KR20220077656A - Stack transfer printing method for quantum dot multilayer and quantum dot multilayer manufactured by the method - Google Patents
Stack transfer printing method for quantum dot multilayer and quantum dot multilayer manufactured by the method Download PDFInfo
- Publication number
- KR20220077656A KR20220077656A KR1020200166804A KR20200166804A KR20220077656A KR 20220077656 A KR20220077656 A KR 20220077656A KR 1020200166804 A KR1020200166804 A KR 1020200166804A KR 20200166804 A KR20200166804 A KR 20200166804A KR 20220077656 A KR20220077656 A KR 20220077656A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- quantum dot
- thin film
- treated
- charge
- substrate
- Prior art date
Links
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 title claims abstract description 277
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 53
- 238000010023 transfer printing Methods 0.000 title claims abstract description 42
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 219
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 105
- 239000013545 self-assembled monolayer Substances 0.000 claims abstract description 31
- 239000002094 self assembled monolayer Substances 0.000 claims abstract description 29
- 239000003446 ligand Substances 0.000 claims description 42
- -1 metal-halide compound Chemical class 0.000 claims description 27
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 claims description 19
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 claims description 19
- 230000001588 bifunctional effect Effects 0.000 claims description 13
- WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N (3-aminopropyl)triethoxysilane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCN WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 claims description 10
- PYJJCSYBSYXGQQ-UHFFFAOYSA-N trichloro(octadecyl)silane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC[Si](Cl)(Cl)Cl PYJJCSYBSYXGQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 238000003475 lamination Methods 0.000 claims description 9
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 125000002577 pseudohalo group Chemical group 0.000 claims description 7
- UVAMFBJPMUMURT-UHFFFAOYSA-N 2,3,4,5,6-pentafluorobenzenethiol Chemical compound FC1=C(F)C(F)=C(S)C(F)=C1F UVAMFBJPMUMURT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- LIKFHECYJZWXFJ-UHFFFAOYSA-N dimethyldichlorosilane Chemical compound C[Si](C)(Cl)Cl LIKFHECYJZWXFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 claims description 6
- SLYCYWCVSGPDFR-UHFFFAOYSA-N octadecyltrimethoxysilane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC[Si](OC)(OC)OC SLYCYWCVSGPDFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- QRPMCZNLJXJVSG-UHFFFAOYSA-N trichloro(1,1,2,2,3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,9,9,10,10,10-henicosafluorodecyl)silane Chemical group FC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)[Si](Cl)(Cl)Cl QRPMCZNLJXJVSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 claims description 4
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 claims description 4
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 claims description 4
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 claims description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 4
- OJMIONKXNSYLSR-UHFFFAOYSA-N phosphorous acid Chemical group OP(O)O OJMIONKXNSYLSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- VIFIHLXNOOCGLJ-UHFFFAOYSA-N trichloro(3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,9,9,10,10,10-heptadecafluorodecyl)silane Chemical compound FC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)CC[Si](Cl)(Cl)Cl VIFIHLXNOOCGLJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 101710162828 Flavin-dependent thymidylate synthase Proteins 0.000 claims description 3
- 101710135409 Probable flavin-dependent thymidylate synthase Proteins 0.000 claims description 3
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 claims description 3
- 150000004770 chalcogenides Chemical class 0.000 claims description 3
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 claims description 3
- ORTRWBYBJVGVQC-UHFFFAOYSA-N hexadecane-1-thiol Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCS ORTRWBYBJVGVQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- MPQXHAGKBWFSNV-UHFFFAOYSA-N oxidophosphanium Chemical group [PH3]=O MPQXHAGKBWFSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N phosphine group Chemical group P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 125000003396 thiol group Chemical group [H]S* 0.000 claims description 3
- RCHUVCPBWWSUMC-UHFFFAOYSA-N trichloro(octyl)silane Chemical compound CCCCCCCC[Si](Cl)(Cl)Cl RCHUVCPBWWSUMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N trichlorosilane Chemical compound Cl[SiH](Cl)Cl ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 claims description 3
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 claims description 3
- 239000005052 trichlorosilane Substances 0.000 claims description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 17
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 16
- 125000000129 anionic group Chemical group 0.000 description 10
- 125000002091 cationic group Chemical group 0.000 description 10
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 8
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 2-Aminoethan-1-ol Chemical compound NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- WNLRTRBMVRJNCN-UHFFFAOYSA-N adipic acid Chemical compound OC(=O)CCCCC(O)=O WNLRTRBMVRJNCN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 5
- BLFRQYKZFKYQLO-UHFFFAOYSA-N 4-aminobutan-1-ol Chemical compound NCCCCO BLFRQYKZFKYQLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920000089 Cyclic olefin copolymer Polymers 0.000 description 4
- WUGQZFFCHPXWKQ-UHFFFAOYSA-N Propanolamine Chemical compound NCCCO WUGQZFFCHPXWKQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- JFCQEDHGNNZCLN-UHFFFAOYSA-N glutaric acid Chemical compound OC(=O)CCCC(O)=O JFCQEDHGNNZCLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 4
- XMYQHJDBLRZMLW-UHFFFAOYSA-N methanolamine Chemical compound NCO XMYQHJDBLRZMLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229940087646 methanolamine Drugs 0.000 description 4
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 4
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 4
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 4
- KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N succinic acid Chemical compound OC(=O)CCC(O)=O KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 4
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910007709 ZnTe Inorganic materials 0.000 description 3
- 229960000250 adipic acid Drugs 0.000 description 3
- 235000011037 adipic acid Nutrition 0.000 description 3
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 3
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 3
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 229940031098 ethanolamine Drugs 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 239000002159 nanocrystal Substances 0.000 description 3
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 3
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- NWZSZGALRFJKBT-KNIFDHDWSA-N (2s)-2,6-diaminohexanoic acid;(2s)-2-hydroxybutanedioic acid Chemical compound OC(=O)[C@@H](O)CC(O)=O.NCCCC[C@H](N)C(O)=O NWZSZGALRFJKBT-KNIFDHDWSA-N 0.000 description 2
- IITOQRGGCDTQDF-UHFFFAOYSA-N 1-aminododecane-1-thiol Chemical compound CCCCCCCCCCCC(N)S IITOQRGGCDTQDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RJIOZCIZPJFCQP-UHFFFAOYSA-N 1-aminooctane-1-thiol Chemical compound NC(CCCCCCC)S RJIOZCIZPJFCQP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- TZVOTYCXLFYAPY-UHFFFAOYSA-N 2-sulfanylhexadecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCC(S)C(O)=O TZVOTYCXLFYAPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DYAOREPNYXXCOA-UHFFFAOYSA-N 2-sulfanylundecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCC(S)C(O)=O DYAOREPNYXXCOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DKIDEFUBRARXTE-UHFFFAOYSA-N 3-mercaptopropanoic acid Chemical compound OC(=O)CCS DKIDEFUBRARXTE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 241000252506 Characiformes Species 0.000 description 2
- 239000004713 Cyclic olefin copolymer Substances 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- 239000002033 PVDF binder Substances 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 2
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Propanedioic acid Natural products OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005411 Van der Waals force Methods 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- UFULAYFCSOUIOV-UHFFFAOYSA-N cysteamine Chemical compound NCCS UFULAYFCSOUIOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- HCPOCMMGKBZWSJ-UHFFFAOYSA-N ethyl 3-hydrazinyl-3-oxopropanoate Chemical compound CCOC(=O)CC(=O)NN HCPOCMMGKBZWSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- IKDUDTNKRLTJSI-UHFFFAOYSA-N hydrazine monohydrate Substances O.NN IKDUDTNKRLTJSI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 229960003151 mercaptamine Drugs 0.000 description 2
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 2
- 229910003465 moissanite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002707 nanocrystalline material Substances 0.000 description 2
- 239000013110 organic ligand Substances 0.000 description 2
- 238000005424 photoluminescence Methods 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001707 polybutylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 2
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 2
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 2
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 2
- 229920002981 polyvinylidene fluoride Polymers 0.000 description 2
- 239000012779 reinforcing material Substances 0.000 description 2
- 239000013557 residual solvent Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 229960005137 succinic acid Drugs 0.000 description 2
- YBNMDCCMCLUHBL-UHFFFAOYSA-N (2,5-dioxopyrrolidin-1-yl) 4-pyren-1-ylbutanoate Chemical compound C=1C=C(C2=C34)C=CC3=CC=CC4=CC=C2C=1CCCC(=O)ON1C(=O)CCC1=O YBNMDCCMCLUHBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PWGJDPKCLMLPJW-UHFFFAOYSA-N 1,8-diaminooctane Chemical compound NCCCCCCCCN PWGJDPKCLMLPJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017083 AlN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017115 AlSb Inorganic materials 0.000 description 1
- CSKJUDRRKOODEP-UHFFFAOYSA-N C(CCCCC)(N)N.C(CCCCC)(N)N Chemical compound C(CCCCC)(N)N.C(CCCCC)(N)N CSKJUDRRKOODEP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical group [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003320 CeOx Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910015189 FeOx Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005540 GaP Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005542 GaSb Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004262 HgTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000673 Indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 241000764773 Inna Species 0.000 description 1
- 229910000661 Mercury cadmium telluride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002665 PbTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005642 SnTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 239000011258 core-shell material Substances 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 238000001548 drop coating Methods 0.000 description 1
- 229920005839 ecoflex® Polymers 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- NAQMVNRVTILPCV-UHFFFAOYSA-N hexane-1,6-diamine Chemical compound NCCCCCCN NAQMVNRVTILPCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N indium antimonide Chemical compound [Sb]#[In] WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N indium arsenide Chemical compound [In]#[As] RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- XCAUINMIESBTBL-UHFFFAOYSA-N lead(ii) sulfide Chemical compound [Pb]=S XCAUINMIESBTBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000005010 perfluoroalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000548 poly(silane) polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004629 polybutylene adipate terephthalate Substances 0.000 description 1
- 229920001896 polybutyrate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920003257 polycarbosilane Polymers 0.000 description 1
- 229920001709 polysilazane Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- OCGWQDWYSQAFTO-UHFFFAOYSA-N tellanylidenelead Chemical compound [Pb]=[Te] OCGWQDWYSQAFTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/04—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
Abstract
본 발명은 양자점 다층 박막의 적층 전사 인쇄 방법 및 이를 통해 제조된 양자점 다층 박막을 개시한다. 본 발명은 제1 기판 상에 자가조립 단분자막을 형성하는 단계; 상기 자가조립 단분자막 상에 제1 스탬프를 사용하여 제1 전하를 갖도록 표면처리된 양자점 박막 및 제2 전하를 갖도록 표면처리된 양자점 박막을 적어도 1회 이상 교차 적층 전사하여 양자점 다층 박막을 형성하는 단계; 및 상기 양자점 다층 박막을 제2 스탬프를 사용하여 픽업하여 제2 기판 상에 전사하는 단계; 를 포함하는 것을 특징를 포함하는 것을 특징으로 한다.The present invention discloses a multilayer quantum dot thin film laminated transfer printing method and a quantum dot multilayer thin film manufactured through the same. The present invention comprises the steps of forming a self-assembled monolayer on a first substrate; forming a quantum dot multilayer thin film by cross-stacking and transferring the quantum dot thin film surface-treated to have a first charge and a quantum dot thin film surface-treated to have a second charge on the self-assembled monolayer by using a first stamp at least once or more; and picking up the quantum dot multilayer thin film using a second stamp and transferring it onto a second substrate. It is characterized in that it includes a feature comprising a.
Description
본 발명은 양자점 다층 박막의 적층 전사 인쇄 방법 및 이를 통해 제조된 양자점 다층 박막에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 양자점 다층 박막의 두께를 제어하여 고해상도 패터닝 전사 인쇄가 가능하고 수백 나노미터 이상의 후막 형성이 가능한 양자점 다층 박막의 적층 전사 인쇄 방법 및 이를 통해 제조된 양자점 다층 박막에 관한 것이다.The present invention relates to a stack transfer printing method of a quantum dot multilayer thin film and a quantum dot multilayer thin film manufactured through the same. It relates to a stack transfer printing method of a possible quantum dot multilayer thin film, and to a quantum dot multilayer thin film manufactured through the same.
최근, 양자점은 여러 종류의 양자점 물질들의 광 발광 현상과 전계 발광 현상을 이용하여 디스플레이 분야에 적용되고 있으며, 특히 광 발광을 이용한 색변환 및 휘도 향상을 목적으로 제품에 적용되어 상품화되고 있다.Recently, quantum dots have been applied to the display field by using photoluminescence and electroluminescence phenomena of various types of quantum dot materials. In particular, quantum dots have been commercialized by being applied to products for the purpose of color conversion and luminance improvement using photoluminescence.
더하여, 양자점은 태양전지의 광흡수층, 바이오 센서, 광센서, 조명 등 폭넓은 분야에 적용되어 활발한 연구가 진행되고 있으며, 디스플레이 분야의 성과가 크게 두드러지고 있는 상황이다.In addition, quantum dots are being applied to a wide range of fields such as a light absorption layer of a solar cell, a biosensor, an optical sensor, and lighting, and active research is being conducted, and the performance in the display field is strikingly outstanding.
