KR20220088551A - 지지 유닛 및 기판 처리 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 지지 유닛을 제공한다. 기판을 지지하는 지지 유닛은, 스핀 구동부와 결합되어 회전되는 척 스테이지; 상기 척 스테이지의 상부에 배치되며, 내부 공간을 형성하는 윈도우; 상기 내부 공간에 배치되는 가열 부재; 및 상기 내부 공간의 압력이 외부와 비교할 때, 상대적으로 양압을 유지될 수 있도록 상기 내부 공간으로 보호 가스를 공급하는 가스 공급 라인을 포함할 수 있다.

Description

지지 유닛 및 기판 처리 장치{SUPPORT UNIT AND APPARATUS FOR TREATING SUBSTRATE}
본 발명은 지지 유닛 및 기판 처리 장치에 관한 것이다.
일반적으로 평판 표시 소자 제조나 반도체 제조 공정에서 글라스나 웨이퍼 등의 기판을 처리하는 공정에는 감광액 도포 공정(photoresist coating process), 현상 공정(developing process), 식각 공정(etching process), 애싱 공정(ashing process) 등 다양한 공정이 수행된다. 각 공정에는 기판에 부착된 각종 오염물을 제거하기 위해, 약액(chemical) 또는 순수(deionized water)를 이용한 세정 공정(wet cleaning process)과 기판 표면에 잔류하는 약액 또는 순수를 건조시키기 위한 건조(drying process) 공정이 수행된다.
최근에는 고온의 황산, 인산, IPA 등을 포함하는 케미칼을 이용하여 기판을 처리하는 공정(예컨대, 실리콘 질화막 및 실리콘 산화막을 선택적으로 제거하는 식각 공정)이 널리 이용되고 있다. 또한, 케미칼을 이용하는 기판 처리 장치에서는 기판에 대한 처리 효율을 높이기 위해 기판을 회전시키는 스핀 척 상부에 기판을 가열하는 열원을 위치시키고, 열원이 열 에너지를 발생시켜 기판을 가열한다.
고온의 케미칼을 이용하여 기판을 처리하는 과정에서, 다량의 흄(Fume)이 발생된다. 이와 같이 발생되는 흄(Fume)은 폭발 가능성이 매우 높다. 예컨대, 고온의 IPA를 포함하는 케미칼을 이용하여 기판을 처리하는 공정에서는, IPA를 포함하는 케미칼은 그 온도가 80 ℃ 이상으로 가열된다. IPA의 인화점은 약 12 ℃이다. 그리고, 상술한 스핀 척 상부에 위치하는 열원은 석영을 포함하는 소재로 제공되는 커버에 의해 둘러싸여지는데, 그렇다 하더라도, 열원으로 상술한 흄(Fume)이 유입가능한 틈이 존재한다. 다시 말해, 인화점이 매우 낮은 케미칼에 의해 발생된 흄(Fume)이 열원과 인접한 영역으로 유입되는 경우, 흄(Fume)에 의해 열원은 폭발할 우려가 있다.
본 발명은 기판 처리 장치의 안정성을 확보할 수 있는 지지 유닛 및 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 기판을 처리하는 동안 기판 처리 장치가 폭발할 위험을 효과적으로 낮출 수 있는 지지 유닛 및 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 기판을 처리하는 동안 지지 유닛이 폭발할 위험을 효과적으로 낮출 수 있는 지지 유닛 및 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 가열 부재와 인접한 영역으로 기판을 처리하는 과정에서 발생되는 흄(Fume)이 유입되는 것을 최소화 할 수 있는 지지 유닛 및 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 기판을 효율적으로 처리할 수 있는 지지 유닛 및 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 처리 액을 이용하여 기판을 처리하는 동안 기판을 고온으로 가열할 수 있는 지지 유닛 및 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
본 발명의 목적은 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재들로부터 통상의 기술자가 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명은 지지 유닛을 제공한다. 기판을 지지하는 지지 유닛은, 스핀 구동부와 결합되어 회전되는 척 스테이지; 상기 척 스테이지의 상부에 배치되며, 내부 공간을 형성하는 윈도우; 상기 내부 공간에 배치되는 가열 부재; 및 상기 내부 공간의 압력이 외부와 비교할 때, 상대적으로 양압을 유지될 수 있도록 상기 내부 공간으로 보호 가스를 공급하는 가스 공급 라인을 포함할 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 유닛은, 상기 가스 공급 라인에 설치되며, 상기 내부 공간으로 공급되는 상기 보호 가스의 단위 시간당 공급 유량을 측정하는 유량 측정 부재를 더 포함할 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 유닛은, 상기 내부 공간의 압력과 상기 유닛 외부의 압력 차이를 측정하는 차압 측정 부재를 더 포함할 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 윈도우는, 상기 유닛에 지지된 기판의 하면과 마주하는 상면, 그리고 상부에서 바라볼 때 상기 상면의 가장자리 영역에서 아래 방향으로 연장되는 측면을 포함하고, 상기 윈도우의 상기 측면에는, 상기 가스 공급 라인이 공급하는 상기 보호 가스가 유출되는 유출 홀이 형성될 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 유닛은, 상기 가열 부재, 그리고 상기 척 스테이지 사이에 배치되며, 상기 가열 부재가 발생시키는 열 에너지를 기판으로 반사시키는 반사 판을 더 포함할 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 척 스테이지, 그리고 상기 윈도우는 서로 결합되어 상기 스핀 구동부에 의해 함께 회전되고, 상기 가열 부재 또는 상기 반사 판은, 상기 척 스테이지, 그리고 상기 윈도우의 회전으로부터 독립되게 위치될 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 유닛은, 상기 척 스테이지, 그리고 상기 윈도우 사이에 배치되며, 상기 내부 공간의 기밀성을 향상시키는 실링 부재를 더 포함할 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 유닛은, 상기 척 스테이지의 상부에 배치되며, 상기 가열 부재가 설치되는 히트 싱크(Heat Sink)를 더 포함하고, 상기 실링 부재는, 상기 히트 싱크, 그리고 상기 윈도우 사이에 배치될 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 히트 싱크, 그리고 상기 윈도우는, 상기 척 스테이지의 회전으로부터 독립되게 위치될 수 있다.
또한, 본 발명은 기판 처리 장치를 제공한다. 기판을 처리하는 장치는, 처리 공간을 가지는 챔버; 상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 지지 유닛; 및 상기 지지 유닛에 지지된 기판으로 처리 액을 공급하는 액 공급 유닛을 포함하고, 상기 지지 유닛은, 스핀 구동부와 결합되어 회전 가능한 척 스테이지; 상기 척 스테이지 상부에 배치되며, 내부 공간을 형성하는 윈도우; 상기 내부 공간에 배치되는 가열 부재; 및 상기 내부 공간을 양압으로 유지시키는 보호 가스를 공급하는 가스 공급 라인을 포함할 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 지지 유닛은, 상기 가스 공급 라인에 설치되며, 상기 내부 공간으로 공급되는 상기 보호 가스의 단위 시간당 공급 유량을 측정하는 유량 측정 부재; 및 상기 내부 공간의 압력과 상기 지지 유닛 외부의 압력 차이를 측정하는 차압 측정 부재를 포함할 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 차압 측정 부재는, 상기 내부 공간과 유체 연통하는 제1압력 측정 라인; 및 상기 제1압력 측정 라인과 연결되어, 상기 내부 공간의 압력 데이터를 산출하는 데이터 산출 부를 포함할 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 차압 측정 부재는, 상기 처리 공간과 유체 연통하는 제2압력 측정 라인을 더 포함하고, 상기 데이터 산출 부는, 상기 제2압력 측정 라인과 연결되어, 상기 처리 공간의 압력 데이터를 산출하고, 상기 내부 공간의 압력 데이터와 상기 처리 공간의 압력 데이터를 통해 상기 내부 공간과 상기 처리 공간 사이의 압력 차이를 산출할 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 윈도우는, 상기 유닛에 지지된 기판의 하면과 마주하는 상면, 그리고 상부에서 바라볼 때 상기 상면의 가장자리 영역에서 아래 방향으로 연장되는 측면을 포함하고, 상기 윈도우의 상기 측면에는, 상기 가스 공급 라인이 공급하는 상기 보호 가스가 유출되는 유출 홀이 형성될 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 지지 유닛은, 상기 가열 부재, 그리고 상기 척 스테이지 사이에 배치되며, 상기 가열 부재가 발생시키는 열 에너지를 기판으로 반사시키는 반사 판을 더 포함할 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 지지 유닛은, 상기 척 스테이지, 그리고 상기 윈도우 사이에 배치되며, 상기 내부 공간의 기밀성을 향상시키는 실링 부재를 더 포함할 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 지지 유닛은, 상기 척 스테이지의 상부에 배치되며, 상기 가열 부재가 설치되는 히트 싱크(Heat Sink)를 더 포함하고, 상기 실링 부재는, 상기 히트 싱크, 그리고 상기 윈도우 사이에 배치될 수 있다.
