지 평균냉각속도를 최소 10℃/s 이상으로 냉각할 수 있다. 블랭크는 프레스 금형 내에서 3초 내지 20초간 유지될 수 있다. 프레스 금형 내 유지 시간이 3초 미만일 경우, 소재의 냉각의 충분히 이뤄지지 않아 잔존 열에 의한 부위 별 온도 편차로 취수 품질에 영향을 줄 수 있다. 또한, 충분한 양의 마르텐사이트가 생성되지 않아 기계적 물성이 확보되지 않을 수 있다. 반면에, 프레스 금형 내 유지 시간이 20초를 초과하는 경우, 프레스 금형 내 유지 시간이 길어져 생산성이 저하될 수 있다.A final product may be formed by cooling the molded body at the same time as molding into a final part shape in a press mold. A cooling channel through which a refrigerant circulates may be provided in the press mold. It is possible to rapidly cool the heated blank by circulating the refrigerant supplied through the cooling channel provided in the press mold. At this time, in order to prevent a spring back phenomenon of the plate material and maintain a desired shape, rapid cooling may be performed while pressurizing the press die in a closed state. In forming and cooling the heated blank, the average cooling rate can be cooled to at least 10° C./s or more to the martensite end temperature. The blank may be held in the press mold for 3 to 20 seconds. If the holding time in the press mold is less than 3 seconds, the cooling of the material is not sufficiently performed, and the temperature deviation of each part due to the residual heat may affect the water intake quality. In addition, mechanical properties may not be secured because a sufficient amount of martensite is not generated. On the other hand, when the holding time in the press mold exceeds 20 seconds, the holding time in the press mold becomes longer and productivity may decrease.

이와 같은 본 발명의 일 실시예에 의한 제조 방법을 통해서 제어된 핫 스탬핑 부품의 도금층(200)은 다중 층으로 형성될 수 있으며, 일 실시예에 따라 순차적으로 적층되어 성분 조성으로 구분 가능한 5개 층을 포함할 수 있다. The plating layer 200 of the hot stamping part controlled through the manufacturing method according to an embodiment of the present invention as described above may be formed in multiple layers, and according to an embodiment, five layers that are sequentially stacked and can be distinguished by component composition may include

또한, 상기 제조 방법에서 가열 온도를 제어함으로써 형성된 도금층(200) 상의 산화층(300)은 약 30 nm 내지 약 100 nm의 두께로 형성될 수 있다. In addition, the oxide layer 300 on the plating layer 200 formed by controlling the heating temperature in the manufacturing method may be formed to a thickness of about 30 nm to about 100 nm.

도 6은 일 실시예에 따른 핫 스탬핑 부품의 균열 가열 온도에 따른 부품 특성을 비교한 도면이다.6 is a view comparing the properties of the hot stamping parts according to the crack heating temperature according to the embodiment.

도 6을 참조하면, 좌측 균열 가열 온도에 따라 형성되는 핫 스탬핑 부품의 부품 특성, 본 도면에서는 용접 전류(kA), 스패터 전류(kA) 및 표면 접촉 저항(mΩ)을 도시하였다. 균열 가열 시간은 약 300s인 경우를 가정한다. 용접 전류(kA)는 일 구간의 시작 값이 그 구간에 도시된 전류값이다. 예를 들어 용접 전류가 6.0kA로 도시된 구간은 약 6.0kA 내지 약 6.5kA의 범위를 가질 수 있다.Referring to FIG. 6 , the part characteristics of the hot stamping part formed according to the left crack heating temperature, in this figure, a welding current (kA), a spatter current (kA), and a surface contact resistance (mΩ) are shown. It is assumed that the crack heating time is about 300 s. The welding current (kA) is a current value in which the starting value of one section is shown in the section. For example, a section in which the welding current is shown as 6.0 kA may have a range of about 6.0 kA to about 6.5 kA.

