KR20220087598A - 양자점 조성물, 발광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치 - Google Patents

양자점 조성물, 발광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20220087598A
KR20220087598A KR1020200176928A KR20200176928A KR20220087598A KR 20220087598 A KR20220087598 A KR 20220087598A KR 1020200176928 A KR1020200176928 A KR 1020200176928A KR 20200176928 A KR20200176928 A KR 20200176928A KR 20220087598 A KR20220087598 A KR 20220087598A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
group
quantum dot
ligand
light
light emitting
Prior art date
Application number
KR1020200176928A
Other languages
English (en)
Inventor
하재국
정연구
Original Assignee
삼성디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성디스플레이 주식회사 filed Critical 삼성디스플레이 주식회사
Priority to KR1020200176928A priority Critical patent/KR20220087598A/ko
Priority to US17/451,602 priority patent/US20220195289A1/en
Priority to CN202111511182.5A priority patent/CN114644918A/zh
Publication of KR20220087598A publication Critical patent/KR20220087598A/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/02—Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor
    • C09K11/025—Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor non-luminescent particle coatings or suspension media
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/02—Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C323/00—Thiols, sulfides, hydropolysulfides or polysulfides substituted by halogen, oxygen or nitrogen atoms, or by sulfur atoms not being part of thio groups
    • C07C323/01—Thiols, sulfides, hydropolysulfides or polysulfides substituted by halogen, oxygen or nitrogen atoms, or by sulfur atoms not being part of thio groups containing thio groups and halogen atoms, or nitro or nitroso groups bound to the same carbon skeleton
    • C07C323/02—Thiols, sulfides, hydropolysulfides or polysulfides substituted by halogen, oxygen or nitrogen atoms, or by sulfur atoms not being part of thio groups containing thio groups and halogen atoms, or nitro or nitroso groups bound to the same carbon skeleton having sulfur atoms of thio groups bound to acyclic carbon atoms of the carbon skeleton
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C323/00—Thiols, sulfides, hydropolysulfides or polysulfides substituted by halogen, oxygen or nitrogen atoms, or by sulfur atoms not being part of thio groups
    • C07C323/23—Thiols, sulfides, hydropolysulfides or polysulfides substituted by halogen, oxygen or nitrogen atoms, or by sulfur atoms not being part of thio groups containing thio groups and nitrogen atoms, not being part of nitro or nitroso groups, bound to the same carbon skeleton
    • C07C323/24—Thiols, sulfides, hydropolysulfides or polysulfides substituted by halogen, oxygen or nitrogen atoms, or by sulfur atoms not being part of thio groups containing thio groups and nitrogen atoms, not being part of nitro or nitroso groups, bound to the same carbon skeleton having the sulfur atoms of the thio groups bound to acyclic carbon atoms of the carbon skeleton
    • C07C323/25—Thiols, sulfides, hydropolysulfides or polysulfides substituted by halogen, oxygen or nitrogen atoms, or by sulfur atoms not being part of thio groups containing thio groups and nitrogen atoms, not being part of nitro or nitroso groups, bound to the same carbon skeleton having the sulfur atoms of the thio groups bound to acyclic carbon atoms of the carbon skeleton the carbon skeleton being acyclic and saturated
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/54—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing zinc or cadmium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/56—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing sulfur
    • C09K11/562—Chalcogenides
    • C09K11/565—Chalcogenides with zinc cadmium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/70—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing phosphorus
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/74—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing arsenic, antimony or bismuth
    • C09K11/7492—Arsenides; Nitrides; Phosphides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/88—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing selenium, tellurium or unspecified chalcogen elements
    • C09K11/881—Chalcogenides
    • C09K11/883—Chalcogenides with zinc or cadmium
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/04—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction
    • H01L33/06—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction within the light emitting region, e.g. quantum confinement structure or tunnel barrier
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/26—Materials of the light emitting region
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/331—Nanoparticles used in non-emissive layers, e.g. in packaging layer
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H10K50/115—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers comprising active inorganic nanostructures, e.g. luminescent quantum dots
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/38—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]

Abstract

일 실시예에 따른 양자점 조성물은 양자점, 양자점 표면에 결합되는 제1 헤드부 및 말단에 가교성 관능기를 포함하는 제1 테일부를 포함하는 제1 리간드 및 양자점 표면에 결합되고, 제1 리간드보다 길이가 짧은 제2 리간드를 포함한다. 일 실시예에 따른 양자점 조성물은 발광 소자 및 표시 장치에 적용되어, 발광 소자 및 표시 장치의 발광 효율 및 소자 수명을 개선할 수 있다.

