KR20220075819A - Data recovery method of USB memory device having multi-layered printed circuit board - Google Patents

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Abstract

본 발명은 다층 인쇄회로기판을 구비한 USB 메모리 장치의 데이터 복구 방법에 관한 것으로, USB 연결 장치를 이용하여 디캡 상태의 고장난 USB 메모리 장치와 정상 USB 메모리 장치를 전기적으로 연결시켜 고장난 USB 메모리 장치의 데이터를 복구하는 다층 인쇄회로기판을 구비한 USB 메모리 장치의 데이터 복구 방법을 제공한다.The present invention relates to a data recovery method of a USB memory device having a multilayer printed circuit board, and by using a USB connection device to electrically connect a malfunctioning USB memory device in a decap state and a normal USB memory device to the data of the failed USB memory device It provides a data recovery method of a USB memory device having a multi-layer printed circuit board for recovering.

Description

다층 인쇄회로기판을 구비한 USB 메모리 장치의 데이터 복구 방법{Data recovery method of USB memory device having multi-layered printed circuit board}Data recovery method of USB memory device having multi-layered printed circuit board

본 발명은 다층 인쇄회로기판을 구비한 USB 메모리 장치의 데이터 복구 방법에 관한 것으로, 상세하게는 인식 불량의 COB(Chip on board) 타입의 USB 메모리 장치의 데이터를 복구하기 위한 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a data recovery method of a USB memory device having a multilayer printed circuit board, and more particularly, to a method for recovering data of a COB (Chip on board) type USB memory device with poor recognition.

데이터를 저장하는 플래시 메모리와 이를 제어하는 컨트롤러를 포함하여 구성되는 USB(universal serial bus) 메모리 장치는, 작은 크기로 휴대하기 편리하고 사용방법도 간단하며, 플래시 메모리가 이용되어 전원이 끊겨도 정보가 지워지지 않는 저장 매체 중 하나이다. 특히, USB 메모리 장치는 CD나 DVD와 달리 데이터를 자유롭게 삭제할 수 있고, 저장할 수 있는 장점이 있어 휴대용 메모리 장치로서 널리 사용되고 있다. 그러나, USB 메모리 장치는 작은 크기 때문에 분실의 위험이 크고, 바이러스 감염의 위험이 있으며, 반도체로 이루어진 플래시 메모리로 인해 전기적인 충격에도 약한 문제가 있다. 이에, USB 메모리 장치에 손상이 발생하거나 외부 충격으로 인해 부러진 경우, 데이터 복구 작업에 어려움이 있다.A USB (universal serial bus) memory device comprising a flash memory that stores data and a controller that controls it is small in size, convenient to carry, and easy to use. It is one of the indelible storage media. In particular, USB memory devices are widely used as portable memory devices because they have the advantage that data can be freely deleted and stored, unlike CDs and DVDs. However, the USB memory device has a high risk of loss due to its small size, a risk of virus infection, and a weak electrical shock due to a flash memory made of a semiconductor. Accordingly, when the USB memory device is damaged or broken due to an external shock, it is difficult to recover data.

한편, USB 메모리 장치는 플래시 메모리와 컨트롤러의 구현 형태에 따라 다양한 종류로 구분될 수 있다. 예컨대, 플래시 메모리와 컨트롤러가 각각의 칩 형태로 분리되어 보드(board) 상에 구현되는 일반적인 형태가 있다. 이와 같은 일반적인 USB 메모리 장치는, 플래시 메모리와 컨트롤러가 별개의 칩 형태로 구현되기 때문에 장치의 소형화에 한계가 있으나, 내구성이 좋은 장점이 있고, 인식 불량의 고장 발생 시 데이터를 복구하기 용이한 측면에 있다. 예컨대, 일반적인 USB 메모리 장치는 TSOP-48 칩을 플래시 메모리로 사용하는데, 이 경우 플래시 메모리 칩의 데이터 신호의 출력 위치가 표준화되어 있다. 이이 따라, 고장으로 인해 호스트에 인식이 되지 않는 경우, 플래시 메모리로 사용되는 TSOP 칩을 분리하여 USB 복구 장비에 삽입함으로써, 데이터 복구 작업을 용이하게 수행할 수 있다.Meanwhile, the USB memory device may be classified into various types according to the implementation form of the flash memory and the controller. For example, there is a general form in which the flash memory and the controller are separated in the form of respective chips and implemented on a board. Such a general USB memory device has limitations in miniaturization of the device because the flash memory and the controller are implemented in the form of separate chips. have. For example, a general USB memory device uses a TSOP-48 chip as a flash memory. In this case, the output position of the data signal of the flash memory chip is standardized. Accordingly, when the host does not recognize a failure due to a failure, the TSOP chip used as a flash memory is removed and inserted into the USB recovery device, so that the data recovery operation can be easily performed.

최근 USB(universal serial bus) 메모리 장치는 점차 그 크기가 줄어드는 추세이며, 좁은 공간에 원하는 용량의 메모리 장치를 구현하려면 메모리 소자의 실장 밀도를 높여야 한다. 이러한 과제를 해결하기 위하여 최근에는 메모리 장치를 칩온 보드(Chip On Board; 이하 'COB') 공정을 이용하여 구현하고 있다. 즉, USB 메모리 장치의 다른 구현 예로서, 플래시 메모리와 컨트롤러가 칩 온 보드(chip on board) 형태로 함께 구현되는 COB 타입의 USB 메모리 장치가 있다. 이와 같은 COB 타입의 USB 메모리 장치는 일반적인 USB 메모리 장치보다 향상된 성능을 갖고, 소형화에 유리하며, 제조 비용을 절감할 수 있는 장점이 있다. Recently, the size of a universal serial bus (USB) memory device is gradually decreasing, and in order to implement a memory device having a desired capacity in a narrow space, it is necessary to increase the mounting density of the memory device. In order to solve this problem, memory devices have recently been implemented using a chip on board (hereinafter 'COB') process. That is, as another implementation example of the USB memory device, there is a COB type USB memory device in which a flash memory and a controller are implemented together in the form of a chip on board. Such a COB-type USB memory device has improved performance compared to a general USB memory device, is advantageous for miniaturization, and has advantages of reducing manufacturing cost.

그러나, COB 타입의 USB 메모리 장치는 플래시 메모리의 데이터 신호의 출력 위치가 정해져 있지 않고, 또한 이에 대한 정보를 제조사에서 제공하지 않기 때문에, 인식 불량의 고장이 발생한 경우 COB 타입의 USB 메모리 장치의 데이터를 복구하기 어려운 문제가 있다. However, in the COB type USB memory device, the output location of the data signal of the flash memory is not determined, and the manufacturer does not provide this information. There are problems that are difficult to recover from.

본원의 배경이 되는 기술은 한국공개특허 제10-2014-0143015호에 개시되어 있다.The technology that is the background of the present application is disclosed in Korean Patent Application Laid-Open No. 10-2014-0143015.

본 발명에서 해결하고자 하는 기술적 과제는, 다층 인쇄회로기판을 구비한 인식 불량의 고장난 COB 타입의 USB 메모리 장치의 데이터를 정확하고 신속하게 복구하는 데이터 복구 방법을 제공하는 데 있다.The technical problem to be solved by the present invention is to provide a data recovery method for accurately and quickly recovering data of a defective COB type USB memory device having a multilayer printed circuit board and having a malfunction.

상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 실시예들에 따른 다층 인쇄회로기판이 구비된 USB 메모리 장치의 데이터 복구 방법은, 다층 인쇄회로기판 및 상기 다층 인쇄회로기판 상에 실장된 플래시 메모리, 컨트롤러 및 수동소자를 포함하는 COB 타입의 USB 메모리 장치의 데이터를 복구하는 방법에 있어서, 제1 다층 인쇄회로기판과, 상기 제1 다층 인쇄회로기판 상에 실장된 제1 플래시 메모리, 제1 컨트롤러 및 제1 수동소자를 포함하는 제1 USB 메모리 장치, 및 제2 다층 인쇄회로기판과, 상기 제2 다층 인쇄회로기판 상에 실장된 제2 플래시 메모리, 제2 컨트롤러 및 제2 수동소자를 포함하는 제2 USB 메모리 장치를 준비하는 단계; 제1 다층 인쇄회로기판의 최하층의 데이터 신호 라인들 중 상기 제1 컨트롤러 및 상기 제1 수동소자와 전기적으로 연결되는 로직 데이터 신호 라인들을 단선시키는 단계; 제2 다층 인쇄회로기판의 최하층의 데이터 신호 라인 중 상기 제2 플래시 메모리와 전기적으로 연결되는 메모리 데이터 신호 라인들을 단선시키는 단계; 디캡 공정을 수행하여, 상기 제1 다층 인쇄회로기판의 최상층의 상부 연결 패드들 중 상기 제1 플래시 메모리와 전기적으로 연결되는 메모리 상부 패드들을 노출하는 단계; 디캡 공정을 수행하여, 상기 제2 다층 인쇄회로기판의 최상층의 상부 연결 패드들 중 상기 제2 컨트롤러 및 상기 제2 수동소자와 전기적으로 연결되는 로직 상부 패드들을 노출하는 단계; 및 USB 연결 장치를 이용하여, 상기 메모리 상부 패드들과 상기 로직 상부 패드들을 전기적으로 연결시키는 단계를 포함하고, 상기 제1 USB 메모리 장치와 상기 제2 USB 메모리 장치는 서로 동일한 USB 메모리 장치이되, 상기 제1 USB 메모리 장치는 인식 불량의 고장난 USB 메모리 장치이고, 상기 제2 USB 메모리 장치는 정상 동작하는 USB 메모리 장치이다. A data recovery method of a USB memory device having a multilayer printed circuit board according to embodiments of the present invention for achieving the above object includes a multilayer printed circuit board and a flash memory mounted on the multilayer printed circuit board, a controller and a manual A method for recovering data from a COB type USB memory device including a device, comprising: a first multilayer printed circuit board; a first flash memory mounted on the first multilayer printed circuit board; a first controller; and a first passive A first USB memory device including a device, a second multi-layer printed circuit board, a second flash memory mounted on the second multi-layer printed circuit board, a second USB memory including a second controller, and a second passive device preparing the device; disconnecting logic data signal lines electrically connected to the first controller and the first passive element among data signal lines of a lowermost layer of a first multilayer printed circuit board; disconnecting memory data signal lines electrically connected to the second flash memory among the data signal lines of a lowermost layer of a second multilayer printed circuit board; exposing memory upper pads electrically connected to the first flash memory among upper connection pads of an uppermost layer of the first multilayer printed circuit board by performing a decapping process; exposing logic upper pads electrically connected to the second controller and the second passive element among upper connection pads of the uppermost layer of the second multilayer printed circuit board by performing a decapping process; and electrically connecting the upper memory pads and the logic upper pads using a USB connection device, wherein the first USB memory device and the second USB memory device are the same USB memory device. The first USB memory device is a faulty USB memory device with poor recognition, and the second USB memory device is a normally operating USB memory device.