도시된 해칭에 따라 스패터 미생성(A), 스패터가 약 50% 이하로 측정될 때 스패터 저함량(B), 스패터가 약 50% 이상 100% 미만인 경우를 스패터 중함량(C), 스패터가 약 100%인 경우를 스패터 고함량(D)에 해당되며, 각 칸의 실시예마다 해당되는 해칭으로 도시하였다. 이때 A는 스패터가 육안으로 확인되지 않는 경우일 수 있다. 이하, 설명의 편의를 위해 A, B, C, D로 지칭하여 설명할 수 있다. 이때, 스패터 미생성(A) 구간으로부터 스패터 소함량(B)인 구간까지를 포함하여 스패터 상한 전류(kA)로 정의할 수 있다. 스패터 상한 전류가 증가할수록 스패터 민감도가 감소하고 용접성이 향상되는 것으로 설명할 수 있다.According to the hatching shown, no spatter (A), low spatter content (B) when spatter is measured to be about 50% or less, and heavy spatter content (C) when spatter is about 50% or more and less than 100% , the case where the spatter is about 100% corresponds to the high spatter content (D), and is illustrated by hatching corresponding to each example in each column. In this case, A may be a case in which the spatter is not visually confirmed. Hereinafter, for convenience of description, they may be referred to as A, B, C, and D. In this case, it may be defined as the spatter upper limit current (kA) including the period from the non-spatter generation (A) section to the section having the small amount of spatter (B). It can be explained that as the spatter upper limit current increases, the spatter sensitivity decreases and the weldability improves.

구체적으로, 본 도면의 실시예는 하기 [표 1]과 같은 용접 조건을 바탕으로 실험한 결과이나, 이는 일 실시예에 불과할 뿐 본 발명의 실시예들의 조건이 이에 한정되는 것은 아니다.Specifically, the examples of the drawings are the results of experiments based on welding conditions as shown in Table 1 below, but these are only examples and the conditions of the embodiments of the present invention are not limited thereto.

Figure pat00001
Figure pat00001

먼저, 균열 가열 온도가 약 880℃인 경우 도 4에 도시된 모든 용접 전류구간에서 스패터가 100%로 나타나 D에 해당하고, 스패터 상한 전류는 약 8.0 kA이며 표면 접촉 저항은 0.51 mΩ로 측정되었다.First, when the crack heating temperature is about 880 ℃, spatter appears as 100% in all welding current sections shown in FIG. 4 and corresponds to D, the spatter upper limit current is about 8.0 kA, and the surface contact resistance is measured as 0.51 mΩ became

균열 가열 온도가 약 900℃인 경우 용접 전류가 5.5kA 내지 6.7kA 구간범위에서 A에 해당하고, 용접 전류가 약 6.9kA 구간에서 B에 해당하므로, 스패터 상한 전류는 약 7.1 kA이며 표면 접촉 저항은 0.55 mΩ로 측정되었다.When the crack heating temperature is about 900 °C, the welding current corresponds to A in the range of 5.5 kA to 6.7 kA, and the welding current corresponds to B in the section of about 6.9 kA, so the spatter upper limit current is about 7.1 kA and the surface contact resistance was measured to be 0.55 mΩ.

균열 가열 온도가 약 930℃인 경우 용접 전류가 5.5kA 내지 6.5kA 구간범위에서 A에 해당하고, 용접 전류가 약 6.7kA 구간에서 B에 해당하므로, 스패터 상한 전류는 약 6.9 kA이며 표면 접촉 저항은 0.67 mΩ로 측정되었다.When the crack heating temperature is about 930 ℃, the welding current corresponds to A in the range of 5.5 kA to 6.5 kA, and the welding current corresponds to B in the section of about 6.7 kA, so the spatter upper limit current is about 6.9 kA and the surface contact resistance was measured to be 0.67 mΩ.

균열 가열 온도가 약 950℃인 경우 용접 전류가 5.5kA 내지 6.5kA 구간범위에서 A에 해당하고, 용접 전류가 약 6.7kA 구간에서는 C에 해당하고 C인 구간은 스패터 상한 전류 산출의 기준이 되지 않으므로 스패터 상한 전류는 약 6.7 kA이다. 표면 접촉 저항은 0.75 mΩ로 측정되었다. When the crack heating temperature is about 950℃, the welding current corresponds to A in the range of 5.5kA to 6.5kA, and corresponds to C in the section where the welding current is about 6.7kA. Therefore, the upper limit of the spatter current is about 6.7 kA. The surface contact resistance was measured to be 0.75 mΩ.

