KR20220094875A - 터치 센서 내장형 표시장치와 그 구동방법 - Google Patents

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Abstract

본 명세서의 터치 센서 내장형 표시장치는 복수의 터치 전극들이 구비된 표시패널; 터치 구동신호를 상기 터치 전극들로 인가하고, 상기 터치 전극들로부터 유입되는 전하를 앰프 리셋 신호를 기초로 증폭하여 앰프 출력 전압을 생성하는 터치 센싱 회로; 및 상기 앰프 리셋 신호의 토글 타이밍과 상기 터치 구동신호의 전압 진폭 중에서 적어도 하나를 조정하여, 상기 터치 전극들의 위치에 따라 상기 앰프 출력 전압의 크기를 차등적으로 제어하는 앰프 출력 제어회로를 포함한다.

Description

터치 센서 내장형 표시장치와 그 구동방법{DISPLAY DEVICE HAVING TOUCH SENSOR AND DRIVING METHOD OF THE SAME}
본 명세서는 터치 센서 내장형 표시장치와 그 구동방법에 관한 것이다.
터치 입력을 센싱할 수 있도록 터치 센서를 갖는 터치 센서 내장형 표시장치가 알려져 있다. 터치 센서 내장형 표시장치에서, 터치 전극과 터치 배선에 생기는 기생 커패시턴스와 로드 저항값이 터치 센싱 회로와 터치 전극 간의 거리에 따라 달라진다. 그 결과, 터치 센싱 회로와 터치 전극 간의 거리가 멀수록 RC값이 증가하여 터치 감도가 떨어진다.
터치 감도가 큰 제1 위치를 기준으로 터치 게인이 정해지는 경우, 상대적으로 터치 센싱 회로로부터 먼 제2 위치에서의 터치 감도는 떨어질 수 있다. 이에 반해, 터치 감도가 작은 제2 위치를 기준으로 터치 게인이 정해지는 경우, 상대적으로 터치 센싱 회로로부터 가까운 제1 위치에서의 터치 센싱값이 세츄레이션되고 터치 감도가 떨어질 수 있다.
터치 감도 편차는 터치 패널의 전체 영역에 대하여 적을 수록 좋다. 터치 감도 편차는 터치 패널의 사이즈에 비례하므로, 대면적 터치 패널일 경우 터치 전극의 위치별 감도 편차를 개선할 필요가 있다.
따라서, 본 명세서는 터치 전극의 위치별 감도 편차를 개선하여 터치 성능을 향상시킬 수 있도록 한 터치 센서 내장형 표시장치와 그 구동방법을 제공한다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 명세서의 실시예에 따른 터치 센서 내장형 표시장치는 복수의 터치 전극들이 구비된 표시패널; 터치 구동신호를 상기 터치 전극들로 인가하고, 상기 터치 전극들로부터 유입되는 전하를 앰프 리셋 신호를 기초로 증폭하여 앰프 출력 전압을 생성하는 터치 센싱 회로; 및 상기 앰프 리셋 신호의 토글 타이밍과 상기 터치 구동신호의 전압 진폭 중에서 적어도 하나를 조정하여, 상기 터치 전극들의 위치에 따라 상기 앰프 출력 전압의 크기를 차등적으로 제어하는 앰프 출력 제어회로를 포함한다.
본 명세서의 실시예에 따른 터치 센서 내장형 표시장치의 구동방법은 터치 구동신호를 표시패널의 터치 전극들로 인가하고, 상기 터치 전극들로부터 유입되는 전하를 앰프 리셋 신호를 기초로 증폭하여 앰프 출력 전압을 생성하는 단계; 및 상기 앰프 리셋 신호의 토글 타이밍과 상기 터치 구동신호의 전압 진폭 중에서 적어도 하나를 조정하여, 상기 터치 전극들의 위치에 따라 상기 앰프 출력 전압의 크기를 차등적으로 제어하는 단계를 포함한다.
본 명세서의 실시예에 따른 터치 센서 내장형 표시장치는 터치 전극의 위치별 감도 편차를 개선하여 터치 성능을 향상시킬 수 있다.
또한, 본 명세서의 실시예에 따른 터치 센서 내장형 표시장치는 터치 전극의 센싱 모드별 감도 편차를 개선하여 터치 성능을 향상시킬 수 있다.
도 1 및 도 2는 본 명세서의 실시예에 따른 터치 센서 내장형 표시장치를 보여주는 도면들이다.
도 3은 본 명세서의 데이터 구동회로와 터치 구동회로가 통합된 소스&리드 아웃 IC의 구성을 보여주는 도면이다.
도 4는 소스&리드 아웃 IC에 포함된 터치 센싱 회로를 보여주는 도면이다.
도 5는 터치 전극의 위치별 감도 편차를 개선하기 위한 기술 콘셉을 보여주는 도면이다.
도 6 및 도 7은 터치 센싱 회로에 인가될 앰프 리셋 신호의 토글 타이밍을 터치 전극의 위치에 따라 차등적으로 조정하는 일 예를 보여주는 도면들이다.
도 8 및 도 9는 앰프 리셋 신호의 토글 타이밍을 조정하기 위한 구체적 구현 방안들을 보여주는 도면들이다.
도 10 및 도 11은 터치 센싱 회로에 인가될 터치 구동신호의 전압 진폭을 터치 전극의 위치에 따라 차등적으로 조정하는 일 예를 보여주는 도면들이다.
도 12는 터치 전극들을 선택적으로 터치 센싱 회로에 연결하기 위한 먹스 회로들을 보여주는 도면이다.
도 13은 앰프 리셋 신호의 토글 타이밍을 터치 전극의 위치에 따라 차등적으로 조정하기 위한 제반 회로의 구성 예를 보여주는 도면이다.
도 14 및 도 15는 터치 구동신호의 전압 진폭을 터치 전극의 위치에 따라 차등적으로 조정하기 위한 제반 회로의 구성 예를 보여주는 도면들이다.
도 16 및 도 17은 터치 전극의 위치에 따라 앰프 리셋 신호의 토글 타이밍과 터치 구동신호의 전압 진폭을 차등적으로 조정하는 하이브리드 구성 예를 보여주는 도면들이다.
도 18은 핑거 센싱 모드와 펜 센싱 모드에서 앰프 리셋 신호의 토글 타이밍을 차등적으로 조정하는 일 예를 보여주는 도면이다.
