KR20220070400A - Laser beam irradiation apparatus - Google Patents

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KR20220070400A
KR20220070400A KR1020220061030A KR20220061030A KR20220070400A KR 20220070400 A KR20220070400 A KR 20220070400A KR 1020220061030 A KR1020220061030 A KR 1020220061030A KR 20220061030 A KR20220061030 A KR 20220061030A KR 20220070400 A KR20220070400 A KR 20220070400A
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optical system
laser beam
light
scanner
control unit
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KR1020220061030A
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강구현
한규완
이혜숙
전진홍
조경석
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삼성디스플레이 주식회사
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Abstract

The present invention relates to a laser beam irradiation apparatus. According to the present invention, the laser beam irradiation apparatus is performed in a vacuum state, and allows a first electrode, a pixel defining layer, and a portion of an intermediate layer disposed on an auxiliary electrode, of the intermediate layer on the auxiliary electrode, to be removed to expose the auxiliary electrode. The laser beam irradiation apparatus comprises a laser light source, a control unit for controlling energy of light oscillated from the laser light source, a first optical system for adjusting a shape of light passing through the control unit, a scanner for determining a processing point in a processing unit by adjusting an irradiation direction of light passing through the first optical system, and an F-theta lens for reducing a beam passing through the scanner. The first optical system includes a slit for transmitting a partial area of the light passing through the control unit. The light, oscillated from the laser light source, sequentially passes through the control unit, the first optical system, the scanner, and the F-theta lens. The light, sequentially passing through the control unit, the first optical system, the scanner, and the F-theta lens, removes the intermediate layer on the auxiliary electrode.

Description

레이저 빔 조사 장치{Laser beam irradiation apparatus}Laser beam irradiation apparatus

본 발명의 실시예들은 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 레이저 빔 조사 장치에 관한 것이다.Embodiments of the present invention relates to an apparatus, and more particularly, to a laser beam irradiation apparatus.

근래에 디스플레이 장치는 휴대가 가능한 박형의 평판 디스플레이 장치로 대체되는 추세이다. 평판 디스플레이 장치 중에서도 전계 발광 디스플레이 장치는 자발광형 디스플레이 장치로서 시야각이 넓고 콘트라스트(contrast)가 우수할 뿐만 아니라 응답속도가 빠르다는 장점을 가지고 있어 차세대 디스플레이 장치로 주목을 받고 있다. 또한 발광층이 유기물로 구성되는 유기 발광 디스플레이 장치는 무기 발광 디스플레이 장치에 비해 휘도, 구동 전압 및 응답속도 특성이 우수하고 다색화가 가능하다는 점을 가진다.In recent years, the display device tends to be replaced with a portable thin flat panel display device. Among the flat panel display devices, the electroluminescent display device is a self-luminous display device that has a wide viewing angle, excellent contrast, and fast response speed, and thus attracts attention as a next-generation display device. In addition, the organic light emitting display device in which the light emitting layer is composed of an organic material has superior luminance, driving voltage, and response speed characteristics compared to the inorganic light emitting display device, and can be multicolored.

통상적인 유기 발광 디스플레이 장치는 애노드 전극과 캐소드 전극 사이에 발광층을 포함한 적어도 하나 이상의 유기층이 개재된 구조를 가진다.A typical organic light emitting display device has a structure in which at least one organic layer including a light emitting layer is interposed between an anode electrode and a cathode electrode.

캐소드 전극의 두께가 얇아짐에 따라 캐소드 전극의 저항이 증가하여 IR Drop의 발생이 증가하여 휘도가 저하될 수 있다. 따라서 보조전극을 캐소드 전극과 연결하여 캐소드 저항을 감소시켜 IR Drop을 감소시키는 방법이 사용되고 있다.As the thickness of the cathode electrode becomes thinner, the resistance of the cathode electrode increases, so that the occurrence of IR drop increases, which may decrease the luminance. Therefore, a method of reducing the IR drop by connecting the auxiliary electrode with the cathode electrode to reduce the cathode resistance is used.

본 발명의 실시예들은 레이저 빔 조사 장치를 제공하고자 한다.Embodiments of the present invention are to provide a laser beam irradiation apparatus.

본 발명의 일 실시예는, 진공상태에서 수행되며, 제1전극, 화소정의막 및 보조전극 상의 중간층 중 상기 보조전극에 배치된 상기 중간층의 일부를 제거하여 상기 보조전극을 노출시키는 레이저 빔 조사 장치에 있어서, 상기 레이저 빔 조사 장치는, 레이저 광원과, 상기 레이저 광원에서 발진된 광의 에너지를 제어하는 제어부와, 상기 제어부를 통과한 광의 형상을 조절하는 제1 광학계와, 상기 제1 광학계를 통과한 광의 조사 방향을 조절하여 가공부에서 가공 포인트를 결정하는 스캐너와, 상기 스캐너를 통과한 빔을 축소시키는 에프시타 렌즈(F-theta lens)를 포함하고, 상기 제1 광학계는, 상기 제어부를 통과한 광의 일부 영역을 투과시키는 슬릿을 포함하며, 상기 레이저 광원에서 발진된 광은 상기 제어부, 상기 제1 광학계, 상기 스캐너 및 상기 에프시타 렌즈를 순차적으로 통과하고, 상기 제어부, 상기 제1 광학계, 상기 스캐너 및 상기 에프시타 렌즈를 순차적으로 통과한 광은 상기 보조전극 상의 상기 중간층을 제거하는 레이저 빔 조사 장치를 개시한다.An embodiment of the present invention is a laser beam irradiation device that is performed in a vacuum state and exposes the auxiliary electrode by removing a part of the intermediate layer disposed on the auxiliary electrode among the first electrode, the pixel defining layer, and the intermediate layer on the auxiliary electrode. In the above, the laser beam irradiation device, a laser light source, a control unit for controlling the energy of the light oscillated from the laser light source, a first optical system for adjusting the shape of the light passing through the control unit, and the first optical system and a scanner for determining a processing point in the processing unit by controlling the irradiation direction of light, and an F-theta lens for reducing the beam passing through the scanner, wherein the first optical system passes through the control unit. and a slit for transmitting a partial region of light, wherein the light oscillated from the laser light source sequentially passes through the control unit, the first optical system, the scanner, and the eptheta lens, and the control unit, the first optical system, and the scanner and a laser beam irradiating device for removing the intermediate layer on the auxiliary electrode by sequentially passing through the f-theta lens.

본 실시예에 있어서, 상기 제어부는 AOM(acusto optic modulator)를 포함할 수 있다. In this embodiment, the controller may include an acusto optic modulator (AOM).

본 실시예에 있어서, 상기 제1 광학계는, 상기 슬릿을 통과한 광의 단면 크기를 축소시키는 리듀서(Reducer)를 포함할 수 있다. In this embodiment, the first optical system may include a reducer for reducing the cross-sectional size of the light passing through the slit.