균열 가열 온도가 약 970℃인 경우 용접 전류가 약 5.5kA 구간에서 A에 해당하고, 인접하는 용접 전류가 약 6.0kA 구간에서 C에 해당하므로, 스패터 상한 전류는 약 6.0 kA이며 표면 접촉 저항은 0.81 mΩ로 측정되었다.When the crack heating temperature is about 970 °C, the welding current corresponds to A in the section of about 5.5 kA, and the adjacent welding current corresponds to C in the section of about 6.0 kA, so the spatter upper limit current is about 6.0 kA, and the surface contact resistance is It was measured to be 0.81 mΩ.

먼저, 균열 가열 온도가 약 1000℃인 경우는 도 4에 도시된 모든 용접 전류구간에서 스패터 중함량(C)과 스패터 고함량(D) 부분이므로, 스패터 상한 전류는 약 5.0 kA이며 표면 접촉 저항은 0.92 mΩ로 측정되었다. First, when the crack heating temperature is about 1000 ℃, since it is a part with a heavy spatter content (C) and a high spatter content (D) in all the welding current sections shown in FIG. 4, the spatter upper limit current is about 5.0 kA and the surface The contact resistance was measured to be 0.92 mΩ.

여기서 도 7을 함께 참조하여 설명한다. 도 7은 일 실시예에 따른 핫 스탬핑 부품의 균열 가열 온도에 따른 표면 접촉 저항을 비교한 그래프이다. Here, it will be described with reference to FIG. 7 together. 7 is a graph comparing surface contact resistance according to a crack heating temperature of a hot stamping part according to an embodiment.

도 7을 참조하면, 도 6의 실시예에 따른 균열 가열 온도 별 표면 접촉 저항(mΩ)이 도시되어 있다. 가열 온도가 약 1200℃인 경우 스패터 상한 전류가 약 5.0 kA이긴 하나 표면 접촉 저항이 약 0.9 mΩ 이상으로 지나치게 높아 용접성이 열위하다. 따라서, 균열 가열 온도는 약 1000℃ 이하로 제어하는 것이 바람직하다. 한편 가열 온도가 약 880℃ 미만인 경우 원하는 핫스탬핑 강판의 물성을 확보하기 어려운 문제점이 있다. 이에, 본 발명의 일 실시예에 따른 핫 스탬핑 부품의 제조 공정에서는 블랭크를 균열 가열하는 온도는 약 900℃ 이상 약 1000℃ 이하로 제어될 수 있다. 특히, 용접성의 최적화를 위해서 균열 가열하는 온도는 약 900℃ 이상 약 1000℃ 이하일 수 있다.Referring to FIG. 7 , the surface contact resistance (mΩ) for each crack heating temperature according to the embodiment of FIG. 6 is shown. When the heating temperature is about 1200°C, the spatter upper limit current is about 5.0 kA, but the surface contact resistance is too high, about 0.9 mΩ or more, so the weldability is inferior. Therefore, it is preferable to control the crack heating temperature to about 1000° C. or less. On the other hand, when the heating temperature is less than about 880 ℃, there is a problem in that it is difficult to secure the desired properties of the hot stamping steel sheet. Accordingly, in the manufacturing process of the hot stamping part according to an embodiment of the present invention, the temperature at which the blank is cracked and heated may be controlled to be about 900° C. or more and about 1000° C. or less. In particular, in order to optimize weldability, the heating temperature for cracking may be about 900° C. or more and about 1000° C. or less.

이상과 같이, 일 실시예에 따른 핫 스탬핑 부품의 제조 방법에 있어서 균열 가열 온도가 낮아질수록 스패터 상한 전류는 높아지고, 부품의 저항 점 용접시 표면 접촉 저항은 낮아지는 것을 확인할 수 있다. 이에 따라 용접 시 발열 온도는 낮아지고 용접성이 향상될 수 있다. 또한, 균열 가열 온도가 낮아질수록 핫 스탬핑 부품의 산화층(300)(도 3b 참고)의 두께는 얇아지는 것을 확인하였으며 이에 관하여는 후술하는 도 8에서 살펴보기로 한다.As described above, in the method of manufacturing a hot stamping part according to an embodiment, it can be seen that the lower the crack heating temperature, the higher the spatter upper limit current, and the lower the surface contact resistance during resistance point welding of the part. Accordingly, the heating temperature during welding may be lowered and weldability may be improved. In addition, it was confirmed that the thickness of the oxide layer 300 (refer to FIG. 3b ) of the hot stamping part decreases as the crack heating temperature decreases, which will be described later in FIG. 8 .