Description

양자점 조성물, 발광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치{QUANTUM DOT COMPOSITION, LIGHT EMITTING DIODE AND DISPLAY DEVICE INCLUDING THE SAME}
본 발명은 양자점 조성물, 양자점 조성물로부터 형성된 발광층을 포함한 발광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치에 대한 것이다.
텔레비전, 휴대 전화, 태블릿 컴퓨터, 내비게이션, 게임기 등과 같은 멀티 미디어 장치에 사용되는 다양한 표시 장치들이 개발되고 있다. 이러한 표시 장치에서는 유기 화합물을 포함하는 발광 재료를 발광시켜서 표시를 실현하는 소위 자발광형의 표시 소자를 사용하고 있다.
또한, 표시 장치의 색재현성을 개선하기 위하여 양자점을 발광 재료로 사용한 발광 소자에 대한 개발이 진행되고 있으며, 양자점을 이용한 발광 소자의 발광 효율 및 수명을 개선하는 것이 요구되고 있다.
본 발명의 목적은 발광 소자의 발광층에 사용되어 개선된 발광 효율 특성을 나타낼 수 있는 양자점 조성물을 제공하는 것이다.
본 발명의 목적은 이종의 리간드들이 표면에 부착된 양자점을 발광층에 포함하여 발광 효율을 개선된 발광 소자를 제공하는 것이다.
또한, 본 발명의 목적은 이종의 리간드들이 표면에 부착된 양자점을 발광층에 포함한 발광 소자를 포함하여 개선된 발광 효율을 나타내는 표시 장치를 제공하는 것이다.
일 실시예에서, 양자점, 상기 양자점 표면에 결합되는 제1 헤드부 및 말단에 가교성 관능기를 포함하는 제1 테일부를 포함하는 제1 리간드 및 상기 양자점 표면에 결합되고, 상기 제1 리간드보다 길이가 짧은 제2 리간드를 포함하는 양자점 조성물을 제공한다.
상기 가교성 관능기는 열 가교성 관능기일 수 있다.
상기 가교성 관능기는 비닐기, 히드록시기, 카르복실기, 에폭시기, 아미드기, 아민기, 아자이드기, 옥세타닐기, 또는 이소시아네이트기일 수 있다.
상기 제2 리간드는 상기 양자점 표면에 결합되는 제2 헤드부 및 제2 테일부를 포함하고, 상기 제2 테일부는 1.5nm 이하 길이의 알킬기, 1.5nm 이하 길이의 알케닐기, 카바졸 모이어티, 트리아진 모이어티, 피렌 모이어티, 전자 흡인기, 전자 공여기, 폴리에틸렌 이민 모이어티 및 에톡실화 폴리에틸렌이민 모이어티 중 어느 하나를 포함할 수 있다.
상기 제1 리간드 및 제2 리간드는 각각 한 자리(monodentate) 리간드 또는 두 자리(bidentate) 리간드일 수 있다.
상기 제1 헤드부 및 제2 헤드부는 각각 티올기, 디티오산기, 포스핀기, 카테콜기, 아민기 또는 카르복시산기를 포함할 수 있다.
상기 제1 리간드는 상기 제1 헤드부 및 상기 제1 테일부를 연결하는 체인부를 더 포함하고, 상기 체인부는 2 이상 20 이하의 탄소를 포함할 수 있다.
상기 체인부는 아민기, 옥시기, 티오기, 에스터기, 에테르기, 아릴기 또는 아마이드기를 더 포함할 수 있다.
상기 제1 리간드는 화학식 A 또는 화학식 B로 표시될 수 있다.
[화학식 A]
Figure pat00001
[화학식 B]
Figure pat00002
상기 화학식 A 및 화학식 B에서, X, X1 및 X2는 각각 독립적으로 S, 또는 NH이고, Y는 하기 화학식 1 내지 7 중 어느 하나로 표시된다:
[화학식 1]
Figure pat00003
[화학식 2]
Figure pat00004
[화학식 3]
Figure pat00005
[화학식 4]
Figure pat00006
[화학식 5]
Figure pat00007
[화학식 6]
Figure pat00008
[화학식 7]
Figure pat00009
상기 화학식 1 내지 화학식 7에서, "
Figure pat00010
"는 상기 X, X1 또는 X2와 연결되는 위치를 의미하고, R1 및 R2는 각각 독립적으로 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기이고, 단, R1 와 R2의 탄소수 합은 20 이하이다.
상기 전자 흡인기는 니트로기, 티오아미드기, 아마이드기, 플루오르기, 시아노기, 아마이드기, 에스터기 또는 카보닐기이고, 상기 전자 공여기는 고리형성 탄소수 6 이상 20 이하의 아릴기, 아민기, 알콕시기 또는 티오에테르기일 수 있다.
상기 제2 리간드는 하기 화학식 8 내지 화학식 15 중 어느 하나로 표시될 수 있다.
[화학식 8]
Figure pat00011
[화학식 9]
Figure pat00012
[화학식 10]
Figure pat00013
[화학식 11]
Figure pat00014
[화학식 12]
Figure pat00015
[화학식 13]
Figure pat00016
[화학식 14]
Figure pat00017
[화학식 15]
Figure pat00018
상기 화학식 8 내지 화학식 15에서, Ra 내지 Re는 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 3 이하의 알킬기 또는 고리 형성 탄소수 6 내지 12의 아릴기이고, R1 내지 R9, R12 및 R13은 각각 독립적으로 직접 결합 또는 탄소수 1 내지 3 이하의 알킬기이고, R10 및 R11은 각각 독립적으로 탄소수 3 내지 8 이하의 알킬기이다.
상기 양자점 조성물은 유기 용매를 더 포함하고, 상기 양자점은 상기 유기 용매에 분산된 것일 수 있다.
일 실시예에서, 제1 전극, 상기 제1 전극과 마주하는 제2 전극 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 배치되고, 복수의 양자점 복합체들을 포함하는 발광층을 포함하고, 상기 양자점 복합체들은 각각 양자점, 상기 양자점의 표면에 결합한 제1 리간드 및 상기 양자점 표면에 결합하고, 상기 제1 리간드보다 짧은 제2 리간드를 포함하고, 상기 제1 리간드는 인접한 다른 제1 리간드와 결합하는 것인 발광 소자를 제공한다.
상기 제1 리간드는 상기 양자점 표면에 결합하는 제1 헤드부를 포함하고, 상기 제1 헤드부는 티올기, 디티오산기, 포스핀기, 카테콜기, 아민기 또는 카르복시산기를 포함할 수 있다.
상기 제1 리간드는 상기 제1 헤드부와 연결된 체인부를 더 포함하고, 상기 체인부는 2 이상 20 이하의 탄소를 포함할 수 있다.
상기 제2 리간드는 1.5nm 이하 길이의 알킬기, 1.5nm 이하 길이의 알케닐기, 카바졸 모이어티, 트리아진 모이어티, 피렌 모이어티, 전자 흡인기, 전자 공여기, 폴리에틸렌 이민 모이어티 및 에톡실화 폴리에틸렌이민 모이어티 중 어느 하나를 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 표시패널 및 상기 표시패널 상에 배치되고, 적어도 하나의 광 제어부를 포함하는 광 변환층을 포함하고, 상기 광 제어부는 양자점, 상기 양자점 표면에 결합하는 제1 리간드 및 상기 제1 리간드보다 짧은 제2 리간드를 포함하고, 상기 제1 리간드는 다른 양자점에 결합된 제1 리간드와 결합하는 것인 표시 장치를 제공할 수 있다.
상기 표시패널은 제1 광을 생성하는 발광소자를 포함하고, 상기 광 변환층은 상기 제1 색광을 투과하는 제1 광 제어부, 상기 제1 색광을 제2 색광으로 변환하는 제2 광 제어부 및 상기 제1 색광을 제3 색광으로 변환하는 제3 광 제어부를 포함할 수 있다.
상기 제1 리간드는 상기 양자점 표면에 결합하는 친수성기를 포함하는 제1 헤드부, 아민기, 옥시기, 티오기, 에스터기, 에테르기, 아릴기 또는 아마이드기를포함하는 체인부 및 다른 양자점에 결합한 제1 리간드와 결합하는 제1 테일부;를 포함할 수 있다. 하는 표시 장치.
상기 제2 리간드는 상기 양자점 표면에 결합하는 친수성기를 포함하는 제2 헤드부 및 1.5nm 이하 길이의 알킬기, 1.5nm 이하 길이의 알케닐기, 카바졸 모이어티, 트리아진 모이어티, 피렌 모이어티, 전자 흡인기, 전자 공여기, 폴리에틸렌 이민 모이어티 및 에톡실화 폴리에틸렌이민 모이어티 중 어느 하나를 포함하는 제2 테일부를 포함할 수 있다.
상기 광 변환층 상에 배치된 컬러필터층을 더 포함하고, 상기 컬러필터층은 상기 제1 색광을 투과사키는 제1 필터, 상기 제2 색광을 투과시키는 제2 필터 및 상기 제3 색광을 투과시키는 제3 필터를 포함할 수 있다.
일 실시예의 양자점 조성물은 양자점 표면에 결합하는 이종의 리간드들을 포함하여, 발광층에 적용되더라도 전하 주입 특성을 저하시키지 않아 개선된 발광 효율 특성을 나타낼 수 있는 발광층 재료로 사용될 수 있다.
일 실시예의 발광 소자 및 표시 장치는 발광층에 전하 주입 특성을 저하시키지 않는 양자점을 포함하여, 개선된 발광 효율 및 소자 수명을 나타낼 수 있다.
도 1은 일 실시예의 전자 장치의 결합 사시도이다.
도 2는 일 실시예의 전자 장치의 분해 사시도이다.
도 3은 일 실시예의 표시 장치에 대한 단면도이다.
도 4는 일 실시예의 발광 소자의 단면도이다.
도 5은 일 실시예에 따른 발광 소자의 제조 방법을 나타낸 순서도이다.
도 6은 일 실시예의 발광 소자를 제조하는 방법 중 예비 발광층을 형성하는 단계를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 7은 도 6에서 제공되는 양자점 조성물의 일부를 보다 상세히 도시한 단면도이다.
도 8은 일 실시예의 양자점 복합체의 개략도이다.
도 9는 일 실시예의 발광 소자를 제조하는 방법 중 발광층을 형성하는 단계를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 10은 일 실시예에 따른 발광층을 나타낸 단면도이다.
도 11은 일 실시예에 따른 양자점 조성물을 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 12는 일 실시예의 따른 양자점 조성물에서 제1 리간드간의 반응 단계를 나타낸 도면이다.
도 13a 및 도 13b는 실시예 및 비교예의 발광 소자의 특성을 측정한 그래프이다.
도 14는 일 실시예의 표시 장치에 따른 평면도이다.
도 15는 도 14의 II-II'선에 대응하는 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 16은 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
본 명세서에서, 어떤 구성요소(또는 영역, 층, 부분 등)가 다른 구성요소 "상에 있다", "연결 된다", 또는 "결합된다"고 언급되는 경우에 그것은 다른 구성요소 상에 직접 배치/연결/결합될 수 있거나 또는 그들 사이에 제3의 구성요소가 배치될 수도 있다는 것을 의미한다.
한편, 본 출원에서 "직접 배치"된다는 것은 층, 막, 영역, 판 등의 부분과 다른 부분 사이에 추가되는 층, 막, 영역, 판 등이 없는 것을 의미하는 것일 수 있다. 예를 들어, "직접 배치"된다는 것은 두 개의 층 또는 두 개의 부재들 사이에 접착 부재 등의 추가 부재를 사용하지 않고 배치하는 것을 의미하는 것일 수 있다.
동일한 도면부호는 동일한 구성요소를 지칭한다. 또한, 도면들에 있어서, 구성요소들의 두께, 비율, 및 치수는 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다.
"및/또는"은 연관된 구성들이 정의할 수 있는 하나 이상의 조합을 모두 포함한다.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
또한, "아래에", "하측에", "위에", "상측에" 등의 용어는 도면에 도시된 구성들의 연관관계를 설명하기 위해 사용된다. 상기 용어들은 상대적인 개념으로, 도면에 표시된 방향을 기준으로 설명된다.
다르게 정의되지 않는 한, 본 명세서에서 사용된 모든 용어 (기술 용어 및 과학 용어 포함)는 본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 갖는다. 또한, 일반적으로 사용되는 사전에서 정의된 용어와 같은 용어는 관련 기술의 맥락에서 의미와 일치하는 의미를 갖는 것으로 해석되어야 하고, 이상적인 또는 지나치게 형식적인 의미로 해석되지 않는 한, 명시적으로 여기에서 정의된 것으로 해석된다.
"포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
이하, 도면들을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 양자점 조성물, 발광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치에 대하여 설명한다.
도 1은 전자 장치(EA)의 일 실시예를 나타낸 사시도이다. 도 2는 일 실시예의 전자 장치(EA)의 분해 사시도이다. 도 3은 일 실시예의 표시 장치(DD)에 대한 단면도이다. 도 4는 일 실시예의 발광 소자(ED)의 단면도이다.
일 실시예에서 전자 장치(EA)는 텔레비전, 모니터, 또는 외부 광고판과 같은 대형 전자 장치일 수 있다. 또한, 전자 장치(EA)는 퍼스널 컴퓨터, 노트북 컴퓨터, 개인 디지털 단말기, 자동차 내비게이션 유닛, 게임기, 스마트폰, 태블릿, 및 카메라와 같은 중소형 전자 장치일 수 있다. 또한, 이것들은 단지 실시예로서 제시된 것들로서, 본 발명의 개념에서 벗어나지 않은 이상 다른 전자 장치로도 채용될 수 있다. 본 실시예에서, 전자 장치(EA)는 스마트 폰으로 예시적으로 도시되었다.
전자 장치(EA)는 전면(FS)을 통해 이미지(IM)를 표시할 수 있다. 이미지(IM)는 동적인 이미지는 물론 정지 이미지를 포함할 수 있다. 도 1에서는 전면(FS)이 제1 방향(DR1) 및 제1 방향(DR1)과 교차하는 제2 방향(DR2)이 정의하는 면과 평행한 것으로 도시하였다. 하지만, 이는 예시적인 것으로, 다른 실시예에서 전자 장치(EA)의 전면(FS)은 휘어진 형상을 가질 수 있다.
전자 장치(EA)의 전면(FS)의 법선 방향, 즉 전자 장치(EA)의 두께 방향 중 이미지(IM)가 표시되는 방향은 제3 방향(DR3)이 지시한다. 각 부재들의 전면(또는 상면)과 배면(또는 하면)은 제3 방향(DR3)에 의해 구분될 수 있다.
제4 방향(DR4, 도 14)은 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2) 사이의 방향일 수 있다. 제4 방향(DR4)은 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2)이 정의하는 면과 나란한 면 상에 위치하는 것일 수 있다. 한편, 제1 내지 제4 방향들(DR1, DR2, DR3, DR4)이 지시하는 방향은 상대적인 개념으로서 다른 방향으로 변환될 수 있다.
한편, 도면에 도시되지는 않았으나 전자 장치(EA)는 폴딩 영역과 비폴딩 영역을 포함하는 폴더블 표시 장치, 또는 적어도 하나의 벤딩부를 포함한 벤딩 표시 장치 등을 포함하는 것일 수 있다.
전자 장치(EA)는 표시 장치(DD) 및 하우징(HAU)을 포함하는 것일 수 있다. 전자 장치(EA)에서 전면(FS)은 표시 장치(DD)의 전면(front surface)과 대응될 수 있으며, 윈도우(WP)의 전면과 대응될 수 있다. 이에 전자 장치(EA)의 전면, 표시 장치(DD)의 전면, 및 윈도우(WP)의 전면은 동일한 참조부호 FS를 사용하기로 한다.
하우징(HAU)은 표시 장치(DD)를 수납하는 것일 수 있다. 하우징(HAU)은 표시 장치(DD)의 표시면(IS)인 상부면이 노출되도록 표시 장치(DD)를 커버하며 배치될 수 있다. 하우징(HAU)은 표시 장치(DD)의 측면과 바닥면을 커버하며, 상부면 전체를 노출시키는 것일 수 있다. 다만, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며, 하우징(HAU)은 표시 장치(DD)의 측면과 바닥면뿐 아니라 상부면의 일부를 커버하는 것일 수 있다.
일 실시예의 전자 장치(EA)에서, 윈도우(WP)는 광학적으로 투명한 절연 물질을 포함할 수 있다. 윈도우(WP)는 투과 영역(TA) 및 베젤 영역(BZA)을 포함할 수 있다. 투과 영역(TA) 및 베젤 영역(BZA)을 포함한 윈도우(WP)의 전면(FS)은 전자 장치(EA)의 전면(FS)에 해당한다.
도 1 및 도 2에서, 투과 영역(TA)은 꼭지점들이 둥근 사각 형상으로 도시되었다. 다만, 이는 예시적으로 도시한 것이고, 투과 영역(TA)은 다양한 형상을 가질 수 있으며, 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다.
투과 영역(TA)은 광학적으로 투명한 영역일 수 있다. 베젤 영역(BZA)은 투과 영역(TA)에 비해 상대적으로 광 투과율이 낮은 영역일 수 있다. 베젤 영역(BZA)은 소정의 컬러를 가질 수 있다. 베젤 영역(BZA)은 투과 영역(TA)에 인접하며, 투과 영역(TA)을 에워쌀 수 있다. 베젤 영역(BZA)은 투과 영역(TA)의 형상을 정의할 수 있다. 다만, 실시예가 도시된 것에 한정되는 것은 아니며 베젤 영역(BZA)은 투과 영역(TA)의 일 측에만 인접하여 배치될 수도 있고, 일 부분이 생략될 수도 있다.
표시 장치(DD)는 윈도우(WP) 아래에 배치될 수 있다. 본 명세서에서 "아래"는 표시 장치(DD)가 이미지를 제공하는 방향의 반대 방향을 의미할 수 있다.
일 실시예에서, 표시 장치(DD)는 실질적으로 이미지(IM)를 생성하는 구성일 수 있다. 표시 장치(DD)에서 생성하는 이미지(IM)는 표시면(IS)에 표시되고, 투과 영역(TA)을 통해 외부에서 사용자에게 시인된다. 표시 장치(DD)는 표시 영역(DA) 및 비표시 영역(NDA)을 포함한다. 표시 영역(DA)은 전기적 신호에 따라 활성화되는 영역일 수 있다. 비표시 영역(NDA)은 베젤 영역(BZA)에 의해 커버되는 영역일 수 있다. 비표시 영역(NDA)은 표시 영역(DA)에 인접한다. 비표시 영역(NDA)은 표시 영역(DA)을 에워쌀 수 있다.