본 실시예에 있어서, 상기 제1 광학계는, 상기 슬릿을 통과한 광을 플랫탑 빔(flat-top beam)으로 변환하는 호모지나이저(homogenizer)를 포함할 수 있다. In this embodiment, the first optical system may include a homogenizer that converts the light passing through the slit into a flat-top beam.

본 실시예 있어서, 상기 제1 광학계는, 상기 슬릿을 통과한 광의 단면 크기를 조절하는 줌 빔 익스펜터(zoom beam expander)를 포함할 수 있다. In this embodiment, the first optical system may include a zoom beam expander that adjusts the cross-sectional size of the light passing through the slit.

본 실시예에 있어서, 상기 제1 광학계, 상기 스캐너 및 상기 에프시타 렌즈는 제1 세트를 구성하고, 상기 제1 세트는 복수개 배치되며, 상기 제어부와 상기 제1 세트 사이에 빔분기 광학계가 배치되고, 상기 빔분기 광학계에 의해 분기된 각각의 광이 상기 각각의 제1 세트에 입사할 수 있다. In this embodiment, the first optical system, the scanner, and the F-theta lens constitute a first set, the first set is arranged in plurality, and a beam splitting optical system is arranged between the control unit and the first set, , each light branched by the beam splitting optical system may be incident on the respective first set.

본 실시예에 있어서, 상기 빔분기 광학계는 적어도 하나 이상의 반투명거울을 포함할 수 있다. In this embodiment, the beam splitting optical system may include at least one translucent mirror.

본 실시예에 있어서, 상기 레이저 빔을 조사하는 과정에서 발생하는 입자는 가스 형태로 방출되며, 상기 입자의 크기는 20nm 미만일 수 있다. In this embodiment, particles generated in the process of irradiating the laser beam are emitted in the form of gas, and the size of the particles may be less than 20 nm.

전술한 것 외의 다른 측면, 특징, 이점이 이하의 도면, 특허청구범위 및 발명의 상세한 설명으로부터 명확해질 것이다.Other aspects, features and advantages other than those described above will become apparent from the following drawings, claims, and detailed description of the invention.

본 발명의 실시예들에 관한 레이저 빔 조사 장치는 고품질의 레이저 빔을 조사할 수 있다.The laser beam irradiating apparatus according to the embodiments of the present invention can irradiate a high-quality laser beam.

본 발명의 실시예들에 관한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법은 단순한 공정으로 보조전극을 형성할 수 있다.The method of manufacturing the organic light emitting display device according to the embodiments of the present invention may form the auxiliary electrode through a simple process.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 레이저 빔 조사 장치를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 레이저 빔 조사 장치를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 3은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 레이저 빔 조사 장치를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 레이저 빔 조사 장치를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 5는 보조 전극이 형성된 유기 발광 디스플레이 장치를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 6a 내지 도 6d는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.1 is a view schematically showing a laser beam irradiation apparatus according to an embodiment of the present invention.
2 is a view schematically showing a laser beam irradiation apparatus according to another embodiment of the present invention.
3 is a view schematically showing a laser beam irradiation apparatus according to another embodiment of the present invention.
4 is a view schematically showing a laser beam irradiation apparatus according to another embodiment of the present invention.
5 is a cross-sectional view schematically illustrating an organic light emitting display device in which auxiliary electrodes are formed.
6A to 6D are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing an organic light emitting display device according to an exemplary embodiment.

본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 본 발명의 효과 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 다양한 형태로 구현될 수 있다. Since the present invention can apply various transformations and can have various embodiments, specific embodiments are illustrated in the drawings and described in detail in the detailed description. Effects and features of the present invention, and a method for achieving them will become apparent with reference to the embodiments described below in detail in conjunction with the drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below and may be implemented in various forms.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 도면을 참조하여 설명할 때 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면부호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings, and when described with reference to the drawings, the same or corresponding components are given the same reference numerals, and the overlapping description thereof will be omitted. .

이하의 실시예에서, 제1, 제2 등의 용어는 한정적인 의미가 아니라 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하는 목적으로 사용되었다. In the following embodiments, terms such as first, second, etc. are used for the purpose of distinguishing one component from another, not in a limiting sense.

이하의 실시예에서, 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.In the following examples, the singular expression includes the plural expression unless the context clearly dictates otherwise.

이하의 실시예에서, 포함하다 또는 가지다 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 또는 구성요소가 존재함을 의미하는 것이고, 하나 이상의 다른 특징들 또는 구성요소가 부가될 가능성을 미리 배제하는 것은 아니다. In the following embodiments, terms such as include or have means that the features or components described in the specification are present, and the possibility that one or more other features or components will be added is not excluded in advance.

이하의 실시예에서, 막, 영역, 구성 요소 등의 부분이 다른 부분 위에 또는 상에 있다고 할 때, 다른 부분의 바로 위에 있는 경우뿐만 아니라, 그 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소 등이 개재되어 있는 경우도 포함한다. In the following embodiments, when it is said that a part such as a film, region, or component is on or on another part, not only when it is directly on the other part, but also another film, region, component, etc. is interposed therebetween. Including cases where there is

도면에서는 설명의 편의를 위하여 구성 요소들이 그 크기가 과장 또는 축소될 수 있다. 예컨대, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.In the drawings, the size of the components may be exaggerated or reduced for convenience of description. For example, since the size and thickness of each component shown in the drawings are arbitrarily indicated for convenience of description, the present invention is not necessarily limited to the illustrated bar.

이하, 첨부된 도면을 참조로 본 발명의 바람직한 실시예들에 대하여 보다 상세히 설명한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 레이저 빔 조사 장치(1)를 개략적으로 도시한 도면이다. 1 is a view schematically showing a laser beam irradiation apparatus 1 according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 일 실시예에 따른 레이저 빔 조사 장치(1)는 레이저 광원(110), 제어부(120), 제1 광학계(130), 스캐너(140) 및 에프시타 렌즈(F-theta lens)(150)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 1 , a laser beam irradiation apparatus 1 according to an embodiment includes a laser light source 110 , a controller 120 , a first optical system 130 , a scanner 140 , and an F-theta lens. ) (150).

레이저 광원(110)에서 레이저 광이 생성될 수 있다.Laser light may be generated from the laser light source 110 .

제어부(120)는 레이저 광원(110)에서 발진된 광의 에너지를 제어한다. 제어부(120)는 AOM(acusto optic modulator)를 포함할 수 있다. 레이저 가공 시 AOM의 인가전압으로 레이저 에너지의 정밀 변환, 고속 제어 및 실시간 제어가 가능하다.The controller 120 controls the energy of the light oscillated from the laser light source 110 . The controller 120 may include an acusto optic modulator (AOM). In laser processing, the applied voltage of AOM enables precise conversion, high-speed control, and real-time control of laser energy.

제1 광학계(130)는 제어부(120)를 통과한 광의 형상을 조절할 수 있다. 제1 광학계(130)는 제1 슬릿(131) 및 리듀서(Reducer)(132)를 포함할 수 있다. 제1 슬릿(131)은 제어부(120)를 통과한 광의 일부 영역을 투과시킨다. 제1 슬릿(131)은 제어부(120)에 의해 에너지가 제어된 가우시안 빔을 플랫 라이크 빔(flat-like beam)으로 만들기 위해 가우시안 빔 중심의 일정 영역만 투과시킨다. 리듀서(132)는 제1 슬릿(131)을 통과한 광의 단면 크기를 축소시킨다.The first optical system 130 may adjust the shape of the light passing through the controller 120 . The first optical system 130 may include a first slit 131 and a reducer 132 . The first slit 131 transmits a partial region of the light that has passed through the control unit 120 . The first slit 131 transmits only a certain region of the center of the Gaussian beam to make the Gaussian beam whose energy is controlled by the controller 120 into a flat-like beam. The reducer 132 reduces the cross-sectional size of the light passing through the first slit 131 .

스캐너(140)는 제1 광학계(130)을 통과한 광의 조사 방향을 조절한다. 스캐너(140)는 2개의 반사미러로 구성된 갈바노 스캐너일 수 있다. 스캐너(140)는 입사되는 빔의 x방향 및 y방향을 제어하여, 가공부에서의 가공 포인트(point)를 결정할 수 있다.The scanner 140 adjusts the irradiation direction of the light that has passed through the first optical system 130 . The scanner 140 may be a galvano scanner composed of two reflection mirrors. The scanner 140 may control the x-direction and the y-direction of the incident beam to determine a processing point in the processing unit.

에프시타 렌즈(150)는 스캐너(140)를 통과한 빔을 축소시킨다. 에프시타 렌즈(150)를 통과한 빔은 가공단에 전달된다. 에프시타 렌즈(150)가 배치됨에 따라, 스캐너(140)에 의해 에프시타 렌즈(150)에 대한 입사각이 바뀌어도 수차에 의한 필드 커버처(field curvature)를 보상할 수 있다. 에프시타 렌즈(150)에 의해 넓은 스캔 필드(scan field)를 가지는 전 스캔 영역에서 빔 퀄리티(beam quality) 차이가 없어질 수 있다.The eptheta lens 150 reduces the beam passing through the scanner 140 . The beam that has passed through the eptheta lens 150 is transmitted to the processing end. As the f-theta lens 150 is disposed, field curvature due to aberration can be compensated even when the angle of incidence to the f-theta lens 150 is changed by the scanner 140 . A difference in beam quality may be eliminated in a full scan region having a wide scan field by the ef-theta lens 150 .

에프시타 렌즈(150)를 통과한 레이저 빔(L1)이 가공단에 전달되어 레이저 드릴링(laser drilling)이 행해질 수 있다. 레이저 빔(L1)은 유기층에 전달되어 유기층에 컨택홀을 형성할 수 있다.The laser beam L1 passing through the F-sita lens 150 may be transmitted to the processing stage to perform laser drilling. The laser beam L1 may be transmitted to the organic layer to form a contact hole in the organic layer.

도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 레이저 빔 조사 장치(2)를 개략적으로 도시한 도면이다. 2 is a view schematically showing a laser beam irradiation apparatus 2 according to another embodiment of the present invention.

도 2를 참조하면, 일 실시예에 따른 레이저 빔 조사 장치(2)는 레이저 광원(110), 제어부(120), 제1 광학계(130), 스캐너(140) 및 에프시타 렌즈(F-theta lens)(150)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 2 , the laser beam irradiation apparatus 2 according to an embodiment includes a laser light source 110 , a controller 120 , a first optical system 130 , a scanner 140 , and an F-theta lens. ) (150).

레이저 광원(110)에서 레이저 광이 생성될 수 있다.Laser light may be generated from the laser light source 110 .

제어부(120)는 레이저 광원(110)에서 발진된 광의 에너지를 제어한다. 제어부(120)는 AOM(acusto optic modulator)를 포함할 수 있다. 레이저 가공 시 AOM의 인가전압으로 레이저 에너지의 정밀 변환, 고속 제어 및 실시간 제어가 가능하다.The controller 120 controls the energy of the light oscillated from the laser light source 110 . The controller 120 may include an acusto optic modulator (AOM). In laser processing, the applied voltage of AOM enables precise conversion, high-speed control, and real-time control of laser energy.

제1 광학계(130)는 제어부(120)를 통과한 광의 형상을 조절할 수 있다. 제1 광학계(130)는 제2 슬릿(133), 호모지나이저(homogenizer)(134) 및 볼록 렌즈(135)를 포함할 수 있다. 제2 슬릿(133)은 제어부(120)를 통과한 광의 일부 영역을 투과시킨다. 호모지나이저(134)와 볼록 렌즈(135)에 의해 제2 슬릿(133)을 통과한 광을 플랫탑 빔(flat top beam)으로 변환시킬 수 있다. 제1 광학계(130)에 의해 플랫탑 빔을 만들어 레이저 드릴링 가공시 가공 영역에서 레이저 에너지를 균일하게 하여 가공 품질을 향상시킬 수 있다.The first optical system 130 may adjust the shape of the light passing through the controller 120 . The first optical system 130 may include a second slit 133 , a homogenizer 134 , and a convex lens 135 . The second slit 133 transmits a partial region of the light that has passed through the control unit 120 . The light passing through the second slit 133 may be converted into a flat top beam by the homogenizer 134 and the convex lens 135 . By making a flat top beam by the first optical system 130 , the laser energy may be uniformed in the processing area during laser drilling to improve processing quality.

스캐너(140)는 제1 광학계(130)을 통과한 광의 조사 방향을 조절한다. 스캐너(140)는 2개의 반사미러로 구성된 갈바노 스캐너일 수 있다. 스캐너(140)는 입사되는 빔의 x방향 및 y방향을 제어하여, 가공부에서의 가공 포인트(point)를 결정할 수 있다.The scanner 140 adjusts the irradiation direction of the light that has passed through the first optical system 130 . The scanner 140 may be a galvano scanner composed of two reflection mirrors. The scanner 140 may control the x-direction and the y-direction of the incident beam to determine a processing point in the processing unit.

에프시타 렌즈(150)는 스캐너(140)를 통과한 빔을 축소시킨다. 에프시타 렌즈(150)를 통과한 빔은 가공단에 전달된다. 에프시타 렌즈(150)가 배치됨에 따라, 스캐너(140)에 의해 에프시타 렌즈(150)에 대한 입사각이 바뀌어도 수차에 의한 필드 커버처(field curvature)를 보상할 수 있다. 에프시타 렌즈(150)에 의해 넓은 스캔 필드(scan field)를 가지는 전 스캔 영역에서 빔 퀄리티(beam quality) 차이가 없어질 수 있다.The eptheta lens 150 reduces the beam passing through the scanner 140 . The beam that has passed through the eptheta lens 150 is transmitted to the processing end. As the f-theta lens 150 is disposed, field curvature due to aberration can be compensated even when the angle of incidence to the f-theta lens 150 is changed by the scanner 140 . A difference in beam quality may be eliminated in a full scan region having a wide scan field by the ef-theta lens 150 .

에프시타 렌즈(150)를 통과한 레이저 빔(L2)이 가공단에 전달되어 레이저 드릴링(laser drilling)이 행해질 수 있다. 레이저 빔(L2)은 유기층에 전달되어 유기층에 컨택홀을 형성할 수 있다.The laser beam L2 that has passed through the F-sita lens 150 may be transmitted to the processing stage to perform laser drilling. The laser beam L2 may be transmitted to the organic layer to form a contact hole in the organic layer.

도 3은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 레이저 빔 조사 장치(3)를 개략적으로 도시한 도면이다. 3 is a view schematically showing a laser beam irradiation apparatus 3 according to another embodiment of the present invention.

도 3을 참조하면, 또 다른 실시예에 따른 레이저 빔 조사 장치(3)는 레이저 광원(110), 제어부(120), 제1 광학계(130), 스캐너(140) 및 에프시타 렌즈(F-theta lens)(150)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 3 , the laser beam irradiation apparatus 3 according to another embodiment includes a laser light source 110 , a controller 120 , a first optical system 130 , a scanner 140 , and an F-theta lens (F-theta). lens) 150 .

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*레이저 광원(110)에서 레이저 광이 생성될 수 있다.* Laser light may be generated from the laser light source 110 .

제어부(120)는 레이저 광원(110)에서 발진된 광의 에너지를 제어한다. 제어부(120)는 AOM(acusto optic modulator)를 포함할 수 있다. 레이저 가공 시 AOM의 인가전압으로 레이저 에너지의 정밀 변환, 고속 제어 및 실시간 제어가 가능하다.The controller 120 controls the energy of the light oscillated from the laser light source 110 . The controller 120 may include an acusto optic modulator (AOM). In laser processing, the applied voltage of AOM enables precise conversion, high-speed control, and real-time control of laser energy.

제1 광학계(130)는 제어부(120)를 통과한 광의 형상을 조절할 수 있다. 제1 광학계(130)는 제3 슬릿(136) 및 줌 빔 익스펜더(zoom beam expander)(137)을 포함한다. 제3 슬릿(136)은 제어부(120)를 통과한 광의 일부 영역을 투과시킨다. 줌 빔 익스펜더(137)는 제3 슬릿(136)을 통과한 광의 단면 크기를 조절한다. 줌 빔 익스펜더(137)에 의해 가공단에 전달되는 레이저 빔(L3)의 크기(size)를 조절할 수 있다. 사용하는 줌 빔 익스펜더(137)의 배율에 따라 레이저 빔(L3)의 크기 조절 범위가 달라질 수 있다. 이에 따라 레이저 드릴링 가공시 레이저 빔(L3)의 크기에 대한 유연성을 확보할 수 있다.The first optical system 130 may adjust the shape of the light passing through the controller 120 . The first optical system 130 includes a third slit 136 and a zoom beam expander 137 . The third slit 136 transmits a partial region of the light that has passed through the control unit 120 . The zoom beam expander 137 adjusts the cross-sectional size of the light passing through the third slit 136 . The size of the laser beam L3 delivered to the processing end by the zoom beam expander 137 may be adjusted. The size adjustment range of the laser beam L3 may vary according to the magnification of the zoom beam expander 137 used. Accordingly, flexibility with respect to the size of the laser beam L3 can be secured during laser drilling.

스캐너(140)는 제1 광학계(130)을 통과한 광의 조사 방향을 조절한다. 스캐너(140)는 2개의 반사미러로 구성된 갈바노 스캐너일 수 있다. 스캐너(140)는 입사되는 빔의 x방향 및 y방향을 제어하여, 가공부에서의 가공 포인트(point)를 결정할 수 있다.The scanner 140 adjusts the irradiation direction of the light that has passed through the first optical system 130 . The scanner 140 may be a galvano scanner composed of two reflection mirrors. The scanner 140 may control the x-direction and the y-direction of the incident beam to determine a processing point in the processing unit.

에프시타 렌즈(150)는 스캐너(140)를 통과한 빔을 축소시킨다. 에프시타 렌즈(150)를 통과한 빔은 가공단에 전달된다. 에프시타 렌즈(150)가 배치됨에 따라, 스캐너(140)에 의해 에프시타 렌즈(150)에 대한 입사각이 바뀌어도 수차에 의한 필드 커버처(field curvature)를 보상할 수 있다. 에프시타 렌즈(150)에 의해 넓은 스캔 필드(scan field)를 가지는 전 스캔 영역에서 빔 퀄리티(beam quality) 차이가 없어질 수 있다.The eptheta lens 150 reduces the beam passing through the scanner 140 . The beam that has passed through the eptheta lens 150 is transmitted to the processing end. As the f-theta lens 150 is disposed, field curvature due to aberration can be compensated even when the angle of incidence to the f-theta lens 150 is changed by the scanner 140 . A difference in beam quality may be eliminated in a full scan region having a wide scan field by the ef-theta lens 150 .

에프시타 렌즈(150)를 통과한 레이저 빔(L3)이 가공단에 전달되어 레이저 드릴링(laser drilling)이 행해질 수 있다. 레이저 빔(L3)은 유기층에 전달되어 유기층에 컨택홀을 형성할 수 있다.The laser beam L3 that has passed through the F-sita lens 150 may be transmitted to the processing stage to perform laser drilling. The laser beam L3 may be transmitted to the organic layer to form a contact hole in the organic layer.

도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 레이저 빔 조사 장치(4)를 개략적으로 도시한 도면이다. 4 is a view schematically showing a laser beam irradiation apparatus 4 according to another embodiment of the present invention.

도 4를 참조하면, 또 다른 실시예에 따른 레이저 빔 조사 장치(4)는 레이저 광원(110), 제어부(120), 제1 광학계(130), 스캐너(140), 에프시타 렌즈(F-theta lens)(150) 및 빔분기 광학계(160)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 4 , the laser beam irradiation apparatus 4 according to another embodiment includes a laser light source 110 , a controller 120 , a first optical system 130 , a scanner 140 , and an F-theta lens. lens) 150 and a beam splitting optical system 160 .

레이저 광원(110)에서 레이저 광이 생성될 수 있다.Laser light may be generated from the laser light source 110 .

제어부(120)는 레이저 광원(110)에서 발진된 광의 에너지를 제어한다. 제어부(120)는 AOM(acusto optic modulator)를 포함할 수 있다. 레이저 가공 시 AOM의 인가전압으로 레이저 에너지의 정밀 변환, 고속 제어 및 실시간 제어가 가능하다.The controller 120 controls the energy of the light oscillated from the laser light source 110 . The controller 120 may include an acusto optic modulator (AOM). In laser processing, the applied voltage of AOM enables precise conversion, high-speed control, and real-time control of laser energy.

제1 광학계(130), 스캐너(140) 및 에프타시터 렌즈(150)는 제1 세트(S)를 구성할 수 있다. 제1 세트(S)는 복수개 배치될 수 있다.The first optical system 130 , the scanner 140 , and the after-situ lens 150 may constitute the first set S. A plurality of first sets S may be disposed.

빔분기 광학계(160)가 제어부(120)와 제1 세트(S) 사이에 배치될 수 있다. 빔분기 광학계(160)에 의해 제어부(120)를 통과한 광이 분기될 수 있다. 분기된 각각의 광은 각각의 제1 세트(S)에 입사할 수 있다. 빔분기 광학계(160)는 반사거울(161) 및 적어도 하나 이상의 반투명거울(162)을 포함할 수 있다. 제어부(120)를 통과한 광은 반사거울(161)에 의해 반사된 후 각각의 반투명거울(162)에 의해 각각의 제1 세트(S)에 입사할 수 있다. 하나의 반투명거울(162)에 하나의 제1 세트(S)가 대응되도록 배치될 수 있다.The beam splitting optical system 160 may be disposed between the controller 120 and the first set S. The light passing through the controller 120 may be split by the beam splitting optical system 160 . Each branched light may be incident on each first set S. The beam splitting optical system 160 may include a reflective mirror 161 and at least one translucent mirror 162 . The light passing through the control unit 120 may be reflected by the reflective mirrors 161 and then may be incident on each of the first sets S by the respective translucent mirrors 162 . One first set S may be disposed to correspond to one translucent mirror 162 .

제1 세트(S)를 통과한 분기된 레이저 빔이 가공단에 전달되어 레이저 드릴링(laser drilling)이 행해질 수 있다. 분기된 레이저 빔은 유기층에 전달되어 유기층에 컨택홀을 형성할 수 있다. 레이저 빔을 분기하여 복수의 빔으로 가공을 함에 따라 생산성을 향상시킬 수 있고 공정시간을 단축시킬 수 있다.The branched laser beam that has passed through the first set S may be delivered to the processing end to perform laser drilling. The branched laser beam may be transmitted to the organic layer to form a contact hole in the organic layer. By splitting the laser beam and processing it into a plurality of beams, productivity can be improved and process time can be shortened.

도 5는 보조전극(40)이 형성된 유기 발광 디스플레이 장치(100)를 개략적으로 도시한 단면도이다.5 is a cross-sectional view schematically illustrating the organic light emitting display device 100 in which the auxiliary electrode 40 is formed.

도 5를 참조하면, 본 실시예에 따른 유기 발광 디스플레이 장치(100)는 캐소드 전극(23) 및 보조전극(40)을 포함한다.Referring to FIG. 5 , the organic light emitting display apparatus 100 according to the present embodiment includes a cathode electrode 23 and an auxiliary electrode 40 .

기판(101) 상에는 유기 발광 소자(20) 및 유기 발광 소자(20)에 접속된 박막 트랜지스터(TFT; thin film transistor)(10)가 구비된다. 상기 도면에는 하나의 유기 발광 소자와 하나의 TFT(10)가 도시되어 있지만, 이는 설명의 편의를 위한 것으로 본 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 일부는 복수 개의 유기 발광 소자(20)와 복수 개의 TFT(10)를 포함할 수 있음은 물론이다.An organic light emitting device 20 and a thin film transistor (TFT) 10 connected to the organic light emitting device 20 are provided on the substrate 101 . Although one organic light emitting diode and one TFT 10 are illustrated in the drawings, this is for convenience of description and a part of the organic light emitting diode display according to the present embodiment includes a plurality of organic light emitting elements 20 and a plurality of TFTs 10 . It goes without saying that the TFT 10 may be included.

각 유기 발광 소자(20)의 구동을 TFT로 제어하는지 여부에 따라 수동 구동 형(PM: passive matrix) 및 능동 구동형(AM: active matrix)으로 나뉠 수 있다. 본 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 능동 및 수동 구동형 어느 경우에도 적용될 수 있다. 이하에서는 능동 구동형 유기 발광 표시 장치를 일 예로 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다.Depending on whether the driving of each organic light emitting device 20 is controlled by the TFT, it may be divided into a passive matrix (PM) and an active matrix (AM). The organic light emitting diode display according to the present exemplary embodiment may be applied to both active and passive driving types. Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described in detail using an active driving type organic light emitting diode display as an example.

기판(101) 상에는 기판(101)을 평탄화하고, 기판(101)으로부터 불순 원소가 침투하는 것을 차단하기 위하여 SiO2 및/또는 SiNx 등으로 형성된 버퍼층(31)이 구비될 수 있다. A buffer layer 31 formed of SiO 2 and/or SiN x or the like may be provided on the substrate 101 to planarize the substrate 101 and block penetration of impurity elements from the substrate 101 .

버퍼층(31) 상에는 TFT(10)의 활성층(11)이 반도체 재료로 형성된다. 활성층(11)은 다양한 물질을 함유하도록 형성할 수 있다. 예를들면 활성층(11)은 비정질 실리콘 또는 결정질 실리콘과 같은 무기 반도체 물질을 함유할 수 있다. 다른 예로서 활성층(11)은 산화물 반도체를 함유할 수 있다. 또 다른 예로서 활성층(11)은 유기 반도체 물질을 함유할 수 있다.On the buffer layer 31, the active layer 11 of the TFT 10 is formed of a semiconductor material. The active layer 11 may be formed to contain various materials. For example, the active layer 11 may contain an inorganic semiconductor material such as amorphous silicon or crystalline silicon. As another example, the active layer 11 may contain an oxide semiconductor. As another example, the active layer 11 may contain an organic semiconductor material.

활성층(11)을 덮도록 게이트 절연막(32)이 형성된다. 게이트 절연막(32) 상에는 게이트 전극(12)이 구비되고, 이를 덮도록 층간 절연막(33)이 형성된다. 그리고 층간 절연막(33) 상에는 소스 전극(13) 및 드레인 전극(14)이 구비되며, 이를 덮도록 패시베이션막(34) 및 평탄화막(35)이 순차로 구비된다.A gate insulating layer 32 is formed to cover the active layer 11 . A gate electrode 12 is provided on the gate insulating layer 32 , and an interlayer insulating layer 33 is formed to cover the gate electrode 12 . A source electrode 13 and a drain electrode 14 are provided on the interlayer insulating film 33 , and a passivation film 34 and a planarization film 35 are sequentially provided to cover them.

상기의 게이트 절연막(32), 층간 절연막(33), 패시베이션막(34), 및 평탄화막(35)은 절연체로 구비될 수 있으며, 무기물, 유기물, 또는 유/무기 복합물로 단층 또는 복수층의 구조로 형성될 수 있다. 한편, 상술한 TFT(10) 적층 구조는 일 예시이며, 이외에도 다양한 구조의 TFT가 모두 적용 가능하다. The gate insulating film 32 , the interlayer insulating film 33 , the passivation film 34 , and the planarization film 35 may be provided as an insulator, and have a single-layer or multi-layer structure with an inorganic material, an organic material, or an organic/inorganic composite. can be formed with Meanwhile, the above-described TFT 10 stacked structure is an example, and in addition to this, all TFTs of various structures are applicable.

전술한 평탄화막(35) 상부에는 유기 발광 소자(20)의 애노드 전극(21)이 형성되고, 이를 덮도록 절연물로 화소 정의막(36)(pixel defining layer)이 형성된다. 화소 정의막(36)에 애노드 전극(21)의 일부를 노출하는 소정의 개구부를 형성한 후, 이 개구부로 한정된 영역 내에 유기 발광 소자의 중간층(22)이 형성된다. 그리고, 전체 화소들을 모두 덮도록 유기 발광 소자(20)의 캐소드 전극(23)이 형성된다. 물론 애노드 전극(21)과 캐소드 전극(23)의 극성은 서로 반대로 바뀌어도 무방하다.The anode electrode 21 of the organic light emitting device 20 is formed on the above-described planarization layer 35 , and a pixel defining layer 36 is formed of an insulating material to cover it. After a predetermined opening exposing a portion of the anode 21 is formed in the pixel defining layer 36 , the intermediate layer 22 of the organic light emitting device is formed in the region defined by the opening. Then, the cathode electrode 23 of the organic light emitting device 20 is formed to cover all the pixels. Of course, the polarities of the anode electrode 21 and the cathode electrode 23 may be reversed.

애노드 전극(21)은 투명전극 또는 반사전극으로 구비될 수 있다. 투명전극으로 구비될 때에는 ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3로 형성될 수 있고, 반사전극으로 구비될 때에는 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr 또는 이들의 화합물 등으로 형성된 반사막과, 그 위에 ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3로 형성된 막을 구비할 수 있다. 캐소드 전극(23)은 투명전극 또는 반사전극으로 구비될 수 있는데, 투명전극으로 구비될 때는 Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Al, Ag, Mg, Yb 및 이들의 화합물이 중간층(22)을 향하도록 증착된 막으로 형성될 수 있다. 그리고 반사형 전극으로 구비될 때에는 Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Al, Mg 또는 이들의 화합물을 소정의 두께로 증착함으로써 구비될 수 있다. The anode electrode 21 may be provided as a transparent electrode or a reflective electrode. When provided as a transparent electrode, it may be formed of ITO, IZO, ZnO or In 2 O 3 , and when provided as a reflective electrode, Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, or their A reflective film formed of a compound or the like, and a film formed of ITO, IZO, ZnO, or In 2 O 3 thereon may be provided. The cathode electrode 23 may be provided as a transparent electrode or a reflective electrode, and when provided as a transparent electrode, Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Al, Ag, Mg, Yb, and a compound thereof, and the intermediate layer 22 ) can be formed as a film deposited toward the And when provided as a reflective electrode, it may be provided by depositing Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Al, Mg or a compound thereof to a predetermined thickness.

유기 발광 디스플레이 장치(100)가 전면 발광형일 때는 캐소드 전극(23)이 투명전극으로 구비될 수 있다. 이때 캐소드 전극(23)의 두께는 매우 얇게 형성될 수 있다. 캐소드 전극(23)의 두께는 1Å 이상 200Å 이하일 수 있다. 캐소드 전극(23)이 얇게 형성됨에 따라 캐소드 전극(23)의 저항이 증가하고, 이에 따라 IR Drop의 발생이 증가할 수 있다. 따라서 보조전극(40)을 통해 캐소드 전극(23)의 저항을 감소시킬 수 있다.When the organic light emitting display device 100 is a top emission type, the cathode electrode 23 may be provided as a transparent electrode. In this case, the thickness of the cathode electrode 23 may be formed to be very thin. The thickness of the cathode electrode 23 may be 1 Å or more and 200 Å or less. As the cathode electrode 23 is thinly formed, the resistance of the cathode electrode 23 may increase, and accordingly, the occurrence of IR drop may increase. Accordingly, the resistance of the cathode electrode 23 can be reduced through the auxiliary electrode 40 .

보조전극(40)은 평탄화막(35) 상에 형성될 수 있다. 보조전극(40)은 애노드 전극(21)과 같은 물질로 같은 공정에 의해 형성될 수 있다. 보조전극(40)은 캐소드 전극(23)과 접촉할 수 있다. 보조전극(40)은 중간층(22)에 형성된 컨택홀(H)을 통해 캐소드 전극(23)과 접촉할 수 있다. 이에 따라 캐소드 전극(23)의 저항을 감소시켜서 IR Drop의 발생을 감소시킬 수 있다.The auxiliary electrode 40 may be formed on the planarization layer 35 . The auxiliary electrode 40 may be formed of the same material as the anode electrode 21 by the same process. The auxiliary electrode 40 may contact the cathode electrode 23 . The auxiliary electrode 40 may contact the cathode electrode 23 through the contact hole H formed in the intermediate layer 22 . Accordingly, it is possible to reduce the occurrence of IR drop by reducing the resistance of the cathode electrode 23 .

애노드 전극(21)과 캐소드 전극(23) 사이에 구비되는 중간층(22)은 저분자 또는 고분자 유기물로 구비될 수 있다. 저분자 유기물을 사용할 경우 중간층(22)을 사이에 두고, 홀 주입층(HIL: hole injection layer)(미도시), 홀 수송층(HTL: hole transport layer)(미도시), 전자 수송층(ETL: electron transport layer)(미도시), 전자 주입층(EIL: electron injection layer)(미도시) 등이 단일 혹은 복합의 구조로 적층되어 형성될 수 있다.The intermediate layer 22 provided between the anode electrode 21 and the cathode electrode 23 may be formed of a low molecular weight or high molecular weight organic material. In the case of using a low molecular weight organic material, with the intermediate layer 22 interposed therebetween, a hole injection layer (HIL) (not shown), a hole transport layer (HTL) (not shown), an electron transport layer (ETL: electron transport) layer) (not shown), an electron injection layer (EIL) (not shown), etc. may be stacked in a single or complex structure.

고분자 유기물의 경우 중간층(22)으로부터 애노드 전극 측으로 홀 수송층(HTL)(미도시)이 더 구비된 구조를 가질 수 있다.In the case of a polymer organic material, it may have a structure in which a hole transport layer (HTL) (not shown) is further provided from the intermediate layer 22 toward the anode electrode.

중간층(22)에는 캐소드 전극(23)과 보조전극(40)의 접촉을 위한 컨택홀(H)이 형성될 수 있다.A contact hole H for contact between the cathode electrode 23 and the auxiliary electrode 40 may be formed in the intermediate layer 22 .

상술한 실시예에서는 중간층(22)이 개구 내부에 형성되어 각 픽셀별로 별도의 발광 물질이 형성된 경우를 예로 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 중간층(22)은 픽셀의 위치에 관계 없이 화소 정의막(36) 전체에 공통으로 형성될 수 있다. 이때, 유기 발광층은 예를 들어, 적색, 녹색 및 청색의 빛을 방출하는 발광 물질을 포함하는 층이 수직으로 적층되거나 혼합되어 형성될 수 있다. 물론, 백색광을 방출할 수 있다면 다른 색의 조합이 가능함은 물론이다. 또한, 상기 방출된 백색광을 소정의 컬러로 변환하는 색변환층이나, 컬러 필터를 더 구비할 수 있다.In the above-described embodiment, the case where the intermediate layer 22 is formed inside the opening and a separate light emitting material is formed for each pixel has been described as an example, but the present invention is not limited thereto. The intermediate layer 22 may be formed in common throughout the pixel defining layer 36 irrespective of the position of the pixel. In this case, the organic light emitting layer may be formed by vertically stacking or mixing layers including light emitting materials emitting red, green and blue light, for example. Of course, other color combinations are possible as long as white light can be emitted. In addition, a color conversion layer for converting the emitted white light into a predetermined color or a color filter may be further provided.

이러한 유기 발광 소자(20)는 수분 또는 산소 등과 같은 물질에 의해 쉽게 열화되기 때문에, 유기 발광 소자(20)를 덮도록 봉지층(미도시)이 배치될 수 있다.Since the organic light emitting device 20 is easily deteriorated by a material such as moisture or oxygen, an encapsulation layer (not shown) may be disposed to cover the organic light emitting device 20 .

도 6a 내지 도 6d는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 디스플레이 장치(100)의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도이다.6A to 6D are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing the organic light emitting display device 100 according to an exemplary embodiment.

먼저 도 6a에 도시된 바와 같이, 보조전극(40)을 형성한다. 보조전극(40)은 평탄화막(35) 상에 형성될 수 있다. 보조전극(40)은 애노드 전극(21)과 동일한 물질로 형성될 수 있다. 보조전극(40)은 애노드 전극(21)과 동일한 공정에서 형성될 수 있다.First, as shown in FIG. 6A , an auxiliary electrode 40 is formed. The auxiliary electrode 40 may be formed on the planarization layer 35 . The auxiliary electrode 40 may be formed of the same material as the anode electrode 21 . The auxiliary electrode 40 may be formed in the same process as the anode electrode 21 .

다음으로, 도 6b에 도시된 바와 같이, 보조전극(40) 상에 중간층(22)을 형성한다. 보조전극(40) 상에 보조전극(40)의 단부를 덮는 화소 정의막(36)을 형성한 후 그 위에 중간층(22)을 형성할 수 있다.Next, as shown in FIG. 6B , an intermediate layer 22 is formed on the auxiliary electrode 40 . After forming the pixel defining layer 36 covering the end of the auxiliary electrode 40 on the auxiliary electrode 40 , the intermediate layer 22 may be formed thereon.

다음으로, 도 6c에 도시된 바와 같이, 중간층(22)에 컨택홀(H)을 형성한다. 컨택홀(H)은 레이저 빔(L)을 조사하여 형성할 수 있다. 레이저 빔(L)은 앞에서 설명한 레이저 빔 조사 장치에 의해 조사될 수 있다.Next, as shown in FIG. 6C , a contact hole H is formed in the intermediate layer 22 . The contact hole H may be formed by irradiating the laser beam L. The laser beam L may be irradiated by the laser beam irradiator described above.

레이저 광원(도 1, 110), 상기 레이저 광원(110)에서 발진된 광의 에너지를 제어하는 제어부(도 1, 120), 상기 제어부(120)를 통과한 광의 형상을 조절하는 제1 광학계(도 1, 130), 상기 제1 광학계(130)를 통과한 광의 조사 방향을 조절하는 스캐너(140) 및 상기 스캐너(140)를 통과한 빔을 축소시키는 에프시타 렌즈(F-theta lens)(도 1, 150);를 포함하는 레이저 빔 조사 장치를 이용하여 레이저 빔(L)을 조사하여 컨택홀(H)을 형성함으로써, 레이저 빔(L)을 조사하는 과정에서 발생하는 입자(221)가 가스 형태로 방출될 수 있다. 이에 따라 입자(221)에 따른 컨택홀(H) 주변의 오염을 방지하고, 캐소드 전극(23)과 접촉하는 보조전극(40)을 형성하는 공정이 단순화될 수 있다. 레이저 빔(L)을 조사하는 과정에서 발생하는 입자(221)의 크기는 가스 형태로 방출될 수 있는 정도의 크기일 수 있다. 레이저 빔(L)을 조사하는 과정에서 발생하는 입자(221)의 크기는 20nm 미만일 수 있다. 중간층(22)에 레이저 빔(L)을 조사하여 컨택홀(H)을 형성하는 단계는 진공에서 이루어질 수 있다. 레이저 빔(L)을 조사하는 과정에서 발생하는 입자(221)가 가스 형태로 방출될 수 있으므로, 진공에서 소자의 오염을 최소화하여 컨택홀(H)을 형성할 수 있다. A laser light source ( FIGS. 1 and 110 ), a controller ( FIGS. 1 and 120 ) for controlling the energy of the light oscillated from the laser light source 110 , and a first optical system for controlling the shape of the light passing through the controller 120 ( FIG. 1 ) , 130), a scanner 140 that adjusts the irradiation direction of the light that has passed through the first optical system 130, and an F-theta lens that reduces the beam that has passed through the scanner 140 (FIG. 1, 150); by irradiating a laser beam (L) using a laser beam irradiation device including can be emitted. Accordingly, contamination around the contact hole H caused by the particles 221 may be prevented, and the process of forming the auxiliary electrode 40 in contact with the cathode electrode 23 may be simplified. The size of the particles 221 generated in the process of irradiating the laser beam L may be large enough to be emitted in the form of a gas. The size of the particles 221 generated in the process of irradiating the laser beam L may be less than 20 nm. The forming of the contact hole H by irradiating the laser beam L on the intermediate layer 22 may be performed in a vacuum. Since the particles 221 generated in the process of irradiating the laser beam L may be emitted in the form of a gas, the contact hole H may be formed by minimizing contamination of the device in a vacuum.

다음으로, 도 6d에 도시된 바와 같이, 중간층(22) 상에 캐소드 전극(23)을 형성한다. 캐소드 전극(23)은 컨택홀(H)을 통해 보조전극(40)과 접촉할 수 있다. 캐소드 전극(23)은 Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Al, Ag, Mg, Yb 및 이들의 화합물을 포함할 수 있다. 캐소드 전극(23)의 두께는 1Å 이상 200Å 이하일 수 있다.Next, as shown in FIG. 6D , a cathode electrode 23 is formed on the intermediate layer 22 . The cathode electrode 23 may contact the auxiliary electrode 40 through the contact hole H. The cathode electrode 23 may include Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Al, Ag, Mg, Yb, and a compound thereof. The thickness of the cathode electrode 23 may be 1 Å or more and 200 Å or less.

이와 같이 본 발명은 도면에 도시된 일 실시예를 참고로 하여 설명하였으나 이는 예시적인 것에 불과하며 당해 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 실시예의 변형이 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.As described above, the present invention has been described with reference to one embodiment shown in the drawings, but it will be understood that various modifications and variations of the embodiments are possible therefrom by those of ordinary skill in the art. Accordingly, the true technical protection scope of the present invention should be determined by the technical spirit of the appended claims.

110: 레이저 광원 120: 제어부
130: 제1 광학계 140: 스캐너
150: 에프시타 렌즈110: laser light source 120: control unit
130: first optical system 140: scanner
150: f theta lens

Claims (8)

진공상태에서 수행되며, 제1전극, 화소정의막 및 보조전극 상의 중간층 중 상기 보조전극에 배치된 상기 중간층의 일부를 제거하여 상기 보조전극을 노출시키는 레이저 빔 조사 장치에 있어서,
상기 레이저 빔 조사 장치는,
레이저 광원;
상기 레이저 광원에서 발진된 광의 에너지를 제어하는 제어부;
상기 제어부를 통과한 광의 형상을 조절하는 제1 광학계;
상기 제1 광학계를 통과한 광의 조사 방향을 조절하여 가공부에서 가공 포인트를 결정하는 스캐너; 및
상기 스캐너를 통과한 빔을 축소시키는 에프시타 렌즈(F-theta lens);를 포함하고,
상기 제1 광학계는,
상기 제어부를 통과한 광의 일부 영역을 투과시키는 슬릿;을 포함하며,
상기 레이저 광원에서 발진된 광은 상기 제어부, 상기 제1 광학계, 상기 스캐너 및 상기 에프시타 렌즈를 순차적으로 통과하고, 상기 제어부, 상기 제1 광학계, 상기 스캐너 및 상기 에프시타 렌즈를 순차적으로 통과한 광은 상기 보조전극 상의 상기 중간층을 제거하는 레이저 빔 조사 장치.In the laser beam irradiation apparatus performed in a vacuum state, the auxiliary electrode is exposed by removing a part of the intermediate layer disposed on the auxiliary electrode among the first electrode, the pixel defining layer, and the intermediate layer on the auxiliary electrode,
The laser beam irradiation device,
laser light source;
a control unit controlling the energy of the light oscillated from the laser light source;
a first optical system for controlling the shape of the light passing through the control unit;
a scanner for determining a processing point in the processing unit by adjusting the irradiation direction of the light that has passed through the first optical system; and
Including; F-theta lens for reducing the beam passing through the scanner;
The first optical system,
Including; a slit for transmitting a partial region of the light that has passed through the control unit;
The light oscillated from the laser light source sequentially passes through the control unit, the first optical system, the scanner, and the fcita lens, and the light sequentially passes through the control unit, the first optical system, the scanner, and the fcita lens. A laser beam irradiation device for removing the intermediate layer on the auxiliary electrode. 제 1 항에 있어서,
상기 제어부는 AOM(acusto optic modulator)를 포함하는 레이저 빔 조사 장치.The method of claim 1,
The control unit is a laser beam irradiation device including an acusto optic modulator (AOM). 제 1 항에 있어서,
상기 제1 광학계는,
상기 슬릿을 통과한 광의 단면 크기를 축소시키는 리듀서(Reducer);를 더 포함하는 레이저 빔 조사 장치.The method of claim 1,
The first optical system,
Laser beam irradiation apparatus further comprising a; reducer (Reducer) for reducing the cross-sectional size of the light passing through the slit. 제 1 항에 있어서,
상기 제1 광학계는,
상기 슬릿을 통과한 광을 플랫탑 빔(flat-top beam)으로 변환하는 호모지나이저(homogenizer);를 더 포함하는 레이저 빔 조사 장치.The method of claim 1,
The first optical system,
Laser beam irradiation apparatus further comprising a; homogenizer (homogenizer) for converting the light passing through the slit into a flat-top beam (flat-top beam). 제 1 항에 있어서,
상기 제1 광학계는,
상기 슬릿을 통과한 광의 단면 크기를 조절하는 줌 빔 익스펜터(zoom beam expander);를 더 포함하는 레이저 빔 조사 장치.The method of claim 1,
The first optical system,
Laser beam irradiation apparatus further comprising a; zoom beam expander (zoom beam expander) for adjusting the cross-sectional size of the light passing through the slit. 제 1 항에 있어서,
상기 제1 광학계, 상기 스캐너 및 상기 에프시타 렌즈는 제1 세트;를 구성하고,
상기 제1 세트는 복수개 배치되며,
상기 제어부와 상기 제1 세트 사이에 빔분기 광학계;가 배치되고,
상기 빔분기 광학계에 의해 분기된 각각의 광이 상기 각각의 제1 세트에 입사하는 레이저 빔 조사 장치.The method of claim 1,
The first optical system, the scanner, and the F-theta lens constitute a first set;
The first set is arranged in plurality,
A beam splitting optical system is disposed between the control unit and the first set;
A laser beam irradiating apparatus in which each light branched by the beam splitting optical system is incident on the respective first set. 제 6 항에 있어서,
상기 빔분기 광학계는 적어도 하나 이상의 반투명거울을 포함하는 레이저 빔 조사 장치.7. The method of claim 6,
The beam splitting optical system is a laser beam irradiation device comprising at least one or more translucent mirrors. 제 1 항에 있어서,
상기 레이저 빔을 조사하는 과정에서 발생하는 입자는 가스 형태로 방출되며,
상기 입자의 크기는 20nm 미만인 레이저 빔 조사 장치. The method of claim 1,
Particles generated in the process of irradiating the laser beam are emitted in the form of gas,
The size of the particle is less than 20nm laser beam irradiation device.
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