또한, 본 발명은 기판 처리 장치를 제공한다. 기판을 처리하는 장치는, 처리 공간을 가지는 챔버; 상기 처리 공간에서 기판을 지지, 그리고 회전시키는 지지 유닛; 및 상기 지지 유닛에 지지되어 회전하는 기판으로 처리 액을 공급하는 액 공급 유닛을 포함하고, 상기 지지 유닛은, 스핀 구동부와 결합되어 회전 가능한 척 스테이지; 상기 척 스테이지 상부에 배치되며, 내부 공간을 형상하는 석영 윈도우; 상기 내부 공간에 배치되어, 상기 지지 유닛에 지지되는 기판을 가열하는 가열 부재; 상기 내부 공간에 보호 가스를 공급하는 가스 공급 라인; 상기 가스 공급 라인에 설치되며, 상기 내부 공간으로 공급되는 상기 보호 가스의 단위 시간당 공급 유량을 측정하는 유량 측정 부재; 및 상기 내부 공간의 압력과 상기 처리 공간 사이의 압력 차이를 측정하는 차압 측정 부재를 포함할 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 장치는, 제어기를 더 포함하고, 상기 제어기는, 상기 차압 측정 부재가 측정하는 상기 압력 차이가 설정 압력 차보다 작은 경우 상기 내부 공간에 상기 보호 가스를 공급하도록 상기 가스 공급 라인과 연결되는 가스 공급 원을 제어할 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 제어기는, 상기 설정 압력 차는, 50 Pa이고, 상기 내부 공간에 상기 보호 가스를 공급한 이후에 상기 압력 차이가 상기 설정 압력 차 이상을 유지하는 경우 상기 액 공급 유닛이 상기 지지 유닛에 지지된 기판으로 상기 처리 액을 공급하도록 상기 액 공급 유닛, 그리고 상기 지지 유닛을 제어하고, 상기 내부 공간에 상기 보호 가스를 공급한 이후에 상기 압력 차이가 상기 설정 압력 차 이상을 유지하지 못하는 경우 인터락을 발생시키도록 상기 장치를 제어할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 의하면, 기판 처리 장치의 안정성을 확보할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 의하면, 기판을 처리하는 동안 기판 처리 장치가 폭발할 위험을 효과적으로 낮출 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 의하면, 기판을 처리하는 동안 지지 유닛이 폭발할 위험을 효과적으로 낮출 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 의하면, 가열 부재와 인접한 영역으로 기판을 처리하는 과정에서 발생되는 흄(Fume)이 유입되는 것을 최소화 할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 의하면, 기판을 효율적으로 처리할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 의하면, 처리 액을 이용하여 기판을 처리하는 동안 기판을 고온으로 가열할 수 있다.
본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 않은 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치가 제공된 기판 처리 설비를 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 2는 도 1의 기판 처리 장치의 평면도이다.
도 3은 도 1의 기판 처리 장치의 단면도이다.
도 4는 도 3의 지지 유닛의 일 실시 예를 보여주는 단면도이다.
도 5는 도 4의 지지 유닛의 일 부분을 확대하여 보여주는 도면이다.
도 6은 도 5의 지지 유닛의 가스 공급 라인이 척 스테이지와 석영 윈도우가 형성하는 내부 공간으로 가스를 공급하는 모습을 보여주는 도면이다.
도 7은 본 발명의 일 실시 예에 따른 차압 제어 및 인터락 방법을 보여주는 플로우 차트이다.
도 8은 도 3의 지지 유닛의 다른 실시 예를 보여주는 단면도이다.
도 9는 도 8의 지지 유닛의 일 부분을 확대하여 보여주는 도면이다.
도 10은 도 9의 지지 유닛의 가스 공급 라인이 히팅 싱크와 석영 윈도우가 형성하는 내부 공간으로 가스를 공급하는 모습을 보여주는 도면이다.
아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시 예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시 예에 한정되지 않는다. 또한, 본 발명의 바람직한 실시예를 상세하게 설명함에 있어, 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 유사한 기능 및 작용을 하는 부분에 대해서는 도면 전체에 걸쳐 동일한 부호를 사용한다.
어떤 구성요소를 '포함'한다는 것은, 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있다는 것을 의미한다. 구체적으로, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 또한 도면에서 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치가 제공된 기판 처리 설비를 개략적으로 나타낸 평면도이다. 도 1을 참조하면, 기판 처리 설비(1)는 인덱스 모듈(1000)과 공정 처리 모듈(2000)을 포함한다. 인덱스 모듈(1000)은 로드포트(1200) 및 이송프레임(1400)을 포함한다. 로드포트(1200), 이송프레임(1400), 그리고 공정 처리 모듈(2000)은 순차적으로 일렬로 배열된다. 이하, 로드포트(1200), 이송프레임(1400), 그리고 공정 처리 모듈(2000)이 배열된 방향을 제1방향(12)이라 한다. 그리고 상부에서 바라볼 때 제1방향(12)과 수직한 방향을 제2방향(14)이라 하고, 제1방향(12)과 제2방향(14)을 포함한 평면에 수직인 방향을 제3방향(16)이라 한다.
로드포트(1200)에는 기판(W)이 수납된 캐리어(1300)가 안착된다. 로드포트(1200)는 복수 개가 제공되며 이들은 제2방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 도 1에서는 네 개의 로드포트(1200)가 제공된 것으로 도시하였다. 그러나 로드포트(1200)의 개수는 공정 처리 모듈(2000)의 공정효율 및 풋 프린트 등의 조건에 따라 증가하거나 감소할 수도 있다. 캐리어(1300)에는 기판(W)의 가장자리를 지지하도록 제공된 슬롯(도시되지 않음)이 형성된다. 슬롯은 제3방향(16)으로 복수 개가 제공된다. 기판(W)은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 캐리어(1300)내에 위치된다. 캐리어(1300)로는 전면 개방 일체형 포드(Front Opening Unified Pod;FOUP)가 사용될 수 있다.
공정 처리 모듈(2000)은 버퍼 유닛(2200), 이송챔버(2400), 그리고 공정챔버(2600)를 포함한다. 이송챔버(2400)는 그 길이 방향이 제1방향(12)과 평행하게 배치된다. 제2방향(14)을 따라 이송챔버(2400)의 일측 및 타측에는 각각 공정챔버들(2600)이 배치된다. 이송챔버(2400)의 일측에 위치한 공정챔버들(2600)과 이송챔버(2400)의 타측에 위치한 공정챔버들(2600)은 이송챔버(2400)를 기준으로 서로 대칭이 되도록 제공된다. 공정챔버(2600)들 중 일부는 이송챔버(2400)의 길이 방향을 따라 배치된다. 또한, 공정챔버(2600)들 중 일부는 서로 적층되게 배치된다. 즉, 이송챔버(2400)의 일측에는 공정챔버(2600)들이 A X B(A와 B는 각각 1이상의 자연수)의 배열로 배치될 수 있다. 여기서 A는 제1방향(12)을 따라 일렬로 제공된 공정챔버(2600)의 수이고, B는 제3방향(16)을 따라 일렬로 제공된 공정챔버(2600)의 수이다. 이송챔버(2400)의 일측에 공정 챔버(2600)가 4개 또는 6개 제공되는 경우, 공정챔버(2600)들은 2 X 2 또는 3 X 2의 배열로 배치될 수 있다. 공정챔버(2600)의 개수는 증가하거나 감소할 수도 있다. 상술한 바와 달리, 공정챔버(2600)는 이송챔버(2400)의 일측에만 제공될 수 있다. 또한, 상술한 바와 달리, 공정챔버(2600)는 이송챔버(2400)의 일측 및 양측에 단층으로 제공될 수 있다.
버퍼 유닛(2200)은 이송프레임(1400)과 이송챔버(2400) 사이에 배치된다. 버퍼 유닛(2200)은 이송챔버(2400)와 이송프레임(1400) 간에 기판(W)이 반송되기 전에 기판(W)이 머무르는 공간을 제공한다. 버퍼 유닛(2200)은 그 내부에 기판(W)이 놓이는 슬롯(미도시)이 제공되며, 슬롯(미도시)들은 서로 간에 제3방향(16)을 따라 이격되도록 복수 개 제공된다. 버퍼 유닛(2200)에서 이송프레임(1400)과 마주보는 면과 이송챔버(2400)와 마주보는 면 각각이 개방된다.