도 19는 셀프 센싱 모드와 뮤추얼 센싱 모드에서 앰프 리셋 신호의 토글 타이밍을 차등적으로 조정하는 일 예를 보여주는 도면이다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 명세서에 따른 바람직한 실시예들을 상세히 설명한다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 실질적으로 동일한 구성요소들을 의미한다. 이하의 설명에서, 본 명세서와 관련된 공지 기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 명세서의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우, 그 상세한 설명을 생략한다.
도 1 및 도 2는 본 명세서의 실시예에 따른 터치 센서 내장형 표시장치를 보여주는 도면들이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 명세서의 터치 센서 내장형 표시장치(10)는 액정표시소자(Liquid Crystal Display, LCD), 전계방출 표시소자(Field Emission Display : FED), 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel, PDP), 유기발광 다이오드 표시소자(Organic Light Emitting Display, OLED), 전기영동 표시소자(Electrophoresis, EPD) 등의 평판 표시소자 기반으로 구현될 수 있다. 이하의 실시예에서, 표시장치가 액정표시소자로 구현되는 것을 설명하지만, 본 명세서의 표시장치는 액정표시소자에 한정되지 않는다.
본 명세서의 터치 센서 내장형 표시장치는 표시패널(10), 데이터 구동회로(12), 게이트 구동회로(14), 타이밍 콘트롤러(16), 터치 구동회로(18), 및 호스트 시스템(19), 및 전원 회로(20)를 포함할 수 있다.
표시패널(10)은 두 장의 기판들 사이에 형성된 액정층을 포함한다. 표시패널(10)의 픽셀 어레이는 데이터라인들(D1~Dm, m은 양의 정수)과 게이트라인들(G1~Gn, n은 양의 정수)에 의해 정의된 픽셀 영역에 형성된 픽셀들(PXL)을 포함한다. 픽셀들(PXL) 각각은 데이터라인들(D1~Dm)과 게이트라인들(G1~Gn)의 교차부들에 형성된 TFT들(Thin Film Transistor), 데이터전압을 충전하는 픽셀전극, 픽셀전극에 접속되어 액정셀의 전압을 유지시키기 위한 스토리지 커패시터(Storage Capacitor, Cst) 및 공통전극(COM) 등을 포함할 수 있다.
픽셀들(PXL)의 공통전극(COM)은 다수의 세그먼트들(segment)로 분할되고, 터치 전극들(TS)은 분할된 공통전극(COM)으로 구현된다. 하나의 공통전극 세그먼트(segment)는 다수의 픽셀들(PXL)에 공통으로 연결되고 하나의 터치 전극(TS)을 형성한다. 1 라인 상에 나란히 배치된 다수의 터치 전극들이 하나의 터치 블록 라인을 형성할 수 있다. 그리고, 각 터치 센서는 다수의 게이트라인들과 데이터라인들에 의해 정의되는 다수의 픽셀들을 포함할 수 있다. 터치 블록 라인들 각각은 다수의 픽셀 라인들과 중첩되고, 1 터치 블록 라인의 폭은 1 픽셀 라인의 폭보다 넓다. 여기서, 1 픽셀 라인이란 1 라인 상에 나란히 배치된 픽셀들(PXL)로 이루어진다.
표시패널(10)의 상부 기판에는 블랙매트릭스, 컬러필터 등이 형성될 수 있다. 표시패널(10)의 하부 기판은 COT(Color filter On TFT) 구조로 구현될 수 있다. 이 경우에, 블랙매트릭스와 컬러필터는 표시패널(10)의 하부 기판에 형성될 수 있다. 공통전압이 공급되는 공통전극은 표시패널(10)의 상부 기판이나 하부 기판에 형성될 수 있다. 표시패널(10)의 상부 기판과 하부 기판 각각에는 편광판이 부착되고 액정과 접하는 내면에 액정의 프리틸트각을 설정하기 위한 배향막이 형성된다. 표시패널(10)의 상부 기판과 하부 기판 사이에는 액정셀의 셀갭(Cell gap)을 유지하기 위한 컬럼 스페이서가 형성된다.
표시패널(10)의 배면 아래에는 백라이트 유닛이 배치될 수 있다. 백라이트 유닛은 에지형(edge type) 또는 직하형(Direct type) 백라이트 유닛으로 구현되어 표시패널(10)에 빛을 조사한다. 표시패널(10)은 TN(Twisted Nematic) 모드, VA(Vertical Alignment) 모드, IPS(In Plane Switching) 모드, FFS(Fringe Field Switching) 모드 등 공지된 어떠한 액정 모드로도 구현될 수 있다.
타이밍 콘트롤러(16)는 호스트 시스템(19)으로부터 입력되는 수직 동기신호(Vsync), 수평 동기신호(Hsync), 데이터 인에이블 신호(Data Enable, DE), 메인 클럭(MCLK) 등의 타이밍신호를 입력받아 데이터 구동회로(12)와 게이트 구동회로(14)와 터치 구동회로(18)의 동작 타이밍을 제어한다. 스캔 타이밍 제어신호는 게이트 스타트 펄스(Gate Start Pulse, GSP), 게이트 쉬프트 클럭(Gate Shift Clock), 게이트 출력 인에이블신호(Gate Output Enable, GOE) 등을 포함한다. 데이터 타이밍 제어신호는 소스 샘플링 클럭(Source Sampling Clock, SSC), 극성제어신호(Polarity, POL), 소스 출력 인에이블신호(Source Output Enable, SOE) 등을 포함한다. 타이밍 콘트롤러(16)는 도 12 내지 도 15의 MCU(Micro Controller Unit)를 포함할 수 있다.
타이밍 콘트롤러(16)는 터치 동기신호(도 16,18-19의 TSYNC 참조)를 기반으로 표시장치의 구동 기간을 디스플레이 구동 기간(Pd)과 터치센서 구동 기간(Pt)으로 시분할할 수 있다. 데이터 구동회로(12)와 게이트 구동회로(14)와 터치 구동회로(18)는 터치 동기신호(TSYNC)에 응답하여 서로 동기된다. 터치 동기신호(TSYNC)의 제1 로직 레벨(logic level)은 디스플레이 구동 기간(Pd)을 정의하고, 제2 로직 레벨은 터치센서 구동 기간(Pt)을 정의한다. 제1 로직 레벨은 하이 로직 레벨(high logic level)이고, 제2 로직 레벨은 로우 로직 레벨(low logic level)일 수 있으나 그 반대로 설정될 수도 있다.
데이터 구동회로(12)와 게이트 구동회로(14)는 타이밍 콘트롤러(16)의 제어 하에 입력 영상 데이터(RGB)를 표시패널(10)의 픽셀들(PXL)로 기입한다.