도 8은 서로 다른 실시예들에 따른 핫 스탬핑 부품의 단면을 도시한 단면도이다. 도 8(a), 도 8(b) 및 도 8(c) 각각은 균열 가열 온도를 각각 970℃, 930℃ 및 900℃에서 제조한 핫 스탬핑 부품의 단면을 도시한 단면도이다. 도 8(a), 도 8(b) 및 도 8(c) 각각에는 도금층(200)(구체적으로는 제3 층(240)일 수 있다.) 위에 배치되는 산화층(300)이 도시되어 있다. 본 도면에 따른 실시예들은 산화층(300) 상에 제1 보호층(310) 및 제2 보호층(320)을 더 포함할 수 있다. 제1 보호층(310)은 Pt를 포함하고, 제2 보호층(320)은 탄소(Carbon)를 포함할 수 있고, 보호층(310, 320)들은 도금층(200)을 추가적인 산화, 질화 등으로부터 보호하는 역할을 할 수 있다.8 is a cross-sectional view illustrating a cross-section of a hot stamping part according to different embodiments. 8(a), 8(b) and 8(c) are cross-sectional views showing cross-sections of hot stamping parts manufactured at crack heating temperatures of 970°C, 930°C and 900°C, respectively. In each of FIGS. 8(a), 8(b) and 8(c), an oxide layer 300 disposed on the plating layer 200 (specifically, it may be the third layer 240) is illustrated. Embodiments according to the present figure may further include a first passivation layer 310 and a second passivation layer 320 on the oxide layer 300 . The first protective layer 310 may include Pt, the second protective layer 320 may include carbon, and the protective layers 310 and 320 protect the plating layer 200 from additional oxidation, nitridation, etc. can play a protective role.

산화층(300)은 본 도면에 도시된 바와 같이 Al2O3를 포함할 수 있다. 도 8(a)의 산화층 두께(d1)는 약 78 ㎚, 도 8(b)의 산화층 두께(d2)는 약 56 ㎚, 그리고 도 8(c)의 산화층 두께(d3)는 약 38 ㎚로 측정되었다. 한편, 도 6 및 도 7에서 설명한 바에 따르면, 약 900℃ 내지 약 1000℃ 범위 내에서 가열 온도가 낮을수록 스패터 상한 전류는 높아지고 표면 접촉 저항은 낮아져서 용접성이 향상됨을 확인하였다. 본 도면에서는 상기 가열 온도 범위 내에서 가열 온도가 낮아질수록 알루미늄계 산화층(300)의 두께는 얇아지므로, 산화층(300)의 두께가 얇을수록 용접성은 우수한 것을 확인할 수 있다. 핫 스탬핑 부품의 용접성 확보를 위한 산화층(300)의 두께는 약 30 ㎚ 내지 약 100 ㎚일 수 있고, 바람직하게는 약 30 ㎚ 내지 80 ㎚일 수 있다.The oxide layer 300 may include Al 2 O 3 as shown in this figure. The oxide layer thickness d1 of FIG. 8(a) is about 78 nm, the oxide layer thickness d2 of FIG. 8(b) is about 56 nm, and the oxide layer thickness d3 of FIG. 8(c) is about 38 nm. became On the other hand, as described in FIGS. 6 and 7 , it was confirmed that the lower the heating temperature within the range of about 900°C to about 1000°C, the higher the spatter upper limit current and the lower the surface contact resistance, the better the weldability. In this figure, since the thickness of the aluminum-based oxide layer 300 becomes thinner as the heating temperature decreases within the heating temperature range, it can be seen that the thinner the thickness of the oxide layer 300, the better the weldability. The thickness of the oxide layer 300 for ensuring the weldability of the hot stamping part may be about 30 nm to about 100 nm, and preferably about 30 nm to 80 nm.

이와 같이 본 발명의 실시예들에 의하면, 핫 스탬핑용 블랭크를 다단 가열 및 균열 가열함으로써 용접성이 우수한 층을 포함하는 다중층의 도금층을 형성하고, 상기 가열 단계의 온도를 제어함으로써 산화 피막의 두께를 감소시켜 용접성을 극대화할 수 있다.As described above, according to the embodiments of the present invention, a multi-layer plating layer including a layer having excellent weldability is formed by multi-stage heating and crack heating of a blank for hot stamping, and the thickness of the oxide film is decreased by controlling the temperature of the heating step. reduced to maximize weldability.