종래에는 도너 기판에 코팅된 양자점 나노입자 박막을 양각 스탬프 혹은 전면 스탬프로 픽업하여 최종 기판에 전사하는 방식으로, 양자점 패턴을 형성할 때, 실리콘 고무인 폴리디메틸실록산(PDMS; 19.8 mJm-2)을 사용한다.Conventionally, when forming a quantum dot pattern, a silicon rubber polydimethylsiloxane (PDMS; 19.8 mJm -2 ) is used by picking up a quantum dot nanoparticle thin film coated on a donor substrate with an embossed stamp or a front stamp and transferring it to the final substrate. do.
일반적인 발광소자용 양자점은 긴 탄소사슬의 유기 리간드로 둘러싸여 있으며 양각 스탬프 혹은 전면 스탬프를 이용하여 빠르게 양자점 박막을 도너 기판에서 픽업하여 최종 기판에 전사된다.A general quantum dot for a light emitting device is surrounded by an organic ligand of a long carbon chain, and the quantum dot thin film is quickly picked up from the donor substrate and transferred to the final substrate by using an embossed or front stamp.
종래에는 전사된 최종 양자점 패턴의 두께는 도너 기판에 코팅한 양자점 나노입자 박막의 패턴과 거의 유사하며, 이 두께는 대략 수십 나노미터이다.Conventionally, the thickness of the transferred final quantum dot pattern is almost similar to the pattern of the quantum dot nanoparticle thin film coated on the donor substrate, and this thickness is approximately several tens of nanometers.
또한, 양자점 간의 상호인력은 양자점을 둘러싼 유기 리간드간의 반 데르 발스 힘이며 이 힘은 약하기 때문에 전사된 양자점 박막위에 추가적으로 양자점을 전사하여 적층하는 것이 어려운 문제가 있다.In addition, the mutual attraction between the quantum dots is the van der Waals force between the organic ligands surrounding the quantum dots, and since this force is weak, it is difficult to additionally transfer and stack the quantum dots on the transferred quantum dot thin film.
따라서, 종래에는 수십 나노미터 이하의 얇은 두께의 양자점 박막의 전사인쇄만 가능하나, 광발광 기반의 디스플레이 혹은 포토디텍터, 태양전지 등에 사용되기 위해서는 수백 nm 이상의 두께를 지니는 양자점 박막이 필요하기 때문에, 양자점 박막을 후막으로 형성하는 기술에 대한 연구가 필요하다.Therefore, in the prior art, only transfer printing of a thin film of quantum dots with a thickness of several tens of nanometers or less is possible. It is necessary to study the technology for forming a thin film into a thick film.
본 발명의 실시예는 전하를 띄는 양자점을 사용하여 양자점 박막 간의 쿨롱 인력을 제어함으로써, 양자점 대층 박막의 두께를 제어할 수 있는 양자점 다층 박막의 적층 전사 인쇄 방법 및 이를 통해 제조된 양자점 다층 박막을 제공하고자 한다.An embodiment of the present invention provides a method for stacking transfer printing of a quantum dot multilayer thin film capable of controlling the thickness of a quantum dot-to-layer thin film by controlling the Coulombic attraction between the quantum dot thin films using charged quantum dots, and a quantum dot multilayer thin film manufactured through this method want to
따라서, 본 발명의 실시예는 양자점 다층 박막의 두께를 제어하여 고해상도 패터닝 전사 인쇄가 가능하고, 수백 나노미터 이상의 후막 형성이 가능한 양자점 다층 박막의 적층 전사 인쇄 방법 및 이를 통해 제조된 양자점 다층 박막을 제공하고자 한다.Accordingly, an embodiment of the present invention provides a method for stacking transfer printing of a quantum dot multilayer thin film capable of high-resolution patterning transfer printing by controlling the thickness of the quantum dot multilayer thin film, and forming a thick film of several hundred nanometers or more, and a quantum dot multilayer thin film manufactured through this method want to
본 발명의 실시예에 따른 양자점 다층 박막의 적층 전사 인쇄 방법은 제1 기판 상에 자가조립 단분자막(SAM)을 형성하는 단계; 상기 자가조립 단분자막 상에 제1 스탬프를 사용하여 제1 전하를 갖도록 표면처리된 양자점 박막 및 제2 전하를 갖도록 표면처리된 양자점 박막을 적어도 1회 이상 교차 적층 전사하여 양자점 다층 박막을 형성하는 단계; 및 상기 양자점 다층 박막을 제2 스탬프를 사용하여 픽업하여 제2 기판 상에 전사하는 단계;를 포함한다.Lamination transfer printing method of a quantum dot multilayer thin film according to an embodiment of the present invention comprises the steps of forming a self-assembled monolayer (SAM) on a first substrate; forming a quantum dot multilayer thin film by cross-stacking and transferring the quantum dot thin film surface-treated to have a first charge and a quantum dot thin film surface-treated to have a second charge on the self-assembled monolayer by using a first stamp at least once or more; and picking up the quantum dot multilayer thin film using a second stamp and transferring it onto a second substrate.
상기 제1 전하를 갖도록 표면처리된 양자점 박막 및 제2 전하를 갖도록 표면처리된 양자점 박막은 쿨롱 인력에 의해 적층될 수 있다.The quantum dot thin film surface-treated to have the first charge and the quantum dot thin film surface-treated to have the second charge may be stacked by Coulomb attraction.
상기 제1 전하를 갖도록 표면처리된 양자점 박막 및 상기 제2 전하를 갖도록 표면처리된 양자점 박막은 무기 리간드 및 두 작용기 리간드(bifunctional ligand) 중 적어도 어느 하나로 표면 처리될 수 있다.The quantum dot thin film surface-treated to have the first charge and the quantum dot thin film surface-treated to have the second charge may be surface-treated with at least one of an inorganic ligand and a bifunctional ligand.
상기 무기 리간드는 금속-칼코게나이드(metal-chalcogenide) 화합물, 금속-할라이드(metal-halide) 화합물, 금속-옥사이드(metal-oxide) 화합물, 칼코게나이드(chalcogenide), 할라이드(halide) 및 슈도할라이드(pseudohalide), 하이드록시 이온 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.The inorganic ligand is a metal-chalcogenide compound, a metal-halide compound, a metal-oxide compound, a chalcogenide, a halide and a pseudohalide. (pseudohalide), and may include at least one of hydroxy ions.
두 기능기 리간드는 카르복시기, 아인산기, 하이드록시기, 사이올기, 아민기, 포스핀기 및 산화포스핀기 중 적어도 둘 이상의 작용기가 C1-C24 탄화수소에 결합된 리간드를 포함할 수 있다.The two functional ligand may include a ligand in which at least two functional groups selected from a carboxyl group, a phosphorous acid group, a hydroxyl group, a thiol group, an amine group, a phosphine group and a phosphine oxide group are bonded to a C 1 -C 24 hydrocarbon.
상기 자가조립 단분자막은 상기 제1 기판과 상기 제1 전하를 갖도록 표면처리된 양자점 박막 사이의 쿨롱 인력을 감소시킬 수 있다.The self-assembled monolayer may reduce the coulombic attraction between the first substrate and the quantum dot thin film surface-treated to have the first charge.
상기 자가조립 단분자막은 PFS(Perfluorodecyltrichlorosilane), OTS (Trichloro(octyl)silane), ODTS(Octadecyltrichlorosilane), OTMS(Octadecyltrimethoxysilane), HDT(1-Hexadecanethiol), FDTS((Heptadecafluoro-1,1,2,2-tetrahydrodecyl)trichlorosilane), FOTS(1H,1H,2H,2H-perfluorodecyltrichlorosilneperfluorodecyltrichlorosilane), PFBT (Pentafluorobenzenethiol), APTES(3-Aminopropyltriethoxysilane), hydroxy terminated PDMS(polydimethylsiloxane) 및 vinyl terminated PDMS 및 DDMS(Dichlorodimethylsilane) 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.The self-assembled monolayer is PFS (Perfluorodecyltrichlorosilane), OTS (Trichloro(octyl)silane), ODTS (Octadecyltrichlorosilane), OTMS (Octadecyltrimethoxysilane), HDT (1-Hexadecanethiol), FDTS (Heptadecafluoro-1,1,2,2-tetrahydrodecyl) ) trichlorosilane), FOTS (1H, 1H, 2H, 2H-perfluorodecyltrichlorosilneperfluorodecyltrichlorosilane), PFBT (Pentafluorobenzenethiol), APTES (3-Aminopropyltriethoxysilane), hydroxy terminated PDMS (polydimethylsiloxane), and vinyl terminated PDMS and DDMS (Dichlorodimethylsilane) can do.
상기 제1 스탬프는 표면에 양각 패턴을 포함할 수 있다.The first stamp may include an embossed pattern on the surface.
상기 제2 기판이 음각 트랜치를 포함할 수 있다.The second substrate may include an engraved trench.
상기 양자점 다층 박막을 제2 스탬프를 사용하여 픽업하여 제2 기판 상에 전사하는 단계를 진행한 다음, 상기 제2 스탬프를 이용하여 상기 제2 기판으로부터 상기 양자점 다층 패턴을 픽업하는 단계; 및 상기 제2 스탬프를 이용하여 상기 양자점 다층 패턴을 제3 기판에 전사하는 단계;를 포함할 수 있다.Picking up the quantum dot multilayer thin film using a second stamp and transferring it on a second substrate, then using the second stamp to pick up the quantum dot multilayer pattern from the second substrate; and transferring the quantum dot multilayer pattern to a third substrate using the second stamp.
상기 제2 기판은 표면에서 내부로 들어간 리세스 영역을 가질 수 있다.The second substrate may have a recessed region inwardly from the surface.
상기 제2 스탬프가 상기 제2 기판으로부터 분리될 때 상기 양자점 다층 박막 중에서 상기 제2 기판과 접촉하는 부분은 상기 제2 기판에 남고, 상기 리세스 영역에 대응하는 부분은 상기 제2 스탬프에 의해 픽업될 수 있다. When the second stamp is separated from the second substrate, a portion of the quantum dot multilayer thin film in contact with the second substrate remains on the second substrate, and a portion corresponding to the recess region is picked up by the second stamp can be
상기 양자점 다층 박막의 두께는 2 nm 내지 1000 μm 일 수 있다.The thickness of the quantum dot multilayer thin film may be 2 nm to 1000 μm.
본 발명의 실시예에 따른 양자점 다층 박막은, 제1 전하를 갖도록 표면처리된 양자점 박막 및 제2 전하를 갖도록 표면처리된 양자점 박막이 적어도 1회 이상 교차하여 적층된다.In the quantum dot multilayer thin film according to an embodiment of the present invention, the quantum dot thin film surface-treated to have a first charge and the quantum dot thin film surface-treated to have a second charge are stacked at least one time crossing each other.
상기 제1 전하를 갖도록 표면처리된 양자점 박막 및 제2 전하를 갖도록 표면처리된 양자점 박막은 쿨롱 인력에 의해 적층될 수 있다.The quantum dot thin film surface-treated to have the first charge and the quantum dot thin film surface-treated to have the second charge may be stacked by Coulomb attraction.
상기 제1 전하를 갖도록 표면처리된 양자점 박막 및 상기 제2 전하를 갖도록 표면처리된 양자점 박막은 무기 리간드 및 두 기능기(bifunctional) 리간드 중 적어도 어느 하나로 표면 처리될 수 있다.The quantum dot thin film surface-treated to have the first charge and the quantum dot thin film surface-treated to have the second charge may be surface-treated with at least one of an inorganic ligand and two bifunctional ligands.
상기 양자점 다층 박막은, 양각 패턴 또는 음각 패턴을 포함할 수 있다.The quantum dot multilayer thin film may include an embossed pattern or an engraved pattern.
상기 양자점 다층 박막의 두께는 2 nm 내지 1000 μm일 수 있다.The thickness of the quantum dot multilayer thin film may be 2 nm to 1000 μm.
본 발명의 실시예에 따르면, 전하를 띄는 양자점을 사용하여 양자점 박막 간의 쿨롱 인력을 제어함으로써, 양자점 다층 박막의 두께를 제어할 수 있는 양자점 다층 박막의 적층 전사 인쇄 방법 및 이를 통해 제조된 양자점 다층 박막을 제공할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, by controlling the coulombic attraction between the quantum dot thin film by using the quantum dots having a charge, the stacked transfer printing method of the quantum dot multilayer thin film capable of controlling the thickness of the quantum dot multilayer thin film, and the quantum dot multilayer thin film manufactured through the same can provide
따라서, 본 발명의 실시예에 따르면, 양자점 다층 박막의 두께를 제어하여 고해상도 패터닝 전사 인쇄가 가능하고, 수백 나노미터 이상의 후막 형성이 가능한 양자점 다층 박막의 적층 전사 인쇄 방법 및 이를 통해 제조된 양자점 다층 박막을 제공할 수 있다.Therefore, according to an embodiment of the present invention, high-resolution patterning transfer printing is possible by controlling the thickness of the quantum dot multilayer thin film, and the stacked transfer printing method of the quantum dot multilayer thin film capable of forming a thick film of hundreds of nanometers or more, and the quantum dot multilayer thin film manufactured through the method can provide
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 양자점 다층 박막의 전사 인쇄 방법을 도시한 흐름도이다.