데이터 구동회로(12)는 다수의 소스 드라이버 IC(Integrated Circuit)(SIC)를 포함하고, 타이밍 콘트롤러(16)로부터 입력되는 디지털 영상 데이터(RGB)를 스캔 타이밍 제어신호에 따라 아날로그 정극성/부극성 감마보상전압으로 변환하여 데이터전압을 생성하고, 이 데이터전압을 디스플레이 구동 기간(Pd)에서 출력한다. 데이터 구동회로(12)로부터 출력된 데이터전압은 데이터라인들(D1~Dm)로 공급된다.
데이터 구동회로(12)는 터치센서 구동 기간(Pt) 동안 터치 전극들(TS)로 인가되는 터치 구동신호(Tdrv)와 같은 위상 및 같은 진폭으로 변하는 교류 신호(도 3, Sdrv 참조)를 데이터 라인들(D1~Dm)로 인가하여 터치 전극들(TS)과 데이터 라인들(D1~Dm) 사이의 기생 캐패시턴스를 최소화하고, 터치 전극들(TS)에 미치는 기생 캐패시턴스의 영향을 줄인다. 이렇게 되는 이유는, 기생 캐패시터의 양단 전압이 동시에 변하고 그 전압 차이가 작을수록 기생 캐패시터에 충전되는 전하량이 작아지기 때문이다. 터치 전극들(TS)에 미치는 기생 캐패시턴스의 영향이 줄어들면, 터치 센싱 결과에 혼입되는 디스플레이 노이즈가 최소화되고, 터치 센싱 신호인 앰프 출력 전압의 왜곡이 방지될 수 있다.
게이트 구동회로(14)는 스캔 타이밍 제어신호를 참조하여 데이터전압에 동기되는 게이트펄스를 생성하고, 디스플레이 구동 기간(Pd)에서 이 게이트펄스를 게이트라인들(G1~Gn)에 출력하여, 데이터전압이 기입되는 표시패널(10)의 1 표시라인을 선택한다.
게이트 구동회로(14)는 터치센서 구동 기간(Pt) 동안 터치 전극들(TS)에 인가되는 터치 구동신호(Tdrv)와 같은 위상 및 같은 진폭으로 변하는 교류 신호를 생성하여 게이트 라인들(G1~Gn)에 인가함으로써 터치 전극들(TS)과 게이트 라인들(G1~Gn) 사이의 기생 캐패시턴스를 최소화하고, 터치 전극들(TS)에 미치는 기생 캐패시턴스의 영향을 줄인다. 터치 전극들(TS)과 게이트 라인들(G1~Gn) 사이의 기생 캐패시턴스가 최소화되면, 터치 센싱 결과에 혼입되는 디스플레이 노이즈가 최소화되고, 터치 센싱 신호인 앰프 출력 전압의 왜곡이 방지될 수 있다.
게이트 구동회로(14)는 게이트 드라이버 IC(Integrated Circuit)로 구성될 수도 있고, GIP(Gate driver In Panel) 방식에 따라 표시 패널(10)의 하부 유리기판 상에 직접 형성될 수도 있다.
터치 구동회로(18)는 리드 아웃 IC(RIC) 등을 포함한다. 터치 구동회로(18)는 터치센서 구동 기간(Pt)에서, 표시 패널(10)의 픽셀 어레이에 내장된 터치 전극들(TS)을 구동 및 센싱한다. 터치 전극들(TS)은 터치 입력을 감지하기 위한 캐패시턴스 센서를 구성할 수 있다. 캐패시턴스 센서는 셀프 캐패시턴스(Self-capacitance) 기반으로 구현되거나 또는 뮤추얼 캐패시턴스(Mutual-capacitance) 기반으로 구현될 수 있다. 셀프 캐패시턴스 및 뮤추얼 캐패시턴스는 한 방향으로 형성된 단층의 도체 배선을 따라 형성될 수 있고, 직교하는 두 도체 배선들 사이에 형성될 수 있다.
리드 아웃 IC(RIC)는 터치센서 구동 기간(Pt)에서 동작하는 터치 센싱 회로(도 3의 SU)와 앰프 출력 제어회로를 포함할 수 있다. 터치 센싱 회로(도 3의 SU)는 터치 구동신호(도 3의 Tdrv 참조)를 터치 전극들(TS)로 인가하고, 터치 전극들(TS)로부터 유입되는 전하를 앰프 리셋 신호(도 4의 RST 참조)를 기초로 증폭하여 앰프 출력 전압을 생성한다. 앰프 출력 제어회로는 앰프 리셋 신호(RST)의 토글 타이밍과 터치 구동신호(Tdrv)의 전압 진폭 중 적어도 하나를 조정하여, 터치 전극들(TS)의 위치에 따라 앰프 출력 전압의 크기를 차등적으로 제어함으로써, 터치 전극의 위치별 감도 편차를 개선하고 터치 성능을 향상시킬 수 있다.
리드 아웃 IC(RIC)와 소스 드라이버 IC(SIC)는 1칩화 됨으로써 도 2와 같이 소스&리드 아웃 IC(SRIC)로 구현될 수 있다. 소스&리드 아웃 IC(SRIC)는 소스 COF(Chip On Film)(SCOF)에 실장될 수 있다.
호스트 시스템(19)은 디지털 영상 데이터(RGB)와 함께 타이밍 신호들(Vsync, Hsync, DE, MCLK)을 타이밍 콘트롤러(16)로 전송하며, 터치 구동회로(18)로부터 입력되는 터치 센싱 데이터(TDATA(XY))와 연계된 응용 프로그램을 실행할 수 있다.
호스트 시스템(19)은 본 명세서의 표시장치가 적용 가능한 전자 기기의 시스템 본체를 의미한다. 호스트 시스템(19)은 폰 시스템(Phone system), TV(Television) 시스템, 셋톱박스, 네비게이션 시스템, DVD 플레이어, 블루레이 플레이어, 개인용 컴퓨터(PC), 홈 시어터 시스템 중 어느 하나일 수 있다. 호스트 시스템(19)은 터치 센싱 IC(TIC)로부터 터치 입력 데이터(TDATA(XY))를 수신하여 터치 입력과 연계된 어플리케이션(application)을 실행한다.
전원 회로(20)는 터치 구동회로(18)의 동작에 필요한 구동 전원을 생성한다. 전원 회로(20)는 도 12 및 도 14의 "TPIC(Touch Power IC)"와 같이 집적회로 형태로 구현될 수 있다. 필요에 따라서, 전원 회로(20)는 앰프 출력 제어회로를 내장할 수 있다(도 14, Tdrv 조정부 내장).
도 3은 본 명세서의 데이터 구동회로와 터치 구동회로가 통합된 소스&리드 아웃 IC의 구성을 보여주는 도면이다. 그리고, 도 4는 소스&리드 아웃 IC에 포함된 터치 센싱 회로를 보여주는 도면이다.
도 3 및 도 4를 참조하면, 소스&리드 아웃 IC(SRIC)는 표시패널(10)의 데이터라인들(D1~D5)을 구동하는 소스 드라이버 IC(SIC)와, 표시패널(10)의 터치 전극들(TS)에 연결된 터치 배선들(SL)을 구동하는 리드 아웃 IC(RIC)를 포함한다.소스 드라이버 IC(SIC)와 리드 아웃 IC(RIC) 각각은 소스&리드 아웃 IC(SRIC) 내에서 기능적으로 분리된 별도의 "회로부"일 수 있다.
소스 드라이버 IC(SIC)는 데이터전압(Vdata)을 생성하는 디지털-아날로그 변환부와, 데이터전압(Vdata)을 안정화시키는 출력 버퍼(BUF)를 포함한다. 소스 드라이버 IC(SIC)는 디스플레이 구동 기간에서 데이터전압(Vdata)을 데이터라인들(D1~D5)로 출력하고, 터치센서 구동 기간에서 기생 캐패시턴스의 영향을 줄이기 위한 교류 신호(Sdrv 참조)를 데이터라인들(D1~D5)로 출력한다.
리드 아웃 IC(RIC)는 멀티플렉서(MUX)와 터치 센싱 회로(SU)와 공통전압 생성부(미도시)를 포함할 수 있다. 한편, 공통전압 생성부는 도 1의 전원 회로(20)에 포함될 수도 있다. 공통전압 생성부는 디스플레이 구동에 필요한 공통 전압을 생성한다. 공통전압은 표시장치의 종류에 따라 다양한 디스플레이 전압이 될 수 있다. 예컨대, 액정표시장치에서 공통전압은 공통전극에 인가되는 전압이고, 유기발광 표시장치에서 공통전압은 캐소드전극에 인가되는 전압일 수 있다.
멀티플렉서(MUX)는 타이밍 콘트롤러(16)의 제어 하에 터치 센싱 회로(SU)와 공통전압 생성부를 터치 전극들에 선택적으로 억세스(즉, 연결)시킨다. 터치 스크린의 해상도가 M×N(M, N 각각은 2 이상의 양의 정수)일 때, 터치 전극들(TS)은 M×N 개로 분할되고 멀티플렉서(MUX)의 개수는 M 개일 수 있다. 멀티플렉서(MUX) 각각은 N 개의 터치 배선들(SL)을 통해 N 개의 터치 전극들(TS)에 연결되고, N 개의 터치 배선들(SL)을 하나의 터치 센싱 회로(SU)에 순차적으로 연결한다.
터치 센싱 회로(SU)는 멀티플렉서(MUX)를 통해 터치 배선들(SL)에 연결되어 터치 구동신호(Tdrv)를 터치 전극들(TS)로 인가하고, 터치 전극들(TS)로부터 유입되는 전하를 센싱하여 터치 센싱 데이터(TDATA)를 생성한다.
터치 센싱 회로(SU)는 도 4와 같이 터치 캐패시터(CS)의 전압을 앰프 리셋 신호(RST)를 기초로 증폭하는 프리 증폭기, 프리 증폭기의 앰프 출력 전압을 누적하는 적분기, 적분기의 출력 전압을 디지털 데이터로 변환하는 아날로그 디지털 변한기(Analog-to-Digital Converter, 이하 "ADC"라 함)를 포함한다. ADC에서 생성된 디지털 데이터는 터치 센싱 데이터(TDATA)로서 호스트 시스템으로 전송된다. 터치 스크린의 해상도가 M×N일 때, 터치 센싱 회로(SU)는 M 개만큼 필요하다.
터치 전극에는 셀프 캐패시턴스 또는 뮤추얼 캐패시턴스를 갖는 터치 캐패시터(CS)가 형성되어 있다. 프리 증폭기는 터치 배선(SL)을 통해 터치 전극에 연결되어, 터치 캐패시터(CS)에 충전되어 있는 전하를 유입받는다. 터치 배선(SL)에는 로드 저항 성분(LR)과 기생 캐패시터 성분(CP)이 존재할 수 있다.
프리 증폭기는, 앰프(AMP), 피드백 커패시터(CFB), 및 리셋 스위치(SW)를 포함한다. 앰프(AMP)의 반전 단자(-)는 터치 배선(SL)에 연결되고, 앰프(AMP)의 비 반전 단자(+)에는 터치 구동신호(Tdrv)가 공급된다. 앰프(AMP)의 출력 단자는 적분기에 연결된다. 피드백 커패시터(CFB)는 앰프(AMP)의 반전 단자(-)와 출력 단자 사이에 연결된다. 리셋 스위치(SW)도 앰프(AMP)의 반전 단자(-)와 출력 단자 사이에 연결된다. 리셋 스위치(SW)는 앰프 리셋 신호(RST)의 토글 타이밍에 맞춰 온 된다. 프리 증폭기는 리셋 스위치(SW)가 온 될 때까지 터치 전극으로부터 유입되는 전하를 피드백 커패시터(CFB)에 저장하고, 이 저장된 전압을 앰프 출력 전압으로서 적분기에 공급한다. 이러한 앰프 출력 전압은 터치 배선(SL)의 RC값에 따라 터치 전극의 위치에 따라 달라질 수 있으며, 이는 터치 전극의 위치별 감도 편차를 초래할 수 있다. 따라서, 도 5 내지 도 19와 같은 위치별 감도 편차 개선 방안이 제시될 수 있다.
도 5는 터치 전극의 위치별 감도 편차를 개선하기 위한 기술 콘셉을 보여주는 도면이다. 도 6 및 도 7은 터치 센싱 회로에 인가될 앰프 리셋 신호의 토글 타이밍을 터치 전극의 위치에 따라 차등적으로 조정하는 일 예를 보여주는 도면들이다. 도 8 및 도 9는 앰프 리셋 신호의 토글 타이밍을 조정하기 위한 구체적 구현 방안들을 보여주는 도면들이다. 그리고, 도 10 및 도 11은 터치 센싱 회로에 인가될 터치 구동신호의 전압 진폭을 터치 전극의 위치에 따라 차등적으로 조정하는 일 예를 보여주는 도면들이다.
도 5를 참조하면, 앰프 출력 제어회로는 터치 전극들의 위치에 따라 앰프 출력 전압의 크기를 차등적으로 제어하여 터치 전극의 위치별 감도 편차를 개선한다. 이를 위해, 앰프 출력 제어회로는 앰프 리셋 신호(RST)의 토글 타이밍과 터치 구동신호(Tdrv)의 전압 진폭 중에서 적어도 하나를 조정할 수 있다. 다시 말해, 앰프 출력 제어회로는 터치 전극들의 위치에 따라 앰프 리셋 신호(RST)의 토글 타이밍을 차등적으로 조정하는 RST 조정부와, 터치 전극들의 위치에 따라 터치 구동신호(Tdrv)의 전압 진폭을 차등적으로 조정하는 Tdrv 조정부 중에서, 적어도 하나를 포함할 수 있다.
RST 조정부는, 터치 전극들의 위치에 따라 미리 설정된 앰프 리셋 신호의 온 시작 타이밍과 온 듀티를 기반으로, 앰프 리셋 신호의 토글 타이밍을 차등적으로 조정할 수 있다.
RST 조정부는, 도 5와 같이 제1 위치(AR1)의 터치 전극에 대응하여 앰프 리셋 신호(RST)의 토글 타이밍을 제1 온 시작 타이밍(Ta)으로 조정하고, 제2 위치(AR2)의 터치 전극에 대응하여 앰프 리셋 신호(RST)의 토글 타이밍을 제1 온 시작 타이밍(Ta)보다 앞선 제2 온 시작 타이밍(Tb)으로 조정하고, 제3 위치(AR3)의 터치 전극에 대응하여 앰프 리셋 신호(RST)의 토글 타이밍을 제2 온 시작 타이밍(Tb)보다 앞선 제3 온 시작 타이밍(Tc)으로 조정할 수 있다. 여기서, 제1 위치(AR1)는 제2 위치(AR2)에 비해 터치 센싱 회로(SU)로부터 더 멀고, 제2 위치(AR2)는 제3 위치(AR3)에 비해 터치 센싱 회로(SU)로부터 더 멀다.
도 6 및 도 7을 참조하면, 프리 증폭기는 제1 위치(AR1)의 터치 전극에 대응하여, 터치 구동신호(Tdrv)의 라이징 타이밍부터 앰프 리셋 신호(RST)의 제1 온 시작 타이밍(Ta)까지 제1 위치(AR1)의 터치 전극으로부터 유입되는 전하를 피드백 커패시터(CFB)에 저장하고, 이 저장된 전압을 제1 앰프 출력 전압(VA)으로서 적분기에 공급한다. 그러면, 적분기는 제1 앰프 출력 전압(VA)을 복수회(예컨대 3회) 누적하여 제1 적분기 출력 전압을 생성한다.
도 6 및 도 7을 참조하면, 프리 증폭기는 제2 위치(AR2)의 터치 전극에 대응하여, 터치 구동신호(Tdrv)의 라이징 타이밍부터 앰프 리셋 신호(RST)의 제2 온 시작 타이밍(Tb)까지 제2 위치(AR2)의 터치 전극으로부터 유입되는 전하를 피드백 커패시터(CFB)에 저장하고, 이 저장된 전압을 제2 앰프 출력 전압(VB)으로서 적분기에 공급한다. 그러면, 적분기는 제2 앰프 출력 전압(VB)을 복수회(예컨대 3회) 누적하여 제2 적분기 출력 전압을 생성한다.
한편, 도 6 및 도 7에서, 모든 터치 전극들로 인가되는 터치 구동신호(Tdrv)의 전압 진폭은 전극 위치에 상관없이 VTH와 VTL 간의 차 전압으로 동일하다.
제2 온 시작 타이밍(Tb)이 제1 온 시작 타이밍(Ta)보다 앞서기 때문에, 제2 앰프 출력 전압(VB)의 크기는 제1 앰프 출력 전압(VA)의 크기에 비해 "△V"만큼 더 작다. 따라서, 제2 적분기 출력 전압의 크기는 제1 적분기 출력 전압의 크기에 비해 "△AV"만큼 더 작다.
이와 같이, 앰프 리셋 신호(RST)의 토글 타이밍에 따라 앰프 출력 전압의 크기가 터치 전극들의 위치에 따라 차등적으로 제어될 수 있다. 앰프 출력 전압의 크기는 제1 위치(AR1)에서보다 제2 위치(AR2)에서 더 작게, 그리고, 제2 위치(AR2)에서보다 제3 위치(AR3)에서 더 작게 제어될 수 있다. 이에 따르면, 터치 전극들의 위치가 터치 센싱 회로(SU)로부터 더 멀리 떨어질수록 앰프 출력 전압의 크기가 증가하기 때문에, 터치 전극의 위치별 감도 편차가 효과적으로 경감될 수 있다.
도 8과 같이 앰프 리셋 신호(RST)의 토글 타이밍이 제1 온 시작 타이밍(Ta), 제2 온 시작 타이밍(Tb), 제3 온 시작 타이밍(Tc)이 되도록 하기 위해, RST 조정부는 온 듀티가 동일하되 위상이 서로 다른 3개의 앰프 리셋 신호들(RST)을 생성할 수 있다.
또한, 도 9와 같이 앰프 리셋 신호(RST)의 토글 타이밍이 제1 온 시작 타이밍(Ta), 제2 온 시작 타이밍(Tb), 제3 온 시작 타이밍(Tc)이 되도록 하기 위해, RST 조정부는 온 듀티가 서로 다른 3개의 앰프 리셋 신호들(RST)을 생성할 수 있다. 이에 따르면, 제1 온 시작 타이밍(Ta)의 앰프 리셋 신호(RST)는 제1 온 듀티를 포함하고, 제2 온 시작 타이밍(Tb)의 앰프 리셋 신호(RST)는 제2 온 듀티를 포함하며, 제3 온 시작 타이밍(Tc)의 앰프 리셋 신호(RST)는 제3 온 듀티를 포함할 수 있다. 이 경우, 제1 온 듀티는 제2 온 듀티보다 더 짧고, 제2 온 듀티는 제3 온 듀티보다 더 짧다. 즉, 도 9를 참조하면, 온 듀티가 서로 다른 3개의 앰프 리셋 신호들(RST)은, 폴링 타이밍이 서로 동일하며 라이징 타이밍은 서로 다를 수 있다.
한편, Tdrv 조정부는 도 5와 같이 제1 위치(AR1)의 터치 전극에 대응하여 터치 구동신호(Tdrv)의 전압 진폭을 제1 값(Da)으로 조정하고, 제2 위치(AR2)의 터치 전극에 대응하여 터치 구동신호(Tdrv)의 전압 진폭을 제2 값(Db)으로 조정하고, 제3 위치(AR3)의 터치 전극에 대응하여 터치 구동신호(Tdrv)의 전압 진폭을 제3 값(Dc)으로 조정할 수 있다. 여기서, 제1 값(Da)은 제2 값(Db)보다 더 크고, 제2 값(Db)은 제3 값(Dc)보다 더 크다.
도 10 및 도 11을 참조하면, 프리 증폭기는 제1 위치(AR1)의 터치 전극에 대응하여, 제1 값(Da)의 진폭을 갖는 터치 구동신호(Tdrv)의 라이징 타이밍부터 앰프 리셋 신호(RST)의 온 시작 타이밍까지 제1 위치(AR1)의 터치 전극으로부터 유입되는 전하를 피드백 커패시터(CFB)에 저장하고, 이 저장된 전압을 제1 앰프 출력 전압(VA)으로서 적분기에 공급한다. 그러면, 적분기는 제1 앰프 출력 전압(VA)을 복수회(예컨대 3회) 누적하여 제1 적분기 출력 전압을 생성한다.
도 10 및 도 11을 참조하면, 프리 증폭기는 제2 위치(AR2)의 터치 전극에 대응하여, 제2 값(Db)의 진폭을 갖는 터치 구동신호(Tdrv)의 라이징 타이밍부터 앰프 리셋 신호(RST)의 온 시작 타이밍까지 제2 위치(AR2)의 터치 전극으로부터 유입되는 전하를 피드백 커패시터(CFB)에 저장하고, 이 저장된 전압을 제2 앰프 출력 전압(VB)으로서 적분기에 공급한다. 그러면, 적분기는 제2 앰프 출력 전압(VB)을 복수회(예컨대 3회) 누적하여 제2 적분기 출력 전압을 생성한다.
한편, 도 10 및 도 11에서, 앰프 리셋 신호(RST)의 온 시작 타이밍은 터치 전극의 위치에 상관없이 동일하다.
제2 값(Db)의 진폭은 제1 값(Da)의 진폭보다 더 작기 때문에, 제2 앰프 출력 전압(VB)의 크기는 제1 앰프 출력 전압(VA)의 크기에 비해 더 작다. 따라서, 제2 적분기 출력 전압의 크기는 제1 적분기 출력 전압의 크기에 비해 "△AV"만큼 더 작다.
이와 같이, 터치 구동신호(Tdrv)의 전압 진폭에 따라 앰프 출력 전압의 크기가 터치 전극들의 위치에 따라 차등적으로 제어될 수 있다. 앰프 출력 전압의 크기는 제1 위치(AR1)에서보다 제2 위치(AR2)에서 더 작게, 그리고, 제2 위치(AR2)에서보다 제3 위치(AR3)에서 더 작게 제어될 수 있다. 이에 따르면, 터치 전극들의 위치가 터치 센싱 회로(SU)로부터 더 멀리 떨어질수록 앰프 출력 전압의 크기가 증가하기 때문에, 터치 전극의 위치별 감도 편차가 효과적으로 경감될 수 있다.
도 12는 터치 전극들을 선택적으로 터치 센싱 회로에 연결하기 위한 먹스 회로들을 보여주는 도면이다. 그리고, 도 13은 앰프 리셋 신호의 토글 타이밍을 터치 전극의 위치에 따라 차등적으로 조정하기 위한 제반 회로의 구성 예를 보여주는 도면이다.
도 12 및 도 13을 참조하면, RST 조정부는 먹스 카운터 및 설정 레지스터와 함께 소스&리드 아웃 IC(SRIC)의 디지털 회로블록 내에 포함될 수 있다. RST 조정부, 먹스 카운터 및 설정 레지스터는 MCU의 제어를 받는다. MCU는 TPIC와 함께 소스 인쇄회로기판(SPCB) 상에 실장될 수 있다.
먹스 카운터는 멀티플렉서(MUX)를 통한 터치 전극(TS)과 터치 센싱회로(SU) 간의 연결 순서를 나타내는 먹스 카운트 정보를 생성한다. 먹스 카운트 정보는 터치 전극(TS)의 위치에 따라 다른 값으로 생성된다. 설정 레지스터에는 터치 전극(TS)의 위치에 따라 앰프 리셋 신호(RST)의 온 시작 타이밍과 온 듀티 등이 미리 차등적으로 설정되어 있다. 설정 레지스터의 앰프 리셋 신호(RST)와 관련된 정보는 MCU에 의해 수정될 수 있다.
RST 조정부는 먹스 카운트 정보를 기반으로 터치 전극(TS)의 각 위치에 대응되는 앰프 리셋 신호(RST)를 설정 레지스터로부터 읽어 낸다. 이를 통해 터치 전극들의 위치에 따라 앰프 리셋 신호(RST)의 토글 타이밍이 차등적으로 조정될 수 있다.
도 14 및 도 15는 터치 구동신호의 전압 진폭을 터치 전극의 위치에 따라 차등적으로 조정하기 위한 제반 회로의 구성 예를 보여주는 도면들이다.
Tdrv 조정부는 도 14와 같이 TPIC 내에 포함될 수도 있고, 도 15와 같이 소스&리드 아웃 IC(SRIC)의 아날로그 회로블록 내에 포함될 수도 있다.
도 14 및 도 15에서, 소스&리드 아웃 IC(SRIC)의 디지털 회로블록 내에는 도 13과 같은 먹스 카운터가 실장된다. 먹스 카운터는 멀티플렉서(MUX)를 통한 터치 전극(TS)과 터치 센싱회로(SU) 간의 연결 순서를 나타내는 먹스 카운트 정보를 생성한다. 먹스 카운트 정보는 터치 전극(TS)의 위치에 따라 다른 값으로 생성된다.
Tdrv 조정부는 먹스 카운트 정보에 따라 터치 전극(TS)의 위치를 감지하고, 해당 위치에 맞게 터치 구동신호(Tdrv)의 전압 진폭을 조정한다. Tdrv 조정부는 터치 전극(TS)의 위치에 맞게 전압 진폭이 조정된 터치 구동신호(Tdrv)를 터치 센싱회로(SU)에 공급한다. 터치 구동신호(Tdrv)는 터치 센싱회로(SU)의 프리 증폭기를 통해 터치 전극들(TS)에 인가된다. 이를 통해 터치 전극들의 위치에 따라 터치 구동신호(Tdrv)의 전압 진폭이 차등적으로 조정될 수 있다.
도 16 및 도 17은 터치 전극의 위치에 따라 앰프 리셋 신호의 토글 타이밍과 터치 구동신호의 전압 진폭을 차등적으로 조정하는 하이브리드 구성 예를 보여주는 도면들이다.
도 16 및 도 17과 함께 도 12를 더 참조하면, 제1 멀티 플렉서(MUX1)를 통해 연결되는 터치 전극들의 위치가 터치 센싱회로(SU)로부터 가장 멀고, 제n 멀티 플렉서(MUXn)를 통해 연결되는 터치 전극들의 위치가 터치 센싱회로(SU)로부터 가장 가깝다.
앰프 출력 제어회로는 디스플레이 구동 기간(Pd)에서, 터치 전극의 위치에 따라 앰프 리셋 신호(RST)의 토글 타이밍과 터치 구동신호(Tdrv)의 전압 진폭(LFD)을 차등적으로 조정한다. 그러면, 터치 센싱 회로(SU)는 터치센서 구동 기간(Pt)에서 상기 조정된 팩터들을 기반으로 터치 전극들을 구동 및 센싱한다.
앰프 출력 제어회로는 제1 및 제2 멀티 플렉서들(MUX1,MUX2)을 통해 연결되는 터치 전극들에 대응하여 터치 구동신호(Tdrv)의 전압 진폭을 동일한 Da로 조정할 수 있다. 다만, 앰프 출력 제어회로는 제1 멀티 플렉서(MUX1)를 통해 연결되는 제1 터치 전극들에 대응하여 제1 앰프 리셋 신호(RST)의 토글 타이밍을 Ta로 조정하고, 제2 멀티 플렉서(MUX2)를 통해 연결되는 제2 터치 전극들에 대응하여 제2 앰프 리셋 신호(RST)의 토글 타이밍을 Tb로 조정할 수 있다. 앰프 출력 제어회로는 제1 앰프 리셋 신호(RST)의 온 듀티를 제2 앰프 리셋 신호(RST)의 온 듀티보다 더 짧게 하여, 제1 터치 전극들에 대한 앰프 출력 전압이 제2 터치 전극들에 대한 앰프 출력 전압보다 더 크게 출력되도록 할 수 있다.
앰프 출력 제어회로는 제3 및 제4 멀티 플렉서들(MUX3,MUX4)을 통해 연결되는 터치 전극들에 대응하여 터치 구동신호(Tdrv)의 전압 진폭을 동일한 Db로 조정할 수 있다. 여기서, Db는 Da보다 작다. 다만, 앰프 출력 제어회로는 제1 멀티 플렉서(MUX3)를 통해 연결되는 제3 터치 전극들에 대응하여 제3 앰프 리셋 신호(RST)의 토글 타이밍을 Ta'로 조정하고, 제4 멀티 플렉서(MUX4)를 통해 연결되는 제4 터치 전극들에 대응하여 제4 앰프 리셋 신호(RST)의 토글 타이밍을 Tb'로 조정할 수 있다. 앰프 출력 제어회로는 제3 앰프 리셋 신호(RST)의 온 듀티를 제4 앰프 리셋 신호(RST)의 온 듀티보다 더 짧게 하여, 제3 터치 전극들에 대한 앰프 출력 전압이 제4 터치 전극들에 대한 앰프 출력 전압보다 더 크게 출력되도록 할 수 있다.
앰프 출력 제어회로는 제n-1 및 제n 멀티 플렉서들(MUXn-1,MUXn)을 통해 연결되는 터치 전극들에 대응하여 터치 구동신호(Tdrv)의 전압 진폭을 동일한 Dc로 조정할 수 있다. 여기서, Dc는 Db보다 작다. 다만, 앰프 출력 제어회로는 제n-1 멀티 플렉서(MUXn-1)를 통해 연결되는 제n-1 터치 전극들에 대응하여 제n-1 앰프 리셋 신호(RST)의 토글 타이밍을 Ta"로 조정하고, 제n 멀티 플렉서(MUXn)를 통해 연결되는 제n 터치 전극들에 대응하여 제n 앰프 리셋 신호(RST)의 토글 타이밍을 Tb"로 조정할 수 있다. 앰프 출력 제어회로는 제n-1 앰프 리셋 신호(RST)의 온 듀티를 제n 앰프 리셋 신호(RST)의 온 듀티보다 더 짧게 하여, 제n-1 터치 전극들에 대한 앰프 출력 전압이 제n 터치 전극들에 대한 앰프 출력 전압보다 더 크게 출력되도록 할 수 있다.
도 18은 핑거 센싱 모드와 펜 센싱 모드에서 앰프 리셋 신호의 토글 타이밍을 차등적으로 조정하는 일 예를 보여주는 도면이다. 그리고, 도 19는 셀프 센싱 모드와 뮤추얼 센싱 모드에서 앰프 리셋 신호의 토글 타이밍을 차등적으로 조정하는 일 예를 보여주는 도면이다.
도 18을 참조하면, 터치 센싱 회로는 터치센서 구동 기간(Pt)에서 핑거(finger) 센싱 모드와 펜(pen) 센싱 모드를 구현할 수 있다. 터치 센싱 회로는 핑거 센싱 모드에서 핑거 터치 입력에 따른 앰프 출력 전압을 생성하고, 펜 센싱 모드에서 펜 터치 입력에 따른 앰프 출력 전압을 생성한다. 동일 위치의 터치 전극을 대상으로 하여 핑거 센싱 모드와 펜 센싱 모드에서의 터치 감도가 서로 다를 수 있다.
앰프 출력 회로는 동일 위치의 터치 전극에 대응하여, 펜 센싱 모드에서 앰프 리셋 신호(RST)의 토글 타이밍을 제1 온 시작 타이밍으로 조정하고, 핑거 센싱 모드에서 앰프 리셋 신호(RST)의 토글 타이밍을 상기 제1 온 시작 타이밍보다 앞선 제2 온 시작 타이밍으로 조정함으로써, 센싱 모드들 간의 터치 감도 편차를 개선할 수 있다.
도 19를 참조하면, 터치 센싱 회로는 터치센서 구동 기간(Pt)에서 셀프 센싱 모드와 뮤추얼 센싱 모드를 구현할 수 있다. 터치 센싱 회로는 셀프 센싱 모드에서 터치 입력에 따른 셀프 캐패시턴스(Self-capacitance) 기반의 앰프 출력 전압을 생성하고, 뮤추얼 센싱 모드에서 터치 입력에 따른 뮤추얼 캐패시턴스(Mutual-capacitance) 기반의 앰프 출력 전압을 생성한다. 동일 위치의 터치 전극을 대상으로 하여 셀프 센싱 모드와 무츄얼 센싱 모드에서의 터치 감도가 서로 다를 수 있다.