일 실시예에 따르면, 상기 USB 연결 장치는: 플레이트 형상의 베이스 본체; 상기 베이스 본체 상에 구비되고, 상기 디캡 상태의 제1 USB 메모리 장치와 상기 디캡 상태의 제2 USB 메모리 장치가 각각 실장되는 한 쌍의 소켓홈들을 구비한 소켓부; 상기 소켓부의 일측에 힌지 결합되어 상기 소켓홈들을 개폐하고, 하부면에 상기 실장된 제1 USB 메모리 장치 및 제2 USB 메모리 장치와 각각 접속하는 한쌍의 접속 부재들을 구비한 덮개부; 및 상기 베이스 본체 상에서 상기 소켓부와 이격되어 배치되고, 호스트와 전기적으로 연결되는 연결단자를 구비한 호스트 연결부를 포함할 수 있다According to an embodiment, the USB connection device includes: a plate-shaped base body; a socket unit provided on the base body and having a pair of socket grooves in which the first USB memory device in the decap state and the second USB memory device in the decap state are respectively mounted; a cover part hinged to one side of the socket part to open and close the socket grooves, and a cover part having a pair of connection members respectively connected to the first USB memory device and the second USB memory device mounted on a lower surface thereof; and a host connection part disposed on the base body to be spaced apart from the socket part and having a connection terminal electrically connected to the host.

일 실시예에 따르면, 상기 디캡 상태의 제1 USB 메모리 장치와 제2 USB 메모리 장치를 각각 상기 USB 연결 장치의 소켓홈들에 실장시키고, 상기 접속 부재들에 구비된 탄성 프로브들이 각각 상기 메모리 상부 연결 패드들 및 상기 로직 상부 연결 패드들과 접촉되도록 상기 덮개부를 덮음으로써, 상기 제1 USB 메모리 장치의 상기 메모리 상부 연결 패드들과 상기 제2 USB 메모리 장치의 상기 로직 상부 연결 패드들이 전기적으로 연결될 수 있다. According to an embodiment, the first USB memory device and the second USB memory device in the decap state are mounted in the socket grooves of the USB connection device, respectively, and elastic probes provided in the connection members are respectively connected to the upper part of the memory. By covering the cover so as to be in contact with the pads and the logic upper connection pads, the memory upper connection pads of the first USB memory device and the logic upper connection pads of the second USB memory device may be electrically connected .

일 실시예에 따르면, 상기 로직 데이터 신호 라인들을 단선시키는 단계는 레이저 마킹기를 이용하여 상기 로직 데이터 신호 라인들을 커팅(cutting)하는 것을 포함하고, 상기 메모리 데이터 신호 라인들을 단선시키는 단계는 레이저 마킹기를 이용하여 상기 메모리 데이터 신호 라인들을 커팅(cutting)하는 것을 포함할 수 있다. According to an embodiment, disconnecting the logic data signal lines includes cutting the logic data signal lines using a laser marker, and disconnecting the memory data signal lines using a laser marking machine. and cutting the memory data signal lines.

본 발명의 실시예들에 따르면, 인식 불량의 고장난 USB 메모리 장치와 정상 동작하는 정상 USB 메모리 장치의 최상층의 상부 연결 패드들을 소켓형 어댑터인 USB 연결 장치를 이용하여 전기적으로 연결시킴으로써, 와이어 본딩 방식보다 정확하고 신속하게 데이터를 독출 및 복구할 수 있다. According to embodiments of the present invention, by electrically connecting the uppermost connection pads of the uppermost layer of a malfunctioning USB memory device with poor recognition and a normally operating USB memory device using a USB connection device that is a socket-type adapter, it is better than the wire bonding method. Data can be read and recovered accurately and quickly.

도 1은 다층 인쇄회로기판을 구비한 COB 타입의 USB 메모리 장치를 설명하기 위한 개략적인 단면도이다.
도 2는 도 1의 다층 인쇄회로기판을 설명하기 위한 개략적인 단면도이다.
도 3은 도 1의 다층 인쇄회로기판의 제1 기판을 설명하기 위한 평면도이다.
도 4는 본 발명의 실시예들에 따른 데이터 복구 시스템의 개략적인 구성을 나타내는 블럭도이다.
도 5는 본 발명의 실시예들에 따른 USB 연결 장치를 설명하기 위한 도면이다.
도 6은 본 발명의 실시예들에 따른 다층 인쇄회로기판을 구비한 USB 메모리 장치의 데이터 복구 방법을 설명하기 위한 순서도이다.
도 7 및 도 8은 도 6의 단계(S10)을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 9는 도 6의 단계(S20)을 설명하기 위한 단면도이다.
도 10는 도 6의 단계(S30)을 설명하기 위한 단면도이다.
도 11은 도 6의 단계(S40)을 설명하기 위한 단면도이다.
도 12는 도 6의 단계(S50)을 설명하기 위한 단면도이다.
도 13 및 도 14는 도 6의 단계(S60)을 설명하기 위한 단면도들이다.
1 is a schematic cross-sectional view illustrating a COB type USB memory device having a multilayer printed circuit board.
FIG. 2 is a schematic cross-sectional view illustrating the multilayer printed circuit board of FIG. 1 .
3 is a plan view illustrating a first substrate of the multilayer printed circuit board of FIG. 1 .
4 is a block diagram showing a schematic configuration of a data recovery system according to embodiments of the present invention.
5 is a diagram for explaining a USB connection device according to embodiments of the present invention.
6 is a flowchart illustrating a data recovery method of a USB memory device having a multilayer printed circuit board according to embodiments of the present invention.
7 and 8 are cross-sectional views for explaining step S10 of FIG. 6 .
9 is a cross-sectional view for explaining step S20 of FIG. 6 .
FIG. 10 is a cross-sectional view for explaining step S30 of FIG. 6 .
11 is a cross-sectional view for explaining step S40 of FIG. 6 .
12 is a cross-sectional view for explaining step S50 of FIG. 6 .
13 and 14 are cross-sectional views for explaining step S60 of FIG. 6 .

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예를 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전문에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.Advantages and features of the present invention, and methods for achieving them, will become apparent with reference to the embodiments described below in detail in conjunction with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but may be implemented in various different forms, and only this embodiment serves to complete the disclosure of the present invention, and to obtain common knowledge in the technical field to which the present invention pertains. It is provided to fully inform the possessor of the scope of the invention, and the present invention is only defined by the scope of the claims. Like reference numerals refer to like elements throughout.

본원 명세서에서, 어떤 부재가 다른 부재 “상에” 위치하고 있다고 할 때, 이는 어떤 부재가 다른 부재에 접해 있는 경우뿐 아니라 두 부재 사이에 또 다른 부재가 존재하는 경우도 포함한다. 또한, 본원 명세서에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함" 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다. In the present specification, when a member is said to be located “on” another member, this includes not only a case in which a member is in contact with another member but also a case in which another member is present between the two members. In addition, in the present specification, when a part "includes" a certain component, this means that other components may be further included, rather than excluding other components, unless specifically stated to the contrary.

본원 명세서 전체에서 사용되는 정도의 용어 "약", "실질적으로" 등은 언급된 의미에 고유한 제조 및 물질 허용오차가 제시될 때, 그 수치에서 또는 그 수치에 근접한 의미로 사용되고, 본원의 이해를 돕기 위해 정확하거나 절대적인 수치가 언급된 개시 내용을 비양심적인 침해자가 부당하게 이용하는 것을 방지하기 위해 사용된다. As used throughout this specification, the terms "about," "substantially," and the like, are used in a sense at or close to the numerical value when the manufacturing and material tolerances inherent in the stated meaning are presented, and are used in the understanding of this application. It is used to prevent unfair use by unconscionable infringers of the disclosure in which exact or absolute figures are mentioned to help

이하 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들에 대해 상세히 설명한다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 다층 인쇄회로기판을 구비한 COB 타입의 USB 메모리 장치를 설명하기 위한 개략적인 단면도이다. 1 is a schematic cross-sectional view illustrating a COB type USB memory device having a multilayer printed circuit board.