도 2 내지 도 5는 본 발명의 실시예에 따른 양자점 다층 박막의 전사 인쇄 방법을 도시한 단면도이다.
도 6은 비교예에 따른 양자점 다층 박막의 패턴을 도시한 전자 현미경 이미지이다.
도 7은 본 발명의 실시예에 따른 양자점 다층 박막의 패턴을 도시한 전자 현미경 이미지이다.1 is a flowchart illustrating a transfer printing method of a quantum dot multilayer thin film according to an embodiment of the present invention.
2 to 5 are cross-sectional views illustrating a transfer printing method of a quantum dot multilayer thin film according to an embodiment of the present invention.
6 is an electron microscope image showing a pattern of a quantum dot multilayer thin film according to a comparative example.
7 is an electron microscope image showing a pattern of a quantum dot multilayer thin film according to an embodiment of the present invention.
이하 첨부 도면들 및 첨부 도면들에 기재된 내용들을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세하게 설명하지만, 본 발명이 실시예에 의해 제한되거나 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings and contents described in the accompanying drawings, but the present invention is not limited or limited by the embodiments.
본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 "포함한다(comprises)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급된 구성요소, 단계는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.The terminology used herein is for the purpose of describing the embodiments and is not intended to limit the present invention. In this specification, the singular also includes the plural unless specifically stated otherwise in the phrase. As used herein, "comprises" and/or "comprising" does not exclude the presence or addition of one or more other elements, steps, or elements mentioned.
본 명세서에서 사용되는 "실시예", "예", "측면", "예시" 등은 기술된 임의의 양상(aspect) 또는 설계가 다른 양상 또는 설계들보다 양호하다거나, 이점이 있는 것으로 해석되어야 하는 것은 아니다.As used herein, “embodiment”, “example”, “aspect”, “exemplary”, etc. are to be construed as advantageous in any aspect or design described as being preferred or advantageous over other aspects or designs. is not doing
또한, '또는'이라는 용어는 배타적 논리합 'exclusive or'이기보다는 포함적인 논리합 'inclusive or'를 의미한다. 즉, 달리 언급되지 않는 한 또는 문맥으로부터 명확하지 않는 한, 'x가 a 또는 b를 이용한다'라는 표현은 포함적인 자연 순열들(natural inclusive permutations) 중 어느 하나를 의미한다.Also, the term 'or' means 'inclusive or' rather than 'exclusive or'. That is, unless stated otherwise or clear from context, the expression 'x employs a or b' means any of natural inclusive permutations.
또한, 본 명세서 및 청구항들에서 사용되는 단수 표현("a" 또는 "an")은, 달리 언급하지 않는 한 또는 단수 형태에 관한 것이라고 문맥으로부터 명확하지 않는 한, 일반적으로 "하나 이상"을 의미하는 것으로 해석되어야 한다.Also, as used herein and in the claims, the singular expression "a" or "an" generally means "one or more," unless stated otherwise or clear from the context that it relates to the singular form. should be interpreted as
아래 설명에서 사용되는 용어는, 연관되는 기술 분야에서 일반적이고 보편적인 것으로 선택되었으나, 기술의 발달 및/또는 변화, 관례, 기술자의 선호 등에 따라 다른 용어가 있을 수 있다. 따라서, 아래 설명에서 사용되는 용어는 기술적 사상을 한정하는 것으로 이해되어서는 안 되며, 실시예들을 설명하기 위한 예시적 용어로 이해되어야 한다.The terms used in the description below have been selected as general and universal in the related technical field, but there may be other terms depending on the development and/or change of technology, customs, preferences of technicians, and the like. Therefore, the terms used in the description below should not be construed as limiting the technical idea, but as illustrative terms for describing the embodiments.
또한, 특정한 경우는 출원인이 임의로 선정한 용어도 있으며, 이 경우 해당되는 설명 부분에서 상세한 그 의미를 기재할 것이다. 따라서 아래 설명에서 사용되는 용어는 단순한 용어의 명칭이 아닌 그 용어가 가지는 의미와 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 이해되어야 한다.In addition, in a specific case, there is a term arbitrarily selected by the applicant, and in this case, the meaning will be described in detail in the corresponding description. Therefore, the terms used in the description below should be understood based on the meaning of the term and the content throughout the specification, rather than the simple name of the term.
다른 정의가 없다면, 본 명세서에서 사용되는 모든 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 공통적으로 이해될 수 있는 의미로 사용될 수 있을 것이다. 또 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 용어들은 명백하게 특별히 정의되어 있지 않는 한 이상적으로 또는 과도하게 해석되지 않는다.Unless otherwise defined, all terms (including technical and scientific terms) used herein may be used with the meaning commonly understood by those of ordinary skill in the art to which the present invention belongs. In addition, terms defined in a commonly used dictionary are not to be interpreted ideally or excessively unless clearly defined in particular.
한편, 본 발명의 설명함에 있어서, 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는, 그 상세한 설명을 생략할 것이다. 그리고, 본 명세서에서 사용되는 용어(terminology)들은 본 발명의 실시예를 적절히 표현하기 위해 사용된 용어들로서, 이는 사용자, 운용자의 의도 또는 본 발명이 속하는 분야의 관례 등에 따라 달라질 수 있다. 따라서, 본 용어들에 대한 정의는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 내려져야 할 것이다.Meanwhile, in the description of the present invention, if it is determined that a detailed description of a related known function or configuration may unnecessarily obscure the gist of the present invention, the detailed description thereof will be omitted. In addition, the terms used in this specification are terms used to properly express the embodiment of the present invention, which may vary according to the intention of a user or operator or customs in the field to which the present invention belongs. Accordingly, definitions of these terms should be made based on the content throughout this specification.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 양자점 다층 박막의 전사 인쇄 방법을 도시한 흐름도이다.1 is a flowchart illustrating a transfer printing method of a quantum dot multilayer thin film according to an embodiment of the present invention.
본 발명의 실시예에 따른 양자점 다층 박막의 적층 전사 인쇄 방법은 제1 기판 상에 자가조립 단분자막(self-assembled monolayer; SAM)을 형성하는 단계(S110), 자가조립 단분자막 상에 제1 스탬프를 사용하여 제1 전하를 갖도록 표면처리된 양자점 박막 및 제2 전하를 갖도록 표면처리된 양자점 박막을 적어도 1회 이상 교차 적층 전사하여 양자점 다층 박막을 형성하는 단계(S120, S130) 및 양자점 다층 박막을 제2 스탬프를 사용하여 픽업하여 제2 기판 상에 전사하는 단계(S140)를 포함한다.The stack transfer printing method of a quantum dot multilayer thin film according to an embodiment of the present invention comprises the steps of forming a self-assembled monolayer (SAM) on a first substrate (S110), using a first stamp on the self-assembled monolayer to form a quantum dot multilayer thin film by cross-stacking and transferring the quantum dot thin film surface-treated to have a first charge and a quantum dot thin film surface-treated to have a second charge at least once (S120, S130) and the quantum dot multilayer thin film to a second and a step (S140) of picking it up using a stamp and transferring it onto a second substrate.
먼저, 본 발명의 실시예에 따른 양자점 다층 박막의 적층 전사 인쇄 방법은 제1 기판 상에 자가조립 단분자막(SAM)을 형성하는 단계(S110)를 진행한다.First, the stack transfer printing method of the quantum dot multilayer thin film according to an embodiment of the present invention proceeds with the step (S110) of forming a self-assembled monolayer (SAM) on a first substrate.
제1 기판은 유리, 석영, Al2O3, SiC, 폴리디메틸실록산(Polydimethlysiloxane, PDMS), 에코플렉스 (ecoflex(Polybutylene adipate terephthalate, PBAT)), 폴리우레탄 (polyurethane, PU), 폴리에틸렌테레프탈레이트 (PET), 폴리부틸렌테레프탈레이트 (PBT), 폴리실란 (polysilane), 폴리실록산 (polysiloxane), 폴리실라잔 (polysilazane), 폴리카르보실란 (polycarbosilane), 사이클릭 올레핀 코폴리머 (Cyclic olefin copolymer, COC), 사이클릭 올레핀 폴리머 (Cyclic olefin polymer, COP), 폴리에틸렌 (PE), 폴리프로필렌 (PP), 폴리이미드 (PI), 폴리테트라플루오로에틸렌 (PTFE), 폴리비닐클로라이드 (PVC), 폴리카보네이트 (PC), 폴리비닐리덴플로라이드 (PVDF), 퍼플루오로알킬 고분자 (PFA) 및 스타이렌아크릴나이트릴코폴리머 (SAN) 중 적어도 어느 하나의 재질로 이루어질 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.The first substrate is glass, quartz, Al 2 O 3 , SiC, polydimethlysiloxane (PDMS), ecoflex (Polybutylene adipate terephthalate, PBAT), polyurethane (polyurethane, PU), polyethylene terephthalate (PET) ), polybutylene terephthalate (PBT), polysilane, polysiloxane, polysilazane, polycarbosilane, cyclic olefin copolymer (COC), cyclic Cyclic olefin polymer (COP), polyethylene (PE), polypropylene (PP), polyimide (PI), polytetrafluoroethylene (PTFE), polyvinyl chloride (PVC), polycarbonate (PC), It may be made of at least one of polyvinylidene fluoride (PVDF), perfluoroalkyl polymer (PFA), and styrene-acrylnitrile copolymer (SAN), but is not limited thereto.
본 발명의 실시예에 따른 양자점 다층 박막의 적층 전사 인쇄 방법은 제1 기판 상에 형성된 양자점 다층 박막이 제2 기판으로 전사(Transfer)되기 용이하도록 제1 전하를 갖도록 표면처리된 양자점 박막이 제1 기판 상에 전사되기 전에 제1 기판을 자가조립 단분자막으로 표면처리 할 수 있다.In the stack transfer printing method of the quantum dot multilayer thin film according to an embodiment of the present invention, the quantum dot thin film surface-treated to have a first charge so that the quantum dot multilayer thin film formed on the first substrate is easily transferred to the second substrate is first The first substrate may be surface-treated with a self-assembled monolayer before being transferred onto the substrate.
자가조립 단분자막은 자기조립 물질의 유도체 등을 사용하여 솔루션 딥핑(Solution dipping) 또는 열 처리 방법으로 제1 기판을 표면 처리할 수 있으며, 이러한 표면 처리를 통해 형성된 자가조립 단분자막은 제1 기판의 표면 에너지를 크게 감소시킬 수 있다.The self-assembled monolayer may surface-treat the first substrate by solution dipping or heat treatment using a derivative of a self-assembled material, etc. can be greatly reduced.
자가조립 단분자막에 의해 제1 기판과 제1 전하를 갖도록 표면처리된 양자점 박막 사이의 상호 작용이 약해져 제2 스탬프에 의한 양자점 다층 박막의 픽업(pick-up)이 더욱 효과적으로 이루어질 수 있다.Since the interaction between the first substrate and the quantum dot thin film surface-treated to have a first charge by the self-assembled monolayer is weakened, the pickup of the quantum dot multilayer thin film by the second stamp can be made more effectively.
따라서, 자가조립 단분자막은 제1 기판과 제1 전하를 갖도록 표면처리된 양자점 박막 사이의 쿨롱 인력을 감소시킬 수 있다.Therefore, the self-assembled monolayer can reduce the coulombic attraction between the first substrate and the quantum dot thin film surface-treated to have a first charge.
즉, 자가조립 단분자막은 제1 기판과 공유결합으로 결합되어 있으며 표면 에너지를 극도로 낮추어 주는 역학을 하기 때문에, 제2 스탬프로 양자점 다층 박막을 픽업하면, 자가조립 단분자막과 양자점 다층 박막 사이가 분리되어 양자점 다층 박막만 제2 스탬프에 픽업될 수 있다.That is, since the self-assembled monolayer is covalently bonded to the first substrate and has a mechanism of extremely lowering the surface energy, when the quantum dot multilayer thin film is picked up with the second stamp, the self-assembled monolayer and the quantum dot multilayer thin film are separated. Only the quantum dot multilayer thin film can be picked up on the second stamp.
자가조립 단분자막은 소수성의 성질을 가질 수 있으며, 자가조립 단분자막은 PFS(Perfluorodecyltrichlorosilane), OTS (Trichloro(octyl)silane), ODTS(Octadecyltrichlorosilane), OTMS(Octadecyltrimethoxysilane), HDT(1-Hexadecanethiol), FDTS((Heptadecafluoro-1,1,2,2-tetrahydrodecyl)trichlorosilane), FOTS(1H,1H,2H,2H-perfluorodecyltrichlorosilneperfluorodecyltrichlorosilane), PFBT (Pentafluorobenzenethiol), APTES(3-Aminopropyltriethoxysilane), hydroxy terminated PDMS(polydimethylsiloxane) 및 vinyl terminated PDMS 및 DDMS(Dichlorodimethylsilane) 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.Self-assembled monolayers may have hydrophobic properties, and self-assembled monolayers are PFS(Perfluorodecyltrichlorosilane), OTS(Trichloro(octyl)silane), ODTS(Octadecyltrichlorosilane), OTMS(Octadecyltrimethoxysilane), HDT(1-Hexadecanethiol), FDTS( Heptadecafluoro-1,1,2,2-tetrahydrodecyl)trichlorosilane), FOTS (1H,1H,2H,2H-perfluorodecyltrichlorosilneperfluorodecyltrichlorosilane), PFBT (Pentafluorobenzenethiol), APTES (3-Aminopropyltriethoxysilane), hydroxy terminated polydimethylsiloxane (PDMS) and vinyl terminated PDMS and DDMS (Dichlorodimethylsilane), but is not limited thereto.