이송프레임(1400)은 로드포트(1200)에 안착된 캐리어(1300)와 버퍼 유닛(2200) 간에 기판(W)을 반송한다. 이송프레임(1400)에는 인덱스 레일(1420)과 인덱스 로봇(1440)이 제공된다. 인덱스 레일(1420)은 그 길이 방향이 제2방향(14)과 나란하게 제공된다. 인덱스 로봇(1440)은 인덱스 레일(1420) 상에 설치되며, 인덱스 레일(1420)을 따라 제2방향(14)으로 직선 이동된다. 인덱스 로봇(1440)은 베이스(1441), 몸체(1442), 그리고 인덱스암(1443)을 가진다. 베이스(1441)는 인덱스 레일(1420)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체(1442)는 베이스(1441)에 결합된다. 몸체(1442)는 베이스(1441) 상에서 제3방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 몸체(1442)는 베이스(1441) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 인덱스암(1443)은 몸체(1442)에 결합되고, 몸체(1442)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 인덱스암(1443)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 인덱스암(1443)들은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다. 인덱스암(1443)들 중 일부는 공정 처리 모듈(2000)에서 캐리어(1300)로 기판(W)을 반송할 때 사용되고, 다른 일부는 캐리어(1300)에서 공정 처리 모듈(2000)로 기판(W)을 반송할 때 사용될 수 있다. 이는 인덱스 로봇(1440)이 기판(W)을 반입 및 반출하는 과정에서 공정 처리 전의 기판(W)으로부터 발생된 파티클이 공정 처리 후의 기판(W)에 부착되는 것을 방지할 수 있다.
이송챔버(2400)는 버퍼 유닛(2200)과 공정챔버(2600) 간에, 그리고 공정챔버(2600)들 간에 기판(W)을 반송한다. 이송챔버(2400)에는 가이드 레일(2420)과 메인로봇(2440)이 제공된다. 가이드 레일(2420)은 그 길이 방향이 제1방향(12)과 나란 하도록 배치된다. 메인로봇(2440)은 가이드 레일(2420) 상에 설치되고, 가이드 레일(2420) 상에서 제1방향(12)을 따라 직선 이동된다. 메인로봇(2440)은 베이스(2441), 몸체(2442), 그리고 메인암(2443)을 가진다. 베이스(2441)는 가이드 레일(2420)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체(2442)는 베이스(2441)에 결합된다. 몸체(2442)는 베이스(2441) 상에서 제3방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 몸체(2442)는 베이스(2441) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 메인암(2443)은 몸체(2442)에 결합되고, 이는 몸체(2442)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 메인암(2443)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동 되도록 제공된다. 메인암(2443)들은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다. 버퍼 유닛(2200)에서 공정챔버(2600)로 기판(W)을 반송할 때 사용되는 메인암(2443)과 공정챔버(2600)에서 버퍼 유닛(2200)으로 기판(W)을 반송할 때 사용되는 메인암(2443)은 서로 상이할 수 있다.
공정챔버(2600) 내에는 기판(W)에 대해 액 처리 공정(예컨대, 세정 공정, 식각 공정과 같은 막 제거 공정)을 수행하는 기판 처리 장치(10)가 제공된다. 각각의 공정챔버(2600) 내에 제공된 기판 처리 장치(10)는 수행하는 세정 공정의 종류에 따라 상이한 구조를 가질 수 있다. 선택적으로 각각의 공정챔버(2600) 내의 기판 처리 장치(10)는 동일한 구조를 가질 수 있다. 선택적으로 공정챔버(2600)들은 복수 개의 그룹으로 구분되어, 동일한 그룹에 속하는 공정챔버(2600)에 제공된 기판 처리 장치(10)들은 서로 동일한 구조를 가지고, 상이한 그룹에 속하는 공정챔버(2600)에 제공된 기판 처리 장치(10)들은 서로 상이한 구조를 가질 수 있다. 예컨대, 공정챔버(2600)가 2개의 그룹으로 나누어지는 경우, 이송챔버(2400)의 일측에는 제1그룹의 공정챔버들(2600)이 제공되고, 이송챔버(2400)의 타측에는 제2그룹의 공정챔버들(2600)이 제공될 수 있다. 선택적으로 이송챔버(2400)의 일측 및 타측 각각에서 하층에는 제1그룹의 공정챔버(2600)들이 제공되고, 상층에는 제2그룹의 공정챔버(2600)들이 제공될 수 있다. 제1그룹의 공정챔버(2600)와 제2그룹의 공정챔버(2600)는 각각 사용되는 케미칼의 종류나, 세정 방식의 종류에 따라 구분될 수 있다.
아래의 실시예에서는 고온의 황산, 고온의 인산, 알카리성 약액, 산성 약액, 린스액, 그리고 건조 가스와 같은 처리 유체들을 사용하여 기판(W)을 액 처리하는 장치를 예로 들어 설명한다. 그러나 본 발명의 기술적 사상은 이에 한정되지 않으며, 회전하는 기판(W)으로 처리 액을 공급하여 액 처리 공정을 수행하는 다양한 기판 처리 장치에 모두 적용될 수 있다.
도 2는 도 1의 기판 처리 장치의 평면도이고, 도 3은 도 1의 기판 처리 장치의 단면도이다. 도 2와 도 3을 참조하면, 기판 처리 장치(10)는 챔버(100), 바울(200), 지지 유닛(300), 액 공급 유닛(400), 배기 유닛(500), 승강 유닛(600), 그리고 제어기(700)를 포함할 수 있다.
챔버(100)는 밀폐된 내부 공간을 제공한다. 상부에는 기류 공급 부재(110)가 설치된다. 기류 공급 부재(110)는 챔버(100) 내부에 하강 기류를 형성한다. 기류 공급 부재(110)는 고습도 외기를 필터링하여 챔버(100) 내부로 공급한다. 고습도 외기는 기류 공급 부재(110)를 통과하여 챔버(100) 내부로 공급되며 하강 기류를 형성한다. 하강 기류는 기판(W)의 상부에 균일한 기류를 제공하며, 처리 유체에 의해 기판(W) 표면이 처리되는 과정에서 발생되는 오염물질들을 공기와 함께 바울(200)의 회수통(210, 220, 230)들을 통해 배기 유닛(500)으로 배출시킨다.
챔버(100)의 내부 공간은 수평 격벽(102)에 의해 공정 영역(120, 처리 공간의 일 예)과 유지보수 영역(130)으로 나뉜다. 공정 영역(120)에는 바울(200)과 지지 유닛(300)이 위치한다. 유지보수 영역(130)에는 바울(200)과 연결되는 회수 라인(241, 243, 245), 배기 라인(510) 이외에도 승강 유닛(600)의 구동부와, 액 공급 유닛(300)의 구동부, 공급 라인 등이 위치한다. 유지보수 영역(130)은 공정 영역(120)으로부터 격리된다.
바울(200)은 상부가 개방된 원통 형상을 갖고, 기판(W)을 처리하기 위한 처리 공간을 가진다. 바울(200)의 개방된 상면은 기판(W)의 반출 및 반입 통로로 제공된다. 처리 공간에는 지지 유닛(300)이 위치된다. 지지 유닛(300)은 공정 진행시 기판(W)을 지지한 상태에서 기판(W)을 회전시킨다.
바울(200)은 강제 배기가 이루어지도록 하단부에 배기 덕트(290)가 연결된 하부 공간을 제공한다. 바울(200)에는 회전되는 기판(W)상에서 비산되는 처리액과 기체를 유입 및 흡입하는 제1회수 통(210), 제2회수 통(220), 그리고 제3 회수 통(230)이 다단으로 배치된다.
환형의 제1회수 통(210), 제2회수 통(220), 그리고 제3회수 통(230)은 하나의 공통된 환형 공간과 통하는 배기구(H)들을 갖는다. 구체적으로, 제1 내지 제3 회수통(210, 220, 230)은 각각 환형의 링 형상을 갖는 바닥면 및 그 바닥면으로부터 위 방향으로 연장되어 원통 형상을 가지는 측벽을 포함한다. 제2 회수통(220)은 제1회수통(210)을 둘러싸고, 제1회수통(210)로부터 이격된다. 제3회수통(230)은 제2회수통(220)을 둘러싸고, 제2회수통(220)로부터 이격된다.
제1회수 통(210), 제2회수 통(220), 그리고 제3회수 통(230)은 기판(W)으로부터 비산된 처리 액 및 흄(Fume)이 포함된 기류가 유입되는 제1회수 공간(RS1), 제2회수 공간(RS2), 그리고 제3회수 공간(RS3)을 제공할 수 있다. 제1회수 공간(RS1)은 제1회수통(210)에 의해 정의되고, 제2회수 공간(RS2)은 제1회수통(210)과 제2회수통(220) 간의 이격 공간에 의해 정의되며, 제3회수 공간(RS3)은 제2회수통(220)과 제3회수통(230) 간의 이격 공간에 의해 정의된다.
제1회수 통(210), 제2회수 통(220), 그리고 제3회수 통(230)의 각 상면은 중앙부가 개방된다. 제1회수 통(210), 제2회수 통(220), 그리고 제3회수 통(230)은 연결된 측 벽으로부터 개방 부로 갈수록 대응하는 바닥면과의 거리가 점차 멀어지는 경사면으로 이루어진다. 기판(W)으로부터 비산된 처리 액은 제1회수 통(210), 제2회수 통(220), 그리고 제3회수 통(230)의 상면들을 따라 제1회수 공간(RS1), 제2회수 공간(RS2) 및/또는 제3회수 공간(RS3) 안으로 흘러간다.
제1회수 공간(RS1)에 유입된 제1처리 액은 제1회수 라인(241)을 통해 외부로 배출된다. 제2회수 공간(RS2)에 유입된 제2처리 액은 제2회수 라인(143)을 통해 외부로 배출된다. 제3회수 공간(RS3)에 유입된 제3처리 액은 제3 회수라인(145)을 통해 외부로 배출된다.
액 공급 유닛(400)은 기판(W)에 처리 액을 공급하여 기판(W)을 처리할 수 있다. 액 공급 유닛(400)은 기판(W)에 가열된 처리 액을 공급할 수 있다. 처리 액은 기판(W) 표면을 처리할 수 있다. 처리 액은 기판(W) 상의 박막을 제거하는 것과 같이, 기판(W)을 식각 처리하기 위한 고온의 케미칼일 수 있다. 일 예로 케미칼은 이소프로필알코올(IPA), 황산, 인산, 또는 황산과 인산의 혼합액일 수 있다. 액 공급 유닛(400)은 액 노즐 부재(410), 그리고 공급부(420)를 포함할 수 있다.
액 노즐 부재(410)는 노즐(411), 노즐 암(413), 지지 로드(415), 노즐 구동기(417)를 포함할 수 있다. 노즐(411)은 공급부(420)로부터 처리 액을 공급받을 수 있다. 노즐(411)은 처리 액을 기판(W) 표면으로 토출할 수 있다. 노즐 암(413)은 일 방향으로 길이가 길게 제공되는 암으로, 선단에 노즐(411)이 장착된다. 노즐 암(413)은 노즐(411)을 지지한다. 노즐 암(413)의 후단에는 지지 로드(415)가 장착된다. 지지 로드(415)는 노즐 암(413)의 하부에 위치한다. 지지 로드(415)는 노즐 암(413)에 수직하게 배치된다. 노즐 구동기(417)는 지지 로드(415)의 하단에 제공된다. 노즐 구동기(417)는 지지 로드(415)의 길이 방향 축을 중심으로 지지 로드(415)를 회전시킨다. 지지 로드(415)의 회전으로 노즐 암(413)과 노즐(411)이 지지 로드(415)를 축으로 스윙 이동한다. 노즐(411)은 바울(200)의 외측과 내측 사이를 스윙 이동할 수 있다. 그리고, 노즐(411)은 기판(W)의 중앙 영역과 가장자리 영역 사이 구간을 스윙 이동하며 처리 액을 토출할 수 있다.
배기 유닛(500)은 바울(200)의 내부를 배기할 수 있다. 일 예로, 배기 유닛(500)은 공정시 제1회수 통(210), 제2회수 통(220), 그리고 제3회수 통(230) 중 처리 액을 회수하는 회수 통에 배기 압력(흡입 압력)을 제공할 수 있다. 배기 유닛(500)은 배기 덕트(290)와 연결되는 배기 라인(510), 댐퍼(520)를 포함할 수 있다. 배기 라인(510)은 배기 펌프(미도시됨)로부터 배기압을 제공받으며 반도체 생산라인의 바닥 공간에 매설된 메인 배기 라인과 연결된다.
한편, 바울(200)은 바울(200)의 수직 위치를 변경시키는 승강 유닛(600)과 결합된다. 승강 유닛(600)은 바울(200)을 상하 방향으로 직선 이동시킨다. 바울(200)이 상하로 이동됨에 따라 지지 유닛(300)에 대한 바울(200)의 상대 높이가 변경된다.
승강 유닛(600)은 브라켓(612), 이동 축(614), 그리고 구동기(616)를 포함한다. 브라켓(612)은 바울(200)의 외벽에 고정 설치 된다. 브라켓(612)에는 구동기(616)에 의해 상하 방향으로 이동되는 이동 축(614)이 고정 결합된다. 기판(W)이 지지 유닛(300)에 로딩 또는 언로딩될 때 지지 유닛(300)이 바울(200)의 상부로 돌출되도록 바울(200)은 하강한다. 또한, 공정이 진행 시에는 기판(W)에 공급된 처리 액의 종류에 따라 처리 액이 기 설정된 회수통(210, 220, 230)으로 유입될 수 있도록 바울(200)의 높이가 조절된다. 바울(200)은 상기 각 회수공간(RS1, RS2, RS3) 별로 회수되는 처리 액과 오염 가스의 종류를 다르게 할 수 있다.
도 4는 도 3의 지지 유닛의 일 실시 예를 보여주는 단면도이고, 도 5는 도 4의 지지 유닛의 일 부분을 확대하여 보여주는 도면이다. 도 4, 그리고 도 5를 참조하면, 지지 유닛(300)은 공정 진행 중 기판(W)을 지지하며, 공정이 진행되는 동안 기판(W)을 회전시킬 수 있다.
지지 유닛(300)은 척(310), 스핀 구동부(320), 백 노즐부(330), 가열 부재(340), 반사 판(360), 그리고 가스 공급 모듈(370)을 포함할 수 있다.
척(310)은 척 스테이지(312), 그리고 석영 윈도우(314)를 포함할 수 있다. 석영 윈도우(314)는 척 스테이지(312)의 상부에 배치될 수 있다.
석영 윈도우(314)는 후술하는 가열 부재(340)를 보호하기 위하여 제공될 수 있다. 척 스테이지(312), 그리고 석영 윈도우(314)는 서로 조합되어 내부 공간(317)을 형성할 수 있다. 예컨대, 척 스테이지(312)는 스핀 구동부(320)와 결합되어 회전 가능한 판 형상을 가질 수 있다. 또한, 석영 윈도우(314)는 척 스테이지(312)를 덮는 커버 형상을 가질 수 있다. 석영 윈도우(314)는 척 스테이지(312)와 서로 결합될 수 있다. 이에, 석영 윈도우(314)는 척 스테이지(312)와 함께 회전될 수 있다.
석영 윈도우(314)는 후술하는 램프(342)가 발생시키는 광이 투과할 수 있도록, 투명한 소재로 제공될 수 있다. 또한, 상부에서 바라볼 때, 척 스테이지(312)가 가지는 직경은 석영 윈도우(314)가 가지는 직경보다 클 수 있다.
또한, 석영 윈도우(314)는 상면, 그리고 측면을 포함할 수 있다. 석영 윈도우(314)의 상면은 지지 유닛(300)에 지지되는 기판(W)의 하면과 마주보도록 제공될 수 있다. 즉, 석영 윈도우(314)의 상면은 지지 유닛(300)에 지지되는 기판(W)의 하면과 서로 평행한 면일 수 있다. 또한, 석영 윈도우(314)의 측면은 석영 윈도우(314)의 가장자리 영역에서 상면으로부터 아래 방향으로 연장되어 형성될 수 있다. 석영 윈도우(314)의 측면에는 후술하는 비활성 가스가 유출되는 적어도 하나 이상의 유출 홀(314a)이 형성될 수 있다. 예컨대, 유출 홀(314a)은 후술하는 가스 공급 라인(373)이 공급하는 가스(G)가 유출되는 홀 일 수 있다. 유출 홀(314a)들은 석영 윈도우(314)의 측면에 형성되되, 서로 동일한 간격으로 이격되어 형성될 수 있다.
또한, 석영 윈도우(314)에는 지지 핀(318)들이 제공될 수 있다. 지지 핀(318)들은 석영 윈도우(314)의 상부 면 가장자리부에 소정 간격 이격되어 배치된다. 지지 핀(318)은 석영 윈도우(314)로부터 상 측으로 돌출되도록 제공된다. 지지 핀(318)들은 기판(W)의 하면을 지지하여 기판(W)이 석영 윈도우(314)로부터 상측 방향으로 이격된 상태에서 지지되도록 한다.
척 스테이지(312)의 가장자리에는 척킹 핀(316)들이 설치될 수 있다. 척킹 핀(316)들은 석영 윈도우(314)를 관통해서 석영 윈도우(314) 상측으로 돌출되도록 제공된다. 척킹 핀(316)들은 다수의 지지 핀(318)들에 의해 지지된 기판(W)이 정 위치에 놓이도록 기판(W)을 정렬할 수 있다. 공정 진행시 척킹 핀(316)들은 기판(W)의 측부와 접촉되어 기판(W)이 정 위치로부터 이탈되는 것을 방지할 수 있다.
척 스테이지(312)는 스핀 구동부(320)에 결합되어 회전될 수 있다. 스핀 구동부(320)는 중공 모터와 연결되고, 중공 공간(322)을 가지는 중공 회전 축으로 제공될 수 있다. 중공 공간(322)에는 노즐 몸체(334), 그리고 가스 공급 모듈(370)의 가스 공급 라인(373), 그리고 가스 공급 모듈(370)의 제1압력 측정 라인(376b)이 제공될 수 있다.
상술한 바와 같이 척 스테이지(312)가 회전되는 경우, 척 스테이지(312)와 결합된 석영 윈도우(314)는 척 스테이지(312)와 함께 회전될 수 있다. 또한, 척(310) 내에 제공되는 구성들은 척(310)의 회전으로부터 독립하게 위치될 수 있다. 예컨대, 후술하는 가열 부재(340), 반사 판(360), 가스 공급 라인(373), 그리고 제1압력 측정 라인(376b)은 척(310)의 회전으로부터 독립하게 위치될 수 있다.
백 노즐부(330)는 기판(W)의 배면에 약액을 분사하기 위해 제공된다. 백 노즐부(330)는 약액 분사부(332), 그리고 노즐 몸체(334)를 포함할 수 있다. 약액 분사부(332)는 노즐 몸체(334) 내에 배치되는 약액 공급부(미도시)로부터 약액을 전달 받아 기판(W)의 하면을 처리(예컨대, 식각 처리)하기 위한 약액을 분사할 수 있다. 기판(W)의 하면을 처리하기 위한 약액은 식각액일 수 있다.
가열 부재(340)는 공정 진행 중 기판(W)을 가열할 수 있다. 가열 부재(340)는 척(310)의 내부 공간(317)에 배치될 수 있다. 예컨대, 가열 부재(340)는 척 스테이지(312), 그리고 석영 윈도우(314)가 정의하는 척(310)의 내부 공간(317)에 배치될 수 있다. 가열 부재(340)는 램프(342), 그리고 온도 제어부(미도시), 그리고 전력 공급 단자(344)를 포함할 수 있다.
램프(342)는 척 스테이지(312)의 상부에 설치된다. 램프(342)는 지지 유닛(300)에 지지된 기판(W)을 가열하는 열 에너지를 발생시킬 수 있다. 램프(342)는 지지 유닛(300)에 지지된 기판(W)으로 광을 조사하여 기판(W)을 가열할 수 있다. 램프(342)는 복수 개로 제공될 수 있다. 램프(342)들 중 적어도 일부는, 링 형상을 가질 수 있다. 램프(342)는 대체로 링 형상으로 제공될 수 있다. 램프(342)들은 서로 상이한 직경으로 제공될 수 있다. 또한, 램프(342)들은 회전 중심이 동일한 동심원 형상으로 제공될 수 있다. 또한, 램프(342)들은 척 스테이지(312)의 중심에 대해 서로 상이한 반경을 가지되 그 중심이 서로 일치하도록 이격되어 배열될 수 있다. 각 램프(342)에는 온도 제어부가 구성되어 있어 각각의 온도 제어가 가능할 수 있다. 또한, 램프(342)는 적외선 램프(IR Lamp)일 수 있다. 이에, 램프(342) 적외선 광을 조사하여 기판(W)을 가열할 수 있다.
또한, 램프(342)가 발생시키는 열 에너지(예컨대, 램프(342)가 발생시키는 광의 출력)은 개별적으로 제어될 수 있다. 가열 부재(340)는 각각 기판(W)의 구역의 온도를 제어함으로써, 공정 진행 동안 기판(W)의 반경에 따라 온도를 연속적으로 증가 또는 감소하게 제어할 수 있다. 본 실시예에서는 6개의 램프(342)들이 도시되어 있지만, 이는 하나의 예에 불과하며 램프(342)들의 수는 원하는 온도 제어된 정도에 의존하여 가감될 수 있다.
반사 판(360)은 가열 부재(340)의 하부에 배치될 수 있다. 반사 판(360)은 가열 부재(340), 그리고 척 스테이지(312) 사이에 배치될 수 있다. 반사 판(360)은 램프(342)의 하부에 배치될 수 있다. 반사 판(360)은 램프(342)가 발생시키는 열 에너지를 기판(W)으로 반사시킬 수 있다. 반사 판(360)은 램프(342)가 발생시키는 열 에너지를 기판(W)의 가장자리 영역 및/또는 기판(W)의 중앙 영역으로 반사시킬 수 있다. 반사 판(360)은 가열 부재(340)가 발생시키는 열 에너지에 대한 반사 효율이 높은 재질로 제공될 수 있다. 반사 판(360)은 램프(342)가 조사하는 광에 대한 반사 효율이 높은 재질로 제공될 수 있다. 예컨대, 반사 판(360)은 금, 은, 구리, 및/또는 알루미늄을 포함하는 재질로 제공될 수 있다. 반사 판(360)은 쿼츠에 금, 은, 구리, 및/또는 알루미늄으로 코팅된 재질로 제공될 수 있다. 반사 판(360)은 쿼츠에 금, 은, 구리 및/또는 알루미늄을 물리적 기상 증착법(PVD) 방식으로 코팅한 재질로 제공될 수 있다.
가스 공급 모듈(370)은 척 스테이지(312), 그리고 석영 윈도우(314)가 서로 조합되어 형성하는 내부 공간(317)으로 보호 가스(G)를 공급할 수 있다. 보호 가스(G)는 비활성 가스일 수 있다. 예컨대, 보호 가스(G)는 질소, 아르곤 중 적어도 어느 하나를 포함하는 가스일 수 있다. 그러나, 이에 한정되는 것은 아니고 보호 가스(G)는 공지된 비활성 가스 중 적어도 어느 하나를 포함하는 가스일 수 있다. 또한, 보호 가스(G)는 온도 및/또는 습도가 조절된 가스 일 수 있다. 예컨대, 보호 가스(G)는 CDA(Clean Dry Air)일 수 있다. 그러나, 이에 한정되는 것은 아니고, 보호 가스(G)는 가열 부재(340)와 접촉되더라도, 가열 부재(340)를 폭발시키지 않는 공지된 가스로 다양하게 변형될 수 있다.
가스 공급 모듈(370)은 가스 공급원(372), 가스 공급 라인(373), 유량 측정 부재(374), 유량 조절 부재(375), 그리고 차압 측정 부재(376)를 포함할 수 있다.
가스 공급원(372)은 상술한 보호 가스(G)를 저장하고, 보호 가스(G)를 가스 공급 라인(373)에 전달할 수 있다. 가스 공급 라인(373)의 일 단은 가스 공급원(372)과 연결되고, 가스 공급 라인(373)의 타 단은 척 스테이지(312)와 석영 윈도우(314)가 서로 조합되어 형성하는 내부 공간(317)과 연결될 수 있다. 이에, 가스 공급원(372)이 공급하는 보호 가스(G)는 가스 공급 라인(373)을 통해 내부 공간(317)으로 공급될 수 있다. 즉, 가스 공급 라인(373)은 내부 공간(317)으로 보호 가스(G)를 공급하여 내부 공간(317)의 압력이 외부(예컨대, 챔버(100)의 처리 공간)과 비교할 때, 상대적으로 양압을 유지할 수 있게 한다.
가스 공급 라인(373)에는 유량 조절 부재(374), 그리고 유량 측정 부재(375)가 설치될 수 있다. 유량 조절 부재(375)는 유량 측정 부재(374)보다 상대적으로 상류에서 가스 공급 라인(373)에 설치될 수 있다. 유량 측정 부재(374)는 유량계 일 수 있다. 유량 측정 부재(374)는 가스 공급 라인(373)에 보호 가스(G)가 흐르는지 여부를 판단하거나, 가스 공급 라인(373)에 흐르는 보호 가스(G)의 유량을 측정하여, 내부 공간(317)으로 공급되는 보호 가스(G)의 단위 시간당 공급 유량을 측정할 수 있다. 또한, 가스 공급 라인(373)에 흐르는 보호 가스(G)의 유량 측정 값에 근거하여, 후술하는 제어기(700)는 유량 조절 부재(375)를 제어할 수 있다. 유량 조절 부재(375)는 유량 조절 밸브 일 수 있다. 그러나, 이에 한정되는 것은 아니고, 유량 조절 부재(375)는 가스 공급 라인(373)에 흐르는 보호 가스(G)의 유량을 조절할 수 있는 공지된 장치로 다양하게 변형될 수 있다. 또한, 유량 측정 부재(374)가 측정하는 내부 공간(317)으로 공급되는 보호 가스(G)의 단위 시간당 공급 유량 값에 대한 데이터는 실시간으로 제어기(700)로 전달될 수 있다.
차압 측정 부재(376)는 내부 공간(317)의 압력과 지지 유닛(300)의 외부(예컨대, 챔버(100)의 처리 공간) 사이의 압력 차이를 측정할 수 있다. 차압 측정 부재(376)는 차압계 일 수 있다. 차압 측정 부재(376)는 내부 공간(317)의 압력이 지지 유닛(300)의 외부(예컨대, 챔버(100)의 처리 공간)의 압력과 비교할 때 상대적으로 양압을 유지하는지 여부를 측정할 수 있다. 차압 측정 부재(376)는 데이터 산출 부(376a), 제1압력 측정 라인(376b), 그리고 제2압력 측정 라인(376c)을 포함할 수 있다.
데이터 산출 부(376a)는 제1압력 측정 라인(376b), 그리고 제2압력 측정 라인(376c)과 연결되어, 제1압력 측정 라인(376b), 그리고 제2압력 측정 라인(376c)이 측정하는 압력을 전달 받고, 전달 받은 압력에 근거하여 내부 공간(317) 및/또는 챔버(100)의 처리 공간에 대한 데이터를 산출할 수 있다.
예컨대, 제1압력 측정 라인(376b)의 일 단은 데이터 산출 부(376a)와 연결되고, 제1압력 측정 라인(376b)의 타 단은 내부 공간(317)에 연결될 수 있다. 제1압력 측정 라인(376b)은 관 형상을 가질 수 있다. 제1압력 측정 라인(376b)의 타 단은 내부 공간(317)과 유체 연통할 수 있다. 제1압력 측정 라인(376b)은 내부 공간(317)의 압력을 데이터 산출 부(376a)로 전달할 수 있다. 그리고, 데이터 산출 부(376a)는 제1압력 측정 라인(376b)으로부터 전달 받는 압력으로부터 내부 공간(317)의 압력 데이터를 산출할 수 있다.
또한, 제2압력 측정 라인(376c)의 일 단은 데이터 산출 부(376a)와 연결되고, 제2압력 측정 라인(376c)의 타 단은 챔버(100)의 처리 공간에 연결될 수 있다. 제2압력 측정 라인(376c)은 관 형상을 가질 수 있다. 제2압력 측정 라인(376c)의 타 단은 챔버(100)의 처리 공간과 유체 연통할 수 있다. 제2압력 측정 라인(376c)은 챔버(100)의 처리 공간의 압력을 데이터 산출 부(376a)로 전달할 수 있다. 그리고, 데이터 산출 부(376a)는 제2압력 측정 라인(376c)으로부터 전달 받는 압력으로부터 챔버(100)의 처리 공간의 압력 데이터를 산출할 수 있다.
그리고, 데이터 산출 부(376a)는 산출된 내부 공간(317)의 압력 데이터와 챔버(100)의 처리 공간의 압력 데이터를 통해, 내부 공간(317)과 챔버(100)의 처리 공간 사이의 압력 차이를 산출할 수 있다. 산출된 압력 차이에 대한 데이터는 후술하는 제어기(700)로 전달될 수 있다. 또한, 데이터 산출 부(376a)가 산출하는 내부 공간(317)과 챔버(100)의 처리 공간 사이의 압력 차이에 대한 데이터는 실시간으로 제어기(700)에 전달될 수 있다.
도 6은 도 5의 지지 유닛의 가스 공급 라인이 척 스테이지와 석영 윈도우가 형성하는 내부 공간으로 가스를 공급하는 모습을 보여주는 도면이다. 도 6을 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 지지 유닛(300)의 가스 공급 라인(373)은 척 스테이지(312), 그리고 석영 윈도우(314)가 형성하는 내부 공간(317)으로 보호 가스(G)를 공급할 수 있다. 내부 공간(317)으로 공급되는 보호 가스(G)는 반사 판(360)의 하부, 그리고 유입 홀(314a)이 형성되지 않는 석영 윈도우(314)의 측면과 충돌하여 반사 판(360)의 상부로 유입될 수 있다. 또한, 내부 공간(317)으로 공급되는 보호 가스(G) 중 일부는 유입 홀(314a)을 통해 내부 공간(317)으로부터 챔버(100)의 처리 공간을 향하는 방향으로 계속하여 흐를 수 있다.
폭발 위험 지역은 아래와 같이 구분될 수 있다.
분위기 Zone
폭발 위험 물질이 항상, 그리고 긴 시간 동안 존재하는 곳 (1,000h/Year) 0
폭발 위험 물질이 정상적인 작동 상태에서도 존재할 수 있는 곳 (10 ~ 1,000h/Year) 1
폭발 위험 물질이 짧은 시간 동안 발생할 가능성이 있는 곳(0.1 ~ 10h/Year) 2
이때, 챔버(100)의 처리 공간, 또는 척 스테이지(312)와 석영 윈도우(314)가 형성하는 내부 공간(317)은 Zone 2에 해당할 수 있다.또한, 폭발 위험 지역에 따른 방폭 방법은 아래와 같다.
방폭 방법 사용 가능 Zone
내압 방폭 1, 2
압력 방폭 1, 2
안전증 방폭 2
본질 안전 방폭 0, 1, 2
유입 방폭 1, 2
즉, 챔버(100)의 처리 공간, 또는 척 스테이지(312)와 석영 윈도우(314)가 형성하는 내부 공간(317)에 대한 방폭 방법으로 압력 방폭을 적용할 수 있다.일반적으로, 폭발이 발생하기 위한 3 요소는 산소, 발화원, 그리고 가연성 물질을 포함할 수 있다. 이 중 어느 하나의 요소라도 만족하지 않는다면 폭발은 발생되지 않는다. 상술한 바와 같이 본 발명의 일 실시 예에 따른 지지 유닛(300)의 가스 공급 라인(373)은 척 스테이지(312)와 석영 윈도우(314)가 형성하는 내부 공간(317)으로 보호 가스(G)를 공급한다. 내부 공간(317)으로 공급된 보호 가스(G)는 내부 공간(317)의 압력을 상대적으로 양압으로 유지시키고, 내부 공간(317)으로 공급된 보호 가스(G) 중 일부는 유출 홀(314a)을 통해 내부 공간(317)에서 챔버(100)의 처리 공간을 향하는 방향으로 계속하여 흐른다(Continuous Flow 방폭 방법). 이에, 액 공급 유닛(400)이 기판(W)으로 공급하는 처리 액, 또는 처리 액으로부터 발생되는 흄(Fume)이 내부 공간(317)으로 유입되는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 상술한 폭발의 3 요소 중, 가연성 물질에 관한 요소를 만족하지 않으므로 지지 유닛(300)에서 폭발이 발생하는 위험을 효과적으로 낮출 수 있다. 또한, 지지 유닛(300)에서 폭발이 발생하는 위험을 낮출 수 있으므로, 가열 부재(340)는 보다 높은 출력으로 기판(W)을 가열할 수 있으며, 이에 기판(W)에 대한 처리 효율을 보다 높일 수 있는 이점이 있다. 또한, 반사 판(360)의 하부로 주입되는 보호 가스(G)는 그 자체로 냉각 유체로서 역할을 수행할 수 있어, 스핀 구동부(320)로 가열 부재(340)가 발생시키는 열, 또는 가열된 반사 판(360)의 열이 전달되는 것을 억제할 수 있다.
또한, 방폭 방법을 적절히 수행하기 위해서는, 내부 공간(317)의 압력을 상대적으로 양압으로 유지하는 것이 매우 중요한데, 본 발명의 일 실시 예에 따른 지지 유닛(300)은, 유량 측정 부재(374), 그리고 차압 측정 부재(376)를 가진다. 이에, 내부 공간(317)으로 보호 가스(G)가 공급되고 있는지, 공급된다면 단위 시간당 공급 유량이 얼마나 되는지, 그리고 내부 공간(317)의 압력과 챔버(100)의 처리 공간의 압력 차이가 설정 압력 차(예컨대, 50pa) 이상을 유지하고 있는지를 실시간으로 체크할 수 있게 된다.
이하에서는, 본 발명의 일 실시 예에 따른 차압 제어 및 인터락 방법에 대하여 설명한다. 이하에서 설명하는 차압 제어 및 인터락 방법을 수행하기 위해, 제어기(700)는 기판 처리 설비(1)를 제어할 수 있다. 예컨대, 제어기(700)는 이하에서 설명하는 차압 제어 및 인터락 방법을 수행하기 위해 기판 처리 장치(10)를 제어할 수 있다. 예컨대, 이하에서 설명하는 차압 제어 및 인터락 방법을 수행하기 위해 제어기(700)는 지지 유닛(300), 그리고 액 공급 유닛(400) 중 적어도 하나 이상을 제어할 수 있다. 제어기(70)는 기판 처리 장치(10)의 제어를 실행하는 마이크로프로세서(컴퓨터)로 이루어지는 프로세스 컨트롤러와, 오퍼레이터가 기판 처리 장치(10)를 관리하기 위해서 커맨드 입력 조작 등을 행하는 키보드나, 기판 처리 장치(10)의 가동 상황을 가시화해서 표시하는 디스플레이 등으로 이루어지는 유저 인터페이스와, 기판 처리 장치(10)에서 실행되는 처리를 프로세스 컨트롤러의 제어로 실행하기 위한 제어 프로그램이나, 각종 데이터 및 처리 조건에 따라 각 구성부에 처리를 실행시키기 위한 프로그램, 즉 처리 레시피가 저장된 기억부를 구비할 수 있다. 또한, 유저 인터페이스 및 기억부는 프로세스 컨트롤러에 접속되어 있을 수 있다. 처리 레시피는 기억 부 중 기억 매체에 기억되어 있을 수 있고, 기억 매체는, 하드 디스크이어도 되고, CD-ROM, DVD 등의 가반성 디스크나, 플래시 메모리 등의 반도체 메모리 일 수도 있다.