도 1을 참조하면, USB 메모리 장치(10)는 COB 타입의 USB 메모리 장치로서, 다층 인쇄회로기판(100), 다층 인쇄회로기판(100) 상에 실장되는 복수의 회로소자들 및 이들 회로소자들을 밀봉하는 몰딩 부재(130)를 포함할 수 있다. 복수의 회로소자들은 예컨대, 플래시 메모리(200), 컨트롤러(300) 및 수동 소자들(미도시)을 포함할 수 있다. Referring to FIG. 1 , the USB memory device 10 is a COB type USB memory device, and includes a multilayer printed circuit board 100 , a plurality of circuit elements mounted on the multilayer printed circuit board 100 , and these circuit elements. The sealing member 130 may be included. The plurality of circuit elements may include, for example, the flash memory 200 , the controller 300 , and passive elements (not shown).

다층 인쇄회로기판(100)은 서로 대향하는 제1 면(101) 및 제2 면(102)을 가지며, 그 내부에 복수의 도전 경로(미도시)가 형성되어 제1 면(101) 상에 실장된 플래시 메모리(200), 컨트롤러(300) 등의 회로소자들이 전기적으로 접속된 회로를 구성할 수 있다. 다층 인쇄회로기판(100)에 대해서는 뒤에서 상세히 설명한다.The multilayer printed circuit board 100 has a first surface 101 and a second surface 102 opposite to each other, and a plurality of conductive paths (not shown) are formed therein, and are mounted on the first surface 101 . A circuit in which circuit elements such as the flash memory 200 and the controller 300 are electrically connected may be configured. The multilayer printed circuit board 100 will be described in detail later.

플래시 메모리(200)는 낸드 플래시 메모리(nand flash memory)를 포함할 수 있으며, 베어 칩(bare chip) 상태로 와이어 본딩에 의해 다층 인쇄회로기판(100)의 제1 면(101) 상에 실장된다. 컨트롤러(300)는, 호스트로부터의 요청에 응답하여 플래시 메모리(200)를 제어한다. 예컨대, 컨트롤러(300)는 플래시 메모리(200)로부터 리드된 데이터를 호스트로 제공하고, 호스트로부터 제공된 데이터를 플래시 메모리(200)에 저장시킬 수 있다. 이를 위해, 컨트롤러(300)는 플래시 메모리(200)의 읽기, 쓰기, 소거 등의 동작을 제어한다.The flash memory 200 may include a NAND flash memory, and is mounted on the first surface 101 of the multilayer printed circuit board 100 by wire bonding in a bare chip state. . The controller 300 controls the flash memory 200 in response to a request from the host. For example, the controller 300 may provide data read from the flash memory 200 to the host, and store the data provided from the host in the flash memory 200 . To this end, the controller 300 controls operations such as reading, writing, and erasing of the flash memory 200 .

다층 인쇄회로기판(100)의 제2 면(102)에는 외부 소자(즉, 호스트)와 접속되는 인터페이스 단자들(미도시)이 구비되며, 패키징 상태에서 인터페이스 단자들은 몰딩 부재(130)에 의해 노출된다. 몰딩 부재(130)는 예컨대, 에폭시 몰딩 수지를 포함할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.Interface terminals (not shown) connected to an external device (ie, host) are provided on the second surface 102 of the multilayer printed circuit board 100 , and in a packaging state, the interface terminals are exposed by the molding member 130 . do. The molding member 130 may include, for example, an epoxy molding resin, but is not limited thereto.

도 2는 도 1의 다층 인쇄회로기판을 설명하기 위한 개략적인 단면도이다. 도 3은 도 1의 다층 인쇄회로기판의 제1 기판을 설명하기 위한 평면도이다. FIG. 2 is a schematic cross-sectional view illustrating the multilayer printed circuit board of FIG. 1 . 3 is a plan view illustrating a first substrate of the multilayer printed circuit board of FIG. 1 .

도 2 및 도 3을 참조하면, 다층 인쇄회로기판(100)은 적층된 복수의 기판들을 포함한다. 예컨대, COB 타입의 USB 메모리 장치는 2개 또는 4개의 기판들을 포함할 수 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 설명의 편의를 위해 도 2에서 다층 인쇄회로기판(100)은 2개의 기판들을 포함하는 것으로 예시한다.2 and 3 , the multilayer printed circuit board 100 includes a plurality of stacked substrates. For example, a COB type USB memory device may include two or four substrates, but the present invention is not limited thereto. For convenience of description, the multilayer printed circuit board 100 in FIG. 2 is exemplified as including two substrates.

상세하게, 다층 인쇄회로기판(100)은 제1 면(101)에 인접한 제1 기판(110) 및 제1 기판(110)상의 제2 기판(120)을 포함한다.In detail, the multilayer printed circuit board 100 includes a first substrate 110 adjacent to a first surface 101 and a second substrate 120 on the first substrate 110 .

제1 기판(110)은 제1 코어보드(111), 메모리 연결 패드들(112, 113), 로직 연결 패드들(114, 115), 제1 수지층(116) 및 관통 비아들(117)을 포함할 수 있다. 또한, 제1 기판(110)은 서로 대향하는 제1 상면 및 제1 하면을 포함할 수 있다. 여기서, 제1 하면은 다층 인쇄회로기판(100)의 제1 면(101)에 해당할 수 있다. The first substrate 110 includes a first core board 111 , memory connection pads 112 and 113 , logic connection pads 114 and 115 , a first resin layer 116 , and through vias 117 . may include Also, the first substrate 110 may include a first upper surface and a first lower surface that face each other. Here, the first lower surface may correspond to the first surface 101 of the multilayer printed circuit board 100 .

제1 코어보드(111)는 에폭시 수지, 폴리이미드 수지, 비스말레마이드 트리아진(BT) 수지, FR-4(FlameRetardant 4), FR-5, 세라믹, 실리콘 또는 유리를 포함할 수 있다. 그러나 이는 예시적이며, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니다.The first core board 111 may include an epoxy resin, a polyimide resin, a bismalemide triazine (BT) resin, FR-4 (Flame Retardant 4), FR-5, ceramic, silicon, or glass. However, this is exemplary, and the present invention is not limited thereto.

제1 코어보드(111)는 단일층이거나 또는 그 내부에 배선 패턴들을 포함하는 다층 구조를 포함할 수 있다. 예를 들면, 제1 코어보드(111)는 하나의 강성(Rigid) 평판이거나, 복수의 강성 평판이 접착되어 형성되거나, 얇은 가요성 인쇄회로기판과 강성 평판이 접착되어 형성될 수 있다. 서로 접착되는 복수의 강성 평판들, 또는 인쇄회로기판들은 배선 패턴을 각각 포함할 수 있다.The first core board 111 may have a single layer or a multilayer structure including wiring patterns therein. For example, the first core board 111 may be formed by bonding a single rigid flat plate, a plurality of rigid flat plates, or bonding a thin flexible printed circuit board and a rigid flat plate. A plurality of rigid flat plates or printed circuit boards bonded to each other may each include a wiring pattern.

메모리 연결 패드들(112, 113)은 플래시 메모리(200)에 인접한 제1 기판(110)의 일측에 배치되고, 로직 연결 패드들(114, 115)은 컨트롤러(300)에 인접한 제1 기판(110)의 타측에 배치될 수 있다. The memory connection pads 112 and 113 are disposed on one side of the first substrate 110 adjacent to the flash memory 200 , and the logic connection pads 114 and 115 are disposed on the first substrate 110 adjacent to the controller 300 . ) may be disposed on the other side.

상세하게, 메모리 연결 패드들(112, 113)은 제1 기판(110)의 제1 하면(112) 상에 배치되고 플래시 메모리(200)와 전기적으로 연결되는 하부 메모리 연결 패드들(112)과, 제1 코어보드(111) 상에 배치되고 제1 연결 부재들(118)을 통해 하부 메모리 연결 패드들(112)과 연결되는 상부 메모리 연결 패드들(113)을 포함할 수 있다. 제1 연결 부재들(118)은 예컨대, 본딩 와이어일 수 있다.In detail, the memory connection pads 112 and 113 are disposed on the first lower surface 112 of the first substrate 110 and include lower memory connection pads 112 electrically connected to the flash memory 200 and; It may include upper memory connection pads 113 disposed on the first core board 111 and connected to the lower memory connection pads 112 through the first connection members 118 . The first connecting members 118 may be, for example, bonding wires.

로직 연결 패드들(114, 115)은 제1 기판(110)의 제1 하면(112) 상에 배치되고 컨트롤러(300) 및 수동소자(미도시)와 전기적으로 연결되는 하부 로직 연결 패드들(114)과, 제1 코어보드(111) 상에 배치되고 제2 연결 부재들(119)을 통해 하부 로직 연결 패드들(114)과 연결되는 상부 로직 연결 패드들(115)을 포함할 수 있다. 제2 연결 부재들(119)은 예컨대, 본딩 와이어일 수 있다. The logic connection pads 114 and 115 are disposed on the first lower surface 112 of the first substrate 110 and are electrically connected to the controller 300 and the passive element (not shown). ) and upper logic connection pads 115 disposed on the first core board 111 and connected to the lower logic connection pads 114 through the second connection members 119 . The second connecting members 119 may be, for example, bonding wires.