바람직하게는, 자가조립 단분자막은 트리클로로실란기(-SiCl3)를 머리기로 가지는 옥타데실트라이클로로실레인(Octadecyltrichlorosilane, ODTS)을 포함할 수 있다.Preferably, the self-assembled monolayer may include octadecyltrichlorosilane (ODTS) having a trichlorosilane group (-SiCl 3 ) as a head group.
이 후, 본 발명의 실시예에 따른 양자점 다층 박막의 적층 전사 인쇄 방법은 자가조립 단분자막 상에 제1 스탬프를 사용하여 제1 전하를 갖도록 표면처리된 양자점 박막 및 제2 전하를 갖도록 표면처리된 양자점 박막을 적어도 1회 이상 교차 적층 전사하여 양자점 다층 박막을 형성하는 단계(S120, S130)를 진행한다.Thereafter, the stack transfer printing method of the quantum dot multilayer thin film according to an embodiment of the present invention is a quantum dot thin film surface-treated to have a first charge and a quantum dot surface-treated to have a second charge using a first stamp on the self-assembled monolayer. The thin film is cross-stacked and transferred at least once to form a quantum dot multilayer thin film (S120, S130).
제1 전하를 갖도록 표면처리된 양자점 박막 및 제2 전하를 갖도록 표면처리된 양자점 박막은 양자점(quantum dot)을 포함하는 콜로이드 나노결정 물질로 형성될 수 있다. The quantum dot thin film surface-treated to have a first charge and the quantum dot thin film surface-treated to have a second charge may be formed of a colloidal nanocrystalline material including quantum dots.
양자점은 Ⅱ-VI족, Ⅲ-V족, I-Ⅲ-VI족, IV-VI족 반도체 화합물 또는 이들의 혼합물일 수 있다. 대표적으로 CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, ZnO, HgS, HgSe, HgTe, CdSeS, CdSeTe, CdSTe, ZnSeS, ZnSeTe, ZnSTe, HgSeS, HgSeTe, HgSTe, CdZnS, CdZnSe, CdZnTe, CdHgS, CdHgSe, CdHgTe, HgZnS, HgZnSe, CdHgZnTe, CdZnSeS, CdZnSeTe, CdZnSTe, CdHgSeS, CdHgSeTe, CdHgSTe, HgZnSeS, HgZnSeTe, HgZnSTe; GaN, GaP, GaAs, GaSb, AlN, AlP, AlAs, AlSb, InN, InP, InAs, InSb, GaNP, GaNAs, GaNSb, GaPAs, GaPSb, AlNP, AlNAs, AlNSb, AlPAs, AlPSb, InNP, InNAs, InNSb, InPAs, InPSb, GaAlNP, GaAlNAs, GaAlNSb, GaAlPAs, GaAlPSb, GaInNP, GaInNAs, GaInNSb, GaInPAs, GaInPSb, InAlNP, InAlNAs, InAlNSb, InAlPAs, InAlPSb; SnS, SnSe, SnTe, PbS, PbSe, PbTe, SnSeS, SnSeTe, SnSTe, PbSeS, PbSeTe, PbSTe, SnPbS, SnPbSe, SnPbTe, SnPbSSe, SnPbSeTe, SnPbSTe; Si, Ge, SiC, SiGe 및 Cu-In-Se 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있고, 바람직하게는 양자점은 CdSe/Zns 양자점, CdSe/CdS/ZnS 양자점, InP/ZnS 양자점, InP/ZnSe 양자점, ZnSeTe 양자점, Cu-In-Se 양자점, 또는 PbS 양자점을 포함할 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.The quantum dot may be a group II-VI, group III-V, group I-III-VI, group IV-VI semiconductor compound, or a mixture thereof. Typical examples are CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, ZnO, HgS, HgSe, HgTe, CdSeS, CdSeTe, CdSTe, ZnSeS, ZnSeTe, ZnSTe, HgSeTe, HgSeTe, HgSTe, CdSe, CdSe, CdHSe, CdZnS, CdZnSe, CdSe, CdHgTe, HgZnS, HgZnSe, CdHgZnTe, CdZnSeS, CdZnSeTe, CdZnSTe, CdHgSeS, CdHgSeTe, CdHgSTe, HgZnSeS, HgZnSeTe, HgZnSTe; GaN, GaP, GaAs, GaSb, AlN, AlP, AlAs, AlSb, InN, InP, InAs, InSb, GaNP, GaNAs, GaNSb, GaPAs, GaPSb, AlNP, AlNAs, AlNSb, AlPAs, AlPSb, InNP, InNAs, InNSb, InPAs, InPSb, GaAlNP, GaAlNAs, GaAlNSb, GaAlPAs, GaAlPSb, GaInNP, GaInNAs, GaInNSb, GaInPAs, GaInPSb, InAlNP, InAlNAs, InAlNSb, InAlPAs, InAlPSb; SnS, SnSe, SnTe, PbS, PbSe, PbTe, SnSeS, SnSeTe, SnSTe, PbSeS, PbSeTe, PbSTe, SnPbS, SnPbSe, SnPbTe, SnPbSSe, SnPbSeTe, SnPbSTe; It may include at least one of Si, Ge, SiC, SiGe, and Cu-In-Se, and preferably, the quantum dots are CdSe/Zns quantum dots, CdSe/CdS/ZnS quantum dots, InP/ZnS quantum dots, InP/ZnSe quantum dots, ZnSeTe quantum dots, Cu-In-Se quantum dots, or PbS quantum dots may be included, but are not limited thereto.
실시예에 따라, 나열한 양자점들 중 2 이상의 혼합물을 사용할 수 있다. 예를 들어, 2 종 이상의 양자점이 단순 혼합상태로 존재하는 양자점 혼합물, 혹은, 코어-쉘(core-shell) 구조를 가진 결정 또는 그래디언트(gradient) 구조를 가진 결정과 같이 동일 결정 내에 2 종 이상의 화합물 결정이 부분적으로 나뉘어져 존재하는 혼합결정, 또는 2 종 이상의 나노결정 화합물을 사용할 수도 있다. 예를 들어, 양자점은 홀이 외부로 잘 빠져나갈 수 있도록 하는 코어 구조를 가지거나, 코어 및 코어를 덮는 쉘을 포함한 코어/쉘 구조를 가질 수 있다.Depending on the embodiment, a mixture of two or more of the listed quantum dots may be used. For example, two or more compounds in the same crystal, such as a quantum dot mixture in which two or more quantum dots exist in a simple mixed state, or a crystal having a core-shell structure or a crystal having a gradient structure. Mixed crystals in which the crystals are partially divided, or two or more kinds of nanocrystal compounds may be used. For example, the quantum dot may have a core structure that allows holes to easily escape to the outside, or may have a core/shell structure including a core and a shell covering the core.
실시예에 따라, 양자점 이 외에 콜로이드 나노결정 물질은 금속, 구형 금속 산화물, 선형 금속 산화물 및 판형 금속 산화물 중 적어도 하나를 포함할 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 예를 들어, 금 나노 입자는 나노와이어를 포함할 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.According to an embodiment, in addition to quantum dots, the colloidal nanocrystalline material may include at least one of a metal, a spherical metal oxide, a linear metal oxide, and a plate-shaped metal oxide, but is not limited thereto. For example, the gold nanoparticles may include, but are not limited to, nanowires.
또한, 콜로이드 나노결정 물질은 구형 산화물, 선형 산화믈, 판상형 산화물 및 다각형 산화물 중 적어도 어느 하나의 나노결정을 포함할 수 있고, 바람직하게는, ITO, ZnO, TiO2, CeOx 및 FeOx 중 적어도 어느 하나의 나노입자를 포함할 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.In addition, the colloidal nanocrystal material may include at least one nanocrystal of a spherical oxide, a linear oxide, a plate-like oxide, and a polygonal oxide, preferably, at least one of ITO, ZnO, TiO 2 , CeOx, and FeOx It may include nanoparticles of, but is not limited thereto.
제1 전하를 갖도록 표면처리된 양자점 박막 및 제2 전하를 갖도록 표면처리된 양자점 박막의 양자점은 서로 같거나 다를 수 있다. 또한, 복수의 제1 전하를 갖도록 표면처리된 양자점 박막들 및 제2 전하를 갖도록 표면처리된 양자점 박막의 양자점 박막들은 서로 같거나 다를 수 있다.The quantum dots of the quantum dot thin film surface-treated to have a first charge and the quantum dot thin film surface-treated to have a second charge may be the same as or different from each other. In addition, the quantum dot thin films of the quantum dot thin film surface-treated to have a plurality of first charges and the quantum dot thin films of the quantum dot thin film surface-treated to have a second charge may be the same as or different from each other.
제1 전하가 양전하인 경우, 제2 전하는 음전하일 수 있고, 제1 전하가 음전하인 경우, 제2 전하는 양전하일 수 있다.When the first charge is a positive charge, the second charge may be a negative charge, and when the first charge is a negative charge, the second charge may be a positive charge.
제1 전하를 갖도록 표면처리된 양자점 박막 및 제2 전하를 갖도록 표면처리된 양자점 박막은 무기 리간드 및 두 자리(bifunctional) 리간드 중 적어도 어느 하나로 표면 처리될 수 있다.The quantum dot thin film surface-treated to have a first charge and the quantum dot thin film surface-treated to have a second charge may be surface-treated with at least one of an inorganic ligand and a bifunctional ligand.
무기 리간드는 금속-칼코게나이드(metal-chalcogenide) 화합물, 금속-할라이드(metal-halide) 화합물, 금속-옥사이드(metal-oxide) 화합물, 칼코게나이드(chalcogenide), 할라이드(halide) 및 슈도할라이드(pseudohalide), 하이드록시 이온 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있고, 슈도 할라이드는 O2-, CN-, N3-, SCN- 및 OCN- 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.Inorganic ligands include metal-chalcogenide compounds, metal-halide compounds, metal-oxide compounds, chalcogenides, halides and pseudohalides ( pseudohalide) and at least one of hydroxy ions, and the pseudohalide may include at least one of O 2 - , C N - , N 3 - , SCN - and OCN - , but is not limited thereto. .
바람직하게는, 무기 리간드는 금속-칼코게나이드 화합물이 사용될 수 있고, 예를 들어, 금속-칼코게나이드 화합물은 AsS4 2-, NH4S2-, MoS4 2-, WS4 2-, Zn2S2, Zn2Se2, Zn2Te2, Cu2S2, Cu2Se2, Cu2Te2, Mn2S2, Mn2Se2, Mn2Te2, Fe2S2, Fe2Se2, Fe2Te2, Co2S2, Co2Se2, Co2Te2, Sn2S6, Sn2Se6, In2Se4, In2Te3, Ga2Se3, CuInSe2, Cu7S4, Hg3Se4, Ge2S, Sb2S3, Sb2Se3, Sb2Te3 및 ZnTe의 하이드라진 수화물 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.Preferably, as the inorganic ligand, a metal-chalcogenide compound may be used, for example, the metal-chalcogenide compound is AsS 4 2- , NH 4 S 2- , MoS 4 2- , WS 4 2- , Zn 2 S 2 , Zn 2 Se 2 , Zn 2 Te 2 , Cu 2 S 2 , Cu 2 Se 2 , Cu 2 Te 2 , Mn 2 S 2 , Mn 2 Se 2 , Mn 2 Te 2 , Fe 2 S 2 , Fe 2 Se 2 , Fe 2 Te 2 , Co 2 S 2 , Co 2 Se 2 , Co 2 Te 2 , Sn 2 S 6 , Sn 2 Se6 , In 2 Se 4 , In 2 Te 3 , Ga 2 Se 3 , CuInSe 2 , Cu 7 S 4 , Hg 3 Se 4 , Ge 2 S, Sb 2 S 3 , Sb 2 Se 3 , Sb 2 Te 3 , and at least one of ZnTe hydrazine hydrate may be included, but is not limited thereto.
두 기능기 리간드는 한 쪽의 작용기는 양자점 표면에 결합될 수 있고, 나머지 작용기는 극성을 띄어 양자점에 양전하 또는 음전하를 부여할 수 있다.In the two functional ligands, one functional group may be bound to the surface of the quantum dot, and the other functional group may have polarity to impart a positive or negative charge to the quantum dot.
두 기능기 리간드는 카르복시기, 아인산기, 하이드록시기, 사이올기, 아민기, 포스핀기 및 산화포스핀기 중 적어도 둘 이상의 작용기가 C1-C24 탄화수소에 결합된 리간드를 포함할 수 있다.The two functional ligand may include a ligand in which at least two functional groups selected from a carboxyl group, a phosphorous acid group, a hydroxyl group, a thiol group, an amine group, a phosphine group and a phosphine oxide group are bonded to a C 1 -C 24 hydrocarbon.