앰프 출력 회로는 동일 위치의 터치 전극에 대응하여, 셀프 센싱 모드에서 앰프 리셋 신호(RST)의 토글 타이밍을 제1 온 시작 타이밍으로 조정하고, 뮤추얼 센싱 모드에서 앰프 리셋 신호(RST)의 토글 타이밍을 상기 제1 온 시작 타이밍보다 앞선 제2 온 시작 타이밍으로 조정함으로써, 센싱 모드들 간의 터치 감도 편차를 개선할 수 있다.
이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 명세서의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 명세서의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.
10 : 표시패널 12 : 데이터 구동회로
14 : 게이트 구동회로 16 : 타이밍 콘트롤러
18 : 터치 구동회로 20 : 전원 회로
SU : 터치 센싱 회로

Claims (11)

  1. 복수의 터치 전극들이 구비된 표시패널;
    터치 구동신호를 상기 터치 전극들로 인가하고, 상기 터치 전극들로부터 유입되는 전하를 앰프 리셋 신호를 기초로 증폭하여 앰프 출력 전압을 생성하는 터치 센싱 회로; 및
    상기 앰프 리셋 신호의 토글 타이밍과 상기 터치 구동신호의 전압 진폭 중에서 적어도 하나를 조정하여, 상기 터치 전극들의 위치에 따라 상기 앰프 출력 전압의 크기를 차등적으로 제어하는 앰프 출력 제어회로를 포함한 터치 센서 내장형 표시장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 앰프 출력 제어회로는,
    상기 터치 전극들의 위치에 따라 상기 앰프 리셋 신호의 토글 타이밍을 차등적으로 조정하는 RST 조정부와,
    상기 터치 전극들의 위치에 따라 상기 터치 구동신호의 전압 진폭을 차등적으로 조정하는 Tdrv 조정부 중에서,
    적어도 하나를 포함한 터치 센서 내장형 표시장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 RST 조정부는,
    상기 터치 전극들의 위치에 따라 미리 설정된 상기 앰프 리셋 신호의 온 시작 타이밍과 온 듀티를 기반으로, 상기 앰프 리셋 신호의 토글 타이밍을 차등적으로 조정하는 터치 센서 내장형 표시장치.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 RST 조정부는,
    제1 위치의 터치 전극에 대응하여 상기 앰프 리셋 신호의 토글 타이밍을 제1 온 시작 타이밍으로 조정하고,
    제2 위치의 터치 전극에 대응하여 상기 앰프 리셋 신호의 토글 타이밍을 상기 제1 온 시작 타이밍보다 앞선 제2 온 시작 타이밍으로 조정하고,
    상기 제1 위치는 상기 제2 위치에 비해 상기 터치 센싱 회로로부터 더 먼 터치 센서 내장형 표시장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 제1 온 시작 타이밍의 앰프 리셋 신호와 상기 제2 온 시작 타이밍의 앰프 리셋 신호는 온 듀티가 서로 동일한 터치 센서 내장형 표시장치.
  6. 제 4 항에 있어서,
    상기 제1 온 시작 타이밍의 앰프 리셋 신호는 제1 온 듀티를 포함하고,
    상기 제2 온 시작 타이밍의 앰프 리셋 신호는 제2 온 듀티를 포함하며,
    상기 제1 온 듀티가 상기 제2 온 듀티보다 더 짧은 터치 센서 내장형 표시장치.
  7. 제 2 항에 있어서,
    상기 Tdrv 조정부는,
    제1 위치의 터치 전극에 대응하여 상기 터치 구동신호의 전압 진폭을 제1 값으로 조정하고,
    제2 위치의 터치 전극에 대응하여 상기 터치 구동신호의 전압 진폭을 제1 값보다 작은 제2 값으로 조정하고,
    상기 제1 위치는 상기 제2 위치에 비해 상기 터치 센싱 회로로부터 더 먼 터치 센서 내장형 표시장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    한 프레임 내에서 터치 센싱 기간과 디스플레이 기간이 번갈아 복수회씩 배치될 때,
    상기 Tdrv 조정부는,
    상기 디스플레이 기간 내에서, 상기 터치 구동신호의 전압 진폭을 상기 제1 값 또는, 상기 제2값으로 조정하는 터치 센서 내장형 표시장치.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 터치 센싱 회로는, 핑거 센싱 모드에서 핑거 터치 입력에 따른 앰프 출력 전압을 생성하고, 펜 센싱 모드에서 펜 터치 입력에 따른 앰프 출력 전압을 생성하고,
    상기 앰프 출력 회로는 동일 위치의 터치 전극에 대응하여,
    상기 펜 센싱 모드에서 상기 앰프 리셋 신호의 토글 타이밍을 제1 온 시작 타이밍으로 조정하고,
    상기 핑거 센싱 모드에서 상기 앰프 리셋 신호의 토글 타이밍을 상기 제1 온 시작 타이밍보다 앞선 제2 온 시작 타이밍으로 조정하는 터치 센서 내장형 표시장치.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 터치 센싱 회로는, 셀프 센싱 모드에서 터치 입력에 따른 셀프 캐패시턴스(Self-capacitance) 기반의 앰프 출력 전압을 생성하고, 뮤추얼 센싱 모드에서 터치 입력에 따른 뮤추얼 캐패시턴스(Mutual-capacitance) 기반의 앰프 출력 전압을 생성하고,
    상기 앰프 출력 회로는 동일 위치의 터치 전극에 대응하여,
    상기 셀프 센싱 모드에서 상기 앰프 리셋 신호의 토글 타이밍을 제1 온 시작 타이밍으로 조정하고,
    상기 뮤추얼 센싱 모드에서 상기 앰프 리셋 신호의 토글 타이밍을 상기 제1 온 시작 타이밍보다 앞선 제2 온 시작 타이밍으로 조정하는 터치 센서 내장형 표시장치.
  11. 터치 구동신호를 표시패널의 터치 전극들로 인가하고, 상기 터치 전극들로부터 유입되는 전하를 앰프 리셋 신호를 기초로 증폭하여 앰프 출력 전압을 생성하는 단계; 및
    상기 앰프 리셋 신호의 토글 타이밍과 상기 터치 구동신호의 전압 진폭 중에서 적어도 하나를 조정하여, 상기 터치 전극들의 위치에 따라 상기 앰프 출력 전압의 크기를 차등적으로 제어하는 단계를 포함한 터치 센서 내장형 표시장치의 구동방법.
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