메모리 연결 패드들(112, 113)과 로직 연결 패드들(114, 115)은 도전성 물질을 포함할 수 있다. 예컨대, 메모리 연결 패드들(112, 113) 및 로직 연결 패드들(114, 115)은 알루미늄(Al), 구리(Cu), 금(Au), 은(Ag), 주석(Sn), 크롬(Cr), 팔라듐(Pd), 또는 이들의 합금을 포함할 수 있다.The memory connection pads 112 and 113 and the logic connection pads 114 and 115 may include a conductive material. For example, the memory connection pads 112 and 113 and the logic connection pads 114 and 115 may include aluminum (Al), copper (Cu), gold (Au), silver (Ag), tin (Sn), and chromium (Cr). ), palladium (Pd), or an alloy thereof.

제1 수지층(116)은 제1 코어보드(111), 메모리 연결 패드들(112, 113) 및 로직 연결 패드들(114, 115)을 덮을 수 있다. 제1 수지층(116)은 다층 구조일 수도 있고, 다층 구조 사이에 신호층, 접지층 또는 전원층이 개재될 수 있으며 이들은 배선 패턴을 형성할 수 있다.The first resin layer 116 may cover the first core board 111 , the memory connection pads 112 and 113 , and the logic connection pads 114 and 115 . The first resin layer 116 may have a multi-layered structure, and a signal layer, a grounding layer, or a power source layer may be interposed between the multi-layered structures, and these may form a wiring pattern.

관통 비아들(117)은 제1 수지층(116)을 관통하여 제1 코어보드(111)와 연결될 수 있다. 관통 비아들(117)은 도전성 물질, 예컨대, 알루미늄(Al), 구리(Cu), 금(Au), 은(Ag), 주석(Sn), 크롬(Cr), 팔라듐(Pd), 또는 이들의 합금을 포함할 수 있다. 관통 비아들(117)의 각각은 제1 코어보드(111) 내부의 배선 패턴들을 통해 상응하는 상부 메모리 연결 패드(113) 또는 상부 로직 연결 패드(115)와 전기적으로 연결될 수 있다. The through vias 117 may pass through the first resin layer 116 to be connected to the first core board 111 . The through vias 117 may be formed of a conductive material, for example, aluminum (Al), copper (Cu), gold (Au), silver (Ag), tin (Sn), chromium (Cr), palladium (Pd), or a combination thereof. alloys may be included. Each of the through vias 117 may be electrically connected to a corresponding upper memory connection pad 113 or an upper logic connection pad 115 through wiring patterns inside the first core board 111 .

제1 기판(110)의 제1 상면 상에 제2 기판(120)이 배치될 수 있다. 제2 기판(120)은 제2 코어보드(121), 상부 연결 패드들(123) 및 제2 수지층(125)을 포함할 수 있다. 또한, 제2 기판(120)은 서로 대향하는 제2 상면 및 제2 하면을 포함할 수 있다. 여기서, 제2 상면은 다층 인쇄회로기판(100)의 제2 면(102)에 해당할 수 있다.The second substrate 120 may be disposed on the first upper surface of the first substrate 110 . The second substrate 120 may include a second core board 121 , upper connection pads 123 , and a second resin layer 125 . Also, the second substrate 120 may include a second upper surface and a second lower surface that face each other. Here, the second upper surface may correspond to the second surface 102 of the multilayer printed circuit board 100 .

제2 코어보드(121)는 제1 코어보드(111)와 마찬가지로, 에폭시 수지, 폴리이미드 수지, 비스말레마이드 트리아진(BT) 수지, FR-4(FlameRetardant 4), FR-5, 세라믹, 실리콘 또는 유리를 포함할 수 있다. 제2 코어보드(121)는 단일층이거나 또는 그 내부에 배선 패턴들을 포함하는 다층 구조를 포함할 수 있다. 예를 들면, 제2 코어보드(121)는 하나의 강성(Rigid) 평판이거나, 복수의 강성 평판이 접착되어 형성되거나, 얇은 가요성 인쇄회로기판과 강성 평판이 접착되어 형성될 수 있다. 서로 접착되는 복수의 강성 평판들, 또는 인쇄회로기판들은 배선 패턴을 각각 포함할 수 있다.Like the first core board 111 , the second core board 121 is formed of epoxy resin, polyimide resin, bismalemide triazine (BT) resin, FR-4 (FlameRetardant 4), FR-5, ceramic, silicon. or glass. The second core board 121 may have a single layer or a multilayer structure including wiring patterns therein. For example, the second core board 121 may be formed by bonding a single rigid flat plate, a plurality of rigid flat plates, or bonding a thin flexible printed circuit board and a rigid flat plate. A plurality of rigid flat plates or printed circuit boards bonded to each other may each include a wiring pattern.

상부 연결 패드들(123)은 제2 코어보드(121) 상에 배치되며, 제2 코어보드(121) 내부의 배선 패턴들과 전기적으로 연결될 수 있다. The upper connection pads 123 may be disposed on the second core board 121 and may be electrically connected to wiring patterns inside the second core board 121 .

제2 수지층(125)은 제2 코어보드(121) 및 상부 연결 패드들(123)을 덮을 수 있다. 제2 수지층(125)은 다층 구조일 수도 있고, 다층 구조 사이에 신호층, 접지층 또는 전원층이 개재될 수 있으며 이들은 배선 패턴을 형성할 수 있다.The second resin layer 125 may cover the second core board 121 and the upper connection pads 123 . The second resin layer 125 may have a multilayer structure, and a signal layer, a ground layer, or a power source layer may be interposed between the multilayer structures, and these may form a wiring pattern.

상부 연결 패드들(123) 중 일부는 상응하는 관통 비아(117) 및 메모리 연결 패드들(112, 113)을 통해 플래시 메모리(200)와 전기적으로 연결되고, 다른 일부는 상응하는 관통 비아(117) 및 로직 연결 패드들(114, 115)을 통해 컨트롤러(300) 또는 수동소자(미도시)와 연결될 수 있다. 달리 얘기하면, 플래시 메모리(200)와 전기적으로 연결되는 메모리 연결 패드들(112, 113)은 상응하는 관통 비아(117), 상부 연결 패드들(123) 및 로직 연결 패드(114, 115)를 통해 컨트롤러(300)와 전기적으로 연결될 수 있다. Some of the upper connection pads 123 are electrically connected to the flash memory 200 through corresponding through-vias 117 and memory connection pads 112 and 113 , and some of the upper connection pads 123 are electrically connected to the corresponding through-vias 117 . And it may be connected to the controller 300 or a passive element (not shown) through the logic connection pads (114, 115). In other words, the memory connection pads 112 and 113 electrically connected to the flash memory 200 are connected via the corresponding through via 117 , the upper connection pads 123 and the logic connection pads 114 and 115 . It may be electrically connected to the controller 300 .

결과적으로, 컨트롤러(300)와 플래시 메모리(300)가 제2 기판(120)(달리 얘기하면, 최상층의 기판)의 상부 연결 패드들(123)을 통하여 전기적으로 연결되어, 컨트롤러(300)가 플래시 메모리(300)를 제어하게 된다. As a result, the controller 300 and the flash memory 300 are electrically connected through the upper connection pads 123 of the second substrate 120 (in other words, the uppermost substrate), so that the controller 300 is flash The memory 300 is controlled.

한편, 도 3에 도시된 바와 같이, 관통 비아들(117)은 비아 패드들(117V)에 해당될 수 있다.Meanwhile, as shown in FIG. 3 , the through vias 117 may correspond to the via pads 117V.

이와 같은 메모리 연결 패드들(112, 113), 로직 연결 패드들(114, 115), 비아 패드들(117V) 및 상부 연결 패드들(123)은 플래시 메모리(200), 컨트롤러(300), 수동소자(미도시) 등의 회로소자들과 전기적으로 연결된 회로 패턴을 형성할 수 있다. 일 예로, 메모리 연결 패드들(112, 113), 로직 연결 패드들(114, 115) 및 비아 패드들(117V)은 플래시 메모리(200)에 입력 또는 플래시 메모리(200)로부터 출력되는 전원 신호(예컨대, Vcc, Vss 등) 또는 데이터 신호(예컨대, I/O0~I/15, CLE, ALE, WE, WP, R/B1~R/B4, RE, CE1~CE4 신호 등)의 노드에 상응하는 핀 아웃 지점들(pin-out points)에 해당할 수 있다. 달리 얘기하면, 메모리 연결 패드들(112, 113) 중 일부는 전원과 전기적으로 연결되고(즉, 전원 신호 라인을 형성), 다른 일부는 플래시 메모리(200)와 전기적으로 연결될 수 있다(즉, 데이터 신호 라인을 형성). 마찬가지로, 로직 연결 패드들(114, 115) 중 일부는 전원과 전기적으로 연결되고(즉, 전원 신호 라인을 형성), 다른 일부는 컨트롤러(300) 또는 수동소자(미도시)와 전기적으로 연결될 수 있다(즉, 데이터 신호 라인을 형성). The memory connection pads 112 and 113 , the logic connection pads 114 and 115 , the via pads 117V and the upper connection pads 123 are the flash memory 200 , the controller 300 , and the passive device. A circuit pattern electrically connected to circuit elements such as (not shown) may be formed. As an example, the memory connection pads 112 and 113 , the logic connection pads 114 , 115 , and the via pads 117V are input to the flash memory 200 or a power signal output from the flash memory 200 (eg, , Vcc, Vss, etc.) or data signals (e.g., I/O0~I/15, CLE, ALE, WE, WP, R/B1~R/B4, RE, CE1~CE4 signals, etc.) They may correspond to pin-out points. In other words, some of the memory connection pads 112 and 113 may be electrically connected to a power source (ie, form a power signal line), and other portions may be electrically connected to the flash memory 200 (ie, data to form a signal line). Similarly, some of the logic connection pads 114 and 115 may be electrically connected to a power source (ie, form a power signal line), and other portions may be electrically connected to the controller 300 or a passive element (not shown). (i.e. to form a data signal line).