바람직하게는, 두 기능기 리간드는 시스테아민(cysteamine), 아미노-옥탄싸이올(amino-octanethiol), 아미노-도데칸싸이올(amino-dodecanethiol), 머캅토프로피온산(mercaptopropionic acid), 머캅토운데카노산(mercaptoundecanoic acid), 머캅토헥사데칸산(mercaptohexadecanoic acid), 에탄올 아민(ethanol amine), 메탄올 아민(methanol amine), 프로판올 아민(propanol amine), 부탄올 아민(butanol amine), 디아미노옥탄(diaminooctane), 디아미노헥산(diaminohexane), 헥산디오산(hexanedioic acid), 펜탄디오산(pentanedioic acid), 부탄디오산(butanedioic acid) 및 프로판디오산(propanedioic acid) 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.Preferably, the two functional ligands are cysteamine, amino-octanethiol, amino-dodecanethiol, mercaptopropionic acid, mercaptoundeca. Mercaptoundecanoic acid, mercaptohexadecanoic acid, ethanol amine, methanol amine, propanol amine, butanol amine, diaminooctane , diaminohexane, hexanedioic acid, pentanedioic acid, butanedioic acid, and propanedioic acid may include at least one of, but this not limited
제1 전하를 갖도록 표면처리된 양자점 박막 및 제2 전하를 갖도록 표면처리된 양자점 박막의 무기 리간드 또는 두 자리(bifunctional) 리간드는 서로 같거나 다를 수 있다. 또한, 복수의 제1 전하를 갖도록 표면처리된 양자점 박막들 및 제2 전하를 갖도록 표면처리된 양자점 박막의 양자점 박막들은 서로 같거나 다를 수 있다.The inorganic ligand or bifunctional ligand of the quantum dot thin film surface-treated to have a first charge and the quantum dot thin film surface-treated to have a second charge may be the same as or different from each other. In addition, the quantum dot thin films of the quantum dot thin film surface-treated to have a plurality of first charges and the quantum dot thin films of the quantum dot thin film surface-treated to have a second charge may be the same as or different from each other.
제1 스탬프는 실록산(siloxane)계, 아크릴(acryl)계, 에폭시(epoxy)계열의 탄성체 또는 이들의 복합체이거나 다른 강화재료들을 혼합하여 재료의 강도를 조절하여 형성될 수 있다. 예를 들어, 제1 스탬프는 PDMS(polydimethylsiloxane)로 형성될 수 있다.The first stamp may be formed by adjusting the strength of a siloxane-based, acryl-based, epoxy-based elastic body or a composite thereof, or by mixing other reinforcing materials. For example, the first stamp may be formed of polydimethylsiloxane (PDMS).
또한, 제1 스탬프는 표면에 양각 패턴을 포함할 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시예에 따른 양자점 다층 박막의 적층 전사 인쇄 방법은 제2 기판 상에 양자점 다층 박막을 패턴으로 형성할 수 있다.In addition, the first stamp may include an embossed pattern on the surface. Therefore, the stack transfer printing method of the quantum dot multilayer thin film according to an embodiment of the present invention may form a quantum dot multilayer thin film in a pattern on the second substrate.
따라서, 양자점 다층 박막은 양각 패턴 또는 음각 패턴을 포함할 수 있다.Accordingly, the quantum dot multilayer thin film may include an embossed pattern or an engraved pattern.
보다 구체적으로, 양자점 다층 박막을 형성하는 단계(S120, S130)는 자가조립 단분자막 상에 제1 스탬프를 사용하여 제1 전하를 갖도록 표면처리된 양자점 박막을 전사하는 단계(S121), 제1 전하를 갖도록 표면처리된 양자점 박막 상에 제1 스탬프를 사용하여 제2 전하를 갖도록 표면처리된 양자점 박막을 전사하는 단계(S122) 및 양자점 다층 박막이 원하는 두께가 될 때까지 적어도 1회 이상 교차 적층 전사하여 양자점 다층 박막을 형성하는 단계(S130)를 포함할 수 있다.More specifically, the steps of forming the quantum dot multilayer thin film (S120, S130) is a step (S121) of transferring the surface-treated quantum dot thin film to have a first charge on the self-assembled monolayer using a first stamp (S121), the first charge Transferring the surface-treated quantum dot thin film to have a second charge using a first stamp on the surface-treated quantum dot thin film to have (S122) and cross-stack transfer at least once or more until the quantum dot multilayer thin film has a desired thickness It may include forming a quantum dot multilayer thin film (S130).
먼저, 자가조립 단분자막 상에 제1 스탬프를 사용하여 제1 전하를 갖도록 표면처리된 양자점 박막을 전사하는 단계(S121)를 진행할 수 있다.First, a step (S121) of transferring the surface-treated quantum dot thin film to have a first charge using a first stamp on the self-assembled monolayer may be performed.
자가조립 단분자막 상에 제1 스탬프를 사용하여 제1 전하를 갖도록 표면처리된 양자점 박막을 전사하는 단계(S121)를 진행하는 단계는 도 2를 참고하여 설명하기로 한다.The step of transferring the surface-treated quantum dot thin film to have a first charge using a first stamp on the self-assembled monolayer (S121) will be described with reference to FIG. 2 .
도 2는 자가조립 단분자막 상에 제1 스탬프를 사용하여 전사된 제1 전하를 갖도록 표면처리된 양자점 박막을 도시한 단면도이다.2 is a cross-sectional view showing a quantum dot thin film surface-treated to have a first charge transferred using a first stamp on the self-assembled monolayer.
제1 전하를 갖도록 표면처리된 양자점 박막(131)은 양전하를 갖도록 양이온으로 표면처리된 양자점일 수 있고, 양이온으로 표면처리된 양자점은 양자점 표면에 양이온성 무기 리간드 또는 양이온성 두 기능기(bifunctional) 리간드로 표면처리될 수 있다.The quantum dot
양이온성 무기 리간드는 양이온성 금속-칼코게나이드 화합물이 사용될 수 있고, 예를 들어, 양이온성 무기 리간드는 Zn2S2, Zn2Se2, Zn2Te2, Cu2S2, Cu2Se2, Cu2Te2, Mn2S2, Mn2Se2, Mn2Te2, Fe2S2, Fe2Se2, Fe2Te2, Co2S2, Co2Se2, Co2Te2 및 Sn2S6 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.The cationic inorganic ligand may be a cationic metal-chalcogenide compound, for example, the cationic inorganic ligand is Zn 2 S 2 , Zn 2 Se 2 , Zn 2 Te 2 , Cu 2 S 2 , Cu 2 Se 2 , Cu 2 Te 2 , Mn 2 S 2 , Mn 2 Se 2 , Mn 2 Te 2 , Fe 2 S 2 , Fe 2 Se 2 , Fe 2 Te 2 , Co 2 S 2 , Co 2 Se 2 , Co 2 Te 2 and Sn 2 S 6 It may include at least one, but is not limited thereto.
양이온성 금속-칼코게나이드 화합물에 있어서, 금속 원자는 양의 전하를 띠게 된다. 예를 들어, Zn-S-S-Zn의 결합구조를 갖는 Zn2S2의 경우, Zn의 최외곽 전자 중 하나는 S와 공유결합을 이루고 있지만 다른 하나의 전자는 S와 결합을 이루고 있지 않다. Zn은 2족 원소로서 전자를 주기 쉬운 성질을 갖는다. 그에 따라, Zn은 용액 중에서, S와 결합하지 않고 있는 최외곽 전자를 잃게 된다.In cationic metal-chalcogenide compounds, the metal atom is positively charged. For example, in the case of Zn 2 S 2 having a Zn-SS-Zn bonding structure, one of the outermost electrons of Zn forms a covalent bond with S, but the other electron does not form a bond with S. Zn is a Group 2 element and has a property of easily giving electrons. Accordingly, Zn loses an outermost electron that is not bound to S in solution.
그에 따라, Zn-S-S-Zn의 결합구조 중의 Zn은 용액 중에서 양의 전하를 띠게 된다. 이러한 메카니즘에 의하여 또는 이와 유사한 메카니즘에 의하여, 양이온성 금속-칼코게나이드 화합물은 용액 중에서 양이온성을 띠게 된다.Accordingly, Zn in the bonding structure of Zn-S-S-Zn becomes positively charged in solution. By this or a similar mechanism, the cationic metal-chalcogenide compound becomes cationic in solution.
Zn2Se2의 Zn 원자가 양이온의 형태로 양자점의 표면에 결합되어 Zn 원자가 양의 전하를 띠고 있기 때문에, 양자점의 음이온 성분(예를 들어, CdSe 양자점의 Se 원자)과 결합되거나 오비탈의 형태로 결합될 수 있다.Since the Zn atoms of Zn 2 Se 2 are bound to the surface of the quantum dots in the form of cations and the Zn atoms are positively charged, they are bound to the anion component of the quantum dots (for example, Se atoms of CdSe quantum dots) or in the form of orbitals. can be
양이온성 두 기능기(bifunctional) 리간드는 -아미노기 또는 -하이드록시기 등의 양전하를 띠는 작용기가 C1-C24 탄화수소에 결합된 리간드를 포함할 수 있고, -아미노기 또는 -하이드록시기 등의 양전하를 띠는 작용기는 양자점에 결합되지 않는다.The cationic bifunctional ligand may include a ligand in which a functional group having a positive charge, such as an -amino group or a -hydroxy group, is bound to a C 1 -C 24 hydrocarbon, such as a -amino group or a -hydroxy group The positively charged functional group is not bound to the quantum dot.
바람직하게는, 양이온성 두 기능기(bifunctional) 리간드는 시스테아민(cysteamine), 아미노-옥탄싸이올(amino-octanethiol), 아미노-도데칸싸이올(amino-dodecanethiol), 에탄올 아민(ethanol amine), 메탄올 아민(methanol amine), 프로판올 아민(propanol amine), 부탄올 아민(butanol amine), 디아미노옥탄(diaminooctane) 및 디아미노헥산(diaminohexane) 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.Preferably, the cationic bifunctional ligand is cysteamine, amino-octanethiol, amino-dodecanethiol, ethanol amine. , methanol amine (methanol amine), propanol amine (propanol amine), butanol amine (butanol amine), diaminooctane (diaminooctane) and diaminohexane (diaminohexane) may include at least one of, but is not limited thereto.
제1 전하를 갖도록 표면처리된 양자점 박막(131)은 제1 스탬프에 의해 도너 기판(donor substrate)으로부터 분리되어 픽업될 수 있고, 제1 스탬프를 제1 전하를 갖도록 표면처리된 양자점 박막(131)에 접촉시킨 후 약 10cm/s의 속도로 분리시키면 제1 스탬프의 하부면과 접촉한 제1 전하를 갖도록 표면처리된 양자점 박막(131)이 도너 기판으로부터 분리되어 픽업될 수 있다.The quantum dot
제1 스탬프는 예를 들어 PDMS(polydimethylsiloxane)로 형성될 수 있다. 도너 기판위에 잔존하는 물질은 피라나 용액(piranha solution) 등으로 제거될 수 있다.The first stamp may be formed of, for example, polydimethylsiloxane (PDMS). The material remaining on the donor substrate may be removed with a piranha solution or the like.
이 후, 제1 전하를 갖도록 표면처리된 양자점 박막 상에 제1 스탬프를 사용하여 제2 전하를 갖도록 표면처리된 양자점 박막을 전사하는 단계(S122)를 진행할 수 있다.After that, a step (S122) of transferring the surface-treated quantum dot thin film to have a second charge using a first stamp on the surface-treated quantum dot thin film to have a first charge may be performed.
제1 전하를 갖도록 표면처리된 양자점 박막 상에 제1 스탬프를 사용하여 제2 전하를 갖도록 표면처리된 양자점 박막을 전사하는 단계(S122)는 도 3을 참고하여 설명하기로 한다.The step of transferring the surface-treated quantum dot thin film to have a second charge using a first stamp on the surface-treated quantum dot thin film to have a first charge (S122) will be described with reference to FIG. 3 .
도 3은 제1 전하를 갖도록 표면처리된 양자점 박막 상에 제1 스탬프를 사용하여 전사된 제2 전하를 갖도록 표면처리된 양자점 박막을 도시한 단면도이다.3 is a cross-sectional view illustrating a quantum dot thin film surface-treated to have a second charge transferred using a first stamp on the quantum dot thin film surface-treated to have a first charge.
제2 전하를 갖도록 표면처리된 양자점 박막(132)은 음전하를 갖도록 음이온으로 표면처리된 양자점일 수 있고, 음이온으로 표면처리된 양자점은 양자점 표면에 음이온성 무기 리간드 또는 음이온성 두 기능기(bifunctional) 리간드로 표면처리될 수 있다.The quantum dot
음이온성 무기 리간드는 음이온성 금속-칼코게나이드 화합물이 사용될 수 있고, 예를 들어, 음이온성 무기 리간드는 AsS4 2-, NH4S2-, MoS4 2-, WS4 2-, Sn2S6, Sn2Se6, In2Se4, In2Te3, Ga2Se3, CuInSe2, Cu7S4, Hg3Se4, Ge2S, Sb2S3, Sb2Se3, Sb2Te3 및 ZnTe의 하이드라진 수화물, 하이드록시 이온 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.As the anionic inorganic ligand, an anionic metal-chalcogenide compound may be used, for example, the anionic inorganic ligand is AsS 4 2- , NH 4 S 2- , MoS 4 2- , WS 4 2- , Sn 2 S 6 , Sn 2 Se6 , In 2 Se 4 , In 2 Te 3 , Ga 2 Se 3 , CuInSe 2 , Cu 7 S 4 , Hg 3 Se 4 , Ge 2 S, Sb 2 S 3 , Sb 2 Se 3 , Sb 2 Te 3 and hydrazine hydrate of ZnTe, and may include at least one of hydroxy ions, but is not limited thereto.