이와 같이 본 발명은 도면에 도시된 일 실시예를 참고로 하여 설명하였으나 이는 예시적인 것에 불과하며 당해 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 실시예의 변형이 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.As described above, the present invention has been described with reference to one embodiment shown in the drawings, but it will be understood that various modifications and variations of the embodiments are possible therefrom by those of ordinary skill in the art. Accordingly, the true technical protection scope of the present invention should be determined by the technical spirit of the appended claims.

Claims (23)

강판;
상기 강판 상에 위치하며, 순차적으로 적층된 상호혼합층, 제1 층(Al-rich FexAlySiz), 제2 층(Fe-rich FexAlySiz), 및 제3 층(Al-rich FexAlySiz)을 포함하는 도금층; 및
상기 도금층 상에 위치하고 30 nm 내지 100 nm의 두께를 갖는 산화층;
을 포함하는, 핫 스탬핑 부품.
grater;
An intermixed layer, a first layer (Al-rich Fe x Al y Si z ), a second layer (Fe-rich Fe x Al y Si z ), and a third layer (Al) disposed on the steel plate and sequentially stacked -rich Fe x Al y Si z ) including a plating layer; and
an oxide layer positioned on the plating layer and having a thickness of 30 nm to 100 nm;
Including, hot stamping parts.
제1항에 있어서,
상기 상호혼합층은 상기 강판과 인접하는 제1 상호혼합층 및 상기 제1 상호혼합층과 인접하는 제2 상호혼합층을 포함하고,
상기 제1 상호혼합층 및 상기 제2 상호혼합층은 상이한 상을 갖는, 핫 스탬핑 부품.
According to claim 1,
the intermixed layer comprises a first intermixed layer adjacent to the steel sheet and a second intermixed layer adjacent to the first intermixed layer;
wherein the first intermixed layer and the second intermixed layer have different phases.
제2항에 있어서,
상기 제2 상호혼합층의 Si 함량은 상기 제1 상호혼합층의 Si 함량보다 작은, 핫 스탬핑 부품.
3. The method of claim 2,
wherein the Si content of the second intermixed layer is less than the Si content of the first intermixed layer.
제3항에 있어서,
상기 제1 상호혼합층(Fe-rich FexAlySiz)은 x: 80wt% 내지 90wt%, y: 5wt% 내지 20wt%, z: 0wt% 초과 5wt% 이하이고,
상기 제2 상호혼합층(Fe-rich FexAlySiz)은 x: 40wt% 내지 60wt%, y: 30wt% 내지 50wt%, z: 0wt% 초과 20wt% 이하인, 핫 스탬핑 부품.
4. The method of claim 3,
The first intermixed layer (Fe-rich Fe x Al y Si z ) is x: 80wt% to 90wt%, y: 5wt% to 20wt%, z: more than 0wt% 5wt% or less,
The second intermixed layer (Fe-rich Fe x Al y Si z ) is x: 40wt% to 60wt%, y: 30wt% to 50wt%, z: more than 0wt% and 20wt% or less, hot stamping part.
제3항에 있어서,
상기 상호혼합층의 전체 두께에 대한 상기 제2 상호혼합층의 두께 비율은 40 % 미만인, 핫 스탬핑 부품.
4. The method of claim 3,
and a ratio of the thickness of the second intermixed layer to the total thickness of the intermixed layer is less than 40%.
제1항에 있어서,
상기 상호혼합층은 4 ㎛ 내지 10 ㎛의 두께를 갖는, 핫 스탬핑 부품.
According to claim 1,
wherein the intermixed layer has a thickness of 4 μm to 10 μm.
제2항에 있어서,
상기 제2 상호혼합층은 상기 제2 층(Fe-rich FexAlySiz)과 동일한 상을 갖는, 핫 스탬핑 부품.
3. The method of claim 2,
and the second intermixed layer has the same phase as the second layer (Fe-rich Fe x Al y Si z ).
제1항에 있어서,
상기 도금층에 대한 상기 제1 층 및 상기 제3 층의 면적분율은 40% 이상인, 핫 스탬핑 부품.