본 발명에서, 메모리 연결 패드들(112, 113) 중 플래시 메모리(200)와 연결되는 메모리 연결 패드들(112, 113) 및 이의 연결 라인들(예컨대, 제1 연결 부재(118))은 메모리 데이터 신호 라인으로 정의되고, 로직 연결 패드들(114, 115) 중 컨트롤러(300) 또는 수동소자(미도시)와 전기적으로 연결되는 로직 연결 패드들(114, 115) 및 이의 연결 라인들(예컨대, 제2 연결 부재(119))는 로직 데이터 신호 라인으로 정의될 수 있다.In the present invention, among the memory connection pads 112 and 113 , the memory connection pads 112 and 113 connected to the flash memory 200 and their connection lines (eg, the first connection member 118 ) are connected to memory data. Logic connection pads 114 and 115 defined as signal lines and electrically connected to the controller 300 or a passive element (not shown) among the logic connection pads 114 and 115 and their connection lines (eg, first The second connection member 119 may be defined as a logic data signal line.

상술한 다층 인쇄회로기판을 구비한 USB 메모리 장치(10)가 정상인 경우, 플래시 메모리(200)는 인터페이스를 통해 호스트와 전기적으로 연결되며, 컨트롤러(300)는 인터페이스 및 플래시 메모리(200)를 구동하여 데이터를 읽고(read), 쓰고(write), 소거(erase)한다. 그러나, USB 메모리 장치(10)가 크랙, 접속 불량 등의 고장으로 인해 호스트에 인식이 되지 않는 경우, 플래시 메모리(200)를 호스트에 전기적으로 연결시키고, 구동(예컨대, 데이터의 읽기)시키기 위해서는 별도의 장치가 필요할 수 있다.When the USB memory device 10 having the above-described multilayer printed circuit board is normal, the flash memory 200 is electrically connected to the host through the interface, and the controller 300 drives the interface and the flash memory 200 to It reads, writes, and erases data. However, when the USB memory device 10 is not recognized by the host due to a failure such as a crack or poor connection, the flash memory 200 is electrically connected to the host and driven (eg, data is read). device may be required.

도 4는 본 발명의 실시예들에 따른 데이터 복구 시스템의 개략적인 구성을 나타내는 블럭도이다.4 is a block diagram showing a schematic configuration of a data recovery system according to embodiments of the present invention.

도 4를 참조하면, 본 발명의 실시예들에 따른 데이터 복구 시스템(1)은 인식 불량의 다층 인쇄회로기판을 구비한 USB 메모리 장치(10)의 데이터를 복구 하기 위한 것으로서, 호스트(400) 및 USB 연결 장치(500)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 4 , the data recovery system 1 according to embodiments of the present invention recovers data of a USB memory device 10 having a multilayer printed circuit board with poor recognition, and includes a host 400 and A USB connection device 500 may be included.

호스트(400)는 휴대폰, 노트북 등과 같은 휴대용 전자 장치들, 또는 데스크탑 컴퓨터, TV, 프로젝터 등과 같은 전자 장치들을 포함할 수 있다. 호스트(400)는 고장난 USB 메모리 장치의 데이터를 복구하기 위한 데이터 복구 프로그램(410)을 구비할 수 있다. 데이터 복구 프로그램(410)은 예컨대, 플래시 추출자(FLASH EXTRACTOR)를 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 데이터 복구 프로그램(410)은 컨트롤러(300)를 대신하여 플래시 메모리(200)의 동작을 제어하며, 플래시 메모리(200)의 데이터를 복구할 수 있다. The host 400 may include portable electronic devices such as a mobile phone or a notebook computer, or electronic devices such as a desktop computer, TV, projector, and the like. The host 400 may include a data recovery program 410 for recovering data of a broken USB memory device. The data recovery program 410 may include, for example, a flash extractor, but is not limited thereto. The data recovery program 410 may control the operation of the flash memory 200 on behalf of the controller 300 , and may recover data of the flash memory 200 .

USB 연결 장치(500)는 인식 불량의 고장난 USB 메모리 장치와 정상 동작하는 정상 USB 메모리 장치를 전기적으로 연결시키기 위한 장치로서, 디캡(decapsulation) 상태의 고장난 USB 메모리 장치와 정상 USB 메모리 장치를 소켓부에 실장한 후 탄성 프로브들을 이용하여 이들을 전기적으로 연결시킬 수 있다. USB 연결 장치(500)를 통해 고장난 USB 메모리 장치와 정상 USB 메모리 장치가 서로 연결됨에 따라, 고장난 USB 메모리 장치의 플래시 메모리는 정상 USB 메모리 장치의 컨트롤러에 의해 제어되고, 고장난 USB 메모리 장치의 플래시 메모리에 저장된 데이터는 USB 연결 장치(500)에 연결된 호스트(400)로 독출될 수 있다. 이하, 도 5를 참조하여 USB 연결 장치(500)에 대해 상세히 설명한다.The USB connection device 500 is a device for electrically connecting a malfunctioning USB memory device of poor recognition and a normally operating USB memory device, and connects the malfunctioning USB memory device in a decapsulation state and the normal USB memory device to the socket unit. After mounting, they can be electrically connected using elastic probes. As the failed USB memory device and the normal USB memory device are connected to each other through the USB connection device 500 , the flash memory of the failed USB memory device is controlled by the controller of the normal USB memory device and stored in the flash memory of the failed USB memory device. The stored data may be read by the host 400 connected to the USB connection device 500 . Hereinafter, the USB connection device 500 will be described in detail with reference to FIG. 5 .

도 5는 본 발명의 실시예들에 따른 USB 연결 장치를 설명하기 위한 도면이다.5 is a diagram for explaining a USB connection device according to embodiments of the present invention.

도 5를 참조하면, USB 연결 장치(500)는 소켓형 어댑터로서, 베이스 본체(510), 소켓부(520), 덮개부(530) 및 호스트 연결부(540)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 5 , the USB connection device 500 is a socket-type adapter and may include a base body 510 , a socket part 520 , a cover part 530 , and a host connection part 540 .

베이스 본체(510)는 대체로 육면체의 플레이트 형상을 가지며, 소켓부(520)에 실장되는 USB 메모리 장치와 전기적으로 연결되는 내부 배선을 구비할 수 있다. The base body 510 has a substantially hexahedral plate shape, and may include an internal wiring electrically connected to the USB memory device mounted on the socket unit 520 .

소켓부(520)는 디캡 상태의 USB 메모리 장치들이 각각 실장되는 한 쌍의 소켓홈들(522)을 구비할 수 있다. 예컨대, 하나의 소켓홈(522)에는 인식 불량의 고장난 USB 메모리 장치가 실장되고, 다른 하나의 소켓홈(522)에는 정상 동작하는 정상 USB 메모리 장치가 실장될 수 있다.The socket unit 520 may include a pair of socket grooves 522 in which the USB memory devices in the decap state are respectively mounted. For example, a faulty USB memory device with poor recognition may be mounted in one socket groove 522 , and a normally operating USB memory device may be mounted in the other socket groove 522 .

덮개부(530)는 소켓부(520)의 일측에 힌지 결합하여 소켓홈들(522)을 개폐할 수 있다. 소켓홈들(522) 내에 디캡 상태의 USB 메모리 장치들이 실장되면, 덮개부(530)는 소켓부(520)를 덮을 수 있다. 덮개부(530)의 하부면에는 소켓홈들(522)에 실장된 USB 메모리 장치들과 접속하는 한 쌍의 접속 부재들(532)이 구비될 수 있다. 접속 부재들(532) 상에는 디캡 상태의 USB 메모리 장치들의 상부 연결 패드들과 접촉되는 탄성 프로브들(534, 도 13 및 도 14 참조)이 구비될 수 있다. 즉, 하나의 접속 부재(532)의 탄성 프로브들(534)은 고장난 USB 메모리 장치의 상부 연결 패드들과 접촉되고, 다른 하나의 접속 부재(532)의 탄성 프로브들(534)은 정상 USB 메모리 장치의 상부 연결 패드들과 접촉되어, 두개의 USB 메모리 장치들을 전기적으로 연결할 수 있다. The cover part 530 may be hinged to one side of the socket part 520 to open and close the socket grooves 522 . When the USB memory devices in the decap state are mounted in the socket grooves 522 , the cover part 530 may cover the socket part 520 . A pair of connection members 532 for connecting to USB memory devices mounted in the socket grooves 522 may be provided on the lower surface of the cover part 530 . Elastic probes 534 (refer to FIGS. 13 and 14 ) contacting upper connection pads of the USB memory devices in the decap state may be provided on the connection members 532 . That is, the elastic probes 534 of one connection member 532 are in contact with upper connection pads of the faulty USB memory device, and the elastic probes 534 of the other connection member 532 are in contact with the normal USB memory device. In contact with the upper connection pads of the two USB memory devices can be electrically connected.

호스트 연결부(540)는 베이스 본체(510) 상에서 소켓부(520)와 이격되어 배치되고, 호스트(400)와 전기적으로 연결되는 연결 단자를 구비하며, 전기적으로 연결된 두 USB 메모리 장치로부터 독출된 데이터를 연결 단자에 연결된 호스트(400)로 전달할 수 있다.The host connection unit 540 is disposed to be spaced apart from the socket unit 520 on the base body 510 , has a connection terminal electrically connected to the host 400 , and receives data read from two electrically connected USB memory devices. It can be transmitted to the host 400 connected to the connection terminal.

이하, 상술한 데이터 복구 시스템(1)을 이용한 다층 인쇄회로기판을 구비한 USB 메모리 장치(10)의 데이터 복구 방법에 대해 설명한다.Hereinafter, a data recovery method of the USB memory device 10 having a multilayer printed circuit board using the data recovery system 1 described above will be described.

도 6은 본 발명의 실시예들에 따른 다층 인쇄회로기판을 구비한 USB 메모리 장치의 데이터 복구 방법을 설명하기 위한 순서도이다. 도 7 및 도 8은 도 6의 단계(S10)을 설명하기 위한 단면도들이다. 도 9는 도 6의 단계(S20)을 설명하기 위한 단면도이다. 도 10는 도 6의 단계(S30)을 설명하기 위한 단면도이다. 도 11은 도 6의 단계(S40)을 설명하기 위한 단면도이다. 도 12는 도 6의 단계(S50)을 설명하기 위한 단면도이다. 도 13 및 도 14는 도 6의 단계(S60)을 설명하기 위한 단면도들이다.6 is a flowchart illustrating a data recovery method of a USB memory device having a multilayer printed circuit board according to embodiments of the present invention. 7 and 8 are cross-sectional views for explaining step S10 of FIG. 6 . 9 is a cross-sectional view for explaining step S20 of FIG. 6 . FIG. 10 is a cross-sectional view for explaining step S30 of FIG. 6 . 11 is a cross-sectional view for explaining step S40 of FIG. 6 . 12 is a cross-sectional view for explaining step S50 of FIG. 6 . 13 and 14 are cross-sectional views for explaining step S60 of FIG. 6 .

본 발명의 실시예들에 따른 다층 인쇄회로기판을 구비한 USB 메모리 장치의 데이터 복구 방법은, 다층 인쇄회로기판 및 다층 인쇄회로기판 상에 실장된 플래시 메모리, 컨트롤러 및 수동소자를 포함하는 COB 타입의 USB 메모리 장치의 데이터를 복구하는 방법에 관한 것이다. A data recovery method of a USB memory device having a multilayer printed circuit board according to embodiments of the present invention is a COB type of a multilayer printed circuit board and a flash memory mounted on the multilayer printed circuit board, a controller, and a passive device. How to recover data from a USB memory device.

먼저 도6, 도 7 및 도 8을 참조하면, 제1 다층 인쇄회로기판(100A)을 구비한 제1 USB 메모리 장치(10A) 및 제2 다층 인쇄회로기판(100B)을 구비한 제2 USB 메모리 장치(10B)가 준비될 수 있다(S10).Referring first to FIGS. 6, 7 and 8 , a first USB memory device 10A having a first multilayer printed circuit board 100A and a second USB memory having a second multilayer printed circuit board 100B The device 10B may be prepared (S10).

제1 USB 메모리 장치(10A)는 인식 불량의 고장난 USB 메모리 장치로서, 제1 다층 인쇄회로기판(100A)과, 제1 다층 인쇄회로기판(100A) 상에 실장된 제1 플래시 메모리(200A), 제1 컨트롤러(300A) 및 제1 수동소자(미도시)를 포함할 수 있다. 제1 USB 메모리 장치(10A)의 제1 다층 인쇄회로기판(100A), 제1 플래시 메모리(200A) 및 제1 컨트롤러(300A)는 각각 도 1 내지 도 3을 참조하여 설명한 USB 메모리 장치(10)의 구성들(100, 200, 300)과 동일하므로, 이에 대한 상세한 설명은 생략한다. The first USB memory device 10A is a defective USB memory device with poor recognition, and includes a first multi-layer printed circuit board 100A, a first flash memory 200A mounted on the first multi-layer printed circuit board 100A, It may include a first controller 300A and a first passive element (not shown). The first multilayer printed circuit board 100A, the first flash memory 200A, and the first controller 300A of the first USB memory device 10A are the USB memory device 10 described with reference to FIGS. 1 to 3 , respectively. Since it is the same as the configurations 100, 200, and 300 of , a detailed description thereof will be omitted.

제2 USB 메모리 장치(10B)는 제1 USB 메모리 장치(10A)와 동일한 USB 메모리 장치로서, 정상 동작하는 정상 USB 메모리 장치일 수 있다. 즉, 제2 USB 메모리 장치(10B)는 제2 다층 인쇄회로기판(100B)과 제2 다층 인쇄회로기판(100B) 상에 실장된 제2 플래시 메모리(200B), 제2 컨트롤러(300B) 및 제2 수동소자(미도시)를 포함할 수 있다. 제2 USB 메모리 장치(10B)의 구성들(100B, 200B, 300B)은 각각 도 1 내지 도 3을 참조하여 설명한 USB 메모리 장치(10)의 구성들(100, 200, 300)과 동일하므로, 이에 대한 상세한 설명은 생략한다. The second USB memory device 10B is the same USB memory device as the first USB memory device 10A, and may be a normal USB memory device operating normally. That is, the second USB memory device 10B includes a second multilayer printed circuit board 100B, a second flash memory 200B mounted on the second multilayer printed circuit board 100B, a second controller 300B, and a second 2 may include a passive element (not shown). The configurations 100B, 200B, and 300B of the second USB memory device 10B are the same as the configurations 100, 200, and 300 of the USB memory device 10 described with reference to FIGS. 1 to 3, respectively. A detailed description thereof will be omitted.

도 6 및 도 9를 참조하면, 제1 다층 인쇄회로기판(100A)의 최하층의 데이터 신호 라인들 중 제1 컨트롤러(300A) 및 제1 수동소자와 전기적으로 연결되는 로직 데이터 신호 라인들을 단선시킬 수 있다(S20).6 and 9 , the logic data signal lines electrically connected to the first controller 300A and the first passive element among the data signal lines of the lowermost layer of the first multilayer printed circuit board 100A may be disconnected. There is (S20).

본 발명에서, 로직 데이터 신호 라인들은 제1 USB 메모리 장치(10A)의 최하층 기판인 제1 기판(100A)에서, 제1 컨트롤러(300A) 및 제1 수동 소자와 전기적으로 연결되는 상부 및 하부 로직 연결 패드들(114, 115)과 이들을 연결하는 제1 연결 부재(118)일 수 있다. 로직 데이터 신호 라인들의 단선은 예컨대, 레이저 마킹기를 이용하여 제1 연결 부재(118)를 커팅(cutting)하는 것을 포함할 수 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. In the present invention, logic data signal lines are connected to upper and lower logic connections electrically connected to the first controller 300A and the first passive element in the first substrate 100A, which is the lowermost substrate of the first USB memory device 10A. It may be the pads 114 and 115 and the first connecting member 118 connecting them. Disconnection of the logic data signal lines may include cutting the first connection member 118 using, for example, a laser marking machine, but the present invention is not limited thereto.

로직 데이터 신호 라인들의 위치는 본 출원인의 등록 특허 제10-2127768호 개시된 방법을 통해 이미 획득한 제1 USB 메모리 장치(10A)의 핀맵 정보를 이용하여 확인할 수 있다. The positions of the logic data signal lines can be confirmed using the pin map information of the first USB memory device 10A already obtained through the method disclosed in Patent Registration No. 10-2127768 of the present applicant.

도 6 및 도 10을 참조하면, 제2 다층 인쇄회로기판(100B)의 최하층의 데이터 신호 라인들 중 제2 플래시 메모리(200B)와 전기적으로 연결되는 메모리 데이터 신호 라인들을 단선시킬 수 있다(S30). 6 and 10 , memory data signal lines electrically connected to the second flash memory 200B among the data signal lines of the lowermost layer of the second multilayer printed circuit board 100B may be disconnected (S30). .

본 발명에서, 메모리 데이터 신호 라인들은 제2 USB 메모리 장치(10B)의 최하층 기판인 제1 기판(100B)에서 제2 플래시 메모리(200B)와 연결되는 상부 및 하부 메모리 연결 패드들(112, 113)과 이들을 연결하는 제2 연결 부재(119)일 수 있다. 메모리 데이터 신호 라인들의 단선은 예컨대, 레이저 마킹기를 이용하여 제2 연결 부재(119)를 커팅(cutting)하는 것을 포함할 수 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 메모리 데이터 신호 라인들의 위치는 본 출원인의 등록 특허 제10-2127768호 개시된 방법을 통해 이미 획득한 제2 USB 메모리 장치(10B)의 핀맵 정보를 이용하여 확인할 수 있다.In the present invention, the memory data signal lines are connected to the upper and lower memory connection pads 112 and 113 connected to the second flash memory 200B in the first substrate 100B, which is the lowermost substrate of the second USB memory device 10B. and a second connecting member 119 connecting them. Disconnection of the memory data signal lines may include cutting the second connection member 119 using, for example, a laser marking machine, but the present invention is not limited thereto. The positions of the memory data signal lines can be confirmed using the pin map information of the second USB memory device 10B, which has already been obtained through the method disclosed in Patent Registration No. 10-2127768 of the present applicant.

도 6 및 도 11을 참조하면, 디캡 공정을 수행하여, 제1 다층 인쇄회로기판(100A)의 최상층의 상부 연결 패드들 중 제1 플래시 메모리(200A)와 전기적으로 연결되는 상부 연결 패드들을 노출시킬 수 있다(S40).6 and 11 , the decap process is performed to expose upper connection pads electrically connected to the first flash memory 200A among the upper connection pads of the uppermost layer of the first multilayer printed circuit board 100A. can be (S40).

디캡(decapsulation)이란 IC 패키지 내부의 불량 검출을 위하여 IC 패키지의 에폭시 몰딩 수지(Epoxy Molding Compound; EMC) 또는 플라스틱 부분을 제거하는 것으로서, IC 패키지의 내부를 오픈시키는 에칭공정(식각공정)을 의미한다. 예컨대, 디캡 공정은 화학적인 식각 반응을 이용하는 방법, 레이저를 이용하는 방법, 또는 플라즈마를 이용하는 방법을 포함할 수 있다. Decapsulation refers to the removal of an epoxy molding compound (EMC) or plastic part of an IC package to detect defects inside the IC package, and refers to an etching process (etching process) that opens the inside of the IC package. . For example, the decap process may include a method using a chemical etching reaction, a method using a laser, or a method using a plasma.

본 예에서, 제1 다층 인쇄회로기판(100A)의 최상층의 상부 연결 패드들은 제2 기판(120A)의 상부 연결 패드들(123)일 수 있으며, 이들 중 제1 플래시 메모리(200A)와 전기적으로 연결되는 상부 연결 패드들(123)은 메모리 상부 연결 패드로 지칭될 수 있다. 메모리 상부 연결 패드들은 제1 기판(100A)의 메모리 데이터 신호 라인 및 전원 신호 라인과 전기적으로 연결될 수 있다.In this example, the upper connection pads of the uppermost layer of the first multilayer printed circuit board 100A may be the upper connection pads 123 of the second substrate 120A, and among them, the first flash memory 200A and the first flash memory 200A are electrically connected. The connected upper connection pads 123 may be referred to as memory upper connection pads. The memory upper connection pads may be electrically connected to a memory data signal line and a power signal line of the first substrate 100A.

디캡(decapsulation) 공정은 제1 다층 인쇄회로기판(100A)의 제2 면(102)을 덮는 몰딩 부재(130)의 일면(즉, 제1 USB 메모리 장치(10A)의 후면)을 제거하도록 수행되며, 최상층의 기판인 제2 기판(120)에 구비된 메모리 상부 연결 패드들이 노출될 때까지 수행될 수 있다. The decapsulation process is performed to remove one surface (that is, the rear surface of the first USB memory device 10A) of the molding member 130 covering the second surface 102 of the first multilayer printed circuit board 100A, and , until the memory upper connection pads provided on the second substrate 120, which is the uppermost substrate, are exposed.

도 6 및 도 12를 참조하면, 디캡 공정을 수행하여, 제2 다층 인쇄회로기판(100B)의 최상층의 상부 연결 패드들 중 제2 컨트롤러(300B) 및 제2 수동소자와 전기적으로 연결되는 상부 연결 패드들을 노출시킬 수 있다(S50). 6 and 12 , an upper connection electrically connected to a second controller 300B and a second passive element among upper connection pads of the uppermost layer of the second multilayer printed circuit board 100B by performing a decap process The pads may be exposed (S50).

본 예에서, 제2 다층 인쇄회로기판(100B)의 최상층의 상부 연결 패드들은 제2 기판(120B)의 상부 연결 패드들(123)일 수 있으며, 이들 중 제2 플래시 메모리(100B) 및 제2 수동소자와 전기적으로 연결되는 상부 연결 패드들(123)은 로직 상부 연결 패드들로 지칭될 수 있다. 로직 상부 연결 패드들은 제1 기판(110B)의 로직 데이터 신호 라인 및 전원 신호 라인과 전기적으로 연결될 수 있다.In this example, the upper connection pads of the uppermost layer of the second multilayer printed circuit board 100B may be the upper connection pads 123 of the second substrate 120B, of which the second flash memory 100B and the second The upper connection pads 123 electrically connected to the passive element may be referred to as logic upper connection pads. The logic upper connection pads may be electrically connected to the logic data signal line and the power signal line of the first substrate 110B.

디캡(decapsulation) 공정은 제2 다층 인쇄회로기판(100B)의 제2 면(102)을 덮는 몰딩 부재(130)의 일면(즉, 제2 USB 메모리 장치(10B)의 후면)을 제거하도록 수행되며, 최상층의 기판인 제2 기판(120B)에 구비된 로직 상부 연결 패드들(123)이 노출될 때까지 수행될 수 있다.The decapsulation process is performed to remove one surface of the molding member 130 covering the second surface 102 of the second multilayer printed circuit board 100B (that is, the rear surface of the second USB memory device 10B). , until the logic upper connection pads 123 provided on the second substrate 120B, which is the uppermost substrate, are exposed.

한편, 상술한 메모리 로직 연결 패드들과 로직 상부 연결 패드들의 위치는 본 출원인의 등록 특허 제10-2127768호 개시된 방법을 통해 이미 획득한 제1 및 제2 USB 메모리 장치들(10A, 10B)의 핀맵 정보를 이용하여 확인할 수 있다.Meanwhile, the positions of the above-described memory logic connection pads and logic upper connection pads are pin maps of the first and second USB memory devices 10A and 10B already obtained through the method disclosed in Patent No. 10-2127768 of the present applicant. information can be verified.

도 6, 도 13 및 도 14를 참조하면, USB 메모리 장치(500)를 이용하여, 제1 USB 메모리 장치(10A)의 메모리 상부 연결 패드들과 제2 USB 메모리 장치(10B)의 로직 상부 연결 패드들을 전기적으로 연결시킬 수 있다(S60). 6, 13 and 14 , using the USB memory device 500 , the upper memory connection pads of the first USB memory device 10A and the logic upper connection pad of the second USB memory device 10B are used. may be electrically connected to each other (S60).

상세하게, 디캡 상태의 제1 USB 메모리 장치(10A)와 제2 USB 메모리 장치(10B)를 각각 USB 연결 장치(500)의 소켓부(520)에 실장시키고, 접속 부재들(532)에 구비된 탄성 프로브들(534)이 각각 메모리 상부 연결 패드들과 로직 상부 연결 패드들과 접촉되도록 덮개부(530)를 덮음으로써, 제1 USB 메모리 장치(10A)의 메모리 상부 연결 패드들과 제2 USB 메모리 장치(10B)의 로직 상부 연결 패드들이 전기적으로 연결될 수 있다. 접속 부재들(532)에 구비된 탄성 프로브들(534)은 이미 획득한 메모리 로직 연결 패드들과 로직 상부 연결 패드들 위치 정보에 기반하여 설계된 것 일 수 있다.In detail, the first USB memory device 10A and the second USB memory device 10B in the decap state are mounted on the socket unit 520 of the USB connection device 500 , respectively, and provided in the connection members 532 . By covering the cover part 530 so that the elastic probes 534 come into contact with the memory upper connection pads and the logic upper connection pads, respectively, the memory upper connection pads of the first USB memory device 10A and the second USB memory The logic upper connection pads of device 10B may be electrically connected. The elastic probes 534 provided in the connection members 532 may be designed based on previously obtained location information of the memory logic connection pads and the logic upper connection pads.

USB 연결 장치(500)를 통해 제1 USB 메모리 장치(10A)와 제2 USB 메모리 장치(10B)가 서로 연결됨에 따라, 제1 USB 메모리 장치(10A)의 제1 플래시 메모리(200A)는 제2 USB 메모리 장치(10B)의 제2 컨트롤러(300B)에 의해 제어될 수 있으며, 이에 따라 제1 USB 메모리 장치(10A) 및 제2 USB 메모리 장치(10B)는 호스트 연결부(540)에 연결된 호스트(400)에 인식될 수 있다. As the first USB memory device 10A and the second USB memory device 10B are connected to each other through the USB connection device 500 , the first flash memory 200A of the first USB memory device 10A becomes the second It may be controlled by the second controller 300B of the USB memory device 10B, and accordingly, the first USB memory device 10A and the second USB memory device 10B are connected to the host 400 connected to the host connection unit 540 . ) can be recognized.

이 후, 호스트(400)의 독출 신호에 따라 제1 USB 메모리 장치(10A)의 제1 플래시 메모리(200A)에 저장된 데이터는 호스트(400)로 독출되고, 호스트(400)에 설치된 데이터 복구 프로그램(4100을 통해 제1 플래시 메모리(200A)의 데이터가 복구되어 인식 불량의 다층 인쇄회로기판을 구비한 제1 USB 메모리 장치(10A)의 데이터 복구 과정이 완료될 수 있다.Thereafter, according to the read signal of the host 400 , the data stored in the first flash memory 200A of the first USB memory device 10A is read by the host 400 , and a data recovery program installed in the host 400 ( The data of the first flash memory 200A is recovered through 4100, so that the data recovery process of the first USB memory device 10A having the multilayer printed circuit board with poor recognition can be completed.

최하층의 기판에 형성된 핀 아웃 지점들을 와이어 본딩을 통해 연결하여 인식 불량의 USB 메모리 장치를 인식하는 방식을 통해 데이터를 복구하는 기존 데이터 복구 방법의 경우, 와이어 본딩 작업의 소요 시간이 길어지고, 핀 아웃지점들 간의 좁은 피치로 인해 작업 난이도가 높아 데이터를 정확하게 독출 및 복구하는데 어려움이 있었다. 본 발명의 실시예들에 따르면, 인식 불량의 고장난 USB 메모리 장치와 정상 동작하는 정상 USB 메모리 장치의 최상층의 상부 연결 패드들을 소켓형 어댑터인 USB 연결 장치를 이용하여 전기적으로 연결시킴으로써, 와이어 본딩 방식보다 정확하고 신속하게 데이터를 독출 및 복구할 수 있다.In the case of the existing data recovery method, which recovers data by recognizing a USB memory device with poor recognition by connecting pin-out points formed on the lowermost substrate through wire bonding, the time required for the wire bonding operation becomes longer and the pinout Due to the narrow pitch between the points, it was difficult to accurately read and recover data due to high work difficulty. According to embodiments of the present invention, by electrically connecting the uppermost connection pads of the uppermost layer of a malfunctioning USB memory device with poor recognition and a normally operating USB memory device using a USB connection device that is a socket-type adapter, it is better than the wire bonding method. Data can be read and recovered accurately and quickly.

본 명세서에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 개시하였으며, 비록 특정 용어들이 사용되었으나, 이는 단지 본 발명의 기술 내용을 쉽게 설명하고 발명의 이해를 돕기 위한 일반적인 의미에서 사용된 것이지, 본 발명의 범위를 한정하고자 하는 것은 아니다. 여기에 개시된 실시예 외에도 본 발명의 기술적 사상에 바탕을 둔 다른 변형예들이 실시 가능하다는 것은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 자명한 것이다.In the present specification, preferred embodiments of the present invention have been disclosed, and although specific terms are used, these are only used in a general sense to easily explain the technical content of the present invention and help the understanding of the present invention, and to limit the scope of the present invention. It is not meant to be limiting. It is apparent to those of ordinary skill in the art to which the present invention pertains that other modifications based on the technical spirit of the present invention can be implemented in addition to the embodiments disclosed herein.

10, 10A, 10B: 다층 인쇄회로기판을 구비한 USB 메모리 장치
200, 200A, 200B: 플래시 메모리
300, 300A, 300B: 컨트롤러
400: 호스트
500: USB 연결 장치
10, 10A, 10B: USB memory device having a multilayer printed circuit board
200, 200A, 200B: Flash memory
300, 300A, 300B: Controller
400: host
500: USB connected device

Claims (4)

다층 인쇄회로기판 및 상기 다층 인쇄회로기판 상에 실장된 플래시 메모리, 컨트롤러 및 수동소자를 포함하는 COB 타입의 USB 메모리 장치의 데이터를 복구하는 방법에 있어서,
제1 다층 인쇄회로기판과, 상기 제1 다층 인쇄회로기판 상에 실장된 제1 플래시 메모리, 제1 컨트롤러 및 제1 수동소자를 포함하는 제1 USB 메모리 장치, 및 제2 다층 인쇄회로기판과, 상기 제2 다층 인쇄회로기판 상에 실장된 제2 플래시 메모리, 제2 컨트롤러 및 제2 수동소자를 포함하는 제2 USB 메모리 장치를 준비하는 단계;
상기 제1 다층 인쇄회로기판의 최하층의 데이터 신호 라인들 중 상기 제1 컨트롤러 및 상기 제1 수동소자와 전기적으로 연결되는 로직 데이터 신호 라인들을 단선시키는 단계;
상기 제2 다층 인쇄회로기판의 최하층의 데이터 신호 라인 중 상기 제2 플래시 메모리와 전기적으로 연결되는 메모리 데이터 신호 라인들을 단선시키는 단계;
디캡 공정을 수행하여, 상기 제1 다층 인쇄회로기판의 최상층의 상부 연결 패드들 중 상기 제1 플래시 메모리와 전기적으로 연결되는 메모리 상부 패드들을 노출하는 단계;
디캡 공정을 수행하여, 상기 제2 다층 인쇄회로기판의 최상층의 상부 연결 패드들 중 상기 제2 컨트롤러 및 상기 제2 수동소자와 전기적으로 연결되는 로직 상부 패드들을 노출하는 단계; 및
USB 연결 장치를 이용하여, 상기 메모리 상부 패드들과 상기 로직 상부 패드들을 전기적으로 연결시키는 단계를 포함하고,
상기 제1 USB 메모리 장치와 상기 제2 USB 메모리 장치는 서로 동일한 USB 메모리 장치이되, 상기 제1 USB 메모리 장치는 인식 불량의 고장난 USB 메모리 장치이고, 상기 제2 USB 메모리 장치는 정상 동작하는 USB 메모리 장치인 다층 인쇄회로기판이 구비된 USB 메모리 장치의 데이터 복구 방법.
A method for recovering data from a COB type USB memory device including a multilayer printed circuit board and a flash memory mounted on the multilayer printed circuit board, a controller, and a passive element, the method comprising:
A first multilayer printed circuit board, a first flash memory mounted on the first multilayer printed circuit board, a first USB memory device including a first controller and a first passive element, and a second multilayer printed circuit board; preparing a second USB memory device including a second flash memory, a second controller, and a second passive device mounted on the second multilayer printed circuit board;
disconnecting logic data signal lines electrically connected to the first controller and the first passive element among the data signal lines of the lowermost layer of the first multilayer printed circuit board;
disconnecting memory data signal lines electrically connected to the second flash memory among the data signal lines of the lowermost layer of the second multilayer printed circuit board;
exposing memory upper pads electrically connected to the first flash memory among upper connection pads of an uppermost layer of the first multilayer printed circuit board by performing a decapping process;
exposing logic upper pads electrically connected to the second controller and the second passive element among upper connection pads of an uppermost layer of the second multilayer printed circuit board by performing a decapping process; and
using a USB connection device to electrically connect the memory upper pads and the logic upper pads;
The first USB memory device and the second USB memory device are the same USB memory device, wherein the first USB memory device is a faulty USB memory device with poor recognition, and the second USB memory device is a normally operating USB memory device. A data recovery method of a USB memory device equipped with a phosphorus multilayer printed circuit board.
제1 항에 있어서,
상기 USB 연결 장치는:
플레이트 형상의 베이스 본체;
상기 베이스 본체 상에 구비되고, 상기 디캡 상태의 제1 USB 메모리 장치와 상기 디캡 상태의 제2 USB 메모리 장치가 각각 실장되는 한 쌍의 소켓홈들을 구비한 소켓부;
상기 소켓부의 일측에 힌지 결합되어 상기 소켓홈들을 개폐하고, 하부면에 상기 실장된 제1 USB 메모리 장치 및 제2 USB 메모리 장치와 각각 접속하는 한쌍의 접속 부재들을 구비한 덮개부; 및
상기 베이스 본체 상에서 상기 소켓부와 이격되어 배치되고, 호스트와 전기적으로 연결되는 연결단자를 구비한 호스트 연결부를 포함하는 다층 인쇄회로기판이 구비된 USB 메모리 장치의 데이터 복구 방법.
According to claim 1,
The USB connected device is:
plate-shaped base body;
a socket unit provided on the base body and having a pair of socket grooves in which the first USB memory device in the decap state and the second USB memory device in the decap state are mounted, respectively;
a cover part hinged to one side of the socket part to open and close the socket grooves, and a cover part having a pair of connection members respectively connected to the first USB memory device and the second USB memory device mounted on a lower surface thereof; and
A data recovery method of a USB memory device provided with a multilayer printed circuit board including a host connection part disposed on the base body to be spaced apart from the socket part and having a connection terminal electrically connected to the host.
제2 항에 있어서,
상기 디캡 상태의 제1 USB 메모리 장치와 제2 USB 메모리 장치를 각각 상기 USB 연결 장치의 소켓홈들에 실장시키고, 상기 접속 부재들에 구비된 탄성 프로브들이 각각 상기 메모리 상부 연결 패드들 및 상기 로직 상부 연결 패드들과 접촉되도록 상기 덮개부를 덮음으로써, 상기 제1 USB 메모리 장치의 상기 메모리 상부 연결 패드들과 상기 제2 USB 메모리 장치의 상기 로직 상부 연결 패드들이 전기적으로 연결되는 다층 인쇄회로기판이 구비된 USB 메모리 장치의 데이터 복구 방법.
3. The method of claim 2,
The first USB memory device and the second USB memory device in the decap state are mounted in the socket grooves of the USB connection device, respectively, and elastic probes provided in the connection members are respectively attached to the memory upper connection pads and the logic upper part. A multilayer printed circuit board is provided in which the upper memory connection pads of the first USB memory device and the logic upper connection pads of the second USB memory device are electrically connected to each other by covering the cover portion so as to be in contact with the connection pads. How to recover data from a USB memory device.
제1 항에 있어서,
상기 로직 데이터 신호 라인들을 단선시키는 단계는 레이저 마킹기를 이용하여 상기 로직 데이터 신호 라인들을 커팅(cutting)하는 것을 포함하고,
상기 메모리 데이터 신호 라인들을 단선시키는 단계는 레이저 마킹기를 이용하여 상기 메모리 데이터 신호 라인들을 커팅(cutting)하는 것을 포함하는 다층 인쇄회로기판이 구비된 USB 메모리 장치의 데이터 복구 방법.
According to claim 1,
Disconnecting the logic data signal lines includes cutting the logic data signal lines using a laser marking machine,
The step of disconnecting the memory data signal lines includes cutting the memory data signal lines using a laser marking machine.
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