도 3을 참조하면, 표시 장치(DD)는 표시 패널(DP) 및 표시 패널(DP) 상에 배치된 광제어층(PP)을 포함할 수 있다. 표시 패널(DP)은 표시 소자층(DP-EL)을 포함할 수 있다. 표시 소자층(DP-EL)은 발광 소자(ED)를 포함한다.
광제어층(PP)은 표시 패널(DP) 상에 배치되어 외부광에 의한 표시 패널(DP)에서의 반사광을 제어할 수 있다. 광제어층(PP)은 예를 들어, 편광층을 포함하는 것이거나 또는 컬러필터층을 포함하는 것일 수 있다.
일 실시예의 표시 장치(DD)에서 표시 패널(DP)은 발광형 표시 패널일 수 있다. 예를 들어, 표시 패널(DP)은 양자점 발광 소자를 포함하는 양자점 발광 표시 패널일 수 있다. 하지만, 실시예가 이에 제한되는 것은 아니다.
표시 패널(DP)은 베이스 기판(BS), 베이스 기판(BS) 상에 배치된 회로층(DP-CL), 및 회로층(DP-CL) 상에 배치된 표시 소자층(DP-EL)을 포함하는 것일 수 있다.
베이스 기판(BS)은 표시 소자층(DP-EL)이 배치되는 베이스 면을 제공하는 부재일 수 있다. 베이스 기판(BS)은 유리기판, 금속기판, 플라스틱기판 등일 수 있다. 하지만, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며 베이스 기판(BS)은 무기층, 유기층 또는 복합재료층일 수 있다. 베이스 기판(BS)은 용이하게 벤딩되거나 폴딩될 수 있는 플렉서블(flexible) 기판일 수 있다.
일 실시예에서 회로층(DP-CL)은 베이스 기판(BS) 상에 배치되고, 회로층(DP-CL)은 복수의 트랜지스터들(미도시)을 포함하는 것일 수 있다. 트랜지스터들(미도시)은 각각 제어 전극, 입력 전극, 및 출력 전극을 포함하는 것일 수 있다. 예를 들어, 회로층(DP-CL)은 표시 소자층(DP-EL)의 발광 소자(ED)를 구동하기 위한 스위칭 트랜지스터 및 구동 트랜지스터를 포함하는 것일 수 있다.
도 4는 일 실시예에 따른 발광 소자(ED)를 나타낸 도면으로, 도 4를 참조하면 일 실시예에 따른 발광 소자(ED)는 제1 전극(EL1), 제1 전극(EL1)과 마주하는 제2 전극(EL2), 및 제1 전극(EL1)과 제2 전극(EL2) 사이에 배치되고 발광층(EML)을 포함하는 복수 개의 기능층들을 포함한다.
복수 개의 기능층들은 제1 전극(EL1)과 발광층(EML) 사이에 배치된 정공 수송 영역(HTR) 및 발광층(EML)과 제2 전극(EL2) 사이에 배치된 전자 수송 영역(ETR)을 포함할 수 있다. 한편, 도면에 도시되지는 않았으나 일 실시예에서 제2 전극(EL2) 상에는 캡핑층이 더 배치될 수 있다.
정공 수송 영역(HTR)과 전자 수송 영역(ETR)은 각각 복수 개의 서브 기능층들을 포함할 수 있다. 예를 들어, 정공 수송 영역(HTR)은 서브 기능층으로 정공 주입층(HIL) 및 정공 수송층(HTL)을 포함할 수 있고, 전자 수송 영역(ETR)은 서브 기능층으로 전자 주입층(EIL) 및 전자 수송층(ETL)을 포함할 수 있다. 한편, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며, 정공 수송 영역(HTR)은 전자 저지층(미도시) 등을 서브 기능층으로 더 포함할 수 있고, 전자 수송 영역(ETR)은 정공 저지층(미도시) 등을 서브 기능층으로 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 따른 발광 소자(ED)에서 제1 전극(EL1)은 도전성을 갖는다. 제1 전극(EL1)은 금속 합금 또는 도전성 화합물로 형성될 수 있다. 제1 전극(EL1)은 애노드(anode)일 수 있다. 제1 전극(EL1)은 화소 전극일 수 있다.
일 실시예에 따른 발광 소자(ED)에서 제1 전극(EL1)은 애노드(anode) 또는 캐소드(cathode)일 수 있다. 하지만 실시예가 이에 한정되지 않는다. 또한, 제1 전극(EL1)은 화소 전극일 수 있다. 제1 전극(EL1)은 투과형 전극, 반투과형 전극 또는 반사형 전극일 수 있다. 제1 전극(EL1)이 투과형 전극인 경우, 제1 전극(EL1)은 투명 금속 산화물, 예를 들어, ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), ZnO(zinc oxide), ITZO(indium tin zinc oxide) 등을 포함할 수 있다. 제1 전극(EL1)이 반투과형 전극 또는 반사형 전극인 경우, 제1 전극(EL1)은 Ag, Mg, Cu, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Mo, Ti, W 또는 이들의 화합물이나 혼합물(예를 들어, Ag와 Mg의 혼합물)을 포함할 수 있다. 또는 제1 전극(EL1)은 상기의 물질로 형성된 반사막이나 반투과막 및 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), ZnO(zinc oxide), ITZO(indium tin zinc oxide) 등으로 형성된 투명 도전막을 포함하는 복수의 층 구조일 수 있다. 예를 들어, 제1 전극(EL1)은 다층 금속막일 수 있으며 ITO/Ag/ITO의 금속막이 적층된 구조일 수 있다. 제1 전극(EL1)의 두께는 약 700Å 내지 약 10000Å일 수 있다. 예를 들어, 제1 전극(EL1)의 두께는 약 1000Å 내지 약 3000Å일 수 있다.
정공 수송 영역(HTR)은 제1 전극(EL1) 상에 제공된다. 정공 수송 영역(HTR)은 정공 주입층(HIL) 및 정공 수송층(HTL) 등을 포함할 수 있다. 또한, 정공 수송 영역(HTR)은 정공 주입층(HIL) 및 정공 수송층(HTL) 외에, 정공 버퍼층(미도시) 및 전자 저지층(미도시) 중 적어도 하나를 더 포함할 수 있다. 정공 버퍼층(미도시)은 발광층(EML)에서 방출되는 광의 파장에 따른 공진 거리를 보상하여 광 방출 효율을 증가시킬 수 있다. 정공 버퍼층(미도시)에 포함되는 물질로는 정공 수송 영역(HTR)에 포함될 수 있는 물질이 사용될 수 있다. 전자 저지층(미도시)은 전자 수송 영역(ETR)으로부터 정공 수송 영역(HTR)으로의 전자 주입을 방지하는 역할을 하는 층이다.
정공 수송 영역(HTR)은 단일 물질로 이루어진 단일층, 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 단일층 또는 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 복수의 층을 갖는 다층 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 정공 수송 영역(HTR)은, 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 단일층들의 구조를 갖거나, 제1 전극(EL1)으로부터 차례로 적층된 정공 주입층(HIL)/정공 수송층(HTL), 정공 주입층(HIL)/정공 수송층(HTL)/정공 버퍼층(미도시), 정공 주입층(HIL)/정공 버퍼층(미도시), 정공 수송층(HTL)/정공 버퍼층(미도시) 또는 정공 주입층(HIL)/정공 수송층(HTL)/전자 저지층(미도시) 등의 구조를 가질 수 있으나, 실시예가 한정되는 것은 아니다.
정공 수송 영역(HTR)은, 진공 증착법, 스핀 코팅법, 캐스트법, LB법(Langmuir-Blodgett), 잉크젯 프린팅법, 레이저 프린팅법, 레이저 열전사법(Laser Induced Thermal Imaging, LITI) 등과 같은 다양한 방법을 이용하여 형성될 수 있다.
정공 주입층(HIL)은 예를 들어, 구리프탈로시아닌(copper phthalocyanine) 등의 프탈로시아닌(phthalocyanine) 화합물, DNTPD(N,N'-diphenyl-N,N'-bis-[4-(phenyl-m-tolyl-amino)-phenyl]-biphenyl-4,4'-diamine), m-MTDATA(4,4',4"-tris(3-methylphenylphenylamino) triphenylamine), TDATA(4,4'4"-Tris(N,N-diphenylamino)triphenylamine), 2-TNATA(4,4',4"-tris{N,-(2-naphthyl)-N-phenylamino}-triphenylamine), PEDOT/PSS(Poly(3,4-ethylenedioxythiophene)/Poly(4-styrenesulfonate)), PANI/DBSA(Polyaniline/Dodecylbenzenesulfonic acid), PANI/CSA(Polyaniline/Camphor sulfonicacid), PANI/PSS((Polyaniline)/Poly(4-styrenesulfonate)), NPB(N,N'-di(naphthalene-l-yl)-N,N'-diphenyl-benzidine), 트리페닐아민을 포함하는 폴리에테르케톤(TPAPEK), 4-Isopropyl-4'-methyldiphenyliodonium Tetrakis(pentafluorophenyl)borate], HAT-CN(dipyrazino[2,3-f: 2',3'-h] quinoxaline-2,3,6,7,10,11-hexacarbonitrile) 등을 포함할 수 있다.
정공 수송층(HTL)은 예를 들어, N-페닐카바졸, 폴리비닐카바졸 등의 카바졸계 유도체, 플루오렌(fluorine)계 유도체, TPD(N,N'-bis(3-methylphenyl)-N,N'-diphenyl-[1,1-biphenyl]-4,4'-diamine), TCTA(4,4',4"-tris(N-carbazolyl)triphenylamine) 등과 같은 트리페닐아민계 유도체, NPB(N,N'-di(naphthalene-l-yl)-N,N'-diphenyl-benzidine), TAPC(4,4′-Cyclohexylidene bis[N,N-bis(4-methylphenyl)benzenamine]), HMTPD(4,4'-Bis[N,N'-(3-tolyl)amino]-3,3'-dimethylbiphenyl), mCP(1,3-Bis(N-carbazolyl)benzene) 등을 포함할 수 있다.
발광층(EML)은 정공 수송 영역(HTR) 상에 제공된다. 일 실시예에 따른 발광 소자(ED)에서 발광층(EML)은 일 실시예의 양자점 조성물로부터 형성된 것일 수 있다. 발광층(EML)은 복수 개의 양자점 복합체(QD-C)를 포함한다. 발광층(EML)에 포함된 양자점 복합체(QD-C)는 두개 이상의 다른 양자점 복합체(QD-C)와 결합된 상태일 수 있다. 양자점 복합체(QD-C)는 양자점(QD)의 표면에 서로 구별되는 2종류의 리간드가 결합된 것을 의미하며, 양자점 복합체(QD-C)에 대해서는 도 7 및 도 8을 통해 상세히 설명한다.
일 실시예의 발광 소자(ED)에서 발광층(EML)은 호스트 및 도펀트를 포함하는 것일 수 있다. 일 실시예에서 발광층(EML)은 양자점 복합체(QD-C)를 도펀트 재료로 포함하는 것일 수 있다. 또한, 일 실시예에서 발광층(EML)은 호스트 재료를 더 포함할 수 있다. 한편, 일 실시예의 발광 소자(ED)에서 발광층(EML)은 형광 발광하는 것일 수 있다. 예를 들어, 양자점 복합체(QD-C)는 형광 도펀트 재료로 사용될 수 있다.
발광층(EML)은 예를 들어 약 5nm 내지 약 20nm 또는, 약 10nm 내지 약 20nm의 두께를 갖는 것일 수 있다.
발광층(EML)은 진공 증착법, 스핀 코팅법, 캐스트법, LB법(Langmuir-Blodgett), 잉크젯 프린팅법, 레이저 프린팅법, 레이저 열전사법(Laser Induced Thermal Imaging, LITI) 등과 같은 다양한 방법을 이용하여 형성될 수 있다. 예를 들어, 발광층(EML)은 일 실시예의 양자점 조성물을 잉크젯 프린팅법으로 제공하여 형성될 수 있다.
일 실시예의 발광 소자(ED)에서, 전자 수송 영역(ETR)은 발광층(EML) 상에 제공된다. 전자 수송 영역(ETR)은 정공 저지층(미도시), 전자 수송층(ETL) 및 전자 주입층(EIL) 중 적어도 하나를 포함할 수 있으나, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다.
전자 수송 영역(ETR)은 단일 물질로 이루어진 단일층, 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 단일층 또는 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 복수의 층을 갖는 다층 구조를 가질 수 있다.
예를 들어, 전자 수송 영역(ETR)은 전자 주입층(EIL) 또는 전자 수송층(ETL)의 단일층의 구조를 가질 수도 있고, 전자 주입 물질과 전자 수송 물질로 이루어진 단일층 구조를 가질 수도 있다. 또한, 전자 수송 영역(ETR)은, 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 단일층의 구조를 갖거나, 발광층(EML)으로부터 차례로 적층된 전자 수송층(ETL)/전자 주입층(EIL), 정공 저지층(미도시)/전자 수송층(ETL)/전자 주입층(EIL) 구조를 가질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 전자 수송 영역(ETR)의 두께는 예를 들어, 약 200Å 내지 약 1500Å인 것일 수 있다.
전자 수송 영역(ETR)은, 진공 증착법, 스핀 코팅법, 캐스트법, LB법(Langmuir-Blodgett), 잉크젯 프린팅법, 레이저 프린팅법, 레이저 열전사법(Laser Induced Thermal Imaging, LITI) 등과 같은 다양한 방법을 이용하여 형성될 수 있다.
전자 수송 영역(ETR)은 안트라센계 화합물을 포함하는 것일 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니며, 전자 수송 영역은 예를 들어, Alq3(Tris(8-hydroxyquinolinato)aluminum), 1,3,5-tri[(3-pyridyl)-phen-3-yl]benzene, 2,4,6-tris(3'-(pyridin-3-yl)biphenyl-3-yl)-1,3,5-triazine, 2-(4-(N-phenylbenzoimidazolyl-1-ylphenyl)-9,10-dinaphthylanthracene, TPBi(1,3,5-Tri(1-phenyl-1H-benzo[d]imidazol-2-yl)phenyl), BCP(2,9-Dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline), Bphen(4,7-Diphenyl-1,10-phenanthroline), TAZ(3-(4-Biphenylyl)-4-phenyl-5-tert-butylphenyl-1,2,4-triazole), NTAZ(4-(Naphthalen-1-yl)-3,5-diphenyl-4H-1,2,4-triazole), tBu-PBD(2-(4-Biphenylyl)-5-(4-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazole), BAlq(Bis(2-methyl-8-quinolinolato-N1,O8)-(1,1'-Biphenyl-4-olato)aluminum), Bebq2(berylliumbis(benzoquinolin-10-olate), ADN(9,10-di(naphthalene-2-yl)anthracene) 및 이들의 혼합물을 포함하는 것일 수 있다. 전자 수송층(ETL)들의 두께는 약 100Å 내지 약 1000Å, 예를 들어 약 150Å 내지 약 500Å일 수 있다. 전자 수송층(ETL)들의 두께가 전술한 바와 같은 범위를 만족할 경우, 실질적인 구동 전압 상승 없이 만족스러운 정도의 전자 수송 특성을 얻을 수 있다.
전자 수송 영역(ETR)이 전자 주입층(EIL)을 포함할 경우, 전자 수송 영역(ETR)은 할로겐화 금속, 란타넘족 금속, 또는 할로겐화 금속 및 란타넘족 금속의 공증착 물질 등을 포함할 수 있다. 한편, 할로겐화 금속은 할로겐화 알칼리금속일 수 있다. 예를 들어, 전자 수송 영역(ETR)은 LiF, Liq(Lithium quinolate), Li2O, BaO, NaCl, CsF, Yb, RbCl, RbI, KI, 또는 KI:Yb 등을 포함할 수 있으나 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 전자 주입층(EIL)은 또한 전자 수송 물질과 절연성의 유기 금속염(organo metal salt)이 혼합된 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 유기 금속염은 금속 아세테이트(metal acetate), 금속 벤조에이트(metal benzoate), 금속 아세토아세테이트(metal acetoacetate), 금속 아세틸아세토네이트(metal acetylacetonate) 또는 금속 스테아레이트(stearate)를 포함할 수 있다. 전자 주입층(EIL)들의 두께는 약 1Å 내지 약 100Å, 약 3Å 내지 약 90Å일 수 있다. 전자 주입층(EIL)들의 두께가 전술한 바와 같은 범위를 만족할 경우, 실질적인 구동 전압 상승 없이 만족스러운 정도의 전자 주입 특성을 얻을 수 있다.
전자 수송 영역(ETR)은 앞서 언급한 바와 같이, 정공 저지층(미도시)을 포함할 수 있다. 정공 저지층(미도시)은 예를 들어, BCP(2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline) 및 Bphen(4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline) 중 적어도 하나를 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