According to claim 1,
and an area fraction of the first layer and the third layer with respect to the plating layer is 40% or more.
제8항에 있어서,
상기 제1 층(Al-rich FexAlySiz)은 x: 30wt% 내지 50wt%, y: 50wt% 내지 70wt%, z: 0wt% 초과 10wt% 이하이고,
상기 제2 층(Fe-rich FexAlySiz)은 x: 40wt% 내지 60wt%, y: 30wt% 내지 50wt%, z: 0wt% 초과 20wt% 이하이며,
상기 제3 층(Al-rich FexAlySiz)은 x: 30wt% 내지 50wt%, y: 50wt% 내지 70wt%, z: 0wt% 초과 10wt% 이하인, 핫 스탬핑 부품.
9. The method of claim 8,
The first layer (Al-rich Fe x Al y Si z ) is x: 30wt% to 50wt%, y: 50wt% to 70wt%, z: more than 0wt% and 10wt% or less,
The second layer (Fe-rich Fe x Al y Si z ) is x: 40wt% to 60wt%, y: 30wt% to 50wt%, z: more than 0wt% 20wt% or less,
The third layer (Al-rich Fe x Al y Si z ) is x: 30wt% to 50wt%, y: 50wt% to 70wt%, z: more than 0wt% and 10wt% or less, hot stamping part.
서로 다른 온도 범위를 가지는 복수의 구간을 구비한 가열로 내로 블랭크를 투입하는 단계;
상기 블랭크를 단계적으로 가열하는 다단 가열 단계; 및
상기 블랭크를 균열 가열하는 균열 가열 단계;
를 포함하고,
상기 다단 가열 단계, 및 상기 균열 가열 단계에서는,
순차적으로 적층된 상호혼합층, 제1 층(Al-rich FexAlySiz), 제2 층(Fe-rich FexAlySiz), 및 제3 층(Al-rich FexAlySiz)을 포함하는 도금층이 형성되고,
상기 상호혼합층은 강판과 인접하는 제1 상호혼합층 및 상기 제1 상호혼합층과 인접하는 제2 상호혼합층을 포함하도록 형성되는, 핫 스탬핑 부품의 제조 방법.
Putting the blank into a heating furnace having a plurality of sections having different temperature ranges;
a multi-stage heating step of heating the blank step by step; and
a crack heating step of crack heating the blank;
including,
In the multi-stage heating step, and the crack heating step,
Sequentially stacked intermixed layers, a first layer (Al-rich Fe x Al y Si z ), a second layer (Fe-rich Fe x Al y Si z ), and a third layer (Al-rich Fe x Al y Si ) z ) is formed with a plating layer comprising,
wherein the intermixed layer is formed to include a first intermixed layer adjacent the steel sheet and a second intermixed layer adjacent the first intermixed layer.
제10항에 있어서,
상기 복수의 구간에서 상기 블랭크를 다단 가열하는 구간의 길이와 상기 블랭크를 균열 가열하는 구간의 길이의 비는 1:1 내지 4:1을 만족하는, 핫 스탬핑 부품의 제조 방법.
11. The method of claim 10,
The ratio of the length of the section for heating the blank in multiple stages in the plurality of sections to the length of the section for crack heating the blank satisfies 1:1 to 4:1, the method of manufacturing a hot stamping part.
제11항에 있어서,
상기 복수의 구간의 온도는 상기 가열로의 입구로부터 상기 가열로의 출구 방향으로 증가하는, 핫 스탬핑 부품의 제조 방법.
12. The method of claim 11,
The temperature of the plurality of sections increases from the inlet of the furnace to the outlet of the furnace, the method of manufacturing a hot stamping part.
제12항에 있어서,
상기 블랭크를 다단 가열하는 구간 중 서로 인접한 두 개의 구간들 간의 온도 차는 0℃ 보다 크고 100℃ 이하인, 핫 스탬핑 부품의 제조 방법.
13. The method of claim 12,
The temperature difference between two adjacent sections of the section heating the blank in multiple stages is greater than 0° C. and less than or equal to 100° C., a method of manufacturing a hot stamping part.
제11항에 있어서,