음이온성 두 기능기(bifunctional) 리간드는 카르복시기 또는 아인산기 등의 음전하를 띠는 작용기를 포함할 수 있고, 바람직하게는, 음이온성 두 기능기(bifunctional) 리간드는 머캅토프로피온산(mercaptopropionic acid), 머캅토운데카노산(mercaptoundecanoic acid), 머캅토헥사데칸산(mercaptohexadecanoic acid), 에탄올 아민(ethanol amine), 메탄올 아민(methanol amine), 프로판올 아민(propanol amine), 부탄올 아민(butanol amine), 헥산디오산(hexanedioic acid), 펜탄디오산(pentanedioic acid), 부탄디오산(butanedioic acid) 및 프로판디오산(propanedioic acid) 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.The anionic bifunctional ligand may include a functional group having a negative charge such as a carboxyl group or a phosphorous acid group, and preferably, the anionic bifunctional ligand is mercaptopropionic acid, mercap Toundecanoic acid, mercaptohexadecanoic acid, ethanol amine, methanol amine, propanol amine, butanol amine, hexanedioic acid ( It may include at least one of hexanedioic acid, pentanedioic acid, butanedioic acid, and propanedioic acid, but is not limited thereto.
제2 전하를 갖도록 표면처리된 양자점 박막(132)은 제1 스탬프에 의해 도너 기판(donor substrate)으로부터 분리되어 픽업될 수 있고, 제1 스탬프를 제2 전하를 갖도록 표면처리된 양자점 박막(132)에 접촉시킨 후 약 10cm/s의 속도로 분리시키면 제1 스탬프의 하부면과 접촉한 제2 전하를 갖도록 표면처리된 양자점 박막(132)이 도너 기판으로부터 분리되어 픽업될 수 있다.The quantum dot
따라서, 제1 전하를 갖도록 표면처리된 양자점 박막(131) 및 제2 전하를 갖도록 표면처리된 양자점 박막(132)은 쿨롱 인력(C)에 의해 적층될 수 있다.Accordingly, the quantum dot
보다 구체적으로, 제1 전하를 갖도록 표면처리된 양자점 박막(131) 및 제2 전하를 갖도록 표면처리된 양자점 박막(132)은 정전기적 인력, 이온 결합, 또는 반데르발스 힘에 의하여 결합될 수 있다. 따라서, 제1 전하를 갖도록 표면처리된 양자점 박막(131) 및 제2 전하를 갖도록 표면처리된 양자점 박막(132)의 계면에 강한 접착력이 생성되어 손쉽게 적층되는 동시에 매우 우수한 기계적 강도를 가질 수 있다.More specifically, the quantum dot
종래의 양자점 박막 형성 방법인 스프레이 코팅, 스핀코팅, 드롭코팅 또는 잉크젯 코팅 방식으로 구현되는 양자점 박막의 두께는 수 나노미터 내지 수십 나노미터 미만으로 양자점 박막을 적층할 경우, 기존 형성된 양자점 박막이 용매에 의해 녹아 마이크로 미터 수준의 두꺼운 박막을 균일하게 형성하는 것이 제한적이다.The thickness of the quantum dot thin film implemented by spray coating, spin coating, drop coating or inkjet coating method, which is a conventional method of forming a quantum dot thin film, is a few nanometers to less than several tens of nanometers. It is limited to uniformly form a micrometer-level thick thin film by melting.
그러나, 본 발명의 실시예에 따른 양자점 다층 박막의 적층 전사 인쇄 방법은 양자점 다층 박막(131, 132)의 두께가 컬러필터 형성 시 요구되는 조건인 10 마이크로미터 이상으로 두껍게 형성하여도 양자점 박막이 쿨롱인력에 의해 강하게 결합되어 있기 때문에 양자점 다층 박막이 무너지지 않으며, 추후 패터닝 과정에서도 높은 종횡비의 패턴을 안정적으로 유지할 수 있다.However, in the stack transfer printing method of the quantum dot multilayer thin film according to an embodiment of the present invention, the quantum dot thin film is Coulombic even when the quantum dot multilayer
이 후, 양자점 다층 박막이 원하는 두께가 될 때까지 적어도 1회 이상 교차 적층 전사하여 양자점 다층 박막을 형성하는 단계(S130)를 포함할 수 있다.Thereafter, it may include a step (S130) of forming a multilayer quantum dot thin film by performing cross-stacking transfer at least once or more until the quantum dot multilayer thin film has a desired thickness.
양자점 다층 박막이 원하는 두께가 될 때까지 적어도 1회 이상 교차 적층 전사하여 양자점 다층 박막을 형성하는 단계(S130)는 도 4를 참고하여 설명하기로 한다.The step of forming a quantum dot multilayer thin film by cross-stacking and transferring at least one or more times until the quantum dot multilayer thin film has a desired thickness (S130) will be described with reference to FIG. 4 .
도 4는 제1 기판 상에 형성된 양자점 다층 박막을 도시한 단면도이다.4 is a cross-sectional view illustrating a quantum dot multilayer thin film formed on a first substrate.
양자점 다층 박막(131, 132)의 두께는 2 nm 내지 1000 μm 일 수 있고, 양자점 다층 박막(131, 132)의 두께는 양자점의 크기에 따라 조절될 수 있고, 양자점의 두께는 2 nm 내지 20 nm이므로, 양자점 다층 박막(131, 132)의 두께는 2nm 미만일 수 없다.The thickness of the quantum dot multilayer
본 발명의 실시예에 따른 양자점 다층 박막의 적층 전사 인쇄 방법은 전하를 띄는 양자점을 사용하여 양자점 박막 간의 쿨롱 인력을 제어함으로써, 양자점 다층 박막의 두께를 제어할 수 있다.The stacked transfer printing method of the quantum dot multilayer thin film according to an embodiment of the present invention can control the thickness of the quantum dot multilayer thin film by controlling the Coulombic attraction between the quantum dot thin films using charged quantum dots.
따라서, 본 발명의 실시예에 따른 양자점 다층 박막의 적층 전사 인쇄 방법은 양자점 다층 박막의 두께를 제어하여 고해상도 패터닝 전사 인쇄가 가능하고, 기존에 얻을 수 없었던 수백 나노미터 이상의 후막 형성이 가능하다.Therefore, the stack transfer printing method of the quantum dot multilayer thin film according to an embodiment of the present invention enables high-resolution patterning transfer printing by controlling the thickness of the quantum dot multilayer thin film, and it is possible to form a thick film of several hundred nanometers or more that was not previously obtained.
마지막으로, 본 발명의 실시예에 따른 양자점 다층 박막의 적층 전사 인쇄 방법은 양자점 다층 박막을 제2 스탬프를 사용하여 픽업하여 제2 기판 상에 전사하는 단계(S140)를 진행한다.Finally, the stack transfer printing method of the quantum dot multilayer thin film according to an embodiment of the present invention proceeds with the step (S140) of picking up the quantum dot multilayer thin film using a second stamp and transferring it on a second substrate.
양자점 다층 박막을 제2 스탬프를 사용하여 픽업하여 제2 기판 상에 전사하는 단계(S140)는 도 5를 참고하여 설명하기로 한다.The step (S140) of picking up the quantum dot multilayer thin film using a second stamp and transferring it onto the second substrate will be described with reference to FIG. 5 .
도 5는 제2 스탬프를 사용하여 제2 기판 상에 전사된 양자점 다층 박막을 도시한 단면도이다.5 is a cross-sectional view illustrating a quantum dot multilayer thin film transferred onto a second substrate using a second stamp.
제2 스탬프를 양자점 다층 박막(130)에 접촉시킨 후 약 10cm/s의 속도로 분리시키면 제2 스탬프의 하부면과 접촉한 양자점 다층 박막(130)이 제1 기판으로부터 분리되어 픽업될 수 있다.When the second stamp is brought into contact with the quantum dot multilayer
제2 스탬프는 실록산(siloxane)계, 아크릴(acryl)계, 에폭시(epoxy)계열의 탄성체 또는 이들의 복합체이거나 다른 강화재료들을 혼합하여 재료의 강도를 조절하여 형성될 수 있다. 예를 들어, 제2 스탬프는 PDMS(polydimethylsiloxane)로 형성될 수 있다. 제1 기판 위에 잔존하는 물질은 피라나 용액(piranha solution) 등으로 제거될 수 있다.The second stamp may be formed by adjusting the strength of a siloxane-based, acryl-based, or epoxy-based elastic body or a composite thereof, or by mixing other reinforcing materials. For example, the second stamp may be formed of polydimethylsiloxane (PDMS). The material remaining on the first substrate may be removed with a piranha solution or the like.
제2 기판(140)은 금속, 금속 산화물, 반도체 및 절연체 중 적어도 어느 하나의 재질로 이루어질 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 구체적으로 용도에 따라 금, 팔라듐, 백금, 유리, 세라믹, 게르마늄, 실리콘, 플라스틱 등으로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 양자점 다층 박막(130)이 전기 발광 소자에 사용될 경우 제2 기판은 투명하고 표면이 편평한 유리 기판 또는 투명 플라스틱 기판일 수 있다.The
제2 기판(140)은 오염 물질의 제거를 위해 이소프로필알코올, 아세톤, 메탄올 등의 용매로 초음파 세척하고 UV-오존 처리를 한 후 사용할 수 있다.The
본 발명의 실시예에 따른 양자점 다층 박막(130)의 적층 전사 인쇄 방법은 양각 패턴을 포함하는 제1 스탬프를 사용하는 경우, 제2 기판(140) 상에 패턴화된 양자점 다층 박막(130)을 형성할 수 있고, 패턴을 형성하지 않은 평면 형태의 제1 스탬프를 사용하는 경우, 제2 기판(140) 상에 컨포멀(conformal)한 전면 양자점 다층 박막(130)을 형성할 수 있다.In the stack transfer printing method of the quantum dot multilayer
실시예에 따라, 본 발명의 실시예에 따른 양자점 다층 박막(130)의 적층 전사 인쇄 방법은 양자점 다층 박막(130)을 제2 스탬프를 사용하여 픽업하여 제2 기판(140) 상에 전사하는 단계(S140)를 진행한 다음, 제2 스탬프를 제2 기판(140)으로부터 분리하여 양자점 다층 패턴을 픽업하는 단계(S150) 및 제2 스탬프를 이용하여 양자점 다층 패턴을 제3 기판에 전사하는 단계(S160)를 포함할 수 있다.According to an embodiment, the stack transfer printing method of the quantum dot multilayer
제2 기판(140)은 음각 트랜치를 포함할 수 있고, 예를 들어, 제2 기판(140)은 표면에서 내부로 들어간 리세스 영역을 가질 수 있다.The
보다 구체적으로, 양자점 다층 박막(130)이 형성된 제2 스탬프가 음각 트랜치를 포함하는 제2 기판(140) 위에 정렬되도록 배치될 수 있고, 제2 기판(140)은 제2 스탬프의 표면 에너지(PDMS 스탬프의 표면 에너지는 19.8mJ/㎡)보다 큰 표면 에너지를 갖는 물질, 예를 들어 실리콘, 고분자, 유리, 유기물, 산화물 등으로 형성될 수 있다. More specifically, the second stamp on which the quantum dot multilayer
양자점 다층 박막(130)이 제2 기판과 균일하게 접촉되도록 제2 스탬프에 전체적으로 약간의 압력이 가해질 수 있고, 이때, 양자점 다층 박막(130)은 제2 기판(140)의 리세스 영역 이외의 부분에서 제2 기판과 접촉하고, 리세스 영역에 대응하는 부분은 제2 기판(140)과 접촉하지 않는다.A slight pressure may be applied to the entire second stamp so that the quantum dot multilayer
제2 기판(140)의 표면 에너지가 제2 스탬프의 표면 에너지보다 크기 때문에 제2 기판(140)과 접촉된 양자점 다층 박막(130)의 부분은 제2 스탬프로부터 분리되어 제2 기판(140)의 표면 위에 잔존하게 되고, 리세스 영역에 대응하는 부분은 제2 스탬프에 그대로 접착된 채로 픽업되어 양자점 다층 패턴을 형성할 수 있다. 제2 기판(140) 위에 잔존하는 물질은 피라나 용액 등으로 제거될 수 있다.Since the surface energy of the
따라서, 제2 스탬프가 제2 기판(140)으로부터 분리될 때 양자점 다층 박막(130) 중에서 제2 기판(140)과 접촉하는 부분은 제2 기판(140)에 남고, 리세스 영역에 대응하는 부분은 제2 스탬프에 의해 픽업될 수 있다. Accordingly, when the second stamp is separated from the
제3 기판에 제2 스탬프가 얼라인되고, 양자점 다층 패턴이 제3 기판으로 전사될 수 있다. 양자점 다층 패턴이 형성된 제2 스탬프를 제3 기판에 접촉시킨 후 분리시킴으로써 양자점 다층 패턴이 제2 스탬프로부터 제3 기판으로 전사될 수 있다.The second stamp may be aligned on the third substrate, and the quantum dot multilayer pattern may be transferred to the third substrate. The quantum dot multilayer pattern may be transferred from the second stamp to the third substrate by separating the second stamp on which the quantum dot multilayer pattern is formed after contacting it with the third substrate.