제2 전극(EL2)은 전자 수송 영역(ETR) 상에 제공된다. 제2 전극(EL2)은 공통 전극 또는 음극일 수 있다. 제2 전극(EL2)은 투과형 전극, 반투과형 전극 또는 반사형 전극일 수 있다. 제2 전극(EL2)가 투과형 전극인 경우, 제2 전극(EL2)은 투명 금속 산화물, 예를 들어, ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), ZnO(zinc oxide), ITZO(indium tin zinc oxide) 등으로 이루어질 수 있다.
제2 전극(EL2)이 반투과형 전극 또는 반사형 전극인 경우, 제2 전극(EL2)은 Ag, Mg, Cu, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Mo, Ti, Yb, W 또는 이들을 포함하는 화합물(예를 들어, AgYb, 함량에 따라 AgMg 및 MgAg 화합물 등)이나 혼합물(예를 들어, Ag와 Mg의 혼합물, Ag와 Yb의 혼합물 등)을 포함할 수 있다. 또는 상기 물질로 형성된 반사막이나 반투과막 및 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), ZnO(zinc oxide), ITZO(indium tin zinc oxide) 등으로 형성된 투명 도전막을 포함하는 복수의 층 구조일 수 있다.
도시하지는 않았으나, 제2 전극(EL2)은 보조 전극과 연결될 수 있다. 제2 전극(EL2)이 보조 전극과 연결되면, 제2 전극(EL2)의 저항이 감소될 수 있다.
도 5는 일 실시예에 따른 발광 소자를 제조하는 방법을 나타낸 순서도이다. 도 6은 일 실시예에 따른 발광 소자를 제조하는 방법 중 예비 발광층 제공하는 단계(S100)를 개략적으로 나타낸 것이다. 도 7은 도 6에서 제공되는 양자점 조성물(QCP)의 일부("AA"영역)를 보다 상세히 나타낸 것이다. 도 8은 일 실시예에 따른 양자점 복합체(QD-C)를 도식적으로 나타낸 것이다.
일 실시예에 따른 발광 소자를 제조하는 방법은 예비 발광층 제공하는 단계(S100), 및 열 제공하여 발광층 형성하는 단계(S200)를 포함할 수 있다.
예비 발광층 제공하는 단계(S100)는 정공 수송 영역(HTR) 상에 양자점 조성물(QCP)을 제공하는 단계일 수 있다. 양자점 조성물(QCP)은 노즐(NZ)을 통해 화소 정의막(PDL) 사이에 제공될 수 있다. 한편, 도 6 에서는 정공 수송 영역(HTR)이 화소 정의막(PDL)과 중첩하도록 공통층으로 제공되는 것으로 도시되었으나, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며 정공 수송 영역(HTR)은 화소 정의막(PDL) 사이에 제공될 수 있다. 예를 들어, 잉크젯 프린팅법을 이용하여 화소 정의막(PDL) 사이에 정공 수송 영역(HTR)이 제공될 수 있다.
도 7을 참조하면, 일 실시예의 양자점 조성물(QCP)은 양자점(QD), 및 서로 구별되며양자점(QD) 표면에 결합되는 제1 리간드(LD1) 및 제2 리간드(LD2)를 포함할 수 있다. 이하, 양자점(QD)의 표면에 제1 리간드(LD1) 및 제2 리간드(LD2)가 결합한 상태를 양자점 복합체(QD-C)으로 명명하여 설명한다. 양자점 복합체(QD-C)는 양자점(QD)의 표면에 제1 리간드(LD1) 및 제2 리간드(LD2)가 부착되어 전하 주입 특성을 유지하면서도 분산성 및 캡핑 특성 등이 향상된 것일 수 있다. 또한, 인접한 층, 예를 들어, 정공 수송 영역(HTR) 및 전자 소송 영역(ETR)의 재료와 양자점(QD)가 직접 접촉하는 것을 방지할 수 있어 양자점(QD)의
일 실시예에서, 양자점 조성물(QCP)은 유기 용매(SV)를 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 유기 용매(SV)는 헥사인(Hexane), 톨루엔(Toluene), 클로로포름(Chloroform), 디메틸설폭사이드(Dimethyl sulfoxide), 또는 디메틸포름아미드(Dimethyl formamide) 등을 포함하는 것일 수 있다. 하지만, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다.
발광층(EML)을 형성하기 위하여 양자점 복합체(QD-C)는 유기 용매(SV)에 분산되어 제공될 수 있다. 양자점(QD)의 표면에 리간드들(LD1, LD2)이 결합됨에 따라, 유기 용매(SV)에서의 양자점(QD)의 분산성이 증가될 수 있다. 발광층을 형성하는 방법에서, 양자점 조성물(QCP)을 제공하는 단계 이후에 유기 용매(SV)를 증발하는 단계가 더 포함될 수 있다.
도 8을 참조하면, 양자점(QD)은 코어(CR)와 코어(CR)를 감싸는 쉘(SL)을 포함할 수 있다. 하지만, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며 양자점(QD)은 코어(CR)만으로 이루어진 단일층의 구조를 가질 수도 있다. 코어-쉘 구조를 갖는 양자점(QD)의 쉘(SL)은 코어(CR)의 화학적 변성을 방지하여 반도체 특성을 유지하기 위한 보호층 역할 및/또는 양자점(QD)에 전기 영동 특성을 부여하기 위한 차징층(charging layer)의 역할을 수행할 수 있다. 쉘(SL)은 단층 또는 다중층일 수 있다. 코어(CR)와 쉘(SL)의 계면은 쉘(SL)에 존재하는 원소의 농도가 중심으로 갈수록 낮아지는 농도 구배(gradient)를 가질 수 있다.
일 실시예의 양자점(QD)은 II-VI족 화합물, III-V족 화합물, IV-VI족 화합물, IV족 원소, IV족 화합물 및 이들의 조합에서 선택될 수 있는 반도체 나노 결정일 수 있다.
II-VI족 화합물은 CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, ZnO, HgS, HgSe, HgTe, MgSe, MgS 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물, CdSeS, CdSeTe, CdSTe, ZnSeS, ZnSeTe, ZnSTe, HgSeS, HgSeTe, HgSTe, CdZnS, CdZnSe, CdZnTe, CdHgS, CdHgSe, CdHgTe, HgZnS, HgZnSe, HgZnTe, MgZnSe, MgZnS 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물, 및 CdZnSeS, CdZnSeTe, CdZnSTe, CdHgSeS, CdHgSeTe, CdHgSTe, HgZnSeS, HgZnSeTe, HgZnSTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.
III-VI족 화합물은 In2S3, In2Se3 등과 같은 이원소 화합물; InGaS3, InGaSe3 등과 같은 삼원소 화합물 또는 이의 임의의 조합을 포함할 수 있다.
III-V족 화합물은 GaN, GaP, GaAs, GaSb, AlN, AlP, AlAs, AlSb, InN, InP, InAs, InSb 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물, GaNP, GaNAs, GaNSb, GaPAs, GaPSb, AlNP, AlNAs, AlNSb, AlPAs, AlPSb, InGaP, InAlP, InNP, InNAs, InNSb, InPAs, InPSb, GaAlNP 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물, 및 GaAlNAs, GaAlNSb, GaAlPAs, GaAlPSb, GaInNP, GaInNAs, GaInNSb, GaInPAs, GaInPSb, InAlNP, InAlNAs, InAlNSb, InAlPAs, InAlPSb 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다. 상기 III-V족 반도체 화합물은 II족 금속을 더 포함할 수 있다(예를 들어, InZnP 등)
IV-VI족 화합물은 SnS, SnSe, SnTe, PbS, PbSe, PbTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물, SnSeS, SnSeTe, SnSTe, PbSeS, PbSeTe, PbSTe, SnPbS, SnPbSe, SnPbTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물, 및 SnPbSSe, SnPbSeTe, SnPbSTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다. IV족 원소로는 Si, Ge 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다. IV족 화합물로는 SiC, SiGe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물일 수 있다.
상기 I-III-VI족 반도체 화합물 AgInS, AgInS2, CuInS, CuInS2, CuGaO2, AgGaO2, AgAlO2 등과 같은 삼원소 화합물 또는 이의 임의의 조합을 포함할 수 있다.
이때, 이원소 화합물, 삼원소 화합물 또는 사원소 화합물은 균일한 농도로 입자 내에 존재하거나, 농도 분포가 부분적으로 다른 상태로 나누어져 동일 입자 내에 존재하는 것일 수 있다. 또한 하나의 양자점이 다른 양자점을 둘러싸는 코어/쉘 구조를 가질 수도 있다. 코어와 쉘의 계면은 쉘에 존재하는 원소의 농도가 중심으로 갈수록 낮아지는 농도 구배(gradient)를 가질 수 있다.
일 실시예의 양자점(QD)에서, 쉘(SL)은 금속 또는 비금속의 산화물, 반도체 화합물 또는 이들의 조합으로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 금속 또는 비금속의 산화물은 SiO2, Al2O3, TiO2, ZnO, MnO, Mn2O3, Mn3O4, CuO, FeO, Fe2O3, Fe3O4, CoO, Co3O4, NiO 등의 이원소 화합물, 또는 MgAl2O4, CoFe2O4, NiFe2O4, CoMn2O4 등의 삼원소 화합물을 예시할 수 있으나 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다.
또한, 상기 반도체 화합물은 CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, ZnSeS, ZnTeS, GaAs, GaP, GaSb, HgS, HgSe, HgTe, InAs, InP, InGaP, InSb, AlAs, AlP, AlSb등을 예시할 수 있으나 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다.
양자점(QD)은 약 45nm 이하, 바람직하게는 약 40nm 이하, 더욱 바람직하게는 약 30nm 이하의 발광 파장 스펙트럼의 반치폭(full width of half maximum, FWHM)을 가질 수 있으며, 이 범위에서 색순도나 색재현성을 향상시킬 수 있다. 또한 이러한 양자점을 통해 발광되는 광은 전 방향으로 방출되는바, 광시야각 특성이 개선될 수 있다.
또한, 양자점(QD)의 형태는 당 분야에서 일반적으로 사용하는 형태의 것으로 특별히 한정하지 않지만, 보다 구체적으로 구형, 피라미드형, 다중 가지형(multi-arm), 또는 입방체(cubic)의 나노 입자, 나노 튜브, 나노와이어, 나노 섬유, 나노 판상 입자 등의 형태의 것을 사용할 수 있다.
양자점(QD)은 입자 크기에 따라 방출하는 광의 색상을 조절 할 수 있으며, 이에 따라 양자점(QD)은 청색, 적색, 녹색 등 다양한 발광 색상을 가질 수 있다. 양자점(QD)의 입자 크기가 작을수록 단파장 영역의 광을 발광하는 것일 수 있다. 예를 들어, 동일한 코어를 갖는 양자점(QD)에서 녹색광을 방출하는 양자점의 입자 크기는 적색광을 방출하는 양자점의 입자 크기 보다 작은 것일 수 있다. 또한, 동일한 코어를 갖는 양자점(QD)에서 청색광을 방출하는 양자점의 입자 크기는 녹색광을 방출하는 양자점의 입자 크기 보다 작은 것일 수 있다. 하지만, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며, 동일한 코어를 갖는 양자점(QD)에서도 쉘의 형성 재료 및 쉘 두께 등에 따라 입자 크기가 조절될 수 있다.
한편, 양자점(QD)이 청색, 적색, 녹색 등 다양한 발광 색상을 가질 경우 상이한 발광 색을 갖는 양자점(QD)은 코어의 재료가 서로 상이한 것일 수 있다.
일 실시예에 따른 양자점 복합체(QD-C)는 양자점(QD) 표면에 결합한 제1 리간드(LD1)를 포함한다. 제1 리간드(LD1)는 양자점(QD) 표면에 결합하는 제1 헤드부(HD1), 및 외부로 노출되는 제1 테일부(TL1)를 포함한다. 제1 리간드(LD1)는 제1 헤드부(HD1)와 제1 테일부(TL1)를 연결하는 체인부(CN1)를 더 포함할 수 있다.
제1 리간드(LD1)의 제1 헤드부(HD1)는 양자점(QD) 표면에 결합하는 부분으로, 양자점(QD)의 표면에 결합하기 위한 작용기, 예를 들어 친수성기를 포함할 수 있다. 구체적으로 제1 헤드부(HD1)는 티올기, 디티오산기, 포스핀기, 카테콜기, 아민기 또는 카르복시산기를 포함할 수 있다. 제1 헤드부(HD1)가 양자점(QD)의 표면에 결합하기 위해 하나의 작용기를 포함할 경우, 제1 리간드(LD1)는 한 자리(monodentate) 리간드일 수 있다. 제1 헤드부(HD1)가 양자점(QD)의 표면에 결합하기 위해 두개의 작용기를 포함할 경우, 제1 리간드(LD1)는 두 자리(bidentate) 리간드일 수 있다. 제1 헤드부(HD1)는 양자점(QD)의 쉘(SL) 표면에 결합하기 위한 작용기를 포함하여, 양자점(QD)에 제1 리간드(LD1)가 효과적으로 결합할 수 있다.
제1 리간드(LD1)의 제1 테일부(TL1)는 다른 양자점에 결합된 제1 리간드와 결합할 수 있는 부분으로 말단에 가교성 관능기를 포함한다. 가교성 관능기는 다른 관능기와 결합을 형성할 수 있는 관능기라면 특별히 제한되지 않으며, 예를 들어, 열가교성 관능기 또는 광가교성 관능기일 수 있다. 일 실시예에서 가교성 관능기는 비닐기, 히드록시기, 카르복실기, 에폭시기, 아미드기, 아민기, 아자이드기, 옥세타닐기, 또는 이소시아네이트기일 수 있다.
제1 리간드(LD1)의 체인부(CN1)는 제1 헤드부(HD1)와 제1 테일부(TL1)를 연결하고, 제1 리간드(LD1)의 길이를 조절하여 양자점 조성물(QCP) 내에서 양자점 복합체(QD-C)가 분산되는 정도를 조절하는 기능을 수행하기 위해 할 수 있다. 체인부(CN1)는 이를 위해 2 이상 20 이하의 탄소를 포함할 수 있다. 예를 들어, 탄소수 2 이상의 알킬기 및 탄소수 1 이상인 알킬기를 포함하거나, 탄소수 3 이상인 알킬기를 포함할 수 있다. 체인부(CN1)의 탄소수가 2 미만인 경우, 양자점(QD)간의 거리가 너무 가까울 수 있고, 탄소수가 20 초과인 경우 양자점(QD)간의 거리가 너무 멀어질 수 있다. 체인부(CN1)는 양자점 복합체(QD-C)의 용해도 조절 또는 산화 방지를 위하여 작용기를 더 포함할 수 있고, 예를 들어, 아민기, 옥시기, 티오기, 에스터기, 에테르기, 아릴기 또는 아마이드기를 더 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 체인부(CN1)는 생략되고, 제1 리간드(LD1)의 제1 헤드부(HD1)와 제1 테일부(TL1)는 직접 연결될 수도 있다.
일 실시예에서 제1 리간드(LD1)는 하기 화학식 A 또는 화학식 B로 표시될 수 있다.
[화학식 A]
Figure pat00019
[화학식 B]
Figure pat00020
화학식 A 및 화학식 B에서, *-는 양자점과 결합하는 위치이다. 화학식 A 및 화학식 B에서, X, X1 및 X2는 각각 독립적으로 S, NRi일 수 있고, Ri는 수소 원자 또는 탄소수 1 내지 3의 알킬기일 수 잇다.
화학식 A 및 화학식 B에서, Y는 하기 화학식 1 내지 7로 표시될 수 있다. 다만, 이에 한정되지 않는다.
[화학식 1]
Figure pat00021
[화학식 2]
Figure pat00022
[화학식 3]
Figure pat00023
[화학식 4]
Figure pat00024
[화학식 5]
Figure pat00025
[화학식 6]
Figure pat00026
[화학식 7]
Figure pat00027
상기 화학식 1 내지 화학식 7에서, R1은 탄소수 2 이상 20 이하의 알킬기이고, R2는 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기일 수 있다. 단, R1 와 R2의 탄소수 합은 20 이하이다. 한편, 상기 화학식 1 내지 화학식 7에서, "
Figure pat00028
"는 X, X1 또는 X2와 연결되는 위치를 의미한다.
일 실시예에 따른 양자점 복합체(QD-C)는 양자점(QD) 표면에 결합한 제2 리간드(LD2)를 포함한다. 제2 리간드(LD2)는 발광층(EML)에 적용되었을 때, 전하의 이동도 개선을 위한 것으로 제1 리간드(LD1)보다 길이가 짧다. 리간드(LD1, LD2)의 길이란, 각 리간드(LD1, LD2)를 구성하는 부분을 모두 합친 전체 길이 중 가장 긴 길이를 의미한다. 제2 리간드(LD2)는 양자점(QD) 표면에 결합하는 제2 헤드부(HD2), 및 외부로 노출되는 제2 테일부(TL2)를 포함한다.
제2 리간드(LD2)의 제2 헤드부(HD2)는 양자점(QD) 표면에 결합하는 부분으로, 양자점(QD)의 표면에 결합하기 위한 작용기를 포함할 수 있다. 제2 헤드부(HD2)는 은 제1 헤드부(HD1)에 대한 설명이 동일하게 적용될 수 있으며, 동일한 작용기를 포함할 수 있다.