상기 복수의 구간 중 상기 블랭크를 균열 가열하는 구간의 온도가 상기 블랭크를 다단 가열하는 구간들의 온도보다 높은, 핫 스탬핑 부품의 제조 방법.
12. The method of claim 11,
A method of manufacturing a hot stamping part, wherein a temperature of a section heating the blank by cracking among the plurality of sections is higher than a temperature of sections heating the blank in multiple stages.
제10항에 있어서,
상기 블랭크는 상기 가열로 내에 180초 내지 360초 동안 체류하는, 핫 스탬핑 부품의 제조 방법.
11. The method of claim 10,
wherein the blank stays in the furnace for 180 seconds to 360 seconds.
제13항에 있어서,
상기 다단 가열 단계, 및 상기 균열 가열 단계에서는,
상기 도금층 상에 위치하되, 30 nm 내지 100 nm의 두께를 갖는 산화층이 형성되는, 핫 스탬핑 부품의 제조 방법.
14. The method of claim 13,
In the multi-stage heating step, and the crack heating step,
A method of manufacturing a hot stamping part, located on the plating layer, wherein an oxide layer having a thickness of 30 nm to 100 nm is formed.
제16항에 있어서,
상기 핫 스탬핑 부품은,
상기 제1 상호혼합층 및 상기 제2 상호혼합층은 상이한 상을 갖는, 핫 스탬핑 부품의 제조 방법.
17. The method of claim 16,
The hot stamping part comprises:
wherein the first intermixed layer and the second intermixed layer have different phases.
제17항에 있어서,
상기 제1 상호혼합층의 Si 함량은 상기 제2 상호혼합층의 Si 함량보다 작은, 핫 스탬핑 부품의 제조 방법.
18. The method of claim 17,
wherein the Si content of the first intermixed layer is less than the Si content of the second intermixed layer.
제18항에 있어서,
상기 제1 상호혼합층(Fe-rich FexAlySiz)은 x: 80wt% 내지 90wt%, y: 5wt% 내지 20wt%, z: 0wt% 초과 5wt% 이하이고,
상기 제2 상호혼합층(Fe-rich FexAlySiz)은 x: 40wt% 내지 60wt%, y: 30wt% 내지 50wt%, z: 0wt% 초과 20wt% 이하인
핫 스탬핑 부품의 제조 방법.
19. The method of claim 18,
The first intermixed layer (Fe-rich Fe x Al y Si z ) is x: 80wt% to 90wt%, y: 5wt% to 20wt%, z: more than 0wt% 5wt% or less,
The second intermixed layer (Fe-rich Fe x Al y Si z ) is x: 40wt% to 60wt%, y: 30wt% to 50wt%, z: more than 0wt% 20wt% or less
A method of manufacturing hot stamping parts.
제18항에 있어서,
상기 상호혼합층의 전체 두께에 대한 상기 제2 상호혼합층의 두께 비율은 40% 미만인, 핫 스탬핑 부품의 제조 방법.
19. The method of claim 18,
and a ratio of the thickness of the second intermixed layer to the total thickness of the intermixed layer is less than 40%.
제16항에 있어서,
상기 상호혼합층은 4 ㎛ 내지 10 ㎛의 두께를 갖는, 핫 스탬핑 부품.
17. The method of claim 16,
wherein the intermixed layer has a thickness of 4 μm to 10 μm.
제17항에 있어서,
상기 제2 상호혼합층은 상기 제2 층(Fe-rich FexAlySiz)과 동일한 상을 갖는, 핫 스탬핑 부품.
18. The method of claim 17,
and the second intermixed layer has the same phase as the second layer (Fe-rich Fe x Al y Si z ).
제10항에 있어서,
상기 균열 가열 단계 이후에,
상기 균열 가열된 블랭크를 상기 가열로로부터 프레스 금형으로 이송하는 단계;
상기 이송된 블랭크를 핫 스탬핑하여 성형체를 형성하는 단계; 및
상기 형성된 성형체를 냉각하는 단계;
를 더 포함하는, 핫 스탬핑 부품의 제조 방법.
11. The method of claim 10,
After the crack heating step,
transferring the crack-heated blank from the furnace to a press mold;
forming a molded body by hot stamping the transferred blank; and
cooling the formed body;
Further comprising, a method of manufacturing a hot stamping part.
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