제3 기판은 웨어러블 기판, 플렉시블 기판, 또는 플라스틱 기판일 수 있으며, 제3 기판에서 양자점 다층 패턴과 접촉하는 부분은 제2 스탬프의 표면 에너지보다 큰 표면 에너지를 갖는 물질로 형성되는 것이 바람직하다.The third substrate may be a wearable substrate, a flexible substrate, or a plastic substrate, and the portion in contact with the quantum dot multilayer pattern in the third substrate is preferably formed of a material having a surface energy greater than that of the second stamp.
따라서, 본 발명의 실시예에 따른 양자점 다층 박막(130)의 전사 인쇄 방법은 다양한 밀도와 해상도를 갖는 양자점 다층 패턴 형상으로 전사하여, 두께가 제어된 초고해상도 양자점 다층 패턴을 형성할 수 있다Therefore, the transfer printing method of the quantum dot multilayer
앞서 전술한 본 발명의 실시예에 따른 양자점 다층 박막(130)의 전사 인쇄 방법에 의해 제조된 본 발명의 실시예에 따른 양자점 다층 박막(130)은 제1 전하를 갖도록 표면처리된 양자점 박막(131) 및 제2 전하를 갖도록 표면처리된 양자점 박막(132)이 적어도 1회 이상 교차하여 적층된다.The quantum dot multilayer
본 발명의 실시예에 따른 양자점 다층 박막(130)은 본 발명의 실시예에 따른 양자점 다층 박막(130)의 전사 인쇄 방법과 동일한 구성요소를 포함하고 있으므로, 동일한 구성 요소에 대해서는 설명을 생략하기로 한다,Since the quantum dot multilayer
제1 전하를 갖도록 표면처리된 양자점 박막(131) 및 제2 전하를 갖도록 표면처리된 양자점 박막(132)은 쿨롱 인력에 의해 적층될 수 있다.The quantum dot
제1 전하를 갖도록 표면처리된 양자점 박막(131) 및 제2 전하를 갖도록 표면처리된 양자점 박막(132)은 무기 리간드 및 두 기능기(bifunctional) 리간드 중 적어도 어느 하나로 표면 처리될 수 있다.The quantum dot
본 발명의 실시예에 따른 양자점 다층 박막(130)은 양각 패턴 또는 음각 패턴을 포함할 수 있다.The quantum dot multilayer
따라서, 본 발명의 실시예에 따른 양자점 다층 박막(131, 132)의 두께는 양자점 1 단층(monolayer) 이상의 두께를 가질 수 있고, 양자점 다층 박막(131, 132)의 두께는 양자점 크기에 비례할 수 있다.Therefore, the thickness of the quantum dot multilayer thin film (131, 132) according to the embodiment of the present invention may have a thickness of more than one quantum dot monolayer (monolayer), and the thickness of the quantum dot multilayer thin film (131, 132) can be proportional to the quantum dot size. have.
양자점 크기는 2 nm 내지 20 nm)일 수 있다.The quantum dot size may be 2 nm to 20 nm).
[비교예][Comparative example]
먼저, 실리콘 기판 표면을 octadecyltrichlorosilane으로 자가조립 박막을 전처리하였다. 전처리 과정은 다음과 같았다. 실리콘 기판을 자외선-오존으로 20 분 동안 처리하였다. 그 다음, 에탄올 40 ml와 APTES(3-aminopropyl triethoxysilane) 0.5 ml의 혼합용액에, 실리콘 기판을 1 시간 동안 담그었다. 그 다음, 실리콘 기판을 에탄올로 세척하고 건조하였다. 그 다음, 실리콘 기판을 120 ℃에서 30 분 동안 가열하여, 잔류 용매를 제거하였다. 그 결과, 양전하를 띠도록 전처리된 실리콘 기판을 얻었다.First, the self-assembled thin film was pretreated with octadecyltrichlorosilane on the surface of the silicon substrate. The pretreatment process was as follows. The silicon substrate was treated with UV-ozone for 20 minutes. Then, the silicon substrate was immersed in a mixed solution of 40 ml of ethanol and 0.5 ml of 3-aminopropyl triethoxysilane (APTES) for 1 hour. Then, the silicon substrate was washed with ethanol and dried. Then, the silicon substrate was heated at 120 DEG C for 30 minutes to remove residual solvent. As a result, a silicon substrate pretreated to have a positive charge was obtained.
그 다음, 실리콘 기판위에 음이온성 리간드로 치환된 고농축 양자점 콜로이드를 스핀 코팅하고, 이를 스탬프를 이용하여 픽업하여 음각 패턴된 트랜치에 접촉시키고 남은 부분을 타겟 기판에 전사하였다.Then, a high-concentration quantum dot colloid substituted with an anionic ligand was spin-coated on a silicon substrate, picked up using a stamp, brought into contact with the engraved patterned trench, and the remaining portion was transferred to the target substrate.
[실시예][Example]
먼저, 실리콘 기판 표면을 octadecyltrichlorosilane으로 자가조립 박막을 전처리하였다. 전처리 과정은 다음과 같았다. 실리콘 기판을 자외선-오존으로 20 분 동안 처리하였다. 그 다음, 에탄올 40 ml와 APTES(3-aminopropyl triethoxysilane) 0.5 ml의 혼합용액에, 실리콘 기판을 1 시간 동안 담그었다. 그 다음, 실리콘 기판을 에탄올로 세척하고 건조하였다. 그 다음, 실리콘 기판을 120 ℃에서 30 분 동안 가열하여, 잔류 용매를 제거하였다. 그 결과, 양전하를 띠도록 전처리된 실리콘 기판을 얻었다.First, the self-assembled thin film was pretreated with octadecyltrichlorosilane on the surface of the silicon substrate. The pretreatment process was as follows. The silicon substrate was treated with UV-ozone for 20 minutes. Then, the silicon substrate was immersed in a mixed solution of 40 ml of ethanol and 0.5 ml of 3-aminopropyl triethoxysilane (APTES) for 1 hour. Then, the silicon substrate was washed with ethanol and dried. Then, the silicon substrate was heated at 120 DEG C for 30 minutes to remove residual solvent. As a result, a silicon substrate pretreated to have a positive charge was obtained.
그 다음, 실리콘 기판위에 음이온성 리간드로 치환된 양자점 콜로이드를 전사 인쇄하였다. 이후 음이온성 리간드로 치환된 양자점 콜로이드를 전사 인쇄하였다. 이렇게 음전하/양전하를 띈 양자점 콜로이드 용액을 번갈아 전사 인쇄하여 원하는 두께의 양자점 다층박막을 형성하고, 이를 스탬프를 이용하여 픽업하여 음각 패턴된 트랜치에 접촉시키고 남은 부분을 타겟 기판에 전사하였다.Then, a quantum dot colloid substituted with an anionic ligand was transferred and printed on a silicon substrate. Thereafter, quantum dot colloids substituted with anionic ligands were transferred and printed. In this way, the quantum dot colloidal solution having negative/positive charges was alternately transferred and printed to form a quantum dot multilayer thin film of the desired thickness, picked up using a stamp, contacted with the engraved patterned trench, and the remaining portion was transferred to the target substrate.
도 6은 비교예에 따른 전하를 띄는 양자점 박막의 패턴을 도시한 전자 현미경 이미지이다.6 is an electron microscope image showing a pattern of a quantum dot thin film having an electric charge according to a comparative example.
도 6에서 양자점 다층 박막의 패턴의 크기는 3㎛이다.The size of the pattern of the quantum dot multilayer thin film in FIG. 6 is 3 μm.
도 6을 참조하면, 비교예에 따른 양자점 다층 박막의 패턴은 부분적으로 전사 인쇄가 되지 않은 영역이 존재하거나, 패턴이 무너진 영역이 존재하여 양자점 패턴이 고르게 형성되지 않은 것을 알 수 있다.Referring to FIG. 6 , in the pattern of the quantum dot multilayer thin film according to the comparative example, it can be seen that the quantum dot pattern is not formed evenly because there is a region where the transfer printing is not partially performed or there is a region where the pattern is collapsed.
도 7은 본 발명의 실시예에 따른 양자점 다층 박막의 패턴을 도시한 전자 현미경 이미지이다.7 is an electron microscope image showing a pattern of a quantum dot multilayer thin film according to an embodiment of the present invention.
도 7에서 양자점 다층 박막의 패턴의 크기는 3㎛이다.The size of the pattern of the quantum dot multilayer thin film in FIG. 7 is 3 μm.
도 7을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 양자점 다층 박막의 패턴은 제1 전하를 갖도록 표면처리된 양자점 박막 및 제2 전하를 갖도록 표면처리된 양자점 박막이 쿨롱 인력에 의해 적층되어 양자점 다층 패턴이 무너지지 않고, 잘 형성되는 것을 알 수 있다.Referring to FIG. 7 , in the pattern of the quantum dot multilayer thin film according to an embodiment of the present invention, a quantum dot thin film surface-treated to have a first charge and a quantum dot thin film surface-treated to have a second charge are stacked by Coulomb attraction to form a quantum dot multilayer pattern It can be seen that this does not collapse and forms well.
이상과 같이 본 발명은 비록 한정된 실시예와 도면에 의해 설명되었으나, 본 발명은 상기의 실시예에 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이러한 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다. 그러므로, 본 발명의 범위는 설명된 실시예에 국한되어 정해져서는 아니 되며, 후술하는 특허청구범위뿐 아니라 이 특허청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.As described above, although the present invention has been described with reference to limited embodiments and drawings, the present invention is not limited to the above embodiments, and various modifications and variations from these descriptions are provided by those skilled in the art to which the present invention pertains. This is possible. Therefore, the scope of the present invention should not be limited to the described embodiments, but should be defined by the following claims as well as the claims and equivalents.
110: 제1 기판 120: 자가조립 단분자먹
131: 제1 전하를 갖도록 표면처리된 양자점 박막
132: 제2 전하를 갖도록 표면처리된 양자점 박막
130: 양자점 다층 박막 140: 제2 기판110: first substrate 120: self-assembled monomolecular ink
131: quantum dot thin film surface-treated to have a first charge
132: quantum dot thin film surface-treated to have a second charge
130: quantum dot multilayer thin film 140: second substrate
Claims (18)
상기 자가조립 단분자막 상에 제1 스탬프를 사용하여 제1 전하를 갖도록 표면처리된 양자점 박막 및 제2 전하를 갖도록 표면처리된 양자점 박막을 적어도 1회 이상 교차 적층 전사하여 양자점 다층 박막을 형성하는 단계; 및
상기 양자점 다층 박막을 제2 스탬프를 사용하여 픽업하여 제2 기판 상에 전사하는 단계;
를 포함하는 것을 특징으로 하는 양자점 다층 박막의 적층 전사 인쇄 방법.
forming a self-assembled monolayer (SAM) on a first substrate;
forming a quantum dot multilayer thin film by cross-stacking and transferring the quantum dot thin film surface-treated to have a first charge and a quantum dot thin film surface-treated to have a second charge on the self-assembled monolayer by using a first stamp at least once or more; and
Picking up the quantum dot multilayer thin film using a second stamp and transferring it on a second substrate;
Lamination transfer printing method of a quantum dot multi-layer thin film comprising a.
상기 제1 전하를 갖도록 표면처리된 양자점 박막 및 제2 전하를 갖도록 표면처리된 양자점 박막은 쿨롱 인력에 의해 적층되는 것을 특징으로 하는 양자점 다층 박막의 적층 전사 인쇄 방법.
According to claim 1,
The quantum dot thin film surface-treated to have the first charge and the quantum dot thin film surface-treated to have a second charge are stacked by Coulomb attraction.
상기 제1 전하를 갖도록 표면처리된 양자점 박막 및 상기 제2 전하를 갖도록 표면처리된 양자점 박막은 무기 리간드 및 두 기능기(bifunctional) 리간드 중 적어도 어느 하나로 표면 처리된 것을 특징으로 하는 양자점 다층 박막의 적층 전사 인쇄 방법.
According to claim 1,
The quantum dot thin film surface-treated to have the first charge and the quantum dot thin film surface-treated to have the second charge are stacked with a quantum dot multilayer thin film, characterized in that the surface is treated with at least one of an inorganic ligand and two bifunctional ligands transfer printing method.
상기 무기 리간드는 금속-칼코게나이드(metal-chalcogenide) 화합물, 금속-할라이드(metal-halide) 화합물, 금속-옥사이드(metal-oxide) 화합물, 칼코게나이드(chalcogenide), 할라이드(halide) 및 슈도할라이드(pseudohalide), 하이드록시 이온 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 양자점 다층 박막의 적층 전사 인쇄 방법.