도 7은 본 발명의 일 실시 예에 따른 차압 제어 및 인터락 방법을 보여주는 플로우 차트이다. 도 7을 참조하면, 우선, 차압 측정 부재(376)는 척 스테이지(312)와 석영 윈도우(314)가 형성하는 내부 공간(317)의 압력과 챔버(100)의 처리 공간의 압력의 차이를 확인 할 수 있다(S10). 만약, 확인된 압력 차이가 설정 압력 차(예컨대, 50pa) 이상인 경우, 제어기(700)는 액 공급 유닛(400), 그리고 지지 유닛(300)을 제어하여 기판(W)에 대한 액 처리 공정을 수행한다(S42). 만약, 확인된 압력 차이가 설정 압력 차(예컨대, 50pa)보다 작은(예컨대, 50pa 미만) 경우, 제어기(700)는 가스 공급 라인(373)이 내부 공간(317)으로 보호 가스(G)를 공급하도록 가스 공급원(372)을 제어할 수 있다(S20). 내부 공간(317)에 보호 가스(G)가 보충된 이후, 차압 측정 부재(376)는 내부 공간(317)의 압력과 챔버(100)의 처리 공간의 압력의 차이를 확인한다(S30). 만약, 확인된 압력 차이가 설정 압력 차 이상을 유지하는 경우, 제어기(700)는 액 공급 유닛(400), 그리고 지지 유닛(300)을 제어하여 기판(W)에 대한 액 처리 공정을 수행한다(S42). 만약, 확인된 압력 차이가 설정 압력차보다 작은 경우(확인된 압력 차이가 설정 압력 차 이상을 유지하지 못하는 경우), 제어기(700)는 기판 처리 장치(10)에서 폭발이 발생될 위험이 있는 것으로 판단하고, 기판 처리 장치(10)의 구동을 중단하는 인터락(Interlock)을 발생시킨다(S41).
상술한 예에서는, 확인된 압력 차이가 설정 압력차보다 작은 경우, 인터락을 발생시키는 것을 예로 들어 설명하였으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 기판 처리 장치(10)는 위험을 사용자에게 알리는 알람 부재(미도시)를 더 포함할 수 있으며, 확인된 압력 차이가 설정 압력차보다 작은 경우, 제어기(700)는 기판 처리 장치(10)에서 폭발이 발생될 위험이 있는 것으로 판단하고, 알람 부재를 제어하여 사용자에게 폭발 위험이 존재함을 알릴 수 있다. 알람 부재는, 소리와 빛과 같이 사용자에게 위험을 알릴 수 있는 공지된 장치로 다양하게 변형될 수 있다.
도 8은 도 3의 지지 유닛의 다른 실시 예를 보여주는 단면도이고, 도 9는 도 8의 지지 유닛의 일 부분을 확대하여 보여주는 도면이다. 도 8, 그리고 도 9에서 도시하고 있는 다른 실시 예에 따른 지지 유닛(800)이 가지는 구조, 그리고 기능은 상술한 일 실시 예에 따른 지지 유닛(300)의 구조, 그리고 기능과 동일 또는 유사할 수 있다. 이하에서는, 상술한 일 실시 예에 따른 지지 유닛(300)과 다른 실시 예에 따른 지지 유닛(800)의 차이점을 중심으로 설명한다.
본 발명의 다른 실시 예에 따른 지지 유닛(800)은 척 스테이지(812), 척 핀(816), 지지 핀(818), 스핀 구동부(820), 히트 싱크(850), 석영 윈도우(814), 중공 관(830), 가열 부재(840), 그리고 가스 공급 모듈(870)을 포함할 수 있다.
척 스테이지(812)는 스핀 구동부(820)와 결합되어, 스핀 구동부(820)가 전달하는 회전력에 의해 회전될 수 있다. 척 스테이지(812)에는 기판(W)의 측 부를 척킹하는 척킹 핀(816), 그리고 기판(W)의 하면을 지지하는 지지 핀(818)들이 설치될 수 있다. 척킹 핀(816), 그리고 지지 핀(818)들은 척 스테이지(812)에 의해 회전될 수 있다.
또한, 스핀 구동부(820)는 중공 공간(822)을 가질 수 있다. 중공 공간(822)에는 후술하는 히트 싱크(850)를 지지하는 중공 관(830)이 배치될 수 있다. 중공 관(830)은 내부에 관로 공간(832)을 가질 수 있고, 관로 공간(832)에는 가스 공급 모듈(870)의 가스 공급 라인(873), 그리고 제1압력 측정 라인(876b)이 제공될 수 있다. 또한, 중공 관(830)은 스핀 구동부(820), 그리고 척 스테이지(812)의 회전으로부터 독립되게 위치될 수 있다.
또한, 히트 싱크(Heat Sink, 850)는 중공 관(830)에 의해 지지될 수 있다. 히트 싱크(850)는 상부에서 바라볼 때 대체로 판 형상을 가질 수 있다. 히트 싱크(850)는 척 스테이지(812)의 상부에 배치되며, 가열 부재(840)가 설치될 수 있다. 가열 부재(840)는 기판(W)을 가열하는 열 에너지를 발생시킬 수 있다. 가열 부재(840)는 기판(W)을 가열하는 광을 조사할 수 있다. 가열 부재(840)는 엘이디(LED)일 수 있다.
또한, 히트 싱크(850)의 상부에는 석영 윈도우(814)가 배치될 수 있다. 석영 윈도우(814)는 상술한 석영 윈도우(314)와 대체로 유사한 구조 및 소재로 제공될 수 있다. 예컨대, 석영 윈도우(814)는 투명한 소재로 제공될 수 있다. 석영 윈도우(814)는 히트 싱크(850)와 서로 조합되어 내부 공간(817)을 형성할 수 있다.
또한, 척 스테이지(812), 그리고 석영 윈도우(814) 사이에는 실링 부재(860)가 제공될 수 있다. 예컨대, 실링 부재(860)는 히트 싱크(850)와 석영 윈도우(814) 사이에 배치되어, 내부 공간(817)의 기밀성을 향상시킬 수 있다. 또한, 실링 부재(860)는 오-링일 수 있다. 또한, 실링 부재(860)는 내식성, 그리고 내열성이 우수한 소재로 제공될 수 있다.
또한, 히트 싱크(850), 실링 부재(860), 가열 부재(840), 그리고 석영 윈도우(814)는 스핀 구동부(820)의 회전으로부터 독립하게 위치하는 중공 관(830)에 의해 지지되므로, 척 스테이지(812)의 회전으로부터 독립되게 위치될 수 있다.
또한, 가스 공급 모듈(870)이 가지는 가스 공급원(872), 가스 공급 라인(873), 유량 측정 부재(874), 유량 조절 부재(875), 그리고 차압 측정 부재(876)는 상술한 가스 공급 모듈(370)과 동일 또는 유사하므로 반복되는 설명은 생략한다.
도 10은 도 9의 지지 유닛의 가스 공급 라인이 히팅 싱크와 석영 윈도우가 형성하는 내부 공간으로 가스를 공급하는 모습을 보여주는 도면이다. 도 10을 참조하면, 가스 공급 라인(873)은 히트 싱크(850), 그리고 석영 윈도우(814)가 형성하는 내부 공간(817)으로 보호 가스(G)를 공급할 수 있다. 이때, 히트 싱크(850), 그리고 석영 윈도우(814)가 형성하는 내부 공간(817)은 실링 부재(860)에 의해 기밀성이 향상될 수 있다. 즉, 내부 공간(817)으로 공급되는 보호 가스(G)는 내부 공간(817)이 가지는 기밀성에 의해 상대적으로 양압을 유지할 수 있다(Leakage Compensation 방폭 방법). 즉, 실링 부재(860)에 의해 내부 공간(817)으로 처리 액 또는 흄(Fume)이 유입되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 가스 공급 라인(873)이 공급하는 보호 가스(G) 및 실링 부재(860)에 의해 내부 공간(817)이 가지는 기밀성으로 인하여, 내부 공간(817)이 상대적으로 양압으로 유지될 수 있어 내부 공간(817)으로 처리 액 또는 흄(Fume)이 유입되는 것을 방지할 수 있다. 이에, 가열 부재(840)로 가연성 물질인 처리 액 또는 흄이 전달되는 것을 방지할 수 있어, 지지 유닛(800)이 폭발하는 위험을 효과적으로 억제할 수 있다. 또한, 상술한 일 실시 예와 유사하게, 가스 공급 모듈(870)에 의해 내부 공간(817)과 챔버(100)의 처리 공간 사이의 압력 차이는 설정 압력 차(예컨대, 50Pa)로 유지될 수 있다.
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.
기판 처리 장치 : 10
챔버 : 100
지지 유닛 : 300
척 : 310
척 스테이지 : 312
석영 윈도우 : 314
내부 공간 : 317
스핀 구동부 : 320
중공 공간 : 322
백 노즐부 : 330
약액 분사부 : 332
노즐 몸체 : 334
가열 부재 : 340
반사 판 : 360
가스 공급 모듈 : 370
가스 공급원 : 372
가스 공급 라인 : 373
유량 측정 부재 : 374
유량 조절 부재 : 375
차압 측정 부재 : 376
데이터 수신부 : 376a
제1압력 측정 라인 : 376b
제2압력 측정 라인 : 376c
액 공급 유닛 : 400
제어기 : 700
지지 유닛 : 800
척 스테이지 : 812
석영 윈도우 : 814
내부 공간 : 817
스핀 구동부 : 820
중공 공간 : 822
중공 관 : 830
관로 공간 : 832
가열 부재 : 840
히트 싱크 : 850
실링 부재 : 860
가스 공급 모듈 : 870
가스 공급원 : 872
가스 공급 라인 : 873
유량 측정 부재 : 874
유량 조절 부재 : 875
차압 측정 부재 : 876
데이터 수신부 : 876a
제1압력 측정 라인 : 876b
제2압력 측정 라인 : 876c

Claims (20)

  1. 기판을 지지하는 지지 유닛에 있어서,
    스핀 구동부와 결합되어 회전되는 척 스테이지;
    상기 척 스테이지의 상부에 배치되며, 내부 공간을 형성하는 윈도우;
    상기 내부 공간에 배치되는 가열 부재; 및
    상기 내부 공간의 압력이 외부와 비교할 때, 상대적으로 양압을 유지될 수 있도록 상기 내부 공간으로 보호 가스를 공급하는 가스 공급 라인을 포함하는 지지 유닛.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 유닛은,
    상기 가스 공급 라인에 설치되며, 상기 내부 공간으로 공급되는 상기 보호 가스의 단위 시간당 공급 유량을 측정하는 유량 측정 부재를 더 포함하는 지지 유닛.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 유닛은,
    상기 내부 공간의 압력과 상기 유닛 외부의 압력 차이를 측정하는 차압 측정 부재를 더 포함하는 지지 유닛.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 윈도우는,
    상기 유닛에 지지된 기판의 하면과 마주하는 상면, 그리고 상부에서 바라볼 때 상기 상면의 가장자리 영역에서 아래 방향으로 연장되는 측면을 포함하고,
    상기 윈도우의 상기 측면에는,
    상기 가스 공급 라인이 공급하는 상기 보호 가스가 유출되는 유출 홀이 형성되는 지지 유닛.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 유닛은,
    상기 가열 부재, 그리고 상기 척 스테이지 사이에 배치되며, 상기 가열 부재가 발생시키는 열 에너지를 기판으로 반사시키는 반사 판을 더 포함하는 지지 유닛.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 척 스테이지, 그리고 상기 윈도우는 서로 결합되어 상기 스핀 구동부에 의해 함께 회전되고,
    상기 가열 부재 또는 상기 반사 판은,
    상기 척 스테이지, 그리고 상기 윈도우의 회전으로부터 독립되게 위치되는 지지 유닛.
  7. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 유닛은,
    상기 척 스테이지, 그리고 상기 윈도우 사이에 배치되며, 상기 내부 공간의 기밀성을 향상시키는 실링 부재를 더 포함하는 지지 유닛.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 유닛은,
    상기 척 스테이지의 상부에 배치되며, 상기 가열 부재가 설치되는 히트 싱크(Heat Sink)를 더 포함하고,
    상기 실링 부재는,
    상기 히트 싱크, 그리고 상기 윈도우 사이에 배치되는 지지 유닛.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 히트 싱크, 그리고 상기 윈도우는,
    상기 척 스테이지의 회전으로부터 독립되게 위치되는 지지 유닛.
  10. 기판을 처리하는 장치에 있어서,
    처리 공간을 가지는 챔버;
    상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 지지 유닛; 및
    상기 지지 유닛에 지지된 기판으로 처리 액을 공급하는 액 공급 유닛을 포함하고,
    상기 지지 유닛은,
    스핀 구동부와 결합되어 회전 가능한 척 스테이지;
    상기 척 스테이지 상부에 배치되며, 내부 공간을 형성하는 윈도우;
    상기 내부 공간에 배치되는 가열 부재; 및
    상기 내부 공간을 양압으로 유지시키는 보호 가스를 공급하는 가스 공급 라인을 포함하는 기판 처리 장치.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 지지 유닛은,
    상기 가스 공급 라인에 설치되며, 상기 내부 공간으로 공급되는 상기 보호 가스의 단위 시간당 공급 유량을 측정하는 유량 측정 부재; 및
    상기 내부 공간의 압력과 상기 지지 유닛 외부의 압력 차이를 측정하는 차압 측정 부재를 포함하는 기판 처리 장치.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 차압 측정 부재는,
    상기 내부 공간과 유체 연통하는 제1압력 측정 라인; 및
    상기 제1압력 측정 라인과 연결되어, 상기 내부 공간의 압력 데이터를 산출하는 데이터 산출 부를 포함하는 기판 처리 장치.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 차압 측정 부재는,
    상기 처리 공간과 유체 연통하는 제2압력 측정 라인을 더 포함하고,
    상기 데이터 산출 부는,
    상기 제2압력 측정 라인과 연결되어, 상기 처리 공간의 압력 데이터를 산출하고,
    상기 내부 공간의 압력 데이터와 상기 처리 공간의 압력 데이터를 통해 상기 내부 공간과 상기 처리 공간 사이의 압력 차이를 산출하는 기판 처리 장치.
  14. 제10항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 윈도우는,
    상기 유닛에 지지된 기판의 하면과 마주하는 상면, 그리고 상부에서 바라볼 때 상기 상면의 가장자리 영역에서 아래 방향으로 연장되는 측면을 포함하고,
    상기 윈도우의 상기 측면에는,
    상기 가스 공급 라인이 공급하는 상기 보호 가스가 유출되는 유출 홀이 형성되는 기판 처리 장치.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 지지 유닛은,
    상기 가열 부재, 그리고 상기 척 스테이지 사이에 배치되며, 상기 가열 부재가 발생시키는 열 에너지를 기판으로 반사시키는 반사 판을 더 포함하는 기판 처리 장치.
  16. 제10항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 지지 유닛은,
    상기 척 스테이지, 그리고 상기 윈도우 사이에 배치되며, 상기 내부 공간의 기밀성을 향상시키는 실링 부재를 더 포함하는 기판 처리 장치.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 지지 유닛은,
    상기 척 스테이지의 상부에 배치되며, 상기 가열 부재가 설치되는 히트 싱크(Heat Sink)를 더 포함하고,
    상기 실링 부재는,
    상기 히트 싱크, 그리고 상기 윈도우 사이에 배치되는 지지 유닛.
  18. 기판을 처리하는 장치에 있어서,
    처리 공간을 가지는 챔버;
    상기 처리 공간에서 기판을 지지, 그리고 회전시키는 지지 유닛; 및
    상기 지지 유닛에 지지되어 회전하는 기판으로 처리 액을 공급하는 액 공급 유닛을 포함하고,
    상기 지지 유닛은,
    스핀 구동부와 결합되어 회전 가능한 척 스테이지;
    상기 척 스테이지 상부에 배치되며, 내부 공간을 형상하는 석영 윈도우;
    상기 내부 공간에 배치되어, 상기 지지 유닛에 지지되는 기판을 가열하는 가열 부재;
    상기 내부 공간에 보호 가스를 공급하는 가스 공급 라인;
    상기 가스 공급 라인에 설치되며, 상기 내부 공간으로 공급되는 상기 보호 가스의 단위 시간당 공급 유량을 측정하는 유량 측정 부재; 및
    상기 내부 공간의 압력과 상기 처리 공간 사이의 압력 차이를 측정하는 차압 측정 부재를 포함하는 기판 처리 장치.
  19. 제18항에 있어서,
    상기 장치는,
    제어기를 더 포함하고,
    상기 제어기는,
    상기 차압 측정 부재가 측정하는 상기 압력 차이가 설정 압력 차보다 작은 경우 상기 내부 공간에 상기 보호 가스를 공급하도록 상기 가스 공급 라인과 연결되는 가스 공급 원을 제어하는 기판 처리 장치.
  20. 제19항에 있어서,
    상기 제어기는,
    상기 설정 압력 차는,
    50 Pa이고,
    상기 내부 공간에 상기 보호 가스를 공급한 이후에 상기 압력 차이가 상기 설정 압력 차 이상을 유지하는 경우 상기 액 공급 유닛이 상기 지지 유닛에 지지된 기판으로 상기 처리 액을 공급하도록 상기 액 공급 유닛, 그리고 상기 지지 유닛을 제어하고,
    상기 내부 공간에 상기 보호 가스를 공급한 이후에 상기 압력 차이가 상기 설정 압력 차 이상을 유지하지 못하는 경우 인터락을 발생시키도록 상기 장치를 제어하는 기판 처리 장치.
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