제2 리간드(LD2)의 제2 테일부(TL2)는 전하 이동도의 조절이 가능한 작용기를 포함할 수 있다. 전하 이동의 조절이 가능한 작용기는 예를 들어, 1.5nm 이하 길이의 치환 또는 비치환된 알킬기, 1.5nm 이하 길이의 치환 또는 비치환된 알케닐기, 치환 또는 비치환된 카바졸기, 트리아진기, 피레닐기, 전자 흡인기, 전자 공여기, 폴리에틸렌 이민 모이어티 및 에톡실화 폴리에틸렌이민 모이어티 중 어느 하나일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
전자 흡인기는 예를 들어, 니트로기, 티오아미드기, 아마이드기, 플루오르기, 시아노기, 아마이드기, 에스터기 또는 카보닐기일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 전자 공여기는 예를 들어, 고리형성 탄소수 6 이상 20 이하의 아릴기, 아민기, 알콕시기 또는 티오에테르기일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
일 실시예에서, 제2 리간드(LD2)는 하기 화학식 8 내지 화학식 15 중 어느 하나로 표시될 수 있다.
[화학식 8]
Figure pat00029
[화학식 9]
Figure pat00030
[화학식 10]
Figure pat00031
[화학식 11]
Figure pat00032
[화학식 12]
Figure pat00033
[화학식 13]
Figure pat00034
[화학식 14]
Figure pat00035
[화학식 15]
Figure pat00036
화학식 8 내지 화학식 15에서, Ra 내지 Re는 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 3 이하의 알킬기 또는 고리 형성 탄소수 6 내지 15의 아릴기일 수 있다.
화학식 8 내지 화학식 15에서, R1 내지 R9, R12 및 R13은 각각 독립적으로 직접 결합 또는 탄소수 1 내지 3 이하의 알킬기일 수 있고, R10 및 R11은 각각 독립적으로 탄소수 3 내지 8 이하의 알킬기일 수 있다.
한편, 본 명세서에서, 알킬기는 직쇄, 분지쇄 또는 고리형일 수 있다. 알킬기의 예로는 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, s-부틸기, t-부틸기, i-부틸기, 2- 에틸부틸기, 3, 3-디메틸부틸기, n-펜틸기, i-펜틸기, 네오펜틸기, t-펜틸기, 시클로펜틸기, 1-메틸펜틸기, 3-메틸펜틸기, 2-에틸펜틸기, 4-메틸-2-펜틸기, n-헥실기, 1-메틸헥실기, 2-에틸헥실기, 2-부틸헥실기, 시클로헥실기, 4-메틸시클로헥실기, 4-t-부틸시클로헥실기, n-헵틸기, 1-메틸헵틸기, 2,2-디메틸헵틸기, 2-에틸헵틸기, 2-부틸헵틸기, n-옥틸기, t-옥틸기, 2-에틸옥틸기, 2-부틸옥틸기, 2-헥실옥틸기, 3,7-디메틸옥틸기, 시클로옥틸기, n-노닐기, n-데실기, 아다만틸기, 2-에틸데실기, 2-부틸데실기, 2-헥실데실기, 2-옥틸데실기, n-운데실기, n-도데실기, 2-에틸도데실기, 2-부틸도데실기, 2-헥실도데실기, 2-옥틸도데실기, n-트리데실기, n-테트라데실기, n-펜타데실기, n-헥사데실기, 2-에틸헥사데실기, 2-부틸헥사데실기, 2-헥실헥사데실기, 2-옥틸헥사데실기, n-헵타데실기, n-옥타데실기, n-노나데실기, n-이코실기, 2-에틸이코실기, 2-부틸이코실기, 2-헥실이코실기, 2-옥틸이코실기, n-헨이코실기, n-도코실기, n-트리코실기, n-테트라코실기, n-펜타코실기, n-헥사코실기, n-헵타코실기, n-옥타코실기, n-노나코실기, 및 n-트리아콘틸기 등을 들 수 있지만, 이들에 한정되지 않는다.
본 명세서에서 알케닐기는, 탄소수 2이상의 알킬기의 중간 또는 말단에 하나 이상의 탄소 이중 결합을 포함한 탄화수소 그룹을 의미한다. 알케닐기는 직쇄 또는 분지쇄일 수 있다. 알케닐기의 예로는 비닐기, 1-부테닐기, 1-펜테닐기, 1,3-부타디에닐 아릴기, 스티레닐기, 스티릴비닐기 등이 있으나, 이들에 한정되지 않는다.
본 명세서에서, 아릴기는 방향족 탄화수소 고리로부터 유도된 임의의 작용기 또는 치환기를 의미한다. 아릴기는 단환식 아릴기 또는 다환식 아릴기일 수 있다. 아릴기의 예로는 페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 안트라세닐기, 페난트릴기, 바이페닐기, 터페닐기, 쿼터페닐기, 퀸크페닐기, 섹시페닐기, 트리페닐에닐기, 피레닐기, 벤조 플루오란테닐기, 크리세닐기 등을 예시할 수 있지만, 이들에 한정되지 않는다.
도 9는 일 실시예에 따른 발광 소자 제조 방법에서 열을 제공하여 발광층을 형성하는 단계(S200)를 개략적으로 나타낸 도면이고, 도 10은 이에 따라 형성된 발광층(EML)의 단면을 개략적으로 나타난 도면이다. 도 11은 일 실시예에 따른 양자점 조성물을 도시하였고, 도 12는 도 11의 양자점 조성물에서 발생하는 가교 반응을 도시하였다.
일 실시예에 따라 예비 발광층(P-EL)에 열(Heat)을 제공하는 단계는 예비 발광층(P-EL)에 50℃ 이상, 70℃ 이상 또는 100℃ 이상 온도의 열을 제공하여 베이킹(baking)하는 단계일 수 있다. 본 발명의 발광층은 양자점 복합체(QD-C)간의 결합을 위해 별도의 열을 제공하는 추가적 단계없이 발광층 형성을 위한 베이킹 단계에서 양자점 복합체(QD-C)간의 결합을 유도할 수 있다. 또한, 베이킹(baking)은 양자점 조성물(QCP)에 포함된 유기 용매(SV) 등을 제거할 수 있다.
도 10을 참조하면, 발광층(EML)은 서로 연결된 복수의 양자점 복합체들(QD-C, QD-C')을 포함한다. 예비 발광층(P-EL)에 열(Heat)을 제공하면 양자점(QD1)에 결합한 제1 리간드(LD1)와 다른 양자점(QD')에 결합한 제1 리간드(LD1') 사이의 가교반응이 발생하여 제1 리간드들(LD1, LD1')이 서로 결합을 형성할 수 있다. 제1 리간드(LD1)의 테일부는 가교성 관능기를 포함하고, 가교성 관능기가 다른 양자점(QD')에 결합된 제1 리간드(LD1')의 테일부의 가교성 관능기와 결합하여 양자점 복합체(QD-C)는 다른 양자점 복합체(QD-C')와 결합한 상태가 될 수 있다.
본 발명에 따른 양자점 조성물(QCP)은 제1 리간드(LD1)의 제1 테일부(TL1) 말단에 가교성 관능기를 포함하여 제1 리간드(LD1, LD1')들이 서로 효과적으로 결합할 수 있고, 이에 따라 발광층(EML)에서 양자점들(QD, QD')간의 거리를 좁혀 양자점들(QD, QD')의 적층 밀도를 증가시키고 공극을 감소시켜 발광 효율을 향상시킬 수 있다.
또한, 양자점 복합체들(QD-C, QD-C')은 상대적으로 길이가 짧은 제2 리간드(LD2)를 포함하여 양자점 복합체들(QD-C, QD-C') 사이에 전하 이동도를 높여 발광 효율을 향상시킬 수 있다.
도 10에서는 예시적으로 양자점 복합체(QD-C, QD-C')들이 대략적으로 3개의 층을 이루는 것으로 도시되었으나 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 발광층(EML)의 두께, 발광층(EML)에 포함된 양자점(QD)의 형상, 양자점(QD)의 직경, 리간드(LD1, LD2)의 종류 등에 따라 양자점 복합체(QD-C)의 배열이 달라질 수 있다. 구체적으로, 발광층(EML)에서 양자점 복합체(QD-C) 각각은 적어도 2개의 이웃한 양자점 복합체와 결합하여 하나의 층을 구성하거나, 또는 2층 또는 3층 등의 복수의 층을 구성할 수 있다.
도 11 및 도 12에서, 양자점 복합체(QD-C)는 하기 화학식 C로 표시되는 제1 리간드(LD1) 및 화학식 D로 표시되는 제2 리간드를 포함하고, 쉘(SL)이 Zn을 포함하는 것을 예시적으로 도시하였다.
[화학식 C]
Figure pat00037
[화학식 D]
Figure pat00038
제1 헤드부(HD1) 및 제2 헤드부(HD2)의 티올기가 쉘(SL)에 포함된 금속 이온인 Zn과 결합하여, 효과적으로 양자점(QD)에 리간드(LD1, LD2)가 각각 결합하여, 양자점 복합체(QD-C)를 형성할 수 있다. 양자점(QD)은 리간드들(LD1, LD2)이 결합하므로써 무기 입자임에도 유기용매에 분산성이 우수할 수 있다.
도 12를 참조하면, 도 11의 양자점 복합체는 베이킹(baking) 단계에서, 양자점(QD)에 결합된 제1 리간드(LD1)의 비닐기와 이웃한 양자점(QD')에 결합된 제1 리간드(LD1')의 비닐기의 가교반응을 통해 결합을 형성할 수 있다. 즉, 발광층 내에서 제1 리간드(LD1, LD1')간의 가교반응을 통해 양자점 복합체는 서로 가깝게 위치할 수 있다. 또한, 제2 리간드(LD2)는 상대적으로 짧기 때문에 이웃한 제2 리간드(LD2') 사이에 공간이 발생하고 발광층 내의 전하 이동도가 향상될 수 있다.
도 13a 및 도 13b는 실시예 및 비교예의 발광 소자의 특성을 측정한 그래프이다. 도 13a는 실시예 발광 소자(Example) 및 비교예 발광 소자(Comparative Example)의 전압(Voltage, V)에 따른 전류밀도(Current Density, mA/cm2)를 측정한 그래프이고, 도 13b는 실시예 발광 소자(Example) 및 비교예 발광 소자(Comparative Example)의 휘도(Luminance, cd/m2)에 따른 전류 효율(Normalized Efficiency)을 측정한 그래프이다.
실시예 발광 소자는 도 4에 도시된 구조를 가지며, 도 11의 양자점 복합체로 형성된 발광층을 포함하고, 비교예 발광 소자는 도 11의 양자점 복합체에서 제2 리간드를 포함하지 않는 양자점 복합체로 발광층을 형성한 것을 제외하고는 실시예 발광 소자와 동일하다. 한편, 실시예의 발광층에 포함되는 양자점 복합체의 제1 리간드의 함량은 비교예의 양자점 복합체의 제1 리간드의 함량의 약 20% 이다.
도 13a 및 도 13b을 참조할 때, 제1 리간드 및 제2 리간드를 동시에 포함하는 양자점 복합체로 형성된 발광 소자의 경우, 제1 리간드만을 포함하는 양자점 복합체로 형성된 발광 소자에 비해 구동 전압이 감소되고, 동시에 효율이 상승함을 확인할 수 있다.
도 14는 일 실시예에 따른 표시 장치(DD)를 나타낸 평면도이다. 도 15는 일 실시예의 표시 장치(DD)의 단면도이다. 도 15는 도 14의 II-II'선에 대응하는 단면도이다.
일 실시예의 표시 장치(DD)는 복수 개의 발광 소자들(ED-1, ED-2, ED-3)을 포함하고, 발광 소자들(ED-1, ED-2, ED-3)은 양자점 복합체(QD-C1, QD-C2, QD-C3)를 포함한 발광층(EML-B, EML-G, EML-R)을 포함하는 것일 수 있다.
또한, 일 실시예의 표시 장치(DD)는 복수 개의 발광 소자들(ED-1, ED-2, ED-3)을 포함하는 표시 패널(DP) 및 표시 패널(DP) 상에 배치된 광제어층(PP)을 포함하는 것일 수 있다. 한편, 도면에 도시된 바와 달리 일 실시예의 표시 장치(DD)에서 광제어층(PP)은 생략될 수 있다.
표시 패널(DP)은 베이스 기판(BS), 베이스 기판(BS) 상에 제공된 회로층(DP-CL) 및 표시 소자층(DP-EL)을 포함하고, 표시 소자층(DP-EL)은 화소 정의막(PDL), 화소 정의막(PDL) 사이에 배치된 발광 소자들(ED-1, ED-2, ED-3), 및 발광 소자들(ED-1, ED-2, ED-3) 상에 배치된 봉지층(TFE)을 포함할 수 있다.
도 14 및 도 15를 참조하면, 표시 장치(DD)는 비발광 영역(NPXA) 및 발광 영역들(PXA-B, PXA-G, PXA-R)을 포함할 수 있다. 발광 영역들(PXA-B, PXA-G, PXA-R) 각각은 발광 소자들(ED-1, ED-2, ED-3) 각각에서 생성된 광이 방출되는 영역일 수 있다. 발광 영역들(PXA-B, PXA-G, PXA-R)은 평면 상에서 서로 이격된 것일 수 있다.
발광 영역들(PXA-B, PXA-G, PXA-R)은 발광 소자들(ED-1, ED-2, ED-3)에서 생성되는 광의 컬러에 따라 복수 개의 그룹으로 구분될 수 있다. 도 14 및 도 15에 도시된 일 실시예의 표시 장치(DD)에는 청색광, 녹색광, 및 적색광을 발광하는 3개의 발광 영역들(PXA-B, PXA-G, PXA-R)을 예시적으로 도시하였다. 예를 들어, 일 실시예의 표시 장치(DD)는 서로 구분되는 청색 발광 영역(PXA-B), 녹색 발광 영역(PXA-G), 및 적색 발광 영역(PXA-R)을 포함할 수 있다.
복수 개의 발광 소자들(ED-1, ED-2, ED-3)은 서로 상이한 파장 영역의 광을 방출하는 것일 수 있다. 예를 들어, 일 실시예에서 표시 장치(DD)는 청색광을 방출하는 제1 발광 소자(ED-1), 녹색광을 방출하는 제2 발광 소자(ED-2), 및 적색광을 방출하는 제3 발광 소자(ED-3)를 포함할 수 있다. 하지만, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며 제1 내지 제3 발광 소자들(ED-1, ED-2, ED-3)은 동일한 파장 영역의 광을 방출하는 것이거나 적어도 하나가 상이한 파장 영역의 광을 방출하는 것일 수 있다.
예를 들어, 표시 장치(DD)의 청색 발광 영역(PXA-B), 녹색 발광 영역(PXA-G), 및 적색 발광 영역(PXA-R)은 각각 제1 발광 소자(ED-1), 제2 발광 소자(ED-2), 및 제3 발광 소자(ED-3)에 대응할 수 있다.
제1 발광 소자(ED-1)의 제1 발광층(EML-B)은 제1 양자점 복합체(QD-C1)를 포함하는 것일 수 있다. 제1 양자점 복합체(QD-C1)는 제1 광인 청색광을 방출하는 것일 수 있다.
제2 발광 소자(ED-2)의 제2 발광층(EML-G)과 제3 발광 소자(ED-3)의 제3 발광층(EML-R)은 각각 제2 양자점 복합체(QD-C2) 및 제3 양자점 복합체(QD-C3)를 포함하는 것일 수 있다. 제2 양자점 복합체(QD-C2)와 제3 양자점 복합체(QD-C3)는 각각 제2 광인 녹색광 및 제3 광인 적색광을 방출하는 것일 수 있다.
제1 내지 제3 양자점 복합체들(QD-C1, QD-C2, QD-C3) 각각은 양자점 및 양자점 표면에 결합된 리간드를 갖는다. 구체적으로, 일 실시예에서, 제1 양자점 복합체(QD-C1)에는 제1 양자점 및 제1 리간드가 포함되고, 제2 양자점 복합체(QD-C2)에는 제2 양자점 및 제2 리간드가 포함되고, 제3 양자점 복합체(QD-C3)에는 제3 양자점 및 제3 리간드가 포함될 수 있다. 제1 내지 제3 양자점 복합체들(QD-C1, QD-C2, QD-C3) 각각에 대하여는 상술한 일 실시예의 발광 소자에서 설명한 양자점 복합체에 대한 설명이 동일하게 적용될 수 있다.
일 실시예에서, 발광 소자들(ED-1, ED-2, ED-3)에 포함된 제1 내지 제3 양자점 복합체(QD-C1, QD-C2, QD-C3)의 제1 내지 제3 양자점은 서로 다른 코어 물질로 형성된 것일 수 있다. 또한, 이와 달리 제1 내지 제3 양자점 복합체들(QD-C1, QD-C2, QD-C3)의 제1 내지 제3 양자점은 동일한 코어 물질로 형성된 것이거나, 또는 제1 내지 제3 양자점들 중 선택되는 두 개의 양자점들은 동일한 코어 물질로 형성되고 나머지는 상이한 코어 물질로 형성된 것일 수 있다.
일 실시예에서, 제1 내지 제3 양자점 복합체(QD-C1, QD-C2, QD-C3)의 제1 내지 제3 양자점은 서로 다른 직경을 가질 수 있다. 예를 들어, 상대적으로 단파장 영역의 광을 방출하는 제1 발광 소자(ED-1)에 사용된 제1 양자점은 상대적으로 장파장 영역의 광을 방출하는 제2 발광 소자(ED-2)의 제2 양자점 및 제3 발광 소자(ED-3)의 제3 양자점과 비교하여 상대적으로 평균 직경이 작은 것일 수 있다. 다만 이에 제한되는 것은 아니며, 제1 내지 제3 양자점의 크기가 유사한 것일 수 있다. 또한, 제1 내지 제3 양자점 중 선택되는 두 개의 양자점들의 평균 직경은 유사하고 나머지는 상이한 것일 수 있다.
일 실시예에서, 제1 내지 제3 양자점 복합체(QD-C1, QD-C2, QD-C3)의 제1 내지 제3 리간드는 서로 동일하거나 상이한 것일 수 있다. 제1 내지 제3 리간드는 제1 내지 제3 양자점 복합체(QD-C1, QD-C2, QD-C3)가 포함되는 발광 소자들(ED-1, ED-2, ED-3)의 발광 파장 등에 따라 적절히 선택되는 것일 수 있다.
도 14 및 도 15에 도시된 일 실시예의 표시 장치(DD)에서, 발광 영역들(PXA-B, PXA-G, PXA-R) 각각의 면적은 서로 상이할 수 있다. 이때 면적은 제1 방향(DR1)과 제2 방향(DR2)이 정의하는 평면 상에서 보았을 때의 면적을 의미할 수 있다.
발광 영역들(PXA-B, PXA-G, PXA-R)은 발광 소자(ED-1, ED-2, ED-3)의 발광층(EML-B, EL-G, EL-R)에서 발광하는 컬러에 따라 다른 면적을 가질 수 있다. 예를 들어, 도 14 및 도 15를 참조하면, 일 실시예의 표시 장치(DD)에서는 청색광을 방출하는 제1 발광 소자(ED-1)에 대응하는 청색 발광 영역(PXA-B)이 가장 큰 면적을 갖고, 녹색광을 생성하는 제2 발광 소자(ED-2)에 대응하는 녹색 발광 영역(PXA-G)이 가장 작은 면적을 가질 수 있다. 하지만, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며, 발광 영역들(PXA-B, PXA-G, PXA-R)은 청색광, 녹색광, 적색광 이외의 다른 색의 광을 발광하는 것이거나, 또는 발광 영역들(PXA-B, PXA-G, PXA-R)은 동일한 면적을 가지거나, 또는 도 14에서 도시된 것과 다른 면적 비율로 발광영역들(PXA-B, PXA-G, PXA-R)이 제공될 수 있다.
발광 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B) 각각은 화소 정의막(PDL)으로 구분되는 영역일 수 있다. 비발광 영역들(NPXA)은 이웃하는 발광 영역들(PXA-B, PXA-G, PXA-R) 사이의 영역들로 화소 정의막(PDL)과 대응하는 영역일 수 있다. 한편, 본 명세서에서 발광 영역들(PXA-B, PXA-G, PXA-R) 각각은 화소(Pixel)에 대응하는 것일 수 있다. 화소 정의막(PDL)은 발광 소자들(ED-1, ED-2, ED-3)을 구분하는 것일 수 있다. 발광 소자들(ED-1, ED-2, ED-3)의 발광층(EML-B, EML-G, EML-R)은 화소 정의막(PDL)으로 정의되는 개구부(OH)에 배치되어 구분될 수 있다.
화소 정의막(PDL)은 고분자 수지로 형성될 수 있다. 예를 들어, 화소 정의막(PDL)은 폴리아크릴레이트(Polyacrylate)계 수지 또는 폴리이미드(Polyimide)계 수지를 포함하여 형성될 수 있다. 또한, 화소 정의막(PDL)은 고분자 수지 이외에 무기물을 더 포함하여 형성될 수 있다. 한편, 화소 정의막(PDL)은 광흡수 물질을 포함하여 형성되거나, 블랙 안료 또는 블랙 염료를 포함하여 형성될 수 있다. 블랙 안료 또는 블랙 염료를 포함하여 형성된 화소 정의막(PDL)은 블랙 화소 정의막을 구현할 수 있다. 화소 정의막(PDL) 형성 시 블랙 안료 또는 블랙 염료로는 카본 블랙 등이 사용될 수 있으나 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다.
또한, 화소 정의막(PDL)은 무기물로 형성될 수 있다. 예를 들어, 화소 정의막(PDL)은 질화규소(SiNx), 산화규소(SiOx), 질산화규소(SiOxNy) 등을 포함하여 형성되는 것일 수 있다. 화소 정의막(PDL)은 발광 영역들(PXA-B, PXA-G, PXA-R)을 정의하는 것일 수 있다. 화소 정의막(PDL)에 의해 발광 영역들(PXA-B, PXA-G, PXA-R) 과 비발광 영역(NPXA)이 구분될 수 있다.
발광 소자들(ED-1, ED-2, ED-3) 각각은 제1 전극(EL1), 정공 수송 영역(HTR), 발광층(EML-B, EML-G, EML-R), 전자 수송 영역(ETR), 및 제2 전극(EL2)을 포함할 수 있다. 일 실시예의 표시 장치(DD)에 포함된 발광 소자들(ED-1, ED-2, ED-3)에서 발광층(EML-B, EML-G, EML-R)에 포함된 양자점 복합체(QD-C1, QD-C2, QD-C3)이 서로 상이한 것을 제외한 제1 전극(EL1), 정공 수송 영역(HTR), 전자 수송 영역(ETR), 및 제2 전극(EL2)에 대하여는 상술한 도 4 등에서 설명한 내용과 동일한 내용이 적용될 수 있다. 한편, 도시하지 않았으나 발광 소자들(ED-1, ED-2, ED-3) 각각은 제2 전극(EL2)과 봉지층(TFE) 사이에 캡핑층을 더 포함할 수 있다.
봉지층(TFE)은 발광 소자들(ED-1, ED-2, ED-3)을 커버하는 것일 수 있다. 봉지층(TFE)은 하나의 층 또는 복수의 층들이 적층된 것일 수 있다. 봉지층(TFE)은 박막 봉지층일 수 있다. 봉지층(TFE)은 발광 소자들(ED-1, ED-2, ED-3)을 보호한다. 봉지층(TFE)은 개구부(OH)에 배치된 제2 전극(EL2)의 상부면을 커버하고, 개구부(OH)를 채울 수 있다.
한편, 도 15 등에서 정공 수송 영역(HTR) 및 전자 수송 영역(ETR)은 화소 정의막(PDL)을 커버하면서 공통층으로 제공되는 것으로 도시되고 있으나 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 일 실시예에서 정공 수송 영역(HTR) 및 전자 수송 영역(ETR)은 화소 정의막(PDL)에 정의된 개구부(OH)에 배치되는 것일 수 있다.
예를 들어, 발광층(EML-B, EML-G, EML-R) 뿐 아니라 정공 수송 영역(HTR) 및 전자 수송 영역(ETR) 등을 잉크젯 프린팅법으로 제공할 경우 화소 정의막(PDL) 사이에 정의된 개구부(OH)에 대응하여 정공 수송 영역(HTR), 발광층(EML-B, EML-G, EML-R), 및 전자 수송 영역(ETR) 등이 제공될 수 있다. 하지만, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며, 각 기능층들의 제공 방법에 관계 없이 도 15 등에 도시된 것과 같이 정공 수송 영역(HTR) 및 전자 수송 영역(ETR)은 패터닝되지 않고 화소 정의막(PDL)을 커버하며 하나의 공통층으로 제공될 수 있다.
한편, 도 15에 도시된 일 실시예의 표시 장치(DD)에서는 제1 내지 제3 발광 소자들(ED-1, ED-2, ED-3)의 발광층들(EML-B, EML-G, EML-R)의 두께가 모두 유사한 것을 도시되었으나 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 일 실시예에서 제1 내지 제3 발광 소자들(ED-1, ED-2, ED-3)의 발광층들(EML-B, EML-G, EML-R)의 두께는 서로 상이한 것일 수 있다.
도 14를 참조하면, 청색 발광 영역들(PXA-B)과 적색 발광 영역들(PXA-R)은 제1 방향(DR1)을 따라 번갈아 배열되어 제1 그룹(PXG1)을 구성할 수 있다. 녹색 발광 영역들(PXA-G)은 제1 방향(DR1)을 따라 배열되어 제2 그룹(PXG2)을 구성할 수 있다.
제1 그룹(PXG1)은 제2 그룹(PXG2)과 제2 방향(DR2)으로 이격되어 배치될 수 있다. 제1 그룹(PXG1) 및 제2 그룹(PXG2) 각각은 복수로 제공될 수 있다. 제1 그룹들(PXG1)과 제2 그룹들(PXG2)은 제2 방향(DR2)을 따라 서로 번갈아 배열될 수 있다.
하나의 녹색 발광 영역(PXA-G)은 하나의 청색 발광 영역(PXA-B) 또는 하나의 적색 발광 영역(PXA-R)으로부터 제4 방향(DR4) 방향으로 이격되어 배치될 수 있다. 제4 방향(DR4)은 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2) 사이의 방향일 수 있다.
도 14에 도시된 발광 영역들(PXA-B, PXA-G, PXA-R)의 배열 구조는 펜타일 구조라 명칭될 수 있다. 다만, 일 실시예에 따른 표시 장치(DD)에서의 발광 영역들(PXA-B, PXA-G, PXA-R)의 배열 구조는 도 14에 도시된 배열 구조에 제한되는 것은 아니다. 예를 들어, 일 실시예에서 발광 영역들(PXA-B, PXA-G, PXA-R)은 제1 방향 (DR1)을 따라, 청색 발광 영역(PXA-B), 녹색 발광 영역(PXA-G), 및 적색 발광 영역(PXA-R)이 순차적으로 번갈아 가며 배열되는 스트라이프 구조를 가질 수도 있다.
도 15를 참조하면, 일 실시예의 표시 장치(DD)는 광제어층(PP)을 더 포함할 수 있다. 광제어층(PP)은 표시 장치(DD) 외부에서 표시 패널(DP)로 제공되는 외부광을 차단하는 것일 수 있다. 광제어층(PP)은 외부광 중 일부를 차단할 수 있다. 광제어층(PP)은 외부광에 의한 반사를 최소화하는 반사 방지 기능을 하는 것일 수 있다.
도 15에 도시된 일 실시예에서 광제어층(PP)은 컬러필터층(CFL)을 포함하는 것일 수 있다. 즉, 일 실시예의 표시 장치(DD)는 표시 패널(DP)의 발광 소자들(ED-1, ED-2, ED-3) 상에 배치된 컬러필터층(CFL)을 더 포함할 수 있다.
일 실시예의 표시 장치(DD)에서 광제어층(PP)은 베이스층(BL) 및 컬러필터층(CFL)을 포함하는 것일 수 있다.
베이스층(BL)은 컬러필터층(CFL) 등이 배치되는 베이스 면을 제공하는 부재일 수 있다. 베이스층(BL)은 유리기판, 금속기판, 플라스틱기판 등일 수 있다. 하지만, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며 베이스층(BL)은 무기층, 유기층 또는 복합재료층일 수 있다.
컬러필터층(CFL)은 차광부(BM) 및 컬러필터부(CF)를 포함하는 것일 수 있다. 컬러필터부(CF)는 복수 개의 필터들(CF-B, CF-G, CF-R)을 포함할 수 있다. 즉, 컬러필터층(CFL)은 제1 광을 투과시키는 제1 필터(CF-B), 제2 광을 투과시키는 제2 필터(CF-G), 및 제3 광을 투과시키는 제3 필터(CF-R)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 필터(CF-B)는 청색 필터, 제2 필터(CF-G)는 녹색 필터이고, 제3 필터(CF-R)는 적색 필터일 수 있다.
필터들(CF-B, CF-G, CF-R) 각각은 고분자 감광수지와 안료 또는 염료를 포함하는 것일 수 있다. 제1 필터(CF-B)는 청색 안료 또는 염료를 포함하고, 제2 필터(CF-G)는 녹색 안료 또는 염료를 포함하며, 제3 필터(CF-R)는 적색 안료 또는 염료를 포함하는 것일 수 있다.
한편, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며 제1 필터(CF-B)는 안료 또는 염료를 포함하지 않는 것일 수 있다. 제1 필터(CF-B)는 고분자 감광수지를 포함하고 안료 또는 염료를 미포함하는 것일 수 있다. 제1 필터(CF-B)는 투명한 것일 수 있다. 제1 필터(CF-B)는 투명 감광수지로 형성된 것일 수 있다.
차광부(BM)는 블랙 매트릭스일 수 있다. 차광부(BM)는 흑색 안료 또는 흑색염료를 포함하는 유기 차광 물질 또는 무기 차광 물질을 포함하여 형성될 수 있다. 차광부(BM)는 빛샘 현상을 방지하고, 인접하는 필터들(CF-B, CF-G, CF-R) 사이의 경계를 구분하는 것일 수 있다.
컬러필터층(CFL)은 버퍼층(BFL)을 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 버퍼층(BFL)은 필터들(CF-B, CF-G, CF-R)을 보호하는 보호층일 수 있다. 버퍼층(BFL)은 실리콘 질화물, 실리콘 산화물, 실리콘 산질화물 중 적어도 하나의 무기물을 포함하는 무기물층일 수 있다. 버퍼층(BFL)은 단일층 또는 복수의 층으로 이루어질 수 있다.
도 15에 도시된 일 실시예에서 컬러필터층(CFL)의 제1 필터(CF-B)는 제2 필터(CF-G) 및 제3 필터(CF-R)와 중첩하는 것으로 도시되었으나, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 제1 내지 제3 필터(CF-B, CF-G, CF-R)는 차광부(BM)에 의해 구분되고 서로 비중첩할 수 있다. 한편, 일 실시예에서 제1 내지 제3 필터(CF-B, CF-G, CF-R) 각각은 청색 발광 영역(PXA-B), 녹색 발광 영역(PXA-G), 및 적색 발광 영역(PXA-R) 각각에 대응하여 배치될 수 있다.
도 15 등에 도시된 바와 달리, 일 실시예의 표시 장치(DD)는 광제어층(PP)으로 컬러필터층(CFL)을 대신하여 편광층(미도시)을 포함하는 것일 수 있다. 편광층(미도시)은 외부에서 표시 패널(DP)로 제공되는 외부광을 차단하는 것일 수 있다. 편광층(미도시)은 외부광 중 일부를 차단할 수 있다.
또한, 편광층(미도시)은 외부광에 의해 표시 패널(DP)에서 발생하는 반사광을 저감시키는 것일 수 있다. 예를 들어, 편광층(미도시)은 표시 장치(DD)의 외부에서 제공되는 광이 표시 패널(DP)로 입사되어 다시 출사되는 경우의 반사광을 차단하는 기능을 하는 것일 수 있다. 편광층(미도시)은 반사 방지 기능을 갖는 원편광자이거나 또는 편광층(미도시)은 선편광자와 λ/4 위상 지연자를 포함하는 것일 수 있다. 한편, 편광층(미도시)은 베이스층(BL) 상에 배치되어 노출되는 것이거나, 또는 편광층(미도시)은 베이스층(BL) 하부에 배치되는 것일 수 있다.
도 16는 본 발명의 다른 실시예의 표시 장치(DD-1)에 대한 단면도이다. 일 실시예의 표시 장치(DD-1)에 대한 설명에 있어서, 상술한 도 1 내지 도 15에서 설명한 내용과 중복되는 내용은 설명하지 않으며 차이점을 위주로 설명한다.
도 16을 참조하면, 일 실시예의 표시 장치(DD-1)는 표시 패널(DP-1) 상에 배치된 광 변환층(CCL)을 포함할 수 있다. 또한, 일 실시예에 따른 표시 장치(DD-1)는 컬러필터층(CFL)을 더 포함할 수 있다. 컬러필터층(CFL)은 베이스층(BL)과 광 변환층(CCL) 사이에 배치된 것일 수 있다.
표시 패널(DP-1)은 발광형 표시 패널일 수 있다. 예를 들어, 표시 패널(DP-1)은 유기 전계 발광(Organic Electroluminescence) 표시 패널, 또는 양자점(Quantum dot) 발광 표시 패널일 수 있다.
표시 패널(DP-1)은 베이스 기판(BS), 베이스 기판(BS) 상에 제공된 회로층(DP-CL) 및 표시 소자층(DP-EL1)을 포함하는 것일 수 있다.
표시 소자층(DP-EL1)은 발광 소자(ED-a)를 포함하며, 발광 소자(ED-a)는 서로 마주하는 제1 전극(EL1)과 제2 전극(EL2), 및 제1 전극(EL1)과 제2 전극(EL2) 사이에 배치된 복수의 층들(OL)을 포함할 수 있다. 복수의 층들(OL)은 정공 수송 영역(HTR, 도 4), 발광층(EML, 도 4), 및 전자 수송 영역(ETR, 도 4)을 포함하는 것일 수 있다. 발광 소자(ED-a) 상에는 봉지층(TFE)이 배치될 수 있다.
발광 소자(ED-a)에서 제1 전극(EL1), 정공 수송 영역(HTR), 전자 수송 영역(ETR), 및 제2 전극(EL2)에 대하여는 상술한 도 4에서 설명한 내용과 동일한 내용이 적용될 수 있다. 다만, 일 실시예의 표시 패널(DP-1)에 포함된 발광 소자(ED-a)에서 발광층은 유기 전계 발광 재료인 호스트 및 도펀트를 포함하는 것이거나, 또는 상술한 도 1 내지 도 14에서 설명한 양자점 복합체를 포함하는 것일 수 있다. 일 실시예의 표시 패널(DP-1)에서 발광 소자(ED-a)는 청색광을 방출하는 것일 수 있다.
광 변환층(CCL)은 서로 이격되어 배치된 복수 개의 격벽부들(BK) 및 격벽부들(BK) 사이에 배치된 광 제어부(CCP-B, CCP-G, CCP-R)를 포함하는 것일 수 있다. 격벽부(BK)는 고분자 수지 및 발액 첨가제를 포함하여 형성된 것일 수 있다. 격벽부(BK)는 광흡수 물질을 포함하여 형성되거나, 안료 또는 염료를 포함하여 형성될 수 있다. 예를 들어, 격벽부(BK)는 흑색 안료 또는 흑색 염료를 포함하여 형성되어 흑색격벽부를 구현할 수 있다. 흑색격벽부 형성 시 흑색 안료 또는 흑색 염료로는 카본블랙 등이 사용될 수 있으나 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다.
광 변환층(CCL)은 제1 광을 투과시키는 제1 광 제어부(CCP-B), 제1 광을 제2 광으로 변환하는 제4 양자점 복합체(QD-C4)을 포함하는 제2 광 제어부(CCP-G), 및 제1 광을 제 3광으로 변환하는 제5 양자점 복합체(QD-C5)를 포함하는 제3 광 제어부(CCP-R)를 포함할 수 있다. 제2 광은 제1 광보다 장파장 영역의 광이고, 제3 광은 제1 광 및 제2 광보다 장파장 영역의 광일 수 있다. 예를 들어, 제1 광은 청색광, 제2 광은 녹색광, 제3 광은 적색광일 수 있다. 광 제어부들(CCP-B, CCP-G, CCP-R)에 포함된 양자점 복합체(QD-C4, QD-C5)에 대하여는 상술한 양자점 복합체에 대한 내용과 동일한 내용이 적용될 수 있다.
광 변환층(CCL)은 캡핑층(CPL)을 더 포함할 수 있다. 캡핑층(CPL)은 광 제어부들(CCP-B, CCP-G, CCP-R) 및 격벽부(BK) 상에 배치되는 것일 수 있다. 캡핑층(CPL)은 수분 및/또는 산소(이하, '수분/산소'로 칭함)의 침투를 막는 역할을 하는 것일 수 있다. 캡핑층(CPL)은 광 제어부(CCP-B, CCP-G, CCP-R) 상에 배치되어 광 제어부(CCP-B, CCP-G, CCP-R)가 수분/산소에 노출되는 것을 차단할 수 있다. 캡핑층(CPL)은 적어도 하나의 무기층을 포함하는 것일 수 있다.
한편, 도시하지 않았으나, 일 실시예의 표시 장치(DD-1)는 봉지층(TFE)과 캡핑층(CPL) 사이에 충진제를 더 포함할 수 있다.
일 실시예의 표시 장치(DD-1)는 광 변환층(CCL) 상에 배치된 컬러필터층(CFL)을 포함하고, 컬러필터층(CFL) 및 베이스층(BL)에 대하여는 도 15에서 설명한 내용이 동일하게 적용될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 양자점 조성물은 양자점 표면에 2종류의 상이한 리간드가 각각 결합한 양자점 복합체를 포함한다. 양자점에 결합하는 제1 리간드는 테일부에 가교성 관능기를 포함하며, 제2 리간드는 제1 리간드보다 짧고 전하 이동도의 조절할 수 있다.
일반적으로 양자점 표면에 리간드가 결합할 경우, 양자점은 유기용매 내에서 분산성 및 캡핑 특성이 향상될 수 있으나, 발광 소자에 적용될 경우 양자점에 결합된 리간드가 전하 주입 특성을 저해하여 발광 소자의 발광 효율이 감소할 수 있다. 그러나, 본 발명의 일 실시예에 따른 양자점 복합체는 제1 리간드가 가교성 관능기를 포함하여 발광층 내에서 가교 반응을 진행할 수 있어 양자점 사이의 거리를 일정하게 유지시킬 수 있고, 양자점의 적층 밀도를 증가시키고 공극을 감소시켜, 전하 주입 특성 저하가 발생하는 것이 방지될 수 있고, 발광 소자의 발광 효율 특성이 개선될 수 있다. 또한, 제2 리간드가 전하 이동도를 향상시켜 발광 효율 특성이 개선될 수 있다.
이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술 분야에 통상의 지식을 갖는 자라면, 후술될 청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 청구범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.
DD : 표시 장치 ED : 발광 소자
QD : 양자점 LD1 : 제1 리간드
HD1 : 제1 헤드부 CN1 : 체인부
TL1: 제1 테일부 LD2 : 제2 리간드
HD2 : 제2 헤드부 TL2: 제2 테일부

Claims (21)

  1. 양자점;
    상기 양자점 표면에 결합되는 제1 헤드부 및 말단에 가교성 관능기를 포함하는 제1 테일부를 포함하는 제1 리간드; 및
    상기 양자점 표면에 결합되고, 상기 제1 리간드보다 길이가 짧은 제2 리간드;를 포함하는 양자점 조성물.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 가교성 관능기는 열 가교성 관능기인 양자점 조성물.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 가교성 관능기는 비닐기, 히드록시기, 카르복실기, 에폭시기, 아미드기, 아민기, 아자이드기, 옥세타닐기, 또는 이소시아네이트기인 양자점 조성물.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제2 리간드는 상기 양자점 표면에 결합되는 제2 헤드부 및 제2 테일부를 포함하고,
    상기 제2 테일부는 1.5nm 이하 길이의 알킬기, 1.5nm 이하 길이의 알케닐기, 카바졸 모이어티, 트리아진 모이어티, 피렌 모이어티, 전자 흡인기, 전자 공여기, 폴리에틸렌 이민 모이어티 및 에톡실화 폴리에틸렌이민 모이어티 중 어느 하나를 포함하는 양자점 조성물.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 제1 리간드 및 제2 리간드는 각각 한 자리(monodentate) 리간드 또는 두 자리(bidentate) 리간드인 양자점 조성물.
  6. 제4항에 있어서,
    상기 제1 헤드부 및 제2 헤드부는 각각 티올기, 디티오산기, 포스핀기, 카테콜기, 아민기 또는 카르복시산기를 포함하는 양자점 조성물.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 제1 리간드는 상기 제1 헤드부 및 상기 제1 테일부를 연결하는 체인부를 더 포함하고,
    상기 체인부는 2 이상 20 이하의 탄소를 포함하는 양자점 조성물.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 체인부는 아민기, 옥시기, 티오기, 에스터기, 에테르기, 아릴기 또는 아마이드기를 더 포함하는 양자점 조성물.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 제1 리간드는 화학식 A 또는 화학식 B로 표시되는 양자점 조성물:
    [화학식 A]
    Figure pat00039

    [화학식 B]
    Figure pat00040

    상기 화학식 A 및 화학식 B에서,
    X, X1 및 X2는 각각 독립적으로 S, 또는 NH이고,
    Y는 하기 화학식 1 내지 7 중 어느 하나로 표시된다:
    [화학식 1]
    Figure pat00041

    [화학식 2]
    Figure pat00042

    [화학식 3]
    Figure pat00043

    [화학식 4]
    Figure pat00044

    [화학식 5]
    Figure pat00045

    [화학식 6]
    Figure pat00046

    [화학식 7]
    Figure pat00047

    상기 화학식 1 내지 화학식 7에서,
    "
    Figure pat00048
    "는 상기 X, X1 또는 X2와 연결되는 위치를 의미하고,
    R1 및 R2는 각각 독립적으로 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기이고, 단, R1 와 R2의 탄소수 합은 20 이하이다.
  10. 제4항에 있어서,
    상기 전자 흡인기는 니트로기, 티오아미드기, 아마이드기, 플루오르기, 시아노기, 아마이드기, 에스터기 또는 카보닐기이고,
    상기 전자 공여기는 고리형성 탄소수 6 이상 20 이하의 아릴기, 아민기, 알콕시기 또는 티오에테르기인 양자점 조성물.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 제2 리간드는 하기 화학식 8 내지 화학식 15 중 어느 하나로 표시되는 것인 양자점 조성물:
    [화학식 8]
    Figure pat00049

    [화학식 9]
    Figure pat00050

    [화학식 10]
    Figure pat00051

    [화학식 11]
    Figure pat00052

    [화학식 12]
    Figure pat00053

    [화학식 13]
    Figure pat00054

    [화학식 14]
    Figure pat00055

    [화학식 15]
    Figure pat00056

    상기 화학식 8 내지 화학식 15에서,
    Ra 내지 Re는 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 3 이하의 알킬기 또는 고리 형성 탄소수 6 내지 12의 아릴기이고,
    R1 내지 R9, R12 및 R13은 각각 독립적으로 직접 결합 또는 탄소수 1 내지 3 이하의 알킬기이고,
    R10 및 R11은 각각 독립적으로 탄소수 3 내지 8 이하의 알킬기이다.
  12. 제1항에 있어서,
    유기 용매를 더 포함하고,
    상기 양자점은 상기 유기 용매에 분산된 것인 양자점 조성물.
  13. 제1 전극;
    상기 제1 전극과 마주하는 제2 전극; 및
    상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 배치되고, 복수의 양자점 복합체들을 포함하는 발광층;을 포함하고,
    상기 양자점 복합체들은 각각 양자점, 상기 양자점의 표면에 결합한 제1 리간드 및 상기 양자점 표면에 결합하고, 상기 제1 리간드보다 짧은 제2 리간드를 포함하고,
    상기 제1 리간드는 인접한 다른 제1 리간드와 결합하는 것인 발광 소자.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 제1 리간드는 상기 양자점 표면에 결합하는 제1 헤드부를 포함하고,
    상기 제1 헤드부는 티올기, 디티오산기, 포스핀기, 카테콜기, 아민기 또는 카르복시산기를 포함하는 발광 소자.
  15. 제13항에 있어서,
    상기 제1 리간드는 상기 제1 헤드부와 연결된 체인부를 더 포함하고,
    상기 체인부는 2 이상 20 이하의 탄소를 포함하는 발광 소자.
  16. 제13항에 있어서,
    상기 제2 리간드는 1.5nm 이하 길이의 알킬기, 1.5nm 이하 길이의 알케닐기, 카바졸 모이어티, 트리아진 모이어티, 피렌 모이어티, 전자 흡인기, 전자 공여기, 폴리에틸렌 이민 모이어티 및 에톡실화 폴리에틸렌이민 모이어티 중 어느 하나를 포함하는 발광 소자.
  17. 표시패널; 및
    상기 표시패널 상에 배치되고, 적어도 하나의 광 제어부를 포함하는 광 변환층; 을 포함하고,
    상기 광 제어부는 양자점, 상기 양자점 표면에 결합하는 제1 리간드 및 상기 제1 리간드보다 짧은 제2 리간드를 포함하고,
    상기 제1 리간드는 다른 양자점에 결합된 제1 리간드와 결합하는 것인 표시 장치.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 표시패널은 제1 광을 생성하는 발광소자를 포함하고,
    상기 광 변환층은
    상기 제1 색광을 투과하는 제1 광 제어부;
    상기 제1 색광을 제2 색광으로 변환하는 제2 광 제어부; 및
    상기 제1 색광을 제3 색광으로 변환하는 제3 광 제어부; 를 포함하는 표시 장치.
  19. 제17항에 있어서,
    상기 제1 리간드는
    상기 양자점 표면에 결합하는 친수성기를 포함하는 제1 헤드부;
    아민기, 옥시기, 티오기, 에스터기, 에테르기, 아릴기 또는 아마이드기를포함하는 체인부; 및
    다른 양자점에 결합한 제1 리간드와 결합하는 제1 테일부;를 포함하는 표시 장치.
  20. 제17항에 있어서,
    상기 제2 리간드는
    상기 양자점 표면에 결합하는 친수성기를 포함하는 제2 헤드부; 및
    1.5nm 이하 길이의 알킬기, 1.5nm 이하 길이의 알케닐기, 카바졸 모이어티, 트리아진 모이어티, 피렌 모이어티, 전자 흡인기, 전자 공여기, 폴리에틸렌 이민 모이어티 및 에톡실화 폴리에틸렌이민 모이어티 중 어느 하나를 포함하는 제2 테일부를 포함하는 표시 장치.
  21. 제18항에 있어서,
    상기 광 변환층 상에 배치된 컬러필터층을 더 포함하고,
    상기 컬러필터층은
    상기 제1 색광을 투과사키는 제1 필터;
    상기 제2 색광을 투과시키는 제2 필터; 및
    상기 제3 색광을 투과시키는 제3 필터;를 포함하는 표시 장치.


KR1020200176928A 2020-12-17 2020-12-17 양자점 조성물, 발광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치 KR20220087598A (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020200176928A KR20220087598A (ko) 2020-12-17 2020-12-17 양자점 조성물, 발광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치
US17/451,602 US20220195289A1 (en) 2020-12-17 2021-10-20 Quantum dot composition, light-emitting element and display device including the same
CN202111511182.5A CN114644918A (zh) 2020-12-17 2021-12-03 量子点组合物、发光元件和包括其的显示装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020200176928A KR20220087598A (ko) 2020-12-17 2020-12-17 양자점 조성물, 발광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20220087598A true KR20220087598A (ko) 2022-06-27

Family

ID=81992414

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020200176928A KR20220087598A (ko) 2020-12-17 2020-12-17 양자점 조성물, 발광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20220195289A1 (ko)
KR (1) KR20220087598A (ko)
CN (1) CN114644918A (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115058243A (zh) * 2022-06-30 2022-09-16 北京京东方技术开发有限公司 量子点、量子点交联物、量子点发光器件

Also Published As

Publication number Publication date
CN114644918A (zh) 2022-06-21
US20220195289A1 (en) 2022-06-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11569467B2 (en) Quantum dot composition and light emitting diode having a ligand with head part that has an acid group combined with surface of a quantum dot
US20210371737A1 (en) Quantum dot composition, light emitting element and display device including the same
CN112552899B (zh) 量子点组合物、发光二极管和包括发光二极管的显示装置
US11895856B2 (en) Quantum dot composition, light emitting element and display device including the same
US11910703B2 (en) Quantum dot composition including a quantum dot, and a ligand having a head portion, a connecting portion including a metal, and a tail portion
US20210371738A1 (en) Quantum dot composition, light emitting element, and method for manufacturing the same
US20240141228A1 (en) Quantum dot composition, light emitting element, and method for manufacturing the same
US11959001B2 (en) Quantum dot composition, light emitting element, and method for manufacturing the same
US20220195289A1 (en) Quantum dot composition, light-emitting element and display device including the same
US20220064527A1 (en) Quantum dot, lighting emitting element and display device including the same
US11765954B2 (en) Display device and method for manufacturing the same
US20240164130A1 (en) Quantum Dot Composition, Light Emitting Element and Display Device Including the same
US20210189233A1 (en) Method for producing quantum dot composition and method for manufacturing light emitting element including the same
US20230111888A1 (en) Quantum dot composite and light emitting diode including the same
US20220216442A1 (en) Light emitting diode, method of manufacturing the same and display device including the same
US20220216441A1 (en) Light-emitting element, display device including the same, and manufacturing method of the light-emitting element