4. The method of claim 3,
The inorganic ligand is a metal-chalcogenide compound, a metal-halide compound, a metal-oxide compound, a chalcogenide, a halide and a pseudohalide. (pseudohalide), a multilayer quantum dot multilayer thin film laminate transfer printing method comprising at least one of hydroxy ions.
상기 두 기능기 리간드는 카르복시기, 아인산기, 하이드록시기, 사이올기, 아민기, 포스핀기 및 산화포스핀기 중 적어도 둘 이상의 작용기가 C1-C24 탄화수소에 결합된 리간드를 포함하는 것을 특징으로 하는 양자점 다층 박막의 적층 전사 인쇄 방법.
4. The method of claim 3,
The two functional ligands include a ligand in which at least two functional groups of a carboxyl group, a phosphorous acid group, a hydroxyl group, a thiol group, an amine group, a phosphine group, and a phosphine oxide group are bonded to a C 1 -C 24 hydrocarbon. A method for lamination transfer printing of a quantum dot multilayer thin film.
상기 자가조립 단분자막은 상기 제1 기판과 상기 제1 전하를 갖도록 표면처리된 양자점 박막 사이의 쿨롱 인력을 감소시키는 것을 특징으로 하는 양자점 다층 박막의 적층 전사 인쇄 방법.
According to claim 1,
The self-assembled monolayer is a multilayer quantum dot thin film stack transfer printing method, characterized in that it reduces the Coulomb attraction between the first substrate and the quantum dot thin film surface-treated to have the first charge.
상기 자가조립 단분자막은 PFS(Perfluorodecyltrichlorosilane), OTS (Trichloro(octyl)silane), ODTS(Octadecyltrichlorosilane), OTMS(Octadecyltrimethoxysilane), HDT(1-Hexadecanethiol), FDTS((Heptadecafluoro-1,1,2,2-tetrahydrodecyl)trichlorosilane), FOTS(1H,1H,2H,2H-perfluorodecyltrichlorosilneperfluorodecyltrichlorosilane), PFBT (Pentafluorobenzenethiol), APTES(3-Aminopropyltriethoxysilane), hydroxy terminated PDMS(polydimethylsiloxane) 및 vinyl terminated PDMS 및 DDMS(Dichlorodimethylsilane) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 양자점 다층 박막의 적층 전사 인쇄 방법.
The method of claim 1,
The self-assembled monolayer is PFS (Perfluorodecyltrichlorosilane), OTS (Trichloro(octyl)silane), ODTS (Octadecyltrichlorosilane), OTMS (Octadecyltrimethoxysilane), HDT (1-Hexadecanethiol), FDTS (Heptadecafluoro-1,1,2,2-tetrahydrodecyl) ) trichlorosilane), FOTS (1H,1H,2H,2H-perfluorodecyltrichlorosilneperfluorodecyltrichlorosilane), PFBT (Pentafluorobenzenethiol), APTES (3-Aminopropyltriethoxysilane), hydroxy terminated PDMS (polydimethylsiloxane), and vinyl terminated PDMS and DDMS (Dichlorodimethylsilane) Lamination transfer printing method of the quantum dot multilayer thin film, characterized in that.
상기 제1 스탬프는 표면에 양각 패턴을 포함하는 것을 특징으로 하는 양자점 다층 박막의 적층 전사 인쇄 방법.
According to claim 1,
The first stamp is a laminate transfer printing method of a quantum dot multilayer thin film, characterized in that it includes an embossed pattern on the surface.
상기 제2 기판이 음각 트랜치를 포함하는 것을 특징으로 하는 양자점 다층 박막의 적층 전사 인쇄 방법.
According to claim 1,
Lamination transfer printing method of the quantum dot multilayer thin film, characterized in that the second substrate includes an intaglio trench.
상기 양자점 다층 박막을 제2 스탬프를 사용하여 픽업하여 제2 기판 상에 전사하는 단계를 진행한 다음,
상기 제2 스탬프를 이용하여 상기 제2 기판으로부터 상기 양자점 다층 패턴을 픽업하는 단계; 및
상기 제2 스탬프를 이용하여 상기 양자점 다층 패턴을 제3 기판에 전사하는 단계;
를 포함하는 것을 특징으로 하는 양자점 다층 박막의 적층 전사 인쇄 방법.
10. The method of claim 9,
After the quantum dot multilayer thin film is picked up using a second stamp and transferred onto a second substrate,
picking up the quantum dot multilayer pattern from the second substrate using the second stamp; and
transferring the quantum dot multilayer pattern to a third substrate using the second stamp;
Lamination transfer printing method of a quantum dot multi-layer thin film comprising a.
상기 제2 기판은 표면에서 내부로 들어간 리세스 영역을 갖는 것을 특징으로 하는 양자점 다층 박막의 적층 전사 인쇄 방법.
10. The method of claim 9,
The second substrate is a quantum dot multilayer thin film lamination transfer printing method, characterized in that it has a recessed area from the surface to the inside.
상기 제2 스탬프가 상기 제2 기판으로부터 분리될 때 상기 양자점 다층 박막 중에서 상기 제2 기판과 접촉하는 부분은 상기 제2 기판에 남고, 상기 리세스 영역에 대응하는 부분은 상기 제2 스탬프에 의해 픽업되는 것을 특징으로 하는 양자점 다층 박막의 적층 전사 인쇄 방법.
12. The method of claim 11,
When the second stamp is separated from the second substrate, a portion of the quantum dot multilayer thin film in contact with the second substrate remains on the second substrate, and a portion corresponding to the recess region is picked up by the second stamp Lamination transfer printing method of a quantum dot multilayer thin film, characterized in that.
상기 양자점 다층 박막의 두께는 2 nm 내지 1000 μm 인 것을 특징으로 하는 양자점 다층 박막의 적층 전사 인쇄 방법.
According to claim 1,
The multilayer quantum dot thin film has a thickness of 2 nm to 1000 μm.
제1 전하를 갖도록 표면처리된 양자점 박막 및 제2 전하를 갖도록 표면처리된 양자점 박막이 적어도 1회 이상 교차하여 적층된 것을 특징으로 하는 양자점 다층 박막.
14. The quantum dot multilayer thin film prepared by the lamination transfer printing method of at least any one of claims 1 to 13,
Quantum dot multilayer thin film, characterized in that the quantum dot thin film surface-treated to have a first charge and the quantum dot thin film surface-treated to have a second charge cross at least one time and stacked.
상기 제1 전하를 갖도록 표면처리된 양자점 박막 및 제2 전하를 갖도록 표면처리된 양자점 박막은 쿨롱 인력에 의해 적층된 것을 특징으로 하는 양자점 다층 박막.
15. The method of claim 14,
The quantum dot thin film surface-treated to have the first charge and the quantum dot thin film surface-treated to have a second charge are stacked by Coulomb attraction.
상기 제1 전하를 갖도록 표면처리된 양자점 박막 및 상기 제2 전하를 갖도록 표면처리된 양자점 박막은 무기 리간드 및 두 기능기(bifunctional) 리간드 중 적어도 어느 하나로 표면 처리된 것을 특징으로 하는 양자점 다층 박막.
15. The method of claim 14,
The quantum dot thin film surface-treated to have the first charge and the quantum dot thin film surface-treated to have the second charge are surface-treated with at least one of an inorganic ligand and two bifunctional ligands.
상기 양자점 다층 박막은, 양각 패턴 또는 음각 패턴을 포함하는 것을 특징으로 하는 양자점 다층 박막.
15. The method of claim 14,
The quantum dot multilayer thin film, Quantum dot multilayer thin film comprising an embossed pattern or an engraved pattern.
상기 양자점 다층 박막의 두께는 2 nm 내지 1000 μm 인 것을 특징으로 하는 양자점 다층 박막.15. The method of claim 14,
The quantum dot multilayer thin film has a thickness of 2 nm to 1000 μm.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020200166804A KR102587824B1 (en) | 2020-12-02 | 2020-12-02 | Stack transfer printing method for quantum dot multilayer and quantum dot multilayer manufactured by the method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020200166804A KR102587824B1 (en) | 2020-12-02 | 2020-12-02 | Stack transfer printing method for quantum dot multilayer and quantum dot multilayer manufactured by the method |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20220077656A true KR20220077656A (en) | 2022-06-09 |
| KR102587824B1 KR102587824B1 (en) | 2023-10-10 |
Family
ID=81985753
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020200166804A KR102587824B1 (en) | 2020-12-02 | 2020-12-02 | Stack transfer printing method for quantum dot multilayer and quantum dot multilayer manufactured by the method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR102587824B1 (en) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20100093858A (en) | 2009-02-17 | 2010-08-26 | 삼성전자주식회사 | Method for manufacturing quantum dot layer and quantum dot light-emitting device manufactured by applying the same |
| KR101140309B1 (en) * | 2009-01-09 | 2012-05-02 | 서울대학교산학협력단 | Electroluminescent device including quantum dot multilayer thin film |
| KR20130042372A (en) * | 2011-10-18 | 2013-04-26 | 삼성전자주식회사 | Method for producing quantum dot |
| KR101606290B1 (en) * | 2014-12-02 | 2016-03-24 | 서울대학교산학협력단 | Transfer printing method for quantum dot |
| KR102173550B1 (en) * | 2019-06-11 | 2020-11-03 | 단국대학교 산학협력단 | Method for manufacturing quantum dot light-emitting diode using direct transfer |
-
2020
- 2020-12-02 KR KR1020200166804A patent/KR102587824B1/en active IP Right Grant
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101140309B1 (en) * | 2009-01-09 | 2012-05-02 | 서울대학교산학협력단 | Electroluminescent device including quantum dot multilayer thin film |
| KR20100093858A (en) | 2009-02-17 | 2010-08-26 | 삼성전자주식회사 | Method for manufacturing quantum dot layer and quantum dot light-emitting device manufactured by applying the same |
| KR20130042372A (en) * | 2011-10-18 | 2013-04-26 | 삼성전자주식회사 | Method for producing quantum dot |
| KR101606290B1 (en) * | 2014-12-02 | 2016-03-24 | 서울대학교산학협력단 | Transfer printing method for quantum dot |
| KR102173550B1 (en) * | 2019-06-11 | 2020-11-03 | 단국대학교 산학협력단 | Method for manufacturing quantum dot light-emitting diode using direct transfer |
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| Moon Kee Choi 외 11"Wearable red-green-blue quantum dot light-emitting diode array using high-resolution intaglio transfer printing", Nature Commun. 2015, 6, 7149. |
| Tae-Ho Kim 외 13, "Full-colour quantum dot displays fabricated by transfer printing", Nature Photon. 2011, 5, 176-182. |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR102587824B1 (en) | 2023-10-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US9644077B2 (en) | Method for forming quantum dot thin film | |
| EP3537140B1 (en) | Use of a gas detecting sensor | |
| EP3537138B1 (en) | Quantum dot biosensor | |
| US10121565B2 (en) | Nanoparticle multilayer film | |
| CN107369754A (en) | Light conversion device, its manufacture method, light source module and back light unit | |
| US10556412B2 (en) | Composition for adhesion layer of gas barrier adhesive sheet, gas barrier adhesive sheet, and optical sheet having gas barrier adhesive sheet | |
| KR101689663B1 (en) | Quantun dot light emitting device using graphene | |
| CN114078999A (en) | Material having synchronized piezoelectricity and luminescence, and device comprising same | |
| KR20150142374A (en) | Transistor with channel including oxide layer and quantum layer | |
| KR20170091406A (en) | Quantum dot plasmonic film and fabricating method thereof | |
| KR102587824B1 (en) | Stack transfer printing method for quantum dot multilayer and quantum dot multilayer manufactured by the method | |
| KR20120053325A (en) | Synthesis and post-synthesis method for quantum dots using a novel ligand-exchange method | |
| US20210376020A1 (en) | Display panel and method of manufacturing the same | |
| KR101827405B1 (en) | Method for manufacturing electrode structure having nano-gap and photovolatic element having quantum dot | |
| TWI554790B (en) | Multi-function optical film | |
| KR102631617B1 (en) | 2d-od-2d heterojunction structure and manufacturing method by the same, perovskite optoelectric device comprising the same | |
| KR102578817B1 (en) | Transfer printing method for polar ligand treated quantum dot, polar ligand treated quantum dot layer prepared by the method and electronic device | |
| CN109960074A (en) | Display panel and the method for manufacturing display panel | |
| US11870001B2 (en) | Semiconductor nanoparticles, electronic device including the same, and method for manufacturing semiconductor nanoparticles | |
| KR20200105334A (en) | A quantum dot, a quantum dot light-emitting diode and a quantum dot film and a light converting resin composition comprising the quantum dot, a color filter and a light converting laminated base material manufactured by the composition and a display device comprising the same | |
| KR102564054B1 (en) | A quantum dot, a quantum dot light-emitting diode and a quantum dot film and a light converting resin composition comprising the quantum dot, a color filter and a light converting laminated base material manufactured by the composition and a display device comprising the same | |
| US12087742B2 (en) | Film pattern and methods for forming the same | |
| TWI709801B (en) | Wavelength-converting device | |
| KR20240098532A (en) | Solvent free pattering method of qunatum dots | |
| KR20170050703A (en) | Method of making optical sheet |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant |